JP5039594B2 - Review device, inspection area setting support system, and defect image acquisition method - Google Patents

Review device, inspection area setting support system, and defect image acquisition method Download PDF

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Description

本発明は、半導体ウェハの検出された欠陥を高倍率で撮像するレビュー装置,レビュー装置における欠陥の検出を支援する検査領域設定支援システム,レビュー装置における欠陥の画像取得方法に関する。   The present invention relates to a review apparatus that images a detected defect on a semiconductor wafer at high magnification, an inspection area setting support system that supports detection of a defect in the review apparatus, and a defect image acquisition method in the review apparatus.

半導体製造における半導体ウェハへの回路パターンの形成工程においては、製造不良や異物付着などの欠陥の発生が避けがたく、これらの製造不良や異物付着などの欠陥検査及び欠陥検出後のレビューを行うために、白色光を照射し光学画像を用いて複数のLSIの同種の回路パターンを比較し欠陥を抽出する光学式パターン検査装置や、走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope)の技術を応用して、光学画像よりも分解能の高い電子線画像を用いて回路パターンを比較し欠陥を抽出するSEM式パターン検査装置や、検査装置で検出された欠陥の拡大像を取得して欠陥の特徴量に基づいて分類する欠陥レビュー装置(以下レビュー装置と呼ぶ)が実用化されている。   In the process of forming circuit patterns on semiconductor wafers in semiconductor manufacturing, defects such as manufacturing defects and adhesion of foreign substances are unavoidable, and inspections for defects such as manufacturing defects and adhesion of foreign substances and reviews after defect detection are performed. In addition, by applying the technology of optical pattern inspection equipment and scanning electron microscope (Scanning Electron Microscope) that irradiates white light and uses optical images to compare the same type of circuit patterns of multiple LSIs and extract defects, An SEM pattern inspection device that compares circuit patterns using an electron beam image with higher resolution than an optical image and extracts defects, or an enlarged image of a defect detected by the inspection device, and based on the feature amount of the defect A defect review device for classification (hereinafter referred to as a review device) has been put into practical use.

レビュー装置では、外観検査装置において検出された、欠陥レビュー時の欠陥位置の特定の際、(1)隣接チップにおいて参照画像を取得し差分画像により欠陥を検出するモード(以下ダイ検査モードと呼ぶ)、(2)繰り返しパターン領域において繰り返しパターンの差分画像により欠陥を検出するモード(以下セル検査モードと呼ぶ)、前記(1),(2)のモードの組合せで欠陥を検出するモード(以下混合検査モードと呼ぶ)のいずれかを使用し欠陥位置の特定を行い、前記特定位置に移動後、高倍率で欠陥画像を取得し、取得画像の表示を行い、レビューを実施している。   In the review device, when specifying the defect position at the time of defect review detected by the appearance inspection device, (1) a mode in which a reference image is acquired in an adjacent chip and a defect is detected by a difference image (hereinafter referred to as a die inspection mode). (2) A mode in which a defect is detected from a repetitive pattern difference image in a repetitive pattern region (hereinafter referred to as a cell inspection mode), and a mode in which a defect is detected by a combination of the modes (1) and (2) (hereinafter referred to as a mixed inspection). The defect position is specified using any one of the modes), and after moving to the specific position, the defect image is acquired at a high magnification, the acquired image is displayed, and the review is performed.

現在のレビュー装置においては、パターン検査装置で検出した欠陥レビューを実施する場合の欠陥位置の特定の際、パターン検査装置で検出された欠陥が、セル検査モードでの欠陥検出が可能な、繰り返しパターン上に存在するのか、セル検査モードでは欠陥検出が不可能な、非繰り返しパターン上に存在するかの判定ができない。このため、レビュー装置においては、欠陥検出を欠陥検出の時間が短時間ですむセル検査モードで行い、セル検査モードでの欠陥検出が失敗した場合、非繰り返しパターン上の欠陥と判定し、セル検査モードの後にダイ検査モードを使用して欠陥検出を行う混合検査モードが使用されている。しかし、この欠陥検出方法では、欠陥の存在する位置にかかわらず、一度セル検査モードでの欠陥検出を行ってしまうため、非繰り返しパターン上に欠陥が多く存在すると、欠陥レビューの欠陥検出のスループットが低下してしまうという問題があった。   In the current review device, when the defect position is detected when performing the defect review detected by the pattern inspection device, the defect detected by the pattern inspection device can be detected in the cell inspection mode. It cannot be determined whether it exists on the non-repeated pattern, which cannot be detected in the cell inspection mode. For this reason, in the review device, defect detection is performed in a cell inspection mode that requires a short time for defect detection, and when defect detection in the cell inspection mode fails, it is determined as a defect on a non-repeated pattern, and cell inspection is performed. A mixed inspection mode in which defect detection is performed using a die inspection mode after the mode is used. However, in this defect detection method, defect detection in the cell inspection mode is performed once regardless of the position where the defect exists, so if there are many defects on the non-repeated pattern, the defect detection throughput of the defect review is increased. There was a problem of being lowered.

半導体ウェハへ回路パターンを転写するためのマスクの検査については、マスクのパターンの設計基準による違いを考慮して、パターンの異なる領域ごとに欠陥の検出基準を変えて欠陥を検出する技術が、特許文献1に記載されている。しかしながら、上述した検査モードの違いにより、欠陥の検出が可能であるか否かについては、言及されていない。   Regarding the inspection of masks for transferring circuit patterns to semiconductor wafers, a technology that detects defects by changing the defect detection criteria for different areas of the pattern in consideration of differences in mask pattern design criteria is patented. It is described in Document 1. However, no mention is made as to whether or not a defect can be detected due to the difference in the inspection modes described above.

また、繰り返しパターンの代表的領域であるメモリ領域においては、メモリ領域の端部に欠陥が多く発生することが知られている。この場合、繰り返しパターンの領域に非繰り返しパターンの領域が隣接している場合、セル検査モードで欠陥検出したときに、非繰り返しパターンを欠陥と認識してしまう可能性があり、欠陥レビューの作業効率が低下する問題が発生する。   Further, it is known that many defects occur at the end of the memory area in the memory area, which is a representative area of the repetitive pattern. In this case, if a non-repeated pattern region is adjacent to a repetitive pattern region, the non-repeated pattern may be recognized as a defect when a defect is detected in the cell inspection mode. The problem of lowering occurs.

特開平2−236406号公報JP-A-2-236406

本発明の目的は、上記従来の問題点を解決し、レビュー装置における混合検査モードでの欠陥検出処理の改良により、誤欠陥検出の防止と、欠陥レビュー作業のスループット向上を得ることである。   An object of the present invention is to solve the above-described conventional problems, and to improve the defect detection processing in the mixed inspection mode in the review apparatus, thereby preventing erroneous defect detection and improving the throughput of defect review work.

上記目的を達成するために、本発明の実施態様は、半導体デバイスが複数個のダイとして形成されるウェハの欠陥を観察するレビュー装置において、ダイの設計レイアウトパターンを記憶する記憶手段と、設計レイアウトパターンを表示するディスプレイと、該ディスプレイに表示された設計レイアウトパターンの一部の領域を指定する入力ツールとを備え、入力ツールにより設定された設計レイアウトパターンの一部の領域をダイにおける欠陥検出とは異なる条件で欠陥を検出することを特徴とする。   To achieve the above object, according to an embodiment of the present invention, there is provided a review device for observing a defect of a wafer in which a semiconductor device is formed as a plurality of dies, a storage means for storing a design layout pattern of the die, and a design layout. A display for displaying a pattern, and an input tool for designating a partial area of the design layout pattern displayed on the display, and detecting a defect in the die for a partial area of the design layout pattern set by the input tool Is characterized by detecting defects under different conditions.

また、本発明の実施態様は、半導体デバイスが複数個のダイとして形成されるウェハの欠陥を観察するレビュー装置に接続される検査領域設定支援システムにおいて、ダイの設計レイアウトパターンを記憶する記憶手段と、設計レイアウトパターンを表示するディスプレイと、該ディスプレイに表示された設計レイアウトパターンの一部の領域を指定する入力ツールとを備え、ダイに形成される回路パターンのうち、繰返し性を有する複数のパターンのひとつの単位をセルとするとき、ディスプレイに表示された設計レイアウトパターンのうちのセル領域の一部が入力ツールで設定されることにより、セル領域の一部がセル検査領域として矩形の枠で表示され、該設定されたセル検査領域をレビュー装置へ送信することを特徴とする。   According to an embodiment of the present invention, there is provided a storage means for storing a die design layout pattern in an inspection area setting support system connected to a review apparatus for observing defects on a wafer in which a semiconductor device is formed as a plurality of dies. A plurality of patterns having a repeatability among circuit patterns formed on a die, comprising: a display for displaying a design layout pattern; and an input tool for designating a partial area of the design layout pattern displayed on the display. When one unit is a cell, a part of the cell area in the design layout pattern displayed on the display is set with the input tool, so that a part of the cell area is a rectangular frame as a cell inspection area. The displayed and set cell inspection area is transmitted to the review apparatus.

また、本発明の実施態様は、半導体デバイスが複数個のダイとして形成されるウェハの欠陥を観察するレビュー装置における欠陥の画像取得方法において、ダイに形成される回路パターンのうち、繰返し性を有する複数のパターンのひとつの単位をセルとするとき、該セルの領域内に、外観検査装置から送付された欠陥座標が存在するか否かを判定し、存在する場合は、セルの領域について欠陥検出を行い、存在しない場合は、ダイの領域について欠陥検出を行うことを特徴とする。   In addition, according to an embodiment of the present invention, in a defect image acquisition method in a review apparatus for observing defects on a wafer in which a semiconductor device is formed as a plurality of dies, the circuit device has repeatability among circuit patterns formed on the dies. When one unit of a plurality of patterns is a cell, it is determined whether or not there is a defect coordinate sent from the appearance inspection apparatus in the cell area, and if it exists, a defect detection is performed for the cell area. If there is no defect, defect detection is performed on the die area.

本発明によれば、レビュー装置における混合検査モードでの欠陥検出処理の改良により、誤欠陥検出の防止と、欠陥レビュー作業のスループット向上を得ることができる。   According to the present invention, by improving the defect detection process in the mixed inspection mode in the review apparatus, it is possible to prevent detection of erroneous defects and improve the throughput of defect review work.

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。レビュー装置は、はじめに検査装置から送られた半導体ウェハ上の欠陥の座標に基づいて、低倍率で欠陥を検出し、続いて高倍率で欠陥を撮像して、欠陥の特徴を確認する装置である。低倍率で欠陥を検出する場合には、パターンの繰り返し性を利用して、欠陥のある画像データと、この画像と同じパターンであって欠陥のない画像データ同士を比較すると、欠陥だけが抽出でき、欠陥の有無がわかる。半導体ウェハには、同じ形状のダイが複数形成され、ひとつのダイには、メモリマットなどの、同じパターンを繰り返すセルとよばれる領域があり、ダイにおける欠陥検出と、セルにおける欠陥検出とを使い分けると、時間的な効率がよい。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The review device is a device that first detects defects at a low magnification based on the coordinates of the defects on the semiconductor wafer sent from the inspection device, then images the defects at a high magnification, and confirms the characteristics of the defects. . When detecting defects at a low magnification, by using the repeatability of the pattern and comparing the image data with a defect with image data that has the same pattern and no defect, only the defect can be extracted. You can see if there is a defect. A plurality of dies having the same shape are formed on a semiconductor wafer, and one die has a region called a cell that repeats the same pattern, such as a memory mat, and uses a defect detection in a die and a defect detection in a cell separately. And time efficiency is good.

図1は、欠陥レビュー時における欠陥画像取得の手順を示すフローチャートであり、ひとつの欠陥について、図1に示す手順が実行され、複数の欠陥についてこれが繰り返される。後述する検査領域設定支援システムで、セル検査モードで欠陥を検出する対象領域が作成され、レビュー装置へ送られる。レビュー装置は、外観検査装置において検出された欠陥座標が、セル検査モードでの欠陥検出が可能な上記対象領域内に存在するのか、領域外に存在するのかを判定し、領域内であれば、セル検査モードを、領域外であればダイ検査モードを選択する(ステップ10)。欠陥がセル検査モードでの欠陥検出が可能な領域外に存在する場合でも、従来は、低倍でのセル検査モードでの欠陥判定処理を行っていたが、この判定により、低倍でのセル検査モードを実行せずにダイ検査モードでの欠陥検出処理を行うことで、欠陥検出に要する時間を短縮することができる。   FIG. 1 is a flowchart showing a procedure for acquiring a defect image at the time of defect review. The procedure shown in FIG. 1 is executed for one defect, and this is repeated for a plurality of defects. In an inspection area setting support system, which will be described later, a target area for detecting defects in the cell inspection mode is created and sent to the review apparatus. The review device determines whether the defect coordinates detected in the appearance inspection device are present in the target region where defects can be detected in the cell inspection mode or outside the region. If the cell inspection mode is out of the area, the die inspection mode is selected (step 10). Even if a defect exists outside the region where defect detection is possible in the cell inspection mode, conventionally, the defect determination processing was performed in the cell inspection mode at a low magnification. By performing the defect detection process in the die inspection mode without executing the inspection mode, the time required for defect detection can be shortened.

低倍欠陥検出にセル検査モードが選択された場合、外観検査装置から送られた欠陥座標位置にステージを移動する(ステップ11)。ここで低倍での欠陥位置のフォーカス合せを行い(ステップ12)、その後、低倍欠陥画像取得を行い(ステップ13)、その取得画像からレビュー装置上での欠陥座標の判定を行う(ステップ14)。外観検査装置から送られた欠陥座標位置と、レビュー装置でその欠陥の画像を取得したときの座標位置との間には誤差が存在するので、レビュー装置でその欠陥の高倍画像を撮像するためには、座標位置の補正が必要である。ステップ11からステップ14の動作で決定した欠陥座標位置へ検査試料を移動し(ステップ21)、高倍欠陥画像の検出のためのフォーカス合せを行い(ステップ22)、高倍欠陥画像の取得を行い(ステップ23)、欠陥検出処理を完了する(ステップ24)。   When the cell inspection mode is selected for low-definition defect detection, the stage is moved to the defect coordinate position sent from the appearance inspection apparatus (step 11). Here, the defect position is focused at a low magnification (step 12), and then a low magnification defect image is acquired (step 13), and the defect coordinates on the review apparatus are determined from the acquired image (step 14). ). Since there is an error between the defect coordinate position sent from the appearance inspection device and the coordinate position when the image of the defect was acquired by the review device, in order to capture a high-magnification image of the defect with the review device Requires correction of the coordinate position. The inspection sample is moved to the defect coordinate position determined by the operation from step 11 to step 14 (step 21), focus adjustment for detection of the high-magnification defect image is performed (step 22), and the high-magnification defect image is acquired (step). 23) and the defect detection process is completed (step 24).

次に、ダイ検査モードが選択された場合について説明する。低倍欠陥検出にダイ検査モードが選択された場合、ダイ検査モードにおける参照画像取得位置へ検査試料を移動し(ステップ15)、参照画像取得のフォーカス合せを行い(ステップ16)、ダイ検査モードでの低倍欠陥画像取得を行う(ステップ17)。ダイ検査モードでの欠陥画像取得は、参照画像と検査対象のダイの画像とを比較することにより、欠陥を検出する。外観検査装置から送られた欠陥座標位置が存在するダイへ試料を移動し(ステップ18)、低倍欠陥画像取得を行い(ステップ19)、取得した欠陥を含むダイ画像と参照画像とを比較して、欠陥座標の判定を行う(ステップ20)。その後、欠陥座標位置へ検査試料を移動し(ステップ21)、高倍像検出のためのフォーカス合せを行い(ステップ22)、高倍欠陥画像の取得を行い(ステップ23)、欠陥検出処理を完了する(ステップ24)。   Next, a case where the die inspection mode is selected will be described. When the die inspection mode is selected for detecting the low-magnification defect, the inspection sample is moved to the reference image acquisition position in the die inspection mode (step 15), the reference image acquisition is focused (step 16), and the die inspection mode is selected. A low-magnification defect image is acquired (step 17). In the defect inspection in the die inspection mode, the defect is detected by comparing the reference image with the image of the inspection target die. The sample is moved to the die having the defect coordinate position sent from the appearance inspection apparatus (step 18), the low-magnification defect image is acquired (step 19), and the die image including the acquired defect is compared with the reference image. Then, the defect coordinates are determined (step 20). Thereafter, the inspection sample is moved to the defect coordinate position (step 21), focusing for high-magnification image detection is performed (step 22), a high-magnification defect image is acquired (step 23), and the defect detection process is completed (step 23). Step 24).

図2は、検査領域設定支援システムの構成図である。検査領域設定支援システム2は、レビュー装置に接続されたり、レビュー装置本体に内蔵されたりして、レビュー装置の欠陥検出のスループットを向上させることができる。図2に示した検査領域設定支援システム2は、レビュー装置に接続された場合の一例であり、設計レイアウトデータを表示するディスプレイ3と、設計レイアウトデータの保存や設定座標データの保存ができる制御コンピュータ4と、オペレータが指示を入力する入力ツール43とを備えている。設計レイアウトデータは、あらかじめ制御コンピュータ4へ記憶させておいたり、図示しないネットワークを介して、データベースからロードして入手する。   FIG. 2 is a configuration diagram of the inspection area setting support system. The inspection area setting support system 2 can be connected to the review apparatus or built in the review apparatus body to improve the defect detection throughput of the review apparatus. The inspection area setting support system 2 shown in FIG. 2 is an example when connected to a review device, and includes a display 3 that displays design layout data, and a control computer that can store design layout data and set coordinate data. 4 and an input tool 43 for an operator to input an instruction. The design layout data is stored in advance in the control computer 4 or is obtained by loading from a database via a network (not shown).

制御コンピュータ4は、設計レイアウトデータを記憶する記憶手段40,指定座標データを記憶する記憶手段41,検査装置での検査結果を記憶する記憶手段42,ディスプレイ3において機能選択や座標指定を行うオペレータの指示の入力ツール43を有している。   The control computer 4 includes a storage means 40 for storing design layout data, a storage means 41 for storing designated coordinate data, a storage means 42 for storing inspection results in the inspection apparatus, and an operator who performs function selection and coordinate designation on the display 3. An instruction input tool 43 is provided.

ディスプレイ3は、設計レイアウトデータを表示する画面30,画面30に表示する設計レイアウトデータを選択するデータ選択部31,表示倍率変更,ガイドマップ表示,設計セル枠表示,領域座標データ確認画面表示などの操作を選択する処理選択部32,操作モードおよび表示部上のマウス位置の座標情報を表示するステータス表示部33を有している。   The display 3 includes a screen 30 for displaying design layout data, a data selection unit 31 for selecting design layout data to be displayed on the screen 30, operations such as display magnification change, guide map display, design cell frame display, and area coordinate data confirmation screen display. And a status display section 33 for displaying operation mode and coordinate information of the mouse position on the display section.

ディスプレイ3の画面30には、記憶手段40に保存された設計レイアウトデータを任意の倍率で表示したり、前記表示中の設計レイアウトデータの任意の領域を表示でき、制御コンピュータ4に接続されているマウス等の入力ツール43で、これらの表示を指示できる。   On the screen 30 of the display 3, the design layout data stored in the storage means 40 can be displayed at an arbitrary magnification, and an arbitrary area of the design layout data being displayed can be displayed, and is connected to the control computer 4. These displays can be instructed by an input tool 43 such as a mouse.

図3,図4は、ディスプレイ3に設計レイアウトデータを表示した画面図である。また、図5は、設計レイアウトデータ上で領域を設定した状態を示した画面図、図6は、設計レイアウトデータ上で設定した領域データを表示する画面図である。図3に示す画面30の、設計レイアウトデータの表示の外には、設計レイアウトデータの名称の表示領域31と、処理選択部32が設けられている。処理選択部32には、検査領域を選択するための「セル枠」ボタン34,ダイの設計レイアウトデータの全体を表示させる「ガイドマップ」ボタン35,設計レイアウトデータの表示を拡大したり縮小したりする「拡大・縮小」ボタン36,領域を設定する際に使用する「領域設定」ボタン37が表示されている。   3 and 4 are screen views in which design layout data is displayed on the display 3. FIG. 5 is a screen diagram showing a state where an area is set on the design layout data, and FIG. 6 is a screen diagram displaying the area data set on the design layout data. In addition to the display of the design layout data on the screen 30 shown in FIG. 3, a display area 31 for the name of the design layout data and a process selection unit 32 are provided. The process selection unit 32 has a “cell frame” button 34 for selecting an inspection area, a “guide map” button 35 for displaying the entire design layout data of the die, and the display of the design layout data is enlarged or reduced. An “enlargement / reduction” button 36 and an “area setting” button 37 used for setting an area are displayed.

次に、画面30における設計レイアウトデータ上での領域指定方法に関して説明する。検査領域の設定を行う場合は、処理選択部32の「領域設定」ボタン37をクリックして、図4,図5に示すように、画面上で領域を指定する方法と、図6に示すように、座標を入力して指定する方法とがある。   Next, a method for designating an area on the design layout data on the screen 30 will be described. When setting the inspection area, a method of specifying an area on the screen as shown in FIGS. 4 and 5 by clicking the “area setting” button 37 of the process selection unit 32, as shown in FIG. There is a method of inputting and specifying coordinates.

図4は、画面30に、下方の領域に繰り返しパターンが、その他の領域に不規則な非繰り返しパターンが表示されたケースを示している。繰り返しパターンの領域に欠陥座標が例えばマーク53で表示されており、この領域を検査対象とするために、左下と右上の2箇所とマウスのポインタで指定して、セル領域が設定され、矩形のセル枠52で表示される。   FIG. 4 shows a case where a repetitive pattern is displayed in the lower area and an irregular non-repetitive pattern is displayed in the other areas on the screen 30. Defect coordinates are displayed in the repetitive pattern area, for example, by a mark 53, and in order to make this area to be inspected, a cell area is set by specifying with two places on the lower left and upper right and the mouse pointer. Displayed in a cell frame 52.

図3に示す画面30の「ガイドマップ」ボタン35をクリックすると、設計レイアウトデータ上に、図5に示す、全体レイアウトの画像60が表示される。この全体レイアウト60に、画面30に拡大または、縮小表示されている領域61が表示され、画面30に表示されている領域の認識を可能としている。また、この全体レイアウト60に表示されている領域61をマウスを移動させて、画面30に表示している設計レイアウトデータを移動させることも可能となっている。このように、画面30に表示している設計レイアウトデータの拡大または縮小を行い、設計レイアウトパターンの全体を確認しながら、詳細な設定が可能となっている。   When the “guide map” button 35 on the screen 30 shown in FIG. 3 is clicked, an image 60 of the entire layout shown in FIG. 5 is displayed on the design layout data. An area 61 that is enlarged or reduced on the screen 30 is displayed in the overall layout 60, and the area displayed on the screen 30 can be recognized. It is also possible to move the design layout data displayed on the screen 30 by moving the mouse in the area 61 displayed in the overall layout 60. In this way, detailed setting is possible while enlarging or reducing the design layout data displayed on the screen 30 and confirming the entire design layout pattern.

図3に示す画面30の「領域設定」ボタン37をクリックすると、図6の領域データ確認画面6が表示される。座標エリア62の入力ボックスに、座標値を入力して、欠陥検出の領域を設定することが可能である。また、座標リスト63が表示され、図4に示した方法も含めて今まで設定された領域の座標の一覧が表示される。領域の座標を設定した後、「Save」ボタン65をクリックすることにより、設定したデータが制御コンピュータ4の記憶手段41に保存される。また、座標リスト63に表示されている設定座標データを、マウスのクリック等で選択し、「Delete」ボタン64をクリックすると、その座標データが削除される。「Cancel」ボタン66をクリックすると、図3に示した画面に戻る。   When the “area setting” button 37 on the screen 30 shown in FIG. 3 is clicked, the area data confirmation screen 6 in FIG. 6 is displayed. It is possible to set a defect detection area by inputting a coordinate value in an input box of the coordinate area 62. Also, a coordinate list 63 is displayed, and a list of coordinates of the area set up to now including the method shown in FIG. 4 is displayed. After setting the coordinates of the area, the set data is saved in the storage means 41 of the control computer 4 by clicking the “Save” button 65. Further, when the set coordinate data displayed in the coordinate list 63 is selected by clicking the mouse or the like and the “Delete” button 64 is clicked, the coordinate data is deleted. When the “Cancel” button 66 is clicked, the screen shown in FIG. 3 is restored.

図7は、設計レイアウトデータ上で領域を設定した状態を示した画面図であり、画面30に、繰り返しパターン領域70と、非繰り返しパターン領域71が隣接している場合が表示されている。セル検査モードの場合には、セル検査モード設定領域72がセル検査の領域になる。一方、この画面で、セル検査モード設定領域72の一部であって、繰り返しパターン領域70と非繰り返しパターン領域71との境界に欠陥座標がマーク74で表示されている場合、セル検査モード設定領域72を設定した場合のセル検査モードでは欠陥が検出できない。また、ダイ検査モードでは、このひとつの欠陥を検出するために、画面30全体を検査対象とするので、時間がかかるとともに、微細な欠陥の場合には、ダイ検査モードの倍率では検出できない可能性がある。そこで、マーク74で示される欠陥を含むような領域を欠陥検出設定領域73として設定する。これにより、セル検査モード設定領域72よりも小さな範囲を検査するので、セル検査モードでは検出できず、ダイ検査モードでは時間がかかってしまう欠陥の検出が可能になり、スループットが向上する。   FIG. 7 is a screen diagram showing a state in which an area is set on the design layout data. The screen 30 shows a case where the repeated pattern area 70 and the non-repeated pattern area 71 are adjacent to each other. In the case of the cell inspection mode, the cell inspection mode setting area 72 is a cell inspection area. On the other hand, when defect coordinates are displayed as marks 74 at the boundary between the repeated pattern region 70 and the non-repeated pattern region 71 on this screen, which is a part of the cell inspection mode setting region 72, the cell inspection mode setting region 72 In the cell inspection mode when 72 is set, a defect cannot be detected. Further, in the die inspection mode, since the entire screen 30 is an inspection target in order to detect this single defect, it takes time, and in the case of a minute defect, there is a possibility that it cannot be detected with the magnification of the die inspection mode. There is. Therefore, an area including the defect indicated by the mark 74 is set as the defect detection setting area 73. Thereby, since a range smaller than the cell inspection mode setting area 72 is inspected, it becomes possible to detect a defect that cannot be detected in the cell inspection mode but takes time in the die inspection mode, and the throughput is improved.

ダイの設計レイアウトデータを用いずに検査領域を設定する方法として、実際の画像を表示させて、セル検査モードの領域を指定してもよいが、電子顕微鏡の撮像倍率から、ひとつの画像の大きさはせいぜい0.1mm程度であるのに対して、ダイの大きさは10mm程度であり、一度にダイ全体の画像を撮像することはできず、ダイのレイアウトを得るためには多くの撮像が必要である。これに対して、設計レイアウトデータはダイの全体のレイアウトであるので、全体の表示,細部の表示などのデータの加工が容易である利点がある。   As a method of setting the inspection area without using the die design layout data, the area of the cell inspection mode may be specified by displaying an actual image. The size of the die is about 10 mm at most, while it is about 0.1 mm at most, so it is not possible to take an image of the entire die at one time. is necessary. On the other hand, since the design layout data is the entire layout of the die, there is an advantage that data processing such as display of the entire display and display of details is easy.

以上述べたように、本発明によれば、レビュー装置における混合検査モードでの欠陥検出処理の改良により、誤欠陥検出の防止と、欠陥レビュー作業のスループット向上を得ることができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to prevent detection of erroneous defects and improve the throughput of defect review work by improving the defect detection process in the mixed inspection mode in the review apparatus.

欠陥画像取得の手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the procedure of defect image acquisition. 検査装置用検査領域設定支援システムの構成図。The block diagram of the test | inspection area setting assistance system for test | inspection apparatuses. 設計レイアウトデータを表示した状態を示した画面図。The screen figure which showed the state which displayed design layout data. 設計レイアウトデータ表示を示した画面図。The screen figure which showed the design layout data display. 設計レイアウトデータ上で領域を設定した状態を示した画面図。The screen figure which showed the state which set the area | region on design layout data. 設計レイアウトデータ上で設定した領域データを表示する画面図。The screen figure which displays the area | region data set on design layout data. 設計レイアウトデータ上で領域を設定した状態を示した画面図。The screen figure which showed the state which set the area | region on design layout data.

符号の説明Explanation of symbols

2 検査領域設定支援システム
3 ディスプレイ
4 制御コンピュータ
30 画面
52 セル枠
53,74 マーク
72 セル検査モード設定領域
73 欠陥検出設定領域
2 Inspection area setting support system 3 Display 4 Control computer 30 Screen 52 Cell frame 53, 74 Mark 72 Cell inspection mode setting area 73 Defect detection setting area

Claims (10)

半導体デバイスが複数個のダイとして形成されるウェハの欠陥であって外観検査装置において検出された欠陥を観察するレビュー装置において、
当該レビュー装置は、ダイの領域の複数の画像の差分画像を用いて欠陥検出を行うダイ検査モードと、前記ダイに形成される回路パターンのうち繰返し性を有する複数のパターンのひとつの単位をセルとするとき、前記繰返し性を有するパターンの複数の画像の差分画像を用いて欠陥検出を行うセル検査モードとを組み合わせて欠陥を検出するモードを有し、
前記ダイの設計レイアウトパターンを記憶する記憶手段と、
前記設計レイアウトパターンを表示するディスプレイと、
該ディスプレイに表示された設計レイアウトパターンの一部の領域をセル検査領域として指定する入力ツールとを備え、
前記セル検査領域内に、前記外観検査装置から送付された欠陥座標が存在するか否かを判定し、
存在する場合は前記セル検査モードで欠陥検出を行い、存在しない場合は前記ダイ検査モードで欠陥検出を行うことを特徴とするレビュー装置。
In a review apparatus for observing defects detected in a visual inspection apparatus that are defects of a wafer in which a semiconductor device is formed as a plurality of dies,
The review apparatus includes a die inspection mode for performing defect detection using a differential image of a plurality of images of a die region, and one unit of a plurality of patterns having repeatability among circuit patterns formed on the die. And having a mode for detecting a defect in combination with a cell inspection mode for detecting a defect using a difference image of a plurality of images of the pattern having repeatability,
Storage means for storing a design layout pattern of the die;
A display for displaying the design layout pattern;
An input tool for designating a partial area of the design layout pattern displayed on the display as a cell inspection area ;
In the cell inspection area, determine whether there is a defect coordinate sent from the appearance inspection device,
A review apparatus characterized by performing defect detection in the cell inspection mode if present and performing defect detection in the die inspection mode if not present .
請求項の記載において、前記セル検査モードでの欠陥検出、または、前記ダイ検査モードでの欠陥検出の後に、該検出のときの倍率よりも高い倍率で前記欠陥を撮像することを特徴とするレビュー装置。 2. The defect detection according to claim 1 , wherein after the defect detection in the cell inspection mode or the defect detection in the die inspection mode, the defect is imaged at a magnification higher than a magnification at the time of the detection. Review device. 請求項の記載において、前記欠陥座標が、前記繰返し性を有する複数のパターンと、それ以外の領域の境界に存在する場合は、当該欠陥座標を含む領域が前記セルの領域とは独立して設定されることを特徴とするレビュー装置。 In Claim 1 , When the said defect coordinate exists in the boundary of the some pattern and the other area | region which has the said repeatability, the area | region containing the said defect coordinate is independent of the area | region of the said cell. A review device characterized by being set. 半導体デバイスが複数個のダイとして形成されるウェハの欠陥であって外観検査装置において検出された欠陥を観察するレビュー装置に接続される検査領域設定支援システムにおいて、
前記レビュー装置は、ダイの領域の複数の画像の差分画像を用いて欠陥検出を行うダイ検査モードと、前記ダイに形成される回路パターンのうち繰返し性を有する複数のパターンのひとつの単位をセルとするとき、前記繰返し性を有するパターンの複数の画像の差分画像を用いて欠陥検出を行うセル検査モードとを組み合わせて欠陥を検出するモードを有するものであって、
当該検査領域設定支援システムは、
前記ダイの設計レイアウトパターンを記憶する記憶手段と、
前記設計レイアウトパターンを表示するディスプレイと、
該ディスプレイに表示された設計レイアウトパターンの一部の領域を指定する入力ツールとを備え
記ディスプレイに表示された前記設計レイアウトパターンのうちの前記セル領域の一部が前記入力ツールで設定されることにより、前記セル領域の一部がセル検査領域として矩形の枠で表示され、
該設定されたセル検査領域を前記レビュー装置へ送信し、
前記レビュー装置は、前記セル検査領域内に、前記外観検査装置から送付された欠陥座標が存在するか否かを判定し、存在する場合は前記セル検査モードで欠陥検出を行い、存在しない場合は前記ダイ検査モードで欠陥検出を行うものであることを特徴とする検査領域設定支援システム。
In an inspection area setting support system connected to a review apparatus for observing defects detected in a visual inspection apparatus, which are defects of a wafer in which a semiconductor device is formed as a plurality of dies,
The review device includes a die inspection mode for performing defect detection using a differential image of a plurality of images in a die region, and one unit of a plurality of patterns having repeatability among circuit patterns formed on the die. And having a mode for detecting a defect in combination with a cell inspection mode for detecting a defect using a differential image of a plurality of images of the pattern having repeatability,
The inspection area setting support system
Storage means for storing a design layout pattern of the die;
A display for displaying the design layout pattern;
An input tool for designating a partial area of the design layout pattern displayed on the display ;
By a portion of the cell region of the design layout pattern displayed before Symbol display set by the input tool, a portion of the cell region is displayed in a rectangular frame as a cell inspection area,
Send the set cell inspection area to the review device ,
The review apparatus determines whether or not the defect coordinates sent from the appearance inspection apparatus exist in the cell inspection area. If the defect coordinates exist, the review apparatus performs defect detection in the cell inspection mode. inspection area setting support system characterized der Rukoto to perform defect detection by the die inspection mode.
請求項の記載において、前記ディスプレイは、前記欠陥を検出する検査装置から送られた該欠陥の座標に基づいて、前記設計レイアウトパターン上に該欠陥をマーク表示することを特徴とする検査領域設定支援システム。 5. The inspection area setting according to claim 4 , wherein the display marks the defect on the design layout pattern based on the coordinates of the defect sent from the inspection device that detects the defect. Support system. 請求項の記載において、前記欠陥の座標が、前記セル領域とそれ以外の領域の境界に存在する場合は、当該欠陥の座標を含む領域が前記セル検査領域とは独立して設定されることを特徴とする検査領域設定支援システム。 6. The method according to claim 5 , wherein when the coordinates of the defect are present at a boundary between the cell area and the other area, an area including the coordinates of the defect is set independently of the cell inspection area. An inspection area setting support system characterized by this. 半導体デバイスが複数個のダイとして形成されるウェハの欠陥であって外観検査装置において検出された欠陥を観察するレビュー装置における欠陥の画像取得方法において、
前記レビュー装置における欠陥の画像取得方法は、ダイの領域の複数の画像の差分画像を用いて欠陥検出を行うダイ検査モードと、前記ダイに形成される回路パターンのうち繰返し性を有する複数のパターンのひとつの単位をセルとするとき、前記繰返し性を有するパターンの複数の画像の差分画像を用いて欠陥検出を行うセル検査モードとを組み合わせて欠陥を検出するモードであって、
前記ダイの設計レイアウトパターンの一部の領域をセル検査領域として設定し、
セル検査領域内に、前記外観検査装置から送付された欠陥座標が存在するか否かを判定し、
存在する場合は、前記セル検査モードで欠陥検出を行い、存在しない場合は、前記ダイ検査モードで欠陥検出を行うことを特徴とする欠陥の画像取得方法。
In a defect image acquisition method in a review apparatus for observing defects detected in a visual inspection apparatus, which are defects of a wafer in which a semiconductor device is formed as a plurality of dies,
The defect image acquisition method in the review apparatus includes a die inspection mode in which defect detection is performed using a differential image of a plurality of images in a die region, and a plurality of patterns having repeatability among circuit patterns formed on the die. When one unit of the cell is a cell, it is a mode for detecting a defect in combination with a cell inspection mode for detecting a defect using a differential image of a plurality of images of the pattern having the repeatability,
A partial area of the die design layout pattern is set as a cell inspection area,
To the cell examination region, it determines whether the sent defect coordinates are present from the appearance inspection apparatus,
A defect image acquisition method comprising: performing defect detection in the cell inspection mode if present, and performing defect detection in the die inspection mode if not present.
請求項の記載において、前記セル検査モードでの欠陥検出、または、前記ダイ検査モードでの欠陥検出の後に、該検出のときの倍率よりも高い倍率で前記欠陥を撮像することを特徴とする欠陥の画像取得方法。 8. The defect detection according to claim 7 , wherein after the defect detection in the cell inspection mode or the defect detection in the die inspection mode, the defect is imaged at a magnification higher than a magnification at the time of the detection. Defect image acquisition method. 請求項の記載において、前記回路パターンは、前記ダイの設計レイアウトパターンであることを特徴とする欠陥の画像取得方法。 8. The defect image acquisition method according to claim 7 , wherein the circuit pattern is a design layout pattern of the die. 請求項の記載において、前記欠陥座標が、前記繰返し性を有する複数のパターンと、それ以外の領域の境界に存在する場合は、当該欠陥座標を含む領域が前記セルの領域とは独立して設定されることを特徴とする欠陥の画像取得方法。 8. The method according to claim 7 , wherein when the defect coordinates exist at a boundary between the plurality of patterns having the repeatability and other areas, the area including the defect coordinates is independent of the area of the cell. A defect image acquisition method characterized by being set.
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