JP5720429B2 - Radiation imaging equipment - Google Patents

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Description

本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、放射線画像撮影装置が自ら放射線の照射を検出して放射線画像撮影を行う放射線画像撮影装置に関する。   The present invention relates to a radiographic image capturing apparatus, and more particularly, to a radiographic image capturing apparatus in which a radiographic image capturing apparatus detects radiation irradiation by itself and performs radiographic image capturing.

照射されたX線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレーター等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号(すなわち画像データ)に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。   A so-called direct-type radiographic imaging device that generates electric charges by a detection element in accordance with the dose of irradiated radiation such as X-rays and converts it into an electrical signal, or other radiation such as visible light with a scintillator A so-called indirect radiographic imaging device that converts an electromagnetic wave having a wavelength and then generates a charge in a photoelectric conversion element such as a photodiode according to the energy of the converted electromagnetic wave and converts it to an electrical signal (ie, image data). Have been developed. In the present invention, the detection element in the direct type radiographic imaging apparatus and the photoelectric conversion element in the indirect type radiographic imaging apparatus are collectively referred to as a radiation detection element.

このタイプの放射線画像撮影装置はFPD(Flat Panel Detector)として知られており、従来は支持台(或いはブッキー装置)と一体的に形成されていたが(例えば特許文献1参照)、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納し、持ち運び可能とした可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている(例えば特許文献2、3参照)。   This type of radiographic imaging apparatus is known as an FPD (Flat Panel Detector), and conventionally formed integrally with a support base (or a bucky apparatus) (see, for example, Patent Document 1). A portable radiographic image capturing apparatus in which an element or the like is stored in a housing and made portable is developed and put into practical use (see, for example, Patent Documents 2 and 3).

このような放射線画像撮影装置では、例えば後述する図6等に示すように、通常、複数の放射線検出素子7が、検出部P上に二次元状(マトリクス状)に配列され、各放射線検出素子7にそれぞれ薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor。以下、TFTという。)8で形成されたスイッチ手段が接続されて構成される。そして、走査駆動手段15のゲートドライバー15bから各走査線5にオン電圧やオフ電圧が印加され、各TFT8のオン/オフ動作が行われて、各放射線検出素子7内への電荷の蓄積や、各放射線検出素子7から各信号線6への電荷の放出等が行われる。   In such a radiographic imaging apparatus, for example, as shown in FIG. 6 and the like, which will be described later, normally, a plurality of radiation detection elements 7 are arranged in a two-dimensional form (matrix) on the detection unit P, and each radiation detection element 7 is connected to switch means formed by thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs) 8. Then, an ON voltage or an OFF voltage is applied to each scanning line 5 from the gate driver 15b of the scanning driving unit 15, and each TFT 8 is turned on / off, and charge accumulation in each radiation detection element 7 is performed. Release of charges from each radiation detection element 7 to each signal line 6 is performed.

ところで、放射線画像は、放射線発生装置の放射線源から放射線画像撮影装置に対して被写体を介して放射線を照射することにより行われる。そして、例えば放射線画像撮影装置と放射線発生装置の製造元が同じであれば、放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間で信号や情報等のやり取りを行いながら撮影を行うように構成することができる。   By the way, a radiographic image is performed by irradiating a radiation image capturing apparatus from a radiation source of a radiation generating apparatus through a subject. For example, if the manufacturer of the radiation image capturing apparatus and the radiation generating apparatus is the same, it can be configured to perform imaging while exchanging signals and information between the radiation image capturing apparatus and the radiation generating apparatus. .

しかし、放射線画像撮影装置と放射線発生装置の製造元が異なっているような場合には、上記のように両者の間で信号等のやり取りを的確に行うことができない場合がある。そして、そのような場合には、放射線画像撮影装置自体で放射線が照射されたことを検出することが必要となる。   However, when the manufacturers of the radiographic imaging apparatus and the radiation generation apparatus are different, it may not be possible to accurately exchange signals and the like as described above. In such a case, it is necessary to detect that the radiation image capturing apparatus itself has irradiated the radiation.

そこで、近年、このような放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間のインターフェースによらずに、放射線が照射されたことを自ら検出するように構成された放射線画像撮影装置が種々開発されている。   Therefore, in recent years, various radiographic imaging apparatuses configured to detect themselves that radiation has been emitted have been developed without using such an interface between the radiographic imaging apparatus and the radiation generation apparatus. .

例えば、特許文献4や特許文献5では、放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されて各放射線検出素子7内に電荷が発生すると、各放射線検出素子7から、各放射線検出素子7に接続されているバイアス線9(後述する図6等参照)に電荷が流れ出してバイアス線9を流れる電流が増加することを利用して、バイアス線9に電流検出手段を設けてバイアス線9内を流れる電流の電流値を検出し、その電流値に基づいて放射線の照射の開始等を検出することが提案されている。   For example, in Patent Document 4 and Patent Document 5, when radiation is started on the radiation imaging apparatus and a charge is generated in each radiation detection element 7, each radiation detection element 7 is connected to each radiation detection element 7. The current flowing through the bias line 9 is provided by providing a current detection means on the bias line 9 by utilizing the fact that electric charge flows out to the bias line 9 (see FIG. 6 and the like described later) and the current flowing through the bias line 9 increases. It has been proposed to detect the current value and to detect the start of radiation irradiation based on the current value.

しかし、本発明者らの研究で、上記の手法は、バイアス線9が各放射線検出素子7の電極に接続されているため、電流検出手段で発生したノイズがバイアス線9を介して各放射線検出素子7に伝わり、放射線検出素子7から読み出される画像データDにノイズとして重畳される場合があるなど、必ずしも解決が容易でない問題があることが分かってきた。   However, as a result of research conducted by the present inventors, the above-described method is based on the fact that the bias line 9 is connected to the electrode of each radiation detection element 7, so that noise generated by the current detection means is detected via each bias line 9. It has been found that there is a problem that is not always easy to solve, such as being superimposed on the image data D transmitted to the element 7 and read out from the radiation detection element 7 as noise.

そして、本発明者らは、放射線画像撮影装置自体で放射線が照射されたことを検出する別の手法について種々研究を重ねた結果、放射線画像撮影装置自体で放射線が照射されたことを的確に検出することが可能ないくつかの手法を見出すことができた。   And, as a result of various studies on different methods for detecting that the radiation imaging apparatus itself has irradiated the radiation, the present inventors have accurately detected that the radiation imaging apparatus itself has been irradiated. I was able to find some techniques that could be done.

ところで、後述するように、本発明者らが見出した新たな放射線の照射開始の検出方法では、放射線画像撮影前に、走査駆動手段15から各走査線5にオフ電圧を印加して各TFT8をオフ状態とした状態で読み出し回路17に読み出し動作を行わせ、TFT8を介して放射線検出素子7からリークした電荷q(後述する図10参照)をリークデータdleakに変換するリークデータdleakの読み出し処理を行うように構成される。   Incidentally, as will be described later, in the new radiation irradiation detection method found by the present inventors, an off voltage is applied to each scanning line 5 from the scanning drive means 15 before radiographic imaging, and each TFT 8 is turned on. In the off state, the readout circuit 17 performs a readout operation, and the leak data dleak is read out to convert the charge q (see FIG. 10 described later) leaked from the radiation detection element 7 through the TFT 8 into the leak data dleak. Configured to do.

そして、放射線画像撮影装置に放射線が照射されると、読み出されるリークデータdleakの値が上昇する。そのため、それを利用して、読み出されたリークデータdleakの値に基づいて放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されたことを検出するように構成される。なお、この場合、各TFT8をオフ状態にしたままであると各放射線検出素子7内に暗電荷が蓄積されてしまうため、後述するように、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理とが交互に行われるように構成される。   When the radiation image capturing apparatus is irradiated with radiation, the value of the leak data dleak to be read increases. Therefore, using this, it is configured to detect the start of radiation irradiation on the radiation image capturing apparatus based on the value of the read leak data dleak. In this case, dark charges are accumulated in each radiation detection element 7 if each TFT 8 is kept in an off state. Therefore, as will be described later, the leak data dleak read process and the radiation detection element 7 The reset process is alternately performed.

また、本発明者らが見出した別の新たな放射線の照射開始の検出方法では、放射線画像撮影前に、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧を順次印加して画像データdの読み出し処理を行う。なお、以下では、撮影直後に行われる本画像としての画像データDと区別して、この放射線画像撮影前に放射線の照射開始の検出用に読み出される照射開始検出用の画像データを、画像データdという。   Further, in another new radiation irradiation detection method found by the present inventors, an on-voltage is sequentially applied from the scanning drive unit 15 to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5 before radiographic imaging. The image data d is read out. In the following description, the image data for irradiation start detection read out for detection of the start of radiation irradiation before the radiographic image imaging is referred to as image data d, in distinction from the image data D as the main image performed immediately after imaging. .

そして、この場合も、放射線画像撮影装置に放射線が照射されると、読み出される画像データdの値が上昇することを利用して、読み出された画像データdの値に基づいて放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されたことを検出するように構成される。   Also in this case, the radiation image capturing device is used based on the value of the read image data d by using the increase in the value of the read image data d when the radiation image capturing device is irradiated with radiation. It is configured to detect that irradiation of radiation has started.

そして、上記のように構成すれば、放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間でインターフェースが構築できないような場合でも、読み出されたリークデータdleakや画像データdの値に基づいて、放射線画像撮影装置自体で放射線が照射されたことを的確に検出することが可能となることが分かっている。   And if comprised as mentioned above, even when an interface cannot be constructed | assembled between a radiographic imaging apparatus and a radiation generator, based on the value of the read leak data dleak or image data d, a radiographic image It has been found that it is possible to accurately detect that radiation has been emitted by the imaging apparatus itself.

放射線画像撮影装置では、上記のようにして放射線画像撮影装置に対する放射線の照射が開始されたことを検出すると、走査駆動手段15から各走査線5にオフ電圧が印加されて各TFT8がオフ状態とされ、放射線の照射により発生した電荷を各放射線検出素子7内に蓄積させる電荷蓄積状態に移行する。そして、その後、走査駆動手段15から各走査線5にオン電圧を順次印加して、各放射線検出素子7からの本画像としての画像データDの読み出し処理が行われる。   In the radiographic image capturing apparatus, when it is detected that radiation irradiation to the radiographic image capturing apparatus is started as described above, an off voltage is applied from the scanning drive unit 15 to each scanning line 5 and each TFT 8 is turned off. Then, the state shifts to a charge accumulation state in which charges generated by radiation irradiation are accumulated in each radiation detection element 7. After that, the on-voltage is sequentially applied from the scanning drive unit 15 to each scanning line 5, and the reading process of the image data D as the main image from each radiation detection element 7 is performed.

その際、各TFT8がオフ状態とされる電荷蓄積状態では、放射線検出素子7自体の熱(温度)による熱励起等により常時発生している、いわゆる暗電荷が各放射線検出素子7内に蓄積される状態になる。そして、この暗電荷によるオフセット分が、読み出される画像データDに重畳される。   At that time, in the charge accumulation state in which each TFT 8 is turned off, so-called dark charges, which are always generated due to thermal excitation by the heat (temperature) of the radiation detection element 7 itself, are accumulated in each radiation detection element 7. It becomes a state. The offset due to the dark charge is superimposed on the read image data D.

そこで、この暗電荷によるオフセット分をオフセットデータOとして読み出すオフセットデータOの読み出し処理を、本画像としての画像データDの読み出し処理後に行うように構成される場合が多い。後の画像処理で、読み出されたオフセットデータOを読み出された画像データDから減算して真の画像データDを算出することにより、真の画像データDを、暗電荷によるオフセット分を含まず、放射線の照射により発生した電荷にのみ起因するデータとすることが可能となる。 Therefore, in many cases, the reading process of the offset data O that reads the offset due to the dark charge as the offset data O is performed after the reading process of the image data D as the main image. In the image processing after by calculating the true image data D * subtracted from the image data D read out offset data O read, offset by the true image data D *, dark charge It is possible to obtain data that is derived only from charges generated by radiation irradiation.

特開平9−73144号公報JP-A-9-73144 特開2006−058124号公報JP 2006-058124 A 特開平6−342099号公報JP-A-6-342099 米国特許第7211803号明細書US Pat. No. 7,211,803 特開2009−219538号公報JP 2009-219538 A

ところで、上記のオフセットデータOの読み出し処理を行うように構成する際、上記の減算処理で、オフセットデータOが、本画像としての画像データDに重畳されている暗電荷等によるオフセット分と的確に相殺される値になるように、種々の条件が設定される。   By the way, when the offset data O is read out, the offset data O is appropriately subtracted from the offset due to dark charges or the like superimposed on the image data D as the main image in the subtraction process. Various conditions are set so that the values are canceled out.

すなわち、例えば、本画像としての画像データDを読み出した後、各放射線検出素子7内には画像データDの読み残し分が残存する状態になる。そこで、例えば、画像データDの読み出し処理後、読み残し分を除去するために各放射線検出素子7のリセット処理を繰り返し行った後で、オフセットデータOの読み出し処理を行うように構成される。   That is, for example, after the image data D as the main image is read, the unread portion of the image data D remains in each radiation detection element 7. Therefore, for example, after the reading process of the image data D, the reset process of each radiation detection element 7 is repeatedly performed to remove the unread portion, and then the reading process of the offset data O is performed.

しかしながら、前述した本発明者らが見出した新たな放射線の照射開始の検出方法を採用した場合、上記のように、従来、当然のごとく行っていたオフセットデータOの読み出し処理の仕方では、本画像としての画像データDに重畳されている暗電荷等によるオフセット分とオフセットデータOとが適切に相殺されなくなる場合があることが分かってきた。   However, when the above-described detection method of the start of radiation irradiation found by the present inventors is adopted, as described above, in the method of reading the offset data O, which has been conventionally performed, the main image is used. It has been found that the offset due to dark charges or the like superimposed on the image data D and the offset data O may not be offset appropriately.

以下、具体的に説明する。なお、本来、放射線源と放射線画像撮影装置との間に被写体が介在する状態で放射線画像撮影装置に放射線が照射して撮影が行われるが、ここでは上記の現象を分かり易く説明するために、被写体が介在しない状態で放射線画像撮影装置の各放射線検出素子7に一様に放射線を照射する状態を考える。   This will be specifically described below. Note that, originally, radiography is performed by irradiating the radiographic imaging apparatus with a subject interposed between the radiation source and the radiographic imaging apparatus, but here, in order to explain the above phenomenon in an easy-to-understand manner, Let us consider a state in which radiation is uniformly applied to each radiation detection element 7 of the radiographic imaging apparatus in a state where no subject is present.

すなわち、放射線画像撮影装置に放射線を照射しない状態で、例えば図27に示すように走査駆動手段15のゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧を順次印加して、各放射線検出素子7から照射開始検出用の画像データdを読み出す。そして、放射線画像撮影装置に一様に放射線を照射し、走査線5のラインLnにオン電圧を印加した際に読み出された画像データdに基づいて放射線の照射開始が検出されたものとする。   That is, in a state in which no radiation is applied to the radiation image capturing apparatus, for example, as shown in FIG. 27, an on-voltage is sequentially applied to each line L1 to Lx of the scanning line 5 from the gate driver 15b of the scanning driving means 15, Image data d for detecting the start of irradiation is read from the detection element 7. Then, it is assumed that the radiation irradiation start is detected based on the image data d read when the radiation imaging apparatus is uniformly irradiated with radiation and the on-voltage is applied to the line Ln of the scanning line 5. .

この場合、その時点で、ゲートドライバー15bから各走査線5へのオン電圧の印加が停止され、各走査線5にオフ電圧が印加されて電荷蓄積状態に移行する。そして、この電荷蓄積状態において、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷が各放射線検出素子7内に蓄積される。   In this case, at that time, the application of the on voltage from the gate driver 15b to each scanning line 5 is stopped, and the off voltage is applied to each scanning line 5 to shift to the charge accumulation state. In this charge accumulation state, charges generated in each radiation detection element 7 due to radiation irradiation are accumulated in each radiation detection element 7.

そして、この電荷蓄積状態を所定時間維持した後、例えば走査線5のラインLn+1からオン電圧の印加を再開し、走査線5のラインLn+1〜Lx、L1〜Lnにオン電圧を順次印加して、各走査線5に接続されている各放射線検出素子7から本画像としての画像データDをそれぞれ読み出す。   Then, after this charge accumulation state is maintained for a predetermined time, for example, the application of the on-voltage is resumed from the line Ln + 1 of the scanning line 5, and the on-voltage is sequentially applied to the lines Ln + 1 to Lx and L1 to Ln of the scanning line 5. The image data D as a main image is read out from each radiation detection element 7 connected to each scanning line 5 by applying the data.

続いて、各放射線検出素子7内に残存する読み残し分を除去するために、走査線5のラインLn+1〜Lx、L1〜Lnにオン電圧を順次印加して行う各放射線検出素子7のリセット処理を繰り返し行った後、走査線5のラインLn+1〜Lx、L1〜Lnにオン電圧を順次印加して上記の照射開始検出用の画像データdの読み出し処理を行う。なお、照射開始検出用の画像データdの読み出し処理の代わりに、それに相当する各放射線検出素子7のリセット処理を行ってもよい。   Subsequently, in order to remove the unread portion remaining in each radiation detection element 7, each radiation detection element 7 is applied by sequentially applying ON voltages to the lines Ln + 1 to Lx and L1 to Ln of the scanning line 5. After repeatedly performing the reset process, the on-voltage is sequentially applied to the lines Ln + 1 to Lx and L1 to Ln of the scanning line 5 to perform the reading process of the image data d for irradiation start detection. Instead of the reading process of the image data d for irradiation start detection, a reset process for each radiation detection element 7 corresponding thereto may be performed.

その後、上記の電荷蓄積状態と同じ時間だけ走査線5の各ラインL1〜Lxにオフ電圧を印加した状態で放射線画像撮影装置を放置し(ただしこの場合には放射線は照射されない。)、走査線5のラインLn+1からオン電圧の印加を再開し、走査線5のラインLn+1〜Lx、L1〜Lnにオン電圧を順次印加して、各走査線5に接続されている各放射線検出素子7からオフセットデータOをそれぞれ読み出す。   Thereafter, the radiation imaging apparatus is left with the off voltage applied to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5 for the same time as the charge accumulation state (in this case, no radiation is irradiated), and the scanning line is left. The application of the on-voltage is restarted from the line Ln + 1 of 5 and the on-voltage is sequentially applied to the lines Ln + 1 to Lx and L1 to Ln of the scanning line 5 to detect each radiation connected to each scanning line 5. The offset data O is read from each element 7.

上記のような実験を行えば、本画像として読み出された画像データDに重畳されている暗電荷等によるオフセット分と、その後で読み出されたオフセットデータOとが、各放射線検出素子7ごとに同じ値になるはずである。そのため、画像データDからオフセットデータOを減算して真の画像データDを算出することで、画像データDに重畳されているオフセット分とオフセットデータOとが相殺されるはずである。そのため、真の画像データDは、各放射線検出素子7で同じ値になるはずである。 If the experiment as described above is performed, the offset due to the dark charge or the like superimposed on the image data D read out as the main image and the offset data O read out after that are obtained for each radiation detection element 7. Should have the same value. Therefore, by subtracting the offset data O from the image data D to calculate the true image data D * , the offset amount superimposed on the image data D and the offset data O should be offset. Therefore, the true image data D * should have the same value for each radiation detection element 7.

しかし、実際には、図28に示すように、放射線の照射開始を検出した走査線5のラインLnと、画像データD等の読み出しを開始した走査線5のラインLn+1との間で、真の画像データDにいわゆる段差が生じる場合があることが分かってきた。なお、図28では、真の画像データDの大小を明暗で表現しており、図を見易くするために、その大小(明暗)の差が実際よりも大きく強調されて表現されている。 However, actually, as shown in FIG. 28, between the line Ln of the scanning line 5 where the start of radiation irradiation is detected and the line Ln + 1 of the scanning line 5 where reading of the image data D and the like is started, It has been found that a so-called step may occur in the true image data D * . Note that in FIG. 28, the magnitude of the true image data D * is expressed in light and dark, and in order to make the figure easy to see, the difference in size (light and dark) is expressed with greater emphasis than in actuality.

この真の画像データDにおける段差は、被写体を介して撮影を行った場合にも現れる。そして、上記のように真の画像データDに段差が生じると、例えば、放射線画像撮影装置で撮影した放射線画像を医療における診断用等に用いる場合、真の画像データDに段差に対応する画像部分にスジが現れた状態になり、放射線画像が見づらくなる。また、このスジ状の画像部分と患者の病変部とが放射線画像上で重なると、病変部が見づらくなり、病変部が見落とされてしまう等の虞れがある。 The step in the true image data D * also appears when shooting is performed through the subject. When a step is generated in the true image data D * as described above, for example, when a radiographic image captured by a radiographic image capturing apparatus is used for medical diagnosis, the true image data D * corresponds to the step. A streak appears in the image portion, making it difficult to see the radiation image. In addition, when the streak-shaped image portion and the lesioned part of the patient overlap on the radiographic image, the lesioned part may be difficult to see and the lesioned part may be overlooked.

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、放射線画像撮影装置自体で放射線が照射されたことを的確に検出することが可能であり、しかも、真の画像データDに段差が生じることを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and can accurately detect that radiation has been emitted by the radiographic imaging apparatus itself, and can further provide a step difference in true image data D * . An object of the present invention is to provide a radiographic image capturing apparatus capable of accurately preventing the occurrence of the above-described problem.

前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
前記各走査線にオン電圧またはオフ電圧を印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記各スイッチ手段を介して前記各放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータの読み出し処理と、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して行う前記各放射線検出素子のリセット処理とを交互に行わせ、
読み出した前記リークデータが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加して放射線の照射により発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させる電荷蓄積状態に移行した後、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせるとともに、
前記画像データの読み出し処理後、放射線の照射開始検出前に行わせた前記リークデータの読み出し処理および前記各放射線検出素子のリセット処理と同じ周期で前記リークデータの読み出し処理と前記各放射線検出素子のリセット処理とを交互に行わせ、前記電荷蓄積状態と同じ時間だけ前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加した後、前記画像データの読み出し処理と同じ周期で前記各放射線検出素子からのオフセットデータの読み出し処理を行わせることを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, the radiographic imaging device of the present invention includes:
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other, and a plurality of radiation detection elements arranged in a two-dimensional manner in each small region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines A detection unit comprising:
Scan driving means for applying an on voltage or an off voltage to each of the scanning lines;
Switch means connected to each of the scanning lines and causing the signal lines to discharge charges accumulated in the radiation detection element when an on-voltage is applied;
A readout circuit that converts the electric charge emitted from the radiation detection element into image data and reads the image data;
Control means for controlling at least the scanning drive means and the readout circuit to perform readout processing of the image data from the radiation detection element;
With
The control means includes
The charge leaked from each radiation detection element via each switch means in a state where an off voltage is applied to each scan line from the scan driving means to turn off each switch means before radiographic image capturing. Alternately performing leak data read processing for converting the data into leak data and reset processing of the radiation detection elements performed by sequentially applying an ON voltage to the scan lines from the scan driving unit,
When it is detected that radiation irradiation has started when the read leak data exceeds a threshold value, an off voltage is applied to each scanning line from the scanning drive means to generate charges generated by radiation irradiation. After shifting to a charge accumulation state to be accumulated in the radiation detection element, the image data is read from each radiation detection element, and
After the image data read processing, the leak data read processing and the radiation detection element of each of the radiation detection elements are performed in the same cycle as the leak data read processing and the reset processing of each radiation detection element performed before the start of radiation irradiation detection. The reset process is alternately performed, and after applying an off voltage to the scan lines from the scan driving unit for the same time as the charge accumulation state, the radiation detection elements are applied at the same cycle as the image data read process. The offset data is read out.

また、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
前記各走査線にオン電圧またはオフ電圧を印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して照射開始検出用の前記画像データの読み出し処理を行わせ、
読み出した前記画像データが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加して放射線の照射により発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させる電荷蓄積状態に移行した後、前記各放射線検出素子からの本画像としての前記画像データの読み出し処理を行わせるとともに、
前記本画像としての画像データの読み出し処理後、放射線の照射開始検出前に行わせた前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理と同じ周期で前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理を行わせ、前記電荷蓄積状態と同じ時間だけ前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加した後、前記本画像としての画像データの読み出し処理と同じ周期で前記各放射線検出素子からのオフセットデータの読み出し処理を行わせることを特徴とする。
Moreover, the radiographic imaging device of the present invention is
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other, and a plurality of radiation detection elements arranged in a two-dimensional manner in each small region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines A detection unit comprising:
Scan driving means for applying an on voltage or an off voltage to each of the scanning lines;
Switch means connected to each of the scanning lines and causing the signal lines to discharge charges accumulated in the radiation detection element when an on-voltage is applied;
A readout circuit that converts the electric charge emitted from the radiation detection element into image data and reads the image data;
Control means for controlling at least the scanning drive means and the readout circuit to perform readout processing of the image data from the radiation detection element;
With
The control means includes
Prior to radiographic image capturing, an on voltage is sequentially applied to each scanning line from the scanning driving means to perform a reading process of the image data for detection of irradiation start,
When it is detected that radiation irradiation has started when the read image data exceeds a threshold value, an off voltage is applied to each scanning line from the scanning drive means to generate charges generated by radiation irradiation. After shifting to a charge accumulation state to be accumulated in the radiation detection element, the image data as a main image from each radiation detection element is read out, and
After the reading process of the image data as the main image, the reading process of the image data for detecting the start of irradiation is performed at the same cycle as the reading process of the image data for detecting the start of irradiation performed before detecting the start of irradiation of radiation. In addition, after applying an off voltage to the scanning lines from the scanning driving means for the same time as the charge accumulation state, the offset data from the radiation detection elements is in the same cycle as the read processing of the image data as the main image. It is characterized in that the reading process is performed.

本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、放射線画像撮影前に、リークデータdleakや照射開始検出用の画像データdを読み出し、それに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出するため、放射線画像撮影装置1自体で放射線が照射されたことを的確に検出することが可能となる。   According to the radiographic imaging apparatus of the system of the present invention, before the radiographic imaging, the leak data dleak and the image data d for detecting the start of irradiation are read out, and based on this, the start of radiation irradiation is detected. Therefore, it is possible to accurately detect that the radiation image capturing apparatus 1 itself has irradiated the radiation.

また、本画像としての画像データD中に含まれる暗電荷によるオフセット分や各放射線検出素子7からリークした電荷qの合計値によるオフセット分と、オフセットデータO中に含まれるそれらのオフセット分とを、各放射線検出素子7ごとに、それぞれ同じ値とすることが可能となる。   Further, the offset due to the dark charge included in the image data D as the main image, the offset due to the total value of the charge q leaked from each radiation detection element 7, and those offset included in the offset data O are obtained. The same value can be set for each radiation detection element 7.

そのため、本画像としての画像データDからオフセットデータOを減算することにより、暗電荷によるオフセット分同士やリークした電荷qの合計値によるオフセット分同士がそれぞれ的確に相殺されるようになり、本画像としての画像データDに重畳されているオフセット分とオフセットデータOとが的確に相殺される。   Therefore, by subtracting the offset data O from the image data D as the main image, the offset due to the dark charge and the offset due to the total value of the leaked charge q can be canceled out accurately, respectively. The offset amount superimposed on the image data D and the offset data O are accurately offset.

そのため、本画像データDからオフセットデータOを減算することにより各放射線検出素子7ごとに算出される真の画像データDに段差(図28参照)が生じることを的確に防止することが可能となる。そして、放射線画像撮影装置1で撮影した放射線画像を医療における診断用等に用いるような場合に、放射線画像中にスジが現れたり、スジと患者の病変部とが放射線画像上で重なって病変部を見落とす等の問題が生じることを的確に防止することが可能となる。 Therefore, by subtracting the offset data O from the main image data D, it is possible to accurately prevent a step (see FIG. 28) from occurring in the true image data D * calculated for each radiation detection element 7. Become. And when using the radiographic image image | photographed with the radiographic imaging apparatus 1 for the medical diagnosis etc., a streak appears in a radiographic image, or a streak and a lesion part of a patient overlap on a radiographic image, and a lesion part It is possible to accurately prevent problems such as oversight.

本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the external appearance of the radiographic imaging apparatus which concerns on this embodiment. 図1におけるX−X線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the XX line in FIG. 放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the board | substrate of a radiographic imaging apparatus. 図3の基板上の小領域に形成された放射線検出素子とTFT等の構成を示す拡大図である。It is an enlarged view which shows the structure of the radiation detection element, TFT, etc. which were formed in the small area | region on the board | substrate of FIG. フレキシブル回路基板やPCB基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。It is a side view explaining the board | substrate with which a flexible circuit board, a PCB board | substrate, etc. were attached. 放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。It is a block diagram showing the equivalent circuit of a radiographic imaging apparatus. 検出部を構成する1画素分についての等価回路を表すブロック図である。It is a block diagram showing the equivalent circuit about 1 pixel which comprises a detection part. 各放射線検出素子のリセット処理における電荷リセット用スイッチやTFTのオン/オフのタイミングを表すタイミングチャートである。It is a timing chart showing the ON / OFF timing of the charge reset switch and TFT in the reset processing of each radiation detection element. 画像データの読み出し処理における電荷リセット用スイッチ、パルス信号、TFTのオン/オフのタイミングを表すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing charge reset switches, pulse signals, and TFT on / off timings in image data read processing. TFTを介して各放射線検出素子からリークした各電荷がリークデータとして読み出されることを説明する図である。It is a figure explaining that each electric charge which leaked from each radiation detection element via TFT is read as leak data. リークデータの読み出し処理における電荷リセット用スイッチやTFTのオン/オフのタイミングを表すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing on / off timings of charge reset switches and TFTs in a leak data read process. 放射線画像撮影前にリークデータの読み出し処理と各放射線検出素子のリセット処理を交互に行うように構成した場合の電荷リセット用スイッチ、パルス信号、TFTのオン/オフのタイミングを表すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing charge reset switches, pulse signals, and on / off timings of TFTs in a case where leak data reading processing and radiation detection element reset processing are alternately performed before radiographic imaging. 検出方法1において各走査線にオン電圧を印加するタイミング等を説明するタイミングチャートである。6 is a timing chart for explaining the timing of applying an on-voltage to each scanning line in the detection method 1; 読み出されるリークデータを時系列的にプロットしたグラフである。It is the graph which plotted the leak data read out in time series. 通常の各放射線検出素子のリセット処理において各走査線にオン電圧を印加するタイミング等を説明するタイミングチャートである。It is a timing chart explaining the timing etc. which apply an ON voltage to each scanning line in the reset process of each normal radiation detection element. 検出方法2において照射開始検出用の画像データの読み出し処理が繰り返し行われる際の各走査線にオン電圧を順次印加するタイミングを表すタイミングチャートである。10 is a timing chart showing the timing of sequentially applying an on-voltage to each scanning line when image data reading processing for detecting irradiation start is repeatedly performed in the detection method 2; 照射開始検出用の画像データの読み出し処理における電荷リセット用スイッチ、パルス信号、TFTのオン/オフのタイミングおよびオン時間ΔTを表すタイミングチャートである。10 is a timing chart showing a charge reset switch, a pulse signal, TFT on / off timing, and an on time ΔT in a reading process of image data for irradiation start detection. 検出方法2において各走査線にオン電圧を印加するタイミング等を説明するタイミングチャートである。6 is a timing chart for explaining the timing of applying an ON voltage to each scanning line in the detection method 2; 図13に示した処理シーケンスを繰り返してオフセットデータの読み出し処理を行う場合に各走査線にオン電圧を印加するタイミング等を説明するタイミングチャートである。FIG. 14 is a timing chart for explaining timings for applying an ON voltage to each scanning line when the offset data reading process is performed by repeating the processing sequence shown in FIG. 13. FIG. (A)各放射線検出素子7のリセット処理のみを行った場合、および(B)リークデータの読み出し処理とリセット処理を交互に行った場合の信号線の電位の推移等を表すグラフである。(A) It is a graph showing the transition of the potential of the signal line, etc. when only reset processing of each radiation detection element 7 is performed, and (B) when leak data reading processing and reset processing are alternately performed. (A)本画像データの読み出し処理時、および(B)オフセットデータの読み出し処理時における信号線の電位の推移と実効蓄積時間との関係等を表す図である。It is a figure showing the relationship between the transition of the potential of the signal line and the effective accumulation time at the time of (A) main image data read processing and (B) offset data read processing. (A)本画像データに重畳される暗電荷によるオフセット分および(B)オフセットデータを各走査線ごとにプロットしたグラフである。(A) A graph in which offsets due to dark charges superimposed on main image data and (B) offset data are plotted for each scanning line. 本画像データに重畳される暗電荷によるオフセット分とオフセットデータとが相殺されなくなり段差が生じる状態を表すグラフである。6 is a graph showing a state in which an offset due to dark charge superimposed on main image data and offset data are not canceled and a step is generated. 本画像データの読み出し動作中に読み出したリーク合計値を時系列的にプロットしたグラフである。It is the graph which plotted the leak total value read during read-out operation of this image data in time series. 通常の各放射線検出素子のリセット処理後に読み出したリーク合計値を時系列的にプロットしたグラフである。It is the graph which plotted the leak total value read after the reset process of each normal radiation detection element in time series. 本画像データ中に含まれるリーク合計値からオフセットデータ中に含まれるリーク合計値を減算した差分値を各走査線ごとにプロットしたグラフである。It is the graph which plotted the difference value which subtracted the leak total value contained in offset data from the leak total value contained in this image data for every scanning line. 各走査線にオン電圧を順次印加して各放射線検出素子から照射開始検出用の画像データを読み出す状態等を説明する図である。It is a figure explaining the state etc. which read the image data for irradiation start detection from each radiation detection element by sequentially applying ON voltage to each scanning line. 真の画像データに生じる段差を表す図である。It is a figure showing the level | step difference which arises in true image data.

以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。   Embodiments of a radiographic image capturing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレーター等を備え、放射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレーター等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。   In the following description, a so-called indirect radiation image capturing apparatus that includes a scintillator or the like and converts an emitted radiation into an electromagnetic wave having another wavelength such as visible light to obtain an electrical signal will be described. The present invention can also be applied to a so-called direct type radiographic imaging apparatus that directly detects radiation with a radiation detection element without using a scintillator or the like.

また、本発明は、本実施形態で説明する、いわゆる可搬型の放射線画像撮影装置のみならず、例えば支持台等と一体的に形成された固定式(専用機型ともいう。)の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。   Further, the present invention is not limited to the so-called portable radiographic image capturing apparatus described in the present embodiment, but also, for example, a fixed (also referred to as a dedicated machine type) radiographic image that is formed integrally with a support stand or the like. The present invention can be applied to an apparatus.

図1は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観を示す斜視図であり、図2は、図1のX−X線に沿う断面図である。本実施形態では、放射線画像撮影装置1は、図1や図2に示すように、筐体状のハウジング2内にシンチレーター3や基板4等で構成されるセンサーパネルSPが収納されている。   FIG. 1 is a perspective view showing an external appearance of the radiographic image capturing apparatus according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. In the present embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the radiographic image capturing apparatus 1 includes a sensor panel SP configured by a scintillator 3, a substrate 4, and the like in a housing 2.

本実施形態では、筐体2のうち、放射線入射面Rを有する中空の角筒状のハウジング本体部2Aは、放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されており、ハウジング本体部2Aの両側の開口部を蓋部材2B、2Cで閉塞することで筐体2が形成されている。   In the present embodiment, a hollow rectangular tube-shaped housing body 2A having a radiation incident surface R in the housing 2 is formed of a material such as a carbon plate or plastic that transmits radiation, and the housing body 2A. The housing 2 is formed by closing the opening portions on both sides with lid members 2B and 2C.

また、筐体2の一方側の蓋部材2Bには、電源スイッチ37や切替スイッチ38、コネクター39、バッテリー状態や放射線画像撮影装置1の稼働状態等を表示するLED等で構成されたインジケーター40等が配置されている。   Further, the lid member 2B on one side of the housing 2 has a power switch 37, a changeover switch 38, a connector 39, an indicator 40 composed of an LED or the like for displaying a battery state, an operating state of the radiographic imaging apparatus 1, and the like. Is arranged.

図示を省略するが、本実施形態では、コネクター39には、ケーブルの先端に設けられたコネクターが接続できるようになっている。そして、ケーブルと接続されることにより、例えば図示しないコンソール等との間で信号等を送受信したり、コンソールに画像データD等を送信することができるようになっている。   Although not shown, in this embodiment, the connector 39 can be connected to a connector provided at the end of the cable. By connecting with a cable, for example, signals and the like can be transmitted to and received from a console (not shown), and image data D and the like can be transmitted to the console.

また、図示を省略するが、例えば筐体2の反対側の蓋部材2C等に、アンテナ装置41(後述する図6参照)が例えば蓋部材2Cに埋め込む等して設けられており、本実施形態では、このアンテナ装置41が、放射線画像撮影装置1とコンソール等との間で信号等の無線方式で送受信する場合の通信手段として機能するようになっている。   Although not shown, for example, the antenna device 41 (see FIG. 6 described later) is provided, for example, in the lid member 2C on the opposite side of the housing 2 so as to be embedded in the lid member 2C. Then, the antenna device 41 functions as a communication means when transmitting and receiving a radio signal such as a signal between the radiographic imaging device 1 and the console.

図2に示すように、筐体2の内部には、基台31の上面側に図示しない鉛の薄板等を介して基板4が配置され、また、基台31の下面側には、電子部品32等が配設されたPCB基板33やバッテリー24等が取り付けられている。また、基板4やシンチレーター3の放射線入射面Rには、それらを保護するためのガラス基板34が配設されている。また、本実施形態では、基台31や基板4等と筐体2の側面との間に、それらがぶつかり合うことを防止するための緩衝材35が設けられている。   As shown in FIG. 2, a substrate 4 is disposed inside the housing 2 via a lead thin plate (not shown) on the upper surface side of the base 31, and an electronic component is disposed on the lower surface side of the base 31. A PCB substrate 33, a battery 24, and the like on which 32 and the like are disposed are attached. Further, a glass substrate 34 for protecting the substrate 4 and the radiation incident surface R of the scintillator 3 is disposed. Moreover, in this embodiment, the buffer material 35 for preventing that they collide between the base 31, the board | substrate 4, etc., and the side surface of the housing | casing 2 is provided.

シンチレーター3は、基板4の後述する検出部Pに対向する位置に設けられるようになっている。本実施形態では、シンチレーター3は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると300〜800nmの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。   The scintillator 3 is provided at a position on the substrate 4 that faces a detection unit P described later. In the present embodiment, the scintillator 3 is, for example, a phosphor whose main component is converted into an electromagnetic wave having a wavelength of 300 to 800 nm, that is, an electromagnetic wave centered on visible light and output when receiving radiation. .

基板4は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図3に示すように、基板4のシンチレーター3に対向する側の面4a上には、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。基板4の面4a上の複数の走査線5と複数の信号線6により区画された各小領域rには、放射線検出素子7がそれぞれ設けられている。このように、走査線5と信号線6で区画された各小領域rに二次元状に配列された複数の放射線検出素子7が設けられた小領域r全体、すなわち図3に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。   In the present embodiment, the substrate 4 is formed of a glass substrate. As shown in FIG. 3, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of signal lines are provided on a surface 4 a of the substrate 4 facing the scintillator 3. 6 are arranged so as to cross each other. In each small region r defined by the plurality of scanning lines 5 and the plurality of signal lines 6 on the surface 4 a of the substrate 4, radiation detection elements 7 are respectively provided. In this way, the entire small region r provided with a plurality of radiation detection elements 7 arranged in a two-dimensional manner in each small region r partitioned by the scanning line 5 and the signal line 6, that is, shown by a one-dot chain line in FIG. The area to be detected is the detection unit P.

本実施形態では、放射線検出素子7としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスター等を用いることも可能である。各放射線検出素子7は、図3の拡大図である図4に示すように、スイッチ手段であるTFT8のソース電極8sに接続されている。また、TFT8のドレイン電極8dは信号線6に接続されている。   In the present embodiment, a photodiode is used as the radiation detection element 7, but other than this, for example, a phototransistor or the like can also be used. As shown in FIG. 4 which is an enlarged view of FIG. 3, each radiation detection element 7 is connected to a source electrode 8s of a TFT 8 which is a switch means. The drain electrode 8 d of the TFT 8 is connected to the signal line 6.

放射線検出素子7は、放射線画像撮影装置1の筐体2の放射線入射面Rから放射線が入射し、シンチレーター3で放射線から変換された可視光等の電磁波が照射されると、その内部で電子正孔対を発生させる。放射線検出素子7は、このようにして、照射された放射線(本実施形態ではシンチレーター3で放射線から変換された電磁波)を電荷に変換するようになっている。   When the radiation detection element 7 receives radiation from the radiation incident surface R of the housing 2 of the radiographic imaging apparatus 1 and is irradiated with electromagnetic waves such as visible light converted from the radiation by the scintillator 3, the radiation detection element 7 has electron positive inside. Generate hole pairs. In this way, the radiation detecting element 7 converts the irradiated radiation (electromagnetic wave converted from the radiation by the scintillator 3 in this embodiment) into electric charge.

そして、TFT8は、後述する走査駆動手段15から走査線5を介してゲート電極8gにオン電圧が印加されるとオン状態となり、ソース電極8sやドレイン電極8dを介して放射線検出素子7内に蓄積されている電荷を信号線6に放出させるようになっている。また、TFT8は、接続された走査線5を介してゲート電極8gにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子7から信号線6への電荷の放出を停止して、放射線検出素子7内に電荷を蓄積させるようになっている。   The TFT 8 is turned on when a turn-on voltage is applied to the gate electrode 8g via the scanning line 5 from the scanning driving means 15 described later, and is accumulated in the radiation detection element 7 via the source electrode 8s and the drain electrode 8d. The charged electric charge is discharged to the signal line 6. The TFT 8 is turned off when an off voltage is applied to the gate electrode 8g via the connected scanning line 5, and the emission of the charge from the radiation detecting element 7 to the signal line 6 is stopped, and the radiation detecting element The electric charge is accumulated in 7.

本実施形態では、図4に示すように、それぞれ列状に配置された複数の放射線検出素子7に1本のバイアス線9が接続されており、図3に示すように、各バイアス線9はそれぞれ信号線6に平行に配設されている。また、各バイアス線9は、基板4の検出部Pの外側の位置で結線10に結束されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 4, one bias line 9 is connected to a plurality of radiation detecting elements 7 arranged in rows, and as shown in FIG. Each is arranged in parallel to the signal line 6. Further, each bias line 9 is bound to the connection 10 at a position outside the detection portion P of the substrate 4.

本実施形態では、図3に示すように、各走査線5や各信号線6、バイアス線9の結線10は、それぞれ基板4の端縁部付近に設けられた入出力端子(パッドともいう。)11に接続されている。   In the present embodiment, as shown in FIG. 3, each scanning line 5, each signal line 6, and connection 10 of the bias line 9 are input / output terminals (also referred to as pads) provided near the edge of the substrate 4. ) 11.

そして、各入出力端子11には、図5に示すように、後述する走査駆動手段15のゲートドライバー15bを構成するゲートIC15c等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキシブル回路基板(Chip On Film等ともいう。)12が異方性導電接着フィルム(Anisotropic Conductive Film)や異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste)等の異方性導電性接着材料13を介して接続されている。   As shown in FIG. 5, each input / output terminal 11 has a flexible circuit board (Chip On Film or the like) on which a chip such as a gate IC 15c constituting a gate driver 15b of a scanning drive means 15 described later is incorporated on a film. 12) are connected via an anisotropic conductive adhesive material 13 such as an anisotropic conductive adhesive film (Anisotropic Conductive Film) or an anisotropic conductive paste (Anisotropic Conductive Paste).

フレキシブル回路基板12は、基板4の裏面4b側に引き回され、裏面4b側で前述したPCB基板33に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置1のセンサーパネルSPが形成されている。なお、図5では、電子部品32等の図示が省略されている。   The flexible circuit board 12 is routed to the back surface 4b side of the substrate 4 and connected to the PCB substrate 33 described above on the back surface 4b side. In this way, the sensor panel SP of the radiation image capturing apparatus 1 is formed. In FIG. 5, illustration of the electronic component 32 and the like is omitted.

ここで、放射線画像撮影装置1の回路構成について説明する。図6は本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の等価回路を表すブロック図であり、図7は検出部Pを構成する1画素分についての等価回路を表すブロック図である。   Here, the circuit configuration of the radiation image capturing apparatus 1 will be described. FIG. 6 is a block diagram showing an equivalent circuit of the radiation image capturing apparatus 1 according to the present embodiment, and FIG. 7 is a block diagram showing an equivalent circuit for one pixel constituting the detection unit P.

前述したように、基板4の検出部Pの各放射線検出素子7は、その第2電極7bにそれぞれバイアス線9が接続されており、各バイアス線9は結線10に結束されてバイアス電源14に接続されている。バイアス電源14は、結線10および各バイアス線9を介して各放射線検出素子7の第2電極7bにそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。また、バイアス電源14は、後述する制御手段22に接続されており、制御手段22により、バイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧が制御されるようになっている。   As described above, each radiation detection element 7 of the detection unit P of the substrate 4 has the bias line 9 connected to the second electrode 7b, and each bias line 9 is bound to the connection 10 to the bias power source 14. It is connected. The bias power supply 14 applies a bias voltage to the second electrode 7 b of each radiation detection element 7 via the connection 10 and each bias line 9. The bias power supply 14 is connected to a control means 22 described later, and the control means 22 controls the bias voltage applied to each radiation detection element 7 from the bias power supply 14.

図6や図7に示すように、本実施形態では、バイアス電源14からは、放射線検出素子7の第2電極7bにバイアス線9を介してバイアス電圧として放射線検出素子7の第1電極7a側にかかる電圧以下の電圧(すなわちいわゆる逆バイアス電圧)が印加されるようになっている。   As shown in FIGS. 6 and 7, in the present embodiment, the bias power supply 14 supplies the second electrode 7 b of the radiation detection element 7 to the first electrode 7 a side of the radiation detection element 7 as a bias voltage via the bias line 9. A voltage equal to or lower than the voltage applied to (i.e., a so-called reverse bias voltage) is applied.

走査駆動手段15は、配線15dを介してゲートドライバー15bにオン電圧とオフ電圧を供給する電源回路15aと、走査線5の各ラインL1〜Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えて各TFT8のオン状態とオフ状態とを切り替えるゲートドライバー15bとを備えている。   The scanning drive means 15 includes a power supply circuit 15a for supplying an on voltage and an off voltage to the gate driver 15b via the wiring 15d, and a voltage applied to each line L1 to Lx of the scanning line 5 between the on voltage and the off voltage. A gate driver 15b that switches between the on state and the off state of each TFT 8 is provided.

図6や図7に示すように、各信号線6は、読み出しIC16内に内蔵された各読み出し回路17にそれぞれ接続されている。読み出し回路17は、増幅回路18と相関二重サンプリング回路19等で構成されている。読み出しIC16内には、さらに、アナログマルチプレクサー21と、A/D変換器20とが設けられている。なお、図6や図7中では、相関二重サンプリング回路19はCDSと表記されている。また、図7中では、アナログマルチプレクサー21は省略されている。   As shown in FIGS. 6 and 7, each signal line 6 is connected to each readout circuit 17 incorporated in the readout IC 16. The readout circuit 17 includes an amplification circuit 18 and a correlated double sampling circuit 19. An analog multiplexer 21 and an A / D converter 20 are further provided in the read IC 16. 6 and 7, the correlated double sampling circuit 19 is represented as CDS. In FIG. 7, the analog multiplexer 21 is omitted.

本実施形態では、増幅回路18は、オペアンプ18aと、オペアンプ18aにそれぞれ並列にコンデンサー18bおよび電荷リセット用スイッチ18cが接続され、オペアンプ18a等に電力を供給する電源供給部18dを備えたチャージアンプ回路で構成されている。増幅回路18のオペアンプ18aの入力側の反転入力端子には信号線6が接続されており、増幅回路18の入力側の非反転入力端子には基準電位Vが印加されるようになっている。なお、基準電位Vは適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば0[V]が印加されるようになっている。 In the present embodiment, the amplifier circuit 18 is a charge amplifier circuit including an operational amplifier 18a, a capacitor 18b and a charge reset switch 18c connected in parallel to the operational amplifier 18a, and a power supply unit 18d that supplies power to the operational amplifier 18a and the like. It consists of The signal line 6 is connected to the inverting input terminal on the input side of the operational amplifier 18 a of the amplifier circuit 18, and the reference potential V 0 is applied to the non-inverting input terminal on the input side of the amplifier circuit 18. . Note that the reference potential V 0 is set to an appropriate value, and in this embodiment, for example, 0 [V] is applied.

また、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cは、制御手段22に接続されており、制御手段22によりオン/オフが制御されるようになっている。また、オペアンプ18aと相関二重サンプリング回路19との間には、電荷リセット用スイッチ18cと連動して開閉するスイッチ18eが設けられており、スイッチ18eは、電荷リセット用スイッチ18cがオン/オフ動作と連動してオフ/オン動作するようになっている。   The charge reset switch 18 c of the amplifier circuit 18 is connected to the control means 22, and is turned on / off by the control means 22. Further, a switch 18e that opens and closes in conjunction with the charge reset switch 18c is provided between the operational amplifier 18a and the correlated double sampling circuit 19, and the switch 18e is turned on / off by the charge reset switch 18c. It is designed to be turned off / on in conjunction with

放射線画像撮影装置1で、各放射線検出素子7内に残存する電荷を除去するための各放射線検出素子7のリセット処理を行う際には、図8に示すように、電荷リセット用スイッチ18cがオン状態(およびスイッチ18eがオフ状態)とされた状態で、各TFT8がオン状態とされる。   When the radiographic imaging apparatus 1 performs reset processing of each radiation detection element 7 for removing the charge remaining in each radiation detection element 7, the charge reset switch 18c is turned on as shown in FIG. Each TFT 8 is turned on in the state (and the switch 18e is turned off).

すると、各TFT8を介して各放射線検出素子7から電荷が信号線6に放出され、電荷が増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cを通過して、オペアンプ18aの出力端子側からオペアンプ18a内を通り、非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部18dに流れ出す。このようにして、各放射線検出素子7のリセット処理が行われるようになっている。   Then, electric charges are discharged from the radiation detecting elements 7 to the signal lines 6 through the TFTs 8, and the electric charges pass through the electric charge reset switch 18c of the amplifier circuit 18 and pass through the operational amplifier 18a from the output terminal side of the operational amplifier 18a. From the non-inverting input terminal, it is grounded or flows out to the power supply unit 18d. In this way, the reset processing of each radiation detection element 7 is performed.

一方、各放射線検出素子7からの本画像としての画像データDの読み出し処理や、後述する照射開始検出用の画像データdの読み出し処理の際には、図9に示すように、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cがオフ状態(およびスイッチ18eがオン状態)とされた状態で、オン状態とされた各TFT8を介して各放射線検出素子7から電荷が信号線6に放出されると、電荷が増幅回路18のコンデンサー18bに蓄積される。   On the other hand, in the reading process of the image data D as the main image from each radiation detection element 7 or the reading process of the image data d for irradiation start detection described later, as shown in FIG. When the charge reset switch 18c is turned off (and the switch 18e is turned on), the charge is released from the radiation detection elements 7 to the signal lines 6 through the TFTs 8 turned on. Is stored in the capacitor 18 b of the amplifier circuit 18.

増幅回路18では、コンデンサー18bに蓄積された電荷量に応じた電圧値がオペアンプ18aの出力側から出力されるようになっている。相関二重サンプリング回路(CDS)19は、各放射線検出素子7から電荷が流出する前に制御手段22からパルス信号Sp1(図9参照)が送信されると、その時点で増幅回路18から出力されている電圧値Vinを保持する。   In the amplifier circuit 18, a voltage value corresponding to the amount of charge accumulated in the capacitor 18b is output from the output side of the operational amplifier 18a. The correlated double sampling circuit (CDS) 19 outputs the pulse signal Sp1 (see FIG. 9) from the control means 22 before the electric charge flows out from each radiation detecting element 7, and at that time, the correlated double sampling circuit (CDS) 19 outputs the amplified signal from the amplifier circuit 18. Holds the voltage value Vin.

そして、各放射線検出素子7から流出した電荷が増幅回路18のコンデンサー18bに蓄積された後、制御手段22からパルス信号Sp2が送信されると、その時点で増幅回路18から出力されている電圧値Vfiを保持する。そして、電圧値の差分Vfi−Vinを算出し、算出した差分Vfi−Vinをアナログ値の画像データDとして下流側に出力する。   Then, after the electric charge flowing out from each radiation detection element 7 is accumulated in the capacitor 18b of the amplifier circuit 18, when the pulse signal Sp2 is transmitted from the control means 22, the voltage value output from the amplifier circuit 18 at that time point. Holds Vfi. Then, a voltage value difference Vfi−Vin is calculated, and the calculated difference Vfi−Vin is output downstream as analog value image data D.

相関二重サンプリング回路19から出力された各放射線検出素子7の画像データDは、アナログマルチプレクサー21を介して順次A/D変換器20に送信され、A/D変換器20で順次デジタル値の画像データDに変換されて記憶手段23に出力されて順次保存されるようになっている。   The image data D of each radiation detection element 7 output from the correlated double sampling circuit 19 is sequentially transmitted to the A / D converter 20 via the analog multiplexer 21, and the digital value is sequentially converted by the A / D converter 20. It is converted into image data D, outputted to the storage means 23 and sequentially stored.

なお、1回の画像データDの読み出し処理が終了すると、増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cがオン状態とされ(図9参照)、コンデンサー18bに蓄積された電荷が放電されて、上記と同様に、放電された電荷がオペアンプ18aの出力端子側からオペアンプ18a内を通り、非反転入力端子から出てアースされたり、電源供給部18dに流れ出す等して、増幅回路18がリセットされる。   When one reading process of the image data D is completed, the charge reset switch 18c of the amplifier circuit 18 is turned on (see FIG. 9), and the charge accumulated in the capacitor 18b is discharged, and the same as above. On the other hand, the discharged electric charge passes through the operational amplifier 18a from the output terminal side of the operational amplifier 18a, goes out from the non-inverting input terminal, is grounded, or flows out to the power supply unit 18d.

制御手段22は、図示しないCPU(Central Processing Unit)やROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピューターや、FPGA(Field Programmable Gate Array)等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。   The control means 22 includes a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input / output interface, etc., not shown, connected to a bus, an FPGA (Field Programmable Gate Array), or the like. It is configured. It may be configured by a dedicated control circuit.

そして、制御手段22は、放射線画像撮影装置1の各部材の動作等を制御するようになっている。また、図6等に示すように、制御手段22には、SRAM(Static RAM)やSDRAM(Synchronous DRAM)等で構成される記憶手段23が接続されている。   And the control means 22 controls operation | movement etc. of each member of the radiographic imaging apparatus 1. As shown in FIG. 6 and the like, the control means 22 is connected to a storage means 23 composed of SRAM (Static RAM), SDRAM (Synchronous DRAM) or the like.

また、本実施形態では、制御手段22には、前述したアンテナ装置41が接続されており、さらに、検出部Pや走査駆動手段15、読み出し回路17、記憶手段23、バイアス電源14等の各部材に電力を供給するためのバッテリー24が接続されている。また、バッテリー24には、図示しない充電装置からバッテリー24に電力を供給してバッテリー24を充電する際に用いられる接続端子25が取り付けられている。   In the present embodiment, the antenna unit 41 described above is connected to the control unit 22, and each member such as the detection unit P, the scanning drive unit 15, the readout circuit 17, the storage unit 23, the bias power supply 14, and the like. A battery 24 for supplying electric power is connected. The battery 24 is provided with a connection terminal 25 that is used when the battery 24 is charged by supplying power to the battery 24 from a charging device (not shown).

前述したように、制御手段22は、バイアス電源14を制御してバイアス電源14から各放射線検出素子7に印加するバイアス電圧を設定したり可変させたりするなど、放射線画像撮影装置1の各機能部の動作を制御するようになっている。   As described above, the control unit 22 controls the bias power supply 14 to set or vary the bias voltage applied from the bias power supply 14 to each radiation detection element 7. It is designed to control the operation.

[放射線の照射開始の検出の構成について]
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1において本発明者らが見出した新たな放射線の照射開始の検出方法を実現するための検出処理の基本的な構成について説明する。
[Configuration for detection of radiation irradiation start]
Next, a basic configuration of detection processing for realizing the new radiation irradiation start detection method found by the present inventors in the radiographic imaging apparatus 1 according to the present embodiment will be described.

本実施形態では、放射線画像撮影装置1と図示しない放射線発生装置との間でインターフェースが構築されず、放射線画像撮影装置1自体で放射線が照射されたことを検出するように構成されている。以下、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1で行われる放射線の照射開始の検出の仕方について説明する。   In the present embodiment, an interface is not constructed between the radiographic image capturing apparatus 1 and a radiation generator (not shown), and the radiographic image capturing apparatus 1 itself detects that radiation has been emitted. Hereinafter, a method of detecting the start of radiation irradiation performed by the radiation image capturing apparatus 1 according to the present embodiment will be described.

なお、本実施形態に係る検出方法は、本発明者らの研究により新たに見出された検出方法であり、前述した特許文献4や特許文献5に記載されているように、装置内に電流検出手段を設けて電流検出手段からの出力値に基づいて放射線の照射開始等を検出する手法は採用されていない。本発明者らの研究により新たに見出された検出方法としては、例えば、下記の2つの検出方法のいずれかを採用することが可能である。   Note that the detection method according to the present embodiment is a detection method newly found by the inventors' research, and as described in Patent Document 4 and Patent Document 5 described above, a current is generated in the apparatus. A method of providing a detection unit and detecting the start of radiation irradiation based on an output value from the current detection unit is not employed. As a detection method newly found by the inventors' research, for example, any of the following two detection methods can be adopted.

[検出方法1]
例えば、放射線画像撮影において放射線画像撮影装置1に放射線が照射される前に、リークデータdleakの読み出し処理を繰り返し行うように構成することも可能である。ここで、リークデータdleakとは、図10に示すように、各走査線5にオフ電圧を印加した状態で、オフ状態になっている各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークする電荷qの信号線6ごとの合計値に相当するデータである。
[Detection method 1]
For example, before the radiation image capturing apparatus 1 is irradiated with radiation in the radiation image capturing, it is possible to repeatedly perform the reading process of the leak data dleak. Here, as shown in FIG. 10, the leak data dleak is a charge q leaked from each radiation detection element 7 via each TFT 8 which is in an OFF state in a state where an OFF voltage is applied to each scanning line 5. This data corresponds to the total value for each signal line 6.

そして、リークデータdleakの読み出し処理では、図9に示した画像データDの読み出し処理の場合と異なり、図11に示すように、走査線5の各ラインL1〜Lxにオフ電圧を印加して各TFT8をオフ状態とした状態で、制御手段22から各読み出し回路17の相関二重サンプリング回路19(図6や図7のCDS参照)にパルス信号Sp1、Sp2を送信するようになっている。   In the reading process of the leak data dleak, unlike the reading process of the image data D shown in FIG. 9, as shown in FIG. 11, an off voltage is applied to each line L <b> 1 to Lx of the scanning line 5. With the TFT 8 turned off, the control means 22 transmits the pulse signals Sp1 and Sp2 to the correlated double sampling circuit 19 (see CDS in FIG. 6 and FIG. 7) of each readout circuit 17.

相関二重サンプリング回路19は、制御手段22からパルス信号Sp1が送信されると、その時点で増幅回路18から出力されている電圧値Vinを保持する。そして、増幅回路18のコンデンサー18bに各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークする電荷qが蓄積されて増幅回路18から出力される電圧値が上昇し、制御手段22からパルス信号Sp2が送信されると、相関二重サンプリング回路19は、その時点で増幅回路18から出力されている電圧値Vfiを保持する。   When the pulse signal Sp <b> 1 is transmitted from the control unit 22, the correlated double sampling circuit 19 holds the voltage value Vin output from the amplifier circuit 18 at that time. Then, the charge q leaked from each radiation detection element 7 via each TFT 8 is accumulated in the capacitor 18b of the amplifier circuit 18 to increase the voltage value output from the amplifier circuit 18, and the pulse signal Sp2 is transmitted from the control means 22. Then, the correlated double sampling circuit 19 holds the voltage value Vfi output from the amplifier circuit 18 at that time.

そして、相関二重サンプリング回路19が電圧値の差分Vfi−Vinを算出して出力した値が、リークデータdleakとなる。リークデータdleakが、その後、A/D変換器20でデジタル値に変換されること等は、前述した画像データDの読み出し処理の場合と同様である。   And the value which the correlated double sampling circuit 19 calculated and output the difference Vfi−Vin of the voltage value becomes the leak data dleak. The leak data dleak is then converted into a digital value by the A / D converter 20 as in the case of the image data D reading process described above.

しかし、リークデータdleakの読み出し処理のみを繰り返し行うように構成すると、各TFT8がオフ状態のままとなり、各放射線検出素子7内で発生した暗電荷が各放射線検出素子7内に蓄積され続ける状態になる。   However, if only the reading process of the leak data dleak is repeatedly performed, each TFT 8 remains in an off state, and the dark charge generated in each radiation detection element 7 is continuously accumulated in each radiation detection element 7. Become.

そのため、この検出方法1では、図12に示すように、各走査線5にオフ電圧を印加した状態で行うリークデータdleakの読み出し処理と、走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧を順次印加して行う各放射線検出素子7のリセット処理とを交互に行うように構成することが望ましい。なお、図12や後述する図13等のTやτについては後で説明する。   Therefore, in this detection method 1, as shown in FIG. 12, the leakage data dleak is read in a state in which the off voltage is applied to each scanning line 5, and the on voltage is sequentially applied to each line L <b> 1 to Lx of the scanning line 5. It is desirable that the reset processing of each radiation detection element 7 performed by applying is alternately performed. Note that T and τ in FIG. 12 and FIG. 13 described later will be described later.

なお、以下では、このリークデータdleakの読み出し処理と交互に行われる各放射線検出素子7のリセット処理を「リークデータの読み出し処理dleakと交互に行う各放射線検出素子7のリセット処理」といい、それに対して、後述する図15に示すように、リークデータdleakの読み出し処理を伴わず走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧を順次印加して行われる通常の各放射線検出素子7のリセット処理を「通常の各放射線検出素子7のリセット処理」或いは「リークデータdleakの読み出し処理を伴わない各放射線検出素子7のリセット処理」という。本実施形態では、このように、各放射線検出素子7のリセット処理を区別して記載する。   Hereinafter, the reset process of each radiation detection element 7 performed alternately with the readout process of the leak data dleak is referred to as “the reset process of each radiation detection element 7 performed alternately with the readout process dleak of the leak data”. On the other hand, as shown in FIG. 15 to be described later, a normal reset process of each radiation detection element 7 which is performed by sequentially applying an ON voltage to each line L1 to Lx of the scanning line 5 without a leak data dleak read process. Is referred to as “ordinary reset processing of each radiation detection element 7” or “reset processing of each radiation detection element 7 without leak data dleak readout processing”. In this embodiment, as described above, the reset processing of each radiation detection element 7 is described separately.

上記のように放射線画像撮影前にリークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理とを交互に行うように構成した場合、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されると、シンチレーター3(図2参照)で放射線から変換された電磁波が、各TFT8に照射される。そして、それにより、各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークする電荷q(図10参照)がそれぞれ増加することが本発明者らの研究で分かった。   As described above, when the readout process of the leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 are alternately performed before radiographic imaging, when radiation irradiation to the radiographic imaging apparatus 1 is started, Each TFT 8 is irradiated with an electromagnetic wave converted from radiation by the scintillator 3 (see FIG. 2). As a result, the inventors have found that the charges q (see FIG. 10) leaking from the radiation detecting elements 7 via the TFTs 8 increase.

そして、例えば図13に示すように、放射線画像撮影前にリークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理とを交互に行う場合、図14に示すように、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始された時点で読み出されたリークデータdleakが、それ以前に読み出されたリークデータdleakよりも格段に大きな値になる。   And, for example, as shown in FIG. 13, when the readout process of the leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 are alternately performed before radiographic imaging, as shown in FIG. The leak data dleak read out at the time when the irradiation of radiation is started becomes much larger than the leak data dleak read out before that time.

なお、図13および図14では、図13で走査線5のラインL4にオン電圧が印加されてリセット処理が行われた後の4回目の読み出し処理で読み出されたリークデータdleakが、図14の時刻t1におけるリークデータdleakに対応する。また、図13において「R」は各放射線検出素子7のリセット処理を表し、「L」はリークデータdleakの読み出し処理を表す。なお、図13中のTacについては後で説明する。   13 and 14, the leak data dleak read in the fourth read process after the on-voltage is applied to the line L4 of the scanning line 5 in FIG. 13 and the reset process is performed is shown in FIG. Corresponds to the leak data dleak at time t1. In FIG. 13, “R” represents a reset process for each radiation detection element 7, and “L” represents a read process for leak data dleak. Note that Tac in FIG. 13 will be described later.

そこで、放射線画像撮影装置1の制御手段22で、放射線画像撮影前のリークデータdleakの読み出し処理で読み出されたリークデータdleakを監視するように構成し、読み出されたリークデータdleakが、例えば予め設定された所定の閾値dleak_th(図14参照)を越えた時点で、放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することが可能である。   Therefore, the control means 22 of the radiographic image capturing apparatus 1 is configured to monitor the leak data dleak read out in the read processing of the leak data dleak before radiographic image capture, and the read out leak data dleak is, for example, It can be configured to detect that radiation irradiation has started when a predetermined threshold value threshold_th (see FIG. 14) is exceeded.

なお、通常の各放射線検出素子7のリセット処理は、図15に示すように、走査駆動手段15から走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧が順次印加されて行われる。   In addition, the normal reset process of each radiation detection element 7 is performed by sequentially applying an ON voltage from the scanning drive unit 15 to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5, as shown in FIG.

これと図12とを比べて分かるように、この検出方法1で、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理とを交互に行うように構成した場合(図12参照)、通常の各放射線検出素子7のリセット処理の場合(図15参照)よりも、リークデータdleakの読み出し処理を行う分だけ、ある走査線5にオン電圧を印加してから次の走査線5にオン電圧を印加するまでの周期τが長周期になるという特徴がある。   As can be seen by comparing this with FIG. 12, when the detection method 1 is configured to alternately perform the readout process of the leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 (see FIG. 12), The on-voltage is applied to the next scanning line 5 after the on-voltage is applied to the scanning line 5 by the amount corresponding to the reading process of the leak data dleak, as compared with the reset processing of each radiation detection element 7 (see FIG. 15). There is a feature that the period τ until the application of is long.

また、読み出されるリークデータdleakの感度を向上させるために、上記の周期τや、パルス信号Sp1、Sp2の送信間隔T(図12参照)が長くなるように設定される場合がある。このような場合には、上記の周期τが、通常の各放射線検出素子7のリセット処理よりもさらに長周期になる。   Further, in order to improve the sensitivity of the read leak data dleak, the period τ and the transmission interval T (see FIG. 12) of the pulse signals Sp1 and Sp2 may be set to be long. In such a case, the period τ is longer than the normal reset process of each radiation detection element 7.

一方、制御手段22は、上記のようにして、放射線の照射が開始されたことを検出すると、図13に示したように、その時点で各走査線5へのオン電圧の印加を停止して、ゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxにオフ電圧を印加させ、各TFT8をオフ状態にして、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷を各放射線検出素子7内に蓄積させる電荷蓄積状態に移行させる。   On the other hand, when the control means 22 detects the start of radiation irradiation as described above, it stops applying the on-voltage to each scanning line 5 at that time as shown in FIG. Then, an off voltage is applied from the gate driver 15b to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5, each TFT 8 is turned off, and the charge generated in each radiation detecting element 7 due to radiation irradiation is stored in each radiation detecting element 7. To the charge accumulation state to be accumulated in.

そして、放射線の照射開始を検出してから所定時間が経過した後、制御手段22は、例えば、放射線画像撮影前のリークデータdleakの読み出し処理で放射線の照射が開始されたことを検出した時点の直前のリセット処理でオン電圧が印加された走査線5(図13の場合は走査線5のラインL4)の次にオン電圧を印加すべき走査線5(図13の場合は走査線5のラインL5)からオン電圧の印加を開始し、各走査線5にオン電圧を順次印加させて、本画像としての画像データDの読み出し処理を行うように構成される。   Then, after a predetermined time has elapsed since the start of radiation irradiation was detected, the control means 22 detects, for example, the start of radiation irradiation in the readout process of the leak data dleak before radiographic image capturing. The scanning line 5 to which the on-voltage is to be applied next to the scanning line 5 (the line L4 of the scanning line 5 in the case of FIG. 13) to which the on-voltage is applied in the immediately preceding reset process (the line of the scanning line 5 in the case of FIG. 13). The application of the ON voltage is started from L5), the ON voltage is sequentially applied to each scanning line 5, and the image data D as the main image is read out.

なお、以下、放射線画像撮影前のリークデータdleakの読み出し処理で放射線の照射が開始されたことを検出した時点の直前のリセット処理でオン電圧が印加された走査線5(図13の場合は走査線5のラインL4)を、検出ラインといい、本画像としての画像データDの読み出し処理が開始される際にオン電圧が印加される走査線5(図13の場合は走査線5のラインL5)を読み出し開始ラインという。   Note that, hereinafter, the scanning line 5 to which the on-voltage is applied in the reset process immediately before the start of radiation irradiation is detected in the reading process of the leak data dleak before the radiographic imaging (scanning in the case of FIG. 13). The line L4 of the line 5 is called a detection line, and the scanning line 5 to which the ON voltage is applied when the reading process of the image data D as the main image is started (in the case of FIG. 13, the line L5 of the scanning line 5). ) Is called a read start line.

また、読み出し開始ラインを、上記のように走査線5の検出ライン(図13の場合は走査線5のラインL4)の次のライン(図13の場合は走査線5のラインL5)とする代わりに、例えば走査線5の最初のラインL1等とするように構成することも可能である。   Also, instead of setting the readout start line as the line next to the detection line of the scanning line 5 (line L4 of the scanning line 5 in the case of FIG. 13) (line L5 of the scanning line 5 in the case of FIG. 13) as described above. In addition, for example, the first line L1 of the scanning line 5 may be used.

[検出方法2]
また、上記の検出方法1のように、放射線画像撮影前にリークデータdleakの読み出し処理を行うように構成する代わりに、放射線画像撮影前に、図16に示すように、走査駆動手段15のゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧を順次印加して、各放射線検出素子7からの画像データdの読み出し処理を行うように構成することも可能である。
[Detection method 2]
Further, as shown in FIG. 16, instead of the configuration in which the leak data dleak is read before the radiographic image is captured as in the detection method 1 described above, the gate of the scanning drive unit 15 is configured as illustrated in FIG. 16 before the radiographic image is captured. It is also possible to apply a turn-on voltage to the lines L1 to Lx of the scanning line 5 from the driver 15b in order to read out the image data d from each radiation detection element 7.

なお、前述したように、撮影直後に行われる上記の本画像としての画像データDと区別して、以下、この放射線画像撮影前に放射線の照射開始の検出用に読み出される照射開始検出用の画像データを、画像データdという。また、以下では、本画像としての画像データDを、本画像データDという。   In addition, as described above, the image data D for irradiation start detection read out for detection of the start of radiation irradiation before the radiographic image capturing is distinguished below from the image data D as the main image performed immediately after the imaging. Is referred to as image data d. Hereinafter, the image data D as the main image is referred to as main image data D.

また、画像データdの読み出し処理における読み出し回路17の増幅回路18の電荷リセット用スイッチ18cのオン/オフや、相関二重サンプリング回路19へのパルス信号Sp1、Sp2の送信等は、図17に示すように、図9に示した画像データDの読み出し処理における処理と同様に行われる。なお、図17等におけるΔTについては後で説明する。   In addition, on / off of the charge reset switch 18c of the amplification circuit 18 of the readout circuit 17 and transmission of the pulse signals Sp1 and Sp2 to the correlated double sampling circuit 19 in the readout process of the image data d are shown in FIG. As described above, the processing is performed in the same manner as in the reading processing of the image data D shown in FIG. Note that ΔT in FIG. 17 and the like will be described later.

上記のように放射線画像撮影前に画像データdの読み出し処理を行うように構成した場合、図18に示すように、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されると、その時点で読み出された画像データd(図18では走査線5のラインLnにオン電圧が印加されて読み出された画像データd)が、前述した図14に示したリークデータdleakの場合と同様に、それ以前に読み出された画像データdよりも格段に大きな値になる。   When the image data d is read out before radiographic imaging as described above, as shown in FIG. 18, when radiation irradiation to the radiographic imaging device 1 is started, readout is performed at that time. The image data d (in FIG. 18, the image data d read by applying the on-voltage to the line Ln of the scanning line 5) is the same as before the leak data dleak shown in FIG. The image data d is much larger than the image data d read out.

そこで、放射線画像撮影装置1の制御手段22で、放射線画像撮影前の読み出し処理で読み出された画像データdを監視するように構成し、読み出された画像データdが予め設定された所定の閾値dthを越えた時点で、放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することが可能である。   Therefore, the control means 22 of the radiographic image capturing apparatus 1 is configured to monitor the image data d read in the read process before radiographic image capturing, and the read image data d is set to a predetermined value set in advance. It can be configured to detect that radiation irradiation has started when the threshold value dth is exceeded.

そして、この場合、制御手段22は、上記のようにして、放射線の照射が開始されたことを検出すると、図18に示すように、その時点で各走査線5へのオン電圧の印加を停止して、ゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxにオフ電圧を印加させ、各TFT8をオフ状態にして、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷を各放射線検出素子7内に蓄積させる電荷蓄積状態に移行させる。   In this case, when the control unit 22 detects that the irradiation of radiation has started as described above, the application of the on-voltage to each scanning line 5 is stopped at that time as shown in FIG. Then, an off voltage is applied from the gate driver 15b to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5, each TFT 8 is turned off, and the electric charge generated in each radiation detecting element 7 due to radiation irradiation is applied to each radiation detecting element. 7 is shifted to a charge accumulation state to be accumulated in the inside.

そして、例えば放射線の照射開始を検出してから所定時間が経過した後、制御手段22は、放射線画像撮影前の画像データdの読み出し処理で放射線の照射が開始されたことを検出した時点にオン電圧が印加された走査線5(図18の場合は走査線5のラインLn。すなわち検出ラインLn)の次にオン電圧を印加すべき走査線5(図18の場合は走査線5のラインLn+1。すなわち読み出し開始ラインLn+1)からオン電圧の印加を開始し、各走査線5にオン電圧を順次印加させて、本画像データDの読み出し処理を行うように構成される。   For example, after a predetermined time has elapsed since the start of radiation irradiation was detected, the control unit 22 is turned on when it is detected that radiation irradiation has started in the reading process of the image data d before the radiographic image capturing. The scanning line 5 to which the ON voltage is to be applied next to the scanning line 5 to which the voltage is applied (in the case of FIG. 18, the line Ln of the scanning line 5, ie, the detection line Ln) (in the case of FIG. 18, the line Ln of the scanning line 5). +1, that is, the application of the on-voltage is started from the reading start line Ln + 1), and the on-voltage is sequentially applied to each scanning line 5 to perform the reading process of the main image data D.

なお、図18に示した場合においても、読み出し開始ラインを、上記のように走査線5の検出ライン(図18の場合は走査線5のラインLn)の次のライン(図18の場合は走査線5のラインLn+1)とする代わりに、例えば走査線5の最初のラインL1等とするように構成することも可能である。また、図18中のΔT等については以下で説明する。   In the case shown in FIG. 18 as well, the readout start line is the line following the detection line of scanning line 5 (line Ln of scanning line 5 in the case of FIG. 18) as described above (scanning in the case of FIG. 18). Instead of the line Ln + 1) of the line 5, for example, the first line L1 of the scanning line 5 may be used. Further, ΔT and the like in FIG. 18 will be described below.

この検出方法2の場合、照射開始検出用の画像データdの読み出し処理における電荷リセット用スイッチ18cのオン/オフ制御(図17参照)やパルス信号Sp1、Sp2の送信間隔、走査線5の各ラインL1〜Lxに対するオン電圧の印加時間(以下、オン時間という。)ΔTを、本画像データDの読み出し処理の場合と同じ条件で行うように構成することが可能である。   In the case of this detection method 2, the on / off control of the charge reset switch 18c (see FIG. 17), the transmission interval of the pulse signals Sp1 and Sp2, and each line of the scanning line 5 in the reading process of the image data d for detecting irradiation start The application time (hereinafter referred to as “on time”) ΔT of the on-voltage for L1 to Lx can be configured to be performed under the same conditions as in the case of the reading process of the main image data D.

また、読み出される画像データdの感度を向上させるために、図18に示す上記のオン時間ΔTや、ある走査線5にオン電圧を印加してから次の走査線5にオン電圧を印加するまでの周期τが長くなるように設定される場合がある。このような場合には、上記のオン時間ΔTや周期τが、本画像データDの読み出し処理の場合よりも長周期になる。   Further, in order to improve the sensitivity of the read image data d, the above-described on-time ΔT shown in FIG. 18 and the period from when the on-voltage is applied to a certain scanning line 5 to when the on-voltage is applied to the next scanning line 5 In some cases, the period τ is set to be long. In such a case, the on-time ΔT and the period τ are longer than in the case of the reading process of the main image data D.

[オフセットデータの読み出し処理について]
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1において、本画像データDの読み出し処理の後に行われるオフセットデータOの読み出し処理について説明する。
[About offset data read processing]
Next, the offset data O reading process performed after the reading process of the main image data D in the radiographic image capturing apparatus 1 according to the present embodiment will be described.

前述したように、制御手段22は、上記のようにして放射線の照射開始を検出すると(図13や図18等参照)、ゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxにオフ電圧を印加させて電荷蓄積状態に移行させる。そして、その後、各走査線5にオン電圧を順次印加させて、本画像データDの読み出し処理を行う。   As described above, when the control unit 22 detects the start of radiation irradiation as described above (see FIG. 13 and FIG. 18 and the like), it applies an off voltage to the lines L1 to Lx of the scanning line 5 from the gate driver 15b. To shift to the charge accumulation state. Thereafter, an on-voltage is sequentially applied to each scanning line 5 to perform a reading process of the main image data D.

そして、制御手段22は、本画像データDの読み出し処理を行うと、引き続き、オフセットデータOの読み出し処理を行うようになっている。   When the control unit 22 performs the reading process of the main image data D, the control unit 22 continues to perform the reading process of the offset data O.

本実施形態では、オフセットデータOの読み出し処理は、放射線の照射開始検出前の処理シーケンス(図13や図18参照)と同じ処理シーケンスを繰り返して行われるようになっている。ただし、この場合、放射線画像撮影装置1には放射線は照射されない。   In the present embodiment, the offset data O reading process is performed by repeating the same processing sequence as the processing sequence before the start of radiation irradiation detection (see FIGS. 13 and 18). However, in this case, the radiation image capturing apparatus 1 is not irradiated with radiation.

すなわち、オフセットデータOの読み出し処理では、本画像データDの読み出し処理後に、例えば上記の検出方法1の場合について示す図19に示すように、放射線の照射開始検出前に行ったリークデータdleakの読み出し処理および各放射線検出素子7のリセット処理(図13参照)と同じ周期で、リークデータdleakの読み出し処理(図19中の「L」参照)と各放射線検出素子7のリセット処理(図19中の「R」参照)が交互に各走査線について少なくとも1回行われる。   That is, in the offset data O reading process, after the reading process of the main image data D, for example, as shown in FIG. In the same cycle as the process and the reset process of each radiation detection element 7 (see FIG. 13), the readout process of the leak data dleak (see “L” in FIG. 19) and the reset process of each radiation detection element 7 (in FIG. 19) Are alternately performed at least once for each scan line.

そして、放射線の照射開始検出前の電荷蓄積状態(図13参照)と同じ時間だけ走査駆動手段15から各走査線5にオフ電圧を印加(図19中の「電荷蓄積状態」参照)した後、本画像データDの読み出し処理(図13参照)と同じ周期で、各放射線検出素子7からのオフセットデータOの読み出し処理が行われるようになっている。   Then, after applying the off-voltage to each scanning line 5 from the scanning drive unit 15 for the same time as the charge accumulation state before the start of radiation irradiation detection (see FIG. 13) (see “charge accumulation state” in FIG. 19), The reading process of the offset data O from each radiation detection element 7 is performed at the same cycle as the reading process of the main image data D (see FIG. 13).

検出方法2の場合も同様に、オフセットデータOの読み出し処理を、放射線の照射開始検出前の処理シーケンス(図18参照)と同じ処理シーケンスを繰り返して行うように構成される。   Similarly, in the case of the detection method 2, the offset data O is read out by repeating the same processing sequence as the processing sequence before the radiation irradiation start detection (see FIG. 18).

[真の画像データDに段差が生じないようにするための構成等について]
以下、図28に示したように、真の画像データDに段差が生じる問題について、その原因について考察するとともに、真の画像データDに段差が生じないようにするための構成等について説明する。また、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の作用についてもあわせて説明する。
[Regarding a configuration for preventing a step in the true image data D * ]
Hereinafter, as shown in FIG. 28, the problem of a step in the true image data D *, as well as consider the cause, configuration and the like for preventing occur step in the true image data D * Description To do. The operation of the radiographic image capturing apparatus 1 according to this embodiment will also be described.

なお、以下では、まず、放射線の照射開始の検出方法として上記の検出方法1を採用した場合を例に挙げて説明する。   In the following, first, a case where the detection method 1 described above is employed as a detection method of radiation irradiation start will be described as an example.

[構成1]
上記の本実施形態のように、オフセットデータOの読み出し処理(図19参照)を、放射線の照射開始検出前の処理シーケンス(図13参照)と同じ処理シーケンスを繰り返して行われるように構成する。
[Configuration 1]
As in the present embodiment described above, the offset data O reading process (see FIG. 19) is configured to be performed repeatedly by the same processing sequence as that before the radiation irradiation start detection (see FIG. 13).

すなわち、例えば図13に示したようにして本画像データDの読み出し処理を終了した後、放射線の照射開始検出前に行ったリークデータdleakの読み出し処理および各放射線検出素子7のリセット処理と同じ周期τでリークデータdleakの読み出し処理(図19の「L」参照)と各放射線検出素子7のリセット処理(図19の「R」参照)とを交互に行い、電荷蓄積状態(図13参照)と同じ時間だけ走査駆動手段15から各走査線5にオフ電圧を印加した後、本画像データDの読み出し処理と同じ周期で各走査線5にオン電圧を順次印加して、各放射線検出素子7からのオフセットデータOの読み出し処理を行うように構成する。   That is, for example, as shown in FIG. 13, after the completion of the reading process of the main image data D, the same period as the reading process of the leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 performed before detecting the start of radiation irradiation. Leak data dleak readout processing (see “L” in FIG. 19) and reset processing (see “R” in FIG. 19) of each radiation detection element 7 are alternately performed with τ, and the charge accumulation state (see FIG. 13) and After applying the off voltage from the scanning drive means 15 to each scanning line 5 for the same time, the on-voltage is sequentially applied to each scanning line 5 in the same cycle as the reading process of the image data D, and from each radiation detecting element 7. The offset data O is read out.

[原因1−1]
各放射線検出素子7から読み出される暗電荷の量は、当該放射線検出素子7に接続されているTFT8がオフ状態とされていた時間、すなわち図13における時間Tac(以下、実効蓄積時間Tacという。)に応じて変化する。その際、本発明者らの研究によれば、各放射線検出素子7から読み出される暗電荷の量と実効蓄積時間Tacとの関係は必ずしも線形にならないことが分かっている。
[Cause 1-1]
The amount of dark charge read from each radiation detection element 7 is the time during which the TFT 8 connected to the radiation detection element 7 is in the off state, that is, the time Tac in FIG. 13 (hereinafter referred to as the effective accumulation time Tac). It changes according to. At that time, according to the study by the present inventors, it has been found that the relationship between the amount of dark charges read from each radiation detection element 7 and the effective accumulation time Tac is not necessarily linear.

すなわち、各放射線検出素子7から読み出される暗電荷の量は、少なくとも実効蓄積時間Tacが短い時間領域では実効蓄積時間Tacに必ずしも比例しない。しかし、実効蓄積時間Tacが同じ時間であれば、各放射線検出素子7から読み出される暗電荷の量は同じ量になる。   That is, the amount of dark charge read from each radiation detection element 7 is not necessarily proportional to the effective accumulation time Tac at least in a time region where the effective accumulation time Tac is short. However, if the effective accumulation time Tac is the same time, the amount of dark charge read from each radiation detection element 7 becomes the same amount.

そこで、上記のように、オフセットデータOの読み出し処理を、本画像データDの読み出し処理までの処理シーケンスと同じ処理シーケンスを繰り返して行うように構成することで、本画像データDの読み出し処理における実効蓄積時間Tac(図13参照)と、オフセットデータOの読み出し処理における実効蓄積時間Tac(図19参照)とが、少なくとも各走査線5ごとに同じ時間になる。   Therefore, as described above, the reading process of the offset data O is configured to repeatedly perform the same processing sequence as the processing sequence up to the reading process of the main image data D, so that the effective processing in the reading process of the main image data D is performed. The accumulation time Tac (see FIG. 13) and the effective accumulation time Tac (see FIG. 19) in the offset data O reading process are the same time at least for each scanning line 5.

上記のように構成することで、各走査線5ごとに、各放射線検出素子7から読み出される暗電荷の量が、本画像データDの読み出し処理の場合とオフセットデータOの読み出し処理の場合とで同じ量になる。   With the configuration as described above, the amount of dark charge read from each radiation detection element 7 for each scanning line 5 is different between the case of the read processing of the main image data D and the case of the read processing of the offset data O. It will be the same amount.

そのため、読み出された本画像データDに重畳されている暗電荷によるオフセット分と、読み出されたオフセットデータOとが、各放射線検出素子7ごとに同じ値になる。そのため、本画像データDからオフセットデータOを減算することで、両者に含まれる暗電荷によるオフセット分が相殺されるため、減算処理により算出される真の画像データDが、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷のみに起因するデータになる。 Therefore, the offset due to the dark charge superimposed on the read main image data D and the read offset data O have the same value for each radiation detection element 7. Therefore, by subtracting the offset data O from the main image data D, the offset due to the dark charge contained in both is canceled out. Therefore, the true image data D * calculated by the subtraction process is changed by each irradiation of radiation. The data results only from the charges generated in the radiation detection element 7.

そのため、真の画像データDに段差が生じない状態とすることが可能となり、真の画像データDに段差が生じることを的確に防止することが可能となる。 Therefore, it is possible to state that no level difference in the true image data D *, it is possible to prevent accurately the level difference occurs in the true image data D *.

[原因1−2]
また、上記の[構成1]で特徴的なもう1つの点は、本画像データDの読み出し処理後、オフセットデータOの読み出し処理前に、各放射線検出素子7のリセット処理と交互にリークデータdleakの読み出し処理を行う点にある。
[Cause 1-2]
Another feature of the above [Configuration 1] is that the leak data dleak alternately with the reset processing of each radiation detection element 7 after the reading processing of the main image data D and before the reading processing of the offset data O. This is in that the reading process is performed.

前述したように、オフセットデータOの読み出し処理の際に放射線画像撮影装置1には放射線が照射されないため、オフセットデータOの読み出し処理では、放射線の照射開始を検出するためのリークデータdleakの読み出し処理を行う必要はない。   As described above, since the radiation image capturing apparatus 1 is not irradiated with radiation during the offset data O readout process, the offset data O readout process includes leak data dleak readout process for detecting the start of radiation irradiation. There is no need to do.

そのため、本画像データDの読み出し処理の後、オフセットデータOの読み出し処理の前には、リークデータdleakの読み出し処理を行わず、各放射線検出素子7のリセット処理のみを、放射線の照射開始検出前にリークデータdleakの読み出し処理と交互に行った各放射線検出素子7のリセット処理と同じ周期τで行うように構成しても、上記の[原因1−1]の場合と同様に、本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの読み出し処理とで実効蓄積時間Tacが各走査線5ごとに同じ時間になる。   Therefore, after the reading process of the main image data D and before the reading process of the offset data O, the reading process of the leak data dleak is not performed, and only the reset process of each radiation detection element 7 is performed before the radiation irradiation start detection. Even if it is configured to perform the same period τ as the reset process of each radiation detection element 7 alternately performed with the readout process of the leak data dleak, the main image data is the same as in the case of [Cause 1-1]. The effective accumulation time Tac is the same for each scanning line 5 in the D reading process and the offset data O reading process.

そのため、本画像データDの読み出し処理の後、オフセットデータOの読み出し処理の前に、リークデータdleakの読み出し処理を行わず、上記のように各放射線検出素子7のリセット処理のみを行うように構成してもよいように思われる。   Therefore, after the reading process of the main image data D and before the reading process of the offset data O, the reading process of the leak data dleak is not performed, and only the reset process of each radiation detection element 7 is performed as described above. It seems to be good.

そこで、以下、上記の[構成1]のように、本画像データDの読み出し処理後、オフセットデータOの読み出し処理前に、各放射線検出素子7のリセット処理と交互に、読み出し回路17(図6や図7参照)を駆動させてリークデータdleakの読み出し処理を行うように構成する根拠となる現象や原因等について説明する。   Therefore, hereinafter, as in [Configuration 1], after the reading process of the main image data D and before the reading process of the offset data O, the reading circuit 17 (FIG. 6) alternately with the reset process of each radiation detection element 7. The phenomenon and the cause that are the basis for configuring the read processing of the leak data dleak by driving the data will be described.

まず、前提となる現象について説明する。上記の構成の放射線画像撮影装置1では、各放射線検出素子7のリセット処理が行われる際の各信号線6の電位Vが、リークデータdleakの読み出し処理(画像データD、dの読み出し処理の場合も同様。)が行われる場合の各信号線6の電位V(すなわち前述した基準電位V)よりも低くなることが分かっている。 First, the presupposed phenomenon will be described. In the radiographic imaging device 1 configured as described above, the potential V of each signal line 6 when the reset processing of each radiation detection element 7 is performed is the leak data dleak read processing (in the case of the image data D and d read processing). Is also lower than the potential V of each signal line 6 (that is, the above-described reference potential V 0 ).

前述したように、読み出し処理が行われる際に各読み出し回路17の増幅回路18のオペアンプ18a(図7参照)を介して各信号線6に基準電位Vが印加されるが、この基準電位Vを種々変化させても、上記のように、各放射線検出素子7のリセット処理の際の各信号線6の電位Vが、リークデータdleak等の読み出し処理の際の各信号線6の電位Vよりも低くなる現象が生じる。しかし、このような現象が生じる原因は、現時点では判明していない。 As described above, when the read process is performed, the reference potential V 0 is applied to each signal line 6 via the operational amplifier 18a (see FIG. 7) of the amplifier circuit 18 of each read circuit 17. Even if 0 is changed variously, as described above, the potential V of each signal line 6 at the time of reset processing of each radiation detection element 7 is the same as the potential V of each signal line 6 at the time of read processing of leak data dleak or the like. The phenomenon becomes lower than that. However, the cause of such a phenomenon is not known at present.

このような現象(前提となる現象)が生じると、上記のように、本画像データDの読み出し処理の後に、リークデータdleakの読み出し処理を行わずに各放射線検出素子7のリセット処理のみを行った場合には、図20(A)に示すように、各信号線6の電位Vは、リセット処理(図中の「R」参照)から電荷蓄積状態に移行した時点で、比較的低い電位から基準電位Vに上昇する状態になる。 When such a phenomenon (a prerequisite phenomenon) occurs, only the reset process of each radiation detection element 7 is performed after the reading process of the main image data D without performing the reading process of the leak data dleak as described above. In this case, as shown in FIG. 20A, the potential V of each signal line 6 starts from a relatively low potential at the time of transition from the reset process (see “R” in the figure) to the charge accumulation state. A state of rising to the reference potential V 0 is brought about.

なお、図20(A)、(B)では、基準電位Vが[V]に設定されている場合が示されている。また、グラフ中の放射線検出素子7の第1電極7aの電位V7aについては後で説明する。 20A and 20B show the case where the reference potential V 0 is set to [V]. The potential V7a of the first electrode 7a of the radiation detection element 7 in the graph will be described later.

一方、上記の[構成1]のように、本画像データDの読み出し処理の後に、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理とを交互に行うように構成した場合、図20(B)に示すように、各信号線6の電位Vは、基準電位Vから各放射線検出素子7のリセット処理のみを行った場合(図20(A)参照)ほど大きくは下がらなくなる。 On the other hand, as in [Configuration 1], when the read processing of the leak data dleak and the reset processing of each radiation detection element 7 are alternately performed after the read processing of the main image data D, FIG. As shown in (B), the potential V of each signal line 6 does not decrease as much as when only the reset processing of each radiation detection element 7 is performed from the reference potential V 0 (see FIG. 20A).

これは、リークデータdleakの読み出し処理(図中の「L」参照)と各放射線検出素子7のリセット処理(図中の「R」参照)が短時間で繰り返し行われるため、信号線6の電位Vの変動がいわば平坦化され、各放射線検出素子7のリセット処理のみを行った場合の信号線6の電位V(図20(A)のグラフの左側の低い電位)と、読み出し処理を行う場合や電荷蓄積状態における信号線6の電位V(すなわち基準電位V)との中間の値になるためである。 This is because the leak data dleak read process (see “L” in the figure) and reset processing of each radiation detection element 7 (see “R” in the figure) are repeatedly performed in a short time, and therefore the potential of the signal line 6 In other words, the variation in V is flattened, and the potential V of the signal line 6 when only the reset processing of each radiation detection element 7 is performed (the lower potential on the left side of the graph in FIG. 20A) and the readout processing are performed. This is because the value is intermediate between the potential V of the signal line 6 in the charge accumulation state (that is, the reference potential V 0 ).

なお、図20(B)では、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理が短時間で繰り返し行われる期間の信号線6の電位Vが一定の電位になるように記載されているが、若干或いは比較的大きく上下動するようになる場合もある。   In FIG. 20B, it is described that the potential V of the signal line 6 becomes a constant potential during a period in which the reading process of the leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 are repeatedly performed in a short time. However, it may move up and down slightly or relatively large.

そして、図20(B)の場合、すなわち上記の[構成1]のように、本画像データDの読み出し処理の後に、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理とを交互に行うように構成した場合も、電荷蓄積状態に移行すると、各信号線6の電位Vは基準電位Vに上昇する。 In the case of FIG. 20B, that is, as in [Configuration 1] above, after the reading process of the main image data D, the reading process of the leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 are alternately performed. even when configured to perform, when transition to the charge accumulation state, the potential V of each signal line 6 is raised to the reference potential V 0.

信号線6の電位Vと、放射線検出素子7の第1電極7a(図6や図7参照)の電位V7aとの電位差が大きいほど、TFT8内に形成される電位勾配が急になり、TFT8を介して放射線検出素子7から信号線6にリークする電荷qの量が多くなる。そして、放射線検出素子7から信号線6にリークする電荷qが多くなると、放射線検出素子7内の電荷はその分だけ減少する。   As the potential difference between the potential V of the signal line 6 and the potential V7a of the first electrode 7a of the radiation detection element 7 (see FIG. 6 and FIG. 7) is larger, the potential gradient formed in the TFT 8 becomes steeper, As a result, the amount of charge q leaked from the radiation detection element 7 to the signal line 6 increases. When the charge q leaked from the radiation detection element 7 to the signal line 6 increases, the charge in the radiation detection element 7 decreases accordingly.

図20(A)、(B)のいずれの場合も、電荷蓄積状態に移行して信号線6の電位Vが基準電位Vになった後は、信号線6の電位Vと放射線検出素子7の第1電極7aの電位V7aとの電位差が同じになるため、TFT8を介して放射線検出素子7から信号線6にリークする電荷qの量は同じになる。 20A and 20B, after the transition to the charge accumulation state and the potential V of the signal line 6 becomes the reference potential V 0 , the potential V of the signal line 6 and the radiation detection element 7 Since the potential difference with the potential V7a of the first electrode 7a is the same, the amount of charge q leaked from the radiation detection element 7 to the signal line 6 through the TFT 8 is the same.

しかし、電荷蓄積状態に移行する前の状態では、図20(A)に示した状態の方が、図20(B)に示した上記の[構成1]の状態よりも、信号線6の電位Vと放射線検出素子7の第1電極7aの電位V7aとの電位差が相対的に小さくなり、電荷qがリークしにくくなる。そのため、図20(A)に示した状態では、放射線検出素子7内に残存する暗電荷の量が多くなる。   However, in the state before the transition to the charge accumulation state, the potential of the signal line 6 is higher in the state shown in FIG. 20A than in the state of [Configuration 1] shown in FIG. The potential difference between V and the potential V7a of the first electrode 7a of the radiation detection element 7 becomes relatively small, and the charge q is difficult to leak. Therefore, in the state shown in FIG. 20A, the amount of dark charge remaining in the radiation detection element 7 increases.

それに対し、図20(B)に示した状態では、信号線6の電位Vと放射線検出素子7の第1電極7aの電位V7aとの電位差が、図20(A)に示した状態よりも相対的に大きくなり、電荷qがリークし易くなる。そのため、放射線検出素子7内に残存する暗電荷の量が少なくなる。   On the other hand, in the state shown in FIG. 20B, the potential difference between the potential V of the signal line 6 and the potential V7a of the first electrode 7a of the radiation detection element 7 is relative to that in the state shown in FIG. And the charge q is likely to leak. Therefore, the amount of dark charge remaining in the radiation detection element 7 is reduced.

本画像データDの読み出し処理の後にリークデータdleakの読み出し処理を行わずに各放射線検出素子7のリセット処理のみを行う場合(図20(A)参照)と、上記の[構成1]のように本画像データDの読み出し処理の後にリークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理とを交互に行う場合(図20(B)参照)とでは、生じる現象に、上記のような差異が生じる。   In the case where only the reset processing of each radiation detection element 7 is performed without performing the reading processing of the leak data dleak after the reading processing of the main image data D (see FIG. 20A), as in [Configuration 1] above When the reading process of the leak data dleak and the resetting process of each radiation detection element 7 are alternately performed after the reading process of the main image data D (see FIG. 20B), the difference as described above is caused. Occurs.

次に、このような現象が生じると、図28に示したように真の画像データDに段差が生じることについて説明する。 Next, a description will be given of the occurrence of a step in the true image data D * as shown in FIG. 28 when such a phenomenon occurs.

本実施形態では、図21(A)に示すように、本画像データDの読み出し処理前に、リークデータdleakの読み出し処理(L)と各放射線検出素子7のリセット処理(R)が交互に行われる。そして、上記のように、電荷蓄積状態に移行するまでの期間は、信号線6の電位Vが低く、電荷蓄積状態に移行すると、信号線6の電位Vが基準電位Vに上昇する。 In the present embodiment, as shown in FIG. 21A, before the reading process of the main image data D, the reading process (L) of the leak data dleak and the resetting process (R) of each radiation detection element 7 are alternately performed. Is called. As described above, the period until the shift to the charge accumulation state, the potential V of the signal line 6 low and shifts to the charge accumulation state, the potential V of the signal line 6 is raised to the reference potential V 0.

そのため、信号線6の電位Vと放射線検出素子7の第1電極7aの電位V7aとの電位差が、電荷蓄積状態に移行するまでの期間ではある程度小さく、各放射線検出素子7から信号線6にリークする電荷qの量は少ないが、電荷蓄積状態に移行した後は、電位差が大きくなり、各放射線検出素子7から信号線6にリークする電荷qの量が多くなる。   Therefore, the potential difference between the potential V of the signal line 6 and the potential V7a of the first electrode 7a of the radiation detection element 7 is small to some extent until the transition to the charge accumulation state, and leakage from each radiation detection element 7 to the signal line 6 occurs. Although the amount of charge q is small, the potential difference increases after the transition to the charge accumulation state, and the amount of charge q leaking from each radiation detection element 7 to the signal line 6 increases.

そして、走査線5の各ラインL1〜Lxごとの実効蓄積時間Tacについて見た場合、電荷蓄積状態に移行するまでの期間が、走査線5の各ラインL1〜Lxごとに異なる。すなわち、電荷蓄積状態に移行するまでの期間は、走査線5の検出ラインL4で最も短く、走査線5のラインL3、L2、…の順で長くなっていき、走査線5の読み出し開始ラインL5で最も長くなる。   And when it sees about the effective accumulation time Tac for every line L1-Lx of the scanning line 5, the period until it transfers to an electric charge accumulation state differs for each line L1-Lx of the scanning line 5. FIG. That is, the period until transition to the charge accumulation state is the shortest in the detection line L4 of the scanning line 5, and becomes longer in the order of the lines L3, L2,. The longest.

そのため、例えば走査線5の検出ラインL4では、実効蓄積時間Tac内において電荷蓄積状態に移行するまでの期間が短く、電荷蓄積状態に移行した後の期間が長いため、検出ラインL4に接続されている各放射線検出素子7から信号線6にリークする電荷qの量が多くなる。そのため、検出ラインL4に接続されている各放射線検出素子7内に残存する暗電荷の量は少なくなる。   For this reason, for example, in the detection line L4 of the scanning line 5, the period until the transition to the charge accumulation state is short within the effective accumulation time Tac and the period after the transition to the charge accumulation state is long, so that the detection line L4 is connected to the detection line L4. The amount of charge q leaking from each radiation detecting element 7 to the signal line 6 increases. Therefore, the amount of dark charge remaining in each radiation detection element 7 connected to the detection line L4 is reduced.

また、例えば走査線5の読み出し開始ラインL5では、実効蓄積時間Tac内において電荷蓄積状態に移行するまでの期間が長く、電荷蓄積状態に移行した後の期間が短いため、読み出し開始ラインL5に接続されている各放射線検出素子7から信号線6にリークする電荷qの量は少なくなる。そのため、読み出し開始ラインL5に接続されている各放射線検出素子7内に残存する暗電荷の量は多くなる。   Further, for example, in the readout start line L5 of the scanning line 5, the period until the transition to the charge accumulation state is long within the effective accumulation time Tac and the period after the transition to the charge accumulation state is short, so that the connection is connected to the readout start line L5. The amount of charge q leaking from each radiation detecting element 7 to the signal line 6 is reduced. Therefore, the amount of dark charge remaining in each radiation detection element 7 connected to the readout start line L5 increases.

そのため、各放射線検出素子7内に残存する暗電荷の量、すなわち本画像データDの読み出し処理で読み出された本画像データDに重畳される暗電荷によるオフセット分Odは、図22(A)に示すように、走査線5の検出ラインLnで最も小さくなり、読み出し開始ラインLn+1で最も大きくなる。なお、図22(A)、(B)では、走査線5の検出ラインがLn、読み出し開始ラインがLn+1と一般化されて表されている。   Therefore, the amount of dark charge remaining in each radiation detection element 7, that is, the offset amount Od due to dark charge superimposed on the main image data D read out in the reading process of the main image data D is shown in FIG. As shown, the detection line Ln of the scanning line 5 is the smallest and the reading start line Ln + 1 is the largest. In FIGS. 22A and 22B, the detection line of the scanning line 5 is generalized as Ln, and the readout start line is generalized as Ln + 1.

一方、上記のように、本画像データDの読み出し処理の後、リークデータdleakの読み出し処理を行わずに各放射線検出素子7のリセット処理のみを行って、オフセットデータOの読み出し処理を行うように構成する場合も、図21(B)に示すように、同じ状況が生じる。   On the other hand, as described above, after the reading process of the main image data D, only the reset process of each radiation detection element 7 is performed without performing the reading process of the leak data dleak, and the reading process of the offset data O is performed. Even when configured, the same situation occurs as shown in FIG.

すなわち、走査線5の検出ラインL4では、実効蓄積時間Tac内において電荷蓄積状態に移行するまでの期間が短いため、各放射線検出素子7内に残存する暗電荷の量は少なくなる。また、走査線5の読み出し開始ラインL5では、実効蓄積時間Tac内において電荷蓄積状態に移行するまでの期間が長いため、各放射線検出素子7内に残存する暗電荷の量が多くなる。   That is, in the detection line L4 of the scanning line 5, since the period until the transition to the charge accumulation state is short within the effective accumulation time Tac, the amount of dark charge remaining in each radiation detection element 7 is reduced. Further, in the readout start line L5 of the scanning line 5, since the period until the transition to the charge accumulation state is long within the effective accumulation time Tac, the amount of dark charge remaining in each radiation detection element 7 increases.

しかし、図21(B)の場合は、電荷蓄積状態に移行するまでの期間では、信号線6の電位Vと放射線検出素子7の第1電極7aの電位V7aとの電位差が、図21(A)の場合よりも相対的に小さい。そのため、各放射線検出素子7から信号線6にほとんど電荷qがリークしない状態になる。   However, in the case of FIG. 21 (B), the potential difference between the potential V of the signal line 6 and the potential V7a of the first electrode 7a of the radiation detection element 7 during the period up to the transition to the charge accumulation state is as shown in FIG. ) Is relatively smaller than Therefore, almost no charge q leaks from each radiation detection element 7 to the signal line 6.

そのため、図22(B)に示すように、読み出されるオフセットデータOは、図22(A)のオフセット分Odの場合と同様に、走査線5の検出ラインLnで最も小さくなり、読み出し開始ラインLn+1で最も大きくなるが、オフセットデータOが変動する幅が、図22(A)のオフセット分Odの場合よりも大きくなる。   Therefore, as shown in FIG. 22B, the read offset data O is the smallest in the detection line Ln of the scanning line 5 as in the case of the offset Od in FIG. 22A, and the read start line Ln. Although it becomes the largest at +1, the width in which the offset data O fluctuates becomes larger than the offset amount Od in FIG.

すなわち、概略的に言えば、図21(A)の状態では、電荷蓄積状態に移行する前後で、信号線6の電位Vと放射線検出素子7の第1電極7aの電位V7aとの電位差はさほど変わらないため、図22(A)に示すように、本画像データDの読み出し処理で読み出された本画像データDに重畳される暗電荷によるオフセット分Odは、電荷蓄積状態に移行する前後でさほど変動しない。   That is, roughly speaking, in the state of FIG. 21A, the potential difference between the potential V of the signal line 6 and the potential V7a of the first electrode 7a of the radiation detection element 7 is not so much before and after the transition to the charge accumulation state. Since it does not change, as shown in FIG. 22 (A), the offset Od due to the dark charge superimposed on the main image data D read by the read processing of the main image data D is before and after shifting to the charge accumulation state. It does not fluctuate so much.

しかし、図21(B)の状態では、電荷蓄積状態に移行する前後で、信号線6の電位Vと放射線検出素子7の第1電極7aの電位V7aとの電位差が大きく変わり、各放射線検出素子7からリークする電荷qの量が大きく変わる。すなわち、各放射線検出素子7内に残存する暗電荷の量が大きく変動する。そのため、図22(B)に示すように、読み出されたオフセットデータOが、電荷蓄積状態に移行する前後で、すなわち検出ラインLnと読み出し開始ラインLn+1を境界として比較的大きく変動するようになる。   However, in the state of FIG. 21B, the potential difference between the potential V of the signal line 6 and the potential V7a of the first electrode 7a of the radiation detection element 7 changes greatly before and after the transition to the charge accumulation state. The amount of charge q leaking from 7 changes greatly. That is, the amount of dark charge remaining in each radiation detection element 7 varies greatly. For this reason, as shown in FIG. 22B, the read offset data O changes relatively greatly before and after shifting to the charge accumulation state, that is, with the detection line Ln and the read start line Ln + 1 as a boundary. become.

このように、本画像データDの読み出し処理の後に、リークデータdleakの読み出し処理を行わずに各放射線検出素子7のリセット処理のみを行って、オフセットデータOの読み出し処理を行うように構成すると、図22(A)、(B)に示したように、本画像データDに重畳される暗電荷によるオフセット分Odの変動幅と、オフセットデータOの読み出し処理で読み出されるオフセットデータOの変動幅が異なる状態になる。   As described above, after the reading process of the main image data D, only the reset process of each radiation detection element 7 is performed without performing the reading process of the leak data dleak, and the reading process of the offset data O is performed. As shown in FIGS. 22A and 22B, the fluctuation range of the offset Od due to the dark charge superimposed on the main image data D and the fluctuation range of the offset data O read by the offset data O reading process are as follows. It will be in a different state.

そのため、本画像データDからオフセットデータOを減算しても、図23に示すように、本画像データDに重畳される暗電荷によるオフセット分OdとオフセットデータOとが相殺されなくなり、真の画像データDに段差が生じてしまうと考えられる。 Therefore, even if the offset data O is subtracted from the main image data D, as shown in FIG. 23, the offset amount Od due to the dark charge superimposed on the main image data D and the offset data O are not canceled, and the true image It is considered that a step is generated in the data D * .

それに対し、上記の[構成1]のように、本画像データDの読み出し処理後、オフセットデータOの読み出し処理前に、各放射線検出素子7のリセット処理と交互にリークデータdleakの読み出し処理を行うように構成すると、本画像データDの読み出し処理までの状況は、図21(A)や図22(A)に示した状況と同じ状況になる。   On the other hand, as in the above [Configuration 1], after the reading process of the main image data D and before the reading process of the offset data O, the reading process of the leak data dleak is performed alternately with the reset process of each radiation detection element 7. With this configuration, the situation up to the reading process of the main image data D is the same as the situation shown in FIG. 21 (A) or 22 (A).

また、本画像データDの読み出し処理後も、各放射線検出素子7のリセット処理と交互にリークデータdleakの読み出し処理を行うため、信号線6の電位Vは、図21(B)ではなく図21(A)と同じ状況が繰り返される。そのため、読み出されるオフセットデータOは、図22(B)のグラフではなく、やはり図22(A)のグラフに示したように変動する。   Further, since the reading process of the leak data dleak is alternately performed after the reset process of each radiation detection element 7 after the reading process of the main image data D, the potential V of the signal line 6 is not shown in FIG. The same situation as (A) is repeated. Therefore, the offset data O to be read fluctuates as shown in the graph of FIG. 22A, not the graph of FIG.

すなわち、上記の[構成1]のように構成した場合、本画像データDに重畳されている暗電荷によるオフセット分Odも、その後に読み出されるオフセットデータOも、ともに図22(A)に示したように変動する。そのため、本画像データDからオフセットデータOを減算すると、本画像データDに重畳されている暗電荷によるオフセット分OdとオフセットデータOとが的確に相殺される。   That is, in the case of the configuration as described in [Configuration 1], both the offset Od due to the dark charge superimposed on the main image data D and the offset data O read out thereafter are shown in FIG. Fluctuate as follows. Therefore, when the offset data O is subtracted from the main image data D, the offset Od due to the dark charge superimposed on the main image data D and the offset data O are accurately offset.

そのため、オフセット分OdとオフセットデータOとの差分Od−Oが、走査線5の各ラインL1〜Lxに接続された各放射線検出素子7でほぼ0(或いはほぼ一定の所定値)になる。そのため、上記の[構成1]のように構成した場合には、真の画像データDに段差が生じなくなる。 Therefore, the difference Od−O between the offset Od and the offset data O becomes substantially 0 (or a substantially constant predetermined value) in each radiation detection element 7 connected to each line L1 to Lx of the scanning line 5. Therefore, when configured as in [Configuration 1] above, no step is generated in the true image data D * .

このように、上記の[構成1]のように構成すれば、真の画像データDに段差が生じることを的確に防止することが可能となる。 As described above, when configured as described in [Configuration 1], it is possible to accurately prevent a step in the true image data D * .

[構成1における変形例]
なお、上記の[原因1−2]における前提となる現象、すなわち、放射線画像撮影装置1において、各放射線検出素子7のリセット処理が行われる際の各信号線6の電位Vが、リークデータdleakの読み出し処理等が行われる際の各信号線6の電位Vとは異なる電位になるといった現象が生じない場合には、図20(A)〜図22(B)に示したような現象は生じない。
[Modification in Configuration 1]
Note that the phenomenon that is the premise in [Cause 1-2] described above, that is, the potential V of each signal line 6 when the reset processing of each radiation detection element 7 is performed in the radiographic imaging apparatus 1 is the leak data dleak. When the phenomenon that the potential V is different from the potential V of each signal line 6 at the time of performing the reading process is performed, the phenomenon as shown in FIGS. 20A to 22B occurs. Absent.

そのため、上記の[構成1]の下で、本画像データDの読み出し処理後、オフセットデータOの読み出し処理前に行うリークデータdleakの読み出し処理および各放射線検出素子7のリセット処理を、上記のように各放射線検出素子7のリセット処理のみを行うように変えることも可能である。   Therefore, under the above [Configuration 1], the leakage data dleak readout processing and the reset processing of each radiation detection element 7 performed after the readout processing of the main image data D and before the readout processing of the offset data O are performed as described above. It is also possible to change to perform only the reset processing of each radiation detection element 7.

すなわち、本画像データDの読み出し処理後、放射線の照射開始検出前にリークデータdleakの読み出し処理と交互に行った各放射線検出素子7のリセット処理と同じ周期τで各放射線検出素子7のリセット処理を行う。そして、本画像データDの読み出し処理前の電荷蓄積状態と同じ時間だけ走査駆動手段15ら各走査線5にオフ電圧を印加した後、本画像データDの読み出し処理と同じ周期で各放射線検出素子15からのオフセットデータOの読み出し処理を行うように構成することが可能である。   That is, the reset process of each radiation detection element 7 with the same period τ as the reset process of each radiation detection element 7 performed alternately with the readout process of leak data dleak after the reading process of the main image data D and before the start of radiation irradiation detection. I do. Then, after applying the off-voltage to each scanning line 5 from the scanning drive means 15 for the same time as the charge accumulation state before the reading process of the main image data D, each radiation detection element is applied at the same cycle as the reading process of the main image data D The offset data O can be read from 15.

このように構成すれば、上記の[構成1]において少なくとも[原因1−1]で考察した条件が満たされるため、真の画像データDに段差が生じることを的確に防止することが可能となる。 With this configuration, since at least the conditions discussed in [Cause 1-1] in [Configuration 1] are satisfied, it is possible to accurately prevent a step in the true image data D *. Become.

[構成2]
次に、前述したように、通常の場合、本画像データDの読み出し処理(図13参照)の後、オフセットデータOの読み出し処理(図19参照)を行う前に、例えば本画像データDの読み残し分を除去するために、リークデータdleakの読み出し処理を伴わない通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を繰り返し行うことが考えられる。
[Configuration 2]
Next, as described above, in a normal case, after the reading process of the main image data D (see FIG. 13), before the reading process of the offset data O (see FIG. 19), for example, the reading of the main image data D is performed. In order to remove the remaining portion, it is conceivable to repeat the normal reset process (see FIG. 15) of each radiation detection element 7 without the leak data dleak read process.

しかし、このように構成すると、前述したように、本画像データDに重畳されている暗電荷によるオフセット分Odと、その後のオフセットデータOの読み出し処理で読み出されるオフセットデータOとが同じ値にならず、図28に示したように真の画像データDに段差が発生するという問題が生じ得る。 However, with this configuration, as described above, the offset Od due to the dark charge superimposed on the main image data D and the offset data O read in the subsequent read processing of the offset data O have the same value. However, as shown in FIG. 28, there may be a problem that a step occurs in the true image data D * .

以下、このような現象が生じる原因について考察するとともに、真の画像データDに段差(図28参照)が生じないようにするための構成等について説明する。 Hereinafter, the cause of such a phenomenon will be considered, and a configuration for preventing a step (see FIG. 28) from occurring in the true image data D * will be described.

なお、オフセットデータOの読み出し処理における電荷蓄積状態に移行する前のリークデータdleakの読み出し処理と交互に行う各放射線検出素子7のリセット処理において、図19に示したように、走査線5の各ラインL5〜Lx、L1〜L4にオン電圧を1回ずつ印加して行われる各放射線検出素子7のリセット処理を、検出部Pに設けられた1面分の各走査線5について1回ずつ行うという意味で、1フレーム分のリセット処理という。   In the reset process of each radiation detection element 7 performed alternately with the read process of the leak data dleak before the transition to the charge accumulation state in the read process of the offset data O, as shown in FIG. The reset process of each radiation detection element 7 performed by applying the ON voltage to the lines L5 to Lx and L1 to L4 once is performed once for each scanning line 5 for one surface provided in the detection unit P. This is called reset processing for one frame.

すなわち、一般的に言えば、本画像データDの読み出し処理で読み出しを開始した走査線5のラインLn+1すなわち読み出し開始ラインLn+1から、その1本上側の走査線5のラインLnすなわち検出ラインLnまでの各走査線5にオン電圧を1回ずつ印加して行われる各放射線検出素子7のリセット処理を、1フレーム分のリセット処理という。   That is, generally speaking, the line Ln + 1 of the scanning line 5 that is one line above the line Ln + 1 of the scanning line 5 that starts reading in the reading process of the main image data D, that is, the detection start line Ln + 1, that is, the detection. The reset processing of each radiation detection element 7 performed by applying the ON voltage once to each scanning line 5 up to the line Ln is called reset processing for one frame.

そして、このリセット処理を、例えば各走査線5ごとに2回ずつオン電圧を印加して行う場合、すなわち、走査線5の読み出し開始ラインLn+1から検出ラインLnにオン電圧を順次印加した後、再度、走査線5の読み出し開始ラインLn+1から検出ラインLnにオン電圧を順次印加して各放射線検出素子7のリセット処理を行う場合、2フレーム分のリセット処理ということになる。   For example, when this reset process is performed by applying an on-voltage twice for each scanning line 5, that is, after sequentially applying an on-voltage from the read start line Ln + 1 to the detection line Ln of the scanning line 5. When the reset process of each radiation detection element 7 is performed by sequentially applying the ON voltage from the read start line Ln + 1 of the scanning line 5 to the detection line Ln again, this is a reset process for two frames.

[原因2]
本発明者らの研究によると、上記のような問題が生じる原因は、リークデータdleakの読み出し処理を伴わない通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を行うと、TFT8を介して各放射線検出素子7から信号線6にリークする電荷qの量が変わるためであると考えられている。以下、具体的に説明する。
[Cause 2]
According to the study by the present inventors, the cause of the above problem is that when the reset processing (see FIG. 15) of each radiation detecting element 7 not accompanied by the reading processing of the leak data dleak is performed, the TFT 8 is interposed. This is considered to be because the amount of charge q leaking from each radiation detection element 7 to the signal line 6 changes. This will be specifically described below.

前述したように、オフ状態になっている各TFT8を介して各放射線検出素子7から電荷qがリークして信号線6に流れ込む(図10参照)。これは、リークデータdleakの読み出し処理の際だけでなく常時生じている現象であり、本画像データDの読み出し処理やオフセットデータOの読み出し処理の際にも生じている。   As described above, the charge q leaks from each radiation detection element 7 through each TFT 8 in the off state and flows into the signal line 6 (see FIG. 10). This is a phenomenon that occurs not only during the reading process of the leak data dleak but also during the reading process of the main image data D and the reading process of the offset data O.

そのため、ある放射線検出素子7について読み出されるオフセットデータOには、当該放射線検出素子7内に蓄積された暗電荷によるオフセット分Od(上記の[構成1]参照)だけでなく、当該放射線検出素子7が接続されている信号線6に接続されている他の放射線検出素子7から各TFT8を介してリークした電荷qの合計値によるオフセット分も含まれている。   Therefore, the offset data O read for a certain radiation detection element 7 includes not only the offset Od due to dark charges accumulated in the radiation detection element 7 (see [Configuration 1] above) but also the radiation detection element 7. Also included is an offset due to the total value of the charges q leaked from the other radiation detection elements 7 connected to the signal line 6 connected to each other through the TFTs 8.

以下、他の放射線検出素子7から各TFT8を介してリークした電荷qの合計値、簡単にリーク合計値Qという。また、このリーク合計値Qによるオフセット分を、オフセット分Oqという。   Hereinafter, the total value of the charges q leaked from the other radiation detection elements 7 through the TFTs 8 is simply referred to as the total leakage value Q. Further, the offset amount due to the leak total value Q is referred to as an offset amount Oq.

また、当該放射線検出素子7について読み出される本画像データDにも、放射線の照射により当該放射線検出素子7内で発生した電荷に起因するデータ(すなわち真の画像データDに相当するデータ)のほかに、オフセット分として、当該放射線検出素子7内に蓄積された暗電荷によるオフセット分やリーク合計値Qによるオフセット分Oqが含まれている。 In addition to the main image data D read out for the radiation detection element 7, in addition to data resulting from the charges generated in the radiation detection element 7 by irradiation of radiation (that is, data corresponding to the true image data D * ) The offset includes an offset due to dark charges accumulated in the radiation detection element 7 and an offset Oq due to the leak total value Q.

そして、理想的には、本画像データDからオフセットデータOを減算すれば、両者に含まれる暗電荷によるオフセット分とリーク合計値Qによるオフセット分とがそれぞれ相殺されて、放射線の照射により当該放射線検出素子7内で発生した電荷に起因する真の画像データDのみが残るはずである。 Ideally, if the offset data O is subtracted from the main image data D, the offset due to the dark charge and the offset due to the leak total value Q included in both are offset, and the radiation is irradiated with the radiation. Only the true image data D * resulting from the charge generated in the detection element 7 should remain.

しかし、本発明者らの研究では、上記のように、本画像データDの読み出し処理後に通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を繰り返し行うと、オフセットデータO中に含まれるリーク合計値Qによるオフセット分Oqが、本画像データD中に含まれるリーク合計値Qによるオフセット分Oqよりも大きくなる場合があることが分かった。   However, in the studies by the present inventors, if the normal reset process (see FIG. 15) of each radiation detecting element 7 is repeatedly performed after the reading process of the main image data D as described above, it is included in the offset data O. It has been found that the offset Oq due to the leak total value Q may be larger than the offset Oq due to the leak total value Q included in the main image data D.

具体的に言うと、例えば、図13に示したように、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理を交互に繰り返し行い、電荷蓄積状態に移行した後で本画像データDの読み出し処理を行う場合に、仮に、本画像データDの読み出し処理時にリーク合計値Qを読み出す。   More specifically, for example, as shown in FIG. 13, the readout process of the leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 are alternately repeated, and after the transition to the charge accumulation state, the main image data D When the reading process is performed, the leak total value Q is temporarily read during the reading process of the main image data D.

すなわち、例えば、本画像データDの各読み出し動作の間にリークデータdleakの読み出し処理を行って、リーク合計値Qを読み出す。すると、図24に示すように、検出ラインLnや読み出し開始ラインLn+1を含む各走査線5ごとに各リーク合計値Qが得られる。   That is, for example, the leak data dleak is read during each read operation of the main image data D, and the leak total value Q is read. Then, as shown in FIG. 24, each leak total value Q is obtained for each scanning line 5 including the detection line Ln and the reading start line Ln + 1.

なお、図24や後述する図25等のグラフでは、横軸は時間tであり、本画像データDの読み出し処理時に走査線5の各ラインL1、Ln、Ln+1、Lx等にオン電圧が印加される時刻が「L1」、「Ln」、「Ln+1」、「Lx」等として示されている。また、図24では、リーク合計値Qが各走査線5でほぼ同じ値になる場合が示されているが、放射線画像撮影装置1によっては各走査線5ごとに異なる値になる場合もある。   In the graphs of FIG. 24 and FIG. 25, which will be described later, the horizontal axis is time t, and the ON voltage is applied to each line L1, Ln, Ln + 1, Lx, etc. The applied time is indicated as “L1”, “Ln”, “Ln + 1”, “Lx”, and the like. FIG. 24 shows a case where the total leak value Q is almost the same value for each scanning line 5, but there are cases where the scanning line 5 has a different value depending on the radiation image capturing apparatus 1.

それに対し、本画像データDの読み出し処理後に、通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を繰り返し行った場合、図25に示すように、その直後に各放射線検出素子7のリセット処理と交互に行われるリークデータdleakの読み出し処理で読み出されるリーク合計値Q(すなわちリークデータdleak)が、非常に大きな値になる。   On the other hand, when the normal reset process (see FIG. 15) of each radiation detection element 7 is repeatedly performed after the reading process of the main image data D, the reset of each radiation detection element 7 is performed immediately thereafter, as shown in FIG. The leak total value Q (that is, the leak data dleak) read in the leak data dleak read processing alternately performed with the processing becomes a very large value.

そして、リーク合計値Qは、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理を交互に繰り返すうちに、次第に減衰していくように推移することが分かった。   Then, it was found that the leak total value Q gradually decreases as the leak data dleak read process and the reset process of each radiation detection element 7 are alternately repeated.

そして、通常の各放射線検出素子7のリセット処理直後にリーク合計値Qが非常に大きな値になることの影響は、電荷蓄積状態を経た後のオフセットデータOの読み出し処理まで残る場合がある。そして、図25に示すように、走査線5の読み出し開始ラインLn+1やそれ以降の各走査線5では、オフセットデータO中に含まれるリーク合計値Qが、本画像データD中に含まれるリーク合計値Q(図中の破線参照。図24参照)より大きくなる場合がある。   The influence of the leak total value Q becoming a very large value immediately after the normal reset processing of each radiation detection element 7 may remain until the offset data O reading processing after passing through the charge accumulation state. Then, as shown in FIG. 25, the leak total value Q included in the offset data O is included in the main image data D in the reading start line Ln + 1 of the scanning line 5 and each subsequent scanning line 5. In some cases, the leakage total value Q (see the broken line in the figure, see FIG. 24) is larger.

そのため、本画像データD中に含まれるリーク合計値QからオフセットデータO中に含まれるリーク合計値Q(以下、後者をリーク合計値Qdという。)を減算した差分値Q−Qdを各走査線5ごとにプロットすると、図26に示すように、走査線5の検出ラインLnと読み出し開始ラインLn+1との間で、差分値Q−Qdに段差が現れる場合があることが分かった。   Therefore, the difference value Q-Qd obtained by subtracting the leak total value Q included in the offset data O from the leak total value Q included in the main image data D (hereinafter, the latter is referred to as the leak total value Qd) is used as each scanning line. When plotting every five, as shown in FIG. 26, it was found that a step may appear in the difference value Q−Qd between the detection line Ln of the scanning line 5 and the reading start line Ln + 1.

上記の[構成1]で説明したように、本画像データDに重畳されている暗電荷によるオフセット分OdとオフセットデータOは、本画像データDの読み出し処理までの処理シーケンスとオフセットデータOの読み出し処理までの処理シーケンスとを同じ処理シーケンスとし、各走査線5ごとの実効蓄積時間Tacを本画像データDの読み出し処理とオフセットデータOの読み出し処理とで同じ時間とすることで、同じ値とすることができる。そのため、本画像データDからオフセットデータOを減算すれば相殺される。   As described in [Configuration 1] above, the offset Od and the offset data O due to dark charges superimposed on the main image data D are the processing sequence up to the main image data D reading process and the reading of the offset data O. The processing sequence up to the processing is the same processing sequence, and the effective accumulation time Tac for each scanning line 5 is set to the same value in the reading processing of the main image data D and the reading processing of the offset data O. be able to. Therefore, it is canceled out by subtracting the offset data O from the main image data D.

しかし、上記のように、本画像データDの読み出し処理の後、オフセットデータOの読み出し処理(図19参照)を行う前に、リークデータdleakの読み出し処理を伴わない通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を行うと、本画像データDに含まれるリーク合計値Qによるオフセット分Oqと、オフセットデータOに含まれるリーク合計値Qdによるオフセット分Oqが、上記のように異なる値になるため(図25参照)、それらを減算しても相殺されず、段差が生じる状態になる(図26参照)。   However, as described above, after the reading process of the main image data D and before the reading process of the offset data O (see FIG. 19), the normal radiation detection elements 7 without the reading process of the leak data dleak are performed. When the reset process (see FIG. 15) is performed, the offset amount Oq based on the total leak value Q included in the main image data D and the offset amount Oq based on the total leak value Qd included in the offset data O are different values as described above. (See FIG. 25), even if they are subtracted, they are not canceled out and a level difference is generated (see FIG. 26).

これが、オフセットデータOの読み出し処理で読み出されるオフセットデータOが、本画像データDに重畳されているオフセット分と同じ値にならない1つの原因であり、真の画像データD中に段差(図28参照)が現れる原因の1つと考えられている。 This is one reason why the offset data O read in the offset data O reading process does not have the same value as the offset superimposed on the main image data D, and there is a step (see FIG. 28) in the true image data D * . This is considered to be one of the causes of the

このような現象が生じることを回避するためには、オフセットデータOの読み出し処理を行う際のリーク合計値Qd(図25参照)によるオフセット分Oqが、本画像データDの読み出し処理を行う際のリーク合計値Q(図24参照)によるオフセット分Oqと、各走査線5ごとに同じ値になるように構成すればよい。   In order to avoid the occurrence of such a phenomenon, the offset amount Oq based on the leak total value Qd (see FIG. 25) when the offset data O is read out is used when the main image data D is read out. What is necessary is just to comprise so that the offset Oq by the leak total value Q (refer FIG. 24) may become the same value for every scanning line 5. FIG.

以下、上記の目的を達成するための構成の例について説明する。   Hereinafter, an example of a configuration for achieving the above object will be described.

[構成2−1]
上記の目的を達成するための1つの構成としては、例えば、本画像データDの読み出し処理の後、オフセットデータOの読み出し処理(図19参照)を行う前に、リークデータdleakの読み出し処理を伴わない通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を行わないように構成することが可能である。
[Configuration 2-1]
As one configuration for achieving the above object, for example, after the reading process of the main image data D, the reading process of the leak data dleak is performed before the reading process of the offset data O (see FIG. 19). It is possible to configure not to perform normal reset processing (see FIG. 15) of each radiation detection element 7 that is not present.

このように構成すれば、図25に示したように、通常の各放射線検出素子7のリセット処理の後でリーク合計値Qが非常に大きな値になることがなくなり、オフセットデータOの読み出し処理の際のリーク合計値Qdが、図24に示した本画像データDの読み出し処理の際のリーク合計値Qと同じように推移する状態になる。   With this configuration, as shown in FIG. 25, the leak total value Q does not become a very large value after the normal reset process of each radiation detection element 7, and the offset data O is read out. The leak total value Qd at this time changes in the same manner as the leak total value Q in the reading process of the main image data D shown in FIG.

そのため、各放射線検出素子7ごと(或いは各走査線5ごと)に、オフセットデータOの読み出し処理を行う際のリーク合計値Qdによるオフセット分Oqが、本画像データDの読み出し処理を行う際のリーク合計値Qによるオフセット分Oqとほとんど同じ値になる。   Therefore, for each radiation detection element 7 (or each scanning line 5), the offset Oq based on the leak total value Qd when the offset data O is read is leaked when the main image data D is read. It becomes almost the same value as the offset Oq by the total value Q.

そのため、本画像データDからオフセットデータOを減算することで、本画像データDに含まれるリーク合計値Qによるオフセット分Oqと、オフセットデータOに含まれるリーク合計値Qdによるオフセット分Oqが相殺され、真の画像データDに段差が生じない状態とすることが可能となる。 Therefore, by subtracting the offset data O from the main image data D, the offset amount Oq based on the leak total value Q included in the main image data D and the offset amount Oq based on the total leak value Qd included in the offset data O are canceled out. Thus, it is possible to make the true image data D * in a state where no step is generated.

なお、前述したように、上記の検出方法1では、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理とを交互に行うように構成した場合(図12参照)、リークデータdleakの読み出し処理を行う分だけ、通常の各放射線検出素子7のリセット処理の場合(図15参照)よりも、ある走査線5にオン電圧を印加してから次の走査線5にオン電圧を印加するまでの周期τが長周期になる。   As described above, in the detection method 1 described above, when the readout process of the leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 are alternately performed (see FIG. 12), the readout of the leak data dleak is performed. Compared with the normal reset processing of each radiation detection element 7 (see FIG. 15), the on-voltage is applied to a certain scanning line 5 until the on-voltage is applied to the next scanning line 5 by the amount of processing. The period τ becomes a long period.

このように構成した場合に、いま仮に、例えば、本画像データDの読み出し処理後に、上記のように通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を行わないように構成するだけでなく、さらに図19に示したようなリークデータdleakの読み出し処理および各放射線検出素子7のリセット処理をも行わないように構成し、本画像データDの読み出し処理後にただちに電荷蓄積状態に移行するように構成する場合を考える。   In the case of such a configuration, it is assumed that, for example, after the read processing of the main image data D, the normal reset processing (see FIG. 15) of each radiation detection element 7 is not performed as described above. Further, it is configured not to perform the reading process of the leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 as shown in FIG. 19, so that the state immediately shifts to the charge accumulation state after the reading process of the main image data D. Consider the case where

この場合、本画像データDの読み出し処理の際には、上記のように長周期のリセット処理を行った後、電荷蓄積状態を経て本画像データDの読み出し処理が行われる。一方、オフセットデータOの読み出し処理では、上記の長周期のリセット処理に比べて短周期で行われる本画像データDを行った後、電荷蓄積状態を経てオフセットデータOの読み出し処理が行われるようになる。そのため、各走査線5ごとに、前述した実効蓄積時間Tacが、本画像データDの読み出し時とオフセットデータOの読み出し時で異なる時間になる。   In this case, in the reading process of the main image data D, the long-cycle reset process is performed as described above, and then the reading process of the main image data D is performed through the charge accumulation state. On the other hand, in the offset data O reading process, after the main image data D, which is performed in a shorter period than the above-described long period reset process, is performed, the offset data O is read out through the charge accumulation state. Become. Therefore, the effective accumulation time Tac described above is different for each scanning line 5 when reading the main image data D and when reading the offset data O.

すると、上記の[原因1−1]で説明したように、本画像データDに重畳される暗電荷によるオフセット分Odと、オフセットデータO中に含まれる暗電荷によるオフセット分とが異なる値になってしまい、本画像データDからオフセットデータOを減算しても、それらのオフセット分が相殺されなくなる。   Then, as described in [Cause 1-1] above, the offset Od due to the dark charge superimposed on the main image data D and the offset due to the dark charge included in the offset data O have different values. Therefore, even if the offset data O is subtracted from the main image data D, the offset is not canceled out.

そのため、上記の[構成2−1]のように構成する場合も、本画像データDの読み出し処理の後、オフセットデータOの読み出し処理を行う前に、図19に示したように、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理を交互に少なくとも1フレーム分(すなわち各走査線5について少なくとも1回)行うように構成される。   Therefore, in the case of the configuration as described in [Configuration 2-1], as shown in FIG. 19, the leak data dleak is performed after the main image data D read processing and before the offset data O read processing. Read processing and reset processing of each radiation detection element 7 are alternately performed for at least one frame (that is, at least once for each scanning line 5).

このように構成すれば、本画像データDの読み出し処理においても、オフセットデータOの読み出し処理においても、いずれも、電荷蓄積状態の前に、リークデータdleakの読み出し処理とともに長周期の各放射線検出素子7のリセット処理が行われる状態になり、各走査線5ごとに、前述した実効蓄積時間Tacを、本画像データDの読み出し時とオフセットデータOの読み出し時とで同じ時間にすることが可能となる。   With this configuration, in both the reading process of the main image data D and the reading process of the offset data O, each radiation detection element having a long period is combined with the reading process of the leak data dleak before the charge accumulation state. 7 is performed, and the effective accumulation time Tac described above can be set to the same time for reading the main image data D and for reading the offset data O for each scanning line 5. Become.

[構成2−1における変形例]
なお、上記の[原因1−2]における前提となる現象、すなわち、放射線画像撮影装置1において、各放射線検出素子7のリセット処理が行われる際の各信号線6の電位Vが、リークデータdleakの読み出し処理等が行われる際の各信号線6の電位Vとは異なる電位になるといった現象が生じない場合には、上記の[構成1における変形例]の場合と同じ理由で、[構成1における変形例]の場合と同じように構成を変形することが可能である。
[Modification of Configuration 2-1]
Note that the phenomenon that is the premise in [Cause 1-2] described above, that is, the potential V of each signal line 6 when the reset processing of each radiation detection element 7 is performed in the radiographic imaging apparatus 1 is the leak data dleak. If the phenomenon that the potential V is different from the potential V of each signal line 6 at the time of performing the reading process or the like is performed, for the same reason as in [Modification in Configuration 1], [Configuration 1 It is possible to modify the configuration in the same manner as in the case of the modification in

すなわち、上記の[構成2−1]の下で、本画像データDの読み出し処理後にリークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理を交互に行う代わりに、それと同じ周期τで各放射線検出素子7のリセット処理のみを行うように構成することが可能である。   That is, under the above [Configuration 2-1], instead of alternately performing the reading process of the leak data dleak and the resetting process of the radiation detection elements 7 after the reading process of the main image data D, It is possible to configure so that only the reset process of the radiation detection element 7 is performed.

また、本画像データDの読み出し処理では、上記のように、各放射線検出素子7内に読み残し分が残存するが、上記の[構成2−1]ではリークデータdleakの読み出し処理と交互に行われる各放射線検出素子7のリセット処理で、また、上記の[変形例]では各放射線検出素子7のリセット処理で、それぞれ各放射線検出素子7内から読み残し分がほとんど除去される。   Further, in the reading process of the main image data D, the unread portion remains in each radiation detection element 7 as described above. However, in the above [Configuration 2-1], the reading process of the leak data dleak is performed alternately. In the above-described [Modification], most of the unread portions are removed from each radiation detection element 7 by the reset process of each radiation detection element 7.

そのため、上記のように、リークデータdleakの読み出し処理を伴わない通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を行わないように構成しても、本画像データDの読み残し分による悪影響は発生しないことが分かっている。   Therefore, as described above, even if it is configured not to perform the normal reset process (see FIG. 15) of each radiation detection element 7 without the read process of the leak data dleak, it depends on the unread portion of the main image data D. It has been found that no adverse effects occur.

[構成2−2]
一方、前述した目的を達成するためのもう1つの構成としては、例えば、本画像データDの読み出し処理の後、オフセットデータOの読み出し処理(図19参照)を行う前に、リークデータdleakの読み出し処理を伴わない通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を行った後、リークデータdleakの読み出し処理および各放射線検出素子7のリセット処理を複数フレーム分(すなわち各走査線5について複数回)行うように構成することが可能である。
[Configuration 2-2]
On the other hand, as another configuration for achieving the above-described object, for example, after the reading process of the main image data D, the reading of the leak data dleak is performed before the reading process of the offset data O (see FIG. 19). After performing the normal reset process (see FIG. 15) of each radiation detection element 7 without processing, the readout process of leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 are performed for a plurality of frames (that is, for each scanning line 5). Multiple times).

図25に示したように、本画像データDの読み出し処理後に、通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を行うと、リーク合計値Qが非常に大きな値になり、その後、リークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理を交互に繰り返すうちに、次第に減衰していくように推移する。   As shown in FIG. 25, when the normal reset processing (see FIG. 15) of each radiation detection element 7 is performed after the reading processing of the main image data D, the leak total value Q becomes a very large value, and thereafter While the reading process of the leak data dleak and the resetting process of each radiation detection element 7 are alternately repeated, the flow gradually decreases.

そのため、本画像データDの読み出し処理の後に通常の各放射線検出素子7のリセット処理(図15参照)を行ってリーク合計値Qが大きな値になっても、リークデータdleakの読み出し処理および各放射線検出素子7のリセット処理を複数フレーム分行えば、リーク合計値Qdは、図24に示した本画像データDの読み出し処理の際のリーク合計値Qと同じように推移する状態に戻る。   Therefore, even if the normal reset process (see FIG. 15) of each radiation detection element 7 is performed after the read process of the main image data D and the leak total value Q becomes a large value, the read process of the leak data dleak and each radiation If the reset process of the detection element 7 is performed for a plurality of frames, the leak total value Qd returns to a state in which the leak total value Qd changes in the same manner as the leak total value Q in the read process of the main image data D shown in FIG.

そのため、上記の[構成2−2]のように構成すれば、各放射線検出素子7ごと(或いは各走査線5ごと)に、オフセットデータOの読み出し処理を行う際のリーク合計値Qdによるオフセット分Oqが、本画像データDの読み出し処理を行う際のリーク合計値Qによるオフセット分Oqとほとんど同じ値になる。   Therefore, when configured as in [Configuration 2-2] above, the offset amount based on the leak total value Qd when the offset data O is read out for each radiation detection element 7 (or each scanning line 5). Oq becomes almost the same value as the offset amount Oq by the leak total value Q when the reading process of the main image data D is performed.

そのため、本画像データDからオフセットデータOを減算することで、本画像データDに含まれるリーク合計値Qによるオフセット分Oqと、オフセットデータOに含まれるリーク合計値Qdによるオフセット分Oqが相殺され、真の画像データDに段差が生じない状態とすることが可能となる。 Therefore, by subtracting the offset data O from the main image data D, the offset amount Oq based on the leak total value Q included in the main image data D and the offset amount Oq based on the total leak value Qd included in the offset data O are canceled out. Thus, it is possible to make the true image data D * in a state where no step is generated.

[構成2−2における変形例]
なお、この[構成2−2]においても、上記の[原因1−2]における前提となる現象が生じない場合には、上記の[構成1における変形例]や[構成2−1における変形例]の場合と同じ理由で、[構成1における変形例]等の場合と同じように構成を変形することが可能である。
[Modification of Configuration 2-2]
In addition, in this [Configuration 2-2], when the phenomenon that is the premise in the above [Cause 1-2] does not occur, the above [Modification in Configuration 1] or [Modification in Configuration 2-1] ] For the same reason as in the case of [], it is possible to modify the configuration in the same manner as in [Modification of Configuration 1].

すなわち、上記の[構成2−2]の下で、本画像データDの読み出し処理後にリークデータdleakの読み出し処理と各放射線検出素子7のリセット処理を交互に行う代わりに、それと同じ周期τで各放射線検出素子7のリセット処理のみを行うように構成することが可能である。   That is, under the above [Configuration 2-2], instead of alternately performing the readout process of the leak data dleak and the reset process of each radiation detection element 7 after the readout process of the main image data D, It is possible to configure so that only the reset process of the radiation detection element 7 is performed.

[検出方法2を採用した場合について]
ここまでは、放射線の照射開始の検出方法として上記の検出方法1を採用した場合について説明した。そして、放射線の照射開始の検出方法として、上記の検出方法2を採用した場合についても、上記の[構成1]や[構成2−1]、[構成2−2]、或いはそれらの変形例と全く同様に構成することが可能である。
[When detection method 2 is used]
Up to this point, the case where the above-described detection method 1 is adopted as the detection method of the start of radiation irradiation has been described. And also as a detection method of the start of radiation irradiation, also when said detection method 2 is employ | adopted, said [configuration 1], [configuration 2-1], [configuration 2-2], or those modifications It is possible to configure exactly the same.

そして、図示を省略するが、オフセットデータOの読み出し処理においては、放射線の照射開始検出前の処理シーケンス(図18参照)と同じ処理シーケンスを繰り返して行われるように構成される。   And although illustration is abbreviate | omitted, in the read-out process of offset data O, it is comprised so that the same process sequence as the process sequence (refer FIG. 18) before the irradiation start detection may be performed repeatedly.

すなわち、例えば図18に示したようにして本画像データDの読み出し処理を終了した後、放射線の照射開始検出前に行わせた照射開始検出用の画像データdの読み出し処理と同じ周期τで画像データdの読み出し処理を行い、電荷蓄積状態(図18参照)と同じ時間だけ走査駆動手段15から各走査線5にオフ電圧を印加した後、本画像データDの読み出し処理と同じ周期で各放射線検出素子7からのオフセットデータOの読み出し処理を行うように構成される。   That is, for example, after the reading process of the main image data D is completed as shown in FIG. 18, the image is read at the same period τ as the reading process of the image data d for irradiation start detection performed before the detection of radiation irradiation start. Data d is read out, an off voltage is applied from the scanning drive means 15 to each scanning line 5 for the same time as the charge accumulation state (see FIG. 18), and then each radiation is emitted in the same cycle as the read processing of the main image data D. A process for reading the offset data O from the detection element 7 is performed.

また、上記の[原因1−2]における前提となる現象、すなわち、放射線画像撮影装置1において、各放射線検出素子7のリセット処理が行われる際の各信号線6の電位Vが、画像データD、dの読み出し処理等が行われる際の各信号線6の電位Vとは異なる電位になるといった現象が生じない場合には、本画像データDの読み出し処理後に画像データdの読み出し処理を行う代わりに、同じ周期τで各放射線検出素子7のリセット処理を行うように構成することも可能である。   In addition, the phenomenon that is the premise of the above [Cause 1-2], that is, the potential V of each signal line 6 when the reset processing of each radiation detection element 7 is performed in the radiation imaging apparatus 1 is the image data D. In the case where the phenomenon that the potential V is different from the potential V of each signal line 6 when the reading process of d is performed does not occur, the reading process of the image data d is performed instead of the reading process of the main image data D. In addition, it is possible to perform a reset process for each radiation detection element 7 with the same period τ.

以上のように構成すれば、放射線の照射開始の検出方法として上記の検出方法2を採用した場合でも、真の画像データDに段差が生じることを的確に防止することが可能となる。 With the configuration described above, even when the above-described detection method 2 is adopted as a method for detecting the start of radiation irradiation, it is possible to accurately prevent a step from occurring in the true image data D * .

以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、上記の検出方法1や検出方法2を採用して、放射線画像撮影前に、リークデータdleakや照射開始検出用の画像データdを読み出し、それに基づいて放射線の照射が開始されたことを検出するため、放射線画像撮影装置1自体で放射線が照射されたことを的確に検出することが可能となる。   As described above, according to the radiographic image capturing apparatus 1 according to the present embodiment, the detection method 1 and the detection method 2 described above are employed, and before the radiographic image is captured, leak data dleak and image data for detecting the start of irradiation are obtained. Since d is read and the start of radiation irradiation is detected based on it, it is possible to accurately detect that the radiation image capturing apparatus 1 itself has irradiated the radiation.

また、本画像データD中に含まれる暗電荷によるオフセット分Odやリーク合計値Qによるオフセット分Oqと、オフセットデータO中に含まれる暗電荷によるオフセット分Odやリーク合計値Qによるオフセット分Oqとを、各放射線検出素子7ごとに、それぞれ同じ値とすることが可能となる。   Further, the offset amount Od due to the dark charge contained in the main image data D and the offset amount Oq due to the leak total value Q, and the offset amount Od due to the dark charge contained in the offset data O and the offset amount Oq due to the leak total value Q Can be set to the same value for each radiation detection element 7.

そのため、本画像データDからオフセットデータOを減算することにより、暗電荷によるオフセット分Od同士やリーク合計値Qによるオフセット分Oq同士がそれぞれ的確に相殺されるようになり、本画像データDに重畳されているオフセット分とオフセットデータOとが的確に相殺される。   Therefore, by subtracting the offset data O from the main image data D, the offset amount Od due to the dark charge and the offset amount Oq due to the leak total value Q can be accurately canceled and superimposed on the main image data D. The offset amount being offset and the offset data O are accurately offset.

そのため、本画像データDからオフセットデータOを減算することにより各放射線検出素子7ごとに算出される真の画像データDに段差(図28参照)が生じることを的確に防止することが可能となる。そして、放射線画像撮影装置1で撮影した放射線画像を医療における診断用等に用いるような場合に、放射線画像中にスジが現れたり、スジと患者の病変部とが放射線画像上で重なって病変部を見落とす等の問題が生じることを的確に防止することが可能となる。 Therefore, by subtracting the offset data O from the main image data D, it is possible to accurately prevent a step (see FIG. 28) from occurring in the true image data D * calculated for each radiation detection element 7. Become. And when using the radiographic image image | photographed with the radiographic imaging apparatus 1 for the medical diagnosis etc., a streak appears in a radiographic image, or a streak and a lesion part of a patient overlap on a radiographic image, and a lesion part It is possible to accurately prevent problems such as oversight.

なお、本発明が上記の実施形態に限定されず、適宜変更可能であることは言うまでもない。   Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be changed as appropriate.

1 放射線画像撮影装置
5 走査線
6 信号線
7 放射線検出素子
8 TFT(スイッチ手段)
15 走査駆動手段
17 読み出し回路
22 制御手段
D 本画像としての画像データ
d 照射開始検出用の画像データ
dleak リークデータ
dleak_th 閾値
dth 閾値
O オフセットデータ
P 検出部
q 電荷
r 小領域
τ 周期
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Radiographic imaging device 5 Scanning line 6 Signal line 7 Radiation detection element 8 TFT (switch means)
15 Scanning drive means 17 Reading circuit 22 Control means D Image data d as main image Image data for detection of irradiation start leak data leak_th threshold dth threshold O offset data P detector q charge r small region τ period

Claims (10)

互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
前記各走査線にオン電圧またはオフ電圧を印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加して前記各スイッチ手段をオフ状態とした状態で前記各スイッチ手段を介して前記各放射線検出素子からリークした前記電荷をリークデータに変換するリークデータの読み出し処理と、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して行う前記各放射線検出素子のリセット処理とを交互に行わせ、
読み出した前記リークデータが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加して放射線の照射により発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させる電荷蓄積状態に移行した後、前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせるとともに、
前記画像データの読み出し処理後、放射線の照射開始検出前に行わせた前記リークデータの読み出し処理および前記各放射線検出素子のリセット処理と同じ周期で前記リークデータの読み出し処理と前記各放射線検出素子のリセット処理とを交互に行わせ、前記電荷蓄積状態と同じ時間だけ前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加した後、前記画像データの読み出し処理と同じ周期で前記各放射線検出素子からのオフセットデータの読み出し処理を行わせることを特徴とする放射線画像撮影装置。
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other, and a plurality of radiation detection elements arranged in a two-dimensional manner in each small region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines A detection unit comprising:
Scan driving means for applying an on voltage or an off voltage to each of the scanning lines;
Switch means connected to each of the scanning lines and causing the signal lines to discharge charges accumulated in the radiation detection element when an on-voltage is applied;
A readout circuit that converts the electric charge emitted from the radiation detection element into image data and reads the image data;
Control means for controlling at least the scanning drive means and the readout circuit to perform readout processing of the image data from the radiation detection element;
With
The control means includes
The charge leaked from each radiation detection element via each switch means in a state where an off voltage is applied to each scan line from the scan driving means to turn off each switch means before radiographic image capturing. Alternately performing leak data read processing for converting the data into leak data and reset processing of the radiation detection elements performed by sequentially applying an ON voltage to the scan lines from the scan driving unit,
When it is detected that radiation irradiation has started when the read leak data exceeds a threshold value, an off voltage is applied to each scanning line from the scanning drive means to generate charges generated by radiation irradiation. After shifting to a charge accumulation state to be accumulated in the radiation detection element, the image data is read from each radiation detection element, and
After the image data read processing, the leak data read processing and the radiation detection element of each of the radiation detection elements are performed in the same cycle as the leak data read processing and the reset processing of each radiation detection element performed before the start of radiation irradiation detection. The reset process is alternately performed, and after applying an off voltage to the scan lines from the scan driving unit for the same time as the charge accumulation state, the radiation detection elements are applied at the same cycle as the image data read process. A radiographic imaging apparatus characterized by causing the offset data to be read out.
前記制御手段は、前記画像データの読み出し処理後、前記リークデータの読み出し処理を伴わない前記各放射線検出素子のリセット処理を行わずに、前記リークデータの読み出し処理と交互に行う前記各放射線検出素子のリセット処理を前記各走査線について少なくとも1回行わせるようにして前記リークデータの読み出し処理と前記各放射線検出素子のリセット処理とを交互に行わせることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像撮影装置。   Each of the radiation detection elements that is alternately performed with the leak data reading process without performing the reset process of each radiation detection element without the leak data reading process after the image data reading process. 2. The radiation according to claim 1, wherein the reset process is performed at least once for each scanning line, and the readout process of the leak data and the reset process of the radiation detection elements are alternately performed. Image shooting device. 前記制御手段は、前記画像データの読み出し処理後に、前記リークデータの読み出し処理を伴わない前記各放射線検出素子のリセット処理を行った後、前記リークデータの読み出し処理と交互に行う前記各放射線検出素子のリセット処理を前記各走査線について複数回行わせるようにして前記リークデータの読み出し処理と前記各放射線検出素子のリセット処理とを交互に行わせることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像撮影装置。   The control means performs reset processing of the radiation detection elements not accompanied by the leak data read processing after the image data read processing, and then alternately performs the radiation data read processing. The radiographic image according to claim 1, wherein the reset process is performed a plurality of times for each scanning line, and the readout process of the leak data and the reset process of the radiation detection elements are alternately performed. Shooting device. 前記制御手段は、前記画像データの読み出し処理後、
放射線の照射開始検出前に行わせた前記リークデータの読み出し処理および前記各放射線検出素子のリセット処理と同じ周期で前記リークデータの読み出し処理と前記各放射線検出素子のリセット処理とを交互に行わせる代わりに、
前記リークデータの読み出し処理を伴わない前記各放射線検出素子のリセット処理を行わずに、放射線の照射開始検出前に前記リークデータの読み出し処理と交互に行った前記各放射線検出素子のリセット処理と同じ周期で前記各放射線検出素子のリセット処理のみを前記各走査線について少なくとも1回行わせることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像撮影装置。
The control means, after the read processing of the image data,
The leak data read process and the reset process of each radiation detection element are alternately performed at the same cycle as the leak data read process and the reset process of each radiation detection element performed before the start of radiation irradiation detection. instead of,
Same as the reset process of each radiation detection element performed alternately with the readout process of the leak data before detecting the start of radiation irradiation without performing the reset process of each radiation detection element without the readout process of the leak data. The radiographic image capturing apparatus according to claim 1, wherein only the reset process of each radiation detection element is performed at least once for each scanning line in a cycle.
前記制御手段は、前記画像データの読み出し処理後、
放射線の照射開始検出前に行わせた前記リークデータの読み出し処理および前記各放射線検出素子のリセット処理と同じ周期で前記リークデータの読み出し処理と前記各放射線検出素子のリセット処理とを交互に行わせる代わりに、
前記リークデータの読み出し処理を伴わない前記各放射線検出素子のリセット処理を行った後、放射線の照射開始検出前に前記リークデータの読み出し処理と交互に行った前記各放射線検出素子のリセット処理と同じ周期で前記各放射線検出素子のリセット処理のみを前記各走査線について複数回行わせることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像撮影装置。
The control means, after the read processing of the image data,
The leak data read process and the reset process of each radiation detection element are alternately performed at the same cycle as the leak data read process and the reset process of each radiation detection element performed before the start of radiation irradiation detection. instead of,
Same as the reset processing of each radiation detection element that is performed alternately with the readout processing of the leak data after performing the reset processing of each radiation detection element without the readout processing of the leak data and before detecting the start of radiation irradiation The radiographic image capturing apparatus according to claim 1, wherein only the reset process of each radiation detection element is performed a plurality of times for each scanning line in a cycle.
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各小領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とを備える検出部と、
前記各走査線にオン電圧またはオフ電圧を印加する走査駆動手段と、
前記各走査線に接続され、オン電圧が印加されると前記放射線検出素子に蓄積された電荷を前記信号線に放出させるスイッチ手段と、
前記放射線検出素子から放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路と、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
放射線画像撮影前に、前記走査駆動手段から前記各走査線にオン電圧を順次印加して照射開始検出用の前記画像データの読み出し処理を行わせ、
読み出した前記画像データが閾値を越えた時点で放射線の照射が開始されたことを検出すると、前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加して放射線の照射により発生した電荷を前記各放射線検出素子内に蓄積させる電荷蓄積状態に移行した後、前記各放射線検出素子からの本画像としての前記画像データの読み出し処理を行わせるとともに、
前記本画像としての画像データの読み出し処理後、放射線の照射開始検出前に行わせた前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理と同じ周期で前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理を行わせ、前記電荷蓄積状態と同じ時間だけ前記走査駆動手段から前記各走査線にオフ電圧を印加した後、前記本画像としての画像データの読み出し処理と同じ周期で前記各放射線検出素子からのオフセットデータの読み出し処理を行わせることを特徴とする放射線画像撮影装置。
A plurality of scanning lines and a plurality of signal lines arranged so as to intersect with each other, and a plurality of radiation detection elements arranged in a two-dimensional manner in each small region partitioned by the plurality of scanning lines and the plurality of signal lines A detection unit comprising:
Scan driving means for applying an on voltage or an off voltage to each of the scanning lines;
Switch means connected to each of the scanning lines and causing the signal lines to discharge charges accumulated in the radiation detection element when an on-voltage is applied;
A readout circuit that converts the electric charge emitted from the radiation detection element into image data and reads the image data;
Control means for controlling at least the scanning drive means and the readout circuit to perform readout processing of the image data from the radiation detection element;
With
The control means includes
Prior to radiographic image capturing, an on voltage is sequentially applied to each scanning line from the scanning driving means to perform a reading process of the image data for detection of irradiation start,
When it is detected that radiation irradiation has started when the read image data exceeds a threshold value, an off voltage is applied to each scanning line from the scanning drive means to generate charges generated by radiation irradiation. After shifting to a charge accumulation state to be accumulated in the radiation detection element, the image data as a main image from each radiation detection element is read out, and
After the reading process of the image data as the main image, the reading process of the image data for detecting the start of irradiation is performed at the same cycle as the reading process of the image data for detecting the start of irradiation performed before detecting the start of irradiation of radiation. In addition, after applying an off voltage to the scanning lines from the scanning driving means for the same time as the charge accumulation state, the offset data from the radiation detection elements is in the same cycle as the read processing of the image data as the main image. The radiographic imaging device characterized by performing the read-out process.
前記制御手段は、前記本画像としての画像データの読み出し処理後、前記各放射線検出素子のリセット処理を行わずに、放射線の照射開始検出前に行わせた前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理と同じ周期で前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理を前記各走査線について少なくとも1回行わせることを特徴とする請求項6に記載の放射線画像撮影装置。   The control means reads the image data for detecting the start of irradiation performed before detecting the start of radiation irradiation without performing the reset process of each radiation detection element after the process of reading the image data as the main image. The radiographic image capturing apparatus according to claim 6, wherein reading processing of the image data for detecting the start of irradiation is performed at least once for each scanning line at the same cycle as the processing. 前記制御手段は、前記本画像としての画像データの読み出し処理後に、前記各放射線検出素子のリセット処理を行った後、放射線の照射開始検出前に行わせた前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理と同じ周期で前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理を前記各走査線について複数回行わせることを特徴とする請求項6に記載の放射線画像撮影装置。   The control means reads out the image data for detecting the start of irradiation after performing the reset processing of each radiation detection element after the read processing of the image data as the main image and before detecting the start of radiation irradiation. The radiographic image capturing apparatus according to claim 6, wherein a reading process of the image data for detecting the start of irradiation is performed a plurality of times for each scanning line at the same cycle as the process. 前記制御手段は、前記本画像としての画像データの読み出し処理後、
放射線の照射開始検出前に行わせた前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理と同じ周期で前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理を行わせる代わりに、
放射線の照射開始検出前に行わせた前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理と同じ周期で前記各放射線検出素子のリセット処理を前記各走査線について少なくとも1回行わせることを特徴とする請求項6に記載の放射線画像撮影装置。
The control means, after the read processing of the image data as the main image,
Instead of letting the image data for reading start detection be read out in the same cycle as the process for reading out image data for detecting the start of irradiation performed before detecting the start of irradiation of radiation,
The reset processing of each radiation detection element is performed at least once for each scanning line in the same cycle as the reading processing of the image data for detection of irradiation start performed before the start of radiation irradiation detection. Item 7. The radiographic image capturing device according to Item 6.
前記制御手段は、前記本画像としての画像データの読み出し処理後、
放射線の照射開始検出前に行わせた前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理と同じ周期で前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理を行わせる代わりに、
前記各放射線検出素子のリセット処理を行った後、さらに、放射線の照射開始検出前に行わせた前記照射開始検出用の画像データの読み出し処理と同じ周期で前記各放射線検出素子のリセット処理を前記各走査線について複数回行わせることを特徴とする請求項6に記載の放射線画像撮影装置。
The control means, after the read processing of the image data as the main image,
Instead of letting the image data for reading start detection be read out in the same cycle as the process for reading out image data for detecting the start of irradiation performed before detecting the start of irradiation of radiation,
After the reset process of each radiation detection element, the reset process of each radiation detection element is further performed in the same cycle as the reading process of the image data for detection of irradiation start performed before the start of radiation irradiation detection. The radiographic image capturing apparatus according to claim 6, wherein the scanning is performed a plurality of times for each scanning line.
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