JP6199704B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

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Description

本発明は、有線にて、マスタ⇒スレーブ間におけるシリアルデータ通信と、スレーブへの電源供給をおこなう通信方式、ならびに、それに使用する半導体集積回路に関する。   The present invention relates to a serial data communication between a master and a slave and a communication system for supplying power to the slave, and a semiconductor integrated circuit used for the communication.

従来、特許文献1(非特許文献1も同じ)ないし特許文献2に記載されているように、1端子(信号/電源兼用)、2配線(信号線:1、GND:1)で、マスター(1個ないし複数個)とスレーブ(複数個)が通信する技術がある。   Conventionally, as described in Patent Document 1 (the same applies to Non-Patent Document 1) or Patent Document 2, one terminal (for both signal / power supply), two wirings (signal line: 1, GND: 1), and master ( There is a technique in which one or a plurality of) and a slave (a plurality) communicate.

米国特許第5210846号明細書US Pat. No. 5,210,846 米国特許第6532506号明細書US Pat. No. 6,532,506

マキシム・ジャパン株式会社、“1−Wireの概要”、〈URL:http://japan.maximintegrated.com/products/1-wire/pdfs/what_is_1-wire_jp.pdf〉Maxim Japan, “1-Wire Overview”, <URL: http://japan.maximintegrated.com/products/1-wire/pdfs/what_is_1-wire_en.pdf>

特許文献1(非特許文献1も同じ)ならびに特許文献2に記載の発明は、信号線(1端子)と電源を兼用するため、信号線="Hi"レベルの時のみ信号線から電源を供給でき、"Low"レベル時は電源供給できない。このため、以下に示す問題点がある。   In the inventions described in Patent Document 1 (the same applies to Non-Patent Document 1) and Patent Document 2, since the signal line (1 terminal) and the power supply are combined, power is supplied from the signal line only when the signal line = "Hi" level Yes, power cannot be supplied at "Low" level. For this reason, there are the following problems.

(a)スレーブ側:信号線="Low"レベル間の電源を保持する為、比較的大きなサイズの電源/GND間の平滑コンデンサが必要である。この平滑コンデンサを小さくするには、信号線="Low"継続時間、消費電流を小さくする必要がある。
(C1×ΔV1≧Icc×Δt1、C1=電源/GND間の平滑コンデンサ、ΔV1=電源の許容下降電圧、Icc=消費電流、Δt1="Low"継続時間)
(A) Slave side: In order to hold the power supply between the signal line = “Low” level, a relatively large size smoothing capacitor between the power supply / GND is necessary. In order to reduce the smoothing capacitor, it is necessary to reduce the current consumption while the signal line = "Low" duration.
(C1 × ΔV1 ≧ Icc × Δt1, C1 = smoothing capacitor between power supply / GND, ΔV1 = allowable voltage drop of power supply, Icc = current consumption, Δt1 = “Low” duration)

(b)マスタ側:信号線="Low"->"High"の変化の際、信号線の寄生容量とともに、各スレーブの電源にも充電する必要があるため、比較的大きなサイズの出力ドライバが必要である。出力ドライバサイズを小さくするには、接続スレーブ個数、信号線寄生容量、充電時の変化電圧を小さくしたり、許容する信号線立上り時間を大きくしたりする必要がある。
(I(Drive)×Δt2≧N×C2×ΔV2、I(Drive)="High"ドライブ電流、Δt2=信号線立上り時間、N=接続スレーブ個数、C2=信号線寄生容量、ΔV2=充電時の変化電圧)
(B) Master side: When the signal line = "Low"->"High" changes, it is necessary to charge the power supply of each slave together with the parasitic capacitance of the signal line. is necessary. In order to reduce the output driver size, it is necessary to reduce the number of connected slaves, the signal line parasitic capacitance, the change voltage during charging, or increase the allowable signal line rise time.
(I (Drive) × Δt2 ≧ N × C2 × ΔV2, I (Drive) = “High” drive current, Δt2 = signal line rise time, N = number of connected slaves, C2 = signal line parasitic capacitance, ΔV2 = during charging Change voltage)

このように、データレート、接続スレーブ個数、チップサイズ(マスタ側:出力ドライバサイズ、スレーブ側:電源/GND間の平滑コンデンサのサイズ)等に制約が必要である。   As described above, there are restrictions on the data rate, the number of connected slaves, the chip size (master side: output driver size, slave side: size of smoothing capacitor between power supply / GND), and the like.

また、特許文献1に記載の発明は、マスタ/スレーブともオープンドレイン型であり、"High"ドライブはプルアップ抵抗を使用するため、Low→High、および、High→Low遷移時間ともにプルアップ抵抗値と信号線の寄生容量により制約を受ける、という問題点がある。   In the invention described in Patent Document 1, both the master / slave are open drain type, and the “High” drive uses a pull-up resistor. Therefore, the pull-up resistance value is low for both Low → High and High → Low transition times. There is a problem that it is restricted by the parasitic capacitance of the signal line.

また、特許文献2に記載の発明は、マスタ側は"High","Low"ドライブ両方、スレーブ側は"Low"ドライブ、であるため、High/Lowドライブが衝突する可能性があり、衝突(コリジョン)回避策が必要である、等の問題点がある。   Further, since the invention described in Patent Document 2 has both “High” and “Low” drives on the master side and “Low” drives on the slave side, there is a possibility that High / Low drives may collide. Collisions) There are problems such as the need for a workaround.

本発明は前述の問題点に鑑み、配線数が少なく、かつデータレート、接続スレーブ個数、チップサイズ(マスタ側:出力ドライバサイズ、スレーブ側:電源/GND間の平滑コンデンサのサイズ)等に制約が少ない半導体集積回路を提供することを目的とする。
さらに、マスタ側からスレーブ側にデータを送るのに当たり、伝送線路を平衡回路にすることで、コモンモードのノイズを減らすこと、さらに、1ビットのデータを送るのに要する伝送路の反転動作の回数を減らすことで周囲への不要輻射を抑えることを目的とする。
In view of the above-mentioned problems, the present invention has a small number of wires and is limited in data rate, number of connected slaves, chip size (master side: output driver size, slave side: smoothing capacitor size between power supply / GND), etc. An object is to provide a small number of semiconductor integrated circuits.
Furthermore, when sending data from the master side to the slave side, the transmission line is balanced to reduce common mode noise, and the number of transmission line inversion operations required to send 1-bit data. The purpose is to suppress unnecessary radiation to the surroundings by reducing.

本発明の半導体集積回路は、少なくとも1個のマスタと、複数個のスレーブとの間で行なわれる通信を、2配線で行う半導体集積回路であって、
前記マスタ側は、
出力端が前記2配線に接続された1組のマスタ側出力バッファと、
前記2配線からの信号を入力するための1組のマスタ側入力回路とマスタの全体動作を制御するマスタ側制御部とを有し、
前記スレーブ側は、
出力端が前記2配線に接続された1組のスレーブ側出力バッファと、
前記2配線からの信号を入力するための1組のスレーブ側入力回路と、
前記2配線間の電位差を整流して、スレーブ側の動作電力を取り出す整流回路とスレーブの全体動作を制御するスレーブ側制御部とを有し、
前記マスタ側制御部が、前記マスタ側出力バッファの出力を"High"/"Low"、または"Low"/"High"に固定する継続時間の長さを制御することによりデータ"0"、"1"送信を実行し、
前記スレーブ側制御部が、スレーブ応答区間における"High"/"Low"を、無応答、あるいは、2配線とも"Low"出力とするように前記スレーブ側出力バッファを制御することにより、前記スレーブからマスタへのデータ送信を実現することを特徴とする。
また、本発明の半導体集積回路の他の特徴とするところは、少なくとも1個のマスタと、複数個のスレーブとの間で行なわれる通信を、2配線で行う半導体集積回路であって、
前記マスタ側は、
出力端が前記2配線に接続された1組のマスタ側出力バッファと、
前記2配線からの信号を入力するための1組のマスタ側入力回路と、
マスタ用電源/GNDと、
マスタの全体動作を制御するマスタ側制御部を有し、
前記スレーブ側は、
出力端が前記2配線に接続された1組のスレーブ側出力バッファと、
前記2配線からの信号を入力するための1組のスレーブ側入力回路と、
前記2配線の間に接続された整流回路と前記整流回路の出力(=スレーブ用電源/GND)に接続された平滑コンデンサと、
スレーブの全体動作を制御するスレーブ側制御部を有し、
マスタからスレーブへの電源供給は、前記マスタ側制御部が前記マスタ側出力バッファの出力を"High"/"Low"、または"Low"/"High"のいずれかに制御することで行い、
スレーブ側は、前記2配線の間に接続された整流回路から動作電源を取り出すことで行い、
マスタからスレーブへのデータ送信は、前記マスタ側制御部が出力バッファの出力を"High"/"Low"、または"Low"/"High"に固定する継続時間の長さを制御することにより決定し、
前記スレーブからマスタへのデータ送信は、スレーブ応答区間における"High"/"Low"を、前記スレーブ側が無応答、あるいは、2配線とも"Low"出力とするように前記スレーブ側出力バッファを制御することによりデータ"0","1"送信を実行することを特徴とする。
The semiconductor integrated circuit of the present invention is a semiconductor integrated circuit that performs communication performed between at least one master and a plurality of slaves by two wirings,
The master side
A set of master-side output buffers whose output ends are connected to the two wires;
A master side input circuit for inputting signals from the two wirings and a master side control unit for controlling the overall operation of the master;
The slave side
A set of slave-side output buffers whose output ends are connected to the two wires;
A set of slave side input circuits for inputting signals from the two wires;
A rectifier circuit that rectifies a potential difference between the two wirings and extracts operating power on the slave side, and a slave side control unit that controls the overall operation of the slave;
The master-side control unit controls the length of the duration for fixing the output of the master-side output buffer to “High” / “Low”, or “Low” / “High”. 1 "send and
The slave-side control unit controls the slave-side output buffer so that “High” / “Low” in the slave response section does not respond, or both wires have “Low” output. It is characterized by realizing data transmission to the master.
Another feature of the semiconductor integrated circuit of the present invention is a semiconductor integrated circuit in which communication performed between at least one master and a plurality of slaves is performed with two wires.
The master side
A set of master-side output buffers whose output ends are connected to the two wires;
A set of master side input circuits for inputting signals from the two wirings;
Master power supply / GND,
It has a master side control unit that controls the overall operation of the master,
The slave side
A set of slave-side output buffers whose output ends are connected to the two wires;
A set of slave side input circuits for inputting signals from the two wires;
A rectifier connected between the two wirings and a smoothing capacitor connected to the output of the rectifier (= slave power supply / GND);
It has a slave side controller that controls the overall operation of the slave,
Power supply from the master to the slave is performed by the master side control unit controlling the output of the master side output buffer to either "High" / "Low" or "Low" / "High"
On the slave side, the operation power is taken out from the rectifier circuit connected between the two wires.
Data transmission from the master to the slave is determined by controlling the length of the duration during which the master side control unit fixes the output buffer output to "High" / "Low" or "Low" / "High" And
For data transmission from the slave to the master, the slave side output buffer is controlled so that "High" / "Low" in the slave response section, no response on the slave side, or "Low" output on both wires Thus, data “0” and “1” transmission is executed.

本発明によれば、スレーブの"1"応答時を除いて信号線(2端子)いずれか一方から常に電源を供給できる。これにより、スレーブ側:従来文献に比べ、電源/GND間の平滑コンデンサのサイズを小さくすることが可能である。
また、本発明の他の特徴によれば、マスタ側の信号線が"Low"⇒"High"の変化の際、信号線の寄生容量のみ考慮し、各スレーブの電源への充電は、さほど考慮する必要がないため、従来文献に比べ、出力ドライバのサイズを小さくすることが可能である。
又、周囲への不要輻射を抑えることができる。
According to the present invention, power can always be supplied from either one of the signal lines (two terminals) except when the slave responds to “1”. As a result, it is possible to reduce the size of the smoothing capacitor between the power supply / GND compared to the slave side: conventional literature.
Further, according to another feature of the present invention, when the signal line on the master side changes from “Low” to “High”, only the parasitic capacitance of the signal line is considered, and charging of the power supply of each slave is considered much. Therefore, the size of the output driver can be reduced as compared with the conventional literature.
Further, unnecessary radiation to the surroundings can be suppressed.

本発明の第1の実施形態を示し、半導体集積回路の構成例を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration example of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of this invention. 出力バッファの構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of an output buffer. 出力バッファの構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of an output buffer. 本発明の第2の実施形態を示し、半導体集積回路の構成例を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration example of a semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態を示し、半導体集積回路の構成例を示すブロック図である。FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration example of a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention. 実施形態を示し、マスタからスレーブへデータを送信する時の信号タイミングを示す図である。It is a figure which shows embodiment and shows a signal timing when transmitting data from a master to a slave. 実施形態を示し、スレーブからマスタへデータを送信する時の信号タイミングを示す図である。It is a figure which shows embodiment and shows a signal timing when transmitting data from a slave to a master.

(第1の実施形態)
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
図1−1は、本発明の第1の実施形態の構成例を示すブロック図である。
図1−1において、100はマスタ、110、120、130はスレーブを示す。スレーブ110とスレーブ120、スレーブ130は、同じ回路構成であるため、スレーブ120、スレーブ130の回路の図示は省略している。TRX0、TRX1は、通信に使用する2本(1対)の配線である。また、図1−1には3つのスレーブ110〜130を示しているが、スレーブは3個以上であってもよい。
(First embodiment)
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1-1 is a block diagram illustrating a configuration example of the first embodiment of the present invention.
1-1, 100 is a master, 110, 120, and 130 are slaves. Since the slave 110, the slave 120, and the slave 130 have the same circuit configuration, illustration of the circuits of the slave 120 and the slave 130 is omitted. TRX0 and TRX1 are two (one pair) wires used for communication. Moreover, although the three slaves 110-130 are shown in FIG. 1-1, three or more slaves may be sufficient.

101、102、111、112は、3ステート(Hi-Z機能付き)出力バッファ、103、104、113、114は入力回路、115は整流回路(ダイオードブリッジ)、116は電源/GND間の平滑コンデンサ、107はマスタ側制御部、117はスレーブ側制御部である。マスタ側制御部107およびスレーブ側制御部117は、マスタ100とスレーブ110との間で行なわれる送信/受信を制御するために設けられている。VCC_Mは、マスタ100の電源であり、GND_Mは、マスタ100のGNDである。VCC_S1はスレーブ110の電源であり、GND_S1は、スレーブ110のGNDである。   101, 102, 111, 112 are three-state (with Hi-Z function) output buffers, 103, 104, 113, 114 are input circuits, 115 is a rectifier circuit (diode bridge), and 116 is a smoothing capacitor between the power supply / GND. 107 is a master side control unit, and 117 is a slave side control unit. The master side control unit 107 and the slave side control unit 117 are provided for controlling transmission / reception performed between the master 100 and the slave 110. VCC_M is a power source of the master 100, and GND_M is a GND of the master 100. VCC_S1 is a power source of the slave 110, and GND_S1 is a GND of the slave 110.

マスタ側制御部107は、詳細な構成を省略するが、マスタ100の全体動作を制御するために、CPU、ROM及びRAMよりなるコンピュータシステム、またはLogic回路などにより構成されている。CPU搭載の場合は、ROMに格納されているプログラムをRAMに展開し、CPUが実行することにより後述するマスタ100の動作を実現している。   Although the detailed configuration of the master side control unit 107 is omitted, in order to control the overall operation of the master 100, the master side control unit 107 is configured by a computer system including a CPU, a ROM, and a RAM, or a logic circuit. In the case of a CPU, the program stored in the ROM is expanded in the RAM and executed by the CPU to realize the operation of the master 100 described later.

スレーブ側制御部117もマスタ側制御部107と同様な構成である。CPU搭載の場合は、ROMに格納されているプログラムをRAMに展開し、CPUが実行することにより後述するスレーブ110の動作を実現している。   The slave side control unit 117 has the same configuration as the master side control unit 107. In the case of a CPU, the program stored in the ROM is expanded in the RAM and executed by the CPU to realize the operation of the slave 110 described later.

図4は、マスタ⇒スレーブ間における送信時の1対の配線TRX0、TRX1の信号波形の一例を示す図である。
図5は、スレーブ⇒マスタ間における送信時の1対の配線TRX0、TRX1の信号波形の一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of signal waveforms of the pair of wirings TRX0 and TRX1 at the time of transmission between the master and the slave.
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of signal waveforms of the pair of wirings TRX0 and TRX1 at the time of transmission between the slave and the master.

以下、図1−1、図4を参照しながら、本発明の第1の実施形態のマスタ100⇒スレーブ110間の送信時の動作を説明する。
マスタ100⇒スレーブ110間のデータ送信時は、マスタ100の出力バッファ101、出力バッファ102は出力イネーブル設定とし、出力バッファ101、102の出力="High"/"Low"、ないしは"Low"/"High"のいずれかに、マスタ側制御部107により設定される。また、スレーブ110側の出力バッファ111、出力バッファ112は出力Hi-Z設定(入力イネーブル)に、スレーブ側制御部117により設定される。
Hereinafter, the operation during transmission between the master 100 and the slave 110 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
When data is transmitted between the master 100 and the slave 110, the output buffer 101 and the output buffer 102 of the master 100 are set to enable output, and the output of the output buffers 101 and 102 is “High” / “Low” or “Low” / ”. Set to either “High” by the master-side control unit 107. Further, the output buffer 111 and the output buffer 112 on the slave 110 side are set by the slave side control unit 117 to the output Hi-Z setting (input enable).

この場合、スレーブ110の電源VCC_S1は、1対の配線TRX0、TRX1から整流回路115を介して供給され、電源/GND間の平滑コンデンサ116により保持される。   In this case, the power supply VCC_S1 of the slave 110 is supplied from the pair of wirings TRX0 and TRX1 via the rectifier circuit 115 and is held by the smoothing capacitor 116 between the power supply / GND.

データ"0"、"1"は、マスタ100の出力が"High"/"Low"、ないしは"Low"/"High"の継続時間長により決定する。本実施形態においては、継続時間がある時間より長いと"1"とし、短い時は"0"とする。例えば、マスタ100側のマスタ側制御部107で、データ"0"時の継続時間をT0、データ"1"時の継続時間をT1、時間長の相対比をT0:T1=1:3に設定する。   Data “0” and “1” are determined by the duration of the output of the master 100 being “High” / “Low” or “Low” / “High”. In the present embodiment, “1” is set when the duration is longer than a certain time, and “0” is set when the duration is short. For example, in the master side control unit 107 on the master 100 side, the duration when the data is “0” is set to T0, the duration when the data is “1” is set to T1, and the relative ratio of the time lengths is set to T0: T1 = 1: 3. To do.

スレーブ110側では、データ"0"、"1"を判定するしきい値を、2*T0(=T0とT1の中間値)に、スレーブ側制御部117が設定する事で、マスタ100側から送信された"0"、"1"データを、入力回路113、114を介してスレーブ110側で受信可能としている。   On the slave 110 side, the slave-side control unit 117 sets the threshold value for determining data “0” and “1” to 2 * T0 (= intermediate value between T0 and T1). The transmitted “0” and “1” data can be received on the slave 110 side via the input circuits 113 and 114.

通例、マスタ100側とスレーブ110側で、継続時間T0、T1の時間幅は、各々の発振回路(オシレータ)、タイマー(ともに107、117に含まれる。)でカウントする。各オシレータの発振周波数のばらつきにより、マスタ100側とスレーブ110側とで継続時間T0、T1の時間幅の認識が異なる可能性がある。そこで、マスタ100⇒スレーブ110へのデータ送信に先立ち、"0"、"1"の固定配列パタン(SYNCパタン)を送信することで、マスタ100側の継続時間T0、T1の時間幅をスレーブ110側が学習し、スレーブ110側で"0"、"1"を正しく受信できるようにしている。   Usually, the time widths of the durations T0 and T1 are counted by the respective oscillation circuits (oscillators) and timers (both included in 107 and 117) on the master 100 side and the slave 110 side. Due to variations in the oscillation frequency of each oscillator, there is a possibility that the time widths of the durations T0 and T1 may be recognized differently on the master 100 side and the slave 110 side. Therefore, prior to data transmission from the master 100 to the slave 110, a fixed array pattern (SYNC pattern) of “0” and “1” is transmitted, so that the duration of the durations T0 and T1 on the master 100 side is set to the slave 110. The side learns so that the slave 110 can correctly receive “0” and “1”.

継続時間T0、T1の比を、マスタ、スレーブのオシレータの発振周波数ばらつきによるT0、T1の最大値,最小値より大きく設定すれば、マスタ100⇒スレーブ110へのデータ送信に先立ち"0"、"1"の固定配列パタン(SYNCパタン)を送信せずに判定することも可能である。
(例:T0(Max.) <(スレーブでのT0,T1判定閾値)< T1(Min.))
また、図4ではデータ"0"時の継続時間T0、データ"1"時の継続時間T1をT0<T1となるように設定しているが、T0>T1となるように設定してもよい。
If the ratio of the durations T0 and T1 is set to be larger than the maximum and minimum values of T0 and T1 due to oscillation frequency variations of the master and slave oscillators, "0" and "0" before data transmission from the master 100 to the slave 110 It is also possible to determine without transmitting a 1 "fixed array pattern (SYNC pattern).
(Example: T0 (Max.) <(T0, T1 judgment threshold in slave) <T1 (Min.))
In FIG. 4, the duration T0 when the data is “0” and the duration T1 when the data is “1” are set to satisfy T0 <T1, but may be set so that T0> T1. .

次に、図1−1、図5を参照しながら、本発明の第1の実施形態のスレーブ110⇒マスタ100間の送信時の動作を説明する。
スレーブ110⇒マスタ100間の送信時は、マスタ100の出力バッファ101、出力バッファ102は出力イネーブル設定とし、出力バッファ101/102出力="High"/"Low"、ないしは"Low"/"High"のいずれかとする。
スレーブ110側の出力バッファ111、112は、後述の"1"応答時を除き、出力Hi-Z設定(入力イネーブル)とする。
Next, the operation at the time of transmission between the slave 110 and the master 100 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
During transmission between the slave 110 and the master 100, the output buffer 101 and the output buffer 102 of the master 100 are set to output enable, and the output buffer 101/102 output = "High" / "Low" or "Low" / "High" Either.
The output buffers 111 and 112 on the slave 110 side are set to output Hi-Z (input enable) except during a “1” response described later.

この場合、スレーブ110の電源VCC_S1は、1対の配線TRX0、TRX1から整流回路115を介して供給され、電源/GND間の平滑コンデンサ116により保持される。継続時間長は、T1固定とする。   In this case, the power supply VCC_S1 of the slave 110 is supplied from the pair of wirings TRX0 and TRX1 via the rectifier circuit 115 and is held by the smoothing capacitor 116 between the power supply / GND. The duration is fixed at T1.

スレーブ110は、図5の点線枠の範囲に応答する。例えば、"0"応答は、無応答とする。"1"応答は、出力バッファ111、112を両方とも"Low"出力に、スレーブ側制御部117が設定する。このとき、1対の配線TRX0、TRX1は、短絡された状態に近くなるため、1対の配線TRX0、TRX1が"Low"出力に設定されたことは、入力回路103、104を介してマスタ側制御部107が検知することができる。これにより、マスタ100側のマスタ側制御部107は、スレーブ110が応答したことを識別できる。   The slave 110 responds to the range of the dotted frame in FIG. For example, a “0” response is a no response. The “1” response is set by the slave-side control unit 117 so that both the output buffers 111 and 112 are set to “Low” output. At this time, since the pair of wirings TRX0 and TRX1 are close to the short-circuited state, the fact that the pair of wirings TRX0 and TRX1 is set to the “Low” output indicates that the master side via the input circuits 103 and 104 The control unit 107 can detect it. Thereby, the master side control unit 107 on the master 100 side can identify that the slave 110 has responded.

この場合、"1"応答区間のみ、マスタ100⇒スレーブ110に電源が供給されないが、"1"応答区間は短時間であり、かつスレーブ110の電源/GND間の平滑コンデンサ116により電源レベルを一定の時間、保持することができるので問題はない。   In this case, power is not supplied from the master 100 to the slave 110 only in the “1” response interval, but the “1” response interval is short and the power level is kept constant by the smoothing capacitor 116 between the power supply / GND of the slave 110. There is no problem because it can be held for a long time.

なお、スレーブ110の応答区間(図5の点線枠の範囲)において、マスタ100側の出力バッファの"High"ドライブ電流をしぼることで、スレーブ応答中にVCC_M⇒TRX0/1⇒GND_Mに流れる電流を抑制する手法も適用することができる。
例えば、マスタ側出力バッファ101、102を、図1−2に示すような複数個のバッファ並列接続で構成し、各々の出力バッファの"High","Low"ドライブ電流を異なる値に設定する。通例は出力バッファを全てONし、電流を抑制したい区間のみ、出力バッファを一部ON(他はOFF)し、スレーブ側出力バッファの"Low"駆動能力よりマスタ側出力バッファの"High"駆動能力を小さくすることにより、スレーブ応答時のマスタ側の消費電流を抑制することが可能である。
In the slave 110 response section (the range of the dotted frame in FIG. 5), the current flowing from VCC_M to TRX0 / 1 to GND_M during the slave response is reduced by reducing the "High" drive current of the output buffer on the master 100 side. A method of suppressing can also be applied.
For example, the master-side output buffers 101 and 102 are configured by a plurality of buffer parallel connections as shown in FIG. 1-2, and the “High” and “Low” drive currents of the respective output buffers are set to different values. Normally, all output buffers are turned on, and only a part of the output buffer is turned on (others are turned off) only in the section where current is to be suppressed. It is possible to suppress current consumption on the master side at the time of slave response.

この手法は、1対の配線TRX0、TRX1の電圧の変化を大きくできるので、マスタ側入力回路を、バッファ等の単純な回路構成にすることができる。(図5において、"1"応答時の電圧降下が、0.5×VCCより大きい場合に相当する)。しかし、スレーブの応答中にスレーブ110に電源を供給できないため、スレーブ110の電源/GND間の平滑コンデンサ116を比較的大きくする必要がある。   Since this method can increase the voltage change of the pair of wirings TRX0 and TRX1, the master-side input circuit can have a simple circuit configuration such as a buffer. (In FIG. 5, this corresponds to a case where the voltage drop at the time of “1” response is larger than 0.5 × VCC). However, since the power cannot be supplied to the slave 110 during the response of the slave, the smoothing capacitor 116 between the power supply / GND of the slave 110 needs to be relatively large.

また、スレーブ110の応答区間(図5の点線枠の範囲)において、スレーブ側出力バッファの駆動レベルを弱くする方法もある。
例えば、スレーブ側出力バッファ111、112を、図1−2に示すような複数個のバッファ並列接続で構成し、各々の出力バッファの"High","Low"ドライブ電流を異なる値に設定する。スレーブ応答時に電流を抑制したい場合は、スレーブ側出力バッファの一部をON(他はOFF)し、スレーブ側出力バッファの"Low"駆動能力をマスタ側出力バッファの"High"駆動能力より小さくすることにより、スレーブ応答時のマスタ側の消費電流を抑制することが可能である。
There is also a method of weakening the drive level of the slave side output buffer in the response section of the slave 110 (the range of the dotted frame in FIG. 5).
For example, the slave-side output buffers 111 and 112 are configured by a plurality of buffer parallel connections as shown in FIG. 1-2, and the “High” and “Low” drive currents of the respective output buffers are set to different values. If you want to suppress the current during slave response, turn on a part of the slave side output buffer (others are OFF), and make the "Low" drive capacity of the slave side output buffer smaller than the "High" drive capacity of the master side output buffer. As a result, it is possible to suppress current consumption on the master side during slave response.

この手法は、スレーブの応答中にもスレーブに電源を供給できる利点がある。スレーブ110の電源/GND間の平滑コンデンサ116を小さくする事が可能である。(図5において、"1"応答時の電圧降下が、0.5×VCCより小さい場合に相当する)。しかし、1対の配線TRX0、TRX1の電圧の変化は少ないので、マスタ100の出力バッファ101、102の電源電流の変化を、マスタ側電流検出回路105a、105bにて検出することで、スレーブ110の応答を検出する。これにより、マスタ側入力回路103、104を、マスタ側電流検出回路105a、105bで代替できる。(図1−3の、"電流検出回路"部を参照。電源電流が大きい時="1"応答、小さい時="0"応答に相当する。)
また、"0"応答は、出力バッファ111、112を両方とも"Low"出力にし、"1"応答は、無応答とするようにしてもよい。
また、図5では、マスタ100がTRX0、TRX1を変化させる時間長を、図4におけるT1と同じ時間に設定しているが、これをT0と同じ時間に設定しても、T0、T1のどちらとも違う時間に設定してもよい。
This method has an advantage that power can be supplied to the slave even during slave response. The smoothing capacitor 116 between the power supply / GND of the slave 110 can be reduced. (In FIG. 5, this corresponds to the case where the voltage drop at the time of “1” response is smaller than 0.5 × VCC). However, since the voltage change of the pair of wirings TRX0 and TRX1 is small, the change of the power supply current of the output buffers 101 and 102 of the master 100 is detected by the master-side current detection circuits 105a and 105b. Detect response. Thereby, the master side input circuits 103 and 104 can be replaced by master side current detection circuits 105a and 105b. (Refer to “Current detection circuit” in FIG. 1-3. This corresponds to a response “1” when the power supply current is large, and a response “0” when the power supply current is small.)
Further, the “0” response may be such that both the output buffers 111 and 112 output “Low”, and the “1” response does not respond.
In FIG. 5, the time length during which the master 100 changes TRX0 and TRX1 is set to the same time as T1 in FIG. 4, but even if this is set to the same time as T0, either T0 or T1 is set. You may set a different time.

前述のように、本実施形態の半導体装置によれば、配線数が少なく、かつデータレート、接続スレーブ個数、チップサイズ(マスタ側:出力ドライバサイズ、スレーブ側:電源/GND間の平滑コンデンサのサイズ)等に制約が少ない接触式の通信方式および回路を実現することができる。   As described above, according to the semiconductor device of the present embodiment, the number of wires is small, the data rate, the number of connected slaves, and the chip size (master side: output driver size, slave side: size of the smoothing capacitor between the power supply / GND) It is possible to realize a contact-type communication method and circuit with few restrictions on the above.

(第2の実施形態)
図2は、本発明の第2の実施形態の半導体集積回路の構成例を示すブロック図である。
200はマスタ、210、220、230はスレーブを示す。スレーブ210と220、230は、同じ回路構成であるため、スレーブ220、スレーブ230の回路の図示は省略している。本実施形態においても、図2には3つのスレーブ210〜230を示しているが、スレーブは3個以上であってもよい。TRX0、TRX1は、通信に使用する2本(1対)の配線である。
(Second Embodiment)
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of the semiconductor integrated circuit according to the second embodiment of the present invention.
Reference numeral 200 denotes a master, and 210, 220, and 230 denote slaves. Since the slaves 210, 220, and 230 have the same circuit configuration, illustration of the circuits of the slave 220 and the slave 230 is omitted. Also in this embodiment, three slaves 210 to 230 are shown in FIG. 2, but there may be three or more slaves. TRX0 and TRX1 are two (one pair) wires used for communication.

201、202、211、212は、出力バッファとして用いる"Low"出力トランジスタであり、例えばN型MOSトランジスタで構成される。203、204、213、214は入力回路である。215は整流回路(ダイオードブリッジ)、216は電源/GND間の平滑コンデンサである。   Reference numerals 201, 202, 211, and 212 are “Low” output transistors used as output buffers, and are composed of, for example, N-type MOS transistors. Reference numerals 203, 204, 213, and 214 denote input circuits. Reference numeral 215 denotes a rectifier circuit (diode bridge), and reference numeral 216 denotes a smoothing capacitor between the power supply / GND.

207はマスタ側制御部、217はスレーブ側制御部であり、これらの制御部は送信/受信を制御する。209a、209bはプルアップ抵抗またはアクティブ・ロードである。208a,208bはプルアップ抵抗またはアクティブ・ロードの有効/非有効を決定するスイッチ(例えば、P型MOSトランジスタ)である。VCC_Mは、マスタ200の電源,GND_Mは、マスタ200のGNDである。VCC_S1はスレーブ210の電源,GND_S1は、スレーブ210のGNDである。   Reference numeral 207 denotes a master side control unit, and 217 denotes a slave side control unit. These control units control transmission / reception. 209a and 209b are pull-up resistors or active loads. 208a and 208b are switches (for example, P-type MOS transistors) that determine whether the pull-up resistor or active load is valid / invalid. VCC_M is the power supply of the master 200, and GND_M is the GND of the master 200. VCC_S1 is the power supply of the slave 210, and GND_S1 is the GND of the slave 210.

図4は、マスタ⇒スレーブ間における送信時の1対の配線TRX0、TRX1の信号波形の一例を示す図である。
図5は、スレーブ⇒マスタ間における送信時の1対の配線TRX0、TRX1の信号波形の一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of signal waveforms of the pair of wirings TRX0 and TRX1 at the time of transmission between the master and the slave.
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of signal waveforms of the pair of wirings TRX0 and TRX1 at the time of transmission between the slave and the master.

第2の実施形態の半導体集積回路の動作は、第1の実施形態とほとんど同じである。異なる点は、マスタ側の"High"出力を、第1の実施形態ではマスタ100側の出力バッファ101、102で行うのに対し、第2の実施形態ではマスタ200側のプルアップ抵抗またはアクティブ・ロードの有効/非有効を決定するスイッチ208a、208b、プルアップ抵抗またはアクティブ・ロード209a、209bで行うこと、
マスタ側の"Low"出力を、第1の実施形態ではマスタ100側の出力バッファ101、102で行うのに対し、第2の実施形態ではマスタ200側の"Low"出力トランジスタ201,202で行うこと、
スレーブ側の"Low"出力を、第1の実施形態ではスレーブ110側の出力バッファ111、112で行うのに対し、第2の実施形態ではスレーブ210側の"Low"出力トランジスタ211、212で行うことである。
The operation of the semiconductor integrated circuit of the second embodiment is almost the same as that of the first embodiment. The difference is that the “High” output on the master side is output by the output buffers 101 and 102 on the master 100 side in the first embodiment, whereas the pull-up resistor or active active side on the master 200 side in the second embodiment. To do with switches 208a, 208b, pull-up resistors or active loads 209a, 209b to determine load enable / disable;
The “Low” output on the master side is performed by the output buffers 101 and 102 on the master 100 side in the first embodiment, whereas the “Low” output transistors 201 and 202 on the master 200 side are performed in the second embodiment. about,
The “Low” output on the slave side is performed by the output buffers 111 and 112 on the slave 110 side in the first embodiment, whereas the “Low” output transistors 211 and 212 on the slave 210 side are performed in the second embodiment. That is.

図2において、マスタ200側のプルアップ抵抗またはアクティブ・ロードの有効/非有効を決定するスイッチ208a、208bを外し、プルアップ抵抗またはアクティブ・ロード209a、209bの1端をVCC_Mに接続してもかまわない。   In FIG. 2, the switches 208a and 208b for determining whether the master 200 side pull-up resistor or active load is valid / invalid are removed, and one end of the pull-up resistor or active load 209a or 209b is connected to VCC_M. It doesn't matter.

(第3の実施形態)
図3は、本発明の第3の実施形態の構成例を示すブロック図である。
図3において、300はマスタ、310、320、330はスレーブを示す。スレーブ310とスレーブ320、スレーブ330は、同じ回路構成であるため、スレーブ320、スレーブ330の回路の図示は省略している。TRX0、TRX1は、通信に使用する2本(1対)の配線である。また、図3には3つのスレーブ310〜330を示しているが、スレーブは3個以上であってもよい。
(Third embodiment)
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of the third embodiment of the present invention.
In FIG. 3, 300 indicates a master, and 310, 320, and 330 indicate slaves. Since the slave 310, the slave 320, and the slave 330 have the same circuit configuration, the illustration of the circuits of the slave 320 and the slave 330 is omitted. TRX0 and TRX1 are two (one pair) wires used for communication. 3 shows three slaves 310 to 330, but there may be three or more slaves.

301、302、311、312は、3ステート(Hi-Z機能付き)出力バッファ、303、304、313、314は入力回路、315は整流回路(ダイオードブリッジ)、316は電源/GND間の平滑コンデンサ、307はマスタ側制御部、317はスレーブ側制御部である。マスタ側制御部307およびスレーブ側制御部317は、マスタ300とスレーブ310との間で行なわれる送信/受信を制御するために設けられている。   301, 302, 311 and 312 are 3-state (with Hi-Z function) output buffers; 303, 304, 313 and 314 are input circuits; 315 is a rectifier circuit (diode bridge); and 316 is a smoothing capacitor between the power supply and GND 307 is a master side control unit, and 317 is a slave side control unit. The master side control unit 307 and the slave side control unit 317 are provided for controlling transmission / reception performed between the master 300 and the slave 310.

309a、309bはプルアップ抵抗またはアクティブ・ロードである。308a,308bはプルアップ抵抗またはアクティブ・ロードの有効/非有効を決定するスイッチ(例えば、P型MOSトランジスタ)である。
VCC_Mは、マスタ300の電源,GND_Mは、マスタ300のGNDである。VCC_S1はスレーブ310の電源,GND_S1は、スレーブ310のGNDである。
309a and 309b are pull-up resistors or active loads. Reference numerals 308a and 308b denote switches (for example, P-type MOS transistors) that determine whether the pull-up resistor or active load is valid / invalid.
VCC_M is the power supply of the master 300, and GND_M is the GND of the master 300. VCC_S1 is the power supply of the slave 310, and GND_S1 is the GND of the slave 310.

第3の実施形態の半導体集積回路の動作は、第1の実施形態とほとんど同じである。
異なる点は、"スレーブ310、320、330が応答する可能性のあるタイミング(図5の点線枠内)のみ、出力バッファ301,302の出力をHi-Zにし、マスタ300側のプルアップ抵抗またはアクティブ・ロードの有効/非有効を決定するスイッチ308a、308bをONし、プルアップ抵抗またはアクティブ・ロード309a、309bから"High"ドライブすることである。プルアップ抵抗またはアクティブ・ロードの等価抵抗値を、マスタ側出力バッファ301,302の"High"側の等価抵抗値より大きくすることにより、スレーブ応答時の消費電流を小さくすることが可能である。
The operation of the semiconductor integrated circuit of the third embodiment is almost the same as that of the first embodiment.
The only difference is that the outputs of the output buffers 301 and 302 are set to Hi-Z only when the slaves 310, 320, and 330 may respond (within the dotted line frame in FIG. 5). The switches 308a and 308b that determine the validity / invalidity of the active load are turned ON, and “High” is driven from the pull-up resistors or active loads 309a and 309b. Is made larger than the equivalent resistance value on the “High” side of the master side output buffers 301 and 302, the current consumption during the slave response can be reduced.

この場合、"1"応答区間のみ、マスタ300⇒スレーブ310に電源が供給されないが、"1"応答区間は短時間であり、かつスレーブ310の電源/GND間の平滑コンデンサ316により電源レベルを一定の時間、保持することができるので問題はない。   In this case, power is not supplied from the master 300 to the slave 310 only in the “1” response interval, but the “1” response interval is short, and the power supply level is fixed by the smoothing capacitor 316 between the power supply / GND of the slave 310. Because it can be held for a long time, there is no problem.

図3において、マスタ300側のプルアップ抵抗またはアクティブ・ロードの有効/非有効を決定するスイッチ308a、308bを外し、プルアップ抵抗またはアクティブ・ロード309a、309bの1端をVCC_Mに接続してもかまわない。   In FIG. 3, the switches 308a and 308b for determining the validity / invalidity of the pull-up resistor or active load on the master 300 side are removed, and one end of the pull-up resistor or active load 309a or 309b is connected to VCC_M. It doesn't matter.

TRX0、TRX1 通信に使用する2本(1対)の配線
100 マスタ
110、120、130 スレーブ
101、102、111、112 3ステート(Hi-Z機能付き)出力バッファ
103、104、113、114 入力回路
105a、105b 電流検出回路
115 整流回路(ダイオードブリッジ)
116 電源/GND間の平滑コンデンサ
107 マスタ側制御部
117 スレーブ側制御部
VCC_M/GND_M マスタの電源/GND
VCC_S1/GND_S1 スレーブの電源/GND
TRX0, TRX1 Two wires (pair) used for communication 100 Master 110, 120, 130 Slave 101, 102, 111, 112 3-state (with Hi-Z function) output buffer 103, 104, 113, 114 Input circuit 105a, 105b Current detection circuit 115 Rectifier circuit (diode bridge)
116 Smoothing capacitor between power supply / GND 107 Master side control unit 117 Slave side control unit
VCC_M / GND_M Master power supply / GND
VCC_S1 / GND_S1 Slave power supply / GND

Claims (6)

少なくとも1個のマスタと、複数個のスレーブとの間で行なわれる通信を、2配線で行う半導体集積回路であって、
前記マスタ側は、
出力端が前記2配線に接続された1組のマスタ側出力バッファと、
前記2配線からの信号を入力するための1組のマスタ側入力回路とマスタの全体動作を制御するマスタ側制御部とを有し、
前記スレーブ側は、
出力端が前記2配線に接続された1組のスレーブ側出力バッファと、
前記2配線からの信号を入力するための1組のスレーブ側入力回路と、
前記2配線間の電位差を整流して、スレーブ側の動作電力を取り出す整流回路とスレーブの全体動作を制御するスレーブ側制御部とを有し、
前記マスタ側制御部が、前記出力バッファの出力を"High"/"Low"、または"Low"/"High"の継続時間の長さを制御することによりデータ"0"、"1"送信を実行し、
前記スレーブ側制御部が、スレーブ応答区間における"High"/"Low"を、無応答、あるいは、2配線とも"Low"出力とするように前記出力バッファを制御することにより、前記スレーブからマスタへのデータ送信を実現することを特徴とする半導体集積回路。
A semiconductor integrated circuit that performs communication between at least one master and a plurality of slaves with two wires,
The master side
A set of master-side output buffers whose output ends are connected to the two wires;
A master side input circuit for inputting signals from the two wirings and a master side control unit for controlling the overall operation of the master;
The slave side
A set of slave-side output buffers whose output ends are connected to the two wires;
A set of slave side input circuits for inputting signals from the two wires;
A rectifier circuit that rectifies a potential difference between the two wirings and extracts operating power on the slave side, and a slave side control unit that controls the overall operation of the slave;
The master-side control unit sends data “0” and “1” by controlling the duration of “High” / “Low” or “Low” / “High” for the output of the output buffer. Run,
From the slave to the master, the slave-side control unit controls the output buffer so that “High” / “Low” in the slave response section does not respond or outputs “Low” in both wirings. A semiconductor integrated circuit characterized by realizing the data transmission.
少なくとも1個のマスタと、複数個のスレーブとの間で行なわれる通信を、2配線で行う半導体集積回路であって、
前記マスタ側は、
出力端が前記2配線に接続された1組のマスタ側出力バッファと、
前記2配線からの信号を入力するための1組のマスタ側入力回路と、
マスタ用電源/GNDと、
マスタの全体動作を制御するマスタ側制御部を有し、
前記スレーブ側は、
出力端が前記2配線に接続された1組のスレーブ側出力バッファと、
前記2配線からの信号を入力するための1組のスレーブ側入力回路と、
スレーブ用電源/GNDと、
前記スレーブ用電源とGNDとの間に配設された整流回路と、
前記整流回路と並列に接続された平滑コンデンサと、
スレーブの全体動作を制御するスレーブ側制御部を有し、
マスタからスレーブへの電源供給は、前記マスタ側制御部が前記出力バッファの出力を"High"/"Low"、または"Low"/"High"のいずれかに制御することで行い、
マスタからスレーブへのデータ送信は、前記マスタ側制御部が出力バッファの出力を"High"/"Low"、または"Low"/"High"の継続時間の長さを制御することによりデータ"0"、"1"送信を実行し、
前記スレーブからマスタへのデータ送信は、スレーブ応答区間における"High"/"Low"を、前記スレーブ側制御部が無応答、あるいは、2配線とも"Low"出力とするように前記出力バッファを制御することにより実現することを特徴とする半導体集積回路。
A semiconductor integrated circuit that performs communication between at least one master and a plurality of slaves with two wires,
The master side
A set of master-side output buffers whose output ends are connected to the two wires;
A set of master side input circuits for inputting signals from the two wirings;
Master power supply / GND,
It has a master side control unit that controls the overall operation of the master,
The slave side
A set of slave-side output buffers whose output ends are connected to the two wires;
A set of slave side input circuits for inputting signals from the two wires;
Slave power / GND
A rectifier circuit disposed between the slave power supply and GND;
A smoothing capacitor connected in parallel with the rectifier circuit;
It has a slave side controller that controls the overall operation of the slave,
Power supply from the master to the slave is performed by the master side control unit controlling the output of the output buffer to either "High" / "Low" or "Low" / "High"
Data transmission from the master to the slave is performed by the master side control unit controlling the length of the output buffer output to "High" / "Low" or "Low" / "High". Execute "," 1 "transmission
For data transmission from the slave to the master, the output buffer is controlled so that "High" / "Low" is output in the slave response interval, the slave-side control unit does not respond, or both wirings output "Low". A semiconductor integrated circuit characterized by being realized.
前記出力バッファを、3ステート(Hi-Z機能付き)出力バッファにより構成したことを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。   3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the output buffer is constituted by a three-state (with Hi-Z function) output buffer. 前記出力バッファを、"Low"出力トランジスタで構成し、
前記マスタ側には、前記2配線に接続されたプルアップ抵抗またはアクティブ・ロードと、プルアップ抵抗またはアクティブ・ロードの有効/非有効を決定するドライブトランジスタを設けたことを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。
The output buffer is composed of a "Low" output transistor,
3. The master side is provided with a pull-up resistor or active load connected to the two wirings and a drive transistor for determining validity / invalidity of the pull-up resistor or active load. A semiconductor integrated circuit according to 1.
前記マスタ側には、前記2配線に接続されたプルアップ抵抗またはアクティブ・ロードと、プルアップ抵抗またはアクティブ・ロードの有効/非有効を決定するドライブトランジスタを設けたことを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路。   4. The pull-up resistor or active load connected to the two wirings and a drive transistor for determining validity / invalidity of the pull-up resistor or active load are provided on the master side. A semiconductor integrated circuit according to 1. 少なくとも1個のマスタと、複数個のスレーブとの間で行なわれる通信を、2配線で行う半導体集積回路であって、
前記マスタ側は、
出力端が前記2配線に接続された1組のマスタ側出力バッファと、
前記1組のマスタ側出力バッファに流れる電流を検出する電流検出回路とマスタの全体動作を制御するマスタ側制御部とを有し、
前記スレーブ側は、
出力端が前記2配線に接続され、前記1組のマスタ側出力バッファより駆動能力の小さな1組のスレーブ側出力バッファと、
前記2配線からの信号を入力するための1組の入力回路と前記2配線間の電位差を整流して、スレーブ側の動作電力を取り出す整流回路とスレーブの全体動作を制御するスレーブ側制御部とを有し、
前記マスタ側制御部が、前記出力バッファの出力を"High"/"Low"、または"Low"/"High"固定する継続時間の長さを制御することによりデータ"0"、"1"送信を実行し、
前記スレーブ側制御部が、スレーブ応答区間における"High"/"Low"を、無応答、あるいは、2配線とも"Low"出力とするように前記出力バッファを制御することにより、前記スレーブからマスタへのデータ送信を実現することを特徴とする半導体集積回路。
A semiconductor integrated circuit that performs communication between at least one master and a plurality of slaves with two wires,
The master side
A set of master-side output buffers whose output ends are connected to the two wires;
A current detection circuit that detects a current flowing through the one set of master side output buffers and a master side control unit that controls the overall operation of the master;
The slave side
A set of slave-side output buffers whose output ends are connected to the two wires and have a driving capability smaller than that of the one set of master-side output buffers;
A set of input circuits for inputting signals from the two wirings, a rectifying circuit for rectifying a potential difference between the two wirings to extract operating power on the slave side, and a slave side control unit for controlling the overall operation of the slave; Have
The master-side control unit transmits data "0" and "1" by controlling the length of the duration during which the output of the output buffer is fixed to "High" / "Low" or "Low" / "High" Run
From the slave to the master, the slave-side control unit controls the output buffer so that “High” / “Low” in the slave response section does not respond or outputs “Low” in both wirings. A semiconductor integrated circuit characterized by realizing the data transmission.
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