JP4396618B2 - Card type information device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、フラッシュメモリなどの半導体素子やコンデンサなどの複数個の電子部品を内蔵したカード型情報装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a card type information device incorporating a plurality of electronic components such as a semiconductor element such as a flash memory and a capacitor, and a method of manufacturing the same.

近年、ユビキタスネットワーク社会の本格的な到来を迎え、フラッシュメモリなどの複数個の電子部品を内蔵した携帯型のメディアとして、メモリーカードやＩＣカードなどのカード型情報装置の需要が急速に伸びている。   In recent years, with the full-scale arrival of the ubiquitous network society, the demand for card-type information devices such as memory cards and IC cards is rapidly growing as portable media that incorporates multiple electronic components such as flash memory. .

そして、カード型情報装置は、大容量の画像や音声およびその他のデータを記憶するための情報記憶媒体として、消費電力や携帯性が極めて重視されるデジタルカメラやノートパソコン、携帯音楽プレーヤ、携帯情報端末、携帯電話などの携帯型情報機器への普及が進んでいる。   Card type information devices are used as information storage media for storing large-capacity images, sounds, and other data, such as digital cameras, notebook computers, portable music players, portable information, where power consumption and portability are extremely important. The spread to portable information devices such as terminals and mobile phones is progressing.

また、上記携帯型情報機器は、高機能化、薄型軽量化への要望が著しい。そのため、カード型情報装置に対しても、さらなる小型化、薄型化が要求されている。   In addition, the portable information device has a significant demand for higher functionality, thinner and lighter weight. Therefore, further downsizing and thinning are required for the card type information device.

一般に、代表的なカード型情報装置であるメモリーカードには、各社の登録商標であるＳＤメモリーカード（登録商標）、コンパクトフラッシュ（登録商標）、スマートメディア（登録商標）、ｘＤピクチャーカード（登録商標）、メモリースティック（登録商標）、マルチメディアカード（登録商標）などがある。   In general, memory cards, which are representative card type information devices, include SD memory cards (registered trademark), compact flash (registered trademark), smart media (registered trademark), xD picture cards (registered trademark), which are registered trademarks of each company. ), Memory Stick (registered trademark), Multimedia Card (registered trademark), and the like.

以下に、ＳＤメモリーカードを例に、その構造について図７を用いて、簡単に説明する。   The structure of the SD memory card will be briefly described below with reference to FIG.

図７は、各種ＳＤメモリーカードの外形を示す図である。   FIG. 7 is a view showing the outer shape of various SD memory cards.

まず、図７（ａ）は、一般的なＳＤメモリーカードであり、例えば合成樹脂などからなる筐体と、この筐体の内部に収容された半導体素子やコンデンサなどが実装されたモジュール基板とから構成されている。そして、その外形寸法は、規格化され、２４ｍｍ×３２ｍｍ×２．１ｍｍである。   First, FIG. 7A is a general SD memory card, which is composed of, for example, a casing made of synthetic resin and a module substrate on which semiconductor elements and capacitors housed in the casing are mounted. It is configured. And the external dimension is standardized and is 24 mm x 32 mm x 2.1 mm.

そして、このような小型サイズでありながら、その記憶容量は現在２５６ＭＢ、５１２ＭＢが既に主流となってきている。なお、通信のブロードバンド化や高品質な動画など、大容量のコンテンツへ対応するために、例えばフラッシュメモリなどの半導体メモリを、例えば２列・４段に配置するなどの高密度実装技術により、１ＧＢや２ＧＢという大容量化が実現されている。   And although it is such a small size, its storage capacity is currently 256 MB and 512 MB. In order to support high-capacity content such as broadband communication and high-quality video, 1 GB is achieved by high-density mounting technology such as arranging semiconductor memories such as flash memory in 2 rows and 4 stages, for example. And a large capacity of 2 GB have been realized.

また、図７（ｂ）に示すように、携帯電話など高機能化された小型電子機器への搭載に対応するために、ｍｉｎｉＳＤ（登録商標）カードが商品化されている。このｍｉｎｉＳＤカードは、従来のＳＤメモリーカードに比べて、面積比で５６％に小型化されている。そして、その外形寸法も同様に、２０ｍｍ×２１．５ｍｍ×１．４ｍｍと規格化されている。   Further, as shown in FIG. 7B, a miniSD (registered trademark) card is commercialized in order to be mounted on a highly functional small electronic device such as a mobile phone. This miniSD card is downsized to 56% in area ratio compared to a conventional SD memory card. The external dimensions are also standardized to 20 mm × 21.5 mm × 1.4 mm.

また、図７（ｃ）に示すように、上記ｍｉｎｉＳＤカードをさらに小型化した１１ｍｍ×１５ｍｍ×１．０ｍｍの外形寸法を有するｍｉｃｒｏＳＤ（登録商標）カードが開発されている。これにより、携帯電話のさらなる薄型化を可能とするとともに、デジタルカメラ、ＰＤＡ、携帯オーディオプレーヤなどの分野でもその利用が期待されている。   Further, as shown in FIG. 7C, a microSD (registered trademark) card having an outer dimension of 11 mm × 15 mm × 1.0 mm, which is a further miniaturization of the miniSD card, has been developed. Accordingly, it is possible to further reduce the thickness of the mobile phone, and the use thereof is also expected in the fields of digital cameras, PDAs, mobile audio players, and the like.

そして、従来のＳＤメモリーカードは、合成樹脂よりなるそれぞれ片面に蓋部が形成された上部筐体と下部筐体から構成されるカード筐体と、このカード筐体内に収納されたフラッシュメモリなどの複数個の電子部品を搭載したモジュール基板とから構成されている。さらに、この上部筐体と下部筐体は、各筐体の外周壁を突き合わせて超音波振動の熱融着により、その空間内に上記のモジュール基板を収納している。   A conventional SD memory card includes a card case composed of an upper case and a lower case each made of a synthetic resin with a lid formed on one side, and a flash memory housed in the card case. And a module substrate on which a plurality of electronic components are mounted. Further, the upper housing and the lower housing accommodate the module substrate in the space by abutting the outer peripheral wall of each housing and heat-sealing ultrasonic vibration.

また、ｍｉｎｉＳＤカードは、上記ＳＤメモリーカードと同様に、図８で詳細に示すように、半導体メモリなどの電子部品１００が実装されたモジュール基板１０１が、プラスチック筐体１０２、１０３に挟まれた構造となっている。さらに、モジュール基板１０１のプラスチック筐体１０３に対向する面に複数個の外部接続端子（図示せず）が設けられている。   Similarly to the SD memory card, the miniSD card has a structure in which a module substrate 101 on which an electronic component 100 such as a semiconductor memory is mounted is sandwiched between plastic casings 102 and 103, as shown in detail in FIG. It has become. Further, a plurality of external connection terminals (not shown) are provided on the surface of the module substrate 101 facing the plastic casing 103.

しかし、メモリーカードのさらなる小型化により、予め形成したカード筐体にモジュール基板を収納するパッケージ方式では、その小型化、薄型化が困難となっている。さらに、薄型化されたカード筐体の強度が不足し、メモリーカードの平坦性が損なわれるという問題も生じてきた。   However, due to further miniaturization of the memory card, it is difficult to reduce the size and thickness of the package system in which the module substrate is stored in a pre-formed card housing. Further, the strength of the thin card casing is insufficient, and the flatness of the memory card is impaired.

そのため、メモリーカードのさらなる小型化に対して、従来のパッケージ方式ではない、例えばモールド樹脂でモジュール基板をモールドして一体化し、モールド樹脂で外装筐体を形成する方式を用いたｍｉｃｒｏＳＤカードが開発されている。   Therefore, in order to further reduce the size of memory cards, a microSD card has been developed that is not a conventional package method, for example, a method that molds and integrates a module substrate with a mold resin and forms an exterior housing with the mold resin. ing.

以下に、上記ｍｉｃｒｏＳＤカードの構造および課題について、図９を用いて説明する。   Hereinafter, the structure and problems of the microSD card will be described with reference to FIG.

図９は、現状のｍｉｃｒｏＳＤカードの構造および課題を説明する断面図である。   FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the structure and problems of a current microSD card.

図９に示すように、ｍｉｃｒｏＳＤカードは、例えば厚みが０．１５ｍｍのガラスエポキシ樹脂を基材とする平坦な配線基板２０１の上面に、フラッシュメモリ２０２、コントローラ２０３およびチップ状のコンデンサ２０４などの電子部品を実装してモジュール基板を構成している。   As shown in FIG. 9, the microSD card has electronic devices such as a flash memory 202, a controller 203, and a chip-shaped capacitor 204 on the upper surface of a flat wiring substrate 201 based on a glass epoxy resin having a thickness of 0.15 mm, for example. A module board is configured by mounting components.

そして、モジュール基板をその両面に上部樹脂層２０５ａと下部樹脂層２０５ｂよりなるエポキシ樹脂などのモールド樹脂２０５内に埋設されて、ｍｉｃｒｏＳＤカードが構成されている。   The module substrate is embedded on both sides in a mold resin 205 such as an epoxy resin made of an upper resin layer 205a and a lower resin layer 205b to constitute a microSD card.

そして、フラッシュメモリ２０２、コントローラ２０３およびチップ状のコンデンサ２０４などの高さの異なる電子部品が、平坦な形状を有する配線基板２０１上に実装されている。そのため、最大１．０ｍｍという規格化された厚みの中で、反りの生じにくいモールド樹脂２０５内の中心位置近傍に、高さの異なる電子部品を実装した配線基板２０１を埋設することが困難となる。その結果、配線基板２０１を埋設するモールド樹脂２０５の上部樹脂層２０５ａと下部樹脂層２０５ｂのそれぞれの厚みが大きく異なることになる。例えば、上部樹脂層２０５ａの厚みが０．４ｍｍで、下部樹脂層２０５ｂの厚みが０．１ｍｍとなる。   Electronic components having different heights such as the flash memory 202, the controller 203, and the chip-like capacitor 204 are mounted on a wiring board 201 having a flat shape. Therefore, it becomes difficult to embed the wiring board 201 on which electronic components having different heights are mounted in the vicinity of the center position in the mold resin 205 where warpage hardly occurs within a standardized thickness of 1.0 mm at the maximum. . As a result, the thicknesses of the upper resin layer 205a and the lower resin layer 205b of the mold resin 205 in which the wiring board 201 is embedded are greatly different. For example, the thickness of the upper resin layer 205a is 0.4 mm, and the thickness of the lower resin layer 205b is 0.1 mm.

それにより、配線基板２０１および高さの異なる各電子部品の熱膨張率とモールド樹脂２０５の熱膨張率との差や各樹脂層の厚みの差により、上部樹脂層２０５ａの収縮量と下部樹脂層２０５ｂの収縮量とのバランスを均一にできなかった。その結果、図９に示すように、樹脂層で収縮量の大きい方向に反りが発生しやすかった。   Thereby, the contraction amount of the upper resin layer 205a and the lower resin layer are caused by the difference between the thermal expansion coefficient of the wiring board 201 and the electronic components having different heights and the thermal expansion coefficient of the mold resin 205 and the thickness of each resin layer. The balance with the shrinkage amount of 205b could not be made uniform. As a result, as shown in FIG. 9, the resin layer was likely to warp in the direction of large shrinkage.

一方、カード型情報装置の１つであるＩＣカードにおいては、所定の電子部品が実装されたモジュール基板を上金型と下金型とによって構成されるキャビティ内に配置し、溶融したモールド樹脂を射出充填してモジュール基板をモールド樹脂中に埋設したＩＣカードが開示されている（例えば、特許文献１参照）。   On the other hand, in an IC card that is one of the card type information devices, a module substrate on which predetermined electronic components are mounted is placed in a cavity constituted by an upper mold and a lower mold, and a molten mold resin is disposed. An IC card in which a module substrate is embedded in a mold resin by injection filling is disclosed (for example, see Patent Document 1).

しかし、電子部品はモールド樹脂に比べて弾性率が高く線膨張係数が低い。そのため、電子部品を溶融したモールド樹脂中に埋設し冷却する過程において、モールド樹脂と電子部品との線膨張係数差から、ＩＣカードに反りが生じやすかった。さらに、電子部品とモールド樹脂との弾性率や線膨張係数差に起因する熱応力により、電子部品の周辺でモールド樹脂にクラックなどが発生するという課題もあった。   However, the electronic component has a higher elastic modulus and a lower linear expansion coefficient than the mold resin. Therefore, in the process of embedding the electronic component in the molten mold resin and cooling, the IC card is likely to warp due to the difference in linear expansion coefficient between the mold resin and the electronic component. Further, there is a problem that cracks or the like occur in the mold resin around the electronic component due to thermal stress caused by the difference in elastic modulus or linear expansion coefficient between the electronic component and the mold resin.

そこで、上記反りなどの変形を解決するために、以下に示す半導体カードが開示されている（例えば、特許文献２参照）。つまり、プリント基板に実装された電子部品を樹脂製のカード基体に埋設する際に、カード基体の外周部分を構成し、その厚み方向の中間位置にプリント基板の外周部を支持する第１の成形部分と、カード基体の内周部分を構成し、プリント基板の内周部を一体に埋設した第２の成形部分とからカード基体を構成するものである。   Therefore, in order to solve the deformation such as the warp, the following semiconductor card is disclosed (for example, see Patent Document 2). That is, when the electronic component mounted on the printed circuit board is embedded in the resin card base, the first molding that forms the outer peripheral part of the card base and supports the outer peripheral part of the printed circuit board at an intermediate position in the thickness direction. The card base is composed of the portion and the second molded portion that constitutes the inner peripheral portion of the card base and integrally embeds the inner peripheral portion of the printed circuit board.

また、金属製のＩＣモジュールと樹脂の熱収縮率の相違により、熱収縮率の大きい樹脂が厚く充填された側に、ＩＣカードが反ってしまうという現象を防止するために、以下に示す例が開示されている（例えば、特許文献３参照）。つまり、文字や絵柄が印刷された表面ラベルと裏面ラベルの中間にＩＣモジュールを配置して溶融樹脂を充填し、樹脂を冷却、固化させることにより一体に結合させる。これにより、ＩＣモジュールの表面側と裏面側の樹脂の厚みを均一化し、熱収縮による反りを防止するものである。
特開昭６１−２２２７１２号公報 特開平６−２９３１９４号公報 特開平９−１２３６５０号公報 Further, in order to prevent the phenomenon that the IC card is warped on the side where the resin having a large heat shrinkage rate is thickly filled due to the difference in heat shrinkage rate between the metal IC module and the resin, there is an example shown below. It is disclosed (for example, see Patent Document 3). That is, an IC module is arranged between the front surface label and the back surface label on which characters and patterns are printed, filled with a molten resin, and the resin is cooled and solidified to be integrally bonded. Thereby, the thickness of the resin on the front side and the back side of the IC module is made uniform, and warpage due to thermal shrinkage is prevented.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-222712 JP-A-6-293194 JP-A-9-123650

しかしながら、上記特許文献２に示す半導体カードは、カード基体を保持する成形部を２つの異なる樹脂材料を用いて第１、第２の金型により２段階工程により製造されているため、コスト上昇が懸念される。   However, since the semiconductor card shown in Patent Document 2 is manufactured by a two-step process using the first and second molds using the two different resin materials, the molding part that holds the card base is increased in cost. Concerned.

また、特許文献３に示すＩＣカードは、樹脂内にモールドされるＩＣモジュールが平坦な形状を有する１個の電子部品として集合されているため、ＩＣモジュールを樹脂の中心に配置することは比較的容易に行うことができる。しかし、高さの異なる複数個の電子部品が実装されたモジュール基板を当該文献に記載された技術を用いて反りが生じないようにモールド樹脂中に配置することは極めて困難である。   In addition, since the IC card shown in Patent Document 3 is assembled as a single electronic component having a flat shape, the IC module molded in the resin is relatively arranged at the center of the resin. It can be done easily. However, it is extremely difficult to arrange a module substrate on which a plurality of electronic components having different heights are mounted in a mold resin so as not to be warped using the technique described in the document.

本発明は、上記の課題を解決するものであり、高さの異なる複数の電子部品を搭載するモジュール基板をモールド樹脂内に埋設した際に、反りなどの変形が生じにくいカード型情報装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。   The present invention solves the above-described problem, and a card-type information device that hardly undergoes deformation such as warpage when a module substrate on which a plurality of electronic components having different heights are embedded in a mold resin, and a card type information device therefor The object is to provide a manufacturing method.

上述したような課題を解決するために、本発明のカード型情報装置は、複数個の電子部品が配線基板に実装されたモジュール基板を備えるカード型情報装置であって、電子部品が高さの異なる複数の電子部品であり、配線基板を複数の電子部品の高さに対応して２箇所で折り曲げ３箇所の領域を設け、電子部品が実装されたモジュール基板をモールド樹脂体で埋設することで、電子部品と配線基板からなる部分の合計厚みの中心位置が、モールド樹脂体の厚み方向を構成する表面層、中間層および裏面層のうちの中間層に存在する構成を有する。 In order to solve the above-described problems, a card type information device according to the present invention is a card type information device including a module substrate in which a plurality of electronic components are mounted on a wiring board, and the electronic components are high in height. It is a plurality of different electronic components, the wiring board is bent at two locations corresponding to the height of the plurality of electronic components, three regions are provided, and the module substrate on which the electronic components are mounted is embedded in a mold resin body The center position of the total thickness of the portion composed of the electronic component and the wiring board is present in the intermediate layer among the surface layer, the intermediate layer, and the back layer constituting the thickness direction of the molded resin body .

さらに、３箇所の領域が、コントローラと半導体メモリとの実装領域と、外部接続端子の実装領域と、コンデンサーの実装領域とである。 Further, the three regions are a mounting region for the controller and the semiconductor memory, a mounting region for the external connection terminals, and a mounting region for the capacitor .

これらの構成により、モジュール基板をモールド樹脂の中心位置近傍に配置することができるため、反りなどの変形を抑制し、温度変化の大きな使用環境における信頼性や、生産性を大幅に向上できるカード型情報装置を実現できる。 With these configurations, the module substrate can be placed near the center position of the mold resin, so deformation such as warpage can be suppressed , and the card type that can greatly improve reliability and productivity in use environments with large temperature changes An information device can be realized.

また、本発明のカード型情報装置は、複数個の電子部品が配線基板に実装されたモジュ  The card type information device of the present invention is a module in which a plurality of electronic components are mounted on a wiring board.
ール基板を備えるカード型情報装置であって、電子部品が高さの異なる複数の電子部品でCard-type information device comprising a control board, wherein the electronic components are a plurality of electronic components having different heights.
あり、配線基板に複数の電子部品の高さに対応して折り曲げ箇所を３箇所以上設け、電子Yes, the wiring board is provided with three or more bent parts corresponding to the height of multiple electronic components.
部品が実装されたモジュール基板をモールド樹脂体で埋設することで、モールド樹脂体のBy embedding the module substrate on which the component is mounted with the mold resin body, the mold resin body
厚み方向を構成する表面層、中間層および裏面層のうちの中間層に配線基板が配置され、The wiring board is arranged on the intermediate layer among the surface layer, intermediate layer and back layer constituting the thickness direction,
表面層と、裏面層を同じ厚みにした構成を有する。It has the structure which made the surface layer and the back surface layer the same thickness.
これにより、モジュール基板の両面のモールド樹脂体の厚みをほぼ等しくし、収縮量のAs a result, the thicknesses of the mold resin bodies on both sides of the module substrate are substantially equal, and the shrinkage amount is reduced.
差による反りをさらに小さくでき、生産性や温度変化の大きな使用環境における信頼性をThe warpage due to the difference can be further reduced, and the reliability in the use environment with large productivity and temperature change can be improved.
大幅に向上できるカード型情報装置が得られる。A card type information device that can be greatly improved is obtained.

これにより、携帯情報機器に搭載できるカード型情報装置が得られる。   Thus, a card type information device that can be mounted on a portable information device is obtained.

さらに、モジュール基板に、アンテナモジュールを備えていてもよい。   Further, an antenna module may be provided on the module substrate.

これにより、通信機能を有するカード型情報装置が得られる。   Thereby, a card type information device having a communication function is obtained.

さらに、配線基板が熱可塑性樹脂からなり、複数個の電子部品を熱可塑性樹脂に埋設してモジュール基板を形成してもよい。   Further, the wiring board may be made of a thermoplastic resin, and a module board may be formed by embedding a plurality of electronic components in the thermoplastic resin.

これにより、モールド樹脂体との熱膨張係数差を小さくし、さらに反りの少ないカード型情報装置が得られる。   As a result, a card type information device with a small difference in thermal expansion coefficient with the mold resin body and with less warpage can be obtained.

さらに、モールド樹脂体の表面層、中間層および裏面層は、熱融着可能な樹脂を含有するものであってもよい。   Furthermore, the surface layer, the intermediate layer, and the back layer of the mold resin body may contain a heat-sealable resin.

これにより、モールド樹脂体を互いに強固に融着することにより、耐候性、耐熱性に優れたカード型情報装置を得ることができる。   Thereby, the card type information device excellent in weather resistance and heat resistance can be obtained by firmly fusing the mold resin bodies to each other.

さらに、モールド樹脂体の厚み方向の外形の一部に突部を設けてもよい。   Furthermore, you may provide a protrusion in a part of external shape of the thickness direction of a mold resin body.

さらに、突部の位置に、最大高さを有する電子部品を配置してもよい。   Furthermore, you may arrange | position the electronic component which has the maximum height in the position of a protrusion.

これらにより、突部を把持部としてカード型情報装置の着脱を容易にするとともに、突部以外のモールド樹脂体の位置では、配置できない高さの高い電子部品を実装することができる。そのため、安価な電子部品を用いることができる。   Accordingly, it is possible to easily attach and detach the card type information device with the protrusion as a grip portion, and it is possible to mount an electronic component having a height that cannot be arranged at the position of the mold resin body other than the protrusion. Therefore, an inexpensive electronic component can be used.

また、本発明のカード型情報装置の製造方法は、高さの異なる複数個の電子部品を配線基板に実装してモジュール基板を形成する工程と、複数個の電子部品の高さに応じて、モジュール基板を２箇所で折り曲げ加工して３箇所の領域にわける工程と、モジュール基板をモールド樹脂体で埋設して、複数の電子部品と配線基板の合計厚みの中心位置を、モールド樹脂体の厚み方向を構成する表面層、中間層および裏面層のうちの中間層とする工程と、を含む。
また、３箇所の領域にわける工程が、コントローラと半導体メモリとの実装領域と、外部接続端子の実装領域と、コンデンサーの実装領域とにわける工程である。 The card type information device manufacturing method of the present invention includes a step of mounting a plurality of electronic components having different heights on a wiring board to form a module substrate, and depending on the height of the plurality of electronic components, The process of bending the module substrate at two locations to divide it into three regions, and embedding the module substrate with a mold resin body so that the center position of the total thickness of the plurality of electronic components and the wiring substrate is the thickness of the mold resin body And a step of forming an intermediate layer among the front surface layer, the intermediate layer, and the back surface layer constituting the direction .
The process divided into three areas is a process divided into a mounting area for the controller and the semiconductor memory, a mounting area for the external connection terminals, and a mounting area for the capacitor.

また、本発明のカード型情報装置の製造方法は、高さの異なる複数個の電子部品を配線基板に実装してモジュール基板を形成する工程と、複数個の電子部品の高さに応じて、モジュール基板に折り曲げ箇所を３箇所以上設ける工程と、モジュール基板をモールド樹脂体で埋設して、配線基板位置を、モールド樹脂体の厚み方向を構成する表面層、中間層および裏面層のうちの中間層とし、表面層と、裏面層を同じ厚みにする工程と、を含む。 The card type information device manufacturing method of the present invention includes a step of mounting a plurality of electronic components having different heights on a wiring board to form a module substrate, and depending on the height of the plurality of electronic components, A step of providing three or more bent portions on the module substrate, and embedding the module substrate with a mold resin body so that the wiring substrate position is intermediate between the surface layer, the intermediate layer and the back surface layer constituting the thickness direction of the mold resin body. And a step of making the surface layer and the back layer the same thickness .

これらにより、反りの少ない信頼性に優れたカード型情報装置を作製することができ、温度変化の大きな使用環境における信頼性や、生産性を大幅に向上できるカード型情報装置を作製することができる。 As a result, it is possible to manufacture a card-type information device with less warpage and excellent reliability, and it is possible to manufacture a card-type information device that can greatly improve reliability and productivity in a use environment with a large temperature change. .

本発明のカード型情報装置およびその製造方法によれば、反りなどの変形を抑制し、生産性や温度変化の大きな使用環境における信頼性を大幅に向上できる効果を奏するものである。   According to the card type information device and the manufacturing method thereof of the present invention, it is possible to suppress the deformation such as warpage and to greatly improve the reliability in the use environment where the productivity and the temperature change are large.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

また、以下の各実施の形態では、カード型情報装置として、ｍｉｃｒｏＳＤカード（以下、「メモリーカード」と記す）を例に説明する。なお、図面では内部を詳細に説明するために、必要に応じて厚み方向を拡大して示している。   In the following embodiments, a microSD card (hereinafter referred to as “memory card”) will be described as an example of a card type information device. In the drawings, in order to explain the inside in detail, the thickness direction is shown enlarged as necessary.

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態におけるメモリーカードの構造を示す断面図であり、図２（ａ）はメモリーカードの表側斜視図で、同図（ｂ）はその裏側斜視図である。 (First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a memory card according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 (a) is a front perspective view of the memory card, and FIG. 1 (b) is a rear perspective view thereof. is there.

図１に示すように、メモリーカード１０は、例えば半導体素子からなる高さ０．０９ｍｍ、縦横４．０ｍｍ×４．０ｍｍのコントローラ１１と、高さ０．０９ｍｍ、縦横１０．０ｍｍ×７．０ｍｍの半導体メモリ１２と、高さ０．５ｍｍ、縦横１．０ｍｍ×０．５ｍｍのコンデンサ１３が、配線基板１４の一方の面のそれぞれに対応する実装領域に配置されたモジュール基板１９を有している。ここで、高さの最も高い電子部品であるコンデンサ１３の実装領域は、以下で述べるモールド樹脂体の厚み方向の一部に形成された突部２０ｄに配置することが好ましい。なお、コンデンサ１３が要望される容量を有し、その高さが小型化され、例えば０．２ｍｍ程度の高さになれば、その配置位置を特に突部２０ｄに限定する必要はない。   As shown in FIG. 1, the memory card 10 includes, for example, a controller 11 having a height of 0.09 mm and a height and width of 4.0 mm × 4.0 mm and a height of 0.09 mm and a height and width of 10.0 mm × 7.0 mm. The semiconductor memory 12 and the capacitor 13 having a height of 0.5 mm and a length and width of 1.0 mm × 0.5 mm have a module substrate 19 disposed in a mounting region corresponding to each of one surface of the wiring substrate 14. Yes. Here, the mounting region of the capacitor 13 which is the electronic component having the highest height is preferably disposed on a protrusion 20d formed in a part in the thickness direction of the molded resin body described below. If the capacitor 13 has a desired capacity and its height is reduced, for example, to a height of about 0.2 mm, it is not necessary to limit the arrangement position to the protrusion 20d.

そして、コントローラ１１と半導体メモリ１２は、例えば非導電性接着フィルム１５を介して配線基板１４上に形成された配線パターン（図示せず）の電極端子１６ａ、１６ｂと接続されている。同様に、コンデンサ１３は、例えばはんだ１７により同じく配線基板１４上に形成された配線パターン（図示せず）の電極端子１６ｃと接続されている。   The controller 11 and the semiconductor memory 12 are connected to electrode terminals 16 a and 16 b of a wiring pattern (not shown) formed on the wiring substrate 14 via, for example, a nonconductive adhesive film 15. Similarly, the capacitor 13 is connected to an electrode terminal 16c of a wiring pattern (not shown) similarly formed on the wiring substrate 14 by, for example, solder 17.

さらに、配線基板１４の他方の面には、図２（ｂ）に示すように、外部機器と接続するために複数の外部接続端子１８が設けられている。   Furthermore, as shown in FIG. 2B, a plurality of external connection terminals 18 are provided on the other surface of the wiring board 14 for connection to an external device.

また、図１に示すように、高さの異なる電子部品が配線基板１４上に実装されたモジュール基板１９は、例えば２箇所の折り曲げ部分（以下、「屈曲部」と記す）１９ａ、１９ｂで折り曲げられた配線基板１４を有している。なお、屈曲部１９ａは、必ずしも設ける必要はなく、例えば屈曲部１９ａの折り曲げ量を加えた厚みを有する外部接続端子１８を設ける構成としてもよい。   Further, as shown in FIG. 1, a module substrate 19 on which electronic components having different heights are mounted on a wiring board 14 is bent at, for example, two bent portions (hereinafter referred to as “bent portions”) 19a and 19b. The wiring board 14 is provided. The bent portion 19a is not necessarily provided. For example, the external connection terminal 18 having a thickness obtained by adding the bending amount of the bent portion 19a may be provided.

そして、屈曲部を有するモジュール基板１９は、例えばエポキシ樹脂などの樹脂で、表面層２０ｂ、中間層２０ａおよび裏面層２０ｃおよび必要に応じて設けられる、例えば図２（ａ）に示すようなメモリーカードの着脱の把持部となる突部２０ｄからなるモールド樹脂体２０に埋設されてメモリーカード１０が構成される。このとき、モジュール基板１９に接続された外部接続端子１８は、モールド樹脂体２０の裏面層２０ｃから露出させて設けられる。なお、突部２０ｄは、表面層２０ｂと一体的に設けてもよい。   The module substrate 19 having a bent portion is made of a resin such as an epoxy resin, for example, and is provided with a surface layer 20b, an intermediate layer 20a, a back layer 20c, and a memory card as shown in FIG. 2A, for example. The memory card 10 is configured by being embedded in a mold resin body 20 including a protrusion 20d serving as a detachable grip. At this time, the external connection terminals 18 connected to the module substrate 19 are provided so as to be exposed from the back surface layer 20 c of the mold resin body 20. The protrusion 20d may be provided integrally with the surface layer 20b.

これにより、折り曲げられて埋設されたモジュール基板１９は、モールド樹脂体２０の中間層２０ａに、少なくとも電子部品と配線基板１４からなる部分の合計厚みの中心位置が存在するように埋設される。   As a result, the module substrate 19 that is bent and embedded is embedded in the intermediate layer 20a of the mold resin body 20 so that the center position of the total thickness of at least the portion composed of the electronic component and the wiring substrate 14 exists.

以下に、本実施の形態におけるメモリーカード１０について、具体的な寸法で例示する。例えば、一般にメモリーカード１０の突部２０ｄ以外の領域の厚みＴ１は、約０．７ｍｍであり、把持部となる突部２０ｄの領域の厚みＴ２は、約１．０ｍｍである。そして、配線基板１４の厚みを０．１５ｍｍとし電極端子の厚みを０．０１８ｍｍとすれば、メモリーカードの面積の大部分を占めるコントローラ１１および半導体メモリ１２の実装領域におけるモールド樹脂体２０の表面層２０ｂの厚みｔ１と裏面層２０ｃの厚みｔ２とは、例えば屈曲部１９ｂの折り曲げ量を０．１２ｍｍとすることにより、０．１６ｍｍ程度とほぼ同じ寸法とすることができる。   Hereinafter, the memory card 10 in the present embodiment will be exemplified with specific dimensions. For example, the thickness T1 of the area other than the protrusion 20d of the memory card 10 is generally about 0.7 mm, and the thickness T2 of the area of the protrusion 20d serving as the gripping part is about 1.0 mm. If the thickness of the wiring board 14 is 0.15 mm and the thickness of the electrode terminals is 0.018 mm, the surface layer of the mold resin body 20 in the mounting area of the controller 11 and the semiconductor memory 12 occupying most of the area of the memory card. The thickness t1 of 20b and the thickness t2 of the back surface layer 20c can be set to approximately the same dimension as about 0.16 mm by setting the bending amount of the bent portion 19b to 0.12 mm, for example.

この構成により、モールド樹脂体２０の表面層２０ｂおよび裏面層２０ｃの熱収縮量はほぼ同等となり、配線基板１４および電子部品の熱膨張率とモールド樹脂体２０の熱膨張率の差による熱応力に起因する反りなどの変形を効率よく抑制したメモリーカードを実現できる。   With this configuration, the amount of thermal shrinkage of the front surface layer 20b and the back surface layer 20c of the mold resin body 20 is substantially equal, and the thermal stress due to the difference between the thermal expansion coefficient of the wiring substrate 14 and the electronic component and the thermal expansion coefficient of the mold resin body 20 is reduced. It is possible to realize a memory card that efficiently suppresses deformations such as warping.

ここで、配線基板１４の基材として、フレキシブル基板またはフレキシブル基板とリジッド基板を組み合わせたリジッドフレキシブル基板などを用いることができる。さらに、上記フレキシブル基板として、例えば熱可塑性ポリイミド、ＰＥＴＧ（ポリエチレンテレフタレート・グリコールモディファイド）、ＡＢＳ（アクリロニトリルブタジエンスチレン）、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリイミド、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）などを用いることが可能である。   Here, as the base material of the wiring substrate 14, a flexible substrate or a rigid flexible substrate in which a flexible substrate and a rigid substrate are combined can be used. Further, as the flexible substrate, for example, thermoplastic polyimide, PETG (polyethylene terephthalate / glycol modified), ABS (acrylonitrile butadiene styrene), polycarbonate, vinyl chloride, polyimide, PEN (polyethylene naphthalate), PET (polyethylene terephthalate), PEEK ( Polyetheretherketone) and the like can be used.

また、配線基板１４上に形成される電極端子１６ａ、１６ｂ、１６ｃやその他の配線（図示せず）として、ＣｕやＡｕメッキ、または導電性ペーストが用いられる。   Further, Cu, Au plating, or conductive paste is used as the electrode terminals 16a, 16b, 16c formed on the wiring substrate 14 and other wirings (not shown).

また、モールド樹脂体２０の表面層２０ｂ、中間層２０ａ、裏面層２０ｃを形成する樹脂材料として、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂またはＡＢＳ、ＰＥＴＧ、塩化ビニル、熱可塑性ポリイミド、ＰＥＳ、ＰＥＥＫなどの熱可塑性樹脂が用いられる。   Further, as a resin material for forming the surface layer 20b, the intermediate layer 20a, and the back layer 20c of the mold resin body 20, for example, a thermosetting resin such as epoxy resin or ABS, PETG, vinyl chloride, thermoplastic polyimide, PES, PEEK, etc. These thermoplastic resins are used.

なお、本実施の形態では、電子部品として、約１０．０ｍｍ×７．０ｍｍ×厚み０．０９ｍｍの半導体メモリ１２、約４．０ｍｍ×４．０ｍｍ×厚み０．０９ｍｍのコントローラ１１および１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有するコンデンサ１３を用いた例で説明したが、これに限らない。例えば、複数の半導体メモリや高さの異なる２種類以上の電子部品を配線基板上に実装してモジュール基板を形成してもよい。その場合には、対応する電子部品や半導体メモリの高さに応じて、モジュール基板に屈曲部を、例えば３箇所以上設けることにより、モールド樹脂体の中間層にモジュール基板が配置され、表面層と裏面層の厚みを同程度に調整することができる。   In the present embodiment, the electronic component includes a semiconductor memory 12 having a size of about 10.0 mm × 7.0 mm × thickness 0.09 mm, a controller 11 having a size of about 4.0 mm × 4.0 mm × thickness 0.09 mm, and 1.0 mm. Although the example using the capacitor 13 having the dimensions of × 0.5 mm × 0.5 mm has been described, the present invention is not limited to this. For example, a module substrate may be formed by mounting a plurality of semiconductor memories or two or more types of electronic components having different heights on a wiring substrate. In that case, depending on the height of the corresponding electronic component or semiconductor memory, the module substrate is disposed in the intermediate layer of the mold resin body by providing, for example, three or more bent portions on the module substrate, and the surface layer and The thickness of the back layer can be adjusted to the same level.

以下に、本発明の第１の実施の形態におけるメモリーカードの製造方法について、図３の工程断面図を用いて説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing a memory card according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to process cross-sectional views of FIG.

なお、本実施の形態の製造方法では、配線基板１４としてポリイミド、モールド樹脂体２０としてＡＢＳ（軟化開始温度：１００℃）を用いた例で説明する。   In the manufacturing method of the present embodiment, an example in which polyimide is used as the wiring substrate 14 and ABS (softening start temperature: 100 ° C.) is used as the mold resin body 20 will be described.

まず、図３（ａ）に示すように、配線基板１４の少なくとも一方の面に、コントローラ１１、半導体メモリ１２、コンデンサ１３などの電子部品を実装し、他方の面に外部接続端子１８を設けて、モジュール基板１９を作製する。   First, as shown in FIG. 3A, electronic components such as a controller 11, a semiconductor memory 12, and a capacitor 13 are mounted on at least one surface of the wiring board 14, and an external connection terminal 18 is provided on the other surface. Then, the module substrate 19 is produced.

ここで、コントローラ１１や半導体メモリ１２の実装方法としては、はじめに、例えば予めワイヤボンディング法を用いて、それらの電極パッドの上に形成した、Ａｕなどからなる突起状電極（図示せず）を配線基板１４の電極端子１６ａ、１６ｂと対向して配置する。そして、配線基板１４上に非導電性接着フィルム１５を貼り付ける。さらに、加熱や加圧をすることにより、突起状電極と電極端子とを接合させると同時に、非導電性接着フィルム１５を硬化させることにより実装が行われる。   Here, as a mounting method of the controller 11 and the semiconductor memory 12, first, for example, a wire bonding method is used to wire a protruding electrode (not shown) made of Au or the like formed on the electrode pads in advance. It arrange | positions facing the electrode terminals 16a and 16b of the board | substrate 14. FIG. Then, a nonconductive adhesive film 15 is affixed on the wiring board 14. Furthermore, mounting is performed by curing the non-conductive adhesive film 15 at the same time as joining the protruding electrode and the electrode terminal by heating or pressing.

なお、非導電性接着フィルム１５としては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、アミン系硬化剤、シリカなどからなる熱硬化接着剤を用いることができる。そのときの硬化条件は、例えば２１０℃で１０秒間であり、熱プレスなどを用いて、加熱しながら硬化させるものである。   As the non-conductive adhesive film 15, for example, a thermosetting adhesive made of bisphenol A, bisphenol F, an amine curing agent, silica, or the like can be used. The curing condition at that time is, for example, 210 ° C. for 10 seconds and is cured while being heated using a hot press or the like.

また、コンデンサ１３の実装方法としては、はじめに、その実装領域に、例えばＳｎＰｂ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＡｇＢｉＩｎなどのクリームはんだを配線基板１４上に、例えばスクリーン印刷で電極端子１６ｃを印刷する。そして、コンデンサ１３を電極端子１６ｃ上に実装する。さらに、例えばリフロー炉を用いてピーク温度２４０℃まで加熱させてクリームはんだを一旦溶融させた後、冷却、凝固させてコンデンサ１３の端子と電極端子１６ｃとを接合することにより行う。   As a method for mounting the capacitor 13, first, in the mounting region, for example, cream solder such as SnPb, SnAgCu, SnAgBiIn or the like is printed on the wiring substrate 14 with the electrode terminal 16c by screen printing, for example. Then, the capacitor 13 is mounted on the electrode terminal 16c. Further, for example, the solder paste is once melted by heating to a peak temperature of 240 ° C. using a reflow furnace, and then cooled and solidified to join the terminal of the capacitor 13 and the electrode terminal 16c.

つぎに、図３（ｂ）に示すように、モジュール基板１９の配線基板１４の屈曲部１９ａ、１９ｂに所定の外径の心棒４１ａ、４１ｂを押し当てて折り曲げ処理を行う。   Next, as shown in FIG. 3B, bending processing is performed by pressing the mandrels 41 a and 41 b having predetermined outer diameters against the bent portions 19 a and 19 b of the wiring substrate 14 of the module substrate 19.

ここで、折り曲げ処理方法としては、例えば半径１．０ｍｍの心棒４１ａ、４１ｂを支持点として配線基板１４を４５℃に、例えば加熱しながら折り曲げ、一定時間保持する。なお、屈曲部の位置は、実装された電子部品の高さに応じて、それぞれ設定することが好ましいが、これに限られない。例えば、図３（ｂ）に示すように、高さのほぼ等しいコントローラ１１と半導体メモリ１２とをまとめた領域と、外部接続端子１８および最大の高さを有するコンデンサ１３などの電子部品の実装領域の３箇所に分ける。そして、それらの領域の厚み方向の高さが異なるように、配線基板１４を折り曲げて屈曲部１９ａ、１９ｂを設けてもよい。つまり、高さのほぼ等しい電子部品をまとめて、１つの領域とすることにより、屈曲部を形成する数を低減できるため、生産性を向上することができる。   Here, as a bending processing method, for example, the wiring board 14 is bent at 45 ° C., for example, while being heated with the mandrels 41a and 41b having a radius of 1.0 mm as support points, and held for a certain period of time. In addition, although it is preferable to set each position of a bending part according to the height of the mounted electronic component, it is not restricted to this. For example, as shown in FIG. 3B, a region in which the controller 11 and the semiconductor memory 12 having substantially the same height are combined, and a mounting region for an electronic component such as the external connection terminal 18 and the capacitor 13 having the maximum height. It is divided into three places. And you may bend | fold the wiring board 14 and provide the bending parts 19a and 19b so that the height of the thickness direction of those area | regions may differ. That is, by combining electronic components having substantially the same height into one region, the number of bent portions can be reduced, so that productivity can be improved.

なお、屈曲部の折り曲げ量は、電子部品と配線基板の合計の厚みの中心位置が、以下で述べるモールド樹脂体の中間層に少なくとも存在する程度に折り曲げることが重要である。これにより、モールド樹脂体の表面層と裏面層との厚みを同程度にすることができ、反りを大幅に低減することができる。   Note that it is important that the bent portion is bent so that the center position of the total thickness of the electronic component and the wiring board exists at least in the intermediate layer of the mold resin body described below. Thereby, the thickness of the front surface layer and the back surface layer of the mold resin body can be made comparable, and the warpage can be greatly reduced.

また、外部接続端子１８とコントローラ１１間に形成した屈曲部１９ａは、外部接続端子１８の厚みを、折り曲げ量程度を加えた厚みにできる場合には、必ずしも必要なものではない。   Further, the bent portion 19a formed between the external connection terminal 18 and the controller 11 is not necessarily required when the thickness of the external connection terminal 18 can be increased by adding a bending amount.

つぎに、図３（ｃ）に示すように、折り曲げたモジュール基板１９と形状が合致するように設計された下金型４２を準備する。そして、下金型４２に、例えばＡＢＳフィルムを挟み込み、上金型４３で、例えば１５０℃で５〜３０分間、例えば熱プレスで加熱しながら加圧処理することにより裏面層２０ｃを形成する。なお、この工程は、射出成形法を用いて行うこともできる。   Next, as shown in FIG. 3C, a lower mold 42 designed to match the shape of the bent module substrate 19 is prepared. Then, for example, an ABS film is sandwiched in the lower mold 42, and the back layer 20c is formed in the upper mold 43 by, for example, pressurizing with heating at 150 ° C. for 5 to 30 minutes, for example, with a hot press. This step can also be performed using an injection molding method.

つぎに、図３（ｄ）に示すように、図３（ｂ）で形成されたモジュール基板１９を、裏面層２０ｃの上に搭載し、再び熱プレスを行う。このとき、熱プレスの条件としては、例えば１５０℃で５〜３０分である。   Next, as shown in FIG.3 (d), the module board | substrate 19 formed in FIG.3 (b) is mounted on the back surface layer 20c, and it heat-presses again. At this time, the heat press conditions are, for example, 150 ° C. and 5 to 30 minutes.

つぎに、図３（ｅ）に示すように、例えばＡＢＳフィルムなどをモジュール基板１９の上に重ね、把持部を形成するための凹部などが形成された上金型４４を用いて熱プレスすることにより突部２０ｄを備える表面層２０ｂと中間層２０ａを形成する。これにより、モジュール基板１９を埋設した、表面層２０ｂ、中間層２０ａ、裏面層２０ｃ、さらには突部２０ｄからなるモールド樹脂体２０が形成される。このとき、熱プレスの条件としては、例えば１５０℃で５〜３０分である。   Next, as shown in FIG. 3 (e), for example, an ABS film or the like is stacked on the module substrate 19 and hot-pressed using an upper mold 44 in which a recess or the like for forming a grip portion is formed. Thus, the surface layer 20b and the intermediate layer 20a having the protrusions 20d are formed. Thereby, the mold resin body 20 including the surface layer 20b, the intermediate layer 20a, the back surface layer 20c, and the protrusion 20d in which the module substrate 19 is embedded is formed. At this time, the heat press conditions are, for example, 150 ° C. and 5 to 30 minutes.

つぎに、図３（ｆ）に示すように、熱プレスの工程終了後、上金型と下金型を予め制御された冷却プロファイルにより温度差をつけて冷却する。そして、上金型４４と下金型４２を取り外すことにより、反りの発生を大幅に抑制したメモリーカード１０を作製することができる。   Next, as shown in FIG. 3 (f), after the hot press process is completed, the upper mold and the lower mold are cooled by a temperature profile that is controlled in advance. Then, by removing the upper mold 44 and the lower mold 42, it is possible to manufacture the memory card 10 in which the occurrence of warpage is greatly suppressed.

本実施の形態によれば、従来の図３（ｅ）における金型の冷却工程で発生していたメモリーカードの反りを大幅に低減することができる。つまり、本実施の形態では、モールド樹脂体２０の表面層２０ｂと裏面層２０ｃを突き合わせて形成される中間層２０ａに、少なくとも電子部品と配線基板を有する部分のモジュール基板１９の中心位置近傍が埋設されるように配置できる。そのため、モジュール基板１９の上下面に、表面層２０ｂの厚みｔ１と裏面層２０ｃの厚みｔ２とをほぼ同等の厚みに形成することにより、冷却工程時の表面層２０ｂと裏面層２０ｃとの樹脂の収縮量をほぼ等しくできる。その結果、メモリーカード１０の反りを抑制することができる。 According to the present embodiment, it is possible to significantly reduce the warp of the memory card that has occurred in the conventional mold cooling process in FIG. In other words, in the present embodiment, at least the portion near the center position of the module substrate 19 having the electronic component and the wiring substrate is embedded in the intermediate layer 20a formed by abutting the front surface layer 20b and the back surface layer 20c of the mold resin body 20. Can be arranged. Therefore, the upper and lower surfaces of the module substrate 19, by forming the thickness t 2 of the thickness t 1 and the back layer 20c on the surface layer 20b on substantially the same thickness, the surface layer 20b and the back layer 20c during the cooling step Resin shrinkage can be made almost equal. As a result, the warp of the memory card 10 can be suppressed.

なお、本実施の形態の製造方法では、心棒により配線基板に屈曲部を形成する例で説明したが、これに限らない。例えば、配線基板に、金型などを用いて、予め屈曲部を形成した後に、電子部品を実装してもよい。これにより、屈曲部の工程を簡略できるとともに、折り曲げ精度に優れたモジュール基板を作製できる。   In addition, in the manufacturing method of this Embodiment, although demonstrated in the example which forms a bending part in a wiring board with a mandrel, it is not restricted to this. For example, an electronic component may be mounted after forming a bent portion in advance on a wiring board using a mold or the like. Thereby, while the process of a bending part can be simplified, the module board excellent in the bending precision can be produced.

以下に、上記方法により作製されたメモリーカードの評価結果について簡単に説明する。   The evaluation results of the memory card manufactured by the above method will be briefly described below.

まず、本実施の形態で作製したメモリーカードは、従来の配線基板が折り曲げられていないモジュール基板の場合の最大４．０ｍｍの反り量に対して、０．１ｍｍ以下の反り量にできることが確認された。   First, it is confirmed that the memory card manufactured in the present embodiment can be warped by 0.1 mm or less with respect to the warp of 4.0 mm at the maximum in the case of a module substrate in which the conventional wiring board is not bent. It was.

また、周囲温度を−４０℃・３０分、８５℃・３０分を交互に繰り返すヒートサイクル試験などの信頼性評価を行った結果、５００サイクル経過後においても、モールド樹脂体の剥離、割れや電極間の導通不良などを発生することなく、正常な動作をすることが確認できた。   Moreover, as a result of reliability evaluation such as a heat cycle test in which the ambient temperature is alternately repeated at −40 ° C. for 30 minutes and 85 ° C. for 30 minutes, peeling of the molded resin body, cracks and electrodes after 500 cycles It was confirmed that normal operation was possible without causing any poor continuity.

以下に、本実施の形態におけるメモリーカードの変形例について、図４を用いて説明する。   Hereinafter, a modified example of the memory card in the present embodiment will be described with reference to FIG.

図４は、本実施の形態におけるメモリーカードの変形例の構造を示す断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of a modification of the memory card in the present embodiment.

図４において、変形例におけるメモリーカード３０は、外部接続端子の代わりに、アンテナモジュール３８を備えた点で、先の実施の形態とは異なるものである。   In FIG. 4, the memory card 30 in the modification is different from the previous embodiment in that an antenna module 38 is provided instead of the external connection terminal.

つまり、図４に示すように、メモリーカード３０は、例えばＦｅＲＡＭなどの、高さ０．３ｍｍ、縦横１．０ｍｍ×２．０ｍｍの半導体メモリ３２と、高さ０．５ｍｍ、縦横１．０ｍｍ×０．５ｍｍのコンデンサ３３が、配線基板３４の一方の面のそれぞれに対応する実装領域に配置されている。そして、さらに配線基板３４には、例えばＡｇペーストやＣｕ箔などで、所定の周波数帯域（例えば、２．４５ＧＨｚや１３．５６ＭＨｚなど）で送受信するためのアンテナモジュール３８が形成されたモジュール基板３９を有している。   That is, as shown in FIG. 4, the memory card 30 includes a semiconductor memory 32 such as FeRAM having a height of 0.3 mm and a height and width of 1.0 mm × 2.0 mm, and a height of 0.5 mm and a height and width of 1.0 mm × A 0.5 mm capacitor 33 is arranged in a mounting area corresponding to each of one surface of the wiring board 34. Further, a module substrate 39 on which an antenna module 38 for transmitting and receiving in a predetermined frequency band (for example, 2.45 GHz, 13.56 MHz, etc.) is formed on the wiring substrate 34 with, for example, Ag paste or Cu foil. Have.

そして、上記先の実施の形態と同様に、モジュール基板３９の配線基板３４は、高さの最も高い電子部品であるコンデンサ３３の実装領域で、中心位置がメモリーカード３０の外形を形成するモールド樹脂体３７の中間層に配置されるように屈曲部３９ａで示すように折り曲げられている。他の構成は、先の実施の形態と同様であり、詳細な説明は省略する。   As in the previous embodiment, the wiring substrate 34 of the module substrate 39 is a mold resin in which the center position forms the outer shape of the memory card 30 in the mounting region of the capacitor 33 which is the electronic component having the highest height. The bent portion 39 a is bent so as to be disposed in the intermediate layer of the body 37. Other configurations are the same as those of the previous embodiment, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態の変形例によれば、アンテナモジュールにおける、アンテナパターンの剥離や断線、あるいは反りによる送受信面積の変動による送受信感度などのばらつきが小さい信頼性に優れた非接触型のメモリーカードを実現できる。   According to the modification of the present embodiment, a non-contact type memory card having excellent reliability with small variations in transmission / reception sensitivity due to fluctuations in the transmission / reception area due to peeling or disconnection of the antenna pattern or warping in the antenna module is realized. it can.

なお、上記では外部接続端子のないメモリーカードを例に説明したが、外部接続端子があってもよいことはいうまでもない。   In the above description, the memory card having no external connection terminal has been described as an example, but it goes without saying that the external connection terminal may be provided.

また、アンテナモジュールを配線基板上に形成した例で説明したが、アンテナモジュールを別のアンテナ配線基板に形成して、上記配線基板３４と接続する構成としてもよい。この場合、アンテナ配線基板と電子部品を実装した配線基板の合計の厚みの中心位置を、モールド樹脂体の中間層に配置することが好ましい。   Further, although the example in which the antenna module is formed on the wiring board has been described, the antenna module may be formed on another antenna wiring board and connected to the wiring board 34. In this case, it is preferable to arrange the center position of the total thickness of the antenna wiring board and the wiring board on which the electronic component is mounted in the intermediate layer of the mold resin body.

（第２の実施の形態）
以下に、本発明の第２の実施の形態におけるメモリーカードについて、図５を用いて説明する。 (Second Embodiment)
A memory card according to the second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

図５は、本実施の形態におけるメモリーカードの構造を示す断面図である。なお、本実施の形態におけるメモリーカードや構成部品の寸法形状などは、第１の実施の形態の場合と同様である。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing the structure of the memory card in the present embodiment. Note that the dimensions and shape of the memory card and the components in the present embodiment are the same as those in the first embodiment.

図５に示すように、メモリーカード４０は、一方の面に形成した配線パターン５７を有する、例えばＰＥＴなどからなる配線基板に、コントローラ５１、半導体メモリ５２とコンデンサ５３などの電子部品を埋設している。そして、配線基板の表面から露出した電子部品の突起状電極５５と配線パターン５７とを接続してモジュール基板を構成する。   As shown in FIG. 5, the memory card 40 has a wiring pattern 57 formed on one surface, and an electronic component such as a controller 51, a semiconductor memory 52 and a capacitor 53 is embedded in a wiring board made of, for example, PET. Yes. Then, the protruding electrode 55 of the electronic component exposed from the surface of the wiring board and the wiring pattern 57 are connected to constitute a module board.

そして、配線基板の他方の面に設けた外部機器と接続するための複数の外部接続端子５８と配線パターン５７とは、導電ビア５６を介して接続される。   A plurality of external connection terminals 58 for connecting to external devices provided on the other surface of the wiring board and the wiring pattern 57 are connected through conductive vias 56.

さらに、図５に示すように、高さの異なる電子部品が配線基板に埋設されたモジュール基板は、例えば屈曲部５９ａで折り曲げられた配線基板を有している。   Further, as shown in FIG. 5, the module substrate in which electronic components having different heights are embedded in the wiring substrate has a wiring substrate bent at, for example, a bent portion 59a.

また、配線基板に屈曲部５９ａを有するモジュール基板は、例えばエポキシ樹脂などの樹脂で、表面層５０ｂと裏面層５０ｃおよび必要に応じて設けられる突部５０ｄからなるモールド樹脂体５０とに埋設されて一体化しメモリーカード４０が構成される。なお、第１の実施の形態のモールド樹脂体の中間層２０ａが、本実施の形態の配線基板に相当するものである。ここで、図５においては、配線基板が同じ樹脂で構成されたモールド樹脂体５０と一体化した状態で示しているために、配線基板と表面層５０ｂと裏面層５０ｃの界面を図示できないが、参考のために点線で示している。   Further, the module substrate having the bent portion 59a on the wiring board is embedded in a mold resin body 50 including a front surface layer 50b, a back surface layer 50c, and a protrusion 50d provided as necessary, for example, with a resin such as epoxy resin. The memory card 40 is formed as a unit. The intermediate layer 20a of the mold resin body of the first embodiment corresponds to the wiring board of the present embodiment. Here, in FIG. 5, since the wiring board is shown in an integrated state with the mold resin body 50 made of the same resin, the interface between the wiring board, the front surface layer 50b, and the back surface layer 50c cannot be illustrated. It is shown with a dotted line for reference.

このとき、モジュール基板に接続された外部接続端子５８は、モールド樹脂体５０の裏面層５０ｃから露出させて形成される。なお、突部５０ｄは、表面層５０ｂと一体的に設けてもよい。   At this time, the external connection terminals 58 connected to the module substrate are formed so as to be exposed from the back surface layer 50 c of the mold resin body 50. The protrusion 50d may be provided integrally with the surface layer 50b.

これにより、折り曲げられて埋設されたモジュール基板は、ほぼ同じ厚みからなるモールド樹脂体５０の表面層５０ｂと裏面層５０ｃによって、メモリーカードの厚みの中心位置近傍に配置されることになる。   As a result, the folded and embedded module substrate is arranged in the vicinity of the center position of the thickness of the memory card by the surface layer 50b and the back surface layer 50c of the mold resin body 50 having substantially the same thickness.

この構成により、モールド樹脂体５０の表面層５０ｂおよび裏面層５０ｃの熱収縮量はほぼ同等となり、モジュール基板および電子部品の熱膨張率とモールド樹脂体５０の熱膨張率の差による熱応力に起因する反りなどの変形を効率よく抑制したメモリーカード４０を実現できる。   With this configuration, the amount of thermal shrinkage of the front surface layer 50b and the back surface layer 50c of the mold resin body 50 is substantially equal, and is caused by thermal stress due to the difference between the thermal expansion coefficient of the module substrate and the electronic component and the thermal expansion coefficient of the mold resin body 50. Thus, it is possible to realize the memory card 40 that efficiently suppresses deformation such as warping.

以下に、本実施の形態におけるメモリーカード４０の製造方法について、図６の工程断面図を用いて説明する。   Below, the manufacturing method of the memory card 40 in this Embodiment is demonstrated using process sectional drawing of FIG.

まず、図６（ａ）に示すように、例えばコントローラ５１や半導体メモリ５２に突起状電極５５を、例えばワイヤボンディング法などで形成する。そして、コントローラ５１や半導体メモリ５２の突起状電極５５およびコンデンサ５３の電極（図示せず）の表面が少なくとも露出するように、以降の工程で配線基板となる、例えば熱可塑性樹脂などの樹脂基材５４ａの所定の実装領域に、例えば熱プレスにより埋設する。すなわち、本実施の形態では、配線基板を構成する樹脂基材５４ａが中間層となり、いわゆる電子部品を配線基板の内部に埋設した構造となるものである。   First, as shown in FIG. 6A, for example, a protruding electrode 55 is formed on the controller 51 or the semiconductor memory 52 by, for example, a wire bonding method. Then, a resin base material such as a thermoplastic resin, which becomes a wiring board in the subsequent steps so that at least the surfaces of the protruding electrodes 55 of the controller 51 and the semiconductor memory 52 and the electrodes (not shown) of the capacitor 53 are exposed. It is embedded in a predetermined mounting area 54a by, for example, a hot press. That is, in this embodiment, the resin base material 54a constituting the wiring board serves as an intermediate layer, and a so-called electronic component is embedded in the wiring board.

なお、各電子部品を、一旦樹脂基材５４ａに埋設させた後、各電子部品の突起状電極などを、例えばレーザ法、プラズマエッチング法や研磨法などにより露出させてもよいことはいうまでもない。   Needless to say, after each electronic component is once embedded in the resin base material 54a, the protruding electrode of each electronic component may be exposed by, for example, a laser method, a plasma etching method, a polishing method, or the like. Absent.

ここで、樹脂基材５４ａとしては、例えば熱可塑性ポリイミド、ＰＥＴＧ（ポリエチレンテレフタレート・グリコールモディファイド）、ＡＢＳ（アクリロニトリルブタジエンスチレン）、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリイミド、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）などの熱可塑性樹脂を用いることができる。また、熱可塑性樹脂の代わりに、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂などを用いて樹脂基材５４ａを構成することも可能である。   Here, as the resin base material 54a, for example, thermoplastic polyimide, PETG (polyethylene terephthalate / glycol modified), ABS (acrylonitrile butadiene styrene), polycarbonate, vinyl chloride, polyimide, PEN (polyethylene naphthalate), PET (polyethylene terephthalate). A thermoplastic resin such as PEEK (polyetheretherketone) can be used. In addition, the resin base material 54a can be configured using a thermosetting resin, an ultraviolet curable resin, or the like instead of the thermoplastic resin.

つぎに、図６（ｂ）に示すように、外部接続端子と接続する樹脂基材５４ａの一部に、スルーホールを、例えばレーザ法やプラズマエッチング法により孔開けした後、スルーホールに、例えば導電性ペーストを充填して導電ビア５６を形成する。   Next, as shown in FIG. 6B, after a through hole is formed in a part of the resin base material 54a connected to the external connection terminal by, for example, a laser method or a plasma etching method, A conductive via 56 is formed by filling the conductive paste.

つぎに、図６（ｃ）に示すように、導電ビア５６を介して、樹脂基材５４ａの一方の面から露出したコントローラ５１、半導体メモリ５２の突起状電極５５やコンデンサ５３の電極と接続する配線パターン５７を形成する。そして、樹脂基材５４ａの他方の面に、導電ビア５６と接続する外部接続端子５８を形成することにより配線基板５４を形成する。これにより、配線基板５４の内部にコントローラ５１、半導体メモリ５２やコンデンサ５３などの電子部品が埋設されたモジュール基板５９が作製される。   Next, as shown in FIG. 6C, the controller 51 exposed from one surface of the resin base material 54a, the protruding electrode 55 of the semiconductor memory 52, and the electrode of the capacitor 53 are connected via the conductive via 56. A wiring pattern 57 is formed. Then, the wiring board 54 is formed by forming the external connection terminal 58 connected to the conductive via 56 on the other surface of the resin base material 54a. As a result, a module substrate 59 in which electronic components such as the controller 51, the semiconductor memory 52, and the capacitor 53 are embedded in the wiring substrate 54 is manufactured.

なお、配線パターン５７は、例えば導電性ペーストなどのスクリーン印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンス描画法、凹版転写法または圧延Ｃｕ箔やＡｌ箔、Ｃｕメッキ箔などの転写法などにより形成する。一例として、例えば軟化開始温度が１２０℃のＰＥＴＧを樹脂基材５４ａとして用いる場合、硬化温度１１０℃、硬化時間１０分間程度の特性を有するＡｇペーストなどを用いることができる。   The wiring pattern 57 is formed by, for example, a screen printing method such as a conductive paste, an ink jet printing method, a dispense drawing method, an intaglio transfer method, or a transfer method such as a rolled Cu foil, Al foil, or Cu plating foil. As an example, when PETG having a softening start temperature of 120 ° C. is used as the resin base material 54a, an Ag paste having a curing temperature of 110 ° C. and a curing time of about 10 minutes can be used.

また、両面配線基板を用いる場合には、各電子部品を埋設する前に、スルーホールを、例えばＮＣパンチャ法やレーザ法またはドリル法などにより形成し、導電性ペーストやメッキなどで導電ビアを形成してもよい。   In addition, when using a double-sided wiring board, before embedding each electronic component, a through hole is formed by, for example, NC puncher method, laser method, drill method, etc., and conductive via is formed by conductive paste or plating. May be.

また、モジュール基板５９として多層配線基板を用いる場合には、上記配線パターン５７の上に、樹脂などの絶縁層と配線パターンを繰り返して積層して形成する、いわゆるビルドアップ工法により作製する。   When a multilayer wiring board is used as the module substrate 59, the module board 59 is manufactured by a so-called build-up method in which an insulating layer such as a resin and a wiring pattern are repeatedly stacked on the wiring pattern 57.

つぎに、図６（ｄ）に示すように、モジュール基板５９を所定の形状に折り曲げる形状を備えた金型（図示せず）にモジュール基板５９を配置し、例えば熱プレスして、モジュール基板５９を折り曲げた形状で金型を加圧保持する。例えば、図６（ｄ）では、半導体メモリ５２とコンデンサ５３との間に屈曲部５９ａを設けて折り曲げた例で示している。   Next, as shown in FIG. 6D, the module substrate 59 is placed in a mold (not shown) having a shape that bends the module substrate 59 into a predetermined shape and, for example, hot-pressed, the module substrate 59 is then pressed. The mold is pressed and held in a bent shape. For example, FIG. 6D shows an example in which a bent portion 59 a is provided between the semiconductor memory 52 and the capacitor 53 and bent.

このとき、導電ビア５６や配線パターン５７が流動しないように、加熱温度、荷重、加熱時間などを制御することが重要である。   At this time, it is important to control the heating temperature, load, heating time, and the like so that the conductive via 56 and the wiring pattern 57 do not flow.

つぎに、図６（ｅ）に示すように、中間層となる配線基板の樹脂基材５４ａからなる予め折り曲げられたモジュール基板５９の上下面に、表面層５０ｂと裏面層５０ｃからなるモールド樹脂体を形成する。   Next, as shown in FIG. 6 (e), a mold resin body made of a front surface layer 50b and a back surface layer 50c is formed on the upper and lower surfaces of a module substrate 59 made of a resin base material 54a of a wiring board to be an intermediate layer. Form.

これにより、高さの異なる複数の電子部品をモールド樹脂体に内蔵したメモリーカード４０が作製される。   Thereby, the memory card 40 in which a plurality of electronic components having different heights are built in the mold resin body is manufactured.

ここで、表面層５０ｂや裏面層５０ｃは、以下の方法により形成される。   Here, the front surface layer 50b and the back surface layer 50c are formed by the following method.

まず、メモリーカードの外形を形成する凹部を有する上金型と下金型（図示せず）において、下金型に、例えば熱可塑性樹脂シートなどを載置する。その上にモジュール基板を載置し、さらにその上に、例えば熱可塑性樹脂シートなどを載置する。この状態で、下金型と上金型で、熱プレスすることにより、表面層５０ｂと裏面層５０ｃおよび中間層となる配線基板の樹脂基材５４ａとにより、モールド樹脂体が形成される。   First, in an upper mold and a lower mold (not shown) having recesses that form the outer shape of the memory card, for example, a thermoplastic resin sheet or the like is placed on the lower mold. A module substrate is placed thereon, and a thermoplastic resin sheet, for example, is placed thereon. In this state, by performing hot pressing with the lower mold and the upper mold, a mold resin body is formed by the front surface layer 50b, the back surface layer 50c, and the resin base material 54a of the wiring substrate serving as an intermediate layer.

なお、上記では、表面層５０ｂと裏面層５０ｃとを一度にモジュール基板に形成する例で説明したが、これに限らない。例えば、表面層５０ｂと裏面層５０ｃとを別々の工程で作製した後に、一体化してもよい。また、中間層となる配線基板の樹脂基材５４ａと表面層５０ｂや裏面層５０ｃを構成する樹脂材料は同じ材料を用いても、異なる材料でもよいことはいうまでもない。   In the above description, the example in which the front surface layer 50b and the back surface layer 50c are formed on the module substrate at a time has been described, but the present invention is not limited thereto. For example, the front surface layer 50b and the back surface layer 50c may be integrated after being manufactured in separate steps. Needless to say, the resin material constituting the resin base material 54a and the front surface layer 50b or the back surface layer 50c of the wiring board serving as the intermediate layer may be the same material or different materials.

本実施の形態の製造方法によれば、予め後工程で中間層となる配線基板の樹脂基材５４ａに複数の電子部品を埋設した後、その中間層を折り曲げて、表面層５０ｂ、裏面層５０ｃを形成する。そのため、高さの異なる電子部品を、最終形態であるメモリーカード４０の中心部に配置することが容易である。その結果、図６（ｅ）に示すように、メモリーカード４０の大部分の面積を占めるコントローラ５１、半導体メモリ５２の実装領域における表面層５０ｂの厚みｔ１と裏面層５０ｃの厚みｔ２とをほぼ等しくすることにより、反りや樹脂割れ、剥離などの不良発生を大幅に低減した信頼性の高いメモリーカードを容易に作製できる。 According to the manufacturing method of the present embodiment, after embedding a plurality of electronic components in the resin base material 54a of the wiring board that will be an intermediate layer in a subsequent process in advance, the intermediate layer is bent to obtain the surface layer 50b and the back surface layer 50c. Form. Therefore, it is easy to arrange electronic components having different heights at the center of the memory card 40 as the final form. As a result, as shown in FIG. 6 (e), the controller 51 accounts for most areas of the memory card 40, the thickness t 1 and the backing layer 50c of the surface layer 50b in the mounting area of the semiconductor memory 52 and a thickness t 2 By making them substantially equal, it is possible to easily produce a highly reliable memory card that greatly reduces the occurrence of defects such as warpage, resin cracking, and peeling.

本発明のカード型情報装置およびその製造方法は、小型、薄型化された携帯型電子機器などの情報記憶媒体として用いられる各種のメモリーカードや非接触型ＩＣカードなどにおいて有用である。   The card type information device and the manufacturing method thereof of the present invention are useful in various memory cards and non-contact type IC cards used as information storage media such as small and thin portable electronic devices.

本発明の第１の実施の形態におけるメモリーカードの構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the memory card in the 1st Embodiment of this invention （ａ）本発明の第１の実施の形態におけるメモリーカードの表側斜視図（ｂ）同図（ａ）の裏側斜視図(A) Front side perspective view of the memory card in the first embodiment of the present invention (b) Back side perspective view of FIG. 本発明の第１の実施の形態におけるメモリーカードの製造方法を説明する工程断面図Process sectional drawing explaining the manufacturing method of the memory card in the 1st Embodiment of this invention 本発明の第１の実施の形態におけるメモリーカードの変形例の構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the modification of the memory card in the 1st Embodiment of this invention 本発明の第２の実施の形態におけるメモリーカードの構造を示す断面図Sectional drawing which shows the structure of the memory card in the 2nd Embodiment of this invention 本発明の第２の実施の形態におけるメモリーカードの製造方法を説明する工程断面図Process sectional drawing explaining the manufacturing method of the memory card in the 2nd Embodiment of this invention 各種ＳＤメモリーカードの外形を示す図Diagram showing the outline of various SD memory cards 従来のｍｉｎｉＳＤカードの構造を説明する分解斜視図Exploded perspective view explaining the structure of a conventional miniSD card 従来のｍｉｃｒｏＳＤカードの構造と課題を説明する断面図Sectional drawing explaining the structure and subject of the conventional microSD card

符号の説明Explanation of symbols

１０，３０，４０ カード型情報装置（メモリーカード）
１１，５１ コントローラ
１２，３２，５２ 半導体メモリ
１３，３３，５３ コンデンサ
１４，３４，５４ 配線基板
１５ 非導電性接着フィルム
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ 電極端子
１７ はんだ
１８，５８ 外部接続端子
１９，３９，５９ モジュール基板
１９ａ，１９ｂ，３９ａ，５９ａ 屈曲部
２０，３７，５０ モールド樹脂体
２０ａ 中間層
２０ｂ，５０ｂ 表面層
２０ｃ，５０ｃ 裏面層
２０ｄ，５０ｄ 突部
３８ アンテナモジュール
４１ａ，４１ｂ 心棒
４２ 下金型
４３，４４ 上金型
５４ａ 樹脂基材
５５ 突起状電極
５６ 導電ビア
５７ 配線パターン 10, 30, 40 Card type information device (memory card)
11, 51 Controller 12, 32, 52 Semiconductor memory 13, 33, 53 Capacitor 14, 34, 54 Wiring board 15 Non-conductive adhesive film 16a, 16b, 16c Electrode terminal 17 Solder 18, 58 External connection terminal 19, 39, 59 Module substrate 19a, 19b, 39a, 59a Bent part 20, 37, 50 Molded resin body 20a Intermediate layer 20b, 50b Surface layer 20c, 50c Back layer 20d, 50d Projection 38 Antenna module 41a, 41b Mandrel 42 Lower mold 43, 44 Upper mold 54a Resin substrate 55 Projection electrode 56 Conductive via 57 Wiring pattern

Claims (11)

複数個の電子部品が配線基板に実装されたモジュール基板を備えるカード型情報装置であって、
前記電子部品が高さの異なる複数の電子部品であり、
前記配線基板を前記複数の電子部品の高さに対応して２箇所で折り曲げ３箇所の領域を設け、
前記電子部品が実装された前記モジュール基板をモールド樹脂体で埋設することで、前記電子部品と前記配線基板からなる部分の合計厚みの中心位置が、前記モールド樹脂体の厚み方向を構成する表面層、中間層および裏面層のうちの中間層に存在することを特徴とするカード型情報装置。 A card type information device comprising a module substrate on which a plurality of electronic components are mounted on a wiring substrate,
The electronic parts are a plurality of electronic parts having different heights;
The wiring substrate provided with the plurality of corresponding to height three areas bent in two places of the electronic component,
By embedding the module substrate on which the electronic component is mounted with a mold resin body, the center layer of the total thickness of the portion composed of the electronic component and the wiring substrate constitutes the surface layer constituting the thickness direction of the mold resin body A card type information device, characterized by being present in an intermediate layer of the intermediate layer and the back layer . 前記３箇所の領域が、コントローラと半導体メモリとの実装領域と、外部接続端子の実装領域と、コンデンサーの実装領域とであることを特徴とする請求項１に記載のカード型情報装置。 The three regions, the controller and the mounting area of the semiconductor memory, card-type information device according to claim 1, the mounting area of the external connection terminals, characterized in that there in the mounting area of the capacitor. 複数個の電子部品が配線基板に実装されたモジュール基板を備えるカード型情報装置であって、
前記電子部品が高さの異なる複数の電子部品であり、
前記配線基板に前記複数の電子部品の高さに対応して折り曲げ箇所を３箇所以上設け、前記電子部品が実装された前記モジュール基板をモールド樹脂体で埋設することで、前記モールド樹脂体の厚み方向を構成する表面層、中間層および裏面層のうちの前記中間層に前記配線基板が配置され、前記表面層と、前記裏面層を同じ厚みにしたカード型情報装置。 A card type information device comprising a module substrate on which a plurality of electronic components are mounted on a wiring substrate,
The electronic parts are a plurality of electronic parts having different heights;
The wiring board is provided with three or more bent portions corresponding to the heights of the plurality of electronic components, and the module substrate on which the electronic components are mounted is embedded with a mold resin body, whereby the thickness of the mold resin body is increased. A card type information device in which the wiring board is arranged in the intermediate layer among the front surface layer, the intermediate layer, and the back surface layer constituting the direction, and the front surface layer and the back surface layer have the same thickness . 前記モジュール基板に、アンテナモジュールを備えていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のカード型情報装置。 The card type information device according to any one of claims 1 to 3, wherein the module substrate includes an antenna module. 前記配線基板が熱可塑性樹脂からなり、前記複数個の電子部品を前記熱可塑性樹脂に埋設して前記モジュール基板を形成したことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のカード型情報装置。 5. The module board according to claim 1, wherein the wiring board is made of a thermoplastic resin, and the module board is formed by embedding the plurality of electronic components in the thermoplastic resin. 6. Card type information device. 前記モールド樹脂体の表面層、中間層および裏面層は、熱融着可能な樹脂を含有していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のカード型情報装置。 Surface layer of the molded resin body, the intermediate layer and the back layer, the card type information device according to any one of claims 1 to 5, characterized by containing a heat-sealable resin . 前記モールド樹脂体の厚み方向の外形の一部に突部を設けたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のカード型情報装置。 The card type information device according to any one of claims 1 to 6 , wherein a protrusion is provided on a part of an outer shape of the mold resin body in a thickness direction. 前記突部の位置に、最大の高さを有する前記電子部品を配置したことを特徴とする請求項７に記載のカード型情報装置。 8. The card type information device according to claim 7 , wherein the electronic component having the maximum height is arranged at the position of the protrusion. 高さの異なる複数個の電子部品を配線基板に実装してモジュール基板を形成する工程と、
前記複数個の電子部品の高さに応じて、前記モジュール基板を２箇所で折り曲げ加工して３箇所の領域にわける工程と、
前記モジュール基板をモールド樹脂体で埋設して、前記複数の電子部品と前記配線基板の合計厚みの中心位置を、前記モールド樹脂体の厚み方向を構成する表面層、中間層および裏面層のうちの前記中間層とする工程と、
を含むことを特徴とするカード型情報装置の製造方法。 Forming a module substrate a plurality pieces of electronic components having different heights and mounted on the wiring board,
Depending on the height of the plurality of electronic components, the step of bending the module substrate at two locations and dividing it into three regions;
The module substrate is embedded with a mold resin body, and the center position of the total thickness of the plurality of electronic components and the wiring substrate is selected from among a surface layer, an intermediate layer, and a back surface layer constituting the thickness direction of the mold resin body. A step of forming the intermediate layer ;
A method for manufacturing a card-type information device, comprising: 前記３箇所の領域が、コントローラと半導体メモリとの実装領域と、外部接続端子の実装領域と、コンデンサーの実装領域とである請求項１０記載のカード型情報装置の製造方法。 11. The method for manufacturing a card type information device according to claim 10, wherein the three regions are a mounting region for a controller and a semiconductor memory, a mounting region for an external connection terminal, and a mounting region for a capacitor . 高さの異なる複数個の電子部品を配線基板に実装してモジュール基板を形成する工程と、
前記複数個の電子部品の高さに応じて、前記モジュール基板に折り曲げ箇所を３箇所以上設ける工程と、
前記モジュール基板をモールド樹脂体で埋設して、前記配線基板位置を、前記モールド樹脂体の厚み方向を構成する表面層、中間層および裏面層のうちの前記中間層とし、前記表面層と、前記裏面層を同じ厚みにする工程と、
を含むことを特徴とするカード型情報装置の製造方法。 Mounting a plurality of electronic components having different heights on a wiring board to form a module board; and
Depending on the height of the plurality of electronic components, providing the module substrate with three or more bent portions;
The module substrate is embedded with a mold resin body, and the wiring board position is the intermediate layer of the surface layer, the intermediate layer, and the back layer constituting the thickness direction of the mold resin body, the surface layer, Making the back layer the same thickness ;
A method for manufacturing a card-type information device, comprising:
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