JP4815727B2 - EL display device and electronic apparatus - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence,以下、ELと略記する)表示装置および電子機器に関し、特に、EL表示装置における各画素内の駆動トランジスタの配置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
各画素に対応して有機EL素子を備えた有機EL表示装置は、高輝度で自発光であること、直流低電圧駆動が可能であること、応答が高速であること、固体有機膜による発光であることなどから表示性能に優れており、また、表示装置の薄型化、軽量化、低消費電力化が可能であるため、将来的に液晶表示装置に続く表示装置として期待されている。特に、駆動方式がアクティブマトリクス方式のアクティブマトリクス型有機EL表示装置は、画素毎にトランジスタと容量を備えているため、高輝度、高精細化が可能であり、多階調化や表示装置の大型化に対応できるものである。
【0003】
図10は、従来のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の一つの画素を示す等価回路図の一例である。ゲート線101(走査線ともいう)が横方向に延在し、ソース線102(データ線ともいう)とこれを挟持する2本のEL電源線103が縦方向(ゲート線と直交する方向)に延在して互いに格子状に配置され、これら配線に区画された領域が一画素を構成している。画素内には、書き込みトランジスタ104、キャパシタ105、相互に並列接続された2つの駆動トランジスタ106,107、これら駆動トランジスタ106,107と接続された有機EL素子108がそれぞれ設けられている。
【0004】
このような回路構成を有する有機EL表示装置の動作について説明する。
まず最初に、ゲートドライバから複数のゲート線101に対して走査信号(電圧)を順次印加し、1本毎にそのゲート線101に接続された全ての書き込みトランジスタ104(第1のTFT)をオン状態とする。また、この走査に同期してソースドライバからソース線102に表示信号を供給する。この時、書き込みトランジスタ104がオン状態となっているため、この表示信号はキャパシタ105に蓄積される。次に、キャパシタ105に蓄積された表示信号の電荷量によって、駆動トランジスタ106,107(第2,第3のTFT)の動作状態が決まる。例えば、表示信号の電荷量が駆動トランジスタ106,107の閾値電圧を超え、駆動トランジスタ106,107がオン状態になった場合、EL電源線103から2個の駆動トランジスタ106,107を介して有機EL素子108に電流が供給され、有機EL素子108が発光し、その画素が点灯する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、アクティブマトリクス型有機EL表示装置の場合、各有機EL素子を自発光させるために素子の発光時間中は常に電流を供給し続ける必要がある。この時供給すべき電流量は、素子面積と発光輝度に依るが、概ね数μA程度必要となる。これだけ大きな電流を供給する駆動トランジスタを構成するには、トランジスタ幅を大きくするか、もしくは複数のトランジスタを並列接続する方法が考えられる。これらの方法のいずれを用いてもよいが、一般にトランジスタの特性にはバラツキがあるため、複数のトランジスタを用いることで電流バラツキを緩和するという観点では、例えばThe 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence(EL'00), 2000, pp347-352にあるように、複数のトランジスタを並列接続する方法を採用する方が望ましい。これにより、輝度ムラや表示ムラの小さい有機EL表示装置を実現することができる。この例が図10で示したものである。
【0006】
しかしながら、有機EL表示装置の製造プロセスにおいて、種々の要因、例えばTFTを構成するゲート絶縁膜の膜厚、半導体層の不純物濃度などのパラメータが基板面内である程度ばらつくのは避けられないことである。仮に基板面内で局所的にこれらパラメータがばらついたとすると、その領域内にあるTFTの電気的特性がばらつき、オン電流のバラツキとなって現れることが考えられる。ここで、有機EL表示装置は電流駆動方式の表示装置であるから、電流バラツキが輝度ムラ、表示ムラに直接影響することになり、基板面内での製造プロセス上のバラツキに伴って輝度ムラや表示ムラが発生するという問題を抱えていた。すなわち、輝度ムラ、表示ムラの小さい有機EL表示装置を得ることを目的として複数の駆動トランジスタを並列接続する設計手法を採用していながら、実際には製造バラツキによって充分な画質の均一性が得られないという問題があった。
【0007】
以上、有機EL表示装置の例を挙げて説明したが、EL表示装置の中には無機EL材料を用いた表示装置もある。一般に、無機EL表示装置は交流電圧駆動であるが、その発光メカニズムは、電界中を障壁を越えてトンネル注入された電子が発光中心と衝突したときに発光するというものである。よって、その電流を制御することが重要であり、そのためにも駆動トランジスタのバラツキを抑える必要がある。また、駆動電圧を抑えるためには無機EL素子の薄膜化が一つの手段となるが、この手段を用いた場合、薄膜化に伴って電流のバラツキを抑える手段が重要となる。すなわち、画質の均一性を得るために駆動トランジスタの製造バラツキを抑制することは、有機EL表示装置のみならず、無機EL表示装置にも共通の問題である。
【0008】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、従来に比べて製造バラツキに伴う輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れたEL表示装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のEL表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素の各々に、一対の電極間に少なくともEL発光層が挟持されたEL素子と、キャパシタと、書き込みトランジスタと、並列接続された複数の駆動トランジスタとが備えられたEL表示装置であり、前記複数の駆動トランジスタが、略矩形状の画素の対角線方向の角部のそれぞれに配置されたことを特徴とする。すなわち、本発明のEL表示装置はアクティブマトリクス型の表示装置であり、本発明における「画素」とは、格子状に配置されたゲート線とデータ線(もしくはEL素子用電源線)とによって区画された領域のことを言う。
【0010】
本発明者は、画素内に複数の並列接続の駆動トランジスタを備えたEL表示装置において、駆動トランジスタの画素内での配置を工夫することにより輝度ムラや表示ムラにつながる電流バラツキを従来に比べて低減できることを見い出した。以下、その内容について説明する。
【0011】
通常、アクティブマトリクス型のEL表示装置は一つの画素の形状が矩形状であり、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の3色の画素を備えたEL表示装置では3つの画素で画像の1ドットを構成することから、長辺の寸法が短辺の寸法の数倍程度あるような細長い長方形状となっていることが多い。図8(a)は2個の駆動トランジスタを備えた従来の画素の構成を示す図であり、符号TRの円で示したのが駆動トランジスタである。すなわち、従来の設計では2個の駆動トランジスタが画素の短辺に沿う方向に並んで配置されていた(図10は従来の装置の等価回路図であるが、実際の回路パターンでも駆動トランジスタが長方形の画素の短辺方向に並んでいた)。
【0012】
今、仮に電流供給能力が100の駆動トランジスタTRを形成したとする。ところが、製造プロセスを経る間に符号A1で示す破線の円内でゲート絶縁膜の膜厚、半導体層の不純物濃度などの何らかの製造パラメータのバラツキが生じ、この領域内では電流供給能力が95の駆動トランジスタが形成されたものとする。すると、正常な画素では2個の駆動トランジスタで合わせて200の電流供給能力があったとしても、符号G1で示す図8(a)の中央の画素では190の電流供給能力しか得られない。したがって、この画素は正常な画素に比べて5%の電流供給能力の低下があることになり、これが輝度ムラや表示ムラの原因となっていた。
【0013】
これに対して、本発明のEL表示装置においては、図8(b)に示すように、2個の駆動トランジスタTRが画素の対角線方向の角部にそれぞれ配置されているため、図8(a)の場合に比べて一つの画素内での2個の駆動トランジスタ間の距離が長くなる。このようにすると、図8(a)の場合と同じ面積を占める同様の箇所で製造パラメータのバラツキが生じたとしても、例えば、図8(b)の符号A2の破線の領域のように、一つの画素内の1個のトランジスタのみの電流供給能力が95に低下するだけである。したがって、この画素G2でのトランジスタの電流供給能力は195となり、正常な画素と比べたときの電流供給能力の低下分は2.5%となる。このように、図8(a)の従来の場合に比べて正常な画素に対する電流供給能力の低下分を小さくすることができる。
【0014】
また、2個の駆動トランジスタを画素の対角線方向の角部に配置した場合、斜め方向に並ぶ画素間では駆動トランジスタ間の距離が短い箇所があるため、例えば、図8(b)の符号A3の破線の領域のように、製造パラメータのバラツキが生じた領域内に2個の駆動トランジスタが含まれる場合もある。ところが、この場合でも2個の駆動トランジスタは別々の画素G3,G4に属しているため、バラツキを2つの画素G3,G4で分け合う形となり、斜め方向に並ぶ2つの画素でのトランジスタの電流供給能力がともに195となる。したがって、この場合も正常な画素と比べたときの電流供給能力の低下分は2.5%となる。この場合、電流供給能力が低下する画素が2個になるものの、正常な画素に対する電流供給能力の低下分が半減するため、画面全体を通して見ればやはり表示ムラの程度が軽減される。
【0015】
このように、本発明のEL表示装置によれば、一つの画素内における複数の駆動トランジスタ間の距離を従来に比べて長くしたことにより、基板面内での製造バラツキに伴う駆動トランジスタの電流駆動能力の画素間バラツキを従来に比べて低減することができる。その結果、従来に比べて輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れたEL表示装置を提供することができる。
【0016】
なお、上記の図8(a)、(b)に示したモデルは説明を簡単にするための一つのモデルケースであって、画素の寸法や駆動トランジスタ間の距離、製造バラツキが生じた領域の大きさや形状等の相互関係によっては、これ以外の様々なケースが考えられることは勿論である。しかしながら、どのようなケースであっても一つの画素内における複数の駆動トランジスタ間の距離を長くしさえすれば、程度の差こそあれ、確率的には必ず駆動トランジスタの電流駆動能力の画素間バラツキを従来に比べて低減できる、という作用は得られることになる。
【0017】
また、隣り合う略矩形状の画素内における前記複数の駆動トランジスタが、それぞれの画素において異なる対角線方向の角部に配置されていることが望ましい。
【0018】
図9に示すように、例えば隣り合う画素内における2個の駆動トランジスタTRを異なる対角線方向のそれぞれに配置すると、4個の画素の駆動トランジスタTRが互いに近接することになる。ここで、上記と同様、符号A4で示す破線の円内で製造パラメータのバラツキが生じ、この領域内では電流供給能力が95の駆動トランジスタが形成されたものとする。この場合、4個の駆動トランジスタが別々の画素G5,G6,G7,G8に属しているため、バラツキを4個の画素で分け合う形となる。その結果、図8(b)の場合よりもさらに広範囲の画素にわたって電流供給能力が均一化され、より一層輝度ムラや画素ムラが少なく、画質の均一性に優れたEL表示装置を提供することができる。
【0019】
本発明の他のEL表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素の各々に、一対の電極間に少なくともEL発光層が挟持されたEL素子と、キャパシタと、書き込みトランジスタと、並列接続された複数の駆動トランジスタとが備えられたEL表示装置であって、前記複数の駆動トランジスタが、略矩形状の画素の長辺が延在する方向の端部のそれぞれに配置されたことを特徴とする。
【0020】
この構成においても、複数の駆動トランジスタを画素の対角線方向に配置した上記の構成と同様、一つの画素内における複数の駆動トランジスタ間の距離が従来よりも長くなることにより製造バラツキに伴う駆動トランジスタの電流駆動能力のバラツキを従来に比べて低減でき、輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れたEL表示装置を得ることができる。
【0021】
また、複数の駆動トランジスタを画素の長辺の延在方向の端部に配置した場合、一つの画素内における複数の駆動トランジスタの全てを、同一のEL素子用電源線に接続することが望ましい。
【0022】
アクティブマトリクス型EL表示装置の通常の構成ではゲート線の延在方向が画素の短辺方向であり、データ線およびEL素子用電源線の延在方向が画素の長辺方向である。EL表示装置においては駆動トランジスタをEL素子用電源線に接続する必要があるが、例えば2個の駆動トランジスタを画素の短辺方向に並べた従来の構成の場合、配線の引き回しが困難であるという設計上の事情から、各駆動トランジスタを別のEL素子用電源線に接続しなければならず、画素の両側方にEL素子用電源線を配置する必要がある。すなわち、隣接する画素間の領域に、1本のデータ線と、この両側方に配置される2本のEL電源線の計3本の配線が必要になる。
【0023】
ところが、本発明のEL表示装置、特に複数の駆動トランジスタを画素の長辺方向に配置したEL表示装置によれば、配線の引き回しの困難さがなくなり、一つの画素内における複数の駆動トランジスタの全てを同一のEL素子用電源線に接続することが可能になる。この場合、画素の片側に1本のEL素子用電源線を配置すればよいので、隣接する画素間の領域に1本のデータ線と1本のEL電源線の計2本の配線があればよいことになる。これにより、従来に比べて配線領域を狭くすることができ、その結果、開口率を向上させることができる。
【0024】
また、前記キャパシタを、書き込みトランジスタに接続されたデータ線および駆動トランジスタに接続されたEL素子用電源線と平面的に重なる領域に配置することが望ましい。
【0025】
キャパシタの配置に関しては、データ線やEL素子用電源線と平面的に重ならない画素内部の領域に配置してもよいが、データ線やEL素子用電源線と平面的に重なる領域に配置すれば、画素内でのキャパシタの占有領域を削減することができ、その分開口率を向上させることができる。
【0026】
本発明の電子機器は、上記本発明のEL表示装置を備えたことを特徴とするものである。
この構成によれば、輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れたEL表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
[第1の実施の形態]
以下、本発明の第1の実施の形態を図1および図2を参照して説明する。
図1は、本実施の形態のアクティブマトリクス型有機EL表示装置(EL表示装置)を構成する一画素の等価回路図であり、図2は、図1の等価回路図を実現するための具体的な回路パターンの一例を示す平面図である。
【0028】
本実施の形態の有機EL表示装置においては、図1に示すように、ゲート線1(走査線)が横方向に延在し、ソース線2(データ線)とこれを挟持する2本のEL素子用電源線3(以下、単にEL電源線という)が縦方向(ゲート線1と直交する方向)に延在して互いに格子状に配置され、これら配線に区画された領域が一画素を構成している。画素内には、ゲート線1およびソース線2に電気的に接続された書き込みトランジスタ4、書き込みトランジスタ4に電気的に接続されたキャパシタ5、キャパシタ5に電気的に接続され、相互に並列接続された2つの駆動トランジスタ6,7、これら駆動トランジスタ6,7に電気的に接続された有機EL素子8が設けられている。等価回路として見る限りは従来の構成と類似しているが、本実施の形態の場合、各駆動トランジスタ6,7が画素の対角線方向の角部のそれぞれに配置されている。
【0029】
次に、図2を参照して具体的な回路パターンについて説明する。図2中、符号1はゲート線、2はソース線、3はEL電源線であり、以下の説明では便宜上、ゲート線1が配置された領域を横方向配線領域L、ソース線2およびEL電源線3が配置された領域を縦方向配線領域Vと称する。実際のパターンでは各トランジスタはTFTで構成されており、書き込みトランジスタ4を構成する第1のTFTにおいては、一端がコンタクトホール9を通じてソース線2に接続され、ゲート線1と交差した後、他端が縦方向配線領域Vに沿って延在する半導体層10が設けられている。半導体層10の上部と下部から画素の内側に向けて延在する部分(それぞれ第1の延在部10a、第2の延在部10bという)が設けられ、この部分に後述する第2,第3のTFTのゲート電極が接続されている。また、半導体層10の縦方向配線領域Vに沿って延在する部分10cはキャパシタ5の一方の電極を構成しており、この部分10cと重なるように一端がコンタクトホール11を通じてEL電源線3に接続され、キャパシタ5の他方の電極を構成する容量電極12が設けられている。
【0030】
駆動トランジスタ6の一つを構成する第2のTFTにおいては、その一端がコンタクトホール13を通じて画素の左側のEL電源線3に接続された半導体層14が図2における画素の左上の角部に形成され、コンタクトホール15を通じて第1のTFTの半導体層10の第1の延在部10a(ドレイン領域)と接続されたゲート電極16がこの半導体層14と交差するように設けられている。そして、第2のTFTの半導体層14の他端(ドレイン領域)にコンタクトホール17を通じて接続された中継層18が設けられ、中継層18にはコンタクトホール19を通じてインジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide, 以下、ITOと略記する)等の透明導電膜からなる画素電極20の上端が接続されている。すなわち、第2のTFTの半導体層14と画素電極20とが中継層18を介して電気的に接続されている。
【0031】
また、駆動トランジスタ7の他の一つを構成する第3のTFTにおいては、その一端がコンタクトホール21を通じて画素の右側のEL電源線3に接続された半導体層22が図2における画素の右下の角部に形成され、コンタクトホール23を通じて第1のTFTの半導体層10の第2の延在部10b(ドレイン領域)と接続された長いL字状のゲート電極24が半導体層22と交差するように設けられている。そして、第3のTFTの半導体層22の他端(ドレイン領域)にコンタクトホール25を通じて接続された中継層26が設けられ、中継層26にはコンタクトホール27を通じて画素電極20の下端が接続されている。すなわち、第3のTFTの半導体層22と画素電極20とが中継層26を介して電気的に接続されている。
【0032】
なお、図2における符号28の実線は有機EL発光層の輪郭であり、符号29で示す1点鎖線は遮光層(ブラックマトリクス)の輪郭である。また、有機EL素子8は、有機EL素子の陽極となる画素電極20と陰極となる金属電極(図示せず)からなる一対の電極間に少なくとも有機EL発光層28が挟持されたものである。一対の電極間には、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層などの層を挟持させてもよい。
【0033】
本実施の形態の有機EL表示装置は平面的なパターン配置が従来と異なるものであって、等価回路的には従来と変わらないため、有機EL表示装置の動作についても従来と全く同様であり、説明を省略する。
【0034】
本実施の形態によれば、一つの画素内における2個の駆動トランジスタ6,7を矩形の画素の対角線方向の角部に配置し、図10に示した従来のものに比べて駆動トランジスタ6,7間の距離を長くしたことにより、基板面内での製造バラツキに伴う駆動トランジスタの電流駆動能力の画素間バラツキを従来に比べて低減することができる。また、画素に対して対角線の方向に並ぶ別の画素内の駆動トランジスタとの距離が、同一画素内の2つの駆動トランジスタ6,7間の距離よりも短くなれば、基板面内での製造バラツキに伴う駆動トランジスタの電流駆動能力のばらつきをそれらの画素間で分け合うことができる。その結果、従来に比べて輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れた有機EL表示装置を提供することができる。
【0035】
また本実施の形態の場合、キャパシタ5を縦方向配線領域Vに配置したため、画素内でのキャパシタ5の占有領域を削減することができ、その分開口率を向上させることができる。
【0036】
なお、本実施の形態では、全ての画素において同一の対角線方向の角部にのみ2個の駆動トランジスタ6,7を配置しているが、隣り合う画素のそれぞれにおいて異なる対角線方向の角部に2個の駆動トランジスタを配置してもよい。その場合、4つの画素の駆動トランジスタが互いに近接し、それらがバラツキを分け合うことになる。そのため、より一層輝度ムラや画素ムラが少なく、画質の均一性に優れたEL表示装置を提供することができる。
【0037】
[第2の実施の形態]
以下、本発明の第2の実施の形態を図3および図4を参照して説明する。
図3は、本実施の形態のアクティブマトリクス型有機EL表示装置を構成する一画素の等価回路図であり、図4は、図3の等価回路図を実現するための具体的な回路パターンの一例を示す平面図である。第1の実施の形態が2個の駆動トランジスタを画素の対角線方向に配置したのに対し、本実施の形態は2個の駆動トランジスタを画素の長辺方向に配置した例である。よって、図3、図4において図1、図2と共通の構成要素には同一の符号を付し、共通部分の詳細な説明は省略する。
【0038】
本実施の形態の有機EL表示装置においては、図3に示すように、ゲート線1とソース線2およびEL電源線3とが格子状に配置され、これら配線に区画された画素内に、書き込みトランジスタ4、キャパシタ5、並列接続された2つの駆動トランジスタ6,7、有機EL素子8が設けられている。等価回路として見る限りは従来の構成および第1の実施の形態と同様であるが、本実施の形態の場合、各駆動トランジスタ6,7が画素の長辺方向の端部のそれぞれに配置されている。さらに第1の実施の形態と異なる点として、これら駆動トランジスタ6,7が同一のEL電源線3(画素の左側のEL電源線3)に接続されており、第1の実施の形態では縦方向配線領域Vのソース線2の両側に2本設けられていたEL電源線3が片側1本になっている。
【0039】
次に、図4を参照して具体的な回路パターンについて説明する。
第1の実施の形態では画素の左上と右下に駆動トランジスタが配置されていたのに対し、本実施の形態では画素の左上と左下に駆動トランジスタ6,7が配置されている。したがって、画素の上側(第1,第2のTFT側)のパターン構成は第1の実施の形態(図2)と略同様であり、画素の下側(第3のTFT側)のパターン構成のみが異なっている。そして本実施の形態では、第2のTFT側と第3のTFT側がほぼ対称の構成となっている。
【0040】
すなわち、第3のTFTも第2のTFTと同様、その一端がコンタクトホールを通じて画素の左側のEL電源線3に接続された半導体層22が図4における画素の左下の角部に設けられ、コンタクトホール23を通じて第1のTFTの半導体層10の第2の延在部10b(ドレイン領域)と接続されたゲート電極24がこの半導体層10と交差するように設けられている。そして、第3のTFTの半導体層22の他端(ドレイン領域)にコンタクトホール25を通じて接続された中継層26が設けられ、中継層26にはコンタクトホール27を通じて画素電極20の下端が接続されている。
【0041】
本実施の形態においても、一つの画素内における2個の駆動トランジスタ6,7を矩形の画素の長辺方向の端部に配置し、これら駆動トランジスタ6,7間の距離を長くしたことにより、駆動トランジスタの電流駆動能力の画素間バラツキを低減でき、従来に比べて輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れた有機EL表示装置を実現できる、キャパシタ5を縦方向配線領域Vに配置したことにより開口率を向上させることができる、といった第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0042】
さらに本実施の形態においては、2個の駆動トランジスタ6,7を画素の長辺方向の端部に配置したことでこれら駆動トランジスタ6,7を共通の1本のEL電源線3に接続することが可能になる。この構成により、一つの画素に対してEL電源線が1本で済み、縦方向配線領域を狭くすることができるため、第1の実施の形態に比べて開口率をより向上させることができる。
【0043】
[電子機器]
上記実施の形態の有機EL表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
図5は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図5において、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記の有機EL表示装置を用いた表示部を示している。
【0044】
図6は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図6において、符号1100は時計本体を示し、符号1101は上記の有機EL表示装置を用いた表示部を示している。
【0045】
図7は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図7において、符号1200は情報処理装置、符号1202はキーボードなどの入力部、符号1204は情報処理装置本体、符号1206は上記の有機EL表示装置を用いた表示部を示している。
【0046】
図5〜図7に示す電子機器は、上記実施の形態の有機EL表示装置を備えているので、輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れた表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【0047】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記第1、第2の実施の形態においては、複数の駆動トランジスタとして2個のトランジスタを用いた例を示したが、3個以上のトランジスタを用いてもよい。
その場合、いくつかのトランジスタは短辺方向に並ぶことがあったとしても、対角線方向や長辺方向に一部のトランジスタを振り分けるようにすれば、3個以上のトランジスタを全て短辺方向に並べるよりは輝度ムラ、表示ムラの低減効果を得ることができる。また、図2、図4で示した平面パターンはあくまでも一例であり、各パターンの具体的な形状や大きさは適宜変更が可能である。さらに、上記実施の形態では有機EL表示装置の例を挙げて説明したが、同様の構成を無機EL表示装置に適用することも可能である。
【0048】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、一つの画素内における複数の駆動トランジスタの配置を工夫してこれら駆動トランジスタ間の距離を従来より長くしたことにより、駆動トランジスタの電流駆動能力の画素間のバラツキを低減でき、従来に比べて輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れたEL表示装置を実現することができる。また、画素間の複数の駆動トランジスタの距離が、同一画素内の2つの駆動トランジスタ間の距離よりも短くなれば、基板面内での製造バラツキに伴う駆動トランジスタの電流駆動能力のばらつきをそれらの画素間で分け合うことができるため、従来に比べてさらに輝度ムラや表示ムラが少なく、画質の均一性に優れた有機EL表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態の有機EL表示装置の一画素を示す等価回路図である。
【図2】 同、等価回路を実現する回路パターンの一構成例を示す平面図である。
【図3】 本発明の第2の実施形態の有機EL表示装置の一画素を示す等価回路図である。
【図4】 同、等価回路を実現する回路パターンの一構成例を示す平面図である。
【図5】 上記有機EL表示装置を備えた本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。
【図6】 同、電子機器の他の例を示す斜視図である。
【図7】 同、電子機器のさらに他の例を示す斜視図である。
【図8】 本発明の作用を説明するための図である。
【図9】 本発明の作用を説明するための図である。
【図10】 従来のアクティブマトリクス型有機EL表示装置の一画素を示す等価回路図である。
【符号の説明】
1 ゲート線(走査線)
2 ソース線(データ線)
3 EL電源線(EL素子用電源線)
4 書き込みトランジスタ
5 キャパシタ
6,7 駆動トランジスタ
8 有機EL素子
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electroluminescence (hereinafter abbreviated as EL) display device and electronic equipment, and more particularly to the arrangement of drive transistors in each pixel in the EL display device.
[0002]
[Prior art]
An organic EL display device provided with an organic EL element corresponding to each pixel has high brightness and self-emission, can be driven by a DC low voltage, has a high response speed, and emits light by a solid organic film. For this reason, the display performance is excellent, and the display device can be reduced in thickness, weight, and power consumption. Therefore, it is expected as a display device that will follow the liquid crystal display device in the future. In particular, an active matrix organic EL display device with an active matrix drive method includes a transistor and a capacitor for each pixel, so that high brightness and high definition can be achieved. It can cope with the conversion.
[0003]
FIG. 10 is an example of an equivalent circuit diagram showing one pixel of a conventional active matrix organic EL display device. A gate line 101 (also referred to as a scanning line) extends in the horizontal direction, and a source line 102 (also referred to as a data line) and two EL power supply lines 103 sandwiching the source line 102 (also referred to as a data line) extend in a vertical direction (a direction perpendicular to the gate line). A region extending and arranged in a grid pattern and partitioned by these wirings constitutes one pixel. In the pixel, a writing transistor 104, a capacitor 105, two driving transistors 106 and 107 connected in parallel to each other, and an organic EL element 108 connected to these driving transistors 106 and 107 are provided.
[0004]
The operation of the organic EL display device having such a circuit configuration will be described.
First, a scanning signal (voltage) is sequentially applied from the gate driver to the plurality of gate lines 101 to turn on all the write transistors 104 (first TFTs) connected to the gate lines 101 for each one. State. In addition, a display signal is supplied from the source driver to the source line 102 in synchronization with this scanning. At this time, since the writing transistor 104 is turned on, this display signal is accumulated in the capacitor 105. Next, the operation state of the drive transistors 106 and 107 (second and third TFTs) is determined by the charge amount of the display signal accumulated in the capacitor 105. For example, when the charge amount of the display signal exceeds the threshold voltage of the drive transistors 106 and 107 and the drive transistors 106 and 107 are turned on, the organic EL element is connected from the EL power line 103 via the two drive transistors 106 and 107. A current is supplied to the element 108, the organic EL element 108 emits light, and the pixel is lit.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the case of an active matrix organic EL display device, in order to cause each organic EL element to emit light itself, it is necessary to continuously supply current during the light emission time of the element. The amount of current to be supplied at this time depends on the element area and the light emission luminance, but approximately several μA is required. In order to configure a driving transistor that supplies such a large current, a method of increasing the transistor width or connecting a plurality of transistors in parallel can be considered. Any of these methods may be used, but generally, there are variations in transistor characteristics. From the viewpoint of reducing current variation by using multiple transistors, for example, The 10th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence ( EL'00), 2000, pp347-352, it is desirable to adopt a method of connecting a plurality of transistors in parallel. Thereby, an organic EL display device with small luminance unevenness and display unevenness can be realized. This example is shown in FIG.
[0006]
However, in the manufacturing process of the organic EL display device, it is inevitable that various factors such as the film thickness of the gate insulating film constituting the TFT and the impurity concentration of the semiconductor layer vary to some extent within the substrate surface. . If these parameters vary locally within the substrate surface, it is conceivable that the electrical characteristics of the TFTs in that region vary and appear as variations in on-current. Here, since the organic EL display device is a current-driven display device, the current variation directly affects the luminance unevenness and the display unevenness, and the luminance unevenness and the unevenness in the manufacturing process within the substrate surface. There was a problem that display unevenness occurred. In other words, while adopting a design method in which a plurality of drive transistors are connected in parallel for the purpose of obtaining an organic EL display device with small brightness unevenness and display unevenness, sufficient image quality uniformity can actually be obtained due to manufacturing variations. There was no problem.
[0007]
As mentioned above, although the example of the organic EL display device has been described, some EL display devices include a display device using an inorganic EL material. In general, an inorganic EL display device is driven by an alternating voltage, but its light emission mechanism is such that light is emitted when electrons injected through a tunnel through a barrier through an electric field collide with a light emission center. Therefore, it is important to control the current, and for this reason, it is necessary to suppress the variation of the driving transistor. Further, in order to suppress the drive voltage, thinning the inorganic EL element is one means. When this means is used, means for suppressing the variation in current accompanying the thinning becomes important. That is, it is a common problem not only for an organic EL display device but also for an inorganic EL display device to suppress the manufacturing variation of the drive transistor in order to obtain uniformity in image quality.
[0008]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and provides an EL display device that has less luminance unevenness and display unevenness due to manufacturing variations than the conventional one and has excellent image quality uniformity. Objective.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an EL display device of the present invention includes an EL element in which at least an EL light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes, a capacitor, and a plurality of pixels arranged in a matrix, An EL display device including a writing transistor and a plurality of driving transistors connected in parallel, wherein the plurality of driving transistors are arranged at each of diagonal corners of a substantially rectangular pixel. And That is, the EL display device of the present invention is an active matrix display device, and the “pixel” in the present invention is partitioned by gate lines and data lines (or EL element power supply lines) arranged in a grid pattern. Refers to the area.
[0010]
The present inventor, in an EL display device having a plurality of parallel-connected drive transistors in a pixel, has a current variation that leads to uneven luminance and uneven display by devising the arrangement of the drive transistor in the pixel compared to the conventional case. I found that it can be reduced. The contents will be described below.
[0011]
In general, an active matrix EL display device has a rectangular pixel shape. For example, an EL display device including three color pixels of R (red), G (green), and B (blue) has three types. Since one pixel of the image is composed of pixels, the long side is often in the form of a long and narrow rectangle having a size of several times the short side. FIG. 8A is a diagram showing a configuration of a conventional pixel including two drive transistors, and a drive transistor is indicated by a circle with a symbol TR. That is, in the conventional design, two drive transistors are arranged side by side in the direction along the short side of the pixel (FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of a conventional device, but the drive transistor is rectangular even in an actual circuit pattern. Were lined up in the short-side direction.
[0012]
Assume that a driving transistor TR having a current supply capability of 100 is formed. However, some manufacturing parameters such as the thickness of the gate insulating film and the impurity concentration of the semiconductor layer vary within the circle indicated by the broken line A1 during the manufacturing process, and the current supply capability is 95. Assume that a transistor is formed. Then, even if a normal pixel has a current supply capability of 200 with two drive transistors, only a current supply capability of 190 is obtained in the center pixel of FIG. Therefore, this pixel has a 5% reduction in current supply capability compared to a normal pixel, which causes uneven brightness and display unevenness.
[0013]
On the other hand, in the EL display device of the present invention, as shown in FIG. 8B, the two drive transistors TR are respectively arranged at the corners in the diagonal direction of the pixel. ), The distance between the two drive transistors in one pixel becomes longer. In this way, even if the manufacturing parameters vary at the same location occupying the same area as in FIG. 8A, for example, as shown by the broken line area indicated by the reference A2 in FIG. Only the current supply capability of one transistor in one pixel is reduced to 95. Therefore, the current supply capability of the transistor in the pixel G2 is 195, and the decrease in the current supply capability when compared with a normal pixel is 2.5%. In this way, the decrease in current supply capability for normal pixels can be reduced compared to the conventional case of FIG.
[0014]
Further, when two drive transistors are arranged at the corners in the diagonal direction of the pixels, there are places where the distance between the drive transistors is short between pixels arranged in an oblique direction. For example, reference numeral A3 in FIG. There may be a case where two drive transistors are included in a region where the manufacturing parameter varies, such as a broken line region. However, even in this case, since the two drive transistors belong to different pixels G3 and G4, the variation is divided between the two pixels G3 and G4, and the current supply capability of the transistors in the two pixels arranged in the oblique direction. Are both 195. Accordingly, in this case as well, the decrease in current supply capability when compared with normal pixels is 2.5%. In this case, although the number of pixels in which the current supply capability is reduced is two, the decrease in the current supply capability for normal pixels is halved, so that the degree of display unevenness is also reduced when viewed through the entire screen.
[0015]
As described above, according to the EL display device of the present invention, the distance between the plurality of drive transistors in one pixel is increased as compared with the conventional one, so that the current drive of the drive transistor accompanying the manufacturing variation in the substrate surface is achieved. It is possible to reduce the variation in capacity between pixels as compared to the conventional case. As a result, it is possible to provide an EL display device that has less luminance unevenness and display unevenness than the conventional one and is excellent in image quality uniformity.
[0016]
Note that the model shown in FIGS. 8A and 8B is one model case for simplifying the description, and is the size of the pixel, the distance between the driving transistors, and the region where the manufacturing variation occurs. Of course, various other cases can be considered depending on the mutual relationship between the size and the shape. However, in any case, as long as the distance between a plurality of drive transistors in one pixel is increased, the current drive capability of the drive transistor varies from pixel to pixel. Thus, the effect of reducing the amount of the conventional method can be obtained.
[0017]
In addition, it is desirable that the plurality of driving transistors in adjacent substantially rectangular pixels are disposed at different diagonal corners in each pixel.
[0018]
As shown in FIG. 9, for example, when two drive transistors TR in adjacent pixels are arranged in different diagonal directions, the drive transistors TR of the four pixels are close to each other. Here, similarly to the above, it is assumed that manufacturing parameters vary within a broken-line circle indicated by reference numeral A4, and a drive transistor having a current supply capability of 95 is formed in this region. In this case, since the four drive transistors belong to different pixels G5, G6, G7, and G8, the variation is shared by the four pixels. As a result, it is possible to provide an EL display device in which current supply capability is made uniform over a wider range of pixels than in the case of FIG. 8B, luminance unevenness and pixel unevenness are further reduced, and image quality is excellent in uniformity. it can.
[0019]
In another EL display device of the present invention, an EL element in which at least an EL light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes, a capacitor, and a writing transistor are connected in parallel to each of a plurality of pixels arranged in a matrix. An EL display device including a plurality of drive transistors, wherein the plurality of drive transistors are arranged at each of end portions in a direction in which a long side of a substantially rectangular pixel extends. To do.
[0020]
Also in this configuration, as in the above-described configuration in which a plurality of drive transistors are arranged in the diagonal direction of the pixel, the distance between the plurality of drive transistors in one pixel is longer than in the past, so that the drive transistor due to manufacturing variations is increased. The variation in current driving capability can be reduced as compared with the conventional case, and there can be obtained an EL display device with less luminance unevenness and display unevenness and excellent image quality uniformity.
[0021]
Further, in the case where a plurality of driving transistors are arranged at an end portion in the extending direction of the long side of the pixel, it is desirable that all of the plurality of driving transistors in one pixel are connected to the same EL element power supply line.
[0022]
In the normal configuration of the active matrix EL display device, the extending direction of the gate line is the short side direction of the pixel, and the extending direction of the data line and the EL element power supply line is the long side direction of the pixel. In the EL display device, it is necessary to connect the driving transistor to the EL element power line. For example, in the case of the conventional configuration in which two driving transistors are arranged in the short side direction of the pixel, it is difficult to route the wiring. Due to design reasons, each drive transistor must be connected to another EL element power line, and the EL element power lines need to be arranged on both sides of the pixel. That is, a total of three wirings are required in the area between adjacent pixels, one data line and two EL power supply lines arranged on both sides of the data line.
[0023]
However, according to the EL display device of the present invention, in particular, an EL display device in which a plurality of drive transistors are arranged in the long side direction of the pixel, there is no difficulty in routing the wiring, and all of the plurality of drive transistors in one pixel are eliminated. Can be connected to the same EL element power supply line. In this case, since one EL element power line may be arranged on one side of the pixel, if there is a total of two wires, one data line and one EL power line, in the region between adjacent pixels. It will be good. As a result, the wiring area can be narrowed compared to the conventional case, and as a result, the aperture ratio can be improved.
[0024]
In addition, it is desirable that the capacitor be disposed in a region that overlaps the data line connected to the writing transistor and the EL element power supply line connected to the driving transistor in a plane.
[0025]
With regard to the arrangement of the capacitors, the capacitor may be arranged in an area inside the pixel that does not overlap with the data line or the EL element power line in a plane, but if it is arranged in an area overlapping with the data line or the EL element power line in a plane. The area occupied by the capacitor in the pixel can be reduced, and the aperture ratio can be improved accordingly.
[0026]
An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described EL display device according to the present invention.
According to this configuration, it is possible to realize an electronic device including an EL display unit that has less luminance unevenness and display unevenness and excellent image quality uniformity.
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[First Embodiment]
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of one pixel constituting the active matrix organic EL display device (EL display device) of the present embodiment, and FIG. 2 is a specific example for realizing the equivalent circuit diagram of FIG. It is a top view which shows an example of a simple circuit pattern.
[0028]
In the organic EL display device of the present embodiment, as shown in FIG. 1, the gate line 1 (scanning line) extends in the horizontal direction, and the source line 2 (data line) and the two ELs sandwiching the source line 2 (data line). The element power supply lines 3 (hereinafter simply referred to as EL power supply lines) extend in the vertical direction (direction perpendicular to the gate lines 1) and are arranged in a lattice pattern, and a region partitioned by these wirings constitutes one pixel. is doing. In the pixel, the write transistor 4 electrically connected to the gate line 1 and the source line 2, the capacitor 5 electrically connected to the write transistor 4, and the capacitor 5 are electrically connected and connected in parallel to each other. Two drive transistors 6 and 7 and an organic EL element 8 electrically connected to these drive transistors 6 and 7 are provided. As long as it is viewed as an equivalent circuit, it is similar to the conventional configuration, but in the case of this embodiment, each of the drive transistors 6 and 7 is disposed at each corner of the pixel in the diagonal direction.
[0029]
Next, a specific circuit pattern will be described with reference to FIG. In FIG. 2, reference numeral 1 is a gate line, 2 is a source line, and 3 is an EL power supply line. In the following description, for convenience, a region where the gate line 1 is arranged is defined as a lateral wiring region L, a source line 2 and an EL power supply. A region where the line 3 is arranged is referred to as a vertical wiring region V. In the actual pattern, each transistor is composed of a TFT. In the first TFT constituting the write transistor 4, one end is connected to the source line 2 through the contact hole 9, crosses the gate line 1, and then the other end. Is provided along the vertical wiring region V. Parts extending from the upper part and the lower part of the semiconductor layer 10 toward the inside of the pixel (referred to as a first extending part 10a and a second extending part 10b, respectively) are provided. The gate electrode of the TFT 3 is connected. Further, a portion 10c extending along the vertical wiring region V of the semiconductor layer 10 constitutes one electrode of the capacitor 5, and one end thereof is connected to the EL power supply line 3 through the contact hole 11 so as to overlap the portion 10c. A capacitor electrode 12 connected and constituting the other electrode of the capacitor 5 is provided.
[0030]
In the second TFT constituting one of the driving transistors 6, a semiconductor layer 14 having one end connected to the EL power supply line 3 on the left side of the pixel through the contact hole 13 is formed at the upper left corner of the pixel in FIG. A gate electrode 16 connected to the first extension portion 10a (drain region) of the semiconductor layer 10 of the first TFT through the contact hole 15 is provided so as to intersect the semiconductor layer 14. A relay layer 18 connected to the other end (drain region) of the semiconductor layer 14 of the second TFT through the contact hole 17 is provided. The relay layer 18 has an indium tin oxide (Indium Tin Oxide,) through the contact hole 19. The upper end of the pixel electrode 20 made of a transparent conductive film such as ITO (hereinafter abbreviated as ITO) is connected. That is, the semiconductor layer 14 of the second TFT and the pixel electrode 20 are electrically connected via the relay layer 18.
[0031]
Further, in the third TFT constituting the other one of the drive transistors 7, the semiconductor layer 22 having one end connected to the EL power supply line 3 on the right side of the pixel through the contact hole 21 has a lower right side of the pixel in FIG. A long L-shaped gate electrode 24 formed at the corner of the first TFT and connected to the second extension 10 b (drain region) of the semiconductor layer 10 of the first TFT through the contact hole 23 intersects the semiconductor layer 22. It is provided as follows. A relay layer 26 connected to the other end (drain region) of the semiconductor layer 22 of the third TFT is provided through the contact hole 25, and the lower end of the pixel electrode 20 is connected to the relay layer 26 through the contact hole 27. Yes. That is, the semiconductor layer 22 of the third TFT and the pixel electrode 20 are electrically connected through the relay layer 26.
[0032]
2 is the contour of the organic EL light emitting layer, and the one-dot chain line indicated by the reference symbol 29 is the contour of the light shielding layer (black matrix). The organic EL element 8 has at least an organic EL light emitting layer 28 sandwiched between a pair of electrodes composed of a pixel electrode 20 serving as an anode of the organic EL element and a metal electrode (not shown) serving as a cathode. In addition to the light emitting layer, a layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, or an electron transport layer may be sandwiched between the pair of electrodes.
[0033]
The organic EL display device of the present embodiment is different from the conventional one in the planar pattern arrangement, and the equivalent circuit is not different from the conventional one. Therefore, the operation of the organic EL display device is exactly the same as the conventional one. Description is omitted.
[0034]
According to the present embodiment, the two drive transistors 6 and 7 in one pixel are arranged at the corners in the diagonal direction of the rectangular pixel, and the drive transistors 6 and 6 are compared with the conventional one shown in FIG. By making the distance between 7 longer, it is possible to reduce the inter-pixel variation in the current driving capability of the drive transistor due to the manufacturing variation in the substrate surface as compared with the conventional case. Further, if the distance between the drive transistor in another pixel lined up in the diagonal direction with respect to the pixel is shorter than the distance between the two drive transistors 6 and 7 in the same pixel, the manufacturing variation in the substrate surface will occur. The variation in the current drive capability of the drive transistor due to the can be shared between the pixels. As a result, it is possible to provide an organic EL display device that has less luminance unevenness and display unevenness than the conventional one and is excellent in image quality uniformity.
[0035]
In the present embodiment, since the capacitor 5 is arranged in the vertical wiring region V, the area occupied by the capacitor 5 in the pixel can be reduced, and the aperture ratio can be improved accordingly.
[0036]
In the present embodiment, two drive transistors 6 and 7 are arranged only at the same diagonal corner in all pixels. However, 2 pixels are arranged at different diagonal corners in each adjacent pixel. One drive transistor may be arranged. In that case, the drive transistors of the four pixels are close to each other, and they share a variation. Therefore, it is possible to provide an EL display device with even less luminance unevenness and pixel unevenness and excellent image quality uniformity.
[0037]
[Second Embodiment]
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of one pixel constituting the active matrix organic EL display device of the present embodiment, and FIG. 4 is an example of a specific circuit pattern for realizing the equivalent circuit diagram of FIG. FIG. In contrast to the first embodiment in which two drive transistors are arranged in the diagonal direction of the pixel, the present embodiment is an example in which two drive transistors are arranged in the long side direction of the pixel. Therefore, in FIGS. 3 and 4, the same reference numerals are given to the same components as those in FIGS. 1 and 2, and detailed description of the common parts is omitted.
[0038]
In the organic EL display device of the present embodiment, as shown in FIG. 3, the gate lines 1, the source lines 2, and the EL power supply lines 3 are arranged in a lattice pattern, and writing is performed in the pixels partitioned by these wirings. A transistor 4, a capacitor 5, two drive transistors 6 and 7 connected in parallel, and an organic EL element 8 are provided. As long as it is viewed as an equivalent circuit, it is the same as the conventional configuration and the first embodiment. However, in the case of this embodiment, the drive transistors 6 and 7 are arranged at the respective ends in the long side direction of the pixel. Yes. Further, as a difference from the first embodiment, the drive transistors 6 and 7 are connected to the same EL power supply line 3 (EL power supply line 3 on the left side of the pixel), and in the first embodiment, the vertical direction Two EL power supply lines 3 provided on both sides of the source line 2 in the wiring region V are provided on one side.
[0039]
Next, a specific circuit pattern will be described with reference to FIG.
In the first embodiment, the drive transistors are arranged at the upper left and lower right of the pixel. In the present embodiment, the drive transistors 6 and 7 are arranged at the upper left and lower left of the pixel. Accordingly, the pattern configuration on the upper side (first and second TFT sides) of the pixel is substantially the same as that of the first embodiment (FIG. 2), and only the pattern configuration on the lower side (third TFT side) of the pixel. Is different. In this embodiment mode, the second TFT side and the third TFT side are substantially symmetrical.
[0040]
That is, similarly to the second TFT, the third TFT is provided with a semiconductor layer 22 having one end connected to the EL power supply line 3 on the left side of the pixel through the contact hole at the lower left corner of the pixel in FIG. A gate electrode 24 connected to the second extending portion 10 b (drain region) of the semiconductor layer 10 of the first TFT through the hole 23 is provided so as to intersect the semiconductor layer 10. A relay layer 26 connected to the other end (drain region) of the semiconductor layer 22 of the third TFT is provided through the contact hole 25, and the lower end of the pixel electrode 20 is connected to the relay layer 26 through the contact hole 27. Yes.
[0041]
Also in this embodiment, the two drive transistors 6 and 7 in one pixel are arranged at the ends of the rectangular pixels in the long side direction, and the distance between the drive transistors 6 and 7 is increased. Capacitor 5 can be provided in vertical wiring region V, which can reduce the variation in current driving capability of the drive transistor between pixels, and can realize an organic EL display device with less luminance unevenness and display unevenness and superior image quality uniformity. The effect similar to 1st Embodiment that an aperture ratio can be improved by having arrange | positioned can be acquired.
[0042]
Further, in the present embodiment, the two drive transistors 6 and 7 are arranged at the ends in the long side direction of the pixel so that the drive transistors 6 and 7 are connected to the common single EL power supply line 3. Is possible. With this configuration, only one EL power supply line is required for one pixel, and the vertical wiring region can be narrowed. Therefore, the aperture ratio can be further improved as compared with the first embodiment.
[0043]
[Electronics]
Examples of electronic devices including the organic EL display device of the above embodiment will be described.
FIG. 5 is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 5, reference numeral 1000 indicates a mobile phone body, and reference numeral 1001 indicates a display unit using the organic EL display device.
[0044]
FIG. 6 is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 6, reference numeral 1100 indicates a watch body, and reference numeral 1101 indicates a display unit using the organic EL display device.
[0045]
FIG. 7 is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 7, reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, reference numeral 1202 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 1204 denotes an information processing apparatus body, and reference numeral 1206 denotes a display unit using the above organic EL display device.
[0046]
The electronic device shown in FIGS. 5 to 7 includes the organic EL display device according to the above embodiment, and thus realizes an electronic device including a display portion with less luminance unevenness and display unevenness and excellent image quality uniformity. can do.
[0047]
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the first and second embodiments, an example in which two transistors are used as the plurality of driving transistors has been described, but three or more transistors may be used.
In this case, even if some transistors are arranged in the short side direction, if some transistors are distributed in the diagonal direction or the long side direction, all three or more transistors are arranged in the short side direction. In addition, the effect of reducing luminance unevenness and display unevenness can be obtained. The planar patterns shown in FIGS. 2 and 4 are merely examples, and the specific shape and size of each pattern can be changed as appropriate. Furthermore, in the above-described embodiment, the example of the organic EL display device has been described, but the same configuration can be applied to the inorganic EL display device.
[0048]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, the arrangement of a plurality of drive transistors in one pixel is devised, and the distance between these drive transistors is made longer than before. Therefore, it is possible to realize an EL display device that has less luminance unevenness and display unevenness than conventional ones and is excellent in image quality uniformity. Further, if the distance between the plurality of drive transistors between the pixels is shorter than the distance between the two drive transistors in the same pixel, the variation in the current drive capability of the drive transistors due to manufacturing variations within the substrate surface can be reduced. Since the pixels can be shared, it is possible to realize an organic EL display device with less luminance unevenness and display unevenness and superior image quality uniformity as compared with the related art.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing one pixel of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a configuration example of a circuit pattern for realizing an equivalent circuit.
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing one pixel of an organic EL display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a plan view showing a configuration example of a circuit pattern for realizing an equivalent circuit.
FIG. 5 is a perspective view showing an example of an electronic apparatus according to the invention including the organic EL display device.
FIG. 6 is a perspective view showing another example of the electronic apparatus.
FIG. 7 is a perspective view showing still another example of the electronic apparatus.
FIG. 8 is a diagram for explaining the operation of the present invention.
FIG. 9 is a diagram for explaining the operation of the present invention.
FIG. 10 is an equivalent circuit diagram showing one pixel of a conventional active matrix organic EL display device.
[Explanation of symbols]
1 Gate line (scanning line)
2 Source line (data line)
3 EL power line (EL element power line)
4 Write transistor
5 capacitors
6,7 Drive transistor
8 Organic EL elements

Claims (6)

マトリクス状に配置された複数の画素の各々に、一対の電極間に少なくともEL発光層が挟持されたEL素子と、キャパシタと、書き込みトランジスタと、並列接続された複数の駆動トランジスタとが備えられたEL表示装置であって、
前記複数の駆動トランジスタが、略矩形状の画素の対角線方向の角部のそれぞれに配置されたことを特徴とするEL表示装置。
Each of the plurality of pixels arranged in a matrix is provided with an EL element in which at least an EL light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes, a capacitor, a writing transistor, and a plurality of driving transistors connected in parallel. An EL display device,
2. An EL display device, wherein the plurality of drive transistors are disposed at each of diagonal corners of a substantially rectangular pixel.
隣り合う略矩形状の画素内における前記複数の駆動トランジスタが、それぞれの画素において異なる対角線方向の角部に配置されたことを特徴とする請求項1に記載のEL表示装置。2. The EL display device according to claim 1, wherein the plurality of driving transistors in adjacent substantially rectangular pixels are arranged at corners in different diagonal directions in the respective pixels. マトリクス状に配置された複数の画素の各々に、一対の電極間に少なくともEL発光層が挟持されたEL素子と、キャパシタと、書き込みトランジスタと、並列接続された複数の駆動トランジスタとが備えられたEL表示装置であって、
前記複数の駆動トランジスタが、略矩形状の画素の長辺が延在する方向の端部のそれぞれに配置されたことを特徴とするEL表示装置。
Each of the plurality of pixels arranged in a matrix is provided with an EL element in which at least an EL light emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes, a capacitor, a writing transistor, and a plurality of driving transistors connected in parallel. An EL display device,
2. The EL display device according to claim 1, wherein the plurality of driving transistors are arranged at respective end portions in a direction in which a long side of a substantially rectangular pixel extends.
一つの画素内における複数の駆動トランジスタの全てが、同一のEL素子用電源線に接続されたことを特徴とする請求項3に記載のEL表示装置。4. The EL display device according to claim 3, wherein all of the plurality of drive transistors in one pixel are connected to the same EL element power supply line. 前記キャパシタが、前記書き込みトランジスタに電気的に接続されたデータ線および前記駆動トランジスタに電気的に接続されたEL素子用電源線と平面的に重なる領域に配置されたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載のEL表示装置。2. The capacitor according to claim 1, wherein the capacitor is arranged in a region overlapping with a data line electrically connected to the write transistor and an EL element power line electrically connected to the drive transistor. 5. The EL display device according to any one of items 4 to 4. 請求項1ないし5のいずれか一項に記載のEL表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the EL display device according to any one of claims 1 to 5.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100637164B1 (en) * 2004-06-26 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 Active matrix type electroluminescence display device
JP5121118B2 (en) * 2004-12-08 2013-01-16 株式会社ジャパンディスプレイイースト Display device
US7612368B2 (en) * 2004-12-29 2009-11-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic bottom emission electronic device
US7863612B2 (en) 2006-07-21 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
FR2913818B1 (en) * 2007-03-16 2009-04-17 Thales Sa ACTIVE MATRIX OF AN ORGANIC ELECTROLUMINESCENT SCREEN
JP5381836B2 (en) * 2010-03-17 2014-01-08 カシオ計算機株式会社 Pixel circuit board, display device, electronic apparatus, and display device manufacturing method
JP6516236B2 (en) * 2015-02-20 2019-05-22 Tianma Japan株式会社 Electro-optical device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63183484A (en) * 1987-01-27 1988-07-28 三菱電機株式会社 Matrix type display device
JP2000221903A (en) * 1999-01-29 2000-08-11 Sanyo Electric Co Ltd Electro-luminescence display device
JP4229513B2 (en) * 1999-03-10 2009-02-25 三洋電機株式会社 Active EL display device
JP5030345B2 (en) * 2000-09-29 2012-09-19 三洋電機株式会社 Semiconductor device
JP4926346B2 (en) * 2001-08-10 2012-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device

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