JP4001834B2 - Gray-tone mask defect inspection method and gray-tone mask manufacturing method - Google Patents

Gray-tone mask defect inspection method and gray-tone mask manufacturing method Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板等を製造するためのグレートーンマスクの、グレートーン部の欠陥検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタ液晶表示装置（以下、ＴＦＴ−ＬＣＤと呼ぶ）は、ＣＲＴに比較して、薄型にしやすく消費電力が低いという利点から、現在商品化が急速に進んでいる。ＴＦＴ−ＬＣＤは、マトリックス状に配列された各画素にＴＦＴが配列された構造のＴＦＴ基板と、各画素に対応して、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、及びブルー（Ｂ）の画素パターンが配列されたカラーフィルターとが、液晶相の介在の下に重ね合わされた概略構造を有する。ＴＦＴ−ＬＣＤでは、製造工程数が多く、ＴＦＴ基板だけでも５〜６枚のフォトマスクを用いて製造されていた。
【０００３】
このような状況の下、ＴＦＴ基板の製造を４枚のフォトマスクを用いて行う方法が提案された（例えば非特許文献１、特許文献１）。
この方法は、遮光部と透光部とグレートーン部を有するフォトマスク（以下、グレートーンマスクという）を用いることにより、使用するマスク枚数を低減するというものである。図３に、グレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程の一例を示す。
ガラス基板１上に、ゲート電極用金属膜が形成され、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィープロセスによりゲート電極２が形成される。その後、ゲート絶縁膜３、第１半導体膜４（ａ-Ｓｉ：アモルファスシリコン）、第２半導体膜５（Ｎ+ドープａ-Ｓｉ）、ソースドレイン用金属膜６、フォトレジスト膜７が形成される（図３（１））。次に、グレートーンマスク８を用いて、ポジ型フォトレジストを露光し、現像することにより、ＴＦＴチャネル部及びソースドレイン形成領域と、データライン形成領域を覆い、かつチャネル部形成領域がソースドレイン形成領域よりも薄くなるように第１レジストパターン７ａが形成される（図３（２））。次に、第１レジストパターン７ａをマスクに、ソースドレイン金属膜６及び第１、第２半導体膜５，４をエッチングする（図３（３））。次に、チャネル部形成領域の薄いレジスト膜を酸素によるアッシングにより除去し、第２レジストパターン７ｂを形成する（図４（１））。しかる後、第２レジストパターン７ｂをマスクに、ソースドレイン用金属膜６がエッチングされ、ソース／ドレイン６ａ、６ｂが形成され、次いで第２半導体膜４をエッチングし（図４（２））、最後に残存した第２レジストパターン７ｂを剥離する（図４（３））。ここで用いられるグレートーンマスク８としては、図５に示されるように、ソース／ドレインに対応する遮光部１１ａ、１１ｂと、透過部１２と、チャネル部に対応するグレートーン部１３とを有する。グレートーン部１３は、グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界以下の遮光パターン１３ａを形成した領域である。遮光部１１ａ、１１ｂと遮光パターン１３ａはともにＣｒやクロム化合物等の同じ材料からなる同じ厚さの膜から通常形成されている。グレートーンマスクを使用する大型ＬＣＤ用露光機の解像限界は、ステッパ方式の露光機で約３μｍ、ミラープロジェクション方式の露光機で約４μｍである。このため、例えば、図５でグレートーン部における透過部１３ｂのスペース幅を３μｍ未満、露光機の解像限界以下の遮光パターン１３ａのライン幅を３μｍ未満とする。
【０００４】
ところで、上記のようなグレートーンマスクにおけるグレートーン部は、微細パターンの加工が容易ではないことや、製造工程中に発生するごみなどが大きく影響してしまうことなどの理由から、遮光パターン１３ａの細り、太りなどのＣＤエラーや余剰パターンや欠落パターンからなるパターン欠陥など（以下、パターンの太りや余剰パターン欠陥等を、黒欠陥と称し、パターンの細りや欠落欠陥等を白欠陥と称す）が発生してしまう。
そこで、許容範囲を超えてしまうような上記欠陥については、パターン修正が施されるが、グレートーン部のパターンが微細であるために、正常パターンと同じように復元することは非常に困難であった。この問題を解決するために、正常パターンと同じ形状を復元せずに、正常パターンと同等のグレートーン効果が得られるような修正パターンを形成することにより、グレートーン部の修正を行うことが、特許文献２に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１１１９５８
【特許文献２】
特開２００２−１０７９１３
【非特許文献１】
月刊ＦＰＤ Intelligence、p.31-35、1999年５月
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような特許文献２のような修正方法を用いても、修正パターンを正常パターンと同等の効果となるようなレベルに修正精度を上げることは非常に難しく、グレートーンマスクの歩留まりを悪化させるという課題があった。一方で、ＴＦＴ基板において発生する欠陥の一つとして、例えばソースとドレインのショートが挙げられる。従って、前記ソースとドレインの間に介在するチャネル部を形成するために用いられるグレートーンマスクにおいて、チャネル部に対応するグレートーン部の加工精度は非常に重要な要素となる。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、グレートーンマスク製造の歩留まりを低下させずに、ＴＦＴ基板における欠陥の発生を防ぐことが可能なグレートーンマスクを保証することが可能な、グレートーンマスクの欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は以下の構成を有する。
（構成１） 薄膜トランジスタ基板の製造工程で使用するグレートーンマスクであって、遮光部と、透光部と、グレートーン部を有するグレートーンマスクの検査方法において、
前記方法は、所定の許容範囲を超える欠陥レベルの黒欠陥及び／又は白欠陥を有するマスクを不良として抽出するグレートーン部の欠陥検査工程を含み、
前記所定の許容範囲は、黒欠陥よりも白欠陥の方が大きいこと（白欠陥の閾値を比較的大きく（ゆるく）し、黒欠陥の閾値を比較的小さく（厳しく）すること）を特徴とするグレートーンマスクの欠陥検査方法。
（構成２） 前記グレートーン部が、グレートーンマスクを使用する露光光の露光機の解像限界以下の遮光パターンが形成された領域であることを特徴とする構成１に記載のグレートーンマスクの欠陥検査方法。
（構成３） 前記グレートーン部が、薄膜トランジスタ基板のチャネル部に対応するパターンであることを特徴とする構成１又は２に記載のグレートーンマスクの欠陥検査方法。
（構成４） 前記グレートーンマスクは、グレートーン部に欠陥修正が施された後のグレートーンマスクであることを特徴とする構成１〜３から選ばれる一項に記載のグレートーンマスクの欠陥検査方法。
（構成５） 前記欠陥修正部分は、前記所定の許容範囲内の欠陥レベルの白欠陥パターンとなるように修正されたものであることを特徴とする構成４に記載のグレートーンマスクの欠陥検査方法。
（構成６）
構成１〜５から選ばれる一項に記載のグレートーンマスクの欠陥検査方法からなる工程を含むことを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明は、グレートーン部の欠陥検査における欠陥閾値を、黒欠陥側より白欠陥側の方が大きくしたというものである。そうすることによって、グレートーンマスク製造の歩留まりを低下させずに、ＴＦＴ基板における欠陥の発生を防ぐことが可能なグレートーンマスクを保証することができる。具体的には、前記ソースとドレインの間に介在するチャネル部を形成する際に、チャネル部に対応するグレートーンマスクのグレートーン部に黒欠陥が存在すると、グレートーンマスクを用いた露光の際にグレートーン部の黒欠陥部分に対応するレジスト膜が所望の膜厚よりも厚くなり、そのレジスト膜をアッシングした際にレジスト膜が除去しきれず残留してしまうことになる。その結果、チャネル部においてソースドレイン金属膜が余剰欠陥として残留してしまい、ソースとドレインのショートにつながる恐れがある。一方、グレートーン部に白欠陥が発生していたとしても、さほど問題とはならない。従って、グレートーンマスクにおけるグレートーン部においては、白欠陥の閾値を比較的大きく（ゆるく）し、黒欠陥の閾値を比較的小さく（厳しく）することによって、ＴＦＴの欠陥発生を防止することができる。また、欠陥修正を行う場合も、白欠陥の閾値を比較的大きくすることとしている結果として、修正パターンを、白欠陥パターン側の修正パターンとすることができるため、修正が比較的容易となる。つまり、正常な白欠陥側欠陥閾値では白欠陥パターンとなってしまうような修正パターンに修正しても、白欠陥の閾値を比較的大きくすることとしているので、白欠陥パターンと認識されず、従って修正に要求される許容範囲が広がるので、修正が比較的容易となる。
本発明は、グレートーン部に黒欠陥が発生すると重大な問題となる恐れがあり、グレートーン部に白欠陥が発生していたとしてもさほど問題とはならない製造工程で使用されるグレートーンマスクの検査方法において、グレートーン部の欠陥検査における欠陥閾値を、黒欠陥側は正常な欠陥閾値とし、白欠陥側は正常な欠陥閾値よりも欠陥閾値を下げたものであると表現できる。
【０００９】
【実施例】
（実施例１）：グレートーン部の検査
グレートーンマスクを用いてレジスト膜にパターン転写を行い、現像した後のレジスト膜の膜厚（遮光部に対応するレジスト膜を１００としたときのグレートーン部に対応するレジスト膜）をシミュレーションによって求めた。グレートーン部に対応するレジスト膜は理想的には、４０〜５０である。従来のグレートーン部の欠陥検査工程では、所定の許容範囲を超える欠陥レベルの黒欠陥及び／又は白欠陥を有するマスクを不良として抽出する際の前記所定の許容範囲として、欠陥閾値を、黒欠陥側を５０、白欠陥側を４０として欠陥検査検査を行っていた。
今回、欠陥閾値を、黒欠陥側を５０、白欠陥側を３０として欠陥検査検査を行った。その結果、高い歩留まりでグレートーンマスクを製造することができ、かつ、ＴＦＴ基板における欠陥も発生しなかった。
【００１０】
（実施例２）：グレートーンマスクの修正
図１（１）に示されるように、パターンの一部が欠落した白欠陥が発生したグレートーン部に、図１（２）に示されるように、正常な白欠陥側欠陥閾値では白欠陥パターンとなるような修正パターン（本発明では、白欠陥パターン側の修正パターンという）をレーザＣＶＤを用いて施した。このように修正したグレートーンマスクのグレートーン部について、上記と同様の欠陥閾値で同様の欠陥検査を行った結果、欠陥レベルは許容範囲内に納まった。
【００１１】
（比較例１）
実施例２と同様の、パターンの一部が欠落した欠陥が発生したグレートーン部に、正常パターンと同一線幅の修正パターンの形成を実施例２と同様にレーザーＣＶＤを用いて試みた。しかしながら、図２に示されるように、線幅が太ってしまった。このように修正したグレートーンマスクのグレートーン部について、上記と同様の欠陥閾値で同様の検査を行った結果、欠陥レベルが許容範囲に納まらなかった。
【００１２】
尚、グレートーンマスクの検査や修正は、上記手法に限られるものではない。また、グレートーン部については、微細パターンが形成されたものに限らず、半透過膜を用いたものであってもよい。
さらに、本発明のグレートーンマスクは、従来技術に示した工程に用いられるものに限らず、他のＴＦＴ基板製造工程に用いられるものであってもよい。
【００１３】
【発明の効果】
本発明によれば、グレートーンマスク製造の歩留まりを低下させずに、ＴＦＴ基板における欠陥の発生を防ぐことが可能なグレートーンマスクを保証することが可能な、グレートーンマスクの欠陥検査方法を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例２におけるグレートーンマスクの修正について説明するための図であり、図１（１）は白欠陥が発生したグレートーン部を説明するための模式図、図１（１）は正常な白欠陥側欠陥閾値では白欠陥パターンとなる修正パターンを形成した状態を説明するための模式図である。
【図２】図２（１）は、図１（１）に示す白欠陥が発生したグレートーン部について、比較例１で形成した修正パターンを説明するための模式図である。
【図３】グレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程（前半）の一例を説明するための図である。
【図４】グレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程（後半）の一例を説明するための図である。
【図５】グレートーンマスクを説明するための模式図である。
【符号の説明】
１１ａ，ｂ 遮光部
１２ 透過部
１３ グレートーン部
１３ａ 遮光パターン
１３ｂ 透過部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a defect inspection method for a gray-tone portion of a gray-tone mask for manufacturing a thin film transistor substrate for a liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
Thin film transistor liquid crystal display devices (hereinafter referred to as TFT-LCDs) are currently being rapidly commercialized due to the advantage that they are thinner and have lower power consumption than CRTs. The TFT-LCD includes a TFT substrate having a structure in which TFTs are arranged in pixels arranged in a matrix, and pixel patterns of red (R), green (G), and blue (B) corresponding to each pixel. And a color filter in which the are arranged have a schematic structure in which they are superimposed under the interposition of a liquid crystal phase. In TFT-LCD, the number of manufacturing processes is large, and the TFT substrate alone is manufactured using 5 to 6 photomasks.
[0003]
Under such circumstances, a method of manufacturing a TFT substrate using four photomasks has been proposed (for example, Non-Patent Document 1 and Patent Document 1).
In this method, the number of masks to be used is reduced by using a photomask having a light shielding portion, a light transmitting portion, and a gray tone portion (hereinafter referred to as a gray tone mask). FIG. 3 shows an example of a manufacturing process of a TFT substrate using a gray tone mask.
A metal film for a gate electrode is formed on the glass substrate 1, and the gate electrode 2 is formed by a photolithography process using a photomask. Thereafter, the gate insulating film 3, the first semiconductor film 4 (a-Si: amorphous silicon), the second semiconductor film 5 (N + doped a-Si), the source / drain metal film 6, and the photoresist film 7 are formed. (FIG. 3 (1)). Next, the gray-tone mask 8 is used to expose and develop the positive type photoresist to cover the TFT channel portion, the source / drain formation region, and the data line formation region, and the channel portion formation region forms the source / drain. A first resist pattern 7a is formed so as to be thinner than the region (FIG. 3B). Next, the source / drain metal film 6 and the first and second semiconductor films 5 and 4 are etched using the first resist pattern 7a as a mask (FIG. 3 (3)). Next, the thin resist film in the channel portion formation region is removed by ashing with oxygen to form a second resist pattern 7b (FIG. 4A). Thereafter, using the second resist pattern 7b as a mask, the source / drain metal film 6 is etched to form the source / drains 6a and 6b, and then the second semiconductor film 4 is etched (FIG. 4 (2)). The remaining second resist pattern 7b is peeled off (FIG. 4 (3)). As shown in FIG. 5, the gray tone mask 8 used here includes light shielding portions 11a and 11b corresponding to the source / drain, a transmission portion 12, and a gray tone portion 13 corresponding to the channel portion. The gray tone portion 13 is an area in which a light shielding pattern 13a that is below the resolution limit of a large LCD exposure machine that uses a gray tone mask is formed. Both the light-shielding portions 11a and 11b and the light-shielding pattern 13a are usually formed from films of the same thickness made of the same material such as Cr or a chromium compound. The resolution limit of a large LCD exposure machine using a gray tone mask is about 3 μm for a stepper type exposure machine and about 4 μm for a mirror projection type exposure machine. For this reason, for example, in FIG. 5, the space width of the transmissive portion 13b in the gray tone portion is less than 3 μm, and the line width of the light shielding pattern 13a below the resolution limit of the exposure machine is less than 3 μm.
[0004]
By the way, the gray tone portion in the gray tone mask as described above is not easy to process a fine pattern, and the dust generated during the manufacturing process greatly influences the light shielding pattern 13a. CD errors such as thinning and thickening, and pattern defects consisting of surplus patterns and missing patterns (hereinafter, pattern thickening and surplus pattern defects are referred to as black defects, and pattern thinning and missing defects are referred to as white defects). Will occur.
Therefore, the above-mentioned defect that exceeds the allowable range is subjected to pattern correction. However, since the gray tone pattern is fine, it is very difficult to restore it as a normal pattern. It was. In order to solve this problem, it is possible to correct the gray tone part by forming a correction pattern that can obtain the same gray tone effect as the normal pattern without restoring the same shape as the normal pattern. It is described in Patent Document 2.
[0005]
[Patent Document 1]
JP 2000-11958
[Patent Document 2]
JP 2002-107913
[Non-Patent Document 1]
Monthly FPD Intelligence, p.31-35, May 1999 [0006]
[Problems to be solved by the invention]
Even if the correction method as described in Patent Document 2 is used, it is very difficult to raise the correction accuracy to a level at which the correction pattern has the same effect as the normal pattern, and the yield of the gray-tone mask is deteriorated. There was a problem. On the other hand, one of the defects generated in the TFT substrate is, for example, a short circuit between the source and the drain. Therefore, in the gray tone mask used for forming the channel portion interposed between the source and the drain, the processing accuracy of the gray tone portion corresponding to the channel portion is a very important factor.
The present invention has been made to solve the above-described problems, and can guarantee a gray-tone mask capable of preventing the occurrence of defects in a TFT substrate without reducing the yield of gray-tone mask manufacturing. An object of the present invention is to provide a possible gray-tone mask defect inspection method.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has the following configuration.
(Configuration 1) In a gray-tone mask used in a manufacturing process of a thin film transistor substrate, in a gray-tone mask inspection method having a light-shielding portion, a light-transmitting portion, and a gray-tone portion,
The method includes a defect inspection step of a gray tone portion for extracting a mask having a black defect and / or a white defect having a defect level exceeding a predetermined tolerance as a defect,
The predetermined allowable range is characterized in that a white defect is larger than a black defect (a white defect threshold is relatively large (loose) and a black defect threshold is relatively small (strict)). Gray tone mask defect inspection method.
(Structure 2) The gray tone mask according to Structure 1, wherein the gray tone portion is an area in which a light shielding pattern having a resolution equal to or less than a resolution limit of an exposure device using a gray tone mask is formed. Defect inspection method.
(Configuration 3) The gray-tone mask defect inspection method according to Configuration 1 or 2, wherein the gray tone portion is a pattern corresponding to a channel portion of a thin film transistor substrate.
(Configuration 4) The gray-tone mask defect inspection according to one of the configurations 1 to 3, wherein the gray-tone mask is a gray-tone mask after a gray-tone portion is subjected to defect correction. Method.
(Configuration 5) The defect inspection method for a gray tone mask according to Configuration 4, wherein the defect correction portion is corrected so as to be a white defect pattern having a defect level within the predetermined allowable range. .
(Configuration 6)
A method for producing a gray-tone mask, comprising a step comprising a defect inspection method for a gray-tone mask according to one of the items 1 to 5 selected from configurations 1 to 5.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention is such that the defect threshold value in the defect inspection of the gray tone portion is larger on the white defect side than on the black defect side. By doing so, it is possible to guarantee a gray tone mask capable of preventing the occurrence of defects in the TFT substrate without reducing the yield of gray tone mask manufacturing. Specifically, when forming a channel portion interposed between the source and the drain, if a black defect exists in the gray tone portion of the gray tone mask corresponding to the channel portion, the exposure using the gray tone mask is performed. In addition, the resist film corresponding to the black defect portion of the gray tone portion becomes thicker than a desired film thickness, and when the resist film is ashed, the resist film cannot be completely removed and remains. As a result, the source / drain metal film remains as a surplus defect in the channel portion, which may lead to a short circuit between the source and the drain. On the other hand, even if a white defect occurs in the gray tone portion, it does not matter so much. Therefore, in the gray tone portion of the gray tone mask, the defect generation of the TFT can be prevented by making the threshold value of the white defect relatively large (loose) and the threshold value of the black defect relatively small (strict). . Further, when defect correction is performed, the correction pattern can be a correction pattern on the white defect pattern side as a result of relatively increasing the threshold of white defects, so that correction is relatively easy. In other words, even if a correction pattern is corrected so that a white defect pattern becomes a white defect pattern at the normal white defect side defect threshold, the white defect threshold is relatively large, so it is not recognized as a white defect pattern. Since the allowable range required for the correction is widened, the correction is relatively easy.
The present invention may cause a serious problem when a black defect occurs in a gray tone portion. In the inspection method, the defect threshold value in the defect inspection of the gray tone portion can be expressed as a normal defect threshold value on the black defect side and a defect threshold value lower than the normal defect threshold value on the white defect side.
[0009]
【Example】
(Embodiment 1): Inspection of gray tone portion Pattern transfer onto a resist film using a gray tone mask and development of the resist film thickness (gray tone when the resist film corresponding to the light shielding portion is 100) The resist film corresponding to the portion was determined by simulation. The resist film corresponding to the gray tone portion is ideally 40-50. In a conventional gray tone defect inspection process, a defect threshold is set as the predetermined tolerance when extracting a mask having a black defect and / or white defect with a defect level exceeding a predetermined tolerance as a defect. The defect inspection was performed with 50 on the side and 40 on the white defect side.
This time, the defect threshold was set to 50 on the black defect side and 30 on the white defect side, and the defect inspection inspection was performed. As a result, a gray-tone mask can be manufactured with a high yield, and defects in the TFT substrate did not occur.
[0010]
(Example 2): Modification of gray tone mask As shown in FIG. 1 (1), in the gray tone portion where a white defect in which a part of the pattern is missing occurs, as shown in FIG. A correction pattern (in the present invention, referred to as a correction pattern on the white defect pattern side) that gives a white defect pattern at a normal white defect side defect threshold was applied using laser CVD. The gray level portion of the gray tone mask thus corrected was subjected to the same defect inspection with the same defect threshold as described above. As a result, the defect level was within the allowable range.
[0011]
(Comparative Example 1)
Similar to Example 2, an attempt was made to form a correction pattern having the same line width as that of the normal pattern using laser CVD in the gray tone portion where a defect in which a part of the pattern was lost occurred. However, the line width has increased as shown in FIG. The gray tone portion of the gray tone mask thus corrected was subjected to the same inspection with the same defect threshold as described above. As a result, the defect level did not fall within the allowable range.
[0012]
The inspection and correction of the gray tone mask are not limited to the above method. In addition, the gray tone portion is not limited to the one in which the fine pattern is formed, and may be one using a semi-transmissive film.
Furthermore, the gray tone mask of the present invention is not limited to the process used in the prior art, but may be used in other TFT substrate manufacturing processes.
[0013]
【The invention's effect】
According to the present invention, there is provided a gray-tone mask defect inspection method capable of guaranteeing a gray-tone mask capable of preventing the occurrence of defects in a TFT substrate without reducing the yield of gray-tone mask manufacturing. I was able to.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A and 1B are diagrams for explaining correction of a gray tone mask according to a second embodiment. FIG. 1A is a schematic diagram for explaining a gray tone portion where a white defect has occurred, and FIG. It is a schematic diagram for demonstrating the state in which the correction pattern used as a white defect pattern was formed in the normal white defect side defect threshold value.
FIG. 2 (1) is a schematic diagram for explaining a correction pattern formed in Comparative Example 1 for the gray tone portion where the white defect shown in FIG. 1 (1) has occurred.
FIG. 3 is a diagram for explaining an example of a manufacturing process (first half) of a TFT substrate using a gray-tone mask.
FIG. 4 is a diagram for explaining an example of a manufacturing process (second half) of a TFT substrate using a gray tone mask.
FIG. 5 is a schematic diagram for explaining a gray-tone mask.
[Explanation of symbols]
11a, b Light-shielding part 12 Transmission part 13 Gray tone part 13a Light-shielding pattern 13b Transmission part

Claims (6)

薄膜トランジスタ基板の製造工程で使用するグレートーンマスクであって、遮光部と、透光部と、グレートーン部を有するグレートーンマスクの検査方法において、
前記方法は、所定の許容範囲を超える欠陥レベルの黒欠陥及び／又は白欠陥を有するマスクを不良として抽出するグレートーン部の欠陥検査工程を含み、
前記所定の許容範囲は、黒欠陥よりも白欠陥の方が大きいことを特徴とするグレートーンマスクの欠陥検査方法。A gray tone mask used in a manufacturing process of a thin film transistor substrate, in a gray tone mask inspection method having a light shielding portion, a light transmitting portion, and a gray tone portion,
The method includes a defect inspection step of a gray tone portion for extracting a mask having a black defect and / or a white defect having a defect level exceeding a predetermined tolerance as a defect,
2. The gray-tone mask defect inspection method according to claim 1, wherein the predetermined tolerance is larger for white defects than for black defects. 前記グレートーン部が、グレートーンマスクを使用する露光光の露光機の解像限界以下の遮光パターンが形成された領域であることを特徴とする請求項１に記載のグレートーンマスクの欠陥検査方法。2. The gray-tone mask defect inspection method according to claim 1, wherein the gray-tone portion is a region where a light-shielding pattern having a resolution lower than a resolution limit of an exposure device using a gray-tone mask is formed. . 前記グレートーン部が、薄膜トランジスタ基板のチャネル部に対応するパターンであることを特徴とする請求項１又は２に記載のグレートーンマスクの欠陥検査方法。3. The gray tone mask defect inspection method according to claim 1, wherein the gray tone portion is a pattern corresponding to a channel portion of a thin film transistor substrate. 前記グレートーンマスクは、グレートーン部に欠陥修正が施された後のグレートーンマスクであることを特徴とする請求項１〜３から選ばれる一項に記載のグレートーンマスクの欠陥検査方法。4. The defect inspection method for a gray tone mask according to claim 1, wherein the gray tone mask is a gray tone mask after defect correction is performed on a gray tone portion. 5. 前記欠陥修正部分は、前記所定の許容範囲内の欠陥レベルの白欠陥パターンとなるように修正されたものであることを特徴とする請求項４に記載のグレートーンマスクの欠陥検査方法。5. The gray-tone mask defect inspection method according to claim 4, wherein the defect correction portion is corrected so as to be a white defect pattern having a defect level within the predetermined allowable range. 請求項１〜５から選ばれる一項に記載のグレートーンマスクの欠陥検査方法からなる工程を含むことを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。A method for producing a gray-tone mask, comprising a step comprising the defect inspection method for a gray-tone mask according to claim 1 selected from claims 1 to 5.
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