JP6060024B2 - Resist composition and method for producing resist pattern - Google Patents

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Description

本発明は、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法等に関する。   The present invention relates to a resist composition, a method for producing a resist pattern using the resist composition, and the like.

特許文献1には、樹脂として、式(u−A)で表される構造単位及び式(u−B)で表される構造単位からなる樹脂と、式(u−C)で表される構造単位、式(u−D)で表される構造単位及び式(u−B)で表される構造単位からなる樹脂とを含み、かつ酸発生剤として式(x)で表される塩を含有するレジスト組成物が記載されている。

Figure 0006060024
Patent Document 1 discloses a resin composed of a structural unit represented by the formula (u-A) and a structural unit represented by the formula (u-B) as a resin, and a structure represented by the formula (u-C). A resin comprising a unit, a structural unit represented by the formula (u-D) and a structural unit represented by the formula (u-B), and containing a salt represented by the formula (x) as an acid generator A resist composition is described.
Figure 0006060024

特開2010−197413号公報JP 2010-197413 A

従来レジスト組成物は、レジストパターン製造時のフォーカスマージン(DOF)が必ずしも満足できない場合や、欠陥が発生する場合があった。   Conventional resist compositions sometimes do not always satisfy the focus margin (DOF) at the time of producing a resist pattern, and sometimes have defects.

本発明は、以下の発明を含む。
[1](A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、
(A2)酸不安定基を有する樹脂及び
(B)式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。

Figure 0006060024

[式(I)中、
は、水素原子又はメチル基を表す。
は、−(CHm1−、−(CHm2−O−(CHm3−又は−(CHm4−CO−O−(CHm5−を表す。
m1〜m5は、それぞれ独立に、1〜6の整数を表す。
は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基を表す。]
Figure 0006060024
[式(II)中、
及びQは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
環Wは、炭素数3〜36の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれる水素原子は、水酸基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。
f1及びRf2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のフッ化アルキル基を表す。
sは、1〜10の整数を表し、sが2以上の場合、複数のRf1及びRf2はそれぞれ同一又は相異なる。
は、有機カチオンを表す。]
[2]Rが、炭素数1〜6のフッ化アルキル基である[1]記載のレジスト組成物。
[3]Aが、メチレン基である[1]又は[2]記載のレジスト組成物。
[4]環Wが、式(Ia1−1)で表される環、式(Ia1−2)で表される環又は式(Ia1−3)で表される環である[1]〜[3]のいずれか記載のレジスト組成物。
Figure 0006060024
[式(IIa1−1)、式(IIa1−2)及び式(IIa1−3)中、
環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、環に含まれる水素原子は、水酸基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
[5]Lが、*−CO−O−(CHt−(tは0〜6の整数を表す。*は、−C(Q)(Q)−との結合手を表す。)である[1]〜[4]のいずれか記載のレジスト組成物。
[6]さらに溶剤を含有する[1]〜[5]のいずれか記載のレジスト組成物。
[7](1)上記[1]〜[6]のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。 The present invention includes the following inventions.
[1] (A1) a resin having a structural unit represented by formula (I),
(A2) A resist composition containing a resin having an acid labile group and (B) an acid generator represented by formula (II).
Figure 0006060024

[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 1 is, - (CH 2) m1 - , - (CH 2) m2 -O- (CH 2) m3 - or - (CH 2) m4 -CO- O- (CH 2) m5 - represents a.
m1 to m5 each independently represents an integer of 1 to 6.
R 2 represents a C 1-10 hydrocarbon group having a fluorine atom. ]
Figure 0006060024
[In the formula (II),
Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
Ring W represents an alicyclic hydrocarbon ring having 3 to 36 carbon atoms, and the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon ring may be substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group. Well, the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon ring is a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or carbon. The aromatic hydrocarbon group of several 6-10 may be substituted.
R f1 and R f2 each independently represent a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
s represents an integer of 1 to 10, and when s is 2 or more, the plurality of R f1 and R f2 are the same or different.
Z + represents an organic cation. ]
[2] The resist composition according to [1], wherein R 2 is a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
[3] The resist composition according to [1] or [2], wherein A 1 is a methylene group.
[4] Ring W is a ring represented by formula (Ia1-1), a ring represented by formula (Ia1-2) or a ring represented by formula (Ia1-3) [1] to [3 ] The resist composition in any one of these.
Figure 0006060024
[In Formula (IIa1-1), Formula (IIa1-2) and Formula (IIa1-3),
The methylene group contained in the ring may be replaced with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group, and the hydrogen atom contained in the ring is a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. May be substituted with an alkoxy group, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. ]
[5] L 1 represents * —CO—O— (CH 2 ) t — (t represents an integer of 0 to 6. * represents a bond to —C (Q 1 ) (Q 2 ) —. .) The resist composition according to any one of [1] to [4].
[6] The resist composition according to any one of [1] to [5], further containing a solvent.
[7] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [1] to [6] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A method for producing a resist pattern, comprising a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.

本発明のレジスト組成物によれば、優れたフォーカスマージン(DOF)で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができる。   According to the resist composition of the present invention, a resist pattern with an excellent focus margin (DOF) and few defects can be obtained.

本明細書では、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH=CH−CO−」又は「CH=C(CH)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。 In this specification, "(meth) acrylic monomer" means at least one monomer having the structure of "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- " To do. Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、
(A)樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある)及び
(B)式(II)で表される酸発生剤を含有する。
ここで、樹脂(A)は以下の樹脂を含む。
(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂(以下「樹脂(A1)」という場合がある)及び
(A2)酸不安定基を有する樹脂(以下「樹脂(A2)」という場合がある)。
本発明のレジスト組成物は、さらに、溶剤(E)(以下「溶剤(E)」という場合がある)を含有していることが好ましい。
本発明のレジスト組成物は、さらに、塩基性化合物(以下「塩基性化合物(C)」という場合がある)を含有していることが好ましい。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention comprises:
(A) Resin (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”) and (B) an acid generator represented by the formula (II).
Here, the resin (A) includes the following resins.
(A1) Resin having a structural unit represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “resin (A1)”) and (A2) Resin having an acid labile group (hereinafter referred to as “resin (A2)”) Is).
The resist composition of the present invention preferably further contains a solvent (E) (hereinafter sometimes referred to as “solvent (E)”).
The resist composition of the present invention preferably further contains a basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”).

〈樹脂(A1)〉
樹脂(A1)は、以下の式(I)で表される構造単位(以下「構造単位(I)」という場合がある)を有する。

Figure 0006060024
[式(I)中、
は、水素原子又はメチル基を表す。
は、−(CHm1−、−(CHm2−O−(CHm3−又は−(CHm4−CO−O−(CHm5−を表す。
m1〜m5は、それぞれ独立に、1〜6の整数を表す。
は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基を表す。] <Resin (A1)>
The resin (A1) has a structural unit represented by the following formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (I)”).
Figure 0006060024
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 1 is, - (CH 2) m1 - , - (CH 2) m2 -O- (CH 2) m3 - or - (CH 2) m4 -CO- O- (CH 2) m5 - represents a.
m1 to m5 each independently represents an integer of 1 to 6.
R 2 represents a C 1-10 hydrocarbon group having a fluorine atom. ]

の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含し、脂肪族炭化水素基は、鎖式、環式及びこれらの組み合わせを含む。脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、又は脂環式炭化水素基が好ましい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基が挙げられる。
The hydrocarbon group for R 2 includes an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group, and the aliphatic hydrocarbon group includes a chain type, a cyclic type, and a combination thereof. As the aliphatic hydrocarbon group, an alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group is preferable.
Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group. .
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a methyl group. Examples thereof include cycloalkyl groups such as cyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, and cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group, and norbornyl. Group, methylnorbornyl group and isobornyl group.

フッ素原子を有する炭化水素基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有する脂環式炭化水素基等が挙げられる。
フッ素原子を有するアルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1,1−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1−ジフルオロエチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル基、1,1,1,2,2−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,1,2,2,3,3−ペプタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1,1,2,2,3,3,4,4−ノナフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。
フッ素原子を有する脂環式炭化水素基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等のフッ化シクロアルキル基が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group having a fluorine atom include an alkyl group having a fluorine atom and an alicyclic hydrocarbon group having a fluorine atom.
Examples of the alkyl group having a fluorine atom include difluoromethyl group, trifluoromethyl group, 1,1,1-trifluoroethyl group, perfluoroethyl group, 1,1-difluoroethyl group, 2,2-difluoroethyl group, 2 , 2,2-trifluoroethyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropyl group, 1,1,1,2,2- Pentafluoropropyl group, perfluoropropyl group, 1,1,1,2,2,3,3-peptafluorobutyl group, perfluorobutyl group, 1,1,1,2,2,3,3,4,4 -Fluoroalkyl groups such as nonafluoropentyl group, perfluoropentyl group, perfluorohexyl group, perfluoroheptyl group and perfluorooctyl group.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having a fluorine atom include fluorinated cycloalkyl groups such as a perfluorocyclohexyl group and a perfluoroadamantyl group.

式(I)では、Aとしては、−(CHm1−が好ましく、エチレン基又はメチレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。
は、フッ化アルキル基が好ましく、炭素数1〜6のフッ化アルキル基がより好ましい。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
In the formula (I), A 1 is preferably — (CH 2 ) m1 —, more preferably an ethylene group or a methylene group, and even more preferably a methylene group.
R 2 is preferably a fluorinated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, phenanthryl, 2 , 6-diethylphenyl group, aryl group such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.

構造単位(I)としては、以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the structural unit (I) include the following.
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

上記の構造単位において、Rに相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(I)の具体例として挙げることができる。 In the above structural unit, a structural unit in which a methyl group corresponding to R 1 is replaced by a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (I).

構造単位(I)は、式(I’)で表される化合物(以下「化合物(I’)」という場合がある)から誘導される。

Figure 0006060024
[式(I’)中、R、A及びRは、上記と同じ意味を表す。] The structural unit (I) is derived from a compound represented by the formula (I ′) (hereinafter sometimes referred to as “compound (I ′)”).
Figure 0006060024
[In formula (I ′), R 1 , A 1 and R 2 represent the same meaning as described above. ]

化合物(I’)は、例えば以下の反応により製造することができる。

Figure 0006060024
[式中、R、A及びRは、上記と同じ意味を表す。]
式(I’−1)で表される化合物と式(I’−2)で表される化合物とを、溶媒中、触媒の存在下で反応させることが好ましい。溶媒としては、ジメチルホルムアミドなどが用いられる。触媒としては、炭酸カリウム及びヨウ化カリウムなどが用いられる。 Compound (I ′) can be produced, for example, by the following reaction.
Figure 0006060024
[Wherein R 1 , A 1 and R 2 represent the same meaning as described above. ]
It is preferable to react the compound represented by the formula (I′-1) and the compound represented by the formula (I′-2) in a solvent in the presence of a catalyst. As the solvent, dimethylformamide or the like is used. As the catalyst, potassium carbonate, potassium iodide and the like are used.

式(I’−1)で表される化合物は、市場から容易に入手できるもの(市販品)が好ましい。このような市販品は、メタクリル酸などがある。
式(I’−2)で表される化合物は、例えば、式(I’−3)で表される化合物と式(I’−4)で表される化合物とを反応させることにより製造することができる。この反応は、溶媒中、塩基触媒の存在下で行なわれる。この反応で用いる溶媒としては、テトラヒドロフランなどが用いられる。塩基触媒としては、ピリジンなどが用いられる。

Figure 0006060024
式(I’−3)で表される化合物は、A1の種類に応じて適当なものを用いることができる。
がメチレン基である場合の式(I’−2)で表される化合物は、式(I’−3)で表される化合物として、例えば、クロロアセチルクロリドなどを用いることにより製造することができる。このクロロアセチルクロリドは市場から容易に入手できる。
式(I’−4)で表される化合物は、Rの種類に応じて適当なアルコールを用いることができる。
がフッ素原子で置換された脂肪族炭化水素基である式(I’−2)で表される化合物は、式(I’−4)で表される化合物として、例えば、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロ−1−ブタノールなどを用いることにより製造することができる。この2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロ−1−ブタノールは市場から容易に入手できる。 The compound represented by the formula (I′-1) is preferably a compound (commercially available) that can be easily obtained from the market. Such commercial products include methacrylic acid.
The compound represented by the formula (I′-2) is produced, for example, by reacting the compound represented by the formula (I′-3) with the compound represented by the formula (I′-4). Can do. This reaction is carried out in a solvent in the presence of a base catalyst. Tetrahydrofuran or the like is used as a solvent used in this reaction. As the base catalyst, pyridine or the like is used.
Figure 0006060024
As the compound represented by the formula (I′-3), an appropriate compound can be used depending on the type of A 1 .
The compound represented by the formula (I′-2) when A 1 is a methylene group is produced by using, for example, chloroacetyl chloride as the compound represented by the formula (I′-3). Can do. This chloroacetyl chloride is readily available from the market.
As the compound represented by the formula (I′-4), an appropriate alcohol can be used depending on the type of R 2 .
The compound represented by the formula (I′-2) in which R 2 is an aliphatic hydrocarbon group substituted with a fluorine atom is, for example, 2,2, It can be produced by using 3,3,4,4,4-heptafluoro-1-butanol or the like. This 2,2,3,3,4,4,4-heptafluoro-1-butanol is readily available from the market.

樹脂(A1)は、構造単位(I)とは異なる構造単位を有していてもよい。
構造単位(I)とは異なる構造単位としては、後述する、酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位、酸安定モノマー(a4)に由来する構造単位、式(IIIA)で表される構造単位、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位などが挙げられる。好ましくは式(IIIA)で表される構造単位である。

Figure 0006060024
[式(IIIA)中、
11は、水素原子又はメチル基を表す。
環Wは、炭素数6〜10の炭化水素環を表す。
12は、−O−、−CO−O−又は−O−CO−(は環Wとの結合手を表す。)を表す。
12は、フッ素原子を有する炭素数1〜6のアルキル基を表す。] The resin (A1) may have a structural unit different from the structural unit (I).
The structural unit different from the structural unit (I) includes a structural unit derived from the acid labile monomer (a1), a structural unit derived from the acid stable monomer (a4), and a structure represented by the formula (IIIA), which will be described later. Examples of the unit include structural units derived from known monomers used in the field. A structural unit represented by the formula (IIIA) is preferable.
Figure 0006060024
[In the formula (IIIA),
R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group.
Ring W 2 represents a hydrocarbon ring having 6 to 10 carbon atoms.
A 12 represents —O—, * —CO—O—, or * —O—CO— ( * represents a bond to ring W 1 ).
R 12 represents a C 1-6 alkyl group having a fluorine atom. ]

環Wの炭化水素環としては、例えば、脂環式炭化水素環が挙げられ、好ましくは、飽和の脂環式炭化水素環である。
飽和の脂環式炭化水素環としては、例えば、以下の環が挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the hydrocarbon ring of ring W 2 include an alicyclic hydrocarbon ring, and a saturated alicyclic hydrocarbon ring is preferable.
Examples of the saturated alicyclic hydrocarbon ring include the following rings.
Figure 0006060024

環Wとしては、好ましくはアダマンタン環又はシクロヘキサン環であり、より好ましくはアダマンタン環である。
12のフッ素原子を有する炭素数1〜6のアルキル基としては、例えば、下記の基が挙げられる。はA12との結合手を表す。

Figure 0006060024
Ring W 2 is preferably an adamantane ring or a cyclohexane ring, and more preferably an adamantane ring.
The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms and having a fluorine atom in R 12, for example, the following groups. * Represents a bond to A 12.
Figure 0006060024

式(IIIA)で表される構造単位としては、以下で表される構造単位が好ましい。

Figure 0006060024
上記の構造単位において、R11に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(IIIA)の具体例として挙げることができる。
中でも、式(IIIA−1)で表される構造単位又は当該構造単位におけるR11に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が特に好ましい。 As the structural unit represented by the formula (IIIA), structural units represented by the following are preferable.
Figure 0006060024
In the structural unit, a structural unit in which a methyl group corresponding to R 11 is replaced with a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (IIIA).
Among these, a structural unit represented by the formula (IIIA-1) or a structural unit in which a methyl group corresponding to R 11 in the structural unit is replaced with a hydrogen atom is particularly preferable.

樹脂(A1)中の構造単位(I)の含有割合は、樹脂(A1)の全構造単位に対して、5〜100モル%の範囲がより好ましく、10〜100モル%の範囲がさらに好ましく、50〜100モル%の範囲がさらに好ましく、80〜100モル%の範囲がとりわけ好ましい。
樹脂(A1)が構造単位(IIIA)を有する場合、樹脂(A1)中の構造単位(IIIA)の含有割合は、樹脂(A1)の全構造単位に対して、1〜95モル%の範囲が好ましく、2〜80モル%の範囲がより好ましく、5〜70モル%の範囲がさらに好ましく、5〜50モル%の範囲がとりわけ好ましく、5〜30モル%の範囲が特に好ましい。構造単位(IIIA)を有し、その含有割合が前記の範囲内であると、優れたフォーカスマージンを有し、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造できる。
このような含有割合で構造単位(I)及び/又は(IIIA)を有する樹脂(A1)は、樹脂(A1)製造時に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物(I’)、構造単位(IIIA)を誘導するモノマーの使用モル量を調節することにより製造することができる。
樹脂(A1)を構成する各構造単位(I)及び/又は(IIIA)は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて、さらに、任意に、後述する酸安定モノマー(a1)、酸安定モノマー、当該分野で公知のモノマーの1種以上を組み合わせて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。
樹脂(A1)の重量平均分子量は、好ましくは、5,000以上(より好ましくは7,000以上、さらに好ましくは10,000以上)、80,000以下(より好ましくは50,000以下、さらに好ましくは30,000以下)である。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。
The content ratio of the structural unit (I) in the resin (A1) is more preferably in the range of 5 to 100 mol%, further preferably in the range of 10 to 100 mol%, based on all the structural units of the resin (A1). The range of 50 to 100 mol% is more preferable, and the range of 80 to 100 mol% is particularly preferable.
When the resin (A1) has the structural unit (IIIA), the content ratio of the structural unit (IIIA) in the resin (A1) ranges from 1 to 95 mol% with respect to all the structural units of the resin (A1). The range of 2 to 80 mol% is more preferable, the range of 5 to 70 mol% is more preferable, the range of 5 to 50 mol% is particularly preferable, and the range of 5 to 30 mol% is particularly preferable. When the structural unit (IIIA) is included and the content ratio is within the above range, a resist pattern having an excellent focus margin and few defects can be manufactured.
Resin (A1) having structural units (I) and / or (IIIA) in such a content ratio is compound (I ′), structural unit (IIIA) relative to the total molar amount of all monomers used in the production of resin (A1). It can be produced by adjusting the molar amount of the monomer used for deriving.
Each structural unit (I) and / or (IIIA) constituting the resin (A1) may be one kind or a combination of two or more kinds, and optionally, an acid stable monomer (a1), an acid stable monomer, which will be described later, It can be produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) by combining one or more monomers known in the art.
The weight average molecular weight of the resin (A1) is preferably 5,000 or more (more preferably 7,000 or more, more preferably 10,000 or more), 80,000 or less (more preferably 50,000 or less, further preferably Is 30,000 or less). A weight average molecular weight is calculated | required as a conversion value of a standard polystyrene reference | standard by gel permeation chromatography analysis, and the detailed analysis conditions of this analysis are explained in full detail in the Example of this application.

〈樹脂(A2)〉
樹脂(A2)は、酸不安定基を有する樹脂である。酸不安定基を有する樹脂は、酸不安定基を有するモノマー(以下「酸不安定モノマー(a1)」という場合がある)の1種又は2種以上から導かれる。
また、樹脂(A2)は、上述した酸不安定基を備える限り、後述する酸不安定基を有さないモノマー(以下「酸安定モノマー」という場合がある)に由来する構造単位、当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位、上述した構造単位(I)及び式(IIIA)で表される構造単位を含んでいてもよい。
なお、樹脂(A2)は、樹脂(A1)と互いに異なる別個の樹脂であってもよいし、式(I)で表される構造単位及び式(IIIA)で表される構造単位を有し、かつ酸不安定基を有する樹脂であってもよい。
<Resin (A2)>
The resin (A2) is a resin having an acid labile group. The resin having an acid labile group is derived from one or more monomers having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid labile monomer (a1)”).
In addition, the resin (A2) is a structural unit derived from a monomer having no acid labile group, which will be described later (hereinafter sometimes referred to as “acid stable monomer”), as long as it has the acid labile group described above. The structural unit derived from a known monomer, the structural unit represented by the structural unit (I) and the formula (IIIA) described above may be included.
The resin (A2) may be a resin different from the resin (A1), or has a structural unit represented by the formula (I) and a structural unit represented by the formula (IIIA). Further, it may be a resin having an acid labile group.

〈酸不安定モノマー(a1)〉
酸不安定モノマー(a1)は、少なくとも酸不安定基を有するモノマーである。酸不安定基としては、例えば、式(1)で表される基、式(2)で表される基などが挙げられる。
<Acid labile monomer (a1)>
The acid labile monomer (a1) is a monomer having at least an acid labile group. Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) and a group represented by the formula (2).

Figure 0006060024
[式(1)中、Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜20の脂環式炭化水素基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。]
Figure 0006060024
[式(2)中、Ra1'及びRa2'は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3'は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2'及びRa3'は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、前記炭化水素基及び前記2価の炭化水素基に含まれる−CH−は、−O―又は―S−で置き換わってもよい。*は結合手を表す。]
Figure 0006060024
In Expression (1), R a1 ~R a3 each independently represent a cycloaliphatic hydrocarbon radical of the alkyl group or 3 to 20 carbon atoms having 1 to 8 carbon atoms, R a1 and R a2 are each Bonding to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]
Figure 0006060024
[In Formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the divalent hydrocarbon group. May be replaced by -O- or -S-. * Represents a bond. ]

a1〜Ra3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて20以下である。
単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、下記の基(*は結合手を表す。)等が挙げられる。

Figure 0006060024
アルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
式(1)においては、Ra1〜Ra3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜16である。 Examples of the alkyl group represented by R a1 to R a3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an alkyl group. In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 20 or less including the carbon number of the alkyl group.
Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, and the following groups (* represents a bond).
Figure 0006060024
Examples of the alicyclic hydrocarbon group substituted with an alkyl group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, and a methylnorbornyl group.
In Formula (1), the alicyclic hydrocarbon group of R a1 to R a3 preferably has 3 to 16 carbon atoms.

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)としては、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜12である。*は−O−との結合手を表す。

Figure 0006060024
Examples of —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) in the case where R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group include the following groups. The divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms. * Represents a bond with -O-.
Figure 0006060024

式(1)で表される酸不安定基としては、例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)などが挙げられる。 Examples of the acid labile group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), groups in which R a1 to R a3 are alkyl groups, preferably tert-butoxycarbonyl). Group), 2-alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and a carbon atom form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- (adamantane) -1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

a1'〜Ra3'の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
a2'及びRa3'が互いに結合して形成する2価の炭化水素基としては、例えば、2価の脂肪族炭化水素基が挙げられる。
式(2)においては、Ra1'及びRa2'のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。
式(2)で表される基の具体例としては、例えば、以下の基が挙げられる。*は結合手を表す。

Figure 0006060024
Examples of the hydrocarbon group for R a1 ′ to R a3 ′ include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group.
Examples of the alkyl group and alicyclic hydrocarbon group are the same as those described above.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the divalent hydrocarbon group formed by combining R a2 ′ and R a3 ′ include a divalent aliphatic hydrocarbon group.
In Formula (2), it is preferable that at least one of R a1 ′ and R a2 ′ is a hydrogen atom.
Specific examples of the group represented by the formula (2) include the following groups. * Represents a bond.
Figure 0006060024

酸不安定モノマー(a1)は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The acid labile monomer (a1) is preferably a monomer having an acid labile group and an ethylenically unsaturated bond, more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid labile group.

酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有する酸不安定モノマー(a1)を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。   Among the (meth) acrylic monomers having an acid labile group, those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferable. If a resin obtained by polymerizing an acid labile monomer (a1) having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used, the resolution of the resist pattern can be improved.

酸不安定基と脂環式炭化水素基とを有する(メタ)アクリル系モノマーとして、好ましくは式(a1−1)で表される構造単位を誘導するモノマー又は式(a1−2)で表される構造単位を誘導するモノマーが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。本明細書では、式(a1−1)で表される構造単位及び式(a1−2)で表される構造単位を、それぞれ構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)と、構造単位(a1−1)を誘導するモノマー及び構造単位(a1−2)を誘導するモノマーを、それぞれモノマー(a1−1)及びモノマー(a1−2)という場合がある。   The (meth) acrylic monomer having an acid labile group and an alicyclic hydrocarbon group is preferably a monomer for deriving a structural unit represented by formula (a1-1) or represented by formula (a1-2). And a monomer that induces a structural unit. These may be used alone or in combination of two or more. In this specification, the structural unit represented by the formula (a1-1) and the structural unit represented by the formula (a1-2) are represented by the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2), respectively. The monomer that derives the structural unit (a1-1) and the monomer that derives the structural unit (a1-2) may be referred to as a monomer (a1-1) and a monomer (a1-2), respectively.

Figure 0006060024
[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基又は炭素数3〜10の脂環式炭化水素基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。]
Figure 0006060024
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a1及びLa2は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−であり、より好ましくは−O−である。k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ra6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。
a6及びRa7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて10以下である。具体的には、式(1)のRa1〜Ra3の脂環式炭化水素基と同様の基が挙げられる。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1’は好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, more preferably —O—. k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
Examples of the alkyl group for R a6 and R a7 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group. The alkyl group for R a6 and R a7 preferably has 6 or less carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group for R a6 and R a7 may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an alkyl group. . In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 10 or less including the carbon number of the alkyl group. Specific examples include the same groups as the alicyclic hydrocarbon groups represented by R a1 to R a3 in the formula (1).
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

モノマー(a1−1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a1−1−1)〜式(a1−1−8)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−1−1)〜式(a1−1−4)でそれぞれ表されるモノマーがより好ましい。

Figure 0006060024
As a monomer (a1-1), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Monomers respectively represented by formula (a1-1-1) to formula (a1-1-8) are preferred, and monomers represented by formula (a1-1-1) to formula (a1-1-4) are preferred. More preferred.
Figure 0006060024

モノマー(a1−2)としては、例えば、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート等が挙げられる。式(a1−2−1)〜式(a1−2−12)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a1−2−3)、式(a1−2−4)、式(a1−2−9)、及び式(a1−2−10)でそれぞれ表されるモノマーがより好ましく、式(a1−2−3)及び式(a1−2−9)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 0006060024
Examples of the monomer (a1-2) include 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, and 1-ethylcycloheptan-1-yl (meth). Examples include acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, and 1-isopropylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate. Monomers respectively represented by formula (a1-2-1) to formula (a1-2-12) are preferred, and are represented by formula (a1-2-3), formula (a1-2-4), and formula (a1-2-2). 9) and monomers represented by formula (a1-2-10) are more preferred, and monomers represented by formula (a1-2-3) and formula (a1-2-9) are more preferred.
Figure 0006060024

樹脂(A2)が構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   When resin (A2) contains structural unit (a1-1) and / or structural unit (a1-2), these total content rates are 10-95 mol normally with respect to all the structural units of resin (A2). %, Preferably 15 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol%.

他の酸不安定モノマー(a1)としては、例えば、酸不安定基(2)を有する(メタ)アクリル系モノマーである式(a1−5)で表されるモノマー(以下「モノマー(a1−5)」という場合がある)を用いてもよい。

Figure 0006060024
式(a1−5)中、
31は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
11〜L13は、酸素原子、硫黄原子又は−O−(CH2k1−CO−O−で表される基を表す。ここで、k1は1〜7の整数を表し、*はカルボニル基(−CO−)との結合手である。
は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基であり、該アルカンジイル基中に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
s1及びs1’は、それぞれ独立して、0〜4の整数を表す。 Examples of the other acid labile monomer (a1) include a monomer represented by the formula (a1-5) which is a (meth) acrylic monomer having an acid labile group (2) (hereinafter referred to as “monomer (a1-5)”. ) ”May be used.
Figure 0006060024
In formula (a1-5),
R 31 represents a C 1-6 alkyl group which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
L 11 to L 13 represent an oxygen atom, a sulfur atom, or a group represented by * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—. Here, k1 represents an integer of 1 to 7, and * is a bond with a carbonyl group (—CO—).
Z 1 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and the methylene group contained in the alkanediyl group may be replaced with an oxy group or a carbonyl group.
s1 and s1 ′ each independently represents an integer of 0 to 4.

式(a1−5)においては、R31は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
11は、酸素原子が好ましい。
12及びL13は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が好ましい。
s1は、1が好ましい。
s1’は、0〜2の整数が好ましい。
は、単結合又は−CH−CO−O−が好ましい。
In formula (a1-5), R 31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
L 11 is preferably an oxygen atom.
One of L 12 and L 13 is preferably an oxygen atom and the other is a sulfur atom.
s1 is preferably 1.
s1 ′ is preferably an integer of 0 to 2.
Z 1 is preferably a single bond or —CH 2 —CO—O—.

モノマー(a1−5)としては、以下のモノマーが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the monomer (a1-5) include the following monomers.
Figure 0006060024

樹脂(A2)が、モノマー(a1−5)に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、1〜50モル%の範囲が好ましく、3〜45モル%の範囲がより好ましく、5〜40モル%の範囲がさらに好ましい。   When the resin (A2) has a structural unit derived from the monomer (a1-5), the content thereof is preferably in the range of 1 to 50 mol% with respect to all the structural units of the resin (A2). The range of 45 mol% is more preferable, and the range of 5 to 40 mol% is more preferable.

〈酸安定モノマー〉
酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)」という場合がある)又はラクトン環を含有する酸安定モノマー(以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)」という場合がある)に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。
<Acid stable monomer>
As an acid stable monomer, Preferably, the monomer which has a hydroxyl group or a lactone ring is mentioned. Acid-stable monomer having a hydroxy group (hereinafter sometimes referred to as “acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)”) or acid-stable monomer having a lactone ring (hereinafter referred to as “acid-stable monomer having a lactone ring (a3)”) If a resin having a structural unit derived from (sometimes) is used, the resolution of the resist pattern and the adhesion to the substrate can be improved.

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)〉
レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線又はEUV光などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーを使用する。短波長のArFエキシマレーザ露光(193nm)などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Acid-stable monomer having a hydroxy group (a2)>
When the resist composition is used for KrF excimer laser exposure (248 nm), high energy beam exposure such as electron beam or EUV light, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably a phenolic hydroxy which is a hydroxystyrene. An acid-stable monomer having a group is used. When using short-wavelength ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like, the acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer having a hydroxyadamantyl group represented by the formula (a2-1). use. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group may be used alone or in combination of two or more.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式(a2−1)で表されるモノマーが挙げられる。

Figure 0006060024
式(a2−1)中、
a3は、−O−又は−O−(CH2k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。 Examples of the acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group include a monomer represented by the formula (a2-1).
Figure 0006060024
In formula (a2-1),
L a3 represents —O— or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

式(a2−1)では、La3は、好ましくは、−O−、−O−(CH2f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a2-1), L a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) f1 -CO-O- and is (wherein f1 is an integer from 1 to 4), more preferably Is —O—.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a2−1−1)〜式(a2−1−6)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a2−1−1)〜式(a2−1−4)でそれぞれ表されるモノマーがより好ましく、式(a2−1−1)又は式(a2−1−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Figure 0006060024
As an acid stable monomer (a2-1) which has a hydroxyadamantyl group, the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Monomers respectively represented by formula (a2-1-1) to formula (a2-1-6) are preferred, and monomers represented by formula (a2-1-1) to formula (a2-1-4) are preferred. More preferred is a monomer represented by formula (a2-1-1) or formula (a2-1-3).
Figure 0006060024

樹脂(A2)が式(a2−1)で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、通常1〜45モル%であり、好ましくは1〜40モル%であり、より好ましくは2〜35モル%である。   When the resin (A2) contains a structural unit derived from the monomer represented by the formula (a2-1), the content is usually 1 to 45 mol% with respect to all the structural units of the resin (A2). , Preferably it is 1-40 mol%, More preferably, it is 2-35 mol%.

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)〉
酸安定モノマー(a3)が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。
<Acid-stable monomer having a lactone ring (a3)>
The lactone ring possessed by the acid stable monomer (a3) may be, for example, a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, and a monocyclic lactone ring and other rings The condensed ring may be used. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring or a condensed ring of γ-butyrolactone ring and another ring is preferable.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、好ましくは、式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is preferably represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3). These 1 type may be used independently and may use 2 or more types together.

Figure 0006060024
式(a3−1)〜式(a3−3)中、
a4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−を表す。
k3は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a18〜Ra20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a21は、炭素数1〜4のアルキル基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。p1、q1又はr1が2以上のとき、それぞれ、複数のRa21、Ra22又はRa23は、同一又は相異なる。
Figure 0006060024
In formula (a3-1) to formula (a3-3),
L a4 to L a6 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—.
k3 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a18 to R a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3. When p1, q1 or r1 is 2 or more, a plurality of R a21 , R a22 or R a23 are the same or different, respectively.

a21〜Ra23のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group represented by R a21 to R a23 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, and a sec-butyl group.

式(a3−1)〜式(a3−3)では、La4〜La6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−であることが好ましく、より好ましくは−O−である。k3は、好ましくは1〜4の整数であり、より好ましくは1である。
a18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1〜r1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
In formula (a3-1) to formula (a3-3), L a4 to L a6 are preferably each independently —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—, More preferably, it is -O-. k3 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a18 to R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1 to r1 are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)としては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a3−1−1)〜式(a3−1−4)、式(a3−2−1)〜式(a3−2−4)、式(a3−3−1)〜式(a3−3−4)でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式(a3−1−1)、式(a3−1−2)、式(a3−2−3)、又は式(a3−2−4)でそれぞれ表されるモノマーがより好ましく、式(a3−1−1)又は式(a3−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。   Examples of the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring include monomers described in JP 2010-204646 A. Formula (a3-1-1) to Formula (a3-1-4), Formula (a3-2-1) to Formula (a3-2-4), Formula (a3-3-1) to Formula (a3-3) -4) is preferred, and each represented by formula (a3-1-1), formula (a3-1-2), formula (a3-2-3), or formula (a3-2-4) The monomer represented is more preferable, and the monomer represented by the formula (a3-1-1) or the formula (a3-2-3) is more preferable.

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

樹脂(A2)がラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)に由来する構造単位を含む場合、その合計含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、通常5〜70モル%であり、好ましくは10〜65モル%であり、より好ましくは10〜60モル%である。   When the resin (A2) includes a structural unit derived from the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring, the total content is usually 5 to 70 mol% with respect to all the structural units of the resin (A2). , Preferably it is 10-65 mol%, More preferably, it is 10-60 mol%.

樹脂(A2)が、酸不安定モノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位は、全構造単位100モル%に対して、好ましくは10〜80モル%、より好ましくは20〜60モル%である。
アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位(特に、構造単位(a1−1))の含有率は、好ましくは酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位の合計に対して15モル%以上である。アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位の比率が増えると、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。
When the resin (A2) is a copolymer of an acid labile monomer (a1) and an acid stable monomer, the structural unit derived from the acid labile monomer (a1) is based on 100 mol% of all structural units. Preferably it is 10-80 mol%, More preferably, it is 20-60 mol%.
The content of the structural unit derived from the monomer having an adamantyl group (particularly the structural unit (a1-1)) is preferably 15 mol% or more based on the total of the structural units derived from the acid labile monomer (a1). is there. When the ratio of the structural unit derived from the monomer having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist pattern is improved.

樹脂(A2)は、好ましくは、酸不安定モノマー(a1)と、酸安定モノマーとの共重合体である。この共重合体において、酸不安定モノマー(a1)は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー(a1−1)及びモノマー(a1−2)(好ましくはシクロヘキシル基又はシクロペンチル基を有する該モノマー)の少なくとも1種、さらに好ましくはモノマー(a1−1)である。また、酸安定モノマーは、好ましくは、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)及び/又はラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)である。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー(a2−1)であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー(a3)は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー(a3−1)及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー(a3−2)の少なくとも1種である。   The resin (A2) is preferably a copolymer of an acid labile monomer (a1) and an acid stable monomer. In this copolymer, the acid labile monomer (a1) is more preferably at least one of the monomer (a1-1) having an adamantyl group and the monomer (a1-2) (preferably the monomer having a cyclohexyl group or a cyclopentyl group). One type, more preferably monomer (a1-1). The acid stable monomer is preferably an acid stable monomer (a2) having a hydroxy group and / or an acid stable monomer (a3) having a lactone ring. The acid-stable monomer (a2) having a hydroxy group is preferably an acid-stable monomer (a2-1) having a hydroxyadamantyl group, and the acid-stable monomer (a3) having a lactone ring is more preferably a γ-butyrolactone ring. The acid-stable monomer (a3-1) and the acid-stable monomer (a3-2) having a condensed ring of a γ-butyrolactone ring and a norbornane ring.

樹脂(A2)を構成する各構造単位は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。
樹脂(A2)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは4,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下、さらに好ましくは15,000以下)である。
樹脂(A1)及び樹脂(A2)は、樹脂(A)において、例えば、0.01:10〜5:10、好ましくは0.05:10〜3:10、より好ましくは0.1:10〜2:10、特に好ましくは0.2:10〜1:10(質量比)で含有されていることが好ましい。
Each structural unit constituting the resin (A2) may be used alone or in combination of two or more, and is produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. can do.
The weight average molecular weight of the resin (A2) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more, more preferably 4,000 or more), 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, further preferably 15,000 or less).
Resin (A1) and resin (A2) in resin (A) are, for example, 0.01: 10 to 5:10, preferably 0.05: 10 to 3:10, more preferably 0.1: 10. It is preferable that it is contained at 2:10, particularly preferably 0.2: 10 to 1:10 (mass ratio).

〈樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂〉
本発明のレジスト組成物の樹脂(A)としては、上述した樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂、例えば、上述した酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位、酸安定モノマーに由来する構造単位の他、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位からなる樹脂等が含有されていてもよい。
本発明のレジスト組成物が、樹脂(A1)及び(A2)以外の樹脂を含む場合、これらの含有率は、本発明のレジスト組成物に含まれる樹脂(A)の合計量に対して、通常0.1〜50質量%であり、好ましくは0.5〜30質量%であり、より好ましくは1〜20質量%である。
<Resin other than resin (A1) and (A2)>
The resin (A) of the resist composition of the present invention is derived from resins other than the resins (A1) and (A2) described above, for example, structural units derived from the acid labile monomer (a1) described above, and acid stable monomers. In addition to the structural unit, a resin composed of a structural unit derived from a known monomer used in this field may be contained.
When the resist composition of this invention contains resin other than resin (A1) and (A2), these content rates are normal with respect to the total amount of resin (A) contained in the resist composition of this invention. It is 0.1-50 mass%, Preferably it is 0.5-30 mass%, More preferably, it is 1-20 mass%.

本発明のレジスト組成物においては、樹脂(A)の含有率は、好ましくは、レジスト組成物の固形分中80質量%以上99質量%以下である。本明細書において「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤(E)を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂(A)の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。   In the resist composition of the present invention, the content of the resin (A) is preferably 80% by mass or more and 99% by mass or less in the solid content of the resist composition. In the present specification, the “solid content in the composition” means the total of resist composition components excluding the solvent (E) described later. The solid content in the composition and the content of the resin (A) relative thereto can be measured, for example, by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

〈酸発生剤(II)〉
本発明のレジスト組成物に含まれる酸発生剤(II)は、式(II)で表される塩を含む。

Figure 0006060024
[式(II)中、
及びQは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
環Wは、炭素数3〜36の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれる水素原子は、水酸基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。
f1及びRf2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のフッ化アルキル基を表す。
sは、1〜10の整数を表し、sが2以上の場合、複数のRf1及びRf2はそれぞれ同一又は相異なる。
は、有機カチオンを表す。]
式(II)において、正電荷を有するZで示される有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものを「スルホン酸アニオン」ということがある。 <Acid generator (II)>
The acid generator (II) contained in the resist composition of the present invention contains a salt represented by the formula (II).
Figure 0006060024
[In the formula (II),
Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
Ring W represents an alicyclic hydrocarbon ring having 3 to 36 carbon atoms, and the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon ring may be substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group. Well, the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon ring is a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or carbon. The aromatic hydrocarbon group of several 6-10 may be substituted.
R f1 and R f2 each independently represent a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
s represents an integer of 1 to 10, and when s is 2 or more, the plurality of R f1 and R f2 are the same or different.
Z + represents an organic cation. ]
In the formula (II), those having a negative charge obtained by removing an organic cation represented by Z + having a positive charge may be referred to as “sulfonate anion”.

及びQで表される炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
及びQは、互いに独立に、トリフルオロメチル基又はフッ素原子であることが好ましく、ともにフッ素原子であることがより好ましい。
Examples of the C 1-6 perfluoroalkyl group represented by Q 1 and Q 2 include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoro sec-butyl group, A perfluoro tert-butyl group, a perfluoropentyl group, a perfluorohexyl group and the like can be mentioned.
Q 1 and Q 2 are preferably each independently a trifluoromethyl group or a fluorine atom, and more preferably a fluorine atom.

の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基、プロパン−2,2−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基(特に、炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有したもの、例えば、1−メチルブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,2−ジイル基、1−メチルシクロヘキサン−1,2−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,2−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式飽和炭化水素基;
ノルボルナン−2,3−ジイル基、ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
また、2価の脂環式炭化水素基は、後述する1価の脂環式炭化水素基から任意の1つの水素原子を除いた基であってもよい。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group for L 1 include a linear alkanediyl group, a branched alkanediyl group, a monocyclic or polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon group, and these A combination of two or more of the groups may be used.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkanediyl groups such as 17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group, propane-2,2-diyl group;
An alkyl group (particularly an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group); For example, 1-methylbutane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4 A branched alkanediyl group such as a diyl group or 2-methylbutane-1,4-diyl group;
Cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,2-diyl group, 1-methylcyclohexane-1,2-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclo A monocyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon group which is a cycloalkanediyl group such as an octane-1,2-diyl group or a cyclooctane-1,5-diyl group;
A polycyclic group such as norbornane-2,3-diyl group, norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group, etc. A bivalent alicyclic saturated hydrocarbon group etc. are mentioned.
The divalent alicyclic hydrocarbon group may be a group obtained by removing any one hydrogen atom from a monovalent alicyclic hydrocarbon group described later.

で表される飽和炭化水素基におけるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、以下の式(b1−1)〜式(b1−7)のいずれかで示される基が挙げられる。式(b1−1)〜式(b1−7)は、その左右を式(II)に合わせて記載しており、それぞれ*で示される2つの結合手のうち、左側の結合手はC(Q)(Q)の炭素原子と結合している。以下の式(b1−1)〜式(b1−7)の具体例も同様である。 Examples of the group in which the methylene group in the saturated hydrocarbon group represented by L 1 is replaced by an oxygen atom or a carbonyl group include groups represented by any of the following formulas (b1-1) to (b1-7): Is mentioned. Expressions (b1-1) to (b1-7) are described in accordance with Expression (II) on the left and right, and of the two bonds indicated by *, the left bond is C (Q 1 ) It is bonded to the carbon atom of (Q 2 ). The same applies to specific examples of the following formulas (b1-1) to (b1-7).

Figure 0006060024
式(b1−1)〜式(b1−7)中、
b2は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b3は、単結合又は炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。
b4は、炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。
b5は、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b6は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b7は、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の合計炭素数の上限は16である。
b8は、炭素数1〜14の2価の飽和炭化水素基を表す。
b9は、単結合又は炭素数1〜11の2価の飽和炭化水素基を表す。Lb10は、炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は12である。
b11及びLb12は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜14の飽和炭化水素基を表す。但しLb11及びLb12の合計炭素数の上限は14である。
Figure 0006060024
In formula (b1-1) to formula (b1-7),
L b2 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b3 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
L b4 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b3 and L b4 is 13.
L b5 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b6 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b7 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b6 and L b7 is 16.
L b8 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
L b9 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms. L b10 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b9 and L b10 is 12.
L b11 and L b12 each independently represent a single bond or a saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b11 and L b12 is 14.

は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−5)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)のいずれかで表される基であり、さらに好ましくは式(b1−1)又は式(b1−3)で表される基であり、特に好ましくは、式(b1−1)で表される2価の基である。中でも、好ましくは、式(b1−1)のLb2が単結合又は炭素数1〜6の飽和炭化水素基であり、より好ましくは、*−CO−O−(CHt−(tは0〜6の整数を表す。*は、−C(Q)(Q)−との結合手を表す)であり、さらに好ましくは、Lb2が単結合又はメチレン基である式(b1−1)で表される2価の基、特に好ましくは、Lb2が単結合である式(b1−1)で表される2価の基、つまり、*−CO−O−である。 L 1 is preferably a group represented by any one of formulas (b1-1) to (b1-5), more preferably any one of formulas (b1-1) to (b1-4). A group represented by formula (b1-1) or formula (b1-3), particularly preferably a divalent group represented by formula (b1-1). is there. Among them, preferably, L b2 in the formula (b1-1) is a single bond or a saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and more preferably * —CO—O— (CH 2 ) t — (t is Represents an integer of 0 to 6. * represents a bond to —C (Q 1 ) (Q 2 ) —, and more preferably, a formula (b1—) wherein L b2 is a single bond or a methylene group. A divalent group represented by 1), particularly preferably a divalent group represented by the formula (b1-1) in which L b2 is a single bond, that is, * —CO—O—.

式(b1−1)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.
Figure 0006060024

式(b1−2)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.
Figure 0006060024

式(b1−3)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.
Figure 0006060024

式(b1−4)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.
Figure 0006060024

式(b1−5)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-5) include the following.
Figure 0006060024

式(b1−6)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-6) include the following.
Figure 0006060024

式(b1−7)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-7) include the following.
Figure 0006060024

環Wにおける炭素数3〜36の脂環式炭化水素環としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素環としては、例えば、シクロペンタン、シクロへキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロへキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン環などのシクロアルカン環が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフタレン、アダマンタン、ノルボルナン、メチルノルボルナン環、下記のような環等が挙げられる。

Figure 0006060024
なかでも、環Wは、式(IIa1−1)で表される環、式(IIa1−2)で表される環又は式(IIa1−3)で表される環が好ましい。
Figure 0006060024
[式(IIa1−1)、式(IIa1−2)及び式(IIa1−3)中、
環に含まれるメチレン基は酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、環に含まれる水素原子は、水酸基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。] The alicyclic hydrocarbon ring having 3 to 36 carbon atoms in the ring W may be either monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon ring include cyclopentane and cyclohexene. Examples include cycloalkane rings such as xane, methylcyclohexane, dimethylcyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane ring. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthalene, adamantane, norbornane, methylnorbornane ring, and the following rings.
Figure 0006060024
Among these, the ring W is preferably a ring represented by the formula (IIa1-1), a ring represented by the formula (IIa1-2), or a ring represented by the formula (IIa1-3).
Figure 0006060024
[In Formula (IIa1-1), Formula (IIa1-2) and Formula (IIa1-3),
The methylene group contained in the ring may be substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group, and the hydrogen atom contained in the ring is a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. May be substituted with an alkoxy group, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. ]

アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基;トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
As the alkyl group, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, methylcyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, cycloheptyl group And cyclooctyl group.
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, n-pentoxy group, n-hexoxy group and the like. .
Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-adamantylphenyl group; tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group. , Aryl groups such as biphenyl group, anthryl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.

上述した環Wにおいて、L及び2つの酸素原子との結合手の位置は、任意の位置とすることができる。なかでも、式(IIa1−1)で表される環、式(IIa1−2)で表される環又は式(IIa1−3)で表される環では、結合手*が、以下の位置であるものが好ましい。

Figure 0006060024
In the ring W described above, the position of the bond between L 1 and two oxygen atoms can be any position. Among them, in the ring represented by the formula (IIa1-1), the ring represented by the formula (IIa1-2) or the ring represented by the formula (IIa1-3), the bond * is the following position. Those are preferred.
Figure 0006060024

f1及びRf2のフッ化アルキル基としては、例えば、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1−ジフルオロエチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、1−(トリフルオロメチル)−1,2,2,2−テトラフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、1,1,2,2−テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロブチル基、パーフルオロブチル基、1,1−ビス(トリフルオロ)メチル−2,2,2−トリフルオロエチル基、2−(パーフルオロプロピル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロペンチル基、1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、パーフルオロペンチル基、2−(パーフルオロブチル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ドデカフルオロヘキシル基、パーフルオロペンチルメチル基及びパーフルオロヘキシル基が挙げられる。なかでも、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等が好ましい。
f1及びRf2としては、ともにフッ素原子が好ましい。
Examples of the fluorinated alkyl group for R f1 and R f2 include a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 2,2-difluoroethyl group, and a 2,2,2-trifluoroethyl group. Perfluoroethyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropyl group, perfluoroethylmethyl group, 1- (trifluoromethyl)- 1,2,2,2-tetrafluoroethyl group, perfluoropropyl group, 1,1,2,2-tetrafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluorobutyl group, 1, 1,2,2,3,3,4,4-octafluorobutyl group, perfluorobutyl group, 1,1-bis (trifluoro) methyl-2,2,2-trifluoroethyl group, 2- (per Fluoropropyl) ethyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentyl group, perfluoropentyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5 -Decafluoropentyl group, 1,1-bis (trifluoromethyl) -2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, perfluoropentyl group, 2- (perfluorobutyl) ethyl group, 1,1 , 2,2,3,3,4,4,5,5-decafluorohexyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-dodecafluorohexyl group Perfluoropentylmethyl group and perfluorohexyl group. Of these, a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a heptafluoropropyl group, a nonafluorobutyl group, and the like are preferable.
R f1 and R f2 are preferably fluorine atoms.

sは、1〜8の整数が好ましく、1〜6の整数がより好ましく、1〜4の整数がさらに好ましく、1又は2、つまり、−O−C−O−を含む環である

Figure 0006060024
が、以下の基であるものが特に好ましい。
Figure 0006060024
s is preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 6, more preferably an integer of 1 to 4, or a ring containing 1 or 2, that is, —O—C—O—.
Figure 0006060024
However, those having the following groups are particularly preferred.
Figure 0006060024

式(II)の酸発生剤をスルホン酸アニオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Figure 0006060024
Specific examples of the sulfonate anion of the acid generator of formula (II) include the following.
Figure 0006060024
Figure 0006060024

+で示される有機カチオンとしては、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオン等が挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。 Examples of the organic cation represented by Z + include an organic onium cation such as an organic sulfonium cation, an organic iodonium cation, an organic ammonium cation, a benzothiazolium cation, and an organic phosphonium cation. Among these, an organic sulfonium cation and an organic iodonium cation are preferable, and an arylsulfonium cation is more preferable.

さらに好ましくは、例えば、式(Z1)〜式(Z4)等が挙げられる。

Figure 0006060024
More preferably, for example, Formula (Z1) to Formula (Z4) are included.
Figure 0006060024

式(Z1)〜式(Z4)中、
〜Pは、それぞれ独立に、炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜36の芳香族炭化水素基を表すか、PとPとは、一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基で置換されていてもよい。
In formula (Z1) to formula (Z4),
Do P a to P c each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms? , P a and P b may together form a ring containing a sulfur atom. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group is a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a glycidyloxy group. The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group may be a halogen atom, a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or It may be substituted with an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.

及びPは、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
及びPは、それぞれ独立に、炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜36の脂環式炭化水素基を表すか、P及びPが一緒になってそれらが結合する硫黄原子を含む環を形成する。
は、水素原子、炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
は、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基は、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数1〜12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
及びPが一緒になってそれらが結合する−CH−CO−を含む環を形成してもよい。
P 4 and P 5 each independently represent a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
P 6 and P 7 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or P 6 and P 7 taken together Forms a ring containing a sulfur atom to which.
P 8 represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms.
P 9 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group may be an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or a carbon atom. The alkylcarbonyloxy group of Formula 1-12 may be substituted.
P 8 and P 9 may be combined to form a ring containing —CH—CO— to which they are attached.

10〜P15は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
Eは、−S−又は−O−を表す。
i、j、p、r、x及びyは、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
qは0又は1を表す。
v及びwは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
iが2以上であるとき、複数のPは互いに同一又は相異なり、jが2以上のとき、複数のPは互いに同一又は相異なり、pが2以上のとき、複数のP10は互いに同一又は相異なり、rが2以上のとき、複数のP11は互いに同一又は相異なり、vが2以上のとき、複数のP12は互いに同一又は相異なり、wが2以上のとき、複数のP13は互いに同一又は相異なり、xが2以上のとき、複数のP14は互いに同一又は相異なり、yが2以上のとき、複数のP15は互いに同一又は相異なる。
P < 10 > -P < 15 > represents a hydroxyl group, a C1-C12 aliphatic hydrocarbon group, or a C1-C12 alkoxy group each independently.
E represents -S- or -O-.
i, j, p, r, x and y each independently represents an integer of 0 to 5;
q represents 0 or 1;
v and w each independently represent an integer of 0 to 4.
When i is 2 or more, the plurality of P 4 are the same or different from each other, when j is 2 or more, the plurality of P 5 are the same or different from each other, and when p is 2 or more, the plurality of P 10 are When r is 2 or more, the plurality of P 11 are the same or different from each other, when v is 2 or more, the plurality of P 12 are the same or different from each other, and when w is 2 or more, P 13 is the same or different from each other. When x is 2 or more, the plurality of P 14 are the same or different from each other. When y is 2 or more, the plurality of P 15 are the same or different from each other.

脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。
水素原子が脂環式炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、例えば、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、アラルキル基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基、下記のような基等が挙げられる。*は、アダマンタン環又はシクロヘキサン環との結合手を表す。

Figure 0006060024
水素原子が脂肪族炭化水素基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
なお、芳香族炭化水素基に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基が含まれる場合は、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基及び炭素数3〜18の脂環式炭化水素基が好ましい。 Examples of the aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group. Is mentioned.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an alicyclic hydrocarbon group include a 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an aromatic hydrocarbon group include an aralkyl group, and specifically include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a trityl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group. Groups and the like.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, and dimethylcyclohexane. Examples thereof include a cycloalkyl group such as a hexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, a methylnorbornyl group, and the following groups. * Represents a bond with an adamantane ring or a cyclohexane ring.
Figure 0006060024
Examples of the alicyclic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an aliphatic hydrocarbon group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a methylnorbornyl group, a 2-alkyladamantan-2-yl group, and a methyl group. A norbornyl group, an isobornyl group, etc. are mentioned.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
When the aromatic hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group or an alicyclic hydrocarbon group, the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms and the alicyclic hydrocarbon having 3 to 18 carbon atoms Groups are preferred.

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、2−エチルヘキトキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、例えば、4−メトキシフェニル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
As an alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, an n-pentoxy group, an n-hexoxy group, a heptoxy group, an octoxy group , 2-ethylhexoxy group, nonyloxy group, decyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group and the like.
As an aromatic hydrocarbon group by which the hydrogen atom was substituted by the alkoxy group, 4-methoxyphenyl group etc. are mentioned, for example.
Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the alkylcarbonyloxy group include a methylcarbonyloxy group, an ethylcarbonyloxy group, an n-propylcarbonyloxy group, an isopropylcarbonyloxy group, an n-butylcarbonyloxy group, a sec-butylcarbonyloxy group, a tert-butylcarbonyloxy group, Examples thereof include a pentylcarbonyloxy group, a hexylcarbonyloxy group, an octylcarbonyloxy group, and a 2-ethylhexylcarbonyloxy group.

とPとが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子、つまり、−O−、−S−、−CO−を含んでいてもよい。この環は、3員環〜18員環が挙げられ、好ましくは3員環〜12員環又は4〜18員環である。
及びPが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子、つまり、−O−、−S−、−CO−を含んでいてもよい。この環は、3員環〜12員環が挙げられ、好ましくは3員環〜7員環である。
及びPが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、−CH−CO−を含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子、つまり、−O−、−S−、−CO−を含んでいてもよい。この環は、3員環〜12員環が挙げられ、好ましくは3員環〜7員環である。
Examples of the ring and the P a and P b together form a monocyclic, polycyclic, aromatic or non-aromatic, it may be any of the rings of the saturated and unsaturated, sulfur atom In addition, one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms, that is, —O—, —S—, or —CO— may be further included. This ring includes a 3-membered ring to a 18-membered ring, preferably a 3-membered ring to a 12-membered ring or a 4- to 18-membered ring.
The ring formed by combining P 6 and P 7 may be any of monocyclic, polycyclic, aromatic, non-aromatic, saturated and unsaturated rings, and a sulfur atom If it contains one or more, it may further contain one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms, that is, —O—, —S—, or —CO—. This ring includes a 3-membered ring to a 12-membered ring, preferably a 3-membered ring to a 7-membered ring.
The ring formed by combining P 8 and P 9 may be any of monocyclic, polycyclic, aromatic, non-aromatic, saturated and unsaturated, and —CH— As long as it contains CO-, it may further contain one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms, that is, -O-, -S-, -CO-. This ring includes a 3-membered ring to a 12-membered ring, preferably a 3-membered ring to a 7-membered ring.

及びPが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環及び1,4−オキサチアン−4−イウム環などが挙げられる。
及びPが結合する−CH−CO−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。
Examples of the ring formed together with the sulfur atom to which P 6 and P 7 are bonded include, for example, a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and a 1,4-oxathian-4-ium ring. Etc.
Examples of the ring formed with —CH—CO— to which P 8 and P 9 are bonded include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

式(Z1)〜式(Z4)で表されるカチオンの中でも、式(Z1)が好ましく、式(Z5)で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(Z5)中、z1=z2=z3=0)、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン(式(Z5)中、z1=z2=0、z3=1であり、Pがメチル基である。)又はトリトリルスルホニウムカチオン(式(Z5)中、z1=z2=z3=1であり、P、P及びPがいずれもメチル基である。)がさらに好ましい。 Among the cations represented by the formulas (Z1) to (Z4), the formula (Z1) is preferable, the cation represented by the formula (Z5) is more preferable, and the triphenylsulfonium cation (in the formula (Z5), z1 = z2 = z3 = 0), in diphenyl tolyl sulfonium cation (formula (Z5), a z1 = z2 = 0, z3 = 1, P 3 is a methyl group.) or tri tolyl sulfonium cation (formula (Z5) in Z1 = z2 = z3 = 1 and P 1 , P 2 and P 3 are all methyl groups.

Figure 0006060024
式(Z5)中、
〜Pは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表すか、P〜Pから選ばれる2つが一緒になってヘテロ原子を有してもよい環を形成してもよい。
z1、z2及びz3は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。z1、z2及びz3のいずれかが2以上のとき、複数のP、P、Pは、それぞれ、同一又は相異なる。
Figure 0006060024
In formula (Z5),
P 1 to P 3 are each independently a halogen atom, a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. Or two selected from P 1 to P 3 may be combined to form a ring that may have a hetero atom.
z1, z2 and z3 each independently represents an integer of 0 to 5. When any of z1, z2 and z3 is 2 or more, the plurality of P 1 , P 2 and P 3 are the same or different from each other.

〜Pから選ばれる2つが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子を含んでいてもよい。
〜Pの脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜12であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4〜18である。
なかでも、P〜Pは、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表すか、P〜Pから選ばれる2つが一緒になって−O−を表し、硫黄原子を含む環を形成することが好ましい。zは、それぞれ独立に、好ましくは0又は1である。
The ring formed by combining two selected from P 1 to P 3 may be any of monocyclic, polycyclic, aromatic and non-aromatic rings. As long as it contains the above, it may contain one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms.
Aliphatic hydrocarbon group of P 1 to P 3 is preferably 1 to 12 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon group is preferably 4 to 18 carbon atoms.
Among them, each of P 1 to P 3 independently represents a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or P 1 two selected from to P 3 is represent together -O-, it is preferable to form a ring containing a sulfur atom. Each z is independently preferably 0 or 1.

式(Z1)又は式(Z5)で表されるカチオンとしては、以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the cation represented by the formula (Z1) or the formula (Z5) include the following.
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

式(Z5)で表されるカチオンのうち、硫黄原子を含む環が形成されたカチオンの具体例としては、以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
The following are mentioned as a specific example of the cation in which the ring containing a sulfur atom was formed among the cations represented by a formula (Z5).
Figure 0006060024

カチオン(Z1)の具体例としては、以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Specific examples of the cation (Z1) include the following.
Figure 0006060024

カチオン(Z2)の具体例としては、以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Specific examples of the cation (Z2) include the following.
Figure 0006060024

カチオン(Z3)の具体例としては、以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Specific examples of the cation (Z3) include the following.
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

カチオン(Z4)の具体例としては、以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Specific examples of the cation (Z4) include the following.
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

式(II)で表される塩は、上述のアニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができるが、以下で表される化合物が好ましい。以下の式においては、置換基の定義は上記と同じ意味である。   The salt represented by the formula (II) is a combination of the above-mentioned anion and organic cation. Although the above-mentioned anion and cation can be combined arbitrarily, the compound represented below is preferable. In the following formulae, the definition of the substituent has the same meaning as described above.

式(II)で表される塩としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the salt represented by the formula (II) include the following compounds.
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

式(II)で表される塩のうち、式(b1)で表される化合物の製造方法を下記に示す。

Figure 0006060024
(式中、Q、Q、W、Rf1、Rf2、s及びZは、それぞれ上記と同義である。) The manufacturing method of the compound represented by Formula (b1) among the salts represented by Formula (II) is shown below.
Figure 0006060024
(In the formula, Q 1 , Q 2 , W, R f1 , R f2 , s and Z + are as defined above.)

まず、式(b1−a)で表される塩と式(b1−b)で表される化合物とを、溶剤中、酸触媒条件下で反応させることにより、式(b1)で表される塩を得る。溶媒としては、1,2−ジクロロエタンなどが挙げられる。触媒として、p−トルエンスルホン酸などが挙げられる。

Figure 0006060024
First, a salt represented by the formula (b1) is prepared by reacting a salt represented by the formula (b1-a) with a compound represented by the formula (b1-b) in a solvent under an acid catalyst condition. Get. Examples of the solvent include 1,2-dichloroethane. Examples of the catalyst include p-toluenesulfonic acid.
Figure 0006060024

式(b1−a)で表される塩は、例えば、特開2007−224008号公報に記載された方法で合成することができる。
式(b1−b)で表される化合物としては、2,2,3,3−テトラフルオロ−1,4−ブタンジオール等が挙げられる。
The salt represented by the formula (b1-a) can be synthesized, for example, by the method described in JP2007-224008A.
Examples of the compound represented by the formula (b1-b) include 2,2,3,3-tetrafluoro-1,4-butanediol.

式(II)で表される塩は、単独でも複数種を併用してもよい。
また、酸発生剤は、上述した式(II)で表される塩以外の酸発生剤を含有していてもよい。
The salt represented by the formula (II) may be used alone or in combination of two or more.
Moreover, the acid generator may contain acid generators other than the salt represented by the formula (II) described above.

<酸発生剤(B)>
本発明のレジスト組成物は、式(II)で表される塩を含む酸発生剤のほかに、公知の酸発生剤(以下「酸発生剤(B)」という場合がある)を含んでいてもよい。
酸発生剤(B)は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、本発明のレジスト組成物においてはいずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン 4−スルホネート)、スルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)等が挙げられる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)等が挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。
<Acid generator (B)>
The resist composition of the present invention contains a known acid generator (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (B)”) in addition to the acid generator containing the salt represented by the formula (II). Also good.
The acid generator (B) is classified into a nonionic type and an ionic type, and any of them may be used in the resist composition of the present invention. Examples of the nonionic acid generator include organic halides, sulfonate esters (for example, 2-nitrobenzyl ester, aromatic sulfonate, oxime sulfonate, N-sulfonyloxyimide, N-sulfonyloxyimide, sulfonyloxyketone, diazonaphthoquinone 4). -Sulfonate), sulfones (for example, disulfone, ketosulfone, sulfonyldiazomethane) and the like. Examples of the ionic acid generator include onium salts containing onium cations (for example, diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts) and the like. Examples of the anion of the onium salt include a sulfonate anion, a sulfonylimide anion, and a sulfonylmethide anion.

酸発生剤(B)としては、例えば特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる。   Examples of the acid generator (B) include JP-A 63-26653, JP-A 55-164824, JP-A 62-69263, JP-A 63-146038, JP-A 63-163452, JP 62-153853, JP 63-146029, U.S. Pat. No. 3,779,778, U.S. Pat. The compound which generate | occur | produces an acid by the radiation as described in etc. can be used.

酸発生剤(B)は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式(B1)で表されるスルホン酸塩である。   The acid generator (B) is preferably a fluorine-containing acid generator, more preferably a sulfonate represented by the formula (B1).

Figure 0006060024
[式(B1)中、
b1及びQb2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、前記2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、前記アルキル基及び前記脂環式炭化水素基に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Z1+は、有機カチオンを表す。]
Figure 0006060024
[In the formula (B1),
Q b1 and Q b2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group is replaced by —O— or —CO—. May be.
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, and the alkyl group and the above —CH 2 — contained in the alicyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
Z1 + represents an organic cation. ]

式(B1)におけるQb1及びQb2としては、式(II)におけるQ1及びQ2と同様のものが挙げられる。
b1及びQb2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Examples of Q b1 and Q b2 in formula (B1) include the same as Q 1 and Q 2 in formula (II).
Q b1 and Q b2 are each independently preferably a trifluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.

b1の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基及びプロパン−2,2−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
直鎖状アルカンジイル基に、アルキル基(特に、炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等)の側鎖を有したもの、例えば、1−メチルブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式飽和炭化水素基;
ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group for L b1 include a linear alkanediyl group, a branched alkanediyl group, a monocyclic or polycyclic alicyclic saturated hydrocarbon group, and among these groups, Two or more types may be combined.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkanediyl groups such as 17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group and propane-2,2-diyl group;
An alkyl group (particularly an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group); For example, 1-methylbutane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4 A branched alkanediyl group such as a diyl group or 2-methylbutane-1,4-diyl group;
Monocyclic 2 which is a cycloalkanediyl group such as cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclooctane-1,5-diyl group Valent alicyclic saturated hydrocarbon group;
Polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon such as norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group, etc. Groups and the like.

b1の2価の飽和炭化水素基に含まれる−CH−が−O−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、式(b1−1’)〜式(b1−7’)が挙げられる。なお、式(b1−1’)〜式(b1−7’)は、その左右を式(B1)に合わせて記載しており、それぞれ*で表される2つの結合手のうち、左側でC(Qb1)(Qb2)−と結合し、右側で−Yと結合する。以下の式(b1−1’)〜式(b1−7’)の具体例も同様である。 Examples of the group in which —CH 2 — contained in the divalent saturated hydrocarbon group represented by L b1 is replaced by —O— or —CO— include those represented by formulas (b1-1 ′) to (b1-7 ′). Can be mentioned. In addition, Formula (b1-1 ')-Formula (b1-7') have described the right and left according to Formula (B1), and it is C on the left side among two bonds represented by *, respectively. It binds to (Q b1 ) (Q b2 ) — and on the right side to —Y. The same applies to specific examples of the following formulas (b1-1 ′) to (b1-7 ′).

Figure 0006060024
式(b1−1’)〜式(b1−7’)中、
b2’は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b3’は、単結合又は炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。
b4’は、炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3’及びLb4’の炭素数上限は13である。
b5’は、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b6’及びLb7’は、それぞれ独立に、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6’及びLb7’の炭素数上限は16である。
b8’は、炭素数1〜14の2価の飽和炭化水素基を表す。
b9’及びLb10’は、それぞれ独立に、炭素数1〜11の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9’及びLb10’の炭素数上限は12である。
b11'及びLb12'は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜14の飽和炭化水素基を表す。但しLb11'及びLb12'の合計炭素数の上限は14である。
中でも、Lb1は、好ましくは式(b1−1’)〜式(b1−4’)のいずれか、より好ましくは式(b1−1’)又は式(b1−2’)、さらに好ましくは式(b1−1’)で表される2価の基であり、より好ましくは、Lb2’が単結合又は−CH−である式(b1−1’)で表される2価の基である。
Figure 0006060024
In formula (b1-1 ′) to formula (b1-7 ′),
L b2 ′ represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b3 ′ represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
L b4 ′ represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms. However, the upper limit of the carbon number of L b3 ′ and L b4 ′ is 13.
L b5 ′ represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b6 ′ and L b7 ′ each independently represent a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the carbon number of L b6 ′ and L b7 ′ is 16.
L b8 ′ represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
L b9 ′ and L b10 ′ each independently represent a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms. However, the upper limit of the carbon number of L b9 ′ and L b10 ′ is 12.
L b11 ′ and L b12 ′ each independently represent a single bond or a saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b11 ′ and L b12 ′ is 14.
Among them, L b1 is preferably any one of formula (b1-1 ′) to formula (b1-4 ′), more preferably formula (b1-1 ′) or formula (b1-2 ′), and more preferably formula (b1-1 ′). A divalent group represented by (b1-1 ′), more preferably a divalent group represented by the formula (b1-1 ′) in which L b2 ′ is a single bond or —CH 2 —. is there.

式(b1−1’)〜式(b1−5’)及び式(b1−7’)で表される2価の基としては、上述した式(b1−1)〜式(b1−5)及び式(b1−7)の2価の基と同様のものが挙げられる。
式(b1−6’)で表される2価の基としては、式(b1−6)で表される2価の基に加え、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the divalent group represented by formula (b1-1 ′) to formula (b1-5 ′) and formula (b1-7 ′) include the formula (b1-1) to formula (b1-5) and The thing similar to the bivalent group of a formula (b1-7) is mentioned.
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-6 ′) include the following in addition to the divalent group represented by the formula (b1-6).
Figure 0006060024

Yのアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、ヘプチル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などのアルキル基が挙げられ、好ましくは、炭素数1〜6のアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、例えば、以下の式(Y1)〜式(Y11)に示す基が挙げられる。
Yの脂環式炭化水素基に含まれる−CH−が−O−、−SO−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、式(Y12)〜式(Y26)で表される基が挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of the alkyl group for Y include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, heptyl group, 2 -Alkyl groups, such as an ethylhexyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, an undecyl group, a dodecyl group, are mentioned, Preferably, a C1-C6 alkyl group is mentioned.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group include groups represented by the following formulas (Y1) to (Y11).
Examples of the group in which —CH 2 — contained in the alicyclic hydrocarbon group of Y is replaced by —O—, —SO 2 — or —CO— are represented by formulas (Y12) to (Y26). Groups.
Figure 0006060024

なかでも、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。   Especially, it is preferably a group represented by any one of formulas (Y1) to (Y19), more preferably represented by formula (Y11), formula (Y14), formula (Y15) or formula (Y19). And more preferably a group represented by formula (Y11) or formula (Y14).

Yにおけるアルキル基及び脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1〜12のアルキル基、ヒドロキシ基含有炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す)などが挙げられる。Yの置換基であるアルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。 Examples of the substituent of the alkyl group and alicyclic hydrocarbon group in Y include, for example, a halogen atom, a hydroxy group, an oxo group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a hydroxy group-containing alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, carbon C3-C16 alicyclic hydrocarbon group, C1-C12 alkoxy group, C6-C18 aromatic hydrocarbon group, C7-C21 aralkyl group, C2-C4 acyl group , Glycidyloxy group or — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group (wherein R b1 is an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, or carbon Represents an aromatic hydrocarbon group of formula 6 to 18. j2 represents an integer of 0 to 4. The alkyl group, alicyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, aralkyl group, and the like, which are substituents for Y, may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxy group, and an oxo group.

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基;トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基などが挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル等が挙げられる。
Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
Examples of the hydroxy group-containing alkyl group include a hydroxymethyl group and a hydroxyethyl group.
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group and dodecyloxy group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-adamantylphenyl group; tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group. , Aryl groups such as biphenyl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the aralkyl group include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.
Examples of the acyl group include acetyl, propionyl, butyryl and the like.

Yとしては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006060024
Examples of Y include the following.
Figure 0006060024

なお、Yがアルキル基であり、かつLb1が炭素数1〜17の2価の脂肪族炭化水素基である場合、Yと結合する該2価の脂肪族炭化水素基のメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていることが好ましい。この場合、Yのアルキル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わらない。 When Y is an alkyl group and L b1 is a divalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, the methylene group of the divalent aliphatic hydrocarbon group bonded to Y is oxygen It is preferably replaced by an atom or a carbonyl group. In this case, the methylene group constituting the alkyl group of Y is not replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.

Yは、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは置換基(例えば、オキソ基、ヒドロキシ基等)を有していてもよいアダマンチル基であり、さらに好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。   Y is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, more preferably a substituent (for example, an oxo group, a hydroxy group, etc.). A good adamantyl group, more preferably an adamantyl group, a hydroxyadamantyl group or an oxoadamantyl group.

式(B1)で表されるスルホン酸塩におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)で表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、符号の定義は上記と同じ意味であり、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基(好ましくは、メチル基)を表す。
式(B1)で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたアニオンが挙げられる。
The sulfonate anion in the sulfonate represented by the formula (B1) is preferably an anion represented by the formula (b1-1-1) to the formula (b1-1-9). In the following formulas, the definitions of the symbols have the same meaning as described above, and R b2 and R b3 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms (preferably a methyl group).
Specific examples of the sulfonate anion in the salt represented by the formula (B1) include the anions described in JP 2010-204646 A.

Figure 0006060024
Figure 0006060024

酸発生剤(B1)に含まれるカチオンZ1+は、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンである。
式(B1)中のZ1+は、好ましくは、上述した式(Z1)〜式(Z5)のいずれかで表されるカチオンと同様のものが挙げられる。
Examples of the cation Z1 + contained in the acid generator (B1) include organic onium cations such as organic sulfonium cation, organic iodonium cation, organic ammonium cation, benzothiazolium cation, and organic phosphonium cation. A sulfonium cation or an organic iodonium cation is preferable, and an arylsulfonium cation is more preferable.
Z1 + in the formula (B1) is preferably the same as the cation represented by any one of the formulas (Z1) to (Z5) described above.

酸発生剤(B)としては、例えば、式(B1−1)〜式(B1−20)で表されるものが挙げられる。中でもアリールスルホニウムカチオンを含む酸発生剤が好ましく、式(B1−1)、式(B1−2)、式(B1−3)、式(B1−6)、式(B1−7)、式(B1−11)、式(B1−12)、式(B1−13)、式(B1−14)、式(B1−18)、式(B1−19)又は式(B1−20)でそれぞれ表される塩がさらに好ましい。   As an acid generator (B), what is represented by a formula (B1-1)-a formula (B1-20) is mentioned, for example. Among them, an acid generator containing an arylsulfonium cation is preferable. Formula (B1-1), Formula (B1-2), Formula (B1-3), Formula (B1-6), Formula (B1-7), Formula (B1) -11), formula (B1-12), formula (B1-13), formula (B1-14), formula (B1-18), formula (B1-19) or formula (B1-20). More preferred are salts.

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

Figure 0006060024
Figure 0006060024

本発明のレジスト組成物においては、酸発生剤として酸発生剤(II)のみを含有する場合、酸発生剤(II)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは30質量部以下(より好ましくは25質量部以下)である。
レジスト組成物が酸発生剤(II)と酸発生剤(B)とを含有する場合には、酸発生剤(II)と酸発生剤(B)との合計量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは40質量部以下(より好ましくは35質量部以下)である。この場合、酸発生剤(II)と酸発生剤(B)との含有量の比(質量)は、例えば、5:95〜95:5、好ましくは10:90〜90:10、より好ましくは15:85〜85:15である。
In the resist composition of the present invention, when only the acid generator (II) is contained as the acid generator, the content of the acid generator (II) is preferably 1 with respect to 100 parts by mass of the resin (A). It is at least part by mass (more preferably at least 3 parts by mass), preferably at most 30 parts by mass (more preferably at most 25 parts by mass).
When the resist composition contains the acid generator (II) and the acid generator (B), the total amount of the acid generator (II) and the acid generator (B) is 100 masses of the resin (A). The amount is preferably 1 part by mass or more (more preferably 3 parts by mass or more), preferably 40 parts by mass or less (more preferably 35 parts by mass or less). In this case, the content ratio (mass) of the acid generator (II) and the acid generator (B) is, for example, 5:95 to 95: 5, preferably 10:90 to 90:10, more preferably 15: 85-85: 15.

〈溶剤(E)〉
本発明のレジスト組成物に含有される溶剤(E)の含有率は、例えばレジスト組成物中90質量%以上、好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上であり、例えば99.9質量%以下、好ましくは99質量%以下である。溶剤(E)の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (E)>
The content rate of the solvent (E) contained in the resist composition of this invention is 90 mass% or more in a resist composition, for example, Preferably it is 92 mass% or more, More preferably, it is 94 mass% or more, for example, 99.9. It is not more than mass%, preferably not more than 99 mass%. The content rate of a solvent (E) can be measured by well-known analysis means, such as a liquid chromatography or a gas chromatography, for example.

溶剤(E)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤(E)は、1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。   Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent (E) may contain 1 type independently, and may contain 2 or more types.

〈塩基性化合物(以下「塩基性化合物(C)」という場合がある)〉
塩基性化合物(C)はクエンチャーとして作用する化合物である。
塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物(C)として、好ましくは、式(C1)で表される化合物〜式(C8)で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式(C1−1)で表される化合物が挙げられる。
<Basic compound (hereinafter sometimes referred to as “basic compound (C)”)>
The basic compound (C) is a compound that acts as a quencher.
The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by the formula (C1) to a compound represented by the formula (C8), more preferably a compound represented by the formula (C1-1). It is done.

Figure 0006060024
[式(C1)中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
Figure 0006060024
[In formula (C1), R c1 , R c2 and R c3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. 10 represents an aromatic hydrocarbon group, and the hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. It may be substituted with a group hydrocarbon group. ]

Figure 0006060024
[式(C1−1)中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は同一又は相異なる。]
Figure 0006060024
[In Formula (C1-1), R c2 and R c3 represent the same meaning as described above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, the plurality of R c4 are the same or different. ]

Figure 0006060024
[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は同一又は相異なる。]
Figure 0006060024
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4), R c5 , R c6 , R c7 and R c8 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, the plurality of R c9 are the same or different. ]

Figure 0006060024
[式(C5)及び式(C6)中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
o3及びp3は、それぞれ独立に、0〜3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は同一又は相異なり、p3が2以上であるとき、複数のRc15は、同一又は相異なる。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 0006060024
[In Formula (C5) and Formula (C6), R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c14 , R c15 and R c17 each independently represent the same meaning as R c4 .
o3 and p3 each independently represent an integer of 0 to 3. When o3 is 2 or more, the plurality of R c14 are the same or different, and when p3 is 2 or more, the plurality of R c15 are the same. Or different.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

Figure 0006060024
[式(C7)及び式(C8)中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
q3、r3及びs3は、それぞれ独立に、0〜3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は同一又は相異なり、r3が2以上であるとき、複数のRc19は同一又は相異なり、及びs3が2以上であるとき、複数のRc20は同一又は相異なる。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 0006060024
Wherein (C7) and formula (C8), R c18, R c19 and R c20 in each occurrence independently represent the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3 each independently represents an integer of 0 to 3, and when q3 is 2 or more, the plurality of R c18 are the same or different, and when r3 is 2 or more, the plurality of R c19 are When the same or different and s3 is 2 or more, the plurality of R c20 are the same or different.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式(C1)〜式(C8)においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アルカンジイル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。
In the formulas (C1) to (C8), examples of the alkyl group, the alicyclic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group, the alkoxy group, and the alkanediyl group are the same as those described above.
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2- Examples include diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and preferably diisopropyl. Piruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール、4−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン、4−メチルピリジン等が挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

塩基性化合物(C)の含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましく0.01〜3質量%程度であり、特に好ましく0.01〜1質量%程度である。   The content of the basic compound (C) is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably based on the solid content of the resist composition. It is about 0.01-1 mass%.

〈その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。その他の成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. The other component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, such as sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes, and the like can be used.

<レジスト組成物の調製>
本発明のレジスト組成物は、樹脂(A1)及び樹脂(A2)を含む樹脂(A)、酸発生剤、並びに必要に応じて用いられる溶剤(E)、塩基性化合物(C)及びその他の成分(F)を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤(E)に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
<Preparation of resist composition>
The resist composition of the present invention comprises a resin (A) containing a resin (A1) and a resin (A2), an acid generator, and a solvent (E), basic compound (C) and other components used as necessary. It can be prepared by mixing (F). The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select an appropriate temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the kind etc. of resin, the solubility with respect to solvent (E), such as resin. An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) A step of applying the resist composition of the present invention on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A step of heating the composition layer after exposure and (5) a step of developing the composition layer after heating.

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。   Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater.

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること(いわゆるプリベーク)により行うか、あるいは減圧装置を用いて行い、溶剤が除去された組成物層を形成する。この場合の温度は、例えば、50〜200℃程度が好ましい。また、圧力は、1〜1.0×10Pa程度が好ましい。 By drying the composition after coating, the solvent is removed and a composition layer is formed. Drying is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking) or using a decompression device to form a composition layer from which the solvent has been removed. The temperature in this case is preferably about 50 to 200 ° C., for example. The pressure is preferably about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光(EUV)を照射するもの等、種々のものを用いることができる。 The obtained composition layer is usually exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region, such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser) Etc.) Using various lasers such as those that convert wavelength of laser light from the laser and emit harmonic laser light in the far-ultraviolet region or vacuum ultraviolet region, those that irradiate electron beams or extreme ultraviolet light (EUV), etc. Can do.

露光後の組成物層を、脱保護基反応を促進するために加熱処理(いわゆるポストエキスポジャーベーク)する。加熱温度としては、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、5〜60℃が好ましく、現像時間は、例えば、5〜300秒間が好ましい。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、酢酸ブチル又は2−ヘプタノンを含む現像液を利用して現像する。
The composition layer after exposure is subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking) in order to promote the deprotection group reaction. As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.
The heated composition layer is usually developed using a developer using a developing device. Examples of the developing method include a dipping method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method. The development temperature is preferably 5 to 60 ° C., for example, and the development time is preferably 5 to 300 seconds, for example.
The composition layer after heating is usually developed using a developer containing butyl acetate or 2-heptanone using a developing device.

本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
When producing a positive resist pattern from the resist composition of the present invention, an alkaline developer is used as the developer. The alkaline developer may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline). The alkali developer may contain a surfactant.
It is preferable to wash the resist pattern with ultrapure water after development, and then remove the water remaining on the substrate and the pattern.

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液(以下「有機系現像液」という場合がある)を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、2−ヘキサノン、2−ヘプタノンなどのケトン溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル溶剤;酢酸ブチル等のエステル溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル溶剤;N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤;アニソールなどの芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、90質量%以上100質量%以下が好ましく、95質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び2−ヘプタノンの合計含有率は、50質量%以上100質量%以下が好ましく、90質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
In the case of producing a negative resist pattern from the resist composition of the present invention, a developer containing an organic solvent as a developer (hereinafter sometimes referred to as “organic developer”) is used.
Organic solvents contained in the organic developer include ketone solvents such as 2-hexanone and 2-heptanone; glycol ether ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ester solvents such as butyl acetate; glycols such as propylene glycol monomethyl ether Examples include ether solvents; amide solvents such as N, N-dimethylacetamide; aromatic hydrocarbon solvents such as anisole.
In the organic developer, the content of the organic solvent is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and still more preferably only the organic solvent.
Among them, the organic developer is preferably a developer containing butyl acetate and / or 2-heptanone. In the organic developer, the total content of butyl acetate and 2-heptanone is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 90% by mass to 100% by mass, and substantially butyl acetate and / or 2 -More preferred is heptanone alone.
The organic developer may contain a surfactant. The organic developer may contain a trace amount of water.
At the time of development, the development may be stopped by substituting a solvent of a different type from the organic developer.

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。
It is preferable to wash the developed resist pattern with a rinse solution. The rinsing liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the resist pattern, and a solution containing a general organic solvent can be used, and an alcohol solvent or an ester solvent is preferable.
After the cleaning, it is preferable to remove the rinse solution remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)露光用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、特に液浸露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。
<Application>
The resist composition of the present invention is a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) exposure, or a resist composition for EUV exposure, particularly a liquid. It is suitable as a resist composition for immersion exposure and useful for fine processing of semiconductors.

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「%」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
化合物の構造は、MASS(LC:Agilent製1100型、MASS:Agilent製LC/MSD型又はLC/MSD TOF型)で確認した。
樹脂(A)の組成比(樹脂(A)製造に用いた各モノマーに由来する構造単位の、樹脂(A)に対する共重合比)は、重合終了後の反応液における未反応モノマー量を、液体クロマトグラフィーを用いて測定し、得られた結果から重合に用いられたモノマー量を求めることにより算出した。また重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。なお、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの分析条件は下記のとおりである。
装置:HLC−8120GPC型(東ソー社製)
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
The present invention will be described more specifically with reference to examples. In the examples, “%” and “parts” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified.
The structure of the compound was confirmed by MASS (LC: Agilent 1100 type, MASS: Agilent LC / MSD type or LC / MSD TOF type).
The composition ratio of the resin (A) (copolymerization ratio of the structural unit derived from each monomer used for the production of the resin (A) to the resin (A)) is the amount of unreacted monomer in the reaction liquid after the polymerization is finished. It measured using the chromatography, and computed by calculating | requiring the monomer amount used for superposition | polymerization from the obtained result. The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography. The analysis conditions for gel permeation chromatography are as follows.
Apparatus: HLC-8120GPC type (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

合成例1:式(H)で表される化合物の合成

Figure 0006060024
式(H−1)で表される化合物25部、テトラヒドロフラン175部及びピリジン11.86部を仕込み、23℃で30分間攪拌した後、5℃に冷却し、式(H−2)で表される化合物14.82部を30分かけて添加した。5℃で1時間攪拌した後、酢酸エチル340部、5%塩酸66部及びイオン交換水85部を添加し、攪拌後、分液を行った。回収された有機層に、10%炭酸カリウム水溶液55部を添加し、攪拌後、分液を行った。回収された有機層に、イオン交換水85部を添加し、攪拌後、分液を行った。この水洗の操作を5回行った。回収された有機層を濃縮することにより、式(H−3)で表される化合物28.62部を得た。
Figure 0006060024
式(H−4)で表される化合物10.69部、ジメチルホルムアミド53.47部、炭酸カリウム8.58部及びヨウ化カリウム1.03部を仕込み、40℃で1時間攪拌した後、式(H−3)で表される化合物28.62部及びジメチルホルムアミド57.24部の混合溶液を30分かけて添加した。40℃で6時間攪拌した後、23℃まで冷却した。得られた反応マスに、クロロホルム670部及び5%シュウ酸水溶液166部を添加し、攪拌後、分液を行った。回収された有機層に、イオン交換水265部を添加し、攪拌後、分液を行った。この水洗の操作を6回行った。回収された有機層を濃縮した後、得られた濃縮マスに、アセトニトリル7.58部及び酢酸エチル26.53部を添加、3時間攪拌した後、ろ過することにより、式(H)で表される化合物32.13部を得た。 Synthesis Example 1: Synthesis of compound represented by formula (H)
Figure 0006060024
25 parts of the compound represented by the formula (H-1), 175 parts of tetrahydrofuran and 11.86 parts of pyridine were charged, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, cooled to 5 ° C., and represented by the formula (H-2). 14.82 parts of the above compound was added over 30 minutes. After stirring at 5 ° C. for 1 hour, 340 parts of ethyl acetate, 66 parts of 5% hydrochloric acid and 85 parts of ion-exchanged water were added, followed by liquid separation after stirring. To the collected organic layer, 55 parts of a 10% potassium carbonate aqueous solution was added, and after separation, liquid separation was performed. To the recovered organic layer, 85 parts of ion-exchanged water was added, followed by liquid separation after stirring. This washing operation was performed 5 times. By concentrating the collected organic layer, 28.62 parts of a compound represented by the formula (H-3) was obtained.
Figure 0006060024
10.69 parts of the compound represented by the formula (H-4), 53.47 parts of dimethylformamide, 8.58 parts of potassium carbonate and 1.03 parts of potassium iodide were charged and stirred at 40 ° C. for 1 hour. A mixed solution of 28.62 parts of the compound represented by (H-3) and 57.24 parts of dimethylformamide was added over 30 minutes. After stirring at 40 ° C. for 6 hours, the mixture was cooled to 23 ° C. To the obtained reaction mass, 670 parts of chloroform and 166 parts of a 5% aqueous oxalic acid solution were added, followed by liquid separation after stirring. To the collected organic layer, 265 parts of ion-exchanged water was added, followed by liquid separation after stirring. This washing operation was performed 6 times. After the collected organic layer was concentrated, 7.58 parts of acetonitrile and 26.53 parts of ethyl acetate were added to the resulting concentrated mass, and the mixture was stirred for 3 hours, and then filtered, and expressed by the formula (H). 32.13 parts of compound were obtained.

合成例2:式(II−1)で表される塩の合成

Figure 0006060024
Synthesis Example 2: Synthesis of salt represented by formula (II-1)
Figure 0006060024

式(II−1−a)で表される塩を、特開2007−224008号公報に記載された方法で合成した。
式(II−1−a)で表される塩10.00部及び1,2−ジクロロエタン40部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(II−1−b)で表される化合物5.53部及びp−トルエンスルホン酸0.30部を添加し、100℃で、3時間還流攪拌した。得られた反応物を23℃まで冷却し、クロロホルム120.00部及び8.7%炭酸水素ナトリウム水溶液35.39部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水120部を仕込み23℃で30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を7回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル20部を添加して溶解し、濃縮した。これに、アセトニトリル8.14部及びtert−ブチルメチルエーテル48.84部を加えて攪拌し、23℃で1時間攪拌し、ろ過して、式(II−1)で表される塩8.25部を得た。
A salt represented by the formula (II-1-a) was synthesized by the method described in JP-A-2007-224008.
10.00 parts of the salt represented by the formula (II-1-a) and 40 parts of 1,2-dichloroethane were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 5.53 parts of the compound represented by the formula (II-1-b) and 0.30 parts of p-toluenesulfonic acid were added, and the mixture was refluxed and stirred at 100 ° C. for 3 hours. The obtained reaction product was cooled to 23 ° C., 120.00 parts of chloroform and 35.39 parts of an 8.7% aqueous sodium hydrogen carbonate solution were added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated. To the recovered organic layer, 120 parts of ion-exchanged water was charged, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to recover the organic layer. This washing operation was performed 7 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated, and 20 parts of acetonitrile was added to the resulting concentrate to dissolve and concentrate. To this, 8.14 parts of acetonitrile and 48.84 parts of tert-butyl methyl ether were added and stirred, stirred at 23 ° C. for 1 hour, filtered, and 8.25 of the salt represented by the formula (II-1). Got a part.

MS(ESI(+)Spectrum):M 263.1
MS(ESI(−)Spectrum):M 467.1
MS (ESI (+) Spectrum): M + 263.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 467.1

合成例3:式(II−2)で表される塩の合成

Figure 0006060024
式(II−2−b)で表される塩を、特開2008−94835号公報に記載された方法で合成した。
式(II−2−a)で表される塩17.50部、式(II−2−b)で表される塩25.00部(純度:90.8%)、クロロホルム125.00部及びイオン交換水41.67部を仕込み、23℃で12時間攪拌し、分液を行った。回収された有機層に、イオン交換水31.25部を仕込み、攪拌、分液を行った。この水洗を9回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した後、得られた濃縮物に、アセトニトリル50部を添加して溶解し、濃縮し、得られた残渣にtert−ブチルメチルエーテル173.13部を加えて攪拌し、ろ過することにより、式(II−2−c)で表される塩28.42部を得た。 Synthesis Example 3: Synthesis of salt represented by formula (II-2)
Figure 0006060024
A salt represented by the formula (II-2-b) was synthesized by the method described in JP 2008-94835 A.
17.50 parts of the salt represented by the formula (II-2-a), 25.00 parts of the salt represented by the formula (II-2-b) (purity: 90.8%), 125.00 parts of chloroform, 41.67 parts of ion-exchanged water was added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 12 hours for liquid separation. The recovered organic layer was charged with 31.25 parts of ion exchanged water, and stirred and separated. This washing with water was performed nine times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. Concentrate the filtrate, add 50 parts of acetonitrile to the resulting concentrate, dissolve, concentrate, add 173.13 parts of tert-butyl methyl ether to the resulting residue, stir and filter. Gave 28.42 parts of the salt represented by the formula (II-2-c).

Figure 0006060024
式(II−2−c)で表される塩10.72部及び1,2−ジクロロエタン42.88部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(II−1−b)で表される化合物5.53部及びp−トルエンスルホン酸0.30部を添加し、100℃で、3時間還流攪拌した。得られた反応物を23℃まで冷却し、クロロホルム120.00部及び8.7%炭酸水素ナトリウム水溶液35.39部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水120部を仕込み23℃で30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を7回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル20部を添加して溶解し、濃縮した。これに、アセトニトリル9.12部及びtert−ブチルメチルエーテル54.72部を加えて攪拌し、23℃で1時間攪拌し、ろ過して、式(II−2)で表される塩8.49部を得た。
Figure 0006060024
10.72 parts of a salt represented by the formula (II-2-c) and 42.88 parts of 1,2-dichloroethane were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 5.53 parts of the compound represented by the formula (II-1-b) and 0.30 parts of p-toluenesulfonic acid were added, and the mixture was refluxed and stirred at 100 ° C. for 3 hours. The obtained reaction product was cooled to 23 ° C., 120.00 parts of chloroform and 35.39 parts of an 8.7% aqueous sodium hydrogen carbonate solution were added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated. To the recovered organic layer, 120 parts of ion-exchanged water was charged, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to recover the organic layer. This washing operation was performed 7 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated, and 20 parts of acetonitrile was added to the resulting concentrate to dissolve and concentrate. To this, 9.12 parts of acetonitrile and 54.72 parts of tert-butyl methyl ether were added and stirred, stirred at 23 ° C. for 1 hour, filtered, and 8.49 of the salt represented by the formula (II-2). Got a part.

MS(ESI(+)Spectrum):M 305.1
MS(ESI(−)Spectrum):M 467.1
MS (ESI (+) Spectrum): M + 305.1
MS (ESI (-) Spectrum): M - 467.1

合成例4:式(II−3)で表される塩の合成

Figure 0006060024
Synthesis Example 4: Synthesis of salt represented by formula (II-3)
Figure 0006060024

特開2008−209917号公報に記載された方法によって得られた式(II−3−b)で表される化合物10.00部、式(II−3−a)で表される塩11.26部、クロロホルム50部及びイオン交換水25部を仕込み、23℃で15時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水15部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、ろ過することにより、式(II−3−c)で表される塩11.75部を得た。   10.00 parts of the compound represented by the formula (II-3-b) obtained by the method described in JP2008-209917A, and the salt 11.26 represented by the formula (II-3-a) Part, chloroform 50 parts and ion-exchanged water 25 parts, and stirred at 23 ° C. for 15 hours. Since the obtained reaction liquid was separated into two layers, the chloroform layer was separated and taken out, and further 15 parts of ion-exchanged water was added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. The chloroform layer was concentrated, 50 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting residue, the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then filtered to obtain the salt 11 represented by the formula (II-3-c). .75 parts were obtained.

Figure 0006060024
式(II−3−c)で表される塩11.71部、式(II−3−d)で表される化合物1.70部及びモノクロロベンゼン46.84部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅(II)0.12部を添加した後、更に、100℃で30分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム50部及びイオン交換水12.50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水12.50部を加えて23℃で30分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を8回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、tert−ブチルメチルエーテル50部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式(II−3−e)で表される塩6.84部を得た。
Figure 0006060024
11.71 parts of a salt represented by the formula (II-3-c), 1.70 parts of a compound represented by the formula (II-3-d) and 46.84 parts of monochlorobenzene were charged and the mixture was charged at 23 ° C. for 30 minutes. Stir. After adding 0.12 part of copper (II) dibenzoate to the obtained liquid mixture, it stirred at 100 degreeC for 30 minutes further. After concentrating the obtained reaction solution, 50 parts of chloroform and 12.50 parts of ion-exchanged water were added to the obtained residue and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by liquid separation to take out an organic layer. 12.50 parts of ion-exchanged water was added to the collected organic layer and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, followed by liquid separation to take out the organic layer. This washing operation was repeated 8 times. After concentration of the obtained organic layer, 50 parts of tert-butyl methyl ether was added to the resulting residue, stirred, and then filtered to obtain the salt represented by the formula (II-3-e) 6. 84 parts were obtained.

Figure 0006060024
式(II−3−e)で表される塩4.98部及びクロロホルム25.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌した。その後、式(II−1−b)で表される化合物2.17部及び硫酸0.09部を添加し、60℃で、15時間還流攪拌した。得られた反応物を23℃まで冷却し、イオン交換水120部を加え、23℃で30分間攪拌した。その後、静置し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水12.50部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を7回行った。得られた有機層に活性炭1.00部を仕込み、23℃で30分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル10部を添加して溶解し、濃縮した。これに、tert−ブチルメチルエーテル41.35部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式(II−3)で表される塩4.84部を得た。
Figure 0006060024
4.98 parts of the salt represented by the formula (II-3-e) and 25.00 parts of chloroform were charged and stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Thereafter, 2.17 parts of a compound represented by the formula (II-1-b) and 0.09 part of sulfuric acid were added, followed by stirring at 60 ° C. for 15 hours. The obtained reaction product was cooled to 23 ° C., 120 parts of ion exchange water was added, and the mixture was stirred at 23 ° C. for 30 minutes. Then, it left still and liquid-separated. The recovered organic layer was charged with 12.50 parts of ion-exchanged water, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and separated to recover the organic layer. This washing operation was performed 7 times. The obtained organic layer was charged with 1.00 parts of activated carbon, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered. The filtrate was concentrated, and 10 parts of acetonitrile was added to the resulting concentrate to dissolve and concentrate. To this, 41.35 parts of tert-butyl methyl ether was added and stirred, and then the supernatant was removed. The obtained residue was dissolved in acetonitrile and concentrated to obtain 4.84 parts of the salt represented by the formula (II-3).

MASS(ESI(+)Spectrum):M 237.1
MASS(ESI(−)Spectrum):M 467.1
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 237.1
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 467.1

合成例5:式(B1−5)で表される塩の合成

Figure 0006060024
式(B1−5−a)で表される塩50.49部及びクロロホルム252.44部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した後、式(B1−5−b)で表される化合物16.27部を滴下し、23℃で1時間攪拌することにより、式(B1−5−c)で表される塩を含む溶液を得た。得られた式(B1−5−c)で表される塩を含む溶液に、式(B1−5−d)で表される塩48.80部及びイオン交換水84.15部を添加し、23℃で12時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水84.15部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。得られたクロロホルム層に、活性炭3.88部を添加攪拌し、ろ過した。回収されたろ液を濃縮し、得られた残渣に、アセトニトリル125.87部を添加攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、アセトニトリル20.62部及びtert−ブチルメチルエーテル309.30部を加えて23℃で30分間攪拌し、上澄み液を除去し、濃縮した。得られた残渣に、n−ヘプタン200部を添加、23℃で30分間攪拌し、ろ過することにより、式(B1−5)で表される塩61.54部を得た。
MASS(ESI(+)Spectrum):M 375.2
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1 Synthesis Example 5: Synthesis of salt represented by formula (B1-5)
Figure 0006060024
50.49 parts of the salt represented by the formula (B1-5-a) and 252.44 parts of chloroform are charged into a reactor, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then represented by the formula (B1-5-b). 16.27 parts of the compound was added dropwise and stirred at 23 ° C. for 1 hour to obtain a solution containing a salt represented by the formula (B1-5-c). To the obtained solution containing the salt represented by the formula (B1-5-c), 48.80 parts of the salt represented by the formula (B1-5-d) and 84.15 parts of ion-exchanged water are added, The mixture was stirred at 23 ° C. for 12 hours. Since the resulting reaction solution was separated into two layers, the chloroform layer was separated and removed, and 84.15 parts of ion-exchanged water was further added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. To the obtained chloroform layer, 3.88 parts of activated carbon was added and stirred, followed by filtration. The collected filtrate was concentrated, and 125.87 parts of acetonitrile was added to the resulting residue, and the mixture was stirred and concentrated. To the obtained residue, 20.62 parts of acetonitrile and 309.30 parts of tert-butyl methyl ether were added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and the supernatant was removed and concentrated. To the obtained residue, 200 parts of n-heptane was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered to obtain 61.54 parts of the salt represented by the formula (B1-5).
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 375.2
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

樹脂の合成
樹脂の合成において使用した化合物(モノマー)を下記に示す。

Figure 0006060024
Resin Synthesis The compounds (monomers) used in the resin synthesis are shown below.
Figure 0006060024

〔樹脂A1−1の合成〕
モノマーとして、モノマー(H)及びモノマー(I)を用い、そのモル比(モノマー(H):モノマー(I))が90:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを72℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量1.4×10の樹脂A1−1(共重合体)を収率75%で得た。この樹脂A1−1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin A1-1]
Monomer (H) and monomer (I) are used as monomers and mixed so that the molar ratio (monomer (H): monomer (I)) is 90:10. Dioxane was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 72 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of n-heptane to precipitate a resin, and this resin was filtered to obtain a resin A1-1 (copolymer) having a weight average molecular weight of 1.4 × 10 4 in a yield of 75%. Got in. This resin A1-1 has the following structural units.
Figure 0006060024

〔樹脂A1−2の合成〕
モノマーとして、モノマー(H)を用い、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.7mol%及び2.1mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のn−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量1.8×10の樹脂A1−2を収率75%で得た。この樹脂A1−2は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin A1-2]
Monomer (H) was used as a monomer, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 0.7 mol% and 2.1 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), respectively, as initiators were added with respect to the total monomer amount, and these were added at 75 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of n-heptane to precipitate a resin, and this resin was filtered to obtain a resin A1-2 having a weight average molecular weight of 1.8 × 10 4 in a yield of 75%. This resin A1-2 has the following structural units.
Figure 0006060024

〔樹脂A2−1の合成〕
モノマー(D)、モノマー(E)、モノマー(B)、モノマー(F)及びモノマー(C)を、そのモル比〔モノマー(D):モノマー(E):モノマー(B):モノマー(F):モノマー(C)〕が、30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.0×10の共重合体を収率60%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2−1とする。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin A2-1]
Monomer (D), monomer (E), monomer (B), monomer (F), and monomer (C) are in a molar ratio [monomer (D): monomer (E): monomer (B): monomer (F): Monomer (C)] was mixed at 30: 14: 6: 20: 30, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.0. × give 10 3 of copolymer in 60% yield. This copolymer has the following structural units and is designated as resin A2-1.
Figure 0006060024

〔樹脂A2−2の合成〕
モノマー(A)、モノマー(E)、モノマー(B)、モノマー(F)及びモノマー(C)を、そのモル比が、30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.2×10の共重合体を収率78%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2−2とする。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin A2-2]
Monomer (A), monomer (E), monomer (B), monomer (F) and monomer (C) are mixed so that the molar ratio is 30: 14: 6: 20: 30, and the total amount of monomers Of 1.5 mass times of dioxane was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.2. × give 10 3 of copolymer in 78% yield. This copolymer has the following structural units and is referred to as Resin A2-2.
Figure 0006060024

〔樹脂A2−3の合成〕
モノマー(A)、モノマー(B)及びモノマー(C)を、そのモル比〔モノマー(A):モノマー(B):モノマー(C)〕が、50:25:25となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、1.5質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、1mol%と3mol%との割合で添加し、これを80℃で約8時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒(質量比メタノール:水=4:1)に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収し、再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を3回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約9.2×10である共重合体を収率60%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2−3とする。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin A2-3]
Monomer (A), monomer (B) and monomer (C) are mixed so that the molar ratio [monomer (A): monomer (B): monomer (C)] is 50:25:25, , 1.5 mass times dioxane was mixed with respect to the total mass of all monomers. To the obtained mixture, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) were added as initiators in proportions of 1 mol% and 3 mol%, respectively, with respect to the total number of moles of all monomers. Then, this was heated at 80 ° C. for about 8 hours to carry out polymerization. Thereafter, the polymerization reaction solution was poured into a large amount of a mixed solvent of methanol and water (mass ratio methanol: water = 4: 1) to precipitate the resin. This resin is filtered and collected, dissolved again in dioxane, poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and the precipitated resin is filtered and collected three times for reprecipitation. Purification gave a copolymer having a weight average molecular weight of about 9.2 × 10 3 in a yield of 60%. This copolymer has the following structural units and is designated as resin A2-3.
Figure 0006060024

〔樹脂A2−4の合成〕
モノマー(D)、モノマー(L)、モノマー(B)、モノマー(C)及びモノマー(F)を、そのモル比が、30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.2×10の共重合体を収率68%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2−4とする。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin A2-4]
Monomer (D), monomer (L), monomer (B), monomer (C) and monomer (F) are mixed so that the molar ratio is 30: 14: 6: 20: 30, and the total amount of monomers Of 1.5 mass times of dioxane was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin obtained was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 8.2. × give 10 3 of the copolymer at 68% yield. This copolymer has the following structural units and is designated as resin A2-4.
Figure 0006060024

〔樹脂A2−5の合成〕
モノマー(D)、モノマー(L)、モノマー(K)、モノマー(C)及びモノマー(F)を、そのモル比が、35:15:3:27:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.9×10の共重合体を収率73%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2−5とする。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin A2-5]
Monomer (D), monomer (L), monomer (K), monomer (C) and monomer (F) are mixed so that the molar ratio is 35: 15: 3: 27: 20, and the total amount of monomers Of 1.5 mass times of dioxane was added to make a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.9. × give 10 3 of copolymer in 73% yield. This copolymer has the following structural units and is designated as resin A2-5.
Figure 0006060024

〔樹脂A2−6の合成〕
モノマー(D)、モノマー(M)、モノマー(B)、モノマー(F)及びモノマー(C)を、そのモル比〔モノマー(D):モノマー(M):モノマー(B):モノマー(F):モノマー(C)〕が、30:14:6:20:30となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.4×10の共重合体を収率62%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2−6とする。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin A2-6]
Monomer (D), monomer (M), monomer (B), monomer (F) and monomer (C) are mixed in a molar ratio [monomer (D): monomer (M): monomer (B): monomer (F): Monomer (C)] was mixed at 30: 14: 6: 20: 30, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.4. × give 10 3 of copolymer in 62% yield. This copolymer has the following structural units and is designated as resin A2-6.
Figure 0006060024

〔樹脂A2−7の合成〕
モノマー(D)、モノマー(L)、モノマー(K)、モノマー(F)及びモノマー(C)を、そのモル比〔モノマー(D):モノマー(L):モノマー(K):モノマー(F):モノマー(C)〕が、45:14:2.5:22:16.5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.95mol%及び2.85mol%添加し、これらを73℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/イオン交換水=4/1の混合用液に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量7.8×10の共重合体を収率73%で得た。この共重合体は、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂A2−7とする。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin A2-7]
Monomer (D), monomer (L), monomer (K), monomer (F), and monomer (C) are in a molar ratio [monomer (D): monomer (L): monomer (K): monomer (F): Monomer (C)] was mixed so as to be 45: 14: 2.5: 22: 16.5, and propylene glycol monomethyl ether acetate of 1.5 mass times the total monomer amount was added to obtain a solution. To this solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 0.95 mol% and 2.85 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 73 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / ion-exchanged water = 4/1 mixing solution to precipitate a resin, which was filtered to obtain a copolymer having a weight average molecular weight of 7.8 × 10 3. The yield was 73%. This copolymer has the following structural units and is designated as resin A2-7.
Figure 0006060024

〔樹脂X1の合成〕
モノマーとして、モノマー(G)、モノマー(C)及びモノマー(B)を用い、そのモル比(モノマー(G):モノマー(C):モノマー(B))が35:45:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1.0mol%及び3.0mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.0×10の樹脂X1(共重合体)を収率75%で得た。この樹脂X1は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位(G):構造単位(C):構造単位(B)=34.7:45.4:19.9。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin X1]
Monomer (G), monomer (C), and monomer (B) are used as the monomers and mixed so that the molar ratio (monomer (G): monomer (C): monomer (B)) is 35:45:20. Then, 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to make a solution. To this solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 1.0 mol% and 3.0 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 75 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 7.0. A × 10 3 resin X1 (copolymer) was obtained in a yield of 75%. This resin X1 has the following structural units. The molar ratio of each structural unit is structural unit (G): structural unit (C): structural unit (B) = 34.7: 45.4: 19.9.
Figure 0006060024

〔樹脂X2の合成〕
モノマーとして、モノマー(J)及びモノマー(G)を用い、そのモル比(モノマー(J):モノマー(G))が80:20となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.5mol%及び1.5mol%添加し、これらを70℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量2.8×10の樹脂X2(共重合体)を収率70%で得た。この樹脂X2は、以下の構造単位を有するものである。各構造単位のモル比は、構造単位(J):構造単位(G)=80.2:19.8であった。

Figure 0006060024
[Synthesis of Resin X2]
As the monomer, the monomer (J) and the monomer (G) are used and mixed so that the molar ratio (monomer (J): monomer (G)) is 80:20. Dioxane was added to make a solution. To this solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 0.5 mol% and 1.5 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 70 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 2.8. A × 10 4 resin X2 (copolymer) was obtained in a yield of 70%. This resin X2 has the following structural units. The molar ratio of each structural unit was structural unit (J): structural unit (G) = 80.2: 19.8.
Figure 0006060024

<レジスト組成物の調製>
表1に示す各成分を混合して溶解することにより得られた混合物を孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
A mixture obtained by mixing and dissolving the components shown in Table 1 was filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

Figure 0006060024
Figure 0006060024

<樹脂>
樹脂の合成で合成したA1−1、A1−2、A2−1〜A2−5、X1、X2
<酸発生剤>
II−1:

Figure 0006060024
II−2:
Figure 0006060024
II−3:
Figure 0006060024
B1−3:特開2010−152341号公報の実施例に従って合成
Figure 0006060024
B1−5:
Figure 0006060024
B2:WO2008/99869号の実施例及び特開2010−26478の実施例に従って合成
Figure 0006060024
B3:特開2005−221721の実施例に従って合成
Figure 0006060024
<Resin>
A1-1, A1-2, A2-1 to A2-5, X1, X2 synthesized by resin synthesis
<Acid generator>
II-1:
Figure 0006060024
II-2:
Figure 0006060024
II-3:
Figure 0006060024
B1-3: synthesized according to the example of JP 2010-152341 A
Figure 0006060024
B1-5:
Figure 0006060024
B2: synthesized according to examples of WO2008 / 99869 and JP2010-26478
Figure 0006060024
B3: synthesized according to the example of JP-A-2005-221721
Figure 0006060024

<塩基性化合物:クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン(東京化成工業(株)製)
<Basic compound: Quencher>
C1: 2,6-diisopropylaniline (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265.0部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20.0部
2−ヘプタノン 20.0部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265.0 parts Propylene glycol monomethyl ether 20.0 parts 2-heptanone 20.0 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

<レジストパターンの製造>
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。レジスト組成物を塗布したシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークし、レジスト組成物層を形成した。レジスト組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー(XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光)で、コンタクトホールパターン(ホールピッチ100nm/ホール径70nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、前記シリコンウェハを、ホットプレート上にて、表1の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク処理した。次いでこのシリコンウェハを、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行った。
<Manufacture of resist pattern>
An organic antireflective coating composition (ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is applied to a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an organic antireflective coating having a thickness of 78 nm. Formed. Next, the above resist composition was spin-coated on this organic antireflection film so that the film thickness after drying was 85 nm. The silicon wafer coated with the resist composition was pre-baked on a direct hot plate at the temperature described in the “PB” column of Table 1 for 60 seconds to form a resist composition layer. A contact hole pattern (hole pitch) is formed on a silicon wafer on which a resist composition layer has been formed using an ArF excimer stepper for immersion exposure (XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light). Using a mask for forming (100 nm / hole diameter 70 nm), the exposure amount was changed stepwise to perform exposure. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, the silicon wafer was post-exposure baked on a hot plate at a temperature described in the “PEB” column of Table 1 for 60 seconds. Next, this silicon wafer was subjected to paddle development for 60 seconds with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution.

各レジスト組成物層から、ホール径70nmのマスクで形成したパターンのホール径が55nmとなる露光量を実効感度とした。   From each resist composition layer, an exposure amount at which the hole diameter of a pattern formed with a mask having a hole diameter of 70 nm was 55 nm was defined as effective sensitivity.

<フォーカスマージン評価(DOF)>
実効感度において、フォーカスを振った場合、線幅が55nm±5%の幅にある範囲(52.5〜57.7nm)を線幅指標とし、DOFを以下の4水準で評価した。すなわち、DOFが
0.20μm以上であるものを「◎」、
0.12μm以上0.20μm未満であるものを「○」、
0.12μm未満であるものを「×」とした。
その結果を表2に示す。表2においては、括弧内の数字は、DOF値(μm)を示す。
<Focus margin evaluation (DOF)>
In the effective sensitivity, when the focus was changed, the range (52.5 to 57.7 nm) in which the line width was 55 nm ± 5% was used as the line width index, and the DOF was evaluated according to the following four levels. In other words, those having a DOF of 0.20 μm or more are indicated with “◎”,
“○” indicates that the thickness is 0.12 μm or more and less than 0.20 μm,
What was less than 0.12 micrometer was made into "x".
The results are shown in Table 2. In Table 2, the numbers in parentheses indicate DOF values (μm).

<欠陥評価>
12インチのシリコン製ウェハ(基板)に、レジスト組成物を、乾燥後の膜厚が0.15μmとなるように塗布(スピンコート)した。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表1のPB欄に示す温度で60秒間プリベーク(PB)し、ウェハ上に組成物層を形成した。
このようにして組成物層を形成したウェハに、現像機[ACT−12;東京エレクトロン(株)製]を用いて、60秒間、水リンスを行った。
その後、欠陥検査装置[KLA−2360;KLAテンコール製]を用いて、ウェハ上の欠陥数を測定した。結果を表2に示す。
<Defect evaluation>
The resist composition was applied (spin coated) to a 12-inch silicon wafer (substrate) so that the film thickness after drying was 0.15 μm. After coating, the composition layer was formed on the wafer by pre-baking (PB) for 60 seconds on the direct hot plate at the temperature shown in the PB column of Table 1.
The wafer on which the composition layer was formed in this manner was subjected to water rinsing for 60 seconds using a developing machine [ACT-12; manufactured by Tokyo Electron Ltd.].
Thereafter, the number of defects on the wafer was measured using a defect inspection apparatus [KLA-2360; manufactured by KLA Tencor]. The results are shown in Table 2.

Figure 0006060024
Figure 0006060024

<レジスト組成物の調製>
以下に示す成分の各々を表3に示す質量部で、下記の溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
Each of the components shown below was dissolved in the following solvent in parts by mass shown in Table 3, and further filtered through a fluororesin filter having a pore diameter of 0.2 μm to prepare a resist composition.

Figure 0006060024
Figure 0006060024

<ネガ型レジストパターンの製造>
<レジスト組成物の液浸露光評価>
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物(ARC−29;日産化学(株)製)を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が85nmとなるように塗布(スピンコート)した。塗布後、シリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表3の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー(XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光)で、コンタクトホールパターン(ホールピッチ90nm/ホール径55nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表3の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル(東京化成工業(株)製)を用いて、23℃で20秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。
<Manufacture of negative resist pattern>
<Immersion exposure evaluation of resist composition>
An organic antireflective coating composition (ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.) is applied to a silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to form an organic reflective film having a thickness of 78 nm on the wafer. A prevention film was formed. Next, on the organic antireflection film, the above resist composition was applied (spin coated) so that the film thickness after drying was 85 nm. After coating, the silicon wafer was pre-baked on a direct hot plate for 60 seconds at the temperature described in the “PB” column of Table 3 to form a composition layer. ArF excimer stepper for immersion exposure (XT: 1900Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light) on a silicon wafer on which the composition layer is formed, and a contact hole pattern (hole pitch 90 nm) Using a mask for forming a hole diameter of 55 nm), the exposure amount was changed stepwise. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, post-exposure baking was performed for 60 seconds on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 3. Next, the composition layer on the silicon wafer is developed by using a butyl acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a developing solution by a dynamic dispensing method at 23 ° C. for 20 seconds, thereby forming a negative resist pattern. Manufactured.

現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が45nmとなる露光量を実効感度とした。   In the resist pattern obtained after development, the exposure amount at which the hole diameter formed using the mask was 45 nm was defined as the effective sensitivity.

<フォーカスマージン評価(DOF)>
実効感度において、フォーカスを振った場合、線幅が45nm±5%の幅にある範囲(42.7〜47.3nm)を線幅指標とし、DOFを以下の水準で評価した。すなわち、DOFが
0.10μm以上であるものを「○」、
0.10μm未満であるものを「×」とした。
その結果を表4に示す。表4においては、括弧内の数字は、DOF値(μm)を示す。
<欠陥評価>
液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光照明]で、1:1ラインアンドスペースパターン(ピッチ80nm)を形成するためのマスクを用いて、得られるラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが1:1になる露光量で露光する以外は、上記と同様の操作を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。
その後、欠陥検査装置[KLA−2360;KLAテンコール製]を用いて、ウェハ上のラインパターン上にある欠陥数(個)を測定した。その結果を表4に示す。
<Focus margin evaluation (DOF)>
In terms of effective sensitivity, when the focus was changed, the range (42.7 to 47.3 nm) in which the line width was 45 nm ± 5% was used as the line width index, and the DOF was evaluated at the following level. In other words, “○” indicates that the DOF is 0.10 μm or more,
What was less than 0.10 micrometer was made into "x".
The results are shown in Table 4. In Table 4, numbers in parentheses indicate DOF values (μm).
<Defect evaluation>
ArF excimer laser stepper for immersion exposure [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized illumination] for forming a 1: 1 line and space pattern (pitch 80 nm) Using the mask, a negative resist pattern was manufactured by performing the same operation as above except that exposure was performed with an exposure amount at which the line width and space width of the obtained line and space pattern were 1: 1.
Thereafter, the number of defects (pieces) on the line pattern on the wafer was measured using a defect inspection apparatus [KLA-2360; manufactured by KLA Tencor]. The results are shown in Table 4.

Figure 0006060024
Figure 0006060024

本発明のレジスト組成物によれば、レジストパターン製造時のフォーカスマージン(DOF)が良好であり、レジストパターンを形成した場合に欠陥の発生数を低減することができる。   According to the resist composition of the present invention, the focus margin (DOF) at the time of producing the resist pattern is good, and the number of defects can be reduced when the resist pattern is formed.

Claims (7)

(A1)式(I)で表される構造単位を有する樹脂、
(A2)酸不安定基を有する樹脂及び
(B)式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
Figure 0006060024
[式(I)中、
は、水素原子又はメチル基を表す。
は、−(CHm1−、−(CHm2−O−(CHm3−又は−(CHm4−CO−O−(CHm5−を表す。
m1〜m5は、それぞれ独立に、1〜6の整数を表す。
は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の炭化水素基を表す。]
Figure 0006060024
[式(II)中、
及びQは、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
は、2価の炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
環Wは、炭素数3〜36の脂環式炭化水素環を表し、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12の飽和炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。
f1及びRf2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のフッ化アルキル基を表す。
sは、1〜10の整数を表し、sが2以上の場合、複数のRf1及びRf2はそれぞれ同一又は相異なる。
は、有機カチオンを表す。]
(A1) a resin having a structural unit represented by formula (I),
(A2) A resist composition containing a resin having an acid labile group and (B) an acid generator represented by formula (II).
Figure 0006060024
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A 1 is, - (CH 2) m1 - , - (CH 2) m2 -O- (CH 2) m3 - or - (CH 2) m4 -CO- O- (CH 2) m5 - represents a.
m1 to m5 each independently represents an integer of 1 to 6.
R 2 represents a C 1-10 hydrocarbon group having a fluorine atom. ]
Figure 0006060024
[In the formula (II),
Q 1 and Q 2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L 1 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
Ring W represents an alicyclic hydrocarbon ring having 3 to 36 carbon atoms, and the methylene group contained in the alicyclic hydrocarbon ring may be replaced with an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group. The hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon ring is a hydroxy group, a saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. May be substituted.
R f1 and R f2 each independently represent a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
s represents an integer of 1 to 10, and when s is 2 or more, the plurality of R f1 and R f2 are the same or different.
Z + represents an organic cation. ]
が、炭素数1〜6のフッ化アルキル基である請求項1記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1, wherein R 2 is a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. が、メチレン基である請求項1又は2記載のレジスト組成物。 The resist composition according to claim 1, wherein A 1 is a methylene group. 環Wが、式(IIa1−1)で表される環、式(IIa1−2)で表される環又は式(IIa1−3)で表される環である請求項1〜3のいずれか記載のレジスト組成物。
Figure 0006060024
[式(IIa1−1)、式(IIa1−2)及び式(IIa1−3)中、
環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよく、環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12の飽和炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
The ring W is a ring represented by the formula (IIa1-1), a ring represented by the formula (IIa1-2), or a ring represented by the formula (IIa1-3). Resist composition.
Figure 0006060024
[In Formula (IIa1-1), Formula (IIa1-2) and Formula (IIa1-3),
The methylene group contained in the ring may be replaced by an oxygen atom, a sulfur atom, a carbonyl group or a sulfonyl group. The hydrogen atom contained in the ring is a hydroxy group, a saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or a carbon number. It may be substituted with an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. ]
が、*−CO−O−(CHt−(tは0〜6の整数を表す。*は、−C(Q)(Q)−との結合手を表す。)である請求項1〜4のいずれか記載のレジスト組成物。 L 1 is * —CO—O— (CH 2 ) t — (t represents an integer of 0 to 6. * represents a bond to —C (Q 1 ) (Q 2 ) —). The resist composition according to any one of claims 1 to 4. さらに溶剤を含有する請求項1〜5のいずれか記載のレジスト組成物。   Furthermore, the resist composition in any one of Claims 1-5 containing a solvent. (1)請求項1〜6のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition in any one of Claims 1-6 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6461919B2 (en) * 2014-04-14 2019-01-30 富士フイルム株式会社 Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and pattern forming method using the composition, and method for producing electronic device
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101744715B1 (en) * 2009-07-16 2017-06-08 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 Salt and photoresist composition containing the same
JP5677673B2 (en) * 2010-03-02 2015-02-25 住友化学株式会社 Salt for acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern
JP5750346B2 (en) * 2010-10-06 2015-07-22 住友化学株式会社 Salt, acid generator, resist composition, and method for producing resist pattern
JP5977593B2 (en) * 2011-07-19 2016-08-24 住友化学株式会社 Resist composition and method for producing resist pattern
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