JP6298893B2 - 損失低下を示す、台形コアを有するシングルモードファイバ - Google Patents

Description

本発明は、光伝送システムで使用されるシングルモード光ファイバ、そのようなシングルモードファイバを備える光伝送システム、およびその製造方法に関する。

さらに具体的には、本発明は、分散損失の低減されたシングルモード光ファイバに関する。

通信システムは、劣化せずに長距離の信号伝送を行うことのできる光ファイバを必要とする。このような光ファイバ伝送システムは、例えば所謂「標準」シングルモードファイバ（ＳＳＭＦ）などのシングルモード光ファイバ（ＳＭＦ）を頻繁に使用する。標準シングルモードファイバは、地上伝送システムで用いられる。

異なる製造業者からの光学システム間の互換性を促進するために、国際電気通信連合（ＩＴＵ）は、標準光伝送ファイバが従うべきいくつかの標準規格を規定している。これらの標準規格の中で、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ．６５２勧告（２００９年１１月）は、ステップインデックスプロファイルを備えるシングルモード光ファイバのファイバ属性を規定するいくつかの属性（すなわち、Ａ，Ｂ，ＣおよびＤ）を有している。ＩＴＵ−Ｔ Ｇ．６５７勧告は、もっと正確に言えば低曲げ損失シングルモードファイバに焦点を合わせている。

容易に理解されるように、損失は、このようなシングルモードファイバの性能を評価するための主要パラメータである。他の技術的属性およびファイバの製造コストがおおよそ同じに維持される限り、１５５０ｎｍの波長で０．００１ｄＢ／ｋｍの損失を低減することが可能な解決策は、このようなシングルモードファイバを著しく改善する。実際、標準ステップインデックスシングルモードファイバにおいて１５５０ｎｍの波長での標準的な損失は、０．１９ｄＢ／ｋｍであり、０．００１ｄＢ／ｋｍの損失低減は、−０．５％の損失改善を生じさせる。

このようなシングルモードファイバにおいては、損失の約９０％が１５５０ｎｍでのレイリー散乱に起因することが知られている。残りの１０％は、一方では、吸収メカニズム（ＯＨピーク、赤外線損失、紫外線損失）により引き起こされる損失をカバーしており、他方では、米国特許第７，１７１，０９０号に記載されたＳＡＳ（小角散乱：Small Angle Scattering）などの余分な散乱メカニズムにより引き起こされる損失をカバーしている。

シャープなインデックスプロファイル遷移（トランジション）がこのような余分な散乱損失を引き起こすこともよく知られている。一例として、約５×１０−３のコアインデックスステップを提示するＧ．６５２ステップインデックスプロファイルは、１５５０ｎｍの波長でほぼ千分の数ｄＢ／ｋｍ程度（およそ０．００５ｄＢ／ｋｍ）の余分な散乱を引き起こす。

実際、光ファイバは通常、光信号を伝送する光学コアと、光学コア内に光信号を閉じ込める光学クラッドとから構成されることが思い出されなければならない。そのためには、コアの屈折率ｎ_ｃは、クラッドの屈折率ｎ_ｃｌより大きい。光ファイバは、通常、屈折率（ｎ）と光ファイバの半径（ｒ）を関連づける屈折率プロファイルにより特徴付けられる。
光ファイバの中心に対する距離ｒは、ｘ軸に示され、半径ｒにおける屈折率ｎ（ｒ）と光学クラッドの屈折率ｎ_ｃｌとの差Δｎは、ｙ軸に示される。ステップインデックスシングルモードファイバは、コアとクラッドの間でシャープなインデックスプロファイル遷移を示す。

従って、平滑化したインデックス遷移を有するコアプロファイルを設計することは、これまでに、必要以上の損失を限定しようとして研究されてきた。

米国特許第７，１７１，０９０号は、従って、コアからクラッドへのインデックスプロファイルのソフトな遷移（トランジション）を考慮して設計された光導波路ファイバについて記載している。これは、少なくとも一部分において低アルファプロファイル（すなわち２．５未満のアルファ）に起因して、低減衰および低小角散乱（ＳＡＳ）を有する。実際に、低アルファプロファイルは、屈折率の段階的な遷移を作り出し、これは小角散乱（ＳＡＳ）に起因して損失減少に貢献する。

米国特許第６，６２５，３６０号も、コアとクラッドの間に適切なインデックス遷移を伴う界面領域を有するシングルモード光ファイバについて記載している。これは、低損失光伝送の達成を可能とする。

アルファ形状のコアプロファイルを有するＧ．６５２シングルモードファイバは、欧州特許２，３６９，３７９３８３号および米国特許第７，８７６，９９０号にも記載されている。このようなアルファプロファイルは、コアからクラッドへの屈折率のソフトな遷移を可能とするが、例えば約１０μｍのコア直径（よくアルファグレーデッドインデックスプロファイルを使用する、マルチモードファイバのコア直径（５０μｍまたは６２．５μｍ）よりずっと小さい）を有するＧ．６５２ＳＭＦなどのシングルモードファイバの製造プロセスを制御することは容易ではない。

従って、従来技術を上回る改善を示すシングルモード光ファイバを設計することが望ましい。

もっと正確に言えば、製造が容易で、且つ、レイリー散乱を悪化させること無くインデックス遷移に起因する分散損失が低減された、シングルモード光ファイバを設計することが望ましい。

本発明の一つの特定の実施形態では、コアおよびクラッドを有し、コアの屈折率プロファイルが台形状であるシングルモード光ファイバが提案される。台形状のコアの屈折率プロファイルの遷移部分は、コアの中心部分の濃度からコアに隣接したクラッド部分の濃度まで、少なくとも２つのドーパントの濃度を徐々に変えることにより得られる。

従って、本発明は、コアからクラッドへのインデックスプロファイルのソフトな遷移を備えるシングルモードファイバを設計する新規的および進歩的なアプローチに依存している。実際に、本発明のある実施形態に係るシングルモード光ファイバは、通常のステップ形状の代わりに、台形形状を示す屈折率プロファイルを備えるコアを有する。このような台形形状により、レイリー散乱を悪化させることなく、シングルモード光ファイバにおける余分な分散損失を低減することが可能となる。さらに、このような台形形状は、従来技術からのアルファ形屈折率プロファイルと比較して、製造が容易である。アルファ形屈折率プロファイルは、シングルモード光ファイバの小さいコア径に適切ではない。

このような台形形状は、コアの中心部分からクラッドへの遷移部分における二つ以上のドーパントの濃度の段階的変化を通じて達成される。このようなコアの慎重な設計により、同等なステップインデックス型シングルモード光ファイバと同じ光学特性（例えばモードフィールド径、ケーブルカットオフ波長および色分散など）を獲得することが可能となる。

本発明の第１実施形態では、クラッドは、トレンチ（溝）と呼ばれる、少なくとも１つの押し下げられた屈折率の領域を備える。

本発明の別の実施形態では、シングルモード光ファイバは、
コアの中心部分が半径ｒ_０および屈折率ｎ_０を有し、
遷移部分が半径ｒ_０から半径ｒ_１＞ｒ_０に及んでおり、
クラッドが、
半径ｒ_１から半径ｒ_２＞ｒ_１に及び且つ屈折率ｎ_２を有する中間クラッドと、
半径ｒ_２から半径ｒ_３＞ｒ_２に及び且つ屈折率ｎ_３を有するトレンチと、
半径ｒ_３から及び且つ屈折率ｎ_４を有する外側クラッドと、
を備える。

本発明のさらに別の実施形態では、遷移部分の半径ｒ_１に対するコア中心部分の半径ｒ_０の比ｒ_０／ｒ_１は、約０．２５から０．７５の間である。

本発明のさらに別の実施形態では、コアが約１９．１０^−３μｍと２５．１０^−３μｍの間の面積分Ｖ_０１を有し、該面積分は以下の数式に従って規定される。

ここで、Δｎ_０＝ｎ_０−ｎ_４は、外側クラッドに対するコア中心部分の屈折率差であり、Δｎ_２＝ｎ_２−ｎ_４は、外側クラッドに対する中間クラッドの屈折率差である。

本発明のさらに別の実施形態では、トレンチが約−５５．１０^−３μｍと０の間の面積分Ｖ_０３を有し、面積分Ｖ_０３は以下の数式に従って規定される。

ここで、Δｎ_３＝ｎ_３−ｎ_４は、外側クラッドに対するトレンチの屈折率差である。

本発明のさらに別の実施形態では、コアが約８８．１０^−３μｍ^２と１０５．１０^−３μｍ^２の間の体積分Ｖ_１１を有し、体積分Ｖ_１１は以下の数式に従って規定される。

ここで、Δｎ_０＝ｎ_０−ｎ_４は、外側クラッドに対するコアの中心部分の屈折率差であり、Δｎ_２＝ｎ_２−ｎ_４は、外側クラッドに対する中間クラッドの屈折率差である。

本発明のさらに別の実施形態では、トレンチが約−１２００．１０^−３μｍ^２と０の間の体積分Ｖ_１３を有し、体積分Ｖ_１３は以下の数式に従って規定される。

ここで、Δｎ_３＝ｎ_３−ｎ_４は、外側クラッドに対するトレンチの屈折率差である。

本発明のさらに別の実施形態では、少なくとも二つのドーパントは、
酸化ゲルマニウム、
フッ素、
酸化リン、
酸化ホウ素
から成るグループに属している。

本発明のさらに別の実施形態では、クラッドは、シリカよりも低い屈折率を生じさせるドーパントを含み、該ドーパントは、−０．２０×１０^−３以下の屈折率の減少を生じさせる。

本発明のさらに別の実施形態では、コアの中心部分は、シリカよりも高い屈折率を生じさせるドーパントを含み、該ドーパントは、０．６×１０^−３以上の屈折率の増加を生じさせる。

本発明のさらに別の実施形態では、光ファイバは、１３１０ｎｍの波長において８．６μｍと９．５μｍの間に含まれるモードフィールド径と、１２６０ｎｍの最大ケーブルカットオフ波長とを有する。

さらに、本発明は、コアおよびクラッドを有するシングルモード光ファイバの製造方法に関する。コアの屈折率プロファイルは台形形状を有する。本方法は、化学気相成長法でコアロッドを形成する第１ステップと、それに続く、コアロッドをクラッドで覆ってプリフォームを得る第２ステップと、それに続く、プリフォームから光ファイバを線引きする第３ステップとを備える。第１ステップの化学気相成長法は、コアの中心部分の濃度からコアに隣接するクラッド部分の濃度までの遷移部分において、少なくとも２つのドーパントの濃度を徐々に変化させるステップを備える。

本発明のある実施形態では、濃度を徐々に変化させるステップを含む第１ステップの化学気相成長法は、ＦＣＶＤ（炉式化学気相成長法）プロセスまたはＰＣＶＤ（プラズマ化学気相成長法）プロセスによりコアロッド中にドーパントを導入することにより実行される。

本発明は、また、本発明に係る少なくとも１つのシングルモードファイバを備える光ファイバ伝送システムに関する。

本発明の実施形態の他の特徴および利点は、指示的且つ包括的でない実施例により与えられる以下の記載および添付の図面から明らかとなるであろう。
本発明に係る典型的な光ファイバのための屈折率プロファイルを示す図である。この屈折率プロファイルは設計プロファイルであり、光ファイバの理論的なプロファイルを表すものである。 本発明に係る別の典型的な光ファイバのための屈折率プロファイルを示す図である。この屈折率プロファイルも設計プロファイルであり、光ファイバの理論的なプロファイルを表すものである。 図１の屈折率プロファイルを得ることを可能とする共添加シナリオの第１ケースを示す図である。 図１の屈折率プロファイルを得ることを可能とする共添加シナリオの第２ケースを示す図である。 図１の屈折率プロファイルを得ることを可能とする共添加シナリオの第３ケースを示す図である。 図１の屈折率プロファイルを得ることを可能とする共添加シナリオの第４ケースを示す図である。 図１の屈折率プロファイルを得ることを可能とする共添加シナリオの第５ケースを示す図である。 図１の屈折率プロファイルを得ることを可能とする共添加シナリオの第６ケースを示す図である。 本発明に係るシングルモードファイバの製造方法の実施形態を説明するための図である。

図面内の構成要素は必ずしも寸法どおりではないが、その代わりに本発明の原理を例示することに重点が置かれている。

図１および図２は、本発明の第１実施形態（Ｅｘ１として参照）および第２実施形態（Ｅｘ２として参照）を構成するファイバのインデックスプロファイルを示す図である。これらの実施形態では、インデックスプロファイルは、リングを含む台形型インデックスプロファイルであり、それは、ファイバの中心から順に、
クラッドの屈折率よりも大きい実質的に一定な屈折率を有するコアの中心部分と、
コアの中心部分のインデックスから中間クラッドのインデックスまで、実質的に直線的にインデックスが減少するコアの第１環状部分（このようなコアの環状部分は、本明細書を通して、コアの台形状インデックスプロファイルの「遷移部分（トランジション部分）」とも呼ばれる）と、
中間クラッドと、
トレンチ（例えば押し下げられたクラッド）と、
外側クラッドと、
を提示する。
このように、ファイバは全体として、いわゆる「台形状」プロファイルを有するファイバを構成する。

コアの中心部分は、半径ｒ_０と、外側クラッドに対する屈折率差Δｎ_０とを有する。コアの遷移部分では、屈折率差は実質的に直線的に減少する。コアの屈折率は、典型的に、台形形状を有する。従って、中心コアと外側クラッドとの間の屈折率差Δｎ（ｒ）は、光ファイバの中心からの距離ｒに依存する（例えば、光ファイバの中心からの距離が増加するにつれて減少する）。本明細書で使用される場合、「屈折率差」という用語は、ゼロの屈折率差を除外しない。

中間クラッドは、半径ｒ_２と、通常一定である外側クラッドに対する屈折率差Δｎ_２とを有する。埋込トレンチは、半径ｒ_３と、通常一定である外側クラッドに対する屈折率差Δｎ_３とを有する。本明細書で使用される場合、「埋込トレンチ」という用語は、外側クラッドの屈折率よりも低い屈折率を有する光ファイバの半径方向の一部を指すために用いられる。そのようなトレンチは、第１中間クラッドの屈折率以下の屈折率を有する。

外側クラッドは、半径ｒ_３からシングルモードファイバのガラス部分の端部まで及ぶ。

図１および図２は、主に埋込トレンチの屈折率差Δｎ_３が互いに異なっており、これは、図２の典型的な実施形態Ｅｘ２においてはるかに重要である。

図１および図２の両方において、屈折率ｎ（ｒ）は、波長６３３ｎｍ（すなわち、プロファイルが市販装置のおかげで測定される波長）において、外側クラッドの屈折率ｎ_４に相対して与えられる。これらのインデックスは、従って、「インデックスデルタ」とも呼ばれる。より一般的には、本明細書を通して、全ての屈折率は波長λ＝６３３ｎｍで与えられる。

図１および図２の各典型的実施形態は、ステップコアインデックスプロファイルを有し、且つ同等な光学特性（例えばモードフィールド径、カットオフ（ファイバカットオフ、ＦＣＯおよびケーブルカットオフ、ＣＣＯ）およびゼロ分散波長（ＺＤＷ）など）を示すシングルモード光ファイバと比較される。これらのステップインデックス型屈折率プロファイルは、それぞれ、図１においてＣｏｍｐ Ｅｘ１および図２においてＣｏｍｐ Ｅｘ２として参照され、破線で図示されている。

ファイバカットオフ波長（ＦＣＯ）は、例えばＩＥＣ６０７９３−１−４４標準規格において国際電気標準会議の小委員会８６Ａにより規定される、有効カットオフ波長λ_Ｃｅｆｆに相当する。ケーブルカットオフ波長（ＣＣＯ）は、例えばＩＥＣ６０７９３−１−４４標準規格において国際電気標準会議の小委員会８６Ａにより規定される、ケーブルのカットオフ波長λ_ｃｃに相当する。

下記の表１は、図１および図２の典型的実施形態の屈折率設計と、それらの同等のステップインデックス型シングルモードファイバＣｏｍｐ Ｅｘ１およびＣｏｍｐ Ｅｘ２との比較と、その他に本発明の第３の典型的実施形態Ｅｘ３と、それと同等のステップインデックス型シングルモードファイバＣｏｍｐ Ｅｘ３との比較である。表１の値は、理論的な屈折率プロファイルに相当する。

表１の第１列は、典型的光ファイバおよび比較の光ファイバを記載している。以下の列は、第１列に記載された各シングルモードファイバに対し、
遷移部分のコア外半径に対する中心部分のコア径の比ｒ_０／ｒ_１、
μｍで表される、コアの中心部分の半径ｒ_０、
μｍで表される、コアの遷移部分の外半径ｒ_１、
μｍで表される、中間クラッドの外半径ｒ_２、
μｍで表される、トレンチの外半径ｒ_３、
コアの中心部分のインデックスデルタΔｎ_０、
中間クラッドのインデックスデルタΔｎ_２、
トレンチのインデックスデルタΔｎ_３、
を提供する。

表１（本明細書を通して他の全ての表でも同様）の屈折率差は、図１および図２の縦座標の値と同じように、１０００倍されている（例えば、本発明の第１典型的実施形態においては、コアの中心部分のインデックスデルタは５．５１×１０^−３である）。屈折率の値は、波長６３３ｎｍで測定されたものである。

表２（下記）は、表１に示す屈折率プロファイルを有する光学シングルモードファイバに対する光伝送特性を示す。第１列は、典型的光ファイバおよび比較の光ファイバを特定する。以下の列は、各シングルモードファイバに対し、
μｍで表される、１３１０ｎｍでのモードフィールド径（ＭＦＤ１３１０）、
μｍで表される、１５５０ｎｍでのモードフィールド径（ＭＦＤ１５５０）、
ｎｍで表される、ファイバカットオフ波長（ＦＣＯ）、
ｎｍで表される、ケーブルカットオフ波長（ＣＣＯ）、
ｎｍで表される、ゼロ色分散波長（ＺＤＷ）、
ｐｓ／ｎｍ^２−ｋｍで表される、ゼロ分散スロープ（ＺＤＳ）、
を提供する。

表３（下記）は、表１に示す屈折率プロファイルを有する光ファイバに対する曲げ損失を示す。１５ｍｍ、１０ｍｍ、７．５ｍｍおよび５ｍｍなどの曲率半径に対し、１５５０ｎｍおよび１６２５ｎｍの波長における曲げ損失であり、例えば、
１０巻きを表すｄＢ／１０Ｔで表される、１５５０ｎｍにおけるＲ１５ｍｍのマクロ曲げ損失（Ｒ１５ＢＬ ａｔ １５５０）、
１巻きを表すｄＢ／１Ｔで表される、１５５０ｎｍにおけるＲ１０ｍｍのマクロ曲げ損失（Ｒ１０ＢＬ ａｔ １５５０）、
１巻きを表すｄＢ／１Ｔで表される、１５５０ｎｍにおけるＲ７．５ｍｍのマクロ曲げ損失（Ｒ７．５ＢＬ ａｔ １５５０）、
１巻きを表すｄＢ／１Ｔで表される、１５５０ｎｍにおけるＲ５ｍｍのマクロ曲げ損失（Ｒ５ＢＬ ａｔ １５５０）、
１０巻きを表すｄＢ／１０Ｔで表される、１６２５ｎｍにおけるＲ１５ｍｍのマクロ曲げ損失（Ｒ１５ＢＬ ａｔ １６２５）、
１巻きを表すｄＢ／１Ｔで表される、１６２５ｎｍにおけるＲ１０ｍｍのマクロ曲げ損失（Ｒ１０ＢＬ ａｔ １６２５）、
１巻きを表すｄＢ／１Ｔで表される、１６２５ｎｍにおけるＲ７．５ｍｍのマクロ曲げ損失（Ｒ７．５ＢＬ ａｔ １６２５）、
１巻きを表すｄＢ／１Ｔで表される、１６２５ｎｍにおけるＲ５ｍｍのマクロ曲げ損失（Ｒ５ＢＬ ａｔ １６２５）である。

表２および表３（上記）に従って、本発明の実施形態に係る光ファイバは、ステップインデックス型プロファイルを有する比較の光ファイバよりも小さい曲げ損失を示す。さらに、本光ファイバは、概して、比較の光ファイバと実質的に同じ（ｉ）ケーブルカットオフ波長、（ｉｉ）ゼロ色分散波長（ＺＤＷ）、（ｉｉｉ）ゼロ分散スロープ（ＺＤＳ）、および（ｉｖ）モードフィールド径（ＭＦＤ）を有する。

図１および図２だけでなく、表１から表３にも記載されている本発明の実施形態に係る３つの屈折率プロファイル例Ｅｘ１、Ｅｘ２およびＥｘ３は、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ．６５２勧告に適合している。

確認しておくと、ＩＴＵ−Ｔ Ｇ．６５２勧告は、１３１０ｎｍ付近でゼロ分散波長を有する、シングルモード光ファイバおよびケーブルの幾何学的、機械的および伝送特性を記載している。ＩＴＵ−Ｔ Ｇ．６５２ファイバは、元々は波長１３１０ｎｍでの使用向けに最適化されたが、１５５０ｎｍ領域でも使用することができる。下記の表４は、Ｇ．６５２．Ｄとして参照されるＧ．６５２ファイバの最良のカテゴリーに対するファイバ特性をまとめたものである（ソースは２００９年１１月のＩＴＵ−Ｔ Ｇ．６５２勧告）。この表においては、屈折率プロファイル設計が以下のパラメータに影響を与えている：１３１０ｎｍにおけるモードフィールド径（ＭＦＤ１３１０）、ケーブルカットオフ（ＣＣＯ）、１６２５ｎｍにおけるＲ３０ｍｍのマクロ曲げ損失（Ｒ３０ＢＬ１６２５）、ゼロ分散波長（λ_０またはＺＤＷ）およびゼロ分散スロープ（Ｓ_０またはＺＤＳ）。

本発明の第２典型的実施形態Ｅｘ２および第３典型的実施形態Ｅｘ３はまた、ＩＴＵ−Ｔ Ｒｅｃ Ｇ．６５７．Ａ２曲げ不感ファイバカテゴリにも適合している。本発明の第３典型的実施形態Ｅｘ３はまた、ＩＴＵ−Ｔ Ｒｅｃ Ｇ．６５７．Ｂ３曲げ不感ファイバカテゴリにも適合している。

本発明の概要で既に述べたように、表１から表３だけでなく図１および図２に詳述された屈折率プロファイルは、台形状コアの遷移部分における複数のドーパントの濃度の慎重且つ段階的な変化によって達成される。

多くのドーパントが本発明との関連で用いられる可能性がある。例えばゲルマニウムおよびリンは両方とも屈折率を増大させることを可能とし、ホウ素およびフッ素は両方とも屈折率を減少さえることが可能とする。

当業者であれば、これらのドーパントが、フッ素を除けば、酸化物の形でシリカ（ＳｉＯ_２）マトリックス中に存在していることを容易に理解するであろう。従って、本明細書を通して、ドーパントとしてのゲルマニウムの使用は、例えば、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ_２）の使用を意味する。

以下の実施例は、本発明の実施形態に係るシングルモードファイバにおいて、ドーパントとしてゲルマニウムおよびフッ素の使用に焦点を合わせている。

表５（下記）は、本発明に係る１２個の典型的な台形状コアのファイバプロファイルにおける、１５５０ｎｍにおけるレイリー散乱損失を示す。これらの１２個の典型的なコアのファイバプロファイルは、異なるドーパントケース、すなわち異なる共添加（ co-doping）シナリオを考慮したとき、上記の３つの典型的な実施形態Ｅｘ１からＥｘ３に対応している。

表５に与えられる値は、文献"Rayleigh Scattering Reduction Method for Silica-Based Optical Fiber", Journal of Lightwave Technology, Vol. 18, No. 11, November 2000 by Kyozo Tsujikawa et al. における式（１）に基づいて計算したレイリー散乱損失に相当する。この文献では、ＧｅＯ_２およびフッ素の共添加シリカガラスＡ_{ＧｅＯ２−Ｆ}のレイリー散乱係数が、
Ａ_{ＧｅＯ２−Ｆ}＝Ａ_ＳｉＯ２(１＋０．６２[ＧｅＯ_２]＋０．６[Ｆ]^２＋０．４４[ＧｅＯ_２][Ｆ]^２)
と報告されている。ここで、Ａ_ＳｉＯ２は、純粋シリカガラスのレイリー散乱係数であり、[ＧｅＯ_２]および[Ｆ]は、ドーパント濃度の一つの指標として、ＧｅＯ_２およびフッ素それぞれにより誘発されるサンプルと純粋シリカガラスとの比屈折率差に相当する。

表５では、純粋シリカガラスＡ_ＳｉＯ２のレイリー散乱係数の値は、０．８１ｄＢ／ｋｍ−μｍ^４であり、我々は線引きにおいてインデックスが＋０．４×１０^−３で増大すると見なす。第１列は、典型的および比較の光ファイバを特定する。第３から第１４列は、１２個の共添加シナリオのそれぞれに対応しており、それらは、調査され、ケース１からケース１２として参照される。表５の上部、すなわち２行目から８行目は、光ファイバの異なる部分中のドーパントの存在を明らかにしている。従って、
２行目は、インデックスデルタで表される、コアの中心部分におけるフッ素濃度を示し、
３行目は、インデックスデルタで表される、コアの中心部分におけるゲルマニウム濃度を示し、
４行目は、インデックスデルタで表される、中間クラッドにおけるゲルマニウム濃度を示し、
５行目は、インデックスデルタで表される、中間クラッドにおけるフッ素濃度を示し、
６行目は、インデックスデルタで表される、トレンチにおけるゲルマニウム濃度を示し、
７行目は、外側クラッドにおけるフッ素濃度を示し、
８行目は、コアの遷移部分における屈折率の変化がダブルのゲルマニウムとフッ素のランピング（ramping）によって、単一のフッ素ランピング（Ｆのみ）によって、または単一のゲルマニウムランピング（Ｇｅのみ）によって、達成されるかどうかを示す。

ケース１は、コアの中心部分にフッ素を含まず、中間クラッドまたはトレンチのどちらにもゲルマニウムを含まず、外側クラッドにフッ素を含まないシングルモードファイバに相当する。コアの中心部分は、濃度Δｎ_０−０．４のゲルマニウムを含み、中間クラッドは、濃度Δｎ_２−０．４のフッ素を含む。コアの中心部分から中間クラッドまで直線的に変化するダブルのゲルマニウムとフッ素の共添加は、コアの遷移部分の屈折率の変化を生じさせる。図３は、本発明の第１の典型的実施形態に対するケース１の共添加プロファイルを例示しており、ファイバの全体的な屈折率プロファイルの他に、屈折率単位で与えられるゲルマニウム組成（Ｇｅプロファイル）およびフッ素組成（Ｆプロファイル）を示す。言い換えると、＋１×１０^−３のゲルマニウム濃度が指し示されるとき、これは、ゲルマニウム濃度が＋１×１０^−３の屈折率増加を生じさせることを意味する。ファイバの一部のドーパント濃度とそれが引き起こす屈折率変化との関連は、"Refractive Index of Doped and Undoped PCVD Bulk Silica", Mat. Res. Bull., Vol. 24, pp. 1083-1097, 1989, by W. Hermann and D. U. Wiechert.を読むことにより理解することができる。

ケース２は、コアの中心部分に−２×１０^−３の屈折率減少を生じさせるフッ素濃度を含み、中間クラッドとトレンチのどちらにもゲルマニウムを含ず、外側クラッドにフッ素を含まないシングルモードファイバに相当する。コアの中心部分は、Δｎ_０＋２−０．４の濃度のゲルマニウムを含み、中間クラッドは、Δｎ_２−０．４の濃度のフッ素を含む。コアの中心部分から中間クラッドまで直線的に変化するダブルのゲルマニウムとフッ素の共添加は、コアの遷移部分の屈折率の変化を生じさせる。図４は、本発明の第１の典型的実施形態に対するケース２の共添加プロファイルを例示しており、ファイバの全体的な屈折率プロファイルの他に、屈折率単位で与えられるゲルマニウム組成（Ｇｅプロファイル）およびフッ素組成（Ｆプロファイル）を示す。

ケース３は、コアの中心部分にフッ素を含まず、中間クラッドに＋２×１０^−３の屈折率増加を生じさせるゲルマニウム濃度を含み、トレンチにゲルマニウムを含まず、外側クラッドにフッ素を含まないシングルモードファイバに相当する。コアの中心部分は、Δｎ_０−０．４の濃度のゲルマニウムを含み、中間クラッドは、Δｎ_２−２−０．４の濃度のフッ素を含む。コアの中心部分から中間クラッドまで直線的に変化するダブルのゲルマニウムとフッ素の共添加は、コアの遷移部分の屈折率の変化を生じさせる。図５は、本発明の第１の典型的実施形態に対するケース３の共添加プロファイルを例示しており、ファイバの全体的な屈折率プロファイルの他に、屈折率単位で与えられるゲルマニウム組成（Ｇｅプロファイル）およびフッ素組成（Ｆプロファイル）を示す。

ケース４は、コアの中心部分にフッ素を含まず、中間クラッドにゲルマニウムを含まず、トレンチに＋２×１０^−３の屈折率増加を生じさせるゲルマニウム濃度を含み、外側クラッドにフッ素を含まないシングルモードファイバに相当する。コアの中心部分は、Δｎ_０−０．４の濃度のゲルマニウムを含み、中間クラッドは、Δｎ_２−０．４の濃度のフッ素を含む。コアの中心部分から中間クラッドまで直線的に変化するダブルのゲルマニウムとフッ素の共添加は、コアの遷移部分の屈折率の変化を生じさせる。図６は、本発明の第１の典型的実施形態に対するケース３の共添加プロファイルを例示しており、ファイバの全体的な屈折率プロファイルの他に、屈折率単位で与えられるゲルマニウム組成（Ｇｅプロファイル）およびフッ素組成（Ｆプロファイル）を示す。

ケース５は、コアの中心部分にフッ素を含まず、中間クラッドとトレンチのどちらにもゲルマニウムを含まず、外側クラッドにフッ素を含まないシングルモードファイバに相当する。コアの遷移部分のゲルマニウム濃度は、コアの中心部分と同じレベルに固定される。コアの中心部分は、Δｎ_０−０．４の濃度のゲルマニウムを含み、中間クラッドは、Δｎ_２−０．４の濃度のフッ素を含む。コアの中心部分から中間クラッドまで直線的に変化する単一のフッ素の添加は、コアの遷移部分の屈折率の変化を生じさせる。図７は、本発明の第１の典型的実施形態に対するケース１の共添加プロファイルを例示しており、ファイバの全体的な屈折率プロファイルの他に、屈折率単位で与えられるゲルマニウム組成（Ｇｅプロファイル）およびフッ素組成（Ｆプロファイル）を示す。

ケース６は、中間クラッドとトレンチのどちらにもゲルマニウムを含まず、外側クラッドにフッ素を含まないシングルモードファイバに相当する。コアのフッ素濃度は、中間クラッドと同じレベル、すなわちΔｎ_２−０．４に固定される。コアの中心部分から中間クラッドまで直線的に変化する単一のゲルマニウムの添加は、コアの遷移部分の屈折率の変化を生じさせる。図８は、本発明の第１の典型的実施形態に対するケース１の共添加プロファイルを例示しており、ファイバの全体的な屈折率プロファイルの他に、屈折率単位で与えられるゲルマニウム組成（Ｇｅプロファイル）およびフッ素組成（Ｆプロファイル）を示す。

ケース７から１２は、コアの中心部分にフッ素を含まず、中間クラッドとトレンチのどちらにもゲルマニウムを含まないシングルモードファイバに相当する。しかしながらこれらのケースでは、外側クラッドにフッ素が添加されており、従って、外側クラッドがインデックスデルタの基準であるので、ドーパント組成を変化させることが可能となる。これは、特に、コアの中心部のゲルマニウムインデックスデルタを著しく低減することを可能とする。これは、レイリー散乱を低減するのに役立つことがよく知られている。純粋シリカ層が外側クラッドの最端部に（すなわち、３０μｍ以上の半径に対し）用いられてもよい。表５の３行目および５行目は、これらのケース７から１２のそれぞれに対し、コアの中心部分のゲルマニウム濃度（コアの中心部の屈折率デルタΔｎ_０の関数として表される）、および中間クラッドのフッ素濃度（中間クラッドの屈折率デルタΔｎ_２の関数として表される）を示す。

表６（下記）は、線引きにおけるインデックス増加を考慮することなく、同じ１２個の典型的な実施形態に対するレイリー散乱損失の同様の推定を提供する。

ケース１，２，４，５および６では、比較例において、線引きにおけるインデックス増加なしで、中間クラッドのデルタは僅かにプラスである。その結果、非常に小濃度のゲルマニウムが中間クラッド中に導入される（比較例Ｃｏｍｐ Ｅｘ１、Ｃｏｍｐ Ｅｘ２およびＣｏｍｐ Ｅｘ４のそれぞれに対し、０．０８，０．２２および０．１０）。これらの比較例では、中間クラッドは少しのフッ素も含まない。

実際に、表６の４行目に示されるように、中間クラッド中のゲルマニウム濃度は、ケース１，２，４，５および６に対してＭａｘ（Δｎ_２；０）に設定され、一方で、５行目は、中間クラッド中のフッ素濃度がこれらのケースに対してＭｉｎ（Δｎ_２；０）に設定されることを示している。その結果、中間クラッドの屈折率デルタΔｎ_２がプラスのとき、中間クラッド中のゲルマニウム濃度は、Δｎ_２（Ｍａｘ（Δｎ_２；０）＝Δｎ_２）に設定され、中間クラッド中のフッ素濃度は、０（Ｍｉｎ（Δｎ_２；０）＝０）に設定される。逆のケースでは、中間クラッドの屈折率デルタΔｎ_２がマイナスのとき、中間クラッド中のゲルマニウム濃度は、０（Ｍａｘ（Δｎ_２；０）＝０）に設定され、中間クラッド中のフッ素濃度は、Δｎ_２（Ｍｉｎ（Δｎ_２；０）＝Δｎ_２）に設定される。

数値例として、図４から分かるように、コア中心部分のインデックスデルタは、５．５１×１０^−３であり、−２．００×１０^−３のフッ素含有量を含んでいる。表５では、これは、＋７．１１×１０^−３のゲルマニウム、−２．００×１０^−３のフッ素および線引きでの０．４×１０^−３のインデックス増加として、なされている（実際には、５．５１×１０^−３＝＋７．１１×１０^−３−２．００×１０^−３＋０．４×１０^−３）。

表６では、これは、＋７．５１×１０^−３のゲルマニウム、−２．００×１０^−３のフッ素および線引きでのインデックス増加なし、としてなされている（実際には、５．５１×１０^−３＝＋７．５１×１０^−３−２．００×１０^−３）。

表５および表６から分かるように、全てのダブルのゲルマニウムおよびフッ素のランピング（ramping）ケースでは、同等なステップインデックスのケースと比較して、本発明に係る典型的な台形状コアのシングルモードファイバおいては、１５５０ｎｍでのレイリー散乱損失は、０．００１ｄＢ／ｋｍ未満の増加である。

表６の第２の典型的実施形態Ｅｘ２のケース６および表５のケース１２を除けば、この増加は、単純なランピング（ramping）ケースにおいて０．００１ｄＢ／ｋｍよりも高い。

実際には、表５から分かるように、比較例Ｃｏｍｐ Ｅｘ１、Ｃｏｍｐ Ｅｘ２およびＣｏｍｐ Ｅｘ３と比較すると、典型的実施形態Ｅｘ１，Ｅｘ２およびＥｘ４対して、ケース５および６の単一のランピング例は、それらがレイリー散乱の重度の増加をもたらすので許容できない。ケース１２に関しては、コアの中心部分中の低濃度（すなわち０．６×１０^−３未満）のゲルマニウムに対して、単一のランピングを許容できるだけであることが分かる。

表６に関しては、（全ての典型的実施形態Ｅｘ１からＥｘ３に対する）ケース５および第１の典型的実施形態Ｅｘ１に対するケース６の単一ランピング例は、それらがレイリー散乱の重度の増加をもたらすので許容できない。ケース６の単一ランピング例に関しては、第２の典型的実施形態Ｅｘ２および第３の典型的実施形態Ｅｘ３において、中間クラッド中の低濃度（すなわち−０．２０×１０^−３未満）のフッ素に対してレイリー散乱の観点から許容できる結果を与えるだけである。ケース１２の単一のランピング例は、コアの中心部分中の低濃度（すなわち０．６×１０^−３未満）のゲルマニウムに対して許容できるだけである。

従って、同等のステップインデックスのケースと比較して、０．００２または０．００１ｄＢ／ｋｍ未満のレイリー散乱の増加を保証するので、ダブルのランピングケースで得られるプロファイルが推奨される。

コアの遷移部分（半径ｒ_０から半径ｒ_１に及ぶ）は、従って、２つ（またはそれ以上）の存在するドーパントのソフトな遷移（トランジション）を適用することにより製造されるべきである。

さらに、クラッド中のフッ素含有量は、単一のランピングと比較してダブルのフッ素−ゲルマニウムランピングに対するレイリーゲインが−１ｍｄＢ／ｋｍ以下となるので、好ましくは−０．２０×１０^−３以下にすべきである。より一般的には、本発明は、シリカよりも低い屈折率を生じさせるドーパントがクラッドに存在するときに役に立ち、−０．２０×１０^−３以下の屈折率減少を生じさせる。

コアの中心部分中のゲルマニウム含有量もまた、単一のランピングと比較してダブルのフッ素−ゲルマニウムランピングに対するレイリーゲインが−１ｍｄＢ／ｋｍ以下となるので、好ましくは＋０．６０×１０^−３以下にすべきである。より一般的には、本発明は、シリカよりも高い屈折率を生じさせるドーパントがコアの中心部分に存在するときに役に立ち、＋０．６０×１０^−３以上の屈折率減少を生じさせる。

我々は今、本発明に係るシングルモード光ファイバに対し、許容可能なプロファイル範囲を規定する興味深いツールおよび方法を提供する。

光ファイバプロファイルの各セクションは、面積分および体積分を用いて規定されてよい。「面積」という用語は、幾何学的に理解されるべきではなく、二次元を有する値として理解されるべきである。同様に、「体積」という用語は、幾何学的に理解されるべきではなく、三次元を有する値として理解されるべきである。

従って、中心コアの中心部分は、以下の数式により定義される面積分Ｖ_０１を規定してよい。トレンチは、以下の数式により定義される面積分Ｖ_０３を規定してよい。

さらに、中心コアの中心部分は、以下の数式により定義される体積分Ｖ_１１を規定してよい。トレンチは、以下の数式により定義される体積分Ｖ_１３を規定してよい。

表７（下記）は、本発明の第１典型的実施形態Ｅｘ１、第２典型的実施形態Ｅｘ２および第３典型的実施形態Ｅｘ３、その他に比較のステップインデックス型シングルモードファイバＣｏｍｐ Ｅｘ１、Ｃｏｍｐ Ｅｘ２およびＣｏｍｐ Ｅｘ３に対する、上述の面積分および体積分Ｖ_０１，Ｖ_０３，Ｖ_１１およびＶ_１３の値が付いて、表１（上記）を完成している。表７の全ての実施例は、従って、表１と同じである。表７の値は、理論的な屈折率プロファイルに相当する。

表７の第１列は、典型的および比較の光ファイバをリストアップしている。第２列は、 遷移部分のコア外半径ｒ_１に対する中心部分のコア径ｒ_０の比ｒ_０／ｒ_１の値を提供する。次の４列は、コアの中心部分の半径、コアの遷移部分の半径、中間クラッドの半径、埋込トレンチの半径を提供する。次の３列は、対応する、外側クラッドに対する屈折率差を提供する。最後の４列は、面積分および堆積分Ｖ_０１，Ｖ_０３，Ｖ_１１およびＶ_１３のそれぞれの値を提供する。これまでのように、表７の屈折率差および積分は、１０００倍されている。屈折率値は、６３３ｎｍの波長で測定されたものである。

表８（下記）は、本発明に係る、９個の典型的な台形状コアファイバのプロファイルを示す。表８の実施例１−３は、表７と同じであることに留意されたい。表８の値は、理論的な屈折率プロファイルに相当する。表８の構成は、表７のそれと同じであるので、簡略化のため再記載しない。

表８で与えられる新しい実施例は、比ｒ_０／ｒ_１を弄るときに得られる。

本発明の実施形態に係る光ファイバは、典型的に、以下の特性を有する。
遷移部分のコア半径に対する中心部分のコア半径の比ｒ_０／ｒ_１が好ましくは０．２５と０．７５の間に及ぶ。
中心コアの面積分Ｖ_０１が好ましくは約１９．１０^−３μｍから約２５．１０^−３μｍに及ぶ。
埋込トレンチの面積分Ｖ_０３が好ましくは−５５．１０^−３μｍから０に及ぶ。
中心コアの体積分Ｖ_１１が好ましくは８０．１０^−３μｍ^２から１０５．１０^−３μｍ^２に及ぶ。
埋込トレンチの体積分Ｖ_１３が好ましくは−１２００．１０^−３μｍ^２から０に及ぶ。

表９（下記）は、表８に記載された屈折率プロファイルを有する光ファイバに対する光伝送特性を示す。

表１０（下記）は、表８に記載された屈折率プロファイルを有する光ファイバに対する曲げ損失を示す。

図９は、光ファイバの製造方法を図示する。この方法は、化学気相成長法でコアロッドを形成する第１ステップ１０を備える。化学気相成長の間にドープまたはノンドープガラス層が蒸着される。蒸着ガラス層は、最終の光ファイバのコアの屈折率プロファイルと、随意にクラッドの内側部分の屈折率プロファイルとを形成する。第２ステップ１１では、コアロッドに、その径を増大してプリフォームを形成するために、外側のオーバークラッドが設けられる。オーバークラッドは、前もって作られたシリカチューブから得られるか、またはコアロッドの外周へのガラス層の蒸着により得られる。ガラス層の蒸着によりオーバークラッドを設けるために、外付け気相成長法（ＯＶＤ：Outside Vapour Deposition）や先進プラズマ及び気相成長法（ＡＰＶＤ：Advanced Plasma and Vapour Deposition）などの様々な技術を使用することができる。第３ステップ１２では、ファイバ線引きタワー内でプリフォームを線引きすることにより光ファイバが得られる。

コアロッドを製造するために、チューブまたは基材が通常水平にマウントされ、ガラス製造旋盤に押さえられる。その後、チューブまたは基材が回転され、コアロッドの組成を決定する構成材を蒸着するために局所的に加熱または電圧印加される。当業者であれば、コアロッドの組成がファイバの光学特性を決めることを理解するであろう。

この関連で、コアの中心部分と遷移部分の両方、中間クラッドおよびトレンチは、一般的に、プラズマ化学気相成長法（ＰＣＶＤ：plasma chemical vapour deposition）または炉式化学気相成長法（ＦＣＶＤ：furnace chemical vapour deposition）を用いることにより得られる。これらは、大量のフッ素およびゲルマニウムをシリカ中に取り入れることを可能とし、コアの遷移部分中のそれらの濃度を段階的に変化させることを可能とする。ＰＣＶＤ技術は、例えば、米国特許第Ｒｅ３０，６３５号または米国特許第４，３１４，８３３号に記載されている。

コアロッドを形成するために、例えば気相軸付け成長法（ＶＡＤ：vapour axial deposition）や外付け気相成長法（ＯＶＤ：Outside Vapour Deposition）などの他の技術を用いることもできる。

本発明に係る光ファイバは、様々な光伝送システムでの使用に適している。本発明に係る光ファイバは良好なレイリー散乱特性とともに、屈折率変化によって低減された分散損失を示すので、特に有用である。本発明に係る光ファイバは、地上伝送システムおよびファイバー・トゥ・ザ・ホーム（ＦＴＴＨ）に特に適している。

さらに、本発明に係る光ファイバは、通常、従来の光ファイバと互換性がある。これにより、本発明に係る光ファイバは、多くの光伝送システムでの使用に適している。例えば、本発明の実施形態に係る光ファイバは、通常、モードフィールド径に関して従来の光ファイバ互換性がある。それにより、良好なファイバ間の結合が促進される。

本明細書および／または図面において、本発明の典型的な実施形態が開示された。本発明はこのような典型的な実施形態に限定されない。

Claims (13)

1. クラッドにより取り囲まれるコアを有するシングルモード光ファイバであって、コアの屈折率プロファイルが台形形状を有し、
   台形状のコアの屈折率プロファイルの遷移部分は、コアの中心部分の濃度からコアに隣接したクラッド部分の濃度まで、少なくとも２つのドーパントの濃度を徐々に変えることにより得られ、
   コアの中心部分が半径ｒ_０および屈折率ｎ_０を有し、
   遷移部分が半径ｒ_０から半径ｒ_１＞ｒ_０に及んでおり、
   クラッドが、
   半径ｒ_１から半径ｒ_２＞ｒ_１に及び且つ屈折率ｎ_２を有する中間クラッドと、
   少なくとも１つの押し下げられた屈折率の領域である、半径ｒ_２から半径ｒ_３＞ｒ_２に及び且つ屈折率ｎ_３を有するトレンチと、
   半径ｒ_３から及び且つ屈折率ｎ_４を有する外側クラッドと、
   を備える、シングルモード光ファイバ。
2. 遷移部分の半径ｒ_１に対するコア中心部分の半径ｒ_０の比ｒ_０／ｒ_１は、０．２５から０．７５の間である、請求項１に記載のシングルモード光ファイバ。
3. コアが１９×１０^−３μｍと２５×１０^−３μｍの間の面積分Ｖ_０１を有し、該面積分は以下の数式：
   

   

   に従って規定され、Δｎ_０＝ｎ_０−ｎ_４は、外側クラッドに対するコア中心部分の屈折率差であり、Δｎ_２＝ｎ_２−ｎ_４は、外側クラッドに対する中間クラッドの屈折率差である、請求項１または２に記載のシングルモード光ファイバ。
4. トレンチが−５５×１０^−３μｍと０の間の面積分Ｖ_０３を有し、面積分Ｖ_０３は以下の数式：
   

   

   に従って規定され、Δｎ_３＝ｎ_３−ｎ_４は、外側クラッドに対するトレンチの屈折率差である、請求項１から３のいずれかに記載のシングルモード光ファイバ。
5. コアが８８×１０^−３μｍ^２と１０５×１０^−３μｍ^２の間の体積分Ｖ_１１を有し、体積分Ｖ_１１は以下の数式：
   

   

   に従って規定され、Δｎ_０＝ｎ_０−ｎ_４は、外側クラッドに対するコアの中心部分の屈折率差であり、Δｎ_２＝ｎ_２−ｎ_４は、外側クラッドに対する中間クラッドの屈折率差である、請求項１から４のいずれかに記載のシングルモード光ファイバ。
6. トレンチが−１２００×１０^−３μｍ^２と０の間の体積分Ｖ_１３を有し、体積分Ｖ_１３は以下の数式：
   

   

   に従って規定され、Δｎ_３＝ｎ_３−ｎ_４は、外側クラッドに対するトレンチの屈折率差である、請求項１から５のいずれかに記載のシングルモード光ファイバ。
7. 少なくとも２つのドーパントは、
   酸化ゲルマニウム、
   フッ素、
   酸化リン、
   酸化ホウ素
   から成るグループに属している、請求項１から６のいずれかに記載のシングルモード光ファイバ。
8. クラッドは、シリカよりも低い屈折率を生じさせるドーパントを含み、該ドーパントは、−０．２０×１０^−３以下の屈折率の減少を生じさせる、請求項１から７のいずれかに記載のシングルモード光ファイバ。
9. コアの中心部分は、シリカよりも高い屈折率を生じさせるドーパントを含み、該ドーパントは、０．６×１０^−３以上の屈折率の増加を生じさせる、請求項１から８のいずれかに記載のシングルモード光ファイバ。
10. 光ファイバは、１３１０ｎｍの波長において８．６μｍと９．５μｍの間に含まれるモードフィールド径と、１２６０ｎｍの最大ケーブルカットオフ波長とを有する、請求項１から９のいずれかに記載のシングルモード光ファイバ。
11. コアおよびクラッドを有するシングルモード光ファイバの製造方法であって、コアの屈折率プロファイルは台形形状を有し、化学気相成長法でコアロッドを形成する第１ステップと、それに続く、コアロッドをクラッドで覆ってプリフォームを得る第２ステップと、それに続く、プリフォームから光ファイバを線引きする第３ステップとを備え、
    第１ステップの化学気相成長法は、コアの中心部分の濃度からコアに隣接するクラッド部分の濃度までの遷移部分において、少なくとも２つのドーパントの濃度を徐々に変化させるステップを備え、
    コアの中心部分が半径ｒ_０および屈折率ｎ_０を有し、
    遷移部分が半径ｒ_０から半径ｒ_１＞ｒ_０に及んでおり、
    クラッドに、
    半径ｒ_１から半径ｒ_２＞ｒ_１に及び且つ屈折率ｎ_２を有する中間クラッドと、
    少なくとも１つの押し下げられた屈折率の領域である、半径ｒ_２から半径ｒ_３＞ｒ_２に及び且つ屈折率ｎ_３を有するトレンチと、
    半径ｒ_３から及び且つ屈折率ｎ_４を有する外側クラッドと、
    を形成することを備える、製造方法。
12. 濃度を徐々に変化させるステップを含む第１ステップの化学気相成長法は、ＦＣＶＤ（炉式化学気相成長法）プロセスまたはＰＣＶＤ（プラズマ化学気相成長法）プロセスによりコアロッド中にドーパントを導入することにより実行される、請求項１１に記載の製造方法。
13. 請求項１から１０のいずれかに記載の少なくとも１つのシングルモード光ファイバを備える、光ファイバ伝送システム。

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