JP5180433B2 - Mask blank manufacturing method, mask manufacturing method, and mask blank regeneration method - Google Patents
Mask blank manufacturing method, mask manufacturing method, and mask blank regeneration method Download PDFInfo
- Publication number
- JP5180433B2 JP5180433B2 JP2005321261A JP2005321261A JP5180433B2 JP 5180433 B2 JP5180433 B2 JP 5180433B2 JP 2005321261 A JP2005321261 A JP 2005321261A JP 2005321261 A JP2005321261 A JP 2005321261A JP 5180433 B2 JP5180433 B2 JP 5180433B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information
- mask blank
- film
- resist film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 213
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 title description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 343
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 87
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 75
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 70
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 11
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N chromium carbide Chemical compound [Cr]#C[Cr]C#[Cr] UFGZSIPAQKLCGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 molybdenum silicide nitride Chemical class 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 229910003470 tongbaite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本発明は、マスクブランクの製造方法、マスクの製造方法、マスクブランク管理システム、及び、マスクブランクの再生方法に係り、特に、露光用マスクの製造に際し、レジスト膜の感度変化に起因するＣＤ不良の発生を抑制できるマスクブランクの製造方法及びマスクブランク管理システムに関する。更に、ＣＤ不良となるようなレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを再生して有効利用できるマスクブランクの再生方法に関する。 The present invention relates to a mask blank manufacturing method, a mask manufacturing method, a mask blank management system, and a mask blank reproduction method, and more particularly, in the manufacture of an exposure mask, CD defect caused by a change in sensitivity of a resist film. The present invention relates to a mask blank manufacturing method and a mask blank management system capable of suppressing generation. Furthermore, the present invention relates to a method for regenerating a mask blank that can be used effectively by regenerating a mask blank in which the sensitivity change of a resist film that causes a CD defect exceeds an allowable range.
半導体の製造に使用される露光用マスクの原版であるレジスト膜付きマスクブランクが知られている。近年、この種のマスクブランクにおいては、半導体に形成される回路パターンの微細化や複雑化に伴って、高い解像性を持った化学増幅型レジストの必要性が次第に高まってきている。 2. Description of the Related Art A mask blank with a resist film, which is an original mask for an exposure mask used for semiconductor manufacture, is known. In recent years, in this type of mask blank, as the circuit pattern formed on a semiconductor is miniaturized and complicated, the need for a chemically amplified resist having high resolution is gradually increasing.
化学増幅型レジストは、他のレジストと比べてレジスト塗布後の感度安定性が悪く、レジスト塗布後から描画工程までの経過時間や、レジスト塗布後の保管環境により、レジスト感度の変動が発生する。そのため、露光マスクを製造するマスク製造部門（マスクメーカー、デバイスメーカー等）では、経験則による露光量補正等を行い、ＣＤ（クリティカル・ディメンジョン：最小寸法）の悪化やバラツキを抑えている。 Chemically amplified resists have poor sensitivity stability after resist application compared to other resists, and resist sensitivity varies depending on the elapsed time from resist application to the drawing process and the storage environment after resist application. For this reason, mask manufacturing departments (mask manufacturers, device manufacturers, etc.) that manufacture exposure masks perform exposure amount correction based on empirical rules to suppress CD (critical dimension: minimum dimension) deterioration and variations.
また、近年では、露光用マスクの歩留まり等を向上させるために、マスク製造部門に対して、各種の情報を提供することが提案されている（特許文献１、２参照。）。例えば、特許文献２では、ブランクス製造部門（ブランクスメーカー等）からマスク製造部門にマスクブランクを提供する際に、当該マスクブランクの欠陥情報を提供している。これにより、マスク製造部門では、欠陥情報及びパターンデータにもとづいて、適正なマスクブランクを選択することにより、露光用マスクの歩留まりを向上させることが可能になる。
ところで、マスク製造部門では、ブランクス製造部門からマスクブランクを受け入れてから（レジスト膜を塗布・形成してから）、描画するまでの日数、時間が一定ではない。これは、マスク製造部門が、半導体製造部門（半導体メーカ等）における露光装置の露光日程をもとに、一定期間内に必要と見込まれるマスクブランクの種類と数を集計するとともに、過去におけるマスクブランクの需要数から見込み需要量を算出してブランクス製造部門に発注し、マスクブランクを受け入れているからである。 By the way, in the mask manufacturing department, after receiving a mask blank from the blanks manufacturing department (after applying and forming a resist film), the number of days and time until drawing are not constant. This is because the mask manufacturing department totals the types and number of mask blanks that are expected to be required within a certain period based on the exposure schedule of the exposure apparatus in the semiconductor manufacturing department (semiconductor manufacturer, etc.), and the past mask blanks. This is because the estimated demand amount is calculated from the number of demands and ordered from the blanks manufacturing department, and the mask blank is accepted.
近年、化学増幅型レジストの高解像度化に伴って、レジスト膜を塗布・形成してから描画するまでの時間に起因したレジスト感度の変動が大きくなっている。レジスト感度の変動が許容範囲を超えた場合は、レジスト感度の変動を補正することが困難になり、ＣＤ不良となる。このようなレジスト感度の変動に起因する不良の発生は、たとえ特許文献１、２のように、各種の情報をマスク製造部門に提供しても、避けることはできないものである。
In recent years, with the increase in resolution of chemically amplified resists, fluctuations in resist sensitivity due to the time from application / formation of a resist film to drawing are increasing. If the variation in resist sensitivity exceeds the allowable range, it becomes difficult to correct the variation in resist sensitivity, resulting in CD failure. The occurrence of defects due to such variations in resist sensitivity cannot be avoided even if various types of information are provided to the mask manufacturing department as in
本発明は、上記の事情にかんがみなされたものであり、第一に、露光用マスクの製造に際し、レジスト感度の変動に起因するＣＤ不良の発生を抑制できるマスクブランク及びマスクの製造方法、マスクブランク管理システムの提供を目的とする。
第二に、ＣＤ不良になるようなレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを有効利用できるマスクブランク再生方法の提供を目的とする。
The present invention has been considered in view of the above circumstances. First, in manufacturing an exposure mask, a mask blank, a mask manufacturing method, and a mask blank that can suppress the occurrence of CD defects due to variations in resist sensitivity. The purpose is to provide a management system.
Secondly, an object of the present invention is to provide a mask blank reproducing method capable of effectively using a mask blank whose sensitivity change of a resist film that causes CD failure exceeds an allowable range.
上記目的を達成するため本発明におけるマスクブランクの製造方法は、マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程とを有するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト膜を前記薄膜上に形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を保存する工程と、前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、前記レジスト膜形成情報に基づき、前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定する工程と、前記特定したマスクブランクに形成されたレジスト膜を剥離する工程と、前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程とを有する方法としてある。 In order to achieve the above object, a mask blank manufacturing method according to the present invention includes a thin film forming step of forming a thin film to be a mask pattern on a mask blank substrate, and a resist film forming step of forming a resist film on the thin film. A method of manufacturing a mask blank having a step of storing resist film formation information including date information when the resist film is formed on the thin film, a step of associating the resist film formation information with the mask blank, Based on the resist film formation information, a step of specifying a mask blank whose sensitivity change of the resist film formed on the mask blank exceeds an allowable range, and a step of peeling the resist film formed on the specified mask blank, And a step of forming a resist film again on the thin film from which the resist film has been peeled off. .
また、本発明のマスクブランクの製造方法は、マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成した薄膜付き基板の前記薄膜上にレジスト膜を形成するマスクブランクの製造方法であって、前記レジスト膜を前記薄膜上に形成したときの日付情報を含むレジスト膜形成情報を形成情報蓄積手段に保存する工程と、前記形成情報蓄積手段に保存された前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、前記レジスト膜形成情報及び前記マスクブランクの対応関係に基づき、前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの前記レジスト膜を剥離する工程と、前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程とを有する方法としてある。
ここで、前記レジスト膜を剥離する工程は、前記レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定し、この特定したマスクブランクに形成された前記レジスト膜を剥離する方法とすることができる。
The mask blank manufacturing method of the present invention is a mask blank manufacturing method for forming a resist film on the thin film of the substrate with a thin film in which a thin film to be a mask pattern is formed on the mask blank substrate, wherein the resist Corresponding the resist film formation information including date information when the film is formed on the thin film in the formation information storage means, and the resist film formation information stored in the formation information storage means and the mask blank And a step of peeling the resist film of the mask blank whose sensitivity change of the resist film formed on the mask blank exceeds an allowable range based on the correspondence relationship between the resist film formation information and the mask blank, Forming a resist film again on the thin film from which the resist film has been peeled off.
Here, the step of peeling the resist film may be a method of identifying a mask blank whose sensitivity change of the resist film exceeds an allowable range and peeling the resist film formed on the identified mask blank. it can.
また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記薄膜の形成時又は形成後に、マスクブランクの仕様に係わる薄膜の膜情報を取得し保存する工程を有する方法とすることができる。 Moreover, the manufacturing method of the mask blank in this invention can be set as the method which has the process which acquires the film | membrane information of the thin film concerning the specification of a mask blank at the time of the formation of the said thin film, or after formation.
このような方法によれば、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜を剥離し、再度、レジスト膜を薄膜上に形成する際に、該マスクブランクに対応させて保存してある薄膜の膜情報の一部、又は全部を利用することができるので、膜情報を取得し保存する工程の一部、又は全部を省略することができ、再度レジスト膜を形成したレジスト膜付きマスクブランクを速やかに製造し、マスク製造部門に提供することができる。そして、上記のマスクブランクの提供を受けたマスク製造部門においては、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜付きマスクブランクの使用を確実に回避することができ、これにより、レジスト感度の変動に起因したCD不良の発生を防止することができる。 According to such a method, when the resist film whose sensitivity change exceeds the allowable range is peeled off, and the resist film is formed again on the thin film, the thin film stored in correspondence with the mask blank is stored. Since part or all of the film information can be used, part or all of the process of acquiring and storing the film information can be omitted, and a mask blank with a resist film on which a resist film is formed again can be obtained. It can be manufactured quickly and provided to the mask manufacturing department. In the mask manufacturing department that has received the above mask blank, it is possible to reliably avoid the use of a mask blank with a resist film whose resist film sensitivity change exceeds an allowable range. It is possible to prevent the occurrence of CD failures due to fluctuations.
また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記マスクブランク用基板のマスクブランクの仕様に係わる基板情報を取得し、保存する工程と、前記基板情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、を有する方法とすることができる。
このような方法によれば、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜を剥離し、再度、レジスト膜を薄膜上に形成する際に、薄膜を剥離しないと得られない基板情報を利用することができる。即ち、基板情報を必要とする場合においては、薄膜の剥離工程を省略することができる。
The mask blank manufacturing method of the present invention includes a step of acquiring and storing substrate information related to the mask blank specification of the mask blank substrate, and a step of associating the substrate information with the mask blank. It can be a method to have.
According to such a method, when the resist film whose sensitivity change has exceeded the allowable range is peeled off and the resist film is formed on the thin film again, the substrate information that cannot be obtained without removing the thin film is used. can do. That is, when the substrate information is required, the thin film peeling step can be omitted.
また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記膜情報を、欠陥情報、光学特性情報、薄膜形成情報、表面形態情報のいずれかの情報を含んだものとすることができる。
このようにすれば、再度、レジスト膜を薄膜上に形成する際に、膜情報の取得に時間のかかる上記の情報の取得を行う手間が省けるので、製造時間短縮においてより大きな効果が得られる。
In the mask blank manufacturing method according to the present invention, the film information may include any information of defect information, optical characteristic information, thin film formation information, and surface form information.
In this way, when the resist film is formed on the thin film again, it is possible to save the time for acquiring the information, which takes time to acquire the film information, so that a greater effect can be obtained in shortening the manufacturing time.
また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記基板情報を、欠陥情報、光学特性情報、表面形態情報のいずれかの情報を含んだものとすることができる。
このようにすれば、再度、レジスト膜を薄膜上に形成する際に、薄膜を剥離しないと得られない上記の情報を利用することができる。
In the mask blank manufacturing method according to the present invention, the substrate information may include any of defect information, optical characteristic information, and surface form information.
If it does in this way, when forming a resist film on a thin film again, said information which cannot be obtained unless a thin film is peeled can be utilized.
また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記マスクブランクと、前記レジスト膜形成情報と、前記薄膜の膜情報及び／又は前記基板情報の対応付けが可能となるように、前記マスクブランクに対して直接又は間接的に識別情報を付与する工程と、を有する方法とすることができる。
このような方法によれば、レジスト膜付きマスクブランクと、レジスト膜を形成したレジスト膜形成情報と、薄膜の膜情報及び／又は基板情報を確実に対応させ、情報の誤認を防止することができる。
In addition, the mask blank manufacturing method according to the present invention is adapted to the mask blank so that the mask blank, the resist film formation information, the film information of the thin film and / or the substrate information can be associated with each other. And providing the identification information directly or indirectly.
According to such a method, the mask blank with a resist film, the resist film formation information on which the resist film is formed, the film information on the thin film and / or the substrate information can be associated with each other, and information misidentification can be prevented. .
また、本発明におけるマスクブランクの製造方法は、前記レジスト膜を、化学増幅型レジスト膜とすることができる。
このような方法によれば、一般に塗布・形成後の感度安定性が低い化学増幅型レジスト膜に本発明を適用することで、大きな効果が得られる。
In the mask blank manufacturing method of the present invention, the resist film can be a chemically amplified resist film.
According to such a method, a large effect can be obtained by applying the present invention to a chemically amplified resist film having generally low sensitivity stability after coating and formation.
また、本発明におけるマスクの製造方法は、上記のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの前記薄膜をパターニングして、前記マスクブランク用基板上にマスクパターンを形成する方法とすることができる。
このような方法によれば、マスクを製造する際、レジスト膜の感度変化が許容範囲内のレジスト膜付きマスクブランクを使用することができ、レジスト感度の変動に起因したCD不良の発生を防止することができる。
Moreover, the mask manufacturing method in the present invention can be a method of forming a mask pattern on the mask blank substrate by patterning the thin film of the mask blank obtained by the above mask blank manufacturing method. .
According to such a method, when manufacturing a mask, it is possible to use a mask blank with a resist film in which the change in sensitivity of the resist film is within an allowable range, thereby preventing the occurrence of CD defects due to variations in resist sensitivity. be able to.
また、本発明のマスクブランク管理システムは、マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜とレジスト膜とを形成したマスクブランクにおける、前記薄膜上にレジスト膜を形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を蓄積する形成情報蓄積手段と、前記マスクブランクに識別情報を付与する識別情報付与手段と、前記レジスト膜形成情報と、前記識別情報とを対応させてそれらの情報を保存するマスクブランク情報蓄積手段と、前記日付情報に基づき前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定するマスクブランク選定手段と、を有する構成としてある。
このように構成すれば、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜を剥離し、該マスクブランクを再利用する際に、該マスクブランクに対応させて保存してある薄膜の膜情報の一部、又は全部を有効利用できる。そして、マスクブランクを再利用する際に、膜情報を取得し保存する工程の一部、又は全部を省略することができるので、マスクブランクを速やかに製造し、マスク製造部門に提供することができる。また、レジスト膜付きマスクブランクと、レジスト膜を形成した日付情報と、薄膜の膜情報を確実に対応させることができ、情報の誤認を防止することができる。そしてこの管理システムで管理されたマスクブランクの提供を受けたマスク製造部門においては、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜付きマスクブランクの使用を確実に回避することができ、これにより、レジスト感度の変動に起因したCD不良の発生を防止することができる。
Also, the mask blank management system of the present invention is a resist blank forming information including date information on a resist film formed on the thin film in a mask blank in which a thin film to be a mask pattern and a resist film are formed on a mask blank substrate. Forming information accumulating means for accumulating information, identification information providing means for assigning identification information to the mask blank, mask blank information accumulating means for storing the resist film forming information and the identification information in correspondence with each other. And a mask blank selecting means for specifying a mask blank whose sensitivity change of the resist film formed on the mask blank exceeds an allowable range based on the date information.
With this configuration, when the resist film whose sensitivity change exceeds the allowable range is peeled off and the mask blank is reused, the film information of the thin film stored corresponding to the mask blank is stored. Part or all can be used effectively. Then, when reusing the mask blank, part or all of the process of acquiring and storing the film information can be omitted, so that the mask blank can be quickly manufactured and provided to the mask manufacturing department. . In addition, the mask blank with a resist film, the date information on which the resist film is formed, and the film information on the thin film can be reliably associated with each other, and misidentification of information can be prevented. And in the mask manufacturing department that received the mask blank managed by this management system, it is possible to reliably avoid the use of a mask blank with a resist film whose resist film sensitivity change exceeded the allowable range. In addition, it is possible to prevent the occurrence of CD defects due to variations in resist sensitivity.
また、本発明のマスクブランク管理システムは、前記マスクブランク用基板のマスクブランクの仕様に係わる基板情報及び／又は薄膜の膜情報を保存する基板情報蓄積手段及び／又は膜情報蓄積手段と、を有し、前記マスクブランク情報蓄積手段に、前記基板情報及び／又は薄膜の膜情報を保存した構成とすることができる。
このような構成すれば、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜を剥離し、マスクブランクを再利用する際に、薄膜を剥離しないと得られない基板情報を利用することができる。
The mask blank management system of the present invention includes substrate information storage means and / or film information storage means for storing substrate information and / or thin film information relating to the mask blank specifications of the mask blank substrate. In addition, the mask blank information storage unit can store the substrate information and / or the film information of the thin film.
With such a configuration, when the resist film whose sensitivity change exceeds the allowable range is peeled off and the mask blank is reused, it is possible to use substrate information that cannot be obtained unless the thin film is peeled off.
また、本発明のマスクブランク管理システムは、前記識別情報、前記レジスト膜形成情報、前記膜情報及び／又は前記基板情報をマスク製造部門に通信回線を介して提供できるように情報送信手段を設けた構成とすることができる。
このような構成すれば、レジスト膜付きマスクブランクの情報を、レジスト膜形成情報、膜情報及び／又は基板情報を識別情報と対応させて、迅速かつ正確にマスク製造部門に提供することができる。
Further, the mask blank management system of the present invention is provided with an information transmission means so that the identification information, the resist film formation information, the film information and / or the substrate information can be provided to a mask manufacturing department via a communication line. It can be configured.
With such a configuration, the information on the mask blank with the resist film can be provided to the mask manufacturing department quickly and accurately by making the resist film formation information, the film information and / or the substrate information correspond to the identification information.
また、本発明のマスクブランク管理システムは、マスク製造部門によって前記レジスト膜形成情報に基づき前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの情報を、通信回線を介して受信できるように情報受信手段を設ける構成とすることができる。
このような構成にすれば、マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの情報を、迅速かつ正確にマスク製造部門から受け取ることができる。
In addition, the mask blank management system of the present invention provides information on mask blanks whose sensitivity change of the resist film formed on the mask blank based on the resist film formation information exceeds an allowable range by a mask manufacturing department via a communication line. The information receiving means can be provided so that it can be received.
With such a configuration, it is possible to quickly and accurately receive information on a mask blank whose sensitivity change of the resist film formed on the mask blank exceeds an allowable range from the mask manufacturing department.
また、本発明のマスクブランクの再生方法は、マスクブランク用基板上にレジスト膜を形成した日付情報に基づき、マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定し、該特定したマスクブランクに形成されたレジスト膜を剥離する工程と、前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、を有する方法としてある。
このような方法にすれば、CD不良が発生するようなレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを有効利用することができる。
Further, the mask blank regeneration method of the present invention specifies a mask blank in which the sensitivity change of the resist film formed on the mask blank exceeds the allowable range based on the date information on which the resist film is formed on the mask blank substrate. The method includes a step of peeling the resist film formed on the specified mask blank and a step of forming a resist film again on the thin film from which the resist film has been peeled off.
With such a method, it is possible to effectively use a mask blank in which the sensitivity change of the resist film that causes CD failure exceeds an allowable range.
また、本発明のマスクブランクの再生方法は、前記レジスト膜をアルカリ性溶媒及び／又は有機溶媒で剥離する方法とすることができる。
このような方法にすれば、マスクブランク用基板やマスクパターンとなる薄膜にダメージを与えることなく、レジスト膜を剥離することができる。
Further, the mask blank regeneration method of the present invention may be a method of peeling the resist film with an alkaline solvent and / or an organic solvent.
According to such a method, the resist film can be peeled without damaging the mask blank substrate or the thin film to be the mask pattern.
以上のように、本発明によれば、マスク製造部門における露光用マスクの製造に際し、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたレジスト膜付きマスクブランクの使用を確実に回避できる。これにより、レジスト感度の変動に起因したＣＤ不良の発生を防止することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to reliably avoid the use of a mask blank with a resist film in which the sensitivity change of the resist film exceeds an allowable range when manufacturing an exposure mask in the mask manufacturing department. As a result, it is possible to prevent the occurrence of CD defects due to variations in resist sensitivity.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
［マスクブランク管理システム］
まず、マスクブランク管理システムの実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。
図１は、マスクブランク管理システムの概略構成を示すブロック図、図２は、ブランクス製造部門とマスク製造部門の間における情報のやり取りを示す説明図、図３は、ブランクス製造部門とマスク製造部門の間における物のやり取りを示す説明図である。
なお、本発明において、ブランクス製造部門及びマスク製造部門とは、同一企業間におけるそれぞれの部門を意味するだけでなく、異なる企業のブランクスメーカ及びマスクメーカをも意味するものである。
[Mask blank management system]
First, an embodiment of a mask blank management system will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a mask blank management system, FIG. 2 is an explanatory diagram showing exchange of information between a blanks manufacturing department and a mask manufacturing department, and FIG. 3 is a diagram of blanks manufacturing department and mask manufacturing department. It is explanatory drawing which shows the exchange of the thing between.
In the present invention, the blanks manufacturing department and the mask manufacturing department mean not only each department within the same company but also blank manufacturers and mask manufacturers of different companies.
図１に示すように、マスクブランク管理システムには、レジスト膜付きマスクブランク（以下、マスクブランクという。）を製造するブランクス製造部門の端末１０と、ブランクス製造部門で取得した薄膜の膜情報やレジスト膜の形成情報、マスクブランクの識別情報等をまとめて蓄積するサーバ１１と、露光用マスクを製造するマスク製造部門の端末２０と、マスク製造部門でのマスクブランクの使用状況を示す情報、マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの情報等をまとめて蓄積するサーバ２１と、これらのサーバ１１、２１を通信可能に接続する通信回線３０とが含まれる。端末１０、２０は、パソコン等で構成される。また、通信回線３０は、サーバ１１，２１を含むネットワーク３２で構成してもよいし、専用回線で構成してもよい。
なお、上記のブランクス製造部門の端末１０は、例えば、マスクブランクの製造工程毎に配置しており、各工程で取得した後述する基板情報、膜情報、レジスト膜形成情報が保存されており、ＬＡＮでサーバ１１に接続され、サーバ１１にそれらの情報を収集するようになっている。
As shown in FIG. 1, the mask blank management system includes a blanks
The terminal 10 of the blanks manufacturing department is arranged for each mask blank manufacturing process, for example, and stores board information, film information, and resist film formation information, which will be described later, acquired in each process. Are connected to the
図２に示すように、ブランクス製造部門のサーバ１１には、マスクブランク情報蓄積手段が設けられる。マスクブランク情報蓄積手段には、マスク製造部門に提供するマスクブランクの識別情報に対応付けて、各端末１０から収集した基板情報や薄膜の膜情報、レジスト膜の形成情報などが蓄積される。基板情報には、基板表面や内部の欠陥情報、光学特性情報（透過率等）、表面形態情報（表面粗さ、平坦度等）などが含まれる。また、薄膜の膜情報には、薄膜の欠陥情報や光学特性情報（透過率、反射率等）、薄膜形成情報（成膜条件、膜応力等）、表面形態情報（表面粗さ、平坦度等）などが含まれる。また、レジスト膜の形成情報には、レジスト膜の感度変化に影響を与える情報が含まれており、具体的には、基板上にレジスト膜を塗布・形成した日時（又は日付）、レジスト種、加熱条件、マスクブランク保管環境等である。
As shown in FIG. 2, the blank
マスクブランクの識別情報は、個々のマスクブランクに対して直接的又は間接的に付与される。図２及び図３に示す例では、納品に用いるブランクス収納ケースの収納ケース番号と、収納ケースのマスクブランクを保持する各収納スロットに付与されたスロット番号を識別情報として、個々のマスクブランクを特定するようにしてある。なお、ブランクス収納ケースが一枚のマスクブランクしか収納しないようになっている場合は、収納ケース番号が、マスクブランクの識別情報となる。 The identification information of the mask blank is given directly or indirectly to each mask blank. In the example shown in FIG. 2 and FIG. 3, each mask blank is specified using the storage case number of the blank storage case used for delivery and the slot number assigned to each storage slot holding the mask blank of the storage case as identification information. I have to do it. When the blank storage case is configured to store only one mask blank, the storage case number is mask blank identification information.
マスク製造部門のサーバ２１には、マスクブランク使用状況蓄積手段及び返却情報作成手段が設けられる。マスクブランク使用状況蓄積手段は、マスク製造部門におけるマスクブランクの使用状況を蓄積する。具体的には、ブランクス製造部門から提供されたマスクブランクの識別情報に対応付けて、レジスト種、レジスト膜形成日時、マスクブランク保管環境等の情報を保存するマスクブランク在庫リストを有し、ここから使用済みのマスクブランク情報を削除することにより、マスクブランクの使用状況が蓄積される。
The mask
返却情報作成手段は、マスクブランク在庫リストに含まれる未使用マスクブランクのうち、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを抽出し、ブランクス製造部門に返却すべきマスクブランクの返却リストを作成する。マスクブランク返却リストには、返却するマスクブランクの識別情報（ブランクス収納ケース番号、スロット番号等）、レジスト種などのデータが含まれる。具体的に説明すると、返却情報作成手段は、レジスト膜の形成情報、マスク製造部門におけるマスクブランクの保管環境等からレジスト膜の感度変化を予測する感度変化予測手段を用いて、レジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクを特定し、マスクブランク返却リストを作成する。 The return information creation means extracts mask blanks whose sensitivity change in the resist film exceeds the allowable range from unused mask blanks included in the mask blank inventory list, and returns a mask blank return list to be returned to the blanks manufacturing department. create. The mask blank return list includes data such as identification information (blank storage case number, slot number, etc.) and resist type of the mask blank to be returned. Specifically, the return information creation means uses the sensitivity change prediction means for predicting the sensitivity change of the resist film from the resist film formation information, the mask blank storage environment in the mask manufacturing department, and the like. The mask blank that exceeds the allowable range is identified, and a mask blank return list is created.
感度変化予測手段は、ブランクス製造部門の端末１０やサーバ１１、及び／又は、マスク製造部門の端末２０やサーバ２１に設けることができる。ブランクス製造部門が感度変化予測手段を用いてレジスト膜の感度変化を予測する場合は、マスク製造部門のマスクブランク在庫リスト情報を、マスク製造部門とブランクス製造部門との間で共有化すればよい。
The sensitivity change prediction means can be provided in the terminal 10 or
＜マスクブランクの製造方法、及びマスクブランクの提供方法＞
つぎに、マスクブランクの製造方法、及びマスクブランクの提供方法の実施形態について、図２〜図４を参照して説明する。
図２は、ブランクス製造部門とマスク製造部門の間における情報のやり取りを示す説明図である。図３は、マスクブランクの製造方法、マスクブランクの再生方法、及びブランクス製造部門とマスク製造部門の間における物のやり取りを示す説明図である。図４は、マスクブランクの製造方法、マスクブランクの提供方法の一実施形態を示すフローチャートである。
尚、以下工程１−ａから工程１−ｉは、ブランクス製造部門が行うマスクブランク製造方法に関し、工程２−ａから工程２−ｆは、マスク製造部門が行うマスク製造方法に関するものである。
<Manufacturing method of mask blank and providing method of mask blank>
Next, an embodiment of a mask blank manufacturing method and a mask blank providing method will be described with reference to FIGS.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing the exchange of information between the blanks manufacturing department and the mask manufacturing department. FIG. 3 is an explanatory diagram showing a mask blank manufacturing method, a mask blank regeneration method, and an exchange of objects between the blanks manufacturing department and the mask manufacturing department. FIG. 4 is a flowchart showing an embodiment of a mask blank manufacturing method and a mask blank providing method.
Hereinafter, steps 1-a to 1-i relate to a mask blank manufacturing method performed by a blanks manufacturing department, and steps 2-a to 2-f relate to a mask manufacturing method performed by a mask manufacturing department.
（工程１−ａ）
まず、マスクブランク用基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成する。
マスクパターンとなる薄膜には、マスクの種類に応じて、遮光膜、位相シフト膜、反射膜、吸収体膜、反射防止膜等が含まれる。これらの薄膜は、転写露光光を通過させたり、通過を阻止したりするなど、転写露光光に対して何らかの作用をし、所定の転写パターン像を転写対象物上に形成させるためのものである。したがって、本発明におけるマスクブランクとは、転写露光光を遮光する機能を有する遮光膜が形成されたフォトマスクブランク、転写露光光に対して位相差をもたらす機能を有する位相シフト膜が形成された位相シフトマスクブランク、転写露光光に対して遮光機能と位相差変化をもたらす機能を兼ね備えた光半透過膜が形成されたハーフトーン型位相シフトマスクブランク、転写露光光を反射する機能を有する反射膜、転写露光光を吸収して反射を抑える機能を有する吸収体膜が形成された反射型マスクブランクなどを含む広義の意味で用いられる。
(Step 1-a)
First, a thin film to be a mask pattern is formed on a mask blank substrate.
The thin film serving as the mask pattern includes a light shielding film, a phase shift film, a reflection film, an absorber film, an antireflection film, and the like depending on the type of mask. These thin films are intended to form a predetermined transfer pattern image on a transfer object by performing some action on the transfer exposure light, such as passing or preventing the transfer exposure light from passing therethrough. . Therefore, the mask blank in the present invention is a photomask blank on which a light shielding film having a function of shielding transfer exposure light is formed, and a phase on which a phase shift film having a function of causing a phase difference with respect to transfer exposure light is formed. A shift mask blank, a halftone phase shift mask blank on which a light semi-transmissive film having a light shielding function and a phase difference change function for transfer exposure light is formed, a reflective film having a function of reflecting transfer exposure light, It is used in a broad sense including a reflective mask blank on which an absorber film having a function of absorbing transfer exposure light and suppressing reflection is formed.
また、マスクブランクは、ＬＳＩ（半導体集積回路）用マスクブランク、各種ＰＤ（パネルディスプレイ）用マスクブランク等、全てのマスクの素材が含まれる。
なお、マスクブランク用基板の材料は、特に限定されない。合成石英ガラス、無アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、ソーダライムガラス等が使用される。また、反射型マスク用の基板材料としては、超低膨張ガラスあるいは超低膨張セラミックが使用される。
The mask blank includes all mask materials such as LSI (semiconductor integrated circuit) mask blanks and various PD (panel display) mask blanks.
The material for the mask blank substrate is not particularly limited. Synthetic quartz glass, alkali-free glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, soda lime glass, etc. are used. In addition, as a substrate material for the reflective mask, ultra-low expansion glass or ultra-low expansion ceramic is used.
（工程１−ｂ）
つぎに、薄膜上にレジスト膜を塗布・形成してレジスト膜付きマスクブランクを作製する。
レジスト膜は、ネガ型、ポジ型どちらでも構わない。また、レジスト種も特に限定されない。例えば、光（紫外線、遠紫外線等）露光描画用、電子線露光描画用等を用いることができる。
レジスト膜の塗布・形成方法は、特に限定されない。例えば、回転塗布方法、キャピラリー塗布方法、スキャン塗布方法等を用いることができる。
(Step 1-b)
Next, a resist film is applied and formed on the thin film to produce a mask blank with a resist film.
The resist film may be either a negative type or a positive type. Also, the resist type is not particularly limited. For example, light (ultraviolet light, far ultraviolet light, etc.) exposure drawing, electron beam exposure drawing, and the like can be used.
The method for applying and forming the resist film is not particularly limited. For example, a spin coating method, a capillary coating method, a scan coating method, or the like can be used.
（工程１−ｃ）
つぎに、上記の工程１−ｂにおいて、薄膜上にレジスト膜を塗布・形成したレジスト膜形成情報を保存する。
ここで、レジスト膜形成情報は、レジスト膜の感度変化に影響を与える情報であり、基板上にレジスト膜を塗布・形成した日時（又は日付）、レジスト種、加熱処理条件、マスクブランク保管環境等をいう。
レジスト膜形成情報の保存は、ブランクス製造部門の端末内のブランクス情報蓄積手段や、マスク製造部門と情報のやり取りを行うサーバ内のマスクブランク情報蓄積手段に直接保存しても良い。
(Step 1-c)
Next, in step 1-b, resist film formation information obtained by applying and forming a resist film on the thin film is stored.
Here, the resist film formation information is information that affects the sensitivity change of the resist film. The date and time (or date) when the resist film is applied and formed on the substrate, the resist type, the heat treatment conditions, the mask blank storage environment, and the like. Say.
The resist film formation information may be stored directly in the blank information storage means in the terminal of the blank manufacturing department or in the mask blank information storage means in the server that exchanges information with the mask manufacturing department.
（工程１−ｄ）
つぎに、マスク製造部門にマスクブランクを提供する際に使用するブランクス収納ケースを用意し、このブランクス収納ケースに、作製したマスクブランクを収納する。そして、ブランクス収納ケースに収納したマスクブランクのレジスト膜形成情報を、マスクブランクの識別情報と対応させてマスクブランク情報蓄積手段に記録・保存する。
レジスト膜形成情報と、ブランクス収納ケースに収納するマスクブランクとを対応させる手段としては、個々のマスクブランクに識別情報を直接付与し、この識別情報とレジスト膜形成情報とを対応させる方法や、ブランクス収納ケースのケース番号と、ブランクス収納ケース内の各収納スロットに付与されているスロット番号を識別情報とし（この場合、マスクブランクを識別するための識別情報は、マスクブランクに間接的に付与されることになる。）、このケース番号及びスロット番号とレジスト膜形成情報とを対応させる方法などがある。
ここで、マスクブランクの識別情報と、薄膜を形成する前に取得した基板表面や内部の欠陥情報、光学特性情報（透過率等）、表面形態情報（表面粗さ、平坦度等）などの基板情報を保存する工程で保存したこれらの基板情報や、薄膜の形成時又は形成後に取得した薄膜の欠陥情報や光学特性情報（透過率、反射率等）、薄膜形成情報（成膜条件、膜応力等）、表面形態情報（表面粗さ、平坦度等）などの膜情報を保存する工程で保存したこれらの膜情報とを対応させて、マスクブランク情報蓄積手段に、記録・保存してもよい。
(Step 1-d)
Next, a blank storage case is prepared for use in providing a mask blank to the mask manufacturing department, and the produced mask blank is stored in the blank storage case. Then, the resist film formation information of the mask blank stored in the blank storage case is recorded / stored in the mask blank information storage means in correspondence with the identification information of the mask blank.
As a means for associating the resist film formation information with the mask blank stored in the blank storage case, a method of directly assigning identification information to each mask blank and associating this identification information with the resist film formation information, The case number of the storage case and the slot number assigned to each storage slot in the blank storage case are used as identification information (in this case, the identification information for identifying the mask blank is indirectly assigned to the mask blank. There is a method for associating the case number and slot number with the resist film formation information.
Here, the substrate such as mask blank identification information, substrate surface and internal defect information acquired before forming the thin film, optical characteristic information (transmittance, etc.), surface form information (surface roughness, flatness, etc.), etc. Information on these substrates stored in the process of storing information, thin film defect information and optical characteristic information (transmittance, reflectance, etc.) acquired during or after thin film formation, thin film formation information (deposition conditions, film stress) Etc.), the film information stored in the step of storing the film information such as surface morphology information (surface roughness, flatness, etc.) may be recorded and stored in the mask blank information storage means in association with the stored film information. .
（工程１−ｅ）
つぎに、作製したマスクブランクをブランクス収納ケースにより、また、マスクブランク情報蓄積手段に保存されているレジスト膜形成情報を、通信回線を利用するなどしてマスク製造部門に提供する。レジスト膜形成情報を提供する具体的な方法としては、ブランクス製造部門のサーバとマスク製造部門のサーバを配置するとともに、ブランクス製造部門のサーバにレジスト膜形成情報を保存し、マスク製造部門がマスクブランク製造部門のサーバにアクセスしてレジスト膜形成情報を入手する方法や、ブランクス製造部門のサーバとマスク製造部門のサーバとの間に専用回線を引き、レジスト膜形成情報を、ブランクス製造部門のサーバからマスク製造部門のサーバに直接送信する方法などがある。
(Step 1-e)
Next, the produced mask blank is provided to the mask manufacturing department using a blanks storage case and the resist film formation information stored in the mask blank information storage means using a communication line. As a specific method of providing resist film formation information, a blanks manufacturing department server and a mask manufacturing department server are arranged, and resist film formation information is stored in the blanks manufacturing department server, and the mask manufacturing department provides a mask blank. A method for accessing the manufacturing department server to obtain resist film formation information, or by drawing a dedicated line between the blank manufacturing department server and the mask manufacturing department server, and obtaining the resist film formation information from the blank manufacturing department server. There is a method of transmitting directly to the server of the mask manufacturing department.
（工程２−ａ）
マスク製造部門では、ブランクス製造部門から提供されたマスクブランクを保管するとともに、マスクブランクの識別情報と、そのレジスト膜形成情報をもとに、マスクブランク在庫リストを作成し、マスクブランク使用状況蓄積手段（マスク製造部門の端末やサーバ）に記録・保存する。
マスクブランク在庫リストには、個々のマスクブランクを特定するための識別情報（マスクブランクに直接付与された識別番号、ケース番号、スロット番号等）、レジスト種、レジスト膜を塗布・形成した日時（又は日付）、マスクブランク保管環境（マスク製造部門における保管環境）等の情報が含まれる。
マスク製造部門は、ブランクス製造部門から提供されたマスクブランクを、レジスト膜の感度変化の割合が極力少ない環境を有する保管庫や、ブランクス収納ケースに入れた状態でマスク製造工程に取り掛かる前まで保管する。
(Step 2-a)
The mask manufacturing department stores the mask blank provided by the blanks manufacturing department, creates a mask blank inventory list based on the mask blank identification information and the resist film formation information, and stores mask blank usage status storage means. Record and save in (mask manufacturing department terminal or server).
In the mask blank inventory list, identification information for identifying individual mask blanks (identification number, case number, slot number, etc. directly attached to the mask blank), resist type, date and time when the resist film is applied and formed (or Date), mask blank storage environment (storage environment in the mask manufacturing department), and the like.
The mask manufacturing department stores the mask blank provided by the blanks manufacturing department until the mask manufacturing process is started in a storage cabinet having an environment where the rate of change in sensitivity of the resist film is as low as possible or in a blank storage case. .
なお、マスク製造部門は、マスクブランク使用状況蓄積手段に保存されているマスクブランク在庫リストを、通信回線を利用するなどしてブランクス製造部門に提供してもよい。具体的には、マスク製造部門のサーバにマスクブランク在庫リストを保存し、ブランクス製造部門がマスク製造部門のサーバにアクセスしてマスクブランク在庫リストを入手する方法や、マスク製造部門のサーバとブランクス製造部門のサーバとの間に専用回線を引き、マスクブランク在庫リストを、マスク製造部門のサーバからブランクス製造部門のサーバに直接送信する方法などがある。 The mask manufacturing department may provide the mask blank stock list stored in the mask blank usage status storage means to the blank manufacturing department using a communication line. Specifically, the mask blank inventory list is stored in the mask manufacturing department server and the blank manufacturing department accesses the mask manufacturing department server to obtain the mask blank inventory list. There is a method in which a dedicated line is connected to the department server, and the mask blank inventory list is directly transmitted from the mask production department server to the blank production department server.
（工程１−ｆ）
つぎに、レジスト膜形成情報を参照し、レジスト膜の感度変化が予め設定された許容範囲を超えたマスクブランクを特定する。
具体的には、以下の方法で行うことができる。
（１）マスク製造部門は、マスクブランク在庫リストのレジスト膜形成情報を参照し、未使用マスクブランクに形成されているレジスト膜の感度変化を予測する（工程２−ｂ）。レジスト膜の感度変化の予測は、レジスト膜を塗布・形成した日時（又は日付）、レジスト種、マスクブランク保管環境等の情報を利用し、過去の経験則で行うことができる。例えば、レジスト種毎に使用期限を設定し、この使用期限とレジスト形成日時を比較する方法や、これにマスクブランク保管環境情報を加味し、使用期限を補正する方法がある。
(Step 1-f)
Next, with reference to the resist film formation information, a mask blank whose sensitivity change in the resist film exceeds a preset allowable range is specified.
Specifically, it can be performed by the following method.
(1) The mask manufacturing department refers to the resist film formation information in the mask blank inventory list and predicts the sensitivity change of the resist film formed on the unused mask blank (step 2-b). Prediction of the sensitivity change of the resist film can be performed based on past empirical rules using information such as the date (or date) when the resist film is applied / formed, the resist type, and the mask blank storage environment. For example, there is a method of setting an expiration date for each resist type and comparing the expiration date and the resist formation date and time, and a method of correcting the expiration date by adding mask blank storage environment information thereto.
（２）マスク製造部門は、レジスト膜の感度変化が予め設定された許容範囲を超えたマスクブランクをマスクブランク在庫リストの中から特定する（工程２−ｃ）。
前記許容範囲は、マスク製造工程においてレジスト膜の感度変化によるCD変動が許容値を超えたり、パターン欠陥が発生しないように適宜設定することができる。なお、上記の方法に代えて、マスクブランクに形成されているレジスト膜に、描画・現像処理を行い、実際にCD変動を求め、予め設定された感度変化の許容範囲を超えていないかを判定することもできる。この場合、予め設定された感度変化の許容範囲を超えたマスクブランクについては、上記マスクブランク在庫リストの中から特定する。なお、上記工程２−ｂ、２−ｃについては、ブランクス製造部門が行うこともできる。ブランクス製造部門がレジスト膜の感度変化を予測する場合は、その結果を、マスク製造部門のサーバに通信回線を介して通知し、マスクブランクの返却を推奨することができる。
(2) The mask manufacturing department specifies from the mask blank stock list a mask blank whose sensitivity change of the resist film exceeds a preset allowable range (step 2-c).
The permissible range can be appropriately set so that the CD variation due to the change in sensitivity of the resist film does not exceed the permissible value or pattern defects do not occur in the mask manufacturing process. Instead of the above method, the resist film formed on the mask blank is subjected to drawing / development processing, and the actual CD variation is obtained to determine whether the preset sensitivity change allowable range is exceeded. You can also In this case, a mask blank exceeding a preset allowable range of sensitivity change is specified from the mask blank stock list. In addition, about the said process 2-b and 2-c, a blanks manufacturing department can also perform. When the blanks manufacturing department predicts the sensitivity change of the resist film, the result can be notified to the server of the mask manufacturing department via a communication line, and the return of the mask blank can be recommended.
（３）マスク製造部門は、ブランクス製造部門に返却するマスクブランクの返却情報を作成する（工程２−ｄ）。
マスクブランクの返却情報は、マスク製造部門の端末において返却情 報作成手段によって作成される。マスクブランクの返却情報は、返却するマスクブランクを特定できればよく、マスクブランクを特定するための識別情報（マスクブランクに直接付与された識別情報、ブランクス収納ケースのケース番号、スロット番号等）、レジスト種等である。
(3) The mask manufacturing department creates mask blank return information to be returned to the blanks manufacturing department (step 2-d).
The return information for the mask blank is created by the return information creation means at the terminal of the mask manufacturing department. The mask blank return information only needs to be able to identify the mask blank to be returned. Identification information for identifying the mask blank (identification information given directly to the mask blank, case number of the blank storage case, slot number, etc.), resist type Etc.
（４）マスク製造部門は、ブランクス製造部門に返却するマスクブランクをブランクス収納ケースに収納し、ブランクス製造部門に返送するとともに、上記作成したマスクブランクの返却情報をブランクス製造部門に送る（工程２−ｅ）。
マスクブランクの返却情報は、返却するマスクブランクが収納されて いるブランクス収納ケースに添付して返送しても良いし、マスクブランクの返却情報のみを通信回線などを利用してブランクス製造部門のサーバに送信してもよい。
(4) The mask manufacturing department stores the mask blank to be returned to the blanks manufacturing department in the blanks storage case, returns it to the blanks manufacturing department, and sends the created mask blank return information to the blanks manufacturing department (step 2- e).
The mask blank return information may be returned by attaching it to the blank storage case containing the mask blank to be returned, or only the mask blank return information may be sent to the blanks manufacturing department server using a communication line. You may send it.
（５）ブランクス製造部門は、マスク製造部門から返却されたマスクブランクについて、マスクブランク返却情報に基づいて、マスクブランク情報蓄積手段の中から特定する。 (5) The blanks manufacturing department specifies the mask blank returned from the mask manufacturing department from the mask blank information accumulating means based on the mask blank return information.
（工程１−ｇ）
つぎに、ブランクス製造部門は、マスク製造部門から返却されたマスクブランクのレジスト膜を剥離する。
レジスト膜を剥離する方法は、レジスト膜を溶解し、かつ、マスクブランク用基板や基板上に形成されている薄膜にダメージを与えない溶媒やアッシング等で行うことができる。
レジスト膜が化学増幅型レジストやノボラック系レジストのレジスト膜の場合、アルカリ性溶媒及び／又は有機溶媒を用いれば、マスクブランク用基板やマスクパターンとなる薄膜にダメージを与えることなく、レジスト膜を剥離することができるので好ましい。
また、レジスト膜が、高分子型レジストのレジスト膜の場合、有機溶媒を用いれば、マスクブランク用基板やマスクパターンとなる薄膜にダメージを与えることなく、レジスト膜を剥離することができるので好ましい。
(Step 1-g)
Next, the blanks manufacturing department peels off the resist film of the mask blank returned from the mask manufacturing department.
The method of peeling the resist film can be performed with a solvent, ashing, or the like that dissolves the resist film and does not damage the mask blank substrate or the thin film formed on the substrate.
When the resist film is a chemically amplified resist or a novolak resist, the resist film is peeled off without damaging the mask blank substrate and the thin film that becomes the mask pattern by using an alkaline solvent and / or an organic solvent. This is preferable.
In the case where the resist film is a polymer resist resist film, it is preferable to use an organic solvent because the resist film can be peeled without damaging the mask blank substrate or the thin film to be the mask pattern.
（工程１−ｈ）
つぎに、ブランクス製造部門は、マスクパターンとなる薄膜が形成された基板上に、再度レジスト膜を塗布・形成してレジスト膜付きマスクブランクを作製する。そして、マスクブランク情報蓄積手段に保存されているレジスト膜形成情報を、新たに形成したレジスト膜形成情報に更新・保存する。
(Step 1-h)
Next, the blanks manufacturing department re-applies and forms a resist film on the substrate on which a thin film to be a mask pattern is formed to produce a mask blank with a resist film. Then, the resist film formation information stored in the mask blank information storage unit is updated / saved to newly formed resist film formation information.
（工程１−ｉ）
つぎに、ブランクス製造部門は、作製したマスクブランクを、更新されたレジスト膜形成情報とともにマスク製造部門に提供する。マスク製造部門は、提供されたマスクブランクをマスク製造工程に移し、露光用マスクを作製する（工程２−ｆ）。
(Step 1-i)
Next, the blanks manufacturing department provides the produced mask blank to the mask manufacturing department together with the updated resist film formation information. The mask manufacturing department moves the provided mask blank to a mask manufacturing process and manufactures an exposure mask (process 2-f).
なお、上記のマスクブランクの製造方法において、工程１−ａの前に、基板表面や内部の欠陥情報、光学特性情報（透過率等）、表面形態情報（表面粗さ、平坦度等）などが含まれる基板情報を取得する基板情報取得工程や、基板情報を保存する工程を設けても良い。また、工程１−ｂと工程１−ｃの間に、薄膜の欠陥情報や、光学特性情報（透過率、反射率、位相差等）、薄膜形成情報（成膜条件、膜応力等）、表面形態情報（表面粗さ、平坦度等）などが含まれる薄膜の膜情報を取得する膜情報取得工程や、膜情報を保存する工程を設けても良い。これらの工程を設ける場合、マスクブランク情報蓄積手段に、上記の基板情報及び／又は膜情報と、マスクブランクの識別情報とを対応させて記録・保存される。 In the mask blank manufacturing method described above, the substrate surface and internal defect information, optical property information (transmittance, etc.), surface form information (surface roughness, flatness, etc.), etc. are provided before step 1-a. You may provide the board | substrate information acquisition process which acquires the board | substrate information contained, and the process of preserve | saving board | substrate information. Further, between step 1-b and step 1-c, information on thin film defects, optical characteristic information (transmittance, reflectance, phase difference, etc.), thin film formation information (film formation conditions, film stress, etc.), surface You may provide the film | membrane information acquisition process which acquires the film | membrane information of the thin film containing morphological information (surface roughness, flatness, etc.), etc., and the process of preserve | storing film | membrane information. When these steps are provided, the above-described substrate information and / or film information and mask blank identification information are recorded and stored in the mask blank information storage means in association with each other.
また、マスク製造部門から返却されたマスクブランクに、レジストを再塗布・形成して作製されたマスクブランクに薄膜の膜情報をつけてマスク製造部門に提供する場合には、工程１−ｇと工程１−ｈとの間に、レジスト膜に接触していた薄膜の膜情報を再測定し、マスクブランク情報蓄積手段に記録・保存する工程を行うことが好ましい。再測定した薄膜の膜情報は、返却前における薄膜の膜情報と書き換えても良いし、返却前における薄膜の膜情報と関連付けて保存しても良い。
なお、ここで薄膜が複数積層している積層膜の場合、レジスト膜に接触していない基板側の薄膜の膜情報や、基板情報は、マスク製造部門から返却されたマスクブランク返却情報をもとに、先にマスク製造部門に提供した膜情報を引き出し、そのまま利用できるので、レジスト膜に接触していた薄膜の膜情報のみを再測定し、記録・保存すればよい。
In addition, when the mask blank returned from the mask manufacturing department is provided with the film information of the thin film on the mask blank produced by re-coating and forming a resist, the process 1-g and the process are performed. It is preferable to perform a process of re-measuring the film information of the thin film that has been in contact with the resist film and recording / storing it in the mask blank information storage means between 1 and h. The film information of the thin film measured again may be rewritten with the film information of the thin film before returning, or may be stored in association with the film information of the thin film before returning.
In the case of a laminated film in which a plurality of thin films are laminated, the film information of the thin film on the substrate side that is not in contact with the resist film and the substrate information are based on the mask blank return information returned from the mask manufacturing department. In addition, since the film information previously provided to the mask manufacturing department can be extracted and used as it is, only the film information of the thin film that has been in contact with the resist film need only be remeasured and recorded and stored.
［実施例］
精密研磨された合成石英ガラス基板の表面の欠陥検査を行って、基板の欠陥情報を取得した。また、ガラス基板表面の表面粗さや平坦度を測定し、表面形態情報取得した。これらの情報は、基板ごとにブランクス製造部門の端末のブランクス情報蓄積手段に記録・保存した。
つぎに、合成石英ガラス基板上にマスクパターンとなるモリブデンシリサイド窒化膜からなるハーフトーン膜を、スパッタリングにより形成した。
つぎに、ハーフトーン膜の欠陥検査を行ってハーフトーン膜の膜情報を取得した。膜情報としては、マスク製造工程でパターン不良となる可能性のある欠陥の位置情報（Ｘ座標、Ｙ座標）、欠陥のサイズ（サイズをランク別で表示することも可能）、欠陥の種類（ピンホール、パーティクル、その他）が、欠陥検査装置によって取得され、その結果をマスクブランク毎にブランクス製造部門の端末のブランクス情報蓄積手段に記録・保存した。
また、膜情報として分光光度計や位相差測定器で測定した透過率や位相差等の光学特性や表面粗さ測定機や平坦度測定機で測定した膜表面の表面粗さや平坦度等の表面形態情報などマスクブランク毎にブランクス情報蓄積手段に記録・保存してもよい。
[Example]
Defect inspection of the surface of the precisely polished synthetic quartz glass substrate was performed to obtain defect information of the substrate. Moreover, the surface roughness and flatness of the glass substrate surface were measured, and surface morphology information was acquired. These pieces of information were recorded and stored in the blank information storage means of the terminal of the blanks manufacturing department for each substrate.
Next, a halftone film made of a molybdenum silicide nitride film serving as a mask pattern was formed on the synthetic quartz glass substrate by sputtering.
Next, a defect inspection of the halftone film was performed to obtain film information of the halftone film. The film information includes position information (X coordinate, Y coordinate) of defects that may cause pattern defects in the mask manufacturing process, defect sizes (sizes can also be displayed by rank), defect types (pins) Holes, particles, etc.) were acquired by the defect inspection apparatus, and the results were recorded and stored in the blanks information storage means of the terminal of the blanks manufacturing department for each mask blank.
Also, as film information, optical characteristics such as transmittance and phase difference measured with a spectrophotometer or phase difference measuring instrument, and surface such as surface roughness and flatness measured with a surface roughness measuring instrument or flatness measuring instrument. For each mask blank such as form information, it may be recorded and stored in the blank information storage means.
なお、上記の位置情報は、ノッチマークを基準に、ガラス基板のサイズからガラス基板主表面の中心を算出してこれを基準点（Ｏ）とし、該基準点をとおりガラス基板の各辺に平行な線を仮想のＸ軸、Ｙ軸としたＸＹ座標系における各欠陥のＸ座標、Ｙ座標で保存される。ここで、上記のパーティクルとは、膜上又は膜中に粒状物質が付着した状態を指し、ピンホールは、いったん膜中に付着した粒状物質が抜け落ちた跡、すなわち、膜抜けの状態を指す。膜抜けは膜の下地の状態が確認できる完全に膜がない状態や、膜の下地の状態が確認できない局所的に膜厚が薄くなった状態の両方を指す。 The above positional information is based on the notch mark, and the center of the glass substrate main surface is calculated from the size of the glass substrate, which is used as a reference point (O), and is parallel to each side of the glass substrate through the reference point. Each line is stored as the X and Y coordinates of each defect in the XY coordinate system with the virtual X and Y axes as virtual lines. Here, the above-mentioned particles refer to a state in which particulate matter adheres on or in the film, and a pinhole refers to a trace that the particulate matter once adhered in the film has fallen off, that is, a state in which the film is missing. Film loss refers to both a state in which there is no complete film in which the state of the film base can be confirmed, and a state in which the film thickness is locally thinned in which the state of the film base cannot be confirmed.
つぎに、ハーフトーン膜上に、窒化クロム膜／炭化クロム膜／酸化窒化クロム膜の積層膜からなる反射防止機能付き遮光膜を、スパッタリングにより形成した。
つぎに、上記と同様に反射防止機能付き遮光膜の欠陥検査を行って遮光膜の膜情報を取得し、取得した遮光膜の膜情報を、マスクブランク毎にブランクス製造部門の端末のブランクス情報蓄積手段に記録・保存した。
ここで、上記と同様に、遮光膜の膜情報として、透過率や反射率の光学特性や、表面粗さや平坦度の表面形態情報などをマスクブランク毎にブランクス情報蓄積手段に記録・保存してもよい。
Next, a light-shielding film with an antireflection function composed of a laminated film of a chromium nitride film / chromium carbide film / chromium oxynitride film was formed on the halftone film by sputtering.
Next, in the same manner as described above, the defect inspection of the light shielding film with the antireflection function is performed to obtain the film information of the light shielding film, and the obtained film information of the light shielding film is stored for each mask blank in the blanks information storage of the blanks manufacturing department terminal. Recorded and stored in the means.
Here, similarly to the above, as the film information of the light shielding film, optical characteristics of transmittance and reflectance, surface roughness information of surface roughness and flatness, etc. are recorded and stored in the blank information storage means for each mask blank. Also good.
つぎに、回転塗布方法により、遮光膜上に化学増幅型レジスト（富士フィルムアーチ社製：ＦＥＰ１７１）を塗布・形成した後、加熱処理してＡｒＦエキシマレーザー露光用のレジスト膜付きハーフトーン型位相シフトマスクブランク（以下、マスクブランクと称す。）を複数枚作製した。
なお、ここで、レジスト膜の欠陥検査を行ってレジスト膜の膜情報を取得しても良い。その場合、取得したレジスト膜の膜情報は、上記と同様にブランクス製造部門の端末のマスクブランク毎にブランクス情報蓄積手段に記録・保存する。
Next, after applying and forming a chemically amplified resist (FEP171 manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) on the light-shielding film by a spin coating method, heat treatment is performed and halftone phase shift with a resist film for ArF excimer laser exposure is performed. A plurality of mask blanks (hereinafter referred to as mask blanks) were produced.
Here, resist film defect inspection may be performed to obtain film information of the resist film. In that case, the obtained film information of the resist film is recorded and stored in the blank information storage means for each mask blank of the terminal of the blanks manufacturing department in the same manner as described above.
つぎに、作製した複数枚のマスクブランクをブランクス収納ケースに収納した。ブランクス収納ケースには、固有のケース番号が付与されている。このケース番号は、スロット番号との組み合わせでマスクブランクを特定・識別する識別情報となる。ケース番号は、視認可能なものに限定されない。例えば、バーコード、磁気記録媒体、ＩＣチップ等のように、光学的又は磁気的に読み取り可能なものであってもよい。 Next, the produced several mask blank was accommodated in the blanks storage case. A unique case number is assigned to the blank storage case. This case number is identification information that identifies and identifies the mask blank in combination with the slot number. The case number is not limited to a visible number. For example, it may be optically or magnetically readable such as a barcode, a magnetic recording medium, an IC chip and the like.
ブランクス収納ケースは、蓋と外箱を有し、外箱の中には更に内箱が収納されるようになっている。内箱には、上方から下方に向けて複数のスロット（仕切り）が形成され、スロット間の溝に複数枚のマスクブランクが収納できるようになっている。スロットは、マスクブランク間の仕切りであるが、説明の便宜上、ブランクスを格納する溝部分をスロットと呼ぶ。例えば、５枚のマスクブランクを格納する溝がある場合、各溝に対応してスロット番号が付与され、それぞれをスロットＮｏ．１、スロットＮｏ．２、…スロットＮｏ．５と呼ぶ。 The blanks storage case has a lid and an outer box, and an inner box is further stored in the outer box. A plurality of slots (partitions) are formed in the inner box from the upper side to the lower side, and a plurality of mask blanks can be stored in the grooves between the slots. A slot is a partition between mask blanks, but for convenience of explanation, a groove portion for storing blanks is called a slot. For example, when there are grooves for storing five mask blanks, a slot number is assigned to each groove, and each slot No. 1, slot no. 2, ... Slot No. Call it 5.
ブランクス収納ケースに収納する各端末に記録・保存されたマスクブランクのレジスト膜形成情報と、薄膜の膜情報と、基板情報を、ブランクス製造部門のサーバに設けられるマスクブランク情報蓄積手段に記録・保存した。マスクブランク情報蓄積手段に記録・保存した具体的な情報は、ケース番号、スロット番号（この両者でマスクブランクを特定）、基板情報、薄膜の膜情報、マスクブランクに形成されているレジスト種（具体的には、ＦＥＰ１７１）、塗布・形成した日時、マスクブランク保管環境（乾燥剤あり、なし、窒素封入等）である。 Mask blank resist film formation information, thin film information, and substrate information recorded and stored in each terminal stored in the blank storage case are recorded and stored in the mask blank information storage means provided in the server of the blank manufacturing department. did. Specific information recorded and stored in the mask blank information storage means includes case number, slot number (both specify the mask blank), substrate information, thin film information, and resist type (specific) Specifically, FEP 171), date and time of application / formation, and mask blank storage environment (with or without desiccant, nitrogen sealing, etc.).
つぎに、ブランクス収納ケースに収納されたマスクブランクを、マスク製造部門に提供した。また、上記のマスクブランク情報蓄積手段に保存されている基板情報、薄膜の膜情報、レジスト膜形成情報を、通信回線を介してマスク製造部門に提供した。具体的には、ブランクス製造部門のサーバ及びマスク製造部門のサーバを、ネットワークを介して接続するとともに、ブランクス製造部門のサーバに、マスク製造部門に提供したマスクブランクのレジスト膜形成情報、薄膜の膜情報及び基板情報を保存し、マスク製造部門のサーバが、ブランクス製造部門のサーバにアクセスして納品されたマスクブランクのレジスト膜形成情報、薄膜の膜情報及び基板情報を入手した。 Next, the mask blank stored in the blank storage case was provided to the mask manufacturing department. In addition, the substrate information, the thin film information, and the resist film formation information stored in the mask blank information storage means are provided to the mask manufacturing department via a communication line. Specifically, the blanks manufacturing department server and the mask manufacturing department server are connected via a network, and the blank manufacturing department server provides the mask blank resist film formation information and the thin film film provided to the mask manufacturing department. The information and the substrate information were stored, and the mask manufacturing department server accessed the blanks manufacturing department server to obtain the mask blank resist film formation information, the thin film information, and the substrate information.
マスク製造部門では、納品されたマスクブランクと、ブランクス製造部門のサーバから入手したレジスト膜形成情報とを照合し、これらの情報を、マスク製造部門のサーバにあるマスクブランク使用状況蓄積手段のマスクブランク在庫リストに登録した。マスクブランク在庫リストに登録した具体的な情報は、個々のマスクブランクを特定するための識別情報（具体的には、ブランクス収納ケースのケース番号とスロット番号）、レジスト種（具体的には、ＦＥＰ１７１（富士フィルムアーチ社製 ポジ型化学増幅型レジスト））、レジスト膜を塗布・形成した日時、マスクブランク保管環境（ブランクス収納ケースでの保管環境と、マスク製造部門における保管環境）等である。 The mask manufacturing department collates the delivered mask blank with the resist film formation information obtained from the blanks manufacturing department server, and uses this information as the mask blank usage status storage means mask blank on the mask manufacturing department server. Registered in the inventory list. Specific information registered in the mask blank stock list includes identification information (specifically, case number and slot number of blank storage case) for identifying individual mask blanks, and resist type (specifically, FEP171). (Positive chemical amplification resist manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.)), date and time when the resist film was applied and formed, mask blank storage environment (storage environment in blank storage case, storage environment in mask manufacturing department), and the like.
マスク製造部門では、半導体製造者からの注文にしたがって、マスクを製造するために使用するマスクブランクをマスクブランク在庫リストの中から選択し、マスク製造工程に入る。このとき、選択したマスクブランクの情報は、マスクブランク在庫リストから削除する（あるいは、使用済み情報が付加される。）。 The mask manufacturing department selects a mask blank to be used for manufacturing a mask from the mask blank inventory list according to an order from a semiconductor manufacturer, and enters a mask manufacturing process. At this time, the information of the selected mask blank is deleted from the mask blank stock list (or used information is added).
つぎに、マスク製造部門では、未使用のマスクブランクを対象とし、マスクブランク在庫リストのレジスト膜形成情報及びマスクブランク保管環境をもとに、レジスト膜の感度変化を予測した。ＣＤ不良が発生しないレジスト膜の感度変化の許容範囲を求め、許容範囲を超える日時を予測し、マスクブランク在庫リストに保存した。具体的には、マスクブランク面内のＣＤ平均値の変動値が、１５ｎｍを許容範囲とした。 Next, in the mask manufacturing department, a change in the sensitivity of the resist film was predicted based on the resist film formation information on the mask blank inventory list and the mask blank storage environment, targeting an unused mask blank. The allowable range of the sensitivity change of the resist film in which the CD defect does not occur was obtained, the date and time exceeding the allowable range was predicted, and stored in the mask blank stock list. Specifically, the variation value of the CD average value in the mask blank surface is 15 nm.
マスク製造部門は、予め設定されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクがある場合、これをマスクブランク在庫リストの中で特定し、特定されたマスクブランクをブランクス製造部門に返却した。 When there is a mask blank whose sensitivity change of the preset resist film exceeds the allowable range, the mask manufacturing department identifies this in the mask blank inventory list and returns the specified mask blank to the blanks manufacturing department. .
マスク製造部門からブランクス製造部門にマスクブランクを返却する際には、マスクブランク返却リストを作成し、ブランクス製造部門にマスクブランクと共に提供した。マスクブランク返却リストは、返却するマスクブランクを収納するブランクス収納ケースに添付してもよいし、通信回線やサーバを介して提供しても良い。マスクブランク返却リストは、返却するマスクブランクを特定できる情報であれば良く、具体的には、マスク製造部門で受け入れたときに収納されていたブランクス収納ケースのケース番号と、スロット番号である。また、マスクブランク返却リストに、レジスト種の情報を入れても良い。 When returning the mask blank from the mask manufacturing department to the blank manufacturing department, a mask blank return list was created and provided to the blank manufacturing department together with the mask blank. The mask blank return list may be attached to a blank storage case that stores the mask blank to be returned, or may be provided via a communication line or a server. The mask blank return list only needs to be information that can identify the mask blank to be returned. Specifically, the mask blank return list includes a case number and a slot number of a blank storage case stored when the mask blank is received by the mask manufacturing department. In addition, resist type information may be entered in the mask blank return list.
ブランクス製造部門では、マスク製造部門から返却されたマスクブランクを、マスクブランク情報蓄積手段の中から特定した。
つぎに、マスクブランクに形成されているレジスト膜を剥離液（具体的には、アルカリ性溶媒）で剥離し、レジスト膜が剥離された遮光膜表面を洗浄処理した。
また、上記と同様に反射防止機能付き遮光膜の欠陥検査を行って、遮光膜の膜情報を取得し、取得した遮光膜の膜情報を、ブランクス製造部門の端末のブランク情報蓄積手段で特定したマスクブランクの情報として記録・保存した。
In the blanks manufacturing department, the mask blank returned from the mask manufacturing department was specified from the mask blank information storage means.
Next, the resist film formed on the mask blank was stripped with a stripping solution (specifically, an alkaline solvent), and the light-shielding film surface from which the resist film was stripped was washed.
Moreover, the defect inspection of the light shielding film with the antireflection function is performed in the same manner as described above, and the film information of the light shielding film is obtained, and the obtained film information of the light shielding film is specified by the blank information storage unit of the terminal of the blanks manufacturing department Recorded and saved as mask blank information.
つぎに、遮光膜上に再度レジスト膜を塗布・形成して、レジスト膜付きマスクブランクを作製した。作製したマスクブランクは、再度マスク製造部門に提供される。マスク製造部門に再度提供されたマスクブランクは、レジスト感度の変動が殆どないものであり、レジスト感度の変動によるＣＤ不良は発生しない。
なお、再度マスク製造部門に提供したマスクブランクに関する基板情報、薄膜の膜情報、レジスト膜形成情報は、情報を更新してマスク製造部門に提供する。ここで、マスク製造部門に提供する薄膜の膜情報のうち、ハーフトーン膜の膜情報は、先に提供したハーフトーン膜の膜情報をそのまま利用して提供することができる。また、遮光膜の膜情報については、再度欠陥検査し、更新した遮光膜の膜情報を提供することが好ましい。
Next, a resist film was applied and formed again on the light shielding film to produce a mask blank with a resist film. The produced mask blank is provided again to the mask manufacturing department. The mask blank provided again to the mask manufacturing department has almost no change in resist sensitivity, and no CD failure occurs due to the change in resist sensitivity.
Note that the substrate information, the thin film information, and the resist film formation information related to the mask blank provided again to the mask manufacturing department are updated and provided to the mask manufacturing department. Here, the film information of the halftone film among the film information of the thin film provided to the mask manufacturing department can be provided by using the film information of the previously provided halftone film as it is. As for the film information of the light shielding film, it is preferable to perform defect inspection again and provide updated film information of the light shielding film.
なお、ブランクス製造部門において、マスクブランクスの返却情報に基づき、マスク製造部門から返却されるマスクブランクを特定し、この特定したマスクブランクと同じ光学特性を有する薄膜（ハーフトーン膜や遮光膜）が形成された別の薄膜付き基板に新しくレジスト膜を形成してレジスト膜付きマスクブランクを作製するとともに、レジスト膜を形成したときの日付情報を保存し、このマスクブランクを、上記日付情報を含むレジスト膜形成情報等の情報とともにマスク製造部門に提供するようにしてもよい。 The blank manufacturing department identifies the mask blank returned from the mask manufacturing department based on the mask blank return information, and forms a thin film (halftone film or light-shielding film) having the same optical characteristics as the specified mask blank. A new resist film is formed on another substrate with a thin film to produce a mask blank with a resist film, and date information when the resist film is formed is stored, and this mask blank is used as a resist film containing the date information. It may be provided to the mask manufacturing department together with information such as formation information.
本発明は、レジスト膜付きマスクブランクの製造方法及びマスクブランク再生方法、ブランクス製造部門の端末やサーバ及びマスク製造部門の端末やサーバを含むマスクブランク管理システムに適用することができる。本発明を適用すると、露光用マスクの製造に際し、レジスト膜の感度変化に起因するＣＤ不良の発生を抑制でき、きわめて有用である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to a mask blank management system including a mask blank manufacturing method and a mask blank reproducing method, a blanks manufacturing department terminal and server, and a mask manufacturing department terminal and server. When the present invention is applied, the production of an exposure mask can suppress the occurrence of CD defects due to a change in sensitivity of the resist film, which is extremely useful.
１０ ブランクス製造部門の端末
１１ ブランクス製造部門のサーバ
２０ マスク製造部門の端末
２１ マスク製造部門のサーバ
３０ 通信回線
３２ ネットワーク
10 Blanks
Claims (17)
前記レジスト膜を前記薄膜上に形成した日付情報を含むレジスト膜形成情報を保存する工程と、
前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、
前記レジスト膜形成情報及び前記マスクブランクの対応関係に基づき、前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの前記レジスト膜を剥離する工程と、
前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、を有し、
前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程においては、前記マスクブランクに対応させて保存してある薄膜の膜情報を利用し、かつ、前記膜情報が、複数積層している積層膜のレジスト膜に接触しない基板側の膜情報及びレジスト膜に接触していた薄膜の膜情報を含む、
ことを特徴とするマスクブランクの製造方法。 A mask blank manufacturing method of forming a resist film on a thin film substrate having a thin film that becomes a mask pattern on a mask blank substrate,
Storing resist film formation information including date information of forming the resist film on the thin film;
Associating the resist film formation information with the mask blank;
A step of removing the resist based on the correspondence relationship between the film forming information and the mask blank, the resist film of the mask blank sensitivity change of a resist film formed on the mask blank has exceeded the permissible range,
Possess and forming again a resist film on the thin film peeling off the resist film,
In the step of forming the resist film again on the thin film, the film information of the thin film stored corresponding to the mask blank is used, and the film information is a stacked film resist film in which a plurality of layers are stacked. Including film information on the substrate side that is not in contact with the film and film information on the thin film that was in contact with the resist film,
A method for manufacturing a mask blank, characterized in that:
前記レジスト膜を前記薄膜上に形成したときの日付情報を含むレジスト膜形成情報を保存する工程と、
前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、
前記レジスト膜形成情報及び前記マスクブランクの対応関係に基づき、前記マスクブランクに形成されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの前記レジスト膜を剥離する工程と、
前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、を有し、
前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程においては、前記マスクブランクに対応させて保存してあるマスクブランク用基板の基板情報及び薄膜の情報を利用し、かつ、前記基板情報が、前記薄膜を剥離しないと得られない情報である、
ことを特徴とするマスクブランクの製造方法。 The thin-film substrate formed with the thin film to be a mask pattern on the mask blank substrate, a mask blank manufacturing method of forming a resist film on the thin film,
Storing resist film formation information including date information when the resist film is formed on the thin film;
Associating the resist film formation information with the mask blank;
A step of removing the resist based on the correspondence relationship between the film forming information and the mask blank, the resist film of the mask blank sensitivity change of a resist film formed on the mask blank has exceeded the permissible range,
Possess and forming again a resist film on the thin film peeling off the resist film,
In the step of forming the resist film again on the thin film, the substrate information of the mask blank substrate stored in correspondence with the mask blank and the information on the thin film are used, and the substrate information is obtained by using the thin film. It is information that cannot be obtained without peeling.
A method for manufacturing a mask blank, characterized in that:
前記レジスト膜について、レジスト膜の感度変化に影響を与える情報を含むレジスト膜形成情報を保存する工程と、
前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、
前記マスクブランクをマスク製造部門に提供する工程と、
前記レジスト膜形成情報及び前記マスクブランクの対応関係に基づき、前記マスク製造部門から返却されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの前記レジスト膜を剥離する工程と、
前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、を有し、
前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程においては、前記マスクブランクに対応させて保存してある薄膜の膜情報を利用し、かつ、前記膜情報が、複数積層している積層膜のレジスト膜に接触しない基板側の膜情報及びレジスト膜に接触していた薄膜の膜情報を含む、
ことを特徴とするマスクブランクの製造方法。 A mask blank manufacturing method of forming a resist film on a thin film substrate having a thin film that becomes a mask pattern on a mask blank substrate,
For the resist film, storing resist film formation information including information affecting the sensitivity change of the resist film;
Associating the resist film formation information with the mask blank;
Providing the mask blank to a mask manufacturing department;
Based on the correspondence relationship between the resist film formation information and the mask blank, the step of peeling the resist film of the mask blank whose sensitivity change of the resist film returned from the mask manufacturing department exceeded an allowable range;
Possess and forming again a resist film on the thin film peeling off the resist film,
In the step of forming the resist film again on the thin film, the film information of the thin film stored corresponding to the mask blank is used, and the film information is a stacked film resist film in which a plurality of layers are stacked. Including film information on the substrate side that is not in contact with the film and film information on the thin film that was in contact with the resist film
A method for manufacturing a mask blank, characterized in that:
前記レジスト膜について、レジスト膜の感度変化に影響を与える情報を含むレジスト膜形成情報を保存する工程と、
前記レジスト膜形成情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、
前記マスクブランクをマスク製造部門に提供する工程と、
前記レジスト膜形成情報及び前記マスクブランクの対応関係に基づき、前記マスク製造部門から返却されたレジスト膜の感度変化が許容範囲を超えたマスクブランクの前記レジスト膜を剥離する工程と、
前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、を有し、
前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程においては、前記マスクブランクに対応させて保存してあるマスクブランク用基板の基板情報及び薄膜の情報を利用し、かつ、前記基板情報が、前記薄膜を剥離しないと得られない情報である、
ことを特徴とするマスクブランクの製造方法。 A mask blank manufacturing method of forming a resist film on a thin film substrate having a thin film that becomes a mask pattern on a mask blank substrate,
For the resist film, storing resist film formation information including information affecting the sensitivity change of the resist film;
Associating the resist film formation information with the mask blank;
Providing the mask blank to a mask manufacturing department;
Based on the correspondence relationship between the resist film formation information and the mask blank, the step of peeling the resist film of the mask blank whose sensitivity change of the resist film returned from the mask manufacturing department exceeded an allowable range;
Possess and forming again a resist film on the thin film peeling off the resist film,
In the step of forming the resist film again on the thin film, the substrate information of the mask blank substrate stored in correspondence with the mask blank and the information on the thin film are used, and the substrate information is obtained by using the thin film. It is information that cannot be obtained without peeling.
A method for manufacturing a mask blank, characterized in that:
前記膜情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、を有することを特徴とする請求項１〜７記載のマスクブランクの製造方法。 Acquiring and storing thin film information relating to the specification of the mask blank during or after the formation of the thin film; and
Claim 1-7 mask blank manufacturing method according to, characterized in that and a step to correspond with said mask blank and the film information.
前記基板情報と前記マスクブランクとを対応させる工程と、を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。 Acquiring and storing substrate information of the mask blank substrate related to the mask blank specification; and
Method for producing a mask blank according to any one of claims 1 to 8, characterized in that and a step to correspond with said mask blank and the board information.
前記レジスト膜を剥離した前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程と、を有し、
前記薄膜上に再度レジスト膜を形成する工程において、前記マスクブランクに対応させて保存してある薄膜の膜情報及び／又はマスクブランク用基板の基板情報を利用し、かつ、前記膜情報が、複数積層している積層膜のレジスト膜に接触しない基板側の膜情報及びレジスト膜に接触していた薄膜の膜情報を含み、前記基板情報が、前記薄膜を剥離しないと得られない情報である、
ことを特徴とするマスクブランクの再生方法。 Based on the resist film formation information including date information on which the resist film is formed on the mask blank substrate, the mask blank in which the sensitivity change of the resist film formed on the mask blank exceeds the allowable range is specified, and the specified mask blank Removing the resist film formed on,
Possess and forming again a resist film on the thin film peeling off the resist film,
In the step of forming a resist film again on the thin film, the film information of the thin film stored in correspondence with the mask blank and / or the substrate information of the mask blank substrate is used, and the film information includes a plurality of pieces of film information. look including the film information of the thin film was in contact with the film information and the resist film on the substrate side not in contact with the resist film of the laminated film are laminated, the substrate information is the non as not obtained information peeling the thin film ,
A method for reproducing a mask blank, characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005321261A JP5180433B2 (en) | 2004-11-08 | 2005-11-04 | Mask blank manufacturing method, mask manufacturing method, and mask blank regeneration method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004323444 | 2004-11-08 | ||
| JP2004323444 | 2004-11-08 | ||
| JP2005321261A JP5180433B2 (en) | 2004-11-08 | 2005-11-04 | Mask blank manufacturing method, mask manufacturing method, and mask blank regeneration method |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006154807A JP2006154807A (en) | 2006-06-15 |
| JP2006154807A5 JP2006154807A5 (en) | 2010-09-02 |
| JP5180433B2 true JP5180433B2 (en) | 2013-04-10 |
Family
ID=36633110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005321261A Active JP5180433B2 (en) | 2004-11-08 | 2005-11-04 | Mask blank manufacturing method, mask manufacturing method, and mask blank regeneration method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5180433B2 (en) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62210467A (en) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Hoya Corp | Coating method for resist |
| JP3760086B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-03-29 | 株式会社ルネサステクノロジ | Photomask manufacturing method |
| JP2002131883A (en) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing photomask, and photomask |
| US6543617B2 (en) * | 2001-03-09 | 2003-04-08 | International Business Machines Corporation | Packaged radiation sensitive coated workpiece process for making and method of storing same |
| JP3934919B2 (en) * | 2001-11-13 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | Mask blank selection method, exposure mask formation method, and semiconductor device manufacturing method |
| JP2004109557A (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Method of storing mask blanks with resist film |
| JP4520263B2 (en) * | 2004-09-16 | 2010-08-04 | Ｈｏｙａ株式会社 | Mask blank providing system, mask blank providing method, mask blank transparent substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, and mask manufacturing method |
-
2005
- 2005-11-04 JP JP2005321261A patent/JP5180433B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006154807A (en) | 2006-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7941767B2 (en) | Photomask management method and photomask wash limit generating method | |
| JP4750194B2 (en) | Mask blank information acquisition method and system, mask blank information provision method, transfer mask production support and production method, and mask blank production and provision method | |
| JP3768786B2 (en) | Photomask manufacturing method, photomask blank manufacturing method, and photomask regeneration method | |
| KR100442516B1 (en) | Exposure method and exposure system for the same | |
| US7451935B2 (en) | Photoresist management system | |
| KR101171136B1 (en) | Mask blank manufacturing method | |
| JP2002008962A (en) | Reference plate, aligner, device manufacturing system, device manufacturing method, semiconductor manufacturing plant and maintenance method of the aligner | |
| JP5180433B2 (en) | Mask blank manufacturing method, mask manufacturing method, and mask blank regeneration method | |
| JP4170569B2 (en) | Board selection device | |
| JP4520263B2 (en) | Mask blank providing system, mask blank providing method, mask blank transparent substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, and mask manufacturing method | |
| JPH11237730A (en) | Mask and control device thereof | |
| US8883373B2 (en) | Method for manufacturing photo mask, method for manufacturing semiconductor device, and program | |
| US20240143957A1 (en) | Method and system for imprinting unique identifiers on semiconductor dies | |
| JP2002050556A (en) | Aligner | |
| JP2009105237A (en) | Substrate for reflection mask, and manufacturing method of substrate for reflection mask | |
| JP2001281431A (en) | Diffraction optical element, aligner, method of manufacturing for device, and method of maintaining for semiconductor manufacturing factory and aligner | |
| JP2001203142A (en) | Aligner |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081031 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100721 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110329 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110525 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120426 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130111 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5180433 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |