JP3912350B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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本発明は、上述した実情に鑑みてなされたもので、薄層化された化合物半導体ウエハを有機溶剤を用いて処理した後に、簡単に収納できるトレーを用い、ウエハに割れを生起させることなく安全に洗浄できる半導体装置の製造方法の提供を課題とする。
トレーを、内径方向に凹むように傾斜する受け部と開口を有する本体、開口を有する蓋部材及び周辺部が弾性的に撓む複数の脚片を有するウエハ抑え部材で構成したものである。
Claims (4)
- 表面に半導体デバイスが形成された化合物半導体ウエハを保持基板に貼付け、該化合物半導体ウエハの裏面を研削した後、前記化合物半導体ウエハを前記保持基板から剥離する第1の工程と、該第1の工程の後、前記化合物半導体ウエハをウエハ支持部材に載置しトレーに収納して洗浄する第2の工程とを含み、
前記トレーは、内径方向に凹むように傾斜する受け部と開口を有する本体、開口を有する蓋部材及び周辺部が弾性的に撓む複数の脚片を有するウエハ抑え部材から構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ウエハ支持部材は、前記化合物半導体ウエハの径より大きい石英で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記化合物半導体ウエハは、前記第1の工程により30μm〜200μmの厚さに薄層化されていること特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の工程は、イソプロピルアルコールを含む洗浄液による超音波洗浄を併用することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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