JP5748088B2 - Manufacturing method of glass substrate - Google Patents

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本発明は、ガラス基板の製造方法に関し、特に、一方の面全域に薄膜が形成されたガラス基板を製造するための方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a glass substrate, and more particularly, to a method for manufacturing a glass substrate having a thin film formed on the entire area of one surface.

周知のように、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイおよびエレクトロルミネッセンスディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ(FPD)の他、色素増感型太陽電池や電磁調理器などの電気・電子機器に用いられるガラス基板の表面には、透明電極(誘電膜)、反射防止膜、紫外線遮断膜等の各種機能性薄膜が必要に応じて一種又は複数種形成される。   As is well known, in addition to flat panel displays (FPD) such as liquid crystal displays, plasma displays, field emission displays and electroluminescence displays, glass substrates used in electrical and electronic equipment such as dye-sensitized solar cells and electromagnetic cookers. Various functional thin films such as a transparent electrode (dielectric film), an antireflection film, and an ultraviolet blocking film are formed on the surface of the film as needed.

例えば、以下に示す特許文献1には、対向配置された一対のガラス基板(厳密には透明ガラス基板)の間に透明電極等を形成すると共に、ガラス基板の表面に紫外線遮断膜を形成してなる色素増感型太陽電池(以下、単に太陽電池という)が開示されている。このような太陽電池において、ガラス基板の表面に紫外線遮断膜を設けておけば、紫外線の影響によるガラス基板の透明性の低下、ひいては発電能力の低下を可及的に防止することができる。なお、太陽電池の特性上、紫外線遮断膜は、ガラス基板の表面全域にくまなく形成する必要がある。ガラス基板の表面に紫外線遮断膜の非形成領域が存在すると、この非形成領域の透明性が低下し、発電能力が低下するおそれがあるからである。この点、上記の特許文献1に開示された太陽電池では、スプレー方式やロールコート方式などの塗布法によって紫外線吸収剤を含むコーティング剤をガラス基板の表面に塗布し、これを乾燥させることによって紫外線遮断膜を生成するようにしているので、ガラス基板の表面全域に、紫外線遮断膜がくまなく形成される。   For example, in Patent Document 1 shown below, a transparent electrode or the like is formed between a pair of opposed glass substrates (strictly, a transparent glass substrate), and an ultraviolet blocking film is formed on the surface of the glass substrate. A dye-sensitized solar cell (hereinafter simply referred to as a solar cell) is disclosed. In such a solar cell, if an ultraviolet blocking film is provided on the surface of the glass substrate, it is possible to prevent as much as possible the decrease in transparency of the glass substrate due to the influence of ultraviolet rays, and thus the decrease in power generation capacity. In addition, it is necessary to form an ultraviolet shielding film all over the surface of a glass substrate on the characteristic of a solar cell. This is because if the non-formation region of the ultraviolet blocking film exists on the surface of the glass substrate, the transparency of the non-formation region is lowered, and the power generation capacity may be lowered. In this regard, in the solar cell disclosed in the above-mentioned Patent Document 1, a coating agent containing an ultraviolet absorber is applied to the surface of the glass substrate by a coating method such as a spray method or a roll coating method, and the ultraviolet ray is obtained by drying it. Since the blocking film is generated, the ultraviolet blocking film is formed over the entire surface of the glass substrate.

ところで、地球温暖化防止対策の一つとして太陽光発電が注目され、太陽電池の需要が急速に増大している昨今、太陽電池の生産効率や発電効率(発電能力)を高める必要が生じており、この種の要請に応えるための方策の一つに、薄膜、特に紫外線遮断膜の生成効率や精度向上を図ることが考えられる。そこで、スプレー方式などで紫外線吸収剤を含むコーティング剤をガラス基板に塗布した後、これを乾燥させるという特許文献1に開示された手法に替えて、スパッタリング等、成膜プロセスの自動化および成膜精度の向上を同時に達成することが可能な手法(成膜処理)を採用することが検討され、あるいは実用されている。   By the way, solar power generation is attracting attention as one of the measures for preventing global warming, and the demand for solar cells is rapidly increasing. In recent years, it is necessary to increase the production efficiency and power generation efficiency (power generation capacity) of solar cells. One of the measures to meet this type of request is to improve the generation efficiency and accuracy of thin films, particularly ultraviolet blocking films. Therefore, instead of the technique disclosed in Patent Document 1 in which a coating agent containing an ultraviolet absorber is applied to a glass substrate by a spray method or the like and then dried, automation of the film formation process and film formation accuracy such as sputtering are performed. Adopting a technique (film formation process) that can simultaneously achieve the improvement is being studied or put into practical use.

スパッタリングとは、真空中で基板と対向配置したターゲットから放出されるターゲット粒子を、基板上に堆積させることによって薄膜を形成する手法であり、その方式としては、ターゲットと基板とを起立保持した状態で成膜を行ういわゆる縦型と、両者を水平姿勢に保持した状態で成膜を行ういわゆる横型とに大別される。横型は、さらに、基板の下方にターゲットを配置するスパッタアップ方式と、基板の上方にターゲットを配置するスパッタダウン方式とに大別される。   Sputtering is a method of forming a thin film by depositing target particles emitted from a target placed opposite to a substrate in a vacuum on a substrate. The method is a state in which the target and the substrate are held upright. And so-called vertical type in which film formation is performed while the both are held in a horizontal position. The horizontal type is further roughly divided into a sputter up system in which a target is disposed below the substrate and a sputter down system in which the target is disposed above the substrate.

特開2008−112704号公報JP 2008-112704 A

上記の各種方式のうち、スパッタダウン方式は、異物(ターゲットの破片等)が基板上に落下し、薄膜にピンホールなどの欠陥が生じる可能性が他の方式に比べて高いことから、縦型スパッタ方式やスパッタアップ方式を採用する場合が多い。これらの方式を採用する場合、成膜処理前には、表面がターゲットに対向するように成膜対象基板としてのガラス基板を支持具に対して取り付け固定し、成膜処理後には、ガラス基板を支持具から取り外す必要があるが、支持具に対するガラス基板の取り付け状態が不安定であると、成膜処理中にガラス基板が変位・脱落等し、所定の薄膜を形成することが難しくなる。例えば、支持具とガラス基板との間に接着剤や両面テープ等を介在させればガラス基板を安定的に支持することができるが、成膜処理が加熱を伴う工程である関係上、接着剤等の粘着成分がガラス基板に残存する可能性がある。このように、粘着成分がガラス基板に残存すると、残存した粘着成分の除去に多大な手間を要するばかりでなく、最悪の場合ガラス基板が使い物にならなくなるおそれがある。   Among the various methods described above, the sputter down method is more likely to cause foreign objects (such as target debris) to fall on the substrate and cause defects such as pinholes in the thin film compared to other methods. In many cases, a sputtering method or a sputter-up method is employed. When these methods are employed, before the film formation process, a glass substrate as a film formation target substrate is attached and fixed to the support so that the surface faces the target, and after the film formation process, the glass substrate is attached. Although it is necessary to remove the support from the support, if the glass substrate attached to the support is unstable, the glass substrate is displaced or dropped during the film formation process, making it difficult to form a predetermined thin film. For example, if an adhesive or a double-sided tape is interposed between the support and the glass substrate, the glass substrate can be stably supported, but the adhesive is used because the film forming process is a process involving heating. Such an adhesive component may remain on the glass substrate. As described above, when the adhesive component remains on the glass substrate, not only the removal of the remaining adhesive component requires much labor, but in the worst case, the glass substrate may not be usable.

このような問題が生じるのを防止すべく、ガラス基板の外周部(周縁部)をクランプ可能なクランプ部を有する支持具を用いる場合が多い。しかし、クランプ部の態様によっては、クランプ部とガラス基板との間に形成される隙間や、ガラス基板のうちクランプ部と接していない領域を介してガラス基板の裏面側にスパッタ粒子が回り込み、ガラス基板の裏面の一部領域にも薄膜(余剰薄膜)が形成される場合がある。余剰薄膜は、除去加工を施すことによって取り除く必要があるが、ガラス基板にキズ等を付けることなく余剰薄膜を完全に除去するのは容易ではない。クランプ部でガラス基板の周縁部全体を覆うようにすれば、裏面に余剰薄膜が形成されるのを防止することができるが、表面全域に薄膜を形成することができなくなることから、このような手段は根本的に採用することができない。   In order to prevent such a problem from occurring, a support having a clamp part that can clamp the outer peripheral part (peripheral part) of the glass substrate is often used. However, depending on the mode of the clamp part, the sputtered particles wrap around the back side of the glass substrate through a gap formed between the clamp part and the glass substrate or a region of the glass substrate that is not in contact with the clamp part. A thin film (excess thin film) may also be formed in a partial region of the back surface of the substrate. Although it is necessary to remove the excess thin film by performing removal processing, it is not easy to completely remove the excess thin film without scratching the glass substrate. If the entire peripheral edge of the glass substrate is covered with the clamp part, it is possible to prevent an excessive thin film from being formed on the back surface, but it is impossible to form a thin film over the entire surface. Means cannot be fundamentally adopted.

本発明は、上記の各種課題を解決するためになされたものであり、成膜処理を施すことによってガラス基板の一方の面全域に所定の薄膜を形成するに際し、成膜処理中にはガラス基板を安定的に支持することができながら、成膜処理後にはガラス基板を容易に取り外すことができ、しかも成膜処理に伴ってガラス基板の他方の面に余剰薄膜が形成されるのを防止することができる方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described various problems. When a predetermined thin film is formed over the entire area of one surface of a glass substrate by performing a film forming process, the glass substrate is formed during the film forming process. The glass substrate can be easily removed after the film formation process, and an excessive thin film is prevented from being formed on the other surface of the glass substrate along with the film formation process. It aims to provide a method that can be used.

上記の目的を達成するために創案された本発明は、一方の面全域に薄膜が形成されたガラス基板を製造するための方法であって、成膜処理により薄膜を形成するに際し、ガラス基板の他方の面を、該他方の面全域を覆う支持ガラス基板の支持面に対して剥離可能に直接接着させることを特徴とする。ここで、本発明でいう「直接接着」とは、ガラス基板の他方の面と支持ガラス基板の支持面との間に接着剤等を介在させずとも、ガラス基板の他方の面と支持ガラス基板の支持面とが直接的に接着し、成膜処理中に通常作用する程度の外部応力(引っ張り応力やせん断応力)によっては両者の密着状態が解消されない(剥離しない)ことを意味する。   The present invention devised to achieve the above object is a method for manufacturing a glass substrate having a thin film formed on the entire surface of one surface, and the glass substrate is formed by forming a thin film by a film forming process. The other surface is directly bonded to the supporting surface of the supporting glass substrate covering the entire area of the other surface so as to be peelable. Here, “direct bonding” as used in the present invention refers to the other surface of the glass substrate and the supporting glass substrate without interposing an adhesive or the like between the other surface of the glass substrate and the supporting surface of the supporting glass substrate. This means that the contact state between the two and the support surface is not directly eliminated (not peeled) by an external stress (tensile stress or shear stress) that normally acts during film formation.

なお、本発明でいう成膜処理には、上記したスパッタリングのみならず、イオンプレーティング、抵抗加熱蒸着、イオンビーム蒸着等、公知のその他の成膜処理法が含まれる。   The film forming process referred to in the present invention includes not only the above-described sputtering but also other known film forming processes such as ion plating, resistance heating vapor deposition, and ion beam vapor deposition.

上記のように、ガラス基板の他方の面を、支持ガラス基板の支持面に対して直接接着させれば、ガラス基板を安定的に支持することができるので、成膜処理で高精度の薄膜を形成することができる。しかも、ガラス基板の他方の面は、その全域が支持ガラス基板の支持面で覆われることから、成膜処理に伴ってガラス基板の他方の面に余剰薄膜が形成されることもない。その一方、支持ガラス基板からガラス基板の一部を剥離させれば(若しくはガラス基板から支持ガラス基板の一部を剥離させれば)、その後連続してガラス基板を支持ガラス基板から剥離させることができるので、成膜処理完了後には両者を容易に分離することができる。このとき、ガラス基板と支持ガラス基板とが直接接着し、両者間に接着剤等が介在していないことから、支持ガラス基板から分離されたガラス基板の他方の面に粘着成分が残存することもない。   As described above, if the other surface of the glass substrate is directly bonded to the support surface of the support glass substrate, the glass substrate can be stably supported. Can be formed. And since the other surface of the glass substrate is entirely covered with the support surface of a support glass substrate, an excessive thin film is not formed in the other surface of a glass substrate with a film-forming process. On the other hand, if a part of the glass substrate is peeled from the supporting glass substrate (or if a part of the supporting glass substrate is peeled from the glass substrate), then the glass substrate can be continuously peeled from the supporting glass substrate. Therefore, the two can be easily separated after the film formation process is completed. At this time, since the glass substrate and the supporting glass substrate are directly bonded and no adhesive or the like is interposed therebetween, an adhesive component may remain on the other surface of the glass substrate separated from the supporting glass substrate. Absent.

本願発明者らが鋭意研究を重ねた結果、ガラス基板と支持ガラス基板とを剥離可能に直接接着させるには、互いに密着する面が極めて平坦であるガラス板を用いる必要があることを見出した。具体的には、ガラス基板として、他方の面の表面粗さRaが2.0nm以下のものを用いると共に、支持ガラス基板として、支持面の表面粗さRaが2.0nm以下のものを用いれば良い。かかる精度の表面粗さは、研磨加工を施すことによって得ることもできるし、例えばダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法でガラス基板および支持ガラス基板を成形することによって得ることもできる。なお、本発明でいう表面粗さRaは、AFM(原子間力顕微鏡)を用い、スキャンサイズ10μm,スキャンレイト1Hz,サンプルライン512の条件で測定し、測定範囲10μm四方の測定値から算出したものである。   As a result of extensive studies by the inventors of the present application, it has been found that in order to directly bond the glass substrate and the supporting glass substrate in a peelable manner, it is necessary to use a glass plate having extremely flat surfaces that are in close contact with each other. Specifically, the glass substrate having a surface roughness Ra of 2.0 nm or less on the other surface and a supporting glass substrate having a surface roughness Ra of 2.0 nm or less are used. good. Such accurate surface roughness can be obtained by polishing, or can be obtained, for example, by molding a glass substrate and a supporting glass substrate by a downdraw method, particularly an overflow downdraw method. The surface roughness Ra as used in the present invention was measured using an AFM (atomic force microscope) under the conditions of a scan size of 10 μm, a scan rate of 1 Hz, and a sample line 512, and was calculated from measured values in a measuring range of 10 μm square. It is.

成膜処理に伴って所定の温度レベルを超えてガラス基板および支持ガラス基板が加熱されると、成膜処理後にガラス基板と支持ガラス基板を分離することができなくなるおそれがあることが判明した。このような問題は、ガラス基板として、他方の面が、表面粗さRaが2.0nm以下の無機薄膜の表面で構成されたものを用いることにより、またこれに替えて、もしくはこれに加えて支持ガラス基板として、支持面が、表面粗さRaが2.0nm以下の無機薄膜の表面で構成されたものを用いることによって防止することができる。無機薄膜、特に無機酸化物薄膜は熱的に安定しているため、上記の問題を防止することができるものと考えられる。 It has been found that if the glass substrate and the supporting glass substrate are heated to exceed a predetermined temperature level in accordance with the film forming process, the glass substrate and the supporting glass substrate may not be separated after the film forming process. Such a problem is caused by using a glass substrate having the other surface constituted by the surface of an inorganic thin film having a surface roughness Ra of 2.0 nm or less, or in addition to or in addition to this. The supporting glass substrate can be prevented by using a supporting surface composed of an inorganic thin film surface having a surface roughness Ra of 2.0 nm or less. Since the inorganic thin film, particularly the inorganic oxide thin film, is thermally stable, it is considered that the above problem can be prevented.

本願発明者らは、ガラス基板と支持ガラス基板とを確実に直接接着させるには、互いに密着する面の表面粗さに加え、互いに密着する面の清浄度を管理することが重要であることを見出すに至った。すなわち、互いに密着する面が清浄であれば、これらの面の活性度が損なわれず、ガラス基板と支持ガラス基板とを確実に直接接着し、かつこの接着状態を適正に維持することができる。清浄度は例えばGI値で定義することができ、GI値とは、1m2の領域内に存在する長径1μm以上の不純粒子の個数(pcs)のことである。具体的には、ガラス基板として、他方の面のGI値が1000pcs/m2以下のものを用いると共に、支持ガラス基板として、支持面のGI値が1000pcs/m2以下のものを用いれば良い。なお、本発明でいうGI値は、日立ハイテク電子エンジニアリング株式会社製のG17000を用いて測定したものである。 In order to ensure that the glass substrate and the supporting glass substrate are directly bonded, it is important that the present inventors manage the cleanliness of the surfaces that adhere to each other in addition to the surface roughness of the surfaces that adhere to each other. I came to find it. That is, if the surfaces that are in close contact with each other are clean, the activity of these surfaces is not impaired, the glass substrate and the supporting glass substrate can be directly directly bonded, and this bonded state can be properly maintained. The degree of cleanliness can be defined by, for example, a GI value, and the GI value is the number of impure particles having a major axis of 1 μm or more (pcs) existing in a 1 m 2 region. Specifically, a glass substrate having a GI value of 1000 pcs / m 2 or less on the other surface and a supporting glass substrate having a GI value of 1000 pcs / m 2 or less may be used. In addition, GI value as used in the field of this invention is measured using G17000 by Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co., Ltd.

以上の構成において、ガラス基板および支持ガラス基板としては、実質的にアルカリ成分を含まないガラスで形成されたもの(いわゆる無アルカリガラス)を用いるのが好ましい。アルカリ成分が含有されたガラスは、これを基板としたときにその表面においてアルカリイオンと水素イオンとの置換が発生するために構造的に粗となり易く、必要とされる強度を長期間維持することができない可能性があるからである。   In the above configuration, it is preferable to use a glass substrate and a supporting glass substrate that are formed of glass that does not substantially contain an alkali component (so-called alkali-free glass). When glass containing an alkali component is used as a substrate, substitution of alkali ions and hydrogen ions occurs on the surface of the glass, so that it tends to be structurally rough and maintains the required strength for a long period of time. This is because it may not be possible.

また、以上の構成において、支持ガラス基板として、ガラス基板と同一の組成を有するガラス(同種のガラス)で形成されたものを用いることができる。このようにすれば、ガラス基板と支持ガラス基板とを剥離可能に直接接着させた状態で成膜処理を施す際に、両者の熱膨張率の差に起因して両者が剥離等する可能性を効果的に減じ、安定した密着状態を維持することができる。   Moreover, in the above structure, what was formed with the glass (same kind glass) which has the same composition as a glass substrate as a support glass substrate can be used. In this way, when the film forming process is performed in a state where the glass substrate and the supporting glass substrate are directly bonded to each other so as to be peeled off, there is a possibility that the both peel off due to the difference in thermal expansion coefficient between them. It can reduce effectively and can maintain the stable adhesion state.

以上に示す本発明に係るガラス基板の製造方法は、ガラス基板の一方の面に無機薄膜を形成する際に好ましく適用することができる。この無機薄膜としては、例えば、紫外線の遮断機能を有する紫外線遮断膜を挙げることができる。   The method for producing a glass substrate according to the present invention described above can be preferably applied when an inorganic thin film is formed on one surface of the glass substrate. Examples of the inorganic thin film include an ultraviolet blocking film having an ultraviolet blocking function.

以上に示すように、本発明に係るガラス基板の製造方法によれば、成膜処理を施すことによってガラス基板の一方の面全域に薄膜を形成するに際し、成膜処置中にはガラス基板を安定的に支持することができながら、成膜処理の完了後にはガラス基板を成膜装置から容易に取り外すことができ、しかも成膜処理に伴うガラス基板の他方の面への余剰薄膜の形成を防止することができる。   As described above, according to the method for manufacturing a glass substrate according to the present invention, when a thin film is formed over the entire area of one surface of the glass substrate by performing a film forming process, the glass substrate is stabilized during the film forming process. The glass substrate can be easily removed from the film forming apparatus after the film formation process is completed, while preventing excessive thin film from being formed on the other surface of the glass substrate during the film formation process. can do.

色素増感型太陽電池の一例を概念的に示す図である。It is a figure which shows notionally an example of a dye-sensitized solar cell. ガラス基板の表面に薄膜を形成する際に用いるスパッタリング装置の要部を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the principal part of the sputtering device used when forming a thin film on the surface of a glass substrate. 成膜処理に供されるガラス基板の縦型支持態様を模式的に示す図であって、(a)図は同正面図、(b)図は同斜視図である。It is a figure which shows typically the vertical type | mold support aspect of the glass substrate provided to a film-forming process, Comprising: (a) A figure is the front view, (b) A figure is the perspective view. ガラス板の成形方法の一例であるオーバーフローダウンドロー法を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the overflow down draw method which is an example of the shaping | molding method of a glass plate. (a)(b)図共に、ガラス基板の支持態様の変形例である。(A) (b) Both figures are the modifications of the support mode of a glass substrate. (a)(b)図共に、ガラス基板の支持態様の変形例である。(A) (b) Both figures are the modifications of the support mode of a glass substrate.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、図1に、本発明に係る製造方法にて製作したガラス基板を備えた色素増感型太陽電池(以下、単に太陽電池という)の一例を示す。同図に示す太陽電池は、スペーサSを介して対向配置された一対のガラス基板(透明ガラス基板)1,2と、一対のガラス基板1,2間に設けられた透明電極3,4、電解質層5、および半導体層6とを主要部として構成される。   First, FIG. 1 shows an example of a dye-sensitized solar cell (hereinafter simply referred to as a solar cell) provided with a glass substrate manufactured by the manufacturing method according to the present invention. The solar cell shown in the figure includes a pair of glass substrates (transparent glass substrates) 1 and 2 disposed opposite to each other with a spacer S therebetween, transparent electrodes 3 and 4 provided between the pair of glass substrates 1 and 2, and an electrolyte. The layer 5 and the semiconductor layer 6 are configured as main parts.

ガラス基板1,2は、例えばケイ酸塩ガラス、シリカガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス等で形成することができるが、特に無アルカリガラスが好適である。無アルカリガラスとは、アルカリ成分(アルカリ金属酸化物)が実質的に含まれていないガラスのことであって、具体的には、アルカリ成分の含有量が1000ppm以下、好ましくは500ppm以下、より好ましくは300ppm以下のガラスである。使用可能な無アルカリガラスの一例として、日本電気硝子株式会社製の「OA−10G」を挙げることができる。無アルカリガラスが好適な理由は、ガラス基板1,2にアルカリ成分が含有されていると、表面においてアルカリイオンと水素イオンとの置換が発生するために構造的に粗となり、経年劣化によって破損し易くなるという問題を招来するからである。   The glass substrates 1 and 2 can be formed of, for example, silicate glass, silica glass, borosilicate glass, alkali-free glass, etc., and alkali-free glass is particularly preferable. The alkali-free glass is a glass that does not substantially contain an alkali component (alkali metal oxide). Specifically, the alkali component content is 1000 ppm or less, preferably 500 ppm or less, more preferably. Is a glass of 300 ppm or less. As an example of the alkali-free glass that can be used, “OA-10G” manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. can be mentioned. The reason why alkali-free glass is suitable is that when alkali components are contained in the glass substrates 1 and 2, the surface is replaced with alkali ions and hydrogen ions, resulting in structural roughening and damage due to deterioration over time. This is because the problem that it becomes easy is invited.

透明電極3は、スパッタリング等の成膜処理を施すことによってガラス基板1の裏面1bに形成した無機薄膜、厳密には無機酸化物薄膜で構成される。これと同様に透明電極4も、スパッタリング等の成膜処理を施すことによってガラス基板2の裏面2bに形成した無機酸化物薄膜で構成される。透明電極3,4としての無機酸化物薄膜は、例えば酸化インジウムスズ(ITO)膜、酸化チタン(TiO2)膜、酸化亜鉛(ZnO)膜、酸化ニオブ(Nb25)膜、酸化インジウム(In23)膜等を採用することができる。 The transparent electrode 3 is composed of an inorganic thin film, strictly speaking, an inorganic oxide thin film formed on the back surface 1b of the glass substrate 1 by performing a film forming process such as sputtering. Similarly, the transparent electrode 4 is also composed of an inorganic oxide thin film formed on the back surface 2b of the glass substrate 2 by performing a film forming process such as sputtering. Examples of the inorganic oxide thin film as the transparent electrodes 3 and 4 include an indium tin oxide (ITO) film, a titanium oxide (TiO 2 ) film, a zinc oxide (ZnO) film, a niobium oxide (Nb 2 O 5 ) film, and an indium oxide ( In 2 O 3 ) film or the like can be employed.

電解質層5は、例えば、溶媒中にヨウ素系(I系)、臭素系(Br系)、塩素系(Cl系)等のハロゲン系酸化還元対を分散してなる電解質溶液を、透明電極3,4間に充填して形成される。電解質層5は、電解質溶液(液体)の他、ゲル状電解質、あるいは固体電解質で構成することもできる。   The electrolyte layer 5 is made of, for example, an electrolyte solution obtained by dispersing a halogen-based redox pair such as iodine-based (I-based), bromine-based (Br-based), or chlorine-based (Cl-based) in a solvent. It is formed by filling between four. The electrolyte layer 5 can be composed of a gel electrolyte or a solid electrolyte in addition to the electrolyte solution (liquid).

半導体層6は、透明電極3,4間(透明電極3と電解質層5との間)に、色素6aを吸着させた半導体微粒子6bを充填することによって形成される。使用可能な色素6aとしては、例えば、ルテニウム系金属錯体、オスニウム系金属錯体、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素等を挙げることができる。また、使用可能な半導体微粒子6bとしては、例えば、酸化チタン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニオブ(Nb25)、酸化インジウム(In23)、酸化スズ(SnO2)等を挙げることができる。 The semiconductor layer 6 is formed by filling between the transparent electrodes 3 and 4 (between the transparent electrode 3 and the electrolyte layer 5) semiconductor fine particles 6b in which a dye 6a is adsorbed. Examples of usable dye 6a include ruthenium-based metal complexes, osnium-based metal complexes, phthalocyanine-based dyes, and naphthalocyanine-based dyes. Examples of usable semiconductor fine particles 6b include titanium oxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), niobium oxide (Nb 2 O 5 ), indium oxide (In 2 O 3 ), and tin oxide (SnO 2 ). Etc.

ガラス基板1の表面1a全域には、紫外線領域の波長の電磁波(紫外線)を遮断可能な紫外線遮断膜7が形成されており、これによって紫外線の影響によるガラス基板1の透明性の低下(変色)、ひいては太陽電池の発電能力の低下が可及的に防止される。紫外線遮断膜7は、紫外線の遮断機能を有する無機酸化物薄膜、ここでは二酸化ケイ素(SiO2)膜と酸化タンタル(Ta25)膜とを交互に積み重ねて構成した多層膜であり、ガラス基板1に成膜処理を施すことによって形成される。 An ultraviolet blocking film 7 capable of blocking electromagnetic waves having a wavelength in the ultraviolet region (ultraviolet rays) is formed over the entire surface 1a of the glass substrate 1, thereby reducing the transparency (discoloration) of the glass substrate 1 due to the influence of ultraviolet rays. As a result, a decrease in the power generation capacity of the solar cell is prevented as much as possible. The ultraviolet blocking film 7 is an inorganic oxide thin film having an ultraviolet blocking function, here a multilayer film formed by alternately stacking silicon dioxide (SiO 2 ) films and tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) films, The substrate 1 is formed by performing a film forming process.

以下、成膜処理法の一種であるスパッタリングにより、ガラス基板1の表面1aに紫外線遮断膜7を形成するための方法について詳述する。   Hereinafter, a method for forming the ultraviolet blocking film 7 on the surface 1a of the glass substrate 1 by sputtering, which is a kind of film forming method, will be described in detail.

図2は、ガラス基板1の表面1aに紫外線遮断膜7を形成するために用いるスパッタリング装置10の要部を概念的に示すものである。同図に示すスパッタリング装置10は、起立状態で支持されるガラス基板1に対してスパッタリングを施すいわゆる縦型方式のスパッタリング装置であって、ガラス基板1を支持したキャリアCを図中左側から右側に向かって搬送することにより、ガラス基板1の表面1aに上記の紫外線遮断膜7を形成する。なお、図示例のスパッタリング装置10は、ガラス基板1の表面1aに、SiO2膜とTa25膜とが交互に二層ずつ積み重なった多層膜(四層膜)からなる紫外線遮断膜7を形成可能なものである。 FIG. 2 conceptually shows the main part of the sputtering apparatus 10 used for forming the ultraviolet blocking film 7 on the surface 1 a of the glass substrate 1. A sputtering apparatus 10 shown in the figure is a so-called vertical type sputtering apparatus that performs sputtering on a glass substrate 1 supported in an upright state, and a carrier C that supports the glass substrate 1 is moved from the left side to the right side in the figure. By conveying toward the surface, the ultraviolet blocking film 7 is formed on the surface 1 a of the glass substrate 1. In the illustrated sputtering apparatus 10, an ultraviolet blocking film 7 composed of a multilayer film (four-layer film) in which two layers of SiO 2 films and Ta 2 O 5 films are alternately stacked on the surface 1 a of the glass substrate 1. It can be formed.

すなわち、このスパッタリング装置10は、上記の紫外線遮断膜7を構成する四層の薄膜を順に成膜するための4つの成膜ゾーン12がキャリアCの搬送方向に沿って一列に並べて設けられたチャンバ13を主要部とする。各成膜ゾーン12には、主に、キャリアCに支持されたガラス基板1と所定の間隙を介して対向するターゲット14と、Arガス等の不活性ガスや活性ガス(酸素ガス)を導入する図示外の導入配管と、排気を行うための図示外の排気管とがそれぞれ配設されている。このスパッタリング装置10が上記の多層膜からなる紫外線遮断膜7を形成するものであることから、ターゲット14は、図中左側から右側に向かって、順にSi,Ta,Si,Taで形成されたものである。   That is, the sputtering apparatus 10 is a chamber in which four film formation zones 12 for sequentially forming the four layers of thin films constituting the ultraviolet blocking film 7 are arranged in a line along the carrier C conveyance direction. 13 is the main part. Into each film formation zone 12, a target 14 opposed to the glass substrate 1 supported by the carrier C with a predetermined gap and an inert gas such as Ar gas or an active gas (oxygen gas) are mainly introduced. An unillustrated introduction pipe and an unillustrated exhaust pipe for exhausting are respectively provided. Since the sputtering apparatus 10 forms the ultraviolet blocking film 7 composed of the multilayer film, the target 14 is formed of Si, Ta, Si, Ta in order from the left side to the right side in the figure. It is.

図3(a)に模式的に示すように、キャリアCは、表面1aがターゲット14に対向するようにガラス基板1を支持するための支持ガラス基板17を有し、ガラス基板1は、その裏面1bが、支持ガラス基板17の支持面18に対して剥離可能に直接接着されている。支持ガラス基板17としては、ガラス基板1の裏面1b全域を覆うことができるものが使用可能であり、本実施形態では、図3(b)に示すように、ガラス基板1と同一形状でかつガラス基板1と同一の大きさのものとされる。かかる態様でガラス基板1を支持した支持ガラス基板17は、ブラケット16を介してキャリアCに保持されている。ブラケット16に対する支持ガラス基板17の固定方法は特に限定されないが、着脱容易な方法、例えば両面テープ止めが採用可能である。   As schematically shown in FIG. 3A, the carrier C has a supporting glass substrate 17 for supporting the glass substrate 1 so that the front surface 1a faces the target 14, and the glass substrate 1 has a back surface. 1b is directly bonded to the support surface 18 of the support glass substrate 17 so as to be peelable. As the supporting glass substrate 17, one that can cover the entire back surface 1 b of the glass substrate 1 can be used. In the present embodiment, as shown in FIG. The size is the same as that of the substrate 1. The supporting glass substrate 17 that supports the glass substrate 1 in this manner is held by the carrier C via the bracket 16. A method for fixing the supporting glass substrate 17 to the bracket 16 is not particularly limited, but a method that is easy to attach and detach, for example, a double-sided tape stopper can be employed.

ガラス基板1を、支持ガラス基板17に対して剥離可能に直接接着させるには、互いに接触(密着)するガラス基板1の裏面1bと支持ガラス基板17の支持面18の表面粗さRaを、共に2.0nm以下に設定する必要がある。このような表面粗さRaを有するガラス基板1および支持ガラス基板17は、これらのベースとなるガラス板に精密研磨等を施すことによって得ることもできるが、ベースとなるガラス板として、ダウンドロー法、特にオーバーフローダウンドロー法によって成形されたものを用いれば、精密研磨等を施すことなく上記の表面精度を得ることができる。   In order to directly adhere the glass substrate 1 to the supporting glass substrate 17 so as to be peelable, both the back surface 1b of the glass substrate 1 and the surface roughness Ra of the supporting surface 18 of the supporting glass substrate 17 that are in contact with each other are combined. It is necessary to set it to 2.0 nm or less. The glass substrate 1 and the supporting glass substrate 17 having such a surface roughness Ra can also be obtained by subjecting the glass plate serving as the base to precision polishing or the like. In particular, if the one formed by the overflow down draw method is used, the above surface accuracy can be obtained without performing precision polishing or the like.

オーバーフローダウンドロー法の概要を、図4を参照して説明する。まず、断面楔型の成形体31の下端部32からガラスリボンGを流下させ、流下したガラスリボンGを、冷却ローラ33で幅方向の収縮を規制しながら下方へ引き伸ばすことにより所定の厚みに成形する。次に、所定厚みに達したガラスリボンGを図示外の徐冷炉に導入してガラスリボンGを徐々に冷却し、ガラスリボンGの熱歪を取り除く。そして、ガラスリボンGを所定寸法に切断して所定寸法のガラス板を得る。このように、オーバーフローダウンドロー法は、成形時にガラス板の両面が成形部材と接触しない成形法であることから、成形過程でガラス板の両面に傷がつき難く、研磨等の後処理を施すことなく、高い表面品位(表面精度)を有するガラス板を容易に得ることができる。   The outline of the overflow downdraw method will be described with reference to FIG. First, the glass ribbon G is caused to flow down from the lower end portion 32 of the cross-sectional wedge-shaped molded body 31, and the glass ribbon G that has flowed down is formed to a predetermined thickness by stretching downward while restricting shrinkage in the width direction by the cooling roller 33. To do. Next, the glass ribbon G having reached a predetermined thickness is introduced into a slow cooling furnace (not shown) to gradually cool the glass ribbon G, and the thermal distortion of the glass ribbon G is removed. And the glass ribbon G is cut | disconnected to a predetermined dimension, and the glass plate of a predetermined dimension is obtained. In this way, the overflow downdraw method is a molding method in which both sides of the glass plate do not come into contact with the molded member at the time of molding, so that both sides of the glass plate are hardly damaged in the molding process, and post-treatment such as polishing is performed. And a glass plate having high surface quality (surface accuracy) can be easily obtained.

ガラス基板1と支持ガラス基板17とを剥離可能に直接接着させておけば、成膜処理中(キャリアCがチャンバ13内を搬送されている最中)においては、支持ガラス基板17からの脱落や支持ガラス基板17に対する位置ズレが生じないような強固な密着力でもってガラス基板1と支持ガラス基板17とが固定される。これにより、成膜処理による高精度の薄膜形成が可能となる。しかも、ガラス基板1の裏面1bは、その全域が支持ガラス基板17の支持面18で覆われることから、成膜処理に伴ってガラス基板1の裏面1bに余剰薄膜が形成されることもない。   If the glass substrate 1 and the supporting glass substrate 17 are directly bonded so as to be peelable, during the film forming process (while the carrier C is being transported in the chamber 13), The glass substrate 1 and the supporting glass substrate 17 are fixed with a strong adhesive force that does not cause a positional deviation with respect to the supporting glass substrate 17. Thereby, highly accurate thin film formation by film-forming processing is attained. In addition, since the entire back surface 1b of the glass substrate 1 is covered with the support surface 18 of the support glass substrate 17, no excessive thin film is formed on the back surface 1b of the glass substrate 1 in accordance with the film forming process.

その一方、ガラス基板1と支持ガラス基板17との間には接着剤等が介在していないことから、成膜処理後(キャリアCがチャンバ13から排出された後)においては、ガラス基板1と支持ガラス基板17とを容易に分離することができる。すなわち、支持ガラス基板17からガラス基板1の一部を剥離させれば、その後連続してガラス基板1を支持ガラス基板17から剥離させることができるので、成膜処理後には両者を容易に分離することができる。しかも、ガラス基板1と支持ガラス基板17との間には接着剤等を介在させていないことから、支持ガラス基板17から剥離されたガラス基板1の裏面1bに粘着成分が残存することがない。   On the other hand, since no adhesive or the like is interposed between the glass substrate 1 and the support glass substrate 17, after the film formation process (after the carrier C is discharged from the chamber 13), the glass substrate 1 and The supporting glass substrate 17 can be easily separated. That is, if a part of the glass substrate 1 is peeled from the supporting glass substrate 17, the glass substrate 1 can be continuously peeled from the supporting glass substrate 17, so that both are easily separated after the film forming process. be able to. In addition, since no adhesive or the like is interposed between the glass substrate 1 and the support glass substrate 17, no adhesive component remains on the back surface 1 b of the glass substrate 1 peeled from the support glass substrate 17.

ガラス基板1と支持ガラス基板17の間の密着強度は、互いに密着するガラス基板1の裏面1bと支持ガラス基板17の支持面18の表面粗さRaが小さくなるにつれてさらに向上する。従って、ガラス基板1の裏面1bおよび支持ガラス基板17の支持面18の表面粗さRaは、1.0nm以下とするのが好ましく、0.5nm以下とするのが一層好ましく、0.2nm以下とするのが最も好ましい。   The adhesion strength between the glass substrate 1 and the support glass substrate 17 is further improved as the surface roughness Ra of the back surface 1b of the glass substrate 1 and the support surface 18 of the support glass substrate 17 that are in close contact with each other decreases. Therefore, the surface roughness Ra of the back surface 1b of the glass substrate 1 and the support surface 18 of the support glass substrate 17 is preferably 1.0 nm or less, more preferably 0.5 nm or less, and 0.2 nm or less. Most preferably.

ガラス基板1と支持ガラス基板17の間の密着強度は、さらに、互いに密着するガラス基板1の裏面1b上および支持ガラス基板17の支持面18上に存在する水酸基が活性であるほど強固なものとなる。表面上に存在する水酸基の活性度合いは、表面の清浄度によって左右され、表面が清浄であればあるほど水酸基は活性化する。かかる事情から、ガラス基板1および支持ガラス基板17は、少なくとも互いに密着する裏面1bおよび支持面18のGI値が、共に、1000pcs/m2以下に制御されていることが望ましく、500pcs/m2以下に制御されていることがより望ましく、100pcs/m2以下に制御されていることが最も望ましい。 The adhesion strength between the glass substrate 1 and the supporting glass substrate 17 is further increased as the hydroxyl groups present on the back surface 1b of the glass substrate 1 and the supporting surface 18 of the supporting glass substrate 17 that are in close contact with each other become more active. Become. The degree of activity of the hydroxyl group present on the surface depends on the cleanliness of the surface, and the more clean the surface, the more active the hydroxyl group. From such circumstances, the glass substrate 1 and the supporting glass substrate 17, GI value of the back surface 1b and the supporting surface 18 in close contact at least with each other are both desirably being controlled below 1000pcs / m 2, 500pcs / m 2 or less It is more desirable to control to 100 pcs / m 2 or less.

支持ガラス基板17は、ガラス基板1と同様に、ケイ酸塩ガラス、シリカガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス等で形成することができるが、ガラス基板1と同一の組成を有するガラス(ガラス基板1と同種のガラス)で形成するのが望ましく、ガラス基板1が無アルカリガラスで形成される本実施形態においては、無アルカリガラスで形成するのが最も望ましい。このように、支持ガラス基板17をガラス基板1と同種のガラスで形成しておけば、両者を剥離可能に直接接着させた状態でスパッタリングを施す本発明の構成においても、両者の熱膨張率差に起因して、ガラス基板1が支持ガラス基板17から部分的に剥離等するのを効果的に防止することができる。従って、成膜処理中における両者の密着状態が一層安定的に維持されるので、ガラス基板1の裏面1bへの余剰薄膜の形成を一層効果的に防止することができる。   The supporting glass substrate 17 can be formed of silicate glass, silica glass, borosilicate glass, non-alkali glass, or the like, similar to the glass substrate 1, but glass (glass substrate) having the same composition as the glass substrate 1. In the present embodiment in which the glass substrate 1 is formed of non-alkali glass, it is most preferable to form the glass substrate 1 using non-alkali glass. In this way, if the supporting glass substrate 17 is formed of the same kind of glass as the glass substrate 1, even in the configuration of the present invention in which sputtering is performed in a state where the both are directly peeled to each other, the difference in thermal expansion coefficient between the two is also provided. Due to the above, it is possible to effectively prevent the glass substrate 1 from being partially peeled from the support glass substrate 17. Therefore, since the adhesion state between the two during the film forming process is more stably maintained, the formation of an excessive thin film on the back surface 1b of the glass substrate 1 can be more effectively prevented.

なお、支持ガラス基板17は、必ずしもガラス基板1と同一の組成を有するガラスで形成する必要はない。例えば、支持ガラス基板17を、ガラス基板1との30〜380℃における熱膨張率の差が5×10-7/℃以内のガラスで形成すれば、成膜処理中におけるガラス基板1との密着状態を安定的に維持することができる。 Note that the supporting glass substrate 17 is not necessarily formed of glass having the same composition as the glass substrate 1. For example, if the support glass substrate 17 is formed of glass having a coefficient of thermal expansion at 30 to 380 ° C. within 5 × 10 −7 / ° C. with the glass substrate 1, the glass substrate 1 is in close contact with the glass substrate 1 during the film forming process. The state can be stably maintained.

また、支持ガラス基板17は、その厚みが400μm未満であると、ハンドリング性が悪く、支持ガラス基板17を単体で取り扱う場合に強度面で問題が生じる可能性がある。一方、その厚みが2mmよりも厚いものだと、可撓性が低く、成膜処理後にガラス基板1から支持ガラス基板17を剥離させることが困難となる。以上から、支持ガラス基板17は、その厚みが400μm〜2mmのものを用いるのが好ましく、500μm〜1mmのものを用いるのが一層好ましい。   Further, if the thickness of the supporting glass substrate 17 is less than 400 μm, the handling property is poor, and when the supporting glass substrate 17 is handled alone, there may be a problem in strength. On the other hand, if the thickness is greater than 2 mm, the flexibility is low, and it is difficult to peel the supporting glass substrate 17 from the glass substrate 1 after the film forming process. From the above, the support glass substrate 17 preferably has a thickness of 400 μm to 2 mm, and more preferably 500 μm to 1 mm.

以上、本発明に係る製造方法の一実施形態について説明を行ったが、ガラス基板1と支持ガラス基板17とを剥離可能に直接接着させるには、上記のとおり、互いに密着する面の表面粗さRaが2.0nm以下に設定されていれば良い。そのため、ガラス基板1として、その裏面1bが、表面粗さRaが2.0nm以下の無機薄膜の表面で構成されたものを用いることもできる。またこれに替えて、もしくはこれに加えて、支持ガラス基板17として、支持面18が、その表面粗さRaが2.0nm以下の無機薄膜の表面で構成されたものを用いることもできる。 As mentioned above, although one Embodiment of the manufacturing method which concerns on this invention was described, in order to adhere | attach the glass substrate 1 and the support glass substrate 17 directly so that peeling is possible, as mentioned above, the surface roughness of the surface which mutually adhere | attaches Ra should just be set to 2.0 nm or less. Therefore, as the glass substrate 1, a glass substrate 1 having a back surface 1 b constituted by the surface of an inorganic thin film having a surface roughness Ra of 2.0 nm or less can be used. Alternatively, or in addition thereto, as the support glass substrate 17, a support surface 18 having an inorganic thin film surface with a surface roughness Ra of 2.0 nm or less can be used.

具体的には、図5(a)に示すように、ガラス基板1として、表面粗さRaが2.0nm以下の無機薄膜(ここでは、図1に示す透明電極3であって、厳密には無機酸化物薄膜)の表面で裏面1bが構成されたものを用いる場合や、図5(b)に示すように、支持ガラス基板17として、表面粗さRaが2.0nm以下の無機薄膜19の表面で支持面18が構成されたものを用いる場合(この場合、ガラス基板1の裏面1bは膜を有していない)にもガラス基板1と支持ガラス基板17とを剥離可能に直接接着させることができる。なお、このように、ガラス基板1と支持ガラス基板17との間に無機薄膜、特に無機酸化物薄膜を介在させれば、無機酸化物薄膜が熱的に安定であることから、成膜処理に伴って両基板1,17があたかも一体化するような事態、すなわち成膜処理後に両基板1,17を分離させることができなくなる事態を防止することができるというメリットがある。 Specifically, as shown in FIG. 5A, the glass substrate 1 is an inorganic thin film having a surface roughness Ra of 2.0 nm or less (here, the transparent electrode 3 shown in FIG. and if the surface of the inorganic oxide thin film) used as the back surface 1b is configured, as shown in FIG. 5 (b), as the supporting glass substrate 17, the surface roughness Ra of the following inorganic thin film 19 2.0 nm Even when the surface having the supporting surface 18 is used (in this case, the back surface 1b of the glass substrate 1 does not have a film) , the glass substrate 1 and the supporting glass substrate 17 are directly bonded so as to be peelable. Can do. As described above, if an inorganic thin film, particularly an inorganic oxide thin film is interposed between the glass substrate 1 and the supporting glass substrate 17, the inorganic oxide thin film is thermally stable. Accordingly, there is an advantage that it is possible to prevent a situation where both the substrates 1 and 17 are integrated, that is, a situation where the substrates 1 and 17 cannot be separated after the film forming process.

また、支持ガラス基板17は、ガラス基板1の裏面1b全域を覆うことができるものであれば良く、上記したように、必ずしもガラス基板1と同一形状でかつ同一の大きさとする必要はない。例えば図6(a)に示すように、四辺が、ガラス基板1の四辺よりも外側に位置するような大判の支持ガラス基板17を用いても良いし、図6(b)に示すように、ガラス基板1よりも外側に張り出した舌片状の部分17aを有する支持ガラス基板17を用いても良い。これらの構成を採用すれば、成膜処理後におけるガラス基板1と支持ガラス基板17の分離(支持ガラス基板17からのガラス基板1の剥離)を、図3(a)(b)に示す構成を採用する場合よりも簡便に行い得るというメリットがある。   Moreover, the support glass substrate 17 should just be what can cover the back surface 1b whole region of the glass substrate 1, and as above-mentioned, it is not necessarily the same shape as the glass substrate 1, and the same magnitude | size. For example, as shown in FIG. 6 (a), a large-sized support glass substrate 17 whose four sides are located outside the four sides of the glass substrate 1 may be used. As shown in FIG. 6 (b), A supporting glass substrate 17 having a tongue-like portion 17a protruding outward from the glass substrate 1 may be used. If these structures are adopted, separation of the glass substrate 1 and the supporting glass substrate 17 after the film formation process (peeling of the glass substrate 1 from the supporting glass substrate 17) is performed as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). There is a merit that it can be carried out more easily than the case of employing it.

また、本発明に係るガラス基板の製造方法は、縦型スパッタ方式を用いてガラス基板1の表面1a全域に薄膜(紫外線遮断膜7)を形成する場合のみならず、横型スパッタ方式(スパッタアップ方式やスパッタダウン方式)でガラス基板1の表面1a全域に薄膜を形成する際にも好ましく適用することができる。もちろん、本発明は、スパッタリングのみならず、例えばイオンプレーティング、抵抗加熱蒸着、イオンビーム蒸着等、公知のその他の成膜処理法によって、ガラス基板1の表面1a全域に薄膜を形成する場合にも好ましく適用することができる。   The glass substrate manufacturing method according to the present invention is not limited to the case where a thin film (ultraviolet blocking film 7) is formed over the entire surface 1a of the glass substrate 1 using the vertical sputtering method, but also the horizontal sputtering method (sputter-up method). Or a sputter down method), and can be preferably applied when a thin film is formed over the entire surface 1a of the glass substrate 1. Of course, the present invention is not limited to sputtering, but also when a thin film is formed over the entire surface 1a of the glass substrate 1 by other known film forming methods such as ion plating, resistance heating evaporation, ion beam evaporation, etc. It can be preferably applied.

また、以上では、色素増感型太陽電池を構成するガラス基板1の表面1a全域に紫外線遮断膜7を形成するに際して本発明を適用した場合について説明を行ったが、本発明は、FPDや電磁調理器等、その他の電気・電子機器を構成するガラス基板の表面全域に薄膜を形成する場合にも好ましく用いることができる。   In the above description, the case where the present invention is applied when the ultraviolet blocking film 7 is formed over the entire surface 1a of the glass substrate 1 constituting the dye-sensitized solar cell has been described. It can also be preferably used when a thin film is formed over the entire surface of a glass substrate constituting another electric / electronic device such as a cooker.

また、本発明を適用してガラス基板の表面全域に形成し得る薄膜は、無機酸化物薄膜であるSiO2膜とTa25膜とを積層させて構成される上記の紫外線遮断膜7に限られないのは言うまでもない。ガラス基板の表面全域に、SiO,Al23,MgO,Y23,La23,Pr611,Sc23,WO3,HfO2,In23,ITO,ZrO2,Nd23,CeO2,Nb25,TiO,TiO2,Ti35,NiO,ZnO等のその他の無機酸化物の薄膜を成膜処理で形成する際にも、本発明は好ましく適用することができる。 A thin film that can be formed over the entire surface of the glass substrate by applying the present invention is the above-described ultraviolet blocking film 7 formed by laminating a SiO 2 film and a Ta 2 O 5 film, which are inorganic oxide thin films. It goes without saying that it is not limited. Over the entire surface of the glass substrate, SiO, Al 2 O 3 , MgO, Y 2 O 3 , La 2 O 3 , Pr 6 O 11 , Sc 2 O 3 , WO 3 , HfO 2 , In 2 O 3 , ITO, ZrO The present invention is also applicable to the case where thin films of other inorganic oxides such as 2 , Nd 2 O 3 , CeO 2 , Nb 2 O 5 , TiO, TiO 2 , Ti 3 O 5 , NiO, and ZnO are formed by film formation. Can be preferably applied.

1 ガラス基板
1a 表面(一方の面)
1b 裏面(他方の面)
10 スパッタリング装置
12 成膜ゾーン
13 チャンバ
14 ターゲット
17 支持ガラス基板
18 支持面
1 glass substrate 1a surface (one side)
1b Back side (the other side)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Sputtering device 12 Deposition zone 13 Chamber 14 Target 17 Support glass substrate 18 Support surface

Claims (6)

一方の面全域に薄膜が形成されたガラス基板を製造するための方法であって、成膜処理により前記薄膜を形成するに際し、
表面粗さRaが2.0nm以下とされた前記ガラス基板の他方の面を、該他方の面全域を覆う支持ガラス基板の支持面に対して剥離可能に直接接着させると共に、
前記他方の面は、膜を有さず、前記支持面は、前記支持ガラス基板が有する表面粗さRaが2.0nm以下の無機薄膜の表面であることを特徴とするガラス基板の製造方法。
A method for producing a glass substrate having a thin film formed on one entire surface thereof, when forming the thin film by a film forming process,
The other surface of the glass substrate surface roughness Ra is less 2.0 nm, releasably with adhere directly to the support surface of said other earthenware pots supporting lifting glass substrates covering the surface throughout the,
The said other surface does not have a film | membrane, The said support surface is the surface of the inorganic thin film whose surface roughness Ra which the said support glass substrate has is 2.0 nm or less, The manufacturing method of the glass substrate characterized by the above-mentioned.
前記ガラス基板として、前記他方の面のGI値が1000pcs/m2以下のものを用いると共に、前記支持ガラス基板として、前記支持面のGI値が1000pcs/m2以下のものを用いることを特徴とする請求項1に記載のガラス基板の製造方法。 The glass substrate having a GI value of 1000 pcs / m 2 or less on the other surface and the supporting glass substrate having a GI value of 1000 pcs / m 2 or less are used. The manufacturing method of the glass substrate of Claim 1 . 前記ガラス基板および前記支持ガラス基板として、実質的にアルカリ成分を含まないガラスで形成されたものを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載のガラス基板の製造方法。 The method for producing a glass substrate according to claim 1, wherein the glass substrate and the supporting glass substrate are made of glass that does not substantially contain an alkali component. 前記支持ガラス基板として、前記ガラス基板と同一の組成を有するガラスで形成されたものを用いることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載のガラス基板の製造方法。 The method for producing a glass substrate according to any one of claims 1 to 3 , wherein the supporting glass substrate is made of glass having the same composition as the glass substrate. 前記薄膜が、無機薄膜であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のガラス基板の製造方法。 The said thin film is an inorganic thin film, The manufacturing method of the glass substrate as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. 前記無機薄膜が、紫外線の遮断機能を有する紫外線遮断膜であることを特徴とする請求項5に記載のガラス基板の製造方法。 The method for producing a glass substrate according to claim 5 , wherein the inorganic thin film is an ultraviolet blocking film having an ultraviolet blocking function.
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