JP5738671B2 - 超音波トランスデューサ、超音波プローブおよび超音波トランスデューサの製造方法 - Google Patents
超音波トランスデューサ、超音波プローブおよび超音波トランスデューサの製造方法 Download PDFInfo
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Description
ところが、圧電体の電極にFPCを直接接続(接触)することは、その音響インピーダンスの値(約3Mrayl程度)から、先に述べた生体との音響不整合と同様の、ミスマッチが起こる。そのため、FPCは、先に述べたいくつかの音響整合層を介して振動子内に設置する必要がある。
第1層目に非導電性の音響整合層を配置する場合、非導電性の音響整合層が圧電体の電極とFPC上の電極間に存在することになり、電気的接続が得られなくなる。つまり、この非導電性の音響整合層に導通路を設けなければならない。
(超音波トランスデューサの概略構成)
図1〜図3を参照して第1実施形態における超音波トランスデューサ100の概要について説明する。図1は、超音波トランスデューサ100の概要を示す概略斜視図である。以下、本実施形態にかかる超音波トランスデューサ100の概略構成について説明する。なお、図1において示される超音波トランスデューサ100の圧電体114の配列数は概念上示されるものである。また図示された配列全体がなす形状、例えば2次元配列における行数や列数についても一例に過ぎず、その他の構成を適用することも可能である。
次に、第1実施形態にかかる超音波トランスデューサ100における各部の構成について説明する。
圧電体114は、背面電極116および前面電極112に印加された電圧を超音波パルスに変換する。この超音波パルスは超音波診断装置による検査対象としての被検体へ送波される。また、圧電体114は、被検体からの反射波を受け、電圧に変換する。圧電体114の材料としては、一般にPZT(チタン酸ジルコン酸鉛/Pb(Zr,Ti)O3)、チタン酸バリウム(BaTiO3 )、PZNT(Pb(Zn1/3Nb2/3)O3−PbTiO3)単結晶、PMNT(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbTiO3)単結晶等を用いることが可能である。圧電体114の音響インピーダンスは、例えば30Mrayl程度とされる。なお、図1における圧電体114は単一層によって構成されているが、複数層の圧電体114として構成することも可能である。
バッキング材118は、超音波パルスの送波の際に超音波の照射方向と反対側(後方)に放射される超音波パルスを吸収し、各圧電体114の余分な振動を抑える。バッキング材118により、振動時における各圧電体114背面からの反射を抑制し、超音波パルスの送受信に悪影響を及ぼすことを回避することが可能である。なお、バッキング材118としては、音響減衰、音響インピーダンス等の観点から、PZT粉末やタングステン粉末等を含むエポキシ樹脂、ポリ塩化ビニールやフェライト粉末を充填したゴムあるいは多孔質のセラミックにエポキシ等の樹脂を含漬したもの等、任意の材料を用いることができる。
前面基板122および背面基板120は、例えばフレキシブルプリント基板(FPC/Flexible Printed Circuits)であり、それぞれ送受信回路またはケーブルへの接続部等の後段回路まで至る長さを有している。また前面基板122および背面基板120それぞれの前面側および背面側の一方または双方には、後段回路と接続される接続リード(不図示)が設けられている。前面基板122および背面基板120は、例えばベース材料としてポリイミドが用いられる。ポリイミドの音響インピーダンスは3Mrayl程度である。
次に図2および図3を参照して本実施形態の非導電性音響整合層110および導電性音響整合層111について説明する。図2は、第1実施形態にかかる音響整合層(111、110)および圧電体114の積層体を示す概略斜視図である。図3(A)は、第1実施形態にかかる非導電性音響整合層110における第1の溝110a、第2の溝110bおよび導電性膜110cを示す概略斜視図である。図3(B)は、図3(A)の第1の溝110aおよび第2の溝110bに樹脂110dを充填した状態を示す概略斜視図である。
なお、第1の溝110aが並べられた素子配列における一方向について、以下、単に「x方向」(図1参照)と記載することがある。素子配列におけるx方向は、「第1の方向」の一例に該当する。また、第2の溝110bが並べられた方向、すなわち当該x方向と直交する方向について、以下、単に「y方向」(図1参照)と記載することがある。
また、導電性膜110cに限らず、貫通孔110eに接続リードを設けることが可能であればそのような構成を採用することも可能である。
音響レンズ(不図示)は、送受信される超音波を収束してビーム状に整形するものであるが、2Dアレイの場合は各素子の位相制御によって3次元的に焦点を結ばせることができるので、レンズ機能を付与しない場合もある。音響レンズの素材としては、音響インピーダンスが生体に近いシリコーンなどが使用される。
次に図4〜図12を参照し、第1実施形態にかかる超音波トランスデューサ100の製造方法、特に非導電性音響整合層110に第1の溝110aおよび第2の溝110bを設ける工程を主として説明する。図4、図5および図10〜図12は、第1実施形態にかかる超音波トランスデューサ100の製造工程を示す概略斜視図である。
図1〜図3に例示されるように本実施形態の超音波トランスデューサ100における音響整合層は、非導電性音響整合層110および導電性音響整合層111を積層して構成されている。この音響整合層の非導電性音響整合層110としては、図4に示すような、非導電性音響整合層110に必要な材料で構成された非導電性材料ブロック1101が用いられる。同様に導電性音響整合層111に必要な材料で構成された導電性材料ブロック1111(図10)が用いられる。
図4に示すように、非導電性材料ブロック1101に対し、第1の溝110aを設けたら、図5に示すように非導電性音響整合層110に第2の溝110bを設ける。この第2の溝110bは、非導電性材料ブロック1101の前面から後方側へ、第1の溝110aの前方側端部を越えた非導電性音響整合層110の中間の位置までの深さを有するように設けられる。つまり、非導電性音響整合層110を前後方向に貫通しないように設けられる。例えば、非導電性音響整合層110における背面と前面の間の第1の溝110aとの交差部110f(図8、図9参照)より後方まで設けられる。
非導電性材料ブロック1101に第1の溝110aおよび第2の溝110bを設けたら、第1の溝110aおよび第2の溝110bに導電性膜110cを設ける。導電性膜110cは、例えばメッキやスパッタなどにより、第1の溝110aおよび第2の溝110bの内面の全面および非導電性材料ブロックの前面、背面、側面にわたって設けられる。これにより、第1の溝110aおよび第2の溝110b(貫通孔110e)の一端から他端まで(非導電性材料ブロックの背面から前面まで)が電気的に導通される。さらに、非導電性音響整合層110の背面に隣接した前面電極112は、導電性膜110cおよび導電性音響整合層111を介して前面基板122の配線パターンと導通される。
非導電性材料ブロック1101の第1の溝110aおよび第2の溝110bに導電性膜110cを設けたら、第1の溝110aおよび第2の溝110bそれぞれにおける導電性膜110cのさらに内側に、樹脂110dを充填する工程を行ってもよい。この工程は素子の振動設計により実施、非実施が決定されるものである。樹脂110dにはエポキシ接着剤などを用いることが可能であるが、場合によってはシリコーン系ゴム接着剤である場合もある。ただし、素子(圧電体114、非導電性音響整合層110および導電性音響整合層111の積層体)の形状や超音波トランスデューサ100の振動モードによっては、第1の溝110aおよび第2の溝110bによる音響的な影響が少ない場合があり、その場合は樹脂110dを設けなくてもよい。また、第1の溝110aおよび第2の溝110bのいずれか一方のみに樹脂110dを設けてもよい。
非導電性材料ブロック1101に第1の溝110aおよび第2の溝110bを設け、導電性膜110c(場合によっては樹脂110d)を設けたら、非導電性材料ブロック1101と導電性材料ブロック1111とを接続する。すなわち図10および図11に示すように、非導電性材料ブロック1101における第2の溝110b端部が露出した面に、導電性材料ブロック1111を重ね合わせ、接続する。なお後の工程で、非導電性材料ブロック1101および導電性材料ブロック1111には、共にxy方向に分割溝が設けられ、それにより図12に示すように所望の素子数と同数の積層体が形成される。
非導電性材料ブロック1101の第1の溝110aおよび第2の溝110bに導電性膜110c(場合によっては樹脂110d)を設け、導電性材料ブロック1111を積層したら、その音響整合層ブロックと圧電体材料ブロック1141とを接続する。つまり、図10および図11に示すように非導電性材料ブロック1101における導電性材料ブロック1111との接続面と反対側の面に対し、圧電体材料ブロック1141を接続する。なお、圧電体材料ブロック1141の前面にはあらかじめ前面電極112となる層が設けられているものとする。同じく圧電体材料ブロック1141の背面にはあらかじめ背面電極116となる層が設けられているものとする。また圧電体材料ブロック1141には、後の工程でxy方向に分割溝が設けられ、超音波トランスデューサ100における圧電体114の所望の素子数となるように分割される(図1参照)。なお、非導電性材料ブロック1101に対する導電性材料ブロック1111と圧電体材料ブロック1141との接続の順序は、いずれが先であってもよい。
第1の溝110aおよび第2の溝110bが設けられた音響整合層ブロックと圧電体材料ブロック1141とを接続したら、その積層体に対しxy方向に分割溝を設ける。つまり、図12に示すように音響整合層ブロックおよび圧電体材料ブロック1141の積層方向に沿ってy方向に所定のピッチで分割溝を設け、ブロックの積層体を複数行のブロックに分割する。さらに音響整合層ブロックおよび圧電体材料ブロック1141の積層方向に沿ってx方向に所定のピッチで分割溝を設ける。その結果、図12のような圧電体114、非導電性音響整合層110、導電性音響整合層111の積層体を2次元配列してなる素子群が形成される。
図12に示すように2次元アレイの素子群を形成したら、導電性音響整合層111それぞれの前面に前面基板122を接続し、同様に圧電体114における背面電極116の背面に背面基板120を接続する。これによって、前面基板122の配線パターン(グランドとしてのベタ電極の場合もある)と各導電性音響整合層111とが電気的に接続される。また背面基板120の配線パターンと背面電極116とが電気的に接続される。
2次元アレイの素子群の前面および背面に基板を接続したら、背面基板120の背面にバッキング材118を接続する。なお、圧電体114、背面基板120およびバッキング材118の間の構成としては、図1に示されるものに限られず、必要に応じて信号処理を行う電子回路や背面整合層などの構造物を介在させることが可能である。
2次元アレイの素子群の前面および背面に基板を接続したら、バッキング材118の接続と同時または前後して、前面基板122の前面に音響レンズを接続する。なお、上述のように音響整合層を3層以上で構成する場合は、前面基板122と音響レンズを隣接させず、前面基板122の前面に音響整合層を配置し、その音響整合層のさらに前面に音響レンズを配置することも可能である。
次に、第1実施形態の超音波トランスデューサ100を有する超音波プローブと、超音波診断装置本体との接続構成の一例について説明する。なお、以下の説明においては図示を省略する。超音波プローブは、内部に超音波トランスデューサ100が設けられ、超音波診断装置本体と超音波プローブとを電気的に接続するためのインターフェース(ケーブル等)を有している。また超音波トランスデューサ100は、前面基板122の配線パターン(ベタ電極の場合を含む)および背面基板120の配線パターンと、超音波プローブのインターフェースとを通じて、超音波診断装置本体と電気的に接続されており、超音波の送受信にかかる信号を相互に伝達している。
以上説明した第1実施形態にかかる超音波トランスデューサ100および超音波プローブの作用および効果について説明する。
次に、第2実施形態にかかる超音波トランスデューサおよび超音波トランスデューサが設けられた超音波プローブについて図13〜図17を参照して説明する。図13は、第2実施形態にかかる超音波トランスデューサの非導電性材料ブロック2101の概要を示す概略斜視図である。なお、第2実施形態については、第1実施形態と異なる部分を主として説明し、その他重複する部分については説明を割愛する場合がある。また、図13において示される非導電性材料ブロック2101の第1の溝210aおよび第2の溝210bの数は概念上示されるものである。
第2実施形態にかかる超音波トランスデューサにおいても、圧電体がxy面上において2次元的に配列されている。この圧電体それぞれの前面側に前面電極が設けられ、背面側に背面電極が設けられる。また各圧電体の前面それぞれに対応して、非導電性音響整合層210(図14および図16等参照)が設けられている。さらに非導電性音響整合層210の前面前方へ向かって、導電性音響整合層、前面基板、音響レンズが順に配置されている。また、圧電体における背面側にはバッキング材が設けられ、かつバッキング材と圧電体との間には、背面基板が設けられている。
次に、図13〜図17を参照して、第2実施形態の超音波トランスデューサにおける非導電性音響整合層210と第1の溝210aおよび第2の溝210bについて説明する。図14は、第2実施形態にかかる超音波トランスデューサの非導電性音響整合層210に設けられた第2の溝210bの一例の概要を示す非導電性音響整合層210の概略上面図である。図中の非導電性音響整合層群230は、非導電性音響整合層210の2Dアレイ素子配列の全体を、概念的に破線で一括りとして示すものである。また交差部220は、素子配列(図中x方向)に平行な第1の溝210aと、素子配列に対して斜めに走る第2の溝210bとの交差する部分である。すなわち交差部220は、非道電音響整合層210に形成された貫通孔を示している。なお、図14においては2次元配列された複数の非導電性音響整合層210のうち、一部の非導電性音響整合層210のみを示している。図15は、図14の一部分の概略拡大図である。
超音波トランスデューサにおける、前面電極から導電性音響整合層までの電気的接続をとる導通路は、第1実施形態と同じく、第1の溝210aおよび第2の溝210b(図13参照)によって形成される。非導電性音響整合層210の背面には、中間の位置まで到達する深さを有する第1の溝210aが設けられている。また非導電性音響整合層210の前面には、中間部分、すなわち第1の溝210aの前端よりさらに後方側の位置まで至る深さを有する第2の溝210bが設けられている。これら第1の溝210aおよび第2の溝210bの交差部220が形成される結果、圧電体の前面電極との境界面から、導電性音響整合層との境界面まで至る貫通孔が形成される。
また、第1実施形態と同様に、第2実施形態の第1の溝210aは、マトリックス状に配列された非導電性音響整合層210に対し、y方向に並んでx方向へ貫通して設けられている。つまり第1の溝210aは、非導電性音響整合層210の側面から反対側の側面まで至るように、非導電性音響整合層210の配列のx方向へ貫通して形成されている。
第2実施形態の第2の溝210bは素子配列に対し傾斜して設けられるものである。次に、第2の溝210b同士のピッチ(溝ピッチ)の例につき、図14〜図17を参照して説明する。なお第2の溝210b同士のピッチ、すなわち溝ピッチとは、図15に示すように、1つの第2の溝210bの中央ラインから隣の第2の溝210bの中央ラインまでの距離を示すものである。すなわち、ある1つの第2の溝210bの中心から、隣の第2の溝210bの中心までの距離を示すものである。また説明の便宜上、以下の説明においては、第2の溝210bの溝ピッチを単に「Pk2」、「Pk4」、「Pk6」または「Pk8」と記載することがある。また説明の便宜上、以下の説明において、第1の溝210aの溝ピッチを単に「Pk1」、「Pk3」または「Pk5」または「Pk7」と記載することがある。また説明の便宜上、第1の溝210aと第2の溝210bの交差部220に形成される貫通孔のピッチ(例えば、図15におけるx方向のピッチ)を「Ph」と記載することがある。
第2実施形態の第2の溝210bの溝ピッチPk6は、図15に例示するように、素子幅Pw以下として設定することが可能である。
第2実施形態の第2の溝210bの溝ピッチPk2は、素子幅Pw以下として設定することが可能であり、さらに図15に例示するように、加えて、Pkと、Pwの関係を下記の(1)式のように設定することが可能である。
[数1]
Ph=Pk2/sinθ≦Pw…(1)
図16に例示するように、第2実施形態の第2の溝210bの溝ピッチPk8は、素子ピッチPeと等しく設定することが可能である。ただし、製造工程における誤差を含むものとする。
第2実施形態の第2の溝210bの溝ピッチPk4は、図17に例示するように、素子ピッチPeとの関係において、下記の(2)式のように設定することが可能である。ただし、製造工程における誤差を含むものとする。
[数2]
Ph=Pk4/sinθ=Pe…(2)
また、非導電性音響整合層210における第1の溝210aおよび第2の溝210bの内面には、その全面にわたってメッキやスパッタなどにより導電性膜が設けられている。この点は第1実施形態と同様である。第1の溝210aおよび第2の溝210bの交差部220による貫通孔は非導電性音響整合層210の背面から前面(導電性音響整合層111の背面)に到り、かつ導電性膜210cが、少なくとも貫通孔の一端から他端まで連続して設けられている。すなわち、非導電性音響整合層210の前面側端部から、背面側端部(導電性音響整合層背面)に到るまでが電気的に導通される。結果として、前面電極が導電性膜の後方側と接しており、かつ非導電性音響整合層210の前面に隣接した導電性音響整合層と導通される。さらに、前面電極212は導電性音響整合層を介して前面基板の配線パターンと導通されることになる。
上述のように第2実施形態において第1の溝210aを配列方向と傾斜させる場合、溝ピッチPk5は、素子幅Pw以下として設定することが可能である。
第2実施形態において第1の溝210aを配列方向と傾斜させる場合、第1の溝210aの溝ピッチPk1は、素子ピッチPeとの関係において、下記の(3)式のように設定することが可能である。ただし、製造工程における誤差を含むものとする。
[数3]
Ph=Pk1/sinθ≦Pw…(3)
図16に例示するように、第2実施形態の第2の溝210bの溝ピッチPk7は、素子ピッチPeと等しく設定することが可能である。ただし、製造工程における誤差を含むものとする。
また、第2実施形態において第1の溝210aを配列方向と傾斜させる場合、第1の溝210aの溝ピッチPk3は、素子ピッチPeとの関係において、下記の(4)式のように設定することが可能である。ただし、製造工程における誤差を含むものとする。
[数4]
Ph=Pk3/sinθ=Pe…(4)
次に図13を参照し、第2実施形態にかかる超音波トランスデューサの製造方法、特に非導電性音響整合層210の第1の溝210aおよび第2の溝210bを設ける工程を主として説明する。
第2実施形態の超音波トランスデューサにおける音響整合層も、非導電性音響整合層210に必要な材料で構成された非導電性材料ブロック2101を用いる。第2実施形態の超音波トランスデューサを形成するにあたり、まず図13に示すように、非導電性材料ブロック2101に対し、(2次元配列分割後における)x方向に並んでy方向に所定のピッチで第1の溝210aを設けられる。この第1の溝210aは、非導電性材料ブロック2101の背面から、非導電性材料ブロック2101の中間位置までの深さを有するように設けられる。つまり、非導電性材料ブロック2101を貫通しないように、非導電性材料ブロック2101における背面と前面の間の中間部分まで設けられる。
非導電性材料ブロック2101に対し、第1の溝210aを設けたら、図13に示すように、第2の溝210bを設ける。この第2の溝210bは、非導電性材料ブロック2101の前面から、第1の溝210aの前方側端部を越えた非導電性音響整合層210の中間の位置までの深さを有するように設けられる。つまり、非導電性材料ブロック2101を貫通しないように、非導電性材料ブロック2101における背面と前面の間の第1の溝210aとの交差部220より後方まで設けられる。
以上説明した第2実施形態にかかる超音波トランスデューサおよび超音波プローブの作用および効果について説明する。
次に、第3実施形態にかかる超音波トランスデューサおよび超音波トランスデューサが設けられた超音波プローブについて図18を参照して説明する。図18は、超音波トランスデューサの非導電性音響整合層に設けられた第1の溝および第2の溝の一例の概要を示す非導電性音響整合層の概略上面図である。図中の破線で示す非導電性音響整合層群330は、非導電性音響整合層310の2Dアレイ素子配列の全体を、概念的に破線で一括りとして示すものである。なお、第3実施形態については、第2実施形態と異なる部分のみ説明し、その他重複する部分については説明を割愛する。また、図18において示される第1の溝310aおよび第2の溝310bの数は概念上示されるものである。
以上の第3実施形態にかかる超音波トランスデューサおよび、当該超音波トランスデューサを含む超音波プローブの作用および効果について説明する。
次に、上述した第1実施形態〜第3実施形態の超音波トランスデューサの変形例について、説明する。上述の超音波トランスデューサにおいては、非導電性音響整合層(110等)の前面側に導電性音響整合層(111等)を配置し、さらに導電性音響整合層の前面側に前面基板(122等)を配置する構成であり、非導電性音響整合層と前面基板とは、導電性音響整合層を介して電気的接続をとっている。しかしながらこれらの実施形態の超音波トランスデューサは、このような構成に限られない。例えば、導電性音響整合層を含まず非導電性音響整合層の前面側に前面基板を設ける構成であってもよい。
110、210、310 非導電性音響整合層
110a、210a、310a 第1の溝
110b、210b、310b 第2の溝
110c、210c 導電性膜
110d 樹脂
110e 貫通孔
110f、310f 交差部
111、211 導電性音響整合層
112 前面電極
114 圧電体
116 背面電極
118 バッキング材
120 背面基板
122 前面基板
230 非導電性音響整合層群
1101、2101 非導電性材料ブロック
1111 導電性材料ブロック
1141 圧電体材料ブロック
Pe 素子ピッチ
Pk 溝ピッチ
Pw 素子幅
Claims (17)
- 2次元配置された複数の圧電体と、
前記複数の圧電体それぞれに設けられた電極と、
前記電極側の第1の面と、該第1の面の反対側である第2の面とを有し、前記圧電体に応じて2次元配置された非導電性音響整合層と、
前記第2の面側に配置された基板と、を備え、
前記第1の面それぞれには、該第1の面と前記第2の面の間の中間部分に至る深さを有する第1の溝が設けられ、
前記第2の面それぞれには少なくとも前記中間部分まで至る深さを有し、前記第1の溝と交差する第2の溝が設けられ、
前記電極と前記第2の面とは、前記第1の溝と、該第1の溝及び前記第2の溝の交差部と、第2の溝とを介して、導通されていること、
を特徴とする超音波トランスデューサ。 - 前記非導電性音響整合層と前記基板との間に、前記圧電体に応じて2次元配置された導電性音響整合層をさらに備えたこと、
を特徴とする請求項1に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記交差部は、前記複数の圧電体のそれぞれに対応して少なくとも1つ形成されること、
を特徴とする請求項1に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記第1の溝は、前記圧電体の幅以下である第1のピッチを空けて設けられ、
前記圧電体の幅をPw、前記第1のピッチをPk1、該圧電体の配列方向と第1の溝とが成す角をθとした場合に、
Pk1/sinθ≦Pw
であること、
を特徴とする請求項3に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記第2の溝は、前記圧電体の幅以下である第2のピッチを空けて設けられ、
前記圧電体の幅をPw、前記第2のピッチをPk2、該圧電体の配列方向と第2の溝とが成す角をθとした場合に、
Pk2/sinθ≦Pw
であること、
を特徴とする請求項3に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記第1の溝は、前記複数の圧電体のピッチと略等しい第1のピッチを空けて設けられること、
を特徴とする請求項3に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記非導電性音響整合層のピッチをPe、前記第1の溝のピッチをPk3、該圧電体の配列方向と第1の溝とが成す角をθとした場合に、
Pk3/sinθ=Pe
であること、
を特徴とする請求項3に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記第2の溝は、前記複数の圧電体のピッチと略等しい第2のピッチを空けて設けられること、
を特徴とする請求項3に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記非導電性音響整合層のピッチをPe、前記第2の溝のピッチをPk4、該圧電体の配列方向と第2の溝とが成す角をθとした場合に、
Pk4/sinθ=Pe
であること、
を特徴とする請求項1に記載の超音波トランスデューサ。 - 前記θは、0°超かつ90°未満であること、
を特徴とする請求項4、5、7、9のいずれかに記載の超音波トランスデューサ。 - 前記第1の溝の内面には導電性材料が設けられていること、
を特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の超音波トランスデューサ。 - 前記第2の溝の内面には導電性材料が設けられていること、
を特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の超音波トランスデューサ。 - 前記複数の圧電体は互いに直交する第1の方向および第2の方向に沿って前記2次元配置され、
前記第1の溝は前記第1の方向に沿って配列され、
前記第2の溝は前記第2の方向に沿って配列され、
前記第1の溝は、前記第1の方向に対応して、前記非導電性音響整合層を貫通して設けられており、
前記第2の溝は、前記第2の方向に対応して前記非導電性音響整合層を貫通して設けられていること、
を特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の超音波トランスデューサ。 - 第1の面と該第1の面の反対側である第2の面を有する非導電性音響整合層を有する超音波トランスデューサの製造方法であって、
前記非導電性音響整合層に対し、前記第1の面から中間部分まで至る第1の溝を形成する工程と、
前記非導電性音響整合層の前記第2の面から少なくとも前記中間部分まで至る深さを有し、前記第1の溝と交差する第2の溝を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。 - 前記第1の溝および前記第2の溝の内面に導電性材料を設ける工程と、
前記第1の面に導電性音響整合層を、前記第2の面に圧電体をそれぞれ積層することにより積層体を形成する工程と、
前記積層体を、互いに直交する第1の方向および第2の方向に分割する工程と、をさらに備えたこと、
を特徴とする請求項14に記載の超音波トランスデューサの製造方法。 - 前記第1の溝および前記第2の溝の内面に導電性材料を設ける工程と、
前記第1の面に基板を、前記第2の面に圧電体をそれぞれ積層することにより積層体を形成する工程と、
前記積層体を、互いに直交する第1の方向および第2の方向に分割する工程と、をさらに備えたこと、
を特徴とする請求項14に記載の超音波トランスデューサの製造方法。 - 超音波トランスデューサと、
前記超音波トランスデューサと外部装置との間のインターフェースと、を備え、
前記超音波トランスデューサは、
2次元配置された複数の圧電体と、
前記複数の圧電体それぞれに設けられた電極と、
前記電極側の第1の面と、該第1の面の反対側である第2の面とを有する非導電性音響整合層と、
前記第2の面側に配置された基板と、を備え、
前記第1の面それぞれには、該第1の面と前記第2の面の間の中間部分に至る深さを有する第1の溝が設けられ、
前記第2の面それぞれには少なくとも前記中間部分まで至る深さを有し、前記第1の溝と交差する第2の溝が設けられ、
前記電極と前記第2の面とは、前記第1の溝と、該第1の溝及び前記第2の溝の交差部と、第2の溝とを介して、導通されていること、
を特徴とする超音波プローブ。
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