JP6582896B2 - Light emitting panel module, light emitting device, and manufacturing method thereof - Google Patents
Light emitting panel module, light emitting device, and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP6582896B2 JP6582896B2 JP2015218553A JP2015218553A JP6582896B2 JP 6582896 B2 JP6582896 B2 JP 6582896B2 JP 2015218553 A JP2015218553 A JP 2015218553A JP 2015218553 A JP2015218553 A JP 2015218553A JP 6582896 B2 JP6582896 B2 JP 6582896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- electrode
- transparent
- derivatives
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 35
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 34
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 197
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 53
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 53
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 27
- 239000002585 base Substances 0.000 description 23
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 6
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical class [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 3
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical class [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O WBIQQQGBSDOWNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical class C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018287 SbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910000288 alkali metal carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentamine Chemical class CNC(C)CC1CCCC1 HFXKQSZZZPGLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229940060296 dodecylbenzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical compound C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- QCTJRYGLPAFRMS-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoic acid;1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound OC(=O)C=C.NC1=NC(N)=NC(N)=N1 QCTJRYGLPAFRMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- GPKJTRJOBQGKQK-UHFFFAOYSA-N quinacrine Chemical class C1=C(OC)C=C2C(NC(C)CCCN(CC)CC)=C(C=CC(Cl)=C3)C3=NC2=C1 GPKJTRJOBQGKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910001952 rubidium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M rubidium(1+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Rb+].[Rb+] CWBWCLMMHLCMAM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、発光パネルモジュール、発光装置、及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting panel module, a light emitting device, and a manufacturing method thereof.
近年、液晶表示素子（ＬＣＤ）に続く次世代表示装置や照明装置（発光装置）の素子として、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」とも略記する）等の自発光素子の研究開発が行われている。
有機ＥＬ素子は、陽極と、陰極と、これらの一対の電極間に形成される、例えば有機発光層、正孔注入層、等を有する有機ＥＬ層（発光機能層）を備える。有機ＥＬ素子では、有機発光層において正孔と電子が再結合することによって発生するエネルギーによって発光する。
In recent years, research and development of self-luminous elements such as organic electroluminescence elements (hereinafter also abbreviated as “organic EL elements”) as elements of next-generation display devices and lighting devices (light-emitting devices) following liquid crystal display elements (LCDs). Has been done.
The organic EL element includes an anode, a cathode, and an organic EL layer (light emitting functional layer) formed between the pair of electrodes, for example, having an organic light emitting layer, a hole injection layer, and the like. In the organic EL element, light is emitted by energy generated by recombination of holes and electrons in the organic light emitting layer.
このような有機ＥＬ素子は、照明装置などに用いられるが一般的に発光領域内に僅かな欠陥が存在するだけでも欠陥製品として扱われる。そのため、大型の発光装置を製造する場合、一枚の発光装置で大型化をするよりも複数の発光パネルモジュールをユニット化して大型化を図る方が歩留り的に有利である。更に大型の発光装置の発光均一性を得ようとすると大型発光装置よりも複数の小型発光装置（発光パネルモジュール）の組で構成する方が有利である。一方、ユニット化された大型発光装置は、小型発光装置を繋ぎ合わせているため繋ぎ目の非発光領域が目立つおそれがあると言う問題がある。 Such an organic EL element is used in a lighting device or the like, but is generally treated as a defective product even if a slight defect exists in the light emitting region. Therefore, when manufacturing a large light-emitting device, it is more advantageous in terms of yield to increase the size by unitizing a plurality of light-emitting panel modules than to increase the size with a single light-emitting device. Further, in order to obtain the light emission uniformity of a large light-emitting device, it is more advantageous to configure it with a set of a plurality of small light-emitting devices (light-emitting panel modules) than a large light-emitting device. On the other hand, the unitized large light-emitting device has a problem that the non-light-emitting area of the joint may be conspicuous because the small light-emitting device is connected.
上記の繋ぎ目が目立たなくなる対策として、特許文献１には、発光素子から発せられた光を拡大することによりつなぎ目を目立たなくすることが記載されている。しかしながら、この特許文献１のディスプレイ装置は、パネル間のつなぎ目に画像を表示させるための光学装置が必要であり、装置構成が複雑になり結果的にコストアップにつながると言う問題がある。
また、特許文献２には、非発光領域の延長部を隣接する表示パネルの背面側に重ねるようにすることが記載されている。しかし、この方法は、各発光パネルモジュールの取出し電極部を表裏に設けるための追加機構が必要になり、形状も複雑化し歩留り低下やコストアップにつながるという問題がある。
As a countermeasure for making the above-mentioned joint inconspicuous,
Further,
本発明は、上述した実情に鑑みてなされたものであって、発光パネルモジュール同士のつなぎ目を目立ちにくくすることが簡単に実施可能で、且つ大面積化することも容易な、発光パネルモジュール及び発光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and it is possible to easily make the joint between the light emitting panel modules inconspicuous, and to easily increase the area. An object is to provide an apparatus.
上記目的を達成するために、本発明の一態様である発光パネルモジュールは、可撓性のある透明基材の一方の面に、透明電極からなる第１の電極、発光機能層、第２の電極、及び封止基板がこの順に積層された発光パネルモジュールであって、上記各電極に電気的に接続し、平面視で、上記封止基板よりも側方に張り出し且つ上記透明基材の上記一方の面に形成された一対の取出し電極を有し、上記透明基材の他方の面には、上記取出し電極の上記張り出しの付け根側位置と上記透明基材の厚さ方向で対向する位置に、上記透明基材の厚さ方向途中位置までの深さの切り込みからなる切り込み部を有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a light-emitting panel module according to one embodiment of the present invention includes a first electrode including a transparent electrode, a light-emitting functional layer, and a second electrode on one surface of a flexible transparent substrate. A light-emitting panel module in which an electrode and a sealing substrate are laminated in this order, electrically connected to each of the electrodes, projecting laterally from the sealing substrate in a plan view, and the transparent base material It has a pair of extraction electrodes formed on one surface, and on the other surface of the transparent base material, is located at a position facing the base side of the overhang of the extraction electrode in the thickness direction of the transparent base material. In addition, the present invention is characterized in that it has a cut portion formed by a cut of a depth up to a middle position in the thickness direction of the transparent substrate.
本発明の態様によれば、発光パネルモジュールを並べて発光装置を構成する場合に、簡単に発光パネルモジュール間のつなぎ目を目立たなくすることが可能となる。このため発光エリアを大面積化することも容易となる。 According to the aspect of the present invention, when the light emitting device is configured by arranging the light emitting panel modules, the joint between the light emitting panel modules can be easily made inconspicuous. For this reason, it becomes easy to enlarge the light emitting area.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
本実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス素子から発光パネルモジュールが構成する場合を例示している。但し、以下に説明する実施形態によって本発明が限定されることはない。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In this embodiment, the case where a light emission panel module comprises an organic electroluminescent element is illustrated. However, the present invention is not limited by the embodiments described below.
［第１の実施形態］
第１の実施形態の照明装置（発光装置２）に用いられる発光パネルモジュール１の一例について、図２及び図４を参照しながら説明する。以下、発光パネルモジュール１が一枚の照明パネルに相当する構成を例示して説明するが、これに限定されることはない。
図２に示すように、本実施形態に用いられる発光パネルモジュール１は、透明基材の本体を挟んで向かい合う２辺に延出部が形成された平面部を有する可撓性の透明基材１１を備えている。平面視で、延出部は、封止基板１７の外形の外側に存在し、且つ向かい合う２辺のみにあることが好ましい。
即ち、発光パネルモジュール１は、可撓性のある透明基材１１の一方の面に、透明電極からなる第１の電極、発光機能層１４、第２の電極、及び封止基板１７がこの順に積層されている。また、各電極に電気的に接続し、平面視で、上記封止基板よりも側方に張り出し且つ上記透明基材１１の延出部の一方の面に形成された一対の取出し電極（陽極側取出し電極１２ｂ、陰極側取出し電極１５ｂ）を有する。
[First Embodiment]
An example of the light-
As shown in FIG. 2, the light-
That is, the light
下記の説明では、上記の透明電極は、複数の導電層１２と透明導電層１３とで構成されている。この透明電極が第１の電極を構成し、陰極１５が、第２の電極を構成する。本実施形態では、透明電極が陽極となる場合を例示している。
透明基材１１の他方の面には、取出し電極１２ｂ、１５ｂの上記張り出しの付け根側位置と上記透明基材１１の厚さ方向で対向する位置に、上記透明基材１１の厚さ方向途中位置までの深さの切り込みからなる切り込み部１８を有する。そして、その切り込み部１８を中心（起点）として、延出部及び各取出し電極１２ｂ、１５ｂが封止基板１７側に折り曲げられている。図２では、更に、延出部の先端部側も内側（封止基板１７側）に折り曲げられている。
In the following description, the transparent electrode includes a plurality of
On the other surface of the
（透明基材１１）
透明基材１１としては、プラスチックフィルムなどの可撓性を有する基板を用いることができる。
プラスチックフィルムの原料としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリサルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）などを用いることができる。
(Transparent substrate 11)
As the
Examples of plastic film materials include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate, polyolefins such as polyethylene (PE), polypropylene (PP), polystyrene, and EVA, polyvinyl chloride, and polyvinylidene chloride. Vinyl resin, polyether ether ketone (PEEK), polysulfone (PSF), polyether sulfone (PES), polycarbonate (PC), polyamide, polyimide, acrylic resin, triacetyl cellulose (TAC), etc. can be used. .
透明基材１１は、表面平滑性に優れているものが好ましい。表面の平滑性は算術平均粗さＲａが５ｎｍ以下且つ最大高さＲｙが５０ｎｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくはＲａが１ｎｍ以下かつＲｙが２０ｎｍ以下である。透明基材１１の表面は、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等の下塗り層を付与して平滑化してもよいし、研磨などの機械加工によって平滑にすることもできる。また、透明導電層１３の塗布、接着性を向上させるため、コロナ、プラズマ、ＵＶ／オゾンによる表面処理をしてもよい。ここで、表面の平滑性は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等による測定から算出することができる。また、基板厚さは、０．１ｍｍ以下が好ましく、二枚以上の積層基板にて前述した厚さを形成してもよく、９０°以上折り曲げることを鑑みると折り曲げ部の基材厚さは０．０７ｍｍ以下の厚さが好ましい。
The
また、大気中の酸素、水分を遮断する目的でガスバリア層を設けるのが好ましい。ガスバリア層の形成材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物、金属窒化物が使用できる。これらの材料は、水蒸気バリア機能のほかに酸素バリア機能も有する。特に、バリア性、耐溶剤性、透明性が良好な窒化シリコン、酸化窒化シリコンが好ましい。また、ガスバリア層は必要に応じて多層構成にすることも可能である。その場合、無機層のみで構成してもよいし、無機層と有機層で構成してもよい。ガスバリア層の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法を用いることができる。また、ガスバリア層の厚さに関しては特に限定されないが、典型的には１層あたり５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは１層あたり５０ｎｍ〜５００ｎｍである。ガスバリア層は透明基材１１の少なくとも一方の面に設けられ、両面に設けてもよい。
In addition, it is preferable to provide a gas barrier layer for the purpose of blocking oxygen and moisture in the atmosphere. As a material for forming the gas barrier layer, metal oxides such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum nitride, and aluminum oxide, and metal nitrides can be used. These materials have an oxygen barrier function in addition to a water vapor barrier function. In particular, silicon nitride and silicon oxynitride having favorable barrier properties, solvent resistance, and transparency are preferable. Further, the gas barrier layer can have a multi-layer structure as necessary. In that case, you may comprise only an inorganic layer and may comprise an inorganic layer and an organic layer. As a method for forming the gas barrier layer, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a reactive vapor deposition method, an ion plating method, a sputtering method, or a plasma CVD method can be used depending on the material. The thickness of the gas barrier layer is not particularly limited, but typically it is preferably in the range of 5 nm to 1000 nm per layer, more preferably 50 nm to 500 nm per layer. The gas barrier layer is provided on at least one surface of the
（導電層１２）
本発明における導電層１２としては、電気抵抗が低いことが好ましく、その材料は通常は１０７Ｓ／ｃｍ以上の電気伝導度を有する材料が使用される。かかる導電材料の具体例としては、アルミニウム、銀、クロミニウム、金、銅、タンタル、モリブデン等の金属および／またはその合金を挙げることができる。これらの中でも、電気導電度の高さ、および材料のハンドリングの容易さの観点から、アルミニウム、クロミニウム、銅、銀およびその合金が好ましい。
金属および／またはその合金の導電層１２の高さ（厚さ）は、０．０１μｍ以上、１０μｍ以下が好ましく、さらに好ましくは０．０２μｍ以上、２μｍ以下である。細線幅と細線高さの関係については、細線高さは所望の導電性に応じて決めればよいが、その場合、同一導電層のみで構成してもよいし、異なる導電層で構成してもよい。
(Conductive layer 12)
The
The height (thickness) of the
（透明導電層１３）
塗布電極層を塗布法により形成する際に用いられる溶液は、塗布電極層となる材料と溶媒とを含む。塗布電極層は導電性を示す高分子化合物を含むことが好ましい。該高分子化合物は、ドーパントを含有していてもよい。該高分子化合物の導電性は通常、導電率で１０−５〜１０５Ｓ／ｃｍであり、好ましくは１０−３〜１０５Ｓ／ｃｍである。また、透明導電層１３は、実質的に導電性を示す高分子化合物から成ることが好ましい。透明導電層１３の構成材料としては、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、等を挙げることができる。ドーパントとしては、公知のドーパントを用いることができ、その例としては、ポリスチレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機スルホン酸、ＰＦ５、ＡｓＦ５、ＳｂＦ５等のルイス酸が挙げられる。また導電性を示す高分子化合物は、ドーパントが高分子化合物に直接結合した自己ドープ型の高分子化合物であってもよい。
(Transparent conductive layer 13)
The solution used when forming the coating electrode layer by a coating method includes a material to be the coating electrode layer and a solvent. The coated electrode layer preferably contains a polymer compound exhibiting conductivity. The polymer compound may contain a dopant. The conductivity of the polymer compound is usually 10 −5 to 10 5 S / cm, preferably 10 −3 to 10 5 S / cm in terms of conductivity. Moreover, it is preferable that the transparent
透明導電層１３は、ポリチオフェン及び／またはポリチオフェンの誘導体を含んで構成されることが好ましく、実質的にポリチオフェン及び／またはポリチオフェンの誘導体から成ることが好ましい（ポリチオフェン及び／またはポリチオフェンの誘導体はドーパントを含有していてもよい）。ポリチオフェン、ポリチオフェンの誘導体、または、ポリチオフェンとポリチオフェンの誘導体との混合物は、水およびアルコールなどの水系溶媒に溶解、もしくは分散しやすいの、塗布法に用いられる塗布液の溶質として好適に用いられる。またこれらは導電性が高く、電極材料として好適に用いられる。さらにこれらは、ＨＯＭＯエネルギーが５．０ｅＶ程度であり、通常の有機ＥＬ素子に用いられる有機発光層のＨＯＭＯエネルギーとの差が１ｅＶ程度と低く、有機発光層に正孔を効率的に注入することができるので、特に、陽極の材料として好適に用いることができる。また、透明性が高く、有機ＥＬ素子の発光取り出し側の電極として好適に用いられる。
透明導電層１３は、ポリアニリン及び／またはポリアニリンの誘導体を含んで構成されることが好ましく、実質的にポリアニリン及び／またはポリアニリンの誘導体から成ることが好ましい（ポリアニリン及び／またはポリアニリンの誘導体はドーパントを含有していてもよい）。ポリアニリン及び／またはポリアニリンの誘導体は、導電性および安定性に優れるために、電極材料として好適に用いられる。また、透明性が高く、有機ＥＬ素子の発光取り出し側の電極として好適に用いられる。
The transparent
The transparent
＜透明電極の製造方法＞
本実施形態にかかる、透明電極の製造方法について説明する。通常、透明基材１１上に設けられ、導電層１２、及び透明導電層１３が透明基材１１側からこの順に作製されて、透明電極となる。
導電層１２を形成する方法としては、特に制限はなく、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、または金属薄膜を熱圧縮するラミネート法等により、細線構造部の構成材料から成る膜を形成した後に、フォトレジストを用いたエッチング法により前述したパターンを形成する方法が挙げられる。
<Method for producing transparent electrode>
The manufacturing method of the transparent electrode concerning this embodiment is demonstrated. Usually, it is provided on the
The method for forming the
また、導電層１２となる材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、細線構造部となる材料を溶解させるものであれば、特に制限はない。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法などの塗布法を挙げることができる。特に、前述したパターンを直接形成できる成膜方法が好ましく、適宜選択可能であるが、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法などの印刷法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法などの吐出による塗布法が好適である。その後、乾燥固化して細線構造部が形成される。
Further, film formation from a solution containing a material that becomes the
次いで、透明電極の形成領域に塗布導電材料を塗布して、透明導電層１３を成膜する。このとき、透明基材１１と貼り合せる封止基材（詳細は後述する）の封止接着剤が形成される領域を除くように、透明導電層１３を形成する。成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法などの塗布法を挙げることができる。特に、透明電極の形成領域を全面に渡って成膜するため、一様に塗布成膜する方法が好ましく、適宜選択可能であるが、スピンコート法、バーコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スリットコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、ロールコート法などの塗布法が好適である。
次いで、透明電極の形成領域全面に塗布導電材料が塗布された透明基材１１を、乾燥処理室内で、例えば１００℃以上の温度条件で加熱処理する。これにより、塗布導電材料溶液に含まれる溶媒を気化させて、透明基材１１、および細線構造部の上に塗布導電材料を固着させて、透明導電層１３を形成する。
Next, the transparent
Next, the
（有機ＥＬ素子の構成）
有機ＥＬ素子は発光機能層１４を構成する。本実施形態の有機ＥＬ素子は、透明電極を陽極として用い、有機発光層、陰極１５、封止構造については有機ＥＬ素子に一般的に使われている材料、構成等の任意のものを用いることができる。
有機ＥＬ素子の層構成としては、例えば、次のような各種の構成のものを例示出来る。
陽極／有機発光層／陰極１５、
陽極／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／陰極１５、
陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／陰極１５、
陽極／正孔注入層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極１５、
陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極１５、
（ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同様。）
(Configuration of organic EL element)
The organic EL element constitutes the light emitting
Examples of the layer configuration of the organic EL element include the following various configurations.
Anode / organic light emitting layer /
Anode / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer /
Anode / hole injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer /
Anode / hole injection layer / organic light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer /
Anode / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer /
(Here, the symbol “/” indicates that the layers sandwiching the symbol “/” are adjacently stacked. The same applies hereinafter.)
本実施形態の有機ＥＬ素子は、２層以上の有機発光層を有していてもよく、２層の有機発光層を有する有機ＥＬ素子としては、以下に示す層構成を挙げることができる。
陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電荷注入層／電荷発生層／電荷注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極１５
また、３層以上の有機発光層を有する有機ＥＬ素子としては、具体的には、（電荷発生層／電荷注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電荷注入層）を一つの繰り返し単位として、以下に示す上記繰り返し単位を２つ以上含む層構成を挙げることができる。
陽極／電荷注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電荷注入層／（該繰り返し単位）／（該繰り返し単位）／・・・／陰極１５
The organic EL device of the present embodiment may have two or more organic light emitting layers, and examples of the organic EL device having two organic light emitting layers include the following layer configurations.
Anode / charge injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / charge generation layer / charge injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer /
As an organic EL device having three or more organic light emitting layers, specifically, (charge generation layer / charge injection layer / hole transport layer / organic light emission layer / electron transport layer / charge injection layer) is one. Examples of the repeating unit include a layer structure including two or more of the repeating units described below.
Anode / charge injection layer / hole transport layer / organic light emitting layer / electron transport layer / charge injection layer / (the repeating unit) / (the repeating unit) /.../
上記層構成において、陽極、陰極１５、有機発光層以外の各層は必要に応じて削除することができる。
ここで、電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子を発生する層である。電荷発生層としては、例えば、酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデンなどからなる薄膜を挙げることができる。
以下、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極１５の各層、及び封止構造について説明する。
In the above layer configuration, each layer other than the anode, the
Here, the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field. Examples of the charge generation layer include a thin film made of vanadium oxide, ITO, molybdenum oxide, or the like.
Hereinafter, the hole injection layer, the hole transport layer, the organic light emitting layer, the electron transport layer, the electron injection layer, each layer of the
（陽極と有機発光層との間に設けられる層）
必要に応じて陽極と有機発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられる。正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔注入層または陽極により近い層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。また、正孔注入層または正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層を電子ブロック層と称することがある。電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、電子電流のみを流す素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することが可能である、
(Layer provided between the anode and the organic light emitting layer)
Examples of the layer provided between the anode and the organic light emitting layer as needed include a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron blocking layer. The hole injection layer is a layer having a function of improving the efficiency of hole injection from the anode, and the hole transport layer has a function of improving hole injection from the hole injection layer or a layer closer to the anode. Is a layer. When the hole injection layer or the hole transport layer has a function of blocking electron transport, these layers may be referred to as an electron block layer. Having the function of blocking electron transport, for example, it is possible to produce an element that allows only electron current to flow, and to check the effect of blocking by reducing the current value,
（正孔注入層）
正孔注入層は、陽極（透明電極）と正孔輸送層との間、または陽極と有機発光層との間に設けることができる。正孔注入層を構成する材料としては、公知の材料を適宜用いることができ、特に制限はない。例えば、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化モリブデン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
(Hole injection layer)
The hole injection layer can be provided between the anode (transparent electrode) and the hole transport layer, or between the anode and the organic light emitting layer. As a material constituting the hole injection layer, a known material can be appropriately used, and there is no particular limitation. For example, phenylamine, starburst amine, phthalocyanine, hydrazone derivative, carbazole derivative, triazole derivative, imidazole derivative, oxadiazole derivative having amino group, oxide such as vanadium oxide, tantalum oxide, molybdenum oxide, amorphous Examples thereof include carbon, polyaniline, and polythiophene derivatives.
正孔注入層の成膜方法としては、例えば、正孔注入層となる材料（正孔注入材料）を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水を挙げることができる。 As a film formation method of the hole injection layer, for example, film formation from a solution containing a material (hole injection material) that becomes the hole injection layer can be mentioned. The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it dissolves the hole injection material. Chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, toluene, Mention may be made of aromatic hydrocarbon solvents such as xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate, and water.
溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スリットコート法、インクジェットプリント法、ノズルプリント法などの塗布法を挙げることができる。
また、正孔注入層の厚さとしては、５〜３００ｎｍ程度であることが好ましい。この厚さが５ｎｍ未満では、製造が困難になる傾向があり、他方、３００ｎｍを越えると、駆動電圧、および正孔注入層に印加される電圧が大きくなる傾向となる。
As a film forming method from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, Examples of the coating method include a flexographic printing method, an offset printing method, a slit coating method, an ink jet printing method, and a nozzle printing method.
The thickness of the hole injection layer is preferably about 5 to 300 nm. If the thickness is less than 5 nm, the production tends to be difficult. On the other hand, if the thickness exceeds 300 nm, the driving voltage and the voltage applied to the hole injection layer tend to increase.
（正孔輸送層）
正孔輸送層を構成する材料としては、特に制限はないが、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）等の芳香族アミン誘導体、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。
(Hole transport layer)
The material constituting the hole transport layer is not particularly limited. For example, N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) 4,4′-diaminobiphenyl (TPD), 4 , 4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPB) and other aromatic amine derivatives, polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, aromatic amines in the side chain or main chain Polysiloxane derivative having pyrazole, pyrazoline derivative, arylamine derivative, stilbene derivative, triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole or derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) Or its derivatives, or poly (2,5-thienylene vinylene) or a derivative thereof is exemplified.
これらの中でも、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリアリールアミンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましい。低分子の正孔輸送材料の場合は、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。 Among these, as the hole transport material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain, polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof Polymeric hole transport materials such as derivatives, polyarylamines or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof are preferred. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.
正孔輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、正孔注入層の項で例示した溶媒をその一例として挙げることができる。溶液からの成膜方法としては、上述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。
正孔輸送層の厚さは、特に制限されないが、目的とする設計に応じて適宜変更することができ、１〜１０００ｎｍ程度であることが好ましい。この厚さが上記下限値未満となると、製造が困難になる、または正孔輸送の効果が十分に得られないなどの傾向があり、他方、上記上限値を超えると、駆動電圧および正孔輸送層に印加される電圧が大きくなる傾向がある。したがって正孔輸送層の厚さは、好ましくは、１〜１０００ｎｍであるが、より好ましくは、２〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは、５〜２００ｎｍである。
The method for forming the hole transport layer is not particularly limited, but in the case of a low molecular hole transport material, film formation from a mixed solution containing a polymer binder and a hole transport material can be exemplified. Examples of molecular hole transport materials include film formation from a solution containing a hole transport material. The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it can dissolve the hole transport material, and examples thereof include the solvents exemplified in the section of the hole injection layer. Examples of the film forming method from a solution include the same coating method as the above-described film forming method of the hole injection layer.
The thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but can be appropriately changed according to the intended design, and is preferably about 1 to 1000 nm. If this thickness is less than the above lower limit value, production tends to be difficult or the effect of hole transport is not sufficiently obtained. On the other hand, if the thickness exceeds the above upper limit value, driving voltage and hole transport are likely to occur. The voltage applied to the layer tends to increase. Therefore, the thickness of the hole transport layer is preferably 1 to 1000 nm, more preferably 2 to 500 nm, and still more preferably 5 to 200 nm.
（有機発光層）
有機発光層は、主として蛍光または燐光を発光する有機物（低分子化合物および高分子化合物）を有する。なお、さらにドーパント材料を含んでいてもよい。本実施形態において用いることができる有機発光層を形成する材料としては、例えば以下のものが挙げられる。
（色素系材料）
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、キナクドリン誘導体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
(Organic light emitting layer)
The organic light emitting layer has an organic substance (a low molecular compound and a high molecular compound) that mainly emits fluorescence or phosphorescence. Further, a dopant material may be further included. Examples of the material for forming the organic light emitting layer that can be used in the present embodiment include the following.
(Dye material)
Examples of the dye-based material include cyclopentamine derivatives, quinacudrine derivatives, coumarin derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, Examples include pyrrole derivatives, thiophene ring compounds, pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, oxadiazole dimers, and pyrazoline dimers.
（金属錯体系材）
金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、ＢｅなどまたはＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
(Metal complex materials)
Examples of metal complex materials include metal complexes that emit light from triplet excited states such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, benzothiazole zinc complexes, azomethyls. Zinc complex, porphyrin zinc complex, europium complex, etc., which has Al, Zn, Be, etc. as the central metal or rare earth metal such as Tb, Eu, Dy, etc., and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzo as ligands Examples thereof include metal complexes having an imidazole or quinoline structure.
（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。
また、緑色に発光する材料としては、キナクドリン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。
(Polymer material)
Polymeric materials include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, and polymerized chromophores and metal complex light emitting materials. Etc.
Among the light emitting materials, examples of the material that emits blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, and polymers thereof, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and polyfluorene derivatives.
Examples of materials that emit green light include quinacrine derivatives, coumarin derivatives, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polyfluorene derivatives, and the like.
Examples of materials that emit red light include coumarin derivatives, thiophene ring compounds, and polymers thereof, polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, and polyfluorene derivatives.
（ドーパント材料）
有機発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させる目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクドリン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。なお、有機発光層の厚さは、通常約２〜２００ｎｍである。
有機発光層の成膜方法としては、有機発光材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、有機発光材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、正孔注入層の項で例示した溶媒をその一例として挙げることができる。溶液からの成膜方法としては、上述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。
(Dopant material)
A dopant can be added in the organic light emitting layer for the purpose of improving the light emission efficiency and changing the light emission wavelength. Examples of such dopants include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacdrine derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, decacyclene, and phenoxazone. The thickness of the organic light emitting layer is usually about 2 to 200 nm.
Examples of the method for forming the organic light emitting layer include film formation from a solution containing an organic light emitting material. The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it dissolves an organic light-emitting material, and examples thereof include the solvents exemplified in the section of the hole injection layer. Examples of the film forming method from a solution include the same coating method as the above-described film forming method of the hole injection layer.
（陰極１５と発光層との間に設けられる層）
必要に応じて陰極１５と有機発光層の間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。陰極１５と有機発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極１５１４に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。
電子注入層は、陰極１５からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極１５、電子注入層または陰極１５により近い層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層、および／または電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
(Layer provided between the
Examples of the layer provided between the
The electron injection layer is a layer having a function of improving the electron injection efficiency from the
（電子輸送層）
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン若しくはその誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
(Electron transport layer)
As the electron transport material constituting the electron transport layer, known materials can be used, such as oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthra Quinodimethane or derivatives thereof, fluorenone or derivatives thereof, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof And so on.
Among these, as an electron transport material, an oxadiazole derivative, benzoquinone or a derivative thereof, anthraquinone or a derivative thereof, a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, polyquinoline or a derivative thereof, polyquinoxaline or a derivative thereof, polyfluorene or Derivatives thereof are preferred, and 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferred. .
電子輸送層の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、高分子バインダーと電子輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の電子輸送材料では、電子輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、電子輸送材料を溶解させるものであれば、特に制限はなく、正孔注入層の項で例示した溶媒をその一例として挙げることができる。溶液からの成膜方法としては、上述した正孔注入層の成膜法と同様の塗布法を挙げることができる。
電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、目的とする設計に応じて適宜変更することができ、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要である。膜厚として、例えば、１〜１０００ｎｍ程度であることが好ましく、より好ましくは、２〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは、５〜２００ｎｍである。
The method for forming the electron transport layer is not particularly limited, but in the case of a low molecular electron transport material, film formation from a mixed solution containing a polymer binder and an electron transport material can be exemplified. Examples of the transport material include film formation from a solution containing an electron transport material. The solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it dissolves an electron transport material, and examples thereof include the solvents exemplified in the section of the hole injection layer. Examples of the film forming method from a solution include the same coating method as the above-described film forming method of the hole injection layer.
The thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, and can be changed as appropriate according to the intended design, and at least a thickness that does not cause pinholes is required. As a film thickness, it is preferable that it is about 1-1000 nm, for example, More preferably, it is 2-500 nm, More preferably, it is 5-200 nm.
（電子注入層）
電子注入層を構成する材料としては、有機発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの１種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、またはこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルブジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよく、例えばフッ化リチウム／カルシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、各種蒸着法、スパッタリング法、各種塗布法などにより形成される。電子注入層の膜厚としては、１〜１０００ｎｍ程度が好ましい。
(Electron injection layer)
As a material constituting the electron injection layer, an optimal material is appropriately selected according to the type of the organic light emitting layer, and an alloy containing one or more of alkali metals, alkaline earth metals, alkali metals and alkaline earth metals, Alkali metal or alkaline earth metal oxides, halides, carbonates, mixtures of these substances, and the like can be given. Examples of alkali metals, alkali metal oxides, halides, and carbonates include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride , Rubidium oxide, rubudium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate, and the like. Examples of alkaline earth metals, alkaline earth metal oxides, halides, and carbonates include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, and barium oxide. , Barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, magnesium carbonate and the like. The electron injection layer may be composed of a laminate in which two or more layers are laminated, and examples thereof include lithium fluoride / calcium. The electron injection layer is formed by various deposition methods, sputtering methods, various coating methods, and the like. The thickness of the electron injection layer is preferably about 1 to 1000 nm.
（陰極１５）
陰極１５の材料としては、仕事関数が小さく、有機発光層への電子注入が容易な材料および／または電気導電度が高い材料および／または可視光反射率の高い材料が好ましい。かかる陰極１５材料としては、具体的には、金属、金属酸化物、合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、酸化亜鉛等の無機半導体などを挙げることができる。
上記金属としては、アルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属やＩＩＩ−ｂ属金属等を用いることができる。これらの金属の具体的例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等を挙げることができる。
(Cathode 15)
The material of the
As the metal, an alkali metal, an alkaline earth metal, a transition metal, a Group III-b metal, or the like can be used. Specific examples of these metals include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, Aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like can be given.
また、合金としては、上記金属の少なくとも一種を含む合金を挙げることができ、具体的には、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。
陰極１５は必要に応じて透明電極とされるが、それらの材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性酸化物、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの導電性有機物を挙げることができる。
なお、陰極１５を２層以上の積層構造としてもよい。また、電子注入層が陰極１５として用いられる場合もある。
陰極１５の膜厚は、電気導電度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば、１０〜１００００ｎｍであり、好ましくは２０〜１０００ｎｍであり、さらに好ましくは、５０〜５００ｎｍである。
Examples of the alloy include an alloy containing at least one of the above metals. Specifically, a magnesium-silver alloy, a magnesium-indium alloy, a magnesium-aluminum alloy, an indium-silver alloy, a lithium-aluminum alloy, Examples thereof include a lithium-magnesium alloy, a lithium-indium alloy, and a calcium-aluminum alloy.
The
The
The film thickness of the
（封止構造）
続いて、陰極１５上に保護層（不図示）を形成する。保護膜は酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物、金属窒化物が使用できる。これらの材料は、水蒸気バリア機能のほかに酸素バリア機能も有する。特に、バリア性、耐溶剤性が良好な窒化シリコン、酸化窒化シリコンが好ましい。また、保護層は必要に応じて多層構成にすることも可能である。その場合、無機層のみで構成してもよいし、無機層と有機層で構成してもよい。保護層の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法を用いることができる。また、保護層の厚さに関しては特に限定されないが、典型的には１層あたり５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは１層あたり１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
(Sealing structure)
Subsequently, a protective layer (not shown) is formed on the
次に、保護層の上に接着層１６を形成した後、封止基板１７（封止基材）を貼り合せることで封止を行う。接着層１６として、熱硬化型の接着層１６も使用することができるが、有機ＥＬを構成する材料への影響を鑑みると光硬化型の接着剤が好ましい。例えば、エステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、メラミンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート等の各種アクリレート、ウレタンポリエステル等の樹脂を用いたラジカル系接着剤や、エポキシ、ビニルエーテル等の樹脂を用いたカチオン系接着剤、チオール・エン付加型樹脂系接着剤などが挙げられ、中でも酸素による阻害がなく、光照射後も重合反応が進行するカチオン系接着剤が好ましい。カチオン系硬化型タイプとしては、紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤が好ましく、また、１００ｍＷ／ｃｍ２以上の紫外線を照射した際に、１０〜９０秒以内に硬化する紫外線硬化型接着剤が特に好ましい。この時間内で硬化させることにより、紫外線照射による他の構成要素への影響を排除しつつ、接着剤が充分に硬化して適切な接着強度を備えることができる。また、生産工程の効率の観点からも、前述した時間範囲内であることが好ましい。また、接着剤の種類に関わらず、低透湿性且つ高接着性のものが好ましい。接着層１６を保護層の上に形成する方法の一例として、ディスペンス法、押出ラミネート法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。接着層１６の厚さとしては特に制限はないが、薄膜であるとこが好ましく１〜１００μｍであり、特に好ましくは５〜５０μｍである。
Next, after forming the
封止基材としては、透明性が必要なトップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には薄ガラスやポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）などのプラスチックフィルムを用いることができ、特に透明性が必要ないボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の場合には上記の材料に加えてステンレスやアルミなどの薄い金属材料や薄い不透明なガラス、プラスチック材料、或いはＰＥＴをアルミ箔に接着材を介して貼り合せた基材、例えばアルペットなども用いることができる。封止基板の厚さは１０００μｍ以下が好ましい。 In the case of a top emission type organic EL element that requires transparency as a sealing substrate, a plastic film such as thin glass, polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES), or polyethylene naphthalate (PEN) In the case of a bottom emission type organic EL element that does not require transparency, in addition to the above materials, a thin metal material such as stainless steel or aluminum, a thin opaque glass, a plastic material, or PET is made of aluminum. A base material bonded to the foil via an adhesive, such as Alpet, can also be used. The thickness of the sealing substrate is preferably 1000 μm or less.
次に、透明基材１１のうち、平面視で封止基板外側に設けられた延出部を折り曲げる。ボトムエミッションの場合、折り曲げる方向は封止基板側になる。このとき、延出部を折り曲げやすいように発光面側を封止基板エッジと平行にスーパーカッター、或いはレーザーなどで断裁しハーフカットの状態を形成して切り込み部１８を形成する。そして、この切り込み部１８を起点として延出部を封止基板側に折り曲げる。折り曲げられたモジュール形状は、設置面に近い側の封止基板と設置面に設けられた回路基板３２との間に異方性導電膜（ＡＣＦなど）の厚さとフレキシブル回路基板（ＦＰＣ３１）の厚さと取出し電極の厚さと透明基板の厚さを足し合わせた厚さ以下の隙間にするのが好ましい。
以上により発光パネルモジュール１は構成され、これらを縦、横に並べることにより大面積化が可能となる。また、本発明における有機ＥＬ発光装置２は、大型バックライト、大型照明等に用いることができる。
Next, the extension part provided in the sealing substrate outer side by planar view among the
The light emitting
＜作用効果＞
次に、上述したような発光パネルモジュール１の構成とその製造方法を用いた場合の作用効果について、図１、図２を参照にして説明する。
図１は、比較のための発光パネルモジュール１を示し、透明基材１１上に導電層１２、及び、透明導電層１３を形成し、発光機能層１４としての有機ＥＬ層、陰極１５、接着層１６、封止基材１７、陰極側取出し電極１５ａ、及び、陽極側取出し電極１２ａまで示した概略断面図を示す。
<Effect>
Next, the configuration of the light emitting
FIG. 1 shows a light-emitting
図２は、本実施形態の発光パネルモジュール１を示し、透明基材１１上に導電層１２、及び、透明導電層１３を形成し、発光機能層１４としての有機ＥＬ層、陰極１５、接着層１６、封止基材１７、切り込み部１８、折り曲げた陰極側取出し電極１５ｂ、及び、折り曲げた陽極側取出し電極１２ｂまで示した概略断面図を示す。
図１に示すように、従来のような陰極側取出し電極１５ａ、及び陽極側取出し電極１２ａのように取出し電極を折り曲げない発光パネルモジュール１を並べて、図３に示すような発光装置２を構成すると、取出し電極幅があるため額縁が広くつなぎ目が目立つ。
しかし、図２に示すような可撓性のある透明基板が５０μｍと薄く折り曲げも容易で狭額縁化しやすい。更に狭額縁化した発光パネルモジュール１を並べて図４に示すような本発明に基づく発光装置２を構成すると、つなぎ目が狭くなり大面積化してもつなぎ目が目立たない発光装置２を提供可能となる。
FIG. 2 shows the light-emitting
As shown in FIG. 1, the
However, the flexible transparent substrate as shown in FIG. 2 is as thin as 50 μm and can be easily bent and is easily narrowed. Further, when the light emitting
［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態に係る照明装置（発光装置２）に用いられる発光パネルモジュール１の製造方法およびその構成は、上述した第一の実施形態に係る発光パネルモジュール１の製造方法およびその構成とは、基本構造が同じである。ただし、発光パネルモジュール１の狭額縁化に関して異なることを特徴としている。そのため、図５を参照し、狭額縁の構成を説明し、その他を省略する。
上述した第一の実施形態においては折り曲げ箇所（切り込み部１８）を封止基板よりも外側にある取出し電極のみを折り曲げる構成を説明した。第２の実施形態においては、封止エリアから折り曲げることを特徴とする。
このとき、発光パネルモジュール１の狭額縁化を狙うために封止エリアの額縁付近から折り曲げるために図５に示すように封止エリアの半分程度の位置にハーフカット（切り込み）を入れる。その切り込み部１８の基板厚さ、つまり刃を入れた後の基板厚さが５０μｍ程度にすることが好ましい。
[Second Embodiment]
Next, the manufacturing method of the light emitting
In the first embodiment described above, the configuration has been described in which only the extraction electrode whose bending portion (cut portion 18) is outside the sealing substrate is bent. The second embodiment is characterized by bending from the sealing area.
At this time, in order to bend the light-emitting
＜作用効果＞
ここで上述の図５おける狭額縁発光パネルモジュール１の構成を用いた場合の作用効果について説明する。
本実施形態のように、発光エリア２０から折り曲げることにより更に狭額縁になり、図６に示すように発光パネルモジュール１を並べて構成された発光装置２では、横方向に額縁が更に目立たない長尺発光装置の大面積化が可能となる。
ここで、図５では、陰極１５の外側位置になる接着層１６の部分と平面視で重なるように斬り込み部を設定した場合に例である。
また、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
<Effect>
Here, the operation and effect when the configuration of the narrow frame light emitting
As in this embodiment, the frame is further narrowed by being bent from the
Here, FIG. 5 shows an example in which the cut portion is set so as to overlap with the portion of the
In addition, it is needless to say that other specific detailed structures can be appropriately changed.
１ 発光パネルモジュール
２ 発光装置
１１ …透明基材
１２ …導電層（第１の電極）
１２ａ…陽極側取出し電極
１３ …透明導電層（第１の電極）
１４ …発光機能層
１５ …陰極（第２の電極）
１５ａ…陰極側取出し電極
１６ …接着層
１７ …封止基板
１８ …切り込み部
２０ …発光エリア
３１ …ＦＰＣ
３２ …回路基板
DESCRIPTION OF
12a ... Anode-
14 ... Light emitting
15a ... cathode-
32 ... Circuit board
Claims (6)
上記各電極に電気的に接続し、平面視で、上記封止基板よりも側方に張り出し且つ上記透明基材の上記一方の面に形成された一対の取出し電極を有し、
上記透明基材の他方の面には、上記取出し電極の上記張り出しの付け根側位置と上記透明基材の厚さ方向で対向する位置に、上記透明基材の厚さ方向途中位置までの深さの切り込みからなる切り込み部を有することを特徴とする発光パネルモジュール。 A light emitting panel module in which a first electrode made of a transparent electrode, a light emitting functional layer, a second electrode, and a sealing substrate are laminated in this order on one surface of a flexible transparent substrate,
Electrically connected to each of the electrodes, and in a plan view, has a pair of extraction electrodes that extend laterally from the sealing substrate and formed on the one surface of the transparent substrate;
On the other surface of the transparent base material, the depth to the intermediate position in the thickness direction of the transparent base material at a position facing the protruding base side position of the extraction electrode in the thickness direction of the transparent base material. A light emitting panel module comprising a cut portion made of a cut.
上記発光パネルモジュールは、請求項３に記載の発光パネルモジュールからなることを特徴とする発光装置。 A light emitting device having a light emitting area in which a plurality of light emitting panel modules are arranged,
The light emitting panel module comprises the light emitting panel module according to claim 3.
上記透明基材の他方の面側に対し、上記取出し電極の上記張り出しの付け根側位置と上記透明基材の厚さ方向で対向する位置に、上記透明基材の厚さ方向途中位置までの深さの切り込みからなる切り込み部を形成し、
その切り込み部を中心に、上記透明基材の延出部及び取出し電極を共に封止基板側に折り曲げることを特徴とする発光パネルモジュールの製造方法。 A first electrode composed of a transparent electrode, a light emitting functional layer, a second electrode, and a sealing substrate are laminated in this order on one surface of a flexible transparent base material, and electrically connected to each of the electrodes. Connected and formed a pair of extraction electrodes projecting laterally from the sealing substrate in plan view on the extending portion of the transparent base material,
Depth to the intermediate position in the thickness direction of the transparent substrate at a position facing the protruding base side position of the extraction electrode in the thickness direction of the transparent substrate with respect to the other surface side of the transparent substrate. Forming a notch formed by a notch,
A method for producing a light-emitting panel module, characterized in that the extending portion of the transparent base material and the extraction electrode are both bent toward the sealing substrate centering on the cut portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015218553A JP6582896B2 (en) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | Light emitting panel module, light emitting device, and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015218553A JP6582896B2 (en) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | Light emitting panel module, light emitting device, and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017091730A JP2017091730A (en) | 2017-05-25 |
| JP6582896B2 true JP6582896B2 (en) | 2019-10-02 |
Family
ID=58768296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015218553A Expired - Fee Related JP6582896B2 (en) | 2015-11-06 | 2015-11-06 | Light emitting panel module, light emitting device, and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6582896B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019230617A1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | コニカミノルタ株式会社 | Surface light emission panel and method for manufacturing surface light emission panel |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0220799Y2 (en) * | 1986-12-27 | 1990-06-06 | ||
| WO2008126250A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Pioneer Corporation | Light emitting device |
| JP2009205897A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Rohm Co Ltd | Organic light-emitting device and manufacturing method of the same |
| JP6147509B2 (en) * | 2013-01-22 | 2017-06-14 | パイオニア株式会社 | Light emitting device and method for manufacturing light emitting device |
| JP2015169711A (en) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device, and method for manufacturing the same |
-
2015
- 2015-11-06 JP JP2015218553A patent/JP6582896B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017091730A (en) | 2017-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4661971B2 (en) | Light emitting device | |
| JP5314393B2 (en) | Organic electroluminescence device | |
| EP2531004B1 (en) | Light-emitting device and manufacturing method thereof | |
| US20110121282A1 (en) | Manufacturing method of organic electroluminescence element, light-emitting device, and display device | |
| WO2009119558A1 (en) | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same | |
| JP6331407B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing light emitting device | |
| JP6582896B2 (en) | Light emitting panel module, light emitting device, and manufacturing method thereof | |
| US9923164B2 (en) | Method for manufacturing transparent electrode, transparent electrode, and organic electroluminescence device provided with the same | |
| JP2010146893A (en) | Organic electroluminescent element, and its manufacturing method | |
| JP2017130408A (en) | Light-emitting device | |
| JP5155085B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
| JP2010160945A (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device | |
| JP2009246127A (en) | Organic electroluminescent element and method for production thereof | |
| JP6387602B2 (en) | Transparent electrode, method for producing transparent electrode, and organic electroluminescence device provided with transparent electrode | |
| JP5184938B2 (en) | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same | |
| JP2018073591A (en) | Manufacturing method of organic el element | |
| WO2016139934A1 (en) | Transparent electrode, and organic electroluminescence element | |
| JP6945983B2 (en) | Manufacturing method of organic EL device, display element and organic EL device | |
| WO2012070587A1 (en) | Light emitting device and manufacturing method therefor | |
| JP2016162537A (en) | Light emitting device and method for manufacturing light emitting device | |
| JP2015064958A (en) | Transparent electrode and organic electroluminescent element including the same | |
| JP2018045816A (en) | Transparent electrode and organic electroluminescent element | |
| JP2017174598A (en) | Organic EL element | |
| JP2015207454A (en) | Light-emitting apparatus and manufacturing method of light-emitting apparatus | |
| JP2017204403A (en) | Transparent electrode and organic electroluminescent element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181024 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190710 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190806 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190819 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6582896 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |