JP6269964B2 - マーク形成方法 - Google Patents
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Description
別の態様によれば、基板のマーク形成領域上にプレパターンを形成することと、前記プレパターンにブロック共重合体を含むポリマ層を塗布することと、前記プレパターンのポリマ層に自己組織化領域を形成させることと、前記自己組織化領域の一部を選択的に除去することと、前記一部が除去された自己組織化領域を用いて位置決め用のマークを形成することと、を含むマーク形成方法が提供される。
第5の態様によれば、第3の態様の露光装置を用いて感光性基板を露光することと、前記露光された感光性基板を処理することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
また、第2の態様のマークは、第1の態様のマーク形成方法で形成できる。
また、第3の態様の露光装置は、第1の態様のマーク形成方法で形成されたマークを検出できる。
本発明の好ましい第1の実施形態につき図1〜図8を参照して説明する。まず、本実施形態において半導体素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)の回路パターンを形成するために使用されるパターン形成システムの一例につき説明する。
図1(A)は、本実施形態のパターン形成システムの要部を示し、図1(B)は、図1(A)中のスキャニングステッパー(スキャナー)よりなる走査型の露光装置(投影露光装置)100の概略構成を示す。図1(A)において、パターン形成システムは、露光装置100、ウエハ(基板)に対する感光材料としてのフォトレジスト(レジスト)の塗布及び現像を行うコータ・デベロッパ200、薄膜形成装置300、ウエハに対するドライ及びウエットのエッチングを行うエッチング装置400、後述のブロック共重合体(Block Co-Polymer:BCP)を含むポリマ(Polymer)(重合体)の処理を行うポリマ処理装置500、アニール装置600、これらの装置間でウエハの搬送を行う搬送系700、及びホストコンピュータ(不図示)等を含んでいる。
一例として、波長λaを600nm、開口数NAを0.9とすると、周期p1は670nm程度以上であればよい。本実施形態では、デバイス用パターンDP1の形成時にライン状のドメインが形成される指向性自己組織化が適用されるため、ウエハマーク44X等の形成に際しても、ブロック共重合体の指向性自己組織化によってライン状のドメインが形成されることを考慮しておく必要がある。
従って、ラインパターン58X,58Yの周期p3aはウエハアライメント系ALSの解像限界Re(det)よりも小さいために、ウエハアライメント系ALSで図8のウエハマーク44X,44YA,44YBの像を撮像すると、複数のラインパターン58X,58Yの個別の像は形成されない。この場合、検出光を例えばX方向又はY方向の偏光方向に設定すると、ラインパターン領域44Xaとスペースパターン領域44Xbとで反射率が異なるため、領域44Xa,44Xbの全体の像の明るさが互いに異なることから、周期p1のX軸のウエハマーク44Xの像を検出できる。同様に、周期p2(ここではp1)のY軸のウエハマーク44YA,44YBの像を検出できる。ウエハマーク44X,44YA,44YBを構成するラインパターン58X,58Yの長手方向の情報は、露光装置100の主制御装置38の記憶装置の露光データファイルに記憶されている。
その後、ウエハWのデバイス層DL1上に第2のデバイス層を形成する場合には、ウエハWのデバイス層DL1上に薄膜を形成し、レジストをコーティングする(ステップ120)。そして、露光装置100のレチクルステージRSTにレチクルR2をロードし、ウエハWをウエハステージWSTにロードする(ステップ122)。さらに、露光装置100のウエハアライメント系ALSの偏光板36Cの角度を、ウエハアライメント系ALSからの検出光が図8のウエハマーク44Xに対して例えばY方向(X方向でもよい)の直線偏光になるように設定する(ステップ124)。そして、ウエハアライメント系ALSを用いて、図2(A)のウエハWの所定の複数のショット領域SAに付設されたウエハマークWM(44X,44YA,44YB)の位置を検出し、この検出結果を用いてウエハWのアライメントを行う(ステップ126)。
このように本実施形態のパターン形成方法によれば、ブロック共重合体を含むポリマ層の指向性自己組織化を用いて、ウエハWの各ショット領域SAに液浸リソグラフィの解像限界よりも微細な構造を持つL&Sパターン40X,40Yを形成するとともに、スクライブライン領域SLには、液浸リソグラフィの解像限界よりも微細な周期の構造、及びウエハアライメント系ALSで検出できる限界又はこれよりも粗い周期の構造を持つウエハマーク44X等を形成できる。そして、ウエハマーク44X等は、ラインパターン領域44Xaとスペースパターン領域44Xbとで微細な構造の周期方向が直交しているため、この構造の相違を利用して、露光装置100のウエハアライメント系ALSでウエハマーク44X等の位置を高精度に検出できる。
また、本実施形態のアライメント用のウエハマーク44Xは、X方向に周期的に形成された複数のラインパターン領域44Xaと、複数のラインパターン領域44Xa間の少なくとも一つのスペースパターン領域44Xbとを含み、ラインパターン領域44Xa内にウエハアライメント系ALSの解像限界よりも小さい周期(光学的に解像されない構造)を持つ複数のラインパターン58X(第1構造)が形成され、スペースパターン領域44Xb内に光学的に解像されない構造を持つ複数のラインパターン58Y(第2構造)が形成され、ラインパターン58X及び58Yの周期方向(X方向及びY方向)が直交している。このウエハマーク44Xは、本実施形態のマーク形成方法で形成できる。さらに、複数のラインパターン58X,58Yの周期方向が互いに異なっていることを利用して、露光装置100のウエハアライメント系ALでウエハマーク44Xの像を形成でき、ウエハマーク44Xの位置を高精度に検出できる。この検出結果を用いてウエハWのアライメントを高精度に行うことができる。
上記の実施形態では、図6(A)、(B)に示すように、レジストマークRPX,RPYBのX軸のガイドパターン54Bの周期p3とY軸のガイドパターン54Cの周期p4とは同じである。別の構成として、図9(A)の第1変形例のウエハW1で示すように、レジストマークRPX,RPYBのX軸のガイドパターン54Bの周期p3よりもY軸のガイドパターン54Cの周期p4を大きくしてもよい。この第1変形例は、同時に形成されるデバイス用パターンのうちで最も微細なパターンは、例えば図2(B)のX軸のL&Sパターン40Xである場合に適用される。この場合、露光装置100では、X方向の解像度が最も微細になるような照明条件(例えば瞳面上でX方向に離れた2箇所の領域で光量が大きくなる2極照明又はリーフ照明)が使用されることがある。このようにX方向の解像度がY方向の解像度よりも微細であるため、図5(B)のラインパターン48Xの周期p3/βに対してラインパターン48Yの周期p4/βを大きくしたマークパターンの像を露光してスリミングを行うことで、図9(A)のX軸及びY軸のガイドパターン54B,54Cをともに高精度に形成できる。
第2の実施形態につき図12〜図13(D)を参照して説明する。本実施形態においても図1(A)のパターン形成システムを使用して、ブロック共重合体(BCP)の指向性自己組織化(DSA)を用いてウエハのあるデバイス層にデバイス用パターン及びウエハマークを形成する。本実施形態のウエハのショット配列は図2(A)と同様であるが、本実施形態ではショット領域SAにデバイス用パターンDP1の代わりにデバイス用パターンDP2が形成されている。
図13(A)は、本実施形態のウエハW4のスクライブライン領域に形成されるX軸の周期p1のウエハマーク44X用のレジストマークRPXBを示す。一例として、レジストマークRPXBは、X方向及びY方向に周期p5で形成された凸のグリッド状のガイドパターン54Eよりなるスペース領域RPXBbと、X方向及びY方向に周期p5より小さい(例えば周期p5のほぼ1/2程度の)周期p6で形成された凸のグリッド状のガイドパターン54Fよりなるライン領域RPXBaとをX方向に周期p1で配列したパターンである。周期p6は、波長193nmの液浸リソグラフィでの解像限界とほぼ同じである。ガイドパターン54E,54Fの厚さは、レジストパターンのスリミング等によって周期p5,p6の数分の1〜10分の1程度に細く加工されている。
また、本実施形態の変形例として、ライン領域RPXBa内にはグリッド状のガイドパターン54Fを形成することなく、ライン領域RPXBa内を広い凹部としてもよい。この場合には、ブロック共重合体の自己組織化によってライン領域RPXBa内は、図13(D)に示すように、例えば親液性のドメイン56Eと撥液性のドメイン56Fとがランダムに配列される。または、円形のドメインがランダムに配列されることもある。そして、ドメイン56Eを選択的に除去することで、ライン領域にはランダムな凹部(又は金属)のパターンが形成される。この場合にも、規則的に配列された円形の凹部(又は金属)の部分とランダムな凹部(又は金属)の部分とで反射率が異なるため、ウエハアライメント系ALSでウエハマークを検出できる。
このデバイスの製造方法によれば、露光装置の解像限界よりも微細な回路パターンを含む半導体デバイスを、露光装置を用いて高精度に製造できる。
また、上記の実施形態において、露光装置としては、液浸型でないドライ型の露光装置を使用してもよい。また、紫外光を露光光とする露光装置以外に、露光光として波長が数nm〜数10nm程度のEUV光(Extreme Ultraviolet Light)を用いるEUV露光装置、又は電子ビームを露光光とする電子ビーム露光装置等を用いてもよい。
また、ブロック共重合体を含むポリマ層の塗布は、このポリマ層を溶媒に溶かした液体を塗布した後で例えば溶媒を揮発させる溶媒キャスティング法で行うことも可能である。この場合に使用できる溶媒は、ブロック共重合体の成分、及び仮に使用する場合には種々の添加物の溶解度条件により変化する。これらの成分及び添加物に対する例示的なキャスティング溶媒には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、エトキシエチルプロピオナート、アニソール、乳酸エチル、2−ヘプタノン、シクロヘキサノン、酢酸アミル、γ−ブチロラクトン(GBL)、トルエンなどが含まれる。
Claims (21)
- 基板のマーク形成領域上に凹部を形成することと、前記凹部にブロック共重合体を含むポリマ層を塗布することと、前記凹部の前記ポリマ層に自己組織化領域を形成させることと、前記自己組織化領域の一部を選択的に除去することと、前記一部が除去された前記自己組織化領域を用いて位置決め用のマークを形成することと、を含むことを特徴とするマーク形成方法。
- 前記マーク形成領域上に前記凹部を含むマークが形成され、前記マークは、第1方向に周期的に配列されたそれぞれ凹部を含む複数のラインパターン領域と、前記複数のラインパターン領域間のそれぞれ凹部を含む少なくとも一つのスペースパターン領域とを含み、
前記凹部の前記ポリマ層に自己組織化領域を形成させるときに、前記ラインパターン領域内の前記凹部に形成する自己組織化領域の周期方向と、前記スペースパターン領域内の前記凹部に形成する自己組織化領域の周期方向とを異ならせることを特徴とする請求項1に記載のマーク形成方法。 - 前記マークは、前記複数のラインパターン領域の少なくとも一つに前記第1方向に第1周期で配列された凸のライン状の複数の第1ガイドパターンと、前記スペースパターン領域に前記第1方向に直交する第2方向に第2周期で配列された凸のライン状の複数の第2ガイドパターンとを含み、前記凹部に前記ポリマ層を塗布するときに、前記複数の第1ガイドパターン間の複数の第1の凹部、及び前記複数の第2ガイドパターン間の複数の第2の凹部に前記ポリマ層を塗布し、前記ポリマ層に自己組織化領域を形成させるときに、前記複数の第1の凹部の前記ポリマ層に前記第1方向に周期性を持つ自己組織化領域を形成し、前記複数の第2の凹部の前記ポリマ層に前記第2方向に周期性を持つ自己組織化領域を形成することを特徴とする請求項2に記載のマーク形成方法。
- 前記複数の第2ガイドパターンの前記第1方向のエッジ部が前記複数の第1ガイドパターン中の端部の第1ガイドパターンに接続されていることを特徴とする請求項3に記載のマーク形成方法。
- 前記マーク形成領域上に前記凹部を含むマークが形成され、前記マークは、第1方向に周期的に配列されたそれぞれ凹部を含む複数の第1ラインパターン領域と、前記第1方向に直交する第2方向に周期的に配列されたそれぞれ凹部を含む複数の第2ラインパターン領域とを含み、前記凹部の前記ポリマ層に自己組織化領域を形成させるときに、前記複数の第1ラインパターン領域内の前記凹部に形成する自己組織化領域の周期方向と、前記複数の第2ラインパターン領域内の前記凹部に形成する自己組織化領域の周期方向とを異ならせることを特徴とする請求項1に記載のマーク形成方法。
- 前記マークは、前記複数の第1ラインパターン領域の少なくとも一つに前記第1方向に第1周期で配列された凸のライン状の複数の第1ガイドパターンと、前記複数の第2ラインパターン領域の少なくとも一つに前記第2方向に第2周期で配列された凸のライン状の複数の第2ガイドパターンとを含み、前記凹部に前記ポリマ層を塗布するときに、前記複数の第1ガイドパターン間の複数の第1の凹部、及び前記複数の第2ガイドパターン間の複数の第2の凹部に前記ポリマ層を塗布し、前記ポリマ層に自己組織化領域を形成させるときに、前記複数の第1の凹部の前記ポリマ層に前記第1方向に周期性を持つ自己組織化領域を形成し、前記複数の第2の凹部の前記ポリマ層に前記第2方向に周期性を持つ自己組織化領域を形成することを特徴とする請求項5に記載のマーク形成方法。
- 前記マークは、前記マーク形成領域にマーク像を露光することにより形成され、前記マーク像を形成するときに前記第1方向の解像度に比べて前記第2方向の解像度を低く設定し、前記複数の第1ガイドパターンの第1周期に比べて前記複数の第2ガイドパターンの第2周期を大きく設定することを特徴とする請求項6に記載のマーク形成方法。
- 前記マーク形成領域上に前記凹部を含むマークが形成され、前記マークは、凹部を含むラインパターン領域と、前記ラインパターン領域に隣接する凹部を含む隣接領域とを含み、前記自己組織化領域の一部を選択的に除去するときに、前記ラインパターン領域に形成された自己組織化領域に残された凹部の密度と、前記隣接領域に形成された自己組織化領域に残された凹部の密度とが異なることを特徴とする請求項1に記載のマーク形成方法。
- 前記基板は、第1方向に最も微細な周期を持つ回路パターンが形成される第1マーク形成層と、前記第1方向に直交する第2方向に最も微細な周期を持つ回路パターンが形成される第2マーク形成層とを有し、前記基板の前記第1マーク形成層に、前記ポリマ層に前記第1方向に周期的に形成された自己組織化領域の一部を除去して得られた第1マスク層を介して前記第1方向に周期的に配列されたマークを形成し、前記基板の前記第2マーク形成層に、前記ポリマ層に前記第2方向に周期的に形成された自己組織化領域の一部を除去して得られた第2マスク層を介して前記第2方向に周期的に配列されたマークを形成することを特徴とする請求項1に記載のマーク形成方法。
- 基板のマーク形成領域上にプレパターンを形成することと、前記プレパターンにブロック共重合体を含むポリマ層を塗布することと、前記プレパターンの前記ポリマ層に自己組織化領域を形成させることと、前記自己組織化領域の一部を選択的に除去することと、前記一部が除去された前記自己組織化領域を用いて位置決め用のマークを形成することと、を含むことを特徴とするマーク形成方法。
- 前記マーク形成領域上に前記プレパターンを含むマークが形成され、前記マークは、第1方向に周期的に配列されたそれぞれ凹部を含む複数のラインパターン領域と、前記複数のラインパターン領域間のそれぞれ凹部を含む少なくとも一つのスペースパターン領域とを含み、前記凹部の前記ポリマ層に自己組織化領域を形成させるときに、前記ラインパターン領域内の前記凹部に形成する自己組織化領域の周期方向と、前記スペースパターン領域内の前記凹部に形成する自己組織化領域の周期方向とを異ならせることを特徴とする請求項10に記載のマーク形成方法。
- 前記マークは、前記複数のラインパターン領域の少なくとも一つに前記第1方向に第1周期で配列された凸のライン状の複数の第1ガイドパターンと、前記スペースパターン領域に前記第1方向に直交する第2方向に第2周期で配列された凸のライン状の複数の第2ガイドパターンとを含み、前記プレパターンに前記ポリマ層を塗布するときに、前記複数の第1ガイドパターン間の複数の第1の凹部、及び前記複数の第2ガイドパターン間の複数の第2の凹部に前記ポリマ層を塗布し、前記ポリマ層に自己組織化領域を形成させるときに、前記複数の第1の凹部の前記ポリマ層に前記第1方向に周期性を持つ自己組織化領域を形成し、前記複数の第2の凹部の前記ポリマ層に前記第2方向に周期性を持つ自己組織化領域を形成することを特徴とする請求項11に記載のマーク形成方法。
- 前記複数の第2ガイドパターンの前記第1方向のエッジ部が前記複数の第1ガイドパターン中の端部の第1ガイドパターンに接続されていることを特徴とする請求項12に記載のマーク形成方法。
- 前記マーク形成領域上に前記プレパターンを含むマークが形成され、前記マークは、第1方向に周期的に配列されたそれぞれ凹部を含む複数の第1ラインパターン領域と、前記第1方向に直交する第2方向に周期的に配列されたそれぞれ凹部を含む複数の第2ラインパターン領域とを含み、前記凹部の前記ポリマ層に自己組織化領域を形成させるときに、前記複数の第1ラインパターン領域内の前記凹部に形成する自己組織化領域の周期方向と、前記複数の第2ラインパターン領域内の前記凹部に形成する自己組織化領域の周期方向とを異ならせることを特徴とする請求項10に記載のマーク形成方法。
- 前記マークは、前記複数の第1ラインパターン領域の少なくとも一つに前記第1方向に第1周期で配列された凸のライン状の複数の第1ガイドパターンと、前記複数の第2ラインパターン領域の少なくとも一つに前記第2方向に第2周期で配列された凸のライン状の複数の第2ガイドパターンとを含み、前記プレパターンに前記ポリマ層を塗布するときに、前記複数の第1ガイドパターン間の複数の第1の凹部、及び前記複数の第2ガイドパターン間の複数の第2の凹部に前記ポリマ層を塗布し、前記ポリマ層に自己組織化領域を形成させるときに、前記複数の第1の凹部の前記ポリマ層に前記第1方向に周期性を持つ自己組織化領域を形成し、前記複数の第2の凹部の前記ポリマ層に前記第2方向に周期性を持つ自己組織化領域を形成することを特徴とする請求項14に記載のマーク形成方法。
- 前記マークは、前記マーク形成領域にマーク像を露光することにより形成され、前記マーク像を形成するときに前記第1方向の解像度に比べて前記第2方向の解像度を低く設定し、前記複数の第1ガイドパターンの第1周期に比べて前記複数の第2ガイドパターンの第2周期を大きく設定することを特徴とする請求項15に記載のマーク形成方法。
- 前記マーク形成領域上に前記プレパターンを含むマークが形成され、前記マークは、凹部を含むラインパターン領域と、前記ラインパターン領域に隣接する凹部を含む隣接領域とを含み、前記自己組織化領域の一部を選択的に除去するときに、前記ラインパターン領域に形成された自己組織化領域に残された凹部の密度と、前記隣接領域に形成された自己組織化領域に残された凹部の密度とが異なることを特徴とする請求項10に記載のマーク形成方法。
- 前記基板は、第1方向に最も微細な周期を持つ回路パターンが形成される第1マーク形成層と、前記第1方向に直交する第2方向に最も微細な周期を持つ回路パターンが形成される第2マーク形成層とを有し、前記基板の前記第1マーク形成層に、前記ポリマ層に前記第1方向に周期的に形成された自己組織化領域の一部を除去して得られた第1マスク層を介して前記第1方向に周期的に配列されたマークを形成し、前記基板の前記第2マーク形成層に、前記ポリマ層に前記第2方向に周期的に形成された自己組織化領域の一部を除去して得られた第2マスク層を介して前記第2方向に周期的に配列されたマークを形成することを特徴とする請求項10に記載のマーク形成方法。
- 前記プレパターンは、立体的であることを特徴とする請求項10乃至18の何れか1項に記載のマーク形成方法。
- 前記プレパターンは、凹形状であることを特徴とする請求項19に記載のマーク形成方法。
- 前記プレパターンは、平面的であることを特徴とする請求項10乃至18の何れか1項に記載のマーク形成方法。
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