JP3903456B2 - High frequency switch module for multiband - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はマイクロ波帯などの高周波帯域で用いられる高周波複合部品に関し、通過帯域の異なる送受信系を取り扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年の携帯電話の普及には、目を見張るものがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られている。この新たな携帯電話として、デュアルバンド携帯電話等の提案がなされている。このデュアルバンド携帯電話は、通常の携帯電話が一つの送受信系のみを取り扱うのに対し、2つの送受信系を取り扱うものである。これにより、利用者は都合の良い送受信系を選択して利用することが出来るものである。例えば、デュアルバンド携帯電話では、第1の送受信系としてDCS1800システム(送信TX.1710〜1785MHz、受信RX.1805〜1880MHz)、第2の送受信系としてGSMシステム(送信TX.880〜915MHz、受信RX.925〜960MHz)の2つのシステムに対応する。
【0003】
このような携帯電話では、それぞれの周波数に応じた信号経路、及び複数の周波数を切り替えるためのスイッチとして分波回路とスイッチ回路を用いて構成されるマルチバンド用高周波スイッチモジュールが用いられる。前記デュアルバンド携帯電話に用いられるマルチバンド用高周波スイッチモジュールとして、本発明者等は既に特開平11−313003号に記載の高周波スイッチモジュールを提案している。図6に一例として前記高周波スイッチモジュールの回路ブロック図を示す。この高周波スイッチモジュールは、第1の送受信系としてDCS1800システム(送信TX.1710〜1785MHz、受信RX.1805〜1880MHz)、第2の送受信系としてGSMシステム(送信TX.880〜915MHz、受信RX.925〜960MHz)の2つのシステムに対応し、デュアルバンド携帯電話のアンテナANTと、GSM系、DCS系のそれぞれの送受信回路との振り分けに用いられる。
【0004】
【発明が解決しようする課題】
前記した特開平11−313003号に記載の高周波スイッチモジュールは、LC並列接続のノッチ回路を2つ用い、前記2つのノッチ回路の一端同士を接続して前記複数の送受信系に共通の共通端子とした分波回路を用い、前記それぞれのノッチ回路の他端をスイッチ回路に接続し構成され、前記分波回路及び前記スイッチ回路の少なくとも一部を、電極パターンと誘電体層との積層体に内蔵し、ダイオード等のチップ素子を前記積層体上に配置している。
前記分波回路は、少ない部品点数でありながら、低損失で所望の周波数帯の高周波信号を分波し得る優れたものであるが、キャパシタを構成する誘電体層の厚さのばらつきにより共振周波数が変動し、所望の周波数帯での挿入損失特性がばらつき、製品歩留まりを下げる一因となっていた。
また、前記の携帯電話においては、従来各受信系の高周波信号を、マルチバンド用高周波スイッチモジュールとは別に実装基板に配置されたフィルタ回路を通して、所望の高周波信号を得ていた。このフィルタ回路として専らSAWフィルタが用いられているが、マルチバンド用高周波スイッチモジュールとの接続を前記実装基板に構成した整合回路を介して行っており、機器の大型化や高コスト化の一因となっていた。
そこで本発明は、このような問題点を解消する為になされたものであり、小型で電気的特性に優れたマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供し、さらにSAWフィルタを実装したワンチップのマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
第1の発明は、通過帯域の異なる第1のフィルタ回路部及び第2のフィルタ回路部を並列接続してなる分波回路と、送信信号と受信信号の信号経路を切り替えるスイッチ回路と、受信信号の信号経路に配置されたSAWフィルタを備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、積層体に搭載された実装素子と、前記積層体の誘電体層に形成された電極パターンで、分波回路とスイッチ回路を含むマルチバンド用高周波スイッチモジュール構成し、前記実装素子には複数のSAWフィルタを含み、前記スイッチ回路と前記SAWフィルタとは整合回路を介して接続されており、前記整合回路はコンデンサ又はLC回路で構成され、前記分波回路、前記スイッチ回路、前記SAWフィルタとともに、電極パターンと誘電体層との積層体に形成され、前記積層体の内部に形成されたグランド電極の一つと複数のSAWフィルタがスルーホールを介して接続することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュールである。
【0006】
第2の発明は、通過帯域の異なる第1のフィルタ回路部及び第2のフィルタ回路部を並列接続してなる分波回路と、送信信号と受信信号の信号経路を切り替えるスイッチ回路と、受信信号の信号経路に配置されたSAWフィルタを備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、積層体に搭載された実装素子と、前記積層体の誘電体層に形成された電極パターンで、分波回路とスイッチ回路を含むマルチバンド用高周波スイッチモジュール構成し、前記実装素子には複数のSAWフィルタを含み、前記第1のフィルタ回路部は、ローパスフィルタ回路と、信号経路からグランドに接続する第1のLC直列共振回路を有し、前記第1のLC直列共振回路は、前記ローパスフィルタ回路とスイッチ回路との間に配置され、前記第2のフィルタ回路部は、ハイパスフィルタ回路と、信号経路からグランドに接続する第2のLC直列共振回路を有し、前記第2のLC直列共振回路は、前記ハイパスフィルタ回路と他のスイッチ回路との間に配置され、前記積層体の内部に形成されたグランド電極の一つと複数のSAWフィルタがスルーホールを介して接続することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュールである。
本発明のマルチバンド用高周波スイッチモジュールでは、前記第1のフィルタ回路部のローパスフィルタ回路は、信号経路に直列接続されるインダクタを備え、第1の直列共振回路はインダクタおよびコンデンサで構成され、前記第2のフィルタ回路部のハイパスフィルタ回路は、信号経路に直列接続されるコンデンサを備え、第2の直列共振回路はインダクタおよびコンデンサで構成され、前記スイッチ回路はインダクタとコンデンサとダイオードを備えるように構成するのが好ましい。
【0007】
第3の発明は、通過帯域の異なる第1のフィルタ回路部及び第2のフィルタ回路部を並列接続してなる分波回路と、送信信号と受信信号の信号経路を切り替えるスイッチ回路と、受信信号の信号経路に配置されたSAWフィルタを備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、積層体に搭載された実装素子と、前記積層体の誘電体層に形成された電極パターンで、分波回路とスイッチ回路を含むマルチバンド用高周波スイッチモジュール構成し、前記実装素子には複数の不平衡入力−平衡出力のSAWフィルタを含み、前記積層体の内部に形成されたグランド電極の一つと複数のSAWフィルタがスルーホールを介して接続することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュールである。
【0008】
第4の発明は、通過帯域の異なる第1のフィルタ回路部及び第2のフィルタ回路部を並列接続してなる分波回路と、送信信号と受信信号の信号経路を切り替えるスイッチ回路と、受信信号の信号経路に配置されたSAWフィルタを備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、積層体に搭載された実装素子と、前記積層体の誘電体層に形成された電極パターンで、分波回路とスイッチ回路を含むマルチバンド用高周波スイッチモジュール構成し、前記実装素子には複数の不平衡出力のSAWフィルタを含み、更に平衡−不平衡変換回路としてバルントランスを備え、前記分波回路、前記スイッチ回路、前記SAWフィルタとともに、電極パターンと誘電体層との積層体に構成され、前記積層体の内部に形成されたグランド電極の一つと複数のSAWフィルタがスルーホールを介して接続することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュールである。
第3又は第4の発明においては、前記第1のフィルタ回路部は、ローパスフィルタ回路と、前記ローパスフィルタ回路とスイッチ回路との間に、信号経路からグランドに接続する第1のLC直列共振回路を有し、前記第2のフィルタ回路部は、ハイパスフィルタ回路と、前記ハイパスフィルタ回路と他のスイッチ回路との間に、信号経路からグランドに接続する第2のLC直列共振回路を有するのが好ましい。
【0009】
第1乃至第3の発明において、前記積層体には複数のグランド電極が形成されており、複数のSAWフィルタとスルーホールを介して接続されるグランド電極が、実装素子を搭載する面に最も近いグランド電極であるのが好ましい。
また、前記スイッチ回路と前記SAWフィルタとは、整合回路を介して接続されているのも好ましく、前記整合回路は、コンデンサ又はLC回路で構成され、前記分波回路、前記スイッチ回路、前記SAWフィルタとともに、電極パターンと誘電体層との積層体に構成するのが好ましい。
【0010】
第1乃至第3の発明においては、前記分波回路の接地コンデンサ用のコンデンサ電極が、誘電体層を介して、複数のSAWフィルタとスルーホールを介して接続されるグランド電極と対向して配置されるのも好ましい。
【0011】
また前記積層体に凹部を形成し、前記凹部にSAWフィルタを配置するのも好ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明に係る一実施例を図1から図5を用いて以下詳細に説明する。図1は、本発明の一実施例に係るデュアルバンド用高周波スイッチモジュールの回路ブロック図である。図2はデュアルバンド用高周波スイッチモジュールの一例を示す等価回路図である。
なお、前記等価回路図において破線で囲まれた部分が本実施例部分であり、その破線の外側のコンデンサCG2、CP2、抵抗R、インダクタンスLG及びLPは外付け部品として、回路基板上などに配置されるが、この外付け部品を、後述する積層体内に又は積層体上に構成することも可能であり、特に限定されるものではない。
この実施例の回路ブロック図では、第1の送受信系としてGSMを、第2の送受信系としてDCSを用いている。そして、このGSMとDCSの送信回路、受信回路とアンテナとを接続する構成となっている。
アンテナANTに接続される分波回路は、LC回路で構成され、第1のフィルタ回路部及び第2のフィルタ回路部を並列接続してなり、前記第1のフィルタ回路部には分布定数線路LF2とコンデンサCF1で一つのノッチ回路(第1の直列共振回路)を構成し、前記第2のフィルタ回路部には、分布定数線路LF3とコンデンサCF3でもう一つのノッチ回路(第2の直列共振回路)を構成している。そして第1のフィルタ回路部は、第1の直列共振回路とアンテナANTとの間に、ローパスフィルタ回路として機能する分布定数線路LF1を接続して構成されている。また、第2のフィルタ回路部は、第2の直列共振回路とアンテナANTとの間にハイパスフィルタとして機能するコンデンサCF2を接続して構成される。さらに、第2のフィルタ回路部の後段に、コンデンサCF4を前記コンデンサCF2と直列に接続しても良い。このコンデンサCF4は、分波特性のハイパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。またこのコンデンサCF4は、後述する第2のスイッチ回路のDCカット用コンデンサとしても使用される。
このように構成することで、分波回路部分において所望の周波数帯で広帯域な挿入損失特性を示し、不要な周波数帯で優れた減衰特性を発現できる。
【0014】
次に、第1のスイッチ回路について説明する。第1のスイッチ回路は、図1上側のスイッチ回路であり、第1のフィルタ回路部と接続されるものである。本実施例では、第1の 送受信系であるGSMの送信回路と受信回路を切り換えるものである。この第1のスイッチ回路SWは、2つのダイオードDG1、DG2と、2つの分布定数線路LG1、LG2を主構成とし、ダイオードDG1はアンテナANT側にアノードが接続され、送信TX側にカソードが接続され、そのカソード側にアース接続される分布定数線路LG1が接続されている。そして、アンテナANTと受信RXとの間に分布定数線路LG2が接続され、
受信RXとアースとの間には、受信RX側にカソードが接続されたダイオードDG2が配置され、そのダイオードDG2のアノードには、アースとの間にコンデンサCG6が接続され、ダイオードDG2とコンデンサCG6の間にダイオード制御用の電圧端子VC1が配置される。本実施例においては、電圧端子VC1に回路基板に配置されたインダクタLGが直列に接続されるが、マルチバンド用高周波スイッチモジュールの積層体内に分布定数線路を形成してインダクタLGを形成してもよい。
そして、送信回路側の信号経路にはローパスフィルタ回路が配置されている。このローパスフィルタ回路はインダクタLG3と、コンデンサCG3、CG4、CG7から構成され、第1のスイッチ回路SWのダイオードDG1と分布定数線路LG1の間に挿入されている。また受信回路側の信号経路には、前記ダイオードDG2のカソード側に整合回路CG5を介してSAWフィルタSGが接続される。本実施例では、整合回路CG5はコンデンサで構成されており、スイッチ回路のDCカットコンデンサとしても機能している。
【0015】
次に、第2のスイッチ回路について説明する。第2のスイッチ回路は、図1下側のスイッチ回路であり、第2のフィルタ回路部と接続されるものである。本実施例では、第2の送受信系であるDCSの送信回路と受信回路を切り換えるものである。
この第2のスイッチ回路SWは、2つのダイオードDP1、DP2と、2つの分布定数線路LP1、LP2を主構成とし、ダイオードDP1はアンテナANT側にアノードが接続され、送信TX側にカソードが接続され、そのカソード側にアースに接続される分布定数線路LP1が接続されている。そして、アンテナANTと受信RXとの間に分布定数線路LP2が接続され、その受信RXとアースとの間には、受信RX側にカソードが接続されたダイオードDP2が配置され、そのダイオードDP2のアノードには、アースとの間にコンデンサCP6が接続され、ダイオードDP2とコンデンサCP6の間にダイオード制御用の電圧端子VC2が配置される。本実施例においては、電圧端子VC2に回路基板に配置されたインダクタLPが直列に接続されるが、マルチバンド用高周波スイッチモジュールの積層体内に分布定数線路を形成してインダクタLPを形成してもよい。
そして、送信回路側の信号経路にはローパスフィルタ回路が配置されている。このローパスフィルタ回路は、インダクタLP3と、コンデンサCP3、CP4、CP7から構成され、第2のスイッチ回路SWのダイオードDP1と分布定数線路LP1の間に挿入されている。また受信回路側の信号経路には、前記ダイオードDP2のカソード側に整合回路CP5を介してSAWフィルタSPが接続される。本実施例では、整合回路CP5はコンデンサで構成されており、スイッチ回路のDCカットコンデンサとしても機能している。
また本実施例では、第1のスイッチ回路の分布定数線路LG1と第2のスイッチ回路の分布定数線路LP1と接続し、並列に接続されたコンデンサCGPと抵抗Rを介してアース接続される。前記抵抗Rは回路基板に配置されているが、前記抵抗Rを接続せずに、ダイオード制御用の電圧端子VC3として使用しても良い。
【0016】
一般に携帯電話の受信回路においては、前記SAWフィルタSG、SPの後段に平衡信号入力のローノイズアンプが配置される。そこで前記SAWフィルタSG、SPとして平衡出力のSAWフィルタを用いてもよいし、SAWフィルタSG、SPを不平衡出力のSAWフィルタとする場合には、さらに積層体内に又は積層体上に平衡−不平衡変換回路としてバルントランスを構成することも可能である。
【0017】
このマルチバンド用高周波スイッチモジュールの動作は、GSM系の送信を有効とする場合、電圧端子VC1に所定の電圧をかける。同様に、DCS系の送信を有効とする場合、電圧端子VC2に所定の電圧をかける。GSM系、DCS系の受信時には、電圧端子VC1、電圧端子VC1、VC2には電圧をかけない。電圧端子VC3を備える場合には、GSM系、DCS系の受信時に、電圧端子VC3に所定の電圧をかける。この関係を表1に示す。
【0018】
【表1】
【0019】
次に、図2に示した等価回路のマルチバンド用高周波スイッチモジュールを構成するための積層体内部構造の一実施例を図3に、その積層体部分の斜視図を図4に、SAWフィルタやダイオードを実装したマルチバンド用高周波スイッチモジュールの上面図を図5に示す。
この実施例は、分波回路、ローパスフィルタ回路、スイッチ回路の分布定数線路を積層体内に構成し、ダイオード、チップコンデンサ、SAWフィルタをその積層体上に搭載して、ワンチップ化した高周波スイッチモジュールを構成したものである。
【0020】
まず、マルチバンド用高周波スイッチモジュールに用いる積層体の内部構造について説明する。この積層体は、低温焼成が可能なセラミック誘電体材料からなるグリーンシートを用意し、そのグリーンシート上にAgを主体とする導電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを形成し、それを適宜積層し、一体焼成させ構成する。
【0021】
この内部構造を以下積層順に従って説明する。まず、下層のグリーンシート15上には、グランド電極31がほぼ全面に形成されている。そして、側面に形成される端子電極81、83、84、87、90、92、94、96、97、99に接続するための接続部が設けられている。
【0022】
次に、電極パターンの印刷されていないダミーのグリーンシート14、13を積層する。その上のグリーンシート12には、2つのライン電極42、43が形成され、その上のグリーンシート11には、4つのライン電極44、45、46、47が形成されている。その上に、スルーホール電極(図中二重に丸を付けたものがスルーホール電極である)とライン電極48、49、50が形成されたグリーンシート10を積層し、その上に、スルーホール電極が形成されたグリーンシート9を積層し、その上に、グランド電極32が形成されたグリーンシート8が積層される。このグランド電極32は、スルーホール電極をさけるようにその一部切り欠いたり、切り抜いた形状となっている。
【0023】
この2つのグランド電極31、32に挟まれた領域に形成されたライン電極はスルーホールを介して適宜接続され、第1及び第2のスイッチ回路SW用の分布定数線路を形成している。ライン電極42と46と48はスルーホール電極で接続され、等価回路の分布定数線路LG1を構成し、ライン電極43と47はスルーホール電極で接続され、等価回路の分布定数線路LP1を構成し、ライン電極45と50はスルーホール電極で接続され、等価回路の分布定数線路LG2を構成し、ライン電極44と49はスルーホール電極で接続され、等価回路の分布定数線路LP2を構成している。
【0024】
グリーンシート8の上に積層されるグリーンシート7には、コンデンサ用の電極61、62、63、64、65、66、67、68が形成されている。その上に積層されるグリーンシート6にもコンデンサ用の電極69、70、71とグランド電極33が形成されている。その上に積層されるグリーンシート5には、コンデンサ電極72、73、74が形成されている。
【0025】
更にその上には、ライン電極51、52、53,54,55が形成されたグリーンシート4が積層され、その上に、ライン電極56、57、58、59が形成されたグリーンシート3が積層される。更にその上のグリーンシート2には、配線パターンが形成され、そして、最上部のグリーンシート1には、搭載素子接続用のランドが形成されている。
【0026】
上側のグランド電極32が形成されたグリーンシート8の上には、グリーンシート7が積層されるが、グリーンシート7に形成されたコンデンサ用電極61、62、63、64、65、67、68,69は、グランド電極32との間で容量を形成し、コンデンサ用電極61は、等価回路のCG4を、コンデンサ用電極62は、等価回路のCG3を、コンデンサ用電極63は、等価回路のCP4を、コンデンサ用電極64は、等価回路のCP3を、コンデンサ用電極65は、等価回路のCF1を、コンデンサ用電極67は、等価回路のCG6を、コンデンサ用電極68は、等価回路のCF3の一部を構成している。
【0027】
またグリーンシート7、6、5に形成されたコンデンサ電極は互の間で容量を形成し、コンデンサ電極61、62と69の間で、等価回路のCG7を構成し、同様にコンデンサ電極63、64と70の間で、等価回路のCP7を構成し、コンデンサ電極66と71の間で、等価回路のCF4を構成し、コンデンサ電極71と73の間で、等価回路のCF2を構成し、コンデンサ電極72とグランド電極33の間で、等価回路のCP6を構成し、コンデンサ電極74、68とグランド電極33の間で、等価回路のCF3の一部を構成し、コンデンサ電極67とグランド電極33の間で、等価回路のCG6の一部を構成している。
【0028】
またグリーンシート4、3では、ライン電極51、56が等価回路のLG3を構成し、ライン電極52、57が等価回路のLP3を構成し、ライン電極55、59が等価回路のLF3を構成し、ライン電極54、58が等価回路のLF1を構成し、ライン電極53が等価回路のLF2を構成している。
【0029】
これらのグリーンシートを圧着し、一体焼成して積層体を得た。この積層体の側面に端子電極81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、93、94、95、96、97、98、99、100を形成した。
【0030】
積層体の外表面には、搭載素子接続用のランドと金属ケースを接続するためのランド109、110、111、112が形成されている。搭載素子接続用のランドの内、SAWフィルタが搭載されるランド101、102、103、104、105、106、107、108の内、ランド101、105を他のランドよりも大きな面積で形成し、このランド101、105でSAWフィルタのグランドと接続する。さらに前記ランド101、105のそれぞれを誘電体層に形成したスルーホールを介して前記グランド電極33と接続し、積層体側面の端子電極84、87、90、92へ引き出すことで、SAWフィルタの性能を発揮させている。
また、マルチバンド用高周波スイッチモジュールの挿入損失特性が劣化することが無いように、ランド101、105と前記スイッチ回路の分布定数線路用のライン電極56、57、前記分波回路の分布定数線路用のライン電極58、59とを積層方向に少なくとも80μm以上離して配置している。また、金属ケースを接続するためのランド109、110、111、112は、スルーホールを介してグリーンシート2に形成された引出し線路により、積層体側面の端子電極81、83、94、96と接続する。
【0031】
この積層体の上に、搭載素子接続用のランドにダイオードDG1、DG2、DP1、DP2、チップコンデンサCG1、CG5、CP5、CGP、SAWフィルタSG、SPを搭載し、さらに、ダイオード、チップコンデンサ上に、SPCCからなる金属ケースを被せ、金属ケースを接続するためのランドに配置して、それぞれはんだ付けした。
図5に、前記素子を搭載した様子を平面図として示す。図5において破線で示した部分は、SPCCからなる金属ケースの内部を理解が容易なように図示したものである。また図5においては、図2で示した等価回路図に対応する端子対応を併記している。
【0032】
この実施例によれば、第1及び第2のスイッチ回路の分布定数線路を積層体内に形成する際に、グランド電極で挟まれた領域内に配置している。これにより、スイッチ回路と分波回路、ローパスフィルタ回路との干渉を防いでいる。そして、このグランド電極で挟まれた領域を積層体の下部に配置し、アース電位を取り易くしている。そして、アースとの間に接続されるコンデンサを構成する電極を、その上側のグランド電極に対向させて形成している。
【0033】
また、スイッチ回路の分布定数線路部分を積層体の下側に構成することにより、グランド電極を積層体の下側に配置して、実装基板の影響を少なくしている。さらに、グランド電極と対向させるコンデンサ形成用の容量電極をその次に配置し、上部にローパスフィルタ回路と分波回路のインダクタンス成分を配置することにより、インダクタンス成分をグランド電極から離すことができ、短い線路長で必要なインダクタンス値を得ることができる。これにより、マルチバンド用高周波スイッチモジュールの小型化を図れる。
【0034】
また、この実施例の積層体の側面に形成された端子電極において、アンテナANT端子に対して積層体を2分した反対側に、GSM系の送信TX端子、受信RX端子、DCS系の送信TX端子、受信RX端子がそれぞれ形成されている。この高周波スイッチモジュールは、アンテナと送受信回路の間に配置されるので、この端子配置により、アンテナと高周波スイッチモジュール、及び送受信回路と高周波スイッチモジュールを最短の線路で接続することができ、余分な損失を防止できる。
【0035】
さらに、その反対側において、その半分の片側に、GSM系の送信TX端子、DCS系の送信TX端子が形成され、もう一方の片側に、GSM系の受信RX端子、DCS系の受信RX端子が形成されている。このような端子電極の配置によれば、2つの送信回路、2つの受信回路は、それぞれかたまって配置されるので、高周波スイッチモジュールの送信端子どうし、受信端子どうしを近くに配置して、最短経路での接続が可能となり、余分な損失を防止できる。
【0036】
また、この実施例の積層体では、側面に形成されたアンテナANT端子、GSM系の送信TX端子、受信RX端子、DCS系の送信TX端子、受信RX端子、及び電圧端子VC1、VC2、VC3はいずれも、側面の周回方向で見た場合、各端子間にはアース端子が形成されており、各端子はアース端子で挟まれている。各入出力端子(RF端子)は、アース端子に挟まれた配置となっている。これにより、各端子間の信号の漏洩が遮断され、干渉が無くなり、信号端子間のアイソレーションが確実なものとなる。
【0037】
また、各辺にアース端子が有り、低損失となる構造となっている。
【0038】
上記実施例においては、SAWフィルタとして、素子を金属ケースに封止した単体デバイス、いわゆる管封止パッケージ型SAWフィルタを用いているが、積層体の少なくとも一面にSAWフィルタを裸状態でボンディング実装しても良く、積層体に凹部を形成して、この凹部にSAWフィルタを配置してもよい。SAWフィルタを裸状態で実装する場合には、金属ケースで封止するとともに、必要に応じてアルゴンガスや窒素ガスでSAWフィルタの周囲を不活性雰囲気とすればよい。
【0039】
上記積層構造の実施例は、図2に示した等価回路図に対応するものであるが、本発明の範囲内で他の回路とすることは容易にであって、例えば、インダクタ成分、コンデンサ成分の電極パターンを変更し、接続方法を変更することで可能である。
【0040】
本発明によれば、複数の回路構成をワンチップに構成することができるとともに、マルチバンド携帯電話において、複数の送受信系と1つのアンテナを接続する部分に用いることができ、このため、複数の回路素子を別々に回路基板に搭載し、接続する方法に比較し、部品点数の削減、工数の削減、小型化などの利点を有する。また分波回路を適宜選択することにより、積層体構造に起因する電気的特性のばらつきを減少させるとともに、分波回路部分での挿入損失特性の広帯域化が可能となりマルチバンド用高周波スイッチモジュールのトリプルバンド化対応も容易となる。
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、マルチバンド携帯電話に用いられるマルチバンド用高周波スイッチモジュールを、積層構造を用い、複数の回路機能を積層体に内蔵・実装することで小型で電気的特性に優れたマルチバンド用高周波スイッチモジュールを得ることが出来るので機器の小型化に有効なものであり、また前記回路機能の分波回路部分を適宜選択することにより、優れた電気的特性を備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールを得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る一実施例の回路ブロック図である。
【図2】図1に示した回路ブロック図の一例としての等価回路図である。
【図3】図2に示した等価回路図を構成するために一例としての積層体の内部構造図である。
【図4】本発明に係る一実施例の積層体の斜視図である。
【図5】本発明に係る一実施例のマルチバンド用高周波スイッチモジュールの上面図である。
【図6】従来例の回路ブロック図である。
【符号の説明】
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15誘電体シート
42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53、54、55、56、57、58、59 ライン電極
31、32、33 グランド電極
61、62、63、64、65、66、67、68、69、70、71、72、73、74 コンデンサ電極
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
  The present invention relates to a high-frequency composite component used in a high-frequency band such as a microwave band, and relates to a multi-band high-frequency switch module that handles a transmission / reception system having a different pass band.
[0002]
[Prior art]
  In recent years, the spread of mobile phones has been remarkable, and the functions and services of mobile phones have been improved. As this new mobile phone, proposals such as a dual-band mobile phone have been made. This dual-band mobile phone handles two transmission / reception systems, whereas an ordinary mobile phone handles only one transmission / reception system. Thereby, the user can select and use a convenient transmission / reception system. For example, in a dual-band mobile phone,As the first transmission / reception systemThe DCS1800 system (transmission TX. 1710 to 1785 MHz, reception RX. 1805 to 1880 MHz) and the GSM system (transmission TX. 880 to 915 MHz, reception RX. 925 to 960 MHz) as the second transmission / reception system are supported.
[0003]
  In such a mobile phone, as a switch for switching a signal path corresponding to each frequency and a plurality of frequencies.,Consists of branching circuit and switch circuitMultiband high frequencySwitch module is usedTheAs the multi-band high-frequency switch module used in the dual-band mobile phone, the present inventors have already proposed a high-frequency switch module described in Japanese Patent Laid-Open No. 11-31003. FIG. 6 shows a circuit block diagram of the high-frequency switch module as an example. This high-frequency switch module has a DCS1800 system (transmission TX. 1710 to 1785 MHz, reception RX. 1805 to 1880 MHz) as a first transmission / reception system, and a GSM system (transmission TX. 880 to 915 MHz, reception RX. 925) as a second transmission / reception system. (2) to 960 MHz), and used to distribute the antenna ANT of the dual-band mobile phone and the transmission / reception circuits of the GSM and DCS systems.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
  The high-frequency switch module described in Japanese Patent Laid-Open No. 11-31003 uses two LC parallel connection notch circuits and connects one end of the two notch circuits to a common terminal common to the plurality of transmission / reception systems.Using the demultiplexing circuitConnect the other end of each notch circuit to the switch circuit.TheConstitutionAndAt least a part of the branching circuit and the switch circuit is built in a laminated body of an electrode pattern and a dielectric layer, and a chip element such as a diode is disposed on the laminated body.
  The branching circuit has a small number of parts.WhileAlthough it is excellent in that it can demultiplex a high-frequency signal in a desired frequency band with low loss, the resonance frequency fluctuates due to variations in the thickness of the dielectric layer constituting the capacitor, and insertion loss in the desired frequency band The variation in characteristics contributed to a decrease in product yield.
  Further, in the above-described mobile phone, a desired high frequency signal has been obtained through a filter circuit arranged on a mounting substrate separately from the multiband high frequency switch module. A SAW filter is exclusively used as the filter circuit, but the connection to the multiband high-frequency switch module is performed through a matching circuit configured on the mounting substrate, which contributes to an increase in size and cost of the device. It was.
  Therefore, the present invention was made to solve such problems, and provides a multiband high-frequency switch module that is small and excellent in electrical characteristics.furtherIt is an object of the present invention to provide a one-chip multiband high-frequency switch module mounted with a SAW filter.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
  The first invention isA demultiplexing circuit in which a first filter circuit unit and a second filter circuit unit having different pass bands are connected in parallel, a switch circuit that switches a signal path between a transmission signal and a reception signal, and a signal path of the reception signal. A multiband high-frequency switch module provided with a SAW filter, comprising a mounting element mounted on a multilayer body and an electrode pattern formed on a dielectric layer of the multilayer body, including a demultiplexing circuit and a switch circuit. A band high-frequency switch module is configured, and the mounting element includes a plurality of SAW filters, and the switch circuit and the SAW filter are connected via a matching circuit, and the matching circuit is configured by a capacitor or an LC circuit. Along with the branching circuit, the switch circuit, and the SAW filter, the electrode pattern and the dielectric layer are formed in a laminate, One and a plurality of SAW filters formed inside the ground electrode of the serial laminate is a high-frequency switch module for multi-band, characterized in that connected through the through hole.
[0006]
  The second invention isA demultiplexing circuit in which a first filter circuit unit and a second filter circuit unit having different pass bands are connected in parallel, a switch circuit that switches a signal path between a transmission signal and a reception signal, and a signal path of the reception signal. A multiband high-frequency switch module provided with a SAW filter, comprising a mounting element mounted on a multilayer body and an electrode pattern formed on a dielectric layer of the multilayer body, including a demultiplexing circuit and a switch circuit. A band high-frequency switch module is configured, and the mounting element includes a plurality of SAW filters, and the first filter circuit unit includes a low-pass filter circuit and a first LC series resonance circuit connected from a signal path to the ground. The first LC series resonance circuit is disposed between the low-pass filter circuit and the switch circuit, and the second filter circuit unit is A high-pass filter circuit, and a second LC series resonant circuit connected from the signal path to the ground, the second LC series resonant circuit being disposed between the high-pass filter circuit and another switch circuit, A multiband high-frequency switch module characterized in that one of ground electrodes formed in a laminated body and a plurality of SAW filters are connected through a through hole.
  In the multiband high-frequency switch module of the present invention,The low-pass filter circuit of the first filter circuit unit includes an inductor connected in series to the signal path, the first series resonant circuit is configured by an inductor and a capacitor, and the high-pass filter circuit of the second filter circuit unit is Preferably, a capacitor connected in series with the signal path is provided, the second series resonant circuit is configured with an inductor and a capacitor, and the switch circuit is configured to include an inductor, a capacitor, and a diode.
[0007]
  The third invention isA demultiplexing circuit in which a first filter circuit unit and a second filter circuit unit having different pass bands are connected in parallel, a switch circuit that switches a signal path between a transmission signal and a reception signal, and a signal path of the reception signal. A multiband high-frequency switch module provided with a SAW filter, comprising a mounting element mounted on a multilayer body and an electrode pattern formed on a dielectric layer of the multilayer body, including a demultiplexing circuit and a switch circuit. A high frequency switch module for a band is configured, and the mounting element includes a plurality of unbalanced input-balanced output SAW filters, and one of the ground electrodes and the plurality of SAW filters formed in the multilayer body through through holes. And a multiband high-frequency switch module.
[0008]
  The fourth invention is:A demultiplexing circuit in which a first filter circuit unit and a second filter circuit unit having different pass bands are connected in parallel, a switch circuit that switches a signal path between a transmission signal and a reception signal, and a signal path of the reception signal. A multiband high-frequency switch module provided with a SAW filter, comprising a mounting element mounted on a multilayer body and an electrode pattern formed on a dielectric layer of the multilayer body, including a demultiplexing circuit and a switch circuit. A band high-frequency switch module is configured, the mounting element includes a plurality of unbalanced output SAW filters, and further includes a balun transformer as a balanced-unbalanced conversion circuit, together with the branching circuit, the switch circuit, and the SAW filter , A laminated body of an electrode pattern and a dielectric layer, and one of a ground electrode formed in the laminated body and a plurality of S W filter is a high-frequency switch module for multi-band, characterized in that connected through the through hole.
  In the third or fourth invention,The first filter circuit unit includes a low-pass filter circuit, and a first LC series resonance circuit connected from a signal path to the ground between the low-pass filter circuit and the switch circuit, and the second filter circuit The unit preferably includes a high-pass filter circuit, and a second LC series resonant circuit connected from the signal path to the ground between the high-pass filter circuit and another switch circuit.
[0009]
  In the first to third inventions, a plurality of ground electrodes are formed on the laminate, and the ground electrodes connected to the plurality of SAW filters through through holes are closest to the surface on which the mounting element is mounted. A ground electrode is preferred.
  Also,The switch circuit and the SAW filter are preferably connected via a matching circuit, and the matching circuit is configured by a capacitor or an LC circuit, together with the branching circuit, the switch circuit, and the SAW filter, It is preferable to form a laminate of an electrode pattern and a dielectric layer.
[0010]
  In the first to third aspects of the invention, the capacitor electrode for the grounding capacitor of the branching circuit is arranged to face the ground electrode connected to the plurality of SAW filters through through holes via the dielectric layer. It is also preferred that
[0011]
  It is also preferable to form a recess in the laminate and dispose a SAW filter in the recess.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  An embodiment according to the present invention,This will be described in detail below with reference to FIGS. FIG. 1 shows the present invention.According to one embodimentIt is a circuit block diagram of the high frequency switch module for dual bands. Figure 2High frequency switch module for dual bandExampleIndicateIt is an equivalent circuit diagram.
  In the equivalent circuit diagram, a portion surrounded by a broken line is a part of this embodiment, and capacitors CG2, CP2, resistance R, inductance LG and LP outside the broken line are arranged on a circuit board as external components. However, this external part isTo be described laterIt is also possible to constitute in the laminated body or on the laminated body, and it is not particularly limited.
  In the circuit block diagram of this embodiment, GSM is used as the first transmission / reception system and DCS is used as the second transmission / reception system. And this GSM and DCSTransmitter circuit, receiver circuitAnd the antenna are connected.
  Demultiplexing connected to antenna ANTcircuitIsIt is composed of an LC circuit, and the first filter circuit unit and the second filter circuit unit are connected in parallel.One notch circuit with distributed constant line LF2 and capacitor CF1(First series resonant circuit)ConfigureIn the second filter circuit section,Another notch circuit with distributed constant line LF3 and capacitor CF3(Second series resonant circuit)Is configured. AndThe first filter circuit unit includes a first series resonant circuit andLow-pass filter between antenna ANTcircuitConnected distributed constant line LF1 that functions asConfigured. The second filter circuit section includes a second series resonant circuit andBetween antenna ANT,Connect a capacitor CF2 that functions as a high-pass filter.Configured.further, Second filter circuit sectionLatter stageIn addition,Capacitor CF4The capacitor CF2 andYou may connect in series. The capacitor CF4 is connected for the purpose of improving the high-pass filter characteristic of the demultiplexing characteristic. The capacitor CF4 is also used as a DC cut capacitor for a second switch circuit described later.
  With such a configuration, it is possible to exhibit a wide band insertion loss characteristic in a desired frequency band in the branching circuit portion and to exhibit an excellent attenuation characteristic in an unnecessary frequency band.
[0014]
  Next, the first switch circuit will be described. The first switch circuit is the switch circuit on the upper side of FIG.It is connected to the first filter circuit unit. In this embodiment, the first It is a transmission / reception systemGSM transmissioncircuitAnd receivecircuitIs to switch. thisFirstThe switch circuit SW mainly includes two diodes DG1 and DG2 and two distributed constant lines LG1 and LG2. The diode DG1 has an anode connected to the antenna ANT side, a cathode connected to the transmission TX side, and a cathode side thereof. A distributed constant line LG1 connected to the ground is connected to the ground. And antennaANTAnd the reception RX are connected to the distributed constant line LG2,
Between receiving RX and ground,A diode DG2 having a cathode connected to the receiving RX sidePlacedThe capacitor CG6 is connected between the anode of the diode DG2 and the ground,Diode DG2 and capacitor CG6A voltage terminal VC1 for diode control is disposed between the two. In the present embodiment, the inductor LG arranged on the circuit board is connected in series to the voltage terminal VC1, but the inductor LG may be formed by forming a distributed constant line in the multilayer of the multiband high-frequency switch module. Good.
  AndThe signal path on the transmitter circuit sideLow pass filter circuitArrangementIsing.This low-pass filter circuit,It is composed of an inductor LG3 and capacitors CG3, CG4, and CG7,FirstThe switch circuit SW is inserted between the diode DG1 and the distributed constant line LG1.The signal path on the receiving circuit sideA SAW filter SG is connected to the cathode side of the diode DG2 via a matching circuit CG5. In this embodiment, the matching circuit CG5 is composed of a capacitor, and also functions as a DC cut capacitor of the switch circuit.
[0015]
  Next, the second switch circuit will be described. The second switch circuit is a switch circuit on the lower side of FIG.The second filter circuit unit is connected. In this embodiment, the second transmission / reception system is used.DCS transmissioncircuitAnd receivecircuitIs to switch.
  thisSecondThe switch circuit SW mainly includes two diodes DP1 and DP2 and two distributed constant lines LP1 and LP2. The diode DP1 has an anode connected to the antenna ANT side, a cathode connected to the transmission TX side, and a cathode side thereof. Is connected to a distributed constant line LP1 connected to the ground. And antennaANTAnd RXWithDistributed constant line LP2 is connected between themBetween RX and earth,A diode DP2 having a cathode connected to the receiving RX sideArrangementA capacitor CP6 is connected between the anode of the diode DP2 and the ground,Diode DP2 and capacitor CP6A voltage terminal VC2 for diode control is arranged between the two. In this embodiment, the inductor LP disposed on the circuit board is connected in series to the voltage terminal VC2. However, even if the inductor LP is formed by forming a distributed constant line in the multilayer of the multiband high-frequency switch module. Good.
  AndThe signal path on the transmitter circuit sideLow-pass filter circuitIs arranged. This low-pass filter circuitIt is composed of an inductor LP3 and capacitors CP3, CP4, CP7,SecondThe switch circuit SW is inserted between the diode DP1 and the distributed constant line LP1.The signal path on the receiving circuit sideA SAW filter SP is connected to the cathode side of the diode DP2 via a matching circuit CP5. In this embodiment, the matching circuit CP5 is composed of a capacitor, and also functions as a DC cut capacitor of the switch circuit.
  AlsoIn this example,A distributed constant line LG1 of the first switch circuit and a distributed constant line LP1 of the second switch circuit;TheConnectionAnd connected in parallelCapacitor CGPAnd through resistor RGrounded. The resistance R isPlaced on the circuit boardBut,Connect the resistor RWithout,You may use as voltage terminal VC3 for diode control.
[0016]
  In general, in a receiving circuit of a mobile phone, a low-noise amplifier with a balanced signal input is disposed after the SAW filters SG and SP. Therefore, a balanced output SAW filter may be used as the SAW filters SG and SP. When the SAW filters SG and SP are used as unbalanced output SAW filters, they are further included in the laminate.,Alternatively, a balun transformer can be configured as a balanced-unbalanced conversion circuit on the laminate.
[0017]
  thisMultiband high frequencyThe operation of the switch module applies a predetermined voltage to the voltage terminal VC1 when GSM transmission is enabled. Similarly, when DCS transmission is enabled, a predetermined voltage is applied to the voltage terminal VC2. During reception in the GSM system and the DCS system, no voltage is applied to the voltage terminal VC1 and the voltage terminals VC1 and VC2. When the voltage terminal VC3 is provided, a predetermined voltage is applied to the voltage terminal VC3 during reception of the GSM system and the DCS system. This relationship is shown in Table 1.
[0018]
[Table 1]
[0019]
  Next, the equivalent circuit shown in FIG.High-frequency switch module for multibandFor configuringLaminateInternal structureAn example ofFIG. 3 is a perspective view of the laminated body portion, and FIG. 5 is a top view of a multiband high-frequency switch module on which a SAW filter and a diode are mounted.
  In this embodiment, a distributed constant line of a demultiplexing circuit, a low-pass filter circuit, and a switch circuit is configured in a laminated body, and a diode, a chip capacitor, and a SAW filter are mounted on the laminated body, thereby forming a one-chip high frequency switch module. Is configured.
[0020]
  First, the internal structure of the laminate used for the multiband high-frequency switch module will be described. For this laminate, a green sheet made of a ceramic dielectric material that can be fired at a low temperature is prepared, and a conductive paste mainly composed of Ag is printed on the green sheet to form a desired electrode pattern. Laminated and integrally fired to form.
[0021]
  The internal structure will be described below in the order of lamination. First, the ground electrode 31 is formed on almost the entire surface of the lower green sheet 15. And the connection part for connecting with the terminal electrode 81, 83, 84, 87, 90, 92, 94, 96, 97, 99 formed in a side surface is provided.
[0022]
  Next, dummy green sheets 14 and 13 on which no electrode pattern is printed are stacked. Two line electrodes 42 and 43 are formed on the green sheet 12 thereon, and four line electrodes 44, 45, 46 and 47 are formed on the green sheet 11 thereon. On top of that, a through-hole electrode (the one with a double circle in the figure is a through-hole electrode) and a green sheet 10 on which line electrodes 48, 49, 50 are formed are laminated, and a through-hole is formed thereon. The green sheet 9 on which the electrode is formed is laminated, and the green sheet 8 on which the ground electrode 32 is formed is laminated thereon. The ground electrode 32 is arranged to avoid the through-hole electrode.ThatpartTheIt is cut out or cut out.
[0023]
  Line electrodes formed in a region sandwiched between the two ground electrodes 31 and 32 are appropriately connected through through holes to form distributed constant lines for the first and second switch circuits SW. The line electrodes 42, 46 and 48 are connected by through-hole electrodes to constitute a distributed constant line LG1 of an equivalent circuit, and the line electrodes 43 and 47 are connected by through-hole electrodes to constitute a distributed constant line LP1 of an equivalent circuit, The line electrodes 45 and 50 are connected by through-hole electrodes to constitute a distributed constant line LG2 of an equivalent circuit, and the line electrodes 44 and 49 are connected by through-hole electrodes to constitute a distributed constant line LP2 of an equivalent circuit.
[0024]
  Capacitor electrodes 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68 are formed on the green sheet 7 laminated on the green sheet 8. Capacitor electrodes 69, 70, 71 and a ground electrode 33 are also formed on the green sheet 6 laminated thereon. Capacitor electrodes 72, 73 and 74 are formed on the green sheet 5 laminated thereon.
[0025]
  Furthermore, a green sheet 4 on which line electrodes 51, 52, 53, 54, and 55 are formed is laminated thereon, and a green sheet 3 on which line electrodes 56, 57, 58, and 59 are formed thereon. Is done. Further, a wiring pattern is formed on the green sheet 2 thereabove, and lands for connecting mounted elements are formed on the uppermost green sheet 1.
[0026]
  On the green sheet 8 on which the upper ground electrode 32 is formedIsGreen sheet 7Laminated, but formed on the green sheet 7The capacitor electrodes 61, 62, 63, 64, 65, 67, 68, 69 form a capacitance with the ground electrode 32, the capacitor electrode 61 is CG4 of an equivalent circuit, and the capacitor electrode 62 is The equivalent circuit CG3, the capacitor electrode 63 is the equivalent circuit CP4, the capacitor electrode 64 is the equivalent circuit CP3, the capacitor electrode 65 is the equivalent circuit CF1, and the capacitor electrode 67 is the equivalent circuit. The capacitor electrode 68 of the CG 6 is part of the CF 3 of the equivalent circuit.
[0027]
  The capacitor electrodes formed on the green sheets 7, 6 and 5 form a capacitance between them, and the capacitor electrodes 61, 62 and 69 constitute an equivalent circuit CG7. Similarly, the capacitor electrodes 63, 64 70 constitutes an equivalent circuit CP7, capacitor electrodes 66 and 71 constitute an equivalent circuit CF4, capacitor electrodes 71 and 73 constitute an equivalent circuit CF2, and capacitor electrodes 72 and the ground electrode 33 constitute an equivalent circuit CP 6, and between the capacitor electrodes 74 and 68 and the ground electrode 33 constitute a part of the equivalent circuit CF 3, and between the capacitor electrode 67 and the ground electrode 33. Thus, a part of the equivalent circuit CG6 is formed.
[0028]
  In the green sheets 4 and 3, the line electrodes 51 and 56 constitute an equivalent circuit LG3, the line electrodes 52 and 57 constitute an equivalent circuit LP3, and the line electrodes 55 and 59 constitute an equivalent circuit LF3. The line electrodes 54 and 58 constitute an equivalent circuit LF1, and the line electrode 53 constitutes an equivalent circuit LF2.
[0029]
  These green sheets were pressure-bonded and integrally fired to obtain a laminate. Terminal electrodes 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100 were formed on the side surface of this laminate. .
[0030]
  Lands 109, 110, 111, and 112 for connecting the mounting element connecting lands and the metal case are formed on the outer surface of the laminate. Of the lands 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108 on which the SAW filter is mounted among the lands for connecting the mounted elements, the lands 101, 105 are formed in a larger area than the other lands, The land 101, 105 is connected to the ground of the SAW filter.To do.Further, each of the lands 101 and 105 is connected to the ground electrode 33 through a through hole formed in a dielectric layer, and drawn out to the terminal electrodes 84, 87, 90, and 92 on the side surface of the laminated body, so that the performance of the SAW filter is achieved. Is demonstrated.
  Further, in order to prevent the insertion loss characteristic of the multiband high-frequency switch module from deteriorating, the lands 101 and 105 and the switch circuit for the distributed constant line are used.lineElectrodes 56 and 57 for the distributed constant line of the branching circuitlineThe electrodes 58 and 59 are arranged at least 80 μm apart from each other in the stacking direction. Further, the lands 109, 110, 111, and 112 for connecting the metal case are connected to the terminal electrodes 81, 83, 94, and 96 on the side surface of the laminated body by the lead lines formed on the green sheet 2 through the through holes. To do.
[0031]
  On this laminate,For land for connecting mounted elementsDiodes DG1, DG2, DP1, DP2, chip capacitors CG1, CG5, CP5, CGP, SAW filters SG, SP are mounted, and a metal case made of SPCC is placed on the diodes, chip capacitors,Place on the land to connect the metal caseEach was soldered.
  FIG. 5 is a plan view showing a state in which the element is mounted. The portion indicated by the broken line in FIG. 5 shows the inside of the metal case made of SPCC so that it can be easily understood. In FIG. 5, the terminal correspondence corresponding to the equivalent circuit diagram shown in FIG. 2 is also shown.
[0032]
  According to this embodiment, when the distributed constant lines of the first and second switch circuits are formed in the laminated body, they are arranged in a region sandwiched between the ground electrodes. As a result, interference between the switch circuit, the branching circuit, and the low-pass filter circuit is prevented. And the area | region pinched | interposed by this ground electrode is arrange | positioned under the laminated body, and it is easy to take an earthing potential. And the electrode which comprises the capacitor | condenser connected between earth | grounds is formed facing the upper ground electrode.
[0033]
  Further, by configuring the distributed constant line portion of the switch circuit on the lower side of the multilayer body, the ground electrode is disposed on the lower side of the multilayer body, thereby reducing the influence of the mounting substrate. Furthermore, the capacitor electrode for forming the capacitor facing the ground electrode is disposed next, and the inductance component of the low-pass filter circuit and the branching circuit is disposed on the upper portion, so that the inductance component can be separated from the ground electrode, and is short. The required inductance value can be obtained with the line length. As a result, the multiband high-frequency switch module can be miniaturized.
[0034]
  Further, in the terminal electrode formed on the side surface of the laminated body of this embodiment, the GSM transmission TX terminal, the reception RX terminal, and the DCS transmission TX are arranged on the opposite side of the antenna ANT terminal which is divided into two. A terminal and a reception RX terminal are formed. Since this high-frequency switch module is arranged between the antenna and the transmission / reception circuit, this terminal arrangement allows the antenna and the high-frequency switch module, and the transmission / reception circuit and the high-frequency switch module to be connected with the shortest line, resulting in an extra loss. Can be prevented.
[0035]
  Further, on the opposite side, a GSM transmission TX terminal and a DCS transmission TX terminal are formed on one side of the half, and a GSM reception RX terminal and a DCS reception RX terminal are formed on the other side. Is formed.According to the arrangement of such terminal electrodes,Since the two transmitter circuits and the two receiver circuits are arranged together, the transmitter terminals and receiver terminals of the high-frequency switch module are arranged close to each other, making it possible to connect in the shortest path, thereby reducing extra losses. Can be prevented.
[0036]
  In the laminated body of this embodiment, the antenna ANT terminal formed on the side surface, the GSM transmission TX terminal, the reception RX terminal, the DCS transmission TX terminal, the reception RX terminal, and the voltage terminals VC1, VC2, and VC3 are In either case, when viewed in the circumferential direction of the side surface, a ground terminal is formed between the terminals, and each terminal is sandwiched between the ground terminals. Each input / output terminal (RF terminal) is sandwiched between ground terminals. As a result, signal leakage between the terminals is blocked, interference is eliminated, and isolation between the signal terminals is ensured.
[0037]
  In addition, there is a ground terminal on each side, and the structure is low loss.
[0038]
  In the above embodiment, a single device in which elements are sealed in a metal case, a so-called tube-sealed package type SAW filter, is used as the SAW filter, but the SAW filter is bonded and mounted in a bare state on at least one surface of the laminate. Alternatively, a recess may be formed in the laminate, and a SAW filter may be disposed in the recess. When mounting the SAW filter in a bare state, the SAW filter may be sealed with a metal case, and an inert atmosphere may be provided around the SAW filter with argon gas or nitrogen gas as necessary.
[0039]
  The embodiment of the above laminated structure corresponds to the equivalent circuit diagram shown in FIG. 2, but it is easy to make other circuits within the scope of the present invention. For example, an inductor component, a capacitor component, etc. This is possible by changing the electrode pattern and changing the connection method.
[0040]
  According to the present invention, a plurality of circuit configurations can be configured on a single chip, and in a multiband mobile phone, it can be used for a portion connecting a plurality of transmission / reception systems and one antenna. Separate circuit elementsOn circuit boardCompared to mounting and connecting methods, it has advantages such as reduction in the number of parts, reduction in man-hours, and miniaturization. In addition, by appropriately selecting the demultiplexing circuit, it is possible to reduce the variation in electrical characteristics due to the laminated structure and to widen the insertion loss characteristic in the demultiplexing circuit part.,Multi-band high-frequency switch modules can be easily made into triple bands.
[0041]
【The invention's effect】
  According to the present invention, a multi-band high-frequency switch module used in a multi-band mobile phone uses a multi-layer structure, and a plurality of circuit functions are built in and mounted in the multi-layer body, so that the multi-band has excellent electrical characteristics A high frequency switch module can be obtained, which is effective for miniaturization of equipment, and a multiband high frequency switch having excellent electrical characteristics by appropriately selecting a demultiplexing circuit portion of the circuit function. You can get a module.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit block diagram of an embodiment according to the present invention.
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram as an example of the circuit block diagram shown in FIG. 1;
FIG. 3 is an internal structural diagram of a laminated body as an example for constituting the equivalent circuit diagram shown in FIG. 2;
FIG. 4 is a perspective view of a laminate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a top view of a multiband high-frequency switch module according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a circuit block diagram of a conventional example.
[Explanation of symbols]
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15 dielectric sheet
42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59 Line electrodes
31, 32, 33 Ground electrode
61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74 Capacitor electrodes

Claims (11)

通過帯域の異なる第1のフィルタ回路部及び第2のフィルタ回路部を並列接続してなる分波回路と、送信信号と受信信号の信号経路を切り替えるスイッチ回路と、受信信号の信号経路に配置されたSAWフィルタを備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、A demultiplexing circuit in which a first filter circuit unit and a second filter circuit unit having different pass bands are connected in parallel, a switch circuit that switches a signal path between a transmission signal and a reception signal, and a signal path of the reception signal. A multiband high-frequency switch module equipped with a SAW filter,
積層体に搭載された実装素子と、前記積層体の誘電体層に形成された電極パターンで、分波回路とスイッチ回路を含むマルチバンド用高周波スイッチモジュール構成し、A multi-band high-frequency switch module including a demultiplexing circuit and a switch circuit is configured with a mounting element mounted on the multilayer body and an electrode pattern formed on a dielectric layer of the multilayer body.
前記実装素子には複数のSAWフィルタを含み、The mounting element includes a plurality of SAW filters,
前記スイッチ回路と前記SAWフィルタとは整合回路を介して接続されており、前記整合回路はコンデンサ又はLC回路で構成され、前記分波回路、前記スイッチ回路、前記SAWフィルタとともに、電極パターンと誘電体層との積層体に形成され、The switch circuit and the SAW filter are connected via a matching circuit, and the matching circuit is constituted by a capacitor or an LC circuit, and together with the branching circuit, the switch circuit, and the SAW filter, an electrode pattern and a dielectric Formed in a laminate with layers,
前記積層体の内部に形成されたグランド電極の一つと複数のSAWフィルタがスルーホールを介して接続することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。One of the ground electrodes formed in the laminated body and a plurality of SAW filters are connected to each other through a through hole.
通過帯域の異なる第1のフィルタ回路部及び第2のフィルタ回路部を並列接続してなる分波回路と、送信信号と受信信号の信号経路を切り替えるスイッチ回路と、受信信号の信号経路に配置されたSAWフィルタを備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、A demultiplexing circuit in which a first filter circuit unit and a second filter circuit unit having different pass bands are connected in parallel, a switch circuit that switches a signal path between a transmission signal and a reception signal, and a signal path of the reception signal. A multiband high-frequency switch module equipped with a SAW filter,
積層体に搭載された実装素子と、前記積層体の誘電体層に形成された電極パターンで、分波回路とスイッチ回路を含むマルチバンド用高周波スイッチモジュール構成し、A multiband high-frequency switch module including a demultiplexing circuit and a switch circuit is configured with a mounting element mounted on the multilayer body and an electrode pattern formed on a dielectric layer of the multilayer body.
前記実装素子には複数のSAWフィルタを含み、The mounting element includes a plurality of SAW filters,
前記第1のフィルタ回路部は、ローパスフィルタ回路と、信号経路からグランドに接続する第1のLC直列共振回路を有し、前記第1のLC直列共振回路は、前記ローパスフィルタ回路とスイッチ回路との間に配置され、The first filter circuit unit includes a low-pass filter circuit and a first LC series resonance circuit connected from a signal path to the ground. The first LC series resonance circuit includes the low-pass filter circuit, a switch circuit, Placed between
前記第2のフィルタ回路部は、ハイパスフィルタ回路と、信号経路からグランドに接続する第2のLC直列共振回路を有し、前記第2のLC直列共振回路は、前記ハイパスフィルタ回路と他のスイッチ回路との間に配置され、The second filter circuit unit includes a high-pass filter circuit and a second LC series resonance circuit connected from the signal path to the ground, and the second LC series resonance circuit includes the high-pass filter circuit and another switch. Placed between the circuit and
前記積層体の内部に形成されたグランド電極の一つと複数のSAWフィルタがスルーホールを介して接続することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。One of the ground electrodes formed in the laminated body and a plurality of SAW filters are connected to each other through a through hole.
前記第1のフィルタ回路部のローパスフィルタ回路は、信号経路に直列接続されるインダクタを備え、第1の直列共振回路はインダクタおよびコンデンサで構成され、前記第2のフィルタ回路部のハイパスフィルタ回路は、信号経路に直列接続されるコンデンサを備え、第2の直列共振回路はインダクタおよびコンデンサで構成され、前記スイッチ回路はインダクタとコンデンサとダイオードを備えることを特徴とする請求項2に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。The low-pass filter circuit of the first filter circuit unit includes an inductor connected in series to the signal path, the first series resonant circuit includes an inductor and a capacitor, and the high-pass filter circuit of the second filter circuit unit includes 3. The multiband according to claim 2, further comprising: a capacitor connected in series to the signal path, wherein the second series resonant circuit includes an inductor and a capacitor, and the switch circuit includes an inductor, a capacitor, and a diode. High frequency switch module. 通過帯域の異なる第1のフィルタ回路部及び第2のフィルタ回路部を並列接続してなる分波回路と、送信信号と受信信号の信号経路を切り替えるスイッチ回路と、受信信号の信号経路に配置されたSAWフィルタを備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、A demultiplexing circuit in which a first filter circuit unit and a second filter circuit unit having different pass bands are connected in parallel, a switch circuit that switches a signal path between a transmission signal and a reception signal, and a signal path of the reception signal. A multiband high-frequency switch module equipped with a SAW filter,
積層体に搭載された実装素子と、前記積層体の誘電体層に形成された電極パターンで、分波回路とスイッチ回路を含むマルチバンド用高周波スイッチモジュール構成し、A multiband high-frequency switch module including a demultiplexing circuit and a switch circuit is configured with a mounting element mounted on the multilayer body and an electrode pattern formed on a dielectric layer of the multilayer body.
前記実装素子には複数の不平衡入力−平衡出力のSAWフィルタを含み、The mounting element includes a plurality of unbalanced input-balanced output SAW filters,
前記積層体の内部に形成されたグランド電極の一つと複数のSAWフィルタがスルーホールを介して接続することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。One of the ground electrodes formed in the laminated body and a plurality of SAW filters are connected to each other through a through hole.
通過帯域の異なる第1のフィルタ回路部及び第2のフィルタ回路部を並列接続してなる分波回路と、送信信号と受信信号の信号経路を切り替えるスイッチ回路と、受信信号の信A demultiplexing circuit in which a first filter circuit unit and a second filter circuit unit having different passbands are connected in parallel; a switch circuit that switches a signal path between a transmission signal and a reception signal; 号経路に配置されたSAWフィルタを備えたマルチバンド用高周波スイッチモジュールであって、A multiband high-frequency switch module having a SAW filter arranged in a signal path,
積層体に搭載された実装素子と、前記積層体の誘電体層に形成された電極パターンで、分波回路とスイッチ回路を含むマルチバンド用高周波スイッチモジュール構成し、A multi-band high-frequency switch module including a demultiplexing circuit and a switch circuit is configured with a mounting element mounted on the multilayer body and an electrode pattern formed on a dielectric layer of the multilayer body.
前記実装素子には複数の不平衡出力のSAWフィルタを含み、The mounting element includes a plurality of unbalanced output SAW filters,
更に平衡−不平衡変換回路としてバルントランスを備え、前記分波回路、前記スイッチ回路、前記SAWフィルタとともに、電極パターンと誘電体層との積層体に構成され、Furthermore, a balun transformer is provided as a balanced-unbalanced conversion circuit, and is configured in a laminated body of an electrode pattern and a dielectric layer together with the branching circuit, the switch circuit, and the SAW filter.
前記積層体の内部に形成されたグランド電極の一つと複数のSAWフィルタがスルーホールを介して接続することを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。One of the ground electrodes formed in the laminated body and a plurality of SAW filters are connected to each other through a through hole.
前記第1のフィルタ回路部は、ローパスフィルタ回路と、前記ローパスフィルタ回路とスイッチ回路との間に、信号経路からグランドに接続する第1のLC直列共振回路を有し、前記第2のフィルタ回路部は、ハイパスフィルタ回路と、前記ハイパスフィルタ回路と他のスイッチ回路との間に、信号経路からグランドに接続する第2のLC直列共振回路を有することを特徴とする請求項4又は5に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。The first filter circuit unit includes a low-pass filter circuit, and a first LC series resonance circuit connected to a ground from a signal path between the low-pass filter circuit and the switch circuit, and the second filter circuit The unit includes a high-pass filter circuit, and a second LC series resonance circuit connected from the signal path to the ground between the high-pass filter circuit and another switch circuit. High-frequency switch module for multiband. 前記積層体には複数のグランド電極が形成されており、複数のSAWフィルタとスルーホールを介して接続されるグランド電極が、実装素子を搭載する面に最も近いグランド電極であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。A plurality of ground electrodes are formed on the laminate, and the ground electrodes connected to the plurality of SAW filters through through holes are the ground electrodes closest to the surface on which the mounting element is mounted. The multiband high-frequency switch module according to any one of claims 1 to 6. 前記スイッチ回路と前記SAWフィルタとは、整合回路を介して接続されていることを特徴とする請求項2乃至7のいずれかに記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。The multiband high-frequency switch module according to any one of claims 2 to 7, wherein the switch circuit and the SAW filter are connected via a matching circuit. 前記整合回路は、コンデンサ又はLC回路で構成され、前記分波回路、前記スイッチ回路、前記SAWフィルタとともに、電極パターンと誘電体層との積層体に構成されていることを特徴とする請求項8に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。9. The matching circuit is configured by a capacitor or an LC circuit, and is configured by a laminated body of an electrode pattern and a dielectric layer together with the branching circuit, the switch circuit, and the SAW filter. A high-frequency switch module for multiband as described in 1. 前記分波回路の接地コンデンサ用のコンデンサ電極が、誘電体層を介して複数のSAWフィルタとスルーホールを介して接続されるグランド電極と対向して配置されたことを特徴とする請求項1乃至9の何れかに記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。2. A capacitor electrode for a grounding capacitor of the branching circuit is disposed to face a ground electrode connected to a plurality of SAW filters through through holes via a dielectric layer. The multiband high-frequency switch module according to any one of 9. 前記積層体に凹部を形成し、前記凹部にSAWフィルタを配置することを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。11. The multiband high-frequency switch module according to claim 1, wherein a concave portion is formed in the laminated body, and a SAW filter is disposed in the concave portion.
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