JP4554824B2 - プラズマ処理装置，そのメンテナンス方法およびその施工方法 - Google Patents

Description

技術分野
本発明は，プラズマ処理装置，そのメンテナンス方法およびその施工方法に関する。
背景技術
従来，半導体装置の製造プロセスでは，プラズマ処理装置が広く使用されている。プラズマ処理装置は，気密な処理室内に対向配置された上部電極と下部電極を備えている。処理時には，上部電極に高周波電力を印加し，処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化する。その結果，下部電極上に載置された被処理体に所定のプラズマ処理が施される。
ところで，上部電極が配される上部電極ユニットは，上部電極に高周波電力を供給する給電棒などの給電部材を収容するシールドボックスや，整合器などが収容されたマッチングボックスや，処理ガス供給系などが一体的に組み立てられた複雑な構造を有する。このため，上部電極ユニットは，全体として，重量が重く，また容量も大きいものであった。
従って，上部電極や処理室内の清掃等のメンテナンスを行う場合には，作業者は，上部電極ユニットを取扱可能な重量や大きさの部材に分解した後に，メンテナンスを行う必要があった。また，メンテナンス終了後には，再び各部材を上部電極ユニットに組み立てる必要があった。
このように，従来は，メンテナンスの度に，装置の分解組立を行わねばならない。その結果，装置の稼働効率が低下するという問題があった。また，組立時には，各部材の位置合わせを正確に行わなければならない。このため，作業が繁雑となり，さらに作業時間が増加するという問題点があった。さらに，一般的に，シールドボックスやマッチングボックスは，作業者が作業し難い高所に配置されている。このため，各部材の着脱作業を作業者が厳しい姿勢で行わなければならない。その結果，作業者に負担がかかるという問題点があった。
また，処理装置には，一般に処理ガス供給系，排気系，冷却水循環系，電力供給系など多くの配管系および配線が接続されている。かかる処理装置を半導体製造工場などに設置する際には，上記配管系や配線をいかに効率良く接続するかが設置作業を短縮する上で重要である。しかし，実際は，装置を搬入した後に配管および配線作業が行われていた。
本発明は，従来の技術が有する上記のような問題点に鑑みて成されたものである。そして，本発明の目的は，上記問題点およびその他の問題点を解決することが可能な，新規かつ改良されたプラズマ処理装置，そのメンテナンス方法およびその施工方法を提供することである。
発明の開示
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，被処理体にプラズマ処理を施す処理室と，処理室の上部壁を形成する上部電極ユニットを備えたプラズマ処理装置において，上部電極ユニットは，上部電極ユニットの自重と処理室内外の圧力差により固定手段を用いずに処理室を真空封止可能に構成されることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
本発明によれば，処理室は，上部電極ユニットにより固定手段によらず真空封止される。かかる構成により，上部電極ユニットを取り外せば，処理室内を開放できる。また，上部電極ユニットを処理室上に載置し，処理室内を処理室外よりも減圧すれば，上部電極ユニットの自重と処理室内外の圧力差により，上部電極ユニットと処理室壁部とが密着する。かかる構成により，処理室内の気密性を確保できる。このため，処理室内の開放および密閉作業を容易かつ迅速に行うことができる。その結果，作業者の負担軽減および処理室内のメンテナンス作業時間の短縮を図ることができる。
また，本発明の第２の観点によれば，被処理体にプラズマ処理を施す処理室と，処理室の上部壁を形成する上部電極ユニットを備えたプラズマ処理装置において，上部電極ユニットは，複数のアセンブリから構成され，複数のアセンブリは，少なくとも，自重と処理室内外の圧力差により固定手段を用いずに処理室を真空封止可能な一のアセンブリと，一のアセンブリを載置可能な他の一のアセンブリとを含むことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
本発明によれば，上部電極ユニットを作業者が操作し易い複数の部分から構成している。従って，重量が重い上部電極ユニットを分割して取り外すことができる。その結果，作業者の負担をさらに軽減できる。また，他の一のアセンブリに一のアセンブリが載置される。このため，処理室内外の圧力差に加えて，一のアセンブリをその自重により他の一のアセンブリに密着させることができる。その結果，一のアセンブリと他の一のアセンブリとの間の気密性を高めることができる。
さらに，上部電極ユニットを，処理室内に高周波電力を供給する電極または接地された電極を含む第１アセンブリと，第１アセンブリを保持する第２アセンブリと，高周波電力の供給経路または接地経路を含む第３アセンブリとを含むように分割することが好ましい。かかる構成によれば，上部電極ユニットを作業者が操作し易い一体型の各アセンブリから構成できる。その結果，上部電極ユニットの着脱作業およびメンテナンス作業を容易に行うことができる。
さらに，一のアセンブリを第１アセンブリとし，他の一のアセンブリを第２アセンブリとすることが好ましい。かかる構成により，電極のメンテナンスを容易に行うことができる。
また，第３アセンブリは，一般的に第１および第２アセンブリよりも重量が重い。このため，一のアセンブリを第３アセンブリとし，他の一のアセンブリを第１アセンブリとすることが好ましい。かかる構成により，第３アセンブリの自重を作用させて，処理室の真空封止をより確実に行うことができる。
また，本発明の第３の観点によれば，被処理体にプラズマ処理を施す処理室と，処理室の上部壁を形成する上部電極ユニットを備えたプラズマ処理装置において，上部電極ユニットを処理室から取り外す取り外し機構を備え，上部電極ユニットは，複数のアセンブリから構成され，取り外し機構は，複数のアセンブリ中の少なくとも一のアセンブリを単独で取り外し可能であるとともに，複数のアセンブリ中の少なくとも二のアセンブリを組み合わせて一体的に取り外し可能であることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
かかる構成によれば，取り外し機構により，例えば作業者が操作し難いアセンブリを取り外すことができる。このため，作業者の負担を軽減できる。また，メンテナンスに応じて必要なアセンブリを単体で，あるいは複数のアセンブリを一体的に取り外すことができる。このため，メンテナンスを効率良くかつ短時間で行うことができる。
さらに，少なくとも一のアセンブリを，第１ロッキング機構により，処理室に着脱自在に構成することが好ましい。かかる構成により，第１ロッキング機構の開閉により一のアセンブリの着脱を容易に行うことができる。さらに，第１ロッキング機構に基づいて一のアセンブリの位置決めを行える。このため，一のアセンブリを処理室に確実に配置し，密着させることができる。その結果，処理室内の気密性を確保することができる。
さらに，少なくとも二のアセンブリを，第２ロッキング機構により相互に着脱自在に構成することが好ましい。かかる構成により，各アセンブリの着脱と位置決めを容易かつ正確に行うことができる。さらに，第２ロッキング機構をロックすれば，二のアセンブリを一体的に着脱できる。また，第２ロッキング機構を解除すれば，一のアセンブリを単独で着脱できる。
さらに，上部電極ユニットを，処理室内に高周波電力を供給する電極または接地された電極を含む第１アセンブリと，第１アセンブリを保持する第２アセンブリと，高周波電力の供給経路または接地経路を含む第３アセンブリとを含むように分割して構成することが好ましい。
また，本発明の第４の観点によれば，被処理体にプラズマ処理を施す処理室と，処理室の上部壁を構成する上部電極ユニットと，上部電極ユニットを処理室から取り外す取り外し機構とを備え，上部電極ユニットは少なくとも第１アセンブリと第２アセンブリと第３アセンブリとを含むプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって，第３アセンブリを取り外し機構に固定して取り外す工程と，第１アセンブリを取り外し機構を用いずに取り外す工程と，第３アセンブリと第２アセンブリを一体的に組み合わせる工程と，第２アセンブリが組み合わされた第３アセンブリを取り外し機構に固定して取り外す工程と，第１アセンブリ，第２アセンブリ，第３アセンブリ，処理室の少なくともいずれかをメンテナンスする工程と，を含むことを特徴とするプラズマ処理装置のメンテナンス方法が提供される。
本発明によれば，取り外し機構により，例えば高周波電力の給電経路または接地経路を含む比較的重量が重く大きさの大きい第３アセンブリを取り外した後に，例えば処理室内に高周波電力を供給する電極または接地された電極を含む比較的重量が軽く大きさの小さい第１アセンブリを取り外すことができる。このため，作業者は，上部電極ユニットを個別に分解せずとも，簡単な操作で，例えば第１アセンブリのメンテナンスを行うことができる。さらに，第１アセンブリが取り外された後に，取り外し機構により，第３アセンブリとともに，例えば第１アセンブリを保持する比較的重量が重く大きさの大きい第２アセンブリを一体的に取り外すことができる。このため，簡単な操作で，例えば処理室内のメンテナンスを行うことができ，かつ作業者の負担を軽減できる。また，メンテナンス終了後の組立も容易に行うことができる。
また，本発明の第５の観点によれば，被処理体にプラズマ処理を施す処理室と，処理室の上部壁を構成する上部電極ユニットと，上部電極ユニットを処理室から取り外す取り外し機構とを備え，上部電極ユニットは少なくとも第１アセンブリと第２アセンブリとを含むプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって，第１アセンブリを取り外し機構に固定して取り外す工程と，第２アセンブリを取り外し機構を用いずに取り外す工程と，取り外された第２アセンブリをメンテナンスする工程と，メンテナンスが完了した第２アセンブリを取り外し機構を用いずに元の位置に戻す工程と，取り外し機構に固定された第１アセンブリを元の位置に戻す工程と，を含むことを特徴とするプラズマ処理装置のメンテナンス方法が提供される。
本発明によれば，取り外し機構により，例えば高周波電力の供給経路または接地経路を含む第１アセンブリを取り外した後に，例えば処理室内に高周波電力を供給する電極または接地された電極を含む第２アセンブリを取り外すことができる。このため，簡単な操作で第２アセンブリのメンテナンスを行うことができる。また，メンテナンスが行われた第２アセンブリを装着した後に，取り外し機構により第１アセンブリを元の装着位置に戻すことができる。このため，第２アセンブリのメンテナンス後の作業者の負担を軽減できる。
また，本発明の第６の観点によれば，被処理体にプラズマ処理を施す処理室と，処理室を載置する基礎フレームとを備えたプラズマ処理装置において，基礎フレームは開閉手段を有する中継配管を備え，中継配管は，処理室で使用する流体の供給源に接続される配管と，処理室に接続される配管とを中継するように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
本発明によれば，基礎フレームに中継配管が組み込まれている。このため，実装置の設置前に，例えば実装置の製造期間内に，基礎フレームの設置および基礎フレームの中継配管と供給源との間の配管作業を完了させることが可能となる。そして，最終的な配管作業は，装置を基礎フレームに設置した後に，単に中継配管と処理室とを配管で接続するだけである。このため，配管作業が容易化されるとともに，施工期間の短縮を図ることができる。また，開閉手段を閉じておけば，実装置の設置前に予め流体を中継配管まで供給しても，流体が漏れ出すことがない。このため，処理室との接続後に迅速に流体を供給できる。その結果，装置の稼働までの時間を短縮することができる。なお，本明細書において，処理室とは，被処理体にプラズマ処理を施す処理室だけではなく，被処理体を搬送する搬送装置の搬送室など，基礎フレーム上に設置され，かつ各種配管の接続が成される半導体製造工程において採用される各種装置の空間をすべて含むものとする。また，流体とは，処理ガスなどの気体，冷却水などの液体など配管を介して流通されるを含むものとする。
さらに，基礎フレームにオン・オフ手段を有する中継配線を備え，中継配線をプラズマ処理装置に印加する電力の電源に接続される配線とプラズマ処理装置に接続される配線とを中継するように構成することが好ましい。かかる構成によれば，配線の接続作業も，上記配管と同様に行うことができる。
また，本発明の第７の観点によれば，被処理体にプラズマ処理を施す処理室と処理室を載置する基礎フレームとを備え，基礎フレームは開閉手段を有する中継配管を備え，中継配管は処理室で使用する流体の供給源に接続される配管と処理室に接続される配管とを中継するように構成されているプラズマ処理装置の施工方法であって，処理室を配置する基礎上に基礎フレームを固定する第１工程と，第１工程後，中継配管に前記処理室で使用する流体の供給源に接続される配管を接続する第２工程と，第２工程後，基礎フレームに処理室を固定する第３工程と，第３工程後，中継配管に処理室に接続される配管を接続する第４工程と，を含むことを特徴とするプラズマ処理装置の施工方法が提供される。
本発明によれば，上記基礎フレームを用いたプラズマ処理装置の施工を迅速に行え，工期を短縮できる。
さらに，基礎フレームにオン・オフ手段を有する中継配線を備え，中継配線をプラズマ処理装置に印加する電力の電源に接続される配線とプラズマ処理装置に接続される配線とを中継するように構成し，第３工程に中継配線にプラズマ処理装置に印加する電力の電源に接続される配線を接続する工程を含め，第４工程に中継配線にプラズマ処理装置に接続される配線を接続する工程を含めることが好ましい。かかる構成によれば，配線についても，配管と同様の作業で接続できる。
発明を実施するための最良の形態
以下に，添付図面を参照しながら，本発明にかかるプラズマ処理装置，そのメンテナンス方法およびその施工方法の好適な実施の形態について，詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
まず，第１図〜第６図を参照しながら，本発明にかかるプラズマ処理装置およびそのメンテナンス方法を，プラズマエッチング装置およびそのメンテナンス方法に適用した第１の実施の形態について説明する。
（１）エッチング装置の全体構成
まず，エッチング装置１００の構成について概略する。第１図に示すように，処理室１０２は，上部が開口した略円筒形の導電性の処理容器１０４を備えている。処理室１０２の天井部には，上部電極ユニット１０３が気密に取り付けられている。処理室１０２内には，導電性の下部電極１０８が配置されている。下部電極１０８は，被処理体，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）Ｗを載置可能に構成されている。また，下部電極１０８には，冷媒循環路１１０が内装されている。冷媒循環路１１０には，ウェハＷを冷却し，所定温度に維持するための冷媒が循環する。
上部電極ユニット１０３の構造は，本発明の中核を成すものであり，その詳細な構成および動作については，後述する。なお，上部電極ユニット１０３には，高周波電源１３４から出力された高周波電力が整合器１３８を介して印加される。該高周波電力は，例えば１３．５６ＭＨｚの電力である。また，下部電極１０８には，高周波電源１４０から出力された高周波電力が整合器１４２を介して印加される。該高周波電力は，例えば３８０ｋＨｚの電力である。かかる電力の印加により，処理室１０２内に導入された処理ガスがプラズマ化する。その結果，該プラズマによりウェハＷに所定のエッチング処理が施される。
また，処理室１０２内には，シールドリング１４４が設けられている。シールドリング１４４は，石英などの誘電性材料から成り，上部電極１２４以外の処理室１０２天井部を覆うように配置されている。かかる構成により，処理室１０２天井部がプラズマの衝突により消耗することを防止できる。なお，シールドリング１４４は，処理容器１０４上部内縁部に形成された段部１０４ａに，シールドリング１４４の外縁部が係合するように嵌め込まれている。
また，下部電極１０８の周囲には，排気バッフル板１２６が設けられている。かかる構成により，処理室１０２内のガスは，開閉バルブ１２８，排気量調整バルブ１３０を介してターボ分子ポンプ１３２により適宜排気される。
以上のように，本実施の形態にかかるエッチング装置１００は主に構成されている。次に，本発明の中核を成す上部電極ユニット１０３の構成について詳述する。
（２）上部電極ユニットの構成
第２図に示すように，上部電極ユニット１０３は，第１〜第３アセンブリ２０２，２０４，２０６から主に構成されている。なお，第１アセンブリ２０２は，上部電極１２４とクーリングプレート１５４とバッフル板１６４から成る。第２アセンブリ２０４は，支持プレート１４６とインシュレータ１５８から成る。さらに，第３アセンブリ２０６は，シールドボックス１０６とマッチングボックス１３６と給電棒１７８とエレクトロボディ１７２から成る。以下，各アセンブリの構成について説明する。
（ａ）第１アセンブリの構成
まず，第１アセンブリ２０２の構成について説明する。第１アセンブリ２０２を構成する上部電極１２４は，例えばシリコンや陽極酸化処理されたアルミニウムから成り，略円盤状に形成されている。また，上部電極１２４には，複数のガス吐出孔１２４ａが形成されている。ガス吐出孔１２４ａは，上述した処理室１０２内に処理ガスを吐出する。また，上部電極１２４の上部には，クーリングプレート１５４がネジやボルトなどの締結部材１５６により取り付けられている。クーリングプレート１５４は，上部電極１２４に電力を伝達するとともに，処理時に上部電極１２４に生じた熱を後述のエレクトロボディ１７２に伝達する。また，クーリングプレート１５４は，例えば陽極酸化処理されたアルミニウムから成り，略円筒形状に形成されている。また，クーリングプレート１５４の外周には，段部１５４ａが形成されている。段部１５４ａは，後述のインシュレータ１５８に形成された段部１５８ａと係合する如く構成されている。また，クーリングプレート１５４の上部には，処理ガスを拡散するためのバッフル板１６４を収容する空間が形成されている。
バッフル板１６４は，例えば陽極酸化処理されたアルミニウム製の略円盤状の第１および第２バッフル板１６６，１６８から成る。また，バッフル板１６４は，クーリングプレート１５４の上部空間内に締結部材１７０により締着されている。また，上部および下部バッフル板１６６，１６８には，それぞれ貫通孔１６６ａ，１６８ａが形成されている。かかる構成により，バッフル板１６４を通過した処理ガスは，クーリングプレート１５４に形成されたガス供給経路１５４ｃを介して，上記ガス吐出孔１２４ａに送られる。
（ｂ）第２アセンブリの構成
次に，第２アセンブリ２０４の構成について説明する。第２アセンブリ２０４を構成する支持プレート１４６は，処理室１０２の天井の一部を成し，処理室１０２上に配される第１，第３アセンブリ２０２，２０６を支持する。また，支持プレート１４６は，例えば陽極酸化処理されたアルミニウムから成り，略環状に形成されている。また，支持プレート１４６と処理容器１０４とは，バックル機構などの第１ロッキング機構２００により着脱自在に固定されている。第１ロッキング機構２００は，第２アセンブリ２０４の位置決め機能も有している。従って，第１ロッキング機構２００を固定すれば，第２アセンブリ２０４が処理室１０２上の所定位置に位置決めされて固定される。かかる構成により，第２アセンブリ２０４の位置決め作業が簡素化される。このため，第２アセンブリ２０４の取り付け作業を迅速に行うことができる。また，支持プレート１４６と処理容器１０４との間には，Ｏリング１９６，１９８が介装されている。Ｏリング１９６は，気密性を保つものである。また，Ｏリング１９８は，導電性を確保するものである。
また，支持プレート１４６の内縁側には，インシュレータ１５８が嵌合されている。インシュレータ１５８は，上述した第１アセンブリ２０２，および後述の第３アセンブリ２０６を構成するエレクトロボディ１７２を，支持プレート１４６から絶縁するためのものである。また，インシュレータ１５８は，例えばセラミックスから成り，第１アセンブリ２０２とエレクトロボディ１７２の外周を囲うように略筒状に形成されている。また，インシュレータ１５８は，インシュレータ１５８の外周部に形成された突出部１５８ｂが支持プレート１４６の内縁部と係合することにより，支持プレート１４６に着脱自在に支持されている。また，突起部１５８ｂと支持プレート１４６との間には，Ｏリング１６２が介装されている。インシュレータ１５８内には，段部１５８ａが形成されている。段部１５８ａは，上述したクーリングプレート１５４に形成された段部１５４ａと係合し，インシュレータ１５８内に挿入された第１アセンブリ２０２を着脱自在に支持するために設けられている。従って，第１アセンブリ２０２をインシュレータ１５８内に挿入すると，第１アセンブリ２０２が所定位置に配置される。また，各段部１５４ａ，１５８ａ間には，Ｏリング１６０が介装されている。
（ｃ）第３アセンブリの構成
次に，第３アセンブリ２０６の構成について説明する。第３アセンブリ２０６を構成するシールドボックス１０６は，高周波電力がエッチング装置１００の外部に漏れ出すことを防止するためのものである。またシールドボックス１０６は，例えばステンレスから成り，給電棒１７８およびエレクトロボディ１７２と，第１および第２アセンブリ２０２，２０４の周囲を囲うように略筒状に形成されている。また，シールドボックス１０６は，第１アセンブリ２０２等の各機構部を覆うカバーとしても機能する。
また，シールドボックス１０６は，支持プレート１４６上に載置されている。また，シールドボックス１０６は，シールドボックス１０６と支持プレート１４６とを着脱自在に固定する第２ロッキング機構１５０により固定されている。第２ロッキング機構１５０は，第３アセンブリ２０６の位置決め機能も有している。従って，第２ロッキング機構１５０を固定すれば，第３アセンブリ２０６が第２アセンブリ２０４の所定位置に配置されて固定される。かかる構成により，第３アセンブリ２０６の位置決めを容易に行うことができる。このため，第３アセンブリ２０６を迅速に装着することができる。また，シールドボックス１０６は，支持プレート１４６と処理容器１０４とを介して接地されている。
また，シールドボックス１０６上には，マッチングボックス１３６が載置されている。マッチングボックス１３６は，例えばステンレス製であり，整合器１３８を収容する。また，マッチングボックス１３６は，シールドボックス１０６に締結部材１７４により固定されている。また，マッチングボックス１３６の底部には，シールドボックス１０６内に突出する略凸状の整合器１３８の出力部１７６が不図示の絶縁部材を介して固定されている。出力部１７６には，第１アセンブリ２０２に高周波電力を伝達するための給電棒１７８が接続されている。
給電棒１７８は，例えばステンレス製の略管状部材から成る。また給電棒１７８は，上記出力部１７６およびエレクトロボディ１７２に形成されている入力部１７２ａに接続されている。また，給電棒１７８と出力部１７６との間，および入力部１７２ａとの間には，弾力性を有する導電性の不図示の多面接触子が介装されている。また，整合器１３８の出力部１７６と給電棒１７８の上端部とは，不図示のネジで固定されている。一方，給電棒１７８の下端部とエレクトロボディ１７２の入力部１７２ａとは，不図示のピン等で数ｍｍ程度上下動自在に固定されている。かかる構成により，第３アセンブリ２０６を第１アセンブリ２０２上に載置すると，エレクトロボディ１７２は，その自重によりクーリングプレート１５４に密着する。このため，処理室１０２の気密性が確保される。
また，かかる場合には，クーリングプレート１５４は，エレクトロボディ１７２および第１アセンブリ２０２の重量によりインシュレータ１５８に密着する。また，インシュレータ１５８は，エレクトロボディ１７２および第１アセンブリ２０２の重量と，インシュレータ１５８の自重により支持プレート１４６に密着する。さらに，支持プレート１４６は，第１，第３アセンブリ２０２，２０６およびインシュレータ１５８の重量と，支持プレート１４６の自重により処理容器１０４に密着する。その結果，上記各部材が相互に密着するので，処理容器１０４を気密に保つことができる。また，処理容器１０４内を真空排気すれば，処理容器１０４内外の気圧差により，クーリングプレート１５４とインシュレータ１５８との間と，インシュレータ１５８と支持プレート１４６との間と，支持プレート１４６と処理容器１０４との間がより一層密着する。このため，処理容器１０４の気密性をさらに高めることができる。
また，エレクトロボディ１７２は，上述したように高周波電力を第１アセンブリ２０２に伝達するためのものである。また，エレクトロボディ１７２は，例えば陽極酸化処理されたアルミニウムから成る略円盤状部材から構成されている。また，エレクトロボディ１７２は，インシュレータ１５８内に収容可能な大きさに形成されている。かかる構成により，エレクトロボディ１７２の外周は，装着時に上記インシュレータ１５８により囲われる。
また，エレクトロボディ１７２には，ガス供給経路１７２ｂが内装されている。従って，装着時には，ガス供給源１８４から供給される処理ガス，例えばフルオロカーボンガスが，ガスボックス１８６内に収容された流量調整バルブ１８８および開閉バルブ１９０と，シールドボックス１０６内に配された開閉バルブ１９２と，ガスインレット１９４と，ガス供給経路１７２ｂを介して，バッフル板１６４に供給される。また，エレクトロボディ１７２には，冷媒循環路１７２ｃが内装されている。冷媒循環路１７２ｃには，冷媒が循環する。冷媒は，処理時に上部電極１２４に生じた熱を吸熱する。このため，上部電極１２４は，所定温度に維持される。また，エレクトロボディ１７２とクーリングプレート１５４との間には，気密性を保つためのＯリング１９５と，導電性を確保するための導電性Ｏリング１８２とが介装されている。
（ｄ）取り外し機構の構成
次に，取り外し機構２０８について説明する。取り外し機構２０８は，第３アセンブリ２０６単体，または第３アセンブリ２０６と第２アセンブリ２０４を一体的に装着位置から移動させて，エッチング装置１００から分離するためのものである。また取り外し機構２０８は，プレート部２１２と，アーム部２１４と，不図示の駆動機構に接続され，駆動軸２１６から構成されている。プレート部２１２は，締結部材２１０によってマッチングボックス１３６に締結される。アーム部２１４は，プレート部２１２を支持する。駆動軸２１６は，アーム部２１４を介してプレート部２１２を上下動および水平方向に回転させる。なお，取り外し機構２０８の動作と，第２および第３アセンブリ２０４，２０６の着脱構成については，後述する。
（３）第１〜第３アセンブリの着脱構成
次に，第３図〜第６図を参照しながら，第１〜第３アセンブリ２０２，２０４，２０６の着脱構成について詳細に説明する。ただし，以下の説明は，上部電極１２４のメンテナンスおよび処理室１０２内のメンテナンスを行う場合の例である。なお，第３図（ａ），第４図（ａ），第５図（ａ）および第６図（ａ）は，エッチング装置１００全体を示す概略的な斜視図であり，第３図（ｂ），第４図（ｂ），第５図（ｂ）および第６図（ｂ）は，シールドボックス１０６周辺を示す概略的な拡大断面図である。
まず，第３図（ａ）および第３図（ｂ）に示すように，取り外し機構２０８のプレート部２１２をマッチングボックス１３６に締結部材２１０で締結する。次いで，シールドボックス１０６と支持プレート１４６とを固定する第２ロッキング機構１５０を解除する。その後，不図示の駆動機構により駆動軸２１６を上昇および回転させる。これにより，第３アセンブリ２０６を一体的に上昇および回転させて，第３アセンブリ２０６を装着位置から退避させる。なお，第３アセンブリ２０６は，上述の如くマッチングボックス１３６とシールドボックス１０６と給電棒１７８とエレクトロボディ１７２から成る。かかる工程により，第１および第２アセンブリ２０２，２０４が露出する。上述の如く，第３アセンブリ２０６のエレクトロボディ１７２と第１アセンブリ２０２のクーリングプレート１５４とがネジ等で固定されていない。このため，上記操作が可能となっている。
次いで，第４図（ａ）および第４図（ｂ）に示すように，インシュレータ１５８内に収容されているクーリングプレート１５４に治具２１８を取り付ける。その後，この治具２１８により，メンテナンス作業者の手で第１アセンブリ２０２を取り外す。なお，第１アセンブリ２０２は，上述の如くクーリングプレート１５４と上部電極１２４とバッフル板１６４から成る。かかる工程により，処理室１０２上には，第２アセンブリ２０４のみが残される。また，取り外された第１アセンブリ２０２は，所定のメンテナンスが行われる。例えば，上部電極１２４に処理時に生じた反応生成物等が付着している場合には，上部電極１２４をクリーニングする。また，例えば上部電極１２４がプラズマの衝突により消耗している場合には，上部電極１２４を交換する。なお，第１アセンブリ２０２のメンテナンス終了後には，第１アセンブリ２０２は，上記とは逆順の工程を行うことにより元の状態に戻される。
次いで，第５図（ａ）および第５図（ｂ）に示すように，第１アセンブリ２０２を外したままの状態で駆動軸２１６を回転および降下させる。その後，第３アセンブリ２０６を第２アセンブリ２０４に装着し，シールドボックス１０６と支持プレート１４６とを第２ロッキング機構１５０で固定する。
次いで，第６図（ａ）および第６図（ｂ）に示すように，支持プレート１４６と処理容器１０４とを固定する第１ロッキング機構２００を解除する。その後，再び駆動軸２１６を上昇および回転させて，第３アセンブリ２０６とともに，第２アセンブリ２０４を一体的に装着位置から退避させる。これにより，処理室１０２内が開放される。さらに，処理室１０２内に配されているシールドリング１４４を，作業者が取り外すことにより，処理室１０２内が完全に解放される。その後，処理室１０２内のメンテナンスを行い，例えば処理容器１０４の内壁に付着している付着物を除去するクリーニングを行う。この際，取り外されたシールドリング１４４についても，メンテナンスを行っても良い。
また，所定のメンテナンス終了後，第１〜第３アセンブリ２０２，２０４，２０６を取り付ける場合には，上記とは逆順の工程を行えば良い。すなわち，まず第６図（ａ）および第６図（ｂ）に示すように，シールドリング１４４を処理室１０２側壁に嵌め込む。その後，退避している第２および第３アセンブリ２０４，２０６を，第５図（ａ）および第５図（ｂ）に示すように，処理容器１０４上に載置する。さらに，支持プレート１４６を第１ロッキング機構２００で処理容器１０４に固定する。次いで，第２ロッキング機構１５０を解除し，第３アセンブリ２０６のみを装着位置から退避させる。その後，第４図（ａ）および第４図（ｂ）に示すように，第１アセンブリ２０２を第２アセンブリ２０４に装着する。その後，第３図（ａ）および第３図（ｂ）に示すように，退避している第３アセンブリ２０６を，第２図に示すように，第２アセンブリ２０４に装着する。さらに，第２ロッキング機構１５０によりシールドボックス１０６と支持プレート１４６とを固定する。これにより，第１〜第３アセンブリ２０２，２０４，２０６がエッチング装置１００に取り付けられる。
また，上述した例では，上部電極１２４と処理室１０２内のメンテナンスの両方を行う場合について説明した。ただし，以下のようにして，上部電極１２４のメンテナンスのみを行うこともできる。すなわち，上述した第３図（ａ）および第３図（ｂ）と，第４図（ａ）および第４図（ｂ）に対応する各工程を行い，第１アセンブリ２０２を取り除く。その後，取り外された第１アセンブリ２０２の上部電極１２４にメンテナンスを行う。再びメンテナンス済みの第１アセンブリ２０２を第２アセンブリ２０４に装着する。この際，取り外された第１アセンブリ２０２を再び装着するのではなく，スペアのメンテナンス済みの第１アセンブリ２０２を第２アセンブリ２０４に装着すれば，メンテナンス時間を短縮できる。そして，第２図に示すように，第３アセンブリ２０６を装着すれば，メンテナンスが終了する。
本実施の形態は，以上のように構成されている。かかる構成によれば，上部電極ユニット１０３が，それぞれ一体化された第１〜第３アセンブリ２０２，２０４，２０６に分割されている。また，重量が重く大きさが大きい第２および第３アセンブリ２０４，２０６を取り外し機構２０８で移動させる。このため，メンテナンス作業者への負担を軽減できる。また，作業者が取り外す第１アセンブリ２０２は，第２アセンブリ２０２から上方に引き抜くように構成されている。このため，作業姿勢を改善することができる。さらに，第１〜第３アセンブリ２０２，２０４，２０６の着脱時には，締結部材の取り外しあるいは取り付け作業が不要である。このため，メンテナンス時間を大幅に短縮することができる。
（第２の実施の形態）
次に，第７図〜第１１図を参照しながら，本発明にかかるプラズマ処理装置の基礎フレームおよびその施工方法をエッチング装置およびその施工方法に適用した実施の形態について説明する。
（１）基礎フレームの構成
エッチング装置１００は，第７図に示すように，ロードロック装置３６２とともに，プロセスシップ（キャスタ）３０２と基礎フレーム３０６により，各装置を設置する基礎上，例えばクリーンルームの床部３５２上に設置されている。ロードロック装置３６２は，エッチング装置１００と搬送装置３６４とを接続し，ウェハＷの搬送路を備えている。プロセスシップ３０２は，エッチング装置１００とロードロック装置３６２とを支持する支持フレームを兼ねている。また，プロセスシップ３０２は，着脱自在な車輪３７０を備えており，移動自在に構成されている。
基礎フレーム３０６は，プロセスシップ３０２と搬送装置３６４を支持する。なお，搬送装置３６４は，基礎フレーム３０６上ではなく，床部３５２上に設置しても良い。また，基礎フレーム３０６は，エッチング装置１００，ロードロック装置３６２，搬送装置３６４などの重量が負荷されても耐え得る強度を有する材料，例えば鋼材から成り，第８図に示すように，略枠状の形状を有している。なお，基礎フレーム３０６は，第８図に示す例では一体形成されているが，２以上に分割形成しても良い。また，基礎フレーム３０６には，段部３０６ａが設けられている。段部３０６ａは，他の部分よりも薄い厚みに形成されている。かかる構成により，プロセスシップ３０２が基礎フレーム３０６上を通過できる。
また，基礎フレーム３０６には，第７図および第８図に示すように，第１〜第５中継配管３０８，３１０，３１２，３１４，３１６が内装，あるいは取り付けられている。かかる構成により，エッチング装置１００との間で所定のガスや液体を伝達するための後述する各配管を例えば，ワンタッチ方式で接続できる。第１〜第５中継配管３０８，３１０，３１２，３１４，３１６は，エッチング装置１００の配管の接続位置に応じて予め設計され，配置される。
第７図に示すように，第１中継配管３０８には，不図示の冷媒タンクから冷媒循環路１１０へ冷媒を供給する第１給水管１１６ａと第２給水管１１６ｂが各々接続されている。第２中継配管３１０には，冷媒循環路１１０から冷媒タンクへ冷媒を排出する第１排水管１１８ａと第２排水管１１８ｂが各々接続されている。第３中継配管３１２には，不図示のガス供給源からエッチング装置１００へ乾燥空気を供給する第１ガス供給管３２２ａと第２ガス供給管３２２ｂが各々接続されている。第４中継配管３１４には，不図示のガス供給源から上記処理室１０２内へ不活性ガスを供給する第３ガス供給管３２４ａと第４ガス供給管３２４ｂが各々接続されている。第５中継配管３１６には，上記ターボ分子ポンプ１３２から不図示のドライポンプへ排ガスを排気する第１排気管３３０ａと第２排気管３３０ｂが各々接続されている。
また，第１中継配管３０８と第３中継配管３１２と第４中継配管３１４には，開閉手段としての開閉バルブ３２０，３２６，３２８が介装されている。開閉バルブ３２０，３２６，３２８は，それぞれ基礎フレーム３０６に内装されている。かかる構成により，開閉パルブ３２０，３２６，３２８を閉じておけば，エッチング装置１００の設置前に第１，第３および第４中継配管３０８，３１２，３１４までガス等を供給できる。このため，エッチング装置１００の設置後に迅速にガス等を供給できる。
また，第７図および第８図に示すように，基礎フレーム３０６には，上述したガスボックス１８６が固定されている。ガスボックス１８６には，第６中継配管３１８が設けられている。第６中継配管３１８には，ガス供給源１８４から上記処理室１０２内へ処理ガスを供給する第５ガス供給管３３２ａと第６ガス供給管３３２ｂが各々接続されている。また，第６中継配管３１８には，ガスボックス１８６に内装された開閉バルブ３３０が介装されている。なお，第７図に示すガスボックス１８６内には，一系統のみのガス供給系が図示されているが，実際には，処理室１０２に供給する処理ガスの各構成ガスの数に応じてガス供給系が設けられる。
また，基礎フレーム３０６には，第７図および第８図に示すように，中継配線３５４が内装されている。中継配線３５４には，第７図に示すように，不図示の電源から出力された電力をエッチング装置１００に伝達する第１配線３５６ａと第２配線３５６ｂが各々接続されている。かかる構成により，エッチング装置１００に電力を供給する配線も，例えばワンタッチ方式で接続できる。また，中継配線３５４は，エッチング装置１００の配線の接続位置に応じて予め設計され，配置される。また，中継配線３５４には，第７図に示すように，オン・オフ手段としてのスイッチ３６０が介装されている。スイッチ３６０は，基礎フレーム３０６に内装されている。かかる構成により，スイッチ３６０を切っておけば，エッチング装置１００の設置前に中継配線３５４まで電力を供給できる。このため，エッチング装置１００の設置後に迅速に電力を供給できる。
なお，図示はしないが，基礎フレーム３０６には，ロードロック装置３６２用の上記と略同一に構成された中継配管や中継配線も介装されている。また，該中継配管や中継配線には，各々上記と同様の流体を供給排出する配管あるいは電源が接続されている。また，中継配管や中継配線には，適宜開閉バルブあるいはスイッチが介装されている。
（２）処理装置の施工方法
次に，エッチング装置１００の施工方法について説明する。まず，第７図および第９図に示すように，基礎フレーム３０６を，クリーンルームの床部３５２にボルトなどの耐震金具で固定する。また，エッチング装置１００等の設置前に，第７図および第８図に示すように，気体または液体の供給源や真空ポンプから成る流体源に接続された第１〜第６配管１１６ａ，１１８ｂ，３２２ａ，３２４ａ，３３２ａ，３３０ｂ，および電源に接続された第１配線３５６ａを，例えばクリーンルームの床下に埋め込む。その後，第１〜第６配管１１６ａ，１１８ｂ，３２２ａ，３２４ａ，３３２ａ，３３０ｂ，および第１配線３５６ａを，第１〜第６中継配管３０８，３１０，３１２，３１４，３１６，３１８，および中継配線３５４に各々接続する。
次いで，第９図に示すように，基礎フレーム３０６上に搬送装置３６４を設置する。なお，搬送装置３６４を基礎フレーム３０６上に設置しない場合には，搬送装置３６４を床部３５２上に設置する。また，搬送装置３６４内には，ウェハＷを搬送する不図示の搬送機構が配置されている。その後，搬送装置３６４にカセット室３６６を接続する。カセット室３６６内には，ウェハＷを収容する不図示のカセットが配置される。
次いで，プロセスシップ３０２を基礎フレーム３０６近傍まで移動させる。この際，プロセスシップ３０２上には，エッチング装置１００とロードロック装置３６２とが既に接続された状態で載置されている。さらに，第１０図に示すように，プロセスシップ３０２を，例えば基礎フレーム３０６に対して平行に配置する。次いで，第１１図に示すように，プロセスシップ３０２を，搬送装置３６４がロードロック装置３６２を接続可能なように位置合わせする。その後，車輪３７０に接続されている昇降機構３７２を降下させ，プロセスシップ３０２を基礎フレーム３０６上に載置する。次いで，車輪３７０を取り外すとともに，プロセスシップ３０２を基礎フレーム３０６に耐震金具等で固定する。なお，プロセスシップ３０２を床部３５２に固定しても良い。また，ロードロック装置３６２を搬送装置３６４に接続する。
次いで，第７図に示すように，第１〜第６中継配管３０８，３１０，３１２，３１４，３１６，３１８，および中継配線３５４に，エッチング装置１００に接続された各配管１１６ｂ，１１８ａ，３２２ｂ，３２４ｂ，３３２ｂ，３３０ａ，および第２配線３５６ｂを各々接続する。この際，上記各接続は，プロセスシップ３０２に設けられた貫通口３０２ａを介して行われる。
本実施の形態は，以上のように構成されており，エッチング装置１００等の製造期間中などのエッチング装置１００等の搬入前に，エッチング装置１００等を支持する基礎フレーム３０６を基礎に固定できる。さらに，引き回しが困難な流体源側の各配管１１６ａ，１１８ｂ，３２２ａ，３２４ａ，３３２ａ，３３０ｂを配管し，第１〜第６中継配管３０８，３１０，３１２，３１４，３１６，３１８に接続できる。その結果，エッチング装置１００等の取り付け後から稼働開始に至るまでの時間を大幅に短縮できる。また，開閉バルブ３２０，３２６，３２８，３３０を閉じておけば，エッチング装置１００を接続する前にガス等が漏れることがない。
以上，本発明の好適な実施の形態について，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更例および修正例に想到し得るものであり，それら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば，上記第１の実施の形態において，上部電極ユニットが第１〜第３アセンブリから成ることや，各アセンブリに含まれるクーリングプレート等の部材を規定して説明したが，本発明はかかる規定に限定されない。本発明は，アセンブリの数が２つあるいは４つ以上の場合や，各アセンブリに含まれる部材が上記実施の形態と異なる場合でも実施できる。
また，上記第１の実施の形態において，第１ロッキング機構により第２アセンブリの位置決めを行う構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。例えば，処理容器上面に形成された凸部や凹部に，支持プレートの下面に形成された凹部や凸部を係合させれば，第１ロッキング機構を用いなくても第２アセンブリの位置決めを行うことができる。なお，かかる場合でも，上述した各アセンブリの自重と処理室内外の圧力差により，処理容器を気密に維持できる。
さらに，上記第１の実施の形態において，バックル機構から成る第１および第２ロッキング機構を採用する構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，第２アセンブリと処理容器，あるいは第２アセンブリと第３アセンブリとを相互に位置決めでき，固定できれば，他の機構から成るロッキング機構を採用しても実施できる。
さらに，上記第１の実施の形態において，インシュレータが支持プレートに支持される構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，例えばインシュレータを固定部材により支持プレートに固定しても実施できる。
さらに，上記第１の実施の形態において，取り外し機構をメンテナンス時のみにマッチングボックスに固定する構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，取り外し機構とマッチングボックスを常時固定しても実施できる。
さらに，上記第１の実施の形態において，上部電極に高周波電力が印加される構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，上部電極が接地電極であっても実施できる。
さらに，上記第１の実施の形態において，エレクトロボディや給電棒等を電力供給経路とした構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，エレクトロボディや給電棒等を接地経路としても実施できる。
また，上記第２の実施の形態において，特定の気体あるいは液体を伝達する中継配管を基礎フレームに設ける構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，プラズマ処理装置に要求されるいかなる流体を伝達する中継配管を基礎フレームに設けても実施できる。また，基礎フレームに設けられる中継配管数や中継配線数も，処理装置の設計に応じて適宜増減させることができる。
さらに，上記第２の実施の形態において，中継配管および中継配線を基礎フレームの特定個所に内装あるいは取り付ける構成を例にあげて説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，中継配管や中継配線を，処理装置の設計に応じて適宜基礎フレームに内装あるいは取り付けても実施できる。
さらに，上記第２の実施の形態において，エッチング装置にロードロック装置を接続したユニットを搬送装置に接続する構成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，中継配管や中継配線の接続が必要な各種処理装置を単独であるいは２以上を接続した状態で設置する場合にも適用可能である。
また，上記第１および第２の実施の形態において，平行平板型のエッチング装置を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，マグネトロン型や誘導結合型などの各種プラズマ処理装置にも適用できる。また，本発明は，アッシング処理や成膜処理などの各種プラズマ処理を行う装置にも適用可能である。また，本発明は，ＬＣＤ用ガラス基板に処理を施す装置にも適用できる。
本発明によれば，電極や処理室内のメンテナンスを行う作業者の作業姿勢を改善できる。さらに，重量が重く，大きさの大きい部材を作業者が着脱する必要がない。このため，作業者の負担を軽減できる。また，作業者が作業を行う工程を大幅に削減できる。このため，メンテナンス時間を短縮できる。また，本発明の他の観点によれば，プラズマ処理装置の設置から装置の稼働までの時間を短縮できる。このため，迅速に半導体装置の生産を開始できる。
産業上の利用の可能性
本発明は，プラズマ処理装置，特にプラズマエッチング装置，プラズマアッシング装置，プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は，本発明を適用可能なエッチング装置を示す概略的な断面図である。
第２図は，第１図に示すエッチング装置の上部電極ユニットを表す概略的な拡大断面図である。
第３図は，第１図に示すエッチング装置の上部電極および処理室内のメンテナンス工程を説明するための概略的な説明図である。
第４図は，第１図に示すエッチング装置の上部電極および処理室内のメンテナンス工程を説明するための概略的な説明図である。
第５図は，第１図に示すエッチング装置の上部電極および処理室内のメンテナンス工程を説明するための概略的な説明図である。
第６図は，第１図に示すエッチング装置の上部電極および処理室内のメンテナンス工程を説明するための概略的な説明図である。
第７図は，第１図に示すエッチング装置の基礎フレームを説明するための概略的な説明図である。
第８図は，第７図に示す基礎フレームを表す概略的な斜視図である。
第９図は，第１図に示すエッチング装置の施工方法を説明するための概略的な説明図である。
第１０図は，第１図に示すエッチング装置の施工方法を説明するための概略的な説明図である。
第１１図は，第１図に示すエッチング装置の施工方法を説明するための概略的な説明図である。

Claims (8)

1. 被処理体にプラズマ処理を施す処理室と，前記処理室の上部壁を形成する上部電極ユニットと，前記上部電極ユニットを前記処理室から取り外す取り外し機構を備えたプラズマ処理装置において：
   前記上部電極ユニットは，前記処理室内に高周波電力を供給する電極または接地された電極を含む第１アセンブリと，前記第１アセンブリを保持する第２アセンブリと，前記高周波電力の供給経路または接地経路を含む第３アセンブリとを含み，
   前記各アセンブリの間および／または前記上部電極ユニットと前記処理室との間に位置し、着脱可能に固定されたロック機構を解除することにより、前記取り外し機構は，前記第１，第２および第３アセンブリを単独でまたは一体的に取り外し可能であることを特徴とする，プラズマ処理装置。
2. 前記ロック機構は、前記第２アセンブリと処理容器とを接続する第１ロック機構と，前記第２アセンブリと前記第３アセンブリとを接続する第２ロック機構とを備え，
   前記第１ロック機構により前記処理容器と前記第２アセンブリとを接続した状態で前記第２ロック機構を解除することにより，前記取り外し機構は，前記第３アセンブリを単独で取り外し可能であることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記第３アセンブリを取り外した後，前記第１アセンブリは，前記取り外し機構を用いずに取り外し可能であることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記ロック機構は、前記第２アセンブリと処理容器とを接続する第１ロック機構と，前記第２アセンブリと前記第３アセンブリとを接続する第２ロック機構とを備え，
   前記第２ロック機構により前記第２アセンブリと前記第３アセンブリとを接続した状態で，前記第１ロック機構を解除することにより，前記取り外し機構は，少なくとも前記第２アセンブリと前記第３アセンブリとを一体的に取り外し可能であることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
5. 被処理体にプラズマ処理を施す処理室と，前記処理室の上部壁を構成する上部電極ユニットと，前記上部電極ユニットを前記処理室から取り外す取り外し機構とを備え，前記上部電極ユニットは少なくとも第１アセンブリと第２アセンブリと第３アセンブリとを含むプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって：
   前記第３アセンブリを前記取り外し機構に固定して取り外す工程と；
   前記第１アセンブリを前記取り外し機構を用いずに取り外す工程と；
   前記第３アセンブリと前記第２アセンブリを一体的に組み合わせる工程と；
   前記第２アセンブリが組み合わされた前記第３アセンブリを前記取り外し機構に固定して取り外す工程と；
   前記第１アセンブリ，前記第２アセンブリ，前記第３アセンブリ，前記処理室の少なくともいずれかをメンテナンスする工程と；
   を含むことを特徴とする，プラズマ処理装置のメンテナンス方法。
6. 前記第１アセンブリは，前記処理室内に高周波電力を供給する電極または接地された電極を含み，
   前記第２アセンブリは，前記第１アセンブリを保持し，
   前記第３アセンブリは，前記高周波電力の供給経路または接地経路を含むことを特徴とする，請求項５に記載のプラズマ処理装置のメンテナンス方法。
7. 被処理体にプラズマ処理を施す処理室と，前記処理室の上部壁を構成する上部電極ユニットと，前記上部電極ユニットを前記処理室から取り外す取り外し機構とを備え，前記上部電極ユニットは少なくとも第１アセンブリと第２アセンブリとを含むプラズマ処理装置のメンテナンス方法であって：
   前記第１アセンブリを前記取り外し機構に固定して取り外す工程と；
   前記第２アセンブリを前記取り外し機構を用いずに取り外す工程と；
   取り外された前記第２アセンブリをメンテナンスする工程と；
   メンテナンスが完了した前記第２アセンブリを前記取り外し機構を用いずに元の位置に戻す工程と；
   前記取り外し機構に固定された前記第１アセンブリを元の位置に戻す工程と；
   を含むことを特徴とする，プラズマ処理装置のメンテナンス方法。
8. 前記第１アセンブリは，前記処理室内に高周波電力を供給する電極または接地された電極を含み，
   前記第２アセンブリは，前記第１アセンブリを保持することを特徴とする，請求項７に記載のプラズマ処理装置のメンテナンス方法。

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