JP6687442B2 - Utilization of polyamic acid, polyimide, polyamic acid solution, and polyimide - Google Patents

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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Description

本発明は、ポリアミド酸、ポリイミド、およびポリアミド酸溶液に関する。本発明は、さらに、ポリイミドを用いた電子デバイス材料、TFT基板、フレキシブルディスプレイ基板、カラーフィルター、印刷物、光学材料、液晶表示装置、有機EL及び電子ペーパー等の画像表示装置、3−Dディスプレイ、太陽電池、タッチパネル、透明導電膜基板等、現在ガラスが使用されている部分の代替材料に関する。   The present invention relates to polyamic acid, polyimide, and polyamic acid solution. The present invention further provides an electronic device material using polyimide, a TFT substrate, a flexible display substrate, a color filter, a printed matter, an optical material, a liquid crystal display device, an image display device such as an organic EL and electronic paper, a 3-D display, and a sun. The present invention relates to a substitute material for a portion where glass is currently used, such as a battery, a touch panel, and a transparent conductive film substrate.

近年、液晶、有機EL、電子ペーパー等のディスプレイや、太陽電池、タッチパネル等のエレクトロニクスの急速な進歩に伴い、デバイスの薄型化や軽量化、更には、フレキシブル化が要求されている。そこでこれらのデバイスに用いられているガラス基板に代えて、薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能なプラスチックフィルム基板が検討されている。   2. Description of the Related Art In recent years, with the rapid progress of displays such as liquid crystal, organic EL, and electronic paper, and electronics such as solar cells and touch panels, there has been a demand for thinner and lighter devices, and further for flexibility. Therefore, in place of the glass substrate used for these devices, a plastic film substrate which is thin, lightweight and flexible is being studied.

これらのデバイスでは、基板上に様々な電子素子、例えば、薄膜トランジスタや透明電極等が形成されており、これらの電子素子の形成には高温プロセスが必要である。そのため、プラスチックフィルム基板には高温プロセスに適応できるだけの十分な耐熱性が必要とされる。また無機材料からなるこれらの電子素子をフィルム上に形成した場合、無機材料とフィルムの線熱膨張係数の違いにより、無機素子の形成後フィルムが反ったり、更には、無機素子が破壊されてしまう恐れがあった。このため、耐熱性を有しながら、無機材料と同等の線熱膨張係数を有する材料が望まれていた。   In these devices, various electronic elements such as thin film transistors and transparent electrodes are formed on a substrate, and a high temperature process is required to form these electronic elements. Therefore, the plastic film substrate is required to have sufficient heat resistance so that it can be applied to a high temperature process. When these electronic elements made of an inorganic material are formed on a film, the film may warp after the formation of the inorganic element or the inorganic element may be destroyed due to the difference in the linear thermal expansion coefficient between the inorganic material and the film. I was afraid. Therefore, a material having a thermal expansion coefficient and a linear thermal expansion coefficient equivalent to that of an inorganic material has been desired.

さらに、表示素子(液晶、有機ELなど)から発せられる光がプラスチックフィルム基板を通って出射されるような場合(例えば、ボトムエミッション型の有機ELなど)、プラスチックフィルム基板には透明性が必要となる。特に、可視光領域である400nm以下の波長領域での光透過率が高いことが要求される。   Further, when the light emitted from the display element (liquid crystal, organic EL, etc.) is emitted through the plastic film substrate (for example, bottom emission type organic EL, etc.), the plastic film substrate needs to be transparent. Become. In particular, it is required that the light transmittance be high in the wavelength region of 400 nm or less, which is the visible light region.

これらデバイスの作製プロセスはバッチタイプとロール・トゥ・ロールタイプに分けられる。ロール・トゥ・ロールの作製プロセスを用いる場合には、新たな設備が必要となり、さらに回転と接触に起因するいくつかの問題を克服しなければならない。一方、バッチタイプは、ガラス基板上にコーティング樹脂溶液を塗布、乾燥し、基板形成した後、剥がすというプロセスになる。そのため、バッチタイプは、現行TFT等のガラス基板用プロセス設備を利用することができるため、コスト面で優位である。
しかし、バッチタイプではガラス基板とガラス基板上に形成した樹脂基板との密着性が乏しいと、製造プロセスに適応できないことが考えられる。
The fabrication process of these devices is divided into batch type and roll-to-roll type. When using a roll-to-roll fabrication process, new equipment is required and some problems due to rotation and contact must be overcome. On the other hand, the batch type is a process in which a coating resin solution is applied on a glass substrate, dried to form a substrate, and then peeled off. Therefore, the batch type is advantageous in terms of cost because it can utilize the glass substrate process equipment such as the current TFT.
However, in the batch type, if the adhesion between the glass substrate and the resin substrate formed on the glass substrate is poor, it may not be applicable to the manufacturing process.

このような背景から、既存のバッチプロセス対応が可能で、耐熱性、低熱膨張性、透明性、さらにはガラスなどの無機基板との密着性に優れた材料の開発が強く望まれている。
上記の要求を満たす材料として、耐熱性に優れることが知られているポリイミド系材料が検討されている。透明性が高く、さらに低熱膨張性を示すポリイミドを得ようとする場合、剛直な構造のモノマーや脂環式モノマーが一般に用いられている(特許文献1、2)。また、シランカップリング剤を用いることで無機基板との密着性が向上することが知られている(特許文献3)
From such a background, it is strongly desired to develop a material which can be applied to an existing batch process and has excellent heat resistance, low thermal expansion property, transparency, and excellent adhesion to an inorganic substrate such as glass.
As a material satisfying the above requirements, a polyimide-based material which is known to have excellent heat resistance has been studied. In order to obtain a polyimide having high transparency and low thermal expansion, a monomer having a rigid structure or an alicyclic monomer is generally used (Patent Documents 1 and 2). Further, it is known that the adhesion to an inorganic substrate is improved by using a silane coupling agent (Patent Document 3).

日本国公開特許公報「特開2002−161136号公報(2002年6月4日公開)」Japanese Patent Laid-Open Publication "Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-161136 (Published June 4, 2002)" 日本国公開特許公報「特開2012−41530号公報(2012年3月1日公開)」Japanese Unexamined Patent Publication "JP 2012-41530 A (Published March 1, 2012)" 日本国公開特許公報「特開2014−9305号公報(2014年1月20日公開)」Japanese Unexamined Patent Publication “JP-A-2014-9305 (Published January 20, 2014)”

しかしながら、特許文献1〜3のいずれにも、透明性、耐熱性、低熱膨張性に優れ、さらには、無機基板との密着性にすぐれるポリイミドは記載されていない。   However, none of Patent Documents 1 to 3 describes a polyimide that is excellent in transparency, heat resistance, and low thermal expansion, and further has excellent adhesiveness to an inorganic substrate.

本発明は、上記実情を鑑みて成し遂げられたものであり、耐熱性、低熱膨張性、透明性に優れ、さらに無機基板との密着性を示すポリイミド、およびその前駆体としてのポリアミド酸を得ることを目的とする。さらに、当該ポリイミド、およびポリアミド酸を用いて耐熱性および透明性の要求の高い製品又は部材を提供することを目的とする。特に、本発明のポリイミド、およびポリアミド酸を、ガラス、金属、金属酸化物及び単結晶シリコン等の無機物表面に形成する用途に適用した製品、及び部材を提供することを目的とする。   The present invention has been accomplished in view of the above circumstances, heat resistance, low thermal expansion, a polyimide excellent in transparency, further showing adhesion to an inorganic substrate, and to obtain a polyamic acid as a precursor thereof. With the goal. Further, it is an object of the present invention to provide a product or member which is required to have high heat resistance and transparency by using the polyimide and polyamic acid. In particular, it is an object of the present invention to provide a product and a member in which the polyimide and the polyamic acid of the present invention are applied to the surface of an inorganic material such as glass, metal, metal oxide and single crystal silicon.

本願発明者らは、前述の課題解決のために鋭意検討を行った結果、耐熱性、低熱膨張性、および透明性に優れ、さらには無機基板との優れた密着性を示すポリイミドを得るためには、骨格中に剛直な構造および脂環構造を導入し、さらにはパラ芳香族エステル内包モノマーを併用することが有効であることを見出した。   As a result of intensive investigations for solving the above-mentioned problems, the present inventors have obtained heat-resistant, low thermal expansion, and excellent transparency, and further, to obtain a polyimide showing excellent adhesion with an inorganic substrate. Have found that it is effective to introduce a rigid structure and an alicyclic structure into the skeleton and to use a paraaromatic ester-encapsulating monomer in combination.

すなわち本発明は下記[1]〜[17]に関する。
[1]一般式(1)のくり返し単位で表されるポリアミド酸であって、
構成単位のうち、一般式中Aが(2)と(3)を含み、B中に少なくとも50mol%以上(4)を含むことを特徴とするポリアミド酸。
That is, the present invention relates to the following [1] to [17].
[1] A polyamic acid represented by the repeating unit of the general formula (1),
Among the structural units, A in the general formula, A contains (2) and (3), and B contains at least 50 mol% or more of (4), a polyamic acid.

Figure 0006687442
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[2]前記(1)で表される構成単位A中の少なくとも80mol%以上が前記(2)と前記(3)で占められ、前記(2)/前記(3)で表されるモル比が99/1〜1/99の範囲であることを特徴とする[1]に記載するポリアミド酸。   [2] At least 80 mol% or more of the structural unit A represented by (1) is occupied by (2) and (3), and the molar ratio represented by (2) / (3) is The polyamic acid according to [1], which is in the range of 99/1 to 1/99.

[3]前記(1)で表される構成単位A中の少なくとも80mol%以上が前記(2)と前記(3)で占められ、前記(2)/前記(3)で表されるモル比が99/1〜70/30の範囲であることを特徴とする[2]に記載するポリアミド酸。   [3] At least 80 mol% or more of the structural unit A represented by (1) is occupied by (2) and (3), and the molar ratio represented by (2) / (3) is The polyamic acid according to [2], which is in the range of 99/1 to 70/30.

[4][1]から[3]のいずれか一項に記載のポリアミド酸と有機溶媒とを含有するポリアミド酸溶液。   [4] A polyamic acid solution containing the polyamic acid according to any one of [1] to [3] and an organic solvent.

[5][4]に記載のポリアミド酸溶液を支持体に塗工して得られたことを特徴とするポリイミドの製造方法。   [5] A method for producing a polyimide, which is obtained by applying the polyamic acid solution according to [4] to a support.

[6]一般式(5)で表されるポリイミドであって   [6] A polyimide represented by the general formula (5),

Figure 0006687442
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構成単位のうち、一般式中Aが(2)と(3)を含み、B中に少なくとも50mol%以上(4)を含むことを特徴とするポリイミド。 Among the constitutional units, in the general formula, A contains (2) and (3), and B contains at least 50 mol% or more (4).

[7]前記(5)で表される構成単位A中の少なくとも80mol%以上が前記(2)と前記(3)で占められ、前記(2)/前記(3)で表されるモル比が99/1〜1/99の範囲であることを特徴とする[6]に記載するポリイミド。   [7] At least 80 mol% or more of the structural unit A represented by (5) is occupied by (2) and (3), and the molar ratio represented by (2) / (3) is The polyimide described in [6], which is in the range of 99/1 to 1/99.

[8]前記(5)で表される構成単位A中の少なくとも80mol%以上が前記(2)と前記(3)で占められ、前記(2)/前記(3)で表されるモル比が99/1〜70/30の範囲であることを特徴とする[7]に記載するポリイミド。   [8] At least 80 mol% or more of the structural unit A represented by (5) is occupied by (2) and (3), and the molar ratio represented by (2) / (3) is The polyimide described in [7], which is in the range of 99/1 to 70/30.

[9]膜厚が10〜15μmのときの波長400nmにおける光透過率が50%以上であることを特徴とする[6]から[8]のいずれか一項に記載のポリイミド。   [9] The polyimide according to any one of [6] to [8], which has a light transmittance of 50% or more at a wavelength of 400 nm when the film thickness is 10 to 15 μm.

[10]膜厚が10〜15μmのときの100〜300℃における熱膨張係数が20ppm/K以下であることを特徴とする[6]〜[9]のいずれか一項に記載のポリイミド。   [10] The polyimide according to any one of [6] to [9], which has a thermal expansion coefficient of 20 ppm / K or less at 100 to 300 ° C. when the film thickness is 10 to 15 μm.

[11]ガラス転移温度が300℃以上であることを特徴とする[6]〜[10]のいずれか一項に記載のポリイミド。   [11] The polyimide according to any one of [6] to [10], which has a glass transition temperature of 300 ° C. or higher.

[12]無機層との90度ピール強度が0.03N/cm以上であることを特徴とする[6]〜[11]のいずれか一項に記載のポリイミド。   [12] The polyimide according to any one of [6] to [11], which has a 90-degree peel strength of 0.03 N / cm or more with the inorganic layer.

[13]膜厚が10〜15μmのときのCut off波長が340nm以上であることを特徴とする請求項[6]〜[12]いずれか一項に記載のポリイミド。   [13] The cut-off wavelength is 340 nm or more when the film thickness is 10 to 15 µm, and the polyimide according to any one of [6] to [12].

[14][6]〜[13]のいずれか一項に記載のポリイミドを含有する基板。   [14] A substrate containing the polyimide according to any one of [6] to [13].

[15][6]〜[13]のいずれか一項に記載のポリイミドを含有する光学材料。   [15] An optical material containing the polyimide according to any one of [6] to [13].

[16][6]〜[13]のいずれか一項に記載のポリイミドを含有する画像表示装置。   [16] An image display device containing the polyimide according to any one of [6] to [13].

[17][6]〜[13]のいずれか一項に記載のポリイミドを含有する電子デバイス。   [17] An electronic device containing the polyimide according to any one of [6] to [13].

上記本発明に係るポリアミド酸を用いて製造されるポリイミドは、耐熱性、低熱膨張性、および透明性に加えて、無機基板との密着性を有する。そのため、本発明に係るポリイミド、および本発明に係るポリアミド酸は、耐熱性、低熱膨張性、および透明性、無機基板との密着性を有することが必要とされる部材用のフィルムや基板として好適である。   The polyimide produced by using the polyamic acid according to the present invention has heat resistance, low thermal expansion property, transparency, and adhesiveness with an inorganic substrate. Therefore, the polyimide according to the present invention and the polyamic acid according to the present invention are suitable as a film or a substrate for a member that is required to have heat resistance, low thermal expansion property, transparency, and adhesiveness with an inorganic substrate. Is.

以下において本発明を詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   The present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited thereto.

本発明にかかるポリアミド酸は、一般式(1)のくり返し単位で表されるポリアミド酸であって、構成単位のうち、一般式中Aが(2)と(3)を含み、B中に少なくとも50mol%以上(4)を含む。   The polyamic acid according to the present invention is a polyamic acid represented by the repeating unit of the general formula (1), and in the structural unit, A in the general formula includes (2) and (3), and B has at least Includes 50 mol% or more (4).

Figure 0006687442
Figure 0006687442

一般式(1)中のBは低線熱膨張性の観点から1,4−シクロヘキサンジアミン残基のトランス体であることが望ましい。また、透明性の観点から(4)は50mol%以上、好ましくは70mol%以上、さらに好ましくは90mol%以上が望ましい。   From the viewpoint of low linear thermal expansion, B in the general formula (1) is preferably a trans form of 1,4-cyclohexanediamine residue. From the viewpoint of transparency, it is desirable that (4) is 50 mol% or more, preferably 70 mol% or more, and more preferably 90 mol% or more.

また特性に影響を与えない範囲であれば任意のジアミンを共重合させることが出来る。例えば1,4−フェニレンジアミン、1,3−フェニレンジアミン、4,4’−オキシジアニリン、3,4’−オキシジアニリン、4,4’−ジアミノベンズアニリド、4’−アミノフェニル−4−アミノベンゼン、N,N’−ビス(4−アミノフェニル)テレフタルアミド、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、m−トリジン、o−トリジン、4,4’−ビス(アミノフェノキシ)ビフェニル、2−(4−アミノフェニル)−6−アミノベンゾオキサゾール、3,5−ジアミノ安息香酸、4,4’−ジアミノ−3,3’ジヒドロキシビフェニル、4,4’−メチレンビス(シクロヘキサンアミン)、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン及びそれらの類似物が挙げられ、これらを単独または2種類以上用いることが出来る。   Further, any diamine can be copolymerized as long as it does not affect the characteristics. For example, 1,4-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine, 4,4′-oxydianiline, 3,4′-oxydianiline, 4,4′-diaminobenzanilide, 4′-aminophenyl-4- Aminobenzene, N, N′-bis (4-aminophenyl) terephthalamide, 2,2′-bis (trifluoromethyl) benzidine, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, m-tolidine, o-tolidine, 4, 4'-bis (aminophenoxy) biphenyl, 2- (4-aminophenyl) -6-aminobenzoxazole, 3,5-diaminobenzoic acid, 4,4'-diamino-3,3'dihydroxybiphenyl, 4,4 '-Methylenebis (cyclohexanamine), 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane and the like Goods and the like, can be used alone or two or more kinds.

一般式(1)中のAは低熱膨張性の観点から、前記(2)と前記(3)を少なくとも80mol%以上含み、無機基板との密着性の観点から、前記(2)/前記(3)のモル比が99/1〜1/99であることが好ましく、さらに好ましくは1/99〜30/70、より好ましくは5/95〜20/80であることが望ましい。   From the viewpoint of low thermal expansion, A in the general formula (1) contains at least 80 mol% or more of the above (2) and (3), and from the viewpoint of adhesion to an inorganic substrate, the above (2) / the above (3) The molar ratio of () is preferably 99/1 to 1/99, more preferably 1/99 to 30/70, and further preferably 5/95 to 20/80.

また特性に影響を与えない範囲であれば任意の酸二無水物を共重合させることが出来る。例えばピロメリット酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−オキシフタル酸二無水物、9,9−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物、4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物、ジシクロヘキシル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、2’−オキソジスピロ[2.2.1]ヘプタン−2,1’’−シクロヘプタン−3,2’’−ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,5’−6,6’−テトラカルボン酸二無水物及びそれらの類似物が挙げられ、これらを単独または2種類以上用いることが出来る。   Further, any acid dianhydride can be copolymerized as long as it does not affect the characteristics. For example, pyromellitic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'- Biphenyl tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxyphthalic dianhydride, 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl ) Fluorenoic dianhydride, 4,4 '-(hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride, dicyclohexyl-3,3', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5- Cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 2'-oxodisspiro [2.2.1] heptane-2,1 ''-cycloheptane-3,2 ''-bicyclo [2. .1] heptane -5,5'-6,6'-tetracarboxylic acid dianhydride and the like thereof, with can be used alone or two or more kinds.

ガラス等の支持体上にポリアミド酸溶液を塗布し、加熱してイミド化し、電子素子等を形成して基板形成した後、剥がすという、バッチタイプのデバイス作製プロセスにおいては、支持体とポリイミドとの間の密着性が良いことが必要である。   In a batch type device manufacturing process of coating a polyamic acid solution on a support such as glass, heating it to imidize it, forming an electronic element or the like to form a substrate, and then peeling it off, It is necessary that the adhesion between them is good.

本発明にかかるポリイミドは一般式(5)で表されるくり返し単位からなるポリイミドであって、構成単位のうち、一般式中Aが(2)と(3)を含み、B中に少なくとも50mol%以上(4)を含む。   The polyimide according to the present invention is a polyimide comprising a repeating unit represented by the general formula (5), in which A in the general formula includes (2) and (3), and at least 50 mol% in B in the general formula. Including (4) above.

Figure 0006687442
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一般式(5)中のBは低線熱膨張性の観点から1,4−シクロヘキサンジアミン残基のトランス体であることが望ましい。また、透明性の観点から(4)は50mol%以上、好ましくは70mol%以上、さらに好ましくは90mol%以上が望ましい。   B in the general formula (5) is preferably a trans form of 1,4-cyclohexanediamine residue from the viewpoint of low linear thermal expansion. From the viewpoint of transparency, it is desirable that (4) is 50 mol% or more, preferably 70 mol% or more, and more preferably 90 mol% or more.

また特性に影響を与えない範囲であれば任意のジアミンを共重合させることが出来る。例えば1,4−フェニレンジアミン、1,3−フェニレンジアミン、4,4’−オキシジアニリン、3,4’−オキシジアニリン、4,4’−ジアミノベンズアニリド、4’−アミノフェニル−4−アミノベンゼン、N,N’−ビス(4−アミノフェニル)テレフタルアミド、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、m−トリジン、o−トリジン、4,4’−ビス(アミノフェノキシ)ビフェニル、2−(4−アミノフェニル)−6−アミノベンゾオキサゾール、3,5−ジアミノ安息香酸、4,4’−ジアミノ−3,3’ジヒドロキシビフェニル、4,4’−メチレンビス(シクロヘキサンアミン)、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン及びそれらの類似物が挙げられ、これらを単独または2種類以上用いることが出来る。   Further, any diamine can be copolymerized as long as it does not affect the characteristics. For example, 1,4-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine, 4,4′-oxydianiline, 3,4′-oxydianiline, 4,4′-diaminobenzanilide, 4′-aminophenyl-4- Aminobenzene, N, N′-bis (4-aminophenyl) terephthalamide, 2,2′-bis (trifluoromethyl) benzidine, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, m-tolidine, o-tolidine, 4, 4'-bis (aminophenoxy) biphenyl, 2- (4-aminophenyl) -6-aminobenzoxazole, 3,5-diaminobenzoic acid, 4,4'-diamino-3,3'dihydroxybiphenyl, 4,4 '-Methylenebis (cyclohexanamine), 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane and the like Goods and the like, can be used alone or two or more kinds.

一般式(5)中のAは低熱膨張性の観点から、前記(2)と前記(3)を少なくとも80mol%以上含み、無機基板との密着性の観点から、前記(2)/前記(3)のモル比が99/1〜1/99であることが好ましく、さらに好ましくは1/99〜30/70、より好ましくは5/95〜20/80であることが望ましい。   A in the general formula (5) contains at least 80 mol% or more of the above (2) and (3) from the viewpoint of low thermal expansion, and from the viewpoint of adhesion to an inorganic substrate, (2) / (3) above. The molar ratio of () is preferably 99/1 to 1/99, more preferably 1/99 to 30/70, and further preferably 5/95 to 20/80.

また特性に影響を与えない範囲であれば任意の酸二無水物を共重合させることが出来る。例えばピロメリット酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−オキシフタル酸二無水物、9,9−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物、4,4’−(ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸無水物、ジシクロヘキシル−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、2’−オキソジスピロ[2.2.1]ヘプタン−2,1’’−シクロヘプタン−3,2’’−ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,5’−6,6’−テトラカルボン酸二無水物及びそれらの類似物が挙げられ、これらを単独または2種類以上用いることが出来る。   Further, any acid dianhydride can be copolymerized as long as it does not affect the characteristics. For example, pyromellitic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'- Biphenyl tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxyphthalic dianhydride, 9,9-bis (3,4-dicarboxyphenyl ) Fluorenoic dianhydride, 4,4 '-(hexafluoroisopropylidene) diphthalic anhydride, dicyclohexyl-3,3', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5- Cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 2'-oxodisspiro [2.2.1] heptane-2,1 ''-cycloheptane-3,2 ''-bicyclo [2. .1] heptane -5,5'-6,6'-tetracarboxylic acid dianhydride and the like thereof, with can be used alone or two or more kinds.

本発明のポリイミドは一般式(1)で表される構成単位で表される構成単位を含むポリアミド酸をイミド化することによって得ることができる。また、本発明のポリイミドは、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸シリルエステル等の一般に知られる前躯体より合成してもよいし、前躯体を経由せずに製造してもよい。   The polyimide of the present invention can be obtained by imidizing a polyamic acid containing a structural unit represented by the general formula (1). Further, the polyimide of the present invention may be synthesized from a generally known precursor such as polyamic acid ester or polyamic acid silyl ester, or may be produced without passing through the precursor.

本発明のポリアミド酸は、公知の一般的な方法にて合成することができ、有機溶媒中でジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを反応させることにより得ることができる。具体的には、例えば、アルゴン、窒素等の不活性雰囲気中において、ジアミンを有機溶媒中に溶解、又はスラリー状に分散させて、ジアミン溶液とする。一方、テトラカルボン酸二無水物は、有機溶媒に溶解、又はスラリー状に分散させた状態とした後、あるいは固体の状態で、上記ジアミン溶液中に添加すればよい。   The polyamic acid of the present invention can be synthesized by a known general method, and can be obtained by reacting a diamine and a tetracarboxylic dianhydride in an organic solvent. Specifically, for example, the diamine is dissolved or dispersed in a slurry in an organic solvent in an inert atmosphere such as argon or nitrogen to prepare a diamine solution. On the other hand, the tetracarboxylic dianhydride may be added to the diamine solution after being dissolved in an organic solvent or dispersed in a slurry state or in a solid state.

ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを用いてポリアミド酸を合成する場合、単数または複数のジアミン成分全量のモル数と、単数または複数のテトラカルボン酸二無水物成分全量のモル数とを、実質上等モルに調整することで、ポリアミド酸共重合体を任意に得ることができる。また、2種のポリアミド酸をブレンドすることによって複数のテトラカルボン酸二無水物およびジアミンを含有するポリアミド酸を得ることもできる。上記ジアミンとテトラカルボン酸二無水物との反応即ち、ポリアミド酸の合成反応の温度条件は、特に限定されない。脂環式ジアミンを用いる場合、塩形成が起こる場合が多いので、ポリアミド酸の合成反応の温度を、必要に応じて50℃〜150℃の範囲としてもよく、塩が溶解し重合反応が進行しはじめたら、ポリアミド酸の分子量低下を抑制するために、ポリアミド酸の合成反応の温度を、80℃以下とすることが好ましく、0℃以上50℃以下とすることがより好ましい。また、反応時間は10分〜30時間の範囲で任意に設定すればよい。   When synthesizing a polyamic acid using a diamine and a tetracarboxylic acid dianhydride, the number of moles of the diamine component total amount of one or more, and the number of moles of the tetracarboxylic acid dianhydride component total amount of one or more, substantially, A polyamic acid copolymer can be arbitrarily obtained by adjusting the molar ratio to be equimolar. It is also possible to obtain a polyamic acid containing a plurality of tetracarboxylic dianhydrides and diamines by blending two polyamic acids. The temperature condition of the reaction between the diamine and the tetracarboxylic dianhydride, that is, the synthesis reaction of the polyamic acid is not particularly limited. When an alicyclic diamine is used, salt formation often occurs, so the temperature of the polyamic acid synthesis reaction may be set in the range of 50 ° C. to 150 ° C. if necessary, and the salt dissolves and the polymerization reaction proceeds. Once started, the temperature of the polyamic acid synthesis reaction is preferably 80 ° C. or lower, and more preferably 0 ° C. or higher and 50 ° C. or lower, in order to suppress the decrease in the molecular weight of the polyamic acid. Further, the reaction time may be arbitrarily set within the range of 10 minutes to 30 hours.

さらに、上記ポリアミド酸の合成反応に使用する有機溶媒としては、有機極性溶媒であれば特に限定されるものではない。上記ジアミンとテトラカルボン酸二無水物との反応が進行するにつれてポリアミド酸が生成し、反応液の粘度が上昇する。   Furthermore, the organic solvent used in the synthesis reaction of the polyamic acid is not particularly limited as long as it is an organic polar solvent. As the reaction between the diamine and the tetracarboxylic dianhydride progresses, polyamic acid is produced, and the viscosity of the reaction solution increases.

ポリアミド酸の重合に使用する有機溶媒は、使用するテトラカルボン酸二無水物、およびジアミン類を溶解することが可能なものが好ましく、更に生成されるポリアミド酸を溶解することが可能なものが好ましい。上記ポリアミド酸の合成反応に使用する有機溶媒は、例えば、テトラメチル尿素、N,N−ジメチルエチルウレアのようなウレア系溶媒、ジメチルスルホキシド、ジフェニルスルホン、テトラメチルスルフォンのようなスルホキシドあるいはスルホン系溶媒、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAC)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N’−ジエチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、γ―ブチロラクトン等のエステル系溶媒、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化アルキル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、フェノール、クレゾールなどのフェノール系溶媒、シクロペンタノン等のケトン系溶媒、テトラヒドロフラン、1,3−ジオキソラン、1,4−ジオキサン、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、p−クレゾールメチルエーテルなどのエーテル系溶媒が挙げられる。通常これらの溶媒を単独で用いるが、必要に応じて2種以上を適宜組合わせて用いて良い。ポリアミド酸の溶解性及び反応性を高めるために、上記ポリアミド酸の合成反応に使用する有機溶媒は、アミド系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒及びエーテル系溶媒より選択されることが好ましく、特にDMF、DMAC、NMPなどのアミド系溶媒が好ましい。   The organic solvent used for the polymerization of the polyamic acid is preferably one capable of dissolving the tetracarboxylic dianhydride and diamines used, and more preferably one capable of dissolving the polyamic acid produced. . The organic solvent used in the synthesis reaction of the polyamic acid is, for example, a urea-based solvent such as tetramethylurea or N, N-dimethylethylurea, a sulfoxide or a sulfone-based solvent such as dimethyl sulfoxide, diphenyl sulfone, or tetramethyl sulfone. , N, N-dimethylacetamide (DMAC), N, N-dimethylformamide (DMF), N, N′-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), ester solvents such as γ-butyrolactone, hexa, etc. Amide solvents such as methylphosphoric acid triamide, alkyl halide solvents such as chloroform and methylene chloride, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and toluene, phenol solvents such as phenol and cresol, and ketone solvents such as cyclopentanone. Solvent, tetrahydrofuran , 1,3-dioxolane, 1,4-dioxane, dimethyl ether, diethyl ether, ether solvents such as p- cresol methyl ether. Usually, these solvents are used alone, but if necessary, two or more kinds may be appropriately combined and used. In order to increase the solubility and reactivity of the polyamic acid, the organic solvent used in the synthesis reaction of the polyamic acid is preferably selected from an amide solvent, a ketone solvent, an ester solvent and an ether solvent, particularly Amide solvents such as DMF, DMAC and NMP are preferred.

ポリアミド酸を用いて、ポリイミドを得るために、上記ポリアミド酸をイミド化する方法について説明する。イミド化は、ポリアミド酸を脱水閉環することによって行われる。この脱水閉環は、共沸溶媒を用いた共沸法、熱的手法または化学的手法によって行うことができる。また、ポリアミド酸からポリイミドへのイミド化は、1〜100%の任意の割合をとることができる。つまり、一部がイミド化されたポリアミド酸を合成してもよい。本明細書ではポリアミド酸と有機溶媒とを含む溶液をポリアミド酸溶液とする。ここで、ポリアミド酸溶液に含まれる当該有機溶媒としては、上記ポリアミド酸の合成反応に使用する有機溶媒と同様の有機溶媒を用いることができ、中でも、アミド系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒及びエーテル系溶媒より選択される有機溶媒をより好適に用いることができ、DMF、DMAC、NMPなどのアミド系溶媒を特に好適に用いることができる。上述した方法でポリアミド酸を得た場合、合成した反応溶液自体をポリアミド酸溶液と表現することもある。   A method of imidizing the polyamic acid to obtain a polyimide using the polyamic acid will be described. The imidization is performed by dehydrating and ring-closing the polyamic acid. This dehydration ring closure can be carried out by an azeotropic method using an azeotropic solvent, a thermal method or a chemical method. Further, the imidation of polyamic acid to polyimide can be performed at an arbitrary ratio of 1 to 100%. That is, a polyamic acid partially imidized may be synthesized. In this specification, a solution containing a polyamic acid and an organic solvent is referred to as a polyamic acid solution. Here, as the organic solvent contained in the polyamic acid solution, the same organic solvent as the organic solvent used in the synthesis reaction of the polyamic acid can be used, and among them, an amide solvent, a ketone solvent, an ester solvent. And an organic solvent selected from ether solvents can be more preferably used, and amide solvents such as DMF, DMAC, and NMP can be particularly preferably used. When polyamic acid is obtained by the method described above, the synthesized reaction solution itself may be referred to as a polyamic acid solution.

脱水閉環は、ポリアミド酸を加熱して行えばよい。ポリアミド酸を加熱する方法は特に制限されないが、例えば、ガラス板、金属板、PET(ポリエチレンテレフタレート)等の支持体に、ポリアミド酸溶液を流延または塗布した後、80℃〜500℃の範囲内で熱処理を行えばよい。或いは、フッ素系樹脂によるコーティング等の離型処理を施した容器に直接ポリアミド酸溶液を入れ、当該ポリアミド酸溶液を減圧下で加熱乾燥することによって、ポリアミド酸の脱水閉環を行うこともできる。このような手法によるポリアミド酸の脱水閉環により、ポリイミドを得ることができる。なお、上記各処理の加熱時間は、脱水閉環を行うポリアミド酸溶液の処理量や加熱温度により異なるが、一般的には、処理温度が最高温度に達してから1分〜5時間の範囲で行うことが好ましい。また、加熱時間の短縮や特性発現のために、イミド化剤および/または脱水触媒をポリアミド酸溶液に添加し、このイミド化剤および/または脱水触媒を添加したポリアミド酸溶液を上記のような方法で加熱してイミド化してもよい。   The dehydration ring closure may be performed by heating the polyamic acid. The method for heating the polyamic acid is not particularly limited, but for example, after casting or coating the polyamic acid solution on a support such as a glass plate, a metal plate, PET (polyethylene terephthalate), etc., within the range of 80 ° C to 500 ° C. The heat treatment may be performed in. Alternatively, dehydration ring closure of the polyamic acid can be performed by directly placing the polyamic acid solution in a container that has been subjected to a mold release treatment such as coating with a fluororesin and heating and drying the polyamic acid solution under reduced pressure. A polyimide can be obtained by dehydration ring closure of a polyamic acid by such a method. The heating time of each of the above treatments varies depending on the treatment amount of the polyamic acid solution for dehydration ring closure and the heating temperature, but is generally performed within a range of 1 minute to 5 hours after the treatment temperature reaches the maximum temperature. It is preferable. Further, in order to shorten the heating time and manifest the characteristics, an imidizing agent and / or a dehydration catalyst is added to the polyamic acid solution, and the polyamic acid solution to which the imidizing agent and / or the dehydration catalyst is added is treated by the above method. You may heat by and may be imidized.

上記イミド化剤としては、特に限定されないが、3級アミンを用いることができる。3級アミンとしては複素環式の3級アミンがさらに好ましい。複素環式の3級アミンの好ましい具体例としてはピリジン、ピコリン、キノリン、イソキノリン、1,2−ジメチルイミダゾールなどを挙げることができる。上記脱水触媒としては具体的には無水酢酸、プロピオン酸無水物、n−酪酸無水物、安息香酸無水物、トリフルオロ酢酸無水物等を好ましい具体例として挙げることができる。   The imidizing agent is not particularly limited, but a tertiary amine can be used. As the tertiary amine, a heterocyclic tertiary amine is more preferable. Preferable specific examples of the heterocyclic tertiary amine include pyridine, picoline, quinoline, isoquinoline, 1,2-dimethylimidazole and the like. Specific preferred examples of the dehydration catalyst include acetic anhydride, propionic anhydride, n-butyric anhydride, benzoic anhydride and trifluoroacetic anhydride.

イミド化剤および脱水触媒の添加量としては、ポリアミド酸のアミド基に対して、イミド化剤は0.5〜5.0倍モル当量、さらには0.7〜2.5倍モル当量、特には0.8〜2.0倍モル当量が好ましい。また、ポリアミド酸のアミド基に対して、脱水触媒は0.5〜10.0倍モル当量、さらには0.7〜5.0倍モル当量、特には0.8〜3.0倍モル当量が好ましい。ポリアミド酸溶液にイミド化剤および/または脱水触媒を加える際、有機溶媒に溶かさず直接加えても良いし、有機溶媒に溶かしたものを加えても良い。有機溶媒に溶かさず直接加える方法ではイミド化剤および/または脱水触媒が拡散する前に反応が急激に進行し、ゲルが生成することがある。イミド化剤および/または脱水触媒を有機溶媒に溶かして得られた溶液を、ポリアミド酸溶液に混合することがより好ましい。   The imidizing agent and the dehydration catalyst are added in an amount of 0.5 to 5.0 times molar equivalent, more preferably 0.7 to 2.5 times molar equivalent, and particularly, to the amide group of the polyamic acid. Is preferably 0.8 to 2.0 times the molar equivalent. Further, the dehydration catalyst is 0.5 to 10.0 times molar equivalent, further 0.7 to 5.0 times molar equivalent, and particularly 0.8 to 3.0 times molar equivalent with respect to the amide group of the polyamic acid. Is preferred. When the imidizing agent and / or the dehydration catalyst are added to the polyamic acid solution, the imidizing agent and / or the dehydration catalyst may be added directly without being dissolved in the organic solvent, or may be dissolved in the organic solvent. In the method of adding directly without being dissolved in an organic solvent, the reaction may rapidly proceed before the imidizing agent and / or the dehydration catalyst diffuse, and a gel may be formed. More preferably, the solution obtained by dissolving the imidizing agent and / or the dehydration catalyst in an organic solvent is mixed with the polyamic acid solution.

本発明のポリイミドは、支持体にポリアミド酸溶液を塗工し、乾燥または加熱することにより製造することができる。本明細書において、上述したような方法で得られた膜状のポリイミドを、ポリイミド膜と表現することがある。ここで、ポリアミド酸溶液は一部がイミド化した溶液でもよい。乾燥または加熱は空気下で実施してもよいし、窒素雰囲気下で実施してもよい。透明性の観点から窒素雰囲気下で乾燥または加熱することが特に好ましい。   The polyimide of the present invention can be produced by coating a support with a polyamic acid solution and drying or heating. In the present specification, the film-shaped polyimide obtained by the method described above may be referred to as a polyimide film. Here, the polyamic acid solution may be a partially imidized solution. Drying or heating may be carried out under air or under a nitrogen atmosphere. From the viewpoint of transparency, drying or heating under a nitrogen atmosphere is particularly preferable.

ポリアミド酸溶液を塗工する支持体としては、ガラス基板;SUS等の金属基板あるいは金属ベルト;ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース等のプラスチックフィルム等が使用されるがこれに限定されるものではない。現行のバッチタイプのデバイス製造プロセスに適応させるためにはガラス基板を用いることが好ましい。   As the support to which the polyamic acid solution is applied, a glass substrate; a metal substrate such as SUS or a metal belt; a plastic film such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyacrylate, polyethylene naphthalate or triacetyl cellulose is used. It is not limited to. It is preferable to use a glass substrate in order to adapt to the current batch type device manufacturing process.

ポリイミド膜製造時の乾燥温度または加熱温度に関しては、プロセスに合わせた条件を選択することが可能であり、特性に影響を与えない限り、特に制限されない。   Regarding the drying temperature or the heating temperature during the production of the polyimide film, it is possible to select the conditions according to the process, and it is not particularly limited as long as it does not affect the characteristics.

ポリイミドの透明性は、例えば、JIS K7105−1981に従った全光線透過率(TT)あるいはヘイズで表される。後述する本発明の用途でポリイミド膜を用いる場合、ポリイミドの全光線透過率は、80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましい。また、ヘイズは、2.0%以下であることが好ましく、1.0%以下であることがより好ましい。本発明の用途においては、ポリイミドは全波長領域で透過率が高いことが要求されるが、ポリイミドは短波長側の光を吸収しやすい傾向があり、膜自体が黄色に着色することが多い。本発明の用途に使用するためには、ポリイミドは、膜厚が10〜15μmのとき、波長400nmでの光透過率が50%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましく、70%より大きいことがさらに好ましい。   The transparency of the polyimide is represented by, for example, the total light transmittance (TT) or haze according to JIS K7105-1981. When a polyimide film is used for the purpose of the present invention described below, the total light transmittance of the polyimide is preferably 80% or more, more preferably 85% or more. The haze is preferably 2.0% or less, more preferably 1.0% or less. In the use of the present invention, polyimide is required to have high transmittance in the entire wavelength region, but polyimide tends to absorb light on the short wavelength side, and the film itself is often colored yellow. For use in the application of the present invention, polyimide has a light transmittance at a wavelength of 400 nm of preferably 50% or more, more preferably 60% or more, when the film thickness is 10 to 15 μm. More preferably, it is greater than 70%.

波長400nmでの光透過率は、紫外−可視分光光度計によって測定される。このように透明性を付与することで、ポリイミド膜は、ガラス代替用途などの透明基板として使用することができる。   The light transmittance at a wavelength of 400 nm is measured by an ultraviolet-visible spectrophotometer. By imparting transparency in this way, the polyimide film can be used as a transparent substrate for glass substitute applications and the like.

本発明のポリイミドは、フィルム特性として低線熱膨張特性と加熱前後の寸法安定性を有する。例えば熱機械分析(TMA)によりこれらの値を測定する場合、日立ハイテクサイエンス(株)社製TMA7100SSを用いて(サンプルサイズ 幅3mm、長さ10mm、膜厚を測定し、フィルムの断面積を算出)、荷重29.4mNとし10℃/minで20℃から350℃まで一旦昇温させた後、−30℃まで冷却したときの、冷却時の100〜300℃における単位温度あたりの試料の歪の変化量から線膨張係数を求めた。100℃から300℃の範囲での線熱膨張係数が、20ppm/K以下、より好ましくは15ppm/K以下となるポリイミドを得ることができる。   The polyimide of the present invention has low linear thermal expansion characteristics as film characteristics and dimensional stability before and after heating. For example, when these values are measured by thermomechanical analysis (TMA), TMA7100SS manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd. is used (sample size width 3 mm, length 10 mm, film thickness is measured, and the cross-sectional area of the film is calculated. ), A load of 29.4 mN and a temperature of 10 ° C./min to 20 ° C. to 350 ° C. and then to −30 ° C., the strain of the sample per unit temperature at 100 to 300 ° C. during cooling. The coefficient of linear expansion was determined from the amount of change. It is possible to obtain a polyimide having a linear thermal expansion coefficient of 20 ppm / K or less, more preferably 15 ppm / K or less in the range of 100 ° C to 300 ° C.

ガラス転移温度は日立ハイテクサイエンス(株)社製TMA7100SSを用いて(サンプルサイズ 幅3mm、長さ10mm、膜厚を測定し、フィルムの断面積を算出)、荷重29.4mNとし10℃/minで10〜400℃まで昇温させたたときのフィルムの歪の変化量を測定し、この変化量の変曲点の温度をガラス転移温度とした。耐熱性の観点から、ガラス転移温度は高ければ高いほど良い。具体的には300℃以上が好ましく、プロセス温度が高くても対応できるといった点で350℃以上がさらに好ましい。   The glass transition temperature is TMA7100SS (manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.) (sample size width 3 mm, length 10 mm, film thickness is measured, film cross-sectional area is calculated), load is 29.4 mN and temperature is 10 ° C./min. The amount of change in strain of the film when the temperature was raised to 10 to 400 ° C. was measured, and the temperature at the inflection point of this change was taken as the glass transition temperature. From the viewpoint of heat resistance, the higher the glass transition temperature, the better. Specifically, the temperature is preferably 300 ° C. or higher, and more preferably 350 ° C. or higher in that it can handle high process temperatures.

また、ガラス等の支持体上にポリアミド酸溶液を塗布し、加熱してイミド化し、電子素子等を形成して基板形成した後、剥がすという、バッチタイプのデバイス作製プロセスにおいては、支持体とポリイミドとの間の密着性が良いことが必要である。ここでいう密着性とは、密着強度という意味である。支持体上のポリイミド膜に電子素子等を形成して基板形成した後に、支持体から、電子素子等が形成されたポリイミド基板を剥がすという作製プロセスにおいて、無機基板との密着性に優れるということは、電子素子等をより正確に形成または実装することができる。密着性は東洋製機製ストロボグラフVESIDによりASTM D−1867−01規格に従い、サンプル幅10mm、23℃、55%RH条件化で50mm剥がした際の剥離強度の平均値をピール強度として評価した。基板上に電子素子等を積層させる製造プロセスの観点からピール強度は高ければ高いほど良い。具体的には0.03N/cm以上が好ましく、0.1N/cm以上がさらに好ましい。一方で、基板の支持体からの剥がし易さの観点から、ピール強度は高すぎない方がよい。具体的には0.25N/cm以下であることが好ましい。すなわち、バッチタイプの製造プロセスに適したピール強度は0.10〜0.25N/cmであることが好ましい。   Further, in a batch type device manufacturing process in which a polyamic acid solution is applied on a support such as glass, heated and imidized to form an electronic element or the like to form a substrate, and then peeled off, the support and the polyimide are used. It is necessary that the adhesiveness between and is good. The term "adhesion" as used herein means the adhesion strength. After forming a substrate by forming an electronic element or the like on the polyimide film on the support, in the manufacturing process of peeling the polyimide substrate on which the electronic element or the like is formed from the support, it is said that the adhesiveness with the inorganic substrate is excellent. , An electronic element or the like can be formed or mounted more accurately. Adhesion was evaluated as the peel strength by averaging the peel strength when peeling 50 mm under the conditions of sample width 10 mm, 23 ° C. and 55% RH according to ASTM D-1867-01 standard by Toyo Seisakusho strobograph VESID. The higher the peel strength, the better from the viewpoint of the manufacturing process of stacking electronic elements and the like on the substrate. Specifically, it is preferably 0.03 N / cm or more, more preferably 0.1 N / cm or more. On the other hand, the peel strength is preferably not too high from the viewpoint of easy peeling of the substrate from the support. Specifically, it is preferably 0.25 N / cm or less. That is, the peel strength suitable for the batch type manufacturing process is preferably 0.10 to 0.25 N / cm.

製造プロセスにおいて、電子素子等を積層したポリイミド基板は、レーザー照射によって無機基板から剥離される。ポリイミド膜がレーザーの波長をまったく吸収せず透過するとレーザーによる剥離が困難になるため、ポリイミド膜はレーザーの波長を吸収する必要がある。   In the manufacturing process, the polyimide substrate on which electronic elements and the like are laminated is separated from the inorganic substrate by laser irradiation. When the polyimide film does not absorb the laser wavelength at all and transmits it, peeling by the laser becomes difficult, so the polyimide film needs to absorb the laser wavelength.

通常、レーザー剥離に使用されるレーザーの波長は300nm前後であり、その波長を吸収する必要があることから、Cut off波長は340nm以上が好ましく、355nm以上がより好ましい。また、Cut Off波長が380nmを越えると、透明性を維持することが困難なため、Cut Off波長は340nm〜380nmであることが好ましい。但し、ここで言うCut off波長とは、紫外−可視分光光度計によって測定される、透過率が0.1%以下になる波長のことを意味する。   Usually, the wavelength of the laser used for laser peeling is around 300 nm, and since it is necessary to absorb the wavelength, the Cut off wavelength is preferably 340 nm or more, more preferably 355 nm or more. Further, if the Cut Off wavelength exceeds 380 nm, it is difficult to maintain transparency, so the Cut Off wavelength is preferably 340 nm to 380 nm. However, the Cut off wavelength here means a wavelength at which the transmittance is 0.1% or less, which is measured by an ultraviolet-visible spectrophotometer.

本発明に係るポリアミド酸およびポリイミドは、そのまま製品や部材を作製するためのコーティングや成形プロセスに供してもよいが、フィルム状に成形された成形物にさらにコーティング等の処理を行うための積層物として用いることも出来る。コーティングあるいは成形プロセスに供するために、該ポリアミド酸およびポリイミドを必要に応じて有機溶媒に溶解又は分散させ、さらに、光又は熱硬化性成分、本発明に係るポリアミド酸およびポリイミド以外の非重合性バインダー樹脂、その他の成分を配合して、ポリアミド酸およびポリイミド樹脂組成物を調製してもよい。   The polyamic acid and polyimide according to the present invention may be subjected to a coating or molding process for producing a product or a member as they are, but a laminate for further processing such as coating on a film-shaped molded product. It can also be used as In order to be subjected to a coating or molding process, the polyamic acid and the polyimide are dissolved or dispersed in an organic solvent as the case requires, and further, a photo- or thermosetting component, a non-polymerizable binder other than the polyamic acid and the polyimide according to the present invention. A resin and other components may be blended to prepare a polyamic acid and polyimide resin composition.

本発明に係るポリアミド酸およびポリイミドに加工特性や各種機能性を付与するために、その他に様々な有機又は無機の低分子又は高分子化合物を配合してもよい。例えば、染料、界面活性剤、レベリング剤、可塑剤、微粒子、増感剤等を用いることができる。微粒子には、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン等の有機微粒子、コロイダルシリカ、カーボン、層状珪酸塩等の無機微粒子等が含まれ、それらは多孔質や中空構造であってもよい。また、その機能又は形態としては顔料、フィラー、繊維等がある。   In order to impart processing properties and various functionalities to the polyamic acid and polyimide according to the present invention, various other organic or inorganic low-molecular or high-molecular compounds may be added. For example, dyes, surfactants, leveling agents, plasticizers, fine particles, sensitizers and the like can be used. The fine particles include organic fine particles such as polystyrene and polytetrafluoroethylene, inorganic fine particles such as colloidal silica, carbon, and layered silicate, which may have a porous or hollow structure. The function or form thereof includes pigments, fillers, fibers and the like.

本発明に係るポリイミド膜は、その表面に金属酸化物や透明電極等の各種無機薄膜を形成していても良い。これら無機薄膜の製膜方法は特に限定されるものではなく、例えばCVD法、スパッタリング法や真空蒸着法、イオンプレーティング法等のPVD法等が挙げられる。   The polyimide film according to the present invention may have various inorganic thin films such as metal oxides and transparent electrodes formed on the surface thereof. The method of forming these inorganic thin films is not particularly limited, and examples thereof include a CVD method, a sputtering method, a vacuum deposition method, a PVD method such as an ion plating method, and the like.

本発明に係るポリイミドは、耐熱性、低熱膨張性、透明性に加えて、支持体とポリイミドとの間の密着性が良いことから、これらの特性が有効とされる分野および製品、例えば、印刷物、カラーフィルター、フレキシブルディスプレイ、光学フィルム、液晶表示装置、有機EL及び電子ペーパー等の画像表示装置、3−Dディスプレイ、タッチパネル、透明導電膜基板あるいは太陽電池に使用されることが好ましく、さらには現在ガラスが使用されている部分の代替材料とすることがさらに好ましい。   The polyimide according to the present invention, in addition to heat resistance, low thermal expansion property, transparency, and good adhesion between the support and the polyimide, fields and products where these properties are effective, for example, printed matter. , Color filters, flexible displays, optical films, liquid crystal display devices, image display devices such as organic EL and electronic paper, 3-D displays, touch panels, transparent conductive film substrates or solar cells, and more preferably at present. It is more preferable to use a substitute material for the portion where glass is used.

また、本発明に係るポリアミド酸、ポリイミドおよびポリアミド酸溶液は、支持体上にポリアミド酸溶液を塗布し、加熱してイミド化し、電子素子等を形成して基板形成した後、剥がすという、バッチタイプのデバイス作製プロセスに好適に用いることができる。したがって、本発明には、支持体上にポリアミド酸溶液を塗布し、加熱してイミド化し、支持体上に形成されたポリイミド膜に電子素子等を形成する基板形成工程を含む電子デバイスの製造方法も含まれる。また、かかる電子デバイスの製造方法は、さらに、基板形成工程の後に、支持体から、電子素子等が形成されたポリイミド基板を剥がす工程を含んでいてもよい。   Further, the polyamic acid, the polyimide and the polyamic acid solution according to the present invention are a batch type in which a polyamic acid solution is applied on a support, heated to be imidized, and an electronic element or the like is formed to form a substrate, and then peeled off. Can be suitably used for the device manufacturing process. Therefore, in the present invention, a method for producing an electronic device including a substrate forming step of applying a polyamic acid solution on a support, heating it for imidization, and forming an electronic element or the like on the polyimide film formed on the support. Is also included. Further, such a method for manufacturing an electronic device may further include a step of peeling the polyimide substrate on which the electronic element and the like are formed from the support after the substrate forming step.

(評価方法)
本明細書中に記載の材料特性値等は以下の評価法のよって得られたものである。
(Evaluation methods)
The material characteristic values and the like described in the present specification are obtained by the following evaluation methods.

(1)ポリイミド膜の透過率
日本分光社製紫外可視近赤外分光光度計(V−650)を用いて、ポリイミド膜の200−800nmにおける光透過率を測定し、400nmの波長における光透過率を指標として用いた。また、透過率が0.1%以下となる波長(Cut off波長)も求めた。また、JIS K 7373記載の式から、黄色度を表す指標としてイエローインデックス(YI)を算出した。
(1) Transmittance of polyimide film Using a UV-Vis near-infrared spectrophotometer (V-650) manufactured by JASCO Corporation, the transmittance of the polyimide film at 200 to 800 nm was measured, and the transmittance of light at a wavelength of 400 nm was measured. Was used as an index. In addition, the wavelength at which the transmittance is 0.1% or less (Cut off wavelength) was also obtained. In addition, a yellow index (YI) was calculated as an index representing yellowness from the formula described in JIS K7373.

(2)フィルムの線熱膨張係数(CTE)
線熱膨張係数の測定は、日立ハイテクサイエンス(株)社製TMA7100SSを用いて(サンプルサイズ 幅3mm、長さ10mm、膜厚を測定し、フィルムの断面積を算出)、荷重29.4mNとし10℃/minで20℃から350℃まで一旦昇温させた後、−30℃まで冷却したときの、冷却時の100〜300℃における単位温度あたりの試料の歪の変化量から線膨張係数を求めた。
(2) Linear thermal expansion coefficient (CTE) of film
The linear thermal expansion coefficient was measured using TMA7100SS manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd. (sample size width 3 mm, length 10 mm, film thickness was measured to calculate the cross-sectional area of the film), and the load was 29.4 mN and 10 The linear expansion coefficient was obtained from the amount of change in strain of the sample per unit temperature at 100 to 300 ° C during cooling when the temperature was once raised from 20 ° C to 350 ° C at ℃ / min and then cooled to -30 ° C. It was

(3)ポリイミド膜のガラス転移温度(Tg)
日立ハイテクサイエンス(株)社製TMA7100SSを用いて(サンプルサイズ 幅3mm、長さ10mm、膜厚を測定し、フィルムの断面積を算出)、荷重29.4mNとし10℃/minで20〜400℃まで昇温させたたときのフィルムの歪の変化量を測定し、この変化量の変曲点の温度をガラス転移温度とした。
(3) Glass transition temperature (Tg) of polyimide film
Using Hitachi High-Tech Science Co., Ltd. TMA7100SS (sample size width 3 mm, length 10 mm, film thickness is measured and cross-sectional area of the film is calculated), load is 29.4 mN, and temperature is 10 to 400C at 10C / min. The amount of change in strain of the film when the temperature was raised to was measured, and the temperature at the inflection point of this amount of change was taken as the glass transition temperature.

(4)ポリイミド膜の全光線透過率(TT)
日本電色工業製積分球式ヘイズメーター300Aにより、JIS K7105−1981記載の方法により測定した。
(4) Total light transmittance (TT) of polyimide film
It was measured by a method described in JIS K7105-1981 using an integrating sphere type haze meter 300A manufactured by Nippon Denshoku Industries.

(5)ポリイミド膜のヘイズ
日本電色工業製積分球式ヘイズメーター300Aにより、JIS K7105−1981記載の方法により測定した。
(5) Haze of polyimide film It was measured by a method described in JIS K7105-1981 using an integrating sphere type haze meter 300A manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.

(6)ガラス密着性試験
東洋製機製ストロボグラフVESIDによりASTM D−1867−01規格に従い、サンプル幅10mm、23℃、55%RH条件化で50mm剥がした際の90°剥離強度の平均値をピール強度として評価した。
(6) Glass adhesion test According to ASTM D-1867-01 standard by Toyo Seisakusho strobograph VESID, sample width 10 mm, 23 ° C., peeling 50 mm under 55% RH conditions, peeling the average value of 90 ° peel strength. It was evaluated as strength.

(実施例1)
<ポリアミド酸の重合>
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコに重合用の有機溶媒としてNMP113.3gを仕込み、CHDA5.6gを入れ、攪拌した。この溶液に、BPDA13.8gと、TMHQ0.7gを同時に加え、80℃で60分加熱し、その後冷却し、室温(23℃)で5時間攪拌し、ポリアミド酸溶液を得た。各モノマーの仕込み比率は、CHDAを100mol%としたとき、BPDA:97mol%、TMHQ:3mol%となっていた。なお、この反応溶液におけるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応液に対して15重量%となっていた。
(Example 1)
<Polymerization of polyamic acid>
A 500 mL glass separable flask equipped with a stirrer equipped with a stainless steel stir bar and a nitrogen inlet tube was charged with 113.3 g of NMP as an organic solvent for polymerization, and 5.6 g of CHDA was added and stirred. To this solution, 13.8 g of BPDA and 0.7 g of TMHQ were added simultaneously, heated at 80 ° C. for 60 minutes, then cooled, and stirred at room temperature (23 ° C.) for 5 hours to obtain a polyamic acid solution. The charging ratio of each monomer was BPDA: 97 mol% and TMHQ: 3 mol% when CHDA was 100 mol%. The charging concentration of the diamine compound and the tetracarboxylic dianhydride in this reaction solution was 15% by weight based on the total reaction solution.

<ポリイミド膜の作製>
重合したポリアミド酸溶液をバーコーターでガラス板上にて塗布し、空気中で80℃で30分、窒素雰囲気下で350℃で1時間乾燥させ、膜厚10〜15μmのポリイミド膜を得た。得られたポリイミド膜の特性を表1に示す。
<Preparation of polyimide film>
The polymerized polyamic acid solution was applied on a glass plate with a bar coater and dried in air at 80 ° C. for 30 minutes and under nitrogen atmosphere at 350 ° C. for 1 hour to obtain a polyimide film having a thickness of 10 to 15 μm. The properties of the obtained polyimide film are shown in Table 1.

(実施例2〜5,9及び参考例6〜8
表1に記載したジアミン成分、テトラカルボン酸成分、有機溶剤を用いた以外は、実施例1と同様にして、ポリアミド酸溶液および、ポリイミド膜を得た。
(Examples 2 to 5, 9 and Reference Examples 6 to 8 )
A polyamic acid solution and a polyimide film were obtained in the same manner as in Example 1 except that the diamine component, the tetracarboxylic acid component and the organic solvent described in Table 1 were used.

(実施例10)
実施例5で合成したポリアミド酸溶液67gにDMIを0.1g加え攪拌し、均一な溶液を得た。
(Example 10)
To 67 g of the polyamic acid solution synthesized in Example 5, 0.1 g of DMI was added and stirred to obtain a uniform solution.

<ポリイミド膜の作製>
得られた溶液をバーコーターでガラス板上にて塗布し、空気中で80℃で30分、窒素雰囲気下で350℃で1時間乾燥させ、膜厚10〜15μmのポリイミド膜を得た。得られたポリイミド膜の特性を表1に示す。
<Preparation of polyimide film>
The obtained solution was applied on a glass plate with a bar coater and dried in air at 80 ° C. for 30 minutes and under nitrogen atmosphere at 350 ° C. for 1 hour to obtain a polyimide film having a thickness of 10 to 15 μm. The properties of the obtained polyimide film are shown in Table 1.

(実施例11)
実施例2で合成したポリアミド酸溶液67gにAPSを0.01g加え攪拌し、12時間おいた後に均一な溶液を得た。
(Example 11)
0.01 g of APS was added to 67 g of the polyamic acid solution synthesized in Example 2, and the mixture was stirred and left for 12 hours to obtain a uniform solution.

<ポリイミド膜の作製>
得られた溶液をバーコーターでガラス板上にて塗布し、空気中で80℃で30分、窒素雰囲気下で350℃で1時間乾燥させ、膜厚10〜15μmのポリイミド膜を得た。得られたポリイミド膜の特性を表1に示す。
<Preparation of polyimide film>
The obtained solution was applied on a glass plate with a bar coater and dried in air at 80 ° C. for 30 minutes and under nitrogen atmosphere at 350 ° C. for 1 hour to obtain a polyimide film having a thickness of 10 to 15 μm. The properties of the obtained polyimide film are shown in Table 1.

(比較例1)
ステンレス製撹拌棒を備えた撹拌機、窒素導入管を備えた、500mLのガラス製セパラブルフラスコに重合用の有機溶媒としてNMP113.3gを仕込み、CHDA5.6gを入れ、攪拌した。この溶液に、BPDA13.8gを加え、80℃で60分加熱し、その後冷却し、室温(23℃)で5時間攪拌し、ポリアミド酸溶液を得た。モノマーの仕込み比率は、CHDAを100mol%としたとき、BPDA:100mol%となっていた。なお、この反応溶液におけるジアミン化合物及びテトラカルボン酸二無水物の仕込み濃度は、全反応液に対して15重量%となっていた。
(Comparative Example 1)
A 500 mL glass separable flask equipped with a stirrer equipped with a stainless steel stir bar and a nitrogen inlet tube was charged with 113.3 g of NMP as an organic solvent for polymerization, and 5.6 g of CHDA was added and stirred. To this solution, 13.8 g of BPDA was added, heated at 80 ° C. for 60 minutes, then cooled, and stirred at room temperature (23 ° C.) for 5 hours to obtain a polyamic acid solution. The charging ratio of the monomers was BPDA: 100 mol% when CHDA was 100 mol%. The charging concentration of the diamine compound and the tetracarboxylic dianhydride in this reaction solution was 15% by weight based on the total reaction solution.

<ポリイミド膜の作製>
重合したポリアミド酸溶液をバーコーターでガラス板上にて塗布し、空気中で80℃で30分、窒素雰囲気下で350℃で1時間乾燥させ、膜厚10〜15μmのポリイミド膜を得た。得られたポリイミド膜の特性を表1に示す。
<Preparation of polyimide film>
The polymerized polyamic acid solution was applied on a glass plate with a bar coater and dried in air at 80 ° C. for 30 minutes and under nitrogen atmosphere at 350 ° C. for 1 hour to obtain a polyimide film having a thickness of 10 to 15 μm. The properties of the obtained polyimide film are shown in Table 1.

(比較例2〜5)
表1に記載したジアミン成分、テトラカルボン酸成分、有機溶剤を用いた以外は、実施例1と同様にして、ポリアミド酸溶液および、ポリイミド膜を得た。
(Comparative Examples 2-5)
A polyamic acid solution and a polyimide film were obtained in the same manner as in Example 1 except that the diamine component, the tetracarboxylic acid component and the organic solvent described in Table 1 were used.

Figure 0006687442
Figure 0006687442

以下に略称を示す。
NMP:1−メチル−2−ピロリドン
BPDA:3,3’−4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
a−BPDA:2,3−3’,4−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
TMHQ:1,4−フェニレンビス(トリメリテート酸二無水物)
ODPA:4,4‘’−オキシジフタル酸二無水物
CHDA:トランス−1,4−シクロヘキサンジアミン
APS:γ−アミノプロピルトリエトキシシラン
DMI:1,2−ジメチルイミダゾール
The abbreviations are shown below.
NMP: 1-methyl-2-pyrrolidone BPDA: 3,3'-4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride a-BPDA: 2,3-3 ', 4-biphenyltetracarboxylic dianhydride TMHQ: 1,4-phenylene bis (trimellitate dianhydride)
ODPA: 4,4 ″ -oxydiphthalic acid dianhydride CHDA: trans-1,4-cyclohexanediamine APS: γ-aminopropyltriethoxysilane DMI: 1,2-dimethylimidazole

Claims (13)

一般式(1)のくり返し単位で表されるポリアミド酸であって、
構成単位のうち、一般式中Aが(2)と(3)を含み、B中に少なくとも50mol%以上(4)を含み、
前記(1)で表される構成単位A中の少なくとも80mol%以上が前記(2)と前記(3)で占められ、前記(2)/前記(3)で表されるモル比が97/3〜80/20の範囲であることを特徴とするポリアミド酸。
Figure 0006687442
A polyamic acid represented by the repeating unit of the general formula (1),
Among the constituent units, it includes the general formula in which A (2) and (3), viewed contains at least 50 mol% or more (4) in B,
At least 80 mol% or more of the structural unit A represented by (1) is occupied by (2) and (3), and the molar ratio represented by (2) / (3) is 97/3. A polyamic acid characterized by being in the range of 80/20 .
Figure 0006687442
請求項1に記載のポリアミド酸と有機溶媒とを含有するポリアミド酸溶液。 A polyamic acid solution containing the polyamic acid according to claim 1 and an organic solvent. 請求項に記載のポリアミド酸溶液を支持体に塗工して得られたことを特徴とするポリイミドの製造方法。 A method for producing a polyimide, which is obtained by coating the support with the polyamic acid solution according to claim 2 . 一般式(5)で表されるポリイミドであって
Figure 0006687442
構成単位のうち、一般式中Aが(2)と(3)を含み、B中に少なくとも50mol%以上(4)を含み、
前記(5)で表される構成単位A中の少なくとも80mol%以上が前記(2)と前記(3)で占められ、前記(2)/前記(3)で表されるモル比が97/3〜80/20の範囲であることを特徴とするポリイミド。
A polyimide represented by the general formula (5) ,
Figure 0006687442
Among the constituent units, it includes the general formula in which A (2) and (3), viewed contains at least 50 mol% or more (4) in B,
At least 80 mol% or more of the structural unit A represented by (5) is occupied by (2) and (3), and the molar ratio represented by (2) / (3) is 97/3. A polyimide having a range of up to 80/20.
膜厚が10〜15μmのときの波長400nmにおける光透過率が50%以上であることを特徴とする請求項に記載のポリイミド。 The polyimide according to claim 4 , which has a light transmittance of 50% or more at a wavelength of 400 nm when the film thickness is 10 to 15 μm. 膜厚が10〜15μmのときの100〜300℃における熱膨張係数が20ppm/K以下であることを特徴とする請求項4または5に記載のポリイミド。 The coefficient of thermal expansion at 100 to 300 ° C. when the film thickness is 10 to 15 μm is 20 ppm / K or less, and the polyimide according to claim 4 or 5 . ガラス転移温度が300℃以上であることを特徴とする請求項のいずれか一項に記載のポリイミド。 Polyimide according to any one of claims 4-6, wherein the glass transition temperature of 300 ° C. or higher. 無機層との90度ピール強度が0.03N/cm以上であることを特徴とする請求項のいずれか一項に記載のポリイミド。 Polyimide according to any one of claims 4 to 7, 90 degree peel strength between the inorganic layer and wherein the at 0.03 N / cm or more. 膜厚が10〜15μmのときのCutoff波長が340nm以上であることを特徴とする請求項いずれか一項に記載のポリイミド。 The Cutoff wavelength when the film thickness is 10 to 15 μm is 340 nm or more, and the polyimide according to any one of claims 4 to 8 . 請求項のいずれか一項に記載のポリイミドを含有する基板。 A substrate containing the polyimide according to any one of claims 4 to 10 . 請求項のいずれか一項に記載のポリイミドを含有する光学材料。 Optical material containing a polyimide according to any one of claims 4-9. 請求項のいずれか一項に記載のポリイミドを含有する画像表示装置。 The image display device containing polyimide according to any one of claims 4-9. 請求項のいずれか一項に記載のポリイミドを含有する電子デバイス。 Electronic devices containing polyimide according to any one of claims 4-9.
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