JP5732724B2 - Nanoimprint method - Google Patents

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本発明は、微細な凹凸パターンを形成するナノインプリント方法において、樹脂によるパターン欠陥を生じないもしくは低減させた離型性に優れたナノインプリント方法に関する。 The present invention provides a nanoimprint method of forming a fine uneven pattern, about the excellent nanoimprint method releasability obtained by or no pattern defects by reducing resin.

近年、特に半導体デバイスについては、微細化の一層の進展により高速動作、低消費電力動作が求められ、また、システムLSIという名で呼ばれる機能の統合化などの高い技術が求められている。このような中、半導体デバイスのパターンを作製する要となるリソグラフィ技術は、パターンの微細化が進むにつれ、露光装置などが極めて高価になってきており、また、それに用いるマスク価格も高価になっている。   In recent years, especially for semiconductor devices, high speed operation and low power consumption operation are required due to further progress in miniaturization, and high technology such as integration of functions called system LSIs is required. Under such circumstances, the lithography technology that is necessary for producing the pattern of the semiconductor device has become very expensive as the exposure apparatus and the like as the pattern becomes finer, and the price of the mask used therefor also becomes expensive. Yes.

これに対して、1995年Princeton大学のChouらによって提案されたナノインプリント法は、装置価格や使用材料などが安価でありながら、10nm程度の高解像度を有する微細パターン形成技術として注目されている(特許文献1参照)。   On the other hand, the nanoimprint method proposed by Chou et al. In Princeton University in 1995 is attracting attention as a fine pattern forming technique having a high resolution of about 10 nm, although the apparatus price and materials used are inexpensive (patents) Reference 1).

ナノインプリント法は、予め表面にナノメートルサイズの凹凸パターンを形成したモールド(テンプレート、スタンパ、金型とも呼ばれる)を、被加工材表面に塗布形成された樹脂(本発明ではレジストとも言う)に押し付けて力学的に変形させて微細パターンを精密に転写し、パターン形成された樹脂をレジストマスクとして被加工材を加工する技術である。一度モールドを作製すれば、ナノ構造が簡単に繰り返して成型できるため高いスループットが得られて経済的であるとともに、有害な廃棄物が少ないナノ加工技術であるため、近年、半導体デバイスに限らず、さまざまな分野への応用が期待されている。   In the nanoimprint method, a mold (also referred to as a template, stamper, or mold) in which a nanometer-size uneven pattern is formed on the surface in advance is pressed against a resin (also referred to as a resist in the present invention) applied and formed on the surface of a workpiece. This is a technology that mechanically deforms and precisely transfers a fine pattern, and processes the workpiece using the patterned resin as a resist mask. Once the mold is made, the nanostructure can be easily and repeatedly molded, resulting in high throughput and economics, and because it is a nano-processing technology with little harmful waste, not only semiconductor devices in recent years, Application to various fields is expected.

このようなナノインプリント法には、熱可塑性樹脂を用いて熱により凹凸パターンを転写する熱ナノインプリント法や、光硬化性樹脂を用いて紫外線により凹凸パターンを転写する光ナノインプリント法(例えば、特許文献2参照)などが知られている。転写材料である樹脂としては、熱ナノインプリント法では熱可塑性樹脂、光ナノインプリント法では光硬化性樹脂が用いられる。光ナノインプリント法は、室温で低い印加圧力でパターン転写でき、熱ナノインプリント法のような加熱・冷却サイクルが不要でモールドや樹脂の熱による寸法変化が生じないために、解像性、アライメント精度、生産性などの点で優れていると言われている。   In such a nanoimprint method, a thermal nanoimprint method in which a concavo-convex pattern is transferred by heat using a thermoplastic resin, or a photo nanoimprint method in which a concavo-convex pattern is transferred by ultraviolet rays using a photocurable resin (see, for example, Patent Document 2) ) Etc. are known. As the resin as the transfer material, a thermoplastic resin is used in the thermal nanoimprint method, and a photocurable resin is used in the optical nanoimprint method. The optical nanoimprint method can transfer patterns at low applied pressure at room temperature, and does not require heating / cooling cycles like the thermal nanoimprint method and does not cause dimensional changes due to mold or resin heat. It is said that it is excellent in terms of sex.

ナノインプリント法で用いられるモールドには、パターン寸法の安定性、耐薬品性、加工特性などが求められる。光ナノインプリント法の場合を例に取ると、一般的には光硬化に用いる紫外線を透過する石英ガラスが用いられている。ナノインプリント法においては、モールドのパターン形状を忠実に転写材料である樹脂に転写しなければならない。そのためには、モールド形状を樹脂に転写してから、モールドを離すときに、樹脂に形状変化を与えずに離型する必要がある。   Molds used in the nanoimprint method are required to have pattern dimension stability, chemical resistance, processing characteristics, and the like. Taking the case of the optical nanoimprint method as an example, generally, quartz glass that transmits ultraviolet rays used for photocuring is used. In the nanoimprint method, the pattern shape of the mold must be faithfully transferred to a resin that is a transfer material. For this purpose, it is necessary to transfer the mold shape to the resin and then release the mold without changing the shape when the mold is released.

しかし、通常、石英ガラスなどによるモールドはパターン転写材料である樹脂との離型性が低いので、モールドと樹脂との離型性を向上させる方法として、例えば、モールドの凹凸パターン表面にフッ素樹脂などの離型剤の薄膜を塗布形成して離型性を高める方法が提案されている。図6は、一例として、合成石英製モールドの表面にフルオロアルキル基を有する離型剤の単分子膜が形成された状態を示す模式図である。   However, a mold made of quartz glass or the like usually has a low mold releasability with a resin that is a pattern transfer material. Therefore, as a method for improving the mold releasability between the mold and the resin, for example, a fluororesin or the like on the surface of the concave / convex pattern of the mold A method for improving the releasability by applying a thin film of a release agent is proposed. FIG. 6 is a schematic diagram showing a state where a monomolecular film of a release agent having a fluoroalkyl group is formed on the surface of a synthetic quartz mold as an example.

しかし、たとえ離型剤を用いたとしても、連続してインプリントすることにより離型剤が消耗して離型性が低下し、樹脂とモールドとの間の付着力や摩擦力が大きくなってパターン欠陥が発生するという問題があった。   However, even if a mold release agent is used, the mold release agent is consumed by continuous imprinting and the mold release property is lowered, and the adhesion force and friction force between the resin and the mold are increased. There was a problem that pattern defects occurred.

図7は、離型剤を塗布形成して離型層72としたナノインプリント用モールド71を、被加工基板73上の被転写材料の樹脂74に押し圧し、光硬化後に引き離すとき(図7(a))と、その直後の状態(図7(b))を説明するための部分断面模式図である。このとき、樹脂74とモールド71の間には付着力Aと摩擦力Fが働く。図7(b)に示すように、モールドを樹脂に押圧した後、モールドを離型する際にモールド側に樹脂の一部が付着してしまうため、樹脂の凹凸パターンに欠け欠陥75を生じるという問題が生じていた。また樹脂が付着したモールド71は、モールド71に付着した樹脂76を取り除かない限り、以後のパターン転写に使えなくなるという問題があった。   FIG. 7 shows a case where a nanoimprint mold 71 formed by applying and forming a release agent to form a release layer 72 is pressed against a resin 74 of a material to be transferred on a substrate to be processed 73 and separated after photocuring (FIG. 7A )) And a partial cross-sectional schematic diagram for explaining the state immediately after that (FIG. 7B). At this time, an adhesion force A and a friction force F act between the resin 74 and the mold 71. As shown in FIG. 7B, after the mold is pressed against the resin, a part of the resin adheres to the mold side when the mold is released, so that a chip defect 75 is generated in the uneven pattern of the resin. There was a problem. Further, there is a problem that the mold 71 to which the resin is attached cannot be used for subsequent pattern transfer unless the resin 76 attached to the mold 71 is removed.

上記のように、モールドの凹凸パターンと転写材料との離型性が良いかどうかは、インプリントされる製品の品質・歩留・生産性を左右する上で極めて重要であるが、たとえ離型剤を用いたとしても、離型剤の種類により離型性は異なり、インプリント前にあらかじめ離型剤の離型性の良否を判断するのが困難であるという問題があった。   As described above, whether the mold unevenness pattern and the transfer material have good releasability is extremely important in determining the quality, yield, and productivity of the imprinted product. Even when the agent is used, the releasability varies depending on the type of the release agent, and it is difficult to determine in advance whether the release property of the release agent is good before imprinting.

特表2004−504718号公報JP-T-2004-504718 特開2002−93748号公報JP 2002-93748 A

そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、モールドと樹脂との離型性に優れ、樹脂のパターン欠陥を生じないもしくは低減させたナノインプリント方法を提供することである。 Therefore, the present invention has been made in view of the above problems. That is, an object of the present invention is to provide a nanoimprint method that is excellent in mold releasability between a mold and a resin and that does not cause or reduces resin pattern defects.

上記の課題を解決するために、請求項1の発明に係るナノインプリント方法は、凹凸パターンを表面に有するモールドを、被加工基板上の光硬化性樹脂に押し付けると共に、前記モールドを介して前記光硬化性樹脂を感光させる光を照射することによって前記光硬化性樹脂を硬化させて前記凹凸パターンを転写するナノインプリント方法であって、前記モールド表面の表面自由エネルギーと、前記硬化した後の光硬化性樹脂表面の表面自由エネルギーのいずれもが、5mJ/m2以上で30mJ/m2以下であり、前記モールドの凹凸パターンが、フッ素系シラン化合物、または、オクタデシルトリメトキシシランから構成される離型層で被覆されていることを特徴とするものである。 In order to solve the above-described problem, the nanoimprint method according to the invention of claim 1 is a method in which a mold having a concavo-convex pattern is pressed against a photocurable resin on a substrate to be processed, and the photocuring is performed through the mold. A nanoimprint method for transferring the concavo-convex pattern by curing the photocurable resin by irradiating light that sensitizes the photosensitive resin, the surface free energy of the mold surface, and the cured photocurable resin any of the surface free energy of the surface, 5 mJ / m 2 or more at 30 mJ / m 2 Ri der hereinafter the mold of the concave-convex pattern, and a fluorine-based silane compound, or a release layer composed of octadecyl trimethoxysilane It is characterized by being covered with .

請求項2の発明に係るナノインプリント方法は、請求項1に記載のナノインプリント方法において、前記光硬化性樹脂を硬化させて前記凹凸パターンを転写した後に、前記硬化した光硬化性樹脂から前記モールドを離型する際の離型力が、1.9kPa以上で2.7kPa以下であることを特徴とするものである。 The nanoimprint method according to claim 2 is the nanoimprint method according to claim 1, wherein after the photocurable resin is cured and the concavo-convex pattern is transferred, the mold is separated from the cured photocurable resin. The mold release force when molding is 1.9 kPa or more and 2.7 kPa or less .

本発明のナノインプリント方法によれば、モールド表面の表面自由エネルギーと、硬化した後の光硬化性樹脂表面の表面自由エネルギーのいずれもを、5mJ/m2以上で30mJ/m2以下としてインプリントすることにより、樹脂との離型性に優れ、樹脂のパターン欠陥を生じないもしくは低減させたナノインプリント方法が可能となる。 According to the nanoimprint method of the present invention, both the surface free energy of the mold surface and the surface free energy of the photocurable resin surface after curing are imprinted as 5 mJ / m 2 or more and 30 mJ / m 2 or less. Accordingly, a nanoimprinting method that is excellent in releasability from the resin and that does not cause or reduces resin pattern defects is possible.

本発明のナノインプリント方法の一例を示す部分断面模式図である。It is a partial section schematic diagram showing an example of the nanoimprint method of the present invention. モールドとナノインプリント用レジストとの付着仕事を説明する図である。It is a figure explaining the adhesion work of a mold and the resist for nanoimprint. モールド表面のナノインプリント用レジストに働く力を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the force which acts on the resist for nanoimprint on the mold surface. モールドと樹脂の離型力測定に用いた測定器の斜視外観図である。It is a perspective appearance figure of a measuring instrument used for mold release force measurement of a mold and resin. 各種の離型層を設けたモールドと離型力を示す図である。It is a figure which shows the mold provided with various mold release layers, and mold release force. 石英製モールド表面にフルオロアルキル基を有する離型剤の単分子膜が形成された状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state in which the monomolecular film of the mold release agent which has a fluoroalkyl group was formed in the quartz mold surface. 離型剤を塗布形成したモールドを樹脂に押し圧した後、引き離したときに働く力と樹脂欠陥を説明するための部分断面模式図である。It is a partial cross-sectional schematic diagram for demonstrating the force and resin defect which work when it presses and separates the mold which apply | coated and formed the mold release agent to resin.

以下、図面に基づいて、本発明の実施形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明のナノインプリント用モールドと光硬化性樹脂を表面に塗布形成した被加工基板の一例を示す部分断面模式図である。ナノインプリント用モールド10は、基板11の一表面に凹凸パターン12を有し、凹凸パターン12が離型層13で被覆されている。被加工基板14は表面に光硬化性樹脂15が塗布形成されている。本発明のナノインプリント方法は、図1に示す例では、離型層13で被覆されている状態でのモールド11の表面自由エネルギーと、硬化した後の光硬化性樹脂表面の表面自由エネルギーのいずれもが、5mJ/m2以上で30mJ/m2以下であることを特徴とするものである。モールド11が離型層12で被覆されていない場合には、モールド自体の表面自由エネルギーを上記の数値範囲内とすればよい。 FIG. 1 is a partial cross-sectional schematic view showing an example of a substrate to be processed on which a nanoimprint mold of the present invention and a photocurable resin are applied and formed. The nanoimprint mold 10 has an uneven pattern 12 on one surface of a substrate 11, and the uneven pattern 12 is covered with a release layer 13. The substrate 14 to be processed is coated with a photocurable resin 15 on the surface. In the example shown in FIG. 1, the nanoimprint method of the present invention includes both the surface free energy of the mold 11 in a state where it is covered with the release layer 13 and the surface free energy of the surface of the photocurable resin after curing. Is 5 mJ / m 2 or more and 30 mJ / m 2 or less. When the mold 11 is not covered with the release layer 12, the surface free energy of the mold itself may be set within the above numerical range.

本発明において、モールド11の表面自由エネルギーと、硬化後の光硬化性樹脂15の表面自由エネルギーとの少なくとも一方の表面自由エネルギーが30mJ/m2を超えると、モールドと硬化した光硬化性樹脂との離型性が低下し、樹脂のパターン欠陥が生じてくるからである。また、硬化後の光硬化性樹脂15の表面自由エネルギーが5mJ/m2未満となると、被加工基板と該基板上に塗布し硬化した光硬化性樹脂との接着性が低下し、基板からの樹脂の剥がれが生じてくるおそれがあるからである。 In the present invention, when at least one surface free energy of the surface free energy of the mold 11 and the surface free energy of the photocurable resin 15 after curing exceeds 30 mJ / m 2 , the mold and the cured photocurable resin This is because the releasability of the resin deteriorates and a resin pattern defect occurs. Moreover, when the surface free energy of the photocurable resin 15 after curing is less than 5 mJ / m 2 , the adhesion between the substrate to be processed and the photocurable resin applied and cured on the substrate decreases, This is because the resin may be peeled off.

本発明のナノインプリント方法によれば、離型層で被覆されているモールド表面の表面自由エネルギーと、硬化した後の光硬化性樹脂表面の表面自由エネルギーを測定することにより、モールド表面と光硬化性樹脂の離型性を評価することが可能となり、離型層として好適な離型剤あるいは離型性の良い光硬化性樹脂の評価、選定が容易になる。表面自由エネルギーが上記の5mJ/m2以上で30mJ/m2以下の範囲内にある場合には離型性が良いと判断され、5mJ/m2以上で30mJ/m2以下の範囲内にない場合には離型性が悪く、インプリントには不適と判断される。 According to the nanoimprint method of the present invention, by measuring the surface free energy of the mold surface coated with the release layer and the surface free energy of the photocurable resin surface after curing, the mold surface and photocurable property are measured. It becomes possible to evaluate the releasability of the resin, and it becomes easy to evaluate and select a release agent suitable for the release layer or a photocurable resin having good releasability. Surface free energy is determined to have good releasability in some cases in the range of 30 mJ / m 2 or less in the above 5 mJ / m 2 or more, not to 30 mJ / m 2 within the following range 5 mJ / m 2 or more In such a case, the releasability is poor, and it is judged to be unsuitable for imprinting.

図1において、基板11は、凹凸パターン12を保持する部材であり、パターン寸法の安定性、耐薬品性、加工特性などが求められ、基板11を構成する材料としては、光学研磨された合成石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウムなどが挙げられるが、一般的には光硬化に用いる紫外線を透過する合成石英ガラスが用いられている。基板材料として合成石英ガラスは、フォトマスク用基板としての使用実績が高く品質が安定しており、基板11と凹凸パターン12を一体化した光透過性の構造とすることができ、高精度の微細な凹凸パターンを形成できるのでより好ましい。   In FIG. 1, a substrate 11 is a member for holding a concavo-convex pattern 12, and is required to have pattern dimension stability, chemical resistance, processing characteristics, and the like. As a material constituting the substrate 11, an optically polished synthetic quartz is used. Examples thereof include glass, soda glass, fluorite, and calcium fluoride. Generally, synthetic quartz glass that transmits ultraviolet rays used for photocuring is used. Synthetic quartz glass as a substrate material has been used as a photomask substrate and has a stable quality, and can have a light-transmitting structure in which the substrate 11 and the concavo-convex pattern 12 are integrated. It is more preferable because a rough pattern can be formed.

モールドを離型層で被覆した場合の離型層の膜厚は、離型層を形成することによるモールドの凹凸パターン寸法への影響を小さくするために、薄い層とするのが好ましい。離型層の膜厚測定は原子間力顕微鏡(AFM)などにより行うことができる。   The film thickness of the release layer when the mold is covered with the release layer is preferably a thin layer in order to reduce the influence on the uneven pattern size of the mold by forming the release layer. The film thickness of the release layer can be measured with an atomic force microscope (AFM).

ここで、モールドとナノインプリント用光硬化性樹脂(以下、レジストとも称する)との離型の程度を示す付着性について述べる。図2は、モールドとレジストとの付着仕事を求めるための説明図である。図面上の凹凸パターンは省略してある。図2において、21はモールド、22はレジストを示す。   Here, the adhesiveness indicating the degree of mold release between the mold and the photo-curable resin for nanoimprint (hereinafter also referred to as a resist) will be described. FIG. 2 is an explanatory diagram for obtaining the adhesion work between the mold and the resist. The uneven pattern on the drawing is omitted. In FIG. 2, 21 indicates a mold and 22 indicates a resist.

ここで、図2(a)に示すように、接触している2つの媒質であるモールド21とレジスト22の単位面積を、図2(b)に示すように、引き離すのに必要な自由エネルギーの変化を示す付着仕事は、レジスト表面からモールドを引き離す付着仕事をWmold/resistとし、モールドの界面エネルギー(表面自由エネルギー)をγmold 、レジストの界面エネルギー(表面自由エネルギー)をγresist、モールドとレジスト間の界面エネルギーをγmold/resistとすると、次の数式(1)で表される。
Wmold/resist =γmold resist−γmold/resist …(1)
Here, as shown in FIG. 2A, the unit areas of the mold 21 and the resist 22 which are the two mediums in contact with each other, as shown in FIG. The adhesion work that shows the change is W mold / resist as the adhesion work that separates the mold from the resist surface, γ mold is the mold interface energy (surface free energy), γ resist is the resist interface energy (surface free energy) When the interfacial energy between resists is γ mold / resist , it is expressed by the following formula (1).
W mold / resist = γ mold + γ resist −γ mold / resist (1)

一方、レジストとモールドの固体表面との間の現象は、簡単にはレジストの固体表面への濡れの程度で表される。本発明において、表面自由エネルギーを求めるのに用いる接触角は、固体表面上におかれた液滴の表面と固体表面との交点において、液滴に引いた接線と固体表面とのなす角度で、液滴を含む側の角度を示す。   On the other hand, the phenomenon between the resist and the solid surface of the mold is simply expressed by the degree of wetting of the resist onto the solid surface. In the present invention, the contact angle used to determine the surface free energy is the angle formed between the tangent line drawn on the droplet and the solid surface at the intersection of the surface of the droplet placed on the solid surface and the solid surface. The angle on the side containing the droplet is shown.

図3は、モールド表面のレジストに働く力を説明する模式図である。図3に示すように、モールド31の表面にレジスト32が形成されたとき、濡れ性すなわち親水性、疎水性の程度を表す接触角に関して、図2と同じ符号であるモールドの表面自由エネルギーをγmold、モールドとレジスト間の界面エネルギーをγmold/resist、レジストの表面自由エネルギーをγresist、接触角をθとすると、3つの矢印で示す力関係が釣り合い、次のヤング−デュプレ(Young-Dupre)の式(2)が成り立つ。
γmold =γresistcosθ+γmold/resist …(2)
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the force acting on the resist on the mold surface. As shown in FIG. 3, when the resist 32 is formed on the surface of the mold 31, the surface free energy of the mold, which has the same sign as in FIG. 2, is expressed as γ with respect to the contact angle representing the degree of wettability, that is, hydrophilicity and hydrophobicity. If the mold , the interface energy between the mold and the resist is γ mold / resist , the resist surface free energy is γ resist , and the contact angle is θ, the force relationship indicated by the three arrows is balanced, and the following Young-Dupre (Young-Dupre) ) (2) holds.
γ mold = Γ resist cosθ + γ mold / resist (2)

上記の数式(1)、数式(2)より、付着仕事Wmold/resistは、次の数式(3)で表される。したがって、γresistとθがわかれば、レジスト表面からモールドを引き離す付着仕事Wmold/resistを求めることができる。γresistとθは計測により求めることができる。
Wmold/resist =γresist(1+cosθ) …(3)
From the above formulas (1) and (2), the adhesion work W mold / resist is expressed by the following formula (3). Therefore, if γ resist and θ are known, the adhesion work W mold / resist for separating the mold from the resist surface can be obtained. γ resist and θ can be obtained by measurement.
W mold / resist = γ resist (1 + cosθ) (3)

したがって、レジスト表面からモールドを容易に引き離すには、数式(3)より付着仕事Wmold/resistを小さくすること、すなわちレジストの表面自由エネルギーγresist(表面張力)の小さい材料を使用すること、また数式(2)よりモールドの表面自由エネルギーγmoldを小さくすること、例えば、モールド表面に表面自由エネルギーの小さい離型層を設ければよいことになる。 Therefore, in order to easily pull the mold away from the resist surface, it is necessary to reduce the adhesion work W mold / resist from Equation (3), that is, to use a material having a small resist surface free energy γ resist (surface tension). From the formula (2), the mold surface free energy γ mold can be reduced, for example, a release layer having a small surface free energy may be provided on the mold surface.

一方、オーエンス(Owens)の式から(D.K.Owens et al.,J.Appl.Polym.Sci.,13,1741-1747(1969))、表面自由エネルギーγを分散相互作用による表面自由エネルギーγdと極性相互作用による表面自由エネルギーγpとの和(γ=γdp)とすると、下記の数式(4)、(5)が成り立つ。
γmold/resist =γmold resist −2(√(γd resist γd asl)+√(γp resist γp asl))
…(4)
Wmold/resist =2√(γd resist γd asl)+2√(γp resist γp asl
…(5)
ただし、γd resistおよびγp resistは、それぞれレジストの表面自由エネルギーの分散成分と極性成分であり、γd aslおよびγp aslは、それぞれ離型層(離型層がない場合はモールド自体)の表面自由エネルギーの分散成分と極性成分である。
On the other hand, from the Owens equation (DKOwens et al., J. Appl. Polym. Sci., 13, 1741-1747 (1969)), surface free energy γ d and polarity due to dispersion interaction When the sum of the surface free energy γ p due to the interaction (γ = γ d + γ p ) is established, the following formulas (4) and (5) are established.
γ mold / resist = γ mold + γ resist -2 (√ (γ d resist γ d asl ) + √ (γ p resist γ p asl ))
... (4)
W mold / resist = 2√ (γ d resist γ d asl ) + 2√ (γ p resist γ p asl )
... (5)
However, γ d resist and γ p resist are the dispersion component and polar component of the surface free energy of the resist, respectively, and γ d asl and γ p asl are the release layer (the mold itself if there is no release layer). Is a dispersion component and a polar component of the surface free energy.

上記のように、固体の表面自由エネルギーγの各成分(γd;γp)は、同一の固体表面上において表面張力の異なる2種類の液体との接触角を測定することにより求めることができ、表面自由エネルギーγは分散相互作用による表面自由エネルギーγdと極性相互作用による表面自由エネルギーγpとの和(γ=γdp)として得られる。本発明の好ましい形態としては、上記の2種類の液体として、純水とジヨードメタン(CH22)が挙げられる。
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
As described above, each component (γ d ; γ p ) of the surface free energy γ of the solid can be obtained by measuring contact angles with two types of liquids having different surface tensions on the same solid surface. The surface free energy γ is obtained as the sum of the surface free energy γ d due to the dispersion interaction and the surface free energy γ p due to the polar interaction (γ = γ d + γ p ). As a preferable embodiment of the present invention, pure water and diiodomethane (CH 2 I 2 ) are mentioned as the above two kinds of liquids.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.

表1に、本発明のナノインプリント方法において用いた各材料の実測した接触角と、その接触角より求めた表面自由エネルギーγ(γ=γdp)の値を示す。接触角の測定は、角度を読み取れるゴニオメータ付きの光学顕微鏡を用い、液滴を側面から観察して接触角を直接測定する方法や、液滴の輪郭を撮影し、画像解析により角度を測定する方法など、従来公知の方法が用いられる。本実施例においては、接触角測定装置としては協和界面科学社製Drop Masterを用いた。接触角を求めるのに用いた2種の液体としては、純水とジヨードメタン(CH22)を用いた。測定試料としては、4種類の離型層で被覆されたモールド、離型層なしのモールドおよび1種類のレジストである。 Table 1 shows the measured contact angle of each material used in the nanoimprinting method of the present invention and the value of the surface free energy γ (γ = γ d + γ p ) determined from the contact angle. Contact angle is measured by using an optical microscope with a goniometer that can read the angle, directly observing the droplet from the side and measuring the contact angle directly, or measuring the angle by image analysis of the droplet outline For example, a conventionally known method is used. In this example, Drop Master manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd. was used as the contact angle measuring device. Pure water and diiodomethane (CH 2 I 2 ) were used as the two liquids used to determine the contact angle. As a measurement sample, there are a mold coated with four types of release layers, a mold without a release layer, and one type of resist.

Figure 0005732724
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表1において、4種類の離型層としては、フッ素系シラン化合物を主成分とする商品名オプツールDSX(Optool:ダイキン工業社製)、オクタデシルトリメトキシシラン(ODS:CH3(CH2)17Si(OCH3)3)、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)をそれぞれ合成石英基板上に気相成長法により形成して離型層とする測定試料を作製した。HMDSは塗布条件の異なる2種類を用いており、HMDS−1、HMDS−2は気相成長処理時間が、それぞれ30分、5分として離型層を設けたサンプルである。離型層なしのモールドは、硫酸/過酸化水素水(H2SO4/H2O2)で洗浄後の合成石英基板(Qz:6インチ角、厚さ0.25インチ)を用いている。レジストは、商品名PAK-01(東洋合成工業社製)を用いた。表1において、接触角を求めるのに用いた2種類の液体のうち、純水はγ=72.8、γd=21.8、γp=51.0(単位:mJ/m2)であり、ジヨードメタンはγ=50.8、γd=48.5、γp=2.3(単位:mJ/m2)である。 In Table 1, the four release layers include trade names OPTOOL DSX (Optool: manufactured by Daikin Industries, Ltd.), octadecyltrimethoxysilane (ODS: CH 3 (CH 2 ) 17 Si) mainly composed of a fluorine-based silane compound. (OCH 3 ) 3 ) and hexamethyldisilazane (HMDS) were each formed on a synthetic quartz substrate by vapor phase epitaxy to prepare a measurement sample as a release layer. HMDS uses two types with different coating conditions, and HMDS-1 and HMDS-2 are samples in which a release layer is provided with a vapor phase growth time of 30 minutes and 5 minutes, respectively. The mold without the release layer uses a synthetic quartz substrate (Qz: 6 inch square, thickness 0.25 inch) after washing with sulfuric acid / hydrogen peroxide solution (H 2 SO 4 / H 2 O 2 ). . The resist used was the trade name PAK-01 (manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.). In Table 1, among the two types of liquids used to determine the contact angle, pure water is γ = 72.8, γ d = 21.8, γ p = 51.0 (unit: mJ / m 2 ). Yes, diiodomethane is γ = 50.8, γ d = 48.5, γ p = 2.3 (unit: mJ / m 2 ).

表1に示される測定試料の中では、離型層1のフッ素系シラン化合物を主成分とするオプツールDSX(Optool)が最も小さい表面自由エネルギーγ=12.4を示している。一方、離型層を設けていない合成石英基板のモールド(Qz)は、高い表面自由エネルギーγ=72.4を示している。   Among the measurement samples shown in Table 1, the surface free energy γ = 12.4 is the smallest in the OPTOOL DSX (Optool) whose main component is the fluorine-based silane compound of the release layer 1. On the other hand, a synthetic quartz substrate mold (Qz) without a release layer exhibits a high surface free energy γ = 72.4.

次に、石英モールド表面を上記の離型層1〜離型層4でそれぞれに被覆して試料1〜試料4を作製し、離型層を設けていない石英モールドを試料5として5種類のモールド試料とし、それぞれのモールドの離型力の測定を行った。離型力の測定には、谷口等により提案されている図4に示す測定装置を作製して用いた(J.Taniguchi et al.,Jpn. J.Appl. Phys. Vol.41 (2002)pp.4194-4197)。被加工基板となるシリコンウェハ41上に光(紫外線)硬化性樹脂42を塗布し、図4に示す測定装置に設置し、上記のモールド43を押し付け、各モールド試料を紫外線照射した。光硬化性樹脂42としてはPAK-01(東洋合成工業社製)を用い、紫外線照射量はいずれも200mJ/cm2であり、光硬化性樹脂42が硬化する照射量を照射した。 Next, the quartz mold surface is respectively coated with the release layer 1 to the release layer 4 to prepare samples 1 to 4, and five types of molds are made using the quartz mold without the release layer as the sample 5. A sample was used, and the mold release force of each mold was measured. For the measurement of mold release force, the measurement device shown in FIG. 4 proposed by Taniguchi et al. Was prepared and used (J. Taniguchi et al., Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 41 (2002) pp. .4194-4197). A light (ultraviolet) curable resin 42 was applied onto a silicon wafer 41 serving as a substrate to be processed, and the resin was placed in the measuring apparatus shown in FIG. 4, the mold 43 was pressed, and each mold sample was irradiated with ultraviolet rays. As the photocurable resin 42, PAK-01 (manufactured by Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd.) was used, and the ultraviolet irradiation amount was 200 mJ / cm 2 , and the irradiation amount for curing the photocurable resin 42 was irradiated.

次いで、図4に示す測定装置により、シリコンウェハ41側に荷重44をかけ、各々の試料の離型力(Separation Force)を求めた。その結果を図5に示す。離型力の測定には、市販の商品名フォースゲージDPS-50R(イマダ社製)を用いた。離型力(MPa)は、モールドと付着している硬化した光硬化性樹脂とを離型するのに要する力であり、下記の数式(6)で表され、単位面積(mm2)当たりの離型に要する最大荷重(N)で示される。また、離型層を設けていない石英モールドを試料5として比較のために測定した。
単位面積当たりの離型力(MPa)=離型力(最大荷重,N)/樹脂面積(mm2
……(6)
Next, a load 44 was applied to the silicon wafer 41 side by the measuring device shown in FIG. 4 to determine the separation force of each sample. The result is shown in FIG. A commercially available force gauge DPS-50R (manufactured by Imada Co., Ltd.) was used for measurement of the release force. The mold release force (MPa) is a force required to release the mold and the cured photo-curing resin adhering to the mold, and is expressed by the following mathematical formula (6), per unit area (mm 2 ). It is indicated by the maximum load (N) required for mold release. Further, a quartz mold without a release layer was measured as a sample 5 for comparison.
Release force per unit area (MPa) = Release force (maximum load, N) / resin area (mm 2 )
...... (6)

図5において、各試料(横軸)の離型力(縦軸)における黒点は測定した各試料のサンプル数による計測値のバラつきを示し、横実線およびその脇の数値は離型力(kPa)の平均値を示す。図5に示すように、離型層を設けていない合成石英基板のモールド(Ref Qz/Pak)は、高い離型力14.6kPaを示しているが、離型層を設けた4種類のモールドはいずれも離型力が低下しており、中でもオプツールDSX(Optool)とオクタデシルトリトキシシラン(ODS)の離型力は、それぞれ2.7kPa、1.9kPaと低く、両者はモールドとレジストの離型性が良い好適な離型剤であることが示された。   In FIG. 5, the black dots in the release force (vertical axis) of each sample (horizontal axis) indicate the variation in the measured values depending on the number of samples of each measured sample, and the horizontal solid line and the numerical values next to it indicate the release force (kPa). The average value is shown. As shown in FIG. 5, a synthetic quartz substrate mold (Ref Qz / Pak) without a release layer shows a high release force of 14.6 kPa, but four types of molds with a release layer are provided. In both cases, the release force of OPTOOL DSX (Optool) and octadecyltritoxylsilane (ODS) is low at 2.7 kPa and 1.9 kPa, respectively. It was shown that it is a suitable mold release agent with good moldability.

表2に、図5に示した上記の試料1〜試料5の離型力(kPa)と、計算により求めた付着仕事の値(mJ/cm2)、および目視および光学顕微鏡による外観検査により得られた樹脂のパターン欠陥の有無の結果を示す。付着仕事の値は、上記の数式(5)から求めた。 Table 2 shows the release force (kPa) of the above samples 1 to 5 shown in FIG. 5, the value of work of adhesion (mJ / cm 2 ) obtained by calculation, and visual inspection and visual inspection using an optical microscope. The result of the presence or absence of the pattern defect of the obtained resin is shown. The value of the adhesion work was obtained from the above formula (5).

Figure 0005732724
Figure 0005732724

表2に示す付着仕事の値が小さい試料1のオクタデシルトリメトキシシラン(ODS)および試料2のオプツールDSX(Optool)を設けたモールドは、いずれも硬化した光硬化性樹脂を離型するのが容易であり、離型により樹脂によるパターン欠陥は生じなかった。一方、試料4のHMDSを気相法で成膜したモールドは、3kPaと比較的低い離型力を示したが、離型時に部分的に樹脂のパターン欠陥を生じた。   As shown in Table 2, the mold with octadecyltrimethoxysilane (ODS) of sample 1 and Optool DSX (Optool) of sample 2 with small adhesion work values can easily release the cured photo-curing resin. The pattern defect due to the resin did not occur due to the mold release. On the other hand, the mold in which the HMDS sample 4 was formed by the vapor phase method showed a relatively low release force of 3 kPa, but partially caused resin pattern defects at the time of release.

表1に示されるように、試料1の離型剤であるオプツールDSX(Optool)および試料2のオクタデシルトリメトキシシラン(ODS)の表面自由エネルギーは、それぞれ12.4mJ/m2、29.64mJ/m2である。したがって、離型時の樹脂によるパターン欠陥を生じさせないためには、モールドの表面自由エネルギーは30mJ/m2以下であることが示される。 As shown in Table 1, the surface free energies of Optool DSX (Optool) which is the mold release agent of Sample 1 and octadecyltrimethoxysilane (ODS) of Sample 2 are 12.4 mJ / m 2 and 29.64 mJ / respectively. m 2 . Therefore, it is shown that the surface free energy of the mold is 30 mJ / m 2 or less in order not to cause pattern defects due to the resin at the time of mold release.

一方、モールド側ではなく、硬化した後の光硬化性樹脂表面の表面自由エネルギーが30mJ/m2以下であっても、上記の数式(1)〜(5)において説明したように、離型時の樹脂のパターン欠陥を生じさせないもしくは低減することが可能である。 On the other hand, even when the surface free energy on the surface of the photocurable resin after curing is not 30 mJ / m 2 or less, not on the mold side, as explained in the above formulas (1) to (5), It is possible to prevent or reduce the pattern defects of the resin.

したがって、樹脂との離型性に優れ、樹脂のパターン欠陥を生じないもしくは低減したナノインプリント方法を行うには、モールド表面の表面自由エネルギーと、硬化した後の光硬化性樹脂(レジスト)表面の表面自由エネルギーとの少なくとも一方の表面自由ルギーが、5mJ/m2以上で30mJ/m2以下であることが求められる。モールド、レジストのいずれか一方が、30mJ/m2以下であれば、付着仕事を小さくすることができ、離型性を向上させることができる。また、光硬化性樹脂(レジスト)表面をアルキルやフルオロアルキルが緻密に並んだ膜とし表面自由エネルギーを30mJ/m2以下とすることにより、レジストとモールドの離型性を高めることができる。上記に説明したように、モールド表面は離型層で被覆されていてもよい。 Therefore, in order to perform a nanoimprint method that is excellent in releasability from the resin and does not cause or reduce resin pattern defects, the surface free energy on the mold surface and the surface of the cured photocurable resin (resist) surface It is required that at least one of the surface free rubies with the free energy is 5 mJ / m 2 or more and 30 mJ / m 2 or less. If either one of the mold and the resist is 30 mJ / m 2 or less, the work of adhesion can be reduced and the releasability can be improved. Moreover, the mold release property of a resist and a mold can be improved by making the surface of photocurable resin (resist) into a film in which alkyl and fluoroalkyl are densely arranged and having a surface free energy of 30 mJ / m 2 or less. As explained above, the mold surface may be coated with a release layer.

本発明のナノインプリント方法によれば、離型層で被覆したモールドの表面自由エネルギーと、被加工基板上の紫外線硬化した光硬化性樹脂の表面自由エネルギーを測定し、両方の表面自由エネルギーが上記の所定の範囲内にあれば離型性が良いと判定し、所定の範囲内にないときには離型性が悪く樹脂のパターン欠陥が生じるおそれがあると判定することができ、離型層や光硬化性樹脂の適否を評価することができる。
According to nanoimprint method of the present invention, the surface free energy of the mold coated with a release layer, measuring the surface free energy of the photocurable resin cured with ultraviolet ray on the substrate to be processed, both the surface free energy of the If it is within the predetermined range, it can be determined that the releasability is good, and if it is not within the predetermined range, it can be determined that the releasability is poor and a pattern defect of the resin may occur. The suitability of the functional resin can be evaluated.

10 モールド
11 基板
12 凹凸パターン
13 離型層
14 被加工基板
15 光硬化性樹脂
21、31 モールド
22、32 レジスト
41 シリコンウェハ
42 光硬化性樹脂
43 合成石英基板
44 荷重
71 モールド
72 離型層
73 被加工基板
74 樹脂
75 欠け欠陥
76 付着した樹脂
A 付着力
F 摩擦力
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Mold 11 Substrate 12 Uneven pattern 13 Release layer 14 Substrate 15 Photocurable resin 21, 31 Mold 22, 32 Resist 41 Silicon wafer 42 Photocurable resin 43 Synthetic quartz substrate 44 Load 71 Mold 72 Release layer 73 Processed substrate 74 Resin 75 Chip defect 76 Adhered resin A Adhesive force F Friction force

Claims (2)

凹凸パターンを表面に有するモールドを、被加工基板上の光硬化性樹脂に押し付けると共に、前記モールドを介して前記光硬化性樹脂を感光させる光を照射することによって前記光硬化性樹脂を硬化させて前記凹凸パターンを転写するナノインプリント方法であって、
前記モールド表面の表面自由エネルギーと、前記硬化した後の光硬化性樹脂表面の表面自由エネルギーのいずれもが、5mJ/m2以上で30mJ/m2以下であり、
前記モールドの凹凸パターンが、フッ素系シラン化合物、または、オクタデシルトリメトキシシランから構成される離型層で被覆されていることを特徴とするナノインプリント方法。
A mold having a concavo-convex pattern on the surface is pressed against a photocurable resin on a substrate to be processed, and the photocurable resin is cured by irradiating light that sensitizes the photocurable resin through the mold. A nanoimprint method for transferring the concavo-convex pattern,
Wherein the surface free energy of the mold surface, none of the surface free energy of the photocurable resin surface after the curing state, and are 30 mJ / m 2 or less at 5 mJ / m 2 or more,
The nanoimprint method, wherein the uneven pattern of the mold is coated with a release layer composed of a fluorine-based silane compound or octadecyltrimethoxysilane .
前記光硬化性樹脂を硬化させて前記凹凸パターンを転写した後に、前記硬化した光硬化性樹脂から前記モールドを離型する際の離型力が、1.9kPa以上で2.7kPa以下であることを特徴とする請求項1に記載のナノインプリント方法。   The mold release force when releasing the mold from the cured photocurable resin after curing the photocurable resin and transferring the uneven pattern is 1.9 kPa or more and 2.7 kPa or less. The nanoimprint method according to claim 1.
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