JP5711958B2 - Pattern formation method - Google Patents

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本発明は、1つまたは複数種の化学増幅型ポジ型レジスト組成物を用いてポジ型レジストパターンを形成した後、その上にパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜を形成し、有機溶剤現像を行うことにより、前記パターン反転用膜に、前記ポジ型レジストパターンのイメージが反転したパターンを形成するパターン形成方法に関する。   In the present invention, after forming a positive resist pattern using one or more kinds of chemically amplified positive resist compositions, a pattern reversal composition is applied thereon to form a pattern reversal film, The present invention relates to a pattern forming method for forming a pattern in which an image of the positive resist pattern is reversed on the pattern reversal film by performing organic solvent development.

支持体の上に微細なパターンを形成し、これをマスクとしてエッチングを行うことによって該パターンの下層を加工する技術(パターン形成技術)は、半導体分野においてICデバイスの作製等に広く採用され、大きな注目を浴びている。
微細なパターンは、通常、有機材料からなり、例えばリソグラフィー法やナノインプリント法等の技術によって形成される。たとえばリソグラフィー法においては、基板等の支持体上に、レジスト材料からなるレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。そして、上記レジストパターンをマスクとして、基板をエッチングにより加工する工程を経て半導体素子等が製造される。露光した部分の現像液に対する溶解性が増大するレジスト材料をポジ型、露光した部分の現像液に対する溶解性が低下するレジスト材料をネガ型という。
近年、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。レジストパターンの微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーや、ArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されており、たとえばArFエキシマレーザーを用いたリソグラフィーにより、45nmレベルの解像性でのパターン形成が可能となっている。また、解像性の更なる向上のために、これらエキシマレーザーより短波長のFエキシマレーザー、電子線、EUV(極紫外線)やX線などについても検討が行われている。
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。このような要求を満たすレジスト材料として、露光により酸を発生する酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。化学増幅型レジスト組成物には、一般的に、前記酸発生剤とともに、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分が配合されている。たとえばポジ型の化学増幅型レジストの基材成分としては、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するものが用いられている(たとえば、特許文献1参照)。
また、化学増幅型レジスト組成物の基材成分としては、主に樹脂が用いられている。
A technique (pattern formation technique) for forming a fine pattern on a support and etching the lower layer of the pattern by using this as a mask has been widely adopted in the manufacture of IC devices in the semiconductor field, Has attracted attention.
The fine pattern is usually made of an organic material, and is formed by a technique such as a lithography method or a nanoimprint method. For example, in a lithography method, a resist film made of a resist material is formed on a support such as a substrate, and the resist film is subjected to selective exposure with radiation such as light or an electron beam, followed by development processing. Thus, a step of forming a resist pattern having a predetermined shape on the resist film is performed. And a semiconductor element etc. are manufactured through the process of processing a board | substrate by an etching using the said resist pattern as a mask. A resist material in which the solubility of the exposed portion in the developer increases is referred to as a positive type, and a resist material in which the solubility of the exposed portion in the developer decreases is referred to as a negative type.
In recent years, pattern miniaturization is rapidly progressing due to the advancement of lithography technology. As a technique for miniaturizing a resist pattern, the exposure light source is generally shortened in wavelength. Specifically, conventionally, ultraviolet rays typified by g-line and i-line have been used, but now mass production of semiconductor elements using KrF excimer laser and ArF excimer laser has been started. Lithography using an ArF excimer laser enables pattern formation with a resolution of 45 nm level. In addition, in order to further improve the resolution, studies have been made on F 2 excimer lasers, electron beams, EUV (extreme ultraviolet rays), X-rays, and the like having shorter wavelengths than these excimer lasers.
Resist materials are required to have lithography characteristics such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing a pattern with fine dimensions. As a resist material that satisfies such requirements, a chemically amplified resist composition containing an acid generator that generates an acid upon exposure is used. In general, the chemically amplified resist composition is mixed with a base material component whose solubility in an alkaline developer is changed by the action of an acid, together with the acid generator. For example, as a base material component of a positive chemically amplified resist, a material whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid is used (for example, see Patent Document 1).
Resin is mainly used as a base material component of the chemically amplified resist composition.

解像性の更なる向上のための手法の1つとして、露光機の対物レンズと試料との間に、空気よりも高屈折率の液体(液浸媒体)を介在させて露光(浸漬露光)を行うリソグラフィー法、所謂、液浸リソグラフィー(Liquid Immersion Lithography。以下、液浸露光ということがある。)が知られている(たとえば、非特許文献1参照)。
液浸露光によれば、同じ露光波長の光源を用いても、より短波長の光源を用いた場合や高NAレンズを用いた場合と同様の高解像性を達成でき、しかも焦点深度幅の低下もないといわれている。また、液浸露光は、既存の露光装置を応用して行うことができる。そのため、液浸露光は、低コストで、高解像性で、かつ焦点深度幅にも優れるレジストパターンの形成を実現できると予想され、多額な設備投資を必要とする半導体素子の製造において、コスト的にも、解像度等のリソグラフィー特性的にも、半導体産業に多大な効果を与えるものとして大変注目されている。
液浸露光は、あらゆるパターン形状の形成において有効であり、更に、現在検討されている位相シフト法、変形照明法などの超解像技術と組み合わせることも可能であるとされている。現在、液浸露光技術としては、主に、ArFエキシマレーザーを光源とする技術が活発に研究されている。また、現在、液浸媒体としては、主に水が検討されている。
As one of the methods for further improving the resolution, exposure (immersion exposure) is performed by interposing a liquid (immersion medium) having a higher refractive index than air between the objective lens of the exposure machine and the sample. A so-called immersion lithography (hereinafter referred to as “immersion exposure”) is known (for example, see Non-Patent Document 1).
According to immersion exposure, even when a light source having the same exposure wavelength is used, the same high resolution as when using a light source with a shorter wavelength or using a high NA lens can be achieved, and the depth of focus can be reduced. It is said that there is no decline. In addition, immersion exposure can be performed by applying an existing exposure apparatus. For this reason, immersion exposure is expected to be able to form resist patterns with low cost, high resolution, and excellent depth of focus. In particular, in terms of lithography characteristics such as resolution, the semiconductor industry is attracting a great deal of attention.
Immersion exposure is effective in forming all pattern shapes, and can be combined with super-resolution techniques such as the phase shift method and the modified illumination method that are currently being studied. Currently, as an immersion exposure technique, a technique mainly using an ArF excimer laser as a light source is being actively researched. Currently, water is mainly studied as an immersion medium.

最近提案されているリソグラフィー技術の1つとして、パターニングを2回以上行ってレジストパターンを形成するダブルパターニングプロセスがある(たとえば、非特許文献2〜3参照)。
ダブルパターニングプロセスにはいくつか種類があり、たとえば、(1)リソグラフィー工程(レジスト組成物の塗布から露光、現像まで)およびエッチング工程を2回以上繰り返してパターンを形成する方法、(2)リソグラフィー工程を続けて2回以上繰り返す方法等がある。
(1)の方法によるパターンの形成は、たとえば以下の手順で実施される。まず、基板と下層膜とハードマスクとが積層された積層体を用意する。次に、ハードマスク上にレジスト膜を設け、該レジスト膜を、フォトマスクを介して選択的に露光し、現像することにより、所定のサイズのレジストパターンが複数、所定の位置に配置された第一のレジストパターンを形成する。次に、該第一のレジストパターンをマスクとしてハードマスクのエッチングを行った後、残った第一のレジストパターンを除去する。これにより、第一のレジストパターンが転写されたハードマスクが得られる。次に、該ハードマスク上にレジスト組成物を塗布することにより、ハードマスク内の間隙を充填するレジスト膜を形成する。そして、該レジスト膜を、パターン配置の異なるフォトマスクを介して選択的に露光し、現像して第二のレジストパターンを形成する。次に、該第二のレジストパターンをマスクとしてハードマスクのエッチングを行った後、残った第二のレジストパターンを除去する。これにより、第一のレジストパターンおよび第二のレジストパターンが転写されたハードマスクが得られる。このハードマスクをマスクとしてエッチングを行うことにより、下層膜にハードマスクのパターンが転写され、結果、使用したフォトマスクよりも狭ピッチのパターンが形成される。
(2)の方法では、たとえば、支持体上に第一のレジスト膜を形成し、該第一のレジスト膜をパターニングすることにより複数のレジストパターン(第一のレジストパターン)を形成した後、その上に第二のレジスト材料を塗布して前記複数のレジストパターン間の間隙を充填する第二のレジスト膜を形成し、該第二のレジスト膜をパターニングする。
これらのダブルパターニングプロセスによれば、同じ露光波長の光源を用いても、また、同じレジスト組成物を用いても、1回のリソグラフィー工程で形成する場合(シングルパターニング)よりも高解像性のレジストパターンを形成することが可能である。また、ダブルパターニングプロセスは、既存の露光装置を用いて行うことができる。
One recently proposed lithography technique is a double patterning process in which a resist pattern is formed by performing patterning twice or more (see, for example, Non-Patent Documents 2 to 3).
There are several types of double patterning processes. For example, (1) a method of forming a pattern by repeating a lithography step (from application of a resist composition to exposure and development) and an etching step twice or more, and (2) a lithography step There is a method of repeating the above twice or more.
Formation of the pattern by the method (1) is performed, for example, according to the following procedure. First, a laminate in which a substrate, an underlayer film, and a hard mask are laminated is prepared. Next, a resist film is provided on the hard mask, and the resist film is selectively exposed through a photomask and developed, whereby a plurality of resist patterns of a predetermined size are arranged at predetermined positions. One resist pattern is formed. Next, after etching the hard mask using the first resist pattern as a mask, the remaining first resist pattern is removed. Thereby, a hard mask to which the first resist pattern is transferred is obtained. Next, a resist composition is applied on the hard mask to form a resist film that fills the gaps in the hard mask. Then, the resist film is selectively exposed through a photomask having a different pattern arrangement and developed to form a second resist pattern. Next, after etching the hard mask using the second resist pattern as a mask, the remaining second resist pattern is removed. Thereby, a hard mask to which the first resist pattern and the second resist pattern are transferred is obtained. By performing etching using this hard mask as a mask, the pattern of the hard mask is transferred to the lower layer film, and as a result, a pattern having a narrower pitch than the photomask used is formed.
In the method (2), for example, a first resist film is formed on a support, and a plurality of resist patterns (first resist patterns) are formed by patterning the first resist film. A second resist material is applied thereon to form a second resist film that fills the gaps between the plurality of resist patterns, and the second resist film is patterned.
According to these double patterning processes, even if a light source having the same exposure wavelength is used or the same resist composition is used, the resolution is higher than that in the case of forming in one lithography process (single patterning). It is possible to form a resist pattern. The double patterning process can be performed using an existing exposure apparatus.

また、最近提案されているリソグラフィー技術として、酸によって脱離する酸不安定基を持つ構造を有する繰り返し単位を有し、上記酸不安定基の脱離によってアルカリ現像液に可溶になる樹脂と、高エネルギー線の露光により酸を発生する光酸発生剤又は光酸発生剤と加熱により酸を発生する熱酸発生剤と、有機溶剤とを含有する化学増幅ポジ型レジスト膜形成用組成物を用いてポジ型パターンを得る工程、該工程で得られたポジ型パターンを露光もしくは加熱して酸あるいは熱により、該ポジ型パターン中の上記樹脂の酸不安定基を脱離させてアルカリ溶解性を向上させ、かつ該樹脂にアルカリ性ウェットエッチング液に対する溶解性を失わない範囲で架橋を形成させて、上記ポジ型パターンに反転用膜形成用組成物に使用される有機溶剤に対する耐性を与える工程、反転用膜形成用組成物を用いて反転用膜を形成する工程、上記架橋が形成されたポジ型パターンをアルカリ性ウェットエッチング液で溶解除去する工程を含む、ポジネガ反転を用いたパターン形成方法、が提案されている(特許文献2参照)。   Further, as a recently proposed lithography technique, there is a resin having a repeating unit having a structure having an acid labile group that is eliminated by an acid, and being soluble in an alkali developer by the elimination of the acid labile group. A composition for forming a chemically amplified positive resist film, comprising a photoacid generator that generates an acid upon exposure to high energy rays, a thermal acid generator that generates an acid upon heating, and an organic solvent. A step of obtaining a positive type pattern, exposing or heating the positive type pattern obtained in the step and removing the acid labile group of the resin in the positive type pattern by acid or heat to dissolve the alkali And by forming a crosslink in the resin in such a range that the solubility in an alkaline wet etching solution is not lost, the organic solution used in the composition for forming a film for reversal in the positive pattern is formed. Using positive / negative reversal, including a step of imparting resistance to the above, a step of forming a reversal film using a composition for forming a reversal film, and a step of dissolving and removing the above-mentioned cross-linked positive pattern with an alkaline wet etching solution A pattern forming method has been proposed (see Patent Document 2).

特開2003−241385号公報JP 2003-241385 A 特開2009−211036号公報JP 2009-211036 A

プロシーディングスオブエスピーアイイ(Proceedings of SPIE),第5754巻,第119−128頁(2005年).Proceedings of SPIE, 5754, 119-128 (2005). プロシーディングスオブエスピーアイイ(Proceedings of SPIE),第5256巻,第985〜994頁(2003年).Proceedings of SPIE, 5256, 985-994 (2003). プロシーディングスオブエスピーアイイ(Proceedings of SPIE),第6153巻,第615301−1〜19頁(2006年).Proceedings of SPIE, 6153, 615301-1-19 (2006).

レジスト膜にスペースパターンやホールパターンを形成する場合、ラインパターンやドットパターンを形成する場合に比べて、弱い光入射強度下でのパターン形成を強いられ、露光部および未露光部にそれぞれ入射する光の強度のコントラストも小さい。そのため、レジストパターン形成における解像力やリソグラフィーマージン(たとえば露光量に対する余裕度(ELマージン)、焦点深度に対する余裕度(DOFマージン)、パターン形状の垂直性等といったパターン形成能に制限が生じやすく、高解像のレジストパターンを形成することが難しい傾向がある。
高解像のレジストパターンを形成できる技術として、上述のようなダブルパターニングプロセスを用いることも考えられる。しかし、上記のようなダブルパターニングプロセスのうち、(1)の方法は、基板上にパターンを形成するためには、レジスト膜のパターニング(レジスト膜の形成、露光、現像)を少なくとも2回、その下層のハードマスクのエッチングを少なくとも2回行う必要があるなど、工程数の増大や薬液使用量の増大、それらに伴う製造コストの増大が問題となる。
また、(2)の方法は、ラインアンドスペースパターンの形成には適しているものの、孤立スペースパターン(トレンチパターン)やホールパターンの形成には適していない。
When a space pattern or hole pattern is formed on a resist film, light that is forced to form a pattern under a weak light incident intensity compared to the case of forming a line pattern or dot pattern, and is incident on an exposed area and an unexposed area, respectively. The contrast of intensity is small. For this reason, the resolution and lithography margin in resist pattern formation (for example, allowance for exposure dose (EL margin), allowance for depth of focus (DOF margin), pattern shape verticality, etc.) are likely to be limited, and high resolution is achieved. It tends to be difficult to form an image resist pattern.
As a technique capable of forming a high-resolution resist pattern, it is conceivable to use a double patterning process as described above. However, among the double patterning processes as described above, in the method (1), in order to form a pattern on the substrate, the resist film is patterned (resist film formation, exposure, development) at least twice. For example, it is necessary to perform etching of the underlying hard mask at least twice, which increases the number of processes, the amount of chemicals used, and the associated increase in manufacturing costs.
The method (2) is suitable for forming a line and space pattern, but is not suitable for forming an isolated space pattern (trench pattern) or a hole pattern.

また、特許文献2に記載されたパターン形成方法においては、ポジ型パターンを得た後、光酸発生剤から酸を発生させるための露光工程をあらたに設ける必要が生じる。また、熱酸発生剤を用いた場合、ポジ型パターン(第一のレジストパターン)の形成において、露光後加熱により熱酸発生剤から発生する酸の影響でコントラストが弱まり、解像性が低下する、パターンが形成できない等の不具合を生じるおそれがある。
更に、特許文献2は、ポジ型レジストパターンに反転用膜形成用組成物を塗布した後、アルカリ性ウェットエッチング液を用いて現像する方法であるため、前記ポジ型レジストパターン及び前記反転用膜形成用組成物を用いて形成したパターン反転用膜における脱保護エネルギーの違いを利用する必要がある。特に前記ポジ型レジストパターンの脱保護エネルギーが高い場合には、ポジ型レジストパターンの脱保護反応が不十分となるおそれがあり、前記ポジ型レジストパターンを選択的に除去した反転パターンを形成することが困難な場合がある。
Moreover, in the pattern formation method described in Patent Document 2, it is necessary to newly provide an exposure step for generating an acid from a photoacid generator after obtaining a positive pattern. Further, when a thermal acid generator is used, in the formation of a positive pattern (first resist pattern), the contrast is weakened due to the influence of the acid generated from the thermal acid generator by post-exposure heating, and the resolution is lowered. There is a risk of causing problems such as inability to form a pattern.
Further, since Patent Document 2 is a method in which a composition for forming a reversal film is applied to a positive resist pattern and then developed using an alkaline wet etching solution, the positive resist pattern and the reversal film forming process are used. It is necessary to use the difference in deprotection energy in the pattern reversal film formed using the composition. In particular, when the deprotection energy of the positive resist pattern is high, the deprotection reaction of the positive resist pattern may be insufficient, and a reverse pattern in which the positive resist pattern is selectively removed is formed. May be difficult.

そのため、スペースパターン、ホールパターン等のパターンを、できるだけ工程数を減らした簡便な方法で、かつ、高い解像性で形成できる新規な技術が求められる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、微細パターンの形成に有用なパターン形成方法を提供することを課題とする。
Therefore, there is a need for a novel technique that can form a pattern such as a space pattern and a hole pattern with a high resolution with a simple method with as few steps as possible.
This invention is made | formed in view of the said situation, Comprising: It aims at providing the pattern formation method useful for formation of a fine pattern.

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。   In order to solve the above problems, the present invention employs the following configuration.

すなわち、本発明のパターン形成方法は、支持体上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する1つまたは複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターンを形成する工程(1)と、前記ポジ型レジストパターンが形成された前記支持体上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤(S)を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜を形成する工程(2)と、前記パターン反転用膜を、前記ポジ型レジストパターンを溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、前記ポジ型レジストパターンを除去してレジストパターンを形成する工程(3)と、を含むパターン形成方法であって、前記ポジ型レジスト組成物は、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、酸分解性基を有する基材成分(A)とを含有し、前記パターン反転用組成物は、前記有機溶剤(S)に相溶する基材成分(A”)を含有し、かつ前記(A)の酸分解性基を分解する酸性化合物を含まず、前記基材成分(A”)は、極性基として、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、下記一般式(f2−0−1)で表される基、下記一般式(f2−0−2)で表される基、及び下記一般式(f2−0−3)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む構成単位(a”1)を有する樹脂成分を含有し、前記工程(3)の現像時において、前記パターン反転用膜の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、前記ポジ型レジストパターンの前記有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さいことを特徴とする。

Figure 0005711958
[式(f2−0−1)中、Qは2価の連結基又は単結合であり、R はフッ素化アルキル基である。式(f2−0−2)中、Q及びR はいずれも前記と同じである。式(f2−0−3)中、R 51 ,R 52 はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜5の低級アルキル基、フッ素原子、又は炭素数1〜5のフッ素化低級アルキル基であり、m ,n はそれぞれ独立して0〜5の整数(ただし、m +n ≧1)であり、q’は0〜5の整数である。]
That is, the pattern forming method of the present invention includes a step (1) of forming a positive resist pattern on a support with one or a plurality of positive resist compositions whose solubility in an alkaline developer is increased by exposure; A process of forming a pattern reversal film by applying a pattern reversal composition containing an organic solvent (S) that does not dissolve the positive resist pattern on the support on which the positive resist pattern is formed (2) And developing the pattern reversal film using an organic solvent developer that dissolves the positive resist pattern, thereby removing the positive resist pattern and forming a resist pattern (3); a pattern forming method comprising, the positive resist composition, an acid generator component that generates acid on exposure (B), and acid-decomposable group The pattern reversal composition contains a substrate component (A ″) that is compatible with the organic solvent (S), and the acid decomposability of (A). The base component (A ″) does not include an acidic compound that decomposes a group, and the polar component includes a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, a group represented by the following general formula (f2-0-1), Resin having a structural unit (a ″ 1) containing at least one selected from the group consisting of a group represented by the formula (f2-0-2) and a group represented by the following general formula (f2-0-3) And the solubility of the pattern reversal film in the organic solvent developer during development in the step (3) is smaller than the solubility of the positive resist pattern in the organic solvent developer. To do.
Figure 0005711958
[In formula (f2-0-1), Q represents a divalent linking group or a single bond, and R 5 represents a fluorinated alkyl group. In formula (f2-0-2), Q and R 5 are the same as described above. In formula (f2-0-3), R 51 and R 52 each independently represent a hydrogen atom, a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, or a fluorinated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. , M f and n f are each independently an integer of 0 to 5 (where m f + n f ≧ 1), and q ′ is an integer of 0 to 5. ]

本明細書および本特許請求の範囲において、「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
また、「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状および環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「低級アルキル基」は、炭素原子数1〜5のアルキル基である。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「構成単位」とは、高分子化合物(重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
In the present specification and claims, the “alkyl group” includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified.
Further, the “alkylene group” includes linear, branched and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified.
The “lower alkyl group” is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The “halogenated alkyl group” is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
“Aliphatic” is a relative concept with respect to aromatics, and is defined to mean groups, compounds, etc. that do not have aromaticity.
The “structural unit” means a monomer unit (monomer unit) constituting a polymer compound (polymer, copolymer).
“Exposure” is a concept including general irradiation of radiation.

「(メタ)アクリル酸」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸と、α位にメチル基が結合したメタクリル酸の一方あるいは両方を意味する。
「(メタ)アクリル酸エステル」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。
「(メタ)アクリレート」とは、α位に水素原子が結合したアクリレートと、α位にメチル基が結合したメタクリレートの一方あるいは両方を意味する。
“(Meth) acrylic acid” means one or both of acrylic acid having a hydrogen atom bonded to the α-position and methacrylic acid having a methyl group bonded to the α-position.
“(Meth) acrylic acid ester” means one or both of an acrylic acid ester having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylic acid ester having a methyl group bonded to the α-position.
“(Meth) acrylate” means one or both of an acrylate having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylate having a methyl group bonded to the α-position.

本発明によれば、微細パターンの形成に有用なパターン形成方法を提供できる。     ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the pattern formation method useful for formation of a fine pattern can be provided.

本発明におけるレジストパターン形成方法の各工程図である。It is each process figure of the resist pattern formation method in this invention.

≪パターン形成方法≫
本発明のパターン形成方法は、支持体上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する1つまたは複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターンを形成する工程(1)と、前記ポジ型レジストパターンが形成された前記支持体上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤(S)を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜を形成する工程(2)と、前記パターン反転用膜を、前記ポジ型レジストパターンを溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、前記ポジ型レジストパターンを除去してレジストパターンを形成する工程(3)と、を有する。
以下、各工程について図1を用いてより詳細に説明する。
≪Pattern formation method≫
The pattern forming method of the present invention comprises a step (1) of forming a positive resist pattern on a support with one or a plurality of positive resist compositions whose solubility in an alkali developer increases upon exposure; (2) forming a pattern reversal film by applying a pattern reversal composition containing an organic solvent (S) that does not dissolve the positive resist pattern on the support on which a mold resist pattern is formed; And (3) forming the resist pattern by developing the pattern reversal film using an organic solvent developer that dissolves the positive resist pattern to remove the positive resist pattern. .
Hereinafter, each step will be described in more detail with reference to FIG.

[工程(1)]
まず、支持体1上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する1つまたは複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン2を形成する。
支持体1としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体1としては、上述のような基板上に、無機系および/または有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)や多層レジスト法における下層膜が挙げられる。特に、有機膜が設けられていると、基板上に、高アスペクト比のパターンを形成でき、半導体の製造等において有用であることから好ましい。
ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜(下層膜)と、少なくとも一層のレジスト膜とを設け、上層のレジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。多層レジスト法には、基本的に、上層のレジスト膜と下層膜との二層構造とする方法と、これらのレジスト膜と下層膜との間に一層以上の中間層(金属薄膜等)を設けた三層以上の多層構造とする方法と、に分けられる。多層レジスト法によれば、下層膜により所要の厚みを確保することにより、レジスト膜を薄膜化し、高アスペクト比の微細パターン形成が可能となる。
無機系の膜は、たとえばシリコン系材料などの無機系の反射防止膜組成物を基板上に塗工し、焼成等することにより形成できる。
有機系の膜は、たとえば、当該膜を構成する樹脂成分等を有機溶剤に溶解した有機膜形成用材料を基板にスピンナー等で塗布し、好ましくは200〜300℃、好ましくは30〜300秒間、より好ましくは60〜180秒間の加熱条件でベーク処理することにより形成できる。
[Step (1)]
First, the positive resist pattern 2 is formed on the support 1 by using one or a plurality of positive resist compositions whose solubility in an alkaline developer is increased by exposure.
The support 1 is not particularly limited, and a conventionally known one can be used. For example, a substrate for an electronic component or a substrate on which a predetermined wiring pattern is formed can be exemplified. More specifically, a silicon substrate, a metal substrate such as copper, chromium, iron, and aluminum, a glass substrate, and the like can be given. As a material for the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold or the like can be used.
Further, the support 1 may be a substrate in which an inorganic and / or organic film is provided on the substrate as described above. An inorganic antireflection film (inorganic BARC) is an example of the inorganic film. Examples of the organic film include an organic antireflection film (organic BARC) and a lower layer film in a multilayer resist method. In particular, it is preferable to provide an organic film because a pattern with a high aspect ratio can be formed on the substrate, which is useful in manufacturing semiconductors.
Here, the multilayer resist method is a method in which at least one organic film (lower film) and at least one resist film are provided on a substrate, and the lower layer is patterned using the resist pattern formed on the upper resist film as a mask. It is said that a high aspect ratio pattern can be formed. In the multilayer resist method, basically, a method having a two-layer structure of an upper resist film and a lower film, and one or more intermediate layers (metal thin film, etc.) are provided between the resist film and the lower film. And a method of forming a multilayer structure of three or more layers. According to the multilayer resist method, by securing a required thickness with the lower layer film, the resist film can be thinned and a fine pattern with a high aspect ratio can be formed.
The inorganic film can be formed, for example, by coating an inorganic antireflection film composition such as a silicon-based material on a substrate and baking.
The organic film is formed by, for example, applying an organic film forming material in which a resin component or the like constituting the film is dissolved in an organic solvent to a substrate with a spinner or the like, preferably 200 to 300 ° C., preferably 30 to 300 seconds, More preferably, it can be formed by baking under heating conditions of 60 to 180 seconds.

工程(1)におけるポジ型レジストパターン2は、従来公知の方法により形成でき、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大するポジ型レジスト組成物を支持体上に塗布することにより形成できる。
前記ポジ型レジスト組成物は、特に限定されず、公知の化学増幅型ポジ型レジスト組成物のなかから適宜選択して用いることができる。
ここで、「化学増幅型レジスト組成物」は、露光により酸を発生する酸発生剤成分を必須の成分として含有するものであり、該酸の作用により、当該化学増幅型レジスト組成物全体のアルカリ現像液に対する溶解性が変化する性質を有する。たとえばポジ型の場合、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する。
工程(1)におけるポジ型レジスト組成物は、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、酸分解性基を有する基材成分(A)とを含有することが好ましい。このポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジスト膜に対して露光および露光後ベークを行うと、前記酸発生剤成分(B)から発生する酸の作用により、前記基材成分(A)の酸分解性基が分解する。
The positive resist pattern 2 in the step (1) can be formed by a conventionally known method, and can be formed by applying a positive resist composition whose solubility in an alkali developer increases by exposure on a support.
The positive resist composition is not particularly limited, and can be appropriately selected from known chemical amplification type positive resist compositions.
Here, the “chemically amplified resist composition” contains an acid generator component that generates an acid upon exposure as an essential component, and an alkali of the entire chemically amplified resist composition by the action of the acid. It has the property of changing the solubility in a developer. For example, in the case of a positive type, the solubility in an alkali developer increases.
The positive resist composition in the step (1) preferably contains an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure and a base material component (A) having an acid-decomposable group. When exposure and post-exposure baking are performed on a resist film formed using this positive resist composition, the acid of the base component (A) is produced by the action of the acid generated from the acid generator component (B). Degradable groups are decomposed.

ここで、「酸分解性基」とは、露光により酸発生剤成分(B)から発生する酸の作用により、当該酸分解性基の構造中の少なくとも一部の結合が解裂し得る酸分解性を有する基である。該酸分解性基は、酸の作用により分解し極性基が生じるため極性が増大する
かかる極性基としては、例えばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基(−SOH)等が挙げられる。これらの中でも、構造中に−OHを含有する極性基(以下、OH含有極性基ということがある。)が好ましく、カルボキシ基または水酸基がより好ましい。
酸分解性基としてより具体的には、前記極性基を酸解離性基で保護した基(たとえばOH含有極性基の水素原子を酸解離性基で置換した基)が挙げられる。
「酸解離性基」は、露光により前記酸発生剤成分(B)から発生する酸の作用により、少なくとも酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基である。酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要であり、これにより酸の作用により該酸解離性基が解離し、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。
その結果、基材成分(A)全体の極性が増大する。極性が増大することにより、アルカリ現像プロセスを適用する場合であれば、アルカリ現像液に対する溶解性が相対的に増大する。他方、溶剤現像プロセスを適用する場合であれば、有機溶剤を含有する有機系現像液に対する溶解性が相対的に減少する。
Here, the “acid-decomposable group” is an acid decomposition that can break at least a part of the bond in the structure of the acid-decomposable group by the action of an acid generated from the acid generator component (B) by exposure. It is a group having properties. The acid-decomposable group is decomposed by the action of an acid to generate a polar group, so that the polarity is increased. Examples of the polar group include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, and a sulfo group (—SO 3 H). Among these, a polar group containing —OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as OH-containing polar group) is preferable, and a carboxy group or a hydroxyl group is more preferable.
More specifically, examples of the acid-decomposable group include a group obtained by protecting the polar group with an acid dissociable group (for example, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is substituted with an acid dissociable group).
The “acid-dissociable group” is capable of cleaving at least a bond between an acid-dissociable group and an atom adjacent to the acid-dissociable group by the action of an acid generated from the acid generator component (B) by exposure. It is a group having acid dissociability. The acid-dissociable group constituting the acid-decomposable group must be a group having a lower polarity than a polar group generated by dissociation of the acid-dissociable group. Dissociates, and a polar group having a polarity higher than that of the acid-dissociable group is generated to increase the polarity.
As a result, the polarity of the entire base component (A) increases. By increasing the polarity, the solubility in an alkaline developer is relatively increased if an alkaline development process is applied. On the other hand, if a solvent development process is applied, the solubility in an organic developer containing an organic solvent is relatively reduced.

工程(1)において、この酸分解性基は、分解前は当該基材成分(A)全体をアルカリ現像液に対して難溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、酸発生剤成分(B)から発生した酸の作用により分解する性質を有する基であり、この酸分解性基が分解することで、当該基材成分(A)のアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、該ポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜に対して選択的露光および露光後ベークを行うと、レジスト膜の露光部が、酸発生剤成分(B)から発生した酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する一方で、未露光部はアルカリ現像液に対する溶解性が変化しないため、アルカリ現像により露光部のみが溶解除去され、ポジ型レジストパターン2が形成される。工程(1)におけるポジ型レジストパターン2の形成に用いられるポジ型レジスト組成物について、詳しくは後述する。   In the step (1), this acid-decomposable group has an alkali dissolution inhibiting property that makes the entire base component (A) difficult to dissolve in an alkali developer before decomposition, and the acid generator component (B). The acid-decomposable group is decomposed by the action of the acid generated from the resin, and the decomposition of the acid-decomposable group increases the solubility of the substrate component (A) in the alkaline developer. Therefore, when selective exposure and post-exposure baking are performed on a resist film formed using the positive resist composition, the exposed portion of the resist film acts as an acid generated from the acid generator component (B). As a result, the solubility in an alkali developer increases while the solubility in an unexposed portion does not change in the alkali developer. Therefore, only the exposed portion is dissolved and removed by alkali development, and a positive resist pattern 2 is formed. The positive resist composition used for forming the positive resist pattern 2 in the step (1) will be described in detail later.

ポジ型レジスト組成物の塗布は、スピンナー等を用いる従来公知の方法によって行うことができる。
具体的には、前記ポジ型レジスト組成物を、支持体上にスピンナー等で塗布し、80〜150℃の温度条件下、ベーク処理(プレベーク)を40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施し、有機溶剤を揮発させることにより前記レジスト膜を形成できる。
レジスト膜の厚さは、好ましくは50〜500nm、より好ましくは50〜450nmである。この範囲内とすることにより、レジストパターンを高解像度で形成できる、エッチングに対する充分な耐性が得られる等の効果がある。
The positive resist composition can be applied by a conventionally known method using a spinner or the like.
Specifically, the positive resist composition is applied onto a support with a spinner or the like, and is baked (pre-baked) for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 90 seconds, at a temperature of 80 to 150 ° C. The resist film can be formed by volatilizing the organic solvent.
The thickness of the resist film is preferably 50 to 500 nm, more preferably 50 to 450 nm. By setting it within this range, there are effects that a resist pattern can be formed with high resolution and sufficient resistance to etching can be obtained.

工程(1)におけるパターニングは、従来公知の方法を利用して行うことができ、たとえば、所定のパターンが形成されたマスク(マスクパターン)を介して前記レジスト膜を選択的に露光し、80〜150℃の温度条件下、ベーク処理(PEB(露光後加熱))を40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施し、例えば0.1〜10質量%濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液でアルカリ現像すると、前記レジスト膜の露光部が除去されて前記ポジ型レジストパターン2が形成される。
なお、場合によっては、上記アルカリ現像後にポストベーク工程を含んでもよい。
露光に用いる波長は、特に限定されず、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線などの放射線を用いて行うことができる。
The patterning in the step (1) can be performed by using a conventionally known method. For example, the resist film is selectively exposed through a mask (mask pattern) on which a predetermined pattern is formed. Bake treatment (PEB (post-exposure heating)) is performed for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 90 seconds under a temperature condition of 150 ° C., for example, a tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution having a concentration of 0.1 to 10% by mass When the alkali development is performed, the exposed portion of the resist film is removed, and the positive resist pattern 2 is formed.
In some cases, a post-baking step may be included after the alkali development.
The wavelength used for the exposure is not particularly limited, and includes KrF excimer laser, ArF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. Can be done using radiation.

このとき、前記レジスト膜の選択的露光は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光(ドライ露光)であってもよく、液浸露光で行ってもよい。本発明においては、より微細な反転パターンが形成できるようになるため、液浸露光で行うことが好ましい。
液浸露光では、露光時に、従来は空気や窒素等の不活性ガスで満たされているレンズとウェーハ上のレジスト膜との間の部分を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たした状態で露光を行う。
より具体的には、液浸露光は、上記のようにして得られたレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たし、その状態で、所望のマスクパターンを介して露光(浸漬露光)することによって実施できる。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ当該浸漬露光によって露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつ、レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、CHCl、COCH、COC、C等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70〜180℃のものが好ましく、80〜160℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフロオロアルキル化合物が好ましい。パーフロオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ(2−ブチル−テトラヒドロフラン)(沸点102℃)を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン(沸点174℃)を挙げることができる。
At this time, the selective exposure of the resist film may be normal exposure (dry exposure) performed in an inert gas such as air or nitrogen, or immersion exposure. In the present invention, it is preferable to perform immersion exposure because a finer reversal pattern can be formed.
In immersion exposure, at the time of exposure, a solvent (having a refractive index larger than the refractive index of air) is formed between a lens and a resist film on the wafer, which is conventionally filled with an inert gas such as air or nitrogen. Exposure is performed in a state filled with the immersion medium.
More specifically, the immersion exposure is a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than the refractive index of air between the resist film obtained as described above and the lowermost lens of the exposure apparatus. And in that state, exposure can be performed through a desired mask pattern (immersion exposure).
As the immersion medium, a solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film exposed by the immersion exposure is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.
Examples of the solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicon-based solvent, and a hydrocarbon-based solvent.
Specific examples of the fluorine-based inert liquid include a fluorine-based compound such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as a main component. Examples thereof include liquids, and those having a boiling point of 70 to 180 ° C are preferable, and those having a boiling point of 80 to 160 ° C are more preferable. It is preferable that the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above range since the medium used for immersion can be removed by a simple method after the exposure is completed.
As the fluorine-based inert liquid, a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms is particularly preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.
More specifically, examples of the perfluoroalkyl ether compound include perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point: 102 ° C.). Examples of the perfluoroalkylamine compound include perfluorotributylamine ( Boiling point of 174 ° C.).

前記ポジ型レジストパターン2は、シングルパターンでも、複数のパターンでもよい。複数のパターンを形成する場合には、複数種のポジ型レジスト組成物を用い、アルカリ現像によるダブルパターニングプロセスを行う。または最初のポジ型レジストパターンを形成後、当該パターンをフリージングする工程を設けてもよい。   The positive resist pattern 2 may be a single pattern or a plurality of patterns. In the case of forming a plurality of patterns, a double patterning process by alkali development is performed using a plurality of types of positive resist compositions. Alternatively, after the initial positive resist pattern is formed, a step of freezing the pattern may be provided.

[工程(2)]
次に、前記ポジ型レジストパターン2が形成された前記支持体1上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤(S)を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜6を形成する。
前記パターン反転用組成物は、前記有機溶剤(S)(以下「(S)成分」という。)に相溶する後記基材成分(A”)を含有することが好ましい。更に、工程(3)において有機溶剤現像を行うため、前記ポジ型レジストパターンを脱保護する必要がない。従って、前記パターン反転用組成物は、前記(A)の酸分解性基を分解する酸性化合物を含まないことが好ましい。
また、前記パターン反転用組成物は、組成物(溶液)としての安定性向上の点から酸分解性基を有さないことがより好ましい。
前記パターン反転用組成物が(S)成分を含有することで、パターン反転用組成物を塗布した際の、パターン反転用組成物中の有機溶剤によるポジ型レジストパターン2の溶解を抑制でき、ポジ型レジストパターン2の形状の悪化や消失、ポジ型レジストパターン2とパターン反転用膜6との界面でのミキシングの発生等を防止することができる。
[Step (2)]
Next, a pattern reversal composition 6 containing an organic solvent (S) that does not dissolve the positive resist pattern is applied on the support 1 on which the positive resist pattern 2 is formed, and the pattern reversal film 6 is formed. Form.
The pattern reversal composition preferably contains a base material component (A ″) which is compatible with the organic solvent (S) (hereinafter referred to as “(S) component”). Furthermore, the step (3) Therefore, it is not necessary to deprotect the positive resist pattern because the organic solvent development is carried out in step 1. Therefore, the pattern reversal composition does not contain an acidic compound capable of decomposing the acid-decomposable group (A). preferable.
The pattern reversal composition more preferably does not have an acid-decomposable group from the viewpoint of improving the stability as a composition (solution).
When the pattern reversal composition contains the component (S), dissolution of the positive resist pattern 2 by the organic solvent in the pattern reversal composition when the pattern reversal composition is applied can be suppressed. Deterioration or disappearance of the shape of the mold resist pattern 2, generation of mixing at the interface between the positive resist pattern 2 and the pattern reversal film 6 can be prevented.

ここで、(S)成分における「ポジ型レジストパターンを溶解しない」とは、支持体上にポジ型レジスト組成物を塗布し、乾燥させて、23℃条件下、膜厚0.2μmのレジスト膜を形成し、これを当該有機溶剤に浸漬したときに、60分後においても、当該レジスト膜の消失または膜厚の顕著な変動が生じない(好ましくは、該レジスト膜の膜厚が0.16μm以下とならない。)ことを示す。
(S)成分としては、前記ポジ型レジストパターンを溶解せず、かつ、パターン反転用組成物に配合される成分を溶解し得るものであればよい。なかでも、アルコール系有機溶剤又は水酸基を有さないエーテル系有機溶剤であることが好ましい。そのなかでも、支持体上への塗布性、樹脂成分などのパターン反転用組成物に配合される成分の溶解性の点から、水酸基を有さないエーテル系有機溶剤が好ましい。
また、ポジ型レジスト組成物が含有する有機溶剤(S’) (以下「(S’)成分」という。)がアルコール系有機溶剤である場合には、前記(S)成分は水酸基を有さないエーテル系有機溶剤であることが好ましい。
ここで、「アルコール系有機溶剤」とは、脂肪族炭化水素の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された化合物であって、常温、常圧下で液体である化合物である。前記脂肪族炭化水素を構成する主鎖の構造は、鎖状構造であってもよく、環状構造であってもよく、該鎖状構造中に環状構造を有していてもよく、また、該鎖状構造中にエーテル結合を含むものであってもよい。
「水酸基を有さないエーテル系有機溶剤」とは、その構造中にエーテル結合(C−O−C)を有し、水酸基を有さず、かつ、常温常圧下で液体である化合物である。該水酸基を有さないエーテル系有機溶剤は、さらに、水酸基に加えてカルボニル基も有さないことが好ましい。
Here, “does not dissolve the positive resist pattern” in the component (S) means that a positive resist composition is applied on a support, dried, and dried at 23 ° C. and a film thickness of 0.2 μm. When this is immersed in the organic solvent, even after 60 minutes, the resist film disappears or the film thickness does not change significantly (preferably, the resist film has a thickness of 0.16 μm). Not the following).
The component (S) may be any component that does not dissolve the positive resist pattern and can dissolve the components blended in the pattern reversal composition. Especially, it is preferable that they are an alcohol type organic solvent or an ether type organic solvent which does not have a hydroxyl group. Among these, ether-based organic solvents having no hydroxyl group are preferable from the viewpoint of the coating property on the support and the solubility of the components blended in the pattern reversal composition such as the resin component.
When the organic solvent (S ′) (hereinafter referred to as “(S ′) component”) contained in the positive resist composition is an alcohol organic solvent, the (S) component does not have a hydroxyl group. An ether organic solvent is preferred.
Here, the “alcohol-based organic solvent” is a compound in which at least one of the hydrogen atoms of the aliphatic hydrocarbon is substituted with a hydroxyl group, and is a compound that is liquid at normal temperature and normal pressure. The structure of the main chain constituting the aliphatic hydrocarbon may be a chain structure, may be a cyclic structure, may have a cyclic structure in the chain structure, The chain structure may contain an ether bond.
The “ether-based organic solvent having no hydroxyl group” is a compound that has an ether bond (C—O—C) in its structure, does not have a hydroxyl group, and is liquid at normal temperature and pressure. The ether organic solvent having no hydroxyl group preferably further has no carbonyl group in addition to the hydroxyl group.

アルコール系有機溶剤としては、1価アルコール、2価アルコール、2価アルコールの誘導体等が好ましい。
1価アルコールとしては、炭素数にもよるが、1級または2級の1価アルコールが好ましく、なかでも1級の1価アルコールが最も好ましい。
ここで1価アルコールとは、炭素原子および水素原子のみから構成される炭化水素化合物の水素原子の1つが水酸基で置換された化合物を意味し、2価以上の多価アルコールの誘導体は含まれない。該炭化水素化合物は、鎖状構造のものであってもよく、環状構造を有するものであってもよい。
2価アルコールとは、前記炭化水素化合物の水素原子の2つが水酸基で置換された化合物を意味し、3価以上の多価アルコールの誘導体は含まれない。
2価アルコールの誘導体としては、2価アルコールの水酸基の1つが置換基(アルコキシ基、アルコキシアルキルオキシ基等)で置換された化合物が挙げられる。
As the alcohol organic solvent, monohydric alcohols, dihydric alcohols, derivatives of dihydric alcohols, and the like are preferable.
As the monohydric alcohol, although depending on the number of carbon atoms, a primary or secondary monohydric alcohol is preferable, and a primary monohydric alcohol is most preferable.
Here, the monohydric alcohol means a compound in which one of the hydrogen atoms of a hydrocarbon compound composed only of carbon atoms and hydrogen atoms is substituted with a hydroxyl group, and does not include dihydric or higher polyhydric alcohol derivatives. . The hydrocarbon compound may have a chain structure or a cyclic structure.
The dihydric alcohol means a compound in which two hydrogen atoms of the hydrocarbon compound are substituted with a hydroxyl group, and does not include a trihydric or higher polyhydric alcohol derivative.
Examples of the dihydric alcohol derivative include compounds in which one of the hydroxyl groups of the dihydric alcohol is substituted with a substituent (such as an alkoxy group or an alkoxyalkyloxy group).

アルコール系有機溶剤の沸点(常圧下)は、80〜250℃であることが好ましく、90〜220℃であることがさらに好ましく、100〜200℃であることが塗布性、保存時の組成物の安定性、およびベーク温度の観点から最も好ましい。
かかるアルコール系有機溶剤として具体的には、鎖状構造のものとして、プロピレングリコール(PG);1−ブトキシ−2−プロパノール(PGB)、n−ヘキサノール、2−ヘプタノール、3−ヘプタノール、1−ヘプタノール、5−メチル−1−ヘキサノール、6−メチル−2−ヘプタノール、1−オクタノール、2−オクタノール、3−オクタノール、4−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、2−(2−ブトキシエトキシ)エタノール、n−ペンチルアルコール、s−ペンチルアルコール、t−ペンチルアルコール、イソペンチルアルコール、イソブタノール(イソブチルアルコール又は2−メチル−1−プロパノールとも称する。IBA。)、イソプロピルアルコール、2−エチルブタノール、ネオペンチルアルコール、n−ブタノール、s−ブタノール、t−ブタノール、1−プロパノール、2−メチル−1−ブタノール、2−メチル−2−ブタノール、4−メチル−2−ペンタノール(MIBC)等が挙げられる。
また、環状構造を有するものとして、シクロペンタンメタノール、1−シクロペンチルエタノール、シクロヘキサノール、シクロヘキサンメタノール(CM)、シクロヘキサンエタノール、1,2,3,6−テトラヒドロベンジルアルコール、exo−ノルボルネオール、2−メチルシクロヘキサノール、シクロヘプタノール、3,5−ジメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。
The boiling point (under normal pressure) of the alcohol-based organic solvent is preferably 80 to 250 ° C., more preferably 90 to 220 ° C., and 100 to 200 ° C. Most preferable from the viewpoint of stability and baking temperature.
Specific examples of the alcohol-based organic solvent include propylene glycol (PG); 1-butoxy-2-propanol (PGB), n-hexanol, 2-heptanol, 3-heptanol, and 1-heptanol as those having a chain structure. 5-methyl-1-hexanol, 6-methyl-2-heptanol, 1-octanol, 2-octanol, 3-octanol, 4-octanol, 2-ethyl-1-hexanol, 2- (2-butoxyethoxy) ethanol , N-pentyl alcohol, s-pentyl alcohol, t-pentyl alcohol, isopentyl alcohol, isobutanol (also referred to as isobutyl alcohol or 2-methyl-1-propanol, IBA), isopropyl alcohol, 2-ethylbutanol, neopentyl Alcoa , N- butanol, s- butanol, t-butanol, 1-propanol, 2-methyl-1-butanol, 2-methyl-2-butanol, 4-methyl-2-pentanol (MIBC), and the like.
In addition, as those having a cyclic structure, cyclopentanemethanol, 1-cyclopentylethanol, cyclohexanol, cyclohexanemethanol (CM), cyclohexaneethanol, 1,2,3,6-tetrahydrobenzyl alcohol, exo-norbornol, 2-methyl Examples include cyclohexanol, cycloheptanol, 3,5-dimethylcyclohexanol, and benzyl alcohol.

アルコール系有機溶剤のなかでは、鎖状構造の1価アルコール、または2価アルコールの誘導体が好ましく、1−ブトキシ−2−プロパノール(PGB);イソブタノール(イソブチルアルコール又は2−メチル−1−プロパノールとも称する。IBA。)、4−メチル−2−ペンタノール(MIBC)、n−ブタノールが好ましく、4−メチル−2−ペンタノール(MIBC)が最も好ましい。   Among alcohol-based organic solvents, chain-structured monohydric alcohols or dihydric alcohol derivatives are preferred, such as 1-butoxy-2-propanol (PGB); isobutanol (also known as isobutyl alcohol or 2-methyl-1-propanol). IBA.), 4-methyl-2-pentanol (MIBC) and n-butanol are preferred, and 4-methyl-2-pentanol (MIBC) is most preferred.

水酸基を有さないエーテル系有機溶剤としては、下記一般式(s−1)で表される化合物が好適なものとして挙げられる。
40−O−R41 …(s−1)
[式中、R40、R41はそれぞれ独立して1価の炭化水素基であり、R40とR41とが結合して環を形成していてもよい。−O−はエーテル結合を示す。]
Preferred examples of the ether organic solvent having no hydroxyl group include compounds represented by the following general formula (s-1).
R 40 —O—R 41 (s-1)
[Wherein, R 40 and R 41 each independently represent a monovalent hydrocarbon group, and R 40 and R 41 may combine to form a ring. -O- represents an ether bond. ]

前記式中、R40、R41の炭化水素基としては、たとえばアルキル基、アリール基等が挙げられ、アルキル基が好ましい。なかでも、R40、R41のいずれもアルキル基であることが好ましく、R40とR41とが、同じアルキル基であることがより好ましい。
40、R41の各アルキル基としては、特に制限はなく、たとえば炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。該アルキル基は、その水素原子の一部または全部がハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。
該アルキル基としては、パターン反転用組成物の塗布性が良好なこと等から、炭素数1〜15であることが好ましく、炭素数1〜10であることがより好ましい。具体的には、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基等が挙げられ、n−ブチル基、イソペンチル基が特に好ましい。
前記アルキル基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
40、R41の各アリール基としては、特に制限はなく、たとえば炭素数6〜12のアリール基であって、該アリール基は、その水素原子の一部または全部がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよく、されていなくてもよい。
該アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ベンジル基、ナフチル基等が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることがより好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子であることが好ましい。
また、上記式においては、R40とR41とが結合して環を形成していてもよい。
40およびR41は、それぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基(好ましくは炭素数1〜10のアルキレン基)であって、R40の末端と、R41の末端とが結合して環を形成する。また、アルキレン基の炭素原子は、酸素原子で置換されていてもよい。
かかるエーテル系有機溶剤の具体例としては、たとえば1,8−シネオール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が挙げられる。
In the above formula, examples of the hydrocarbon group for R 40 and R 41 include an alkyl group and an aryl group, and an alkyl group is preferred. Among them, it is preferable that any of R 40, R 41 is an alkyl group, and R 40 and R 41 is more preferably the same alkyl group.
As each of the alkyl groups of R 40, R 41, not particularly limited, for example, straight, branched or cyclic alkyl group, and the like. In the alkyl group, part or all of the hydrogen atoms may or may not be substituted with a halogen atom or the like.
The alkyl group preferably has 1 to 15 carbon atoms, and more preferably 1 to 10 carbon atoms because the coating property of the pattern reversal composition is good. Specific examples include an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, a cyclopentyl group, and a hexyl group, and an n-butyl group and an isopentyl group are particularly preferable. .
The halogen atom that may be substituted for the hydrogen atom of the alkyl group is preferably a fluorine atom.
Each aryl group for R 40 and R 41 is not particularly limited, and is, for example, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, in which part or all of the hydrogen atoms are alkyl groups, alkoxy groups, It may or may not be substituted with a halogen atom or the like.
The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms because it can be synthesized at a low cost. Specifically, a phenyl group, a benzyl group, a naphthyl group, etc. are mentioned, for example.
The alkyl group that may be substituted for the hydrogen atom of the aryl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. Is more preferable.
As the alkoxy group which may substitute the hydrogen atom of the said aryl group, a C1-C5 alkoxy group is preferable and a methoxy group and an ethoxy group are more preferable.
The halogen atom that may be substituted for the hydrogen atom of the aryl group is preferably a fluorine atom.
In the above formula, R 40 and R 41 may combine to form a ring.
R 40 and R 41 are each independently a linear or branched alkylene group (preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms), and the end of R 40 is bonded to the end of R 41. To form a ring. In addition, the carbon atom of the alkylene group may be substituted with an oxygen atom.
Specific examples of the ether organic solvent include 1,8-cineol, tetrahydrofuran, dioxane and the like.

水酸基を有さないエーテル系有機溶剤の沸点(常圧下)は、30〜300℃であることが好ましく、100〜200℃であることがより好ましく、140〜180℃であることがさらに好ましい。該温度範囲の下限値以上であることにより、パターン反転用組成物の塗布時のスピンコート中、(S)成分が蒸発しにくくなって塗布ムラが抑制され、塗布性が向上する。一方、上限値以下であることにより、プレベークによって(S)成分がパターン反転用膜中から充分に除かれ、パターン反転用膜の形成性が向上する。また、該温度範囲であると、パターン反転用膜の膜減り低減効果、保存時の組成物の安定性がより向上する。また、ベーク温度の観点からも好ましい。
水酸基を有さないエーテル系有機溶剤の具体例としては、たとえば1,8−シネオール(沸点176℃)、ジブチルエーテル(沸点142℃)、ジイソペンチルエーテル(沸点171℃;DIAE)、ジオキサン(沸点101℃)、アニソール(沸点155℃)、エチルベンジルエーテル(沸点189℃)、ジフェニルエーテル(沸点259℃)、ジベンジルエーテル(沸点297℃)、フェネトール(沸点170℃)、ブチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン(沸点66℃)、エチルプロピルエーテル(沸点63℃)、ジイソプロピルエーテル(沸点69℃)、ジヘキシルエーテル(沸点226℃)、ジプロピルエーテル(沸点91℃)等が挙げられる。
水酸基を有さないエーテル系有機溶剤としては、パターン反転用膜の膜減り低減効果が良好なことから、環状または鎖状のエーテル系有機溶剤であることが好ましく、なかでも1,8−シネオール、ジブチルエーテルおよびジイソペンチルエーテル(DIAE)からなる群から選択される少なくとも一種が好ましい。
The boiling point (under normal pressure) of the ether-based organic solvent having no hydroxyl group is preferably 30 to 300 ° C, more preferably 100 to 200 ° C, and further preferably 140 to 180 ° C. By being at least the lower limit of the temperature range, the component (S) is less likely to evaporate during spin coating during application of the pattern reversal composition, so that coating unevenness is suppressed and coating properties are improved. On the other hand, by being below the upper limit value, the (S) component is sufficiently removed from the pattern inversion film by pre-baking, and the formability of the pattern inversion film is improved. Further, when the temperature is within this range, the effect of reducing the film thickness of the pattern reversal film and the stability of the composition during storage are further improved. It is also preferable from the viewpoint of baking temperature.
Specific examples of the ether organic solvent having no hydroxyl group include, for example, 1,8-cineol (boiling point 176 ° C.), dibutyl ether (boiling point 142 ° C.), diisopentyl ether (boiling point 171 ° C .; DIAE), dioxane (boiling point). 101 ° C), anisole (boiling point 155 ° C), ethyl benzyl ether (boiling point 189 ° C), diphenyl ether (boiling point 259 ° C), dibenzyl ether (boiling point 297 ° C), phenetole (boiling point 170 ° C), butylphenyl ether, tetrahydrofuran (boiling point) 66 ° C), ethyl propyl ether (boiling point 63 ° C), diisopropyl ether (boiling point 69 ° C), dihexyl ether (boiling point 226 ° C), dipropyl ether (boiling point 91 ° C), and the like.
The ether-based organic solvent having no hydroxyl group is preferably a cyclic or chain-shaped ether-based organic solvent because it has a good effect of reducing film loss of the pattern reversal film, and among these, 1,8-cineole, At least one selected from the group consisting of dibutyl ether and diisopentyl ether (DIAE) is preferred.

パターン反転用組成物に用いられる(S)成分は、1種単独であってもよく、2種以上であってもよい。
また、パターン反転用組成物は、(S)成分を用いることによる効果を損なわない範囲で、(S)成分以外の有機溶剤(以下、(S”)成分という。)を含有してもよい。
(S”)成分としては、パターン反転用組成物に配合される成分を溶解し得るものが好ましい。具体的には、後述するポジ型レジスト組成物の説明で挙げる(S’)成分と同様のものが挙げられる。
(S”)成分の配合量は、パターン反転用組成物に用いられる全有機溶剤中、0〜20質量%が好ましく、1〜15質量%がより好ましい。
パターン反転用組成物に用いられる全有機溶剤の使用量は、特に限定されず、通常、当該パターン反転用組成物が、支持体上に塗布可能な濃度の液体となる量が用いられる。例えば、パターン反転用組成物の固形分濃度が1〜30質量%の範囲内となるように用いられる。
The (S) component used in the pattern reversal composition may be a single type or two or more types.
The pattern reversal composition may contain an organic solvent other than the (S) component (hereinafter referred to as the (S ″) component) as long as the effect of using the (S) component is not impaired.
As the component (S ″), those capable of dissolving the components blended in the pattern reversal composition are preferable. Specifically, the same as the component (S ′) mentioned in the description of the positive resist composition described later. Things.
The compounding amount of the component (S ″) is preferably 0 to 20% by mass and more preferably 1 to 15% by mass in the total organic solvent used in the pattern reversal composition.
The amount of the total organic solvent used in the pattern reversal composition is not particularly limited, and is usually an amount that makes the pattern reversal composition a liquid having a concentration that can be applied onto the support. For example, it is used so that the solid content concentration of the pattern reversal composition is in the range of 1 to 30% by mass.

かかるパターン反転用組成物に配合される(S)成分以外の成分(基材成分(A”)等)の具体例などについて、詳しくは後述する。   Specific examples of components (base component (A ″), etc.) other than the component (S) blended in the pattern reversal composition will be described in detail later.

パターン反転用膜6は、ポジ型レジスト膜2と同様、従来公知の方法によって形成することができる。
具体的には、たとえばポジ型レジストパターン2が形成された支持体1上に、スピンナーを用いる等の従来公知の方法を用いてパターン反転用組成物を塗布し、ベーク処理(プレベーク)を施し、有機溶剤を揮発させることにより、ポジ型レジストパターン2a間の間隙を充填するパターン反転用膜6を形成できる。
そして、工程(3)における有機溶剤現像により、レジストパターン2aが除去され、反転パターンが形成される。
Similar to the positive resist film 2, the pattern reversal film 6 can be formed by a conventionally known method.
Specifically, for example, on the support 1 on which the positive resist pattern 2 is formed, a pattern reversal composition is applied using a conventionally known method such as using a spinner, and a baking process (pre-baking) is performed. By volatilizing the organic solvent, the pattern reversal film 6 filling the gap between the positive resist patterns 2a can be formed.
Then, the resist pattern 2a is removed by organic solvent development in the step (3), and a reverse pattern is formed.

[工程(3)]
次に、前記パターン反転用膜6を、前記ポジ型レジストパターン2を溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、前記ポジ型レジストパターンを除去してレジストパターン(反転パターン)を形成する。
ここで、前記工程(3)の現像時において、工程(1)による(未露光部が残った)ポジ型レジストパターン2には、酸分解性基が残っていることになるため、前記ポジ型レジストパターン2の有機溶剤現像液に対する溶解度は相対的に大きく、前記パターン反転用膜6の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、相対的に小さい。従って、かかる現像により、ポジ型レジストパターン2を選択的に除去し、反転パターンを形成することができる。
仮に工程(3)を有機溶剤現像プロセスでなくアルカリ現像プロセスで行う場合、前記ポジ型レジストパターン2には、アルカリ現像液に対して溶解抑制基として作用する酸分解性基が残存しているため、ポジ型レジストパターン2を除去するためには、再度酸分解性基を分解させ、アルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程が必要になる。この際、前記パターン反転用膜6の方は最終パターンとして残る必要があるため、ポジ型レジストパターン2とパターン反転用膜6における脱保護エネルギーの違いを利用する必要がある。特に前記ポジ型レジストパターン2の脱保護エネルギーが高い場合には、ポジ型レジストパターン2の脱保護反応が不十分となるおそれがあり、前記ポジ型レジストパターン2を選択的に除去した反転パターンを形成することが困難な場合がある。一方、本発明においては、有機溶剤現像を行うため、かかる問題点は生じない。
[Step (3)]
Next, the pattern reversal film 6 is developed using an organic solvent developer that dissolves the positive resist pattern 2, thereby removing the positive resist pattern to form a resist pattern (reversal pattern). .
Here, during the development in the step (3), the acid-decomposable group remains in the positive resist pattern 2 (the unexposed portion remains) in the step (1). The solubility of the resist pattern 2 in the organic solvent developer is relatively large, and the solubility of the pattern reversal film 6 in the organic solvent developer is relatively small. Therefore, by this development, the positive resist pattern 2 can be selectively removed and a reverse pattern can be formed.
If the step (3) is performed in an alkali development process instead of an organic solvent development process, an acid-decomposable group that acts as a dissolution-inhibiting group in the alkaline developer remains in the positive resist pattern 2. In order to remove the positive resist pattern 2, it is necessary to further decompose the acid-decomposable group and increase the solubility in an alkali developer. At this time, since the pattern inversion film 6 needs to remain as a final pattern, it is necessary to use the difference in deprotection energy between the positive resist pattern 2 and the pattern inversion film 6. In particular, when the deprotection energy of the positive resist pattern 2 is high, there is a risk that the deprotection reaction of the positive resist pattern 2 may be insufficient. It may be difficult to form. On the other hand, in the present invention, since organic solvent development is performed, such a problem does not occur.

本発明においては、パターン反転用膜6の膜厚(レジストパターン2a間の間隙を充填している部分の膜厚の最小値)は、パターン反転用膜6の有機溶剤現像液に対する溶解度に合わせて適宜調節すればよい。溶解度が若干高い場合は、パターン反転用膜6の膜厚をレジストパターン2aの高さより厚めにすることが好ましく、溶解度があまり高くない場合は、パターン反転用膜6の膜厚をレジストパターン2aの高さと同じとするか、レジストパターン2aの上面を覆うパターン反転用膜6の厚さが、工程(3)での有機溶剤現像時に容易に除去できる程度に薄いものとすることが好ましい。つまり、この部分のパターン反転用膜6(レジストパターン2a上に形成された膜)は、膜厚が薄いため有機溶剤現像による膜減りが生じやすい。そのため、現像時にレジストパターン2aとともに溶解して除去され、反転パターンを良好に形成できる。
パターン反転用膜6の有機溶剤現像液に対する溶解度が低い(または現像時間が短い)にもかかわらず、パターン反転用膜6の厚さが厚すぎると、工程(3)での有機溶剤現像時にレジストパターン2aの上面のパターン反転用膜6がうまく取り除けない。
逆に、パターン反転用膜6の有機溶剤現像時に対する溶解度が高い(または現像時間が長い)のにもかかわらず、パターン反転用膜6の厚さが薄すぎると、工程(3)での有機溶剤現像時にレジストパターン2aだけでなくパターン反転用膜6もすべて有機溶剤現像液に溶解してしまい、良好な反転パターンが形成できないおそれがある。
In the present invention, the film thickness of the pattern reversal film 6 (minimum value of the film thickness of the portion filling the gap between the resist patterns 2a) is adjusted to the solubility of the pattern reversal film 6 in the organic solvent developer. What is necessary is just to adjust suitably. When the solubility is slightly high, it is preferable that the film thickness of the pattern reversal film 6 is made larger than the height of the resist pattern 2a. When the solubility is not so high, the film thickness of the pattern reversal film 6 is set to the thickness of the resist pattern 2a. It is preferable that the height is the same as the height, or the thickness of the pattern reversal film 6 covering the upper surface of the resist pattern 2a is thin enough to be easily removed at the time of organic solvent development in the step (3). That is, the pattern reversal film 6 (film formed on the resist pattern 2a) in this portion is thin and is likely to be reduced by organic solvent development. Therefore, it is dissolved and removed together with the resist pattern 2a at the time of development, and a reverse pattern can be formed satisfactorily.
If the pattern reversal film 6 is too thick although the solubility of the pattern reversal film 6 in the organic solvent developer is low (or the development time is short), the resist during the organic solvent development in the step (3) The pattern reversal film 6 on the upper surface of the pattern 2a cannot be removed well.
On the other hand, if the pattern reversal film 6 is too thin (or the development time is long) even though the pattern reversal film 6 has a high solubility in organic solvent development (or a long development time), the organic in the step (3) At the time of solvent development, not only the resist pattern 2a but also the pattern reversal film 6 are all dissolved in the organic solvent developer, and a good reversal pattern may not be formed.

パターン反転用膜6を形成した後、有機溶剤現像を行う。上述のとおり、パターン反転用膜6の有機溶剤現像液に対する溶解度と膜厚(さらに現像時間)を適宜調節することで、有機溶剤現像後、パターン反転用膜6のうち、レジストパターン2aの上面に存在する部分が除去され、それに伴いレジストパターン2aも除去される。一方、レジストパターン2a間に充填されたパターン反転用膜6は除去されずに残る。その結果、図1に示すように、レジストパターン2aのあった位置6cに、該レジストパターン2aのイメージが反転したパターン(反転パターン)が形成される。
たとえばポジ型レジストパターンがラインパターンの場合、該ラインパターンと同じ位置に、該ラインパターンの寸法(ライン幅)とほぼ同じ寸法(スペース幅)のスペースパターンが反転パターンとして形成される。また、ポジ型レジストパターンがドットパターンの場合、該ドットパターンと同じ位置に、該ドットパターンの寸法(ドット直径)とほぼ同じ寸法(ホール直径)のホールパターンが反転パターンとして形成される。
After the pattern reversal film 6 is formed, organic solvent development is performed. As described above, by appropriately adjusting the solubility and film thickness (and development time) of the pattern reversal film 6 in the organic solvent developer, after the organic solvent development, the pattern reversal film 6 on the upper surface of the resist pattern 2a. The existing portion is removed, and the resist pattern 2a is also removed accordingly. On the other hand, the pattern reversal film 6 filled between the resist patterns 2a remains without being removed. As a result, as shown in FIG. 1, a pattern (reversal pattern) obtained by reversing the image of the resist pattern 2a is formed at the position 6c where the resist pattern 2a was present.
For example, when the positive resist pattern is a line pattern, a space pattern having the same dimension (space width) as that of the line pattern is formed as an inverted pattern at the same position as the line pattern. When the positive resist pattern is a dot pattern, a hole pattern having the same size (dot diameter) as that of the dot pattern is formed as an inverted pattern at the same position as the dot pattern.

有機溶剤現像処理は、有機溶剤を用いて行う。
前記有機溶剤としては、前記ポジ型レジストパターン2を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤のなかから適宜選択できる。
具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤及び炭化水素系溶剤を用いることができる。
ケトン系溶剤は、構造中にC−C(=O)−Cを含む有機溶剤である。
エステル系溶剤は、構造中にC−C(=O)−O−Cを含む有機溶剤である。
アルコール系溶剤は、構造中にアルコール性水酸基を含む有機溶剤であり、「アルコール性水酸基」は、脂肪族炭化水素基の炭素原子に結合した水酸基を意味する。
アミド系溶剤は構造中にアミド基を含む有機溶剤である。
エーテル系溶剤は構造中にC−O−Cを含む有機溶剤である。
有機溶剤の中には、構造中に上記各溶剤を特徴づける官能基を複数種含む有機溶剤も存在するが、その場合は、当該有機溶剤が有する官能基を含むいずれの溶剤種にも該当するものとする。たとえば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルは、上記分類中の、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤いずれにも該当するものとする。また、炭化水素系溶剤は、炭化水素からなり、置換基(水素原子および炭化水素基以外の基または原子)を有さない炭化水素溶剤である。
各溶剤の具体例として、ケトン系溶剤としては、たとえば、1−オクタノン、2−オクタノン、1−ノナノン、2−ノナノン、アセトン、4−ヘプタノン、1−ヘキサノン、2−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。
The organic solvent development treatment is performed using an organic solvent.
The organic solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the positive resist pattern 2 and can be appropriately selected from known organic solvents.
Specifically, polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents, ether solvents, and hydrocarbon solvents can be used.
The ketone solvent is an organic solvent containing C—C (═O) —C in the structure.
The ester solvent is an organic solvent containing C—C (═O) —O—C in the structure.
The alcohol solvent is an organic solvent containing an alcoholic hydroxyl group in the structure, and “alcoholic hydroxyl group” means a hydroxyl group bonded to a carbon atom of an aliphatic hydrocarbon group.
The amide solvent is an organic solvent containing an amide group in the structure.
The ether solvent is an organic solvent containing C—O—C in the structure.
Among organic solvents, there are organic solvents that contain multiple types of functional groups that characterize each of the above solvents in the structure, but in that case, any of the solvent types that contain the functional groups of the organic solvent is applicable. Shall. For example, diethylene glycol monomethyl ether corresponds to both alcohol solvents and ether solvents in the above classification. The hydrocarbon solvent is a hydrocarbon solvent made of hydrocarbon and having no substituent (a group or atom other than a hydrogen atom and a hydrocarbon group).
Specific examples of each solvent include ketone solvents such as 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, diisobutylketone, cyclohexanone, Examples include methylcyclohexanone, phenylacetone, methylethylketone, methylisobutylketone, acetylacetone, acetonylacetone, ionone, diacetylalcohol, acetylcarbinol, acetophenone, methylnaphthylketone, isophorone, propylene carbonate, and γ-butyrolactone.

エステル系溶剤としては、たとえば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、2−メトキシブチルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、4−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−エチル−3−メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、2−エトキシブチルアセテート、4−エトキシブチルアセテート、4−プロポキシブチルアセテート、2−メトキシペンチルアセテート、3−メトキシペンチルアセテート、4−メトキシペンチルアセテート、2−メチル−3−メトキシペンチルアセテート、3−メチル−3−メトキシペンチルアセテート、3−メチル−4−メトキシペンチルアセテート、4−メチル−4−メトキシペンチルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−エトキシプロピオネート、プロピル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられる。
エステル系溶剤としては、後述する一般式(1)で表される溶剤又は後述する一般式(2)で表される溶剤を用いることが好ましく、一般式(1)で表される溶剤を用いることがより好ましく、酢酸アルキルを用いることが更により好ましく、酢酸ブチルを用いることが最も好ましい。
Examples of ester solvents include methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono Propyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene Recall monoethyl ether acetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-ethyl-3-methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, Propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, 4-ethoxybutyl acetate, 4-propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-4-methoxy Nethyl acetate, 4-methyl-4-methoxypentyl acetate, propylene glycol diacetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, propyl lactate, ethyl carbonate, propyl carbonate, butyl carbonate, pyrubin Methyl acid, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl propionate, ethyl propionate, propyl propionate, isopropyl propionate, methyl 2-hydroxypropionate, 2-hydroxypropionate Examples include ethyl acid, methyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-ethoxypropionate, and propyl-3-methoxypropionate.
As the ester solvent, a solvent represented by general formula (1) described later or a solvent represented by general formula (2) described later is preferably used, and a solvent represented by general formula (1) is used. Is more preferable, alkyl acetate is more preferably used, and butyl acetate is most preferably used.

アルコール系溶剤としては、たとえば、メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、n−ヘキシルアルコール、n−ヘプチルアルコール、n−オクチルアルコール、n−デカノール、3−メトキシ−1−ブタノール等の1価アルコール;エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等のグリコール系溶剤;エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、メトキシメチルブタノール、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル等の、水酸基を含むグリコールエーテル系溶剤;等が挙げられる。これらの中でもグリコールエーテル系溶剤が好ましい。   Examples of the alcohol solvent include methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, sec-butyl alcohol, tert-butyl alcohol, isobutyl alcohol, n-hexyl alcohol, n-heptyl alcohol, monohydric alcohols such as n-octyl alcohol, n-decanol and 3-methoxy-1-butanol; glycol solvents such as ethylene glycol, diethylene glycol and triethylene glycol; ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, Triethylene glycol monoethyl ether, methoxymethylbutanol, ethylene glycol monoethyl ether, Glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, and propylene glycol monophenyl ether, glycol ether solvent containing a hydroxyl group; and the like. Of these, glycol ether solvents are preferred.

エーテル系溶剤としては、たとえば、上記水酸基を含むグリコールエーテル系溶剤;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の、水酸基を含まないグリコールエーテル系溶剤;ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソール、パーフルオロ−2−ブチルテトラヒドロフラン、パーフルオロテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン等が挙げられる。これらのなかでも、水酸基を含むグリコールエーテル系溶剤、水酸基を含まないグリコールエーテル系溶剤等のグリコールエーテル系溶剤が好ましい。
アミド系溶剤としては、たとえば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン等が挙げられる。
炭化水素系溶剤としては、たとえば、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、2,2,4−トリメチルペンタン、2,2,3−トリメチルヘキサン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶剤;トルエン、キシレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、1−メチルプロピルベンゼン、2−メチルプロピルベンゼン、ジメチルベンゼン、ジエチルベンゼン、エチルメチルベンゼン、トリメチルベンゼン、エチルジメチルベンゼン、ジプロピルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤;が挙げられる。これらの中でも、芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。
これらの有機溶剤は、いずれか1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよく、酢酸ブチル(BA)とプロピレングリコールモノメチルエーテル(PE)を混合して用いてもよい。混合比(BA/PE)は、99/1〜70/30が好ましく、97/3〜80/20がより好ましく、95/5〜85/15がさらに好ましい。混合比を適宜調整することで、前記ポジ型レジストパターン2及び前記パターン反転用膜6の溶解度を調整することができる。
また、上記以外の有機溶剤や水と混合して用いてもよい。
Examples of ether solvents include glycol ether solvents containing the above hydroxyl groups; glycol ether solvents that do not contain hydroxyl groups, such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and diethylene glycol diethyl ether; dioxane, tetrahydrofuran, anisole, Examples include perfluoro-2-butyltetrahydrofuran, perfluorotetrahydrofuran, and 1,4-dioxane. Of these, glycol ether solvents such as glycol ether solvents containing hydroxyl groups and glycol ether solvents not containing hydroxyl groups are preferred.
Examples of the amide solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, hexamethylphosphoric triamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and the like. Can be mentioned.
Examples of the hydrocarbon solvent include aliphatic hydrocarbon solvents such as pentane, hexane, octane, decane, 2,2,4-trimethylpentane, 2,2,3-trimethylhexane, perfluorohexane, and perfluoroheptane. Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, ethylbenzene, propylbenzene, 1-methylpropylbenzene, 2-methylpropylbenzene, dimethylbenzene, diethylbenzene, ethylmethylbenzene, trimethylbenzene, ethyldimethylbenzene, dipropylbenzene; Is mentioned. Among these, aromatic hydrocarbon solvents are preferable.
Any one of these organic solvents may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used, or butyl acetate (BA) and propylene glycol monomethyl ether (PE) may be used in combination. Good. The mixing ratio (BA / PE) is preferably 99/1 to 70/30, more preferably 97/3 to 80/20, and still more preferably 95/5 to 85/15. The solubility of the positive resist pattern 2 and the pattern reversal film 6 can be adjusted by appropriately adjusting the mixing ratio.
Moreover, you may mix and use the organic solvent and water other than the above.

有機系現像液に用いる有機溶剤としては、下記一般式(1)または(2)で表される溶剤が好ましい。
00−C(=O)−O−R01 …(1)
02−C(=O)−O−R03−O−R04 …(2)
[式(1)中、R00およびR01はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシ基、水酸基、シアノ基またはハロゲン原子であり、R00およびR01は互いに結合して環を形成してもよい。式(2)中、R02及びR04はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシ基、水酸基、シアノ基またはハロゲン原子であり、R02およびR04は互いに結合して環を形成してもよく、R03は、アルキレン基である。]
As the organic solvent used in the organic developer, a solvent represented by the following general formula (1) or (2) is preferable.
R 00 —C (═O) —O—R 01 (1)
R 02 —C (═O) —O—R 03 —O—R 04 (2)
[In the formula (1), R 00 and R 01 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, a carboxy group, a hydroxyl group, a cyano group or a halogen atom, and R 00 and R 01 are bonded to each other. To form a ring. In the formula (2), R 02 and R 04 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, a carboxy group, a hydroxyl group, a cyano group, or a halogen atom, and R 02 and R 04 are bonded to each other. May form a ring, and R 03 is an alkylene group. ]

式(1)中、R00およびR01におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状が好ましく、その炭素数は1〜5が好ましい。該アルキル基は置換基を有していてもよい。置換基としてはたとえば水酸基、カルボキシ基、シアノ基等が挙げられる。
アルコキシ基、アルコキシカルボニル基におけるアルキル基として前記アルキル基と同様のものが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
00およびR01は、それぞれ、水素原子またはアルキル基が好ましい。
式(1)で表される溶剤の具体例としては、たとえば酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル等を挙げることができる。
式(1)で表される溶剤としては、上記の中でも、R00およびR01が無置換のアルキル基であるものが好ましく、酢酸アルキルがより好ましく、酢酸ブチルが特に好ましい。
In formula (1), the alkyl group in R 00 and R 01 may be linear, branched or cyclic, and is preferably linear or branched, and has 1 to 5 carbon atoms. Is preferred. The alkyl group may have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group, a carboxy group, and a cyano group.
Examples of the alkyl group in the alkoxy group and alkoxycarbonyl group include the same alkyl groups as those described above.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
R 00 and R 01 are each preferably a hydrogen atom or an alkyl group.
Specific examples of the solvent represented by the formula (1) include, for example, methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, pentyl acetate, isopentyl acetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, lactic acid Butyl, propyl lactate, ethyl carbonate, propyl carbonate, butyl carbonate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl propionate, ethyl propionate, propyl propionate, Examples include isopropyl propionate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, and the like.
Among the above, the solvent represented by the formula (1) is preferably one in which R 00 and R 01 are unsubstituted alkyl groups, more preferably alkyl acetate, and particularly preferably butyl acetate.

式(2)中、R02およびR04は、それぞれ前記R00およびR01と同様である。
03におけるアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、直鎖状または分岐鎖状が好ましく、その炭素数は1〜5が好ましい。該アルキレン基は置換基を有していてもよい。置換基としてはたとえば水酸基、カルボキシ基、シアノ基等が挙げられる。また、該アルキレン基の炭素数が2以上である場合、該アルキレン基の炭素原子間に酸素原子(−O−)が介在してもよい。
式(2)で表される溶剤の具体例としては、たとえばエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−エトキシプロピオネート、プロピル−3−メトキシプロピオネート、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、2−メトキシブチルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、4−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−エチル−3−メトキシブチルアセテート、2−エトキシブチルアセテート、4−エトキシブチルアセテート、4−プロポキシブチルアセテート、2−メトキシペンチルアセテート、3−メトキシペンチルアセテート、4−メトキシペンチルアセテート、2−メチル−3−メトキシペンチルアセテート、3−メチル−3−メトキシペンチルアセテート、3−メチル−4−メトキシペンチルアセテート、4−メチル−4−メトキシペンチルアセテート、等が挙げられる。
In the formula (2), R 02 and R 04 are the same as R 00 and R 01 , respectively.
The alkylene group for R 03 may be linear, branched or cyclic, and is preferably linear or branched, and preferably has 1 to 5 carbon atoms. The alkylene group may have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group, a carboxy group, and a cyano group. When the alkylene group has 2 or more carbon atoms, an oxygen atom (—O—) may be interposed between carbon atoms of the alkylene group.
Specific examples of the solvent represented by the formula (2) include, for example, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoacetate. Propyl ether acetate, diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, methyl-3-meth Cypropionate, ethyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-ethoxypropionate, propyl-3-methoxypropionate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4 -Methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-ethyl-3-methoxybutyl acetate, 2-ethoxybutyl acetate, 4-ethoxybutyl acetate, 4-propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3 -Methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-4-methoxypentyl acetate, 4 Methyl-4-methoxy pentyl acetate, and the like.

前記式(1)または(2)で表される溶剤はいずれか1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、他の溶剤と混合して用いてもよい。
該他の溶剤としては、使用する式(1)または(2)で表される溶剤に分離することなく混合できるものであれば特に限定されず、たとえば上述したエステル系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、炭化水素系溶剤等のなかから適宜選択できる。
Any one of the solvents represented by the formula (1) or (2) may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used. Moreover, you may mix and use with another solvent.
The other solvent is not particularly limited as long as it can be mixed without being separated into the solvent represented by the formula (1) or (2) to be used. For example, the above-described ester solvent, ketone solvent, alcohol It can be suitably selected from among a solvent, an amide solvent, an ether solvent, a hydrocarbon solvent and the like.

有機溶剤現像に用いる有機溶剤としては、現像に用いる溶剤のコスト削減の観点から、ハロゲン原子を含まない有機溶剤を用いることが好ましい。有機系現像液の総重量に占めるハロゲン原子を含まない有機溶剤の含有量は、60質量%以上が好ましく、80質量%以上がより好ましく、90質量%以上がさらに好ましく、100質量%であってもよい。
有機系現像液に用いる有機溶剤の沸点は、50℃以上250℃未満が望ましい。
有機系現像液に用いる有機溶剤の発火点は、200℃以上が望ましい。
As the organic solvent used for organic solvent development, an organic solvent containing no halogen atom is preferably used from the viewpoint of cost reduction of the solvent used for development. The content of the organic solvent not containing halogen atoms in the total weight of the organic developer is preferably 60% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, still more preferably 90% by mass or more, and 100% by mass. Also good.
The boiling point of the organic solvent used in the organic developer is desirably 50 ° C. or higher and lower than 250 ° C.
The ignition point of the organic solvent used in the organic developer is preferably 200 ° C. or higher.

有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。
使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、F173、F176、F189、R08(大日本インキ化学工業(株)製)、サーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
A known additive can be blended in the organic developer as required. Examples of the additive include a surfactant. The surfactant is not particularly limited. For example, ionic or nonionic fluorine-based and / or silicon-based surfactants can be used.
Examples of commercially available surfactants that can be used include F-top EF301 and EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430 and 431 (manufactured by Sumitomo 3M Ltd.), MegaFuck F171, F173, F176, F189, and R08. (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.), etc. Fluorine type surfactant or silicon type surfactant can be mentioned. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicon-based surfactant.

また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法(テロマー法ともいわれる)もしくはオリゴメリゼーション法(オリゴマー法ともいわれる)により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開2002−90991号公報に記載された方法によって合成することが出来る。   In addition to the known surfactants described above, the surfactant is derived from a fluoroaliphatic compound produced by a telomerization method (also called telomer method) or an oligomerization method (also called oligomer method). A surfactant using a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. The fluoroaliphatic compound can be synthesized by the method described in JP-A-2002-90991.

フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート及び/又は(ポリ(オキシアルキレン))メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ(オキシアルキレン)基としては、ポリ(オキシエチレン)基、ポリ(オキシプロピレン)基、ポリ(オキシブチレン)基などが挙げられ、また、ポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体)やポリ(オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体)基など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体は2元共重合体ばかりでなく、異なる2種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる2種以上の(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)などを同時に共重合した3元系以上の共重合体でもよい。   As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and distributed irregularly. Or may be block copolymerized. Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group, a poly (oxybutylene) group, and the like, and a poly (oxyethylene, oxypropylene, and oxyethylene group). A unit having different chain lengths in the same chain length, such as a block linked body) or a poly (block linked body of oxyethylene and oxypropylene) group, may be used. Furthermore, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but also a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, Further, it may be a ternary or higher copolymer obtained by simultaneously copolymerizing two or more different (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates).

例えば、市販の界面活性剤として、メガファックF178、F−470、F−473、F−475、F−476、F−472(大日本インキ化学工業(株)製)を挙げることができる。さらに、C6F13基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C6F13基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシアルキレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、C8F17基を有するアクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシエチレン))アクリレート(又はメタクリレート)と(ポリ(オキシプロピレン))アクリレート(又はメタクリレート)との共重合体、などを挙げることができる。   Examples of commercially available surfactants include Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, and F-472 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.). Further, a copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a C6F13 group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), an acrylate (or methacrylate) having a C6F13 group and (poly (oxyethylene)) acrylate (or Copolymer of methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate), copolymer of acrylate having C8F17 group (or methacrylate) and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), C8F17 A copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a group, (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate), etc. It can gel.

界面活性剤としては、非イオン性の界面活性剤が好ましく、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤がより好ましい。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001〜5質量%であり、0.005〜2質量%が好ましく、0.01〜0.5質量%がより好ましい。
As the surfactant, a nonionic surfactant is preferable, and a fluorine-based surfactant or a silicon-based surfactant is more preferable.
When the surfactant is blended, the blending amount is usually 0.001 to 5% by mass, preferably 0.005 to 2% by mass, and 0.01 to 0. 0% with respect to the total amount of the organic developer. 5 mass% is more preferable.

有機溶剤を用いた現像処理は、公知の現像方法におり実施でき、該方法としてはたとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法(パドル法)、支持体表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)等が挙げられる。   The development process using an organic solvent can be carried out by a known development method, for example, a method of immersing a support in a developer for a certain period of time (dip method), and a developer on the surface of the support by surface tension. Method of raising and resting for a certain time (paddle method), method of spraying developer on the support surface (spray method), scanning the developer coating nozzle at a constant speed on a support rotating at a constant speed Examples thereof include a method of continuously applying the developer (dynamic dispensing method).

上記現像処理の後、乾燥を行う前に、有機溶剤を含有するリンス液を用いてリンス処理することが好ましい。これにより、良好なパターン形成ができる。
リンス液に用いる有機溶剤としては、たとえば前記有機溶剤現像に用いる有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも1種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。
リンス液に用いるアルコール系溶剤は、炭素数6〜8の1価アルコールが好ましく、該1価アルコールは直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。具体的には、1−ヘキサノール、1−ヘプタノール、1−オクタノール、2−ヘキサノール、2−ヘプタノール、2−オクタノール、3−ヘキサノール、3−ヘプタノール、3−オクタノール、4−オクタノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらのなかでも、1−ヘキサノール、2−ヘプタノール、2−ヘキサノールが好ましく、1−ヘキサノールまたは2−ヘキサノールがより好ましい。
これらの有機溶剤は、いずれか1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、上記以外の有機溶剤や水と混合して用いてもよい。ただし現像特性を考慮すると、リンス液中の水の配合量は、リンス液の全量に対し、30質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましく、5質量%以下さらに好ましく、3質量%以下が特に好ましい。
有機溶剤には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としてはたとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、前記と同様のものが挙げられ、非イオン性の界面活性剤が好ましく、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤がより好ましい。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、リンス液の全量に対して、通常0.001〜5質量%であり、0.005〜2質量%が好ましく、0.01〜0.5質量%がより好ましい。
リンス液を用いたリンス処理(洗浄処理)は、公知のリンス方法におり実施でき、該方法としてはたとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出しつづける方法(回転塗布法)、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)等が挙げられる。
It is preferable to carry out a rinsing treatment using a rinsing liquid containing an organic solvent after the development treatment and before drying. Thereby, a favorable pattern can be formed.
As the organic solvent used for the rinsing liquid, for example, among the organic solvents mentioned as the organic solvent used for the organic solvent development, those which are difficult to dissolve the resist pattern can be appropriately selected and used. Usually, at least one solvent selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents and ether solvents is used. Among these, at least one selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents and amide solvents is preferable, and at least one selected from alcohol solvents and ester solvents is preferable. More preferred are alcohol solvents.
The alcohol solvent used for the rinse liquid is preferably a monohydric alcohol having 6 to 8 carbon atoms, and the monohydric alcohol may be linear, branched or cyclic. Specific examples include 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-hexanol, 2-heptanol, 2-octanol, 3-hexanol, 3-heptanol, 3-octanol, 4-octanol, and benzyl alcohol. It is done. Among these, 1-hexanol, 2-heptanol, and 2-hexanol are preferable, and 1-hexanol or 2-hexanol is more preferable.
Any one of these organic solvents may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used. Moreover, you may mix and use the organic solvent and water other than the above. However, in consideration of development characteristics, the blending amount of water in the rinsing liquid is preferably 30% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, further preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less based on the total amount of the rinsing liquid. Is particularly preferred.
A known additive can be blended with the organic solvent as necessary. Examples of the additive include a surfactant. Examples of the surfactant include those described above, and nonionic surfactants are preferable, and fluorine-based surfactants or silicon-based surfactants are more preferable.
When the surfactant is blended, the blending amount is usually 0.001 to 5% by mass, preferably 0.005 to 2% by mass, and 0.01 to 0.5% by mass with respect to the total amount of the rinse liquid. % Is more preferable.
The rinsing treatment (washing treatment) using the rinsing liquid can be carried out by a known rinsing method. For example, the rinsing liquid is continuously applied onto a support rotating at a constant speed (rotary coating method). A method of immersing the support in a rinsing solution for a certain time (dip method), a method of spraying a rinsing solution on the surface of the support (spray method), and the like.

上述したように、工程(3)での有機溶剤現像時において、前記パターン反転用膜6の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、前記ポジ型レジストパターン2の前記有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さい。
前記ポジ型レジストパターン2及び前記パターン反転用膜6における、前記有機溶剤現像液に対する溶解度が、かかる関係にあることにより、現像時にレジストパターン2aが溶解除去される一方、パターン反転用膜6が前記有機溶剤現像液に溶解して除去されることなく、解像性の良好な反転パターンが形成される。
かかる溶解度は、後述の基材成分(A)や基材成分(A”)との組合せ等により制御できる。
As described above, the solubility of the pattern reversal film 6 in the organic solvent developer during the organic solvent development in the step (3) is smaller than the solubility of the positive resist pattern 2 in the organic solvent developer. .
The solubility in the organic solvent developer in the positive resist pattern 2 and the pattern reversal film 6 is in this relationship, so that the resist pattern 2a is dissolved and removed during development, while the pattern reversal film 6 is A reversal pattern with good resolution is formed without being dissolved and removed in an organic solvent developer.
Such solubility can be controlled by a combination with a base material component (A) or a base material component (A ″) described later.

本発明においては、前記ポジ型レジストパターンとして、ラインパターンおよび/またはドットパターンを形成することで、スペースパターンおよび/またはホールパターンを反転パターンとして得ることができる。
このように反転パターンとして形成されるスペースパターンやホールパターンは、1回のリソグラフィー工程で直接形成される場合に比べて、解像力や形状、リソグラフィーマージン(たとえば露光量に対する余裕度(ELマージン)、焦点深度に対する余裕度(DOFマージン)、パターン形状の垂直性等)のパターン形成能に優れたものである。すなわち、レジスト膜の極一部、微細な領域を除去する必要があるスペースパターンやホールパターンを直接形成する場合、上述したように、弱い光入射強度下でのパターン形成を強いられ、パターン形成能に制限が大きいが、上記反転パターンを形成する際のパターン形成能は、前記ポジ型レジストパターン(孤立ラインパターンやドットパターン、ラインアンドスペースパターン等)を形成する際のパターン形成能に依存するため、スペースパターンやホールパターンを直接形成する場合に比べてパターン形成能に制限が少なく、良好なレジストパターンを形成できる。
In the present invention, a space pattern and / or a hole pattern can be obtained as an inverted pattern by forming a line pattern and / or a dot pattern as the positive resist pattern.
Thus, the space pattern and hole pattern formed as a reversal pattern have a resolution, a shape, a lithography margin (for example, a margin with respect to an exposure amount (EL margin), a focal point, and the like, compared with a case where the space pattern and hole pattern are directly formed in one lithography process. It is excellent in pattern forming ability such as a margin with respect to depth (DOF margin), verticality of pattern shape, and the like. That is, when directly forming a space pattern or a hole pattern that requires removal of a very small part or a fine region of the resist film, as described above, it is forced to form a pattern under weak light incident intensity, and the pattern forming ability However, the pattern forming ability when forming the reverse pattern depends on the pattern forming ability when forming the positive resist pattern (isolated line pattern, dot pattern, line and space pattern, etc.). Compared with the case of directly forming a space pattern or a hole pattern, the pattern forming ability is less limited, and a good resist pattern can be formed.

本発明のパターン形成方法においては、工程(2)のパターン反転用組成物の塗布により、前記ポジ型レジストパターンを、工程(3)での有機溶剤現像により除去可能にしている。そのため、本発明のパターン形成方法では、ダブルパターニングプロセスの2回目のパターニングと比較し、露光及び露光後ベークの両方を行う必要がなく、有機溶剤現像のみで反転パターンを形成できる。したがって、かかるパターン形成方法は、従来のダブルパターニングプロセスに比べて、工程数が少なく、簡便な方法であると云え、スループットが向上する。
また、かかるパターン形成方法においては、ポジ型レジスト組成物として上述したような架橋形成能を有する等の特定のレジスト組成物を用いなければならない等の制限はなく、これまで提案されている従来公知の化学増幅型ポジ型レジスト組成物をそのまま用いることができる。また、パターン反転用組成物も、これまで提案されている樹脂組成物等をそのまま用いることができる。
更に、本発明においては、有機溶剤現像を行うため、上述したように、前記ポジ型レジストパターン2及び前記パターン反転用膜6における脱保護エネルギーの違いを考慮する必要がない。
In the pattern forming method of the present invention, the positive resist pattern can be removed by organic solvent development in step (3) by applying the pattern reversal composition in step (2). Therefore, in the pattern forming method of the present invention, compared to the second patterning of the double patterning process, it is not necessary to perform both exposure and post-exposure baking, and a reverse pattern can be formed only by organic solvent development. Therefore, such a pattern forming method has a smaller number of steps than the conventional double patterning process and is a simple method, and the throughput is improved.
Further, in such a pattern forming method, there is no limitation that a specific resist composition such as having the above-mentioned cross-linking ability must be used as a positive resist composition, and there has been no conventionally known conventionally proposed method. The chemically amplified positive resist composition can be used as it is. Moreover, the resin composition etc. which were proposed until now can also be used as a pattern reversal composition as it is.
Furthermore, in the present invention, since organic solvent development is performed, it is not necessary to consider the difference in deprotection energy between the positive resist pattern 2 and the pattern reversal film 6 as described above.

また、本発明においては、通常のパターニングを2回以上行って(ダブルパターニングにより)形成したレジストパターンに対して、上記工程(2)の操作を行ってもよい。これにより、さらに狭ピッチのより密なパターンや、複雑な形状のパターンを形成することができる。   In the present invention, the operation of the above step (2) may be performed on a resist pattern formed by performing normal patterning twice or more (by double patterning). Thereby, a denser pattern with a narrower pitch or a pattern with a complicated shape can be formed.

また、本発明においては、上記工程(3)の後、形成されたパターンをマスクとして用いて、支持体1のエッチングを行ってもよい。支持体1をエッチングすることにより、半導体デバイス等を製造することができる。
エッチングの方法は、公知の方法(ドライエッチング、ウェットエッチング)が利用できる。たとえば有機膜(レジストパターン、有機系の反射防止膜等)のエッチングは、ドライエッチングが好ましい。特に、酸素プラズマエッチング、またはCFガスもしくはCHFガスを用いたエッチングが好ましく、中でも酸素プラズマエッチングが特に好ましい。基板や無機系の反射防止膜のエッチングは、ハロゲンガスを用いたエッチングが好ましく、フッ化炭素系ガスを用いたエッチングがより好ましく、特にCFガス又はCHFガスを用いたエッチングが好ましい。
Further, in the present invention, after the step (3), the support 1 may be etched using the formed pattern as a mask. A semiconductor device or the like can be manufactured by etching the support 1.
As the etching method, a known method (dry etching, wet etching) can be used. For example, the etching of the organic film (resist pattern, organic antireflection film, etc.) is preferably dry etching. In particular, oxygen plasma etching or etching using CF 4 gas or CHF 3 gas is preferable, and oxygen plasma etching is particularly preferable. Etching of the substrate and the inorganic antireflection film is preferably performed using a halogen gas, more preferably using a fluorocarbon-based gas, and particularly preferably using a CF 4 gas or a CHF 3 gas.

(ポジ型レジスト組成物)
前記工程(1)において、前記ポジ型レジストパターンを形成する前記ポジ型レジスト組成物は、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大するものであれば特に限定されないが、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)(以下「(A)成分」という。)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下「(B)成分」という。)を含有するものが好ましい。
また、前記(A)成分は、酸分解性基を含むものが好ましい。
更に、前記ポジ型レジスト組成物は、前記(S)成分に対する相溶性が低いものが好ましい。
前記ポジ型レジスト組成物において、(A)成分は、露光前はアルカリ現像液に対して不溶性であり、露光により前記(B)成分から発生した酸が作用すると、(A)成分全体のアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、アルカリ不溶性からアルカリ可溶性に変化する。そのため、レジストパターンの形成において、ポジ型レジスト組成物を用いて得られるレジスト膜に対して選択的露光を行うと、露光部はアルカリ可溶性へ転じる一方で、未露光部はアルカリ不溶性のまま変化しないので、アルカリ現像によりレジストパターンを形成することができる。
(Positive resist composition)
In the step (1), the positive resist composition for forming the positive resist pattern is not particularly limited as long as the solubility in an alkaline developer is increased by exposure. Contains a base material component (A) (hereinafter referred to as “component (A)”) having increased solubility, and an acid generator component (B) (hereinafter referred to as “component (B)”) that generates an acid upon exposure. Those that do are preferred.
The component (A) preferably contains an acid-decomposable group.
Furthermore, the positive resist composition preferably has low compatibility with the component (S).
In the positive resist composition, the component (A) is insoluble in an alkali developer before exposure, and when the acid generated from the component (B) acts upon exposure, the entire alkali development of the component (A) is performed. The solubility in the liquid is increased, and the alkali-insoluble is changed to the alkali-soluble. Therefore, when a resist film obtained by using a positive resist composition is selectively exposed in the formation of a resist pattern, the exposed portion turns alkali-soluble, while the unexposed portion remains alkali-insoluble. Therefore, a resist pattern can be formed by alkali development.

<(A)成分>
前記ポジ型レジスト組成物において、(A)成分は、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分(A1)(以下「(A1)成分」ということがある。)であってもよく、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する低分子化合物成分(A2)(以下「(A2)成分」ということがある。)であってもよく、又はこれらの混合物であってもよい。
これらのなかでも、(A)成分は、(A1)成分を含有することが好ましい。
<(A) component>
In the positive resist composition, the component (A) may be a resin component (A1) (hereinafter also referred to as “component (A1)”) whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid. It may be a low molecular compound component (A2) (hereinafter sometimes referred to as “component (A2)”) whose solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid, or a mixture thereof. Good.
Among these, it is preferable that (A) component contains (A1) component.

<(A1)成分>
かかるポジ型レジスト組成物において好適に用いられる(A1)成分としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有することが好ましい。
該酸分解性基としてより具体的には、極性基を酸解離性基で保護した基(例えば−COOH基や−OH基を含有する極性基の水素原子を酸解離性基で置換した基)が挙げられる。
当該酸解離性基は、工程(1)で用いるアルカリ現像液に対しては、解離前はその溶解性が低く、解離後は溶解性を増加させるものであるのに対し、工程(3)で用いる有機溶剤現像液に対しては、解離前はその溶解性が高く、解離後はその溶解性を低下させる基である。
本発明において、構成単位(a1)は、酸解離性基を含むアクリル酸エステルから誘導され、かつ酸解離性基が脱保護した後に−COOH基(カルボキシ基)を生じる構成単位(a11)と、酸解離性基を含むアクリル酸エステルから誘導され、かつ酸解離性基が脱保護した後にアルコール性水酸基を生じる構成単位(a0−1)とに分類される。前記(A1)成分は、構成単位(a11)を有することがより好ましく、構成単位(a11)と(a0−1)との両方を有していてもよい。
また、前記(A1)成分は、構成単位(a1)に加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、ラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)及び−SO−含有環式基を含む構成単位(a2)からなる群から選択される少なくとも1種の構成単位(a2)を有することが好ましい。
また、前記(A1)成分は、構成単位(a1)、又は構成単位(a1)及び(a2)に加えて、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(a3)を有することが好ましい。
また、前記(A1)成分は、構成単位(a1)に加えて、構成単位(a1)および(a2)に加えて、構成単位(a1)、(a2)および(a3)に加えて、さらに、後述の下記一般式(a0−2)で表される構成単位(a0−2)を有することが好ましい。
また、(A1)成分は、構成単位(a1)に加えて、上記構成単位(a1)、(a2)、(a3)、又は(a0−2)以外の、その他の構成単位を有していてもよい
<(A1) component>
The component (A1) suitably used in such a positive resist composition is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent. It is preferable to have a structural unit (a1) containing an acid-decomposable group whose polarity is increased by the action of an acid.
More specifically, the acid-decomposable group is a group in which a polar group is protected with an acid-dissociable group (for example, a group in which a hydrogen atom of a polar group containing a —COOH group or —OH group is substituted with an acid-dissociable group). Is mentioned.
The acid dissociable group has a low solubility with respect to the alkali developer used in step (1) before dissociation and increases the solubility after dissociation, whereas in step (3) The organic solvent developer to be used is a group having high solubility before dissociation and lowering the solubility after dissociation.
In the present invention, the structural unit (a1) is derived from an acrylate ester containing an acid dissociable group, and the structural unit (a11) that generates a —COOH group (carboxy group) after the acid dissociable group is deprotected; It is classified into a structural unit (a0-1) which is derived from an acrylate ester containing an acid dissociable group and generates an alcoholic hydroxyl group after the acid dissociable group is deprotected. The component (A1) more preferably includes the structural unit (a11), and may include both the structural unit (a11) and (a0-1).
In addition to the structural unit (a1), the component (A1) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent. And at least one structural unit (a2) selected from the group consisting of a structural unit (a2 L ) containing a lactone-containing cyclic group and a structural unit (a2 S ) containing a —SO 2 -containing cyclic group, It is preferable to have.
Further, in the component (A1), in addition to the structural unit (a1) or the structural units (a1) and (a2), a hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be further substituted with a substituent. It is preferable to have a structural unit (a3) which is a structural unit derived from a good acrylic ester and contains a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.
In addition to the structural unit (a1), the component (A1), in addition to the structural units (a1) and (a2), in addition to the structural units (a1), (a2) and (a3), It is preferable to have a structural unit (a0-2) represented by the following general formula (a0-2).
In addition to the structural unit (a1), the component (A1) has other structural units other than the structural unit (a1), (a2), (a3), or (a0-2). Good

ここで、本明細書及び本特許請求の範囲において、「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸(CH=CH−COOH)のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物をいう。
「α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されているアクリル酸エステル」における、置換基としては、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。
なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、カルボニル基が結合している炭素原子のことを意味する。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されているアクリル酸エステルを「α置換アクリル酸エステル」ということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「(α置換)アクリル酸エステル」ということがある。
α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の炭素原子に結合した水素原子を置換するハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
α位の炭素原子に結合した水素原子を置換するアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
また、α位の炭素原子に結合した水素原子を置換するハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の炭素原子に結合した水素原子を置換するアルキル基」の水素原子の一部又は全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の炭素原子に結合した水素原子を置換するヒドロキシアルキル基は、上記「α位の炭素原子に結合した水素原子を置換するアルキル基」の水素原子の一部又は全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。
(α置換)アクリル酸エステルのα位に結合しているものとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基が好ましく、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基がより好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が特に好ましい。
Here, in the present specification and claims, the “structural unit derived from an acrylate ester” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of an acrylate ester.
“Acrylic acid ester” refers to a compound in which the hydrogen atom at the terminal of the carboxy group of acrylic acid (CH 2 ═CH—COOH) is substituted with an organic group.
The substituent in the “acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position is substituted with a substituent” includes a halogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a halogenated group having 1 to 5 carbon atoms. Examples thereof include an alkyl group and a hydroxyalkyl group.
The α-position carbon atom of the acrylate ester means a carbon atom to which a carbonyl group is bonded unless otherwise specified.
Hereinafter, an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position is substituted with a substituent may be referred to as an “α-substituted acrylate ester”. Further, the acrylate ester and the α-substituted acrylate ester may be collectively referred to as “(α-substituted) acrylate ester”.
In the α-substituted acrylate ester, examples of the halogen atom that replaces the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
The alkyl group that replaces the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, Examples include isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like.
The halogenated alkyl group that replaces the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is specifically a part of the hydrogen atom of the above-mentioned “alkyl group that replaces the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom”. Or the group which substituted all with the halogen atom is mentioned. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
In addition, the hydroxyalkyl group that replaces the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom is a part of or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned “alkyl group that replaces the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom” with a hydroxyl group. Examples include substituted groups.
(Α-substituted) Those bonded to the α-position of the acrylate ester are preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a hydrogen atom and 1 carbon atom. -5 alkyl groups or fluorinated alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms are more preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable from the viewpoint of industrial availability.

・構成単位(a11)
構成単位(a11)は、酸解離性基を含むα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導され、かつ酸解離性基が脱保護した後に−COOH基を生じる構成単位である。
構成単位(a11)における酸解離性基は、解離前は(A1)成分全体をアルカリ現像液に対して難溶とするアルカリ溶解抑制性を有するとともに、酸により解離してこの(A1)成分全体のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させるものであり、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。
一般的には、(メタ)アクリル酸等におけるカルボキシ基と環状または鎖状の第3級アルキルエステルを形成する基;アルコキシアルキル基等のアセタール型酸解離性基などが広く知られている。なお、「(メタ)アクリル酸エステル」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。
・ Structural unit (a11)
The structural unit (a11) is derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom containing the acid dissociable group may be substituted with a substituent, and the acid dissociable group is deprotected. A structural unit that produces a —COOH group.
The acid dissociable group in the structural unit (a11) has an alkali dissolution inhibiting property that makes the entire component (A1) hardly soluble in an alkali developer before dissociation, and dissociates with an acid to dissociate the entire component (A1). Can be used, which can be used as an acid-dissociable group of a base resin for a chemically amplified resist.
In general, a group that forms a cyclic or chain tertiary alkyl ester with a carboxy group in (meth) acrylic acid or the like; an acetal-type acid dissociable group such as an alkoxyalkyl group is widely known. The “(meth) acrylic acid ester” means one or both of an acrylic acid ester having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylic acid ester having a methyl group bonded to the α-position.

ここで、「第3級アルキルエステル」とは、カルボキシ基の水素原子が、鎖状または環状のアルキル基で置換されることによりエステルを形成しており、そのカルボニルオキシ基(−C(O)−O−)の末端の酸素原子に、前記鎖状または環状のアルキル基の第3級炭素原子が結合している構造を示す。この第3級アルキルエステルにおいては、酸が作用すると、酸素原子と第3級炭素原子との間で結合が切断される。
なお、前記鎖状または環状のアルキル基は置換基を有していてもよい。
以下、カルボキシ基と第3級アルキルエステルを構成することにより、酸解離性となっている基を、便宜上、「第3級アルキルエステル型酸解離性基」という。
第3級アルキルエステル型酸解離性基としては、脂肪族分岐鎖状酸解離性基、脂肪族環式基を含有する酸解離性基が挙げられる。
Here, the “tertiary alkyl ester” is an ester formed by replacing a hydrogen atom of a carboxy group with a chain or cyclic alkyl group, and the carbonyloxy group (—C (O)). A structure in which the tertiary carbon atom of the chain or cyclic alkyl group is bonded to the terminal oxygen atom of -O-). In this tertiary alkyl ester, when an acid acts, a bond is cut between an oxygen atom and a tertiary carbon atom.
The chain or cyclic alkyl group may have a substituent.
Hereinafter, a group that is acid dissociable by constituting a carboxy group and a tertiary alkyl ester is referred to as a “tertiary alkyl ester type acid dissociable group” for convenience.
Examples of the tertiary alkyl ester type acid dissociable group include an aliphatic branched acid dissociable group and an acid dissociable group containing an aliphatic cyclic group.

ここで、本特許請求の範囲及び明細書における「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「脂肪族分岐鎖状」とは、芳香族性を持たない分岐鎖状の構造を有することを示す。
「脂肪族分岐鎖状酸解離性基」の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。
また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
脂肪族分岐鎖状酸解離性基としては、炭素数4〜8の第3級アルキル基が好ましく、具体的にはtert−ブチル基、tert−ペンチル基、tert−ヘプチル基等が挙げられる。
Here, “aliphatic” in the claims and the specification is a relative concept with respect to aromatics, and is defined to mean a group, compound, or the like that does not have aromaticity.
“Aliphatic branched” means having a branched structure having no aromaticity.
The structure of the “aliphatic branched acid dissociable group” is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group.
The “hydrocarbon group” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
As the aliphatic branched acid dissociable group, a tertiary alkyl group having 4 to 8 carbon atoms is preferable, and specific examples thereof include a tert-butyl group, a tert-pentyl group, and a tert-heptyl group.

「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。
構成単位(a11)における「脂肪族環式基」は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)、等が挙げられる。
「脂肪族環式基」の置換基を除いた基本の環の構造は、炭素および水素からなる基(炭化水素基)であることに限定はされないが、炭化水素基であることが好ましい。また、「炭化水素基」は飽和または不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。「脂肪族環式基」は、多環式基であることが好ましい。
脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
The “aliphatic cyclic group” means a monocyclic group or a polycyclic group having no aromaticity.
The “aliphatic cyclic group” in the structural unit (a11) may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like.
The basic ring structure excluding the substituent of the “aliphatic cyclic group” is not limited to a group consisting of carbon and hydrogen (hydrocarbon group), but is preferably a hydrocarbon group. The “hydrocarbon group” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated. The “aliphatic cyclic group” is preferably a polycyclic group.
Examples of the aliphatic cyclic group include a monocycloalkane, a bicycloalkane, and a tricyclo which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group. Examples thereof include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as an alkane or tetracycloalkane. Specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

脂肪族環式基を含有する酸解離性基としては、例えば環状のアルキル基の環骨格上に第3級炭素原子を有する基を挙げることができ、具体的には2−メチル−2−アダマンチル基や、2−エチル−2−アダマンチル基等が挙げられる。あるいは、下記一般式(a1”−1)〜(a1”−6)で示す構成単位において、カルボニルオキシ基(−C(O)−O−)の酸素原子に結合した基の様に、アダマンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ノルボルニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等の脂肪族環式基と、これに結合する、第3級炭素原子を有する分岐鎖状アルキレン基とを有する基が挙げられる。   Examples of the acid-dissociable group containing an aliphatic cyclic group include a group having a tertiary carbon atom on the ring skeleton of a cyclic alkyl group, specifically, 2-methyl-2-adamantyl. Group, 2-ethyl-2-adamantyl group and the like. Alternatively, in the structural units represented by the following general formulas (a1 ″ -1) to (a1 ″ -6), an adamantyl group such as a group bonded to an oxygen atom of a carbonyloxy group (—C (O) —O—) A group having an aliphatic cyclic group such as a cyclohexyl group, a cyclopentyl group, a norbornyl group, a tricyclodecyl group, or a tetracyclododecyl group and a branched alkylene group having a tertiary carbon atom bonded thereto. Can be mentioned.

Figure 0005711958
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を示し;R15、R16はアルキル基(直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、好ましくは炭素数1〜5である)を示す。]
Figure 0005711958
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; R 15 and R 16 are alkyl groups (both linear and branched); Well, preferably 1 to 5 carbon atoms). ]

一般式(a1”−1)〜(a1”−6)において、Rの炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基は、上記α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基と同様である。   In the general formulas (a1 ″ -1) to (a1 ″ -6), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R is hydrogen bonded to the α-position carbon atom. This is the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for substituting the atoms.

「アセタール型酸解離性基」は、一般的に、カルボキシ基、水酸基等のアルカリ可溶性基末端の水素原子と置換して酸素原子と結合している。そして、露光により酸が発生すると、この酸が作用して、アセタール型酸解離性基と、当該アセタール型酸解離性基が結合した酸素原子との間で結合が切断される。
アセタール型酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(p1)で表される基が挙げられる。
The “acetal acid dissociable group” is generally bonded to an oxygen atom by substituting a hydrogen atom at the terminal of an alkali-soluble group such as a carboxy group or a hydroxyl group. When an acid is generated by exposure, the acid acts to break the bond between the acetal acid dissociable group and the oxygen atom to which the acetal acid dissociable group is bonded.
Examples of the acetal type acid dissociable group include a group represented by the following general formula (p1).

Figure 0005711958
[式中、R’,R’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、n’は0〜3の整数を表し、Yは炭素数1〜5のアルキル基または脂肪族環式基を表す。]
Figure 0005711958
[Wherein, R 1 ′ and R 2 ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, n ′ represents an integer of 0 to 3 and Y represents an alkyl having 1 to 5 carbon atoms. Represents a group or an aliphatic cyclic group. ]

上記式中、n’は、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。
’,R’の炭素数1〜5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1〜5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
本発明においては、R’,R’のうち少なくとも1つが水素原子であることが好ましい。すなわち、酸解離性基(p1)が、下記一般式(p1−1)で表される基であることが好ましい。
In the above formula, n ′ is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 0.
Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R 1 ′ and R 2 ′ include those similar to the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R, preferably a methyl group or an ethyl group, and most preferably a methyl group. preferable.
In the present invention, it is preferable that at least one of R 1 ′ and R 2 ′ is a hydrogen atom. That is, the acid dissociable group (p1) is preferably a group represented by the following general formula (p1-1).

Figure 0005711958
[式中、R’、n’、Yは上記と同様である。]
Figure 0005711958
[Wherein R 1 ′, n ′ and Y are the same as described above. ]

Yの炭素数1〜5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1〜5のアルキル基と同様のものが挙げられる。
Yの脂肪族環式基としては、従来ArFレジスト等において多数提案されている単環又は多環式の脂肪族環式基の中から適宜選択して用いることができ、たとえば上記「脂肪族環式基」と同様のものが例示できる。
Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of Y include the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R.
The aliphatic cyclic group for Y can be appropriately selected from monocyclic or polycyclic aliphatic cyclic groups that have been proposed in a number of conventional ArF resists. For example, the above “aliphatic ring” Examples thereof are the same as those in the formula group.

また、アセタール型酸解離性基としては、下記一般式(p2)で示される基も挙げられる。   Examples of the acetal type acid dissociable group also include a group represented by the following general formula (p2).

Figure 0005711958
[式中、R17、R18はそれぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基または水素原子であり、R19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基である。または、R17およびR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であって、R17の末端とR19の末端とが結合して環を形成していてもよい。]
Figure 0005711958
[Wherein, R 17 and R 18 each independently represent a linear or branched alkyl group or a hydrogen atom, and R 19 represents a linear, branched or cyclic alkyl group. Alternatively, R 17 and R 19 may be each independently a linear or branched alkylene group, and the end of R 17 and the end of R 19 may be bonded to form a ring. ]

17、R18において、アルキル基の炭素数は好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
特にR17、R18の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。
19は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基であり、炭素数は好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよい。
19が直鎖状、分岐鎖状の場合は炭素数1〜5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。
19が環状の場合は炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的にはフッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
また、上記式においては、R17及びR19がそれぞれ独立に直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基(好ましくは炭素数1〜5のアルキレン基)であってR19の末端とR17の末端とが結合していてもよい。
この場合、R17とR19と、R19が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR17が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4〜7員環が好ましく、4〜6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。
In R 17 and R 18 , the alkyl group preferably has 1 to 15 carbon atoms, may be linear or branched, and is preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group.
In particular, it is preferable that one of R 17 and R 18 is a hydrogen atom and the other is a methyl group.
R 19 is a linear, branched or cyclic alkyl group, preferably having 1 to 15 carbon atoms, and may be any of linear, branched or cyclic.
When R 19 is linear or branched, it preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably an ethyl group.
When R 19 is cyclic, it preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, one or more polycycloalkanes such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, are included. Examples include a group excluding a hydrogen atom. Specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
In the above formula, R 17 and R 19 are each independently a linear or branched alkylene group (preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms), and the end of R 19 and the end of R 17 And may be combined.
In this case, a cyclic group is formed by R 17 , R 19 , the oxygen atom to which R 19 is bonded, and the carbon atom to which the oxygen atom and R 17 are bonded. The cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, and more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group and a tetrahydrofuranyl group.

構成単位(a11)としては、下記一般式(a1−0−1)で表される構成単位および下記一般式(a1−0−2)で表される構成単位からなる群から選ばれる1種以上を用いることが好ましい。   As the structural unit (a11), one or more selected from the group consisting of structural units represented by the following general formula (a1-0-1) and structural units represented by the following general formula (a1-0-2): Is preferably used.

Figure 0005711958
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を示し;Xは酸解離性基を示す。]
Figure 0005711958
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; X 1 represents an acid dissociable group. ]

Figure 0005711958
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を示し;Xは酸解離性基を示し;Yは2価の連結基を示す。]
Figure 0005711958
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; X 2 represents an acid dissociable group; Y 2 represents a divalent linking group. Show. ]

一般式(a1−0−1)において、Rの炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基は、上記アクリル酸エステルのα位に結合していてよい炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基と同様である。
は、酸解離性基であれば特に限定することはなく、たとえば上述した第3級アルキルエステル型酸解離性基、アセタール型酸解離性基などを挙げることができ、第3級アルキルエステル型酸解離性基が好ましい。
In the general formula (a1-0-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R may be bonded to the α-position of the acrylate ester. It is the same as the alkyl group having ˜5 or the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
X 1 is not particularly limited as long as it is an acid dissociable group, and examples thereof include the above-described tertiary alkyl ester type acid dissociable groups, acetal type acid dissociable groups, and the like. Type acid dissociable groups are preferred.

一般式(a1−0−2)において、Rは上記と同様である。
は、式(a1−0−1)中のXと同様である。
の2価の連結基としては、アルキレン基、2価の脂肪族環式基またはヘテロ原子を含む2価の連結基が挙げられる。
該脂肪族環式基としては、水素原子が2個以上除かれた基が用いられること以外は前記「脂肪族環式基」の説明と同様のものを用いることができる。
がアルキレン基である場合、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜6であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが特に好ましく、炭素数1〜3であることが最も好ましい。
が2価の脂肪族環式基である場合、シクロペンタン、シクロヘキサン、ノルボルナン、イソボルナン、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンから水素原子が2個以上除かれた基であることが特に好ましい。
がヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−、「−A−O(酸素原子)−B−(ただし、AおよびBはそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。)」、「−A−O−C(=O)−B−」等が挙げられる。
In general formula (a1-0-2), R is the same as defined above.
X 2 is the same as X 1 in formula (a1-0-1).
Examples of the divalent linking group for Y 2 include an alkylene group, a divalent aliphatic cyclic group, and a divalent linking group containing a hetero atom.
As the aliphatic cyclic group, those similar to the explanation of the “aliphatic cyclic group” can be used except that a group in which two or more hydrogen atoms are removed is used.
When Y 2 is an alkylene group, it is preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably 1 to 4 carbon atoms, and 1 to 3 carbon atoms. Most preferably it is.
When Y 2 is a divalent aliphatic cyclic group, a group in which two or more hydrogen atoms have been removed from cyclopentane, cyclohexane, norbornane, isobornane, adamantane, tricyclodecane, or tetracyclododecane is particularly preferable. .
When Y 2 is a divalent linking group containing a hetero atom, examples of the divalent linking group containing a hetero atom include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O—, —C (═O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group), —S—. , —S (═O) 2 —, —S (═O) 2 —O—, “—AO (oxygen atom) —B— (wherein A and B each independently have a substituent) A divalent hydrocarbon group that may be present.) ”,“ —A—O—C (═O) —B— ”and the like.

が−NH−の場合における置換基(アルキル基、アシル基等)の炭素数としては1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜5であることが特に好ましい。
が「A−O−B」または「−A−O−C(=O)−B−」である場合、AおよびBは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。
炭化水素基が「置換基を有する」とは、該炭化水素基における水素原子の一部または全部が、水素原子以外の基または原子で置換されていることを意味する。
When Y 2 is —NH—, the substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms. It is particularly preferred that
When Y 2 is “A—O—B” or “—A—O—C (═O) —B—”, A and B may each independently have a substituent 2 Valent hydrocarbon group.
The hydrocarbon group having “substituent” means that part or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are substituted with groups or atoms other than hydrogen atoms.

Aにおける炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。   The hydrocarbon group in A may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity.

Aにおける脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
Aにおける脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group for A may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
Specific examples of the aliphatic hydrocarbon group for A include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure.

直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8がより好ましく、2〜5がさらに好ましく、2が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8, still more preferably 2 to 5, and most preferably 2.
As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable. Specifically, a methylene group, an ethylene group [— (CH 2 ) 2 —], a trimethylene group [— (CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [- (CH 2) 4 - ], a pentamethylene group [- (CH 2) 5 - ] , and the like.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferred, and specifically, —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - Alkylethylene groups such as CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 —; Alkyl trimethylene groups such as —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 —; —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl, such as alkyl tetramethylene group such as Such as an alkylene group, and the like. The alkyl group in the alkyl alkylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
The chain-like aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like.

環を含む脂肪族炭化水素基としては、環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、該環状の脂肪族炭化水素基が前述した鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合するか又は鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。
多環式基としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and the cyclic aliphatic hydrocarbon group described above as a chain-like aliphatic group. And a group bonded to the terminal of the aromatic hydrocarbon group or interposed in the middle of the chain-like aliphatic hydrocarbon group.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms is preferable, and examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane.
As the polycyclic group, a group in which two hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specifically, the polycycloalkane includes adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetra And cyclododecane.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (= O).

Aとしては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数2〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、エチレン基が最も好ましい。   A is preferably a linear aliphatic hydrocarbon group, more preferably a linear alkylene group, still more preferably a linear alkylene group having 2 to 5 carbon atoms, and most preferably an ethylene group.

Bにおける炭化水素基としては、前記Aで挙げたものと同様の2価の炭化水素基が挙げられる。
Bとしては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基またはアルキルメチレン基が特に好ましい。
アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3の直鎖状のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
Examples of the hydrocarbon group for B include the same divalent hydrocarbon groups as those described above for A.
B is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, particularly preferably a methylene group or an alkylmethylene group.
The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.

構成単位(a11)として、より具体的には、下記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位が挙げられる。   More specifically, examples of the structural unit (a11) include structural units represented by general formulas (a1-1) to (a1-4) shown below.

Figure 0005711958
[式中、X’は第3級アルキルエステル型酸解離性基を表し、Yは炭素数1〜5のアルキル基、または脂肪族環式基を表し;n’は0〜3の整数を表し;Yは2価の連結基を表し;Rは前記と同じであり、R’、R’はそれぞれ独立して水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表す。]
Figure 0005711958
[Wherein, X ′ represents a tertiary alkyl ester-type acid dissociable group, Y represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or an aliphatic cyclic group; n ′ represents an integer of 0 to 3] Y 2 represents a divalent linking group; R is the same as defined above; R 1 ′ and R 2 ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; ]

前記式中、X’は、前記Xにおいて例示した第3級アルキルエステル型酸解離性基と同様のものが挙げられる。
’、R’、n’、Yとしては、それぞれ、上述の「アセタール型酸解離性基」の説明において挙げた一般式(p1)におけるR’、R’、n’、Yと同様のものが挙げられる。
としては、上述の一般式(a1−0−2)におけるYと同様のものが挙げられる
In the formula, X 'include the same tertiary alkyl ester-type acid dissociable groups described above for X 1.
R 1 ', R 2', n ', as the Y, respectively, R 1 in the general formula listed in the description of "acetal-type acid dissociable group" described above (p1)', R 2 ' , n', Y The same thing is mentioned.
The Y 2, the same groups as those described above for Y 2 in general formula (a1-0-2)

以下に、上記一般式(a1−1)〜(a1−4)で表される構成単位の具体例を示す。   Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a1-1) to (a1-4) are shown below.

Figure 0005711958
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構成単位(a11)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
その中でも、一般式(a1−1)、(a1−2)又は(a1−3)で表される構成単位が好ましく、具体的には、式(a1−1−1)〜(a1−1−7)、式(a1−1−36)〜(a1−1−42)、式(a1−1−47)〜(a1−1−50)、式(a1−1−51)〜(a1−1−54);式(a1−2−3)、(a1−2−4)、(a1−2−9)、(a1−2−10)、(a1−2−13)、(a1−2−14)、(a1−2−17)、(a1−2−18)、(a1−2−20)、(a1−2−21)〜(a1−2−31);式(a1−3−49)〜(a1−3−56)および式(a1−3−57)〜(a1−3−58)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種を用いることがより好ましい。
さらに、構成単位(a11)としては、特に、式(a1−1−1)〜式(a1−1−5)および式(a1−1−47)〜式(a1−1−50)で表される構成単位を包括する下記一般式(a1−1−01)で表されるもの、式(a1−1−28)、式(a1−1−31)〜式(a1−1−34)、(a1−1−36)〜(a1−1−42)および式(a1−1−51)〜(a1−1−54)で表される構成単位を包括する下記一般式(a1−1−02)で表されるもの、;式(a1−2−3)、(a1−2−4)、(a1−2−9)、(a1−2−10)、(a1−2−13)、(a1−2−14)、(a1−2−17)、(a1−2−18)および(a1−2−20)で表される構成単位を包括する下記一般式(a1−2−01)で表されるもの、(a1−2−21)〜(a1−2−31)で表される構成単位を包括する下記一般式(a1−2−02)で表されるもの;式(a1−3−57)〜(a1−3−58)で表される構成単位を包括する下記一般式(a1−3−01)で表されるもの、および式(a1−3−59)〜(a1−3−60)で表される構成単位を包括する下記一般式(a1−3−02)で表されるもの、式(a1−3−49)〜(a1−3−52)の構成単位を包括する下記一般式(a1−3−03)で表されるもの、式(a1−3−53)〜(a1−3−56)の構成単位を包括する下記一般式(a1−3−04)で表されるものも好ましい。
As the structural unit (a11), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
Among these, structural units represented by general formula (a1-1), (a1-2) or (a1-3) are preferable, and specifically, the formulas (a1-1-1) to (a1-1-1-) are preferable. 7), formulas (a1-1-36) to (a1-1-42), formulas (a1-1-47) to (a1-1-50), formulas (a1-1-51) to (a1-1) -54); Formula (a1-2-3), (a1-2-4), (a1-2-9), (a1-2-10), (a1-2-13), (a1-2) 14), (a1-2-17), (a1-2-18), (a1-2-20), (a1-2-21) to (a1-231); formula (a1-3-49) ) To (a1-3-56) and at least one selected from the group consisting of structural units represented by formulas (a1-3-57) to (a1-3-58) are more preferable.
Further, the structural unit (a11) is particularly represented by the formula (a1-1-1) to the formula (a1-1-5) and the formula (a1-1-47) to the formula (a1-1-50). Represented by the following general formula (a1-1-01) including the structural units represented by formula (a1-1-28), formula (a1-1-31) to formula (a1-1-34), ( a1-1-36) to (a1-1-42) and formulas (a1-1-51) to (a1-1-54) include the structural units represented by the following general formula (a1-1-02) Those represented by formulas (a1-2-3), (a1-2-4), (a1-2-9), (a1-2-10), (a1-2-13), (a1 -2-14), (a1-2-17), (a1-2-18) and (a1-2-20) are represented by the following general formula (a1-2-01) including the structural units represented by Is A compound represented by the following general formula (a1-2-02) including structural units represented by (a1-2-21) to (a1-231); a formula (a1-3-57) Represented by the following general formula (a1-3-01) including structural units represented by (a1-3-58) and formulas (a1-3-59) to (a1-3-60) Represented by the following general formula (a1-3-02) including the structural units represented by the following general formulas including the structural units of the formulas (a1-3-49) to (a1-3-52) What is represented by (a1-3-03), and is represented by the following general formula (a1-3-04) including the structural units of formulas (a1-3-53) to (a1-3-56) Is also preferable.

Figure 0005711958
[式(a1−1−01)中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を示し、R11は炭素数1〜5のアルキル基を示す。式(a1−1−02)中、Rは前記と同じであり、R12は炭素数1〜5のアルキル基を示し、jは1〜6の整数を表す。]
Figure 0005711958
[In formula (a1-1-01), R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and R 11 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Show. In formula (a1-1-02), R is the same as defined above, R 12 represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and j represents an integer of 1 to 6. ]

一般式(a1−1−01)において、Rについては上記と同様である。
11の炭素数1〜5のアルキル基は、Rにおける炭素数1〜5のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましい。
In general formula (a1-1-01), R is the same as defined above.
The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R 11 is the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R, and is preferably a methyl group, an ethyl group, or an isopropyl group.

一般式(a1−1−02)において、Rについては上記と同様である。
12の炭素数1〜5のアルキル基は、Rにおける炭素数1〜5のアルキル基と同様であり、メチル基、エチル基、またはイソプロピル基が好ましい。jは、1又は2が好ましく、2が最も好ましい。
In general formula (a1-1-02), R is the same as defined above.
The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R 12 is the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R, and is preferably a methyl group, an ethyl group, or an isopropyl group. j is preferably 1 or 2, and most preferably 2.

Figure 0005711958
[式(a1−2−01)中、Rは前記と同じであり、R’,R’およびnはそれぞれ前記と同じである。式(a1−2−02)中、R、R’,R’およびnは式(a1−2−01)におけるR、R’,R’およびnとそれぞれ同じであり、jは1〜6の整数を表す。]
Figure 0005711958
[In formula (a1-2-01), R is as defined above, and R 1 ′, R 2 ′ and n are as defined above. Wherein (a1-2-02), R, R 1 ', R 2' and n are R, R 1 ', R 2 ' respectively and n the same in the formula (a1-2-01), j is The integer of 1-6 is represented. ]

一般式(a1−2−01)において、Rについては上記と同様である。
’,R’は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基、エチル基が好ましく、水素原子又はメチル基がより好ましく、R’,R’のうち少なくとも1つが水素原子であることが特に好ましい。
nは、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、0が最も好ましい。
一般式(a1−2−02)において、R、R’,R’およびnについては、一般式(a1−2−01)におけるR、R’,R’およびnとそれぞれ同じである。
jは、1又は2が好ましく、2が最も好ましい。
In general formula (a1-2-01), R is the same as described above.
R 1 ′ and R 2 ′ are each independently preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, more preferably a hydrogen atom or a methyl group, and at least one of R 1 ′ and R 2 ′ is a hydrogen atom. Is particularly preferred.
n is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 0.
In general formula (a1-2-02), R, R 1 ′, R 2 ′ and n are the same as R, R 1 ′, R 2 ′ and n in general formula (a1-2-01), respectively. is there.
j is preferably 1 or 2, and most preferably 2.

Figure 0005711958
[式(a1−3−01)中、Rは前記と同じであり、R14は炭素数1〜5のアルキル基であり、qは1〜10の整数であり、rは1〜10の整数である。式(a1−3−02)中、R、R14、q、rは式(a1−3−01)におけるR、R14、q、rとそれぞれ同じであり、tは1〜6の整数である。式(a1−3−03)中、R、R14、q、rは式(a1−3−01)におけるR、R14、q、rとそれぞれ同じである。式(a1−3−04)中、R、R14、q、r、tは式(a1−3−02)におけるR、R14、q、r、tとそれぞれ同じである。]
Figure 0005711958
[In formula (a1-3-01), R is as defined above, R 14 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, q is an integer of 1 to 10, and r is an integer of 1 to 10. It is. Wherein (a1-3-02), R, R 14 , q, r is R, R 14, q, respectively r the same in the formula (a1-3-01), t is an integer from 1 to 6 is there. Wherein (a1-3-03), R, R 14 , q, r are R, R 14, q, respectively r the same in the formula (a1-3-01). Wherein (a1-3-04), R, R 14 , q, r, t is the R, R 14, q, r , respectively t the same in formula (a1-3-02). ]

一般式(a1−3−01)、一般式(a1−3−03)において、Rについては上記と同様である。
14の炭素数1〜5のアルキル基は、Rにおける炭素数1〜5のアルキル基と同様であり、メチル基又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
qは1〜10の整数であり、1〜5の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。
rは1〜10の整数であり、1〜5の整数が好ましく、1または2が特に好ましい。
In general formula (a1-3-01) and general formula (a1-3-03), R is the same as described above.
The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R 14 is the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R, preferably a methyl group or an ethyl group, and more preferably a methyl group.
q is an integer of 1 to 10, an integer of 1 to 5 is preferable, and 1 or 2 is particularly preferable.
r is an integer of 1 to 10, an integer of 1 to 5 is preferable, and 1 or 2 is particularly preferable.

一般式(a1−3−02)、一般式(a1−3−04)において、R、R14、q、rについては、一般式(a1−3−01)におけるR、R14、q、rとそれぞれ同じである。
tは、1〜6の整数であり、1〜4が好ましく、1または2がより好ましい。
Formula (a1-3-02), in the general formula (a1-3-04), R, R 14 , q, for r is, R in the general formula (a1-3-01), R 14, q , r Are the same.
t is an integer of 1 to 6, preferably 1 to 4, and more preferably 1 or 2.

(A1)成分中の構成単位(a11)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位に対し、10〜80モル%が好ましく、20〜70モル%がより好ましく、25〜50モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることによって、ポジ型レジスト組成物とした際に容易にパターンを得ることができ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。   The proportion of the structural unit (a11) in the component (A1) is preferably 10 to 80 mol%, more preferably 20 to 70 mol%, more preferably 25 to 50 mol%, based on all structural units constituting the component (A1). Is more preferable. By setting it to the lower limit value or more, a pattern can be easily obtained when the positive resist composition is obtained, and by setting the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units.

・構成単位(a2)
構成単位(a2)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、−SO−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(以下、構成単位(a2)という。)およびラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位(以下、構成単位(a2)という。)からなる群から選択される少なくとも1種の構成単位である。
構成単位(a2)は、−SO−含有環式基またはラクトン環式基を含むことにより、当該(A1)成分を含有するポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の基板への密着性や、水を含有する現像液との親和性を高める等により、リソグラフィー特性の向上に寄与する。
-Structural unit (a2)
The structural unit (a2) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a —SO 2 — containing cyclic group. A structural unit derived from an acrylate ester (hereinafter referred to as a structural unit (a2 S )) and a structural unit derived from an acrylate ester containing a lactone-containing cyclic group (hereinafter referred to as a structural unit (a2 L )). At least one structural unit selected from the group consisting of:
The structural unit (a2) contains a —SO 2 — containing cyclic group or a lactone cyclic group, whereby a resist film formed using the positive resist composition containing the component (A1) is applied to the substrate. It contributes to the improvement of lithography properties by increasing the adhesion and affinity with a developer containing water.

・構成単位(a2):
構成単位(a2)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって−SO−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
ここで、−SO−含有環式基とは、その環骨格中に−SO−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−SO−における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に−SO−を含む環をひとつの目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。−SO−含有環式基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。
−SO−含有環式基は、特に、その環骨格中に−O−SO−を含む環式基、すなわち−O−SO−中の−O−S−が環骨格の一部を形成するサルトン(sultone)環を含有する環式基であることが好ましい。
−SO−含有環式基は、炭素数が3〜30であることが好ましく、4〜20であることが好ましく、4〜15であることがより好ましく、4〜12であることが特に好ましい。ただし、該炭素数は環骨格を構成する炭素原子の数であり、置換基における炭素数を含まないものとする。
−SO−含有環式基は、−SO−含有脂肪族環式基であってもよく、−SO−含有芳香族環式基であってもよい。好ましくは−SO−含有脂肪族環式基である。
−SO−含有脂肪族環式基としては、その環骨格を構成する炭素原子の一部が−SO−または−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基が挙げられる。より具体的には、その環骨格を構成する−CH−が−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基、その環を構成する−CH−CH−が−O−SO−で置換された脂肪族炭化水素環から水素原子を少なくとも1つ除いた基等が挙げられる。
該脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
該脂環式炭化水素基は、多環式であってもよく、単環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数3〜6のモノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該モノシクロアルカンとしてはシクロペンタン、シクロヘキサン等が例示できる。多環式の脂環式炭化水素基としては、炭素数7〜12のポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとして具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
-Structural unit (a2 S ):
The structural unit (a2 S ) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a —SO 2 — containing cyclic group. It is a structural unit derived from an acrylate ester.
Here, -SO 2 - and containing cyclic group, -SO 2 - within the ring skeleton thereof shows a cyclic group containing a ring containing, in particular, -SO 2 - in the sulfur atom (S) Are cyclic groups that form part of the ring skeleton of the cyclic group. A ring containing —SO 2 — in the ring skeleton is counted as one ring, and if it is only the ring, it is a monocyclic group, and if it has another ring structure, it is polycyclic regardless of the structure It is called a group. The —SO 2 — containing cyclic group may be monocyclic or polycyclic.
-SO 2 - containing cyclic group, in particular, -O-SO 2 - within the ring skeleton cyclic group containing, i.e. -O-SO 2 - -O-S- medium is a part of the ring skeleton It is preferably a cyclic group containing a sultone ring to be formed.
The —SO 2 — containing cyclic group preferably has 3 to 30 carbon atoms, preferably 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 15 carbon atoms, and particularly preferably 4 to 12 carbon atoms. . However, the carbon number is the number of carbon atoms constituting the ring skeleton, and does not include the carbon number in the substituent.
The —SO 2 — containing cyclic group may be an —SO 2 — containing aliphatic cyclic group or an —SO 2 — containing aromatic cyclic group. Preferably -SO 2 - containing aliphatic cyclic group.
The —SO 2 -containing aliphatic cyclic group includes at least a hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which a part of carbon atoms constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 — or —O—SO 2 —. One group is excluded. More specifically, a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which —CH 2 — constituting the ring skeleton is substituted with —SO 2 —, —CH 2 — constituting the ring And a group obtained by removing at least one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring in which CH 2 — is substituted with —O—SO 2 —.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group in which two hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane. , Tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

−SO−含有環式基は、置換基を有していてもよい。該置換基としては、たとえばアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基、シアノ基等が挙げられる。
該置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
該置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基に酸素原子(−O−)に結合した基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
該置換基のハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
該置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としてはフッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。
前記−COOR”、−OC(=O)R”におけるR”は、いずれも、水素原子または炭素数1〜15の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基である。
R”が直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンや、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
該置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1〜6であるものが好ましく、具体的には、前記置換基としてのアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。
−SO−含有環式基として、より具体的には、下記一般式(3−1)〜(3−4)で表される基が挙げられる。
The —SO 2 — containing cyclic group may have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, an oxygen atom (═O), —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group, a cyano group, and the like. Is mentioned.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group is preferably linear or branched. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, and a hexyl group. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specifically, the group couple | bonded with the oxygen atom (-O-) to the alkyl group quoted as the alkyl group as the said substituent is mentioned.
Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group for the substituent include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent are substituted with the halogen atom. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is preferable, and a perfluoroalkyl group is particularly preferable.
R ″ in —COOR ″ and —OC (═O) R ″ is a hydrogen atom or a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group or an ethyl group. preferable.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom Alternatively, one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group. More specifically, one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane. Group.
The hydroxyalkyl group as the substituent is preferably one having 1 to 6 carbon atoms. Specifically, at least one of the hydrogen atoms of the alkyl group mentioned as the alkyl group as the substituent is substituted with a hydroxyl group. Group.
More specifically, examples of the —SO 2 -containing cyclic group include groups represented by the following general formulas (3-1) to (3-4).

Figure 0005711958
[式中、A’は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、zは0〜2の整数であり、R27はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり、R”は水素原子またはアルキル基である。]
Figure 0005711958
[In the formula, A ′ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, z is an integer of 0 to 2, and R 27 is an alkyl group. , An alkoxy group, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, a hydroxyalkyl group or a cyano group, and R ″ is a hydrogen atom or an alkyl group.]

前記一般式(3−1)〜(3−4)中、A’は、酸素原子(−O−)もしくは硫黄原子(−S−)を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子である。
A’における炭素数1〜5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。
該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−O−または−S−が介在する基が挙げられ、たとえば−O−CH−、−CH−O−CH−、−S−CH−、−CH−S−CH−等が挙げられる。
A’としては、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
zは0〜2のいずれであってもよく、0が最も好ましい。
zが2である場合、複数のR27はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
27におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ、前記で−SO−含有環式基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基と同様のものが挙げられる。
以下に、前記一般式(3−1)〜(3−4)で表される具体的な環式基を例示する。なお、式中の「Ac」はアセチル基を示す。
In the general formulas (3-1) to (3-4), A ′ represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—), An oxygen atom or a sulfur atom.
The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A ′ is preferably a linear or branched alkylene group, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, and an isopropylene group.
When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include a group in which —O— or —S— is interposed between the terminal or carbon atoms of the alkylene group, such as —O—CH 2. -, - CH 2 -O-CH 2 -, - S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2 - , and the like.
A ′ is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or —O—, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group.
z may be any of 0 to 2, and is most preferably 0.
When z is 2, the plurality of R 27 may be the same or different.
As the alkyl group, alkoxy group, halogenated alkyl group, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl group in R 27 , the —SO 2 — containing cyclic group has the above-mentioned, respectively. And the same alkyl groups, alkoxy groups, halogenated alkyl groups, —COOR ″, —OC (═O) R ″, and hydroxyalkyl groups as those which may be substituted.
Below, the specific cyclic group represented by the said general formula (3-1)-(3-4) is illustrated. In the formula, “Ac” represents an acetyl group.

Figure 0005711958
Figure 0005711958

Figure 0005711958
Figure 0005711958

Figure 0005711958
Figure 0005711958

Figure 0005711958
Figure 0005711958

Figure 0005711958
Figure 0005711958

−SO−含有環式基としては、上記の中でも、前記一般式(3−1)、(3−3)、(3−4)で表される基が好ましく、前記化学式(3−1−1)、(3−1−18)、(3−3−1)および(3−4−1)のいずれかで表される基からなる群から選択される少なくとも1種を用いることがより好ましく、前記化学式(3−1−1)で表される基が最も好ましい。 As the —SO 2 — containing cyclic group, among the above, groups represented by the general formulas (3-1), (3-3), and (3-4) are preferable, and the chemical formula (3-1-1- It is more preferable to use at least one selected from the group consisting of groups represented by 1), (3-1-18), (3-3-1) and (3-4-1) The group represented by the chemical formula (3-1-1) is most preferable.

構成単位(a2)の例として、より具体的には、下記一般式(a2−0)で表される構成単位が挙げられる。 More specifically, examples of the structural unit (a2 S ) include structural units represented by general formula (a2-0) shown below.

Figure 0005711958
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、R28は−SO−含有環式基であり、R29は単結合または2価の連結基である。]
Figure 0005711958
[Wherein, R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, R 28 represents a —SO 2 — containing cyclic group, and R 29 represents a single bond. Or it is a bivalent coupling group. ]

式(a2−0)中、Rは前記と同様である。
28は、前記で挙げた−SO−含有環式基と同様である。
29は、単結合、2価の連結基のいずれであってもよい。本発明の効果に優れることから、2価の連結基であることが好ましい。
29における2価の連結基としては、特に限定されず、たとえば、前記構成単位(a11)の説明中で挙げた一般式(a1−0−2)中のYにおける2価の連結基として挙げたものと同様のものが挙げられる。それらの中でも、アルキレン基、またはエステル結合(−C(=O)−O−)を含むものが好ましい。
該アルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましい。具体的には、前記Yにおける脂肪族炭化水素基として挙げた直鎖状のアルキレン基、分岐鎖状のアルキレン基と同様のものが挙げられる。
エステル結合を含む2価の連結基としては、特に、一般式:−R30−C(=O)−O−[式中、R30は2価の連結基である。]で表される基が好ましい。すなわち、構成単位(a2)は、下記一般式(a2−0−1)で表される構成単位であることが好ましい。
In formula (a2-0), R is the same as defined above.
R 28 is the same as the —SO 2 — containing cyclic group mentioned above.
R 29 may be a single bond or a divalent linking group. Since it is excellent in the effect of this invention, it is preferable that it is a bivalent coupling group.
The divalent linking group for R 29 is not particularly limited. For example, as the divalent linking group for Y 2 in the general formula (a1-0-2) mentioned in the description of the structural unit (a11). The thing similar to what was mentioned is mentioned. Among these, those containing an alkylene group or an ester bond (—C (═O) —O—) are preferable.
The alkylene group is preferably a linear or branched alkylene group. Specifically, the same as the linear alkylene group and branched alkylene group mentioned as the aliphatic hydrocarbon group for Y 2 can be used.
As the divalent linking group containing an ester bond, in particular, the general formula: —R 30 —C (═O) —O— [wherein R 30 is a divalent linking group. ] Is preferable. That is, the structural unit (a2 S ) is preferably a structural unit represented by the following general formula (a2-0-1).

Figure 0005711958
[式中、RおよびR28はそれぞれ前記と同様であり、R30は2価の連結基である。]
Figure 0005711958
[Wherein, R and R 28 are the same as defined above, and R 30 is a divalent linking group. ]

30としては、特に限定されず、たとえば、前記構成単位(a1)の説明中で挙げた一般式(a1−0−2)中のYにおける2価の連結基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
30の2価の連結基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、またはヘテロ原子を含む2価の連結基が好ましい。
該直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記Yで好ましいものとして挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、2価の脂環式炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
上記の中でも、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、またはヘテロ原子として酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。
直鎖状のアルキレン基としては、メチレン基またはエチレン基が好ましく、メチレン基が特に好ましい。
分岐鎖状のアルキレン基としては、アルキルメチレン基またはアルキルエチレン基が好ましく、−CH(CH)−、−C(CH−または−C(CHCH−が特に好ましい。
酸素原子を含む2価の連結基としては、エーテル結合またはエステル結合を含む2価の連結基が好ましく、前記式−A−O−B−、−[A−C(=O)−O]−B−または−A−O−C(=O)−B−で表される基がより好ましい。
なかでも、式−A−O−C(=O)−B−で表される基が好ましく、−(CH−C(=O)−O−(CH−で表される基が特に好ましい。cは1〜5の整数であり、1または2が好ましい。dは1〜5の整数であり、1または2が好ましい。
R 30 is not particularly limited, and for example, the same as the divalent linking group for Y 2 in the general formula (a1-0-2) mentioned in the description of the structural unit (a1). Things.
The divalent linking group for R 30 is preferably a linear or branched alkylene group, a divalent alicyclic hydrocarbon group, or a divalent linking group containing a hetero atom.
Examples of the linear or branched alkylene group, divalent alicyclic hydrocarbon group, and divalent linking group containing a hetero atom include the linear or branched groups mentioned above as preferred for Y 2. Examples thereof include the same chain alkylene groups, divalent alicyclic hydrocarbon groups, and divalent linking groups containing a hetero atom.
Among these, a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom as a hetero atom is preferable.
As the linear alkylene group, a methylene group or an ethylene group is preferable, and a methylene group is particularly preferable.
As the branched alkylene group, an alkylmethylene group or an alkylethylene group is preferable, and —CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 — or —C (CH 3 ) 2 CH 2 — is particularly preferable.
The divalent linking group containing an oxygen atom is preferably a divalent linking group containing an ether bond or an ester bond, and the above formulas -A-O-B-,-[A-C (= O) -O] m A group represented by —B— or —A—O—C (═O) —B— is more preferable.
Among them, preferred is a group represented by the formula -A-O-C (= O ) -B-, - represented by - (CH 2) c -C ( = O) -O- (CH 2) d The group is particularly preferred. c is an integer of 1 to 5, and 1 or 2 is preferable. d is an integer of 1-5, and 1 or 2 is preferable.

構成単位(a2)としては、特に、下記一般式(a0−1−11)または(a0−1−12)で表される構成単位が好ましく、式(a0−1−12)で表される構成単位がより好ましい。 As the structural unit (a2 S ), a structural unit represented by general formula (a0-1-11) or (a0-1-12) shown below is particularly preferable, and represented by formula (a0-1-12). A structural unit is more preferable.

Figure 0005711958
[式中、R、A’、R27、zおよびR30はそれぞれ前記と同じである。]
Figure 0005711958
[Wherein, R, A ′, R 27 , z and R 30 are the same as defined above. ]

式(a0−1−11)中、A’はメチレン基、酸素原子(−O−)または硫黄原子(−S−)であることが好ましい。
30としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、または酸素原子を含む2価の連結基が好ましい。R30における直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基としては、それぞれ、前記で挙げた直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基、酸素原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
式(a0−1−12)で表される構成単位としては、特に、下記一般式(a0−1−12a)または(a0−1−12b)で表される構成単位が好ましい。
In formula (a0-1-11), A ′ is preferably a methylene group, an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—).
R 30 is preferably a linear or branched alkylene group or a divalent linking group containing an oxygen atom. As the linear or branched alkylene group and the divalent linking group containing an oxygen atom in R 30, the linear or branched alkylene group mentioned above and a divalent linking group containing an oxygen atom are mentioned. Examples are the same as the linking group.
As the structural unit represented by the formula (a0-1-12), a structural unit represented by the following general formula (a0-1-12a) or (a0-1-12b) is particularly preferable.

Figure 0005711958
[式中、RおよびA’はそれぞれ前記と同じであり、c〜eはそれぞれ独立に1〜3の整数である。]
Figure 0005711958
[Wherein, R and A ′ are the same as defined above, and c to e are each independently an integer of 1 to 3.] ]

・構成単位(a2):
構成単位(a2)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であってラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。
ここで、ラクトン含有環式基とは、その環骨格中に−O−C(O)−を含む環(ラクトン環)を含有する環式基を示す。ラクトン環をひとつの目の環として数え、ラクトン環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。ラクトン含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
構成単位(a2)におけるラクトン環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、ラクトン含有単環式基としては、4〜6員環ラクトンから水素原子を1つ除いた基、たとえばβ−プロピオノラクトンから水素原子を1つ除いた基、γ−ブチロラクトンから水素原子1つを除いた基、δ−バレロラクトンから水素原子を1つ除いた基等が挙げられる。また、ラクトン含有多環式基としては、ラクトン環を有するビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンから水素原子一つを除いた基が挙げられる。
構成単位(a2)の例としては、たとえば前記一般式(a2−0)中のR28をラクトン含有環式基で置換したものが挙げられ、より具体的には、下記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位が挙げられる。
-Structural unit (a2 L ):
The structural unit (a2 L ) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and an acrylate ester containing a lactone-containing cyclic group Is a structural unit derived from
Here, the lactone-containing cyclic group refers to a cyclic group containing a ring (lactone ring) containing —O—C (O) — in the ring skeleton. The lactone ring is counted as the first ring, and when it is only the lactone ring, it is called a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of the structure. The lactone-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The lactone cyclic group in the structural unit (a2 L ) is not particularly limited, and any one can be used. Specifically, the lactone-containing monocyclic group is a group obtained by removing one hydrogen atom from a 4- to 6-membered ring lactone, such as a group obtained by removing one hydrogen atom from β-propionolactone, or γ-butyrolactone. Examples thereof include a group in which one hydrogen atom has been removed and a group in which one hydrogen atom has been removed from δ-valerolactone. Examples of the lactone-containing polycyclic group include groups in which one hydrogen atom has been removed from a bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane having a lactone ring.
Examples of the structural unit (a2 L ) include those obtained by substituting R 28 in the general formula (a2-0) with a lactone-containing cyclic group, and more specifically, the following general formula (a2- The structural unit represented by 1)-(a2-5) is mentioned.

Figure 0005711958
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり;R’はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基または−COOR”であり、R”は水素原子またはアルキル基であり;R29は単結合または2価の連結基であり、s”は0〜2の整数であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり;mは0または1である。]
Figure 0005711958
[Wherein, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; R ′ is independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, carbon An alkoxy group of 1 to 5 or —COOR ″, R ″ is a hydrogen atom or an alkyl group; R 29 is a single bond or a divalent linking group, and s ″ is an integer of 0 to 2; A ″ is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom; m is 0 or 1. ]

一般式(a2−1)〜(a2−5)におけるRは、前記構成単位(a1)におけるRと同様である。
R’の炭素数1〜5のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基が挙げられる。
R’の炭素数1〜5のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が挙げられる。
R’は、工業上入手が容易であること等を考慮すると、水素原子が好ましい。
R”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
R”が直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましい。
R”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
A”としては、前記一般式(3−1)中のA’と同様のものが挙げられる。A”は、炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子(−O−)または硫黄原子(−S−)であることが好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−がより好ましい。炭素数1〜5のアルキレン基としては、メチレン基またはジメチルメチレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。
29は、前記一般式(a2−0)中のR29と同様である。
式(a2−1)中、s”は1〜2であることが好ましい。
以下に、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位の具体例を例示する。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。
R in the general formulas (a2-1) to (a2-5) is the same as R in the structural unit (a1).
Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R ′ include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group.
Examples of the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms of R ′ include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, and a tert-butoxy group.
R ′ is preferably a hydrogen atom in view of industrial availability.
The alkyl group in R ″ may be linear, branched or cyclic.
When R ″ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms.
When R ″ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom Or a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorinated alkyl group Specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane, or a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Etc.
Examples of A ″ include the same as A ′ in the general formula (3-1). A ″ represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (— S-) is preferable, and an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or -O- is more preferable. The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is more preferably a methylene group or dimethylmethylene group, and most preferably a methylene group.
R 29 is the same as R 29 in the aforementioned general formula (a2-0).
In formula (a2-1), s ″ is preferably 1 to 2.
Specific examples of the structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) are shown below. In the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0005711958
Figure 0005711958

Figure 0005711958
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Figure 0005711958
Figure 0005711958

Figure 0005711958
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Figure 0005711958
Figure 0005711958

構成単位(a2)としては、前記一般式(a2−1)〜(a2−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましく、一般式(a2−1)〜(a2−3)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種がより好ましく、前記一般式(a2−1)または(a2−2)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が特に好ましい。
なかでも、前記式(a2−1−1)、(a2−1−2)、(a2−2−1)、(a2−2−7)、(a2−2−12)、(a2−2−14)、(a2−3−1)、(a2−3−5)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも1種が好ましい。
As the structural unit (a2 L ), at least one selected from the group consisting of structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) is preferable, and the general formula (a2-1) to More preferably, at least one selected from the group consisting of structural units represented by (a2-3) is selected from the group consisting of structural units represented by the general formula (a2-1) or (a2-2) Particularly preferred is at least one of the above.
Among them, the formulas (a2-1-1), (a2-1-2), (a2-2-1), (a2-2-7), (a2-2-12), (a2-2-2-) 14), (a2-3-1), at least one selected from the group consisting of structural units represented by (a2-3-5) is preferred.

(A1)成分において、構成単位(a2)としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。たとえば構成単位(a2)として、構成単位(a2)のみを用いてもよく、構成単位(a2)のみを用いてもよく、それらを併用してもよい。また、構成単位(a2)または構成単位(a2)として、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 In the component (A1), as the structural unit (a2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination. For example, as the structural unit (a2), only the structural unit (a2 S ) may be used, or only the structural unit (a2 L ) may be used, or they may be used in combination. As the structural unit (a2 S ) or the structural unit (a2 L ), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(A1)成分中、構成単位(a2)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、1〜80モル%であることが好ましく、10〜70モル%であることがより好ましく、10〜65モル%であることがさらに好ましく、10〜60モル%が特に好ましい。下限値以上とすることにより構成単位(a2)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができ、DOF、CDU等の種々のリソグラフィー特性及びパターン形状が良好となる。   In the component (A1), the proportion of the structural unit (a2) is preferably 1 to 80 mol%, and preferably 10 to 70 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1). Is more preferable, it is more preferable that it is 10-65 mol%, and 10-60 mol% is especially preferable. By setting it to the lower limit value or more, the effect of containing the structural unit (a2) can be sufficiently obtained, and by setting it to the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units, such as various kinds of DOF, CDU, etc. The lithography characteristics and pattern shape of the film are improved.

・構成単位(a3)
構成単位(a3)は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位である。ただし、後述の構成単位(a0−1)および(a0−2)とは便宜上区別し、構成単位(a0−1)または(a0−2)は、(a3)には含まれないものとする。
(A1)成分が構成単位(a3)を有することにより、(A)成分の親水性が高まり、現像液との親和性が高まって、露光部でのアルカリ溶解性が向上し、解像性の向上に寄与する。
極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜10の直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基(好ましくはアルキレン基)や、多環式の脂肪族炭化水素基(多環式基)が挙げられる。該多環式基としては、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該多環式基の炭素数は7〜30であることが好ましい。
その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。
・ Structural unit (a3)
The structural unit (a3) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and an acrylic group containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group A structural unit derived from an acid ester. However, it is distinguished from structural units (a0-1) and (a0-2) described later for the sake of convenience, and the structural unit (a0-1) or (a0-2) is not included in (a3).
When the component (A1) has the structural unit (a3), the hydrophilicity of the component (A) is increased, the affinity with the developer is increased, the alkali solubility in the exposed area is improved, and the resolution is improved. Contributes to improvement.
Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, and a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of an alkyl group is substituted with a fluorine atom. A hydroxyl group is particularly preferable.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms (preferably an alkylene group) and a polycyclic aliphatic hydrocarbon group (polycyclic group). It is done. As the polycyclic group, for example, a resin for a resist composition for ArF excimer laser can be appropriately selected from among many proposed ones. The polycyclic group preferably has 7 to 30 carbon atoms.
Among them, a structural unit derived from an acrylate ester containing an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, or an alkyl group is substituted with a fluorine atom Is more preferable. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane and the like. Specific examples include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among these polycyclic groups, there are groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from adamantane, groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from norbornane, and groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from tetracyclododecane. Industrially preferable.

構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記式(a3−1)で表される構成単位、(a3−2)で表される構成単位、(a3−3)で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。   The structural unit (a3) is derived from a hydroxyethyl ester of acrylic acid when the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. When the hydrocarbon group is a polycyclic group, a structural unit represented by the following formula (a3-1), a structural unit represented by (a3-2), (a3-3) ) Is preferable.

Figure 0005711958
[式中、Rは前記と同じであり、kは1〜3の整数であり;t’は1〜3の整数であり、lは1〜5の整数であり、sは1〜3の整数であり;xは1〜2の整数であり、yは0〜2の整数であり、zは1〜3の整数であり、y+zは2以上の整数である。]
Figure 0005711958
[Wherein, R is as defined above, k is an integer of 1 to 3; t ′ is an integer of 1 to 3, l is an integer of 1 to 5, and s is an integer of 1 to 3] X is an integer of 1 to 2, y is an integer of 0 to 2, z is an integer of 1 to 3, and y + z is an integer of 2 or more. ]

式(a3−1)中、kは1であることが好ましい。シアノ基は、ノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。
In formula (a3-1), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.

式(a3−2)中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。
sは1であることが好ましい。これらは、アクリル酸のカルボキシ基の末端に、2−ノルボルニル基または3−ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、ノルボルニル基の5又は6位に結合していることが好ましい。
In formula (a3-2), t ′ is preferably 1. l is preferably 1.
s is preferably 1. In these, a 2-norbornyl group or a 3-norbornyl group is preferably bonded to the terminal of the carboxy group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5th or 6th position of the norbornyl group.

式(a3−3)中、xは1〜2の整数であり、好ましくは1である。
yは0〜2の整数であり、好ましくは1である。
zは1〜3の整数であり、好ましくは2である。
y+zは2以上の整数であり、好ましくは2〜4であり、最も好ましくは3である。
なかでも、3−メタクリロイロオキシ−4−ヒドロキシテトラヒドロフラン、3−アクリロイロオキシ−4−ヒドロキシテトラヒドロフランが特に好ましい。
式(a3−3)で表される構成単位を有することにより、現像液との親和性が高まることに加えて、さらに、レジスト膜の基板への密着性向上の効果も得られる。
In the formula (a3-3), x is an integer of 1 to 2, and preferably 1.
y is an integer of 0 to 2, preferably 1.
z is an integer of 1 to 3, preferably 2.
y + z is an integer greater than or equal to 2, Preferably it is 2-4, Most preferably, it is 3.
Of these, 3-methacryloyloxy-4-hydroxytetrahydrofuran and 3-acryloyloxy-4-hydroxytetrahydrofuran are particularly preferable.
By having the structural unit represented by the formula (a3-3), in addition to increasing the affinity with the developer, the effect of improving the adhesion of the resist film to the substrate can also be obtained.

(A1)成分において、構成単位(a3)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(A1)成分中の構成単位(a3)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位に対し、5〜50モル%であることが好ましく、5〜40モル%がより好ましく、5〜25モル%がさらに好ましい。下限値以上とすることにより構成単位(a3)を含有させることによる効果が充分に得られ、上限値以下とすることにより他の構成単位とのバランスをとることができる。
In the component (A1), as the structural unit (a3), one type of structural unit may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The proportion of the structural unit (a3) in the component (A1) is preferably 5 to 50 mol%, more preferably 5 to 40 mol%, based on all the structural units constituting the component (A1). 25 mol% is more preferable. By setting it to the lower limit value or more, the effect of containing the structural unit (a3) can be sufficiently obtained, and by setting it to the upper limit value or less, it is possible to balance with other structural units.

・構成単位(a0−1)
構成単位(a0−1)は、酸解離性基を含むα位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導され、かつ酸解離性基が脱保護した後にアルコール性水酸基を生じる単位であり、好ましくは、下記一般式(a0−1)で表される構成単位である。
・ Structural unit (a0-1)
The structural unit (a0-1) is derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom containing the acid dissociable group may be substituted with a substituent, and the acid dissociable group is deprotected. Is a unit that generates an alcoholic hydroxyl group, and is preferably a structural unit represented by the following general formula (a0-1).

Figure 0005711958
Figure 0005711958

[式(a0−1)中、Rは水素原子、炭素原子数1〜5の低級アルキル基、又は炭素原子数1〜5のハロゲン化低級アルキル基であり;Yは脂肪族環式基であり;Zは第3級アルキル基含有基またはアルコキシアルキル基であり;aは1〜3の整数であり、bは0〜2の整数であり、かつ、a+b=1〜3であり;c、d、eはそれぞれ独立して0〜3の整数である。] [In the formula (a0-1), R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; Y 1 represents an aliphatic cyclic group; Yes; Z is a tertiary alkyl group-containing group or alkoxyalkyl group; a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 2 and a + b = 1 to 3; c, d and e are each independently an integer of 0 to 3. ]

前記一般式(a0−1)中、Rは、水素原子、炭素原子数1〜5の低級アルキル基、又は炭素原子数1〜5のハロゲン化低級アルキル基である。 Rの炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基については、上記アクリル酸エステルのα位に結合していてよい炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5ハロゲン化アルキル基と同様である。中でも、Rとしては、水素原子またはメチル基が好ましい。   In general formula (a0-1), R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. For the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R, the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or 1 to 1 carbon atoms which may be bonded to the α-position of the acrylate ester. Same as pentahalogenated alkyl group. Among them, R is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

前記一般式(a0−1)中、Yは脂肪族環式基である。
ここで、本明細書および特許請求の範囲において、「脂肪族環式基」は、芳香族性を持たない単環式基または多環式基であることを示す。
構成単位(a0−1)における「脂肪族環式基」は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。置換基としては、炭素数1〜5の低級アルキル基、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化低級アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
「脂肪族環式基」の置換基を除いた基本の環(脂肪族環)の構造は、炭素および水素からなる環(炭化水素環)であることに限定はされないが、炭化水素環であることが好ましい。また、「炭化水素環」は飽和、不飽和のいずれでもよいが、通常は飽和であることが好ましい。
また、当該脂肪族環式基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族環式基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよいことを意味する。
における「ヘテロ原子」としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
ヘテロ原子を含む置換基は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子と前記ヘテロ原子以外の基若しくは原子とを含む基であってもよい。具体的には、たとえば−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hがアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−等が挙げられる。
脂肪族環式基は、多環式基、単環式基のいずれでもよい。脂肪族環式基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。 構成単位(a0−1)における脂肪族環式基は、多環式基であることが好ましく、中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
In general formula (a0-1), Y 1 represents an aliphatic cyclic group.
Here, in the present specification and claims, the “aliphatic cyclic group” indicates a monocyclic group or a polycyclic group having no aromaticity.
The “aliphatic cyclic group” in the structural unit (a0-1) may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a fluorinated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like.
The structure of the basic ring (aliphatic ring) excluding the substituent of “aliphatic cyclic group” is not limited to being a ring composed of carbon and hydrogen (hydrocarbon ring), but is a hydrocarbon ring. It is preferable. The “hydrocarbon ring” may be either saturated or unsaturated, but is usually preferably saturated.
Further, a part of the carbon atoms constituting the aliphatic cyclic group may be substituted with a substituent containing a hetero atom, and a part or all of the hydrogen atoms constituting the aliphatic cyclic group are hetero atoms. It may be substituted with a substituent containing
The “heteroatom” in Y 1 is not particularly limited as long as it is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include a halogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The substituent containing a hetero atom may consist of only the hetero atom, or may be a group containing the hetero atom and a group or atom other than the hetero atom. Specifically, for example, —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —, —O—C (═O) —O—, —C (═O) —NH—, -NH- (H is an alkyl group, may be substituted with a substituent such as an acyl group), - S -, - S (= O) 2 -, - S (= O) 2 -O- and the like can be mentioned It is done.
The aliphatic cyclic group may be either a polycyclic group or a monocyclic group. Examples of the aliphatic cyclic group include a monocycloalkane, a bicycloalkane, and a tricyclo which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, or a fluorinated alkyl group. Examples include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as an alkane or tetracycloalkane. More specifically, monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing two or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane are listed. . The aliphatic cyclic group in the structural unit (a0-1) is preferably a polycyclic group, and among them, a group obtained by removing two or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.

前記一般式(a0−1)中、Zは、第3級アルキル基含有基またはアルコキシアルキル基である。
ここで、本明細書および特許請求の範囲において、「第3級アルキル基」は、第3級炭素原子を有するアルキル基を示す。「アルキル基」は、上述のように、1価の飽和炭化水素基を示し、鎖状(直鎖状、分岐鎖状)のアルキル基および環状構造を有するアルキル基を包含する。
「第3級アルキル基含有基」は、その構造中に第3級アルキル基を含む基を示す。第3級アルキル基含有基は、第3級アルキル基のみから構成されていてもよく、第3級アルキル基と、第3級アルキル基以外の他の原子または基とから構成されていてもよい。
第3級アルキル基とともに第3級アルキル基含有基を構成する前記「第3級アルキル基以外の他の原子または基」としては、カルボニルオキシ基、カルボニル基、アルキレン基、酸素原子等が挙げられる。
In the general formula (a0-1), Z represents a tertiary alkyl group-containing group or an alkoxyalkyl group.
Here, in the present specification and claims, the “tertiary alkyl group” refers to an alkyl group having a tertiary carbon atom. As described above, the “alkyl group” represents a monovalent saturated hydrocarbon group, and includes a chain (straight chain or branched chain) alkyl group and an alkyl group having a cyclic structure.
The “tertiary alkyl group-containing group” refers to a group containing a tertiary alkyl group in its structure. The tertiary alkyl group-containing group may be composed only of a tertiary alkyl group, or may be composed of a tertiary alkyl group and another atom or group other than the tertiary alkyl group. .
Examples of the “atom or group other than the tertiary alkyl group” that constitutes the tertiary alkyl group-containing group together with the tertiary alkyl group include a carbonyloxy group, a carbonyl group, an alkylene group, an oxygen atom, and the like. .

Zの第3級アルキル基含有基としては、環状構造を有さない第3級アルキル基含有基、環状構造を有する第3級アルキル基含有基等が挙げられる。
環状構造を有さない第3級アルキル基含有基は、第3級アルキル基として分岐鎖状の第3級アルキル基を含有し、かつ、その構造内に環状構造を有さない基である。
分岐鎖状の第3級アルキル基としては、たとえば下記一般式(I)で表される基が挙げられる。
Examples of the tertiary alkyl group-containing group for Z include a tertiary alkyl group-containing group having no cyclic structure, a tertiary alkyl group-containing group having a cyclic structure, and the like.
A tertiary alkyl group-containing group having no cyclic structure is a group containing a branched tertiary alkyl group as the tertiary alkyl group and having no cyclic structure in the structure.
Examples of the branched tertiary alkyl group include groups represented by the following general formula (I).

Figure 0005711958
Figure 0005711958

式(I)中、R21〜R23は、それぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基である。該アルキル基の炭素数は1〜5が好ましく、1〜3がより好ましい。
また、一般式(I)で表される基の全炭素数は、4〜7であることが好ましく、4〜6であることがより好ましく、4〜5であることが最も好ましい。
一般式(I)で表される基としては、tert−ブチル基、tert−ペンチル基等が好ましく挙げられ、tert−ブチル基がより好ましい。
In formula (I), R 21 to R 23 are each independently a linear or branched alkyl group. 1-5 are preferable and, as for carbon number of this alkyl group, 1-3 are more preferable.
Moreover, it is preferable that the total carbon number of group represented by general formula (I) is 4-7, it is more preferable that it is 4-6, and it is most preferable that it is 4-5.
Preferred examples of the group represented by the general formula (I) include a tert-butyl group and a tert-pentyl group, and a tert-butyl group is more preferable.

環状構造を有さない第3級アルキル基含有基としては、上述した分岐鎖状の第3級アルキル基;上述した分岐鎖状の第3級アルキル基が直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基に結合してなる第3級アルキル基含有鎖状アルキル基;第3級アルキル基として上述した分岐鎖状の第3級アルキル基を有する第3級アルキルオキシカルボニル基;第3級アルキル基として上述した分岐鎖状の第3級アルキル基を有する第3級アルキルオキシカルボニルアルキル基等が挙げられる。
第3級アルキル基含有鎖状アルキル基におけるアルキレン基としては、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、炭素数1〜4のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜2のアルキレン基がさらに好ましい。
鎖状の第3級アルキルオキシカルボニル基としては、たとえば下記一般式(II)で表される基が挙げられる。式(II)中のR21〜R23は、前記式(I)中のR21〜R23と同様である。鎖状の第3級アルキルオキシカルボニル基としては、tert−ブチルオキシカルボニル基(t−boc)、tert−ペンチルオキシカルボニル基が好ましい。
Examples of the tertiary alkyl group-containing group that does not have a cyclic structure include the above-described branched tertiary alkyl group; the above-described branched tertiary alkyl group is a linear or branched alkylene group A tertiary alkyl group-containing chain alkyl group bonded to the above; a tertiary alkyloxycarbonyl group having the branched tertiary alkyl group described above as the tertiary alkyl group; And tertiary alkyloxycarbonylalkyl groups having a branched tertiary alkyl group.
The alkylene group in the tertiary alkyl group-containing chain alkyl group is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably an alkylene group having 1 to 2 carbon atoms. .
Examples of the chain-like tertiary alkyloxycarbonyl group include a group represented by the following general formula (II). R 21 to R 23 in the formula (II) is the same as R 21 to R 23 in general formula (I). The chain-like tertiary alkyloxycarbonyl group is preferably a tert-butyloxycarbonyl group (t-boc) or a tert-pentyloxycarbonyl group.

Figure 0005711958
Figure 0005711958

鎖状の第3級アルキルオキシカルボニルアルキル基としては、たとえば下記一般式(III)で表される基が挙げられる。式(III)中のR21〜R23は、前記式(I)中のR21〜R23と同様である。fは1〜3の整数であり、1または2が好ましい。鎖状の第3級アルキルオキシカルボニルアルキル基としては、tert−ブチルオキシカルボニルメチル基、tert−ブチルオキシカルボニルエチル基が好ましい。
これらの中で、環状構造を有さない第3級アルキル基含有基としては、第3級アルキルオキシカルボニル基または第3級アルキルオキシカルボニルアルキル基が好ましく、第3級アルキルオキシカルボニル基がより好ましく、tert−ブチルオキシカルボニル基(t−boc)が最も好ましい。
Examples of the chain-like tertiary alkyloxycarbonylalkyl group include a group represented by the following general formula (III). R 21 to R 23 in the formula (III) are the same as R 21 to R 23 in general formula (I). f is an integer of 1 to 3, and 1 or 2 is preferable. As the chain-like tertiary alkyloxycarbonylalkyl group, a tert-butyloxycarbonylmethyl group and a tert-butyloxycarbonylethyl group are preferable.
Of these, the tertiary alkyl group-containing group having no cyclic structure is preferably a tertiary alkyloxycarbonyl group or a tertiary alkyloxycarbonylalkyl group, more preferably a tertiary alkyloxycarbonyl group. A tert-butyloxycarbonyl group (t-boc) is most preferred.

Figure 0005711958
Figure 0005711958

環状構造を有する第3級アルキル基含有基は、その構造内に、第3級炭素原子と環状構造とを有する基である。
環状構造を有する第3級アルキル基含有基において、環状構造は、環を構成する炭素数が4〜12であることが好ましく、5〜10であることがより好ましく、6〜10であることが最も好ましい。環状構造としては、例えばモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。好ましくは、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。
The tertiary alkyl group-containing group having a cyclic structure is a group having a tertiary carbon atom and a cyclic structure in the structure.
In the tertiary alkyl group-containing group having a cyclic structure, the cyclic structure preferably has 4 to 12 carbon atoms, more preferably 5 to 10 carbon atoms, and more preferably 6 to 10 carbon atoms constituting the ring. Most preferred. Examples of the cyclic structure include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane. Preferable examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.

環状構造を有する第3級アルキル基含有基としては、例えば、第3級アルキル基として下記(1)または(2)の基を有する基等が挙げられる。
(1)環状のアルキル基(シクロアルキル基)の環を構成する炭素原子に、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が結合し、該炭素原子が第3級炭素原子となっている基。
(2)シクロアルキル基の環を構成する炭素原子に、第3級炭素原子を有するアルキレン基(分岐鎖状のアルキレン基)が結合している基。
Examples of the tertiary alkyl group-containing group having a cyclic structure include a group having the following group (1) or (2) as a tertiary alkyl group.
(1) A group in which a linear or branched alkyl group is bonded to a carbon atom constituting a ring of a cyclic alkyl group (cycloalkyl group), and the carbon atom is a tertiary carbon atom.
(2) A group in which an alkylene group having a tertiary carbon atom (branched alkylene group) is bonded to the carbon atom constituting the ring of the cycloalkyl group.

前記(1)の基における直鎖状または分岐鎖状のアルキル基の炭素数は、1〜5であることが好ましく、1〜4であることがより好ましく、1〜3であることが最も好ましい。 (1)の基としては、2−メチル−2−アダマンチル基、2−エチル−2−アダマンチル基、1−メチル−1−シクロアルキル基、1−エチル−1−シクロアルキル基等が挙げられる。   The linear or branched alkyl group in the group (1) preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms. . Examples of the group (1) include a 2-methyl-2-adamantyl group, a 2-ethyl-2-adamantyl group, a 1-methyl-1-cycloalkyl group, and a 1-ethyl-1-cycloalkyl group.

前記(2)において、分岐鎖状のアルキレン基が結合しているシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化低級アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
(2)の基としては、たとえば下記化学式(IV)で表される基が挙げられる。
In the above (2), the cycloalkyl group to which the branched alkylene group is bonded may have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (═O), and the like.
Examples of the group (2) include groups represented by the following chemical formula (IV).

Figure 0005711958
Figure 0005711958

式(IV)中、R24は、置換基を有していてもよく有していなくてもよいシクロアルキル基である。該シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化低級アルキル基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
25、R26は、それぞれ独立して直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基としては、前記式(I)中のR21〜R23のアルキル基と同様のものが挙げられる。
In the formula (IV), R 24 is a cycloalkyl group which may or may not have a substituent. Examples of the substituent that the cycloalkyl group may have include a fluorine atom, a fluorinated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and an oxygen atom (═O).
R 25 and R 26 are each independently a linear or branched alkyl group, and the alkyl group is the same as the alkyl group of R 21 to R 23 in the formula (I). Can be mentioned.

Zのアルコキシアルキル基としては、たとえば下記一般式(V)で表される基が挙げられる。   Examples of the alkoxyalkyl group for Z include groups represented by the following general formula (V).

Figure 0005711958
Figure 0005711958

式中、R41は直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基である。
41が直鎖状、分岐鎖状の場合は、炭素数1〜5であることが好ましく、エチル基、メチル基がさらに好ましく、特にエチル基が最も好ましい。
41が環状の場合は炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。たとえば、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
42は直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基である。該アルキレン基は、炭素数1〜5であることが好ましく、炭素数1〜3であることがより好ましく、炭素数1〜2であることがさらに好ましい。
Zのアルコキシアルキル基としては、特に、下記一般式(VI)で表される基が好ましい。
In the formula, R 41 is a linear, branched or cyclic alkyl group.
When R 41 is linear or branched, it preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably an ethyl group.
When R 41 is cyclic, it preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. For example, one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group And the like except for. More specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. . Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
R42 is a linear or branched alkylene group. The alkylene group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms, and still more preferably 1 to 2 carbon atoms.
As the alkoxyalkyl group for Z, a group represented by the following general formula (VI) is particularly preferable.

Figure 0005711958
Figure 0005711958

式(VI)中、R41は前記と同じであり、R43、R44はそれぞれ独立して直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、または水素原子である。
43、R44において、アルキル基の炭素数は好ましくは1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよく、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。特にR43、R44の一方が水素原子で、他方がメチル基であることが好ましい。
In the formula (VI), R 41 is the same as described above, and R 43 and R 44 are each independently a linear or branched alkyl group or a hydrogen atom.
In R 43 and R 44 , the alkyl group preferably has 1 to 15 carbon atoms, may be linear or branched, and is preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group. In particular, one of R 43 and R 44 is preferably a hydrogen atom and the other is a methyl group.

上記のなかでも、Zとしては、第3級アルキル基含有基が好ましく、前記一般式(II)で表される基がより好ましく、tert−ブチルオキシカルボニル基(t−boc)が最も好ましい。   Among these, as Z, a tertiary alkyl group-containing group is preferable, a group represented by the general formula (II) is more preferable, and a tert-butyloxycarbonyl group (t-boc) is most preferable.

前記一般式(a0−1)中、aは1〜3の整数であり、bは0〜2の整数であり、かつ、a+b=1〜3である。
aは1または2であることが好ましい。aを1または2とすることで、レジストパターン倒れの抑制や、パターン形状の改善効果に優れる。さらに、近接効果を小さくする効果にも優れると考えられる。なお、近接効果は、形成されるレジストパターンの寸法および形状が、その近傍に形成されるパターンによって受ける影響のことであり、その影響が小さければ(近接効果が小さければ)ピッチが異なるレジストパターンをそれぞれ形成する場合において、各ピッチにおけるパターンの寸法差を小さくすることができるので好ましい。また、aが2である場合は、ネガ型現像液(有機系現像液)に対する溶解性に優れる点で好ましい。
bは0であることが好ましい。
a+bは1または2であることが好ましい。
cは0〜3の整数であり、0または1であることが好ましく、0であることがより好ましい。
dは0〜3の整数であり、0または1であることが好ましく、0であることがより好ましい。
eは0〜3の整数であり、0または1であることが好ましく、0であることがより好ましい。
In the general formula (a0-1), a is an integer of 1 to 3, b is an integer of 0 to 2, and a + b = 1 to 3.
a is preferably 1 or 2. By setting a to 1 or 2, it is excellent in suppressing the resist pattern collapse and improving the pattern shape. Furthermore, it is thought that it is excellent also in the effect which makes a proximity effect small. The proximity effect refers to the effect that the size and shape of the resist pattern to be formed are affected by the pattern formed in the vicinity of the resist pattern. In the case of forming each, it is preferable because the dimensional difference between patterns at each pitch can be reduced. Moreover, when a is 2, it is preferable at the point which is excellent in the solubility with respect to a negative developing solution (organic type developing solution).
b is preferably 0.
a + b is preferably 1 or 2.
c is an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
d is an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
e is an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and more preferably 0.

構成単位(a0−1)としては、特に、下記一般式(a0−1−1)、(a0−1−2)または(a0−1−3)で表される構成単位が好ましい。   As the structural unit (a0-1), a structural unit represented by general formula (a0-1-1), (a0-1-2) or (a0-1-3) shown below is particularly desirable.

Figure 0005711958
[式中、R,Z,b,c,d,eはそれぞれ前記と同じである。]
Figure 0005711958
[Wherein R, Z, b, c, d and e are the same as defined above. ]

Figure 0005711958
[式中、R,Z,b,c,d,eはそれぞれ前記と同じである。複数のeおよびZは互いに異なっていてもよい。]
Figure 0005711958
[Wherein R, Z, b, c, d and e are the same as defined above. Several e and Z may mutually differ. ]

Figure 0005711958
[式中、R,Z,a,b,c,d,eはそれぞれ前記と同じである。c”は1〜3の整数である。]
式(a0−1−3)中、c”は1〜3の整数であり、1または2であることが好ましく、1であることがより好ましい。
前記式(a0−1−3)におけるcが0の場合、アクリル酸エステルのカルボニルオキシ基(−C(=O)−O−)の末端の酸素原子は、環式基中の酸素原子に結合する炭素原子には結合していないことが好ましい。すなわち、cが0の場合、当該末端の酸素原子と当該環式基中の酸素原子との間には炭素原子が2つ以上存在する(この炭素原子の数が1である(すなわちアセタール結合となる)場合を除く)ことが好ましい。
Figure 0005711958
[Wherein R, Z, a, b, c, d and e are the same as defined above. c ″ is an integer of 1 to 3.]
In formula (a0-1-3), c ″ is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, and more preferably 1.
When c in the formula (a0-1-3) is 0, the oxygen atom at the terminal of the carbonyloxy group (—C (═O) —O—) of the acrylate ester is bonded to the oxygen atom in the cyclic group. It is preferable that it is not bonded to the carbon atom. That is, when c is 0, there are two or more carbon atoms between the terminal oxygen atom and the oxygen atom in the cyclic group (the number of carbon atoms is 1 (that is, acetal bond and It is preferable that the above is excluded).

構成単位(a0−1)を誘導するモノマーは、例えば下記一般式(a0−1−0’)で表される化合物(1〜3個のアルコール性水酸基を有する脂肪族環式基を含有するアクリル酸エステル)の水酸基の一部または全部を、公知の手法を用いて、第3級アルキル基含有基またはアルコキシアルキル基で保護することにより合成することができる。   The monomer for deriving the structural unit (a0-1) is, for example, a compound represented by the following general formula (a0-1-0 ′) (an acryl containing an aliphatic cyclic group having 1 to 3 alcoholic hydroxyl groups) The acid ester) can be synthesized by protecting some or all of the hydroxyl groups with a tertiary alkyl group-containing group or an alkoxyalkyl group using a known method.

Figure 0005711958
[式中、R,Y,a,b,c,d,eはそれぞれ前記と同じである。]
Figure 0005711958
[Wherein, R, Y 1 , a, b, c, d, and e are the same as defined above. ]

構成単位(a0−1)としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(A1)成分中の構成単位(a0−1)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して1〜50モル%であることが好ましく、5〜45モル%であることがより好ましい。下限値以上とすることにより、アルコール系有機溶剤等の有機溶剤への溶解性が向上し、上限値以下であると、他の構成単位とのバランスが良好である。
As the structural unit (a0-1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The proportion of the structural unit (a0-1) in the component (A1) is preferably 1 to 50 mol%, and preferably 5 to 45 mol%, based on the total of all structural units constituting the component (A1). It is more preferable. By setting it to the lower limit or higher, solubility in an organic solvent such as an alcoholic organic solvent is improved, and when it is lower than the upper limit, the balance with other structural units is good.

・ 構成単位(a0−2)
構成単位(a0−2)は、下記一般式(a0−2)で表される構成単位である。
・ Structural unit (a0-2)
The structural unit (a0-2) is a structural unit represented by the following general formula (a0-2).

Figure 0005711958
[式(a0−2)中、Rは水素原子、炭素原子数1〜5の低級アルキル基、又は炭素原子数1〜5のハロゲン化低級アルキル基であり;Yはアルキレン基又は脂肪族環式基であり;g、hはそれぞれ独立して0〜3の整数であり;iは1〜3の整数である。]
Figure 0005711958
[In the formula (a0-2), R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; Y 3 represents an alkylene group or an aliphatic ring. G and h are each independently an integer of 0 to 3; i is an integer of 1 to 3; ]

前記一般式(a0−2)中、Rは、水素原子、炭素原子数1〜5の低級アルキル基、又は炭素原子数1〜5のハロゲン化低級アルキル基である。Rは、前記式(a0−1)中のRと同様のものが挙げられる。
は、アルキレン基又は脂肪族環式基である。
のアルキレン基としては、炭素数1〜10のアルキレン基が挙げられる。
の脂肪族環式基としては、前記式(a0−1)中のYと同様のものが挙げられる。
としては、基本の環(脂肪族環)の構造がYと同じであることが好ましい。
gは0〜3の整数であり、0または1であることが好ましく、0であることがより好ましい。
hは0〜3の整数であり、0または1であることが好ましく、0であることがより好ましい。
iは1〜3の整数であり、1または2であることが好ましく、1であることがより好ましい。
In general formula (a0-2), R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R may be the same as R in the formula (a0-1).
Y 3 is an alkylene group or an aliphatic cyclic group.
Examples of the alkylene group for Y 3 include alkylene groups having 1 to 10 carbon atoms.
Examples of the aliphatic cyclic group for Y 3 include the same groups as those described above for Y 1 in the formula (a0-1).
Y 3 preferably has the same basic ring (aliphatic ring) structure as Y 1 .
g is an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
h is an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and more preferably 0.
i is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, and more preferably 1.

Figure 0005711958
[式中、R,g,h,iはそれぞれ前記と同じである。]
Figure 0005711958
[Wherein R, g, h and i are the same as defined above. ]

構成単位(a0−2)としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(A1)成分中の構成単位(a0−2)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して1〜40モル%であることが好ましく、1〜35モル%であることがより好ましく、5〜30モル%であることがさらに好ましく、5〜25モル%が最も好ましい。下限値以上とすることにより、断面形状の矩形性が高く、良好な形状のレジストパターンを形成でき、上限値以下であると、他の構成単位とのバランスが良好である。
As the structural unit (a0-2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The proportion of the structural unit (a0-2) in the component (A1) is preferably 1 to 40 mol%, and preferably 1 to 35 mol% with respect to the total of all the structural units constituting the component (A1). More preferably, it is more preferable that it is 5-30 mol%, and 5-25 mol% is the most preferable. By setting the lower limit value or more, the cross-sectional shape is highly rectangular, and a resist pattern having a good shape can be formed. If the upper limit value or less, the balance with other structural units is good.

・構成単位(a4)
(A1)成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、上記構成単位(a1)〜(a3)、(a0−2)以外の他の構成単位(a4)を含んでいてもよい。
構成単位(a4)は、上述の構成単位(a1)〜(a3)に分類されない他の構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
構成単位(a4)としては、例えば酸非解離性の脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位などが好ましい。該多環式基は、例えば、前記の構成単位(a11)の場合に例示したものと同様のものを例示することができ、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
特にトリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
構成単位(a4)として、具体的には、下記一般式(a4−1)〜(a4−5)の構造のものを例示することができる。
・ Structural unit (a4)
The component (A1) may contain other structural units (a4) other than the structural units (a1) to (a3) and (a0-2) as long as the effects of the present invention are not impaired.
The structural unit (a4) is not particularly limited as long as it is another structural unit that is not classified into the structural units (a1) to (a3) described above, and is for ArF excimer laser and KrF excimer laser (preferably ArF excimer). A number of hitherto known materials can be used for resist resins such as lasers.
As the structural unit (a4), for example, a structural unit derived from an acrylate ester containing a non-acid-dissociable aliphatic polycyclic group is preferable. Examples of the polycyclic group include those similar to those exemplified in the case of the structural unit (a11), and for ArF excimer laser and KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser). A number of hitherto known materials can be used as the resin component of the resist composition.
In particular, at least one selected from a tricyclodecyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecyl group, an isobornyl group, and a norbornyl group is preferable in terms of industrial availability. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.
Specific examples of the structural unit (a4) include those represented by the following general formulas (a4-1) to (a4-5).

Figure 0005711958
[式中、Rは前記と同じである。]
Figure 0005711958
[Wherein, R is the same as defined above. ]

かかる構成単位(a4)を(A1)成分に含有させる際、構成単位(a4)の割合は、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対し、1〜30モル%であることが好ましく、10〜20モル%であることがより好ましい。   When the structural unit (a4) is contained in the component (A1), the proportion of the structural unit (a4) is preferably 1 to 30 mol% with respect to the total of all the structural units constituting the component (A1). 10 to 20 mol% is more preferable.

前記ポジ型レジスト組成物において、(A1)成分は、構成単位(a11)および(a2)を有する共重合体;構成単位(a11)および(a0−1)を有する共重合体;構成単位(a11)、(a2)および(a0−1)を有する共重合体;構成単位(a11)および(a0−2)を有する共重合体;構成単位(a11)、(a2)および(a0−2)を有する共重合体;構成単位(a11)、(a0−1)および(a0−2)を有する共重合体;構成単位(a11)、(a2)、(a0−1)および(a0−2)を有する共重合体が挙げられる。 かかる共重合体としては、たとえば、構成単位(a11)、(a2)、(a0−1)および(a0−2)からなる共重合体;構成単位(a11)、(a2)、(a0−1)および(a3)からなる共重合体;構成単位(a11)、(a0−1)および(a3)からなる共重合体等が例示できる。
前記ポジ型レジスト組成物においては、(A1)成分としては、特に下記の様な構成単位の組み合わせを含むものが好ましい。
In the positive resist composition, the component (A1) includes a copolymer having the structural units (a11) and (a2); a copolymer having the structural units (a11) and (a0-1); ), A copolymer having (a2) and (a0-1); a copolymer having structural units (a11) and (a0-2); a structural unit (a11), (a2) and (a0-2). Copolymer having structural units (a11), (a0-1) and (a0-2); structural units (a11), (a2), (a0-1) and (a0-2) The copolymer which has is mentioned. Examples of such copolymers include copolymers comprising the structural units (a11), (a2), (a0-1) and (a0-2); the structural units (a11), (a2), (a0-1). And a copolymer consisting of structural units (a11), (a0-1) and (a3).
In the positive resist composition, the component (A1) preferably contains the following combination of structural units.

Figure 0005711958
[式中、R、R11、R29、s”はそれぞれ前記と同じであり、式中に複数あるRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。j1”は、1〜3の整数である。]
Figure 0005711958
[Wherein R, R 11 , R 29 , and s ″ are the same as defined above, and a plurality of R in the formula may be the same or different. J1 ″ is an integer of 1 to 3. It is. ]

Figure 0005711958
[式(A1−1)中、Rは上記と同じであり、複数のRは相互に同じであっても異なっていてもよい。R11は式(a1−1−01)におけるR11と同じである。R21〜R23は上記式(II)におけるR21〜R23とそれぞれ同じであり、eは上記式(a0−1)におけるeと同じである。]
Figure 0005711958
[In formula (A1-1), R is the same as above, and a plurality of R may be the same or different from each other. R 11 is the same as R 11 in formula (a1-1-01). R 21 to R 23 are the same as R 21 to R 23 in the formula (II), respectively, and e is the same as e in the formula (a0-1). ]

Figure 0005711958
[式(A1−2)中、Rは上記と同じであり、複数のRは相互に同じであっても異なっていてもよい。nは上記式(p1)におけるnと同じである。R21〜R23は上記式(II)におけるR21〜R23とそれぞれ同じであり、eは上記式(a0−1)におけるeと同じである。]
Figure 0005711958
[In formula (A1-2), R is the same as above, and a plurality of R may be the same or different from each other. n is the same as n in the above formula (p1). R 21 to R 23 are the same as R 21 to R 23 in the formula (II), respectively, and e is the same as e in the formula (a0-1). ]

Figure 0005711958
[式(A1−3)中、Rは上記と同じであり、複数のRは相互に同じであっても異なっていてもよい。R11は式(a1−1−01)におけるR11と同じである。R21〜R23は上記式(II)におけるR21〜R23とそれぞれ同じであり、eは上記式(a0−1)におけるeと同じである。]
Figure 0005711958
[In formula (A1-3), R is the same as above, and a plurality of R may be the same as or different from each other. R 11 is the same as R 11 in formula (a1-1-01). R 21 to R 23 are the same as R 21 to R 23 in the formula (II), respectively, and e is the same as e in the formula (a0-1). ]

Figure 0005711958
[式(A1−4)中、Rは上記と同じであり、複数のRは相互に同じであっても異なっていてもよい。R11は式(a1−1−01)におけるR11と同じである。R21〜R23は上記式(II)におけるR21〜R23とそれぞれ同じであり、eは上記式(a0−1)におけるeと同じである。]
Figure 0005711958
[In formula (A1-4), R is the same as above, and a plurality of R may be the same or different from each other. R 11 is the same as R 11 in formula (a1-1-01). R 21 to R 23 are the same as R 21 to R 23 in the formula (II), respectively, and e is the same as e in the formula (a0-1). ]

Figure 0005711958
[式(A1−5)中、Rは前記と同じであり、複数のRはそれぞれ同じであってもよく異なっていてもよい。R14、qおよびrはそれぞれ前記と同じである。R21〜R23は上記式(II)におけるR21〜R23とそれぞれ同じであり、eは上記式(a0−1)におけるeと同じである。]
Figure 0005711958
[In formula (A1-5), R is the same as defined above, and the plurality of R may be the same or different. R 14 , q and r are the same as defined above. R 21 to R 23 are the same as R 21 to R 23 in the formula (II), respectively, and e is the same as e in the formula (a0-1). ]

Figure 0005711958
[式(A1−6)中、Rは上記と同じであり、複数のRは相互に同じであっても異なっていてもよい。R11は式(a1−1−01)におけるR11と同じである。R21〜R23は上記式(II)におけるR21〜R23とそれぞれ同じであり、eは上記式(a0−1)におけるeと同じである。]
Figure 0005711958
[In formula (A1-6), R is the same as above, and a plurality of R may be the same as or different from each other. R 11 is the same as R 11 in formula (a1-1-01). R 21 to R 23 are the same as R 21 to R 23 in the formula (II), respectively, and e is the same as e in the formula (a0-1). ]

Figure 0005711958
[式(A1−7)中、Rは上記と同じであり、R11は式(a1−1−01)におけるR11と同じであり、R12およびjは式(a1−1−02)におけるR12およびjとそれぞれ同じであり、R21〜R23は上記式(II)におけるR21〜R23とそれぞれ同じであり、eは上記式(a0−1)におけるeと同じである。複数のR、R21〜R23、eは相互に同じであっても異なっていてもよい。]
Figure 0005711958
Wherein (A1-7), R is as defined above, R 11 is the same as R 11 in formula (a1-1-01), R 12 and j in formula (a1-1-02) are each and R 12 and j same, R 21 to R 23 are the same respectively as R 21 to R 23 in formula (II), e is the same as e in formula (a0-1). A plurality of R, R 21 to R 23 and e may be the same as or different from each other. ]

Figure 0005711958
[式(A1−8)中、Rは上記と同じであり、複数のRは相互に同じであっても異なっていてもよい。R11は式(a1−1−01)におけるR11と同じである。R12およびjは式(a1−1−02)におけるR12およびjとそれぞれ同じである。R21〜R23は上記式(II)におけるR21〜R23とそれぞれ同じであり、eは上記式(a0−1)におけるeと同じである。]
Figure 0005711958
[In formula (A1-8), R is the same as above, and the plurality of R may be the same or different from each other. R 11 is the same as R 11 in formula (a1-1-01). R 12 and j are respectively the same as R 12 and j in the formula (a1-1-02). R 21 to R 23 are the same as R 21 to R 23 in the formula (II), respectively, and e is the same as e in the formula (a0-1). ]

Figure 0005711958
[式(A1−9)中、Rは上記と同じであり、R11は式(a1−1−01)におけるR11と同じであり、R21〜R23は上記式(II)におけるR21〜R23とそれぞれ同じであり、eは上記式(a0−1)におけるeと同じである。複数のR、R21〜R23、eは相互に同じであっても異なっていてもよい。]
Figure 0005711958
Wherein (A1-9), R is as defined above, R 11 is the same as R 11 in formula (a1-1-01), R R 21 ~R 23 is in the above formula (II) 21 To R 23, and e is the same as e in the above formula (a0-1). A plurality of R, R 21 to R 23 and e may be the same as or different from each other. ]

(A1)成分は、各構成単位を誘導するモノマーを、例えばアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、アゾビスイソ酪酸ジメチルのようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等により重合させることによって得ることができる。
また、(A1)成分には、上記重合の際に、たとえばHS−CH−CH−CH−C(CF−OHのような連鎖移動剤を併用して用いることにより、末端に−C(CF−OH基を導入してもよい。このように、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基が導入された共重合体は、現像欠陥の低減やLER(ラインエッジラフネス:ライン側壁の不均一な凹凸)の低減に有効である。
The component (A1) is obtained by polymerizing a monomer for deriving each structural unit by known radical polymerization using a radical polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile (AIBN) or dimethyl azobisisobutyrate. be able to.
Further, for the component (A1), in the polymerization, a chain transfer agent such as HS—CH 2 —CH 2 —CH 2 —C (CF 3 ) 2 —OH is used in combination, so that the terminal A —C (CF 3 ) 2 —OH group may be introduced into the. As described above, a copolymer introduced with a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of an alkyl group is substituted with a fluorine atom reduces development defects and LER (line edge roughness: uneven unevenness of line side walls). It is effective in reducing

(A1)成分の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではないが、1000〜50000が好ましく、1500〜30000がより好ましく、2500〜20000が最も好ましい。この範囲の上限よりも小さいと、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限よりも大きいと、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、分散度(Mw/Mn)は1.0〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましく、1.2〜2.5が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。
ポジ型レジスト組成物中、(A1)成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて適宜調整すればよい。
The mass average molecular weight (Mw) of the component (A1) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography) is not particularly limited, but is preferably 1000 to 50000, more preferably 1500 to 30000, and 2500 to 20000. Most preferred. When it is smaller than the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist. When it is larger than the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good.
Further, the dispersity (Mw / Mn) is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.2 to 2.5. In addition, Mn shows a number average molecular weight.
In the positive resist composition, the content of the component (A1) may be appropriately adjusted according to the resist film thickness to be formed.

<(A2)成分>
(A2)成分としては、分子量が500以上2000未満であって、上述の(A1)成分の説明で例示したような酸解離性基と、親水性基とを有する低分子化合物が好ましい。具体的には、複数のフェノール骨格を有する化合物の水酸基の水素原子の一部が上記酸解離性基で置換されたものが挙げられる。
(A2)成分は、たとえば、非化学増幅型のg線やi線レジストにおける増感剤や、耐熱性向上剤として知られている低分子量フェノール化合物の水酸基の水素原子の一部を上記酸解離性基で置換したものが好ましく、そのようなものから任意に用いることができる。
かかる低分子量フェノール化合物としては、たとえば、ビス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2−(4−ヒドロキシフェニル)−2−(4’−ヒドロキシフェニル)プロパン、2−(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)−2−(2’,3’,4’−トリヒドロキシフェニル)プロパン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、フェノール、m−クレゾール、p−クレゾールまたはキシレノールなどのフェノール類のホルマリン縮合物の2、3、4核体などが挙げられる。勿論これらに限定されるものではない。
酸解離性基も特に限定されず、上記したものが挙げられる。
<(A2) component>
As the component (A2), a low molecular compound having a molecular weight of 500 or more and less than 2000 and having an acid dissociable group and a hydrophilic group as exemplified in the description of the component (A1) above is preferable. Specific examples include those in which some of the hydrogen atoms of the hydroxyl group of the compound having a plurality of phenol skeletons are substituted with the acid dissociable group.
The component (A2) is, for example, a part of the hydrogen atom of the hydroxyl group of a low molecular weight phenol compound known as a sensitizer in a non-chemically amplified g-line or i-line resist or a heat resistance improver. Those substituted with a functional group are preferred and can be arbitrarily used.
Examples of such low molecular weight phenol compounds include bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2- (4-hydroxyphenyl) -2- (4′-hydroxyphenyl). ) Propane, 2- (2,3,4-trihydroxyphenyl) -2- (2 ′, 3 ′, 4′-trihydroxyphenyl) propane, tris (4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxy-) 3,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) -3, 4-dihydroxyphenylmethane, bis (4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl) -3,4-dihydroxyph Phenylmethane, bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl-4-hydroxy-6-methylphenyl) -4-hydroxyphenylmethane, bis (3-cyclohexyl- 4-hydroxy-6-methylphenyl) -3,4-dihydroxyphenylmethane, 1- [1- (4-hydroxyphenyl) isopropyl] -4- [1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] benzene, Examples include 2, 3, 4 nuclei of formalin condensates of phenols such as phenol, m-cresol, p-cresol or xylenol. Of course, it is not limited to these.
The acid dissociable group is not particularly limited, and examples thereof include those described above.

(A)成分において、(A2)成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   In the component (A), as the component (A2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

ポジ型レジスト組成物において、(A)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
ポジ型レジスト組成物中、(A)成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。
In the positive resist composition, as the component (A), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The content of the component (A) in the positive resist composition may be adjusted according to the resist film thickness to be formed.

<(B)成分>
(B)成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。このような酸発生剤としては、これまで、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが知られている。
オニウム塩系酸発生剤として、例えば下記一般式(b−1)または(b−2)で表される化合物を用いることができる。
<(B) component>
The component (B) is not particularly limited, and those that have been proposed as acid generators for chemically amplified resists can be used. Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes, poly (bissulfonyl) diazomethanes, and the like. There are various known diazomethane acid generators, nitrobenzyl sulfonate acid generators, imino sulfonate acid generators, disulfone acid generators, and the like.
As the onium salt acid generator, for example, a compound represented by the following general formula (b-1) or (b-2) can be used.

Figure 0005711958
[式中、R”〜R”,R”〜R”は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基を表し;式(b−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく;R”は、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基またはアルケニル基を表し;R”〜R”のうち少なくとも1つはアリール基を表し、R”〜R”のうち少なくとも1つはアリール基を表す。]
Figure 0005711958
[Wherein, R 1 ″ to R 3 ″ and R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group which may have a substituent; R in the formula (b-1) Any one of 1 ″ to R 3 ″ may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula; R 4 ″ represents an alkyl group which may have a substituent, a halogen atom; An alkyl group, an aryl group or an alkenyl group; at least one of R 1 ″ to R 3 ″ represents an aryl group and at least one of R 5 ″ to R 6 ″ represents an aryl group.]

式(b−1)中、R”〜R”はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基を表す。なお、式(b−1)におけるR”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。
また、R”〜R”のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R”〜R”のうち、2以上がアリール基であることが好ましく、R”〜R”のすべてがアリール基であることが最も好ましい。
In formula (b-1), R 1 ″ to R 3 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group which may have a substituent. In addition, any two of R 1 ″ to R 3 ″ in formula (b-1) may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula.
Further, at least one of R 1 ″ to R 3 ″ represents an aryl group. Of R 1 ″ to R 3 ″, two or more are preferably aryl groups, and most preferably all R 1 ″ to R 3 ″ are aryl groups.

”〜R”のアリール基としては、特に制限はなく、例えば、炭素数6〜20のアリール基が挙げられる。アリール基としては、安価に合成可能なことから、炭素数6〜10のアリール基が好ましい。具体的には、たとえばフェニル基、ナフチル基が挙げられる。
該アリール基は、置換基を有していてもよい。「置換基を有する」とは、当該アリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味し、該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシアルキルオキシ基、−O−R50−C(=O)−(O)−R51[式中、R50はアルキレン基または単結合であり、R51は酸解離性基または酸非解離性基であり、nは0または1である。]等が挙げられる。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
The aryl group for R 1 ″ to R 3 ″ is not particularly limited, and examples thereof include an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms because it can be synthesized at a low cost. Specific examples include a phenyl group and a naphthyl group.
The aryl group may have a substituent. “Having a substituent” means that part or all of the hydrogen atoms of the aryl group are substituted with a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a hydroxyl group, An alkoxyalkyloxy group, —O—R 50 —C (═O) — (O) n —R 51 , wherein R 50 is an alkylene group or a single bond, and R 51 is an acid dissociable group or an acid non-dissociating group. N is 0 or 1. ] Etc. are mentioned.
The alkyl group that may be substituted for the hydrogen atom of the aryl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. Is most preferred.
As the alkoxy group that may be substituted for the hydrogen atom of the aryl group, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, A tert-butoxy group is preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
The halogen atom that may be substituted with the hydrogen atom of the aryl group is preferably a fluorine atom.

前記アリール基の水素原子が置換されていてもよいアルコキシアルキルオキシ基としては、たとえば、−O−C(R47)(R48)−O−R49[式中、R47およびR48はそれぞれ独立して水素原子または直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であり、R49はアルキル基であり、R48およびR49は相互に結合して一つの環構造を形成していても良い。ただし、R47およびR48のうち少なくとも1つは水素原子である。]が挙げられる。
47、R48において、アルキル基の炭素数は好ましくは1〜5であり、エチル基、メチル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。
そして、R47およびR48は、一方が水素原子であり、他方が水素原子またはメチル基であることが好ましく、R47およびR48がいずれも水素原子であることが特に好ましい。
49のアルキル基としては、好ましくは炭素数が1〜15であり、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
49における直鎖状、分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が1〜5であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基などが挙げられる。
49における環状のアルキル基としては、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10であることが最も好ましい。
具体的には炭素数1〜5のアルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。モノシクロアルカンとしては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。中でもアダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。
48およびR49は、相互に結合して一つの環構造を形成していても良い。この場合、R48とR49と、R49が結合した酸素原子と、該酸素原子およびR48が結合した炭素原子とにより環式基が形成されている。該環式基としては、4〜7員環が好ましく、4〜6員環がより好ましい。
As the alkoxyalkyloxy group in which the hydrogen atom of the aryl group may be substituted, for example, —O—C (R 47 ) (R 48 ) —O—R 49 wherein R 47 and R 48 are each It is independently a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group, R 49 is an alkyl group, and R 48 and R 49 may be bonded to each other to form one ring structure. However, at least one of R 47 and R 48 is a hydrogen atom. ].
In R 47 and R 48 , the alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, preferably an ethyl group or a methyl group, and most preferably a methyl group.
One of R 47 and R 48 is preferably a hydrogen atom, the other is preferably a hydrogen atom or a methyl group, and both R 47 and R 48 are particularly preferably hydrogen atoms.
The alkyl group for R 49 preferably has 1 to 15 carbon atoms and may be linear, branched or cyclic.
The linear or branched alkyl group for R 49 preferably has 1 to 5 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, and a tert-butyl group. Can be mentioned.
The cyclic alkyl group for R 49 preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms.
Specifically, a monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc., which may or may not be substituted with an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, etc. And a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane. Examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. Examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. Among them, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.
R 48 and R 49 may be bonded to each other to form one ring structure. In this case, a cyclic group is formed by R 48 , R 49 , the oxygen atom to which R 49 is bonded, and the carbon atom to which the oxygen atom and R 48 are bonded. The cyclic group is preferably a 4- to 7-membered ring, and more preferably a 4- to 6-membered ring.

前記アリール基の水素原子が置換されていてもよい−O−R50−C(=O)−(O)−R51中、R50におけるアルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、その炭素数は1〜5が好ましい。該アルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、1,1−ジメチルエチレン基などが挙げられる。
51における酸解離性基としては、酸(露光時に(B)成分から発生する酸)の作用により解離しうる有機基であれば特に限定されず、たとえば前記構成単位(a11)または(a0−1)の説明で挙げた酸解離性基と同様のものが挙げられる。中でも、第3級アルキルエステル型のものが好ましい。
51における酸非解離性基としては、たとえば、置換基を有していてもよい直鎖状のアルキル基、置換基を有していてもよい分岐鎖状のアルキル基(ただし第3級アルキル基を除く。)、酸非解離性の脂肪族環式基等が挙げられる。酸非解離性の脂肪族環式基としては前記構成単位(a4)の説明で挙げたものと同様のものが挙げられる。好ましい酸非解離性基としては、デシル基、トリシクロデカニル基、アダマンチル基、1−(1−アダマンチル)メチル基、テトラシクロドデカニル基、イソボルニル基、ノルボルニル基が挙げられる。
In —O—R 50 —C (═O) — (O) n —R 51 in which the hydrogen atom of the aryl group may be substituted, the alkylene group for R 50 is a linear or branched alkylene Group is preferable, and the number of carbon atoms is preferably 1 to 5. Examples of the alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, and a 1,1-dimethylethylene group.
The acid dissociable group in R 51 is not particularly limited as long as it is an organic group that can be dissociated by the action of an acid (an acid generated from the component (B) during exposure). For example, the structural unit (a11) or (a0- Examples thereof include the same acid dissociable groups as mentioned in the description of 1). Among them, the tertiary alkyl ester type is preferable.
Examples of the acid non-dissociable group in R 51 include a linear alkyl group which may have a substituent, and a branched alkyl group which may have a substituent (however, a tertiary alkyl group). A non-acid dissociable aliphatic cyclic group and the like. Examples of the non-acid-dissociable aliphatic cyclic group are the same as those described in the description of the structural unit (a4). Preferred acid non-dissociable groups include decyl group, tricyclodecanyl group, adamantyl group, 1- (1-adamantyl) methyl group, tetracyclododecanyl group, isobornyl group and norbornyl group.

”〜R”のアルキル基としては、特に制限はなく、例えば炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。解像性に優れる点から、炭素数1〜5であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、n−ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ノニル基、デシル基等が挙げられ、解像性に優れ、また安価に合成可能なことから好ましいものとして、メチル基を挙げることができる。
該アルキル基は、置換基を有していてもよい。「置換基を有する」とは、当該アルキル基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味し、該置換基としては、前記アリール基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
The alkyl group for R 1 "~R 3", is not particularly limited, for example, linear C1-10, branched or cyclic alkyl group, and the like. It is preferable that it is C1-C5 from the point which is excellent in resolution. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an n-pentyl group, a cyclopentyl group, a hexyl group, a cyclohexyl group, a nonyl group, and a decyl group. A methyl group is preferable because it is excellent in resolution and can be synthesized at low cost.
The alkyl group may have a substituent. “Having a substituent” means that part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a substituent, and the substituent may be a substituent that the aryl group may have. The thing similar to what was mentioned as a group is mentioned.

式(b−1)中、R”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。該環は、飽和であってもよく、不飽和であってもよい。また、該環は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。たとえば環を形成する2つのうちの一方または両方が環式基(環状のアルキル基またはアリール基)である場合、それらが結合すると、多環式の環(縮合環)が形成される。
”〜R”のうちの2つが結合して環を形成する場合、式中のイオウ原子をその環骨格に含む1つの環が、イオウ原子を含めて、3〜10員環であることが好ましく、5〜7員環であることが特に好ましい。
”〜R”のうちの2つが結合して形成される環の具体例としては、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、9H−チオキサンテン、チオキサントン、チアントレン、フェノキサチイン、テトラヒドロチオフェニウム、テトラヒドロチオピラニウムなどが挙げられる。
”〜R”のうち、いずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、残りの1つはアリール基であることが好ましい。
In formula (b-1), any two of R 1 ″ to R 3 ″ may be bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. The ring may be saturated or unsaturated. The ring may be monocyclic or polycyclic. For example, when one or both of the two forming a ring is a cyclic group (cyclic alkyl group or aryl group), a polycyclic ring (fused ring) is formed when they are combined.
When two of R 1 ″ to R 3 ″ are combined to form a ring, one ring containing a sulfur atom in the ring skeleton in the formula is a 3 to 10 membered ring including the sulfur atom. Of these, a 5- to 7-membered ring is particularly preferable.
Specific examples of the ring formed by combining two of R 1 ″ to R 3 ″ include benzothiophene, dibenzothiophene, 9H-thioxanthene, thioxanthone, thianthrene, phenoxathiin, tetrahydrothiophenium, tetrahydro Examples include thiopyranium.
When any two of R 1 ″ to R 3 ″ are bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula, the remaining one is preferably an aryl group.

式(b−1)で表される化合物のカチオン部のうち、R”〜R”が全て、置換基を有していてもよいフェニル基である場合、つまり当該カチオン部がトリフェニルスルホニウム骨格を有する場合の好ましい具体例としては、たとえば、下記式(I−1−1)〜(I−1−14)で表されるカチオン部が挙げられる。 Of the cation moiety of the compound represented by formula (b-1), when R 1 ″ to R 3 ″ are all phenyl groups that may have a substituent, that is, the cation moiety is triphenylsulfonium. Specific examples of preferred skeletons include cation moieties represented by the following formulas (I-1-1) to (I-1-14).

Figure 0005711958
Figure 0005711958

Figure 0005711958
Figure 0005711958

また、これらのカチオン部におけるフェニル基の一部または全部が、置換基を有していてもよいナフチル基で置換されたものも好ましいものとして挙げられる。3つのフェニル基のうち、ナフチル基で置換されるのは、1または2が好ましい。   Moreover, what substituted a part or all of the phenyl group in these cation parts with the naphthyl group which may have a substituent is mentioned as a preferable thing. Of the three phenyl groups, 1 or 2 is preferably substituted with the naphthyl group.

また、式(b−1)で表される化合物のカチオン部のうち、R”〜R”のうちのいずれか2つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成している場合の好ましい具体例としては、たとえば、下記式(I−11−10)〜(I−11−13)で表されるカチオン部が挙げられる。 Moreover, among the cation part of the compound represented by the formula (b-1), any two of R 1 ″ to R 3 ″ are bonded to each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. Preferable specific examples of the case include, for example, cation moieties represented by the following formulas (I-11-10) to (I-11-13).

Figure 0005711958
[式中、Rは、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基または炭素数1〜5のアルキル基であり、R10は、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいナフチル基、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアルコキシ基または水酸基であり、uは1〜3の整数である。]
Figure 0005711958
[Wherein, R 9 is a phenyl group which may have a substituent, a naphthyl group which may have a substituent or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and R 10 represents a substituent. A phenyl group which may have, a naphthyl group which may have a substituent, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms or a hydroxyl group, u is an integer of 1 to 3 It is. ]

Figure 0005711958
[式中、Zは単結合、メチレン基、硫黄原子、酸素原子、窒素原子、カルボニル基、−SO−、−SO−、−SO−、−COO−、−CONH−または−N(R)−(該Rは炭素数1〜5のアルキル基である。)であり;R41〜R46はそれぞれ独立してアルキル基、アセチル基、アルコキシ基、カルボキシ基、水酸基またはヒドロキシアルキル基であり;n〜nはそれぞれ独立して0〜3の整数であり、nは0〜2の整数である。]
Figure 0005711958
[In the formula, Z 4 represents a single bond, a methylene group, a sulfur atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a carbonyl group, —SO—, —SO 2 —, —SO 3 —, —COO—, —CONH— or —N ( R N ) — (wherein R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms); R 41 to R 46 are each independently an alkyl group, acetyl group, alkoxy group, carboxy group, hydroxyl group or hydroxyalkyl. N 1 to n 5 are each independently an integer of 0 to 3, and n 6 is an integer of 0 to 2. ]

式(I−11−10)〜(I−11−11)中、R〜R10において、フェニル基またはナフチル基が有していてもよい置換基としては、R”〜R”におけるアリール基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。また、R〜R10におけるアルキル基が有していてもよい置換基としては、R”〜R”におけるアルキル基が有していてもよい置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
uは1〜3の整数であり、1または2が最も好ましい。
式(I−11−12)〜(I−11−13)中、R41〜R46において、アルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、又はtert−ブチル基であることが特に好ましい。
アルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、なかでも直鎖または分岐鎖状のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
ヒドロキシアルキル基は、上記アルキル基中の一個又は複数個の水素原子がヒドロキシ基に置換した基が好ましく、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
41〜R46に付された符号n〜nが2以上の整数である場合、複数のR41〜R46はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
は、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1であり、さらに好ましくは0である。
およびnは、好ましくはそれぞれ独立して0又は1であり、より好ましくは0である。
は、好ましくは0〜2であり、より好ましくは0又は1である。
は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは0である。
は、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。
In the formulas (I-11-10) to (I-11-11), in R 9 to R 10 , the substituent that the phenyl group or naphthyl group may have may be represented by R 1 ″ to R 3 ″. The thing similar to what was mentioned as a substituent which an aryl group may have is mentioned. As the substituent that the alkyl group have the R 9 ~R 10, R 1 " ~R 3" are the same as those of the substituent which may be alkyl groups have in the Can be mentioned.
u is an integer of 1 to 3, and 1 or 2 is most preferable.
In formulas (I-11-12) to (I-11-13), in R 41 to R 46 , the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and in particular, a linear or branched alkyl group A group is more preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group is particularly preferable.
The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkoxy group, and particularly preferably a methoxy group or an ethoxy group.
The hydroxyalkyl group is preferably a group in which one or more hydrogen atoms in the alkyl group are substituted with a hydroxy group, and examples thereof include a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, and a hydroxypropyl group.
When the symbols n 1 to n 6 attached to R 41 to R 46 are integers of 2 or more, the plurality of R 41 to R 46 may be the same or different.
n 1 is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0.
n 2 and n 3 are preferably each independently 0 or 1, more preferably 0.
n 4 is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.
n 5 is preferably 0 or 1, more preferably 0.
n 6 is preferably 0 or 1, more preferably 1.

式(b−1)〜(b−2)中、R”は、置換基を有していても良いアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基を表す。
”におけるアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであっても良い。
前記直鎖状または分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜4であることが最も好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数4〜15であることが好ましく、炭素数4〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
”におけるハロゲン化アルキル基としては、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン化アルキル基においては、当該ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子および水素原子の合計数に対するハロゲン原子の数の割合(ハロゲン化率(%))が、10〜100%であることが好ましく、50〜100%であることが好ましく、100%が最も好ましい。該ハロゲン化率が高いほど、酸の強度が強くなるので好ましい。
前記R”におけるアリール基は、炭素数6〜20のアリール基であることが好ましい。
前記R”におけるアルケニル基は、炭素数2〜10のアルケニル基であることが好ましい。
前記R”において、「置換基を有していても良い」とは、前記直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、またはアルケニル基における水素原子の一部または全部が置換基(水素原子以外の他の原子または基)で置換されていても良いことを意味する。
”における置換基の数は1つであってもよく、2つ以上であってもよい。
In formulas (b-1) to (b-2), R 4 ″ represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, an aryl group, or an alkenyl group which may have a substituent.
The alkyl group for R 4 ″ may be linear, branched or cyclic.
The linear or branched alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 4 carbon atoms.
The cyclic alkyl group preferably has 4 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms.
Examples of the halogenated alkyl group for R 4 ″ include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the linear, branched, or cyclic alkyl group have been substituted with halogen atoms. A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
In the halogenated alkyl group, the ratio of the number of halogen atoms to the total number of halogen atoms and hydrogen atoms contained in the halogenated alkyl group (halogenation rate (%)) is preferably 10 to 100%. 50 to 100% is preferable, and 100% is most preferable. The higher the halogenation rate, the better the acid strength.
The aryl group for R 4 ″ is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
The alkenyl group in R 4 ″ is preferably an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.
In the above R 4 ″, “optionally substituted” means one of hydrogen atoms in the linear, branched or cyclic alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, or alkenyl group. It means that part or all may be substituted with a substituent (an atom or group other than a hydrogen atom).
The number of substituents in R 4 ″ may be one or two or more.

前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、式:X−Q−[式中、Qは酸素原子を含む2価の連結基であり、Xは置換基を有していてもよい炭素数3〜30の炭化水素基である。]で表される基等が挙げられる。
前記ハロゲン原子、アルキル基としては、R”において、ハロゲン化アルキル基におけるハロゲン原子、アルキル基として挙げたもの同様のものが挙げられる。
前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。
Examples of the substituent include a halogen atom, a hetero atom, an alkyl group, and a formula: XQ 1- [wherein Q 1 is a divalent linking group containing an oxygen atom, and X has a substituent. And a hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms. ] Etc. which are represented by these.
Examples of the halogen atom and alkyl group include the same groups as those described above for R 4 ″ as the halogen atom and alkyl group in the halogenated alkyl group.
Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom.

X−Q−で表される基において、Qは酸素原子を含む2価の連結基である。
は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子(エーテル結合;−O−)、エステル結合(−C(=O)−O−)、アミド結合(−C(=O)−NH−)、カルボニル基(−C(=O)−)、カーボネート結合(−O−C(=O)−O−)等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。
該組み合わせとしては、たとえば、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−、−C(=O)−O−R93−、−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−(式中、R91〜R93はそれぞれ独立にアルキレン基である。)等が挙げられる。
91〜R93におけるアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、該アルキレン基の炭素数は、1〜12が好ましく、1〜5がより好ましく、1〜3が特に好ましい。
該アルキレン基として、具体的には、たとえばメチレン基[−CH−];−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CHCH−];−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CHCHCH−];−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CHCHCHCH−];−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CHCHCHCHCH−]等が挙げられる。
としては、エステル結合またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、なかでも、−R91−O−、−R92−O−C(=O)−、−C(=O)−O−、−C(=O)−O−R93−または−C(=O)−O−R93−O−C(=O)−が好ましい。
X-Q 1 - In the group represented by, Q 1 represents a divalent linking group containing an oxygen atom.
Q 1 may contain an atom other than an oxygen atom. Examples of atoms other than oxygen atoms include carbon atoms, hydrogen atoms, oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.
Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include an oxygen atom (ether bond; —O—), an ester bond (—C (═O) —O—), and an amide bond (—C (═O) —NH. -), A carbonyl group (-C (= O)-), a non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking group such as a carbonate bond (-O-C (= O) -O-); the non-hydrocarbon oxygen atom Examples include a combination of a containing linking group and an alkylene group.
Examples of the combination include —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) —, —C (═O) —O—R 93 —, —C (═O) —O—R. 93 —O—C (═O) — (wherein R 91 to R 93 are each independently an alkylene group).
The alkylene group for R 91 to R 93 is preferably a linear or branched alkylene group, and the alkylene group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 3 carbon atoms. preferable.
Specific examples of the alkylene group include a methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 —, —C ( CH 3) (CH 2 CH 3 ) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as ethylene group [-CH 2 CH 2— ]; —CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3 ) —, —C (CH 3 ) 2 CH 2 —, —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 —, Alkylethylene groups such as —CH (CH 2 CH 3 ) CH 2 —; trimethylene group (n-propylene group) [—CH 2 CH 2 CH 2 —]; —CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene group and the like; Toramechiren group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl tetramethylene group and the like; penta And methylene group [—CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —] and the like.
Q 1 is preferably a divalent linking group containing an ester bond or an ether bond. Among them, —R 91 —O—, —R 92 —O—C (═O) —, —C (═O) — O—, —C (═O) —O—R 93 — or —C (═O) —O—R 93 —O—C (═O) — is preferred.

X−Q−で表される基において、Xの炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。
芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
芳香族炭化水素基として、具体的には、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素環から水素原子を1つ除いたアリール基、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基等が挙げられる。前記アリールアルキル基中のアルキル鎖の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基が有する芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されていてもよく、当該芳香族炭化水素基が有する芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。
前者の例としては、前記アリール基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基、前記アリールアルキル基中の芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部が前記ヘテロ原子で置換されたヘテロアリールアルキル基等が挙げられる。
後者の例における芳香族炭化水素基の置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、酸素原子(=O)等が挙げられる。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記芳香族炭化水素基の置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
In the group represented by XQ 1- , the hydrocarbon group of X may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group.
The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The aromatic hydrocarbon group preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include a hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. Aryl groups such as aryl group, benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc., from which one is removed. The number of carbon atoms in the alkyl chain in the arylalkyl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.
The aromatic hydrocarbon group may have a substituent. For example, a part of carbon atoms constituting the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a hetero atom, and the hydrogen atom bonded to the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group is substituted with the substituent. May be.
Examples of the former include heteroaryl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring of the aryl group are substituted with heteroatoms such as oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, and aromatic hydrocarbons in the arylalkyl groups. Examples include heteroarylalkyl groups in which some of the carbon atoms constituting the ring are substituted with the above heteroatoms.
Examples of the substituent of the aromatic hydrocarbon group in the latter example include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and an oxygen atom (═O).
The alkyl group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group. preferable.
The alkoxy group as a substituent of the aromatic hydrocarbon group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and is a methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert- A butoxy group is preferable, and a methoxy group and an ethoxy group are most preferable.
Examples of the halogen atom as a substituent for the aromatic hydrocarbon group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent of the aromatic hydrocarbon group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group have been substituted with the halogen atoms.

Xにおける脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。
Xにおいて、脂肪族炭化水素基は、当該脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよく、当該脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部がヘテロ原子を含む置換基で置換されていてもよい。
Xにおける「ヘテロ原子」としては、炭素原子および水素原子以外の原子であれば特に限定されず、たとえばハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子等が挙げられる。
「ヘテロ原子を含む置換基」(以下、ヘテロ原子含有置換基ということがある。)は、前記ヘテロ原子のみからなるものであってもよく、前記ヘテロ原子以外の基または原子を含む基であってもよい。
The aliphatic hydrocarbon group for X may be a saturated aliphatic hydrocarbon group or an unsaturated aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched or cyclic.
In X, the aliphatic hydrocarbon group may have a part of the carbon atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group substituted by a substituent containing a hetero atom, and the hydrogen atom constituting the aliphatic hydrocarbon group May be substituted with a substituent containing a hetero atom.
The “heteroatom” in X is not particularly limited as long as it is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include a halogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom, and a bromine atom.
The “substituent containing a heteroatom” (hereinafter sometimes referred to as a heteroatom-containing substituent) may be composed only of the heteroatom, or may be a group containing a group other than the heteroatom or an atom. May be.

前記脂肪族炭化水素基を構成する炭素原子の一部を置換してもよいヘテロ原子含有置換基としては、たとえば−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−NH−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−等が挙げられる。−NH−である場合、そのHを置換してもよい置換基(アルキル基、アシル基等)は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8であることがさらに好ましく、炭素数1〜5であることが特に好ましい。
脂肪族炭化水素基が環状である場合、これらの置換基を環構造中に含んでいてもよい。
Examples of the hetero atom-containing substituent that may substitute a part of carbon atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group include —O—, —C (═O) —O—, —C (═O) —. , —O—C (═O) —O—, —C (═O) —NH—, —NH— (H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group), —S. -, -S (= O) 2- , -S (= O) 2- O- and the like. In the case of -NH-, the substituent (alkyl group, acyl group, etc.) that may substitute for H preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 8 carbon atoms. Particularly preferably, it has 1 to 5 carbon atoms.
When the aliphatic hydrocarbon group is cyclic, these substituents may be included in the ring structure.

前記脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部を置換してもよいヘテロ原子含有置換基としては、たとえば、ハロゲン原子、アルコキシ基、水酸基、−C(=O)−R80[R80はアルキル基である。]、−COOR81[R81は水素原子またはアルキル基である。]、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アルコキシ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、酸素原子(=O)、硫黄原子、スルホニル基(SO)等が挙げられる。
前記ヘテロ原子含有置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ヘテロ原子含有置換基としてのアルコキシ基におけるアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状の何れであってもよく、それらの組み合わせであってもよい。その炭素数は1〜30が好ましい。該アルキル基が直鎖状または分岐鎖状である場合、その炭素数は1〜20であることが好ましく、1〜17であることがより好ましく、1〜15であることがさらに好ましく、1〜10が特に好ましい。具体的には、この後例示する直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基の具体例と同様のものが挙げられる。該アルキル基が環状である場合(シクロアルキル基である場合)、その炭素数は、3〜30であることが好ましく、3〜20がより好ましく、3〜15がさらに好ましく、炭素数4〜12であることが特に好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。該アルキル基は単環式であってもよく、多環式であってもよい。具体的には、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基等を例示できる。前記モノシクロアルカンとして、具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、前記ポリシクロアルカンとして、具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。これらのシクロアルキル基は、その環に結合した水素原子の一部または全部が、フッ素原子、フッ素化アルキル基等の置換基で置換されていてもよいし、されていなくてもよい。
前記ヘテロ原子含有置換基としての−C(=O)−R80、−COOR81において、R80、R81におけるアルキル基としては、前記アルコキシ基におけるアルキル基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられる。
前記ヘテロ原子含有置換基としてのハロゲン化アルキル基におけるアルキル基としては、前記アルコキシ基におけるアルキル基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としては、フッ素化アルキル基が特に好ましい。
前記ヘテロ原子含有置換基としてのハロゲン化アルコキシ基としては、前記アルコキシ基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルコキシ基としては、フッ素化アルコキシ基が好ましい。
前記ヘテロ原子含有置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、前記アルコキシ基におけるアルキル基として挙げたアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。ヒドロキシアルキル基が有する水酸基の数は、1〜3が好ましく、1が最も好ましい。
Examples of the hetero atom-containing substituent that may substitute part or all of the hydrogen atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group include a halogen atom, an alkoxy group, a hydroxyl group, —C (═O) —R 80 [ R 80 is an alkyl group. ], -COOR 81 [R 81 is a hydrogen atom or an alkyl group. ], Halogenated alkyl groups, halogenated alkoxy groups, amino groups, amide groups, nitro groups, oxygen atoms (= O), sulfur atoms, sulfonyl groups (SO 2 ) and the like.
Examples of the halogen atom as the heteroatom-containing substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.
The alkyl group in the alkoxy group as the heteroatom-containing substituent may be linear, branched or cyclic, or a combination thereof. The carbon number is preferably 1-30. When the alkyl group is linear or branched, the carbon number is preferably 1-20, more preferably 1-17, still more preferably 1-15, 10 is particularly preferred. Specific examples thereof include those similar to the specific examples of the linear or branched saturated hydrocarbon group exemplified below. When the alkyl group is cyclic (when it is a cycloalkyl group), the carbon number is preferably 3 to 30, more preferably 3 to 20, still more preferably 3 to 15, and 4 to 12 carbon atoms. It is particularly preferred that the number of carbon atoms is 5-10. The alkyl group may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from monocycloalkane, groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from polycycloalkanes such as bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane. . Specific examples of the monocycloalkane include cyclopentane and cyclohexane. Specific examples of the polycycloalkane include adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. In these cycloalkyl groups, some or all of the hydrogen atoms bonded to the ring may or may not be substituted with a substituent such as a fluorine atom or a fluorinated alkyl group.
In —C (═O) —R 80 and —COOR 81 as the hetero atom-containing substituent, the alkyl group in R 80 and R 81 is the same as the alkyl group exemplified as the alkyl group in the alkoxy group. Can be mentioned.
Examples of the alkyl group in the halogenated alkyl group as the heteroatom-containing substituent include the same alkyl groups as mentioned for the alkyl group in the alkoxy group. As the halogenated alkyl group, a fluorinated alkyl group is particularly preferred.
Examples of the halogenated alkoxy group as the heteroatom-containing substituent include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkoxy group have been substituted with the halogen atoms. The halogenated alkoxy group is preferably a fluorinated alkoxy group.
Examples of the hydroxyalkyl group as the heteroatom-containing substituent include groups in which at least one hydrogen atom of the alkyl group mentioned as the alkyl group in the alkoxy group is substituted with a hydroxyl group. The number of hydroxyl groups that the hydroxyalkyl group has is preferably 1 to 3, and most preferably 1.

脂肪族炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状の飽和炭化水素基、直鎖状もしくは分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基、または環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族環式基)が好ましい。
直鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状の飽和炭化水素基(アルキル基)としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
不飽和炭化水素基としては、炭素数が2〜10であることが好ましく、2〜5が好ましく、2〜4が好ましく、3が特に好ましい。直鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状の1価の不飽和炭化水素基としては、例えば、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。不飽和炭化水素基としてはプロペニル基が特に好ましい。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched saturated hydrocarbon group, a linear or branched monovalent unsaturated hydrocarbon group, or a cyclic aliphatic hydrocarbon group (aliphatic ring). Formula group) is preferred.
The linear saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group Group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, heicosyl group, docosyl group and the like.
The branched saturated hydrocarbon group (alkyl group) preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, Examples include 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.
As an unsaturated hydrocarbon group, it is preferable that carbon number is 2-10, 2-5 are preferable, 2-4 are preferable, and 3 is especially preferable. Examples of the linear monovalent unsaturated hydrocarbon group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butynyl group. Examples of the branched monovalent unsaturated hydrocarbon group include a 1-methylpropenyl group and a 2-methylpropenyl group. As the unsaturated hydrocarbon group, a propenyl group is particularly preferable.

脂肪族環式基としては、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。その炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜12が最も好ましい。
具体的には、たとえば、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含まない場合は、脂肪族環式基としては、多環式基が好ましく、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、アダマンタンから1個以上の水素原子を除いた基が最も好ましい。
脂肪族環式基が、その環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含むものである場合、該ヘテロ原子を含む置換基としては、−O−、−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−が好ましい。かかる脂肪族環式基の具体例としては、たとえば以下の式(L1)〜(L6)、(S1)〜(S4)で表される基等が挙げられる。
The aliphatic cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. The number of carbon atoms is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, further preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 12.
Specifically, for example, a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane; a group in which one or more hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, etc. Can be mentioned. More specifically, a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane or cyclohexane; one or more polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, or tetracyclododecane. Examples include a group excluding a hydrogen atom.
When the aliphatic cyclic group does not contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure, the aliphatic cyclic group is preferably a polycyclic group, and has one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane. Excluded groups are preferred, and most preferred are groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from adamantane.
When the aliphatic cyclic group includes a substituent containing a hetero atom in the ring structure, examples of the substituent containing a hetero atom include —O—, —C (═O) —O—, —S—. , —S (═O) 2 — and —S (═O) 2 —O— are preferable. Specific examples of the aliphatic cyclic group include groups represented by the following formulas (L1) to (L6) and (S1) to (S4).

Figure 0005711958
[式中、Q”は、酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよいアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、mは0または1の整数である。]
Figure 0005711958
[Wherein Q ″ is an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, and m is an integer of 0 or 1.]

式中、Q”におけるアルキレン基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましく、その炭素数は1〜5が好ましい。具体的には、メチレン基[−CH−];−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CHCH−];−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CHCHCH−];−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CHCHCHCH−];−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CHCHCHCHCH−]等が挙げられる。これらの中でも、メチレン基またはアルキルメチレン基が好ましく、メチレン基、−CH(CH)−または−C(CH−が特に好ましい。
該アルキレン基は、酸素原子(−O−)もしくは硫黄原子(−S−)を含んでいてもよい。その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−O−または−S−が介在する基が挙げられ、たとえば−O−R94−、−S−R95−、−R96−O−R97−、−R98−S−R99−等が挙げられる。ここで、R94〜R99はそれぞれ独立にアルキレン基である。該アルキレン基としては、前記Q”におけるアルキレン基として挙げたアルキレン基と同様のものが挙げられる。中でも、−O−CH−、−CH−O−CH−、−S−CH−、−CH−S−CH−等が好ましい。
In the formula, the alkylene group in Q ″ is preferably linear or branched, and preferably has 1 to 5 carbon atoms. Specifically, a methylene group [—CH 2 —]; —CH ( CH 3) -, - CH ( CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - C (CH 3) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3 )-, an alkylmethylene group such as —C (CH 2 CH 3 ) 2 —; an ethylene group [—CH 2 CH 2 —]; —CH (CH 3 ) CH 2 —, —CH (CH 3 ) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 - alkyl groups such as, trimethylene group (n- propylene group) [- CH 2 CH 2 CH 2 -] ; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3 Tetramethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -];; - CH 2 alkyltetramethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 An alkyltetramethylene group such as CH 2 —, a pentamethylene group [—CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —], etc. Among these, a methylene group or an alkylmethylene group is preferable, and a methylene group, —CH (CH 3 ) — or —C (CH 3 ) 2 — is particularly preferred.
The alkylene group may contain an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—). Specific examples thereof include groups in which —O— or —S— is interposed between the terminal or carbon atoms of the alkylene group, and examples thereof include —O—R 94 —, —S—R 95 —, and —R 96 —. O-R <97 > -, -R < 98 > -S-R <99> -, etc. are mentioned. Here, R 94 to R 99 are each independently an alkylene group. Examples of the alkylene group include the same alkylene groups exemplified as the alkylene group for Q "Among them, -O-CH 2 -., - CH 2 -O-CH 2 -, - S-CH 2 - , —CH 2 —S—CH 2 — and the like are preferable.

これらの脂肪族環式基は、水素原子の一部または全部が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、水酸基、−C(=O)−R80[R80はアルキル基である。]、−COOR81[R81は水素原子またはアルキル基である。]、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アルコキシ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、酸素原子(=O)、硫黄原子、スルホニル基(SO)等が挙げられる。
該置換基としてのアルキル基としては、前記ヘテロ原子含有置換基としてのアルコキシ基におけるアルキル基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
該アルキル基としては、特に、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。また、該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
該置換基としてのハロゲン原子、アルコキシ基、−C(=O)−R80、−COOR81、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アルコキシ基としては、それぞれ、前記脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部を置換してもよいヘテロ原子含有置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
脂肪族環式基の水素原子を置換する置換基としては、上記の中でも、アルキル基、酸素原子(=O)、水酸基が好ましい。
脂肪族環式基が有する置換基の数は、1つであってもよく、2以上であってもよい。置換基を複数有する場合、該複数の置換基はそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
In these aliphatic cyclic groups, some or all of the hydrogen atoms may be substituted with substituents. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom, an alkoxy group, a hydroxyl group, —C (═O) —R 80 [R 80 is an alkyl group. ], -COOR 81 [R 81 is a hydrogen atom or an alkyl group. ], Halogenated alkyl groups, halogenated alkoxy groups, amino groups, amide groups, nitro groups, oxygen atoms (= O), sulfur atoms, sulfonyl groups (SO 2 ) and the like.
Examples of the alkyl group as the substituent include the same alkyl groups as those described above for the alkoxy group as the heteroatom-containing substituent.
As the alkyl group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is particularly preferable. The alkyl group is preferably linear or branched, and specifically includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, Examples include pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, hexyl group and the like. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
As the halogen atom, alkoxy group, —C (═O) —R 80 , —COOR 81 , halogenated alkyl group, and halogenated alkoxy group as the substituent, a hydrogen atom constituting the aliphatic hydrocarbon group, respectively. The same thing as the thing quoted as the hetero atom containing substituent which may substitute a part or all of is mentioned.
Among the above, the substituent for substituting the hydrogen atom of the aliphatic cyclic group is preferably an alkyl group, an oxygen atom (= O), or a hydroxyl group.
The number of substituents possessed by the aliphatic cyclic group may be one or two or more. When having a plurality of substituents, the plurality of substituents may be the same or different.

Xとしては、置換基を有していてもよい環式基が好ましい。該環式基は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であってもよく、置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよいナフチル基、または置換基を有していてもよいフェニル基が好ましい。
置換基を有していてもよい脂肪族環式基としては、置換基を有していてもよい多環式の脂肪族環式基が好ましい。該多環式の脂肪族環式基としては、前記ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基、前記(L2)〜(L6)、(S3)〜(S4)で表される基等が好ましい。
X is preferably a cyclic group which may have a substituent. The cyclic group may be an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a substituent. It is preferably an aliphatic cyclic group that may be used.
The aromatic hydrocarbon group is preferably a naphthyl group which may have a substituent or a phenyl group which may have a substituent.
As the aliphatic cyclic group which may have a substituent, a polycyclic aliphatic cyclic group which may have a substituent is preferable. Examples of the polycyclic aliphatic cyclic group include groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from the polycycloalkane, and groups represented by the above (L2) to (L6) and (S3) to (S4). Etc. are preferred.

”が置換基としてX−Q−を有する場合、R”としては、X−Q−Y−[式中、QおよびXは前記と同じであり、Yは置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルキレン基または置換基を有していてもよい炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基である。]で表される基が好ましい。
X−Q−Y−で表される基において、Yのアルキレン基としては、前記Qで挙げたアルキレン基のうち炭素数1〜4のものと同様のものが挙げられる。
フッ素化アルキレン基としては、該アルキレン基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
として、具体的には、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−CF(CF)CF−、−CF(CFCF)−、−C(CF−、−CFCFCFCF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−、−CF(CFCFCF)−、−C(CF)(CFCF)−;−CHF−、−CHCF−、−CHCHCF−、−CHCFCF−、−CH(CF)CH−、−CH(CFCF)−、−C(CH)(CF)−、−CHCHCHCF−、−CHCHCFCF−、−CH(CF)CHCH−、−CHCH(CF)CH−、−CH(CF)CH(CF)−、−C(CFCH−;−CH−、−CHCH−、−CHCHCH−、−CH(CH)CH−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−CHCHCHCH−、−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−CH(CHCHCH)−、−C(CH)(CHCH)−等が挙げられる。
"- if it has a, R 4 is X-Q 1 as a substituent" as the, X-Q 1 -Y 1 - R 4 [ wherein, Q 1 and X are as defined above, Y 1 is a substituted group It is a C1-C4 alkylene group which may have, or a C1-C4 fluorinated alkylene group which may have a substituent. ] Is preferable.
In the group represented by XQ 1 -Y 1- , the alkylene group for Y 1 includes the same alkylene groups as those described above for Q 1 having 1 to 4 carbon atoms.
Examples of the fluorinated alkylene group include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group have been substituted with fluorine atoms.
As Y 1, specifically, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 2 CF 3) -, -C (CF 3) 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3 ) —, —C (CF 3 ) 2 CF 2 —, —CF (CF 2 CF 3 ) CF 2 —, —CF (CF 2 CF 2 CF 3 ) —, —C (CF 3 ) (CF 2 CF 3) -; - CHF -, - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -, - CH (CF 3) CH 2 -, - CH (CF 2 CF 3) -, - C ( CH 3) (CF 3) -, - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - C H 2 CH 2 CF 2 CF 2 —, —CH (CF 3 ) CH 2 CH 2 —, —CH 2 CH (CF 3 ) CH 2 —, —CH (CF 3 ) CH (CF 3 ) —, —C ( CF 3) 2 CH 2 -; - CH 2 -, - CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - CH (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 3 ) — and the like.

としては、フッ素化アルキレン基が好ましく、特に、隣接する硫黄原子に結合する炭素原子がフッ素化されているフッ素化アルキレン基が好ましい。このようなフッ素化アルキレン基としては、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、−CF(CF)CF−、−CFCFCFCF−、−CF(CF)CFCF−、−CFCF(CF)CF−、−CF(CF)CF(CF)−、−C(CFCF−、−CF(CFCF)CF−;−CHCF−、−CHCHCF−、−CHCFCF−;−CHCHCHCF−、−CHCHCFCF−、−CHCFCFCF−等を挙げることができる。
これらの中でも、−CF−、−CFCF−、−CFCFCF−、又はCHCFCF−が好ましく、−CF−、−CFCF−又は−CFCFCF−がより好ましく、−CF−が特に好ましい。
Y 1 is preferably a fluorinated alkylene group, and particularly preferably a fluorinated alkylene group in which the carbon atom bonded to the adjacent sulfur atom is fluorinated. Examples of such fluorinated alkylene group, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 -, - CF (CF 3) CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF (CF 3) CF 2 -, - CF (CF 3) CF (CF 3) -, - C (CF 3) 2 CF 2 -, -CF (CF 2 CF 3) CF 2 -; - CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CF 2 CF 2 -; - CH 2 CH 2 CH 2 CF 2 -, - CH 2 CH 2 CF 2 CF 2 —, —CH 2 CF 2 CF 2 CF 2 — and the like can be mentioned.
Of these, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 -, - CF 2 CF 2 CF 2 -, or CH 2 CF 2 CF 2 - is preferable, -CF 2 -, - CF 2 CF 2 - or -CF 2 CF 2 CF 2 - is more preferable, -CF 2 - is particularly preferred.

前記アルキレン基またはフッ素化アルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が「置換基を有する」とは、当該アルキレン基またはフッ素化アルキレン基における水素原子またはフッ素原子の一部または全部が、水素原子およびフッ素原子以外の原子または基で置換されていることを意味する。
アルキレン基またはフッ素化アルキレン基が有していてもよい置換基としては、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、水酸基等が挙げられる。
The alkylene group or fluorinated alkylene group may have a substituent. An alkylene group or a fluorinated alkylene group has a “substituent” means that part or all of the hydrogen atom or fluorine atom in the alkylene group or fluorinated alkylene group is substituted with an atom or group other than a hydrogen atom and a fluorine atom. Means that
Examples of the substituent that the alkylene group or fluorinated alkylene group may have include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, and a hydroxyl group.

式(b−2)中、R”〜R”はそれぞれ独立にアリール基またはアルキル基を表す。R”〜R”のうち、少なくとも1つはアリール基を表す。R”〜R”のすべてがアリール基であることが好ましい。
”〜R”のアリール基としては、R”〜R”のアリール基と同様のものが挙げられる。
”〜R”のアルキル基としては、R”〜R”のアルキル基と同様のものが挙げられる。
これらの中で、R”〜R”はすべてフェニル基であることが最も好ましい。
式(b−2)中のR”としては上記式(b−1)のR”と同様のものが挙げられる。
In formula (b-2), R 5 ″ to R 6 ″ each independently represents an aryl group or an alkyl group. At least one of R 5 ″ to R 6 ″ represents an aryl group. It is preferable that all of R 5 ″ to R 6 ″ are aryl groups.
As the aryl group for R 5 ″ to R 6 ″, the same as the aryl groups for R 1 ″ to R 3 ″ can be used.
Examples of the alkyl group for R 5 ″ to R 6 ″ include the same as the alkyl group for R 1 ″ to R 3 ″.
Among these, it is most preferable that all of R 5 ″ to R 6 ″ are phenyl groups.
"As R 4 in the formula (b-1)" R 4 in the In the formula (b-2) include the same as.

式(b−1)、(b−2)で表されるオニウム塩系酸発生剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート;ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムのトリフルオロメタンスルホネートまたはノナフルオロブタンスルホネート;トリフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;トリ(4−メチルフェニル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジメチル(4−ヒドロキシナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;モノフェニルジメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジフェニルモノメチルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;(4−メチルフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;(4−メトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;トリ(4−tert−ブチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジフェニル(1−(4−メトキシ)ナフチル)スルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;ジ(1−ナフチル)フェニルスルホニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−フェニルテトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−エトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−フェニルテトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート;1−(4−メチルフェニル)テトラヒドロチオピラニウムのトリフルオロメタンスルホネート、そのヘプタフルオロプロパンスルホネートまたはそのノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。
また、これらのオニウム塩のアニオン部をメタンスルホネート、n−プロパンスルホネート、n−ブタンスルホネート、n−オクタンスルホネート、1−アダマンタンスルホネート、2−ノルボルナンスルホネート、d−カンファー−10−スルホネート、ベンゼンスルホネート、パーフルオロベンゼンスルホネート、p−トルエンスルホネート等のアルキルスルホネートに置き換えたオニウム塩も用いることができる。
また、これらのオニウム塩のアニオン部を下記式(b1)〜(b8)のいずれかで表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩も用いることができる。
Specific examples of the onium salt acid generators represented by formulas (b-1) and (b-2) include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate; bis (4-tert-butylphenyl) iodonium. Trifluoromethane sulfonate or nonafluorobutane sulfonate; triphenylsulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; tri (4-methylphenyl) sulfonium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its Nonafluorobutanesulfonate; dimethyl (4-hydroxynaphthyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptaful Lopropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; trifluoromethane sulfonate of monophenyldimethylsulfonium, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; trifluoromethane sulfonate of diphenyl monomethylsulfonium, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate (4-methylphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; Trifluoromethanesulfonate of tri (4-tert-butyl) phenylsulfonium, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; trifluoromethanesulfonate of diphenyl (1- (4-methoxy) naphthyl) sulfonium, its heptafluoropropane Sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; trifluoromethane sulfonate of di (1-naphthyl) phenylsulfonium, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1-phenyltetrahydrothiophenium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate Or nonafluorobutanesulfonate thereof; 1- (4-methylphenyl) ) Tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropane sulfonate 1- (4-methoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; 1- (4-ethoxynaphthalene-1- Yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonaflu 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate; 1-phenyltetrahydrothiopyranium trifluoromethanesulfonate , Its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium trifluoromethane sulfonate, its heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate; 1- (3,5-dimethyl -4-Hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium trifluoromethanesulfonate, its heptafluoropropanes Honeto or nonafluorobutanesulfonate; 1- (4-methylphenyl) trifluoromethanesulfonate tetrahydrothiophenium Pila chloride, heptafluoropropane sulfonate or its nonafluorobutane sulfonate, and the like.
In addition, the anion part of these onium salts is methanesulfonate, n-propanesulfonate, n-butanesulfonate, n-octanesulfonate, 1-adamantanesulfonate, 2-norbornanesulfonate, d-camphor-10-sulfonate, benzenesulfonate, Onium salts substituted with alkyl sulfonates such as fluorobenzene sulfonate and p-toluene sulfonate can also be used.
Moreover, the onium salt which replaced the anion part of these onium salts by the anion part represented by either of following formula (b1)-(b8) can also be used.

Figure 0005711958
[式中、pは1〜3の整数であり、v0は0〜3の整数であり、q1〜q2はそれぞれ独立に1〜5の整数であり、q3は1〜12の整数であり、r1〜r2はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、gは1〜20の整数であり、t3は1〜3の整数であり、Rは置換基であり、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基または炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。]
Figure 0005711958
[Wherein, p is an integer of 1 to 3, v0 is an integer of 0 to 3, q1 to q2 are each independently an integer of 1 to 5, q3 is an integer of 1 to 12, and r1 ~r2 are each independently an integer of 0 to 3, g is an integer of 1 to 20, t3 is an integer from 1 to 3, R 7 is a substituent, R 8 is a hydrogen atom, the number of carbon atoms It is a 1-5 alkyl group or a C1-C5 halogenated alkyl group. ]

Figure 0005711958
[式中、p、R、Q”はそれぞれ前記と同じであり、n1〜n5はそれぞれ独立に0または1であり、v1〜v5はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、w1〜w5はそれぞれ独立に0〜3の整数である。]
Figure 0005711958
[Wherein, p, R 7 and Q ″ are the same as defined above, n1 to n5 are each independently 0 or 1, v1 to v5 are each independently an integer of 0 to 3, w1 to w5 Are each independently an integer of 0 to 3.]

の置換基としては、アルキル基、ヘテロ原子含有置換基等が挙げられる。アルキル基としては、前記Xの説明で、芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられる。また、ヘテロ原子含有置換基としては、前記Xの説明で、脂肪族炭化水素基を構成する水素原子の一部または全部を置換してもよいヘテロ原子含有置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
に付された符号(r1〜r2、w1〜w5)が2以上の整数である場合、当該化合物中の複数のRはそれぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
におけるアルキル基、ハロゲン化アルキル基としては、それぞれ、上記Rにおけるアルキル基、ハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
r1〜r2、w1〜w5は、それぞれ、0〜2の整数であることが好ましく、0または1であることがより好ましい。
v0〜v5は0〜2が好ましく、0または1が最も好ましい。
t3は、1または2が好ましく、1であることが最も好ましい。
q3は、1〜5であることが好ましく、1〜3であることがさらに好ましく、1であることが最も好ましい。
Examples of the substituent for R 7 include an alkyl group and a heteroatom-containing substituent. Examples of the alkyl group include those similar to the alkyl group mentioned as the substituent that the aromatic hydrocarbon group may have in the description of X. In addition, the heteroatom-containing substituent is the same as the heteroatom-containing substituent that may substitute part or all of the hydrogen atoms constituting the aliphatic hydrocarbon group in the description of X. Is mentioned.
Code (r1 and r2, w1 to w5) attached to R 7 when is an integer of 2 or more, a plurality of the R 7 groups may be the same, respectively, may be different.
Examples of the alkyl group and halogenated alkyl group for R 8 include the same alkyl groups and halogenated alkyl groups as those described above for R.
r1 to r2 and w1 to w5 are each preferably an integer of 0 to 2, and more preferably 0 or 1.
v0 to v5 are preferably 0 to 2, and most preferably 0 or 1.
t3 is preferably 1 or 2, and most preferably 1.
q3 is preferably 1 to 5, more preferably 1 to 3, and most preferably 1.

また、オニウム塩系酸発生剤としては、前記一般式(b−1)又は(b−2)において、アニオン部を下記一般式(b−3)又は(b−4)で表されるアニオン部に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる(カチオン部は(b−1)又は(b−2)と同様)。   Moreover, as an onium salt type | system | group acid generator, in the said general formula (b-1) or (b-2), an anion part is represented by the following general formula (b-3) or (b-4). An onium salt-based acid generator replaced with can also be used (the cation moiety is the same as (b-1) or (b-2)).

Figure 0005711958
[式中、X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数2〜6のアルキレン基を表し;Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1〜10のアルキル基を表す。]
Figure 0005711958
[Wherein X ″ represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom; Y ″ and Z ″ each independently represent at least one hydrogen atom as a fluorine atom; Represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and substituted with

X”は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であり、該アルキレン基の炭素数は2〜6であり、好ましくは炭素数3〜5、最も好ましくは炭素数3である。
Y”、Z”は、それぞれ独立に、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であり、該アルキル基の炭素数は1〜10であり、好ましくは炭素数1〜7、より好ましくは炭素数1〜3である。
X”のアルキレン基の炭素数またはY”、Z”のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト溶媒への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。
また、X”のアルキレン基またはY”、Z”のアルキル基において、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するので好ましい。該アルキレン基またはアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70〜100%、さらに好ましくは90〜100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキレン基またはパーフルオロアルキル基である。
X ″ is a linear or branched alkylene group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkylene group has 2 to 6 carbon atoms, preferably 3 to 5 carbon atoms, Most preferably, it has 3 carbon atoms.
Y ″ and Z ″ are each independently a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, preferably Has 1 to 7 carbon atoms, more preferably 1 to 3 carbon atoms.
The carbon number of the alkylene group of X ″ or the carbon number of the alkyl group of Y ″ and Z ″ is preferably as small as possible because the solubility in the resist solvent is good within the above carbon number range.
In addition, in the alkylene group of X ″ or the alkyl group of Y ″ and Z ″, as the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms increases, the strength of the acid increases, and high-energy light or electron beam of 200 nm or less The ratio of fluorine atoms in the alkylene group or alkyl group, that is, the fluorination rate is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably all. Are a perfluoroalkylene group or a perfluoroalkyl group in which a hydrogen atom is substituted with a fluorine atom.

また、前記一般式(b−1)または(b−2)において、アニオン部(R”SO )を、R”−COO[式中、R”はアルキル基またはフッ素化アルキル基である。]に置き換えたオニウム塩系酸発生剤も用いることができる(カチオン部は(b−1)または(b−2)と同様)。
”としては、前記R”と同様のものが挙げられる。
上記「R”−COO」の具体的としては、トリフルオロ酢酸イオン、酢酸イオン、CFCFCFCOO、1−アダマンタンカルボン酸イオンなどが挙げられる。
In the general formula (b-1) or (b-2), the anion moiety (R 4 ″ SO 3 ) is R 7 ″ -COO [wherein R 7 ″ is an alkyl group or a fluorinated alkyl group. An onium salt-based acid generator replaced with a cation group can be used (the cation moiety is the same as (b-1) or (b-2)).
Examples of R 7 ″ include the same as R 4 ″ described above.
Specific examples of the “R 7 ″ —COO ” include trifluoroacetate ions, acetate ions, CF 3 CF 2 CF 2 COO , 1-adamantane carboxylate ions, and the like.

本明細書において、オキシムスルホネート系酸発生剤とは、下記一般式(B−1)で表される基を少なくとも1つ有する化合物であって、放射線の照射によって酸を発生する特性を有するものである。この様なオキシムスルホネート系酸発生剤は、化学増幅型レジスト組成物用として多用されているので、任意に選択して用いることができる。   In this specification, the oxime sulfonate acid generator is a compound having at least one group represented by the following general formula (B-1), and has a property of generating an acid upon irradiation with radiation. is there. Such oxime sulfonate-based acid generators are frequently used for chemically amplified resist compositions, and can be arbitrarily selected and used.

Figure 0005711958
(式(B−1)中、R31、R32はそれぞれ独立に有機基を表す。)
Figure 0005711958
(In formula (B-1), R 31 and R 32 each independently represents an organic group.)

31、R32の有機基は、炭素原子を含む基であり、炭素原子以外の原子(たとえば水素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子等)等)を有していてもよい。
31の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。これらのアルキル基、アリール基は置換基を有していても良い。該置換基としては、特に制限はなく、たとえばフッ素原子、炭素数1〜6の直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基等が挙げられる。ここで、「置換基を有する」とは、アルキル基またはアリール基の水素原子の一部または全部が置換基で置換されていることを意味する。
アルキル基としては、炭素数1〜20が好ましく、炭素数1〜10がより好ましく、炭素数1〜8がさらに好ましく、炭素数1〜6が特に好ましく、炭素数1〜4が最も好ましい。アルキル基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアルキル基(以下、ハロゲン化アルキル基ということがある)が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味し、完全にハロゲン化されたアルキル基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。すなわち、ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
アリール基は、炭素数4〜20が好ましく、炭素数4〜10がより好ましく、炭素数6〜10が最も好ましい。アリール基としては、特に、部分的または完全にハロゲン化されたアリール基が好ましい。なお、部分的にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味し、完全にハロゲン化されたアリール基とは、水素原子の全部がハロゲン原子で置換されたアリール基を意味する。
31としては、特に、置換基を有さない炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数1〜4のフッ素化アルキル基が好ましい。
32の有機基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のアルキル基、アリール基またはシアノ基が好ましい。R32のアルキル基、アリール基としては、前記R31で挙げたアルキル基、アリール基と同様のものが挙げられる。
32としては、特に、シアノ基、置換基を有さない炭素数1〜8のアルキル基、または炭素数1〜8のフッ素化アルキル基が好ましい。
The organic groups of R 31 and R 32 are groups containing carbon atoms, and atoms other than carbon atoms (for example, hydrogen atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms, halogen atoms (fluorine atoms, chlorine atoms, etc.), etc.) You may have.
As the organic group for R 31, a linear, branched, or cyclic alkyl group or aryl group is preferable. These alkyl groups and aryl groups may have a substituent. There is no restriction | limiting in particular as this substituent, For example, a fluorine atom, a C1-C6 linear, branched or cyclic alkyl group etc. are mentioned. Here, “having a substituent” means that part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or aryl group are substituted with a substituent.
As an alkyl group, C1-C20 is preferable, C1-C10 is more preferable, C1-C8 is more preferable, C1-C6 is especially preferable, and C1-C4 is the most preferable. As the alkyl group, a partially or completely halogenated alkyl group (hereinafter sometimes referred to as a halogenated alkyl group) is particularly preferable. The partially halogenated alkyl group means an alkyl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated alkyl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an alkyl group substituted with Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. That is, the halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The aryl group preferably has 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. As the aryl group, a partially or completely halogenated aryl group is particularly preferable. The partially halogenated aryl group means an aryl group in which a part of hydrogen atoms is substituted with a halogen atom, and the fully halogenated aryl group means that all of the hydrogen atoms are halogen atoms. Means an aryl group substituted with.
R 31 is particularly preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms having no substituent or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
As the organic group for R 32, a linear, branched, or cyclic alkyl group, aryl group, or cyano group is preferable. As the alkyl group and aryl group for R 32, the same alkyl groups and aryl groups as those described above for R 31 can be used.
R 32 is particularly preferably a cyano group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms having no substituent, or a fluorinated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.

オキシムスルホネート系酸発生剤として、さらに好ましいものとしては、下記一般式(B−2)または(B−3)で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the oxime sulfonate-based acid generator include compounds represented by the following general formula (B-2) or (B-3).

Figure 0005711958
[式(B−2)中、R33は、シアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R34はアリール基である。R35は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。]
Figure 0005711958
[In Formula (B-2), R 33 represents a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 34 is an aryl group. R 35 represents an alkyl group having no substituent or a halogenated alkyl group. ]

Figure 0005711958
[式(B−3)中、R36はシアノ基、置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。R37は2または3価の芳香族炭化水素基である。R38は置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基である。p”は2または3である。]
Figure 0005711958
[In Formula (B-3), R 36 represents a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 37 is a divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group. R38 is an alkyl group having no substituent or a halogenated alkyl group. p ″ is 2 or 3.]

前記一般式(B−2)において、R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
33としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
33におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが特に好ましい。
34のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル(biphenyl)基、フルオレニル(fluorenyl)基、ナフチル基、アントリル(anthryl)基、フェナントリル基等の、芳香族炭化水素の環から水素原子を1つ除いた基、およびこれらの基の環を構成する炭素原子の一部が酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のヘテロ原子で置換されたヘテロアリール基等が挙げられる。これらのなかでも、フルオレニル基が好ましい。
34のアリール基は、炭素数1〜10のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基等の置換基を有していても良い。該置換基におけるアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜8であることが好ましく、炭素数1〜4がさらに好ましい。また、該ハロゲン化アルキル基は、フッ素化アルキル基であることが好ましい。
35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、炭素数1〜8がより好ましく、炭素数1〜6が最も好ましい。
35としては、ハロゲン化アルキル基が好ましく、フッ素化アルキル基がより好ましい。
35におけるフッ素化アルキル基は、アルキル基の水素原子が50%以上フッ素化されていることが好ましく、70%以上フッ素化されていることがより好ましく、90%以上フッ素化されていることが、発生する酸の強度が高まるため特に好ましい。最も好ましくは、水素原子が100%フッ素置換された完全フッ素化アルキル基である。
In the general formula (B-2), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 33 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and carbon atoms. Numbers 1 to 6 are most preferable.
R 33 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 33 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred.
As the aryl group of R 34 , one hydrogen atom is removed from an aromatic hydrocarbon ring such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, or a phenanthryl group. And a heteroaryl group in which a part of carbon atoms constituting the ring of these groups is substituted with a heteroatom such as an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. Among these, a fluorenyl group is preferable.
The aryl group of R 34 may have a substituent such as an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group, or an alkoxy group. The alkyl group or halogenated alkyl group in the substituent preferably has 1 to 8 carbon atoms, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. The halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.
The alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 35 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 6 carbon atoms.
R 35 is preferably a halogenated alkyl group, more preferably a fluorinated alkyl group.
The fluorinated alkyl group for R 35 is preferably such that the hydrogen atom of the alkyl group is 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and 90% or more fluorinated. Particularly preferred is the strength of the acid generated. Most preferably, it is a fully fluorinated alkyl group in which a hydrogen atom is 100% fluorine-substituted.

前記一般式(B−3)において、R36の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R33の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
37の2または3価の芳香族炭化水素基としては、上記R34のアリール基からさらに1または2個の水素原子を除いた基が挙げられる。
38の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基としては、上記R35の置換基を有さないアルキル基またはハロゲン化アルキル基と同様のものが挙げられる。
p”は好ましくは2である。
In the general formula (B-3), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 36 is the same as the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent for R 33. Is mentioned.
Examples of the divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group for R 37 include groups obtained by further removing one or two hydrogen atoms from the aryl group for R 34 .
Examples of the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 38 include the same alkyl groups or halogenated alkyl groups as those having no substituent of R 35 .
p ″ is preferably 2.

オキシムスルホネート系酸発生剤の具体例としては、α−(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(p−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(4−ニトロ−2−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−クロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,4−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−2,6−ジクロロベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(2−クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシベンジルシアニド、α−(ベンゼンスルホニルオキシイミノ)−チエン−2−イルアセトニトリル、α−(4−ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−ベンジルシアニド、α−[(p−トルエンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−[(ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニル]アセトニトリル、α−(トシルオキシイミノ)−4−チエニルシアニド、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘプテニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロオクテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−エチルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−プロピルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロペンチルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−シクロヘキシルアセトニトリル、α−(シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロペンテニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(イソプロピルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(n−ブチルスルホニルオキシイミノ)−1−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−p−メチルフェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−ブロモフェニルアセトニトリルなどが挙げられる。
また、特開平9−208554号公報(段落[0012]〜[0014]の[化18]〜[化19])に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤、WO2004/074242A2(65〜85頁目のExample1〜40)に開示されているオキシムスルホネート系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、好適なものとして以下のものを例示することができる。
Specific examples of the oxime sulfonate acid generator include α- (p-toluenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (p-chlorobenzenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (4-nitrobenzenesulfonyloxy). Imino) -benzylcyanide, α- (4-nitro-2-trifluoromethylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-chlorobenzylcyanide, α- (benzenesulfonyl) Oxyimino) -2,4-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -2,6-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4-methoxybenzyl cyanide, α- ( 2-Chlorobenzenesulfonyloxyimino) 4-methoxybenzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -thien-2-ylacetonitrile, α- (4-dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -benzylcyanide, α-[(p-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α-[(dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α- (tosyloxyimino) -4-thienyl cyanide, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclo Pentenyl acetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cycloheptenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclooctene Acetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -ethylacetonitrile, α- (propyl Sulfonyloxyimino) -propylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclopentylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- ( Ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclope Nthenyl acetonitrile, α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile , Α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (trifluoro Methylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -p- Butoxy phenylacetonitrile, alpha-(propylsulfonyl oxyimino)-p-methylphenyl acetonitrile, alpha-like (methylsulfonyloxyimino)-p-bromophenyl acetonitrile.
Further, an oxime sulfonate-based acid generator disclosed in JP-A-9-208554 (paragraphs [0012] to [0014] [chemical formula 18] to [chemical formula 19]), WO2004 / 074242A2 (pages 65 to 85). The oxime sulfonate acid generators disclosed in Examples 1 to 40) of No. 1 can also be suitably used.
Moreover, the following can be illustrated as a suitable thing.

Figure 0005711958
Figure 0005711958

ジアゾメタン系酸発生剤のうち、ビスアルキルまたはビスアリールスルホニルジアゾメタン類の具体例としては、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン等が挙げられる。
また、特開平11−035551号公報、特開平11−035552号公報、特開平11−035573号公報に開示されているジアゾメタン系酸発生剤も好適に用いることができる。
また、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類としては、例えば、特開平11−322707号公報に開示されている、1,3−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,4−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ブタン、1,6−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカン、1,2−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)エタン、1,3−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)プロパン、1,6−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)ヘキサン、1,10−ビス(シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル)デカンなどを挙げることができる。
Among diazomethane acid generators, specific examples of bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes include bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, Examples include bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane, and the like.
Further, diazomethane acid generators disclosed in JP-A-11-035551, JP-A-11-035552, and JP-A-11-035573 can also be suitably used.
Examples of poly (bissulfonyl) diazomethanes include 1,3-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane and 1,4-bis (phenylsulfonyldiazo) disclosed in JP-A-11-322707. Methylsulfonyl) butane, 1,6-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, 1,2-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) ethane, 1,3 -Bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane, 1,6-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane, etc. Door can be.

(B)成分としては、これらの酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
レジスト組成物における(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対し、0.5〜50質量部が好ましく、1〜40質量部がより好ましい。上記範囲とすることでパターン形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
(B) As a component, these acid generators may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
0.5-50 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (A) component, and, as for content of (B) component in a resist composition, 1-40 mass parts is more preferable. By setting it within the above range, pattern formation is sufficiently performed. Moreover, since a uniform solution is obtained and storage stability becomes favorable, it is preferable.

[(S’)成分]
前記ポジ型レジスト組成物は、材料を有機溶剤((S’)成分)に溶解させて製造することができる。
(S’)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種または2種以上適宜選択して用いることができる。
例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤などを挙げることができる。
これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、乳酸エチル(EL)、γ−ブチロラクトンが好ましい。
また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶媒も好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてELを配合する場合は、PGMEA:ELの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。
また、(S)成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
さらに、(S)成分としては、上述のPGMEAとPGMEとの混合溶剤と、γ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が99.9:0.1〜80:20であることが好ましく、99.9:0.1〜90:10であることがさらに好ましく、99.9:0.1〜95:5であることが最も好ましい。前記範囲とすることで、レジストパターンの矩形性が向上する。
[(S ′) component]
The positive resist composition can be produced by dissolving the material in an organic solvent ((S ′) component).
As the component (S ′), any component can be used as long as it can dissolve each component to be used to form a uniform solution, and any one of conventionally known solvents for chemically amplified resists can be used. Or it can select and use 2 or more types suitably.
For example, lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; many such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol Monohydric alcohols; compounds having an ester bond, such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl of the polyhydric alcohols or compound having the ester bond Ether alkyl such as ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having a propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) or propylene glycol monomethyl ether (PGME) among these]; cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, Esters such as ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate; anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, Aromatic organics such as dibenzyl ether, phenetol, butyl phenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene A solvent etc. can be mentioned.
These organic solvents may be used independently and may be used as 2 or more types of mixed solvents.
Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), ethyl lactate (EL), and γ-butyrolactone are preferable.
Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and the polar solvent is also preferable. The blending ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility between PGMEA and the polar solvent, preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. It is preferable to be within the range.
More specifically, when EL is blended as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. Moreover, when mix | blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8: 2, More preferably, it is 3: 7-7: 3.
In addition, as the component (S), a mixed solvent of at least one selected from PGMEA and EL and γ-butyrolactone is also preferable. In this case, the mixing ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 95: 5.
Furthermore, as the component (S), a mixed solvent of the above-described mixed solvent of PGMEA and PGME and γ-butyrolactone is also preferable. In this case, as a mixing ratio, the mass ratio of the former and the latter is preferably 99.9: 0.1 to 80:20, more preferably 99.9: 0.1 to 90:10, Most preferably, it is 99.9: 0.1-95: 5. By setting it as the said range, the rectangularity of a resist pattern improves.

また、パターン反転用組成物が含有する前記(S)成分が、水酸基を有さないエーテル系有機溶剤である場合、(S’)成分が、上述した、1価アルコール、2価アルコール、2価アルコールの誘導体等のアルコール系有機溶剤であってもよい。
かかるアルコール系有機溶剤として具体的には、鎖状構造のものとして、プロピレングリコール(PG);1−ブトキシ−2−プロパノール(PGB)、n−ヘキサノール、2−ヘプタノール、3−ヘプタノール、1−ヘプタノール、5−メチル−1−ヘキサノール、6−メチル−2−ヘプタノール、1−オクタノール、2−オクタノール、3−オクタノール、4−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、2−(2−ブトキシエトキシ)エタノール、n−ペンチルアルコール、s−ペンチルアルコール、t−ペンチルアルコール、イソペンチルアルコール、イソブタノール(イソブチルアルコール又は2−メチル−1−プロパノールとも称する。IBA。)、イソプロピルアルコール、2−エチルブタノール、ネオペンチルアルコール、n−ブタノール、s−ブタノール、t−ブタノール、1−プロパノール、2−メチル−1−ブタノール、2−メチル−2−ブタノール、4−メチル−2−ペンタノール(MIBC)等が挙げられる。
また、環状構造を有するものとして、シクロペンタンメタノール、1−シクロペンチルエタノール、シクロヘキサノール、シクロヘキサンメタノール(CM)、シクロヘキサンエタノール、1,2,3,6−テトラヒドロベンジルアルコール、exo−ノルボルネオール、2−メチルシクロヘキサノール、シクロヘプタノール、3,5−ジメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。
Further, when the component (S) contained in the pattern reversal composition is an ether organic solvent having no hydroxyl group, the component (S ′) is the above-described monohydric alcohol, dihydric alcohol, dihydric alcohol. Alcohol-based organic solvents such as alcohol derivatives may be used.
Specific examples of the alcohol-based organic solvent include propylene glycol (PG); 1-butoxy-2-propanol (PGB), n-hexanol, 2-heptanol, 3-heptanol, and 1-heptanol as those having a chain structure. 5-methyl-1-hexanol, 6-methyl-2-heptanol, 1-octanol, 2-octanol, 3-octanol, 4-octanol, 2-ethyl-1-hexanol, 2- (2-butoxyethoxy) ethanol , N-pentyl alcohol, s-pentyl alcohol, t-pentyl alcohol, isopentyl alcohol, isobutanol (also referred to as isobutyl alcohol or 2-methyl-1-propanol, IBA), isopropyl alcohol, 2-ethylbutanol, neopentyl Alcoa , N- butanol, s- butanol, t-butanol, 1-propanol, 2-methyl-1-butanol, 2-methyl-2-butanol, 4-methyl-2-pentanol (MIBC), and the like.
In addition, as those having a cyclic structure, cyclopentanemethanol, 1-cyclopentylethanol, cyclohexanol, cyclohexanemethanol (CM), cyclohexaneethanol, 1,2,3,6-tetrahydrobenzyl alcohol, exo-norbornol, 2-methyl Examples include cyclohexanol, cycloheptanol, 3,5-dimethylcyclohexanol, and benzyl alcohol.

アルコール系有機溶剤のなかでは、鎖状構造の1価アルコール、または2価アルコールの誘導体が好ましく、1−ブトキシ−2−プロパノール(PGB);イソブタノール(イソブチルアルコール又は2−メチル−1−プロパノールとも称する。IBA。)、4−メチル−2−ペンタノール(MIBC)、n−ブタノールがより好ましく、1−ブトキシ−2−プロパノール(PGB)が最も好ましい。   Among alcohol-based organic solvents, chain-structured monohydric alcohols or dihydric alcohol derivatives are preferred, such as 1-butoxy-2-propanol (PGB); isobutanol (also known as isobutyl alcohol or 2-methyl-1-propanol). IBA.), 4-methyl-2-pentanol (MIBC) and n-butanol are more preferred, and 1-butoxy-2-propanol (PGB) is most preferred.

(S)成分の使用量は特に限定しないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定されるものであるが、一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が2〜20質量%、好ましくは5〜15質量%の範囲内となる様に用いられる。   The amount of the component (S) used is not particularly limited, but is a concentration that can be applied to a substrate or the like, and is appropriately set according to the coating film thickness. In general, the solid content concentration of the resist composition is 2 -20% by mass, preferably 5-15% by mass.

<任意成分>
[(D)成分]
前記ポジ型レジスト組成物は、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、任意の成分として、さらに、含窒素有機化合物成分(D)(以下「(D)成分」という。)を含有することが好ましい。
この(D)成分は、既に多種多様なものが提案されているので、公知のものから任意に用いればよいが、環式アミン、脂肪族アミン、特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンが好ましい。ここで、脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1〜12であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、アンモニアNHの水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基またはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンまたはアルキルアルコールアミン)が挙げられる。その具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デカニルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミン等が挙げられる。
これらの中でも、アルキルアルコールアミンおよびトリアルキルアミンが好ましい。アルキルアルコールアミンの中でも、トリエタノールアミンやトリイソプロパノールアミンが特に好ましい。トリアルキルアミンの中でも、トリ−n−ペンチルアミンが特に好ましい。
環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの(脂肪族単環式アミン)であっても多環式のもの(脂肪族多環式アミン)であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6〜10のものが好ましく、具体的には、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(D)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常0.01〜5.0質量部の範囲で用いられる。
<Optional component>
[(D) component]
The positive resist composition further contains a nitrogen-containing organic compound component (D) (hereinafter referred to as “component (D)”) as an optional component in order to improve the resist pattern shape, the stability over time, and the like. It is preferable to contain.
Since a wide variety of components (D) have already been proposed, any known one may be used. Cyclic amines, aliphatic amines, particularly secondary aliphatic amines and tertiary fats may be used. Group amines are preferred. Here, the aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic groups preferably have 1 to 12 carbon atoms.
Examples of the aliphatic amine include amines (alkyl amines or alkyl alcohol amines) in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms. Specific examples thereof include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine, n-decylamine; diethylamine, di-n-propylamine, di-n-heptylamine, Dialkylamines such as di-n-octylamine and dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-heptyl Trialkylamines such as amine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decanylamine, tri-n-dodecylamine; diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n -Ok Noruamin, alkyl alcohol amines such as tri -n- octanol amine.
Of these, alkyl alcohol amines and trialkyl amines are preferred. Of the alkyl alcohol amines, triethanolamine and triisopropanolamine are particularly preferred. Of the trialkylamines, tri-n-pentylamine is particularly preferable.
Examples of the cyclic amine include heterocyclic compounds containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).
Specific examples of the aliphatic monocyclic amine include piperidine and piperazine.
As the aliphatic polycyclic amine, those having 6 to 10 carbon atoms are preferable. Specifically, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5. 4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, and the like.
These may be used alone or in combination of two or more.
(D) component is normally used in 0.01-5.0 mass parts with respect to 100 mass parts of (A) component.

[(E)成分]
前記ポジ型レジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、ならびにリンのオキソ酸およびその誘導体からなる群から選択される少なくとも1種の化合物(E)(以下「(E)成分」という。)を含有させることができる。
有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数6〜15のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、フェニルホスフィン酸等のホスフィン酸エステルなどが挙げられる。
(E)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(E)成分は、(A)成分100質量部当り0.01〜5.0質量部の割合で用いられる。
[(E) component]
The positive resist composition comprises, as optional components, organic carboxylic acid, phosphorus oxo acid and derivatives thereof for the purpose of preventing sensitivity deterioration and improving the resist pattern shape, stability with time, etc. At least one compound (E) selected from the group (hereinafter referred to as “component (E)”) can be contained.
As the organic carboxylic acid, for example, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like are suitable.
Examples of phosphorus oxo acids include phosphoric acid, phosphonic acid, and phosphinic acid. Among these, phosphonic acid is particularly preferable.
Examples of the oxo acid derivative of phosphorus include esters in which the hydrogen atom of the oxo acid is substituted with a hydrocarbon group, and the hydrocarbon group includes an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and 6 to 6 carbon atoms. 15 aryl groups and the like.
Examples of phosphoric acid derivatives include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.
Examples of phosphonic acid derivatives include phosphonic acid esters such as phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid-di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, and phosphonic acid dibenzyl ester.
Examples of the phosphinic acid derivatives include phosphinic acid esters such as phenylphosphinic acid.
(E) A component may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
(E) A component is used in the ratio of 0.01-5.0 mass parts per 100 mass parts of (A) component.

[(F)成分]
前記ポジ型レジスト組成物は、さらに、任意の成分として、塩基解離性基を含有する構成単位を有する高分子化合物(F1)(以下、(F1)成分という。)を含有してもよい。
本発明においては、(F1)成分を含有することで、工程(3)における有機溶剤現像液への溶解速度が増加するため、ポジ型レジスト組成物とパターン反転用組成物との有機溶剤現像液に対する溶解コントラストが大きくなり、反転パターンを形成しやすくなるため好ましい。
(F1)成分としては、たとえば米国特許出願公開第2009/0197204号明細書に記載のものが挙げられる。
[(F) component]
The positive resist composition may further contain, as an optional component, a polymer compound (F1) having a structural unit containing a base dissociable group (hereinafter referred to as the (F1) component).
In the present invention, since the component (F1) is contained, the dissolution rate in the organic solvent developer in the step (3) is increased. Therefore, the organic solvent developer of the positive resist composition and the pattern reversal composition This is preferable because the dissolution contrast with respect to the surface becomes large and a reversal pattern is easily formed.
Examples of the component (F1) include those described in US Patent Application Publication No. 2009/0197204.

本発明において、(F1)成分としては、特に下記の様な構成単位を有するもの(含フッ素高分子化合物(F1−1))が好ましい。   In the present invention, as the component (F1), those having the following structural units (fluorine-containing polymer compound (F1-1)) are particularly preferable.

Figure 0005711958
[式(F1−1)中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基であり、複数のRはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。j”は0〜3の整数であり、R30は炭素数1〜5のアルキル基であり、h”は1〜6の整数である。]
Figure 0005711958
[In Formula (F1-1), R represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a plurality of R may be the same or different. Good. j ″ is an integer of 0 to 3, R 30 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and h ″ is an integer of 1 to 6. ]

式(F1−1)中、Rは、前記構成単位(a11)におけるRと同様である。
j”は、0〜2が好ましく、0又は1がより好ましく、0が最も好ましい。
30は、Rにおける炭素数1〜5の低級アルキル基と同様であり、メチル基又はエチル基が特に好ましく、エチル基が最も好ましい。
h”は、3又は4が好ましく、4が最も好ましい。
In formula (F1-1), R is the same as R in the structural unit (a11).
j ″ is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and most preferably 0.
R 30 is the same as the lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R, particularly preferably a methyl group or an ethyl group, and most preferably an ethyl group.
h ″ is preferably 3 or 4, and most preferably 4.

(F1)成分の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、2000〜100000が好ましく、3000〜100000がより好ましく、4000〜50000がさらに好ましく、5000〜50000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
また、分散度(Mw/Mn)は1.0〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましく、1.2〜2.8が最も好ましい。
The mass average molecular weight (Mw) of the component (F1) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography) is not particularly limited, preferably 2000-100000, more preferably 3000-100000, and more preferably 4000-50000. Preferably, 5000 to 50000 is most preferable. If it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and if it is above the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good.
Further, the dispersity (Mw / Mn) is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.2 to 2.8.

(F1)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
前記ポジ型レジスト組成物における(F1)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対し、0.1〜50質量部が好ましく、0.3〜40質量部がより好ましく、0.5〜30質量部が特に好ましく、0.1〜15質量部が最も好ましい。上記範囲の下限値以上とすることで当該ポジ型レジスト組成物を用いて形成されるレジスト膜の疎水性が向上し、液浸露光用としても好適な疎水性を有するものとなり、上限値以下であると、リソグラフィー特性が向上する。
かかる(F1)成分は、工程(1)で液浸露光プロセスを経る場合のレジスト組成物の添加剤としても好適に用いることができる。
また、上記範囲の下限値以上とすることで、工程(3)の有機溶剤現像液に対するポジ型レジスト組成物とパターン反転用組成物との溶解コントラストが大きくなり、反転パターンを形成しやすくなるため好ましい。
As the component (F1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The content of the component (F1) in the positive resist composition is preferably 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 0.3 to 40 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the component (A). -30 mass parts is especially preferable, and 0.1-15 mass parts is the most preferable. The hydrophobicity of the resist film formed using the positive resist composition is improved by setting it to the lower limit value or more of the above range, and has a hydrophobic property suitable for immersion exposure. If so, the lithography properties are improved.
Such component (F1) can also be suitably used as an additive for a resist composition when undergoing an immersion exposure process in step (1).
Moreover, by setting it as the lower limit value or more of the above range, the dissolution contrast between the positive resist composition and the pattern reversal composition with respect to the organic solvent developer in the step (3) increases, and it becomes easier to form a reversal pattern. preferable.

≪パターン反転用組成物≫
本発明において、パターン反転用組成物は、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない前記(S)成分を含有するものである。
パターン反転用組成物としては、有機溶剤現像を行うと、前記ポジ型レジストパターンは除去される一方で、支持体上に除去されずに残るパターン反転用膜を形成し得るものであればよく、前記(S)成分に相溶する基材成分(A”)を含有し、かつ前記(A)成分の酸分解性基を分解する酸性化合物を含まないことが好ましい。
更に、前記パターン反転用組成物は、酸分解性基を有さないことがより好ましい。
≪Pattern reversal composition≫
In the present invention, the pattern reversal composition contains the component (S) that does not dissolve the positive resist pattern.
As the pattern reversal composition, when the organic solvent development is performed, the positive resist pattern is removed, but any pattern reversal film that remains without being removed on the support may be formed. It is preferable that the base component (A ″) compatible with the component (S) is contained and no acidic compound that decomposes the acid-decomposable group of the component (A) is contained.
Furthermore, it is more preferable that the pattern reversal composition does not have an acid-decomposable group.

<(A”)成分>
基材成分(A”)(以下「(A”)成分」ともいう。)は、膜形成能を有する有機化合物である。
本発明におけるパターン反転用組成物は、(A”)成分が樹脂成分(A”1)(以下「(A”1)成分」ともいう。)を含有する樹脂組成物であることが好ましい。
以下、(A”1)成分の好ましい態様をより具体的に説明する。
<(A ") component>
The substrate component (A ″) (hereinafter also referred to as “(A ″) component”) is an organic compound having film-forming ability.
The pattern reversal composition in the present invention is preferably a resin composition in which the component (A ″) contains a resin component (A ″ 1) (hereinafter also referred to as “(A ″ 1) component”).
Hereinafter, preferred embodiments of the component (A ″ 1) will be described more specifically.

<(A”1)成分>
(A”1)成分としては、たとえば、極性基を含有する構成単位を有する樹脂が挙げられる。極性基を含有する構成単位を有することにより、(A”1)成分は、前記(S)成分に対する溶解性が良好となる。このような(A”1)成分のなかで好適なものは、極性基として、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、下記一般式(f2−0−1)で表される基、下記一般式(f2−0−2)で表される基、及び下記一般式(f2−0−3)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む構成単位(a”1)を有する樹脂成分が挙げられる。
<(A "1) component>
Examples of the component (A ″ 1) include a resin having a structural unit containing a polar group. By having a structural unit containing a polar group, the component (A ″ 1) is converted into the component (S). The solubility with respect to is improved. Among these (A ″ 1) components, preferred are a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, a group represented by the following general formula (f2-0-1), a general formula (f2) as polar groups. -0-2) and a resin component having a structural unit (a ″ 1) containing at least one selected from the group consisting of groups represented by the following general formula (f2-0-3) It is done.

Figure 0005711958
[式(f2−0−1)中、Qは2価の連結基又は単結合であり、Rはフッ素化アルキル基である。式(f2−0−2)中、Q及びRはいずれも前記と同じである。式(f2−0−3)中、R51,R52はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜5の低級アルキル基、フッ素原子、又は炭素数1〜5のフッ素化低級アルキル基であり、m,nはそれぞれ独立して0〜5の整数(ただし、m+n≧1)であり、q’は0〜5の整数である。]
Figure 0005711958
[In formula (f2-0-1), Q represents a divalent linking group or a single bond, and R 5 represents a fluorinated alkyl group. In formula (f2-0-2), Q and R 5 are the same as described above. In formula (f2-0-3), R 51 and R 52 each independently represent a hydrogen atom, a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, or a fluorinated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. , M f and n f are each independently an integer of 0 to 5 (where m f + n f ≧ 1), and q ′ is an integer of 0 to 5. ]

・構成単位(a”1):
構成単位(a”1)は、極性基として、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、前記一般式(f2−0−1)で表される基、前記一般式(f2−0−2)で表される基、及び前記一般式(f2−0−3)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む構成単位である。
-Structural unit (a "1):
The structural unit (a ″ 1) is represented by a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, a group represented by the general formula (f2-0-1), or the general formula (f2-0-2) as a polar group. And a structural unit containing at least one selected from the group consisting of groups represented by general formula (f2-0-3).

「一般式(f2−0−1)で表される基について」
前記式(f2−0−1)中、Qは、2価の連結基又は単結合である。
2価の連結基としては、たとえば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、シクロプロピレン基、n−ブチレン基、イソブチレン基、ペンテン基、イソペンテン基、ネオペンテン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、シクロへプチレン基、シクロオクチレン基等の炭素数1〜8の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基が挙げられる。また、Qにおける2価の連結基はヘテロ原子を含んでいてもよく、エーテル基、エステル基、上述のアルキレン基中の水素原子および/又は炭素原子の少なくとも一つがヘテロ原子で置換された基等も挙げられる。これらの中でも、合成のしやすさ等の点で、直鎖状のアルキレン基が好ましく、特にメチレン基が好ましい。
"Group represented by general formula (f2-0-1)"
In the formula (f2-0-1), Q represents a divalent linking group or a single bond.
Examples of the divalent linking group include methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, cyclopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, pentene group, isopentene group, neopentene group, cyclopentylene group, cyclohexane. C1-C8 linear, branched or cyclic alkylene groups, such as a hexylene group, a cycloheptylene group, and a cyclooctylene group, are mentioned. Further, the divalent linking group in Q may contain a hetero atom, such as an ether group, an ester group, a group in which at least one of a hydrogen atom and / or a carbon atom in the above-described alkylene group is substituted with a hetero atom, etc. Also mentioned. Among these, a linear alkylene group is preferable from the viewpoint of ease of synthesis, and a methylene group is particularly preferable.

は、フッ素化アルキル基である。該フッ素化アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基である。
かかる直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜8のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜5のアルキル基がさらに好ましい。かかるアルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、メチル基が特に好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数4〜12であることが好ましく、炭素数5〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
上記のなかでも、Rのフッ素化アルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のフッ素化アルキル基が好ましく、炭素数1〜5のフッ素化アルキル基がより好ましく、アルキル基の水素原子がすべてフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基であることが特に好ましい。パーフルオロアルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられ、トリフルオロメチル基が最も好ましい。
R 5 is a fluorinated alkyl group. The fluorinated alkyl group is a group in which part or all of the hydrogen atoms of a linear, branched or cyclic alkyl group are substituted with fluorine atoms.
As such a linear or branched alkyl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group, and a methyl group is particularly preferable.
The cyclic alkyl group preferably has 4 to 12 carbon atoms, more preferably 5 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms.
Among these, as the fluorinated alkyl group for R 5, a linear or branched fluorinated alkyl group is preferable, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and a hydrogen atom of the alkyl group is Particularly preferred are perfluoroalkyl groups all substituted with fluorine atoms. Specific examples of the perfluoroalkyl group include a trifluoromethyl group and a pentafluoroethyl group, and the trifluoromethyl group is most preferable.

「一般式(f2−0−2)で表される基について」
前記式(f2−0−2)中、Q及びRは、いずれも、前記式(f2−0−1)におけるQ及びRと同様である。
"Group represented by general formula (f2-0-2)"
In the formula (f2-0-2), Q and R 5 are both the same as Q and R 5 in the formula (f2-0-1).

「一般式(f2−0−3)で表される基について」
前記式(f2−0−3)中、R51,R52は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜5の低級アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化低級アルキル基である。
51,R52において、炭素数1〜5の低級アルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状の低級アルキル基が好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられ、メチル基が好ましい。
51,R52において、炭素数1〜5のフッ素化低級アルキル基としては、前記R51,R52の低級アルキル基の水素原子の少なくとも1つがフッ素原子で置換されたものが挙げられる。
なかでも、R51,R52としては、水素原子が好ましく、共に水素原子であることが最も好ましい。
,nは、それぞれ独立して0〜5の整数(ただし、m+n≧1)であり、1〜3の整数であることが好ましく、有機溶剤現像液に対する溶解速度の点から、m及びnが共に1であることが最も好ましい。
q’は、0〜5の整数であり、0〜3の整数であることが好ましく、0または1であることがより好ましく、最も好ましくは1である。
"Group represented by general formula (f2-0-3)"
In the formula (f2-0-3), R 51 and R 52 are each independently a hydrogen atom, a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, or a fluorinated lower alkyl group.
In R 51 and R 52 , the lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferably a linear or branched lower alkyl group, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, or an n-butyl group. , Isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like, and a methyl group is preferable.
In R 51, R 52, as the fluorinated lower alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, wherein at least one of the hydrogen atoms of the lower alkyl group R 51, R 52 can be mentioned those substituted with a fluorine atom.
Among these, as R 51, R 52, preferably is a hydrogen atom, and most preferably both hydrogen atoms.
m f and n f are each independently an integer of 0 to 5 (however, m f + n f ≧ 1), preferably an integer of 1 to 3, from the viewpoint of the dissolution rate in an organic solvent developer. , M f and n f are most preferably 1.
q ′ is an integer of 0 to 5, preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1, and most preferably 1.

前記式(f2−0−3)で表される基を含む構成単位としては、下記一般式(f2−0−3−1)で表される基を含む構成単位も挙げられる。   Examples of the structural unit containing a group represented by the formula (f2-0-3) include a structural unit containing a group represented by the following general formula (f2-0-3-1).

Figure 0005711958
[式中、R51,R52、m,n、q’はそれぞれ上記と同様である。R53,R54はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜5の低級アルキル基、フッ素原子、又は炭素数1〜5のフッ素化低級アルキル基であり、p’は1〜5の整数である。]
Figure 0005711958
[Wherein, R 51 , R 52 , m f , n f and q ′ are the same as described above. R 53 and R 54 are each independently a hydrogen atom, a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, or a fluorinated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and p ′ is an integer of 1 to 5. is there. ]

前記式(f2−0−3−1)中、R53,R54は、前記のR51,R52とそれぞれ同様のものが挙げられる。なかでも水素原子が好ましく、共に水素原子であることが最も好ましい。
p’は1〜5の整数であり、1〜3の整数であることが好ましく、1または2であることがより好ましく、2であることが特に好ましい。
In the formula (f2-0-3-1), R 53 and R 54 may be the same as R 51 and R 52 , respectively. Of these, a hydrogen atom is preferable, and it is most preferable that both are hydrogen atoms.
p ′ is an integer of 1 to 5, preferably an integer of 1 to 3, more preferably 1 or 2, and particularly preferably 2.

上記のなかでも、構成単位(a”1)における極性基としては、水酸基、前記一般式(f2−0−1)で表される基、及び前記一般式(f2−0−3)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種であることが特に好ましい。   Among the above, the polar group in the structural unit (a ″ 1) is represented by a hydroxyl group, a group represented by the general formula (f2-0-1), and a general formula (f2-0-3). Particularly preferred is at least one selected from the group consisting of

構成単位(a”1)は、たとえば、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位、又は主鎖が環状型の構成単位(以下「主鎖環状型構成単位」という。)であることが特に好ましい。なお主鎖環状型の樹脂のうちノボラック樹脂については後述する。   The structural unit (a ″ 1) is particularly preferably, for example, a structural unit derived from hydroxystyrene or a structural unit having a cyclic main chain (hereinafter referred to as “main chain cyclic structural unit”). The novolak resin among the cyclic main chain resins will be described later.

本発明において「主鎖環状型構成単位」とは、単環又は多環式の環構造を有し、該環構造の環上の少なくとも1つ、好ましくは2つ以上の炭素原子が主鎖を構成する構成単位をいう。主鎖環状型構成単位を含むことにより、膜表面の疎水性の高いパターン反転用膜が得られ、エッチング耐性も向上する。この理由は、主鎖が環状型であることにより、炭素密度が高くなっているためと推測される。   In the present invention, the “main chain cyclic structural unit” has a monocyclic or polycyclic ring structure, and at least one, preferably two or more carbon atoms on the ring of the ring structure have a main chain. A constituent unit. By including the main chain cyclic structural unit, a pattern reversal film having high hydrophobicity on the film surface is obtained, and etching resistance is also improved. The reason for this is presumed that the carbon density is high due to the cyclic main chain.

構成単位(a”1)として、より具体的には、下記の構成単位(a”11)、構成単位(a”12)が挙げられる。   More specifically, examples of the structural unit (a ″ 1) include the following structural unit (a ″ 11) and structural unit (a ″ 12).

・・構成単位(a”11)
構成単位(a”1)としては、前記S成分に対する溶解性が良好で、また、有機溶剤現像液に対しての溶解度の調整(パターン反転用膜の有機溶剤現像液に対する溶解度を、前記ポジ型レジストパターンの有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さくする調整)が容易となり、かつ、エッチング耐性に優れることから、下記一般式(a”11−1)で表される構成単位(以下この構成単位を「構成単位(a”11)」という。)が好適に例示できる。
..Structural unit (a "11)
As the structural unit (a ″ 1), the solubility in the S component is good, and the solubility in the organic solvent developer is adjusted (the solubility of the pattern reversal film in the organic solvent developer is the positive type). It is easy to adjust the resist pattern to be less than the solubility in an organic solvent developer, and is excellent in etching resistance. Therefore, a structural unit represented by the following general formula (a ″ 11-1) "Structural unit (a" 11) ") can be suitably exemplified.

Figure 0005711958
[式中、R20は水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基であり;Rは炭素数1〜5のアルキル基であり;pは1〜3の整数であり;qは0〜2の整数である。]
Figure 0005711958
[Wherein, R 20 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; R 6 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; p is an integer of 1 to 3; q is 0 to 2] Is an integer. ]

前記式(a”11−1)中、R20における炭素数1〜5のアルキル基として、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などの直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
20としては、水素原子またはメチル基が特に好ましい。
In the formula (a ″ 11-1), as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R 20 , specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert group -Linear or branched alkyl groups, such as a butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group.
R 20 is particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

pは1〜3の整数であり、好ましくは1である。
水酸基の結合位置は、フェニル基のo−位、m−位、p−位のいずれでもよい。pが1である場合は、容易に入手可能で低価格であることからp−位が好ましい。pが2または3の場合は、任意の置換位置を組み合わせることができる。
p is an integer of 1 to 3, preferably 1.
The bonding position of the hydroxyl group may be any of the o-position, m-position and p-position of the phenyl group. When p is 1, the p-position is preferred because it is readily available and inexpensive. When p is 2 or 3, arbitrary substitution positions can be combined.

qは0〜2の整数である。これらのうち、qは0または1であることが好ましく、特に工業上、0であることが好ましい。
のアルキル基としては、R20のアルキル基と同様のものが挙げられる。
の置換位置は、qが1である場合はo−位、m−位、p−位のいずれでもよい。qが2である場合は、任意の置換位置を組み合わせることができる。このとき、複数のRは、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
q is an integer of 0-2. Among these, q is preferably 0 or 1, and is preferably 0 industrially.
As the alkyl group for R 6, the same alkyl groups as those for R 20 can be used.
When q is 1, the substitution position of R 6 may be any of the o-position, m-position, and p-position. When q is 2, arbitrary substitution positions can be combined. At this time, the plurality of R 6 may be the same or different.

構成単位(a”11)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(A”1)成分中の構成単位(a”11)の割合は、(A”1)成分を構成する全構成単位の合計に対して50〜90モル%であることが好ましく、55〜85モル%であることがより好ましく、60〜80モル%であることがさらに好ましい。構成単位(a”11)の割合が該範囲の下限値以上であると、有機溶剤現像液に対しての溶解度の調整が容易となり、パターン反転用組成物とした際に所定の(パターン反転用組成物膜のすべてが溶解しない程度の)有機溶剤溶解性が得られ、該範囲の上限値以下であると、他の構成単位とのバランスが良好である。
As the structural unit (a ″ 11), one type of structural unit may be used alone, or two or more types of structural units may be used in combination.
The proportion of the structural unit (a ″ 11) in the component (A ″ 1) is preferably 50 to 90 mol% based on the total of all structural units constituting the component (A ″ 1). It is more preferably mol%, and further preferably 60 to 80 mol%. If the proportion of the structural unit (a ″ 11) is not less than the lower limit of the range, the solubility in an organic solvent developer When the composition for pattern reversal becomes easy, a predetermined organic solvent solubility (to the extent that all of the pattern reversal composition film does not dissolve) is obtained, and when it is below the upper limit of the range, Good balance with other structural units.

・・構成単位(a”12)
また、構成単位(a”1)としては、主鎖がアクリル骨格(前記構成単位(a3)等)の場合よりもパターン反転用膜とした際のエッチング耐性が優れることから、ポリシクロオレフィンから誘導される構成単位(以下この構成単位を「構成単位(a”12)」という。)が好適に例示できる。
ポリシクロオレフィンから誘導される構成単位としては、下記一般式(a”12−0’)で表される基本骨格を有する構成単位が好ましい。
..Structural unit (a "12)
The structural unit (a ″ 1) is derived from polycycloolefin because the etching resistance when the main chain is an acrylic skeleton (such as the structural unit (a3)) is superior to that of the pattern inversion film. The structural unit (hereinafter, this structural unit is referred to as “structural unit (a” 12) ”) can be preferably exemplified.
As the structural unit derived from polycycloolefin, a structural unit having a basic skeleton represented by the following general formula (a ″ 12-0 ′) is preferable.

Figure 0005711958
[式中、a’は0又は1である。]
Figure 0005711958
[Wherein a ′ is 0 or 1; ]

式(a”12−0’)中、a’は、0又は1であり、工業上入手が容易であることを考慮すると、0であることが好ましい。   In formula (a ″ 12-0 ′), a ′ is 0 or 1, and is preferably 0 in view of industrial availability.

なお、本明細書において、「一般式(a”12−0’)で表される基本骨格を有する構成単位」は、一般式(a”12−0’)で表される構成単位(すなわちビシクロ[2.2.1]−2−ヘプテン(ノルボルネン)から誘導される構成単位、又はテトラシクロ[4.4.0.12.5.1.7.10]−3−ドデセンから誘導される構成単位)であってもよく、また、その環骨格上に置換基を有するものであってもよい。すなわち、「一般式(a”12−0’)で表される基本骨格を有する構成単位」には、その環骨格(ビシクロ[2.2.1]−2−ヘプタンまたはテトラシクロ[4.4.0.12.5.1.7.10]−3−ドデカン)を構成する炭素原子に結合した水素原子の一部または全部が、水素原子以外の原子または置換基で置換された構成単位も含まれるものとする。 In this specification, the “structural unit having the basic skeleton represented by the general formula (a ″ 12-0 ′)” is the structural unit represented by the general formula (a ″ 12-0 ′) (that is, bicyclo [2.2.1] -2-heptene structural unit derived from (norbornene), or tetracyclo [4.4.0.1 2.5 .1. 7.10] -3- configurations derived from dodecene Unit, and may have a substituent on the ring skeleton, that is, “a structural unit having a basic skeleton represented by the general formula (a ″ 12-0 ′)” , the carbon atoms constituting the ring skeleton (bicyclo [2.2.1] -2-heptane or tetracyclo [4.4.0.1 2.5 .1. 7.10] -3- dodecane) A part or all of the bonded hydrogen atoms are atoms or substituents other than hydrogen atoms. It shall also include substituted constitutional units.

構成単位(a”12)のなかで好適なものとしては、下記一般式(a”12−0)で表される構成単位が挙げられる。   Preferred examples of the structural unit (a ″ 12) include structural units represented by general formula (a ″ 12-0) shown below.

Figure 0005711958
[式中、R61〜R64はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、フッ素化アルキル基、前記一般式(f2−0−1)で表される基、前記一般式(f2−0−2)で表される基、又は前記一般式(f2−0−3)で表される基である。ただし、R61〜R64のうち少なくとも一つは、前記一般式(f2−0−1)で表される基、前記一般式(f2−0−2)で表される基、又は前記一般式(f2−0−3)で表される基である。a’は0又は1である。]
Figure 0005711958
[Wherein, R 61 to R 64 each independently represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a linear or branched alkyl group, a fluorinated alkyl group, or the general formula (f2-0-1). A group represented by the general formula (f2-0-2), or a group represented by the general formula (f2-0-3). However, at least one of R 61 to R 64 is a group represented by the general formula (f2-0-1), a group represented by the general formula (f2-0-2), or the general formula It is a group represented by (f2-0-3). a ′ is 0 or 1; ]

前記式(a”12−0)で表される構成単位は、前記一般式(a”12−0’)で表される基本骨格を有する構成単位において、その環上の特定の位置に、置換基として少なくとも、前記一般式(f2−0−1)で表される基、前記一般式(f2−0−2)で表される基、又は前記一般式(f2−0−3)で表される基を有するものである。   The structural unit represented by the formula (a ″ 12-0) is substituted at a specific position on the ring in the structural unit having the basic skeleton represented by the general formula (a ″ 12-0 ′). The group is represented by at least a group represented by the general formula (f2-0-1), a group represented by the general formula (f2-0-2), or the general formula (f2-0-3). It has a group.

前記式(a”12−0)中、a’は、上記式(a”12−0’)中のa’と同じである。   In the formula (a ″ 12-0), a ′ is the same as a ′ in the formula (a ″ 12-0 ′).

前記式(a”12−0)中、R61〜R64は、それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、フッ素化アルキル基、前記一般式(f2−0−1)で表される基、前記一般式(f2−0−2)で表される基、又は前記一般式(f2−0−3)で表される基である。
61〜R64において、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基としては、前記Rにおける直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基についての説明において例示したものと同様のものが挙げられる。
61〜R64において、フッ素化アルキル基としては、前記Rのフッ素化アルキル基についての説明において例示したものと同様のものが挙げられる。
ただし、R61〜R64のうち少なくとも一つは、前記一般式(f2−0−1)で表される基、前記一般式(f2−0−2)で表される基、又は前記一般式(f2−0−3)で表される基であり、前記一般式(f2−0−1)で表される基又は前記一般式(f2−0−3)で表される基であることがより好ましい。
なかでも、R61〜R64のうち、少なくとも1つが前記一般式(f2−0−1)、(f2−0−2)、または式(f2−0−3)で表される基であって、残りの0〜3個が水素原子および直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基から選択される1種以上のものがさらに好ましい。
In the formula (a ″ 12-0), R 61 to R 64 each independently represent a hydrogen atom, a fluorine atom, a linear or branched alkyl group, a fluorinated alkyl group, the general formula (f 2 − 0-1), a group represented by the general formula (f2-0-2), or a group represented by the general formula (f2-0-3).
In R 61 to R 64 , examples of the linear or branched alkyl group include the same as those exemplified in the description of the linear or branched alkyl group in R 5 .
In R 61 to R 64 , examples of the fluorinated alkyl group include those exemplified in the description of the fluorinated alkyl group for R 5 .
However, at least one of R 61 to R 64 is a group represented by the general formula (f2-0-1), a group represented by the general formula (f2-0-2), or the general formula It is a group represented by (f2-0-3), and is a group represented by the general formula (f2-0-1) or a group represented by the general formula (f2-0-3). More preferred.
Among them, at least one of R 61 to R 64 is a group represented by the general formula (f2-0-1), (f2-0-2), or formula (f2-0-3). More preferably, the remaining 0 to 3 are selected from a hydrogen atom and a linear or branched alkyl group.

構成単位(a”12)としては、特に、下記の一般式(a”12−1’)〜(a”12−4’)で表される構成単位が例示できる。   Specific examples of the structural unit (a ″ 12) include structural units represented by the following general formulas (a ″ 12-1 ′) to (a ″ 12-4 ′).

Figure 0005711958
Figure 0005711958

式(a”12−1’)〜(a”12−4’)中、a’は、いずれも上記式(a”12−0’)におけるa’と同じである。   In formulas (a ″ 12-1 ′) to (a ″ 12-4 ′), a ′ is the same as a ′ in formula (a ″ 12-0 ′).

式(a”12−1’)および式(a”12−2’)中、cは1〜5の整数であり、1〜3の整数が好ましく、1が最も好ましい。
bは1〜5の整数であり、1〜3の整数が好ましく、1が最も好ましい。
In formula (a ″ 12-1 ′) and formula (a ″ 12-2 ′), c is an integer of 1 to 5, preferably 1 to 3, and most preferably 1.
b is an integer of 1-5, the integer of 1-3 is preferable and 1 is the most preferable.

式(a”12−3’)中、q’は、上記式(f2−0−3)におけるq’と同じであり、最も好ましくは1である。
,nは、上記式(f2−0−3)におけるm,nといずれも同じであり、最も好ましくはm及びnが共に1である。
In the formula (a ″ 12-3 ′), q ′ is the same as q ′ in the above formula (f2-0-3), and is most preferably 1.
m f, n f is the same both as m f, n f in the formula (f2-0-3), and most preferably m f and n f are both 1.

式(a”12−4’)中、q’は、上記式(f2−0−3)におけるq’と同じであり、好ましくは1である。
,nは、上記式(f2−0−3)におけるm,nといずれも同じであり、好ましくはm及びnが共に1である。
p’は、上記式(f2−0−3−1)におけるp’と同じであり、1または2であることがより好ましく、2であることが特に好ましい。
In formula (a ″ 12-4 ′), q ′ is the same as q ′ in formula (f2-0-3), preferably 1.
m f, n f is the same both as m f, n f in the formula (f2-0-3), preferably m f and n f are both 1.
p ′ is the same as p ′ in the above formula (f2-0-3-1), more preferably 1 or 2, and particularly preferably 2.

構成単位(a”12)は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
なかでも、構成単位(a”12)としては、前記一般式(a”12−1’)〜(a”12−2’)で表される構成単位からなる群から選択される少なくとも一種であることが特に好ましい。
(A”1)成分中の構成単位(a”12)の割合は、(A”1)成分を構成する全構成単位の合計に対して1モル%以上が好ましく、5モル%以上がより好ましく、10〜100モル%がさらに好ましい。構成単位(a”12)の割合が該範囲の下限値以上であると、有機溶剤現像液に対しての溶解度の調整が容易となり、パターン反転用組成物とした際に所定の有機溶剤溶解性が得られる。
より具体的には、前記式(a”12−1’) で表される構成単位は、(A”1)成分を構成する全構成単位の合計に対して1〜50モル%が好ましく、1〜45モル%がより好ましく、5〜35モル%がさらに好ましい。前記の式(a”12−2’)又は式(a”12−3’) で表される構成単位は、それぞれ、(A”1)成分を構成する全構成単位の合計に対して15〜80モル%が好ましく、20〜75モル%がより好ましく、25〜75モル%がさらに好ましい。これらの範囲とすることで、上記と同様の効果が得られる。
As the structural unit (a ″ 12), one type of structural unit may be used alone, or two or more types of structural units may be used in combination.
Among them, the structural unit (a ″ 12) is at least one selected from the group consisting of structural units represented by the general formulas (a ″ 12-1 ′) to (a ″ 12-2 ′). It is particularly preferred.
The proportion of the structural unit (a ″ 12) in the component (A ″ 1) is preferably 1 mol% or more, more preferably 5 mol% or more with respect to the total of all the structural units constituting the component (A ″ 1). 10 to 100 mol% is more preferable. When the proportion of the structural unit (a ″ 12) is not less than the lower limit of the range, the solubility in an organic solvent developer can be easily adjusted, and the pattern reversal composition In this case, predetermined organic solvent solubility is obtained.
More specifically, the structural unit represented by the formula (a ″ 12-1 ′) is preferably 1 to 50 mol% based on the total of all structural units constituting the component (A ″ 1). -45 mol% is more preferable, and 5-35 mol% is further more preferable. The structural unit represented by the formula (a ″ 12-2 ′) or the formula (a ″ 12-3 ′) is 15 to 15% of the total of all structural units constituting the component (A ″ 1). 80 mol% is preferable, 20 to 75 mol% is more preferable, and 25 to 75 mol% is more preferable, By making these ranges, the same effect as described above can be obtained.

構成単位(a”12)を誘導するモノマーは、たとえば、米国特許第6420503号公報に開示されている手法により合成できる。   The monomer for deriving the structural unit (a ″ 12) can be synthesized, for example, by the technique disclosed in US Pat. No. 6,420,503.

・構成単位(a”2):
(A”1)成分は、さらに、本発明の効果を損なわない範囲で、前記の構成単位(a”1)以外の構成単位(以下この構成単位を「構成単位(a”2)」という。)を含んでいてもよい。
構成単位(a”2)としては、上述の構成単位(a”1)に分類されない構成単位であって、構成単位(a”1)を誘導するモノマーと共重合可能なモノマーから誘導される構成単位であれば特に限定されるものではない。
-Structural unit (a "2):
The component (A ″ 1) is a structural unit other than the structural unit (a ″ 1) (hereinafter, this structural unit is referred to as “structural unit (a ″ 2)”) as long as the effects of the present invention are not impaired. ) May be included.
The structural unit (a ″ 2) is a structural unit that is not classified as the structural unit (a ″ 1) and is derived from a monomer that is copolymerizable with the monomer that derives the structural unit (a ″ 1). The unit is not particularly limited as long as it is a unit.

構成単位(a”2)としては、たとえば、極性基を有さない構成単位が挙げられる。このような構成単位を有することにより、パターン反転用膜表面の疎水性が向上し、有機溶剤現像液に対する溶解性の制御を図ることができる。
具体的には、スチレンから誘導される構成単位、置換基を有さないポリシクロオレフィンから誘導される構成単位、置換基として多環の脂環式基を有するポリシクロオレフィンから誘導される構成単位等が挙げられる。
Examples of the structural unit (a ″ 2) include structural units that do not have a polar group. By including such a structural unit, the hydrophobicity of the pattern reversal film surface is improved, and an organic solvent developer. It is possible to control the solubility with respect to.
Specifically, a structural unit derived from styrene, a structural unit derived from a polycycloolefin having no substituent, and a structural unit derived from a polycycloolefin having a polycyclic alicyclic group as a substituent Etc.

「スチレンから誘導される構成単位」とは、スチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
本明細書において、「スチレン」とは、スチレンおよびスチレンのα位の水素原子がアルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体(ただし、上記ヒドロキシスチレンを除く。)を含む概念とする。また、フェニル基の水素原子が炭素数1〜5のアルキル基等の置換基で置換されたもの等も包含するものとする。
構成単位(a”2)として、スチレンから誘導される構成単位を有することにより、有機溶剤現像液に対する溶解性を調整することができる。また、パターン反転用膜とした際、耐熱性やドライエッチング耐性が向上する。
スチレンから誘導される構成単位のなかで好適なものとしては、下記一般式(a”21−1)で表される構成単位が挙げられる。
“Structural unit derived from styrene” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of styrene.
In this specification, “styrene” refers to styrene and those in which the hydrogen atom at the α-position of styrene is substituted with another substituent such as an alkyl group, and derivatives thereof (excluding the above-mentioned hydroxystyrene). Include concepts. Moreover, what substituted the hydrogen atom of the phenyl group with substituents, such as a C1-C5 alkyl group, etc. shall also be included.
By having a structural unit derived from styrene as the structural unit (a ″ 2), it is possible to adjust the solubility in an organic solvent developer. Resistance is improved.
Among the structural units derived from styrene, preferred are structural units represented by the following general formula (a ″ 21-1).

Figure 0005711958
[式中、R20は前記と同じであり;Rは炭素数1〜5のアルキル基であり;xは0〜3の整数である。]
Figure 0005711958
[Wherein, R 20 is the same as described above; R 4 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms; x is an integer of 0 to 3; ]

前記一般式(a”21−1)中、R20は、上記一般式(a”11−1)におけるR20と同様である。
前記式(a”21−1)中、Rのアルキル基は、上記一般式(a”11−1)におけるRのアルキル基と同様のものが挙げられる。
xは0〜3の整数であり、0または1であることが好ましく、工業上、0であることが特に好ましい。
xが1である場合、Rの置換位置は、フェニル基のo−位、m−位、p−位のいずれでもよい。xが2または3である場合には、任意の置換位置を組み合わせることができる。このとき、複数のRは、それぞれ同じであってもよく、異なっていてもよい。
"In (21-1, R 20 is the formula (a Formula a)" is the same as R 20 in 11-1).
In the formula (a ″ 21-1), examples of the alkyl group for R 4 include the same as the alkyl group for R 6 in the general formula (a ″ 11-1).
x is an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, and industrially particularly preferably 0.
When x is 1, the substitution position of R 4 may be any of the o-position, m-position and p-position of the phenyl group. When x is 2 or 3, any substitution position can be combined. At this time, the plurality of R 4 may be the same or different.

置換基を有さないポリシクロオレフィンから誘導される構成単位としては、ビシクロ[2.2.1]−2−ヘプテン(ノルボルネン)、テトラシクロ[4.4.0.12.5.1.7.10]−3−ドデセン等が挙げられる。
また、置換基として多環の脂環式基を有するポリシクロオレフィンから誘導される構成単位としては、上記置換基を有さないポリシクロオレフィンから誘導される構成単位の環上に、置換基として、例えば、トリシクロデカニル基、アダマンチル基、テトラシクロドデカニル基等の多環式基を有する構成単位が挙げられる。
Examples of the structural unit derived from a polycycloolefin having no substituent include bicyclo [2.2.1] -2-heptene (norbornene), tetracyclo [4.4.0.1 2.5 . 1. 7.10 ] -3-dodecene and the like.
In addition, as a structural unit derived from a polycycloolefin having a polycyclic alicyclic group as a substituent, as a substituent on a ring of a structural unit derived from a polycycloolefin having no substituent, Examples include structural units having a polycyclic group such as a tricyclodecanyl group, an adamantyl group, and a tetracyclododecanyl group.

上述した構成単位(a”2)を(A”1)成分に含有させる際には、(A”1)成分を構成する全構成単位の合計に対して、構成単位(a”2)を5〜90モル%含有させることが好ましく、10〜85モル%含有させることがより好ましく、15〜80モル%含有させることがさらに好ましい。該範囲の下限値以上であると、構成単位(a”2)を有することによる効果が高まり、上限値以下であると、構成単位(a”1)とのバランスが良好である。   When the structural unit (a ″ 2) described above is contained in the component (A ″ 1), the structural unit (a ″ 2) is added to the total of all structural units constituting the component (A ″ 1). It is preferable to contain -90 mol%, It is more preferable to contain 10-85 mol%, It is more preferable to contain 15-80 mol%. When it is at least the lower limit of the range, the effect of having the structural unit (a ″ 2) is enhanced, and when it is at most the upper limit, the balance with the structural unit (a ″ 1) is good.

また、構成単位(a”2)としては、上述したものの他に、置換基としてフッ素化アルキル基を有するポリシクロオレフィンから誘導される構成単位、具体的には、下記一般式(a”22−1)で表される構成単位も挙げられる。   Further, as the structural unit (a ″ 2), in addition to those described above, structural units derived from a polycycloolefin having a fluorinated alkyl group as a substituent, specifically, the following general formula (a ″ 22- The structural unit represented by 1) is also included.

Figure 0005711958
[式中、R27はフッ素化アルキル基であり;aは0又は1である。]
Figure 0005711958
[Wherein R 27 is a fluorinated alkyl group; a is 0 or 1; ]

前記式(a”22−1)中、aは、0又は1であり、工業上入手が容易であることを考慮すると、0であることが好ましい。   In the formula (a ″ 22-1), a is 0 or 1, and is preferably 0 in consideration of industrial availability.

前記式(a”22−1)中、R27はフッ素化アルキル基であり、直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキル基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基である。
直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜8のアルキル基がより好ましく、炭素数1〜5のアルキル基がさらに好ましい。かかるアルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、プロピル基が特に好ましい。
前記環状のアルキル基としては、炭素数4〜12であることが好ましく、炭素数5〜10であることがさらに好ましく、炭素数6〜10であることが最も好ましい。
上記のなかでも、R27のフッ素化アルキル基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の水素原子の1つが、パーフルオロアルキル基で置換された基(パーフルオロアルキル基にアルキレン基が結合した基)が好ましく挙げられ、−(CH−CF、−(CH−C[f=1〜3]がより好ましく、−CH−CF、−CH−Cが特に好ましい。
In the formula (a ″ 22-1), R 27 is a fluorinated alkyl group, and a group in which part or all of the hydrogen atoms of the linear, branched or cyclic alkyl group are substituted with fluorine atoms. is there.
As a linear or branched alkyl group, a C1-C10 alkyl group is preferable, a C1-C8 alkyl group is more preferable, and a C1-C5 alkyl group is further more preferable. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group, and a propyl group is particularly preferable.
The cyclic alkyl group preferably has 4 to 12 carbon atoms, more preferably 5 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms.
Among the above, as the fluorinated alkyl group for R 27, a group in which one hydrogen atom of a linear or branched alkyl group is substituted with a perfluoroalkyl group (an alkylene group is added to the perfluoroalkyl group). A bonded group), and — (CH 2 ) f —CF 3 , — (CH 2 ) f —C 2 F 5 [f = 1 to 3] are more preferable, —CH 2 —CF 3 , —CH 2 -C 2 F 5 are particularly preferred.

なお、前記式(a”22−1)で表される構成単位においては、主鎖を構成する環構造の環上に置換基を有していてもよい。該置換基としては、炭素数1〜5の低級アルキル基、フッ素原子、又はフッ素化アルキル基が挙げられる。   The structural unit represented by the formula (a ″ 22-1) may have a substituent on the ring of the ring structure constituting the main chain. The substituent has 1 carbon atom. -5 lower alkyl groups, fluorine atoms, or fluorinated alkyl groups.

前記式(a”22−1)で表される構成単位を(A”1)成分に含有させる際には、(A”1)成分を構成する全構成単位の合計に対して、前記式(a”22−1)で表される構成単位を5〜75モル%含有させることが好ましく、10〜70モル%含有させることがより好ましく、15〜60モル%含有させることがさらに好ましい。上記範囲とすることで、有機溶剤現像液に対する溶解速度の制御性に優れる。   When the structural unit represented by the formula (a ″ 22-1) is contained in the component (A ″ 1), the formula (A ″ 1) is added to the total of all the structural units constituting the component (A ″ 1). The structural unit represented by a ″ 22-1) is preferably contained in an amount of 5 to 75 mol%, more preferably 10 to 70 mol%, and further preferably 15 to 60 mol%. By setting it as the above range, the controllability of the dissolution rate in the organic solvent developer is excellent.

前記式(a”22−1)で表される構成単位を誘導するモノマーは、たとえば、特開2000−235263号公報に開示されている手法[(メタ)アクリル酸のフッ素化アルキルエステルと、シクロペンタジエンまたはジシクロペンタジエンとを、公知の反応であるDiels−Alder反応により反応させる方法]により合成できる。   The monomer for deriving the structural unit represented by the formula (a ″ 22-1) is, for example, a method disclosed in JP 2000-235263 A [fluorinated alkyl ester of (meth) acrylic acid and cyclohexane]. [Method of reacting pentadiene or dicyclopentadiene with Diels-Alder reaction, which is a known reaction].

本発明において、(A”1)成分は、上記構成単位(a”1)を有する樹脂成分(以下この樹脂成分を「(A”1−1)成分」という。)を含有することが好ましい。
(A”1−1)成分としては、組成物(溶液)としての安定性向上の点から酸分解性基を有さないことがより好ましい。
(A”1−1)成分のなかで好適なものとしては、たとえば、複数の構成単位(a”1)からなる共重合体、構成単位(a”1)と構成単位(a”2)とからなる共重合体が挙げられる。
構成単位(a”1)と構成単位(a”2)とからなる共重合体として具体的には、構成単位(a”11)と前記一般式(a”21−1)で表される構成単位とからなる共重合体、構成単位(a”12)と前記一般式(a”22−1)で表される構成単位とからなる共重合体が好適に例示できる。
In the present invention, the component (A ″ 1) preferably contains a resin component having the structural unit (a ″ 1) (hereinafter, this resin component is referred to as “(A ″ 1-1) component”).
The component (A ″ 1-1) preferably has no acid-decomposable group from the viewpoint of improving the stability as a composition (solution).
Preferred examples of the component (A ″ 1-1) include, for example, a copolymer composed of a plurality of structural units (a ″ 1), a structural unit (a ″ 1) and a structural unit (a ″ 2). The copolymer which consists of is mentioned.
Specifically, the copolymer composed of the structural unit (a ″ 1) and the structural unit (a ″ 2) is specifically represented by the structural unit (a ″ 11) and the general formula (a ″ 21-1). A copolymer composed of a unit and a copolymer composed of the structural unit (a ″ 12) and the structural unit represented by the general formula (a ″ 22-1) can be preferably exemplified.

(A”1)成分は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。
本発明において、(A”1)成分としては、特に下記の様な構成単位の組み合わせを含むものが好ましい。
As the component (A ″ 1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the present invention, as the component (A ″ 1), those containing the following combinations of structural units are particularly preferable.

Figure 0005711958
[式中、R20、R、p、qは、上記式(a”11−1)におけるR20、R、p、qとそれぞれ同様である。R、xは、上記式(a”21−1)におけるR、xとそれぞれ同様である。複数のR20は同じであっても異なっていてもよい。]
Figure 0005711958
Wherein, R 20, R 6, p , q are, R 20 in the formula (a "11-1), R 6 , p, respectively similar to the q .R 4, x is the equation (a The same as R 4 and x in “21-1)”. The plurality of R 20 may be the same or different. ]

Figure 0005711958
[式中、c、b、q’、m、nは、それぞれ上記と同様である。R27’は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基である。]
Figure 0005711958
[Wherein, c, b, q ′, m f and n f are the same as defined above. R 27 ′ is a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. ]

cは1〜3の整数が好ましく、1が最も好ましい。
bは1〜3の整数が好ましく、1が最も好ましい。
q’は0〜3の整数が好ましく、0または1がより好ましく、1が最も好ましい。
,nは、1〜3の整数が好ましく、最も好ましくはm及びnが共に1である。
27’は、−CH−CF、−CH−Cであることが特に好ましい。
c is preferably an integer of 1 to 3, and most preferably 1.
b is preferably an integer of 1 to 3, and most preferably 1.
q ′ is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1, and most preferably 1.
m f and n f are preferably integers of 1 to 3, and most preferably m f and n f are both 1.
R 27 ′ is particularly preferably —CH 2 —CF 3 or —CH 2 —C 2 F 5 .

(A”1)成分の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、1000〜50000が好ましく、1500〜30000がより好ましく、2000〜20000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、パターン反転用膜を形成する樹脂成分として用いるのに充分な有機溶剤への溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やパターン断面形状が良好である。
また、(A”1)成分の分散度(Mw/Mn)は、特に限定されず、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましく、1.0〜2.5が最も好ましい。
The mass average molecular weight (Mw) of the component (A ″ 1) (polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography (GPC)) is not particularly limited, preferably 1000 to 50000, more preferably 1500 to 30000, It is most preferably 2000 to 20000. If it is not more than the upper limit of this range, it has sufficient solubility in an organic solvent to be used as a resin component for forming the film for pattern reversal, and is not less than the lower limit of this range. The dry etching resistance and the pattern cross-sectional shape are good.
Further, the dispersity (Mw / Mn) of the component (A ″ 1) is not particularly limited, but is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and 1.0 to 2. 5 is most preferred.

(A”1)成分は、たとえば、各構成単位を誘導するモノマーを、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)のようなラジカル重合開始剤を用いた公知のラジカル重合等によって重合させることによって得ることができる。
また、主鎖環状型構成単位を有する場合、(A”1)成分は、たとえば特開2006−291177号公報に記載の方法により合成できる。
The component (A ″ 1) is obtained, for example, by polymerizing a monomer for deriving each structural unit by a known radical polymerization using a radical polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile (AIBN). Can do.
Moreover, when it has a main chain cyclic | annular structural unit, (A "1) component is compoundable by the method as described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-291177, for example.

(A”)成分で上述した樹脂成分以外のものとして好適なものに、ノボラック樹脂などが挙げられる。 Examples of the component (A ″) other than the above-described resin component include novolac resins.

ノボラック樹脂としては、フェノール類とアルデヒド類とを酸性触媒下で反応させて得られるもの等が使用可能である。
ノボラック樹脂は、現像の際に有機溶剤現像液に対して若干の溶解性を有し、所定の溶解速度に制御しやすく、かつ、主鎖がエッチング耐性に優れることから好ましい。エッチング耐性という点では、上記構成単位(a3)、(a”11)〜(a”12)のいずれかを有する樹脂よりも優れるため、ノボラック樹脂を用いることが好ましい。
前記フェノール類としては、たとえばフェノール;m−クレゾール、p−クレゾール、o−クレゾール等のクレゾール類;2,3−ジメチルフェノール、2,5−ジメチルフェノール、3,5−ジメチルフェノール、3,4−ジメチルフェノール等のジメチルフェノール類;m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−エチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、2,3,5−トリエチルフェノール、4−tert−ブチルフェノール、3−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチルフェノール、2−tert−ブチル−4−メチルフェノール、2−tert−ブチル−5−メチルフェノール等のアルキルフェノール類;p−メトキシフェノール、m−メトキシフェノール、p−エトキシフェノール、m−エトキシフェノール、p−プロポキシフェノール、m−プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類;o−イソプロペニルフェノール、p−イソプロペニルフェノール、2−メチル−4−イソプロペニルフェノール、2−エチル−4−イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類;フェニルフェノール等のアリールフェノール類;4,4’−ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールA、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール等のポリヒドロキシフェノール類等を挙げることができる。これらの中では、3,4−ジメチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、m−クレゾール、p−クレゾールが特に好ましい。
前記フェノール類は、一種を単独で用いてもよいし、または2種以上を組み合わせて用いてもよい。なかでも、2種以上を組み合わせて用いることが好ましく、3,4−ジメチルフェノール、2,3,5−トリメチルフェノール、m−クレゾール、およびp−クレゾールから選ばれる2種以上を組み合わせて用いることが特に好ましい。
前記アルデヒド類としては、たとえばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド等の従来公知のものが挙げられ、ホルムアルデヒドが好ましい。
前記酸性触媒としては、たとえば塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等が挙げられ、シュウ酸が好ましい。
As the novolak resin, those obtained by reacting phenols and aldehydes in the presence of an acidic catalyst can be used.
The novolak resin is preferable because it has a slight solubility in an organic solvent developer during development, can be easily controlled to a predetermined dissolution rate, and the main chain has excellent etching resistance. In terms of etching resistance, a novolac resin is preferably used because it is superior to a resin having any one of the structural units (a3) and (a ″ 11) to (a ″ 12).
Examples of the phenols include phenol; cresols such as m-cresol, p-cresol, and o-cresol; 2,3-dimethylphenol, 2,5-dimethylphenol, 3,5-dimethylphenol, 3,4- Dimethylphenols such as dimethylphenol; m-ethylphenol, p-ethylphenol, o-ethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, 2,3,5-triethylphenol, 4-tert-butylphenol, 3-tert -Alkylphenols such as butylphenol, 2-tert-butylphenol, 2-tert-butyl-4-methylphenol, 2-tert-butyl-5-methylphenol; p-methoxyphenol, m-methoxyphenol, p-ethoxyphenol, m-e Alkoxyphenols such as xylphenol, p-propoxyphenol, m-propoxyphenol; o-isopropenylphenol, p-isopropenylphenol, 2-methyl-4-isopropenylphenol, 2-ethyl-4-isopropenylphenol, etc. Isopropenyl phenols; arylphenols such as phenylphenol; polyhydroxyphenols such as 4,4′-dihydroxybiphenyl, bisphenol A, resorcinol, hydroquinone, pyrogallol, and the like. Among these, 3,4-dimethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, m-cresol, and p-cresol are particularly preferable.
The said phenols may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. Among these, it is preferable to use a combination of two or more, and it is preferable to use a combination of two or more selected from 3,4-dimethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, m-cresol, and p-cresol. Particularly preferred.
Examples of the aldehydes include conventionally known aldehydes such as formaldehyde, paraformaldehyde, trioxane, and acetaldehyde, and formaldehyde is preferable.
Examples of the acidic catalyst include hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, paratoluenesulfonic acid, and the like, and oxalic acid is preferable.

本発明におけるパターン反転用組成物において、(A”)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
パターン反転用組成物中、(A”)成分の含有量は、形成しようとする膜厚等に応じて調整すればよい。
In the pattern reversal composition in the present invention, as the component (A ″), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The content of the component (A ″) in the pattern reversal composition may be adjusted according to the film thickness to be formed.

[任意成分]
パターン反転用組成物には、上記の(S)成分、及び(A”)成分以外に、さらに所望により、混和性のある添加剤、例えばパターン反転用膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。
[Optional ingredients]
In addition to the above components (S) and (A ″), the pattern reversal composition may further contain miscible additives, for example, an additional resin for improving the performance of the pattern reversal film. A surfactant, a dissolution inhibitor, a plasticizer, a stabilizer, a colorant, an antihalation agent, a dye, and the like for improving the coating property can be appropriately added and contained.

溶解抑制剤として具体的には、上述したポジ型レジスト組成物に配合される(B)成分の説明で例示した、オニウム塩系酸発生剤、が好適に挙げられる。そのなかでも所定の溶解速度に制御しやすく溶解度の調整が容易となることから、上記式(b−1)で表される化合物が好ましい。
溶解抑制剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
パターン反転用組成物における溶解抑制剤の含有量は、(A”)成分100質量部に対し、0〜25質量部が好ましく、0.1〜20質量部がより好ましく、0.5〜18質量部がさらに好ましい。上記範囲とすることでパターン反転用膜形成が充分に行われる。また、均一な溶液が得られ、保存安定性が良好となるため好ましい。
Specific examples of the dissolution inhibitor include onium salt-based acid generators exemplified in the description of the component (B) blended in the positive resist composition described above. Among them, the compound represented by the above formula (b-1) is preferable because it can be easily controlled to a predetermined dissolution rate and the solubility can be easily adjusted.
A dissolution inhibitor may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
The content of the dissolution inhibitor in the pattern reversal composition is preferably 0 to 25 parts by mass, more preferably 0.1 to 20 parts by mass, and 0.5 to 18 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A ″). When the content is within the above range, the film for pattern reversal is sufficiently formed, and a uniform solution can be obtained and the storage stability is improved, which is preferable.

また、本発明におけるパターン反転用組成物は、上述した(A”1)成分を含有する樹脂組成物に限定されず、非化学増幅型のポジ型レジスト組成物を用いてもよい。
この非化学増幅型のポジ型レジスト組成物としては、(S)成分と、これまで感放射線性組成物に用いられている、たとえばノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン系樹脂等の極性基含有樹脂と、ナフトキノンジアジド基含有化合物などの感光性成分とを含有するレジスト組成物が挙げられる。該レジスト組成物には、必要に応じて増感剤を含有させることもできる。
The pattern reversal composition in the present invention is not limited to the resin composition containing the component (A ″ 1) described above, and a non-chemically amplified positive resist composition may be used.
This non-chemically amplified positive resist composition includes (S) component, a polar group-containing resin such as novolac resin and hydroxystyrene resin, which has been used in radiation-sensitive compositions, and naphtho. And a resist composition containing a photosensitive component such as a quinonediazide group-containing compound. The resist composition may contain a sensitizer as necessary.

以上説明した本発明のパターン形成方法によれば、より微細な反転パターンを簡便に形成できる。   According to the pattern forming method of the present invention described above, a finer reversal pattern can be easily formed.

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples, but the present invention is not limited thereto.

<樹脂成分(A)の合成>
実施例に用いた(A1)成分の高分子化合物1は、下記化学式で表されるモノマー(1)〜(4)を用いて合成した。高分子化合物について、質量平均分子量(Mw)および分子量分散度(Mw/Mn)は、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の値であり、また、共重合組成比(モル比)はカーボン13核磁気共鳴スペクトル(600MHz_13C−NMR)により求めた。
<Synthesis of resin component (A)>
The polymer compound 1 as the component (A1) used in the examples was synthesized using monomers (1) to (4) represented by the following chemical formula. For the polymer compound, the mass average molecular weight (Mw) and the molecular weight dispersity (Mw / Mn) are values in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement, and the copolymer composition ratio (molar ratio) is carbon 13 nuclear magnetism. It was determined by resonance spectrum (600MHz_ 13 C-NMR).

Figure 0005711958
Figure 0005711958

Figure 0005711958
[Mw:7000、Mw/Mn:1.70、モル比:l/m/n/o=25/45/15/15]
Figure 0005711958
[Mw: 7000, Mw / Mn: 1.70, molar ratio: 1 / m / n / o = 25/45/15/15]

<レジスト組成物の調製>
表1に示す各成分を混合、溶解してレジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
Each component shown in Table 1 was mixed and dissolved to prepare a resist composition.

Figure 0005711958
Figure 0005711958

表1中、[ ]内の数値は配合量(質量部)を示す。また、表1中の記号はそれぞれ以下のものを示す。
(A)−1:前記高分子化合物1
(B)−1:下記化学式(B)−1で表される化合物
(D)−1:トリ−n−ペンチルアミン
(E)−1:サリチル酸
(F)−1:下記式(F)−1で表される高分子化合物(Mw:12000、分散度:1.5)。
(S’)−1:1−ブトキシ−2−プロパノール
In Table 1, the numerical value in [] shows a compounding quantity (part by mass). Moreover, the symbol in Table 1 shows the following, respectively.
(A) -1: the polymer compound 1
(B) -1: Compound represented by the following chemical formula (B) -1 (D) -1: Tri-n-pentylamine (E) -1: Salicylic acid (F) -1: Formula (F) -1 (Mw: 12000, dispersity: 1.5).
(S ′)-1: 1-butoxy-2-propanol

Figure 0005711958
Figure 0005711958

<パターン反転用組成物の調製>
表2に示す各成分を混合して溶解し、パターン反転用組成物1を調製した。
<Preparation of pattern reversal composition>
The components shown in Table 2 were mixed and dissolved to prepare a pattern reversal composition 1.

Figure 0005711958
Figure 0005711958

表2中の各略号は以下の意味を有する。また、[ ]内の数値は配合量(質量部)である。
(A)−2:m−クレゾール/3,4−ジメチルフェノール=80/20(モル比)の混合フェノール類に対して、ホルムアルデヒドを縮合剤とし、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合反応して得られたノボラック樹脂を、水−メタノール混合溶媒にて分別処理を施して得られた、Mw8900のノボラック樹脂。
Each abbreviation in Table 2 has the following meaning. Moreover, the numerical value in [] is a compounding quantity (mass part).
(A) -2: m-cresol / 3,4-dimethylphenol = 80/20 (molar ratio) mixed phenols are subjected to a condensation reaction by a conventional method using formaldehyde as a condensing agent and an oxalic acid catalyst. A novolak resin having a Mw of 8900, obtained by subjecting the novolak resin thus obtained to a fractionation treatment with a water-methanol mixed solvent.

(S)−2:ジブチルエーテル(DBE)と4−メチル−2−ペンタノール(MIBC)との混合溶剤(DBE:MIBC=90:10(質量比))。   (S) -2: Mixed solvent of dibutyl ether (DBE) and 4-methyl-2-pentanol (MIBC) (DBE: MIBC = 90: 10 (mass ratio)).

<反転パターンの形成>
ポジ型レジスト組成物として上記レジスト1、2を用い、パターン反転用組成物として上記パターン反転用組成物1を用いて、反転パターン形成を以下のようにして行った。
<Formation of reverse pattern>
Using the resists 1 and 2 as a positive resist composition and the pattern reversal composition 1 as a pattern reversal composition, a reversal pattern was formed as follows.

(実施例1)
[工程(1)]
有機系反射防止膜組成物「ARC29」(商品名、ブリュワーサイエンス社製)を、スピンナーを用いて8インチのシリコンウェーハ上に塗布し、ホットプレート上で、205℃で60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚82nmの有機系反射防止膜を形成した。
該有機系反射防止膜上に、上記レジスト1を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、120℃で60秒間のプレベーク(PAB)を行い、乾燥することにより、膜厚80nmのレジスト膜(ポジ型レジスト膜)を形成した。
次に、該ポジ型レジスト膜に対して、ArF露光装置NSR−S302(ニコン社製;NA(開口数)=0.60,2/3輪帯照明)により、ライン幅150nm/ピッチ300nmのラインアンドスペースのレジストパターン(以下「LSパターン」という。)をターゲットとするフォトマスク(6%ハーフトーン)を介して、前記ポジ型レジスト膜に対してArFエキシマレーザー(193nm)を選択的に照射した。
そして、90℃で60秒間の露光後加熱(PEB)処理を行い、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液「NMD−3」(商品名、東京応化工業社製)を用いて30秒間のアルカリ現像を行い、その後、140℃で60秒間のポストベークを行った。
その結果、前記ポジ型レジスト膜に、幅150nmのラインが等間隔(ピッチ300nm)に配置されたLSパターン(以下これを「LSパターン(a−1)」という。)が形成された。
Example 1
[Step (1)]
An organic antireflection film composition “ARC29” (trade name, manufactured by Brewer Science Co., Ltd.) is applied onto an 8-inch silicon wafer using a spinner, and baked on a hot plate at 205 ° C. for 60 seconds to be dried. Thus, an organic antireflection film having a film thickness of 82 nm was formed.
The resist 1 is coated on the organic antireflection film using a spinner, pre-baked (PAB) at 120 ° C. for 60 seconds on a hot plate, and dried to obtain a resist film having a thickness of 80 nm. (Positive resist film) was formed.
Next, a line having a line width of 150 nm / pitch of 300 nm is applied to the positive resist film using an ArF exposure apparatus NSR-S302 (manufactured by Nikon; NA (numerical aperture) = 0.60, 2/3 annular illumination). The positive resist film was selectively irradiated with an ArF excimer laser (193 nm) through a photomask (6% halftone) targeting an and-space resist pattern (hereinafter referred to as “LS pattern”). .
Then, a post-exposure heating (PEB) treatment was performed at 90 ° C. for 60 seconds, and a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution “NMD-3” (trade name, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) For 30 seconds, and then post-baked at 140 ° C. for 60 seconds.
As a result, an LS pattern (hereinafter referred to as “LS pattern (a-1)”) in which lines having a width of 150 nm are arranged at equal intervals (pitch: 300 nm) was formed on the positive resist film.

[工程(2)]
次いで、前記LSパターン(a−1)が形成された該有機系反射防止膜上に、上記パターン反転用組成物1を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、130℃で60秒間のプレベーク(PAB)を行い、乾燥することにより、膜厚100nmのレジスト膜(パターン反転用膜)を形成した。
[Step (2)]
Next, the pattern reversal composition 1 is applied onto the organic antireflection film on which the LS pattern (a-1) is formed using a spinner, and is heated on a hot plate at 130 ° C. for 60 seconds. By performing pre-baking (PAB) and drying, a resist film (pattern inversion film) having a film thickness of 100 nm was formed.

[工程(3)]
次に、23℃にて酢酸ブチルを用いて10秒間の有機溶剤現像を行った。
[Step (3)]
Next, the organic solvent development for 10 seconds was performed using butyl acetate at 23 degreeC.

その結果、ポジ型レジスト膜に形成された前記LSパターン(a)のライン部分が酢酸ブチルに溶解して除去されると共に、前記LSパターン(a)のスペース部分に、前記パターン反転用膜に由来するラインが形成されることにより、前記LSパターン(a−1)の反転パターン、すなわちスペース幅約150nm/ピッチ約300nmのスペースアンドラインのレジストパターン(以下「SLパターン」という。)が形成された。   As a result, the line portion of the LS pattern (a) formed on the positive resist film is dissolved and removed in butyl acetate, and the space portion of the LS pattern (a) is derived from the pattern inversion film. As a result, a reverse pattern of the LS pattern (a-1), that is, a space-and-line resist pattern (hereinafter referred to as “SL pattern”) having a space width of about 150 nm / pitch of about 300 nm is formed. .

(実施例2)
[工程(1)]
12インチのシリコンウェーハ上に、有機系反射防止膜組成物「ARC29A」(商品名、ブリュワーサイエンス社製)を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で205℃、60秒間焼成して乾燥させることにより、膜厚89nmの有機系反射防止膜を形成した。そして、該反射防止膜上に、上記のレジスト組成物2を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で120℃、60秒間の条件でプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚80nmのレジスト膜を形成した。
次に、ArF液浸露光装置NSR−S609B(ニコン社製;NA(開口数)=1.07,σ0.97)により、マスクパターンを介して、前記レジスト膜に対して、ArFエキシマレーザー(193nm)を選択的に照射した。そして、90℃で60秒間のPEB処理を行い、さらに23℃にて2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で30秒間の現像処理を行い、その後30秒間、純水を用いて水リンスし、振り切り乾燥を行った。
その結果、前記ポジ型レジスト膜に、幅55nmのラインが等間隔(ピッチ110nm)に配置されたLSパターン(以下これを「LSパターン(a−2)」という。)が形成された。
[工程(2)]
次いで、前記LSパターン(a−2)が形成された該有機系反射防止膜上に、上記パターン反転用組成物1を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、130℃で60秒間のプレベーク(PAB)を行い、乾燥することにより、膜厚100nmのレジスト膜(パターン反転用膜)を形成した。
(Example 2)
[Process (1)]
An organic antireflection film composition “ARC29A” (trade name, manufactured by Brewer Science Co., Ltd.) is applied onto a 12-inch silicon wafer using a spinner and baked on a hot plate at 205 ° C. for 60 seconds to be dried. Thereby, an organic antireflection film having a film thickness of 89 nm was formed. Then, the resist composition 2 is applied onto the antireflection film using a spinner, prebaked (PAB) on a hot plate at 120 ° C. for 60 seconds, and dried. A resist film having a thickness of 80 nm was formed.
Next, an ArF excimer laser (193 nm) is applied to the resist film through a mask pattern using an ArF immersion exposure apparatus NSR-S609B (manufactured by Nikon; NA (numerical aperture) = 1.07, σ0.97). ) Was selectively irradiated. Then, PEB treatment is performed at 90 ° C. for 60 seconds, and further development processing is performed with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution at 23 ° C. for 30 seconds, and then pure water is used for 30 seconds. Rinse with water and shake off to dry.
As a result, an LS pattern (hereinafter referred to as “LS pattern (a-2)”) in which lines having a width of 55 nm are arranged at equal intervals (pitch 110 nm) was formed on the positive resist film.
[Step (2)]
Next, the pattern reversal composition 1 is applied onto the organic antireflection film on which the LS pattern (a-2) is formed using a spinner, and is heated on a hot plate at 130 ° C. for 60 seconds. By performing pre-baking (PAB) and drying, a resist film (pattern inversion film) having a film thickness of 100 nm was formed.

[工程(3)]
次に、23℃にて酢酸ブチルを用いて10秒間の有機溶剤現像を行った。
[Step (3)]
Next, the organic solvent development for 10 seconds was performed using butyl acetate at 23 degreeC.

その結果、ポジ型レジスト膜に形成された前記LSパターン(a−2)のライン部分が酢酸ブチルに溶解して除去されると共に、前記LSパターン(a−2)のスペース部分に、前記パターン反転用膜に由来するラインが形成されることにより、前記LSパターン(a−2)の反転パターン、すなわちスペース幅約55nm/ピッチ約110nmのSLパターンが形成された。   As a result, the line portion of the LS pattern (a-2) formed on the positive resist film is removed by dissolving in butyl acetate, and the pattern inversion is applied to the space portion of the LS pattern (a-2). By forming a line derived from the film for use, an inverted pattern of the LS pattern (a-2), that is, an SL pattern having a space width of about 55 nm / pitch of about 110 nm was formed.

1…支持体、2…ポジ型レジストパターン、6…パターン反転用膜   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Support body, 2 ... Positive resist pattern, 6 ... Film for pattern inversion

Claims (8)

支持体上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する1つまたは複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターンを形成する工程(1)と、
前記ポジ型レジストパターンが形成された前記支持体上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤(S)を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜を形成する工程(2)と、
前記パターン反転用膜を、前記ポジ型レジストパターンを溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、前記ポジ型レジストパターンを除去してレジストパターンを形成する工程(3)と、を含むパターン形成方法であって、
前記ポジ型レジスト組成物は、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)と、酸分解性基を有する基材成分(A)とを含有し、前記パターン反転用組成物は、前記有機溶剤(S)に相溶する基材成分(A”)を含有し、かつ前記(A)の酸分解性基を分解する酸性化合物を含まず、
前記基材成分(A”)は、極性基として、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、下記一般式(f2−0−1)で表される基、下記一般式(f2−0−2)で表される基、及び下記一般式(f2−0−3)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む構成単位(a”1)を有する樹脂成分を含有し、
前記工程(3)の現像時において、前記パターン反転用膜の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、前記ポジ型レジストパターンの前記有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さいことを特徴とするパターン形成方法。
Figure 0005711958
[式(f2−0−1)中、Qは2価の連結基又は単結合であり、R はフッ素化アルキル基である。式(f2−0−2)中、Q及びR はいずれも前記と同じである。式(f2−0−3)中、R 51 ,R 52 はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1〜5の低級アルキル基、フッ素原子、又は炭素数1〜5のフッ素化低級アルキル基であり、m ,n はそれぞれ独立して0〜5の整数(ただし、m +n ≧1)であり、q’は0〜5の整数である。]
A step (1) of forming a positive resist pattern on the support with one or more positive resist compositions whose solubility in an alkaline developer increases upon exposure;
A process of forming a pattern reversal film by applying a pattern reversal composition containing an organic solvent (S) that does not dissolve the positive resist pattern on the support on which the positive resist pattern is formed (2) )When,
A step (3) of removing the positive resist pattern to form a resist pattern by developing the pattern reversal film using an organic solvent developer that dissolves the positive resist pattern. A forming method comprising:
The positive resist composition contains an acid generator component (B) that generates an acid upon exposure and a base material component (A) having an acid-decomposable group, and the pattern reversal composition comprises the organic It contains a base material component (A ″) that is compatible with the solvent (S), and does not contain an acidic compound that decomposes the acid-decomposable group of (A),
The substrate component (A ″) is represented by a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, a group represented by the following general formula (f2-0-1), or a general formula (f2-0-2) below as a polar group. And a resin component having a structural unit (a ″ 1) containing at least one selected from the group consisting of a group represented by the following general formula (f2-0-3):
At the time of development in the step (3), the pattern forming method is characterized in that the solubility of the pattern reversal film in the organic solvent developer is smaller than the solubility of the positive resist pattern in the organic solvent developer.
Figure 0005711958
[In formula (f2-0-1), Q represents a divalent linking group or a single bond, and R 5 represents a fluorinated alkyl group. In formula (f2-0-2), Q and R 5 are the same as described above. In formula (f2-0-3), R 51 and R 52 each independently represent a hydrogen atom, a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, or a fluorinated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. , M f and n f are each independently an integer of 0 to 5 (where m f + n f ≧ 1), and q ′ is an integer of 0 to 5. ]
前記基材成分(A”)は、酸分解性基を有さない請求項に記載のパターン形成方法。 The pattern forming method according to claim 1 , wherein the base material component (A ″) does not have an acid-decomposable group. 前記有機溶剤(S)が、アルコール系有機溶剤又は水酸基を有さないエーテル系有機溶剤である請求項1又は2に記載のパターン形成方法。 The organic solvent (S) The pattern forming method according to claim 1 or 2 is an ether-based organic solvent having no alcoholic organic solvent or a hydroxyl group. 前記基材成分(A)が、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位(a1)を有する樹脂成分(A1)を含有する請求項のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 The base component (A) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and an acid whose polarity is increased by the action of an acid the pattern forming method according to any one of claims 1 to 3 containing a resin component (A1) having a structural unit containing a decomposable group (a1). 前記樹脂成分(A1)が、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、ラクトン含有環式基を含む構成単位(a2)及び−SO−含有環式基を含む構成単位(a2)からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位を有する請求項に記載のパターン形成方法。 The resin component (A1) is a structural unit derived from an acrylate ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and includes a lactone-containing cyclic group the structural unit (a2 L) and -SO 2 - pattern forming method according to claim 4 having the structure units of at least one selected from the group consisting of structural units containing containing cyclic group (a2 S). 前記樹脂成分(A1)が、さらに、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(a3)を有する請求項又はに記載のパターン形成方法。 The resin component (A1) is a structural unit derived from an acrylate ester in which the hydrogen atom bonded to the α-position carbon atom may be substituted with a substituent, and the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group The pattern formation method of Claim 4 or 5 which has a structural unit (a3) containing. 前記ポジ型レジストパターンが、ラインパターン及び/又はドットパターンを含む請求項1〜のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 The positive resist pattern, line pattern and / or pattern forming method according to any one of claims 1 to 6 including the dot pattern. 前記露光が、液浸露光である請求項1〜のいずれか一項に記載のパターン形成方法。 The exposure, a pattern forming method according to any one of claims 1 to 7, which is a liquid immersion exposure.
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