JP4603490B2 - Amplitude adjusting apparatus, amplitude adjusting method, and storage system - Google Patents

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Description

本発明は、記憶媒体へのアクセス技術に関し、特に、記憶媒体から読み出した信号の振幅を調整する振幅調整装置、振幅調整方法、および記憶システムに関する。   The present invention relates to a technology for accessing a storage medium, and more particularly to an amplitude adjustment device, an amplitude adjustment method, and a storage system that adjust the amplitude of a signal read from the storage medium.

近年、ハードディスクを用いた記憶装置は、パーソナルコンピュータ、ハードディスクレコーダー、ビデオカメラ、携帯電話など、さまざまな分野において必須の装置となりつつある。ハードディスクを用いた記憶装置は、適用される分野によって求められる仕様もさまざまである。たとえば、パーソナルコンピュータに搭載するハードディスクには、高速性、大容量性が求められる。しかしながら、高速化が進むほど単位時間あたりに扱うデータの量が増えるため、単位時間あたりの誤りも比例して増大する。そうすると、すべての誤りを訂正することが困難となり、結果的にハードディスクへのアクセスに要する時間が増大する場合があり、高速化のボトルネックとなる。   In recent years, storage devices using hard disks are becoming essential devices in various fields such as personal computers, hard disk recorders, video cameras, and mobile phones. Storage devices using a hard disk have various specifications required depending on the field to which they are applied. For example, a hard disk mounted on a personal computer is required to have high speed and large capacity. However, since the amount of data handled per unit time increases as the speed increases, errors per unit time also increase proportionally. Then, it becomes difficult to correct all errors, and as a result, the time required to access the hard disk may increase, which becomes a bottleneck for speeding up.

一般的に、記憶装置に記憶されている信号を読み出す素子として、磁気抵抗素子(MagnetoResistive)が用いられていた。しかし、磁気抵抗素子を介して記憶装置から読み出した再生信号波形は、正パルスの出力振幅と負パルスの出力振幅とが非対称となる(以下、「振幅の非対称性」と表記する。)問題があった(たとえば、非特許文献1参照。)。振幅の非対称性(Amplitude Asymmetry)の問題は、磁気抵抗素子により、正パルスと負パルスのいずれか一方の出力振幅が低減されて出力されることによって生じ、両パルスのダイナミックレンジが異なることをいう。振幅の非対称性が顕著に現れる場合、磁気抵抗素子の後段において実行されるデータ検出処理の検出精度が劣化することとなる。そうすると、データ検出の後に実行される誤り訂正復号の訂正能力が低減してしまう。このような場合、記憶装置に記憶されたデータを正しく再生するために、再度、記憶装置にアクセスする必要が生じるため、記憶装置の高速化が困難となっていた。この非対称性を解消する技術として、従来、磁気抵抗素子に印加するバイアス磁界を制御していた(たとえば、特許文献1参照。)。また、アナログ/デジタル変換器のゼロレベルを調整することによって、非対称性を補正していた(たとえば、特許文献2参照。)。また、誤り訂正処理後の結果をフィードバックすることによって、非対称性を補正していた(たとえば、特許文献3参照。)。   Generally, a magnetoresistive element (MagnetoResitive) has been used as an element for reading a signal stored in a storage device. However, the reproduced signal waveform read from the storage device via the magnetoresistive element has a problem that the output amplitude of the positive pulse and the output amplitude of the negative pulse are asymmetric (hereinafter referred to as “amplitude asymmetry”). (For example, see Non-Patent Document 1). The problem of amplitude asymmetry (Amplitude Asymmetry) occurs when the output amplitude of either the positive pulse or the negative pulse is reduced by the magnetoresistive element, and the dynamic range of both pulses is different. . When the asymmetry of the amplitude appears remarkably, the detection accuracy of the data detection process executed in the subsequent stage of the magnetoresistive element deteriorates. If it does so, the correction capability of the error correction decoding performed after data detection will reduce. In such a case, it is necessary to access the storage device again in order to correctly reproduce the data stored in the storage device, so that it is difficult to increase the speed of the storage device. As a technique for eliminating this asymmetry, conventionally, a bias magnetic field applied to the magnetoresistive element has been controlled (see, for example, Patent Document 1). Further, the asymmetry is corrected by adjusting the zero level of the analog / digital converter (see, for example, Patent Document 2). Further, the asymmetry is corrected by feeding back the result after error correction processing (see, for example, Patent Document 3).

Akihiko Takeo、et. al.、「Characterization of GMR Nonlinear Response and the Impact on BER in Perpendicular Magnetic Recording」、IEEE Transactions on Magnetics、July,2004、Vol.40、No.4Akihiko Takeo, et. al. , “Characterization of GMR Nonlinear Response and the Impact on BER in Permendicular Magnetic Recording”, IEEE Transactions on Magnetics, July, 2004. 40, no. 4 特開平4−205903号公報JP-A-4-205903 特開平5−205205号公報JP-A-5-205205 特開平11−238205号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-238205

本発明者はこうした状況下、以下の課題を認識するに至った。すなわち、アナログ回路によっては動作が不安定となるので非線形性を正確に補正することが困難であり、また、回路規模が増大するといった課題である。一方、デジタル処理によって非線形性を補正すると、フィードバックループに伴う遅延の発生、あるいは、アナログ/デジタル変換器におけるビット数の増加に伴う回路規模の増大といった課題である。   Under such circumstances, the present inventor has come to recognize the following problems. That is, depending on the analog circuit, the operation becomes unstable, so that it is difficult to correct nonlinearity accurately, and the circuit scale increases. On the other hand, when nonlinearity is corrected by digital processing, there are problems such as generation of a delay associated with a feedback loop or increase in circuit scale accompanying an increase in the number of bits in an analog / digital converter.

本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、より少ない回路規模で、振幅の非対称性を低減できる記憶装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a storage device that can reduce amplitude asymmetry with a smaller circuit scale.

上記課題を解決するために、本発明のある態様の振幅調整装置は、入力部と、アナログデジタル変換部とを備える。入力部は、磁気抵抗素子を介して出力されたアナログ信号であって、正区間におけるダイナミックレンジと負区間におけるダイナミックレンジとが非対称となり、いずれか一方の区間に非線形区間を含むアナログ信号を入力する。アナログデジタル変換部は、入力部で入力されたアナログ信号の振幅が非線形区間に存在する場合、アナログ信号に対して振幅を調整しつつ、デジタル信号に変換して出力する。また、アナログデジタル変換部は、アナログ信号をデジタル信号に変換する前に、非線形区間における非線形性を打ち消すように、アナログ信号の振幅を調整する前置調整部を有する。   In order to solve the above problems, an amplitude adjustment device according to an aspect of the present invention includes an input unit and an analog-digital conversion unit. The input unit is an analog signal output via a magnetoresistive element, and the dynamic range in the positive section and the dynamic range in the negative section are asymmetric, and an analog signal including a non-linear section in one of the sections is input. . When the amplitude of the analog signal input from the input unit is present in the nonlinear section, the analog-to-digital conversion unit converts the analog signal into a digital signal while adjusting the amplitude, and outputs the digital signal. The analog-to-digital conversion unit includes a pre-adjustment unit that adjusts the amplitude of the analog signal so as to cancel the non-linearity in the non-linear period before converting the analog signal into the digital signal.

ここで、「非線形区間」とは、磁気抵抗素子の入出力特性において磁気抵抗素子に入力されたアナログ信号の振幅が歪まされて出力される区間などを含む。また、「非線形区間における非線形性を打ち消すように、アナログ信号の振幅を調整する前置調整部」とは、その入出力特性として、非線形区間における入出力特性の逆特性、もしくは、逆特性に近似した特性を有する前置補正部などを含む。   Here, the “nonlinear section” includes a section in which the amplitude of an analog signal input to the magnetoresistive element is distorted and output in the input / output characteristics of the magnetoresistive element. In addition, “the pre-adjustment unit that adjusts the amplitude of the analog signal so as to cancel the non-linearity in the non-linear section” means that the input / output characteristics are the reverse of the input / output characteristics in the non-linear section or approximate to the reverse characteristics Including a precorrector having the above characteristics.

この態様によると、アナログデジタル変換部において、アナログ信号の振幅を調整することによって、磁気抵抗素子において発生した振幅の非線形性を打ち消すことができる。また、磁気抵抗素子において発生した振幅の非線形性を打ち消すことによって、後段において実行するデータ検出の検出精度を向上できる。また、さらに後段において実行される誤り訂正復号後の誤り特性を改善できる。   According to this aspect, the amplitude non-linearity generated in the magnetoresistive element can be canceled by adjusting the amplitude of the analog signal in the analog-to-digital converter. Further, by canceling the non-linearity of the amplitude generated in the magnetoresistive element, it is possible to improve the detection accuracy of data detection executed in the subsequent stage. Further, it is possible to improve error characteristics after error correction decoding executed in the subsequent stage.

前置調整部は、非線形区間における入出力特性を双曲線正接関数の逆数に相当する値とすることによって、非線形区間におけるアナログ信号の振幅を調整してもよい。前置調整部は、非線形区間に含まれる複数の部分区間において、複数の部分区間のうちの第1部分区間の入出力特性として、少なくとも1より大きい第1の傾きを有する1次関数が設定され、また、複数の部分区間のうち、第1部分区間と連続する第2部分区間の入出力特性として、第1の傾きと異なる傾きを有する1次関数が設定されていてもよい。ここで、「双曲線正接関数の逆数に相当する値」とは、少なくとも双曲線正接関数の入出力特性を近似した値などを含み、たとえば、双曲線正接関数の入出力特性とn次関数(nは1以上の整数)の入出力特性とを加算、減算、乗算、もしくは除算した複数の値なども含む。また、「連続する」とは、第1部分区間の終点と第2部分区間の始点とが一致することなどを含み、また、第1部分区間の始点と第2部分区間の終点とが一致することも含む。   The pre-adjusting unit may adjust the amplitude of the analog signal in the nonlinear interval by setting the input / output characteristics in the nonlinear interval to a value corresponding to the inverse of the hyperbolic tangent function. In the plurality of partial sections included in the non-linear section, the pre-adjustment unit is set with a linear function having a first slope greater than at least 1 as input / output characteristics of the first partial section of the plurality of partial sections. Also, a linear function having a slope different from the first slope may be set as the input / output characteristics of the second partial section that is continuous with the first partial section among the plurality of partial sections. Here, the “value corresponding to the reciprocal of the hyperbolic tangent function” includes at least a value approximating the input / output characteristics of the hyperbolic tangent function, for example, the input / output characteristics of the hyperbolic tangent function and the n-order function (n is 1). A plurality of values obtained by adding, subtracting, multiplying, or dividing the above input / output characteristics. Further, “continuous” includes that the end point of the first partial section and the start point of the second partial section match, and the start point of the first partial section and the end point of the second partial section match. Including.

前置調整部は、複数の抵抗素子と、比較部とを有してもよい。複数の抵抗素子は、直列に設置された複数の抵抗素子であって、一定電圧を有する参照信号を入力として、順次、後段の抵抗素子に対し、それぞれ振幅調整された参照信号を出力する。比較部は、複数の抵抗素子のそれぞれから出力された参照信号と、入力部から入力されたアナログ信号の振幅とをそれぞれ比較することによって、アナログ信号の振幅を調整する。また、複数の抵抗素子は、それぞれの抵抗素子の抵抗値に非均一性をもたせることによって、振幅調整の幅を変えてもよい。また、複数の抵抗素子のうち非線形区間に対応する抵抗素子は、非線形区間以外の区間に対応する抵抗素子の抵抗値と異なる抵抗値に設定されることによって、非線形区間における非線形性を調整してもよい。ここで、「それぞれの抵抗素子の抵抗値に非均一性をもたせる」とは、複数の抵抗素子のうち、少なくとも1以上の抵抗素子の抵抗値が他の抵抗素子の抵抗値と異なることなどを含み、複数の抵抗素子において、同一の抵抗値を有する抵抗素子が複数存在してもよい。この態様によると、アナログデジタル変換部に含まれる複数の抵抗素子の抵抗値をそれぞれ設定するだけで、アナログ信号の振幅の非対称性の低減化を小規模な回路で実現できる。   The pre-adjustment unit may include a plurality of resistance elements and a comparison unit. The plurality of resistance elements are a plurality of resistance elements installed in series, and each receives a reference signal having a constant voltage and sequentially outputs a reference signal whose amplitude is adjusted to the subsequent resistance element. The comparison unit adjusts the amplitude of the analog signal by comparing the reference signal output from each of the plurality of resistance elements with the amplitude of the analog signal input from the input unit. Further, the width of the amplitude adjustment of the plurality of resistance elements may be changed by making the resistance values of the respective resistance elements non-uniform. Moreover, the resistance element corresponding to the non-linear section among the plurality of resistance elements is set to a resistance value different from the resistance value of the resistance element corresponding to the section other than the non-linear section, thereby adjusting the non-linearity in the non-linear section. Also good. Here, “to make the resistance value of each resistance element non-uniform” means that the resistance value of at least one or more of the resistance elements is different from the resistance value of other resistance elements. In addition, in a plurality of resistance elements, a plurality of resistance elements having the same resistance value may exist. According to this aspect, the analog signal amplitude asymmetry can be reduced with a small circuit by simply setting the resistance values of the plurality of resistance elements included in the analog-digital conversion unit.

前置調整部は、複数の抵抗素子のうち少なくとも1以上の抵抗素子の入力端に接続され、入力端のそれぞれに対し、対応する参照電圧を印加することによって、前記複数の抵抗素子のそれぞれから出力される参照信号の振幅を調整する参照電圧制御部と、をさらに有してもよい。この場合、複数の抵抗素子は、同一の抵抗値を有してもよい。また、参照電圧制御部は、複数の抵抗素子のうち非線形区間に対応する抵抗素子の入力端に対し、非線形区間以外の区間に対応する抵抗素子の入力端とは異なる参照電圧を印加することによって、非線形区間における非線形性を調整してもよい。ここで、「対応する参照電圧」とは、抵抗素子ごとに対応づけられて決定された参照電圧を含み、予め設定されていてもよく、また、磁気抵抗素子の品質にしたがって動的に変化してもよい。この態様によると、参照電圧制御部によって柔軟に参照信号の振幅を制御できる。また、アナログデジタル変換部に含まれる複数の抵抗素子の抵抗値を同一にできるので回路コストが低減できる。また、アナログ信号の振幅の非対称性の低減化を小規模な回路で実現できる。   The pre-adjusting unit is connected to an input terminal of at least one of the plurality of resistance elements, and applies a corresponding reference voltage to each of the input terminals, so that each of the plurality of resistance elements And a reference voltage control unit that adjusts the amplitude of the output reference signal. In this case, the plurality of resistance elements may have the same resistance value. Further, the reference voltage control unit applies a reference voltage different from the input end of the resistance element corresponding to the section other than the non-linear section to the input end of the resistance element corresponding to the non-linear section among the plurality of resistance elements. The nonlinearity in the nonlinear section may be adjusted. Here, the “corresponding reference voltage” includes a reference voltage determined in association with each resistive element, may be set in advance, and dynamically changes according to the quality of the magnetoresistive element. May be. According to this aspect, the reference voltage controller can flexibly control the amplitude of the reference signal. Further, since the resistance values of the plurality of resistance elements included in the analog-digital conversion unit can be made the same, the circuit cost can be reduced. In addition, the amplitude asymmetry of the analog signal can be reduced with a small circuit.

本発明の別の態様は、振幅調整方法である。この方法は、入力するステップと、出力するステップとを含む。入力するステップは、磁気抵抗素子を介して出力されたアナログ信号であって、正区間におけるダイナミックレンジと負区間におけるダイナミックレンジとが非対称となり、いずれか一方の区間に非線形区間を含むアナログ信号を入力する。出力するステップは、非線形区間に存在するアナログ信号に対して、非線形区間における非線形性を打ち消すようにその振幅を調整しつつ、デジタル信号に変換して出力する。この態様によると、出力するステップにおいて、アナログ信号の振幅を調整することによって、磁気抵抗素子において発生した振幅の非線形性を打ち消すことができる。また、磁気抵抗素子において発生した振幅の非線形性を打ち消すことによって、後段において実行するデータ検出の検出精度を向上できる。また、さらに後段において実行される誤り訂正復号後の誤り特性を改善できる。   Another aspect of the present invention is an amplitude adjustment method. The method includes an input step and an output step. The input step is an analog signal output via the magnetoresistive element, and the dynamic range in the positive interval and the dynamic range in the negative interval become asymmetric, and an analog signal including a non-linear interval is input in one of the intervals To do. In the outputting step, the analog signal existing in the non-linear section is converted into a digital signal and output while adjusting the amplitude so as to cancel the non-linearity in the non-linear section. According to this aspect, the amplitude nonlinearity generated in the magnetoresistive element can be canceled by adjusting the amplitude of the analog signal in the outputting step. Further, by canceling the non-linearity of the amplitude generated in the magnetoresistive element, it is possible to improve the detection accuracy of data detection executed in the subsequent stage. Further, it is possible to improve error characteristics after error correction decoding executed in the subsequent stage.

本発明のさらに別の態様は、記憶システムである。この記憶システムは、データを記憶装置に書き込むライトチャネルと、記憶装置に記憶されているデータを読み出すリードチャネルとを備える信号記憶システムである。ライトチャネルは、データをランレングス符号化する第1の符号化部と、第1の符号化部で符号化されたデータに対し、低密度パリティ検査符号を用いて符号化する第2の符号化部と、第2の符号化部で符号化されたデータを記憶装置に書き込む書き込み部と、を有する。リードチャネルは、入力部と、アナログデジタル変換部と、ソフト出力検出部と、第1の復号部と、第2の復号部とを有する。入力部は、磁気抵抗素子を介して記憶装置から出力されたアナログ信号であって、正区間におけるダイナミックレンジと負区間におけるダイナミックレンジとが非対称となり、いずれか一方の区間に非線形区間を含むアナログ信号を入力する。アナログデジタル変換部は、入力部から入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。ソフト出力検出部は、アナログデジタル変換部から出力されたデジタル信号の尤度を計算して軟判定値を出力する。第1の復号部は、ソフト出力検出部から出力されたデータを復号し、第2の符号化部に対応している。第2の復号部は、第1の復号部で復号されたデータを復号し、第1の符号化部に対応している。アナログデジタル変換部は、入力部で入力されたアナログ信号の振幅が非線形区間に存在する場合、アナログ信号をデジタル信号に変換する前に、アナログ信号に対して、非線形区間における非線形性を打ち消すように振幅を調整する前置調整部を有する。この態様によると、磁気抵抗素子において発生した振幅の非対称性による影響を低減することができ、より高速に記憶システムにアクセスすることができる。   Yet another embodiment of the present invention is a storage system. This storage system is a signal storage system including a write channel for writing data to the storage device and a read channel for reading data stored in the storage device. The write channel includes a first encoding unit that performs run-length encoding of data, and a second encoding that encodes the data encoded by the first encoding unit using a low-density parity check code And a writing unit that writes the data encoded by the second encoding unit to the storage device. The read channel includes an input unit, an analog / digital conversion unit, a soft output detection unit, a first decoding unit, and a second decoding unit. The input unit is an analog signal output from the storage device via the magnetoresistive element, and the dynamic range in the positive section and the dynamic range in the negative section are asymmetric, and one of the sections includes a nonlinear section Enter. The analog-digital conversion unit converts the analog signal input from the input unit into a digital signal and outputs the digital signal. The soft output detection unit calculates the likelihood of the digital signal output from the analog-digital conversion unit and outputs a soft decision value. The first decoding unit decodes the data output from the soft output detection unit and corresponds to the second encoding unit. The second decoding unit decodes the data decoded by the first decoding unit and corresponds to the first encoding unit. The analog-to-digital conversion unit cancels the non-linearity in the non-linear section with respect to the analog signal before converting the analog signal to the digital signal when the amplitude of the analog signal input from the input unit exists in the non-linear section. A pre-adjustment unit for adjusting the amplitude; According to this aspect, it is possible to reduce the influence of the asymmetry of the amplitude generated in the magnetoresistive element, and it is possible to access the storage system at a higher speed.

本発明のさらに別の態様もまた、記憶システムである。この記憶システムは、さらに、データを記憶する記憶装置と、記憶装置への書き込みと、記憶装置からの読み出しとを制御する制御部と、を有する。リードチャネルは、制御部の指示に従って、記憶装置に記憶されているデータを磁気抵抗素子を介して読み出し、ライトチャネルは、制御部の指示に従って、符号化されたデータを記憶装置に書き込む。この態様によると、磁気抵抗素子において発生した振幅の非対称性による影響を低減することができ、より高速に記憶システムにアクセスすることができる。   Yet another embodiment of the present invention is also a storage system. The storage system further includes a storage device that stores data, and a control unit that controls writing to the storage device and reading from the storage device. The read channel reads data stored in the storage device via the magnetoresistive element in accordance with an instruction from the control unit, and the write channel writes encoded data to the storage device in accordance with the instruction from the control unit. According to this aspect, it is possible to reduce the influence of the asymmetry of the amplitude generated in the magnetoresistive element, and it is possible to access the storage system at a higher speed.

本発明のさらに別の態様は、振幅調整装置である。この装置は、1つの半導体基板上に一体集積化されている。この態様によると、一体集積化されることにより、低規模な半導体集積回路を実現できる。   Yet another embodiment of the present invention is an amplitude adjusting device. This apparatus is integrated on a single semiconductor substrate. According to this aspect, a low-scale semiconductor integrated circuit can be realized by being integrated.

なお、以上の構成要素の任意の組合せや本発明の構成要素や表現を方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。   Note that any combination of the above-described constituent elements and the constituent elements and expressions of the present invention replaced with each other among methods, apparatuses, systems, etc. are also effective as an aspect of the present invention.

本発明によれば、より少ない回路規模で、振幅の非対称性をより低減できる記憶装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a storage device that can further reduce amplitude asymmetry with a smaller circuit scale.

本発明の実施形態を具体的に説明する前に、まず本実施形態にかかる記憶装置について概要を述べる。本実施形態にかかる記憶装置は、ハードディスクコントローラと、磁気ディスク装置と、リードチャネルとライトチャネルを含むリードライトチャネルと、を有する。磁気ディスク装置においては、通常、磁気抵抗素子(MagnetroResistive。以下、「MR素子」と略記する。)を含むヘッドを介して、ハードディスクに記憶されているデータを読み出す。ここで、ハードディスクから読み出した信号の波形は、正パルスの出力振幅と負パルスの出力振幅とが非対称となることがあり、高速化のボトルネックとなっていた。そこで、本発明の実施形態においては、リードチャネルにおいて読出したアナログ信号をデジタル信号に変換する際に、振幅の非対称性を改善する。詳細は後述するが、アナログデジタル変換器の入出力特性を振幅の非対称性を打ち消すような特性とすることによって、振幅の非対称性を低減する。   Before specifically describing the embodiment of the present invention, an outline of the storage device according to the present embodiment will be described first. The storage device according to the present embodiment includes a hard disk controller, a magnetic disk device, and a read / write channel including a read channel and a write channel. In a magnetic disk device, data stored in a hard disk is usually read through a head including a magnetoresistive element (hereinafter referred to as “MR element”). Here, in the waveform of the signal read from the hard disk, the output amplitude of the positive pulse and the output amplitude of the negative pulse may be asymmetric, which has become a bottleneck for speeding up. Therefore, in the embodiment of the present invention, amplitude asymmetry is improved when an analog signal read in the read channel is converted into a digital signal. Although details will be described later, the asymmetry of the amplitude is reduced by setting the input / output characteristics of the analog-digital converter so as to cancel the asymmetry of the amplitude.

以下、図面を用いて、本発明の実施形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施形態に係る磁気ディスク装置100の構成を示す図である。図1の磁気ディスク装置100は、大きく分けて、ハードディスクコントローラ1(以下、「HDC1」と略記する。)、中央処理演算装置2(以下、「CPU2」と略記する。)、リードライトチャネル3(以下、「R/Wチャネル3」と略記する。)、ボイスコイルモータ/スピンドルモータ制御部4(以下、「VCM/SPM制御部4」と略記する。)、及びディスクエンクロージャ5(以下、「DE5」と略記する。)とから構成される。一般に、HDC1、CPU2、R/Wチャネル3、及びVCM/SPM制御部4は同一の基板上に構成される。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a magnetic disk device 100 according to an embodiment of the present invention. 1 is broadly divided into a hard disk controller 1 (hereinafter abbreviated as “HDC1”), a central processing unit 2 (hereinafter abbreviated as “CPU2”), and a read / write channel 3 ( Hereinafter, abbreviated as “R / W channel 3”), voice coil motor / spindle motor control unit 4 (hereinafter abbreviated as “VCM / SPM control unit 4”), and disk enclosure 5 (hereinafter “DE5”). Is abbreviated as “.”). In general, the HDC 1, CPU 2, R / W channel 3, and VCM / SPM control unit 4 are configured on the same substrate.

HDC1は、HDC1全体を制御する主制御部11、データフォーマット制御部12、誤り訂正符号化制御部13(以下、「ECC制御部13」と略記する。)、及びバッファRAM14を含む。HDC1は、図示しないインタフェース部を介してホストシステムと接続される。また、R/Wチャネル3を介して、DE5と接続されており、主制御部11の制御により、ホストとDE5の間のデータ転送を行う。このHDC1には、R/Wチャネル3で生成されるリードリファレンスクロック(RRCK)が入力される。データフォーマット制御部12は、ホストから転送されたデータをディスク媒体50上に記録するのに適したフォーマットに変換し、逆に、ディスク媒体50から再生されたデータをホストに転送するのに適したフォーマットに変換する。ディスク媒体50は、たとえば、磁気ディスクを含む。ECC制御部13は、ディスク媒体50から再生されたデータに含まれる誤りの訂正及び検出を可能にするために、記録するデータを情報シンボルとして、冗長シンボルを付加する。またECC制御部13は、再生されたデータに誤りが生じているかを判断し、誤りがある場合には訂正或いは検出を行う。但し、誤りが訂正できるシンボル数は有限であり、冗長データの長さに関係する。即ち、多くの冗長データを付加するとフォーマット効率が悪化するため、誤り訂正可能シンボル数とはトレードオフとなる。ECCとしてリードソロモン(RS)符号を利用して誤り訂正を行う場合、(冗長シンボル数/2)個までの誤りを訂正できる。バッファRAM14は、ホストから転送されたデータを一時的に保存し、適切なタイミングでR/Wチャネル3に転送する。逆に、R/Wチャネル3から転送されたリードデータを一時的に保存し、ECC復号処理などの終了後、適切なタイミングでホストに転送する。   The HDC 1 includes a main control unit 11 that controls the entire HDC 1, a data format control unit 12, an error correction coding control unit 13 (hereinafter abbreviated as “ECC control unit 13”), and a buffer RAM 14. The HDC 1 is connected to the host system via an interface unit (not shown). Further, it is connected to the DE 5 via the R / W channel 3, and performs data transfer between the host and the DE 5 under the control of the main control unit 11. A read reference clock (RRCK) generated by the R / W channel 3 is input to the HDC 1. The data format control unit 12 converts the data transferred from the host into a format suitable for recording on the disk medium 50, and conversely, suitable for transferring the data reproduced from the disk medium 50 to the host. Convert to format. The disk medium 50 includes, for example, a magnetic disk. The ECC control unit 13 adds redundant symbols using data to be recorded as information symbols in order to enable correction and detection of errors contained in data reproduced from the disk medium 50. The ECC control unit 13 determines whether or not an error has occurred in the reproduced data, and corrects or detects if there is an error. However, the number of symbols that can correct errors is limited, and is related to the length of redundant data. That is, if a large amount of redundant data is added, the format efficiency deteriorates, so that there is a trade-off with the number of error correctable symbols. When error correction is performed using Reed-Solomon (RS) code as ECC, up to (redundant symbols / 2) errors can be corrected. The buffer RAM 14 temporarily stores data transferred from the host and transfers it to the R / W channel 3 at an appropriate timing. On the contrary, the read data transferred from the R / W channel 3 is temporarily stored and transferred to the host at an appropriate timing after the ECC decoding process or the like is completed.

CPU2は、フラッシュROM21(以下、「FROM21」と略記する。)、及びRAM22を含み、HDC1、R/Wチャネル3、VCM/SPM制御部4、及びDE5と接続される。FROM21には、CPU2の動作プログラムが保存されている。   The CPU 2 includes a flash ROM 21 (hereinafter abbreviated as “FROM 21”) and a RAM 22, and is connected to the HDC 1, the R / W channel 3, the VCM / SPM control unit 4, and the DE 5. The FROM 21 stores an operation program for the CPU 2.

R/Wチャネル3は、ライトチャネル31とリードチャネル32とに大別され、HDC1との間で記録するデータ及び再生されたデータの転送を行う。また、R/Wチャネル3は、DE5と接続され、記録信号の送信、再生信号の受信を行う。詳細は後述する。   The R / W channel 3 is roughly divided into a write channel 31 and a read channel 32, and transfers data to be recorded and reproduced data to and from the HDC 1. The R / W channel 3 is connected to the DE 5 and transmits a recording signal and receives a reproduction signal. Details will be described later.

VCM/SPM制御部4は、DE5中のボイスコイルモータ52(以下、「VCM52」と略記する。)とスピンドルモータ53(以下、「SPM53」と略記する。)を制御する。   The VCM / SPM control unit 4 controls a voice coil motor 52 (hereinafter abbreviated as “VCM52”) and a spindle motor 53 (hereinafter abbreviated as “SPM53”) in the DE 5.

DE5は、R/Wチャネル3と接続され、記録信号の受信、再生信号の送信を行う。またDE5は、VCM/SPM制御部4と接続されている。DE5は、ディスク媒体50、ヘッド51、VCM52、SPM53、及びプリアンプ54等を有している。図1の磁気ディスク装置100においては、ディスク媒体50が1枚であり、且つヘッド51がディスク媒体50の一方の面側のみに配置されている場合を想定しているが、複数のディスク媒体50が積層配置された構成であってもよい。また、ヘッド51は、ディスク媒体50の各面に対応して設けられるのが一般的である。R/Wチャネル3により送信された記録信号は、DE5内のプリアンプ54を経由してヘッド51に供給され、ヘッド51によりディスク媒体50に記録される。逆に、ヘッド51によりディスク媒体50から再生された信号は、プリアンプ54を経由してR/Wチャネル3に送信される。DE5内のVCM52は、ヘッド51をディスク媒体50上の目標位置に位置決めするために、ヘッド51をディスク媒体50の半径方向に移動させる。また、SPM53は、ディスク媒体50を回転させる。なお、ヘッド51には、前述したようにMR素子に起因して、その出力振幅が非対称となる。詳細は後述する。   The DE 5 is connected to the R / W channel 3 and receives a recording signal and transmits a reproduction signal. The DE 5 is connected to the VCM / SPM control unit 4. The DE 5 includes a disk medium 50, a head 51, a VCM 52, an SPM 53, a preamplifier 54, and the like. In the magnetic disk device 100 of FIG. 1, it is assumed that there is one disk medium 50 and the head 51 is disposed only on one surface side of the disk medium 50. May be arranged in a stacked manner. The head 51 is generally provided corresponding to each surface of the disk medium 50. The recording signal transmitted by the R / W channel 3 is supplied to the head 51 via the preamplifier 54 in the DE 5 and is recorded on the disk medium 50 by the head 51. Conversely, a signal reproduced from the disk medium 50 by the head 51 is transmitted to the R / W channel 3 via the preamplifier 54. The VCM 52 in the DE 5 moves the head 51 in the radial direction of the disk medium 50 in order to position the head 51 at a target position on the disk medium 50. The SPM 53 rotates the disk medium 50. As described above, the output amplitude of the head 51 is asymmetric due to the MR element. Details will be described later.

ここで、図2を用いて、R/Wチャネル3について説明する。図2は、図1のR/Wチャネル3の構成を示す図である。R/Wチャネル3は、大きく分けて、ライトチャネル31とリードチャネル32から構成される。   Here, the R / W channel 3 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the R / W channel 3 of FIG. The R / W channel 3 is roughly composed of a write channel 31 and a read channel 32.

ライトチャネル31は、バイトインターフェース部301、スクランブラ302、ランレングス制限符号化部303(以下、「RLL符号化部303」と略記する。)、低密度パリティチェック符号化部304(以下、「LDPC符号化部304」と略記する。)、書き込み補償部305(以下、「ライトプリコン部305」と略記する。)、ドライバ306を含む。   The write channel 31 includes a byte interface unit 301, a scrambler 302, a run length limited encoding unit 303 (hereinafter abbreviated as “RLL encoding unit 303”), and a low density parity check encoding unit 304 (hereinafter referred to as “LDPC”). An encoding unit 304 ”, a write compensation unit 305 (hereinafter abbreviated as“ write precon unit 305 ”), and a driver 306.

バイトインターフェース部301では、HDC1から転送されたデータが入力データとして処理される。メディア上に書き込むデータは1セクタ単位でHDC1から入力される。このとき1セクタ分のユーザデータ(512バイト)だけでなく、HDC1によって付加されたECCバイトも同時に入力される。データバスは通常1バイト(8ビット)であり、バイトインターフェース部301により入力データとして処理される。スクランブラ302はライトデータをランダムな系列に変換する。同じ規則のデータの繰り返しは、リード時における検出性能に悪影響を与え、エラーレートを悪化させるのを防ぐためである。RLL符号化部303は0の最大連続長を制限するためのものである。0の最大連続長を制限することにより、自動利得制御部317(以下、「AGC317」と略記する。)などに適したデータ系列にする。   In the byte interface unit 301, data transferred from the HDC 1 is processed as input data. Data to be written on the medium is input from the HDC 1 in units of one sector. At this time, not only user data (512 bytes) for one sector but also ECC bytes added by the HDC 1 are input simultaneously. The data bus is normally 1 byte (8 bits) and is processed as input data by the byte interface unit 301. The scrambler 302 converts the write data into a random series. This is because the repetition of data with the same rule adversely affects the detection performance at the time of reading and prevents the error rate from deteriorating. The RLL encoding unit 303 is for limiting the maximum continuous length of zero. By limiting the maximum continuous length of 0, a data series suitable for the automatic gain control unit 317 (hereinafter abbreviated as “AGC317”) or the like is obtained.

LDPC符号化部304は、データ系列をLDPC符号化して冗長ビットであるパリティビットを含む系列を生成する役割を有する。LDPC符号化は、生成行列と呼ばれるk×nの行列に、長さkのデータ系列を左から掛け合わせることで行う。この生成行列に対応する検査行列Hに含まれる各要素は、0もしくは1であり、1の数が0の数に比べて少ないことから、低密度パリティ検査符号(Low Density Parity Check Codes)と呼ばれている。この1と0の配置を利用することによって、LDPC繰返復号部にて、効率的にエラーの訂正を行うことができる。   The LDPC encoding unit 304 has a role of generating a sequence including parity bits, which are redundant bits, by LDPC encoding the data sequence. LDPC encoding is performed by multiplying a k × n matrix called a generator matrix by a data sequence of length k from the left. Each element included in the parity check matrix H corresponding to this generator matrix is 0 or 1, and since the number of 1 is smaller than the number of 0, it is called a low density parity check code (Low Density Parity Check Codes). It is. By using this arrangement of 1 and 0, the LDPC iterative decoding unit can efficiently correct errors.

ライトプリコン部305は、メディア上の磁化遷移の連続による非線形歪を補償する回路である。ライトデータから補償に必要な規則を検出し、正しい位置で磁化遷移が生ずるようにライト電流波形を予め調整をする。ドライバ306は擬似ECLレベルに対応した信号を出力するドライバである。ドライバ306からの出力は図示しないDE5に送られ、プリアンプ54を通してヘッド51に送られ、ライトデータがディスク媒体50上に記録される。   The write pre-con unit 305 is a circuit that compensates for non-linear distortion due to continuous magnetization transitions on the medium. A rule necessary for compensation is detected from the write data, and the write current waveform is adjusted in advance so that the magnetization transition occurs at the correct position. The driver 306 is a driver that outputs a signal corresponding to the pseudo ECL level. The output from the driver 306 is sent to the DE 5 (not shown), sent to the head 51 through the preamplifier 54, and the write data is recorded on the disk medium 50.

リードチャネル32は、可変利得増幅器311(以下、「VGA311」と略記する。)、ローパスフィルタ312(以下、「LPF312」と略記する。)、AGC317、デジタル/アナログ変換器313(以下、「ADC313」と略記する。)、周波数シンセサイザ314、フィルタ315、ソフト出力検出部320、LDPC繰返復号部322、同期信号検出部321、ランレングス制限復号部323(以下、「RLL復号部323」と略記する。)、デスクランブラ324とから構成されている。   The read channel 32 includes a variable gain amplifier 311 (hereinafter abbreviated as “VGA 311”), a low-pass filter 312 (hereinafter abbreviated as “LPF 312”), an AGC 317, a digital / analog converter 313 (hereinafter “ADC 313”). And a frequency synthesizer 314, a filter 315, a soft output detection unit 320, an LDPC repetition decoding unit 322, a synchronization signal detection unit 321, and a run length limited decoding unit 323 (hereinafter abbreviated as "RLL decoding unit 323"). ), A descrambler 324.

VGA311及びAGC317は、図示しないプリアンプ54から送られたデータのリード波形の振幅の調整を行う。AGC317は理想的な振幅と実際の振幅を比較し、VGA311に設定すべきゲインを決定する。LPF312は、カットオフ周波数とブースト量を調整することができ、高周波ノイズの低減と部分応答(Partial Response。以下、「PR」と略記する。)波形への等化の一部を担う。LPF312でPR波形への等化を行うが、ヘッドの浮上量変動、媒体の不均一性、モータの回転変動などの多くの要因により、アナログのLPFによる完全な等化は難しいので、後段に配置され、よりフレキシビリティに富んだフィルタ315を用いて、再度PR波形への等化を行う。フィルタ315は、そのタップ係数を適応的に調整する機能を有していてもよい。周波数シンセサイザ314は、ADC313のサンプリング用クロックを生成する。   The VGA 311 and AGC 317 adjust the amplitude of the read waveform of data sent from the preamplifier 54 (not shown). The AGC 317 compares the ideal amplitude with the actual amplitude, and determines the gain to be set in the VGA 311. The LPF 312 can adjust the cutoff frequency and the boost amount, and is responsible for part of the reduction to high-frequency noise and equalization to a partial response (hereinafter referred to as “PR”) waveform. The LPF 312 equalizes the PR waveform, but it is difficult to completely equalize with the analog LPF due to many factors such as fluctuations in the flying height of the head, non-uniformity of the medium, and fluctuations in the rotation of the motor. Then, equalization to the PR waveform is performed again using the filter 315 having more flexibility. The filter 315 may have a function of adaptively adjusting the tap coefficient. The frequency synthesizer 314 generates a sampling clock for the ADC 313.

ADC313は、AD変換により直接同期サンプルを得る構成とした。なお、この構成の他に、AD変換により非同期サンプルを得る構成であってもよい。この場合は、ゼロ相リスタート部、タイミング制御部、及び補間フィルタをさらにADC313の後段に設ければよい。非同期サンプルから同期サンプルを得る必要があり、これらのブロックがその役割を担う。ゼロ相リスタート部は初期位相を決定するためのブロックで、できるだけ早く同期サンプルを得るために用いられる。初期位相を決定した後は、タイミング制御部で理想的なサンプル値と実際のサンプル値を比較し、位相のずれを検出する。これを用いて補間フィルタのパラメータを決定することにより、同期サンプルを得ることができる。また、ADC313は、非対称性と逆の入出力特性を有するように構成され、ヘッド51において生じた振幅の非対称性を改善する。詳細は後述する。   The ADC 313 is configured to directly obtain synchronous samples by AD conversion. In addition to this configuration, an asynchronous sample may be obtained by AD conversion. In this case, a zero-phase restart unit, a timing control unit, and an interpolation filter may be further provided after the ADC 313. Synchronous samples need to be obtained from asynchronous samples, and these blocks play that role. The zero phase restart unit is a block for determining an initial phase, and is used to obtain a synchronization sample as soon as possible. After determining the initial phase, the timing controller compares the ideal sample value with the actual sample value to detect a phase shift. A synchronous sample can be obtained by determining parameters of the interpolation filter using this. The ADC 313 is configured to have an input / output characteristic opposite to the asymmetry, and improves the amplitude asymmetry generated in the head 51. Details will be described later.

ソフト出力検出部320は、符号間干渉に伴う復号特性の劣化を回避するために、ビタビアルゴリズムの一種であるソフト出力ビタビアルゴリズム(Soft−Output Viterbi Algorithm。以下、「SOVA」と略記する。)が用いられる。すなわち、近年の磁気ディスク装置の記録密度の上昇に伴い、記録された符号間の干渉が大きくなり、復号特性が劣化するといった課題を解決するため、これを克服する方式として符号間干渉による部分応答を利用した最ゆう復号(Partial Response MaximumLikeihood。以下、「PRML」と略記する。)方式を用いる。PRMLは、再生信号の部分応答のゆう度を最大にする信号系列を求める方式である。   The soft output detection unit 320 is a soft output Viterbi algorithm (Soft-Output Viterbi Algorithm; hereinafter abbreviated as “SOVA”), which is a kind of Viterbi algorithm in order to avoid degradation of decoding characteristics due to intersymbol interference. Used. That is, in order to solve the problem that the interference between recorded codes increases and the decoding characteristics deteriorate as the recording density of magnetic disk devices increases in recent years, a partial response due to intersymbol interference is a method for overcoming this problem. The most likely decoding (Partial Response Maximum Like Like) (hereinafter abbreviated as “PRML”) method is used. PRML is a method for obtaining a signal sequence that maximizes the likelihood of a partial response of a reproduction signal.

ソフト出力検出部320としてSOVA方式が用いられている場合、軟判定値を出力する。例えば、SOVAの出力として、(−0.71、+0.18、+0.45、−0.45、−0.9)という軟判定値が出力されたとする。これらの値は、0である可能性が大きいか、1である可能性が大きいかを数値で表している。例えば、1番目の「−0.71」は1である可能性が大きいことを示しており、2番目の「+0.18」は0である可能性が大きいが1である可能性も小さくはないことを意味する。従来のビタビディテクタの出力はハード値であり、SOVAの出力を硬判定したものである。上記の例の場合、(1、0、0、1、1)である。ハード値は、0であるか、1であるかのみを表しており、どちらの可能性が高いかという情報が失われている。このためLDPC繰返復号部322に軟判定値を入力する方が復号性能が向上する。   When the SOVA method is used as the soft output detection unit 320, a soft decision value is output. For example, assume that a soft decision value (−0.71, +0.18, +0.45, −0.45, −0.9) is output as the SOVA output. These values represent numerical values as to whether the possibility of being 0 or 1 is high. For example, the first “−0.71” indicates that the possibility of 1 is large, and the second “+0.18” is likely to be 0, but the possibility of 1 is small. Means no. The output of the conventional Viterbi detector is a hard value, and the output of SOVA is hard-decided. In the case of the above example, it is (1, 0, 0, 1, 1). The hard value represents only whether it is 0 or 1, and information on which is more likely is lost. For this reason, decoding performance is improved by inputting a soft decision value to the LDPC iterative decoding unit 322.

LDPC繰返復号部322は、LDPC符号化されているデータ系列から、LDPC符号化前の系列に復元する役割を有する。復号化の方法としては、主に、sum−product復号法とmin−sum復号法があり、復号性能の面ではsum−product復号法が有利であるが、min−sum復号法はハードウェアによる実現が容易である特徴を持つ。LDPC符号を用いる実際の復号操作では、ソフト出力検出部320とLDPC繰返復号部322の間で繰り返し復号を行うことにより、非常に良好な復号性能を得ることができる。このために実際はソフト出力検出部320とLDPC繰返復号部322を複数段配列した構成が必要になる。   The LDPC iterative decoding unit 322 has a role of restoring an LDPC encoded data sequence to a sequence before LDPC encoding. As a decoding method, there are mainly a sum-product decoding method and a min-sum decoding method. The sum-product decoding method is advantageous in terms of decoding performance, but the min-sum decoding method is realized by hardware. With the feature that is easy. In an actual decoding operation using an LDPC code, very good decoding performance can be obtained by performing iterative decoding between the soft output detection unit 320 and the LDPC iterative decoding unit 322. For this reason, a configuration is actually required in which a plurality of stages of software output detection units 320 and LDPC iterative decoding units 322 are arranged.

同期信号検出部321はデータの先頭に付加された同期信号(Sync Mark)を検出し、データの先頭位置を認識する役割を有する。RLL復号部323は、LDPC繰返復号部322から出力されたデータに対して、ライトチャネル31のRLL符号化部303の逆操作を行い、元のデータ系列に戻す。デスクランブラ324は、ライトチャネル31のスクランブラ302の逆操作を行い、元のデータ系列に戻す。ここで生成されたデータはHDC1に転送される。   The synchronization signal detection unit 321 has a role of detecting a synchronization signal (Sync Mark) added to the head of data and recognizing the head position of the data. The RLL decoding unit 323 performs the reverse operation of the RLL encoding unit 303 of the write channel 31 on the data output from the LDPC iterative decoding unit 322 to restore the original data series. The descrambler 324 performs the reverse operation of the scrambler 302 of the write channel 31 to restore the original data series. The data generated here is transferred to the HDC 1.

これらの構成は、ハードウエア的には、任意のコンピュータのCPU、メモリ、その他のLSIで実現でき、ソフトウエア的にはメモリにロードされた通信機能のあるプログラムなどによって実現されるが、ここではそれらの連携によって実現される機能ブロックを描いている。したがって、これらの機能ブロックがハードウエアのみ、ソフトウエアのみ、またはそれらの組合せによっていろいろな形で実現できることは、当業者には理解されるところである。   These configurations can be realized in terms of hardware by a CPU, memory, or other LSI of an arbitrary computer, and in terms of software, they are realized by a program having a communication function loaded in the memory. The functional block realized by those cooperation is drawn. Accordingly, those skilled in the art will understand that these functional blocks can be realized in various forms by hardware only, software only, or a combination thereof.

ここで、図1のヘッド51の入出力特性と、図2のADC313に望まれる入出力特性について説明する。図3(a)は、図1のヘッド51の入出力特性の例を示す図である。横軸は入力磁界Hin、縦軸は出力電圧Voutを示す。入力磁界は、Hin0_min〜Hin0_maxの範囲の値をとる。出力電圧は、ヘッド51のMR素子に起因する非線形性がない場合、破線で図示するように、Vout0_min〜Vout0_maxの範囲の値となる。しかしながら、ヘッド51のMR素子に起因する非線形性が存在する場合、実線で図示するように、出力電圧は、Vout0_min〜Vout0_maxの範囲の値となる。すなわち、原点を中心として、入出力特性が非対称となる。また、図3(a)は、正区間のうちの非線形区間200において、入出力特性が非線形となることを示す。このため、入力電圧がVin0_maxの場合の出力電圧は、Vout0_maxとはならずにVout0_maxとなる。図3(b)は、図2のLPF312の出力特性の例を示す図である。また、図3(b)は、図3(a)に図示するヘッド51の出力電圧のダイナミックレンジが、LPF312によってさらに歪んだ特性となることを示す図である。横軸は入力磁界Hin、縦軸は出力電圧Voutを示す。入力磁界は、Hin0_min〜Hin0_maxの範囲の値をとる。 Here, the input / output characteristics of the head 51 of FIG. 1 and the input / output characteristics desired for the ADC 313 of FIG. 2 will be described. FIG. 3A is a diagram illustrating an example of input / output characteristics of the head 51 of FIG. The horizontal axis represents the input magnetic field Hin, and the vertical axis represents the output voltage Vout. The input magnetic field takes a value in the range of Hin0_min to Hin0_max. When there is no non-linearity due to the MR element of the head 51, the output voltage has a value in the range of Vout0_min to Vout0_max as illustrated by a broken line. However, if the non-linearity due to the MR elements of the head 51 is present, as shown by the solid line, the output voltage is a value in the range of Vout0_min~V 'out0_max. That is, the input / output characteristics are asymmetric with respect to the origin. FIG. 3A shows that the input / output characteristics are nonlinear in the non-linear section 200 in the positive section. Therefore, the output voltage when the input voltage is Vin0_max becomes V 'out0_max to not become Vout0_max. FIG. 3B is a diagram illustrating an example of output characteristics of the LPF 312 in FIG. FIG. 3B is a diagram showing that the dynamic range of the output voltage of the head 51 shown in FIG. The horizontal axis represents the input magnetic field Hin, and the vertical axis represents the output voltage Vout. The input magnetic field takes a value in the range of Hin0_min to Hin0_max.

図3(c)は、図1のヘッド51の出力波形の例を示す図である。横軸は時間、縦軸は出力電圧を示す。図3(c)は、0Vを中心として正区間と負区間とで非対称となることを図示している。すなわち、ヘッド51により、振幅エネルギーが(Vout0_max−Vout0_max)だけ低減されたことを示す。そうすると、後段に存在する図示しないデータ検出の検出精度が劣化する。また、さらに後段に存在する図示しない誤り訂正回路における誤り訂正能力が劣化することとなる。なお、MR素子に起因する非線形性とは、図3(c)に図示するように、正区間におけるダイナミックレンジと負区間におけるダイナミックレンジとが非対称となることなどをいう。 FIG. 3C is a diagram illustrating an example of an output waveform of the head 51 in FIG. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents output voltage. FIG. 3C illustrates that the positive section and the negative section are asymmetric with respect to 0V. That is, the head 51, indicating that the amplitude energy is reduced by (Vout0_max-V 'out0_max). As a result, the detection accuracy of data detection (not shown) existing in the subsequent stage deteriorates. Further, the error correction capability of an error correction circuit (not shown) existing in the subsequent stage is deteriorated. Note that the non-linearity caused by the MR element means that the dynamic range in the positive section and the dynamic range in the negative section become asymmetric as shown in FIG.

図4(a)〜(b)は、図2のADC313の入出力特性の例を示す図である。横軸は入力電圧Vin、縦軸は出力電圧Voutを示す。図4(a)〜(b)に示す出力電圧は、ADC313におけるデジタル信号出力ではなく、ADC313の内部における振幅調整されたアナログ信号の出力電圧とした。入力電圧は、Vin1_min〜Vin1_maxの範囲の値をとる。また、ヘッド51のMR素子に起因する非線形性が存在する場合、実線で図示するように、出力電圧は、Vout1_min〜Vout1_maxの範囲の値となる。図4(a)は、図3(a)に図示するヘッド51のMR素子に起因する非線形性を解消するために、ADC313に、その逆特性に相当する特性を備えさせた場合を示す。また、図4(b)は、図3(b)に図示するヘッド51のMR素子に起因する非線形性とLPF312による歪みを解消するために、ADC313に、その逆特性に相当する特性を備えさせた場合を示す。ここで、ヘッド51とADC313の間において電圧の変動がないと仮定した場合、図3(a)〜(b)と図4(a)〜(b)とに図示する電圧は、以下のような関係となる。
Vin1_max = Vout0_max ・・・式(1)
Vout1_max = Vout0_max ・・・式(2)
4A and 4B are diagrams illustrating examples of input / output characteristics of the ADC 313 in FIG. The horizontal axis represents the input voltage Vin, and the vertical axis represents the output voltage Vout. The output voltage shown in FIGS. 4A to 4B is not the digital signal output in the ADC 313 but the output voltage of the analog signal whose amplitude is adjusted in the ADC 313. The input voltage takes a value in the range of Vin1_min to Vin1_max. Further, when there is non-linearity due to the MR element of the head 51, the output voltage has a value in the range of Vout1_min to Vout1_max as illustrated by the solid line. FIG. 4A shows a case where the ADC 313 is provided with a characteristic corresponding to the reverse characteristic in order to eliminate the non-linearity caused by the MR element of the head 51 shown in FIG. 4B, the ADC 313 is provided with a characteristic corresponding to the reverse characteristic in order to eliminate the non-linearity caused by the MR element of the head 51 shown in FIG. 3B and the distortion caused by the LPF 312. Indicates the case. Here, assuming that there is no voltage fluctuation between the head 51 and the ADC 313, the voltages illustrated in FIGS. 3A to 3B and 4A to 4B are as follows. It becomes a relationship.
Vin1_max = V 'out0_max ··· formula (1)
Vout1_max = Vout0_max Expression (2)

これらは、ヘッド51に含まれるMR素子に起因する非線形性が解消されたことを意味する。いいかえると、図3(a)〜(b)のそれぞれの非線形区間200における入出力特性の逆特性となる特性、すなわち、図4(a)〜(b)における非線形区間300における特性をADC313に備えさせることによって、MR素子に起因する非線形性を解消できる。図3(a)の非線形区間200における入出力特性は、一般的に、次式のような双曲線正接関数(Hyperbolic Tangent)となることが知られている。

Figure 0004603490
・・・式(3)
したがって、ADC313の入出力特性としては、たとえば次式で示すような、双曲線正接関数の逆特性に相当する特性とすればよい。ここで、aは実数であり、ヘッド51の特性により決定されてもよい。
Figure 0004603490
・・・式(4) These mean that the nonlinearity caused by the MR element included in the head 51 has been eliminated. In other words, the ADC 313 is provided with a characteristic that is an inverse characteristic of the input / output characteristics in each nonlinear section 200 of FIGS. 3A to 3B, that is, a characteristic in the nonlinear section 300 in FIGS. 4A to 4B. By doing so, the nonlinearity caused by the MR element can be eliminated. It is known that the input / output characteristics in the non-linear section 200 in FIG. 3A are generally hyperbolic tangent functions as shown in the following equation.
Figure 0004603490
... Formula (3)
Therefore, the input / output characteristic of the ADC 313 may be a characteristic corresponding to the inverse characteristic of the hyperbolic tangent function, as shown by the following equation, for example. Here, a is a real number, and may be determined by the characteristics of the head 51.
Figure 0004603490
... Formula (4)

図4(c)は、図4(b)の非線形区間300における入出力特性を2つの1次関数で近似させた場合におけるADC313の入出力特性の例を示す図である。図4(c)は、図4(b)と同様に、横軸は入力電圧、縦軸は出力電圧を示す。また、入力電圧は、Vin1_min〜Vin1_maxの範囲の値をとる。また、出力電圧は、Vout1_min〜Vout1_maxの範囲の値となる。前述のように、MR素子に起因する非線形性を解消するためには、ADC313の入出力特性を双曲線正接関数と逆の特性とすればよい。しかし、一般的に、この特性を実現することは困難である。したがって、本発明の実施形態においては、図4(c)に図示するように、2つの1次関数で近似することとしている。具体的には、入力電圧がVin1a〜Vin1bの範囲にある場合は、第1の1次関数330で表される入出力特性とする。また、入力電圧がVin1b〜Vin1_maxの範囲にある場合は、第2の1次関数340で表される入出力特性とすればよい。   FIG. 4C is a diagram illustrating an example of the input / output characteristics of the ADC 313 when the input / output characteristics in the nonlinear section 300 of FIG. 4B are approximated by two linear functions. 4C, as in FIG. 4B, the horizontal axis indicates the input voltage, and the vertical axis indicates the output voltage. The input voltage takes a value in the range of Vin1_min to Vin1_max. Further, the output voltage has a value in the range of Vout1_min to Vout1_max. As described above, in order to eliminate the non-linearity caused by the MR element, the input / output characteristic of the ADC 313 may be set to a characteristic opposite to the hyperbolic tangent function. However, it is generally difficult to achieve this characteristic. Therefore, in the embodiment of the present invention, approximation is made with two linear functions as shown in FIG. Specifically, when the input voltage is in the range of Vin1a to Vin1b, the input / output characteristics represented by the first linear function 330 are used. When the input voltage is in the range of Vin1b to Vin1_max, the input / output characteristics represented by the second linear function 340 may be used.

ここで、図4(c)に示す入出力特性を実現するADC313の具体的な構成について説明する。図5は、図2のADC313の構成例を示す図である。ADC313は、破線で示す前置調整部60と、離散化部62とを含む。ここでは、アナログ信号を3ビットからなるデジタル信号に変換する場合について図示したが、本発明はこれに限定されない。   Here, a specific configuration of the ADC 313 that realizes the input / output characteristics shown in FIG. FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration example of the ADC 313 in FIG. 2. The ADC 313 includes a front adjustment unit 60 and a discretization unit 62 indicated by broken lines. Although the case where an analog signal is converted into a digital signal consisting of 3 bits is shown here, the present invention is not limited to this.

ADC313は、入力部で入力されたアナログ信号の振幅が非線形区間に存在する場合、アナログ信号に対して振幅を調整しつつ、デジタル信号に変換して出力する。すなわち、前置調整部60は、アナログ信号をデジタル信号に変換する前に、非線形区間における非線形性を打ち消すように、アナログ信号の振幅を調整する。具体的には、前置調整部60は、非線形区間における入出力特性を双曲線正接関数の逆数の近似値とすることによって、非線形区間におけるアナログ信号の振幅を調整する。つぎに、離散化部62は、前置調整部60によって振幅が調整されたアナログ信号を3ビットのデジタル信号に変換して出力する。   When the amplitude of the analog signal input from the input unit is present in the nonlinear section, the ADC 313 converts the analog signal into a digital signal while adjusting the amplitude, and outputs the digital signal. That is, the pre-adjustment unit 60 adjusts the amplitude of the analog signal so as to cancel the nonlinearity in the nonlinear section before converting the analog signal into a digital signal. Specifically, the pre-adjustment unit 60 adjusts the amplitude of the analog signal in the nonlinear section by setting the input / output characteristics in the nonlinear section as an approximate value of the inverse of the hyperbolic tangent function. Next, the discretization unit 62 converts the analog signal whose amplitude has been adjusted by the pre-adjustment unit 60 into a 3-bit digital signal and outputs it.

前置調整部60は、非線形区間に含まれる複数の部分区間において、複数の部分区間のうちの第1部分区間の入出力特性として、少なくとも1より大きい第1の傾きを有する第1の1次関数330が設定される。また、複数の部分区間のうち、第1部分区間と連続する第2部分区間の入出力特性として、第1の傾きと異なる傾きを有する第2の1次関数340が設定される。ここで、第1部分区間とは、たとえば、図4(c)に図示したVin1a〜Vin1bの区間をいう。また、第1部分区間と連続する第2部分区間とは、たとえば、図4(c)に図示したVin1b〜Vin1_maxの区間をいう。第2部分区間の入出力特性を図4(c)に図示するような入出力特性とする場合、第2の1次関数340の傾きは第1の傾きより小さくなるように設定される。   The pre-adjustment unit 60 has a first primary having a first slope greater than at least 1 as input / output characteristics of the first partial section of the plurality of partial sections in the plurality of partial sections included in the nonlinear section. A function 330 is set. In addition, a second linear function 340 having a slope different from the first slope is set as the input / output characteristic of the second partial section that is continuous with the first partial section among the plurality of partial sections. Here, the first partial section refers to, for example, the section from Vin1a to Vin1b illustrated in FIG. Further, the second partial section that is continuous with the first partial section is, for example, a section from Vin1b to Vin1_max illustrated in FIG. When the input / output characteristics of the second partial section are the input / output characteristics shown in FIG. 4C, the slope of the second linear function 340 is set to be smaller than the first slope.

具体的に説明する。前置調整部60は、抵抗素子400で代表される第1抵抗素子64と第2抵抗素子66と第3抵抗素子68と第4抵抗素子70と第5抵抗素子72と第6抵抗素子74と第7抵抗素子76と第8抵抗素子78と第9抵抗素子80と、比較部82とを含む。抵抗素子400は、それぞれ直列に設置され、一定電圧を有する参照信号Vrefを入力として、順次、後段の抵抗素子に対し、それぞれ振幅調整された参照信号を出力する。つぎに、比較部82は、複数の抵抗素子400のそれぞれから出力された参照信号と、LPF312から入力されたアナログ信号の振幅とをそれぞれ比較することによって、アナログ信号の振幅を調整する。すなわち、時間的に連続した値であるアナログ信号を各抵抗素子400から出力された参照信号と比較し、その大小関係により、離散的な8つの信号を出力する。ここでの8つの信号はアナログ信号であるものの、プラスかマイナスのいずれかを示す一定の振幅をそれぞれ有する。   This will be specifically described. The pre-adjustment unit 60 includes a first resistance element 64, a second resistance element 66, a third resistance element 68, a fourth resistance element 70, a fifth resistance element 72, and a sixth resistance element 74, represented by a resistance element 400. A seventh resistance element 76, an eighth resistance element 78, a ninth resistance element 80, and a comparison unit 82 are included. Each of the resistance elements 400 is installed in series and receives a reference signal Vref having a constant voltage as input, and sequentially outputs reference signals whose amplitudes are adjusted to the subsequent resistance elements. Next, the comparison unit 82 adjusts the amplitude of the analog signal by comparing the reference signal output from each of the plurality of resistance elements 400 with the amplitude of the analog signal input from the LPF 312. That is, an analog signal having a temporally continuous value is compared with a reference signal output from each resistance element 400, and eight discrete signals are output according to the magnitude relationship. The eight signals here are analog signals, but each has a constant amplitude indicating either plus or minus.

複数の抵抗素子400は、それぞれの抵抗値を非均一な値とすることによって、それぞれの抵抗素子から出力される電圧の減少幅を変えている。具体的には、各抵抗素子に印加される参照信号の電圧Vrefは、それぞれの抵抗素子の出力において、抵抗値にしたがって低減されて出力される。すなわち、抵抗値が大きいほど電圧が低減され、小さいほど低減の度合いが少ない。言い換えると、複数の抵抗素子400において、区間ごとに、それぞれの抵抗値を非均一な値とすることによって、各抵抗素子400における電圧調整幅が異なり、これにより、入出力特性の傾きを区間ごとに変化させることができる。本発明の実施形態においては、非線形区間である第1部分区間と第2部分区間において、それぞれ対応する抵抗素子400の抵抗値を他の抵抗素子の抵抗値と異ならせることによって、区間ごとの入出力特性の傾きを調整している。   The plurality of resistance elements 400 change the decrease width of the voltage output from each resistance element by making each resistance value non-uniform value. Specifically, the voltage Vref of the reference signal applied to each resistance element is reduced and output according to the resistance value at the output of each resistance element. That is, the voltage is reduced as the resistance value is increased, and the degree of reduction is decreased as the resistance value is decreased. In other words, in each of the plurality of resistance elements 400, by making each resistance value non-uniform value for each section, the voltage adjustment width in each resistance element 400 is different, and thereby, the slope of the input / output characteristics is changed for each section. Can be changed. In the embodiment of the present invention, in each of the first partial section and the second partial section, which are nonlinear sections, the resistance value of the corresponding resistive element 400 is different from the resistance value of the other resistive elements, so The slope of the output characteristics is adjusted.

たとえば、第1部分区間もしくは第2部分区間以外の区間に対応する抵抗素子を、第5抵抗素子72と、第6抵抗素子74と、第7抵抗素子76と、第8抵抗素子78と仮定し、これらの抵抗値をRと仮定する。また、第1部分区間に対応する抵抗素子を第3抵抗素子68と第4抵抗素子70と仮定する。また、第2部分区間に対応する抵抗素子を第2抵抗素子66と仮定する。この場合、第1部分区間に対応する第3抵抗素子68と第4抵抗素子70の抵抗値は、第1部分区間もしくは第2部分区間以外の区間に対応する抵抗素子の抵抗値Rよりも小さい値、たとえば、R/3と設定すればよい。また、第2部分区間に対応する第2抵抗素子66の抵抗値は、抵抗値Rよりも大きい値、たとえば、2Rと設定すればよい。なお、一般的に、両端の抵抗素子である第1抵抗素子64と第9抵抗素子80は、通常の抵抗素子の抵抗値Rの半分の値R/2に設定される。   For example, it is assumed that resistance elements corresponding to sections other than the first partial section or the second partial section are a fifth resistance element 72, a sixth resistance element 74, a seventh resistance element 76, and an eighth resistance element 78. These resistance values are assumed to be R. Further, it is assumed that the resistance elements corresponding to the first partial section are the third resistance element 68 and the fourth resistance element 70. Further, it is assumed that the resistance element corresponding to the second partial section is the second resistance element 66. In this case, the resistance values of the third resistance element 68 and the fourth resistance element 70 corresponding to the first partial section are smaller than the resistance value R of the resistance element corresponding to a section other than the first partial section or the second partial section. A value, for example, R / 3 may be set. The resistance value of the second resistance element 66 corresponding to the second partial section may be set to a value larger than the resistance value R, for example, 2R. In general, the first resistance element 64 and the ninth resistance element 80 which are resistance elements at both ends are set to a value R / 2 which is half of the resistance value R of the normal resistance element.

図6(a)〜(c)は、図2のソフト出力検出部320の出力信号の特性の例を示す図である。各図において、縦軸はビット誤り率(Bit Error Rate)、横軸は信号対ノイズ比(Signal to Noise Ratio)を示す。図6(a)は、図1のヘッド51において入出力特性に5%の非対称性が存在した場合におけるソフト出力検出部320の第1ビット誤り率特性350と、本発明の実施形態を適用した場合の第2ビット誤り率特性360を示す図である。図6(a)は、さらに、前述の非対称性を理想的に解消できた場合、もしくは、図1のヘッド51において入出力特性に非対称性が存在しなかった場合における、第3ビット誤り率特性370を示す図である。5%の非対称性とは、正区間におけるダイナミックレンジV1が負区間におけるダイナミックレンジV2の約90%(V1=V2×(1−0.05)/(1+0.05)≒0.9×V2)であることを意味する。図6(a)の第2ビット誤り率特性360に図示するように、本発明の実施形態を適用することによって、ビット誤り率特性を改善できる。たとえば、第2ビット誤り率特性360に示されるように、ビット誤り率が10−5における所望SNRは、本発明の実施形態を適用しない第1ビット誤り率特性350にくらべ、0.1dB程度改善されている。 6A to 6C are diagrams illustrating examples of output signal characteristics of the soft output detection unit 320 of FIG. In each figure, the vertical axis represents the bit error rate, and the horizontal axis represents the signal-to-noise ratio (Signal to Noise Ratio). FIG. 6A applies the first bit error rate characteristic 350 of the soft output detector 320 when the input / output characteristic of the head 51 of FIG. 1 has an asymmetry of 5%, and the embodiment of the present invention. It is a figure which shows the 2nd bit error rate characteristic 360 in the case. FIG. 6A further shows the third bit error rate characteristic when the above-described asymmetry can be ideally eliminated, or when the input / output characteristic does not exist in the head 51 of FIG. FIG. The asymmetry of 5% means that the dynamic range V1 in the positive interval is about 90% of the dynamic range V2 in the negative interval (V1 = V2 × (1−0.05) / (1 + 0.05) ≈0.9 × V2). It means that. As illustrated in the second bit error rate characteristic 360 of FIG. 6A, the bit error rate characteristic can be improved by applying the embodiment of the present invention. For example, as shown in the second bit error rate characteristic 360, the desired SNR when the bit error rate is 10 −5 is improved by about 0.1 dB compared to the first bit error rate characteristic 350 to which the embodiment of the present invention is not applied. Has been.

一般的に、ハードディスクをはじめとする記憶装置の分野において、ビット誤り率を0.1dB程度改善するためには、通常、1世代程度の技術革新が必要であることが知られている。したがって、本発明の実施形態による0.1dBものビット誤り率の改善は、当業者にとって、顕著な効果であることは言うまでもない。   In general, in the field of storage devices such as hard disks, it is generally known that about one generation of technological innovation is necessary to improve the bit error rate by about 0.1 dB. Therefore, it goes without saying that the bit error rate improvement of 0.1 dB according to the embodiment of the present invention is a remarkable effect for those skilled in the art.

図6(b)は、図1のヘッド51において入出力特性に10%の非対称性が存在した場合におけるビット誤り率特性を示す図である。また、図6(c)は、図1のヘッド51において入出力特性に15%の非対称性が存在した場合におけるビット誤り率特性を示す図である。図6(b)、図6(c)の第2ビット誤り率特性360に図示するように、図6(a)の場合と同様に、本発明の実施形態によって振幅の非対称性を低減し、また、ビット誤り率を顕著に改善できる。   FIG. 6B is a diagram showing the bit error rate characteristics when 10% asymmetry exists in the input / output characteristics in the head 51 of FIG. FIG. 6C is a diagram showing the bit error rate characteristics when the input / output characteristics have a 15% asymmetry in the head 51 of FIG. As illustrated in the second bit error rate characteristic 360 of FIGS. 6B and 6C, as in FIG. 6A, the embodiment of the present invention reduces amplitude asymmetry, In addition, the bit error rate can be remarkably improved.

以上、本発明を実施形態をもとに説明した。この実施形態は例示であり、実施形態相互の組み合わせ、または、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。   The present invention has been described based on the embodiments. This embodiment is an exemplification, and various modifications can be made to combinations of the embodiments or combinations of their constituent elements and processing processes, and such modifications are also within the scope of the present invention. It will be understood by those skilled in the art.

本実施形態によれば、アナログデジタル変換部において、アナログ信号の振幅を調整することによって、磁気抵抗素子において発生した振幅の非線形性を低減できる。また、磁気抵抗素子において発生した振幅の非線形性を低減することによって、誤り訂正復号後の誤り特性を顕著に改善できる。また、アナログデジタル変換部に含まれる複数の抵抗素子の抵抗値をそれぞれ設定するだけで、アナログ信号の振幅の非対称性の低減化を小規模かつ安定性の高い回路で実現できる。また、磁気抵抗素子において発生した振幅の非対称性による影響を低減することによって、より高速に記憶システムにアクセスすることができる。また、余分なハードウェアを搭載する必要がなくなるので、低規模な半導体集積回路を実現できる。   According to the present embodiment, by adjusting the amplitude of the analog signal in the analog-to-digital converter, the nonlinearity of the amplitude generated in the magnetoresistive element can be reduced. Further, by reducing the nonlinearity of the amplitude generated in the magnetoresistive element, the error characteristics after error correction decoding can be remarkably improved. In addition, by simply setting the resistance values of a plurality of resistance elements included in the analog-digital conversion unit, it is possible to reduce the amplitude asymmetry of the analog signal with a small-scale and highly stable circuit. Further, the storage system can be accessed at a higher speed by reducing the influence of the asymmetry of the amplitude generated in the magnetoresistive element. Moreover, since it is not necessary to install extra hardware, a low-scale semiconductor integrated circuit can be realized.

次に、本発明の実施例の変形例を示す。まず概要を述べる。本変形例は、ヘッドに含まれるMR素子に起因する振幅の非対称性を低減する記憶システムに関する。また、本変形例においては、磁気ディスク装置100は、図1と同様の構成をとる。また、R/Wチャネル3は、図2と同様の構成をとる。本発明の実施形態の違いは、図2のADC313が図7の構成をとる点である。すなわち、本変形例は、記憶システムに含まれるアナログデジタル変換器における抵抗値を可変とすることを特徴とする。なお、前述した実施の形態と共通する部分については同一の符号を付して説明を簡略化する。   Next, a modification of the embodiment of the present invention will be shown. First, an overview. The present modification relates to a storage system that reduces amplitude asymmetry caused by an MR element included in a head. In the present modification, the magnetic disk device 100 has the same configuration as that shown in FIG. The R / W channel 3 has the same configuration as that shown in FIG. The difference in the embodiment of the present invention is that the ADC 313 in FIG. 2 has the configuration in FIG. 7. That is, this modification is characterized in that the resistance value in the analog-digital converter included in the storage system is variable. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the part which is common in embodiment mentioned above, and description is simplified.

図7は、図2のADC313の構成の変形例を示す図である。ADC313は、前置調整部60と、離散化部62と、抵抗値制御部86とを含む。抵抗値制御部86は、外部からの指示に応じて、前置調整部60に含まれる抵抗素子400の抵抗値を制御する。「外部からの指示」とは、ADC313以外の回路からの指示を含み、たとえば、LDPC繰返復号部322からの指示であってもよい。この場合、LDPC繰返復号部322における誤り訂正結果が通知され、その結果が良い場合は、前置調整部60の抵抗値を変えず、逆に悪い場合は、抵抗値を変える制御を行なえばよい。また、抵抗値を変化させるべき抵抗素子と、変化後の抵抗値について、図示しないインタフェースを介してされたユーザの指示に応じて、抵抗値制御部86は前置調整部60に対し指示してもよい。この場合、抵抗値制御部86は、指定された抵抗素子400に対して、指定された抵抗値となるように前置調整部60を制御する。   FIG. 7 is a diagram illustrating a modified example of the configuration of the ADC 313 in FIG. 2. The ADC 313 includes a pre-adjustment unit 60, a discretization unit 62, and a resistance value control unit 86. The resistance value control unit 86 controls the resistance value of the resistance element 400 included in the pre-adjustment unit 60 in accordance with an instruction from the outside. The “external instruction” includes an instruction from a circuit other than the ADC 313, and may be an instruction from the LDPC iterative decoding unit 322, for example. In this case, the error correction result in the LDPC iterative decoding unit 322 is notified, and if the result is good, the resistance value of the pre-adjustment unit 60 is not changed. Good. In addition, the resistance value control unit 86 instructs the pre-adjustment unit 60 regarding the resistance element whose resistance value is to be changed and the resistance value after the change in response to a user instruction via an interface (not shown). Also good. In this case, the resistance value control unit 86 controls the pre-adjustment unit 60 so that the designated resistance element 400 has the designated resistance value.

図8は、図5の抵抗素子400の構成の変形例を示す図である。抵抗素子400は、調整抵抗素子84で代表される第1調整抵抗素子84aと、第2調整抵抗素子84bと、第n調整抵抗素子84nと、切替部88で代表される第1切替部88aと、第m切替部88mとを含む。nは2以上、mは1以上の整数である。それぞれの切替部88は、抵抗値制御部86の指示にもとづいて、スイッチをON、もしくはOFFにする。例を用いて具体的に説明する。たとえば、すべての調整抵抗素子84の抵抗値が2Rであると仮定する。この場合、いずれの切替部88もOFFである場合、抵抗素子400における抵抗値は2Rとなる。また、いずれか1つの切替部88のみONである場合、抵抗素子400における抵抗値はRとなる。また、k個の切替部88がONである場合、抵抗素子400における抵抗値は2R/kとなる。いいかえると、非線形区間以外の区間に対応する抵抗素子400に対しては、抵抗値制御部86はいずれか1つの切替部88をONとし、その抵抗値をRとする。また、非線形区間に対応する抵抗素子400に対しては、抵抗値制御部86は0、もしくは2つ以上の切替部88をONとし、その抵抗値をR以外の値とすればよい。なお、前置調整部60に含まれる複数の抵抗素子のうち、いずれか1つ以上の抵抗素子のみを図8に示す構成としてもよい。また、調整抵抗素子84の抵抗値は全て同じでなくともよい。これらの場合であっても、抵抗値制御部86による切替部88の制御を適宜変更することによって同様の効果を得られることは言うまでもない。   FIG. 8 is a diagram showing a modification of the configuration of the resistance element 400 of FIG. The resistance element 400 includes a first adjustment resistance element 84a represented by the adjustment resistance element 84, a second adjustment resistance element 84b, an nth adjustment resistance element 84n, and a first switching section 88a represented by the switching section 88. , M-th switching unit 88m. n is an integer of 2 or more, and m is an integer of 1 or more. Each switching unit 88 turns the switch on or off based on an instruction from the resistance value control unit 86. A specific example will be described. For example, it is assumed that the resistance values of all the adjustment resistance elements 84 are 2R. In this case, when any switching unit 88 is OFF, the resistance value in the resistance element 400 is 2R. When only one of the switching units 88 is ON, the resistance value in the resistance element 400 is R. Further, when the k switching units 88 are ON, the resistance value in the resistance element 400 is 2R / k. In other words, for the resistance element 400 corresponding to a section other than the non-linear section, the resistance value control unit 86 turns on any one switching unit 88 and sets its resistance value to R. Further, for the resistance element 400 corresponding to the non-linear section, the resistance value control unit 86 may set 0 or two or more switching units 88 to ON and set the resistance value to a value other than R. Note that only one or more of the plurality of resistance elements included in the pre-adjustment unit 60 may be configured as shown in FIG. Further, the resistance values of the adjustment resistance elements 84 need not all be the same. Even in these cases, it goes without saying that the same effect can be obtained by appropriately changing the control of the switching unit 88 by the resistance value control unit 86.

図9は、図5の前置調整部60の構成の変形例を示す図である。図9に示す前置調整部60は、図5に示す前置調整部60に、参照電圧制御部90が付加された構成をとる。なお、前述した図5に示す前置調整部60と共通する部分については同一の符号を付して説明を簡略化する。参照電圧制御部90は、複数の抵抗素子のうち少なくとも1以上の抵抗素子の入力端に接続され、入力端のそれぞれに対し、対応する参照電圧を印加することによって、前記複数の抵抗素子のそれぞれから出力される参照信号の振幅を調整する。本変形例においては、複数の抵抗素子は、同一の抵抗値を有してもよい。また、参照電圧制御部90は、複数の抵抗素子のうち非線形区間に対応する抵抗素子の入力端に対し、非線形区間以外の区間に対応する抵抗素子の入力端とは異なる参照電圧を印加することによって、非線形区間における非線形性を調整してもよい。ここで、「対応する参照電圧」とは、抵抗素子ごとに対応づけられて決定された参照電圧を含み、予め設定されていてもよく、また、磁気抵抗素子の品質にしたがって動的に変化してもよい。この態様によると、参照電圧制御部によって柔軟に参照信号の振幅を制御できる。また、アナログデジタル変換部に含まれる複数の抵抗素子の抵抗値を同一にできるので回路コストが低減できる。また、アナログ信号の振幅の非対称性の低減化を小規模な回路で実現できる。   FIG. 9 is a diagram illustrating a modification of the configuration of the front adjustment unit 60 of FIG. A pre-adjustment unit 60 shown in FIG. 9 has a configuration in which a reference voltage control unit 90 is added to the pre-adjustment unit 60 shown in FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the part which is common in the front adjustment part 60 shown in FIG. 5 mentioned above, and description is simplified. The reference voltage control unit 90 is connected to the input terminals of at least one of the plurality of resistance elements, and applies a corresponding reference voltage to each of the input terminals, thereby each of the plurality of resistance elements. The amplitude of the reference signal output from is adjusted. In the present modification, the plurality of resistance elements may have the same resistance value. Further, the reference voltage control unit 90 applies a reference voltage different from the input end of the resistance element corresponding to the section other than the non-linear section to the input end of the resistance element corresponding to the non-linear section among the plurality of resistance elements. May adjust the non-linearity in the non-linear section. Here, the “corresponding reference voltage” includes a reference voltage determined in association with each resistive element, may be set in advance, and dynamically changes according to the quality of the magnetoresistive element. May be. According to this aspect, the reference voltage controller can flexibly control the amplitude of the reference signal. Further, since the resistance values of the plurality of resistance elements included in the analog-digital conversion unit can be made the same, the circuit cost can be reduced. In addition, the amplitude asymmetry of the analog signal can be reduced with a small circuit.

以上、本発明の変形例を実施形態をもとに説明した。この変形例は例示であり、実施形態相互の組み合わせ、または、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな他の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。   In the above, the modification of this invention was demonstrated based on embodiment. This modification is an exemplification, and various other modifications are possible in the combination of the embodiments, or in the combination of each component and each process, and such a modification is also within the scope of the present invention. This will be understood by those skilled in the art.

本実施形態の変形例によれば、前述した実施形態と同様の効果を得ることができる。また、抵抗素子の抵抗値を可変とすることによって、柔軟に振幅の非線形性の改善を図れる。   According to the modification of this embodiment, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained. Further, by making the resistance value of the resistance element variable, it is possible to flexibly improve the nonlinearity of the amplitude.

本実施形態において、ヘッド51の入出力特性のうち、正区間において非線形区間が存在するとして説明した。しかしながらこれに限らず、負区間に非線形性が存在してもよい。この場合であっても、非線形区間に対応する抵抗素子400の抵抗値を他の区間の抵抗値と異ならせることによって、同様の効果を得ることができる。また、R/Wチャネル3は、1つの半導体基板上に一体集積化されてもよい。   In the present embodiment, the input / output characteristics of the head 51 have been described as having a non-linear section in the positive section. However, the present invention is not limited to this, and nonlinearity may exist in the negative interval. Even in this case, the same effect can be obtained by making the resistance value of the resistance element 400 corresponding to the non-linear section different from the resistance value of other sections. The R / W channel 3 may be integrated on a single semiconductor substrate.

本発明の実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示す図である。1 is a diagram showing a configuration of a magnetic disk device according to an embodiment of the present invention. 図1のR/Wチャネルの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the R / W channel of FIG. 図3(a)は、図1のヘッドの入出力特性の例を示す図である。図3(b)は、図2のLPFの出力特性の例を示す図である。図3(c)は、図1のヘッドの出力波形の例を示す図である。FIG. 3A is a diagram showing an example of input / output characteristics of the head of FIG. FIG. 3B is a diagram illustrating an example of output characteristics of the LPF in FIG. FIG. 3C is a diagram illustrating an example of an output waveform of the head of FIG. 図4(a)〜(c)は、図2のADCの入出力特性の例を示す図である。4A to 4C are diagrams illustrating examples of input / output characteristics of the ADC of FIG. 図2のADCの構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of ADC of FIG. 図6(a)〜(c)は、図2のソフト出力検出部の出力信号の特性の例を示す図である。6A to 6C are diagrams illustrating examples of output signal characteristics of the soft output detection unit in FIG. 図2のADCの構成の変形例を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a modification of the configuration of the ADC of FIG. 2. 図5の抵抗素子の構成の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of a structure of the resistive element of FIG. 図5の前置調整部の構成の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of a structure of the front adjustment part of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 HDC、 2 CPU、 3 R/Wチャネル、 4 VCM/SPM制御部、 5 DE、 11 主制御部、 12 データフォーマット制御部、 13 ECC制御部、 14 バッファRAM、 21 FROM、 22 RAM、 31 ライトチャネル、 32 リードチャネル、 50 ディスク媒体、 51 ヘッド、 52 VCM、 53 SPM、 54 プリアンプ、 60 前置調整部、 62 離散化部、 64 第1抵抗素子、 66 第2抵抗素子、 68 第3抵抗素子、 70 第4抵抗素子、 72 第5抵抗素子、 74 第6抵抗素子、 76 第7抵抗素子、 78 第8抵抗素子、 80 第9抵抗素子、 82 比較部、 84 調整抵抗素子、 84a 第1調整抵抗素子、 84b 第2調整抵抗素子、 84n 第n調整抵抗素子、 86 抵抗値制御部、 88 切替部、 88a 第1切替部、 88m 第m切替部、 90 参照電圧制御部、 200 非線形区間、 300 非線形区間、 301 バイトインターフェース部、 302 スクランブラ、 303 RLL符号化部、 304 LDPC符号化部、 305 ライトプリコン部、 306 ドライバ、 311 VGA、 312 LPF、 313 ADC、 314 周波数シンセサイザ、 315 フィルタ、 316 補間フィルタ、 317 AGC、 318 ゼロ相リスタート部、 319 タイミング制御部、 320 ソフト出力検出部、 321 同期信号検出部、 322 LDPC繰返復号部、 323 RLL復号部、 324 デスクランブラ、 330 第1の1次関数、 340 第2の1次関数、 350 第1ビット誤り率特性、 360 第2ビット誤り率特性、 370 第3ビット誤り率特性、 400 抵抗素子。   1 HDC, 2 CPU, 3 R / W channel, 4 VCM / SPM controller, 5 DE, 11 Main controller, 12 Data format controller, 13 ECC controller, 14 Buffer RAM, 21 FROM, 22 RAM, 31 Write Channel, 32 read channel, 50 disk medium, 51 head, 52 VCM, 53 SPM, 54 preamplifier, 60 pre-adjustment unit, 62 discretization unit, 64 first resistance element, 66 second resistance element, 68 third resistance element , 70 4th resistance element, 72 5th resistance element, 74 6th resistance element, 76 7th resistance element, 78 8th resistance element, 80 9th resistance element, 82 Comparison part, 84 Adjustment resistance element, 84a 1st adjustment Resistance element, 84b second adjustment resistance element, 84n nth adjustment resistance 86, resistance value control unit, 88 switching unit, 88a first switching unit, 88m mth switching unit, 90 reference voltage control unit, 200 nonlinear section, 300 nonlinear section, 301 byte interface section, 302 scrambler, 303 RLL code Unit, 304 LDPC encoding unit, 305 write precon unit, 306 driver, 311 VGA, 312 LPF, 313 ADC, 314 frequency synthesizer, 315 filter, 316 interpolation filter, 317 AGC, 318 zero phase restart unit, 319 timing control 320, soft output detector, 321 synchronization signal detector, 322 LDPC iterative decoder, 323 RLL decoder, 324 descrambler, 330 first linear function, 340 second linear function 350 first bit error rate performance, 360 second bit error rate performance, 370 the third bit error rate characteristic, 400 resistance element.

Claims (10)

入力磁界が入力される磁気抵抗素子から出力されたアナログ信号であって、正区間におけるダイナミックレンジと負区間におけるダイナミックレンジとが非対称となり、いずれか一方の区間に非線形区間を含むアナログ信号を入力する入力部と、
前記入力部から入力されたアナログ信号の振幅を複数の参照信号のそれぞれと比較し、前記アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換部と、を備え、
前記デジタル信号が前記入力磁界を線形に量子化した値を示すデータとなるように、前記複数の参照信号は、前記アナログデジタル変換部に前記非線形区間における前記磁気抵抗素子の入出力特性の逆特性となる入出力特性を備えさせるように設定されることを特徴とする振幅調整装置。
An analog signal output from a magnetoresistive element to which an input magnetic field is input, the dynamic range in the positive section and the dynamic range in the negative section become asymmetric, and an analog signal including a non-linear section is input in one of the sections. An input section;
An analog-to-digital conversion unit that compares the amplitude of the analog signal input from the input unit with each of a plurality of reference signals and converts the analog signal into a digital signal; and
The plurality of reference signals are input to the analog-to-digital conversion unit so that the digital signal is data indicating a value obtained by linearly quantizing the input magnetic field. amplitude adjusting device according to claim Rukoto is configured to equip the input-output characteristics becomes.
前記アナログ信号は、前記非線形区間において前記入力磁界に対して双曲線正接関数に従った非線形性を有し、
前記複数の参照信号は、前記アナログデジタル変換部に前記双曲線正接関数の逆特性となる入出力特性を備えさせるように設定されることを特徴とする請求項1に記載の振幅調整装置。
The analog signal has nonlinearity according to a hyperbolic tangent function with respect to the input magnetic field in the nonlinear section,
Wherein the plurality of reference signals, the amplitude controller according to claim 1, characterized in Rukoto is configured to equip the input-output characteristic to be the inverse characteristic of the hyperbolic tangent function in the analog-to-digital conversion unit.
前記複数の参照信号は、前記アナログデジタル変換部に、前記非線形区間に含まれる複数の部分区間のうちの第1部分区間において第1の傾きを有する1次関数となる入出力特性を備えさせ、また、前記複数の部分区間のうち、前記第1部分区間と連続する第2部分区間において前記第1の傾きと異なる傾きを有する1次関数となる入出力特性を備えさせるように設定されることを特徴とする請求項1に記載の振幅調整装置。 The plurality of reference signals have the analog-to-digital converter have input / output characteristics that are linear functions having a first slope in a first partial section among a plurality of partial sections included in the nonlinear section, Further, among the plurality of subintervals, Rukoto is set to equip the input-output characteristics as a linear function having different slopes from the first inclination in a second part section continuous with the first subinterval The amplitude adjusting device according to claim 1, wherein: 前記アナログデジタル変換部は、
直列に設置された複数の抵抗素子であって、一端に一定電圧が入力され、各抵抗素子が対応する参照信号を出力する複数の抵抗素子と、
前記複数の抵抗素子のそれぞれから出力された参照信号と、前記入力部から入力されたアナログ信号の振幅とを比較する比較部と、を含み、
前記複数の抵抗素子の抵抗値は、前記アナログデジタル変換部に前記非線形区間における前記磁気抵抗素子の入出力特性の逆特性となる入出力特性を備えさせるように設定されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の振幅調整装置。
The analog-digital converter is
A plurality of resistive elements installed in series, each having a constant voltage input to one end, and each resistive element outputting a corresponding reference signal;
A comparison unit that compares a reference signal output from each of the plurality of resistance elements and an amplitude of an analog signal input from the input unit;
Resistance values of the plurality of resistive elements, wherein, wherein Rukoto is configured to equip the input-output characteristic to be the inverse characteristic of the input-output characteristic of the magnetoresistive element in the non-linear section in the analog-digital conversion section Item 4. The amplitude adjusting device according to any one of Items 1 to 3.
前記複数の抵抗素子の抵抗値は非均一な値とされることを特徴とする請求項4に記載の振幅調整装置。   The amplitude adjustment apparatus according to claim 4, wherein resistance values of the plurality of resistance elements are non-uniform values. 前記複数の抵抗素子のうち前記非線形区間に対応する抵抗素子非線形区間以外の区間に対応する抵抗素子の抵抗値と異なる抵抗値に設定されることによって、前記アナログデジタル変換部は前記非線形区間における前記磁気抵抗素子の入出力特性の逆特性となる入出力特性を備えることを特徴とする請求項5に記載の振幅調整装置。 By resistive element corresponding to the non-linear section of the plurality of resistor elements are set to a resistance value different from the resistance value of the resistance element corresponding to the section other than the non-linear sections, the analog-digital converter unit in the non-linear section 6. The amplitude adjusting apparatus according to claim 5, further comprising an input / output characteristic that is opposite to the input / output characteristic of the magnetoresistive element . 入力磁界が入力される磁気抵抗素子から出力されたアナログ信号であって、正区間におけるダイナミックレンジと負区間におけるダイナミックレンジとが非対称となり、いずれか一方の区間に非線形区間を含むアナログ信号を入力するステップと、
アナログデジタル変換部が、入力されたアナログ信号の振幅を複数の参照信号のそれぞれと比較し、前記アナログ信号をデジタル信号に変換するステップと、
前記デジタル信号が前記入力磁界を線形に量子化した値を示すデータとなるように、前記複数の参照信号を、前記アナログデジタル変換部に前記非線形区間における前記磁気抵抗素子の入出力特性の逆特性となる入出力特性を備えさせるように設定するステップと、を含むことを特徴とする振幅調整方法。
An analog signal output from a magnetoresistive element to which an input magnetic field is input, the dynamic range in the positive section and the dynamic range in the negative section become asymmetric, and an analog signal including a non-linear section is input in one of the sections. Steps,
An analog-to-digital converter that compares the amplitude of the input analog signal with each of a plurality of reference signals, and converts the analog signal into a digital signal;
The plurality of reference signals are sent to the analog-to-digital conversion unit so that the digital signal becomes data indicating a value obtained by linearly quantizing the input magnetic field. And a step of setting so as to have an input / output characteristic .
データを記憶装置に書き込むライトチャネルと、記憶装置に記憶されているデータを読み出すリードチャネルとを備える信号記憶システムであって、
前記ライトチャネルは、
データをランレングス符号化する第1の符号化部と、
前記第1の符号化部で符号化されたデータに対し、低密度パリティ検査符号を用いて符号化する第2の符号化部と、
前記第2の符号化部で符号化されたデータを記憶装置に書き込む書き込み部と、
を有し、
前記リードチャネルは、
前記記憶装置に記憶されているデータに対応する入力磁界が入力される磁気抵抗素子から出力されたアナログ信号であって、正区間におけるダイナミックレンジと負区間におけるダイナミックレンジとが非対称となり、いずれか一方の区間に非線形区間を含むアナログ信号を入力する入力部と、
前記入力部から入力されたアナログ信号の振幅を複数の参照信号のそれぞれと比較し、前記アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログデジタル変換部と、
前記アナログデジタル変換部から出力されたデジタル信号の尤度を計算して軟判定値を出力するソフト出力検出部と、
前記ソフト出力検出部から出力されたデータを復号する、第2の符号化部に対応した、第1の復号部と、
前記第1の復号部で復号されたデータを復号する、前記第1の符号化部に対応した、第2の復号部と、
を有し、
前記デジタル信号が前記入力磁界を線形に量子化した値を示すデータとなるように、前記複数の参照信号は、前記アナログデジタル変換部に前記非線形区間における前記磁気抵抗素子の入出力特性の逆特性となる入出力特性を備えさせるように設定されることを特徴とする記憶システム。
A signal storage system comprising a write channel for writing data to a storage device and a read channel for reading data stored in the storage device,
The light channel is
A first encoding unit for run-length encoding data;
A second encoding unit that encodes the data encoded by the first encoding unit using a low-density parity check code;
A writing unit for writing the data encoded by the second encoding unit to a storage device;
Have
The lead channel is
An analog signal output from a magnetoresistive element to which an input magnetic field corresponding to data stored in the storage device is input, and the dynamic range in the positive section and the dynamic range in the negative section are asymmetric, either An input unit for inputting an analog signal including a non-linear section in the section of
An analog-to-digital converter that compares the amplitude of the analog signal input from the input unit with each of a plurality of reference signals and converts the analog signal into a digital signal;
A soft output detector that calculates the likelihood of the digital signal output from the analog-digital converter and outputs a soft decision value;
A first decoding unit corresponding to a second encoding unit for decoding the data output from the soft output detection unit;
A second decoding unit corresponding to the first encoding unit, which decodes the data decoded by the first decoding unit;
Have
The plurality of reference signals are input to the analog-to-digital conversion unit so that the digital signal is data indicating a value obtained by linearly quantizing the input magnetic field. storage system according to claim Rukoto is configured to equip the input-output characteristics becomes.
請求項に記載の記憶システムにおいて、当該記憶システムは、さらに、
データを記憶する記憶装置と、
記憶装置への書き込みと、記憶装置からの読み出しとを制御する制御部と、
を有し、
前記リードチャネルは、前記制御部の指示に従って、前記記憶装置に記憶されているデータを前記磁気抵抗素子を介して読み出し、
前記ライトチャネルは、前記制御部の指示に従って、符号化されたデータを前記記憶装置に書き込むことを特徴とする記憶システム。
9. The storage system according to claim 8 , further comprising:
A storage device for storing data;
A control unit for controlling writing to the storage device and reading from the storage device;
Have
The read channel reads data stored in the storage device via the magnetoresistive element according to an instruction from the control unit,
The storage system, wherein the write channel writes encoded data into the storage device in accordance with an instruction from the control unit.
請求項1に記載の振幅調整装置おいて、当該装置は、1つの半導体基板上に一体集積化されたことを特徴とする振幅調整装置。   2. The amplitude adjusting device according to claim 1, wherein the device is integrated on a single semiconductor substrate.
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