JP4810496B2 - Pattern forming apparatus, pattern forming method, and template - Google Patents

Pattern forming apparatus, pattern forming method, and template Download PDF

Info

Publication number
JP4810496B2
JP4810496B2 JP2007115278A JP2007115278A JP4810496B2 JP 4810496 B2 JP4810496 B2 JP 4810496B2 JP 2007115278 A JP2007115278 A JP 2007115278A JP 2007115278 A JP2007115278 A JP 2007115278A JP 4810496 B2 JP4810496 B2 JP 4810496B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
template
light
organic material
pattern
wafer substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007115278A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008270686A (en
Inventor
田 郁 男 米
田 拓 見 太
柴 健 小
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2007115278A priority Critical patent/JP4810496B2/en
Publication of JP2008270686A publication Critical patent/JP2008270686A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4810496B2 publication Critical patent/JP4810496B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、パターン形成装置、パターン形成方法及びテンプレートに関するものである。   The present invention relates to a pattern forming apparatus, a pattern forming method, and a template.

半導体集積回路の微細化、高集積化に伴い、微細加工を実現するためのパターン転写技術としてフォトリソグラフィ装置の高精度化が要求され、装置コストが高くなるという欠点があった。   With the miniaturization and high integration of semiconductor integrated circuits, there has been a drawback that high precision of a photolithography apparatus is required as a pattern transfer technique for realizing fine processing, resulting in high apparatus cost.

これに対し、微細なパターン形成を低コストで実施するための技術として、光ナノインプリント法(SFIL:step and flash imprint lithography)が提案されている(例えば特許文献1参照)。これは基板上に形成したいパターンと同じ凹凸を有するスタンパ(テンプレート)を、被転写基板表面に塗布された液状の光硬化性有機材料層に押しつけ、凹凸パターン内に有機材料が行き渡るまで保持し、その後、光照射を行って有機材料層を硬化させ、テンプレートを有機材料層から分離(離型)することで、レジスト層にパターンを転写する方法である。   On the other hand, an optical nanoimprint method (SFIL: step and flash imprint lithography) has been proposed as a technique for performing fine pattern formation at low cost (see, for example, Patent Document 1). This is to press a stamper (template) having the same unevenness as the pattern to be formed on the substrate against the liquid photocurable organic material layer applied to the surface of the substrate to be transferred, and hold it until the organic material is spread in the uneven pattern. Thereafter, the pattern is transferred to the resist layer by irradiating light to cure the organic material layer and separating (releasing) the template from the organic material layer.

テンプレートを基板表面に押しつけてから光照射を行うまでの保持時間が短いと、凹凸パターン内への有機材料の充填が不十分になり、転写されるパターンの形状精度が低下する。このようなパターンをレジストとしてエッチング等のプロセス処理を行うと加工形状の異常が発生する等の問題が生じる。   If the holding time from when the template is pressed against the substrate surface until light irradiation is short, the organic material is insufficiently filled in the concavo-convex pattern, and the shape accuracy of the transferred pattern is lowered. When a process such as etching is performed using such a pattern as a resist, problems such as abnormalities in the processing shape occur.

保持時間を長くする程、有機材料は凹凸パターン内に十分に充填されるが、それに伴いスループットが低下するという問題を有していた。
特開2001−68411号公報
As the holding time is increased, the organic material is sufficiently filled in the concavo-convex pattern, but there is a problem that the throughput is reduced accordingly.
JP 2001-68411 A

本発明はテンプレートへの有機材料充填時間を最適化し、有機材料の充填不良がなく、かつスループットの高いパターン形成方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a pattern forming method and a pattern forming apparatus that optimize the filling time of an organic material into a template, have no defective filling of the organic material, and have a high throughput.

本発明の一態様によるパターン形成装置は、表面に有機材料が塗布されたウェーハ基板を保持するウェーハ基板支持体と、一方の面に所定の凹凸パターンが形成され、この凹凸パターンの情報が記述された光透過性のテンプレートを保持するテンプレート保持部と、前記凹凸パターンの情報を読み取って出力するセンサと、駆動制御信号に基づき前記テンプレート保持部の駆動を行い、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートを前記ウェーハ基板表面に塗布された前記有機材料に接触させる駆動部と、光照射制御信号に基づき、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートに、前記テンプレートの他方の面側から光を照射する光源と、前記駆動制御信号を出力し、前記センサから出力される前記凹凸パターンの情報に基づき、前記テンプレートが前記有機材料に接触してから所定の時間経過後に前記光源が光を照射するように前記光照射制御信号を出力する制御部と、を備えるものである。   A pattern forming apparatus according to an aspect of the present invention includes a wafer substrate support that holds a wafer substrate coated with an organic material on a surface, a predetermined uneven pattern formed on one surface, and information on the uneven pattern is described. A template holding unit that holds the light-transmitting template, a sensor that reads and outputs information on the concavo-convex pattern, and the template holding unit is driven based on a drive control signal, and the template holding unit holds the template holding unit. Based on the light irradiation control signal, the driving unit that contacts the organic material applied to the wafer substrate surface with the template, and the template held by the template holding unit is irradiated with light from the other surface side of the template. Information on the concavo-convex pattern output from the sensor that outputs the drive control signal and the light source Based, in which and a control unit that the template outputs said light irradiation control signal to the light source after contacting the organic material after a predetermined period of time is irradiated with light.

また、本発明の一態様によるパターン形成装置は、表面に有機材料が塗布されたウェーハ基板を保持するウェーハ基板支持体と、一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有するテンプレートを保持するテンプレート保持部と、駆動制御信号に基づき前記テンプレート保持部の駆動を行い、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートを前記ウェーハ基板表面に塗布された前記有機材料に接触させる駆動部と、前記テンプレートに前記有機材料が硬化しない光を照射し、反射光を受光し、受光強度を出力する充填検出器と、光照射制御信号に基づき、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートに、前記テンプレートの他方の面側から前記有機材料が硬化する光を照射する光源と、前記駆動制御信号を出力し、前記充填検出器から出力される前記受光強度が所定レベル以上であるか否かを判定し、所定レベル以上と判定した場合は前記光源が光を照射するように前記光照射制御信号を出力する制御部と、を備えるものである。   In addition, a pattern forming apparatus according to an aspect of the present invention includes a wafer substrate support that holds a wafer substrate coated with an organic material on a surface, and a template having a predetermined uneven pattern formed on one surface and having light transmittance. A template holding unit for holding, driving the template holding unit based on a drive control signal, and a drive unit for bringing the template held in the template holding unit into contact with the organic material applied to the wafer substrate surface; Irradiating the template with light that does not cure the organic material, receiving reflected light, and outputting a received light intensity, and based on a light irradiation control signal, the template held in the template holding unit, A light source that emits light for curing the organic material from the other side of the template, and the drive control signal is output. Control that determines whether the received light intensity output from the filling detector is equal to or higher than a predetermined level, and outputs the light irradiation control signal so that the light source emits light when it is determined to be higher than a predetermined level A section.

本発明の一態様によるパターン形成方法は、ウェーハ基板支持体、テンプレート保持部、センサ、駆動部、光源、及び制御部を有するパターン形成装置を用いたパターン形成方法であって、前記ウェーハ基板支持体によりウェーハ基板を保持する工程と、前記センサにより一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有し前記凹凸パターンの情報が記述されたテンプレートの前記凹凸パターンの情報を読み取る工程と、前記テンプレート保持部により前記テンプレートを保持する工程と、前記ウェーハ基板の表面に有機材料を塗布する工程と、前記駆動部により前記テンプレート保持部を駆動し、前記テンプレートを前記有機材料に接触させる工程と、前記制御部により前記センサが読み取った前記凹凸パターンの情報に基づく保持時間を算出し、前記テンプレートが前記有機材料に接触してから前記算出された保持時間経過後に光制御信号を出力する工程と、前記光源により前記光制御信号に基づき前記テンプレートを介して前記有機材料に光を照射する工程と、を備えるものである。   A pattern forming method according to an aspect of the present invention is a pattern forming method using a pattern forming apparatus having a wafer substrate support, a template holding unit, a sensor, a drive unit, a light source, and a control unit, and the wafer substrate support A step of holding the wafer substrate by the step, a step of reading the information of the concavo-convex pattern of the template in which a predetermined concavo-convex pattern is formed on one surface by the sensor and the light-transmitting information describes the information of the concavo-convex pattern; A step of holding the template by the template holding unit, a step of applying an organic material to the surface of the wafer substrate, a step of driving the template holding unit by the driving unit, and bringing the template into contact with the organic material; , Holding based on information of the concavo-convex pattern read by the sensor by the control unit A step of outputting a light control signal after elapse of the calculated holding time after the template contacts the organic material, and the organic material via the template based on the light control signal by the light source Irradiating with light.

また、本発明の一態様によるパターン形成方法は、ウェーハ基板支持体、テンプレート保持部、駆動部、充填検出器、光源、及び制御部を有するパターン形成装置を用いたパターン形成方法であって、前記ウェーハ基板支持体によりウェーハ基板を保持する工程と、前記テンプレート保持部により一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有するテンプレートを保持する工程と、前記ウェーハ基板の表面に有機材料を塗布する工程と、前記駆動部により前記テンプレート保持部を駆動し、前記テンプレートを前記有機材料に接触させる工程と、前記充填検出器から前記テンプレートに前記有機材料が硬化しない光を照射し、反射光を受光し、受光強度を出力する工程と、前記制御部により前記受光強度が所定値以上であるか否かを判定し、所定値以上と判定した場合は光制御信号を出力する工程と、前記光源により前記光制御信号に基づき前記有機材料が硬化する光を前記テンプレートを介して前記有機材料に照射する工程と、を備えるものである。   A pattern forming method according to an aspect of the present invention is a pattern forming method using a pattern forming apparatus having a wafer substrate support, a template holding unit, a driving unit, a filling detector, a light source, and a control unit, A step of holding a wafer substrate by a wafer substrate support, a step of holding a template having a predetermined concavo-convex pattern formed on one surface thereof by the template holding unit, and a light transmissive template; and an organic material on the surface of the wafer substrate A step of applying, a step of driving the template holding unit by the driving unit to bring the template into contact with the organic material, a light from which the organic material is not cured is irradiated from the filling detector to the template, and reflected light Receiving the light and outputting the received light intensity, and whether the received light intensity is a predetermined value or more by the control unit. A step of outputting a light control signal when it is determined to be equal to or greater than a predetermined value, and a step of irradiating the organic material with light that cures the organic material based on the light control signal by the light source through the template. , Are provided.

本発明の一態様によるテンプレートは、一方の面の中央部に第1の凹凸パターンが形成され、光透過性を有するテンプレートであって、前記一方の面の周辺部に、前記第1の凹凸パターンに含まれる最小パターン幅及び最大パターン幅と同じパターン幅の第2の凹凸パターンを備えるものである。   The template according to one aspect of the present invention is a template having a first concavo-convex pattern formed on a central portion of one surface and having light transmittance, and the first concavo-convex pattern is formed on a peripheral portion of the one surface. Are provided with a second concavo-convex pattern having the same pattern width as the minimum pattern width and the maximum pattern width.

本発明によれば、テンプレートへの有機材料充填時間を最適化し、有機材料の充填不良なく、かつスループットを高くすることができる。   According to the present invention, the filling time of the organic material into the template can be optimized, the filling of the organic material can be prevented, and the throughput can be increased.

以下、本発明の実施の形態によるパターン形成装置及びパターン形成方法を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, a pattern forming apparatus and a pattern forming method according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)図1に本発明の第1の実施形態に係るパターン形成装置の概略構成を示す。パターン形成装置は光照射部1、バーコードセンサ2、ウェーハ基板7を保持するウェーハ基板支持体3、テンプレート搬送部4、制御部5を備える。光照射部1はチャック1a、レンズ1b、伸縮部1c、光源1dを有する。   (First Embodiment) FIG. 1 shows a schematic configuration of a pattern forming apparatus according to a first embodiment of the present invention. The pattern forming apparatus includes a light irradiation unit 1, a barcode sensor 2, a wafer substrate support 3 that holds a wafer substrate 7, a template transport unit 4, and a control unit 5. The light irradiation unit 1 includes a chuck 1a, a lens 1b, a telescopic unit 1c, and a light source 1d.

チャック1aはテンプレート搬送部4により搬送されたテンプレート6を把持する。光源1dから発せられる光がレンズ1bを介してチャック1aに把持されたテンプレート6に照射される。   The chuck 1 a grips the template 6 conveyed by the template conveyance unit 4. Light emitted from the light source 1d is applied to the template 6 held by the chuck 1a through the lens 1b.

図2にテンプレート6の上面を示す。テンプレート6の一方の面側(ウェーハ基板側)の中央部6aにはウェーハ基板7上に形成したいパターンと同じ凹凸パターンが形成されている。他方の面側(光照射部側)のテンプレート6の周辺部6bにはテンプレートID6c及びバーコード6dが記載されている。   FIG. 2 shows the upper surface of the template 6. In the central portion 6a on one surface side (wafer substrate side) of the template 6, the same uneven pattern as the pattern to be formed on the wafer substrate 7 is formed. A template ID 6c and a barcode 6d are described on the peripheral portion 6b of the template 6 on the other surface side (light irradiation portion side).

テンプレートID6cはテンプレート名、テンプレートに含まれる最大パターンサイズ、最小パターンサイズ、パターン密度、溝深さ(パターン高さ)等のテンプレート情報を含む。バーコード6dはこのテンプレート情報をバーコード化したものである。テンプレート6は光源1dから発せられる光を透過するような材料、例えば石英ガラス、により形成される。   The template ID 6c includes template information such as a template name, a maximum pattern size included in the template, a minimum pattern size, a pattern density, and a groove depth (pattern height). The bar code 6d is a bar code of this template information. The template 6 is formed of a material that transmits light emitted from the light source 1d, such as quartz glass.

バーコードセンサ2はこのバーコード6dを読み取り、読み取ったテンプレート情報を制御部5へ出力する。   The bar code sensor 2 reads the bar code 6 d and outputs the read template information to the control unit 5.

制御部5は伸縮部1c及び光源1dを制御する。ウェーハ基板支持体3に支持されたウェーハ基板7の表面上にインクジェット装置(図示せず)により光硬化性有機材料が塗布され、伸縮部1cが伸びて光硬化性有機材料にテンプレート6が接触される。   The control part 5 controls the expansion-contraction part 1c and the light source 1d. A photocurable organic material is applied to the surface of the wafer substrate 7 supported by the wafer substrate support 3 by an ink jet apparatus (not shown), and the expansion / contraction part 1c extends to contact the template 6 with the photocurable organic material. The

この接触状態を所定時間保持している間に、テンプレート6の凹凸パターン内に光硬化性有機材料が充填される。その後、光源1dから光を照射し、光硬化性有機材料を硬化させる。光硬化性有機材料の硬化後、伸縮部1を縮めて光硬化性有機材料からテンプレート6を分離(離型)する。   While this contact state is maintained for a predetermined time, the concavo-convex pattern of the template 6 is filled with the photocurable organic material. Thereafter, light is irradiated from the light source 1d to cure the photocurable organic material. After the photocurable organic material is cured, the stretchable portion 1 is contracted to separate (release) the template 6 from the photocurable organic material.

制御部5は予め取得されたテンプレート保持時間情報を格納する。テンプレート保持時間情報は、テンプレート情報の各項目(最大パターンサイズ等)とテンプレート6の凹凸パターンに光硬化性有機材料が充填されるまでの最適時間との関係を示す情報である。   The control unit 5 stores template holding time information acquired in advance. The template holding time information is information indicating the relationship between each item of the template information (maximum pattern size and the like) and the optimum time until the concavo-convex pattern of the template 6 is filled with the photocurable organic material.

例えば、図3に示すように、凹凸パターン内の最大パターン(溝)サイズの増加に伴い、光硬化性有機材料が充填されるまでの時間は増加する関係にある。制御部5はこのような情報を予め取得し格納する。そして、バーコードセンサ2により読み取られたテンプレート情報とテンプレート保持時間情報とに基づいて、テンプレート6を保持する、すなわち凹凸パターン内に液状の光硬化性有機材料を充填させる時間を算出する。   For example, as shown in FIG. 3, as the maximum pattern (groove) size in the concavo-convex pattern increases, the time until the photocurable organic material is filled increases. The control unit 5 acquires and stores such information in advance. Then, based on the template information read by the barcode sensor 2 and the template holding time information, the time for holding the template 6, that is, filling the liquid photocurable organic material into the concavo-convex pattern is calculated.

例えば、読み取られたテンプレート情報に最大パターンサイズが1000nmという情報が含まれている場合、保持(充填)時間は40secとなる。   For example, when the read template information includes information that the maximum pattern size is 1000 nm, the holding (filling) time is 40 sec.

算出した保持時間経過後、光源1dを制御し、光を照射する。   After the calculated holding time has elapsed, the light source 1d is controlled to emit light.

このパターン形成装置を用いたパターン形成の工程断面を、図4を用いて説明する。   A cross section of a pattern forming process using this pattern forming apparatus will be described with reference to FIG.

図4(a)に示すように、ウェーハ基板支持体3に支持されたウェーハ基板7の表面上に液状の光硬化性有機材料8がインクジェット装置(図示せず)により塗布される。なお、チャック1aには、バーコードセンサ2によりテンプレート情報読み取り済みのテンプレート6が取り付けられているものとする。   As shown in FIG. 4A, a liquid photocurable organic material 8 is applied onto the surface of the wafer substrate 7 supported by the wafer substrate support 3 by an ink jet apparatus (not shown). It is assumed that the template 6 whose template information has been read by the barcode sensor 2 is attached to the chuck 1a.

図4(b)に示すように、伸縮部1cが伸びチャック1aに把持されたテンプレート6をウェーハ基板7の表面上の光硬化性有機材料8に接触させる。   As shown in FIG. 4B, the template 6 having the stretchable part 1c stretched and held by the chuck 1a is brought into contact with the photocurable organic material 8 on the surface of the wafer substrate 7.

図4(c)に示すように、所定時間保持し、光硬化性有機材料8をテンプレート6の凹凸パターン内に充填させる。保持時間はバーコードセンサ2により読み取られたテンプレート情報及び制御部5に格納される保持時間情報に基づいて制御部5により算出される。   As shown in FIG. 4 (c), the photocurable organic material 8 is filled in the concavo-convex pattern of the template 6 while being held for a predetermined time. The holding time is calculated by the control unit 5 based on the template information read by the barcode sensor 2 and the holding time information stored in the control unit 5.

図4(d)に示すように、算出された保持時間経過後、光源1dから発せられる光をレンズ1b、テンプレート6を介して光硬化性有機材料8に照射し、光硬化性有機材料8を硬化させる。   As shown in FIG. 4 (d), after the calculated holding time has elapsed, the light curable organic material 8 is irradiated with light emitted from the light source 1d via the lens 1b and the template 6 to cause the photocurable organic material 8 to Harden.

図4(e)に示すように、伸縮部1cが縮んでテンプレート6が光硬化性有機材料8から分離(離型)される。光硬化性有機材料8は硬化されているので、テンプレート6が接触していたときの状態(形状)に維持される。   As shown in FIG. 4 (e), the stretchable portion 1 c is shrunk and the template 6 is separated (released) from the photocurable organic material 8. Since the photocurable organic material 8 is cured, the state (shape) when the template 6 is in contact is maintained.

テンプレートの凹凸パターン形状に基づいてテンプレートの保持時間(光硬化性有機材料の充填時間)を決定するため、光硬化性有機材料の充填不良を抑制することができる。また、テンプレートの保持時間は、最適な時間であるため、スループットの低下を防止することができる。   Since the holding time of the template (filling time of the photocurable organic material) is determined based on the concave / convex pattern shape of the template, poor filling of the photocurable organic material can be suppressed. Further, since the template holding time is an optimum time, it is possible to prevent a decrease in throughput.

このように本実施形態によるパターン形成装置により、テンプレートへの有機材料充填時間を最適化し、有機材料の充填不良なく、かつスループットを高くすることができる。   As described above, the pattern forming apparatus according to the present embodiment can optimize the filling time of the organic material into the template, and can increase the throughput without defective filling of the organic material.

上記実施形態ではテンプレート保持時間情報の例として最大パターンサイズとの関係を示した(図3)が、最小パターンサイズ、パターン密度、溝深さ(パターン高さ)との関係を予め取得し、制御部5に格納し、それを用いて保持時間を算出するようにしても良い。   In the above embodiment, the relationship with the maximum pattern size is shown as an example of the template holding time information (FIG. 3). However, the relationship between the minimum pattern size, the pattern density, and the groove depth (pattern height) is acquired in advance and controlled. It may be stored in the unit 5 and the holding time may be calculated using it.

(第2の実施形態)図5に本発明の第2の実施形態に係るパターン形成装置の概略構成を示す。パターン形成装置は光照射部51、ウェーハ基板55を保持するウェーハ基板支持体52、制御部53を備える。光照射部51はチャック51a、レンズ51b、伸縮部51c、光源51d、充填検出器51eを有する。   (Second Embodiment) FIG. 5 shows a schematic configuration of a pattern forming apparatus according to a second embodiment of the present invention. The pattern forming apparatus includes a light irradiation unit 51, a wafer substrate support 52 that holds the wafer substrate 55, and a control unit 53. The light irradiation unit 51 includes a chuck 51a, a lens 51b, a telescopic unit 51c, a light source 51d, and a filling detector 51e.

チャック51aはテンプレート54を把持する。光源51dから発せられる光がレンズ51bを介してチャック51aに把持されたテンプレート54に照射される。   The chuck 51a grips the template 54. Light emitted from the light source 51d is applied to the template 54 held by the chuck 51a through the lens 51b.

図6にテンプレート54の上面を示す。テンプレート54の一方の面側(ウェーハ基板側)の中央部54aにはウェーハ基板55上に形成したいパターンと同じ凹凸パターンが形成されている。さらに、この凹凸パターンと同一面側(ウェーハ基板側)のテンプレート54の周辺部54bには充填モニタパターン54cが形成されている。   FIG. 6 shows the upper surface of the template 54. In the central portion 54a on one surface side (wafer substrate side) of the template 54, the same uneven pattern as the pattern to be formed on the wafer substrate 55 is formed. Further, a filling monitor pattern 54c is formed in the peripheral portion 54b of the template 54 on the same surface side (wafer substrate side) as the uneven pattern.

充填モニタパターン54cは複数のパターンサイズを変化させた周期パターン(L&S、C/H等)である。充填モニタパターン54cの溝パターンサイズ、及び溝深さは中央部54aに形成されている凹凸パターン(メインパターン)に含まれる周期パターン(L&S、C/H等)に合わせる。例えば、メインパターンに含まれる最小パターン幅及び最大パターン幅のライン&スペースやコンタクトホールを形成する。   The filling monitor pattern 54c is a periodic pattern (L & S, C / H, etc.) in which a plurality of pattern sizes are changed. The groove pattern size and the groove depth of the filling monitor pattern 54c are matched with the periodic pattern (L & S, C / H, etc.) included in the concave / convex pattern (main pattern) formed in the central portion 54a. For example, lines & spaces and contact holes having a minimum pattern width and a maximum pattern width included in the main pattern are formed.

充填検出器51eは図7に示すように発光部71及び受光部72を有する。発光部71から射出された光が、テンプレート54の充填モニタパターン内の光硬化性有機材料73により反射し、反射した光を受光部72が受光する。発光部71からは光硬化性有機材料73を硬化させない波長の光が射出される。   The filling detector 51e has a light emitting unit 71 and a light receiving unit 72 as shown in FIG. The light emitted from the light emitting unit 71 is reflected by the photocurable organic material 73 in the filling monitor pattern of the template 54, and the light receiving unit 72 receives the reflected light. The light emitting portion 71 emits light having a wavelength that does not cure the photocurable organic material 73.

図7(a)に示すように、テンプレート54の充填モニタパターンへの光硬化性有機材料73の充填が不十分な場合は光の散乱が大きく、受光部72での受光レベルは低い。   As shown in FIG. 7 (a), when the filling monitor pattern of the template 54 is not sufficiently filled with the photocurable organic material 73, the light scattering is large and the light receiving level at the light receiving portion 72 is low.

逆に、図7(b)に示すように、テンプレート54の充填モニタパターンへの光硬化性有機材料73の充填が十分であれば、光の散乱は小さく、受光部72での受光レベルは高くなる。   On the contrary, as shown in FIG. 7B, if the filling monitor pattern of the template 54 is sufficiently filled with the photocurable organic material 73, the light scattering is small and the light receiving level at the light receiving portion 72 is high. Become.

図8にテンプレートが光硬化性有機材料に接触してからの経過時間と受光部72での受光レベル(信号強度)との関係の一例を示す。図8には充填モニタパターンサイズが大きい場合(実線)と小さい場合(破線)とを示している。時間経過に伴い、信号強度が大きくなることが分かる。信号強度が飽和するレベルを充填終了レベルとする。この充填終了レベルを予め取得しておき、充填終了レベル情報として制御部53に格納する。   FIG. 8 shows an example of the relationship between the elapsed time from the contact of the template with the photocurable organic material and the light reception level (signal intensity) at the light receiving unit 72. FIG. 8 shows a case where the filling monitor pattern size is large (solid line) and a case where the filling monitor pattern size is small (broken line). It can be seen that the signal intensity increases with time. The level at which the signal intensity is saturated is set as the filling end level. This filling end level is acquired in advance and stored in the control unit 53 as filling end level information.

制御部53は伸縮部51c、光源51d、充填検出器51eの制御を行う。   The control part 53 controls the expansion / contraction part 51c, the light source 51d, and the filling detector 51e.

このパターン形成装置を用いたパターン形成の工程断面を、図9を用いて説明する。   A cross section of a pattern forming process using this pattern forming apparatus will be described with reference to FIG.

図9(a)に示すように、ウェーハ基板支持体52に支持されたウェーハ基板55の表面上に液状の光硬化性有機材料90がインクジェット装置(図示せず)により塗布される。   As shown in FIG. 9A, a liquid photocurable organic material 90 is applied onto the surface of the wafer substrate 55 supported by the wafer substrate support 52 by an ink jet apparatus (not shown).

図9(b)に示すように、伸縮部51cが伸びチャック51aに把持されたテンプレート54をウェーハ基板55の表面上の液状の光硬化性有機材料90に接触させる。   As shown in FIG. 9 (b), the stretchable part 51 c extends and the template 54 held by the chuck 51 a is brought into contact with the liquid photocurable organic material 90 on the surface of the wafer substrate 55.

図9(c)に示すように、充填検出器51eの発光部71からテンプレート54の充填モニタパターン54cに光が照射され、反射光を受光部72が受光し、受光レベルを制御部53へ送信する。このとき、充填モニタパターン54cに照射する光は光硬化性有機材料を硬化させない波長の光とする。また、充填モニタパターン54cはパターンサイズの異なる複数のパターン(L&S、C/H等)が含まれており、各々のパターンからの反射光の受光レベルを順次検出して制御部53へ送信する。   As shown in FIG. 9C, light is emitted from the light emitting unit 71 of the filling detector 51 e to the filling monitor pattern 54 c of the template 54, the reflected light is received by the light receiving unit 72, and the received light level is transmitted to the control unit 53. To do. At this time, the light irradiated to the filling monitor pattern 54c is light having a wavelength that does not cure the photocurable organic material. The filling monitor pattern 54c includes a plurality of patterns (L & S, C / H, etc.) having different pattern sizes, and sequentially detects the received light level of the reflected light from each pattern and transmits it to the control unit 53.

図9(d)に示すように、制御部53は、充填モニタパターン54cの各パターンからの反射光の受光レベルが充填終了レベルに達したと判定した場合、光源51dから光を発するよう制御を行う。光源51dから発せられた光はレンズ51b、テンプレート54を介して光硬化性有機材料90に照射され、光硬化性有機材料90は硬化する。   As shown in FIG. 9D, the control unit 53 performs control to emit light from the light source 51d when it is determined that the light reception level of the reflected light from each pattern of the filling monitor pattern 54c has reached the filling end level. Do. The light emitted from the light source 51d is applied to the photocurable organic material 90 through the lens 51b and the template 54, and the photocurable organic material 90 is cured.

図9(e)に示すように、伸縮部1cが縮んでテンプレート54が光硬化性有機材料90から分離(離型)される。光硬化性有機材料90は硬化されているので、テンプレート54が接触していたときの状態(形状)に維持される。   As shown in FIG. 9 (e), the stretchable part 1 c contracts and the template 54 is separated (released) from the photocurable organic material 90. Since the photocurable organic material 90 is cured, the state (shape) when the template 54 is in contact is maintained.

テンプレートの凹凸パターンのサイズに合わせて形成された充填モニタパターンの充填状況をモニタし、受光部72での受光レベルが充填終了レベルに達してから光を照射して光硬化性有機材料90を硬化しているので、テンプレートの凹凸パターンへの充填不良を抑制することができる。また、テンプレートの保持時間は最適な時間であるため、スループットの低下を防止することができる。   The filling state of the filling monitor pattern formed according to the size of the uneven pattern of the template is monitored, and light is irradiated after the light receiving level at the light receiving unit 72 reaches the filling end level to cure the photocurable organic material 90. Therefore, it is possible to suppress the filling failure of the uneven pattern of the template. Further, since the template holding time is an optimum time, it is possible to prevent a decrease in throughput.

このように本実施形態によるパターン形成装置により、テンプレートへの有機材料充填時間を最適化し、有機材料の充填不良なく、かつスループットを高くすることができる。   As described above, the pattern forming apparatus according to the present embodiment can optimize the filling time of the organic material into the template, and can increase the throughput without defective filling of the organic material.

上記実施形態ではテンプレートに充填モニタパターンを形成していたが、充填モニタパターンを形成せずに、充填検出器51eでテンプレート54の中央部54aの凹凸パターンの充填状況を直接モニタするようにしても良い。   In the above embodiment, the filling monitor pattern is formed on the template. However, the filling detector 51e may directly monitor the filling state of the uneven pattern on the central portion 54a of the template 54 without forming the filling monitor pattern. good.

(第3の実施形態)図10に本発明の第3の実施形態に係るパターン形成装置の断面概略構成を示す。パターン形成装置はテンプレート101を保持する原版ステージ102、アライメントセンサ103、アライメントセンサ103を固定するアライメントステージ104、原版ステージ102及びアライメントステージ104を固定するベース105、光源106、ウェーハ基板107を保持するウェーハチャック108、ウェーハチャック108を固定するウェーハステージ109、ベアリング110、ステージ定盤111を備える。   (Third Embodiment) FIG. 10 shows a schematic sectional structure of a pattern forming apparatus according to a third embodiment of the present invention. The pattern forming apparatus includes an original stage 102 that holds a template 101, an alignment sensor 103, an alignment stage 104 that fixes the alignment sensor 103, a base 105 that fixes the original stage 102 and the alignment stage 104, a light source 106, and a wafer that holds a wafer substrate 107. A chuck 108, a wafer stage 109 for fixing the wafer chuck 108, a bearing 110, and a stage surface plate 111 are provided.

光源106は紫外線を発光する。テンプレート101にはウェーハ基板107上に形成したいパターンと同じ凹凸パターン(メインパターン)が形成されており、石英や蛍石等の紫外線を透過する材料からなる。図11(a)にテンプレート101の上面を示す。   The light source 106 emits ultraviolet light. The template 101 is provided with the same concave / convex pattern (main pattern) as the pattern to be formed on the wafer substrate 107, and is made of a material that transmits ultraviolet rays, such as quartz or fluorite. FIG. 11A shows the upper surface of the template 101.

テンプレート101の一方の面側(ウェーハ基板側)の中央部101aにはウェーハ基板107上に形成したいパターンと同じ凹凸パターンが形成されている。テンプレート101の中央部101aの図中右上、右下、左上、左下の4箇所にはアライメントマーク101b〜101eが形成されている。   In the central portion 101a on one surface side (wafer substrate side) of the template 101, the same uneven pattern as the pattern to be formed on the wafer substrate 107 is formed. Alignment marks 101b to 101e are formed at four locations in the center portion 101a of the template 101 in the upper right, lower right, upper left, and lower left in the figure.

図11(b)にアライメントマーク101bの拡大図を示す。アライメントマークはメインパターンのデザインノードと同等のライン&スペースにより構成されている。例えば、メインパターンに含まれる最小幅のパターンと同じ幅で構成される。   FIG. 11B shows an enlarged view of the alignment mark 101b. The alignment mark is composed of the same line and space as the design node of the main pattern. For example, it has the same width as the minimum width pattern included in the main pattern.

ここでアライメントマークはアライメントマーク101b〜101eの4箇所形成されているが、3箇所以上形成されていればよい。   Here, four alignment marks 101b to 101e are formed as alignment marks, but it is sufficient that three or more alignment marks are formed.

原版ステージ102はZ軸まわり(θ)の駆動軸を有し、テンプレート101を位置決めする。原版ステージ102はX軸まわり(ωy)とY軸まわり(ωx)の駆動軸をさらに有することが好適である。原版ステージ102は各駆動軸の位置を計測するポジショニングセンサ(図示せず)をさらに有する。   The original stage 102 has a drive shaft around the Z axis (θ) and positions the template 101. The original stage 102 preferably further has drive shafts around the X axis (ωy) and around the Y axis (ωx). The original stage 102 further includes a positioning sensor (not shown) that measures the position of each drive shaft.

ベース105は装置本体定盤(図示せず)により固定されている。   The base 105 is fixed by an apparatus main body surface plate (not shown).

アライメントセンサ103はテンプレート101に形成されているアライメントマーク101b〜101eとウェーハ基板107上に描かれているアライメントマーク(すでに形成されている下層のアライメントマーク)とから、テンプレート101とウェーハ基板107との相対的な位置ずれ量を計測する。アライメントセンサ103の計測は、例えば光学式検査装置又はSEM(電子顕微鏡)を用いて行う。   The alignment sensor 103 uses the alignment marks 101b to 101e formed on the template 101 and the alignment marks (already formed lower layer alignment marks) drawn on the wafer substrate 107 to establish a connection between the template 101 and the wafer substrate 107. Measure the relative displacement. The alignment sensor 103 is measured using, for example, an optical inspection device or SEM (electron microscope).

位置ずれ量は、アライメントセンサ103からアライメントマークへ光を照射し、回折、反射してアライメントセンサ103に戻ってきた光の強度分布から計測することができる。計測された位置ずれ量を補正するように原版ステージ102が動く。   The amount of misalignment can be measured from the intensity distribution of the light that is irradiated from the alignment sensor 103 to the alignment mark, diffracted and reflected, and returned to the alignment sensor 103. The original stage 102 moves so as to correct the measured displacement amount.

ウェーハステージ109はベアリング110により移動可能であり、X、Y、Z、ωx、ωy、θの6軸駆動することが好ましい。ウェーハステージ109はステージ定盤111から圧縮空気などで浮上した状態でリニアモータによりX、Y方向の駆動が行われるようにしてもよい。ウェーハステージ109は各駆動軸の位置を計測するレーザ干渉計などのポジショニングセンサ(図示せず)を有する。   The wafer stage 109 can be moved by a bearing 110 and is preferably driven by six axes of X, Y, Z, ωx, ωy, and θ. The wafer stage 109 may be driven in the X and Y directions by a linear motor while being floated from the stage surface plate 111 by compressed air or the like. The wafer stage 109 has a positioning sensor (not shown) such as a laser interferometer that measures the position of each drive shaft.

テンプレート101の位置ずれを補正した後、ウェーハ基板107に塗布された液状の光硬化性有機材料にテンプレート101を接触させる。テンプレート101の凹凸パターン内に光硬化性有機材料が行き渡るよう所定時間保持した後、光源106からテンプレート101の背面に紫外線を照射する。光硬化性有機材料はテンプレート101を介して紫外線が照射され、硬化する。光硬化性有機材料の硬化後、テンプレート101を分離する。   After correcting the positional deviation of the template 101, the template 101 is brought into contact with the liquid photocurable organic material applied to the wafer substrate 107. After holding for a predetermined time so that the photocurable organic material spreads in the uneven pattern of the template 101, the back surface of the template 101 is irradiated with ultraviolet rays from the light source 106. The photocurable organic material is cured by being irradiated with ultraviolet rays through the template 101. After the photocurable organic material is cured, the template 101 is separated.

これにより、ウェーハ基板107上には所望のレジストパターンが形成される。また、アライメントマーク101b〜101eによるパターンも転写される。   Thereby, a desired resist pattern is formed on the wafer substrate 107. In addition, patterns by the alignment marks 101b to 101e are also transferred.

図3に示すように光硬化性有機材料がテンプレート101の凹凸パターン内に行き渡る(充填する)までの時間はパターンの寸法が大きくなるほど長くなる。一般に、アライメントマークの計測に用いる合わせずれ検査は、光学式検査装置を用いて行われる。そのためアライメントマークのパターンサイズは非常に大きく、数μmから数10μmのサイズに達する。そのため、有機材料が充填されるときの保持時間が長くなり、スループットが低下してしまう。   As shown in FIG. 3, the time required for the photocurable organic material to spread (fill) into the concave / convex pattern of the template 101 becomes longer as the size of the pattern increases. In general, misalignment inspection used for alignment mark measurement is performed using an optical inspection apparatus. Therefore, the pattern size of the alignment mark is very large, reaching a size of several μm to several tens of μm. Therefore, the holding time when the organic material is filled becomes long, and the throughput is lowered.

本実施形態ではアライメントマーク101b〜101eをテンプレート中央部101aの凹凸パターンのデザインノードと同等のライン&スペースにより構成したことで、凹凸パターンとアライメントマークに光硬化性有機材料が充填されるまでの時間を一致させることができる。   In the present embodiment, the alignment marks 101b to 101e are configured by lines and spaces equivalent to the design node of the concave / convex pattern in the template central portion 101a, so that the time until the concave / convex pattern and the alignment mark are filled with the photocurable organic material is increased. Can be matched.

このように本実施形態によるパターン形成装置により、テンプレートへの有機材料充填時間を適正な状態として、スループットを高くすることができる。   As described above, the pattern forming apparatus according to the present embodiment can increase the throughput by setting the organic material filling time in the template to an appropriate state.

上記第1、第2の実施形態におけるテンプレート6、54に本実施形態のようなアライメントマーク101b〜eを設けるようにしてもよい。これにより、テンプレートへの有機材料充填時間を最適化し、メインパターン及びアライメントマークへの有機材料の充填不良なく、かつスループットを高くすることができる。   You may make it provide the alignment marks 101b-e like this embodiment in the templates 6 and 54 in the said 1st, 2nd embodiment. Thereby, the organic material filling time in the template can be optimized, the filling of the organic material into the main pattern and the alignment mark can be prevented, and the throughput can be increased.

上述した実施の形態はいずれも一例であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   Each of the above-described embodiments is an example and should be considered not restrictive. The technical scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明の第1の実施形態によるパターン形成装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a pattern forming apparatus according to a first embodiment of the present invention. テンプレートの上面図である。It is a top view of a template. パターンサイズと有機材料充填時間の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between pattern size and organic material filling time. 同第1の実施形態によるパターン形成方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the pattern formation method by the 1st Embodiment. 本発明の第2の実施形態によるパターン形成装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the pattern formation apparatus by the 2nd Embodiment of this invention. テンプレートの上面図である。It is a top view of a template. 充填検出器の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a filling detector. 充填検出器における受光強度の変化を示すグラフである。It is a graph which shows the change of the received light intensity in a filling detector. 同第2の実施形態によるパターン形成方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the pattern formation method by the 2nd Embodiment. 本発明の第3の実施形態によるパターン形成装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the pattern formation apparatus by the 3rd Embodiment of this invention. テンプレートの上面図である。It is a top view of a template.

符号の説明Explanation of symbols

1 光照射部
2 バーコードセンサ
3 ウェーハ基板支持体
4 テンプレート搬送部
5 制御部
6 テンプレート
7 ウェーハ基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light irradiation part 2 Barcode sensor 3 Wafer substrate support body 4 Template conveyance part 5 Control part 6 Template 7 Wafer substrate

Claims (5)

表面に有機材料が塗布されたウェーハ基板を保持するウェーハ基板支持体と、
一方の面に所定の凹凸パターンが形成され、この凹凸パターンの情報が記述された光透過性のテンプレートを保持するテンプレート保持部と、
前記凹凸パターンの情報を読み取って出力するセンサと、
駆動制御信号に基づき前記テンプレート保持部の駆動を行い、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートを前記ウェーハ基板表面に塗布された前記有機材料に接触させる駆動部と、
光照射制御信号に基づき、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートに、前記テンプレートの他方の面側から光を照射する光源と、
前記駆動制御信号を出力し、前記センサから出力される前記凹凸パターンの情報に基づき、前記テンプレートが前記有機材料に接触してから所定の時間経過後に前記光源が光を照射するように前記光照射制御信号を出力する制御部と、
を備えることを特徴とするパターン形成装置。
A wafer substrate support for holding a wafer substrate coated with an organic material on the surface;
A predetermined holding pattern is formed on one surface, and a template holding unit that holds a light-transmitting template in which information on the uneven pattern is described;
A sensor that reads and outputs information of the uneven pattern;
A drive unit that drives the template holding unit based on a drive control signal, and contacts the organic material applied to the wafer substrate surface with the template held in the template holding unit;
Based on a light irradiation control signal, a light source that irradiates light from the other surface side of the template to the template held by the template holding unit;
The light irradiation is performed so that the light source emits light after a predetermined time has elapsed since the template contacts the organic material based on the information of the concave / convex pattern output from the sensor. A control unit for outputting a control signal;
A pattern forming apparatus comprising:
表面に有機材料が塗布されたウェーハ基板を保持するウェーハ基板支持体と、
一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有するテンプレートを保持するテンプレート保持部と、
駆動制御信号に基づき前記テンプレート保持部の駆動を行い、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートを前記ウェーハ基板表面に塗布された前記有機材料に接触させる駆動部と、
前記テンプレートに前記有機材料が硬化しない光を照射し、反射光を受光し、受光強度を出力する充填検出器と、
光照射制御信号に基づき、前記テンプレート保持部に保持された前記テンプレートに、前記テンプレートの他方の面側から前記有機材料が硬化する光を照射する光源と、
前記駆動制御信号を出力し、前記充填検出器から出力される前記受光強度が所定レベル以上であるか否かを判定し、所定レベル以上と判定した場合は前記光源が光を照射するように前記光照射制御信号を出力する制御部と、
を備えることを特徴とするパターン形成装置。
A wafer substrate support for holding a wafer substrate coated with an organic material on the surface;
A template holding part for holding a template having a predetermined concavo-convex pattern formed on one surface and having light transmittance;
A drive unit that drives the template holding unit based on a drive control signal, and contacts the organic material applied to the wafer substrate surface with the template held in the template holding unit;
A filling detector that irradiates the template with light that does not cure the organic material, receives reflected light, and outputs received light intensity;
Based on a light irradiation control signal, a light source for irradiating the template held by the template holding unit with light for curing the organic material from the other surface side of the template;
The drive control signal is output, and it is determined whether or not the received light intensity output from the filling detector is equal to or higher than a predetermined level. If it is determined to be higher than a predetermined level, the light source emits light. A control unit for outputting a light irradiation control signal;
A pattern forming apparatus comprising:
ウェーハ基板支持体、テンプレート保持部、センサ、駆動部、光源、及び制御部を有するパターン形成装置を用いたパターン形成方法であって、
前記ウェーハ基板支持体によりウェーハ基板を保持する工程と、
前記センサにより一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有し前記凹凸パターンの情報が記述されたテンプレートの前記凹凸パターンの情報を読み取る工程と、
前記テンプレート保持部により前記テンプレートを保持する工程と、
前記ウェーハ基板の表面に有機材料を塗布する工程と、
前記駆動部により前記テンプレート保持部を駆動し、前記テンプレートを前記有機材料に接触させる工程と、
前記制御部により前記センサが読み取った前記凹凸パターンの情報に基づく保持時間を算出し、前記テンプレートが前記有機材料に接触してから前記算出された保持時間経過後に光制御信号を出力する工程と、
前記光源により前記光制御信号に基づき前記テンプレートを介して前記有機材料に光を照射する工程と、
を備えることを特徴とするパターン形成方法。
A pattern forming method using a pattern forming apparatus having a wafer substrate support, a template holding unit, a sensor, a driving unit, a light source, and a control unit,
Holding the wafer substrate by the wafer substrate support;
A step of reading information on the concavo-convex pattern of a template in which a predetermined concavo-convex pattern is formed on one surface by the sensor and has light transmission and information on the concavo-convex pattern is described;
Holding the template by the template holding unit;
Applying an organic material to the surface of the wafer substrate;
Driving the template holding unit by the driving unit to bring the template into contact with the organic material;
Calculating a holding time based on information of the uneven pattern read by the sensor by the control unit, and outputting a light control signal after the calculated holding time has elapsed since the template has contacted the organic material;
Irradiating the organic material with light through the template based on the light control signal by the light source;
A pattern forming method comprising:
ウェーハ基板支持体、テンプレート保持部、駆動部、充填検出器、光源、及び制御部を有するパターン形成装置を用いたパターン形成方法であって、
前記ウェーハ基板支持体によりウェーハ基板を保持する工程と、
前記テンプレート保持部により一方の面に所定の凹凸パターンが形成され光透過性を有するテンプレートを保持する工程と、
前記ウェーハ基板の表面に有機材料を塗布する工程と、
前記駆動部により前記テンプレート保持部を駆動し、前記テンプレートを前記有機材料に接触させる工程と、
前記充填検出器から前記テンプレートに前記有機材料が硬化しない光を照射し、反射光を受光し、受光強度を出力する工程と、
前記制御部により前記受光強度が所定値以上であるか否かを判定し、所定値以上と判定した場合は光制御信号を出力する工程と、
前記光源により前記光制御信号に基づき前記有機材料が硬化する光を前記テンプレートを介して前記有機材料に照射する工程と、
を備えることを特徴とするパターン形成方法。
A pattern forming method using a pattern forming apparatus having a wafer substrate support, a template holding unit, a driving unit, a filling detector, a light source, and a control unit,
Holding the wafer substrate by the wafer substrate support;
A step of holding a template having a predetermined concavo-convex pattern formed on one surface by the template holding unit and having light transmittance;
Applying an organic material to the surface of the wafer substrate;
Driving the template holding unit by the driving unit to bring the template into contact with the organic material;
Irradiating the template with the organic material not cured from the filling detector, receiving reflected light, and outputting the received light intensity;
Determining whether or not the received light intensity is greater than or equal to a predetermined value by the control unit, and outputting a light control signal if determined to be greater than or equal to a predetermined value;
Irradiating the organic material through the template with light that cures the organic material based on the light control signal by the light source;
A pattern forming method comprising:
一方の面の中央部に第1の凹凸パターンが形成され、光透過性を有するテンプレートであって、
前記一方の面の周辺部に、前記第1の凹凸パターンに含まれる最小パターン幅及び最大パターン幅と同じパターン幅の第2の凹凸パターンを備えることを特徴とするテンプレート。
A first concavo-convex pattern is formed at the center of one surface, and the light-transmitting template comprises:
A template comprising a second concavo-convex pattern having the same pattern width as a minimum pattern width and a maximum pattern width included in the first concavo-convex pattern at a peripheral portion of the one surface.
JP2007115278A 2007-04-25 2007-04-25 Pattern forming apparatus, pattern forming method, and template Expired - Fee Related JP4810496B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007115278A JP4810496B2 (en) 2007-04-25 2007-04-25 Pattern forming apparatus, pattern forming method, and template

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007115278A JP4810496B2 (en) 2007-04-25 2007-04-25 Pattern forming apparatus, pattern forming method, and template

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008270686A JP2008270686A (en) 2008-11-06
JP4810496B2 true JP4810496B2 (en) 2011-11-09

Family

ID=40049765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007115278A Expired - Fee Related JP4810496B2 (en) 2007-04-25 2007-04-25 Pattern forming apparatus, pattern forming method, and template

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4810496B2 (en)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8237133B2 (en) * 2008-10-10 2012-08-07 Molecular Imprints, Inc. Energy sources for curing in an imprint lithography system
JP5289006B2 (en) * 2008-11-19 2013-09-11 株式会社東芝 Pattern forming method and program
JP5244566B2 (en) 2008-12-02 2013-07-24 株式会社東芝 Template cleaning method, cleaning system, and cleaning apparatus
JP2010171338A (en) * 2009-01-26 2010-08-05 Toshiba Corp Pattern generation method, and pattern formation method
NL2004945A (en) 2009-08-14 2011-02-15 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
JP2011066180A (en) * 2009-09-17 2011-03-31 Toshiba Corp Method of forming and managing template, template, and template forming and managing device
JP4922376B2 (en) 2009-09-18 2012-04-25 株式会社東芝 Template manufacturing method and semiconductor device manufacturing method
NL2005265A (en) 2009-10-07 2011-04-11 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
JP5404570B2 (en) * 2010-09-24 2014-02-05 株式会社東芝 Drip control method and drip control device
JP5595949B2 (en) 2011-02-15 2014-09-24 株式会社東芝 Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing uneven plate
JP5697571B2 (en) 2011-10-06 2015-04-08 株式会社東芝 Template manufacturing apparatus and template manufacturing method
JP6779748B2 (en) * 2016-10-31 2020-11-04 キヤノン株式会社 Imprinting equipment, imprinting methods, and manufacturing methods for articles
JP6716484B2 (en) * 2017-03-14 2020-07-01 キオクシア株式会社 Imprint method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3269308B2 (en) * 1995-01-18 2002-03-25 三菱化学株式会社 Method for manufacturing resin substrate for optical information recording medium
JP2001277200A (en) * 2000-03-30 2001-10-09 Toshiba Corp Micro working device
US6871558B2 (en) * 2002-12-12 2005-03-29 Molecular Imprints, Inc. Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries
JP2006165371A (en) * 2004-12-09 2006-06-22 Canon Inc Transfer apparatus and device manufacturing method
JP4533358B2 (en) * 2005-10-18 2010-09-01 キヤノン株式会社 Imprint method, imprint apparatus and chip manufacturing method
US9573319B2 (en) * 2007-02-06 2017-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Imprinting method and process for producing a member in which a mold contacts a pattern forming layer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008270686A (en) 2008-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4810496B2 (en) Pattern forming apparatus, pattern forming method, and template
JP4827513B2 (en) Processing method
KR101538203B1 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
KR101933341B1 (en) Imprint apparatus, alignment method, and method of manufacturing article
US7635260B2 (en) Processing apparatus, processing method, and process for producing chip
JP4478424B2 (en) Microfabrication apparatus and device manufacturing method
JP5371349B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
US20090095711A1 (en) Microfabrication apparatus and device manufacturing method
JP2005353858A (en) Processing unit and method therefor
JP2010080630A (en) Stamping device and method of manufacturing article
JP6053266B2 (en) Imprint apparatus, article manufacturing method, and imprint method
JP5932327B2 (en) Imprint apparatus, detection method, article manufacturing method, and foreign object detection apparatus
JP6271875B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
JP6606567B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
JP2010269580A (en) Imprint apparatus and manufacturing method for article
JP2015018982A (en) Imprint apparatus and imprint method, and method for manufacturing article by using the same
JP6395352B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method using the same
KR102059758B1 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
US20100022036A1 (en) Method for forming pattern, and template
JP6336275B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
US8142694B2 (en) Method for forming an imprint pattern
JP2007250767A (en) Processing apparatus and method therefor, and manufacturing method of device
JP6560736B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
JP5069777B2 (en) Imprint lithography equipment
JP2024013107A (en) Control method, molding device, and manufacturing method of article

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090323

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110715

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110726

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110822

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140826

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4810496

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees