JP4265230B2 - ELECTRO-OPTICAL DISPLAY DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE - Google Patents

ELECTRO-OPTICAL DISPLAY DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各発光画素間に有機材料からなる画素間隔壁が形成された電気光学表示装置及びその製造方法並びに電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
近年、ノートパソコン、携帯電話機、電子手帳等の電子機器において、情報を表示する手段として有機エレクトロルミネッセンス(以下有機ELと称す)素子(発光素子)を画素に対応させて備える有機EL表示装置等といった電子光学表示装置が提案されている。一般的に有機EL素子は、対向する一対の電極の間に発光層(有機EL層)を含む有機機能層が配置されており、各有機EL素子間には、隣り合う画素から発光された光が干渉しないように有機材料からなる画素間隔壁(バンク層)が有機機能層に接した状態で配置されている。
【0003】
ところで、上記画素間隔壁は、一般的に上記基板上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤製を有する感光性材料(有機材料)を塗布し、フォトリソグラフィ技術によって有機EL素子が形成される画素領域に開口部を形成することによって形成されている。そして、このような画素間隔壁の形成過程等には、水分を使用する工程、いわゆるウエットプロセス(例えば、ウエットエッチング工程や画素間隔壁のエッチング後アセトンによって濯ぐ工程等)が含まれている。
【0004】
【特許文献1】
国際公開第98/12689号パンフレット
【0005】
画素間隔壁は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機材料によって形成されているため、その内部には微小な空洞が形成されており、上述したウエットプロセスによって画素間隔壁の空洞に水分が入り込み保持される。このように画素間隔壁の空洞に入り込んだ水分は、長期保存あるいは高温保存によって徐々に画素間隔壁の外部に出るため、完成後の有機EL表示装置の発光層を劣化させてしまい、結果、有機EL表示装置の輝度低下やいわゆるダークスポット(発光しない領域)を発生させる原因となる。また、画素間隔壁には、上述のように空洞が形成されているために透湿性が高い。このため、ある画素間隔壁から出た水分が他の画素間隔壁を通過して他の発光層を劣化させ、有機EL表示装置の輝度低下やダークスポットが拡がっていくという問題点も発生する。
【0006】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、長期保存あるいは高温保存によって画素間隔壁から出る水分に起因した輝度低下及びダークスポットの発生を防止した電気光学表示装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の電気光学表示装置は、各発光画素間に有機材料からなる画素間隔壁が形成された電気光学表示装置であって、上記画素間隔壁には、上記有機材料より低分子の材料からなる充填物が含有されていることを特徴とする。
【0008】
このような構成の電気光学表示装置によれば、画素間隔壁に画素間隔壁を構成する有機材料よりも低分子の材料からなる充填物(以下、フィラーと称す)が含有されているため、画素間隔壁の空洞にフィラーが充填される。このように、画素間隔壁の空洞にフィラーが充填されることによって、上述したウエットプロセスによって水分が画素間隔壁に入り込まなくなるので画素間隔壁に水分が含有されない。結果、このような画素間隔壁が形成された本電気光学表示装置を長期保存あるいは高温保存した場合であっても画素間隔壁から水分が出てこないため、画素間隔壁から出る水分に起因した輝度低下及びダークスポットの発生を防止することが可能となる。
【0009】
なお、フィラーは、有機材料より低分子の無機材料を採用することが好ましく、さらに脱水材であることがより好ましい。フィラーとして脱水材を採用することによって、仮に画素間隔壁に若干の水分が含有されている場合であっても、この水分が画素間隔壁の外部に出ることを防止することが可能となる。また、フィラーを充填することによって画素間隔壁の透湿性が低下しているので、万一、ある画素間隔壁の外部に水分が出ても、その水分は、他の画素間隔壁を通過しないので他の電気光学素子を劣化させることはなく、本電気光学表示装置への影響を最小限とすることが可能となる。
【0010】
また、フィラーは、自らが含有された画素間隔壁における光の反射を抑制する所定の色であることが好ましい。なお、フィラーは黒色であるチタンブラック等がより好ましい。黒色のフィラーを採用することによって画素間隔壁の色が黒色となるので画素間隔壁における光の反射を抑制でき、結果、本電気光学表示装置の視認性が向上する。
【0011】
また、フィラーは、画素間隔壁に対し10%〜30%含有されることが好ましい。例えば、画素間隔壁に対しフィラーの含有率が10%以下であると、フィラーによって画素間隔壁の空洞を充分に埋めることができない。一方、フィラーの含有率が30%以上であると、画素間隔壁が脆くなり、本電気光学表示装置の耐久性が低下するためである。
【0012】
本発明の電気光学表示装置の製造方法は、画素間隔壁がドライエッチング技術によって形成されることを特徴とする。本製造方法を採用することによってウエットエッチングを行わずに画素間隔壁が形成されるので画素間隔壁が水分を含有する可能性を低減させることが可能となる。結果、より確実に画素間隔壁から出る水分に起因した輝度低下及びダークスポットの発生を防止した電気光学表示装置を提供することが可能となる。
【0013】
また、本発明の電子機器は、上述の電気光学表示装置を搭載することを特徴とする。よって、画素間隔壁から出る水分に起因した輝度低下及びダークスポットの発生を防止した電気光学表示装置を搭載した電子機器を提供することが可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係る電気光学表示装置及びその製造方法並びに電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【0015】
図1は本電気光学表示装置の一実施形態である有機EL表示装置の配線構造を示す平面模式図である。図1に示すように、有機EL表示装置1には、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線102と、信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線されている。そして、走査線101と信号線102とにより区画された領域が画素領域として構成されている。
【0016】
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路104が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路105が接続されている。
【0017】
各画素領域には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ112と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ112を介して信号線102から共有される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ123と、この駆動用の薄膜トランジスタ123を介して電源線103に電気的に接続したときに当該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極111と、この画素電極111と陰極12との間に挟み込まれる有機機能層110とが設けられている。画素電極111と陰極12と有機機能層110により発光部A(発光画素)が構成され、有機EL表示装置1は、この発光部Aをマトリクス状に複数備えて構成されている。
【0018】
このような構成によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ112がオンになると、そのときの信号線102の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ123のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ123のチャネルを介して、電源線103から画素電極111に電流が流れ、更に有機機能層110を介して陰極12に電流が流れる。有機機能層110は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【0019】
図2は本有機EL表示装置1の平面模式図であり、図3は図2をI−I′断面で切った断面模式図である。図3に示すように、本実施形態の有機EL表示装置1は、基板2上に回路素子部14と表示素子(有機EL素子)部10が順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止部3によって封止された構造を有する。表示素子部10は、有機機能層110を含む発光素子部11と、発光素子部11上に形成された陰極12とからなる。画素電極111は透光性を有しており、本有機EL表示装置1は、発光層110bから発した表示光が基板2側から出射される、いわゆるボトムエミッション型の表示装置として構成されている。
【0020】
透光性を有する基板2としては、例えばガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。また、基板2は、図2に示すように、中央に位置する表示領域2aと、基板2の周縁に位置して表示領域2aを囲む非表示領域2bとに区画されている。表示領域2aは、マトリックス状に配置された発光部Aによって形成される領域であり、表示領域の外側に非表示領域2bが形成されている。そして,非表示領域2bには、表示領域2aに隣接するダミー表示領域2dが形成されている。
【0021】
図3に示すように、回路素子部14には、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ123等が備えられており、表示領域2aに配置された各発光部Aを駆動するようになっている。陰極12は、その一端が発光素子部11上から基板2上に形成された陰極用配線120に接続しており、この配線の一端部がフレキシブル基板5上の配線5aに接続されている。また、配線5aは、フレキシブル基板5上に備えられた駆動IC6(駆動回路)に接続されている(図2参照)。
【0022】
また、回路素子部14の非表示領域2bには、前述の電源線103(103R、103G、103B)が配線されている。また、表示領域2aの図2中両側には、前述の走査側駆動回路105、105が配置されている。この走査側駆動回路105、105はダミー領域2dの下側の回路素子部14内に設けられている。更に回路素子部14内には、走査側駆動回路105、105に接続される駆動回路用制御信号配線105aと駆動回路用電源配線105bとが設けられている。更に表示領域2aの図2中上側には検査回路106が配置されている。この検査回路106により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【0023】
封止部3は、基板2に塗布された封止樹脂603と、封止缶(封止部材)604とから構成されている。封止樹脂603は、基板2と封止缶604を接着する接着剤であり、例えばマイクロディスペンサ等により基板2の周囲に環状に塗布されている。この封止樹脂603は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の1種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。また、この封止樹脂603には酸素や水分を通しにくい材料が用いられており、基板2と封止缶604の間から封止缶604内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰極12または発光素子部11内に形成された発光層110bの酸化を防止するようになっている。
【0024】
封止缶604は、その内側に表示素子10を収納する凹部604aが設けられており、封止樹脂603を介して基板2に接合されている。なお、封止缶604の内面側には、必要に応じて、非表示領域2bに対応する領域に、酸素や水分を吸収又は除去するゲッター材を設けることができる。このゲッター材としては、例えば、Li,Na,Rb,Cs等のアルカリ金属、Be,Mg,Ca,Sr,Ba等のアルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物等を好適に用いることができる。アルカリ土類金属の酸化物は、水と反応して水酸化物に変化することにより、脱水材として作用する。アルカリ金属や、アルカリ土類金属は、酸素と反応して水酸化物に変化するとともに水と反応して酸化物に変化するため、脱水材としてだけでなく脱酸素材としても作用する。これにより、発光部Aの酸化を防止でき、装置の信頼性を高めることができる。
【0025】
図4に、本有機EL表示装置1における表示領域2aの断面構造を拡大した図を示す。この有機EL表示装置1は、基板2上に、TFTなどの回路等が形成された回路素子部14と、画素電極111と、発光層110bを含む有機機能層110が形成された発光素子部11と、陰極12とが順次積層されて構成されている。
【0026】
回路素子部14には、基板2上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜2cが形成され、この下地保護膜2c上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜141が形成されている。なお、半導体膜141には、ソース領域141a及びドレイン領域141bが高濃度Pイオン打ち込みにより形成されている。また、Pが導入されなかった部分がチャネル領域141cとなっている。
【0027】
また、回路素子部14には、下地保護膜2c及び半導体膜141を覆うゲート絶縁膜142が形成されている。そして、このゲート絶縁膜142上には、半導体膜141のチャネル領域141cに対応する位置に、Al、Mo、Ta、Ti、W等からなるゲート電極143(走査線101)が形成されている。そして、半導体膜141,ゲート絶縁膜142,ゲート電極143により薄膜トランジスタ123が構成されている。この薄膜トランジスタ123では、半導体膜141にポリシリコンを用いているため、高輝度,高精細な表示を実現できる。
【0028】
また、ゲート電極143及びゲート絶縁膜142上には透明な第1層間絶縁膜144aと第2層間絶縁膜144bが形成されており、この第1、第2層間絶縁膜144a,144bには、絶縁膜144a,144bを貫通して半導体膜141のソース、ドレイン領域141a,141bにそれぞれ接続されるコンタクトホール145,146が形成されている。コンタクトホール145は画素電極に接続されており、このコンタクトホール145を介して画素電極111と半導体のソース領域141aが電気的に接続されている。また、コンタクトホール146は電源線103に接続されており、このコンタクトホール146を介して、電源線103から画素信号が供給されるようになっている。
【0029】
以上により駆動用の回路が構成されている。なお、回路素子部14には、前述した保持容量cap及びスイッチング用の薄膜トランジスタ142も形成されているが、図4ではこれらの図示を省略している。
【0030】
画素電極111は、第2層間絶縁膜144b上に平面視略矩形にパターニングされて形成されており、表示領域2a内にマトリクス状に複数配置されている。この画素電極111には、例えばインジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)等の金属酸化物からなる透光性の導電材料が用いられている。
【0031】
発光素子部11は、複数の画素電極111上の各々に積層された有機機能層110と、各画素電極111及び有機機能層110の間に備えられて各有機機能層110を仕切るバンク層112(画素間隔壁)とを主体として構成されている。有機機能層110上には陰極12が配置されており、これら画素電極111、有機機能層110及び陰極12によって発光部Aが構成されている。
【0032】
バンク層112は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れた有機材料からなり、画素電極111の形成位置に対応して開口部112dが形成されている。このバンク層112には、バンク層112を構成する有機材料よりも低分子の材料からなる充填物150(以下、フィラーと称す)が含有されている。このため、バンク層112の内部に形成された空洞にフィラー150が充填される。したがって、バンク層112の透湿性を低下させると共にバンク層112の形成過程においてバンク層112に水分を含有させないようにすることが可能となる。そして、万一、あるバンク層112の外部に水分が出ても、その水分は、他のバンク層112を通過しないので他の発光層110bを劣化させることはなく、本有機EL表示装置1への影響を最小限とすることが可能となる。
【0033】
また、フィラー150としては、それ自体有機材料に比べて透湿性が低い無機材料を用いることが好ましく、具体的にはシリカゲルや酸化チタン等が挙げられる。また、フィラー150として脱水材を用いることがより好ましい。フィラー150として脱水材を用いることによって、仮にバンク層112の形成過程等においてバンク層112に若干の水分が含有されている場合であっても、脱水材が水分を保持し、水分がバンク層112の外部に出ることを防止することが可能となる。このような脱水効果を有したフィラー150としては、酸化カルシウム等が挙げられる。また、フィラー150は、例えばチタンブラック等のバンク層112における光の反射を抑制する色を有しているものであることが好ましい。黒色のフィラーを採用することによってバンク層112の色が黒色となるのでバンク層112における光の反射を抑制できる。
【0034】
このようなフィラー150は、バンク層112に対して10%〜30%含有されていることが好ましい。例えば、バンク層112に対しフィラーの含有率が10%以下であると、フィラー150によってバンク層112の空洞を充分に埋めることができない。一方、フィラー150の含有率が30%以上であると、バンク層112が脆くなり、本有機EL表示装置1の耐久性が低下するためである。
【0035】
なお、バンク層112に仕切られた各領域において、画素電極111の電極面111aは酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液処理されており、親液性を示す。一方、開口部112dの壁面及びバンク層112の上面112fは、4フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理(撥液処理)されており、撥液性を示す。
【0036】
有機機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層110aと、正孔注入/輸送層110a上に隣接して形成された発光層110bと、この発光層110b上に隣接して形成された電子注入/輸送層110cとから構成されている。正孔注入/輸送層110aは、正孔を発光層110bに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入/輸送層110a内部において輸送する機能を有する。この正孔注入/輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、電子注入/輸送層110cは、電子を発光層110bに注入する機能を有するとともに、電子を電子注入/輸送層110c内部において輸送する機能を有する。この電子注入/輸送層110cとしては、例えばリチウムキノリノール(Liq)やフッ化リチウム(LiF)或いはバソフェンセシウム等を好適に用いることができる。また、仕事関数が4eV以下の金属、例えばMg、Ca、Ba、Sr、Li、Na、Rb、Cs、Yb、Smなども用いることができる。
【0037】
このような正孔注入/輸送層110a,電子注入/輸送層110cを、それぞれ画素電極111と発光層110bの間及び陰極12と発光層110bとの間に設けることにより、発光層110bの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。なお、正孔注入/輸送材料は、各色の発光層110b毎に異ならせてもよく、又、特定の色の発光層110bに対して正孔注入/輸送層110aを設けない構成とすることも可能である。
【0038】
発光層110bは、赤色(R)に発光する赤色発光層110b、緑色(G)に発光する緑色発光層110b、及び青色(B)に発光する青色発光層110b、の3種類を有し、各発光層110b〜110bがストライプ配置されている。この発光層110bの材料としては、例えば、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、9,10-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【0039】
陰極12は、カルシウム(Ca)層12aとアルミニウム(Al)層12bとが積層されて構成されている。カルシウム層の層厚は例えば2〜50nmの範囲が好ましい。また、アルミニウム層12bは、陰極12側に発せられた光を基板2側に反射させるもので、Al膜の他、Ag膜、AlとAgの積層膜等からなることが好ましい。また、その厚さは、例えば100〜1000nmの範囲が好ましい。この陰極12は発光素子部11の全面に形成されている。そして、画素電極111と対になって有機機能層110に電流を流す役割を果たす。なお、陰極12上には必要に応じてSiO,SiO2,SiN等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【0040】
次に、本実施形態の有機EL表示装置1の製造方法を図面を参照して説明する。本実施形態の有機EL表示装置1の製造方法は、例えば、(1)バンク部形成工程、(2)プラズマ処理工程(3)正孔注入/輸送層形成工程、(4)発光層形成工程、(5)電子注入/輸送層形成工程、(6)陰極形成工程、及び(7)封止工程とを具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。なお、(3)正孔注入/輸送層形成工程、(4)発光層形成工程は、液滴吐出装置を用いた液体吐出法(インクジェット法)を用いて行った。
【0041】
(1)バンク層形成工程
バンク層形成工程は、基板2の所定の位置に開口部112dを有するバンク層112を形成する工程である。以下に形成方法について説明する。まず、図5に示すように、基板2上に走査線,信号線,薄膜トランジスタ123等の回路素子部14を有し、層間絶縁膜144a,144bの上に複数の画素電極111が形成された素子基板を準備する。そして、この基板2上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する感光性材料(有機材料)を塗布し、ドライエッチング技術によって画素電極111の配置された領域に開口部112dを形成する(図6参照)。このドライエッチング技術は、周知のようにプラズマ化したエッチングガスによってエッチングを行う技術であり、ウエットエッチング技術のように薬液にバンク層112を構成する有機材料を浸漬しない。このため、ドライエッチング技術を用いて開口部112dを形成することによってバンク層112に水分が含有される可能性を低減させることが可能となる。なお、ドライエッチング技術によってバンク層112を形成する方が好ましいが、ウエットエッチング技術によってバンク層112を形成することも可能である。
【0042】
(2)プラズマ処理工程
プラズマ処理工程は、画素電極111の表面を活性化すること、更にバンク層112の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極111上の洗浄、更に仕事関数の調整を主な目的として行っている。更に、画素電極111の表面の親液化処理、バンク層112表面の撥液化処理を行う。
【0043】
(3)正孔注入/輸送層形成工程
図7に示すように、画素電極111が形成された基板2上に、正孔注入/輸送層110aを形成する。正孔注入/輸送層形成工程では、例えば、液体吐出法を用いることにより、正孔注入/輸送層形成材料を含む組成物を画素電極111上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極111上に正孔注入/輸送層110aを形成する。なお、この正孔注入/輸送層形成工程を含め、以降の工程は、例えば窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【0044】
液体吐出法による正孔注入/輸送層の形成手順としては、液体を吐出するための吐出ヘッド(図示略)に、正孔注入/輸送層の材料を含有する組成物インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを、バンク部112の開口部内に位置する画素電極111に対向させ、吐出ヘッドと基板2とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御されたインク滴を吐出する。その後、吐出後のインク滴を乾燥処理して組成物インクに含まれる極性溶媒(液体材料)を蒸発させることにより、正孔注入/輸送層が形成される。
【0045】
ここで用いる組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン(NMP)、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。より具体的な組成物の組成としては、PEDOT:PSS混合物(PEDOT/PSS=1:20):12.52重量%、PSS:1.44重量%、IPA:10重量%、NMP:27.48重量%、DMI:50重量%のものを例示できる。なお、組成物の粘度は2〜20Ps程度が好ましく、特に4〜15cPs程度が良い。
【0046】
(4)発光層形成工程
次に、図8及び図9に示すように、正孔注入/輸送層110aが積層された画素電極111上に発光層110bを形成する。図8では、青色発光層110bを形成し、続いて図9のように赤色発光層110b、緑色発光層110bを順次形成する。ここでは液体吐出法により、発光層用材料を含む組成物インクを正孔注入/輸送層110a上に吐出し、その後に乾燥処理及び熱処理して、バンク部112に形成された開口部内に各色発光層110b〜110bを形成する。
【0047】
発光層形成工程では、正孔注入/輸送層110aの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる組成物インクの溶媒として、正孔注入/輸送層110aに対して不溶な無極性溶媒を用いる。この場合、無極性溶媒に対する正孔注入/輸送層110aの表面の濡れ性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うのが好ましい。表面改質工程は、例えば上記無極性溶媒と同一溶媒又はこれに類する溶媒を液体吐出法、スピンコート法又はディップ法等により正孔注入/輸送層110a上に塗布した後に乾燥することにより行う。なお、ここで用いる表面改質用溶媒は、組成物インクの無極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を例示でき、組成物インクの無極性溶媒に類するものとしては、例えばトルエン、キシレン等を例示することができる。
【0048】
液体吐出法による発光層の形成手順としては、まず青色発光層の形成に際しては、図8に示すように、吐出ヘッド(図示略)に青色発光層110bを形成する材料を含有する組成物インクを充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを、バンク部112の開口部内に位置する青色(B)用の正孔注入/輸送層110aに対向させ、吐出ヘッドと基板2とを相対移動させながら、吐出ノズルから1滴当たりの液量が制御されたインク滴を吐出する。吐出されたインク滴は、正孔注入/輸送層110a上に広がってバンク部112の開口部内に満たされる。続いて、吐出後のインク滴を乾燥処理することにより組成物インクに含まれる無極性溶媒が蒸発し、青色発光層110bが形成される。
【0049】
青色発光層110bを形成する発光材料としては、例えばジスチリルビフェニルおよびその誘導体、クマリンおよびその誘導体、テトラフェニルブタジエンおよびその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。一方、無極性溶媒としては、正孔注入/輸送層に対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
【0050】
続いて、図9に示すように、正孔注入/輸送層110aが積層された赤色(R)及び緑色(G)用の画素電極111の上に、赤色発光層110b及び緑色発光層110bをそれぞれ形成する。この赤色及び緑色発光層形成工程は、前述した青色発光層形成工程と同様の手順で行われる。すなわち、液体吐出法により、緑色発光層110bを形成する材料を含む組成物インクを緑色(G)用の正孔注入/輸送層110a上に吐出した後に乾燥処理及び熱処理して、バンク部112に形成された開口部内に緑色発光層110bを形成する。また、液体吐出法により、赤色発光層110bを形成する材料を含む組成物インクを赤色(R)用の正孔注入/輸送層110a上に吐出した後に乾燥処理及び熱処理して、バンク部112に形成された開口部内に赤色発光層110bを形成する。なお、緑色発光層110bを形成する発光材料としては、例えばキナクリドンおよびその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができ、赤色発光層110bを形成する発光材料としては、例えばローダミンおよびその誘導体などの有機EL材料からなるものを用いることができる。
【0051】
(5)電子注入/輸送層形成工程
次に、図10に示すように、発光層110b及びバンク層112の全面に電子注入/輸送層110cを形成する。電子注入/輸送層110cは、蒸着法、スパッタ法、CVD法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層110bの損傷を防止できる点で好ましい。
【0052】
(6)陰極形成工程
次に、図11に示すように、画素電極(陽極)111と対をなす対向電極(陰極)12を形成する。すなわち、各色発光層110b及びバンク部112を含む基板2上の領域全面に、カルシウム層12aとアルミニウム層12bとを順次積層して陰極12を形成する。これにより、各色発光層110bの形成領域全体に、陰極12が積層され、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色に対応する有機EL素子がそれぞれ形成される。陰極12は、例えば蒸着法、スパッタ法、CVD法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層110bの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極12上に、酸化防止のためにSiO、SiN等の保護層を設けても良い。
【0053】
(7)封止工程
最後に、表示素子部10が形成された基板2と封止缶604とを封止樹脂603を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂603を基板2の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止缶604を配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極12にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極12に侵入して陰極12が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【0054】
この後、基板2の配線に陰極12を接続するとともに、基板2上あるいは外部に設けられる駆動IC(駆動回路)に回路素子部14(図3参照)の配線を接続することにより、本実施形態の有機EL表示装置1が完成する。
【0055】
したがって、本有機EL表示装置1を長期保存あるいは高温保存した場合であってもバンク層112から発光層110bを劣化させる原因となる水分が出ず、結果、水分に起因した輝度低下及びダークスポットの発生を防止した電気光学表示装置を提供することが可能となる。
【0056】
(第2実施形態)
次に、本有機EL装置の第2実施形態について図3及び図4を用いて説明する。第1実施形態においては、有機機能層110から発した光が基板2側に出射されるようになっているのに対し、本実施形態においては封止部3側に出射されるようになっている。本実施形態と第1実施形態との相違点は主として材料構成であり、本実施形態においては第1実施形態と異なる部分について説明する。
【0057】
本実施形態は、基板2の対向側である封止部3側から発光を取り出す構成であるので、基板2としては透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【0058】
また、画素電極111としては、必ずしも透明性材料に限る必要がなく、陽極の機能を満たす好適な材料が用いられ、また、光反射性を有する材料が好ましく、Al等が採用される。なお、画素電極111として透明金属のITO等を採用する場合には、その下層にAl薄膜等を形成し、光反射性を有する構成が好ましい。
【0059】
また、陰極12の材料としては、透明性を有する必要があり、ITO等の透明金属が採用される。ここで、ITOと電子注入/輸送層110cとの間には、透明性を有する膜厚でAl薄膜を形成してもよい。透明性を有する膜厚としては、50nm以下が好ましい。このようなAl薄膜を形成することによって、電子注入/輸送層110cへの電子注入性を促進させるだけでなく、ITOをスパッタで形成する際のプラズマダメージを抑制し、また、陰極12を透過・侵入する水分や酸素から有機機能層110を保護することができる。また、封止缶604の材料としては、ガラスや樹脂等の透明性を有する好適な材料が採用される。
【0060】
このように構成された有機EL表示装置1においては、第1実施形態と同様の効果が得られると共に、封止部3側から有機機能層110の発光を出射させることが可能になる。
【0061】
(第3実施形態)
図12は、本発明の電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した電気光学表示装置を表示手段として搭載している。図12は、携帯電話の一例を示した斜視図で、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記の有機EL表示装置1を用いた表示部を示している。このように本発明の電気光学装置に係る電気光学表示装置を表示手段として備える電子機器は、表示手段における輝度低下及びダークスポットの発生を防止することが可能となる。
【0062】
以上、本発明の各実施形態を示したが、本発明はこれらに限定されることなく、特許請求の範囲に記載した事項の範囲内で適宜変更可能であり、例えばプラズマ表示装置等に本発明を採用することも可能である。このような特許請求の範囲に記載した事項の範囲内で適宜変更ものそれぞれについて本発明の効果を発現することが可能である。
【0063】
【実施例】
本発明者らは、本発明の効果を実証するために本発明に係る構成の有機EL表示装置を実際に作製し、ダークスポットの発生個数を計測した。その結果について以下、報告する。
【0064】
(実施例1)
本実施例では、ダークスポットの発生個数を計測するために図1〜図4に示した有機EL表示装置1と同様の有機EL表示装置を作成した。この際、バンク層112として光硬化性ポリイミド東レフォトニース PW−1000(商品名)を用い、これにフィラー150としてシリカゲルを30%混合した。また、正孔注入/輸送層110aとしてBytronP CH8000(商品名)を用い、この上に高分子系発光材料をインクジェット法でパターニング製膜することで発光層とし、LiFを2nm蒸着することによって電子注入/輸送層110cを形成し、Caを20nm、Alを200nm蒸着することによって陰極12を形成した。これにさらにエポキシ樹脂で保護ガラスを接着することによって封止部3を形成した。なお、バンク層112は、ウエットエッチング技術によって形成した。
【0065】
このように形成された有機EL表示装置を60℃の加熱エージングに200時間入れた。この結果、ダークスポットは20個/cmであり、同様の条件でフィラー150をバンク層112に含有させなかった場合の50個/cmと比較して分かるようにダークスポットの発生を防止できることがわかった。
【0066】
(実施例2)
次に、バンク層112として光硬化性ポリイミド東レフォトニース UR−3100を用い、これに酸化カルシウム微粒子(脱水材)を30%混合し、この他の構成は、実施例1と同様とした。なお、バンク層112は、CFガスを用いたドライエッチング技術によって形成した。
【0067】
このように形成された有機EL表示装置を実施例1と同様に60℃の加熱エージングに200時間入れた。この結果、ダークスポットは2個/cmであり、同様の条件でフィラー150として脱水材でないシリカゲルを用いた場合の20個/cmと比較して分かるようにダークスポットの発生をさらに防止できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態に係る電気光学表示装置の配線構造図である。
【図2】 同、電気光学表示装置の平面図である。
【図3】 図2のI−I’断面図である。
【図4】 同、電気光学表示装置の要部を示す断面図である。
【図5】 同、電気光学表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図6】 同、電気光学表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図7】 同、電気光学表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図8】 同、電気光学表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図9】 同、電気光学表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図10】 同、電気光学表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図11】 同、電気光学表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図12】 本発明の一実施形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
1……有機EL表示装置(電気光学表示装置)、112……バンク層(画素間隔壁)、150……フィラー(充填物)、A……発光部(発光画素)
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electro-optic display device in which a pixel interval wall made of an organic material is formed between light emitting pixels, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus.
[0002]
[Prior art and problems to be solved by the invention]
In recent years, in an electronic device such as a notebook computer, a mobile phone, and an electronic notebook, an organic EL display device or the like provided with an organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) element (light emitting element) corresponding to a pixel as a means for displaying information. Electro-optical display devices have been proposed. In general, in an organic EL element, an organic functional layer including a light emitting layer (organic EL layer) is disposed between a pair of opposed electrodes, and light emitted from adjacent pixels is interposed between the organic EL elements. The pixel spacing walls (bank layers) made of an organic material are arranged in contact with the organic functional layer so that the interference does not occur.
[0003]
By the way, the pixel spacing wall is generally formed by applying a photosensitive material (organic material) having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin on the substrate, and forming an organic EL element by photolithography technology. The pixel region is formed by forming an opening in the pixel region. Such a process for forming the pixel interval wall includes a process using moisture, that is, a so-called wet process (for example, a wet etching process or a process of rinsing with acetone after the pixel interval wall is etched).
[0004]
[Patent Document 1]
International Publication No. 98/12789 Pamphlet
[0005]
Since the pixel spacing walls are made of an organic material such as acrylic resin or polyimide resin, a minute cavity is formed in the interior, and moisture enters the cavities of the pixel spacing walls by the wet process described above. The The moisture that has entered into the cavity of the pixel spacing wall in this manner gradually goes out of the pixel spacing wall due to long-term storage or high-temperature storage, thereby degrading the light emitting layer of the completed organic EL display device. This causes a decrease in luminance of the EL display device and a so-called dark spot (a region that does not emit light). Moreover, since the cavity is formed in the pixel interval wall as described above, the moisture permeability is high. For this reason, the water | moisture content which came out from the certain pixel interval wall passes through the other pixel interval wall, degrades another light emitting layer, and the problem that the brightness | luminance fall of an organic EL display apparatus and a dark spot spread also arises.
[0006]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and an electro-optic display device that prevents a decrease in luminance and a dark spot due to moisture coming out from a pixel interval wall due to long-term storage or high-temperature storage, and a manufacturing method thereof, and An object is to provide electronic equipment.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an electro-optical display device according to the present invention is an electro-optical display device in which a pixel interval wall made of an organic material is formed between light emitting pixels, and the pixel interval wall includes the organic optical display device. It is characterized by containing a filler made of a material having a lower molecular weight than the material.
[0008]
According to the electro-optic display device having such a configuration, since the pixel interval wall contains a filler made of a material having a lower molecular weight than the organic material constituting the pixel interval wall (hereinafter referred to as a filler), the pixel Filler is filled in the cavity of the spacing wall. As described above, since the filler is filled in the cavity of the pixel interval wall, moisture does not enter the pixel interval wall by the above-described wet process, so that no moisture is contained in the pixel interval wall. As a result, since the water does not come out from the pixel interval wall even when the electro-optical display device in which such a pixel interval wall is formed is stored for a long period of time or at a high temperature, the luminance caused by the moisture coming out from the pixel interval wall It is possible to prevent the occurrence of lowering and dark spots.
[0009]
The filler is preferably an inorganic material having a lower molecular weight than the organic material, and more preferably a dehydrating material. By adopting a dehydrating material as the filler, even if some moisture is contained in the pixel interval wall, this moisture can be prevented from coming out of the pixel interval wall. In addition, since the moisture permeability of the pixel interval wall is reduced by filling the filler, even if moisture comes out of a certain pixel interval wall, the moisture does not pass through other pixel interval walls. Other electro-optical elements are not deteriorated, and the influence on the electro-optical display device can be minimized.
[0010]
Moreover, it is preferable that a filler is the predetermined | prescribed color which suppresses reflection of the light in the pixel space | interval wall in which self was contained. The filler is more preferably black, such as titanium black. By adopting the black filler, the color of the pixel interval wall becomes black, so that reflection of light on the pixel interval wall can be suppressed, and as a result, the visibility of the electro-optical display device is improved.
[0011]
Further, the filler is preferably contained in an amount of 10% to 30% with respect to the pixel interval wall. For example, when the filler content is 10% or less with respect to the pixel interval wall, the filler cannot sufficiently fill the cavity of the pixel interval wall. On the other hand, when the filler content is 30% or more, the pixel interval wall becomes brittle, and the durability of the electro-optical display device is lowered.
[0012]
The method for manufacturing an electro-optical display device according to the present invention is characterized in that the pixel interval walls are formed by a dry etching technique. By adopting this manufacturing method, the pixel interval walls are formed without performing wet etching, so that the possibility that the pixel interval walls contain moisture can be reduced. As a result, it is possible to provide an electro-optic display device that more reliably prevents a decrease in luminance and a dark spot due to moisture coming from the pixel interval wall.
[0013]
According to another aspect of the invention, an electronic apparatus includes the above-described electro-optic display device. Therefore, it is possible to provide an electronic apparatus equipped with an electro-optical display device that prevents a decrease in luminance and dark spots due to moisture from the pixel interval walls.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an electro-optical display device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus according to an embodiment of the invention will be described with reference to the drawings. In each of the drawings to be referred to, the scale may be different for each layer or each member in order to make the size recognizable on the drawing.
[0015]
FIG. 1 is a schematic plan view showing a wiring structure of an organic EL display device which is an embodiment of the electro-optical display device. As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction intersecting the scanning lines 101, and a plurality of power supplies extending in parallel to the signal lines 102. Lines 103 are respectively wired. An area partitioned by the scanning line 101 and the signal line 102 is configured as a pixel area.
[0016]
Connected to the signal line 102 is a data side driving circuit 104 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch. Further, a scanning side driving circuit 105 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.
[0017]
In each pixel region, a switching thin film transistor 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101 and a pixel signal shared from the signal line 102 via the switching thin film transistor 112 are held. A capacitor cap, a driving thin film transistor 123 to which a pixel signal held by the holding capacitor cap is supplied to the gate electrode, and the power source when electrically connected to the power source line 103 via the driving thin film transistor 123 A pixel electrode 111 into which a driving current flows from the line 103 and an organic functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the cathode 12 are provided. The pixel electrode 111, the cathode 12, and the organic functional layer 110 constitute a light emitting portion A (light emitting pixel), and the organic EL display device 1 includes a plurality of the light emitting portions A in a matrix.
[0018]
According to such a configuration, when the scanning line 101 is driven and the switching thin film transistor 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor cap, and according to the state of the holding capacitor cap. The on / off state of the driving thin film transistor 123 is determined. Then, a current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 111 through the channel of the driving thin film transistor 123, and further a current flows to the cathode 12 through the organic functional layer 110. The organic functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing through it.
[0019]
FIG. 2 is a schematic plan view of the organic EL display device 1, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of FIG. 2 taken along the line II ′. As shown in FIG. 3, in the organic EL display device 1 of the present embodiment, a circuit element unit 14 and a display element (organic EL element) unit 10 are sequentially stacked on a substrate 2, and the substrate surface on which the stacked body is formed. Has a structure sealed by the sealing portion 3. The display element unit 10 includes a light emitting element unit 11 including an organic functional layer 110 and a cathode 12 formed on the light emitting element unit 11. The pixel electrode 111 has translucency, and the organic EL display device 1 is configured as a so-called bottom emission type display device in which display light emitted from the light emitting layer 110b is emitted from the substrate 2 side. .
[0020]
Examples of the light-transmitting substrate 2 include glass, quartz, and resin (plastic and plastic film), and an inexpensive soda glass substrate is particularly preferably used. As shown in FIG. 2, the substrate 2 is partitioned into a display region 2 a located at the center and a non-display region 2 b surrounding the display region 2 a located at the periphery of the substrate 2. The display area 2a is an area formed by the light emitting portions A arranged in a matrix, and a non-display area 2b is formed outside the display area. In the non-display area 2b, a dummy display area 2d adjacent to the display area 2a is formed.
[0021]
As shown in FIG. 3, the circuit element unit 14 includes the above-described scanning line, signal line, storage capacitor, switching thin film transistor, driving thin film transistor 123, and the like, and is arranged in the display region 2a. The light emitting unit A is driven. One end of the cathode 12 is connected to the cathode wiring 120 formed on the substrate 2 from the light emitting element portion 11, and one end of the wiring is connected to the wiring 5 a on the flexible substrate 5. The wiring 5a is connected to a driving IC 6 (driving circuit) provided on the flexible substrate 5 (see FIG. 2).
[0022]
Further, the above-described power supply lines 103 (103R, 103G, 103B) are wired in the non-display area 2b of the circuit element unit 14. Further, the above-described scanning side drive circuits 105 and 105 are arranged on both sides of the display area 2a in FIG. The scanning side drive circuits 105 and 105 are provided in the circuit element portion 14 below the dummy region 2d. Further, in the circuit element section 14, a drive circuit control signal line 105a and a drive circuit power supply line 105b connected to the scanning side drive circuits 105 and 105 are provided. Further, an inspection circuit 106 is arranged above the display area 2a in FIG. The inspection circuit 106 can inspect the quality and defects of the display device during manufacturing or at the time of shipment.
[0023]
The sealing unit 3 includes a sealing resin 603 applied to the substrate 2 and a sealing can (sealing member) 604. The sealing resin 603 is an adhesive that adheres the substrate 2 and the sealing can 604, and is applied annularly around the substrate 2 by, for example, a microdispenser. The sealing resin 603 is made of a thermosetting resin, an ultraviolet curable resin, or the like, and is particularly preferably made of an epoxy resin that is a kind of thermosetting resin. Further, the sealing resin 603 is made of a material that hardly allows oxygen or moisture to pass therethrough, preventing water or oxygen from entering the sealing can 604 from between the substrate 2 and the sealing can 604, and the cathode 12. Alternatively, oxidation of the light emitting layer 110b formed in the light emitting element portion 11 is prevented.
[0024]
The sealing can 604 is provided with a recess 604 a for accommodating the display element 10 inside thereof, and is bonded to the substrate 2 via a sealing resin 603. Note that, on the inner surface side of the sealing can 604, a getter material that absorbs or removes oxygen and moisture can be provided in a region corresponding to the non-display region 2b as necessary. Examples of the getter material include alkali metals such as Li, Na, Rb, and Cs, alkaline earth metals such as Be, Mg, Ca, Sr, and Ba, oxides of alkaline earth metals, alkali metals, and alkaline earths. A metal hydroxide or the like can be preferably used. Alkaline earth metal oxides act as a dehydrating agent by reacting with water and changing to hydroxides. Alkali metal or alkaline earth metal reacts with oxygen to change into hydroxide and reacts with water to change into oxide, and thus acts not only as a dehydrating material but also as a deoxidizing material. Thereby, the oxidation of the light emission part A can be prevented and the reliability of the apparatus can be enhanced.
[0025]
In FIG. 4, the figure which expanded the cross-section of the display area 2a in this organic electroluminescence display 1 is shown. The organic EL display device 1 includes a light emitting element portion 11 in which a circuit element portion 14 in which a circuit such as a TFT is formed on a substrate 2, a pixel electrode 111, and an organic functional layer 110 including a light emitting layer 110b are formed. And the cathode 12 are sequentially laminated.
[0026]
In the circuit element portion 14, a base protective film 2c made of a silicon oxide film is formed on the substrate 2, and an island-shaped semiconductor film 141 made of polycrystalline silicon is formed on the base protective film 2c. Note that a source region 141a and a drain region 141b are formed in the semiconductor film 141 by high concentration P ion implantation. Further, a portion where P is not introduced is a channel region 141c.
[0027]
In the circuit element portion 14, a gate insulating film 142 that covers the base protective film 2c and the semiconductor film 141 is formed. A gate electrode 143 (scanning line 101) made of Al, Mo, Ta, Ti, W, or the like is formed on the gate insulating film 142 at a position corresponding to the channel region 141c of the semiconductor film 141. The semiconductor film 141, the gate insulating film 142, and the gate electrode 143 constitute a thin film transistor 123. In the thin film transistor 123, since the semiconductor film 141 uses polysilicon, display with high luminance and high definition can be realized.
[0028]
Further, a transparent first interlayer insulating film 144a and a second interlayer insulating film 144b are formed on the gate electrode 143 and the gate insulating film 142, and the first and second interlayer insulating films 144a and 144b are insulated. Contact holes 145 and 146 are formed through the films 144a and 144b and connected to the source and drain regions 141a and 141b of the semiconductor film 141, respectively. The contact hole 145 is connected to the pixel electrode, and the pixel electrode 111 and the semiconductor source region 141 a are electrically connected through the contact hole 145. Further, the contact hole 146 is connected to the power supply line 103, and a pixel signal is supplied from the power supply line 103 through the contact hole 146.
[0029]
The driving circuit is configured as described above. The circuit element unit 14 is also formed with the storage capacitor cap and the switching thin film transistor 142 described above, but these are not shown in FIG.
[0030]
The pixel electrodes 111 are formed by patterning in a substantially rectangular shape in plan view on the second interlayer insulating film 144b, and a plurality of pixel electrodes 111 are arranged in a matrix in the display region 2a. For the pixel electrode 111, a light-transmitting conductive material made of a metal oxide such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is used.
[0031]
The light emitting element unit 11 includes an organic functional layer 110 stacked on each of the plurality of pixel electrodes 111, and a bank layer 112 (provided between each pixel electrode 111 and the organic functional layer 110) that partitions each organic functional layer 110. The pixel interval wall) is the main component. The cathode 12 is disposed on the organic functional layer 110, and the pixel electrode 111, the organic functional layer 110, and the cathode 12 constitute a light emitting portion A.
[0032]
The bank layer 112 is made of an organic material having excellent heat resistance and solvent resistance, such as acrylic resin and polyimide resin, and has an opening 112d corresponding to the position where the pixel electrode 111 is formed. The bank layer 112 contains a filler 150 (hereinafter referred to as a filler) made of a material having a lower molecular weight than the organic material constituting the bank layer 112. For this reason, the filler 150 is filled in the cavity formed inside the bank layer 112. Therefore, it is possible to reduce the moisture permeability of the bank layer 112 and prevent the bank layer 112 from containing moisture in the process of forming the bank layer 112. In the unlikely event that moisture comes out of a certain bank layer 112, the moisture does not pass through the other bank layer 112, so the other light emitting layer 110 b is not deteriorated, and the present organic EL display device 1 is brought into contact. Can be minimized.
[0033]
In addition, as the filler 150, it is preferable to use an inorganic material having low moisture permeability as compared with an organic material, and specifically, silica gel, titanium oxide, or the like can be used. It is more preferable to use a dehydrating material as the filler 150. By using a dehydrating material as the filler 150, even if the bank layer 112 contains a small amount of moisture in the formation process of the bank layer 112, the dehydrating material retains moisture, and the moisture remains in the bank layer 112. It is possible to prevent going outside. Examples of the filler 150 having such a dehydrating effect include calcium oxide. The filler 150 preferably has a color that suppresses reflection of light in the bank layer 112 such as titanium black. By adopting the black filler, the color of the bank layer 112 becomes black, so that reflection of light in the bank layer 112 can be suppressed.
[0034]
Such a filler 150 is preferably contained in an amount of 10% to 30% with respect to the bank layer 112. For example, if the filler content in the bank layer 112 is 10% or less, the filler 150 cannot sufficiently fill the cavities of the bank layer 112. On the other hand, when the content of the filler 150 is 30% or more, the bank layer 112 becomes brittle, and the durability of the organic EL display device 1 is lowered.
[0035]
In each region partitioned by the bank layer 112, the electrode surface 111a of the pixel electrode 111 is lyophilic with plasma processing using oxygen as a processing gas and exhibits lyophilicity. On the other hand, the wall surface of the opening 112d and the upper surface 112f of the bank layer 112 are fluorinated (liquid repellent) by plasma treatment using tetrafluoromethane as a processing gas, and exhibit liquid repellency.
[0036]
The organic functional layer 110 includes a hole injection / transport layer 110a stacked on the pixel electrode 111, a light emitting layer 110b formed adjacent to the hole injection / transport layer 110a, and adjacent to the light emitting layer 110b. And an electron injection / transport layer 110c formed as described above. The hole injection / transport layer 110a has a function of injecting holes into the light emitting layer 110b and a function of transporting holes inside the hole injection / transport layer 110a. As the hole injection / transport layer forming material, for example, a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid can be used. The electron injection / transport layer 110c has a function of injecting electrons into the light emitting layer 110b and a function of transporting electrons inside the electron injection / transport layer 110c. As the electron injection / transport layer 110c, for example, lithium quinolinol (Liq), lithium fluoride (LiF), bathophenesium, or the like can be preferably used. A metal having a work function of 4 eV or less, such as Mg, Ca, Ba, Sr, Li, Na, Rb, Cs, Yb, Sm, or the like can also be used.
[0037]
By providing such a hole injection / transport layer 110a and an electron injection / transport layer 110c between the pixel electrode 111 and the light emitting layer 110b and between the cathode 12 and the light emitting layer 110b, the light emission efficiency of the light emitting layer 110b. And device characteristics such as lifetime are improved. The hole injecting / transporting material may be different for each color of the light emitting layer 110b, or the hole injecting / transporting layer 110a may not be provided for the light emitting layer 110b of a specific color. Is possible.
[0038]
The light emitting layer 110b is a red light emitting layer 110b that emits red (R) light. 1 Green light emitting layer 110b that emits green light (G) 2 , And blue light emitting layer 110b emitting blue (B) 3 , And each light emitting layer 110b 1 ~ 110b 3 Are arranged in stripes. Examples of the material of the light emitting layer 110b include (poly) paraphenylene vinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinyl carbazole, polythiophene derivatives, perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, or polymer materials thereof. In addition, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, quinacridone and the like can be used.
[0039]
The cathode 12 is configured by laminating a calcium (Ca) layer 12a and an aluminum (Al) layer 12b. The layer thickness of the calcium layer is preferably in the range of 2 to 50 nm, for example. The aluminum layer 12b reflects light emitted to the cathode 12 side to the substrate 2 side, and is preferably made of an Ag film, an Al / Ag laminated film, or the like in addition to the Al film. The thickness is preferably in the range of 100 to 1000 nm, for example. The cathode 12 is formed on the entire surface of the light emitting element portion 11. Then, it plays a role of flowing a current through the organic functional layer 110 in a pair with the pixel electrode 111. In addition, on the cathode 12, if necessary, SiO, SiO 2 A protective layer for preventing oxidation made of SiN or the like may be provided.
[0040]
Next, a method for manufacturing the organic EL display device 1 of the present embodiment will be described with reference to the drawings. The manufacturing method of the organic EL display device 1 of the present embodiment includes, for example, (1) a bank part forming step, (2) a plasma processing step (3) a hole injection / transport layer forming step, (4) a light emitting layer forming step, (5) An electron injection / transport layer forming step, (6) a cathode forming step, and (7) a sealing step. In addition, a manufacturing method is not restricted to this, When other processes are removed as needed, it may be added. The (3) hole injection / transport layer forming step and (4) light emitting layer forming step were performed using a liquid discharge method (inkjet method) using a droplet discharge device.
[0041]
(1) Bank layer formation process
The bank layer forming step is a step of forming the bank layer 112 having the opening 112d at a predetermined position of the substrate 2. The formation method will be described below. First, as shown in FIG. 5, an element having a circuit element portion 14 such as a scanning line, a signal line, and a thin film transistor 123 on a substrate 2 and a plurality of pixel electrodes 111 formed on interlayer insulating films 144a and 144b. Prepare the board. Then, a photosensitive material (organic material) having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin or polyimide resin is applied on the substrate 2, and the opening 112 d is formed in the region where the pixel electrode 111 is disposed by dry etching technology. Form (see FIG. 6). This dry etching technique is a technique in which etching is performed using a plasma-ized etching gas as is well known, and the organic material constituting the bank layer 112 is not immersed in a chemical solution unlike the wet etching technique. For this reason, it is possible to reduce the possibility that moisture is contained in the bank layer 112 by forming the opening 112d using a dry etching technique. Note that the bank layer 112 is preferably formed by a dry etching technique, but the bank layer 112 can also be formed by a wet etching technique.
[0042]
(2) Plasma treatment process
The plasma treatment process is performed for the purpose of activating the surface of the pixel electrode 111 and further treating the surface of the bank layer 112. In particular, in the activation process, cleaning on the pixel electrode 111 and adjustment of the work function are mainly performed. Further, a lyophilic process on the surface of the pixel electrode 111 and a lyophobic process on the surface of the bank layer 112 are performed.
[0043]
(3) Hole injection / transport layer formation process
As shown in FIG. 7, the hole injection / transport layer 110a is formed on the substrate 2 on which the pixel electrode 111 is formed. In the hole injection / transport layer forming step, for example, a composition containing a hole injection / transport layer forming material is discharged onto the pixel electrode 111 by using a liquid discharge method. Thereafter, a drying process and a heat treatment are performed to form the hole injection / transport layer 110 a on the pixel electrode 111. The subsequent steps including the hole injection / transport layer forming step are preferably performed in an inert gas atmosphere such as a nitrogen atmosphere or an argon atmosphere.
[0044]
As a procedure for forming a hole injection / transport layer by a liquid discharge method, a discharge head (not shown) for discharging a liquid is filled with a composition ink containing a material for the hole injection / transport layer, and then the discharge head is used. The discharge nozzle is opposed to the pixel electrode 111 located in the opening of the bank portion 112, and the discharge head and the substrate 2 are moved relative to each other, and an ink droplet with a controlled liquid amount is discharged from the discharge nozzle. To do. Thereafter, the ejected ink droplets are dried to evaporate the polar solvent (liquid material) contained in the composition ink, thereby forming the hole injection / transport layer.
[0045]
As the composition used here, for example, a composition obtained by dissolving a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT) and polystyrenesulfonic acid (PSS) in a polar solvent can be used. Examples of the polar solvent include isopropyl alcohol (IPA), normal butanol, γ-butyrolactone, N-methylpyrrolidone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) and its derivatives, carbitol acetate And glycol ethers such as butyl carbitol acetate. More specifically, the composition of the PEDOT: PSS mixture (PEDOT / PSS = 1: 20): 12.52 wt%, PSS: 1.44 wt%, IPA: 10 wt%, NMP: 27.48 A weight%, DMI: 50 weight% can be illustrated. The viscosity of the composition is preferably about 2 to 20 Ps, particularly about 4 to 15 cPs.
[0046]
(4) Light emitting layer forming step
Next, as shown in FIGS. 8 and 9, a light emitting layer 110b is formed on the pixel electrode 111 on which the hole injection / transport layer 110a is stacked. In FIG. 8, the blue light emitting layer 110b. 3 And subsequently, the red light emitting layer 110b as shown in FIG. 1 Green light emitting layer 110b 2 Are sequentially formed. Here, the composition ink containing the light emitting layer material is discharged onto the hole injection / transport layer 110a by a liquid discharge method, and then dried and heat-treated to emit light of each color in the opening formed in the bank portion 112. Layer 110b 1 ~ 110b 3 Form.
[0047]
In the light emitting layer forming step, non-polarity that is insoluble in the hole injecting / transporting layer 110a is used as a solvent for the composition ink used in forming the light emitting layer in order to prevent re-dissolution of the hole injecting / transporting layer 110a. Use solvent. In this case, in order to improve the wettability of the surface of the hole injection / transport layer 110a with respect to the nonpolar solvent, it is preferable to perform a surface modification step before forming the light emitting layer. The surface modification step is performed, for example, by applying the same solvent as the nonpolar solvent or a similar solvent on the hole injection / transport layer 110a by a liquid discharge method, a spin coating method, a dip method, or the like and then drying. The surface modifying solvent used here can be exemplified by cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, etc. as the same as the nonpolar solvent of the composition ink. Examples of the solvent are toluene, xylene and the like.
[0048]
As a procedure for forming a light emitting layer by a liquid discharge method, first, when forming a blue light emitting layer, as shown in FIG. 3 And a discharge nozzle of the discharge head is made to face the blue (B) hole injection / transport layer 110a located in the opening of the bank 112, and the discharge head While moving relative to the substrate 2, ink droplets whose liquid amount per droplet is controlled are ejected from the ejection nozzle. The ejected ink droplet spreads on the hole injection / transport layer 110a and fills the opening of the bank 112. Subsequently, the non-polar solvent contained in the composition ink is evaporated by drying the discharged ink droplets, and the blue light emitting layer 110b is evaporated. 3 Is formed.
[0049]
Blue light emitting layer 110b 3 As the light-emitting material for forming, for example, a material made of an organic EL material such as distyrylbiphenyl and a derivative thereof, coumarin and a derivative thereof, tetraphenylbutadiene and a derivative thereof can be used. On the other hand, as the nonpolar solvent, those insoluble in the hole injection / transport layer are preferable. For example, cyclohexylbenzene, dihydrobenzofuran, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, and the like can be used.
[0050]
Subsequently, as shown in FIG. 9, the red light emitting layer 110b is formed on the red (R) and green (G) pixel electrodes 111 on which the hole injection / transport layers 110a are stacked. 1 And the green light emitting layer 110b 2 Respectively. The red and green light emitting layer forming steps are performed in the same procedure as the blue light emitting layer forming step described above. That is, the green light emitting layer 110b is formed by a liquid discharge method. 2 After the composition ink containing the material forming the material is discharged onto the hole injection / transport layer 110a for green (G), drying treatment and heat treatment are performed, and the green light emitting layer 110b is formed in the opening formed in the bank portion 112. 2 Form. Further, the red light emitting layer 110b is formed by a liquid discharge method. 1 After the composition ink containing the material forming the material is discharged onto the red (R) hole injection / transport layer 110a, it is dried and heat-treated, and the red light emitting layer 110b is formed in the opening formed in the bank portion 112. 1 Form. The green light emitting layer 110b 2 As the light emitting material for forming the light emitting layer, for example, a material made of an organic EL material such as quinacridone and its derivatives can be used, and the red light emitting layer 110b 1 As the light-emitting material for forming, for example, a material made of an organic EL material such as rhodamine and its derivatives can be used.
[0051]
(5) Electron injection / transport layer formation process
Next, as shown in FIG. 10, an electron injection / transport layer 110 c is formed on the entire surface of the light emitting layer 110 b and the bank layer 112. The electron injecting / transporting layer 110c is preferably formed by a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method, or the like. In particular, the electron injection / transport layer 110c is preferably formed by a vapor deposition method from the viewpoint of preventing damage to the light emitting layer 110b due to heat.
[0052]
(6) Cathode formation process
Next, as shown in FIG. 11, a counter electrode (cathode) 12 that forms a pair with the pixel electrode (anode) 111 is formed. That is, the cathode 12 is formed by sequentially laminating the calcium layer 12a and the aluminum layer 12b on the entire surface of the substrate 2 including the light emitting layers 110b and the bank 112. Thereby, the cathode 12 is laminated | stacked on the whole formation area of each color light emitting layer 110b, and the organic EL element corresponding to each color of red (R), green (G), and blue (B) is formed, respectively. The cathode 12 is preferably formed by, for example, an evaporation method, a sputtering method, a CVD method, or the like, and particularly preferably formed by an evaporation method in terms of preventing damage to the light emitting layer 110b due to heat. Further, on the cathode 12, SiO 2 is used for preventing oxidation. 2 A protective layer such as SiN may be provided.
[0053]
(7) Sealing process
Finally, the substrate 2 on which the display element unit 10 is formed and the sealing can 604 are sealed through a sealing resin 603. For example, a sealing resin 603 made of a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is applied to the peripheral portion of the substrate 2 and the sealing can 604 is disposed on the sealing resin. The sealing step is preferably performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. If it is carried out in the air, when a defect such as a pinhole has occurred in the cathode 12, water or oxygen may enter the cathode 12 from the defective portion and the cathode 12 may be oxidized, which is not preferable.
[0054]
Thereafter, the cathode 12 is connected to the wiring of the substrate 2 and the wiring of the circuit element unit 14 (see FIG. 3) is connected to a driving IC (driving circuit) provided on the substrate 2 or outside. The organic EL display device 1 is completed.
[0055]
Therefore, even when the organic EL display device 1 is stored for a long period of time or at a high temperature, water that causes deterioration of the light emitting layer 110b does not occur from the bank layer 112. As a result, a decrease in luminance and dark spots due to moisture occur. It is possible to provide an electro-optic display device that is prevented from occurring.
[0056]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the organic EL device will be described with reference to FIGS. In the first embodiment, the light emitted from the organic functional layer 110 is emitted to the substrate 2 side, whereas in the present embodiment, the light is emitted to the sealing portion 3 side. Yes. The difference between the present embodiment and the first embodiment is mainly the material configuration, and in this embodiment, the parts different from the first embodiment will be described.
[0057]
In the present embodiment, light emission is extracted from the sealing portion 3 side, which is the opposite side of the substrate 2, so that either a transparent substrate or an opaque substrate can be used as the substrate 2. Examples of the opaque substrate include a thermosetting resin and a thermoplastic resin in addition to a ceramic sheet such as alumina and a metal sheet such as stainless steel that has been subjected to an insulation treatment such as surface oxidation.
[0058]
In addition, the pixel electrode 111 is not necessarily limited to a transparent material, and a suitable material satisfying the function of the anode is used, and a material having light reflectivity is preferable, and Al or the like is employed. In addition, when adopting transparent metal ITO etc. as the pixel electrode 111, the structure which forms Al thin film etc. in the lower layer, and has light reflectivity is preferable.
[0059]
Moreover, as a material of the cathode 12, it needs to have transparency and transparent metals, such as ITO, are employ | adopted. Here, an Al thin film having a transparent film thickness may be formed between the ITO and the electron injection / transport layer 110c. The film thickness having transparency is preferably 50 nm or less. By forming such an Al thin film, not only the electron injection property to the electron injection / transport layer 110c is promoted, but also the plasma damage when ITO is formed by sputtering is suppressed, and the cathode 12 is transmitted through The organic functional layer 110 can be protected from invading moisture and oxygen. Further, as the material of the sealing can 604, a suitable material having transparency such as glass or resin is employed.
[0060]
In the organic EL display device 1 configured as described above, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the light emitted from the organic functional layer 110 can be emitted from the sealing portion 3 side.
[0061]
(Third embodiment)
FIG. 12 shows an embodiment of the electronic apparatus of the present invention. The electronic apparatus of this embodiment is equipped with the above-described electro-optic display device as a display unit. FIG. 12 is a perspective view showing an example of a mobile phone. Reference numeral 1000 denotes a mobile phone body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using the organic EL display device 1 described above. As described above, the electronic apparatus including the electro-optical display device according to the electro-optical device of the present invention as the display unit can prevent the luminance from being reduced and the dark spot from being generated in the display unit.
[0062]
As mentioned above, although each embodiment of this invention was shown, this invention is not limited to these, It can change suitably within the range of the matter described in the claim, For example, this invention is applied to a plasma display apparatus etc. It is also possible to adopt. Within the scope of the matters described in the claims, the effects of the present invention can be manifested with respect to each appropriately modified item.
[0063]
【Example】
In order to demonstrate the effect of the present invention, the present inventors actually manufactured an organic EL display device having a configuration according to the present invention, and measured the number of dark spots generated. The results are reported below.
[0064]
Example 1
In this example, an organic EL display device similar to the organic EL display device 1 shown in FIGS. 1 to 4 was prepared in order to measure the number of dark spots generated. At this time, photocurable polyimide Toray Photonics PW-1000 (trade name) was used as the bank layer 112, and 30% silica gel was mixed as the filler 150 therein. In addition, BytronP CH8000 (trade name) is used as the hole injection / transport layer 110a, and a polymer-based light emitting material is formed thereon by patterning by an inkjet method to form a light emitting layer, and LiF is deposited by depositing 2 nm. / The transport layer 110c was formed, and the cathode 12 was formed by depositing 20 nm of Ca and 200 nm of Al. Furthermore, the sealing part 3 was formed by adhere | attaching protective glass with an epoxy resin. The bank layer 112 was formed by a wet etching technique.
[0065]
The organic EL display device thus formed was subjected to heat aging at 60 ° C. for 200 hours. As a result, 20 dark spots / cm 2 50 / cm when the filler 150 is not contained in the bank layer 112 under the same conditions. 2 As can be seen from the comparison, it was found that the generation of dark spots can be prevented.
[0066]
(Example 2)
Next, photocurable polyimide Toray Photonics UR-3100 was used as the bank layer 112, 30% of calcium oxide fine particles (dehydrating material) were mixed therein, and other configurations were the same as in Example 1. The bank layer 112 is made of CF. 4 It was formed by a dry etching technique using a gas.
[0067]
The organic EL display device thus formed was subjected to heat aging at 60 ° C. for 200 hours in the same manner as in Example 1. As a result, 2 dark spots / cm 2 20 / cm when silica gel which is not a dehydrating material is used as the filler 150 under the same conditions. 2 As can be seen from the comparison, it was found that the generation of dark spots can be further prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a wiring structure diagram of an electro-optic display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the electro-optical display device.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a main part of the electro-optical display device.
FIG. 5 is a process diagram illustrating a method for manufacturing an electro-optical display device.
FIG. 6 is a process diagram illustrating a method for manufacturing an electro-optical display device.
FIG. 7 is a process diagram illustrating the method of manufacturing the electro-optical display device.
FIG. 8 is a process diagram illustrating a method for manufacturing an electro-optical display device.
FIG. 9 is a process diagram illustrating the method for manufacturing the electro-optical display device.
FIG. 10 is a process drawing for explaining the manufacturing method of the electro-optical display device.
FIG. 11 is a process drawing for explaining the manufacturing method of the electro-optical display device.
FIG. 12 is a diagram showing an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display device (electro-optic display device), 112 ... Bank layer (pixel interval wall), 150 ... Filler (filling), A ... Light emitting part (light emitting pixel)

Claims (4)

各画素電極の形成位置に対応して開口部が形成されると共に有機材料からなる画素間隔壁と、該画素間隔壁の前記開口部内にて前記画素電極上にかつ前記各画素電極毎に配置される発光層とを備える電気光学表示装置であって、
前記画素間隔壁には、前記有機材料より低分子の材料からなる充填物として脱水材が含有されていることを特徴とする電気光学表示装置。
An opening is formed corresponding to the position where each pixel electrode is formed, and a pixel interval wall made of an organic material is disposed on each pixel electrode and in each pixel electrode within the opening of the pixel interval wall. An electro-optic display device comprising:
The electro-optical display device, wherein a dehydrating material is contained in the pixel interval wall as a filling made of a material having a lower molecular weight than the organic material.
前記画素間隔壁に対する前記充填物の含有率は、10%〜30%であることを特徴とする請求項1記載の電気光学表示装置。    The electro-optic display device according to claim 1, wherein a content ratio of the filler with respect to the pixel interval wall is 10% to 30%. 請求項1または2記載の電気光学表示装置の製造方法であって、
前記画素間隔壁は、ドライエッチング技術によって形成されることを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
A method of manufacturing an electro-optical display device according to claim 1 or 2,
The method of manufacturing an electro-optical display device, wherein the pixel interval wall is formed by a dry etching technique.
請求項1または2記載の電気光学表示装置を搭載することを特徴とする電子機器。    An electronic apparatus comprising the electro-optic display device according to claim 1.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160070296A (en) * 2014-12-09 2016-06-20 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method thereof

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007188779A (en) * 2006-01-13 2007-07-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Organic el display device
JP5034812B2 (en) * 2007-09-19 2012-09-26 セイコーエプソン株式会社 Organic EL device
GB2459895B (en) * 2008-05-09 2011-04-27 Cambridge Display Technology Limited Organic light emissive device
JP5218172B2 (en) * 2009-03-12 2013-06-26 凸版印刷株式会社 ORGANIC EL LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
JP6082934B2 (en) * 2012-06-25 2017-02-22 株式会社Joled Manufacturing method of light emitting panel, light emitting panel, and substrate member for light emitting panel
US10505145B2 (en) * 2016-07-26 2019-12-10 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312886A (en) * 1997-05-09 1998-11-24 Pioneer Electron Corp Organic el display and manufacture therefor
JP4474708B2 (en) * 1999-12-27 2010-06-09 凸版印刷株式会社 Substrate for organic electroluminescence display element and organic electroluminescence display element using the same
JP2001281440A (en) * 2000-04-03 2001-10-10 Nippon Zeon Co Ltd Light-shielding film, method for manufacturing the same and use of the same
JP2002093586A (en) * 2000-09-19 2002-03-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Luminescence equipment and its producing method
JP4583568B2 (en) * 2000-09-19 2010-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 Method for manufacturing light emitting device
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP4612773B2 (en) * 2001-01-10 2011-01-12 キヤノン株式会社 Optical element manufacturing method
JP4223218B2 (en) * 2001-02-19 2009-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
JP2002260853A (en) * 2001-03-01 2002-09-13 Victor Co Of Japan Ltd Manufacturing method of organic electroluminescence element

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160070296A (en) * 2014-12-09 2016-06-20 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method thereof
KR102309844B1 (en) * 2014-12-09 2021-10-12 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method thereof

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