JP3997462B2 - Photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist using the same, photosensitive coverlay film for flexible printed wiring board, and photosensitive coverlay film for head of hard disk device of personal computer - Google Patents

Photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist using the same, photosensitive coverlay film for flexible printed wiring board, and photosensitive coverlay film for head of hard disk device of personal computer Download PDF

Info

Publication number
JP3997462B2
JP3997462B2 JP2001346460A JP2001346460A JP3997462B2 JP 3997462 B2 JP3997462 B2 JP 3997462B2 JP 2001346460 A JP2001346460 A JP 2001346460A JP 2001346460 A JP2001346460 A JP 2001346460A JP 3997462 B2 JP3997462 B2 JP 3997462B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensitive
dry film
film resist
photosensitive dry
resin composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001346460A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003149802A (en
Inventor
好史 岡田
薫 高河原
俊夫 山中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaneka Corp
Original Assignee
Kaneka Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaneka Corp filed Critical Kaneka Corp
Priority to JP2001346460A priority Critical patent/JP3997462B2/en
Priority to CNB028239911A priority patent/CN1324402C/en
Priority to US10/493,364 priority patent/US7141614B2/en
Priority to PCT/JP2002/011070 priority patent/WO2003038526A1/en
Priority to KR1020047006521A priority patent/KR100589067B1/en
Priority to TW91132035A priority patent/TW200300519A/en
Publication of JP2003149802A publication Critical patent/JP2003149802A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3997462B2 publication Critical patent/JP3997462B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive dry film using a polyimide resin expected to exhibit good physical properties in place of conventional photosensitive dry films each using an acrylic resin as a binder polymer. SOLUTION: A photosensitive dry film resist which can be exposed with an ordinary exposer and can finely be patterned is provided by using a photosensitive resin composition comprising (A) a soluble polyimide, (B) a compound having a carbon-carbon double bond and (C) a photoreaction initiator as essential components, wherein the component (C) absorbs light of 400-450 nm wavelength and generates a radical.

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、通常の露光機により、露光可能なポリイミド系樹脂を用いる感光性樹脂組成物に関するものであって、その感光性樹脂組成物を用いたドライフィルム、特にフレキシブルプリント配線板用の感光性カバーレイフィルムに関する。
【0002】
ここで感光性ドライフィルムレジストには、大きく分けて、▲1▼銅の回路を形成するためのエッチングレジストの役割を果たした後に最終的には剥離されるフィルム状フォトレジストもあれば、▲2▼プリント配線板などの回路の絶縁保護フィルムおよびフィルム状フォトレジストの二つの役割を果たす感光性カバーレイフィルムの2種類がある。
【0003】
とくに後者は、フレキシブルプリント配線板やパソコンのハードディスク装置のヘッド部分に使用される感光性カバーレイフィルムにも好適である。更に詳しくは、可溶性ポリイミド、400nm〜450nmの波長を吸収してラジカルを発生する光反応開始剤、アクリル系化合物を用いて作製される感光性ドライフィルムレジストに関する。
【0004】
【従来の技術】
フレキシブルプリント配線板用カバーレイは、銅貼積層板(CCL)を用いて形成されたフレキシブルプリント配線板の導体回路パターンの回路保護あるいは屈曲特性の向上を目的に使用される。 このカバーレイフィルムとしては、従来片面に接着剤のついたポリイミドフィルム等からなるカバーフィルムを所定の位置に穴あけ加工して、回路を形成したCCLの上に熱ラミネートもしくはプレスなどにより積層する方法が一般的である。しかし、プリント配線板の配線の微細化が進むにつれ、カバーフィルムに回路の端子部や部品との接合部に穴や窓をあけてからCCL上の回路と位置合わせをする方法は、作業性や位置精度の点から限界があり、歩留まりが悪いという問題があった。
【0005】
また、回路を形成したCCL上に片面に接着剤のついたポリイミドフィルム等からなるカバーフィルムを熱圧着した後に、レーザーエッチングやプラズマエッチングなどの方法により所定の位置にカバーフィルムのみに穴をあける方法もあるが、位置精度は大変良好であるものの、穴あけに時間がかかり、装置や運転コストが高いという欠点がある。
【0006】
これらの課題を解決するために、カバーレイフィルムとして感光性樹脂組成物、特に感光性カバーレイフィルムを用いる方法がある。この方法では、感光性樹脂組成物を回路が形成されたCCL上に塗布して感光性カバーレイ層を形成、もしくは感光性カバーレイフィルムを回路が形成されたCCL上に熱圧着し、フォトマスクパターンをのせて露光し、ベースフィルムを剥離、アルカリ現像することにより、所定の位置に精度良く穴をあけることができる。さらに必要に応じて熱硬化させてカバーレイフィルムとする。すなわち感光性カバーレイフィルムは、フィルム状フォトレジストおよび絶縁保護フィルムとしての役割を果たす。
【0007】
とくに、ドライフィルムタイプの感光性カバーレイフィルムを用いると、感光性樹脂を塗布する方法に比べて、塗布・乾燥の手間と時間が省け、現像により多数の穴あけを一度に行うことが可能であるので、FPCの製造工程を早く進めることができる。
【0008】
最近、アクリル系樹脂を主成分とする感光性カバーレイフィルムが上市されているが(特開平7−278492、特開平07−253667、特開平10−254132、特開平10−115919)、半田耐熱性や耐折性、電気絶縁性に問題があり、改善が望まれている。
【0009】
そこで、本発明者らはポリイミドを主成分とすればこれらの問題点を改善できると考え、感光性カバーレイを開発することにした。通常、感光性ポリイミドは、ポリアミド酸等のポリイミド前駆体を用い、前駆体の状態で露光現像後、250℃以上に過熱してポリイミドとする。しかし、一般的なFPC用カバーレイと用いる場合、250℃以上の高温に加熱すれば、銅の結晶構造が変化し、銅回路が劣化したり、ポリイミド以外の接着剤などが劣化するため好ましくない。よって、本系は既にイミド化したポリイミドを用いる。
【0010】
通常、ポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物とジアミンから合成される。芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンから得られるポリイミドは、高分子量のポリイミドを得やすく好ましい。脂肪族テトラカルボン酸二無水物は、反応性が低く高分子量のポリイミドを得ることは困難である。また、脂肪族のジアミンは塩基性が強く、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を合成する際に、塩として溶液系から沈殿してしまうため、高分子量のポリイミドを得ることは困難である。よって、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンから得られるポリイミドを用いることが好ましい。
【0011】
汎用の露光機は、通常、水銀ランプやメタルハライドランプ等が用いられ、i線(365nm)やh線(405nm)やg線(436nm)を含む。芳香族テトラカルボン酸と芳香族ジアミンを含むポリイミドは、π共役による吸収によりi線を吸収する。よって、h線・g線で効率よくラジカルを発生しうる光反応開始剤との組合わせが必要となった。
【0012】
そこで本発明者らはかかる実状に鑑み、上記従来の問題点を解決するため、可溶性ポリイミドとアクリル系化合物に加えて、400nm〜450nmの波長を吸収してラジカルを発生する光反応開始剤を原料に用いた感光性カバーレイフィルムを開発した。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、フレキシブルプリント配線板用カバーレイとして、可溶性ポリイミドを必須成分とする感光性樹脂組成物および感光性カバーレイフィルムを提供するものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
かかる本発明の目的は、以下の構成をとることにより達成される。
(1)(A)可溶性ポリイミド、(B)炭素−炭素二重結合を有する化合物、(C)光反応開始剤を必須成分として含有し、(C)成分が400nm〜450nmの波長の光を吸収してラジカルを発生することを特徴とする感光性樹脂組成物。
(2)(C)光反応開始剤が、4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノンと色素を含有することを特徴とする請求項1記載の感光性樹脂組成物。
(3)(C)光反応開始剤が、アシルフォスフィンオキサイド系化合物であることを特徴とする請求項1記載の感光性樹脂組成物。
(4)請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物からなる感光性ドライフィルムレジスト。
(5)請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジストであって、アルカリ水溶液で現像できることを特徴とする感光性ドライフィルムレジスト。
(6)請求項4〜5のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジストと支持体フィルムが積層されてなる、二層構造シートからなる感光性ドライフィルムレジスト。
(7)請求項6に記載の二層構造シートからなる感光性ドライフィルムレジストと保護フィルムが積層されてなる、三層構造シートからなる感光性ドライフィルムレジスト。
(8)感光性ドライフィルムレジストに含有される感光性樹脂組成物のBステージ状態の圧着可能温度が20℃〜150℃であることを特徴とする上記請求項4〜7のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジスト。
(9)感光性ドライフィルムレジストに含有される感光性樹脂組成物の銅に対する、20℃における粘着強度が5Pa・m以上である上記請求項4〜8のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジスト。
(10)請求項4〜9のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジストを用いてなる、フレキシブルプリント配線板用感光性カバーレイフィルム。
(11)フレキシブルプリント配線板用感光性カバーレイフィルムに用いる、請求項4〜10のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジスト。
(12)請求項4〜11のいずれかに記載の感光性ドライフィルムレジストを用いてなる、パソコンのハードディスク装置のヘッド用感光性カバーレイフィルム。
(13)パソコンのハードディスク装置のヘッド用感光性カバーレイフィルムに用いる、請求項4〜12のいずれかに記載の感光性ドライフィルムレジスト。本発明は、通常の露光機により、露光可能なポリイミド系樹脂を用いる感光性樹脂組成物に関するものであって、その感光性樹脂組成物を用いることにより微細なパターンをフレキシブルプリント配線板に描くことができる。なお、可溶性ポリイミドとは、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、o−、m−、またはp−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール系溶媒、ブチルセロソルブ等のセロソルブ系あるいはヘキサメチルホスホルアミド、ブチロラクトンなどの溶媒100gに、20℃から50℃で1g以上溶解するものをいう。望ましくは、上記溶媒100gに20℃から50℃で5g以上、さらに望ましくは10g以上溶解するものがよい。溶解性が低すぎると、所望の厚みの感光性フィルムの作製が困難になるおそれがある。
【0015】
可溶性ポリイミドは、例えば以下の製法により作製される。
【0016】
可溶性ポリイミドとするためには、原料の酸二無水物・ジアミンの構造を選定する必要がある。特にエーテル結合・カルボニル・スルフォン・スルフィド等の屈曲基を持つ酸二無水物・ジアミンを用いることが有効である。ジアミンに関しては、メタ位或いはオルト位置にアミノ基を有しても、また側鎖を有しても溶解性は向上する。シロキサン結合を持つシリコンジアミンを用いても溶解性の向上をはかることができる。また、屈曲基を持たなくても、2,3,3’,4‘−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物のように非対称形の構造を有するものも溶解性を向上させるのに有用である。個々の構造については、後に記載する。
【0017】
本発明に用いられる可溶性ポリイミドは、その前駆体であるポリアミド酸から得ることができるが、ポリアミド酸は、有機溶剤中ジアミンと酸二無水物と反応させることにより得られる。アルゴン、窒素等の不活性雰囲気中において、ジアミンを有機溶媒中に溶解あるいは、スラリー状に拡散させ、酸二無水物を有機溶媒に溶解、スラリー状に拡散させた状態、あるいは固体の状態で添加する。
この場合のジアミンと酸二無水物が実質上等モルであれば、酸成分1種・ジアミン成分1種のポリアミド酸になるが、それぞれ2種以上の酸二無水物成分及びジアミン成分を用い、ジアミン成分全量と酸ニ無水物成分全量のモル比を実質上等モルに調整してポリアミド酸共重合体を任意に得ることもできる。
【0018】
例えば、ジアミン成分−1及びジアミン成分−2を有機極性溶媒中に先に加えておき、ついで酸二無水物成分を加えて、ポリアミド酸重合体の溶液としてもよい。また、ジアミン成分−1を有機極性溶媒中に先に加えておき、酸二無水物成分を加え、しばらく攪拌してからジアミン成分−2を加え、ポリアミド酸重合体の溶液としてもよい。もしくは、酸二無水物成分を有機極性溶媒中に先に加えておき、ジアミン成分−1を加え、しばらく攪拌してからジアミン成分−2を加え、さらにしばらく攪拌してからジアミン成分−3を加えて、ポリアミド酸重合体の溶液としてもよい。
【0019】
この時の反応温度は、−20℃〜90℃が望ましい。反応時間は30分から24時間程度である。
ここで、ポリアミド酸の平均分子量は5000〜1000000であることが望ましい。平均分子量が5000未満では、できあがったポリイミド組成物の分子量も低くなり、そのポリイミド組成物をそのまま用いても樹脂が脆くなる傾向にある。一方、1000000を越えるとポリアミド酸ワニスの粘度が高くなる傾向にあり、取扱いが困難となる場合がある。
【0020】
また、このポリイミド樹脂に各種の有機添加剤、或は無機のフィラー類、或いは各種の強化材を複合することも可能である。ここでポリアミド酸の生成反応に使用する有機極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、フェノール、o−、m−、またはp−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール系溶媒、ブチルセロソルブ等のセロソルブ系あるいはヘキサメチルホスホルアミド、ブチロラクトンなどをあげることができ、これらを単独または混合物として用いるのが望ましいが、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素も使用可能である。溶媒は、ポリアミド酸を溶解するものであれば特に限定されない。後述するポリイミドの好ましい製法においては、ポリアミド酸を合成し、その後、このポリアミド酸の溶液を減圧下に加熱して、溶媒の除去とイミド化を同時に行うので、ポリアミド酸を溶解し、なるべく沸点の低いものを選択することが、工程上有利である。
【0021】
次に、ポリアミド酸をイミド化する工程について説明する。
ポリアミド酸がイミド化する際には、水を生成する。この生成した水は、ポリアミド酸を容易に加水分解し分子量の低下を引き起こす。この水を除去しながらイミド化する方法として、
1)トルエン・キシレン等の共沸溶媒を加え共沸により除去する方法、
2)無水酢酸等の脂肪族酸二無水物とトリエチルアミン・ピリジン・ピコリン・イソキノリン等の3級アミンを加える化学的イミド化法、
3)減圧下に加熱イミド化する方法
がある。いずれの方法でもよいが、イミド化により生成する水を減圧下に加熱し、積極的に系外に除去することにより加水分解を抑え、分子量低下を避けることができるという点から3)の方法が最も望ましい。3)の方法では、用いた原料の酸二無水物中に、加水分解により開環したテトラカルボン酸或いは、酸二無水物の片方が加水開環したもの等が混入し、ポリアミド酸の重合反応が停止し低分子量のポリアミド酸となった場合でも、続くイミド化時の減圧下の加熱により、開環した酸二無水物が再び、閉環して酸二無水物となり、イミド化中に、系内に残っているアミンと反応し、イミド化反応前のポリアミド酸の分子量よりもポリイミドの分子量が大きくなることが期待できる。
イミド化の加熱条件は、80〜400℃である。イミド化が効率よく行われ、しかも水が効率よく除かれる100℃以上、望ましくは120℃以上である。最高温度は、用いるポリイミドの熱分解温度以下に設定することが望ましく、通常、250〜350℃程度でイミド化は、ほぼ完了するため、最高温度をこの程度にすることもできる。
減圧する圧力の条件は、圧力が小さいほうが好ましいが、上記加熱条件でイミド化時に生成する水が効率よく除去される圧力であればよい。具体的には、減圧加熱する圧力は0.09MPa〜0.0001MPaであり、望ましくは、0.08MPa〜0.0001MPa、さらに望ましくは、0.07MPa〜0.0001MPaである。
このポリイミドに用いられる酸二無水物は、酸二無水物であれば特に限定されないが、芳香環を1〜4個有する酸二無水物または脂環式の酸二無水物を用いることが、耐熱性の点から好ましい。具体的な例として以下のようなものを例示することができる。
例えば2,2´−ヘキサフルオロプロピリデンジフタル酸二無水物、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパンジベンゾエート−3,3´,4,4´−テトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,3−ジメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、3,5,6−トリカルボキシノルボナン−2−酢酸二無水物、2,3,4,5−テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ[2,2,2]−オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物等の脂肪族または脂環式テトラカルボン酸二無水物;ピロメリット酸二無水物、3,3‘,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3‘,4,4’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、3,3‘,4,4’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,3‘,4,4’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、3,3‘,4,4’−テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−フランテトラカルボン酸二無水物、4,4‘−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物、4,4‘−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルホン二無水物、4,4‘−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルプロパン二無水物、3,3’,4,4‘−パーフルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物、3,3’,4,4‘−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(フタル酸)フェニルホスフィンオキサイド二無水物、p−フェニレン−ビス(トリフェニルフタル酸)二無水物、m−フェニレン−ビス(トリフェニルフタル酸)二無水物、ビス(トリフェニルフタル酸)−4,4’−ジフェニルエーテル二無水物、ビス(トリフェニルフタル酸)−4,4’−ジフェニルメタン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物;1,3,3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)−ナフト[1,2−c]フラン−1,3−ジオン、1,3,3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−5−メチル−5−(テトラヒドロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)−ナフト[1,2−c]フラン−1,3−ジオン、1,3,3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−8−メチル−5−(テトラヒドロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)−ナフト[1,2−c]フラン−1,3−ジオン等を挙げることができる。これらのテトラカルボン酸二無水物は、単独でまたは2種以上組み合わせて用いることができる。
【0022】
特に、耐熱性と機械特性を高次元で発現するには、化1の構造の酸二無水物を用いることが望ましい。(R17は、直結・−O−・−CH2−・−(C=O)−・−C(CH32−・−C(CF32−、−O−R2−O−,或いは−(C=O)−O−R2−O−(C=O)−を表す。但しR2は2価の有機基。)
【0023】
【化1】

Figure 0003997462
有機溶媒への溶解性の高いポリイミドを得るためには、特に2,2‘−ヘキサフルオロプロピリデンジフタル酸二無水物、2,3,3’,4‘−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、下記一般式:化2で表されるエステル酸二無水物、あるいは下記一般式:化3で表される酸二無水物を一部用いることが望ましい。
【0024】
【化2】
Figure 0003997462
【0025】
【化3】
Figure 0003997462
(式中、R2は、2価の有機基を表し、特に−CH2C(CH32CH2−,−Cq2q−及び化4から選ばれる構造が望ましい。qは1〜20の整数。とくに、−Cq2q−或いはビスフェノール骨格が望ましい。)
【0026】
【化4】
Figure 0003997462
(式中、R3は、水素・ハロゲン・メトキシ・C1〜C16のアルキル基を示す。)これらのテトラカルボン酸二無水物は、単独でまたは2種以上組み合わせて用いることができる。
【0027】
次に、このポリイミドに用いられるジアミンは、ジアミンであれば特に限定されないが、耐熱性と可溶性のバランスをとることができる点から、:化5
【0028】
【化5】
Figure 0003997462
(式中、R4は、−,−CO−,−O−,−C(CF32−,−C(CH32−,−COO−,−SO2−を、R5は同一または異なって、水素、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン、メトキシ基,C1〜C5のアルキル基を、fは0,1,2,3を、gおよびhは、0,1,2,3,4を示す。)で表されるジアミンを用いることが好ましい。とくに、化5中のR5が水酸基もしくはカルボキシル基であるジアミンを用いると、イミドのアルカリ水溶液への溶解性を上げることができる。これらのジアミン化合物は単独でまたは2種以上組み合わせて用いることができる。
また、上記化5で表されるジアミンは、得られるポリイミドの可溶性が高くなるという点から、全ジアミン中5〜95モル%用いることが好ましい。さらに望ましくは、全アミン中10〜70モル%である。
また、フィルムの柔軟性を向上することができるという点から、ジアミンの一部として下記:化6
【0029】
【化6】
Figure 0003997462
(R6は炭素数1〜12の炭化水素基、フェニル基、メトキシ基を示し、iは1〜5の整数であり、jは1〜20の整数である。)
で表されるシリコンジアミンを用いることが好ましい。
また、上記一般式(4)で表されるシリコンジアミンは、フィルムの弾性率を下げるために、全ジアミン中、5〜50モル%用いることが好ましい。5モル%より少ないと添加する効果が不十分であり、50モル%より多いと、フィルムが柔らかくなりすぎて弾性率が低くなりすぎたり、熱膨張係数が大きくなったりする傾向がある。
ポリアミド酸溶液を減圧下で加熱乾燥して直接イミド化する具体的な方法について説明する。
減圧下、加熱乾燥できるなら方法は問わないが、バッチ式の方法として、真空オーブン、連続式の方法として、例えば減圧装置の付随した押出し機により実施できる。押出し機は、2軸或いは3軸押出し機が好ましい。これらの方式は、生産量により選択される。ここでいう「減圧装置の付随した押出し機」とは、熱可塑樹脂の加熱および溶融押出しを行う、一般的な例えば2軸或いは3軸溶融押出し機に、減圧して溶媒を除去する装置を付随させた装置であり、従来の溶融押出し機に付設することもできるし、新たに減圧機能を組み込んだ装置を作成することもできる。この装置により、ポリアミド酸溶液が、押出し機により混練されながら、ポリアミド酸はイミド化され、溶媒とイミド化時に生成した水は除去され、最終的には生成した可溶性ポリイミドが残る。
また、前記可溶性ポリイミドに水酸基および/またはカルボキシル基を導入すると、アルカリに対する溶解性が向上する傾向があり、アルカリ溶液を現像液として用いることができるため好ましい。
【0030】
水酸基および/またはカルボキシル基を有するポリイミドは、水酸基および/またはカルボキシル基を有するジアミンを一部含むジアミン成分と、酸2無水物成分とを重合反応させることにより、得ることができる。水酸基及び/またはカルボキシル基を有するジアミンとしては、水酸基及び/またはカルボキシル基を有していれば特に限定されることはないが以下のようなものを例示することが出来る。
【0031】
例えば、2,5−ジアミノテレフタル酸等のジアミノフタル酸類、3,3‘−ジアミノ−4,4’−ジカルボキシビフェニル、4,4‘−ジアミノ−3,3’−ジカルボキシビフェニル、4,4‘−ジアミノ−2,2’−ジカルボキシビフェニル、4,4‘−ジアミノ−2,2’,5,5‘−テトラカルボキシビフェニル等のカルボキシビフェニル化合物類、3,3’−ジアミノ−4,4‘−ジカルボキシジフェニルメタン、2,2−ビス[3−アミノ−4−カルボキシフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−アミノ−3−カルボキシフェニル]プロパン、2,2−ビス[3−アミノ−4−カルボキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、4,4’−ジアミノ−2,2‘,5,5’−テトラカルボキシジフェニルメタン等のカルボキシジフェニルメタン等のカルボキシジフェニルアルカン類、3,3‘−ジアミノ−4,4’−ジカルボキシジフェニルエーテル、4,4‘−ジアミノ−3,3’−ジカルボキシジフェニルエーテル、4,4‘−ジアミノ−2,2’−ジカルボキシジフェニルエーテル、4,4‘−ジアミノ−2,2’,5,5‘−テトラカルボキシジフェニルエーテル等のカルボキシジフェニルエーテル化合物、3,3’−ジアミノ−4,4‘−ジカルボキシジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノ−3,3‘−ジカルボキシジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノ−2,2‘−ジカルボキシジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノ−2,2‘,5,5’−テトラカルボキシジフェニルスルフォン等のジフェニルスルフォン化合物、2,2−ビス[4−(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン等のビス[(カルボキシフェニル)フェニル]アルカン化合物類、2,2−ビス[4−(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)フェニル]スルフォン等のビス[(カルボキシフェノキシ)フェニル]スルフォン化合物をあげることができる。
【0032】
特に、化7から選ばれるカルボキシル基を有するジアミンは、工業的に入手しやすく、好適である。
【0033】
【化7】
Figure 0003997462
(但し、式中q及びsは1〜3の整数、rは1〜4の整数、R7は、−O−,−S−,−CO−,−CH2−,−SO2−,−C(CH32−,−C(CF32−,−O−CH2−C(CH32−CH2−O−から選ばれる2価の有機基を表す。)
また、別途水酸基やカルボキシル基を1個有するジアミンを用いることもできる。例えば、 例えば、2,4−ジアミノフェノール等のジアミノフェノール類、3,3‘−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシビフェニル、4,4‘−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、4,4‘−ジアミノ−2,2’−ジヒドロキシビフェニル、4,4‘−ジアミノ−2,2’,5,5‘−テトラヒドロキシビフェニル等のヒドロキシビフェニル化合物類、3,3’−ジアミノ−4,4‘−ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3‘−ジハイドロキシジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−2,2‘−ジハイドロキシジフェニルメタン、2,2−ビス[3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル]プロパン、2,2−ビス[4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル]プロパン、2,2−ビス[3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、4,4’−ジアミノ−2,2‘,5,5’−テトラヒドロキシジフェニルメタン等のヒドロキシジフェニルメタン等のヒドロキシジフェニルアルカン類、3,3‘−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4‘−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4‘−ジアミノ−2,2’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、4,4‘−ジアミノ−2,2’,5,5‘−テトラヒドロキシジフェニルエーテル等のヒドロキシジフェニルエーテル化合物、3,3’−ジアミノ−4,4‘−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノ−3,3‘−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノ−2,2‘−ジヒドロキシジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノ−2,2‘,5,5’−テトラヒドロキシジフェニルスルフォン等のジフェニルスルフォン化合物、2,2−ビス[4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)フェニル]プロパン等のビス[(ヒドロキシフェニル)フェニル]アルカン化合物類、4,4‘−ビス(4−アミノ−3−ヒドキシフェノキシ)ビフェニル等のビス(ヒドキシフェノキシ)ビフェニル化合物類、2,2−ビス[4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)フェニル]スルフォン等のビス[(ヒドロキシフェノキシ)フェニル]スルフォン化合物、3,5−ジアミノ安息香酸等のジアミノ安息香酸類、4,4’−ジアミノ−3,3‘−ジハイドロキシジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−2,2‘−ジハイドロキシジフェニルメタン、2,2−ビス[3−アミノ−4−カルボキシフェニル]プロパン、4,4‘−ビス(4−アミノ−3−ヒドキシフェノキシ)ビフェニル等のビス(ヒドキシフェノキシ)ビフェニル化合物類をあげることができる。
その他にこのポリイミド組成物に用いられるジアミンは、ジアミンであれば特に限定されないが、例えば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4‘−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノフェニルエタン、4,4‘−ジアミノフェニルエーテル、4,4‘−ジジアミノフェニルスルフィド、4,4‘−ジジアミノフェニルスルフォン、1,5−ジアミノナフタレン、3,3−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、5−アミノ−1−(4‘−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン、6−アミノ−1−(4‘−アミノフェニル)−1,3,3−トリメチルインダン、4,4’−ジアミノベンズアニリド、3,5−ジアミノ−3‘−トリフルオロメチルベンズアニリド、3,5−ジアミノ−4‘−トリフルオロメチルベンズアニリド、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、2,7−ジアミノフルオレン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、4,4‘−メチレン−ビス(2−クロロアニリン)、2,2’,5,5‘−テトラクロロ−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2‘−ジクロロ−4,4’−ジアミノ−5,5‘−ジメトキシビフェニル、3,3‘−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、4,4‘−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4‘−ビス(4−アミノフェノキシ)−ビフェニル、1,3‘−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、4,4’−(p−フェニレンイソプロピリデン)ビスアニリン、4,4‘−(m−フェニレンイソプロピリデン)ビスアニリン、2,2’−ビス[4−(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、4,4’−ビス[4−(4−アミノ−2−トリフルオロメチル)フェノキシ]−オクタフルオロビフェニル等の芳香族ジアミン;ジアミノテトラフェニルチオフェン等の芳香環に結合された2個のアミノ基と当該アミノ基の窒素原子以外のヘテロ原子を有する芳香族ジアミン;1,1−メタキシリレンジアミン、1,3−プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、4,4−ジアミノヘプタメチレンジアミン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、イソフォロンジアミン、テトラヒドロジシクロペンタジエニレンジアミン、ヘキサヒドロ−4,7−メタノインダニレンジメチレンジアミン、トリシクロ[6,2,1,02.7]−ウンデシレンジメチルジアミン、4,4‘−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)等の脂肪族ジアミンおよび脂環式ジアミン等を挙げることができる。これらのジアミン化合物は単独でまたは2種以上組み合わせて用いることができる。
【0034】
さらに反応性・硬化性を付与するためには、水酸基および/またはカルボキシル基を導入した可溶性ポリイミドに、これと反応可能なエポキシ基を有する化合物と反応させることにより、後述の各種の官能基を導入し、変性ポリイミドとすることができる。ここでいうエポキシ基を有する化合物は、さらに光重合性および/または熱重合性官能基として、エポキシ基、炭素間三重結合、炭素間二重結合から選ばれる官能基を二つ以上有することが好ましい。このような光重合性および/または熱重合性官能基を導入することにより、得られる組成物に良好な硬化性や接着性を付与することができる。
【0035】
以下、水酸基および/またはカルボキシル基を有するポリイミドに官能基を導入する方法について説明する。具体的に、変性ポリイミドとは
【0036】
【化8】
Figure 0003997462
(ただし、式中mおよびnは1以上の整数、R8は4価の有機基、R9は2価の有機基、R10は3価の有機基、R11は化8
【0037】
【化9】
Figure 0003997462
(式中R12は、エポキシ基、炭素間三重結合、または炭素間二重結合からなる群から選ばれる少なくとも一種以上の官能基を有する1価の有機基)で表される有機基)で表されるポリイミドを示す。
前述の水酸基あるいはカルボキシル基を有する変性ポリイミドを有機溶媒に溶かし、エポキシ基を有する化合物と反応させることにより変性ポリイミドが得られる。前記エポキシ基を有する化合物は、エポキシ基を2個以上有するエポキシ樹脂、エポキシ基以外にさらに炭素間三重結合、炭素間二重結合から選ばれる官能基を二つ以上有する化合物が好ましい。
エポキシ基を2個以上有するエポキシ樹脂とは、エポキシ基を分子内に2個以上持っていれば特に限定されないが、以下のように例示することができる。
例えば、エピコート828(油化シェル社製)等のビスフェノール型エポキシ樹脂、180S65(油化シェル社製)等のオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、157S70(油化シェル社製)等のビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、1032H60(油化シェル社製)等のトリスヒドロキシフェニルメタンノボラック型エポキシ樹脂、ESN375等のナフタレンアラルキルノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン1031S(油化シェル社製)、YGD414S(東都化成)、トリスヒドロキシフェニルメタンEPPN502H(日本化薬)、特殊ビスフェノールVG3101L(三井化学)、特殊ナフトールNC7000(日本化薬)、TETRAD−X、TETRAD−C(三菱瓦斯化学社製)等のグリシジルアミン型樹脂などがあげられる。
エポキシ基と炭素間二重結合を有する化合物とは、エポキシ基と二重結合を同一分子内に持っていれば特に限定されないが、アリルグリシジルエーテル・グリシジルアクリレート・グリシジルメタクレート・グリシジルビニルエーテル等を例示することができる。
エポキシ基と炭素間三重結合を有する化合物とは、エポキシ基と三重結合を同一分子内に持っていれば特に限定されないが、プロパギルグリシジルエーテル・グリシジルプロピオレート・エチニルグリシジルエーテル等を例示することができる。
反応に用いられる溶媒は、エポキシ基と反応せず、水酸基および/あるいはカルボキシル基を有するポリイミドを溶解するものであれば特に限定されない。例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール系溶媒、ブチルセロソルブ等のセロソルブ系あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクトン等、キシレン、トルエンのような芳香族炭化水素が使用可能である。これらを単独または混合物として使用することができる。後に、溶媒の除去を行うので、水酸基あるいはカルボキシ基を有する熱可塑性ポリイミドを溶解し、なるべく沸点の低いものを選択することが、工程上有利である。
反応温度は、エポキシ基と水酸基・カルボキシル基と反応する40℃以上130℃以下の温度で行うことが望ましい。特にエポキシ基と二重結合あるいは、エポキシ基と三重結合を有する化合物については、二重結合・三重結合が熱により架橋・重合しない程度の温度で反応させることが望ましい。具体的には、40℃以上100℃以下、さらに望ましくは、50℃以上80℃以下である。反応時間は、1時間程度から15時間程度である。
このようにして、変性ポリイミドの溶液を得ることができる。銅箔との接着性や現像性を上げるために、この変性ポリイミド溶液に、適宜、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シアナートエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂を混ぜてもよい。
次に、(B)成分である炭素−炭素二重結合を有する化合物について説明をする。(B)成分を含むことにより、得られる組成物、ドライフィルムに熱圧着時の流動性を付与し、高い解像度を付与することができる。
特に(B)成分として一分子中に−(CHR13CH2−O)−で示す繰り返し単位(ただし、R13は、水素もしくはメチル基、)を1個以上40個以下持つような構造の化合物を選ぶことにより、硬化前のモノマーがアルカリ水溶液への溶解しやすいため、未露光部の樹脂はアルカリ水溶液によりすみやかに溶解除去され、短時間で良好な解像度を付与することができる。
この(B)成分は、:化10
【0038】
【化10】
Figure 0003997462
(ただし、式中R13は水素もしくはメチル基、もしくはエチル基、R14は2価の有機基、mおよびnは2から20までの整数)で表されるような、芳香環を二つ有するジ(メタ)アクリレート化合物であることが好ましい。mおよびnが0もしくは1であると、組成物のアルカリ水溶液への溶解性に劣り、良好な現像性を持つことができなくなる傾向にあり、mおよびnが21以上のものは材料の入手が困難であるのと、アルカリ水溶液への溶解性は良好であるが作製したフィルムが吸湿しやすくなる傾向があり好ましくない。
(B)炭素―炭素間二重結合を有する化合物としては、以下のようなものが例示できる。
例えば、アロニックスM-210、M-211B(東亞合成製)、NKエステルABE-300、A-BPE-4、A-BPE-10、A-BPE-20、A-BPE-30、BPE-100、BPE-200(新中村化学製)等のビスフェノールA EO変性ジ(メタ)アクリレート、アロニックスM-208(東亞合成製)等のビスフェノールF EO変性(n=2〜20)ジ(メタ)アクリレート、デナコールアクリレートDA-250(ナガセ化成製)、ビスコート#540(大阪有機化学工業製)等のビスフェノールA PO変性(n=2〜20)ジ(メタ)アクリレート、デナコールアクリレートDA-721(ナガセ化成製)等のフタル酸PO変性ジアクリレート、さらにアロニックスM-215(東亞合成製)等のイソシアヌル酸 EO 変性ジアクリレートやアロニックスM-315(東亞合成製)、NKエステルA-9300(新中村化学製)等のイソシアヌル酸 EO 変性トリアクリレートなどのアクリレートを含有していてもよい。
【0039】
前記(B)成分は、(A)および(C)の合計量の1〜150重量%配合されることが好ましい。1重量%より少ないと圧着可能温度が高く、かつ解像度が悪くなる傾向にあり、150重量%より多いとBステージ状態のフィルムにベタツキが見られ、熱圧着時に樹脂がしみ出しやすくなり、さらに硬化物が脆くなりすぎる傾向にある。好ましくは、1〜100重量%の範囲であり、さらに望ましくは、5〜60重量%である。
【0040】
これらの混合比率を変化させることにより、感光性フィルムの耐熱性や圧着可能温度を調整することができる。
【0041】
圧着可能温度とは、本発明にかかる感光性ドライフィルムレジストフィルムを、フレキシブルプリント基板等に圧着する際に必要な温度であり、フィルムの素材によって、その温度範囲が異なる。圧着可能温度は、好ましくは20℃〜150℃であり、この温度範囲に圧着可能温度がない感光性フィルムは、使用上の問題が生じる恐れがある。具体的には、これより高い温度でなければ圧着できない感光性フィルムは、本来は光の照射により進むべき反応が熱により進んでしまったり、圧着温度と常温との温度差が大きくなりすぎて、冷却後、感光性ドライフィルムと被着体との熱膨張係数の差によるそりやカールが発生するおそれがある。また、これより低い温度でなければ圧着出来ない感光性フィルムでは、感光性フィルムの冷却が必要となり、各工程の温度差によって表面が結露し、結露水が感光性ドライフィルムの特性を損ねるおそれがある。
上記のフレキシブルプリント基板等に圧着された感光性ドライフィルムは、露光・現像により所望のパターンを描く。現像工程は、現像液をシャワーリングして、未露光部を溶解する工程であるため、感光性ドライフィルムの感光性樹脂組成物の粘着性が低ければ、現像工程中に剥離してしまうため好ましくない。よって粘着強度は、5Pa・m以上である事が好ましく、10Pa・m以上であることがさらに好ましい。
【0042】
さらに本発明の組成物には、露光現像により所望のパターンを描けるようにするために(C)成分の光反応開始剤について説明する。本発明の光反応開始剤は、400〜450nmの波長によりラジカルを発生する。化合物の一例として、下記:化11で表されるアシルフォスフィンオキシド化合物が挙げられる。(式中、R22,R23及びR24は、C65−,C64(CH3)−,C62(CH33−,(CH33C−,C63Cl2−を、R25,R26及びR27は、C65−,メトキシ基,エトキシ基,C64(CH3)−,C62(CH33−を表す。)
【0043】
【化11】
Figure 0003997462
これにより発生したラジカルは、炭素−炭素二重結合を有する反応基(ビニル・アクロイル・メタクロイル・アリル等)と反応し架橋・重合を促進する。一般式(6)で表されるアシルフォスフィンオキシドが2個のラジカルを発生するのに対し、特に一般式(7)で表されるアシルフォスフィンオキシドは、α開裂により4個のラジカルを発生するためより好ましい。
【0044】
光反応開始剤として種々のパーオキサイドを組み合わせて用いることができる。特に、3,3‘,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノンと色素(増感剤)を光反応開始剤として用いた組み合わせが特に好ましい。
【0045】
色素(増感剤)の好ましい例としては、ミヒラケトン、ビス−4,4‘−ジエチルアミノベンゾフェノン、ベンゾフェノン、カンファーキノン、ベンジル、4,4’−ジメチルアミノベンジル、3,5−ビス(ジエチルアミノベンジリデン)−N−メチル−4−ピペリドン、3,5−ビス(ジメチルアミノベンジリデン)−N−メチル−4−ピペリドン、3,5−ビス(ジエチルアミノベンジリデン)−N−エチル−4−ピペリドン、3,3‘−カルボニルビス(7−ジエチルアミノ)クマリン、リボフラビンテトラブチレート、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン、3,5−ジメチルチオキサントン、3,5−ジイソプロピルチオキサントン、1−フェニル−2−(エトキシカルボニル)オキシイミノプロパン−1−オン、ベンゾインエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンズアントロン、5−ニトロアセナフテン、2−ニトロフルオレン、アントロン、1,2−ベンズアントラキノン、1−フェニル−5−メルカプト−1H−テトラゾール、チオキサンテン−9−オン、10−チオキサンテノン、3−アセチルインドール、2,6−ジ(p−ジメチルアミノベンザル)−4−カルボキシシクロヘキサノン、2,6−ジ(p−ジメチルアミノベンザル)−4−ヒドロキシシクロヘキサノン、2,6−ジ(p−ジエチルアミノベンザル)−4−カルボキシシクロヘキサノン、2,6−ジ(p−ジエチルアミノベンザル)−4−ヒドロキシシクロヘキサノン、4,6−ジメチル−7−エチルアミノクマリン、7−ジエチルアミノ−4−メチルクマリン、7−ジエチルアミノ−3−(1−メチルベンゾイミダゾリル)クマリン、3−(2−ベンゾイミダゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン、2−(p−ジメチルアミノスチリル)ベンゾオキサゾール、2−(p−ジメチルアミノスチリル)キノリン、4−(p−ジメチルアミノスチリル)キノリン、2−(p−ジメチルアミノスチリル)ベンゾチアゾール、2−(p−ジメチルアミノスチリル)−3,3−ジメチル−3H−インドール等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの中で特に好ましい色素(増感剤)は、ビス−4,4‘−ジエチルアミノベンゾフェノン等のビスー4,4’−ジアルキルアミノベンゾフェノン誘導体、あるいは3,3‘−カルボニルビス(7−ジエチルアミノ)クマリン等のクマリン誘導体である。
光反応開始剤および増感剤の総重量は、前記(A)成分および(B)成分の合計量の0.001〜5重量部配合すること好ましく、0.01〜5重量部とすることが、さらに好ましい。0.001〜5重量部の範囲を逸脱すると、増感効果が得られなかったり、現像性に好ましくない影響を及ぼしたりする場合がある。なお、光反応開始剤および増感剤として、1種類の化合物を用いても良いし、数種類を混合して用いてもよい。
また、本感光性ドライフィルムレジストの銅箔への接着強度を向上させるため、上記(A)、(B)、(C)成分に加えてエポキシ樹脂を(A)〜(C)成分の合計重量の1〜30重量%添加してもよい。添加するエポキシ樹脂が1重量%より少ないと、本感光性ドライフィルムレジストの銅箔への接着強度を向上が期待できず、30重量%より多いと、硬化後のフィルムが硬く脆くなる傾向があるので好ましくない。
ここで用いるエポキシ樹脂としては、エポキシ基を分子内に2個以上持っていれば特に限定されないが、前記(A)成分:可溶性ポリイミドの変性に用いたエポキシ樹脂として例示したようなエピコート828(油化シェル社製)等のビスフェノール樹脂、180S65(油化シェル社製)等のオルソクレゾールノボラック樹脂、157S70(油化シェル社製)等のビスフェノールAノボラック樹脂、1032H60(油化シェル社製)等のトリスヒドロキシフェニルメタンノボラック樹脂、ESN375等のナフタレンアラルキルノボラック樹脂、テトラフェニロールエタン1031S(油化シェル社製)、YGD414S(東都化成)、トリスヒドロキシフェニルメタンEPPN502H(日本化薬)、特殊ビスフェノールVG3101L(三井化学)、特殊ナフトールNC7000(日本化薬)、TETRAD−X、TETRAD−C(三菱瓦斯化学)等のグリシジルアミン型樹脂などを挙げることができる。
また、同時にエポキシ硬化剤をエポキシ樹脂に対して1〜10重量%添加すると、効率よく硬化が進むため好ましい。エポキシ硬化剤としては、4,4'-ジアミノジフェニルメタン等のアミン化合物、イミダゾール、酸二無水物、フェノール樹脂等が一般的に用いられる。
【0046】
感光性ドライフィルムレジストを製造するに際しては、まず、(A)成分:可溶性ポリイミドと(B)成分:炭素−炭素二重結合を有する化合物、(C)成分:光反応開始剤、その他添加剤を含む感光性樹脂組成物を有機溶剤に均一に溶解する。ここで用いる有機溶剤は、感光性樹脂組成物を溶解する溶剤であればよく、例えば、ジオキソラン、ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、メチルアルコール、エチルアルコールなどのアルコール系溶剤などが用いられる。これらの溶剤は単独で用いてもよいし、2種類以上を混合して用いてもよい。後に、溶媒の除去を行うので、(A)、(B)、(C)成分を溶解し、なるべく沸点の低いものを選択することが、工程上有利である。
ついで、溶液状となった感光性樹脂組成物をPETフィルムなどのベースフィルム上に均一に塗布した後、加熱および/もしくは熱風吹き付けにより溶剤を除去し、感光性ドライフィルムレジストとする。
ベースフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(以下PETと省略する)フィルム、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミドフィルムなど通常市販されている各種のフィルムが使用可能であるが、特にある程度の耐熱性があり安価であることからPETフィルムが好ましく使用される。また、ベースフィルムの感光性樹脂組成物を塗布する面については、後で剥離しやすいように表面処理されているものが好ましい。
本発明の感光性ドライフィルムレジストは、厚みが10〜50μmであり、さらに好ましくは20〜40μmである。感光性ドライフィルムレジストの厚みが小さすぎると、フレキシブルプリント配線板上の銅の回路とベースのポリイミドフィルムとの凸凹を埋め込むことができず、また、貼り合わせた後の表面の平坦性を保つことができないという点から、好ましくない。また、厚みが大きすぎると、微細なパターンを現像しにくく、またサンプルの反りが発生しやすいという点から好ましくない。
【0047】
通常、感光性ドライフィルムレジストは、上記感光性組成物を半硬化状態(Bステージ)で保ったものであり、熱プレスもしくはラミネート加工時には流動性を持ち、フレキシブルプリント配線版の回路の凸凹に追従して密着し、露光時の光架橋反応、プレス加工時の熱およびプレス後に施す加熱キュアにより硬化が完了するように設計される。
【0048】
さらに、感光性樹脂組成物をベースフィルムに塗布し乾燥して作製した感光性ドライフィルムレジストの上には、ポリエチレンフィルムなどの保護フィルムを積層することが好ましい。空気中のゴミやチリが付着することを防ぎ、感光性ドライフィルムレジストの乾燥による品質の劣化を防ぐことができる。
【0049】
ベースフィルムの上に作製した感光性ドライフィルムレジストの上に保護フィルムを室温でラミネートすることにより、密着させる。
【0050】
本発明にかかる三層構造シートを用いてフレキシブルプリント配線板用カバーレイを製造するに際しては、保護フィルムを除去後、回路を形成したフレキシブルプリント配線板および感光性ドライフィルムレジストを加熱ラミネ−トにより積層する。ニ層構造シートからなる感光性ドライフィルムレジストと回路を形成したフレキシブル配線板を加熱下ラミネートすることにより、感光性ドライフィルムレジストで密着被覆されたフレキシブルプリント配線板が製造される。積層時の温度が高すぎると感光性反応部位が架橋してフィルムが硬化してしまい感光性カバーレイとしての機能を失ってしまうため、積層時の温度は低いほうが好ましい。具体的には、60℃から150℃であり、さらに好ましくは80℃から120℃である。温度が低すぎると、感光性ドライフィルムレジストの流動性が悪くなるため、フレキシブルプリント配線板上の微細な回路を被覆することが難しく、また密着性が悪くなる傾向がある。
【0051】
このようにしてフレキシブルプリント配線板/感光性ドライフィルムレジスト/ベースフィルムの順に積層された状態となる。ベースフィルムは積層が完了した時点で剥離してもよいし、露光が完了してから剥離してもよい。感光性ドライフィルムレジストの保護という点からは、フォトマスクパターンをのせて露光してからベースフィルムを剥離するほうが好ましい。
【0052】
また、この感光性ドライフィルムレジストは、フレキシブルプリント配線板の回路上へ接着した後、紫外線などの光を照射後、加熱キュアすると、フィルムが硬化して、回路を絶縁保護するカバーレイとなる。
【0053】
感光性ドライフィルムレジストに含まれる光反応開始剤は、通常波長が450nm以下の光を吸収するため、照射する光は波長が400〜450nmの光を有効に放射する光源を用いるとよい。
【0054】
さらに、本発明の感光性ドライフィルムレジストをフレキシブルプリント配線板の感光性カバーレイとして用いる場合、フレキシブルプリント配線板の回路上へ接着した後、フォトマスクパターンをのせて、露光し、現像することにより、所望の位置に穴をあけることができる。
【0055】
現像液としては、塩基性を有する水溶液あるいは有機溶媒を用いることができる。塩基性化合物を溶解させる溶媒としては水でもよいし有機溶媒でもよい。ポリイミドの溶解性を改善するため、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、イソブタノール、N−メチルー2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N一ジメチルアセトアミド等の水溶性有機済媒を、さらに含有していてもよく、二種類以上の溶媒を混合したものでもよい。塩基性化合物としては、1種類を用いてもよいし、2種類以上の化合物を用いてもよい。塩基性化合物の濃度は、通常0.1〜10重量%とするが、フィルムへの影響などから、0.1〜5重量%とすることが好ましい。上記塩基性化合物としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属またはアンモニウムイオンの、水酸化物または炭酸塩や、アミン化合物などが挙げられる。
環境への影響の少なさから、水溶液を用いることがこのましい。
【0056】
本発明の感光性ドライフィルムレジストは、(A)成分として可溶性ポリイミド、さらに(B)成分としてアルカリ水溶液へ溶解しやすい−(CHR13CH2−O)−で示す繰り返し単位(ただし、R13は、水素もしくはメチル基、もしくはエチル基)を持つアクリレート化合物を選んでなる感光性樹脂組成物から作製することにより、露光部の樹脂は硬化し、未露光部の樹脂はアルカリ水溶液によりすみやかに溶解除去されるため、短時間で良好な解像度を持つことを特徴とする。
さらにポリイミドを主成分とすることにより、優れた電気絶縁性、耐熱性、機械特性を有するため、本発明の感光性ドライフィルムレジストは、フレキシブルプリント配線板用感光性カバーレイのほか、パソコンのハードディスク装置のヘッド用の感光性カバーレイにも適する。
【0057】
【実施例】
以下に実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例、実験例における感光性ドライフィルムレジストおよび三層構造シートの作製、感光性ドライフィルムレジストの評価は以下のように行った。
(1)感光性ドライフィルムレジストの作成可溶性ポリイミド樹脂を有機溶媒に固形分30重量%になるように溶解させた後、アクリレート樹脂、光反応開始剤を混合し、感光性樹脂組成物のワニスを調整する。この感光性樹脂組成物のワニスをPETフィルム(厚み25μm)上に、乾燥後の厚みが25μmになるように塗布し、45℃で5分、続いて65℃で5分乾燥して有機溶剤を除去するとともに、感光性ドライフィルムレジストをBステージとした。
(2)感光性ドライフィルムレジストの評価得られた感光性ドライフィルムレジストについて以下の方法により諸特性の評価を行った。
<現像性>上記(1)で作成した感光性ドライフィルムレジストの感光性樹脂組成物面を電解銅箔(三井金属製3EC−VLP 1オンス)の粗面に積層し、遮光しながら100℃、20000Pa・mでラミネート加工した。この積層体のPETフィルム上にマスクパターンをのせ、400nmの光を400mJ/cm2だけ露光する。このサンプルのPETフィルムを剥離した後、100℃2分間加熱処理し、1%の水酸化カリウムの水溶液(液温40℃)で3分間現像した。露光する前にカバーフィルムの上にのせるフォトマスクパターンは、500μmφ、200μmφ、100μmφの微細な穴及びライン/スペースが500μm/500μm200μm/200μm、100μm/100μmのラインを描いたものである。現像によって形成したパターンは、次いで蒸留水により洗浄して、現像液を除去する。少なくとも500μmφの穴および500μm/500μmのラインが現像できていれば、合格とした。
<接着強度>上記(1)で作成した感光性ドライフィルムレジストの感光性樹脂組成物面を電解銅箔(三井金属製3EC−VLP 1オンス)の輝面に積層し、遮光しながら100℃、20000Pa・mでラミネート加工した。この積層体を、400nmの光を400mJ/cm2だけ露光し、180度で1時間加熱する。この積層体のピール接着強度を、JIS C 6481の引き剥がし強度(180度)に準じて行った。
実験例1)ポリイミドの原料として、(2,2'-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパンジベンゾエート)-3,3',4,4'-テトラカルボン酸無水物(以下、ESDAと示す)、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルフォン(以下、BAPS−Mと示す)、シリコンジアミン、ジアミノ安息香酸、[ビス(4-アミノ-3-カルボキシ)フェニル]メタン(以下、MBAAと示す)を用いた。溶媒として、N,N'-ジメチルホルムアミド(DMF)およびジオキソランを用いた。
(ポリイミド樹脂の合成)攪拌機を設置した500
mlのセパラブルフラスコにESDA 17.3 g
(0.030 mol)、DMF 30 gを入れて、攪拌機で攪拌して溶解させる。次に、和歌山精化製のジアミンMBAA 5.15 g
(0.018 mol)をDMF 9 gに溶解して加え、1時間激しく攪拌する。さらに、シリコンジアミンKF-8010(信越シリコーン製)7.47 g (0.009 mol)を加え、1時間程度攪拌する。最後に、BAPS-M 1.29 g (0.003 mol)を加えて、1時間激しく攪拌する。このようにして得たポリアミド溶液をテフロン(R)コートしたバットにとり、真空オーブンで、200℃、5000Paの圧力で2時間減圧乾燥し、26.40 gの可溶性ポリイミドを得た。
【0058】
こうして合成したポリイミド15gをジオキソラン50gに溶解させ、Sc(固形分濃度)= 30%のワニスを作製した。
(感光性ドライフィルムレジストの作製)以下に示す(a)〜(d)成分を混合して感光性樹脂組成物を調整し、(1)の方法でPETフィルム上にBステージの感光性ドライフィルムレジストを作製した。このPETフィルム付き感光性ドライフィルムレジストの上に保護フィルムをラミネートして三層構造シートを作成した。
(a)上記方法により合成したポリイミド樹脂 50重量部
(b)炭素―炭素2重結合を有する化合物 ビスフェノールA EO変性(m+n≒30)ジア
クリレート(新中村化学工 業(株)製NKエステルA-BPE-30) 10重量部
東亞合成株式会社 アロニックスM−21540重量部
(c)光反応開始剤 3,3',4,4'-テトラ(t-ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン 1重量部
4,4‘−ジエチルアミノベンゾフェノン 1重量部
現像性試験を行ったところ、100μmφの微細な穴及び100μm/100μmのラインが現像でき、合格であった。接着強度は500Pa・mであった。
実験例2)
(変性ポリイミドの合成)実験例1で合成したポリイミド20.8g(0.020 mol)をジオキソラン80gに溶解し、4-メトキシフェノールを0.030gを添加し、60℃のオイルバスであたためながら溶解させた。この溶液にメタクリル酸グリシジル3.75g(0.0264 mol)をジオキソラン5gに溶解して加え、さらに触媒としてトリエチルアミン0.01 gを添加し60℃で6時間加熱攪拌を行った。このようにして変性ポリイミドを合成した。
(感光性ドライフィルムレジストの作製)以下に示す成分を混合して感光性樹脂組成物を調整し、(1)の方法でPETフィルム上にBステージの感光性ドライフィルムレジストを作製した。このPETフィルム付き感光性ドライフィルムレジストの上に保護フィルムをラミネートして三層構造シートを作成した。
(a)上記方法により合成した変性ポリイミド樹脂 50重量部
(b)炭素―炭素2重結合を有する化合物 ビスフェノールA EO変性(m+n≒30)ジア
クリレート(新中村化学工 業(株)製NKエステルA-BPE-30) 10重量部
東亞合成株式会社 アロニックスM−21510重量部
(c)光反応開始剤 3,3',4,4'-テトラ(t-ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン1重量部
3,3‘−カルボニルビス(7−ジエチルアミノ)クマリン 1重量部
現像性試験を行ったところ、100μmφの微細な穴及び100μm/100μmのラインが現像でき、合格であった。接着強度は600Pa・mであった。
(実施例実験例2の(C)成分を以下にした以外は、同様に行った。
(C)ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フェニルフォスヒンオキサイド 1重量部
現像性試験を行ったところ、100μmφの微細な穴及び100μm/100μmのラインが現像でき、合格であった。接着強度は620Pa・mであった。
(比較例1)実験例2の(C)成分を以下にした以外は、同様に行った。
(C)ベンゾフェノン 1重量部
現像性試験を行ったところ、500μmφの微細な穴及び500μm/500μmのラインは現像できず不合格であった。接着強度は120Pa・mであった。
(比較例2)実験例2の(C)成分を以下にした以外は、同様に行った。
(C)メチルα−オキソベンゼンアセテート 1重量部
現像性試験を行ったところ、500μmφの微細な穴及び500μm/500μmのラインは現像できず不合格であった。接着強度は80Pa・mであった。
(比較例3)実験例2の(C)成分を以下にした以外は、同様に行った。
(C)ベンゾイン 1重量部
現像性試験を行ったところ、500μmφの微細な穴及び500μm/500μmのラインは現像できず不合格であった。接着強度は50Pa・mであった。
(比較例4)実験例2の(C)成分を以下にした以外は、同様に行った。
(C)4,4‘−ジアジドカルコン 1重量部
現像性試験を行ったところ、500μmφの微細な穴及び500μm/500μmのラインは現像できず不合格であった。接着強度は60Pa・mであった。
【0059】
【発明の効果】
上記に示したように、本発明は、通常の露光機により、露光可能なイミド系感光性樹脂組成物を用いることにより微細なパターンを描くことが出来、フィルム状のフォトレジストおよび絶縁保護フィルム永久フォトレジストとして、フレキシブルプリント配線板やパソコンのハードディスク装置のヘッド部分に使用される感光性カバーレイフィルムにも好適に用い得る。[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a photosensitive resin composition using a polyimide resin that can be exposed by a normal exposure machine, and is a dry film using the photosensitive resin composition, particularly photosensitive for a flexible printed wiring board. It relates to a coverlay film.
[0002]
Here, the photosensitive dry film resist can be broadly divided into (1) a film-like photoresist that is finally peeled off after serving as an etching resist for forming a copper circuit. (2) There are two types of photosensitive coverlay films that play two roles: insulation protection films for circuits such as printed wiring boards and film-like photoresists.
[0003]
In particular, the latter is also suitable for a photosensitive coverlay film used for a head portion of a flexible printed wiring board or a hard disk device of a personal computer. More particularly, the present invention relates to a photosensitive polyimide film produced using a soluble polyimide, a photoreaction initiator that absorbs a wavelength of 400 nm to 450 nm and generates a radical, and an acrylic compound.
[0004]
[Prior art]
A coverlay for a flexible printed wiring board is used for the purpose of circuit protection or improvement of bending characteristics of a conductor circuit pattern of a flexible printed wiring board formed using a copper-clad laminate (CCL). As this coverlay film, there is a conventional method in which a cover film made of a polyimide film or the like with an adhesive on one side is punched at a predetermined position and laminated on a CCL on which a circuit is formed by thermal lamination or pressing. It is common. However, as the miniaturization of printed wiring boards progresses, the method of aligning the circuit on the CCL after opening holes and windows in the joints between the circuit terminals and parts in the cover film is not easy to operate. There was a limit in terms of position accuracy, and there was a problem that yield was poor.
[0005]
Also, after thermocompression bonding a cover film made of a polyimide film with an adhesive on one side on the CCL on which the circuit is formed, a method of making a hole only in the cover film at a predetermined position by a method such as laser etching or plasma etching However, although the position accuracy is very good, it takes time for drilling, and there is a disadvantage that the apparatus and the operation cost are high.
[0006]
In order to solve these problems, there is a method of using a photosensitive resin composition, particularly a photosensitive coverlay film, as the coverlay film. In this method, a photosensitive resin composition is applied on a CCL on which a circuit is formed to form a photosensitive coverlay layer, or a photosensitive coverlay film is thermocompression-bonded on the CCL on which a circuit is formed, and a photomask A pattern can be exposed and exposed, and the base film can be peeled off and alkali-developed, so that holes can be accurately formed at predetermined positions. Furthermore, it is heat-cured as necessary to obtain a coverlay film. That is, the photosensitive coverlay film serves as a film-like photoresist and an insulating protective film.
[0007]
In particular, when a dry film type photosensitive coverlay film is used, the labor and time of coating and drying can be saved compared to the method of applying a photosensitive resin, and a large number of holes can be formed at once by development. Therefore, the FPC manufacturing process can be advanced quickly.
[0008]
Recently, photosensitive cover lay films mainly composed of acrylic resins have been put on the market (JP 7-278492 A, JP 07-253667 A, JP 10-254132 A, JP 10-115919 A), and solder heat resistance. There are problems with folding resistance and electrical insulation, and improvements are desired.
[0009]
Therefore, the present inventors considered that these problems can be improved by using polyimide as a main component, and decided to develop a photosensitive coverlay. Usually, a polyimide precursor such as polyamic acid is used as the photosensitive polyimide, and after exposure and development in the state of the precursor, it is heated to 250 ° C. or higher to obtain a polyimide. However, when used with a general FPC coverlay, heating to a high temperature of 250 ° C. or higher is not preferable because the crystal structure of copper changes, the copper circuit deteriorates, and adhesives other than polyimide deteriorate. . Therefore, this system uses polyimide that has already been imidized.
[0010]
Usually, polyimide is synthesized from tetracarboxylic dianhydride and diamine. A polyimide obtained from an aromatic tetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine is preferable because a high molecular weight polyimide can be easily obtained. Aliphatic tetracarboxylic dianhydride has low reactivity and it is difficult to obtain a high molecular weight polyimide. Moreover, since aliphatic diamine has strong basicity and precipitates from a solution system as a salt when synthesizing polyamic acid which is a precursor of polyimide, it is difficult to obtain a high molecular weight polyimide. Therefore, it is preferable to use a polyimide obtained from an aromatic tetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine.
[0011]
A general-purpose exposure machine typically uses a mercury lamp, a metal halide lamp, or the like, and includes i-line (365 nm), h-line (405 nm), and g-line (436 nm). A polyimide containing an aromatic tetracarboxylic acid and an aromatic diamine absorbs i-line by absorption due to π conjugation. Therefore, the combination with the photoinitiator which can generate a radical efficiently by h line | wire and g line | wire was needed.
[0012]
Therefore, in view of the actual situation, the present inventors, in order to solve the above-mentioned conventional problems, in addition to soluble polyimide and acrylic compounds, photoreaction initiators that generate radicals by absorbing wavelengths of 400 nm to 450 nm are used as raw materials. Developed the photosensitive coverlay film used in
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention provides a photosensitive resin composition having a soluble polyimide as an essential component and a photosensitive coverlay film as a coverlay for a flexible printed wiring board.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The object of the present invention is achieved by taking the following configuration.
(1) (A) soluble polyimide, (B) a compound having a carbon-carbon double bond, (C) a photoreaction initiator as an essential component, and (C) the component absorbs light having a wavelength of 400 nm to 450 nm. And a radical is generated.
(2) The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the photoreaction initiator (C) contains 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone and a dye.
(3) The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the photoreaction initiator (C) is an acylphosphine oxide compound.
(4) The photosensitive dry film resist which consists of the photosensitive resin composition as described in any one of Claims 1-3.
(5) The photosensitive dry film resist according to any one of claims 1 to 4, which can be developed with an alkaline aqueous solution.
(6) A photosensitive dry film resist comprising a two-layer structure sheet obtained by laminating the photosensitive dry film resist according to any one of claims 4 to 5 and a support film.
(7) A photosensitive dry film resist comprising a three-layer structure sheet, wherein the photosensitive dry film resist comprising the two-layer structure sheet according to claim 6 and a protective film are laminated.
(8) The pressure-bondable temperature in the B-stage state of the photosensitive resin composition contained in the photosensitive dry film resist is 20 ° C. to 150 ° C., according to any one of claims 4 to 7, The photosensitive dry film resist as described.
(9) The photosensitive dry according to any one of claims 4 to 8, wherein the adhesive strength of the photosensitive resin composition contained in the photosensitive dry film resist to copper at 20 ° C is 5 Pa · m or more. Film resist.
(10) A photosensitive cover lay film for flexible printed wiring boards, comprising the photosensitive dry film resist according to any one of claims 4 to 9.
(11) The photosensitive dry film resist as described in any one of Claims 4-10 used for the photosensitive coverlay film for flexible printed wiring boards.
(12) A photosensitive cover lay film for a head of a hard disk device of a personal computer, comprising the photosensitive dry film resist according to any one of claims 4 to 11.
(13) The photosensitive dry film resist according to any one of claims 4 to 12, which is used for a photosensitive coverlay film for a head of a hard disk device of a personal computer. The present invention relates to a photosensitive resin composition using a polyimide resin that can be exposed by a normal exposure machine, and draws a fine pattern on a flexible printed wiring board by using the photosensitive resin composition. Can do. Soluble polyimides include, for example, formamide solvents such as N, N-dimethylformamide and N, N-diethylformamide, acetamide solvents such as N, N-dimethylacetamide and N, N-diethylacetamide, and N-methyl. Pyrrolidone solvents such as 2-pyrrolidone and N-vinyl-2-pyrrolidone, phenol solvents such as phenol, o-, m-, or p-cresol, xylenol, halogenated phenol, catechol, tetrahydrofuran, dioxane, dioxolane, etc. Ether solvents, alcohol solvents such as methanol, ethanol, butanol, cellosolve solvents such as butyl cellosolve or hexamethylphosphoramide The A solvent that dissolves 1 g or more at 20 ° C. to 50 ° C. in 100 g of a solvent such as tyrolactone. Desirably, 5 g or more, more desirably 10 g or more, is dissolved in 100 g of the above solvent at 20 to 50 ° C. If the solubility is too low, it may be difficult to produce a photosensitive film having a desired thickness.
[0015]
The soluble polyimide is produced, for example, by the following manufacturing method.
[0016]
In order to obtain a soluble polyimide, it is necessary to select the structure of the raw acid dianhydride / diamine. In particular, it is effective to use an acid dianhydride or diamine having a bending group such as an ether bond, carbonyl, sulfone or sulfide. Regarding the diamine, solubility is improved even if it has an amino group or a side chain at the meta position or ortho position. Even if silicon diamine having a siloxane bond is used, the solubility can be improved. Even if it does not have a bending group, those having an asymmetric structure such as 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride are also useful for improving the solubility. Each structure will be described later.
[0017]
The soluble polyimide used in the present invention can be obtained from the precursor polyamic acid, but the polyamic acid is obtained by reacting a diamine and an acid dianhydride in an organic solvent. In an inert atmosphere such as argon or nitrogen, diamine is dissolved in an organic solvent or diffused in a slurry state, and acid dianhydride is dissolved in an organic solvent and added in a slurry state or added in a solid state. To do.
In this case, if the diamine and the acid dianhydride are substantially equimolar, it becomes a polyamic acid of one kind of acid component and one kind of diamine component, but each uses two or more kinds of acid dianhydride components and diamine components, A polyamic acid copolymer can be optionally obtained by adjusting the molar ratio of the total amount of the diamine component and the total amount of the acid dianhydride component to be substantially equimolar.
[0018]
For example, diamine component-1 and diamine component-2 may be added to an organic polar solvent first, and then an acid dianhydride component may be added to form a polyamic acid polymer solution. Alternatively, the diamine component-1 may be added to the organic polar solvent in advance, the acid dianhydride component may be added, and after stirring for a while, the diamine component-2 may be added to form a polyamic acid polymer solution. Alternatively, the acid dianhydride component is added in advance to the organic polar solvent, diamine component-1 is added, diamine component-2 is added after stirring for a while, and diamine component-3 is added after stirring for a while. A solution of the polyamic acid polymer may be used.
[0019]
The reaction temperature at this time is desirably -20 ° C to 90 ° C. The reaction time is about 30 minutes to 24 hours.
Here, the average molecular weight of the polyamic acid is desirably 5,000 to 1,000,000. When the average molecular weight is less than 5,000, the molecular weight of the finished polyimide composition is low, and the resin tends to become brittle even if the polyimide composition is used as it is. On the other hand, when it exceeds 1,000,000, the viscosity of the polyamic acid varnish tends to increase, and the handling may be difficult.
[0020]
It is also possible to combine various organic additives, inorganic fillers, or various reinforcing materials with this polyimide resin. Examples of the organic polar solvent used in the polyamic acid formation reaction include sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide and diethyl sulfoxide, formamide solvents such as N, N-dimethylformamide and N, N-diethylformamide, N, Acetamide solvents such as N-dimethylacetamide and N, N-diethylacetamide, pyrrolidone solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N-vinyl-2-pyrrolidone, phenol, o-, m-, or p-cresol , Phenol solvents such as xylenol, halogenated phenol, catechol, ether solvents such as tetrahydrofuran, dioxane, dioxolane, alcohol solvents such as methanol, ethanol, butanol, cellosolve such as butyl cellosolve or hexame Ruhosuhoruamido The Tyrolactone and the like can be mentioned, and these are preferably used alone or as a mixture, but aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene can also be used. The solvent is not particularly limited as long as it dissolves polyamic acid. In a preferred method for producing polyimide, which will be described later, polyamic acid is synthesized, and then the polyamic acid solution is heated under reduced pressure to simultaneously remove the solvent and imidize. It is advantageous in the process to select a low one.
[0021]
Next, the process of imidizing polyamic acid will be described.
When the polyamic acid is imidized, water is generated. The generated water easily hydrolyzes the polyamic acid and causes a decrease in molecular weight. As a method of imidizing while removing this water,
1) A method of adding an azeotropic solvent such as toluene and xylene and removing it by azeotropic distillation.
2) A chemical imidization method in which an aliphatic acid dianhydride such as acetic anhydride and a tertiary amine such as triethylamine, pyridine, picoline, and isoquinoline are added.
3) Method of heating imidization under reduced pressure
There is. Any method may be used, but the method of 3) is the point that the water generated by imidization is heated under reduced pressure and actively removed from the system to suppress hydrolysis and avoid a decrease in molecular weight. Most desirable. In the method 3), the acid dianhydride used as a raw material is mixed with a tetracarboxylic acid ring-opened by hydrolysis or one of the acid dianhydride hydrolyzed, and the polyamic acid polymerization reaction is performed. Even when the polyamic acid is stopped and becomes a low molecular weight polyamic acid, the heated acid dianhydride is closed again by heating under reduced pressure at the time of imidization, and becomes acid dianhydride. It can be expected that the molecular weight of the polyimide will be larger than the molecular weight of the polyamic acid before the imidation reaction by reacting with the amine remaining in the interior.
The heating conditions for imidization are 80 to 400 ° C. It is 100 degreeC or more by which imidation is performed efficiently and water is removed efficiently, It is 120 degreeC or more desirably. The maximum temperature is preferably set to be equal to or lower than the thermal decomposition temperature of the polyimide to be used. Usually, imidization is almost completed at about 250 to 350 ° C. Therefore, the maximum temperature can be set to this level.
The pressure is preferably reduced as long as the pressure is reduced, but may be any pressure that can efficiently remove water generated during imidization under the above heating conditions. Specifically, the pressure for heating under reduced pressure is 0.09 MPa to 0.0001 MPa, desirably 0.08 MPa to 0.0001 MPa, and more desirably 0.07 MPa to 0.0001 MPa.
The acid dianhydride used in this polyimide is not particularly limited as long as it is an acid dianhydride, but it is preferable to use an acid dianhydride having 1 to 4 aromatic rings or an alicyclic acid dianhydride. From the viewpoint of sex. The following can be illustrated as specific examples.
For example, 2,2'-hexafluoropropylidenediphthalic dianhydride, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propanedibenzoate-3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, butane Tetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,3-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4 Cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5-tricarboxycyclopentylacetic acid dianhydride, 3,5,6-tricarboxynorbonane-2-acetic acid dianhydride, 2,3,4,5-tetrahydrofuran Tetracarboxylic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydrofural) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, bicyclo [2,2 2] -Oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride or the like, or aliphatic cycloaliphatic tetracarboxylic dianhydride; pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 2, 3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-dimethyldiphenylsilanetetracarboxylic dianhydride Anhydride, 3,3 ′, 4,4′-tetraphenylsilanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-furantetracarboxylic dianhydride, 4,4′-bis (3,4 Dicarboxyphenoxy) diphenyl sulfide Dianhydride, 4,4′-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenylsulfone dianhydride, 4,4′-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenylpropane dianhydride, 3,3 ′ , 4,4′-perfluoroisopropylidenediphthalic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (phthalic acid) phenylphosphine oxide dianhydride, p-phenylene -Bis (triphenylphthalic acid) dianhydride, m-phenylene-bis (triphenylphthalic acid) dianhydride, bis (triphenylphthalic acid) -4,4'-diphenyl ether dianhydride, bis (triphenylphthalic acid) Acid) -4,4'-diphenylmethane dianhydride and other aromatic tetracarboxylic dianhydrides; 1,3,3a, 4,5,9b-hexahydro-2,5-dioxo- -Furanyl) -naphtho [1,2-c] furan-1,3-dione, 1,3,3a, 4,5,9b-hexahydro-5-methyl-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3 -Furanyl) -naphtho [1,2-c] furan-1,3-dione, 1,3,3a, 4,5,9b-hexahydro-8-methyl-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3 -Furanyl) -naphtho [1,2-c] furan-1,3-dione and the like. These tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination of two or more.
[0022]
In particular, it is desirable to use an acid dianhydride having a structure of Chemical Formula 1 in order to express heat resistance and mechanical properties at a high level. (R 17 Is directly connected -O--CH 2 − · − (C═O) − · −C (CH Three ) 2 − · −C (CF Three ) 2 -, -O-R 2 -O- or-(C = O) -O-R 2 -O- (C = O)-is represented. However, R 2 Is a divalent organic group. )
[0023]
[Chemical 1]
Figure 0003997462
In order to obtain a polyimide having high solubility in an organic solvent, in particular, 2,2′-hexafluoropropylidenediphthalic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, It is desirable to partially use an ester dianhydride represented by the following general formula: Chemical Formula 2 or an acid dianhydride represented by the following general formula: Chemical Formula 3.
[0024]
[Chemical 2]
Figure 0003997462
[0025]
[Chemical 3]
Figure 0003997462
(Wherein R 2 Represents a divalent organic group, in particular —CH 2 C (CH Three ) 2 CH 2 -, -C q H 2q A structure selected from-and Chemical formula 4 is desirable. q is an integer of 1-20. In particular, -C q H 2q -Or a bisphenol skeleton is desirable. )
[0026]
[Formula 4]
Figure 0003997462
(Wherein R Three Is hydrogen, halogen, methoxy, C 1 ~ C 16 Represents an alkyl group. ) These tetracarboxylic dianhydrides can be used alone or in combination of two or more.
[0027]
Next, the diamine used in this polyimide is not particularly limited as long as it is a diamine, but from the viewpoint that a balance between heat resistance and solubility can be achieved:
[0028]
[Chemical formula 5]
Figure 0003997462
(Wherein R Four -, -CO-, -O-, -C (CF Three ) 2 -, -C (CH Three ) 2 -, -COO-, -SO 2 −, R Five Are the same or different, hydrogen, hydroxyl group, carboxyl group, halogen, methoxy group, C1-C5 alkyl group, f is 0, 1, 2, 3 and g and h are 0, 1, 2, 3, 4 is shown. It is preferable to use a diamine represented by In particular, R in chemical formula 5 Five When a diamine having a hydroxyl group or a carboxyl group is used, the solubility of the imide in an alkaline aqueous solution can be increased. These diamine compounds can be used alone or in combination of two or more.
Moreover, it is preferable to use 5-95 mol% of diamine represented by the said Chemical formula 5 from the point that the solubility of the polyimide obtained becomes high. More desirably, it is 10 to 70 mol% in the total amine.
Moreover, from the point that the softness | flexibility of a film can be improved, the following:
[0029]
[Chemical 6]
Figure 0003997462
(R 6 Represents a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, a phenyl group, or a methoxy group, i is an integer of 1 to 5, and j is an integer of 1 to 20. )
It is preferable to use silicon diamine represented by
Moreover, it is preferable to use 5-50 mol% of silicon diamine represented by the said General formula (4) in order to reduce the elasticity modulus of a film. When the amount is less than 5 mol%, the effect of addition is insufficient, and when the amount is more than 50 mol%, the film tends to be too soft and the elastic modulus tends to be too low, or the thermal expansion coefficient tends to increase.
A specific method for directly imidizing the polyamic acid solution by heating and drying under reduced pressure will be described.
Any method can be used as long as it can be heat-dried under reduced pressure. However, it can be carried out as a batch method, a vacuum oven, a continuous method, for example, an extruder with a decompression device. The extruder is preferably a biaxial or triaxial extruder. These methods are selected depending on the production amount. The term “extruder with a decompression device” as used herein refers to an ordinary biaxial or triaxial melt extruder that performs heating and melt extrusion of a thermoplastic resin, and an apparatus that removes the solvent by decompression. It can be attached to a conventional melt extruder, or a device incorporating a new decompression function can be created. With this apparatus, the polyamic acid solution is kneaded by an extruder while the polyamic acid is imidized, the solvent and water produced during imidization are removed, and finally the produced soluble polyimide remains.
Moreover, it is preferable to introduce a hydroxyl group and / or a carboxyl group into the soluble polyimide because the alkali solubility tends to be improved and an alkaline solution can be used as a developer.
[0030]
A polyimide having a hydroxyl group and / or a carboxyl group can be obtained by polymerizing a diamine component partially containing a diamine having a hydroxyl group and / or a carboxyl group and an acid dianhydride component. The diamine having a hydroxyl group and / or a carboxyl group is not particularly limited as long as it has a hydroxyl group and / or a carboxyl group, and examples thereof include the following.
[0031]
For example, diaminophthalic acids such as 2,5-diaminoterephthalic acid, 3,3′-diamino-4,4′-dicarboxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dicarboxybiphenyl, 4,4 Carboxyphenyl compounds such as '-diamino-2,2'-dicarboxybiphenyl, 4,4'-diamino-2,2', 5,5'-tetracarboxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4 '-Dicarboxydiphenylmethane, 2,2-bis [3-amino-4-carboxyphenyl] propane, 2,2-bis [4-amino-3-carboxyphenyl] propane, 2,2-bis [3-amino- 4-carboxyphenyl] hexafluoropropane, carboxy such as 4,4′-diamino-2,2 ′, 5,5′-tetracarboxydiphenylmethane Phenylalkanes, 3,3′-diamino-4,4′-dicarboxydiphenyl ether, 4,4′-diamino-3,3′-dicarboxydiphenyl ether, 4,4′-diamino-2,2′-dicarboxy Diphenyl ether, carboxydiphenyl ether compounds such as 4,4′-diamino-2,2 ′, 5,5′-tetracarboxydiphenyl ether, 3,3′-diamino-4,4′-dicarboxydiphenyl sulfone, 4,4′- Diamino-3,3′-dicarboxydiphenyl sulfone, 4,4′-diamino-2,2′-dicarboxydiphenyl sulfone, 4,4′-diamino-2,2 ′, 5,5′-tetracarboxydiphenyl sulfone Diphenylsulfone compounds such as 2,2-bis [4- (4-amino-3-carboxyphenoxy) phenyl] pro Bis [(carboxyphenoxy) phenyl] alkane compounds such as bis [(carboxyphenoxy) phenyl] sulfone compounds such as 2,2-bis [4- (4-amino-3-carboxyphenoxy) phenyl] sulfone be able to.
[0032]
In particular, a diamine having a carboxyl group selected from Chemical Formula 7 is industrially easily available and suitable.
[0033]
[Chemical 7]
Figure 0003997462
(Wherein q and s are integers of 1 to 3, r is an integer of 1 to 4, R 7 Are -O-, -S-, -CO-, -CH 2 -, -SO 2 -, -C (CH Three ) 2 -, -C (CF Three ) 2 -, -O-CH 2 -C (CH Three ) 2 -CH 2 Represents a divalent organic group selected from —O—. )
Alternatively, a diamine having one hydroxyl group or one carboxyl group can be used. For example, diaminophenols such as 2,4-diaminophenol, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, 4,4 ′ -Hydroxybiphenyl compounds such as diamino-2,2'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-diamino-2,2 ', 5,5'-tetrahydroxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'- Dihydroxydiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxydiphenylmethane, 4,4′-diamino-2,2′-dihydroxydiphenylmethane, 2,2-bis [3-amino-4-hydroxyphenyl] Propane, 2,2-bis [4-amino-3-hydroxyphenyl] propane, 2,2-bis [3-amino-4-hydroxyphenyl] hexafur Hydroxypropane, alkanepropane, hydroxydiphenylalkanes such as hydroxydiphenylmethane such as 4,4′-diamino-2,2 ′, 5,5′-tetrahydroxydiphenylmethane, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxydiphenyl ether, 4, 4′-diamino-3,3′-dihydroxydiphenyl ether, 4,4′-diamino-2,2′-dihydroxydiphenyl ether, 4,4′-diamino-2,2 ′, 5,5′-tetrahydroxydiphenyl ether, etc. Hydroxydiphenyl ether compound, 3,3′-diamino-4,4′-dihydroxydiphenylsulfone, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxydiphenylsulfone, 4,4′-diamino-2,2′-dihydroxydiphenyl Sulfone, 4,4'-diamino-2,2 ', 5,5'-tetrahydr Diphenylsulfone compounds such as xidiphenylsulfone, bis [(hydroxyphenyl) phenyl] alkane compounds such as 2,2-bis [4- (4-amino-3-hydroxyphenoxy) phenyl] propane, 4,4′-bis Bis (hydroxyphenoxy) biphenyl compounds such as (4-amino-3-hydroxyphenoxy) biphenyl, and bis [(2,2-bis [4- (4-amino-3-hydroxyphenoxy) phenyl] sulfone Hydroxyphenoxy) phenyl] sulfone compound, diaminobenzoic acids such as 3,5-diaminobenzoic acid, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxydiphenylmethane, 4,4′-diamino-2,2′-di Hydroxydiphenylmethane, 2,2-bis [3-amino-4-carboxyphenyl] propane, 4,4 ' Examples thereof include bis (hydroxyphenoxy) biphenyl compounds such as -bis (4-amino-3-hydroxyphenoxy) biphenyl.
In addition, the diamine used in the polyimide composition is not particularly limited as long as it is a diamine. For example, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminophenylethane, 4,4′-diaminophenyl ether, 4,4′-didiaminophenyl sulfide, 4,4′-didiaminophenyl sulfone, 1,5-diaminonaphthalene, 3,3-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 5-amino-1- (4′-aminophenyl) -1,3,3-trimethylindane, 6-amino-1- (4′-aminophenyl) -1,3,3-trimethylindane, 4,4 ′ -Diaminobenzanilide, 3,5-diamino-3'-trifluoromethylbenzanilide, 3,5-diamino-4'-trifluoro Methylbenzanilide, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 2,7-diaminofluorene, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, 4,4'-methylene-bis (2-chloroaniline), 2 , 2 ′, 5,5′-tetrachloro-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-dichloro-4,4′-diamino-5,5′-dimethoxybiphenyl, 3,3′-dimethoxy-4 , 4′-diaminobiphenyl, 4,4′-diamino-2,2′-bis (trifluoromethyl) biphenyl, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) -biphenyl 1,3′-bis (4-aminophenoxy) benzene, 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 4,4 ′-(p-phenyleneisopropylidene) bisaniline, 4,4 ′-(m- Phenylene isopropylidene) bisaniline, 2,2′-bis [4- (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 4,4′-bis [4- (4-amino-2-tri) Aromatic diamines such as fluoromethyl) phenoxy] -octafluorobiphenyl; aromatic diamines having two amino groups bonded to an aromatic ring such as diaminotetraphenylthiophene and heteroatoms other than nitrogen atoms of the amino group; 1 , 1-metaxylylenediamine, 1,3-propanediamine, tetramethylenediamine, pentamethylenediamine, oct Methylenediamine, nonamethylenediamine, 4,4-diaminoheptamethylenediamine, 1,4-diaminocyclohexane, isophoronediamine, tetrahydrodicyclopentadienylenediamine, hexahydro-4,7-methanoindanylenediethylenediamine, tricyclo [6, 2, 1, 0 2.7 ] -Undecylenedimethyl diamine, aliphatic diamines such as 4,4′-methylenebis (cyclohexylamine), and alicyclic diamines. These diamine compounds can be used alone or in combination of two or more.
[0034]
Furthermore, in order to impart reactivity and curability, various functional groups described below are introduced by reacting a soluble polyimide into which hydroxyl groups and / or carboxyl groups have been introduced with a compound having an epoxy group capable of reacting therewith. And a modified polyimide. The compound having an epoxy group herein preferably has two or more functional groups selected from an epoxy group, a carbon-carbon triple bond, and a carbon-carbon double bond as photopolymerizable and / or heat-polymerizable functional groups. . By introducing such a photopolymerizable and / or thermally polymerizable functional group, good curability and adhesiveness can be imparted to the resulting composition.
[0035]
Hereinafter, a method for introducing a functional group into a polyimide having a hydroxyl group and / or a carboxyl group will be described. Specifically, with modified polyimide
[0036]
[Chemical 8]
Figure 0003997462
(Where m and n are integers of 1 or more, R 8 Is a tetravalent organic group, R 9 Is a divalent organic group, R Ten Is a trivalent organic group, R 11 Hachi 8
[0037]
[Chemical 9]
Figure 0003997462
(Where R 12 Represents a polyimide represented by an organic group) represented by a monovalent organic group having at least one functional group selected from the group consisting of an epoxy group, a carbon-carbon triple bond, or a carbon-carbon double bond. .
A modified polyimide is obtained by dissolving the above-mentioned modified polyimide having a hydroxyl group or a carboxyl group in an organic solvent and reacting with a compound having an epoxy group. The compound having an epoxy group is preferably an epoxy resin having two or more epoxy groups, or a compound having two or more functional groups selected from a carbon-carbon triple bond and a carbon-carbon double bond in addition to the epoxy group.
The epoxy resin having two or more epoxy groups is not particularly limited as long as it has two or more epoxy groups in the molecule, but can be exemplified as follows.
For example, bisphenol type epoxy resin such as Epicoat 828 (manufactured by Yuka Shell), orthocresol novolak type epoxy resin such as 180S65 (manufactured by Yuka Shell), bisphenol A novolak type epoxy such as 157S70 (manufactured by Yuka Shell) Resin, trishydroxyphenylmethane novolak type epoxy resin such as 1032H60 (manufactured by Yuka Shell), naphthalene aralkyl novolak type epoxy resin such as ESN375, tetraphenylolethane 1031S (manufactured by Yuka Shell), YGD414S (Tohto Kasei), Trishydroxyphenylmethane EPPN502H (Nippon Kayaku), special bisphenol VG3101L (Mitsui Chemicals), special naphthol NC7000 (Nippon Kayaku), TETRAD-X, TETRAD-C (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical), etc. Glycidyl amine type resins.
The compound having an epoxy group and a carbon-carbon double bond is not particularly limited as long as it has an epoxy group and a double bond in the same molecule, but examples include allyl glycidyl ether, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl vinyl ether, etc. can do.
The compound having an epoxy group and a carbon-carbon triple bond is not particularly limited as long as it has an epoxy group and a triple bond in the same molecule, but examples thereof include propargyl glycidyl ether, glycidyl propiolate, ethynyl glycidyl ether, and the like. Can do.
The solvent used in the reaction is not particularly limited as long as it does not react with the epoxy group and dissolves the polyimide having a hydroxyl group and / or a carboxyl group. For example, ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, alcohol solvents such as methanol, ethanol and butanol, cellosolv systems such as butyl cellosolve, hexamethylphosphoramide, γ-butyrolactone, and aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene. It can be used. These can be used alone or as a mixture. Since the solvent is removed later, it is advantageous in terms of the process to dissolve a thermoplastic polyimide having a hydroxyl group or a carboxy group and select one having a boiling point as low as possible.
The reaction temperature is preferably 40 ° C. or more and 130 ° C. or less at which the epoxy group reacts with the hydroxyl group / carboxyl group. In particular, for a compound having an epoxy group and a double bond or an epoxy group and a triple bond, it is desirable to react at a temperature at which the double bond / triple bond is not crosslinked or polymerized by heat. Specifically, it is 40 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, and more preferably 50 ° C. or higher and 80 ° C. or lower. The reaction time is about 1 hour to 15 hours.
In this way, a modified polyimide solution can be obtained. In order to improve adhesiveness and developability with copper foil, this modified polyimide solution is appropriately cured with epoxy resin, acrylic resin, cyanate ester resin, bismaleimide resin, bisallyl nadiimide resin, phenol resin, etc. A resin or a thermoplastic resin such as polyester, polyamide, polyurethane, or polycarbonate may be mixed.
Next, the compound having a carbon-carbon double bond as the component (B) will be described. By including (B) component, the fluidity | liquidity at the time of thermocompression bonding can be provided to the composition obtained and a dry film, and a high resolution can be provided.
Especially as a component (B)-(CHR 13 CH 2 -O)-repeating unit (provided that R 13 Is a compound having a structure having 1 to 40 hydrogen or methyl groups), the monomer before curing is easily dissolved in an alkaline aqueous solution. It can be dissolved and removed to give a good resolution in a short time.
This component (B) is:
[0038]
[Chemical Formula 10]
Figure 0003997462
(However, R in the formula 13 Is hydrogen or methyl, or ethyl, R 14 Is preferably a di (meth) acrylate compound having two aromatic rings as represented by a divalent organic group, and m and n are integers from 2 to 20. When m and n are 0 or 1, the composition is poor in solubility in an alkaline aqueous solution and tends to be unable to have good developability. When it is difficult, the solubility in an alkaline aqueous solution is good, but the produced film tends to absorb moisture, which is not preferable.
(B) Examples of the compound having a carbon-carbon double bond include the following.
For example, Aronix M-210, M-211B (manufactured by Toagosei), NK ester ABE-300, A-BPE-4, A-BPE-10, A-BPE-20, A-BPE-30, BPE-100, Bisphenol A EO modified di (meth) acrylate such as BPE-200 (made by Shin-Nakamura Chemical), Bisphenol F EO modified (n = 2 to 20) di (meth) acrylate such as Aronix M-208 (made by Toagosei), Dena Bisphenol A PO-modified (n = 2 to 20) di (meth) acrylate such as coal acrylate DA-250 (manufactured by Nagase Kasei), biscoat # 540 (manufactured by Osaka Organic Chemical Industry), Denacol acrylate DA-721 (manufactured by Nagase Kasei) Phthalic acid PO-modified diacrylate such as Aronix M-215 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.), isocyanuric acid EO-modified diacrylate such as Aronix M-315 (manufactured by Toagosei), NK ester A-9300 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical) Contains acrylates such as isocyanuric acid EO modified triacrylate You may do it.
[0039]
The component (B) is preferably blended in an amount of 1 to 150% by weight of the total amount of (A) and (C). If the amount is less than 1% by weight, the temperature at which crimping is possible tends to be high and the resolution tends to be poor. If the amount is more than 150% by weight, the B-stage film is sticky, and the resin is likely to ooze out during thermocompression bonding and further cure. Things tend to be too brittle. Preferably, it is in the range of 1 to 100% by weight, and more desirably 5 to 60% by weight.
[0040]
By changing these mixing ratios, it is possible to adjust the heat resistance and pressure bonding temperature of the photosensitive film.
[0041]
The temperature capable of being crimped is a temperature required when the photosensitive dry film resist film according to the present invention is crimped to a flexible printed circuit board or the like, and the temperature range varies depending on the material of the film. The temperature at which pressure bonding is possible is preferably 20 ° C. to 150 ° C., and a photosensitive film having no pressure bonding temperature within this temperature range may cause a problem in use. Specifically, the photosensitive film that can only be crimped at a temperature higher than this is that the reaction that should proceed by light irradiation proceeds due to heat, or the temperature difference between the crimping temperature and room temperature becomes too large, After cooling, there is a risk of warping or curling due to the difference in thermal expansion coefficient between the photosensitive dry film and the adherend. In addition, in a photosensitive film that cannot be pressure-bonded unless the temperature is lower than this, the photosensitive film needs to be cooled, and the surface may be condensed due to a temperature difference in each step, and the condensed water may impair the characteristics of the photosensitive dry film. is there.
The photosensitive dry film pressure-bonded to the flexible printed board or the like draws a desired pattern by exposure and development. Since the developing step is a step of showering the developer and dissolving the unexposed portion, it is preferable that the photosensitive resin composition of the photosensitive dry film is peeled off during the developing step if the adhesiveness is low. Absent. Therefore, the adhesive strength is preferably 5 Pa · m or more, and more preferably 10 Pa · m or more.
[0042]
Furthermore, in the composition of the present invention, the photoreaction initiator as the component (C) will be described in order to draw a desired pattern by exposure and development. The photoreaction initiator of the present invention generates radicals with a wavelength of 400 to 450 nm. As an example of a compound: 11 The acyl phosphine oxide compound represented by these is mentioned. (Wherein R twenty two , R twenty three And R twenty four Is C 6 H Five -, C 6 H Four (CH Three )-, C 6 H 2 (CH Three ) Three -, (CH Three ) Three C-, C 6 H Three Cl 2 −, R twenty five , R 26 And R 27 Is C 6 H Five -, Methoxy group, ethoxy group, C 6 H Four (CH Three )-, C 6 H 2 (CH Three ) Three -Represents. )
[0043]
Embedded image
Figure 0003997462
The radical generated thereby reacts with a reactive group having a carbon-carbon double bond (vinyl, acroyl, methacryloyl, allyl, etc.) to promote crosslinking and polymerization. The acyl phosphine oxide represented by the general formula (6) generates two radicals, whereas the acyl phosphine oxide represented by the general formula (7) generates four radicals by α-cleavage. Therefore, it is more preferable.
[0044]
Various peroxides can be used in combination as a photoreaction initiator. In particular, a combination using 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone and a dye (sensitizer) as a photoreaction initiator is particularly preferable.
[0045]
Preferred examples of the dye (sensitizer) include mihiraketone, bis-4,4′-diethylaminobenzophenone, benzophenone, camphorquinone, benzyl, 4,4′-dimethylaminobenzyl, 3,5-bis (diethylaminobenzylidene)- N-methyl-4-piperidone, 3,5-bis (dimethylaminobenzylidene) -N-methyl-4-piperidone, 3,5-bis (diethylaminobenzylidene) -N-ethyl-4-piperidone, 3,3′- Carbonyl bis (7-diethylamino) coumarin, riboflavin tetrabutyrate, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4- Diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, 3,5-di Tylthioxanthone, 3,5-diisopropylthioxanthone, 1-phenyl-2- (ethoxycarbonyl) oxyiminopropan-1-one, benzoin ether, benzoin isopropyl ether, benzanthrone, 5-nitroacenaphthene, 2-nitrofluorene, anthrone 1,2-benzanthraquinone, 1-phenyl-5-mercapto-1H-tetrazole, thioxanthen-9-one, 10-thioxanthenone, 3-acetylindole, 2,6-di (p-dimethylaminobenzal)- 4-carboxycyclohexanone, 2,6-di (p-dimethylaminobenzal) -4-hydroxycyclohexanone, 2,6-di (p-diethylaminobenzal) -4-carboxycyclohexanone, 2,6-di (p- Diethylaminobe Nzal) -4-hydroxycyclohexanone, 4,6-dimethyl-7-ethylaminocoumarin, 7-diethylamino-4-methylcoumarin, 7-diethylamino-3- (1-methylbenzimidazolyl) coumarin, 3- (2-benzimidazolyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (2-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin, 2- (p-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) quinoline, 4- (p-dimethylaminostyryl) ) Quinoline, 2- (p-dimethylaminostyryl) benzothiazole, 2- (p-dimethylaminostyryl) -3,3-dimethyl-3H-indole and the like, but are not limited thereto. Among these, particularly preferred dyes (sensitizers) are bis-4,4′-diethylaminobenzophenone and other bis-4,4′-dialkylaminobenzophenone derivatives, or 3,3′-carbonylbis (7-diethylamino) coumarin. And the like.
The total weight of the photoinitiator and sensitizer is preferably 0.001 to 5 parts by weight, preferably 0.01 to 5 parts by weight of the total amount of the component (A) and the component (B). More preferred. If the amount is outside the range of 0.001 to 5 parts by weight, the sensitization effect may not be obtained or the developability may be adversely affected. In addition, as a photoreaction initiator and a sensitizer, one type of compound may be used, or several types may be mixed and used.
In addition to the components (A), (B), and (C), the epoxy resin is added to the total weight of the components (A) to (C) in order to improve the adhesive strength of the photosensitive dry film resist to the copper foil. 1 to 30% by weight may be added. If less than 1% by weight of the epoxy resin is added, the adhesive strength of the photosensitive dry film resist to the copper foil cannot be expected. If more than 30% by weight, the cured film tends to be hard and brittle. Therefore, it is not preferable.
The epoxy resin used here is not particularly limited as long as it has two or more epoxy groups in the molecule, but Epicoat 828 (oil) exemplified as the above-mentioned component (A): epoxy resin used for modification of soluble polyimide. Bisphenol resin such as 180S65 (manufactured by Yuka Shell), bisphenol A novolak resin such as 157S70 (manufactured by Yuka Shell), 1032H60 (manufactured by Yuka Shell), etc. Trishydroxyphenylmethane novolak resin, naphthalene aralkyl novolak resin such as ESN375, tetraphenylolethane 1031S (manufactured by Yuka Shell), YGD414S (Tohto Kasei), trishydroxyphenylmethane EPPN502H (Nippon Kayaku), special bisphenol VG310 L (Mitsui Chemicals), special naphthol NC7000 (Nippon Kayaku), etc. can be exemplified TETRAD-X, TETRAD-C (Mitsubishi Gas Chemical) glycidylamine type resins such.
At the same time, it is preferable to add an epoxy curing agent in an amount of 1 to 10% by weight with respect to the epoxy resin because curing proceeds efficiently. As the epoxy curing agent, amine compounds such as 4,4′-diaminodiphenylmethane, imidazole, acid dianhydride, phenol resin and the like are generally used.
[0046]
In producing a photosensitive dry film resist, first, (A) component: soluble polyimide and (B) component: compound having carbon-carbon double bond, (C) component: photoreaction initiator, and other additives. The containing photosensitive resin composition is uniformly dissolved in an organic solvent. The organic solvent used here may be any solvent that dissolves the photosensitive resin composition. For example, ether solvents such as dioxolane, dioxane, and tetrahydrofuran, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, methyl alcohol, and ethyl alcohol. Alcohol solvents are used. These solvents may be used alone or in combination of two or more. Since the solvent is removed later, it is advantageous in terms of the process to dissolve the components (A), (B), and (C) and select one having the lowest boiling point as much as possible.
Next, the photosensitive resin composition in solution is uniformly applied on a base film such as a PET film, and then the solvent is removed by heating and / or hot air blowing to form a photosensitive dry film resist.
As the base film, various commercially available films such as polyethylene terephthalate (hereinafter abbreviated as PET) film, polyphenylene sulfide, polyimide film, etc. can be used. A film is preferably used. Moreover, about the surface which apply | coats the photosensitive resin composition of a base film, what is surface-treated so that it may peel easily later is preferable.
The photosensitive dry film resist of the present invention has a thickness of 10 to 50 μm, more preferably 20 to 40 μm. If the thickness of the photosensitive dry film resist is too small, unevenness between the copper circuit on the flexible printed circuit board and the base polyimide film cannot be embedded, and the flatness of the surface after bonding must be maintained. This is not preferable because it cannot be performed. On the other hand, if the thickness is too large, it is not preferable because it is difficult to develop a fine pattern and the sample is likely to warp.
[0047]
Usually, a photosensitive dry film resist is obtained by keeping the above photosensitive composition in a semi-cured state (B stage), and has fluidity during hot pressing or laminating, and follows the circuit irregularities of a flexible printed wiring board. It is designed to be cured by photocrosslinking reaction at the time of exposure, heat at the time of pressing, and heat curing after pressing.
[0048]
Furthermore, it is preferable to laminate | stack protective films, such as a polyethylene film, on the photosensitive dry film resist produced by apply | coating the photosensitive resin composition to a base film, and drying. It is possible to prevent dust and dust in the air from adhering and to prevent deterioration of quality due to drying of the photosensitive dry film resist.
[0049]
A protective film is laminated at room temperature on the photosensitive dry film resist produced on the base film, thereby bringing it into close contact.
[0050]
When manufacturing the coverlay for a flexible printed wiring board using the three-layer structure sheet according to the present invention, after removing the protective film, the flexible printed wiring board on which the circuit is formed and the photosensitive dry film resist are heated by lamination. Laminate. By laminating a photosensitive dry film resist composed of a two-layer structure sheet and a flexible wiring board on which a circuit is formed under heating, a flexible printed wiring board coated with the photosensitive dry film resist is manufactured. If the temperature at the time of lamination is too high, the photosensitive reaction site is cross-linked and the film is cured and the function as a photosensitive coverlay is lost. Therefore, the temperature at the time of lamination is preferably low. Specifically, the temperature is 60 ° C to 150 ° C, and more preferably 80 ° C to 120 ° C. When the temperature is too low, the flowability of the photosensitive dry film resist is deteriorated, so that it is difficult to cover a fine circuit on the flexible printed wiring board and the adhesion tends to be deteriorated.
[0051]
Thus, it will be in the state laminated | stacked in order of the flexible printed wiring board / photosensitive dry film resist / base film. The base film may be peeled off when the lamination is completed, or may be peeled off after the exposure is completed. From the viewpoint of protecting the photosensitive dry film resist, it is preferable to peel off the base film after exposure with a photomask pattern.
[0052]
The photosensitive dry film resist is bonded to the circuit of the flexible printed wiring board, then irradiated with light such as ultraviolet rays, and then cured by heating to form a cover lay for insulating and protecting the circuit.
[0053]
Since the photoreaction initiator contained in the photosensitive dry film resist usually absorbs light having a wavelength of 450 nm or less, it is preferable to use a light source that effectively emits light having a wavelength of 400 to 450 nm.
[0054]
Further, when the photosensitive dry film resist of the present invention is used as a photosensitive coverlay of a flexible printed wiring board, after being adhered onto the circuit of the flexible printed wiring board, a photomask pattern is placed, exposed, and developed. A hole can be made at a desired position.
[0055]
As the developer, a basic aqueous solution or an organic solvent can be used. The solvent for dissolving the basic compound may be water or an organic solvent. In order to improve the solubility of polyimide, a water-soluble organic medium such as methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, isobutanol, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N monodimethylacetamide, Furthermore, it may contain and what mixed 2 or more types of solvent may be sufficient. As a basic compound, 1 type may be used and 2 or more types of compounds may be used. The concentration of the basic compound is usually 0.1 to 10% by weight, but is preferably 0.1 to 5% by weight because of the influence on the film. Examples of the basic compound include hydroxides or carbonates of alkali metals, alkaline earth metals, or ammonium ions, amine compounds, and the like.
It is preferable to use an aqueous solution because it has little environmental impact.
[0056]
The photosensitive dry film resist of the present invention is soluble in soluble polyimide as the component (A) and easily dissolved in an alkaline aqueous solution as the component (B)-(CHR 13 CH 2 -O)-repeating unit (provided that R 13 Is prepared from a photosensitive resin composition comprising an acrylate compound having a hydrogen, methyl group, or ethyl group), whereby the resin in the exposed area is cured and the resin in the unexposed area is quickly dissolved in an alkaline aqueous solution. Since it is removed, it has a good resolution in a short time.
Furthermore, since it has excellent electrical insulation, heat resistance and mechanical properties due to the main component of polyimide, the photosensitive dry film resist of the present invention is not only a photosensitive coverlay for flexible printed wiring boards, but also a PC hard disk. Also suitable for photosensitive coverlays for device heads.
[0057]
【Example】
Examples are described below, but the present invention is not limited to these examples. Example , Experimental example The production of the photosensitive dry film resist and the three-layer structure sheet and the evaluation of the photosensitive dry film resist were performed as follows.
(1) Preparation of photosensitive dry film resist After dissolving a soluble polyimide resin in an organic solvent so as to have a solid content of 30% by weight, an acrylate resin and a photoinitiator are mixed, and a varnish of the photosensitive resin composition is prepared. adjust. The photosensitive resin composition varnish was applied onto a PET film (thickness 25 μm) so that the thickness after drying was 25 μm, and dried at 45 ° C. for 5 minutes and then at 65 ° C. for 5 minutes to remove the organic solvent. While removing, the photosensitive dry film resist was made into the B stage.
(2) Evaluation of photosensitive dry film resist Various characteristics of the obtained photosensitive dry film resist were evaluated by the following methods.
<Developability> The photosensitive resin composition surface of the photosensitive dry film resist prepared in (1) above was laminated on the rough surface of an electrolytic copper foil (3EC-VLP made by Mitsui Kinzoku), 100 ° C. Lamination was performed at 20000 Pa · m. A mask pattern is placed on the PET film of this laminate, and 400 nm light is applied at 400 mJ / cm. 2 Just expose. After peeling off the PET film of this sample, it was heat-treated at 100 ° C. for 2 minutes and developed with a 1% aqueous solution of potassium hydroxide (liquid temperature 40 ° C.) for 3 minutes. The photomask pattern to be placed on the cover film before exposure is such that 500 μmφ, 200 μmφ, 100 μmφ fine holes and lines / spaces are drawn with 500 μm / 500 μm, 200 μm / 200 μm, and 100 μm / 100 μm lines. The pattern formed by development is then washed with distilled water to remove the developer. If at least a 500 μmφ hole and a 500 μm / 500 μm line were developed, the test was accepted.
<Adhesive strength> The photosensitive resin composition surface of the photosensitive dry film resist prepared in (1) above was laminated on the bright surface of an electrolytic copper foil (3EC-VLP made by Mitsui Kinzoku), 100 ° C while shielding light. Lamination was performed at 20000 Pa · m. This laminated body was subjected to 400 nm light at 400 mJ / cm. 2 Just expose and heat at 180 degrees for 1 hour. The peel adhesive strength of this laminate was measured according to the peel strength (180 degrees) of JIS C 6481.
( Experimental example 1) As a raw material of polyimide, (2,2'-bis (4-hydroxyphenyl) propanedibenzoate) -3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic anhydride (hereinafter referred to as ESDA), bis [ 4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone (hereinafter referred to as BAPS-M), silicon diamine, diaminobenzoic acid, [bis (4-amino-3-carboxy) phenyl] methane (hereinafter referred to as MBAA) Using. N, N′-dimethylformamide (DMF) and dioxolane were used as the solvent.
(Polyimide resin synthesis) 500 equipped with a stirrer
17.3 g of ESDA in a separable flask in ml
(0.030 mol) and 30 g of DMF are added and dissolved by stirring with a stirrer. Next, 5.15 g of diamine MBAA made by Wakayama Seika
(0.018 mol) is dissolved in 9 g DMF and stirred vigorously for 1 hour. Further, 7.47 g (0.009 mol) of silicon diamine KF-8010 (manufactured by Shin-Etsu Silicone) is added and stirred for about 1 hour. Finally, 1.29 g (0.003 mol) of BAPS-M is added and stirred vigorously for 1 hour. The polyamide solution thus obtained was placed in a Teflon (R) -coated vat and dried in a vacuum oven at 200 ° C. under a pressure of 5000 Pa for 2 hours to obtain 26.40 g of soluble polyimide.
[0058]
15 g of the polyimide thus synthesized was dissolved in 50 g of dioxolane to prepare a varnish with Sc (solid content concentration) = 30%.
(Preparation of photosensitive dry film resist) The components (a) to (d) shown below are mixed to prepare a photosensitive resin composition, and a B stage photosensitive dry film is formed on the PET film by the method (1). A resist was prepared. A protective film was laminated on the photosensitive dry film resist with PET film to prepare a three-layer structure sheet.
(A) 50 parts by weight of polyimide resin synthesized by the above method
(B) Compound having carbon-carbon double bond Bisphenol A EO-modified (m + n≈30) Dia
10 parts by weight of chlorate (NK Nakamura A-BPE-30 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)
Toagosei Co., Ltd. Aronix M-21540 parts by weight
(C) Photoinitiator 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone 1 part by weight
4,4'-diethylaminobenzophenone 1 part by weight
When a developability test was conducted, fine holes of 100 μmφ and lines of 100 μm / 100 μm could be developed, which was acceptable. The adhesive strength was 500 Pa · m.
( Experimental example 2)
(Synthesis of modified polyimide) Experimental example 20.8 g (0.020 mol) of the polyimide synthesized in 1 was dissolved in 80 g of dioxolane, 0.030 g of 4-methoxyphenol was added, and dissolved while warming in an oil bath at 60 ° C. To this solution, 3.75 g (0.0264 mol) of glycidyl methacrylate was dissolved in 5 g of dioxolane, 0.01 g of triethylamine was further added as a catalyst, and the mixture was stirred with heating at 60 ° C. for 6 hours. In this way, a modified polyimide was synthesized.
(Preparation of photosensitive dry film resist) The components shown below were mixed to prepare a photosensitive resin composition, and a B-stage photosensitive dry film resist was prepared on a PET film by the method (1). A protective film was laminated on the photosensitive dry film resist with PET film to prepare a three-layer structure sheet.
(A) Modified polyimide resin synthesized by the above method 50 parts by weight
(B) Compound having carbon-carbon double bond Bisphenol A EO-modified (m + n≈30) Dia
10 parts by weight of chlorate (NK Nakamura A-BPE-30 manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)
Toagosei Co., Ltd. Aronix M-21510 parts by weight
(C) Photoinitiator 1,3 parts by weight of 3,3 ′, 4,4′-tetra (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone
3,3′-carbonylbis (7-diethylamino) coumarin 1 part by weight
When a developability test was conducted, fine holes of 100 μmφ and lines of 100 μm / 100 μm could be developed, which was acceptable. The adhesive strength was 600 Pa · m.
(Example 1 ) Experimental example It carried out similarly except having made (C) component 2 below.
(C) 1 part by weight of bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide
When a developability test was conducted, fine holes of 100 μmφ and lines of 100 μm / 100 μm could be developed, which was acceptable. The adhesive strength was 620 Pa · m.
(Comparative Example 1) Experimental example It carried out similarly except having made (C) component 2 below.
(C) Benzophenone 1 part by weight
When a developability test was performed, fine holes of 500 μmφ and lines of 500 μm / 500 μm could not be developed and were rejected. The adhesive strength was 120 Pa · m.
(Comparative Example 2) Experimental example It carried out similarly except having made (C) component 2 below.
(C) 1 part by weight of methyl α-oxobenzeneacetate
When a developability test was performed, fine holes of 500 μmφ and lines of 500 μm / 500 μm could not be developed and were rejected. The adhesive strength was 80 Pa · m.
(Comparative Example 3) Experimental example It carried out similarly except having made (C) component 2 below.
(C) Benzoin 1 part by weight
When a developability test was performed, fine holes of 500 μmφ and lines of 500 μm / 500 μm could not be developed and were rejected. The adhesive strength was 50 Pa · m.
(Comparative Example 4) Experimental example It carried out similarly except having made (C) component 2 below.
(C) 4,4′-diazide chalcone 1 part by weight
When a developability test was performed, fine holes of 500 μmφ and lines of 500 μm / 500 μm could not be developed and were rejected. The adhesive strength was 60 Pa · m.
[0059]
【The invention's effect】
As described above, the present invention can draw a fine pattern by using an imide-based photosensitive resin composition that can be exposed by an ordinary exposure machine, and can be used as a film-like photoresist and an insulating protective film permanent. As a photoresist, it can also be suitably used for a photosensitive coverlay film used for a head portion of a flexible printed wiring board or a hard disk device of a personal computer.

Claims (11)

(A)可溶性ポリイミド、(B)炭素−炭素二重結合を有する化合物、(C)光反応開始剤を必須成分として含有し、(C)成分がアシルフォスフィンオキサイド系化合物であり、400nm〜450nmの波長の光を吸収してラジカルを発生することを特徴とし、前記(A)可溶性ポリイミドが、ホルムアミド系溶媒、アセトアミド系溶媒、ピロリドン系溶媒、フェノール系溶媒、エーテル系溶媒、アルコール系溶媒、セロソルブ系溶媒、ヘキサメチルホスホルアミド、ブチロラクトンから選択される溶媒100gに、20℃から50℃で1g以上溶解するものである感光性樹脂組成物。(A) Soluble polyimide, (B) Compound having carbon-carbon double bond, (C) Photoreaction initiator is contained as an essential component, and (C) component is an acylphosphine oxide compound, 400 nm to 450 nm And (A) the soluble polyimide comprises a formamide solvent, an acetamide solvent, a pyrrolidone solvent, a phenol solvent, an ether solvent, an alcohol solvent, cellosolve. A photosensitive resin composition that dissolves 1 g or more at 20 to 50 ° C. in 100 g of a solvent selected from a system solvent, hexamethylphosphoramide, and butyrolactone. 請求項1に記載の感光性樹脂組成物からなる感光性ドライフィルムレジスト。A photosensitive dry film resist comprising the photosensitive resin composition according to claim 1. ルカリ水溶液で現像できることを特徴とする請求項2に記載の感光性ドライフィルムレジスト。Photosensitive dry film resist according to claim 2, characterized in that the development with A alkali aqueous solution. 請求項2〜3のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジストと支持体フィルムが積層されてなる、二層構造シートからなる感光性ドライフィルムレジスト。The photosensitive dry film resist which consists of a 2 layer structure sheet | seat by which the photosensitive dry film resist as described in any one of Claims 2-3 and a support body film are laminated | stacked. 請求項4に記載の二層構造シートからなる感光性ドライフィルムレジストと保護フィルムが積層されてなる、三層構造シートからなる感光性ドライフィルムレジスト。A photosensitive dry film resist comprising a three-layer structure sheet, wherein the photosensitive dry film resist comprising a two-layer structure sheet according to claim 4 and a protective film are laminated. 感光性ドライフィルムレジストに含有される感光性樹脂組成物のBステージ状態の圧着可能温度が20℃〜150℃であることを特徴とする上記請求項2〜5のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジスト。The photosensitive resin composition according to any one of claims 2 to 5, wherein the pressure-bondable temperature in the B-stage state of the photosensitive resin composition contained in the photosensitive dry film resist is 20 ° C to 150 ° C. Dry film resist. 感光性ドライフィルムレジストに含有される感光性樹脂組成物の銅に対する、20℃における粘着強度が5Pa・m以上である上記請求項2〜6のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジスト。The photosensitive dry film resist as described in any one of the said Claims 2-6 whose adhesive strength in 20 degreeC with respect to copper of the photosensitive resin composition contained in the photosensitive dry film resist is 5 Pa * m or more. 請求項2〜7のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジストを用いてなる、フレキシブルプリント配線板用感光性カバーレイフィルム。The photosensitive cover-lay film for flexible printed wiring boards which uses the photosensitive dry film resist as described in any one of Claims 2-7. フレキシブルプリント配線板用感光性カバーレイフィルムに用いる、請求項2〜8のいずれか一項に記載の感光性ドライフィルムレジスト。The photosensitive dry film resist as described in any one of Claims 2-8 used for the photosensitive coverlay film for flexible printed wiring boards. 請求項2〜9のいずれかに記載の感光性ドライフィルムレジストを用いてなる、パソコンのハードディスク装置のヘッド用感光性カバーレイフィルム。A photosensitive cover lay film for a head of a hard disk device of a personal computer, comprising the photosensitive dry film resist according to claim 2. パソコンのハードディスク装置のヘッド用感光性カバーレイフィルムに用いる、請求項2〜9のいずれかに記載の感光性ドライフィルムレジスト。The photosensitive dry film resist according to any one of claims 2 to 9, which is used for a photosensitive coverlay film for a head of a hard disk device of a personal computer.
JP2001346460A 2001-10-30 2001-11-12 Photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist using the same, photosensitive coverlay film for flexible printed wiring board, and photosensitive coverlay film for head of hard disk device of personal computer Expired - Fee Related JP3997462B2 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001346460A JP3997462B2 (en) 2001-11-12 2001-11-12 Photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist using the same, photosensitive coverlay film for flexible printed wiring board, and photosensitive coverlay film for head of hard disk device of personal computer
CNB028239911A CN1324402C (en) 2001-10-30 2002-10-24 Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same
US10/493,364 US7141614B2 (en) 2001-10-30 2002-10-24 Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same
PCT/JP2002/011070 WO2003038526A1 (en) 2001-10-30 2002-10-24 Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same
KR1020047006521A KR100589067B1 (en) 2001-10-30 2002-10-24 Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same
TW91132035A TW200300519A (en) 2001-10-30 2002-10-29 Photosensitive resin composition and photosensitive films and laminates made by using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001346460A JP3997462B2 (en) 2001-11-12 2001-11-12 Photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist using the same, photosensitive coverlay film for flexible printed wiring board, and photosensitive coverlay film for head of hard disk device of personal computer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003149802A JP2003149802A (en) 2003-05-21
JP3997462B2 true JP3997462B2 (en) 2007-10-24

Family

ID=19159635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001346460A Expired - Fee Related JP3997462B2 (en) 2001-10-30 2001-11-12 Photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist using the same, photosensitive coverlay film for flexible printed wiring board, and photosensitive coverlay film for head of hard disk device of personal computer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3997462B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4599974B2 (en) * 2004-10-04 2010-12-15 日立化成工業株式会社 Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, resist pattern forming method, and printed wiring board manufacturing method
WO2007004569A1 (en) 2005-07-05 2007-01-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive adhesive composition, and obtained using the same, adhesive film, adhesive sheet, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and electronic part

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003149802A (en) 2003-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5255847B2 (en) Photosensitive dry film resist, printed wiring board using the same, and method for manufacturing printed wiring board
JP3997487B2 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist using the same, and photosensitive coverlay film
US6605353B2 (en) Epoxy-modified polyimide, photosensitive composition, coverlay film, solder resist, and printed wiring board using the epoxy-modified polyimide
JP2009048170A (en) Photosensitive dry film resist, and printed wiring board and method for producing printed wiring board using the same
JP2006342310A (en) New polyimide precursor and utilization of the same
JP2008304849A (en) Photosensitive dry film resist, printed wiring board using same and method for producing printed wiring board
JP2002121207A (en) Composition, photosensitive composition using the same, and cover lay
JP2002003715A (en) Composition, photosensitive composition and cover lay film using the same
JP4006677B2 (en) Flame retardant photosensitive coverlay film
JP3968236B2 (en) Photosensitive coverlay film
JP2004317725A (en) Water developable photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist, and its use
JP2009031344A (en) Photosensitive dry film resist, printed wiring board using the same, and manufacturing method of printed wiring board
JP2004157188A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist using the same and flexible printed wiring board using the same
JP2009015158A (en) Method for producing printed wiring board
JP2005316131A (en) Photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist and printed wiring board using the same
JP4078478B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist using the same
JP2009025699A (en) Photosensitive dry film resist, printed wiring board using same, and method for producing printed wiring board
JP2002003516A (en) Composition and photosensitive composition as well as cover layer film using the same
JP3997462B2 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive dry film resist using the same, photosensitive coverlay film for flexible printed wiring board, and photosensitive coverlay film for head of hard disk device of personal computer
JP2005055545A (en) Photosensitive resin composition with high electric reliability and its use
JP2004325616A (en) Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist developable with aqueous alkali solution and their use
JP2006169409A (en) Polyimide precursor and photosensitive resin composition using it
JP4981215B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive dry film resist using the same
JP3914800B2 (en) Photosensitive resin composition and photosensitive coverlay film using imide (meth) acrylate
KR20030045797A (en) Photosensitive resin composition, solder resist comprising the same, cover lay film, and printed circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040929

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060815

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060831

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060927

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060901

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070109

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070308

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070515

R155 Notification before disposition of declining of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070725

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3997462

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100817

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100817

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110817

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120817

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120817

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130817

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130817

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees