JP3454422B2 - Radio wave transmitting wavelength selective substrate and its manufacturing method - Google Patents

Radio wave transmitting wavelength selective substrate and its manufacturing method

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JP3454422B2
JP3454422B2 JP20246199A JP20246199A JP3454422B2 JP 3454422 B2 JP3454422 B2 JP 3454422B2 JP 20246199 A JP20246199 A JP 20246199A JP 20246199 A JP20246199 A JP 20246199A JP 3454422 B2 JP3454422 B2 JP 3454422B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は建造物、自動車など
の窓ガラス等に到来する電波、および可視光線を効率よ
く透過させることができるとともに、太陽の熱線を反射
して充分な断熱性を発揮できる波長選択基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is capable of efficiently transmitting radio waves and visible light arriving at windows of buildings, automobiles, etc., and at the same time, reflects heat rays of the sun and exhibits sufficient heat insulating properties. The invention relates to a wavelength-selective substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、日射を遮蔽することを目的とし
て、導電性薄膜を被覆したり、または導電性薄膜を含む
フィルムを貼り付けた窓ガラスが普及し始めた。このよ
うな窓ガラスを高層ビルに施行するとTV周波数帯域の
電波を反射して、TV画面にゴーストを発生させる原因
となるとともに室内アンテナで衛星放送を受信し難くな
る。また、住宅用窓ガラス或いは自動車用窓ガラスとし
て用いた場合には、携帯電話が通じ難くなる可能性があ
ったり、ガラスアンテナの利得が悪化したりする原因と
なりえる。
2. Description of the Related Art In recent years, window glass coated with a conductive thin film or attached with a film containing a conductive thin film for the purpose of blocking solar radiation has become popular. When such a window glass is applied to a high-rise building, it reflects radio waves in the TV frequency band, causes a ghost on the TV screen, and makes it difficult to receive satellite broadcasts by the indoor antenna. Further, when it is used as a window glass for a house or a window glass for an automobile, it may be difficult for a mobile phone to communicate, or the gain of a glass antenna may be deteriorated.

【0003】このような事情から現状では、ガラス基板
に電気抵抗の比較的高い透明な熱線反射膜を被覆して、
可視光線の透過を一部させるとともに、電波の反射を低
減させて電波障害を防止することが行なわれている。
Under these circumstances, at present, a glass substrate is coated with a transparent heat ray reflective film having a relatively high electric resistance,
It has been attempted to prevent radio wave interference by partially transmitting visible light and reducing reflection of radio waves.

【0004】また、導電性膜付きガラスの場合には、ガ
ラス基板に被覆させた導電性膜を、入射電波の電界方向
に平行な導電性膜の長さを電波の波長の1/20倍以下
になるように分割し、電波障害を防止することが特許第
2620456号公報に示されている。
In the case of glass with a conductive film, the length of the conductive film coated on the glass substrate is parallel to the electric field direction of the incident radio wave and is 1/20 times or less the wavelength of the radio wave. Japanese Patent No. 2620456 discloses that the antenna is divided into the following parts to prevent radio interference.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電気抵抗の比較的高い透明な熱線反射膜を被覆する方法
は、電波の反射を低減して電波障害を防止することは出
来るが、熱線遮蔽性能が十分ではなく、生活の快適性に
おいて問題があった。また、特許第2620456号公
報に示された導電性膜を分割する方法は、分割する長さ
が太陽光の大部分を占める可視光、近赤外光の波長より
非常に大きいので、これらの光は全て反射してしまい、
電波障害を防止し充分な日射遮蔽性能を有する電波透過
性波長選択スクリーンガラスは得られるが、可視光の透
過性が確保できないという問題がある。さらに、開口部
のサイズが2m×3mのように大きな窓では、例えば、
衛星放送波を透過させるためには、衛星放送の波長約2
5mmの1/20、少なくとも導電膜を1.25mm平
方に、好ましくは0.5mm平方に切断しなければなら
ない。大面積の導電性膜をこのような小さいセグメント
に、例えば、イットリウム−アルミニウム−ガーネット
レーザで切断するには、長時間を要し現実的でない等の
問題があった。
However, the conventional method of coating a transparent heat ray reflective film having a relatively high electric resistance can reduce radio wave reflection and prevent radio wave interference, but has a heat ray shielding performance. Was not enough, and there was a problem in the comfort of life. Further, in the method of dividing the conductive film disclosed in Japanese Patent No. 2620456, since the length of division is much larger than the wavelengths of visible light and near-infrared light, which occupy most of the sunlight, these light beams are used. Are all reflected,
Although a radio wave transmitting wavelength selection screen glass that prevents radio wave interference and has sufficient solar radiation shielding performance can be obtained, there is a problem in that the transparency of visible light cannot be ensured. Furthermore, for a window with a large opening, such as 2m x 3m, for example,
To transmit satellite broadcast waves, the satellite broadcast wavelength should be about 2
1/20 of 5 mm, at least the conductive film must be cut into 1.25 mm square, preferably 0.5 mm square. Cutting a large-area conductive film into such small segments with, for example, an yttrium-aluminum-garnet laser requires a long time and is not realistic.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】先に、本発明者等は、特
願平11−90597号において、ガラス基板表面、ま
たはガラス基板上にAlN層(窒化アルミ層)を被覆し
た表面に、スパッタリング法により連続層よりなるAg
層を成膜させたのち、熱処理することにより粒状のAg
に変化生成させたAg層を積層させた電波透過性波長選
択ガラスについて出願した。その後種々検討した結果、
基板はガラスに限らず耐熱透明プラスチック基板あるい
は透明セラミック基板でも良好な電波透過性波長選択基
板が得られること、さらに粒状のAg層は連続のAg層
を成膜したのちに熱処理する方法に限らず、加熱した耐
熱プラスチック基板あるいは透明セラミック基板表面に
連続層のAg層を成膜することにより粒状のAg層に変
化生成させても良好な電波透過性波長選択基板が得られ
ること等が判明し、本発明をなすに至った。
First, the inventors of the present invention have disclosed in Japanese Patent Application No. 11-90597 that sputtering on a glass substrate surface or a glass substrate surface coated with an AlN layer (aluminum nitride layer). Ag consisting of continuous layers by the method
After forming the layer, heat treatment is performed to form granular Ag.
We filed an application for a radio wave transmitting wavelength selective glass in which an Ag layer that has been generated by changing the above is laminated. After various examinations,
The substrate is not limited to glass, and a heat-resistant transparent plastic substrate or a transparent ceramic substrate can be used to obtain a good radio wave transmitting wavelength selective substrate. Further, the granular Ag layer is not limited to the method of heat-treating after forming a continuous Ag layer. It has been found that a good radio wave transmitting wavelength selective substrate can be obtained even if a continuous Ag layer is formed on the surface of a heat-resistant plastic substrate or a transparent ceramic substrate that has been heated to produce a granular Ag layer. The present invention has been completed.

【0007】本発明は、TV放送、衛星放送、携帯電話
それぞれの周波数帯域の電波に対して反射率を低減させ
て、電波障害を防止するとともに、充分な日射遮蔽性能
と可視光線透過性を有する電波透過性波長選択基板を提
供することを目的とする。
The present invention reduces the reflectance for radio waves in the respective frequency bands of TV broadcasting, satellite broadcasting and mobile phones to prevent radio wave interference, and has sufficient solar radiation shielding performance and visible light transmission. An object is to provide a radio wave transmitting wavelength selective substrate.

【0008】すなわち、本発明の電波透過性波長選択基
板は、耐熱透明プラスチック基板または透明セラミック
基板よりなる基板表面に、あるいは該基板上に透明誘電
体層を被覆した表面に、粒状のAgを分散させたAg層
を積層させてなることを特徴とする。
That is, the radio wave transmitting wavelength selective substrate of the present invention disperses granular Ag on the surface of a heat-resistant transparent plastic substrate or a transparent ceramic substrate or on the surface of the substrate coated with a transparent dielectric layer. It is characterized in that the Ag layers are laminated.

【0009】また、Ag層は、平均粒径100nm〜
0.5mm、粒子の厚さ5nm〜1μmの範囲のAg粒
子より構成されてなることが好ましい さらに、粒状のAgは、連続層よりなるAgを熱処理す
ることにより得られたものが好適であり、連続層よりな
るAgを変化生成させた粒状のAgは、熱処理前のAg
と比較して、X線回折法で同定したAg(111)面の
半値幅が85%以下に減少してなることが好ましい。
The Ag layer has an average particle size of 100 nm to 100 nm.
0.5 mm, the thickness of the particles is preferably composed of Ag particles in the range of 5 nm to 1 μm. Further, the granular Ag is preferably obtained by heat-treating Ag composed of a continuous layer, Granular Ag, which is a continuous layer of Ag that has been generated and changed, is the Ag before heat treatment.
It is preferable that the full width at half maximum of the Ag (111) plane identified by the X-ray diffraction method is reduced to 85% or less as compared with the above.

【0010】さらにまた、電波透過性波長選択基板の光
線反射率は、波長が600nm〜1500nmの範囲に
おいて最大値を有することが好ましい。
Furthermore, it is preferable that the light transmittance of the radio wave transmitting wavelength selective substrate has a maximum value in the wavelength range of 600 nm to 1500 nm.

【0011】またさらに、粒状のAgよりなるAg層上
に、さらに透明誘電体層を被覆してなることも出来る。
Furthermore, a transparent dielectric layer may be coated on the Ag layer made of granular Ag.

【0012】さらに、式(1)で定義する近赤外域の遮
蔽効率(Es)が0.3以上であることが好ましい。
Further, it is preferable that the shielding efficiency (Es) in the near infrared region defined by the formula (1) is 0.3 or more.

【0013】[0013]

【式1】 [Formula 1]

【0014】ここで、λ :基板に入射する電磁波の波
長 Rdp:粒状のAgを分散した基板の反射率 Isr:エアーマス1.0における太陽の放射強度 また、本発明の電波透過性波長選択基板の製造法は、耐
熱透明プラスチック基板または透明セラミック基板より
なる基板表面に、あるいは該基板上に透明誘電体層を被
覆した表面に、連続層よりなるAg層を成膜したのち、
熱処理することにより粒状のAgよりなるAg層に変化
生成させることを特徴とする。
Where λ is the wavelength of the electromagnetic wave incident on the substrate Rdp is the reflectance of the substrate in which granular Ag is dispersed Isr: the radiant intensity of the sun in the air mass 1.0, and the radio wave transmitting wavelength selective substrate of the present invention. The manufacturing method is as follows. After forming an Ag layer consisting of a continuous layer on the surface of a substrate made of a heat-resistant transparent plastic substrate or a transparent ceramic substrate, or on the surface of the substrate coated with a transparent dielectric layer,
It is characterized in that a heat treatment is performed to change and generate an Ag layer made of granular Ag.

【0015】さらに、本発明の電波透過性波長選択基板
の製造法は、耐熱透明プラスチック基板または透明セラ
ミック基板を加熱した表面に、あるいは耐熱透明プラス
チック基板または透明セラミック基板上に透明誘電体層
を被覆した基板を加熱した表面に、連続層よりなるAg
層を成膜することにより粒状のAgよりなるAg層に変
化生成させることを特徴とする。
Further, in the method for producing a radio wave transmitting wavelength selective substrate of the present invention, a transparent dielectric layer is coated on the surface of a heat-resistant transparent plastic substrate or transparent ceramic substrate which has been heated, or on the heat-resistant transparent plastic substrate or transparent ceramic substrate. A continuous layer of Ag is formed on the heated substrate surface.
It is characterized in that a layer is formed to change and generate an Ag layer made of granular Ag.

【0016】さらに、前記粒状よりなるAg層の表面
に、さらに第2の連続層よりなるAg層を成膜させたの
ち熱処理することにより該第2の連続層よりなるAg層
を粒状のAg層に変化生成させることも出来る。
Further, an Ag layer made of a second continuous layer is further formed on the surface of the Ag layer made of a granular material, and then heat-treated to make the Ag layer made of the second continuous layer a granular Ag layer. It is also possible to change and generate.

【0017】さらにまた、粒状のAgよりなるAg層上
に、さらに透明誘電体層を被覆することも出来る。
Furthermore, a transparent dielectric layer can be further coated on the Ag layer made of granular Ag.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】本発明の電波透過性波長選択基板
は、耐熱透明プラスチック基板または透明セラミック基
板よりなる基板表面に、あるいは該基板上に透明誘電体
層を被覆した表面に、粒状のAgが分散されてなるAg
層を被覆してなるものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The radio wave permeable wavelength selective substrate of the present invention has a granular Ag content on the surface of a substrate made of a heat-resistant transparent plastic substrate or a transparent ceramic substrate, or on the surface of the substrate coated with a transparent dielectric layer. Ag dispersed
It is formed by coating layers.

【0019】粒状のAg層を生成させる代表的な方法と
しては、例えば次の2つの方法により行うことが出来
る。
As a typical method for forming a granular Ag layer, for example, the following two methods can be used.

【0020】第1の方法は、耐熱透明プラスチック基板
または透明セラミック基板よりなる基板表面に、あるい
は該基板上に透明誘電体層を被覆した表面に、連続層の
AgよりなるAg層を成膜したのち、熱処理をすること
により、該連続層のAgよりなるAg層中のAgを粒状
のAgに変化させて作製することができる。このような
方法により得られた粒状のAgは、粒径が大きく、結晶
性に優れ、粒子内の電気伝導性が高いという利点があ
り、このため、高い熱線反射特性が期待できる等の特性
が良好となり好ましい。
In the first method, a continuous Ag layer made of Ag is formed on a surface of a heat-resistant transparent plastic substrate or a transparent ceramic substrate, or on a surface of the substrate coated with a transparent dielectric layer. After that, a heat treatment is performed to change the Ag in the Ag layer made of Ag of the continuous layer into granular Ag, which can be produced. The granular Ag obtained by such a method has the advantages that the particle size is large, the crystallinity is excellent, and the electrical conductivity inside the particle is high, and therefore, the characteristics such as high heat ray reflection characteristics can be expected. It is good and preferable.

【0021】また、第2の方法は、耐熱透明プラスチッ
ク基板または透明セラミック基板を加熱した表面に、あ
るいは耐熱透明プラスチック基板または透明セラミック
基板上に透明誘電体層を被覆した基板を加熱した表面
に、連続層よりなるAg層を成膜することにより直ちに
粒状のAgよりなるAg層に変化生成させることが出来
る。このような方法により得られた粒状のAgは、粒径
が均一となり、波長選択性に優れる等の特性が良好とな
るので好ましい。
In the second method, the heat-resistant transparent plastic substrate or the transparent ceramic substrate is heated on the surface, or the heat-resistant transparent plastic substrate or the transparent ceramic substrate is coated with the transparent dielectric layer on the heated surface. By forming an Ag layer made of a continuous layer, it is possible to immediately change and generate an Ag layer made of granular Ag. The granular Ag obtained by such a method is preferable because it has a uniform particle size and excellent characteristics such as excellent wavelength selectivity.

【0022】なお、耐熱透明プラスチック基板または透
明セラミック基板を加熱した表面に、あるいは耐熱透明
プラスチック基板または透明セラミック基板上に透明誘
電体層を被覆した基板を加熱した表面に、連続層よりな
るAg層を成膜することにより、直ちに粒状のAgに変
化生成させ、さらにその表面に第2の連続層よりなるA
g層を成膜させ、熱処理することにより該第2の連続層
よりなるAg層を粒状のAg層に変化生成させることも
でき、この方法によれば粒状Agの粒径が揃い且つ粒径
の大きなものが得られるので特に好ましい。なお、第2
の連続層よりなるAg層を成膜するときの基板温度は、
特に限定はないが、Ag粒子の粗粒化のためには室温付
近であることが好ましい。
The heat-resistant transparent plastic substrate or the transparent ceramic substrate is heated, or the heat-resistant transparent plastic substrate or the transparent ceramic substrate is coated with the transparent dielectric layer on the heated surface, and the Ag layer is formed of a continuous layer. By immediately forming a film of Ag, it is converted into granular Ag, and A is formed on the surface of the second continuous layer.
It is also possible to change the Ag layer formed of the second continuous layer into a granular Ag layer by forming the g layer and heat-treating it. According to this method, the particle diameter of the granular Ag is uniform and It is particularly preferable because a large product can be obtained. The second
The substrate temperature at the time of forming the Ag layer formed of the continuous layer of
Although not particularly limited, it is preferably around room temperature for coarsening Ag particles.

【0023】上記の熱処理温度としては、100℃〜5
00℃、保持時間は5分〜180分程度が好ましいが、
目的とする粒径を得るために特にこの範囲に限定される
ものではない。
The heat treatment temperature is 100 ° C. to 5 ° C.
It is preferable that the temperature is 00 ° C. and the holding time is about 5 minutes to 180 minutes,
It is not particularly limited to this range in order to obtain the target particle size.

【0024】前記の熱処理を施すことにより、連続層よ
りなるAg層を粒状のAg層に変化生成させるメカニズ
ムの詳細は不明であるが、例えばスパッタ法により堆積
させた銀膜は表面エネルギーが高いため、熱エネルギー
を与えることで、粒子状に分散して表面エネルギーの低
い安定状態になることによるものと考えられる。
The details of the mechanism by which the continuous Ag layer is converted into a granular Ag layer by the heat treatment are unknown. However, for example, a silver film deposited by sputtering has high surface energy. It is considered that when heat energy is applied, the particles are dispersed into particles and become a stable state with low surface energy.

【0025】連続層よりなるAg層を成膜する方法は、
スパッタリング法、真空蒸着法、CVD法、熱スプレー
法、イオンプレーティング法等特に限定されるものでは
ないが、スパッタリング法は生成するAg粒子の均一
性、生産性の点より特に好ましい。
The method for forming an Ag layer composed of continuous layers is as follows:
The sputtering method, the vacuum deposition method, the CVD method, the thermal spray method, the ion plating method and the like are not particularly limited, but the sputtering method is particularly preferable in terms of the uniformity of Ag particles to be produced and the productivity.

【0026】透明基板としては、耐熱性に優れ、かつ化
学的に安定であり、透明である耐熱プラスチック基板あ
るいはセラッミク基板を用いることが可能である。透明
性については、ガラスと同等レベルであるのが最も好ま
しいが、ある程度の透明性があるものであれば特に限定
するものではない。これらの条件を満足する基板として
は、PTFE(4フッ化エチレン樹脂)、FEP(4フ
ッ化エチレン・6フッ化プロピレン共重合体樹脂)、P
FA(4フッ化エチレン・パーフロロアルキルビニルエ
ーテル共重合体樹脂)などが挙げられるが、特に、FE
P,PFAは、全ての条件を満足する材料であり、より
好ましい。
As the transparent substrate, it is possible to use a transparent heat-resistant plastic substrate or ceramic substrate which has excellent heat resistance and is chemically stable. The transparency is most preferably at the same level as glass, but is not particularly limited as long as it has a certain degree of transparency. Substrates satisfying these conditions include PTFE (tetrafluoroethylene resin), FEP (tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer resin), P
FA (tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer resin) and the like can be mentioned, but especially FE
P and PFA are materials that satisfy all the conditions, and are more preferable.

【0027】また、本発明の透明誘電体膜としては、A
lN、Si34、SiAlN等の透明窒化物膜、SiO
xy、TiOxy等の透明酸窒化物膜などが好ましい。
なお、透明酸窒化物膜としては、そのほかにCr、Z
n、Zr、Sn、Ta等の金属元素の少なくとも1種よ
りなる金属酸窒化物を用いることもできる。また、S
i、Ti、Cr、Zn、Zr、Sn、Ta等の金属元素
の少なくとも1種よりなる透明金属酸化物を用いること
もできるが、その場合には、最外層の透明酸化物膜を堆
積させる前に、銀微粒子の酸化防止のための金属犠牲層
を数オングストロームから数十オングストローム程度堆
積させておく必要がある。
Further, as the transparent dielectric film of the present invention, A
1N, Si 3 N 4 , transparent nitride film such as SiAlN, SiO
x N y, a transparent oxynitride film such as TiO x N y is preferred.
In addition, as the transparent oxynitride film, Cr, Z
A metal oxynitride composed of at least one metal element such as n, Zr, Sn and Ta can also be used. Also, S
Although a transparent metal oxide composed of at least one metal element such as i, Ti, Cr, Zn, Zr, Sn, and Ta can be used, in that case, before depositing the outermost transparent oxide film. In addition, it is necessary to deposit a metal sacrifice layer for preventing the oxidation of silver particles by several angstroms to several tens angstroms.

【0028】得られた波長選択基板は、TV放送、衛星
放送、携帯電話それぞれの周波数帯域の電波に対して反
射率を低減させて、電波障害を防止するとともに、充分
な日射遮蔽性能と可視光線透過性を有する電波透過性波
長選択基板である。
The obtained wavelength selection substrate reduces the reflectance for radio waves in the respective frequency bands of TV broadcasting, satellite broadcasting and mobile phones to prevent radio interference, and also has sufficient solar radiation shielding performance and visible light. It is a radio wave transmitting wavelength selection substrate having transparency.

【0029】前記波長選択ガラスの反射率(Rdp)は、
下記(2)式で示されるような理論式により、銀の形状
から算出することができる。(この理論式は、本発明者
が、Journal of Applied Phys
ics Volume 84, Number 11,
6285−8290(1998)ですでに発表してい
る。)
The reflectance (Rdp) of the wavelength selection glass is
It can be calculated from the shape of silver by a theoretical formula as shown by the following formula (2). (This theoretical formula is calculated by the inventor of the Journal of Applied Phys.
ics Volume 84, Number 11,
6285-8290 (1998). )

【0030】[0030]

【式2】 [Formula 2]

【0031】ここで、Rdp: 反射率 λ : 波長 [nm] AR: 銀微粒子が占める面積率 Rms: 銀層の厚さDの銀多層膜の反射率 D : 銀層の厚さ [nm] Esg: 分割係数(板ガラス基板、または誘電体膜上に
無限繰り返しに配列した完全導体からなる正方形セグメ
ントの長さと入射光の波長の比がLi/λ、前記セグメ
ントが占める面積率がARの系の反射率) Li : 銀微粒子の粒径 [nm] Sr : 粒径Liの銀微粒子の面積率 ni : 粒径Liの銀微粒子の数 以下に、本発明の波長選択ガラスの反射率(Rdp)が、
上記(2)式で示される理論式により、銀の形状から算
出することができることを、以下に示す式(3)〜(1
4)により説明する。
Here, Rdp: reflectance λ: wavelength [nm] AR: area ratio occupied by silver fine particles Rms: reflectance of silver multilayer film having silver layer thickness D: silver layer thickness [nm] Esg : Division coefficient (the ratio of the length of a square segment consisting of a plate glass substrate or a perfect conductor arranged infinitely and repeatedly on a dielectric film to the wavelength of incident light is Li / λ, and the area ratio occupied by the segment is AR reflection Li): Particle size [nm] Sr of fine silver particles Sr: Area ratio ni of fine silver particles having a particle size Li: The reflectance (Rdp) of the wavelength-selective glass of the present invention is equal to or smaller than the number of fine silver particles having a particle size Li.
The fact that the shape of silver can be calculated by the theoretical formula represented by the above formula (2) is represented by the following formulas (3) to (1).
4) will be described.

【0032】以下、順を追って、完全導体セグメントを
誘電体基板上に周期的に固定した系の反射率を算出する
電気的な積分方程式を導く方法について説明する。先
ず、理論式による分割係数Esgの求め方について説明す
る。
A method for deriving an electrical integral equation for calculating the reflectance of a system in which perfect conductor segments are periodically fixed on a dielectric substrate will be described below step by step. First, how to obtain the division coefficient Esg by the theoretical formula will be described.

【0033】(1)誘起電流分布 下記の計算では、導電体セグメントおよび誘電体基板か
らの放射が電磁界を誘起すると仮定する。ここで論ずる
周期アレーと電磁波の状態を図1に幾何学的に示す。x
軸、y軸の周期単位a、bそれぞれの無限周期アレーを
誘電体基板上に固定する。基板の厚さはd、誘電率はε
r である。(θi,φi)方向から伝搬してきた電界強度Ei
の入射平面波で、周波数選択スクリーンを照射すると仮
定する。αは、(θi,φi)面内での偏波角である。
(1) Induced Current Distribution In the following calculation, it is assumed that radiation from the conductor segment and the dielectric substrate induces an electromagnetic field. The periodic array and electromagnetic wave states discussed here are shown geometrically in FIG. x
An infinite period array of each of the axis units a and b of the axis and the y axis is fixed on the dielectric substrate. Substrate thickness is d, dielectric constant is ε
r. Electric field strength Ei propagating from (θi, φi) direction
Suppose we illuminate a frequency selective screen with an incident plane wave of. α is the polarization angle in the (θi, φi) plane.

【0034】[0034]

【式3】 [Formula 3]

【0035】ここで、rは位置ベクトル、k iは入射波の
伝搬ベクトル(電磁波の進行方向の伝搬定数を示す波数
ベクトル)である。
Here, r is a position vector, and ki is a propagation vector of an incident wave (a wave number vector indicating a propagation constant in the traveling direction of an electromagnetic wave).

【0036】電流J cは、入射波によって導電体表面に
誘起されると仮定する。この電流は入射波の位相に比例
する。そして構造が周期的であるので、電流はフーリエ
級数展開が可能である。従って、電流分布は次のように
表現できる。
It is assumed that the current J c is induced on the conductor surface by the incident wave. This current is proportional to the phase of the incident wave. And since the structure is periodic, the current can be Fourier series expanded. Therefore, the current distribution can be expressed as follows.

【0037】[0037]

【式4】 [Formula 4]

【0038】[0038]

【式5】 [Formula 5]

【0039】導電体からの散乱波によって発生した電磁
界および誘電体表面からの散乱波によって発生した電磁
界を単一電磁界で取り扱うために、誘電体基板表面で誘
起された等価電流Jiと等価磁流M iを次式のように定義
する。
In order to handle the electromagnetic field generated by the scattered wave from the conductor and the electromagnetic field generated by the scattered wave from the dielectric surface with a single electromagnetic field, it is equivalent to the equivalent current Ji induced on the dielectric substrate surface. The magnetic current M i is defined as follows.

【0040】[0040]

【式6】 [Formula 6]

【0041】任意形状の導電体はワイヤーセグメントで
電気的に近似できる。電流分布は区分的正弦波(PW
S)函数で表現できる。
A conductor of arbitrary shape can be electrically approximated by a wire segment. The current distribution is a piecewise sine wave (PW
S) It can be expressed by a function.

【0042】[0042]

【式7】 [Formula 7]

【0043】[0043]

【式8】 [Formula 8]

【0044】(2)放射界(反射電界と反射磁界) 散乱体表面の誘起磁流・誘起電流が放射する電界を反射
電界という。この反射電界は、グリーン函数を用いると
式(9)で表現できる。
(2) Radiation field (reflected electric field and reflected magnetic field) The electric field emitted by the induced magnetic current / induced current on the surface of the scatterer is called the reflected electric field. This reflected electric field can be expressed by Equation (9) using the Green's function.

【0045】[0045]

【式9】 [Formula 9]

【0046】(3)電力反射率 (3) Power reflectance

【0047】 [0047]

【式10】 [Formula 10]

【0048】[0048]

【式11】 [Formula 11]

【0049】[0049]

【式12】 [Formula 12]

【0050】以上、分割係数Esgの求め方について説明
した。
The method for obtaining the division coefficient Esg has been described above.

【0051】次に、(2)式の粒径分布(銀粒子の粒
径、面積率、粒子の数)について求める。 (4)銀粒子の平均粒径
Next, the particle size distribution (particle size of silver particles, area ratio, number of particles) of the equation (2) is obtained. (4) Average particle size of silver particles

【0052】[0052]

【式13】 [Formula 13]

【0053】銀粒子の平均粒径(l)は次のように計算
できる。
The average particle size (l) of silver particles can be calculated as follows.

【0054】[0054]

【式14】 [Formula 14]

【0055】後述の参考例2で述べるように、近赤外域
の遮蔽効率が0.3以上を確保するためには、銀粒子の
平均粒径が100nm以上および銀粒子の厚みが5nm
以上であることが好ましい。なお、銀粒子の粒径が0.
5mm以上になると電波障害の問題が発生するので好ま
しくない。
As described in Reference Example 2 to be described later, in order to secure the shielding efficiency in the near infrared region of 0.3 or more, the average particle diameter of silver particles is 100 nm or more and the thickness of silver particles is 5 nm.
The above is preferable. The particle size of the silver particles is 0.
If it is 5 mm or more, there is a problem of radio interference, which is not preferable.

【0056】次に、前記で示した分割係数Esgと粒径分
布から反射率を求める方法について説明する。 (5)銀を分散させたAlN系の反射率の理論式 Ag層の反射率は、銀原子のプラズマ振動の影響を受け
る。それ故、銀を分散させたAlN層の反射率(Rdp)
は表面抵抗率(Rsq)、入射波の波長(λ)と銀の粒径
に依存する。Rdpに対する粒径の影響を、分割係数(E
sg)の項で表現する。
Next, a method of obtaining the reflectance from the above-mentioned division coefficient Esg and particle size distribution will be described. (5) Theoretical formula of the reflectance of an AlN system in which silver is dispersed The reflectance of the Ag layer is affected by the plasma vibration of silver atoms. Therefore, the reflectance (Rdp) of the AlN layer in which silver is dispersed
Depends on the surface resistivity (Rsq), the wavelength of the incident wave (λ) and the grain size of silver. The effect of particle size on Rdp is calculated by dividing factor (E
It is expressed in terms of sg).

【0057】厚さ40nmのAlN層上に完全導体の正
方形セグメントを周期的に固定した系の反射率の理論値
をEsgと定義する。理論値は、式(12)を用いて算出
する。この係数は、L/λと面積率(AR)に依存す
る。 L/λは、セグメントの大きさ(銀粒子の粒径に
対応する)と図2に示した入射光の波長の比である。
なお、図2は、AR=22 /32 の分割係数(Esg)と
L/λ(セグメントの大きさと入射光の波長の比を示す
図である。
The theoretical value of the reflectance of a system in which square segments of a perfect conductor are periodically fixed on an AlN layer having a thickness of 40 nm is defined as Esg. The theoretical value is calculated using equation (12). This coefficient depends on L / λ and the area ratio (AR). L / λ is the ratio of the segment size (corresponding to the particle size of silver particles) to the wavelength of the incident light shown in FIG.
Incidentally, FIG. 2 is a diagram showing the ratio of the wavelength of the AR = 2 2/3 2 of division factor (Esg) and L / lambda (segment size and the incident light.

【0058】ARは、L /a、すなわちセグメントの面
積と図1に示した単位セル(最小繰り返し単位)の面積
の比である。AR=2 /3(=0.444)にもかかわ
らず、図2のEsgはL/λ=0.525で、1.0に近づ
く。これは、導体のRsq.と基板の誘電損率が無視でき
るほどに小さい場合、共鳴周波数において入射波のエネ
ルギーが単位セル上の誘起電流に全て変換されることに
起因する。Rdpは、RmsとEsgの積に等しいと仮定し
て、Rdpを求める式(2)を提案する。RmsはAlN
(30nm)/Ag(Dnm)/AlN(10nm)多層膜の反
射率である。なお、DはAg粒子の平均厚みである。
AR is L / a, that is, the ratio of the area of the segment to the area of the unit cell (minimum repeating unit) shown in FIG. Despite AR = 2/3 (= 0.444), Esg in FIG. 2 is L / λ = 0.525 and approaches 1.0. This is because when the Rsq. Of the conductor and the dielectric loss factor of the substrate are so small that they can be ignored, the energy of the incident wave is completely converted into the induced current on the unit cell at the resonance frequency. Assuming that Rdp is equal to the product of Rms and Esg, the formula (2) for obtaining Rdp is proposed. Rms is AlN
It is the reflectance of (30 nm) / Ag (Dnm) / AlN (10 nm) multilayer film. In addition, D is an average thickness of Ag particles.

【0059】[0059]

【式2】 [Formula 2]

【0060】ここで、Here,

【0061】[0061]

【式15】 [Formula 15]

【0062】ここで、ARo は、薄膜の全面積に対する
銀粒子の占める割合である。
Here, A Ro is the ratio of silver particles to the total area of the thin film.

【0063】RmsはRsqとλの函数である。そして、E
sqはL/λに依存するので、式(2)は、RdpがRsq、
λとLに依存することを示している。 Σの項は銀粒子
の粒径分布のRdpへの影響を描写している。 図2に示
したように、L/λの増大に対するEsqの変化が非線形
のため、Σの項が必要である。AlN層中のAgの全重
量は、Ag層の熱処理の間一定に保たれるので、DとL
は、式(2)と(15)で表現できる。
Rms is a function of Rsq and λ. And E
Since sq depends on L / λ, in the equation (2), Rdp is Rsq,
It shows that it depends on λ and L. The Σ term describes the effect of the particle size distribution of silver particles on Rdp. As shown in FIG. 2, since the change of Esq with the increase of L / λ is non-linear, the term Σ is necessary. The total weight of Ag in the AlN layer is kept constant during the heat treatment of the Ag layer, so that D and L
Can be expressed by equations (2) and (15).

【0064】[0064]

【式16】 [Formula 16]

【0065】[0065]

【式17】 [Formula 17]

【0066】ここで、Lm は、セグメントの平均長さ、
D0 は、成膜直後の多層膜中のAg層の厚さである。
Where Lm is the average length of the segment,
D0 is the thickness of the Ag layer in the multilayer film immediately after film formation.

【0067】なお、Agは紫外線領域にプラズマ振動数
が存在し、さらに、この周波数の低周波数側に、「銀の
窓」と呼ばれるAgの消衰係数が無限小になる領域があ
るので、Ag粒子の厚みと、誘電体干渉膜の膜厚を制御
すれば、可視光の透過性が確保できる。加熱によりAg
膜は、粒子状に分散した状態に変化する。この粒径は、
前記した0.5mmよりはるかに小さく、また、Ag膜
の厚み、熱処理条件などを制御するこにより、近赤外線
を選択的に反射するガラスが得られる。
In addition, since Ag has a plasma frequency in the ultraviolet region, and there is a region called "silver window" in which the extinction coefficient of Ag is infinitely small on the low frequency side of this frequency, Ag By controlling the thickness of the particles and the thickness of the dielectric interference film, the visible light transmittance can be secured. Ag by heating
The film changes to a state of being dispersed in the form of particles. This particle size is
Glass that is far smaller than 0.5 mm and that selectively reflects near infrared rays can be obtained by controlling the thickness of the Ag film, the heat treatment conditions, and the like.

【0068】以下、本発明者等が先に出願した明細書の
実施例を参考例として示す。
Hereinafter, examples of the specification filed by the inventors of the present invention will be shown as reference examples.

【0069】[0069]

【参考例】参考例1 電波透過性波長選択ガラスは、DCマグネトロン・スパ
ッタリング法により成膜した。 スパッタリング前に、真空槽を2×10-4Paまで真
空引きした。なお、スパッタリング中、ターゲット−ガ
ラス基板間の距離は90mmに固定した。 最下層のAlN層は、純Alターゲット(直径129
mm、厚み10mm)を用いて、反応スパッタで堆積さ
せた。なお、異常放電を防止するために、周波数10k
Hzの矩形パルス波をカソードに印加した。スパッタリ
ング中、N2/Arガス流量比を20/80に調整する
方法で混合ガスの圧力を0.7Paに制御した。 アルゴンのガス圧0.7Paで、純Agターゲット
(直径129mm、厚み5mm)を用いて、中間層のA
g層を堆積させた。 最上段のAlN層を積層する前に、スパッタリング
真空槽内で、成膜直後のAlN/Ag層を2×10-4
a、200℃で加熱処理した。 最上層のAlN層は、最下層のAlN層と同じ方法に
より、純Alターゲット(直径129mm、厚み10m
m)を用いて、反応スパッタで堆積させた。
Reference Example Reference Example 1 The radio wave transmitting wavelength selective glass was formed by a DC magnetron sputtering method. The vacuum chamber was evacuated to 2 × 10 −4 Pa before sputtering. The distance between the target and the glass substrate was fixed at 90 mm during sputtering. The bottom AlN layer is a pure Al target (diameter 129
mm, thickness 10 mm). In order to prevent abnormal discharge, frequency 10k
A rectangular pulse wave of Hz was applied to the cathode. During the sputtering, the pressure of the mixed gas was controlled to 0.7 Pa by the method of adjusting the N 2 / Ar gas flow rate ratio to 20/80. With a gas pressure of argon of 0.7 Pa and using a pure Ag target (diameter 129 mm, thickness 5 mm), A of the intermediate layer
A g-layer was deposited. Before stacking the uppermost AlN layer, the AlN / Ag layer immediately after the film formation was formed into 2 × 10 −4 P in a sputtering vacuum chamber.
a, heat treatment was performed at 200 ° C. The uppermost AlN layer is a pure Al target (diameter 129 mm, thickness 10 m) by the same method as the lowermost AlN layer.
m) was used to deposit by reactive sputtering.

【0070】前記或いはの工程を終了したガラス基
板/AlN層/Ag層からなるサンプルについて、下記
に示す方法により、銀粒子の粒径分布の測定を行った。
With respect to the sample consisting of the glass substrate / AlN layer / Ag layer after the above steps or steps, the particle size distribution of silver particles was measured by the following method.

【0071】A.銀粒子の粒径分布 の工程を終了したガラス基板/AlN層/Ag層から
なるサンプルの表面の状態を、日立S−415を用いた
走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した結果を図3に示
す。なお、図3の各粒子の大きさを Martin法で読み取
った粒径分布を表1に示す。
A. The surface condition of the sample consisting of the glass substrate / AlN layer / Ag layer after the step of grain size distribution of silver particles was observed with a scanning electron microscope (SEM) using Hitachi S-415. The results are shown in Fig. 3. The particle size distribution obtained by reading the size of each particle in FIG. 3 by the Martin method is shown in Table 1.

【0072】結果、面積比(銀粒子が占める面積と全面
積の比と定義)は0.20であった。表1の粒径(l)
と数(n)を式(13)と(14)に代入した結果、平
均粒径は87nmとなった。粒径分布は、表2にSr の
関数として示す。の工程を終了したガラス基板/Al
N層/Ag層からなるサンプルの表面の状態を、セイコ
製SPAー250を用いた原子間力顕微鏡(AFM)に
て観察した結果、平均粒子径は168nmで、面積率は
0.38であった。
As a result, the area ratio (defined as the ratio of the area occupied by silver particles to the total area) was 0.20. Particle size in Table 1 (l)
Substituting the number (n) and equation (13) into equations (13) and (14), the average particle diameter was 87 nm. The particle size distribution is shown in Table 2 as a function of Sr. Glass substrate / Al which finished the process of
The state of the surface of the sample composed of N layer / Ag layer was observed by an atomic force microscope (AFM) using SPA-250 manufactured by Seiko, and as a result, the average particle size was 168 nm and the area ratio was 0.38. It was

【0073】[0073]

【表1】 [Table 1]

【0074】[0074]

【表2】 [Table 2]

【0075】B.結晶の配向性 前記およびの工程を終了したガラス基板/AlN層
/Ag層からなるサンプルについて、銀結晶の配向性を
評価した。なお、測定は、CuKαの特性X線を用い理
学製RINT−1500のX線回折(XRD)法で測定
した。
B. Crystal Orientation The orientation of silver crystals was evaluated with respect to the sample consisting of the glass substrate / AlN layer / Ag layer which has undergone the above steps and. In addition, the measurement was performed by an X-ray diffraction (XRD) method of RINT-1500 manufactured by Rigaku using a characteristic X-ray of CuKα.

【0076】結果、の工程が終了した成膜直後のガラ
ス基板/AlN層/Ag層のサンプルにおけるAg層
は、基板に平行にAg(111)面が成長した多結晶銀
を含むことを示している。また、の工程の熱処理を行
うことにより、前記図3で示すようにAg連続層が不連
続な粒子に変化すると、Ag(200)面の回折ピーク
の強度は多少増加した。また、表3は、Ag(111)
面の面間隔が2時間の熱処理の結果、236.6から2
35.9pmに減少することを示している。ピークの半
値幅もまた減少する傾向を示した。
As a result, it is shown that the Ag layer in the sample of the glass substrate / AlN layer / Ag layer immediately after the film formation after the above step includes the polycrystalline silver in which the Ag (111) plane is grown parallel to the substrate. There is. When the Ag continuous layer was changed into discontinuous particles as shown in FIG. 3 by carrying out the heat treatment of the step, the intensity of the diffraction peak on the Ag (200) plane increased to some extent. Table 3 shows Ag (111)
As a result of heat treatment with a surface spacing of 2 hours, 236.6 to 2
It is shown to decrease to 35.9 pm. The full width at half maximum of the peak also tended to decrease.

【0077】[0077]

【表3】 [Table 3]

【0078】C.反射率 の工程が完了した成膜直後の試料と、の工程を完了
した熱処理試料の反射率スペクトルを測定した。なお、
反射スペクトルは日立製340分光光度計を用いて、室
温で、350から1800nmの範囲で測定した結果を
図4に示す。
C. The reflectance spectra of the sample immediately after film formation in which the reflectance step was completed and the heat-treated sample in which the step was completed were measured. In addition,
FIG. 4 shows the result of measurement of the reflection spectrum in the range of 350 to 1800 nm at room temperature using a Hitachi 340 spectrophotometer.

【0079】Ag層の厚さをの工程が完了した成膜直
後の試料の反射率曲線から求める。4端子マトリックス
法で計算した反射率の理論曲線は、図5に示したよう
に、成膜直後のAg層の厚さが8nmのとき、測定値と
よく一致した。なお、図5は、成膜直後の試料の実験値
(○)と理論値(ー)との反射スペクトルの比較を示し
た図である。理論値は、Ag層の厚さを8nmと仮定し
て計算した。
The thickness of the Ag layer is obtained from the reflectance curve of the sample immediately after the film formation, which has been completed. The theoretical curve of reflectance calculated by the 4-terminal matrix method was in good agreement with the measured value when the thickness of the Ag layer immediately after film formation was 8 nm, as shown in FIG. Note that FIG. 5 is a diagram showing a comparison of the reflection spectrum between the experimental value (◯) and the theoretical value (−) of the sample immediately after the film formation. The theoretical value was calculated assuming that the thickness of the Ag layer is 8 nm.

【0080】一方、表3で、加熱時間が0時間のAg
(111)ピークの半値幅を式(18)[Scherr
erの式]に代入して成膜直後のAg層中の結晶の厚み
を求めた結果、その値は10nmとなった。Ag層の厚
さは、結晶の大きさに等しいことになる。すなわち、A
g層は基板に平行なAg(111)面が成長した多結晶
銀から構成されていることを示している。
On the other hand, in Table 3, Ag having a heating time of 0 hours is
The full width at half maximum of the (111) peak is calculated by the equation (18) [Scherr
er]] and the thickness of the crystal in the Ag layer immediately after film formation was determined, and the value was 10 nm. The thickness of the Ag layer will be equal to the size of the crystal. That is, A
It is shown that the g layer is composed of polycrystalline silver in which the Ag (111) plane parallel to the substrate is grown.

【0081】[0081]

【式18】 [Formula 18]

【0082】 ここで、CT : 結晶の厚み [ Å ] λ : 照射X線の波長[ Å ] Δ(2θ): 半値幅 [radian] θ : X線の入射角度[radian] 図4に示したの工程を完了した熱処理試料の反射率曲
線から、Ag層の熱処理によって波長が780nmより
小さい入射波の反射率は増大し、780nmより長い入
射波の反射率は減少することが示された。この現象は、
粒径が入射波の波長より小さい銀粒子の分散によると考
えられる。
Here, CT: thickness of crystal [Å] λ: wavelength of irradiated X-ray [Å] Δ (2θ): full width at half maximum [radian] θ: incident angle of X-ray [radian] The reflectance curve of the heat-treated sample which completed the process showed that the heat treatment of the Ag layer increased the reflectance of the incident wave whose wavelength was shorter than 780 nm and decreased the reflectance of the incident wave whose wavelength was longer than 780 nm. This phenomenon is
It is considered that this is due to the dispersion of silver particles having a particle size smaller than the wavelength of the incident wave.

【0083】図6に示した曲線は、銀微粒子の面積平均
粒径130nm、銀粒子の厚み18nm、面積率0.4
44の波長選択膜の反射率について350nm〜180
0nmの波長範囲で、理論式(2)から求めた理論曲線
である。この曲線は、図6に黒丸で示した実施例の値と
よく一致している。ところが、表4に示したように、S
EMで観測した平均粒径は、理論粒径より小さい値であ
る。この差は、SEM観察では銀の粒径を過小に見積も
ることに原因がある。すなわち、厚さ約3nmの粒子の
裾野から散乱された2次電子の強度は弱いので、粒子の
裾野として検出できなかったためと考えられる。また、
表4に示したように銀微粒子の銀粒子の子の銀粒子の厚
みはX線的に求めた測定値と一致する。本参考例で、理
論式(2)の妥当性が証明できた。
The curve shown in FIG. 6 indicates that the area average particle diameter of silver fine particles is 130 nm, the thickness of silver particles is 18 nm, and the area ratio is 0.4.
Regarding the reflectance of the wavelength selection film of No. 44, 350 nm to 180
It is a theoretical curve obtained from theoretical formula (2) in the wavelength range of 0 nm. This curve is in good agreement with the value of the example shown by the black circle in FIG. However, as shown in Table 4, S
The average particle diameter observed by EM is smaller than the theoretical particle diameter. This difference is due to the underestimation of the grain size of silver in SEM observation. That is, it is considered that the intensity of the secondary electrons scattered from the skirt of the particle having a thickness of about 3 nm is weak, and therefore it cannot be detected as the skirt of the particle. Also,
As shown in Table 4, the thickness of the silver particles of the silver particles of the silver particles is in agreement with the measured value obtained by X-ray. In this reference example, the validity of the theoretical formula (2) was proved.

【0084】[0084]

【表4】 [Table 4]

【0085】参考例2 参考例1で、理論式(2)の妥当性が証明できたので、
式(2)の理論値から、波長選択膜に適した銀微粒子の
形状を求める。先ず、銀粒子系の遮弊効率(Es)は式
(1)で定義される。式(2)のSr はセグメントの種
々の平均サイズ(Li)に対して一定であると仮定し
て、AR=0.444、D0=8nmの銀粒子系の最大遮蔽
効率を式(2)で計算する。 図7に示したようにLi
=375nmのとき、可視光および放送波領域で、断熱ガ
ラスの透明性を確保しながら、遮蔽効率は最大となる。
なお図7は、銀粒子系の遮弊効率とセグメントの平均サ
イズを示す図である。遮弊効率は、AR=22 /32
Li=18nmと仮定して、式(2)から算出した。Li=
375nmの反射スペクトルの理論曲線を図9に示す。銀
粒子分散AlN膜で、375nmの理論反射スペクトル
(−)とLm=130nmの測定反射スペクトル(●)の比較
を示す図である。理論値はAR=22 /32 、Li=18
nmと仮定して、式(2)から算出した。
Reference Example 2 Since the validity of the theoretical formula (2) could be proved in Reference Example 1,
The shape of the silver fine particles suitable for the wavelength selection film is obtained from the theoretical value of the equation (2). First, the blocking efficiency (Es) of the silver particle system is defined by the equation (1). Assuming that Sr in equation (2) is constant for various average sizes (Li) of the segments, the maximum shielding efficiency of the silver particle system with AR = 0.444 and D0 = 8 nm is given by equation (2). calculate. As shown in FIG.
= 375 nm, the shielding efficiency is maximized while ensuring the transparency of the insulating glass in the visible light and broadcast wave regions.
FIG. 7 is a diagram showing the blocking efficiency of the silver particle system and the average size of the segments. Saegihei efficiency, AR = 2 2/3 2 ,
It was calculated from the equation (2) assuming that Li = 18 nm. Li =
The theoretical curve of the reflection spectrum at 375 nm is shown in FIG. It is a figure which shows the comparison of the theoretical reflection spectrum (-) of 375 nm and the measured reflection spectrum (-) of Lm = 130 nm in a silver particle dispersed AlN film. Theoretical value AR = 2 2/3 2, Li = 18
It was calculated from the equation (2) assuming nm.

【0086】Lm=Li が130nmから375nmまで増
大することにより、反射が最大となる位置は、長波長側
にシフトする。これは、近赤外線のみを反射する波長選
択スクリーンは銀粒子の大きさを調整することにより設
計できることを示している。反射率の理論値は、800
nm以下の波長域で5〜6箇所鋭く減少している。 セグ
メントは周期的に配列されているので、図2の場合、L
/λ=0.626で反射率が鋭く減少する。
As Lm = Li increases from 130 nm to 375 nm, the position where the maximum reflection occurs shifts to the long wavelength side. This indicates that a wavelength selection screen that reflects only near infrared rays can be designed by adjusting the size of silver particles. The theoretical value of reflectance is 800
It sharply decreases at 5 to 6 points in the wavelength range of nm or less. Since the segments are arranged periodically, in the case of FIG.
The reflectance sharply decreases at /λ=0.626.

【0087】次に、代表例として、銀微粒子の面積平均
粒径が375nmの場合の波長選択ガラスの近赤外域の
遮蔽効率および可視光の透過率の銀微粒子の厚み依存性
を理論式(2)から求めた結果を表5と表6に示す。な
お、面積率は、代表値として0.444と0.826を
用いた。
Next, as a typical example, the theoretical formula (2) is used to determine the shielding efficiency in the near infrared region of the wavelength-selective glass and the thickness dependence of the visible light transmittance of the silver fine particles when the area average particle diameter of the silver fine particles is 375 nm. Results are shown in Tables 5 and 6. The area ratios used were 0.444 and 0.826 as typical values.

【0088】表5と表6より、近赤外域の遮蔽効率が
0.3以上を確保するためには、銀微粒子の厚みが5n
m以上必要であることがわかる。一方、銀微粒子の厚み
が30nmを越えると近赤外域の遮蔽効率は、可視光の
透過性を有しながら飽和に達する。
From Tables 5 and 6, in order to secure the shielding efficiency in the near infrared region of 0.3 or more, the thickness of the silver fine particles should be 5 n.
It turns out that m or more is necessary. On the other hand, when the thickness of the silver particles exceeds 30 nm, the shielding efficiency in the near infrared region reaches saturation while having a visible light transmittance.

【0089】式(18)のScherrerの式から求
められる銀粒子の厚さは、Agの(111)面の回折ピ
ークの半値幅に逆比例するので、粒子厚さの測定限界
は、半値幅の検出限界値で決まる。この値は、現在のX
線回折装置では、0.01度程度である。この値を式
(18)に代入すると、1μmとなる。すなわち、Sc
herrerの式は、銀粒子の厚さが1μm以下の場合
にのみ適応できる。従って、銀微粒子の好ましい厚み
は、5nm〜1μmの範囲である。なお、CuKαの特
性X線の波長は、1.5405Å、Agの(111)面
に対応するX線の入射角度は、38.12/2度であ
る。
Since the thickness of silver particles obtained from Scherrer's equation of equation (18) is inversely proportional to the half-value width of the diffraction peak of the (111) plane of Ag, the measurement limit of the grain thickness is the half-value width. Determined by the detection limit value. This value is the current X
In the line diffraction device, it is about 0.01 degree. Substituting this value into equation (18) yields 1 μm. That is, Sc
The Herrrer equation is applicable only when the thickness of the silver particles is 1 μm or less. Therefore, the preferable thickness of the silver fine particles is in the range of 5 nm to 1 μm. The wavelength of the characteristic X-ray of CuKα is 1.5405Å, and the incident angle of the X-ray corresponding to the (111) plane of Ag is 38.12 / 2 degrees.

【0090】[0090]

【表5】 [Table 5]

【0091】[0091]

【表6】 [Table 6]

【0092】代表例として、銀微粒子の厚みが20nm
の場合の波長選択ガラスの近赤外域の遮蔽効果および可
視光透過率の銀微粒子の面積平均粒径依存性を理論式
(2)から求めた結果を表7と表8に示す。表7、およ
び表8より、近赤外域の遮蔽効果が0.3以上を確保す
るためには、銀微粒子の粒径が100nm以上必要であ
ることがわかる。粒径の増大に伴い遮蔽効果は増大する
が、面積率によって異なるがある粒径以上になると減少
する。しかし、遮蔽効率が0.3以下にはならない。と
ころが、粒径が、現在使用されている放送波の内、最も
波長の短い衛星放送波の波長の1/20以上になると電
波障害が問題となる(特許登録番号2620456参
照)ので、銀粒子の粒径は0.5mm以下が望ましい。
As a typical example, the thickness of silver fine particles is 20 nm.
Table 7 and Table 8 show the results obtained by theoretical formula (2) for the shielding effect in the near-infrared region of the wavelength-selective glass and the area average particle size dependency of the silver particles in the case of the above. From Table 7 and Table 8, it can be seen that the particle size of the silver fine particles needs to be 100 nm or more in order to secure the shielding effect in the near infrared region of 0.3 or more. The shielding effect increases as the particle size increases, but it decreases when the particle size exceeds a certain value, depending on the area ratio. However, the shielding efficiency does not fall below 0.3. However, if the particle size becomes 1/20 or more of the wavelength of the shortest satellite broadcast wave among currently used broadcast waves, radio wave interference becomes a problem (see Patent Registration No. 2620456). The particle size is preferably 0.5 mm or less.

【0093】[0093]

【表7】 [Table 7]

【0094】[0094]

【表8】 [Table 8]

【0095】[0095]

【実施例】以下、本発明の実施の一例を述べる。但し、
本発明は、これに限定するものではない。
EXAMPLE An example of implementing the present invention will be described below. However,
The present invention is not limited to this.

【0096】実施例1 電波透過性波長選択基板は、マグネトロン・スパッタリ
ング法により成膜した。透明基板には、耐熱性に優れた
厚さ1mmのPFA樹脂(4弗化エチレン−パーフロロア
ルコキシ共重合体)を使用した。PFA樹脂は、ガラス
と同等の透明性を有し、化学的にも安定な物質である。 スパッタリング前に、真空槽を2×10-4Paまで真
空引きした。なお、スパッタリング中、ターゲット−基
板間の距離は90mmに固定した。 最下層のAlN層は、Alターゲット(直径76m
m、厚み5mm)を用いて、DC反応性スパッタで堆積
させた。反応性ガスにはN2ガスを用い、スパッタリン
グ中、N2ガス流量を調整することにより圧力を1.0P
aに制御した。 真空槽内でガラス基板/AlN層を加熱し、250℃
で保持した。 アルゴンのガス圧1.0Paで、純Agターゲット
(直径76mm、厚み5mm)を用いて、250℃に保
持したガラス基板上にAgの連続層を堆積後、直ちに該
連続層を粒状のAgに変化生成させた。 最上層のAlN層は、最下層のAlN層と同様の方法
により、Alターゲット(直径76mm、厚み5mm)
を用いて、DC反応性スパッタで堆積させた。
Example 1 A radio wave transmitting wavelength selective substrate was formed by a magnetron sputtering method. For the transparent substrate, 1 mm thick PFA resin (tetrafluoroethylene-perfluoroalkoxy copolymer) having excellent heat resistance was used. The PFA resin has the same transparency as glass and is a chemically stable substance. The vacuum chamber was evacuated to 2 × 10 −4 Pa before sputtering. The distance between the target and the substrate was fixed at 90 mm during sputtering. The bottom AlN layer is an Al target (diameter: 76 m).
m, 5 mm thick) was deposited by DC reactive sputtering. N2 gas is used as the reactive gas, and the pressure is adjusted to 1.0 P by adjusting the N2 gas flow rate during sputtering.
Controlled to a. Heat the glass substrate / AlN layer in a vacuum chamber to 250 ° C.
Held in. Using a pure Ag target (diameter: 76 mm, thickness: 5 mm) with an argon gas pressure of 1.0 Pa, a continuous layer of Ag was deposited on a glass substrate kept at 250 ° C., and immediately thereafter, the continuous layer was changed to granular Ag. Was generated. The uppermost AlN layer is an Al target (diameter 76 mm, thickness 5 mm) in the same manner as the lowermost AlN layer.
Was used for DC reactive sputtering.

【0097】前記工程を終了したPFA基板/AlN層
/Ag/AlN層からなるサンプルについて、下記に示
す方法により、電波透過性、銀粒子の平均粒径、平均厚
さ、反射率の測定を行った。 A.電波透過性 前記の工程を終了したPFA基板/AlN層/Ag/
AlN層からなるサンプルの表面抵抗率(Ω/sq)を、
シシド電気社製の表面抵抗測定器(MEGARESTAH0709)で
測定した結果、9.9×1012Ω/sq以上であり、電波
透過性は十分満足する。 B.銀粒子の粒径分布 前記の工程を終了したPFA基板/AlN層/Ag/
AlN層からなるサンプルの表面の状態を、日立製作所
製S−4500を用いた電界放射型走査電子顕微鏡(F
E−SEM)で観察し、その画像をCybemetics社製の画
像解析ソフトImage-Pro PLUSを用いて解析した結果、平
均粒子径は330nmで、面積率は0.7である粒状の
Agが分散されているAg層を確認できた。 C.銀粒子の平均厚さ 前記の工程を終了したPFA基板/AlN層/Ag/
AlN層からなるサンプルの銀結晶の配向性を、CuK
αの特性X線を用い理学製RINT−1500のX線回
折(XRD)法で測定した。その結果をもとに、Ag
(111)ピークの半値幅を式(18)[Scherr
erの式]に代入して成膜直後のAg層中の結晶の厚み
を求めた結果、その値は25nmであった。
With respect to the sample composed of the PFA substrate / AlN layer / Ag / AlN layer which has undergone the above steps, the radio wave transmittance, the average particle diameter of silver particles, the average thickness and the reflectance were measured by the following methods. It was A. Radio wave permeability PFA substrate / AlN layer / Ag /
The surface resistivity (Ω / sq) of the AlN layer sample is
As a result of measuring with a surface resistance measuring device (MEGARESTAH0709) manufactured by Shishido Electric Co., it is 9.9 × 10 12 Ω / sq or more, and the radio wave transmission is sufficiently satisfied. B. Particle size distribution of silver particles PFA substrate / AlN layer / Ag /
The state of the surface of the sample composed of the AlN layer was measured using a field emission scanning electron microscope (F
E-SEM) and the image was analyzed using image analysis software Image-Pro PLUS manufactured by Cybemetics. As a result, the average particle diameter was 330 nm and the granular Ag having an area ratio of 0.7 was dispersed. It was possible to confirm the Ag layer. C. Average thickness of silver particles PFA substrate / AlN layer / Ag /
The orientation of the silver crystal of the sample consisting of the AlN layer was changed to CuK
It was measured by the X-ray diffraction (XRD) method of Rigaku RINT-1500 using characteristic X-rays of α. Ag based on the result
The full width at half maximum of the (111) peak is calculated by the equation (18) [Scherr
er]] and the thickness of the crystal in the Ag layer immediately after film formation was determined, and the value was 25 nm.

【0098】[0098]

【式18】 [Formula 18]

【0099】 ここで、CT : 結晶の厚み [ Å ] λ : 照射X線の波長[ Å ] Δ(2θ): 半値幅 [radian] θ : X線の入射角度[radian] D.反射率 前記の工程を完了した試料の反射スペクトルは日立製
U−4000型自記分光光度計を用いて、340nmか
ら1800nmの範囲で測定した。その結果、加熱した
基板にAgを堆積させて、微粒子化することにより、図
9に示すように、波長900nmにおける反射率が82
%と非常に高い値を示した。
Here, CT: thickness of crystal [Å] λ: wavelength of irradiated X-ray [Å] Δ (2θ): half width [radian] θ: incident angle of X-ray [radian] D. reflectance The reflection spectrum of the sample which completed the process was measured in the range of 340 nm to 1800 nm using the Hitachi U-4000 type self-recording spectrophotometer. As a result, by depositing Ag on the heated substrate and atomizing it, as shown in FIG. 9, the reflectance at a wavelength of 900 nm is 82.
%, Which was a very high value.

【0100】[0100]

【発明の効果】本発明は、TV放送、衛星放送、携帯電
話それぞれの周波数帯域の電波に対して反射率を低減さ
せるとともに、充分な日射遮蔽性能と可視光線透過性を
有するので、TV画面にゴーストを発生させたり、携帯
電話が通じなくなったり、或いはガラスアンテナの利得
が悪くなったり等の電波障害がなく、且つ日射を充分に
遮蔽される等快適な生活をすることが可能である。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention reduces reflectance for radio waves in the respective frequency bands of TV broadcasting, satellite broadcasting, and mobile phones, and has sufficient solar shading performance and visible light transmittance, so that it can be displayed on a TV screen. It is possible to have a comfortable life such as no radio interference such as generation of a ghost, a loss of access to a mobile phone, and a poor gain of a glass antenna, and sufficient shielding of solar radiation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】散乱体の幾何学的図面を示すFIG. 1 shows a geometrical drawing of a scatterer.

【図2】AR=22 /32 の分割係数(Esg)とL/λ
(セグメントの大きさと入射光の波長の比)との関係を
示す図である。
[Figure 2] AR = 2 2/3 2 of the division factor (Esg) and L / λ
It is a figure which shows the relationship between the size of a segment and the wavelength ratio of incident light.

【図3】銀分散AlN層のSEM顕微鏡写真を示す図で
ある
FIG. 3 is a view showing an SEM micrograph of a silver-dispersed AlN layer.

【図4】熱処理前後の反射率を示す図であるFIG. 4 is a diagram showing reflectance before and after heat treatment.

【図5】成膜直後の試料の実験(○)と理論(−)反射
スペクトルの比較を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a comparison between an experiment (◯) and a theoretical (−) reflection spectrum of a sample immediately after film formation.

【図6】銀分散AlN膜の反射スペクトルの実験値
(●)と理論値(−)比較を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a comparison between an experimental value (●) and a theoretical value (−) of a reflection spectrum of a silver-dispersed AlN film.

【図7】銀粒子系の遮蔽効果とセグメントの平均サイズ
との関係を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the shielding effect of a silver particle system and the average size of a segment.

【図8】銀粒子分散AlN膜で、Lm=375nmの理
論反射スペクトル(−)とLm=130nmの測定反射
スペクトル(●)の比較を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a comparison between a theoretical reflection spectrum (−) at Lm = 375 nm and a measured reflection spectrum (●) at Lm = 130 nm in a silver particle-dispersed AlN film.

【図9】実施例1における電波透過性波長選択ガラスの
反射特性図
FIG. 9 is a reflection characteristic diagram of the radio wave transmitting wavelength selective glass in Example 1.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−325034(JP,A) 特開 昭63−230334(JP,A) 特開 平1−206035(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B32B 1/00 - 35/00 C23C 14/00 - 14/58 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-8-325034 (JP, A) JP-A-63-230334 (JP, A) JP-A-1-206035 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) B32B 1/00-35/00 C23C 14/00-14/58

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】耐熱透明プラスチック基板または透明セラ
ミック基板よりなる基板表面に、あるいは該基板上に透
明誘電体層を被覆した表面に、粒状のAgを分散させた
Ag層を積層させてなることを特徴とする電波透過性波
長選択基板。
1. An Ag layer in which granular Ag is dispersed is laminated on a surface of a heat-resistant transparent plastic substrate or a transparent ceramic substrate, or on a surface of the substrate coated with a transparent dielectric layer. Characteristic radio wave transparent wavelength selection substrate.
【請求項2】Ag層は、平均粒径100nm〜0.5m
m、粒子の厚さ5nm〜1μmの範囲のAg粒子より構
成されてなることを特徴とする請求項1記載の電波透過
性波長選択基板。
2. The Ag layer has an average particle size of 100 nm to 0.5 m.
2. The radio wave transmitting wavelength selective substrate according to claim 1, wherein the wavelength transmitting substrate is made of Ag particles having a particle size of m and a particle thickness of 5 nm to 1 μm.
【請求項3】粒状のAgは、連続層よりなるAgを熱処
理することにより得られたものであることを特徴とする
請求項1または2記載の電波透過性波長選択基板。
3. The radio wave transmitting wavelength selective substrate according to claim 1, wherein the granular Ag is obtained by heat treating Ag composed of a continuous layer.
【請求項4】連続層よりなるAgを変化生成させた粒状
のAgは、熱処理前の連続層のAgと比較して、X線回
折法で同定したAg(111)面の半値幅が85%以下
に減少してなることを特徴とする請求項3記載の電波透
過性波長選択基板。
4. The granular Ag having a continuous layer formed by changing the generation of Ag has a half-value width of 85% of the Ag (111) plane identified by X-ray diffraction as compared with Ag of the continuous layer before heat treatment. The radio wave transmitting wavelength selection substrate according to claim 3, wherein the number is reduced to the following.
【請求項5】前記電波透過性波長選択基板の光線反射率
は、波長が600nm〜1500nmの範囲において最
大値を有することを特徴とする請求項1乃至4記載の電
波透過性波長選択基板。
5. The radio wave transmissive wavelength selection substrate according to claim 1, wherein the light ray reflectivity of the radio wave transmissive wavelength selection substrate has a maximum value in a wavelength range of 600 nm to 1500 nm.
【請求項6】粒状のAgよりなるAg層上に、さらに誘
電体層を被覆してなることを特徴とする請求項1乃至5
記載の電波透過性波長選択基板。
6. A dielectric layer is further coated on an Ag layer made of granular Ag, and the dielectric layer is further covered.
The radio wave transmitting wavelength selection substrate described.
【請求項7】式(1)で定義する近赤外域の遮蔽効率
(Es)が0.3以上であることを特徴とする請求項1
乃至6載の電波透過性波長選択基板。 【式1】 ここで、λ :基板に入射する電磁波の波長 Rdp:粒状のAgを分散した基板の反射率 Isr:エアーマス1.0における太陽の放射強度
7. The shielding efficiency (Es) in the near infrared region defined by the formula (1) is 0.3 or more.
To 6 radio wave transmitting wavelength selection substrates. [Formula 1] Where λ: wavelength of electromagnetic wave incident on the substrate Rdp: reflectance of the substrate on which granular Ag is dispersed Isr: radiant intensity of the sun at air mass 1.0
【請求項8】耐熱透明プラスチック基板または透明セラ
ミック基板よりなる基板表面に、あるいは該基板上に透
明誘電体層を被覆した表面に、連続層よりなるAg層を
成膜したのち、熱処理することにより粒状のAgよりな
るAg層に変化生成させることを特徴とする電波透過性
波長選択基板の製造法。
8. A Ag layer made of a continuous layer is formed on the surface of a substrate made of a heat-resistant transparent plastic substrate or a transparent ceramic substrate, or on the surface of the substrate coated with a transparent dielectric layer, and then heat-treated. A method of manufacturing a radio wave transmitting wavelength selective substrate, characterized in that an Ag layer made of granular Ag is generated and changed.
【請求項9】耐熱透明プラスチック基板または透明セラ
ミック基板を加熱した表面に、あるいは耐熱透明プラス
チック基板または透明セラミック基板上に透明誘電体層
を被覆した基板を加熱した表面に、連続層よりなるAg
層を成膜することにより粒状のAgよりなるAg層に変
化生成させることを特徴とする電波透過性波長選択基板
の製造法。
9. A continuous layer of Ag on a surface of a heat-resistant transparent plastic substrate or a transparent ceramic substrate which is heated, or on a surface of a substrate obtained by coating a transparent dielectric layer on a heat-resistant transparent plastic substrate or a transparent ceramic substrate.
A method of manufacturing a radio wave transmission wavelength selective substrate, characterized in that an Ag layer made of granular Ag is generated by forming a layer.
【請求項10】粒状よりなるAg層の表面に、さらに第
2の連続層よりなるAg層を成膜させたのち熱処理する
ことにより該第2の連続層よりなるAg層を粒状のAg
層に変化生成させることを特徴とする請求項9記載の電
波透過性波長選択基板の製造法。
10. An Ag layer made of a second continuous layer is further formed on the surface of the Ag layer made of a granular material, and then the Ag layer made of the second continuous layer is heat-treated to form a granular Ag layer.
The method for producing a radio wave transmitting wavelength selective substrate according to claim 9, wherein the layer is changed and generated.
【請求項11】粒状のAgよりなるAg層上に、さらに
透明誘電体層を被覆してなることを特徴とする請求項8
乃至10記載の電波透過性波長選択基板の製造法。
11. A transparent dielectric layer is further coated on an Ag layer made of granular Ag.
11. A method of manufacturing a radio wave transmitting wavelength selection substrate according to any one of claims 1 to 10.
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