JP6583461B2 - Method for manufacturing thermoelectric conversion device - Google Patents

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Description

本発明は、熱電変換装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to the production how the thermoelectric converter.

従来より、熱電変換装置の製造方法として、例えば、特許文献1に以下のような製造方法が提案されている。すなわち、この製造方法では、まず、絶縁性型枠に透孔を形成し、透孔に規則的にBi、Te、Se等で構成される第1導電性ペーストおよびBi、Sb、Te等で構成される第2導電性ペーストを充填する。   Conventionally, as a method for manufacturing a thermoelectric conversion device, for example, Patent Document 1 has proposed the following manufacturing method. That is, in this manufacturing method, first, a through hole is formed in an insulating mold, and the first conductive paste that is regularly made of Bi, Te, Se, etc., and Bi, Sb, Te, etc. are formed in the through hole. The second conductive paste is filled.

そして、絶縁性型枠の表面に、隣接する第1、第2導電性ペーストと接触するような表面パターンを複数形成する。また、絶縁性型枠の裏面に、第1導電性ペーストと、当該第1導電性ペーストと接触する表面パターンと異なる表面パターンと接触する第2導電性ペーストと接触するような裏面パターンを複数形成する。   A plurality of surface patterns are formed on the surface of the insulating mold so as to come into contact with the adjacent first and second conductive pastes. In addition, a plurality of back surface patterns are formed on the back surface of the insulating mold so as to be in contact with the first conductive paste and the second conductive paste that is in contact with a surface pattern different from the surface pattern in contact with the first conductive paste. To do.

その後、絶縁性型枠をArガス雰囲気中、460℃で10時間熱処理することにより、Bi、Te、Se等で構成される導電性ペーストからN型熱電変換素子を形成すると共にBi、Sb、Te等で構成される導電性ペーストからP型熱電変換素子を形成する。このとき、N型熱電変換素子およびP型熱電変換素子と表面パターンおよび裏面パターンとも接続される。これにより、複数のN型熱電変換素子と複数のP型熱電変換素子とが交互に直列に接続された熱電変換装置が製造される。   Thereafter, the insulating mold is heat-treated at 460 ° C. for 10 hours in an Ar gas atmosphere to form an N-type thermoelectric conversion element from a conductive paste composed of Bi, Te, Se, etc., and Bi, Sb, Te A P-type thermoelectric conversion element is formed from a conductive paste composed of the like. At this time, the N-type thermoelectric conversion element and the P-type thermoelectric conversion element are also connected to the front surface pattern and the back surface pattern. Thereby, a thermoelectric conversion device in which a plurality of N-type thermoelectric conversion elements and a plurality of P-type thermoelectric conversion elements are alternately connected in series is manufactured.

なお、絶縁性型枠を460℃で10時間熱処理した場合には、N型熱電変換素子およびP型熱電変換素子(合金)は、Bi、Teの融点が460℃より低いため、液相焼結することで形成される。   In addition, when the insulating mold is heat-treated at 460 ° C. for 10 hours, the N-type thermoelectric conversion element and the P-type thermoelectric conversion element (alloy) have a melting point of Bi and Te lower than 460 ° C. It is formed by doing.

特開平8−153899号公報JP-A-8-153899

しかしながら、上記特許文献1の製造方法では、液相焼結で形成された合金は、金属原子の結晶構造がランダムとなるため、実際には電力が発生し難いという問題がある。   However, in the manufacturing method of Patent Document 1, an alloy formed by liquid phase sintering has a problem that power is hardly generated because the crystal structure of metal atoms is random.

ここで、固相焼結で形成された合金は、所定の結晶構造を維持しつつ積層されるため、熱電変換装置に利用されると大きな電力を発生させ得ることが知られている。このため、上記特許文献1の製造方法において固相焼結を適用してN型熱電変換素子およびP型熱電変換素子を形成すべく、例えば、一対のプレス板の間に上記絶縁性型枠を配置し、絶縁性型枠の表裏面から加圧して第1、第2導電性ペーストを圧接することにより、N型熱電変換素子およびP型熱電変換素子を固相焼結で形成することが考えられる。   Here, since the alloy formed by solid-phase sintering is laminated | stacked, maintaining a predetermined crystal structure, when it is utilized for a thermoelectric conversion apparatus, it is known that big electric power can be generated. For this reason, in order to form an N-type thermoelectric conversion element and a P-type thermoelectric conversion element by applying solid-phase sintering in the manufacturing method of Patent Document 1, for example, the insulating mold is placed between a pair of press plates. It is conceivable that the N-type thermoelectric conversion element and the P-type thermoelectric conversion element are formed by solid phase sintering by pressing the first and second conductive pastes by pressing from the front and back surfaces of the insulating mold.

しかしながら、この方法では、加圧力が第1、第2導電性ペーストだけでなく、第1、第2導電性ペースト(透孔)の周囲に位置する絶縁性型枠にも均等に印加されるため、第1、第2導電性ペーストを効率よく加圧することができない。このため、第1、第2導電性ペーストに印加される加圧力が不足する場合には、第1、第2導電性ペーストからN型熱電変換素子およびP型熱電変換素子を形成することができない場合があるという問題がある。   However, in this method, the applied pressure is equally applied not only to the first and second conductive pastes but also to the insulating mold located around the first and second conductive pastes (through holes). The first and second conductive pastes cannot be pressurized efficiently. For this reason, when the applied pressure applied to the first and second conductive pastes is insufficient, the N-type thermoelectric conversion element and the P-type thermoelectric conversion element cannot be formed from the first and second conductive pastes. There is a problem that there are cases.

なお、このような問題は、N型熱電変換素子およびP型熱電変換素子を有する熱電変換装置のみに発生する問題ではない。すなわち、熱電効果は、異なる2種類の金属が接続されていれば発生する。このため、例えば、透孔にBi、Te、Se等で構成される導電性ペーストのみが充填され、表面パターンおよび裏面パターンが導電性ペーストが固相焼結された合金と異なる材料で形成された熱電変換装置においても上記問題が発生する。   Such a problem is not a problem that occurs only in a thermoelectric conversion device having an N-type thermoelectric conversion element and a P-type thermoelectric conversion element. That is, the thermoelectric effect occurs when two different types of metals are connected. For this reason, for example, the through holes are filled only with a conductive paste composed of Bi, Te, Se, etc., and the front surface pattern and the back surface pattern are formed of a material different from the alloy in which the conductive paste is solid-phase sintered. The above problem also occurs in the thermoelectric converter.

本発明は上記点に鑑みて、導電性ペーストに加圧力を効率よく印加することができる熱電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention is made in view of the above disadvantages, and an object thereof is to provide a manufacturing how the thermoelectric conversion device the pressure in the conductive paste can be applied efficiently.

上記目的を達成するため、請求項1および2に記載の発明は、熱電変換装置の製造方法であり、厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホールが形成され、第1ビアホールに第1導電性ペースト(41)が充填されていると共に第2ビアホールに第2導電性ペースト(51)が充填されている絶縁基材(10)を用意する工程と、絶縁基材の表面(10a)に所定の第1、第2導電性ペーストと接触する表面パターンを有する表面保護部材を配置すると共に、絶縁基材の裏面(10b)に所定の第1、第2導電性ペーストと接触する裏面パターンを有する裏面保護部材を配置して積層体(80)を形成する工程と、積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、第1、第2導電性ペーストから第1、第2層間接続部材を構成すると共に第1、第2層間接続部材と表面パターンおよび裏面パターンとを電気的に接続する一体化工程と、を行い、第1導電性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、第2導電性ペーストとして、合金と異種金属の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、一体化工程では、積層体を一対のプレス板の間に配置すると共に、積層体とプレス板との間に緩衝材を配置して行うことを特徴としている。また、表面保護部材における絶縁基材と対向する一面(20a)と反対側の他面と、裏面保護部材における絶縁基材と対向する一面(30a)と反対側の他面との間の距離において、第1層間接続部材または第2層間接続部材を挟む部分が第1層間接続部材または第2層間接続部材を挟む部分と異なる部分より長くなり、さらに、表面保護部材における他面と裏面保護部材における他面との間の中間位置において、第1層間接続部材内または第2層間接続部材内における中間位置を第1中間位置とし、絶縁基材内における中間位置を第2中間位置とすると、第1中間位置から表面保護部材の他面までの距離が、第2中間位置から表面保護部材の他面までの距離より長くなり、かつ同じ第1中間位置から裏面保護部材の他面までの距離は、同じ第2中間位置から裏面保護部材の他面までの距離より長くなる状態を含むようにすることを特徴としている。 In order to achieve the above object, the invention according to claims 1 and 2 is a method for manufacturing a thermoelectric conversion device, wherein a plurality of first and second via holes penetrating in the thickness direction are formed, and the first via holes are formed in the first via holes. Preparing an insulating base material (10) filled with the first conductive paste (41) and filling the second via hole with the second conductive paste (51); and a surface of the insulating base material (10a) ) Is provided with a surface protection member having a surface pattern in contact with the predetermined first and second conductive pastes, and on the back surface (10b) of the insulating substrate, the back surface is in contact with the predetermined first and second conductive pastes. A step of forming a laminated body (80) by arranging a back surface protective member having a pattern, and applying pressure from the first and second conductive pastes to the first and second interlayer connecting members while pressing the laminated body from the laminating direction. And the first, And an integration step of electrically connecting the two-layer connecting member and the front surface pattern and the back surface pattern, and as a first conductive paste, an alloy powder in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure. A paste made by adding an organic solvent is used, and a paste made by adding an organic solvent to a powder of an alloy and a different metal is used as the second conductive paste. In the integration step, the laminate is placed between a pair of press plates. And a cushioning material is disposed between the laminated body and the press plate. Moreover, in the distance between the other surface opposite to the one surface (20a) facing the insulating substrate in the surface protection member and the other surface opposite to the one surface (30a) facing the insulating substrate in the back surface protection member. The part sandwiching the first interlayer connection member or the second interlayer connection member is longer than the part different from the part sandwiching the first interlayer connection member or the second interlayer connection member, and the other surface of the surface protection member and the back surface protection member If the intermediate position in the first interlayer connection member or the second interlayer connection member is the first intermediate position and the intermediate position in the insulating base material is the second intermediate position in the intermediate position between the other surfaces, the first The distance from the intermediate position to the other surface of the surface protection member is longer than the distance from the second intermediate position to the other surface of the surface protection member, and the distance from the same first intermediate position to the other surface of the back surface protection member is the same Is characterized in that the second intermediate position to include longer made than that the distance to the other surface of the back side protective member.

これによれば、大きな電力を発生させることができる熱電変換装置を製造できる。 According to this, the thermoelectric converter which can generate big electric power can be manufactured.

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第1実施形態における熱電変換装置の平面図である。It is a top view of the thermoelectric converter in a 1st embodiment of the present invention. 図1中のII−II線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the II-II line | wire in FIG. 図1中のIII−III線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the III-III line in FIG. 図1に示す熱電変換装置の製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the thermoelectric conversion apparatus shown in FIG. 図4(e)に示す絶縁基材の表面側の平面図である。It is a top view of the surface side of the insulating base material shown in FIG.4 (e). 図4(i)に示す一体化工程の際の製造条件を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing conditions in the case of the integration process shown in FIG.4 (i). 図4(i)に示す一体化工程の際の詳細な断面図である。It is detailed sectional drawing in the case of the integration process shown in FIG.4 (i). 本発明の第2実施形態における図4(e)に相当する断面図である。It is sectional drawing corresponded in FIG.4 (e) in 2nd Embodiment of this invention. 図8に示す絶縁基材の表面側の平面図である。It is a top view of the surface side of the insulating base material shown in FIG. 本発明の第3実施形態における図4(h)に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to FIG.4 (h) in 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態における図4(e)に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to FIG.4 (e) in 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態における図4(e)に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to FIG.4 (e) in 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6実施形態における図4(h)の工程を行う際の断面図である。It is sectional drawing at the time of performing the process of FIG.4 (h) in 6th Embodiment of this invention. 本発明の第7実施形態における絶縁基材を用意する製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process which prepares the insulating base material in 7th Embodiment of this invention. 本発明の第8実施形態における熱電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the thermoelectric conversion apparatus in 8th Embodiment of this invention. 図14に示す熱電変換装置の製造工程を示す図4(i)に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to FIG.4 (i) which shows the manufacturing process of the thermoelectric conversion apparatus shown in FIG. 本発明の第9実施形態における熱電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the thermoelectric conversion apparatus in 9th Embodiment of this invention. 図17に示す熱電変換装置の製造工程を示す図4(h)に相当する断面図である。It is sectional drawing equivalent to FIG.4 (h) which shows the manufacturing process of the thermoelectric conversion apparatus shown in FIG. 本発明の第10実施形態における熱電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the thermoelectric conversion apparatus in 10th Embodiment of this invention. 本発明の第11実施形態における熱電変換装置の表面側の平面図である。It is a top view of the surface side of the thermoelectric conversion apparatus in 11th Embodiment of this invention. 図20に示す熱電変換装置の裏面側の平面図である。It is a top view of the back surface side of the thermoelectric conversion apparatus shown in FIG. 本発明の第12実施形態における熱電変換装置の断面図である。It is sectional drawing of the thermoelectric conversion apparatus in 12th Embodiment of this invention. 表面保護部材および裏面保護部材の展開平面図である。It is a development top view of a surface protection member and a back surface protection member. 本発明の第13実施形態における電子部品の断面図である。It is sectional drawing of the electronic component in 13th Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態における電子部品の断面図である。It is sectional drawing of the electronic component in other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態における電子部品の断面図である。It is sectional drawing of the electronic component in other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態における電子部品の断面図である。It is sectional drawing of the electronic component in other embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.

(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について図面を参照しつつ説明する。図1〜図3に示されるように、本実施形態の熱電変換装置1は、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30が一体化され、この一体化されたものの内部で異種金属である第1、第2層間接続部材40、50が交互に直列に接続されて構成されている。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 to 3, in the thermoelectric conversion device 1 of the present embodiment, an insulating base material 10, a surface protection member 20, and a back surface protection member 30 are integrated, and different metals are integrated inside the integrated body. The first and second interlayer connection members 40 and 50 are alternately connected in series.

なお、図1は、理解をし易くするために、表面保護部材20を省略して示してある。また、図1は、断面図ではないが、第1、第2層間接続部材40、50にハッチングを施してある。   In FIG. 1, the surface protection member 20 is omitted for easy understanding. FIG. 1 is not a cross-sectional view, but the first and second interlayer connection members 40 and 50 are hatched.

絶縁基材10は、本実施形態では、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)やポリエーテルイミド(PEI)を含む平面矩形状の熱可塑性樹脂フィルムによって構成されている。そして、この絶縁基材10には、厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール11、12が互い違いになるように千鳥パターンに形成されている。   In this embodiment, the insulating base material 10 is composed of a planar rectangular thermoplastic resin film containing polyether ether ketone (PEEK) or polyether imide (PEI). The insulating base material 10 is formed in a staggered pattern so that a plurality of first and second via holes 11 and 12 penetrating in the thickness direction are staggered.

なお、本実施形態では、第1、第2ビアホール11、12が表面10aから裏面10bに向かって径が一定とされた円筒状とされているが、第1、第2ビアホール11、12は表面10aから裏面10bに向かって径が小さくなるテーパ状とされていてもよいし、角筒状とされていてもよい。   In the present embodiment, the first and second via holes 11 and 12 have a cylindrical shape with a constant diameter from the front surface 10a toward the back surface 10b. However, the first and second via holes 11 and 12 are formed on the front surface. The diameter may be tapered from 10a toward the back surface 10b, or may be a rectangular tube.

そして、第1ビアホール11には第1層間接続部材40が配置され、第2ビアホール12には第1層間接続部材40と異種金属となる第2層間接続部材50が配置されている。つまり、絶縁基材10には、第1、第2層間接続部材40、50が互い違いになるように配置されている。   A first interlayer connection member 40 is disposed in the first via hole 11, and a second interlayer connection member 50 that is a different metal from the first interlayer connection member 40 is disposed in the second via hole 12. That is, the first and second interlayer connection members 40 and 50 are arranged on the insulating base material 10 in a staggered manner.

特に限定されるものではないが、例えば、第1層間接続部材40はP型を構成するBi−Sb−Te合金の粉末(金属粒子)を含む導電性ペーストから構成される。また、第2層間接続部材50はN型を構成するBi−Te合金の粉末(金属粒子)を含む導電性ペーストから構成される。   Although not particularly limited, for example, the first interlayer connection member 40 is made of a conductive paste containing powder (metal particles) of a Bi—Sb—Te alloy constituting P-type. The second interlayer connecting member 50 is made of a conductive paste containing Bi-Te alloy powder (metal particles) constituting an N type.

絶縁基材10の表面10aには、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)やポリエーテルイミド(PEI)を含む平面矩形状の熱可塑性樹脂フィルムからなる表面保護部材20が配置されている。この表面保護部材20は、絶縁基材10と平面形状が同じ大きさとされており、絶縁基材10と対向する一面20a側に銅箔等がパターニングされた複数の表面パターン21が互いに離間するように形成されている。そして、各表面パターン21はそれぞれ第1、第2層間接続部材40、50と適宜電気的に接続されている。   On the surface 10a of the insulating substrate 10, a surface protection member 20 made of a planar rectangular thermoplastic resin film containing polyetheretherketone (PEEK) or polyetherimide (PEI) is disposed. The surface protection member 20 has the same planar shape as the insulating base material 10, and a plurality of surface patterns 21 patterned with copper foil or the like on the one surface 20 a side facing the insulating base material 10 are separated from each other. Is formed. Each surface pattern 21 is appropriately electrically connected to the first and second interlayer connection members 40 and 50, respectively.

具体的には、隣接する1つの第1層間接続部材40と1つの第2層間接続部材50とを組60としたとき、各組60の第1、第2層間接続部材40、50は同じ表面パターン21と接続されている。つまり、各組60の第1、第2層間接続部材40、50は表面パターン21を介して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、絶縁基材10の長辺方向(図1中紙面左右方向)に沿って隣接する1つの第1層間接続部材40と1つの第2層間接続部材50とが組60とされている。   Specifically, when one adjacent first interlayer connection member 40 and one second interlayer connection member 50 are set as a set 60, the first and second interlayer connection members 40, 50 of each set 60 are the same surface. It is connected to the pattern 21. That is, the first and second interlayer connection members 40 and 50 of each set 60 are electrically connected via the surface pattern 21. In the present embodiment, one first interlayer connection member 40 and one second interlayer connection member 50 that are adjacent along the long side direction of the insulating base material 10 (the left-right direction in FIG. 1) are a set 60. Has been.

また、絶縁基材10の裏面10bには、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)やポリエーテルイミド(PEI)を含む熱可塑性樹脂フィルムからなる平面矩形状の裏面保護部材30が配置されている。この裏面保護部材30は、絶縁基材10と平面形状が同じ大きさとされており、絶縁基材10と対向する一面30a側に銅箔等がパターニングされた複数の裏面パターン31が互いに離間するように形成されている。そして、各裏面パターン31はそれぞれ第1、第2層間接続部材40、50と適宜電気的に接続されている。   In addition, on the back surface 10 b of the insulating base material 10, a planar rectangular back surface protection member 30 made of a thermoplastic resin film containing polyether ether ketone (PEEK) or polyether imide (PEI) is disposed. The back surface protection member 30 has the same planar shape as the insulating base material 10, and a plurality of back surface patterns 31 patterned with copper foil or the like on the one surface 30 a side facing the insulating base material 10 are separated from each other. Is formed. Each back surface pattern 31 is appropriately electrically connected to the first and second interlayer connection members 40 and 50, respectively.

具体的には、隣接する組60において、一方の組60の第1層間接続部材40と、他方の組60の第2層間接続部材50とが同じ裏面パターン31と接続されている。つまり、組60を跨いで第1、第2層間接続部材40、50が裏面パターン31を介して電気的に接続されている。   Specifically, in the adjacent set 60, the first interlayer connection member 40 of one set 60 and the second interlayer connection member 50 of the other set 60 are connected to the same back surface pattern 31. That is, the first and second interlayer connection members 40 and 50 are electrically connected via the back surface pattern 31 across the set 60.

本実施形態では、図2に示されるように、基本的には、絶縁基材10の長辺方向(図1中紙面左右方向)に沿って並んでいる2つの組60が隣接する組60とされている。また、図3に示されるように、絶縁基材10の外縁では、短辺方向(図1中紙面上下方向)に沿って並んでいる2つの組60が隣接する組60とされている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 2, basically, two sets 60 arranged along the long side direction (the left and right direction in FIG. 1) of the insulating base 10 are adjacent to each other. Has been. As shown in FIG. 3, at the outer edge of the insulating base material 10, two sets 60 arranged in the short side direction (the vertical direction in the drawing in FIG. 1) are adjacent sets 60.

したがって、第1、第2層間接続部材40、50は、絶縁基材10の長辺方向に交互に直列に接続されて折り返された後に再び長辺方向に交互に直列に接続される。つまり、第1、第2層間接続部材40、50は、折れ線状に交互に直列に接続されている。   Therefore, the first and second interlayer connection members 40 and 50 are alternately connected in series in the long side direction of the insulating base material 10 and folded back, and then connected in series in the long side direction again. That is, the first and second interlayer connection members 40 and 50 are alternately connected in series in a polygonal line shape.

なお、図2、図3とは別断面において、裏面保護部材30には、裏面パターン31と電気的に接続されると共に、裏面保護部材30のうち絶縁基材10側と反対側の一面から露出する層間接続部材が形成されている。そして、この層間接続部材によって外部との電気的な接続が図れるようになっている。   2 and 3, the back surface protection member 30 is electrically connected to the back surface pattern 31 and exposed from one surface of the back surface protection member 30 opposite to the insulating base material 10 side. An interlayer connection member is formed. The interlayer connection member can be electrically connected to the outside.

以上が本実施形態における熱電変換装置1の構成である。このような熱電変換装置1では、例えば、第1、第2ビアホール11、12の径をφ0.7mm、絶縁基材10の厚みを1mmとし、第1、第2層間接続部材40、50を合わせて約900個配置したとき、温度差10℃で約2.5mWの電力を得ることができる。   The above is the configuration of the thermoelectric conversion device 1 in the present embodiment. In such a thermoelectric conversion device 1, for example, the diameters of the first and second via holes 11 and 12 are φ0.7 mm, the thickness of the insulating substrate 10 is 1 mm, and the first and second interlayer connection members 40 and 50 are combined. When about 900 are arranged, a power of about 2.5 mW can be obtained at a temperature difference of 10 ° C.

次に、上記熱電変換装置1の製造方法について図4を参照しつつ説明する。なお、図4は、図1中のII−II線に沿った断面図である。   Next, a method for manufacturing the thermoelectric conversion device 1 will be described with reference to FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.

まず、図4(a)に示されるように、絶縁基材10を用意し、複数の第1ビアホール11をドリル等によって形成する。   First, as shown in FIG. 4A, an insulating base material 10 is prepared, and a plurality of first via holes 11 are formed by a drill or the like.

次に、図4(b)に示されるように、各第1ビアホール11に第1導電性ペースト41を充填する。   Next, as shown in FIG. 4B, the first conductive paste 41 is filled in each first via hole 11.

第1ビアホール11に第1導電性ペースト41を充填する方法(装置)としては、本出願人による特願2010−50356号に記載の方法(装置)を採用すると良い。   As a method (apparatus) for filling the first via hole 11 with the first conductive paste 41, a method (apparatus) described in Japanese Patent Application No. 2010-50356 by the present applicant may be adopted.

簡単に説明すると、吸着紙70を介して図示しない保持台上に、裏面10bが吸着紙70と対向するように絶縁基材10を配置する。なお、吸着紙70は、第1導電性ペースト41の有機溶剤を吸収できる材質のものであれば良く、一般的な上質紙等が用いられる。そして、第1導電性ペースト41を溶融させつつ、第1ビアホール11内に第1導電性ペースト41を充填する。これにより、第1導電性ペースト41の有機溶剤の大部分が吸着紙70に吸着され、第1ビアホール11に合金の粉末が密接して配置される。   Briefly, the insulating base material 10 is arranged on a holding table (not shown) with the suction paper 70 so that the back surface 10 b faces the suction paper 70. The adsorbent paper 70 may be of any material that can absorb the organic solvent of the first conductive paste 41, and general high-quality paper or the like is used. Then, the first conductive paste 41 is filled in the first via hole 11 while the first conductive paste 41 is melted. As a result, most of the organic solvent of the first conductive paste 41 is adsorbed by the adsorption paper 70, and the alloy powder is placed in close contact with the first via hole 11.

第1導電性ペースト41としては、本実施形態では、金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末を融点が43℃であるパラフィン等の有機溶剤を加えてペースト化したものが用いられる。このため、第1導電性ペースト41を充填する際には、絶縁基材10の表面10aが約43℃に加熱された状態で行われる。なお、第1導電性ペースト41を構成する合金の粉末としては、例えば、メカニカルアロイにて形成されたBi−Sb−Te等が用いられる。   In the present embodiment, the first conductive paste 41 is a paste obtained by adding an organic solvent such as paraffin having a melting point of 43 ° C. to an alloy powder in which metal atoms maintain a predetermined crystal structure. It is done. For this reason, when the first conductive paste 41 is filled, the surface 10a of the insulating base 10 is heated to about 43 ° C. In addition, as the powder of the alloy constituting the first conductive paste 41, for example, Bi—Sb—Te formed by mechanical alloy is used.

続いて、図4(c)に示されるように、絶縁基材10に複数の第2ビアホール12をドリル等によって形成する。この第2ビアホール12は、上記のように、第1ビアホール11と互い違いとなり、第1ビアホール11と共に千鳥パターンを構成するように形成される。   Subsequently, as shown in FIG. 4C, a plurality of second via holes 12 are formed in the insulating base material 10 by a drill or the like. As described above, the second via holes 12 are alternately formed with the first via holes 11 and are formed to form a staggered pattern together with the first via holes 11.

次に、図4(d)に示されるように、再び、吸着紙70を介して図示しない保持台上に、裏面10bが吸着紙70と対向するように絶縁基材10を配置する。そして、第1導電性ペースト41を充填したときと同様に、第2ビアホール12内に第2導電性ペースト51を充填する。これにより、第2導電性ペースト51の有機溶剤の大部分が吸着紙70に吸着され、第2ビアホール12に合金の粉末が密接して配置される。   Next, as illustrated in FIG. 4D, the insulating base material 10 is again disposed on the holding table (not shown) with the suction paper 70 interposed therebetween so that the back surface 10 b faces the suction paper 70. Then, the second conductive paste 51 is filled in the second via hole 12 in the same manner as when the first conductive paste 41 is filled. As a result, most of the organic solvent of the second conductive paste 51 is adsorbed by the adsorbent paper 70, and the alloy powder is placed in close contact with the second via hole 12.

第2導電性ペースト51としては、本実施形態では、第1導電性ペースト41を構成する金属原子と異なる金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末を融点が常温であるテレピネ等の有機溶剤を加えてペースト化したものが用いられる。つまり、第2導電性ペースト51を構成する有機溶剤として、第1導電性ペースト41を構成する有機溶剤より融点が低いものが用いられる。そして、第2導電性ペースト51を充填する際には、絶縁基材10の表面10aが常温に保持された状態で行われる。言い換えると、第1導電性ペースト41に含まれる有機溶剤が固化された状態で、第2導電性ペースト51の充填が行われる。これにより、第1ビアホール11に第2導電性ペースト51が混入することが抑制される。なお、第2導電性ペースト51を構成する合金の粉末としては、例えば、メカニカルアロイにて形成されたBi−Te等が用いられる。   As the second conductive paste 51, in this embodiment, an alloy powder in which a metal atom different from the metal atoms constituting the first conductive paste 41 maintains a predetermined crystal structure is used, such as telepine having a melting point of room temperature. A paste obtained by adding an organic solvent is used. That is, as the organic solvent constituting the second conductive paste 51, a solvent having a lower melting point than the organic solvent constituting the first conductive paste 41 is used. And when filling the 2nd conductive paste 51, it is performed in the state by which the surface 10a of the insulating base material 10 was hold | maintained at normal temperature. In other words, the second conductive paste 51 is filled in a state where the organic solvent contained in the first conductive paste 41 is solidified. As a result, the second conductive paste 51 is prevented from entering the first via hole 11. In addition, as a powder of the alloy which comprises the 2nd conductive paste 51, Bi-Te etc. which were formed with the mechanical alloy are used, for example.

以上のようにして、第1、第2導電性ペースト41、51が充填された絶縁基材10を用意する。   As described above, the insulating base material 10 filled with the first and second conductive pastes 41 and 51 is prepared.

そして、図4(e)に示されるように、この絶縁基材10に対して、本発明の空隙に相当する貫通孔13をドリルやレーザ等によって形成する。本実施形態では、図4(e)および図5に示されるように、各第1、第2ビアホール11、12のそれぞれを中心とし、同心円上であって周方向に等間隔に離間する円筒状の貫通孔13を複数形成する。   Then, as shown in FIG. 4 (e), the through hole 13 corresponding to the gap of the present invention is formed in the insulating base material 10 by a drill, a laser, or the like. In this embodiment, as shown in FIGS. 4 (e) and 5, a cylindrical shape that is concentric with each of the first and second via holes 11 and 12 and that is spaced apart at equal intervals in the circumferential direction. A plurality of through holes 13 are formed.

なお、本実施形態では、貫通孔13が円筒状とされているが、貫通孔13は、表面10aから裏面10bに向かって径が小さくなるテーパ状とされていてもよい。   In addition, in this embodiment, although the through-hole 13 is cylindrical, the through-hole 13 may be made into the taper shape where a diameter becomes small toward the back surface 10b from the surface 10a.

また、上記各工程とは別工程において、図4(f)および図4(g)に示されるように、表面保護部材20および裏面保護部材30のうち絶縁基材10と対向する一面20a、30aに銅箔等を形成する。そして、この銅箔を適宜パターニングすることにより、互いに離間している複数の表面パターン21が形成された表面保護部材20、互いに離間している複数の裏面パターン31が形成された裏面保護部材30を用意する。   Further, in a step different from the above steps, as shown in FIGS. 4 (f) and 4 (g), one surface 20a, 30a of the front surface protection member 20 and the rear surface protection member 30 facing the insulating base material 10 is provided. A copper foil or the like is formed. Then, by appropriately patterning this copper foil, the surface protection member 20 formed with a plurality of surface patterns 21 spaced apart from each other, and the back surface protection member 30 formed with a plurality of back surface patterns 31 spaced apart from each other. prepare.

その後、図4(h)に示されるように、裏面保護部材30、絶縁基材10、表面保護部材20を順に積層して積層体80を構成する。具体的には、隣接する1つの第1ビアホール11に充填された第1導電性ペースト41と1つの第2ビアホール12に充填された第2導電性ペースト51とを組60としたとき、絶縁基材10の表面10a側に、組60毎の第1、第2導電性ペースト41、51が同じ表面パターン21に接触する状態で表面保護部材20を配置する。なお、本実施形態では、上記のように、絶縁基材10の長辺方向(図1紙面左右方向)に沿って隣接する1つの第1ビアホール11に充填された第1導電性ペースト41と1つの第2ビアホール12に充填された第2導電性ペースト51とが組60とされている。   Thereafter, as shown in FIG. 4 (h), the back surface protection member 30, the insulating base material 10, and the surface protection member 20 are sequentially stacked to form a stacked body 80. Specifically, when the first conductive paste 41 filled in one adjacent first via hole 11 and the second conductive paste 51 filled in one second via hole 12 are set as a set 60, an insulating group is formed. On the surface 10 a side of the material 10, the surface protection member 20 is disposed in a state where the first and second conductive pastes 41 and 51 for each set 60 are in contact with the same surface pattern 21. In the present embodiment, as described above, the first conductive pastes 41 and 1 filled in one first via hole 11 adjacent along the long side direction of the insulating base material 10 (the left-right direction in FIG. 1). The second conductive paste 51 filled in the second via holes 12 is a set 60.

また、絶縁基材10の裏面10b側に、隣接する組60における一方の組60の第1導電性ペースト41および他方の組60の第2導電性ペースト51が同じ裏面パターン31に接触する状態で裏面保護部材30を配置する。なお、本実施形態では、上記のように、絶縁基材10の長辺方向(図1中紙面左右方向)に沿って並んでいる2つの組60が隣接する組60とされている。また、絶縁基材10の外縁では、短辺方向に沿って並んでいる2つの組60が隣接する組60とされている。   In the state where the first conductive paste 41 of one set 60 and the second conductive paste 51 of the other set 60 in the adjacent set 60 are in contact with the same back pattern 31 on the back surface 10b side of the insulating substrate 10. The back surface protection member 30 is disposed. In the present embodiment, as described above, the two sets 60 arranged along the long side direction (the left-right direction in FIG. 1) of the insulating base material 10 are the adjacent sets 60. In addition, at the outer edge of the insulating base material 10, two sets 60 arranged in the short side direction are adjacent sets 60.

続いて、図4(i)に示されるように、この積層体80を図示しない一対のプレス板の間に配置し、積層方向の上下両面から真空状態で加熱しながら加圧して積層体80を一体化する。なお、特に限定されるものではないが、積層体80を一体化する際には、積層体80とプレス板との間にロックウールペーパー等の緩衝材を配置してもよい。以下に、本実施形態の一体化工程について図6および図7を参照しつつ具体的に説明する。   Subsequently, as shown in FIG. 4 (i), the laminate 80 is disposed between a pair of press plates (not shown), and the laminate 80 is integrated by applying pressure while heating in a vacuum state from the upper and lower surfaces in the lamination direction. To do. Although not particularly limited, when the laminate 80 is integrated, a cushioning material such as rock wool paper may be disposed between the laminate 80 and the press plate. Below, the integration process of this embodiment is demonstrated concretely, referring FIG. 6 and FIG.

一体化工程は、図6に示されるように、まず、積層体80を約320℃まで加熱しながら時点T1まで0.1Mpaで加圧し、第1、第2導電性ペースト41、51に含まれる有機溶剤を蒸発させる(図7(a)参照)。   In the integration step, as shown in FIG. 6, first, the laminate 80 is heated to about 320 ° C. and pressurized to 0.1 Mpa until time T1, and is included in the first and second conductive pastes 41 and 51. The organic solvent is evaporated (see FIG. 7 (a)).

なお、T0〜T1間は約10分間である。また、第1、第2導電性ペースト41、51に含まれる有機溶剤とは、図4(b)および図4(d)の工程において、吸着紙70に吸着されずに残存した有機溶剤のことである。   Note that the interval between T0 and T1 is about 10 minutes. In addition, the organic solvent contained in the first and second conductive pastes 41 and 51 is an organic solvent remaining without being adsorbed on the adsorbing paper 70 in the steps of FIGS. 4B and 4D. It is.

次に、図6および図7(b)に示されるように、積層体80を熱可塑性樹脂の軟化点以上の温度である約320℃に保持しつつ時点T2まで10MPaで加圧する。このとき、絶縁基材10を構成する熱可塑性樹脂が流動し、第1、第2導電性ペースト41、51(合金の粉末)を加圧すると共に貫通孔13に流れ込む。このため、図7(c)に示されるように、第1、第2ビアホール11、12の径が小さくなる。また、熱可塑性樹脂が貫通孔12に流れ込む(流動する)ためにこの部分(第1、第2ビアホール11、12の周囲)に印加される加圧力は小さくなり、本来この部分に印加されるべき加圧力が第1、第2導電性ペースト41、51に印加される。したがって、プレス板から第1、第2導電性ペースト41、51に印加される加圧力が大きくなる。   Next, as shown in FIG. 6 and FIG. 7B, the laminate 80 is pressurized at 10 MPa until time T2 while maintaining the laminated body 80 at about 320 ° C., which is a temperature equal to or higher than the softening point of the thermoplastic resin. At this time, the thermoplastic resin constituting the insulating base material 10 flows and pressurizes the first and second conductive pastes 41 and 51 (alloy powder) and flows into the through holes 13. Therefore, as shown in FIG. 7C, the diameters of the first and second via holes 11 and 12 are reduced. Further, since the thermoplastic resin flows (flows) into the through-hole 12, the pressure applied to this portion (around the first and second via holes 11 and 12) becomes small, and should be originally applied to this portion. A pressing force is applied to the first and second conductive pastes 41 and 51. Accordingly, the pressure applied from the press plate to the first and second conductive pastes 41 and 51 is increased.

そして、図7(d)に示されるように、合金の粉末同士および合金の粉末と表面パターン21および裏面パターン31とが圧接されて固相焼結されることで第1、第2層間接続部材40、50が構成される。また、第1、第2層間接続部材40、50と表面パターン21、裏面パターン31とが電気的に接続される。   Then, as shown in FIG. 7 (d), the first and second interlayer connection members are obtained by press-contacting the alloy powders and the alloy powder with the surface pattern 21 and the back surface pattern 31 and solid-phase sintering them. 40 and 50 are configured. In addition, the first and second interlayer connection members 40 and 50 are electrically connected to the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31.

なお、T1〜T2間は約10分間である。また、第1、第2ビアホール11、12には、有機溶剤を蒸発させることによって空間が形成される。しかしながら、この空間は微小であるため、当該空間によって第1、第2層間接続部材40、50を固相焼結することは阻害されない。   The interval between T1 and T2 is about 10 minutes. A space is formed in the first and second via holes 11 and 12 by evaporating the organic solvent. However, since this space is very small, solid phase sintering of the first and second interlayer connection members 40 and 50 is not inhibited by the space.

その後、図6に示されるように、10MPaの加圧を保持したまま時点T3まで冷却することにより積層体80が一体化され、図1に示す熱電変換装置1が製造される。なお、T2〜T3間は約8分間である。   Thereafter, as shown in FIG. 6, the laminated body 80 is integrated by cooling to a time point T <b> 3 while maintaining a pressure of 10 MPa, and the thermoelectric conversion device 1 shown in FIG. 1 is manufactured. In addition, it is about 8 minutes between T2-T3.

以上説明したように、本実施形態では、絶縁基材10に貫通孔13を形成し、貫通孔13に熱可塑性樹脂を流し込みつつ積層体80を一体化している。このため、熱可塑性樹脂が流動する部分(第1、第2ビアホール11、12の周囲)に印加される加圧力は小さくなり、本来この部分に印加されるべき加圧力が第1、第2導電性ペースト41、51に印加される。したがって、第1、第2導電性ペースト41、51に印加される加圧力が大きくなる。つまり、第1、第2導電性ペースト41、51に加圧力を効率良く印加することができる。したがって、第1、第2導電性ペースト41、51が固相焼結されないことを抑制できる。   As described above, in this embodiment, the through hole 13 is formed in the insulating base material 10, and the laminate 80 is integrated while pouring a thermoplastic resin into the through hole 13. For this reason, the applied pressure applied to the portion where the thermoplastic resin flows (around the first and second via holes 11 and 12) is reduced, and the applied pressure that should be applied to this portion is the first and second conductivity. Applied to the functional pastes 41, 51. Accordingly, the pressure applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 is increased. That is, the applied pressure can be efficiently applied to the first and second conductive pastes 41 and 51. Accordingly, it is possible to prevent the first and second conductive pastes 41 and 51 from being solid-phase sintered.

さらに、貫通孔13を、第1、第2ビアホール11、12のそれぞれを中心とし、同心円上であって周方向に等間隔に離間するように形成している。このため、積層体80を一体化する際、第1、第2ビアホール11、12の周囲の熱可塑性樹脂が等方的に貫通孔13に流れ込みやすくなり、第1、第2ビアホール11、12が積層体80の平面方向に変位することを抑制できる。したがって、第1、第2導電性ペースト41、51から形成される第1、第2層間接続部材40、50と表面パターン21および裏面パターン31とが導通不良となることを抑制できる。   Further, the through holes 13 are formed so as to be concentric with the first and second via holes 11 and 12 as centers, and are spaced apart at equal intervals in the circumferential direction. For this reason, when the laminated body 80 is integrated, the thermoplastic resin around the first and second via holes 11 and 12 is likely to flow isotropically into the through hole 13, and the first and second via holes 11 and 12 are formed. Displacement in the planar direction of the stacked body 80 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the first and second interlayer connection members 40 and 50 formed from the first and second conductive pastes 41 and 51 and the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31 from being poorly connected.

また、本実施形態の製造方法によれば、絶縁基材10の平面形状の大きさや厚み、第1、第2ビアホール11、12の数、径等を適宜変更するのみで所望の変換効率の熱電変換装置1を製造することができ、用途に応じて製造工程が特に増加したり複雑になったりすることがない。つまり、設計の自由度を向上させることができる。   In addition, according to the manufacturing method of the present embodiment, a thermoelectric device having a desired conversion efficiency can be obtained simply by appropriately changing the size and thickness of the planar shape of the insulating base material 10, the number of first and second via holes 11 and 12, the diameter, and the like. The conversion device 1 can be manufactured, and the manufacturing process is not particularly increased or complicated depending on the application. That is, the degree of design freedom can be improved.

さらに、本実施形態の熱電変換装置1は、第1、第2層間接続部材40、50が複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金で形成されているので、大きな電力を発生させることができる。そして、第1層間接続部材40および第2層間接続部材50の周囲は、熱可塑性樹脂を含んで構成された絶縁基材10が配置されているため、第1層間接続部材40および第2層間接続部材50と、表面パターン21および裏面パターン31との密着性を向上させることができる。このため、さらに大きな電力を発生させることができる。   Furthermore, the thermoelectric conversion device 1 according to the present embodiment generates large electric power because the first and second interlayer connection members 40 and 50 are formed of an alloy in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure. Can be made. And since the insulating base material 10 comprised including the thermoplastic resin is arrange | positioned around the 1st interlayer connection member 40 and the 2nd interlayer connection member 50, the 1st interlayer connection member 40 and the 2nd interlayer connection The adhesion between the member 50 and the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31 can be improved. For this reason, larger electric power can be generated.

また、表面パターン21(表面保護部材20)と裏面パターン31(裏面保護部材30)との間に絶縁基材10が配置されており、表面パターン21(表面保護部材20)と裏面パターン31(裏面保護部材30)との間に空気流れが生じない。したがって、表面パターン21(表面保護部材20)と裏面パターン31(裏面保護部材30)との間の熱差が小さくなることを抑制することができる。   Moreover, the insulating base material 10 is arrange | positioned between the surface pattern 21 (surface protection member 20) and the back surface pattern 31 (back surface protection member 30), and the surface pattern 21 (surface protection member 20) and the back surface pattern 31 (back surface) There is no air flow between the protective member 30). Therefore, it can suppress that the heat difference between the surface pattern 21 (surface protection member 20) and the back surface pattern 31 (back surface protection member 30) becomes small.

ところで、銅箔等の配線パターンを底面とするビアホールが形成されていると共にビアホールに層間接続部材が配置された複数枚の樹脂フィルムを積層してなる多層基板が知られており、このような多層基板は次のように製造される。   By the way, a multilayer substrate is known in which a via hole having a wiring pattern such as a copper foil is formed on the bottom and a plurality of resin films in which an interlayer connection member is disposed in the via hole is laminated. The substrate is manufactured as follows.

すなわち、まず、銅箔等の配線パターンを底面とするビアホールを形成すると共にビアホールに導電性ペーストを充填した複数枚の樹脂フィルムを用意する。なお、導電性ペーストとしては、Snを含むものが用いられる。そして、複数枚の樹脂フィルムを積層して積層体を構成し、この積層体を真空状態で加熱しながら加圧して一体化する。このとき、導電性ペーストが焼結されて層間接続部材が構成されると共に、この層間接続部材が配線パターンと電気的に接続される。   That is, first, a plurality of resin films in which a via hole having a wiring pattern such as a copper foil as its bottom surface is formed and the via hole is filled with a conductive paste are prepared. As the conductive paste, a paste containing Sn is used. Then, a plurality of resin films are laminated to form a laminated body, and the laminated body is pressed and integrated while being heated in a vacuum state. At this time, the conductive paste is sintered to form an interlayer connection member, and the interlayer connection member is electrically connected to the wiring pattern.

しかしながら、上記製造方法における一体化工程では、導電性ペーストとしてSnを含むものを用いており、このSnを配線パターンに拡散させて層間接続部材(導電性ペースト)と配線パターンとを金属(拡散)結合している。つまり、金属粒子を圧接しないため、最大で4MPa程度の加圧で一体化工程を行っている。したがって、このような製造工程を本実施形態の熱電変換装置1の製造方法にそのまま適用することはできない。   However, in the integration process in the above manufacturing method, a conductive paste containing Sn is used, and this Sn is diffused into the wiring pattern so that the interlayer connection member (conductive paste) and the wiring pattern are made of metal (diffusion). Are connected. That is, in order not to press the metal particles, the integration process is performed with a pressure of about 4 MPa at the maximum. Therefore, such a manufacturing process cannot be applied as it is to the manufacturing method of the thermoelectric conversion device 1 of the present embodiment.

なお、本実施形態では、第1導電性ペースト41としてBi−Sb−Te合金の粉末を用い、第2導電性ペースト51としてBi−Te合金の粉末を用いる例について説明したが、合金の粉末はこれらに限定されるものではない。例えば、第1、第2導電性ペースト41、51を構成する合金の粉末として、銅、コンスタンタン、クロメル、アルメル等が鉄、ニッケル、クロム、銅、シリコン等と合金化されたものから適宜選択してもよい。また、テルル、ビスマス、アンチモン、セレンの合金や、シリコン、鉄、アルミニウムの合金等から適宜選択してもよい。   In the present embodiment, an example in which Bi—Sb—Te alloy powder is used as the first conductive paste 41 and Bi—Te alloy powder is used as the second conductive paste 51 has been described. It is not limited to these. For example, the alloy powder constituting the first and second conductive pastes 41 and 51 is appropriately selected from those in which copper, constantan, chromel, alumel, etc. are alloyed with iron, nickel, chromium, copper, silicon or the like. May be. Moreover, you may select suitably from the alloy of tellurium, bismuth, antimony, selenium, the alloy of silicon, iron, aluminum, etc.

(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、空隙を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Second Embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the gap is changed from that of the first embodiment, and the other aspects are the same as those of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

図8および図9に示されるように、本実施形態では、図4(e)の工程において、絶縁基材10に対して各第1、第2ビアホール11、12を囲む枠状の溝部14を形成する。具体的には、絶縁基材10の表面10aに、各第1、第2ビアホール11、12のいずれか一方が1つずつ枠内に位置するように溝部14を形成する。同様に、絶縁基材10の裏面10bに、各第1、第2ビアホール11、12のいずれか一方が1つずつ枠内に位置するように溝部14を形成する。   As shown in FIGS. 8 and 9, in the present embodiment, in the step of FIG. 4E, a frame-like groove portion 14 surrounding each of the first and second via holes 11 and 12 is formed in the insulating base material 10. Form. Specifically, the groove portion 14 is formed on the surface 10a of the insulating base material 10 so that one of the first and second via holes 11 and 12 is located in the frame one by one. Similarly, the groove part 14 is formed in the back surface 10b of the insulating base material 10 so that any one of the first and second via holes 11 and 12 is located in the frame one by one.

なお、本実施形態では、溝部14が本発明の空隙に相当している。また、ここでは、各第1、第2ビアホール11、12を囲む溝部14を格子状に形成しているが、溝部14を互いに分離して形成してもよい。さらに、本実施形態では、絶縁基材10の表面10aおよび裏面10bに形成された溝部14を同じ大きさとしており、第1、第2ビアホール11、12が枠内の中心に位置するように溝部14を形成している。   In the present embodiment, the groove portion 14 corresponds to the gap of the present invention. Here, the groove portions 14 surrounding each of the first and second via holes 11 and 12 are formed in a lattice shape, but the groove portions 14 may be formed separately from each other. Furthermore, in this embodiment, the groove part 14 formed in the surface 10a and the back surface 10b of the insulating base material 10 is made into the same magnitude | size, and a groove part is located so that the 1st, 2nd via-holes 11 and 12 may be located in the center in a frame. 14 is formed.

このように絶縁基材10に溝部14を形成しても、図4(i)の工程において、積層体80を一体化する際に溝部14に熱可塑性樹脂が流れ込む。このため、第1、第2導電性ペースト41、51に印加される加圧力を大きくすることができ、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。   Thus, even if the groove part 14 is formed in the insulating base material 10, the thermoplastic resin flows into the groove part 14 when the laminated body 80 is integrated in the process of FIG. For this reason, the applied pressure applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 can be increased, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.

なお、ここでは、絶縁基材10の表面10aおよび裏面10bに溝部14を形成することについて説明したが、絶縁基材10の表面10aおよび裏面10bのうちいずれか一方のみに溝部14を形成するようにしてもよい。   Here, the description has been given of the formation of the groove portion 14 on the front surface 10a and the back surface 10b of the insulating base material 10. However, the groove portion 14 is formed only on one of the front surface 10a and the back surface 10b of the insulating base material 10. It may be.

(第3実施形態)
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、空隙を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the gap is changed from that of the first embodiment, and the other aspects are the same as those of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

図10に示されるように、本実施形態では、図4(f)および(g)の工程において、表面パターン21および裏面パターン31のうち第1、第2導電性ペースト41、51と接触する部分と異なる部分に凹部15を形成して積層体80を構成する。つまり、表面パターン21および裏面パターン31のうち絶縁基材10を構成する熱可塑性樹脂と対向する部分に凹部15が形成された積層体80を構成する。なお、本実施形態では、凹部15が本発明の空隙に相当している。   As shown in FIG. 10, in the present embodiment, portions of the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31 that are in contact with the first and second conductive pastes 41 and 51 in the steps of FIGS. The laminated body 80 is formed by forming the concave portions 15 in different portions. That is, the laminated body 80 in which the recessed part 15 is formed in the part facing the thermoplastic resin which comprises the insulating base material 10 among the surface pattern 21 and the back surface pattern 31 is comprised. In the present embodiment, the recess 15 corresponds to the gap of the present invention.

このように表面パターン21および裏面パターン31に凹部15を形成しても、積層体80を一体化する際に凹部15に熱可塑性樹脂が流れ込む。このため、第1、第2導電性ペースト41、51に印加される加圧力を大きくすることができ、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。   Thus, even if the recesses 15 are formed in the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31, the thermoplastic resin flows into the recesses 15 when the laminate 80 is integrated. For this reason, the applied pressure applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 can be increased, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.

なお、ここでは、表面パターン21および裏面パターン31に凹部15を形成することについて説明したが、表面パターン21および裏面パターン31のうちいずれか一方のみに凹部15を形成するようにしてもよい。   Here, the formation of the recess 15 in the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31 has been described. However, the recess 15 may be formed in only one of the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31.

(第4実施形態)
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、空隙を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the gap is changed from that of the first embodiment, and the other aspects are the same as those of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

図11に示されるように、本実施形態では、絶縁基材10として、熱可塑性樹脂フィルム10c、内部に空洞16を有するガラスクロス10d、熱可塑性樹脂フィルム10cが順に積層され、これらが低温プレス等で仮接合したものを用いる。なお、本実施形態では、ガラスクロス10dが本発明の多孔質部材に相当し、ガラスクロス10d内の空洞16が本発明の空隙に相当している。   As shown in FIG. 11, in this embodiment, a thermoplastic resin film 10c, a glass cloth 10d having a cavity 16 inside, and a thermoplastic resin film 10c are sequentially laminated as the insulating base material 10, and these are laminated at a low temperature press or the like. The one temporarily bonded with is used. In the present embodiment, the glass cloth 10d corresponds to the porous member of the present invention, and the cavity 16 in the glass cloth 10d corresponds to the void of the present invention.

このような絶縁基材10を用いても、図4(i)の工程において、積層体80を一体化する際にガラスクロス10d内の空洞16に熱可塑性樹脂が流れ込む(含浸する)。このため、第1、第2導電性ペースト41、51に印加される加圧力を大きくすることができ、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。   Even when such an insulating substrate 10 is used, the thermoplastic resin flows (impregnates) into the cavity 16 in the glass cloth 10d when the laminated body 80 is integrated in the step of FIG. 4 (i). For this reason, the applied pressure applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 can be increased, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.

なお、ここでは、多孔質部材としてガラスクロス10dを例に挙げて説明したが、例えば、多孔質部材としてアラミド不織布等を用いてもよい。   In addition, although glass cloth 10d was mentioned as an example and demonstrated here as a porous member, for example, an aramid nonwoven fabric etc. may be used as a porous member.

(第5実施形態)
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、空隙を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the gap is changed from that of the first embodiment, and the other aspects are the same as those of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

図12に示されるように、本実施形態では、絶縁基材10として、熱可塑性樹脂フィルムに複数の穴17が形成されている多孔質性のものを用いる。このような絶縁基材10を用いても、図4(i)の工程において、積層体80を一体化する際に穴17に熱可塑性樹脂が流れ込む。このため、第1、第2導電性ペースト41、51に印加される加圧力を大きくすることができ、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。   As shown in FIG. 12, in this embodiment, a porous material in which a plurality of holes 17 are formed in a thermoplastic resin film is used as the insulating base material 10. Even if such an insulating substrate 10 is used, the thermoplastic resin flows into the holes 17 when the laminated body 80 is integrated in the step of FIG. For this reason, the applied pressure applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 can be increased, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.

(第6実施形態)
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、貫通孔13が形成されていない積層体80を構成し、この積層体80を窪み部が形成されたプレス板を用いて一体化するものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Sixth embodiment)
A sixth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, a laminated body 80 in which the through-holes 13 are not formed is configured with respect to the first embodiment, and the laminated body 80 is integrated using a press plate in which a recessed portion is formed. Since other aspects are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted here.

図13(a)に示されるように、本実施形態では、積層体80の内部には貫通孔13が形成されていない。つまり、本実施形態では、図4(a)〜(d)、(f)〜(h)の工程を行って積層体80を構成する。そして、表面パターン21および裏面パターン31と対向する部分と異なる部分に窪み部90aが形成されている一対のプレス板90を用いて積層体80を加圧する。   As shown in FIG. 13A, in the present embodiment, the through hole 13 is not formed inside the stacked body 80. That is, in the present embodiment, the stacked body 80 is configured by performing the steps of FIGS. 4A to 4D and 4F to 4H. And the laminated body 80 is pressurized using the pair of press board 90 in which the hollow part 90a is formed in the part different from the part facing the surface pattern 21 and the back surface pattern 31. FIG.

これにより、図13(b)に示されるように、一対のプレス板90の各窪み部90aに表面保護部材20および裏面保護部材30を構成する熱可塑性樹脂が流動すると共に、この熱可塑性樹脂が流動した部分に絶縁基材10の熱可塑性樹脂が流動する。このため、プレス板90から第1、第2導電性ペースト41、51に印加される加圧力が大きくなり、図13(c)に示されるように、第1、第2導電性ペースト41、51が固相焼結されて第1、第2層間接続部材40、50が構成される。   As a result, as shown in FIG. 13B, the thermoplastic resin constituting the surface protection member 20 and the back surface protection member 30 flows into the recesses 90 a of the pair of press plates 90, and the thermoplastic resin The thermoplastic resin of the insulating base material 10 flows in the flowed portion. For this reason, the applied pressure applied from the press plate 90 to the first and second conductive pastes 41 and 51 is increased, and as shown in FIG. 13C, the first and second conductive pastes 41 and 51 are applied. Are solid-phase sintered to form the first and second interlayer connection members 40 and 50.

このように、窪み部90aが形成された一対のプレス板90を用いて積層体80を一体化するようにしても、絶縁基材10を構成する熱可塑性樹脂が流動するため、第1、第2導電性ペースト41、51に印加される加圧力を大きくすることができ、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。   Thus, even if the laminated body 80 is integrated using the pair of press plates 90 in which the recessed portions 90a are formed, the thermoplastic resin constituting the insulating base material 10 flows. The applied pressure applied to the two conductive pastes 41 and 51 can be increased, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.

なお、本実施形態で製造された熱電変換装置は、窪み部90a内に流れ込んだ熱可塑性樹脂にて凸部が形成される。このため、積層体90を一体化した後、凸部を切削等によって除去するようにしてもよい。もしくは、凸部を覆うように熱伝導性を有するシート等を配置して熱電変換装置の上下両面を平坦化するようにしてもよい。   In addition, the thermoelectric conversion apparatus manufactured by this embodiment forms a convex part with the thermoplastic resin which flowed in the hollow part 90a. For this reason, after integrating the laminated body 90, you may make it remove a convex part by cutting etc. FIG. Or you may make it arrange | position the sheet | seat etc. which have heat conductivity so that a convex part may be covered, and to planarize the upper and lower surfaces of a thermoelectric conversion apparatus.

また、ここでは、一対のプレス板90のそれぞれに窪み部90aが形成されている例について説明したが、一対のプレス板90のうちいずれか一方のみに窪み部90aが形成されたプレス板90を用いてもよい。   Here, the example in which the depression 90a is formed in each of the pair of press plates 90 has been described, but the press plate 90 in which the depression 90a is formed in only one of the pair of press plates 90 is provided. It may be used.

さらに、本実施形態では、表面パターン21および裏面パターン31と対向する部分と異なる部分に窪み部90aが形成されている一対のプレス板90を用いる例について説明した。しかしながら、表面パターン21および裏面パターン31と対向する部分に窪み部90aが形成されている一対のプレス板90を用いてもよい。このようなプレス板90を用いても、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30を構成する各熱可塑性樹脂が流動するため、同様の効果を得ることができる。   Furthermore, in this embodiment, the example using a pair of press plate 90 in which the hollow part 90a was formed in the part different from the part facing the surface pattern 21 and the back surface pattern 31 was demonstrated. However, you may use a pair of press plate 90 in which the hollow part 90a is formed in the part facing the surface pattern 21 and the back surface pattern 31. FIG. Even if such a press plate 90 is used, since the thermoplastic resins constituting the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30 flow, the same effect can be obtained.

(第7実施形態)
本発明の第7実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、第1、第2導電性ペースト41、51が充填された絶縁基材10を用意する製造工程を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Seventh embodiment)
A seventh embodiment of the present invention will be described. The present embodiment is different from the first embodiment in the manufacturing process for preparing the insulating base material 10 filled with the first and second conductive pastes 41 and 51, and the other steps are the first implementation. Since it is the same as the embodiment, the description is omitted here.

図14(a)に示されるように、本実施形態では、絶縁基材10に第1、第2ビアホール11、12を同時に形成する。   As shown in FIG. 14A, in the present embodiment, the first and second via holes 11 and 12 are formed in the insulating base material 10 at the same time.

次に、図14(b)に示されるように、絶縁基材10の表面10a上に第1ビアホール11と対応する領域が開口されたマスク91を配置する。そして、第1ビアホール11のみに第1導電性ペースト41を充填する。   Next, as shown in FIG. 14B, a mask 91 in which a region corresponding to the first via hole 11 is opened is disposed on the surface 10 a of the insulating base material 10. Then, only the first via hole 11 is filled with the first conductive paste 41.

続いて、図14(c)に示されるように、マスク91を除去し、第1実施形態と同様に、常温で第2導電性ペースト51を充填する。これにより、第1、第2導電性ペースト41、51が充填された絶縁基材10が用意される。その後は、上記第1実施形態と同様の工程を行うことにより、図1に示す熱電変換装置1が製造される。   Subsequently, as shown in FIG. 14C, the mask 91 is removed, and the second conductive paste 51 is filled at room temperature as in the first embodiment. Thereby, the insulating base material 10 filled with the first and second conductive pastes 41 and 51 is prepared. Thereafter, the thermoelectric conversion device 1 shown in FIG. 1 is manufactured by performing the same steps as in the first embodiment.

以上説明したように、本実施形態では、絶縁基材10に第1、第2ビアホール11、12を同時に形成しており、ビアホールを形成する工程を1度にすることができる。   As described above, in the present embodiment, the first and second via holes 11 and 12 are formed in the insulating base material 10 at the same time, and the process of forming the via holes can be performed once.

なお、第1ビアホール11に第1導電性ペースト41を充填した後、絶縁基材10の表面10a上に第2ビアホール12と対応する領域が開口されたマスクを配置するようにしてもよい。この場合は、第2ビアホール12に第2導電性ペースト51を充填する際に、マスクによって第1ビアホール11に第2導電性ペースト51が混入することが抑制される。したがって、第2導電性ペースト51を構成する有機溶剤として、第2導電性ペースト51を充填する際に第1導電性ペースト41が溶融してしまうものも用いることができ、例えば、第1導電性ペースト41の有機溶剤と同様にパラフィンを用いることができる。   Note that after the first via hole 11 is filled with the first conductive paste 41, a mask having an opening corresponding to the second via hole 12 may be disposed on the surface 10 a of the insulating substrate 10. In this case, the second conductive paste 51 is suppressed from being mixed into the first via hole 11 by the mask when the second conductive paste 51 is filled in the second via hole 12. Accordingly, as the organic solvent that constitutes the second conductive paste 51, a solvent in which the first conductive paste 41 melts when the second conductive paste 51 is filled can be used. Paraffin can be used similarly to the organic solvent of the paste 41.

(第8実施形態)
本発明の第8実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、絶縁基材10の構成を変更すると共に、第1、第2ビアホール11、12(第1、第2層間接続部材40、50)の形状を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Eighth embodiment)
An eighth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the configuration of the insulating base 10 is changed with respect to the first embodiment, and the shapes of the first and second via holes 11 and 12 (first and second interlayer connection members 40 and 50) are changed. Since the rest is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted here.

図15に示されるように、本実施形態では、絶縁基材10は、熱硬化性樹脂フィルム10e、熱可塑性樹脂フィルム10c、熱硬化性樹脂フィルム10eが順に積層されて構成されている。そして、第1、第2ビアホール11、12(第1、第2層間接続部材40、50)は、絶縁基材10の表面10a側および裏面10b側の部分の径が中央部分の径より大きくなっている。   As shown in FIG. 15, in this embodiment, the insulating base material 10 is configured by laminating a thermosetting resin film 10e, a thermoplastic resin film 10c, and a thermosetting resin film 10e in this order. In the first and second via holes 11 and 12 (first and second interlayer connection members 40 and 50), the diameters of the portions on the front surface 10a side and the back surface 10b side of the insulating base 10 are larger than the diameter of the central portion. ing.

このような熱電変換装置1は、次のように製造される。すなわち、絶縁基材10として、熱硬化性樹脂フィルム10e、熱可塑性樹脂フィルム10c、熱硬化性樹脂フィルム10eが順に積層され、低温プレス等で仮接合されたものを用いる。   Such a thermoelectric conversion device 1 is manufactured as follows. That is, as the insulating substrate 10, a thermosetting resin film 10e, a thermoplastic resin film 10c, and a thermosetting resin film 10e are sequentially laminated and temporarily joined by a low-temperature press or the like.

そして、図4(a)および図4(c)の工程を行う際、まず、絶縁基材10の表面10a側の熱硬化性樹脂フィルム10eおよび裏面10b側の熱硬化性樹脂フィルム10eに熱可塑性樹脂フィルム10cに達する穴を形成する。その後、熱可塑性樹脂フィルム10cに熱硬化性樹脂フィルム10eに形成した穴より径が小さい穴を形成することにより、第1、第2ビアホール11、12を形成する。   4A and 4C, first, the thermoplastic resin film 10e on the front surface 10a side and the thermosetting resin film 10e on the back surface 10b side of the insulating base material 10 are thermoplastic. A hole reaching the resin film 10c is formed. Then, the 1st, 2nd via-holes 11 and 12 are formed by forming the hole whose diameter is smaller than the hole formed in the thermosetting resin film 10e in the thermoplastic resin film 10c.

そして、図4(i)の工程を行って積層体80を一体化する。このとき、図16(a)に示されるように、積層体80の積層方向の上下両面から加圧すると、図16(b)に示されるように、熱可塑性樹脂は、流動して第1、第2導電性ペースト41、51を加圧すると共に貫通孔13に流れ込むが、熱硬化性樹脂は流動しない。このため、図16(c)に示されるように、熱硬化性樹脂フィルム10eと第1、第2層間接続部材40、50との間、および貫通孔13に熱可塑性樹脂が流れ込む。   And the process of FIG.4 (i) is performed and the laminated body 80 is integrated. At this time, as shown in FIG. 16 (a), when pressure is applied from the upper and lower surfaces in the stacking direction of the laminate 80, as shown in FIG. 16 (b), the thermoplastic resin flows to the first, The second conductive pastes 41 and 51 are pressurized and flow into the through hole 13, but the thermosetting resin does not flow. For this reason, as shown in FIG. 16C, the thermoplastic resin flows between the thermosetting resin film 10 e and the first and second interlayer connection members 40 and 50 and into the through hole 13.

このような絶縁基材10を用いても、貫通孔13に熱可塑性樹脂が流れ込むことによって第1、第2導電性ペースト41、51に印加される加圧力が大きくなるため、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。   Even if such an insulating base material 10 is used, the pressure applied to the first and second conductive pastes 41 and 51 increases as the thermoplastic resin flows into the through-holes 13, so that the first embodiment described above. The same effect can be obtained.

また、熱硬化性樹脂は流動しないため、第1、第2ビアホール11、12が積層体80の平面方向に変位することをさらに抑制できる。そして、熱硬化性樹脂フィルム10eが熱可塑性樹脂が流動する際の流動抵抗となるため、特に絶縁基材10の外縁部において、熱可塑性樹脂が流出してしまうことを抑制できる。   Further, since the thermosetting resin does not flow, it is possible to further suppress the displacement of the first and second via holes 11 and 12 in the plane direction of the stacked body 80. And since the thermosetting resin film 10e becomes a flow resistance when the thermoplastic resin flows, it is possible to suppress the thermoplastic resin from flowing out particularly at the outer edge portion of the insulating base material 10.

さらに、本実施形態では、第1、第2ビアホール11、12は、絶縁基材10の表面10a側および裏面10b側の部分の径が中央部分の径より大きくされている。このため、第1、第2層間接続部材40、50と表面パターン21および裏面パターン31との接触面積を十分に確保することができ、導通不良が発生することを抑制できる。また、第1、第2ビアホール11、12の径が絶縁基材10の表面10a側および裏面10b側の部分の径で一定とされている場合と比較して、第1、第2層間接続部材40、50の熱伝導率を低減できる。   Further, in the present embodiment, the first and second via holes 11 and 12 have the diameters of the portions on the front surface 10a side and the back surface 10b side of the insulating base material 10 larger than the diameter of the central portion. For this reason, the contact area of the 1st, 2nd interlayer connection members 40 and 50, the surface pattern 21, and the back surface pattern 31 can fully be ensured, and it can suppress that a conduction | electrical_connection defect generate | occur | produces. Further, the first and second interlayer connection members are compared with the case where the diameters of the first and second via holes 11 and 12 are constant in the diameters of the portions on the front surface 10a side and the back surface 10b side of the insulating substrate 10. The thermal conductivity of 40 and 50 can be reduced.

なお、本実施形態では、熱硬化性樹脂フィルム10e、熱可塑性樹脂フィルム10c、熱硬化性樹脂フィルム10eの3枚の樹脂フィルムが順に積層された絶縁基材10を例に挙げて説明したが、さらに複数の樹脂フィルムが順に積層されていてもよい。   In the present embodiment, the insulating base material 10 in which three resin films of the thermosetting resin film 10e, the thermoplastic resin film 10c, and the thermosetting resin film 10e are sequentially laminated is described as an example. Further, a plurality of resin films may be sequentially laminated.

(第9実施形態)
本発明の第9実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、表面保護部材20および裏面保護部材30を除去したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Ninth embodiment)
A ninth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the surface protection member 20 and the back surface protection member 30 are removed from the first embodiment, and the other aspects are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

図17に示されるように、本実施形態では、絶縁基材10の表面10aに表面パターン21のみが配置され、絶縁基材10の裏面10bに裏面パターン31のみが配置されている。   As shown in FIG. 17, in this embodiment, only the surface pattern 21 is disposed on the front surface 10 a of the insulating base material 10, and only the back surface pattern 31 is disposed on the back surface 10 b of the insulating base material 10.

このような熱電変換装置1は、次のように製造される。すなわち、図18に示されるように、絶縁基材10の表面10aおよび裏面10bに、絶縁基材10の平面形状と同じ大きさとされている銅板等の表面金属板21aおよび裏面金属板31aを配置して積層体80を構成する。   Such a thermoelectric conversion device 1 is manufactured as follows. That is, as shown in FIG. 18, the front surface metal plate 21 a and the rear surface metal plate 31 a such as a copper plate having the same size as the planar shape of the insulating base material 10 are arranged on the front surface 10 a and the back surface 10 b of the insulating base material 10. Thus, the laminated body 80 is configured.

そして、図4(i)の工程において積層体80を一体化した後、各組60の第1、第2層間接続部材40、50のみが同じ表面パターン21と接続されるように表面金属板21aをダイシングする。また、隣接する組60において、一方の組60の第1層間接続部材40と、他方の組60の第2層間接続部材50のみが同じ裏面パターン31と接続されるように、裏面金属板31aをダイシングする。これにより、図17に示す熱電変換装置1が製造される。   And after integrating the laminated body 80 in the process of FIG. 4I, the surface metal plate 21a is connected so that only the first and second interlayer connection members 40, 50 of each set 60 are connected to the same surface pattern 21. Dicing. Further, in the adjacent set 60, the back metal plate 31a is arranged so that only the first interlayer connection member 40 of one set 60 and the second interlayer connection member 50 of the other set 60 are connected to the same back pattern 31. Dicing. Thereby, the thermoelectric conversion apparatus 1 shown in FIG. 17 is manufactured.

このように、絶縁基材10の表面10aに表面パターン21のみが配置され、裏面10bに裏面パターン31のみが配置された熱電変換装置1においても、本発明を適用することができる。   Thus, the present invention can also be applied to the thermoelectric conversion device 1 in which only the front surface pattern 21 is disposed on the front surface 10a of the insulating substrate 10 and only the back surface pattern 31 is disposed on the rear surface 10b.

(第10実施形態)
本発明の第10実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、第2層間接続部材50を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(10th Embodiment)
A tenth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the second interlayer connection member 50 is changed with respect to the first embodiment, and the other parts are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

図19に示されるように、本実施形態では、第2層間接続部材50は、Ag−Sn系等の金属粒子を含む第2導電性ペースト51が焼結されることによって構成されている。つまり、本実施形態の第2層間接続部材50は、主として熱電効果を発揮させるためのものではなく、導通を図るために備えられている。このため、第2ビアホール12の径が第1ビアホール11の径より小さくされている。言い換えると、第2ビアホール12における絶縁基材10の表面と平行な平面に沿った断面積が第1ビアホール11における絶縁基材10の表面と平行な平面に沿った断面積より小さくされている。   As shown in FIG. 19, in the present embodiment, the second interlayer connection member 50 is configured by sintering a second conductive paste 51 containing metal particles such as Ag—Sn. That is, the second interlayer connection member 50 of the present embodiment is provided not for the purpose of mainly exerting the thermoelectric effect but for the purpose of electrical conduction. For this reason, the diameter of the second via hole 12 is made smaller than the diameter of the first via hole 11. In other words, the cross-sectional area along the plane parallel to the surface of the insulating base material 10 in the second via hole 12 is made smaller than the cross-sectional area along the plane parallel to the surface of the insulating base material 10 in the first via hole 11.

なお、このような熱電変換装置1においても、第1層間接続部材40と表面パターン21および裏面パターン31とが異なる金属で構成されているため、第1層間接続部材40と表面パターン21および裏面パターン31との間で熱電効果を得ることができる。   In such a thermoelectric conversion device 1 as well, the first interlayer connection member 40, the front surface pattern 21, and the back surface pattern 31 are made of different metals. A thermoelectric effect can be obtained between the two.

このような熱電変換装置1は、特に図示しないが、図4(c)の工程において、第1ビアホール11より径の小さい第2ビアホール12を形成する。そして、第2導電性ペースト51としてAg−Sn系等の金属粒子を含む導電性ペーストを用いることにより製造される。   Such a thermoelectric conversion device 1 forms a second via hole 12 having a diameter smaller than that of the first via hole 11 in the step of FIG. And it manufactures by using the conductive paste containing metal particles, such as Ag-Sn type | system | group, as the 2nd conductive paste 51. FIG.

このように、第2層間接続部材50が主に導通を図るためのものである熱電変換装置1においても、本発明を適用することができる。   Thus, the present invention can also be applied to the thermoelectric conversion device 1 in which the second interlayer connection member 50 is mainly intended for electrical conduction.

なお、第2層間接続部材50は、固相焼結で表面パターン21および裏面パターン31と接続されるのではなく、金属(拡散)結合にて表面パターン21および裏面パターン31と接続される。   The second interlayer connecting member 50 is not connected to the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31 by solid phase sintering, but is connected to the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31 by metal (diffusion) bonding.

(第11実施形態)
本発明の第11実施形態について説明する。本実施形態は、第10実施形態に対して、第1、第2ビアホール11、12の配置方法を変更したものであり、その他に関しては第10実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Eleventh embodiment)
An eleventh embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the arrangement method of the first and second via holes 11 and 12 is changed with respect to the tenth embodiment, and the other aspects are the same as those in the tenth embodiment, and thus the description thereof is omitted here. To do.

図20および図21に示されるように、本実施形態では、第2ビアホール12が絶縁基材10の長辺方向(図20および図21中紙面左右方向)における一方の端部にのみ形成されている。さらに詳述すると、絶縁基材10の端部では、短辺方向(図20および図21中紙面上下方向)に第1、第2ビアホール11、12が交互に形成されている。   As shown in FIGS. 20 and 21, in the present embodiment, the second via hole 12 is formed only at one end in the long side direction of the insulating base material 10 (the left and right direction in FIG. 20 and FIG. 21). Yes. More specifically, the first and second via holes 11 and 12 are alternately formed in the short side direction (the vertical direction in FIG. 20 and FIG. 21) at the end of the insulating base material 10.

そして、絶縁基材10の長辺方向に沿って配置された第1、第2層間接続部材40、50は同じ表面パターン21と接続されている。また、絶縁基材10の長辺方向に沿って配置された第1層間接続部材40は同じ裏面パターン31と接続されている。そして、第2層間接続部材50は、当該第2層間接続部材50が接続されている表面パターン21と接続されている第1層間接続部材40と異なる第1層間接続部材50が接続されている裏面パターン31と接続されている。   The first and second interlayer connection members 40 and 50 arranged along the long side direction of the insulating base material 10 are connected to the same surface pattern 21. In addition, the first interlayer connection member 40 disposed along the long side direction of the insulating base material 10 is connected to the same back surface pattern 31. The second interlayer connection member 50 has a back surface to which a first interlayer connection member 50 different from the first interlayer connection member 40 connected to the surface pattern 21 to which the second interlayer connection member 50 is connected is connected. The pattern 31 is connected.

つまり、本実施形態では、絶縁基材10の長辺方向に沿って配置された第1層間接続部材40はそれぞれ並列接続され、並列接続されたものが第2層間接続部材50を介して直列に接続された構成とされている。   That is, in this embodiment, the first interlayer connection members 40 arranged along the long side direction of the insulating base material 10 are connected in parallel, and the parallel connection members are connected in series via the second interlayer connection member 50. Connected configuration.

なお、図20は、理解をし易くするために、表面保護部材20を省略して示してあり、断面図ではないが、第1、第2層間接続部材40、50にハッチングを施してある。同様に、図21は、理解をし易くするために、裏面保護部材30を省略して示してあり、断面図ではないが、第1、第2層間接続部材40、50にハッチングを施してある。   In FIG. 20, the surface protection member 20 is omitted for easy understanding, and the first and second interlayer connection members 40 and 50 are hatched although they are not sectional views. Similarly, FIG. 21 omits the back surface protection member 30 for easy understanding, and is not a cross-sectional view, but the first and second interlayer connection members 40 and 50 are hatched. .

このような熱電変換装置1は、特に図示しないが、図4(a)および図4(c)の工程において、第1ビアホール11および第2ビアホール12を形成する場所を変更し、図4(f)および図4(g)の工程において、上記表面パターン21および裏面パターン31を形成することにより製造される。   Such a thermoelectric conversion device 1 is not particularly shown, but in the steps of FIG. 4A and FIG. 4C, the place where the first via hole 11 and the second via hole 12 are formed is changed, and FIG. ) And the process of FIG. 4G are manufactured by forming the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31.

このように、第1、第2ビアホール11、12が互い違いに形成されていない熱電変換装置1においても、本発明を適用することができる。   Thus, the present invention can also be applied to the thermoelectric conversion device 1 in which the first and second via holes 11 and 12 are not alternately formed.

(第12実施形態)
本発明の第12実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、第1ビアホール11のみを形成すると共に表面保護部材20と裏面保護部材30とを一体化したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Twelfth embodiment)
A twelfth embodiment of the present invention will be described. This embodiment is different from the first embodiment in that only the first via hole 11 is formed and the front surface protection member 20 and the back surface protection member 30 are integrated. Therefore, the description is omitted here.

図22および図23に示されるように、本実施形態では、絶縁基材10には、第1ビアホール11のみが形成されている。つまり、絶縁基材10には、第1層間接続部材40のみが配置されている。また、表面保護部材20と裏面保護部材30とは一体化され、表面パターン21と裏面パターン31とが連続して形成されている。   As shown in FIG. 22 and FIG. 23, in the present embodiment, only the first via hole 11 is formed in the insulating base material 10. That is, only the first interlayer connection member 40 is disposed on the insulating base material 10. Moreover, the surface protection member 20 and the back surface protection member 30 are integrated, and the surface pattern 21 and the back surface pattern 31 are formed continuously.

そして、表面パターン21は、絶縁基材10の長辺方向に沿って配置されている第1層間接続部材40と接続されている。また、この表面パターン21と連続して形成されている裏面パターン31は、表面パターン21が接続される第1層間接続部材40と異なる第1層間接続部材40と接続されている。   And the surface pattern 21 is connected with the 1st interlayer connection member 40 arrange | positioned along the long side direction of the insulating base material 10. FIG. The back surface pattern 31 formed continuously with the surface pattern 21 is connected to a first interlayer connection member 40 different from the first interlayer connection member 40 to which the surface pattern 21 is connected.

つまり、本実施形態では、絶縁基材10の長辺方向に沿って配置された第1層間接続部材40はそれぞれ並列接続されている。   That is, in this embodiment, the 1st interlayer connection member 40 arrange | positioned along the long side direction of the insulating base material 10 is respectively connected in parallel.

このような熱電変換装置1は、特に図示しないが、図4(a)の工程において、第1ビアホール11のみを形成し、図4(f)および(g)の工程において表面保護部材20および裏面保護部材30が一体化されたものを用意すればよい。   Although such a thermoelectric conversion device 1 is not particularly illustrated, only the first via hole 11 is formed in the step of FIG. 4A, and the surface protection member 20 and the back surface are formed in the steps of FIGS. 4F and 4G. What is necessary is just to prepare what the protection member 30 was integrated.

このように、第1ビアホール11のみが形成され、表面保護部材20および裏面保護部材30が一体化された熱電変換装置1においても、本発明を適用することができる。   Thus, the present invention can also be applied to the thermoelectric conversion device 1 in which only the first via hole 11 is formed and the front surface protection member 20 and the back surface protection member 30 are integrated.

(第13実施形態)
本発明の第13実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態の熱電変換装置1を用いて電子部品を構成したものであり、熱電変換装置1の詳細は第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(13th Embodiment)
A thirteenth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, an electronic component is configured using the thermoelectric conversion device 1 of the first embodiment, and the details of the thermoelectric conversion device 1 are the same as those of the first embodiment, and thus the description thereof is omitted here.

図24に示されるように、電子部品100は、熱電変換装置1における表面保護部材20上に本発明の被対象物に相当する多層基板110が備えられて構成されている。本実施形態の多層基板110は、配線パターン121および層間接続部材122を備える樹脂フィルム120が複数積層され、内部や熱電変換装置1側と反対側にチップ131〜133を備えてなるものである。そして、熱電変換装置1と多層基板110とが直接接合されている。   As shown in FIG. 24, the electronic component 100 includes a multilayer substrate 110 corresponding to the object of the present invention on the surface protection member 20 in the thermoelectric conversion device 1. The multilayer substrate 110 according to the present embodiment includes a plurality of resin films 120 each including a wiring pattern 121 and an interlayer connection member 122, and includes chips 131 to 133 inside and on the side opposite to the thermoelectric conversion device 1 side. And the thermoelectric conversion apparatus 1 and the multilayer substrate 110 are directly joined.

上記電子部品100では、熱電変換装置1は、多層基板110を冷却したり、チップ131〜133に供給する電力を生成したりする機能を果す。なお、熱電変換装置1を多層基板110に電力を供給するものとして用いる場合には、熱電変換装置1および多層基板110にそれぞれ層間接続部材等を備えて互いに電気的に接続されるようにすればよい。   In the electronic component 100, the thermoelectric conversion device 1 functions to cool the multilayer substrate 110 and generate power to be supplied to the chips 131 to 133. When the thermoelectric conversion device 1 is used to supply power to the multilayer substrate 110, the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110 may be provided with interlayer connection members or the like so as to be electrically connected to each other. Good.

このような電子部品100は、裏面保護部材30、絶縁基材10、表面保護部材20、複数の樹脂フィルム120を積層して積層体80を構成し、この積層体80を加熱しながら加圧して一体化することにより製造される。つまり、熱電変換装置1を製造する際に、同時に、熱電変換装置1と多層基板110とが接合される。   Such an electronic component 100 is configured by laminating the back surface protection member 30, the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the plurality of resin films 120 to form a laminate 80, and pressurizing the laminate 80 while heating. Manufactured by integrating. That is, when manufacturing the thermoelectric conversion device 1, the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110 are joined simultaneously.

以上説明したように、本実施形態では、熱電変換装置1を製造する際に、熱電変換装置1と多層基板110とを同時に接合することができ、熱電変換装置1を形成した後に接着剤等を介して熱電変換装置1を多層基板110に接合する場合と比較して、製造工程を簡略化することができる。   As described above, in the present embodiment, when the thermoelectric conversion device 1 is manufactured, the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110 can be bonded at the same time. As compared with the case where the thermoelectric conversion device 1 is bonded to the multilayer substrate 110 via the manufacturing process, the manufacturing process can be simplified.

また、熱電変換装置1と多層基板110とを直接接合して電子部品100を構成している。つまり、熱電変換装置1と多層基板110との間に余分な介在物を存在させていない。このため、多層基板110の熱が熱電変換装置1に伝熱されやすくなり、多層基板110と熱電変換装置1との伝熱性が高い電子部品100を得ることができる。   In addition, the electronic component 100 is configured by directly joining the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110. That is, no extra inclusions are present between the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110. For this reason, the heat of the multilayer substrate 110 is easily transferred to the thermoelectric conversion device 1, and the electronic component 100 having high heat transfer between the multilayer substrate 110 and the thermoelectric conversion device 1 can be obtained.

なお、本実施形態では、多層基板110として複数の樹脂フィルム120が積層されてなるものを例に挙げて説明したが、例えば、多層基板110として複数のセラミック基板が積層されてなるものであってもよい。また、多層基板110のみを先に形成しておき、裏面保護部材30、絶縁基材10、表面保護部材20、多層基板110を積層して積層体80を構成するようにしてもよい。   In the present embodiment, the multilayer substrate 110 is described as an example in which a plurality of resin films 120 are stacked. However, for example, the multilayer substrate 110 is formed by stacking a plurality of ceramic substrates. Also good. Alternatively, only the multilayer substrate 110 may be formed first, and the back surface protection member 30, the insulating base material 10, the surface protection member 20, and the multilayer substrate 110 may be laminated to form the laminate 80.

(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be appropriately changed within the scope described in the claims.

例えば、上記各実施形態を組み合わせることができる。すなわち、第3実施形態に第1、第2実施形態を組み合わせ、凹部15を形成しつつ、貫通孔13または溝部14を形成してもよい。また、第2実施形態を第7〜第12実施形態に組み合わせ、貫通孔13の代わりに溝部14を形成してもよい。また、第3実施形態を第7〜12実施形態に組み合わせ、貫通孔13の代わりに凹部15を形成してもよい。さらに、第4実施形態を第7〜12実施形態に組み合わせ、貫通孔13の代わりにガラスクロス10dを用いてもよいし、第5実施形態を第7〜12実施形態に組み合わせ、貫通孔13の代わりに複数の穴17が形成されている熱可塑性樹脂フィルム10cを用いてもよい。   For example, the above embodiments can be combined. That is, the first and second embodiments may be combined with the third embodiment to form the through hole 13 or the groove 14 while forming the recess 15. Further, the second embodiment may be combined with the seventh to twelfth embodiments, and the groove 14 may be formed instead of the through hole 13. Further, the third embodiment may be combined with the seventh to twelfth embodiments, and the recess 15 may be formed instead of the through hole 13. Further, the fourth embodiment may be combined with the seventh to twelfth embodiments, and the glass cloth 10d may be used instead of the through hole 13, or the fifth embodiment may be combined with the seventh to twelfth embodiments, Instead, a thermoplastic resin film 10c in which a plurality of holes 17 are formed may be used.

そして、ガラスクロス10dや複数の穴17が形成されている熱可塑性樹脂フィルム10cを用いる場合には、貫通孔13、溝部14、凹部15が適宜形成されていてもよい。   And when using the thermoplastic resin film 10c in which the glass cloth 10d and the some hole 17 are formed, the through-hole 13, the groove part 14, and the recessed part 15 may be formed suitably.

さらに、第6実施形態を第1〜第5実施形態に組み合わせ、窪み部90aが形成された一対のプレス板90を用いて積層体80を一体化してもよい。   Furthermore, the sixth embodiment may be combined with the first to fifth embodiments, and the laminated body 80 may be integrated using a pair of press plates 90 in which the recessed portions 90a are formed.

そして、第8実施形態を第9〜第12実施形態に組み合わせ、絶縁基材10として熱可塑性樹脂フィルム10cおよび熱硬化性樹脂フィルム10eを積層したものを用いてもよい。また、第8実施形態のように、熱可塑性樹脂フィルム10cおよび熱硬化性樹脂フィルム10eを積層した絶縁基材10を用いる場合、第1、第2ビアホール11、12の径が一定とされていてもよい。そして、第9実施形態を第10〜第12実施形態に組み合わせ、金属板21a、31aを用いて表面パターン21および裏面パターン31を形成してもよい。   And you may use what laminated | stacked the thermoplastic resin film 10c and the thermosetting resin film 10e as the insulating base material 10, combining 8th Embodiment with 9th-12th Embodiment. Moreover, when using the insulating base material 10 which laminated | stacked the thermoplastic resin film 10c and the thermosetting resin film 10e like 8th Embodiment, the diameter of the 1st, 2nd via-holes 11 and 12 is made constant. Also good. The ninth embodiment may be combined with the tenth to twelfth embodiments, and the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31 may be formed using the metal plates 21a and 31a.

さらに、各実施形態同士を組み合わせたものをさらに別の実施形態に組み合わせてもよい。   Furthermore, what combined each embodiment may be combined with another embodiment.

また、上記第13実施形態では、熱電変換装置1と多層基板110によって電子部品100を構成する例について説明したが、被対象物は多層基板110に限定されるものではない。   In the thirteenth embodiment, the example in which the electronic component 100 is configured by the thermoelectric conversion device 1 and the multilayer substrate 110 has been described. However, the target object is not limited to the multilayer substrate 110.

例えば、図25に示されるように、熱電変換装置1における表面保護部材20上に本発明の被対象物に相当するフィン140を備えて電子部品100を構成してもよい。このような電子部品100では、フィン140により、放熱特性を向上させることができる。なお、この電子部品100は、フィン140を含む積層体80を構成し、この積層体80を加熱しながら加圧して一体化することにより製造される。   For example, as shown in FIG. 25, the electronic component 100 may be configured by providing fins 140 corresponding to the object of the present invention on the surface protection member 20 in the thermoelectric conversion device 1. In such an electronic component 100, the heat dissipation characteristics can be improved by the fins 140. The electronic component 100 is manufactured by forming a laminated body 80 including the fins 140 and pressing and integrating the laminated body 80 while heating.

また、例えば、図26に示されるように、熱電変換装置1が配管150等の断面円形状のものに接合されてなる電子部品100としてもよい。   Moreover, for example, as shown in FIG. 26, the thermoelectric conversion device 1 may be an electronic component 100 formed by joining a circular cross section such as a pipe 150.

このような電子部品100に用いられる熱電変換装置1は、例えば、一体化工程の際に、積層体80を加熱する一対のプレス板として曲面を有するものを利用することにより製造される。なお、一体化工程では、上記のように絶縁基材10を構成する樹脂の流動によって第1、第2ビアホール11、12に応力を印加して金属粒子および金属粒子と表面パターン21、裏面パターン31とを圧接するため、曲面を有する形状としても安定した接合を得ることができる。また、このような電子部品100においても、熱電変換装置1を製造する際に、熱電変換装置1と被対象物とを接合するようにしてもよい。   The thermoelectric conversion apparatus 1 used for such an electronic component 100 is manufactured by using what has a curved surface as a pair of press board which heats the laminated body 80, for example in the case of an integration process. In the integration step, stress is applied to the first and second via holes 11 and 12 by the flow of the resin constituting the insulating base 10 as described above, so that the metal particles and the metal particles and the front surface pattern 21 and the back surface pattern 31 are applied. Therefore, stable bonding can be obtained even when the shape has a curved surface. Moreover, also in such an electronic component 100, when manufacturing the thermoelectric conversion apparatus 1, you may make it join the thermoelectric conversion apparatus 1 and a target object.

また、絶縁基材10、表面保護部材20、裏面保護部材30は樹脂で構成されており、熱電変換装置1は可撓性を有している。このため、熱電変換装置1を製造した後に被対象物の形状に合わせて折り曲げてもよい。   Moreover, the insulation base material 10, the surface protection member 20, and the back surface protection member 30 are comprised with resin, and the thermoelectric conversion apparatus 1 has flexibility. For this reason, after manufacturing the thermoelectric conversion apparatus 1, you may bend | fold according to the shape of a target object.

さらに、図27に示されるように、熱電変換装置1を基板160に搭載すると共に当該基板160に制御チップ170および通信装置180を備える電子部材190を搭載し、通信装置180に供給される電力を熱電変換装置1で生成する電子部品100とすることもできる。なお、図27では、通信装置180が露出しているものを示しているが、通信装置180は、熱電変換装置1(絶縁基材10)内に配置されていてもよい。   Further, as shown in FIG. 27, the thermoelectric conversion device 1 is mounted on the substrate 160, and the electronic member 190 including the control chip 170 and the communication device 180 is mounted on the substrate 160, and the electric power supplied to the communication device 180 is supplied. It can also be set as the electronic component 100 produced | generated with the thermoelectric conversion apparatus 1. FIG. In FIG. 27, the communication device 180 is exposed, but the communication device 180 may be disposed in the thermoelectric conversion device 1 (insulating base material 10).

そして、本発明の熱電変換装置1やこの熱電変換装置1を含む電子部品100は、例えば、屋内と屋外とを仕切る屋根や壁に備えられ、屋内と屋外との気温差によって電力を生成するものとしても用いられる。また、大気と地面との気温差によって電力を生成するものとしても用いられる。   And the thermoelectric conversion apparatus 1 of this invention and the electronic component 100 containing this thermoelectric conversion apparatus 1 are provided in the roof and wall which partition indoor and outdoor, for example, and generate | occur | produce electric power by the temperature difference between indoor and outdoor Also used as Moreover, it is used also as what produces | generates electric power by the temperature difference of air | atmosphere and the ground.

10 絶縁基材
10a 表面
10b 裏面
11 第1ビアホール
12 第2ビアホール
20 表面保護部材
21 表面パターン
30 裏面保護部材
31 裏面パターン
40 第1層間接続部材
41 第1導電性ペースト
50 第2層間接続部材
51 第2導電性ペースト
60 組
80 積層体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Insulation base material 10a Surface 10b Back surface 11 1st via hole 12 2nd via hole 20 Surface protection member 21 Surface pattern 30 Back surface protection member 31 Back surface pattern 40 1st interlayer connection member 41 1st conductive paste 50 2nd interlayer connection member 51 1st 2 conductive paste 60 sets 80 laminates

Claims (3)

複数の表面パターン(21)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された表面保護部材(20)と、
複数の裏面パターン(31)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された裏面保護部材(30)と、
厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール(11、12)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された絶縁基材(10)と、
前記第1ビアホール(11)に充填され、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している金属粒子の合金で形成された第1層間接続部材(40)と、
前記第2ビアホール(12)に充填され、前記合金に対して異種金属で形成された第2層間接続部材(50)と、を備え、
隣接する1つの前記第1ビアホールに充填された前記第1層間接続部材と1つの前記第2ビアホールに充填された前記第2層間接続部材とを組(60)としたとき、前記絶縁基材の表面側に、前記第1層間接続部材および前記第2層間接続部材が前記組毎に前記複数の表面パターンにおける同じ表面パターンに接触する状態で前記表面保護部材が配置されていると共に、前記絶縁基材の裏面側に、隣接する組における一方の組の前記第1層間接続部材および他方の組の前記第2層間接続部材が前記複数の裏面パターンにおける同じ前記裏面パターンに接触する状態で前記裏面保護部材が配置されており、
前記第1層間接続部材および前記第2層間接続部材の周囲は、前記絶縁基材で囲まれており、
前記第1層間接続部材および前記第2層間接続部材は、固相焼結された合金であり、
前記表面パターン同士の間、および前記裏面パターン同士の間には、前記熱可塑性樹脂が配置されている熱電変換装置の製造方法であって、
厚さ方向に貫通する複数の前記第1、第2ビアホールが形成され、前記第1ビアホールに第1導電性ペースト(41)が充填されていると共に前記第2ビアホールに第2導電性ペースト(51)が充填されている前記絶縁基材を用意する工程と、
前記絶縁基材の表面(10a)に所定の前記第1、第2導電性ペーストと接触する前記表面パターンを有する前記表面保護部材を配置すると共に、前記絶縁基材の裏面(10b)に所定の前記第1、第2導電性ペーストと接触する前記裏面パターンを有する前記裏面保護部材を配置して積層体(80)を形成する工程と、
前記積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、前記第1、第2導電性ペーストから前記第1、第2層間接続部材を構成すると共に前記第1、第2層間接続部材と前記表面パターンおよび前記裏面パターンとを電気的に接続する一体化工程と、を行い、
前記第1導電性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、
前記第2導電性ペーストとして、前記合金と異種金属の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、
前記一体化工程では、
前記積層体を一対のプレス板の間に配置すると共に、前記積層体とプレス板との間に緩衝材を配置して行い、
前記表面保護部材における前記絶縁基材と対向する一面(20a)と反対側の他面と、前記裏面保護部材における前記絶縁基材と対向する一面(30a)と反対側の他面との間の距離において、前記第1層間接続部材または前記第2層間接続部材を挟む部分が前記第1層間接続部材または前記第2層間接続部材を挟む部分と異なる部分より長くなり、
さらに、前記表面保護部材における前記他面と前記裏面保護部材における前記他面との間の中間位置において、前記第1層間接続部材内または前記第2層間接続部材内における前記中間位置を第1中間位置とし、前記絶縁基材内における前記中間位置を第2中間位置とすると、前記第1中間位置から前記表面保護部材の他面までの距離が、前記第2中間位置から前記表面保護部材の他面までの距離より長くなり、かつ同じ前記第1中間位置から前記裏面保護部材の他面までの距離が、同じ前記第2中間位置から前記裏面保護部材の他面までの距離より長くなる状態を含むようにすることを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
A surface protection member (20) having a plurality of surface patterns (21) and comprising a thermoplastic resin;
A back surface protection member (30) having a plurality of back surface patterns (31) and including a thermoplastic resin;
An insulating base material (10) having a plurality of first and second via holes (11, 12) penetrating in the thickness direction and including a thermoplastic resin;
A first interlayer connection member (40) filled with the first via hole (11) and formed of an alloy of metal particles in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure;
A second interlayer connection member (50) filled in the second via hole (12) and formed of a dissimilar metal with respect to the alloy,
When the first interlayer connection member filled in one adjacent first via hole and the second interlayer connection member filled in one second via hole are set as a set (60), The surface protection member is disposed on the surface side in a state where the first interlayer connection member and the second interlayer connection member are in contact with the same surface pattern in the plurality of surface patterns for each set, and the insulating group The back surface protection in a state where one set of the first interlayer connecting member and the other set of the second interlayer connecting member in the adjacent set are in contact with the same back pattern in the plurality of back patterns on the back side of the material The members are arranged,
The first interlayer connection member and the second interlayer connection member are surrounded by the insulating base material,
The first interlayer connection member and the second interlayer connection member are solid phase sintered alloys,
Between the front surface patterns and between the back surface patterns, the method for manufacturing a thermoelectric conversion device in which the thermoplastic resin is disposed ,
A plurality of the first and second via holes penetrating in the thickness direction are formed, the first via hole is filled with the first conductive paste (41), and the second conductive paste (51 Preparing the insulating base material filled with
The surface protection member having the surface pattern in contact with the predetermined first and second conductive pastes is disposed on the surface (10a) of the insulating base material, and a predetermined surface is disposed on the back surface (10b) of the insulating base material. Arranging the back surface protection member having the back surface pattern in contact with the first and second conductive pastes to form a laminate (80);
The laminated body is heated in the laminating direction to form the first and second interlayer connection members from the first and second conductive pastes, and the first and second interlayer connection members and the surface pattern and An integration step of electrically connecting the back surface pattern;
As the first conductive paste, a paste obtained by adding an organic solvent to a powder of an alloy in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure,
As the second conductive paste, a paste obtained by adding an organic solvent to the alloy and the different metal powder,
In the integration step,
The laminate is disposed between a pair of press plates, and a cushioning material is disposed between the laminate and the press plate,
Between the other surface opposite to the one surface (20a) facing the insulating substrate in the surface protection member and the other surface opposite to the one surface (30a) facing the insulating substrate in the back surface protection member. At a distance, a portion sandwiching the first interlayer connection member or the second interlayer connection member is longer than a portion different from a portion sandwiching the first interlayer connection member or the second interlayer connection member,
Furthermore, the intermediate position in the first interlayer connection member or the second interlayer connection member is defined as a first intermediate position at an intermediate position between the other surface of the surface protection member and the other surface of the back surface protection member. If the intermediate position in the insulating substrate is the second intermediate position, the distance from the first intermediate position to the other surface of the surface protection member is the distance from the second intermediate position to the other surface protection member. A state in which the distance from the same first intermediate position to the other surface of the back surface protection member is longer than the distance from the same second intermediate position to the other surface of the back surface protection member. The manufacturing method of the thermoelectric conversion apparatus characterized by including it.
複数の表面パターン(21)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された表面保護部材(20)と、
複数の裏面パターン(31)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された裏面保護部材(30)と、
厚さ方向に貫通する複数の第1、第2ビアホール(11、12)を有し、熱可塑性樹脂を含んで構成された絶縁基材(10)と、
前記第1ビアホール(11)に充填され、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金で形成された第1層間接続部材(40)と、
前記第2ビアホール(12)に充填され、前記合金に対して異種金属で形成された第2層間接続部材(50)と、を備え、
隣接する1つの前記第1ビアホールに充填された前記第1層間接続部材と1つの前記第2ビアホールに充填された前記第2層間接続部材とを組(60)としたとき、前記絶縁基材の表面側に、前記第1層間接続部材および前記第2層間接続部材が前記組毎に前記複数の表面パターンにおける同じ表面パターンに接触する状態で前記表面保護部材が配置されていると共に、前記絶縁基材の裏面側に、隣接する組における一方の組の前記第1層間接続部材および他方の組の前記第2層間接続部材が前記複数の裏面パターンにおける同じ前記裏面パターンに接触する状態で前記裏面保護部材が配置されており、
前記第1層間接続部材および前記第2層間接続部材の周囲は、前記絶縁基材で囲まれており、
前記第1層間接続部材および前記第2層間接続部材は、固相焼結された合金であり、
前記表面パターン同士の間、および前記裏面パターン同士の間には、前記表面保護部材、前記裏面保護部材、前記絶縁基材を構成する少なくとも1つの熱可塑性樹脂が配置されている熱電変換装置の製造方法であって、
厚さ方向に貫通する複数の前記第1、第2ビアホールが形成され、前記第1ビアホールに第1導電性ペースト(41)が充填されていると共に前記第2ビアホールに第2導電性ペースト(51)が充填されている前記絶縁基材を用意する工程と、
前記絶縁基材の表面(10a)に所定の前記第1、第2導電性ペーストと接触する前記表面パターンを有する前記表面保護部材を配置すると共に、前記絶縁基材の裏面(10b)に所定の前記第1、第2導電性ペーストと接触する前記裏面パターンを有する前記裏面保護部材を配置して積層体(80)を形成する工程と、
前記積層体を加熱しながら積層方向から加圧し、前記第1、第2導電性ペーストから前記第1、第2層間接続部材を構成すると共に前記第1、第2層間接続部材と前記表面パターンおよび前記裏面パターンとを電気的に接続する一体化工程と、を行い、
前記第1導電性ペーストとして、複数の金属原子が所定の結晶構造を維持している合金の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、
前記第2導電性ペーストとして、前記合金と異種金属の粉末に有機溶剤を加えてペースト化したものを用い、
前記一体化工程では、
前記積層体を一対のプレス板の間に配置すると共に、前記積層体とプレス板との間に緩衝材を配置して行い、
前記表面保護部材における前記絶縁基材と対向する一面(20a)と反対側の他面と、前記裏面保護部材における前記絶縁基材と対向する一面(30a)と反対側の他面との間の距離において、前記第1層間接続部材または前記第2層間接続部材を挟む部分が前記第1層間接続部材または前記第2層間接続部材を挟む部分と異なる部分より長くなり、
さらに、前記表面保護部材における前記他面と前記裏面保護部材における前記他面との間の中間位置において、前記第1層間接続部材内または前記第2層間接続部材内における前記中間位置を第1中間位置とし、前記絶縁基材内における前記中間位置を第2中間位置とすると、前記第1中間位置から前記表面保護部材の他面までの距離が、前記第2中間位置から前記表面保護部材の他面までの距離より長くなり、かつ同じ前記第1中間位置から前記裏面保護部材の他面までの距離が、同じ前記第2中間位置から前記裏面保護部材の他面までの距離より長くなる状態を含むようにすることを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
A surface protection member (20) having a plurality of surface patterns (21) and comprising a thermoplastic resin;
A back surface protection member (30) having a plurality of back surface patterns (31) and including a thermoplastic resin;
An insulating base material (10) having a plurality of first and second via holes (11, 12) penetrating in the thickness direction and including a thermoplastic resin;
A first interlayer connection member (40) filled with the first via hole (11) and formed of an alloy in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure;
A second interlayer connection member (50) filled in the second via hole (12) and formed of a dissimilar metal with respect to the alloy,
When the first interlayer connection member filled in one adjacent first via hole and the second interlayer connection member filled in one second via hole are set as a set (60), The surface protection member is disposed on the surface side in a state where the first interlayer connection member and the second interlayer connection member are in contact with the same surface pattern in the plurality of surface patterns for each set, and the insulating group The back surface protection in a state where one set of the first interlayer connecting member and the other set of the second interlayer connecting member in the adjacent set are in contact with the same back pattern in the plurality of back patterns on the back side of the material The members are arranged,
The first interlayer connection member and the second interlayer connection member are surrounded by the insulating base material,
The first interlayer connection member and the second interlayer connection member are solid phase sintered alloys,
Manufacture of a thermoelectric conversion device in which at least one thermoplastic resin constituting the surface protection member, the back surface protection member, and the insulating base material is disposed between the surface patterns and between the back surface patterns. A method,
A plurality of the first and second via holes penetrating in the thickness direction are formed, the first via hole is filled with the first conductive paste (41), and the second conductive paste (51 Preparing the insulating base material filled with
The surface protection member having the surface pattern in contact with the predetermined first and second conductive pastes is disposed on the surface (10a) of the insulating base material, and a predetermined surface is disposed on the back surface (10b) of the insulating base material. Arranging the back surface protection member having the back surface pattern in contact with the first and second conductive pastes to form a laminate (80);
The laminated body is heated in the laminating direction to form the first and second interlayer connection members from the first and second conductive pastes, and the first and second interlayer connection members and the surface pattern and An integration step of electrically connecting the back surface pattern;
As the first conductive paste, a paste obtained by adding an organic solvent to a powder of an alloy in which a plurality of metal atoms maintain a predetermined crystal structure,
As the second conductive paste, a paste obtained by adding an organic solvent to the alloy and the different metal powder,
In the integration step,
The laminate is disposed between a pair of press plates, and a cushioning material is disposed between the laminate and the press plate,
Between the other surface opposite to the one surface (20a) facing the insulating substrate in the surface protection member and the other surface opposite to the one surface (30a) facing the insulating substrate in the back surface protection member. At a distance, a portion sandwiching the first interlayer connection member or the second interlayer connection member is longer than a portion different from a portion sandwiching the first interlayer connection member or the second interlayer connection member,
Furthermore, the intermediate position in the first interlayer connection member or the second interlayer connection member is defined as a first intermediate position at an intermediate position between the other surface of the surface protection member and the other surface of the back surface protection member. If the intermediate position in the insulating substrate is the second intermediate position, the distance from the first intermediate position to the other surface of the surface protection member is the distance from the second intermediate position to the other surface protection member. A state in which the distance from the same first intermediate position to the other surface of the back surface protection member is longer than the distance from the same second intermediate position to the other surface of the back surface protection member. The manufacturing method of the thermoelectric conversion apparatus characterized by including it.
前記一体化工程では、約320℃まで加熱しながら加圧することを特徴とする請求項1または2に記載の熱電変換装置の製造方法。 3. The method of manufacturing a thermoelectric conversion device according to claim 1, wherein in the integration step, pressure is applied while heating to about 320 ° C. 3.
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