JP3706164B2 - 半導体レーザとその調整方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は波長分割多重と光通信に関するものであり、特にその種のシステムで用いるレーザに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在および将来のオプティカルファイバ線の容量を増やすのに、波長多重方式は望ましい方法である。なぜならばこの方式は異なるチャネルに異なる波長を割り当てることによって、オプティカルで利用可能な巨大な周波数領域を利用するからである。このシステムに更にもっと柔軟性をもたせるには、各チャネル毎に固定波長のレーザ1個を用いる代わりに、異なるチャネルの波長に調整することができるレーザを用いることが望ましい。全波長範囲にわたって連続的に調整することは必要でないかもしれないが、各チャネルに合わせて正確に波長を調整することができるように、各チャネルの近傍に連続的な調整範囲があることが望ましい。
【0003】
外部空洞共振器レーザはある種の応用に実用的でないのでこれを除くと、調整可能な半導体レーザには2種類の基本型がある。第1の型には調整可能なブラッグ格子を用いるレーザが含まれ、第2の型には干渉の原理を用いるレーザが含まれ、この第1の型には例えば、2部および3部分布型ブラッグ反射器(DBR)レーザ、多数部分布帰還型(DFB)レーザおよびサンプル格子型DBRレーザが含まれる。第2の型には例えばC3レーザとY接合レーザが含まれる。これらの型のレーザには各々光通信システムで使う場合にいろいろな問題点がある。例えば、多数部DBRレーザとDFBレーザは調整範囲が狭い。C3レーザは再現性に乏しく制御が複雑だし、Y接合レーザもまた制御問題を抱えている。
【0004】
別の解決方法はいくつかのレーザを用意して、その各々に異なる波長でレーザ発振させ、それらの出力を結合して異なるチャネルの波長を含む1個の光信号をつくることである。しかしながらこの解決法は問題がある。それは、各レーザ毎に駆動用電子回路が必要であるから比較的高価になること、低損失でレーザの出力を結合するのは難しいこと、および装置の寸法が比較的大きくなることである。
【0005】
従来のDBRレーザの調整範囲は単一のブラッグ格子の調整範囲により制限がある。すなわち最大10〜15ナノ/メートルである。いわゆるサンプル格子型DBRレーザは格子を改造して2個の側帯を生じさせることにより、この制限を回避している。ある格子から生じる所定の側帯と他の格子から生じる側帯とを整合させることによって、レーザ波長を選択することができる。しかしながら調整が連続的でなくとびとびになるから、すべての所望のチャネルの波長を得るのは難しい。これらのとびとびの値をチャネルの間隔に一致させるのは設計上も製造上も難しい問題である。また、制御電流と出力波長との関係は概して単調でない(電流を増したとき波長が長くなったり短くなったりする)ので、制御が複雑になる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、例えば光通信の応用における従来のレーザの欠点を克服するために、調整範囲の広い、例えばDBRレーザを得ることが望ましい。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザは、
空洞共振器と、
前記空洞共振器内の実質的に中央に配置されていて、前記空洞共振器を第1と第2の領域に分割している利得部と、
前記利得制御部の隣りに配置されている位相制御部と、
第1と第2と第3と第4の格子部であって、2個ずつ前記第1と第2の領域とに配置されていて、各格子部は中心波長を有する反射スペクトルを有し、第1の格子部の中心波長は最も長く、第2の格子部の中心波長は次に長く、第3の格子部の中心波長は3番目に長く、第4の格子部の中心波長は最も短くなっており、第1と第3の格子部は前記第1の領域に配置され、第2と第4の格子部は前記第2の領域に配置されている、格子部と、
前記各格子部の実効屈折率を独立に変える手段と、
を含むことを特徴とする。
【0008】
本発明によれば、光通信システムに用いられている従来のレーザが有する上記およびその他の欠点や問題点が解決される。本発明の実施例によれば、利得部の両側にいくつかの調整可能な格子を有する改良型DBRレーザが提供される。これらの調整可能な格子では、レーザ波長に対していくつかの連続的な調整範囲があって、各々が異なる格子対に対応している。
【0009】
【実施例】
以下図面を参照しながら説明する。
本発明の実施例により、レーザ波長の調整範囲を広げるためにいくつかの改良点を有するDBRレーザを開示する。本発明によるレーザの一実施例を図1に示す。図1において、基板の発光層を含む利得部分がレーザの中心部に配置されている。利得部分の隣りに位相制御部がある。位相制御部はレーザ内における光の往復位相を調節することにより、レーザ波長の微調整を可能にするものである。このことを実行するには、電流注入を行うことにより、位相部の実効屈折率を変える。波長の微調整が必要ないときには、位相制御部分を省略することができる。
【0010】
利得部分の両側に複数個の格子部G1,G2,G3,G4が配置されている。図1の実施例には4個の格子部を示してあるが、当業者なら容易に気づくように、所望のレーザの同調範囲次第で数を増減することができる。このことについては後でもっと明らかにする。図1において、利得部と位相部はそれぞれ電気的接点10と20とを有し、各格子部はそれぞれ電流注入用の電気的接点30を有する。すべての部分に対する共通のアース接点40も設けてある。更に、レーザ装置50の両側には非反射性の被覆が施してある。これは端面のせいでファブリペローモードのレーザ発振が起こるのを避けるためである。
【0011】
格子部G1からG4の各々の周期(すなわち中心波長)と強度(すなわち結合係数)は、格子に電流が全く加えられないときに、それぞれの反射帯のスペクトルが全く重ならないように選ぶことができる。このとき、フィードバックが全くないから、レーザ発振は起きない。格子部と利得部との位置関係は以下のようにすることができる。中心波長が最も長い(すなわち中心周波数が最も低い)格子部を格子G1とし、中心波長がその次に長い格子部を格子G2とし、中心波長が3番目に長い格子部を格子G3とし、中心波長が最も短い格子部を格子G4と名づける。それから、奇数番号の格子を利得部の片側に配置し、偶数番号の格子を利得部の反対側に配置する。その結果、図1に示すような配置になる。図1の実施例では格子G1とG4はそれぞれ格子G3とG2よりも利得部から離れているが、当業者なら気づくように、それぞれの側における格子の順番はさほど重要ではなく、要は両側に適当な格子を配置しさえすればよい。
【0012】
図2に格子G1−G4のスペクトルの順番を示す。図2に示した格子の反射スペクトルは長方形をしているが、当業者が知っているように、実際の反射スペクトルの形はもっと複雑である。図2に長方形で示したのは、単に格子を波長の長い順に(すなわち周波数の低い順に)並べたにすぎない。すなわち、本発明の好ましい実施例では、格子は波長の長い順に交互に利得部の両側に配置される。
【0013】
電極30からキャリアを格子部に注入することにより、実効屈折率を小さく、したがって屈折格子の中心波長を短くすることができる。格子の屈折率(neff )が小さくなると、反射帯が短波長側に移る。中心周波数はλo =2neff λで表わされるからである。ここでλは格子の物理的周期である。このようにして、各格子は自分の反射帯を利得部の向こう側の格子の反射帯と一致するように調整して、レーザ発振を起こすようにすることができる。レーザ発振波長の調整は関係する両方の格子の調整およびまたは位相調整部を使うことにより行うことができる。両格子のそれぞれの反射帯の中心周波数を同じにすることによって、レーザ発振波長を調整することができる。レーザ発振はフィードバック(格子により提供される)がある波長においてのみ起こるものだからである。格子のフィードバックが行われる周波数の範囲内で、位相部はレーザ発振波長を微調整するのに用いることができる。このことを行うには、キャリアを注入することによって位相部の実効屈折率を変える。屈折率が変わるとレーザ装置内における光の往復の位相が変わるので、レーザ発振波長が変わる。
【0014】
本発明による調整操作の例を図3に示す。それぞれの電極30を経由して格子G1とG2に電流を加えることによって、G1とG2の中心波長を所望の位置に動かすことができる。それから位相部を使ってレーザ波長を調整することができる。各格子について調整可能な程度に応じて、両格子の中心波長の間の全範囲にわたって連続的にレーザ波長を調整することができる。図1の例の場合、図4に示すように3種類の同調範囲がつくられる。
【0015】
以上の例では各格子の中心周波数は等間隔であったが、当業者なら容易に理解されるように、本発明は不等間隔の中心波長を有する格子をもつレーザをつくるのに用いることもできる。例えば、比較的離れた2個の波長範囲を実現したい場合には、図5に示すような配置にすることができる。図5では短い波長を有する2個の格子部G1とG2が接近してひとつのグループを形成しており、他方長い波長を有する2個の格子部G3とG4が他方のグループを形成している。このように2個の調整範囲、すなわちG1とG2を用いた範囲と、G3とG4を用いた範囲とがつくられている。
【0016】
格子部、利得部、位相部の構造は従来の技術を用いて実現することができるので、ここでは詳しく述べない。背景の材料として次の文献を参照されたい。「Semiconductor Lasers for Coherent Optical Fiber Communications(コヒーレント光ファイバー通信用半導体レーザ)」T.L.Koch and U.Koren(コッホとコーレン共著)、(J.Lightwave Technology(光波技術誌)第8巻(3号)、1990年3月、頁274−293)。本発明によるレーザは、例えばAlGaAs/GaAsとInGaAsP/InPのようなヘテロ構造半導体レーザ用の半導体材料を用いて作ることができる。位相部と格子部とが有するコア(バルクまたは量子井戸)はコア材料の吸収端の波長がレーザ光よりも短く、クラッドのバンドギャップはそれより大きいようにする。利得部には、電流が注入されたときに通過光を増幅することができる材料を用いる。
【0017】
例示のために具体例を挙げる。InP基板の上にInGaAsPが使われていて、レーザは1.55μm(すなわちオプティカルファイバの最少損失波長)付近で動作するものとする。代表的な導波コアの大きさはすべての部分とも幅が0.6〜2ミクロンで、厚さが0.1〜0.5ミクロンである。位相部と格子部にバルク材料を用いると、コアの材料のバンドギャップは典型的に1.3〜1.42ミクロンの範囲になる。この数字が好ましい理由は、バンドギャップエネルギーが小さいほど(バンドギャップ波長が長いほど)格子の調整範囲が広くなるからである。この例における各格子の調整範囲は約7〜12nmになる。
【0018】
短い格子部を使えるようにするには、格子の強さの尺度となる格子の結合係数Kiを大きくすべきである(例えば約100cm-1以上)。このことが望ましい理由はいくつかある。例えば、電子ビームリソグラフィ期間中のスティッチ問題を避け、吸収損失を少くし、空洞共振器の全長を短くして縦モードの区別を改善するためである。他方、格子の反射帯の幅が結合係数に比例するから、結合係数を大きくしすぎてはいけない。Liを格子の長さとすると、最大反射力(中心波長における)は概ねtanh2(Kii)で与えられる。Kiiの積を約1にすると、最大反射力は約0.58という適当な値が得られる。K=100cm-1とすると、格子長は約100ミクロンになる。位相部は短くすることができ(約100ミクロン)、利得部の長さは約300〜500ミクロンにすることができる。各部の間の電気的絶縁領域の長さは50ミクロンくらいにすべきである。したがって、図1の装置の場合、最短の長さは約1.3mmとなる。比較的短いので製造歩留りが良くなるという利点がある。
【0019】
ほかの例として、本発明によるレーザを4チャネルの波長を有するWDM(波長分割多重)に使う場合をとりあげる。チャネル1から4の波長はそれぞれ1560,1556,1552,1548nmである(すなわち4nm間隔)。また、調整範囲が8nmよりも広く、K=100cm-1で、格子部の実効屈折率がneff =3.25である(これは代表的な値であって、正確な値は各装置ごとに計算することができる)、1個の装置を用いて、4チャネルすべてを実現することを設計の目標とする。これらの設計目標によれば、反射帯は約2.4nmのフルウィドス・ハーフマクシマム(Full-Width Half Maximum :全幅半最大)(FWHM)となる。かくして、不要な発振を避けるために、格子の中心波長は2.4nmからかなり離すべきであり、例えば少なくとも3nmにすべきである。
【0020】
これらの目標を達成するための本発明によるレーザの構造例は図1に示す通りであり、4個の格子が以下の中心波長を有する。1564nm(G1),1560nm(G2),1552nm(G3),1548nm(G4)。格子を少なくとも8nm調整することができれば、以下のようにしてすべてのチャネルの波長を実現することができる。(1)G1を調整してG2に一致させる、(2)G1とG2を1556nmに調整する、(3)G2を調整してG3に一致させる、(4)G3を調整してG4に一致させる。
【0021】
以上説明した実施例は本発明を限定するものではなく、例示にすぎない。本発明は具体的実施例において多くの変形が可能であり、それらは当業者なら本明細書の説明を読めば導き出すことができよう。そうした変形例や修正例は特許請求の範囲に記載されている本発明の範囲内に含まれると考えるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による格子交互配置型DBRレーザの一実施例。
【図2】図1のレーザの格子反射帯の例。
【図3】例示レーザの連続調整範囲の例。
【図4】図1のレーザの調整範囲の例。
【図5】図1のレーザの調整範囲の他の例。
【符号の説明】
G1,G2,G3,G4 格子部
10,20,30 電気的接点
40 アース接点
50 レーザ装置

Claims (8)

  1. 空洞共振器と、
    前記空洞共振器内の実質的に中央に配置されていて、前記空洞共振器を第1と第2の領域に分割している利得部と、
    前記利得部の隣りに配置されている位相制御部と、
    第1と第2と第3と第4の格子部であって、2個ずつ前記第1と第2の領域とに配置されていて、各格子部は中心波長を有する反射スペクトルを有し、第1の格子部の中心波長は最も長く、第2の格子部の中心波長は次に長く、第3の格子部の中心波長は3番目に長く、第4の格子部の中心波長は最も短くなっており、第1と第3の格子部は前記第1の領域に配置され、第2と第4の格子部は前記第2の領域に配置されている、格子部と、
    前記各格子部の実効屈折率を独立に変える手段と、
    を含むことを特徴とする、半導体レーザ。
  2. 空洞共振器と、
    前記空洞共振器内に配置されている利得部と、
    少なくとも3個の格子部であって、そのうちの少なくとも2個は異なる中心波長を有して、前記利得部の両側に配置されており、各格子部は中心波長を有する反射スペクトルを有し、それぞれの中心波長の順番に基づいて配置されている、格子部と、
    前記少なくとも3個の各格子部の実効屈折率を相互に独立に変える手段と、
    を含むことを特徴とする、半導体レーザ。
  3. 第2項記載の装置において、前記少なくとも3個の格子部は前記利得部の両側に交互に配置され、その順番は波長の長いものから短いものへとなっていることを特徴とする、半導体レーザ。
  4. 第2項記載の装置において、更に位相制御部を含むことを特徴とする、半導体レーザ。
  5. 第2項記載の装置において、前記中心波長は等間隔になっていることを特徴とする、半導体レーザ。
  6. 第2項記載の装置において、前記中心波長のうち少なくともいくつかは不等間隔になっていることを特徴とする、半導体レーザ。
  7. 通信チャネルの付近に連続的な調整範囲を実現するために、空洞共振器内に利得部を有する半導体レーザの調整方法であって、
    前記空洞共振器内に少なくとも3個の格子部を設けるステップと、
    前記利得部の両側に前記少なくとも3個の格子部のうちいくつかを配置するステップと、
    前記少なくとも3個の格子部のうち少なくとも1個の格子部の屈折率を調整するために前記少なくとも1個の格子部に電流を注入するステップであって、前記少なくとも1個の格子部の中心波長が、前記利得部をはさんで反対側にある、前記少なくとも3個の格子部の他の一つの格子部の中心波長と同じになるようにする、電流の注入ステップと、
    を含むことを特徴とする、半導体レーザの調整方法。
  8. 第7項記載の方法において、前記配置ステップは更に、
    前記少なくとも3個の格子部を中心波長の長い方から短い方に順番をつけるステップと、
    前記順番に従って前記格子部を前記利得部の両側に交互に配置するステップと、
    を含むことを特徴とする、半導体レーザの調整方法。
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Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2716303B1 (fr) * 1994-02-11 1996-04-05 Franck Delorme Laser à réflecteurs de Bragg distribués, accordable en longueur d'onde, à réseaux de diffraction virtuels activés sélectivement.
US5579327A (en) * 1994-06-06 1996-11-26 Anritsu Corporation External-cavity tunable wavelength light source using semiconductor laser having phase adjustment area
KR0138860B1 (ko) * 1994-12-09 1998-06-01 양승택 초격 회절판 구조의 분배 브락 반사경을 갖는 반도체 레이저
DE19513198A1 (de) * 1995-03-31 1996-10-02 Hertz Inst Heinrich Selbstpulsierender Mehrsektionslaser
FR2737353B1 (fr) * 1995-07-25 1997-09-05 Delorme Franck Laser a reflecteur de bragg distribue et a reseau echantillonne, tres largement accordable par variation de phase, et procede d'utilisation de ce laser
FR2737942B1 (fr) * 1995-08-18 1997-11-07 Delorme Franck Composant d'emission laser accordable en longueur d'onde par variation d'absorption
AUPN694795A0 (en) * 1995-12-01 1996-01-04 University Of Sydney, The Distributed feedback ring laser
JP3566496B2 (ja) * 1996-05-27 2004-09-15 キヤノン株式会社 波長制御方法及びそれを用いるネットワークシステム
SE507376C2 (sv) * 1996-09-04 1998-05-18 Ericsson Telefon Ab L M Våglängdsavstämbar laseranordning
US6058127A (en) * 1996-12-13 2000-05-02 Massachusetts Institute Of Technology Tunable microcavity and method of using nonlinear materials in a photonic crystal
US6122299A (en) * 1997-12-31 2000-09-19 Sdl, Inc. Angled distributed reflector optical device with enhanced light confinement
DE19825876B4 (de) * 1998-06-10 2006-01-12 Thorlabs Gmbh Anordnung und Verfahren zur PMD-Messung an verlegten Faserstrecken
US6698769B2 (en) * 1999-04-01 2004-03-02 Heeling Sports Limited Multi-wheel heeling apparatus
US6687278B1 (en) * 1999-09-02 2004-02-03 Agility Communications, Inc. Method of generating an optical signal with a tunable laser source with integrated optical amplifier
US6909734B2 (en) * 1999-09-02 2005-06-21 Agility Communications, Inc. High-power, manufacturable sampled grating distributed Bragg reflector lasers
SE0000697L (sv) * 2000-03-02 2001-06-25 Altitun Ab Metod för att framställa distribuerade reflektorer, jämte dylika reflektorer
EP1281221B8 (en) * 2000-05-04 2008-10-15 JDS Uniphase Corporation Improved mirror and cavity designs for sampled-grating distributed bragg reflector lasers
US6937638B2 (en) * 2000-06-09 2005-08-30 Agility Communications, Inc. Manufacturable sampled grating mirrors
ATE533212T1 (de) 2000-08-09 2011-11-15 Santur Corp Verstimmbarer laserdiode mit verteilter rückkopplung
US6728290B1 (en) * 2000-09-13 2004-04-27 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Current biased dual DBR grating semiconductor laser
GB2372376A (en) * 2001-02-15 2002-08-21 Marconi Caswell Ltd Semiconductor Laser
US7106778B2 (en) * 2001-03-19 2006-09-12 Bookham Technology, Plc Tuneable laser
GB2373631B (en) * 2001-03-19 2005-06-29 Marconi Caswell Ltd Tuneable laser
GB2373632B (en) * 2001-03-19 2005-04-27 Marconi Caswell Ltd Tuneable laser
GB2378036A (en) * 2001-04-30 2003-01-29 Jds Uniphase Corp Multi-wavelength switchable laser system
JP3682417B2 (ja) * 2001-05-01 2005-08-10 古河電気工業株式会社 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器
US7495765B2 (en) * 2001-05-17 2009-02-24 Thorlabs Gmbh Fiber polarimeter, the use thereof, as well as polarimetric method
US6816260B2 (en) * 2001-05-17 2004-11-09 Thorlabs Gmbh Fiber polarimeter, the use thereof, as well as polarimetric method
US6853671B2 (en) * 2001-06-13 2005-02-08 Intel Corporation Method and apparatus for tuning a laser with a Bragg grating in a semiconductor substrate
US6856732B2 (en) * 2001-06-13 2005-02-15 Intel Corporation Method and apparatus for adding/droping optical signals in a semiconductor substrate
US7088877B2 (en) * 2001-06-13 2006-08-08 Intel Corporation Method and apparatus for tuning a bragg grating in a semiconductor substrate
GB2377549A (en) * 2001-07-14 2003-01-15 Marconi Caswell Ltd Tuneable laser
US6822980B2 (en) * 2001-07-25 2004-11-23 Adc Telecommunications, Inc. Tunable semiconductor laser with integrated wideband reflector
GB2378315B (en) * 2001-07-30 2005-10-19 Marconi Caswell Ltd Tuneable laser
DE60222138T2 (de) * 2001-07-30 2008-05-21 Bookham Technology Plc., Towcester Abstimmbarer laser
GB2378311A (en) * 2001-08-03 2003-02-05 Marconi Caswell Ltd Tunable Laser
US6822982B2 (en) * 2001-09-28 2004-11-23 The Furukawa Electric Co., Ltd. Device and method for providing a tunable semiconductor laser
GB2381123B (en) * 2001-10-17 2005-02-23 Marconi Optical Components Ltd Tuneable laser
US6690694B2 (en) 2001-11-08 2004-02-10 Intel Corporation Thermally wavelength tunable lasers
US6903379B2 (en) 2001-11-16 2005-06-07 Gelcore Llc GaN based LED lighting extraction efficiency using digital diffractive phase grating
GB2385979B (en) * 2002-02-28 2005-10-12 Bookham Technology Plc Control for a tunable laser
US6788727B2 (en) * 2002-06-13 2004-09-07 Intel Corporation Method and apparatus for tunable wavelength conversion using a bragg grating and a laser in a semiconductor substrate
US6950577B2 (en) * 2002-07-01 2005-09-27 Intel Corporation Waveguide-based Bragg gratings with spectral sidelobe suppression and method thereof
JP4104925B2 (ja) * 2002-07-10 2008-06-18 三菱電機株式会社 波長可変半導体レーザの波長制御装置
US7245792B2 (en) * 2002-08-16 2007-07-17 Intel Corporation Silicon-based tunable single passband optical filter
JP2004111709A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ
US6888874B2 (en) * 2003-01-22 2005-05-03 Photodigm, Inc. Single-wavelength, unequal-length-multi-cavity grating-outcoupled surface emitting laser with staggered tuned distributed Bragg reflectors
US20040190580A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-30 Bardia Pezeshki High-yield high-precision distributed feedback laser based on an array
JP4439193B2 (ja) * 2003-03-20 2010-03-24 富士通株式会社 半導体光増幅器及び光増幅方法
KR100541913B1 (ko) * 2003-05-02 2006-01-10 한국전자통신연구원 추출 격자 브래그 반사기와 결합된 추출 격자 분포궤환파장가변 반도체 레이저
KR100566187B1 (ko) * 2003-08-20 2006-03-29 삼성전자주식회사 수평방향 레이징 구조를 갖는 이득 고정 반도체 광증폭기및 그제조방법
JP2006019516A (ja) * 2004-07-01 2006-01-19 Fujitsu Ltd 波長可変レーザ及びその制御方法
EP1703603B1 (en) * 2005-03-17 2015-03-18 Fujitsu Limited Tunable laser
GB2430793A (en) * 2005-09-29 2007-04-04 Bookham Technology Plc Bragg grating reflection strength control
GB2430760A (en) 2005-09-29 2007-04-04 Bookham Technology Plc Chirped Bragg grating structure
US8238388B2 (en) * 2006-09-20 2012-08-07 The Provost, Fellows And Scholars Of The College Of The Holy And Undivided Trinity Of Queen Elizabeth Near Dublin Tunable laser device and a method for producing light of respective selectable wavelengths
CN100456578C (zh) * 2007-03-08 2009-01-28 中国科学院西安光学精密机械研究所 基于对称式布拉格光栅的双波长分布反馈式光纤激光器
US20090001389A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Motorola, Inc. Hybrid vertical cavity of multiple wavelength leds
GB2465754B (en) * 2008-11-26 2011-02-09 Univ Dublin City A semiconductor optical amplifier with a reduced noise figure
JP5474338B2 (ja) * 2008-11-28 2014-04-16 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体レーザのチューニング方法
JP5552793B2 (ja) * 2009-10-20 2014-07-16 住友電気工業株式会社 半導体回折格子素子、及び、半導体レーザ
GB2483930A (en) 2010-09-27 2012-03-28 Oclaro Technology Plc Fast wavelength switching
GB2493988B (en) * 2011-08-26 2016-01-13 Oclaro Technology Ltd Monolithically integrated tunable semiconductor laser
US9209601B2 (en) * 2011-08-26 2015-12-08 Oclaro Technology Ltd Monolithically integrated tunable semiconductor laser
US20130114628A1 (en) * 2011-11-07 2013-05-09 Catherine Genevieve Caneau Multi-wavelength dbr laser
WO2013147740A1 (en) 2012-03-26 2013-10-03 Intel Corporation Hybrid laser including anti-resonant waveguides
KR101910551B1 (ko) * 2013-09-16 2018-10-22 인텔 코포레이션 광 도파관을 포함하는 하이브리드 광학 장치
JP6241919B2 (ja) * 2013-09-30 2017-12-06 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光学半導体デバイス
US9627851B1 (en) * 2015-10-28 2017-04-18 Rockley Photonics Limited Discrete wavelength tunable laser
US9997890B2 (en) 2015-10-28 2018-06-12 Rockley Photonics Limited Discrete wavelength tunable laser
KR102396079B1 (ko) * 2016-12-07 2022-05-12 한국전자통신연구원 분포궤환 레이저 다이오드
US11018475B2 (en) * 2018-12-27 2021-05-25 Electronics And Telecommunications Research Institute High-output power quarter-wavelength shifted distributed feedback laser diode

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2582154B1 (fr) * 1984-11-16 1989-03-17 Canon Kk Dispositif d'emission de faisceaux multiples comportant des elements semiconducteurs en particulier des diodes lasers
JP2825508B2 (ja) * 1987-10-09 1998-11-18 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置および光通信システム
JPH084186B2 (ja) * 1987-10-28 1996-01-17 国際電信電話株式会社 半導体レーザ
US4896325A (en) * 1988-08-23 1990-01-23 The Regents Of The University Of California Multi-section tunable laser with differing multi-element mirrors
FR2636177B1 (fr) * 1988-09-08 1990-11-16 Comp Generale Electricite Source laser a semi-conducteur modulee a frequence elevee
US4873696A (en) * 1988-10-31 1989-10-10 The Regents Of The University Of California Surface-emitting lasers with periodic gain and a parallel driven nipi structure
NL8803080A (nl) * 1988-12-16 1990-07-16 Philips Nv Verstembare halfgeleiderdiodelaser met verdeelde reflectie en vervaardigingswijze van een dergelijke halfgeleiderdiodelaser.
US5088097A (en) * 1990-04-04 1992-02-11 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and method of driving the same
US5164956A (en) * 1991-10-21 1992-11-17 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Multiperiod-grating surface-emitting lasers
US5325392A (en) * 1992-03-06 1994-06-28 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Distributed reflector and wavelength-tunable semiconductor laser

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