JP4765962B2 - Manufacturing method of liquid crystal device - Google Patents
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Description
本発明は、液晶装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal device.
液晶装置を用いて映像を大画面に表示する装置として液晶プロジェクタがある。プロジェクタにおいては高輝度、高コントラストが要求されており、その点、垂直配向方式の液晶装置は高コントラストの表示が可能で、近年、プロジェクタ用の液晶装置の液晶配向方式として採用されつつある。 There is a liquid crystal projector as a device for displaying an image on a large screen using a liquid crystal device. Projectors are required to have high brightness and high contrast, and in that respect, a vertical alignment type liquid crystal device is capable of high-contrast display, and has recently been adopted as a liquid crystal alignment method for liquid crystal devices for projectors.
しかし、垂直配向方式では液晶が基板表面に対して垂直に立っており、電圧印加時に倒れる方位方向での相互作用が弱い。しかも、画素電位を印加すると、画素電極端から基板面に平行な方向に、横方向の電界が発生する。そのため、この横方向の電界に起因して、液晶が様々な方向に倒れてしまい、ディスクリネーションを生じることがあった。ディスクリネーションが生じると、明暗のムラやコントラストの低下、残像等の表示欠陥が視認されてしまう。 However, in the vertical alignment method, the liquid crystal stands perpendicular to the substrate surface, and the interaction in the azimuth direction that falls when a voltage is applied is weak. Moreover, when a pixel potential is applied, a horizontal electric field is generated in a direction parallel to the substrate surface from the end of the pixel electrode. Therefore, due to the electric field in the lateral direction, the liquid crystal may fall in various directions, resulting in disclination. When disclination occurs, display defects such as light and dark unevenness, a decrease in contrast, and an afterimage are visually recognized.
そのため、表示領域(画素部)では液晶を垂直配向させて、良好なコントラスト特性を確保し、画素領域周辺の、主に非表示領域(非画素部)は液晶を水平配向させ、液晶の配向を規制することでディスクリネーションを防止することが考えられる。このような構成の液晶装置は、例えば特許文献1に開示されており、特許文献1の液晶装置では、無機配向膜を斜方蒸着法によって形成し、その厚さを変化させることで無機配向膜の配向角を制御し、配向膜上の液晶の方位角を制御している。
しかしながら、特許文献1では、表示領域と非表示領域とで配向膜の厚さを変化させることで配向性を異なるものとしているが、膜厚を変化させる方法はメタルマスク等を用いても実現することが困難であると考えられる。また、斜方蒸着ではほとんど垂直配向となり、水平配向を実現することは困難となるため、実際に配向角を小さくしても横電界の影響を無視できるほど強い配向規制力を実現できない。
However, in
本発明者等は、このような状況を鑑みて液晶装置に係る発明(特願2005−348703)を提案した。この発明の構成によれば、画素部に垂直配向膜、非画素部に水平配向膜を配することにより電圧印加時には水平配向膜が有する配向情報(方位角、極角)に基づき、垂直配向膜上の液晶分子は一軸配向するようになるため、高品位表示が可能となるとしていた。 In view of such circumstances, the present inventors have proposed an invention relating to a liquid crystal device (Japanese Patent Application No. 2005-348703). According to the configuration of the present invention, the vertical alignment film is arranged on the pixel portion, and the horizontal alignment film is arranged on the non-pixel portion. The upper liquid crystal molecules are uniaxially aligned, so that high quality display is possible.
ところで、このような配向膜を形成する場合、水平配向膜に方位方向での規制力を付与するためにラビング処理を行う必要がある。しかし、垂直配向膜が形成されていない画素電極表面をラビングしたり、垂直配向膜が形成されている画素電極表面をラビングすると、ラビング痕が残ってしまい、電圧無印加状態では黒ベタ状態において白スジ、電圧印加状態では中間調ベタ状態で階調の異なるラビング方向と一致したスジムラが発生し、表示品位を低下させてしまう By the way, when such an alignment film is formed, it is necessary to perform a rubbing process in order to impart a regulating force in the azimuth direction to the horizontal alignment film. However, rubbing the surface of the pixel electrode on which the vertical alignment film is not formed or rubbing the surface of the pixel electrode on which the vertical alignment film is formed leaves rubbing traces. In the state of applying stripes or voltage, stripes that match the rubbing direction with different gradations occur in the halftone solid state, resulting in deterioration of display quality.
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、良好なコントラスト特性であり、かつディスクリネーション等の表示不良が防止された液晶装置を高い生産性で製造することができる製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and is capable of manufacturing a liquid crystal device having good contrast characteristics and preventing display defects such as disclination with high productivity. It aims at providing the manufacturing method which can be performed.
本発明の液晶装置の製造方法は、互いに対向して配置された一対の基板間に誘電異方性が負の液晶からなる液晶層が挟持され、複数の画素部を備え、前記基板の液晶層側には配向膜が形成されてなり、前記配向膜が、前記画素部の液晶を配向させる垂直配向膜と、前記画素部の周辺部の液晶を配向させ且つ所定の方位角を備えたプレチルトを具備する水平配向膜とからなる液晶装置の製造方法であって、透明な基板上に所定の領域を囲むように遮光膜を形成する工程と、前記所定の領域に透明導電体を用いて画素電極を形成する工程と、前記画素電極上と前記遮光膜上とにわたって、光露光によって可溶化するポジ型のフォトレジストを前記水平配向膜の材料に用いて、前記フォトレジストで配向膜材料層を形成する工程と、前記配向膜材料層に方位角および極角情報を付与するラビング処理を行う工程と、前記ラビング処理を行う工程の後に、前記基板において前記配向膜材料層が形成された面の反対側から、前記遮光膜をマスクとして前記配向膜材料層に前記光露光を行う工程と、前記光露光を行う工程の後に、前記配向膜材料層を現像する工程と、を有することを特徴とする。 According to the method for manufacturing a liquid crystal device of the present invention, a liquid crystal layer made of a liquid crystal having negative dielectric anisotropy is sandwiched between a pair of substrates disposed opposite to each other, and includes a plurality of pixel portions, and the liquid crystal layer of the substrate An alignment film is formed on the side, and the alignment film aligns the liquid crystal of the pixel portion with the vertical alignment film for aligning the liquid crystal of the pixel portion, and pretilts with a predetermined azimuth angle. A method of manufacturing a liquid crystal device comprising a horizontal alignment film provided with a step of forming a light shielding film so as to surround a predetermined region on a transparent substrate, and a pixel electrode using a transparent conductor in the predetermined region A positive photoresist that is solubilized by light exposure over the pixel electrode and the light-shielding film as a material for the horizontal alignment film, and an alignment film material layer is formed from the photoresist. And the alignment film material After performing the rubbing process for giving azimuth and polar angle information to the substrate and the rubbing process, the light shielding film is used as a mask from the opposite side of the substrate on which the alignment film material layer is formed. It has the process of performing the said light exposure to the said alignment film material layer, and the process of developing the said alignment film material layer after the process of performing the said light exposure .
このようにすれば、前記画素電極上が前記フォトレジスト(配向膜材料層)に覆われている状態で、水平配向膜となる配向膜材料層(フォトレジスト)にラビング処理して配向性を付与しているので、画素電極が直接ラビング処理されることが防止される。仮に、画素電極が直接ラビング処理されたとすると、画素電極にラビング痕ができ、これが視認されてしまう。また、ラビング痕が前記垂直配向膜の配向性に影響を与えてしまい、水平配向膜上の液晶を所望の方位角に配向させることができなくなり、表示特性が低下してしまう。しかし、本発明の製造方法によれば、画素電極が直接ラビング処理されることを防止しているので、画素の表示特性が低下することが防止される。 In this way, with the pixel electrode covered with the photoresist (alignment film material layer), the alignment film material layer (photoresist) serving as a horizontal alignment film is rubbed to provide orientation. Therefore, the pixel electrode is prevented from being directly rubbed. If the pixel electrode is directly rubbed, rubbing marks are formed on the pixel electrode, which is visually recognized. In addition, rubbing marks affect the alignment of the vertical alignment film, and the liquid crystal on the horizontal alignment film cannot be aligned at a desired azimuth, resulting in a deterioration in display characteristics. However, according to the manufacturing method of the present invention, since the pixel electrode is prevented from being directly rubbed, it is possible to prevent the display characteristics of the pixel from being deteriorated.
また、前記フォトレジストは前記水平配向膜が光露光によって可溶化するポジ型フォトレジストであることが好ましい。
このようにすれば、例えば前記画素の周辺部に対応して設けられた遮光膜や配線等をマスクとして前記水平配向膜をセルフパターニングすることができ、レジストマスク等を用いることなく水平配向膜を高精度にパターニングすることができる。
The photoresist is preferably a positive photoresist in which the horizontal alignment film is solubilized by light exposure.
In this way, the horizontal alignment film can be self-patterned using, for example, a light shielding film or wiring provided corresponding to the peripheral portion of the pixel as a mask, and the horizontal alignment film can be formed without using a resist mask or the like. Patterning can be performed with high accuracy.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態について、TFT(Thin-Film Transistor)素子を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置の製造方法を例に説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, taking as an example a manufacturing method of an active matrix type transmissive liquid crystal device using TFT (Thin-Film Transistor) elements. The technical scope of the present invention is as follows. It is not limited to the following embodiment. In the drawings used for the following description, the scale of each member is appropriately changed in order to make each member a recognizable size.
まず、本発明の製造方法の説明に先立ち、図1〜4を用いて本発明の製造方法によって得られる液晶装置(透過型液晶装置)1の構成を説明する。 First, prior to the description of the manufacturing method of the present invention, the configuration of a liquid crystal device (transmission type liquid crystal device) 1 obtained by the manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIGS.
図1は透過型液晶装置1のマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。
図1に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極9と当該画素電極9への通電制御を行うためのスイッチング素子であるTFT素子30がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT素子30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線6aに対してグループ毎に供給される。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of switching elements, signal lines, etc. in a plurality of pixels arranged in a matrix of the transmissive
As shown in FIG. 1, a plurality of pixels arranged in a matrix are formed with a
また、走査線3aがTFT素子30のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線3aに対して走査信号G1、G2、…、Gmが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極9はTFT素子30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT素子30を一定期間だけオンすることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。
In addition, the
画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極9と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。
A predetermined level of image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal via the
図2は、透過型液晶装置1の表示部を示す図であって、画素電極9が配された第1基板の、配向膜(図示せず)が形成された面側から平面視した模式図である。液晶装置の表示部は、画素電極9(外周9aとする)に対応してその内側に設けられた表示領域(画素部)Pと、この表示領域P間、すなわち表示領域Pに囲まれた位置に設けられた非表示領域(非画素部)BMとから構成されており、前記画素電極9は、その周縁部が非表示領域BMに張り出して配置されている。また、少なくとも表示領域P全体を含んで、第1のエリアA1が形成されており、非表示領域BMには第2のエリアA2が形成されている。
FIG. 2 is a diagram showing the display unit of the transmissive
図3は、図2のX−X線断面の模式図である。図3に示すように、透過型液晶装置1は、第1基板10と、第2基板20と、これら基板間に挟持された液晶層50とから構成されている。第1基板10は、ガラス等の透明な基板10Aと、この基板10A上に形成された画素電極9や遮光膜13、および垂直配向膜41、水平配向膜42等から構成されている。前記TFT素子(図示せず)や配線(図示せず)等は遮光膜13上に形成されており、前記基板10A側から入射する光によって劣化することが防止されている。また、前記遮光膜13が形成されていることにより、非表示領域BMが規定され、非表示領域BM間の画素開口部として表示領域Pが規定されている。
FIG. 3 is a schematic diagram of a cross section taken along line XX of FIG. As shown in FIG. 3, the transmissive
また、第1基板10上には、少なくとも前記表示領域Pを含んで、第1のエリアA1が形成されており、前記非表示領域BMには、少なくとも前記画素電極9の前記非表示領域に張り出してなる周縁部9b上を含んで第2のエリアA2が形成されている。図3に示すように第1のエリアA1と第2のエリアA2とは連続して設けられている。また、前記第1のエリアA1に対応する画素電極9上には、垂直配向膜41が形成されており、前記第2のエリアA2に対応する画素電極9上および遮光膜13上には、水平配向膜42が形成されている。
A first area A1 is formed on the
第2基板20は、ガラス等からなる透明な基板20Aと、垂直配向膜61と、共通電極21等から構成されている。
なお、第2の基板側にも前記遮光膜13および水平配向膜42を形成してもよい。
The
The
図4は、画素電極9と共通電極21との間に電圧を印加したときの液晶の配向を模式的に示す図である。前記画素電極9と前記共通電極21との間に電圧を印加すると、その電圧に応じて液晶層50の液晶が配向し、透過型液晶装置1の厚さ方向に透過する光が変調され、透過型液晶装置1は階調表示が可能なものとなる。このとき、本発明の透過型液晶装置1では、第2のエリアA2に位置する液晶52については、電圧無印加状態において所定のプレチルト角で配向させているので、電圧を印加した場合に、揃った方向へ倒れて配向する。したがって、第1のエリアA1に位置する液晶51は、電圧を印加された場合に倒れる方向が前記液晶52に規制され、揃った方向に配向するようになる。すなわち、第1のエリアA1の、第2のエリアA2近傍に位置する液晶は、第2のエリアA2の外周部となる前記画素電極9の周縁部9b上の液晶52の動作に大きく影響を受け、特にその倒れる方向が周縁部9b上の液晶52の倒れる方向に規制される。これにより、第1のエリアA1の液晶51は、全て揃った方向に倒れ、均一に配向するようになる。よって、画素電極9の端部から第1基板10に平行な方向に横方向電界が生じても、表示領域Pの液晶51は、配向不良を生じることが防止される。
FIG. 4 is a diagram schematically showing the alignment of the liquid crystal when a voltage is applied between the
また、表示領域Pに対応する液晶51と異なる配向となる液晶52は、非表示領域BM内のみに配置しているので、表示領域(画素開口部)Pに対応する画素の透過率は液晶51のみに規定され、均一なものとなる。したがって、前記画素の透過率を所望のものとすることができる。また、表示領域Pに対応する液晶51は、配向不良が防止されているので、電圧無印加状態で略垂直に配向させることができる。
Further, since the
次に本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態を、上記透過型液晶装置1の製造方法を例にして説明する。
Next, an embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal device according to the present invention will be described using the method for manufacturing the transmissive
図5と図6は、液晶装置(透過型液晶装置)1の製造方法を説明する図である。まず、図5(a)に示すように、ガラス等からなる透明な基板10A上にCr(クロム)等からなる遮光膜13を格子状に形成し、この遮光膜13によって非表示領域BMを規定するとともに、この非表示領域BMに囲まれた領域を表示領域(画素開口部)Pとする。続いて、遮光膜13上に図1に示したTFT素子30やデータ線6a、走査線3a等の配線を形成する。次に、前記表示領域Pから非表示領域BMに張り出して、ITO(インジウム錫酸化物)等の透明導電体を用いて画素電極9を形成し、画素電極9が形成された第1基板10の前駆体10Bを形成する。これらの工程は、公知の方法を用いることができる。
5 and 6 are diagrams for explaining a method of manufacturing the liquid crystal device (transmission type liquid crystal device) 1. First, as shown in FIG. 5A, a
次に、図5(b)に示すように、前記前駆体10Bの画素電極9側に、例えばスピンコート法等の方法を用いて、後述する水平配向膜42の材料を塗布し、配向膜材料層(フォトレジスト)42aを形成する。この材料としては、例えば紫外線可溶化型ポリイミド(ポジ型PI)等を用いる。また、前記配向膜材料層42aの厚さについては、例えば100nm程度とする。
Next, as shown in FIG. 5B, the material of the
そして、図5(c)に示すように、ラビング布をローラに巻きつけたラビング処理装置55により、前記配向膜材料層42aにラビング処理を行い、前記配向膜材料層42aに配向性を付与する。このとき、画素電極9上を配向膜材料層42aで覆った状態でラビング処理しているので、前記画素電極9がラビング処理から保護され、前記画素電極9上にラビング痕等のキズがつくことが防止される。
Then, as shown in FIG. 5C, a rubbing
そして、図5(d)に示すように、基板10Aの裏面側(前記ポジ型PI塗布面の反対の面側)から紫外線UVを照射し、所定量の露光を行う。このとき、前記基板10Aと画素電極9とは透明な材料からなっているため、これらに対応する表示領域Pでは紫外線UVが透過し、表示領域P上の紫外線可溶化型ポリイミドが露光され、可溶化される。一方、遮光膜13に対応する非表示領域BMでは、紫外線UVが透過しないので、非表示領域BMと対応した位置のフォトレジスト(配向膜材料層)42aは露光されない。
Then, as shown in FIG. 5D, ultraviolet rays UV are irradiated from the back side of the
上記のような工程後、フォトレジスト(配向膜材料層)42aの可溶化(露光)された部分をウエットエッチングで除去(現像)し、例えばN2雰囲気にて300℃程度の温度で1時間程度加熱処理し、アニールすることでイミド化を行う。これにより、図5(e)に示すように、非表示領域BMに対応した水平配向膜42が形成され、水平配向膜42が形成されたことにより、水平配向膜42上に第2のエリアA2が形成可能となる。また、第2のエリアA2間が第1のエリアA1として規定される。このようにして、水平配向膜42を備えた第1基板の前駆体10Cを形成する。
After the steps as described above, the solubilized (exposed) portion of the photoresist (alignment film material layer) 42a is removed (developed) by wet etching and, for example, in an N 2 atmosphere at a temperature of about 300 ° C. for about 1 hour. Imidization is performed by heat treatment and annealing. Thereby, as shown in FIG. 5E, the
次に、画素電極9と前記水平配向膜42のうち、画素電極9に対して選択的に結合する配向膜材料を用いて、垂直配向膜を形成する。
まず、水平配向膜42が形成された第1基板10の前駆体10Cに、例えばN2雰囲気にて150〜180℃程度の温度で3時間程度乾燥処理を行い、その後、前記前駆体10Cを例えばODS(Octadecyltrimethoxysilane)溶液を有した容器とともに密閉容器内に放置する。そして、この容器を例えば150℃の温度で一時間程度加熱することによって、前記ODS溶液の蒸気を前記前駆体10Cの画素電極9露出面に接触させる。
Next, a vertical alignment film is formed using an alignment film material selectively bonded to the
First, the precursor 10C of the
このようにすれば、ODS分子は、無機系の反応基となるメトキシシランを有していることにより、前記水平配向膜42の有機材料とは結合することなく、無機材料であるITOからなる画素電極9上に選択的に結合し、その長鎖アルキル基を画素電極9上に付与する。したがって、前記垂直配向膜41を前記水平配向膜42間に露出した画素電極9上に、選択的に形成することができる。また、画素電極9上にラビング痕等がつくことを防止しているので、この画素電極9上に形成される垂直配向膜41は、前記ラビング痕に影響されて配向性が付与されることが防止される。
In this case, the ODS molecule has a methoxysilane serving as an inorganic reactive group, so that it is not bonded to the organic material of the
以上のようにして、図5(f)に示すように、第1のエリアA1に垂直配向膜41を、第2のエリアA2に水平配向膜42を、それぞれ備えた第1基板10が得られる。
As described above, as shown in FIG. 5F, the
また、第1基板10とは別に、図6(a)に示すように第2基板20を形成する。この第2基板20は、ガラス等の透明な材料からなる基板20A上に、ITO等の透明導電体を用いて共通電極21を形成し、この共通電極21上に、垂直配向膜61を形成する。これらの工程は公知の手法を用いることができ、例えば共通電極21の形成には蒸着法等が、垂直配向膜61の形成にはスピンコート法等が好適に用いられる。
In addition to the
次に、図6(b)に示すように、第1基板10と第2基板とを、垂直配向膜41、61および水平配向膜42が内側になるように貼り合わせ、図6(c)に示すように、第1基板10と第2基板20との間に、液晶層50を封入することで、透過型液晶装置1を形成する。
Next, as shown in FIG. 6B, the
以上のような製造方法によれば、遮光膜13をマスクにしたセルフパターニングによって水平配向膜42を形成しているので、配向膜パターニングのために別途レジストマスク等を設ける必要がなく、製造工程を簡略化することができ、高い生産性で液晶装置(透過型液晶装置)1を形成できる。また、垂直配向膜41は、画素電極9と水平配向膜42のうち、画素電極9に対して選択的に結合する配向膜材料を用いて形成しているので、垂直配向膜42の配向膜パターンを形成する工程が省かれ、また配向膜パターンに材料を選択的に配する必要がないため、製造工程が簡略化される。したがって、液晶装置の生産性が改善される。
According to the manufacturing method as described above, since the
また、上記の製造方法によって形成した液晶装置(透過型液晶装置)1は、表示領域Pの液晶51の配向不良が防止されているので、ディスクリネーション等の表示不良が防止され、また、表示領域Pの液晶51を電圧無印加状態で略垂直に配向されているので、良好なコントラスト特性とされ、また、前記画素電極9にラビング痕等のキズがつくことを防止しているので、液晶装置1は高品位表示が可能なものとなる。
Further, in the liquid crystal device (transmission type liquid crystal device) 1 formed by the above-described manufacturing method, the alignment defect of the
なお、本実施形態では、第2のエリアA2を画素電極9の周縁部と画素電極9間とに連続して形成しているが、各画素電極9の周縁部9bのみに形成しても良い。また、遮光膜13をCr等によって独立して形成したが、例えば配線電極等を遮光膜13として機能させても良い。
また、本実施形態では、ポジ型のフォトレジスト(配向膜材料)を用いて、水平配向膜42を形成したが、ネガ型のフォトレジストを用いて配向膜材料層42aを形成し、これをラビング処理した後に、メタルマスク等を用いて露光し現像することで水平配向膜42を形成するようにしてもよい。
また、垂直配向膜41を形成する方法としては、水平配向膜42を形成した後に、例えば画素電極9に対して選択的に結合する配向材料であるポリシロキサンを含有する溶剤を、スピンコート法等の液相法によって第1基板の前記水平配向膜42を形成した面側に塗布し、200℃程度の温度で硬化させることによって形成してもよい。
In the present embodiment, the second area A2 is continuously formed between the peripheral portion of the
In this embodiment, the
Further, as a method of forming the
[電子機器]
上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図7(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図7(a)において、符号500は携帯電話本体を示し、符号501は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
[Electronics]
An example of an electronic device including the liquid crystal device according to the above embodiment will be described.
FIG. 7A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 7A,
図7(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図7(b)において、符号600は情報処理装置、符号601はキーボードなどの入力部、符号603は情報処理装置本体、符号602は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
FIG. 7B is a perspective view illustrating an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 7B,
図7(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図7(c)において、符号700は時計本体を示し、符号701は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
FIG. 7C is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 7C,
このように図7に示す電子機器は、表示部に上述の本発明の一例たる液晶装置を適用したものであるので、高コントラストで、かつ高品位表示が可能な表示装置となる。 As described above, the electronic apparatus illustrated in FIG. 7 is obtained by applying the above-described liquid crystal device as an example of the present invention to the display portion. Therefore, the display device can display with high contrast and high quality.
[投射型表示装置]
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置(プロジェクタ)の構成について、図8を参照して説明する。図8は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図8において、810は光源、813、814はダイクロイックミラー、815、816、817は反射ミラー、818は入射レンズ、819はリレーレンズ、820は出射レンズ、822、823、824は液晶光変調装置、825はクロスダイクロイックプリズム、826は投写レンズを示す。
[Projection type display device]
Next, a configuration of a projection display device (projector) including the liquid crystal device of the above embodiment as a light modulation unit will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection display device using the liquid crystal device of the embodiment as a light modulation device. In FIG. 8, 810 is a light source, 813 and 814 are dichroic mirrors, 815, 816 and 817 are reflection mirrors, 818 is an incident lens, 819 is a relay lens, 820 is an exit lens, 822, 823 and 824 are liquid crystal light modulators,
光源810はメタルハライド等のランプ811とランプの光を反射するリフレクタ812とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー813は、光源810からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー817で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置822に入射される。
The
一方、ダイクロイックミラー813で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー814によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置823に入射される。なお、青色光は第2のダイクロイックミラー814も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ818、リレーレンズ819、出射レンズ820を含むリレーレンズ系からなる導光手段821が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置824に入射される。
On the other hand, of the color light reflected by the
各光変調装置により変調された3つの色光はクロスダイクロイックプリズム825に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ826によってスクリーン827上に投写され、画像が拡大されて表示される。
The three color lights modulated by the respective light modulation devices are incident on the cross
上記構造を有する投射型表示装置は、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えたものであるので、例えばラビング処理を施したときのようなラビング筋が表示される不具合がなく、高コントラストで、かつ高品位表示が可能な表示装置となる。 Since the projection display device having the above-described structure includes the liquid crystal device as an example of the present invention described above, there is no problem of displaying rubbing streaks, for example, when a rubbing process is performed, and high contrast. And a display device capable of high-quality display.
1・・・透過型液晶装置(液晶装置)、9・・・画素電極、10・・・第1基板、13・・・遮光膜、20・・・第2基板、21・・・共通電極、41、61・・・垂直配向膜、42・・・水平配向膜、42a・・フォトレジスト(配向膜材料層)、55・・・ラビング装置、A1・・・第1のエリア、A2・・・第2のエリア、P・・・表示領域(画素部)、BM・・・非表示領域(非画素部)。
DESCRIPTION OF
Claims (1)
透明な基板上に所定の領域を囲むように遮光膜を形成する工程と、
前記所定の領域に透明導電体を用いて画素電極を形成する工程と、
前記画素電極上と前記遮光膜上とにわたって、光露光によって可溶化するポジ型のフォトレジストを前記水平配向膜の材料に用いて、前記フォトレジストで配向膜材料層を形成する工程と、
前記配向膜材料層に方位角および極角情報を付与するラビング処理を行う工程と、
前記ラビング処理を行う工程の後に、前記基板において前記配向膜材料層が形成された面の反対側から、前記遮光膜をマスクとして前記配向膜材料層に前記光露光を行う工程と、
前記光露光を行う工程の後に、前記配向膜材料層を現像する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 A liquid crystal layer made of a liquid crystal having negative dielectric anisotropy is sandwiched between a pair of substrates arranged opposite to each other, and includes a plurality of pixel portions, and an alignment film is formed on the liquid crystal layer side of the substrate. A liquid crystal device in which the alignment film includes a vertical alignment film for aligning the liquid crystal in the pixel portion, and a horizontal alignment film for aligning the liquid crystal in the peripheral portion of the pixel portion and having a pretilt having a predetermined azimuth angle. A manufacturing method of
Forming a light shielding film so as to surround a predetermined region on a transparent substrate;
Forming a pixel electrode using a transparent conductor in the predetermined region;
Using a positive photoresist that is solubilized by light exposure over the pixel electrode and the light-shielding film as a material of the horizontal alignment film, and forming an alignment film material layer with the photoresist;
Performing a rubbing treatment to give azimuth and polar angle information to the alignment film material layer;
After the step of performing the rubbing process, from the opposite side of the surface on which the alignment film material layer is formed on the substrate, performing the light exposure on the alignment film material layer using the light shielding film as a mask;
And a step of developing the alignment film material layer after the step of performing the light exposure .
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