JP5926340B2 - Ldモジュール - Google Patents

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Description

本発明は、LD(Laser Diode,半導体レーザ素子)と光ファイバとを備えたLDモジ
ュールに関する。
LDと光ファイバとを備え、LDから出射されたレーザ光を光ファイバに結合するLDモジュールが広く用いられている。近年、LDを複数化することによって、あるいは、各LDを高出力化することによって、LDモジュールの高出力化が進められている。
高出力化が図られたLDにおいて、その信頼性を高めるための技術としては、例えば、特許文献1〜2に記載の技術が知られている。特許文献1に記載の技術は、表面準位の発生を抑制する作用を有する処理液でLDの端面を処理することによって、COD(Catastrophic Optical Damage)の発生を抑制するものである。また、特許文献2に記載の技術
は、縦方向の光密度を分散させることによって、活性層における光閉じ込め係数(Γファクター)を低下させるものである。
特開平9−162501号(公開日:1997年6月20日) 国際公開第2010/050071号(公開日:2010年5月6日)
LDに偶発故障が発生する確率を低下させるためには、すなわち、LDの信頼性を向上させるためには、特許文献1〜2に記載の技術などを採用することの他に、LDの共振器長を長くすることが一般的である。実際、LDの共振器長を長くすることによって、放熱性が向上すると共に、活性層における単位体積あたりの光の損失が減少するので、活性層の温度が低下する。また、共振器長を長くしたLDに対しては、特許文献2に記載の技術をより有効に適用することができる。
しかしながら、LDの共振器長を長くすると、LDの電気光変換効率が低下する。このため、LDモジュールに搭載されたLDの共振器長を長くすると、LDモジュールの効率が低下するという問題を招来する。以下、LDの共振器長を長くすると、LDの電気光変換効率が低下する理由について説明する。
LDにおいてレーザ発振を実現するためには、利得係数g、導波路損失αwg、及びミラー損失αmの間に下記式(1)の関係が成り立つ必要がある。
g=αwg+αm ・・・(1)
LDチップ端面に形成されるミラーの反射率をR1,R2とし、共振器長をLとすると、ミラー損失αmは、下記式(2)で表すことができる。
αm=ln(1/(R1・R2))/2L ・・・(2)
したがって、光取り出し効率η=αm/g=αm/(αwg+αm)は、下記式(3)で表すことができる。
η=αm/(αwg+αm)
=ln(1/(R1・R2))/(2L・αwg+ln(1/(R1・R2)))
・・・(3)
上記式(3)によれば、共振器長Lを長くすると、光取り出し効率ηが低下することが分かる。これは、共振器長Lを長くすると、電気光変換効率が低下することを意味する。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、LDの電気光変換効率の低下を招来することなく、LDの信頼性を向上させたLDモジュールを実現することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係るLDモジュールは、活性層を有するマルチモードレーザダイオードであって、出射端面からレーザ光を出射するマルチモードレーザダイオードと、コアを有するマルチモードファイバであって、入射端面から上記レーザ光が入射するマルチモードファイバと、上記マルチモードレーザダイオードと上記マルチモードファイバとの間に介在する光学系と、を備え、上記マルチモードレーザダイオードのエミッタ幅は、上記マルチモードファイバの上記入射端面における上記コアの直径よりも大きく、上記光学系は、上記マルチモードファイバの上記入射端面における上記レーザ光のビーム径が、上記マルチモードファイバの上記入射端面における上記コアの直径よりも小さくなるように、上記レーザ光を収束する、ことを特徴とする。
上記の構成によれば、LDとして、マルチモードレーザダイオードを採用していることによって、LDの高出力化が容易である。また、光ファイバとして、マルチモードファイバを採用していることによって、光ファイバとして、シングルモードファイバを採用する場合と比べて、LDと光ファイバとの高結合効率化が容易である。
更に、上記の構成によれば、マルチモードレーザダイオードのエミッタ幅が、マルチモードファイバの入射端面におけるコアの直径よりも大きいので、マルチモードダイオードの出射端面における光密度を低く抑え、その結果、マルチモードレーザダイオードの信頼性を向上させることができる。また、上記の構成によれば、マルチモードレーザダイオードの信頼性を向上させるために、その共振器長を長くする必要がない。したがって、電気光変換効率の低下を招来することなく、マルチモードレーザダイオードの信頼性を向上させることができる。
更に、上記の構成によれば、上記光学系の作用によって、マルチモードファイバの入射端面におけるレーザ光のビーム径がマルチモードファイバの入射端面におけるコアの直径よりも小さくなるので、マルチモードレーザダイオードから出射され、上記光学系を透過したレーザ光を、漏れなくマルチモードファイバのコアに入射させることができる。
なお、LD(マルチモードレーザダイオードを含む)では、一般に、エミッタ幅を広げると、閾値電流が上昇する。このため、低出力側の電力変換効率(光出力/消費電力)は悪化するが、ジュール熱の減少により高出力側の電力変換効率は改善する。このことは、LDの電力変換効率を表す下記(4)式から確かめることができる。
電力変換効率=光出力/消費電力
=ηi×(I−Ith)×hν×η/I×(Vth+Rd×I)
=ηi×(J−Jth)×hν×S×η/(J・S×Vth+(J・S)×ρ/S)
=ηi×(J−Jth)×hν×η/(J×Vth+J×ρ) ・・・(4

ここで、ηiは注入効率、Iは駆動電流、Ithは閾値電流、hνは光子のエネルギー
、ηは光取り出し効率、Vthは閾値電圧、Rdは微分抵抗、Jは駆動電流密度、Jthは閾値電流密度、Sは有効断面積である。
すなわち、光取り出し効率が変化せず、活性層の温度上昇などによる注入効率の悪化などの非線形効果の影響がなければ、LDの電力変換効率は、駆動電流密度で決まる。したがって、同じ光出力で比較した場合、活性層幅を広げることで電力変換効率が改善される。
本発明に係るLDモジュールにおいて、上記マルチモードレーザダイオードのエミッタ幅は、(1)上記マルチモードレーザダイオードから出力されるレーザ光のビームパラメータ積が上記マルチモードファイバのビームパラメータ積よりも小さくなるように設定されている、ことが好ましく、(2)上記マルチモードレーザダイオードから出力されるレーザ光のビームパラメータ積が上記マルチモードファイバのビームパラメータ積の(1/2)1/2倍よりも小さくなるように設定されている、ことが更に好ましい。
上記の構成によれば、マルチモードレーザダイオードから出射され、上記光学系を透過した光を、ロスなくマルチモードファイバのコアに閉じ込めることができる。
本発明に係るLDモジュールにおいて、上記光学系は、上記マルチモードレーザダイオードから出射された、発散光である上記レーザ光を平行光に変換するコリメートレンズ、及び、上記コリメートレンズから出射された上記平行光を収束光に変換する集光レンズを有している、ことが好ましい。
上記の構成によれば、マルチモードレーザダイオードから出射されたレーザ光を収束するための光学系を、容易に実現することができる。
本発明に係るLDモジュールにおいて、上記マルチモードファイバは、その中心軸が上記マルチモードレーザダイオードから出射されるレーザ光の光軸と直交するように配置されており、当該LDモジュールは、上記マルチモードレーザダイオードから出射されるレーザ光を反射し、上記マルチモードファイバへと導くミラーを更に備えている、ことが好ましい。
上記の構成によれば、当該LDモジュールのサイズ、特に、上記マルチモードファイバの中心軸方向のサイズを、小さくすることができる。
本発明に係るLDモジュールにおいて、上記ミラーは、基板上に載置された第1ミラーであって、上記レーザダイオードから出射された上記レーザ光を反射する第1反射面を有する第1ミラー、及び、上記第1ミラー上に載置された第2ミラーであって、上記第1反射面にて反射された上記レーザ光を反射する第2反射面を有する第2ミラーを有する2連ミラーである、ことが好ましい。
上記の構成によれば、上記基板に直交する軸を回転軸として第1ミラー及び第2ミラーを微小回転させることによって、上記第1ミラーに反射された後に上記第2ミラーに反射されたレーザ光の伝播方向を高い精度で所望の方向と一致させることができる。このため、マルチモードレーザダイオードとマルチモードファイバとの結合効率を高めるための調整が容易になる。特に本発明に係るLDモジュールにおいては、発光点(マルチモードレーザダイオードの入射端面)でのビームウエストよりも、集光点(マルチモードファイバの入射端面)でのビームウエストを小さくするために、マルチモードレーザダイオードか
ら出射されたレーザ光を光学系によって従来のLDモジュールよりも強く集光する構成を採用している。このため、マルチモードレーザダイオードから出射されたレーザ光を導光するミラーには、高い精度が要求される。上記の構成によれば、このような要求を容易に満たすことができる。
なお、上記2連ミラーの代わりに上記第1ミラーと上記第2ミラーとが一体成形された一体ミラーを用いる場合、上記第2ミラーに反射されたレーザ光の伝播方向を所望の方向とするために、当該一体ミラー全体を傾ける必要がある。この場合、当該一体ミラーを上記基板に固定するための接着剤層の厚みが不均一になる。このため、温度や湿度などの環境が変化すると、接着剤層の厚みが不均一に変化し、その結果、当該一体ミラーの傾きが変化する。これにより、上記第2ミラーに反射されたレーザ光の伝播方向が所望の方向からずれる。すなわち、上記2連ミラーの代わりに上記第1ミラーと上記第2ミラーとが一体成形された一体ミラーを用いる場合、環境の変化に伴い上記第2ミラーに反射されたレーザ光の伝播方向が変動するという問題を生じる。一方、上記第1ミラー上に上記第2ミラーが載置された2連ミラーを用いた場合、上記第2ミラーにより反射されたレーザ光の伝播方向を所望の方向とするために、当該2連ミラー全体を傾ける必要がない。したがって、環境の変化に伴い上記第2ミラーに反射されたレーザ光の伝播方向が変動するという問題が生じることもない。
なお、ビームパラメータ積(BPP)は、ビームウエスト半径をω0/2、ビーム発散角の半値半幅をθ0として、下記式(5)により定義される。
BPP=ω0/2×θ0 ・・・(5)
マルチモードレーザダイオードでは、活性層幅(エミッタ幅)を広げると、ビームウエスト半径ω0/2が活性層幅に応じて大きくなるので、BPPが大きくなる。すなわち、ビームの光ファイバへの結合効率が低下する。しかしながら、ビーム発散角は、LDの熱レンズ効果で代表されるように、活性層領域の温度によって値が変化する。
マルチモードレーザダイオードにおいて、ビームウエスト半径は、活性層幅Wの半幅で決まることが知られており、BPPは、マルチモードレーザダイオードの半導体部分の屈折率の温度微分を(dn/dT)、LDモジュールの熱抵抗をRth、マルチモードレーザダイオードの消費電力をPdisとすると、以下の式(6)で表される。
BPP∝(dn/dT)×Rth×Pdis×W/2 ・・・(6)
すなわち、活性層幅を拡げることによって、活性層で生じる発熱を低減させ、ビーム発散角を小さくすることができれば、活性層幅を拡げてビームウエスト半径が大きくなるとしても、BPPが大きくなることを抑制することができる。すなわち、活性層幅Wを拡げることで、光の結合効率を犠牲にすることなく信頼性を向上させることが可能になる。上述した内容と組み合わせると、活性層幅を拡げることでモジュール全体の電力変換効率を犠牲にせずに信頼性を向上させることが可能になる。
以上のように、本発明によれば、LDと光ファイバとの結合効率の低下を招来することなく、LDの信頼性を向上させたLDモジュールを実現することができる。
本発明の第1の実施形態に係るLDモジュールの平面図(a)、側面図(b)、AA’矢視断面図(c)、及びAA’矢視断面図(d)である。 本発明の第2の実施形態に係るLDモジュールの平面図である。 本発明の第3の実施形態に係るLDモジュールの平面図である。 図3に示すLDモジュールが備える2連ミラーの斜視図である。 本発明の各実施形態に係るLDモジュールにおいて、LDから出力されるレーザ光のビームパラメータ積(BPP,Beam Parameter Product)が、そのLDの活性層幅にどのように依存するかを示すグラフである。
本発明に係るLD(Laser Diode,半導体レーザ素子)モジュールの幾つかの実施形態
について、図面に基づいて説明すれば以下のとおりである。
〔第1の実施形態〕
本発明の第1の実施形態に係るLDモジュール1について、図1を参照して説明する。図1において、(a)は、LDモジュール1の平面図であり、(b)は、LDモジュール1の側面図であり、(c)は、LDモジュール1のAA’断面の矢視断面図であり、(d)は、LDモジュール1のBB’断面の矢視断面図である。
LDモジュール1は、図1に示すように、LD11と、光ファイバ12と、光学系13と、基板14と、LDマウント15と、ファイバマウント16とを備えている。
LD11は、活性層111と、この活性層111を挟み込む2つのクラッド層とにより構成されたマルチモードレーザダイオードである。ここで、マルチモードレーザダイオードとは、複数の横モードを有するレーザダイオードのことを指す。LD11において生成されたレーザ光は、LD11の端面11Sを構成する活性層111の端面から、LD11の外部に出射する。本明細書においては、この端面11Sのことを、「出射端面」とも記載する。本実施形態においては、LD11として、活性層幅(LD11の出射端面11Sにおける活性層111の長手寸法)が200μm、横方向の出射角度5°(片角)のマルチモードレーザダイオード(特に、エミッタ幅が活性層幅により定義されるもの)を想定する。
光ファイバ12は、コア121と、このコア121を取り囲むクラッドとにより構成されたマルチモードファイバである。ここで、マルチモードファイバとは、複数の伝播モードを有する光ファイバのことを指す。LD11から出射されたレーザ光は、光ファイバ12の端面12Sを構成するコア121の端面から、光ファイバ12の内部に入射する。本明細書においては、この端面12Sのことを、「入射端面」とも記載する。本実施形態においては、光ファイバ12として、コア径105μm、NA(開口数)が0.22のマルチモードファイバを想定する。
なお、光ファイバ12のクラッドの層数は、特に限定されない。すなわち、光ファイバ12は、例えば、1層のクラッドを有するシングルクラッドファイバであってもよいし、2層のクラッドを有するダブルクラッドファイバであってもよいし、3層のクラッドを有するトリプルクラッドファイバであってもよい。また、LD11は、エミッタ幅が活性層幅により定義されるものに限定されない。すなわち、エミッタ幅が埋め込みヘテロ構造で定義されるものであってもよいし、電流狭窄構造を用いることによりエミッタ幅が活性層幅よりも狭くなるものであってもよい。
本実施形態において、LD11は、レーザマウント15を介して基板14上に載置され、光ファイバ12は、ファイバマウント16を介して基板14上に載置される。この際、光ファイバ12の配置は、その中心軸がLD11から出射されるレーザ光の光軸と一致するように決められる。
光学系13は、LD11と光フィアバ12との間に介在し、LD11から出射されたレ
ーザ光を収束するための構成である。特に、本実施形態に係る光学系13は、LD11から出射されたレーザ光のS軸方向の広がりを収束することによって、光ファイバ12の入射端面12Sにおけるレーザ光のビーム径DBを、光ファイバ12の入射端面12Sにお
けるコア121の直径DCよりも小さくする。
本実施形態においては、光学系13として、コリメートレンズ131及び集光レンズ132を含む光学系を用いる。
コリメートレンズ131は、LD11から出射された発散光であるレーザ光を平行光に変換するためのレンズである。本実施形態においては、コリメートレンズ131として、その平表面がLD11の出射端面11Sと対向するように、かつ、その凸表面が集光レンズ132の凸表面と対向するように配置された平凸シリンドリカルレンズ(R=6mm)を用いる。なお、コリメートレンズ13は、その軸がLD11から出射されたレーザ光のF軸方向と平行になるように配置され、そのレーザ光のS軸方向の広がりをコリメートする。このため、「S軸コリメートレンズ」と呼ばれることもある。
集光レンズ132は、コリメートレンズ131から出射された平行光であるレーザ光を収束光に変換するためのレンズである。本実施形態においては、集光レンズ132として、その凸表面がコリメートレンズ13の凸表面と対向するように、かつ、その平表面が光ファイバ12の入射端面12Sと対向するように配置された平凸シリンドリカルレンズ(R=3mm)を用いる。なお、集光レンズ132は、その軸がコリメートレンズ131から出射されたレーザ光のF軸方向と平行になるように配置され、そのレーザ光のS軸方向の広がりを収束する。このため、「S軸集光レンズ」と呼ばれることもある。
LDモジュール1において注目すべき点は、LD11の出射端面11Sにおける活性層111の長手寸法WLD(図1(c)参照)が、光ファイバ12の入射端面12Sにおけるコア121の直径DC(図1(d)参照)よりも大きい点である。これにより、LD11
の出射端面11Sにおける光密度が低下し、その結果、LD11の信頼性が向上(故障率が低下)する。しかも、LD11の共振器長を長くする必要がないため、LD11の電気光変換効率も低下せず、かつ、光学系13の作用によって、LD11から出射されたレーザ光の殆ど全てが光ファイバ12のコア121に入射するので、LD11と光ファイバ12との結合効率が低下するという問題を招来することはない。
なお、本実施形態においては、LD11から出射されるレーザ光のF軸方向の広がりが十分に小さいものであることを仮定し、これを無視している。LD11から出射されるレーザ光のF軸方向の広がりが大きい場合、又は、LD11の出射端面11Sから光ファイバ12の入射端面12Sまでの光路長が長い場合には、後述する各実施形態と同様に、F軸コリメートレンズ及びF軸集光レンズを光学系13に含めればよい。
〔第2の実施形態〕
本発明の第2の実施形態に係るLDモジュール2について、図2を参照して説明する。図2は、LDモジュール2の平面図である。
LDモジュール2は、図2に示すように、3つのLD21a〜21cと、光ファイバ22と、光学系23と、基板24と、3つのLDマウント25a〜25cと、ファイバマウント26とを備えている。
第1のLD21aは、第1の実施形態におけるLD11と同様、活性層と、この活性層を挟み込む2つのクラッド層とにより構成されたマルチモードレーザダイオードである。第1のLD21aにおいて生成されたレーザ光は、第1のLD21aの出射端面を構成す
る活性層の端面から、LD21aの外部に出射する。第2のLD21b及び第3のLD21cについても同様である。
光ファイバ22は、第1の実施形態における光ファイバ12と同様、コアと、このコアを取り囲むクラッドとにより構成されたマルチモードファイバである。3つのLD21a〜21cから出射されたレーザ光は、光ファイバ22の入射端面を構成するコアの端面から、光ファイバ22の内部に入射する。
本実施形態において、3つのLD21a〜21cは、レーザマウント25を介して基板24上に載置され、光ファイバ22は、ファイバマウント26を介して基板24上に載置される。この際、3つのLD21a〜21cは、それぞれから出射されるレーザ光の光軸が互いに平行になるように配置され、光ファイバ22、その中心軸が3つのLD21a〜21cの各々から出射されるレーザ光の光軸と直交するように決められる。
光学系23は、3つのLD21a〜21cと光ファイバ22との間に介在し、3つのLD21a〜21cの各々から出射されるレーザ光を収束するための構成である。特に、本実施形態に係る光学系23は、3つのLD21a〜21cの各々から出射されるレーザ光のS軸方向及びF軸方向の広がりを収束することによって、光ファイバ22の入射端面22Sにおけるレーザ光のビーム径を、光ファイバ22の入射端面22Sにおけるコア221の直径よりも小さくする。
本実施形態においては、光学系23として、3つのS軸コリメートレンズ231a〜231c、S軸集光レンズ232、3つのF軸コリメートレンズ233a〜233c、F軸集光レンズ234、及び、3つのミラー235a〜235cを含む光学系を用いる。
第1のF軸コリメートレンズ233a及び第1のS軸コリメートレンズ231aからなるレンズ群は、第1のLD21aから出射された発散光であるレーザ光を平行光に変換するための構成である。本実施形態においては、第1のF軸コリメートレンズ233aとして、その平表面が第1のLD21aの出射端面と対向するように、かつ、その凸表面が第1のS軸コリメートレンズ231aの平表面と対向するように配置された平凸シリンドリカルレンズを用いる。また、第1のS軸コリメートレンズ231aとして、その平表面が第1のF軸コリメートレンズ233の凸表面と対向するように、かつ、その凸表面が第1のミラー325aの反射面と対向するように配置された平凸シリンドリカルレンズを用いる。第2のF軸コリメートレンズ233b及び第2のS軸コリメートレンズ231bからなるレンズ群、並びに、第3のF軸コリメートレンズ233c及び第3のS軸コリメートレンズ231cからなるレンズ群についても同様である。
第1のミラー235aは、第1のS軸コリメートレンズ231aから出射されたレーザ光を反射してS軸集光レンズ232に導くための構成である。ただし、第1のミラー235aは、第1のS軸コリメートレンズ231aから出射されたレーザ光が入射する側と反対側の面から入射した光(例えば、第2のミラー235bにて反射されたレーザ光や第3のミラー235cにて反射されたレーザ光など)を透過する。第2のミラー235b及び第3のミラー235cについても同様である。
S軸集光レンズ232及びF軸集光レンズ234からなるレンズ群は、3つのミラー235a〜235cの各々にて反射された平行光であるレーザ光を収束光に変換するためのレンズである。本実施形態においては、S軸集光レンズ232として、その凸表面が3つのミラー235a〜235cの反射面と対向するように、かつ、その平表面がF軸集光レンズ234の凸表面と対向するように配置された平凸シリンドリカルレンズを用いる。また、F軸集光レンズ234として、その凸表面がS軸集光レンズ232の平表面と対向す
るように、かつ、その平表面が光ファイバ22の入射端面と対向するように配置された平凸シリンドリカルレンズを用いる。
LDモジュール2においても、3つのLD21a〜21cの各々のエミッタ幅が、光ファイバ22の入射端面におけるコアの直径よりも大きい。これにより、3つのLD21a〜21cの各々の出射端面における光密度が低下し、その結果、3つのLD21a〜21cの各々の信頼性が向上(故障率が低下)する。しかも、光学系23の作用によって、3つのLD21a〜21cの各々から出射されたレーザ光の殆ど全てが光ファイバ22のコアに入射するので、3つのLD21a〜21cの各々と光ファイバ22との結合効率が低下するという問題を招来することはない。
なお、本実施形態においては、互いに独立した3つのLD21a〜21cを光源として用いる構成を採用したが、これに限定されるものではない。すなわち、これら3つのLD21a〜21cが一体化されたLDバーを光源として用いる構成を採用しても構わない。LDバーを光源として用いることによって、個々のLDの収差を小さく設計することが可能であるため、より信頼性の高い高出力LDモジュールを実現することができる。
〔第3の実施形態〕
本発明の第3の実施形態に係るLDモジュール3について、図3を参照して説明する。図3は、LDモジュール3の平面図である。
LDモジュール3は、図3に示すように、3つのLD31a〜31cと、光ファイバ32と、光学系33と、基板34と、3つのLDマウント35a〜35cと、ファイバマウント36とを備えている。
第1のLD31aは、第1の実施形態におけるLD11と同様、活性層と、この活性層を挟み込む2つのクラッド層とにより構成されたマルチモードレーザダイオードである。第1のLD31aにおいて生成されたレーザ光は、第1のLD31aの出射端面を構成する活性層の端面から、LD31aの外部に出射する。第2のLD31b及び第3のLD31cについても同様である。
光ファイバ32は、第1の実施形態における光ファイバ12と同様、コアと、このコアを取り囲むクラッドとにより構成されたマルチモードファイバである。3つのLD31a〜31cから出射されたレーザ光は、光ファイバ32の入射端面を構成するコアの端面から、光ファイバ32の内部に入射する。
本実施形態において、3つのLD31a〜31cは、レーザマウント35を介して基板34上に載置され、光ファイバ32は、ファイバマウント36を介して基板34上に載置される。この際、3つのLD31a〜31cは、それぞれから出射されるレーザ光の光軸が互いに平行になるように配置され、光ファイバ32、その中心軸が3つのLD31a〜31cの各々から出射されるレーザ光の光軸と直交するように決められる。
光学系33は、3つのLD31a〜31cと光ファイバ32との間に介在し、3つのLD31a〜31cの各々から出射されるレーザ光を収束するための構成である。特に、本実施形態に係る光学系33は、3つのLD31a〜31cの各々から出射されるレーザ光のS軸方向及びF軸方向の広がりを収束することによって、光ファイバ32の入射端面32Sにおけるレーザ光のビーム径を、光ファイバ32の入射端面32Sにおけるコア331の直径よりも小さくする。
本実施形態においては、光学系33として、3つのS軸コリメートレンズ331a〜3
31c、S軸集光レンズ332、3つのF軸コリメートレンズ333a〜333c、F軸集光レンズ334、及び、3つの2連ミラー336a〜336cを含む光学系を用いる。
第1のF軸コリメートレンズ333a及び第1のS軸コリメートレンズ331aからなるレンズ群は、第1のLD31aから出射された発散光であるレーザ光を平行光に変換するための構成である。本実施形態においては、第1のF軸コリメートレンズ333aとして、その平表面が第1のLD31aの出射端面と対向するように、かつ、その凸表面が第1のS軸コリメートレンズ331aの平表面と対向するように配置された平凸シリンドリカルレンズを用いる。また、第1のS軸コリメートレンズ331aとして、その平表面が第1のF軸コリメートレンズ333の凸表面と対向するように、かつ、その凸表面が第1のミラー336aの反射面と対向するように配置された平凸シリンドリカルレンズを用いる。第2のF軸コリメートレンズ333b及び第2のS軸コリメートレンズ331bからなるレンズ群、並びに、第3のF軸コリメートレンズ333c及び第3のS軸コリメートレンズ331cからなるレンズ群についても同様である。
第1の2連ミラー336aは、第1のS軸コリメートレンズ331aから出射されたレーザ光を反射してS軸集光レンズ332に導くための構成である。第2のミラー336b及び第3のミラー336cについても同様である。なお、3つの2連ミラー336a〜336cの構成については、参照する図面を後述する。
S軸集光レンズ332及びF軸集光レンズ334からなるレンズ群は、3つの2連ミラー336a〜336cの各々にて反射された平行光であるレーザ光を収束光に変換すると共に、これらのレーザ光を束ねるためのレンズである。本実施形態においては、S軸集光レンズ332として、その凸表面が3つのミラー336a〜336cの反射面と対向するように、かつ、その平表面がF軸集光レンズ334の凸表面と対向するように配置された平凸シリンドリカルレンズを用いる。また、F軸集光レンズ334として、その凸表面がS軸集光レンズ332の平表面と対向するように、かつ、その平表面が光ファイバ32の入射端面と対向するように配置された平凸シリンドリカルレンズを用いる。
LDモジュール3においても、3つのLD31a〜31cの各々のエミッタ幅が、光ファイバ32の入射端面におけるコアの直径よりも大きい。これにより、3つのLD31a〜31cの各々の出射端面における光密度が低下し、その結果、3つのLD31a〜31cの各々の信頼性が向上(故障率が低下)する。しかも、光学系33の作用によって、3つのLD31a〜31cの各々から出射されたレーザ光の殆ど全てが光ファイバ32のコアに入射するので、3つのLD31a〜31cの各々と光ファイバ32との結合効率が低下するという問題を招来することはない。
以下、3つの2連ミラー336a〜336cの構成について、図4を参照して補足する。図4は、3つの2連ミラー336a〜336cを代表する2連ミラー336の斜視図である。
2連ミラー336は、図4に示すように、第1ミラーM1と、第2ミラーM2とにより構成される。
第1ミラーM1は、少なくとも下面A1と、下面A1と平行な上面B1と、反射面S1とを有する多面体状の構造物(例えばプリズム)である。反射面S1と下面A1とが成す角は、図4に示すように45°である。
第1ミラーM1は、下面A1が基板34の上面に当接するように、基板34上に載置される。これにより、第1ミラーM1の反射面S1の法線ベクトル(反射面S1から第1ミ
ラーM1の外部に向かう外向き法線ベクトル)と、基板34の上面(zx面)の法線ベクトル(上面から基板34の外部に向かう外向き法線ベクトル)との成す角が45°になる。また、第1ミラーM1の向きは、反射面S1の法線がyz面と平行になるように決められる。これにより、第1ミラーM1の反射面S1は、z軸負方向から入射したレーザ光をy軸正方向に反射する。
第2ミラーM2は、少なくとも下面A2と、反射面S2とを有する多面体状の構造物(例えばプリズム)である。反射面S2と下面A2との成す角は、図4に示すように45°である。
第2ミラーM2は、下面A2が第1ミラーM1の上面B1に当接するように、第1ミラーM1上に載置される。これにより、第2ミラーM2の反射面S2の法線ベクトル(反射面S2から第2ミラーM2の外部に向かう外向き法線ベクトル)と、基板34の上面(zx面)の法線ベクトル(上面から基板34の外部に向かう外向き法線ベクトル)との成す角が135°になる。また、第2ミラーM2の向きは、反射面S2の法線がxy面と平行になるように決められる。これにより、第2ミラーM2の反射面S2は、y軸負方向から入射したレーザ光をx軸負方向に反射する。
LDモジュール3においては、3つの2連ミラー336a〜336cの各々を構成する第1ミラーM1及び第2ミラーM2の向きを調整することによって、出力ビーム(第1ミラーM1にて反射された後、第2ミラーM2にて反射されたレーザ光)の伝搬方向をx軸負方向に一致させることができる。y軸を回転軸として第1ミラーM1を微小回転させると、z軸を回転軸として出力ビームの伝搬方向が微小回転し、y軸を回転軸として第2ミラーM2を微小回転させると、y軸を回転軸として出力ビームの伝搬方向が微小回転するためである。
また、LDモジュール3においては、3つの2連ミラー336a〜336cの各々を構成する第1ミラーM1及び第2ミラーM2の位置を調整することによって、出力ビームの光軸をxz面と平行な平面内に等間隔で並べることができる。第1ミラーM1をz軸正方向/負方向に並進させると、出力ビームの光軸がz軸正方向/負方向に並進し、第2ミラーM2をx軸正方向/負方向に並進させると、出力ビームの光軸がy軸正方向/負方向に並進するためである。
なお、本実施形態においては、出力ビーム束を構成する各出力ビームの伝搬方向をx軸負方向と一致させることを第1の調整目標としているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、出力ビームを構成する各出力ビームの伝搬方向を特定の方向と一致させることができれば十分であり、該特定の方向は、x軸負方向に限定されない。
また、本実施形態においては、出力ビーム束を構成する各出力ビームの光軸をzx面と平行な平面内に等間隔で並べることを第2の調整目標としているが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、出力ビームを構成する各出力ビームの光軸を特定の平面内に等間隔で並べることができれば十分であり、該特定の平面は、zx面と平行な平面に限定されない。
なお、2連ミラー336の代わりに第1ミラーM1と第2ミラーM2とが一体成形された一体ミラーを用いる場合、第2ミラーM2に反射されたレーザ光の伝播方向を所望の方向とするために、当該一体ミラー全体を傾ける必要がある。この場合、当該一体ミラーを基板34に固定するための接着剤層の厚みが不均一になる。このため、温度や湿度などの環境が変化すると、接着剤層の厚みが不均一に変化し、その結果、当該一体ミラーの傾きが変化する。これにより、第2ミラーM2に反射されたレーザ光の伝播方向が所望の方向
からずれる。すなわち、2連ミラー336の代わりに第1ミラーM1と第2ミラーM2とが一体成形された一体ミラーを用いる場合、環境の変化に伴い第2ミラーM2に反射されたレーザ光の伝播方向が変動するという問題を生じる。一方、第1ミラーM1上に第2ミラーM2が載置された2連ミラー336を用いる場合、第2ミラーM2により反射されたレーザ光の伝播方向を所望の方向とするために、2連ミラー336全体を傾ける必要がない。したがって、環境の変化に伴い第2ミラーM2に反射されたレーザ光の伝播方向が変動するという問題が生じることもない。
〔LDの出射端面における活性層幅の好適値〕
最後に、上述したLDモジュール1,2,3が備えるLD11,21a〜c,31a〜c(以下、単に「LD」と記載)の活性層幅(エミッタ幅)のより好ましい値について、図5を参照して説明する。
図5は、ある光出力時のLDから出力されるレーザ光のビームパラメータ積(BPP,Beam Parameter Product)が、そのLDの活性層幅にどのように依存するかを示すグラフである。ここで、ビームパラメータ積とは、ビームウエスト半径とビーム発散角(の半値半幅)との積により定義される、ビーム品質の指標である。
図5に示すように、LDから出力されるレーザ光のビームパラメータ積は、LDの出射端面における活性層幅に応じて変換する。図5に示す例では、LDの出射端面における活性層幅が150μmのときに、ビームパラメータ積が極小値を取る。
LDの出射端面における活性層幅は、(1)LDから出力されるレーザ光のビームパラメータ積(又は、LDから出力され、光学系13,23,33を透過したレーザ光のビームパラメータ積)が、光ファイバ12,22,32(以下、単に「光ファイバ」と記載)のビームパラメータ積以下になるように設定されていることが好ましく、(2)LDから出力されるレーザ光のビームパラメータ積が、光ファイバのビームパラメータ積の略(1/2)1/2倍に設定されていることが更に好ましい。ここで、光ファイバのビームパラメータ積とは、光ファイバがロスなく受光可能(コアに閉じ込め可能)なビームのビームパラメータ積の最大値である。すなわち、光ファイバは、自身のビームパラメータ積以下のビームパラメータ積を有するビームをロスなく受光することができ、自身のビームパラメータ積より大きいビームパラメータ積を有するビームをロスなく受光することができない。
なお、LDから出力されるレーザ光のビームパラメータ積が、光ファイバのビームパラメータ積の略(1/2)1/2倍であることが好ましい理由は以下のとおりである。すなわち、マルチモードファイバに入射される入射光を漏れなく受光するためには、光ファイバの入射端面において、光ファイバのコア内にビームが収まっていることと、光ファイバへの入射角度がファイバの受光可能な角度に収まっていることとの2点が必要である。光ファイバのBPPは円周方向に対称であるのに対し、マルチチップLDモジュール(を構成する各LDから出射されるビーム)は、F軸方向にスタックされた後に集光されるため、入射角度は(角度空間において)長方形状になる。ここで、角度が最も厳しくなる点は(角度空間における)長方形の対角線にある成分である。このため、S軸方向のBPPが大きければF軸方向(すなわち、LDを複数束ねる方向)が制限されることがわかる。光ファイバに対し最も有効に入射角度を使用するためには、光ファイバの円周空間に対し、内接する四角形であって、その面積が最大となることが最適である。光ファイバの受光可能角度をrとし、入射光の角度空間の長方形の対角の角度をθとすると、光ファイバに入射する入射光の角度空間の面積は、r・sin(θ)×r・cos(θ)=1/2×sin(2θ)となる。このため、対角角度が45度となる点が最大に角度空間を使用できる点であることがわかる。そのため、定格電流におけるS軸のBPPは光ファイバのBPPの略(1/2)1/2
倍であることが好ましい。なお、このようなLDモジュールに用いられる光学系は出来る限り、BPPを維持することが重要ではあるが、BPPを小さくすることはできない。この点を考慮すると、定格電流におけるS軸のBPPは、光ファイバのBPPの(1/2)1/2倍以下であることが望ましい。
なお、LDから出力されるレーザ光のビームパラメータ積は、LDから出力されるレーザ光の諸量(ビームウェスト半径及びビーム発散角)を測定せずとも、LDの諸量から下記の式を用いて算出することができる。下記の式において、(dn/dT)は屈折率(LDの半導体部分の屈折率)の温度微分を表し、RthはLDモジュールの熱抵抗を表し、PdisはLDの消費電力を表し、WはLDの出射端面における活性層幅を表す。
(dn/dT)×Rth×Pdis×W
上記の式を用いることにより、LD出射端面における活性層幅Wを、LDから出力されるレーザ光のビームパラメータ積が、光ファイバのビームパラメータ積よりも小さくなるように、あるいは、光ファイバのビームパラメータ積の(1/2)1/2倍よりも小さくなるように、設計段階で定めることができる。
ビームパラメータ積とは、ビームウエスト半径とビーム発散角(の半値半幅)との積により定義されるところ、活性層幅Wを拡げることは、ビームウエスト半径が大きくなる方向に働くため、ビームパラメータ積としては大きくなる方向に作用するが、一方では消費電力Pdisを下げるとともに、LDの活性層近傍の熱抵抗を下げる方向に働くので、ビー
ム発散角が小さくなり、ビームパラメータ積が小さくなる方向にも作用する。つまり、光の結合効率の低下を抑制することができため、LDモジュールの電力光変換効率を犠牲にすることなく、信頼性を向上させることが可能になる。
〔付記事項〕
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、LDモジュールに好適に利用することができる。特に、高出力のマルチモードレーザダイオードを光源するLDモジュールに好適に利用することができる。
1,2,3 LDモジュール
11,21a〜c,31a〜c LD(マルチモードレーザダイオード)
11S 出射端面
111 活性層
12、22、32 光ファイバ(マルチモードファイバ)
12S 入射端面
121 コア
13,23,33 光学系
131,231a〜c,331a〜c S軸コリメートレンズ(コリメートレンズ)
132,232,332 S軸集光レンズ(集光レンズ)
233a〜c,333a〜c F軸コリメートレンズ(コリメートレンズ)
234,334 F軸集光レンズ(集光レンズ)
336a〜c,336 2連ミラー

Claims (5)

  1. 活性層を有するマルチモードレーザダイオードであって、出射端面からレーザ光を出射するマルチモードレーザダイオードと、コアを有するマルチモードファイバであって、入射端面から上記レーザ光が入射するマルチモードファイバと、上記マルチモードレーザダイオードと上記マルチモードファイバとの間に介在する光学系と、を備え、
    上記マルチモードレーザダイオードのエミッタ幅は、上記マルチモードファイバの上記入射端面における上記コアの直径よりも大きく、
    上記光学系は、上記マルチモードレーザダイオードから出射された、発散光である上記レーザ光を、上記活性層と平行な面内で屈折させ、平行光に変換するコリメートレンズ、及び、上記コリメートレンズから出射された上記平行光を収束光に変換する集光レンズを有し、上記マルチモードファイバの上記入射端面における上記レーザ光のビーム径が、上記マルチモードファイバの上記入射端面における上記コアの直径よりも小さくなるように、上記レーザ光を収束し、
    上記マルチモードレーザダイオードは、出力するレーザ光のビームパラメータ積が上記エミッタ幅の関数として極小値を持つように構成され、当該極小値が上記マルチモードファイバのビームパラメータ積以下となるマルチモードレーザダイオードであり、上記エミッタ幅は、当該ビームパラメータ積が上記極小値を取るように設定されている、
    ことを特徴とするLDモジュール。
  2. 上記マルチモードレーザダイオードのエミッタ幅は、上記マルチモードレーザダイオードから出力されるレーザ光のビームパラメータ積が上記マルチモードファイバのビームパラメータ積以下になるように設定されている、
    ことを特徴とする請求項1に記載のLDモジュール。
  3. 上記マルチモードレーザダイオードのエミッタ幅は、上記マルチモードレーザダイオードから出力されるレーザ光のビームパラメータ積が上記マルチモードファイバのビームパラメータ積の略(1/2)1/2になるように設定されている、
    ことを特徴とする請求項2に記載のLDモジュール。
  4. 上記マルチモードファイバは、その中心軸が上記マルチモードレーザダイオードから出射されるレーザ光の光軸と直交するように配置されており、
    当該LDモジュールは、上記マルチモードレーザダイオードから出射されるレーザ光を反射し、上記マルチモードファイバへと導くミラーを備えている、
    ことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のLDモジュール。
  5. 上記ミラーは、基板上に載置された第1ミラーであって、上記マルチモードレーザダイオードから出射された上記レーザ光を反射する第1反射面を有する第1ミラー、及び、上記第1ミラー上に載置された第2ミラーであって、上記第1反射面にて反射された上記レーザ光を反射する第2反射面を有する第2ミラーにより構成された2連ミラーである、
    ことを特徴とする請求項4に記載のLDモジュール。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7272959B2 (ja) * 2017-01-10 2023-05-12 エヌライト,インコーポレーテッド 最適化されたビーム寸法を有するダイオードを使用したファイバ結合式ダイオードレーザにおけるパワーおよび輝度スケーリング
CN116845679A (zh) * 2017-06-20 2023-10-03 波士顿科学医学有限公司 激光系统和方法
JP7015989B2 (ja) * 2017-11-20 2022-02-04 パナソニックIpマネジメント株式会社 光伝送装置
JP6646644B2 (ja) * 2017-12-22 2020-02-14 株式会社フジクラ レーザシステム
JP7277716B2 (ja) * 2019-02-25 2023-05-19 日亜化学工業株式会社 光源装置、ダイレクトダイオードレーザ装置、および光結合器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5185626A (en) 1992-02-10 1993-02-09 Eastman Kodak Company Mounting assembly for optics tub in a reproduction apparatus
US5815626A (en) 1994-10-14 1998-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Optical transmission device, solid state laser device, and laser beam processing device
JP3645013B2 (ja) * 1994-10-14 2005-05-11 三菱電機株式会社 光伝送装置、固体レーザ装置、及びこれらを用いたレーザ加工装置
JP3257662B2 (ja) 1995-12-11 2002-02-18 日本電信電話株式会社 半導体レーザ端面のパッシベーション方法及び治具
JPH11337866A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Mitsui Chem Inc 半導体レーザ用光学系および半導体レーザモジュール
JP2000098190A (ja) * 1998-09-25 2000-04-07 Mitsui Chemicals Inc 半導体レーザユニット、半導体レーザモジュールおよび 半導体レーザ励起固体レーザ装置
JP2000241659A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Booa Japan:Kk 多モードレーザーダイオードから照射された光の結合方法と結合装置
JP2004335639A (ja) * 2003-05-06 2004-11-25 Fuji Photo Film Co Ltd 投影露光装置
JP2008501236A (ja) * 2004-06-01 2008-01-17 トルンプ フォトニクス,インコーポレイテッド 対称レーザビームを成形するためのレーザダイオードアレイ架台及びステップミラー
JP5485905B2 (ja) 2008-10-31 2014-05-07 オプトエナジー株式会社 半導体レーザ素子
CN101859025A (zh) * 2010-06-03 2010-10-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种可重复使用的大功率半导体激光器光纤输出模块
JP5717714B2 (ja) 2012-12-27 2015-05-13 株式会社フジクラ 合波装置、合波方法、及び、ldモジュール

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