JP5269990B2 - Manufacturing method of humidity detection sensor package - Google Patents
Manufacturing method of humidity detection sensor package Download PDFInfo
- Publication number
- JP5269990B2 JP5269990B2 JP2011518426A JP2011518426A JP5269990B2 JP 5269990 B2 JP5269990 B2 JP 5269990B2 JP 2011518426 A JP2011518426 A JP 2011518426A JP 2011518426 A JP2011518426 A JP 2011518426A JP 5269990 B2 JP5269990 B2 JP 5269990B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- humidity detection
- detection sensor
- partition member
- substrate
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
本発明は、湿度検出センサのパッケージの製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a package of the humidity detection sensor.
湿度変化測定に用いられる湿度検出センサには、吸収又は放出した水分量に応じて誘電率が変化する高分子感湿膜を誘電体とした静電容量型の湿度検出センサがある。容量型湿度検出センサは、上記高分子感湿膜と該高分子感湿膜で覆われてその静電容量を検出する一対の電極からなるセンサ部を備え、一対の電極端部に設けたパッド部がワイヤボンディングにより外部回路と電気的に接続可能となっている。このような容量型湿度検出センサにおいては、センサ部の高分子感湿膜を雰囲気に曝す必要があり、外部接続部であるワイヤボンディング部を少なくとも封止樹脂で封止することが要求される。 As a humidity detection sensor used for humidity change measurement, there is a capacitance type humidity detection sensor using a polymer moisture-sensitive film whose dielectric constant changes according to the amount of absorbed or released water as a dielectric. A capacitive humidity detection sensor includes a sensor unit including the polymer moisture-sensitive film and a pair of electrodes that are covered with the polymer moisture-sensitive film and detects capacitance thereof, and pads provided at the ends of the pair of electrodes. The part can be electrically connected to an external circuit by wire bonding. In such a capacitive humidity detection sensor, it is necessary to expose the polymer moisture-sensitive film of the sensor part to the atmosphere, and it is required to seal at least the wire bonding part which is an external connection part with a sealing resin.
このように、部分的に封止樹脂で封止してなる電子部品パッケージとしては、特許文献1に開示されたものがある。この構成においては、封止しないセンサ領域をキャップ部材で保護している。このため、封止樹脂がキャップ部材とセンサを搭載する基板とにわたって被覆される。 As described above, an electronic component package partially sealed with a sealing resin is disclosed in Patent Document 1. In this configuration, the sensor region that is not sealed is protected by the cap member. For this reason, sealing resin is coat | covered over the board | substrate which mounts a cap member and a sensor.
しかしながら、特許文献1に開示された構成においては、キャップ部材を構成する材料と基板を構成する材料との間に熱膨張係数の差があると、使用温度により熱歪みが生じてセンサの温度特性のばらつきが大きくなる。また、特許文献1に開示された構成では、封止樹脂で封止する際に、ポッティングなどの方法でセンサパッケージ毎に個別に封止する必要があり、量産性が悪いという問題もある。 However, in the configuration disclosed in Patent Document 1, if there is a difference in thermal expansion coefficient between the material constituting the cap member and the material constituting the substrate, thermal distortion occurs due to the operating temperature, and the temperature characteristics of the sensor. The variation of the is increased. Further, in the configuration disclosed in Patent Document 1, when sealing with a sealing resin, it is necessary to individually seal each sensor package by a method such as potting, which causes a problem of poor mass productivity.
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、どの使用温度においても熱歪みが生じず温度特性のばらつきが小さい湿度検出センサパッケージを効率良く得ることができる湿度検出センサパッケージの製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, the humidity detection sensor package manufacturing method capable any thermal distortion at use temperature is to efficiently obtain a humidity detection sensor package variation in the temperature characteristics is small not occur The purpose is to provide.
本発明の湿度検出センサパッケージの製造方法は、パッケージ基板の一方の主面側に湿度検出センサを実装する工程と、前記湿度検出センサの外部接続部分を少なくとも封止樹脂により封止する工程と、を具備し、前記湿度検出センサは、感湿領域を備えると共に、前記感湿領域が外界に露出するように前記封止樹脂の封止領域と前記感湿領域とを仕切る仕切り部材を有しており、前記湿度検出センサは、前記仕切り部材と同じ材質の基板の一方の主面に、前記感湿領域に対面する凹部を形成する工程と、基台上にセンサ素子を搭載する工程と、前記凹部が前記感湿領域に対面するように、前記基板と前記基台とを接合する工程と、前記基板の他方の主面を研削して前記感湿領域を外界に露出させる開口を形成して前記仕切り部材を設ける工程と、ダイシングラインに沿ってダイシングすることにより個々の湿度検出センサに分割する工程と、により作製されることを特徴とする。 The manufacturing method of the humidity detection sensor package of the present invention includes a step of mounting a humidity detection sensor on one main surface side of the package substrate, a step of sealing an external connection portion of the humidity detection sensor with at least a sealing resin, The humidity detection sensor includes a moisture sensitive region and a partition member that partitions the sealing region of the sealing resin and the moisture sensitive region so that the moisture sensitive region is exposed to the outside. cage, the humidity detection sensor, on one main surface of the substrate of the same material as the partition member, forming a recess facing said moisture sensitive area, a step of mounting the sensor element on the base, A step of bonding the substrate and the base so that the concave portion faces the moisture sensitive region, and an opening that exposes the moisture sensitive region to the outside by grinding the other main surface of the substrate. To install the partition member When, characterized in that it is produced a step of dividing into individual humidity detection sensor by dicing along the dicing line, by.
この方法によれば、多数個取りのウエハ状態で基板と基台とを接合してその後ダイシングしてチップ化するので、量産性が高い状態で湿度検出センサを作製することができる。このため、効率良く湿度検出センサパッケージを製造することができる。 According to this method, since the substrate and the base are joined in a multi-piece wafer state and then diced into chips, a humidity detection sensor can be manufactured with high mass productivity. For this reason, a humidity detection sensor package can be manufactured efficiently.
本発明の湿度検出センサパッケージの製造方法においては、前記基台のみをダイシングラインに沿ってダイシングすることにより個々の湿度検出センサに分割することが好ましい。 In the manufacturing method of the humidity detection sensor package of this invention, it is preferable to divide | segment into each humidity detection sensor by dicing only the said base along a dicing line.
本発明の湿度検出センサパッケージの製造方法においては、前記基台と前記仕切り部材とをダイシングラインに沿ってダイシングすることにより個々の湿度検出センサに分割することが好ましい。 In the manufacturing method of the humidity detection sensor package of this invention, it is preferable to divide | segment into each humidity detection sensor by dicing the said base and the said partition member along a dicing line.
本発明の湿度検出センサパッケージの製造方法においては、前記凹部がフォトリソグラフィ及びエッチングで形成されることが好ましい。 In the manufacturing method of the humidity detection sensor package of this invention, it is preferable that the said recessed part is formed by photolithography and an etching.
本発明の湿度検出センサパッケージの製造方法においては、前記仕切り部材に、フッ素系ガスの被着により薄膜を形成することが好ましい。 In the manufacturing method of the humidity detection sensor package of this invention, it is preferable to form a thin film on the partition member by depositing a fluorine-based gas.
本発明の湿度検出センサパッケージは、パッケージ基板の一方の主面上に実装され、感湿領域を有する湿度検出センサと、前記湿度検出センサの外部接続部を少なくとも封止する封止樹脂と、前記感湿領域が外界に露出するように、前記封止樹脂の封止領域と前記感湿領域とを仕切る仕切り部材と、を具備し、前記湿度検出センサは、基台と、前記基台上に搭載されたセンサ素子と、を有し、前記基台と前記仕切り部材とが同じ材質で構成されているので、どの使用温度においても熱歪みが生じず温度特性のばらつきを小さくすることができる。 The humidity detection sensor package of the present invention is mounted on one main surface of the package substrate, has a humidity detection sensor having a moisture sensitive region, a sealing resin for sealing at least an external connection portion of the humidity detection sensor, A partition member that partitions the sealing region of the sealing resin and the moisture sensitive region so that the moisture sensitive region is exposed to the outside, and the humidity detection sensor is provided on a base and on the base Since the base and the partition member are made of the same material, thermal distortion does not occur at any operating temperature, and variations in temperature characteristics can be reduced.
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る湿度検出センサパッケージを示す図であり、(a)は等角投影図であり、(b)は底面等角投影図であり、(c)は平面図であり、(d)は底面図であり、(e)は側面図であり、(f)は断面図である。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a view showing a humidity detection sensor package according to an embodiment of the present invention, in which (a) is an isometric view, (b) is a bottom isometric view, and (c) is a plan view. It is a figure, (d) is a bottom view, (e) is a side view, (f) is sectional drawing.
この湿度検出センサパッケージは、図1(a),(c),(f)に示すように、パッケージ基板1の一方の主面上に電子部品である湿度検出センサ6が実装され、その湿度検出センサ6が封止樹脂2で封止されてなるものである。湿度検出センサ6は、湿度を検出するために、感湿領域が外界に露出している必要がある。このため、封止樹脂2で湿度検出センサ6を封止する際に、湿度検出センサ6の感湿領域を外界に露出させるために、封止樹脂2の封止領域と感湿領域とを仕切る仕切り部材3を予め設ける。すなわち、湿度検出センサパッケージにおいては、封止樹脂2の封止領域と感湿領域とを仕切る仕切り部材3を予め設けておき、封止樹脂2で湿度検出センサ6を封止することにより、湿度検出センサ6の感湿領域を外界に露出した状態(湿度検出穴4を設けた状態)で湿度検出センサ6を封止することができる。
In this humidity detection sensor package, as shown in FIGS. 1A, 1C, and 1F, a
湿度検出センサパッケージは、図1(f)に示すように、湿度検出センサ6上に仕切り部材3が設けられている。具体的には、湿度検出センサ6上に感光性接着剤(図示せず)などにより仕切り部材3が接合されている。なお、本発明においては、湿度検出センサ6の基台の材質と仕切り部材3の材質とが同じであるので、例えば、基台の材質と仕切り部材3とがシリコンで構成されている場合においては、前記基台と仕切り部材3とが共晶接合で接合されても良い。
In the humidity detection sensor package, as shown in FIG. 1 (f), a
パッケージ基板1としては、ガラスエポキシ基板などを用いることができる。パッケージ基板1は、図1(a),(b),(e),(f)に示すように、コア材12と、コア材12の両主面に設けられた絶縁層11,13とから構成されている。絶縁層11,13を構成する材料としては、絶縁性レジストなどを挙げることができる。絶縁層(センサ実装面と反対側の面の絶縁層)11には、湿度検出センサパッケージを回路基板(図示せず)に実装するための電極部5を露出するための開口部が設けられている。この電極部5と回路基板の電極部とを電気的に接続することにより、回路基板上に湿度検出センサパッケージを実装することができる。
As the package substrate 1, a glass epoxy substrate or the like can be used. As shown in FIGS. 1A, 1 </ b> B, 1 </ b> E, and 1 </ b> F, the package substrate 1 includes a
封止樹脂2は、湿度検出センサ6の外部接続部を少なくとも封止する。封止樹脂2としては、SiO2フィラー含有のエポキシ樹脂などを用いることができる。封止樹脂2による封止は、例えば、トランスファー成型により行う。また、仕切り部材3の材料は、後述する湿度検出センサ6の基台の材料と同じであり、シリコンなどを挙げることができる。The sealing
ここで、湿度検出センサパッケージについて、図2(a),(b)を用いてさらに詳細に説明する。湿度検出センサパッケージの湿度検出センサ6は、吸収又は放出した水分量に応じて誘電率が変化する高分子感湿材料を誘電体とした高分子膜湿度センサである。この湿度検出センサ6は、パッケージ基板1上にダイボンド材9によりダイボンドされている。パッケージ基板1上には、図2(a),(b)に示すように、湿度検出センサ6のセンサ素子を制御するIC7がダイボンド材9によりダイボンドされている。
Here, the humidity detection sensor package will be described in more detail with reference to FIGS. The
パッケージ基板1の絶縁層(センサ実装面の絶縁層)13には、電極パッド10を露出するための開口部が設けられている。この電極パッド10と湿度検出センサ6やIC7の電極パッド14とを電気的に接続することにより、パッケージ基板1と湿度検出センサ6やIC7とを電気的に接続することができる。パッケージ基板1の電極パッド10と湿度検出センサ6やIC7の電極パッド14とは、外部接続部であるワイヤ8により電気的に接続されている(ワイヤボンディング)。また、湿度検出センサ6の電極パッド14とIC7の電極パッド14とも、ワイヤ8により電気的に接続されている(ワイヤボンディング)。
The insulating layer (insulating layer on the sensor mounting surface) 13 of the package substrate 1 is provided with an opening for exposing the
本実施の形態においては、湿度検出センサ6は容量型湿度センサである。容量型湿度センサは、基台上にセンサ素子が搭載されており、湿度によって静電容量Csが変化するセンシング部と、湿度によらず一定の静電容量Crを保持する基準部と、を有する。これらのセンシング部及び基準部は、下部電極膜、高分子感湿膜及び上部電極膜からなる平行平板構造を有している。下部電極膜、高分子感湿膜及び上部電極膜は、基台上に下部電極膜から順に積層形成されていて、ほぼ同一の平面視円形状をなしている。下部電極膜及び上部電極膜は、例えばAlなどの電極材料で構成されており、各々の膜厚は均一である。高分子感湿膜は、ポリイミドなどで構成されており、均一の膜厚で形成されている。下部電極膜と上部電極膜との間の間隔dは高分子感湿膜の膜厚に等しく、下部電極膜と上部電極膜との間に蓄積される静電容量Cは、高分子感湿膜の誘電率ε、下部電極膜と上部電極膜との間の間隔dと対向面積Sで決定される(C=εS/d)。
In the present embodiment, the
基準部では、雰囲気との水分授受を遮断する非透湿保護膜が上部電極膜上に形成されており、この非透過保護膜によって上部電極膜全体が覆われている。非透湿保護膜は、例えば窒化シリコン膜(SiNx膜)やAl2O3/SiO2積層膜で構成されている。高分子感湿膜は、上部電極膜及び非透湿保護膜により覆われて雰囲気に曝されないので、雰囲気中の湿度(水分量)が変化しても該高分子感湿膜中の水分量は変化せず、誘電率εも変化しない。これにより、下部電極膜と上部電極膜の間には一定の静電容量(基準容量)Crが保持される。In the reference portion, a non-moisture permeable protective film that blocks moisture exchange with the atmosphere is formed on the upper electrode film, and the entire upper electrode film is covered with the non-permeable protective film. The non-moisture permeable protective film is composed of, for example, a silicon nitride film (SiNx film) or an Al 2 O 3 / SiO 2 laminated film. Since the polymer moisture-sensitive film is covered with the upper electrode film and the moisture-impermeable protective film and is not exposed to the atmosphere, even if the humidity (moisture content) in the atmosphere changes, the moisture content in the polymer moisture-sensitive film is It does not change and the dielectric constant ε does not change. Thereby, a certain electrostatic capacitance (reference capacitance) Cr is held between the lower electrode film and the upper electrode film.
一方のセンシング部では、非透湿保護膜が部分的に上部電極膜を覆っている。高分子感湿膜は、非透湿保護膜が覆われていない部分を介して雰囲気に曝されるので、雰囲気中の湿度(水分量)に応じて吸収または放出する水分量が変化し、誘電率εが変化する。この結果、下部電極膜と上部電極膜間の静電容量Csは変化する。 In one sensing unit, the moisture-impermeable protective film partially covers the upper electrode film. Since the polymer moisture-sensitive film is exposed to the atmosphere through a portion that is not covered with the moisture-impermeable protective film, the amount of moisture absorbed or released changes depending on the humidity (moisture amount) in the atmosphere, and the dielectric The rate ε changes. As a result, the capacitance Cs between the lower electrode film and the upper electrode film changes.
IC7は、センシング部のセンサ素子と基準部のセンサ素子と電気的に接続されており、センシング部で求められた静電容量Csと基準部で求められた静電容量Crとの差分Cs−Crを電圧に変換して出力する。
The
湿度検出センサ6の基台上には、仕切り部材3が設けられている。この仕切り部材3は、湿度検出穴4を有しており、この湿度検出穴4を介してセンシング部のセンサ素子を外界に露出させるようになっている。すなわち、仕切り部材3は、基準部のセンサ素子を覆い、センシング部のセンサ素子(感湿領域)を露出させる。これにより、センシング部のセンサ素子(感湿領域)を露出させることができると共に、それ以外の領域を封止することができる。このため、ワイヤ8の腐食や衝撃による破損を防止することができる。さらに、このような仕切り部材3を設けることにより、上述したように静電容量の差分に相当する電圧を取り出すことができる。
A
湿度検出センサパッケージにおいては、上述したように、湿度検出センサ6の基台を構成する材料と仕切り部材3を構成する材料とが同じである。このため、どの使用温度においても湿度検出センサ6の基台と仕切り部材3とで同じ熱膨張を生じるので、熱歪みが生じない。その結果、温度特性のばらつきを小さくすることができる。なお、上述したように、湿度検出センサ6の基台と仕切り部材3とは、感光性接着剤による接合や、基台の材質と仕切り部材3とがシリコンで構成されている場合には、Au層などの封着部材を介した共晶接合やSi−Siを直接接合する、例えば常温接合で接合される。
In the humidity detection sensor package, as described above, the material constituting the base of the
また、湿度検出センサにおいては、図3(a),(b)に示すような湿度検出穴4を有する仕切り部材3を設けても良い。この湿度検出穴4は、平面視において仕切り部材3の中央からずれた位置に設けられており、円形である。なお、図3(a),(b)において、図2(a),(b)と同じ部分については、図2(a),(b)と同じ符号を付して、その詳細な説明は省略する。
Moreover, in a humidity detection sensor, you may provide the
図3(a),(b)に示す湿度検出センサを封止樹脂2で封止することにより、図4(a)〜(d)に示すような湿度検出センサパッケージとなる。図4は、本発明の実施の形態に係る湿度検出センサパッケージを示す図であり、(a)は等角投影図であり、(b)は平面図であり、(c),(d)は側面図である。
The humidity detection sensor package shown in FIGS. 4A to 4D is obtained by sealing the humidity detection sensor shown in FIGS. 3A and 3B with the sealing
図4に示す湿度検出センサパッケージにおいては、図4(c),(d)に示すように、封止樹脂2の表面から仕切り部材3が突出している。このように仕切り部材3が封止樹脂2の表面よりも突出している場合においては、仕切り部材3の突出部3aが他の部材と接触する可能性がある。このため、仕切り部材3は、図5(a),(b)に示すように、平面視においてR部3bを有することが好ましい。なお、図5(b)は、図5(a)におけるX部の拡大図である。ここで、R部3bは、図5(a)に示すように、平面視において略矩形状の仕切り部材3の角部に設けられていても良く、図5(c)に示すように、平面視において仕切り部材3外形全体にわたって設けられていても良い。また、平面視において仕切り部材3の外形は、図5(a)に示すように、略矩形であっても良く、図5(c)に示すように楕円形であっても良く、円形であっても良い。
In the humidity detection sensor package shown in FIG. 4, the
このように、仕切り部材3の突出部3aにR部3bを設けることにより、突出部3aが他の部材と接触した際のチッピングを防止することができる。このように仕切り部材3の突出部3aにR部3bを設ける方法としては、例えば、図6(a)〜(d)に示す方法がある。
As described above, by providing the
図6(a)〜(d)は、本発明の実施の形態に係る湿度検出センサパッケージの製造方法を説明するための図である。この方法においては、基台(基板)のみをダイシングラインに沿ってダイシングすることにより個々の湿度検出センサに分割する。 6A to 6D are views for explaining a method of manufacturing a humidity detection sensor package according to the embodiment of the present invention. In this method, only the base (substrate) is diced along a dicing line to be divided into individual humidity detection sensors.
まず、図6(a)に示すように、キャップ側になる基板31にフォトリソグラフィ及びエッチング(例えば、deep RIE)により、仕切り部材に対応する部分31aと湿度検出穴に対応する開口部31bを設ける。
First, as shown in FIG. 6A, a
次いで、図6(b)に示すように、この基板31の開口部31bが露出している側を別の基板32に接着する。これにより、基板31は、接着層33を介して別の基板32に接着される。次いで、図6(c)に示すように、基板31を研削して開口部31bを露出させて湿度検出穴4を形成する。次いで、図6(d)に示すように、別の基板32をフルダイシングしてチップ化する。
Next, as shown in FIG. 6B, the side of the
図6に示す方法によれば、仕切り部材3及び湿度検出穴4をフォトリソグラフィでその形状を決定するので、平面視における仕切り部材3及び湿度検出穴4の形状を任意形状にすることができる。また、仕切り部材3及び湿度検出穴4をダイシングではなく、研削で形成するので、チッピングを低く抑えることができ、チッピングにより発生したパーティクルで感湿膜に影響を及ぼすことを防止できる。さらに、湿度検出穴4を研削で形成しているので、基板同士の接着領域近傍に凹部が形成されず、ダイシング時のスラッジたまりや、封止樹脂のボイドの発生を防ぐことができる。
According to the method shown in FIG. 6, since the shapes of the
図7(a)〜(h)は、本発明の実施の形態に係る湿度検出センサパッケージの仕切り部の形状と湿度検出穴の形状を示す図である。基台における仕切り部材3の位置は、図7(a)に示すように基台の中央であっても良く、図7(b),(c)に示すように、基台の中央から外れた位置(いずれかの側部に近くなるような位置)であっても良い。また、仕切り部材3の平面視における形状は、図7(a)〜(c)に示すように矩形であっても良く、図7(d)に示すように円形であっても良く、楕円形であっても良く、図7(e)に示すように多角形形状(図7(e)では六角形形状)であっても良い。また、湿度検出穴4の平面視における形状は、図7(a)〜(e)に示すように円形であっても良く、図7(f)に示すように矩形であっても良く、図7(g)に示すように多角形形状(図7(g)では八角形形状)であっても良く、図7(h)に示すように不定形形状であっても良い。
FIGS. 7A to 7H are views showing the shape of the partition portion and the shape of the humidity detection hole of the humidity detection sensor package according to the embodiment of the present invention. The position of the
湿度検出センサ6は、仕切り部材3と同じ材質の基板の一方の主面に、感湿領域に対面する凹部を形成し、前記基台上に前記センサ素子を搭載し、前記凹部が前記感湿領域に対面するように、前記基板と前記基台とを接合し、前記基板の他方の主面を研削して前記感湿領域を外界に露出させる開口を形成して前記仕切り部材を設け、ダイシングラインに沿ってダイシングすることにより個々の湿度検出センサに分割することにより作製されることが望ましい。この方法によれば、多数個取りのウエハ状態で基板と基台とを接合してその後ダイシングしてチップ化するので、量産性が高い状態で湿度検出センサ6を作製することができる。このため、効率良く湿度検出センサパッケージを製造することができる。
The
図8(a)〜(f)は、本発明の実施の形態に係る湿度検出センサパッケージの製造方法を説明するための図である。この方法においては、基台(基板)と仕切り部材3とをダイシングラインに沿ってダイシングすることにより個々の湿度検出センサに分割する。
8A to 8F are views for explaining a method for manufacturing a humidity detection sensor package according to the embodiment of the present invention. In this method, the base (substrate) and the
まず、図8(a)に示すように、仕切り部材3となる基板20の一方の主面にレジスト層21を形成する。このとき、基板20を構成する材料は、湿度検出センサ6の基台を構成する材料と同じである。ここでは、基板20としてシリコン基板を用いる。そして、感湿領域に対面する凹部となる領域に対応する領域に開口部21aが形成されるようにレジスト層21をパターニングする。
First, as shown in FIG. 8A, a resist
次いで、図8(b)に示すように、パターニング後のレジスト層21をマスクとして基板20をエッチング(例えば、deep RIE)して、基板20に感湿領域に対面する凹部20aを形成する。その後、図8(c)に示すように、レジスト層21を除去する。
Next, as shown in FIG. 8B, the
一方、図8(d)に示すように、湿度検出センサ6の基台60上にセンサ素子61,62を形成する。センサ素子61はセンシング部のセンサ素子であり、センサ素子62は基準部のセンサ素子である。これらのセンサ素子61,62は、下部電極膜、高分子感湿膜及び上部電極膜を順次積層することにより形成する。下部電極膜及び上部電極膜は、例えば、スパッタリングなどの方法で成膜し、その後パターニングすることにより形成し、高分子感湿膜は所定のパターンにポリイミドを塗布し乾燥することにより形成する。次いで、基台60においてセンサ素子61,62以外の領域に部分的に感光性接着剤22を塗布する。なお、ここでは、基台60を構成する材料をシリコンとする。
On the other hand, as shown in FIG. 8D,
次いで、図8(e)に示すように、基板20の凹部20aが感湿領域(センサ素子61)に対面するように、基板20と基台60とをウエハ状態で接合する。このとき、感光性接着剤に光を照射して硬化させることにより、基板20と基台60とを接合する。次いで、図8(f)に示すように、基板の他方の主面(凹部が設けられている面と反対側の主面)を研削して感湿領域(センサ素子61)を外界に露出させる開口(湿度検出穴4)を形成して仕切り部材3を設ける。
Next, as shown in FIG. 8E, the
湿度検出センサにおいては、感湿部分を大気中雰囲気に露出することが必須となる。しかしながら、感湿部分が水につかり結露状態にならないようにする必要がある。そこで、仕切り部材3(特に、湿度検出穴4の近傍)にフッ素系の薄膜を形成することが好ましい。これにより、湿度検出穴4にかかる水を撥水させ、感湿領域の結露を防止することができる。ここで、フッ素系の薄膜を形成する場合においては、フッ素系ガス(例えば、CF4ガス、C4F8ガス、CHF3ガスなど)を用いる。また、薄膜の厚さは、10nm程度であることが好ましい。このような方法によれば、ウエハ処理工程で撥水処理を一括処理することができるので、安価で均質な撥水処理を仕切り部材3に施すことができる。また、仕切り部材3に湿度検出穴4を複数設けて湿度検出穴4を細分化することにより、湿度検出穴4に浸入する水をより効果的に撥水させることができる。In the humidity detection sensor, it is essential to expose the moisture-sensitive part to the atmosphere in the air. However, it is necessary to prevent the moisture-sensitive portion from getting into water and causing condensation. Therefore, it is preferable to form a fluorine-based thin film on the partition member 3 (particularly in the vicinity of the humidity detection hole 4). Thereby, the water applied to the
その後、ダイシングライン(破線)に沿ってダイシングすることにより個々の湿度検出センサ6に分割する。
Then, it divides | segments into each
このようにして作製された湿度検出センサ6(図6又は図8に示す方法で作製された湿度検出センサ6)は、パッケージ基板1上にダイボンド材9でダイボンドされる。また、パッケージ基板1上にはダイボンド材9でIC7もダイボンドされる。その後、パッケージ基板1の電極パッド10と湿度検出センサ6やIC7の電極パッド14とをワイヤボンディングして電気的に接続する。そして、トランスファー成型により封止樹脂2で封止して図1に示すような湿度検出センサパッケージを得る。最後に、パッケージ基板1を、ダイシングラインに沿ってダイシングしてチップ状の湿度検出センサパッケージを得る。
The
このようにして得られた湿度検出センサパッケージは、湿度検出センサ6の基台60と湿度検出センサパッケージの仕切り部材3とが同じ材質で構成されているので、どの使用温度においても熱歪みが生じず温度特性のばらつきを小さくすることができる。
In the humidity detection sensor package thus obtained, the
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
基台を構成する材料をシリコンとし、仕切り部材を構成する材料をシリコンとして、上述した方法により図1に示す湿度検出センサパッケージ(実施例1)を作製した。また、比較のために、基台を構成する材料をシリコンとし、仕切り部材を構成する材料をPPS(ポリフェニルスルフィド)として、上述した方法により図1に示す湿度検出センサパッケージ(比較例1)及び基台を構成する材料をシリコンとし、仕切り部材を構成する材料を金として、上述した方法により図1に示す湿度検出センサパッケージ(比較例2)を作製した。Next, examples performed for clarifying the effects of the present invention will be described.
A humidity detection sensor package (Example 1) shown in FIG. 1 was produced by the above-described method using silicon as the material constituting the base and silicon as the material constituting the partition member. For comparison, the material constituting the base is made of silicon and the material constituting the partition member is made of PPS (polyphenyl sulfide), and the humidity detection sensor package (Comparative Example 1) shown in FIG. The humidity detection sensor package (Comparative Example 2) shown in FIG. 1 was produced by the above-described method using silicon as the material constituting the base and gold as the material constituting the partition member.
このようにして作製された実施例1、比較例1及び比較例2の湿度検出センサパッケージについて、−10℃から75℃まで温度を変えたときの同一湿度における湿度検出センサのセンサ出力の温度特性ばらつき(変化率)をシミュレーションにより求めた。その結果を図9に示す。なお、センサ出力のばらつきは、湿度検出センサパッケージの25℃時の熱歪みを零変化とし、25℃の出力でそれぞれの温度での出力を規格化することにより以下の式により求めた。
温度特性ばらつき(ppm)={V(t℃)−V(25℃)}/V(25℃)×106
V(t℃):任意の温度での出力、V(25℃):25℃での出力Regarding the humidity detection sensor packages of Example 1, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 manufactured as described above, the temperature characteristics of the sensor output of the humidity detection sensor at the same humidity when the temperature is changed from −10 ° C. to 75 ° C. Variation (rate of change) was determined by simulation. The result is shown in FIG. The variation in the sensor output was obtained by the following equation by setting the thermal strain at 25 ° C. of the humidity detection sensor package to zero and normalizing the output at each temperature with the output of 25 ° C.
Temperature characteristic variation (ppm) = {V (t ° C.) − V (25 ° C.)} / V (25 ° C.) × 10 6
V (t ° C): Output at an arbitrary temperature, V (25 ° C): Output at 25 ° C
図9から分かるように、実施例1の湿度検出センサパッケージでは、センサ出力のばらつきが約100ppmに抑えられていたが、比較例1の湿度検出センサパッケージでは、センサ出力のばらつきが約400ppmであり、比較例2の湿度検出センサパッケージでは、センサ出力のばらつきが約500ppmであった。このように、実施例1の湿度検出センサパッケージのセンサ出力のばらつきが小さかったのは、基台及び仕切り部材を構成する材料が同じで、熱歪みがなかったためであると考えられる。 As can be seen from FIG. 9, in the humidity detection sensor package of Example 1, the variation in sensor output was suppressed to about 100 ppm, but in the humidity detection sensor package of Comparative Example 1, the variation in sensor output was about 400 ppm. In the humidity detection sensor package of Comparative Example 2, the sensor output variation was about 500 ppm. As described above, the reason why the variation in the sensor output of the humidity detection sensor package of Example 1 was small was considered to be that the materials constituting the base and the partition member were the same and there was no thermal distortion.
本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。上記実施の形態における材料、各層の配置位置、厚さ、大きさ、製法などは適宜変更して実施することが可能である。その他、本発明は、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment, and can be implemented with appropriate modifications. The material, the arrangement position of each layer, the thickness, the size, the manufacturing method, and the like in the above embodiment can be changed as appropriate. In addition, the present invention can be implemented with appropriate modifications without departing from the scope of the present invention.
本出願は、2009年6月1日出願の特願2009−132015に基づく。この内容は全てここに含めておく。 This application is based on Japanese Patent Application No. 2009-13320 filed on June 1, 2009. All this content is included here.
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011518426A JP5269990B2 (en) | 2009-06-01 | 2010-05-28 | Manufacturing method of humidity detection sensor package |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009132015 | 2009-06-01 | ||
JP2009132015 | 2009-06-01 | ||
JP2011518426A JP5269990B2 (en) | 2009-06-01 | 2010-05-28 | Manufacturing method of humidity detection sensor package |
PCT/JP2010/059086 WO2010140545A1 (en) | 2009-06-01 | 2010-05-28 | Moisture detecting sensor package and manufacturing method therefor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010140545A1 JPWO2010140545A1 (en) | 2012-11-15 |
JP5269990B2 true JP5269990B2 (en) | 2013-08-21 |
Family
ID=43297681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011518426A Expired - Fee Related JP5269990B2 (en) | 2009-06-01 | 2010-05-28 | Manufacturing method of humidity detection sensor package |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5269990B2 (en) |
CN (1) | CN102341698B (en) |
WO (1) | WO2010140545A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9914638B2 (en) | 2015-01-14 | 2018-03-13 | Sensirion Ag | Sensor package |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE202011051190U1 (en) * | 2011-09-02 | 2011-11-21 | Sensirion Ag | sensor module |
EP2765410B1 (en) * | 2014-06-06 | 2023-02-22 | Sensirion AG | Gas sensor package |
JP6477225B2 (en) * | 2015-05-15 | 2019-03-06 | 富士通株式会社 | Gas sensor device component, gas sensor device and manufacturing method thereof, information processing system |
EP3124962B1 (en) * | 2015-07-29 | 2022-09-28 | Sensirion AG | Gas sensor array and a method for manufacturing thereof |
US11287395B2 (en) * | 2016-09-09 | 2022-03-29 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | Capacitive gas sensor |
EP3502680A4 (en) * | 2016-09-30 | 2019-09-11 | Minebea Mitsumi Inc. | Humidity sensor |
JP2019027842A (en) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 株式会社デンソー | Particle sensor |
JP2019184453A (en) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | Sensor unit and structure monitoring device |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61214566A (en) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Toshiba Corp | Semiconductor optical sensor device |
JPH0394453A (en) * | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Ibiden Co Ltd | Substrate for electronic component mounting |
JPH07174599A (en) * | 1991-12-09 | 1995-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor sensor device and its manufacture |
JPH09162208A (en) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Denso Corp | Bare chip covering method |
JP2001196644A (en) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Nichia Chem Ind Ltd | Optical semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2001210755A (en) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Nec Corp | Substrate for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
JP2003318336A (en) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Kyocera Corp | Electronic component device and manufacturing method |
WO2004023126A1 (en) * | 2002-09-03 | 2004-03-18 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Mounting method and manufacturing method for silicon micro sensor, and silicon micro sensor |
JP2008064561A (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Denso Corp | Humidity sensor |
JP2008211124A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Misuzu Kogyo:Kk | Semiconductor device storing package |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN86102535B (en) * | 1986-10-17 | 1988-11-16 | 中国科学院上海冶金研究所 | Metal-aluminium oxide-silicon construction humidity sensor and its fabricating technology |
KR100379471B1 (en) * | 2000-07-19 | 2003-04-10 | 엘지전자 주식회사 | absolute humidity sensor and circuit for detecting temperature and humidity using the same |
-
2010
- 2010-05-28 JP JP2011518426A patent/JP5269990B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-28 CN CN2010800098283A patent/CN102341698B/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-05-28 WO PCT/JP2010/059086 patent/WO2010140545A1/en active Application Filing
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61214566A (en) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Toshiba Corp | Semiconductor optical sensor device |
JPH0394453A (en) * | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Ibiden Co Ltd | Substrate for electronic component mounting |
JPH07174599A (en) * | 1991-12-09 | 1995-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor sensor device and its manufacture |
JPH09162208A (en) * | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Denso Corp | Bare chip covering method |
JP2001196644A (en) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Nichia Chem Ind Ltd | Optical semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2001210755A (en) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Nec Corp | Substrate for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
JP2003318336A (en) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Kyocera Corp | Electronic component device and manufacturing method |
WO2004023126A1 (en) * | 2002-09-03 | 2004-03-18 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Mounting method and manufacturing method for silicon micro sensor, and silicon micro sensor |
JP2008064561A (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Denso Corp | Humidity sensor |
JP2008211124A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Misuzu Kogyo:Kk | Semiconductor device storing package |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9914638B2 (en) | 2015-01-14 | 2018-03-13 | Sensirion Ag | Sensor package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102341698B (en) | 2013-10-09 |
JPWO2010140545A1 (en) | 2012-11-15 |
WO2010140545A1 (en) | 2010-12-09 |
CN102341698A (en) | 2012-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5269990B2 (en) | Manufacturing method of humidity detection sensor package | |
JP5574970B2 (en) | MEMS package and method for manufacturing the MEMS package | |
KR100393102B1 (en) | Stacked semiconductor package | |
JP4766143B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US8324024B2 (en) | Method for production of packaged electronic components, and a packaged electronic component | |
US20120000284A1 (en) | Humidity sensor package and manufacturing method thereof | |
US20100289095A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2008227335A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
CN106098717B (en) | High-reliability chip packaging method and structure | |
TWI600125B (en) | Chip package and manufacturing method thereof | |
JP2007127612A (en) | Humidity sensor device and its manufacturing method | |
CN102209892A (en) | Improved capacitive sensor and method for making the same | |
US7829993B2 (en) | Semiconductor apparatus | |
CN106553991A (en) | The air locking of the semi-conducting material reduced by thermal and mechanical stress sensitivity | |
RU2468346C2 (en) | Device having membrane structure for detecting thermal radiation, method for production and use thereof | |
KR20080107244A (en) | Acceleration sensor and fabrication method thereof | |
TWI590331B (en) | Electronic structures strengthened by porous and non-porous layers, and methods of fabrication | |
KR102004797B1 (en) | Sensor package and manufacturing method thereof | |
JP2008089421A (en) | Pressure sensor package | |
KR20030080642A (en) | A Method for Fabricating Ceramic Chip Packages | |
JP2007322191A (en) | Semiconductor acceleration sensor | |
CN104037135B (en) | Wafer encapsulation body and forming method thereof | |
JP2010278368A (en) | Electronic component package, and method of manufacturing the same | |
JP5343678B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
EP3601957A1 (en) | Sensor package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5269990 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |