JP5392963B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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JP5392963B2
JP5392963B2 JP2005120774A JP2005120774A JP5392963B2 JP 5392963 B2 JP5392963 B2 JP 5392963B2 JP 2005120774 A JP2005120774 A JP 2005120774A JP 2005120774 A JP2005120774 A JP 2005120774A JP 5392963 B2 JP5392963 B2 JP 5392963B2
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Description

本発明は、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、以下では適宜に
「OLED」と略称する)素子などの発光素子の挙動を制御する技術に関する。
The present invention relates to a technique for controlling the behavior of a light emitting element such as an organic light emitting diode (hereinafter simply abbreviated as “OLED”) element.

近年、液晶素子に代わる次世代の発光デバイスとして、有機EL(Electronic Lumines
cence)素子や発光ポリマー素子などと呼ばれるOLED素子が注目されている。このO
LED素子は、自発光型であるために視野角依存性が少なく、また、バックライトや反射
光が不要であるために低消費電力化や薄型化に向いているなど、表示パネルとして優れた
特性を有している。
In recent years, as a next-generation light-emitting device that replaces liquid crystal elements, organic EL (Electronic Lumines)
cence) devices and light-emitting polymer devices are attracting attention. This O
LED elements are self-luminous and have little viewing angle dependency. Also, they do not require a backlight or reflected light, making them suitable for low power consumption and thinning. have.

OLED素子は、これに流れる電流が途絶えると発光を維持できなくなる電流駆動型の
発光素子である。このため、OLED素子をアクティブマトリクス方式で駆動する場合、
書込期間において、画素の階調に応じて駆動トランジスタのゲート電極に印加される電圧
(以下「データ電圧」という)を容量素子によって保持し、この電圧に応じた電流を駆動
トランジスタがOLED素子に流し続ける構成が一般的となっている(例えば非特許文献
1)。このような駆動方法は電圧プログラム方式と呼ばれる。
“51.4:Invited Paper: Modelling and Design of Polysilicon Drive Circuitsfor OLED Displays”, Simon W.-B. Tam ,Tatsuya Shimoda, SID 04 Digest, p1406-p1409
The OLED element is a current-driven light emitting element that cannot maintain light emission when the current flowing through it is interrupted. For this reason, when driving an OLED element by an active matrix method,
In the writing period, a voltage (hereinafter referred to as “data voltage”) applied to the gate electrode of the driving transistor according to the gradation of the pixel is held by the capacitor element, and a current corresponding to this voltage is supplied to the OLED element The structure which keeps flowing is common (for example, Non-Patent Document 1). Such a driving method is called a voltage program method.
“51.4: Invited Paper: Modeling and Design of Polysilicon Drive Circuits for OLED Displays”, Simon W.-B. Tam, Tatsuya Shimoda, SID 04 Digest, p1406-p1409

ところで、以上に説明した構成のもとでは、書込期間におけるデータ電圧の供給に伴っ
て駆動トランジスタに電流が流れると、電源線に付随する抵抗に起因して当該電源線の電
圧が降下する。そして、容量素子の一方の電極と駆動トランジスタのソース電極とが電源
線に接続された構成においては、書込期間における電源線の電圧の変動に伴って容量素子
の両端の電圧が変動し、この結果として駆動期間では正確な輝度でOLED素子を発光さ
せることができなくなるという問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされた
ものであり、発光素子を高い精度で所期の輝度に発光させるという課題の解決を目的とし
ている。
By the way, under the configuration described above, when a current flows through the driving transistor as the data voltage is supplied in the writing period, the voltage of the power supply line drops due to the resistance associated with the power supply line. In the configuration in which one electrode of the capacitive element and the source electrode of the driving transistor are connected to the power supply line, the voltage at both ends of the capacitive element fluctuates with the fluctuation of the voltage of the power supply line in the writing period. As a result, there is a problem that the OLED element cannot emit light with an accurate luminance during the driving period. The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to solve the problem of causing a light-emitting element to emit light at a desired luminance with high accuracy.

この課題を解決するために、本発明の第1の特徴に係る電子回路は、第1端子と第2端
子とゲート端子とを備え、電源線と前記被駆動素子との電気的接続を制御し、前記第1端
子と前記第2端子との間に流れる駆動電流の電流レベルが前記ゲート端子の電圧に応じて
変化する駆動トランジスタ(例えば図2の駆動トランジスタQdr)と、前記ゲート端子に
接続された第1電極(例えば図2の第1電極L0a)と前記電源線に接続された第2電極(
例えば図2の第2電極L0b)とを備えた容量素子(図2の容量素子C0)と、前記駆動ト
ランジスタの前記第1端子と前記電源線との電気的接続を制御する第1スイッチング素子
(例えば図2の第1トランジスタQa1)と、前記駆動トランジスタの前記第1端子または
前記第2端子と前記駆動トランジスタの前記ゲート端子との電気的接続を制御する第2ス
イッチング素子(例えば図2の第2トランジスタQa2)と、データ電圧が供給されるデー
タ線と前記駆動トランジスタの前記第2端子との電気的接続を制御する第3スイッチング
素子(例えば図2の第3トランジスタQa3)とを具備する。この構成の具体例は第1実施
形態(特に図2参照)として後述される。
In order to solve this problem, an electronic circuit according to a first feature of the present invention includes a first terminal, a second terminal, and a gate terminal, and controls electrical connection between a power supply line and the driven element. A drive transistor (for example, drive transistor Qdr in FIG. 2) in which a current level of a drive current flowing between the first terminal and the second terminal changes according to a voltage of the gate terminal is connected to the gate terminal. The first electrode (for example, the first electrode L0a in FIG. 2) and the second electrode (
For example, a capacitance element (capacitance element C0 in FIG. 2) having a second electrode L0b in FIG. 2 and a first switching element for controlling the electrical connection between the first terminal of the drive transistor and the power supply line ( For example, the first transistor Qa1 in FIG. 2 and a second switching element (for example, the first transistor Qa1 in FIG. 2) that controls electrical connection between the first terminal or the second terminal of the driving transistor and the gate terminal of the driving transistor. 2 transistors Qa2) and a third switching element (for example, the third transistor Qa3 in FIG. 2) for controlling the electrical connection between the data line to which the data voltage is supplied and the second terminal of the driving transistor. A specific example of this configuration will be described later as a first embodiment (see particularly FIG. 2).

この構成によれば、第2スイッチング素子と第3スイッチング素子とを書込期間におい
てオン状態(導通状態)とすることによって容量素子にデータ電圧が書き込まれる。この
書込期間において駆動トランジスタから発光素子に駆動電流が流れると電源線の電源電圧
が降下する。本発明の電子回路によれば、駆動トランジスタと電源線との電気的接続が第
1スイッチング素子によって切り替えられるから、書込期間において第1スイッチング素
子をオフ状態(非導通状態)とすることによって駆動電流の経路を遮断することができる
。したがって、本発明によれば、電源電圧の降下を防止して容量素子に高い精度で所期の
電圧を書き込むことができる。
According to this configuration, the data voltage is written to the capacitor element by turning on the second switching element and the third switching element in the writing period. When a drive current flows from the drive transistor to the light emitting element during this writing period, the power supply voltage of the power supply line drops. According to the electronic circuit of the present invention, since the electrical connection between the drive transistor and the power supply line is switched by the first switching element, the first switching element is turned off (non-conducting state) during the writing period. The current path can be interrupted. Therefore, according to the present invention, the expected voltage can be written to the capacitive element with high accuracy by preventing the power supply voltage from dropping.

なお、この電子回路においては、所定の電圧が印加される配線と前記駆動トランジスタ
の前記ゲート端子との電気的接続を制御する第4スイッチング素子(例えば図2の第4ト
ランジスタQa4)をさらに配置してもよい。この構成において、前記データ電圧が前記デ
ータ線から前記第3スイッチング素子を介して前記駆動トランジスタの前記第2端子に印
加されるのに先立って、前記第4スイッチング素子をオン状態とすれば、データ電圧の書
込みに先立って駆動トランジスタのゲート端子の電圧を所定の電圧に設定することができ
るから、データ電圧を迅速かつ効率的に書き込むことが可能となる。
In this electronic circuit, a fourth switching element (for example, the fourth transistor Qa4 in FIG. 2) for controlling the electrical connection between the wiring to which a predetermined voltage is applied and the gate terminal of the driving transistor is further arranged. May be. In this configuration, if the fourth switching element is turned on before the data voltage is applied from the data line to the second terminal of the driving transistor via the third switching element, Since the voltage of the gate terminal of the driving transistor can be set to a predetermined voltage prior to the voltage writing, the data voltage can be written quickly and efficiently.

また、本発明の第2の特徴に係る電子回路は、第1端子と第2端子とゲート端子とを備
え、電源線と前記被駆動素子との電気的接続を制御し、前記第1端子と前記第2端子との
間に流れる駆動電流の電流レベルが前記ゲート端子の電圧に応じて変化する駆動トランジ
スタ(例えば図7の駆動トランジスタQdr)と、第1電極(L1a)と第2電極(L1b)と
を備え、前記第1電極が前記ゲート端子に接続された第1容量素子(例えば図7の第1容
量素子C1)と、第3電極(L2a)と第4電極(L2b)とを備え、前記第4電極が前記電
源線に接続された第2容量素子(例えば図7の第2容量素子C2)と、前記駆動トランジ
スタの前記第1端子と前記電源線との電気的接続を制御する第1スイッチング素子(例え
ば図7の第1トランジスタQb1)と、前記駆動トランジスタの前記第1端子または前記第
2端子と前記駆動トランジスタのゲート端子との電気的接続を制御する第2スイッチング
素子(例えば図7の第2トランジスタQb2)と、データ電圧が供給されるデータ線と前記
第1容量素子の前記第2電極との電気的接続を制御する第3スイッチング素子(例えば図
7の第3スイッチング素子Qb3とを具備する。この態様の具体例は第2実施形態として後
述される。この構成においても、データ線と第2容量素子の第2電極とが第3スイッチン
グ素子によって導通する書込期間において、電源線から駆動トランジスタを経由して発光
素子に至る駆動電流の経路を第1スイッチング素子によって遮断することができる。した
がって、電源電圧の降下を防止して容量素子に高い精度で所期の電圧を書き込むことがで
きる。なお、この構成において、前記ゲート端子の電圧は、前記第2容量素子を介した容
量カップリングにより前記第4電極の電圧の変化の影響を受ける。また、例えば図7に例
示されるように、第1電極と第3電極とはゲート端子に接続される。
According to a second aspect of the present invention, an electronic circuit includes a first terminal, a second terminal, and a gate terminal, and controls electrical connection between a power line and the driven element. A drive transistor (for example, the drive transistor Qdr in FIG. 7) in which the current level of the drive current flowing between the second terminal changes according to the voltage of the gate terminal, the first electrode (L1a), and the second electrode (L1b) ), And the first electrode is connected to the gate terminal (for example, the first capacitor C1 in FIG. 7), the third electrode (L2a), and the fourth electrode (L2b). The fourth electrode controls the electrical connection between the second capacitor element (for example, the second capacitor element C2 in FIG. 7) connected to the power supply line and the first terminal of the drive transistor and the power supply line. A first switching element (for example, the first transistor Qb1 in FIG. 7); A second switching element (for example, the second transistor Qb2 in FIG. 7) that controls electrical connection between the first terminal or the second terminal of the driving transistor and the gate terminal of the driving transistor is supplied with a data voltage. A third switching element (for example, the third switching element Qb3 in FIG. 7) for controlling the electrical connection between the data line and the second electrode of the first capacitor element is provided. A specific example of this aspect is the second embodiment. Also in this configuration, in the writing period in which the data line and the second electrode of the second capacitor element are conducted by the third switching element, the drive current from the power supply line to the light emitting element via the drive transistor Therefore, the first switching element can be used to cut off the path of the power supply voltage, thereby preventing a drop in the power supply voltage and preventing the capacitor element from having the desired voltage with high accuracy. In this configuration, the voltage of the gate terminal is affected by the change in the voltage of the fourth electrode due to the capacitive coupling through the second capacitive element, as illustrated in FIG. As described above, the first electrode and the third electrode are connected to the gate terminal.

前記第1スイッチング素子は、前記第3スイッチング素子を介して前記データ電圧を前
記第1容量素子の前記第2電極に供給する書込期間においてオフ状態となり、前記被駆動
素子に前記駆動電流を供給する駆動期間においてオン状態となる。この態様によれば、書
込期間において第1スイッチング素子がオフ状態となるから、書込期間における電源電圧
の降下を確実に防止することができる。
The first switching element is turned off during a writing period in which the data voltage is supplied to the second electrode of the first capacitive element via the third switching element, and the driving current is supplied to the driven element. It is turned on during the driving period. According to this aspect, since the first switching element is turned off during the writing period, it is possible to reliably prevent a power supply voltage drop during the writing period.

第1および第2の特徴に係る電子回路の望ましい態様においては、前記駆動トランジス
タの前記第2端子と前記被駆動素子との電気的接続を制御する第5スイッチング素子(例
えば図2や図7における発光制御トランジスタQel)が配置され、前記第5スイッチング
素子は、前記データ電圧を前記第1容量素子の前記第2電極に供給する書込期間において
オフ状態となり、前記被駆動素子に前記駆動電流を供給する駆動期間においてオン状態と
なる。この態様によれば、第1スイッチング素子に加えて発光制御スイッチング素子によ
って駆動電流の経路の遮断および形成を確実に制御することができる。
In a desirable aspect of the electronic circuit according to the first and second features, a fifth switching element (for example, in FIGS. 2 and 7) that controls electrical connection between the second terminal of the driving transistor and the driven element. A light emission control transistor Qel), and the fifth switching element is turned off in a writing period in which the data voltage is supplied to the second electrode of the first capacitor element, and the driving current is supplied to the driven element. It is turned on in the drive period for supply. According to this aspect, the cutoff and formation of the path of the drive current can be reliably controlled by the light emission control switching element in addition to the first switching element.

本発明に係る駆動方法の第1の特徴は、第1端子と第2端子とゲート端子とを備え、前
記第1端子と前記第2端子との間に流れる駆動電流の電流レベルが前記ゲート端子の電圧
に応じて変化する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの前記ゲート端子に接続さ
れた第1電極と電源線に接続された第2電極とを有する容量素子とを備え、被駆動素子を
駆動する電子回路の駆動方法であって、書込期間において、前記駆動トランジスタの前記
第1端子または前記第2端子と前記駆動トランジスタの前記ゲート端子とを電気的に接続
するとともに前記駆動トランジスタの前記第2端子にデータ電圧を供給することによって
前記駆動トランジスタの導通状態を設定し、
前記書込期間の後の駆動期間において、前記書込期間にて設定された前記駆動トランジ
スタの前記導通状態に応じた電流レベルの前記駆動電流を前記被駆動素子に供給し、前記
書込期間においては、前記被駆動素子を前記電源線から電気的に切断することにある。換
言すると、前記書込期間の後の駆動期間において、前記書込期間にて設定された前記駆動
トランジスタの前記導通状態に応じた電流レベルの前記駆動電流が前記電源線から前記被
駆動素子に供給され、少なくとも前記書込期間の終了の時点において、前記被駆動素子は
前記電源線から電気的に切断される。これらの態様の具体例は第1実施形態として後述さ
れる。この発明によれば、書込期間においては駆動電流の供給が停止されるから電源線の
電位は変動しない。したがって、データ電圧を正確に書き込むことが可能となる。
A first feature of the driving method according to the present invention includes a first terminal, a second terminal, and a gate terminal, and a current level of a driving current flowing between the first terminal and the second terminal is the gate terminal. A driving transistor that changes in accordance with the voltage of the driving transistor, and a capacitor element having a first electrode connected to the gate terminal of the driving transistor and a second electrode connected to a power supply line, and drives the driven element. A method for driving an electronic circuit, wherein the first terminal or the second terminal of the driving transistor and the gate terminal of the driving transistor are electrically connected and the second terminal of the driving transistor in the writing period. Setting the conduction state of the drive transistor by supplying a data voltage to the terminal;
In the drive period after the write period, the drive current having a current level corresponding to the conduction state of the drive transistor set in the write period is supplied to the driven element, and in the write period Is to electrically disconnect the driven element from the power line. In other words, in the driving period after the writing period, the driving current having a current level corresponding to the conduction state of the driving transistor set in the writing period is supplied from the power supply line to the driven element. The driven element is electrically disconnected from the power supply line at least at the end of the writing period. Specific examples of these aspects will be described later as the first embodiment. According to the present invention, since the supply of the drive current is stopped during the writing period, the potential of the power supply line does not vary. Therefore, the data voltage can be accurately written.

また、本発明に係る駆動方法の第2の特徴は、第1端子と第2端子とゲート端子とを備
え、電源線と被駆動素子との電気的接続を制御し、前記第1端子と前記第2端子との間に
流れる駆動電流の電流レベルが前記ゲート端子の電圧に応じて変化する駆動トランジスタ
と、第1電極と第2電極とを備え前記第1電極が前記ゲート端子に接続された第1容量素
子と、第3電極と第4電極とを備え前記第4電極が電源線に接続された第2容量素子とを
具備する電子回路の駆動方法であって、書込期間において、前記駆動トランジスタの前記
第1端子または前記第2端子と前記駆動トランジスタの前記ゲート端子とを電気的に接続
するとともに前記第1容量素子の前記第2電極にデータ電圧を供給し、前記書込期間の後
の駆動期間において、前記書込期間にて設定された前記駆動トランジスタの前記導通状態
に応じた電流レベルの駆動電流を前記電源線から前記被駆動素子に供給し、前記書込期間
の少なくとも一部においては、前記被駆動素子を前記電源線から電気的に切断することに
ある。この態様の具体例は第2実施形態(図7)および第3実施形態(図13)として後
述される。この発明によっても、第1の特徴に係る駆動方法と同様に、データ電圧を正確
に電子回路に書き込むことが可能となる。
In addition, a second feature of the driving method according to the present invention includes a first terminal, a second terminal, and a gate terminal, controls electrical connection between a power supply line and a driven element, and the first terminal and the A driving transistor in which a current level of a driving current flowing between the second terminal and the second terminal changes according to a voltage of the gate terminal, a first electrode, and a second electrode, the first electrode being connected to the gate terminal An electronic circuit driving method comprising: a first capacitive element; and a second capacitive element that includes a third electrode and a fourth electrode, and the fourth electrode is connected to a power line. Electrically connecting the first terminal or the second terminal of the driving transistor to the gate terminal of the driving transistor and supplying a data voltage to the second electrode of the first capacitor; In the subsequent drive period, the writing A drive current having a current level corresponding to the conduction state of the drive transistor set in between is supplied from the power supply line to the driven element, and the driven element is supplied to at least a part of the writing period. It is to electrically disconnect from the power line. A specific example of this aspect will be described later as a second embodiment (FIG. 7) and a third embodiment (FIG. 13). According to the present invention as well, the data voltage can be accurately written in the electronic circuit as in the driving method according to the first feature.

本発明の駆動方法において、書込期間においては、駆動トランジスタと電源線との間に
介在するスイッチング素子をオフ状態とすることによって経路を遮断してもよいし、駆動
トランジスタと発光素子との間に介在するスイッチング素子をオフ状態とすることによっ
て経路を遮断してもよい。これらの態様によれば、スイッチング素子の制御によって駆動
電流の経路の遮断および形成を簡易かつ確実に切り替えることができる。
In the driving method of the present invention, in the writing period, the path may be interrupted by turning off the switching element interposed between the driving transistor and the power supply line, or between the driving transistor and the light emitting element. Alternatively, the path may be blocked by turning off the switching element interposed between the two. According to these aspects, it is possible to easily and reliably switch the blocking and formation of the drive current path by controlling the switching element.

本発明に係る駆動方法の望ましい態様においては、書込期間と駆動期間との間の休止期
間が設定される(例えば図12や図14参照)。この休止期間においては、第1容量素子
の第2電極とデータ線とが非導通とされるとともに、電源線から発光素子に駆動電流を供
給する経路が遮断される。すなわち、休止期間においてはデータ電圧の書き込みおよび発
光素子に対する駆動電流の供給の何れも実行されない。この態様によればデータ電圧の書
き込みと発光素子に対する駆動電流の供給とが重複して実行される事態を確実に防止する
ことができる。したがって、書込期間における電源電圧の変動を確実に防止してデータ電
圧をより確実に電子回路に書き込むことができる。また、前記書込期間と前記駆動期間と
の間の休止期間において、前記第1容量素子の前記第2電極がフローティング状態とされ
てもよい。
In a desirable mode of the driving method according to the present invention, a pause period between the writing period and the driving period is set (see, for example, FIGS. 12 and 14). In this idle period, the second electrode of the first capacitor element and the data line are made non-conductive, and the path for supplying the drive current from the power supply line to the light emitting element is blocked. That is, neither the writing of the data voltage nor the supply of the driving current to the light emitting element is executed in the idle period. According to this aspect, it is possible to reliably prevent the situation where the writing of the data voltage and the supply of the driving current to the light emitting element are performed in an overlapping manner. Therefore, it is possible to reliably prevent the fluctuation of the power supply voltage during the writing period and write the data voltage to the electronic circuit more reliably. Further, the second electrode of the first capacitor element may be in a floating state in a rest period between the writing period and the driving period.

本発明に係る電気光学装置の第1の特徴は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記
複数の走査線および前記複数のデータ線の交差部に対応して配列された複数の電子回路と
、複数の電源線と、前記複数の走査線を駆動する走査線駆動回路と、前記複数のデータ線
を駆動するデータ線駆動回路とを含み、前記複数の電源線には、前記複数の電子回路のう
ちひとつのグループに属する各電子回路が接続され、前記複数の電子回路の各々は、電気
光学素子と、第1端子と第2端子とゲート端子とを備え、前記電源線と前記被駆動素子と
の電気的接続を制御し、前記第1端子と前記第2端子との間に流れる駆動電流の電流レベ
ルが前記ゲート端子の電圧に応じて変化する駆動トランジスタと、第1電極と第2電極と
を備え、前記第1電極が前記ゲート端子に接続された容量素子と、前記駆動トランジスタ
の前記第1端子と前記電源線との電気的接続を制御する第1スイッチング素子と、前記駆
動トランジスタの前記第1端子または前記第2端子と前記駆動トランジスタの前記ゲート
端子との電気的接続を制御する第2スイッチング素子と、データ電圧が供給されるデータ
線と前記駆動トランジスタの前記第2端子との電気的接続を制御する第3スイッチング素
子とを備えることにある。この発明によっても第1の特徴に係る電子回路と同様の効果が
奏される。なお、この構成の具体例は第1実施形態(図2)として後述される。
The first feature of the electro-optical device according to the present invention is that a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and a plurality of electrons arranged corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines. A circuit, a plurality of power supply lines, a scanning line driving circuit that drives the plurality of scanning lines, and a data line driving circuit that drives the plurality of data lines. Each electronic circuit belonging to one group of electronic circuits is connected, and each of the plurality of electronic circuits includes an electro-optic element, a first terminal, a second terminal, and a gate terminal, and the power line and the covered circuit. A driving transistor that controls electrical connection with the driving element, a current level of a driving current flowing between the first terminal and the second terminal changes according to a voltage of the gate terminal; a first electrode; Two electrodes, wherein the first electrode is the gate. A capacitive element connected to a first terminal, a first switching element that controls electrical connection between the first terminal of the driving transistor and the power supply line, and the first terminal or the second terminal of the driving transistor, A second switching element for controlling electrical connection between the driving transistor and the gate terminal; and a third switching element for controlling electrical connection between a data line to which a data voltage is supplied and the second terminal of the driving transistor. It is in providing. According to the present invention, the same effect as the electronic circuit according to the first feature can be obtained. A specific example of this configuration will be described later as the first embodiment (FIG. 2).

本発明に係る電気光学装置の第2の特徴は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記
複数の走査線および前記複数のデータ線の交差部に対応して配列された複数の電子回路と
、複数の電源線と、前記複数の走査線を駆動する走査線駆動回路と、複数のデータ線を駆
動するデータ線駆動回路とを含み、前記複数の電源線には、前記複数の電子回路のうちひ
とつのグループに属する各電子回路が接続され、前記複数の電子回路の各々は、電気光学
素子と、第1端子と第2端子とゲート端子とを備え、前記電源線と前記被駆動素子との電
気的接続を制御し、前記第1端子と前記第2端子との間に流れる前記駆動電流の電流レベ
ルが前記ゲート端子の電圧に応じて変化する駆動トランジスタと、第1電極と第2電極と
を備え、前記第1電極が前記ゲート端子に接続された第1容量素子と、第3電極と第4電
極とを備え、前記第4電極が前記電源線に接続された第2容量素子と、前記第2端子と前
記複数の電源線の1つの電源線との電気的接続を制御する第1スイッチング素子と、前記
駆動トランジスタの前記第1端子または前記第2端子と前記駆動トランジスタの前記ゲー
ト端子との電気的接続を制御する第2スイッチング素子と、データ電圧が供給されるデー
タ線と前記第1容量素子の前記第2電極との電気的接続を制御する第3スイッチング素子
とを備えることにある。この態様の具体例は第2実施形態(図7)として後述される。こ
の発明によっても、第2の特徴に係る電子回路と同様の理由により、各電源線の電源電圧
の変動を抑制してデータ電圧を正確に各電子回路に書き込むことができる。
A second feature of the electro-optical device according to the invention is that a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and a plurality of electrons arranged corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines. A circuit, a plurality of power lines, a scanning line driving circuit for driving the plurality of scanning lines, and a data line driving circuit for driving a plurality of data lines, and the plurality of power lines include the plurality of electrons Each electronic circuit belonging to one group of the circuits is connected, and each of the plurality of electronic circuits includes an electro-optic element, a first terminal, a second terminal, and a gate terminal, and the power line and the driven A drive transistor that controls electrical connection with an element, a current level of the drive current flowing between the first terminal and the second terminal changes according to a voltage of the gate terminal; a first electrode; Two electrodes, wherein the first electrode is the gate. A second capacitive element having a first capacitive element connected to the first terminal, a third electrode and a fourth electrode, wherein the fourth electrode is connected to the power supply line, the second terminal, and the plurality of power supplies A first switching element that controls electrical connection of one line to one power supply line, and a first switching element that controls electrical connection between the first terminal or the second terminal of the driving transistor and the gate terminal of the driving transistor. And a third switching element that controls electrical connection between the data line to which the data voltage is supplied and the second electrode of the first capacitor element. A specific example of this aspect will be described later as a second embodiment (FIG. 7). Also according to the present invention, for the same reason as the electronic circuit according to the second feature, the data voltage can be accurately written in each electronic circuit while suppressing the fluctuation of the power supply voltage of each power supply line.

なお、以上の各態様に係る電気光学装置においては、前記複数の電源線が前記複数のデ
ータ線に交差する構成が望ましい。この態様によれば、走査線に沿って配列する複数の電
子回路(すなわち同時にデータ電圧の書き込みを実行する電子回路)が共通の電源線に接
続されるから、書込期間にある電子回路が接続された電源線における電源電圧の変動を確
実に防止することができる。したがって、各電子回路に対して正確にデータ電圧を書き込
むことができる。
In the electro-optical device according to each aspect described above, it is preferable that the plurality of power supply lines intersect the plurality of data lines. According to this aspect, since the plurality of electronic circuits arranged along the scanning line (that is, the electronic circuit that simultaneously performs writing of the data voltage) are connected to the common power supply line, the electronic circuit in the writing period is connected. Thus, it is possible to reliably prevent fluctuations in the power supply voltage in the power supply line. Therefore, the data voltage can be accurately written to each electronic circuit.

また、第2の特徴に係る電気光学装置を別の観点から捉えると、複数の走査線と、複数
のデータ線と、前記複数の走査線および前記複数のデータ線の交差部に対応して配列され
た複数の電子回路と、前記複数のデータ線と交差する複数の電源線と、前記複数の走査線
を駆動する走査線駆動回路と、前記複数のデータ線を駆動するデータ線駆動回路とを含み
、前記複数の電源線には、前期複数の電子回路のうちひとつのグループに属する各電子回
路が接続され、前記複数の電子回路の各々は、電気光学素子と、第1端子と第2端子とゲ
ート端子とを備え、前記第1端子と前記第2端子との間に流れる駆動電流の電流レベルが
前記ゲート端子の電圧に応じて変化する駆動トランジスタと、第1電極と第2電極とを備
え、前記第1電極が前記駆動トランジスタの前記ゲート端子に接続された第1容量素子と
、第3電極と第4電極とを備え、前記第4電極が前記電源線に接続された第2容量素子と
、前記駆動トランジスタの前記第1端子または前記第2端子と前記駆動トランジスタの前
記ゲート端子との電気的接続を制御する第1スイッチング素子と、前記データ線と前記第
1容量素子の前記第2電極との電気的接続を制御する第2スイッチング素子とを備え、前
記第1のスイッチング素子がオン状態とされた後、前記第2のスイッチング素子がオン状
態である期間の少なくとも一部に前記データ電圧が前記第2スイッチング素子を介して前
記第2電極に供給されることによって前記駆動トランジスタの導通状態が設定され、前記
駆動トランジスタの導通状態に応じて、各電源線から前記発光素子に供給される駆動電流
の電流レベルが設定され、前記第2電極に前記データ電圧が供給されている期間の終了後
から前記電気光学素子に対する前記駆動電流の供給が開始されるまで、前記電気光学素子
は前記電源線から電気的に切り離される構成としてもよい。
Further, from another viewpoint, the electro-optical device according to the second feature is arranged corresponding to a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, and intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines. A plurality of electronic circuits, a plurality of power supply lines intersecting with the plurality of data lines, a scanning line driving circuit for driving the plurality of scanning lines, and a data line driving circuit for driving the plurality of data lines. Each of the plurality of electronic circuits belonging to one group among the plurality of electronic circuits is connected to the plurality of power lines, and each of the plurality of electronic circuits includes an electro-optic element, a first terminal, and a second terminal And a gate terminal, a drive transistor in which a current level of a drive current flowing between the first terminal and the second terminal changes according to a voltage of the gate terminal, and a first electrode and a second electrode The first electrode is connected to the driving track. A first capacitor connected to the gate terminal of the transistor, a third electrode and a fourth electrode, the second capacitor having the fourth electrode connected to the power supply line, and the first capacitor of the drive transistor. Controls electrical connection between the first switching element for controlling electrical connection between one terminal or the second terminal and the gate terminal of the driving transistor, and the data line and the second electrode of the first capacitor element. And the data voltage is applied to the second switching element during at least a part of a period in which the second switching element is in the on state after the first switching element is in the on state. Is supplied to the second electrode via the first electrode, and the conduction state of the drive transistor is set. The electric current level of the drive current supplied to the element is set, and after the period when the data voltage is supplied to the second electrode, the supply of the drive current to the electro-optic element is started. The optical element may be configured to be electrically disconnected from the power supply line.

本発明に係る電気光学装置は各種の電子機器に使用される。この電子機器の典型例は、
電気光学装置を表示装置として利用した機器である。この種の電子機器としては、パーソ
ナルコンピュータや携帯電話機などがある。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途
は画像の表示に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体
に潜像を形成するための露光装置としても本発明の電気光学装置を適用することができる
The electro-optical device according to the invention is used in various electronic apparatuses. A typical example of this electronic device is
This is an apparatus using an electro-optical device as a display device. Examples of this type of electronic device include a personal computer and a mobile phone. However, the use of the electro-optical device according to the present invention is not limited to image display. For example, the electro-optical device of the present invention can also be applied as an exposure device for forming a latent image on an image carrier such as a photosensitive drum by irradiation of light.

<A:第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。同
図に示されるように、電気光学装置1は、画素領域A、走査線駆動回路100、データ線
駆動回路200、制御回路300および電源回路500を備える。このうち画素領域Aに
は、X方向に延在するm本の走査線10と、各走査線10に対をなしてX方向に延在する
m本の電源線31と、X方向に直交するY方向に延在するn本のデータ線103とが形成
される。走査線10とデータ線103との各交差に対応する位置には画素回路400が配
置される。したがって、これらの画素回路400は、縦m行×横n列のマトリクス状に配
列する。
<A: First Embodiment>
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the electro-optical device according to the first embodiment of the invention. As shown in the figure, the electro-optical device 1 includes a pixel region A, a scanning line driving circuit 100, a data line driving circuit 200, a control circuit 300, and a power supply circuit 500. Among these, in the pixel region A, m scanning lines 10 extending in the X direction, m power lines 31 extending in the X direction in pairs with each scanning line 10, and orthogonal to the X direction. N data lines 103 extending in the Y direction are formed. A pixel circuit 400 is disposed at a position corresponding to each intersection of the scanning line 10 and the data line 103. Therefore, these pixel circuits 400 are arranged in a matrix of m rows × n columns.

走査線駆動回路100は、画素領域Aに配列する各画素回路400を水平走査期間ごと
に行単位で選択して動作させるための回路である。一方、データ線駆動回路200は、各
水平走査期間において、走査線駆動回路100が選択した1行分(n個)の画素回路40
0の各々に対応するデータ電圧Vdataを生成して各データ線103に出力する。このデー
タ電圧Vdataは、各画素回路400について指定された階調(輝度)に対応する電圧であ
る。
The scanning line driving circuit 100 is a circuit for selecting and operating the pixel circuits 400 arranged in the pixel region A in units of rows for each horizontal scanning period. On the other hand, the data line driving circuit 200 includes one row (n) of pixel circuits 40 selected by the scanning line driving circuit 100 in each horizontal scanning period.
A data voltage Vdata corresponding to each of 0 is generated and output to each data line 103. This data voltage Vdata is a voltage corresponding to the gradation (luminance) designated for each pixel circuit 400.

制御回路300は、クロック信号など各種の制御信号を走査線駆動回路100およびデ
ータ線駆動回路200に供給することによって各回路を制御するとともに、各画素回路4
00の階調を指定する画像データをデータ線駆動回路200に供給する。一方、電源回路
500は、電源の高位側の電圧(以下「電源電圧」という)Vddと低位側の電圧(以下「
接地電圧」という)Vssとを生成する。電源電圧Vddは電源線31を介して各画素回路4
00に給電される。また、接地電圧Vssは、所定の配線(図2に示される接地線32)を
介して総ての画素回路400に供給される。この接地電圧Vssは電圧の基準となる電位で
ある。
The control circuit 300 controls each circuit by supplying various control signals such as a clock signal to the scanning line driving circuit 100 and the data line driving circuit 200, and each pixel circuit 4.
Image data designating the gradation of 00 is supplied to the data line driving circuit 200. On the other hand, the power supply circuit 500 includes a higher voltage (hereinafter referred to as “power supply voltage”) Vdd and a lower voltage (hereinafter referred to as “power supply voltage”).
Vss) (referred to as “ground voltage”). The power supply voltage Vdd is supplied to each pixel circuit 4 via the power supply line 31.
Power is supplied to 00. Further, the ground voltage Vss is supplied to all the pixel circuits 400 via a predetermined wiring (the ground line 32 shown in FIG. 2). The ground voltage Vss is a potential serving as a voltage reference.

次に、図2を参照して、各画素回路400の構成を説明する。同図においては、第i行
(iは1≦i≦mを満たす整数)に属する第j列目(jは1≦j≦nを満たす整数)のひ
とつの画素回路400のみが図示されているが、他の画素回路400も同様の構成である
。なお、画素回路400を構成する各トランジスタの導電型は図2の例示に何ら限定され
ない。また、図2(および後掲の図7)に示される各トランジスタの典型例は、低温ポリ
シリコンを半導体層に利用した薄膜トランジスタであるが、各トランジスタの形態や材料
は何ら限定されない。
Next, the configuration of each pixel circuit 400 will be described with reference to FIG. In the drawing, only one pixel circuit 400 in the j-th column (j is an integer satisfying 1 ≦ j ≦ n) belonging to the i-th row (i is an integer satisfying 1 ≦ i ≦ m) is illustrated. However, the other pixel circuits 400 have the same configuration. Note that the conductivity type of each transistor included in the pixel circuit 400 is not limited to that illustrated in FIG. A typical example of each transistor shown in FIG. 2 (and FIG. 7 described later) is a thin film transistor using low-temperature polysilicon as a semiconductor layer, but the form and material of each transistor are not limited at all.

図2に示されるように、画素回路400は、電源電圧Vddが供給される電源線31と接
地電圧Vssが供給される接地線32との間に各々が介挿されたOLED素子420および
pチャネル型のトランジスタ(以下「駆動トランジスタ」という)Qdrを含む。OLED
素子420は、その順方向に流れる電流(以下「駆動電流」という)に応じた輝度に発光
する素子であり、有機EL材料からなる発光層を陽極と陰極との間に介在させた構造とな
っている。この発光層は、例えば、インクジェット方式(液滴吐出方式)のヘッドから有
機EL材料の液滴を吐出し、これを乾燥させることによって形成される。OLED素子4
20の陰極は接地線32に接続される。一方、駆動トランジスタQdrは、OLED素子4
20に流れる駆動電流を制御するためのトランジスタである。
As shown in FIG. 2, the pixel circuit 400 includes an OLED element 420 and a p-channel each inserted between a power supply line 31 to which a power supply voltage Vdd is supplied and a ground line 32 to which a ground voltage Vss is supplied. Type transistor (hereinafter referred to as “driving transistor”) Qdr. OLED
The element 420 is an element that emits light with luminance according to a forward current (hereinafter referred to as “driving current”), and has a structure in which a light emitting layer made of an organic EL material is interposed between an anode and a cathode. ing. The light emitting layer is formed, for example, by discharging a droplet of an organic EL material from an inkjet (droplet discharge) head and drying it. OLED element 4
The 20 cathodes are connected to the ground line 32. On the other hand, the driving transistor Qdr is an OLED element 4.
This is a transistor for controlling the drive current flowing through the transistor 20.

なお、OLED素子420の材料としては、低分子・高分子またはデンドリマーなどの
有機発光材料が利用される。もっとも、OLED素子420は発光素子の一例に過ぎない
。すなわち、OLED素子420に代えて、無機EL素子や、フィールド・エミッション
(FE)素子、表面導電型エミッション(SE:Surface-conduction Electron-emitter
)素子、弾道電子放出(BS:Ballistic electron Surface emitting)素子、LED
(Light Emitting Diode)素子など様々な自発光素子、さらには、電気泳動素子やエレ
クトロ・クロミック素子などを利用してもよい。また、光書込型のプリンタや電子複写機
に利用される書込ヘッドなどの露光装置にも本実施形態と同様に本発明が適用される。さ
らに、例えば、バイオチップなどのセンシング装置にも本発明は適用される。
In addition, as a material of the OLED element 420, an organic light emitting material such as a low molecule / polymer or a dendrimer is used. However, the OLED element 420 is only an example of a light emitting element. That is, instead of the OLED element 420, an inorganic EL element, a field emission (FE) element, a surface-conduction electron emission (SE)
) Element, ballistic electron surface emitting (BS) element, LED
Various light-emitting elements such as (Light Emitting Diode) elements, electrophoretic elements, electrochromic elements, and the like may be used. The present invention is also applied to an exposure apparatus such as a write head used in an optical writing type printer or an electronic copying machine, as in this embodiment. Furthermore, for example, the present invention is also applied to a sensing device such as a biochip.

さて、図1において便宜的に1本の配線として図示された走査線10は、実際には図2
に示されるように第1制御線11と第2制御線12とを含む。各行の第1制御線11には
、データ電圧Vdataを画素回路400に取り込む期間を規定するための第1制御信号Sa1
[1]ないしSa1[m]が走査線駆動回路100から供給される。一方、各行の第2制御線12
には、画素回路400に保持される電圧を初期化する期間を規定するための第2制御信号
Sa2[1]ないしSa2[m]が走査線駆動回路100から供給される。なお、各信号の具体的な
波形やこれに応じた画素回路400の動作については後述する。
Now, for convenience, the scanning line 10 shown as one wiring in FIG.
The first control line 11 and the second control line 12 are included as shown in FIG. A first control signal Sa1 for defining a period during which the data voltage Vdata is taken into the pixel circuit 400 is applied to the first control line 11 of each row.
[1] to Sa1 [m] are supplied from the scanning line driving circuit 100. On the other hand, the second control line 12 of each row
The second control signals Sa2 [1] to Sa2 [m] for defining the period for initializing the voltage held in the pixel circuit 400 are supplied from the scanning line driving circuit 100. A specific waveform of each signal and an operation of the pixel circuit 400 corresponding to the waveform will be described later.

図2に示される第1トランジスタQa1は、そのドレイン電極が駆動トランジスタQdrの
ソース電極に接続されるとともにソース電極が電源線31に接続されたpチャネル型のト
ランジスタであり、駆動トランジスタQdrのソース電極と電源線31との導通および非導
通を切り替えるスイッチング素子として機能する。一方、図2に示される発光制御トラン
ジスタQelは、そのドレイン電極がOLED素子420の陽極に接続されるとともにソー
ス電極が駆動トランジスタQdrのドレイン電極に接続されたpチャネル型のトランジスタ
であり、駆動トランジスタQdrからOLED素子420に対する駆動電流の供給の可否を
制御するためのスイッチング素子として機能する。第1トランジスタQa1および発光制御
トランジスタQelの各々のゲート電極は第1制御線11に接続される。したがって、第1
トランジスタQa1および発光制御トランジスタQelの各々は、第1制御信号Sa1[i]がハ
イレベルであればオフ状態となって第1制御信号Sa1[i]がローレベルであればオン状態
となる。
The first transistor Qa1 shown in FIG. 2 is a p-channel transistor having its drain electrode connected to the source electrode of the drive transistor Qdr and its source electrode connected to the power supply line 31, and the source electrode of the drive transistor Qdr Functions as a switching element for switching between conduction and non-conduction between the power line 31 and the power line 31. On the other hand, the light emission control transistor Qel shown in FIG. 2 is a p-channel transistor whose drain electrode is connected to the anode of the OLED element 420 and whose source electrode is connected to the drain electrode of the drive transistor Qdr. It functions as a switching element for controlling whether or not a drive current can be supplied from Qdr to the OLED element 420. The gate electrodes of the first transistor Qa1 and the light emission control transistor Qel are connected to the first control line 11. Therefore, the first
Each of the transistor Qa1 and the light emission control transistor Qel is turned off when the first control signal Sa1 [i] is at a high level, and is turned on when the first control signal Sa1 [i] is at a low level.

図2に示される第2トランジスタQa2は、そのドレイン電極が駆動トランジスタQdrの
ソース電極に接続されるとともにソース電極が駆動トランジスタQdrのゲート電極に接続
されたnチャネル型のトランジスタである。また、図2に示される第3トランジスタQa3
は、そのドレイン電極が駆動トランジスタQdrのドレイン電極に接続されるとともにソー
ス電極がデータ線103に接続されたnチャネル型のトランジスタであり、駆動トランジ
スタQdrのドレイン電極とデータ線103との導通および非導通を切り替えるためのスイ
ッチング素子として機能する。第2トランジスタQa2および第3トランジスタQa3の各々
のゲート電極は第1制御線11に接続される。したがって、第2トランジスタQa2および
第3トランジスタQa3の各々は、第1制御信号Sa1[i]がハイレベルであればオン状態と
なって第1制御信号Sa1[i]がローレベルであればオフ状態となる。第2トランジスタQ
a2がオン状態に遷移すると駆動トランジスタQdrはゲート電極とソース電極とが導通して
ダイオードとして機能する。
The second transistor Qa2 shown in FIG. 2 is an n-channel transistor whose drain electrode is connected to the source electrode of the driving transistor Qdr and whose source electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor Qdr. Further, the third transistor Qa3 shown in FIG.
Is an n-channel transistor whose drain electrode is connected to the drain electrode of the driving transistor Qdr and whose source electrode is connected to the data line 103. The conduction and non-conduction between the drain electrode of the driving transistor Qdr and the data line 103 are It functions as a switching element for switching conduction. The gate electrodes of the second transistor Qa2 and the third transistor Qa3 are connected to the first control line 11. Therefore, each of the second transistor Qa2 and the third transistor Qa3 is turned on when the first control signal Sa1 [i] is at a high level, and is turned off when the first control signal Sa1 [i] is at a low level. It becomes. Second transistor Q
When a2 transitions to the on state, the drive transistor Qdr functions as a diode with the gate electrode and the source electrode conducting.

次に、図2に示される容量素子C0は、第1電極L0aと第2電極L0bとの間に電荷を保
持する容量である。第1電極L0aは駆動トランジスタQdrのゲート電極に接続され、第2
電極L0bは電源線31に接続される。容量素子C0の第1電極L0aと駆動トランジスタQd
rのゲート電極との接続点NGには第4トランジスタQa4のドレイン電極が接続される。こ
の第4トランジスタQa4は、ソース電極が接地線32に接続されたnチャネル型のトラン
ジスタであり、接続点NGと接地線32との電気的接続を制御する(典型的には両者の導
通および非導通を切り替える)スイッチング素子として機能する。第4トランジスタQa4
のゲート電極は第2制御線12に接続される。したがって、第2制御信号Sa2[i]がハイ
レベルであれば第4トランジスタQa4はオン状態となって第2制御信号Sa2[i]がローレ
ベルであれば第4トランジスタQa4はオフ状態となる。
Next, the capacitive element C0 shown in FIG. 2 is a capacitor that holds electric charges between the first electrode L0a and the second electrode L0b. The first electrode L0a is connected to the gate electrode of the driving transistor Qdr and the second electrode
The electrode L0b is connected to the power supply line 31. The first electrode L0a of the capacitive element C0 and the drive transistor Qd
The drain electrode of the fourth transistor Qa4 is connected to the connection point NG with the gate electrode of r. The fourth transistor Qa4 is an n-channel transistor having a source electrode connected to the ground line 32, and controls the electrical connection between the connection point NG and the ground line 32 (typically the conduction and the connection between both). It functions as a switching element that switches non-conduction. 4th transistor Qa4
Are connected to the second control line 12. Therefore, if the second control signal Sa2 [i] is at a high level, the fourth transistor Qa4 is turned on, and if the second control signal Sa2 [i] is at a low level, the fourth transistor Qa4 is turned off.

次に、図3を参照して、第1制御信号Sa1[1]ないしSa1[m]および第2制御信号Sa2[1
]ないしSa2[m]の具体的な波形を説明する。同図に示されるように、第1制御信号Sa1[1
]ないしSa1[m]は、水平走査期間(1H)ごとに順番にハイレベルとなる信号である。す
なわち、第1制御信号Sa1[i]は、垂直走査期間(1V)のうち第i番目の水平走査期間
においてハイレベルを維持するとともにそれ以外の期間においてローレベルを維持する。
第1制御信号Sa1[i]のハイレベルへの遷移は第i行目の各画素回路400の選択を意味
する。図3に示されるように、第1制御信号Sa1[i]がハイレベルとなる水平走査期間に
おいては、第i行目の各画素回路400の階調に対応したデータ電圧Vdataがデータ線1
03に供給される。このデータ電圧Vdataは、ハイレベルの第1制御信号Sa1[i]によっ
てオン状態となった第3トランジスタQa3を介して画素回路400に取り込まれる。以下
では第1制御信号Sa1[1]ないしSa1[m]の各々がハイレベルとなる期間(すなわち水平走
査期間)を「書込期間TWRT」と表記する。一方、書込期間TWRT以外の期間(すなわち第
1制御信号Sa1[1]ないしSa1[m]の各々がローレベルとなる期間)は、OLED素子42
0が実際に発光する期間(以下「駆動期間TEL」という)である。
Next, referring to FIG. 3, the first control signal Sa1 [1] to Sa1 [m] and the second control signal Sa2 [1
] To Sa2 [m] will be described in detail. As shown in the figure, the first control signal Sa1 [1
] Through Sa1 [m] are signals that sequentially become a high level every horizontal scanning period (1H). That is, the first control signal Sa1 [i] maintains a high level in the i-th horizontal scanning period of the vertical scanning period (1V) and maintains a low level in other periods.
The transition of the first control signal Sa1 [i] to the high level means selection of each pixel circuit 400 in the i-th row. As shown in FIG. 3, in the horizontal scanning period in which the first control signal Sa1 [i] is at a high level, the data voltage Vdata corresponding to the gradation of each pixel circuit 400 in the i-th row is the data line 1.
03. This data voltage Vdata is taken into the pixel circuit 400 via the third transistor Qa3 which is turned on by the high-level first control signal Sa1 [i]. Hereinafter, a period during which each of the first control signals Sa1 [1] to Sa1 [m] is at a high level (that is, a horizontal scanning period) is referred to as a “writing period T WRT ”. On the other hand, during the period other than the writing period TWRT (that is, the period during which each of the first control signals Sa1 [1] to Sa1 [m] is at the low level), the OLED element 42 is used.
0 is a period during which light is actually emitted (hereinafter referred to as “driving period T EL ”).

第1制御信号Sa1[i]がハイレベルとなる書込期間TWRTは第1期間T1と第2期間T2
に区分される。第1期間T1は、書込期間TWRTの始点から所定の時間長が経過するまでの
期間であり、第2期間T2は当該書込期間TWRTの残余の期間である。第2制御信号Sa2[i
]は、第1期間T1においてハイレベルを維持するとともにそれ以外の期間(すなわち第2
期間T2および駆動期間TEL)においてローレベルを維持する信号である。この第2制御
信号Sa2[i]がハイレベルになると、オン状態となった第4トランジスタQa4を介して図
2の接続点NGが接地線32に導通する。
The writing period TWRT in which the first control signal Sa1 [i] is at a high level is divided into a first period T 1 and a second period T 2 . The first period T 1 is a period until a predetermined time length elapses from the starting point of the writing period T WRT , and the second period T 2 is a remaining period of the writing period T WRT . Second control signal Sa2 [i
] Maintains a high level during the first period T 1 and other periods (ie, the second period
This is a signal that maintains a low level during the period T 2 and the driving period T EL ). When the second control signal Sa2 [i] becomes high level, the connection point NG of FIG. 2 is conducted to the ground line 32 through the fourth transistor Qa4 that is turned on.

次に、図4ないし図6を参照しながら画素回路400の具体的な動作を説明する。以下
では、第1行に属する第j列目の画素回路400の動作を、第1期間T1と第2期間T2
駆動期間TELとの各々に区分して説明する。
Next, a specific operation of the pixel circuit 400 will be described with reference to FIGS. Hereinafter, the operation of the pixel circuit 400 in the j-th column belonging to the first row will be described by dividing it into a first period T 1 , a second period T 2, and a driving period TEL .

(a) 第1期間T1(書込期間TWRT
第1期間T1においては、図3に示されるように、第1制御信号Sa1[i]および第2制御
信号Sa2[i]の双方がハイレベルを維持する。したがって、第2トランジスタQa2、第3
トランジスタQa3および第4トランジスタQa4がオン状態となり、第1トランジスタQa1
および発光制御トランジスタQelはオフ状態となる。図4は、このときの画素回路400
の電気的な構成を等価的に示す回路図である。同図に示されるように、接続点NG(すな
わち駆動トランジスタQdrのゲート電極)はオン状態となった第4トランジスタQa4を介
して接地線32に導通するから、図3に示されるように、接続点NGの電圧VGは第1期間
1において接地電圧Vssまで低下する。換言すると、図3に示される第1期間T1は、接
続点NGの電圧VGが接地電圧Vssに到達するために充分な時間長に選定される。なお、第
1期間T1では、データ線103と接地線32との間に、第4トランジスタQa4、第2ト
ランジスタQa2および駆動トランジスタQdrを介して電流が流れる。この電流は一種のプ
リチャージ用の電流としての役割を果たす。
(a) First period T 1 (writing period T WRT )
In the first period T 1, as shown in FIG. 3, both the first control signal Sa1 [i] and second control signal Sa2 [i] is maintained at the high level. Therefore, the second transistor Qa2, the third transistor
The transistor Qa3 and the fourth transistor Qa4 are turned on, and the first transistor Qa1
The light emission control transistor Qel is turned off. FIG. 4 shows the pixel circuit 400 at this time.
FIG. 6 is a circuit diagram equivalently showing the electrical configuration of As shown in FIG. 3, the connection point N G (that is, the gate electrode of the drive transistor Qdr) is electrically connected to the ground line 32 via the fourth transistor Qa4 that is turned on. As shown in FIG. The voltage V G at the connection point NG drops to the ground voltage Vss in the first period T 1 . In other words, the first period T 1 shown in FIG. 3 is selected to have a sufficient length of time for the voltage V G at the connection point NG to reach the ground voltage Vss. In the first period T 1, between the data line 103 and the ground line 32, the fourth transistor Qa4, current flows through the second transistor Qa2 and the driving transistor Qdr. This current serves as a kind of precharge current.

(b) 第2期間T2(書込期間TWRT
第2期間T2においては、図3に示されるように、第1制御信号Sa1[i]はハイレベルを
維持する一方、第2制御信号Sa2[i]はローレベルを維持する。したがって、第2トラン
ジスタQa2および第3トランジスタQa3がオン状態となる一方、第1トランジスタQa1・
第4トランジスタQa4および発光制御トランジスタQelはオフ状態となる。図5(a)は、
このときの画素回路400の電気的な構成を等価的に示す回路図である。同図に示される
ように、第4トランジスタQa4がオフ状態に遷移することによって接続点NGは接地線3
2から電気的に切り離される。さらに、第2トランジスタQa2がオン状態となることによ
って駆動トランジスタQdrがダイオード接続されたうえで、そのドレイン電極が第3トラ
ンジスタQa3を介してデータ線103に接続される。したがって、このときの画素回路4
00は、図5(b)に示されるように、相互に直列に接続された容量素子C0とダイオード(
駆動トランジスタQdr)とが電源線31とデータ線103との間に介挿された回路と等価
となる。したがって、容量素子C0と駆動トランジスタQdrとの間の接続点NGの電圧VG
は、図3に示されるように、データ線103の電圧Vdataから駆動トランジスタQdrの閾
値電圧Vthを減算したレベル(VG=Vdata−Vth)に到達するまで徐々に増加していく
。第2期間T2は、第2トランジスタQa2および第3トランジスタQa3がオン状態となっ
た時点から接続点NGの電圧VGが電圧「Vdata−Vth」に到達するために充分な時間長に
選定される。
(b) Second period T 2 (writing period T WRT )
In the second period T 2, as shown in FIG. 3, the first control signal Sa1 [i] is while maintaining the high level, the second control signal Sa2 [i] is maintained at the low level. Accordingly, the second transistor Qa2 and the third transistor Qa3 are turned on, while the first transistor Qa1 ·
The fourth transistor Qa4 and the light emission control transistor Qel are turned off. Figure 5 (a)
FIG. 5 is a circuit diagram equivalently showing an electrical configuration of the pixel circuit 400 at this time. As shown in the figure, the connection point NG is connected to the ground line 3 by the transition of the fourth transistor Qa4 to the OFF state.
2 is electrically disconnected. Further, when the second transistor Qa2 is turned on, the driving transistor Qdr is diode-connected, and the drain electrode is connected to the data line 103 via the third transistor Qa3. Therefore, the pixel circuit 4 at this time
00, as shown in FIG. 5 (b), a capacitive element C0 and a diode (
The driving transistor Qdr) is equivalent to a circuit inserted between the power supply line 31 and the data line 103. Therefore, the voltage V G at the connection point N G between the drive transistor Qdr a capacitor C0
3, the voltage gradually increases until reaching a level (V G = Vdata−Vth) obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the drive transistor Qdr from the voltage Vdata of the data line 103. The second period T 2 is selected to have a sufficient length of time for the voltage V G at the connection point NG to reach the voltage “Vdata−Vth” from the time when the second transistor Qa2 and the third transistor Qa3 are turned on. Is done.

以上に説明したように書込期間TWRT(第1期間T1および第2期間T2)においては、
第1制御信号Sa1[i]がハイレベルを維持することによって第1トランジスタQa1および
発光制御トランジスタQelの双方がオフ状態となる。したがって、電源線31と駆動トラ
ンジスタQdrとが電気的に絶縁されるとともに、電源線31からOLED素子420を経
由して接地線32に至る電流の経路が遮断される。このような状態にある画素回路400
には電源線31から電流が流れ込まないから、この電源線31における電圧降下は発生し
ない。したがって、書込期間TWRTにおいては、電源線31と接続点NGとの間に介挿され
た容量素子C0に所期の電荷量を高い精度で保持させることが可能となる。
As described above, in the writing period T WRT (the first period T 1 and the second period T 2 ),
When the first control signal Sa1 [i] is maintained at a high level, both the first transistor Qa1 and the light emission control transistor Qel are turned off. Therefore, the power supply line 31 and the drive transistor Qdr are electrically insulated, and the current path from the power supply line 31 to the ground line 32 via the OLED element 420 is interrupted. The pixel circuit 400 in such a state
Since no current flows from the power line 31, no voltage drop occurs in the power line 31. Therefore, in the writing period TWRT , the intended charge amount can be held with high accuracy in the capacitive element C0 interposed between the power supply line 31 and the connection point NG .

(c) 駆動期間TEL
駆動期間TELにおいては、第1制御信号Sa1[i]および第2制御信号Sa2[i]の双方がロ
ーレベルとなる。したがって、第2トランジスタQa2・第3トランジスタQa3および第4
トランジスタQa4がオフ状態となる一方、第1トランジスタQa1および発光制御トランジ
スタQelがオン状態となる。図6は、このときの画素回路400の等価的な構成を示す回
路図である。同図に示されるように、第1トランジスタQa1および発光制御トランジスタ
Qelがオン状態に遷移することによって電源線31から駆動トランジスタQdrおよびOL
ED素子420を経由して接地線32に至る経路が形成される。このときに駆動トランジ
スタQdrのゲート電極の電圧VGは、図3に示されるように、書込期間TWRTにて容量素子
C0に保持された電圧(すなわちデータ電圧Vdataに応じた電圧)に維持されているから
、電源線31からOLED素子420に流れ込む駆動電流Ielはデータ電圧Vdataに応じ
た電流量となる。したがって、OLED素子420はデータ電圧Vdataに応じた輝度に発
光する。
(c) Driving period T EL
In the drive period T EL, both the first control signal Sa1 [i] and second control signal Sa2 [i] becomes the low level. Therefore, the second transistor Qa2, the third transistor Qa3, and the fourth transistor
While the transistor Qa4 is turned off, the first transistor Qa1 and the light emission control transistor Qel are turned on. FIG. 6 is a circuit diagram showing an equivalent configuration of the pixel circuit 400 at this time. As shown in the figure, when the first transistor Qa1 and the light emission control transistor Qel transition to the ON state, the drive transistors Qdr and OL are driven from the power supply line 31.
A path to the ground line 32 via the ED element 420 is formed. At this time, the voltage V G of the gate electrode of the driving transistor Qdr is maintained at the voltage held in the capacitive element C0 in the writing period T WRT (that is, the voltage corresponding to the data voltage Vdata) as shown in FIG. Therefore, the drive current Iel flowing from the power supply line 31 into the OLED element 420 has a current amount corresponding to the data voltage Vdata. Therefore, the OLED element 420 emits light with a luminance corresponding to the data voltage Vdata.

ここで、駆動トランジスタQdrのソース電極からドレイン電極に流れる駆動電流Ielは
以下の式(1)によって表現される。
Iel=(1/2)β(Vgs−Vth)2 ……(1)
なお、式(1)における「Vgs」は駆動トランジスタQdrのゲート-ソース間の電圧であり
、「β」は駆動トランジスタQdrの利得係数である。駆動期間TELにおいては、その直前
の書込期間TWRTにて容量素子C0に保持された電圧VG(=Vdata−Vth)がゲート電極
に印加されるとともに、オン状態となった第1トランジスタQa1を介して駆動トランジス
タQdrのソース電極に電源電圧Vddが供給されるから、電圧Vgsは「Vdd−(Vdata−V
th)」となる。これを式(1)に代入して変形すると駆動電流Ielは以下の式(2)で表現され
る。
Iel=(1/2)β(Vdd−Vdata)2 ……(2)
すなわち、駆動電流Ielは駆動トランジスタQdrの閾値電圧Vthに依存しない。したが
って、本実施形態によれば、各画素回路400における駆動トランジスタQdrの閾値電圧
Vthのバラツキを補償して、OLED素子420を高い精度で所期の輝度に発光させるこ
とができる。
Here, the drive current Iel flowing from the source electrode to the drain electrode of the drive transistor Qdr is expressed by the following equation (1).
Iel = (1/2) β (Vgs−Vth) 2 (1)
In the equation (1), “Vgs” is a gate-source voltage of the driving transistor Qdr, and “β” is a gain coefficient of the driving transistor Qdr. In the driving period T EL , the voltage V G (= Vdata−Vth) held in the capacitive element C0 in the immediately preceding writing period TWRT is applied to the gate electrode, and the first transistor turned on. Since the power supply voltage Vdd is supplied to the source electrode of the driving transistor Qdr via Qa1, the voltage Vgs is expressed as “Vdd− (Vdata−V
th) ". When this is substituted into the equation (1) and transformed, the drive current Iel is expressed by the following equation (2).
Iel = (1/2) β (Vdd−Vdata) 2 (2)
That is, the drive current Iel does not depend on the threshold voltage Vth of the drive transistor Qdr. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to compensate for the variation in the threshold voltage Vth of the drive transistor Qdr in each pixel circuit 400 and cause the OLED element 420 to emit light with a desired brightness with high accuracy.

ところで、実際の画素回路400においては駆動電流Ielが流れると電源電圧Vddが低
下する。このときの電圧の降下分を「ΔV」とすれば、降下後の電源電圧は「Vdd−ΔV
」となる。駆動期間TELにおいて接続点NGはフローティング状態にあるから、電源電圧
VddがΔVだけ降下すると接続点NGの電圧もΔVだけ降下する。したがって、式(2)にお
ける「Vdd」が「Vdd−ΔV」となる一方で同式の「Vdata」が「Vdata−ΔV」となる
から、駆動電流Ielに対する電源電圧Vddの降下の影響は結果的にキャンセルされる。す
なわち、駆動期間TELにおいて電源電圧Vddが降下してもOLED素子420の輝度に影
響はない。
By the way, in the actual pixel circuit 400, when the drive current Iel flows, the power supply voltage Vdd decreases. If the voltage drop at this time is “ΔV”, the power supply voltage after the drop is “Vdd−ΔV”.
" Since the connection point NG is in a floating state during the driving period T EL , when the power supply voltage Vdd drops by ΔV, the voltage at the connection point NG also drops by ΔV. Therefore, since “Vdd” in the equation (2) becomes “Vdd−ΔV”, while “Vdata” in the equation becomes “Vdata−ΔV”, the influence of the drop of the power supply voltage Vdd on the drive current Iel is a result. Canceled by That is, even if the power supply voltage Vdd drops during the driving period T EL , the luminance of the OLED element 420 is not affected.

また、本実施形態においては、走査線駆動回路100によって一度に選択される各画素
の配列の方向(すなわちデータ電圧の取り込みを同時に実行する画素の配列の方向)に沿
って各電源線31が形成されているから、書込期間TWRTにおける電源電圧Vddの降下を
確実に防止することができるという利点がある。この点について詳述すると以下の通りで
ある。
Further, in the present embodiment, each power supply line 31 is formed along the direction of the arrangement of the pixels selected at once by the scanning line driving circuit 100 (that is, the direction of the arrangement of the pixels that simultaneously execute the capturing of the data voltage). Therefore, there is an advantage that the drop of the power supply voltage Vdd can be surely prevented in the writing period TWRT . This will be described in detail as follows.

いま、本実施形態との対比例として、データ線103に沿う方向に電源線31が延在す
る構成を想定する。この構成においては、第1制御信号Sa1[i]がハイレベルに遷移する
ことによって走査線駆動回路100が第i行を選択すると、この行に属する各列の画素回
路400にデータ電圧Vdataが取り込まれる。この書込期間TWRTにおいて第i行目の画
素回路400の第1トランジスタQa1や発光制御トランジスタQelをオフ状態として駆動
電流Ielの経路を遮断したとしても、それ以外の各行に属する画素回路400(すなわち
駆動期間TELにある画素回路400)のOLED素子420には駆動電流Ielが供給され
るから各列の電源線31の電源電圧Vddは降下する。すなわち、第i行目に属する各画素
回路400のデータ電圧が書込期間TWRTにて取り込まれている最中に容量素子C0の第2
電極L0bに供給される電源電圧Vddが変動するから、この容量素子C0にデータ電圧Vdat
aに応じた所期の電荷量を保持させることは困難となる。
As a comparison with the present embodiment, a configuration in which the power supply line 31 extends in the direction along the data line 103 is assumed. In this configuration, when the scanning line driving circuit 100 selects the i-th row by the first control signal Sa1 [i] transitioning to a high level, the data voltage Vdata is taken into the pixel circuits 400 of each column belonging to this row. It is. Also a first transistor Qa1 and emission control transistor Qel of the i-th row of pixel circuits 400 as blocked the path of the driving current Iel is turned off in the writing period T WRT, the pixel circuits 400 belonging to the other row ( that power supply voltage Vdd of the power supply line 31 from the driving current Iel is supplied in each row to the OLED element 420 of the pixel circuit 400) in the drive period T EL drops. That is, while the data voltage of each pixel circuit 400 belonging to the i-th row is being captured in the writing period T WRT,
Since the power supply voltage Vdd supplied to the electrode L0b varies, the data voltage Vdat is applied to the capacitive element C0.
It becomes difficult to maintain the desired amount of charge according to a.

一方、本実施形態のように行方向に沿って電源線31が形成された構成においては、1
本の電源線31に共通に接続された第i行の各画素回路400が走査線駆動回路100に
よって選択されると、これらn個の画素回路400において一斉にデータ電圧Vdataの取
り込みが実行される。したがって、OLED素子420への駆動電流Ielの供給によって
電源線31の電源電圧Vddが降下することを防止してデータ電圧Vdataを正確に各画素回
路400に取り込むことができる。
On the other hand, in the configuration in which the power supply line 31 is formed along the row direction as in the present embodiment, 1
When the scanning line driving circuit 100 selects each i-th pixel circuit 400 commonly connected to the power supply line 31, the n pixel circuits 400 simultaneously fetch the data voltage Vdata. . Therefore, the supply of the drive current Iel to the OLED element 420 can prevent the power supply voltage Vdd of the power supply line 31 from dropping, and the data voltage Vdata can be accurately taken into each pixel circuit 400.

ところで、電源回路500から各画素回路400に電源電圧Vddを供給するための配線
は、画素領域Aの周囲に配置される主電源線と画素回路400の内部にて行方向に延在す
る補助電源線とを含む。補助電源線は、各OLED素子420が発光する面積(開口率)
を充分に確保するという観点から、主電源線と比較して狭い線幅に形成される。したがっ
て、電源電圧Vddの電圧降下の大半は補助電源線において発生する。第i行の各画素回路
400が選択される期間においては、その他の行に属する各画素回路400は駆動期間T
ELにあるから各々のOLED素子420に駆動電流Ielが流れ込む。しかしながら、電源
線31の抵抗の大半は補助電源線に存在するため、本実施形態のように補助電源線を行方
向に形成すれば、電源電圧Vddの電圧降下を改善するという所期の効果は確かに奏される
Incidentally, the wiring for supplying the power supply voltage Vdd from the power supply circuit 500 to each pixel circuit 400 includes a main power supply line arranged around the pixel region A and an auxiliary power supply extending in the row direction inside the pixel circuit 400. Including lines. The auxiliary power line is the area (opening ratio) where each OLED element 420 emits light.
From the viewpoint of sufficiently ensuring the width, the line width is narrower than that of the main power supply line. Therefore, most of the voltage drop of the power supply voltage Vdd occurs in the auxiliary power supply line. In a period in which each pixel circuit 400 in the i-th row is selected, each pixel circuit 400 belonging to another row is driven in the driving period T.
Since it is in EL , the drive current Iel flows into each OLED element 420. However, since most of the resistance of the power supply line 31 exists in the auxiliary power supply line, if the auxiliary power supply line is formed in the row direction as in the present embodiment, the expected effect of improving the voltage drop of the power supply voltage Vdd is Certainly played.

<B:第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち第1実施形態
と同様の要素については共通の符号を付してその説明を適宜に省略する。
<B: Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the element similar to 1st Embodiment among this embodiment, and the description is abbreviate | omitted suitably.

図7は、本実施形態に係る画素回路の構成を示す回路図である。同図に示されるように
、本実施形態の画素回路401は、第1実施形態と同様に、電源線31と接地線32との
間に各々が介挿されたOLED素子420およびpチャネル型の駆動トランジスタQdrを
含む。駆動トランジスタQdrとOLED素子420との間にはnチャネル型の発光制御ト
ランジスタQelが介挿される。この発光制御トランジスタQelのゲート電極は第1制御信
号Sb1[i]が供給される第1制御線11に接続される。一方、駆動トランジスタQdrのソ
ース電極は第1トランジスタQb1のソース電極に接続される。この第1トランジスタQb1
は、ドレイン電極が電源線31に接続されたnチャネル型のトランジスタであり、駆動ト
ランジスタQdrのソース電極と電源線31との導通および非導通を切り替えるスイッチン
グ素子として機能する。第1トランジスタQb1のゲート電極は第2制御信号Sb2[i]が供
給される第2制御線12に接続される。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of the pixel circuit according to the present embodiment. As shown in the figure, the pixel circuit 401 of this embodiment includes an OLED element 420 and a p-channel type each inserted between a power line 31 and a ground line 32, as in the first embodiment. A drive transistor Qdr is included. An n-channel light emission control transistor Qel is interposed between the drive transistor Qdr and the OLED element 420. The gate electrode of the light emission control transistor Qel is connected to the first control line 11 to which the first control signal Sb1 [i] is supplied. On the other hand, the source electrode of the driving transistor Qdr is connected to the source electrode of the first transistor Qb1. This first transistor Qb1
Is an n-channel transistor having a drain electrode connected to the power supply line 31, and functions as a switching element that switches between conduction and non-conduction between the source electrode of the drive transistor Qdr and the power supply line 31. The gate electrode of the first transistor Qb1 is connected to the second control line 12 to which the second control signal Sb2 [i] is supplied.

一方、図7に示される第2トランジスタQb2は、そのソース電極が駆動トランジスタQ
drのドレイン電極に接続されるとともにドレイン電極が駆動トランジスタQdrのゲート電
極に接続されたpチャネル型のトランジスタである。この第2トランジスタQb2のゲート
電極は第1制御線11に接続される。また、駆動トランジスタQdrのゲート電極には、第
1容量素子C1の第1電極L1aと第2容量素子C2の第1電極L2aとが接続される。第2容
量素子C2の第2電極L2bは電源線31に接続される。第1容量素子C1の第2電極L1bは
第3トランジスタQb3のドレイン電極に接続される。この第3トランジスタQb3は、デー
タ線103と第1容量素子C1の第2電極L1bとの電気的接続を制御する(典型的には両
者の導通および非導通を切り替える)ためのスイッチング素子であり、そのソース電極が
データ線103に接続されるとともにゲート電極が第1制御線11に接続される。なお、
本実施形態においては各トランジスタの電極に供給される電位が動作の状態に応じて適宜
に変化する。一般的にpチャネル型のトランジスタでは高電位側の電極がソース電極と定
義されるため、厳密に言えば本実施形態の各トランジスタにおいてはソース電極とドレイ
ン電極とが動作の状態に応じて随時に入れ替わることになる。しかしながら、本明細書に
おいては発明の理解の便宜のために、形式的に各トランジスタの一方の電極をソース電極
と表記するとともに他方の電極をドレイン電極と表記している。
On the other hand, the second transistor Qb2 shown in FIG.
The p-channel transistor is connected to the drain electrode of dr and the drain electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor Qdr. The gate electrode of the second transistor Qb2 is connected to the first control line 11. In addition, the first electrode L1a of the first capacitive element C1 and the first electrode L2a of the second capacitive element C2 are connected to the gate electrode of the drive transistor Qdr. The second electrode L2b of the second capacitive element C2 is connected to the power line 31. The second electrode L1b of the first capacitive element C1 is connected to the drain electrode of the third transistor Qb3. The third transistor Qb3 is a switching element for controlling the electrical connection between the data line 103 and the second electrode L1b of the first capacitive element C1 (typically switching between conduction and non-conduction between the two). The source electrode is connected to the data line 103 and the gate electrode is connected to the first control line 11. In addition,
In this embodiment, the potential supplied to the electrode of each transistor changes appropriately according to the state of operation. Generally, in a p-channel transistor, an electrode on the high potential side is defined as a source electrode. Strictly speaking, in each transistor of this embodiment, the source electrode and the drain electrode are at any time according to the state of operation. Will be replaced. However, in this specification, for convenience of understanding the invention, one electrode of each transistor is formally expressed as a source electrode and the other electrode is expressed as a drain electrode.

次に、図8は、本実施形態における第1制御信号Sb1[1]ないしSb1[m]および第2制御
信号Sb2[1]ないしSb2[m]の波形を示すタイミングチャートである。同図に示されるよう
に、各垂直走査期間(1V)における第i番目の水平走査期間(1H)は、第i行目の各
画素回路401における駆動トランジスタQdrの閾値電圧Vthの補償とデータ電圧Vdata
の取込みとが実行される書込期間TWRTとして利用され、それ以外の期間は各画素回路4
01のOLED素子420が発光する駆動期間TELとして利用される。第1制御信号Sb1
[1]ないしSb1[m]は、各行が選択される書込期間TWRTごとに順番にローレベルとなる信
号である。すなわち、第1制御信号Sb1[i]は、第i行が選択される書込期間TWRTにおい
てローレベルとなり、それ以外の期間(第i行に対応する駆動期間TEL)においてハイレ
ベルとなる。書込期間TWRTは、駆動トランジスタQdrの閾値電圧Vthを補償するための
第1期間T1と、画素回路401にデータ電圧Vdataを取込むための第2期間T2とに区分
される。図8に示されるように、第2制御信号Sb2[i]は、第1制御信号Sb1[i]がローレ
ベルとなる書込期間TWRTのうち第2期間T2においてローレベルとなり、それ以外の期間
(駆動期間TELおよび第1期間T1)においてハイレベルとなる。
Next, FIG. 8 is a timing chart showing waveforms of the first control signals Sb1 [1] to Sb1 [m] and the second control signals Sb2 [1] to Sb2 [m] in the present embodiment. As shown in the figure, in the i-th horizontal scanning period (1H) in each vertical scanning period (1V), the compensation of the threshold voltage Vth of the driving transistor Qdr and the data voltage in each pixel circuit 401 in the i-th row are performed. Vdata
Is used as a writing period TWRT in which the data acquisition is performed, and during the other periods, each pixel circuit 4
OLED device 420 of 01 is used as a driving period T EL to emit light. First control signal Sb1
[1] to Sb1 [m] are signals that sequentially become low level for each writing period TWRT in which each row is selected. That is, the first control signal Sb1 [i] is at a low level in the writing period T WRT in which the i-th row is selected, and is at a high level in other periods (the driving period T EL corresponding to the i-th row). . The writing period T WRT is divided into a first period T 1 for compensating for the threshold voltage Vth of the driving transistor Qdr and a second period T 2 for capturing the data voltage Vdata in the pixel circuit 401. As shown in FIG. 8, the second control signal Sb2 [i], the first control signal Sb1 [i] is in the second period T 2 of the writing time T WRT to the low level to the low level, otherwise During this period (driving period T EL and first period T 1 ).

次に、本実施形態における画素回路401の動作を書込期間TWRTの第1期間T1および
第2期間T2と駆動期間TELとに区分して説明する。なお、以下では第i行に属する第j
列目の画素回路401に特に着目して動作を説明するが、他の画素回路401の動作も同
様である。
Next, the operation of the pixel circuit 401 in this embodiment will be described by dividing it into a first period T 1 and a second period T 2 of the writing period T WRT and a driving period TEL . In the following, the j-th belonging to the i-th row
The operation will be described with particular attention paid to the pixel circuit 401 in the column, but the operations of the other pixel circuits 401 are the same.

(a) 第1期間T1(書込期間TWRT
第1期間T1においては、第1制御信号Sb1[i]がローレベルに遷移するとともに第2制
御信号Sb2[i]がハイレベルを維持するから、図9に示されるように、第1トランジスタ
Qb1と第2トランジスタQb2と第3トランジスタQb3とがオン状態に遷移するとともに、
発光制御トランジスタQelがオフ状態となる。したがって、第1期間T1においては、駆
動トランジスタQdrのゲート電極と第1容量素子C1との接続点NGの電圧VGは、電源電
圧Vddと駆動トランジスタQdrの閾値電圧Vthとの差分値(VG=Vdd−Vth)に収束す
る。一方、第1期間T1においてデータ線103には所定の電圧(以下「基準電圧」とい
う)Vrefが印加される。この基準電圧Vrefは、オン状態にある第3トランジスタQb3を
介して第1容量素子C1の第2電極L1bに印加される。基準電圧Vrefは、例えば接地電圧
Vssである。
(a) First period T 1 (writing period T WRT )
In the first period T 1 , the first control signal Sb1 [i] transitions to a low level and the second control signal Sb2 [i] maintains a high level. Therefore, as shown in FIG. 9, the first transistor Qb1, the second transistor Qb2, and the third transistor Qb3 are turned on,
The light emission control transistor Qel is turned off. Thus, in the first period T 1, the voltage V G at the connection point N G between the gate electrode and the first capacitor element C1 of the driving transistor Qdr difference value between the power supply voltage Vdd and the threshold voltage Vth of the driving transistor Qdr ( V G = Vdd−Vth). On the other hand, a predetermined voltage (hereinafter referred to as “reference voltage”) Vref is applied to the data line 103 in the first period T 1 . This reference voltage Vref is applied to the second electrode L1b of the first capacitive element C1 through the third transistor Qb3 in the on state. The reference voltage Vref is, for example, the ground voltage Vss.

(b) 第2期間T2(書込期間TWRT
第2期間T2においては、第1制御信号Sb1[i]および第2制御信号Sb2[i]の双方がロ
ーレベルを維持するから、図10に示されるように、第1トランジスタQb1および発光制
御トランジスタQelはともにオフ状態となる。したがって、電源線31と駆動トランジス
タQdrとが電気的に絶縁されるとともに、電源線31からOLED素子420を経由して
接地線32に至る電流の経路が遮断される。このような状態にある画素回路401には電
源線31から電流が流れ込まないから、この電源線31における電圧降下は発生しない。
したがって、電源線31と接続点NGとの間に介挿された第2容量素子C2の第2電極L2b
に対して所期の電圧を高い精度で印加することが可能となる。すなわち、本実施形態にお
いても第1実施形態と同様の作用および効果が奏される。
(b) Second period T 2 (writing period T WRT )
In the second period T 2, because both the first control signal Sb1 [i] and second control signal Sb2 [i] is maintained at the low level, as shown in FIG. 10, the first transistor Qb1 and the emission control Both transistors Qel are turned off. Therefore, the power supply line 31 and the drive transistor Qdr are electrically insulated, and the current path from the power supply line 31 to the ground line 32 via the OLED element 420 is interrupted. Since no current flows from the power supply line 31 to the pixel circuit 401 in such a state, a voltage drop in the power supply line 31 does not occur.
Therefore, the second electrode L2b of the second capacitive element C2 interposed between the power supply line 31 and the connection point NG.
However, it is possible to apply a desired voltage with high accuracy. That is, in this embodiment, the same operation and effect as the first embodiment are exhibited.

また、第2制御信号Sb2[i]がローレベルとなる第2期間T2においては、第i行目の画
素回路401の階調に応じたデータ電圧Vdataがデータ線103に印加される。図10に
示されるように、このとき第3トランジスタQb3はローレベルの第1制御信号Sb1[i]に
よってオン状態となっているから、データ電圧Vdataは第3トランジスタQb3を介して第
1容量素子C1の第2電極L1bに印加される。すなわち、第2電極L1bの電圧は、第1期
間T1にて設定された基準電圧Vrefからデータ電圧Vdataに変化する。こうして第2電極
L1bの電圧がΔV(ΔV=Vref−Vdata)だけ変化すると、第1容量素子C1と第2容量
素子C2との容量カップリングによって、駆動トランジスタQdrのゲート電極の電圧VG
、第2電極L1bにおける電圧の変化分ΔVを第1容量素子C1の静電容量Caと第2容量素
子C2との静電容量Cbとの比率に応じて分割したレベルだけその直前の電圧(Vdd−Vth
)から変化する。接続点NGにおける電圧VGの変化分は「ΔV・Ca/(Ca+Cb)」と
表現されるから、第2期間T2において接続点NGの電圧VGは以下の式(3)で表現されるレ
ベルに安定する。
G=Vdd−Vth−ΔV・Ca/(Ca+Cb) ……(3)
以上に説明したように本実施形態においては、データ電圧Vdataの取り込みに先立って
第2電極L1bの電圧が所定の基準電圧Vrefに設定されるから、第2期間T2において駆動
トランジスタQdrのゲート電極の電圧VGをデータ電圧Vdataに応じたレベルに正確に設
定することができる。
In the second period T 2 in which the second control signal Sb2 [i] is at a low level, the data voltage Vdata corresponding to the gray level of the pixel circuit 401 in the i-th row is applied to the data line 103. As shown in FIG. 10, at this time, since the third transistor Qb3 is turned on by the low-level first control signal Sb1 [i], the data voltage Vdata is supplied to the first capacitive element via the third transistor Qb3. Applied to the second electrode L1b of C1. That is, the voltage of the second electrode L1b is changed to the data voltage Vdata from the reference voltage Vref set by the first period T 1. When the voltage of the second electrode L1b changes by ΔV (ΔV = Vref−Vdata) in this way, the voltage V G of the gate electrode of the driving transistor Qdr is due to the capacitive coupling between the first capacitive element C1 and the second capacitive element C2. The voltage change ΔV at the second electrode L1b is divided by the level (Vdd−) just before the level divided according to the ratio between the capacitance Ca of the first capacitance element C1 and the capacitance Cb of the second capacitance element C2. Vth
). Since the change in the voltage VG at the connection point NG is expressed as “ΔV · Ca / (Ca + Cb)”, the voltage VG at the connection point NG is at a level expressed by the following expression (3) in the second period T 2 . Stabilize.
V G = Vdd−Vth−ΔV · Ca / (Ca + Cb) (3)
In the present embodiment as described above, since the voltage of the second electrode L1b prior to incorporation of the data voltage Vdata is set to a predetermined reference voltage Vref, the gate electrode of the driving transistor Qdr in the second period T 2 it is possible to accurately set the voltage V G to the level corresponding to the data voltage Vdata.

(b) 駆動期間TEL
駆動期間TELにおいては、第1制御信号Sb1[i]および第2制御信号Sb2[i]の双方がハ
イレベルとなる。したがって、図11に示されるように、第2トランジスタQb2および第
3トランジスタQb3はオフ状態となる。一方、第1トランジスタQb1および発光制御トラ
ンジスタQelはともにオン状態となるから、電源線31から駆動トランジスタQdrおよび
OLED素子420を経由して接地線32に至る経路が形成される。書込期間TWRTにお
ける接続点NGの電圧VGは第2トランジスタQb2や第3トランジスタQb3がオフ状態とな
った駆動期間TELにおいても維持されるから、OLED素子420には、駆動トランジス
タQdrのゲート-ソース間の電圧に応じた駆動電流Ielが供給される。
(b) Driving period T EL
In the drive period T EL, both the first control signal Sb1 [i] and second control signal Sb2 [i] becomes the high level. Therefore, as shown in FIG. 11, the second transistor Qb2 and the third transistor Qb3 are turned off. On the other hand, since the first transistor Qb1 and the light emission control transistor Qel are both turned on, a path from the power line 31 to the ground line 32 via the drive transistor Qdr and the OLED element 420 is formed. Since the voltage V G at the connection point N G in the writing period T WRT is maintained even in the driving period T EL of the second transistor Qb2 and third transistor Qb3 is turned off, the OLED element 420 is a driving transistor Qdr A drive current Iel corresponding to the voltage between the gate and the source is supplied.

駆動期間TELにおいて駆動トランジスタQdrのソース電極を基準としたときのゲート電
極の電圧は「−(VG−Vdd)」であるから、駆動電流Ielは以下の式(4)によって表現さ
れる。
Iel=(1/2)β(Vdd−VG−Vth)2 ……(4)
この式(4)に式(3)を代入して変形すると以下の式(5)が導出される。
Iel=(1/2)β(k・ΔV)2 ……(5)
ただし、kは「Ca/(Ca+Cb)」である。この式(5)に示されるように、OLED素
子420に供給される駆動電流Ielは、データ電圧Vdataと電源電圧Vddとの差分ΔV(
=Vdd−Vdata)のみによって決定され、駆動トランジスタQdrの閾値電圧Vthには依存
しない。すなわち、本実施形態においても、各画素回路401における駆動トランジスタ
Qdrの閾値電圧Vthのバラツキを補償して、OLED素子420を高い精度で所期の輝度
に発光させることができる。
Since the voltage of the gate electrode when the source electrode of the drive transistor Qdr is used as a reference in the drive period T EL is “− (V G −Vdd)”, the drive current Iel is expressed by the following equation (4).
Iel = (1/2) β (Vdd -V G -Vth) 2 ...... (4)
By substituting equation (3) into equation (4) and transforming, equation (5) below is derived.
Iel = (1/2) β (k · ΔV) 2 …… (5)
However, k is “Ca / (Ca + Cb)”. As shown in this equation (5), the drive current Iel supplied to the OLED element 420 is a difference ΔV () between the data voltage Vdata and the power supply voltage Vdd.
= Vdd-Vdata), and does not depend on the threshold voltage Vth of the driving transistor Qdr. That is, also in the present embodiment, it is possible to compensate for the variation in the threshold voltage Vth of the drive transistor Qdr in each pixel circuit 401 and cause the OLED element 420 to emit light with a desired brightness with high accuracy.

なお、以上の態様においては書込期間TWRTと駆動期間TELとが時間軸上において連続
する構成を例示したが、書込期間TWRTにおける電源線31の電圧降下を確実に防止する
ために、書込期間TWRTと駆動期間TELとの間に休止期間TOFFを介挿してもよい。この休
止期間TOFFは、画素回路401に対するデータ電圧Vdataの取り込みもOLED素子4
20に対する駆動電流Ielの供給も実施されない期間である。例えば、この態様における
第2制御信号Sb2[i]は、図12に示されるように、書込期間TWRTの第2期間T2とその
直後の休止期間TOFFの双方においてローレベルを維持し、休止期間TOFFの終点から次の
第2期間T2の始点までの期間においてハイレベルを維持する。したがって、休止期間TO
FFにおいては、ハイレベルの第1制御信号Sb1[i]によって第2トランジスタQb2および
第3トランジスタQb3がオフ状態を維持する(すなわち第1容量素子C1の第2電極L1b
がフローティング状態となる)から画素回路401に対するデータ電圧Vdataの取り込み
は停止し、さらに、ローレベルの第2制御信号Sb2[i]によって第1トランジスタQb1が
オフ状態を維持するから(すなわち電源線31から接地線32への経路は遮断されるから
)電源線31における電圧降下は発生しない。図8に示したように書込期間TWRTと駆動
期間TELとが連続する構成においては、第1制御信号Sb1[i]や第2制御信号Sb2[i]の遅
延や波形の歪みなどに起因して書込期間TWRTと駆動期間TELとが相互に重なり合う場合
(すなわち画素回路401に対するデータの取り込みとOLED素子420に対する駆動
電流Ielの供給とが同時に実行される場合)も生じ得るが、図12に示される態様によれ
ば、画素回路401にデータ電圧Vdataの取り込んでいる最中にOLED素子420に駆
動電流Ielが供給されるといった事態を確実に防止することができる。
Incidentally, in the above embodiments is a drive period T EL and writing time T WRT has exemplified a configuration in which continuous on the time axis, in order to reliably prevent the voltage drop of the power supply line 31 in the writing period T WRT it may be inserted through the rest period T OFF between a driving period T EL and writing time T WRT. During the pause period T OFF , the data voltage Vdata is taken into the pixel circuit 401 and the OLED element 4
This is a period in which the supply of the drive current Iel to 20 is not performed. For example, as shown in FIG. 12, the second control signal Sb2 [i] in this aspect maintains a low level in both the second period T 2 of the writing period T WRT and the immediate rest period T OFF. The high level is maintained in the period from the end point of the pause period T OFF to the start point of the next second period T 2 . Therefore, the rest period T O
In FF , the second transistor Qb2 and the third transistor Qb3 are kept off by the high-level first control signal Sb1 [i] (that is, the second electrode L1b of the first capacitor C1).
Since the input of the data voltage Vdata to the pixel circuit 401 is stopped since the pixel circuit 401 is in a floating state, the first transistor Qb1 is maintained off by the low-level second control signal Sb2 [i] (that is, the power line 31). The voltage drop in the power line 31 does not occur. In the configuration the writing period T WRT and drive period T EL is continuous as shown in FIG. 8, such distortion of the first control signal Sb1 [i] and the second control signal Sb2 [i] of the delay and waveform Although due to the writing period T WRT and drive period T EL may overlap each other (when the supply of the driving current Iel on the uptake and OLED device 420 of the data relative to other words the pixel circuit 401 is performed at the same time) may also occur According to the embodiment shown in FIG. 12, it is possible to reliably prevent the drive current Iel from being supplied to the OLED element 420 while the data voltage Vdata is being taken into the pixel circuit 401.

<C:第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について説明する。なお、本実施形態のうち第1実施形態
および第2実施形態と同様の要素については共通の符号を付してその説明を適宜に省略す
る。
<C: Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, the same elements as those in the first embodiment and the second embodiment are denoted by common reference numerals, and the description thereof is omitted as appropriate.

図13は、本実施形態における画素回路の構成を示す回路図である。同図に示されるよ
うに、この画素回路402は、図7に示した画素回路401の第1トランジスタQb1が省
略された構成となっている。すなわち、駆動トランジスタQdrのソース電極は電源線31
に対して直接に接続される。また、駆動トランジスタQdrとOLED素子420との間に
介挿された発光制御トランジスタQelのゲート電極は第3制御線13に接続される。した
がって、発光制御トランジスタQelは、第3制御線13に供給される第3制御信号Sc3[i
]がハイレベルであればオン状態となりローレベルであればオフ状態となる。
FIG. 13 is a circuit diagram showing the configuration of the pixel circuit in the present embodiment. As shown in the figure, the pixel circuit 402 has a configuration in which the first transistor Qb1 of the pixel circuit 401 shown in FIG. 7 is omitted. That is, the source electrode of the drive transistor Qdr is the power supply line 31.
Connected directly to. The gate electrode of the light emission control transistor Qel inserted between the drive transistor Qdr and the OLED element 420 is connected to the third control line 13. Accordingly, the light emission control transistor Qel is supplied with the third control signal Sc3 [i supplied to the third control line 13.
] Is on when it is high and off when it is low.

また、本実施形態の画素回路402は、図7に示した画素回路401の第2トランジス
タQb2および第3トランジスタQb3の代わりに、nチャネル型の第2トランジスタQc2お
よび第3トランジスタQc3を具備する。第2トランジスタQc2のゲート電極は第2制御信
号Sc2[i]が供給される第2制御線12に接続され、第3トランジスタQc3のゲート電極
は第1制御信号Sc1[i]が供給される第1制御線11に接続される。
Further, the pixel circuit 402 of the present embodiment includes an n-channel second transistor Qc2 and a third transistor Qc3 instead of the second transistor Qb2 and the third transistor Qb3 of the pixel circuit 401 shown in FIG. The gate electrode of the second transistor Qc2 is connected to the second control line 12 supplied with the second control signal Sc2 [i], and the gate electrode of the third transistor Qc3 is supplied with the first control signal Sc1 [i]. 1 is connected to the control line 11.

図14は、画素回路402に供給される各信号の波形を示すタイミングチャートである
。同図に示されるように、第1制御信号Sc1[1]ないしSc1[m]は水平走査期間(1H)ご
とに順番にハイレベルとなる。第1制御信号Sc1[i]がハイレベルを維持する書込期間TW
RT(水平走査期間)は第1期間T1とこれに続く第2期間T2とに区分される。第2制御信
号Sc2[i]は、書込期間TWRTの始点よりも所定の時間長だけ手前の時点から第1期間T1
の終点までの期間にてハイレベルとなり、それ以外の期間においてローレベルとなる信号
である。第1期間T1および第2期間T2における動作は第2実施形態と同様である。すな
わち、第1期間T1においては、ハイレベルの第1制御信号Sc1[i]によってオン状態とな
った第3トランジスタQc3を介してデータ線103から第1容量素子C1の第2電極Lb1
に基準電圧Vrefが印加されるとともに、ハイレベルの第2制御信号Sc2[i]によって第2
トランジスタQc2がオン状態となることによって駆動トランジスタQdrのゲート電極の電
圧VGが「Vdd−Vth」に収束する。そして、第2期間T2においては、第2トランジスタ
Qc2がオフ状態とされたうえでデータ電圧Vdataが第1容量素子C1の第2電極L1bに印
加されることによって、駆動トランジスタQdrの電圧VGがデータ電圧Vdataに応じて式(
4)のレベルまで降下する。
FIG. 14 is a timing chart showing waveforms of signals supplied to the pixel circuit 402. As shown in the figure, the first control signals Sc1 [1] to Sc1 [m] are sequentially set to the high level every horizontal scanning period (1H). Write period T W in which the first control signal Sc1 [i] is maintained at a high level
RT (horizontal scanning period) is divided into a first period T 1 and a subsequent second period T 2 . The second control signal Sc2 [i] is transmitted from the time point a predetermined time before the start point of the writing period T WRT to the first period T 1.
It is a signal that becomes high level during the period until the end point of, and becomes low level during other periods. The operations in the first period T 1 and the second period T 2 are the same as in the second embodiment. That is, in the first period T 1, the second electrode from the high level first control signal Sc1 [i] via the third transistor Qc3 which turned on by the data line 103 first capacitive element C1 Lb1
Is applied with the reference voltage Vref and the second control signal Sc2 [i] at the high level
When the transistor Qc2 is turned on, the voltage V G of the gate electrode of the driving transistor Qdr converges to “Vdd−Vth”. Then, in the second period T 2, since the second transistor Qc2 is the data voltage Vdata after having been turned off is applied to the second electrode L1b of the first capacitive element C1, the voltage V G of the driving transistor Qdr Depending on the data voltage Vdata
Descent to level 4).

一方、第3制御信号Sc3[1]ないしSc3[m]は、書込期間TWRTにおいて画素回路402
に取り込まれたデータ電圧Vdataに応じてOLED素子420を実際に発光させる駆動期
間TELを規定する信号である。すなわち、この第3制御信号Sc3[i]がハイレベルに遷移
すると発光制御トランジスタQelがオン状態となって電源線31からOLED素子420
に至る経路が形成され、この経路を介して駆動トランジスタQdrのゲート電極の電圧VG
に応じた駆動電流IelがOLED素子420に供給される。この駆動電流Ielの電流量は
式(6)で説明した通りである。
On the other hand, to the third control signal Sc3 [1] no Sc3 [m], a pixel circuit in the writing period T WRT 402
This is a signal that defines a drive period T EL for actually causing the OLED element 420 to emit light in accordance with the data voltage Vdata taken in by. That is, when the third control signal Sc3 [i] transits to a high level, the light emission control transistor Qel is turned on and the power supply line 31 to the OLED element 420 is turned on.
Is formed, and the voltage V G of the gate electrode of the driving transistor Qdr is formed through this path.
The drive current Iel according to the above is supplied to the OLED element 420. The amount of the drive current Iel is as described in the equation (6).

本実施形態における第3制御信号Sc3[i]は、第1制御信号Sc1[i]がローレベルに立ち
下がってから(すなわち書込期間TWRTの終点から)休止期間TOFFが経過した時点にてハ
イレベルに立ち上がる。すなわち、本実施形態においては、図12に示した構成と同様に
、書込期間TWRTと駆動期間TELとの間には休止期間TOFFが介挿される。この休止期間T
OFFは、画素回路402に対するデータ電圧Vdataの取り込みもOLED素子420に対
する駆動電流Ielの供給も実行されない期間である。すなわち、この休止期間TOFFにお
いては、第1制御信号Sc1[i]・第2制御信号Sc2[i]および第3制御信号Sc3[i]の何れ
もがローレベルとなる。したがって、休止期間TOFFにおいては、発光制御トランジスタ
Qel・第2トランジスタQc2および第3トランジスタQc3の何れもがオフ状態となる。こ
のように書込期間TWRTと駆動期間TELとの間に休止期間TOFFを介挿させた構成によれば
、画素回路402に対するデータの取り込んでいる最中にOLED素子420に駆動電流
Ielが供給されるといった事態を確実に防止することができる。したがって、書込期間に
おける電源線31の電圧降下を抑制して所期のデータ電圧Vdataを高い精度で画素回路4
02に書き込むことが可能となる。
The third control signal Sc3 [i] in the present embodiment is the time when the pause period T OFF has elapsed after the first control signal Sc1 [i] falls to the low level (that is, from the end point of the writing period TWRT ). Stand up to a high level. That is, in this embodiment, as in the configuration shown in FIG. 12, pause period T OFF between the driving period T EL and writing time T WRT is interposed. This suspension period T
OFF is a period during which the data voltage Vdata is not taken into the pixel circuit 402 and the drive current Iel is not supplied to the OLED element 420. In other words, during the suspension period T OFF , all of the first control signal Sc1 [i], the second control signal Sc2 [i], and the third control signal Sc3 [i] are at a low level. Therefore, in the idle period T OFF , all of the light emission control transistor Qel, the second transistor Qc2, and the third transistor Qc3 are in the off state. According to the configuration in which inserted a pause period T OFF between a driving period T EL and writing time T WRT, the drive current Iel to the OLED element 420 in the middle of capturing the data for the pixel circuits 402 Can be reliably prevented. Therefore, the voltage drop of the power supply line 31 in the writing period is suppressed, and the expected data voltage Vdata is obtained with high accuracy in the pixel circuit 4.
02 can be written.

<D:応用例>
次に、本発明に係る電気光学装置1を利用した電子機器について説明する。図15は、
各実施形態に係る電気光学装置1を表示装置として採用したモバイル型のパーソナルコン
ピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置とし
ての電気光学装置1と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2
001およびキーボード2002が設けられている。この電気光学装置1はOLED素子
420に有機EL材料を使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
<D: Application example>
Next, an electronic apparatus using the electro-optical device 1 according to the present invention will be described. FIG.
1 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile personal computer that employs an electro-optical device 1 according to each embodiment as a display device. The personal computer 2000 includes the electro-optical device 1 as a display device and a main body 2010. The main body 2010 includes a power switch 2.
001 and a keyboard 2002 are provided. Since the electro-optical device 1 uses an organic EL material for the OLED element 420, it is possible to display an easy-to-see screen with a wide viewing angle.

図16に、実施形態に係る電気光学装置1を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電
話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに
表示装置としての電気光学装置1を備える。スクロールボタン3002を操作することに
よって、電気光学装置1に表示される画面がスクロールされる。
FIG. 16 shows a configuration of a mobile phone to which the electro-optical device 1 according to the embodiment is applied. A cellular phone 3000 includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and the electro-optical device 1 as a display device. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the electro-optical device 1 is scrolled.

図17に、実施形態に係る電気光学装置1を適用した携帯情報端末(PDA:Personal
Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン40
01および電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての電気光学装置1を備える。
電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気
光学装置1に表示される。
FIG. 17 shows a personal digital assistant (PDA: Personal) to which the electro-optical device 1 according to the embodiment is applied.
Digital Assistants). The information portable terminal 4000 includes a plurality of operation buttons 40.
01, a power switch 4002, and the electro-optical device 1 as a display device.
When the power switch 4002 is operated, various types of information such as an address book and a schedule book are displayed on the electro-optical device 1.

なお、本発明に係る電気光学装置1が適用される電子機器としては、図15から図17
に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーショ
ン装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーシ
ョン、テレビ電話、POS端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチ
パネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る電気光学装置の用途は画像
の表示に限定されない。例えば、光書込み型のプリンタや電子複写機といった画像形成装
置においては、用紙などの記録材に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する書込み
ヘッドが使用されるが、この種の書込みヘッドとしても本発明の電気光学装置は利用され
る。本発明にいう電子回路とは、各実施形態のように表示装置の画素を構成する画素回路
のほか、画像形成装置における露光の単位となる回路をも含む概念である。
Note that examples of electronic apparatuses to which the electro-optical device 1 according to the invention is applied include FIGS. 15 to 17.
In addition to those shown above, digital still cameras, televisions, video cameras, car navigation devices, pagers, electronic notebooks, electronic papers, calculators, word processors, workstations, video phones, POS terminals, printers, scanners, copiers, video players, Examples include a device equipped with a touch panel. The use of the electro-optical device according to the invention is not limited to image display. For example, in an image forming apparatus such as an optical writing type printer or an electronic copying machine, a writing head that exposes a photosensitive member according to an image to be formed on a recording material such as paper is used. However, the electro-optical device of the present invention is used. The electronic circuit referred to in the present invention is a concept including not only a pixel circuit constituting a pixel of a display device as in each embodiment but also a circuit that is a unit of exposure in the image forming apparatus.

本発明の第1実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to a first embodiment of the invention. FIG. 各画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of each pixel circuit. 画素回路に供給される信号の波形を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the waveform of the signal supplied to a pixel circuit. 第1期間における画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the pixel circuit in a 1st period. 第2期間における画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the pixel circuit in a 2nd period. 駆動期間における画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram showing a configuration of a pixel circuit in a driving period. 第2実施形態に係る画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the pixel circuit which concerns on 2nd Embodiment. 画素回路に供給される信号の波形を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the waveform of the signal supplied to a pixel circuit. 第1期間における画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the pixel circuit in a 1st period. 第2期間における画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the pixel circuit in a 2nd period. 駆動期間における画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram showing a configuration of a pixel circuit in a driving period. 他の態様に係る信号の波形を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the waveform of the signal concerning other modes. 第3実施形態に係る画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the pixel circuit which concerns on 3rd Embodiment. 画素回路に供給される信号の波形を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the waveform of the signal supplied to a pixel circuit. 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific form of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific form of the electronic device which concerns on this invention. 本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific form of the electronic device which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1……電気光学装置、A……画素領域、100……走査線駆動回路、200……データ線
駆動回路、300……制御回路、400,401,402……画素回路、500……電源
回路、31……電源線、32……接地線、10……走査線、11……第1制御線、12…
…第2制御線、13……第3制御線、103……データ線、420……OLED素子、Q
dr……駆動トランジスタ、Qel……発光制御トランジスタ、Qa1,Qb1……第1トランジ
スタ、Qa2,Qb2,Qc2……第2トランジスタ、Qa3,Qb3,Qc3……第3トランジスタ
、Qa4……第4トランジスタ、TWRT……書込期間、TEL……駆動期間、TOFF……休止期
間、Sa1[1]〜Sa1[m],Sb1[1]〜Sb1[m],Sc1[1]〜Sc1[m]……第1制御信号、Sa2[1
]〜Sa2[m],Sb2[1]〜Sb2[m],Sc2[1]〜Sc2[m]……第2制御信号、Sc3[1]〜Sc3[m]
……第3制御信号、Iel……駆動電流。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electro-optical device, A ... Pixel area | region, 100 ... Scan line drive circuit, 200 ... Data line drive circuit, 300 ... Control circuit, 400, 401, 402 ... Pixel circuit, 500 ... Power supply circuit , 31 ... power line, 32 ... ground line, 10 ... scan line, 11 ... first control line, 12 ...
... second control line, 13 ... third control line, 103 ... data line, 420 ... OLED element, Q
dr …… Drive transistor, Qel …… Light emission control transistor, Qa1, Qb1 …… First transistor, Qa2, Qb2, Qc2 …… Second transistor, Qa3, Qb3, Qc3 …… Third transistor, Qa4 …… Fourth transistor , TWRT ... writing period, TEL ... driving period, TOFF ... pause period, Sa1 [1] to Sa1 [m], Sb1 [1] to Sb1 [m], Sc1 [1] to Sc1 [m] ... ... First control signal, Sa2 [1
] To Sa2 [m], Sb2 [1] to Sb2 [m], Sc2 [1] to Sc2 [m] ... the second control signal, Sc3 [1] to Sc3 [m]
…… Third control signal, Iel …… Drive current.

Claims (2)

互いに交差する走査線及びデータ線と、
前記データ線と交差する電源線と、
前記走査線とデータ線との交差に対応して設けられた画素とを備え、
前記画素は、
駆動電流に応じて発光する発光素子と、
前記電源線と前記発光素子との間に接続された前記駆動電流を制御する駆動トランジスタと、
第1電極及び第2電極を備え、前記第1電極が前記駆動トランジスタのゲートに接続された第1容量と、
第3電極及び第4電極を備え、前記第3電極が前記駆動トランジスタのゲートに接続されるとともに、前記第4電極が前記電源線に接続された第2容量と、
前記駆動トランジスタと前記電源線との間に接続された第1トランジスタと、
前記駆動トランジスタのゲートと、前記駆動トランジスタと前記発光素子との間にあるノードとの間に接続された第2トランジスタと、
前記第1容量の第2電極と前記データ線との間に接続された第3トランジスタと、
前記ノードと前記発光素子との間に接続された第4トランジスタと、を備え、
第1期間において、前記第1、第2及び第3トランジスタがオン状態となり、前記第4トランジスタがオフ状態となり、前記データ線に基準電圧が供給され、
第2期間において、前記第2トランジスタ及び第3トランジスタがオン状態となり、前記第1トランジスタ及び前記第4トランジスタがオフ状態となり、前記データ線に前記発光素子が発光すべき階調に応じたデータ電圧が供給され、
第3期間において、前記第2トランジスタ及び第3トランジスタがオフ状態となり、前記第1トランジスタ及び前記第4トランジスタがオン状態となることで、前記発光素子が発光することを特徴とする電気光学装置。
Scanning and data lines intersecting each other;
A power line intersecting the data line;
A pixel provided corresponding to the intersection of the scanning line and the data line,
The pixel is
A light emitting element that emits light according to a drive current;
A drive transistor for controlling the drive current connected between the power line and the light emitting element;
A first capacitor comprising a first electrode and a second electrode, wherein the first electrode is connected to a gate of the driving transistor;
A second capacitor having a third electrode and a fourth electrode, wherein the third electrode is connected to a gate of the driving transistor, and the fourth electrode is connected to the power supply line;
A first transistor connected between the drive transistor and the power line;
A second transistor connected between the gate of the driving transistor and a node between the driving transistor and the light emitting element;
A third transistor connected between the second electrode of the first capacitor and the data line;
A fourth transistor connected between the node and the light emitting element ,
In the first period, the first, second, and third transistors are turned on, the fourth transistor is turned off, and a reference voltage is supplied to the data line.
In the second period, the second transistor and the third transistor are turned on, the first transistor and the fourth transistor are turned off, and the data voltage corresponding to the gray level that the light emitting element should emit on the data line Is supplied,
In the third period, the light emitting element emits light when the second transistor and the third transistor are turned off and the first transistor and the fourth transistor are turned on.
請求項1に記載の電気光学装置を有する電子機器。   An electronic apparatus having the electro-optical device according to claim 1.
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