JP5250967B2 - Organic compound, charge transport material, composition for charge transport material, and organic electroluminescent device - Google Patents

Organic compound, charge transport material, composition for charge transport material, and organic electroluminescent device Download PDF

Info

Publication number
JP5250967B2
JP5250967B2 JP2006315849A JP2006315849A JP5250967B2 JP 5250967 B2 JP5250967 B2 JP 5250967B2 JP 2006315849 A JP2006315849 A JP 2006315849A JP 2006315849 A JP2006315849 A JP 2006315849A JP 5250967 B2 JP5250967 B2 JP 5250967B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituent
ring
aromatic
charge transport
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006315849A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007176930A (en
Inventor
宏一朗 飯田
祐一郎 河村
朋行 緒方
昌義 矢部
未紗子 岡部
昌子 竹内
一毅 岡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP2006315849A priority Critical patent/JP5250967B2/en
Publication of JP2007176930A publication Critical patent/JP2007176930A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5250967B2 publication Critical patent/JP5250967B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、新規な有機化合物、この有機化合物からなる電荷輸送材料と、この電荷輸送材料を含む電荷輸送材料用組成物に関する。
本発明はまた、この新規な有機化合物からなる電荷輸送材料を用いた高輝度、高効率かつ長寿命の有機電界発光素子に関するものである。
The present invention relates to a novel organic compound, a charge transport material comprising the organic compound, and a composition for a charge transport material containing the charge transport material.
The present invention also relates to an organic electroluminescence device having high brightness, high efficiency, and long life using a charge transport material comprising the novel organic compound.

有機薄膜を用いた電界発光素子の開発が行われている。有機薄膜を用いた電界発光素子、すなわち有機電界発光素子は、通常、基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた少なくとも発光層を含む有機層を有する。有機層としては、発光層以外にも、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等が用いられる。通常、これらの層を積層することにより、有機電界発光素子として使用されている。従来、有機電界発光素子は、蛍光発光を利用してきたが、素子の発光効率を上げる試みで、蛍光ではなく燐光発光を用いることが検討されている。しかしながら、燐光発光を用いたとしても、未だ、十分な発光効率、輝度および寿命は得られていない。   An electroluminescent device using an organic thin film has been developed. An electroluminescent element using an organic thin film, that is, an organic electroluminescent element, usually has an organic layer including an anode, a cathode, and at least a light emitting layer provided between both electrodes on a substrate. As the organic layer, in addition to the light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are used. Usually, these layers are laminated to be used as an organic electroluminescent element. Conventionally, organic electroluminescent devices have used fluorescent light emission, but in an attempt to increase the light emission efficiency of the device, it has been studied to use phosphorescent light emission instead of fluorescent light. However, even if phosphorescence emission is used, sufficient luminous efficiency, luminance, and lifetime are not yet obtained.

非特許文献1には、導電性高分子であるポリアニリンの溶解性を向上させる目的で、下記高分子化合物(C−1)が提案されている。   Non-Patent Document 1 proposes the following polymer compound (C-1) for the purpose of improving the solubility of polyaniline, which is a conductive polymer.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

しかしながら、上記化合物(C−1)のような、高分子材料には以下のような問題がある。
・高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難である。
・連続駆動時に末端残基による劣化が起こる。
・材料自体の高純度化が困難で、不純物を含む。
However, the polymer material such as the compound (C-1) has the following problems.
・ It is difficult to control the degree of polymerization and molecular weight distribution of polymer materials.
・ Deterioration due to terminal residues occurs during continuous driving.
・ High purity of the material itself is difficult and contains impurities.

また、化合物(C−1)に電荷輸送性を誘起するためには、酸化した後、プロトン酸をドープする必要があり、ドープしたプロトン酸および対アニオンが拡散するおそれがあるため、化合物(C−1)は有機電界発光素子の電荷輸送材料として問題があると推測される。   In addition, in order to induce charge transportability in the compound (C-1), it is necessary to dope the protonic acid after oxidation, and the doped protonic acid and counter anion may be diffused. -1) is presumed to be problematic as a charge transport material for organic electroluminescent devices.

また、非特許文献1には、化合物(C−1)のモデル化合物として、下記化合物(C−2)が開示されている。   Non-Patent Document 1 discloses the following compound (C-2) as a model compound of the compound (C-1).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

しかしながら、上記化合物(C−2)は2級アミン部位を有するため、耐熱性および非晶質性に乏しく、化合物(C−2)を含む有機薄膜は、結晶化や凝集などにより容易に劣化するという課題を有する。また、2級アミン部位にHOMOが局在化していることから、化合物(C−2)は電荷輸送性が乏しいという課題も有する。   However, since the compound (C-2) has a secondary amine moiety, it is poor in heat resistance and amorphousness, and the organic thin film containing the compound (C-2) is easily deteriorated by crystallization, aggregation or the like. Has the problem. In addition, since HOMO is localized at the secondary amine site, the compound (C-2) also has a problem of poor charge transportability.

特許文献1には、下記化合物(C−3)を電子写真感光体の電荷輸送材料として用いることが提案されている。   Patent Document 1 proposes to use the following compound (C-3) as a charge transport material for an electrophotographic photoreceptor.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

しかしながら、上記化合物(C−3)のような化合物は、1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン環の窒素原子に結合する基に、芳香族環が1つしかないため、耐熱性が低く、有機電界発光素子の電荷輸送材料として問題がある場合がある。   However, since the compound such as the compound (C-3) has only one aromatic ring in the group bonded to the nitrogen atom of the 1,3-dihydroimidazol-2-one ring, the heat resistance is low, There may be a problem as a charge transport material for organic electroluminescent devices.

このようなことから、耐熱性および非晶質性に優れる共に、電荷輸送能に優れる材料が望まれていた。
特開平10−246973号公報 Macromolecules 2003年, 36, 4368-4373頁
For these reasons, there has been a demand for a material that is excellent in heat resistance and amorphousness and excellent in charge transport ability.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-246973 Macromolecules 2003, 36, 4368-4373

本発明は上記実状に鑑みてなされたものであって、耐熱性および非晶質性に優れ、電荷輸送能に優れる電荷輸送材料の提供、更には高輝度、高効率かつ長寿命の有機電界発光素子を形成するための組成物、およびそれを用いた有機電気発光素子を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a charge transport material having excellent heat resistance and amorphousness and excellent charge transport ability, and further, organic electroluminescence with high brightness, high efficiency and long life. It aims at providing the composition for forming an element, and the organic electroluminescent element using the same.

本発明者らは鋭意検討した結果、下記構造の有機化合物を見出した。この有機化合物は、耐熱性、非晶質性および電荷輸送能に優れ、さらに、高い一重項および三重項励起準位を有し、また、有機溶媒への溶解性にも優れる。
このため、この有機化合物からなる電荷輸送材料、および、この有機化合物からなる電荷輸送材料を含む電荷輸送材料用組成物を用いた有機電界発光素子によれば、高輝度、高効率かつ長寿命な有機電界発光素子が提供される。
As a result of intensive studies, the present inventors have found an organic compound having the following structure. This organic compound is excellent in heat resistance, amorphousness and charge transporting ability, has high singlet and triplet excited levels, and is excellent in solubility in an organic solvent.
Therefore, according to the organic electroluminescence device using the charge transport material composed of this organic compound and the composition for charge transport material containing the charge transport material composed of this organic compound, it has high brightness, high efficiency and long life. An organic electroluminescent device is provided.

即ち本発明の要旨は、下記式(I)で表される有機化合物(請求項1)、該化合物からなる電荷輸送材料(請求項)、または、下記式(II-2)で表される、有機電界発光素子用の電荷輸送材料(請求項)、該材料を含む電荷輸送材料用組成物(請求項)、に存する。 That is, the gist of the present invention is represented by an organic compound represented by the following formula (I) (Claim 1), a charge transport material comprising the compound (Claim 6 ), or represented by the following Formula (II-2). The present invention resides in a charge transport material for an organic electroluminescence device (Claim 7 ) and a composition for a charge transport material containing the material (Claim 9 ).

本発明の別の要旨は、基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子において、この電荷輸送材料を含有してなる層を有する有機電界発光素子(請求項11)、に存する。 Another gist of the present invention is an organic electroluminescent device having a layer containing the charge transport material in an organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between both electrodes on a substrate. (Claim 11 ).

Figure 0005250967
〔式中、Ar下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族複素環基、または下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ar下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
置換基群Z:芳香族炭化水素基、アルキル基及び1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン由来の基
、Rは各々独立に、水素原子、芳香族炭化水素基またはアルキル基を表すか、或いは、下記式(II)で表されるように、互いに結合して、置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよいベンゼン環、または置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよい含窒素芳香族六員環の を形成する
Figure 0005250967
(式中、Ar 、Ar 、Qは、前記式(I)におけると同義である。
環A は、置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよいベンゼン環、または置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよい含窒素芳香族六員環を表す。)
Qは下記式(I−1)で表される。
Figure 0005250967
(式中、Ar〜Ar は各々独立に、下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。ArとArは互いに結合して環を形成していてもよい。
置換基群Z:芳香族炭化水素基、アルキル基及び1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン由来の基)〕
Figure 0005250967
[Wherein, Ar 1 is represented by the following substituent an aromatic optionally having a substituent selected from the group Z hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic which may have a substituent selected from Substituent Group Z It represents a cyclic group or an alkyl group which may have a substituent selected from the following substituent group Z.
The Ar 2 is represented by the following aromatic optionally having a substituent selected from substituent group Z hydrocarbon group or an aromatic optionally having a substituent selected from Substituent Group Z heterocyclic group, Represent.
Substituent group Z: groups R 1 and R 2 derived from an aromatic hydrocarbon group, an alkyl group and 1,3-dihydroimidazol-2-one each independently represent a hydrogen atom , an aromatic hydrocarbon group or an alkyl group . Alternatively, as represented by the following formula (II), they are bonded to each other and may have an aromatic hydrocarbon group and / or an alkyl group as a substituent, or aromatic as a substituent It has a hydrocarbon group and / or an alkyl group to form a ring a 1 of the nitrogen-containing aromatic six-membered ring.
Figure 0005250967
(In the formula, Ar 1 , Ar 2 and Q have the same meanings as in the formula (I)).
Ring A 1 includes a benzene ring which may have an aromatic hydrocarbon group and / or an alkyl group as a substituent, or an aromatic hydrocarbon group and / or an alkyl group which may have a substituent. Represents a nitrogen aromatic six-membered ring. )
Q is represented by the following formula (I-1 ) .
Figure 0005250967
(In the formula, Ar 3 to Ar 4 each independently has an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent selected from the following substituent group Z , or a substituent selected from the following substituent group Z. And Ar 3 and Ar 4 may be bonded to each other to form a ring.
Substituent group Z: aromatic hydrocarbon group, alkyl group and 1,3-dihydroimidazol-2-one-derived group )]

Figure 0005250967
〔式中、環Aは、置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよいベンゼン環、または置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよい含窒素芳香族六員環を表す。
Ar、Arは各々独立に、下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
置換基群Z:芳香族炭化水素基、アルキル基及び1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン由来の基
Figure 0005250967
Wherein ring A 1 is has an aromatic hydrocarbon group and / or a benzene ring which may have an alkyl group or an aromatic as a substituent a hydrocarbon group and / or an alkyl group, as a substituent Represents a nitrogen-containing aromatic six-membered ring which may be
Ar 1, Ar 9 each independently have a substituent selected from the following substituent an aromatic optionally having a substituent selected from the group Z hydrocarbon group or the following substituent group Z, Represents a good aromatic heterocyclic group.
Substituent group Z: group derived from aromatic hydrocarbon group, alkyl group and 1,3-dihydroimidazol-2-one ]

本発明の有機化合物、該化合物からなる電荷輸送材料、該材料を含む電荷輸送材料用組成物によれば、電荷輸送能が高い材料を含む均一な有機薄膜を湿式製膜法によって形成することが可能であり、有機電界発光素子の大面積化が容易となる。さらに、本発明の電荷輸送材料、該材料を含む電荷輸送材料用組成物を用いた有機電界発光素子によれば、低い電圧、かつ高い効率で発光させることが可能となる。   According to the organic compound of the present invention, the charge transport material comprising the compound, and the composition for a charge transport material containing the material, a uniform organic thin film containing a material having a high charge transport ability can be formed by a wet film forming method. It is possible to easily increase the area of the organic electroluminescent element. Furthermore, according to the organic electroluminescent element using the charge transport material of the present invention and the composition for a charge transport material containing the material, light can be emitted with a low voltage and high efficiency.

また、本発明の電荷輸送材料は、優れた製膜性、電荷輸送性、発光特性、耐熱性から、真空蒸着法にも湿式製膜法にも適用可能である。   Further, the charge transport material of the present invention can be applied to both the vacuum deposition method and the wet film forming method because of excellent film forming property, charge transporting property, light emitting property, and heat resistance.

また、本発明の電荷輸送材料、該材料を含む電荷輸送材料用組成物は、優れた製膜性、電荷輸送性、発光特性、耐熱性から、素子の層構成に合わせて、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、ホスト材料、電子注入材料、電子輸送材料などとしても適用可能である。   In addition, the charge transport material of the present invention and the composition for charge transport material containing the material have excellent film-forming properties, charge transport properties, light emission characteristics, and heat resistance, and therefore, in accordance with the layer structure of the element, a hole injection material. It can also be applied as a hole transport material, a light emitting material, a host material, an electron injection material, an electron transport material and the like.

従って、本発明の電荷輸送材料、該材料を含む電荷輸送材料用組成物を用いた本発明の有機電界発光素子はフラットパネル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛けテレビ)、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。   Therefore, the organic electroluminescence device of the present invention using the charge transport material of the present invention and the composition for charge transport material containing the material is a flat panel display (for example, for OA computer or wall-mounted TV), in-vehicle display device, mobile phone. It can be applied to light sources (for example, light sources for copiers, liquid crystal displays and instrument backlights), display boards, and sign lamps that take advantage of the characteristics of displays and surface light emitters, and have great technical value. It is.

本発明の電荷輸送材料、該材料を含む電荷輸送材料用組成物は、本質的に優れた酸化還元安定性を有することから、有機電界発光素子に限らず、その他、電子写真感光体、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等にも有効に利用することができる。   The charge transport material of the present invention and the charge transport material composition containing the material have intrinsically excellent redox stability, and thus are not limited to organic electroluminescent devices, but also electrophotographic photoreceptors, photoelectric conversions. It can also be effectively used for elements, organic solar cells, organic rectifying elements, and the like.

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例(代表例)であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。   Embodiments of the present invention will be described in detail below, but the description of the constituent elements described below is an example (representative example) of an embodiment of the present invention, and the present invention does not exceed the gist thereof. It is not specified in the contents.

[有機化合物]
本発明の有機化合物は、下記式(I)で表される。
[Organic compounds]
The organic compound of the present invention is represented by the following formula (I).

Figure 0005250967
〔式中、Arは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、または置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Arは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
、Rは各々独立に、水素原子または置換基を表す。RとRは互いに結合して環を形成していてもよい。
Qは下記式(I−1)または(I−2)で表される。
Figure 0005250967
(式中、Ar〜Arは各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。ArとArは互いに結合して環を形成していてもよい。)〕
Figure 0005250967
[In the formula, Ar 1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aromatic heterocyclic group which may have a substituent, or an alkyl group which may have a substituent. Represent.
Ar 2 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring.
Q is represented by the following formula (I-1) or (I-2).
Figure 0005250967
(In the formula, Ar 3 to Ar 5 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 3 and Ar 4 may be bonded to each other to form a ring.)]

[1]構造上の特徴
本発明の有機化合物は、尿素結合(−NR−CO−NR´−)を含む5員環(1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン)構造を有するため、適度な極性を有し、非晶質性が高く、耐熱性が高い。このため、種々の有機溶媒に可溶であり、容易には結晶化しない非晶質な有機薄膜を形成することが可能である。また、該構造は、リジットな平面構造であるため、本発明の有機化合物は高い一重項および三重項励起準位を有する。また、本発明の有機化合物は、該構造の他に、3級アミン部位(−Ar−N(Ar)−Ar)または直接結合した2つの芳香族基(−Ar−Ar)を有するため、電荷輸送性、耐熱性がさらに向上している。
[1] Structural features Since the organic compound of the present invention has a 5-membered ring (1,3-dihydroimidazol-2-one) structure containing a urea bond (-NR-CO-NR'-), It has polarity, high amorphousness, and high heat resistance. Therefore, it is possible to form an amorphous organic thin film that is soluble in various organic solvents and does not easily crystallize. Further, since the structure is a rigid planar structure, the organic compound of the present invention has high singlet and triplet excited levels. In addition to the structure, the organic compound of the present invention has a tertiary amine moiety (—Ar 2 —N (Ar 3 ) —Ar 4 ) or two directly bonded aromatic groups (—Ar 2 —Ar 5 ). Therefore, charge transportability and heat resistance are further improved.

[2]分子量範囲
本発明の有機化合物の分子量は、通常、5000以下、好ましくは3000以下、より好ましくは2000以下であり、また通常300以上、好ましくは500以上、より好ましくは600以上である。
分子量が上記上限値を超えると、不純物の高分子量化によって精製が困難となる場合があり、また分子量が上記下限値を下回ると、ガラス転移温度および、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。
[2] Molecular weight range The molecular weight of the organic compound of the present invention is usually 5000 or less, preferably 3000 or less, more preferably 2000 or less, and usually 300 or more, preferably 500 or more, more preferably 600 or more.
If the molecular weight exceeds the upper limit, purification may become difficult due to the high molecular weight of impurities, and if the molecular weight falls below the lower limit, the glass transition temperature, the melting point, the vaporization temperature, etc. will decrease. There is a risk that the properties are significantly impaired.

[3]物性
本発明の有機化合物は、通常40℃以上のガラス転移温度を有するが、耐熱性の観点から、80℃以上であることが好ましく、110℃以上であることが更に好ましい。
本発明の有機化合物は、通常300℃以上、800℃以下の気化温度を有する。
[3] Physical Properties The organic compound of the present invention usually has a glass transition temperature of 40 ° C. or higher, but is preferably 80 ° C. or higher and more preferably 110 ° C. or higher from the viewpoint of heat resistance.
The organic compound of the present invention usually has a vaporization temperature of 300 ° C. or higher and 800 ° C. or lower.

本発明の有機化合物は、通常2.0eV以上4.0eV以下の励起三重項状態と基底状態のエネルギー差を有するが、燐光発光を用いた有機電界発光素子の効率を向上させる観点から、励起三重項状態と基底状態のエネルギー差が2.3eV以上であることが好ましく、2.6eV以上であることがより好ましく、2.9eV以上であることが更に好ましい。   The organic compound of the present invention usually has an energy difference between an excited triplet state and a ground state of 2.0 eV or more and 4.0 eV or less. However, from the viewpoint of improving the efficiency of an organic electroluminescent device using phosphorescence emission, The energy difference between the term state and the ground state is preferably 2.3 eV or more, more preferably 2.6 eV or more, and still more preferably 2.9 eV or more.

この励起三重項状態と基底状態のエネルギー差(最低三重項励起エネルギー)の求め方は、例えば、以下の通りである。
最低三重項励起エネルギーは、試料化合物を分光用に精製された溶媒(例えば、2−メチルテトラヒドロフラン)に溶かした溶液を筒状石英セルに入れ、液体窒素を用いて77Kに冷却してフォトルミネッセンスを測定し、その最大エネルギーの燐光発光(0,0遷移ピーク形状)から求める。燐光発光と蛍光発光の分別は、励起光入射後、フォトルミネッセンス観測開始時間を遅らせることによって行う。フォトルミネッセンスの測定は、材料の吸収に合わせて、Nレーザー光源(波長337nm)を用い、これを励起光として試料化合物に当てることによって行う。
The method for obtaining the energy difference between the excited triplet state and the ground state (minimum triplet excitation energy) is, for example, as follows.
For the lowest triplet excitation energy, a solution in which a sample compound is dissolved in a spectroscopically purified solvent (for example, 2-methyltetrahydrofuran) is placed in a cylindrical quartz cell, and cooled to 77 K using liquid nitrogen to effect photoluminescence. Measured and determined from the phosphorescence emission (0, 0 transition peak shape) of the maximum energy. Separation of phosphorescence emission and fluorescence emission is performed by delaying the photoluminescence observation start time after the excitation light is incident. The photoluminescence is measured by applying an N 2 laser light source (wavelength 337 nm) to the sample compound as excitation light in accordance with the absorption of the material.

[4]R、R
本発明の有機化合物におけるR、Rは各々独立に、水素原子または任意の置換基を表し、R、Rは互いに結合して環を形成していてもよい。
任意の置換基としては、以下に例示するような有機基等が挙げられ、好ましくは分子量500以下の基が挙げられる。具体的には、次のようなものが挙げられる。
置換基を有していてもよいアルキル基(好ましくは炭素数1〜8の直鎖または分岐のアルキル基であり、例えばメチル、エチル、n−プロピル、2−プロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアルケニル基(好ましくは、炭素数2〜9のアルケニル基であり、例えばビニル、アリル、1−ブテニル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアルキニル基(好ましくは、炭素数2〜9のアルキニル基であり、例えばエチニル、プロパルギル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアラルキル基(好ましくは、炭素数7〜15のアラルキル基であり、例えばベンジル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアミノ基[好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基を1つ以上有するアルキルアミノ基(例えばメチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよい炭素数6〜12の芳香族炭化水素基を有するアリールアミノ基(例えばフェニルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよい、5または6員環の芳香族複素環を有するヘテロアリールアミノ基(例えばピリジルアミノ、チエニルアミノ、ジチエニルアミノ基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよい、炭素数2〜10のアシル基を有するアシルアミノ基(例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。)]、
置換基を有していてもよいアルコキシ基(好ましくは置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルコキシ基であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基(好ましくは炭素数6〜12の芳香族炭化水素基を有するものであり、例えばフェニルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフチルオキシ基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいヘテロアリールオキシ基(好ましくは5または6員環の芳香族複素環基を有するものであり、例えばピリジルオキシ、チエニルオキシ基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアシル基(好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数2〜10のアシル基であり、例えばホルミル、アセチル、ベンゾイル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基(好ましくは置換基を有していてもよい炭素数2〜10のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基(好ましくは置換基を有していてもよい炭素数7〜13のアリールオキシカルボニル基であり、例えばフェノキシカルボニル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアルキルカルボニルオキシ基(好ましくは置換基を有していてもよい炭素数2〜10のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが挙げられる。)、
ハロゲン原子(特に、フッ素原子または塩素原子)、
カルボキシル基、
シアノ基、
水酸基、
メルカプト基、
置換基を有していてもよいアルキルチオ基(好ましくは炭素数1〜8のアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいアリールチオ基(好ましくは炭素数6〜12のアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基、1−ナフチルチオ基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいスルホニル基(例えば、メシル基、トシル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいシリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいボリル基(例えば、ジメシチルボリル基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよいホスフィノ基(例えば、ジフェニルホスフィノ基などが挙げられる。)、
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基(例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、5または6員環の単環または2〜5縮合環由来の1価の基が挙げられる。)
置換基を有していてもよい複素環基(例えば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、イミダゾリノン環、ベンゾイミダゾリノン環などの、5または6員環の単環または2〜4縮合環由来の1価の基が挙げられる。)
[4] R 1 , R 2
R 1 and R 2 in the organic compound of the present invention each independently represent a hydrogen atom or an arbitrary substituent, and R 1 and R 2 may be bonded to each other to form a ring.
As an arbitrary substituent, the organic group etc. which are illustrated below are mentioned, Preferably the group of molecular weight 500 or less is mentioned. Specific examples include the following.
An alkyl group which may have a substituent (preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl, 2-propyl, n-butyl, isobutyl, tert -Butyl group and the like).
An alkenyl group which may have a substituent (preferably an alkenyl group having 2 to 9 carbon atoms, such as vinyl, allyl and 1-butenyl groups);
An alkynyl group which may have a substituent (preferably an alkynyl group having 2 to 9 carbon atoms, such as ethynyl and propargyl groups);
An aralkyl group which may have a substituent (preferably an aralkyl group having 7 to 15 carbon atoms, such as a benzyl group);
An optionally substituted amino group [preferably an alkylamino group having one or more optionally substituted alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms (for example, methylamino, dimethylamino, diethylamino, Dibenzylamino group, etc.),
An arylamino group having an aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms which may have a substituent (for example, phenylamino, diphenylamino, ditolylamino group, etc.);
A heteroarylamino group having a 5- or 6-membered aromatic heterocyclic ring which may have a substituent (for example, pyridylamino, thienylamino, dithienylamino group, etc.);
An acylamino group having an acyl group having 2 to 10 carbon atoms which may have a substituent (for example, acetylamino, benzoylamino group and the like)],
An alkoxy group which may have a substituent (preferably an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent, for example, methoxy, ethoxy, butoxy group, etc.),
An aryloxy group which may have a substituent (preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 carbon atoms, such as phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy group and the like. ),
A heteroaryloxy group which may have a substituent (preferably one having a 5- or 6-membered aromatic heterocyclic group, for example, pyridyloxy, thienyloxy group, etc.),
An acyl group which may have a substituent (preferably an acyl group having 2 to 10 carbon atoms which may have a substituent, such as formyl, acetyl and benzoyl groups);
An alkoxycarbonyl group which may have a substituent (preferably an alkoxycarbonyl group having 2 to 10 carbon atoms which may have a substituent, for example, methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl group and the like),
An aryloxycarbonyl group which may have a substituent (preferably an aryloxycarbonyl group having 7 to 13 carbon atoms which may have a substituent, such as a phenoxycarbonyl group);
An alkylcarbonyloxy group which may have a substituent (preferably an alkylcarbonyloxy group having 2 to 10 carbon atoms which may have a substituent, such as an acetoxy group);
Halogen atoms (especially fluorine or chlorine atoms),
Carboxyl group,
A cyano group,
Hydroxyl group,
Mercapto group,
An alkylthio group which may have a substituent (preferably an alkylthio group having 1 to 8 carbon atoms, such as a methylthio group and an ethylthio group);
An arylthio group which may have a substituent (preferably an arylthio group having 6 to 12 carbon atoms, such as a phenylthio group and a 1-naphthylthio group);
A sulfonyl group which may have a substituent (for example, a mesyl group, a tosyl group, etc.),
A silyl group which may have a substituent (for example, a trimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, etc.),
An optionally substituted boryl group (for example, a dimesitylboryl group),
A phosphino group which may have a substituent (for example, a diphenylphosphino group);
An aromatic hydrocarbon group which may have a substituent (for example, benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, fluoranthene ring, etc. And a monovalent group derived from a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring).
Heterocyclic group which may have a substituent (for example, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole Ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzoisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine Ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, imidazolinone ring, benzimidazolinone ring, etc. Condensation It includes a monovalent group derived from a.)

また、上記置換基がさらに置換基を有する場合、その置換基としては、上記例示置換基が挙げられる。   Moreover, when the said substituent further has a substituent, the said exemplary substituent is mentioned as the substituent.

、Rとしては、電気化学的耐久性を向上させる観点および耐熱性を向上させる観点から、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基がより好ましく、無置換のフェニル基、或いは1または2置換のフェニル基がさらに好ましい。 As R 1 and R 2 , an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent is preferable from the viewpoint of improving electrochemical durability and heat resistance, and has a substituent. The phenyl group may be more preferably an unsubstituted phenyl group or a mono- or di-substituted phenyl group.

、Rとしては、溶解性および非晶質性をさらに向上させる観点から、置換基を有していてもよいアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基、2−プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基などの炭素数1〜4のアルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、n−プロピル基がさらに好ましい。 As R 1 and R 2 , an alkyl group which may have a substituent is preferable from the viewpoint of further improving solubility and amorphousness, and a methyl group, ethyl group, n-propyl group, 2-propyl group is preferable. C1-C4 alkyl groups, such as a group, n-butyl group, isobutyl group, and tert-butyl group, are more preferable, and a methyl group, an ethyl group, and an n-propyl group are more preferable.

また、R、Rとしては、三重項励起準位の低下を防止する観点から、水素原子が好ましい。 Moreover, as R < 1 >, R < 2 >, a hydrogen atom is preferable from a viewpoint of preventing the fall of a triplet excitation level.

耐熱性をさらに向上させる観点から、R、Rは互いに結合して環を形成していることが好ましい。R、Rが互いに結合して環を形成した場合の式(I)で表される有機化合物の例を下記に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下において、Rとしては、R,Rとして例示した置換基または水素原子が挙げられる。 From the viewpoint of further improving the heat resistance, R 1 and R 2 are preferably bonded to each other to form a ring. Examples of the organic compound represented by the formula (I) when R 1 and R 2 are bonded to each other to form a ring are shown below, but the present invention is not limited thereto. In the following, examples of R include the substituents and hydrogen atoms exemplified as R 1 and R 2 .

Figure 0005250967
Figure 0005250967

電気化学的耐久性を向上させる観点、三重項励起準位の低下を防ぐ観点から、R、Rは互いに結合してベンゼン環または含窒素芳香族六員環を形成することが好ましい。すなわち、本発明の有機化合物は下記式(II)で表されることが好ましい。 From the viewpoint of improving electrochemical durability and preventing the reduction of the triplet excited level, R 1 and R 2 are preferably bonded to each other to form a benzene ring or a nitrogen-containing aromatic six-membered ring. That is, the organic compound of the present invention is preferably represented by the following formula (II).

Figure 0005250967
〔式中、Ar、Ar、Qは、前記式(I)におけると同義である。
環Aは、置換基を有していてもよいベンゼン環、または置換基を有していてもよい含窒素芳香族六員環を表す。〕
Figure 0005250967
[In the formula, Ar 1 , Ar 2 and Q have the same meanings as in the formula (I).
Ring A 1 represents a benzene ring which may have a substituent, or a nitrogen-containing aromatic six-membered ring which may have a substituent. ]

環Aの含窒素芳香族六員環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環が挙げられ、特に、ピリジン環が好ましい。 The nitrogen-containing aromatic six-membered ring of ring A 1, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, a triazine ring, and, in particular, a pyridine ring is preferable.

環Aの置換基の例としては、R、Rとして例示した置換基が挙げられ、好ましい置換基はR、Rとして好ましい置換基と同様である。 Examples of substituents on the ring A 1, include substituents exemplified as R 1, R 2, preferred substituents are the same as the preferred substituents as R 1, R 2.

[5]Ar、Ar
本発明の有機化合物におけるArは、任意の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、任意の置換基を有していてもよい芳香族複素環基、または任意の置換基を有していてもよいアルキル基を表し、Arは、任意の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または任意の置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
[5] Ar 1 , Ar 2
Ar 1 in the organic compound of the present invention represents an aromatic hydrocarbon group which may have an arbitrary substituent, an aromatic heterocyclic group which may have an arbitrary substituent, or an arbitrary substituent. Represents an optionally substituted alkyl group, and Ar 2 represents an optionally substituted aromatic hydrocarbon group, or an optionally substituted aromatic heterocyclic group. Represent.

Ar、Arが有していてもよい置換基の例は、R、Rとして例示した置換基が挙げられる。ArおよびArの置換基は、RおよびRとして例示した置換基を複数連結してなるものであってもよい。また、それら置換基は隣接する基と結合して、環を形成していてもよい。Arはその置換基も含めて、好ましくは分子量3000以下、さらに好ましくは1000以下である。Ar−Qは、その置換基も含めて、好ましくは分子量3000以下、好ましくは1000以下である。 Examples of the substituent that Ar 1 and Ar 2 may have include the substituents exemplified as R 1 and R 2 . The substituents for Ar 1 and Ar 2 may be formed by linking a plurality of substituents exemplified as R 1 and R 2 . These substituents may be bonded to an adjacent group to form a ring. Ar 1, including its substituents, preferably has a molecular weight of 3000 or less, more preferably 1000 or less. Ar 2 -Q, including the substituents thereof, preferably has a molecular weight of 3000 or less, preferably 1000 or less.

Ar、Arが有していてもよい置換基としては、耐熱性を向上させる観点から、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましく、より好ましくは置換基を有していてもよいフェニル基であり、さらに好ましくは無置換のフェニル基、1または2置換のフェニル基である。 The substituent that Ar 1 and Ar 2 may have is preferably an aromatic hydrocarbon group that may have a substituent, more preferably a substituent, from the viewpoint of improving heat resistance. An optionally substituted phenyl group, and more preferably an unsubstituted phenyl group or a mono- or disubstituted phenyl group.

Ar、Arが有していてもよい置換基としては、溶解性および非晶質性をさらに向上させる観点から、置換基を有していてもよいアルキル基が好ましく、より好ましくはメチル基、エチル基、n−プロピル基、2−プロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基などの炭素数1〜4のアルキル基、さらに好ましくはメチル基、エチル基である。 The substituent that Ar 1 and Ar 2 may have is preferably an alkyl group that may have a substituent, more preferably a methyl group, from the viewpoint of further improving solubility and amorphousness. , Ethyl group, n-propyl group, 2-propyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group and the like, more preferably methyl group, ethyl group It is.

Ar、Arが有していてもよい置換基としては、一重項および三重項励起準位の低下を防ぎつつ、さらに耐熱性および電荷輸送能を向上させる点から、1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン環由来の基が好ましい。 As the substituent that Ar 1 and Ar 2 may have, 1,3-dihydroimidazole can be used from the viewpoint of further improving the heat resistance and charge transporting capability while preventing a decrease in singlet and triplet excited levels. A group derived from a 2-one ring is preferred.

Ar、Arに適用可能な芳香族炭化水素基を例示するならば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環などの、6員環の単環または2〜5縮合環由来の基が挙げられる。 Examples of aromatic hydrocarbon groups applicable to Ar 1 and Ar 2 include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, Examples thereof include a group derived from a 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring, such as an acenaphthene ring and a fluoranthene ring.

Ar、Arに適用可能な芳香族複素環基を例示するならば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、5または6員環の単環または2〜4縮合環由来の基が挙げられる。 Examples of aromatic heterocyclic groups applicable to Ar 1 and Ar 2 are furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, Carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring , Pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, sinoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring, etc. It includes monocyclic or 2-4 fused ring group derived from the.

Arに適用可能なアルキル基を例示するならば、メチル、エチル、n−プロピル、2−プロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチル基、tert−ブチル基などの炭素数1〜4のアルキル基が挙げられる。 Examples of the alkyl group applicable to Ar 1 include alkyl having 1 to 4 carbon atoms such as methyl, ethyl, n-propyl, 2-propyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl group, and tert-butyl group. Groups.

Arは、三重項励起準位の低下を防ぐ点から、置換基を有していてもよいベンゼン環由来の基、置換基を有していてもよいピリジン環由来の基、置換基を有していてもよいベンゼン環または置換基を有していてもよいピリジン環が複数(例えば2〜10個)連結した基(例えば、ビフェニル基、ターフェニル基、フェニルピリジル基、ビピリジル基、ターピリジル基など)が好ましい。
Arは、合成が容易である点、三重項励起準位が高くなる傾向にある点から、−Ar−Qと同一であることが好ましい。
Arは、溶解性が向上する点から、−Ar−Qとは異なる基であることが好ましい。
Ar 1 has a group derived from a benzene ring which may have a substituent, a group derived from a pyridine ring which may have a substituent, and a substituent from the viewpoint of preventing a decrease in triplet excited level. Groups (for example, biphenyl group, terphenyl group, phenylpyridyl group, bipyridyl group, terpyridyl group) in which a plurality of (for example, 2 to 10) pyridine rings which may have a substituent may be connected. Etc.) is preferable.
Ar 1 is preferably the same as —Ar 2 —Q from the viewpoint that synthesis is easy and the triplet excited level tends to be high.
Ar 1 is preferably a group different from -Ar 2 -Q from the viewpoint of improving solubility.

Arは、三重項励起準位の低下を防ぐ点から、置換基を有していてもよいベンゼン環由来の基、置換基を有していてもよいピリジン環由来の基、置換基を有していてもよいベンゼン環または置換基を有していてもよいピリジン環が複数(例えば2〜10個)連結した2価の基(例えば、ビフェニル、ターフェニル、ビピリジル、ターピリジル、フェニルピリジン、ジフェニルピリジン、ジピリジルベンゼン由来の2価の基など)が好ましい。
また、Arは、電気化学的耐久性をさらに向上させる点から、p−フェニレン基、4,4’−ビフェニレン基、4,3’−ビフェニレン基、3,4’−ビフェニレン基であることがさらに好ましい。
Ar 2 has a group derived from a benzene ring which may have a substituent, a group derived from a pyridine ring which may have a substituent, and a substituent from the viewpoint of preventing a decrease in triplet excitation level. Divalent groups (for example, biphenyl, terphenyl, bipyridyl, terpyridyl, phenylpyridine, diphenyl) in which a plurality of (for example, 2 to 10) pyridine rings which may have a substituent may be connected. Divalent groups derived from pyridine and dipyridylbenzene are preferred.
Ar 2 is a p-phenylene group, a 4,4′-biphenylene group, a 4,3′-biphenylene group, or a 3,4′-biphenylene group from the viewpoint of further improving electrochemical durability. Further preferred.

また、Arは、溶解性をさらに向上させる点から、m−フェニレン基、3,3’−ビフェニレン基であることがさらに好ましい。
また、Arは、電荷(電子)輸送性をさらに向上させる点から、ピリジン環を含むことが好ましく、ピリジンジイル基、または、ビピリジル、ターピリジル、フェニルピリジン、ジフェニルピリジン、ジピリジルベンゼン由来の2価の基であることがさらに好ましい。
Ar 2 is more preferably an m-phenylene group or a 3,3′-biphenylene group from the viewpoint of further improving the solubility.
Ar 2 preferably contains a pyridine ring from the viewpoint of further improving the charge (electron) transport property, and is a divalent group derived from a pyridinediyl group or bipyridyl, terpyridyl, phenylpyridine, diphenylpyridine, or dipyridylbenzene. More preferably, it is a group.

ArとArがともに、ベンゼン環由来の基であることが、溶解性および耐熱性の点、三重項励起準位の低下を防ぐ点から、好ましい。
すなわち、本発明の有機化合物は、下記式(III)で表されることが好ましい。
It is preferable that both Ar 1 and Ar 2 are groups derived from a benzene ring from the viewpoints of solubility and heat resistance, and prevention of lowering of the triplet excited level.
That is, the organic compound of the present invention is preferably represented by the following formula (III).

Figure 0005250967
〔式中、R、R、Qは、前記式(I)におけると同義である。
環Bは置換基を有していてもよいベンゼン環を表し、環CはQ以外に置換基を有していてもよいベンゼン環を表す。〕
Figure 0005250967
[Wherein, R 1 , R 2 and Q have the same meanings as in the formula (I).
Ring B 1 represents a benzene ring which may have a substituent, and ring C 1 represents a benzene ring which may have a substituent other than Q. ]

環B、環Cが有していてもよい置換基の例およびその好ましい例は、それぞれ、前記Ar、Arが有していてもよい置換基と同様である。 Examples of substituents that ring B 1 and ring C 1 may have and preferred examples thereof are the same as the substituents that Ar 1 and Ar 2 may have.

また、ArとArがともに、ピリジン環由来の基であることが、電荷輸送性および耐熱性の点、三重項励起準位の低下を防ぐ点から、好ましい。
すなわち、本発明の有機化合物は、下記式(III-2)で表されることが好ましい。
In addition, it is preferable that both Ar 1 and Ar 2 are groups derived from a pyridine ring from the viewpoint of charge transportability and heat resistance, and prevention of lowering of the triplet excited level.
That is, the organic compound of the present invention is preferably represented by the following formula (III-2).

Figure 0005250967
〔式中、R、R、Qは、前記式(I)におけると同義である。
環Dは置換基を有していてもよいピリジン環を表し、環EはQ以外に置換基を有していてもよいピリジン環を表す。〕
Figure 0005250967
[Wherein, R 1 , R 2 and Q have the same meanings as in the formula (I).
Ring D 1 represents a pyridine ring which may have a substituent, and ring E 1 represents a pyridine ring which may have a substituent other than Q. ]

環D、環Eが有していてもよい置換基の例およびその好ましい例は、それぞれ、前記Ar、Arが有していてもよい置換基と同様である。 Examples of substituents that ring D 1 and ring E 1 may have and preferred examples thereof are the same as the substituents that Ar 1 and Ar 2 may have.

[6]Q
本発明の有機化合物におけるQは、下記式(I−1)または(I−2)から選ばれる基を表す。
[6] Q
Q in the organic compound of the present invention represents a group selected from the following formula (I-1) or (I-2).

Figure 0005250967
〔式中、Ar〜Arは各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。ArとArは互いに結合して環を形成していてもよい。〕
Figure 0005250967
[Wherein, Ar 3 to Ar 5 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 3 and Ar 4 may be bonded to each other to form a ring. ]

Ar〜Arが有していてもよい置換基の例は、R、Rとして例示した置換基が挙げられる。 Examples of the substituent that Ar 3 to Ar 5 may have include the substituents exemplified as R 1 and R 2 .

Ar〜Arが有していてもよい置換基として好ましい例は、Ar、Arが有していてもよい置換基の好ましい例と同様である。 Preferable examples of the substituent that Ar 3 to Ar 5 may have are the same as the preferable examples of the substituent that Ar 1 and Ar 2 may have.

Ar〜Arに適用可能な芳香族炭化水素基、芳香族複素環基の例は、Ar、Arに適用可能な芳香族炭化水素基、芳香族複素環基の例と同様である。 Examples of the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group applicable to Ar 3 to Ar 5 are the same as the examples of the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group applicable to Ar 1 and Ar 2. .

Ar、Arは、電気化学的耐久性を向上させる観点および耐熱性を向上させる観点から、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましく、より好ましくは置換基を有していてもよいフェニル基であり、さらに好ましくは無置換のフェニル基、1または2置換のフェニル基である。 Ar 3 and Ar 4 are preferably an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, more preferably a substituent, from the viewpoint of improving electrochemical durability and improving heat resistance. An optionally substituted phenyl group, and more preferably an unsubstituted phenyl group or a mono- or disubstituted phenyl group.

電荷輸送能をさらに向上させる点から、Qは式(I−1)で表されることが好ましい。
式(I−1)において、ArとArは、互いに結合して、置換基を有していてもよい環を形成していてもよい。ArとArが互いに結合して環を形成した場合の、ArArN−の好ましい例を下記に示す。これらのうち、高い三重項励起準位を有する点で、N−カルバゾリル基がより好ましい。
From the viewpoint of further improving the charge transport ability, Q is preferably represented by the formula (I-1).
In Formula (I-1), Ar 3 and Ar 4 may be bonded to each other to form a ring that may have a substituent. Preferred examples of Ar 3 Ar 4 N— in the case where Ar 3 and Ar 4 are bonded to each other to form a ring are shown below. Among these, an N-carbazolyl group is more preferable because it has a high triplet excited level.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

耐熱性を向上させる点から、Qは式(I−2)で表されることが好ましい。   From the viewpoint of improving heat resistance, Q is preferably represented by the formula (I-2).

式(I−2)において、Arは、三重項励起準位の低下を防ぐ点から、置換基を有していてもよいベンゼン環由来の基、ベンゼン環が複数(例えば2〜10個)連結した基(例えば、ビフェニレン基、ターフェニレン基など)が好ましい。 In the formula (I-2), Ar 5 is a group derived from a benzene ring which may have a substituent and a plurality of benzene rings (for example, 2 to 10) from the viewpoint of preventing a decrease in triplet excitation level. Linked groups (for example, biphenylene group, terphenylene group, etc.) are preferred.

[7]好適構造
本発明の有機化合物は、高い電荷輸送能、高い電気化学的安定性、高い三重項励起準位の全てを有する点から、下記式(IV)で表されることが好ましい。
[7] Preferred Structure The organic compound of the present invention is preferably represented by the following formula (IV) from the viewpoint of having a high charge transporting ability, a high electrochemical stability, and a high triplet excited level.

Figure 0005250967
〔式中、Ar〜Ar、R、Rは、前記式(I)および式(I−1)におけると同義である。
Ar〜Arは各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。ArとArは互いに結合して環を形成していてもよい。〕
Figure 0005250967
Wherein, Ar 2 ~Ar 4, R 1 , R 2 have the same meanings as in the formula (I) and formula (I-1).
Ar 6 to Ar 8 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 7 and Ar 8 may be bonded to each other to form a ring. ]

Arの例および好ましい例は、それぞれ、Arと同様である。ArおよびArの例および好ましい例は、それぞれ、Ar或いはArと同様である。 Examples of Ar 6 and preferred examples thereof are the same as those of Ar 2 . Examples and preferred examples of Ar 7 and Ar 8 are the same as Ar 3 and Ar 4 , respectively.

また、高い三重項励起準位を保ちつつ、耐熱性をさらに向上させる観点から、本発明の有機化合物にArの部位、Ar−Qの部位、R或いはRの部位に、下記式(I−3)で表されるN−カルバゾリル基を1個以上、好ましくは1〜6個、さらに好ましくは2〜4個有することが好ましい。該カルバゾリル基は、置換基を有していてもよいが、無置換であることが好ましい。 Further, from the viewpoint of further improving the heat resistance while maintaining a high triplet excitation level, the organic compound of the present invention has the following formula at the site of Ar 1 , the site of Ar 2 -Q, the site of R 1 or R 2. It is preferable to have one or more, preferably 1 to 6, and more preferably 2 to 4, N-carbazolyl groups represented by (I-3). The carbazolyl group may have a substituent, but is preferably unsubstituted.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

[8]例示
以下に、本発明の有機化合物として好ましい具体的な例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
[8] Illustrative Examples Preferred specific examples of the organic compound of the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

[9]合成法
本発明の有機化合物は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。
例えば、次のような手順で合成することができる。
[9] Synthesis Method The organic compound of the present invention can be synthesized by selecting a raw material according to the structure of the target compound and using a known method.
For example, it can be synthesized by the following procedure.

まず、式(i)で表される2−ヒドロキシイミダゾール誘導体とハロゲン化物(Ar−X)とを、銅粉末、ハロゲン化銅(I)、酸化銅(I)、パラジウム錯体等の遷移金属触媒(ハロゲン化物(Ar−X)のハロゲン原子に対して0.001〜5当量程度)、および、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、tert−ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等の塩基性物質(ハロゲン化物(Ar−X)のハロゲン原子に対して1〜10当量程度)の存在下、不活性ガス気流下、無溶媒または、芳香族溶媒、エーテル系溶媒などの溶媒中、20〜300℃で、1〜60時間撹拌混合することによって、下記式(ii)で表される化合物が得られる。次に、下記式(ii)で表される化合物とハロゲン化物(X−Ar−Q)とを、銅粉末、ハロゲン化銅(I)、酸化銅(I)、パラジウム錯体等の遷移金属触媒(ハロゲン化物(X−Ar−Q)のハロゲン原子に対して0.001〜5当量程度)、および、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、tert−ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等の塩基性物質(ハロゲン化物(X−Ar−Q)のハロゲン原子に対して1〜10当量程度)の存在下、不活性ガス気流下、無溶媒または、芳香族溶媒、エーテル系溶媒などの溶媒中、20〜300℃で、1〜60時間撹拌混合することによって、下記式(I)で表される本発明の有機化合物が得られる。なお、以下において、Ar〜Ar,R,R,Qは前記式(I)におけると同義である。X,Xはハロゲン原子を表す。 First, a 2-hydroxyimidazole derivative represented by formula (i) and a halide (Ar 1 -X 1 ) are transition metals such as copper powder, copper (I) halide, copper (I) oxide, and palladium complex. Catalyst (about 0.001 to 5 equivalents relative to the halogen atom of the halide (Ar 1 -X 1 )) and a base such as potassium carbonate, calcium carbonate, potassium phosphate, cesium carbonate, tert-butoxy sodium, triethylamine In the presence of an organic substance (about 1 to 10 equivalents relative to the halogen atom of the halide (Ar 1 -X 1 )), in an inert gas stream, no solvent, or in a solvent such as an aromatic solvent or an ether solvent, A compound represented by the following formula (ii) is obtained by stirring and mixing at 20 to 300 ° C. for 1 to 60 hours. Next, the compound represented by the following formula (ii) and the halide (X 2 —Ar 2 —Q) are converted into transition metals such as copper powder, copper (I) halide, copper (I) oxide, and palladium complex. catalyst (0.001 equivalents with respect to halogen atoms of the halide (X 2 -Ar 2 -Q)) , and potassium carbonate, calcium carbonate, potassium phosphate, cesium carbonate, tert- butoxy sodium and triethylamine in the presence of a basic substance (10 equivalents relative to the halogen atoms of the halide (X 2 -Ar 2 -Q)) , an inert gas stream, neat or, aromatic solvents, ether solvents, such as The organic compound of the present invention represented by the following formula (I) is obtained by stirring and mixing at 20 to 300 ° C. for 1 to 60 hours. In the following, Ar 1 to Ar 5 , R 1 , R 2 and Q have the same meanings as in the formula (I). X 1 and X 2 represent a halogen atom.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

上記式(ii)で表される化合物の合成法としては、Tetrahedron 1999年, 55, 475-484頁、Tetrahedron Letters 2000年, 41, 6387-6391頁、Tetrahedron 1990年, 46, 1331-1342頁、European Journal of Organic Chemistry 1998年, 183-187、The Journal of Organic Chemistry 2004年, 69, 7752-7754頁に記載の尿素結合を含む5員環(1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン)を形成する方法も適用可能である。   As a synthesis method of the compound represented by the above formula (ii), Tetrahedron 1999, 55, 475-484, Tetrahedron Letters 2000, 41, 6387-6391, Tetrahedron 1990, 46, 1331-1342, Forms a 5-membered ring (1,3-dihydroimidazol-2-one) containing a urea bond as described in European Journal of Organic Chemistry 1998, 183-187, The Journal of Organic Chemistry 2004, 69, 7752-7754 It is also possible to apply this method.

Q=Arの場合、ハロゲン化物(X−Ar−Ar)は、公知のカップリング反応を用いて合成することが可能である。公知のカップリング手法としては、具体的には、「Palladium in Heterocyclic Chemistry:A guide for the Synthetic Chemist」(第二版、2002、Jie Jack Li and Gordon W.Gribble、Pergamon社)、「遷移金属が拓く有機合成 その多彩な反応形式と最新の成果」(1997年、辻二郎、化学同仁社)、「ボルハルト・ショアー現代有機化学 下」(2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社)などに記載または引用されている、ハロゲン化アリールとアリールボレートとのカップリング反応などの、環同士の結合(カップリング)反応を用いることができる。 When Q = Ar 5 , the halide (X 2 —Ar 2 —Ar 5 ) can be synthesized using a known coupling reaction. As a known coupling method, specifically, “Palladium in Heterocyclic Chemistry: A guide for the Synthetic Chemist” (2nd edition, 2002, Jie Jack Li and Gordon W. Gribble, Pergamon), “Transition metal is Developed organic synthesis, its various reaction forms and latest results "(1997, Kenjiro, Kagaku Dojinsha)," Bolhard Shore Modern Organic Chemistry "(2004, KPCVollhardt, Kagaku Dojinsha) etc. In addition, a coupling reaction between rings such as a coupling reaction between an aryl halide and an aryl borate can be used.

Q=NArArの場合、ハロゲン化物(X−Ar−NArAr)は、下記式のように、2級アミン化合物(ArArNH)とジハロゲン化物(X−Ar−X(X,X=F,Cl,Br,I))から合成される。使用可能な試薬等は、上記式(i)で表される化合物から、式(ii)で表される化合物を合成する工程と同様である。 Q = NAr For 3 Ar 4, halide (X 2 -Ar 2 -NAr 3 Ar 4) , as the following equation, secondary amine compound (Ar 3 Ar 4 NH) and dihalide (X 2 -Ar 2- X 3 (X 2 , X 3 = F, Cl, Br, I)). Usable reagents and the like are the same as in the step of synthesizing the compound represented by formula (ii) from the compound represented by formula (i).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

合成された化合物の精製方法としては、「分離精製技術ハンドブック」(1993年、(財)日本化学会編)、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」(1988年、(株)アイ ピー シー発行)、或いは「実験化学講座(第4版)1」(1990年、(財)日本化学会編)の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。   As a purification method of the synthesized compound, “Separation and purification technology handbook” (1993, edited by The Chemical Society of Japan), “High-level separation of trace components and difficult-to-purify substances by chemical conversion method” (1988, ) Issued by IPC), or the methods described in the section “Separation and purification” in “Experimental Chemistry Course (4th edition) 1” (1990, edited by The Chemical Society of Japan) Is available.

具体的には、抽出(懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む)、吸着、吸蔵、融解、晶析(溶媒からの再結晶、再沈殿を含む)、蒸留(常圧蒸留、減圧蒸留)、蒸発、昇華(常圧昇華、減圧昇華)、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー(形状分類:カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー。移動相分類:ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構:吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー)などが挙げられる。   Specifically, extraction (including suspension washing, boiling washing, ultrasonic washing, acid-base washing), adsorption, occlusion, melting, crystallization (including recrystallization from solvent, reprecipitation), distillation (atmospheric pressure) Distillation, vacuum distillation), evaporation, sublimation (atmospheric pressure sublimation, vacuum sublimation), ion exchange, dialysis, filtration, ultrafiltration, reverse osmosis, pressure osmosis, zone lysis, electrophoresis, centrifugation, flotation separation, sedimentation separation, Magnetic separation, various chromatography (shape classification: column, paper, thin layer, capillary. Mobile phase classification: gas, liquid, micelle, supercritical fluid. Separation mechanism: adsorption, distribution, ion exchange, molecular sieve, chelate, gel filtration , Exclusion, affinity) and the like.

生成物の確認や純度の分析方法としては、ガスクロマトグラフ(GC)、高速液体クロマトグラフ(HPLC)、高速アミノ酸分析計(AAA)、キャピラリー電気泳動測定(CE)、サイズ排除クロマトグラフ(SEC)、ゲル浸透クロマトグラフ(GPC)、交差分別クロマトグラフ(CFC)質量分析(MS、LC/MS,GC/MS,MS/MS)、核磁気共鳴装置(NMR(HNMR,13CNMR))、フーリエ変換赤外分光高度計(FT−IR)、紫外可視近赤外分光高度計(UV.VIS,NIR)、電子スピン共鳴装置(ESR)、透過型電子顕微鏡(TEM−EDX)電子線マイクロアナライザー(EPMA)、金属元素分析(イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光(ICP−AES)原子吸光分析(AAS)蛍光X線分析装置(XRF))、非金属元素分析、微量成分分析(ICP−MS,GF−AAS,GD−MS)等を必要に応じ、適用可能である。 The product confirmation and purity analysis methods include gas chromatograph (GC), high performance liquid chromatograph (HPLC), high speed amino acid analyzer (AAA), capillary electrophoresis measurement (CE), size exclusion chromatograph (SEC), Gel permeation chromatograph (GPC), cross-fractionation chromatograph (CFC) mass spectrometry (MS, LC / MS, GC / MS, MS / MS), nuclear magnetic resonance apparatus (NMR ( 1 HNMR, 13 CNMR)), Fourier transform Infrared spectrophotometer (FT-IR), UV-visible near-infrared spectrophotometer (UV.VIS, NIR), electron spin resonance apparatus (ESR), transmission electron microscope (TEM-EDX), electron beam microanalyzer (EPMA), Metal element analysis (ion chromatography, inductively coupled plasma-emission spectroscopy (ICP-AES) atomic absorption analysis) (AAS) X-ray fluorescence analyzer (XRF)), non-metallic element analysis, trace component analysis (ICP-MS, GF-AAS, GD-MS) and the like can be applied as necessary.

[10]有機化合物の用途
本発明の有機化合物は、高い電荷輸送性を有するため、電荷輸送材料として電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用できる。
また、高い三重項励起準位を有することから、本発明の有機化合物よりなる本発明の電荷輸送材料を用いることにより、耐熱性に優れ、長期間安定に駆動(発光)する有機電界発光素子が得られるため、本発明の有機化合物および電荷輸送材料は有機電界発光素子材料として、とりわけ好適である。
[10] Use of organic compound Since the organic compound of the present invention has high charge transportability, it is suitable as a charge transport material for an electrophotographic photosensitive member, an organic electroluminescent device, a photoelectric conversion device, an organic solar cell, an organic rectifying device, and the like. Can be used for
In addition, since it has a high triplet excitation level, an organic electroluminescent device that has excellent heat resistance and can be stably driven (emitted) for a long period of time by using the charge transport material of the present invention made of the organic compound of the present invention. Since it is obtained, the organic compound and the charge transport material of the present invention are particularly suitable as an organic electroluminescent element material.

[電荷輸送材料]
本発明の電荷輸送材料は、本発明の有機化合物からなるもの、あるいは、下記式(II−2)で表されるものであり、好ましくは、トルエンに対して2.0重量%以上、より好ましくは5.0重量%以上溶解する。
[Charge transport material]
The charge transport material of the present invention is composed of the organic compound of the present invention or is represented by the following formula (II-2), preferably 2.0% by weight or more, more preferably based on toluene. Dissolves 5.0% by weight or more.

Figure 0005250967
〔式中、環Aは、置換基を有していてもよいベンゼン環、または置換基を有していてもよい含窒素芳香族六員環を表す。
Ar、Arは各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。〕
Figure 0005250967
[Wherein, ring A 1 represents a benzene ring which may have a substituent, or a nitrogen-containing aromatic six-membered ring which may have a substituent.
Ar 1 and Ar 9 each independently represent an aromatic hydrocarbon group that may have a substituent or an aromatic heterocyclic group that may have a substituent. ]

上記式(II−2)において、環A、Arは前記式(II)におけるA、Arと同義であり、その置換基、その好適例も同様である。ArとしてはArと同様のものが挙げられ、Arが有していてもよい置換基についてもArが有していてもよい置換基と同様である。 In the above formula (II-2), ring A 1, Ar 1 has the same meaning as A 1, Ar 1 in the formula (II), the substituent, the same applies to its preferred embodiment. Ar 9 may be the same as Ar 1, and the substituent that Ar 9 may have is the same as the substituent that Ar 1 may have.

上記式(II−2)で表される本発明の電荷輸送材料の分子量は、通常、5000以下、好ましくは3000以下、より好ましくは2000以下であり、また通常300以上、好ましくは500以上、より好ましくは600以上である。
分子量が上記上限値を超えると、不純物の高分子量化によって精製が困難となる場合があり、また分子量が上記下限値を下回ると、ガラス転移温度および、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。
本発明の電荷輸送材料は、通常40℃以上のガラス転移温度を有するが、耐熱性の観点から、80℃以上であることが好ましく、110℃以上であることが更に好ましい。
本発明の電荷輸送材料は、通常300℃以上、800℃以下の気化温度を有する。
本発明の電荷輸送材料は、通常2.0eV以上4.0eV以下の励起三重項状態と基底状態のエネルギー差を有するが、燐光発光を用いた有機電界発光素子の効率を向上させる観点から、励起三重項状態と基底状態のエネルギー差が2.3eV以上であることが好ましく、2.6eV以上であることがより好ましく、2.9eV以上であることが更に好ましい。
The molecular weight of the charge transport material of the present invention represented by the above formula (II-2) is usually 5000 or less, preferably 3000 or less, more preferably 2000 or less, and usually 300 or more, preferably 500 or more and more. Preferably it is 600 or more.
If the molecular weight exceeds the upper limit, purification may become difficult due to the high molecular weight of impurities, and if the molecular weight falls below the lower limit, the glass transition temperature, the melting point, the vaporization temperature, etc. will decrease. There is a risk that the properties are significantly impaired.
The charge transport material of the present invention usually has a glass transition temperature of 40 ° C. or higher, but is preferably 80 ° C. or higher, and more preferably 110 ° C. or higher, from the viewpoint of heat resistance.
The charge transport material of the present invention usually has a vaporization temperature of 300 ° C. or higher and 800 ° C. or lower.
The charge transport material of the present invention usually has an energy difference between an excited triplet state and a ground state of 2.0 eV or more and 4.0 eV or less, but is excited from the viewpoint of improving the efficiency of an organic electroluminescence device using phosphorescence emission. The energy difference between the triplet state and the ground state is preferably 2.3 eV or more, more preferably 2.6 eV or more, and even more preferably 2.9 eV or more.

後述する様に、電荷輸送材料用組成物に含まれる溶剤としては芳香族炭化水素が好ましい。トルエンは、芳香族炭化水素の代表例として挙げており、本発明においては、有機化合物(電荷輸送材料)の溶解性を示す指標としている。
本発明の電荷輸送材料のトルエンに対する溶解度が2.0重量%以上であることにより、湿式製膜法により有機電界発光素子を構成する層を容易に形成することができ好ましい。この溶解度の上限には特に制限はないが、通常50重量%程度である。
As will be described later, the hydrocarbon contained in the charge transport material composition is preferably an aromatic hydrocarbon. Toluene is listed as a representative example of aromatic hydrocarbons, and in the present invention, toluene is used as an index indicating the solubility of an organic compound (charge transport material).
It is preferable that the charge transport material of the present invention has a solubility in toluene of 2.0% by weight or more because a layer constituting the organic electroluminescent element can be easily formed by a wet film forming method. The upper limit of the solubility is not particularly limited, but is usually about 50% by weight.

[電荷輸送材料用組成物]
本発明の電荷輸送材料用組成物は、前述の本発明の電荷輸送材料を含むものであり、通常、本発明の電荷輸送材料と溶剤とを含み、更に好ましくは燐光発光材料を含むものであり、好ましくは、有機電界発光素子用に使用される。
[Composition for charge transport material]
The composition for a charge transport material of the present invention contains the above-described charge transport material of the present invention, and usually contains the charge transport material of the present invention and a solvent, and more preferably contains a phosphorescent material. Preferably, it is used for organic electroluminescent elements.

[1]溶剤
本発明の電荷輸送材料用組成物に含まれる溶剤としては、溶質である本発明の電荷輸送材料等が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されない。
[1] Solvent The solvent contained in the composition for a charge transport material of the present invention is not particularly limited as long as it is a solvent that dissolves the charge transport material of the present invention as a solute well.

本発明の電荷輸送材料は溶解性が高いため、種々の溶剤が適用可能である。例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素;クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル;シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン;メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン;メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール;ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。   Since the charge transport material of the present invention has high solubility, various solvents can be applied. For example, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene and tetralin; halogenated aromatic hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene and trichlorobenzene; 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene and anisole , Phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole and other aromatic ethers; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, benzoic acid Aromatic esters such as ethyl, propyl benzoate and n-butyl benzoate; ketones having an alicyclic ring such as cyclohexanone and cyclooctanone; aliphatic ketones such as methyl ethyl ketone and dibutyl ketone; methyl ethyl ketone and cyclohexano Alcohol having an alicyclic ring such as ruthenium or cyclooctanol; Aliphatic alcohol such as butanol or hexanol; Aliphatic ether such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether or propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); Ethyl acetate In addition, aliphatic esters such as n-butyl acetate, ethyl lactate, and n-butyl lactate can be used. Of these, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, methicylene, cyclohexylbenzene, tetralin and the like are preferable in that they have low water solubility and are not easily altered.

有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。   Since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, the presence of moisture in the composition causes moisture to remain in the dried film, degrading the device characteristics. The possibility is considered and it is not preferable.

組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式製膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本実施の形態が適用される電荷輸送材料用組成物は、例えば、25℃における水の溶解度が1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下である溶剤を、組成物中10重量%以上含有することが好ましい。   Examples of the method for reducing the amount of water in the composition include nitrogen gas sealing, use of a desiccant, dehydration of the solvent in advance, use of a solvent having low water solubility, and the like. In particular, it is preferable to use a solvent having low water solubility because the solution film can prevent whitening by absorbing moisture in the atmosphere during the wet film-forming process. From such a viewpoint, the composition for a charge transport material to which the present embodiment is applied includes, for example, a solvent having a water solubility at 25 ° C. of 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less. It is preferable to contain 10% by weight or more in the composition.

また、湿式製膜時における組成物からの溶剤蒸発による、製膜安定性の低下を低減するためには、電荷輸送材料用組成物の溶剤として、沸点が100℃以上、好ましくは沸点が150℃以上、より好ましくは沸点が200℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、製膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要で、このためには通常沸点80℃以上、好ましくは沸点100℃以上、より好ましくは沸点120℃以上で、通常沸点270℃未満、好ましくは沸点250℃未満、より好ましくは沸点230℃未満の溶剤を用いることが効果的である。   Further, in order to reduce deterioration of film formation stability due to evaporation of the solvent from the composition during wet film formation, the boiling point is 100 ° C. or higher, preferably 150 ° C. as the solvent of the composition for charge transport material. As described above, it is more effective to use a solvent having a boiling point of 200 ° C. or higher. In order to obtain a more uniform film, it is necessary for the solvent to evaporate from the liquid film immediately after film formation at an appropriate rate. For this purpose, the boiling point is usually 80 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher. It is effective to use a solvent having a boiling point of 120 ° C. or more, usually less than 270 ° C., preferably less than 250 ° C., more preferably less than 230 ° C.

上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、2種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。   A solvent that satisfies the above-described conditions, that is, the conditions of solute solubility, evaporation rate, and water solubility may be used alone, or two or more kinds of solvents may be mixed and used.

[2]発光材料
本発明の電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物として用いられる電荷輸送材料用組成物は、発光材料を含有することが好ましい。
[2] Luminescent Material The charge transport material composition of the present invention, particularly the charge transport material composition used as the charge transport material composition, preferably contains a luminescent material.

発光材料とは、本発明の電荷輸送材料用組成物において、主として発光する成分を指し、有機電界発光デバイスにおけるドーパント成分に当たる。即ち、電荷輸送材料用組成物から発せられる光量(単位:cd/m)の内、通常10〜100%、好ましくは20〜100%、より好ましくは50〜100%、最も好ましくは80〜100%が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。 The light emitting material refers to a component that mainly emits light in the composition for a charge transport material of the present invention, and corresponds to a dopant component in an organic electroluminescent device. That is, the amount of light (unit: cd / m 2 ) emitted from the composition for charge transport material is usually 10 to 100%, preferably 20 to 100%, more preferably 50 to 100%, most preferably 80 to 100%. If% is identified as luminescence from a component material, it is defined as the luminescent material.

発光材料としては、公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料或いは燐光発光材料を単独若しくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。
本発明の電荷輸送材料用組成物に使用する場合、この発光材料の最大発光ピーク波長は390〜490nmの範囲にあることが好ましい。
As the light-emitting material, known materials can be applied, and a fluorescent light-emitting material or a phosphorescent light-emitting material can be used alone or in combination, and a phosphorescent light-emitting material is preferable from the viewpoint of internal quantum efficiency.
When used in the composition for a charge transport material of the present invention, the maximum emission peak wavelength of the luminescent material is preferably in the range of 390 to 490 nm.

なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。   For the purpose of improving the solubility in a solvent, it is also important to reduce the symmetry and rigidity of the light emitting material molecule or introduce a lipophilic substituent such as an alkyl group.

青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、p−ビス(2−フェニルエテニル)ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。   Examples of fluorescent dyes that emit blue light include perylene, pyrene, anthracene, coumarin, p-bis (2-phenylethenyl) benzene, and derivatives thereof. Examples of the green fluorescent dye include quinacridone derivatives and coumarin derivatives. Examples of yellow fluorescent dyes include rubrene and perimidone derivatives. Examples of red fluorescent dyes include DCM compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, benzothioxanthene derivatives, azabenzothioxanthene and the like.

燐光発光材料としては、例えば周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。   Examples of the phosphorescent material include organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.

周期表7ないし11族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式(V)または式(VI)で表される化合物が挙げられる。
ML(q−j)L’ (V)
(一般式(V)中、Mは金属を表し、qは上記金属の価数を表す。また、LおよびL’は二座配位子を表す。jは0、1または2を表す。)
Preferred examples of the metal in the phosphorescent organometallic complex containing a metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table include ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, and gold. Preferred examples of these organometallic complexes include compounds represented by the following general formula (V) or formula (VI).
ML (q−j) L ′ j (V)
(In general formula (V), M represents a metal, q represents the valence of the metal, L and L ′ represent a bidentate ligand, and j represents 0, 1 or 2.)

Figure 0005250967
(一般式(VI)中、Mは金属を表し、Tは炭素または窒素を表す。R92〜R95は、それぞれ独立に、置換基を表す。ただし、Tが窒素の場合は、R94およびR95は無い。)
Figure 0005250967
(In the general formula (VI), M d represents a metal, .R 92 to R 95 T is representative of the carbon or nitrogen independently represents a substituent. However, when T is nitrogen, R 94 And there is no R 95. )

以下、まず、一般式(V)で表される化合物について説明する。
一般式(V)中、Mは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
また、一般式(V)中の二座配位子LおよびL’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。
Hereinafter, the compound represented by the general formula (V) will be described first.
In the general formula (V), M represents an arbitrary metal, and specific examples of preferable ones include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table.
Moreover, the bidentate ligands L and L ′ in the general formula (V) each represent a ligand having the following partial structure.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

L’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。

Figure 0005250967
As L ′, the followings are particularly preferable from the viewpoint of the stability of the complex.
Figure 0005250967

上記L,L’の部分構造において、環A1は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。また、環A2は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。   In the partial structures of L and L ′, the ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent. Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group, and these may have a substituent.

環A1,A2が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。   When the rings A1 and A2 have a substituent, preferred substituents include halogen atoms such as fluorine atoms; alkyl groups such as methyl groups and ethyl groups; alkenyl groups such as vinyl groups; methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups. Alkoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkylamino groups such as dimethylamino groups and diethylamino groups; diarylamino groups such as diphenylamino groups; carbazolyl groups; An acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a naphthyl group, and a phenanthyl group.

一般式(V)で表される化合物として、さらに好ましくは、下記一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物が挙げられる。   More preferable examples of the compound represented by the general formula (V) include compounds represented by the following general formulas (Va), (Vb), and (Vc).

Figure 0005250967
(一般式(Va)中、MはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。)
Figure 0005250967
(In general formula (Va), M a represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, and ring A1 represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. Ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

Figure 0005250967
(一般式(Vb)中、MはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環A2は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。)
Figure 0005250967
(In the general formula (Vb), M b represents the same metal as M, w represents the valence of the metal. Further, the ring A1 is an aromatic optionally substituted hydrocarbon group or a substituted Represents an aromatic heterocyclic group which may have a group, and ring A2 represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.)

Figure 0005250967
(一般式(Vc)中、MはMと同様の金属を表し、wは上記金属の価数を表す。また、jは0、1または2を表す。さらに、環A1および環A1’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。また、環A2および環A2’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。)
Figure 0005250967
(In the general formula (Vc), M c represents the same metal as M, w represents the valence of the metal, and j represents 0, 1 or 2. Further, ring A1 and ring A1 ′ represent Each independently represents an optionally substituted aromatic hydrocarbon group or an optionally substituted aromatic heterocyclic group, and ring A2 and ring A2 ′ are each independently Represents a nitrogen-containing aromatic heterocyclic group which may have a substituent.

上記一般式(Va)、(Vb)、(Vc)において、環A1および環A1’の基としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。   In the above general formulas (Va), (Vb), and (Vc), the group of ring A1 and ring A1 ′ is preferably, for example, phenyl group, biphenyl group, naphthyl group, anthryl group, thienyl group, furyl group, benzo Examples include thienyl group, benzofuryl group, pyridyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, carbazolyl group and the like.

また、環A2、環A2’の基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。   In addition, the group of ring A2 and ring A2 ′ is preferably a pyridyl group, pyrimidyl group, pyrazyl group, triazyl group, benzothiazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalyl group, A phenanthridyl group and the like can be mentioned.

更に、一般式(Va)、(Vb)、(Vc)で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子;メチル基、エチル基等のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基;カルバゾリル基;アセチル基等のアシル基;トリフルオロメチル基等のハロアルキル基;シアノ基等が挙げられる。   Furthermore, the substituents that the compounds represented by the general formulas (Va), (Vb), and (Vc) may have include halogen atoms such as fluorine atoms; alkyl groups such as methyl groups and ethyl groups; vinyls Alkenyl groups such as methoxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups; alkoxy groups such as methoxy groups and ethoxy groups; aryloxy groups such as phenoxy groups and benzyloxy groups; dialkyls such as dimethylamino groups and diethylamino groups An amino group; a diarylamino group such as a diphenylamino group; a carbazolyl group; an acyl group such as an acetyl group; a haloalkyl group such as a trifluoromethyl group; a cyano group;

上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常2以上6以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常1以上6以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常6以上14以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常2以上24以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常12以上28以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常1以上14以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常1以上12以下である。   When the said substituent is an alkyl group, the carbon number is 1 or more and 6 or less normally. Furthermore, when the substituent is an alkenyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. When the substituent is an alkoxycarbonyl group, the carbon number is usually 2 or more and 6 or less. Further, when the substituent is an alkoxy group, the carbon number is usually 1 or more and 6 or less. Moreover, when a substituent is an aryloxy group, the carbon number is 6 or more and 14 or less normally. Furthermore, when the substituent is a dialkylamino group, the carbon number is usually 2 or more and 24 or less. Further, when the substituent is a diarylamino group, the carbon number is usually 12 or more and 28 or less. Furthermore, when the substituent is an acyl group, the carbon number is usually 1 or more and 14 or less. Moreover, when a substituent is a haloalkyl group, the carbon number is 1 or more and 12 or less normally.

なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環A1が有する置換基と環A2が有する置換基とが結合するか、または、環A1’が有する置換基と環A2’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環基としては、7,8−ベンゾキノリン基等が挙げられる。   These substituents may be connected to each other to form a ring. As a specific example, a substituent of the ring A1 and a substituent of the ring A2 are bonded, or a substituent of the ring A1 ′ and a substituent of the ring A2 ′ are bonded. Two fused rings may be formed. Examples of such a condensed ring group include a 7,8-benzoquinoline group.

中でも、環A1、環A1’、環A2および環A2’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。   Among them, as a substituent of ring A1, ring A1 ′, ring A2 and ring A2 ′, more preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aromatic hydrocarbon group, a cyano group, a halogen atom, a haloalkyl group, a diarylamino group, a carbazolyl group Is mentioned.

また、一般式(Va)、(Vb)、(Vc)におけるM,M,Mとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。 In general formula (Va), (Vb), preferably as M a, M b, M c in (Vc), ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold.

上記一般式(V)、(Va)、(Vb)または(Vc)で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない(以下において、Phはフェニル基を表す。)。   Specific examples of the organometallic complex represented by the general formula (V), (Va), (Vb) or (Vc) are shown below, but are not limited to the following compounds (in the following, Ph is phenyl Represents a group).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

Figure 0005250967
Figure 0005250967

上記一般式(V)、(Va)、(Vb)、(Vc)で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Lおよび/またはL’として2−アリールピリジン系配位子、即ち、2−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、および、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
また、WO2005/019373号公報に記載の化合物も使用することができる。
Among the organometallic complexes represented by the general formulas (V), (Va), (Vb), and (Vc), in particular, as the ligand L and / or L ′, a 2-arylpyridine-based ligand, , 2-arylpyridine, a compound having an arbitrary substituent bonded thereto, and a compound having an arbitrary group condensed thereto are preferable.
In addition, compounds described in WO2005 / 019373 can also be used.

次に、前記一般式(VI)で表される化合物について説明する。
一般式(VI)中、Mは金属を表し、具体例としては、周期表7ないし11族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。
Next, the compound represented by the general formula (VI) will be described.
In the general formula (VI), M d represents a metal, and specific examples thereof include the metals described above as the metal selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum or gold is preferable, and divalent metals such as platinum and palladium are particularly preferable.

また、一般式(VI)において、R92およびR93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。 In the general formula (VI), R 92 and R 93 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, or a carboxyl group. Represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group.

さらに、Tが炭素の場合、R94およびR95は、それぞれ独立に、R92およびR93と同様の例示物で表される置換基を表す。また、前述の如く、Tが窒素の場合はR94およびR95は無い。 Further, when T is carbon, R 94 and R 95 each independently represent a substituent represented by the same examples as R 92 and R 93 . Further, as described above, when T is nitrogen, there is no R 94 or R 95 .

また、R92〜R95はさらに置換基を有していてもよい。この場合のさらに有していてもよい置換基には特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
さらに、R92〜R95は互いに連結して環を形成してもよく、この環が更に任意の置換基を有していてもよい。
R 92 to R 95 may further have a substituent. In this case, the substituent which may further be present is not particularly limited, and any group can be used as the substituent.
Furthermore, R 92 to R 95 may be linked to each other to form a ring, and this ring may further have an arbitrary substituent.

一般式(VI)で表される有機金属錯体の具体例(T−1,T−10〜T−15)を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。なお、以下において、Meはメチル基を表し、Etはエチル基を表す。   Specific examples (T-1, T-10 to T-15) of the organometallic complex represented by the general formula (VI) are shown below, but are not limited to the following exemplified compounds. In the following, Me represents a methyl group, and Et represents an ethyl group.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

[3]その他の成分
本発明の電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物として用いられる電荷輸送材料用組成物中には、前述した溶剤および発光材料以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
[3] Other components In the composition for a charge transport material of the present invention, particularly the composition for a charge transport material used as the composition for a charge transport material, in addition to the solvent and the light emitting material described above, Various other solvents may be included. Examples of such other solvents include amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, and dimethyl sulfoxide.
Moreover, various additives, such as a leveling agent and an antifoamer, may be included.

また、2層以上の層を湿式製膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、製膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。   In addition, when two or more layers are laminated by a wet film-forming method, in order to prevent these layers from being compatible with each other, a photo-curing resin or a thermosetting resin is used for the purpose of curing and insolubilizing after film formation. Can also be contained.

[4]電荷輸送材料用組成物中の材料濃度と配合比
電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物中の電荷輸送材料、発光材料および必要に応じて添加可能な成分(レベリング剤など)などの固形分濃度は、通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、最も好ましくは1重量%以上であり、通常80重量%以下、好ましくは50重量%以下、より好ましくは40重量%以下、さらに好ましくは30重量%以下、最も好ましくは20重量%以下である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる恐れがある。
[4] Material concentration and blending ratio in charge transport material composition Charge transport material composition, in particular, charge transport material, light emitting material, and component which can be added as required (leveling agent) in charge transport material composition Etc.) is usually 0.01% by weight or more, preferably 0.05% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, still more preferably 0.5% by weight or more, most preferably 1. It is usually not more than 80% by weight, preferably not more than 50% by weight, more preferably not more than 40% by weight, still more preferably not more than 30% by weight, most preferably not more than 20% by weight. If this concentration is below the lower limit, it is difficult to form a thick film when forming a thin film, and if it exceeds the upper limit, it may be difficult to form a thin film.

また、本発明の電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物において、発光材料/電荷輸送材料の重量混合比は、通常、0.1/99.9以上であり、より好ましくは0.5/99.5以上であり、更に好ましくは1/99以上であり、最も好ましくは2/98以上で、通常、50/50以下であり、より好ましくは40/60以下であり、更に好ましくは30/70以下であり、最も好ましくは20/80以下である。この比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、著しく発光効率が低下する恐れがある。   In the charge transport material composition of the present invention, particularly the charge transport material composition, the light emitting material / charge transport material weight mixing ratio is usually 0.1 / 99.9 or more, more preferably 0. 0.5 / 99.5 or more, more preferably 1/99 or more, most preferably 2/98 or more, usually 50/50 or less, more preferably 40/60 or less, still more preferably. Is 30/70 or less, most preferably 20/80 or less. If this ratio falls below the lower limit or exceeds the upper limit, the luminous efficiency may be significantly reduced.

[5]電荷輸送材料用組成物の調製方法
本発明の電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物は、電荷輸送材料、発光材料、および必要に応じて添加可能なレベリング剤や消泡剤等の各種添加剤よりなる溶質を、適当な溶剤に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、および組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を経由してもよい。
[5] Method for Preparing Charge Transport Material Composition The charge transport material composition of the present invention, particularly the charge transport material composition, comprises a charge transport material, a light-emitting material, and a leveling agent or an extinction agent that can be added as necessary. It is prepared by dissolving a solute composed of various additives such as a foaming agent in an appropriate solvent. In order to shorten the time required for the dissolution step and to keep the solute concentration in the composition uniform, the solute is usually dissolved while stirring the liquid. The dissolution step may be performed at room temperature, but when the dissolution rate is slow, it can be heated and dissolved. After completion of the dissolution step, a filtration step such as filtering may be performed as necessary.

[6]電荷輸送材料用組成物の性状、物性等
(水分濃度)
有機電界発光素子を、本発明の電荷輸送材料用組成物(電荷輸送材料用組成物)を用いた湿式製膜法により層形成して製造する場合、用いる電荷輸送材料用組成物に水分が存在すると、形成された膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるため、本発明の電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。また一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、電荷輸送材料用組成物中に水分が存在した場合、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
[6] Properties, physical properties, etc. (moisture concentration) of the composition for charge transport materials
When an organic electroluminescent device is produced by forming a layer by a wet film forming method using the composition for charge transport material of the present invention (composition for charge transport material), moisture is present in the composition for charge transport material to be used. Then, since moisture is mixed into the formed film and the uniformity of the film is impaired, it is preferable that the water content in the charge transport material composition of the present invention, particularly the charge transport material composition, is as low as possible. In general, since organic electroluminescent devices use many materials such as cathodes that deteriorate significantly due to moisture, when moisture is present in the composition for charge transport material, moisture remains in the dried film. The possibility of deteriorating the characteristics of the element is considered, which is not preferable.

具体的には、本発明の電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物中に含まれる水分量は、通常1重量%以下、好ましくは0.1重量%以下、より好ましくは0.01重量%以下である。   Specifically, the amount of water contained in the composition for a charge transport material of the present invention, particularly the composition for a charge transport material, is usually 1% by weight or less, preferably 0.1% by weight or less, more preferably 0.8%. 01% by weight or less.

電荷輸送材料用組成物中の水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」(JIS K0068:2001)に記載の方法が好ましく、例えば、カールフィッシャー試薬法(JIS K0211−1348)等により分析することができる。   As a method for measuring the water concentration in the composition for charge transport material, the method described in Japanese Industrial Standard “Method for Measuring Water of Chemical Products” (JIS K0068: 2001) is preferable. For example, Karl Fischer reagent method (JIS K0211- 1348) and the like.

(均一性)
本発明の電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物は、湿式製膜プロセスでの安定性、例えば、インクジェット製膜法におけるノズルからの吐出安定性を高めるためには、常温で均一な液状であることが好ましい。常温で均一な液状とは、組成物が均一相からなる液体であり、かつ組成物中に粒径0.1μm以上の粒子成分を含有しないことをいう。
(Uniformity)
The charge transport material composition of the present invention, particularly the charge transport material composition, is uniform at room temperature in order to improve stability in a wet film forming process, for example, ejection stability from a nozzle in an ink jet film forming method. It is preferably a liquid. The uniform liquid at normal temperature means that the composition is a liquid composed of a uniform phase and does not contain a particle component having a particle size of 0.1 μm or more in the composition.

(物性)
本発明の電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば製膜工程における過度の液膜流動による塗面不均一、インクジェット製膜におけるノズル吐出不良等が起こりやすくなり、極端に高粘度の場合は、インクジェット製膜におけるノズル目詰まり等が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の25℃における粘度は、通常2mPa・s以上、好ましくは3mPa・s以上、より好ましくは5mPa・s以上であり、通常1000mPa・s以下、好ましくは100mPa・s以下、より好ましくは50mPa・s以下である。
(Physical properties)
Regarding the viscosity of the charge transport material composition of the present invention, particularly the charge transport material composition, in the case of extremely low viscosity, for example, uneven coating surface due to excessive liquid film flow in the film forming process, Nozzle discharge failure or the like is likely to occur, and when the viscosity is extremely high, nozzle clogging or the like in the ink-jet film formation is likely to occur. For this reason, the viscosity at 25 ° C. of the composition of the present invention is usually 2 mPa · s or more, preferably 3 mPa · s or more, more preferably 5 mPa · s or more, and usually 1000 mPa · s or less, preferably 100 mPa · s or less. More preferably, it is 50 mPa · s or less.

また、本発明の電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物の表面張力が高い場合は、基板に対する製膜用液の濡れ性が低下する、液膜のレベリング性が悪く、乾燥時の製膜面乱れが起こりやすくなる等の問題が発生する場合があるため、本発明の組成物の20℃における表面張力は、通常50mN/m未満、好ましくは40mN/m未満である。   In addition, when the surface tension of the composition for charge transport material of the present invention, particularly the composition for charge transport material is high, the wettability of the film-forming liquid to the substrate is lowered, the leveling property of the liquid film is poor, and the Therefore, the surface tension at 20 ° C. of the composition of the present invention is usually less than 50 mN / m, preferably less than 40 mN / m.

更に、本発明の電荷輸送材料用組成物、特に電荷輸送材料用組成物の蒸気圧が高い場合は、溶剤の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなる場合がある。このため、本発明の組成物の25℃における蒸気圧は、通常50mmHg以下、好ましくは10mmHg以下、より好ましくは1mmHg以下である。   Furthermore, when the vapor pressure of the composition for a charge transport material of the present invention, particularly the composition for a charge transport material is high, problems such as a change in solute concentration due to evaporation of the solvent may easily occur. For this reason, the vapor pressure at 25 ° C. of the composition of the present invention is usually 50 mmHg or less, preferably 10 mmHg or less, more preferably 1 mmHg or less.

[7]電荷輸送材料用組成物の保存方法
本発明の電荷輸送材料用組成物は、紫外線の透過を防ぐことのできる容器、例えば、褐色ガラス瓶等に充填し、密栓して保管することが好ましい。保管温度は、通常−30℃以上、好ましくは0℃以上で、通常35℃以下、好ましくは25℃以下である。
[7] Method for Preserving Composition for Charge Transport Material The composition for a charge transport material of the present invention is preferably filled in a container capable of preventing the transmission of ultraviolet rays, such as a brown glass bottle, and stored tightly. . The storage temperature is usually −30 ° C. or higher, preferably 0 ° C. or higher, and usually 35 ° C. or lower, preferably 25 ° C. or lower.

[有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、基板上に陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた発光層を有するものであって、本発明の電荷輸送材料を含有する層を有することを特徴とする。該電荷輸送材料を含有する層は、本発明の電荷輸送材料用組成物を用いて形成されることが好ましい。該電荷輸送材料を含有する層は、該発光層であることが好ましい。また、該電荷輸送材料を含有する層に、有機金属錯体がドープされていることが好ましい。この有機金属錯体としては、前記発光材料として例示したものを使用できる。
[Organic electroluminescence device]
The organic electroluminescent element of the present invention has an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between both electrodes on a substrate, and has a layer containing the charge transport material of the present invention. . The layer containing the charge transport material is preferably formed using the charge transport material composition of the present invention. The layer containing the charge transport material is preferably the light emitting layer. In addition, the layer containing the charge transport material is preferably doped with an organometallic complex. As this organometallic complex, those exemplified as the light emitting material can be used.

図1〜8は本発明の有機電界発光素子に好適な構造例を示す断面の模式図であり、図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は発光層、5は電子注入層、6は陰極を各々表す。   1 to 8 are schematic sectional views showing structural examples suitable for the organic electroluminescence device of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a light emitting layer, 5 represents an electron injection layer, and 6 represents a cathode.

[1]基板
基板1は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
[1] Substrate The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element, and quartz or glass plates, metal plates, metal foils, plastic films, sheets, and the like are used. In particular, a glass plate or a transparent synthetic resin plate such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable. When using a synthetic resin substrate, it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic electroluminescent element may be deteriorated by the outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. For this reason, a method of providing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.

[2]陽極
基板1上には陽極2が設けられる。陽極2は発光層側の層(正孔注入層3または発光層4など)への正孔注入の役割を果たすものである。
[2] Anode An anode 2 is provided on the substrate 1. The anode 2 plays a role of hole injection into a layer on the light emitting layer side (such as the hole injection layer 3 or the light emitting layer 4).

この陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび/またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。   This anode 2 is usually a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, platinum, a metal oxide such as an oxide of indium and / or tin, a metal halide such as copper iodide, carbon black, or A conductive polymer such as poly (3-methylthiophene), polypyrrole, or polyaniline is used.

陽極2の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などを用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより陽極2を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。   In general, the anode 2 is often formed by sputtering, vacuum deposition, or the like. In addition, when forming an anode using fine metal particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, or conductive polymer fine powder, an appropriate binder resin solution is used. The anode 2 can also be formed by dispersing and coating the substrate 1. Further, in the case of a conductive polymer, a thin film can be directly formed on the substrate 1 by electrolytic polymerization, or the anode 2 can be formed by applying a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett. 60, 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすること
も可能である。
The anode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.

陽極2の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上であり、また通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陽極2の厚みは任意であり、陽極2は基板1と同一でもよい。また、さらには上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。   The thickness of the anode 2 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. When it may be opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary, and the anode 2 may be the same as the substrate 1. Furthermore, it is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.

陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。   The surface of the anode is treated with ultraviolet (UV) / ozone, oxygen plasma, or argon plasma for the purpose of removing impurities adhering to the anode and adjusting the ionization potential to improve hole injection. Is preferred.

[3]正孔注入層
正孔注入層3は陽極2から発光層4へ正孔を輸送する層であるため、正孔注入層3には正孔輸送性化合物を含むことが好ましい。
[3] Hole Injection Layer Since the hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 4, the hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound.

正孔注入層3では、電気的に中性の化合物から電子が一つ除かれたカチオンラジカルが、近傍の電気的に中性な化合物から一電子を受容することによって、正孔が移動する。素子非通電時の正孔注入層3にカチオンラジカル化合物が含まれない場合は、通電時に、正孔輸送性化合物が陽極2に電子を与えることにより正孔輸送性化合物のカチオンラジカルが生成し、このカチオンラジカルと電気的に中性な正孔輸送性化合物との間で電子の授受が行われることにより正孔を輸送する。   In the hole injection layer 3, a cation radical obtained by removing one electron from an electrically neutral compound accepts one electron from a nearby electrically neutral compound, whereby holes move. When the cation radical compound is not included in the hole injection layer 3 when the element is not energized, the cation radical of the hole transport compound is generated when the hole transport compound gives electrons to the anode 2 during energization, Holes are transported by transferring electrons between the cation radical and an electrically neutral hole transporting compound.

正孔注入層3にカチオンラジカル化合物が含まれると、陽極2による酸化によって生成する以上の濃度で正孔輸送に必要なカチオンラジカルが存在することになり、正孔輸送性能が向上するため、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましい。カチオンラジカル化合物の近傍に電気的に中性な正孔輸送性化合物が存在すると、電子の受け渡しがスムーズに行われるため、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことがさらに好ましい。   When the hole injection layer 3 contains a cation radical compound, cation radicals necessary for hole transport are present at a concentration higher than that generated by oxidation by the anode 2, and the hole transport performance is improved. It is preferable that the hole injection layer 3 contains a cation radical compound. When an electrically neutral hole transporting compound is present in the vicinity of the cation radical compound, electrons are transferred smoothly, so that the hole injection layer 3 contains a cation radical compound and a hole transporting compound. Is more preferable.

ここで、カチオンラジカル化合物とは、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物であり、移動しやすい正孔(フリーキャリア)を既に有している。   Here, the cation radical compound is a cation radical that is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound, and an ionic compound composed of a counter anion, and already has holes (free carriers) that are easy to move. Yes.

また、正孔輸送性化合物に電子受容性化合物を混合することによって、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物への一電子移動が起こり、上述のカチオンラジカル化合物が生成する。このため、正孔注入層3に正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことが好ましい。   Further, by mixing an electron-accepting compound with the hole-transporting compound, one-electron transfer from the hole-transporting compound to the electron-accepting compound occurs, and the above-described cation radical compound is generated. For this reason, it is preferable that the hole injection layer 3 contains a hole transporting compound and an electron accepting compound.

以上の好ましい材料についてまとめると、正孔注入層3に正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがさらに好ましい。また、正孔注入層3にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことがさらに好ましい。   Summarizing the above preferred materials, the hole injection layer 3 preferably contains a hole transporting compound, and more preferably contains a hole transporting compound and an electron accepting compound. The hole injection layer 3 preferably contains a cation radical compound, and more preferably contains a cation radical compound and a hole transporting compound.

さらに、必要に応じて、正孔注入層3には電荷のトラップになりにくいバインダー樹脂や、塗布性改良剤を含んでいてもよい。   Furthermore, the hole injection layer 3 may contain a binder resin that does not easily trap charges and a coating property improving agent as necessary.

但し、正孔注入層3として、電子受容性化合物のみ、或いは電子受容性化合物と正孔輸送性化合物を用いて湿式製膜法によって陽極2上に製膜し、その上から直接、本発明の電荷輸送材料用組成物を塗布、または蒸着によって積層することも可能である。この場合、本発明の電荷輸送材料用組成物の一部または全部が電子受容性化合物と相互作用することによって、図7,8に示す如く、正孔注入性に優れた正孔輸送層10が形成される。   However, as the hole injection layer 3, the electron accepting compound alone or the electron accepting compound and the hole transporting compound are used to form a film on the anode 2 by a wet film forming method, and the direct injection of the present invention is performed directly from above. It is also possible to laminate the charge transport material composition by coating or vapor deposition. In this case, part or all of the charge transport material composition of the present invention interacts with the electron-accepting compound, so that the hole transport layer 10 having excellent hole injecting property is obtained as shown in FIGS. It is formed.

(正孔輸送性化合物)
正孔輸送性化合物としては、4.5eV〜6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。
(Hole transporting compound)
As the hole transporting compound, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable.

正孔輸送性化合物の例としては、本発明の電荷輸送材料の他、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。   Examples of the hole transporting compound include an aromatic amine compound, a phthalocyanine derivative, a porphyrin derivative, an oligothiophene derivative, a polythiophene derivative and the like in addition to the charge transport material of the present invention. Of these, aromatic amine compounds are preferred from the viewpoints of amorphousness and visible light transmittance.

芳香族アミン化合物の中でも、特に、本発明の電荷輸送材料などの芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。   Among the aromatic amine compounds, aromatic tertiary amine compounds such as the charge transport material of the present invention are particularly preferable. Here, the aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型有機化合物)が更に好ましい。   The type of the aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but a polymer compound having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less (a polymerization organic compound in which repeating units are linked) is more preferable from the viewpoint of the surface smoothing effect.

芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(VII)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。   Preferable examples of the aromatic tertiary amine polymer compound include a polymer compound having a repeating unit represented by the following general formula (VII).

Figure 0005250967
(一般式(VII)中、Ar21,Ar22は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar23〜Ar25は、各々独立して、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を表す。Yは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ar21〜Ar25のうち、同一のN原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。)
Figure 0005250967
(In the general formula (VII), Ar 21 and Ar 22 each independently represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Ar 23 to Ar 25 each independently represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a divalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent. Y represents a linking group selected from the following group of linking groups, and among Ar 21 to Ar 25 , two groups bonded to the same N atom are bonded to each other to form a ring. May be.)

Figure 0005250967
(上記各式中、Ar31〜Ar41は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、または置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の1価または2価の基を表す。R101およびR102は、各々独立して、水素原子または任意の置換基を表す。))
Figure 0005250967
(In the above formulas, Ar 31 to Ar 41 are each independently 1 derived from an aromatic hydrocarbon ring which may have a substituent, or an aromatic heterocyclic ring which may have a substituent. And R 101 and R 102 each independently represents a hydrogen atom or an optional substituent.)

Ar21〜Ar25およびAr31〜Ar41としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の、1価または2価の基が適用可能である。これらは各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、任意の置換基を有していてもよい。 As Ar 21 to Ar 25 and Ar 31 to Ar 41 , any monovalent or divalent group derived from any aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring is applicable. These may be the same or different from each other. Moreover, you may have arbitrary substituents.

その芳香族炭化水素環としては、5または6員環の単環または2〜5縮合環が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などが挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon ring include a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-5 condensed ring. Specific examples include a benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, fluorene ring and the like.

また、その芳香族複素環としては、5または6員環の単環または2〜4縮合環が挙げられる。具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などが挙げられる。   The aromatic heterocycle includes a 5- or 6-membered monocyclic ring or a 2-4 condensed ring. Specific examples include furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, Thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzoisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring , Synoline ring, quinoxaline ring, phenanthridine ring, benzimidazole ring, perimidine ring, quinazoline ring, quinazolinone ring, azulene ring and the like.

また、Ar23〜Ar25、Ar31〜Ar35、Ar37〜Ar40としては、上に例示した1種類または2種類以上の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の2価の基を2つ以上連結して用いることもできる。 Moreover, as Ar < 23 > -Ar < 25 >, Ar < 31 > -Ar < 35 >, Ar < 37 > -Ar < 40 >, the bivalent origin derived from the 1 type or 2 types or more of aromatic hydrocarbon ring and / or aromatic heterocycle which were illustrated above is shown. Two or more groups may be linked and used.

Ar21〜Ar41の芳香族炭化水素環および/または芳香族複素環由来の基は、更に置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常400以下、中でも250以下程度が好ましい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、次の置換基群Dから選ばれる1種または2種以上が挙げられる。 The group derived from the aromatic hydrocarbon ring and / or aromatic heterocycle of Ar 21 to Ar 41 may further have a substituent. The molecular weight of the substituent is usually 400 or less, preferably about 250 or less. The type of the substituent is not particularly limited, and examples thereof include one or more selected from the following substituent group D.

[置換基群D]
メチル基、エチル基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは8以下のアルキル基;ビニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは5以下のアルケニル基;エチニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは5以下のアルキニル基;メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは6以下のアルコキシ基;フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上、通常25以下、好ましくは14以下のアリールオキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下、好ましくは7以下のアルコキシカルボニル基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が通常2以上、通常20以下、好ましくは12以下のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N−カルバゾリル基等の、炭素数が通常10以上、好ましくは12以上、通常30以下、好ましくは22以下のジアリールアミノ基;フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が通常6以上、好ましくは7以上、通常25以下、好ましくは17以下のアリールアルキルアミノ基;アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が通常2以上、通常10以下、好ましくは7以下のアシル基;フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;トリフルオロメチル基等の、炭素数が通常1以上、通常8以下、好ましくは4以下のハロアルキル基;メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以下、好ましくは6以下のアルキルチオ基;フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上、通常25以下、好ましくは14以下のアリールチオ基;トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシリル基;トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシロキシ基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が通常6以上、通常30以下、好ましくは18以下の芳香族炭化水素環基;チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が通常3以上、好ましくは4以上、通常28以下、好ましくは17以下の芳香族複素環基。
[Substituent group D]
An alkyl group having usually 1 or more, usually 10 or less, preferably 8 or less, such as a methyl group or an ethyl group; an alkenyl group having 2 or more, usually 11 or less, preferably 5 or less carbon atoms, such as a vinyl group. An alkynyl group having usually 2 or more, usually 11 or less, preferably 5 or less, such as an ethynyl group; an alkoxy having a carbon number of usually 1 or more, usually 10 or less, preferably 6 or less, such as a methoxy group or an ethoxy group; A group; an aryloxy group such as a phenoxy group, a naphthoxy group, a pyridyloxy group, etc., usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 25 or less, preferably 14 or less; a carbon such as a methoxycarbonyl group or an ethoxycarbonyl group An alkoxycarbonyl group having a number of usually 2 or more, usually 11 or less, preferably 7 or less; a dimethylamino group, a diethylamino group or the like, and usually having 2 or more carbon atoms Usually 20 or less, preferably 12 or less dialkylamino group; diphenylamino group, ditolylamino group, N-carbazolyl group, etc., and usually diarylamino having 10 or more carbon atoms, preferably 12 or more, usually 30 or less, preferably 22 or less Group: an arylalkylamino group having 6 or more carbon atoms, preferably 7 or more, usually 25 or less, preferably 17 or less, such as a phenylmethylamino group; an acetyl group, a benzoyl group or the like, and usually having 2 or more carbon atoms, Usually an acyl group of 10 or less, preferably 7 or less; a halogen atom such as a fluorine atom or a chlorine atom; a haloalkyl group having a carbon number of usually 1 or more, usually 8 or less, preferably 4 or less, such as a trifluoromethyl group; An alkylthio group having 1 to 10 carbon atoms, preferably 6 or less, preferably 6 or less; An arylthio group having a carbon number of usually 4 or more, preferably 5 or more, usually 25 or less, preferably 14 or less, such as a ruthio group, a naphthylthio group, or a pyridylthio group; Or more, preferably 3 or more, usually 33 or less, preferably 26 or less silyl group; trimethylsiloxy group, triphenylsiloxy group, etc., the carbon number is usually 2 or more, preferably 3 or more, usually 33 or less, preferably 26 or less. A siloxy group; a cyano group; an aromatic hydrocarbon ring group having usually 6 or more, usually 30 or less, preferably 18 or less, such as a phenyl group or a naphthyl group; a carbon number such as a thienyl group or a pyridyl group. An aromatic heterocyclic group of 3 or more, preferably 4 or more, usually 28 or less, preferably 17 or less.

Ar21、Ar22としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の1価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基が更に好ましい。 Ar 21 and Ar 22 are preferably monovalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a phenanthrene ring, a thiophene ring, or a pyridine ring from the viewpoint of the solubility, heat resistance, and hole injection / transport properties of the polymer compound. More preferred are a phenyl group and a naphthyl group.

また、Ar23〜Ar25としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の2価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基が更に好ましい。 Ar 23 to Ar 25 are preferably divalent groups derived from a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, and a phenanthrene ring from the viewpoint of heat resistance and hole injection / transport properties including redox potential. More preferably a group, a biphenylene group, or a naphthylene group.

101、R102としては、水素原子または任意の置換基が適用可能である。これらは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。置換基の種類は、特に制限されないが、適用可能な置換基を例示するならば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ハロゲン原子が挙げられる。これらの具体例としては、前記の置換基群Dにおいて例示した各基が挙げられる。 As R 101 and R 102 , a hydrogen atom or an arbitrary substituent is applicable. These may be the same or different from each other. The type of the substituent is not particularly limited, and examples of applicable substituents include alkyl groups, alkenyl groups, alkynyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxy groups, aromatic hydrocarbon groups, aromatic heterocyclic rings. Group and halogen atom. Specific examples thereof include the groups exemplified in the above substituent group D.

一般式(VII)で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物(PB−1)が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。   Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (VII) include those described in WO2005 / 089024, and preferred examples thereof are also the same. Although the compound (PB-1) represented by Structural Formula is mentioned, it is not limited to them at all.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

他の芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記一般式(VIII)および/または一般式(IX)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。   Preferable examples of the other aromatic tertiary amine polymer compounds include polymer compounds containing a repeating unit represented by the following general formula (VIII) and / or general formula (IX).

Figure 0005250967
(一般式(VIII)、(IX)中、Ar45,Ar47およびAr48は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ar44およびAr46は各々独立して、置換基を有していてもよい2価の芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい2価の芳香族複素環基を表す。また、Ar45〜Ar48のうち、同一のN原子に結合する2つの基は互いに結合して環を形成してもよい。R111〜R113は各々独立して、水素原子または任意の置換基を表す。)
Figure 0005250967
(In the general formulas (VIII) and (IX), Ar 45 , Ar 47 and Ar 48 may each independently have an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a substituent. And each of Ar 44 and Ar 46 independently represents a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, or a divalent which may have a substituent. In addition, two groups bonded to the same N atom among Ar 45 to Ar 48 may be bonded to each other to form a ring, and R 111 to R 113 are each independently And represents a hydrogen atom or an arbitrary substituent.)

Ar45,Ar47,Ar48およびAr44、Ar46の具体例、好ましい例、有していてもよい置換基の例および好ましい置換基の例は、それぞれ、Ar21,Ar22およびAr23〜Ar25と同様である。R111〜R113はとして好ましくは水素原子または[置換基群D]に記載されている置換基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族炭化水素基、芳香族炭化水素基である。 Specific examples of Ar 45 , Ar 47 , Ar 48 and Ar 44 , Ar 46 , preferred examples, examples of substituents that may be included and examples of preferred substituents are Ar 21 , Ar 22, and Ar 23 ˜ Same as Ar 25 . R 111 to R 113 are preferably a hydrogen atom or a substituent described in [Substituent group D], more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an amino group, an aromatic hydrocarbon group, It is an aromatic hydrocarbon group.

一般式(VIII)および/または(IX)で表される繰り返し単位を含む芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であるが、何らそれらに限定されるものではない。   Specific examples of the aromatic tertiary amine polymer compound containing a repeating unit represented by the general formula (VIII) and / or (IX) include those described in WO2005 / 089024, and preferred examples thereof are also included. Although it is the same, it is not limited to them at all.

また、湿式製膜法により正孔注入層を形成する場合には、種々の溶剤に溶解し易い正孔輸送性化合物が好ましい。芳香族三級アミン化合物としては、例えば、ビナフチル系化合物(特開2004−014187)および非対称1,4−フェニレンジアミン化合物(特開2004−026732)が好ましい。   Moreover, when forming a positive hole injection layer with a wet film forming method, the positive hole transport compound which is easy to melt | dissolve in a various solvent is preferable. As the aromatic tertiary amine compound, for example, a binaphthyl compound (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-014187) and an asymmetric 1,4-phenylenediamine compound (Japanese Patent Laid-Open No. 2004-026732) are preferable.

また、従来、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の薄膜精製材料として利用されてきた芳香族アミン化合物の中から、種々の溶剤に溶解し易い化合物を適宜選択してもよい。正孔注入層の正孔輸送性化合物に適用可能な芳香族アミン化合物としては、例えば、有機電界発光素子における正孔注入・輸送性の層形成材料として利用されてきた、従来公知の化合物が挙げられる。例えば、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン等の3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開昭59−194393号公報);4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン化合物(特開平5−234681号公報);トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン化合物(米国特許第4,923,774号);N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン等の芳香族ジアミン化合物(米国特許第4,764,625号);α,α,α’, α’−テトラメチル−α,α’−ビス(4−ジ(p−トリル)アミノフェニル)−p−キシレン(特開平3−269084号公報);分子全体として立体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体(特開平4−129271号公報);ピレニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物(特開平4−175395号公報);エチレン基で3級芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開平4−264189号公報);スチリル構造を有する芳香族ジアミン(特開平4−290851号公報);チオフェン基で芳香族3級アミンユニットを連結した化合物(特開平4−304466号公報);スターバースト型芳香族トリアミン化合物(特開平4−308688号公報);ベンジルフェニル化合物(特開平4−364153号公報);フルオレン基で3級アミンを連結した化合物(特開平5−25473号公報);トリアミン化合物(特開平5−239455号公報);ビスジピリジルアミノビフェニル(特開平5−320634号公報);N,N,N−トリフェニルアミン誘導体(特開平6−1972号公報);フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン(特開平7−138562号公報);ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体(特開平7−252474号公報);ヒドラゾン化合物(特開平2−311591号公報);シラザン化合物(米国特許第4,950,950号公報);シラナミン誘導体(特開平6−49079号公報);ホスファミン誘導体(特開平6−25659号公報);キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの芳香族アミン化合物は、必要に応じて2種以上を混合して用いてもよい。   In addition, compounds that are easily soluble in various solvents may be appropriately selected from aromatic amine compounds that have been conventionally used as a hole injection / transport thin film purification material in organic electroluminescent devices. Examples of the aromatic amine compound applicable to the hole-transporting compound of the hole-injecting layer include conventionally known compounds that have been utilized as a hole-injecting / transporting layer-forming material in organic electroluminescence devices. It is done. For example, an aromatic diamine compound in which a tertiary aromatic amine unit such as 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane is linked (JP 59-194393 A); 4,4′- An aromatic amine compound containing two or more tertiary amines represented by bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl and having two or more condensed aromatic rings substituted with nitrogen atoms No. 5-23481); an aromatic triamine compound having a starburst structure as a derivative of triphenylbenzene (US Pat. No. 4,923,774); N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3- Aromatic diamine compounds such as methylphenyl) biphenyl-4,4′-diamine (US Pat. No. 4,764,625); α, α, α ′, α′-tetramethyl-α, α′- Bis (4-di (p-tolyl) aminophenyl) -p-xylene (Japanese Patent Laid-Open No. 3-269084); sterically asymmetric triphenylamine derivative as a whole molecule (Japanese Patent Laid-Open No. 4-129271); pyrenyl A compound in which a plurality of aromatic diamino groups are substituted on the group (Japanese Patent Laid-Open No. 4-175395); an aromatic diamine compound in which a tertiary aromatic amine unit is linked with an ethylene group (Japanese Patent Laid-Open No. 4-264189); a styryl structure An aromatic diamine having a thiophene group (JP-A-4-290851); a compound in which an aromatic tertiary amine unit is linked by a thiophene group (JP-A-4-304466); a starburst type aromatic triamine compound (JP-A-4-30481) 308688); benzylphenyl compound (Japanese Patent Laid-Open No. 4-364153); Compounds in which thiones are linked (JP-A-5-25473); triamine compounds (JP-A-5-239455); bisdipyridylaminobiphenyl (JP-A-5-320634); N, N, N-triphenylamine Derivatives (JP-A-6-1972); Aromatic diamines having a phenoxazine structure (JP-A-7-138562); Diaminophenylphenanthridine derivatives (JP-A-7-252474); 2-311591); silazane compounds (US Pat. No. 4,950,950); silanamine derivatives (JP-A-6-49079); phosphamine derivatives (JP-A-6-25659); quinacridone compounds, etc. Can be mentioned. These aromatic amine compounds may be used in combination of two or more as required.

また、正孔注入層の正孔輸送性化合物に適用可能なフタロシアニン誘導体またはポルフィリン誘導体の好ましい具体例としては、ポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリンコバルト(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン銅(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリン亜鉛(II)、5,10,15,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィリンバナジウム(IV)オキシド、5,10,15,20−テトラ(4−ピリジル)−21H,23H−ポルフィリン、29H,31H−フタロシアニン銅(II)、フタロシアニン亜鉛(II)、フタロシアニンチタン、フタロシアニンオキシドマグネシウム、フタロシアニン鉛、フタロシアニン銅(II)、4,4’,4”,4'''−テトラアザ−29H,31H−フタロシアニン等が挙げられる。   Preferred specific examples of the phthalocyanine derivative or porphyrin derivative applicable to the hole transporting compound of the hole injection layer include porphyrin, 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin, 5,10 , 15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin cobalt (II), 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin copper (II), 5,10,15,20-tetraphenyl- 21H, 23H-porphyrin zinc (II), 5,10,15,20-tetraphenyl-21H, 23H-porphyrin vanadium (IV) oxide, 5,10,15,20-tetra (4-pyridyl) -21H, 23H -Porphyrin, 29H, 31H-phthalocyanine copper (II), phthalocyanine zinc (II), Russia Nin titanium, phthalocyanine oxide magnesium, phthalocyanine lead, phthalocyanine copper (II), 4,4 ', 4 ", 4' '' - tetraaza-29H, 31H-phthalocyanine, and the like.

また、正孔注入層の正孔輸送性化合物として適用可能なオリゴチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、α−ターチオフェンとその誘導体、α−セキシチオフェンとその誘導体、ナフタレン環を含有するオリゴチオフェン誘導体(特開6−256341)等が挙げられる。   Further, preferred specific examples of the oligothiophene derivative applicable as the hole transporting compound of the hole injection layer include α-terthiophene and its derivatives, α-sexithiophene and its derivatives, and oligothiophene containing a naphthalene ring. Derivatives (JP-A-6-256341) and the like.

また、本発明における正孔輸送性化合物として適用可能なポリチオフェン誘導体の好ましい具体例としては、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)等が挙げられる。   Further, preferred specific examples of the polythiophene derivative applicable as the hole transporting compound in the present invention include poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT), poly (3-hexylthiophene) and the like.

なお、これらの正孔輸送性化合物の分子量は、高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合性化合物)の場合を除いて、通常9000以下、好ましくは5000以下、また、通常200以上、好ましくは400以上の範囲である。正孔輸送性化合物の分子量が高過ぎると合成および精製が困難であり好ましくない一方で、分子量が低過ぎると耐熱性が低くなるおそれがありやはり好ましくない。   The molecular weight of these hole transporting compounds is usually 9000 or less, preferably 5000 or less, and usually 200 or more, preferably 400 or more, except in the case of a polymer compound (a polymerizable compound in which repeating units are continuous). Range. If the molecular weight of the hole transporting compound is too high, synthesis and purification are difficult, which is not preferable. On the other hand, if the molecular weight is too low, the heat resistance may be lowered, which is also not preferable.

正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種または2種以上と、その他の正孔輸送性化合物1種または2種以上とを併用するのが好ましい。   The hole transporting compound used as the material for the hole injection layer may contain any one of these compounds alone, or may contain two or more. When two or more hole transporting compounds are contained, the combination thereof is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two other hole transporting compounds are used. It is preferable to use the above together.

(電子受容性化合物)
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が4eV以上である化合物が好ましく、5eV以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
(Electron-accepting compound)
The electron-accepting compound is preferably a compound having an oxidizing power and the ability to accept one electron from the above-described hole transporting compound, specifically, a compound having an electron affinity of 4 eV or more is preferable, and 5 eV or more. The compound which is the compound of these is more preferable.

例としては、4−イソプロピル−4’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄(III)(特開平11−251067)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003−31365)等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。   Examples include onium salts substituted with an organic group such as 4-isopropyl-4′-methyldiphenyliodonium tetrakis (pentafluorophenyl) borate, iron (III) chloride (JP-A-11-251067), ammonium peroxodisulfate and the like. Examples thereof include valent inorganic compounds, cyano compounds such as tetracyanoethylene, aromatic boron compounds such as tris (pentafluorophenyl) borane (Japanese Patent Laid-Open No. 2003-31365), fullerene derivatives, iodine and the like.

上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物が好ましく、種々の溶剤に可溶で湿式塗布に適用可能である点で有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物が好ましい。   Of the above compounds, onium salts substituted with organic groups and high valent inorganic compounds are preferred because of their strong oxidizing power, and organic groups are substituted because they are soluble in various solvents and applicable to wet coating. Preferred are onium salts, cyano compounds, and aromatic boron compounds.

電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、WO2005/089024号公報に記載のものが挙げられ、その好適例も同様であり、例えば下記構造式で表される化合物(A−2)が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。   Specific examples of an onium salt substituted with an organic group, a cyano compound, and an aromatic boron compound suitable as an electron-accepting compound include those described in WO 2005/089024, and suitable examples thereof are also the same. Although the compound (A-2) represented by the following structural formula is mentioned, it is not limited to them at all.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

(カチオンラジカル化合物)
カチオンラジカル化合物とは、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンからなるイオン化合物である。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
(Cation radical compound)
The cation radical compound is an ionic compound composed of a cation radical which is a chemical species obtained by removing one electron from a hole transporting compound and a counter anion. However, when the cation radical is derived from a hole transporting polymer compound, the cation radical has a structure in which one electron is removed from the repeating unit of the polymer compound.

カチオンラジカルは、正孔輸送性化合物に前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましく、正孔輸送性化合物としてさらに好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、溶解性などの点からさらに好ましい。   The cation radical is preferably a chemical species obtained by removing one electron from the aforementioned compound in the hole transporting compound, and is preferably a chemical species obtained by removing one electron from a compound more preferable as the hole transporting compound. From the viewpoints of visible light transmittance, heat resistance, solubility, and the like.

カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンからなるカチオンイオン化合物が生成する。   The cation radical compound can be generated by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound. That is, by mixing the hole transporting compound and the electron accepting compound, electron transfer occurs from the hole transporting compound to the electron accepting compound, and the cation radical and the counter anion of the hole transporting compound are included. A cation ion compound is formed.

PEDOT/PSS(Adv.Mater.,2000年,12巻,481頁)やエメラルジン塩酸塩(J.Phys.Chem.,1990年,94巻,7716頁)等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合(脱水素重合)、即ち、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、または、電気化学的に酸化することによっても生成する。この酸化重合(脱水素重合)の場合、モノマーが酸化されることにより、高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。   Cationic radical compounds derived from polymer compounds such as PEDOT / PSS (Adv. Mater., 2000, 12, 481) and emeraldine hydrochloride (J. Phys. Chem., 1990, 94, 7716) It is also generated by oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), that is, by oxidizing a monomer chemically or electrochemically with peroxodisulfate in an acidic solution. In the case of this oxidative polymerization (dehydrogenation polymerization), the monomer is oxidized to be polymerized, and the cation radical is formed by removing one electron from the repeating unit of the polymer with an anion derived from an acidic solution as a counter anion. Produces.

正孔注入層3は、湿式製膜法または真空蒸着法により陽極2上に形成される。   The hole injection layer 3 is formed on the anode 2 by a wet film forming method or a vacuum deposition method.

陽極2として一般的に用いられるITO(インジウム・スズ酸化物)は、その表面粗さが10nm程度の粗さ(Ra)を有するのに加えて、局所的に突起を有することが多く、短絡欠陥を生じ易いという問題があった。陽極2の上に形成される正孔注入層3は湿式製膜法により形成することは、真空蒸着法より形成する場合と比較して、これら陽極表面の凹凸に起因する、素子の欠陥の発生を低減する利点を有する。   ITO (indium tin oxide), which is generally used as the anode 2, has a surface roughness of about 10 nm (Ra) and, in addition, often has protrusions locally, resulting in short-circuit defects. There was a problem that it was easy to produce. When the hole injection layer 3 formed on the anode 2 is formed by the wet film forming method, the generation of device defects due to the unevenness of the surface of the anode as compared with the case of forming by the vacuum deposition method. Has the advantage of reducing.

湿式製膜法による層形成の場合は、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上の所定量を、必要により電荷のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤を添加して、溶剤に溶解させて、塗布溶液を調製し、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等の湿式製膜法により陽極上に塗布し、乾燥して、正孔注入層3を形成させる。   In the case of layer formation by the wet film-forming method, a predetermined amount of one or more of the aforementioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) does not become a charge trap if necessary. Add binder resin and coatability improver, dissolve in solvent, prepare coating solution, by wet film forming method such as spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, inkjet method etc. It is applied on the anode and dried to form the hole injection layer 3.

湿式製膜法による層形成のために用いられる溶剤としては、前述の各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を溶解することが可能な溶剤であれば、その種類は特に限定されないが、正孔注入層に用いられる各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)を失活させる恐れのある、失活物質または失活物質を発生させるものを含まないものが好ましい。   As the solvent used for the layer formation by the wet film forming method, any solvent can be used as long as it can dissolve the above-mentioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound). Is not particularly limited, but generates a deactivated substance or deactivated substance that may deactivate each material (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) used in the hole injection layer The thing which does not contain is preferable.

これらの条件を満たす好ましい溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤およびエステル系溶剤が挙げられる。具体的には、エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2−ジメトキシベンゼン、1,3−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2−メトキシトルエン、3−メトキシトルエン、4−メトキシトルエン、2,3−ジメチルアニソール、2,4−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。エステル系溶剤としては、例えば、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル等の脂肪族エステル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n−ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。これらは何れか1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。   Preferred solvents that satisfy these conditions include, for example, ether solvents and ester solvents. Specifically, examples of the ether solvent include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1, 3 -Aromatic ethers such as dimethoxybenzene, anisole, phenetole, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole and the like. Examples of the ester solvent include aliphatic esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, ethyl lactate, and n-butyl lactate; phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and benzoic acid. Examples include aromatic esters such as n-butyl. Any one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio.

上述のエーテル系溶剤およびエステル系溶剤以外に使用可能な溶剤としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは何れか1種を単独で用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。また、これらの溶剤のうち1種または2種以上を、上述のエーテル系溶剤およびエステル系溶剤のうち1種または2種以上と組み合わせて用いてもよい。特に、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤は、電子受容性化合物およびカチオンラジカル化合物を溶解する能力が低いため、エーテル系溶剤およびエステル系溶剤と混合して用いることが好ましい。   Examples of solvents that can be used in addition to the ether solvents and ester solvents described above include aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene, and amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide. System solvents, dimethyl sulfoxide and the like. Any one of these may be used alone, or two or more thereof may be used in any combination and ratio. Moreover, you may use 1 type (s) or 2 or more types among these solvents in combination with 1 type (s) or 2 or more types among the above-mentioned ether solvent and ester solvent. In particular, aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, and xylene have a low ability to dissolve electron accepting compounds and cation radical compounds, and therefore are preferably mixed with ether solvents and ester solvents.

塗布溶液中における溶剤の濃度は、通常10重量%以上、好ましくは30重量%以上、より好ましくは50%重量以上、また、通常99.999重量%以下、好ましくは99.99重量%以下、更に好ましくは99.9重量%以下の範囲である。なお、2種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。   The concentration of the solvent in the coating solution is usually 10% by weight or more, preferably 30% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and usually 99.999% by weight or less, preferably 99.99% by weight or less. Preferably it is the range of 99.9 weight% or less. When two or more kinds of solvents are mixed and used, the total of these solvents is set to satisfy this range.

真空蒸着法による層形成の場合には、前述した各材料(正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物)の1種または2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度まで排気した後、るつぼを加熱して(2種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層形成に用いることもできる。 In the case of forming a layer by vacuum deposition, one or more of the aforementioned materials (hole transporting compound, electron accepting compound, cation radical compound) are put in a crucible installed in a vacuum vessel ( When two or more materials are used, put them in each crucible), and after evacuating the inside of the vacuum vessel to about 10 −4 Pa with an appropriate vacuum pump, heat the crucible (if using two or more materials, each Heat the crucible) and evaporate by controlling the amount of evaporation (if more than one material is used, evaporate by controlling the amount of evaporation independently) and place it positively on the anode of the substrate placed facing the crucible A hole injection layer is formed. In addition, when using 2 or more types of materials, they can also be put into a crucible, can be heated and evaporated, and can be used for hole injection layer formation.

このようにして形成されるよい正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
なお、正孔注入層3は、図6に示す如く、これを省略していてもよい。
The film thickness of the hole injection layer 3 that may be formed in this manner is usually in the range of 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.
The hole injection layer 3 may be omitted as shown in FIG.

[4]発光層
正孔注入層3の上には通常発光層4が設けられる。発光層4は発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極2から正孔注入層3を通じて注入された正孔と、陰極6から電子輸送層5を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層4は発光材料(ドーパント)と1種または2種以上のホスト材料を含むことが好ましく、発光層4は本発明の電荷輸送材料をホスト材料として含むことが更に好ましく、真空蒸着法で形成していてもよいが、本発明の電荷輸送材料用組成物を用い、湿式製膜法によって作製された層であることが特に好ましい。
[4] Light-Emitting Layer A normal light-emitting layer 4 is provided on the hole injection layer 3. The light emitting layer 4 is a layer containing a light emitting material, and between the electrodes to which an electric field is applied, holes injected from the anode 2 through the hole injection layer 3 and electrons injected from the cathode 6 through the electron transport layer 5 It is a layer that is excited by recombination and becomes a main light emitting source. The light-emitting layer 4 preferably contains a light-emitting material (dopant) and one or more host materials, and the light-emitting layer 4 more preferably contains the charge transport material of the present invention as a host material, and is formed by a vacuum deposition method. However, it is particularly preferable that the layer be prepared by a wet film-forming method using the composition for charge transport material of the present invention.

ここで、湿式製膜法とは、上記溶剤を含む本発明の電荷輸送材料用組成物を、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法により塗布して成膜するものである。   Here, the wet film-forming method is a film formed by applying the composition for a charge transport material of the present invention containing the above-mentioned solvent by spin coating, spray coating, dip coating, die coating, flexographic printing, screen printing, or inkjet method. To do.

なお、発光層4は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいてもよい。   In addition, the light emitting layer 4 may contain other materials and components as long as the performance of the present invention is not impaired.

一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ITO等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。   In general, when the same material is used in the organic electroluminescent element, the thinner the film thickness between the electrodes, the larger the effective electric field, so that the injected current increases, so the driving voltage decreases. For this reason, the driving voltage of the organic electroluminescence device decreases when the total film thickness between the electrodes is thin, but if it is too thin, a short circuit occurs due to the protrusion caused by the electrode such as ITO. Necessary.

本発明においては、発光層4以外に、正孔注入層3および後述の電子輸送層5等の有機層を有する場合、発光層4と正孔注入層3や電子輸送層5等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常30nm以上、好ましくは50nm以上であり、更に好ましくは100nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下であり、更に好ましくは300nm以下である。また、発光層4以外の正孔注入層3や後述の電子注入層5の導電性が高い場合、発光層4に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層3の膜厚を厚くして発光層4の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。   In the present invention, in addition to the light emitting layer 4, when the organic layer such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 described later is provided, the light emitting layer 4 and other organic materials such as the hole injection layer 3 and the electron transport layer 5 are used. The total film thickness combined with the layer is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less, more preferably 300 nm or less. In addition, when the conductivity of the hole injection layer 3 other than the light emitting layer 4 and the electron injection layer 5 described later is high, the amount of charge injected into the light emitting layer 4 increases. It is also possible to reduce the drive voltage while increasing the thickness to reduce the thickness of the light emitting layer 4 and maintaining the total thickness to some extent.

よって、発光層4の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは20nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。なお、本発明の素子が、陽極および陰極の両極間に、発光層4のみを有する場合の発光層4の膜厚は、通常30nm以上、好ましくは50nm以上、通常500nm以下、好ましくは300nm以下である。   Therefore, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 10 nm or more, preferably 20 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 200 nm or less. When the element of the present invention has only the light emitting layer 4 between the anode and the cathode, the thickness of the light emitting layer 4 is usually 30 nm or more, preferably 50 nm or more, usually 500 nm or less, preferably 300 nm or less. is there.

[5]電子注入層
電子注入層5は陰極6から注入された電子を効率よく発光層4へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層5を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましく、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属が用いられる。
電子注入層5の膜厚は0.1〜5nmが好ましい。
[5] Electron Injection Layer The electron injection layer 5 plays a role of efficiently injecting electrons injected from the cathode 6 into the light emitting layer 4. In order to perform electron injection efficiently, the material for forming the electron injection layer 5 is preferably a metal having a low work function, and alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium are used.
The film thickness of the electron injection layer 5 is preferably 0.1 to 5 nm.

また、陰極6と発光層4または後述の電子輸送層8との界面にLiF、MgF、LiO、CsCO等の極薄絶縁膜(0.1〜5nm)を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である(Appl.Phys.Lett.,70巻,152頁,1997年;特開平10−74586号公報;IEEETrans.Electron.Devices,44巻,1245頁,1997年;SID 04 Digest,154頁)。 Alternatively, an ultrathin insulating film (0.1 to 5 nm) such as LiF, MgF 2 , Li 2 O, or CsCO 3 may be inserted at the interface between the cathode 6 and the light emitting layer 4 or the electron transport layer 8 described later. (Appl. Phys. Lett., 70, 152, 1997; JP-A-10-74586; IEEE Trans. Electron. Devices, 44, 1245, 1997); SID 04 Digest, page 154).

更に、後述するバソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする(特開平10−270171号公報、特開2002−100478号公報、特開2002−100482号公報などに記載)ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は通常、5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常200nm以下、好ましくは100nm以下である。   Further, organic electron transport materials represented by metal complexes such as nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline and aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline described later are doped with alkali metals such as sodium, potassium, cesium, lithium and rubidium. (Described in JP-A-10-270171, JP-A 2002-1000047, JP-A 2002-1000048, and the like) makes it possible to improve electron injection / transport properties and achieve excellent film quality. Therefore, it is preferable. The film thickness in this case is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 200 nm or less, preferably 100 nm or less.

電子注入層5は、発光層4と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。真空蒸着法の場合には、真空容器内に設置されたるつぼまたは金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、るつぼまたは金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼまたは金属ボートと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。 The electron injection layer 5 is formed by laminating on the light emitting layer 4 by a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as the light emitting layer 4. In the case of the vacuum evaporation method, the evaporation source is put into a crucible or metal boat installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with an appropriate vacuum pump, and then the crucible or metal boat is Heat and evaporate to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible or metal boat.

アルカリ金属の蒸着は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行う。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10−4Pa程度にまで排気した後、各々のるつぼおよびディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板上に電子注入層を形成する。 The alkali metal is deposited using an alkali metal dispenser in which nichrome is filled with an alkali metal chromate and a reducing agent. By heating the dispenser in a vacuum container, the alkali metal chromate is reduced and the alkali metal is evaporated. In the case of co-evaporating the organic electron transport material and the alkali metal, the organic electron transport material is put in a crucible installed in a vacuum vessel, and the inside of the vacuum vessel is evacuated to about 10 −4 Pa with a suitable vacuum pump. Each crucible and dispenser are heated simultaneously to evaporate to form an electron injection layer on the substrate placed facing the crucible and dispenser.

このとき、電子注入層5の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。
なお、電子注入層5は、図5,6,7,8に示す如く、これを省略していてもよい。
At this time, co-evaporation is uniformly performed in the film thickness direction of the electron injection layer 5, but there may be a concentration distribution in the film thickness direction.
The electron injection layer 5 may be omitted as shown in FIGS.

[6]陰極
陰極6は、発光層側の層(電子注入層5または発光層4など)に電子を注入する役割を果たす。陰極6として用いられる材料は、前記陽極2に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
[6] Cathode The cathode 6 plays a role of injecting electrons into a layer on the light emitting layer side (such as the electron injection layer 5 or the light emitting layer 4). The material used for the cathode 6 can be the material used for the anode 2, but a metal having a low work function is preferable for efficient electron injection, such as tin, magnesium, indium, calcium, A suitable metal such as aluminum or silver or an alloy thereof is used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.

陰極6の膜厚は通常、陽極2と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。   The film thickness of the cathode 6 is usually the same as that of the anode 2. For the purpose of protecting the cathode made of a low work function metal, further laminating a metal layer having a high work function and stable to the atmosphere on the cathode increases the stability of the device. For this purpose, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum are used.

[7]その他の構成層
以上、図1に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子における陽極2および陰極6と発光層4との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他にも、任意の層を有していてもよく、また発光層4以外の任意の層を省略してもよい。
[7] Other Constituent Layers While the description has been given centering on the element having the layer constitution shown in FIG. 1, the performance between the anode 2 and the cathode 6 and the light emitting layer 4 in the organic electroluminescent element of the present invention is described. In addition to the layers described above, any layer may be included, and any layer other than the light emitting layer 4 may be omitted.

有していてもよい層としては例えば、電子輸送層7が挙げられる。電子輸送層7は素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、図2に示す如く、発光層4と電子注入層5との間に設けられる。   Examples of the layer that may be included include the electron transport layer 7. The electron transport layer 7 is provided between the light emitting layer 4 and the electron injection layer 5 as shown in FIG. 2 for the purpose of further improving the light emission efficiency of the device.

電子輸送層7は、電界を与えられた電極間において陰極6から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物より形成される。電子輸送層7に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極6または電子注入層5からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
このような条件を満たす材料としては、8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−194393号公報)、10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3−または5−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5,645,948号)、キノキサリン化合物(特開平6−207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5−331459号公報)、2−t−ブチル−9,10−N,N’−ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。
The electron transport layer 7 is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons injected from the cathode 6 between electrodes to which an electric field is applied in the direction of the light emitting layer 4. As an electron transport compound used for the electron transport layer 7, the electron injection efficiency from the cathode 6 or the electron injection layer 5 is high, and the injected electrons can be efficiently transported with high electron mobility. It must be a compound.
Materials satisfying such conditions include metal complexes such as aluminum complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393), metal complexes of 10-hydroxybenzo [h] quinoline, oxadiazole derivatives, Styryl biphenyl derivative, silole derivative, 3- or 5-hydroxyflavone metal complex, benzoxazole metal complex, benzothiazole metal complex, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound No. 207169), phenanthroline derivatives (Japanese Patent Laid-Open No. 5-331459), 2-t-butyl-9,10-N, N′-dicyanoanthraquinonediimine, n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type sulfide Examples include zinc and n-type zinc selenide.

電子輸送層7の膜厚は、通常下限は1nm、好ましくは5nm程度であり、上限は通常300nm、好ましくは100nm程度である。   The lower limit of the thickness of the electron transport layer 7 is usually 1 nm, preferably about 5 nm, and the upper limit is usually about 300 nm, preferably about 100 nm.

電子輸送層7は、正孔注入層3と同様にして湿式製膜法、或いは真空蒸着法により発光層4上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。   The electron transport layer 7 is formed by laminating on the light emitting layer 4 by a wet film forming method or a vacuum deposition method in the same manner as the hole injection layer 3. Usually, a vacuum deposition method is used.

また、正孔輸送層10を有することが本発明において好ましく、正孔輸送層10には、本発明の電荷輸送材料を含有することが好ましい。また、前記正孔注入層の正孔輸送性化合物として例示した化合物を用いることもできる。また、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン等の高分子材料を使用してもよい。正孔輸送層10は、これらの材料を湿式製膜法または真空蒸着法により正孔注入層上に積層することにより形成される。このようにして形成される正孔輸送層10の膜厚は、通常10nm以上、好ましくは30nmである。但し、通常、300nm以下、好ましくは100nm以下である。   Moreover, it is preferable in this invention to have the positive hole transport layer 10, and it is preferable that the positive hole transport layer 10 contains the charge transport material of this invention. Moreover, the compound illustrated as a hole transportable compound of the said positive hole injection layer can also be used. Alternatively, a polymer material such as polyarylene ether sulfone containing polyvinyl carbazole, polyvinyl triphenylamine, or tetraphenylbenzidine may be used. The hole transport layer 10 is formed by laminating these materials on the hole injection layer by a wet film formation method or a vacuum deposition method. The film thickness of the hole transport layer 10 thus formed is usually 10 nm or more, preferably 30 nm. However, it is usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

また、特に、発光物質として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合、図3に示す如く、正孔阻止層8を設けることも効果的である。正孔阻止層8は正孔と電子を発光層4内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。即ち、正孔阻止層8は、発光層4から移動してくる正孔が電子輸送層7に到達するのを阻止することで、発光層4内で電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、電子輸送層8から注入された電子を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。   In particular, when a phosphorescent material or a blue light emitting material is used as the light emitting substance, it is also effective to provide the hole blocking layer 8 as shown in FIG. The hole blocking layer 8 has a function of confining holes and electrons in the light emitting layer 4 and improving luminous efficiency. That is, the hole blocking layer 8 is generated by blocking the holes moving from the light emitting layer 4 from reaching the electron transport layer 7, thereby increasing the recombination probability with electrons in the light emitting layer 4. There is a role of confining excitons in the light emitting layer 4 and a role of efficiently transporting electrons injected from the electron transport layer 8 toward the light emitting layer 4.

正孔阻止層8は、陽極2から移動してくる正孔を陰極6に到達するのを阻止する役割と、陰極6から注入された電子を率よく発光層4の方向に輸送することができる化合物により、発光層4の上に、発光層4の陰極6側の界面に接するように積層形成される。   The hole blocking layer 8 prevents the holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 6 and can efficiently transport the electrons injected from the cathode 6 toward the light emitting layer 4. The compound is laminated on the light emitting layer 4 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 4 on the cathode 6 side.

正孔阻止層8を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。   The physical properties required for the material constituting the hole blocking layer 8 include high electron mobility, low hole mobility, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet level (T1). Is high.

このような条件を満たす正孔阻止層材料としては、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2−メチル−8−キノラト)アルミニウム−μ−オキソ−ビス−(2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11−242996)、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7−41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10−79297号公報)が挙げられる。   Examples of the hole blocking layer material satisfying such conditions include mixed arrangements of bis (2-methyl-8-quinolinolato) (phenolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (triphenylsilanolato) aluminum, and the like. Ligand complexes, metal complexes such as bis (2-methyl-8-quinolato) aluminum-μ-oxo-bis- (2-methyl-8-quinolinato) aluminum binuclear metal complexes, styryl compounds such as distyrylbiphenyl derivatives ( JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (JP-A-7-41759) And phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Laid-Open No. 10-79297).

さらに、WO2005/022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も正孔阻止材料として好ましい。   Furthermore, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2,4,6-positions described in WO2005 / 022962 is also preferable as the hole blocking material.

正孔阻止層8の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上で、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。   The film thickness of the hole blocking layer 8 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

正孔阻止層8も正孔注入層3と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。   The hole blocking layer 8 can also be formed by the same method as the hole injection layer 3, but a vacuum deposition method is usually used.

電子輸送層7および正孔阻止層8は必要に応じて、適宜設ければよく、1)電子輸送層のみ、2)正孔阻止層のみ、3)正孔阻止層/電子輸送層の積層、4)用いない、等、用法がある。また、図7に示す如く、電子注入層5を省略して正孔阻止層8と電子輸送層7を積層しても良く、また、図8に示す如く、電子輸送層7のみでもよい。   The electron transport layer 7 and the hole blocking layer 8 may be appropriately provided as necessary. 1) Only the electron transport layer, 2) Only the hole blocking layer, 3) Lamination of the hole blocking layer / electron transport layer, 4) There are usages such as not using. Further, as shown in FIG. 7, the electron injection layer 5 may be omitted and the hole blocking layer 8 and the electron transport layer 7 may be laminated, or only the electron transport layer 7 may be formed as shown in FIG.

正孔阻止層8と同様の目的で、図4に示す如く、正孔注入層3と発光層4の間に電子阻止層9を設けることも効果的である。電子阻止層9は、発光層4から移動してくる電子が正孔注入層3に到達するのを阻止することで、発光層4内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層4内に閉じこめる役割と、正孔注入層3から注入された正孔を効率よく発光層4の方向に輸送する役割がある。   For the same purpose as the hole blocking layer 8, it is also effective to provide an electron blocking layer 9 between the hole injection layer 3 and the light emitting layer 4 as shown in FIG. The electron blocking layer 9 increases the probability of recombination with holes in the light emitting layer 4 by blocking the electrons moving from the light emitting layer 4 from reaching the hole injection layer 3, thereby generating excitons generated. Has a role of confining the light in the light emitting layer 4 and a role of efficiently transporting holes injected from the hole injection layer 3 in the direction of the light emitting layer 4.

電子阻止層9に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項準位(T1)が高いことが挙げられる。また、発光層4を湿式製膜法で形成する場合、電子阻止層9も湿式製膜法で形成することが、素子製造が容易となるため、好ましい。   The characteristics required for the electron blocking layer 9 include high hole transportability, a large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and a high excited triplet level (T1). Further, when the light emitting layer 4 is formed by a wet film forming method, it is preferable that the electron blocking layer 9 is also formed by a wet film forming method because the device manufacturing becomes easy.

このため、電子阻止層9も湿式製膜適合性を有することが好ましく、このような電子阻止層9に用いられる材料としては、F8−TFBに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体(WO2004/084260号公報記載)等が挙げられる。   For this reason, it is preferable that the electron blocking layer 9 also has wet film forming compatibility. As a material used for such an electron blocking layer 9, a copolymer of dioctylfluorene and triphenylamine typified by F8-TFB is used. (Described in WO 2004/084260).

なお、図1とは逆の構造、即ち、基板1上に陰極6、電子注入層5、発光層4、正孔注入層3、陽極2の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図2〜図8に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。   The structure opposite to that shown in FIG. 1, that is, the cathode 6, the electron injection layer 5, the light emitting layer 4, the hole injection layer 3, and the anode 2 can be laminated on the substrate 1 in this order. It is also possible to provide the organic electroluminescent element of the present invention between two substrates, at least one of which is highly transparent. Similarly, it is also possible to laminate in a structure opposite to the above-described respective layer configurations shown in FIGS.

さらには、図1に示す層構成を複数段重ねた構造(発光ユニットを複数積層させた構造)とすることも可能である。その際には段間(発光ユニット間)の界面層(陽極がITO、陰極がAlの場合はその2層)の代わりに、例えばV等を電荷発生層(CGL)として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。 Further, a structure in which a plurality of layers shown in FIG. 1 are stacked (a structure in which a plurality of light emitting units are stacked) may be employed. In that case, instead of the interfacial layer (between the light emitting units) (when the anode is ITO and the cathode is Al, the two layers), for example, V 2 O 5 is used as the charge generation layer (CGL). This is more preferable from the viewpoint of luminous efficiency and driving voltage.

本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX−Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。   The present invention can be applied to any of an organic electroluminescent element having a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure having an anode and a cathode arranged in an XY matrix.

次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。   EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to description of a following example, unless the summary is exceeded.

[本発明の有機化合物の合成例]
以下に本発明の有機化合物を合成する実施例を示す。
なお、以下の実施例において、ガラス転移温度はDSC測定により、気化温度はTG−DTA測定により、融点はDSC測定またはTG−DTA測定によりそれぞれ求めた。
[Synthesis Example of Organic Compound of the Present Invention]
Examples of synthesizing the organic compound of the present invention are shown below.
In the following examples, the glass transition temperature was determined by DSC measurement, the vaporization temperature was determined by TG-DTA measurement, and the melting point was determined by DSC measurement or TG-DTA measurement.

(実施例1:目的物1、2)

Figure 0005250967
(Example 1: objects 1 and 2)
Figure 0005250967

窒素気流中、カルバゾール(12.7g)、p−ジヨードベンゼン(25.0g)、銅粉末(4.82g)、炭酸カリウム(21.0g)、テトラグライム(45ml)を、145℃に加熱下、5時間撹拌し、室温まで放冷した。反応混合物にクロロホルムを加え、不溶物を濾別した。濾液に含まれるクロロホルムを減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/トルエン=4/1)で精製することにより、目的物1(11.2g)を得た。   In a nitrogen stream, carbazole (12.7 g), p-diiodobenzene (25.0 g), copper powder (4.82 g), potassium carbonate (21.0 g), and tetraglyme (45 ml) were heated to 145 ° C. The mixture was stirred for 5 hours and allowed to cool to room temperature. Chloroform was added to the reaction mixture, and insoluble matters were filtered off. Chloroform contained in the filtrate was distilled off under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography (n-hexane / toluene = 4/1) to obtain the target product 1 (11.2 g).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

窒素気流中、目的物1(8.01g)、2−ヒドロキシベンズイミダゾール(1.04g)、銅粉(1.38g)、炭酸カリウム(6.44g)、テトラグライム(20ml)を、200℃で8時間撹拌した後、放冷し、銅粉(1.39g)を加え、200℃で6時間攪拌した。放冷後、反応混合物にクロロホルム、活性白土を加えて、攪拌し、不溶物を濾別し、メタノール(200ml)に加え、攪拌した後、沈殿を濾取した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、酢酸エチルおよびクロロホルム/メタノール混合液で洗浄することにより、目的物2(1.33g)を得た。
DEI-MS m/z=616(M+)
このもののガラス転移温度は146℃、融点は355℃、気化温度は507℃であった。
このものの励起三重項状態と基底状態のエネルギー差は、3.04eVであった。
In a nitrogen stream, target 1 (8.01 g), 2-hydroxybenzimidazole (1.04 g), copper powder (1.38 g), potassium carbonate (6.44 g), tetraglyme (20 ml) at 200 ° C. After stirring for 8 hours, the mixture was allowed to cool, copper powder (1.39 g) was added, and the mixture was stirred at 200 ° C. for 6 hours. After allowing to cool, chloroform and activated clay were added to the reaction mixture and stirred. Insoluble matter was filtered off, added to methanol (200 ml), stirred, and then the precipitate was collected by filtration. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography (toluene), and washed with ethyl acetate and a chloroform / methanol mixture to obtain the desired product 2 (1.33 g).
DEI-MS m / z = 616 (M + )
This had a glass transition temperature of 146 ° C., a melting point of 355 ° C., and a vaporization temperature of 507 ° C.
The energy difference between the excited triplet state and the ground state of this product was 3.04 eV.

(実施例2:目的物3、4)

Figure 0005250967
(Example 2: objects 3 and 4)
Figure 0005250967

窒素気流中、2−ヒドロキシベンズイミダゾール(5.41g)、m−ジブロモベンゼン(28.6g)、ヨウ化銅(I)(15.3g)、炭酸カリウム(22.3g)、N,N−ジメチルホルムアミド(130ml)を、150℃に加熱下、6.5時間撹拌し、室温まで放冷した。反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮した。濃縮残渣にトルエン、活性白土を加えて、攪拌し、不溶物を濾別した。濾液に含まれるクロロホルムを減圧留去した後、メタノールを加え、攪拌し、得られた析出物をメタノールで再結晶することにより、目的物3(4.36g)を得た。   In a nitrogen stream, 2-hydroxybenzimidazole (5.41 g), m-dibromobenzene (28.6 g), copper (I) iodide (15.3 g), potassium carbonate (22.3 g), N, N-dimethyl Formamide (130 ml) was stirred at 150 ° C. for 6.5 hours and allowed to cool to room temperature. Water was added to the reaction mixture, extracted with ethyl acetate, and the organic layer was dried over magnesium sulfate and concentrated. Toluene and activated clay were added to the concentrated residue, and the mixture was stirred and insoluble matter was filtered off. Chloroform contained in the filtrate was distilled off under reduced pressure, methanol was added and stirred, and the resulting precipitate was recrystallized from methanol to obtain the intended product 3 (4.36 g).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

窒素気流中、目的物3(4.36g)、カルバゾール(5.76g)、銅粉(1.88g)、炭酸カリウム(8.15g)、テトラグライム(20ml)を、210℃で7.5時間撹拌した。放冷後、反応混合物にクロロホルムを加えて、攪拌し、不溶物を濾別し、メタノール(200ml)に加え、攪拌した後、沈殿を濾取した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、ジクロロメタン/メタノール混合液で洗浄することにより、目的物4(2.29g)を得た。
DEI-MS m/z=616(M+)
このもののガラス転移温度は125℃、融点は227℃、気化温度は489℃であった。
このものはトルエンに対して、3重量%以上溶解した。
このものの励起三重項状態と基底状態のエネルギー差は、2.99eVであった。
In a nitrogen stream, the target product 3 (4.36 g), carbazole (5.76 g), copper powder (1.88 g), potassium carbonate (8.15 g), tetraglyme (20 ml) were added at 210 ° C. for 7.5 hours. Stir. After allowing to cool, chloroform was added to the reaction mixture and stirred, insoluble matter was filtered off, added to methanol (200 ml), stirred, and then the precipitate was collected by filtration. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography (toluene) and washed with a dichloromethane / methanol mixture to obtain the desired product 4 (2.29 g).
DEI-MS m / z = 616 (M + )
This had a glass transition temperature of 125 ° C., a melting point of 227 ° C., and a vaporization temperature of 489 ° C.
This dissolved in 3% by weight or more in toluene.
The energy difference between the excited triplet state and the ground state of this product was 2.99 eV.

(実施例3:目的物5)

Figure 0005250967
(Example 3: object 5)
Figure 0005250967

窒素気流中、1,3−ビス(4−ブロモフェニル)−1,3−ジヒドロベンズイミダゾール−2−オン(2.60g)、N−(4−ビフェニル)アニリン(4.31g)、tert−ブトキシナトリウム(2.25g)、およびトルエン(35ml)の溶液に、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)クロロホルム錯体(0.12g)、トリ−tert−ブチルホスフィン(0.209g)、およびトルエン(5ml)を窒素雰囲気下、60℃で5分間攪拌して調製した溶液を加えて、加熱還流下、9.5時間攪拌した。放冷後、活性白土およびクロロホルムを加え、攪拌した。不溶物を濾別し、メタノール(200ml)に加え、攪拌した後、沈殿を濾取した。得られた固形分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(トルエン)で精製し、ジクロロメタン/メタノール混合液で洗浄することにより、目的物5(2.55g)を得た。
DEI-MS m/z=772(M+)
このもののガラス転移温度は124℃、融点は観測されず、気化温度は527℃であった。このものは、トルエンに対して5.0重量%以上溶解した。
In a nitrogen stream, 1,3-bis (4-bromophenyl) -1,3-dihydrobenzimidazol-2-one (2.60 g), N- (4-biphenyl) aniline (4.31 g), tert-butoxy To a solution of sodium (2.25 g) and toluene (35 ml) was added tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) chloroform complex (0.12 g), tri-tert-butylphosphine (0.209 g), and toluene ( 5 ml) was stirred at 60 ° C. for 5 minutes under a nitrogen atmosphere, and the solution was stirred for 9.5 hours under reflux with heating. After allowing to cool, activated clay and chloroform were added and stirred. The insoluble material was filtered off, added to methanol (200 ml), stirred, and the precipitate was collected by filtration. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography (toluene) and washed with a dichloromethane / methanol mixture to obtain the desired product 5 (2.55 g).
DEI-MS m / z = 772 (M + )
This had a glass transition temperature of 124 ° C., no melting point was observed, and a vaporization temperature of 527 ° C. This dissolved in 5.0% by weight or more in toluene.

(実施例4:目的物6)

Figure 0005250967
(Example 4: object 6)
Figure 0005250967

窒素気流中、2−ヒドロキシベンズイミダゾール(1.03g)、3−ブロモビフェニル(5.00g)、ヨウ化銅(I)(2.92g)、炭酸カリウム(4.23g)、N,N−ジメチルホルムアミド(10ml)を、加熱還流下8時間撹拌した後、放冷した。反応混合物にクロロホルムを加えて、攪拌し、不溶物を濾別し、濾液を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、メタノールで懸濁洗浄することにより、目的物6(2.68g)を得た。
EI-MS m/z=438(M+)
このもののガラス転移温度は56℃、融点は150℃、気化温度は391℃であった。このものはトルエンに対して5.0重量%以上溶解した。
In a nitrogen stream, 2-hydroxybenzimidazole (1.03 g), 3-bromobiphenyl (5.00 g), copper (I) iodide (2.92 g), potassium carbonate (4.23 g), N, N-dimethyl Formamide (10 ml) was stirred with heating under reflux for 8 hours and then allowed to cool. Chloroform was added to the reaction mixture and stirred, insoluble matter was filtered off, the filtrate was concentrated, purified by silica gel column chromatography, and suspended and washed with methanol to give the desired product 6 (2.68 g). Obtained.
EI-MS m / z = 438 (M + )
This had a glass transition temperature of 56 ° C., a melting point of 150 ° C., and a vaporization temperature of 391 ° C. This dissolved in 5.0% by weight or more in toluene.

(実施例5:目的物7〜9)

Figure 0005250967
(Example 5: objects 7 to 9)
Figure 0005250967

窒素気流中、2−ヒドロキシベンズイミダゾール(6.53g)、ヨードベンゼン(9.93g)、銅粉(3.11g)、炭酸カリウム(13.5g)、およびテトラグライム(15ml)を、170℃で4時間撹拌した後、放冷した。反応混合物に酢酸エチル及び水を加えて攪拌し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/酢酸エチル混合液〜酢酸エチル)で精製し、n−ヘキサンで懸濁洗浄することにより、目的物7(3.87g)を得た。   In a nitrogen stream, 2-hydroxybenzimidazole (6.53 g), iodobenzene (9.93 g), copper powder (3.11 g), potassium carbonate (13.5 g), and tetraglyme (15 ml) at 170 ° C. After stirring for 4 hours, the mixture was allowed to cool. Ethyl acetate and water are added to the reaction mixture and stirred. The organic layer is dried over magnesium sulfate, concentrated, purified by silica gel column chromatography (n-hexane / ethyl acetate mixture to ethyl acetate), and n-hexane. The target product 7 (3.87 g) was obtained by suspension washing.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

窒素気流中、2−ヒドロキシベンズイミダゾール(7.58g)、p−ジブロモベンゼン(40.0g)、銅粉(10.8g)、炭酸カリウム(46.9g)、およびテトラグライム(40ml)を、200℃で12時間撹拌した後、放冷した。反応混合物に酢酸エチルを加え、加熱還流下、30分攪拌し、放冷後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮し、析出物をエタノールで懸濁洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/トルエン混合液〜トルエン)で精製し、メタノールで懸濁洗浄することにより、目的物8(3.87g)を得た。   In a nitrogen stream, 2-hydroxybenzimidazole (7.58 g), p-dibromobenzene (40.0 g), copper powder (10.8 g), potassium carbonate (46.9 g), and tetraglyme (40 ml) After stirring at ° C for 12 hours, the mixture was allowed to cool. Ethyl acetate was added to the reaction mixture, and the mixture was stirred for 30 minutes under reflux with heating. After standing to cool, the insoluble material was filtered off, the filtrate was concentrated, the precipitate was suspended and washed with ethanol, and silica gel column chromatography (n- The product 8 (3.87 g) was obtained by purification with hexane / toluene mixture to toluene) and suspension washing with methanol.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

窒素気流中、目的物8(0.860g)、目的物7(1.22g)、銅粉(0.492g)、炭酸カリウム(2.14g)、およびテトラグライム(6ml)を、200℃で14時間撹拌した後、放冷した。反応混合物にクロロホルムを加え、30分攪拌し、不溶物を濾別し、濾液を濃縮し、析出物をエタノールで懸濁洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/酢酸エチル混合液)で精製し、酢酸エチル/エタノール混合液で懸濁洗浄することにより、目的物9(0.465g)を得た。
DEI-MS m/z=702(M+)
このもののガラス転移温度は150℃、融点は328℃、気化温度は527℃であった。
このものの励起三重項状態と基底状態のエネルギー差は、3.2eV以上であった。
In a nitrogen stream, target product 8 (0.860 g), target product 7 (1.22 g), copper powder (0.492 g), potassium carbonate (2.14 g), and tetraglyme (6 ml) were added at 200 ° C. at 14 ° C. After stirring for hours, the mixture was allowed to cool. Chloroform was added to the reaction mixture, the mixture was stirred for 30 minutes, the insoluble matter was filtered off, the filtrate was concentrated, the precipitate was suspended and washed with ethanol, and purified by silica gel column chromatography (n-hexane / ethyl acetate mixture). Then, suspension 9 was washed with an ethyl acetate / ethanol mixed solution to obtain the intended product 9 (0.465 g).
DEI-MS m / z = 702 (M + )
This had a glass transition temperature of 150 ° C., a melting point of 328 ° C., and a vaporization temperature of 527 ° C.
The energy difference between the excited triplet state and the ground state of this product was 3.2 eV or more.

(実施例6:目的物10,11)

Figure 0005250967
(Example 6: objects 10 and 11)
Figure 0005250967

窒素気流中、カルバゾール(18.8g)、2,6−ジブロモピリジン(80.0g)、銅粉(14.4g)、炭酸カリウム(31.2g)、およびテトラグライム(80ml)を、170℃に加熱下、7時間撹拌し、室温まで放冷した。反応混合物にクロロホルムを加え、不溶物を濾別した。濾液に含まれるクロロホルムを減圧留去し、エタノール/水(40/1)混合液を加え、析出物を濾別した。濾液に水を加え、析出物を濾取し、エタノールで洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘキサン/塩化メチレン混合液)で精製することにより、目的物10(17.7g)を得た。   In a nitrogen stream, carbazole (18.8 g), 2,6-dibromopyridine (80.0 g), copper powder (14.4 g), potassium carbonate (31.2 g), and tetraglyme (80 ml) were heated to 170 ° C. The mixture was stirred for 7 hours under heating and allowed to cool to room temperature. Chloroform was added to the reaction mixture, and insoluble matters were filtered off. Chloroform contained in the filtrate was distilled off under reduced pressure, an ethanol / water (40/1) mixture was added, and the precipitate was separated by filtration. Water was added to the filtrate, and the precipitate was collected by filtration, washed with ethanol, and purified by silica gel column chromatography (n-hexane / methylene chloride mixed solution) to obtain the desired product 10 (17.7 g).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

窒素気流中、2−ヒドロキシベンズイミダゾール(0.724g)、目的物10(7.50g)、ヨウ化銅(I)(2.06g)、炭酸カリウム(2.99g)、およびN,N−ジメチルホルムアミド(17ml)を、加熱還流下、10時間撹拌した後、放冷した。反応混合物に塩化メチレン、活性白土を加えて攪拌し、不溶物を濾別し、濾液を濃縮した後、析出物をメタノールで懸濁洗浄した。さらに、クロロホルム/メタノール混合液及びクロロホルムで懸濁洗浄することにより、目的物11(2.27g)を得た。
DEI-MS m/z=618(M+)
このもののガラス転移温度は123℃、融点は317℃、気化温度は500℃であった。
このものの励起三重項状態と基底状態のエネルギー差は、3.00eVであった。
In a nitrogen stream, 2-hydroxybenzimidazole (0.724 g), target product 10 (7.50 g), copper (I) iodide (2.06 g), potassium carbonate (2.99 g), and N, N-dimethyl Formamide (17 ml) was stirred with heating under reflux for 10 hours and then allowed to cool. Methylene chloride and activated clay were added to the reaction mixture and stirred, the insoluble matter was filtered off, the filtrate was concentrated, and the precipitate was suspended and washed with methanol. Furthermore, the target product 11 (2.27 g) was obtained by suspension washing with a chloroform / methanol mixture and chloroform.
DEI-MS m / z = 618 (M + )
This had a glass transition temperature of 123 ° C., a melting point of 317 ° C., and a vaporization temperature of 500 ° C.
The energy difference between the excited triplet state and the ground state of this product was 3.00 eV.

(実施例7:目的物12)

Figure 0005250967
(Example 7: object 12)
Figure 0005250967

窒素気流中、9H−ピリド[3,4−b]インドール(2.8g)、目的物3(2.47g)、銅粉(1.06g)、炭酸カリウム(4.6g)、およびテトラグライム(8ml)を加熱下、180℃で8時間反応攪拌した。
反応終了後、反応混合物にクロロホルムを加え、不溶物を濾別した。濾液を濃縮した後、析出物をメタノールで懸濁洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル/塩化メチレン混合液→エタノール/塩化メチレン混合液)で精製することにより、目的物12(1.27g)を得た。
DEI-MS m/z=617(M-H)+
DCI-MS m/z=619(M+H)+
このもののガラス転移温度は135℃、融点は221℃、気化温度は499℃であった。
このものはトルエンに対して、3重量%以上溶解した。
このものの励起三重項状態と基底状態のエネルギー差は、2.96eVであった。
In a nitrogen stream, 9H-pyrido [3,4-b] indole (2.8 g), target product 3 (2.47 g), copper powder (1.06 g), potassium carbonate (4.6 g), and tetraglyme ( 8 ml) was heated and stirred at 180 ° C. for 8 hours.
After completion of the reaction, chloroform was added to the reaction mixture, and insoluble matters were filtered off. After the filtrate was concentrated, the precipitate was suspended and washed with methanol, and purified by silica gel column chromatography (ethyl acetate / methylene chloride mixed solution → ethanol / methylene chloride mixed solution) to obtain the target compound 12 (1.27 g). Got.
DEI-MS m / z = 617 (MH) +
DCI-MS m / z = 619 (M + H) +
This had a glass transition temperature of 135 ° C., a melting point of 221 ° C., and a vaporization temperature of 499 ° C.
This dissolved in 3% by weight or more in toluene.
The energy difference between the excited triplet state and the ground state of this product was 2.96 eV.

(実施例8:目的物13,14)

Figure 0005250967
(Example 8: objects 13 and 14)
Figure 0005250967

大気中、4−アミノ−3−ニトロベンゼントリフルオリド(20.06g)、およびエタノール(400ml)の懸濁溶液に、濃塩酸水溶液(120ml)を加え、撹拌しながら80℃に昇温した。ここに還元鉄(27.09g)を15分かけて徐々に投入した後、加熱還流下、1時間撹拌した。氷冷後、得られた溶液を水酸化アンモニウム水溶液で中和してから、ジクロロメタンで抽出した。抽出液を水洗後、濃縮し、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、3,4−ジアミノベンゼントリフルオリド(12.495g)を得た。
窒素気流中、氷冷下、3,4−ジアミノベンゼントリフルオリド(3.0g)と脱水テトラヒドロフラン(100ml)の溶液に、1,1’−カルボニルジイミダゾール(3.314g)を添加し、室温で10.7時間撹拌した。得られた溶液を濃縮後、メタノールを加えて超音波を照射してから濃縮し、析出した沈殿物を濾取した。これをエタノール/ヘキサン混合溶媒中での懸濁洗浄、酢酸エチルからの再結晶により精製し、目的物13(1.203g)を得た。
DEI-MS m/z=202(M+)
A concentrated hydrochloric acid aqueous solution (120 ml) was added to a suspension of 4-amino-3-nitrobenzene trifluoride (20.06 g) and ethanol (400 ml) in the air, and the mixture was heated to 80 ° C. with stirring. Reduced iron (27.09 g) was gradually added thereto over 15 minutes, and then stirred for 1 hour under heating and reflux. After cooling with ice, the resulting solution was neutralized with an aqueous ammonium hydroxide solution and extracted with dichloromethane. The extract was washed with water, concentrated, and purified by silica gel column chromatography to obtain 3,4-diaminobenzene trifluoride (12.495 g).
1,1′-carbonyldiimidazole (3.314 g) was added to a solution of 3,4-diaminobenzene trifluoride (3.0 g) and dehydrated tetrahydrofuran (100 ml) in a nitrogen stream under ice cooling at room temperature. Stir for 10.7 hours. After concentrating the obtained solution, methanol was added and irradiated with ultrasonic waves, followed by concentration, and the deposited precipitate was collected by filtration. This was purified by suspension washing in an ethanol / hexane mixed solvent and recrystallization from ethyl acetate to obtain the desired product 13 (1.203 g).
DEI-MS m / z = 202 (M + )

Figure 0005250967
Figure 0005250967

窒素気流中、目的物13(1.188g)、目的物10(5.125g)、CuI(2.26g)、炭酸カリウム(3.28g)、および無水N,N−ジメチルホルムアミド(19ml)の混合溶液を、加熱還流下、6.2時間撹拌した。これに更に、目的物10(1.41g)、CuI(1.15g)、および炭酸カリウム(1.8g)を追加投入し、加熱還流下、4.5時間撹拌した。得られた溶液にメタノール(30ml)と水(30ml)を加えた後、濾過し、残渣を150mlのクロロホルムに投入し、撹拌した。この溶液に活性白土を加えて撹拌した後、濾過し、濾液を濃縮後、中性球状シリカゲルのカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/塩化メチレン)で精製し、その後メタノール中での懸濁洗浄、酢酸エチルとエタノールの混合溶媒中での熱懸洗で精製し、目的物14(2.164g)を得た。
DEI-MS m/z=686(M+)
このもののガラス転移温度は126℃、融点は282℃、気化温度は399℃であった。
このものの励起三重項状態と基底状態のエネルギー差は、2.97eVであった。
Mixture of the target compound 13 (1.188 g), the target compound 10 (5.125 g), CuI (2.26 g), potassium carbonate (3.28 g), and anhydrous N, N-dimethylformamide (19 ml) in a nitrogen stream The solution was stirred for 6.2 hours under heating to reflux. Further to this, the target product 10 (1.41 g), CuI (1.15 g) and potassium carbonate (1.8 g) were additionally added, and the mixture was stirred for 4.5 hours under heating to reflux. Methanol (30 ml) and water (30 ml) were added to the resulting solution, followed by filtration. The residue was poured into 150 ml of chloroform and stirred. Activated clay was added to the solution and stirred, followed by filtration. The filtrate was concentrated and purified by column chromatography on neutral spherical silica gel (developing solvent: hexane / methylene chloride), and then suspended and washed in methanol. The product was purified by hot washing in a mixed solvent of ethyl acetate and ethanol to obtain the desired product 14 (2.164 g).
DEI-MS m / z = 686 (M + )
This had a glass transition temperature of 126 ° C., a melting point of 282 ° C., and a vaporization temperature of 399 ° C.
The energy difference between the excited triplet state and the ground state of this product was 2.97 eV.

(実施例9:目的物15,16)

Figure 0005250967
(Example 9: objects 15 and 16)
Figure 0005250967

窒素気流中、氷冷下、2,3−ジアミノピリジン(8.7g)と脱水テトラヒドロフラン(500ml)の溶液に、1,1’−カルボニルジイミダゾール(15.5g)を添加し、室温で14時間撹拌した。得られた溶液を濃縮後、メタノールを加えて加熱懸洗処理を行い、析出した沈殿物を濾取したところ目的物15(4.9g)を得た。
DEI-MS m/z=135(M+)
In a nitrogen stream, 1,1′-carbonyldiimidazole (15.5 g) was added to a solution of 2,3-diaminopyridine (8.7 g) and dehydrated tetrahydrofuran (500 ml) under ice-cooling and at room temperature for 14 hours. Stir. After concentration of the resulting solution, methanol was added to carry out a hot washing process, and the deposited precipitate was collected by filtration to obtain the intended product 15 (4.9 g).
DEI-MS m / z = 135 (M + )

Figure 0005250967
Figure 0005250967

窒素気流中、目的物15(1.0g)、N−(3−ブロモフェニル)カルバゾール(6.8g)、CuI(2.8g)、炭酸カリウム(4.2g)、および無水N,N−ジメチルホルムアミド(10ml)の混合溶液を、加熱還流下、6.2時間撹拌した。これに更に、目的物10(1.4g)、CuI(1.15g)、および炭酸カリウム(1.8g)を追加投入し、加熱還流下、15時間撹拌した。反応液をジクロロメタンにて希釈後濾過し、ブライン、1Nの塩酸で洗浄し硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧濃縮により茶色オイル状になったものを、シリカゲルのカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:トルエン)で精製し、その後メタノール中での懸濁洗浄にて精製し、目的物16(1.1g)を得た。
DEI-MS m/z=617(M+)
このもののガラス転移温度は125℃、融点は226℃、気化温度は490℃であった。
このものはトルエンに対して、3重量%以上溶解した。
このものの励起三重項状態と基底状態のエネルギー差は、2.99eVであった。
In a nitrogen stream, the target compound 15 (1.0 g), N- (3-bromophenyl) carbazole (6.8 g), CuI (2.8 g), potassium carbonate (4.2 g), and anhydrous N, N-dimethyl A mixed solution of formamide (10 ml) was stirred for 6.2 hours with heating under reflux. Furthermore, the target product 10 (1.4 g), CuI (1.15 g), and potassium carbonate (1.8 g) were added thereto, and the mixture was stirred for 15 hours while heating under reflux. The reaction mixture was diluted with dichloromethane and then filtered, washed with brine, 1N hydrochloric acid and dried over sodium sulfate. The product which became brown oil by concentration under reduced pressure was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: toluene), and then purified by suspension washing in methanol to obtain the target product 16 (1.1 g). It was.
DEI-MS m / z = 617 (M + )
This had a glass transition temperature of 125 ° C., a melting point of 226 ° C., and a vaporization temperature of 490 ° C.
This dissolved in 3% by weight or more in toluene.
The energy difference between the excited triplet state and the ground state of this product was 2.99 eV.

(実施例10:目的物17)

Figure 0005250967
(Example 10: object 17)
Figure 0005250967

窒素気流中、目的物7(1.6g)、6,6”−ジブロモ−2,2’:6’,2”−ターピリジン(1.0g)、銅紛(0.35g)、炭酸カリウム(1.4g)、およびテトラグライム(5ml)を100mL4口フラスコに加え、170℃のオイルバスにつけて13時間加熱攪拌した。ジクロロメタンで希釈して濾過後、減圧留去して得られた黄白色固体をテトラヒドロフランで加熱懸洗することにより、白色粉末状の目的物17(0.9g)を得た。
DEI-MS m/z=649(M+)
このもののガラス転移温度は118℃、融点は276℃、気化温度は451℃であった。
このものの励起三重項状態と基底状態のエネルギー差は、2.98eVであった。
In a nitrogen stream, the target product 7 (1.6 g), 6,6 ″ -dibromo-2,2 ′: 6 ′, 2 ″ -terpyridine (1.0 g), copper powder (0.35 g), potassium carbonate (1 4 g) and tetraglyme (5 ml) were added to a 100 mL four-necked flask, placed in an oil bath at 170 ° C. and stirred for 13 hours. The yellowish white solid obtained by diluting with dichloromethane and filtering and then distilling off under reduced pressure was heated and washed with tetrahydrofuran to obtain the desired product 17 (0.9 g) as a white powder.
DEI-MS m / z = 649 (M + )
This had a glass transition temperature of 118 ° C., a melting point of 276 ° C., and a vaporization temperature of 451 ° C.
The energy difference between the excited triplet state and the ground state of this product was 2.98 eV.

[本発明の有機電界発光素子の作製例]
以下に本発明の有機電界発光素子を作製する実施例を示す。
[Production Example of Organic Electroluminescent Device of the Present Invention]
Examples for producing the organic electroluminescence device of the present invention are shown below.

(実施例11)
図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜2を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
(Example 11)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 7 was produced by the following method.
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film 2 deposited on a glass substrate 1 with a thickness of 150 nm (sputtered film; sheet resistance 15 Ω) is formed into a 2 mm wide stripe using a normal photolithography technique and hydrochloric acid etching. The anode 2 was formed by patterning. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.

正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物(PB−2)を下記に示す構造式の電子受容性化合物(A−2)と共に以下の条件でスピンコートした。   As a material for the hole injection layer 3, a non-conjugated polymer compound (PB-2) having an aromatic amino group having the following structural formula is used together with an electron accepting compound (A-2) having the following structural formula. It spin-coated on the conditions of this.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

スピンコート条件
溶媒 アニソール
PB−2の濃度 2[wt%]
PB−2:A−2 10:2(重量比)
スピナ回転数 2000[rpm]
スピナ回転時間 30[秒]
乾燥条件 230[℃] 15[分]
Spin coating conditions
Solvent Anisole
PB-2 concentration 2 [wt%]
PB-2: A-2 10: 2 (weight ratio)
Spinner speed 2000 [rpm]
Spinner rotation time 30 [seconds]
Drying conditions 230 [° C] 15 [min]

上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。   A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed by the above spin coating.

次に正孔注入層3を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が9.8×10−5Pa(約7.5×10−7Torr)以下になるまでクライオポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、下記に示す構造式のアリールアミン化合物(H−1)をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度は、300〜314℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度9.0×10−5Pa(約6.9×10−7Torr)、蒸着速度は0.1nm/秒で膜厚40nmの正孔輸送層10を形成した。 Next, the substrate on which the hole injection layer 3 was formed was placed in a vacuum evaporation apparatus. After roughly exhausting the apparatus with an oil rotary pump, the apparatus was evacuated with a cryopump until the degree of vacuum in the apparatus was 9.8 × 10 −5 Pa (about 7.5 × 10 −7 Torr) or less. . Vapor deposition was performed by heating an arylamine compound (H-1) having the structural formula shown below, placed in a ceramic crucible disposed in the apparatus, with a tantalum wire heater around the crucible. At this time, the temperature of the crucible was controlled in the range of 300 to 314 ° C. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 9.0 × 10 −5 Pa (about 6.9 × 10 −7 Torr), the vapor deposition rate was 0.1 nm / second, and a 40 nm thick hole transport layer 10 was formed.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

引続き、発光層4の主成分(ホスト材料)として実施例2で合成した目的物4:本発明の有機化合物(EM−1)を、副成分(ドーパント)として下記に示す構造式の有機イリジウム錯体(D−1)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。   Subsequently, the target compound 4 synthesized in Example 2 as the main component (host material) of the light emitting layer 4: the organic iridium complex having the structural formula shown below as the subcomponent (dopant) of the organic compound (EM-1) of the present invention. (D-1) was placed in a separate ceramic crucible, and a film was formed by a binary simultaneous vapor deposition method.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

本発明の有機化合物(EM−1)のるつぼ温度は270〜284℃、蒸着速度は0.1nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−1)のるつぼ温度は230〜237℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで有機イリジウム錯体(D−1)が約12.5重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は7.4×10−5Pa(約5.7×10−7Torr)であった。 The crucible temperature of the organic compound (EM-1) of the present invention is controlled at 270 to 284 ° C., the deposition rate is 0.1 nm / second, and the crucible temperature of the organic iridium complex (D-1) is controlled at 230 to 237 ° C., The light emitting layer 4 having a thickness of 30 nm and containing about 12.5 wt% of the organic iridium complex (D-1) was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum during vapor deposition was 7.4 × 10 −5 Pa (about 5.7 × 10 −7 Torr).

さらに、正孔阻止層8として、下記に示す構造式のトリアリールベンゼン誘導体(HB−2)をるつぼ温度を343〜350℃として、蒸着速度0.09nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は7.1×10−5Pa(約5.5×10−7Torr)であった。 Further, as the hole blocking layer 8, a triarylbenzene derivative (HB-2) having the following structural formula was laminated at a crucible temperature of 343 to 350 ° C. with a deposition rate of 0.09 nm / second and a film thickness of 10 nm. The degree of vacuum during vapor deposition was 7.1 × 10 −5 Pa (about 5.5 × 10 −7 Torr).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

次いで、正孔阻止層8の上に、電子輸送層7として、下記に示す構造式のバソクプロイン(ET−2)を同様にして蒸着した。この時のバソクプロイン(ET−2)のるつぼ温度は160〜172℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は6.6×10−5Pa(約5.1×10−7Torr)、蒸着速度は0.1nm/秒で膜厚は30nmとした。 Next, bathocuproine (ET-2) having the following structural formula was deposited on the hole blocking layer 8 as the electron transport layer 7 in the same manner. The crucible temperature of bathocuproine (ET-2) at this time is controlled in the range of 160 to 172 ° C., and the degree of vacuum at the time of vapor deposition is 6.6 × 10 −5 Pa (about 5.1 × 10 −7 Torr). The speed was 0.1 nm / second and the film thickness was 30 nm.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

上記の正孔輸送層10、発光層4、正孔阻止層8および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。   The substrate temperature during vacuum deposition of the hole transport layer 10, the light emitting layer 4, the hole blocking layer 8 and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.

ここで、電子輸送層7までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極2のITOストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.8×10−6Torr(約3.6×10−4Pa)以下になるまで排気した。陰極6として、先ず、フッ化リチウム(LiF)をモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.03nm/秒、真空度2.8×10−6Torr(約3.7×10−4Pa)で、0.5nmの膜厚で電子輸送層7の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.2nm/秒、真空度9.8×10−6Torr(約1.3×10−3Pa)で膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極6を完成させた。以上の2層型陰極6の蒸着時の基板温度は室温に保持した。 Here, the element that has been deposited up to the electron transport layer 7 is once taken out from the vacuum deposition apparatus into the atmosphere, and a 2 mm wide striped shadow mask is used as a cathode deposition mask. In close contact with the element so as to be orthogonal to each other, it is installed in another vacuum deposition apparatus, and the degree of vacuum in the apparatus is 2.8 × 10 −6 Torr (about 3.6 × 10 −4 Pa) in the same manner as the organic layer. ) Exhaust until below. As the cathode 6, first, lithium fluoride (LiF) was deposited at a deposition rate of 0.03 nm / second and a degree of vacuum of 2.8 × 10 −6 Torr (about 3.7 × 10 −4 Pa) using a molybdenum boat. A film having a thickness of 0.5 nm was formed on the electron transport layer 7. Next, aluminum was similarly heated by a molybdenum boat, and an aluminum layer having a film thickness of 80 nm at a deposition rate of 0.2 nm / second and a degree of vacuum of 9.8 × 10 −6 Torr (about 1.3 × 10 −3 Pa). Thus, the cathode 6 was completed. The substrate temperature at the time of vapor deposition of the above two-layered cathode 6 was kept at room temperature.

以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表1,2に示す。
この素子の電界発光は、極大波長473nm、半値幅は67nmの青緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.18,0.38)であった。
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this device are shown in Tables 1 and 2.
The electroluminescence of this device was blue-green light emission having a maximum wavelength of 473 nm and a half-value width of 67 nm, and was identified to be from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.18, 0.38).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

(実施例12)
発光層4を以下に記す方法で成膜した以外は実施例11に示す方法と同様にして、図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
発光層4の主成分(ホスト材料)として実施例9で合成した目的物16:本発明の有機化合物(EM−3)を、副成分(ドーパント)として実施例11で用いた有機イリジウム錯体(D−1)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。
(Example 12)
An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 7 was produced by the following method in the same manner as in Example 11 except that the light emitting layer 4 was formed by the method described below.
Target 16 synthesized in Example 9 as main component (host material) of light-emitting layer 4: Organic iridium complex (D) using organic compound (EM-3) of the present invention as subcomponent (dopant) in Example 11 -1) was placed in separate ceramic crucibles, and a film was formed by a binary simultaneous vapor deposition method.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

本発明の有機化合物(EM−3)のるつぼ温度は400〜407℃、蒸着速度は0.1nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−1)のるつぼ温度は201〜207℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで有機イリジウム錯体(D−1)が約10.4重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は4.6×10−5Pa(約3.5×10−7Torr)であった。
この素子の発光特性を表2に示す。
この素子の電界発光は、極大波長471nm、半値幅は53nmの青緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.14,0.31)であった。
The crucible temperature of the organic compound (EM-3) of the present invention is 400 to 407 ° C., the deposition rate is 0.1 nm / second, and the crucible temperature of the organic iridium complex (D-1) is controlled to 201 to 207 ° C., The light emitting layer 4 having a thickness of 30 nm and containing about 10.4 wt% of the organic iridium complex (D-1) was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 4.6 × 10 −5 Pa (about 3.5 × 10 −7 Torr).
The light emission characteristics of this element are shown in Table 2.
The electroluminescence of this element was blue-green light emission having a maximum wavelength of 471 nm and a half-value width of 53 nm, and was identified to be from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.14, 0.31).

(実施例13)
発光層4を以下に記す方法で成膜した以外は実施例11に示す方法と同様にして、図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
発光層4の主成分(ホスト材料)として実施例7で合成した目的物12:本発明の有機化合物(EM−4)を、副成分(ドーパント)として実施例11で用いた有機イリジウム錯体(D−1)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。
(Example 13)
An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 7 was produced by the following method in the same manner as in Example 11 except that the light emitting layer 4 was formed by the method described below.
Objective 12 synthesized in Example 7 as main component (host material) of light-emitting layer 4: Organic iridium complex (D) using organic compound (EM-4) of the present invention in Example 11 as subcomponent (dopant) -1) was placed in separate ceramic crucibles, and a film was formed by a binary simultaneous vapor deposition method.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

本発明の有機化合物(EM−4)のるつぼ温度は217〜242℃、蒸着速度は0.09nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−1)のるつぼ温度は213〜216℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで有機イリジウム錯体(D−1)が約13.1重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は5.0×10−5Pa(約4.0×10−7Torr)であった。
この素子の発光特性を表2に示す。
この素子の電界発光は、極大波長472nm、半値幅は53nmの青緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.15,0.32)であった。
The crucible temperature of the organic compound (EM-4) of the present invention is 217 to 242 ° C., the deposition rate is 0.09 nm / second, and the crucible temperature of the organic iridium complex (D-1) is controlled to 213 to 216 ° C. The light emitting layer 4 having a film thickness of 30 nm and containing about 13.1 wt% of the organic iridium complex (D-1) was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum during the deposition was 5.0 × 10 −5 Pa (about 4.0 × 10 −7 Torr).
The light emission characteristics of this element are shown in Table 2.
The electroluminescence of this element was blue-green light emission having a maximum wavelength of 472 nm and a half-value width of 53 nm, and was identified to be from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.15, 0.32).

(比較例1)
発光層4を以下に記す方法で成膜した以外は実施例11に示す方法と同様にして、図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
発光層4の主成分(ホスト材料)として下記構造式に示すカルバゾール誘導体(CBP)を、副成分(ドーパント)として実施例11で用いた有機イリジウム錯体(D−1)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。

Figure 0005250967
(Comparative Example 1)
An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 7 was produced by the following method in the same manner as in Example 11 except that the light emitting layer 4 was formed by the method described below.
The carbazole derivative (CBP) shown in the following structural formula as the main component (host material) of the light emitting layer 4 and the organic iridium complex (D-1) used in Example 11 as the subcomponent (dopant) are installed in separate ceramic crucibles. Then, a film was formed by a binary simultaneous vapor deposition method.
Figure 0005250967

カルバゾール誘導体(CBP)のるつぼ温度は411〜406℃、蒸着速度は0.08nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−1)のるつぼ温度は204〜209℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで有機イリジウム錯体(D−1)が約13.1重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は3.8×10−5Pa(約2.9×10−7Torr)であった。
この素子の発光特性を表1と表2に示す。
この素子の電界発光は、極大波長490nm、半値幅は59nmの青緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−1)からの発光以外に、他の材料由来の発光も観測された。色度はCIE(x,y)=(0.19,0.54)であった。
The crucible temperature of the carbazole derivative (CBP) is 411 to 406 ° C., the deposition rate is 0.08 nm / sec, the crucible temperature of the organic iridium complex (D-1) is controlled to 204 to 209 ° C., and the film thickness is 30 nm. The light emitting layer 4 containing about 13.1 wt% of the iridium complex (D-1) was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum during the deposition was 3.8 × 10 −5 Pa (about 2.9 × 10 −7 Torr).
The light emission characteristics of this device are shown in Tables 1 and 2.
The electroluminescence of this device was blue-green light emission having a maximum wavelength of 490 nm and a half width of 59 nm, and light emission from other materials was observed in addition to the light emission from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.19, 0.54).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

(実施例14)
図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜2を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
(Example 14)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 7 was produced by the following method.
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film 2 deposited on a glass substrate 1 with a thickness of 150 nm (sputtered film; sheet resistance 15 Ω) is formed into a 2 mm wide stripe using a normal photolithography technique and hydrochloric acid etching. The anode 2 was formed by patterning. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.

正孔注入層3の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物(PB−1)(重量平均分子量:29400、数平均分子量:12600)を実施例11で用いた電子受容性化合物(A−2)と共に以下の条件でスピンコートした。   In Example 11, a non-conjugated polymer compound (PB-1) (weight average molecular weight: 29400, number average molecular weight: 12600) having an aromatic amino group represented by the structural formula shown below was used as a material for the hole injection layer 3. It spin-coated on the following conditions with the used electron-accepting compound (A-2).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

スピンコート条件
溶媒 安息香酸エチル
PB−1の濃度 2[wt%]
PB−1:A−2 10:2(重量比)
スピナ回転数 1500[rpm]
スピナ回転時間 30[秒]
乾燥条件 230[℃] 15[分]
Spin coating conditions
Solvent ethyl benzoate
PB-1 concentration 2 [wt%]
PB-1: A-2 10: 2 (weight ratio)
Spinner speed 1500 [rpm]
Spinner rotation time 30 [seconds]
Drying conditions 230 [° C] 15 [min]

上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。   A uniform thin film having a thickness of 30 nm was formed by the above spin coating.

次に正孔注入層3を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が9.0×10−5Pa(約6.8×10−7Torr)以下になるまでクライオポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、実施例11で用いたアリールアミン化合物(H−1)をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度は、300〜314℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度9.3×10−5Pa(約7.0×10−7Torr)、蒸着速度は0.1nm/秒で膜厚40nmの正孔輸送層10を形成した。 Next, the substrate on which the hole injection layer 3 was formed was placed in a vacuum evaporation apparatus. After roughly exhausting the apparatus with an oil rotary pump, the apparatus was exhausted with a cryopump until the degree of vacuum in the apparatus was 9.0 × 10 −5 Pa (about 6.8 × 10 −7 Torr) or less. . The arylamine compound (H-1) used in Example 11 placed in a ceramic crucible placed in the above apparatus was heated by a tantalum wire heater around the crucible for vapor deposition. At this time, the temperature of the crucible was controlled in the range of 300 to 314 ° C. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 9.3 × 10 −5 Pa (about 7.0 × 10 −7 Torr), the vapor deposition rate was 0.1 nm / second, and a 40 nm thick hole transport layer 10 was formed.

引続き、発光層4の主成分(ホスト材料)として実施例2で合成した目的物4:本発明の有機化合物(EM−1)を、副成分(ドーパント)として下記に示す構造式の有機イリジウム錯体(D−2)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。   Subsequently, the target compound 4 synthesized in Example 2 as the main component (host material) of the light emitting layer 4: the organic iridium complex having the structural formula shown below as the subcomponent (dopant) of the organic compound (EM-1) of the present invention. (D-2) was placed in separate ceramic crucibles, and a film was formed by a binary simultaneous vapor deposition method.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

本発明の有機化合物(EM−1)のるつぼ温度は270〜284℃、蒸着速度は0.1nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−2)のるつぼ温度は245〜246℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで有機イリジウム錯体(D−2)が約5.9重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は7.8×10−5Pa(約5.9×10−7Torr)であった。 The crucible temperature of the organic compound (EM-1) of the present invention is 270 to 284 ° C., the deposition rate is 0.1 nm / second, and the crucible temperature of the organic iridium complex (D-2) is controlled to 245 to 246 ° C. The light emitting layer 4 having a thickness of 30 nm and containing about 5.9 wt% of the organic iridium complex (D-2) was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum during the deposition was 7.8 × 10 −5 Pa (about 5.9 × 10 −7 Torr).

さらに、正孔阻止層8として、下記に示す構造式のフェニルピリジン誘導体(HB−1)をるつぼ温度を343〜350℃として、蒸着速度0.09nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は7.1×10−5Pa(約5.5×10−7Torr)であった。 Further, as the hole blocking layer 8, a phenylpyridine derivative (HB-1) having the structural formula shown below was laminated at a crucible temperature of 343 to 350 ° C. with a deposition rate of 0.09 nm / second and a film thickness of 10 nm. The degree of vacuum during vapor deposition was 7.1 × 10 −5 Pa (about 5.5 × 10 −7 Torr).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

次いで、正孔阻止層8の上に、電子輸送層7として、下記に示す構造式のトリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq3)を同様にして蒸着した。この時のトリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq3)のるつぼ温度は296〜300℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は6.6×10−5Pa(約5.1×10−7Torr)、蒸着速度は0.15m/秒で膜厚は30nmとした。 Next, tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3) having the following structural formula was deposited on the hole blocking layer 8 as the electron transport layer 7 in the same manner. At this time, the crucible temperature of tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3) is controlled in the range of 296 to 300 ° C., and the degree of vacuum at the time of deposition is 6.6 × 10 −5 Pa (about 5.1 × 10 −7 Torr), the deposition rate was 0.15 m / sec, and the film thickness was 30 nm.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

上記の正孔輸送層10、発光層4、正孔阻止層8および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。   The substrate temperature during vacuum deposition of the hole transport layer 10, the light emitting layer 4, the hole blocking layer 8 and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.

この後、実施例11と同様にして2層型陰極6を蒸着した。
この素子の発光特性を表3に示す。
この素子の電界発光は、極大波長514nm、半値幅は70nmの緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−2)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。
Thereafter, a two-layer cathode 6 was deposited in the same manner as in Example 11.
Table 3 shows the light emission characteristics of the device.
The electroluminescence of this device was green light emission having a maximum wavelength of 514 nm and a half width of 70 nm, and was identified as that from the organic iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.31, 0.62).

(実施例15)
発光層4を以下に記す方法で成膜した以外は実施例14に示す方法と同様にして、図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
発光層4の主成分(ホスト材料)として実施例6で合成した目的物11:本発明の有機化合物(EM−5)を、副成分(ドーパント)として実施例14で用いた有機イリジウム錯体(D−2)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。
(Example 15)
An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 7 was produced in the same manner as in the method shown in Example 14 except that the light emitting layer 4 was formed by the method described below.
Objective 11 synthesized in Example 6 as main component (host material) of light-emitting layer 4: Organic iridium complex (D) using organic compound (EM-5) of the present invention as subcomponent (dopant) in Example 14 -2) was placed in separate ceramic crucibles, and a film was formed by a binary simultaneous vapor deposition method.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

本発明の有機化合物(EM−5)の蒸着速度は0.1nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−2)のるつぼ温度は257〜255℃にそれぞれ制御し、膜厚32nmで有機イリジウム錯体(D−2)が約6.2重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は1.5×10−4Paであった。
この素子の発光特性を表3に示す。
この素子の電界発光は、極大波長513nm、半値幅は68nmの緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−2)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.30,0.62)であった。
The vapor deposition rate of the organic compound (EM-5) of the present invention is controlled to 0.1 nm / second, and the crucible temperature of the organic iridium complex (D-2) is controlled to 257 to 255 ° C., respectively, and the organic iridium complex ( The light emitting layer 4 containing about 6.2% by weight of D-2) was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 1.5 × 10 −4 Pa.
Table 3 shows the light emission characteristics of the device.
The electroluminescence of this element was a green light emission having a maximum wavelength of 513 nm and a half-value width of 68 nm, and was identified to be from the organic iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.30, 0.62).

(実施例16)
正孔輸送層10および発光層4を以下に記す方法で成膜した以外は実施例14に示す方法と同様にして、図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
正孔注入層3を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が5.3×10−5Pa(約4.0×10−7Torr)以下になるまでクライオポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、下記に示す構造式のアリールアミン化合物(PPD)をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度は、260〜272℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度6.0×10−5Pa(約4.9×10−7Torr)、蒸着速度は0.1nm/秒で膜厚40nmの正孔輸送層10を形成した。
(Example 16)
An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 7 was produced in the same manner as in the method shown in Example 14 except that the hole transport layer 10 and the light emitting layer 4 were formed by the method described below.
The substrate on which the hole injection layer 3 was formed was placed in a vacuum deposition apparatus. After roughly exhausting the apparatus with an oil rotary pump, the apparatus was evacuated with a cryopump until the degree of vacuum in the apparatus was 5.3 × 10 −5 Pa (about 4.0 × 10 −7 Torr) or less. . Vapor deposition was performed by heating an arylamine compound (PPD) having the structural formula shown below, placed in a ceramic crucible placed in the above apparatus, with a tantalum wire heater around the crucible. At this time, the temperature of the crucible was controlled in the range of 260 to 272 ° C. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 6.0 × 10 −5 Pa (about 4.9 × 10 −7 Torr), the vapor deposition rate was 0.1 nm / second, and a 40 nm thick hole transport layer 10 was formed.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

引続き、発光層4の主成分(ホスト材料)として実施例1で合成した目的物2:本発明の有機化合物(EM−6)を、副成分(ドーパント)として実施例14で用いた有機イリジウム錯体(D−2)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。   Subsequently, the target compound 2 synthesized in Example 1 as the main component (host material) of the light-emitting layer 4: the organic iridium complex in which the organic compound (EM-6) of the present invention was used as the subcomponent (dopant) in Example 14 (D-2) was placed in separate ceramic crucibles, and a film was formed by a binary simultaneous vapor deposition method.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

本発明の有機化合物(EM−6)の蒸着速度は0.1nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−2)のるつぼ温度は268〜270℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで有機イリジウム錯体(D−2)が約6.1重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は6.3×10−5Pa(約4.7×10−7Torr)であった。
この素子の発光特性を表3に示す。
この素子の電界発光は、極大波長513nm、半値幅は69nmの緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−2)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.30,0.58)であった。
The vapor deposition rate of the organic compound (EM-6) of the present invention is controlled to 0.1 nm / second, the crucible temperature of the organic iridium complex (D-2) is controlled to 268 to 270 ° C., and the organic iridium complex ( The light emitting layer 4 containing about 6.1% by weight of D-2) was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum during vapor deposition was 6.3 × 10 −5 Pa (about 4.7 × 10 −7 Torr).
Table 3 shows the light emission characteristics of the device.
The electroluminescence of this device was a green light emission having a maximum wavelength of 513 nm and a half-value width of 69 nm, and was identified as that from the organic iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.30, 0.58).

(比較例2)
発光層4を以下に記す方法で成膜した以外は実施例14に示す方法と同様にして、図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
発光層4の主成分(ホスト材料)として下記構造式に示すカルバゾール誘導体(SiMCP)を、副成分(ドーパント)として実施例14で用いた有機イリジウム錯体(D−2)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。

Figure 0005250967
(Comparative Example 2)
An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 7 was produced in the same manner as in the method shown in Example 14 except that the light emitting layer 4 was formed by the method described below.
The carbazole derivative (SiMCP) shown in the following structural formula as the main component (host material) of the light emitting layer 4 and the organic iridium complex (D-2) used in Example 14 as the subcomponent (dopant) are installed in separate ceramic crucibles. Then, a film was formed by a binary simultaneous vapor deposition method.
Figure 0005250967

カルバゾール誘導体(SiMCP)の蒸着速度は0.1nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−2)のるつぼ温度は268〜270℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで有機イリジウム錯体(D−2)が約5.9重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は6.3×10−5Pa(約4.7×10−7Torr)であった。
この素子の発光特性を表3に示す。
この素子の電界発光は、極大波長513nm、半値幅は70nmの緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−2)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.68)であった。
The deposition rate of the carbazole derivative (SiMCP) is controlled to 0.1 nm / second, the crucible temperature of the organic iridium complex (D-2) is controlled to 268 to 270 ° C., and the organic iridium complex (D-2) has a thickness of 30 nm. The light emitting layer 4 containing about 5.9 wt% was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum during vapor deposition was 6.3 × 10 −5 Pa (about 4.7 × 10 −7 Torr).
Table 3 shows the light emission characteristics of the device.
The electroluminescence of this device was green light emission having a maximum wavelength of 513 nm and a half-value width of 70 nm, and was identified to be from the organic iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.31, 0.68).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

(実施例17及び比較例3)
実施例14〜16及び比較例2で作製した素子に、電流密度250mA/cmに相当する直流を通電したときの輝度変化を観察した。通電40秒後の輝度、通電直後の輝度、及び通電40秒後の輝度値を通電直後の輝度値で除した値を表4に示す。
(Example 17 and Comparative Example 3)
Changes in luminance were observed when a direct current corresponding to a current density of 250 mA / cm 2 was applied to the devices manufactured in Examples 14 to 16 and Comparative Example 2. Table 4 shows values obtained by dividing the luminance after 40 seconds of energization, the luminance immediately after energization, and the luminance value after 40 seconds of energization by the luminance value immediately after energization.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

この結果より、本発明の化合物(EM−1)、(EM−5)及び(EM−6)を発光層の主成分に用いた素子は、カルバゾール誘導体(SiMCP)を発光層の主成分に用いた素子よりも、通電時の輝度低下が少ないことが明らかとなった。   From this result, the element using the compounds (EM-1), (EM-5) and (EM-6) of the present invention as the main component of the light emitting layer uses the carbazole derivative (SiMCP) as the main component of the light emitting layer. It was clarified that there was less decrease in luminance when energized than the conventional device.

(実施例18)
正孔輸送層10及び発光層4を以下に記す方法で成膜した以外は実施例14に示す方法と同様にして、図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
正孔注入層3を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が7.5×10−5Pa(約5.6×10−7Torr)以下になるまでクライオポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、下記に示す実施例3で合成した目的物5:本発明の有機化合物(EM−7)をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度7.0×10−5Pa、蒸着速度は0.1nm/秒で膜厚40nmの正孔輸送層10を得た。
(Example 18)
An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 7 was produced by the following method in the same manner as in Example 14 except that the hole transport layer 10 and the light emitting layer 4 were formed by the method described below.
The substrate on which the hole injection layer 3 was formed was placed in a vacuum deposition apparatus. After roughly exhausting the apparatus with an oil rotary pump, the apparatus was evacuated with a cryopump until the degree of vacuum in the apparatus was 7.5 × 10 −5 Pa (about 5.6 × 10 −7 Torr) or less. . Target object 5 synthesized in Example 3 shown below, placed in a ceramic crucible placed in the above apparatus: The organic compound (EM-7) of the present invention is heated by a tantalum wire heater around the crucible and deposited. went. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 7.0 × 10 −5 Pa, the vapor deposition rate was 0.1 nm / sec, and a hole transport layer 10 having a thickness of 40 nm was obtained.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

引続き、発光層4の主成分(ホスト材料)として下記に示すカルバゾール誘導体(E−1)を、副成分(ドーパント)として実施例14で用いた有機イリジウム錯体(D−2)を、別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。   Subsequently, the carbazole derivative (E-1) shown below as the main component (host material) of the light-emitting layer 4 and the organic iridium complex (D-2) used in Example 14 as the subcomponent (dopant) were used as separate ceramics. It installed in the crucible and formed into a film by the binary simultaneous vapor deposition method.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

カルバゾール誘導体(E−1)のるつぼ温度は300〜304℃、蒸着速度は0.08nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−2)のるつぼ温度は239〜242℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで有機イリジウム錯体(D−2)が6.4重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は6.6×10−5Paであった。
この素子の発光特性を表5に示す。
この素子の電界発光は、極大波長513nm、半値幅は69nmの緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−2)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。
The crucible temperature of the carbazole derivative (E-1) is 300 to 304 ° C., the deposition rate is 0.08 nm / sec, the crucible temperature of the organic iridium complex (D-2) is controlled to 239 to 242 ° C., and the film thickness is 30 nm. The light emitting layer 4 containing 6.4 wt% of the organic iridium complex (D-2) was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 6.6 × 10 −5 Pa.
The light emission characteristics of this device are shown in Table 5.
The electroluminescence of this device was a green light emission having a maximum wavelength of 513 nm and a half-value width of 69 nm, and was identified as that from the organic iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.31, 0.62).

(比較例4)
正孔輸送層10を以下に記す方法で成膜した以外は実施例18に示す方法と同様にして、図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
下記に示す構造式のアリールアミン化合物(PPD)をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は6.0×10−5Pa、蒸着速度は0.08〜0.13nm/秒で制御し、膜厚40nmの正孔輸送層10を得た。
(Comparative Example 4)
An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 7 was produced by the following method in the same manner as in Example 18 except that the hole transport layer 10 was formed by the method described below.
An arylamine compound (PPD) having the structural formula shown below was placed in a ceramic crucible and heated by a tantalum wire heater around the crucible for vapor deposition. The degree of vacuum during vapor deposition was controlled to 6.0 × 10 −5 Pa and the vapor deposition rate was controlled to 0.08 to 0.13 nm / second to obtain a hole transport layer 10 having a thickness of 40 nm.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

この素子の発光特性を表5に示す。
この素子の電界発光は、極大波長513nm、半値幅は67nmの緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−2)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.30,0.61)であった。
The light emission characteristics of this device are shown in Table 5.
The electroluminescence of this device was green light emission having a maximum wavelength of 513 nm and a half-value width of 67 nm, and was identified to be from the organic iridium complex (D-2). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.30, 0.61).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

(実施例19)
図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
実施例14に示す方法と同様にして、正孔注入層3と正孔輸送層10を成膜した後、発光層4の主成分(ホスト材料)として実施例2で合成した目的物4:本発明の有機化合物(EM−1)を、副成分(ドーパント)として下記に示す構造式の有機イリジウム錯体(Facial体:D−3。Meはメチル基)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。
(Example 19)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 7 was produced by the following method.
In the same manner as in Example 14, after forming the hole injection layer 3 and the hole transport layer 10, the target product 4 synthesized in Example 2 as the main component (host material) of the light emitting layer 4: present An organic iridium complex (Facial body: D-3, Me is a methyl group) having the structural formula shown below as an accessory component (dopant) is placed in a separate ceramic crucible with the organic compound (EM-1) of the invention as a binary component (dopant). Film formation was performed by the co-evaporation method.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

本発明の有機化合物(EM−1)のるつぼ温度は277〜283℃、蒸着速度は0.07nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−3)のるつぼ温度は279〜281℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで有機イリジウム錯体(D−3)が約5.8重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は5.0×10−5Pa(約3.8×10−7Torr)であった。 The crucible temperature of the organic compound (EM-1) of the present invention is controlled to 277 to 283 ° C., the deposition rate is 0.07 nm / second, and the crucible temperature of the organic iridium complex (D-3) is controlled to 279 to 281 ° C., respectively. The light emitting layer 4 having a film thickness of 30 nm and containing about 5.8 wt% of the organic iridium complex (D-3) was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum during the deposition was 5.0 × 10 −5 Pa (about 3.8 × 10 −7 Torr).

さらに、正孔阻止層8として、本発明の有機化合物(EM−1)のみを、るつぼ温度を283〜297℃として、蒸着速度0.09nm/秒で10nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は4.5×10−5Pa(約3.4×10−7Torr)であった。 Furthermore, as the hole blocking layer 8, only the organic compound (EM-1) of the present invention was laminated with a crucible temperature of 283 to 297 ° C. and a film thickness of 10 nm at a deposition rate of 0.09 nm / second. The degree of vacuum during vapor deposition was 4.5 × 10 −5 Pa (about 3.4 × 10 −7 Torr).

次いで、正孔阻止層8の上に、電子輸送層7として、実施例11で用いたバソクプロイン(ET−2)を同様にして蒸着した。この時のバソクプロイン(ET−2)のるつぼ温度は162〜183℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は4.4×10−5Pa(約3.3×10−7Torr)、蒸着速度は0.09nm/秒で膜厚は30nmとした。 Next, bathocuproine (ET-2) used in Example 11 was deposited on the hole blocking layer 8 as the electron transport layer 7 in the same manner. The crucible temperature of bathocuproine (ET-2) at this time is controlled in the range of 162 to 183 ° C., and the degree of vacuum at the time of vapor deposition is 4.4 × 10 −5 Pa (about 3.3 × 10 −7 Torr). The speed was 0.09 nm / second and the film thickness was 30 nm.

上記の正孔輸送層10、発光層4、正孔阻止層8および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
この後、実施例11と同様にして2層型陰極6を蒸着した。
この素子の発光特性を表6に示す。
この素子の電界発光は、極大波長403nmの青色発光であり、有機イリジウム錯体(D−3)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.18,0.10)であった。
The substrate temperature during vacuum deposition of the hole transport layer 10, the light emitting layer 4, the hole blocking layer 8 and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.
Thereafter, a two-layer cathode 6 was deposited in the same manner as in Example 11.
The light emission characteristics of this device are shown in Table 6.
The electroluminescence of this device was blue light emission with a maximum wavelength of 403 nm, and was identified as that from the organic iridium complex (D-3). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.18, 0.10).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

(実施例20)
図7に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
実施例14に示す方法と同様にして、正孔注入層3と正孔輸送層10を成膜した後、発光層4の主成分(ホスト材料)として実施例6で合成した目的物11:本発明の有機化合物(EM−5)を、副成分(ドーパント)として実施例11で用いた有機イリジウム錯体(D−1)を別々のセラミックるつぼに設置し、2元同時蒸着法により成膜を行った。
(Example 20)
An organic electroluminescent element having the structure shown in FIG. 7 was produced by the following method.
In the same manner as in Example 14, after forming the hole injection layer 3 and the hole transport layer 10, the target 11 synthesized in Example 6 as the main component (host material) of the light emitting layer 4: present The organic iridium complex (D-1) used in Example 11 as the secondary component (dopant) of the organic compound (EM-5) of the invention was placed in a separate ceramic crucible, and film formation was performed by a binary simultaneous vapor deposition method. It was.

本発明の有機化合物(EM−5)の蒸着速度は0.1nm/秒に、有機イリジウム錯体(D−1)のるつぼ温度は252〜260℃にそれぞれ制御し、膜厚33nmで有機イリジウム錯体(D−1)が約7.6重量%含有された発光層4を正孔輸送層10の上に積層した。蒸着時の真空度は4.2×10−5Paであった。 The vapor deposition rate of the organic compound (EM-5) of the present invention is controlled to 0.1 nm / second, the crucible temperature of the organic iridium complex (D-1) is controlled to 252 to 260 ° C., respectively, and the organic iridium complex ( The light emitting layer 4 containing about 7.6% by weight of D-1) was laminated on the hole transport layer 10. The degree of vacuum at the time of deposition was 4.2 × 10 −5 Pa.

さらに、正孔阻止層8として、実施例14で用いたフェニルピリジン誘導体(HB−1)をるつぼ温度340〜341℃として、蒸着速度0.08〜0.09nm/秒で5nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は4.6×10−5Paであった。 Further, as the hole blocking layer 8, the phenylpyridine derivative (HB-1) used in Example 14 was laminated at a crucible temperature of 340 to 341 ° C. with a deposition rate of 0.08 to 0.09 nm / second and a film thickness of 5 nm. did. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 4.6 × 10 −5 Pa.

次いで、正孔阻止層8の上に、電子輸送層7として、下記に示す構造式のビス(2−メチル8−ヒドロキシキノリナト)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム(BAlq)を同様にして蒸着した。この時のビス(2−メチル8−ヒドロキシキノリナト)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム(BAlq)のるつぼ温度は190〜191℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は5.1×10−5Pa、蒸着速度は0.08〜0.24m/秒で制御し、膜厚は30nmとした。 Next, bis (2-methyl 8-hydroxyquinolinato) (p-phenylphenolate) aluminum (BAlq) having the following structural formula is deposited on the hole blocking layer 8 as the electron transport layer 7 in the same manner. did. At this time, the crucible temperature of bis (2-methyl 8-hydroxyquinolinato) (p-phenylphenolate) aluminum (BAlq) was controlled in the range of 190 to 191 ° C., and the degree of vacuum during the deposition was 5.1 × 10. −5 Pa, the deposition rate was controlled at 0.08 to 0.24 m / sec, and the film thickness was 30 nm.

Figure 0005250967
Figure 0005250967

上記の正孔輸送層10、発光層4、正孔阻止層8および電子輸送層7を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
この後、実施例11と同様にして2層型陰極6を蒸着した。
The substrate temperature during vacuum deposition of the hole transport layer 10, the light emitting layer 4, the hole blocking layer 8 and the electron transport layer 7 was kept at room temperature.
Thereafter, a two-layer cathode 6 was deposited in the same manner as in Example 11.

この素子の発光特性を表7に示す。
この素子の電界発光は、極大波長471nm、半値幅は66nmの青緑色発光であり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.17,0.36)であった。
The light emission characteristics of this device are shown in Table 7.
The electroluminescence of this element was blue-green light emission having a maximum wavelength of 471 nm and a half-value width of 66 nm, and was identified to be from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.17, 0.36).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

(実施例21)
図3に示す構造(ただし、電子注入層は有さない)を有する有機電界発光素子を、以下の方法により作製した。
ガラス基板1の上にインジウム・スズ酸化物(ITO)透明導電膜2を150nm堆積したもの(スパッター成膜品;シート抵抗15Ω)を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極2を形成した。パターン形成したITO基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
(Example 21)
An organic electroluminescent device having the structure shown in FIG. 3 (however, having no electron injection layer) was produced by the following method.
An indium tin oxide (ITO) transparent conductive film 2 deposited on a glass substrate 1 with a thickness of 150 nm (sputtered film; sheet resistance 15 Ω) is formed into a 2 mm wide stripe using a normal photolithography technique and hydrochloric acid etching. The anode 2 was formed by patterning. The patterned ITO substrate was cleaned in the order of ultrasonic cleaning with acetone, water with pure water, and ultrasonic cleaning with isopropyl alcohol, then dried with nitrogen blow, and finally subjected to ultraviolet ozone cleaning.

次に、正孔注入層3を、スピンコート時の乾燥条件を230℃、180分とした以外は実施例11と同様にして形成した。   Next, the hole injection layer 3 was formed in the same manner as in Example 11 except that the drying conditions at the time of spin coating were 230 ° C. and 180 minutes.

続いて、正孔注入層3の上に発光層4を以下のように湿式製膜法によって形成した。発光層4の材料として、実施例2で合成した目的物4:本発明の有機化合物(EM−1)及び実施例11で用いた有機イリジウム錯体(D−1)を用い、これらを溶媒としてトルエンに溶解させて有機電界発光素子用組成物を調製し、この有機電界発光素子用組成物を用いて下記の条件でスピンコートした。   Subsequently, the light emitting layer 4 was formed on the hole injection layer 3 by a wet film forming method as follows. As the material of the light-emitting layer 4, the target compound 4 synthesized in Example 2: the organic compound (EM-1) of the present invention and the organic iridium complex (D-1) used in Example 11 were used, and these were used as a solvent. A composition for an organic electroluminescence device was prepared by dissolving in the solution, and spin coating was performed using the composition for an organic electroluminescence device under the following conditions.

スピンコート条件
溶媒 トルエン
EM−1の濃度 2[wt%]
EM−1:D−1 10:1(重量比)
スピナ回転数 1500[rpm]
スピナ回転時間 60[秒]
乾燥条件 100[℃],60[分](減圧下)
Spin coating conditions
Solvent Toluene
EM-1 concentration 2 [wt%]
EM-1: D-1 10: 1 (weight ratio)
Spinner speed 1500 [rpm]
Spinner rotation time 60 [seconds]
Drying conditions 100 [° C], 60 [min] (under reduced pressure)

上記のスピンコートにより膜厚65nmの均一な薄膜が形成された。   A uniform thin film having a thickness of 65 nm was formed by the above spin coating.

次に、正孔阻止層8、電子輸送層7、陰極6を実施例11と同様にして形成した。
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表8に表す。
Next, a hole blocking layer 8, an electron transport layer 7, and a cathode 6 were formed in the same manner as in Example 11.
As described above, an organic electroluminescent element having a light emitting area portion having a size of 2 mm × 2 mm was obtained. The light emission characteristics of this device are shown in Table 8.

この素子の電界発光は、極大波長471nm、半値幅は67nmの青緑発光であり、有機イリジウム錯体(D−1)からのものと同定された。色度はCIE(x、y)=(0.18、0.36)であった。   The electroluminescence of this device was blue-green light emission having a maximum wavelength of 471 nm and a half-value width of 67 nm, and was identified to be from the organic iridium complex (D-1). The chromaticity was CIE (x, y) = (0.18, 0.36).

Figure 0005250967
Figure 0005250967

本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed an example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention. 本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。It is typical sectional drawing which showed another example of the organic electroluminescent element of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 発光層
5 電子注入層
6 陰極
7 電子輸送層
8 正孔阻止層
9 電子阻止層
10 正孔輸送層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Light emitting layer 5 Electron injection layer 6 Cathode 7 Electron transport layer 8 Hole blocking layer 9 Electron blocking layer 10 Hole transport layer

Claims (12)

下記式(I)で表される有機化合物。
Figure 0005250967
〔式中、Ar下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族複素環基、または下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Ar下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
置換基群Z:芳香族炭化水素基、アルキル基及び1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン由来の基
、Rは各々独立に、水素原子、芳香族炭化水素基またはアルキル基を表すか、或いは、下記式(II)で表されるように、互いに結合して、置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよいベンゼン環、または置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよい含窒素芳香族六員環の を形成する
Figure 0005250967
(式中、Ar 、Ar 、Qは、前記式(I)におけると同義である。
環A は、置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよいベンゼン環、または置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよい含窒素芳香族六員環を表す。)
Qは下記式(I−1)で表される。
Figure 0005250967
(式中、Ar〜Ar は各々独立に、下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。ArとArは互いに結合して環を形成していてもよい。
置換基群Z:芳香族炭化水素基、アルキル基及び1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン由来の基)〕
An organic compound represented by the following formula (I).
Figure 0005250967
[Wherein, Ar 1 is represented by the following substituent an aromatic optionally having a substituent selected from the group Z hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic which may have a substituent selected from Substituent Group Z It represents a cyclic group or an alkyl group which may have a substituent selected from the following substituent group Z.
The Ar 2 is represented by the following aromatic optionally having a substituent selected from substituent group Z hydrocarbon group or an aromatic optionally having a substituent selected from Substituent Group Z heterocyclic group, Represent.
Substituent group Z: groups R 1 and R 2 derived from an aromatic hydrocarbon group, an alkyl group and 1,3-dihydroimidazol-2-one each independently represent a hydrogen atom , an aromatic hydrocarbon group or an alkyl group . Alternatively, as represented by the following formula (II), they are bonded to each other and may have an aromatic hydrocarbon group and / or an alkyl group as a substituent, or aromatic as a substituent It has a hydrocarbon group and / or an alkyl group to form a ring a 1 of the nitrogen-containing aromatic six-membered ring.
Figure 0005250967
(In the formula, Ar 1 , Ar 2 and Q have the same meanings as in the formula (I)).
Ring A 1 includes a benzene ring which may have an aromatic hydrocarbon group and / or an alkyl group as a substituent, or an aromatic hydrocarbon group and / or an alkyl group which may have a substituent. Represents a nitrogen aromatic six-membered ring. )
Q is represented by the following formula (I-1 ) .
Figure 0005250967
(In the formula, Ar 3 to Ar 4 each independently has an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent selected from the following substituent group Z , or a substituent selected from the following substituent group Z. And Ar 3 and Ar 4 may be bonded to each other to form a ring.
Substituent group Z: aromatic hydrocarbon group, alkyl group and 1,3-dihydroimidazol-2-one-derived group )]
下記式(III)で表される、請求項1に記載の有機化合物。
Figure 0005250967
〔式中、R、R、Qは、前記式(I)におけると同義である。
環B下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよいベンゼン環を表し、環CはQ以外に下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよいベンゼン環を表す。
置換基群Z:芳香族炭化水素基、アルキル基及び1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン由来の基
The organic compound of Claim 1 represented by following formula (III).
Figure 0005250967
[Wherein, R 1 , R 2 and Q have the same meanings as in the formula (I).
Ring B 1 represents a benzene ring that may have a substituent selected from the following substituent group Z , and ring C 1 may have a substituent selected from the following substituent group Z in addition to Q. Represents a benzene ring.
Substituent group Z: group derived from aromatic hydrocarbon group, alkyl group and 1,3-dihydroimidazol-2-one ]
下記式(III-2)で表される、請求項1に記載の有機化合物。
Figure 0005250967
〔式中、R、R、Qは、前記式(I)におけると同義である。
環D下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよいピリジン環を表し、環EはQ以外に下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよいピリジン環を表す。
置換基群Z:芳香族炭化水素基、アルキル基及び1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン由来の基
The organic compound according to claim 1, which is represented by the following formula (III-2).
Figure 0005250967
[Wherein, R 1 , R 2 and Q have the same meanings as in the formula (I).
Ring D 1 represents a pyridine ring which may have a substituent selected from the following substituent group Z , and ring E 1 may have a substituent selected from the following substituent group Z in addition to Q. Represents a pyridine ring.
Substituent group Z: group derived from aromatic hydrocarbon group, alkyl group and 1,3-dihydroimidazol-2-one ]
下記式(IV)で表される、請求項1に記載の有機化合物。
Figure 0005250967
〔式中、Ar〜Ar、R、Rは、前記式(I)および式(I−1)におけると同義である。
Ar〜Arは各々独立に、下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。ArとArは互いに結合して環を形成していてもよい。
置換基群Z:芳香族炭化水素基、アルキル基及び1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン由来の基
The organic compound of Claim 1 represented by following formula (IV).
Figure 0005250967
Wherein, Ar 2 ~Ar 4, R 1 , R 2 have the same meanings as in the formula (I) and formula (I-1).
To Ar 6 to Ar 8 each independently have a substituent selected from the following substituent an aromatic optionally having a substituent selected from the group Z hydrocarbon group or the following substituent group Z, Represents a good aromatic heterocyclic group. Ar 7 and Ar 8 may be bonded to each other to form a ring.
Substituent group Z: group derived from aromatic hydrocarbon group, alkyl group and 1,3-dihydroimidazol-2-one ]
部分構造として下記式(I−3)で表されるN−カルバゾリル基を有する、請求項1ないしのいずれか一項に記載の有機化合物。
Figure 0005250967
The organic compound according to any one of claims 1 to 4 , which has an N-carbazolyl group represented by the following formula (I-3) as a partial structure.
Figure 0005250967
請求項1ないしのいずれか一項に記載の有機化合物からなる電荷輸送材料。 A charge transport material comprising the organic compound according to any one of claims 1 to 5 . 下記式(II-2)で表される、有機電界発光素子用の電荷輸送材料。
Figure 0005250967
〔式中、環Aは、置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよいベンゼン環、または置換基として芳香族炭化水素基及び/又はアルキル基を有していてもよい含窒素芳香族六員環を表す。
Ar、Arは各々独立に、下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または下記置換基群Zから選ばれる置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
置換基群Z:芳香族炭化水素基、アルキル基及び1,3−ジヒドロイミダゾール−2−オン由来の基
A charge transport material for an organic electroluminescence device represented by the following formula (II-2).
Figure 0005250967
Wherein ring A 1 is has an aromatic hydrocarbon group and / or a benzene ring which may have an alkyl group or an aromatic as a substituent a hydrocarbon group and / or an alkyl group, as a substituent Represents a nitrogen-containing aromatic six-membered ring which may be
Ar 1, Ar 9 each independently have a substituent selected from the following substituent an aromatic optionally having a substituent selected from the group Z hydrocarbon group or the following substituent group Z, Represents a good aromatic heterocyclic group.
Substituent group Z: group derived from aromatic hydrocarbon group, alkyl group and 1,3-dihydroimidazol-2-one ]
トルエンに対して2.0重量%以上溶解する、請求項またはに記載の電荷輸送材料。 The charge transport material according to claim 6 or 7 , which dissolves 2.0% by weight or more in toluene. 請求項ないしのいずれか一項に記載の電荷輸送材料を含む電荷輸送材料用組成物。 The composition for charge transport materials containing the charge transport material as described in any one of Claims 6 thru | or 8 . さらに、燐光発光材料を含む、請求項に記載の電荷輸送材料用組成物。 Furthermore, the composition for charge transport materials of Claim 9 containing a phosphorescence-emitting material. 基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子において、請求項ないしのいずれか一項に記載の電荷輸送材料を含有してなる層を有する有機電界発光素子。 9. An organic electroluminescence device having an anode, a cathode, and a light emitting layer provided between the two electrodes on a substrate, comprising a layer comprising the charge transport material according to any one of claims 6 to 8. Organic electroluminescent device. 電荷輸送材料を含有してなる層が、請求項または10に記載の電荷輸送材料用組成物を用いて形成される層である、請求項11に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescence device according to claim 11 , wherein the layer containing the charge transport material is a layer formed using the composition for charge transport material according to claim 9 or 10 .
JP2006315849A 2005-11-30 2006-11-22 Organic compound, charge transport material, composition for charge transport material, and organic electroluminescent device Active JP5250967B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006315849A JP5250967B2 (en) 2005-11-30 2006-11-22 Organic compound, charge transport material, composition for charge transport material, and organic electroluminescent device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005346164 2005-11-30
JP2005346164 2005-11-30
JP2006315849A JP5250967B2 (en) 2005-11-30 2006-11-22 Organic compound, charge transport material, composition for charge transport material, and organic electroluminescent device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007176930A JP2007176930A (en) 2007-07-12
JP5250967B2 true JP5250967B2 (en) 2013-07-31

Family

ID=38302445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006315849A Active JP5250967B2 (en) 2005-11-30 2006-11-22 Organic compound, charge transport material, composition for charge transport material, and organic electroluminescent device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5250967B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2462410B (en) * 2008-07-21 2011-04-27 Cambridge Display Tech Ltd Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices
JP5659458B2 (en) * 2009-03-16 2015-01-28 コニカミノルタ株式会社 Organic electronics element, organic photoelectric conversion element, and organic electroluminescence element

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4107857A1 (en) * 1991-03-12 1992-09-17 Thomae Gmbh Dr K CYCLIC UREA DERIVATIVES, MEDICAMENTS CONTAINING SUCH COMPOUNDS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
JP3056412B2 (en) * 1995-02-17 2000-06-26 武田薬品工業株式会社 Azole compounds and their uses
JPH10246973A (en) * 1997-03-05 1998-09-14 Mita Ind Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
DE10233817A1 (en) * 2002-07-25 2004-02-12 Aventis Pharma Deutschland Gmbh Substituted diaryl heterocycles, process for their preparation and their use as medicaments
TWI389897B (en) * 2005-02-22 2013-03-21 Chugai Pharmaceutical Co Ltd 1- (2H) -isoquinolinone derivatives
GB0510390D0 (en) * 2005-05-20 2005-06-29 Novartis Ag Organic compounds
WO2006136553A1 (en) * 2005-06-23 2006-12-28 Janssen Pharmaceutica N.V. Imidazolinone and hydantoine derivatives as novel inhibitors of histone deacetylase

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007176930A (en) 2007-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI388549B (en) Organic compound, charge transporting material, charge transporting material composition and organic electroluminescent element
JP5040216B2 (en) Organic compound, charge transport material, material for organic electroluminescence device, charge transport material composition, and organic electroluminescence device
JP4893173B2 (en) Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
JP5168840B2 (en) Charge transport material, composition for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device
JP5499487B2 (en) Quinoline compounds, materials for organic electroluminescent elements, compositions for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent elements, organic EL displays, and organic EL lighting
JP5167607B2 (en) Charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent device
JP5742092B2 (en) Organic compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting
KR101309502B1 (en) Hydrocarbons, charge transfer materials, charge transfer material compositions, and organic electroluminescent devices
JP2007169268A (en) Organic compound, charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent element
JP5028934B2 (en) Hydrocarbon compound, charge transport material, charge transport material composition, and organic electroluminescent device
JP2008115131A (en) Organic compound, charge-transporting material, composition for charge-transporting material, and organic electroluminescent element
JP4985441B2 (en) Polymer compound, organic electroluminescent device material, composition for organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device
JP2008031068A (en) Organic compound, electric charge-transporting material, electric charge-transporting material composition and orgnic electric field light-emitting element
JP5617202B2 (en) Organic compound, charge transport material, composition for organic electroluminescence device, organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting
JP5708426B2 (en) Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
JP5555972B2 (en) Organic electroluminescence device
JP2008001621A (en) Trityl compound, method for producing trityl compound, charge-transport material, luminescent material and organic electroluminescent device
JP5233110B2 (en) Polymer compound, polymer composition, organic thin film, and organic electroluminescent device
JP5098199B2 (en) Polymer compound, composition for organic electroluminescence device, thin film for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device
JP5685882B2 (en) Charge transport material, composition for charge transport film, organic electroluminescence device, organic electroluminescence device display device, and organic electroluminescence device illumination device
JP5250967B2 (en) Organic compound, charge transport material, composition for charge transport material, and organic electroluminescent device
JP2008024698A (en) Organic compound, charge transport material, charge transport material composition and organic electroluminescent device
JP5141051B2 (en) Organic compound, composition for organic electroluminescent device, thin film for organic electroluminescent device, and organic electroluminescent device
JP2012119471A (en) Composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display device, and organic el illumination
JP2014197696A (en) Composition for organic electroluminescent element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090610

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120806

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130319

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5250967

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350