JP4707805B2

JP4707805B2 - Adhesive film for protecting semiconductor wafer surface and method for protecting semiconductor wafer surface using the same

Info

Publication number: JP4707805B2
Application number: JP2000239307A
Authority: JP
Inventors: 誠史宮川; 藤井　　靖久; 片岡　　真; 健太郎平井; 英樹福本; 芳久才本
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2000-08-08
Filing date: 2000-08-08
Publication date: 2011-06-22
Anticipated expiration: 2020-08-08
Also published as: JP2002053819A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法に関する。詳しくは、半導体集積回路の製造工程において、半導体ウエハの裏面を研削加工、薬液処理等する際に、半導体ウエハの破損、汚染を防止する為に、半導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面（以下、ウエハの「表面」という）に粘着剤層を介して貼着される半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハ表面の保護方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、半導体集積回路は、高純度シリコン単結晶等をスライスしてウエハとした後、イオン注入、エッチング等により集積回路を組み込み、さらにウエハの裏面をグラインディング、ポリッシング、ラッピング等により研削し、ウエハの厚みを１００〜６００μｍ程度まで薄くしてから、ダイシングしてチップ化する方法で製造されている。これらの工程の中で、ウエハの裏面を研削加工、薬液処理等する際に半導体ウエハの破損、汚染を防止する為に、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが用いられている。
【０００３】
具体的には、ウエハ表面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介して貼着してウエハ表面を保護した後、該ウエハの他の面（以下、ウエハの「裏面」という）を研削加工、薬液処理等する。これらの処置、操作が完了した後、該粘着フィルムはウエハ表面より剥離される。
【０００４】
このような半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムに求められる性能の一つに、半導体ウエハに対する粘着特性が挙げられる。すなわち、ウエハ裏面を研削加工、薬液処理等する際にはウエハ表面の凹凸に対して良く密着して、研削水や薬液等がウエハ表面とフィルムとの間に浸入して発生するウエハ表面の汚染やウエハの破損を防止し得る程度に高い粘着力が必要であり、又剥離時には作業性が良く且つウエハを破損しない程度の低い粘着力が求められている。
【０００５】
こうした粘着特性を満足する半導体ウエハ保護用粘着フィルムの一つとして、粘着剤層に放射線硬化型の粘着剤を用いた粘着フィルムが用いられている。例えば、特開昭６０−１８９９３８号公報には、半導体ウエハの裏面を研磨するにあたり、このウエハの表面に感圧性接着フィルムを貼り付け、研磨後この接着フィルムを剥離する半導体ウエハの保護方法において、上記の感圧性接着フィルムが光透過性の支持体とこの支持体上に設けられた光照射により硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤層とからなり、研磨後この接着フィルムを剥離する前にこの接着フィルムに光照射することを特徴とする半導体ウエハの保護方法が開示されている。
【０００６】
上記の発明に開示される半導体ウエハの保護方法では、剥離前に光照射することによって粘着フィルムのウエハ表面に対する粘着力を低下させることができる為、剥離時の作業性やウエハ破損の問題を考慮せずに、ウエハ裏面の研削加工、薬液処理等をする際には、ウエハ表面の凹凸に対する十分な密着性が得られるよう粘着力を高くすることができ、研削水や薬液等に対する浸入防止性と、剥離時の作業性、易剥離性とを同時に達成することができる。
【０００７】
しかし、該発明に開示される感圧性接着フィルム（粘着フィルム）の光照射により硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤層（粘着剤層）は、ラジカル重合により重合する粘着剤層である為、ウエハと粘着剤層の間に酸素が入り込んだ場合には、酸素の重合禁止効果により硬化反応が十分に進まないことがあった。こうした未硬化な粘着剤中には、分子量が低い光重合性化合物が含まれている為に凝集力が不十分な状態にあり、半導体ウエハ裏面研削加工、薬液処理等の後の剥離時に、ウエハ表面に粘着剤層の一部が残留して（以下、糊残りという）ウエハ表面の集積回路を汚染し、電気的な異常の原因となったり、パッケージ不良を招いたりすることがあった。
【０００８】
集積回路が形成された半導体ウエハの表面には複雑な凹凸がある為、ウエハと粘着剤層の間に空気（酸素）が全く入らないように粘着フィルムを貼り付けることは事実上不可能である。又、貼付けの為に酸素を除去した系を作り出すには、大掛かりな装置を導入する必要がある上、多額のランニングコストがかかる。
【０００９】
近年、半導体業界の技術革新、実装技術の進歩により、半導体ウエハ表面の形状は多様化しており、汚染が残留しやすい凹凸を有するウエハが増えてきている。高集積化に伴う半導体回路の多層化により、ウエハ上の段差の深さは深くなる傾向にあり、又、フリップチップ実装と称される実装方法に使用されるチップには、バンプ電極と呼ばれる突起状の電極部が設けらるようになっている。こうした段差やバンプ電極の周辺には、糊残りが発生しやすく、又、こうした部位に糊残りが発生した場合には、一般に行われている溶剤や純水等による洗浄手段では除去することが困難となることがあった。
【００１０】
一方、近年需要が急増している携帯情報機器やＩＣカードに用いられるチップ、あるいはスタックドＩＣのような高密度な実装方法に用いられるチップのように、薄肉であることが要求されるチップが増大している。したがって、ウエハ裏面の研削加工、薬液処理等が終了した後のウエハの厚みはますます薄くなってきており、粘着フィルムを剥離する際に要求される易剥離性への要求も以前にも増して強くなってきている。さらに、このような薄層ウエハは、ウエハが破損しないように洗浄することが困難であり、低汚染性への要求はより一層厳しいものであると言える。
【００１１】
このような状況の中で、従来より、半導体ウエハ保護用粘着フィルムには、ウエハ裏面の研削加工、薬液処理等の際にはウエハ表面の凹凸によく密着して研削水や薬液等の浸入を防止する「凹凸への高密着性」、ウエハ表面から粘着フィルムを剥離する際には低い粘着力で剥離でき、ウエハを破損したり作業性を悪化させたりすることのない「剥離時の易剥離性」、そして、剥離後のウエハ表面に糊残りによる汚染が残留することのない「低汚染性」の３つの性能を併せ持つことが要求されていた。そして、前述のように近年その要求レベルは益々厳しくなっており、今後もさらに厳しくなっていくと予想される。その為、上記の要求に対して高いレベルで対応することのできる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが求められている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題に鑑み、半導体ウエハ表面に対する優れた密着性と易剥離性、及び低汚染性を兼ね備えた半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、放射線硬化型粘着剤層を有する半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが有している優れた「凹凸への密着性」と「剥離時の易剥離性」を低下させること無く、「低汚染性」を同時に達成することを目的として鋭意検討を行った結果、基材フィルムの片表面上に放射線硬化型の粘着剤層を設け、該放射線硬化型の粘着剤層の表面に、貯蔵弾性率が特定の範囲にある、特定の組成の粘着剤層を設けた半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが、上記課題を解決し得るものであることを見出し、本発明を完成させた。
【００１４】
すなわち、本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムの片表面に放射線硬化型粘着剤層（Ａ）、該放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の表面に、架橋剤と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー１００重量部、及び、１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．１〜３０重量部を含み、５０℃における貯蔵弾性率が７×１０⁴〜１×１０⁸Ｐａである粘着剤層（Ｂ）が設けられたことを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムである。
【００１５】
又、本発明の他の発明は、前記半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウエハ表面の保護方法であって、半導体ウエハの回路形成表面に前記粘着フィルムを貼着して、半導体ウエハの裏面に対し、研削加工及び薬液処理から選ばれた少なくとも１種の操作を実施し、前記基材フィルム側から放射線照射した後、該粘着フィルムを剥離することを特徴とする半導体ウエハ表面の保護方法である。
【００１６】
本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの第１の特徴は、（１）基材フィルム、（２）放射線硬化型粘着剤層（Ａ）、（３）粘着剤層（Ｂ）が、（１）〜（３）の順に積層、形成された形状を有する点にある。また、第２の特徴は、粘着剤層（Ｂ）の貯蔵弾性率が、５０℃において７×１０⁴〜１×１０⁸Ｐａの範囲内にある点にある。
【００１７】
かかる構成を採用することにより、ウエハ表面への優れた密着性、剥離時の優れた易剥離性を保持し、しかも低汚染性をも兼ね備えた半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが得られるものである。即ち、（Ａ）層の表面に（Ｂ）を積層した形状の粘着剤層であるために、ウエハ表面に凹凸が存在する場合であっても、ウエハ表面に対する良好な密着性が得られ、ウエハの裏面を研削加工、薬液処理等する際には、研削水、薬液等の浸入が防止され、これらに起因するウエハの破損、汚染を防止することができる。また、ウエハ表面から粘着フィルムを剥離する際には、放射線を照射することにより、放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の硬化、収縮により粘着剤層全体の粘着力が十分に低下して、良好な作業性でウエハを破損することなく粘着フィルムを剥離することが可能である。しかも、放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の表面に特定の貯蔵弾性率を有する粘着剤層（Ｂ）を設けることによって、（Ａ）層に起因する汚染がウエハ表面上に残留するのを防止することができる。
【００１８】
尚、本発明における粘着剤層の５０℃における貯蔵弾性率は、後述の実施例に記載した方法により測定した値を意味する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及び該半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを使用する半導体ウエハ表面の保護方法である。
【００２０】
先ず、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムについて説明する。本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは、基材フィルムの片表面に放射線硬化型粘着剤層（Ａ）、該放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の表面に、架橋剤と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー１００重量部に対し、１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．１〜３０重量部を含み、５０℃における貯蔵弾性率が７×１０⁴〜１×１０⁸Ｐａである粘着剤層（Ｂ）が形成される。即ち、（１）基材フィルム、（２）放射線硬化型粘着剤層（Ａ）、（３）粘着剤層（Ｂ）が、（１）〜（３）の順に積層、形成された形状を有する。
【００２１】
本発明における貯蔵弾性率は、制御された温度下にある対象物に、外部から引張り、曲げ、ねじり等の周期的な変形（歪み）を与え、生じた応答（応力）を、動的粘弾性測定装置を用いて観測することによって測定されるものである。対象物に周期的な変形を与える方法としては、例えば、対象物を２枚の平行円盤で挟さんで該円盤を回転させる方法、対象物中に測定針を挿入して測定針を振動させる方法などが挙げられる。動的粘弾性測定装置としては、例えば、レオメトリックス社製、形式：ＲＭＳ−８００、オリエンテック社製、形式：Ｒｈｅｏｖｉｂｒｏｎ、ＤＤＶ−ＩＩ−ＥＰ、セイコーインスツルメンツ社製、形式：ＥＸＳＴＡＲ６０００、ＴＭＡ／ＳＳなどが挙げられる。
【００２２】
本発明における放射線として、Ｘ線、γ線、紫外線、電子線等が挙げられる。これらを総称して単に放射線という。
【００２３】
本発明で用いられる基材フィルムとしては、合成樹脂をフィルム状に成形加工したフィルムを用いる。基材フィルムは単層体であっても、又、積層体であってもよい。又、基材フィルムは熱可塑性樹脂を成形加工したものであっても、硬化性樹脂を製膜後、硬化したものであってもよい。基材フィルムの厚みは２〜５００μｍが好ましい。より好ましくは５〜５００μｍである。薄くなると、粘着フィルムの形態を維持する性質が劣ってくる傾向があり、それに伴い粘着フィルムを取り扱う際の作業性が悪化することがある。厚くなると、基材フィルムの生産性に影響を与え、製造コストの増加につながる。
【００２４】
基材フィルムに用いられる原料樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−アクリル酸エステル−無水マレイン酸共重合体、エチレン−メタクリル酸グリシジル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−プロピレン共重合体、ブタジェン系エラストマー、スチレン−イソプレン系エラストマーなどの熱可塑性エラストマー、ポリスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、セルロース系樹脂などが挙げられる。
【００２５】
これらの中でも、ウエハの裏面を研削加工する際の保護性能を考慮すれば、ＡＳＴＭ−Ｄ−２２４０−８６、又はＪＩＳＫ−７２１５−１９８６に規定されるショアーＤ型硬度（デュロメータＤ硬さ）が４０以下である原料樹脂が特に好ましい。これらの樹脂をフィルム状に成形加工する際には、必要に応じて、安定剤、滑剤、酸化防止剤、顔料、ブロッキング防止剤、可塑剤、粘着付与剤、柔軟材等を添加してもよい。基材フィルムを成型加工する際に安定剤等の各種添加剤を添加した場合、添加剤が粘着剤層に移行して、粘着剤の特性を変化させたり、ウエハ表面を汚染することがある。このような場合には、基材フィルムと粘着剤層の間にバリヤー層を設けることが好ましい。
【００２６】
又、裏面を薬液処理する際の半導体ウエハの表面保護性能を考慮すれば、耐薬品性に優れた基材フィルムを使用することが好ましい。例えば、基材フィルムの放射線硬化型粘着剤層（Ａ）を設ける側の反対側の面にポリプロピレン等の耐薬品性を備えたフィルムを積層する方法などが挙げられる。
【００２７】
基材フィルムの放射線硬化型粘着剤層（Ａ）〔以下、単に粘着剤層（Ａ）という〕が設けられる側の面には、基材フィルムと粘着剤層（Ａ）との接着力を向上させる為、予め、コロナ放電処理又は化学処理を施すことが好ましい。又、基材フィルムと粘着剤層（Ａ）との間に下塗剤層を形成してもよい。
本発明に使用する基材フィルムは、カレンダー法、Ｔダイ押出法、インフレーション法、キャスト法等、公知の技術により製造されるものの中から、生産性、得られるフィルムの厚み精度等を考慮して適宜選択することができる。
【００２８】
本発明において粘着剤層（Ａ）を構成する放射線硬化型粘着剤としては、放射線を照射することにより硬化して粘着性が低下し、ウエハから容易に剥離できる性質を有するものであれば特に制限なく用いることができる。本発明においては、紫外線硬化型の粘着剤であることが好ましい。紫外線硬化型の粘着剤としては、紫外線照射により硬化して粘着性を失う特性を有する粘着剤の中から適宜選択して用いることができる。例えば、特開昭６０−１８９９３８号公報や、特開平７−１９３０３２号公報に記載されているような紫外線硬化型粘着剤が好ましく用いられる。
【００２９】
例えば、分子中に光重合性炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル酸エステル系共重合体１００重量部と、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物０．１〜２０重量部と、光開始剤０．１〜１５重量部を含み、必要に応じて架橋剤により上記アクリル酸エステル系共重合体を架橋させて得られる粘着剤を用いることができる。
【００３０】
分子中に光重合性炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル酸エステル系共重合体は、具体的には次の様にして得られる。まず、エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基を有する共重合性モノマーを共重合させる。ついで、この共重合体に含まれる官能基と、該官能基と付加反応、縮合反応等を起こしうる官能基を有するモノマーとを、該モノマー中の二重結合を残したまま反応させ、共重合体分子中に光重合性炭素−炭素二重結合を導入する。
【００３１】
上記エチレン性二重結合を有するモノマーとしては、例えば、メタクリル酸メチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸ブチル、アクリル酸エチル等のアクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルモノマー、酢酸ビニルの如きビニルエステル、アクリロニトリル、アクリルアミド、スチレン等のエチレン性二重結合を有するモノマーの中から、１種又は２種以上が用いられる。
【００３２】
上記官能基を有する共重合性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、２ーヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、Ｎーメチロール（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。これらは１種でもよく、２種以上組み合わせて使用してもよい。
上記エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基を有する共重合性モノマーの割合は、前者７０〜９９重量％に対し、後者３０〜１重量％が好ましい。さらに好ましくは、前者８０〜９５重量％に対し、後者２０〜５重量％である。
【００３３】
エチレン性二重結合を有するモノマーと官能基を有する共重合性モノマーとの共重合体に、光重合性炭素−炭素二重結合を導入する際に反応させる官能基の組み合わせとして、カルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、水酸基とイソシアネート基等、容易に付加反応が起こる組み合わせが望ましい。又、付加反応に限らずカルボン酸基と水酸基との縮合反応等、光重合性炭素−炭素二重結合が容易に導入できる反応であれば如何なる反応を用いてもよい。
【００３４】
分子中に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物としては、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を用いてもよい。
【００３５】
光開始剤としては、ベンゾイン、イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、アセトフェノンジエチルケタール、ベンジルジメチルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等が挙げられる。これらは１種又は２種以上用いてもよい。光開始剤の添加量は、上記共重合体１００重量部に対して、０．１〜１５重量部である。好ましくは５〜１０重量部である。
【００３６】
上記紫外線硬化型粘着剤には架橋剤を添加してもよい。架橋剤として、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリーグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）等のアジリジン系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物等が挙げられる。
上記紫外線硬化型粘着剤は、溶剤タイプ、エマルションタイプ、ホットメルトタイプ等の何れでもよい。
【００３７】
粘着剤層（Ａ）の厚みは３〜３００μｍ、より好ましくは５〜２５０μｍである。粘着剤層（Ａ）の厚みが厚くなると、粘着フィルムの作成が困難となったり、生産性に影響を与え製造コストの増加につながることがある。粘着剤層（Ａ）の厚みが薄くなると、ウエハ表面の凹凸に対する密着性が低下して、ウエハの裏面を研削加工、薬液処理等する際に水や薬液が浸入してウエハの破損やウエハ表面の研削屑や薬液による汚染を生じたり、放射線照射後の粘着力の低下が不十分となり、粘着フィルムをウエハから剥離する際にウエハを破損することがある。
【００３８】
粘着剤層（Ａ）の５０℃における貯蔵弾性率は特に制限はないが、通常、粘着剤層（Ｂ）の貯蔵弾性率より低く、好ましくは１×１０³以上、７×１０⁴Ｐａ未満である。より好ましくは５×１０³以上、７×１０⁴Ｐａ未満である。粘着剤層（Ａ）の貯蔵弾性率が高すぎると、ウエハ表面の凹凸に対する密着性が不十分となることがある。
【００３９】
本発明において、架橋剤と反応し得る官能基を有する粘着剤ポリマー１００重量部、及び、１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤０．１〜３０重量部を含み、５０℃における貯蔵弾性率が７×１０⁴〜１×１０⁸Ｐａである粘着剤層（Ｂ）〔以下、単に粘着剤層（Ｂ）という〕が、上記粘着剤層（Ａ）の表面に形成される。
【００４０】
粘着剤層（Ｂ）の貯蔵弾性率が低くなると、粘着フィルムを剥離した後のウエハ表面に汚染を生じることがある。粘着剤層（Ｂ）の貯蔵弾性率が高くなると、ウエハ表面に対する密着性が低下し、研削水や薬液が浸入することがある。かかる観点から、上記範囲の貯蔵弾性率を有するものが好ましい。
【００４１】
このような粘着剤としては、例えば、放射線硬化型、熱硬化型、加熱発泡型等の粘着力スイッチング機能を有する粘着剤や、スイッチング機能を有しない通常の粘着剤等が挙げられる。粘着力スイッチング機能を有する粘着剤は、スイッチング機能を発現させるために、通常、分子量が低い添加剤を含有している。こうした低分子量の添加剤は、ウエハ表面を汚染する原因となる可能性がある為、通常の粘着剤を用いることが好ましい。
こうしたスイッチング機能を有しない通常の粘着剤としては、天然ゴム系、合成ゴム系、シリコーンゴム系、アクリルゴム系等の粘着剤を用いることができる。これらの粘着剤の中でも、粘着剤物性の制御、再現性等を考慮するとアクリルゴム系の粘着剤が好ましい。
【００４２】
粘着剤がアクリルゴム系である場合、粘着剤ポリマーを構成する主モノマーは、アクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルを含むものが好ましい。アクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルの例としては、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用しても、又、２種以上を混合して使用してもよい。主モノマーの使用量は、粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、６０〜９９重量％の範囲で含まれていることが好ましい。かかる組成のモノマー混合物を用いることにより、ほぼ同組成のアクリル酸アルキルエステル単位、メタクリル酸アルキルエステル単位、又はこれらの混合単位を含むポリマーが得られる。
【００４３】
粘着剤ポリマーは、架橋剤と反応し得る官能基を有している必要がある。架橋剤と反応し得る官能基としては、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基等が挙げられる。粘着剤ポリマー中にこれらの架橋剤と反応しうる官能基を導入する方法としては、粘着剤ポリマーを重合する際にこれらの官能基を有するコモノマーを共重合させる方法が一般に用いられる。
【００４４】
例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。これらのコモノマーの内の１種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、又２種以上を共重合させてもよい。上記の架橋剤と反応しうる官能基を有するコモノマーの使用量（共重合量）は、粘着剤ポリマーの原料となる全モノマーの総量中に、１〜４０重量％の範囲内で含まれていることが好ましい。かかる組成のモノマー混合物を用いることにより、ほぼ同組成のコモノマー単位を含むポリマーが得られる。
【００４５】
本発明において、上記粘着剤ポリマーを構成する主モノマー単位及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマー単位の他に、界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有しており、万一粘着剤層に起因する汚染がウエハ表面に生じたとしても、水洗により容易に除去することが可能となる。
【００４６】
このような重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系のもの〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。
【００４７】
さらに必要に応じて、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、イソシアネートエチルアクリレート、イソシアネートエチルメタクリレート、２−（１−アジリジニル）エチルアクリレート、２−（１−アジリジニル）エチルメタクリレート等の自己架橋性の官能基を持ったモノマー、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性二重結合を持ったモノマー、ジビニルベンゼン、アクリル酸ビニル、メタクリル酸ビニル、アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル等の多官能性のモノマー等を共重合してもよい。
【００４８】
粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響及び半導体ウエハ表面へのイオンの影響、等を考慮すれば、ラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物、等が挙げられる。
【００４９】
粘着剤ポリマーの重合法としては、乳化重合法、懸濁重合法、溶液重合法等が挙げられるが、これらの中では乳化重合法が好ましい。
粘着剤ポリマーを乳化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物がさらに好ましい。４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が特に好ましい。
【００５０】
本発明に用いる１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤は、粘着剤ポリマーが有する官能基と反応させて、架橋密度、粘着力及び凝集力を調整する為に用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系架橋剤、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート等のイソシアネート系架橋剤等が挙げられる。これらの架橋剤は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５１】
又、粘着剤が水系（エマルションを含む）である場合には、イソシアネート系架橋剤は水との副反応による失活速度が速い為、粘着剤ポリマーとの架橋反応が十分に進行しない場合がある。従って、この場合には上記の架橋剤の中でアジリジン系もしくはエポキシ系の架橋剤を用いることが好ましい。
【００５２】
本発明における１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤の含有量は、粘着剤ポリマー１００重量部に対し架橋剤０．１〜３０重量部、特に好ましくは０．５〜２５重量部である。架橋剤の含有量が少ないと、粘着剤層の凝集力が不十分となり、ウエハ表面に汚染を生じることがある。多過ぎると、粘着剤層（Ｂ）とウエハ表面との密着力が弱くなり、研削加工中に水や研削屑が浸入し、ウエハを破損したり、研削屑によるウエハ表面の汚染が生じることがある。
【００５３】
本発明における粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤には、上記の架橋剤と反応しうる官能基を有する粘着剤ポリマー、一分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤の他に、粘着特性を調整する為に、ロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を適宜含有してもよい。又、粘着剤ポリマーがエマルション液である場合は、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の増膜助剤を本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してよい。
【００５４】
粘着剤層（Ｂ）の厚みは、ウエハ表面の汚染性、粘着力等に影響を及ぼす。粘着剤層（Ｂ）の厚みが薄くなると、ウエハ表面にが残留することがある。粘着剤層（Ｂ）の厚みが厚すぎると粘着力が高くなり、剥離の際の作業性が低下することがある。かかる観点から、粘着剤層（Ｂ）の厚みは１〜５０μｍであることが好ましい。
【００５５】
本発明において、基材フィルムの片表面に粘着剤層（Ａ）を設ける際には、及び、該粘着剤層（Ａ）の表面に粘着剤層（Ｂ）を設ける際には、上記粘着剤を溶液又はエマルション液（以下、これらを総称して粘着剤塗布液と称する）として、ロールコーター、コンマコーター、ダイコーター、メイヤーバーコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター等の公知の方法に従って塗布、乾燥して粘着剤層を形成する方法を用いることができる。この際、塗布した粘着剤層を環境に起因する汚染等から保護する為に、塗布した粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼着することが好ましい。
【００５６】
あるいは、剥離フィルムの片表面に、上記した公知の方法に従って粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、ドライラミネート法等の慣用の方法を用いて粘着剤層を転写させる方法（以下、転写法という）をとってもよい。転写法により粘着剤層（Ａ）及び粘着剤層（Ｂ）を積層する際には、まず、粘着剤層（Ａ）のみを基材フィルムの片表面に転写させた後に、続いて粘着剤層（Ｂ）を該粘着剤層（Ａ）の表面（基材フィルムと反対側の面）に転写させてもよい。あるいは、剥離フィルムの片表面に粘着剤層（Ｂ）を形成し、該粘着剤層（Ｂ）の表面（剥離フィルムと反対側の面）に粘着剤層（Ａ）を重ねて設けた後に、粘着剤層（Ａ）と粘着剤層（Ｂ）を一度に基材フィルムの片表面に転写させてもよい。
【００５７】
粘着剤を乾燥する際の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜３００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。さらに好ましくは、８０〜２００℃の温度範囲において１５秒〜５分間乾燥する。本発明においては、架橋剤と粘着剤ポリマーとの架橋反応を十分に促進させる為に、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。
【００５８】
本発明において、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの粘着力は、ウエハ裏面の研削加工、薬液処理時等におけるウエハの保護性と、ウエハから剥離する際の作業性との双方に影響する。ウエハ裏面の研削加工、薬液処理時等におけるウエハの保護性（研削水、研削屑及び薬液等の浸入防止）を考慮すれば、ＪＩＳＺ−０２３７に規定される方法に準拠して、被着体としてＳＵＳ３０４−ＢＡ板を用い、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．、剥離角度１８０度の条件下で測定した粘着力が、２５ｇ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。より好ましくは１００ｇ／２５ｍｍ以上、さらに好ましくは１５０ｇ／２５ｍｍ以上である。高ければ高い程好ましい。粘着力の上限は、粘着剤の技術的難易度を考慮すれば２０００ｇ／２５ｍｍ程度である。
【００５９】
一方、ウエハから剥離する際には、粘着力（すなわち、放射線照射後の粘着力）が高いと、ウエハからの剥離が困難となり、剥離機で剥離する際に剥離トラブルが発生して作業性を悪化させたり、時にはウエハを破損したりすることもある。従って、このような剥離作業性を考慮すれば、ウエハから粘着フィルムを剥離する際の粘着力は、通常、ＪＩＳＺ−０２３７に規定される方法に準拠して、被着体としてＳＵＳ３０４−ＢＡ板を用い、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．、剥離角度１８０度の条件下で測定した粘着力が、１５０ｇ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。さらに、低ければ低いほど好ましい。但し、このとき、放射線照射後の粘着力（Ｃ）、放射線を照射する前の粘着力（Ｄ）との間には、〔Ｃ＜Ｄ〕なる関係がある。
【００６０】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの製造方法は上記のとおりであるが、半導体ウエハ表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィルム、粘着剤等、全ての原料及び資材の製造環境、粘着剤塗布液の調整、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。又、特に放射線硬化型粘着剤層（Ａ）が紫外線、電子線等の放射線の照射により変質することを考慮すれば、これらの放射線に曝露されない環境において製造されることが好ましい。
【００６１】
次に、本発明の半導体ウエハ表面の保護方法について説明する。本発明の半導体ウエハ表面の保護方法は、半導体ウエハの裏面を研削加工、薬液処理、またはこれらの操作を共に実施する際に、上記半導体ウエハ表面保護粘着フィルムを用いることに特徴がある。
【００６２】
その詳細は、先ず、上記半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム（以下、粘着フィルムという）の粘着剤層から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層（Ｂ）の表面を露出させ、粘着剤層（Ｂ）を介して、半導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面に貼着する。次いで、研削機のチャックテーブル等に粘着フィルムの基材フィルム層を介して半導体ウエハを固定し、半導体ウエハの裏面に対し、研削加工、薬液処理等を実施する。本発明においては、研削加工、薬液処理の何れかを単独で行ってもよいし、両方を行ってもよい。両方を行う場合、その順番はいずれでもよいが、通常、研削加工の後、薬液処理を行う。
【００６３】
研削加工、薬液処理等が終了した後、放射線を照射して粘着力を低下させてから、該粘着フィルムを剥離する。いずれの保護方法においても、必要に応じて、粘着フィルム剥離後の半導体ウエハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の処理を施してもよい。
この様な一連の工程中の、半導体ウエハ裏面の研削加工、薬液処理等の操作において、半導体ウエハは、研削前の厚みが、通常、５００〜１０００μｍであるのに対して、半導体チップの種類等に応じ、通常、１００〜６００μｍ程度まで、時には、５０μｍ程度まで研削される。研削する前の半導体ウエハの厚みは、半導体ウエハの口径、種類等により適宜決められ、研削後の厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類、等により適宜決められる。
【００６４】
粘着フィルムを半導体ウエハに貼着する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、ロール状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によって行われる。この様な自動貼り機として、例えば、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬシリーズ等が挙げられる。
【００６５】
半導体ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用される。研削の際には、半導体ウエハと砥石に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。
【００６６】
ウエハ裏面を研削加工する研削機としては、例えば、（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８４１、(株)岡本工作機械製作所製、形式：ＳＶＧ−５０２ＭＫＩＩ８等が挙げられる。
【００６７】
薬液処理は、弗化水素酸、硝酸、硫酸、酢酸等の単独もしくは混合物等の酸性水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性水溶液等からなる群から選ばれたエッチング液に、表面に粘着フィルムを貼着した状態で半導体ウエハを浸漬する等の方法により行われる。薬液処理のことを、通常、ケミカルエッチングと称する。また、薬液処理の方式の中には、ウエハごと薬液にどぶづけする方式（ディッピング法）、ウエハ裏面を回転させながら裏面に選択的に薬液を接触させる方式（スピンエッチング法）、ＣＭＰと称される裏面研磨とケミカルエッチングを同時に行う方式等もある。薬液処理は、半導体ウエハ裏面に生じた歪の除去、ウエハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理、等を目的として行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択される。
【００６８】
裏面の研削加工、薬液処理等が終了した後、粘着フィルムはウエハ表面から剥離される。粘着フィルムをウエハ表面から剥離する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般には、自動剥がし機と称される装置により行われる。この様な、自動剥がし機としては、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、同ＡＴＲＭ−２１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＰシリーズ等がある。
【００６９】
本発明の半導体ウエハ表面の保護方法では、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムをウエハ表面から剥離する前に、基材フィルム側から放射線を照射して、粘着フィルムのウエハ表面に対する粘着力を低下させる。
照射する放射線としては、Ｘ線、γ線等、紫外線、電子線等が挙げられるが、これらの中から、粘着剤層（Ａ）を構成する放射線硬化型粘着剤の種類（型）に応じて適宜選択して、粘着力が低下するに十分な照射量を照射する。
【００７０】
放射線の照射量は、放射線が紫外線である場合には、通常、５０〜３０００ｍＪ／ｃｍ²〔（株）オーク製作所製、ディジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２（受光器：ＵＶ−３５）、を用いて測定した紫外線照度（ｍＷ／ｃｍ²）に時間（秒）をかけた値〕の範囲内が好ましい。照射量が少ないと、粘着力の低下が不十分となる傾向があり、剥離時の作業性が低下することがある。多いと、粘着フィルムが照射時の熱により変形（収縮等）し、それに伴いウエハが破損したり、自動剥がし機内で剥離エラーが起こり作業性を低下させたりすることがある。
【００７１】
上記の紫外線照射量を得る為には、通常、１０〜２０００ｍＷ／ｃｍ²の照度〔（株）オーク製作所製、ディジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２（受光器：ＵＶ−３５）、を用いて測定した値〕の紫外線を、照射量が上記の範囲内に入るように、通常、０．５〜６０秒の時間内で照射することが好ましい。紫外線の発生源としては既知の様々な装置を使用できる。代表的なものを具体的に例示すると、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、パルスキセノンランプ、無電極放電ランプ等が挙げられる。
【００７２】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法が適用できる半導体ウエハとして、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム、等のウエハが挙げられる。
【００７３】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下に示す全ての実施例及び比較例について、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持された環境において粘着剤塗布液の調整及び塗布、乾燥、並びに、半導体シリコンウエハの裏面研削等を実施した。なお、以下の実施例及び比較例において示した粘着力、貯蔵弾性率、実用評価は、下記の方法に従って測定、評価を行った。
【００７４】
（１）粘着力（ｇ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳＺ−０２３７に準じて測定する。
＜紫外線照射前＞：２３℃において、実施例又は比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳＧ−４３０５規定、縦：２０ｃｍ、横：５ｃｍ）の表面に貼付し、１時間放置する。放置後、試料の一端を挟持し、剥離角度：１８０度、剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離し、剥離する際の応力を測定してｇ／２５ｍｍに換算する。
＜紫外線照射後＞：２３℃において、実施例及び比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳＧ−４３０５規定、縦：２０ｃｍ、横：５ｃｍ）の表面に貼付し、１時間放置する。放置後、基材フィルム側から下記の条件の紫外線を照射し、照射後、試料の一端を挟持し、剥離角度：１８０度、剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離し、剥離する際の応力を測定してｇ／２５ｍｍに換算する。
＜紫外線照射条件＞発生源：高圧水銀ランプ〔（株）オーク製作所製、形式；ＯＨＤ−３２０Ｍ〕、照度：３０ｍＷ／ｃｍ²〔（株）オーク製作所製、ディジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２（受光器：ＵＶ−３５）、を用いて測定した値〕、照射時間：１０秒、照射量：３００ｍＪ／ｃｍ²。
【００７５】
（２）貯蔵弾性率（Ｐａ）
実施例、比較例の各粘着剤層を作製するときと同等の塗工条件（厚み、乾燥温度、乾燥時間等）で、片表面にシリコーン処理（離型処理）が施されたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）の離型処理面側に、粘着剤塗布液を塗布・乾燥し、ＰＥＴフィルムの離型処理面上に粘着剤層を形成する。さらに形成後、実施例と同等の熱履歴を与える為、粘着剤層を単層のまま、６０℃において４８時間加熱する。得られた粘着剤層同士を順次重ね合せ、厚さ約１ｍｍの粘着剤層のフィルム状シートを得る。このフィルム状シートから、直径約８ｍｍ、厚み１ｍｍ程度の円盤型形状に粘着剤層をサンプリングする。このサンプルを、動的粘弾性測定装置｛レオメトリックス社製、形式；ＲＭＳ−８００、直径８ｍｍのパラレルプレート（平行円盤）型アタッチメントを使用｝を用いて、周波数１ｒａｄ／ｓｅｃにて、−４０〜６０℃の温度範囲で貯蔵弾性率を測定する。具体的には、サンプルを６０℃にて上記パラレルプレート型アタッチメントを介して動的粘弾性測定装置にセットし、６０℃から−４０℃まで３℃／分の降温速度で降温しながら貯蔵弾性率を測定する。測定終了後、得られた−４０℃〜６０℃の貯蔵弾性率−温度曲線の中から、５０℃における貯蔵弾性率Ｇ’（Ｐａ）の値を採用する。
【００７６】
（３）実用評価
集積回路がウエハの周辺部まで組み込まれた半導体シリコンウエハ（直径：２００ｍｍ、厚み：７２５μｍ、チップ面積１００ｍｍ²、スクライブラインの幅：１００μｍ、スクライブラインの深さ：２μｍ、各チップの周辺には高さ１０μｍの金バンプが設けられている）の表面に、実施例又は比較例で得られた半導体ウエハ保護用粘着フィルムを貼着し、研削装置｛（株）ディスコ製、形式；ＤＦＧ８４１｝を用いて、水をかけて冷却しながらウエハの裏面を研削加工して、研削後のウエハ厚みを１００μｍとする。各粘着フィルム毎に、１０枚の半導体シリコンウエハについて研削加工を行う。研削加工が終了した後、各半導体シリコンウエハについて、表面と粘着フィルムとの間にウエハ周辺から研削水が浸入したか否かを目視で観察し、研削水の浸入が生じた枚数を計数する。研削水の浸入を観察した後、紫外線照射機｛（株）オーク製作所製、形式；ＯＨＤ−３２０Ｍ、ランプの種類：高圧水銀ランプ｝を用いて光量２５０ｍＪ／ｃｍ²の条件で紫外線照射を行ってから、表面保護テープ剥がし機｛タカトリ（株）製、ＭＯＤＥＬ：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ；使用剥がしテープ：ハイランド印フィラメントテープＮｏ．８９７〔住友スリーエム（株）製〕｝で該粘着フィルムを剥離する。該粘着フィルム剥離時の破損状況を破損した枚数を計数して評価する。さらに、該粘着フィルム剥離時に破損しなかったウエハの表面を、光学顕微鏡｛（株）ニコン製：ＯＰＴＩＰＨＯＴ２｝を用いて５０〜１０００倍の範囲に拡大して、ウエハ表面の全チップに対してチップ毎に汚染の観察を行ない、チップ上に視認される汚染が１点以上発見された場合には、その汚染が研削屑によるものであるか、糊残りによるものであるかを確認したうえで、下記数式により算出する。
Ｃｒ＝（Ｃ２／Ｃ１）×１００
ここで、Ｃｒ：汚染発生率（％）、Ｃ１：観察したチップ数、Ｃ２：汚染チップ数。
【００７７】
実施例１
＜基材フィルムの作成＞
ショアーＤ型硬度が３５のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂（三井・デュポンポリケミカル（株）製、銘柄：エバフレックスＰ−１９０５（ＥＶ４６０）、酢酸ビニル単位含有量：１９重量％）をＴ−ダイ押出機を用いて、厚み１２０μｍのフィルムに形成した。この際、粘着剤層を形成する側にコロナ放電処理を施した。
【００７８】
＜粘着剤層（Ａ）を構成する放射線硬化型粘着剤塗布液の調製＞
アクリル酸エチル４８重量部、アクリル酸−２−エチルヘキシル２７重量部、アクリル酸メチル２０重量部、メタクリル酸グリシジル５重量部、及び重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイド０．５重量部を混合し、トルエン６５重量部、酢酸エチル５０重量部が入った窒素置換フラスコ中に撹拌しながら８０℃で５時間かけて滴下し、さらに５時間撹拌して反応させた。反応終了後、冷却し、これにキシレン２５重量部、アクリル酸２．５重量部、及びテトラデシルベンジルアンモニウムクロライド１．５重量部を加え、空気を吹き込みながら８０℃で１０時間反応させ、光重合性炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル酸エステル共重合体溶液を得た。この溶液に、共重合体（固形分）１００重量部に対して光開始剤としてベンゾイン７重量部、イソシアネート系架橋剤（三井化学（株）製、商品名：オレスターＰ４９−７５Ｓ）２重量部、１分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子量化合物としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（東亞合成（株）製、商品名：アロニックスＭ−４００）１５重量部を添加し紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。
【００７９】
＜粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤塗布液の調製＞
重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．５重量部、アクリル酸ブチル５２．２５重量部、メタクリル酸メチル２５重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル１５重量部、メタクリル酸６重量部、アクリルアミド１重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイドの付加モル数の平均値；約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製：商品名：アクアロンＨＳ−２０〕０．７５重量部を添加し、攪拌下で７０℃において９時間乳化重合を実施し、アクリル樹脂系水エマルジョンを得た。これを１４重量％アンモニア水で中和し、固形分４０重量％を含有する粘着剤ポリマーエマルジョン（粘着剤主剤）を得た。得られた粘着剤主剤エマルジョン１００重量部（粘着剤ポリマー濃度：４０重量％）を採取し、さらに１４重量％アンモニア水を加えてｐＨ９．３に調整した。次いで、アジリジン系架橋剤〔日本触媒化学工業（株）製、商品名：ケミタイトＰＺ−３３〕０．８重量部、及びジエチレングリコールモノブチルエーテル５重量部を添加して粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤塗布液を得た。
【００８０】
＜粘着剤層（Ａ）の積層＞
片表面にシリコーン処理（離型処理）が施された厚み３８μｍのＰＥＴフィルム（剥離フィルム）の離型処理が施された側の面に、前述の照射線硬化型の粘着剤塗布液をコンマコーターにより塗布し、１２０℃で４分間乾燥し、厚み７０μｍの放射線硬化型粘着剤層（Ａ）を得た。これに、前述の基材フィルムのコロナ処理が施された側の面を、ドライラミネーターにより貼り合わせて押圧して、放射線硬化型粘着剤層（Ａ）を基材フィルムのコロナ処理が施された側の面に転写させた。なお、粘着剤層（Ａ）の５０℃における貯蔵弾性率は、４×１０⁴Ｐａであった。
【００８１】
＜粘着剤層（Ｂ）の積層＞
前述の粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤塗布液を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥し、厚み３０μｍの粘着剤層（Ｂ）を得た。前述の基材フィルムに積層した粘着剤層（Ａ）から、シリコーン処理ＰＥＴフィルム（剥離フィルム）を剥離し、露出された粘着剤層（Ａ）の表面に粘着剤層（Ｂ）を貼り合せて押圧して、粘着剤層（Ｂ）を、粘着剤層（Ａ）の基材フィルムと反対側の面に転写、積層した。積層後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は、紫外線照射前は３２０ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後は１１０ｇ／２５ｍｍであった。又、粘着剤層（Ｂ）の５０℃における貯蔵弾性率は、９×１０⁴Ｐａであった。
【００８２】
得られた粘着フィルムを用いて、前述の方法に従って実用評価を行った。研削水の浸入が観察されたウエハは無かった。又、粘着フィルム剥離時に破損したウエハも皆無であった。顕微鏡観察の結果、視認される汚染が観察されたチップは皆無であった。結果を表１に示す。
【００８３】
実施例２
実施例1の粘着剤層（Ａ）を構成する粘着剤塗布液の調整において、イソシアネート系架橋剤の添加量を０．５重量部とし、粘着剤層（Ａ）の積層において、粘着剤層（Ａ）の厚みを２００μｍとし、粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤塗布液の調製において、アジリジン系架橋剤の代わりに、エポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）製、商品名：デナコールＥＸ−６１４〕を使用し、添加量を２．０重量部とし、粘着剤層（Ｂ）の積層において、粘着剤層（Ｂ）の厚みを１０μｍとした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの紫外線照射前の粘着力は４５０ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後の粘着力は８０ｇ／２５ｍｍであった。なお、粘着剤層（Ａ）の５０℃における貯蔵弾性率は６×１０³Ｐａであり、粘着剤層（Ｂ）の５０℃における貯蔵弾性率は、９×１０⁵Ｐａであった。得られた粘着フィルムを用いて実用評価を行った結果、研削水の浸入が観察されたウエハは無く、粘着フィルム剥離時に破損したウエハも皆無であった。顕微鏡観察の結果、視認される汚染が観察されたチップは皆無であった。結果を表１に示す。
【００８４】
実施例３
実施例1の粘着剤層（Ａ）の積層において、粘着剤層（Ａ）の厚みを２３μｍとし、粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤塗布液の調製において、アジリジン系架橋剤の添加量を４．０重量部とし、粘着剤層（Ｂ）の積層において、粘着剤層（Ｂ）の厚みを２μｍとした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの紫外線照射前の粘着力は１６０ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後の粘着力は３０ｇ／２５ｍｍであった。又、粘着剤層（Ｂ）の５０℃における貯蔵弾性率は、２×１０⁷Ｐａであった。得られた粘着フィルムを用いて実用評価を行った結果、研削水の浸入が観察されたウエハは無く、粘着フィルム剥離時に破損したウエハも皆無であった。顕微鏡観察の結果、視認される汚染が観察されたチップは皆無であった。結果を表１に示す。
【００８５】
比較例１
実施例１の粘着剤層（Ａ）の積層において、粘着剤層（Ａ）の厚みを４０μｍとし、粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤塗布液の調製において、アジリジン系架橋剤の代わりに、エポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）製、商品名：デナコールＥＸ−６１４〕を使用し、添加量を０．０２重量部とし、粘着剤層（Ｂ）の積層において、粘着剤層（Ｂ）の厚みを２０μｍとした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの紫外線照射前の粘着力は４１０ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後の粘着力は１９０ｇ／２５ｍｍであった。又、粘着剤層（Ｂ）の５０℃における貯蔵弾性率は５×１０⁴Ｐａであった。得られた粘着フィルムを用いて実用評価を行った結果、研削水の浸入が観察されたウエハは皆無であった。しかしながら、粘着フィルム剥離時に１０枚中１枚のウエハが破損した。破損しなかった９枚のウエハを顕微鏡観察した結果、全チップ数に対して２．４％のチップに糊残りによる汚染が観察された。結果を表１に示す。
【００８６】
比較例２
実施例１の粘着剤層（Ａ）の積層において、粘着剤層（Ａ）の厚みを１００μｍとし、粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤塗布液の調製において、アジリジン系架橋剤の添加量を６．０重量部とし、粘着剤層（Ｂ）の積層において、粘着剤層（Ｂ）の厚みを３μｍとした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの紫外線照射前の粘着力は８０ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後の粘着力は７０ｇ／２５ｍｍであった。又、粘着剤層（Ｂ）の５０℃における貯蔵弾性率は３×１０⁸Ｐａであった。得られた粘着フィルムを用いて実用評価を行った結果、研削水の浸入が１０枚中３枚のウエハについて観察された。粘着フィルム剥離時に破損したウエハは皆無であったが、顕微鏡観察の結果、全チップ数に対して５．７％のチップに研削屑の浸入による汚染が観察された。結果を表１に示す。
【００８７】
比較例３
実施例１と同様にして、実施例１中の粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤と同一の粘着剤の塗布液を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で４分間乾燥し、厚み６０μｍの粘着剤層（Ｂ）を得た。これに、実施例と同様にして作成した基材フィルムのコロナ処理が施された側の面をドライラミネーターにより貼り合わせて押圧して、粘着剤層（Ｂ）を基材フィルムのコロナ処理が施された側の面に転写、積層した。積層後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより、基材フィルムの片表面に、粘着剤層（Ａ）を設けず、実施例中の粘着剤層（Ｂ）を構成する粘着剤と同一の粘着剤を用いた粘着剤層（Ｂ）ただ一層のみが、６０μｍの厚みで設けられた半導体ウエハ保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は、紫外線照射前、紫外線照射後、共に７０ｇ／２５ｍｍであった。又、粘着剤層（Ｂ）の５０℃における貯蔵弾性率は２×１０⁷Ｐａであった。得られた粘着フィルムを用いて実用評価を行った結果、１０枚中５枚のウエハについて、研削水の浸入が観察された。粘着フィルムを剥離する際に破損したウエハは皆無であった。しかし、剥離後の顕微鏡観察において、全チップ数に対して９．３％のチップに、研削屑の浸入による汚染が観察された。結果を表１に示す。
【００８８】
比較例４
実施例１と同様にして作成した基材フィルムのコロナ処理が施された側の面に、実施例１中の粘着剤層（Ａ）を構成する放射線硬化型粘着剤と同一の粘着剤の塗布液を、実施例１の粘着剤層（Ａ）の積層と同様の方法を用いて塗布、乾燥、転写し、厚み６０μｍの放射線硬化型粘着剤層（Ａ）を設け、実施例中の粘着剤層（Ａ）を構成する粘着剤と同一の放射線硬化型粘着剤層（Ａ）ただ一層のみが、６０μｍの厚みで設けられた半導体ウエハ保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの紫外線照射前の粘着力は５００ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後の粘着力は５０ｇ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いた実用評価の結果、研削水の浸入が観察されたウエハは無く、剥離時に破損したウエハも皆無であった。しかしながら、剥離後の顕微鏡観察において、全チップ数に対して５．1％のチップに糊残りによる汚染が観察された。結果を表１に示す。
【００８９】
【表１】

【００９０】
【発明の効果】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは、粘着剤層が、（Ａ）層の表面に（Ｂ）層が積層された形状であるために、ウエハ表面の凹凸に対する良好な密着性が達成される。その為、ウエハの裏面を研削加工、薬液処理等する際には、研削水や薬液の浸入によるウエハの破損、汚染等を防止することができる。ウエハ表面から粘着フィルムを剥離する際には、放射線を照射することにより放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の硬化、収縮により、粘着剤層全体の粘着力が十分に低下して、良好な作業性でウエハを破損することなく容易に剥離可能である。しかも、貯蔵弾性率が特定の範囲に限定された粘着剤層（Ｂ）を放射線硬化型粘着剤層（Ａ）の表面に設けることによって、粘着剤層（Ａ）に起因する汚染がウエハ表面上に残留することを防止することができる。すなわち、本発明によれば、放射線硬化型粘着剤層を有する半導体ウエハ保護用粘着フィルムが有する優れた凹凸への密着性と剥離時の易剥離性を保持したまま、低汚染性を同時に達成することが可能である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface, and a method for protecting the surface of a semiconductor wafer using the same. Specifically, in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit, the surface on the side where the integrated circuit of the semiconductor wafer is incorporated in order to prevent damage or contamination of the semiconductor wafer when the back surface of the semiconductor wafer is ground, processed with a chemical solution, or the like. The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface that is adhered to a wafer (hereinafter referred to as “surface” of the wafer) via a pressure-sensitive adhesive layer, and a method for protecting the surface of a semiconductor wafer using the pressure-sensitive adhesive film.
[0002]
[Prior art]
In general, a semiconductor integrated circuit is obtained by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a wafer, incorporating the integrated circuit by ion implantation, etching, etc., and grinding the back surface of the wafer by grinding, polishing, lapping, etc. The thickness is reduced to about 100 to 600 μm, and then is diced into a chip. In these processes, an adhesive film for protecting the surface of a semiconductor wafer is used in order to prevent damage and contamination of the semiconductor wafer when the back surface of the wafer is ground, treated with a chemical solution, or the like.
[0003]
Specifically, after a semiconductor wafer surface protective adhesive film is adhered to the wafer surface via the adhesive layer to protect the wafer surface, the other surface of the wafer (hereinafter referred to as the “back surface” of the wafer) Are processed by grinding, chemical treatment, etc. After these treatments and operations are completed, the adhesive film is peeled off from the wafer surface.
[0004]
One of the properties required for such an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface is an adhesive property to the semiconductor wafer. That is, when grinding or chemical treatment of the wafer back surface, it adheres well to the irregularities on the wafer surface, and contamination of the wafer surface caused by grinding water or chemicals entering between the wafer surface and the film. In addition, the adhesive strength is required to be high enough to prevent the wafer from being damaged, and the adhesive strength is required to be good at the time of peeling and not to damage the wafer.
[0005]
As an adhesive film for protecting a semiconductor wafer that satisfies such adhesive properties, an adhesive film using a radiation curable adhesive for the adhesive layer is used. For example, JP-A-60-189938 discloses a method for protecting a semiconductor wafer in which a pressure-sensitive adhesive film is attached to the surface of the wafer when the back surface of the semiconductor wafer is polished, and the adhesive film is peeled off after polishing. The pressure-sensitive adhesive film is composed of a light-transmitting support and a pressure-sensitive adhesive layer having a property of being cured by light irradiation provided on the support to form a three-dimensional network. A method for protecting a semiconductor wafer is disclosed in which the adhesive film is irradiated with light before peeling.
[0006]
In the method for protecting a semiconductor wafer disclosed in the above invention, since the adhesive force of the adhesive film to the wafer surface can be reduced by irradiating with light before peeling, the workability at the time of peeling and the problem of wafer breakage are considered. Without grinding, the adhesive strength can be increased so that sufficient adhesion to the irregularities on the wafer surface can be obtained when grinding the wafer backside, chemical treatment, etc., preventing intrusion into grinding water or chemicals, etc. And the workability at the time of peeling and easy peelability can be achieved simultaneously.
[0007]
However, the pressure-sensitive adhesive layer (pressure-sensitive adhesive layer) having the property of being cured by light irradiation of the pressure-sensitive adhesive film (pressure-sensitive adhesive film) disclosed in the present invention to form a three-dimensional network is a pressure-sensitive adhesive layer that is polymerized by radical polymerization. Therefore, when oxygen enters between the wafer and the pressure-sensitive adhesive layer, the curing reaction may not sufficiently proceed due to the effect of inhibiting the polymerization of oxygen. Such an uncured adhesive contains a photopolymerizable compound having a low molecular weight, so that the cohesive force is inadequate. At the time of peeling after semiconductor wafer back grinding, chemical treatment, etc., the wafer A part of the pressure-sensitive adhesive layer remains on the surface (hereinafter, referred to as adhesive residue), which contaminates the integrated circuit on the wafer surface, which may cause an electrical abnormality or cause a package failure.
[0008]
Since the surface of the semiconductor wafer on which the integrated circuit is formed has complex irregularities, it is virtually impossible to attach an adhesive film so that no air (oxygen) enters between the wafer and the adhesive layer. . In addition, in order to create a system from which oxygen is removed for pasting, it is necessary to introduce a large-scale apparatus and a large running cost is required.
[0009]
In recent years, due to technological innovation in the semiconductor industry and advances in packaging technology, the shape of the surface of a semiconductor wafer has been diversified, and an increasing number of wafers having irregularities in which contamination tends to remain. Due to the multi-layered semiconductor circuit due to high integration, the depth of the step on the wafer tends to become deeper, and the chip used for the mounting method called flip chip mounting has a protrusion called bump electrode. A shaped electrode portion is provided. Adhesive residue is likely to be generated around these steps and bump electrodes, and when such adhesive residue is generated at such sites, it is difficult to remove it with a commonly used cleaning means such as a solvent or pure water. There was sometimes.
[0010]
On the other hand, an increasing number of chips are required to be thin, such as chips used for portable information devices and IC cards whose demand has been increasing rapidly in recent years, or chips used for high-density mounting methods such as stacked ICs. is doing. Therefore, the thickness of the wafer after the processing of grinding the backside of the wafer, chemical processing, etc. is becoming increasingly thinner, and the demand for easy peelability required when peeling the adhesive film has increased. It is getting stronger. Furthermore, it is difficult to clean such a thin wafer so that the wafer is not damaged, and it can be said that the demand for low contamination is even more severe.
[0011]
Under such circumstances, conventionally, the adhesive film for protecting a semiconductor wafer has been intimately adhered to the irregularities on the wafer surface during grinding of the wafer back surface, chemical treatment, etc., and ingress of grinding water, chemicals, etc. "High adhesion to unevenness" prevents, when peeling the adhesive film from the wafer surface, it can be peeled with low adhesive force, "easy peeling at the time of peeling" without damaging the wafer or deteriorating workability It has been required to have three performances, ie, “low contamination” and no contamination due to adhesive residue on the wafer surface after peeling. As described above, the required level has become increasingly severe in recent years, and is expected to become even more severe in the future. Therefore, there is a demand for an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface that can meet the above requirements at a high level.
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface, which has excellent adhesion and easy peelability to the surface of the semiconductor wafer, and low contamination, and a method for protecting the surface of the semiconductor wafer using the same. It is to provide.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
Without reducing the excellent "adhesion to unevenness" and "easy peelability at the time of peeling" that the adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface having a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer has, As a result of intensive studies aimed at achieving "low contamination" at the same time, a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer was provided on one surface of the base film, and on the surface of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer, The present inventors have found that a semiconductor wafer surface protecting adhesive film provided with an adhesive layer having a specific composition having a storage elastic modulus in a specific range can solve the above-mentioned problems, and completed the present invention.
[0014]
That is, the present invention is an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface, the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer (A) on one surface of the base film, and the crosslinking agent on the surface of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer (A). The storage elastic modulus at 50 ° C. includes 100 parts by weight of a pressure-sensitive adhesive polymer having a functional group capable of reacting with 1 and 30 to 30 parts by weight of a crosslinking agent having two or more crosslinking reactive functional groups in one molecule. Is 7 × 10 ^Four ~ 1x10 ⁸ A pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer, comprising a pressure-sensitive adhesive layer (B) of Pa.
[0015]
According to another aspect of the present invention, there is provided a method for protecting a semiconductor wafer surface using the adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface, wherein the adhesive film is adhered to a circuit forming surface of the semiconductor wafer, On the other hand, the semiconductor wafer surface protecting method is characterized in that at least one kind of operation selected from grinding and chemical treatment is performed, and the adhesive film is peeled off after irradiation with radiation from the base film side. is there.
[0016]
The 1st characteristic of the adhesive film for semiconductor wafer surface protection concerning this invention is (1) base film, (2) radiation-curing-type adhesive layer (A), (3) adhesive layer (B), It is in the point which has the shape formed by laminating and forming in order of 1) to (3). The second feature is that the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer (B) is 7 × 10 at 50 ° C. ^Four ~ 1x10 ⁸ The point is within the range of Pa.
[0017]
By adopting such a configuration, it is possible to obtain an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface that maintains excellent adhesion to the wafer surface, excellent easy peelability at the time of peeling, and also has low contamination. . That is, since the pressure-sensitive adhesive layer is formed by laminating (B) on the surface of the (A) layer, good adhesion to the wafer surface can be obtained even when there are irregularities on the wafer surface. When the back surface of the substrate is ground, treated with a chemical solution, or the like, intrusion of grinding water, a chemical solution, or the like is prevented, and damage and contamination of the wafer due to these can be prevented. Moreover, when peeling the adhesive film from the wafer surface, the adhesive force of the entire pressure-sensitive adhesive layer is sufficiently reduced due to curing and shrinkage of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer (A) by irradiating with radiation. It is possible to peel the adhesive film without damaging the wafer with good workability. Moreover, by providing the pressure-sensitive adhesive layer (B) having a specific storage elastic modulus on the surface of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer (A), contamination due to the (A) layer is prevented from remaining on the wafer surface. can do.
[0018]
In addition, the storage elastic modulus in 50 degreeC of the adhesive layer in this invention means the value measured by the method described in the below-mentioned Example.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail. The present invention relates to a method for protecting a semiconductor wafer surface using the adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface and the adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface.
[0020]
First, the adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface of the present invention will be described. The pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface of the present invention has a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer (A) on one surface of a base film, and a functional group capable of reacting with a crosslinking agent on the surface of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer (A). It contains 0.1 to 30 parts by weight of a crosslinking agent having two or more crosslinking reactive functional groups in one molecule with respect to 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive polymer having a group, and the storage elastic modulus at 50 ° C. is 7 × 10 ^Four ~ 1x10 ⁸ An adhesive layer (B) that is Pa is formed. That is, (1) base film, (2) radiation curable pressure-sensitive adhesive layer (A), (3) pressure-sensitive adhesive layer (B) has a shape formed by laminating and forming in order of (1) to (3). .
[0021]
In the present invention, the storage elastic modulus is obtained by subjecting an object under a controlled temperature to periodic deformation (strain) such as pulling, bending, and twisting from the outside, and the resulting response (stress) is converted into dynamic viscoelasticity. It is measured by observing with a measuring device. Examples of a method of periodically deforming an object include, for example, a method of rotating the disk by sandwiching the object between two parallel disks, and a method of inserting a measuring needle into the object and vibrating the measuring needle Etc. As a dynamic viscoelasticity measuring device, for example, manufactured by Rheometrics, model: RMS-800, manufactured by Orientec, model: Rheobibron, DDV-II-EP, manufactured by Seiko Instruments Inc., model: EXSTAR6000, TMA / SS, etc. Is mentioned.
[0022]
Examples of the radiation in the present invention include X-rays, γ-rays, ultraviolet rays, and electron beams. These are collectively referred to simply as radiation.
[0023]
As the base film used in the present invention, a film obtained by molding and processing a synthetic resin into a film shape is used. The base film may be a single layer or a laminate. Further, the base film may be one obtained by molding a thermoplastic resin, or may be one obtained by forming a curable resin and then curing it. The thickness of the base film is preferably 2 to 500 μm. More preferably, it is 5-500 micrometers. When it becomes thin, there exists a tendency for the property which maintains the form of an adhesive film to become inferior, and workability | operativity at the time of handling an adhesive film may deteriorate in connection with it. When the thickness is increased, the productivity of the base film is affected and the manufacturing cost is increased.
[0024]
Examples of the raw material resin used for the base film include polyethylene, polypropylene, polybutene, polymethylpentene, ethylene vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic ester-maleic anhydride copolymer. , Ethylene-glycidyl methacrylate copolymer, ethylene-methacrylic acid copolymer, ionomer resin, ethylene-propylene copolymer, butadiene elastomer, styrene-isoprene elastomer, etc., thermoplastic elastomer, polystyrene resin, polyvinyl chloride Resin, Polyvinylidene chloride resin, Polyamide resin, Polyester such as polyethylene terephthalate, Polyethylene naphthalate, Polyimide, Polyetheretherketone, Polycarbonate, Polyurethane Acrylic resins, fluorine-based resins, and cellulosic resins.
[0025]
Among these, considering the protection performance when grinding the back surface of the wafer, the Shore D type hardness (durometer D hardness) defined in ASTM-D-2240-86 or JIS K-7215-1986 is A raw material resin of 40 or less is particularly preferred. When these resins are formed into a film, stabilizers, lubricants, antioxidants, pigments, antiblocking agents, plasticizers, tackifiers, softeners, etc. may be added as necessary. . When various additives such as a stabilizer are added at the time of molding the base film, the additive may move to the pressure-sensitive adhesive layer to change the characteristics of the pressure-sensitive adhesive or contaminate the wafer surface. In such a case, it is preferable to provide a barrier layer between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer.
[0026]
In consideration of the surface protection performance of the semiconductor wafer when the back surface is treated with a chemical solution, it is preferable to use a base film having excellent chemical resistance. For example, the method of laminating | stacking the film provided with chemical resistances, such as a polypropylene, on the surface on the opposite side to the side which provides the radiation-curing-type adhesive layer (A) of a base film is mentioned.
[0027]
On the surface of the base film on which the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer (A) [hereinafter simply referred to as the pressure-sensitive adhesive layer (A)] is provided, the adhesion between the base film and the pressure-sensitive adhesive layer (A) is improved. Therefore, it is preferable to perform a corona discharge treatment or a chemical treatment in advance. Moreover, you may form a primer layer between a base film and an adhesive layer (A).
The base film used in the present invention is manufactured from known techniques such as a calendering method, a T-die extrusion method, an inflation method, a casting method, etc., taking into consideration productivity, thickness accuracy of the obtained film, etc. It can be selected appropriately.
[0028]
In the present invention, the radiation curable pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer (A) is not particularly limited as long as it has a property that it is cured by irradiation with radiation to lower the adhesiveness and can be easily peeled off from the wafer. Can be used. In the present invention, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive is preferable. As the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive, it can be appropriately selected from pressure-sensitive adhesives having a property of being cured by ultraviolet irradiation and losing the adhesiveness. For example, UV curable pressure sensitive adhesives such as those described in JP-A-60-189938 and JP-A-7-193032 are preferably used.
[0029]
For example, 100 parts by weight of an acrylic ester copolymer having a photopolymerizable carbon-carbon double bond introduced in the molecule, and a low molecular weight compound having two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule A pressure-sensitive adhesive containing 0.1 to 20 parts by weight and 0.1 to 15 parts by weight of a photoinitiator and obtained by crosslinking the acrylate copolymer with a crosslinking agent can be used as necessary. .
[0030]
An acrylic ester copolymer having a photopolymerizable carbon-carbon double bond introduced in the molecule is specifically obtained as follows. First, a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group are copolymerized. Subsequently, the functional group contained in the copolymer is reacted with a monomer having a functional group capable of causing an addition reaction, a condensation reaction, or the like with the functional group while leaving a double bond in the monomer, and the copolymer is reacted. A photopolymerizable carbon-carbon double bond is introduced into the polymer molecule.
[0031]
Examples of the monomer having an ethylenic double bond include acrylic acid alkyl ester monomers such as methyl methacrylate, -2-ethylhexyl acrylate, butyl acrylate, and ethyl acrylate, and alkyl methacrylate monomers, vinyl such as vinyl acetate. Among the monomers having an ethylenic double bond such as ester, acrylonitrile, acrylamide, styrene, one or more are used.
[0032]
Examples of the copolymerizable monomer having the functional group include (meth) acrylic acid, maleic acid, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, and N-methylol (meth) acrylamide. These may be used alone or in combination of two or more.
The ratio of the monomer having an ethylenic double bond and the copolymerizable monomer having a functional group is preferably 30 to 1% by weight with respect to the former 70 to 99% by weight. More preferably, the latter is 20 to 5% by weight with respect to the former 80 to 95% by weight.
[0033]
As a combination of functional groups to be reacted when a photopolymerizable carbon-carbon double bond is introduced into a copolymer of a monomer having an ethylenic double bond and a copolymerizable monomer having a functional group, a carboxyl group and an epoxy are used. A group that easily undergoes an addition reaction, such as a group, a carboxyl group and an aziridyl group, or a hydroxyl group and an isocyanate group, is desirable. In addition, any reaction may be used as long as it is a reaction that can easily introduce a photopolymerizable carbon-carbon double bond, such as a condensation reaction between a carboxylic acid group and a hydroxyl group.
[0034]
Low molecular weight compounds having two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule include tripropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol tetra (Meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate and the like. These may use 1 type (s) or 2 or more types.
[0035]
Photoinitiators include benzoin, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler ketone, chlorothioxanthone, dodecyl thioxanthone, dimethyl thioxanthone, diethyl thioxanthone, acetophenone diethyl ketal, benzyl dimethyl ketal, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy -2-methyl-1-phenylpropan-1-one and the like. These may be used alone or in combination of two or more. The addition amount of the photoinitiator is 0.1 to 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the copolymer. Preferably it is 5-10 weight part.
[0036]
You may add a crosslinking agent to the said ultraviolet curing adhesive. As a crosslinking agent, epoxy compounds such as sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, diglycerol polyglycidyl ether, tetramethylolmethane-tri-β-aziridinylpropionate, trimethylolpropane -Tri-β-aziridinylpropionate, N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide), N, N′-hexamethylene-1,6-bis (1-aziridine) Aziridine compounds such as carboxamide), and isocyanate compounds such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and polyisocyanate.
The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive may be any of a solvent type, an emulsion type, a hot melt type, and the like.
[0037]
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (A) is 3 to 300 μm, more preferably 5 to 250 μm. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (A) is increased, it may be difficult to produce a pressure-sensitive adhesive film, or the productivity may be affected, leading to an increase in manufacturing cost. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (A) is reduced, the adhesion to the irregularities on the wafer surface is reduced, and water or chemicals enter when grinding or chemical treatment is performed on the back surface of the wafer. Contamination due to grinding scraps or chemicals may occur, or the decrease in adhesive strength after radiation irradiation may be insufficient, and the wafer may be damaged when the adhesive film is peeled from the wafer.
[0038]
The storage elastic modulus at 50 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer (A) is not particularly limited, but is usually lower than the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer (B), preferably 1 × 10. ^Three 7 × 10 ^Four Less than Pa. More preferably 5 × 10 ^Three 7 × 10 ^Four Less than Pa. If the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer (A) is too high, the adhesion to the irregularities on the wafer surface may be insufficient.
[0039]
In the present invention, 100 parts by weight of a pressure-sensitive adhesive polymer having a functional group capable of reacting with a crosslinking agent, and 0.1 to 30 parts by weight of a crosslinking agent having two or more crosslinking reactive functional groups in one molecule, Storage modulus at 50 ° C. is 7 × 10 ^Four ~ 1x10 ⁸ A pressure-sensitive adhesive layer (B) of Pa (hereinafter simply referred to as pressure-sensitive adhesive layer (B)) is formed on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (A).
[0040]
When the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer (B) is lowered, the wafer surface after peeling the pressure-sensitive adhesive film may be contaminated. When the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer (B) increases, the adhesion to the wafer surface decreases, and grinding water or chemicals may enter. From this viewpoint, those having a storage elastic modulus in the above range are preferable.
[0041]
Examples of such an adhesive include an adhesive having an adhesive force switching function such as a radiation curing type, a thermosetting type, and a heating foam type, and an ordinary adhesive having no switching function. An adhesive having an adhesive force switching function usually contains an additive having a low molecular weight in order to exhibit the switching function. Since such a low molecular weight additive may cause contamination of the wafer surface, it is preferable to use a normal pressure-sensitive adhesive.
As a normal pressure-sensitive adhesive having no such switching function, pressure-sensitive adhesives such as natural rubber, synthetic rubber, silicone rubber, and acrylic rubber can be used. Among these pressure-sensitive adhesives, an acrylic rubber-based pressure-sensitive adhesive is preferable in consideration of control of physical properties of the pressure-sensitive adhesive, reproducibility and the like.
[0042]
When the pressure-sensitive adhesive is an acrylic rubber-based material, the main monomer constituting the pressure-sensitive adhesive polymer preferably contains an acrylic acid alkyl ester and a methacrylic acid alkyl ester. Examples of the alkyl acrylate ester and the alkyl methacrylate ester include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, and 2-ethylhexyl acrylate. These may be used alone or in combination of two or more. It is preferable that the usage-amount of a main monomer is contained in the range of 60 to 99 weight% in the total amount of all the monomers used as the raw material of an adhesive polymer. By using a monomer mixture having such a composition, an alkyl acrylate ester unit, a methacrylic acid alkyl ester unit having substantially the same composition, or a polymer containing these mixed units can be obtained.
[0043]
The pressure-sensitive adhesive polymer needs to have a functional group capable of reacting with the crosslinking agent. Examples of the functional group capable of reacting with the crosslinking agent include a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group, and an amino group. As a method for introducing functional groups capable of reacting with these crosslinking agents into the pressure-sensitive adhesive polymer, a method of copolymerizing comonomers having these functional groups when the pressure-sensitive adhesive polymer is polymerized is generally used.
[0044]
For example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, fumaric acid, maleic acid, itaconic acid monoalkyl ester, mesaconic acid monoalkyl ester, citraconic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester, maleic acid mono Examples thereof include alkyl esters, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, acrylamide, methacrylamide, tertiary-butylaminoethyl acrylate, and tertiary-butylaminoethyl methacrylate. One of these comonomers may be copolymerized with the main monomer, or two or more may be copolymerized. The use amount (copolymerization amount) of the comonomer having a functional group capable of reacting with the cross-linking agent is included in the range of 1 to 40% by weight in the total amount of all monomers used as the raw material of the pressure-sensitive adhesive polymer. It is preferable. By using a monomer mixture having such a composition, a polymer containing comonomer units having almost the same composition can be obtained.
[0045]
In the present invention, in addition to the main monomer unit constituting the pressure-sensitive adhesive polymer and the comonomer unit having a functional group capable of reacting with the crosslinking agent, a specific comonomer having a property as a surfactant (hereinafter referred to as a polymerizable surfactant). May be copolymerized. The polymerizable surfactant has the property of copolymerizing with the main monomer and comonomer, and even if contamination due to the pressure-sensitive adhesive layer occurs on the wafer surface, it can be easily removed by washing with water. Become.
[0046]
Examples of such polymerizable surfactants include, for example, those obtained by introducing a polymerizable 1-propenyl group into the benzene ring of polyoxyethylene nonylphenyl ether [Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd .; trade name: Aqualon RN-10, RN-20, RN-30, RN-50, etc.], a polyoxyethylene nonylphenyl ether sulfate ester ammonium salt introduced with a polymerizable 1-propenyl group in the benzene ring Manufactured by Ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd .; trade names: Aqualon HS-10, HS-20, etc.] and sulfosuccinic acid diesters having a polymerizable double bond in the molecule [produced by Kao Corporation; : Latemulu S-120A, S-180A, etc.].
[0047]
Furthermore, if necessary, a self-crosslinkable functional group such as glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, isocyanate ethyl acrylate, isocyanate ethyl methacrylate, 2- (1-aziridinyl) ethyl acrylate, 2- (1-aziridinyl) ethyl methacrylate, etc. Monomers with polymerizable double bonds such as vinyl acetate, acrylonitrile and styrene, and polyfunctional monomers such as divinylbenzene, vinyl acrylate, vinyl methacrylate, allyl acrylate and allyl methacrylate. Polymerization may be performed.
[0048]
Examples of the polymerization reaction mechanism of the pressure-sensitive adhesive polymer include radical polymerization, anionic polymerization, and cationic polymerization. In consideration of the production cost of the pressure-sensitive adhesive, the influence of the functional group of the monomer, the influence of ions on the surface of the semiconductor wafer, and the like, the polymerization is preferably performed by radical polymerization. When polymerizing by radical polymerization reaction, organic compounds such as benzoyl peroxide, acetyl peroxide, isobutyryl peroxide, octanoyl peroxide, di-tertiary-butyl peroxide, di-tertiary-amyl peroxide as radical polymerization initiators Inorganic peroxides such as peroxide, ammonium persulfate, potassium persulfate, sodium persulfate, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis-2-methylbutyronitrile, 4,4 And azo compounds such as' -azobis-4-cyanovaleric acid.
[0049]
Examples of the polymerization method of the pressure-sensitive adhesive polymer include an emulsion polymerization method, a suspension polymerization method, a solution polymerization method, and the like. Among these, the emulsion polymerization method is preferable.
When the pressure-sensitive adhesive polymer is polymerized by emulsion polymerization, among these radical polymerization initiators, water-soluble ammonium persulfate, potassium persulfate, inorganic peroxides such as sodium persulfate, and water-soluble 4, An azo compound having a carboxyl group in the molecule such as 4′-azobis-4-cyanovaleric acid is preferred. Considering the influence of ions on the semiconductor wafer surface, azo compounds having a carboxyl group in the molecule, such as ammonium persulfate and 4,4′-azobis-4-cyanovaleric acid, are more preferable. An azo compound having a carboxyl group in the molecule such as 4,4′-azobis-4-cyanovaleric acid is particularly preferable.
[0050]
The cross-linking agent having two or more cross-linking reactive functional groups in one molecule used in the present invention is used to adjust the cross-linking density, adhesive force and cohesive force by reacting with the functional group of the pressure-sensitive adhesive polymer. As crosslinking agents, epoxy crosslinking agents such as sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, diglycerol polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, resorcin diglycidyl ether, etc. , Trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethylolmethane-tri-β-aziridinylpropionate, N, N′-diphenylmethane-4,4′-bis (1-aziridinecarboxamide) ), N, N′-hexamethylene-1,6-bis (1-aziridinecarboxamide), N, N′-toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane Tri-.beta.-(2-methyl aziridine) aziridine crosslinking agent, such as propionate, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, toluene diisocyanate 3 adduct of trimethylolpropane, isocyanate crosslinking agents such as polyisocyanate, and the like. These crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more.
[0051]
When the pressure-sensitive adhesive is water-based (including emulsion), the crosslinking reaction with the pressure-sensitive adhesive polymer may not sufficiently proceed because the isocyanate-based cross-linking agent has a high deactivation rate due to side reaction with water. . Therefore, in this case, it is preferable to use an aziridine-based or epoxy-based crosslinking agent among the above-mentioned crosslinking agents.
[0052]
In the present invention, the content of the crosslinking agent having two or more crosslinking reactive functional groups in one molecule is 0.1 to 30 parts by weight, particularly preferably 0.5 to 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive polymer. 25 parts by weight. When the content of the crosslinking agent is small, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer becomes insufficient, and the wafer surface may be contaminated. If the amount is too large, the adhesive force between the adhesive layer (B) and the wafer surface will be weakened, water and grinding debris will enter during grinding, and the wafer may be damaged or the wafer surface may be contaminated by the grinding debris. is there.
[0053]
The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer (B) in the present invention includes a pressure-sensitive adhesive polymer having a functional group capable of reacting with the above-mentioned cross-linking agent, and a cross-linking agent having two or more cross-linking reactive functional groups in one molecule. In addition, in order to adjust the adhesive properties, rosin-based, terpene resin-based tackifiers, various surfactants, and the like may be appropriately contained. Further, when the pressure-sensitive adhesive polymer is an emulsion liquid, a film-forming auxiliary such as diethylene glycol monobutyl ether may be appropriately contained so as not to affect the object of the present invention.
[0054]
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (B) affects the contamination of the wafer surface, the adhesive strength, and the like. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (B) is reduced, the wafer surface may remain. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (B) is too thick, the adhesive strength is increased, and the workability during peeling may be reduced. From this viewpoint, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (B) is preferably 1 to 50 μm.
[0055]
In the present invention, when the pressure-sensitive adhesive layer (A) is provided on one surface of the base film, and when the pressure-sensitive adhesive layer (B) is provided on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (A), the above pressure-sensitive adhesive is used. Is applied as a solution or emulsion liquid (hereinafter collectively referred to as a pressure-sensitive adhesive coating liquid), applied according to a known method such as a roll coater, comma coater, die coater, Mayer bar coater, reverse roll coater, gravure coater, and dried. Then, a method of forming a pressure-sensitive adhesive layer can be used. At this time, in order to protect the applied pressure-sensitive adhesive layer from contamination caused by the environment, it is preferable to attach a release film to the surface of the applied pressure-sensitive adhesive layer.
[0056]
Alternatively, a pressure-sensitive adhesive coating solution is applied to one surface of the release film according to the above-described known method and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer, and then the pressure-sensitive adhesive layer is transferred using a conventional method such as a dry laminating method. A method (hereinafter referred to as a transfer method) may be used. When laminating the pressure-sensitive adhesive layer (A) and the pressure-sensitive adhesive layer (B) by the transfer method, first, only the pressure-sensitive adhesive layer (A) is transferred to one surface of the base film, and then the pressure-sensitive adhesive layer. (B) may be transferred to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (A) (the surface opposite to the base film). Alternatively, after the pressure-sensitive adhesive layer (B) is formed on one surface of the release film and the pressure-sensitive adhesive layer (A) is provided on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (B) (the surface opposite to the release film), The pressure-sensitive adhesive layer (A) and the pressure-sensitive adhesive layer (B) may be transferred to one surface of the base film at a time.
[0057]
Although there is no restriction | limiting in particular in the drying conditions at the time of drying an adhesive, Generally, it is preferable to dry for 10 second-10 minutes in a 80-300 degreeC temperature range. More preferably, it is dried for 15 seconds to 5 minutes in a temperature range of 80 to 200 ° C. In the present invention, in order to sufficiently promote the cross-linking reaction between the cross-linking agent and the pressure-sensitive adhesive polymer, after drying of the pressure-sensitive adhesive coating solution is completed, the semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive film is formed at 5 to 300 at 40 to 80 ° C. You may heat for about hours.
[0058]
In the present invention, the adhesive force of the adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface affects both the wafer protective properties during grinding of the wafer back surface, chemical treatment, and the workability when peeling from the wafer. In consideration of the protection of the wafer during grinding of the backside of the wafer, chemical treatment, etc. (preventing the ingress of grinding water, grinding scraps, chemicals, etc.), the adherend conforms to the method prescribed in JIS Z-0237. SUS304-BA plate was used as a peeling speed of 300 mm / min. The adhesive strength measured under the condition of a peeling angle of 180 degrees is preferably 25 g / 25 mm or more. More preferably, it is 100 g / 25 mm or more, More preferably, it is 150 g / 25 mm or more. Higher is preferable. The upper limit of the adhesive strength is about 2000 g / 25 mm considering the technical difficulty of the adhesive.
[0059]
On the other hand, when peeling from the wafer, if the adhesive strength (that is, the adhesive strength after radiation irradiation) is high, peeling from the wafer becomes difficult, and peeling trouble occurs when peeling with a peeling machine. It may worsen and sometimes damage the wafer. Therefore, in consideration of such peeling workability, the adhesive strength when peeling the adhesive film from the wafer is usually SUS304-BA plate as the adherend in accordance with the method defined in JIS Z-0237. And a peeling speed of 300 mm / min. The adhesive strength measured under the condition of a peeling angle of 180 degrees is preferably 150 g / 25 mm or less. Furthermore, the lower the better. However, at this time, there is a relationship [C <D] between the adhesive strength (C) after irradiation and the adhesive strength (D) before irradiation.
[0060]
The manufacturing method of the adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface of the present invention is as described above. From the viewpoint of preventing contamination of the semiconductor wafer surface, the manufacturing environment for all raw materials and materials such as a base film, a release film, and an adhesive is used. The adjustment, storage, application, and drying environment of the adhesive coating solution are preferably maintained at a clean level of class 1,000 or less as defined in US Federal Standard 209b. In particular, considering that the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer (A) is altered by irradiation with radiation such as ultraviolet rays and electron beams, it is preferable that the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer (A) is produced in an environment where it is not exposed to these radiations.
[0061]
Next, the method for protecting the surface of the semiconductor wafer according to the present invention will be described. The method for protecting a semiconductor wafer surface according to the present invention is characterized in that the semiconductor wafer surface protective adhesive film is used when the back surface of the semiconductor wafer is ground, processed with a chemical solution, or when these operations are performed together.
[0062]
The details are as follows. First, the release film is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer of the above-mentioned semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive film (hereinafter referred to as pressure-sensitive adhesive film), the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (B) is exposed, and the pressure-sensitive adhesive layer (B) Then, the semiconductor wafer is attached to the surface on which the integrated circuit is incorporated. Next, the semiconductor wafer is fixed to the chuck table or the like of the grinding machine through the base film layer of the adhesive film, and grinding processing, chemical treatment, or the like is performed on the back surface of the semiconductor wafer. In the present invention, either grinding or chemical treatment may be performed alone or both may be performed. When both are performed, the order may be any, but the chemical treatment is usually performed after grinding.
[0063]
After completion of the grinding process, the chemical treatment, etc., the adhesive film is peeled off after irradiation with radiation to reduce the adhesive force. In any of the protection methods, the surface of the semiconductor wafer after peeling off the adhesive film may be subjected to a treatment such as water washing or plasma washing as necessary.
In operations such as grinding of the back surface of the semiconductor wafer and chemical treatment during such a series of steps, the thickness of the semiconductor wafer before grinding is usually 500 to 1000 μm, whereas the type of semiconductor chip, etc. Accordingly, grinding is usually performed to about 100 to 600 μm, and sometimes to about 50 μm. The thickness of the semiconductor wafer before grinding is appropriately determined depending on the diameter and type of the semiconductor wafer, and the thickness after grinding is appropriately determined depending on the size of the chip to be obtained, the type of circuit, and the like.
[0064]
The operation of adhering the adhesive film to the semiconductor wafer may be performed manually, but is generally performed by an apparatus called an automatic pasting machine to which a roll-shaped adhesive film is attached. Examples of such an automatic pasting machine include Takatori Co., Ltd., model: ATM-1000B, ATM-1100, Teikoku Seiki Co., Ltd., model: STL series, and the like.
[0065]
There is no particular limitation on the method for grinding the back surface of the semiconductor wafer, and a known grinding method such as a through-feed method or an in-feed method is employed. The grinding is preferably performed while cooling the semiconductor wafer and the grindstone with water.
[0066]
As a grinding machine which grinds the back surface of a wafer, for example, manufactured by DISCO Corporation, model: DFG-841, manufactured by Okamoto Machine Tool Co., Ltd., model: SVG-502MKII8, and the like can be given.
[0067]
The chemical treatment is performed on an etching solution selected from the group consisting of acidic aqueous solutions such as hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid and acetic acid alone or as a mixture, alkaline aqueous solutions such as aqueous potassium hydroxide and aqueous sodium hydroxide, etc. It is carried out by a method such as immersing a semiconductor wafer with an adhesive film attached thereto. The chemical treatment is usually referred to as chemical etching. In addition, chemical treatment methods include a method in which a wafer is placed on a chemical solution (dipping method), a method in which a chemical solution is selectively brought into contact with the back surface while rotating the wafer back surface (spin etching method), and CMP. There is also a method of performing backside polishing and chemical etching simultaneously. The chemical treatment is performed for the purpose of removing strain generated on the back surface of the semiconductor wafer, further thinning the wafer, removing oxide films, etc., pre-processing when forming electrodes on the back surface, and the like. The etching solution is appropriately selected according to the above purpose.
[0068]
After the back surface grinding, chemical treatment, and the like are completed, the adhesive film is peeled off from the wafer surface. The operation of peeling the adhesive film from the wafer surface may be performed manually, but is generally performed by an apparatus called an automatic peeling machine. As such an automatic peeling machine, there are Takatori Co., Ltd., model: ATRM-2000B, ATRM-2100, Teikoku Seiki Co., Ltd., model: STP series.
[0069]
In the method for protecting a semiconductor wafer surface according to the present invention, before the semiconductor wafer surface protecting adhesive film is peeled from the wafer surface, radiation is applied from the base film side to reduce the adhesive force of the adhesive film to the wafer surface.
Examples of radiation to be irradiated include X-rays, γ-rays, ultraviolet rays, electron beams, and the like. Among these, depending on the type (type) of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer (A). Select an appropriate amount and irradiate with a dose sufficient to reduce the adhesive strength.
[0070]
The radiation dose is usually 50 to 3000 mJ / cm when the radiation is ultraviolet. ² [Ultraviolet illuminance (mW / cm measured using a digital indicating ultraviolet illuminance meter UV-M02 (receiver: UV-35), manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) ² ) Multiplied by time (seconds)] is preferable. If the irradiation amount is small, the adhesive force tends to be insufficiently reduced, and the workability during peeling may be reduced. If the amount is too large, the adhesive film may be deformed (shrinkage, etc.) due to heat during irradiation, and the wafer may be damaged, or a peeling error may occur in the automatic peeling machine and workability may be reduced.
[0071]
In order to obtain the above ultraviolet irradiation amount, usually 10 to 2000 mW / cm. ² So that the irradiation amount falls within the above-mentioned range. (The value measured using a digital indicator type ultraviolet illuminance meter UV-M02 (receiver: UV-35) manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.) Usually, it is preferable to irradiate within 0.5 to 60 seconds. Various known devices can be used as a source of ultraviolet rays. Specific examples include a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a pulse xenon lamp, and an electrodeless discharge lamp.
[0072]
As a semiconductor wafer to which the method for protecting a semiconductor wafer surface using the adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface of the present invention and a semiconductor wafer surface using the same, germanium, gallium-arsenic, gallium-phosphorus, gallium-arsenic-aluminum, And the like.
[0073]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example is shown and this invention is demonstrated further in detail, this invention is not limited to these Examples. For all examples and comparative examples shown below, adjustment and application of an adhesive coating solution, drying, and semiconductor silicon wafer in an environment maintained at a cleanness of class 1,000 or less as defined in US Federal Standard 209b The backside grinding of was carried out. In addition, the adhesive force, storage elastic modulus, and practical evaluation shown in the following Examples and Comparative Examples were measured and evaluated according to the following methods.
[0074]
(1) Adhesive strength (g / 25mm)
Except for the conditions specified below, all measurements are performed according to JIS Z-0237.
<Before UV irradiation>: At 23 ° C., the pressure-sensitive adhesive film obtained in the example or comparative example was passed through the pressure-sensitive adhesive layer of a SUS304-BA plate (JIS G-4305 regulation, length: 20 cm, width: 5 cm). Affix to the surface and leave for 1 hour. After standing, one end of the sample was sandwiched, peeling angle: 180 degrees, peeling speed: 300 mm / min. Then, the sample is peeled from the surface of the SUS304-BA plate, the stress at the time of peeling is measured, and converted to g / 25 mm.
<After UV irradiation>: At 23 ° C., the pressure-sensitive adhesive films obtained in Examples and Comparative Examples were passed through the pressure-sensitive adhesive layer of a SUS304-BA plate (JIS G-4305 regulation, length: 20 cm, width: 5 cm). Affix to the surface and leave for 1 hour. After standing, the substrate film was irradiated with ultraviolet rays under the following conditions, and after irradiation, one end of the sample was sandwiched, peeling angle: 180 degrees, peeling speed: 300 mm / min. Then, the sample is peeled from the surface of the SUS304-BA plate, the stress at the time of peeling is measured, and converted to g / 25 mm.
<Ultraviolet irradiation conditions> Source: high-pressure mercury lamp [manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd., model: OHD-320M], illuminance: 30 mW / cm ² [Values measured using a digital indicating ultraviolet illuminance meter UV-M02 (receiver: UV-35) manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.], irradiation time: 10 seconds, irradiation amount: 300 mJ / cm ² .
[0075]
(2) Storage elastic modulus (Pa)
PET film (peeling) with one surface subjected to silicone treatment (mold release treatment) under the same coating conditions (thickness, drying temperature, drying time, etc.) as those for producing each adhesive layer of Examples and Comparative Examples A pressure-sensitive adhesive coating solution is applied and dried on the release treatment surface side of the film) to form a pressure-sensitive adhesive layer on the release treatment surface of the PET film. Further, after the formation, in order to give a heat history equivalent to that of the example, the pressure-sensitive adhesive layer is heated at 60 ° C. for 48 hours while being a single layer. The obtained pressure-sensitive adhesive layers are sequentially overlapped to obtain a film-like sheet of a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of about 1 mm. The pressure-sensitive adhesive layer is sampled from this film-like sheet into a disk shape having a diameter of about 8 mm and a thickness of about 1 mm. Using this sample, a dynamic viscoelasticity measuring apparatus {manufactured by Rheometrics, type: RMS-800, using a parallel plate (parallel disk) type attachment with a diameter of 8 mm} at a frequency of 1 rad / sec, -40 to 40 The storage modulus is measured in the temperature range of 60 ° C. Specifically, the sample is set in a dynamic viscoelasticity measuring device at 60 ° C. via the parallel plate attachment, and the storage elastic modulus is lowered from 60 ° C. to −40 ° C. at a rate of 3 ° C./min. Measure. After completion of the measurement, the value of the storage elastic modulus G ′ (Pa) at 50 ° C. is adopted from the obtained storage elastic modulus-temperature curve of −40 ° C. to 60 ° C.
[0076]
(3) Practical evaluation
Semiconductor silicon wafer in which an integrated circuit is incorporated up to the periphery of the wafer (diameter: 200 mm, thickness: 725 μm, chip area 100 mm ² The surface of the scribe line is 100 μm, the depth of the scribe line is 2 μm, and a gold bump having a height of 10 μm is provided around each chip. Adhesive film for adhesion is pasted, and the back surface of the wafer is ground while cooling with water using a grinding device {manufactured by DISCO Corporation, model: DFG841}, and the wafer thickness after grinding is set to 100 μm. . For each adhesive film, 10 semiconductor silicon wafers are ground. After the grinding process is completed, for each semiconductor silicon wafer, whether or not the grinding water has entered from the periphery of the wafer between the surface and the adhesive film is visually observed, and the number of grinding water intrusion is counted. After observing the intrusion of grinding water, the light quantity was 250 mJ / cm using an ultraviolet irradiator {manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd .; model: OHD-320M, lamp type: high pressure mercury lamp}. ² The surface protective tape peeling machine {manufactured by Takatori Co., Ltd., MODEL: ATRM-2000B; used peeling tape: Highland Mark Filament Tape No. 897 [manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.]} is peeled off. The damage state at the time of peeling of the adhesive film is counted and evaluated. Further, the surface of the wafer that was not damaged when the adhesive film was peeled was enlarged to a range of 50 to 1000 times using an optical microscope {Nikon Co., Ltd .: OPTIPHOT2}, and the entire chip on the wafer surface was chipped. Contamination is observed every time, and if one or more spots are found on the chip, it is confirmed whether the contamination is due to grinding scraps or adhesive residue. Calculated by the following formula.
Cr = (C2 / C1) × 100
Here, Cr: contamination occurrence rate (%), C1: number of observed chips, C2: number of contaminated chips.
[0077]
Example 1
<Creation of base film>
An ethylene-vinyl acetate copolymer resin having a Shore D type hardness of 35 (made by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., brand: EVAFLEX P-1905 (EV460), vinyl acetate unit content: 19% by weight) is T- Using a die extruder, a film having a thickness of 120 μm was formed. Under the present circumstances, the corona discharge process was performed to the side which forms an adhesive layer.
[0078]
<Preparation of radiation curable pressure-sensitive adhesive coating solution constituting pressure-sensitive adhesive layer (A)>
48 parts by weight of ethyl acrylate, 27 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 20 parts by weight of methyl acrylate, 5 parts by weight of glycidyl methacrylate, and 0.5 parts by weight of benzoyl peroxide as a polymerization initiator were mixed. While stirring, the mixture was added dropwise into a nitrogen-substituted flask containing 50 parts by weight of ethyl acetate and 50 parts by weight of ethyl acetate at 80 ° C. over 5 hours, and the reaction was further stirred for 5 hours. After completion of the reaction, the mixture was cooled, 25 parts by weight of xylene, 2.5 parts by weight of acrylic acid, and 1.5 parts by weight of tetradecylbenzylammonium chloride were added thereto, reacted at 80 ° C. for 10 hours while blowing air, and photopolymerized. An acrylic acid ester copolymer solution into which a carbon-carbon double bond was introduced was obtained. In this solution, 7 parts by weight of benzoin as a photoinitiator and 100 parts by weight of a copolymer (solid content), 2 parts by weight of an isocyanate-based crosslinking agent (trade name: Olester P49-75S, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) 1 part by weight of dipentaerythritol hexaacrylate (trade name: Aronix M-400, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is added as a low molecular weight compound having two or more photopolymerizable carbon-carbon double bonds in one molecule. An ultraviolet curable adhesive solution was obtained.
[0079]
<Preparation of pressure-sensitive adhesive coating solution constituting pressure-sensitive adhesive layer (B)>
150 parts by weight of deionized water in a polymerization reactor, 0.5 part by weight of 4,4′-azobis-4-cyanovaleric acid [manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd., trade name: ACVA] as a polymerization initiator, acrylic acid 52.25 parts by weight of butyl, 25 parts by weight of methyl methacrylate, 15 parts by weight of methacrylic acid-2-hydroxyethyl, 6 parts by weight of methacrylic acid, 1 part by weight of acrylamide, polyoxyethylene nonylphenyl ether (of ethylene oxide) as a water-soluble comonomer An average value of the added mole number; about 20) In which a polymerizable 1-propenyl group is introduced into a benzene ring of an ammonium salt of a sulfate ester [Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd .: trade name: Aqualon HS-20] 0 .75 parts by weight was added, and emulsion polymerization was carried out at 70 ° C. for 9 hours with stirring to obtain an acrylic resin water emulsion. This was neutralized with 14 wt% aqueous ammonia to obtain an adhesive polymer emulsion (adhesive main ingredient) containing 40 wt% solid content. 100 parts by weight of the resulting pressure-sensitive adhesive main agent emulsion (pressure-sensitive adhesive polymer concentration: 40% by weight) was collected, and further adjusted to pH 9.3 by adding 14% by weight aqueous ammonia. Next, 0.8 part by weight of an aziridine-based crosslinking agent [manufactured by Nippon Shokubai Chemical Industry Co., Ltd., trade name: Chemitite PZ-33] and 5 parts by weight of diethylene glycol monobutyl ether are added to constitute the pressure-sensitive adhesive layer (B). An adhesive coating solution was obtained.
[0080]
<Lamination of pressure-sensitive adhesive layer (A)>
A comma coater is applied to the surface of the PET film (release film) having a thickness of 38 μm whose one surface has been subjected to silicone treatment (release treatment) on the side subjected to the release treatment. And dried at 120 ° C. for 4 minutes to obtain a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer (A) having a thickness of 70 μm. The surface of the above-mentioned base film on which the corona treatment was applied was bonded and pressed by a dry laminator, and the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer (A) was subjected to the corona treatment of the base film. It was transferred to the side surface. In addition, the storage elastic modulus in 50 degreeC of an adhesive layer (A) is 4 * 10. ^Four Pa.
[0081]
<Lamination of pressure-sensitive adhesive layer (B)>
The pressure-sensitive adhesive coating solution constituting the pressure-sensitive adhesive layer (B) is applied to a polypropylene film (release film, thickness: 50 μm) using a roll coater, dried at 120 ° C. for 2 minutes, and a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 μm. (B) was obtained. The silicone-treated PET film (release film) is peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer (A) laminated on the base film, and the pressure-sensitive adhesive layer (B) is bonded to the surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer (A). The pressure-sensitive adhesive layer (B) was transferred and laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (A) opposite to the base film. After lamination, the film was heated at 60 ° C. for 48 hours, and then cooled to room temperature to obtain a semiconductor wafer surface protecting adhesive film. The adhesive strength of this adhesive film was 320 g / 25 mm before ultraviolet irradiation and 110 g / 25 mm after ultraviolet irradiation. Moreover, the storage elastic modulus in 50 degreeC of an adhesive layer (B) is 9x10. ^Four Pa.
[0082]
Using the obtained adhesive film, practical evaluation was performed according to the above-mentioned method. None of the wafers were observed to have ingress of grinding water. In addition, no wafers were damaged when the adhesive film was peeled off. As a result of microscopic observation, there was no chip in which visible contamination was observed. The results are shown in Table 1.
[0083]
Example 2
In adjusting the pressure-sensitive adhesive coating solution constituting the pressure-sensitive adhesive layer (A) of Example 1, the addition amount of the isocyanate-based crosslinking agent was 0.5 parts by weight, and in the lamination of the pressure-sensitive adhesive layer (A), the pressure-sensitive adhesive layer ( In the preparation of the pressure-sensitive adhesive coating solution for forming the pressure-sensitive adhesive layer (B), the thickness of A) is 200 μm. EX-614], the addition amount was 2.0 parts by weight, and the pressure-sensitive adhesive layer (B) was laminated in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (B) was 10 μm. Thus, an adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface was obtained. The pressure-sensitive adhesive film had an adhesive force before irradiation with ultraviolet rays of 450 g / 25 mm and an adhesive force after irradiation with ultraviolet rays of 80 g / 25 mm. In addition, the storage elastic modulus in 50 degreeC of an adhesive layer (A) is 6 * 10. ^Three Pa, and the storage elastic modulus at 50 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer (B) is 9 × 10. ^Five Pa. As a result of practical evaluation using the obtained adhesive film, there was no wafer in which grinding water intrusion was observed, and no wafer was damaged when the adhesive film was peeled off. As a result of microscopic observation, there was no chip in which visible contamination was observed. The results are shown in Table 1.
[0084]
Example 3
In the lamination of the pressure-sensitive adhesive layer (A) of Example 1, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (A) 23 μm In the preparation of the pressure-sensitive adhesive coating solution constituting the pressure-sensitive adhesive layer (B), the addition amount of the aziridine-based crosslinking agent is 4.0 parts by weight, and in the lamination of the pressure-sensitive adhesive layer (B), the pressure-sensitive adhesive layer (B) A semiconductor wafer surface protecting adhesive film was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of was 2 μm. The adhesive strength of this adhesive film before ultraviolet irradiation was 160 g / 25 mm, and the adhesive strength after ultraviolet irradiation was 30 g / 25 mm. Moreover, the storage elastic modulus in 50 degreeC of an adhesive layer (B) is 2 * 10. ⁷ Pa. As a result of practical evaluation using the obtained adhesive film, there was no wafer in which grinding water intrusion was observed, and no wafer was damaged when the adhesive film was peeled off. As a result of microscopic observation, there was no chip in which visible contamination was observed. The results are shown in Table 1.
[0085]
Comparative Example 1
In the lamination of the pressure-sensitive adhesive layer (A) of Example 1, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (A) was set to 40 μm, and in the preparation of the pressure-sensitive adhesive coating solution constituting the pressure-sensitive adhesive layer (B), instead of the aziridine-based crosslinking agent , Epoxy crosslinker [manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd., trade name: Denacol EX-614], the addition amount is 0.02 parts by weight, and in the lamination of the pressure-sensitive adhesive layer (B), the pressure-sensitive adhesive layer ( Except that the thickness of B) was 20 μm, a semiconductor wafer surface protecting adhesive film was obtained in the same manner as in Example 1. The adhesive strength of this adhesive film before ultraviolet irradiation was 410 g / 25 mm, and the adhesive strength after ultraviolet irradiation was 190 g / 25 mm. Moreover, the storage elastic modulus in 50 degreeC of an adhesive layer (B) is 5 * 10. ^Four Pa. As a result of practical evaluation using the obtained adhesive film, no wafers were observed to have infiltration of grinding water. However, 1 of 10 wafers was damaged when the adhesive film was peeled off. As a result of microscopic observation of nine wafers that were not damaged, 2.4% of the total number of chips was contaminated with adhesive residue. The results are shown in Table 1.
[0086]
Comparative Example 2
In the lamination of the pressure-sensitive adhesive layer (A) of Example 1, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (A) is 100 μm, and in the preparation of the pressure-sensitive adhesive coating solution constituting the pressure-sensitive adhesive layer (B), the amount of the aziridine-based crosslinking agent added Was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (B) was 3 μm in the lamination of the pressure-sensitive adhesive layer (B). It was. The adhesive strength of this adhesive film before ultraviolet irradiation was 80 g / 25 mm, and the adhesive strength after ultraviolet irradiation was 70 g / 25 mm. Moreover, the storage elastic modulus in 50 degreeC of an adhesive layer (B) is 3 * 10. ⁸ Pa. As a result of practical evaluation using the obtained adhesive film, infiltration of grinding water was observed on 3 out of 10 wafers. Although no wafers were damaged when the adhesive film was peeled off, as a result of microscopic observation, contamination due to the ingress of grinding dust was observed on 5.7% of the total number of chips. The results are shown in Table 1.
[0087]
Comparative Example 3
In the same manner as in Example 1, the same adhesive coating solution as that constituting the adhesive layer (B) in Example 1 was applied to a polypropylene film (release film, thickness: 50 μm) using a roll coater. It apply | coated and dried at 120 degreeC for 4 minute (s), and the 60-micrometer-thick adhesive layer (B) was obtained. The surface of the base film on which the corona treatment was applied in the same manner as in the examples was stuck and pressed by a dry laminator, and the pressure-sensitive adhesive layer (B) was subjected to the corona treatment of the base film. It was transferred and laminated on the surface on the side that was made. After the lamination, after heating at 60 ° C. for 48 hours, by cooling to room temperature, the pressure-sensitive adhesive layer (A) is not provided on one surface of the base film, and the pressure-sensitive adhesive layer (B) in the examples is constituted. A pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer was obtained in which only one pressure-sensitive adhesive layer (B) using the same pressure-sensitive adhesive as the pressure-sensitive adhesive was provided with a thickness of 60 μm. The adhesive strength of this adhesive film was 70 g / 25 mm for both before and after UV irradiation. The storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer (B) at 50 ° C. is 2 × 10. ⁷ Pa. As a result of practical evaluation using the obtained adhesive film, infiltration of grinding water was observed for 5 out of 10 wafers. None of the wafers were damaged when the adhesive film was peeled off. However, in the microscopic observation after peeling, contamination due to the ingress of grinding scraps was observed on 9.3% of the total number of chips. The results are shown in Table 1.
[0088]
Comparative Example 4
Application of the same pressure-sensitive adhesive as the radiation-curable pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer (A) in Example 1 to the surface of the base film prepared in the same manner as Example 1 on which the corona treatment was performed. The liquid was applied, dried and transferred using the same method as the lamination of the pressure-sensitive adhesive layer (A) of Example 1, and a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer (A) having a thickness of 60 μm was provided. An adhesive film for protecting a semiconductor wafer was obtained in which only one radiation-curable adhesive layer (A) identical to the adhesive constituting the layer (A) was provided with a thickness of 60 μm. The pressure-sensitive adhesive film had an adhesive force before irradiation with ultraviolet rays of 500 g / 25 mm and an adhesive force after irradiation with ultraviolet rays of 50 g / 25 mm. As a result of practical evaluation using the obtained adhesive film, there was no wafer in which grinding water intrusion was observed, and there was no wafer damaged at the time of peeling. However, in the microscopic observation after peeling, the contamination due to the adhesive residue was observed on 5.1% of the total number of chips. The results are shown in Table 1.
[0089]
[Table 1]

[0090]
【The invention's effect】
In the pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface of the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer has a shape in which the layer (B) is laminated on the surface of the layer (A). The Therefore, when the back surface of the wafer is ground, processed with chemicals, etc., it is possible to prevent the wafer from being damaged or contaminated by the ingress of grinding water or chemicals. When peeling the adhesive film from the wafer surface, the adhesive force of the entire pressure-sensitive adhesive layer is sufficiently reduced due to the curing and shrinkage of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer (A) by irradiating with radiation, and the work is good. And can be easily peeled without damaging the wafer. In addition, by providing the pressure-sensitive adhesive layer (B) whose storage elastic modulus is limited to a specific range on the surface of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer (A), contamination due to the pressure-sensitive adhesive layer (A) is caused on the wafer surface. It can be prevented from remaining on the surface. That is, according to the present invention, the low contamination property is achieved at the same time while maintaining the excellent adhesion to unevenness and the easy releasability at the time of peeling, which the adhesive film for protecting a semiconductor wafer having a radiation curable pressure-sensitive adhesive layer has. It is possible.

Claims

A base film ;
Provided on one surface of the base film, 50 ° C. storage modulus 1 × ¹⁰ 3 Pa or more at, 7 × ¹⁰ 4 radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer is less than Pa and (A),
Wherein provided on a surface of the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer (A), 100 parts by weight of the adhesive polymer having a functional group capable of reacting with a cross-linking agent, and, two or more crosslinkable functional groups in one molecule A pressure-sensitive adhesive layer (B) containing 0.1 to 30 parts by weight of a crosslinking agent having a storage elastic modulus at 50 ° C. of 7 × 10 ⁴ to 1 × 10 ⁸ Pa ;
An adhesive film for protecting a surface of a semiconductor wafer, comprising:

The pressure-sensitive adhesive polymer is selected from 60 to 99% by weight of at least one main monomer unit selected from the group consisting of an alkyl acrylate unit and a methacrylic acid alkyl ester unit, and a hydroxyl group, a carboxyl group, and an amino group. 2. The adhesive film for protecting a semiconductor wafer according to claim 1, comprising 1 to 40% by weight of a comonomer unit having a functional group capable of reacting with at least one crosslinking agent.

The pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive polymer is a copolymer polymerized by emulsion copolymerization.

The pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the crosslinking agent is at least one crosslinking agent selected from the group consisting of an epoxy crosslinking agent and an aziridine crosslinking agent.

2. The adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface according to claim 1, wherein the thickness of the base film is 2 to 500 [mu] m.

The radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer thickness of (A) 3~300μm, semiconductor wafer surface protection adhesive film of claim 1, wherein the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (B) is 1 to 50 [mu] m.

A method for protecting a semiconductor wafer surface using the adhesive film for protecting a semiconductor wafer surface according to any one of claims 1 to 6 ,
By sticking the adhesive film on the circuit formation surface of a semiconductor wafer, to the back surface of the semiconductor wafer, and performing at least one operation selected from grinding and chemical treatment,
After irradiation from the base film side,
A method for protecting a semiconductor wafer surface, comprising peeling off the adhesive film.