JP4918257B2 - 不斉還元方法 - Google Patents
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Description
本発明は、糖尿病治療薬として有用な（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸又はその塩の新規な製造方法に関する。より詳細には、本発明は、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を不斉還元して（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸又はその塩を製造する方法に関する。
（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸（以下、「ミチグリニド」ということがある。）又はその塩は、インスリンの放出因子として作用するため強力な血糖低下作用を有する（特許文献１参照）。特に、そのカルシウム塩二水和物を用いた製剤であるミチグリニドカルシウム水和物〔製品名：グルファスト（登録商標）〕は、２型糖尿病における食後血糖推移の改善薬として高い評価を得ている。
ミチグリニド及びその塩の製造方法については、既にいくつか提案されている（特許文献２及び３参照）が、いずれの方法にも反応収率及び光学純度において必ずしも十分ではなく、医薬品グレードのミチグリニド及びその塩を製造するためにはさらなる改善が必要とされている。また、ミチグリニド及びその塩は、それ自体を精製することが困難な場合が多く、製造段階で十分な転化率で、収率よく、かつ光学純度のよいミチグリニドを製造することが必要である。光学活性なベンジルコハク酸の製造方法としては、不斉水素化触媒としてルテニウム等の遷移金属のキラルなジホスフィン錯体を用いて、ベンジリデンコハク酸を接触還元することによる製造方法が知られている（特許文献４参照）が、光学純度において満足できるものではなく、光学純度を向上させるためには、接触還元終了後にさらに精製操作を加える必要がある。
最近、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸（特許文献５参照）の炭素−炭素二重結合部分を不斉配位子が（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニル）−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＢＰＰＭ」ということがある。）であるロジウム錯化合物を使用した不斉還元に付してミチグリニドを製造する方法が報告された（特許文献６参照）。しかしながら、本発明者らがこの方法を追試したところ、この方法では、通常の触媒量では反応速度が非常に遅いため反応終了までに長時間を要すること、及び反応を進行させるのに必要な基質と不斉触媒とのモル比（以下「Ｓ／Ｃ」と記す。）が低いため高価な貴金属触媒を多量に使用しなければならず、工業的な製造方法としては十分でないことが判明した。
不斉還元用のロジウム錯化合物における不斉配位子としては、ピロリジンの４位のホスフィン部分がジシクロヘキシルホスフィンであるものも知られており（特許文献７及び８参照）、ピロリジンの窒素原子における置換基としてＢＰＰＭにおけるｔ−ブトキシカルボニル基等を有するカルバメート型だけでなく、ｔ−ブチルアミノカルボニル基等を有するウレア型も知られている（特許文献７〜９参照）。
また、ミチグリニドは融点が低く、再結晶などによる精製が困難であるために、製造工程において可能な限りの高純度で光学純度の優れたベンジルコハク酸誘導体を製造することができる方法の開発が望まれている。
最近、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸（特許文献５参照）の炭素−炭素二重結合部分を不斉配位子が（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニル）−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＢＰＰＭ」ということがある。）であるロジウム錯化合物を使用した不斉還元に付してミチグリニドを製造する方法が報告された（特許文献６参照）。しかしながら、本発明者らがこの方法を追試したところ、この方法では、通常の触媒量では反応速度が非常に遅いため反応終了までに長時間を要すること、及び反応を進行させるのに必要な基質と不斉触媒とのモル比（以下「Ｓ／Ｃ」と記す。）が低いため高価な貴金属触媒を多量に使用しなければならず、工業的な製造方法としては十分でないことが判明した。
不斉還元用のロジウム錯化合物における不斉配位子としては、ピロリジンの４位のホスフィン部分がジシクロヘキシルホスフィンであるものも知られており（特許文献７及び８参照）、ピロリジンの窒素原子における置換基としてＢＰＰＭにおけるｔ−ブトキシカルボニル基等を有するカルバメート型だけでなく、ｔ−ブチルアミノカルボニル基等を有するウレア型も知られている（特許文献７〜９参照）。
また、ミチグリニドは融点が低く、再結晶などによる精製が困難であるために、製造工程において可能な限りの高純度で光学純度の優れたベンジルコハク酸誘導体を製造することができる方法の開発が望まれている。
本発明は、高い光学純度のミチグリニドを工業的に製造する方法を提供することを課題とする。
本発明者らは、ミチグリニドの工業的な製造方法について種々検討してきた結果、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の炭素−炭素二重結合部分の還元に、不斉配位子として特許文献６のカルバメート型ピロリジンビスホスフィン化合物に分類されるＢＰＰＭに代えて、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−フェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＰＣＰＰＭ」ということがある。）等のウレア型ピロリジンビスホスフィン化合物に分類される不斉配位子から調製されるロジウム錯化合物を用いることにより、高い基質濃度においても極めて短時間、かつごく少量の触媒で、極めて効率的に不斉還元反応が進行し、工業的に高い光学純度のミチグリニドが得られることを見出した。
すなわち、本発明は、ピロリジンビスホスフィン化合物及びロジウム化合物から調製される不斉触媒の存在下、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を接触還元することを特徴とする（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の製造方法に関する。さらに、本発明は、前記した本発明の方法により製造された（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を水酸化カルシウムなどの塩基物質と反応させて、その塩及び／又は水和物を製造する方法に関する。
本発明をより詳細に説明すれば、以下の（１）〜（７）のとおりとなる。
（１）下記一般式（Ｉ）
すなわち、本発明は、ピロリジンビスホスフィン化合物及びロジウム化合物から調製される不斉触媒の存在下、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を接触還元することを特徴とする（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の製造方法に関する。さらに、本発明は、前記した本発明の方法により製造された（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を水酸化カルシウムなどの塩基物質と反応させて、その塩及び／又は水和物を製造する方法に関する。
本発明をより詳細に説明すれば、以下の（１）〜（７）のとおりとなる。
（１）下記一般式（Ｉ）
（式中、Ｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の直鎖若しくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよいアリール基を示す。ピロリジン環中の＊印は当該位置の炭素原子がＳ配置であることを示す。）
で表されるピロリジンビスホスフィン化合物、及びロジウム化合物から調製される不斉触媒の存在下で、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を接触還元して（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を製造する方法。
（２）一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物のＲ１が、炭素数１〜１０の直鎖若しくは分岐状のアルキル基、置換基としてアルケニル基を有してもよいフェニルアルキル基、又は置換基としてハロゲン原子を有していてもよいフェニル基である前記（１）に記載の方法。
（３）一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物のＲ２及びＲ３が、それぞれ独立して、置換基として炭素数１〜１０のアルキル基又はアルコキシ基を有していてもよいフェニル基である前記（１）又は（２）に記載の方法。
（４）一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物が、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−フェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−３，４−ジクロロフェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔ−ブチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−メチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１Ｓ−フェニルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１Ｒ−フェニルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、及び（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１−（３−イソプロペニルフェニル）−１−メチルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジンよりなる群から選ばれたものである前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の方法。
（５）ロジウム化合物が、配位子としてエチレン、１，５−シクロオクタジエン又は２，５−ノルボルナジエンを有するロジウム錯体である前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の方法。
（６）前記（１）〜（５）のいずれかに記載の方法で製造された（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を塩基性物質と反応させて、（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の塩を製造する方法。
（７）（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の塩が、カルシウム塩である前記（６）に記載の方法。
で表されるピロリジンビスホスフィン化合物、及びロジウム化合物から調製される不斉触媒の存在下で、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を接触還元して（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を製造する方法。
（２）一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物のＲ１が、炭素数１〜１０の直鎖若しくは分岐状のアルキル基、置換基としてアルケニル基を有してもよいフェニルアルキル基、又は置換基としてハロゲン原子を有していてもよいフェニル基である前記（１）に記載の方法。
（３）一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物のＲ２及びＲ３が、それぞれ独立して、置換基として炭素数１〜１０のアルキル基又はアルコキシ基を有していてもよいフェニル基である前記（１）又は（２）に記載の方法。
（４）一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物が、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−フェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−３，４−ジクロロフェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔ−ブチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−メチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１Ｓ−フェニルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１Ｒ−フェニルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、及び（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１−（３−イソプロペニルフェニル）−１−メチルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジンよりなる群から選ばれたものである前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の方法。
（５）ロジウム化合物が、配位子としてエチレン、１，５−シクロオクタジエン又は２，５−ノルボルナジエンを有するロジウム錯体である前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の方法。
（６）前記（１）〜（５）のいずれかに記載の方法で製造された（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を塩基性物質と反応させて、（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の塩を製造する方法。
（７）（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の塩が、カルシウム塩である前記（６）に記載の方法。
本明細書において、アルキル基とは、炭素数１〜１０、好ましくは４〜１０の直鎖状又は分岐状の低級アルキル基を意味する。本発明におけるアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓ−ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
本明細書において、シクロアルキル基とは、炭素数３〜７、好ましくは５〜７の低級シクロアルキル基を意味する。本発明におけるシクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。
本明細書において、アリール基とは、炭素数６〜２０、好ましくは６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール基を意味する。本発明におけるアリールの具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
本明細書において、アラルキル基とは、炭素数７〜２５、好ましくは７〜１３の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール−アルキル基を意味する。本発明におけるアラルキル基としては、フェニルアルキル基が好ましく、フェニルアルキル基の具体例としては、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、α，α−ジメチルベンジル基等が挙げられる。
本明細書において、アルコキシ基とは、炭素数１〜１０、好ましくは１〜７の直鎖状又は分岐状のアルキル基に酸素原子が結合した低級アルコキシ基を意味する。本発明におけるアルコキシ基の具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基等が挙げられる。
本明細書において、ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子からなる群から選ばれる原子を意味する。本発明における好ましいハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
本明細書において、アルケニル基とは、炭素数２〜１０、好ましくは２〜６の低級アルケニル基を意味する。本発明におけるアルケニル基の具体例としては、例えば、ビニル基、ｎ−プロペニル基、イソプロペニル基等が挙げられる。
本明細書において、アルコキシカルボニル基とは、炭素数１〜１０、好ましくは１〜７の直鎖状又は分岐状の低級アルキル基のオキシカルボニル基が結合した低級アルコキシカルボニル基を意味する。本発明におけるアルコキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等が挙げられる。
本発明で用いられるウレア型ピロリジンビスホスフィン化合物は、下記一般式（Ｉ）
本明細書において、シクロアルキル基とは、炭素数３〜７、好ましくは５〜７の低級シクロアルキル基を意味する。本発明におけるシクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。
本明細書において、アリール基とは、炭素数６〜２０、好ましくは６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール基を意味する。本発明におけるアリールの具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
本明細書において、アラルキル基とは、炭素数７〜２５、好ましくは７〜１３の単環式、多環式、又は縮合環式のアリール−アルキル基を意味する。本発明におけるアラルキル基としては、フェニルアルキル基が好ましく、フェニルアルキル基の具体例としては、例えば、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、α，α−ジメチルベンジル基等が挙げられる。
本明細書において、アルコキシ基とは、炭素数１〜１０、好ましくは１〜７の直鎖状又は分岐状のアルキル基に酸素原子が結合した低級アルコキシ基を意味する。本発明におけるアルコキシ基の具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基等が挙げられる。
本明細書において、ハロゲン原子とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子からなる群から選ばれる原子を意味する。本発明における好ましいハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
本明細書において、アルケニル基とは、炭素数２〜１０、好ましくは２〜６の低級アルケニル基を意味する。本発明におけるアルケニル基の具体例としては、例えば、ビニル基、ｎ−プロペニル基、イソプロペニル基等が挙げられる。
本明細書において、アルコキシカルボニル基とは、炭素数１〜１０、好ましくは１〜７の直鎖状又は分岐状の低級アルキル基のオキシカルボニル基が結合した低級アルコキシカルボニル基を意味する。本発明におけるアルコキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等が挙げられる。
本発明で用いられるウレア型ピロリジンビスホスフィン化合物は、下記一般式（Ｉ）
（式中、Ｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の直鎖若しくは分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよいアリール基を示す。ピロリジン環中の＊印は当該位置の炭素原子がＳ配置であることを示す。）
で表される（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−置換アミノカルボニル−４−ジアリールホスフィノ−２−ジアリールホスフィノメチルピロリジンである。
一般式（Ｉ）におけるアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基は、必要に応じて置換基を有していてもよく、このような置換基としては、前記したアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、及びアルコキシカルボニル基からなる群から選ばれる１種又は２種以上のものが挙げられる。より詳細には、アルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基等が挙げられる。
シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基等が挙げられる。
一般式（Ｉ）における好ましいＲ１としては、低級アルキル基、置換基としてアルケニル基を有してもよいフェニルアルキル基、又は置換基としてハロゲン原子を有していてもよいフェニル基等が挙げられる。置換基としてアルケニル基を有するフェニルアルキル基としては、例えば、１−（３−イソプロペニルフェニル）−１−メチルエチル基等が挙げられる。また、置換基としてハロゲン原子を有するフェニル基としては、例えば、３，４−ジクロロフェニル基等が挙げられる。
また、一般式（Ｉ）における好ましいＲ２又はＲ３としては、置換基としてアルキル基又はアルコキシ基を有していてもよいフェニル基が挙げられ、より好ましい基としてはフェニル基が挙げられる。
で表される（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−置換アミノカルボニル−４−ジアリールホスフィノ−２−ジアリールホスフィノメチルピロリジンである。
一般式（Ｉ）におけるアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基は、必要に応じて置換基を有していてもよく、このような置換基としては、前記したアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、及びアルコキシカルボニル基からなる群から選ばれる１種又は２種以上のものが挙げられる。より詳細には、アルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基等が挙げられる。
シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基及びアルコキシカルボニル基等が挙げられる。
一般式（Ｉ）における好ましいＲ１としては、低級アルキル基、置換基としてアルケニル基を有してもよいフェニルアルキル基、又は置換基としてハロゲン原子を有していてもよいフェニル基等が挙げられる。置換基としてアルケニル基を有するフェニルアルキル基としては、例えば、１−（３−イソプロペニルフェニル）−１−メチルエチル基等が挙げられる。また、置換基としてハロゲン原子を有するフェニル基としては、例えば、３，４−ジクロロフェニル基等が挙げられる。
また、一般式（Ｉ）における好ましいＲ２又はＲ３としては、置換基としてアルキル基又はアルコキシ基を有していてもよいフェニル基が挙げられ、より好ましい基としてはフェニル基が挙げられる。
好ましいウレア型ピロリジンビスホスフィン化合物としては、例えば、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−フェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（ＰＣＰＰＭ）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−３，４−ジクロロフェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＤＣＰＣＰＰＭ」という。）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔ−ブチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＢＣＰＰＭ」という。）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−メチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＭＣＰＰＭ」という。）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−（１Ｓ）−１−フェニルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＳＳＳ−Ｃ＊ＰＰＭ」という。）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−（１Ｒ）−１−フェニルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＳＳＲ−Ｃ＊ＰＰＭ」という。）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１−（３−イソプロペニルフェニル）−１−メチルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＤＭＰＣＰＰＭ」という。)
などが挙げられる。
本発明の方法における原料化合物である２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸は、特許文献６に記載の方法により製造することができるが、これらの方法に限定されるものではない。
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−フェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（ＰＣＰＰＭ）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−３，４−ジクロロフェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＤＣＰＣＰＰＭ」という。）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔ−ブチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＢＣＰＰＭ」という。）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−メチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＭＣＰＰＭ」という。）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−（１Ｓ）−１−フェニルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＳＳＳ−Ｃ＊ＰＰＭ」という。）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−（１Ｒ）−１−フェニルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＳＳＲ−Ｃ＊ＰＰＭ」という。）、
（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１−（３−イソプロペニルフェニル）−１−メチルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（以下、「ＤＭＰＣＰＰＭ」という。)
などが挙げられる。
本発明の方法における原料化合物である２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸は、特許文献６に記載の方法により製造することができるが、これらの方法に限定されるものではない。
本発明の方法で用いる不斉触媒は、前記した一般式（Ｉ）で表される光学活性なピロリジンビスホスフィン化合物とロジウム化合物、好ましくはロジウム錯体から調製されるものであり、好ましくは一般式（Ｉ）で表される光学活性なピロリジンビスホスフィン化合物を配位子とするロジウム錯化合物である。このようなロジウム錯化合物は特許文献８〜９のいずれかに記載の方法に準じて、例えば一般式（Ｉ）で表されるウレア型ピロリジンビスホスフィン化合物と、ロジウム化合物、好ましくは１価のロジウム錯体とから容易に調製することができる。
本発明の触媒の調製に使用されるロジウム化合物、好ましいロジウム錯体に特に制限はないが、ロジウム錯体としては、例えば、配位子としてエチレン、１，５−シクロオクタジエン又は２，５−ノルボルナジエンを有するロジウム錯体が好ましい。このようなロジウム錯体としては、例えば、ビス（エチレン）ロジウム−クロル錯体、（アセチルアセトナト）（η−１，５−シクロオクタジエン）ロジウム錯体、（アセチルアセトナト）ジカルボニルロジウム錯体、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−テトラフルオロホウ酸錯体、ロジウム−２，５−ノルボルナジエン−クロル錯体、ロジウム−２，５−ノルボルナジエン−テトラフルオロホウ酸錯体、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−トリフルオロメタンスルホン酸錯体、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−ヘキサフルオロリン酸錯体等が挙げられる。また、ロジウム錯体はシリカゲルやアルミナ等の不溶性の固体表面上に担持されたものでもよく、例えば、ＣＡＴＡＸＡ／ロジウム−１，５−シクロオクタジエン錯体等が挙げられる。
不斉触媒は、ピロリジンビスホスフィン化合物と、ロジウム化合物、好ましくはロジウム錯体とを溶媒中で混合することにより調製することができる。また、反応溶媒中にこれらを混合して反応系で直接調製してもよい。
ロジウム化合物とピロリジンビスホスフィン化合物の比は、ロジウム原子１モルに対して０．５〜１０モル、好ましくは１モルに対して１〜５モルである。
不斉反応におけるロジウム金属の量は、原料の２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸１モルに対し、ロジウム金属を１／２，０００〜１／１００，０００モル、好ましくは１／５，０００〜１／３０，０００モル、より好ましくは１／１００００〜１／２００００モルで用いられる。これを基質と不斉触媒とのモル比（Ｓ／Ｃ）で示せば、Ｓ／Ｃが、２０００〜１０００００、好ましくは５０００〜３００００、より好ましくは１００００〜２００００となる。
本発明の方法は、触媒を固定化して行うこともできる。固定化触媒とすることにより、触媒の分離が容易になるだけでなく、繰り返して不斉還元反応に使用することができる。固定化触媒に用いる不斉触媒はシリカゲルやアルミナ等の担体に担持された固定層となったものが好ましい。このような触媒を調製するための好ましいロジウム錯体としては、ＣＡＴＡＸＡ／ロジウム−１，５−シクロオクタジエン錯体等が挙げられる。また、固定化触媒における基質と不斉触媒とのモル比（Ｓ／Ｃ）は、均一触媒系のときの値の１／２〜１／１０程度、例えば、２００〜１００００、好ましくは５００〜５０００程度とするのが好ましいが、これに限定されるものではない。
本発明の触媒の調製に使用されるロジウム化合物、好ましいロジウム錯体に特に制限はないが、ロジウム錯体としては、例えば、配位子としてエチレン、１，５−シクロオクタジエン又は２，５−ノルボルナジエンを有するロジウム錯体が好ましい。このようなロジウム錯体としては、例えば、ビス（エチレン）ロジウム−クロル錯体、（アセチルアセトナト）（η−１，５−シクロオクタジエン）ロジウム錯体、（アセチルアセトナト）ジカルボニルロジウム錯体、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−テトラフルオロホウ酸錯体、ロジウム−２，５−ノルボルナジエン−クロル錯体、ロジウム−２，５−ノルボルナジエン−テトラフルオロホウ酸錯体、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−トリフルオロメタンスルホン酸錯体、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−ヘキサフルオロリン酸錯体等が挙げられる。また、ロジウム錯体はシリカゲルやアルミナ等の不溶性の固体表面上に担持されたものでもよく、例えば、ＣＡＴＡＸＡ／ロジウム−１，５−シクロオクタジエン錯体等が挙げられる。
不斉触媒は、ピロリジンビスホスフィン化合物と、ロジウム化合物、好ましくはロジウム錯体とを溶媒中で混合することにより調製することができる。また、反応溶媒中にこれらを混合して反応系で直接調製してもよい。
ロジウム化合物とピロリジンビスホスフィン化合物の比は、ロジウム原子１モルに対して０．５〜１０モル、好ましくは１モルに対して１〜５モルである。
不斉反応におけるロジウム金属の量は、原料の２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸１モルに対し、ロジウム金属を１／２，０００〜１／１００，０００モル、好ましくは１／５，０００〜１／３０，０００モル、より好ましくは１／１００００〜１／２００００モルで用いられる。これを基質と不斉触媒とのモル比（Ｓ／Ｃ）で示せば、Ｓ／Ｃが、２０００〜１０００００、好ましくは５０００〜３００００、より好ましくは１００００〜２００００となる。
本発明の方法は、触媒を固定化して行うこともできる。固定化触媒とすることにより、触媒の分離が容易になるだけでなく、繰り返して不斉還元反応に使用することができる。固定化触媒に用いる不斉触媒はシリカゲルやアルミナ等の担体に担持された固定層となったものが好ましい。このような触媒を調製するための好ましいロジウム錯体としては、ＣＡＴＡＸＡ／ロジウム−１，５−シクロオクタジエン錯体等が挙げられる。また、固定化触媒における基質と不斉触媒とのモル比（Ｓ／Ｃ）は、均一触媒系のときの値の１／２〜１／１０程度、例えば、２００〜１００００、好ましくは５００〜５０００程度とするのが好ましいが、これに限定されるものではない。
本発明に係る不斉還元反応に用いる溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類；トルエン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルイソブチルケトン、クロロホルム等の有機溶媒とアルコール類との混合溶媒；又は水とアルコール類との混合溶媒等が挙げられる。
また、不斉還元反応における水素圧は、通常０．１〜１５ＭＰａである。０．１〜２ＭＰａ、特に０．２〜１ＭＰａが好ましい。反応温度は、０〜１５０℃、好ましくは１０〜１００℃、特に好ましくは１０〜５０℃程度が挙げられる。
前記一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物及びロジウム化合物から調製される本発明の不斉触媒は、本発明の原料化合物である２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸に対する触媒活性が極めて強く、後述する実施例に記載されておりように、Ｓ／Ｃが１００００以上でも十分に反応が進行し、反応時間としては約４時間という極めて短時間で原料の転化率が９７％以上、通常は約１００％の転化率を達成することができる。これは、本発明の不斉触媒が本発明の原料化合物である２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸と極めて優れた基質特異性を有しているためと考えられる。したがって、本発明の不斉触媒による２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の不斉還元反応は、通常の不斉還元反応に比べて極めて短時間で反応を完了することができ、本発明の方法における反応時間は、０．５〜１００時間、０．５〜１０時間、好ましくは２〜２０時間、より好ましくは２〜１０時時間で十分な場合が多い。
本発明の方法によれば、極めて短い反応時間でほぼ１００％の転化率を達成することができ、高純度で高収率で目的物質を製造することができる。
また、不斉還元反応における水素圧は、通常０．１〜１５ＭＰａである。０．１〜２ＭＰａ、特に０．２〜１ＭＰａが好ましい。反応温度は、０〜１５０℃、好ましくは１０〜１００℃、特に好ましくは１０〜５０℃程度が挙げられる。
前記一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物及びロジウム化合物から調製される本発明の不斉触媒は、本発明の原料化合物である２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸に対する触媒活性が極めて強く、後述する実施例に記載されておりように、Ｓ／Ｃが１００００以上でも十分に反応が進行し、反応時間としては約４時間という極めて短時間で原料の転化率が９７％以上、通常は約１００％の転化率を達成することができる。これは、本発明の不斉触媒が本発明の原料化合物である２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸と極めて優れた基質特異性を有しているためと考えられる。したがって、本発明の不斉触媒による２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の不斉還元反応は、通常の不斉還元反応に比べて極めて短時間で反応を完了することができ、本発明の方法における反応時間は、０．５〜１００時間、０．５〜１０時間、好ましくは２〜２０時間、より好ましくは２〜１０時時間で十分な場合が多い。
本発明の方法によれば、極めて短い反応時間でほぼ１００％の転化率を達成することができ、高純度で高収率で目的物質を製造することができる。
本発明の（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の塩の製造方法は、通常の造塩反応として行うことができる。即ち、前記してきた不斉還元により製造された遊離の酸に、水酸化カルシウムなどの塩基性の物質を添加して、攪拌混合することにより行うことができる。溶媒としては水、含水アルコールなどを使用することができる。
この方法は、前記してきた不斉還元反応で製造された遊離の酸を単離してから行うこともできるが、前述してきたように本発明の不斉還元反応による方法では高純度の目的物を製造することができるので、目的物を単離することなく、不斉還元反応が完了した後の反応混合物を、必要により水又はアルコールで希釈した後、反応混合物に直接塩基性物質を添加することにより行うこともできる。
本発明の方法により製造される塩は、結晶水を含有した水和物であってもよい。
この方法は、前記してきた不斉還元反応で製造された遊離の酸を単離してから行うこともできるが、前述してきたように本発明の不斉還元反応による方法では高純度の目的物を製造することができるので、目的物を単離することなく、不斉還元反応が完了した後の反応混合物を、必要により水又はアルコールで希釈した後、反応混合物に直接塩基性物質を添加することにより行うこともできる。
本発明の方法により製造される塩は、結晶水を含有した水和物であってもよい。
本発明に係る不斉還元方法によれば、高い光学純度、短時間、かつ少量の触媒で２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸からミチグリニドを製造することができる。
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。
なお、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸は、特許文献６に記載の方法に準じて製造した。
なお、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸は、特許文献６に記載の方法に準じて製造した。
（１）Ｓ／Ｃが１００００での製造例
２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸 １５ｇ及びメタノール５９ｍＬをオートクレーブに入れ、ＰＣＰＰＭ ３．０２ｍｇとロジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体 １．１８ｍｇとメタノール１ｍＬより調製した触媒を加え（Ｓ／Ｃ＝１００００）、水素圧０．５ＭＰａで室温下４時間反応させた。高性能液体クロマトグラフィーで２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸は検出されず、得られたミチグリニドの光学純度は９５．１％ｅ．ｅ．であった。
２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸 １５ｇ及びメタノール５９ｍＬをオートクレーブに入れ、ＰＣＰＰＭ ３．０２ｍｇとロジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体 １．１８ｍｇとメタノール１ｍＬより調製した触媒を加え（Ｓ／Ｃ＝１００００）、水素圧０．５ＭＰａで室温下４時間反応させた。高性能液体クロマトグラフィーで２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸は検出されず、得られたミチグリニドの光学純度は９５．１％ｅ．ｅ．であった。
（２）Ｓ／Ｃが２００００での製造例
前記（１）の方法をＳ／Ｃが２００００で、１６時間の反応時間で行った。その結果、高性能液体クロマトグラフィーでの原料の残存率は１．２７％で、光学純度は９５．２％ｅ．ｅ．であった。
前記（１）の方法をＳ／Ｃが２００００で、１６時間の反応時間で行った。その結果、高性能液体クロマトグラフィーでの原料の残存率は１．２７％で、光学純度は９５．２％ｅ．ｅ．であった。
（１）Ｓ／Ｃが１００００での製造例
実施例１において、ＰＣＰＰＭ３．０２ｍｇに代えてＤＣＰＣＰＰＭ３．３８ｍｇ（Ｓ／Ｃ＝１００００）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、高性能液体クロマトグラフィーでの２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は０．４４％で、得られたミチグリニドの光学純度は９４．６％ｅ．ｅ．であった。
実施例１において、ＰＣＰＰＭ３．０２ｍｇに代えてＤＣＰＣＰＰＭ３．３８ｍｇ（Ｓ／Ｃ＝１００００）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、高性能液体クロマトグラフィーでの２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は０．４４％で、得られたミチグリニドの光学純度は９４．６％ｅ．ｅ．であった。
（２）Ｓ／Ｃが２００００での製造例
前記（１）の方法をＳ／Ｃが２００００で、１６時間の反応時間で行った。その結果、高性能液体クロマトグラフィーで原料を検出することができなかった。生成物の光学純度は９４．４％ｅ．ｅ．であった。
前記（１）の方法をＳ／Ｃが２００００で、１６時間の反応時間で行った。その結果、高性能液体クロマトグラフィーで原料を検出することができなかった。生成物の光学純度は９４．４％ｅ．ｅ．であった。
実施例１において、ＰＣＰＰＭ３．０２ｍｇに代えてＢＣＰＰＭ２．９１ｍｇを用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸は検出されず、得られたミチグリニドの光学純度は９６．６％ｅ．ｅ．であった。
実施例１において、ＰＣＰＰＭ３．０２ｍｇに代えて、ＳＳＲ−Ｃ＊ＰＰＭ３．１６ｍｇを用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は０．５５％、得られたミチグリニドの光学純度は９６．３％ｅ．ｅ．であった。
（１）Ｓ／Ｃが１００００での製造例
実施例１において、ＰＣＰＰＭ３．０２ｍｇに代えてＤＭＰＣＰＰＭ３．４４ｍｇ（Ｓ／Ｃ＝１００００）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、高性能液体クロマトグラフィーでの２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は０．０２％であった。得られたミチグリニドの光学純度は９６．４％ｅ．ｅ．であった。
実施例１において、ＰＣＰＰＭ３．０２ｍｇに代えてＤＭＰＣＰＰＭ３．４４ｍｇ（Ｓ／Ｃ＝１００００）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、高性能液体クロマトグラフィーでの２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は０．０２％であった。得られたミチグリニドの光学純度は９６．４％ｅ．ｅ．であった。
（２）Ｓ／Ｃが２００００での製造例
前記（１）の方法をＳ／Ｃが２００００で、１６時間の反応時間で行った。その結果、高性能液体クロマトグラフィーで原料を検出することはできなかった。生成物の光学純度は９６．４％ｅ．ｅ．であった。
前記（１）の方法をＳ／Ｃが２００００で、１６時間の反応時間で行った。その結果、高性能液体クロマトグラフィーで原料を検出することはできなかった。生成物の光学純度は９６．４％ｅ．ｅ．であった。
実施例１において、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体１．１８ｍｇに代えて、ロジウム−２，５−ノルボルナジエン−クロル錯体１．１０ｍｇ（Ｓ／Ｃ＝１００００）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸は検出されず、得られたミチグリニドの光学純度は９５．５％ｅ．ｅ．であった。
実施例１において、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体１．１８ｍｇに代えて、ロジウム−２，５−ノルボルナジエン−テトラフルオロホウ酸錯体１．７９ｍｇ（Ｓ／Ｃ＝１００００）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は０．１２％、得られたミチグリニドの光学純度は９６．０％ｅ．ｅ．であった。
実施例１において、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体１．１８ｍｇに代えて、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−トリフルオロメタンスルホン酸錯体２．２４ｍｇ（Ｓ／Ｃ＝１００００）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸検出されず、得られたミチグリニドの光学純度は９５．９％ｅ．ｅ．であった。
実施例１において、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体１．１８ｍｇに代えて、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−テトラフルオロホウ酸錯体水和物１．９４ｍｇ（Ｓ／Ｃ＝１００００）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は２．２１％、得られたミチグリニドの光学純度は９５．９％ｅ．ｅ．であった。
実施例１において、ＰＣＰＰＭ ３．０２ｍｇに代えてＰＣＰＰＭ １０．０４ｍｇを用い、ロジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体１．１８ｍｇに代えて、固定化ロジウムであるＣＡＴＡＸＡ／ロジウム−１，５−シクロオクタジエン錯体３２８ｍｇ（Ｓ／Ｃ＝３０００）を用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸は検出されず、得られたミチグリニドの光学純度は９５．５％ｅ．ｅ．であった。
（比較例１）
実施例１において、ＰＣＰＰＭ３．０２ｍｇに代えて、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−フェニルオキシカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（ＰＰＰＭ）３．０２ｍｇを用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は９．７４％、得られたミチグリニドの光学純度は９４．５％ｅ．ｅ．であった。
実施例１において、ＰＣＰＰＭ３．０２ｍｇに代えて、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−フェニルオキシカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（ＰＰＰＭ）３．０２ｍｇを用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は９．７４％、得られたミチグリニドの光学純度は９４．５％ｅ．ｅ．であった。
（比較例２）
実施例１において、ＰＣＰＰＭ３．０２ｍｇに代えて、ＢＰＰＭ２．９２ｍｇを用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は１０．８５％、得られたミチグリニドの光学純度は９６．１％ｅ．ｅ．であった。
以上のとおり、不斉配位子としてウレア型ピロリジンビスホスフィン化合物は、カルバメート型ピロリジンビスホスフィン化合物よりも光学純度、反応速度及びＳ／Ｃのいずれにおいても優れている。したがって、本発明に係る製造方法は、高い光学純度、反応時間の短縮及び触媒量の低減を可能とする工業的に極めて優れた製造方法である。
実施例１において、ＰＣＰＰＭ３．０２ｍｇに代えて、ＢＰＰＭ２．９２ｍｇを用いた以外は、実施例１と同様に行った。反応後、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の残存率は１０．８５％、得られたミチグリニドの光学純度は９６．１％ｅ．ｅ．であった。
以上のとおり、不斉配位子としてウレア型ピロリジンビスホスフィン化合物は、カルバメート型ピロリジンビスホスフィン化合物よりも光学純度、反応速度及びＳ／Ｃのいずれにおいても優れている。したがって、本発明に係る製造方法は、高い光学純度、反応時間の短縮及び触媒量の低減を可能とする工業的に極めて優れた製造方法である。
２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸 １５ｇ及びメタノール５９ｍＬをオートクレーブに入れ、ＰＣＰＰＭ ７．５ｍｇとロジウム−１，５−シクロオクタジエン−クロル錯体 ２．９ｍｇより調製した触媒を加え、水素圧０．５ＭＰａで、室温下に反応させた。４時間後反応液を取り出し、メタノール６０ｍＬ及び水酸化カルシウム １．７ｇを加えて３０分間攪拌した後、水１２０ｍＬを加えた。２時間攪拌後、結晶を濾過し、水で洗浄後乾燥してミチグリニドカルシウム塩二水和物を得た。
本発明の方法は、糖尿病治療薬として有用な式（Ｉ）で表される（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸又はその塩の効率的かつ高純度な新規な製造方法を提供するものであり、製薬分野において極めて有用なものであり、産業上の利用可能性を有している。
Claims (7)
- 下記一般式（Ｉ）
で表されるピロリジンビスホスフィン化合物、及びロジウム化合物から調製される不斉触媒の存在下で、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を接触還元して（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を製造する方法。 - 一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物のＲ１が、炭素数１〜１０の直鎖若しくは分岐状のアルキル基、置換基としてアルケニル基を有してもよいフェニルアルキル基、又は置換基としてハロゲン原子を有していてもよいフェニル基である請求項１に記載の方法。
- 一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物のＲ２及びＲ３が、それぞれ独立して、置換基として炭素数１〜１０のアルキル基又はアルコキシ基を有していてもよいフェニル基である請求項１又は２に記載の方法。
- 一般式（Ｉ）で表されるピロリジンビスホスフィン化合物が、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−フェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−３，４−ジクロロフェニルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔ−ブチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−メチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１Ｓ−フェニルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１Ｒ−フェニルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン、及び（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−１−（３−イソプロペニルフェニル）−１−メチルエチルアミノカルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジンよりなる群から選ばれたものである請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
- ロジウム化合物が、配位子としてエチレン、１，５−シクロオクタジエン又は２，５−ノルボルナジエンを有するロジウム錯体である請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
- （１）下記一般式（Ｉ）
で表されるピロリジンビスホスフィン化合物、及びロジウム化合物から調製される不斉触媒の存在下で、２−ベンジリデン−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を接触還元して（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を製造する工程、
（２）次いで、前記（１）の工程で製造された（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸を塩基性物質と反応させる工程、
を含有してなる（２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の塩を製造する方法。 - （２Ｓ）−２−ベンジル−３−（シス−ヘキサヒドロ−２−イソインドリニルカルボニル）プロピオン酸の塩が、カルシウム塩である請求項６に記載の方法。
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