JP4021138B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-treatment apparatus for accurately controlling the temperature in a liquid-treatment unit for treating liquid for a substrate near normal temperatures. SOLUTION: A first treatment unit group 13 (13a-13d) for treating liquid, and a second treatment unit group 14 (14a-14d) having a heating/temperature- control unit 10 (10a-10d), consisting of a heat-treating unit 20 (20a-20d) and a temperature-control treatment unit 18 (18a-18d) are arranged adjacently, so that the temperature-control treatment unit 18 is disposed at the side of the first treatment unit group 13.

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体デバイス製造の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス製造プロセスにおけるフォトレジスト工程では、例えば半導体ウエハＷ（以下、「ウエハＷ」という。）等の表面に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、パターンが露光された後のウエハＷに現像液を供給して現像処理している。かかる一連の処理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理装置が使用されている。
【０００３】
この塗布現像処理装置には、ウエハＷを温調する温調処理ユニット、ウエハＷを加熱する加熱処理ユニット、ウエハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット、ウエハＷに現像処理を施す現像処理ユニット等の各種の処理ユニットが備えられている。そして塗布現像処理装置全体をコンパクト化するため、複数の加熱処理ユニットと温調処理ユニットとを多段に、搬送装置と共に全体として集約配置することで、塗布現像処理装置の省スペース化を達成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところでウエハＷが大口径化すると、これに伴って全ての処理ユニットも大型化する。従って、省スペース化のためには、各処理ユニットの配置を一層高集約化させる必要がある。
【０００５】
しかしながら加熱処理ユニットが大型化すると、加熱処理ユニットの熱量も多くなる。従って、これまでのように熱処理ユニット群の中の一つの処理ユニットとして加熱処理装置が他の処理ユニットの近傍に配置されていると、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う他の処理ユニット、例えばレジスト塗布装置等における温度制御を精密に行うことができなくなる虞がある。そして、これらの処理ユニットで温度制御が乱れるとレジスト膜の膜厚が変化する、という問題を生じる。
【０００６】
本発明は、かかる事情に基づきなされたもので、基板に対して液処理を行うための処理ユニットにおける温度制御を精密に行うことができる基板処理装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため，本発明の基板処理装置は，基板上に所定の液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と，前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温調部とを水平方向に互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と，前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットとの間の基板の搬送を行う搬送装置とを備え，前記各第２の処理ユニットにおける前記加熱部及び前記温調部のうち前記温調部が前記第１の処理ユニット群側に位置して，前記加熱部と前記第１の処理ユニット群との間に位置するように，前記第１の処理ユニット群と前記第２の処理ユニット群とを隣接して配置したことを特徴とする。
【０００８】
本発明では、常温付近で基板に対して液処理を行うための第１の処理ユニット群と、加熱部と温調部とを有する第２の処理ユニット群とが、温調部が第１の処理ユニット側に位置するように配置されているので、第１の処理ユニット群が第２の処理ユニット群から受ける熱的影響を極力抑えることができる。これにより、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を精密に行うことができる。
【０００９】
更に，前記第１の処理ユニット群に清浄エアーを供給する清浄エアー供給部を備え，該清浄エアー供給部は，前記第１の処理ユニット群の下部から気体を排気し，該排気された気体を循環させて前記第１の処理ユニット群の上部から温調された気体を吹き出すものであり，更に前記第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断しそれらの領域の間を通るように前記第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路を有することを特徴とする。
【００１０】
このような構成によれば、通路が第１の処理ユニット群が配置された領域と第２の処理ユニット群が配置された領域との間における断熱手段として機能する。しかも、かかる断熱手段である通路内には気体が循環しているので、通路内に熱が蓄積するようなことはなく、極めて良好な断熱手段として機能する。従って、上記構成の通路が第２の処理ユニット群から第１の処理ユニット群への熱的影響を防止し、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。
【００１１】
更に、前記第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、断熱壁が第２の処理ユニット群から第１の処理ユニット群への熱的影響を防止するので、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。
【００１３】
本発明の基板処理装置は，基板上に所定の液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と，前記第１の処理ユニット群と隣接して配置され，前記各第１の処理ユニットに対して前記所定の液を供給する処理液供給部と，前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温調部とを互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と，前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットとの間の基板の搬送を行う搬送装置とを備え，平面から見て前記処理液供給部の一の方向の側面に前記第１の処理ユニット群を配置し，前記処理液供給部の前記一の方向に直角の他の方向の側面に前記第２の処理ユニット群を配置し，前記各第２の処理ユニットにおける前記加熱部及び前記温調部のうち前記温調部が前記処理液供給部側に位置するように，前記処理液供給部と前記第２の処理ユニット群とを隣接して配置したことを特徴とする。
【００１４】
本発明では、常温付近で基板に対して液処理を行うための第１の処理ユニット群と、加熱部と温調部とを有する第２の処理ユニット群との間に、処理液供給部が配置され、更に、温調部が処理液供給部側に位置するように配置されている。すなわち、第１の処理ユニット群と加熱部との間には、温調処理ユニット及び処理液供給部が介在することとなり、第１の処理ユニット群及び処理液供給部が第２の処理ユニット群から受ける熱的影響を極力抑えることができる。これにより、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を精密に行うことができ、更にこの第１の処理ユニット群に供給される処理液の温度管理も容易に行うことができる。
【００１５】
更に，前記第１の処理ユニット群に清浄エアーを供給する清浄エアー供給部を備え，該清浄エアー供給部は，前記第１の処理ユニット群の下部から気体を排気し，該排気された気体を循環させて前記第１の処理ユニット群の上部から温調された気体を吹き出すものであり，更に前記処理液供給部が配置された領域と第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断しそれらの領域の間を通るように前記第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路を有することを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、通路が処理液供給部が配置された領域と第２の処理ユニット群が配置された領域との間における断熱手段として機能する。しかも、かかる断熱手段である通路内には気体が循環しているので、通路内に熱が蓄積するようなことはなく、極めて良好な断熱手段として機能する。従って、上記構成の通路が第２の処理ユニット群から第１の処理ユニット群及び処理液供給部への熱的影響を防止し、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができ、また、処理液の温度管理を容易に行うことができる。
【００１７】
更に、前記処理液供給部が配置された領域と第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、断熱壁が第２の処理ユニット群から第１の処理ユニット群及び処理液供給部への熱的影響を防止するので、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができ、また、処理液の温度管理を容易に行うことができる。
【００１９】
別の観点による本発明の基板処理装置は，基板上に所定の液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と，前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温調部とを水平方向に互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と，前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットとの間の基板の搬送を行う搬送装置とを備え，平面から見て，前記搬送装置の一の方向の側面に前記第１の処理ユニット群が配置され，前記搬送装置の前記一の方向に直角の他の方向の側面に前記第２の処理ユニット群が配置され，さらに前記第２の処理ユニット群の各第２の処理ユニットの加熱部と温調部は，前記一の方向に向けて並べて配置され，前記温調部が前記第１の処理ユニット群に近い側に配置され，前記加熱部が前記第１の処理ユニット群に遠い側に配置されていることを特徴とする。
以上の基板処理装置において，前記第２の処理ユニットの前記温調部は，前記加熱部との間で基板を搬送でき，前記搬送装置は，前記第２の処理ユニットの前記加熱部と前記温調部のうちの前記温調部との間で基板を搬送できるようにしてもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（第一実施形態）
以下、添付図１〜図８を参照しながら本発明の第一実施の形態について説明する。図１〜図４は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であり、図１は平面図、図２は正面図である。図３は図１のｘ方向に沿って切断した場合の断面図、図４は図１のｙ方向に沿って温調処理ユニット１８が配置された領域を切断した場合ので断面図である。
【００２２】
図１に示すように、この塗布現像処理システム１は、例えば２５枚のウエハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウエハＷを搬入出するためのカセットステーション２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる第１の処理ステーション３と、この第１の処理ステーションに隣接して配置された第１のステーションとほぼ同様の構成の第２の処理ステーション４と、この第２の処理ステーション４に隣接して配置された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。第１の処理ステーション３では主にウエハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行われ、第２の処理ステーション４では露光されたレジスト膜の現像処理が行われる。
【００２３】
カセットステーション２では、カセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカセットＣがウエハＷの出入口を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウエハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体１１が搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２４】
このウエハ搬送体１１はθ方向にも回転自在に構成されており、後述する第１の処理ステーション３における第２の処理ユニット群としての第１加熱・温調処理ユニット群１４ａの各第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａに対してアクセスできるように構成されている。
【００２５】
図１、図２に示すように、第１の処理ステーション３では、正面側に液処理が行われる第１の処理ユニット群として、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂが設けられている。反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。また、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行うレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。
【００２６】
第１の処理ステーション３の中央部には、搬送装置１９ａを挟んで、第２の処理ユニット群として第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂが配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット１０ａがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成され、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂでは第２加熱・温調処理ユニット１０ｂがｚ軸方向に７段に積み重ねられ、更にそれらの下層に後述する搬送ユニット（ＳＴＬ）が配置されて構成される。各第１及び第２加熱・温調処理ユニット１０ａ、１０ｂは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ、１８ｂと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ、２０ｂとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。
【００２７】
図１、図３に示すように、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが例えば８段に積層されて構成され、全ての第１加熱・温調処理ユニット１０ａにおいて、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａは反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ側に位置するように第１加熱・温調処理ユニット群１４ａと反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａとが配置される。尚、図３は、図１のｘ方向に沿って切断した場合の断面図であり、ｘ方向に沿った第１の処理ユニット群１３ａと第２の処理ユニット群１４ａとの位置関係を示す図である。また、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂも同様に、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂが多段に積層されて構成され、全ての第２加熱・温調処理ユニット１０ｂにおいて、温調処理ユニット１８ｂはレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ側に配置される。
【００２８】
垂直搬送型の搬送装置１９ａの周囲には、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂが配置されている。そして、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａと反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａとの間でのウエハＷの搬送、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂとレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置１９ａにより行われる。また、第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａの両側面には開閉可能なシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。第１加熱・温調処理ユニット１０ａとウエハ搬送体１１との間での基板の受け渡し及び第１加熱・温調処理ユニット１０ａと搬送装置１９ａとの間での基板の受け渡しは、それぞれシャッタ４７ａ、４７ｂを介して行われる。また、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂの搬送装置側の側面には開閉可能なシャッター部材４７ａが設けられており、このシャッター部材４７ａを介して搬送装置１９ａと温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂとの間での基板の受け渡しが行われる。
【００２９】
一方、第２の処理ステーション４では、図１、図２に示すように、第１の処理ステーション３と同様に、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処理ユニット群１３ｄが配置されている。第１現像処理ユニット群１３ｃは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成され、第２現像処理ユニット群１３ｄも同様に現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成されている。
【００３０】
第２の処理ステーション４の中央部には、搬送装置１９ｂを挟んで、第２の処理ユニット群として第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃ、第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄが配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃでは第３加熱・温調処理ユニット１０ｃがｚ軸方向に７段に積み重ねられ、更にそれらの下層に後述する搬送ユニット（ＳＴＬ）が配置されて構成される。第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄでは第４加熱・温調処理ユニット１０ｄがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成される。
【００３１】
各第３及び第４加熱・温調処理ユニット１０ｃ、１０ｄは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃ、１８ｄと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃ、２０ｄとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。そして、図１に示すように、積層された全ての第３加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃと加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃが、第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ側に位置するように第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃと第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃとが配置される。また、積層された全ての第４加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄと加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｄのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄが、第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄ側に位置するように第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄと第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１４ｄとが配置される。
【００３２】
垂直搬送型の搬送装置１９ｂの周囲には、第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処理ユニット群１３ｄ、第３及び第４加熱・温調処理ユニット群１４ｃ、１４ｄが配置されている。そして、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃと第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃとの間でのウエハＷの搬送、第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄと第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｂとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置１９ｂにより行われる。また、第４加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄの両側面には開閉可能なシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。第４加熱・温調処理ユニット１０ｄと搬送装置１９ｂとの間での基板の受け渡し及び第４加熱・温調処理ユニット１０ｄとウエハ搬送体３７との間での基板の受け渡しは、それぞれシャッタ４７ａ、４７ｂを介して行われる。また、第３加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット１８ｂの搬送装置側の側面には開閉可能なシャッター部材４７ｂが設けられており、このシャッター部材４７ｂを介して搬送装置１９ｂと温調処理ユニット１８ｃとの間での基板の受け渡しが行われる。
【００３３】
また、図１に示すように、第１の処理ステーション３及び第２の処理ステーション４の背面側では、検査機６や第１の処理ユニット群１３ａで用いられ処理液を蓄えるケミカルタワー１５を収容する容器棚が設けられている。この容器棚は、レール７により図面のｙ方向に沿って移動可能となっている。容器棚は、例えば背面側に開閉可能な扉のような構造となっており、この扉に容器が収容可能となっている。これにより、容器の交換や保守点検を容易に行うことができる。検査機６は、露光、現像処理を経たウエハＷの塗布膜の膜厚を検査するものであり、必要に応じて設置される。また、処理液としては、例えば反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６に供給される反射防止膜レジスト材、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７に供給されるレジスト膜材、現像処理ユニット２６に供給される現像液がある。ここで、背面側に配置されるケミカルタワー１５に蓄えられる処理液を主な処理液源として用いても良いし、背面側に配置されるケミカルタワー１５を予備用として配置し、他の領域に主な処理液源として別のケミカルタワーを配置して用いても構わない。
【００３４】
インターフェイス部５では、その正面側に露光前のウエハＷを一旦保持する、例えばウエハＷカセットＣと同様の構造のバッファカセット３３が配置され、その背面側には周辺露光装置３４が配置されている。そして、垂直方向に昇降可能とされ、更にθ方向に回転可能とされたウエハ搬送体３７が、これらのバッファカセット３３と周辺露光装置３４との間の搬送路３６に沿って移動可能とされ、ウエハ搬送体３７は第４加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄ、バッファカセット３３及び周辺露光装置３４、露光前温調ユニット（図示しない）に対してアクセスできるように構成されている。
【００３５】
更に、この塗布現像処理システム１では、図１、図３に示すように、第１の処理ステーション３における第１の処理ユニット群１３（反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ）と第２の処理ユニット群１４（第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ）との間、第２の処理ステーション４における第１の処理ユニット群１３（第１及び第２現像処理ユニット群１３ｃ、１３ｄ）と第２の処理ユニット群１４（第３及び第４加熱・温調処理ユニット群１４ｃ、１４ｄ）との間に、それぞれ断熱壁３９及び後述する第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置されている。即ち、断熱壁３９及び通路４０は、第１の処理ユニット群１３と第２の処理ユニット群１４との間を分断するように配置されている。
【００３６】
図２に示すように、上述した反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が３段に積み重ねられている。
【００３７】
レジスト塗布ユニット群１３ｂでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット（ＣＴ）が３段に積み重ねられている。
【００３８】
第１現像処理ユニット群１３ｃでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が上から２段に積み重ねられている。
【００３９】
同様に、第２現像処理ユニット群１３ｄでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が上から２段に積み重ねられている。
【００４０】
第２及び第３加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、１４ｃでは、加熱・温調処理ユニット１０が７段に積み重ねられ、それらのユニットの下段に更に図４に示すように搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃがそれぞれ配置されている。第１及び第２の処理ステーション３、４間のウエハＷの受け渡しは、２つの搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃを連通する連通路４０を介して行われる。図４に示すように、搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃにはそれぞれ開口部が設けられ、各開口部に対応して開閉可能なシャッター部材４８ａ、４８ｂ、４９ａ、４９ｂが設けられている。そして、シャッター部材４８ａ、４９ｂを開閉することにより搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃとそれぞれに対応する搬送装置１９a、１９ｂとの間でウエハＷの受け渡しが行われる。また、シャッター部材４８ｂ、４９ａを開閉することにより連通路４０を介して、搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂ、３８ｃ間でのウエハＷの受け渡し、即ち第１及び第２ステーション間でのウエハＷの受け渡しが行われる。
【００４１】
次に、上述した搬送装置１９ａ、１９ｂについて、斜視図である図５を用いて説明する。上述の搬送装置１９ａ及び１９ｂは同様の構造を有しており、図５では符号１９として説明する。
【００４２】
図５に示されるように、搬送装置１９は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部５１、５２からなる筒状支持体５３の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウエハＷ搬送手段５４を備えている。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接続されており、このモータ５５の回転駆動力で、前記回転軸を中心としてウエハＷ搬送手段５４と共に一体に回転する。従って、ウエハＷ搬送手段５４はθ方向に回転自在となっている。
【００４３】
ウエハＷ搬送手段５４の搬送基台５６上には、ウエハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット５７、５８が上下に備えられている。各ピンセット５７、５８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持体５３の両壁部５１、５２間の側面開口部を通過自在な形態及び大きさを有している。また、各ピンセット５７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモータ（図示せず）により前後方向の移動が自在となっている。
【００４４】
次に、図４、図６、図７を用いて、上述した第１加熱・温調処理ユニット１０ａの構造について説明する。図６は加熱・温調処理ユニットの平面図、図７は加熱・温調処理ユニットの断面図である。
【００４５】
図６、図７に示すように第１加熱・温調処理ユニット１０ａは、ウエハＷに対して加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａとウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａとを互いに隣接させて一体化した構造となっている。
【００４６】
加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａは、設定温度が２００℃前後とすることが可能な熱板２４を有している。更に加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａとの間を開閉するためのゲートシャッター２１と熱板２４の周囲でウエハＷを包囲しながらゲートシャッター２１と共に昇降されるリングシャッター２２とを有している。熱板２４には、ウエハＷを載置して昇降するための３個のリフトピン２３が昇降自在に設けられている。なお、熱板２３とリングシャッター２２との間に遮蔽板スクリーンを設けてもよい。加熱処理室２０ａの下方には、上記３個のリフトピン２３を昇降するための昇降機構２７と、リングシャッター２２をゲートシャッター２１と共に昇降するための昇降機構２８とが設けられている。熱板２３上には、高さが０．２ｍｍのプロキシミティピン３５、更には案内ガイド３２が設けられている。
【００４７】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａは、ウエハＷを２３℃前後の常温に温調する温調板２５を有している。図４、図６に示すように、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａのカセットステーション側の側部には、カセットステーション２との間でウエハＷの受け渡しを行うための開口部があり、この開口部に対応して開閉可能なシャッター部材４７ａが配置されている。更に、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａの搬送装置１９側の側部には、搬送装置１９との間でウエハＷの受け渡しを行うための開口部があり、この開口部に対応して開閉可能なシャッタ部材４７ｂが配置されている。
【００４８】
図７に示すように、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａとは、連通口３０を介して連通されており、ウエハＷを載置して温調するための温調板２５がガイドプレート５９に沿って移動機構６０により水平方向に移動自在に構成されている。これにより、温調板２５は、連通口３０を介して加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内に進入することができ、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内の熱板２４により加熱された後のウエハＷをリフトピン２３から受け取って温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬入し、ウエハＷの温調を行う。
【００４９】
上述では、第１加熱・温調処理ユニット１０ａについて説明したが、第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄの第４加熱・温調処理ユニット１０ｄも同様の構造を有している。また、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂ、第３加熱・温調処理ユニット１０ｃにおいても、第１加熱・温調処理ユニット１０ａとほぼ同様の構造を有しているが、図１及び図４に示すように、第１加熱・温調処理ユニット１０ａでは両側面にシャッタ部材４７ａ、４７ｂが設けられているのに対し、第２及び第３加熱・温調処理ユニット１０ｂ、１０ｃでは搬送装置１９側の側面のみにシャッタ部材４７ａまたは４７ｂが設けられている点で異なる。本実施形態では、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ、１８ｄでは、シッター部材４７ａ、４７ｂの両方が開いた状態とならないように開閉駆動が行われるようになっている。即ち、シャッター部材４７ａにより開口した状態ではシャッター部材４７ｂにより開口部が閉じられ、逆にシャッター部材４７ｂにより開口した状態ではシャッター部材４７ａにより開口部が閉じられるようになっている。このようにシャッター部材４７ａ、４７ｂの開閉駆動を制御することで、温調処理ユニット（ＣＰＬ）がいわばロードロック室的な機能を果たすことになり、常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行うことができる。
【００５０】
上述のように本実施形態では、第１の処理ユニット群１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄと第２の処理ユニット群１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとの間に、それぞれ断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置された温調機構が設けられている。この温調機構について、図８を用いて以下に説明する。尚、図８は、処理液供給ユニット、ここでは反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が複数段積層された第１の処理ユニット群１３ａの概略断面図である。
【００５１】
図８に示すように、塗布現像処理システム１の上部には、第１の処理ステーション３における第１の処理ユニット群としての反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａに対して上部から温調された清浄エアーを供給す清浄エアー供給部４１が配置されている。清浄エアー供給部４１は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０を介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路４３を介して各反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６に供給する。更に、図１に示すように、通路４０と第２の処理ユニット群としての加熱・温調処理ユニット１０ａとの間には段熱壁３９が配置されている。本実施形態では、このように断熱壁や温調機構を設けることにより、更に常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行うことができる。そして、同様に、図１に示すように、第１の処理ユニット群１３ｂ、１３ｃ、１３ｄとそれぞれ対応する加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、１４ｃ、１４ｄとの間にも清浄エアー供給部４０と断熱壁３９とがそれぞれ別個に設けられている。
【００５２】
次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。
【００５３】
塗布現像処理システム１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、第１の処理ステーション３の第１加熱・温調熱処理ユニット１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置されて温調処理が行われる。
【００５４】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内で温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによって反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａにおける反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。
【００５５】
反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエハＷは、図７に示すように、移動機構６０により水平移動される温調板２５により、連通口３０を通って加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内へ搬送される。搬送されたウエハＷは、上昇した状態のリフトピン２３により支持される。この後、リフトピン２３が下降し熱板２４上にウエハＷが載置され、それとともにリングシャッター２２及びゲートシャッター２１が上昇されて形成された加熱処理空間内で加熱処理が行われる。加熱処理後、リフトピン２３が上昇されるとともにリングシャッター２２及びゲートシャッター２１が下降され、ウエハＷは熱板２４から離間されてリフトピン２３により支持される。
【００５６】
その後、温調板２５が再度加熱処理ユニット（ＨＰ）内に挿入され、加熱処理されたウエハＷを受け取る。ウエハＷは、温調板２５によって温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。
【００５７】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによってレジスト塗布ユニット群１３ｂにおけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。
【００５８】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７でレジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａにより、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内に搬送され、温調板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエハＷは、移動機構６０により水平移動される温調板２５により、連通口３０を通って加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内へ搬送される。搬送されたウエハＷは、上昇した状態のリフトピン２３により支持される。この後、リフトピン２３が下降し熱板２４上にウエハＷが載置され、それとともにリングシャッター２２及びゲートシャッター２１が上昇されて形成された加熱処理空間内で加熱処理が行われる。加熱処理後、リフトピン２３が上昇されるとともにリングシャッター２２及びゲートシャッター２１が下降され、ウエハＷは熱板２４から離間されてリフトピン２３により支持される。
【００５９】
その後、温調板２５が再度加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内に挿入され、加熱処理されたウエハＷを受け取る。ウエハＷは、温調板２５によって温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。
【００６０】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによって、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂの最下段に配置される搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂに搬送され、連通路４０を通って、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃの搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｃへ搬送される。
【００６１】
第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃにおける搬送ユニット（ＳＴＬ）に搬送されたウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄの加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニットへ搬送される。
【００６２】
更に、温調処理ユニットに搬送されたウエハＷは、インターフェイス部５におけるウエハ搬送体３７によって周辺露光装置３４内に搬送され、周辺露光が行われる。
【００６３】
周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体３７によってバッファカセット３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送体３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。
【００６４】
ここで、バッファカセット３３を例えば２つ設け、１つを周辺露光後のウエハＷを保持するためのカセット、もう１つを周辺露光前のウエハＷを保持するためのカセットとしても用いることができる。この際、周辺露光前のウエハＷを保持するカセットには、ウエハＷを２３℃前後の常温に温調する機構を設けることが望ましい。或いは、バッファカセット３３は周辺露光後のウエハＷのみを保持し、周辺露光前のウエハＷは、第２の処理ユニット群１４ｃまたは１４ｄの加熱・温調処理ユニット１０ｃまたは１０ｄのうちの空いている温調処理ユニット１８ｃまたは１８ｄを周辺露光前のウエハＷを待機させる場所として用いることもできる。この場合、周辺露光前のウエハＷを保持するためのバッファカセットを設ける必要がない。
【００６５】
次に、露光装置によって露光処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット３３及びウエハ搬送体３７を介してインターフェイス部５から第２の処理ステーション４の第４加熱・温調処理ユニット群１４ｄにおける第４加熱・温調処理ユニット１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄ内へ搬送され、温調処理が行われる。
【００６６】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｄで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第１現像処理ユニット群１３ｃまたは第２現像処理ユニット群１３ｄにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に搬送され、現像処理が行われる。
【００６７】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６で現像処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂにより、例えば第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃにおける加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃ内に搬送され、加熱処理が行われる。
【００６８】
加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃで加熱処理が行われたウエハＷは温調処理ユニット１８ｃへ搬送され、搬送装置１９ｂによって第２の処理ステーション４における搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｃに搬送され、連通路４０を通って第１の処理ステーション３における搬送ユニット（ＳＴＬ）３８ｂに搬送される。
【００６９】
搬送ユニット（ＳＴＬ）に搬送されたウエハＷは、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ステーション群１４ａにおける第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット１８ａに搬送される。そして、温調処理ユニット１８ａ内のウエハＷは、カセットステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ内に収容される。ここで、検査機６を設置する場合には、温調処理ユニット１８ａ内のウエハＷは、カセットステーション２のウエハ搬送体１１により検査機６に搬送される。検査機６では、レジスト膜の膜厚を測定することにより、露光現像処理により得られるパターンの幅が適正かどうかが判断される。検査されたウエハＷは、カセットステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ内に収容される。
【００７０】
以上のように構成された本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、加熱・温調処理ユニットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）が、液処理ユニット側に配置されることにより、液処理ユニットと加熱処理ユニット（ＨＰ）との間に温調処理ユニット（ＣＰＬ）が介在する構造となる。これにより、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットからの熱的影響を極力抑えることができる。従って、該塗布現像処理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。
【００７１】
更に、本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、第１及び第２の処理ステーション３、４における液処理ユニット群（反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処理ユニット群１３ｄ）と加熱・温調処理ユニット群（第１乃至第４加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ）との間に、それぞれ断熱壁３９及び液処理ユニット群１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄそれぞれの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置される。これにより、通路４０は断熱手段の機能も伴うので、第１の処理ユニット群１３と第２の処理ユニット群１４との間に二重の断熱手段が配置されることとなり、更に液処理ユニット群に対する加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を抑制し、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。
【００７２】
（第二実施形態）
以下、図９〜図１１を参照しながら本発明の第二実施の形態について説明する。図９〜図１１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であり、図９は平面図、図１０は正面図である。図１１は、図９の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断面図であり、第１の処理ユニット群１３ａと第２の処理ユニット群１４ａとケミカルタワー１５ａのｘ方向における位置関係を示す図である。
【００７３】
本実施形態は、上述の第一実施形態とは、処理液を収容するケミカルタワーの配置が異なる点、２つの搬送装置１９ａ、１９ｂの間に配置される加熱・温調処理装置の数が１つである点で、構造上異なる。以下、第二実施形態において説明するが、第一実施形態と同様の構造については一部説明を省略する。また、第一実施形態と同様の構成については同様の符号を付して説明する。
【００７４】
図９に示すように、塗布現像処理システム１は、第一実施形態と同様のカセットステーション２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる第１の処理ステーション８と、この第１の処理ステーションに隣接して配置された第２の処理ステーション９と、この第２の処理ステーション９に隣接して配置された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。第１の処理ステーション８では主にウエハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行われ、第２の処理ステーション９では露光されたレジスト膜の現像処理が行われる。
【００７５】
カセットステーション２については、第一実施形態と同様の構造を有するため説明は省略する。
【００７６】
図９、図１０に示すように、第１の処理ステーション８では、正面側に液処理が行われる第１の処理ユニット群として、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂが設けられている。反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。また、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行うレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７がｚ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。更に、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂにそれぞれ隣接してケミカルタワー１５ａ、１５ｂが配置されている。ケミカルタワー１５ａには反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６に処理液として供給される反射防止膜材料が収容されており、ケミカルタワー１５ｂにはレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７に処理液として供給されるレジスト材料が収容されている。
【００７７】
第１の処理ステーション８の背面部には、搬送装置１９ａを挟んで、第２の処理ユニット群として第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂが配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂは、それぞれケミカルタワー１５ａ、１５ｂに隣接して配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット１０ａがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成されている。第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂでは第２加熱・温調処理ユニット１０ｂがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成されている。各第１及び第２加熱・温調処理ユニット１０ａ、１０ｂは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ、１８ｂと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ、２０ｂとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。
【００７８】
図１１に示すように、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが多段に積層されて構成される。尚、図１１は、図９の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断面図であり、ｘ方向に沿った第１の処理ユニット群１３ａとケミカルタワー１５ａと第２の処理ユニット群１４ａとの位置関係を示す図である。図９、図１１に示すとおり、第２の処理ユニット群としての第１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが８段に積層されて構成され、全ての第１加熱・温調処理ユニット１０ａにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰ）１８ａのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａが、処理液供給部としてのケミカルタワー１５ａ側に配置される。そして、このケミカルタワー１５ａに隣接して、第１の処理ユニット群としての反射防止膜塗布ユニット群１３ａが配置される。また、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂも同様に、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂが８段に積層されて構成され、全ての第１加熱・温調処理ユニット１０ｂにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂと温調処理ユニット（ＣＰ）１８ｂのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂが、処理液供給部としてのケミカルタワー１５ｂ側に配置される。そして、このケミカルタワー１５ｂに隣接して、第１の処理ユニット群としてのレジスト膜塗布ユニット群１３ｂ及び後述する第１現像処理ユニット群１３ｃが配置される。
【００７９】
垂直搬送型の搬送装置１９ａの周囲には、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂが配置されている。第１の処理ステーション８における搬送装置１９ａ、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａの構造は、上述の第一実施形態における第１の処理ステーション３と各構成と同じ構造をしており、ここでは詳細な説明は省略する。本実施形態における第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂは、上述の第一実施形態における第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂと比較して、両側面にシャッター部材４７ａ、４７ｂがある点と搬送ユニット（ＳＴＬ）がない点で構造が異なる。本実施形態においては、第１の処理ステーション８と後述する第２の処理ステーション９との間でのウエハＷの搬送は、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂの各第２加熱・温調処ユニット１０ｂの温調処理ユニット１８ｂを介して行なうことができる。そのため、各温調処理ユニット１８ｂの両側面にシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。
【００８０】
一方、第２の処理ステーション９では、図９、図１０に示すように、第１の処理ステーション８と同様に、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として、第１現像処理ユニット群１３ｃ及び第２現像処理ユニット群１３ｄが配置されている。第１現像処理ユニット群１３ｃは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成され、第２現像処理ユニット群１３ｄも同様に現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に２段に積み重ねられて構成されている。更に、第２現像処理ユニット群１３ｄに隣接してケミカルタワー１５ｃが配置されている。このケミカルタワー１５ｃには、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に処理液として供給される現像液が収容されている。
【００８１】
第２の処理ステーション９の背面部には、搬送装置１９ｂを挟んで第２加熱・温調処理ユニット群１０ｂに対向した位置に、第２の処理ユニット群として第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃが配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃは、それぞれケミカルタワー１５ｃに隣接して配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃは第３加熱・温調処理ユニット１０ｃがｚ軸方向に８段に積み重ねられて構成される。
【００８２】
第３加熱・温調処理ユニット１０ｃは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃ、１８ｄと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃ、２０ｄとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。そして、図９に示すように、積層された全ての第３加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃと加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｃのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃが、処理液供給部としてのケミカルタワー１５ｃ側に配置される。そして、このケミカルタワー１５ｃに隣接して、第１の処理ユニット群としての第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄが配置される。
【００８３】
垂直搬送型の搬送装置１９ｂの周囲には、第１現像処理ユニット群１３ｃ、第２現像処理ユニット群１３ｄ、第２及び第３加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、１４ｃが配置されている。ここで、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂは、ウエハ上への塗布膜の成膜前後の加熱処理または温調処理、現像処理後前後の加熱処理または温調処理のいずれにも対応できる。そして、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂと第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃとの間でのウエハＷの搬送、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂと第１または第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、１３ｄとの間でのウエハＷの搬送、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃと第１または第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、１３ｄとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置１９ｂにより行われる。第２または第３加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、１４ｃと搬送装置１９ｂとの間でのウエハＷの受け渡しは、それぞれの温調処理ユニット１８ｂ、１８ｃに設けられた４７ｂ、４７ａを介して行われる。また、第３加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット１８ｂとウエハ搬送体３７との間でのウエハＷの受け渡しは、温調処理ユニット１８ｃのシャッター部材４７ｂを介して行われる。
【００８４】
インターフェイス部５は、上述の第一実施形態におけるインターフェイス部５と同様の構造のため、個々では説明を省略する。
【００８５】
更に、この塗布現像処理システム１では、図９、図１１に示すように、第１の処理ステーション８及び第２の処理ステーションにおける第１の処理ユニット群１３（反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄ）と第２の処理ユニット群１４（第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂ、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃ）との間には、ケミカルタワー１５（１５ａ、１５ｂ、１５ｃ）が配置された構造となり、更にケミカルタワー１５と第２の処理ユニット群１４との間には断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置されている。また、ケミカルタワー１５ｂに隣接して設けられた通路４０及び断熱壁３９は、１つの第２の処理ユニット群１４ｂに対応した２つの第１の処理ユニット群１４ａに対する温調機構及び断熱手段として機能する。本実施形態においても、上述の第一実施形態と同様に、塗布現像処理システムの上部に、各第１の処理ユニット群に対して上部から温調された清浄エアーを供給す清浄エアー供給部が配置されている。清浄エアー供給部は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０を介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路４３を介して第１の処理ユニット群に供給する。本実施形態においても、上述の第一実施形態と同様に、断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置された温調機構を設けることにより、常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。更に、通路４０は断熱手段の機能も伴うので、第２の処理ユニット群１４とケミカルタワー１５との間に断熱壁３９及び通路４０が設けられることにより二重の断熱手段が配置されることとなる。そのため、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができ、またケミカルタワー１５に収容される処理液は加熱処理ユニット２０による熱的影響を受けにくく、処理液の温度調整が容易となる。
【００８６】
図１０に示すように、上述した反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が３段に積み重ねられている。レジスト塗布ユニット群１３ｂでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット（ＣＴ）が３段に積み重ねられている。第１現像処理ユニット群１３ｃでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が上から２段に積み重ねられている。同様に、第２現像処理ユニット群１３ｄでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が上から２段に積み重ねられている。
【００８７】
第１、第２及び第３加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ、１４ｃでは、それぞれウエハＷに対して加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０とウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８とを互いに隣接させて一体化した加熱・温調処理ユニット１０が８段に積み重ねられて構成されており、上述したように全ての温調処理ユニットの側面にシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。尚、本実施形態における加熱・温調処理ユニット１０の構造は、上述の第一実施形態と同様のため、ここでは説明を省略する。
【００８８】
上述した搬送装置１９ａ、１９ｂの構造は、上述の第一実施形態の搬送装置１９ａ及び１９ｂと同様の構造のため、説明を省略する。
【００８９】
次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。尚、加熱・温調処理ユニットにおける動作は上述の第一実施形態と同様のため省略する。
【００９０】
塗布現像処理システム１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、第１の処理ステーション３の第１加熱・温調熱処理ユニット１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置されて温調処理が行われる。
【００９１】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内で温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによって反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａにおける反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。
【００９２】
反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエハＷは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内へ搬送され加熱処理が行われる。
【００９３】
その後、ウエハＷは温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。
【００９４】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ａによってレジスト塗布ユニット群１３ｂにおけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。
【００９５】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７でレジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９ａにより、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内に搬送される。更に、ウエハＷは加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内へ搬送され、加熱処理が行われる。
【００９６】
その後、ウエハＷは、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃの加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット１８ｃへ搬送される。
【００９７】
更に、温調処理ユニットに搬送されたウエハＷは、インターフェイス部５におけるウエハ搬送体３７によって周辺露光装置３４内に搬送され、周辺露光が行われる。
【００９８】
周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体３７によってバッファカセット３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送体３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。
【００９９】
次に、露光装置によって露光処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット３３及びウエハ搬送体３７を介してインターフェイス部５から第２の処理ステーション９の第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃにおける第４加熱・温調処理ユニット１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃ内へ搬送され、温調処理が行われる。
【０１００】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｃで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂによって第１現像処理ユニット群１３ｃまたは第２現像処理ユニット群１３ｄにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に搬送され、現像処理が行われる。
【０１０１】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６で現像処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９ｂにより、例えば第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂにおける加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内に搬送され、加熱処理が行われる。
【０１０２】
加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂで加熱処理が行われたウエハＷは温調処理ユニット１８ｂへ搬送され、搬送装置１９ａによって第１加熱・温調処理ステーション群１４ａにおける第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット１８ａに搬送される。そして、温調処理ユニット１８ａ内のウエハＷは、カセットステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ内に収容される。
【０１０３】
以上のように構成された本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）と隣接して処理液供給部としてのケミカルタワーが配置され、ケミカルタワーと隣接して加熱・温調処理ユニットが配置され、加熱・温調処理ユニットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）がケミカルタワー側に配置されることにより、加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットと液処理ユニットとの間には温調処理ユニット及びケミカルタワーが介在する構造となる。これにより、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットからの熱的影響を大幅に抑えることができ、該塗布現像処理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。
【０１０４】
更に、本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット群（反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｂ、第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｃ、第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｄ）と加熱・温調処理ユニット群（第１乃至第４加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ）との間に、それぞれ断熱壁３９及び液処理ユニット群１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄそれぞれの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置されることにより、更に液処理ユニット群に対する加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を防止し、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。
【０１０５】
（第三実施形態）
以下、図１２〜図１４を参照しながら本発明の第三実施の形態について説明する。図１２〜図１４は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であり、図１２は平面図、図１３は正面図である。図１４は、図１２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の断面図であり、第１の処理ユニット群１３ａと第２の処理ユニット群１４ａとのｘ方向における位置関係を示す図である。
【０１０６】
本実施形態は、上述の第一実施形態とは、処理液を収容するケミカルタワーの配置位置の点、搬送装置及び加熱・温調処理装置の数を少ない点、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）が積み重ねられている点で構造上異なり、第一及び第二実施形態と比較しシステム全体が小型化されている。
【０１０７】
以下、第三実施形態において説明するが、第一実施形態と同様の構造については一部説明を省略する。また、第一実施形態と同様の構成については同様の符号を付して説明する。
【０１０８】
図１２に示すように、塗布現像処理システム１は、第一実施形態と同様のカセットステーション２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる第１の処理ステーション４５と、この第１の処理ステーションに隣接して配置された第２の処理ステーション４６と、この第２の処理ステーション４６に隣接して配置された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。第１の処理ステーション４５では主にウエハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行われ、第２の処理ステーション４６では露光されたレジスト膜の現像処理が行われる。塗布現像処理システム１のほぼ中央部には搬送装置１９が配置され、搬送装置１９は第１の処理ステーション４５及び第２の処理ステーション４６における処理中のウエハＷの搬送に用いられる。
【０１０９】
カセットステーション２については、第一実施形態とほぼ同様の構造を有するため異なる部分のみ説明する。図１３に示すように、カセットステーション２の底部には、後述するレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７に処理液として供給されるレジスト膜材料が収容されるケミカルタワー１５ｂが配置されている。
【０１１０】
図１２、図１３に示すように、第１の処理ステーション４５では、正面側に液処理が行われる第１の処理ユニット群として、反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅが設けられている。反射防止・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）１７がそれぞれ２段づつｚ軸方向に積み重ねられて構成される。更に、反射防止・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅに隣接してケミカルタワー１５ａが配置されている。ケミカルタワー１５ａには反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６に処理液として供給される反射防止膜材料が収容されている。
【０１１１】
第１の処理ステーション４５の背面部には、ケミカルタワー１５ａに隣接して第２の処理ユニット群としての第１加熱・温調処理ユニット群１４ａが配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット１０ａがｚ軸方向に多段に積み重ねられて構成されている。各第１加熱・温調処理ユニット１０ａは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。
【０１１２】
図１４に示すように、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが１２段に積層されて構成される。尚、図１４は、図１２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の断面図であり、ｘ方向に沿った第１の処理ユニット群１３ａと第２の処理ユニット群１４ａとケミカルタワー１５aの位置関係を示す図である。図１２、図１４に示すとおり、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット１０ａが１２段に積層されて構成され、ケミカルタワー１５ａに隣接して配置されている。更に、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａの全ての第１加熱・温調処理ユニット１０ａにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａと温調処理ユニット（ＣＰ）１８ａのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａがケミカルタワー１５ａ側に位置するように配置されている。そして、ケミカルタワー１５ａに隣接して反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅが配置されている。
【０１１３】
一方、第２の処理ステーション４６では、図１２、図１３に示すように、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として現像処理ユニット群１３ｆが配置されている。現像処理ユニット群１３ｆは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６がｚ軸方向に４段に積み重ねられて構成されている。更に、現像処理ユニット群１３ｆに隣接してケミカルタワー１５ｃが配置されている。このケミカルタワー１５ｃには、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に処理液として供給される現像液が収容されている。
【０１１４】
第２の処理ステーション９の背面部には、ケミカルタワー１５ｃと隣接して第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂが配置されている。第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂは第２加熱・温調処理ユニット１０ｂがｚ軸方向に１２段に積み重ねられて構成される。そして、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂの全ての第２加熱・温調処理ユニット１０ｂにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂと温調処理ユニット（ＣＰ）１８ｂのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂがケミカルタワー１５ｃ側に位置するように配置されている。そして、ケミカルタワー１５ｃに隣接して現像処理ユニット（ＤＥＶ）群１３ｆが配置されている。
【０１１５】
垂直搬送型の搬送装置１９の周囲には、反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅ、現像処理ユニット群１３ｆ、第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂが配置されている。各ユニット群間のウエハＷの搬送は搬送装置１９により行われる。また、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａとウエハ搬送体１１とのウエハＷの受け渡し、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂとウエハ搬送体３７とのウエハＷの受け渡し、第１または第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂと搬送装置１９とのウエハＷの受け渡しは、第１または第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂの各加熱・温調処理ユニット１０ａ、１０ｂの温調処理ユニット１８ａ、１８ｂの両側面に設けられたシャッター部材４７ａ、４７ｂを介して行われる。
【０１１６】
インターフェイス部５は、上述の第一実施形態におけるインターフェイス部５と同様の構造のため、説明は省略する。
【０１１７】
この塗布現像処理システム１では、図１２、図１３に示すように、第１の処理ユニット群１３（反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅ、現像処理ユニット群１３ｆ）と第２の処理ユニット群１４（第１加熱・温調処理ユニット群１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂ）との間には、ケミカルタワー１５（１５ａ、１５ｃ）が配置された構造となり、更にケミカルタワー１５と第２の処理ユニット群１４との間には断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置されている。本実施形態においても、上述の第一実施形態と同様に、塗布現像処理システムの上部に、各第１の処理ユニット群に対して上部から温調された清浄エアーを供給す清浄エアー供給部が配置されている。清浄エアー供給部は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０を介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路４３を介して第１の処理ユニット群に供給する。本実施形態においても、上述の第一実施形態と同様に、断熱壁３９及び第１の処理ユニット群１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置された温調機構を設けることにより、更に常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行うことができる。
【０１１８】
図１３に示すように、上述した反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６が２段、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７が２段に積み重ねられている。現像処理ユニット群１３ｆでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６が４２段に積み重ねられている。
【０１１９】
第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂでは、それぞれウエハＷに対して加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２０とウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８とを互いに隣接させて一体化した加熱・温調処理ユニット１０が１２段に積み重ねられて構成されている。そして、全ての加熱・温調処理ユニット１０の温調処理ユニットの側面にシャッター部材４７ａ、４７ｂが設けられている。尚、本実施形態における加熱・温調処理ユニット１０の構造は、上述の第一実施形態と同様のため、ここでは説明を省略する。
【０１２０】
上述した搬送装置１９の構造は、上述の第一実施形態の搬送装置１９ａ及び１９ｂと同様の構造のため、説明を省略する。
【０１２１】
次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。尚、加熱・温調処理ユニットにおける動作は上述の第一実施形態と同様のため省略する。
【０１２２】
塗布現像処理システム１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、第１の処理ステーション３の第１加熱・温調熱処理ユニット１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置されて温調処理が行われる。
【０１２３】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内で温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９によって反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅにおける反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。
【０１２４】
反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）１６で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９によって第１加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内に搬送され、温調板２５上に載置される。温調板２５上に載置されたウエハＷは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内へ搬送され加熱処理が行われる。
【０１２５】
その後、ウエハＷは温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。
【０１２６】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９によって反射防止膜・レジスト塗布ユニット群１３ｅにおけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。
【０１２７】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１７でレジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置１９により、第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内に搬送される。更に、ウエハＷは加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ｂ内へ搬送され、加熱処理が行われる。
【０１２８】
その後、ウエハＷは、温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、インターフェイス部５におけるウエハ搬送体３７によって周辺露光装置３４内に搬送され、周辺露光が行われる。
【０１２９】
周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体３７によってバッファカセット３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送体３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。
【０１３０】
次に、露光装置によって露光処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット３３及びウエハ搬送体３７を介してインターフェイス部５から第２の処理ステーション４６の第２加熱・温調処理ユニット群１４ｂにおける第２加熱・温調処理ユニット１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。
【０１３１】
温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９によって現像処理ユニット群１３ｆにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６に搬送され、現像処理が行われる。
【０１３２】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２６で現像処理が行われたウエハＷは、搬送装置１９により、第１加熱・温調処理ユニット群１４ａにおける加熱・温調処理ユニット１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）１８ａと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａ内に搬送され、加熱処理が行われる。
【０１３３】
加熱処理ユニット（ＨＰ）２０ａで加熱処理が行われたウエハＷは温調処理ユニット１８ａへ搬送され、更にカセットステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ内に収容される。
【０１３４】
以上のように構成された本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）と隣接して処理液供給部としてのケミカルタワーが配置され、ケミカルタワーと隣接して加熱・温調処理ユニットが配置され、加熱・温調処理ユニットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）がケミカルタワー側に配置されることにより、加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットと液処理ユニットとの間には温調処理ユニット及びケミカルタワーが介在する構造となる。これにより、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットからの熱的影響を大幅に抑えることができ、該塗布現像処理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための液処理ユニット（ＢＣＴ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。
【０１３５】
更に、本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット群（反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群１３ｅ、現像処理ユニット群１３ｆ）と加熱・温調処理ユニット群（第１及び第２加熱・温調処理ユニット群１４ａ、１４ｂ）との間に、それぞれ断熱壁３９及び液処理ユニット群１３ｅ、１３ｆそれぞれの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路４０が配置されることにより、液処理ユニット群に対する加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を防止し、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。更に、通路４０は一種の断熱手段を有することとなり、第２の処理ユニット群１４とケミカルタワー１５との間に断熱壁３９及び通路４０が設けられることにより、二重の断熱手段を有する構造となる。そのため、ケミカルタワー１５に収容される処理液は加熱処理ユニット２０による熱的影響を受けにくく温度調整が容易となる。
【０１３６】
尚、上記各実施形態では、基板としてウエハＷを例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも本発明を適用することができる。
【０１３７】
本発明のシステム構成は上述した各実施の形態に限定されることなく、本発明の技術思想の範囲内で様々な構成が考えられる。
【０１３８】
例えば、レジストの塗布現像システムばかりでなく、他のシステム、例えば基板上に層間絶縁膜を形成するＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）処理システム等にも本発明を適用することができる。ＳＯＤ処理システムは、基板上に層間絶縁膜材料を塗布する塗布ユニットと、絶縁膜材料が塗布された基板を加熱、温調する加熱・温調処理ユニットを有している。この加熱・温調処理ユニットは、本実施形態の加熱・温調処理ユニットと同様に加熱処理ユニットとこれに隣接して設けられた温調処理ユニットとを有しており、ＳＯＤ処理システムにおける加熱処理ユニットは設定温度が２００〜４７０℃とすることが可能な熱板を有している。このような高温処理が施されるユニット及び液処理ユニットとしての塗布ユニットを有するシステムに、本発明のように温調処理ユニットが塗布ユニット側に配置されるように、塗布ユニットと加熱・温調処理ユニットを配置することは非常に有効である。或いは、液処理ユニットに隣接して配置された塗布ユニットに供給する処理液を収容する処理液収容部を、加熱・温調処理ユニットに隣接して配置し、更に温調処理ユニットを処理液収容部側に位置するように配置することは非常に有効である。これにより、液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。
【０１３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を精密に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の温調・加熱処理ユニット群を有する領域をｙ方向に沿って切断した場合の断面図である。
【図４】図１の温調処理ユニットを有する領域をｘ方向に沿って切断した場合の断面図である。
【図５】搬送装置の構成を示す斜視図である。
【図６】加熱・温調処理ユニットの構成を示す平面図である。
【図７】図６に示した加熱・温調処理ユニットの構成を示す断面図である。
【図８】温調機構構成を示す断面図である。
【図９】本発明の第二実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。
【図１０】図９に示した塗布現像処理システムの正面図である。
【図１１】図９の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断面図である。
【図１２】本発明の第三実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。
【図１３】図１２に示した塗布現像処理システムの正面図である。
【図１４】図１２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の断面図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム
１０ 加熱・温調処理ユニット
１３ 第１の処理ユニット群
１３ａ 反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）群
１３ｂ レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群
１３ｃ 第１現像処理ユニット群
１３ｄ 第２現像処理ユニット群
１３ｅ 反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群
１３ｆ 現像処理ユニット群
１４ 第２の処理ユニット群
１４ａ 第１加熱・温調処理ユニット群
１４ｂ 第２加熱・温調処理ユニット群
１４ｃ 第３加熱・温調処理ユニット群
１４ｄ 第４加熱・温調処理ユニット群
１５ ケミカルタワー
１６ 反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）
１７ レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）
１８ 温調処理ユニット
１９ 搬送装置
２０ 加熱処理ユニット
２６ 現像処理ユニット
ＢＣＴ 反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）
ＣＰＬ 温調処理ユニット
ＣＴ レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＨＰ 加熱処理ユニット
Ｗ ウエハＷ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention belongs to the technical field of semiconductor device manufacturing, for example.
[0002]
[Prior art]
In a photoresist process in a semiconductor device manufacturing process, for example, a resist film is applied to the surface of a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as “wafer W”) to form a resist film, and the wafer after the pattern is exposed A developing solution is supplied to W for development processing. In performing such a series of processes, a coating and developing apparatus has been conventionally used.
[0003]
The coating and developing apparatus includes a temperature control unit that controls the temperature of the wafer W, a heating unit that heats the wafer W, a resist coating unit that applies a resist solution to the wafer W, and a development unit that performs development processing on the wafer W. Etc., various processing units are provided. In order to make the entire coating and developing treatment device compact, a plurality of heat treatment units and temperature control processing units are arranged in a multistage manner together with the conveying device as a whole to achieve space saving of the coating and developing treatment device. Yes.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, when the diameter of the wafer W is increased, all the processing units are also increased in size. Therefore, in order to save space, it is necessary to further increase the arrangement of the processing units.
[0005]
However, when the heat treatment unit becomes larger, the heat amount of the heat treatment unit also increases. Accordingly, when the heat treatment apparatus is arranged in the vicinity of another processing unit as one processing unit in the heat treatment unit group as in the past, other processing for performing liquid processing on the wafer W near normal temperature. There is a possibility that temperature control in a unit, for example, a resist coating apparatus or the like cannot be performed accurately. Further, when the temperature control is disturbed in these processing units, there arises a problem that the film thickness of the resist film changes.
[0006]
The present invention has been made based on such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of precisely performing temperature control in a processing unit for performing liquid processing on a substrate.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve such a problem, the substrate processing apparatus of the present invention includes a first processing unit group in which a first processing unit that performs liquid processing by supplying a predetermined liquid onto a substrate is stacked in multiple stages, and the substrate. A second process in which a second processing unit in which a heating unit that performs a heat treatment on the substrate and a temperature control unit that performs a temperature adjustment process on the substrate are integrated adjacent to each other in the horizontal direction is stacked in multiple stages. Between the unit group and each of the first processing units and each of the second processing units Transport the substrate A transport device, wherein the temperature control unit is located on the first processing unit group side among the heating unit and the temperature control unit in each of the second processing units, and the heating unit and the first processing unit The first processing unit group and the second processing unit group are arranged adjacent to each other so as to be positioned between the processing unit groups.
[0008]
In the present invention, the first processing unit group for performing the liquid processing on the substrate near the normal temperature and the second processing unit group having the heating unit and the temperature control unit include the first temperature control unit. Since it arrange | positions so that it may be located in the process unit side, the thermal influence which a 1st process unit group receives from a 2nd process unit group can be suppressed as much as possible. Thereby, the temperature control in the first processing unit group for processing the substrate at around normal temperature can be performed precisely.
[0009]
Furthermore, a clean air supply unit that supplies clean air to the first processing unit group is provided, and the clean air supply unit exhausts gas from a lower part of the first processing unit group, and the exhausted gas is discharged from the lower part of the first processing unit group. Circulating and blowing out temperature-controlled gas from the upper part of the first processing unit group, and further, a region where the first processing unit group is arranged and a region where the second processing unit group is arranged And divide And pass between those areas As described above, it has a passage for circulating the gas exhausted from the lower part of the first processing unit group to the upper part.
[0010]
According to such a configuration, the passage functions as heat insulating means between the region where the first processing unit group is arranged and the region where the second processing unit group is arranged. In addition, since the gas circulates in the passage as the heat insulating means, heat does not accumulate in the passage and functions as a very good heat insulating means. Accordingly, the passage configured as described above prevents thermal influence from the second processing unit group to the first processing unit group, and temperature control in the first processing unit group for performing processing on the substrate at around room temperature. Can be performed very precisely.
[0011]
Furthermore, a heat insulating wall is provided so as to divide the region where the first processing unit group is arranged from the region where the second processing unit group is arranged.
[0012]
According to such a configuration, the heat insulating wall prevents the thermal influence from the second processing unit group to the first processing unit group, so that the first processing for processing the substrate at around room temperature. The temperature control in the unit group can be performed very precisely.
[0013]
The substrate processing apparatus according to the present invention includes a first processing unit group in which a first processing unit for supplying a predetermined liquid onto a substrate and performing liquid processing is stacked in multiple stages, and adjacent to the first processing unit group. A processing liquid supply unit that supplies the predetermined liquid to each first processing unit, a heating unit that performs a heating process on the substrate, and a temperature control process on the substrate. Between the second processing unit group in which the second processing units in which the temperature control units are integrated adjacent to each other are stacked in multiple stages, and between each of the first processing units and each of the second processing units. Transport the substrate A transportation device, The first processing unit group is disposed on a side surface in one direction of the processing liquid supply unit when viewed from a plane, and the second side is disposed on a side surface in the other direction perpendicular to the one direction of the processing liquid supply unit. Arrange processing units, The treatment liquid supply unit and the second treatment unit group are arranged so that the temperature adjustment unit is located on the treatment solution supply unit side among the heating unit and the temperature adjustment unit in each of the second treatment units. It is characterized by being arranged adjacent to each other.
[0014]
In the present invention, the processing liquid supply unit is provided between the first processing unit group for performing the liquid processing on the substrate near the normal temperature and the second processing unit group having the heating unit and the temperature control unit. Furthermore, it arrange | positions so that a temperature control part may be located in the process liquid supply part side. That is, the temperature control processing unit and the processing liquid supply unit are interposed between the first processing unit group and the heating unit, and the first processing unit group and the processing liquid supply unit are in the second processing unit group. It is possible to suppress the thermal influence received from as much as possible. This makes it possible to precisely control the temperature in the first processing unit group for processing the substrate at around room temperature, and also to manage the temperature of the processing liquid supplied to the first processing unit group. It can be done easily.
[0015]
Furthermore, a clean air supply unit that supplies clean air to the first processing unit group is provided, and the clean air supply unit exhausts gas from a lower part of the first processing unit group, and the exhausted gas is discharged from the lower part of the first processing unit group. Circulating and blowing out temperature-controlled gas from the upper part of the first processing unit group, and further dividing the region where the processing liquid supply unit is arranged and the region where the second processing unit group is arranged And pass between those areas As described above, it has a passage for circulating the gas exhausted from the lower part of the first processing unit group to the upper part thereof.
[0016]
According to such a configuration, the passage functions as heat insulation means between the region where the processing liquid supply unit is disposed and the region where the second processing unit group is disposed. In addition, since the gas circulates in the passage as the heat insulating means, heat does not accumulate in the passage and functions as a very good heat insulating means. Accordingly, the passage configured as described above prevents the thermal influence from the second processing unit group to the first processing unit group and the processing liquid supply unit, and the first processing for processing the substrate at around room temperature. The temperature control in the unit group can be performed very precisely, and the temperature management of the processing liquid can be easily performed.
[0017]
Furthermore, a heat insulating wall is provided so as to divide the region in which the processing liquid supply unit is disposed, the region in which the first processing unit group is disposed, and the region in which the second processing unit group is disposed. It is characterized by that.
[0018]
According to such a configuration, the heat insulating wall prevents thermal influences from the second processing unit group to the first processing unit group and the processing liquid supply unit, so that the substrate is processed near room temperature. The temperature control in the first processing unit group can be performed very precisely, and the temperature of the processing liquid can be easily managed.
[0019]
According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus according to the present invention, comprising: a first processing unit group in which a first processing unit for supplying a predetermined liquid to a substrate and performing a liquid processing is stacked in multiple stages; A second processing unit group in which a second processing unit in which a heating unit that performs a heating process and a temperature control unit that performs a temperature adjustment process on the substrate are integrated adjacent to each other in a horizontal direction is stacked in multiple stages; , A transfer device that transfers the substrate between each first processing unit and each second processing unit, and when viewed from above, the first device is disposed on a side surface in one direction of the transfer device. A processing unit group is disposed, the second processing unit group is disposed on a side surface in the other direction perpendicular to the one direction of the transfer device, and each second processing unit of the second processing unit group The heating part and temperature control part of the Side by side are arranged, the temperature control unit is disposed closer to the first processing unit group, wherein the heating portion is disposed farther to the first processing unit group.
In the substrate processing apparatus described above, the temperature control unit of the second processing unit can transfer the substrate to and from the heating unit, and the transfer device includes the heating unit and the temperature of the second processing unit. You may enable it to convey a board | substrate between the said temperature control parts among the adjustment parts.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4 are views showing a coating and developing treatment system according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a plan view and FIG. 2 is a front view. 3 is a cross-sectional view when cut along the x direction of FIG. 1, and FIG. 4 is a cross-sectional view when a region where the temperature adjustment processing unit 18 is arranged is cut along the y direction of FIG.
[0022]
As shown in FIG. 1, the coating and developing processing system 1 loads, for example, 25 wafers W into and out of the coating and developing processing system 1 from the outside in cassette units, and loads and unloads wafers W into and from the cassette C. Cassette station 2, a first processing station 3 in which various single-wafer processing units for performing predetermined processing on the wafer W in the coating and developing processing step are arranged in multiple stages, and the first processing. Between the second processing station 4 having a configuration similar to that of the first station arranged adjacent to the station and the exposure apparatus (not shown) arranged adjacent to the second processing station 4 The interface unit 5 for transferring the wafer W is integrally connected. In the first processing station 3, an antireflection film and a resist film are mainly applied on the wafer W, and in the second processing station 4, the exposed resist film is developed.
[0023]
In the cassette station 2, a plurality of cassettes C are arranged in a row along the X direction (vertical direction in FIG. 1) at the position of the positioning protrusion 10 a on the cassette mounting table 10 with the entrance / exit of the wafer W directed toward the processing station 3. It can be freely mounted on. A wafer transfer body 11 movable in the arrangement direction (X direction) of the cassette C and the arrangement direction (Z direction; vertical direction) of the wafers W accommodated in the cassette C is movable along the transfer path 12. Each cassette C can be selectively accessed.
[0024]
The wafer transfer body 11 is configured to be rotatable also in the θ direction, and each first heating of the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a as a second processing unit group in the first processing station 3 to be described later. -It is comprised so that it can access with respect to the temperature control processing unit (CPL) 18a of the temperature control processing unit 10a.
[0025]
As shown in FIGS. 1 and 2, in the first processing station 3, an antireflection film coating unit (BCT) group 13 a and a resist film coating unit ( CT) group 13b is provided. The antireflection film coating unit (BCT) group 13a is configured by stacking antireflection film coating units (BCT) 16 that perform coating processing on the wafer W in the vicinity of room temperature in three stages in the z-axis direction. The resist film coating unit (CT) group 13b is configured by stacking resist film coating units (CT) 17 that perform coating processing on the wafer W in the vicinity of room temperature in three stages in the z-axis direction.
[0026]
At the center of the first processing station 3, a first heating / temperature adjustment processing unit group 14a and a second heating / temperature adjustment processing unit group 14b are arranged as a second processing unit group with the transfer device 19a interposed therebetween. ing. In the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a, the first heating / temperature adjustment processing units 10a are configured to be stacked in eight stages in the z-axis direction, and in the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b, the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b is configured. The adjustment processing units 10b are stacked in seven stages in the z-axis direction, and further, a transport unit (STL) described later is arranged below them. Each of the first and second heating / temperature adjustment processing units 10a, 10b includes a temperature adjustment processing unit (CPL) 18a, 18b that performs a temperature adjustment process on the wafer W, and a heating processing unit (HP) 20a, which performs the heating process. 20b are adjacent to each other and integrated.
[0027]
As shown in FIGS. 1 and 3, the first heating / temperature adjustment processing unit group 14 a is configured by stacking, for example, eight stages of first heating / temperature adjustment processing units 10 a, and all the first heating / temperature adjustment processing units 10 a are configured. In the processing unit 10a, the first heating / temperature control processing unit group 14a and the antireflection film coating unit (BCT) group so that the temperature control processing unit (CPL) 18a is located on the antireflection film coating unit (BCT) group 13a side. 13a is arranged. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the x direction in FIG. 1 and shows the positional relationship between the first processing unit group 13a and the second processing unit group 14a along the x direction. It is. Similarly, the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b is configured by stacking the second heating / temperature adjustment processing units 10b in multiple stages, and the temperature adjustment processing is performed in all the second heating / temperature adjustment processing units 10b. The unit 18b is disposed on the resist film coating unit (CT) group 13b side.
[0028]
Around the vertical transfer type transfer device 19a, an antireflection film coating unit (BCT) group 13a, a resist film coating unit (CT) group 13b, and first and second heating / temperature adjustment processing unit groups 14a and 14b are arranged. Has been. Then, transfer of the wafer W between the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a and the antireflection film coating unit (BCT) group 13a, the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b, and the resist film coating unit (CT) ) The wafer W is transferred to and from the group 13b by the transfer device 19a. In addition, shutter members 47a and 47b that can be opened and closed are provided on both side surfaces of the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a of the first heating / temperature adjustment processing unit 10a. The transfer of the substrate between the first heating / temperature adjustment processing unit 10a and the wafer transfer body 11 and the transfer of the substrate between the first heating / temperature adjustment processing unit 10a and the transfer device 19a are respectively performed by the shutter 47a, Via 47b. Further, an openable / closable shutter member 47a is provided on a side surface of the second heating / temperature adjustment processing unit 10b on the side of the conveyance device of the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b, and the conveyance device 19a is provided via the shutter member 47a. And the substrate are transferred between the temperature control unit (CPL) 18b.
[0029]
On the other hand, in the second processing station 4, as shown in FIGS. 1 and 2, as in the first processing station 3, the first processing unit that performs liquid processing on the wafer W near the normal temperature on the front side. A first development processing unit group 13c and a second development processing unit group 13d are arranged as a group. The first development processing unit group 13c is configured by stacking development processing units (DEV) 26 in two stages in the z-axis direction, and the second development processing unit group 13d is similarly configured with the development processing unit (DEV) 26 in the z-axis direction. Are stacked in two stages.
[0030]
In the center of the second processing station 4, a third heating / temperature adjustment processing unit group 14c and a fourth heating / temperature adjustment processing unit group 14d are arranged as a second processing unit group with the transfer device 19b interposed therebetween. ing. In the third heating / temperature adjustment processing unit group 14c, the third heating / temperature adjustment processing units 10c are stacked in seven stages in the z-axis direction, and further, a transport unit (STL) described later is disposed below them. . The fourth heating / temperature adjustment processing unit group 14d is configured by stacking the fourth heating / temperature adjustment processing units 10d in eight stages in the z-axis direction.
[0031]
Each of the third and fourth heating / temperature adjustment processing units 10c, 10d includes a temperature adjustment processing unit (CPL) 18c, 18d that performs a temperature adjustment process on the wafer W, and a heating processing unit (HP) 20c, which performs a heating process. 20d are adjacent to each other and integrated. And as shown in FIG. 1, temperature control processing unit (CPL) 18c among temperature control processing unit (CPL) 18c and heat processing unit (HP) 20c of all the laminated 3rd heating and temperature control processing units 10c. However, the third heating / temperature adjustment processing unit group 14c and the first development processing unit (DEV) group 13c are arranged so as to be positioned on the first development processing unit (DEV) group 13c side. The temperature adjustment processing unit (CPL) 18d among the temperature adjustment processing units (CPL) 18d and the heat treatment units (HP) 20d of all the stacked fourth heating / temperature adjustment processing units 10d is the second development processing unit. A fourth heating / temperature adjustment processing unit group 14d and a second development processing unit (DEV) group 14d are arranged so as to be positioned on the (DEV) group 13d side.
[0032]
Around the vertical transfer type transfer device 19b, a first development processing unit group 13c, a second development processing unit group 13d, and third and fourth heating / temperature adjustment processing unit groups 14c and 14d are arranged. Then, the transfer of the wafer W between the third heating / temperature adjustment processing unit group 14c and the first development processing unit (DEV) group 13c, the fourth heating / temperature adjustment processing unit group 14d, and the second development processing unit ( The wafer W is transferred to and from the DEV) group 13b by the transfer device 19b. Further, shutter members 47a and 47b that can be opened and closed are provided on both side surfaces of the temperature adjustment processing unit (CPL) 18d of the fourth heating / temperature adjustment processing unit 10d. The transfer of the substrate between the fourth heating / temperature adjustment processing unit 10d and the transfer device 19b and the transfer of the substrate between the fourth heating / temperature adjustment processing unit 10d and the wafer transfer body 37 are respectively performed by the shutter 47a, Via 47b. Further, a shutter member 47b that can be opened and closed is provided on the side surface of the temperature adjustment processing unit 18b of the third heating / temperature adjustment processing unit 10c on the side of the conveyance device, and the temperature adjustment with the conveyance device 19b is performed via the shutter member 47b. The substrate is transferred to and from the processing unit 18c.
[0033]
Further, as shown in FIG. 1, a chemical tower 15 for storing a processing liquid used in the inspection machine 6 and the first processing unit group 13a is accommodated on the back side of the first processing station 3 and the second processing station 4. A container shelf is provided. The container shelf can be moved along the y direction of the drawing by the rail 7. The container shelf has a structure like a door that can be opened and closed on the back side, for example, and the container can be accommodated in the door. Thereby, replacement | exchange and maintenance inspection of a container can be performed easily. The inspection machine 6 inspects the film thickness of the coating film of the wafer W that has undergone exposure and development processing, and is installed as necessary. Further, as the processing liquid, for example, an antireflection film resist material supplied to the antireflection film coating unit (BCT) 16, a resist film material supplied to the resist film coating unit (CT) 17, and a development processing unit 26 are supplied. There is a developer. Here, the processing liquid stored in the chemical tower 15 disposed on the back side may be used as a main processing liquid source, or the chemical tower 15 disposed on the back side is disposed as a spare, and is disposed in another region. You may arrange | position and use another chemical tower as a main process liquid source.
[0034]
In the interface unit 5, a buffer cassette 33 having a structure similar to that of, for example, the wafer W cassette C, which temporarily holds the wafer W before exposure, is disposed on the front side thereof, and a peripheral exposure device 34 is disposed on the back side thereof. . A wafer transfer body 37 that can be moved up and down in the vertical direction and further rotated in the θ direction is movable along a transfer path 36 between the buffer cassette 33 and the peripheral exposure apparatus 34. The wafer transfer body 37 is configured to be accessible to the temperature adjustment processing unit (CPL) 18d of the fourth heating / temperature adjustment processing unit 10d, the buffer cassette 33, the peripheral exposure device 34, and the pre-exposure temperature adjustment unit (not shown). Has been.
[0035]
Further, in this coating and developing processing system 1, as shown in FIGS. 1 and 3, the first processing unit group 13 (antireflection film coating unit (BCT) group 13a, resist film coating unit) in the first processing station 3 is used. (CT) group 13b) and the second processing unit group 14 (first and second heating / temperature control processing unit groups 14a, 14b), the first processing unit group 13 ( Between the first and second development processing unit groups 13c and 13d) and the second processing unit group 14 (third and fourth heating / temperature control processing unit groups 14c and 14d), respectively, a heat insulating wall 39 and a later-described one are provided. A passage 40 for circulating the gas exhausted from the lower part of the first processing unit group 13 to the upper part thereof is arranged. That is, the heat insulating wall 39 and the passage 40 are arranged so as to divide between the first processing unit group 13 and the second processing unit group 14.
[0036]
As shown in FIG. 2, in the above-described antireflection film coating unit (BCT) group 13a, the antireflection film is applied by placing the wafer W on the spin chuck in the cup and applying the antireflection film to the wafer W. Antireflection film coating units (BCT) 16 for processing are stacked in three stages.
[0037]
In the resist coating unit group 13b, resist coating units (CT) for applying a resist coating process to the wafer W by placing the wafer W on a spin chuck in the cup and applying a resist solution are stacked in three stages. .
[0038]
In the first development processing unit group 13c, a development processing unit (DEV) 26 that performs development processing on the wafer W by placing the wafer W on the spin chuck in the cup and supplying the developer is arranged in two stages from the top. Are stacked.
[0039]
Similarly, in the second development processing unit group 13d, a development processing unit (DEV) 26 for supplying a developing solution by placing the wafer W on a spin chuck in the cup and performing the development processing on the wafer W from above is provided. It is stacked in two stages.
[0040]
In the second and third heating / temperature adjustment processing unit groups 14b, 14c, the heating / temperature adjustment processing units 10 are stacked in seven stages, and a transport unit (STL) 38b is further provided below the units as shown in FIG. , 38c are arranged. The transfer of the wafer W between the first and second processing stations 3 and 4 is performed via a communication path 40 that connects the two transfer units (STL) 38b and 38c. As shown in FIG. 4, the transport units (STL) 38b and 38c are each provided with an opening, and shutter members 48a, 48b, 49a, and 49b that can be opened and closed are provided corresponding to the openings. Then, by opening and closing the shutter members 48a and 49b, the wafer W is transferred between the transfer units (STL) 38b and 38c and the corresponding transfer devices 19a and 19b. Further, by opening and closing the shutter members 48b and 49a, the wafer W is transferred between the transfer units (STL) 38b and 38c via the communication path 40, that is, the wafer W is transferred between the first and second stations. Done.
[0041]
Next, the transfer devices 19a and 19b described above will be described with reference to FIG. The above-described transfer devices 19a and 19b have the same structure, and will be described as reference numeral 19 in FIG.
[0042]
As shown in FIG. 5, the conveying device 19 moves up and down in the vertical direction (Z direction) on the inner side of a cylindrical support body 53 composed of integral wall portions 51 and 52 that are mutually connected at the upper end and the lower end. A flexible wafer W transfer means 54 is provided. The cylindrical support 53 is connected to a rotation shaft of a motor 55, and rotates together with the wafer W transfer means 54 around the rotation shaft by the rotation driving force of the motor 55. Accordingly, the wafer W transfer means 54 is rotatable in the θ direction.
[0043]
On the transfer base 56 of the wafer W transfer means 54, a plurality of, for example, two tweezers 57 and 58 for holding the wafer W are provided vertically. Each of the tweezers 57 and 58 has basically the same configuration, and has a form and a size that can pass through a side opening between both wall portions 51 and 52 of the cylindrical support 53. The tweezers 57 and 58 can be moved in the front-rear direction by a motor (not shown) built in the transport base 56.
[0044]
Next, the structure of the first heating / temperature adjustment processing unit 10a described above will be described with reference to FIG. 4, FIG. 6, and FIG. 6 is a plan view of the heating / temperature adjustment processing unit, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the heating / temperature adjustment processing unit.
[0045]
As shown in FIGS. 6 and 7, the first heating / temperature adjustment processing unit 10 a includes a heating processing unit (HP) 20 a that performs a heating process on the wafer W and a temperature adjustment process that performs a temperature adjustment process on the wafer W. The unit (CPL) 18a is integrated adjacent to each other.
[0046]
The heat treatment unit (HP) 20a has a hot plate 24 that can be set to a temperature of about 200 ° C. Further, the heat treatment unit (HP) 20a surrounds the wafer W around the gate shutter 21 and the hot plate 24 for opening and closing between the heat treatment unit (HP) 20a and the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a. It has a ring shutter 22 that is moved up and down together with the gate shutter 21. The hot plate 24 is provided with three lift pins 23 that can be moved up and down to place the wafer W and move up and down. A shielding plate screen may be provided between the hot plate 23 and the ring shutter 22. Below the heat treatment chamber 20a, an elevating mechanism 27 for elevating the three lift pins 23 and an elevating mechanism 28 for elevating the ring shutter 22 together with the gate shutter 21 are provided. On the hot plate 23, a proximity pin 35 having a height of 0.2 mm and a guide guide 32 are provided.
[0047]
The temperature adjustment processing unit (CPL) 18 a has a temperature adjustment plate 25 that adjusts the temperature of the wafer W to a room temperature of about 23 ° C. As shown in FIGS. 4 and 6, the side of the temperature adjustment processing unit (CPL) 18 a on the cassette station side has an opening for transferring the wafer W to and from the cassette station 2. A shutter member 47a that can be opened and closed corresponding to each portion is disposed. Further, an opening for transferring the wafer W to and from the transfer device 19 is provided on the side of the temperature control processing unit (CPL) 18a on the transfer device 19 side, and can be opened and closed corresponding to this opening. A shutter member 47b is disposed.
[0048]
As shown in FIG. 7, the heat treatment unit (HP) 20a and the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a are communicated with each other through a communication port 30, and a temperature for placing the wafer W and adjusting the temperature is set. The adjusting plate 25 is configured to be movable in the horizontal direction along the guide plate 59 by the moving mechanism 60. Thus, the temperature control plate 25 can enter the heat treatment unit (HP) 20a through the communication port 30, and the wafer W after being heated by the heat plate 24 in the heat treatment unit (HP) 20a. Is received from the lift pins 23 and carried into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a to adjust the temperature of the wafer W.
[0049]
Although the first heating / temperature adjustment processing unit 10a has been described above, the fourth heating / temperature adjustment processing unit 10d of the fourth heating / temperature adjustment processing unit group 14d has the same structure. Further, the second heating / temperature adjustment processing unit 10b and the third heating / temperature adjustment processing unit 10c have substantially the same structure as the first heating / temperature adjustment processing unit 10a, but FIG. 1 and FIG. As shown in FIG. 5, the first heating / temperature adjustment processing unit 10a is provided with shutter members 47a, 47b on both side surfaces, whereas the second and third heating / temperature adjustment processing units 10b, 10c are provided with a transfer device 19. The only difference is that the shutter member 47a or 47b is provided only on the side surface. In the present embodiment, the temperature adjustment processing units (CPL) 18a and 18d are driven to open and close so that both the sitter members 47a and 47b are not opened. In other words, the opening is closed by the shutter member 47b in the state opened by the shutter member 47a, and conversely, the opening is closed by the shutter member 47a in the state opened by the shutter member 47b. By controlling the opening / closing drive of the shutter members 47a and 47b in this way, the temperature adjustment processing unit (CPL) performs a function like a load lock chamber, and performs processing on the wafer W near room temperature. The temperature control in the processing liquid supply unit (BCT, CT, DEV) can be performed more precisely.
[0050]
As described above, in the present embodiment, the heat insulating wall 39 and the first processing are respectively provided between the first processing unit groups 13a, 13b, 13c, and 13d and the second processing unit groups 14a, 14b, 14c, and 14d. A temperature control mechanism is provided in which a passage 40 for circulating the gas exhausted from the lower part of the unit group 13 to the upper part thereof is arranged. This temperature control mechanism will be described below with reference to FIG. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a first processing unit group 13a in which a plurality of processing liquid supply units, here antireflection film coating units (BCT) 16, are stacked.
[0051]
As shown in FIG. 8, the upper part of the coating and developing treatment system 1 is temperature-controlled from the upper part with respect to the antireflection film coating unit (BCT) group 13a as the first processing unit group in the first processing station 3. A clean air supply unit 41 that supplies clean air is disposed. The clean air supply unit 41 includes an FFU (fan filter unit) and a temperature control device that adjusts temperature and humidity, and the gas exhausted from the lower part of the antireflection film coating unit (BCT) group 13a is placed on the upper part. Clean air from which particles and the like have been removed by adjusting the temperature and humidity from the gas flowing in through the passage 40 for circulation is supplied to each antireflection film coating unit (BCT) 16 through the passage 43. Further, as shown in FIG. 1, a stepped heat wall 39 is disposed between the passage 40 and the heating / temperature adjustment processing unit 10a as the second processing unit group. In the present embodiment, by providing the heat insulating wall and the temperature control mechanism in this way, the temperature control in the processing liquid supply unit (BCT, CT, DEV) for processing the wafer W near room temperature is further precise. Can be done. Similarly, as shown in FIG. 1, the clean air supply unit 40 is also provided between the first processing unit groups 13b, 13c, 13d and the corresponding heating / temperature control processing unit groups 14b, 14c, 14d. A heat insulating wall 39 is provided separately.
[0052]
Next, processing steps in the coating and developing processing system 1 configured as described above will be described.
[0053]
In the coating and developing system 1, the unprocessed wafer W accommodated in the cassette C is taken out by the wafer transfer body 11 of the cassette station 2, and then the first heating / temperature control heat treatment unit 10 a of the first processing station 3. In the temperature control processing unit (CPL) 18a, the temperature control processing is performed by being placed on the temperature control plate 25.
[0054]
The wafer W that has been subjected to the temperature adjustment processing in the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a is transferred into the antireflection film application unit (BCT) 16 in the antireflection film application unit (BCT) group 13a by the transfer device 19a. A treatment liquid for an antireflection film is applied.
[0055]
The wafer W coated with the processing liquid for the antireflection film by the antireflection film coating unit (BCT) 16 is transferred by the transfer device 19a into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a of the first heating / temperature adjustment processing unit 10a. And placed on the temperature control plate 25. As shown in FIG. 7, the wafer W placed on the temperature control plate 25 passes through the communication port 30 and into the heat treatment unit (HP) 20a by the temperature control plate 25 that is horizontally moved by the moving mechanism 60. Be transported. The transferred wafer W is supported by lift pins 23 in the raised state. Thereafter, the lift pins 23 are lowered, the wafer W is placed on the hot plate 24, and the heat treatment is performed in the heat treatment space formed by raising the ring shutter 22 and the gate shutter 21 at the same time. After the heat treatment, the lift pins 23 are raised and the ring shutter 22 and the gate shutter 21 are lowered, and the wafer W is separated from the hot plate 24 and supported by the lift pins 23.
[0056]
Thereafter, the temperature control plate 25 is inserted again into the heat processing unit (HP) and receives the heat-treated wafer W. The wafer W is transferred into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a by the temperature adjustment plate 25, and the temperature adjustment processing is performed.
[0057]
The wafer W that has been subjected to the temperature adjustment processing by the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a is transferred into the resist application unit (CT) 17 in the resist application unit group 13b by the transfer device 19a, and a resist solution is applied thereto.
[0058]
The wafer W coated with the resist solution by the resist coating unit (CT) 17 is transferred by the transfer device 19a into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b of the second heating / temperature adjustment processing unit 10b, and the temperature adjustment plate 25 is supplied. Placed on top. The wafer W placed on the temperature adjustment plate 25 is transferred into the heat treatment unit (HP) 20b through the communication port 30 by the temperature adjustment plate 25 horizontally moved by the moving mechanism 60. The transferred wafer W is supported by lift pins 23 in the raised state. Thereafter, the lift pins 23 are lowered, the wafer W is placed on the hot plate 24, and the heat treatment is performed in the heat treatment space formed by raising the ring shutter 22 and the gate shutter 21 at the same time. After the heat treatment, the lift pins 23 are raised and the ring shutter 22 and the gate shutter 21 are lowered, and the wafer W is separated from the hot plate 24 and supported by the lift pins 23.
[0059]
Thereafter, the temperature control plate 25 is inserted again into the heat treatment unit (HP) 20b and receives the heat-treated wafer W. The wafer W is transferred into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b by the temperature adjustment plate 25, and the temperature adjustment processing is performed.
[0060]
The wafer W that has been subjected to the temperature adjustment processing by the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b is transferred by the transfer device 19a to the transfer unit (STL) 38b disposed at the lowest stage of the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b. Then, it passes through the communication path 40 and is transferred to the transfer unit (STL) 38c of the third heating / temperature adjustment processing unit group 14c.
[0061]
The wafer W transferred to the transfer unit (STL) in the third heating / temperature adjustment processing unit group 14c is heated by the transfer device 19b in the heating / temperature adjustment processing unit 10d of the fourth heating / temperature adjustment processing unit group 14d. It is transported to the unit.
[0062]
Further, the wafer W transferred to the temperature adjustment processing unit is transferred into the peripheral exposure device 34 by the wafer transfer body 37 in the interface unit 5 and subjected to peripheral exposure.
[0063]
The wafer W that has been subjected to the peripheral exposure by the peripheral exposure device 34 is transferred to the buffer cassette 33 by the wafer transfer body 37 and temporarily held therein, or the wafer transfer body 37, a pre-exposure temperature control unit (not shown), It is transferred to an exposure apparatus (not shown) via a wafer transfer body.
[0064]
Here, for example, two buffer cassettes 33 are provided, one can be used as a cassette for holding the wafer W after the peripheral exposure, and the other can be used as a cassette for holding the wafer W before the peripheral exposure. . At this time, it is desirable to provide a mechanism for adjusting the temperature of the wafer W to a room temperature of about 23 ° C. in the cassette that holds the wafer W before the peripheral exposure. Alternatively, the buffer cassette 33 holds only the wafer W after the peripheral exposure, and the wafer W before the peripheral exposure is vacant in the heating / temperature adjustment processing unit 10c or 10d of the second processing unit group 14c or 14d. The temperature adjustment processing unit 18c or 18d can also be used as a place for waiting for the wafer W before the peripheral exposure. In this case, there is no need to provide a buffer cassette for holding the wafer W before the peripheral exposure.
[0065]
Next, the wafer W that has been subjected to the exposure process by the exposure apparatus is transferred from the interface unit 5 through the wafer transfer body, the buffer cassette 33, and the wafer transfer body 37 to the fourth heating / temperature adjustment processing unit of the second processing station 4. It is conveyed into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18d of the fourth heating / temperature adjustment processing unit 10d in the group 14d, and the temperature adjustment processing is performed.
[0066]
The wafer W that has been subjected to the temperature adjustment processing by the temperature adjustment processing unit (CPL) 18d is transferred to the development processing unit (DEV) 26 in the first development processing unit group 13c or the second development processing unit group 13d by the transfer device 19b. Development processing is performed.
[0067]
The wafer W that has been subjected to the development processing in the development processing unit (DEV) 26 is, for example, the temperature adjustment processing unit (CPL) of the heating / temperature adjustment processing unit 10c in the third heating / temperature adjustment processing unit group 14c by the transfer device 19b. The heat treatment unit (HP) 20c adjacent to the temperature adjustment processing unit (CPL) 18c is conveyed through the heat treatment unit 18c, and heat treatment is performed.
[0068]
The wafer W that has been subjected to the heat treatment in the heat treatment unit (HP) 20c is transferred to the temperature adjustment processing unit 18c, and is transferred to the transfer unit (STL) 38c in the second processing station 4 by the transfer device 19b. And is transported to a transport unit (STL) 38b in the first processing station 3.
[0069]
The wafer W transferred to the transfer unit (STL) is transferred by the transfer device 19a to the temperature adjustment processing unit 18a of the first heating / temperature adjustment processing unit 10a in the first heating / temperature adjustment processing station group 14a. The wafer W in the temperature adjustment processing unit 18 a is accommodated in the cassette C by the wafer transfer body 11 of the cassette station 2. Here, when the inspection machine 6 is installed, the wafer W in the temperature adjustment processing unit 18 a is transferred to the inspection machine 6 by the wafer transfer body 11 of the cassette station 2. The inspection machine 6 determines whether or not the width of the pattern obtained by the exposure and development process is appropriate by measuring the film thickness of the resist film. The inspected wafer W is accommodated in the cassette C by the wafer transfer body 11 of the cassette station 2.
[0070]
According to the coating and developing treatment system according to the present embodiment configured as described above, the temperature processing unit (CPL) of the heating / temperature control processing unit is arranged on the liquid processing unit side, so that the liquid processing unit. The temperature control unit (CPL) is interposed between the heat treatment unit (HP) and the heat treatment unit (HP). Thereby, the thermal influence from the heat processing unit with respect to the liquid processing unit side can be suppressed as much as possible. Therefore, in the coating and developing processing system, temperature control in the liquid processing unit (BCT, CT, DEV) for performing liquid processing on the wafer W can be precisely performed.
[0071]
Furthermore, according to the coating and developing system according to the present embodiment, the liquid processing unit groups (antireflection film coating unit (BCT) group 13a, resist film coating unit (CT)) in the first and second processing stations 3 and 4 are used. Group 13b, first development processing unit group 13c, second development processing unit group 13d) and heating / temperature control processing unit groups (first to fourth heating / temperature control processing unit groups 14a, 14b, 14c, 14d). A passage 40 for circulating the gas exhausted from the lower part of each of the heat insulating wall 39 and the liquid processing unit groups 13a, 13b, 13c, and 13d to the upper part is disposed therebetween. Thereby, since the passage 40 also has a function of a heat insulating means, a double heat insulating means is arranged between the first processing unit group 13 and the second processing unit group 14, and further, the liquid processing unit group. Therefore, it is possible to control the temperature in the liquid processing unit group that performs liquid processing on the wafer W at around room temperature with extremely high precision.
[0072]
(Second embodiment)
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 11 are views showing a coating and developing treatment system according to an embodiment of the present invention. FIG. 9 is a plan view and FIG. 10 is a front view. FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 9, and shows the positional relationship in the x direction between the first processing unit group 13 a, the second processing unit group 14 a, and the chemical tower 15 a. FIG.
[0073]
This embodiment is different from the above-described first embodiment in that the arrangement of the chemical tower for storing the processing liquid is different, and the number of heating / temperature adjustment processing apparatuses disposed between the two transfer apparatuses 19a and 19b is one. However, it is structurally different. Hereinafter, although it demonstrates in 2nd embodiment, description is abbreviate | omitted partially about the structure similar to 1st embodiment. Moreover, the same code | symbol is attached | subjected and demonstrated about the structure similar to 1st embodiment.
[0074]
As shown in FIG. 9, the coating and developing processing system 1 includes a cassette station 2 similar to that of the first embodiment, and various single-wafer processing units that perform predetermined processing on the wafer W in the coating and developing processing step. , A second processing station 9 arranged adjacent to the first processing station, and an exposure arranged adjacent to the second processing station 9. An interface unit 5 for transferring the wafer W between the apparatuses (not shown) is integrally connected. In the first processing station 8, an antireflection film and a resist film are mainly applied on the wafer W, and in the second processing station 9, the exposed resist film is developed.
[0075]
Since the cassette station 2 has the same structure as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.
[0076]
As shown in FIGS. 9 and 10, in the first processing station 8, an antireflection film coating unit (BCT) group 13 a and a resist film coating unit ( CT) group 13b is provided. The antireflection film coating unit (BCT) group 13a is configured by stacking antireflection film coating units (BCT) 16 that perform coating processing on the wafer W in the vicinity of room temperature in three stages in the z-axis direction. The resist film coating unit (CT) group 13b is configured by stacking resist film coating units (CT) 17 that perform coating processing on the wafer W in the vicinity of room temperature in three stages in the z-axis direction. Further, chemical towers 15a and 15b are arranged adjacent to the antireflection film coating unit (BCT) group 13a and the resist film coating unit (CT) group 13b, respectively. The chemical tower 15a contains an antireflection film material supplied as a processing liquid to the antireflection film coating unit (BCT) 16, and the chemical tower 15b is supplied as a processing liquid to the resist film coating unit (CT) 17. Resist material is contained.
[0077]
A first heating / temperature regulation processing unit group 14a and a second heating / temperature regulation processing unit group 14b are arranged as a second processing unit group on the back surface of the first processing station 8 with the transfer device 19a interposed therebetween. ing. The first heating / temperature adjustment processing unit group 14a and the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b are disposed adjacent to the chemical towers 15a, 15b, respectively. In the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a, the first heating / temperature adjustment processing units 10a are configured to be stacked in eight stages in the z-axis direction. In the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b, the second heating / temperature adjustment processing units 10b are configured to be stacked in eight stages in the z-axis direction. Each of the first and second heating / temperature adjustment processing units 10a, 10b includes a temperature adjustment processing unit (CPL) 18a, 18b that performs a temperature adjustment process on the wafer W, and a heating processing unit (HP) 20a, which performs the heating process. 20b are adjacent to each other and integrated.
[0078]
As shown in FIG. 11, the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a is configured by stacking the first heating / temperature adjustment processing units 10a in multiple stages. FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 9, and shows a first processing unit group 13a, a chemical tower 15a, and a second processing unit group 14a along the x direction. FIG. As shown in FIGS. 9 and 11, the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a as the second processing unit group is configured by stacking the first heating / temperature adjustment processing units 10a in eight stages, In the first heating / temperature adjustment processing unit 10a, the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a out of the heat treatment unit (HP) 20a and the temperature adjustment processing unit (CP) 18a is disposed on the side of the chemical tower 15a as the processing liquid supply unit. Be placed. An antireflection film coating unit group 13a as a first processing unit group is disposed adjacent to the chemical tower 15a. Similarly, the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b is configured by stacking the second heating / temperature adjustment processing units 10b in eight stages, and in all the first heating / temperature adjustment processing units 10b, the heating process is performed. Of the unit (HP) 20b and the temperature adjustment processing unit (CP) 18b, the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b is disposed on the chemical tower 15b side as the processing liquid supply unit. Adjacent to the chemical tower 15b, a resist film coating unit group 13b as a first processing unit group and a first development processing unit group 13c described later are arranged.
[0079]
Around the vertical transfer type transfer device 19a, an antireflection film coating unit (BCT) group 13a, a resist film coating unit (CT) group 13b, and first and second heating / temperature adjustment processing unit groups 14a and 14b are arranged. Has been. The structures of the transfer device 19a, the antireflection film coating unit (BCT) group 13a, the resist film coating unit (CT) group 13b, and the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a in the first processing station 8 are the same as those described above. The first processing station 3 in the embodiment has the same structure as each component, and detailed description thereof is omitted here. The second heating / temperature adjustment processing unit group 14b in the present embodiment has shutter members 47a, 47b on both side surfaces as compared to the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b in the first embodiment described above. The structure is different in that there is no transport unit (STL). In the present embodiment, the transfer of the wafer W between the first processing station 8 and a second processing station 9 described later is performed by the second heating / temperature control unit group 14b. This can be done through the temperature adjustment processing unit 18b of the processing unit 10b. Therefore, shutter members 47a and 47b are provided on both side surfaces of each temperature adjustment processing unit 18b.
[0080]
On the other hand, in the second processing station 9, as shown in FIGS. 9 and 10, as in the first processing station 8, the first processing unit that performs liquid processing on the wafer W near the normal temperature on the front side. As a group, a first development processing unit group 13c and a second development processing unit group 13d are arranged. The first development processing unit group 13c is configured by stacking development processing units (DEV) 26 in two stages in the z-axis direction, and the second development processing unit group 13d is similarly configured with the development processing unit (DEV) 26 in the z-axis direction. Are stacked in two stages. Further, a chemical tower 15c is disposed adjacent to the second development processing unit group 13d. The chemical tower 15c contains a developer supplied as a processing solution to the development processing unit (DEV) 26.
[0081]
On the back surface of the second processing station 9, a third heating / temperature adjustment processing unit group is provided as a second processing unit group at a position facing the second heating / temperature adjustment processing unit group 10b with the transfer device 19b interposed therebetween. 14c is arranged. The third heating / temperature adjustment processing unit group 14c is arranged adjacent to the chemical tower 15c. The third heating / temperature adjustment processing unit group 14c is configured by stacking the third heating / temperature adjustment processing units 10c in eight stages in the z-axis direction.
[0082]
In the third heating / temperature adjustment processing unit 10c, temperature adjustment processing units (CPL) 18c, 18d for performing temperature adjustment processing on the wafer W and heating processing units (HP) 20c, 20d for performing heat processing are adjacent to each other. And integrated. And as shown in FIG. 9, temperature control processing unit (CPL) 18c among temperature control processing unit (CPL) 18c and heat processing unit (HP) 20c of all the 3rd heating and temperature control processing units 10c laminated | stacked. Is disposed on the chemical tower 15c side as the processing liquid supply unit. Then, a second development processing unit (DEV) group 13d as a first processing unit group is disposed adjacent to the chemical tower 15c.
[0083]
Around the vertical transport type transport device 19b, a first development processing unit group 13c, a second development processing unit group 13d, and second and third heating / temperature control processing unit groups 14b and 14c are arranged. Here, the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b can cope with both the heating process or the temperature adjustment process before and after forming the coating film on the wafer and the heating process or the temperature adjustment process before and after the development process. . Then, the wafer W is transferred between the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b and the third heating / temperature adjustment processing unit group 14c, and the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b and the first or second development. Transport of wafer W between processing unit (DEV) groups 13c and 13d, and between third heating / temperature control processing unit group 14c and first or second development processing unit (DEV) groups 13c and 13d The wafer W is transferred by the transfer device 19b. The transfer of the wafer W between the second or third heating / temperature adjustment processing unit group 14b, 14c and the transfer device 19b is performed via 47b, 47a provided in each temperature adjustment processing unit 18b, 18c. Is called. Further, the transfer of the wafer W between the temperature adjustment processing unit 18b of the third heating / temperature adjustment processing unit 10c and the wafer transfer body 37 is performed via the shutter member 47b of the temperature adjustment processing unit 18c.
[0084]
Since the interface unit 5 has the same structure as that of the interface unit 5 in the first embodiment described above, description thereof is omitted individually.
[0085]
Furthermore, in this coating and developing processing system 1, as shown in FIGS. 9 and 11, the first processing unit group 13 (antireflection film coating unit (BCT) group) in the first processing station 8 and the second processing station. 13a, resist film coating unit (CT) group 13b, first development processing unit (DEV) group 13c, second development processing unit (DEV) group 13d) and second processing unit group 14 (first heating / temperature adjustment processing) The chemical tower 15 (15a, 15b, 15c) is arranged between the unit group 14a, the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b, and the third heating / temperature adjustment processing unit group 14c). Between the chemical tower 15 and the second processing unit group 14, the gas exhausted from the heat insulation wall 39 and the lower part of the first processing unit group 13 is circulated to the upper part. Passage 40 for is located. The passage 40 and the heat insulation wall 39 provided adjacent to the chemical tower 15b function as a temperature control mechanism and heat insulation means for the two first processing unit groups 14a corresponding to the one second processing unit group 14b. To do. Also in the present embodiment, as in the first embodiment described above, a clean air supply unit that supplies clean air temperature-controlled from above to each first processing unit group is provided on the top of the coating and developing treatment system. Has been placed. The clean air supply unit includes a FFU (fan filter unit) and a temperature control device for adjusting temperature and humidity, and a passage for circulating the gas exhausted from the lower part of the first processing unit group to the upper part thereof. Clean air from which particles and the like have been removed by adjusting the temperature and humidity from the gas flowing in through 40 is supplied to the first processing unit group through the passage 43. Also in the present embodiment, as in the first embodiment described above, the temperature control in which the passage 40 for circulating the gas exhausted from the lower portion of the heat insulating wall 39 and the first processing unit group 13 to the upper portion is arranged. By providing the mechanism, it is possible to precisely control the temperature in the processing liquid supply unit (BCT, CT, DEV) for processing the wafer W near normal temperature. Further, since the passage 40 also has a function of a heat insulating means, a double heat insulating means is arranged by providing the heat insulating wall 39 and the passage 40 between the second processing unit group 14 and the chemical tower 15. Become. Therefore, the temperature control in the liquid processing unit group that performs the liquid processing on the wafer W near room temperature can be performed very precisely, and the processing liquid stored in the chemical tower 15 is affected by the thermal effect of the heat processing unit 20. This makes it difficult to adjust the temperature of the treatment liquid.
[0086]
As shown in FIG. 10, in the above-described antireflection film coating unit (BCT) group 13a, the antireflection film is applied by placing the wafer W on the spin chuck in the cup and applying the antireflection film to the wafer W. Antireflection film coating units (BCT) 16 for processing are stacked in three stages. In the resist coating unit group 13b, resist coating units (CT) for applying a resist coating process to the wafer W by placing the wafer W on a spin chuck in the cup and applying a resist solution are stacked in three stages. . In the first development processing unit group 13c, a development processing unit (DEV) 26 that performs development processing on the wafer W by placing the wafer W on the spin chuck in the cup and supplying the developer is arranged in two stages from the top. Are stacked. Similarly, in the second development processing unit group 13d, a development processing unit (DEV) 26 for supplying a developing solution by placing the wafer W on a spin chuck in the cup and performing the development processing on the wafer W from above is provided. It is stacked in two stages.
[0087]
In the first, second, and third heating / temperature adjustment processing unit groups 14a, 14b, and 14c, the temperature adjustment processing is performed on the heating processing unit (HP) 20 that performs the heating processing on the wafer W and the wafer W, respectively. The heating / temperature regulation processing unit 10 is integrated with the temperature regulation processing unit (CPL) 18 so as to be adjacent to each other. Members 47a and 47b are provided. In addition, since the structure of the heating / temperature adjustment processing unit 10 in this embodiment is the same as that of the above-mentioned first embodiment, description thereof is omitted here.
[0088]
Since the structures of the transfer devices 19a and 19b described above are the same as those of the transfer devices 19a and 19b of the first embodiment described above, description thereof is omitted.
[0089]
Next, processing steps in the coating and developing processing system 1 configured as described above will be described. In addition, since the operation | movement in a heating / temperature control processing unit is the same as that of above-mentioned 1st embodiment, it abbreviate | omits.
[0090]
In the coating and developing system 1, the unprocessed wafer W accommodated in the cassette C is taken out by the wafer transfer body 11 of the cassette station 2, and then the first heating / temperature control heat treatment unit 10 a of the first processing station 3. In the temperature control processing unit (CPL) 18a, the temperature control processing is performed by being placed on the temperature control plate 25.
[0091]
The wafer W that has been subjected to the temperature adjustment processing in the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a is transferred into the antireflection film application unit (BCT) 16 in the antireflection film application unit (BCT) group 13a by the transfer device 19a. A treatment liquid for an antireflection film is applied.
[0092]
The wafer W coated with the processing liquid for the antireflection film by the antireflection film coating unit (BCT) 16 is transferred by the transfer device 19a into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a of the first heating / temperature adjustment processing unit 10a. And placed on the temperature control plate 25. The wafer W placed on the temperature control plate 25 is transferred into the heat treatment unit (HP) 20a and subjected to heat treatment.
[0093]
Thereafter, the wafer W is transferred into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a, and the temperature adjustment processing is performed.
[0094]
The wafer W that has been subjected to the temperature adjustment processing by the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a is transferred into the resist application unit (CT) 17 in the resist application unit group 13b by the transfer device 19a, and a resist solution is applied thereto.
[0095]
The wafer W coated with the resist solution by the resist coating unit (CT) 17 is transferred by the transfer device 19a into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b of the second heating / temperature adjustment processing unit 10b. Further, the wafer W is transferred into the heat treatment unit (HP) 20b and subjected to heat treatment.
[0096]
Thereafter, the wafer W is transferred into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b and subjected to temperature adjustment processing. The wafer W on which the temperature adjustment processing has been performed by the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b is transferred to the temperature adjustment processing unit 18c of the heating / temperature adjustment processing unit 10c of the third heating / temperature adjustment processing unit group 14c by the transfer device 19b. Is done.
[0097]
Further, the wafer W transferred to the temperature adjustment processing unit is transferred into the peripheral exposure device 34 by the wafer transfer body 37 in the interface unit 5 and subjected to peripheral exposure.
[0098]
The wafer W that has been subjected to the peripheral exposure by the peripheral exposure device 34 is transferred to the buffer cassette 33 by the wafer transfer body 37 and temporarily held therein, or the wafer transfer body 37, a pre-exposure temperature control unit (not shown), It is transferred to an exposure apparatus (not shown) via a wafer transfer body.
[0099]
Next, the wafer W that has been subjected to exposure processing by the exposure apparatus is transferred from the interface unit 5 through the wafer transfer body, the buffer cassette 33 and the wafer transfer body 37 to the third heating / temperature adjustment processing unit of the second processing station 9. It is conveyed into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18c of the fourth heating / temperature adjustment processing unit 10c in the group 14c, and the temperature adjustment processing is performed.
[0100]
The wafer W that has been subjected to the temperature adjustment processing by the temperature adjustment processing unit (CPL) 18c is transferred to the development processing unit (DEV) 26 in the first development processing unit group 13c or the second development processing unit group 13d by the transfer device 19b. Development processing is performed.
[0101]
The wafer W that has been subjected to the development processing in the development processing unit (DEV) 26 is, for example, the temperature control processing unit (CPL) of the heating / temperature control processing unit 10b in the second heating / temperature control processing unit group 14b by the transfer device 19b. The heat treatment unit (HP) 20b adjacent to the temperature control unit (CPL) 18b is conveyed through the heat treatment unit 18b, and heat treatment is performed.
[0102]
The wafer W that has been subjected to the heat treatment in the heat treatment unit (HP) 20b is transferred to the temperature adjustment processing unit 18b, and the first heating / temperature adjustment processing unit 10a in the first heating / temperature adjustment processing station group 14a is transferred by the transfer device 19a. It is conveyed to the temperature control processing unit 18a. The wafer W in the temperature adjustment processing unit 18 a is accommodated in the cassette C by the wafer transfer body 11 of the cassette station 2.
[0103]
According to the coating and developing treatment system according to the present embodiment configured as described above, a chemical tower as a processing liquid supply unit is disposed adjacent to the liquid processing unit (BCT, CT, DEV), and adjacent to the chemical tower. The heating / temperature adjustment processing unit is arranged, and the temperature adjustment processing unit (CPL) of the heating / temperature adjustment processing unit is arranged on the chemical tower side, so that the heating treatment unit and liquid treatment of the heating / temperature adjustment processing unit are arranged. A temperature control unit and a chemical tower are interposed between the units. Thereby, the thermal influence from the heat treatment unit on the liquid treatment unit side can be greatly suppressed. In the coating and developing treatment system, the liquid treatment units (BCT, CT, DEV) can be precisely controlled.
[0104]
Furthermore, according to the coating and developing system according to the present embodiment, a liquid processing unit group (antireflection film coating unit (BCT) group 13a, resist film coating unit (CT) group 13b, first development processing unit (DEV) group). 13c, between the second development processing unit (DEV) group 13d) and the heating / temperature adjustment processing unit group (first to fourth heating / temperature adjustment processing unit groups 14a, 14b, 14c, 14d), respectively. 39 and the passage 40 for circulating the gas exhausted from the lower part of each of the liquid processing unit groups 13a, 13b, 13c, 13d to the upper part thereof are arranged, so that the heating / temperature control processing unit for the liquid processing unit group is further provided. The temperature control in the liquid processing unit group that performs the liquid processing on the wafer W near room temperature is extremely precise. It can be carried out in.
[0105]
(Third embodiment)
Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 to 14 are views showing a coating and developing treatment system according to an embodiment of the present invention. FIG. 12 is a plan view and FIG. 13 is a front view. FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 12, and shows a positional relationship in the x direction between the first processing unit group 13a and the second processing unit group 14a. is there.
[0106]
This embodiment is different from the first embodiment described above in terms of the arrangement position of the chemical tower that contains the processing liquid, the number of transfer devices and heating / temperature control processing devices, and the antireflection film coating unit (BCT). In addition, the structure differs in that the resist film coating units (CT) are stacked, and the entire system is downsized compared to the first and second embodiments.
[0107]
Hereinafter, although it demonstrates in 3rd embodiment, description is partially abbreviate | omitted about the structure similar to 1st embodiment. Moreover, the same code | symbol is attached | subjected and demonstrated about the structure similar to 1st embodiment.
[0108]
As shown in FIG. 12, the coating and developing processing system 1 includes a cassette station 2 similar to that of the first embodiment, and various single-wafer processing units that perform predetermined processing on the wafer W in the coating and developing processing step. A first processing station 45 having a multi-stage arrangement, a second processing station 46 disposed adjacent to the first processing station, and an exposure disposed adjacent to the second processing station 46. An interface unit 5 for transferring the wafer W between the apparatuses (not shown) is integrally connected. In the first processing station 45, an antireflection film and a resist film are mainly applied on the wafer W, and in the second processing station 46, the exposed resist film is developed. A transfer device 19 is disposed almost at the center of the coating and developing processing system 1, and the transfer device 19 is used for transferring the wafer W being processed in the first processing station 45 and the second processing station 46.
[0109]
Since the cassette station 2 has substantially the same structure as that of the first embodiment, only different portions will be described. As shown in FIG. 13, at the bottom of the cassette station 2, there is disposed a chemical tower 15b that accommodates a resist film material supplied as a processing liquid to a resist film coating unit (CT) 17 described later.
[0110]
As shown in FIGS. 12 and 13, in the first processing station 45, an antireflection film / resist film coating unit (CT) group 13e is provided as a first processing unit group on which liquid processing is performed on the front side. ing. The antireflection / resist film application unit (CT) group 13e includes an antireflection film application unit (BCT) 16 and a resist film application unit (CT) 17 that perform application processing on the wafer W in the vicinity of room temperature in two stages. Stacked in the axial direction. Further, a chemical tower 15a is disposed adjacent to the antireflection / resist film coating unit (CT) group 13e. The chemical tower 15 a contains an antireflection film material supplied as a treatment liquid to the antireflection film coating unit (BCT) 16.
[0111]
A first heating / temperature regulation processing unit group 14a as a second processing unit group is disposed on the back surface of the first processing station 45 adjacent to the chemical tower 15a. The first heating / temperature adjustment processing unit group 14a is configured by stacking the first heating / temperature adjustment processing units 10a in multiple stages in the z-axis direction. In each first heating / temperature adjustment processing unit 10a, a temperature adjustment processing unit (CPL) 18a that performs temperature adjustment processing on the wafer W and a heat processing unit (HP) 20a that performs heat processing are adjacent to each other and integrated. It is structured.
[0112]
As shown in FIG. 14, the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a is configured by stacking the first heating / temperature adjustment processing units 10a in 12 stages. FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 12, and the first processing unit group 13a, the second processing unit group 14a, and the chemical tower 15a along the x direction. It is a figure which shows these positional relationships. As shown in FIGS. 12 and 14, the first heating / temperature adjustment processing unit group 14 a is configured by stacking the first heating / temperature adjustment processing units 10 a in 12 stages, and is arranged adjacent to the chemical tower 15 a. Yes. Further, in all the first heating / temperature adjustment processing units 10a of the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a, the temperature adjustment processing unit (CPL) among the heating processing unit (HP) 20a and the temperature adjustment processing unit (CP) 18a. ) 18a is disposed on the chemical tower 15a side. An antireflection film / resist film application unit (CT) group 13e is disposed adjacent to the chemical tower 15a.
[0113]
On the other hand, in the second processing station 46, as shown in FIG. 12 and FIG. 13, a development processing unit group 13f is arranged on the front side as a first processing unit group that performs liquid processing on the wafer W near room temperature. ing. The development processing unit group 13f is constructed by stacking development processing units (DEV) 26 in four stages in the z-axis direction. Further, a chemical tower 15c is disposed adjacent to the development processing unit group 13f. The chemical tower 15c contains a developer supplied as a processing solution to the development processing unit (DEV) 26.
[0114]
A second heating / temperature adjustment processing unit group 14b is disposed on the back surface of the second processing station 9 adjacent to the chemical tower 15c. The second heating / temperature adjustment processing unit group 14b is configured by stacking the second heating / temperature adjustment processing units 10b in 12 stages in the z-axis direction. In all the second heating / temperature adjustment processing units 10b of the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b, the temperature adjustment processing unit (CPL) among the heating processing unit (HP) 20b and the temperature adjustment processing unit (CP) 18b. ) 18b is disposed on the chemical tower 15c side. A development processing unit (DEV) group 13f is disposed adjacent to the chemical tower 15c.
[0115]
Around the vertical transfer type transfer device 19, an antireflection film / resist film coating unit (CT) group 13e, a development processing unit group 13f, and first and second heating / temperature adjustment processing unit groups 14a and 14b are arranged. ing. The wafer W is transferred between the unit groups by the transfer device 19. Further, the wafer W is transferred between the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a and the wafer transfer body 11, the wafer W is transferred between the second heating / temperature adjustment processing unit group 14b and the wafer transfer body 37, and the first or first (2) The wafer W is transferred between the heating / temperature adjustment processing unit groups 14a, 14b and the transfer device 19 by the heating / temperature adjustment processing units 10a, 10b of the first or second heating / temperature adjustment processing unit groups 14a, 14b. This is performed via shutter members 47a and 47b provided on both side surfaces of the temperature control processing units 18a and 18b.
[0116]
Since the interface unit 5 has the same structure as the interface unit 5 in the first embodiment described above, description thereof is omitted.
[0117]
In this coating and developing processing system 1, as shown in FIGS. 12 and 13, a first processing unit group 13 (an antireflection film / resist film coating unit (CT) group 13e, a developing processing unit group 13f) and a second processing unit group 13f are provided. A chemical tower 15 (15a, 15c) is disposed between the processing unit group 14 (first heating / temperature adjustment processing unit group 14a, second heating / temperature adjustment processing unit group 14b), and further has a chemical structure. Between the tower 15 and the second processing unit group 14, a heat insulating wall 39 and a passage 40 for circulating the gas exhausted from the lower part of the first processing unit group 13 to the upper part are arranged. Also in the present embodiment, as in the first embodiment described above, a clean air supply unit that supplies clean air temperature-controlled from above to each first processing unit group is provided on the top of the coating and developing treatment system. Has been placed. The clean air supply unit includes a FFU (fan filter unit) and a temperature control device for adjusting temperature and humidity, and a passage for circulating the gas exhausted from the lower part of the first processing unit group to the upper part thereof. Clean air from which particles and the like have been removed by adjusting the temperature and humidity from the gas flowing in through 40 is supplied to the first processing unit group through the passage 43. Also in the present embodiment, as in the first embodiment described above, the temperature control in which the passage 40 for circulating the gas exhausted from the lower portion of the heat insulating wall 39 and the first processing unit group 13 to the upper portion is arranged. By providing the mechanism, the temperature control in the processing liquid supply unit (BCT, CT, DEV) for processing the wafer W near the normal temperature can be performed more precisely.
[0118]
As shown in FIG. 13, in the above-described antireflection film / resist film application unit (CT) group 13e, a wafer W is placed on a spin chuck in a cup and an antireflection film is applied to reflect the wafer W. The anti-reflection film coating unit (BCT) 16 for performing the anti-reflection film coating process is provided in two stages. The resist coating is performed on the wafer W by applying the resist solution by placing the wafer W on the spin chuck in the cup. Units (CT) 17 are stacked in two stages. In the development processing unit group 13f, development processing units (DEVs) 26 that stack a wafer W on a spin chuck and supply a developing solution in the cup to perform development processing on the wafer W are stacked in 42 stages. .
[0119]
In the first and second heating / temperature adjustment processing unit groups 14a and 14b, a heating processing unit (HP) 20 that performs a heating process on the wafer W and a temperature adjustment processing unit that performs a temperature adjustment process on the wafer W ( CPL) 18 are integrated adjacent to each other and are configured to be stacked in 12 stages. Then, shutter members 47 a and 47 b are provided on the side surfaces of the temperature adjustment processing units of all the heating / temperature adjustment processing units 10. In addition, since the structure of the heating / temperature adjustment processing unit 10 in this embodiment is the same as that of the above-mentioned first embodiment, description thereof is omitted here.
[0120]
Since the structure of the transfer device 19 described above is the same structure as the transfer devices 19a and 19b of the first embodiment described above, description thereof is omitted.
[0121]
Next, processing steps in the coating and developing processing system 1 configured as described above will be described. In addition, since the operation | movement in a heating / temperature control processing unit is the same as that of above-mentioned 1st embodiment, it abbreviate | omits.
[0122]
In the coating and developing system 1, the unprocessed wafer W accommodated in the cassette C is taken out by the wafer transfer body 11 of the cassette station 2, and then the first heating / temperature control heat treatment unit 10 a of the first processing station 3. In the temperature control processing unit (CPL) 18a, the temperature control processing is performed by being placed on the temperature control plate 25.
[0123]
The wafer W that has been subjected to the temperature adjustment processing in the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a is transferred into the antireflection film application unit (BCT) 16 in the antireflection film / resist film application unit (CT) group 13e by the transfer device 19. It is conveyed and a treatment liquid for antireflection film is applied.
[0124]
The wafer W coated with the processing liquid for the antireflection film by the antireflection film coating unit (BCT) 16 is transferred by the transfer device 19 into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a of the first heating / temperature adjustment processing unit 10a. And placed on the temperature control plate 25. The wafer W placed on the temperature control plate 25 is transferred into the heat treatment unit (HP) 20a and subjected to heat treatment.
[0125]
Thereafter, the wafer W is transferred into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a, and the temperature adjustment processing is performed.
[0126]
The wafer W on which the temperature adjustment processing has been performed by the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a is transferred to the resist coating unit (CT) 17 in the antireflection film / resist coating unit group 13e by the transfer device 19, and the resist solution is applied. Is done.
[0127]
The wafer W coated with the resist solution by the resist coating unit (CT) 17 is transferred by the transfer device 19 into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b of the second heating / temperature adjustment processing unit 10b. Further, the wafer W is transferred into the heat treatment unit (HP) 20b and subjected to heat treatment.
[0128]
Thereafter, the wafer W is transferred into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b and subjected to temperature adjustment processing. The wafer W that has been subjected to the temperature adjustment processing by the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b is transferred into the peripheral exposure device 34 by the wafer transfer body 37 in the interface unit 5, and is subjected to peripheral exposure.
[0129]
The wafer W that has been subjected to the peripheral exposure by the peripheral exposure device 34 is transferred to the buffer cassette 33 by the wafer transfer body 37 and temporarily held therein, or the wafer transfer body 37, a pre-exposure temperature control unit (not shown), It is transferred to an exposure apparatus (not shown) via a wafer transfer body.
[0130]
Next, the wafer W that has been subjected to exposure processing by the exposure apparatus is transferred from the interface unit 5 to the second heating / temperature adjustment processing unit of the second processing station 46 via the wafer transfer body, the buffer cassette 33, and the wafer transfer body 37. It is conveyed into the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b of the second heating / temperature adjustment processing unit 10b in the group 14b, and the temperature adjustment processing is performed.
[0131]
The wafer W that has been subjected to the temperature adjustment processing by the temperature adjustment processing unit (CPL) 18b is transferred by the transfer device 19 to the development processing unit (DEV) 26 in the development processing unit group 13f, where development processing is performed.
[0132]
The wafer W that has undergone development processing in the development processing unit (DEV) 26 is transferred by the transfer device 19 to the temperature adjustment processing unit (CPL) 18a of the heating / temperature adjustment processing unit 10a in the first heating / temperature adjustment processing unit group 14a. Then, the heat treatment unit (HP) 20a adjacent to the temperature control unit (CPL) 18a is conveyed to perform the heat treatment.
[0133]
The wafer W that has been subjected to the heat treatment by the heat treatment unit (HP) 20a is transferred to the temperature adjustment processing unit 18a, and further accommodated in the cassette C by the wafer transfer body 11 of the cassette station 2.
[0134]
According to the coating and developing treatment system according to the present embodiment configured as described above, a chemical tower as a processing liquid supply unit is disposed adjacent to the liquid processing unit (BCT, CT, DEV), and adjacent to the chemical tower. The heating / temperature adjustment processing unit is arranged, and the temperature adjustment processing unit (CPL) of the heating / temperature adjustment processing unit is arranged on the chemical tower side, so that the heating treatment unit and liquid treatment of the heating / temperature adjustment processing unit are arranged. A temperature control unit and a chemical tower are interposed between the units. Thereby, the thermal influence from the heat treatment unit on the liquid treatment unit side can be greatly suppressed. In the coating and developing treatment system, the liquid treatment units (BCT, CT, DEV) can be precisely controlled.
[0135]
Furthermore, according to the coating and developing treatment system according to the present embodiment, a liquid processing unit group (antireflection film / resist film coating unit (CT) group 13e, development processing unit group 13f) and a heating / temperature adjustment processing unit group (first group). Between the first and second heating / temperature control processing unit groups 14a and 14b), a passage 40 for circulating the gas exhausted from the lower portions of the heat insulating wall 39 and the liquid processing unit groups 13e and 13f to the upper portion thereof, respectively. Is arranged to prevent the thermal effect of the heating processing unit of the heating / temperature control processing unit on the liquid processing unit group, and to control the temperature in the liquid processing unit group that performs liquid processing on the wafer W near room temperature. It can be done very precisely. Further, the passage 40 has a kind of heat insulation means, and the heat insulation wall 39 and the passage 40 are provided between the second processing unit group 14 and the chemical tower 15, thereby having a structure having double heat insulation means. Become. Therefore, the treatment liquid stored in the chemical tower 15 is not easily affected by the heat treatment unit 20 and can be easily adjusted in temperature.
[0136]
In each of the above embodiments, the wafer W is described as an example of the substrate. However, the present invention can be applied to other substrates such as an LCD substrate.
[0137]
The system configuration of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations are conceivable within the scope of the technical idea of the present invention.
[0138]
For example, the present invention can be applied not only to a resist coating and developing system, but also to other systems such as an SOD (Spin on Dielectric) processing system for forming an interlayer insulating film on a substrate. The SOD processing system has a coating unit that coats an interlayer insulating film material on a substrate and a heating / temperature regulation processing unit that heats and regulates the temperature of the substrate coated with the insulating film material. This heating / temperature control processing unit includes a heating processing unit and a temperature control processing unit provided adjacent to the heating processing unit in the same manner as the heating / temperature control processing unit of the present embodiment. The processing unit has a hot plate capable of setting the temperature to 200 to 470 ° C. In a system having such a high-temperature processing unit and a coating unit as a liquid processing unit, the coating unit and heating / temperature control are arranged so that the temperature control unit is arranged on the coating unit side as in the present invention. It is very effective to arrange processing units. Alternatively, a processing liquid storage unit for storing the processing liquid supplied to the coating unit disposed adjacent to the liquid processing unit is disposed adjacent to the heating / temperature control processing unit, and further the temperature control processing unit is stored in the processing liquid. It is very effective to arrange it so as to be located on the part side. Thereby, the temperature control in the liquid processing unit group can be performed very precisely.
[0139]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, temperature control in the first processing unit group for processing a substrate at around room temperature can be performed precisely.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a coating and developing treatment system according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a front view of the coating and developing treatment system shown in FIG.
3 is a cross-sectional view of a region having the temperature control / heat treatment unit group of FIG. 1 cut along the y direction.
4 is a cross-sectional view when a region having the temperature adjustment processing unit of FIG. 1 is cut along the x direction. FIG.
FIG. 5 is a perspective view illustrating a configuration of a transport device.
FIG. 6 is a plan view showing a configuration of a heating / temperature adjustment processing unit.
7 is a cross-sectional view showing the configuration of the heating / temperature adjustment processing unit shown in FIG. 6;
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a temperature control mechanism configuration.
FIG. 9 is a plan view showing a coating and developing treatment system according to a second embodiment of the present invention.
10 is a front view of the coating and developing treatment system shown in FIG. 9. FIG.
11 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
FIG. 12 is a plan view showing a coating and developing treatment system according to a third embodiment of the present invention.
13 is a front view of the coating and developing treatment system shown in FIG.
14 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG.
[Explanation of symbols]
1 Coating and developing treatment system
10 Heating and temperature control unit
13 First processing unit group
13a Anti-reflection coating unit (BCT) group
13b Resist film coating unit (CT) group
13c First development processing unit group
13d Second development processing unit group
13e Anti-reflective coating / resist coating unit (CT) group
13f Development processing unit group
14 Second processing unit group
14a First heating / temperature control unit group
14b Second heating / temperature control unit group
14c Third heating / temperature control unit group
14d Fourth heating / temperature control unit group
15 Chemical Tower
16 Anti-reflective coating unit (BCT)
17 Resist film coating unit (CT)
18 Temperature control unit
19 Transport device
20 Heat treatment unit
26 Development processing unit
BCT Anti-reflection coating unit (BCT)
CPL temperature control unit
CT resist coating unit (CT)
DEV development processing unit
HP Heat treatment unit
W Wafer W

Claims (8)

基板上に所定の液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と，前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温調部とを水平方向に互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と，前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットとの間の基板の搬送を行う搬送装置とを備え，前記各第２の処理ユニットにおける前記加熱部及び前記温調部のうち前記温調部が前記第１の処理ユニット群側に位置して，前記加熱部と前記第１の処理ユニット群との間に位置するようにしつつ，前記第１の処理ユニット群と前記第２の処理ユニット群とを隣接して配置したことを特徴とする基板処理装置。  A first processing unit group in which a first processing unit for supplying a predetermined liquid to a substrate to perform liquid processing is stacked in multiple stages, a heating unit for performing heat processing on the substrate, and the substrate A second processing unit group in which a second processing unit in which temperature control units for performing temperature control processing are horizontally integrated and adjacent to each other is stacked; the first processing units; and the first processing units. A transfer device that transfers the substrate to and from the second processing unit, and the temperature control unit of the second processing unit is on the first processing unit group side among the heating unit and the temperature control unit The first processing unit group and the second processing unit group are arranged adjacent to each other while being positioned between the heating unit and the first processing unit group. A substrate processing apparatus. 前記第１の処理ユニット群に清浄エアーを供給する清浄エアー供給部を備え，該清浄エアー供給部は，前記第１の処理ユニット群の下部から気体を排気し，該排気された気体を循環させて前記第１の処理ユニット群の上部から温調された気体を吹き出すものであり，更に前記第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断しそれらの領域の間を通るように前記第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。  A clean air supply unit configured to supply clean air to the first processing unit group, wherein the clean air supply unit exhausts gas from a lower portion of the first processing unit group and circulates the exhausted gas; The temperature-controlled gas is blown out from the upper part of the first processing unit group, and an area where the first processing unit group is further arranged and an area where the second processing unit group is arranged 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a passage for circulating the gas exhausted from the lower part of the first processing unit group to the upper part so as to divide and pass between these regions. . 前記第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。  The heat insulation wall is provided so that the area | region where the said 1st process unit group may be arrange | positioned, and the area | region where the said 2nd process unit group is arrange | positioned may be provided. 2. The substrate processing apparatus according to 1. 基板上に所定の液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と，前記第１の処理ユニット群と隣接して配置され，前記各第１の処理ユニットに対して前記所定の液を供給する処理液供給部と，前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温調部とを互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と，前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットとの間の基板の搬送を行う搬送装置とを備え，
平面から見て前記処理液供給部の一の方向の側面に前記第１の処理ユニット群を配置し，前記処理液供給部の前記一の方向に直角の他の方向の側面に前記第２の処理ユニット群を配置し，
前記各第２の処理ユニットにおける前記加熱部及び前記温調部のうち前記温調部が前記処理液供給部側に位置するように，前記処理液供給部と前記第２の処理ユニット群とを隣接して配置したことを特徴とする基板処理装置。A first processing unit group for supplying a predetermined liquid to a substrate and performing liquid processing is arranged in a multistage manner, and is disposed adjacent to the first processing unit group. A processing liquid supply unit that supplies the predetermined liquid to one processing unit, a heating unit that performs heat treatment on the substrate, and a temperature control unit that performs temperature adjustment processing on the substrate are adjacent to each other. A second processing unit group in which the integrated second processing units are stacked in multiple stages, and a transport device that transports a substrate between each of the first processing units and each of the second processing units. With
The first processing unit group is disposed on a side surface in one direction of the processing liquid supply unit when viewed from a plane, and the second side is disposed on a side surface in the other direction perpendicular to the one direction of the processing liquid supply unit. Arrange processing units,
The treatment liquid supply unit and the second treatment unit group are arranged so that the temperature adjustment unit is located on the treatment solution supply unit side among the heating unit and the temperature adjustment unit in each of the second treatment units. A substrate processing apparatus, which is disposed adjacent to each other. 前記第１の処理ユニット群に清浄エアーを供給する清浄エアー供給部を備え，該清浄エアー供給部は，前記第１の処理ユニット群の下部から気体を排気し，該排気された気体を循環させて前記第１の処理ユニット群の上部から温調された気体を吹き出すものであり，更に前記処理液供給部が配置された領域と第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断しそれらの領域の間を通るように前記第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路を有することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。  A clean air supply unit configured to supply clean air to the first processing unit group, wherein the clean air supply unit exhausts gas from a lower portion of the first processing unit group and circulates the exhausted gas; The temperature-controlled gas is blown out from the upper part of the first processing unit group, and the region where the processing liquid supply unit is arranged and the region where the second processing unit group is arranged are divided into those. 5. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising a passage for circulating the gas exhausted from the lower portion of the first processing unit group to the upper portion so as to pass between the regions. 前記処理液供給部が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の基板処理装置。  The heat insulation wall is provided so that the area | region where the said process liquid supply part is arrange | positioned, and the area | region where the said 2nd process unit group is arrange | positioned may be divided. Substrate processing equipment. 基板上に所定の液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と，前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温調部とを水平方向に互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と，前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットとの間の基板の搬送を行う搬送装置とを備え，
平面から見て，前記搬送装置の一の方向の側面に前記第１の処理ユニット群が配置され，前記搬送装置の前記一の方向に直角の他の方向の側面に前記第２の処理ユニット群が配置され，さらに前記第２の処理ユニット群の各第２の処理ユニットの加熱部と温調部は，前記一の方向に向けて並べて配置され，前記温調部が前記第１の処理ユニット群に近い側に配置され，前記加熱部が前記第１の処理ユニット群に遠い側に配置されていることを特徴とする基板処理装置。A first processing unit group in which a first processing unit for supplying a predetermined liquid to a substrate to perform liquid processing is stacked in multiple stages, a heating unit for performing heat processing on the substrate, and the substrate A second processing unit group in which a second processing unit in which temperature control units for performing temperature control processing are horizontally integrated and adjacent to each other is stacked; the first processing units; and the first processing units. A transport device for transporting the substrate between the two processing units,
The first processing unit group is disposed on a side surface in one direction of the transfer device as viewed from above, and the second processing unit group is disposed on a side surface in the other direction perpendicular to the one direction of the transfer device. And the heating unit and the temperature control unit of each second processing unit of the second processing unit group are arranged side by side in the one direction, and the temperature control unit is the first processing unit. A substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus is disposed on a side close to the group, and the heating unit is disposed on a side far from the first processing unit group. 前記第２の処理ユニットの前記温調部は，前記加熱部との間で基板を搬送でき，  The temperature control unit of the second processing unit can transfer a substrate to and from the heating unit,
前記搬送装置は，前記第２の処理ユニットの前記加熱部と前記温調部のうちの前記温調部との間で基板を搬送できることを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。  The said conveyance apparatus can convey a board | substrate between the said heating part of the said 2nd processing unit, and the said temperature control part of the said temperature control parts, The one in any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned. Substrate processing equipment.
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