JP5608521B2 - 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置 - Google Patents
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Description
レーザ光の光源:YAGレーザ又はYVO4レーザ
波長 :355nm(紫外レーザ光線)
出力 :0.5W
繰返し周波数 :150kHz
集光スポット径:10μm
加工深さ :5μm
加工送り速度 :300mm/s
このレーザ光照射装置41には、内蔵されたYAGレーザ発振器又はYVO4レーザ発振器から発振されたパルスレーザ光線を集光するための集光器42が装着されている。また、レーザ光照射装置41には、チャックテーブル40上に保持されたウエハWを撮像する撮像ユニットが内蔵されている。
レーザ光の光源:YAGレーザ又はYVO4レーザ
波長 :1064nm(赤外レーザ光線)
出力 :0.5W
繰返し周波数 :80kHz
集光スポット径:1μm
集光焦点位置 :ウエハ裏面から20μm(シリコン基板の中心)
加工送り速度 :300mm/s
このレーザ光照射装置43には、上述したレーザ光照射装置41(図3)と同様に、集光器44が装着され、撮像ユニットが内蔵されている。このレーザ光照射装置43における撮像ユニットの構成及びその機能については、上述したレーザ光照射装置41における撮像ユニットの場合と同様であるのでその説明は省略する。
2…積層膜、
3…BG用保護テープ(保護シート)、
4…ダイシング用テープ(シート部材)、
10(10C)…デバイス(チップ)、
30,30a…半導体装置、
41,43…レーザ光照射装置、
DR…ダイシング領域(ストリート)、
GV…溝(アブレーションレーザによる加工溝)、
ML…改質層(ステルスレーザによる加工層)、
P1,P2…集光点、
W,W1…半導体ウエハ。
Claims (4)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成され、層間絶縁膜と回路を形成する配線層が積層された構造体と、外部接続用のパッドと、テスト用のパッドと、アライメントマークとを含む積層膜とを有する半導体ウエハをダイシング領域に沿って分割する方法であって、
レーザにより、前記積層膜における前記層間絶縁膜と、前記テスト用のパッドと、前記アライメントマークに連続し、且つ内壁面に凹凸面を有する溝を前記積層膜の部分のみに形成して、前記溝の下に前記積層膜を残す工程と、
前記半導体ウエハの前記溝が形成されている前記積層膜の面に保護シートを貼り付ける工程と、
前記保護シートを貼り付ける工程の後、前記半導体ウエハの半導体基板の裏面を研削して薄くすると共に、鏡面加工する工程と、
前記研削及び鏡面加工の工程の後、前記半導体ウエハのダイシング領域に沿って、前記半導体基板の裏面側から前記半導体基板に対してレーザ光を照射し、前記半導体基板の内部に改質層を形成する工程と、
前記改質層を形成する工程の後、前記半導体基板の裏面にシート部材を貼り付ける工程と、
前記シート部材を貼り付ける工程の後、前記保護シートを除去する工程と、
前記保護シートを除去する工程の後、前記シート部材を拡張し、外力を与えることにより、前記溝及び前記改質層から前記積層膜及び前記半導体基板を分断して、前記半導体基板の側面と前記溝の下に残された前記積層膜の側面とが同一面となるように、前記半導体ウエハを個々に分割する工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの分割方法。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成され、層間絶縁膜と回路を形成する配線層が積層された構造体と、外部接続用のパッドと、テスト用のパッドと、アライメントマークとを含む積層膜と、
前記積層膜における前記層間絶縁膜と、前記テスト用のパッドと、前記アライメントマークに連続し、且つ、外縁が全面にわたって面取りされ、且つ、内壁面に凹凸面を有する傾斜状のエッジ部分とを有し、
前記傾斜状のエッジ部分は、前記積層膜のみに、且つ、前記積層膜の厚みの途中の深さまで形成されており、
前記半導体基板の側面と前記傾斜状のエッジ部分を除く前記積層膜の側面とが同一面であることを特徴とする半導体チップ。 - 前記半導体基板の側面の中央部に変質層が露出していることを特徴とする請求項2に記載の半導体チップ。
- 請求項2又は3の半導体チップと、
前記半導体チップの上面及び側面を封止する樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010263346A JP5608521B2 (ja) | 2010-11-26 | 2010-11-26 | 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010263346A JP5608521B2 (ja) | 2010-11-26 | 2010-11-26 | 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012114322A JP2012114322A (ja) | 2012-06-14 |
JP2012114322A5 JP2012114322A5 (ja) | 2013-12-19 |
JP5608521B2 true JP5608521B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=46498194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010263346A Active JP5608521B2 (ja) | 2010-11-26 | 2010-11-26 | 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5608521B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN109909623A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-06-21 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 用于晶圆的切割方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012114322A (ja) | 2012-06-14 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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