JP4073945B1 - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】製造期間を短縮し、歩留りの向上を図ると共に、反りの発生を防ぐことができる多層配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】先ず、絶縁性基材の両面に所要の形状に形成された配線層を有し、一方の面の配線層上に金属バンプが形成された両面配線単層基板を作製する。そして、この単層基板を所要枚数（１０ａ〜１０ｅ）用意して積層する。その際、最上層に配置される基板については金属バンプを形成しない状態で用意し、隣合う基板の一方の基板の金属バンプと他方の基板の対応する配線層とが接続されるように位置合わせして各基板を積層する。次に、積層された各基板１０ａ〜１０ｅ間に樹脂１２を充填する。そして、以上の工程により得られた多層基板の両面に、それぞれ当該配線層の所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように絶縁層を形成する。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体素子等のチップ部品を搭載するのに供される配線基板を製造する技術に係り、特に、高密度化及び高機能化に適応された多層構造を有する多層配線基板（「半導体パッケージ」ともいう。）の製造方法に関する。

多層配線基板を製造する技術として、従来より、ビルドアップ工法が広く用いられている。このビルドアップ工法を用いた多層配線基板は、層間絶縁層の材料（代表的には、樹脂）とビアホール形成プロセスの組合せにより多種類のものが作製可能であり、その典型的な製造プロセスは、ベース基材としてのコア基板を中心としてその両側（上下）に、それぞれ樹脂層（絶縁層）の形成、樹脂層におけるビアホールの形成、ビアホールの内部を含めた導体パターン（配線層）の形成を順次繰り返して積み上げていくものである。

かかる多層配線基板の形成に関連する技術としては、例えば、特許文献１に記載されるように、エポキシ樹脂等のシート状熱硬化性樹脂からなる未硬化の絶縁材料基板（プリプレグ）に、金属粉などの導電性材料を樹脂中に分散させたものを略円錐型に成形した導体バンプを配設した導体層を押圧して、上記プリプレグに導体バンプを貫通させ、これにより絶縁材料基板の厚さ方向での電気的導通を確保するようにしたものがある。
特開２００１−１５９２２号公報

上述したように従来のビルドアップ工法を用いた典型的な配線形成技術では、内側（コア基板側）から順番に樹脂層（ビアホールの形成を含む）及び導体層を交互に積み重ねていく手法をとっているため、相当の時間を要するといった不都合があった。特に、積み上げる層数が多くなればなるほど、それに応じて工数も増えるため、製造に要する期間が長期化するといった問題があった。

また、各層を順番に形成して多層配線構造としているため、その歩留りも全工程を通しての歩留りとなり、例えば、その全工程中の１つの工程で不具合が生じた場合、あるいは全ての工程で不具合が生じた場合のいずれの場合でも、最終的に得られる多層配線基板は出荷できない「不良品」となる。つまり、ビルドアップ工法のように各層を順次１層ずつ積み上げる方法では、製品（多層配線基板）としての歩留りの低下をきたすといった問題があった。

さらに、導体層を構成する銅（Ｃｕ）等の材料と樹脂層を構成するエポキシ樹脂等の材料とでは熱膨張係数が大きく異なるため、導体層と樹脂層を交互に時間をおいて積み重ねていく手法をとると、その積み重ねていく過程において導体層と樹脂層の界面には熱膨張係数の違いに応じた熱応力が各層の厚さ方向に発生し、その結果、「反り」が発生するおそれがあるといった課題もあった。

本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、製造期間を短縮し、歩留りの向上を図ると共に、反りの発生を防ぐことができる多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の第１の形態によれば、絶縁性基材の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層を有し、一方の面の配線層上に金属バンプが形成された両面配線単層基板を作製する工程と、前記両面配線単層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、最上層に配置される基板については前記金属バンプを形成しない状態で用意し、隣合う基板の一方の基板の金属バンプと他方の基板の対応する配線層とが接続されるように位置合わせし、かつ各基板間の所定数の隙間にプリプレグを介在させて各基板を一括積層する工程と、積層された各基板間に樹脂を充填する工程であって、前記プリプレグを介在させていない残りの隙間に樹脂を充填する工程と、以上の工程により得られた多層基板の両面に、それぞれ当該配線層の所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法が提供される。

また、この第１の形態の変形形態によれば、絶縁性基材の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層を有し、一方の面の配線層上に金属バンプが形成された両面配線単層基板を作製する工程と、前記両面配線単層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、最上層に配置される基板については前記金属バンプを形成しない状態で用意し、隣合う基板の一方の基板の金属バンプと他方の基板の対応する配線層とが接続されるように位置合わせし、かつ各基板間の所定数の隙間にプリプレグを介在させて各基板を一括積層する工程と、積層された各基板間に樹脂を充填する工程であって、前記プリプレグを介在させていない残りの隙間に樹脂を充填する工程と、以上の工程により得られた多層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、内側に配置される多層基板については一方の面の配線層上に金属バンプを形成した状態で用意し、隣合う多層基板の一方の多層基板の金属バンプと他方の多層基板の対応する配線層とが接続されるように位置合わせして各多層基板を積層する工程と、積層された各多層基板間に樹脂を充填する工程と、以上の工程により得られた構造体の両面に、それぞれ当該配線層の所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法が提供される。

本発明の第１の形態（もしくは変形形態）に係る多層配線基板の製造方法によれば、両面配線単層基板（もしくは単層基板を所要枚数重ね合わせて積層された多層基板）を別々に作製し、所要枚数の単層基板（もしくは多層基板）を適宜重ね合わせて多層配線構造としているので、従来のビルドアップ工法を用いた場合と比べて、製造期間を短縮化することができる。

また、従来のビルドアップ工法を用いた製造方法では、全工程中の１つの工程で不具合が生じた場合でも最終的に得られる多層配線基板は出荷できない「不良品」となるため、製品（多層配線基板）としての歩留りの低下をきたすといった問題があったが、本発明に係る製造方法では、いずれか１つの工程で不具合が生じた場合には、その不具合が生じている両面配線単層基板（もしくは多層基板）のみを廃棄すればよいので、従来の場合と比べて、歩留りの向上を図ることができる。

さらに、両面配線単層基板（もしくは多層基板）を所要枚数重ね合わせて積層した後に各基板間に樹脂を充填するようにしているので、強度を有した反りのない多層配線構造を実現することができる。また、付加的な効果として、両面配線単層基板を所要枚数用意して積層する際に各基板間のいくつかの隙間にプリプレグを前もって介在させているので、その後の工程ではプリプレグを介在させていない残りの隙間にのみ樹脂を充填するだけで済み、プリプレグを介在させない場合（積層した各基板間の全てに樹脂を充填する場合）と比べると、樹脂充填を効率良くスムーズに行うことができる。

また、本発明の第２の形態によれば、絶縁性基材の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層を有し、少なくとも一方の面の配線層上に金属ポストが形成され、さらに該金属ポストの頂部に導電性材料が形成された両面配線単層基板を作製する工程と、前記両面配線単層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、少なくとも最上層及び最下層に配置される基板については前記金属ポスト及び導電性材料を形成しない状態で用意し、内側に配置される基板に設けられた金属ポスト及び導電性材料を介して各基板の配線層が相互に接続されるように位置合わせし、かつ各基板間の所定数の隙間にプリプレグを介在させて各基板を一括積層する工程と、積層された各基板間に樹脂を充填する工程であって、前記プリプレグを介在させていない残りの隙間に樹脂を充填する工程と、以上の工程により得られた多層基板の両面に、それぞれ当該配線層の所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法が提供される。

また、この第２の形態の変形形態によれば、絶縁性基材の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層を有し、少なくとも一方の面の配線層上に金属ポストが形成され、さらに該金属ポストの頂部に導電性材料が形成された両面配線単層基板を作製する工程と、前記両面配線単層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、少なくとも最上層及び最下層に配置される基板については前記金属ポスト及び導電性材料を形成しない状態で用意し、内側に配置される基板に設けられた金属ポスト及び導電性材料を介して各基板の配線層が相互に接続されるように位置合わせし、かつ各基板間の所定数の隙間にプリプレグを介在させて各基板を一括積層する工程と、積層された各基板間に樹脂を充填する工程であって、前記プリプレグを介在させていない残りの隙間に樹脂を充填する工程と、以上の工程により得られた多層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、内側に配置される多層基板については少なくとも一方の面の配線層上に金属ポストを形成し、さらに該金属ポストの頂部に導電性材料を形成した状態で用意し、内側に配置される多層基板に設けられた金属ポスト及び導電性材料を介して各多層基板の配線層が相互に接続されるように位置合わせして各多層基板を積層する工程と、積層された各多層基板間に樹脂を充填する工程と、以上の工程により得られた構造体の両面に、それぞれ当該配線層の所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法が提供される。

本発明の第２の形態（もしくは変形形態）に係る多層配線基板の製造方法においても、上記の第１の形態（もしくは変形形態）に係る多層配線基板の製造方法の場合と同様に、各基板間を接続する手段として金属バンプを用いるか、金属ポスト及び導電性材料を用いるかの違いはあるにせよ、基本的には上記の第１の形態（もしくは変形形態）に係る製造方法と同様の手法を用いているので、同様の作用効果（製造期間の短縮、歩留りの向上、反りの発生防止）を奏することができる。また、同様の付加的な効果として、両面配線単層基板を所要枚数用意して積層する際に各基板間のいくつかの隙間にプリプレグを前もって介在させているので、その後の工程ではプリプレグを介在させていない残りの隙間にのみ樹脂を充填するだけで済み、プリプレグを介在させないで各基板間の全てに樹脂を充填する場合と比べると、樹脂充填を効率良くスムーズに行うことができる。

本発明に係る多層配線基板の製造方法の他のプロセス上の特徴及びそれに基づく有利な利点等については、後述する発明の実施の形態を参照しながら詳細に説明する。

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。

（第１の実施形態…図１〜図６参照）
図１は本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を用いて製造された多層配線基板の一構成例を断面図の形態で示したものである。

本実施形態に係る多層配線基板２０は、図示のように、本基板２０を構成する基本の構造体である５枚の基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ及び１０ｅと、各基板間を充填するように形成された樹脂層１２と、本基板２０の最表層（上下）に形成された保護膜として機能する絶縁層１４とを備えている。各基板１０ａ〜１０ｅのうち最上層及び最下層の各基板１０ａ，１０ｅを除く他の各基板１０ｂ，１０ｃ，１０ｄは、絶縁性基材２（例えば、プリプレグ）の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層５ａ，５ｂを有しており、一方の面（上側）の配線層５ａの所定の箇所には基板間接続端子として機能する金属バンプ（本実施形態では、金（Ａｕ）バンプ６）が形成され、他方の面（下側）の配線層５ｂの所定の箇所には導電性材料（本実施形態では、はんだ７）が被着されている。

最上層の基板１０ａについては、その下側の配線層５ｂ上にはんだ７が被着されているのみであり、最下層の基板１０ｅについては、その上側の配線層５ａ上にＡｕバンプ６が形成されているのみである。各基板１０ａ〜１０ｅは、図示のようにＡｕバンプ６及びはんだ７を介して相互に電気的に接続されている。各基板１０ａ〜１０ｅは、それぞれ両面に配線層を有した単一の基板であるという点で、以下の記述では便宜上、「両面配線単層基板」ともいう。

また、保護膜として機能する絶縁層１４は、最上層及び最下層の各基板１０ａ，１０ｅの配線層５ａ，５ｂの所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように形成されている。上側の絶縁層１４から露出するパッド部分には、本基板２０に搭載される半導体素子等のチップ部品の電極端子がはんだバンプ等を介して接続され、下側の絶縁層１４から露出するパッド部分には、本基板２０をマザーボード等に実装する際に使用される外部接続端子として機能する金属バンプ（ボール）や金属ピン等がはんだ等を介して接合されるようになっている。

図２は本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を用いて製造された多層配線基板の他の構成例を断面図の形態で示したものである。

この実施形態に係る多層配線基板３０は、図示のように３つの構造体２０ａ，２０ｂ及び２０ｃを積み重ねて構成されており、各構造体２０ａ〜２０ｃは、図１に示した多層配線基板２０と基本的には同じ構成を有している。ただし、各構造体２０ａ〜２０ｃは、互いに隣合う２つの構造体（図示の例では、構造体２０ａと２０ｂ、２０ｂと２０ｃ）の一方の構造体に形成されたＡｕバンプ６と他方の構造体に形成されたはんだ７とを介して相互に電気的に接続されている。また、各構造体２０ａ〜２０ｃ間（２箇所の隙間）を充填するようにそれぞれ樹脂層２２が形成され、本基板３０の最表層（上下）にはそれぞれ保護膜として機能する絶縁層２４が形成されている。同様に、各絶縁層２４は、最上層の配線層のパッド部分と最下層の配線層のパッド部分とを除いて、それぞれ全面を覆うように形成されている。以下の記述では、特に定義しない限り、各構造体２０ａ〜２０ｃを「多層基板」ともいう。

第１の実施形態に係る多層配線基板２０（図１）及び多層配線基板３０（図２）をそれぞれ構成する各構成部材の材料や大きさ等については、以下に記述するプロセスに関連させて具体的に説明する。

以下、各多層配線基板２０，３０（図１、図２）を製造する方法について、その製造工程を順に示す図３〜図６を参照しながら説明する。

先ず、本実施形態に係る多層配線基板２０，３０を構成する基本の構造体（両面配線単層基板）を作製する方法について説明する。

図３を参照すると、先ず最初の工程では（図３（ａ）参照）、両面銅張積層板１を用意する。これは、ビルドアップ工法による多層配線基板において一般的に使用されているコア基板を利用することができ、プリプレグ（補強材のガラス布にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、半硬化のＢステージ状態にした接着シート）を所要枚数重ね（例えば、６０μｍの厚さ）、そのプリプレグ２の両面に銅箔３を載せ、加熱・加圧することで形成され得る。

次の工程では（図３（ｂ）参照）、両面銅張積層板１の所要の箇所（図示の例では、３箇所）に、スルーホールＴＨを形成する。このスルーホールＴＨは、例えば、ＣＯ２ レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等による穴開け加工、機械ドリルによる穴開け加工などにより形成することができる。

次の工程では（図３（ｃ）参照）、無電解銅めっき及び電解銅めっきにより、両面銅張積層板１に形成されたスルーホールＴＨを埋め込むようにしてその両面に導体層４を形成する。

次の工程では（図３（ｄ）参照）、両面銅張積層板１のプリプレグ２の両面にそれぞれ所要形状の配線層５ａ，５ｂを形成する。具体的には、先ず、両面に形成された各導体層４上に、それぞれパターニング材料を使用してエッチング用レジストを形成し、各レジストの所定の部分を開口する。この開口する部分は、形成すべき所要の配線パターンの形状に従ってパターニング形成される。パターニング材料としては、感光性のドライフィルム又は液状のフォトレジストを用いることができる。

例えば、ドライフィルムを使用する場合には、先ず導体層４の表面を洗浄した後、各導体層４上にドライフィルム（厚さ２５μｍ程度）を熱圧着により貼り付け、各ドライフィルムに対し、所要の配線パターンの形状にパターニングされたマスク（図示せず）を用いて紫外線（ＵＶ）照射による露光を施して硬化させ、更に所定の現像液（ネガ型のレジストの場合には有機溶剤を含む現像液、ポジ型のレジストの場合にはアルカリ系の現像液）を用いて当該部分をエッチング除去し、所要の配線パターンの形状に応じたレジスト層Ｒ１を形成する。液状のフォトレジストを用いた場合も同様に、表面洗浄→表面にレジスト塗布→乾燥→露光→現像の工程を経て、所要の形状にパターニングされたレジスト層Ｒ１を形成することができる。

次に、このパターニングされたレジスト層Ｒ１をマスクにして、銅（Ｃｕ）に対してのみ可溶性の薬液を用いたウエットエッチングにより、露出している部分の導体層（Ｃｕ）４を除去する（図３（ｄ）の状態）。この後、各レジスト層Ｒ１を、例えば、水酸化ナトリウムやモノエタノールアミン系などのアルカリ性の薬液を用いて除去する。これによって、所要形状の配線層５ａ，５ｂが露出する。

さらに、配線層５ａ，５ｂの表面を清浄にした後、次の工程（バンプ形成）の前処理として、次の工程で付着される金属（この場合、Ａｕ）中へ当該配線層のＣｕが拡散するのを防止するために、当該配線層上のバンプ形成領域に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっきを施しておく。

次の工程では（図３（ｅ）参照）、一方の面（図示の例では、上側）の配線層５ａ上の所定の箇所（バンプ形成領域）に、突起状のＡｕバンプ６を形成する。Ａｕバンプ６は、フォトプロセスを用いた電解めっき法や、バンプ形成用の仮基板にいったんＡｕバンプを形成し、それをテープキャリアのインナリードに熱圧着接合する転写バンプ方式、ワイヤボンディング技術を応用したボールバンプなどにより形成することができ、例えば、４０〜６０μｍ程度の高さに形成する。

さらに、Ａｕバンプ６が形成されている側（上側）の配線層５ａ上に、次の工程で使用されるはんだ粉がこの配線層５ａ上に付着するのを防止するための前処理として、保護フィルム（図示せず）を貼り付ける。

次の工程では（図３（ｆ）参照）、露出している配線層、すなわち、Ａｕバンプ６が形成されている側と反対側（下側）の配線層５ｂ上にはんだ７を被着させる。例えば、被着対象物（この場合、下側の配線層５ｂ）の表面に粘着層を形成してはんだ粉（Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系などのＰｂフリー組成のはんだ合金からなる）を配線層５ｂ上に付着させ、リフローによりそのはんだ粉を溶融させることで、配線層５ｂの表面にはんだ７を被着させることができる。

この方法以外にも、例えば、スクリーン印刷法等によりはんだペーストを被着対象物（配線層５ｂ）上に供給し、このはんだペーストを熱により溶融し、自然冷却させてはんだ７を被着させることも可能である。あるいは、電解はんだめっきによりはんだ７を被着させてもよい。このようにしてはんだ７を被着させた後、上側の配線層５ａ上に貼り付けられた保護フィルム（図示せず）を剥離して除去する。

以上の工程により、プリプレグ２の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層５ａ，５ｂを有し、一方の面の配線層５ａ上にＡｕバンプ６、他方の面の配線層５ｂ上にはんだ７がそれぞれ形成された構造体（両面配線単層基板１０）が作製されたことになる。

次の工程では（図４参照）、上記の工程を経て作製された両面配線単層基板１０を、所要枚数重ね合わせて積層する。先ず、両面配線単層基板１０を５枚（１０ａ〜１０ｅ）用意する。ただし、５枚の基板のうち、最上層に配置される基板１０ａについてはＡｕバンプ６を形成しない状態（図３において（ｅ）の処理を省略した状態）で用意し、最下層に配置される基板１０ｅについてははんだ７を形成しない状態（図３において（ｆ）の処理を省略した状態）で用意する。

次に、各基板１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅを、隣合う基板の一方の基板のＡｕバンプ６と他方の基板のはんだ７が接続されるように位置合わせして、積層する。この積層の際には「ピンラミネーション」を利用する。これは、各基板の周辺部分の所要箇所にあらかじめ設けられた位置合わせ用の基準穴にガイドピンを通して各基板間の相対位置関係を固定化する方法である。これにより、５枚の両面配線単層基板１０ａ〜１０ｅがそれぞれ対応するＡｕバンプ６及びはんだ７を介して相互に電気的に接続されたことになる。

さらに、必要に応じて、リフロー炉及びベーキングを併用してはんだ７を溶融し、Ａｕバンプ６との接続を強固にする。なお、リフロー処理等は必ずしも行う必要はなく、Ａｕバンプ６とはんだ７の接続の際に、型のプレス圧のみで圧着しても十分な電気的接続を確保することは可能である。

次の工程では（図５参照）、前の工程で積層された各両面配線単層基板１０ａ〜１０ｅ間（４箇所の隙間）に樹脂１２を充填する。樹脂１２の充填は、多層構造の基板に強度をもたせて反りを防ぐために行う。

充填する樹脂１２の材料としては、モールド樹脂として一般に使用されている熱可塑性エポキシ樹脂や、アンダーフィル樹脂として一般に使用されている液状エポキシ樹脂などが用いられる。熱可塑性エポキシ樹脂の場合は、弾性率が１５〜３０ＧＰａ、熱膨張係数（ＣＴＥ）が５〜１５ｐｐｍ／℃であり、さらに、樹脂の弾性率やＣＴＥ等を調整するためにフィラー（シリカ、アルミナ、ケイ酸カルシウム等の無機物の微粒子）が７０〜９０％程度添加されている。液状エポキシ樹脂の場合は、弾性率が５〜１５ＧＰａ、ＣＴＥが２０〜４０ｐｐｍ／℃であり、フィラーが６０〜８０％程度添加されている。また、樹脂１２を充填する方法としては、好適にはトランスファモールドを用いることができる。トランスファモールド以外に、インジェクションモールド、アンダーフィルフロー等の方法を用いてもよい。

樹脂１２を充填するにあたっては、全ての隙間（各基板１０ａ〜１０ｅ間）に一度に樹脂を充填すると、樹脂注入の際の圧力にも依存するが各基板間の隙間に必ずしも圧力が均等に加わって樹脂が均一に流れるとは限らないため、この場合には、樹脂充填をスムーズに行うことができないといった不都合が起こり得る。そこで、本実施形態では、かかる不都合を回避するため、先ず内側の２つの隙間（基板１０ｂと１０ｃの間、基板１０ｃと１０ｄの間）に樹脂１２の充填を行い（図５（ａ）参照）、次に時間をおいて外側の２つの隙間（基板１０ａと１０ｂの間、基板１０ｄと１０ｅの間）に樹脂１２の充填を行うようにしている（図５（ｂ）参照）。このとき、樹脂充填側と反対側（図示の例では、左側）では、樹脂注入の順序に合わせてそれぞれ対応する隙間の樹脂を真空吸引する順序を変えている。このように「時間差」をつけて各基板１０ａ〜１０ｅ間に時系列的に樹脂１２を充填することで、樹脂充填をスムーズに行うことが可能となる。

なお、本工程（図５）では、樹脂を真空吸引する順序を変えることで「時間差」をつけているが、この「時間差」をつけるための実施形態はこれに限定されないことはもちろんである。例えば、樹脂充填に使用する金型の構造を変える（この場合、内側の２つの隙間に樹脂を注入するための経路は相対的に短く、外側の２つの隙間に樹脂を注入するための経路は相対的に長くなるように変える）ことで、「時間差」をつけるようにしてもよい。また、本工程では、先ず内側の２つの隙間に樹脂充填を行い、次いで外側の２つの隙間に樹脂充填を行っているが、この順序を逆にしてもよいことはもちろんである。さらに、一度に樹脂充填を行う隙間の数についても、本工程のように２つに限らず、適宜選定してもよいことはもちろんである。

以上の工程により、５枚の両面配線単層基板１０ａ〜１０ｅが積層され、この積層された各基板間を充填するように樹脂層１２が形成された構造体（多層基板２０ａ）が作製されたことになる。

この段階で、この構造体（多層基板２０ａ）の最表層（上下）にそれぞれ保護膜として機能するソルダレジスト層（絶縁層１４）を形成すれば、図１に示した多層配線基板２０が製造され得る。このソルダレジスト層１４は、図３（ｄ）の工程で行った処理と同様にして形成することができる。すなわち、感光性のドライフィルムをラミネートし、又は液状のフォトレジストを塗布し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることでソルダレジスト層１４を形成することができる。

一方、図２に示した多層配線基板３０を製造するには、この段階で保護膜（ソルダレジスト層１４）を形成せずに、次の工程に移行する。

すなわち、次の工程では（図６参照）、上記の工程を経て作製された多層基板を、所要枚数重ね合わせて積層する。先ず、多層基板を３枚用意する。ただし、３枚の多層基板のうち、１枚の多層基板は上記の工程を経て作製された多層基板２０ａ（図５（ｂ）参照）であり、残りの２枚の多層基板２０ｂ，２０ｃは、多層基板２０ａと比べて、それぞれ配線層５ａ，５ｂのパターン形状、Ａｕバンプ６の配置、はんだ７の配置等において相違している。また、内側に配置される多層基板２０ｂについては、一方の面（上側）にＡｕバンプ６を、他方の面（下側）にはんだ７を印刷法により形成し、上側に配置される多層基板２０ａについては片面（下側）にのみはんだ７を形成し、下側に配置される多層基板２０ｃについては片面（上側）にのみＡｕバンプ６を形成しておく。

次に、各多層基板２０ａ，２０ｂ，２０ｃを、隣合う多層基板の一方の多層基板のＡｕバンプ６と他方の多層基板のはんだ７が接続されるように位置合わせして、積層する。この際、図４の工程で行った処理と同様にして、ピンラミネーションにより各多層基板間の相対位置関係を固定化する。これにより、３枚の多層基板２０ａ〜２０ｃがＡｕバンプ６及びはんだ７を介して相互に電気的に接続されたことになる。

さらに、積層された各多層基板２０ａ〜２０ｃ間（２箇所の隙間）に、トランスファモールド等により、樹脂２２（図２参照）を充填する。これにより、３枚の多層基板２０ａ〜２０ｃが積層され、この積層された各多層基板間を充填するように樹脂層２２が形成された構造体が作製されたことになる。

この後、この構造体の最表層（上下）にそれぞれ保護膜として機能するソルダレジスト層（絶縁層２４）を形成すれば、図２に示した多層配線基板３０が製造され得る。このソルダレジスト層２４は、上述したソルダレジスト層１４（図１）の形成の場合と同様にして形成することができる。

以上説明したように、第１の実施形態に係る多層配線基板の製造方法によれば（図３〜図６参照）、多層配線基板を構成する基本の構造体としての両面配線単層基板（１０ａ〜１０ｅ）を別々に作製し、所要枚数の単層基板を適宜重ね合わせて多層配線構造（図１の多層配線基板２０）としており、また、単層基板を所要枚数重ね合わせて積層された１ユニットとしての多層基板（２０ａ〜２０ｃ）を別々に作製し、所要枚数の多層基板を適宜重ね合わせて多層配線構造（図２の多層配線基板３０）としているので、従来のビルドアップ工法を用いた多層配線形成方法と比べて、製造に要する期間を大幅に短縮化することができる。

また、従来のビルドアップ工法を用いた製造方法では、全工程中の１つの工程で不具合が生じた場合でも最終的に得られる多層配線基板は出荷できない「不良品」となるため、製品（多層配線基板）としての歩留りの低下をきたすといった問題があった。これに対し本実施形態に係る製造方法では、いずれか１つの工程で不具合が生じた場合には、その不具合が生じているパーツ（この場合、基本単位である両面配線単層基板、もしくは１ユニットとしての多層基板）のみを廃棄して、それと同じ機能を有する良品（両面配線単層基板もしくは多層基板）を代用すればよいので、従来の場合と比べて、歩留りの大幅な向上を図ることができる。

また、両面配線単層基板もしくは多層基板を所要枚数重ね合わせて積層した後に、各基板間に樹脂を充填するようにしているので、強度を有した反りのない多層配線構造を実現することができる。

上述した第１の実施形態では、両面配線単層基板１０ａ〜１０ｅの積層時に各基板間に何も介在させずに次の工程（樹脂充填）に移行させる場合（図４、図５）を例にとって説明したが、両面配線単層基板１０ａ〜１０ｅを積層する段階（図４の工程）で各基板間のいくつか（例えば、内側の２箇所の隙間）に前もってプリプレグを介在させておいてもよい。この場合の実施形態に係る工程を図７及び図８に例示する。

本実施形態では、先ず、図７に例示するように、上から２層目及び３層目の各基板（１０ｂ，１０ｃ）間と、３層目及び４層目の各基板（１０ｃ，１０ｄ）間とにそれぞれプリプレグ１３を挟んで各基板１０ａ〜１０ｅを一括積層し、上下両面から加圧（プレス）もしくは加熱・加圧（ホットプレス）する。このように各単層基板１０ａ〜１０ｅの積層段階でプリプレグ１３を内側の２箇所の隙間に前もって介在させておくと、後の段階では、プリプレグ１３を介在させていない外側の２箇所の隙間（図８参照）にのみ樹脂を充填するだけで済むため、図５に示した実施形態の場合と比べると、樹脂充填を効率良くスムーズに行うことができる。

ただし、積層段階で全ての隙間にプリプレグを介在させてしまうと、加熱・加圧の際の条件等によっては全てのＡｕバンプ６がそれぞれ対応するプリプレグを必ずしも貫通できない場合も起こり得る。従って、積層段階で各単層基板１０ａ〜１０ｅ間のいくつの隙間にプリプレグを介在させるか、また、最初にどの隙間にプリプレグを介在させるかは、プロセスの条件に応じて適宜選定するのが望ましい。

同様に、図６の工程において各多層基板２０ａ〜２０ｃ間に樹脂を充填する代わりに、図７に例示したようなプリプレグのラミネートを行ってもよい。この場合も同様に、各多層基板２０ａ〜２０ｃを重ね合わせる際に、隣合う多層基板間（図示の例では、２箇所の隙間）にプリプレグを挟むように配置して各多層基板２０ａ〜２０ｃを一括積層し、上下両面から加圧もしくは加熱・加圧する。

また、樹脂充填をスムーズに行えるようにするための他の実施形態として、特に図示はしないが、両面配線単層基板１０ａ〜１０ｅの積層（図４）に先立ち、隣合う各基板間の所要箇所に適宜スペーサを設けておいてもよい。スペーサの形態としては、例えば、Ａｕバンプを配置することが考えられる。このようなＡｕバンプ（スペーサ）は、上述した図３（ｅ）の工程においてＡｕバンプ６（基板間接続端子）を形成する際に同時に形成することができる。但し、その形成に際しては、配線パターン（配線層５ａ，５ｂ）と電気的短絡をひき起こさないように配置箇所に留意する必要がある。また、スペーサとしてＡｕバンプの代わりに、樹脂ボールや感光性接着剤、ソルダレジスト等の絶縁物を適宜配置してもよい。Ａｕバンプを配置する場合にはその配置箇所に留意する必要があるが、絶縁物の場合は、配線パターン上に配置しても支障はないため、配置箇所に自由度をもたせることができる。

また、上述した第１の実施形態では、各単層基板１０ａ〜１０ｅの積層時にＡｕバンプ６とはんだ７を用いて隣合う基板間の電気的な接続を実現する場合を例にとって説明したが、基板間の電気的な接続を確保する形態はこれに限定されないことはもちろんであり、他にも種々の実施形態が考えられる。

例えば、当該単層基板の配線層５ｂ上にはんだ７を形成せずに、これと隣合う単層基板の配線層５ａ上に形成されたＡｕバンプ６を当該単層基板の配線層（Ｃｕ）５ｂに圧着して電気的接続を確保することも可能である。また、Ａｕバンプ６の代わりに、はんだボールや、銅コアボール（銅をコアとし、その周囲を異種の金属（主として、はんだ又はニッケル／金）で覆った複合構造のボール）、樹脂コアボール（樹脂をコアとし、その周囲を金属（主として、はんだ又はニッケル／金）で覆った複合構造のボール）などを使用することも可能である。

また、バンプの形成方法として、上述した電解めっき法や転写バンプ方式等以外にも、スクリーン印刷法を用いて導電性バンプを形成することも可能である。例えば、ポリエステル系やポリイミド系などの樹脂中にＡｕ、Ａｇ、はんだ等の導電性粒子を６０〜９５重量％程度含有させた導電性ペーストをスクリーン印刷によって被着対象物（図３（ｅ）の上側の配線層５ａ）上に供給し、リフローにより溶融させてバンプ化するようにしてもよい。

さらに、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）やＮＣＦ（非導電性フィルム）を用いて隣合う単層基板の配線層５ａ，５ｂ間を接続し、最終的に樹脂充填（図５、図６）を行うことにより、同様の構造及び効果をもたせることも可能である。

（第２の実施形態…図９〜図１４参照）
図９は本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を用いて製造された多層配線基板の一構成例を断面図の形態で示したものである。

本実施形態に係る多層配線基板５０は、上述した第１の実施形態（図１）の場合と同様に、本基板５０を構成する基本の構造体である５枚の両面配線単層基板４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ及び４０ｅと、各基板間を充填するように形成された樹脂層４２と、本基板５０の最表層（上下）に形成された保護膜としての絶縁層４４とを備えている。各基板４０ａ〜４０ｅは、絶縁性基材としてのプリプレグ２の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層５ａ，５ｂを有しており、さらに、最上層、中央の層及び最下層の各基板４０ａ，４０ｃ，４０ｅを除く他の各基板４０ｂ，４０ｄは、両面に形成された各配線層５ａ，５ｂのそれぞれ所定の箇所に形成された基板間接続端子としての金属ポスト（本実施形態では、銅（Ｃｕ）ポスト８）と、このＣｕポスト８の頂部に形成された導電性材料９とを有している。

各基板４０ａ〜４０ｅは、図示のようにＣｕポスト８及び導電性材料９を介して相互に電気的に接続されている。また、保護膜として機能する絶縁層４４は、第１の実施形態の場合と同様に、最上層及び最下層の各基板４０ａ，４０ｅの配線層５ａ，５ｂの所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように形成されている。

図１０は本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を用いて製造された多層配線基板の他の構成例を断面図の形態で示したものである。

この実施形態に係る多層配線基板６０は、上述した第１の実施形態（図２）の場合と同様に、それぞれ多層基板を構成する３つの構造体５０ａ，５０ｂ及び５０ｃを積み重ねて構成されており、各構造体５０ａ〜５０ｃは、図９に示した多層配線基板５０と基本的には同じ構成を有している。ただし、各構造体５０ａ〜５０ｃは、中央の構造体５０ｂの両面にそれぞれ形成されたＣｕポスト８及び導電性材料９を介して相互に電気的に接続されている。また、各構造体５０ａ〜５０ｃ間（２箇所の隙間）を充填するようにそれぞれ樹脂層５２が形成され、本基板６０の最表層（上下）にはそれぞれ保護膜として機能する絶縁層５４が形成されている。同様に、各絶縁層５４は、最上層の配線層のパッド部分と最下層の配線層のパッド部分とを除いて、それぞれ全面を覆うように形成されている。

第２の実施形態に係る多層配線基板５０（図９）及び多層配線基板６０（図１０）をそれぞれ構成する各構成部材の材料や大きさ等については、以下に記述するプロセスに関連させて具体的に説明する。

以下、各多層配線基板５０，６０（図９、図１０）を製造する方法について、その製造工程を順に示す図１１〜図１４を参照しながら説明する。

先ず、本実施形態に係る多層配線基板５０，６０を構成する基本の構造体（両面配線単層基板）を作製する方法について説明する。

図１１を参照すると、先ず最初の工程では（図１１（ａ）参照）、絶縁性基材としてのプリプレグ２の両面にそれぞれ配線層５ａ，５ｂが所要の形状にパターニング形成された構造体を作製する。これは、上述した第１の実施形態における図３（ａ）〜（ｄ）の工程で行った処理と同様の処理を経て作製することができる。ただし、第１の実施形態の場合とは違い、各配線層５ａ，５ｂの表面を清浄にした後、拡散防止用の前処理（配線層上へのＮｉめっき）を行う必要はない。この分、第１の実施形態の場合よりもプロセスが簡略化される。

次の工程では（図１１（ｂ）参照）、前の工程で得られた構造体の両面にめっき用レジストを形成し、各めっき用レジストの所定の部分を開口する。例えば、感光性のドライフィルム（厚さ１００μｍ程度）を両面に熱圧着により貼り付けた後、各ドライフィルムに対し、次の工程で形成される銅（Ｃｕ）ポストの形状に従うようにパターニングされたマスク（図示せず）を用いて露光及び現像（ドライフィルムのパターニング）を行い、当該部分をエッチング除去して（開口部ＯＰの形成）レジスト層Ｒ２を形成する。

次の工程では（図１１（ｃ）参照）、各配線層５ａ，５ｂを給電層としてその露出している表面に電解銅（Ｃｕ）めっきを施し、パターニングされた各レジスト層Ｒ２をマスクにして、高さ１００μｍ程度のＣｕポスト８を形成する。

次の工程では（図１１（ｄ）参照）、先ず、Ｃｕポスト８の頂部に導電性材料を転写するのに用いるステージ台７０を用意し、このステージ台７０上に、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム等の絶縁性シート７１を介して、接着層を有した導電性材料としての銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）等の導電性ペースト９ａを塗布しておく。そして、このステージ台７０（導電性ペースト９ａ）上に、前の工程で得られた構造体（Ｃｕポスト８が形成された両面配線単層基板）を載置する。これにより、導電性ペースト９ａに触れた側のＣｕポスト８の頂部に導電性材料が転写される。この転写を他方の側（図示の例では、上側）のＣｕポスト８についても同様に行う。

以上の工程により、図１１（ｅ）に示すように、プリプレグ２の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層５ａ，５ｂを有し、各配線層５ａ，５ｂの所定の箇所に形成された各Ｃｕポスト８の頂部に導電性材料９が転写された構造体（両面配線単層基板４０）が作製されたことになる。

次の工程では（図１２参照）、上記の工程を経て作製された両面配線単層基板４０を、所要枚数重ね合わせて積層する。先ず、両面配線単層基板４０を５枚（４０ａ〜４０ｅ）用意する。ただし、５枚の基板のうち、最上層、中央の層及び最下層に配置される基板４０ａ，４０ｃ，４０ｅについては、Ｃｕポスト８及び導電性材料９を形成しない状態（図１１において（ｂ）以降の処理を省略した状態）で用意する。

次に、各基板４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅを、図示のように上から２層目及び４層目に配置される各基板４０ｂ，４０ｄのそれぞれ両面に形成されたＣｕポスト８及び導電性材料９を介して各配線層が接続されるように位置合わせして、積層する。この際、図４の工程で行った処理と同様にして、ピンラミネーションにより各基板間の相対位置関係を固定化する。これにより、５枚の両面配線単層基板４０ａ〜４０ｅがＣｕポスト８及び導電性材料９を介して相互に電気的に接続されたことになる。

さらに、必要に応じて、リフロー炉及びベーキングを併用して導電性材料（ＡｇやＣｕ等）９を溶融し、各配線層（Ｃｕ）５ａ，５ｂとの接続を強固にする。なお、リフロー処理等は必ずしも行う必要はなく、導電性材料９と各配線層５ａ，５ｂとの接続の際に、型のプレス圧のみで圧着しても十分な電気的接続を確保することは可能である。

次の工程では（図１３参照）、前の工程で積層された各単層基板４０ａ〜４０ｅ間（４箇所の隙間）に樹脂４２を充填する。充填する樹脂４２の材料及びその充填方法については、図５の工程で行った処理の場合と同様である。すなわち、本実施形態では、先ず内側の２つの隙間（基板４０ｂと４０ｃの間、基板４０ｃと４０ｄの間）に樹脂４２の充填を行い（図１３（ａ）参照）、次に時間をおいて外側の２つの隙間（基板４０ａと４０ｂの間、基板４０ｄと４０ｅの間）に樹脂４２の充填を行うようにしている（図１３（ｂ）参照）。このとき、樹脂充填側と反対側では、上記の場合と同様に樹脂注入の順序に合わせてそれぞれ対応する隙間の樹脂を真空吸引する順序を変えている。このように「時間差」をつけて各基板４０ａ〜４０ｅ間に樹脂４２を充填することで、樹脂充填をスムーズに行うことが可能となる。また、上記の場合と同様に、樹脂充填に使用する金型の構造を変えることで「時間差」をつけるようにしてもよいし、樹脂４２を充填する順序を図１３の場合とは逆にしてもよいし、一度に樹脂充填を行う隙間の数についても２つに限定されないことはもちろんである。

以上の工程により、５枚の両面配線単層基板４０ａ〜４０ｅが積層され、この積層された各基板間を充填するように樹脂層４２が形成された構造体（多層基板５０ａ）が作製されたことになる。

この段階で、この構造体（多層基板５０ａ）の最表層（上下）にそれぞれ保護膜として機能するソルダレジスト層（絶縁層４４）を形成すれば、図９に示した多層配線基板５０が製造され得る。このソルダレジスト層４４は、図１１（ｂ）の工程で行った処理と同様にして形成することができる。すなわち、感光性のドライフィルムをラミネート（もしくは液状のフォトレジストを塗布）し、当該レジストを所要の形状にパターニングすることでソルダレジスト層４４を形成することができる。

一方、図１０に示した多層配線基板６０を製造するには、この段階で保護膜（ソルダレジスト層４４）を形成せずに、次の工程に移行する。

すなわち、次の工程では（図１４参照）、上記の工程を経て作製された多層基板を、所要枚数重ね合わせて積層する。先ず、多層基板を３枚用意する。ただし、３枚の多層基板のうち、１枚の多層基板は上記の工程を経て作製された多層基板５０ａ（図１３（ｂ）参照）であり、残りの２枚の多層基板５０ｂ，５０ｃは、多層基板５０ａと比べて、それぞれ配線層５ａ，５ｂのパターン形状、Ｃｕポスト８及び導電性材料９の配置等において相違している。また、内側に配置される多層基板５０ｂについては、その上下両面の各配線層の所定の箇所にそれぞれＣｕポスト８及び導電性材料９を形成しておく。

次に、各多層基板５０ａ，５０ｂ，５０ｃを、内側に配置される多層基板５０ｂの両面に形成されたＣｕポスト８及び導電性材料９を介して各配線層が接続されるように位置合わせして、積層する。この際、図４の工程で行った処理と同様にして、ピンラミネーションにより各多層基板間の相対位置関係を固定化する。これにより、各多層基板５０ａ〜５０ｃがＣｕポスト８及び導電性材料９を介して相互に電気的に接続されたことになる。

さらに、積層された各多層基板５０ａ〜５０ｃ間（２箇所の隙間）に、トランスファモールド等により、樹脂５２（図１０）を充填する。これにより、３枚の多層基板５０ａ〜５０ｃが積層され、この積層された各多層基板間を充填するように樹脂層５２が形成された構造体が作製されたことになる。

この後、この構造体の最表層（上下）にそれぞれ保護膜として機能するソルダレジスト層（絶縁層５４）を形成すれば、図１０に示した多層配線基板６０が製造され得る。このソルダレジスト層５４は、上述したソルダレジスト層４４（図９）の形成の場合と同様にして形成することができる。

以上説明したように、第２の実施形態に係る多層配線基板の製造方法によれば（図１１〜図１４参照）、上述した第１の実施形態のようにＡｕバンプ６を基板間接続端子として用いるか、本実施形態のようにＣｕポスト８（及び導電性材料９）を基板間接続端子として用いるかの違いはあるにせよ、基本的には第１の実施形態に係る製造方法と同様の手法を用いているので、同様の作用効果を奏することができる。

また、第２の実施形態に特有の効果として、基板間接続端子としてＣｕポスト８を用いているので、微小径形成及び狭ピッチ化に対応することができる。すなわち、従来のビルドアップ工法を用いた多層配線形成技術では、ビアホールの形成をレーザによる穴開け加工により行い、このビアホールの開口部周辺に相応の大きさのランド部分を必要としていたため、微小径形成もしくは狭ピッチ化の阻害要因となっていたが、本実施形態では、上記のようにめっき工法によりＣｕポスト８を微小径の面積で形成することができる。また、導電性材料９は、Ｃｕポスト８の高さにばらつきがある場合、そのばらつきを吸収する吸収層として機能する。

上述した第１の実施形態の場合と同様にこの第２の実施形態においても、両面配線単層基板４０ａ〜４０ｅの積層時に各基板間に何も介在させずに次の工程（樹脂充填）に移行させる場合（図１２、図１３）を例にとって説明したが、単層基板４０ａ〜４０ｅを積層する段階（図１２の工程）で各基板間のいくつかに前もってプリプレグを介在させておいてもよい。この場合の実施形態については、上述した第１の実施形態に係る図７及び図８の場合と同様であるので、その詳細な説明は省略する。

この場合も同様に、積層段階で全ての隙間にプリプレグを介在させてしまうと、加熱・加圧の際の条件等によっては全てのＣｕポスト８がそれぞれ対応するプリプレグを必ずしも貫通できない場合も起こり得る。よって、積層段階で各単層基板４０ａ〜４０ｅ間のいくつの隙間にプリプレグを介在させるか、また、最初にどの隙間にプリプレグを介在させるかは、プロセスの条件に応じて適宜選定するのが望ましい。同様に、図１４の工程において各多層基板５０ａ〜５０ｃ間に樹脂を充填する代わりに、図７に例示したようなプリプレグのラミネートを行ってもよい。

また、上述した第１の実施形態の場合と同様に、樹脂充填をスムーズに行えるようにするために、積層する各単層基板４０ａ〜４０ｅ間の所要箇所に適宜スペーサ（Ａｕバンプや樹脂ボール等の絶縁物など）を配置してもよい。

また、図１１（ａ）の工程においてプリプレグ２の両面に配線層５ａ，５ｂを所要の形状にパターニング形成した後、Ｃｕポスト８を形成する前（図１１（ｂ）の工程に移行する前）に、各配線層５ａ，５ｂを覆うようにして適当な厚さ（Ｃｕポスト８の高さよりも低い膜厚）でソルダレジスト等の絶縁層（図示せず）を形成するようにしてもよい。このような絶縁層を形成しておくことで、後の工程でＣｕポスト８の頂部に転写される導電性材料９が万一流れ出しても配線層５ａ，５ｂに接触する（電気的にショートする）のを防止することができる。

さらに、上述した第２の実施形態では、図１１の工程を経て作製された両面配線単層基板４０を５枚重ね合わせて積層する場合（図１２）を例にとって説明したが、積層する両面配線単層基板４０の枚数が５枚に限定されないことはもちろんである。５枚以外の複数枚数を積層する場合、積層する枚数によっては、内側に配置される基板のうちいくつかの基板については、片面の配線層５ａ（又は配線層５ｂ）上にのみＣｕポスト８及び導電性材料９を形成した状態で用意する。

なお、上述した第１、第２の各実施形態では、各単層基板１０ａ〜１０ｅ間、４０ａ〜４０ｅ間、各多層基板２０ａ〜２０ｃ間、５０ａ〜５０ｃ間に樹脂やプリプレグ等の絶縁性材料のみを介在させた場合を例にとって説明したが、必要に応じて、各単層基板間等に半導体（シリコン）デバイスやチップ部品等を埋め込んでもよい。

本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を用いて製造された多層配線基板の一構成例を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を用いて製造された多層配線基板の他の構成例を示す断面図である。 第１の実施形態に係る多層配線基板の製造方法の工程（その１）を示す断面図である。 図３の工程に続く工程（その２）を示す断面図である。 図４の工程に続く工程（その３）を示す断面図である。 図５の工程に続く工程（その４）を示す断面図である。 図４の工程における「両面配線単層基板の積層処理」の他の実施形態に係る工程を示す断面図である。 図７の工程に続く「樹脂充填処理」の工程を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を用いて製造された多層配線基板の一構成例を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を用いて製造された多層配線基板の他の構成例を示す断面図である。 第２の実施形態に係る多層配線基板の製造方法の工程（その１）を示す断面図である。 図１１の工程に続く工程（その２）を示す断面図である。 図１２の工程に続く工程（その３）を示す断面図である。 図１３の工程に続く工程（その４）を示す断面図である。

符号の説明

２，１３…プリプレグ、
５ａ，５ｂ…配線層、
６…Ａｕバンプ（基板間接続端子）、
７…はんだ（導電性材料）、
８…Ｃｕポスト（基板間接続端子）、
９…導電性材料、
９ａ…導電性ペースト、
１０（１０ａ〜１０ｅ），４０（４０ａ〜４０ｅ）…両面配線単層基板、
１２，２２，４２，５２…樹脂層、
１４，２４，４４，５４…ソルダレジスト層（保護膜／絶縁層）、
２０，３０…多層配線基板、
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，５０ａ，５０ｂ，５０ｃ…多層基板、
７０…転写用のステージ台。

Claims (6)

1. 絶縁性基材の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層を有し、一方の面の配線層上に金属バンプが形成された両面配線単層基板を作製する工程と、
   前記両面配線単層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、最上層に配置される基板については前記金属バンプを形成しない状態で用意し、隣合う基板の一方の基板の金属バンプと他方の基板の対応する配線層とが接続されるように位置合わせし、かつ各基板間の所定数の隙間にプリプレグを介在させて各基板を一括積層する工程と、
   積層された各基板間に樹脂を充填する工程であって、前記プリプレグを介在させていない残りの隙間に樹脂を充填する工程と、
   以上の工程により得られた多層基板の両面に、それぞれ当該配線層の所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
2. 絶縁性基材の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層を有し、一方の面の配線層上に金属バンプが形成された両面配線単層基板を作製する工程と、
   前記両面配線単層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、最上層に配置される基板については前記金属バンプを形成しない状態で用意し、隣合う基板の一方の基板の金属バンプと他方の基板の対応する配線層とが接続されるように位置合わせし、かつ各基板間の所定数の隙間にプリプレグを介在させて各基板を一括積層する工程と、
   積層された各基板間に樹脂を充填する工程であって、前記プリプレグを介在させていない残りの隙間に樹脂を充填する工程と、
   以上の工程により得られた多層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、内側に配置される多層基板については一方の面の配線層上に金属バンプを形成した状態で用意し、隣合う多層基板の一方の多層基板の金属バンプと他方の多層基板の対応する配線層とが接続されるように位置合わせして各多層基板を積層する工程と、
   積層された各多層基板間に樹脂を充填する工程と、
   以上の工程により得られた構造体の両面に、それぞれ当該配線層の所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
3. 絶縁性基材の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層を有し、少なくとも一方の面の配線層上に金属ポストが形成され、さらに該金属ポストの頂部に導電性材料が形成された両面配線単層基板を作製する工程と、
   前記両面配線単層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、少なくとも最上層及び最下層に配置される基板については前記金属ポスト及び導電性材料を形成しない状態で用意し、内側に配置される基板に設けられた金属ポスト及び導電性材料を介して各基板の配線層が相互に接続されるように位置合わせし、かつ各基板間の所定数の隙間にプリプレグを介在させて各基板を一括積層する工程と、
   積層された各基板間に樹脂を充填する工程であって、前記プリプレグを介在させていない残りの隙間に樹脂を充填する工程と、
   以上の工程により得られた多層基板の両面に、それぞれ当該配線層の所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
4. 絶縁性基材の両面にそれぞれ所要の形状にパターニング形成された配線層を有し、少なくとも一方の面の配線層上に金属ポストが形成され、さらに該金属ポストの頂部に導電性材料が形成された両面配線単層基板を作製する工程と、
   前記両面配線単層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、少なくとも最上層及び最下層に配置される基板については前記金属ポスト及び導電性材料を形成しない状態で用意し、内側に配置される基板に設けられた金属ポスト及び導電性材料を介して各基板の配線層が相互に接続されるように位置合わせし、かつ各基板間の所定数の隙間にプリプレグを介在させて各基板を一括積層する工程と、
   積層された各基板間に樹脂を充填する工程であって、前記プリプレグを介在させていない残りの隙間に樹脂を充填する工程と、
   以上の工程により得られた多層基板を所要枚数用意して積層する工程であって、内側に配置される多層基板については少なくとも一方の面の配線層上に金属ポストを形成し、さらに該金属ポストの頂部に導電性材料を形成した状態で用意し、内側に配置される多層基板に設けられた金属ポスト及び導電性材料を介して各多層基板の配線層が相互に接続されるように位置合わせして各多層基板を積層する工程と、
   積層された各多層基板間に樹脂を充填する工程と、
   以上の工程により得られた構造体の両面に、それぞれ当該配線層の所定の箇所に画定されたパッド部分を除いて全面を覆うように絶縁層を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
5. 前記両面配線単層基板の積層に先立ち、各基板間の所要箇所にスペーサを設けておくことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法。
6. 前記両面配線単層基板を作製する工程において、前記絶縁性基材の両面に配線層を形成した後、前記金属ポストを形成する前に、当該配線層を覆うように絶縁層を形成することを特徴とする請求項３又は４に記載の多層配線基板の製造方法。

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