JP6456795B2 - Electronics - Google Patents

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Description

本開示は、電子機器に関する。   The present disclosure relates to an electronic device.

近年、電子機器の処理能力が向上している。その主な要因として、たとえば電子機器が内蔵するCPU(Central Processing Unit)の高速化、あるいは電子機器の通信速度の高速化を挙げることができる。このような高速化をユーザによる電子機器の操作に十分に反映するため、電子機器の記憶部へのデータの書込みの高速化が望まれている。   In recent years, the processing capability of electronic devices has improved. As the main factor, for example, the speed of a CPU (Central Processing Unit) built in the electronic device or the speed of communication of the electronic device can be increased. In order to sufficiently reflect such high speed in the operation of the electronic device by the user, it is desired to increase the speed of data writing to the storage unit of the electronic device.

データの書込み速度が速いメモリとして、NAND型フラッシュメモリが知られている。特開2015−141623号公報(特許文献1)には、メモリコントローラとNAND型フラッシュメモリとを一つにまとめてパッケージ化したeMMC(embedded Multi Media Card)(登録商標)を記憶装置とする携帯端末が開示されている。   A NAND flash memory is known as a memory having a high data writing speed. Japanese Patent Laying-Open No. 2015-141623 (Patent Document 1) discloses a portable terminal having a memory device as an eMMC (embedded Multi Media Card) (registered trademark) in which a memory controller and a NAND flash memory are packaged together. Is disclosed.

特開2015−141623号公報JP, 2015-141623, A

書込み速度が速くなるとメモリのコストは一般的に高くなる。記憶部へのデータの書込みを高速化するなら電子機器の記憶部を書込み速度のできるだけ速いメモリで構成するべきである。しかし、それはコストダウンの要請により限界がある。   As the writing speed increases, the cost of the memory generally increases. In order to speed up the writing of data to the storage unit, the storage unit of the electronic device should be configured with a memory having the highest possible writing speed. However, it is limited due to the demand for cost reduction.

記憶部をコストが低い第1メモリと書込み速度の速い第2メモリとから構成することにより、コストダウンと書込みの高速化とを調和させることができる。第1メモリには恒常的にデータが保存される。第2メモリには、第1メモリへの書込み要求があった場合に、データが恒常的、もしくは一時的に書込まれる。   By configuring the storage unit from the first memory having a low cost and the second memory having a high writing speed, it is possible to harmonize the cost reduction and the writing speed. Data is constantly stored in the first memory. When there is a write request to the first memory, data is constantly or temporarily written in the second memory.

第1メモリへのデータの書込み要求が発生した場合、第2メモリへデータを書込むことにより、データの書込みは確かに高速化することができる。しかし、そのような書込みの高速化による効果が、電子機器の使用状況によってはユーザに実感されないことがある。第1メモリへのデータの書込み要求が発生した場合に常にデータを第2メモリへ書込んでは、第2メモリの寿命を不要に短くしてしまう可能性がある。   When a data write request to the first memory is generated, the data write can surely be accelerated by writing the data to the second memory. However, the effect of speeding up such writing may not be realized by the user depending on the usage status of the electronic device. If data is always written to the second memory when a request to write data to the first memory is generated, the life of the second memory may be unnecessarily shortened.

本開示の目的は、データの書込みの高速化をユーザ操作に反映させながら、データ書込みを高速化するためにデータが書込まれるメモリの寿命が短くなることを抑制することができる電子機器を提供することである。   An object of the present disclosure is to provide an electronic device capable of suppressing the shortening of the life of a memory in which data is written in order to increase the data writing speed while reflecting an increase in the data writing speed in a user operation. It is to be.

本開示の一態様の電子機器は、不揮発性の第1のメモリと、不揮発性の第2のメモリと、制御部とを備える。第2のメモリは、第1のメモリよりも書込み速度が速い。制御部は、第1のメモリへのデータの書込み要求を受けるように構成される。制御部は、書込み要求を受けた場合、データの書込みを高速化する必要がない動作状態に電子機器があることを意味する所定の条件が成立するとき、データを第1のメモリへ書込む。制御部は、所定の条件が成立しないとき、データを第2のメモリへ書込むように構成される。   An electronic device according to one embodiment of the present disclosure includes a nonvolatile first memory, a nonvolatile second memory, and a control unit. The second memory has a higher writing speed than the first memory. The control unit is configured to receive a data write request to the first memory. When receiving a write request, the control unit writes the data to the first memory when a predetermined condition that means that the electronic device is in an operating state that does not require speeding up of the data writing is satisfied. The control unit is configured to write data to the second memory when a predetermined condition is not satisfied.

本開示によれば、データの書込みを高速化する必要がない場合にはデータを第2メモリへ書込まないことにより、データの書込みの高速化をユーザ操作に反映させながら、第2メモリの寿命が短くなることを抑制することができる。   According to the present disclosure, when it is not necessary to speed up the data writing, the data is not written into the second memory, so that the speed of the data writing is reflected in the user operation, and the lifetime of the second memory is increased. Can be suppressed.

第1の実施の形態による電子機器であるスマートフォンの正面図(a)および側面図(b)である。It is the front view (a) and side view (b) of the smart phone which are the electronic devices by 1st Embodiment. 図1のスマートフォンの機能を説明するための機能ブロック図である。It is a functional block diagram for demonstrating the function of the smart phone of FIG. 第1メモリへの書込み要求が発生した場合に図2の制御部によって行なわれる処理の流れを説明するためのフローチャートである。3 is a flowchart for explaining a flow of processing performed by a control unit in FIG. 2 when a write request to the first memory is generated. 図3の「所定の条件」の構成の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a configuration of “predetermined conditions” in FIG. 3. 「所定の条件」の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of "predetermined conditions." 第2の実施の形態によるスマートフォンの制御部がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理の流れを説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the flow of the process performed when the control part of the smart phone by 2nd Embodiment receives the write-in request of data. 第1メモリへ記録されている書込み速度のイメージを示す図である。It is a figure which shows the image of the writing speed currently recorded on the 1st memory. 第2の実施の形態の変形例によるスマートフォンの制御部がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理の流れを説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the flow of the process performed when the control part of the smart phone by the modification of 2nd Embodiment receives the write-in request | requirement of data. 第2の実施の形態の他の変形例によるスマートフォンの制御部がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理の流れを説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating the flow of the process performed when the control part of the smart phone by the other modification of 2nd Embodiment receives the write-in request | requirement of data.

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.

以下の実施の形態では、実施の形態による電子機器としてスマートフォンを例として説明する。実施の形態による電子機器はスマートフォンに限定されるものではなく、高速化した処理速度のユーザ操作への反映が望まれる電子機器であればどのようなものでも構わない。実施の形態による電子機器は、たとえばタブレットPC、ノート型PC、あるいはスマートウォッチであってもよい。また、実施の形態による電子機器は携帯型の電子機器に限定されるものでもなく、たとえばデスクトップ型PC、あるいはワークステーションであってもよい。   In the following embodiments, a smartphone will be described as an example of the electronic device according to the embodiments. The electronic device according to the embodiment is not limited to a smartphone, and any electronic device may be used as long as it is desired to reflect the increased processing speed to the user operation. The electronic device according to the embodiment may be a tablet PC, a notebook PC, or a smart watch, for example. Further, the electronic device according to the embodiment is not limited to a portable electronic device, and may be, for example, a desktop PC or a workstation.

[第1の実施の形態]
図1は、第1の実施の形態による電子機器であるスマートフォン1の正面図(a)および側面図(b)である。図1(a)に示されるように、スマートフォン1は本体部の長手方向の上部にスピーカ70と、本体部の長手方向の下部にマイク60と、中央部に表示部20と入力部50とを備える。図1(b)に示されるように、スマートフォン1は側面部に着脱式メモリ100を装着可能な装着部80を備える。
[First embodiment]
FIG. 1 is a front view (a) and a side view (b) of a smartphone 1 that is an electronic apparatus according to the first embodiment. As shown in FIG. 1A, the smartphone 1 has a speaker 70 at the upper part in the longitudinal direction of the main body part, a microphone 60 at the lower part in the longitudinal direction of the main body part, and a display part 20 and an input part 50 at the central part. Prepare. As shown in FIG. 1B, the smartphone 1 includes a mounting unit 80 that can mount the removable memory 100 on the side surface.

図2は、図1のスマートフォン1の機能を説明するための機能ブロック図である。図2に示されるように、スマートフォン1は、制御部10と、表示部20と、記憶部30と、通信部40と、入力部50と、マイク60と、スピーカ70と、装着部80とを備える。   FIG. 2 is a functional block diagram for explaining functions of the smartphone 1 of FIG. As shown in FIG. 2, the smartphone 1 includes a control unit 10, a display unit 20, a storage unit 30, a communication unit 40, an input unit 50, a microphone 60, a speaker 70, and a mounting unit 80. Prepare.

制御部10は、スマートフォン1を統合的に制御することができる。制御部10は、スマートフォン1の表示部20、記憶部30、通信部40、入力部50、マイク60、スピーカ70、および装着部80の各構成要素を制御することができる。制御部10は、図示はしないがCPU(Central Processing Unit)および揮発性の記憶素子を含む。記憶素子は、たとえばSRAM(Static Random Access Memory)またはDRAM(Dynamic Random Access Memory)である。   The control unit 10 can control the smartphone 1 in an integrated manner. The control unit 10 can control each component of the display unit 20, the storage unit 30, the communication unit 40, the input unit 50, the microphone 60, the speaker 70, and the mounting unit 80 of the smartphone 1. The control unit 10 includes a CPU (Central Processing Unit) and a volatile storage element (not shown). The storage element is, for example, an SRAM (Static Random Access Memory) or a DRAM (Dynamic Random Access Memory).

表示部20は、制御部10から受信した信号に基づいて表示を行なうことができる。表示部20は、たとえば液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、または有機ELディスプレイから構成されてもよい。表示部20は、スマートフォン1を操作するための1つまたは複数のGUIを表示することができる。   The display unit 20 can perform display based on the signal received from the control unit 10. The display unit 20 may be configured from, for example, a liquid crystal display, a plasma display, or an organic EL display. The display unit 20 can display one or a plurality of GUIs for operating the smartphone 1.

記憶部30は、たとえば制御部10に読み出されて実行されるOS(Operating System)、各種アプリケーションのプログラム、およびそのプログラムによって使用される各種データを保存することができる。記憶部30の具体的な構成については後に説明する。   The storage unit 30 can store, for example, an OS (Operating System) read out and executed by the control unit 10, programs of various applications, and various data used by the programs. A specific configuration of the storage unit 30 will be described later.

通信部40は、いずれも図示しないが、アンテナスイッチ、デュプレクサ、電力増幅器、低雑音増幅器、および帯域通過フィルタを含む。通信部40は、LTE(Long Term Evolution)またはCDMA(Code Division Multiple Access)の方式に従い、通信事業者の通信網において広域無線通信を行なうことができる。通信部40は、アンテナで受信した信号を処理して、当該信号を制御部10に出力することができる。制御部10は、通信部40へ信号を出力することができる。通信部40は、制御部10から出力された信号を送信することができる。通信部40は、いずれも図示しないが無線LAN回路および無線LANアンテナを含み、WiFi(登録商標)に基づいて、たとえばWiFiアクセスポイントのようなWiFi対応機器と近距離無線通信を行なうことができる。   The communication unit 40 includes an antenna switch, a duplexer, a power amplifier, a low noise amplifier, and a band-pass filter, although not shown. The communication unit 40 can perform wide area wireless communication in a communication network of a communication carrier in accordance with LTE (Long Term Evolution) or CDMA (Code Division Multiple Access). The communication unit 40 can process a signal received by the antenna and output the signal to the control unit 10. The control unit 10 can output a signal to the communication unit 40. The communication unit 40 can transmit the signal output from the control unit 10. Although not shown, the communication unit 40 includes a wireless LAN circuit and a wireless LAN antenna, and can perform short-range wireless communication with a WiFi-compatible device such as a WiFi access point based on WiFi (registered trademark).

なお、「近距離無線通信」とは、数メートルから数十メートル程度離れた状態で行なう無線通信を意味する。「近距離無線通信」は、WiFiに限らず、たとえば、Bluetooth(登録商標)の方式に従って行なわれてもよい。   “Short-range wireless communication” means wireless communication performed in a state of being separated from several meters to several tens of meters. “Near field communication” is not limited to WiFi, and may be performed, for example, according to a Bluetooth (registered trademark) system.

通信部40は、広域無線通信または近距離無線通信により、たとえばオンラインストレージと通信を行なうことができる。ここで「オンラインストレージ」とは、スマートフォン1とは別個の記憶装置であり、有線または無線を問わず通信によってアクセス可能な記憶装置を意味する。すなわち、「オンラインストレージ」には、事業者によりクラウドサービスの一環として提供される記憶装置のみならず、たとえばLAN上に設置された記憶装置、あるいは近距離無線通信によってアクセス可能な記憶装置も含まれる。   The communication unit 40 can communicate with, for example, online storage by wide-area wireless communication or short-range wireless communication. Here, the “online storage” is a storage device that is separate from the smartphone 1 and means a storage device that can be accessed by communication regardless of wired or wireless. In other words, “online storage” includes not only storage devices provided as a part of cloud services by business operators, but also storage devices installed on a LAN, or storage devices accessible via short-range wireless communication, for example. .

入力部50は、ユーザからスマートフォン1を操作するための入力を受け付け、制御部10にその入力に基づく信号を送信することができる。入力部50は、タッチパネルを含む。入力部はさらにボタンを含んでもよい。タッチパネルは、表示部20に表示された1つまたは複数のGUIへのタッチ操作を受け付けることができる。   The input unit 50 can receive an input for operating the smartphone 1 from the user, and can transmit a signal based on the input to the control unit 10. The input unit 50 includes a touch panel. The input unit may further include a button. The touch panel can accept a touch operation on one or a plurality of GUIs displayed on the display unit 20.

装着部80には、着脱式メモリ100を装着することができる。制御部10は、装着部80に装着された着脱式メモリ100にデータを書込むことができる。着脱式メモリ100としてはたとえばSDカード、あるいはUSBメモリを挙げることができる。   The detachable memory 100 can be attached to the attachment unit 80. The control unit 10 can write data to the removable memory 100 attached to the attachment unit 80. Examples of the removable memory 100 include an SD card or a USB memory.

以下では、記憶部30の具体的な構成について説明する。記憶部30はNAND型フラッシュメモリを含む。NAND型フラッシュメモリとして、TLC(Triple Level Cell),MLC(Multi Level Cell),SLC(Single Level Cell)が知られている。TLCは1つのメモリセルに3bitの情報を記憶することができる。MLCは1つのメモリセルに2bitの情報を記憶することができる。SLCは1つのメモリセルに1bitの情報を記憶することができる。それぞれの書込み速度はTLC,MLC,SLCの順に速くなる。それぞれの製造コストはTLC,MLC,SLCの順に高くなる。書込み速度に着目すれば、記憶部30はSLCで構成するべきといえる。しかし、それはコストダウンの要請により限界がある。   Hereinafter, a specific configuration of the storage unit 30 will be described. The storage unit 30 includes a NAND flash memory. Known NAND-type flash memories include TLC (Triple Level Cell), MLC (Multi Level Cell), and SLC (Single Level Cell). The TLC can store 3 bits of information in one memory cell. The MLC can store 2-bit information in one memory cell. The SLC can store 1-bit information in one memory cell. Each writing speed increases in the order of TLC, MLC, and SLC. Each manufacturing cost increases in the order of TLC, MLC, and SLC. If attention is paid to the writing speed, it can be said that the storage unit 30 should be composed of SLC. However, it is limited due to the demand for cost reduction.

スマートフォン1においては、コストダウンと書込みの高速化との調和の観点から、記憶部30はコストの低いTLCを含むとともに、このTLCの記憶領域の一部はSLCとして使用可能に設定される。記憶部30の記憶領域のうち、TLCとして使用可能な第1記憶領域を第1メモリ31とし、SLCとして使用可能な第2記憶領域を第2メモリ32とする。第1メモリ31と第2メモリ32とは物理的に一個の不揮発性メモリに含まれる。第1メモリ31には恒常的にデータが保存される。第2メモリ32には第1メモリ31への書込み要求があった場合に、データの書込みを高速するためにデータが恒常的、もしくは一時的に書込まれる。   In the smartphone 1, from the viewpoint of harmony between cost reduction and writing speed increase, the storage unit 30 includes a low-cost TLC, and a part of the TLC storage area is set to be usable as an SLC. Of the storage areas of the storage unit 30, a first storage area that can be used as a TLC is a first memory 31, and a second storage area that can be used as an SLC is a second memory 32. The first memory 31 and the second memory 32 are physically included in one nonvolatile memory. Data is constantly stored in the first memory 31. When there is a write request to the first memory 31 in the second memory 32, the data is constantly or temporarily written in order to speed up the data writing.

記憶部30は、書込み速度が異なる不揮発性メモリを複数含むことが可能なものであればどのような態様のものでもよい。記憶部30としては、たとえばeMMC(embedded Multi Media Card)を挙げることができる。第1メモリ31と第2メモリ32とは、物理的に別個であっても構わない。   The storage unit 30 may have any form as long as it can include a plurality of nonvolatile memories having different writing speeds. As the memory | storage part 30, eMMC (embedded Multi Media Card) can be mentioned, for example. The first memory 31 and the second memory 32 may be physically separate.

第1メモリ31と第2メモリ32との組み合わせは、TLCとSLCとに限定されるものではない。第2メモリ32への書込み速度が第1メモリ31への書込み速度より速ければどのような組み合わせでもよく、たとえば、TLCの記憶領域の一部がMLCとして使用可能に設定されてもよい。あるいはMLCの記憶領域の一部がSLCとして使用可能に設定されてもよい。   The combination of the first memory 31 and the second memory 32 is not limited to TLC and SLC. Any combination may be used as long as the writing speed to the second memory 32 is higher than the writing speed to the first memory 31. For example, a part of the storage area of the TLC may be set to be usable as the MLC. Alternatively, a part of the MLC storage area may be set to be usable as the SLC.

第2メモリ32には、データの書込みを正常に記憶することができる所定の書込み回数が予め設定されている。第2メモリ32への書込み回数がこの所定の書込み回数に達すると、それ以降の第2メモリ32への書込みは、正常に記憶されることが保証されなくなる。データの書込みを正常に記憶することができなくなる実際の書込み回数は、製品毎にばらつきがあるため、予め設定された所定の書込み込み回数よりも少ない書込み回数であっても、データの書込みが正常に記憶されなくなることもあり得る。   In the second memory 32, a predetermined number of times that data can be normally stored is set in advance. When the number of times of writing to the second memory 32 reaches the predetermined number of times of writing, subsequent writing to the second memory 32 is not guaranteed to be stored normally. Since the actual number of times that data writing cannot be stored normally varies from product to product, data writing is normal even if the number of times of writing is less than a preset number of times of writing. May not be remembered.

第1メモリ31への書込み要求が発生した場合、第2メモリ32へデータを書込むことにより、データの書込みを高速化することができる。しかし、そのような書込みの高速化による効果が、スマートフォン1の使用状況によってはユーザに実感されないことがある。たとえば省電力のために表示部20がOFFとなっている場合、ユーザはスマートフォン1を操作していない場合がほとんどである。このような場合にまで第2メモリ32へデータを書込んでしまうと、第2メモリ32の書込み回数が不要に増えてしまい、第2メモリ32の寿命を不要に短くしてしまう可能性がある。   When a write request to the first memory 31 is generated, writing data to the second memory 32 can speed up the data writing. However, the effect of speeding up such writing may not be realized by the user depending on the usage status of the smartphone 1. For example, when the display unit 20 is OFF for power saving, the user is not operating the smartphone 1 in most cases. If data is written to the second memory 32 up to such a case, the number of times of writing to the second memory 32 increases unnecessarily, and the life of the second memory 32 may be unnecessarily shortened. .

そこで、第1の実施の形態においては、第1メモリ31への書込み要求が発生した場合、スマートフォン1がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあることを意味する所定の条件が成立するときには第2メモリ32へのデータの書込みを行なわず、第1メモリ31へデータを書込む。スマートフォン1によれば、データの書込みの高速化をユーザ操作に反映させながら第2メモリ32の寿命が短くなることを抑制することができる。   Therefore, in the first embodiment, when a write request to the first memory 31 is generated, a predetermined condition that means that the smartphone 1 is in an operation state that does not need to speed up data writing is established. When data is written, data is not written to the second memory 32 but is written to the first memory 31. According to the smartphone 1, it is possible to suppress a reduction in the lifetime of the second memory 32 while reflecting an increase in data writing speed in a user operation.

図3は、第1メモリ31への書込み要求が発生した場合に図2の制御部10によって行なわれる処理の流れを説明するためのフローチャートである。図3に示されるように、制御部10はステップS11において、「所定の条件」が成立するか否かを判定する。「所定の条件」は、スマートフォン1の動作状態のうち、データの書込みを高速化する必要がない動作状態に対応する条件である。「所定の条件」が具体的にどのような条件から構成されているかは後に説明する。   FIG. 3 is a flowchart for explaining the flow of processing performed by the control unit 10 of FIG. 2 when a write request to the first memory 31 is generated. As shown in FIG. 3, the control unit 10 determines whether or not a “predetermined condition” is satisfied in step S <b> 11. The “predetermined condition” is a condition corresponding to an operation state of the operation state of the smartphone 1 that does not require high-speed data writing. The specific conditions of the “predetermined conditions” will be described later.

所定の条件が成立しない場合(S11においてNO)、データの書込みを高速化する必要がある場合として、制御部10は処理をステップS12へ進める。制御部10はステップS12においてデータを第2メモリ32へ書込んで処理を終了する。第2メモリ32へ書込まれたデータは、たとえば表示部20がOFFでユーザ操作がないタイミング、第2メモリ32へ書込まれたデータの容量が所定の容量に達した場合、あるいはOSが次に起動するタイミングに第1メモリ31へまとめて書込まれる。   If the predetermined condition is not satisfied (NO in S11), the control unit 10 advances the process to step S12 as the case where it is necessary to speed up the data writing. The controller 10 writes the data to the second memory 32 in step S12 and ends the process. Data written to the second memory 32 is, for example, when the display unit 20 is OFF and no user operation is performed, when the capacity of the data written to the second memory 32 reaches a predetermined capacity, or when the OS Are collectively written into the first memory 31 at the timing of starting up.

所定の条件が成立する場合(S11においてYES)、データの書込みを高速化する必要がない場合として、制御部10は処理をステップS13へ進める。制御部10はステップS13においてデータを第1メモリ31へ書込んで処理を終了する。   If the predetermined condition is satisfied (YES in S11), the control unit 10 advances the process to step S13 as the case where it is not necessary to speed up the data writing. In step S13, the control unit 10 writes data to the first memory 31 and ends the process.

図4は、図3のステップS11の「所定の条件」の構成の一例を示す図である。図4に示されるように、制御部10はステップS111において表示部20がOFFであるか否かを判定する。表示部20がONである場合(S111においてNO)、制御部10は処理をステップS112へ進める。表示部20がOFFである場合(S111においてYES)、制御部10は、スマートフォン1がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップS13へ進めてデータを第1メモリ31へ書込む。表示部20がOFFである場合とは、たとえば、表示部20に何も表示されていない場合、あるいは表示部20のバックライトが消灯している場合である。   FIG. 4 is a diagram showing an example of the configuration of “predetermined conditions” in step S11 of FIG. As shown in FIG. 4, the control unit 10 determines whether or not the display unit 20 is OFF in step S <b> 111. If display unit 20 is ON (NO in S111), control unit 10 advances the process to step S112. When display unit 20 is OFF (YES in S111), control unit 10 determines that smartphone 1 is in an operating state that does not require speeding up of data writing, and proceeds to step S13 to store the data in the first memory. Write to 31. The case where the display unit 20 is OFF is, for example, a case where nothing is displayed on the display unit 20 or a case where the backlight of the display unit 20 is turned off.

スマートフォン1の操作は、そのほとんどが入力部50に含まれるタッチパネルへのタッチ操作によって行なわれる。そのため、表示部20がOFFである場合(S111においてYES)には、タッチパネルからのタッチ操作が行なわれない。スマートフォン1がこのような動作状態にある場合には、データの書込みを高速化しても、ユーザがスマートフォン1を操作することがほとんどない。そこで、第1の実施の形態においては、スマートフォン1が、表示部20がOFFであるという動作状態にある場合、データを第2メモリ32へ書込まずに第1メモリ31へ書込む。   Most of the operations of the smartphone 1 are performed by a touch operation on a touch panel included in the input unit 50. Therefore, when display unit 20 is OFF (YES in S111), a touch operation from the touch panel is not performed. When the smartphone 1 is in such an operating state, the user hardly operates the smartphone 1 even if data writing is speeded up. Therefore, in the first embodiment, when the smartphone 1 is in an operation state in which the display unit 20 is OFF, data is written to the first memory 31 without being written to the second memory 32.

制御部10はステップS112においてタッチパネルへのタッチ操作がないという状態が所定の時間継続したか否かを判定する。所定の時間の間にタッチパネルへのタッチ操作があった場合(S112においてYES)、制御部10は処理をステップS113へ進める。タッチパネルへのタッチ操作がないという状態が所定の時間継続した場合(S112においてNO)、制御部10は、スマートフォン1がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップS13へ進めてデータを第1メモリ31へ書込む。   In step S112, the control unit 10 determines whether or not the state where there is no touch operation on the touch panel has continued for a predetermined time. If there is a touch operation on the touch panel during a predetermined time (YES in S112), control unit 10 advances the process to step S113. When the state in which there is no touch operation on the touch panel continues for a predetermined time (NO in S112), the control unit 10 determines that the smartphone 1 is in an operation state that does not need to speed up data writing, and performs the process in step S13. To write data to the first memory 31.

タッチパネルへのタッチ操作が行なわれない状態が継続した場合、スマートフォン1は、たとえばどこかに置かれている、あるいはどこかにしまわれているなど、ユーザの手を離れ、その後のユーザ操作がしばらく期待できない状況に置かれている可能性が高い。スマートフォン1がこのような動作状態にある場合には、データの書込みを高速化しても、ユーザがスマートフォン1を操作することがほとんどない。そこで、第1の実施の形態においては、スマートフォン1が、タッチパネルへのタッチ操作が行なわれない状態が所定の時間継続したという動作状態にある場合、データを第2メモリ32へ書込まずに第1メモリ31へ書込む。   When the state in which the touch operation on the touch panel is not performed continues, the smartphone 1 leaves the user's hand, for example, is placed somewhere or is somewhere, and the subsequent user operation is not performed for a while. It is likely that you are in an unexpected situation. When the smartphone 1 is in such an operating state, the user hardly operates the smartphone 1 even if data writing is speeded up. Therefore, in the first embodiment, when the smartphone 1 is in an operation state in which the touch operation on the touch panel is not performed for a predetermined time, the data is not written to the second memory 32 but the first 1 Write to memory 31.

制御部10はステップS113において、制御部10が受けている第1メモリ31への書込み要求の数が所定の数よりも少ないか否かを判定する。制御部10が受けている第1メモリ31への書込み要求の数が所定の数以上の場合(S113においてNO)、制御部10は処理をステップS114へ進める。制御部10が受けている第1メモリ31への書込み要求の数が所定の数よりも少ない場合(S113においてYES)、制御部10は、スマートフォン1がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップS13へ進めてデータを第1メモリ31へ書込む。   In step S113, the control unit 10 determines whether or not the number of write requests to the first memory 31 received by the control unit 10 is smaller than a predetermined number. If the number of write requests to the first memory 31 received by the control unit 10 is equal to or greater than the predetermined number (NO in S113), the control unit 10 advances the process to step S114. When the number of write requests to the first memory 31 received by the control unit 10 is smaller than the predetermined number (YES in S113), the control unit 10 does not require the smartphone 1 to speed up data writing. Assuming that it is in a state, the process proceeds to step S13 and data is written to the first memory 31.

制御部10が受けている第1メモリ31への書込み要求の数が少ない場合、制御部10が受けた他の書込み要求が処理されるまでの待ち時間が短くなる。データの書込みは、高速化しなくとも短時間で処理されることが期待できる。スマートフォン1がこのような動作状態にある場合には、データの書込みによってユーザがスマートフォン1の操作に遅さを感じることが少ない。そこで、第1の実施の形態においては、スマートフォン1が、制御部10が受けている第1メモリ31への書込み要求の数が所定の数よりも少ないという動作状態にある場合、データを第2メモリ32へ書込まずに第1メモリ31へ書込む。   When the number of write requests to the first memory 31 received by the control unit 10 is small, the waiting time until another write request received by the control unit 10 is processed is shortened. Data writing can be expected to be processed in a short time without increasing the speed. When the smartphone 1 is in such an operating state, the user rarely feels slow in the operation of the smartphone 1 due to data writing. Therefore, in the first embodiment, when the smartphone 1 is in an operation state in which the number of write requests to the first memory 31 received by the control unit 10 is less than a predetermined number, the data is stored in the second Write to the first memory 31 without writing to the memory 32.

制御部10はステップS114において、書込むデータのサイズが所定のサイズより小さいか否かを判定する。書込むデータのサイズが所定のサイズ以上の場合(S114においてNO)、制御部10は処理をステップS115へ進める。書込むデータのサイズが所定のサイズより小さい場合(S114においてYES)、制御部10は、スマートフォン1がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップS13へ進めてデータを第1メモリ31へ書込む。   In step S114, the control unit 10 determines whether the size of the data to be written is smaller than a predetermined size. If the size of the data to be written is equal to or larger than the predetermined size (NO in S114), control unit 10 advances the process to step S115. If the size of the data to be written is smaller than the predetermined size (YES in S114), control unit 10 proceeds to step S13 and proceeds to step S13, assuming that smartphone 1 is in an operating state that does not require high-speed data writing. Are written into the first memory 31.

書込むデータのサイズが小さい場合、データの書込み時間は短くなる。スマートフォン1がこのような動作状態にある場合には、データの書込みによってユーザがスマートフォン1の操作に遅さを感じることが少ない。そこで、第1の実施の形態においては、スマートフォン1が、書込むデータのサイズが所定のサイズより小さいという動作状態にある場合、データを第2メモリ32へ書込まずに第1メモリ31へ書込む。   When the size of data to be written is small, the data writing time is shortened. When the smartphone 1 is in such an operating state, the user rarely feels slow in the operation of the smartphone 1 due to data writing. Therefore, in the first embodiment, when the smartphone 1 is in an operation state in which the size of data to be written is smaller than a predetermined size, the data is written to the first memory 31 without writing to the second memory 32. Include.

制御部10はステップS115において、制御部10の負荷率が所定の負荷率よりも高いか否かを判定する。制御部10の負荷率が所定の負荷率以下である場合(S115においてNO)、制御部10は処理をステップS116へ進める。制御部10の負荷率が所定の負荷率よりも高い場合(S115においてYES)、制御部10は、スマートフォン1がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップS13へ進めてデータを第1メモリ31へ書込む。ここで「負荷率」とは、制御部10が所定の時間の間にアプリケーションを実行していた時間の、所定の時間に対する割合である。   In step S115, the control unit 10 determines whether or not the load factor of the control unit 10 is higher than a predetermined load factor. When the load factor of control unit 10 is equal to or lower than the predetermined load factor (NO in S115), control unit 10 advances the process to step S116. If the load factor of control unit 10 is higher than the predetermined load factor (YES in S115), control unit 10 assumes that smartphone 1 is in an operating state that does not require speeding up of data writing, and proceeds to step S13. Proceed to write data to the first memory 31. Here, the “load factor” is a ratio of a time during which the control unit 10 executes an application during a predetermined time to a predetermined time.

制御部10の負荷率が高い場合、ユーザ操作に対するアプリケーションのレスポンスは遅くなる。スマートフォン1がこのような動作状態にある場合には、データの書込みを高速化しても、ユーザ操作が高速化される程度は小さい。そこで、第1の実施の形態においては、スマートフォン1が、制御部10の負荷率が所定の負荷率よりも高いという動作状態にある場合、データを第2メモリ32へ書込まずに第1メモリ31へ書込む。   When the load factor of the control unit 10 is high, the response of the application to the user operation is delayed. When the smartphone 1 is in such an operating state, even if data writing is speeded up, the degree to which the user operation is speeded up is small. Therefore, in the first embodiment, when the smartphone 1 is in an operation state in which the load factor of the control unit 10 is higher than a predetermined load factor, the first memory is not written to the second memory 32 without writing data. Write to 31.

制御部10はステップS116において、通信部40によるデータのダウンロードの速度が所定の速度よりも小さいか否かを判定する。通信部40によるデータのダウンロードの速度が所定の速度以上である場合(S116においてNO)、制御部10は処理をステップS12へ進め、データを第2メモリ32へ書込む。通信部40によるデータのダウンロードの速度が所定の速度よりも小さい場合(S116においてYES)、制御部10は、スマートフォン1がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあるとして、処理をステップS13へ進めてデータを第1メモリ31へ書込む。   In step S116, the control unit 10 determines whether the data download speed by the communication unit 40 is lower than a predetermined speed. When the data download speed by communication unit 40 is equal to or higher than the predetermined speed (NO in S116), control unit 10 advances the process to step S12 and writes the data into second memory 32. If the data download speed by communication unit 40 is lower than the predetermined speed (YES in S116), control unit 10 performs the process on the assumption that smartphone 1 is in an operating state where it is not necessary to speed up data writing. Proceeding to S 13, the data is written into the first memory 31.

通信部40によるデータのダウンロードが遅い場合、ダウンロード時間がボトルネックとなってユーザがスマートフォン1の操作に遅さを感じる場合が多い。スマートフォン1がこのような動作状態にある場合には、データの書込みを高速化しても、ユーザ操作が高速化される程度は小さい。そこで、第1の実施の形態においては、スマートフォン1が、通信部40によるデータのダウンロードの速度が所定の速度よりも小さいという動作状態にある場合には、データを第2メモリ32へ書込まずに第1メモリ31へ書込む。   When downloading of data by the communication unit 40 is slow, the download time becomes a bottleneck and the user often feels slow in the operation of the smartphone 1. When the smartphone 1 is in such an operating state, even if data writing is speeded up, the degree to which the user operation is speeded up is small. Therefore, in the first embodiment, when the smartphone 1 is in an operation state in which the data download speed by the communication unit 40 is lower than a predetermined speed, data is not written to the second memory 32. To the first memory 31.

以上から、第1の実施の形態によるスマートフォン1によれば、データの書込みを高速化する必要がない場合(所定の条件が成立する場合)にデータを第2メモリ32へ書込まないことにより、データの書込みの高速化をユーザ操作に反映させながら、第2メモリ32の寿命が短くなることを抑制することができる。具体的には、スマートフォン1によれば、第2メモリ32への書込み回数が従来のスマートフォンよりも減らせるため、第2メモリ32への書込み回数が所定の書込み回数に到達するのを遅らせることができる。その結果、第2メモリ32の寿命が短くなることを抑制することができる。   From the above, according to the smartphone 1 according to the first embodiment, when it is not necessary to speed up the writing of data (when a predetermined condition is satisfied), by not writing the data to the second memory 32, It is possible to prevent the lifetime of the second memory 32 from being shortened while reflecting an increase in data writing speed to the user operation. Specifically, according to the smartphone 1, since the number of times of writing to the second memory 32 can be reduced as compared with the conventional smartphone, the number of times of writing to the second memory 32 can be delayed from reaching the predetermined number of times of writing. it can. As a result, it is possible to suppress the lifetime of the second memory 32 from being shortened.

第1の実施の形態においては、「所定の条件」は図4のS111〜116に示される条件から構成されている。「所定の条件」はこのような構成に限定されない。図5は、「所定の条件」の他の例を示す図である。図5(a)に示されるように、「所定の条件」は、S111〜116のいずれか1つの条件から構成されていてもよい。あるいは、図5(b)に示されるように、「所定の条件」はS111〜116のうちの2つ以上の条件を組み合わせた構成であってもよい。さらに、図5(c)に示されるように、「所定の条件」は、電子機器がデータの書込みを高速化する必要がない動作状態にあることを意味する条件であれば、S111〜S116に示される条件以外の条件を含んでいても構わない。たとえば、「所定の条件」は、制御部10が受けている第1メモリ31への書込み要求毎のデータサイズの総和が、所定のサイズよりも小さいという条件を含んでいてもよい。   In the first embodiment, the “predetermined condition” includes the conditions shown in S111 to S116 in FIG. The “predetermined condition” is not limited to such a configuration. FIG. 5 is a diagram illustrating another example of the “predetermined condition”. As shown in FIG. 5A, the “predetermined condition” may be configured by any one of the conditions S111 to S116. Alternatively, as illustrated in FIG. 5B, the “predetermined condition” may be a combination of two or more conditions of S111 to 116. Further, as shown in FIG. 5C, if the “predetermined condition” is a condition that means that the electronic device is in an operation state that does not need to speed up the data writing, the process proceeds to S111 to S116. Conditions other than those shown may be included. For example, the “predetermined condition” may include a condition that the total data size for each write request to the first memory 31 received by the control unit 10 is smaller than the predetermined size.

[第2の実施の形態]
第1の実施の形態においては、データを、スマートフォン1に予め内蔵されている第2メモリへ書込む場合について説明した。データを書込むメモリはスマートフォン1に内蔵されているメモリに限定されない。第2の実施の形態においては、スマートフォン1に予め内蔵されていない第3メモリにデータを書込む場合について説明する。
[Second Embodiment]
In 1st Embodiment, the case where data was written in the 2nd memory previously incorporated in the smart phone 1 was demonstrated. The memory for writing data is not limited to the memory built in the smartphone 1. In the second embodiment, a case will be described in which data is written to a third memory that is not built in the smartphone 1 in advance.

第2の実施の形態が第1の実施の形態と異なる点は、制御部10がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理である。すなわち、制御部10がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理が図3に示される処理から図6に示される処理に置き換わる。これ以外の点については同様であるため、説明を繰り返さない。   The second embodiment is different from the first embodiment in the processing performed when the control unit 10 receives a data write request. That is, the process performed when control unit 10 receives a data write request replaces the process shown in FIG. 3 with the process shown in FIG. Since it is the same about other points, description is not repeated.

図6は、第2の実施の形態によるスマートフォンの制御部10がデータの書込み要求を受けた場合に行なう処理の流れを説明するためのフローチャートである。図6に示されるように、制御部10は、ステップS21において、受けた書込み要求が記憶部30への書込み要求か否かを判定する。受けた書込み要求が第3メモリへの書込み要求である場合(S21においてNO)、制御部10は処理をステップS22へ進める。制御部10はステップS22において第3メモリへデータを書込み、処理をステップS23へ進める。   FIG. 6 is a flowchart for explaining a flow of processing performed when the control unit 10 of the smartphone according to the second embodiment receives a data write request. As shown in FIG. 6, in step S <b> 21, the control unit 10 determines whether or not the received write request is a write request to the storage unit 30. When the received write request is a write request to the third memory (NO in S21), control unit 10 advances the process to step S22. In step S22, the control unit 10 writes data to the third memory, and proceeds to step S23.

第3メモリとしては、装着部80に装着された着脱式メモリ100、あるいは通信部40と接続を確立しているオンラインストレージ200を挙げることができる。   Examples of the third memory include the detachable memory 100 attached to the attachment unit 80 or the online storage 200 that has established a connection with the communication unit 40.

受けた書込み要求が記憶部30への書込み要求である場合(S21においてYES)、制御部10は処理をステップS24へ進める。   If the received write request is a write request to storage unit 30 (YES in S21), control unit 10 advances the process to step S24.

制御部10はステップS24において所定の条件が成立するか否かを判定する。「所定の条件」は第1の実施の形態における図3のS11に相当するものである。所定の条件が成立する場合(S24においてYES)、制御部10は、データの書込みを高速化する必要がない場合として、処理をステップS25へ進める。制御部10はステップS25においてデータを第1メモリ31へ書込み、処理をステップS23へ進める。   In step S24, the controller 10 determines whether or not a predetermined condition is satisfied. The “predetermined condition” corresponds to S11 of FIG. 3 in the first embodiment. If the predetermined condition is satisfied (YES in S24), control unit 10 proceeds to step S25 as the case where it is not necessary to speed up the data writing. In step S25, the control unit 10 writes the data to the first memory 31, and advances the process to step S23.

所定の条件が成立しない場合(S24においてNO)、制御部10は、データの書込みを高速化する必要がある場合として、処理をステップS26へ進める。   If the predetermined condition is not satisfied (NO in S24), control unit 10 proceeds to step S26 as a case where it is necessary to speed up the data writing.

制御部10は、ステップS26において、第2メモリ32への書込み速度が第3メモリへの書込み速度よりも速いか否かを判定する。第2メモリ32への書込み速度が第3メモリへの書込み速度以下である場合(S26においてNO)、制御部10は処理をステップS27へ進める。制御部10はステップS27においてデータを第3メモリへ書込んで処理をステップS23へ進める。   In step S26, the control unit 10 determines whether or not the writing speed to the second memory 32 is faster than the writing speed to the third memory. When the writing speed to second memory 32 is equal to or lower than the writing speed to third memory (NO in S26), control unit 10 advances the process to step S27. In step S27, the control unit 10 writes the data to the third memory and advances the process to step S23.

第2メモリ32への書込み速度が第3メモリへの書込み速度より速い場合(S26においてYES)、制御部10は処理をステップS28へ進める。制御部10はステップS28においてデータを第2メモリ32へ書込んで処理をステップS23へ進める。   When the writing speed to second memory 32 is faster than the writing speed to third memory (YES in S26), control unit 10 advances the process to step S28. The controller 10 writes the data to the second memory 32 in step S28 and advances the process to step S23.

着脱式メモリ100およびオンラインストレージ200のいずれにも書込みが可能である場合には、第2メモリ32、着脱式メモリ100、およびオンラインストレージ200の中で最も書込み速度の速いメモリへデータを書込むものとする。   When data can be written to both the removable memory 100 and the online storage 200, data is written to the second memory 32, the removable memory 100, and the memory having the fastest writing speed among the online storage 200. .

ステップS26において比較される書込み速度は、第1メモリ31へ記録されているものが参照される。書込み速度がどのような態様で第1メモリ31へ記憶されているか、制御部10が参照する書込み速度をどのように決定するかについては後に説明する。   For the writing speed to be compared in step S26, the recording speed recorded in the first memory 31 is referred to. How the writing speed is stored in the first memory 31 and how to determine the writing speed referred to by the control unit 10 will be described later.

制御部10は、ステップS23において、ステップS22,S25,S27,S28においてデータを書込んだときの書込み速度を第1メモリ31へ記録し、処理を終了する。   In step S23, the control unit 10 records the writing speed when data is written in steps S22, S25, S27, and S28 in the first memory 31, and ends the process.

図7は、第1メモリ31へ記録されている書込み速度のイメージを示す図である。書込み速度は、データを書込んだ対象毎に、書込み速度に影響を与える要因の状態と関連付けられて記録されている。書込み速度に影響を与える要因は、第1メモリ31、第2メモリ32、および着脱式メモリ100の場合、書込んだデータのサイズおよび空き容量を含む。第2の実施の形態においては、書込んだデータのサイズには大,中,小の3段階の状態があり、空き容量には大,小の2段階の状態がある。   FIG. 7 is a diagram showing an image of the writing speed recorded in the first memory 31. The writing speed is recorded in association with the state of a factor that affects the writing speed for each target to which data is written. In the case of the first memory 31, the second memory 32, and the removable memory 100, factors that affect the writing speed include the size of the written data and the free space. In the second embodiment, the size of the written data has three levels of large, medium, and small, and the free space has two levels of large and small.

書込み速度に影響を与える要因は、オンラインストレージの場合、書込んだデータのサイズ、電波環境、および通信方式を含む。ここで、「電波環境」とは、通信部40が受信する電波の強度に基づく要因であって、第2の実施の形態においては「良い」および「悪い」の2段階の状態がある。通信方式の状態としては、広域無線通信および近距離無線通信の通信方式が記録される。広域無線通信の方式としては、たとえばLTEおよびCDMAを挙げることができる。近距離無線通信の方式としては、たとえばWifiおよびBluetoothを挙げることができる。書込み速度に影響を与える要因およびその状態は、図7に示されたものに限定されるものではない。   Factors affecting the writing speed include the size of written data, the radio wave environment, and the communication method in the case of online storage. Here, the “radio wave environment” is a factor based on the intensity of the radio wave received by the communication unit 40, and there are two stages of “good” and “bad” in the second embodiment. As the state of the communication method, communication methods of wide area wireless communication and short-range wireless communication are recorded. Examples of wide area wireless communication systems include LTE and CDMA. Examples of short-range wireless communication methods include WiFi and Bluetooth. Factors and states that affect the writing speed are not limited to those shown in FIG.

制御部10は、図6のステップS26において、第2メモリ32への書込み速度および第3メモリへの書込み速度に影響を与える要因の状態を特定する。制御部10は、特定された状態に対応する第2メモリ32への書込み速度および第3メモリへの書込み速度を第1メモリ31において参照し、両者の速度比較を行なう。たとえば、第3メモリが着脱式メモリ100であって、書込むデータのサイズが「中」、第2メモリ32の空き容量が「小」、着脱式メモリ100の空き容量が「大」であると制御部10が特定したとする。この場合、第2メモリ32への書込み速度としてV4が参照され、第3メモリへの書込み速度としてV9が参照されて、両者が比較される。   In step S <b> 26 of FIG. 6, the control unit 10 specifies the state of factors that affect the writing speed to the second memory 32 and the writing speed to the third memory. The control unit 10 refers to the writing speed to the second memory 32 and the writing speed to the third memory corresponding to the specified state in the first memory 31, and compares the speeds of the two. For example, if the third memory is the removable memory 100, the size of the data to be written is “medium”, the free capacity of the second memory 32 is “small”, and the free capacity of the removable memory 100 is “large”. It is assumed that the control unit 10 has specified. In this case, V4 is referred to as the writing speed to the second memory 32, V9 is referred to as the writing speed to the third memory, and the two are compared.

特定した状態に対応する書込み速度が第1メモリ31に記録されていない場合には、予め定められた第2メモリ32への書込み速度および予め定められた第3メモリへの書込み速度を用いて速度比較を行なってもよい。あるいは、速度比較を行なうことなく第2メモリ32または第3メモリへ書込むようにしてもよい。   If the writing speed corresponding to the specified state is not recorded in the first memory 31, the speed is determined using the predetermined writing speed to the second memory 32 and the predetermined writing speed to the third memory. A comparison may be made. Alternatively, data may be written to the second memory 32 or the third memory without performing speed comparison.

このように、書込み速度に影響を与える要因の状態と関連付けて記録した書込み速度をステップS26における速度比較に用いることにより、第1メモリ31への書込み要求が発生した状況に、より即した速度比較が可能になる。その結果、データの書込みのさらなる高速化が可能になる。   Thus, by using the writing speed recorded in association with the state of the factor affecting the writing speed for the speed comparison in step S26, the speed comparison more suitable for the situation where the write request to the first memory 31 is generated. Is possible. As a result, the data writing speed can be further increased.

以上から、第2の実施の形態によるスマートフォンによれば、データの書込みを高速化する必要がない場合(所定の条件が成立する場合)にデータを書込まないことにより、データの書込みの高速化をユーザ操作に反映させながら、第2メモリ32の寿命が短くなることを抑制することができる。   From the above, according to the smartphone according to the second embodiment, the data writing speed is increased by not writing the data when it is not necessary to speed up the data writing (when a predetermined condition is satisfied). Can be prevented from being shortened while the life of the second memory 32 is shortened.

第2の実施の形態においては、データの書込みを高速化する必要がある場合(所定の条件が成立しない場合)に、さらに第3メモリへの書込み速度と第2メモリ32への書込み速度とを比較し、書込み速度の速い方へデータを書込む。第3メモリへの書込み速度が第2メモリ32への書込み速度以上である場合には、第3メモリへデータを書込むため、第1の実施の形態と比べて第2メモリ32の書込み回数の増加を抑制することができる。その結果、第2メモリ32の寿命が短くなることをさらに抑制することができる。   In the second embodiment, when it is necessary to speed up data writing (when a predetermined condition is not satisfied), the writing speed to the third memory and the writing speed to the second memory 32 are further set. Compare and write data to the faster writing speed. When the writing speed to the third memory is equal to or higher than the writing speed to the second memory 32, data is written to the third memory. Therefore, the number of times of writing in the second memory 32 is smaller than that in the first embodiment. Increase can be suppressed. As a result, the lifetime of the second memory 32 can be further suppressed from being shortened.

第2の実施の形態においては、第2メモリ32よりも書込み速度が速い第3メモリへデータを書込む場合があり得るため、第1の実施の形態と比べてデータの書込み速度をさらに高速化することができる。   In the second embodiment, data may be written to the third memory, which has a higher writing speed than the second memory 32. Therefore, the data writing speed is further increased as compared with the first embodiment. can do.

第2の実施の形態においては、図6のステップS26の速度比較に用いる書込み速度は第1メモリ31に記録されているものを参照する。この比較に用いる書込み速度は、第1メモリ31に記憶されているものを参照するのではなく、動的に算出したものを用いてもよい。   In the second embodiment, the writing speed used for the speed comparison in step S26 in FIG. The writing speed used for this comparison may be calculated dynamically instead of referring to that stored in the first memory 31.

第2の実施の形態においては、第1メモリ31、第2メモリ32、および第3メモリへの書込み速度が第1メモリ31に記録される。各メモリへの書込み速度が保存されるメモリは第1メモリ31に限定されない。たとえば、各メモリへの書込み速度は、制御部10が含む揮発性の記憶素子に記録されても構わない。   In the second embodiment, the writing speed to the first memory 31, the second memory 32, and the third memory is recorded in the first memory 31. The memory in which the writing speed to each memory is stored is not limited to the first memory 31. For example, the writing speed to each memory may be recorded in a volatile storage element included in the control unit 10.

第2の実施の形態においては、データの書込みを行なう度に書込み速度を第1メモリ31に記録する。データの書込みの度に書込み速度を第1メモリ31に記録せずに、予め第1メモリ31に所定の書込み速度を記憶させておいても構わない。   In the second embodiment, the writing speed is recorded in the first memory 31 each time data is written. Instead of recording the write speed in the first memory 31 each time data is written, a predetermined write speed may be stored in the first memory 31 in advance.

第2の実施の形態においては、所定の条件が成立する場合、第1メモリ31へ書込む。所定の条件が成立する場合に、第3メモリへデータを書込んでも構わない。たとえば、図8に示されるように、第3メモリへの書込み速度が第1メモリ31への書込み速度以上である場合(S29においてNO)に、第3メモリへデータを書込んでも構わない。   In the second embodiment, data is written to the first memory 31 when a predetermined condition is satisfied. Data may be written to the third memory when a predetermined condition is satisfied. For example, as shown in FIG. 8, when the writing speed to the third memory is equal to or higher than the writing speed to the first memory 31 (NO in S29), data may be written to the third memory.

第2の実施の形態においては、データを書込むことができるメモリの中で第2メモリ32への書込み速度が最も早い場合、第2メモリ32へデータを書込む。第3メモリへの書込みが可能な場合、第2メモリ32へのデータの書込みを行なわないようにしても構わない。たとえば、図9に示されるように、第3メモリへの書込み速度が第1メモリ31への書込み速度以上の場合(S29においてNO)に、第3メモリへデータを書込む(S27)ようにしても構わない。このような処理の流れとすることにより、第2メモリ32の寿命が短くなることをさらに抑制することができる。   In the second embodiment, data is written to the second memory 32 when the writing speed to the second memory 32 is the fastest among the memories into which data can be written. If writing to the third memory is possible, data may not be written to the second memory 32. For example, as shown in FIG. 9, when the writing speed to the third memory is higher than the writing speed to the first memory 31 (NO in S29), the data is written to the third memory (S27). It doesn't matter. By adopting such a processing flow, it is possible to further suppress the life of the second memory 32 from being shortened.

記憶部30が第2メモリを含まない場合であっても、書込み速度が第1メモリ31よりも速いメモリを装着部80に装着する、あるいはそのようなメモリと通信部40が通信を確立することにより、データの書込み速度を高速化することができる。   Even when the storage unit 30 does not include the second memory, a memory whose writing speed is faster than the first memory 31 is mounted on the mounting unit 80, or such a memory and the communication unit 40 establish communication. Thus, the data writing speed can be increased.

今回開示された各実施の形態は、適宜組合わせて実施することも予定されている。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiments disclosed this time are also scheduled to be implemented in appropriate combinations. The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present disclosure is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

1 スマートフォン、10 制御部、20 表示部、30 記憶部、31 第1メモリ、32 第2メモリ、40 通信部、50 入力部、60 マイク、70 スピーカ、80 装着部、100 着脱式メモリ、200 オンラインストレージ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Smart phone, 10 Control part, 20 Display part, 30 Storage part, 31 1st memory, 32 2nd memory, 40 Communication part, 50 Input part, 60 Microphone, 70 Speaker, 80 Wearing part, 100 Detachable memory, 200 Online storage.

Claims (11)

電子機器であって、
不揮発性の第1のメモリと、
前記第1のメモリよりも書込み速度が速い不揮発性の第2のメモリと、
前記第1のメモリへのデータの書込み要求を受けるように構成される制御部と
前記電子機器を操作するための1つまたは複数のGUI(Graphical User Interface)を表示するように構成される表示部と、
前記1つまたは複数のGUIへのタッチ操作を受け付けるように構成されるタッチパネルを含む入力部とを備え、
前記制御部は、前記書込み要求を受けた場合、
前記データの書込みを高速化する必要がない動作状態に前記電子機器があることを意味する所定の条件が成立するとき、前記データを前記第1のメモリへ書込み、
前記所定の条件が成立しないとき、前記データを、前記第2のメモリへ書込むように構成され
前記所定の条件は、前記表示部がOFFであるという条件、および前記タッチ操作がないという状態が所定の時間継続したという条件の少なくとも1つを含む、電子機器。
Electronic equipment,
A non-volatile first memory;
A non-volatile second memory having a higher writing speed than the first memory;
A controller configured to receive a request to write data to the first memory ;
A display unit configured to display one or more GUIs (Graphical User Interfaces) for operating the electronic device;
An input unit including a touch panel configured to accept a touch operation on the one or more GUIs ,
When the control unit receives the write request,
Writing the data to the first memory when a predetermined condition is satisfied, which means that the electronic device is in an operating state where it is not necessary to speed up the writing of the data;
When the predetermined condition is not satisfied, the data is configured to be written to the second memory ,
The electronic device includes at least one of a condition that the display unit is OFF, and a condition that a state in which there is no touch operation continues for a predetermined time .
電子機器であって、Electronic equipment,
不揮発性の第1のメモリと、A non-volatile first memory;
前記第1のメモリよりも書込み速度が速い不揮発性の第2のメモリと、A non-volatile second memory having a higher writing speed than the first memory;
前記第1のメモリへのデータの書込み要求を受けるように構成される制御部とを備え、A controller configured to receive a request to write data to the first memory,
前記制御部は、前記書込み要求を受けた場合、When the control unit receives the write request,
前記データの書込みを高速化する必要がない動作状態に前記電子機器があることを意味する所定の条件が成立するとき、前記データを前記第1のメモリへ書込み、Writing the data to the first memory when a predetermined condition is satisfied, which means that the electronic device is in an operating state where it is not necessary to speed up the writing of the data;
前記所定の条件が成立しないとき、前記データを、前記第2のメモリへ書込むように構成され、When the predetermined condition is not satisfied, the data is configured to be written to the second memory,
前記所定の条件は、前記制御部が受けている前記書込み要求の数が所定の数よりも少ないという条件、前記データのサイズが所定のサイズより小さいという条件、および前記制御部の負荷率が所定の負荷率よりも高いという条件の少なくとも1つを含む、電子機器。The predetermined condition includes a condition that the number of write requests received by the control unit is smaller than a predetermined number, a condition that the data size is smaller than a predetermined size, and a load factor of the control unit is predetermined. An electronic device including at least one of the conditions that the load factor is higher.
通信部をさらに備え、
前記所定の条件は、前記通信部によるデータのダウンロードの速度が所定の速度よりも小さいという条件を含む、請求項1または2に記載の電子機器。
A communication unit;
Wherein the predetermined condition includes a condition that the speed of downloading of data by the communication unit is smaller than a predetermined speed, the electronic device according to claim 1 or 2.
第1の記憶領域と第2の記憶領域とを含む、物理的に一個の不揮発性メモリを備え、
前記第1の記憶領域は、前記第1のメモリに相当し、
前記第2の記憶領域は、前記第2のメモリに相当する、請求項1または2に記載の電子機器。
A physically non-volatile memory including a first storage area and a second storage area;
The first storage area corresponds to the first memory,
The second storage area corresponds to the second memory, the electronic apparatus according to claim 1 or 2.
前記第1のメモリは、1つのメモリセルに記憶可能な情報量が第1のビット数であるフラッシュメモリであり、
前記第2のメモリは、前記情報量が第2のビット数であるフラッシュメモリであり、
前記第1のビット数は前記第2のビット数よりも大きい、請求項1または2に記載の電子機器。
The first memory is a flash memory in which the amount of information that can be stored in one memory cell is a first number of bits,
The second memory is a flash memory in which the information amount is a second number of bits;
It said first number of bits is greater than the number of the second bit, the electronic device according to claim 1 or 2.
前記制御部は、
所定の場合に、前記第1のメモリおよび前記第2のメモリの双方と異なる不揮発性の第3のメモリへデータを書込むことが可能であり、
前記所定の場合かつ前記書込み要求を受けた場合に、前記所定の条件が成立しないとき、
前記第2のメモリへの第1の書込み速度が、前記第3のメモリへの第2の書込み速度よりも速いとき、前記データを前記第2のメモリへ書込み、
前記第1の書込み速度が前記第2の書込み速度よりも小さいとき、前記データを前記第3のメモリへ書込むように構成される、請求項1または2に記載の電子機器。
The controller is
In a given case, it is possible to write data to a non-volatile third memory different from both the first memory and the second memory,
When the predetermined condition is not satisfied when the write request is received in the predetermined case,
Writing the data to the second memory when a first writing speed to the second memory is faster than a second writing speed to the third memory;
Wherein when the first write speed is smaller than the second writing speed, and the data to write into said third memory, the electronic apparatus according to claim 1 or 2.
前記第1のメモリは、
前記第2のメモリへの書込み速度と、前記第2のメモリへの書込み速度に影響を与える1つまたは複数の要因である第1の要因の状態とを関連付けて記憶し、
前記第3のメモリへの書込み速度と、前記第3のメモリへの書込み速度に影響を与える1つまたは複数の要因である第2の要因の状態とを関連付けて記憶するように構成され、
前記制御部は、前記書込み要求を受けた場合、
前記第1の要因の第1の状態と、前記第2の要因の第2の状態とを特定し、
前記第1の状態と関連付けられて前記第1のメモリへ記憶されている書込み速度を前記第1の書込み速度とし、
前記第2の状態と関連付けられて前記第1のメモリへ記憶されている書込み速度を前記第2の書込み速度とするように構成される、請求項に記載の電子機器。
The first memory is
Storing the write speed to the second memory and the state of the first factor that is one or more factors affecting the write speed to the second memory in association with each other;
A write speed to the third memory and a state of a second factor that is one or more factors affecting the write speed to the third memory are associated and stored;
When the control unit receives the write request,
Identifying a first state of the first factor and a second state of the second factor;
The write speed associated with the first state and stored in the first memory is the first write speed,
The electronic device according to claim 6 , wherein the electronic device is configured such that a writing speed associated with the second state and stored in the first memory is the second writing speed.
前記制御部は、
前記第2のメモリへデータを書込んだ場合、前記第2のメモリへの書込み速度と、前記第1の要因の状態とを関連付けて前記第1のメモリへ記録し、
前記第3のメモリへデータを書込んだ場合、前記第3のメモリへの書込み速度と、前記第2の要因の状態とを関連付けて前記第1のメモリへ記録するように構成される、請求項に記載の電子機器。
The controller is
When data is written to the second memory, the writing speed to the second memory and the state of the first factor are associated and recorded in the first memory,
When data is written to the third memory, the write speed to the third memory and the state of the second factor are associated with each other and recorded in the first memory. Item 8. The electronic device according to Item 7 .
前記第1の要因は、データのサイズと、前記第1のメモリの空き容量とを含み、
前記第2の要因は、前記サイズを含む、請求項に記載の電子機器。
The first factor includes the size of data and the free capacity of the first memory,
The electronic device according to claim 8 , wherein the second factor includes the size.
前記第3のメモリである着脱式メモリを装着することができる装着部をさらに備え、
前記所定の場合とは、前記装着部に前記着脱式メモリが装着されている場合であり、
前記第2の要因は、前記着脱式メモリの空き容量をさらに含む、請求項に記載の電子機器。
The apparatus further includes a mounting portion on which the removable memory as the third memory can be mounted,
The predetermined case is a case where the removable memory is attached to the attachment part,
The electronic device according to claim 9 , wherein the second factor further includes a free capacity of the removable memory.
前記第3のメモリであるオンラインストレージと通信可能な通信部をさらに備え、
前記所定の場合とは、前記通信部が前記オンラインストレージと通信を確立している場合であり、
前記第2の要因は、前記通信の方式と、前記通信における電波環境とをさらに含む、請求項に記載の電子機器。
A communication unit capable of communicating with the online storage as the third memory;
The predetermined case is a case where the communication unit has established communication with the online storage,
The electronic device according to claim 9 , wherein the second factor further includes the communication method and a radio wave environment in the communication.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4513554B2 (en) * 2004-12-24 2010-07-28 株式会社デンソーウェーブ Data processing terminal, data management method for data processing terminal, and computer program
WO2008013227A1 (en) * 2006-07-26 2008-01-31 Panasonic Corporation Nonvolatile storage device, access device, and nonvolatile storage system
JP2008071079A (en) * 2006-09-13 2008-03-27 Toshiba Corp Memory system
JP2010198407A (en) * 2009-02-26 2010-09-09 Sony Corp Information processor, data recording control method, and program
US8886990B2 (en) * 2011-01-27 2014-11-11 Apple Inc. Block management schemes in hybrid SLC/MLC memory

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