JP4137239B2 - ISFET array - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば溶液中のイオン濃度をＦＥＴ（電界効果トランジスタ）の中を流れる電流値に変換して測定するＩＳＦＥＴ（イオン感応性電界効果トランジスタ）を縦横に複数個配置してなるＩＳＦＥＴアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
上記ＩＳＦＥＴを二次元的に複数個配置し、ｐＨの二次元分布を測定するものとして、例えば、特公平５−３３７４５号公報に示すような水素イオン濃度分布測定装置がある。図３は、この水素イオン濃度分布測定装置におけるＩＳＦＥＴアレイの構成を示すもので、このＩＳＦＥＴアレイは、例えば９つのＩＳＦＥＴ３１〜３９を３行３列に配置し、これらのＩＳＦＥＴ３１〜３９を、各行および各列に対応するスイッチ４０〜４５のスイッチング動作により、それぞれの位置のｐＨ情報を電圧信号として取り出すようにしたもので、例えば、スイッチング素子４０，４３を閉じる（オンする）ことにより、ＩＳＦＥＴ３１がオンとなり、これによって、ＩＳＦＥＴ３１におけるｐＨ情報が出力端子４６に出力される。なお、図３において、４７は電流信号を電圧信号として取り出すための抵抗、４８はスイッチングゲート電圧電源である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、一般に、ＩＳＦＥＴはオンとなって出力が安定するまで多少の時間がかかるといった性質があるが、上記従来のＩＳＦＥＴアレイにおいては、スイッチ４０〜４５をオンまたはオフして、特定のＩＳＦＥＴにおけるｐＨ情報を得ようとした場合、そのＩＳＦＥＴがオンまたはオフして、その状態が安定せず、このため、その出力信号がスイッチング動作の影響を大きく受け、出力が安定しないという不都合があった。
【０００４】
この発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、スイッチのオン、オフによるいわゆるノイズの影響を可及的に少なくしたＩＳＦＥＴアレイを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明は、基板の表面にＩＳＦＥＴを二次元的に複数個配置してなり、前記複数のＩＳＦＥＴと接続し単一のＩＳＦＥＴからの信号が選択可能な１行、１列のみのスイッチ素子が設けられているＩＳＦＥＴアレイであって、全てのＩＳＦＥＴに常に電圧を印加し、全てのＩＳＦＥＴを常に動作状態にしながら、前記スイッチ素子のスイッチング動作によりＩＳＦＥＴからの出力信号を取り出すように構成されている（請求項１）。
また、この発明は別の観点から、ＩＳＦＥＴと、このＩＳＦＥＴに直列に接続されるスイッチ素子としてのＦＥＴとからなる複数の単位センサを基板の表面に二次元的に複数個配置してなるとともに、
前記ＦＥＴを介して前記複数のＩＳＦＥＴと接続し単一のＩＳＦＥＴからの信号が選択可能な１行、１列のみのスイッチ素子が前記基板に設けられており、
さらに、全てのＩＳＦＥＴに常に電圧を印加し、全てのＩＳＦＥＴを常に動作状態にしながら、前記１行、１列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によりＩＳＦＥＴからの出力信号を取り出すように構成されているＩＳＦＥＴアレイであって、
ＩＳＦＥＴの第１の電極と前記ＦＥＴの第２の電極とが直列接続される一方、各ＩＳＦＥＴの第２の電極は、電源に共通接続されていることを特徴とするＩＳＦＥＴアレイを提供する（請求項２）。
また、この発明はさらに別の観点から、ＩＳＦＥＴと、このＩＳＦＥＴに直列に接続されるスイッチ素子としてのＦＥＴとからなる複数の単位センサを基板の表面に二次元的に複数個配置してなるとともに、
前記ＦＥＴを介して前記複数のＩＳＦＥＴと接続し単一のＩＳＦＥＴからの信号が選択可能な１行、１列のみのスイッチ素子が前記基板に設けられており、
さらに、ＩＳＦＥＴの第１の電極と前記ＦＥＴの第２の電極とが直列接続される一方、全てのＩＳＦＥＴに常に電圧を印加し、全てのＩＳＦＥＴを常に動作状態になるよう各ＩＳＦＥＴの第２の電極は、電源に共通接続されており、
全てのＩＳＦＥＴを常に動作状態にしながら、前記１行、１列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によりＩＳＦＥＴからの出力信号を取り出すように構成されているＩＳＦＥＴアレイであって、
前記ＦＥＴは、各行ごとにそのゲート同士が互いに接続され、各行に対応して設けられる前記１行のスイッチ素子の第１の電極に接続され、かつ、前記１行のスイッチ素子のゲートは、垂直走査回路に接続される一方、
前記ＦＥＴは、各列ごとにその第１の電極同士が互いに接続され、各列に対応して設けられる前記１列のスイッチ素子の第２の電極に接続され、かつ、前記１列のスイッチ素子のゲートは、水平走査回路に接続されており、
さらに、前記各１列のスイッチ素子の第１の電極同士は互いに接続されるとともに、出力端子に接続されていることを特徴とするＩＳＦＥＴアレイを提供する（請求項３）。
【０００６】
上記構成によれば、ＩＳＦＥＴ自体はオンオフしてないので、１行、１列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によるノイズ影響が大幅に低減される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。図１は、この発明のＩＳＦＥＴアレイ１の構成を概略的に示すもので、このＩＳＦＥＴアレイ１は、例えば、溶液中の水素イオン濃度を電流値に変換するＩＳＦＥＴ２と、このＩＳＦＥＴ２に直列に接続されるスイッチ素子としてのＭＯＳＦＥＴ３とからなる複数の単位センサ（画素ともいう）４を例えばシリコン基板５（図２参照）の表面５ａに二次元的に配置してなるものである。より詳しくは、各単位センサ４において、ＩＳＦＥＴ２のドレインとＭＯＳＦＥＴ３のソースとが接続されている。これらの単位センサ４は、例えば３行３列に二次元的に配列されている。そして、各ＩＳＦＥＴ２のソースには、電源５によって常にソースドレイン電圧（Ｖｄ）が付与されるように構成されている。
【０００８】
また、前記ＭＯＳＦＥＴ３は、各行ごとにそのゲート同士が互いに接続され、各行に対応して設けられるスイッチ素子としてのＭＯＳスイッチ６のドレインに接続されている。そして、各ＭＯＳスイッチ６のゲートは、垂直走査回路７に接続されている。８はＭＯＳスイッチ６のゲートにスイッチングゲート電圧（Ｖｇ）を付与する電源で、その正極は各ＭＯＳスイッチ６のソースと接続され、負極は接地されている。
【０００９】
さらに、前記ＭＯＳＦＥＴ３は、各列ごとにそのドレイン同士が互いに接続され、各列に対応して設けられるスイッチ素子としてのＭＯＳスイッチ９のソースに接続されている。そして、各ＭＯＳスイッチ９のゲートは、水平走査回路１０に接続されている。また、各ＭＯＳスイッチ９のドレイン同士は互いに接続されるとともに、出力端子１１に接続されている。１２は電流信号を電圧信号として取り出すための抵抗である。
【００１０】
上記構成のＩＳＦＥＴアレイ１においては、垂直走査回路７および水平走査回路１０によって、１行、１列のみのＭＯＳスイッチ６，９をオンすることにより、装置の交叉している単位センサ４のみから信号電流が出力される。例えば、図１において、１行目と１列目のＭＯＳスイッチ６，９をオンすることにより、左上の単位センサ４からの信号電流を取り出すことができる。この場合、当該単位センサ４を含む全ての単位センサ４におけるＩＳＦＥＴ２には、電源５によってソースドレイン電圧Ｖｄが印加されており、全てのＩＳＦＥＴ２は常に動作状態になっている。つまり、ＩＳＦＥＴ２自体はオンオフしてないので、ＭＯＳスイッチ６，９のスイッチング動作によるノイズが殆どなくなり、その影響が大幅に低減される。
【００１１】
そして、上記構成のＩＳＦＥＴアレイ１においては、ＩＳＦＥＴ２に直列に接続されるスイッチ３としてＭＯＳスイッチを用いているので、ＩＳＦＥＴアレイ１全体の構成が簡単になる。
【００１２】
図２は、前記ＩＳＦＥＴアレイ１を用いたｐＨ二次元分布測定装置１３によってｐＨの分布を測定する状態を概略的に示す図で、この図において、１４は被検体としての寒天である。そして、この寒天１４の表面に、ＩＳＦＥＴアレイ１が形成された基板５の表面５ａが密着している。１５は寒天１４に挿入される比較電極である。１６はＩＳＦＥＴアレイ１の出力と比較電極１５の出力との差をとる電圧計で、その出力は演算制御部としての画像処理可能なコンピュータ１７に入力される。このコンピュータ１７は、前記垂直走査回路７および水平走査回路１０を制御する機能をも備えていることはいうまでもない。
【００１３】
上記、図２に示すｐＨ二次元分布測定装置１３においては、コンピュータ１７から垂直走査回路７および水平走査回路１０に適宜制御信号を送り、ＭＯＳスイッチ６，９を順次オンオフ制御することにより、寒天１４におけるｐＨの二次元分布を測定することができる。そして、このとき得られる信号を適宜画像処理することにより、ｐＨの二次元分布画像を得ることができる。この場合、ＩＳＦＥＴアレイ１においては、上述したようにスイッチノイズの影響をほとんど受けることがないので、高画質の二次元画像化を行うことができる。
【００１４】
この発明は、上述の実施の形態に限られるものではなく、ＩＳＦＥＴアレイ１としては、単位センサ４をｎ×ｎ（ｎは自然数）配置にしたもののみならず、ｍ×ｎ（ｍは自然数）であってもよい。
【００１５】
そして、ＩＳＦＥＴ２に直列に接続されているＭＯＳスイッチ３に代えて、オペアンプなどの応用電子回路を用いてもよい。このようにすることにより、個々のＩＳＦＥＴ２の特性の補正、出力電流の増幅、電流電圧変換などを随時行うことができ、特に、早い段階において増幅することによりＳ／Ｎを大きくすることができ、信号精度を向上させることができる。
【００１６】
また、ＩＳＦＥＴ２としては、水素イオン以外の他のイオンに感応するものであってもよいことはいうまでもない。
【００１７】
【発明の効果】
この発明のＩＳＦＥＴアレイにおいては、ＩＳＦＥＴアレイを構成する全てのＩＳＦＥＴに常に電圧を印加し、全てのＩＳＦＥＴを常に動作状態にしているので、１行、１列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によるノイズ影響を受けることがなくなり、精度の高い測定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明のＩＳＦＥＴアレイの構成を概略的に示す図である。
【図２】 前記ＩＳＦＥＴアレイを用いたｐＨ二次元分布測定装置の一例を概略的に示す図である。
【図３】 従来のＩＳＦＥＴアレイを示す図である。
【符号の説明】
１…ＩＳＦＥＴアレイ、２…ＩＳＦＥＴ、５…基板、５ａ…基板の表面、６，９…１行、１列のみのスイッチ素子。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an ISFET array in which, for example, a plurality of ISFETs (ion-sensitive field effect transistors) that measure the ion concentration in a solution by converting it into a current value flowing in an FET (field effect transistor) are arranged vertically and horizontally. .
[0002]
[Prior art]
As a device for measuring a two-dimensional pH distribution by arranging a plurality of ISFETs two-dimensionally, for example, there is a hydrogen ion concentration distribution measuring device as shown in Japanese Patent Publication No. 5-33745. FIG. 3 shows the configuration of an ISFET array in this hydrogen ion concentration distribution measuring apparatus. In this ISFET array, for example, nine ISFETs 31 to 39 are arranged in three rows and three columns, and these ISFETs 31 to 39 are arranged in each row and The pH information at each position is extracted as a voltage signal by the switching operation of the switches 40 to 45 corresponding to each column. For example, when the switching elements 40 and 43 are closed (turned on), the ISFET 31 is turned on. Thus, pH information in the ISFET 31 is output to the output terminal 46. In FIG. 3, 47 is a resistor for taking out a current signal as a voltage signal, and 48 is a switching gate voltage power supply.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In general, the ISFET is turned on and takes some time until the output is stabilized. However, in the conventional ISFET array, the switches 40 to 45 are turned on or off to adjust the pH in a specific ISFET. When trying to obtain information, the ISFET is turned on or off, and the state is not stable. Therefore, the output signal is greatly affected by the switching operation, and the output is not stable.
[0004]
The present invention has been made in consideration of the above-described matters, and an object of the present invention is to provide an ISFET array in which the influence of so-called noise caused by switching on and off is minimized.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
To achieve the above object, the present invention is Ri Na by arranging a plurality of ISFET two-dimensionally on the surface of the substrate, connected to the plurality of ISFET 1 line signals is selectable from a single ISFET, a ISFET arrays that provided the switching element of only one column, always applying a voltage to all of the ISFET, while all the ISFET always operating state, the output signal from the ISFET by the switching operation of the switching element It is comprised so that it may take out (Claim 1) .
In addition, from another viewpoint, the present invention has two or more two-dimensionally arranged unit sensors composed of ISFETs and FETs as switching elements connected in series to the ISFETs on the surface of the substrate,
A switch element of only one row and one column, which is connected to the plurality of ISFETs via the FET and can select a signal from a single ISFET, is provided on the substrate.
Further, the ISFET is configured to take out an output signal from the ISFET by the switching operation of the switching element of only the first row and the first column while constantly applying voltages to all the ISFETs and keeping all the ISFETs in an operating state. An array ,
The ISFET array is characterized in that the first electrode of the ISFET and the second electrode of the FET are connected in series, while the second electrode of each ISFET is commonly connected to a power supply. Item 2).
Further, according to another aspect of the present invention, a plurality of unit sensors each including an ISFET and an FET as a switching element connected in series to the ISFET are two-dimensionally arranged on the surface of the substrate. ,
A switch element of only one row and one column, which is connected to the plurality of ISFETs via the FET and can select a signal from a single ISFET, is provided on the substrate.
Further, the first electrode of the ISFET and the second electrode of the FET are connected in series, while a voltage is always applied to all the ISFETs, and the second electrode of each ISFET is always in an operating state. The electrodes are connected in common to the power supply
An ISFET array configured to take out an output signal from an ISFET by a switching operation of the switching element of only one row and one column while keeping all ISFETs in an operating state,
The FETs have their gates connected to each other in each row, connected to a first electrode of the one row of switch elements provided corresponding to each row, and the gates of the one row of switch elements are vertical. While connected to the scanning circuit,
The FETs have their first electrodes connected to each other in each column, connected to a second electrode of the one column of switch elements provided corresponding to each column, and the one column of switch elements Is connected to the horizontal scanning circuit,
Furthermore, the ISFET array is characterized in that the first electrodes of the switch elements in each row are connected to each other and to the output terminal.
[0006]
According to the above configuration, since the ISFET itself is not turned on and off, the influence of noise due to the switching operation of the switching elements of only one row and one column is greatly reduced.
[0007]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows the configuration of an ISFET array 1 according to the present invention. The ISFET array 1 is connected in series to, for example, an ISFET 2 that converts a hydrogen ion concentration in a solution into a current value, and the ISFET 2. A plurality of unit sensors (also referred to as pixels) 4 including MOSFETs 3 serving as switching elements are two-dimensionally arranged on a surface 5a of a silicon substrate 5 (see FIG. 2), for example. More specifically, in each unit sensor 4, the drain of ISFET 2 and the source of MOSFET 3 are connected. These unit sensors 4 are two-dimensionally arranged in 3 rows and 3 columns, for example. The source / drain voltage (Vd) is always applied to the source of each ISFET 2 by the power supply 5.
[0008]
The gates of the MOSFETs 3 are connected to each other in each row, and are connected to the drain of a MOS switch 6 as a switch element provided corresponding to each row. The gate of each MOS switch 6 is connected to the vertical scanning circuit 7. Reference numeral 8 denotes a power source for applying a switching gate voltage (Vg) to the gate of the MOS switch 6, the positive electrode of which is connected to the source of each MOS switch 6 and the negative electrode of which is grounded.
[0009]
Further, the MOSFET 3 has its drains connected to each other in each column, and is connected to the source of a MOS switch 9 as a switch element provided corresponding to each column. The gate of each MOS switch 9 is connected to the horizontal scanning circuit 10. The drains of the MOS switches 9 are connected to each other and to the output terminal 11. Reference numeral 12 denotes a resistor for taking out a current signal as a voltage signal.
[0010]
In the ISFET array 1 having the above-described configuration, the vertical scanning circuit 7 and the horizontal scanning circuit 10 turn on the MOS switches 6 and 9 in only one row and one column, so that only signals from the unit sensors 4 crossing the device are transmitted. Current is output. For example, in FIG. 1, the signal current from the upper left unit sensor 4 can be taken out by turning on the MOS switches 6 and 9 in the first row and the first column. In this case, the source / drain voltage Vd is applied to the ISFETs 2 in all the unit sensors 4 including the unit sensor 4 by the power source 5, and all the ISFETs 2 are always in an operating state. That is, since the ISFET 2 itself is not turned on and off, noise due to the switching operation of the MOS switches 6 and 9 is almost eliminated, and the influence is greatly reduced.
[0011]
In the ISFET array 1 configured as described above, since the MOS switch is used as the switch 3 connected in series to the ISFET 2, the configuration of the entire ISFET array 1 is simplified.
[0012]
FIG. 2 is a diagram schematically showing a state in which the pH distribution is measured by the pH two-dimensional distribution measuring device 13 using the ISFET array 1, in which 14 is agar as a subject. The surface 5 a of the substrate 5 on which the ISFET array 1 is formed is in close contact with the surface of the agar 14. A reference electrode 15 is inserted into the agar 14. Reference numeral 16 denotes a voltmeter that takes the difference between the output of the ISFET array 1 and the output of the comparison electrode 15, and the output is input to a computer 17 capable of image processing as an arithmetic control unit. Needless to say, the computer 17 also has a function of controlling the vertical scanning circuit 7 and the horizontal scanning circuit 10.
[0013]
In the pH two-dimensional distribution measuring apparatus 13 shown in FIG. 2, the control signal is appropriately sent from the computer 17 to the vertical scanning circuit 7 and the horizontal scanning circuit 10, and the MOS switches 6 and 9 are sequentially turned on / off, thereby agar 14 The two-dimensional distribution of pH at can be measured. Then, a two-dimensional distribution image of pH can be obtained by appropriately image processing the signal obtained at this time. In this case, since the ISFET array 1 is hardly affected by the switch noise as described above, high-quality two-dimensional imaging can be performed.
[0014]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and the ISFET array 1 is not limited to the unit sensor 4 arranged in an n × n (n is a natural number), but is also m × n (m is a natural number). It may be.
[0015]
An applied electronic circuit such as an operational amplifier may be used instead of the MOS switch 3 connected in series with the ISFET 2. By doing so, it is possible to perform correction of characteristics of each ISFET 2, amplification of output current, current-voltage conversion, etc. at any time, and in particular, S / N can be increased by amplification at an early stage, Signal accuracy can be improved.
[0016]
It goes without saying that the ISFET 2 may be sensitive to ions other than hydrogen ions.
[0017]
【The invention's effect】
In the ISFET array of the present invention, voltage is always applied to all ISFETs constituting the ISFET array, and all the ISFETs are always in an operating state. Therefore, the noise influence due to the switching operation of the switching elements of only one row and one column. The measurement can be performed with high accuracy.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an ISFET array of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an example of a pH two-dimensional distribution measuring apparatus using the ISFET array.
FIG. 3 shows a conventional ISFET array.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... ISFET array, 2 ... ISFET , 5 ... Board | substrate, 5a ... The surface of a board | substrate, 6, 9 ... Switch element of only 1 row and 1 column .

Claims (3)

基板の表面にＩＳＦＥＴを二次元的に複数個配置してなり、前記複数のＩＳＦＥＴと接続し単一のＩＳＦＥＴからの信号が選択可能な１行、１列のみのスイッチ素子が設けられているＩＳＦＥＴアレイであって、全てのＩＳＦＥＴに常に電圧を印加し、全てのＩＳＦＥＴを常に動作状態にしながら、前記１行、１列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によりＩＳＦＥＴからの出力信号を取り出すように構成されていることを特徴とするＩＳＦＥＴアレイ。 Ri Na and the ISFET plurality arranged two-dimensionally on the surface of the substrate, the connected to a plurality of ISFET 1 line signals is selectable from a single ISFET, that switching elements of only one column is provided a ISFET array, constantly applying a voltage to all of the ISFET, while all the ISFET always operating state, the first line, constituting a switching operation of the switching element of only one column to extract an output signal from the ISFET ISFET array characterized by being made . ＩＳＦＥＴと、このＩＳＦＥＴに直列に接続されるスイッチ素子としてのＦＥＴとからなる複数の単位センサを基板の表面に二次元的に複数個配置してなるとともに、
前記ＦＥＴを介して前記複数のＩＳＦＥＴと接続し単一のＩＳＦＥＴからの信号が選択可能な１行、１列のみのスイッチ素子が前記基板に設けられており、
さらに、全てのＩＳＦＥＴに常に電圧を印加し、全てのＩＳＦＥＴを常に動作状態にしながら、前記１行、１列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によりＩＳＦＥＴからの出力信号を取り出すように構成されているＩＳＦＥＴアレイであって、
ＩＳＦＥＴの第１の電極と前記ＦＥＴの第２の電極とが直列接続される一方、各ＩＳＦＥＴの第２の電極は、電源に共通接続されていることを特徴とするＩＳＦＥＴアレイ。 ISFET and, the ISFET in a by a plurality of units sensor comprising a FET as a switch element connected in series to a plurality arranged two-dimensionally on the surface of the substrate Rutotomoni,
A switch element of only one row and one column, which is connected to the plurality of ISFETs via the FET and can select a signal from a single ISFET , is provided on the substrate .
Furthermore, always applying a voltage to all of the ISFET, while all the ISFET always operating state, the first row, ISFET, which is configured to retrieve the output signal from the ISFET by the switching operation of the switching element of only one column An array ,
An ISFET array , wherein a first electrode of an ISFET and a second electrode of the FET are connected in series, and a second electrode of each ISFET is commonly connected to a power source . ＩＳＦＥＴと、このＩＳＦＥＴに直列に接続されるスイッチ素子としてのＦＥＴとからなる複数の単位センサを基板の表面に二次元的に複数個配置してなるとともに、
前記ＦＥＴを介して前記複数のＩＳＦＥＴと接続し単一のＩＳＦＥＴからの信号が選択可能な１行、１列のみのスイッチ素子が前記基板に設けられており、
さらに、ＩＳＦＥＴの第１の電極と前記ＦＥＴの第２の電極とが直列接続される一方、全てのＩＳＦＥＴに常に電圧を印加し、全てのＩＳＦＥＴを常に動作状態になるよう各ＩＳＦＥＴの第２の電極は、電源に共通接続されており、
全てのＩＳＦＥＴを常に動作状態にしながら、前記１行、１列のみのスイッチ素子のスイッチング動作によりＩＳＦＥＴからの出力信号を取り出すように構成されているＩＳＦＥＴアレイであって、
前記ＦＥＴは、各行ごとにそのゲート同士が互いに接続され、各行に対応して設けられる前記１行のスイッチ素子の第１の電極に接続され、かつ、前記１行のスイッチ素子のゲートは、垂直走査回路に接続される一方、
前記ＦＥＴは、各列ごとにその第１の電極同士が互いに接続され、各列に対応して設けられる前記１列のスイッチ素子の第２の電極に接続され、かつ、前記１列のスイッチ素子のゲートは、水平走査回路に接続されており、
さらに、前記各１列のスイッチ素子の第１の電極同士は互いに接続されるとともに、出力端子に接続されていることを特徴とするＩＳＦＥＴアレイ。A plurality of unit sensors composed of ISFETs and FETs as switching elements connected in series to the ISFETs are two-dimensionally arranged on the surface of the substrate, and
A switch element of only one row and one column, which is connected to the plurality of ISFETs via the FET and can select a signal from a single ISFET, is provided on the substrate .
Further, a second electrode of the first electrode of the ISFET FET is while being connected in series, always applying a voltage to all of the ISFET, the second of the ISFET so that all the ISFET always operating state The electrodes are connected in common to the power supply
An ISFET array configured to take out an output signal from an ISFET by a switching operation of the switching element of only one row and one column while keeping all ISFETs in an operating state,
The FETs have their gates connected to each other in each row, connected to a first electrode of the one row of switch elements provided corresponding to each row, and the gates of the one row of switch elements are vertical. While connected to the scanning circuit,
The FETs have their first electrodes connected to each other in each column, connected to a second electrode of the one column of switch elements provided corresponding to each column, and the one column of switch elements Is connected to the horizontal scanning circuit,
The ISFET array is characterized in that the first electrodes of the switch elements in each row are connected to each other and to an output terminal .
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