JP5214693B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
[全体構成]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置のブロック図である。
図2は、本発明の実施の形態に係る抵抗変化メモリ装置の基本構成、すなわち半導体基板上のグローバルバス等の配線が形成される配線領域12とその上に積層されたメモリブロックMBの構成を示している。
次に、メモリセルアレイMA及びその周辺回路の構成について、図6を参照して説明する。図6は、抵抗変化メモリ装置のメモリセルアレイMA、カラム制御回路2及びロウ制御回路3Aの詳細を示すブロック図である。図6に示すメモリセルアレイMAは、ビット線BLの延びる方向に例えば2Kbit(2048個)、ワード線WLの延びる方向に例えば512bitの単位メモリセルMCが配置されているものとする。これにより、1つのメモリセルアレイMA内に例えば1Mbit(約106個)の単位メモリセルMCが配置されている。
図6及び図7に示されるように、ローデコーダ30には256対のメインワード線MWLx及びMWLbx(x=<255:0>)のいずれか一対、ロウ電源線VRow並びに書き込み駆動線WDRV<7:0>が接続されている。また、ローデコーダ30には、ワード線群WLx<7:0>が接続されており、このワード線群WLx<7:0>は一列に並んで設けられた複数のメモリセルMCに接続されている。前述のように、1つのローデコーダ30に接続されるワード線群WLx<7:0>は、ワード線WLx0〜ワード線WLx7までの8本の配線からなる。同様に、書き込み駆動線WDRV<7:0>は、WDRV0〜WDRV7までの8本の配線からなる配線である。
図6及び図8に示されるように、メインロウデコーダ31には256対のメインワード線MWLx及びMWLbx(x=<255:0>)、並びにアドレス信号線が接続されている。本実施の形態に係る抵抗変化メモリ装置のワード線WLは階層化構造を有している。メインロウデコーダ31はプリデコーダである。一組のメインワード線MWLx、MWLbxは1つのローデコーダ30内の8つのトランジスタ対(図7のQN1、QN2)にそれぞれ接続され、1つのローデコーダ30は8本のワード線WLx<7:0>のいずれか1本を選択することができる。メインロウデコーダ31は、図8に示すような回路を、1対のメインワード線MWLx、MWLbxごとに有している。
図6及び図9に示されるように、書き込み駆動線ドライバ32には、ロウ電源線VRow及びアドレス信号線が接続されている。ここで、書き込み駆動線ドライバ32も、プリデコーダである。
図6及び図10に示されるように、ロウ電源線ドライバ33には、ロウ電源線VRow及び制御信号線が接続されている。ロウ電源線ドライバ33において、電源VSETHはNMOSトランジスタQN6のドレイン及びゲートに接続される。トランジスタQN6のソースがPMOSトランジスタQP6を介してロウ電源線VRowに接続されている。トランジスタQP6のゲートには制御信号SETonが供給される。
図6及び図12に示されるように、カラムスイッチ20には256対のカラム選択線CSLy及びCSLby(y=<255:0>)のいずれか一対及びローカルデータ線LDQ<1:0>又はLDQ<3:2>のいずれか一組が接続されている。ここで、同一のカラムアドレス信号CAにより選択される2対のカラム選択線CSLy、CSLbyのうち、一対が接続されたカラムスイッチ20にローカルデータ線LDQ<1:0>が接続される。また、他の対が接続されたカラムスイッチ20にローカルデータ線LDQ<3:2>が接続されるものとする。カラムスイッチ20には、ビット線群BLy<1:0>が接続されており、このビット線群BLy<1:0>は一列に並んで設けられた複数のメモリセルMCに接続されている。前述のように、1つのカラムスイッチ20に接続されるビット線群BLy<1:0>は2本の配線からなる。同様に、ローカルデータ線LDQ<1:0>又はLDQ<3:2>は、LDQ0、LDQ1又はLDQ2、LDQ3の2本ずつの組からなる配線である。
図6及び図13に示されるように、カラムデコーダ21には256対のカラム選択線CSLy及びCSLby(y=<255:0>)、並びにカラムアドレス信号CAが入力されるアドレス信号線が接続されている。本実施の形態に係る抵抗変化メモリ装置において、一組のカラム選択線CSLy、CSLbyは1つのカラムスイッチ20内の2つのトランジスタ対(図12のQN11、QN12)にそれぞれ接続され、1つのカラムスイッチ20は2本のビット線群BLy<1:0>を選択駆動することができる。カラムデコーダ21は、図13に示すような回路を、一対のカラム選択線CSLy、CSLbyごとに有している。
図6及び図14に示されるように、センスアンプ/書き込みバッファ22には、カラム電源線VCol1、ローカルデータ線LDQ<3:0>及びデータ入出力線IO<3:0>が接続されている。まず、書き込みバッファ部分について、その構成を説明する。センスアンプ/書き込みバッファ22に接続されたデータ入出力線IO<3:0>は、レベルシフタL/Sを介してPMOSトランジスタQP13及びNMOSトランジスタQN15からなるCMOSインバータCMOS13に接続される。トランジスタQP13のソースにはカラム電源線VCol1が接続されている。カラム電源線VCol1には後述するようにリセット電圧VRESETが印加されている。また、トランジスタQN15のソースは接地されている。そして、トランジスタQP13及びQN15のドレインはともにスイッチSW1を介して、ローカルデータ線LDQ<3:0>に接続されている。
図6及び図15に示されるように、カラム電源線ドライバ23には、カラム電源線VCol1及び制御信号線が接続されている。カラム電源線ドライバ23において、電源VSETHがNMOSトランジスタQN16のドレイン及びゲートに接続され、トランジスタQN16のソースはPMOSトランジスタQP14を介してカラム電源線VCol1に接続されている。トランジスタQP14のゲートには制御信号SETonが供給される。
次に、メモリセルのフォーミング及びリセット動作の歩留まりについて、図16〜図18を参照して説明する。図16は比較例に係る不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ1の一部の回路図である。本実施形態においては、メモリセルアレイ1を挟んでロウ制御回路3が2つ配置されているが、図16に示す比較例においてはロウ制御回路3が一つだけ配置されている。図17及び図18は、メモリセルアレイ1の書き込み可能回数とメモリセルアレイ1内におけるメモリセルMCの位置関係との相関関係について検証した結果を表している。検証は以下の様に行った。まず、図16の様な回路において、メモリセルアレイ1に対してフォーミングを行う。次にリセット動作とセット動作を交互に10回ずつ繰り返し行った。この際、ロウ制御回路3に近い方の半数のメモリセルMCをNearグループ、遠い方の半数をFarグループとし、検証過程の各時点において正常にフォーミング、リセット又はセット状態に移行したメモリセル数の割合を比較した。
図19は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置のフォーミング動作を説明する為の図である。上記の検証結果から鑑みると、フォーミング動作を行う際にはメモリセルMCから遠い方の制御回路を使用することにより、フォーミング時の歩留まりを向上させることが可能であると考えられる。そこで、本実施形態においては2つ備えているロウ制御回路3A,3Bのうち、一方のロウ制御回路3Aに近い方の半数のメモリセルMCをグループA、もう一方のロウ制御回路3Bに近い方の半数のメモリセルMCをグループBとし、グループAのメモリセルMCについてはロウ制御回路3Bを、もう片方のグループBのメモリセルMCに対してはロウ制御回路3Aを用いてフォーミングを行う事とした。
本実施形態においてセット動作を行う際には、フォーミングを行う時と同様に、グループAのメモリセルMCについてはロウ制御回路3Bを、もう片方のグループBのメモリセルMCに対してはロウ制御回路3Aを用いる。セット動作では高抵抗状態のメモリセルMCについて電流を流し続けるが、メモリセルMCがセットされ、低抵抗状態に移行すると、メモリセルMCには急激に電流が流れ始める。このため、メモリセルMCに対する負担が増加してしまう。しかしながら、上記の様な方法でセット動作を行った場合、ロウ制御回路3からメモリセルMCまでの配線抵抗が保護素子として機能し、メモリセルMCに対する負担を減少させることが可能となる。これにより、メモリセルMCの書き込み回数が向上する。
図20は、本実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置のリセット動作を説明する為の図である。上記の検証結果から鑑みると、リセット動作を行う際にはメモリセルMCから近い方の制御回路を使用することにより、メモリセルの書き込み可能回数を向上させることが可能である。これはリセット動作の場合、メモリセルMCに近い方がIRドロップによる影響が少ないからと考えられる。そこで、本実施形態においては、グループAのメモリセルMCについてはロウ制御回路3Aを、もう片方のグループBのメモリセルMCに対してはロウ制御回路3Bを用いてリセット動作を行う事とした。上記の検証結果より、この様な方法によってメモリセルMCの書き込み回数は向上する。
第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置では、メモリセルアレイ1を挟んで2つのロウ制御回路3A,3Bが配置されていたが、カラム制御回路2が二つ配置されていても良い。本発明の第2の実施形態においては、ロウ制御回路3が一つ、カラム制御回路2A,2Bが二つ配置されている。この時のフォーミング動作、セット動作、リセット動作の様子をそれぞれ図21及び図22に示す。この様な方法によっても、第1の実施形態と同様にメモリセルMCの書き込み回数を向上させることが可能となる。
第1の実施形態及び第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置では、メモリセルアレイ1を挟んで2つのロウ制御回路3またはカラム制御回路2が配置されていた。本発明の第3の実施形態においては、ロウ制御回路3A,3B、カラム制御回路2A,2B共に二つずつ配置されている。この時のフォーミング動作、セット動作、リセット動作の様子をそれぞれ図23及び図24に示す。この様な方法によれば、第1の実施形態及び第2の実施形態と比較して配線抵抗を有効に調整する事が可能となるため、更にメモリセルMCの書き込み回数を向上させることが可能である。
Claims (3)
- 複数の第1の配線、前記複数の第1の配線に交差する複数の第2の配線、並びに前記複数の第1及び第2の配線の各交差部に配置された電気的書き換え可能な抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子を含む複数のメモリセル、を有するメモリセルアレイと、
前記複数の第1の配線の少なくとも一端に接続され、前記第1の配線を選択する第1のデコーダと、
前記複数の第2の配線の両端に接続されて前記第1のデコーダが選択した前記第1の配線と前記第2の配線の両端との距離に応じていずれか一方が前記第2の配線を選択する少なくとも一対の第2のデコーダと、
前記第1のデコーダ及び第2のデコーダによって選択された前記第1の配線及び第2の配線間に所定の電圧を印加する電圧印加回路と
を備え、
前記メモリセルに対してフォーミング動作を行う際に、選択される前記第1の配線から遠い方の前記第2のデコーダが前記第2の配線を選択する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 複数の第1の配線、前記複数の第1の配線に交差する複数の第2の配線、並びに前記複数の第1及び第2の配線の各交差部に配置された電気的書き換え可能な抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子を含む複数のメモリセル、を有するメモリセルアレイと、
前記複数の第1の配線の少なくとも一端に接続され、前記第1の配線を選択する第1のデコーダと、
前記複数の第2の配線の両端に接続されて前記第1のデコーダが選択した前記第1の配線と前記第2の配線の両端との距離に応じていずれか一方が前記第2の配線を選択する少なくとも一対の第2のデコーダと、
前記第1のデコーダ及び第2のデコーダによって選択された前記第1の配線及び第2の配線間に所定の電圧を印加する電圧印加回路と
を備え、
前記メモリセルに対してセット動作を行う際に、選択される前記第1の配線から遠い方の前記第2のデコーダが前記第2の配線を選択する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセルに対してリセット動作を行う際に、選択される前記第1の配線から近い方の前記第2のデコーダが前記第2の配線を選択する
ことを特徴とする請求項1または2記載の不揮発性半導体記憶装置。
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