JP5373215B1 - System, manufacturing condition determination device and manufacturing management device - Google Patents

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Abstract

【課題】光半導体装置に適合する被覆シートを、光半導体装置の製造工場において簡易かつ確実に製造することのできるシステム、製造条件決定装置および製造管理装置を提供すること。
【解決手段】システム1は、製造条件決定装置2と、シート製造管理装置3とを備え、製造条件決定装置2は、光半導体素子13および光半導体装置20に関連する第1情報15を格納する第1メモリ6と、ワニス11に関連する第2情報16を格納する第2メモリ7と、第1メモリ6に格納される第1情報15、および、第2メモリ7に格納される第2情報16に基づいて製造条件を決定する第1CPU8とを備え、シート製造管理装置3は、第1CPU8によって決定される製造条件に関連する第3情報17を格納する第3メモリ23と、第3メモリ23に格納される第3情報7に基づいて、シート製造工程S2の製造条件を管理する第2CPU25とを備える。
【選択図】図1
To provide a system, a manufacturing condition determining device, and a manufacturing management device capable of easily and reliably manufacturing a covering sheet suitable for an optical semiconductor device in an optical semiconductor device manufacturing factory.
A system includes a manufacturing condition determining device and a sheet manufacturing management device, and the manufacturing condition determining device stores first information relating to an optical semiconductor element and an optical semiconductor device. First memory 6, second memory 7 storing second information 16 related to varnish 11, first information 15 stored in first memory 6, and second information stored in second memory 7 The sheet manufacturing management apparatus 3 includes a third memory 23 for storing third information 17 related to the manufacturing conditions determined by the first CPU 8, and a third memory 23. And a second CPU 25 for managing the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 based on the third information 7 stored in the table.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、システム、製造条件決定装置および製造管理装置、詳しくは、光半導体装置の製造方法における製造条件を決定および管理するシステム、製造条件決定装置および製造管理装置に関する。   The present invention relates to a system, a manufacturing condition determining device, and a manufacturing management device, and more particularly to a system, a manufacturing condition determining device, and a manufacturing management device that determine and manage manufacturing conditions in an optical semiconductor device manufacturing method.

近年、光半導体装置の製造方法として、粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造し、そのワニスからBステージの封止シートなどの被覆シートを製造し、その被覆シートによって、光半導体素子を被覆する方法が検討されている。   In recent years, as a method for manufacturing an optical semiconductor device, a varnish containing particles and a curable resin is manufactured, a covering sheet such as a B-stage sealing sheet is manufactured from the varnish, and the optical semiconductor element is covered with the covering sheet. A method is being considered.

例えば、Bステージの熱硬化性樹脂からなる蛍光体層により、基板に実装される発光ダイオードを被覆し、その後、蛍光体層をCステージ化し、これによって、LED装置を製造する方法が提案されている(例えば、下記特許文献1参照。)。   For example, there is proposed a method for manufacturing an LED device by covering a light emitting diode mounted on a substrate with a phosphor layer made of a thermosetting resin of a B stage and then converting the phosphor layer into a C stage. (For example, refer to Patent Document 1 below.)

特開2009−060031号公報JP 2009-060031 A

しかるに、蛍光体層を含む封止シートは、封止シート製造工場で製造されており、そこで製造された封止シートを、LED装置製造工場に出荷している。なお、封止シート製造工場では、LED装置製造工場から、発光ダイオードおよびLED装置に関連する情報が提供され、その情報およびワニスに関連する情報に基づき、目的とするLED装置に適合する封止シートの製造条件を決定する。   However, the sealing sheet including the phosphor layer is manufactured at a sealing sheet manufacturing factory, and the sealing sheet manufactured there is shipped to the LED device manufacturing factory. In addition, in the sealing sheet manufacturing factory, the information related to the light emitting diode and the LED device is provided from the LED device manufacturing factory, and based on the information and the information related to the varnish, the sealing sheet suitable for the target LED device Determine manufacturing conditions.

しかしながら、LED装置製造工場において、半導体素子および/または光半導体装置に変動がある場合には、封止シート製造工場において、それらの変動に対応して、封止シートを再製造したり、さらには、再製造した異なる種類の封止シートを、LED装置製造工場に搬送する必要がある。そのため、手間や時間がかかるという不具合がある。   However, when there is a change in the semiconductor element and / or the optical semiconductor device in the LED device manufacturing factory, the sealing sheet is remanufactured in response to those changes in the sealing sheet manufacturing factory, It is necessary to transport the different types of remanufactured sealing sheets to the LED device manufacturing factory. Therefore, there is a problem that it takes time and effort.

一方、LED装置製造工場内に、封止シート製造工場を設けて、上記した手間や時間を省略することも試案される。   On the other hand, it is also tentative to provide a sealing sheet manufacturing factory in the LED device manufacturing factory and omit the above-described labor and time.

しかしながら、LED装置製造工場は、ワニスに関連する情報が十分でなく、封止シートの製造条件を適確に決定できないという不具合がある。   However, the LED device manufacturing factory has a problem that information relating to the varnish is not sufficient and the manufacturing conditions of the sealing sheet cannot be determined accurately.

本発明の目的は、光半導体装置に適合する被覆シートを、光半導体装置の製造工場において簡易かつ確実に製造することのできるシステム、製造条件決定装置および製造管理装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a system, a manufacturing condition determination device, and a manufacturing management device that can easily and surely manufacture a covering sheet suitable for an optical semiconductor device in an optical semiconductor device manufacturing factory.

上記目的を達成するために、本発明のシステムは、粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからBステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を決定および管理するシステムであって、前記システムは、製造条件決定装置と、製造管理装置とを備え、前記製造条件決定装置は、前記光半導体素子および前記光半導体装置に関連する第1情報を格納する第1情報格納領域と、前記ワニスに関連する第2情報を格納する第2情報格納領域と、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備え、前記製造管理装置は、前記決定手段によって決定される前記製造条件に関連する第3情報を格納する第3情報格納領域と、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を管理する管理手段とを備えることを特徴としている。   In order to achieve the above object, the system of the present invention comprises a varnish production process for producing a varnish containing particles and a curable resin, a sheet production process for producing a B-stage coated sheet from the varnish, and the coated sheet. A system for determining and managing manufacturing conditions of the sheet manufacturing process in an optical semiconductor device manufacturing method including a coating process for coating an optical semiconductor element, the system including a manufacturing condition determining apparatus and a manufacturing management apparatus The manufacturing condition determining apparatus includes a first information storage area for storing first information related to the optical semiconductor element and the optical semiconductor device, and a second information storage area for storing second information related to the varnish. Based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area. Determining means for determining manufacturing conditions, wherein the manufacturing management device stores a third information storage area for storing third information related to the manufacturing conditions determined by the determining means, and a third information storage area. Management means for managing the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process based on the stored third information.

このシステムでは、製造条件決定装置が、第1情報格納領域と、第2情報格納領域と、決定手段とを備える一方、製造管理装置が、第3情報格納領域と、管理手段とを備える。   In this system, the manufacturing condition determination apparatus includes a first information storage area, a second information storage area, and a determination unit, while the manufacturing management apparatus includes a third information storage area and a management unit.

そして、製造条件決定装置が、第1情報および第2情報のそれぞれを、第1情報格納領域および第2情報格納領域のそれぞれに格納しており、決定手段によって、シート製造工程の製造条件を決定し、これを、製造管理装置に提供することができる。   The manufacturing condition determination device stores the first information and the second information in the first information storage area and the second information storage area, respectively, and the determination means determines the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process. This can be provided to the manufacturing management device.

そして、製造管理装置では、製造条件決定装置から提供された製造条件に関連する第3情報を、第3情報格納領域に格納して、かかる第3情報に基づいて、管理手段によって、シート製造工程の製造条件を管理する。   In the manufacturing management apparatus, the third information related to the manufacturing conditions provided from the manufacturing condition determining apparatus is stored in the third information storage area, and the sheet manufacturing process is performed by the management means based on the third information. Manage manufacturing conditions.

そのため、シート製造工程の製造条件を、製造管理装置とは、別途、製造条件決定装置において決定することができるとともに、製造管理装置が、管理することができる。   Therefore, the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process can be determined by the manufacturing condition determination apparatus separately from the manufacturing management apparatus, and can be managed by the manufacturing management apparatus.

また、製造条件決定装置から提供されるシート製造工程の製造条件に関連する第3情報は、第1情報および第2情報に基づいている。そのため、製造管理装置は、製造条件決定装置から提供される第3情報に基づいて、管理手段によって、シート製造工程の製造条件を精度よく管理することができる。その結果、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。   Moreover, the 3rd information relevant to the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process provided from a manufacturing condition determination apparatus is based on 1st information and 2nd information. Therefore, the production management device can accurately manage the production conditions of the sheet production process by the management unit based on the third information provided from the production condition determination device. As a result, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.

また、本発明のシステムは、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに決定および管理し、前記決定手段は、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定し、前記管理手段は、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することが好適である。   The system of the present invention further determines and manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process, and the determining means includes the first information stored in the first information storage area and the second information storage area. The manufacturing condition of the varnish manufacturing process is further determined based on the second information stored in the varnish, and the management means determines the varnish based on the third information stored in the third information storage area. It is preferable to further manage the manufacturing conditions of the manufacturing process.

このシステムでは、決定手段が、第1情報格納領域に格納される第1情報、および、第2情報格納領域に格納される第2情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに決定し、管理手段が、第3情報格納領域に格納される第3情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに管理する。そのため、目的とする光半導体装置に適合する被覆シートを高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。   In this system, the determining means further determines manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area, The management means further manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area. Therefore, a covering sheet suitable for the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy, and further, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.

また、本発明のシステムでは、第1情報は、光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むことが好適である。   In the system of the present invention, it is preferable that the first information includes information related to a substrate on which the optical semiconductor element is mounted.

このシステムによれば、第1情報は、光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むので、製造条件決定装置が、光半導体素子が実装される基板に関連する情報も、上記した各情報と併せて備えることができる。   According to this system, since the first information includes information related to the substrate on which the optical semiconductor element is mounted, the manufacturing condition determining apparatus also includes information related to the substrate on which the optical semiconductor element is mounted. It can be provided with information.

そのため、第1情報に基づいて決定された製造条件に関連する精度の高い第3情報に基づいて、製造管理装置は、シート製造工程の製造条件をより一層精度よく管理することができる。   Therefore, based on the highly accurate third information related to the manufacturing conditions determined based on the first information, the manufacturing management apparatus can manage the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process with higher accuracy.

また、本発明のシステムでは、前記製造管理装置は、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報を格納する第4情報格納領域と、前記第4情報格納領域に格納される前記第4情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を修正する修正手段とを備えることが好適である。   In the system of the present invention, the manufacturing management device includes at least one lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element, and / or a manufacturing amount of the optical semiconductor device per unit period. It is preferable that the apparatus includes a fourth information storage area that stores four information, and a correction unit that corrects the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process based on the fourth information stored in the fourth information storage area. is there.

粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子のロット情報は、ロット毎に、変動する。また、単位期間当たりの光半導体装置の製造量は、単位期間毎に、変動する。そのため、ロットおよび/または単位期間毎に、製造される光半導体装置の物性が変動する場合がある。そのような場合には、製造条件決定装置が、毎回、第4情報に基づいて、製造条件を決定するのは煩雑である。   Lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element varies from lot to lot. In addition, the manufacturing amount of the optical semiconductor device per unit period varies for each unit period. Therefore, the physical properties of the manufactured optical semiconductor device may vary from lot to lot and / or unit period. In such a case, it is complicated for the manufacturing condition determination device to determine the manufacturing conditions based on the fourth information every time.

しかし、このシステムでは、製造管理装置において、修正手段によって、第4情報格納領域に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報に基づいて、シート製造工程の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および/または光半導体装置の製造量の変動に容易に対応して、シート製造工程の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。   However, in this system, in the production management apparatus, at least one lot information of particles, curable resin, varnish and optical semiconductor element stored in the fourth information storage area by the correcting means, and / or the unit period The manufacturing conditions of the sheet manufacturing process can be corrected based on the fourth information including the manufacturing amount of the hit optical semiconductor device. Therefore, the target optical semiconductor device can be accurately manufactured by correcting the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process in response to fluctuations in the lot information and / or the manufacturing amount of the optical semiconductor device.

また、本発明のシステムでは、前記製造条件決定装置は、前記被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を格納する第5情報格納領域を備え、前記第5情報格納領域に格納される前記第5情報に基づいて、前記被覆シートを今回製造するための製造条件を決定することが好適である。   In the system of the present invention, the manufacturing condition determining device includes a fifth information storage area for storing fifth information related to manufacturing conditions for manufacturing the cover sheet before this time, and the fifth information storage area includes the fifth information storage area. It is preferable to determine manufacturing conditions for manufacturing the covering sheet this time based on the stored fifth information.

このシステムによれば、製造条件決定装置が、被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置に適合する被覆シートを今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を精度よく今回製造することができる。   According to this system, the manufacturing condition determination device can accumulate the fifth information related to the manufacturing conditions for manufacturing the covering sheet before this time. Therefore, based on the manufacturing conditions accumulated in the past, a covering sheet suitable for the target optical semiconductor device can be manufactured this time, and further, the target optical semiconductor device can be manufactured accurately this time.

本発明の製造条件決定装置は、粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからBステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を決定するための製造条件決定装置であって、前記光半導体素子に関連する第1情報を格納する第1情報格納領域と、前記ワニスに関連する第2情報を格納する第2情報格納領域と、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備えることを特徴としている。   The production condition determining apparatus of the present invention includes a varnish production process for producing a varnish containing particles and a curable resin, a sheet production process for producing a B-stage covering sheet from the varnish, and an optical semiconductor element covered with the covering sheet. A manufacturing condition determining device for determining manufacturing conditions of the sheet manufacturing process in an optical semiconductor device manufacturing method including a covering process to perform, a first information storage area for storing first information related to the optical semiconductor element A second information storage area for storing second information related to the varnish, the first information stored in the first information storage area, and the second information stored in the second information storage area And determining means for determining the manufacturing conditions based on information.

この製造条件決定装置は、第1情報格納領域と、第2情報格納領域と、決定手段とを備える。   The manufacturing condition determining apparatus includes a first information storage area, a second information storage area, and a determination unit.

そのため、この製造条件決定装置によれば、第1情報および第2情報のそれぞれを、第1情報格納領域および第2情報格納領域のそれぞれに格納して、決定手段によって、シート製造工程の製造条件を決定することができる。   Therefore, according to this manufacturing condition determining apparatus, the first information and the second information are stored in the first information storage area and the second information storage area, respectively, and the manufacturing condition of the sheet manufacturing process is determined by the determining means. Can be determined.

その結果、かかるシート製造工程の製造条件に基づけば、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。   As a result, based on the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.

また、本発明の製造条件決定装置は、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに決定し、前記決定手段は、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定することが好適である。   Further, the manufacturing condition determining apparatus of the present invention further determines manufacturing conditions of the varnish manufacturing process, and the determining means stores the first information stored in the first information storage area and the second information storing. It is preferable that the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process are further determined based on the second information stored in the region.

この製造条件決定装置では、決定手段が、第1情報格納領域に格納される第1情報、および、第2情報格納領域に格納される第2情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに決定する。そのため、目的とする光半導体装置に適合する被覆シートを高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。   In the manufacturing condition determining apparatus, the determining means further determines the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area. decide. Therefore, a covering sheet suitable for the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy, and further, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.

また、本発明の製造条件決定装置では、前記第1情報は、前記光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むことが好適である。   In the manufacturing condition determining apparatus of the present invention, it is preferable that the first information includes information related to a substrate on which the optical semiconductor element is mounted.

この製造条件決定装置によれば、第1情報は、光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むので、製造条件決定装置が、光半導体素子が実装される基板に関連する情報も、上記した各情報と併せて備えることができる。   According to this manufacturing condition determining apparatus, since the first information includes information related to the substrate on which the optical semiconductor element is mounted, the manufacturing condition determining apparatus also includes information related to the substrate on which the optical semiconductor element is mounted. It can be provided together with each of the information described above.

そのため、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。   Therefore, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.

また、本発明の製造条件決定装置は、前記被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を格納する第5情報格納領域を備え、前記第5情報格納領域に格納される前記第5情報に基づいて、前記被覆シートを今回製造するための製造条件を決定することが好適である。   Moreover, the manufacturing condition determination apparatus of the present invention includes a fifth information storage area for storing fifth information related to the manufacturing conditions for manufacturing the covering sheet before this time, and is stored in the fifth information storage area. It is preferable to determine manufacturing conditions for manufacturing the covering sheet this time based on the fifth information.

この製造条件決定装置によれば、被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置に適合する被覆シートを今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を精度よく今回製造することができる。   According to this manufacturing condition determination device, it is possible to accumulate the fifth information related to the manufacturing conditions for manufacturing the covering sheet before this time. Therefore, based on the manufacturing conditions accumulated in the past, a covering sheet suitable for the target optical semiconductor device can be manufactured this time, and further, the target optical semiconductor device can be manufactured accurately this time.

本発明の製造管理装置は、粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからBステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を管理するための製造管理装置であって、前記製造条件に関連する第3情報を格納する第3情報格納領域と、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を管理する管理手段とを備えることを特徴としている。   The production management device of the present invention is a varnish production process for producing a varnish containing particles and a curable resin, a sheet production process for producing a B-stage covering sheet from the varnish, and an optical semiconductor element covered with the covering sheet. A manufacturing management apparatus for managing manufacturing conditions of the sheet manufacturing process in an optical semiconductor device manufacturing method including a coating process, wherein the third information storage area stores third information related to the manufacturing conditions; Management means for managing the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area.

この製造管理装置によれば、シート製造工程の製造条件に関連する第3情報を、第3情報格納領域に格納して、かかる第3情報に基づいて、管理手段によって、シート製造工程の製造条件を精度よく管理することができる。   According to this manufacturing management apparatus, the third information related to the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process is stored in the third information storage area, and based on the third information, the manufacturing means of the sheet manufacturing process is performed by the management means. Can be managed accurately.

そのため、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。   Therefore, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.

また、本発明の製造管理装置は、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに管理し、前記管理手段は、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することが好適である。   The production management device of the present invention further manages the production conditions of the varnish production process, and the management means performs the varnish production process based on the third information stored in the third information storage area. It is preferable to further manage the manufacturing conditions.

この製造管理装置によれば、管理手段が、第3情報格納領域に格納される第3情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに管理するので、目的とする光半導体装置に適合する被覆シートを高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。   According to this manufacturing management apparatus, since the management means further manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area, the covering suitable for the target optical semiconductor device The sheet can be manufactured with high accuracy, and the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.

また、本発明の製造管理装置は、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報を格納する第4情報格納領域と、前記第4情報格納領域に格納される前記第4情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を修正する修正手段とを備えることが好適である。   The production management device of the present invention stores at least one kind of lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element, and / or fourth information including the production amount of the optical semiconductor device per unit period. Preferably, the information processing apparatus includes a fourth information storage area to be corrected, and a correction unit that corrects the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process based on the fourth information stored in the fourth information storage area.

粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子のロット情報は、ロット毎に、変動する。また、単位期間当たりの光半導体装置の製造量は、単位期間毎に、変動する。そのため、ロットおよび/または単位期間毎に、製造される光半導体装置の物性が変動する場合がある。そのような場合には、製造条件決定装置が、毎回、第4情報に基づいて、製造条件を決定するのは煩雑である。   Lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element varies from lot to lot. In addition, the manufacturing amount of the optical semiconductor device per unit period varies for each unit period. Therefore, the physical properties of the manufactured optical semiconductor device may vary from lot to lot and / or unit period. In such a case, it is complicated for the manufacturing condition determination device to determine the manufacturing conditions based on the fourth information every time.

しかし、この製造管理装置では、修正手段によって、第4情報格納領域に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報に基づいて、シート製造工程の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および/または光半導体装置の製造量の変動に容易に対応して、シート製造工程の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。   However, in this production management apparatus, the correction means stores at least one lot information of particles, curable resin, varnish and optical semiconductor element and / or light per unit period stored in the fourth information storage area. Based on the fourth information including the manufacturing amount of the semiconductor device, the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process can be corrected. Therefore, the target optical semiconductor device can be accurately manufactured by correcting the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process in response to fluctuations in the lot information and / or the manufacturing amount of the optical semiconductor device.

本発明の製造条件決定装置および製造管理装置を備える、本発明のシステムによれば、製造管理装置とは、別途、製造条件決定装置において決定することができるとともに、製造管理装置が、管理することができる。また、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。   According to the system of the present invention including the manufacturing condition determining device and the manufacturing management device of the present invention, the manufacturing management device can be determined separately from the manufacturing management device and managed by the manufacturing management device. Can do. Moreover, the target optical semiconductor device can be manufactured with high accuracy.

図1は、本発明のシステムの一実施形態の概略構成図を示す。FIG. 1 shows a schematic block diagram of an embodiment of the system of the present invention. 図2は、図1に示される封止シートの拡大断面図であり、図2Aは、蛍光体層のみからなる封止シート、図2Bは、蛍光体の濃度が異なる複数の蛍光体層を備える封止シート、図2Cは、下方に向かって開放される凹部を有する樹脂層と、凹部に充填される蛍光体層とを備える封止シート、図2Dは、断面略台形状の蛍光体層と、その周囲に形成される樹脂層とを備える封止シート、図2Eは、断面略矩形状の蛍光体層と、その周囲に形成される樹脂層とを備える封止シートを示す。2 is an enlarged cross-sectional view of the sealing sheet shown in FIG. 1, FIG. 2A is a sealing sheet composed only of a phosphor layer, and FIG. 2B is provided with a plurality of phosphor layers having different phosphor concentrations. 2C shows a sealing sheet comprising a resin layer having a recess opened downward and a phosphor layer filled in the recess, and FIG. 2D shows a phosphor layer having a substantially trapezoidal cross section. FIG. 2E shows a sealing sheet provided with a phosphor layer having a substantially rectangular cross section and a resin layer formed therearound. 図3は、図1に示される封止シートの拡大断面図であり、図3Fは、樹脂層と、樹脂層の上側に形成される蛍光体層とを備える封止シート図3Gは、樹脂層と、樹脂層の上側に形成される蛍光体層と、樹脂層の下側において、光半導体素子が形成される部分を囲むように形成される機能層とを備える封止シートを示す。3 is an enlarged cross-sectional view of the sealing sheet shown in FIG. 1. FIG. 3F is a sealing sheet including a resin layer and a phosphor layer formed on the upper side of the resin layer. FIG. 3G is a resin layer. And a phosphor sheet formed on the upper side of the resin layer and a functional layer formed on the lower side of the resin layer so as to surround a portion where the optical semiconductor element is formed. 図1の変形例のシステムの概略構成図を示す。The schematic block diagram of the system of the modification of FIG. 1 is shown. 図5は、図2Aの封止シートの変形例の拡大断面図であり、図5Aは、被覆シートを、光半導体素子を被覆する封止層の上側に対向配置する状態、図5Bは、被覆シートを、封止層の上面に積層する状態を示す。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a modified example of the sealing sheet of FIG. 2A, FIG. 5A is a state in which the covering sheet is disposed opposite to the upper side of the sealing layer that covers the optical semiconductor element, and FIG. The state which laminates | stacks a sheet | seat on the upper surface of a sealing layer is shown.

[システムの構成]
本発明の一実施形態であるシステム1は、封止シート製造工場の制御部門5と、その封止シート製造工場とは別途設けられる光半導体装置製造工場4とに設けられるシステムである。システム1は、粒子および硬化性樹脂を含むワニス11を製造するワニス製造工程S1、ワニス11からBステージの被覆シートとしての封止シート12を製造するシート製造工程S2、および、封止シート12によって光半導体素子13を封止する封止工程S3(被覆工程の一例)を備える光半導体装置20の製造方法におけるワニス製造工程S1およびシート製造工程S2の製造条件を決定および管理する。システム1は、製造条件決定装置2と、製造管理装置としてのシート製造管理装置3とを備える。
[System configuration]
A system 1 according to an embodiment of the present invention is a system provided in a control department 5 of a sealing sheet manufacturing factory and an optical semiconductor device manufacturing factory 4 provided separately from the sealing sheet manufacturing factory. The system 1 includes a varnish production process S1 for producing a varnish 11 including particles and a curable resin, a sheet production process S2 for producing a sealing sheet 12 as a B-stage covering sheet from the varnish 11, and a sealing sheet 12. The manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S1 and the sheet manufacturing process S2 in the manufacturing method of the optical semiconductor device 20 including the sealing process S3 (an example of the covering process) for sealing the optical semiconductor element 13 are determined and managed. The system 1 includes a manufacturing condition determination device 2 and a sheet manufacturing management device 3 as a manufacturing management device.

制御部門5は、例えば、光半導体装置製造工場4のシート製造装置34(後述)で製造する封止シート12と同様の封止シート12を製造可能な封止シート製造工場内に設けられている。   The control department 5 is provided in a sealing sheet manufacturing factory capable of manufacturing the same sealing sheet 12 as the sealing sheet 12 manufactured by the sheet manufacturing apparatus 34 (described later) of the optical semiconductor device manufacturing factory 4, for example. .

制御部門5は、製造条件決定装置2を備える。   The control department 5 includes a manufacturing condition determination device 2.

製造条件決定装置2は、第1情報格納領域としての第1メモリ6と、第2情報格納領域としての第2メモリ7と、決定手段としての第1CPU8と、第5情報格納領域としての第5メモリ10とを備える。   The manufacturing condition determination device 2 includes a first memory 6 as a first information storage area, a second memory 7 as a second information storage area, a first CPU 8 as a determination unit, and a fifth memory as a fifth information storage area. And a memory 10.

第1メモリ6は、光半導体素子13、光半導体素子13が実装される基板14、光半導体装置20に関連する第1情報15を格納する。   The first memory 6 stores first information 15 related to the optical semiconductor element 13, the substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted, and the optical semiconductor device 20.

第1情報15としては、具体的には、光半導体素子13に関連する情報として、例えば、光半導体素子13の形状、光半導体素子13の寸法、光半導体素子13の発光ピーク波長、基板14の単位面積当たりの光半導体素子13の実装数、1つの基板14当たりの光半導体素子13の実装数などが挙げられる。   Specifically, as the first information 15, for example, as information related to the optical semiconductor element 13, for example, the shape of the optical semiconductor element 13, the dimensions of the optical semiconductor element 13, the emission peak wavelength of the optical semiconductor element 13, the substrate 14 Examples include the number of optical semiconductor elements 13 mounted per unit area, the number of optical semiconductor elements 13 mounted per substrate 14, and the like.

また、第1情報15としては、具体的には、基板14に関連する情報として、例えば、基板14の外形形状、基板14の寸法、基板14の表面形状(凹部の有無など)などが挙げられる。   As the first information 15, specifically, information related to the substrate 14 includes, for example, the outer shape of the substrate 14, the dimensions of the substrate 14, the surface shape of the substrate 14 (such as the presence or absence of a recess), and the like. .

さらに、第1情報15としては、具体的には、光半導体装置20に関連する情報として、例えば、光半導体装置20の色温度、光半導体装置20の全光束、光半導体装置20の配光特性などが挙げられる。具体的には、目標となる色温度は、目標とする光の色が昼白色である場合には、例えば、4600K以上であり、また、例えば、5500K以下である。また、目標となる色温度は、目標とする光の色が温白色である場合には、例えば、3250K以上であり、また、例えば、3800K以下である。目標となる色温度は、上記温度範囲から選択される。   Further, as the first information 15, specifically, as information related to the optical semiconductor device 20, for example, the color temperature of the optical semiconductor device 20, the total luminous flux of the optical semiconductor device 20, the light distribution characteristics of the optical semiconductor device 20. Etc. Specifically, the target color temperature is, for example, 4600K or more and, for example, 5500K or less when the target light color is day white. In addition, when the target light color is warm white, the target color temperature is, for example, 3250K or more, and for example, 3800K or less. The target color temperature is selected from the above temperature range.

第1メモリ6は、光半導体装置製造工場4が有する第1情報源21から入力されるように構成されている。   The first memory 6 is configured to be input from a first information source 21 included in the optical semiconductor device manufacturing factory 4.

第2メモリ7は、ワニス11に関連する第2情報16を格納する。   The second memory 7 stores second information 16 related to the varnish 11.

第2情報16としては、具体的には、粒子に関連する情報として、例えば、粒子の種類、粒子の配合割合、粒子の最大長さの平均値(粒子が球形状である場合には、平均粒子径)などが挙げられる。なお、粒子が後述する蛍光体を含む場合には、粒子に関連する情報として、蛍光体の吸収ピーク波長も挙げられる。また、第2情報16としては、具体的には、硬化性樹脂に関連する情報として、例えば、硬化性樹脂の種類、硬化性樹脂の粘度、硬化性樹脂の配合割合、硬化性樹脂の硬化速度などが挙げられる。さらに、第2情報16としては、具体的には、ワニスに関連する情報として、例えば、ワニスの粘度が挙げられる。さらにまた、第2情報16として、離型シート28(後述)に位置決めマーク(図示せず)が設けられている場合には、塗布後の複数のワニス11の相対位置情報なども挙げられる。   Specifically, as the second information 16, for example, as information related to the particle, for example, the average value of the particle type, the mixing ratio of the particle, and the maximum length of the particle (in the case where the particle is spherical, the average value) Particle diameter). In addition, when particle | grains contain the fluorescent substance mentioned later, the absorption peak wavelength of fluorescent substance is also mentioned as information relevant to particle | grains. Further, as the second information 16, specifically, as information related to the curable resin, for example, the type of the curable resin, the viscosity of the curable resin, the blending ratio of the curable resin, the curing rate of the curable resin Etc. Furthermore, as the 2nd information 16, specifically, the viscosity of a varnish is mentioned as information relevant to a varnish, for example. Furthermore, when the positioning mark (not shown) is provided in the release sheet 28 (after-mentioned) as the 2nd information 16, the relative position information etc. of the several varnish 11 after application | coating are mentioned.

第2情報16は、封止シート製造工場の制御部門5が有する第2情報源22から入力されるように構成されている。   The 2nd information 16 is constituted so that it may be inputted from the 2nd information source 22 which control section 5 of a sealing sheet manufacturing factory has.

第1CPU8は、第1メモリ6に格納される第1情報15、および、第2メモリ7に格納される第2情報16に基づいて、封止シート12の製造条件を決定する決定装置である。   The first CPU 8 is a determination device that determines the manufacturing conditions of the sealing sheet 12 based on the first information 15 stored in the first memory 6 and the second information 16 stored in the second memory 7.

第1CPU8には、所定のプログラム処理が予め格納されており、第1CPU8は、プログラム処理に従って、封止シート12の製造条件を決定する。   The first CPU 8 stores predetermined program processing in advance, and the first CPU 8 determines the manufacturing conditions of the sealing sheet 12 according to the program processing.

封止シート12の製造条件としては、例えば、封止シート12の層構造の種類、ワニス11の塗布条件などが挙げられる。なお、封止シート12が後述するBステージである場合には、Aステージのワニス11をBステージ化する際のワニス11の加熱条件、活性エネルギー線の照射条件なども挙げられる。また、Bステージの封止シート12の圧縮弾性率も挙げられる。   As manufacturing conditions of the sealing sheet 12, the kind of layer structure of the sealing sheet 12, the application | coating conditions of the varnish 11, etc. are mentioned, for example. In addition, when the sealing sheet 12 is a B stage which will be described later, the heating condition of the varnish 11 when the A stage varnish 11 is changed to the B stage, the irradiation condition of the active energy ray, and the like are also exemplified. Moreover, the compression elastic modulus of the sealing sheet 12 of a B stage is also mentioned.

封止シート12は、図2および図3が参照されるように、例えば、蛍光体を含有する蛍光体層26を備える蛍光体含有封止シート、すなわち、蛍光体シートとして構成されている。封止シート12の層構造として、例えば、図2A〜図2Eに示すように、蛍光体層26が光半導体素子13(仮想線)に直接接触できる接触構造、また、例えば、図3Aおよび図3Bに示すように、蛍光体層26が光半導体素子13を被覆できる一方、蛍光体層26と光半導体素子13(仮想線)とに間隔が隔てられている離間構造などが挙げられる。   As shown in FIGS. 2 and 3, the sealing sheet 12 is configured as, for example, a phosphor-containing sealing sheet including a phosphor layer 26 containing a phosphor, that is, a phosphor sheet. As a layer structure of the sealing sheet 12, for example, as shown in FIGS. 2A to 2E, a contact structure in which the phosphor layer 26 can be in direct contact with the optical semiconductor element 13 (virtual line), or, for example, FIGS. 3A and 3B As shown in FIG. 4, there is a separated structure in which the phosphor layer 26 can cover the optical semiconductor element 13 while the phosphor layer 26 and the optical semiconductor element 13 (virtual line) are spaced apart.

図2および図3において、仮想線は、封止シート12に埋設される光半導体素子13を示す。   In FIG. 2 and FIG. 3, the phantom line indicates the optical semiconductor element 13 embedded in the sealing sheet 12.

接触構造の封止シート12としては、例えば、図2Aに示すように、蛍光体層26のみからなる封止シート12A、図2Bに示すように、蛍光体の濃度が異なり、厚み方向に積層される複数の蛍光体層26Aおよび26Bを備える封止シート12B、図2Cに示すように、下方に向かって開放される凹部を有する樹脂層27と、凹部に充填される蛍光体層26とを備える封止シート12C、図2Dおよび図2Eが参照されるように、平面視略円形状または平面視略矩形状の蛍光体層26と、その周囲に形成される樹脂層27とを備える封止シート12であって、図2Dに示すように、蛍光体層26が上側に向かうに従って幅広となる断面視略台形状に形成される封止シート12D、また、図2Eに示すように、蛍光体層26が断面視略矩形状に形成される封止シート12Eなどから選択される。   As the sealing sheet 12 having a contact structure, for example, as shown in FIG. 2A, a sealing sheet 12A composed of only the phosphor layer 26, and as shown in FIG. 2B, the phosphor concentrations are different and are laminated in the thickness direction. 2B, a sealing sheet 12B including a plurality of phosphor layers 26A and 26B, a resin layer 27 having a recess opened downward, and a phosphor layer 26 filled in the recess. As shown in the sealing sheet 12C, FIGS. 2D and 2E, the sealing sheet includes a phosphor layer 26 having a substantially circular shape in plan view or a substantially rectangular shape in plan view, and a resin layer 27 formed around the phosphor layer 26. 2D, and as shown in FIG. 2D, the sealing sheet 12D is formed in a substantially trapezoidal shape in cross section as the phosphor layer 26 becomes wider toward the upper side, and as shown in FIG. 2E, the phosphor layer 26 is substantially rectangular in sectional view It is selected such from sealing sheet 12E is formed.

また、離間構造の封止シート12としては、例えば、図3Fに示すように、樹脂層27と、樹脂層27の上側に形成される蛍光体層26とを備える封止シート12F、また、例えば、図3Gに示すように、樹脂層27と、樹脂層27の上側に形成される蛍光体層26と、樹脂層27の下側において、底面視において、光半導体素子13が形成される部分を囲むように形成される機能層29とを備える封止シート12Fなどから選択される。なお、図3Gにおいて、樹脂に、蛍光体などの波長変換機能や、白色顔料(具体的には、チタニアなど)などの光反射機能を備える機能材料を配合することにより、機能層29から選択される。   Moreover, as the sealing sheet 12 having a separation structure, for example, as shown in FIG. 3F, a sealing sheet 12F including a resin layer 27 and a phosphor layer 26 formed on the upper side of the resin layer 27, 3G, the resin layer 27, the phosphor layer 26 formed on the upper side of the resin layer 27, and the portion below the resin layer 27 where the optical semiconductor element 13 is formed in the bottom view. It is selected from a sealing sheet 12F provided with a functional layer 29 formed so as to surround it. In FIG. 3G, the resin is selected from the functional layer 29 by blending a resin with a functional material having a wavelength conversion function such as a phosphor or a light reflection function such as a white pigment (specifically, titania). The

具体的には、上記各種構造を有する封止シート12としては、公知の封止シートが挙げられ、具体的には、接触構造の封止シート12として、例えば、特開2010−067641号公報、特開2009−231750号公報、特開2009−188207号公報、特開2009−182149号公報、特開2009−099784号公報、特開2009−060031号公報などに記載の封止シート(蛍光体シート)から選択(決定)され、また、離間構造の封止シート12として、例えば、特開2011−258634号公報、特開2011−228525号公報、特開2011−159874号公報、特開2011−082340号公報、特開2010−192844号公報、特開2010−153500号公報、特開2010−123802号公報などに記載の封止シート(蛍光体シート)から選択(決定)される。   Specifically, as the sealing sheet 12 having the above-mentioned various structures, known sealing sheets can be mentioned. Specifically, as the sealing sheet 12 having a contact structure, for example, JP 2010-067641 A, Sealing sheets (phosphor sheets) described in JP2009-231750A, JP2009-188207A, JP2009-182149A, JP2009-099784A, JP2009-060031A, and the like. In addition, as the sealing sheet 12 having a separation structure, for example, JP 2011-258634 A, JP 2011-228525 A, JP 2011-159874 A, JP 2011-082340 A. JP, JP 2010-192844, JP 2010-153500, JP 2010-12. Is selected (determined) from the sealing sheet described in, 802 JP (phosphor sheet).

接触構造を有する蛍光体層26、蛍光体の濃度が異なる2つの蛍光体層26Aおよび蛍光体層26B、樹脂層27(凹部を含む)の寸法は、適宜選択され、上記した公開公報に記載される範囲から選択される。   The dimensions of the phosphor layer 26 having a contact structure, the two phosphor layers 26A and 26B having different phosphor concentrations, and the resin layer 27 (including the recesses) are appropriately selected and described in the above-mentioned publication. Selected from the range.

ワニス11の塗布条件としては、例えば、塗布直後のワニス11の形状、塗布直後のワニス11の厚みなどが挙げられる。なお、上記した形状には、ワニス11が互いに間隔を隔てられた形状を含む。   Examples of application conditions for the varnish 11 include the shape of the varnish 11 immediately after application, the thickness of the varnish 11 immediately after application, and the like. The above-described shape includes a shape in which the varnishes 11 are spaced apart from each other.

図1に示すように、第1CPU8は、第1メモリ6に格納される第1情報15と、第2メモリ7に格納される第2情報16とを、読み出し可能に構成されている。   As shown in FIG. 1, the first CPU 8 is configured to be able to read the first information 15 stored in the first memory 6 and the second information 16 stored in the second memory 7.

図1に示すように、第5メモリ10は、第1CPU8によって決定された封止シート12の製造条件を格納する領域である。   As shown in FIG. 1, the fifth memory 10 is an area for storing the manufacturing conditions of the sealing sheet 12 determined by the first CPU 8.

なお、第5メモリ10には、封止シート12を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報19を記録可能な記録領域(図示せず)が設けられている。なお、記録領域に記録されて蓄積される第5情報19は、今回の製造において第1CPU8によって読み出され、再度、第1CPU8によって、封止シート12の製造条件を決定するように、構成されている。   The fifth memory 10 is provided with a recording area (not shown) in which the fifth information 19 relating to the manufacturing conditions for manufacturing the sealing sheet 12 before this time can be recorded. Note that the fifth information 19 recorded and accumulated in the recording area is read by the first CPU 8 in this manufacturing, and is configured to determine the manufacturing conditions of the sealing sheet 12 again by the first CPU 8. Yes.

光半導体装置製造工場4は、シート製造装置34と、封止装置32とを備える。   The optical semiconductor device manufacturing factory 4 includes a sheet manufacturing device 34 and a sealing device 32.

シート製造装置34は、ワニス製造装置33と、シート化装置31と、シート製造管理装置3とを備える。   The sheet manufacturing apparatus 34 includes a varnish manufacturing apparatus 33, a sheet forming apparatus 31, and a sheet manufacturing management apparatus 3.

ワニス製造装置33は、例えば、攪拌機51を装備する容器52を備える。   The varnish production apparatus 33 includes, for example, a container 52 equipped with a stirrer 51.

シート化装置31は、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置53を備える。塗布装置53としては、好ましくは、ディスペンサが挙げられる。また、シート化装置31は、上下方向に互いに間隔を隔てて配置されるヒータ54を有するオーブン55を備えることもできる。   The sheet forming apparatus 31 includes a coating apparatus 53 such as a dispenser, an applicator, or a slit die coater. As the coating device 53, a dispenser is preferably used. Further, the sheet forming apparatus 31 may include an oven 55 having heaters 54 that are spaced apart from each other in the vertical direction.

シート製造管理装置3は、第3情報格納領域としての第3メモリ23と、第4情報格納領域としての第4メモリ24と、管理手段である修正手段としての第2CPU25とを備える。   The sheet manufacturing management apparatus 3 includes a third memory 23 as a third information storage area, a fourth memory 24 as a fourth information storage area, and a second CPU 25 as correction means as management means.

第3メモリ23は、第1CPU8によって決定される封止シート12の製造条件に関連する第3情報17を格納する。   The third memory 23 stores third information 17 related to the manufacturing conditions of the sealing sheet 12 determined by the first CPU 8.

第3情報17は、第1CPU8によって決定される封止シート12の製造条件を含む。   The third information 17 includes the manufacturing conditions of the sealing sheet 12 determined by the first CPU 8.

第3メモリ23は、第5メモリ10において決定される第3情報17が、第5メモリ10から入力されるように構成されている。   The third memory 23 is configured such that the third information 17 determined in the fifth memory 10 is input from the fifth memory 10.

第4メモリ24は、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子13の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置20の製造量を含む第4情報18を格納する。   The fourth memory 24 stores at least one kind of lot information of particles, curable resin, varnish and optical semiconductor element 13 and / or fourth information 18 including the production amount of the optical semiconductor device 20 per unit period. .

ロット情報は、ロットの変更に伴って変動する情報であって、具体的には、ロットによって異なる粒子の最大長さの平均値(粒子が球形状である場合には、平均粒子径)、などが挙げられ、また、ロットによって異なる硬化性樹脂の粘度などが挙げられる。なお、粒子が、蛍光体を含む場合には、蛍光体のロット情報として、ロットによって異なる蛍光体の吸収ピーク波長が挙げられる。さらに、ロットによって異なるワニスに関連する情報として、上記粒子および/または硬化性樹脂のロットが異なることに起因する、ワニスの粘度が挙げられる。   The lot information is information that fluctuates with the change of the lot, and specifically, the average value of the maximum length of particles that differ depending on the lot (the average particle diameter when the particles are spherical), etc. In addition, the viscosity of the curable resin, which varies depending on the lot, may be used. In addition, when particle | grains contain fluorescent substance, the absorption peak wavelength of the fluorescent substance which changes with lots is mentioned as lot information of fluorescent substance. Furthermore, information related to varnishes that vary from lot to lot includes the viscosity of the varnish resulting from different lots of the particles and / or curable resin.

単位期間当たりの光半導体装置20の製造量としては、1月間当たりの光半導体装置20の製造量として、例えば、1000個以上、好ましくは、5000個以上であり、また、例えば、200,000個以下の範囲から選択される。   The production amount of the optical semiconductor device 20 per unit period is, for example, 1000 or more, preferably 5000 or more, and for example, 200,000, as the production amount of the optical semiconductor device 20 per month. It is selected from the following ranges.

第4メモリ24は、光半導体装置製造工場4における第1情報源21、および、制御部門5における第2情報源22から、第4情報18が入力されるように構成されている。   The fourth memory 24 is configured to receive the fourth information 18 from the first information source 21 in the optical semiconductor device manufacturing factory 4 and the second information source 22 in the control department 5.

第4情報18のうち、第1情報源21から入力される第4情報18Bとしては、例えば、光半導体素子13のロット情報、単位期間当たりの光半導体装置20の製造量が挙げられ、また、第2情報源22から入力される第4情報18Aとしては、例えば、粒子のロット情報、硬化性樹脂のロット情報、ワニスのロット情報が挙げられる。   Among the fourth information 18, examples of the fourth information 18 </ b> B input from the first information source 21 include lot information of the optical semiconductor element 13 and the production amount of the optical semiconductor device 20 per unit period. Examples of the fourth information 18A input from the second information source 22 include particle lot information, curable resin lot information, and varnish lot information.

第2CPU25には、所定のプログラム処理が予め格納されており、第2CPU25は、第3メモリ23に格納される第3情報17に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件を管理する。また、第2CPU25は、第4メモリ24に格納される第4情報18に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件を修正することもできる。   Predetermined program processing is stored in advance in the second CPU 25, and the second CPU 25, based on the third information 17 stored in the third memory 23, and the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S1 and the sheet manufacturing process S2 Manage manufacturing conditions. The second CPU 25 can also correct the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S1 and the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 based on the fourth information 18 stored in the fourth memory 24.

第2CPU25は、第3メモリ23に格納される第3情報17、および、第4メモリ24に格納される第4情報18を、読み出し可能に構成されている。   The second CPU 25 is configured to be able to read the third information 17 stored in the third memory 23 and the fourth information 18 stored in the fourth memory 24.

第2CPU25は、ワニス製造装置33およびシート化装置31のそれぞれに、ワニス製造工程S1の製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件のそれぞれを管理可能かつ修正可能に構成されている。   The second CPU 25 is configured to be able to manage and modify each of the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S1 and the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 in each of the varnish manufacturing apparatus 33 and the sheet forming apparatus 31.

封止装置32は、プレス装置35と、封止制御装置36とを備える。   The sealing device 32 includes a press device 35 and a sealing control device 36.

プレス装置35は、例えば、上下方向に間隔を隔てて対向配置され、封止シート12および基板14を上下方向に押圧可能な2枚の平板41を有するプレス機などが選択される。   The press device 35 is, for example, a press machine that has two flat plates 41 that are opposed to each other with an interval in the vertical direction and can press the sealing sheet 12 and the substrate 14 in the vertical direction.

封止制御装置36は、封止工程S3の封止条件を制御できるように構成されている。なお、封止制御装置36には、図示しないメモリが設けられ、第1情報源21から封止工程S3の封止条件が入力され、そして、封止工程S3の封止条件を制御するように、構成されている。   The sealing control device 36 is configured to control the sealing conditions in the sealing step S3. The sealing control device 36 is provided with a memory (not shown) so that the sealing condition of the sealing step S3 is input from the first information source 21 and the sealing condition of the sealing step S3 is controlled. ,It is configured.

次に、このシステム1を利用して、光半導体装置製造工場4において光半導体装置20を製造する方法について、説明する。   Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 20 in the optical semiconductor device manufacturing factory 4 using the system 1 will be described.

1.製造条件決定工程
この方法では、まず、第1情報15を、第1情報源21から第1メモリ6に入力する。第1情報15を第1メモリ6へ入力するには、特に限定されず、例えば、第1情報源21と第1メモリ6とを接続するネットワークなどの回線を通じて、第1情報15を入力したり、あるいは、例えば、第1情報源21から、ファクス、メール、郵便などの通信手段を介した後、第1情報15を第2メモリ7に入力することもできる。
1. Manufacturing Condition Determination Step In this method, first information 15 is first input from the first information source 21 to the first memory 6. The input of the first information 15 to the first memory 6 is not particularly limited. For example, the first information 15 may be input through a line such as a network connecting the first information source 21 and the first memory 6. Alternatively, for example, the first information 15 can be input to the second memory 7 from the first information source 21 via communication means such as fax, mail, and mail.

別途、第2情報16を、第2情報源22から第2メモリ7に入力する。第2情報16を第2メモリ7に入力する方法は、第1情報15の第1メモリ6への入力方法と同様である。   Separately, the second information 16 is input from the second information source 22 to the second memory 7. The method for inputting the second information 16 to the second memory 7 is the same as the method for inputting the first information 15 to the first memory 6.

次に、第1CPU8が、第1メモリ6に格納される第1情報15と、第2メモリ7に格納される第2情報16とを読み出し、続いて、所定のプログラム処理に従い、これら第1情報15および第2情報16に基づいて、封止シート12の製造条件を第3情報17(次に詳述される)として決定する。   Next, the first CPU 8 reads out the first information 15 stored in the first memory 6 and the second information 16 stored in the second memory 7, and then, according to a predetermined program process, these first information Based on 15 and the second information 16, the manufacturing condition of the sealing sheet 12 is determined as the third information 17 (described in detail below).

2.製造管理工程
その後、第1CPU8によって決定された第3情報17は、第5メモリ10に記録され、続いて、第5メモリ10に記録された第3情報17は、第3メモリ23に入力される。
2. Manufacturing management process Thereafter, the third information 17 determined by the first CPU 8 is recorded in the fifth memory 10, and then the third information 17 recorded in the fifth memory 10 is input to the third memory 23. .

第3情報17を第3メモリ23に入力する方法は、第1情報15の第1メモリ6への入力方法と同様である。   The method for inputting the third information 17 to the third memory 23 is the same as the method for inputting the first information 15 to the first memory 6.

別途、第4情報18を、第1情報源21および第2情報源22から第4メモリ24に入力する。第4情報18を第4メモリ24に入力する方法は、第1情報15の第1メモリ6への入力方法と同様である。   Separately, the fourth information 18 is input from the first information source 21 and the second information source 22 to the fourth memory 24. The method for inputting the fourth information 18 to the fourth memory 24 is the same as the method for inputting the first information 15 to the first memory 6.

その後、第2CPU25が、第3メモリ23に格納される第3情報17を読み出し、続いて、所定のプログラム処理に従い、第3情報17に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件を管理する。   Thereafter, the second CPU 25 reads out the third information 17 stored in the third memory 23, and subsequently, according to a predetermined program process, based on the third information 17, the manufacturing conditions of the varnish manufacturing step S1, and the sheet manufacturing The manufacturing conditions in step S2 are managed.

そして、シート製造装置34では、第2CPU25によって管理される製造条件に基づいて、ワニス製造工程S1およびシート製造工程S2を順次実施する。   And in the sheet manufacturing apparatus 34, based on the manufacturing conditions managed by 2nd CPU25, varnish manufacturing process S1 and sheet manufacturing process S2 are implemented sequentially.

3.ワニス製造工程S1
ワニス製造装置33では、まず、ワニス製造工程S1を、第2CPU25によって管理される製造条件に従って、実施する。
3. Varnish manufacturing process S1
In the varnish manufacturing apparatus 33, first, the varnish manufacturing process S1 is performed according to the manufacturing conditions managed by the second CPU 25.

具体的には、ワニス製造工程S1では、まず、粒子および硬化性樹脂のそれぞれを用意し、これらを混合して、ワニス11を粒子含有硬化性樹脂組成物として調製する。   Specifically, in varnish manufacturing process S1, first, each of particle | grains and curable resin is prepared, these are mixed, and varnish 11 is prepared as a particle | grain containing curable resin composition.

粒子としては、例えば、蛍光体、充填剤などから選択される。   The particles are selected from, for example, phosphors and fillers.

蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などから選択される。   The phosphor has a wavelength conversion function, and is selected from, for example, a yellow phosphor capable of converting blue light into yellow light, a red phosphor capable of converting blue light into red light, and the like.

黄色蛍光体としては、例えば、(Ba,Sr,Ca)SiO;Eu、(Sr,Ba)SiO:Eu(バリウムオルソシリケート(BOS))などのシリケート蛍光体、例えば、YAl12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)、TbAl12:Ce(TAG(テルビウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ca−α−SiAlONなどの酸窒化物蛍光体などから選択される。 Examples of the yellow phosphor include silicate phosphors such as (Ba, Sr, Ca) 2 SiO 4 ; Eu, (Sr, Ba) 2 SiO 4 : Eu (barium orthosilicate (BOS)), for example, Y 3 Al Garnet-type phosphors having a garnet-type crystal structure such as 5 O 12 : Ce (YAG (yttrium, aluminum, garnet): Ce), Tb 3 Al 3 O 12 : Ce (TAG (terbium, aluminum, garnet): Ce) For example, it is selected from oxynitride phosphors such as Ca-α-SiAlON.

赤色蛍光体としては、例えば、CaAlSiN:Eu、CaSiN:Euなどの窒化物蛍光体などから選択される。 The red phosphor is selected from nitride phosphors such as CaAlSiN 3 : Eu and CaSiN 2 : Eu, for example.

蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などから選択される。   The shape of the phosphor is selected from, for example, a spherical shape, a plate shape, and a needle shape.

蛍光体の最大長さの平均値(球状である場合には、平均粒子径)は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下の範囲から選択される。   The average value of the maximum length of the phosphor (in the case of a sphere, the average particle diameter) is, for example, 0.1 μm or more, preferably 1 μm or more, and for example, 200 μm or less, preferably 100 μm or less. Is selected from the range.

蛍光体の吸収ピーク波長は、例えば、300nm以上、好ましくは、430nm以上であり、また、例えば、550nm以下、好ましくは、470nm以下の範囲から選択される。   The absorption peak wavelength of the phosphor is, for example, 300 nm or more, preferably 430 nm or more, and is selected, for example, from a range of 550 nm or less, preferably 470 nm or less.

蛍光体は、単独使用または併用するように、選択される。   The phosphors are selected to be used alone or in combination.

蛍光体の配合割合は、硬化性樹脂100質量部に対して、例えば、0.1質量部以上、好ましくは、0.5質量部以上であり、例えば、80質量部以下、好ましくは、50質量部以下の範囲から選択される。   The blending ratio of the phosphor is, for example, 0.1 parts by mass or more, preferably 0.5 parts by mass or more, for example, 80 parts by mass or less, preferably 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the curable resin. Selected from the following range.

充填剤としては、例えば、シリコーン粒子(具体的には、シリコーンゴム粒子を含む)などの有機微粒子、例えば、シリカ(例えば、煙霧シリカなど)、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子から選択される。また、充填剤の最大長さの平均値(球状である場合には、平均粒子径)は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下の範囲から選択される。充填剤は、単独使用または併用するように、選択される。充填剤の配合割合は、硬化性樹脂100質量部に対して、例えば、0.1質量部以上、好ましくは、0.5質量部以上であり、また、例えば、70質量部以下、好ましくは、50質量部以下の範囲から選択される。   Examples of the filler include organic fine particles such as silicone particles (specifically, including silicone rubber particles), inorganic fine particles such as silica (for example, fumed silica), talc, alumina, aluminum nitride, and silicon nitride. Selected from. Further, the average value of the maximum length of the filler (in the case of a spherical shape, the average particle diameter) is, for example, 0.1 μm or more, preferably 1 μm or more, and, for example, 200 μm or less, preferably It is selected from the range of 100 μm or less. The filler is selected to be used alone or in combination. The blending ratio of the filler is, for example, 0.1 parts by mass or more, preferably 0.5 parts by mass or more, for example, 70 parts by mass or less, preferably 100 parts by mass of the curable resin. It is selected from the range of 50 parts by mass or less.

硬化性樹脂としては、例えば、2段階の反応機構を有しており、1段階目の反応でBステージ化(半硬化)し、2段階目の反応でCステージ化(完全硬化)する2段階硬化型樹脂から選択される。   As the curable resin, for example, it has a two-stage reaction mechanism, and is a two-stage that is B-staged (semi-cured) by the first-stage reaction and C-staged (completely cured) by the second-stage reaction. It is selected from curable resins.

2段階硬化型樹脂としては、例えば、加熱により硬化する2段階硬化型熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線(例えば、紫外線、電子線など)の照射により硬化する2段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂などから選択される。好ましくは、2段階硬化型熱硬化性樹脂が選択される。   As the two-stage curable resin, for example, a two-stage curable thermosetting resin that is cured by heating, for example, two-stage curable active energy beam curing that is cured by irradiation with active energy rays (for example, ultraviolet rays, electron beams, etc.). Selected from functional resins. Preferably, a two-stage curable thermosetting resin is selected.

具体的には、2段階硬化型熱硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などから選択される。好ましくは、透光性および耐久性の観点から、2段階硬化型シリコーン樹脂から選択される。   Specifically, the two-stage curable thermosetting resin is selected from, for example, silicone resin, epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, and the like. Preferably, it is selected from two-stage curable silicone resins from the viewpoints of translucency and durability.

2段階硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応と付加反応との2つの反応系を有する縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などから選択される。   The two-stage curable silicone resin is selected from, for example, a condensation reaction / addition reaction curable silicone resin having two reaction systems of a condensation reaction and an addition reaction.

このような縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、シラノール両末端ポリシロキサン、アルケニル基含有トリアルコキシシラン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第1の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、シラノール基両末端ポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第2の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、両末端シラノール型シリコーンオイル、アルケニル基含有ジアルコキシアルキルシラン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第3の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、1分子中に少なくとも2個のアルケニルシリル基を有するオルガノポリシロキサン、1分子中に少なくとも2個のヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒および硬化遅延剤を含有する第4の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、少なくとも2つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも2つのヒドロシリル基とを1分子中に併有する第1オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも2つのヒドロシリル基を1分子中に有する第2オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒およびヒドロシリル化抑制剤を含有する第5の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、少なくとも2つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも2つのシラノール基とを1分子中に併有する第1オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも2つのヒドロシリル基を1分子中に有する第2オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化抑制剤、および、ヒドロシリル化触媒を含有する第6の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、ケイ素化合物、および、ホウ素化合物またはアルミニウム化合物を含有する第7の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、ポリアルミノシロキサンおよびシランカップリング剤を含有する第8の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などから選択される。   Examples of such a condensation reaction / addition reaction curable silicone resin include a first condensation reaction containing a silanol-terminated polysiloxane, an alkenyl group-containing trialkoxysilane, an organohydrogenpolysiloxane, a condensation catalyst, and a hydrosilylation catalyst.・ Addition reaction curable silicone resins such as silanol group-terminated polysiloxane, ethylenically unsaturated hydrocarbon group-containing silicon compound, ethylenically unsaturated hydrocarbon group-containing silicon compound, organohydrogenpolysiloxane, condensation catalyst and hydrosilylation Second condensation reaction / addition reaction curable silicone resin containing a catalyst, such as silanol type silicone oil at both ends, dialkoxyalkylsilane containing alkenyl group, organohydrogenpolysiloxane, condensation catalyst and hydroxy Third condensation reaction / addition reaction curable silicone resin containing a silylation catalyst, for example, an organopolysiloxane having at least two alkenylsilyl groups in one molecule, and at least two hydrosilyl groups in one molecule Fourth condensation reaction / addition reaction curing type silicone resin containing organopolysiloxane, hydrosilylation catalyst and curing retarder, for example, at least two ethylenically unsaturated hydrocarbon groups and at least two hydrosilyl groups in one molecule A first organopolysiloxane having no ethylenically unsaturated hydrocarbon group and having at least two hydrosilyl groups in one molecule, a hydrosilylation catalyst and a hydrosilylation inhibitor Condensation / addition reaction curable silicone resins such as 1st organopolysiloxane having at least 2 ethylenically unsaturated hydrocarbon groups and at least 2 silanol groups in one molecule, 1 molecule of at least 2 hydrosilyl groups not containing ethylenically unsaturated hydrocarbon groups A sixth condensation reaction / addition reaction curable silicone resin containing a second organopolysiloxane, a hydrosilylation inhibitor, and a hydrosilylation catalyst, for example, a silicon compound, and a boron compound or an aluminum compound A seventh condensation reaction / addition reaction curable silicone resin, for example, an eighth condensation reaction / addition reaction curable silicone resin containing polyaluminosiloxane and a silane coupling agent is selected.

Aステージの2段階硬化型樹脂の粘度は、例えば、3000mPa・s以上、好ましくは、5000mPa・s以上であり、また、例えば、20000mPa・s以下、好ましくは、15000mPa・s以下の範囲から選択される。なお、Aステージの2段階硬化型樹脂の粘度は、Aステージの2段階硬化型樹脂を25℃に温度調節し、E型コーンを用いて、回転数99s−1で測定される。以下の粘度は、上記と同様の方法によって、測定される。 The viscosity of the A-stage two-stage curable resin is, for example, 3000 mPa · s or more, preferably 5000 mPa · s or more, and is selected from a range of, for example, 20000 mPa · s or less, preferably 15000 mPa · s or less. The The viscosity of the A-stage two-stage curable resin is measured at a rotational speed of 99 s −1 using an E-type cone after adjusting the temperature of the A-stage two-stage curable resin to 25 ° C. The following viscosities are measured by the same method as described above.

硬化性樹脂の配合割合は、粒子含有硬化性樹脂組成物(ワニス)に対して、例えば、30質量%以上、好ましくは、40質量%以上、より好ましくは、50質量%以上であり、また、例えば、98質量%以下、好ましくは、95質量%以下、より好ましくは、90質量%以下の範囲から選択される。   The blending ratio of the curable resin is, for example, 30% by mass or more, preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, with respect to the particle-containing curable resin composition (varnish). For example, it is selected from the range of 98% by mass or less, preferably 95% by mass or less, more preferably 90% by mass or less.

また、粒子含有硬化性樹脂組成物には、必要により、溶媒を含有させることもできる。   Moreover, a solvent can also be contained in the particle-containing curable resin composition as necessary.

溶媒としては、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、キシレンなどの芳香族炭化水素、例えば、ビニルメチル環状シロキサン、両末端ビニルポリジメチルシロキサンなどのシロキサンなどから選択される。溶媒は、粒子含有硬化性樹脂組成物が後述する粘度となるような配合割合で、粒子含有硬化性樹脂組成物に配合される。   The solvent is selected from, for example, aliphatic hydrocarbons such as hexane, aromatic hydrocarbons such as xylene, siloxanes such as vinylmethyl cyclic siloxane and vinyl polydimethylsiloxane at both ends, and the like. A solvent is mix | blended with a particle | grain containing curable resin composition by the compounding ratio which becomes a viscosity which a particle | grain containing curable resin composition mentions later.

粒子含有硬化性樹脂組成物を調製するには、具体的には、図1に示すように、ワニス製造装置33において、容器52内に上記した各成分を、第2CPU25によって管理された、ワニス製造工程S1の製造条件、例えば、第2CPU25によって管理され、封止シート12の層構造に対応するワニス11の種類、より具体的には、第2CPU25によって管理された、粒子の種類、粒子の配合割合、粒子の最大長さの平均値(粒子が球形状である場合には、平均粒子径)、硬化性樹脂の種類、硬化性樹脂の粘度、硬化性樹脂の配合割合、粒子が蛍光体を含む場合には、蛍光体の吸収ピーク波長、ワニス11の粘度などに基づいて、配合する。続いて、攪拌機51を用いてそれらを混合する。   In order to prepare the particle-containing curable resin composition, specifically, as shown in FIG. 1, in the varnish manufacturing apparatus 33, each component described above in the container 52 is managed by the second CPU 25. Production conditions of step S1, for example, the type of varnish 11 managed by the second CPU 25 and corresponding to the layer structure of the sealing sheet 12, more specifically, the type of particles and the mixing ratio of the particles managed by the second CPU 25 The average value of the maximum length of the particles (average particle diameter when the particles are spherical), the type of the curable resin, the viscosity of the curable resin, the blending ratio of the curable resin, and the particles include a phosphor. In this case, it is blended based on the absorption peak wavelength of the phosphor, the viscosity of the varnish 11 and the like. Subsequently, they are mixed using a stirrer 51.

これによって、ワニス11を調製する。   In this way, the varnish 11 is prepared.

なお、硬化性樹脂が2段階硬化型樹脂である場合には、ワニス11をAステージの粒子含有硬化性樹脂組成物として調製する。   When the curable resin is a two-stage curable resin, the varnish 11 is prepared as an A-stage particle-containing curable resin composition.

ワニス11の25℃、1気圧の条件下における粘度は、例えば、1,000mPa・s以上、好ましくは、4,000mPa・s以上であり、また、例えば、1,000,000mPa・s以下、好ましくは、100,000mPa・s以下の範囲内となるように、調整される。   The viscosity of the varnish 11 at 25 ° C. and 1 atm is, for example, 1,000 mPa · s or more, preferably 4,000 mPa · s or more, and, for example, 1,000,000 mPa · s or less, preferably Is adjusted to be in the range of 100,000 mPa · s or less.

4.シート製造工程S2
シート化装置31では、ワニス製造工程S1の後に、シート製造工程S2を、第2CPU25によって管理される製造条件に従って、実施する。
4). Sheet manufacturing process S2
In the sheet forming apparatus 31, the sheet manufacturing process S <b> 2 is performed after the varnish manufacturing process S <b> 1 according to the manufacturing conditions managed by the second CPU 25.

すなわち、ワニス11から封止シート12を形成する。   That is, the sealing sheet 12 is formed from the varnish 11.

封止シート12を形成するには、例えば、まず、ワニス11を、離型シート28の表面に塗布する。   In order to form the sealing sheet 12, for example, first, the varnish 11 is applied to the surface of the release sheet 28.

離型シート28としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム(PETなど)などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などから選択される。好ましくは、ポリマーフィルムから選択される。また、離型シート28の表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。また、離型シート28の形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状(短冊状、長尺状を含む)などから選択される。さらに、離型シート28としては、位置決めマーク(図示せず)の形成の有無、さらには、位置決めマークの位置情報、寸法などが選択される。マークは、ワニス11が塗布される領域が確保されるように、形成される。   The release sheet 28 is selected from polymer films such as polyethylene film and polyester film (PET), for example, ceramic sheets, such as metal foil. Preferably, it is selected from polymer films. Further, the surface of the release sheet 28 can be subjected to a peeling treatment such as a fluorine treatment. The shape of the release sheet 28 is not particularly limited, and is selected from, for example, a substantially rectangular shape in plan view (including a strip shape and a long shape). Further, as the release sheet 28, the presence / absence of formation of a positioning mark (not shown), and the positional information and dimensions of the positioning mark are selected. The mark is formed so that a region where the varnish 11 is applied is secured.

ワニス11を離型シート28の表面に塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置53から選択される。好ましくは、ディスペンサから選択される。   In order to apply the varnish 11 to the surface of the release sheet 28, for example, the varnish 11 is selected from a coating device 53 such as a dispenser, an applicator, or a slit die coater. Preferably, it is selected from a dispenser.

封止シート12の厚みが、例えば、10μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、2000μm以下、好ましくは、1000μm以下となるように、ワニス11の塗布条件から選択される。   The thickness of the sealing sheet 12 is selected from application conditions of the varnish 11 so that the thickness is, for example, 10 μm or more, preferably 50 μm or more, and, for example, 2000 μm or less, preferably 1000 μm or less.

つまり、ワニス11を、第2CPU25によって管理される製造条件、具体的には、第2CPU25によって管理される、塗布直後のワニス11の形状、塗布直後のワニス11の厚みに調節されるように、塗布装置53の塗布条件から選択される。   That is, the varnish 11 is applied so as to be adjusted to the manufacturing conditions managed by the second CPU 25, specifically, the shape of the varnish 11 immediately after application and the thickness of the varnish 11 immediately after application, which are managed by the second CPU 25. The application condition of the device 53 is selected.

なお、離型シート28に位置決めマーク(図示せず)が形成されている場合には、塗布装置53に装備されるセンサ(図示せず)によって、位置決めマークに対する塗布位置を確認しながら、位置決めマークに対するワニス11の相対位置が調節される。   When a positioning mark (not shown) is formed on the release sheet 28, the positioning mark is checked while confirming the application position with respect to the positioning mark by a sensor (not shown) provided in the coating device 53. The relative position of the varnish 11 with respect to is adjusted.

その後、ワニス11が2段階硬化型樹脂を含有する場合には、ワニス11をBステージ化する。具体的には、2段階硬化型樹脂として熱硬化型から選択されれば、ワニス11をオーブン55内に投入して、ワニス11を加熱する。   Thereafter, when the varnish 11 contains a two-stage curable resin, the varnish 11 is made into a B-stage. Specifically, if the thermosetting type is selected as the two-stage curable resin, the varnish 11 is put into the oven 55 and the varnish 11 is heated.

加熱条件は、加熱温度が、例えば、40℃以上、好ましくは、80℃以上、より好ましくは、100℃以上であり、また、例えば、200℃以下、好ましくは、150℃以下、より好ましくは、140℃以下の範囲から選択される。加熱時間は、例えば、1分間以上、好ましくは、5分間以上、より好ましくは、10分間以上であり、また、例えば、24時間以下、好ましくは、1時間以下、より好ましくは、0.5時間以下の範囲から選択される。   As for the heating conditions, the heating temperature is, for example, 40 ° C. or higher, preferably 80 ° C. or higher, more preferably 100 ° C. or higher, and for example, 200 ° C. or lower, preferably 150 ° C. or lower, more preferably, It is selected from the range of 140 ° C. or lower. The heating time is, for example, 1 minute or more, preferably 5 minutes or more, more preferably 10 minutes or more, and for example, 24 hours or less, preferably 1 hour or less, more preferably 0.5 hours. It is selected from the following ranges.

一方、2段階硬化型樹脂として活性エネルギー硬化型から選択されれば、ワニス11に、紫外線ランプ(図示せず)を用いて紫外線を照射する。   On the other hand, if the active energy curable resin is selected as the two-stage curable resin, the varnish 11 is irradiated with ultraviolet rays using an ultraviolet lamp (not shown).

これによって、離型シート28の表面に積層される封止シート12を製造する。   Thereby, the sealing sheet 12 laminated | stacked on the surface of the release sheet 28 is manufactured.

封止シート12の25℃における圧縮弾性率は、例えば、0.040MPa以上、好ましくは、0.050MPa以上、より好ましくは、0.075MPa以上、さらに好ましくは、0.100MPa以上であり、また、例えば、0.145MPa以下、好ましくは、0.140MPa以下、より好ましくは、0.135MPa以下、さらに好ましくは、0.125MPa以下の範囲となるように、調節される。   The compression elastic modulus at 25 ° C. of the sealing sheet 12 is, for example, 0.040 MPa or more, preferably 0.050 MPa or more, more preferably 0.075 MPa or more, and further preferably 0.100 MPa or more. For example, it is adjusted to be in the range of 0.145 MPa or less, preferably 0.140 MPa or less, more preferably 0.135 MPa or less, and further preferably 0.125 MPa or less.

5.封止工程S3
封止装置32のプレス装置35において、シート製造工程S2の後に、封止工程S3を、封止制御装置36によって制御される条件に従って、実施する。
5. Sealing step S3
In the press device 35 of the sealing device 32, the sealing step S <b> 3 is performed after the sheet manufacturing step S <b> 2 according to the conditions controlled by the sealing control device 36.

具体的には、封止工程S3では、まず、光半導体素子13が実装された基板14を用意する。   Specifically, in the sealing step S3, first, a substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted is prepared.

基板14は、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ポリイミド樹脂基板、金属基板に絶縁層が積層された積層基板などの絶縁基板から選択される。   The substrate 14 is selected from, for example, an insulating substrate such as a silicon substrate, a ceramic substrate, a polyimide resin substrate, or a laminated substrate in which an insulating layer is laminated on a metal substrate.

また、基板14の表面には、次に説明する光半導体素子13の端子(図示せず)と電気的に接続するための電極(図示せず)と、それに連続する配線とを備える導体パターン(図示せず)が形成されている。導体パターンは、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から選択される。   Further, on the surface of the substrate 14, a conductor pattern (including an electrode (not shown) for electrical connection with a terminal (not shown) of the optical semiconductor element 13 described below and a wiring continuous therewith ( (Not shown) is formed. The conductor pattern is selected from conductors such as gold, copper, silver, and nickel.

また、基板14の表面は、平坦状に形成されている。あるいは、図示しないが、基板14における光半導体素子13が実装される表面に、下方に向かって凹む凹部が形成されていてもよい。   Further, the surface of the substrate 14 is formed flat. Or although not shown in figure, the recessed part dented below may be formed in the surface in which the optical semiconductor element 13 in the board | substrate 14 is mounted.

基板14の外形形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状、平面視略円形状などから選択される。基板5の寸法は適宜選択され、例えば、最大長さが、例えば、2mm以上、好ましくは、10mm以上であり、また、例えば、300mm以下、好ましくは、100mm以下の範囲から選択される。   The external shape of the board | substrate 14 is not specifically limited, For example, it selects from planar view substantially rectangular shape, planar view substantially circular shape, etc. The dimensions of the substrate 5 are appropriately selected. For example, the maximum length is, for example, 2 mm or more, preferably 10 mm or more, and for example, selected from the range of 300 mm or less, preferably 100 mm or less.

光半導体素子13は、電気エネルギーを光エネルギーに変換するLED(発光ダイオード素子)やLD(レーザーダイオード)などであり、例えば、厚みが面方向長さ(厚み方向に対する直交方向長さ)より短い断面視略矩形状から選択される。光半導体素子13として、好ましくは、青色光を発光する青色LEDから選択される。光半導体素子13の寸法は、用途および目的に応じて適宜選択され、具体的には、厚みが、例えば、10μm以上、1000μm以下であり、最大長さが、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、また、例えば、5mm以下、好ましくは、2mm以下の範囲から選択される。   The optical semiconductor element 13 is an LED (light emitting diode element), LD (laser diode), or the like that converts electrical energy into light energy, and has, for example, a cross section whose thickness is shorter than the length in the surface direction (length in the direction perpendicular to the thickness direction). It is selected from a substantially rectangular shape. The optical semiconductor element 13 is preferably selected from blue LEDs that emit blue light. The dimensions of the optical semiconductor element 13 are appropriately selected according to the application and purpose. Specifically, the thickness is, for example, 10 μm or more and 1000 μm or less, and the maximum length is, for example, 0.05 mm or more, preferably , 0.1 mm or more, and for example, 5 mm or less, preferably 2 mm or less.

光半導体素子13の発光ピーク波長は、例えば、400nm以上、好ましくは、430nm以上であり、また、例えば、500nm以下、好ましくは、470nm以下の範囲から選択される。   The emission peak wavelength of the optical semiconductor element 13 is, for example, 400 nm or more, preferably 430 nm or more, and for example, selected from the range of 500 nm or less, preferably 470 nm or less.

光半導体素子13は、基板14に対して、例えば、フリップチップ実装され、あるいは、ワイヤボンディング接続されている。   The optical semiconductor element 13 is flip-chip mounted or connected to the substrate 14 by wire bonding, for example.

また、光半導体素子13を、1つの基板14に対して、複数(図1では3つ)実装することができる。1つの基板14当たりの光半導体素子13の実装数は、例えば、1以上、好ましくは、4以上であり、また、例えば、2000以下、好ましくは、400以下の範囲から選択される。   Also, a plurality (three in FIG. 1) of optical semiconductor elements 13 can be mounted on one substrate 14. The number of mounted optical semiconductor elements 13 per substrate 14 is, for example, 1 or more, preferably 4 or more, and is selected from a range of 2000 or less, preferably 400 or less, for example.

次いで、この方法では、光半導体素子13が実装された基板14を、プレス装置35に設置する。   Next, in this method, the substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted is placed in the press device 35.

光半導体素子13が実装された基板14を、プレス装置35に設置するには、具体的には、光半導体素子13が実装された基板14を、下側の平板41に設置する。   In order to place the substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted on the press device 35, specifically, the substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted is placed on the lower flat plate 41.

続いて、離型シート28の上面に積層される封止シート12を、上下反転させて、光半導体素子13の上側に対向配置させる。つまり、封止シート12を、光半導体素子13に向かうように、配置する。   Subsequently, the sealing sheet 12 laminated on the upper surface of the release sheet 28 is turned upside down so as to face the upper side of the optical semiconductor element 13. That is, the sealing sheet 12 is disposed so as to face the optical semiconductor element 13.

次いで、封止シート12によって光半導体素子13を被覆する。封止シート12によって光半導体素子13を埋設する。   Next, the optical semiconductor element 13 is covered with the sealing sheet 12. The optical semiconductor element 13 is embedded by the sealing sheet 12.

具体的には、封止制御装置36によって制御されたプレス条件に基づいて、封止シート12によって光半導体素子13を被覆する。   Specifically, the optical semiconductor element 13 is covered with the sealing sheet 12 based on the press conditions controlled by the sealing controller 36.

具体的には、図1の矢印で示すように、封止シート12を降下させる(押し下げる)。詳しくは、封止シート12を光半導体素子13が実装される基板14に対してプレスする。   Specifically, as shown by the arrow in FIG. 1, the sealing sheet 12 is lowered (pressed down). Specifically, the sealing sheet 12 is pressed against the substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted.

これによって、封止シート12によって光半導体素子13を被覆する。   Thereby, the optical semiconductor element 13 is covered with the sealing sheet 12.

つまり、封止シート12によって光半導体素子13を埋設しつつ、封止シート12が蛍光体層26を備える場合には、蛍光体層26によって、光半導体素子13を被覆する。   That is, when the optical semiconductor element 13 is embedded with the sealing sheet 12 and the sealing sheet 12 includes the phosphor layer 26, the optical semiconductor element 13 is covered with the phosphor layer 26.

詳しくは、図2A〜図2Gに示すように、封止シート12の蛍光体層26の層構造として接触構造から選択される場合には、蛍光体層26が光半導体素子13(図2の仮想線)の表面に直接接触して、蛍光体層26によって光半導体素子13を被覆する。つまり、蛍光体層26が光半導体素子13を封止する。換言すれば、蛍光体層26が、封止層を兼用する。   Specifically, as shown in FIGS. 2A to 2G, when the layer structure of the phosphor layer 26 of the encapsulating sheet 12 is selected from a contact structure, the phosphor layer 26 is formed of the optical semiconductor element 13 (virtual portion of FIG. 2). The optical semiconductor element 13 is covered with the phosphor layer 26 in direct contact with the surface of the line. That is, the phosphor layer 26 seals the optical semiconductor element 13. In other words, the phosphor layer 26 also serves as a sealing layer.

一方、図3Fおよび図3Gに示すように、封止シート12の蛍光体層26の層構造として離間構造から選択される場合には、蛍光体層26が光半導体素子13(図3の仮想線)と樹脂層27を隔てて配置されながら、光半導体素子13の上側を被覆する。他方、樹脂層27が、光半導体素子13(図2の仮想線)の表面に直接接触して光半導体素子13を被覆する。つまり、樹脂層27が光半導体素子13を封止して、封止層となる。   On the other hand, as shown in FIGS. 3F and 3G, when the layer structure of the phosphor layer 26 of the encapsulating sheet 12 is selected from the separated structure, the phosphor layer 26 is formed of the optical semiconductor element 13 (virtual line in FIG. 3). ) And the resin layer 27, and the upper side of the optical semiconductor element 13 is covered. On the other hand, the resin layer 27 directly contacts the surface of the optical semiconductor element 13 (imaginary line in FIG. 2) to cover the optical semiconductor element 13. That is, the resin layer 27 seals the optical semiconductor element 13 to become a sealing layer.

その後、封止シート12が、Bステージであれば、封止シート12をCステージ化する。   Then, if the sealing sheet 12 is a B stage, the sealing sheet 12 is changed to a C stage.

例えば、封止制御装置36によって制御された、Cステージ化における封止シート12の加熱条件、活性エネルギー線の照射条件に基づいて、封止シート12をCステージ化する。   For example, the sealing sheet 12 is converted to the C stage based on the heating condition of the sealing sheet 12 and the irradiation condition of the active energy rays, which are controlled by the sealing controller 36.

具体的には、2段階硬化型樹脂として熱硬化型から選択される場合には、Bステージの封止シート12を加熱する。   Specifically, when the thermosetting type is selected as the two-stage curable resin, the B-stage sealing sheet 12 is heated.

詳しくは、具体的には、平板41による封止シート12に対するプレス状態を維持しながら、オーブン内に投入する。これによって、Bステージの封止シート12を加熱する。   Specifically, it is put into the oven while maintaining the pressed state of the sealing sheet 12 by the flat plate 41. Thereby, the sealing sheet 12 of the B stage is heated.

加熱温度は、例えば、80℃以上、好ましくは、100℃以上であり、また、例えば、200℃以下、好ましくは、180℃以下の範囲から選択される。また、加熱時間は、例えば、10分間以上、好ましくは、30分間以上であり、また、例えば、10時間以下、好ましくは、5時間以下の範囲から選択される。   The heating temperature is, for example, 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, and is selected from the range of, for example, 200 ° C. or lower, preferably 180 ° C. or lower. The heating time is, for example, 10 minutes or more, preferably 30 minutes or more, and is selected from the range of, for example, 10 hours or less, preferably 5 hours or less.

封止シート12の加熱によって、Bステージの封止シート12がCステージ化(完全硬化)する。   By heating the sealing sheet 12, the B-stage sealing sheet 12 becomes a C-stage (completely cured).

一方、2段階硬化型樹脂として活性エネルギー線硬化性から選択される場合には、封止シート12に活性エネルギー線を照射することによって、Bステージの封止シート12をCステージ化(完全硬化)させる。具体的には、紫外線ランプなどを用いてBステージの封止シート12に紫外線を照射する。   On the other hand, when the active energy ray curability is selected as the two-stage curable resin, the encapsulating sheet 12 is irradiated with the active energy ray to make the B-stage encapsulating sheet 12 a C-stage (fully cured). Let Specifically, the B stage sealing sheet 12 is irradiated with ultraviolet rays using an ultraviolet lamp or the like.

これによって、封止シート12と、封止シート12によって封止される光半導体素子13と、光半導体素子13が実装された基板14とを備える光半導体装置20が製造される。   Thereby, the optical semiconductor device 20 including the sealing sheet 12, the optical semiconductor element 13 sealed by the sealing sheet 12, and the substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted is manufactured.

図1では、1つの光半導体装置20において、複数(3つ)の光半導体素子13が設けられている。   In FIG. 1, a plurality of (three) optical semiconductor elements 13 are provided in one optical semiconductor device 20.

その後、離型シート28を、矢印で示すように、封止シート12から引き剥がす。   Thereafter, the release sheet 28 is peeled off from the sealing sheet 12 as indicated by an arrow.

なお、その後、必要により、複数の光半導体素子13が1つの基板14に実装される場合には、各光半導体素子13に対応して、封止シート12を切断して個片化することもできる。   After that, if necessary, when a plurality of optical semiconductor elements 13 are mounted on one substrate 14, the sealing sheet 12 may be cut into pieces corresponding to each optical semiconductor element 13. it can.

6.製造条件の蓄積、ロット変更および単位期間当たりの製造量
今回以前の封止シート12の製造において、ワニス製造工程S1の製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件は、第5メモリ10の記録領域(図示せず)に記録され蓄積される。
6). Accumulation of production conditions, lot change and production amount per unit period In the production of the sealing sheet 12 before this time, the production conditions of the varnish production process S1 and the production conditions of the sheet production process S2 are recorded in the fifth memory 10. It is recorded and accumulated in an area (not shown).

つまり、第5メモリ10は、第3情報17を第3メモリ23に入力するとともに、第3情報17を過去の情報である第5情報19として、第5メモリ10の記録領域にそのまま蓄積する。   That is, the fifth memory 10 inputs the third information 17 to the third memory 23 and stores the third information 17 as it is in the recording area of the fifth memory 10 as the fifth information 19 that is past information.

そして、今回の封止シート12の製造によって、第1CPU8は、第5メモリ10に蓄積される、封止シート12を今回以前に製造した、ワニス製造工程S1の製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件を読み出し、これに基づいて、今回のワニス製造工程S1の製造条件、および、今回のシート製造工程S2の製造条件を決定する。   And by manufacture of the sealing sheet 12 this time, 1st CPU8 is the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S1 which manufactured the sealing sheet 12 previously this time, and sheet | seat manufacturing process S2 accumulate | stored in the 5th memory 10. The manufacturing conditions of the present varnish manufacturing process S1 and the manufacturing conditions of the current sheet manufacturing process S2 are determined based on this.

また、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置20の製造量は、変動する。その変動に対応して、それらの第4情報18が、第1情報源21および第2情報源22から第4メモリ24に入力され、続いて、第2CPU25が、第4メモリ24に格納される第4情報18を読み出して、所定のプログラム処理に従い、ワニス製造工程S1の製造条件、および/または、シート製造工程S2の製造条件を修正する。   In addition, the lot information of at least one kind of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element, and / or the production amount of the optical semiconductor device 20 per unit period varies. Corresponding to the fluctuation, the fourth information 18 is input from the first information source 21 and the second information source 22 to the fourth memory 24, and then the second CPU 25 is stored in the fourth memory 24. The fourth information 18 is read, and the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S1 and / or the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 are corrected according to a predetermined program process.

[作用効果]
そして、このシステム1では、製造条件決定装置2が、第1メモリ6と、第2メモリ7と、第1CPU8とを備える一方、シート製造管理装置3が、第3メモリ23と、第2CPU25とを備える。
[Function and effect]
In this system 1, the manufacturing condition determination device 2 includes a first memory 6, a second memory 7, and a first CPU 8, while the sheet manufacturing management device 3 includes a third memory 23 and a second CPU 25. Prepare.

そして、製造条件決定装置2が、第1情報15および第2情報16のそれぞれを、第1メモリ6および第2メモリ7のそれぞれに格納しており、第1CPU8によって、シート製造工程S2の製造条件を決定し、これを、シート製造管理装置3に提供することができる。   The manufacturing condition determination device 2 stores the first information 15 and the second information 16 in the first memory 6 and the second memory 7, respectively. The manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 are performed by the first CPU 8. Can be determined and provided to the sheet manufacturing management apparatus 3.

そして、シート製造管理装置3では、製造条件決定装置2から提供された製造条件に関連する第3情報17を、第3メモリ23に格納して、かかる第3情報17に基づいて、第2CPU25によって、シート製造工程S2の製造条件を管理する。   Then, in the sheet manufacturing management device 3, the third information 17 related to the manufacturing conditions provided from the manufacturing condition determining device 2 is stored in the third memory 23, and the second CPU 25 based on the third information 17. The manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 are managed.

そのため、シート製造工程S2の製造条件を、シート製造管理装置3とは、別途、製造条件決定装置2において決定することができるとともに、シート製造管理装置3が、管理することができる。   Therefore, the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 can be determined by the manufacturing condition determination apparatus 2 separately from the sheet manufacturing management apparatus 3, and can be managed by the sheet manufacturing management apparatus 3.

また、製造条件決定装置2から提供されるシート製造工程S2の製造条件に関連する第3情報17は、第1情報15および第2情報16に基づいている。そのため、シート製造管理装置3は、製造条件決定装置2から提供される第3情報17に基づいて、第2CPU25によって、シート製造工程S2の製造条件を精度よく管理することができる。その結果、目的とする光半導体装置20を精度よく製造することができる。   Further, the third information 17 related to the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S <b> 2 provided from the manufacturing condition determining device 2 is based on the first information 15 and the second information 16. Therefore, the sheet manufacturing management apparatus 3 can accurately manage the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 by the second CPU 25 based on the third information 17 provided from the manufacturing condition determination apparatus 2. As a result, the target optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy.

また、このシステム1では、第1CPU8が、第1メモリ6に格納される第1情報15、および、第2メモリ7に格納される第2情報16に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件をさらに決定し、第2CPU25が、第3メモリ23に格納される第3情報17に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件をさらに管理する。そのため、目的とする光半導体装置20に適合する封止シート12を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置20を高い精度で製造することができる。   Further, in this system 1, the first CPU 8 determines the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S 1 based on the first information 15 stored in the first memory 6 and the second information 16 stored in the second memory 7. Further, the second CPU 25 further manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S <b> 1 based on the third information 17 stored in the third memory 23. Therefore, the sealing sheet 12 suitable for the target optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy, and further, the target optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy.

さらに、このシステム1によれば、第1情報15は、光半導体素子13が実装される基板14に関連する情報を含むので、製造条件決定装置2が、光半導体素子13が実装される基板14に関連する情報も、光半導体素子13に関連する情報、および、光半導体装置20に関連する情報と併せて備えることができる。   Furthermore, according to this system 1, since the first information 15 includes information related to the substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted, the manufacturing condition determination apparatus 2 uses the substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted. The information related to the optical semiconductor element 13 and the information related to the optical semiconductor device 20 can also be provided.

そのため、第1情報15に基づいて決定されたシート製造工程S2の製造条件に関連する精度の高い第3情報17に基づいて、シート製造管理装置3は、シート製造工程S2の製造条件をより一層精度よく管理することができる。   Therefore, based on the highly accurate third information 17 related to the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 determined based on the first information 15, the sheet manufacturing management device 3 further sets the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2. It can be managed with high accuracy.

また、このシステム1では、シート製造管理装置3において、第2CPU25によって、第4メモリ24に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子13の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置20の製造量を含む第4情報18に基づいて、シート製造工程S2の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および/または光半導体装置20の製造量の変動に容易に対応して、ワニス製造工程S1の製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置20を精度よく製造することができる。   In this system 1, in the sheet manufacturing management device 3, at least one lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element 13 stored in the fourth memory 24 by the second CPU 25, and / or Based on the fourth information 18 including the manufacturing amount of the optical semiconductor device 20 per unit period, the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 can be corrected. Therefore, the target optical semiconductor can be easily modified by correcting the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S1 and the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 in response to the variation of the lot information and / or the manufacturing amount of the optical semiconductor device 20. The device 20 can be manufactured with high accuracy.

さらに、このシステム1によれば、製造条件決定装置2の第5メモリ10が、封止シート12を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報19を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置20に適合する封止シート12を今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置20を精度よく今回製造することができる。   Furthermore, according to this system 1, the 5th memory 10 of the manufacturing condition determination apparatus 2 can accumulate | store the 5th information 19 relevant to the manufacturing conditions which manufactured the sealing sheet 12 before this time. Therefore, based on the manufacturing conditions accumulated in the past, the sealing sheet 12 suitable for the target optical semiconductor device 20 can be manufactured this time, and further, the target optical semiconductor device 20 can be manufactured accurately this time. .

この製造条件決定装置2は、第1メモリ6と、第2メモリ7と、第1CPU8とを備える。   The manufacturing condition determination device 2 includes a first memory 6, a second memory 7, and a first CPU 8.

そのため、この製造条件決定装置2によれば、第1情報15および第2情報16のそれぞれを、第1メモリ6および第2メモリ7のそれぞれに格納して、第1CPU8によって、ワニス製造工程S1の製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件を決定することができる。   Therefore, according to this manufacturing condition determination device 2, the first information 15 and the second information 16 are stored in the first memory 6 and the second memory 7, respectively, and the first CPU 8 performs the varnish manufacturing process S1. The manufacturing conditions and the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 can be determined.

その結果、かかるワニス製造工程S1の製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件に基づけば、目的とする光半導体装置20を精度よく製造することができる。   As a result, based on the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S1 and the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2, the target optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy.

また、この製造条件決定装置2では、第2CPU25が、第1メモリ6に格納される第1情報15、および、第2メモリ7に格納される第2情報16に基づいて、ワニス製造工程S1の製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件をさらに決定する。そのため、目的とする光半導体装置20に適合する封止シート12を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置20を高い精度で製造することができる。   Further, in the manufacturing condition determining apparatus 2, the second CPU 25 performs the varnish manufacturing step S 1 based on the first information 15 stored in the first memory 6 and the second information 16 stored in the second memory 7. Manufacturing conditions and manufacturing conditions of sheet manufacturing process S2 are further determined. Therefore, the sealing sheet 12 suitable for the target optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy, and further, the target optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy.

また、この製造条件決定装置2によれば、第1情報15は、光半導体素子13が実装される基板14に関連する情報を含むので、製造条件決定装置2が、光半導体素子13が実装される基板14に関連する情報も、光半導体素子13に関連する情報、および、光半導体装置20に関連する情報と併せて備えることができる。   Further, according to the manufacturing condition determining apparatus 2, since the first information 15 includes information related to the substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted, the manufacturing condition determining apparatus 2 has the optical semiconductor element 13 mounted thereon. The information related to the substrate 14 can also be provided together with the information related to the optical semiconductor element 13 and the information related to the optical semiconductor device 20.

そのため、目的とする光半導体装置20を高い精度で製造することができる。   Therefore, the target optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy.

この製造条件決定装置2によれば、封止シート12を今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報19を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置20に適合する封止シート12を今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置20を精度よく今回製造することができる。   According to this manufacturing condition determination apparatus 2, the 5th information 19 relevant to the manufacturing conditions which manufactured the sealing sheet 12 before this time can be accumulate | stored. Therefore, based on the manufacturing conditions accumulated in the past, the sealing sheet 12 suitable for the target optical semiconductor device 20 can be manufactured this time, and further, the target optical semiconductor device 20 can be manufactured accurately this time. .

このシート製造管理装置3によれば、ワニス製造工程S1に関連する製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件に関連する製造条件を含む第3情報17を、第3メモリ23に格納して、かかる第3情報17に基づいて、第2CPU25によって、ワニス製造工程S1に関連する製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件を精度よく管理することができる。   According to the sheet manufacturing management apparatus 3, the third information 17 including the manufacturing conditions related to the varnish manufacturing process S1 and the manufacturing conditions related to the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 is stored in the third memory 23. Based on the third information 17, the second CPU 25 can accurately manage the manufacturing conditions related to the varnish manufacturing process S1 and the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2.

そのため、目的とする光半導体装置20を精度よく製造することができる。   Therefore, the target optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy.

また、このシート製造管理装置3によれば、第2CPU25が、第3メモリ23に格納される第3情報17に基づいて、ワニス製造工程S1に関連する製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件をさらに管理するので、目的とする光半導体装置20に適合する封止シート12を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置20を高い精度で製造することができる。   Further, according to the sheet manufacturing management device 3, the second CPU 25 manufactures the manufacturing conditions related to the varnish manufacturing process S1 and the manufacturing of the sheet manufacturing process S2 based on the third information 17 stored in the third memory 23. Since the conditions are further managed, the sealing sheet 12 suitable for the target optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy, and further, the target optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy.

また、このシート製造管理装置3では、第2CPU25によって、第4メモリ24に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置20の製造量を含む第4情報18に基づいて、ワニス製造工程S1に関連する製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および/または光半導体装置20の製造量の変動に容易に対応して、ワニス製造工程S1に関連する製造条件、および、シート製造工程S2の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置20を精度よく製造することができる。   Further, in the sheet manufacturing management apparatus 3, the second CPU 25 stores at least one kind of lot information of particles, curable resin, varnish and optical semiconductor element stored in the fourth memory 24, and / or per unit period. Based on the fourth information 18 including the manufacturing amount of the optical semiconductor device 20, the manufacturing conditions related to the varnish manufacturing process S1 and the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 can be corrected. Therefore, the manufacturing conditions related to the varnish manufacturing process S1 and the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 are corrected in response to the lot information and / or the fluctuation of the manufacturing amount of the optical semiconductor device 20, and the object is achieved. The optical semiconductor device 20 can be manufactured with high accuracy.

[変形例]
図4以降の説明において、図1と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
[Modification]
In the description after FIG. 4, members similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図1の実施形態では、製造条件決定装置2とシート製造管理装置3とが1対1の関係、つまり、1つの製造条件決定装置2に対して、1つのシート製造管理装置3を設けている。しかし、製造条件決定装置2およびシート製造管理装置3の対応関係は、これに限定されず、例えば、図4に示すように、1つの製造条件決定装置2に対して、複数のシート製造管理装置3を設けることもできる。   In the embodiment of FIG. 1, the manufacturing condition determination device 2 and the sheet manufacturing management device 3 have a one-to-one relationship, that is, one sheet manufacturing management device 3 is provided for one manufacturing condition determination device 2. . However, the correspondence relationship between the manufacturing condition determination device 2 and the sheet manufacturing management device 3 is not limited to this, and, for example, as shown in FIG. 3 can also be provided.

具体的には、互いに独立して設けられる複数の光半導体装置製造工場4のそれぞれに、シート製造管理装置3が設置されている。製造条件決定装置2および複数のシート製造管理装置3は、複数のシート製造管理装置3のそれぞれが有する第1情報源21から複数の第1情報15を第1メモリ6に入力可能となり、かつ、第1CPU8によって決定された第3情報17を第5メモリ10から複数の第3メモリ23に入力可能となるように、構成されている。   Specifically, a sheet manufacturing management device 3 is installed in each of a plurality of optical semiconductor device manufacturing factories 4 provided independently of each other. The manufacturing condition determining device 2 and the plurality of sheet manufacturing management devices 3 can input a plurality of first information 15 from the first information source 21 included in each of the plurality of sheet manufacturing management devices 3 to the first memory 6, and The third information 17 determined by the first CPU 8 is configured to be input from the fifth memory 10 to the plurality of third memories 23.

図4の実施形態では、1つの製造条件決定装置2が、一のシート製造管理装置3A(3)に、第3情報17を提供し、かつ、一のシート製造管理装置3A(3)の第1情報源21から第1情報15を取得して第1メモリ6に格納し、この第1情報15を第5メモリ10で蓄積して、そして、他のシート製造管理装置3B(あるいは、他の複数のシート製造管理装置3Bおよび3C)(3)に提供することもできる。   In the embodiment of FIG. 4, one manufacturing condition determination device 2 provides the third information 17 to one sheet manufacturing management device 3 </ b> A (3), and the first information of the one sheet manufacturing management device 3 </ b> A (3). The first information 15 is acquired from one information source 21 and stored in the first memory 6, the first information 15 is accumulated in the fifth memory 10, and another sheet manufacturing management device 3 </ b> B (or another It can also be provided to a plurality of sheet manufacturing management apparatuses 3B and 3C) (3).

つまり、1つの製造条件決定装置2が、複数のシート製造管理装置3から提供される複数の第1情報15(第1メモリ6に格納されるべき第1情報15、具体的には、光半導体素子13に関連する情報、基板14に関連する情報、光半導体装置20に関連する情報)を一元化することができる。すなわち、1つの製造条件決定装置2が、複数のシート製造管理装置3の第1情報15を集約して、複数のシート製造管理装置3に、それらに対応する第3情報17を提供できる集約型の製造条件決定装置2として機能することができる。   That is, one manufacturing condition determining device 2 has a plurality of pieces of first information 15 (first information 15 to be stored in the first memory 6, specifically, an optical semiconductor provided from a plurality of sheet manufacturing management devices 3. Information related to the element 13, information related to the substrate 14, and information related to the optical semiconductor device 20) can be unified. In other words, one manufacturing condition determination device 2 can aggregate the first information 15 of a plurality of sheet manufacturing management devices 3 and provide the plurality of sheet manufacturing management devices 3 with corresponding third information 17. It is possible to function as the manufacturing condition determining apparatus 2.

そのため、1つの製造条件決定装置2でありながら、各シート製造管理装置3に、精度の高い第3情報17を提供することができる。   Therefore, the third information 17 with high accuracy can be provided to each sheet manufacturing management device 3 while being one manufacturing condition determining device 2.

また、図1の実施形態では、システム1がワニス製造工程S1の製造工程を決定および管理している。つまり、シート製造管理装置3によって、ワニス製造工程S1の製造条件を管理している。しかし、システム1がワニス製造工程S1の製造工程を決定および管理しないように、システム1を構成することもできる。具体的には、ワニス製造工程S1の製造条件を管理することなく、シート製造工程S2の製造条件のみを管理することもできる。   In the embodiment of FIG. 1, the system 1 determines and manages the manufacturing process of the varnish manufacturing process S1. That is, the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S1 are managed by the sheet manufacturing management device 3. However, the system 1 can also be configured so that the system 1 does not determine and manage the manufacturing process of the varnish manufacturing process S1. Specifically, it is also possible to manage only the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 without managing the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process S1.

この実施形態によれば、第2CPU25がワニス製造工程S1の製造条件を管理する必要がないので、第2CPU25の構成を簡易にすることができる。   According to this embodiment, since it is not necessary for the second CPU 25 to manage the manufacturing conditions of the varnish manufacturing step S1, the configuration of the second CPU 25 can be simplified.

また、図1の実施形態では、本発明の製造管理装置として、シート製造管理装置3に、シート製造工程S2の製造条件を管理させ、封止制御装置36が、封止工程S3の封止条件を管理させているが、例えば、シート製造管理装置3が封止制御装置36を兼用して、1つの製造管理装置を構成して、シート製造工程S2の製造条件と、封止工程S3の封止条件との両方を管理させることもできる。   Further, in the embodiment of FIG. 1, as the manufacturing management apparatus of the present invention, the sheet manufacturing management apparatus 3 manages the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2, and the sealing control apparatus 36 performs the sealing conditions of the sealing process S3. For example, the sheet manufacturing management device 3 also serves as the sealing control device 36 to form one manufacturing management device, and the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process S2 and the sealing of the sealing process S3 Both stop conditions can be managed.

また、図2および図3の実施形態では、本発明の被覆シートを、光半導体素子13を封止する封止シート12として説明しているが、これに限定されず、例えば、図5に示すように、光半導体素子13を予め封止する樹脂層(封止層)27(図5A参照)に積層される被覆シート60(図5Aの矢印および図5B参照)として選択することもできる。   Moreover, in embodiment of FIG. 2 and FIG. 3, although the coating sheet of this invention is demonstrated as the sealing sheet 12 which seals the optical semiconductor element 13, it is not limited to this, For example, it shows in FIG. Thus, it can also select as the coating sheet 60 (refer FIG. 5A arrow and FIG. 5B) laminated | stacked on the resin layer (sealing layer) 27 (refer FIG. 5A) which seals the optical semiconductor element 13 previously.

図5Aにおいて、被覆シート60は、図1の封止シート12と同一の材料から選択される。   5A, the covering sheet 60 is selected from the same material as the sealing sheet 12 of FIG.

図5Bにおいて、被覆シート60は、光半導体素子13の上側を被覆しており、具体的には、樹脂層27を介して光半導体素子13の上側に間隔を隔てて配置されている。   In FIG. 5B, the covering sheet 60 covers the upper side of the optical semiconductor element 13, and specifically, is disposed on the upper side of the optical semiconductor element 13 with a space therebetween via the resin layer 27.

さらに、図2および図3の実施形態では、封止シート12を、蛍光体シート(蛍光体含有封止シート)として選択しているが、例えば、図示しないが、蛍光体を含有せず、封止層(樹脂層)を含有する封止シート12として選択することもできる。   2 and 3, the sealing sheet 12 is selected as a phosphor sheet (phosphor-containing sealing sheet). For example, although not shown, the sealing sheet 12 does not contain a phosphor and is sealed. It can also be selected as the sealing sheet 12 containing a stop layer (resin layer).

また、図1の説明では、第1情報15は、光半導体素子13が実装される基板14に関連する情報を含んでいるが、これを含まず、第1情報15を構成することもできる。   In the description of FIG. 1, the first information 15 includes information related to the substrate 14 on which the optical semiconductor element 13 is mounted. However, the first information 15 may be configured without including the information.

1 システム
2 製造条件決定装置
3 シート製造管理装置
6 第1メモリ
8 第1CPU
11 ワニス
12 封止シート
13 光半導体素子
14 基板
15 第1情報
16 第2情報
17 第3情報
20 光半導体装置
23 第3メモリ
24 第4メモリ
60 被覆シート
S1 ワニス製造工程
S2 シート製造工程
S3 封止工程
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 System 2 Manufacturing condition determination apparatus 3 Sheet manufacturing management apparatus 6 1st memory 8 1st CPU
11 Varnish 12 Sealing sheet 13 Optical semiconductor element 14 Substrate 15 First information 16 Second information 17 Third information 20 Optical semiconductor device 23 Third memory 24 Fourth memory 60 Cover sheet S1 Varnish manufacturing process S2 Sheet manufacturing process S3 Sealing Process

Claims (12)

粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからBステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を決定および管理するシステムであって、
前記システムは、製造条件決定装置と、製造管理装置とを備え、
前記製造条件決定装置は、
前記光半導体素子および前記光半導体装置に関連する第1情報を格納する第1情報格納領域と、
前記ワニスに関連する第2情報を格納する第2情報格納領域と、
前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備え、
前記製造管理装置は、
前記決定手段によって決定される前記製造条件に関連する第3情報を格納する第3情報格納領域と、
前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を管理する管理手段と
を備えることを特徴とする、システム。
An optical semiconductor device comprising: a varnish producing process for producing a varnish containing particles and a curable resin; a sheet producing process for producing a B-stage covering sheet from the varnish; and a covering process for covering an optical semiconductor element with the covering sheet. A system for determining and managing manufacturing conditions of the sheet manufacturing process in a manufacturing method,
The system includes a manufacturing condition determination device and a manufacturing management device,
The manufacturing condition determining device is:
A first information storage area for storing first information related to the optical semiconductor element and the optical semiconductor device;
A second information storage area for storing second information related to the varnish;
Determining means for determining the manufacturing conditions based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area;
The manufacturing management apparatus is
A third information storage area for storing third information related to the manufacturing conditions determined by the determining means;
And a management unit that manages the manufacturing conditions of the sheet manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area.
前記システムは、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに決定および管理し、
前記決定手段は、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定し、
前記管理手段は、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することを特徴とする、請求項1に記載のシステム。
The system further determines and manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process;
The determination means further determines the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area. Decide
The system according to claim 1, wherein the management unit further manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area.
前記第1情報は、前記光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むことを特徴とする、請求項1または2に記載のシステム。   The system according to claim 1, wherein the first information includes information related to a substrate on which the optical semiconductor element is mounted. 前記製造管理装置は、
粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報を格納する第4情報格納領域と、
前記第4情報格納領域に格納される前記第4情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を修正する修正手段と
を備えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載のシステム。
The manufacturing management apparatus is
A fourth information storage area storing at least one kind of lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element, and / or fourth information including the production amount of the optical semiconductor device per unit period;
The correction means which corrects the said manufacturing conditions of the said sheet manufacturing process based on the said 4th information stored in the said 4th information storage area, The any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. The system described in.
前記製造条件決定装置は、
前記被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を格納する第5情報格納領域を備え、
前記第5情報格納領域に格納される前記第5情報に基づいて、前記被覆シートを今回製造するための製造条件を決定する
ことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載のシステム。
The manufacturing condition determining device is:
A fifth information storage area for storing fifth information related to manufacturing conditions for manufacturing the covering sheet before this time;
The manufacturing conditions for manufacturing the said covering sheet this time are determined based on the said 5th information stored in the said 5th information storage area, The any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. System.
粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからBステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を決定するための製造条件決定装置であって、
前記光半導体素子に関連する第1情報を格納する第1情報格納領域と、
前記ワニスに関連する第2情報を格納する第2情報格納領域と、
前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備える
ことを特徴とする、製造条件決定装置。
An optical semiconductor device comprising: a varnish producing process for producing a varnish containing particles and a curable resin; a sheet producing process for producing a B-stage covering sheet from the varnish; and a covering process for covering an optical semiconductor element with the covering sheet. A manufacturing condition determining device for determining manufacturing conditions of the sheet manufacturing process in a manufacturing method,
A first information storage area for storing first information related to the optical semiconductor element;
A second information storage area for storing second information related to the varnish;
And determining means for determining the manufacturing conditions based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area. Manufacturing condition determination device.
前記製造条件決定装置は、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに決定し、
前記決定手段は、前記第1情報格納領域に格納される前記第1情報、および、前記第2情報格納領域に格納される前記第2情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定することを特徴とする、請求項6に記載の製造条件決定装置。
The manufacturing condition determining device further determines manufacturing conditions of the varnish manufacturing process,
The determination means further determines the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the first information stored in the first information storage area and the second information stored in the second information storage area. The manufacturing condition determination device according to claim 6, wherein the determination is performed.
前記第1情報は、前記光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むことを特徴とする、請求項6または7に記載の製造条件決定装置。   8. The manufacturing condition determining apparatus according to claim 6, wherein the first information includes information related to a substrate on which the optical semiconductor element is mounted. 前記被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第5情報を格納する第5情報格納領域を備え、
前記第5情報格納領域に格納される前記第5情報に基づいて、前記被覆シートを今回製造するための製造条件を決定することを特徴とする、請求項6〜8いずれか一項に記載の製造条件決定装置。
A fifth information storage area for storing fifth information related to manufacturing conditions for manufacturing the covering sheet before this time;
9. The manufacturing condition for manufacturing the cover sheet at this time is determined based on the fifth information stored in the fifth information storage area, according to claim 6. Manufacturing condition determination device.
粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからBステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を管理するための製造管理装置であって、
前記製造条件に関連する第3情報を格納する第3情報格納領域と、
前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を管理する管理手段と
を備えることを特徴とする、製造管理装置。
An optical semiconductor device comprising: a varnish producing process for producing a varnish containing particles and a curable resin; a sheet producing process for producing a B-stage covering sheet from the varnish; and a covering process for covering an optical semiconductor element with the covering sheet. A production management device for managing production conditions of the sheet production process in a production method,
A third information storage area for storing third information related to the manufacturing conditions;
A production management apparatus comprising: a management unit that manages the production conditions of the sheet production process based on the third information stored in the third information storage area.
前記製造管理装置は、前記ワニス製造工程の製造条件を管理し、
前記管理手段は、前記第3情報格納領域に格納される前記第3情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することを特徴とする、請求項10に記載の製造管理装置。
The production management device manages the production conditions of the varnish production process,
The manufacturing management apparatus according to claim 10, wherein the management unit further manages the manufacturing conditions of the varnish manufacturing process based on the third information stored in the third information storage area. .
粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも1種のロット情報、および/または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第4情報を格納する第4情報格納領域と、
前記第4情報格納領域に格納される前記第4情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を修正する修正手段と
を備えることを特徴とする、請求項10または11に記載の製造管理装置。
A fourth information storage area storing at least one kind of lot information of particles, curable resin, varnish, and optical semiconductor element, and / or fourth information including the production amount of the optical semiconductor device per unit period;
The manufacturing management according to claim 10, further comprising a correcting unit that corrects the manufacturing condition of the sheet manufacturing process based on the fourth information stored in the fourth information storage area. apparatus.
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