JP5917862B2 - Processing object cutting method - Google Patents
Processing object cutting method Download PDFInfo
- Publication number
- JP5917862B2 JP5917862B2 JP2011187658A JP2011187658A JP5917862B2 JP 5917862 B2 JP5917862 B2 JP 5917862B2 JP 2011187658 A JP2011187658 A JP 2011187658A JP 2011187658 A JP2011187658 A JP 2011187658A JP 5917862 B2 JP5917862 B2 JP 5917862B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- along
- cutting surface
- ingot
- cutting
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 272
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 73
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 33
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000001394 metastastic effect Effects 0.000 description 1
- 206010061289 metastatic neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P80/00—Climate change mitigation technologies for sector-wide applications
- Y02P80/30—Reducing waste in manufacturing processes; Calculations of released waste quantities
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物を切断する加工対象物切断方法に関する。 The present invention relates to a processing object cutting method for cutting a processing object made of a hexagonal SiC crystal.
インゴットを切断するための従来の技術として、例えば特許文献１に記載のシリコンインゴット切断装置が知られている。このシリコンインゴット切断装置は、所定の間隔で互いに平行に配置されると共に往復運動する複数本のワイヤを備えている。このシリコンインゴット切断装置によってシリコンインゴットを切断する場合には、シリコンインゴットの側面に砥液を供給しつつ、往復運動するワイヤをその側面に押し付けることにより、シリコンインゴットを所定の厚さに切断する。 As a conventional technique for cutting an ingot, for example, a silicon ingot cutting device described in Patent Document 1 is known. This silicon ingot cutting device includes a plurality of wires which are arranged in parallel with each other at a predetermined interval and reciprocate. When the silicon ingot is cut by the silicon ingot cutting device, the silicon ingot is cut to a predetermined thickness by pressing the reciprocating wire against the side surface while supplying abrasive liquid to the side surface of the silicon ingot.
ところで、現在、次世代デバイスの材料としてＳｉＣ（シリコンカーバイド）が注目されている。このため、ＳｉＣからなるインゴット等の加工対象物を切断するための技術に対する要求が高まっている。しかしながら、ＳｉＣは、非常に高い硬度を有するため、ＳｉＣからなる加工対象物の切断に上述したようなワイヤを用いると、低速度での加工が余儀なくされ、スループットが低下してしまう。また、同様の理由から、ＳｉＣからなる加工対象物の切断にワイヤを用いると、加工対象物の切断予定面に沿って正確に切断できない場合がある。そのような場合には、切断面を平坦化するための相当量の研磨が必要となり、材料のロスが大きくなる。 Incidentally, SiC (silicon carbide) is currently attracting attention as a material for next-generation devices. For this reason, the request | requirement with respect to the technique for cut | disconnecting processing objects, such as an ingot which consists of SiC, is increasing. However, since SiC has a very high hardness, if the wire as described above is used to cut a workpiece made of SiC, processing at a low speed is unavoidable, and throughput is reduced. For the same reason, if a wire is used to cut a workpiece made of SiC, it may not be cut accurately along the planned cutting surface of the workpiece. In such a case, a considerable amount of polishing is required to flatten the cut surface, resulting in increased material loss.
本発明は、そのような事情に鑑みてなされたものであり、六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物を切断する際のスループットを向上可能であると共に材料のロスを低減可能な加工対象物切断方法を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to improve the throughput when cutting a workpiece made of a hexagonal SiC crystal and reduce the material loss. It is an object to provide a method.
上記課題を解決するために、本発明に係る加工対象物切断方法は、六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物にパルスレーザ光を照射して加工対象物の内部に改質領域を形成し、加工対象物を切断する加工対象物切断方法であって、パルスレーザ光の一の照射点と該一の照射点に最も近い他の照射点とが所定のピッチとなるように、加工対象物の第１の切断予定面に沿って加工対象物にパルスレーザ光を照射することにより、第１の切断予定面に沿って改質領域を形成する工程と、第１の切断予定面に沿って改質領域を形成した後に、第１の切断予定面に沿って加工対象物を切断する工程と、を備え、第１の切断予定面は、六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面とオフ角分の角度を成しており、所定のピッチは、改質領域から生じた割れが六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面に沿って延びるようなピッチである、ことを特徴とする。なお、オフ角は、０°の場合も含むものとする。その場合には、第１の切断予定面（或いは後述する第２の切断予定面）は、六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面に平行となる。 In order to solve the above-mentioned problem, a processing object cutting method according to the present invention irradiates a processing object made of a hexagonal SiC crystal with a pulsed laser beam to form a modified region inside the processing object, A processing object cutting method for cutting a processing object, wherein one irradiation point of a pulse laser beam and another irradiation point closest to the one irradiation point have a predetermined pitch. A process of forming a modified region along the first scheduled cutting surface by irradiating the workpiece with pulse laser light along the first scheduled cutting surface, and a modification along the first scheduled cutting surface. And a step of cutting the workpiece along the first planned cutting surface after forming the texture region, the first cutting planned surface being an angle corresponding to the c-plane of the hexagonal SiC crystal and the off angle The cracks generated from the modified region are hexagonal SiC. The pitch to extend along the c-plane of the crystal, characterized in that. The off angle includes the case of 0 °. In this case, the first planned cutting plane (or a second planned cutting plane described later) is parallel to the c-plane of the hexagonal SiC crystal.
この加工対象物切断方法においては、六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物の第１の切断予定面に沿ってパルスレーザ光を照射することにより、第１の切断予定面に沿って加工対象物の内部に改質領域を形成する。その際に、パルスレーザ光の一の照射点と該一の照射点に最も近い他の照射点とのピッチを、改質領域から生じた割れが六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面に沿って延びるようなピッチとする。このため、第１の切断予定面に沿って加工対象物を切断する際には、改質領域からｃ面に沿って延びる割れ（ｃ面割れ）が、加工対象物の内部に生じている。そのｃ面割れが、加工対象物の第１の切断予定面に沿っての切断を容易化するため、短時間で加工対象物の切断を行うことができ、スループットを向上させることができる。さらには、この加工対象物切断方法によれば、上述したように、改質領域からｃ面割れが生じているので、第１の切断予定面に沿って正確に加工対象物を切断することができる。そのため、加工対象物から切り出された切断片の切断面や、加工対象物の切断面を平坦化するための研磨の量が少なくてすむので、材料のロスを低減することができる。 In this workpiece cutting method, the workpiece is irradiated along the first planned cutting surface by irradiating a pulse laser beam along the first scheduled cutting surface of the workpiece consisting of hexagonal SiC crystals. A reforming region is formed inside the substrate. At that time, a crack generated from the modified region extends along the c-plane of the hexagonal SiC crystal at a pitch between one irradiation point of the pulse laser beam and another irradiation point closest to the one irradiation point. The pitch is as follows. For this reason, when the workpiece is cut along the first scheduled cutting surface, a crack (c-plane crack) extending along the c-plane from the modified region is generated inside the workpiece. Since the c-plane crack facilitates cutting along the first scheduled cutting surface of the workpiece, the workpiece can be cut in a short time, and throughput can be improved. Furthermore, according to this processing object cutting method, as described above, since the c-plane crack is generated from the modified region, it is possible to accurately cut the processing object along the first scheduled cutting surface. it can. Therefore, the amount of polishing for flattening the cut surface of the cut piece cut out from the workpiece and the cut surface of the workpiece can be reduced, and the loss of material can be reduced.
本発明に係る加工対象物切断方法は、第１の切断予定面に沿って加工対象物を切断した後に、パルスレーザ光の一の照射点と該一の照射点に最も近い他の照射点とが所定のピッチとなるように、加工対象物の第２の切断予定面に沿って加工対象物にパルスレーザ光を照射することにより、第２の切断予定面に沿って改質領域を形成する工程と、第２の切断予定面に沿って改質領域を形成した後に、第２の切断予定面に沿って加工対象物を切断する工程と、をさらに備え、第２の切断予定面は、六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面とオフ角分の角度を成しているものとすることができる。この方法においては、第１の切断予定面に沿って改質領域を形成して加工対象物を切断した後に、第２の切断予定面に沿って改質領域を形成する。このため、例えばパルスレーザ光の入射面からの距離が異なる複数の切断予定面に改質領域を形成する場合に比べて、パルスレーザ光の入射面に比較的近い位置において各改質領域の形成を行うことができる。その結果、比較的低い加工エネルギーで改質領域を形成してｃ面割れを生じさせることが可能となる。 In the method for cutting an object to be processed according to the present invention, after cutting the object to be processed along the first scheduled cutting surface, one irradiation point of the pulse laser beam and another irradiation point closest to the one irradiation point Is irradiated with pulsed laser light along the second scheduled cutting surface of the workpiece so as to form a modified region along the second scheduled cutting surface. And a step of cutting the workpiece along the second scheduled cutting surface after forming the modified region along the second scheduled cutting surface, and the second scheduled cutting surface includes: The c-plane of the hexagonal SiC crystal can form an off-angle angle. In this method, after the modified region is formed along the first planned cutting surface and the workpiece is cut, the modified region is formed along the second planned cutting surface. For this reason, for example, compared with the case where the modified regions are formed on a plurality of scheduled cutting surfaces having different distances from the incident surface of the pulse laser beam, the modified regions are formed at positions relatively close to the incident surface of the pulse laser beam. It can be performed. As a result, it becomes possible to form a modified region with relatively low processing energy and cause c-plane cracking.
本発明に係る加工対象物切断方法は、第１の切断予定面に沿って改質領域を形成した後であって、第１の切断予定面に沿って加工対象物を切断する前において、パルスレーザ光の一の照射点と該一の照射点に最も近い他の照射点とが所定のピッチとなるように、第１の切断予定面よりも加工対象物におけるパルスレーザ光の入射面側に位置する第２の切断予定面に沿って加工対象物にパルスレーザ光を照射することにより、第２の切断予定面に沿って改質領域を形成する工程と、第２の切断予定面に沿って改質領域を形成した後に、第２の切断予定面に沿って加工対象物を切断する工程と、をさらに備え、第２の切断予定面は、六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面とオフ角分の角度を成しているものとすることができる。この方法においては、まず、第１及び第２の切断予定面のそれぞれに沿って順にパルスレーザ光を照射して改質領域を形成してｃ面割れを生じさせた後に、第１及び第２の切断予定面のそれぞれに沿って加工対象物を切断する。このため、加工対象物の複数回の切断を効率よく行うことができる。 In the method for cutting a workpiece according to the present invention, the pulse is formed after the modified region is formed along the first scheduled cutting surface and before the workpiece is cut along the first scheduled cutting surface. The incident side of the pulsed laser light on the workpiece is closer to the workpiece than the first scheduled cutting surface so that one irradiation point of the laser beam and another irradiation point closest to the one irradiation point have a predetermined pitch. A step of forming a modified region along the second scheduled cutting surface by irradiating the workpiece with pulsed laser light along the second planned scheduled cutting plane; and along the second scheduled cutting plane And forming a modified region, and then cutting the workpiece along the second planned cutting surface, wherein the second planned cutting surface has an off-angle with the c-plane of the hexagonal SiC crystal. It can be an angle of minutes. In this method, first, a pulsed laser beam is irradiated in order along each of the first and second scheduled cutting surfaces to form a modified region to cause c-plane cracking, and then the first and second The workpiece is cut along each of the planned cutting surfaces. For this reason, the workpiece can be efficiently cut a plurality of times.
本発明に係る加工対象物切断方法においては、所定のピッチは、１μｍ以上１０μｍ未満とすることができる。この場合には、改質領域からのｃ面割れを確実に生じさせることができる。 In the workpiece cutting method according to the present invention, the predetermined pitch can be set to 1 μm or more and less than 10 μm. In this case, c-plane cracks from the modified region can be reliably generated.
本発明に係る加工対象物切断方法においては、パルスレーザ光のパルス幅は、２０ｎｓ未満、又は１００ｎｓよりも大きいものとすることができる。この場合には、改質領域からのｃ面割れを一層確実に生じさせることができる。 In the workpiece cutting method according to the present invention, the pulse width of the pulse laser beam can be less than 20 ns or greater than 100 ns. In this case, c-plane cracks from the modified region can be generated more reliably.
本発明によれば、六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物を切断する際のスループットを向上可能であると共に材料のロスを低減可能な加工対象物切断方法を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the throughput at the time of cut | disconnecting the workpiece which consists of a hexagonal system SiC crystal can be improved, and the workpiece cutting method which can reduce material loss can be provided.
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において、同一又は相当部分には同一の符号を付し、重複する記載を省略する。また、各図における各部の寸法比率は、必ずしも実際のものとは一致しない。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the same or an equivalent part, and the overlapping description is abbreviate | omitted. In addition, the dimensional ratio of each part in each figure does not necessarily match the actual one.
本発明の一実施形態に係る加工対象物切断方法では、切断予定面に沿って加工対象物にレーザ光を照射することにより、切断予定面に沿って加工対象物の内部に改質領域を形成する。そこで、まず、その改質領域の形成について、図１〜６を参照して説明する。 In the processing object cutting method according to an embodiment of the present invention, a modified region is formed inside the processing object along the scheduled cutting surface by irradiating the processing object with laser light along the planned cutting surface. To do. First, the formation of the modified region will be described with reference to FIGS.
図１に示されるように、レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌをパルス発振するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの光軸（光路）の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、レーザ光Ｌを集光するための集光用レンズ１０５と、を備えている。また、レーザ加工装置１００は、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１を支持するための支持台１０７と、支持台１０７を移動させるためのステージ１１１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、ステージ１１１の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備えている。 As shown in FIG. 1, a laser processing apparatus 100 includes a laser light source 101 that oscillates a laser beam L, a dichroic mirror 103 that is arranged to change the direction of the optical axis (optical path) of the laser beam L by 90 °, and And a condensing lens 105 for condensing the laser light L. Further, the laser processing apparatus 100 includes a support base 107 for supporting the workpiece 1 irradiated with the laser light L condensed by the condensing lens 105, and a stage 111 for moving the support base 107. And a laser light source control unit 102 for controlling the laser light source 101 to adjust the output of the laser light L, the pulse width, and the like, and a stage control unit 115 for controlling the movement of the stage 111.
このレーザ加工装置１００においては、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌは、ダイクロイックミラー１０３によってその光軸の向きを９０°変えられ、支持台１０７上に載置された加工対象物１の内部に集光用レンズ１０５によって集光される。これと共に、ステージ１１１が移動させられ、加工対象物１がレーザ光Ｌに対して切断予定面５に沿って相対移動させられる。これにより、切断予定面５に沿った改質領域が加工対象物１に形成されることとなる。 In this laser processing apparatus 100, the laser light L emitted from the laser light source 101 has its optical axis changed by 90 ° by the dichroic mirror 103, and the inside of the processing object 1 placed on the support base 107. The light is condensed by the condensing lens 105. At the same time, the stage 111 is moved, and the workpiece 1 is moved relative to the laser beam L along the planned cutting surface 5. As a result, a modified region along the planned cutting surface 5 is formed on the workpiece 1.
図１及び図２に示されるように、加工対象物１には、加工対象物１を切断するための切断予定面５が設定されている。切断予定面５は、ここでは、加工対象物１の表面３に略平行に平面状に延びた仮想的な面である。加工対象物１の内部に改質領域を形成する場合、図３に示されるように、加工対象物１の内部において切断予定面５上に集光点Ｐを合わせた状態で、レーザ光Ｌを所定のライン５ａに沿って（すなわち、図２の矢印Ａ方向に沿って）相対的に移動させる。これにより、図４〜６に示されるように、改質領域７が切断予定面５に沿って形成される。なお、レーザ光Ｌを相対移動させるライン５ａは切断予定面５に沿っていればよく、直線状に限定されるものではない。 As shown in FIGS. 1 and 2, a cutting target surface 5 for cutting the processing object 1 is set on the processing object 1. Here, the planned cutting surface 5 is a virtual surface extending in a plane substantially parallel to the surface 3 of the workpiece 1. When the modified region is formed inside the workpiece 1, as shown in FIG. 3, the laser beam L is emitted in a state where the condensing point P is aligned on the planned cutting surface 5 inside the workpiece 1. It moves relatively along a predetermined line 5a (that is, along the direction of arrow A in FIG. 2). Thereby, as shown in FIGS. 4 to 6, the modified region 7 is formed along the planned cutting surface 5. The line 5a for moving the laser light L relative to the cutting target surface 5 is not limited to a straight line.
また、集光点Ｐとは、レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。また、改質領域７は、連続的に形成される場合もあるし、断続的に形成される場合もある。また、改質領域７は、列状でも点状でもよく、要は、改質領域７は少なくとも加工対象物１の内部に形成されていればよい。また、改質領域７を起点に亀裂が形成される場合があり、亀裂及び改質領域７は、加工対象物１の外表面（表面、裏面、若しくは側面）に露出していてもよい。 Moreover, the condensing point P is a location where the laser light L is condensed. In addition, the modified region 7 may be formed continuously or intermittently. Further, the modified region 7 may be in the form of a line or a dot. In short, the modified region 7 only needs to be formed at least inside the workpiece 1. In addition, a crack may be formed starting from the modified region 7, and the crack and modified region 7 may be exposed on the outer surface (front surface, back surface, or side surface) of the workpiece 1.
ちなみに、ここでのレーザ光Ｌは、加工対象物１を透過すると共に加工対象物１の内部の集光点近傍にて特に吸収され、これにより、加工対象物１に改質領域７が形成される（すなわち、内部吸収型レーザ加工）。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌが殆ど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。一般的に、表面３から溶融され除去されて穴や溝等が形成される（表面吸収型レーザ加工）場合、加工領域は表面３から徐々に裏面側に進行する。 Incidentally, the laser light L here passes through the workpiece 1 and is particularly absorbed near the condensing point inside the workpiece 1, thereby forming the modified region 7 in the workpiece 1. (Ie, internal absorption laser processing). Therefore, since the laser beam L is hardly absorbed on the surface 3 of the workpiece 1, the surface 3 of the workpiece 1 is not melted. Generally, when a hole, a groove, or the like is formed by being melted and removed from the front surface 3 (surface absorption laser processing), the processing region gradually proceeds from the front surface 3 to the back surface side.
ところで、本実施形態で形成される改質領域は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理特性が周囲と異なる状態になった領域をいう。改質領域としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。更に、改質領域としては、加工対象物の材料において改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域や、格子欠陥が形成された領域がある（これらをまとめて高密転移領域ともいう）。 By the way, the modified region formed in the present embodiment refers to a region in which density, refractive index, mechanical strength, and other physical characteristics are different from the surroundings. Examples of the modified region include a melt treatment region, a crack region, a dielectric breakdown region, a refractive index change region, and the like, and there is a region where these are mixed. Furthermore, as the modified region, there are a region in which the density of the modified region in the material to be processed is changed as compared with the density of the non-modified region, and a region in which lattice defects are formed (collectively these are high-density regions). Also known as the metastatic region).
また、溶融処理領域や屈折率変化領域、改質領域の密度が非改質領域の密度と比較して変化した領域、格子欠陥が形成された領域は、更に、それら領域の内部や改質領域と非改質領域との境界に亀裂（割れ、マイクロクラック）を内包している場合がある。内包される亀裂は、改質領域の全面に渡る場合や一部分のみや複数部分に形成される場合がある。 In addition, the area where the density of the melt treatment area, the refractive index change area, the modified area has changed compared to the density of the non-modified area, and the area where lattice defects are formed are further included in these areas and the modified areas. In some cases, cracks (microcracks) are included in the boundary between the non-modified region and the non-modified region. The included crack may be formed over the entire surface of the modified region, or may be formed in only a part or a plurality of parts.
また、本実施形態においては、切断予定面５に沿って改質スポット（加工痕）を複数形成することによって、改質領域７を形成している。改質スポットとは、パルスレーザ光の１パルスショット（つまり１パルスのレーザ照射：レーザショット）で形成される改質部分であり、改質スポットが集まることにより改質領域７となる。改質スポットとしては、クラックスポット、溶融処理スポット若しくは屈折率変化スポット、又はこれらの少なくとも２つが混在するもの等が挙げられる。
［第１実施形態］
Further, in the present embodiment, the modified region 7 is formed by forming a plurality of modified spots (processing marks) along the planned cutting surface 5. The modified spot is a modified portion formed by one pulse shot of pulsed laser light (that is, one pulse of laser irradiation: laser shot). Examples of the modified spot include a crack spot, a melting treatment spot, a refractive index change spot, or a mixture of at least two of these.
[First Embodiment]
引き続いて、図７〜１３を参照して、本発明の第１実施形態に係る加工対象物切断方法について説明する。この加工対象物切断方法は、六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物にパルスレーザ光を照射して加工対象物の内部に改質領域を形成し、加工対象物を切断（スライス）する。 Subsequently, the workpiece cutting method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In this method of cutting an object to be processed, the object to be processed made of a hexagonal SiC crystal is irradiated with pulsed laser light to form a modified region inside the object to be processed, and the object to be processed is cut (sliced).
まず、図７の（ａ）部に示されるように、本実施形態に係る加工対象物切断方法における加工対象物としてのインゴット１を用意する。インゴット１の直径は、例えば３インチ程度である。インゴット１は、図７の（ｂ）部に示されるような六方晶系ＳｉＣ結晶１０からなる。インゴット１の内部には、切断予定面（第１の切断予定面）５Ａが設定されている。切断予定面５Ａは、六方晶系ＳｉＣ結晶１０のｃ軸に直交するｃ面とオフ角分の角度を成している。 First, as shown in part (a) of FIG. 7, an ingot 1 is prepared as a processing target in the processing target cutting method according to the present embodiment. The diameter of the ingot 1 is about 3 inches, for example. The ingot 1 is composed of a hexagonal SiC crystal 10 as shown in part (b) of FIG. Inside the ingot 1, a cutting planned surface (first cutting planned surface) 5A is set. The planned cutting surface 5 </ b> A forms an off-angle angle with the c-plane orthogonal to the c-axis of the hexagonal SiC crystal 10.
したがって、切断予定面５Ａに沿ってインゴット１を切断することにより、ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を製造することができる。切断予定面５Ａは、例えばインゴット１の表面３に略平行であり、所望する六方晶系ＳｉＣ基板の厚さに応じて、表面３から任意の位置に設定することができる。なお、オフ角は、例えば４°程度であり、０°の場合も含む。オフ角が０°の場合には、切断予定面５Ａはｃ面と平行になる。 Therefore, by cutting the ingot 1 along the planned cutting surface 5A, it is possible to manufacture a hexagonal SiC substrate having a main surface that forms an off-angle angle with the c-plane. The planned cutting surface 5A is, for example, substantially parallel to the surface 3 of the ingot 1 and can be set at an arbitrary position from the surface 3 according to the desired thickness of the hexagonal SiC substrate. The off angle is, for example, about 4 ° and includes the case of 0 °. When the off-angle is 0 °, the planned cutting surface 5A is parallel to the c-plane.
続いて、用意したインゴット１を、例えばレーザ加工装置１００の支持台１０７に載置する（図１参照）。このとき、インゴット１の表面３をレーザ加工装置１００の集光用レンズ１０５側に向けて、インゴット１を支持台１０７に載置する。したがって、本実施形態においては、インゴット１の表面３がレーザ光Ｌの入射面となる。このため、インゴット１の表面３は、インゴット１へのレーザ光Ｌの入射を妨げないように研磨されている。 Subsequently, the prepared ingot 1 is placed, for example, on the support 107 of the laser processing apparatus 100 (see FIG. 1). At this time, the ingot 1 is placed on the support 107 with the surface 3 of the ingot 1 facing the condensing lens 105 side of the laser processing apparatus 100. Therefore, in the present embodiment, the surface 3 of the ingot 1 becomes the incident surface of the laser light L. Therefore, the surface 3 of the ingot 1 is polished so as not to prevent the laser beam L from entering the ingot 1.
続いて、図８の（ａ）部に示されるように、インゴット１の表面３から所定距離だけインゴット１の内側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを位置させる。つまり、インゴット１の内部に設定された切断予定面５Ａ上にレーザ光Ｌの集光点Ｐを位置させる。ここでは、レーザ光Ｌの集光点Ｐは、切断予定面５Ａの中心部５Ａｃに位置させられる。レーザ光Ｌの集光点Ｐの位置の変更は、例えば、ステージ制御部１１５の制御の元でステージ１１１を駆動し、支持台１０７を移動させることにより行うことができる。 Subsequently, as shown in FIG. 8A, the condensing point P of the laser beam L is positioned inside the ingot 1 by a predetermined distance from the surface 3 of the ingot 1. That is, the condensing point P of the laser beam L is positioned on the planned cutting surface 5A set inside the ingot 1. Here, the condensing point P of the laser beam L is positioned at the central portion 5Ac of the planned cutting surface 5A. The position of the condensing point P of the laser beam L can be changed, for example, by driving the stage 111 and moving the support 107 under the control of the stage control unit 115.
続いて、インゴット１の表面３をレーザ光Ｌの入射面として、パルスレーザ光であるレーザ光Ｌを切断予定面５Ａに沿ってインゴット１に照射する。このとき、図８の（ｂ）部に示されるように、レーザ光Ｌの集光点Ｐを、切断予定面５Ａに沿って、切断予定面５Ａの中心部５Ａｃから切断予定面５Ａの縁部５Ａｅに向かって（図中の矢印Ａ１の方向に）直線的に相対移動させながら、インゴット１を、切断予定面５Ａに沿って、切断予定面５Ａの中心部５Ａｃを中心として（図中の矢印Ａ２の方向に）回転させる。これにより、レーザ光Ｌの集光点Ｐは、切断予定面５Ａに沿って、切断予定面５Ａの中心部５Ａｃから縁部５Ａｅに向かって渦巻状に相対移動させられる。なお、図８の（ｂ）部は、インゴット１の平面図である。 Subsequently, the surface 3 of the ingot 1 is used as the incident surface of the laser beam L, and the laser beam L, which is a pulse laser beam, is irradiated to the ingot 1 along the planned cutting surface 5A. At this time, as shown in part (b) of FIG. 8, the condensing point P of the laser light L extends from the center 5Ac of the planned cutting surface 5A to the edge of the planned cutting surface 5A along the planned cutting surface 5A. While moving linearly relative to 5Ae (in the direction of arrow A1 in the figure), the ingot 1 is moved along the planned cutting surface 5A and centered on the central portion 5Ac of the planned cutting surface 5A (indicated by the arrow in the figure). Rotate (in the direction of A2). Thereby, the condensing point P of the laser beam L is relatively moved in a spiral shape along the planned cutting surface 5A from the central portion 5Ac of the planned cutting surface 5A toward the edge 5Ae. 8B is a plan view of the ingot 1. FIG.
このようにしてレーザ光Ｌを照射することによって、図９に示されるように、インゴット１の内部には、切断予定面５Ａに沿って、切断予定面５Ａの中心部５Ａｃから縁部５Ａｅに向かって渦巻状に改質領域７が形成される。改質領域７は、レーザ光Ｌがパルスレーザ光であることから、その１パルスショットで形成される改質スポット９の集合として形成されている。なお、図９及び図１０は、インゴット１の平面図である。 By irradiating the laser beam L in this manner, as shown in FIG. 9, the ingot 1 is directed along the planned cutting surface 5A from the central portion 5Ac of the planned cutting surface 5A toward the edge 5Ae. Thus, the modified region 7 is formed in a spiral shape. Since the laser beam L is a pulsed laser beam, the modified region 7 is formed as a set of modified spots 9 formed by one pulse shot. 9 and 10 are plan views of the ingot 1. FIG.
ここで、このレーザ光Ｌの照射は、レーザ光Ｌの一の照射点と、該一の照射点に最も近い他の照射点とが所定のピッチＰＴとなるように行われる。この点について詳しく説明する。上述したように、この工程においては、レーザ光Ｌの集光点Ｐが、切断予定面５Ａに沿って、切断予定面５Ａの中心部５Ａｃから縁部５Ａｅに向かって渦巻状に相対移動させられる。このため、図１０に示されるように、レーザ光Ｌの照射点ＬＰが、切断予定面５Ａに沿って渦巻状に配列され、渦巻状の照射点列Ｒを成すこととなる。なお、照射点ＬＰとは、レーザ光Ｌの集光点Ｐを相対移動させたときに、１パルス分のレーザ光Ｌが照射される点である。 Here, the irradiation with the laser light L is performed such that one irradiation point of the laser light L and another irradiation point closest to the one irradiation point are at a predetermined pitch PT. This point will be described in detail. As described above, in this step, the condensing point P of the laser light L is relatively moved along the planned cutting surface 5A in a spiral shape from the central portion 5Ac of the planned cutting surface 5A toward the edge 5Ae. . For this reason, as shown in FIG. 10, the irradiation points LP of the laser light L are arranged in a spiral shape along the planned cutting surface 5A to form a spiral irradiation point row R. The irradiation point LP is a point where the laser beam L for one pulse is irradiated when the condensing point P of the laser beam L is relatively moved.
このとき、ある照射点ＬＰ１に着目すると（図中の拡大部分参照）、その照射点ＬＰ１に最も近い他の照射点ＬＰとしては、次の２通りの場合がある。まず、その照射点ＬＰ１の次の照射点ＬＰ２（或いは前の照射点ＬＰ３）が、その照射点ＬＰ１に最も近い場合がある。換言すれば、インゴット１の周方向について照射点ＬＰ１に隣接する照射点ＬＰ２（或いは照射点ＬＰ３）が、照射点ＬＰ１に最も近い場合がある。この場合には、照射点ＬＰ１とその次の照射点ＬＰ２（或いはその前の照射点ＬＰ３）とのピッチ（すなわちパルスピッチ）Ｐ１２が、所定のピッチＰＴとなるようにする。 At this time, there is paying attention to the irradiation point LP 1 (see enlarged portion in the drawing), as the closest other irradiation point LP on the irradiation point LP 1, there are two cases below. First, the next irradiation point LP 2 of the irradiation point LP 1 (or irradiation point LP 3 above) is, in some cases closest to the irradiation point LP 1. In other words, the irradiation point LP 2 adjacent to the irradiation point LP 1 the circumferential direction of the ingot 1 is (or irradiation point LP 3), there is a case closest to the irradiation point LP 1. In this case, the pitch of the irradiation point LP 1 and the next irradiation point LP 2 (or irradiation point LP 3 before it) (or pulse pitch) P 12 is set to be a predetermined pitch PT.
パルスピッチは、レーザ光Ｌの集光点Ｐの移動速度Ｖとレーザ光Ｌのパルス発振の周波数Ｆとによって表され（移動速度Ｖ／周波数Ｆ）、移動速度Ｖ及び周波数Ｆを制御することによって調整することができる。したがって、レーザ光Ｌの集光点Ｐの移動速度Ｖとレーザ光Ｌのパルス発振の周波数Ｆとを制御することにより、レーザ光Ｌのパルスピッチを所定のピッチＰＴとすれば、レーザ光Ｌの照射点ＬＰ１と、その照射点ＬＰ１に最も近い照射点ＬＰ２（或いは照射点ＬＰ３）とのピッチＰ１２が所定のピッチＰＴとなる。つまり、この場合には、パルスピッチを調整することにより、インゴット１の周方向についての照射点ＬＰ同士のピッチを、所定のピッチＰＴとすることができる。 The pulse pitch is represented by the moving speed V of the condensing point P of the laser light L and the pulse oscillation frequency F of the laser light L (moving speed V / frequency F). By controlling the moving speed V and the frequency F, Can be adjusted. Therefore, by controlling the moving speed V of the condensing point P of the laser light L and the pulse oscillation frequency F of the laser light L, the pulse pitch of the laser light L is set to a predetermined pitch PT, and the laser light L the irradiation point LP 1, the pitch P 12 between the irradiation point LP closest irradiation point LP 2 to 1 (or irradiation point LP 3) has a predetermined pitch PT. That is, in this case, the pitch between the irradiation points LP in the circumferential direction of the ingot 1 can be set to the predetermined pitch PT by adjusting the pulse pitch.
次に、照射点ＬＰ１が照射点列Ｒの第ｎ周Ｒｎに属するとしたとき、その前の（或いはその次の）第ｎ−１周Ｒｎ−１において照射点ＬＰ１に対応する位置にある照射点ＬＰ４が、照射点ＬＰ１に最も近い場合がある。換言すれば、インゴット１の径方向について照射点ＬＰ１に隣接する照射点ＬＰ４が、照射点ＬＰ１に最も近い場合がある。この場合には、照射点列Ｒの各周同士の間隔を所定のピッチＰＴとすれば、第ｎ周Ｒｎの照射点ＬＰ１と、その照射点ＬＰ１に最も近い第ｎ−１周Ｒｎ−１の照射点ＬＰ４とのピッチＰ１４を所定のピッチＰＴとすることができる。照射点列Ｒの各周同士の間隔は、例えば、インゴット１の径方向についてのレーザ光Ｌの集光点Ｐの移動速度と、インゴット１の回転速度とを制御することによって調整することができる。つまり、この場合には、照射点列Ｒの各周同士の間隔を調整することにより、インゴット１の径方向についての照射点ＬＰ同士のピッチを、所定のピッチとすることができる。 Then, when the irradiation point LP 1 has to belong to the n peripheral R n of irradiation point sequence R, the position corresponding to the irradiation point LP1 in the previous (or next Part) (n-1) th revolution R n-1 irradiation point LP 4 in the, in some cases the closest to the irradiation point LP 1. In other words, the irradiation point LP 4 adjacent to the irradiation point LP 1 the radial direction of the ingot 1, there is a case closest to the irradiation point LP 1. In this case, if the interval between the circumferential ends of the irradiation point sequence R with a predetermined pitch PT, and the irradiation point LP 1 of the n peripheral R n, nearest the n-1 round R on the irradiation point LP 1 the pitch P 14 between the irradiation point LP 4 of n-1 can be a predetermined pitch PT. The interval between each circumference of the irradiation point row R can be adjusted by controlling the moving speed of the condensing point P of the laser light L in the radial direction of the ingot 1 and the rotational speed of the ingot 1, for example. . That is, in this case, the pitch between the irradiation points LP in the radial direction of the ingot 1 can be set to a predetermined pitch by adjusting the interval between the circumferences of the irradiation point row R.
なお、照射点列Ｒの各周同士の間隔とパルスピッチとの両方を調整することにより、インゴット１の周方向と径方向との両方について、照射点ＬＰ同士のピッチを所定のピッチＰＴとしてもよい。 In addition, by adjusting both the interval between each circumference of the irradiation point sequence R and the pulse pitch, the pitch between the irradiation points LP can be set to the predetermined pitch PT in both the circumferential direction and the radial direction of the ingot 1. Good.
ここで、所定のピッチＰＴは、改質領域７から生じた割れが六方晶系ＳｉＣ結晶１０のｃ面に沿って延びるようなピッチである（換言すれば、改質領域７から生じた割れが他の方向に比べてｃ面に沿った方向に最も長く延びるようなピッチである。さらに換言すれば、改質領域７からｃ面に沿って延びる割れ（ｃ面割れ）がインゴット１に好適に生じるようなピッチである）。本発明者の知見によれば、そのような所定のピッチＰＴは、１μｍ以上１０μｍ未満である。所定のピッチＰＴが１μｍよりも小さいと、切断予定面５Ａの全体に対するレーザ光Ｌの照射の回数を多くする必要があるため、スループットが低下する。 Here, the predetermined pitch PT is a pitch such that cracks generated from the modified region 7 extend along the c-plane of the hexagonal SiC crystal 10 (in other words, cracks generated from the modified region 7 are generated). In other words, the pitch extends the longest in the direction along the c-plane as compared to the other directions.In other words, the crack extending from the modified region 7 along the c-plane (c-plane crack) is suitable for the ingot 1. This is the pitch that occurs.) According to the knowledge of the present inventor, such a predetermined pitch PT is not less than 1 μm and less than 10 μm. If the predetermined pitch PT is smaller than 1 μm, it is necessary to increase the number of times of irradiation with the laser light L to the entire cutting planned surface 5A, and thus the throughput is lowered.
また、所定のピッチＰＴが１０μｍ以上であると、改質領域７から生じた割れがｃ面に沿って延びにくくなる（すなわち、改質領域７からｃ面割れが生じにくくなる）。つまり、本発明者の知見よれば、レーザ光Ｌの一の照射点ＬＰと、該一の照射点ＬＰに最も近い他の照射点ＬＰとのピッチが、１μｍ以上１０μｍ未満の範囲であるときに、改質領域７からのｃ面割れが好適に生じる。なお、ｃ面割れを確実に生じさせる観点から、より好ましくは、所定のピッチＰＴは、１μｍ以上９μｍ以下である。同様の観点から、さらに好ましくは、所定のピッチは、１μｍ以上８μｍ以下である。ｃ面割れは、インゴット１の内部にのみ生じていてもよいし、インゴット１の側面６に到達していてもよい。 Further, if the predetermined pitch PT is 10 μm or more, cracks generated from the modified region 7 are difficult to extend along the c-plane (that is, c-plane cracks are not easily generated from the modified region 7). That is, according to the knowledge of the present inventor, when the pitch between one irradiation point LP of the laser beam L and another irradiation point LP closest to the one irradiation point LP is in the range of 1 μm or more and less than 10 μm. In addition, c-plane cracking from the modified region 7 is preferably generated. In addition, from the viewpoint of reliably generating c-plane cracks, the predetermined pitch PT is more preferably 1 μm or more and 9 μm or less. From the same viewpoint, more preferably, the predetermined pitch is not less than 1 μm and not more than 8 μm. The c-plane crack may occur only inside the ingot 1 or may reach the side surface 6 of the ingot 1.
以上のようにインゴット１の切断予定面５Ａに沿ってレーザ光Ｌを照射して改質領域７を形成することにより、インゴット１の内部には、改質領域７からｃ面に沿って延びるｃ面割れが生じている。続く工程では、その状態においてインゴット１の切断を行う。インゴット１を切断する工程について具体的に説明する。この工程では、まず、図１１の（ａ）部に示されるように、インゴット１を支持部材２０に固定する。より具体的には、インゴット１の裏面４を、支持部材２０の表面２０ｓに接着材によって接着固定する。接着材としては、例えば、熱や紫外線で硬化するものも用いることができる。 By irradiating the laser beam L along the planned cutting surface 5A of the ingot 1 and forming the modified region 7 as described above, the inside of the ingot 1 extends from the modified region 7 along the c-plane. Surface cracking has occurred. In the subsequent process, the ingot 1 is cut in that state. The step of cutting the ingot 1 will be specifically described. In this step, first, the ingot 1 is fixed to the support member 20 as shown in FIG. More specifically, the back surface 4 of the ingot 1 is bonded and fixed to the front surface 20 s of the support member 20 with an adhesive. As the adhesive, for example, an adhesive that can be cured by heat or ultraviolet rays can be used.
続いて、図１１の（ｂ）部に示されるように、インゴット１の側面６における切断予定面５よりも表面３側の部分を固定しつつ、インゴット１の切断予定面５よりも上の部分をインゴット１から離間させる方向に（図中の矢印Ａ３の方向に）支持部材２０を回転させる。これにより、インゴット１の内部において（或いは側面６から）、ｃ面割れ同士を接続するように切断予定面５Ａに沿って割れが進展し、インゴット１が切断予定面５Ａに沿って切断される。その後、インゴット１の裏面４と支持部材２０の表面２０ｓとの間の接着材を、例えばエッチング液等で除去することによって、インゴット１と支持部材２０との固定を解除する。 Subsequently, as shown in part (b) of FIG. 11, a portion above the planned cutting surface 5 of the ingot 1 while fixing a portion of the side surface 6 of the ingot 1 on the surface 3 side of the planned cutting surface 5. The support member 20 is rotated in the direction of separating the ingot 1 from the ingot 1 (in the direction of the arrow A3 in the figure). Thereby, inside the ingot 1 (or from the side surface 6), the crack progresses along the planned cutting surface 5A so as to connect the c-plane cracks, and the ingot 1 is cut along the planned cutting surface 5A. Thereafter, the adhesive between the back surface 4 of the ingot 1 and the front surface 20 s of the support member 20 is removed with, for example, an etching solution, thereby releasing the fixation between the ingot 1 and the support member 20.
これにより、図１２の（ａ）部に示されるように、インゴット１から、六方晶系ＳｉＣ基板のための切断片１１と、新たなインゴット１２とが形成される。なお、このインゴット１を切断する工程においては、インゴット１に対して切断予定面５Ａに沿ったねじれが生じるように、インゴット１及び支持部材２０の少なくとも一方を回転させることにより、インゴット１を切断してもよい。 Thereby, as shown in FIG. 12A, a cut piece 11 for a hexagonal SiC substrate and a new ingot 12 are formed from the ingot 1. In the step of cutting the ingot 1, the ingot 1 is cut by rotating at least one of the ingot 1 and the support member 20 so that the ingot 1 is twisted along the planned cutting surface 5A. May be.
続づく工程では、インゴット１２の切断面３２をレーザ光Ｌの入射面として利用するために、インゴット１２の切断面３２を研磨する。また、必要に応じて、切断片１１の切断面１１ａについても、研磨を施して平坦化してもよい。これにより、六方晶系ＳｉＣ基板が製造される。 In the subsequent process, the cut surface 32 of the ingot 12 is polished in order to use the cut surface 32 of the ingot 12 as the incident surface of the laser beam L. Further, if necessary, the cut surface 11a of the cut piece 11 may also be polished and flattened. Thereby, a hexagonal SiC substrate is manufactured.
続いて、新たに形成されたインゴット１２に対して、上述したようにレーザ光Ｌの照射を行う。より具体的には、まず、図１２の（ｂ）部に示されるように、インゴット１２をレーザ加工装置１００の支持台１０７に載置した後に（不図示）、インゴット１２の切断面（表面）３２から所定距離だけインゴット１２の内側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを位置させる。つまり、インゴット１２の内部に設定された切断予定面（第２の切断予定面）５Ｂ上にレーザ光Ｌの集光点Ｐを位置させる。ここでは、レーザ光Ｌの集光点Ｐは、切断予定面５Ｂの中心部５Ｂｃに位置させられる。 Subsequently, the laser beam L is irradiated on the newly formed ingot 12 as described above. More specifically, first, as shown in part (b) of FIG. 12, after placing the ingot 12 on the support base 107 of the laser processing apparatus 100 (not shown), the cut surface (surface) of the ingot 12. A condensing point P of the laser beam L is positioned inside the ingot 12 by a predetermined distance from 32. That is, the condensing point P of the laser beam L is positioned on the planned cutting surface (second cutting planned surface) 5B set inside the ingot 12. Here, the condensing point P of the laser beam L is positioned at the central portion 5Bc of the planned cutting surface 5B.
切断予定面５Ｂは、例えばインゴット１２の切断面３２に略平行であり、所望する六方晶系ＳｉＣ基板の厚さに応じて、切断面３２から任意の位置に設定することができる。切断予定面５Ｂは、六方晶系ＳｉＣ結晶１０のｃ面とオフ角分の角度を成している。なお、オフ角は、例えば４°程度であり、０°の場合も含む。オフ角が０°の場合には、切断予定面５Ｂはｃ面と平行になる。 The planned cutting surface 5B is substantially parallel to the cutting surface 32 of the ingot 12, for example, and can be set at an arbitrary position from the cutting surface 32 according to the desired thickness of the hexagonal SiC substrate. The planned cutting surface 5B forms an angle corresponding to the off-angle with the c-plane of the hexagonal SiC crystal 10. The off angle is, for example, about 4 ° and includes the case of 0 °. When the off-angle is 0 °, the planned cutting surface 5B is parallel to the c-plane.
続いて、インゴット１２の切断面３２をレーザ光Ｌの入射面として、切断予定面５Ｂに沿ってレーザ光Ｌをインゴット１２に照射する。なお、上述したように、インゴット１２の切断面３２は、インゴット１へのレーザ光Ｌの入射を妨げないように研磨されている。このレーザ光Ｌの照射においては、上述したように、レーザ光Ｌの集光点Ｐを、切断予定面５Ｂに沿って、切断予定面５Ｂの中心部５Ｂｃから縁部５Ｂｅに向かって渦巻状に相対移動させる。また、レーザ光Ｌの一の照射点と、該一の照射点に最も近い他の照射点とが所定のピッチＰＴとされる。 Subsequently, the cutting surface 32 of the ingot 12 is used as the incident surface of the laser beam L, and the ingot 12 is irradiated with the laser beam L along the planned cutting surface 5B. As described above, the cut surface 32 of the ingot 12 is polished so as not to prevent the laser light L from entering the ingot 1. In the irradiation with the laser light L, as described above, the condensing point P of the laser light L is spirally formed along the planned cutting surface 5B from the central portion 5Bc of the planned cutting surface 5B toward the edge 5Be. Move relative. Further, one irradiation point of the laser beam L and another irradiation point closest to the one irradiation point are set to a predetermined pitch PT.
これにより、図１３の（ａ）部に示されるように、インゴット１２の内部に切断予定面５Ｂに沿って渦巻状に改質領域７が形成される。また、その改質領域７からｃ面割れが生じる。そして、インゴット１の切断と同様にして、切断予定面５Ｂに沿ってインゴット１２を切断する。これにより、図１３の（ｂ）部に示されるように、インゴット１２から、六方晶系ＳｉＣ基板のための切断片１３と新たなインゴット１４が形成される。その後、このインゴット１４をさらに切断する場合には、インゴット１４の切断面３４をレーザ光Ｌの入射面として利用するために研磨した後に、上記の工程を繰り返し実施する。また、必要に応じて、切断片１３の切断面１３ａについても、研磨を施して平坦化してもよい。これにより、六方晶系ＳｉＣ基板が新たに製造される。 As a result, as shown in FIG. 13A, the modified region 7 is formed in a spiral shape along the planned cutting surface 5B inside the ingot 12. Further, c-plane cracking occurs from the modified region 7. Then, the ingot 12 is cut along the planned cutting surface 5B in the same manner as the cutting of the ingot 1. Thereby, as shown in FIG. 13B, a cut piece 13 and a new ingot 14 for the hexagonal SiC substrate are formed from the ingot 12. Thereafter, when the ingot 14 is further cut, the above step is repeated after the cut surface 34 of the ingot 14 is polished to be used as the incident surface of the laser light L. If necessary, the cut surface 13a of the cut piece 13 may also be polished and flattened. Thereby, a hexagonal SiC substrate is newly manufactured.
以上説明したように、本実施形態に係る加工対象物切断方法においては、六方晶系ＳｉＣ結晶１０からなるインゴット１，１２の切断予定面５Ａ，５Ｂに沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、切断予定面５Ａ，５Ｂに沿ってインゴット１，１２の内部に改質領域７を形成する。その際に、レーザ光Ｌの一の照射点ＬＰと該一の照射点ＬＰに最も近い他の照射点ＬＰとのピッチを、改質領域７から生じた割れが六方晶系ＳｉＣ結晶１０のｃ面に沿って延びるような所定のピッチＰＴ（例えば１μｍ以上１０μｍ以下の範囲）とする。 As described above, in the workpiece cutting method according to the present embodiment, by irradiating the laser light L along the planned cutting surfaces 5A and 5B of the ingots 1 and 12 made of the hexagonal SiC crystal 10, A modified region 7 is formed inside the ingots 1 and 12 along the planned cutting surfaces 5A and 5B. At this time, the pitch between one irradiation point LP of the laser beam L and the other irradiation point LP closest to the one irradiation point LP is set so that cracks generated from the modified region 7 are c in the hexagonal SiC crystal 10. A predetermined pitch PT (for example, a range of 1 μm or more and 10 μm or less) extending along the surface is set.
このため、切断予定面５Ａ，５Ｂに沿ってインゴット１，１２を切断する際には、改質領域７からｃ面に沿って延びるｃ面割れが、インゴット１，１２の内部に形成されている。そのｃ面割れが、インゴット１，１２の切断予定面５Ａ，５Ｂに沿っての切断を容易化するため、短時間でインゴット１，１２の切断を行うことができ、スループットを向上させることができる。 For this reason, when cutting the ingots 1 and 12 along the planned cutting surfaces 5A and 5B, c-plane cracks extending from the modified region 7 along the c-plane are formed inside the ingots 1 and 12. . Since the c-plane crack facilitates cutting along the planned cutting surfaces 5A and 5B of the ingots 1 and 12, the ingots 1 and 12 can be cut in a short time, and the throughput can be improved. .
また、本実施形態に係る加工対象物切断方法において、切断予定面５Ａ，５Ｂに沿ってインゴット１，１２を切断する際には、上述したように、ｃ面割れが生じているので、切断予定面５Ａ，５Ｂに沿って正確にインゴット１，１２を切断することができる。そのため、インゴット１，１２から切り出された切断片１１，１３の切断面１１ａ，１３ａや、インゴット１２，１４の切断面３２，３４を平坦化するための研磨の量が少なくてすむので、材料のロスを低減することができる。 Moreover, in the workpiece cutting method according to the present embodiment, when the ingots 1 and 12 are cut along the scheduled cutting surfaces 5A and 5B, as described above, c-plane cracks are generated, so the cutting is scheduled. The ingots 1 and 12 can be accurately cut along the surfaces 5A and 5B. Therefore, the amount of polishing for flattening the cut surfaces 11a and 13a of the cut pieces 11 and 13 cut from the ingots 1 and 12 and the cut surfaces 32 and 34 of the ingots 12 and 14 can be reduced. Loss can be reduced.
さらに、本実施形態に係る加工対象物切断方法においては、切断予定面５Ａに沿って改質領域７を形成してインゴット１を切断した後に、新たに形成されるインゴット１２の切断予定面５Ｂに沿って改質領域７を形成する。このため、例えば、レーザ光Ｌの入射面からの距離が異なる複数の切断予定面に予め改質領域７を形成する場合に比べて、常にレーザ光Ｌの入射面に比較的近い位置において改質領域７の形成を行うことができる。よって、本実施形態に係る加工対象物切断方法によれば、比較的低い加工エネルギーで改質領域７を形成してｃ面割れを生じさせることができる。 Furthermore, in the workpiece cutting method according to the present embodiment, after the modified region 7 is formed along the planned cutting surface 5A and the ingot 1 is cut, the cutting target surface 5B of the ingot 12 that is newly formed is formed. A modified region 7 is formed along the line. For this reason, for example, compared with the case where the modified region 7 is formed in advance on a plurality of scheduled cutting surfaces having different distances from the incident surface of the laser beam L, the modified region is always at a position relatively close to the incident surface of the laser beam L Region 7 can be formed. Therefore, according to the workpiece cutting method according to the present embodiment, the modified region 7 can be formed with a relatively low machining energy to cause c-plane cracking.
なお、上述した加工対象物切断方法において、インゴット１，１２を切断する際には、切断予定面５Ａ，５Ｂに沿ってワイヤーソーを用いることによって、インゴット１，１２を切断してもよい。この場合においても、改質領域７から生じたｃ面割れが、ワイヤーソーでのインゴット１，１２の切断を容易化するので、材料のロスを低減しつつ短時間でインゴット１，１２の切断を行なうことができる。
［第２実施形態］
In the processing object cutting method described above, when the ingots 1 and 12 are cut, the ingots 1 and 12 may be cut by using a wire saw along the scheduled cutting surfaces 5A and 5B. Even in this case, the c-plane crack generated from the modified region 7 facilitates the cutting of the ingots 1 and 12 with a wire saw, so that the ingots 1 and 12 can be cut in a short time while reducing material loss. Can be done.
[Second Embodiment]
引き続いて、図１４〜１６を参照して、本発明の第２実施形態に係る加工対象物切断方法について説明する。この加工対象物切断方法は、六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物にパルスレーザ光を照射して加工対象物の内部に改質領域を形成し、加工対象物を切断（スライス）する。 Subsequently, a workpiece cutting method according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In this method of cutting an object to be processed, the object to be processed made of a hexagonal SiC crystal is irradiated with pulsed laser light to form a modified region inside the object to be processed, and the object to be processed is cut (sliced).
まず、図１４の（ａ）部に示されるように、本実施形態に係る加工対象物切断方法における加工対象物としてのインゴット１を用意する。インゴット１は、第１実施形態に係る加工対象物切断方法における加工対象物としてのインゴット１と同様であるが、裏面４から表面３に向かって順に配列された３つの切断予定面（第１の切断予定面）５Ａ、切断予定面（第２の切断予定面）５Ｂ、及び切断予定面５Ｃが設定されている。 First, as shown in part (a) of FIG. 14, an ingot 1 is prepared as a processing object in the processing object cutting method according to the present embodiment. The ingot 1 is the same as the ingot 1 as a processing object in the processing object cutting method according to the first embodiment, but three scheduled cutting surfaces (first A scheduled cutting surface) 5A, a scheduled cutting surface (second scheduled cutting surface) 5B, and a scheduled cutting surface 5C are set.
切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃは、六方晶系ＳｉＣ結晶１０のｃ面とオフ角分の角度を成している。したがって、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃのそれぞれに沿ってインゴット１を切断することにより、ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を複数製造することができる。切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃは、例えばインゴット１の表面３に略平行であり、所望する六方晶系ＳｉＣ基板の厚さに応じて、表面３から任意の位置に設定することができる。なお、オフ角は、例えば４°程度であり、０°の場合も含む。オフ角が０°の場合には、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃはｃ面と平行になる。 Planned cutting planes 5A, 5B, and 5C form an off-angle angle with the c-plane of hexagonal SiC crystal 10. Therefore, by cutting the ingot 1 along each of the planned cutting surfaces 5A, 5B, and 5C, a plurality of hexagonal SiC substrates having a main surface that forms an angle corresponding to the c-plane and the off-angle can be manufactured. The scheduled cutting surfaces 5A, 5B, and 5C are, for example, substantially parallel to the surface 3 of the ingot 1 and can be set at an arbitrary position from the surface 3 according to the desired thickness of the hexagonal SiC substrate. The off angle is, for example, about 4 ° and includes the case of 0 °. When the off angle is 0 °, the planned cutting surfaces 5A, 5B, 5C are parallel to the c-plane.
続いて、用意したインゴット１を、例えばレーザ加工装置１００の支持台１０７に載置した後に（図１参照）、図１４の（ｂ）部に示されるように、インゴット１の表面３から所定距離だけインゴット１の内側にレーザ光Ｌの集光点Ｐを位置させる。つまり、インゴット１の内部に設定された切断予定面５Ａの上にレーザ光Ｌの集光点Ｐを位置させる。切断予定面５Ａは、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃの中で最もレーザ光Ｌの入射面（表面３）から離れた位置に設定されている。ここでは、レーザ光Ｌの集光点Ｐは、切断予定面５Ａの中心部５Ａｃの上に位置させられる。 Subsequently, after the prepared ingot 1 is placed on, for example, the support base 107 of the laser processing apparatus 100 (see FIG. 1), as shown in FIG. 14B, a predetermined distance from the surface 3 of the ingot 1 Only the condensing point P of the laser beam L is positioned inside the ingot 1. That is, the condensing point P of the laser light L is positioned on the planned cutting surface 5A set inside the ingot 1. The planned cutting surface 5A is set at a position farthest from the incident surface (surface 3) of the laser beam L among the planned cutting surfaces 5A, 5B, and 5C. Here, the condensing point P of the laser beam L is positioned on the central portion 5Ac of the planned cutting surface 5A.
続いて、インゴット１の表面３をレーザ光Ｌの入射面として、第１実施形態と同様に、レーザ光Ｌをインゴット１に照射する。したがって、レーザ光Ｌの集光点Ｐは、切断予定面５Ａに沿って、切断予定面５Ａの中心部５Ａｃから縁部５Ａｅに向かって渦巻状に相対移動させられる。また、レーザ光Ｌの照射は、第１実施形態と同様に、レーザ光Ｌの一の照射点ＬＰと、該一の照射点ＬＰに最も近い他の照射点ＬＰとが上記の所定のピッチＰＴとなるように行われる。これにより、図１５の（ａ）部に示されるように、切断予定面５Ａに沿って渦巻状に改質領域７が形成されると共に、改質領域７からｃ面に沿って延びるｃ面割れが生じる。 Subsequently, the ingot 1 is irradiated with the laser light L in the same manner as in the first embodiment, with the surface 3 of the ingot 1 being the incident surface of the laser light L. Therefore, the condensing point P of the laser light L is relatively moved in a spiral shape along the planned cutting surface 5A from the central portion 5Ac of the planned cutting surface 5A toward the edge 5Ae. Similarly to the first embodiment, the laser beam L is irradiated with one irradiation point LP of the laser beam L and another irradiation point LP closest to the one irradiation point LP with the predetermined pitch PT. It is done to become. As a result, as shown in FIG. 15A, the modified region 7 is formed in a spiral shape along the planned cutting surface 5A, and the c-plane crack extends from the modified region 7 along the c-plane. Occurs.
なお、レーザ光Ｌの一の照射点ＬＰと他の照射点ＬＰとが近いとは、例えば切断予定面５Ａに沿った方向についての互いの距離が小さいことを意味しており、例えば、切断予定面５Ａの上の照射点ＬＰと切断予定面５Ｂの上の照射点ＬＰといったように、互いに異なる切断予定面の上にある照射点ＬＰ同士の距離関係を意味するものではない。 Note that the fact that one irradiation point LP of the laser beam L is close to the other irradiation point LP means that, for example, the mutual distance in the direction along the planned cutting surface 5A is small. It does not mean the distance relationship between the irradiation points LP on the different cutting scheduled surfaces, such as the irradiation point LP on the surface 5A and the irradiation point LP on the planned cutting surface 5B.
続いて、インゴット１の内部に設定された切断予定面５Ｂ上にレーザ光Ｌの集光点Ｐを位置させる。切断予定面５Ｂは、切断予定面５Ａよりもインゴット１におけるレーザ光Ｌの入射面（表面３）側に位置すると共に、切断予定面５Ｃよりもインゴット１の裏面４側に位置している。ここでは、レーザ光Ｌの集光点Ｐは、切断予定面５Ｂの中心部５Ｂｃに位置させられる。 Subsequently, the condensing point P of the laser light L is positioned on the planned cutting surface 5B set inside the ingot 1. The planned cutting surface 5B is positioned closer to the incident surface (front surface 3) of the laser light L in the ingot 1 than the planned cutting surface 5A, and is positioned closer to the back surface 4 side of the ingot 1 than the planned cutting surface 5C. Here, the condensing point P of the laser beam L is positioned at the central portion 5Bc of the planned cutting surface 5B.
続いて、切断予定面５Ａの場合と同様に、切断予定面５Ｂに沿ってレーザ光Ｌをインゴット１に照射する。これにより、切断予定面５Ｂに沿って渦巻状に改質領域７が形成されると共に、改質領域７からｃ面に沿って延びるｃ面割れが生じる。そして、切断予定面５Ａ及び切断予定面５Ｂの場合と同様にして、切断予定面５Ｃに沿ってレーザ光Ｌをインゴット１に照射する。これにより、図１５の（ｂ）部に示されるように、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃのそれぞれに沿って改質領域７が形成されると共に、それらの改質領域７からｃ面に沿って延びるｃ面割れが生じる。 Subsequently, similarly to the case of the planned cutting surface 5A, the ingot 1 is irradiated with the laser light L along the planned cutting surface 5B. As a result, the modified region 7 is formed in a spiral shape along the planned cutting surface 5B, and a c-plane crack extending from the modified region 7 along the c-plane occurs. Then, similarly to the case of the planned cutting surface 5A and the planned cutting surface 5B, the ingot 1 is irradiated with the laser light L along the planned cutting surface 5C. As a result, as shown in FIG. 15B, modified regions 7 are formed along each of the planned cutting surfaces 5A, 5B, and 5C, and from these modified regions 7 along the c-plane. C-plane cracks extending.
続いて、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃのそれぞれに沿ってインゴット１を切断する。ここでは、切断予定面５Ｃ、切断予定面５Ｂ、切断予定面５Ａの順にインゴット１の側面６からインゴット１にワイヤーソーを挿入することにより、切断予定面５Ｃ、切断予定面５Ｂ、切断予定面５Ａのそれぞれに沿って、インゴット１を順次切断する。つまり、ワイヤーソーを用いて、切断予定面５Ｃに沿ってインゴット１を切断した後に、切断予定面５Ｂに沿ってインゴット１を切断し、その後に、切断予定面５Ａに沿ってインゴット１を切断する。なお、インゴット１の切断は、例えば３つのワイヤーソーを同時に用いることにより、切断予定面５Ａ，切断予定面５Ｂ，切断予定面５Ｃのそれぞれに沿って同時に行なってもよい。 Subsequently, the ingot 1 is cut along each of the planned cutting surfaces 5A, 5B, 5C. Here, by inserting a wire saw from the side surface 6 of the ingot 1 to the ingot 1 in the order of the planned cutting surface 5C, the planned cutting surface 5B, and the planned cutting surface 5A, the planned cutting surface 5C, the planned cutting surface 5B, and the planned cutting surface 5A. The ingot 1 is sequentially cut along each of the above. That is, after cutting the ingot 1 along the planned cutting surface 5C using a wire saw, the ingot 1 is cut along the planned cutting surface 5B, and then the ingot 1 is cut along the planned cutting surface 5A. . The ingot 1 may be cut at the same time along each of the planned cutting surface 5A, the planned cutting surface 5B, and the planned cutting surface 5C by using, for example, three wire saws simultaneously.
これにより、図１６に示されるように、インゴット１から、六方晶系ＳｉＣ基板のための切断片２１，２２，２３と、新たなインゴット１２を得る。その後、このインゴット１２をさらに切断する場合には、インゴット１２の切断面３２をレーザ光Ｌの入射面として利用するために研磨した後に、上記工程を繰り返し実施する。また、必要に応じて、切断片２１，２２，２３の切断面２１ａ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂについても、研磨を施して平坦化してもよい。これにより、複数の六方晶系ＳｉＣ基板が製造される。 Thus, as shown in FIG. 16, the cut pieces 21, 22, and 23 for the hexagonal SiC substrate and a new ingot 12 are obtained from the ingot 1. Thereafter, when the ingot 12 is further cut, the above process is repeated after the cut surface 32 of the ingot 12 is polished to be used as the incident surface of the laser light L. If necessary, the cut surfaces 21a, 22a, 22b, 23a, and 23b of the cut pieces 21, 22, and 23 may be polished and flattened. Thereby, a plurality of hexagonal SiC substrates are manufactured.
以上説明したように、本実施形態に係る加工対象物切断方法においては、六方晶系ＳｉＣ結晶１０からなるインゴット１の切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃのそれぞれに沿ってレーザ光Ｌを順次照射することにより、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃに沿ってインゴット１の内部に改質領域７を順次形成する。その際に、レーザ光Ｌの一の照射点ＬＰと該一の照射点ＬＰに最も近い他の照射点ＬＰとのピッチを、改質領域７から生じた割れが六方晶系ＳｉＣ結晶１０のｃ面に沿って延びるような所定のピッチＰＴ（例えば１μｍ以上１０μｍ以下の範囲）とする。 As described above, in the workpiece cutting method according to the present embodiment, the laser beam L is sequentially irradiated along each of the planned cutting surfaces 5A, 5B, and 5C of the ingot 1 made of the hexagonal SiC crystal 10. Thus, the modified regions 7 are sequentially formed in the ingot 1 along the planned cutting surfaces 5A, 5B, and 5C. At this time, the pitch between one irradiation point LP of the laser beam L and the other irradiation point LP closest to the one irradiation point LP is set so that cracks generated from the modified region 7 are c in the hexagonal SiC crystal 10. A predetermined pitch PT (for example, a range of 1 μm or more and 10 μm or less) extending along the surface is set.
このため、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃに沿ってインゴット１を切断する際には、改質領域７からｃ面に沿って延びるｃ面割れが、インゴット１の内部に形成されている。そのｃ面割れが、インゴット１の切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃに沿っての切断を容易化するため、短時間でインゴット１の切断を行うことができ、スループットを向上させることができる。 For this reason, when cutting the ingot 1 along the planned cutting surfaces 5A, 5B, 5C, c-plane cracks extending from the modified region 7 along the c-plane are formed inside the ingot 1. Since the c-plane crack facilitates cutting along the planned cutting surfaces 5A, 5B, and 5C of the ingot 1, the ingot 1 can be cut in a short time, and the throughput can be improved.
また、本実施形態に係る加工対象物切断方法において、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃに沿ってインゴット１を切断する際には、上述したようにｃ面割れが生じているので、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃに沿って正確にインゴット１を切断することができる。そのため、インゴット１から切り出された切断片の切断面や、インゴット１の切断面を平坦化するための研磨の量が少なくてすむので、材料のロスを低減することができる。 Moreover, in the workpiece cutting method according to the present embodiment, when the ingot 1 is cut along the scheduled cutting surfaces 5A, 5B, and 5C, the c-plane crack is generated as described above. The ingot 1 can be accurately cut along 5A, 5B, and 5C. Therefore, the amount of polishing for flattening the cut surface of the cut piece cut out from the ingot 1 and the cut surface of the ingot 1 can be reduced, and the material loss can be reduced.
また、本実施形態に係る加工対象物切断方法においては、上述したように、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃのそれぞれに沿ってレーザ光Ｌを順次照射して改質領域７を形成した後に、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃのそれぞれに沿ってインゴット１を順次切断する。このため、例えば、改質領域７の形成とインゴット１の切断とを交互に繰り返す場合に比べて、インゴット１の複数回の切断を効率よく行なうことができる。特に、改質領域７の形成とインゴット１の切断とを交互に繰り返す場合に比べて、レーザ光Ｌの入射面の研磨を、切断の都度行なう必要がないため、効率的である。 In the processing object cutting method according to the present embodiment, as described above, after forming the modified region 7 by sequentially irradiating the laser light L along each of the scheduled cutting surfaces 5A, 5B, 5C, The ingot 1 is sequentially cut along each of the scheduled cutting surfaces 5A, 5B, 5C. For this reason, for example, compared with the case where the formation of the modified region 7 and the cutting of the ingot 1 are repeated alternately, the cutting of the ingot 1 can be efficiently performed a plurality of times. In particular, as compared with the case where the formation of the modified region 7 and the cutting of the ingot 1 are repeated alternately, it is more efficient because it is not necessary to polish the incident surface of the laser light L every time it is cut.
さらに、本実施形態に係る加工対象物切断方法においては、レーザ光Ｌの入射面（表面３）から離れた位置にある切断予定面から順に（すなわち、切断予定面５Ａ，５Ｂ，５Ｃの順に）、レーザ光Ｌを照射して改質領域７を形成する。このため、既に形成された改質領域７が、レーザ光Ｌの透過を妨げることを防止することができる。 Further, in the processing object cutting method according to the present embodiment, the cutting target surfaces are separated from the incident surface (surface 3) of the laser beam L in order (that is, in order of the cutting planned surfaces 5A, 5B, and 5C). Then, the modified region 7 is formed by irradiating the laser beam L. For this reason, it is possible to prevent the modified region 7 already formed from interfering with the transmission of the laser light L.
以上の第１及び第２実施形態は、本発明に係る加工対象物切断方法の一実施形態を説明したものである。したがって、本発明に係る加工対象物切断方法は、上述した第１及び第２実施形態に係る加工対象物切断方法に限定されるものではない。本発明に係る加工対象物切断方法は、特許請求の範囲に記した各請求項の要旨を変更しない範囲において、上述した第１及び第２実施形態に係る加工対象物切断方法を任意に変更したものとすることができる。 The first and second embodiments described above describe one embodiment of the workpiece cutting method according to the present invention. Therefore, the workpiece cutting method according to the present invention is not limited to the workpiece cutting method according to the first and second embodiments described above. The processing object cutting method according to the present invention arbitrarily changed the processing object cutting method according to the first and second embodiments described above without changing the gist of each claim described in the claims. Can be.
例えば、第１及び第２実施形態に係る加工対象物切断方法においては、レーザ光Ｌを照射する際に、レーザ光Ｌの集光点Ｐを、切断予定面に沿って渦巻状に相対移動させるものとしたが、レーザ光Ｌの照射の態様はこれに限定されない。例えば、レーザ光Ｌの照射の際には、図１７に示されるように、切断予定面５に沿って直線的にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対移動させることができる。なお、図１７には、直交座標系Ｓが示されている。また、図１７〜１９は、インゴット１の平面図である。 For example, in the processing object cutting method according to the first and second embodiments, when the laser beam L is irradiated, the condensing point P of the laser beam L is relatively moved in a spiral shape along the planned cutting surface. However, the mode of irradiation with the laser beam L is not limited to this. For example, when the laser beam L is irradiated, the condensing point P of the laser beam L can be linearly moved along the planned cutting surface 5 as shown in FIG. In FIG. 17, an orthogonal coordinate system S is shown. 17 to 19 are plan views of the ingot 1.
この場合には、まず、例えば切断予定面５の一端部にレーザ光Ｌの集光点Ｐを位置させて、切断予定面５に沿ってｘ軸正方向（図中の矢印Ａ５の方向）にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対移動させる。レーザ光Ｌの集光点Ｐが切断予定面５の他端部に到達したら、レーザ光Ｌの集光点Ｐのｙ軸方向の位置を変更する。そして、切断予定面５に沿ってｘ軸負方向（図中の矢印Ａ６方向）にレーザ光Ｌの集光点Ｐを相対移動させる。つまり、この場合には、レーザ光Ｌの集光点Ｐの切断予定面５におけるｙ軸方向の位置に応じて、レーザ光Ｌの集光点Ｐの進行方向を交互に変更しつつ、レーザ光Ｌの集光点Ｐを切断予定面５に沿って直線的に相対移動させる。 In this case, first, for example, the condensing point P of the laser beam L is positioned at one end of the planned cutting surface 5 and along the planned cutting surface 5 in the positive x-axis direction (the direction of the arrow A5 in the figure). The condensing point P of the laser beam L is relatively moved. When the condensing point P of the laser light L reaches the other end of the planned cutting surface 5, the position of the condensing point P of the laser light L in the y-axis direction is changed. Then, the condensing point P of the laser light L is relatively moved along the planned cutting surface 5 in the negative x-axis direction (the direction of the arrow A6 in the figure). That is, in this case, the laser beam is changed while alternately changing the traveling direction of the condensing point P of the laser light L according to the position of the condensing point P of the laser light L in the planned cutting plane 5 in the y-axis direction. The L condensing point P is linearly moved along the planned cutting surface 5.
このようにレーザ光Ｌの照射を行なうことによって、図１８に示されるように、互いに平行にｙ軸方向に配列され、ｘ軸方向に延びる直線状の複数の改質領域７が、切断予定面５に沿って形成される。この場合にも、レーザ光Ｌの照射は、レーザ光Ｌの一の照射点ＬＰと、該一の照射点ＬＰに最も近い他の照射点ＬＰとが所定のピッチＰＴとなるように行われる。より具体的には、この場合、図１９に示されるように、レーザ光Ｌの照射点ＬＰは、切断予定面５に沿って配列され、複数の照射点列Ｒを成すこととなる。 By irradiating the laser beam L in this way, as shown in FIG. 18, a plurality of linear modified regions 7 arranged in parallel to each other in the y-axis direction and extending in the x-axis direction are cut to the cutting plane. 5 is formed. Also in this case, the laser beam L is irradiated such that one irradiation point LP of the laser beam L and another irradiation point LP closest to the one irradiation point LP have a predetermined pitch PT. More specifically, in this case, as shown in FIG. 19, the irradiation points LP of the laser light L are arranged along the planned cutting surface 5 to form a plurality of irradiation point rows R.
したがって、この場合においても、上述した場合と同様に、ある照射点ＬＰ１の次の照射点ＬＰ２（或いは前の照射点ＬＰ３）が、その照射点ＬＰ１に最も近い場合には（すなわち、ｘ軸方向について照射点ＬＰ１に隣接する照射点ＬＰ２（或いは照射点ＬＰ３）が、照射点ＬＰ１に最も近い場合には）、照射点ＬＰ１とその次の照射点ＬＰ２（或いはその前の照射点ＬＰ３）とのピッチ（すなわちパルスピッチ）Ｐ１２が、所定のピッチＰＴとなるようにする。つまり、この場合には、パルスピッチを調整することにより、ｘ軸方向についての照射点ＬＰ同士のピッチを、所定のピッチＰＴとする。 Therefore, in this case, as in the case described above, in some cases irradiation point LP 1 of the next irradiation point LP 2 (or irradiation point LP 3 above) is closest to the irradiation point LP 1 (i.e. , irradiation point LP 2 adjacent to the irradiation point LP 1 the x-axis direction (or the irradiation point LP 3) is, when the closest to the irradiation point LP 1 is), the irradiation point LP 1 and the next irradiation point LP 2 ( or the previous irradiation point LP 3) and the pitch (or pulse pitch) P 12 is set to be a predetermined pitch PT. That is, in this case, the pitch between the irradiation points LP in the x-axis direction is set to a predetermined pitch PT by adjusting the pulse pitch.
或いは、照射点ＬＰ１が照射点列Ｒの第ｎ列Ｒｎに属するとしたとき、その前の（或いはその次の）第ｎ−１列Ｒｎ−１において照射点ＬＰ１に対応する位置にある照射点ＬＰ４が照射点ＬＰ１に最も近い場合（すなわち、ｙ軸方向について照射点ＬＰ１に隣接する照射点ＬＰ４が、照射点ＬＰ１に最も近い場合）には、照射点列Ｒの各列同士の間隔を所定のピッチＰＴとすることにより、第ｎ列Ｒｎの照射点ＬＰ１と第ｎ−１列Ｒｎ−１の照射点ＬＰ４とのピッチＰ１４を所定のピッチＰＴとする。照射点列Ｒの各列同士の間隔は、例えば、レーザ光Ｌの集光点Ｐのｙ軸方向の移動の程度を制御することによって調整することができる。つまり、この場合には、照射点列Ｒの各列同士の間隔を調整することにより、ｙ軸方向についての照射点ＬＰ同士のピッチを、所定のピッチとする。 Alternatively, when the irradiation point LP 1 has to belong to the n-th column R n of irradiation point sequence R, to its previous (or the next) position corresponding to the irradiation point LP1 in the first n-1 rows R n-1 When a certain irradiation point LP 4 is closest to the irradiation point LP 1 (that is, when the irradiation point LP 4 adjacent to the irradiation point LP 1 in the y-axis direction is closest to the irradiation point LP 1 ), the irradiation point sequence R by the distance between each row between the predetermined pitch PT, the n-th column R n predetermined pitch pitch P 14 between the irradiation point LP 1 and the n-1 row irradiation point LP 4 of R n-1 of Let it be PT. The interval between the irradiation point rows R can be adjusted, for example, by controlling the degree of movement of the condensing point P of the laser light L in the y-axis direction. That is, in this case, the pitch between the irradiation points LP in the y-axis direction is set to a predetermined pitch by adjusting the interval between the irradiation point rows R.
なお、照射点列Ｒの各列同士の間隔とパルスピッチとの両方を調整することにより、ｘ軸方向とｙ軸方向との両方について、照射点ＬＰ同士のピッチを所定のピッチＰＴとしてもよい。 The pitch between the irradiation points LP may be set to a predetermined pitch PT in both the x-axis direction and the y-axis direction by adjusting both the interval between the irradiation point rows R and the pulse pitch. .
また、ｘ軸方向における複数の位置において、レーザ光Ｌの集光点Ｐをｙ軸方向に直線的に相対移動させつつレーザ光Ｌをさらに照射することにより、ｙ軸方向に延びる複数の改質領域７をさらに形成してもよい。その場合には、インゴット１の内部には、切断予定面５に沿って格子状に改質領域７が形成されることとなる。したがって、レーザ光Ｌの照射点ＬＰが切断予定面５に沿ってより密に配列されることとなるので、ｃ面割れが広がり易くなる。 Further, at a plurality of positions in the x-axis direction, by further irradiating the laser beam L while linearly moving the condensing points P of the laser beam L linearly in the y-axis direction, a plurality of modifications extending in the y-axis direction. Region 7 may be further formed. In that case, the modified region 7 is formed in a lattice shape along the planned cutting surface 5 inside the ingot 1. Therefore, the irradiation points LP of the laser light L are arranged more densely along the planned cutting surface 5, so that c-plane cracks are likely to spread.
また、第１及び第２実施形態に係る加工対象物切断方法においては、レーザ光Ｌを照射する際に、例えばレーザ光源制御部１０２の制御の元で、レーザ光Ｌのパルス幅を制御することができる。例えば、レーザ光Ｌのパルス幅を、２０ｎｓ未満とするか、或いは、１００ｎｓより大きくすることによって、改質領域７からのｃ面割れをより好適に生じさせることが可能となる。 In the processing object cutting method according to the first and second embodiments, when irradiating the laser light L, for example, the pulse width of the laser light L is controlled under the control of the laser light source control unit 102. Can do. For example, by setting the pulse width of the laser light L to less than 20 ns or greater than 100 ns, c-plane cracks from the modified region 7 can be more suitably generated.
また、第１及び第２実施形態において、レーザ光Ｌを照射して改質領域７を形成する際には、切断予定面上の複数の点にレーザ光Ｌを同時に集光してもよい（多点加工）。図２０は、多点加工を施した場合の切断予定面の様子を示す拡大写真である。この場合、図２０に示されるように、複数の列の（ここでは３列の）改質領域７を同時に形成することが可能となるので、より効率的にインゴット１の切断を行なうことが可能となる。 In the first and second embodiments, when the modified region 7 is formed by irradiating the laser beam L, the laser beam L may be simultaneously focused on a plurality of points on the planned cutting surface ( Multi-point processing). FIG. 20 is an enlarged photograph showing the state of the planned cutting surface when multipoint processing is performed. In this case, as shown in FIG. 20, a plurality of (three in this case) modified regions 7 can be formed at the same time, so that the ingot 1 can be cut more efficiently. It becomes.
また、インゴット１の切断の態様についても、上述した第１及び第２実施形態の態様に限定されない。例えば、インゴット１において改質領域７が形成された層をエッチングにより除去することによって、インゴット１を切断してもよい。 Moreover, the aspect of cutting the ingot 1 is not limited to the aspect of the first and second embodiments described above. For example, the ingot 1 may be cut by removing the layer in which the modified region 7 is formed in the ingot 1 by etching.
さらに、上述した第１及び第２実施形態においては、六方晶系ＳｉＣ結晶からなるインゴット１を加工対象物としたが、加工対象物はそのようなインゴット１に限定されない。六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物としては、例えば、インゴット１を切断して得られるウエハを用いてもよい。この場合には、まず、インゴット１を用意した後に、そのインゴット１をワイヤーソー等によって予め切断し、所望する六方晶系ＳｉＣ基板複数分の厚みを有するウエハを得る。その後、得られたウエハの切断面を研磨する。これにより、六方晶系ＳｉＣ結晶からなる加工対象物としてのウエハを用意する。そして、そのウエハに対して、インゴット１の場合と同様に後の工程を実施することにより、そのウエハを複数に切断（スライス）することができる。 Furthermore, in the first and second embodiments described above, the ingot 1 made of a hexagonal SiC crystal is used as the processing object, but the processing object is not limited to such an ingot 1. For example, a wafer obtained by cutting the ingot 1 may be used as the processing object made of a hexagonal SiC crystal. In this case, first, after preparing the ingot 1, the ingot 1 is cut in advance with a wire saw or the like to obtain a wafer having a desired thickness for a plurality of hexagonal SiC substrates. Thereafter, the cut surface of the obtained wafer is polished. In this way, a wafer is prepared as a processing object made of hexagonal SiC crystal. Then, the wafer can be cut (sliced) into a plurality of pieces by performing the subsequent steps on the wafer as in the case of the ingot 1.
１…インゴット（加工対象物）、３…表面（パルスレーザ光の入射面）、５Ａ…切断予定面（第１の切断予定面）、５Ｂ…切断予定面（第２の切断予定面）、７…改質領域、１０…六方晶系ＳｉＣ結晶、Ｌ…レーザ光（パルスレーザ光）、ＬＰ，ＬＰ１，ＬＰ２，ＬＰ３，ＬＰ４…照射点。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ingot (work object), 3 ... Surface (incident surface of pulse laser beam), 5A ... Planned cutting surface (first cutting planned surface), 5B ... Planned cutting surface (second cutting planned surface), 7 ... modified region, 10 ... hexagonal SiC crystal, L ... laser light (pulse laser light), LP, LP 1, LP 2, LP 3, LP 4 ... irradiation point.
Claims (5)
前記パルスレーザ光の一の照射点と該一の照射点に最も近い他の照射点とが所定のピッチとなるように、前記加工対象物の第１の切断予定面に沿って前記加工対象物に前記パルスレーザ光を照射することにより、前記第１の切断予定面に沿って前記改質領域を形成し、前記改質領域から六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面に沿って延びる割れを生じさせる工程と、
前記第１の切断予定面に沿って前記改質領域を形成した後に、六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面に沿って延びる割れが生じた状態の前記加工対象物を前記第１の切断予定面に沿って切断する工程と、を備え、
前記第１の切断予定面は、六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面とオフ角分の角度を成しており、
前記所定のピッチは、前記改質領域の形成時に前記改質領域から生じた割れが六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面に沿って延びるようなピッチである、ことを特徴とする加工対象物切断方法。 A processing object cutting method for forming a modified region in the processing object by irradiating a processing object made of a hexagonal SiC crystal with a pulse laser beam, and cutting the processing object,
The object to be processed along the first scheduled cutting surface of the object to be processed such that one irradiation point of the pulse laser beam and another irradiation point closest to the one irradiation point have a predetermined pitch. Is irradiated with the pulse laser beam to form the modified region along the first planned cutting surface, and to generate a crack extending from the modified region along the c-plane of the hexagonal SiC crystal. Process,
After forming the modified region along the first planned cutting surface, the workpiece to be processed in a state in which a crack extending along the c-plane of the hexagonal SiC crystal is generated as the first planned cutting surface. and a step of disconnecting along,
The first planned cutting surface forms an off-angle angle with the c-plane of the hexagonal SiC crystal,
The predetermined pitch is a pitch such that cracks generated from the modified region during the formation of the modified region extend along the c-plane of the hexagonal SiC crystal. .
前記第２の切断予定面に沿って前記改質領域を形成した後に、前記第２の切断予定面に沿って前記加工対象物を切断する工程と、をさらに備え、
前記第２の切断予定面は、六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面とオフ角分の角度を成している、ことを特徴とする請求項１に記載の加工対象物切断方法。 After cutting the workpiece along the first scheduled cutting surface, one irradiation point of the pulse laser beam and another irradiation point closest to the one irradiation point are set to the predetermined pitch. And forming the modified region along the second scheduled cutting surface by irradiating the workpiece with the pulsed laser light along the second planned cutting surface of the workpiece. ,
Cutting the workpiece along the second scheduled cutting surface after forming the modified region along the second scheduled cutting surface, and further comprising:
2. The workpiece cutting method according to claim 1, wherein the second scheduled cutting surface forms an off-angle angle with a c-plane of a hexagonal SiC crystal.
前記第２の切断予定面に沿って前記改質領域を形成した後に、前記第２の切断予定面に沿って前記加工対象物を切断する工程と、をさらに備え、
前記第２の切断予定面は、六方晶系ＳｉＣ結晶のｃ面とオフ角分の角度を成している、
ことを特徴とする請求項１に記載の加工対象物切断方法。 One irradiation of the pulse laser beam after forming the modified region along the first scheduled cutting surface and before cutting the workpiece along the first scheduled cutting surface A point and another irradiation point closest to the one irradiation point are positioned closer to the incident surface side of the pulsed laser light on the object to be processed than the first scheduled cutting surface so as to have the predetermined pitch. Irradiating the workpiece with the pulsed laser light along a second planned cutting surface to form the modified region along the second planned cutting surface;
Cutting the workpiece along the second scheduled cutting surface after forming the modified region along the second scheduled cutting surface, and further comprising:
The second planned cutting plane forms an off-angle angle with the c-plane of the hexagonal SiC crystal,
The processing object cutting method according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011187658A JP5917862B2 (en) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | Processing object cutting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011187658A JP5917862B2 (en) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | Processing object cutting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013049161A JP2013049161A (en) | 2013-03-14 |
| JP5917862B2 true JP5917862B2 (en) | 2016-05-18 |
Family
ID=48011661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011187658A Active JP5917862B2 (en) | 2011-08-30 | 2011-08-30 | Processing object cutting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5917862B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107877011A (en) * | 2016-09-29 | 2018-04-06 | 株式会社迪思科 | The generation method of SiC wafer |
| US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| US10940611B2 (en) | 2018-07-26 | 2021-03-09 | Halo Industries, Inc. | Incident radiation induced subsurface damage for controlled crack propagation in material cleavage |
| US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
Families Citing this family (84)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6341639B2 (en) * | 2013-08-01 | 2018-06-13 | 株式会社ディスコ | Processing equipment |
| DE102015000449A1 (en) | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Siltectra Gmbh | Solid body distribution by means of material conversion |
| JP2016015447A (en) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Wafer manufacturing method and apparatus |
| JP6390898B2 (en) | 2014-08-22 | 2018-09-19 | アイシン精機株式会社 | Substrate manufacturing method, workpiece cutting method, and laser processing apparatus |
| JP6506520B2 (en) * | 2014-09-16 | 2019-04-24 | 株式会社ディスコ | SiC slicing method |
| US10930560B2 (en) | 2014-11-27 | 2021-02-23 | Siltectra Gmbh | Laser-based separation method |
| EP3395489A1 (en) * | 2014-11-27 | 2018-10-31 | Siltectra GmbH | Solid body division by conversion of substances |
| JP6399913B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6399914B2 (en) | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6366485B2 (en) * | 2014-12-04 | 2018-08-01 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6358941B2 (en) * | 2014-12-04 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6358940B2 (en) * | 2014-12-04 | 2018-07-18 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6366486B2 (en) * | 2014-12-04 | 2018-08-01 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6418927B2 (en) * | 2014-12-04 | 2018-11-07 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6494991B2 (en) * | 2014-12-10 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP5917677B1 (en) * | 2014-12-26 | 2016-05-18 | エルシード株式会社 | Processing method of SiC material |
| JP6395613B2 (en) | 2015-01-06 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6391471B2 (en) | 2015-01-06 | 2018-09-19 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6395633B2 (en) * | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6395632B2 (en) * | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6395634B2 (en) * | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| DE102015003193A1 (en) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | Siltectra Gmbh | Apparatus and method for continuously treating a solid by means of laser beams |
| JP6494382B2 (en) | 2015-04-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6425606B2 (en) | 2015-04-06 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | Wafer production method |
| JP6429715B2 (en) * | 2015-04-06 | 2018-11-28 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6456228B2 (en) * | 2015-04-15 | 2019-01-23 | 株式会社ディスコ | Thin plate separation method |
| JP6444249B2 (en) | 2015-04-15 | 2018-12-26 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6472333B2 (en) * | 2015-06-02 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6472332B2 (en) * | 2015-06-02 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6482389B2 (en) * | 2015-06-02 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6478821B2 (en) * | 2015-06-05 | 2019-03-06 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| DE102015008037A1 (en) | 2015-06-23 | 2016-12-29 | Siltectra Gmbh | Method for guiding a tear in the edge region of a donor substrate |
| JP6552898B2 (en) * | 2015-07-13 | 2019-07-31 | 株式会社ディスコ | Method for producing polycrystalline SiC wafer |
| JP6482423B2 (en) | 2015-07-16 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6494457B2 (en) * | 2015-07-16 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6472347B2 (en) * | 2015-07-21 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | Thinning method of wafer |
| JP6482425B2 (en) * | 2015-07-21 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | Thinning method of wafer |
| JP6486239B2 (en) * | 2015-08-18 | 2019-03-20 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP6562819B2 (en) * | 2015-11-12 | 2019-08-21 | 株式会社ディスコ | Method for separating SiC substrate |
| JP6654435B2 (en) * | 2016-01-07 | 2020-02-26 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6602207B2 (en) * | 2016-01-07 | 2019-11-06 | 株式会社ディスコ | Method for generating SiC wafer |
| JP6604891B2 (en) * | 2016-04-06 | 2019-11-13 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6690983B2 (en) | 2016-04-11 | 2020-04-28 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method and actual second orientation flat detection method |
| JP6619685B2 (en) * | 2016-04-19 | 2019-12-11 | 株式会社ディスコ | Processing method of SiC wafer |
| JP6246444B1 (en) * | 2016-05-17 | 2017-12-13 | エルシード株式会社 | Cutting method of material to be processed |
| JP6669594B2 (en) | 2016-06-02 | 2020-03-18 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6678522B2 (en) * | 2016-06-10 | 2020-04-08 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method and peeling device |
| JP6698468B2 (en) | 2016-08-10 | 2020-05-27 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6723877B2 (en) | 2016-08-29 | 2020-07-15 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP2018093046A (en) | 2016-12-02 | 2018-06-14 | 株式会社ディスコ | Wafer production method |
| JP6831253B2 (en) | 2017-01-27 | 2021-02-17 | 株式会社ディスコ | Laser processing equipment |
| JP6781639B2 (en) | 2017-01-31 | 2020-11-04 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6858587B2 (en) * | 2017-02-16 | 2021-04-14 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6858586B2 (en) * | 2017-02-16 | 2021-04-14 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| KR102551442B1 (en) * | 2017-04-20 | 2023-07-06 | 실텍트라 게엠베하 | How to produce wafers with defined oriented crystal lines |
| JP6935224B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-09-15 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method |
| JP6923877B2 (en) * | 2017-04-26 | 2021-08-25 | 国立大学法人埼玉大学 | Substrate manufacturing method |
| JP6904793B2 (en) * | 2017-06-08 | 2021-07-21 | 株式会社ディスコ | Wafer generator |
| CN110785833A (en) * | 2017-06-19 | 2020-02-11 | 罗姆股份有限公司 | Method for manufacturing semiconductor device and wafer bonding structure |
| JP6976745B2 (en) | 2017-06-30 | 2021-12-08 | 株式会社ディスコ | Wafer generator |
| JP6943388B2 (en) * | 2017-10-06 | 2021-09-29 | 国立大学法人埼玉大学 | Substrate manufacturing method |
| JP6946153B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-10-06 | 株式会社ディスコ | Wafer generation method and wafer generator |
| JP7009194B2 (en) | 2017-12-12 | 2022-01-25 | 株式会社ディスコ | Wafer generator and transport tray |
| JP7123759B2 (en) * | 2018-01-19 | 2022-08-23 | パナソニックホールディングス株式会社 | Laser slicing device and laser slicing method |
| JP7121941B2 (en) * | 2018-03-09 | 2022-08-19 | 国立大学法人埼玉大学 | Substrate manufacturing method |
| JP7073172B2 (en) | 2018-04-03 | 2022-05-23 | 株式会社ディスコ | How to generate a wafer |
| US10896815B2 (en) * | 2018-05-22 | 2021-01-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor substrate singulation systems and related methods |
| CN112400217A (en) * | 2018-07-19 | 2021-02-23 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing system and substrate processing method |
| JP7133633B2 (en) * | 2018-09-13 | 2022-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing system and processing method |
| JP7164396B2 (en) | 2018-10-29 | 2022-11-01 | 株式会社ディスコ | wafer generator |
| WO2020090894A1 (en) | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing device and laser processing method |
| JP7120904B2 (en) | 2018-10-30 | 2022-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD |
| JP2020102536A (en) * | 2018-12-21 | 2020-07-02 | 国立大学法人東海国立大学機構 | Laser processing method, semiconductor member manufacturing method, and semiconductor object |
| JP7127208B2 (en) * | 2019-03-28 | 2022-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing equipment and processing method |
| TW202116468A (en) * | 2019-07-18 | 2021-05-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Processing device and processing method |
| JPWO2021025086A1 (en) | 2019-08-06 | 2021-02-11 | ||
| JPWO2021060365A1 (en) | 2019-09-27 | 2021-04-01 | ||
| US20220375749A1 (en) | 2019-09-27 | 2022-11-24 | Kwansei Gakuin Educational Foundation | Method of manufacturing sic semiconductor device and sic semiconductor device |
| JP2021168347A (en) | 2020-04-10 | 2021-10-21 | 株式会社ディスコ | Production method for wafer |
| CN115415665A (en) * | 2021-05-14 | 2022-12-02 | 日扬科技股份有限公司 | Non-contact machining device and machining method |
| JP2023111383A (en) | 2022-01-31 | 2023-08-10 | 株式会社ディスコ | Wafer generation apparatus |
| JP2023116216A (en) | 2022-02-09 | 2023-08-22 | 株式会社ディスコ | Generation method of wafer |
| JP7398852B1 (en) * | 2023-06-23 | 2023-12-15 | 有限会社ドライケミカルズ | Semiconductor crystal wafer manufacturing equipment and manufacturing method |
| JP7429080B1 (en) | 2023-11-28 | 2024-02-07 | 有限会社ドライケミカルズ | Semiconductor crystal wafer manufacturing equipment and manufacturing method |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4455804B2 (en) * | 2002-05-08 | 2010-04-21 | 株式会社ワイ・ワイ・エル | INGOTING CUTTING METHOD AND CUTTING DEVICE, WAFER AND SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD |
| JP2006142556A (en) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Sharp Corp | Substrate manufacturing apparatus and substrate manufacturing method |
| JP2009266892A (en) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Method for manufacturing compound semiconductor crystalline substrate |
| JP2008201143A (en) * | 2008-06-02 | 2008-09-04 | Denso Corp | Cutting process of work |
| JP5601778B2 (en) * | 2009-02-19 | 2014-10-08 | 信越ポリマー株式会社 | Manufacturing method of semiconductor wafer |
| JP5561666B2 (en) * | 2009-09-07 | 2014-07-30 | 国立大学法人埼玉大学 | Substrate slicing method |
-
2011
- 2011-08-30 JP JP2011187658A patent/JP5917862B2/en active Active
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107877011A (en) * | 2016-09-29 | 2018-04-06 | 株式会社迪思科 | The generation method of SiC wafer |
| CN107877011B (en) * | 2016-09-29 | 2021-04-23 | 株式会社迪思科 | Method for producing SiC wafer |
| US10940611B2 (en) | 2018-07-26 | 2021-03-09 | Halo Industries, Inc. | Incident radiation induced subsurface damage for controlled crack propagation in material cleavage |
| US11826846B2 (en) | 2018-12-29 | 2023-11-28 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
| US11911842B2 (en) | 2018-12-29 | 2024-02-27 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US11219966B1 (en) | 2018-12-29 | 2022-01-11 | Wolfspeed, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US11901181B2 (en) | 2018-12-29 | 2024-02-13 | Wolfspeed, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
| US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| US11654596B2 (en) | 2019-05-17 | 2023-05-23 | Wolfspeed, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| US11034056B2 (en) | 2019-05-17 | 2021-06-15 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013049161A (en) | 2013-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5917862B2 (en) | Processing object cutting method | |
| KR102361278B1 (en) | Wafer producing method | |
| JP5917677B1 (en) | Processing method of SiC material | |
| JP5480169B2 (en) | Laser processing method | |
| JP5670764B2 (en) | Laser processing method | |
| JP5491761B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP6358940B2 (en) | Wafer generation method | |
| TW201736071A (en) | Wafer producing method | |
| JP5670765B2 (en) | Laser processing method | |
| JP2016215231A (en) | Slice device and method for brittle substrate | |
| TW201631228A (en) | Wafer producing method | |
| JP6246444B1 (en) | Cutting method of material to be processed | |
| JP2014041924A (en) | Method for cutting workpiece | |
| JP6818273B2 (en) | Substrate processing method | |
| WO2012096092A1 (en) | Laser processing method | |
| JP2014041927A (en) | Method for cutting workpiece | |
| JP6076601B2 (en) | Laser processing method, semiconductor device manufacturing method, and laser processing apparatus | |
| JP2013063454A (en) | Laser machining method and laser machining device | |
| JP6012185B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP5775312B2 (en) | Laser processing method | |
| JP5969214B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP7033485B2 (en) | Cutting blade shaping method | |
| JP7210292B2 (en) | Wafer generation method | |
| JP6851040B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing equipment | |
| JP2013157449A (en) | Method for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140822 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150825 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150828 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151026 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160308 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160407 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5917862 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |