JP4543582B2 - Circuit device and adjustment data setting method for circuit device - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電源電圧に基づいて基準電圧を発生させる基準電圧発生回路と、前記基準電圧を増幅することで定電圧を発生させる定電圧発生回路と、電源の投入または切断に基づく前記定電圧のレベル変化に応じてリセット信号を出力するリセット回路とを備えて構成される回路装置、及びその回路装置について、定電圧のレベルとリセットオン出力しきい値を調整するための調整データを設定する設定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、LSIの一部として構成され、例えば当該LSIの動作用電源を供給する定電圧発生回路は、基準電圧発生回路が出力する基準電圧を適当な増幅率で増幅して一定の電圧Vccを発生させるように構成されている。しかし、LSIには製造ばらつきがあることから、基準電圧自体が必ずしも一定ではない。そのため、LSIの製造後において、定電圧発生回路が発生させる電圧Vccが所定の電圧となるように調整を行うトリミング作業が必要となる。
【0003】
図3乃至図5は、斯様な回路装置の一構成例を示すものである。回路装置1は、LSIとして形成されている半導体センサ2(例えば、Gセンサ)の一部である。基準電圧発生回路3は、例えばバンドギャップレギュレータとして構成されており、2V以上の電源電圧が外部より供給されると標準で1.25Vの基準電圧VBGR を発生させるようになっている。その基準電圧VBGR は、定電圧発生回路4及びパワーオンリセット回路5に供給されている。
【0004】
図4に、基準電圧発生回路3の詳細な構成を示す。基準電圧発生回路3は、ダイオード接続された2つのトランジスタ6,7(ダイオードのシンボルで示す)とオペアンプ8とを中心として構成されている。オペアンプ8の出力端子とグランドとの間には、抵抗9及びトランジスタ6の直列回路並びに抵抗10,11及びトランジスタ7の直列回路が接続されている。そして、抵抗9及びトランジスタ6の共通接続点はオペアンプ8の非反転入力端子に接続されており、抵抗10及び11の共通接続点はオペアンプ8の反転入力端子に接続されている。尚、抵抗11,トランジスタ7は、温度特性やトランジスタの特性調整を行うため、即ちトリミング用に複数個が夫々直列,並列に接続されている場合もある。
【0005】
リセット回路5は、基準電圧VBGR と定電圧発生回路4が発生させる定電圧Vccとを比較して、半導体センサ2に対する電源の投入または切断に基づいて定電圧Vccが所定のレベルに変化した場合にリセットオン,オフを行うためのリセット信号(パワーオンリセット電圧VPOR )を出力する回路である。リセット信号は、半導体センサ2においてA/D変換されたセンサ信号の処理を行う論理回路など(図示せず)をリセットするために供給される。
【0006】
定電圧発生回路4は、図5に示すように非反転増幅器として構成されており、デコーダ12,セレクタ13,直列抵抗回路14,オペアンプ15などを備えている。直列抵抗回路14は、オペアンプ15の出力端子とグランドとの間に9個の抵抗14a〜14iが直列接続されており、両端以外の各接続点は、スイッチアレイとして構成されるセレクタ13を介してオペアンプ15の反転入力端子に接続されている。オペアンプ15の非反転入力端子には、基準電圧発生回路3が発生する基準電圧VBGR が与えられている。デコーダ12は、後述するEPROM16より与えられる3ビットの調整データをデコードしてセレクタ13に出力するものであり、セレクタ13は、そのデコード信号に応じて8個のスイッチ13a〜13hの何れか1つを選択的に閉じるようになっている。
【0007】
定電圧発生回路4は、基準電圧VBGR が標準値の1.25Vであればその電圧を4倍程度に増幅して5V程度の定電圧Vccを発生させる。その電圧増幅率は、セレクタ13のスイッチを切り替えて帰還抵抗の抵抗値を可変することで調整可能となっている。
【0008】
EPROM16は、3ビット分ののEPROMメモリセルで構成されており、センスアンプの出力はパラレルデータバスを介して定電圧発生回路4のデコーダ12に直結されている。そして、メモリセルに書き込まれたデータはEPROM16に電源が投入されている間は定電圧発生回路4に出力され続けるようになっている。
【0009】
以上の構成において定電圧Vccのトリミングを行う場合は、作業者が、基準電圧VBGR の値を電圧計などを用いて測定し、その電圧に応じた増幅率を定電圧発生回路4に設定するため、調整データをEPROM16に書き込む。そして、半導体センサ2を動作させるために外部より電源が供給されればEPRPOM16に書き込まれた調整データは定電圧発生回路4に出力されるので、定電圧発生回路4はその調整データに応じた増幅率で定電圧Vccを発生させる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来は、斯様な構成の半導体センサ2やマイクロコンピュータなどでは、一般にリセット回路5においてリセットオンの出力しきい値をトリミングすることはなかった。しかしながら、例えば半導体センサ2の仕様などによっては、5Vの定電圧Vccに対して常に4.5Vでリセットがかかるようにしたいという要請がある場合も想定される(例えば、半導体センサとしての動作特性を保証するためなど)。
【0011】
その場合、上述した定電圧発生回路4と同様の構成を採用してリセット回路5についてもリセットしきい値を調整するためのトリミングを行うことを想定すると、その調整データのビット数だけEPROMを追加する必要があり、回路面積を余分に必要とすることになる。また、トリミング工程も別途必要になることから作業工数が増加するという問題が予想される。
【0012】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、リセット回路についてもリセットしきい値を調整する場合に、そのための回路面積を余分に必要とすることなく、トリミングも別途必要としない回路装置、及びその回路装置に定電圧のレベルとリセットオン出力しきい値を調整するための調整データを設定する設定方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の回路装置によれば、定電圧発生回路及びリセット回路に対して、調整データ出力部より不揮発性のメモリに記憶されている調整データが共通に出力され、定電圧発生回路とリセット回路とは、何れもその調整データに基づいて増幅率,リセットオン出力しきい値が調整可能に構成されている。
【0014】
即ち、基準電圧が標準レベルよりも高い場合に定電圧を出力させるには、定電圧発生回路の増幅率を標準よりも小さくする必要がある。また、リセット回路は、前記定電圧を基準電圧と比較することでリセット信号を出力する構成であるから、基準電圧が標準レベルよりも高い場合に定電圧の同じ変化レベルでリセットがかかるようにするためには、出力しきい値を高くする必要がある。また、基準電圧が標準レベルよりも低い場合には、大小関係について上記と逆のことが言える。
【0015】
従って、例えば、調整データ出力部のメモリに記憶される調整データを、基準電圧発生回路が発生する基準電圧が標準レベルよりも低い程データ値が小さくなり、前記基準電圧が標準レベルよりも高い程データ値が大きくなるように設定すると共に、定電圧発生回路を調整データが大きくなる程増幅率が高くなるように構成し、リセット回路を調整データの大きくなる程リセットオン出力しきい値が低くなるように構成する。勿論、上記調整データのデータ値の大小と、増幅率,リセットオン出力しきい値の高低との関係は逆であっても良い。
【0016】
斯様に構成すれば、製造プロセスのばらつきなどにより基準電圧が変動する場合でも、調整データ出力部より出力される共通の調整データによって、定電圧発生回路より発生される定電圧とリセット回路より出力されるリセット信号のしきい値とが夫々適切となるように同時に調整することが可能となる。そして、リセット回路についても調整が必要である場合に調整データ出力部を余分に必要とすることがないので、回路装置を小形かつローコストで構成することができる。また、トリミング作業の工程を別途追加する必要もないことから、調整を簡単に行うことができる。
【0017】
請求項2記載の回路装置によれば、リセット回路を、調整データ出力部より出力される調整データによってリセットオフ出力しきい値も同時に設定可能とするので、例えば、調整データに基づき、前記基準電圧が標準レベルよりも低い程リセットオフ出力しきい値が低くなり、基準電圧が標準レベルよりも高い程リセットオフ出力しきい値が高くなるように構成すれば、リセットを解除する電圧レベルについても調整する必要がある場合にも対応することができる。
【0018】
請求項3記載の回路装置の調整データ設定方法によれば、基準電圧発生回路と、定電圧発生回路と、これらに調整データを共通に出力するように構成される調整データ出力部とを備え、定電圧発生回路は調整データに基づいた電圧増幅率が設定されるように構成され、リセット回路は調整データに基づいたリセットオン出力しきい値が設定されるように構成されている回路装置について前記調整データを設定する場合に、基準電圧発生回路が発生する基準電圧のレベルを測定し、前記基準電圧が標準レベルよりも高い程前記増幅率が低くなると共に前記リセットオン出力しきい値が高くなるようにデータ値を設定する。
【0019】
この場合、例えば、調整データを、前記基準電圧が標準レベルよりも低い程データ値が小さくなり、基準電圧が標準レベルよりも高い程データ値が大きくなるようにデータ値を設定して、定電圧発生回路とリセット回路とを、そのデータ値の大小関係に応じて増幅率,リセットオン出力しきい値が夫々上記のように調整される構成にすれば良い。勿論、上記調整データのデータ値の大小と、増幅率,リセットオン出力しきい値の高低との関係は逆であっても良い。
【0020】
斯様に調整データを設定することで、製造プロセスのばらつきなどによって基準電圧が変動する場合でも、調整データ出力部より出力される共通の調整データによって、定電圧発生回路より発生される基準電圧とリセット回路より出力されるリセット信号とを適切に調整することが可能となり、リセット回路についても調整が必要である場合でも調整データ出力部を余分に必要とすることなく、また、トリミング作業の工程を追加する必要もないことから、調整を簡単に行うことができる。
【0021】
請求項4記載の回路装置の調整データ設定方法によれば、リセット回路は、調整データ出力部より出力される調整データによってリセットオフ出力しきい値も同時に設定可能であり、調整データに基づいて、前記基準電圧が標準レベルよりも低い程リセットオフ出力しきい値が低くなり、基準電圧が標準レベルよりも高い程前記リセットオフ出力しきい値が高くなるので、リセットを解除する電圧レベルについても調整する必要がある場合にも対応することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を半導体センサの一部として構成される回路装置に適用した場合の一実施例について図1及び図2を参照して説明する。尚、図3乃至図5と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。図1において、半導体センサ21の一部として構成される回路装置22は、図3に示すパワーオンリセット回路5をパワーオンリセット回路23に置き換えたものである。そして、リセット回路23には、EPROM16に代わるEPROM(調整データ出力部)24より出力される調整データが、定電圧発生回路4と共通に与えられるようになっている。
【0023】
図2は、リセット回路23の詳細な電気的構成を示すものである。リセット回路23は、コンパレータ24,直列抵抗回路25,2組のセレクタ26A,26B及びデコーダ27などで構成されている。デコーダ27は、定電圧発生回路4が備えているデコーダ12と同様に、3ビットの調整データをデコードしたデコード信号をセレクタ26A,26Bに出力するようになっている。
【0024】
直列抵抗回路25は、定電圧Vccとグランドとの間に12個の抵抗25a〜25lを直列接続して構成されている。セレクタ26A,26Bは、夫々8個のスイッチを備えており、セレクタ26A,26Bは夫々リセットオフ,オンのしきい値設定用である。セレクタ26Aの8個のスイッチ26Aa〜26Ahの一端は、直列抵抗回路25の抵抗25a〜25i間における8つの共通接続点に夫々接続されており、セレクタ26Bの8個のスイッチ26Bd〜26Bkの一端は、抵抗25d〜25l間における8つの共通接続点に夫々接続されている。
【0025】
そして、セレクタ26Aのスイッチ26Aa〜26Ahの共通に接続されている他端側は、スイッチ28Aを介してコンパレータ24の非反転入力端子に接続されており、セレクタ26Bのスイッチ26Bd〜26Bkの他端側は、スイッチ28Bを介して前記非反転入力端子に接続されている。また、コンパレータ24の反転入力端子には基準電圧VBGR が与えられている。
【0026】
デコーダ27は8本のデコード信号をセレクタ26A,26Bに出力しているが、それらの信号はスイッチ26Aa及び26Bd〜スイッチ〜26Ah及び26Bkに夫々与えられている。即ち、リセットオフ側のしきい値は、直列抵抗回路25が有している12個の共通接続点の内、定電圧Vcc側の8個を選択することで決定され、リセットオン側のしきい値は、前記12個の共通接続点の内、グランド側の8個を選択することで決定されるようになっている。
【0027】
また、コンパレータ24の非反転入力端子に接続されている2つのスイッチ28A,28Bのオンオフは、シュミットトリガバッファ29が定電圧Vccを受けて出力する信号によって切り替えられる。即ち、スイッチ28Aにはバッファ29の出力信号が直接与えられており、スイッチ28Bには前記出力信号がインバータゲート30で反転されたものが与えられている。従って、定電圧Vccの立ち上がり時にはスイッチ28Aがオフ→オンに切り替わり、立ち下がり時にはスイッチ28Bがオフ→オンに切り替わる。
【0028】
以上の構成において、基準電圧発生回路3が出力する基準電圧VBGR が標準値の1.25Vである場合には、3ビットの調整データ(0〜7)のデータ値を例えば“3”に設定する。そして、定電圧発生回路4は、データ値“3”が与えられると、デコーダ12より出力されるデコード信号に応じて電圧増幅率を“4”に設定し、定電圧Vccを約5Vで出力するようになっている。
【0029】
一例として、直列抵抗回路14の抵抗14aの抵抗値が10.25kΩ,14iの抵抗値が3kΩ,14b〜14hの抵抗値が各0.25kΩであるとする。
そして、データ値“3”に対応して出力されるデコード信号によりセレクタ13のスイッチ13eが閉じて抵抗14e及び14fの共通接続点がオペアンプ15の反転入力端子に接続されると、非反転増幅器の増幅率は(1+11.25/3.75=4)となる。
【0030】
また、リセット回路23は、データ値“3”が与えられると、デコーダ27より出力されるデコード信号に応じて、リセットオンを出力する(VPOR をロウレベルにする)しきい値電圧を例えば4.5Vに設定し、リセットオフを出力する(VPOR をハイレベルにする)例えばしきい値電圧を4.75Vに設定するようになっている。即ち、デコード信号によってセレクタ26A,26Bのスイッチ26Ae及び26Bhがオンされて、夫々の分圧抵抗比により各しきい値が設定される。
その他の構成については、図3乃至図5に示すものと同様である。
【0031】
次に、本実施例の作用について説明する。回路装置22についてトリミングを行う場合は、半導体センサ21に電源を投入した状態で、作業者が基準電圧発生回路3が出力する基準電圧VBGR のレベルを測定する。そして、基準電圧VBGR が標準値の1.25Vである場合は3ビットの調整データのデータ値を“3”として、作業者は、そのデータ値“3”をEPROM24に書き込む。即ち、必要な書き込み電圧をEPROM24に印加した状態で、書き込みデータをデータバスに与えるようにする。この場合、各電圧は上述したように定まることになる。
【0032】
そして、基準電圧VBGR が標準値の1.25Vを下回っている場合は、その値に応じて調整データのデータ値を“0〜2”の何れかに決定し(例えば“2”とする)、作業者はその3ビットデータをEPROM24に書き込む。トリミング作業が終了し、半導体センサ21に改めて電源が投入されると、EPROM24はセンスアンプを介して3ビットのデータバスに書き込まれた調整データを出力する。すると、定電圧発生回路4では、セレクタ13において1つグランド側のスイッチ13fが代わって閉じることになる。この場合、非反転増幅器の増幅率はデータ値“3”の場合よりも大きくなるため、基準電圧VBGR の低下を増幅率を上昇させて補うことができ、略5Vの定電圧Vccが出力されるようになる。
【0033】
この時、リセット回路23では、セレクタ26A,26Bのスイッチ26Af及び26Biが代わって閉じることになる。即ち、基準電圧VBGR の低下に伴って、比較対象の分圧電位も低下させる必要があるからである。その結果、リセットオン,リセットオフの出力しきい値は、略4.5V,4.75Vに設定されることになる。
【0034】
一方、基準電圧VBGR が標準値の1.25Vを上回っている場合は、その値に応じて調整データのデータ値を“4〜7”の何れかに決定し(例えば“4”とする)、作業者はその3ビットデータをEPROM24に書き込む。そして、作業終了後半導体センサ21に改めて電源が投入されると、定電圧発生回路4では、セレクタ13において1つ電源側のスイッチ13dが代わって閉じることになる。この場合、非反転増幅器の増幅率はデータ値“3”の場合よりも小さくなるため、基準電圧VBGR の上昇に対して増幅率を低下させて調整する。
【0035】
この時、リセット回路23では、セレクタ26A,26Bのスイッチ26Ad及び26Bgが代わって閉じることになる。即ち、基準電圧VBGR の上昇に伴って、比較対象の分圧電位も上昇させる必要があるからである。そして、リセットオン,リセットオフの出力しきい値は、略所期の値に設定される。
【0036】
以上のように本実施例によれば、半導体センサ21の一部として構成される回路装置22の定電圧発生回路4とリセット回路5に対し、トリミング作業でEPROM24に記憶された共通の調整データを出力するようにした。そして、その調整データを、基準電圧VBRG が標準レベルよりも低い程データ値が小さくなり、基準電圧VBRG が標準レベルよりも高い程データ値が大きくなるように設定し、定電圧発生回路4を前記データ値の大きさに伴って電圧増幅率が高くなるように構成し、リセット回路5を前記データ値の大きさに伴ってリセットオン,オフの出力しきい値が低くなるように構成した。
【0037】
従って、製造プロセスのばらつきなどにより基準電圧VBGR が変動する場合でも、EPROM24より出力される共通の調整データに基づいて定電圧発生回路4より発生される定電圧Vccとリセット回路5より出力されるリセット信号のしきい値とを適切に調整することが可能となり、リセット回路5についても調整が必要な場合でもEPROM24を余分に必要とすることがないので、回路装置22を小形かつローコストで構成することができる。例えば、0.8μmプロセスの工程で3ビットのEPROM24を形成するには200μm×300μm程度の面積が必要となるため、その分のチップ面積を削減することが可能となる。また、トリミング作業の工程を追加する必要もないことから、調整作業を簡単に行うことができる。
【0038】
更に、本実施例によれば、リセット回路5を、調整データによってリセットオフ出力しきい値も同時に調整可能としたので、リセット解除の電圧レベルについても厳密に調整したいという要請がある場合にも対応することができる。そして、リセットオフ出力しきい値を調整するために用いる直列抵抗回路25を、リセットオン側に用いるものと共用するように構成したので、回路面積の増加を極力抑制することができる。
【0039】
本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
調整データのビット数は“3”に限らず、個別の設計に応じて適宜設定すれば良い。
また、各抵抗の抵抗値なども、個別の設計に応じて適宜変更して実施すれば良い。
測定した基準電圧のレベルに対する調整データの大小の設定を逆にして、その調整データに対応する増幅率,リセット信号しきい値の大小に関する設定を逆にしても良い。即ち、基準電圧が標準レベルよりも低い程データ値が大きくなり、基準電圧が標準レベルよりも高い程データ値が小さくなるように設定し、定電圧発生回路を調整データが大きくなる程増幅率が低くなるように構成し、リセット回路を調整データの大きくなる程リセットオン出力しきい値が高くなるように構成しても良い。
【0040】
リセット回路は、リセットオンの出力しきい値だけを調整可能に構成しても良い。
調整データ出力部を構成する不揮発性のメモリは、EPRPMに限らず、EEPROMやワンタイムPROMなどでも良い。
半導体センサに限らず、CPUやマイクロコンピュータ,車両用のECUや通信用IC等に適用しても良い。また、例えばCPUのように定電圧Vccが定格値に確定してから数100ms程度の時間が経過した後にリセットオフを行う必要があるものについては、リセット回路の出力側に適当な遅延回路を付加して対応すれば良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を半導体センサに適用した場合の一実施例であり、電気的構成を示す機能ブロック図
【図2】リセット回路の詳細な電気的構成を示す図
【図3】従来技術を示す図1相当図
【図4】基準電圧発生回路の詳細な電気的構成を示す図
【図5】定電圧発生回路の詳細な電気的構成を示す図
【符号の説明】
3は基準電圧発生回路、4は定電圧発生回路、22は回路装置、23はパワーオンリセット回路、24はEPROM(調整データ出力部)を示す。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention includes a reference voltage generation circuit that generates a reference voltage based on a power supply voltage, a constant voltage generation circuit that generates a constant voltage by amplifying the reference voltage, and a constant voltage generation circuit based on turning on or off of the power supply. A circuit device configured to include a reset circuit that outputs a reset signal according to a level change, and a setting for setting adjustment data for adjusting a constant voltage level and a reset-on output threshold for the circuit device Regarding the method.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a constant voltage generation circuit configured as part of an LSI, for example, supplying power for operating the LSI generates a constant voltage Vcc by amplifying the reference voltage output from the reference voltage generation circuit with an appropriate amplification factor. It is configured to let you. However, since the LSI has manufacturing variations, the reference voltage itself is not necessarily constant. For this reason, after the LSI is manufactured, a trimming operation for adjusting the voltage Vcc generated by the constant voltage generation circuit to be a predetermined voltage is required.
[0003]
3 to 5 show one configuration example of such a circuit device. The circuit device 1 is a part of a semiconductor sensor 2 (for example, a G sensor) formed as an LSI. The reference voltage generation circuit 3 is configured as, for example, a band gap regulator, and generates a reference voltage VBGR of 1.25 V as a standard when a power supply voltage of 2 V or more is supplied from the outside. The reference voltage VBGR is supplied to the constant voltage generation circuit 4 and the power-on reset circuit 5.
[0004]
FIG. 4 shows a detailed configuration of the reference voltage generation circuit 3. The reference voltage generation circuit 3 is configured around two diode-connected transistors 6 and 7 (indicated by a diode symbol) and an operational amplifier 8. A series circuit of the resistor 9 and the transistor 6 and a series circuit of the resistors 10 and 11 and the transistor 7 are connected between the output terminal of the operational amplifier 8 and the ground. The common connection point of the resistor 9 and the transistor 6 is connected to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 8, and the common connection point of the resistors 10 and 11 is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 8. Note that there are cases where a plurality of resistors 11 and transistors 7 are connected in series and in parallel for adjusting temperature characteristics and transistor characteristics, that is, for trimming.
[0005]
The reset circuit 5 compares the reference voltage VBGR with the constant voltage Vcc generated by the constant voltage generation circuit 4, and when the constant voltage Vcc changes to a predetermined level based on turning on or off of the power to the semiconductor sensor 2. This is a circuit for outputting a reset signal (power-on reset voltage VPOR) for turning on / off the reset. The reset signal is supplied to reset a logic circuit or the like (not shown) that processes the A / D converted sensor signal in the semiconductor sensor 2.
[0006]
As shown in FIG. 5, the constant voltage generation circuit 4 is configured as a non-inverting amplifier, and includes a decoder 12, a selector 13, a series resistance circuit 14, an operational amplifier 15, and the like. In the series resistance circuit 14, nine resistors 14a to 14i are connected in series between the output terminal of the operational amplifier 15 and the ground, and each connection point other than both ends is connected via a selector 13 configured as a switch array. It is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 15. A reference voltage VBGR generated by the reference voltage generation circuit 3 is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 15. The decoder 12 decodes 3-bit adjustment data supplied from an EPROM 16 to be described later and outputs the data to the selector 13. The selector 13 selects one of the eight switches 13a to 13h according to the decoded signal. Is to be closed selectively.
[0007]
If the reference voltage VBGR is 1.25 V, which is a standard value, the constant voltage generating circuit 4 amplifies the voltage by about four times to generate a constant voltage Vcc of about 5 V. The voltage amplification factor can be adjusted by changing the resistance value of the feedback resistor by switching the switch of the selector 13.
[0008]
The EPROM 16 is composed of 3-bit EPROM memory cells, and the output of the sense amplifier is directly connected to the decoder 12 of the constant voltage generation circuit 4 via a parallel data bus. The data written in the memory cell continues to be output to the constant voltage generation circuit 4 while the EPROM 16 is powered on.
[0009]
When trimming the constant voltage Vcc in the above configuration, the operator measures the value of the reference voltage VBGR using a voltmeter or the like, and sets the amplification factor corresponding to the voltage in the constant voltage generation circuit 4. The adjustment data is written in the EPROM 16. Then, if power is supplied from the outside in order to operate the semiconductor sensor 2, the adjustment data written in the ERPOM 16 is output to the constant voltage generation circuit 4, so that the constant voltage generation circuit 4 amplifies in accordance with the adjustment data. A constant voltage Vcc is generated at a rate.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, conventionally, in the semiconductor sensor 2 and the microcomputer having such a configuration, the reset-on output threshold value is generally not trimmed in the reset circuit 5. However, for example, depending on the specifications of the semiconductor sensor 2, there may be a case where there is a request to always reset at 5V with respect to a constant voltage Vcc of 5V (for example, operating characteristics as a semiconductor sensor). To guarantee).
[0011]
In this case, assuming that the reset circuit 5 is trimmed to adjust the reset threshold by adopting the same configuration as the constant voltage generation circuit 4 described above, EPROMs are added by the number of bits of the adjustment data. Therefore, an extra circuit area is required. Moreover, since a trimming process is required separately, a problem that the number of work steps increases is expected.
[0012]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to adjust the reset threshold value of the reset circuit without requiring additional circuit area and trimming separately. And a setting method for setting adjustment data for adjusting a constant voltage level and a reset-on output threshold value in the circuit device.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
According to the circuit device of claim 1, the adjustment data stored in the non-volatile memory is commonly output from the adjustment data output unit to the constant voltage generation circuit and the reset circuit, and the constant voltage generation circuit and the reset circuit are reset. Each circuit is configured such that the amplification factor and the reset-on output threshold can be adjusted based on the adjustment data.
[0014]
That is, in order to output a constant voltage when the reference voltage is higher than the standard level, it is necessary to make the amplification factor of the constant voltage generation circuit smaller than the standard. Further, since the reset circuit outputs a reset signal by comparing the constant voltage with a reference voltage, the reset circuit is reset at the same change level of the constant voltage when the reference voltage is higher than the standard level. Therefore, it is necessary to increase the output threshold value. When the reference voltage is lower than the standard level, the opposite can be said for the magnitude relationship.
[0015]
Therefore, for example, the adjustment data stored in the memory of the adjustment data output unit is such that the data value becomes smaller as the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit is lower than the standard level, and the reference voltage is higher than the standard level. In addition to setting the data value to be large, the constant voltage generating circuit is configured so that the amplification factor increases as the adjustment data increases, and the reset-on output threshold value decreases as the adjustment data increases. Configure as follows. Of course, the relationship between the magnitude of the data value of the adjustment data and the level of the amplification factor and the reset-on output threshold value may be reversed.
[0016]
With this configuration, even when the reference voltage fluctuates due to variations in the manufacturing process, etc., the constant voltage generated from the constant voltage generation circuit and the output from the reset circuit by the common adjustment data output from the adjustment data output unit It is possible to simultaneously adjust the threshold value of the reset signal to be appropriate. Further, when the reset circuit needs to be adjusted, an adjustment data output unit is not required, so that the circuit device can be configured in a small size and at a low cost. Further, since it is not necessary to add a trimming process separately, the adjustment can be easily performed.
[0017]
According to the circuit device of claim 2, the reset circuit can also set the reset-off output threshold value simultaneously with the adjustment data output from the adjustment data output unit. For example, based on the adjustment data, the reference voltage If the voltage is lower than the standard level, the reset-off output threshold will be lower, and if the reference voltage is higher than the standard level, the reset-off output threshold will be higher. If you need to do it, you can respond.
[0018]
According to the adjustment data setting method of the circuit device according to claim 3, comprising a reference voltage generation circuit, a constant voltage generation circuit, and an adjustment data output unit configured to output adjustment data in common to these, The constant voltage generation circuit is configured to set a voltage amplification factor based on the adjustment data, and the reset circuit is configured to set a reset-on output threshold based on the adjustment data. When setting adjustment data, the level of the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit is measured, and the higher the reference voltage is, the lower the amplification factor and the higher the reset-on output threshold. Set the data value as follows.
[0019]
In this case, for example, the adjustment data is set so that the data value decreases as the reference voltage is lower than the standard level, and the data value increases as the reference voltage is higher than the standard level. The generation circuit and the reset circuit may be configured such that the amplification factor and the reset-on output threshold value are adjusted as described above according to the magnitude relationship between the data values. Of course, the relationship between the magnitude of the data value of the adjustment data and the level of the amplification factor and the reset-on output threshold value may be reversed.
[0020]
By setting the adjustment data in this way, even when the reference voltage fluctuates due to variations in the manufacturing process, the reference voltage generated from the constant voltage generation circuit is generated by the common adjustment data output from the adjustment data output unit. It is possible to properly adjust the reset signal output from the reset circuit, and even if the reset circuit needs to be adjusted, the adjustment data output unit is not required and the trimming process can be performed. Since there is no need to add, adjustment can be easily performed.
[0021]
According to the adjustment data setting method of the circuit device according to claim 4, the reset circuit can simultaneously set the reset-off output threshold value by the adjustment data output from the adjustment data output unit, and based on the adjustment data, As the reference voltage is lower than the standard level, the reset-off output threshold is lower, and as the reference voltage is higher than the standard level, the reset-off output threshold is higher. Therefore, the voltage level for releasing the reset is also adjusted. If you need to do it, you can respond.
[0022]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment in which the present invention is applied to a circuit device configured as a part of a semiconductor sensor will be described below with reference to FIGS. The same parts as those in FIGS. 3 to 5 are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted, and only different parts will be described below. In FIG. 1, a circuit device 22 configured as a part of the semiconductor sensor 21 is obtained by replacing the power-on reset circuit 5 shown in FIG. 3 with a power-on reset circuit 23. The reset circuit 23 is provided with adjustment data output from an EPROM (adjustment data output unit) 24 instead of the EPROM 16 in common with the constant voltage generation circuit 4.
[0023]
FIG. 2 shows a detailed electrical configuration of the reset circuit 23. The reset circuit 23 includes a comparator 24, a series resistance circuit 25, two sets of selectors 26A and 26B, a decoder 27, and the like. Similar to the decoder 12 included in the constant voltage generation circuit 4, the decoder 27 outputs a decode signal obtained by decoding the 3-bit adjustment data to the selectors 26A and 26B.
[0024]
The series resistance circuit 25 is configured by connecting twelve resistors 25a to 25l in series between the constant voltage Vcc and the ground. The selectors 26A and 26B are each provided with eight switches, and the selectors 26A and 26B are for setting threshold values for reset off and on, respectively. One end of each of the eight switches 26Aa to 26Ah of the selector 26A is connected to each of eight common connection points between the resistors 25a to 25i of the series resistor circuit 25, and one end of each of the eight switches 26Bd to 26Bk of the selector 26B is Are connected to eight common connection points between the resistors 25d to 25l.
[0025]
The other end of the selector 26A that is commonly connected to the switches 26Aa to 26Ah is connected to the non-inverting input terminal of the comparator 24 via the switch 28A, and the other end of the switches 26Bd to 26Bk of the selector 26B. Is connected to the non-inverting input terminal via a switch 28B. A reference voltage VBGR is applied to the inverting input terminal of the comparator 24.
[0026]
The decoder 27 outputs eight decode signals to the selectors 26A and 26B, and these signals are given to the switches 26Aa and 26Bd to the switches to 26Ah and 26Bk, respectively. That is, the threshold value on the reset-off side is determined by selecting eight of the twelve common connection points of the series resistor circuit 25 on the constant voltage Vcc side. The value is determined by selecting eight of the twelve common connection points on the ground side.
[0027]
On / off of the two switches 28A and 28B connected to the non-inverting input terminal of the comparator 24 is switched by a signal output by the Schmitt trigger buffer 29 upon receiving the constant voltage Vcc. That is, the output signal of the buffer 29 is directly given to the switch 28A, and the output signal inverted by the inverter gate 30 is given to the switch 28B. Therefore, the switch 28A is switched from OFF to ON when the constant voltage Vcc rises, and the switch 28B is switched from OFF to ON at the fall.
[0028]
In the above configuration, when the reference voltage VBGR output from the reference voltage generation circuit 3 is the standard value of 1.25 V, the data value of the 3-bit adjustment data (0 to 7) is set to, for example, “3”. . When the data value “3” is given, the constant voltage generation circuit 4 sets the voltage amplification factor to “4” according to the decode signal output from the decoder 12 and outputs the constant voltage Vcc at about 5V. It is like that.
[0029]
As an example, it is assumed that the resistance value of the resistor 14a of the series resistor circuit 14 is 10.25 kΩ, the resistance value of 14i is 3 kΩ, and the resistance values of 14b to 14h are 0.25 kΩ each.
When the switch 13e of the selector 13 is closed by the decode signal output corresponding to the data value “3” and the common connection point of the resistors 14e and 14f is connected to the inverting input terminal of the operational amplifier 15, the non-inverting amplifier The amplification factor is (1 + 11.25 / 3.75 = 4).
[0030]
Further, when the data value “3” is given, the reset circuit 23 outputs a reset-on (sets VPOR to a low level) in accordance with the decode signal output from the decoder 27, for example, a threshold voltage of 4.5V. And reset-off is output (VPOR is set to high level). For example, the threshold voltage is set to 4.75V. That is, the switches 26Ae and 26Bh of the selectors 26A and 26B are turned on by the decode signal, and the respective threshold values are set by the respective voltage dividing resistance ratios.
Other configurations are the same as those shown in FIGS.
[0031]
Next, the operation of this embodiment will be described. When trimming the circuit device 22, the operator measures the level of the reference voltage VBGR output from the reference voltage generation circuit 3 while the semiconductor sensor 21 is powered on. When the reference voltage VBGR is the standard value of 1.25 V, the data value of the 3-bit adjustment data is set to “3”, and the operator writes the data value “3” in the EPROM 24. That is, write data is applied to the data bus in a state where a necessary write voltage is applied to the EPROM 24. In this case, each voltage is determined as described above.
[0032]
When the reference voltage VBGR is lower than the standard value of 1.25 V, the data value of the adjustment data is determined to be “0 to 2” (for example, “2”) according to the value. The operator writes the 3-bit data in the EPROM 24. When the trimming operation is completed and the semiconductor sensor 21 is turned on again, the EPROM 24 outputs the adjustment data written to the 3-bit data bus via the sense amplifier. Then, in the constant voltage generation circuit 4, one switch 13f on the ground side in the selector 13 is closed instead. In this case, since the amplification factor of the non-inverting amplifier is larger than that of the data value “3”, the decrease of the reference voltage VBGR can be compensated by increasing the amplification factor, and a constant voltage Vcc of about 5 V is output. It becomes like this.
[0033]
At this time, in the reset circuit 23, the switches 26Af and 26Bi of the selectors 26A and 26B are closed instead. That is, as the reference voltage VBGR decreases, the divided potential to be compared needs to be decreased. As a result, the reset on and reset off output thresholds are set to approximately 4.5V and 4.75V.
[0034]
On the other hand, when the reference voltage VBGR exceeds the standard value of 1.25 V, the data value of the adjustment data is determined to be “4-7” according to the value (for example, “4”), The operator writes the 3-bit data in the EPROM 24. When the semiconductor sensor 21 is turned on again after the work is completed, in the constant voltage generation circuit 4, one switch 13 d on the power supply side is closed instead of the selector 13. In this case, since the amplification factor of the non-inverting amplifier is smaller than that of the data value “3”, the amplification factor is adjusted by decreasing the amplification factor with respect to the increase of the reference voltage VBGR.
[0035]
At this time, in the reset circuit 23, the switches 26Ad and 26Bg of the selectors 26A and 26B are closed instead. That is, as the reference voltage VBGR increases, the divided potential to be compared needs to be increased. The output threshold values for reset-on and reset-off are set to substantially expected values.
[0036]
As described above, according to the present embodiment, the common adjustment data stored in the EPROM 24 by the trimming operation is applied to the constant voltage generation circuit 4 and the reset circuit 5 of the circuit device 22 configured as a part of the semiconductor sensor 21. Output it. The adjustment data is set so that the data value decreases as the reference voltage VBRG is lower than the standard level, and the data value increases as the reference voltage VBRG is higher than the standard level. The voltage amplification factor is configured to increase with the magnitude of the data value, and the reset circuit 5 is configured to decrease the reset on / off output threshold value with the magnitude of the data value.
[0037]
Therefore, even when the reference voltage VBGR fluctuates due to variations in the manufacturing process, the constant voltage Vcc generated from the constant voltage generation circuit 4 and the reset output from the reset circuit 5 based on the common adjustment data output from the EPROM 24. It is possible to appropriately adjust the threshold value of the signal, and even if the reset circuit 5 needs to be adjusted, an extra EPROM 24 is not required, so that the circuit device 22 is configured in a small size and at a low cost. Can do. For example, in order to form the 3-bit EPROM 24 in the process of 0.8 μm, an area of about 200 μm × 300 μm is required, so that the chip area can be reduced accordingly. In addition, since there is no need to add a trimming process, the adjustment work can be easily performed.
[0038]
Furthermore, according to the present embodiment, the reset circuit 5 can also adjust the reset-off output threshold value simultaneously with the adjustment data, so that it is possible to respond to a request for strictly adjusting the reset release voltage level. can do. Since the series resistance circuit 25 used for adjusting the reset-off output threshold value is shared with the one used on the reset-on side, an increase in circuit area can be suppressed as much as possible.
[0039]
The present invention is not limited to the embodiments described above and illustrated in the drawings, and the following modifications or expansions are possible.
The number of bits of the adjustment data is not limited to “3”, and may be set as appropriate according to individual design.
Further, the resistance value of each resistor may be appropriately changed according to the individual design.
It is also possible to reverse the setting of the adjustment data with respect to the measured reference voltage level, and reverse the settings relating to the magnitude of the amplification factor and the reset signal threshold corresponding to the adjustment data. That is, the data value increases as the reference voltage is lower than the standard level, and the data value decreases as the reference voltage is higher than the standard level. The gain increases as the adjustment data increases in the constant voltage generation circuit. The reset circuit may be configured to be lower, and the reset circuit may be configured such that the reset-on output threshold value increases as the adjustment data increases.
[0040]
The reset circuit may be configured to be able to adjust only the reset ON output threshold.
The nonvolatile memory constituting the adjustment data output unit is not limited to ERPM, but may be EEPROM, one-time PROM, or the like.
You may apply not only to a semiconductor sensor but to CPU, microcomputer, ECU for vehicles, IC for communication, etc. For a CPU that needs to be reset off after a time of several hundreds of milliseconds after the constant voltage Vcc is fixed at the rated value, such as a CPU, an appropriate delay circuit is added to the output side of the reset circuit. And respond.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a functional block diagram showing an electrical configuration in one embodiment when the present invention is applied to a semiconductor sensor; FIG. 2 is a diagram showing a detailed electrical configuration of a reset circuit; FIG. 4 is a diagram showing a detailed electrical configuration of the reference voltage generating circuit. FIG. 5 is a diagram showing a detailed electrical configuration of the constant voltage generating circuit.
Reference numeral 3 is a reference voltage generation circuit, 4 is a constant voltage generation circuit, 22 is a circuit device, 23 is a power-on reset circuit, and 24 is an EPROM (adjustment data output unit).

Claims (4)

電源電圧に基づいて基準電圧を発生させる基準電圧発生回路と、前記基準電圧を増幅することで定電圧を発生させる定電圧発生回路と、前記基準電圧と前記定電圧とを比較することで、前記電源の投入または切断に基づく前記定電圧のレベル変化に応じてリセット信号を出力するリセット回路とを備えて構成される回路装置において、
前記定電圧発生回路及び前記リセット回路に対して、不揮発性のメモリに記憶されている調整データを共通に出力するように構成される調整データ出力部を備え、
前記調整データ出力部のメモリに記憶される調整データは、前記基準電圧発生回路が発生する基準電圧レベルに対応した値が設定されており、
前記定電圧発生回路は、前記調整データに基づいた増幅率が設定されるように構成され、
前記リセット回路は、前記調整データに基づいたリセットオン出力しきい値が設定されるように構成されていることを特徴とする回路装置。
By comparing the reference voltage and the constant voltage, a reference voltage generation circuit that generates a reference voltage based on a power supply voltage, a constant voltage generation circuit that generates a constant voltage by amplifying the reference voltage, In a circuit device configured to include a reset circuit that outputs a reset signal in response to a level change of the constant voltage based on power on or off,
An adjustment data output unit configured to output adjustment data stored in a nonvolatile memory in common to the constant voltage generation circuit and the reset circuit;
The adjustment data stored in the memory of the adjustment data output unit is set to a value corresponding to the reference voltage level generated by the reference voltage generation circuit,
The constant voltage generation circuit is configured to set an amplification factor based on the adjustment data,
The circuit device, wherein the reset circuit is configured to set a reset-on output threshold value based on the adjustment data.
前記リセット回路は、前記調整データ出力部より出力される調整データによってリセットオフ出力しきい値も同時に設定されるように構成されていることを特徴とする請求項1記載の回路装置。2. The circuit device according to claim 1, wherein the reset circuit is configured such that a reset-off output threshold value is also set at the same time by adjustment data output from the adjustment data output unit. 電源電圧に基づいて基準電圧を発生させる基準電圧発生回路と、前記基準電圧を増幅することで定電圧を発生させる定電圧発生回路と、前記基準電圧と前記定電圧とを比較することで、前記電源の投入または切断に基づく前記定電圧のレベル変化に応じてリセット信号を出力するリセット回路と、前記定電圧発生回路及び前記リセット回路に対して不揮発性のメモリに記憶されている調整データを共通に出力するように構成される調整データ出力部とを備え、
前記定電圧発生回路は、前記調整データに基づいた増幅率が設定されるように構成されていると共に、前記リセット回路は、前記調整データに基づいたリセットオン出力しきい値が設定されるように構成されている回路装置に対して前記調整データを設定するための設定方法であって、
前記基準電圧発生回路が発生する基準電圧のレベルを測定し、
前記基準電圧が標準レベルよりも低い程前記増幅率が高くなると共に前記リセットオン出力しきい値が低くなるように調整データを設定し、前記基準電圧が標準レベルよりも高い程前記増幅率が低くなると共に前記リセットオン出力しきい値が高くなるように調整データを設定することを特徴とする回路装置の調整データ設定方法。
By comparing the reference voltage and the constant voltage, a reference voltage generation circuit that generates a reference voltage based on a power supply voltage, a constant voltage generation circuit that generates a constant voltage by amplifying the reference voltage, A reset circuit that outputs a reset signal in response to a change in the level of the constant voltage based on power on or off, and adjustment data stored in a nonvolatile memory for the constant voltage generation circuit and the reset circuit are shared. An adjustment data output unit configured to output to
The constant voltage generation circuit is configured to set an amplification factor based on the adjustment data, and the reset circuit is configured to set a reset-on output threshold value based on the adjustment data. A setting method for setting the adjustment data for a configured circuit device,
Measuring the level of the reference voltage generated by the reference voltage generating circuit;
The adjustment data is set so that the amplification factor increases as the reference voltage becomes lower than the standard level and the reset-on output threshold value becomes lower. The amplification factor decreases as the reference voltage becomes higher than the standard level. And adjusting data is set so that the reset-on output threshold value becomes higher.
前記リセット回路は、前記調整データ出力部によって出力される調整データによってリセットオフ出力しきい値も同時に設定可能であり、前記調整データに基づいて、前記基準電圧が標準レベルよりも低い程前記リセットオフ出力しきい値が低くなり、前記基準電圧が標準レベルよりも高い程前記リセットオフ出力しきい値が高くなることを特徴とする請求項3記載の回路装置の調整データ設定方法。The reset circuit can simultaneously set a reset-off output threshold value based on the adjustment data output from the adjustment data output unit. Based on the adjustment data, as the reference voltage is lower than a standard level, the reset-off output threshold is set. 4. The adjustment data setting method for a circuit device according to claim 3, wherein the reset-off output threshold value increases as the output threshold value decreases and the reference voltage is higher than a standard level.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4888802B2 (en) * 2004-09-08 2012-02-29 ソニー株式会社 Semiconductor component design method
JP3985002B2 (en) * 2005-07-15 2007-10-03 三菱電機株式会社 In-vehicle electronic control unit
JP4108695B2 (en) 2005-07-15 2008-06-25 三菱電機株式会社 In-vehicle electronic control unit
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KR101387235B1 (en) * 2012-03-20 2014-04-21 삼성전기주식회사 Circuit for generating constant voltage and method for generating constant voltage
JP5987819B2 (en) 2013-12-25 2016-09-07 株式会社デンソー Power supply
DE102018200785A1 (en) * 2018-01-18 2019-07-18 Robert Bosch Gmbh Voltage reference circuit with combined power-on reset

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330135A (en) * 1996-06-07 1997-12-22 Denso Corp Operation characteristic correction device for electronic circuit
JP2001004715A (en) * 1999-06-23 2001-01-12 Denso Corp Operation adjusting and controlling device for electronic circuit and semiconductor integrated circuit device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09330135A (en) * 1996-06-07 1997-12-22 Denso Corp Operation characteristic correction device for electronic circuit
JP2001004715A (en) * 1999-06-23 2001-01-12 Denso Corp Operation adjusting and controlling device for electronic circuit and semiconductor integrated circuit device

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