JP3412704B2 - 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 - Google Patents
投影露光方法及び装置、並びに露光装置Info
- Publication number
- JP3412704B2 JP3412704B2 JP33475993A JP33475993A JP3412704B2 JP 3412704 B2 JP3412704 B2 JP 3412704B2 JP 33475993 A JP33475993 A JP 33475993A JP 33475993 A JP33475993 A JP 33475993A JP 3412704 B2 JP3412704 B2 JP 3412704B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- mark
- mask
- substrate
- marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
- G03F9/7015—Reference, i.e. alignment of original or workpiece with respect to a reference not on the original or workpiece
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばスリットスキャ
ン露光方式の投影露光方法及び装置に関する。
ン露光方式の投影露光方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子又は薄膜磁気
ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フ
ォトマスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称す
る）のパターンを感光材が塗布された基板（ウエハ、ガ
ラスプレート等）上に転写する投影露光装置が使用され
ている。従来の投影露光装置としては、ウエハの各ショ
ット領域を順次投影光学系の露光フィールド内に移動さ
せて、各ショット領域に順次レチクルのパターン像を露
光するというステップ・アンド・リピート方式の縮小投
影型露光装置（ステッパー）が多く使用されていた。
ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フ
ォトマスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称す
る）のパターンを感光材が塗布された基板（ウエハ、ガ
ラスプレート等）上に転写する投影露光装置が使用され
ている。従来の投影露光装置としては、ウエハの各ショ
ット領域を順次投影光学系の露光フィールド内に移動さ
せて、各ショット領域に順次レチクルのパターン像を露
光するというステップ・アンド・リピート方式の縮小投
影型露光装置（ステッパー）が多く使用されていた。
【０００３】図１８は従来のステッパーの要部を示し、
この図１８において、ウエハステージ４の上にウエハ５
が載置され、このウエハ５の近傍のウエハステージ４上
に基準マーク板５７が固定されている。そして、図示省
略された照明光学系からの露光光のもとで、レチクル１
２上のパターンの像が投影光学系８を介してウエハ５上
の各ショット領域に投影露光される。この際、ウエハス
テージ４はウエハ座標系に沿って駆動されるので、レチ
クル１２のウエハ座標系上での位置及びレチクル１２の
ウエハ座標系に対する回転角を計測しておく必要があ
る。そのために、レチクル１２のパターン領域の近傍に
は対向するように２個のアライメントマーク（レチクル
マーク）６０Ｒ及び６１Ｒが形成され、基準マーク板５
７上には、それらレチクルマーク６０Ｒ及び６１Ｒのウ
エハ５上での設計上の間隔と等しい間隔で２個の基準マ
ーク６０Ｆ及び６１Ｆが形成されている。
この図１８において、ウエハステージ４の上にウエハ５
が載置され、このウエハ５の近傍のウエハステージ４上
に基準マーク板５７が固定されている。そして、図示省
略された照明光学系からの露光光のもとで、レチクル１
２上のパターンの像が投影光学系８を介してウエハ５上
の各ショット領域に投影露光される。この際、ウエハス
テージ４はウエハ座標系に沿って駆動されるので、レチ
クル１２のウエハ座標系上での位置及びレチクル１２の
ウエハ座標系に対する回転角を計測しておく必要があ
る。そのために、レチクル１２のパターン領域の近傍に
は対向するように２個のアライメントマーク（レチクル
マーク）６０Ｒ及び６１Ｒが形成され、基準マーク板５
７上には、それらレチクルマーク６０Ｒ及び６１Ｒのウ
エハ５上での設計上の間隔と等しい間隔で２個の基準マ
ーク６０Ｆ及び６１Ｆが形成されている。
【０００４】また、レチクル１２のレチクルマーク６０
Ｒ及び６１Ｒの上にはそれぞれレチクルアライメント顕
微鏡５８及び５９が配置されている。レチクルアライメ
ント顕微鏡５８及び５９はそれぞれ、露光光と同じ波長
のアライメント光を射出する照明光源と、レチクル１２
上のレチクルマークとウエハ５上のアライメントマーク
（ウエハマーク）又は基準マーク板５７上の基準マーク
とを同時に観察できるセンサーとを備えている。図１８
のステッパーでウエハ５への露光を行う際には、順次ウ
エハステージ４のみをステップ・アンド・リピート方式
で移動することによって、ウエハ５の各ショット領域に
レチクル１２上のパターンの像がそれぞれ露光される。
Ｒ及び６１Ｒの上にはそれぞれレチクルアライメント顕
微鏡５８及び５９が配置されている。レチクルアライメ
ント顕微鏡５８及び５９はそれぞれ、露光光と同じ波長
のアライメント光を射出する照明光源と、レチクル１２
上のレチクルマークとウエハ５上のアライメントマーク
（ウエハマーク）又は基準マーク板５７上の基準マーク
とを同時に観察できるセンサーとを備えている。図１８
のステッパーでウエハ５への露光を行う際には、順次ウ
エハステージ４のみをステップ・アンド・リピート方式
で移動することによって、ウエハ５の各ショット領域に
レチクル１２上のパターンの像がそれぞれ露光される。
【０００５】斯かるステッパーにおいて、前工程で形成
されたウエハ５上の回路パターンの上に更にレチクル１
２のパターン像を露光するような場合には、ウエハ５上
の各ショット領域の座標を規定するウエハ座標系と、レ
チクル１２上のパターンの座標を規定するレチクル座標
系との対応を取る（即ちアライメントを行う）必要があ
る。ステッパーの場合には、投影光学系８の露光フィー
ルドとウエハ５上の１ショット領域の大きさが等しく、
露光する際にレチクル１２を駆動する必要がないため、
ウエハ座標系とレチクル座標系の対応を以下のようにし
て取っていた。
されたウエハ５上の回路パターンの上に更にレチクル１
２のパターン像を露光するような場合には、ウエハ５上
の各ショット領域の座標を規定するウエハ座標系と、レ
チクル１２上のパターンの座標を規定するレチクル座標
系との対応を取る（即ちアライメントを行う）必要があ
る。ステッパーの場合には、投影光学系８の露光フィー
ルドとウエハ５上の１ショット領域の大きさが等しく、
露光する際にレチクル１２を駆動する必要がないため、
ウエハ座標系とレチクル座標系の対応を以下のようにし
て取っていた。
【０００６】即ち、ウエハステージ４を駆動して基準マ
ーク板５７を投影光学系８の露光フィールド内に移動さ
せた後、一方のレチクルアライメント顕微鏡５８によっ
てレチクルマーク６０Ｒと基準マーク６０Ｆとの位置ず
れ量を検出し、他方のレチクルアライメント顕微鏡５９
によってレチクルマーク６１Ｒと基準マーク６１Ｆとの
位置ずれ量を検出して、それら位置ずれ量からウエハ座
標系上でのレチクル１２のパターンの位置を求めてい
た。更に、基準マーク６０Ｆを基準マーク６１Ｆの位置
に移動して、レチクルアライメント顕微鏡５９によって
レチクルマーク６１Ｒと基準マーク６０Ｆとの位置ずれ
量を検出することによって、ウエハ座標系上でのレチク
ル１２の回転角を計測していた。そして、レチクル１２
又はウエハステージ４を回転させてその回転角を補正す
ることによって、最終的にウエハ座標系とレチクル座標
系との対応付けを行っていた。
ーク板５７を投影光学系８の露光フィールド内に移動さ
せた後、一方のレチクルアライメント顕微鏡５８によっ
てレチクルマーク６０Ｒと基準マーク６０Ｆとの位置ず
れ量を検出し、他方のレチクルアライメント顕微鏡５９
によってレチクルマーク６１Ｒと基準マーク６１Ｆとの
位置ずれ量を検出して、それら位置ずれ量からウエハ座
標系上でのレチクル１２のパターンの位置を求めてい
た。更に、基準マーク６０Ｆを基準マーク６１Ｆの位置
に移動して、レチクルアライメント顕微鏡５９によって
レチクルマーク６１Ｒと基準マーク６０Ｆとの位置ずれ
量を検出することによって、ウエハ座標系上でのレチク
ル１２の回転角を計測していた。そして、レチクル１２
又はウエハステージ４を回転させてその回転角を補正す
ることによって、最終的にウエハ座標系とレチクル座標
系との対応付けを行っていた。
【０００７】また、図１８においては、ウエハ５上の各
ショット領域に対応して形成された各アライメントマー
ク（ウエハマーク）の位置を検出するために、投影光学
系８の側面部にオフ・アクシス方式のアライメント顕微
鏡３４が設けられている。この場合、このアライメント
顕微鏡３４で検出されたウエハマークの位置に基づい
て、対応するウエハ５上のショット領域が投影光学系８
の露光フィールド内に設定される。従って、予め投影光
学系８の露光フィールド内の基準点（例えば露光中心）
と、オフ・アクシス方式のアライメント顕微鏡３４の観
察領域の基準点６２との間隔である所謂ベースライン量
を求めておく必要がある。
ショット領域に対応して形成された各アライメントマー
ク（ウエハマーク）の位置を検出するために、投影光学
系８の側面部にオフ・アクシス方式のアライメント顕微
鏡３４が設けられている。この場合、このアライメント
顕微鏡３４で検出されたウエハマークの位置に基づい
て、対応するウエハ５上のショット領域が投影光学系８
の露光フィールド内に設定される。従って、予め投影光
学系８の露光フィールド内の基準点（例えば露光中心）
と、オフ・アクシス方式のアライメント顕微鏡３４の観
察領域の基準点６２との間隔である所謂ベースライン量
を求めておく必要がある。
【０００８】従来のステッパーにおいて、そのようなベ
ースライン量を計測する際には、レチクルマーク６０
Ｒ，６１Ｒと基準マーク６０Ｆ，６１Ｆの共役像との位
置ずれ量を計測した後に、例えばベースライン量の設計
値に等しい量だけウエハステージ４を移動させて、アラ
イメント顕微鏡３４によりその基準点６２と基準マーク
板５７上の対応する基準マークとの位置ずれ量を計測し
ていた。それらの位置ずれ量からベースライン量が求め
られていた。
ースライン量を計測する際には、レチクルマーク６０
Ｒ，６１Ｒと基準マーク６０Ｆ，６１Ｆの共役像との位
置ずれ量を計測した後に、例えばベースライン量の設計
値に等しい量だけウエハステージ４を移動させて、アラ
イメント顕微鏡３４によりその基準点６２と基準マーク
板５７上の対応する基準マークとの位置ずれ量を計測し
ていた。それらの位置ずれ量からベースライン量が求め
られていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体素子等に
おいてはパターンが微細化しているため、投影光学系の
解像力を高めることが求められている。解像力を高める
ための手法には、露光光の波長の短波長化、又は投影光
学系の開口数の増大等の手法があるが、何れの手法を用
いる場合でも、従来例と同じ程度の露光フィールドを確
保しようとすると、露光フィールドの全面で結像性能
（ディストーション、像面湾曲等）を所定の精度に維持
することが困難になってきている。そこで現在見直され
ているのが、所謂スリットスキャン露光方式の投影露光
装置である。
おいてはパターンが微細化しているため、投影光学系の
解像力を高めることが求められている。解像力を高める
ための手法には、露光光の波長の短波長化、又は投影光
学系の開口数の増大等の手法があるが、何れの手法を用
いる場合でも、従来例と同じ程度の露光フィールドを確
保しようとすると、露光フィールドの全面で結像性能
（ディストーション、像面湾曲等）を所定の精度に維持
することが困難になってきている。そこで現在見直され
ているのが、所謂スリットスキャン露光方式の投影露光
装置である。
【００１０】このスリットスキャン露光方式の投影露光
装置では、矩形状又は円弧状等の照明領域（以下、「ス
リット状の照明領域」という）に対してレチクル及びウ
エハを相対的に同期して走査しながら、そのレチクルの
パターンがウエハ上に露光される。従って、ステッパー
方式と同じ面積のパターンをウエハ上に露光するとすれ
ば、スリットスキャン露光方式では、ステッパー方式に
比べて投影光学系の露光フィールドを小さくすることが
でき、露光フィールド内での結像性能の精度が向上する
可能性がある。
装置では、矩形状又は円弧状等の照明領域（以下、「ス
リット状の照明領域」という）に対してレチクル及びウ
エハを相対的に同期して走査しながら、そのレチクルの
パターンがウエハ上に露光される。従って、ステッパー
方式と同じ面積のパターンをウエハ上に露光するとすれ
ば、スリットスキャン露光方式では、ステッパー方式に
比べて投影光学系の露光フィールドを小さくすることが
でき、露光フィールド内での結像性能の精度が向上する
可能性がある。
【００１１】また、従来のレチクルの大きさの主流は６
インチサイズであり、投影光学系の投影倍率の主流は１
／５倍であったが、半導体素子等の回路パターンの大面
積化により、倍率１／５倍のもとでのレチクルの大きさ
は６インチサイズでは間に合わなくなっている。そのた
め、投影光学系の投影倍率を例えば１／４倍に変更した
投影露光装置を設計する必要がある。そして、このよう
な被転写パターンの大面積化に応えるためにも、スリッ
トスキャン露光方式が有利である。
インチサイズであり、投影光学系の投影倍率の主流は１
／５倍であったが、半導体素子等の回路パターンの大面
積化により、倍率１／５倍のもとでのレチクルの大きさ
は６インチサイズでは間に合わなくなっている。そのた
め、投影光学系の投影倍率を例えば１／４倍に変更した
投影露光装置を設計する必要がある。そして、このよう
な被転写パターンの大面積化に応えるためにも、スリッ
トスキャン露光方式が有利である。
【００１２】斯かるスリットスキャン露光方式の投影露
光装置において、従来のステッパーで用いられていたレ
チクル座標系とウエハ座標系との対応付けの手法を適用
すると、投影倍率が１／４倍になったことから、レチク
ル上の回路パターンの描画誤差によってアライメント精
度が劣化するという不都合がある。更に、特願平３−１
６９７８１号では、ステッパーにおいてウエハステージ
を移動させることなく、複数の計測用マークの位置ずれ
量を同時に計測することににより、レチクルの回転角を
計測する技術が提案されている。しかしながら、この複
数の計測用マークの同時計測による回転角の計測という
概念は、スリットスキャン露光方式の投影露光装置の走
査方向には利用できず、レチクル座標系とウエハ座標系
との回転角及びそれら座標系の座標直交度が精度よく計
測できないという不都合があった。
光装置において、従来のステッパーで用いられていたレ
チクル座標系とウエハ座標系との対応付けの手法を適用
すると、投影倍率が１／４倍になったことから、レチク
ル上の回路パターンの描画誤差によってアライメント精
度が劣化するという不都合がある。更に、特願平３−１
６９７８１号では、ステッパーにおいてウエハステージ
を移動させることなく、複数の計測用マークの位置ずれ
量を同時に計測することににより、レチクルの回転角を
計測する技術が提案されている。しかしながら、この複
数の計測用マークの同時計測による回転角の計測という
概念は、スリットスキャン露光方式の投影露光装置の走
査方向には利用できず、レチクル座標系とウエハ座標系
との回転角及びそれら座標系の座標直交度が精度よく計
測できないという不都合があった。
【００１３】また、投影光学系の露光フィールド内の基
準位置と、オフ・アクシス方式のアライメント系の基準
位置との間隔であるベースライン量の計測方法に関し
て、従来のステッパーにおけるレチクル上の１箇所（２
個の）のマークを用いる計測方法をそのままスリットス
キャン露光方式の投影露光装置に適用したのでは、レチ
クルの描画誤差の影響を大きく受けるという不都合があ
る。
準位置と、オフ・アクシス方式のアライメント系の基準
位置との間隔であるベースライン量の計測方法に関し
て、従来のステッパーにおけるレチクル上の１箇所（２
個の）のマークを用いる計測方法をそのままスリットス
キャン露光方式の投影露光装置に適用したのでは、レチ
クルの描画誤差の影響を大きく受けるという不都合があ
る。
【００１４】本発明は斯かる点に鑑み、スリットスキャ
ン露光方式の投影露光技術において、レチクル（マス
ク）上のパターンの描画誤差の影響を低減させて、レチ
クル座標系（マスク座標系）とウエハ座標系（基板座標
系）との対応付けを正確に行えるようにすることを目的
とする。これに関して、工程によってはその対応付けの
正確さよりも迅速性が重視される場合がある。そこで、
本発明はレチクル座標系（マスク座標系）とウエハ座標
系（基板座標系）との対応付けを高いスループットで行
えるようにすることを目的とする。
ン露光方式の投影露光技術において、レチクル（マス
ク）上のパターンの描画誤差の影響を低減させて、レチ
クル座標系（マスク座標系）とウエハ座標系（基板座標
系）との対応付けを正確に行えるようにすることを目的
とする。これに関して、工程によってはその対応付けの
正確さよりも迅速性が重視される場合がある。そこで、
本発明はレチクル座標系（マスク座標系）とウエハ座標
系（基板座標系）との対応付けを高いスループットで行
えるようにすることを目的とする。
【００１５】更に、本発明は、スリットスキャン露光方
式の投影露光技術において、レチクル（マスク）上のパ
ターンの描画誤差の影響を低減させて、投影光学系の露
光フィールドの基準点と、オフ・アクシス方式のアライ
メント系の基準点との間隔であるベースライン量の計測
を高精度に行えるようにすることをも目的とする。
式の投影露光技術において、レチクル（マスク）上のパ
ターンの描画誤差の影響を低減させて、投影光学系の露
光フィールドの基準点と、オフ・アクシス方式のアライ
メント系の基準点との間隔であるベースライン量の計測
を高精度に行えるようにすることをも目的とする。
【００１６】また、例えばベースライン計測を所定枚数
のウエハを交換する毎に行うような場合には、正確さよ
りも迅速性が重視されることがあると共に、同時にレチ
クル座標系（マスク座標系）とウエハ座標系（基板座標
系）との対応付けを行うことが望ましい。そこで、本発
明はベースライン量の計測を所定のウエハ交換回数毎に
行う際、レチクル座標系（マスク座標系）とウエハ座標
系（基板座標系）との対応付け、及びそのベースライン
計測を高いスループットで行えるようにすることを目的
とする。
のウエハを交換する毎に行うような場合には、正確さよ
りも迅速性が重視されることがあると共に、同時にレチ
クル座標系（マスク座標系）とウエハ座標系（基板座標
系）との対応付けを行うことが望ましい。そこで、本発
明はベースライン量の計測を所定のウエハ交換回数毎に
行う際、レチクル座標系（マスク座標系）とウエハ座標
系（基板座標系）との対応付け、及びそのベースライン
計測を高いスループットで行えるようにすることを目的
とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の投影
露光方法は、照明光で所定形状の照明領域を照明し、前
記所定形状の照明領域内のマスク（１２）上のパターン
像を投影光学系（８）を介してステージ（４）上の基板
（５）に露光し、その所定形状の照明領域に対して相対
的にマスク（１２）及び基板（５）を同期して走査する
ことにより、マスク（１２）上のその所定形状の照明領
域よりも広い面積のパターン像を基板（５）上に露光す
る方法において、マスク（１２）上にその相対的な走査
の方向に複数の計測用マーク（２９Ａ〜２９Ｄ）を形成
し、これら複数の計測用マークとほぼ共役な位置に複数
の基準マーク（３５Ａ〜３５Ｄ）が形成された基準マー
ク部材（６）をステージ（４）上に配置し、マスク（１
２）及び基板（５）をその相対的な走査の方向に同期し
て移動させて、マスク（１２）上の複数の計測用マーク
の内の１つの計測用マーク（２９Ａ，２９Ｂ，‥‥）と
ステージ（４）上の対応する基準マーク（３５Ａ，３５
Ｂ，‥‥）との位置ずれ量を順次計測し、それら複数の
計測用マークとそれら複数の基準マークとのそれぞれの
位置ずれ量より、マスク（１２）上の座標系とステージ
（４）上の座標系との対応関係を求めるものである。
露光方法は、照明光で所定形状の照明領域を照明し、前
記所定形状の照明領域内のマスク（１２）上のパターン
像を投影光学系（８）を介してステージ（４）上の基板
（５）に露光し、その所定形状の照明領域に対して相対
的にマスク（１２）及び基板（５）を同期して走査する
ことにより、マスク（１２）上のその所定形状の照明領
域よりも広い面積のパターン像を基板（５）上に露光す
る方法において、マスク（１２）上にその相対的な走査
の方向に複数の計測用マーク（２９Ａ〜２９Ｄ）を形成
し、これら複数の計測用マークとほぼ共役な位置に複数
の基準マーク（３５Ａ〜３５Ｄ）が形成された基準マー
ク部材（６）をステージ（４）上に配置し、マスク（１
２）及び基板（５）をその相対的な走査の方向に同期し
て移動させて、マスク（１２）上の複数の計測用マーク
の内の１つの計測用マーク（２９Ａ，２９Ｂ，‥‥）と
ステージ（４）上の対応する基準マーク（３５Ａ，３５
Ｂ，‥‥）との位置ずれ量を順次計測し、それら複数の
計測用マークとそれら複数の基準マークとのそれぞれの
位置ずれ量より、マスク（１２）上の座標系とステージ
（４）上の座標系との対応関係を求めるものである。
【００１８】また、本発明による第２の投影露光方法
は、上述の発明と同じ前提部において、投影光学系
（８）の近傍に基板（５）上の位置決め用のマークの位
置を検出するためのオフ・アクシス方式のアライメント
系（３４）を配置し、マスク（１２）上にその相対的な
走査の方向に複数の計測用マーク（２９Ａ〜２９Ｄ）を
形成し、投影光学系（８）の露光フィールド内の基準点
とオフ・アクシス方式のアライメント系（３４）の基準
点との間隔に対応する間隔で第１の基準マーク（３５
Ａ）及び第２の基準マーク（３７Ａ）が形成された基準
マーク部材（６）をステージ（４）上に配置する。
は、上述の発明と同じ前提部において、投影光学系
（８）の近傍に基板（５）上の位置決め用のマークの位
置を検出するためのオフ・アクシス方式のアライメント
系（３４）を配置し、マスク（１２）上にその相対的な
走査の方向に複数の計測用マーク（２９Ａ〜２９Ｄ）を
形成し、投影光学系（８）の露光フィールド内の基準点
とオフ・アクシス方式のアライメント系（３４）の基準
点との間隔に対応する間隔で第１の基準マーク（３５
Ａ）及び第２の基準マーク（３７Ａ）が形成された基準
マーク部材（６）をステージ（４）上に配置する。
【００１９】そして、オフ・アクシス方式のアライメン
ト系（３４）で基準部材（６）上の第２の基準マーク
（３７Ａ）を観察した状態で、マスク（１２）を前記相
対的な走査の方向に移動させて、マスク（１２）上の複
数の計測用マークの内の１つの計測用マーク（２９Ａ，
２９Ｂ，‥‥）とステージ（４）上の第１の基準マーク
（３５Ａ）との位置ずれ量を順次計測し、それら複数の
計測用マークとそれら第１の基準マークとのそれぞれの
位置ずれ量の平均値及びオフ・アクシス方式のアライメ
ント系（３４）で観察したその第２の基準マークの位置
ずれ量より、投影光学系（８）の露光フィールド内の基
準点とオフ・アクシス方式のアライメント系（３４）の
基準点との間隔を求めるものである。
ト系（３４）で基準部材（６）上の第２の基準マーク
（３７Ａ）を観察した状態で、マスク（１２）を前記相
対的な走査の方向に移動させて、マスク（１２）上の複
数の計測用マークの内の１つの計測用マーク（２９Ａ，
２９Ｂ，‥‥）とステージ（４）上の第１の基準マーク
（３５Ａ）との位置ずれ量を順次計測し、それら複数の
計測用マークとそれら第１の基準マークとのそれぞれの
位置ずれ量の平均値及びオフ・アクシス方式のアライメ
ント系（３４）で観察したその第２の基準マークの位置
ずれ量より、投影光学系（８）の露光フィールド内の基
準点とオフ・アクシス方式のアライメント系（３４）の
基準点との間隔を求めるものである。
【００２０】また、本発明の第３の投影露光方法は、そ
の第２の投影露光方法において、基準マーク部材（６）
上に、マスク（１２）上の複数の計測用マーク（２９Ａ
〜２９Ｄ）に対応させてその第１の基準マークを複数個
（３５Ａ〜３５Ｄ）形成すると共に、これら複数の第１
の基準マーク（３５Ａ〜３５Ｄ）からそれぞれ投影光学
系（８）の露光フィールド内の基準点とオフ・アクシス
方式のアライメント系（３４）の基準点との間隔に対応
する間隔でその第２の基準マークを複数個（３７Ａ〜３
７Ｄ）形成し、マスク（１２）及びステージ（４）をそ
の相対的な走査の方向に同期して移動させて、マスク
（１２）上の複数の計測用マークの内の１つの計測用マ
ーク（２９Ａ，２９Ｂ，‥‥）とステージ（４）上の対
応する第１の基準マーク（３５Ａ，３５Ｂ，‥‥）との
位置ずれ量を順次計測すると共に、オフ・アクシス方式
のアライメント系（３４）で複数の第２の基準マークの
内の対応する基準マーク（３７Ａ，３７Ｂ，‥‥）を観
察し、それら複数の計測用マークとそれら複数の第１の
基準マークとのそれぞれの位置ずれ量の平均値及びオフ
・アクシス方式のアライメント系（３４）で観察したそ
れら複数の第２の基準マークの位置ずれ量の平均値よ
り、投影光学系（８）の露光フィールド内の基準点とオ
フ・アクシス方式のアライメント系（３４）の基準点と
の間隔を求めるものである。
の第２の投影露光方法において、基準マーク部材（６）
上に、マスク（１２）上の複数の計測用マーク（２９Ａ
〜２９Ｄ）に対応させてその第１の基準マークを複数個
（３５Ａ〜３５Ｄ）形成すると共に、これら複数の第１
の基準マーク（３５Ａ〜３５Ｄ）からそれぞれ投影光学
系（８）の露光フィールド内の基準点とオフ・アクシス
方式のアライメント系（３４）の基準点との間隔に対応
する間隔でその第２の基準マークを複数個（３７Ａ〜３
７Ｄ）形成し、マスク（１２）及びステージ（４）をそ
の相対的な走査の方向に同期して移動させて、マスク
（１２）上の複数の計測用マークの内の１つの計測用マ
ーク（２９Ａ，２９Ｂ，‥‥）とステージ（４）上の対
応する第１の基準マーク（３５Ａ，３５Ｂ，‥‥）との
位置ずれ量を順次計測すると共に、オフ・アクシス方式
のアライメント系（３４）で複数の第２の基準マークの
内の対応する基準マーク（３７Ａ，３７Ｂ，‥‥）を観
察し、それら複数の計測用マークとそれら複数の第１の
基準マークとのそれぞれの位置ずれ量の平均値及びオフ
・アクシス方式のアライメント系（３４）で観察したそ
れら複数の第２の基準マークの位置ずれ量の平均値よ
り、投影光学系（８）の露光フィールド内の基準点とオ
フ・アクシス方式のアライメント系（３４）の基準点と
の間隔を求めるものである。
【００２１】次に、本発明の第４の投影露光方法は、上
述の発明と同じ前提部において、上述の第１の投影露光
方法と同様に、マスク（１２）上の複数の計測用マーク
（２９Ａ，２９Ｂ，…）と対応する基準マーク（３５
Ａ，３５Ｂ，…）とのそれぞれの位置ずれ量を求める第
１工程と；そのマスク上の複数の計測用マークの内の所
定の１つの計測用マーク（２９Ａ）とそのステージ上の
対応する基準マーク（３５Ａ）との位置ずれ量を１回だ
け計測し、計測用マーク（２９Ａ）と基準マーク（３５
Ａ）との位置ずれ量を簡易的に求める第２工程と；その
第１工程とその第２工程とのどちらか一方を選択し、こ
の選択された工程で求められたその計測用マークとその
基準マークとのそれぞれの位置ずれ量に基づいてマスク
（１２）上の座標系とステージ（４）上の座標系との対
応関係を求める第３工程と；を有するものである。
述の発明と同じ前提部において、上述の第１の投影露光
方法と同様に、マスク（１２）上の複数の計測用マーク
（２９Ａ，２９Ｂ，…）と対応する基準マーク（３５
Ａ，３５Ｂ，…）とのそれぞれの位置ずれ量を求める第
１工程と；そのマスク上の複数の計測用マークの内の所
定の１つの計測用マーク（２９Ａ）とそのステージ上の
対応する基準マーク（３５Ａ）との位置ずれ量を１回だ
け計測し、計測用マーク（２９Ａ）と基準マーク（３５
Ａ）との位置ずれ量を簡易的に求める第２工程と；その
第１工程とその第２工程とのどちらか一方を選択し、こ
の選択された工程で求められたその計測用マークとその
基準マークとのそれぞれの位置ずれ量に基づいてマスク
（１２）上の座標系とステージ（４）上の座標系との対
応関係を求める第３工程と；を有するものである。
【００２２】また、本発明の第５の投影露光方法は、上
述の発明と同じ前提部において、上述の第２の投影露光
方法と同様に、オフ・アクシス方式のアライメント系で
基準マーク部材（６）上の第２の基準マーク（３７Ａ，
３７Ｂ，…）を観察した状態で、マスク（１２）をその
相対的な走査の方向に移動させて、マスク（１２）上の
複数の計測用マーク（２９Ａ，２９Ｂ，…）の内の１つ
の計測用マークと第１の基準マーク（３５Ａ，３５Ｂ，
…）との位置ずれ量を順次計測する第１工程と；オフ・
アクシス方式のアライメント系で基準マーク部材（６）
上の第２の基準マーク（３７Ａ）を観察した状態で、マ
スク（１２）上の複数の計測用マークの内の所定の１つ
の計測用マーク（２９Ａ）と第１の基準マーク（３５
Ａ）との位置ずれ量を簡易的に計測する第２工程と；そ
れら第１工程と第２工程とのどちらか一方を選択する第
３工程と；この第３工程で選択された工程での計測結果
である、その計測用マークとその基準マークとの位置ず
れ量、及びそのオフ・アクシス方式のアライメント系で
観察した第２の基準マークの位置ずれ量より、そのマス
ク上の座標系とそのステージ上の座標系との対応関係
と、その投影光学系の露光フィールド内の基準点とその
オフ・アクシス方式のアライメント系の基準点との間隔
（ベースライン量）を求める第４工程と；を有するもの
である。
述の発明と同じ前提部において、上述の第２の投影露光
方法と同様に、オフ・アクシス方式のアライメント系で
基準マーク部材（６）上の第２の基準マーク（３７Ａ，
３７Ｂ，…）を観察した状態で、マスク（１２）をその
相対的な走査の方向に移動させて、マスク（１２）上の
複数の計測用マーク（２９Ａ，２９Ｂ，…）の内の１つ
の計測用マークと第１の基準マーク（３５Ａ，３５Ｂ，
…）との位置ずれ量を順次計測する第１工程と；オフ・
アクシス方式のアライメント系で基準マーク部材（６）
上の第２の基準マーク（３７Ａ）を観察した状態で、マ
スク（１２）上の複数の計測用マークの内の所定の１つ
の計測用マーク（２９Ａ）と第１の基準マーク（３５
Ａ）との位置ずれ量を簡易的に計測する第２工程と；そ
れら第１工程と第２工程とのどちらか一方を選択する第
３工程と；この第３工程で選択された工程での計測結果
である、その計測用マークとその基準マークとの位置ず
れ量、及びそのオフ・アクシス方式のアライメント系で
観察した第２の基準マークの位置ずれ量より、そのマス
ク上の座標系とそのステージ上の座標系との対応関係
と、その投影光学系の露光フィールド内の基準点とその
オフ・アクシス方式のアライメント系の基準点との間隔
（ベースライン量）を求める第４工程と；を有するもの
である。
【００２３】また、本発明の第６の投影露光方法は、上
述の発明と同じ前提部において、投影光学系（８）の近
傍に基板（５）上の位置決め用のマークの位置を検出す
るためのオフ・アクシス方式のアライメント系（３４）
を配置し、マスク（１２）上にその相対的な走査の方向
に複数の計測用マーク（２９Ａ，２９Ｂ，…）を形成
し、これら複数の計測用マークとほぼ共役な位置に複数
の基準マークが形成された基準マーク部材（６）をステ
ージ（４）上に配置し、これら複数の基準マークはその
投影光学系の基準点とそのオフ・アクシス方式のアライ
メント系の基準点との間隔に対応する間隔で形成された
第１（３５Ａ，３５Ｂ，…）及び第２（３７Ａ，３７
Ｂ，…）の基準マークからなり、基板（５）を所定枚数
交換する毎に、そのオフ・アクシス方式のアライメント
系で基準マーク部材（６）上の第２の基準マーク（３７
Ａ）を観察した状態で、マスク（１２）上の複数の計測
用マークの内の所定の１つの計測用マーク（２９Ａ）と
対応する第１の基準マーク（３５Ａ）との位置ずれ量を
計測し、このように計測された位置ずれ量、及びそのオ
フ・アクシス方式のアライメント系で観察した第２の基
準マーク（３７Ａ）の位置ずれ量より、そのマスク上の
座標系とそのステージ上の座標系との対応関係と、その
投影光学系の露光フィールド内の基準点とそのオフ・ア
クシス方式のアライメント系の基準点との間隔（ベース
ライン量）を求めるものである。次に、本発明の第７の
投影露光方法は、パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板との各々を同期して移動することによ
り、そのマスクのパターンを用いてその基板を走査露光
する投影露光方法において、その走査露光に先立ち、そ
のマスクを保持する第１ステージと該第１ステージとは
独立にその基板を保持して移動可能な第２ステージとの
少なくとも一方を所定の走査方向へ移動してその第１ス
テージとその第２ステージとを相対的に移動するととも
に、そのマスクに形成されたマークの検出を行い、その
マークの検出結果に基づいて、その第１ステージの位置
情報とその第２ステージの位置情報とを第１干渉計シス
テムと第２干渉計システムとを使ってそれぞれ計測しな
がら、その第１ステージとその第２ステージとの位置関
係を制御するものである。次に、本発明の第８の投影露
光方法は、パターンが形成されたマスクと露光対 象とし
ての基板との各々を同期して移動することにより、その
マスクのパターンを用いてその基板を走査露光する投影
露光方法において、その走査露光に先立ち、そのマスク
の走査方向に離れて形成されたそのマスクの複数のマー
クをそれぞれ検出し、そのマークの検出結果に基づい
て、その第１ステージの位置情報とその第２ステージの
位置情報とを第１干渉計システムと第２干渉計システム
とを使ってそれぞれ計測しながら、その第１ステージと
その第２ステージとの位置関係を制御するものである。
また、本発明の第９の投影露光方法は、パターンが形成
されたマスクと露光対象としての基板とを同期して移動
することにより、そのマスクのパターンを用いてその基
板を走査露光する投影露光方法において、その走査露光
に先立ち、その基板を保持する第１ステージ上の基準部
材に所定の走査方向に離れて形成された複数のマークを
それぞれ検出するものである。また、本発明の第１０の
投影露光方法は、パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板とを同期して移動することにより、その
マスクのパターンを用いてその基板を走査露光する投影
露光方法において、その走査露光に先立って、その基板
を保持する第１ステージを所定の走査方向に動かすとと
もに、その第１ステージ上の基準部材に形成されたマー
クを検出するものである。また、本発明の第１１の投影
露光方法は、パターンが形成されたマスクと露光対象と
しての基板との各々を同期して移動することにより、そ
の基板を走査露光する投影露光方法において、その走査
露光に先立ち、そのマスク上の所定の走査方向に離れた
複数のマークをそれぞれ検出して、そのマスクを保持す
る第１ステージの移動を制御するための第１座標系と、
その基板を保持する第２ステージの移動を制御するため
の第２座標系との対応関係を求めるものである。次に、
本発明の第１の投影露光装置は、パターンが形成された
マスクと露光対象としての基板との各々を同期して移動
することにより、そのマスクのパターンを用いてその基
板を走査露光する投影露光装置において、そのマスクを
保持して移動する第１ステージと、その基板を保持して
移動する第２ステージと、その第１ステージの位置情報
を計測する第１干渉計システムと、その第２ステージの
位置情報を計測する第２干渉計システムと、そのマスク
のマークを検出するマーク 検出系と、その走査露光に先
立ち、その第１ステージとその第２ステージとの少なく
とも一方を所定の走査方向へ移動してその第１ステージ
とその第２ステージとを相対移動するとともに、そのマ
ーク検出系でそのマスクのマークを検出し、その第１及
び第２干渉計システムでその第１ステージ及びその第２
ステージの位置情報をそれぞれ計測しながら、そのマー
ク検出系の検出結果に基づいてその第１ステージとその
第２ステージとの位置関係を制御する制御システムとを
備えたものである。また、本発明の第２の投影露光装置
は、パターンが形成されたマスクと露光対象としての基
板との各々を同期して移動することにより、そのマスク
のパターンを用いてその基板を走査露光する投影露光装
置において、そのマスクを保持して移動する第１ステー
ジと、その基板を保持して移動する第２ステージと、そ
の第１ステージの位置情報を計測する第１干渉計システ
ムと、その第２ステージの位置情報を計測する第２干渉
計システムと、そのマスクのマークを検出するマーク検
出系と、その走査露光に先立ち、そのマスクの走査方向
に離れたそのマスク上の複数のマークの各々をそのマー
ク検出系で検出し、その第１及び第２干渉計システムで
その第１ステージ及びその第２ステージの位置情報をそ
れぞれ計測しながら、そのマーク検出系の検出結果に基
づいて、その第１ステージとその第２ステージとの位置
関係を制御する制御システムと、を備えたものである。
また、本発明の第３の投影露光装置は、パターンが形成
されたマスクと露光対象としての基板とを同期して移動
することにより、そのマスクのパターンを用いてその基
板を走査露光する投影露光装置において、その基板を保
持する基板ステージに設けられ、複数の基準マークが所
定の走査方向に離れて形成された基準部材と、その基準
マークを検出するためのマーク検出系とを備えたもので
ある。また、本発明の第４の投影露光装置は、マスクと
基板とのそれぞれを同期して移動することにより、その
基板を走査露光する投影露光装置において、そのマスク
のパターンの像をその基板上に投影する投影系と、該投
影系の光軸に対してその基板の同期移動の方向に離れた
検出位置を有し、その基板のアライメント情報を検出す
るアライメント系と、その投影系の露光フィールド内の
基準点とそのアライメント系の基準点との位置関係を計
測する計測手段とを備え、その計測手段は、その基板を
保持するステージ上に配置された基準部材と、その投影
系を介して、その基準部材に形成されたマークを検出す
るマーク検出系とを有するものである。また、本発明の
第５の投影露光装置は、パターンが形成されたマスクと
露光対象としての基板とを同期移動することにより、そ
の基板を走査露光する投影露光装置において、そのマス
クを保持する第１ステージと、その基板を保持する第２
ステージと、その基板の走査露光に先立ち、その第１ス
テージの移動を制御するための第１座標系とその第２ス
テージの移動を制御するための第２座標系との対応関係
を求めるために、その同期移動の方向に離れて配置され
たそのマスク上の複数のマークを検出するマーク検出系
とを備えたものである。また、本発明の第６の投影露光
装置は、パターンが形成されたマスクと露光対象として
の基板とを同期移動することにより、その基板を走査露
光する投影露光装置において、そのマスクを保持する第
１ステージと、その基板を保持する第２ステージと、そ
のマスクのパターンの像をその基板上に投影する投影系
と、その同期移動の方向に離れて配置されたそのマスク
上の複数のマークをそれぞれ検出するマーク検出系と、
そのマーク検出系とは別に設けられ、その基板のアライ
メント情報を検出するアライメント系と、そのマーク検
出系によりそのマスク上のマークとその第２ステージ上
のマークとを検出するとともに、そのアライメント系に
よりその基板を保持するその第２ステージ上のマークを
検出し、それぞれの検出結果に基づいてその投影系の露
光フィールド内の基準点とそのアライメント系の基準点
との位置関係を計測する制御システムとを備えたもので
ある。
述の発明と同じ前提部において、投影光学系（８）の近
傍に基板（５）上の位置決め用のマークの位置を検出す
るためのオフ・アクシス方式のアライメント系（３４）
を配置し、マスク（１２）上にその相対的な走査の方向
に複数の計測用マーク（２９Ａ，２９Ｂ，…）を形成
し、これら複数の計測用マークとほぼ共役な位置に複数
の基準マークが形成された基準マーク部材（６）をステ
ージ（４）上に配置し、これら複数の基準マークはその
投影光学系の基準点とそのオフ・アクシス方式のアライ
メント系の基準点との間隔に対応する間隔で形成された
第１（３５Ａ，３５Ｂ，…）及び第２（３７Ａ，３７
Ｂ，…）の基準マークからなり、基板（５）を所定枚数
交換する毎に、そのオフ・アクシス方式のアライメント
系で基準マーク部材（６）上の第２の基準マーク（３７
Ａ）を観察した状態で、マスク（１２）上の複数の計測
用マークの内の所定の１つの計測用マーク（２９Ａ）と
対応する第１の基準マーク（３５Ａ）との位置ずれ量を
計測し、このように計測された位置ずれ量、及びそのオ
フ・アクシス方式のアライメント系で観察した第２の基
準マーク（３７Ａ）の位置ずれ量より、そのマスク上の
座標系とそのステージ上の座標系との対応関係と、その
投影光学系の露光フィールド内の基準点とそのオフ・ア
クシス方式のアライメント系の基準点との間隔（ベース
ライン量）を求めるものである。次に、本発明の第７の
投影露光方法は、パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板との各々を同期して移動することによ
り、そのマスクのパターンを用いてその基板を走査露光
する投影露光方法において、その走査露光に先立ち、そ
のマスクを保持する第１ステージと該第１ステージとは
独立にその基板を保持して移動可能な第２ステージとの
少なくとも一方を所定の走査方向へ移動してその第１ス
テージとその第２ステージとを相対的に移動するととも
に、そのマスクに形成されたマークの検出を行い、その
マークの検出結果に基づいて、その第１ステージの位置
情報とその第２ステージの位置情報とを第１干渉計シス
テムと第２干渉計システムとを使ってそれぞれ計測しな
がら、その第１ステージとその第２ステージとの位置関
係を制御するものである。次に、本発明の第８の投影露
光方法は、パターンが形成されたマスクと露光対 象とし
ての基板との各々を同期して移動することにより、その
マスクのパターンを用いてその基板を走査露光する投影
露光方法において、その走査露光に先立ち、そのマスク
の走査方向に離れて形成されたそのマスクの複数のマー
クをそれぞれ検出し、そのマークの検出結果に基づい
て、その第１ステージの位置情報とその第２ステージの
位置情報とを第１干渉計システムと第２干渉計システム
とを使ってそれぞれ計測しながら、その第１ステージと
その第２ステージとの位置関係を制御するものである。
また、本発明の第９の投影露光方法は、パターンが形成
されたマスクと露光対象としての基板とを同期して移動
することにより、そのマスクのパターンを用いてその基
板を走査露光する投影露光方法において、その走査露光
に先立ち、その基板を保持する第１ステージ上の基準部
材に所定の走査方向に離れて形成された複数のマークを
それぞれ検出するものである。また、本発明の第１０の
投影露光方法は、パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板とを同期して移動することにより、その
マスクのパターンを用いてその基板を走査露光する投影
露光方法において、その走査露光に先立って、その基板
を保持する第１ステージを所定の走査方向に動かすとと
もに、その第１ステージ上の基準部材に形成されたマー
クを検出するものである。また、本発明の第１１の投影
露光方法は、パターンが形成されたマスクと露光対象と
しての基板との各々を同期して移動することにより、そ
の基板を走査露光する投影露光方法において、その走査
露光に先立ち、そのマスク上の所定の走査方向に離れた
複数のマークをそれぞれ検出して、そのマスクを保持す
る第１ステージの移動を制御するための第１座標系と、
その基板を保持する第２ステージの移動を制御するため
の第２座標系との対応関係を求めるものである。次に、
本発明の第１の投影露光装置は、パターンが形成された
マスクと露光対象としての基板との各々を同期して移動
することにより、そのマスクのパターンを用いてその基
板を走査露光する投影露光装置において、そのマスクを
保持して移動する第１ステージと、その基板を保持して
移動する第２ステージと、その第１ステージの位置情報
を計測する第１干渉計システムと、その第２ステージの
位置情報を計測する第２干渉計システムと、そのマスク
のマークを検出するマーク 検出系と、その走査露光に先
立ち、その第１ステージとその第２ステージとの少なく
とも一方を所定の走査方向へ移動してその第１ステージ
とその第２ステージとを相対移動するとともに、そのマ
ーク検出系でそのマスクのマークを検出し、その第１及
び第２干渉計システムでその第１ステージ及びその第２
ステージの位置情報をそれぞれ計測しながら、そのマー
ク検出系の検出結果に基づいてその第１ステージとその
第２ステージとの位置関係を制御する制御システムとを
備えたものである。また、本発明の第２の投影露光装置
は、パターンが形成されたマスクと露光対象としての基
板との各々を同期して移動することにより、そのマスク
のパターンを用いてその基板を走査露光する投影露光装
置において、そのマスクを保持して移動する第１ステー
ジと、その基板を保持して移動する第２ステージと、そ
の第１ステージの位置情報を計測する第１干渉計システ
ムと、その第２ステージの位置情報を計測する第２干渉
計システムと、そのマスクのマークを検出するマーク検
出系と、その走査露光に先立ち、そのマスクの走査方向
に離れたそのマスク上の複数のマークの各々をそのマー
ク検出系で検出し、その第１及び第２干渉計システムで
その第１ステージ及びその第２ステージの位置情報をそ
れぞれ計測しながら、そのマーク検出系の検出結果に基
づいて、その第１ステージとその第２ステージとの位置
関係を制御する制御システムと、を備えたものである。
また、本発明の第３の投影露光装置は、パターンが形成
されたマスクと露光対象としての基板とを同期して移動
することにより、そのマスクのパターンを用いてその基
板を走査露光する投影露光装置において、その基板を保
持する基板ステージに設けられ、複数の基準マークが所
定の走査方向に離れて形成された基準部材と、その基準
マークを検出するためのマーク検出系とを備えたもので
ある。また、本発明の第４の投影露光装置は、マスクと
基板とのそれぞれを同期して移動することにより、その
基板を走査露光する投影露光装置において、そのマスク
のパターンの像をその基板上に投影する投影系と、該投
影系の光軸に対してその基板の同期移動の方向に離れた
検出位置を有し、その基板のアライメント情報を検出す
るアライメント系と、その投影系の露光フィールド内の
基準点とそのアライメント系の基準点との位置関係を計
測する計測手段とを備え、その計測手段は、その基板を
保持するステージ上に配置された基準部材と、その投影
系を介して、その基準部材に形成されたマークを検出す
るマーク検出系とを有するものである。また、本発明の
第５の投影露光装置は、パターンが形成されたマスクと
露光対象としての基板とを同期移動することにより、そ
の基板を走査露光する投影露光装置において、そのマス
クを保持する第１ステージと、その基板を保持する第２
ステージと、その基板の走査露光に先立ち、その第１ス
テージの移動を制御するための第１座標系とその第２ス
テージの移動を制御するための第２座標系との対応関係
を求めるために、その同期移動の方向に離れて配置され
たそのマスク上の複数のマークを検出するマーク検出系
とを備えたものである。また、本発明の第６の投影露光
装置は、パターンが形成されたマスクと露光対象として
の基板とを同期移動することにより、その基板を走査露
光する投影露光装置において、そのマスクを保持する第
１ステージと、その基板を保持する第２ステージと、そ
のマスクのパターンの像をその基板上に投影する投影系
と、その同期移動の方向に離れて配置されたそのマスク
上の複数のマークをそれぞれ検出するマーク検出系と、
そのマーク検出系とは別に設けられ、その基板のアライ
メント情報を検出するアライメント系と、そのマーク検
出系によりそのマスク上のマークとその第２ステージ上
のマークとを検出するとともに、そのアライメント系に
よりその基板を保持するその第２ステージ上のマークを
検出し、それぞれの検出結果に基づいてその投影系の露
光フィールド内の基準点とそのアライメント系の基準点
との位置関係を計測する制御システムとを備えたもので
ある。
【００２４】
【作用】斯かる本発明の第１の投影露光方法に於いて
は、マスク（１２）上に複数の計測用マークを配置し、
それらの計測用マークとほぼ共役な基準マークを基準マ
ーク部材（６）上に配置し、マスク（１２）及びステー
ジ（４）をステッピング方式で送りながら、それぞれの
マークの位置ずれが計測される。そして、最終的に、例
えば各位置で求められた位置ずれに合わせて、最小自乗
近似等によって、マスク座標系と基板座標系とを対応付
けるパラメータ（倍率，走査方向のスケーリング，回
転，走査方向の平行度，Ｘ方向及びＹ方向のオフセッ
ト）を求めることにより、マスク（１２）上の計測用マ
ークの描画誤差の影響を小さく抑えることができる。ま
た、相対的な走査の方向のマーク計測は順次別々に行わ
れるので非同時計測となるが、複数箇所で計測する為、
平均化効果があり、高精度計測が可能となる。
は、マスク（１２）上に複数の計測用マークを配置し、
それらの計測用マークとほぼ共役な基準マークを基準マ
ーク部材（６）上に配置し、マスク（１２）及びステー
ジ（４）をステッピング方式で送りながら、それぞれの
マークの位置ずれが計測される。そして、最終的に、例
えば各位置で求められた位置ずれに合わせて、最小自乗
近似等によって、マスク座標系と基板座標系とを対応付
けるパラメータ（倍率，走査方向のスケーリング，回
転，走査方向の平行度，Ｘ方向及びＹ方向のオフセッ
ト）を求めることにより、マスク（１２）上の計測用マ
ークの描画誤差の影響を小さく抑えることができる。ま
た、相対的な走査の方向のマーク計測は順次別々に行わ
れるので非同時計測となるが、複数箇所で計測する為、
平均化効果があり、高精度計測が可能となる。
【００２５】また、第２の投影露光方法によれば、マス
ク（１２）側の複数の計測用マークに関する計測結果を
平均化することにより、マスク（１２）の計測用マーク
の描画誤差の影響を小さくして、投影光学系（８）の基
準点とアライメント系（３４）の基準点との間隔である
ベースライン量を正確に計測できる。また、第３の投影
露光方法によれば、基準マーク部材（６）上に、マスク
（１２）上の複数の計測用マーク（２９Ａ〜２９Ｄ）に
対応させてその第１の基準マークを複数個（３５Ａ〜３
５Ｄ）形成すると共に、これら複数の第１の基準マーク
（３５Ａ〜３５Ｄ）からそれぞれ投影光学系（８）の露
光フィールド内の基準点とオフ・アクシス方式のアライ
メント系（３４）の基準点との間隔に対応する間隔でそ
の第２の基準マークを複数個（３７Ａ〜３７Ｄ）形成し
ているため、基準マーク側でも平均化が行われるので、
より正確にベースライン量が計測される。
ク（１２）側の複数の計測用マークに関する計測結果を
平均化することにより、マスク（１２）の計測用マーク
の描画誤差の影響を小さくして、投影光学系（８）の基
準点とアライメント系（３４）の基準点との間隔である
ベースライン量を正確に計測できる。また、第３の投影
露光方法によれば、基準マーク部材（６）上に、マスク
（１２）上の複数の計測用マーク（２９Ａ〜２９Ｄ）に
対応させてその第１の基準マークを複数個（３５Ａ〜３
５Ｄ）形成すると共に、これら複数の第１の基準マーク
（３５Ａ〜３５Ｄ）からそれぞれ投影光学系（８）の露
光フィールド内の基準点とオフ・アクシス方式のアライ
メント系（３４）の基準点との間隔に対応する間隔でそ
の第２の基準マークを複数個（３７Ａ〜３７Ｄ）形成し
ているため、基準マーク側でも平均化が行われるので、
より正確にベースライン量が計測される。
【００２６】次に、本発明の第４の投影露光方法によれ
ば、高いスループットを要求される場合には、第２工程
を選択して計測用マーク（２９Ａ）と基準マーク（３５
Ａ）との位置ずれ量を１回だけ計測し、高精度が要求さ
れる場合には第１工程を実行することにより、迅速性に
対する要求をも満たすことができる。この場合、第１工
程において、更に予め計測用マーク（２９Ａ）の本来の
位置からの位置ずれ量（これを「マーク誤差」と呼ぶ）
を求めて記憶しておき、第２工程を実行した場合にはそ
のマーク誤差の補正を行うことにより、高いスループッ
トと高精度との両方の要求に応えることができる。
ば、高いスループットを要求される場合には、第２工程
を選択して計測用マーク（２９Ａ）と基準マーク（３５
Ａ）との位置ずれ量を１回だけ計測し、高精度が要求さ
れる場合には第１工程を実行することにより、迅速性に
対する要求をも満たすことができる。この場合、第１工
程において、更に予め計測用マーク（２９Ａ）の本来の
位置からの位置ずれ量（これを「マーク誤差」と呼ぶ）
を求めて記憶しておき、第２工程を実行した場合にはそ
のマーク誤差の補正を行うことにより、高いスループッ
トと高精度との両方の要求に応えることができる。
【００２７】同様に、第５の投影露光方法によれば、高
いスループットを要求される場合には、第２工程を選択
してアライメント系（３４）で第２の基準マーク（３７
Ａ）を観察した状態で、１つの計測用マーク（２９Ａ）
と第１の基準マーク（３５Ａ）との位置ずれ量を１回だ
け計測し、高精度が要求される場合には第１工程を実行
することにより、迅速性に対する要求をも満たすことが
できる。この場合、第１工程において、更に予めマーク
誤差を求めて記憶しておき、第２工程を実行した場合に
はそのマーク誤差の補正を行うことにより、高いスルー
プットと高精度との両方の要求に応えることができる。
いスループットを要求される場合には、第２工程を選択
してアライメント系（３４）で第２の基準マーク（３７
Ａ）を観察した状態で、１つの計測用マーク（２９Ａ）
と第１の基準マーク（３５Ａ）との位置ずれ量を１回だ
け計測し、高精度が要求される場合には第１工程を実行
することにより、迅速性に対する要求をも満たすことが
できる。この場合、第１工程において、更に予めマーク
誤差を求めて記憶しておき、第２工程を実行した場合に
はそのマーク誤差の補正を行うことにより、高いスルー
プットと高精度との両方の要求に応えることができる。
【００２８】また、第６の投影露光方法によれば、基板
（５）を所定枚数交換する毎に、即ち所定枚数の基板
（５）に露光する毎に、オフ・アクシス方式のアライメ
ント系（３４）で第２の基準マーク（３７Ａ）を観察し
た状態で、１つの計測用マーク（２９Ａ）と第１の基準
マーク（３５Ａ）との位置ずれ量を１回だけ計測し、こ
の計測結果よりマスク上の座標系とステージ上の座標系
との対応関係と、ベースライン量とを求める。従って、
高いスループットで計測が行われる。
（５）を所定枚数交換する毎に、即ち所定枚数の基板
（５）に露光する毎に、オフ・アクシス方式のアライメ
ント系（３４）で第２の基準マーク（３７Ａ）を観察し
た状態で、１つの計測用マーク（２９Ａ）と第１の基準
マーク（３５Ａ）との位置ずれ量を１回だけ計測し、こ
の計測結果よりマスク上の座標系とステージ上の座標系
との対応関係と、ベースライン量とを求める。従って、
高いスループットで計測が行われる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の第１実施例につき図面を参照
して説明する。本実施例は、スリットスキャン露光方式
の投影露光装置でレチクルのパターンをウエハ上に露光
する場合に、本発明を適用したものである。図１は本実
施例の投影露光装置を示し、この図１において、図示省
略された照明光学系からの露光光ＥＬによる矩形の照明
領域（以下、「スリット状の照明領域」という）により
レチクル１２上のパターンが照明され、そのパターンの
像が投影光学系８を介してウエハ５上に投影露光され
る。この際に、露光光ＥＬのスリット状の照明領域に対
して、レチクル１２が図１の紙面に対して前方向に一定
速度Ｖで走査されるのに同期して、ウエハ５は図１の紙
面に対して後方向に一定速度Ｖ／Ｍ（１／Ｍは投影光学
系８の縮小倍率）で走査される。
して説明する。本実施例は、スリットスキャン露光方式
の投影露光装置でレチクルのパターンをウエハ上に露光
する場合に、本発明を適用したものである。図１は本実
施例の投影露光装置を示し、この図１において、図示省
略された照明光学系からの露光光ＥＬによる矩形の照明
領域（以下、「スリット状の照明領域」という）により
レチクル１２上のパターンが照明され、そのパターンの
像が投影光学系８を介してウエハ５上に投影露光され
る。この際に、露光光ＥＬのスリット状の照明領域に対
して、レチクル１２が図１の紙面に対して前方向に一定
速度Ｖで走査されるのに同期して、ウエハ５は図１の紙
面に対して後方向に一定速度Ｖ／Ｍ（１／Ｍは投影光学
系８の縮小倍率）で走査される。
【００３０】レチクル１２及びウエハ５の駆動系につい
て説明するに、レチクル支持台９上にＹ軸方向（図１の
紙面に垂直な方向）に駆動自在なレチクルＹ駆動ステー
ジ１０が載置され、このレチクルＹ駆動ステージ１０上
にレチクル微小駆動ステージ１１が載置され、レチクル
微小駆動ステージ１１上にレチクル１２が真空チャック
等により保持されている。レチクル微小駆動ステージ１
１は、投影光学系８の光軸に垂直な面内で図１の紙面に
平行なＸ方向、Ｙ方向及び回転方向（θ方向）にそれぞ
れ微小量だけ且つ高精度にレチクル１２の位置制御を行
う。レチクル微小駆動ステージ１１上には移動鏡２１が
配置され、レチクル支持台９上に配置された干渉計１４
によって、常時レチクル微小駆動ステージ１１のＸ方
向、Ｙ方向及びθ方向の位置がモニターされている。干
渉計１４により得られた位置情報Ｓ１が主制御系２２Ａ
に供給されている。
て説明するに、レチクル支持台９上にＹ軸方向（図１の
紙面に垂直な方向）に駆動自在なレチクルＹ駆動ステー
ジ１０が載置され、このレチクルＹ駆動ステージ１０上
にレチクル微小駆動ステージ１１が載置され、レチクル
微小駆動ステージ１１上にレチクル１２が真空チャック
等により保持されている。レチクル微小駆動ステージ１
１は、投影光学系８の光軸に垂直な面内で図１の紙面に
平行なＸ方向、Ｙ方向及び回転方向（θ方向）にそれぞ
れ微小量だけ且つ高精度にレチクル１２の位置制御を行
う。レチクル微小駆動ステージ１１上には移動鏡２１が
配置され、レチクル支持台９上に配置された干渉計１４
によって、常時レチクル微小駆動ステージ１１のＸ方
向、Ｙ方向及びθ方向の位置がモニターされている。干
渉計１４により得られた位置情報Ｓ１が主制御系２２Ａ
に供給されている。
【００３１】一方、ウエハ支持台１上には、Ｙ軸方向に
駆動自在なウエハＹ軸駆動ステージ２が載置され、その
上にＸ軸方向に駆動自在なウエハＸ軸駆動ステージ３が
載置され、その上にＺθ軸駆動ステージ４が設けられ、
このＺθ軸駆動ステージ４上にウエハ５が真空吸着によ
って保持されている。Ｚθ軸駆動ステージ４上にも移動
鏡７が固定され、外部に配置された干渉計１３により、
Ｚθ軸駆動ステージ４のＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の位
置がモニターされ、干渉計１３により得られた位置情報
も主制御系２２Ａに供給されている。主制御系２２Ａ
は、ウエハ駆動装置２２Ｂ等を介してウエハＹ軸駆動ス
テージ２、ウエハＸ軸駆動ステージ３、Ｚθ軸駆動ステ
ージ４の位置決め動作を制御すると共に、装置全体の動
作を制御する。
駆動自在なウエハＹ軸駆動ステージ２が載置され、その
上にＸ軸方向に駆動自在なウエハＸ軸駆動ステージ３が
載置され、その上にＺθ軸駆動ステージ４が設けられ、
このＺθ軸駆動ステージ４上にウエハ５が真空吸着によ
って保持されている。Ｚθ軸駆動ステージ４上にも移動
鏡７が固定され、外部に配置された干渉計１３により、
Ｚθ軸駆動ステージ４のＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の位
置がモニターされ、干渉計１３により得られた位置情報
も主制御系２２Ａに供給されている。主制御系２２Ａ
は、ウエハ駆動装置２２Ｂ等を介してウエハＹ軸駆動ス
テージ２、ウエハＸ軸駆動ステージ３、Ｚθ軸駆動ステ
ージ４の位置決め動作を制御すると共に、装置全体の動
作を制御する。
【００３２】また、後述するが、ウエハ側の干渉計１３
によって計測される座標により規定されるウエハ座標系
と、レチクル側の干渉計１４によって計測される座標に
より規定されるレチクル座標系の対応をとるために、Ｚ
θ軸駆動ステージ４上のウエハ５の近傍に基準マーク板
６が固定されている。この基準マーク板６上には後述の
ように各種基準マークが形成されている。これらの基準
マークの中にはＺθ軸駆動ステージ４側に導かれた照明
光により裏側から照明されている基準マーク、即ち発光
性の基準マークがある。
によって計測される座標により規定されるウエハ座標系
と、レチクル側の干渉計１４によって計測される座標に
より規定されるレチクル座標系の対応をとるために、Ｚ
θ軸駆動ステージ４上のウエハ５の近傍に基準マーク板
６が固定されている。この基準マーク板６上には後述の
ように各種基準マークが形成されている。これらの基準
マークの中にはＺθ軸駆動ステージ４側に導かれた照明
光により裏側から照明されている基準マーク、即ち発光
性の基準マークがある。
【００３３】本例のレチクル１２の上方には、基準マー
ク板６上の基準マークとレチクル１２上のマークとを同
時に観察するためのレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０が装備されている。この場合、レチクル１２から
の検出光をそれぞれレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０に導くための偏向ミラー１５及び１６が移動自在
に配置され、露光シーケンスが開始されると、主制御系
２２Ａからの指令のもとで、ミラー駆動装置１７及び１
８によりそれぞれ偏向ミラー１５及び１６は退避され
る。更に、投影光学系８のＹ方向の側面部に、ウエハ５
上のアライメントマーク（ウエハマーク）を観察するた
めのオフ・アクシス方式のアライメント装置３４が配置
されている。
ク板６上の基準マークとレチクル１２上のマークとを同
時に観察するためのレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０が装備されている。この場合、レチクル１２から
の検出光をそれぞれレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０に導くための偏向ミラー１５及び１６が移動自在
に配置され、露光シーケンスが開始されると、主制御系
２２Ａからの指令のもとで、ミラー駆動装置１７及び１
８によりそれぞれ偏向ミラー１５及び１６は退避され
る。更に、投影光学系８のＹ方向の側面部に、ウエハ５
上のアライメントマーク（ウエハマーク）を観察するた
めのオフ・アクシス方式のアライメント装置３４が配置
されている。
【００３４】また、主制御系２２Ａには、オペレータか
らのコマンドを入力するためのキーボード２２Ｃが接続
されている。本実施例の投影露光装置には、高精度に計
測を行うモードの他に、後述のように簡易的にベースラ
イン量等の計測を行うためのクイックモードがあり、オ
ペレータはキーボード２２Ｃを介して主制御系２２Ａ
に、これから実行するモードが、高精度モードかクイッ
クモードかを指示する。
らのコマンドを入力するためのキーボード２２Ｃが接続
されている。本実施例の投影露光装置には、高精度に計
測を行うモードの他に、後述のように簡易的にベースラ
イン量等の計測を行うためのクイックモードがあり、オ
ペレータはキーボード２２Ｃを介して主制御系２２Ａ
に、これから実行するモードが、高精度モードかクイッ
クモードかを指示する。
【００３５】次に、本例の投影露光装置において、ウエ
ハ５及びレチクル１２をロードしてからアライメントを
終了するまでのシーケンスにつき図２のフローチャート
を参照して説明する。先ず図２のステップ１０１におい
て、レチクルローダー（後述）上にて外形基準でレチク
ル１２のプリアライメントを行う。図３は、図１のレチ
クル微小駆動ステージ１１上にレチクル１２を搬送する
為のレチクルローダ系を示し、この図３のレチクルロー
ダーは、２個のレチクルアーム２３Ａ及び２３Ｂと、こ
れらレチクルアーム２３Ａ，２３Ｂに連結されたアーム
回転軸２５と、このアーム回転軸２５を回転させる回転
機構２６とより構成されている。レチクルアーム２３Ａ
及び２３Ｂのレチクル載置面にはそれぞれ真空吸着用の
溝２４Ａ及び２４Ｂが形成されており、レチクルアーム
２３Ａ及び２３Ｂはアーム回転軸２５を介してそれぞれ
独立に回転できるように支持されている。
ハ５及びレチクル１２をロードしてからアライメントを
終了するまでのシーケンスにつき図２のフローチャート
を参照して説明する。先ず図２のステップ１０１におい
て、レチクルローダー（後述）上にて外形基準でレチク
ル１２のプリアライメントを行う。図３は、図１のレチ
クル微小駆動ステージ１１上にレチクル１２を搬送する
為のレチクルローダ系を示し、この図３のレチクルロー
ダーは、２個のレチクルアーム２３Ａ及び２３Ｂと、こ
れらレチクルアーム２３Ａ，２３Ｂに連結されたアーム
回転軸２５と、このアーム回転軸２５を回転させる回転
機構２６とより構成されている。レチクルアーム２３Ａ
及び２３Ｂのレチクル載置面にはそれぞれ真空吸着用の
溝２４Ａ及び２４Ｂが形成されており、レチクルアーム
２３Ａ及び２３Ｂはアーム回転軸２５を介してそれぞれ
独立に回転できるように支持されている。
【００３６】レチクル１２のロード時には、位置Ａ３で
他のレチクル搬送機構（不図示）よりレチクル１２がレ
チクルアーム２３Ａ上に受け渡される。この際に他方の
レチクルアーム２３Ｂは、例えば前工程で使用されたレ
チクルの搬出に使用されている。次に位置Ａ３の近傍に
設置されたレチクル外形プリアライメント機構（不図
示）によって、レチクルアーム２３Ａ上でレチクル１２
が外形基準で一定の精度にアライメントされた後、レチ
クル１２はレチクルアーム２３Ａ上に真空吸着される。
次に、図２のステップ１０２において、回転機構２６が
アーム回転軸２５を介してレチクルアーム２３Ａを回転
させて、Ｙ方向（図１のレチクル駆動ステージ１０の待
機位置（受け渡し位置））の位置Ｂ３までレチクル１２
を移動する。
他のレチクル搬送機構（不図示）よりレチクル１２がレ
チクルアーム２３Ａ上に受け渡される。この際に他方の
レチクルアーム２３Ｂは、例えば前工程で使用されたレ
チクルの搬出に使用されている。次に位置Ａ３の近傍に
設置されたレチクル外形プリアライメント機構（不図
示）によって、レチクルアーム２３Ａ上でレチクル１２
が外形基準で一定の精度にアライメントされた後、レチ
クル１２はレチクルアーム２３Ａ上に真空吸着される。
次に、図２のステップ１０２において、回転機構２６が
アーム回転軸２５を介してレチクルアーム２３Ａを回転
させて、Ｙ方向（図１のレチクル駆動ステージ１０の待
機位置（受け渡し位置））の位置Ｂ３までレチクル１２
を移動する。
【００３７】このとき、真空吸着用の溝２４Ａは、レチ
クル微小駆動ステージ１１上の吸着位置と直交した方向
で、且つレチクル１２のパターン領域外の位置にあるの
で、レチクル微小駆動ステージ１１が走査方向であるｙ
方向の最先端に移動した状態で、レチクルアーム２３Ａ
はレチクル微小駆動ステージ１１上にレチクル１２を自
由に出し入れできるようになっている。レチクル微小駆
動ステージ１１（図１参照）上にレチクル１２が達する
と、アーム回転軸２５は−Ｚ方向に下がり、レチクル微
小駆動ステージ１１上の真空吸着面にレチクル１２が載
置され、レチクル１２の受け渡し完了後にレチクルアー
ム２３Ａが退避する。その後、レチクル微小駆動ステー
ジ１１が位置Ｃ３の方向にレチクル１２を搬送して行
く。この際に、レチクルアーム２３Ａと２３Ｂとは独立
に駆動され、例えばそれぞれがレチクルロードとレチク
ルアンロードとを同時に行うことで、レチクル交換速度
が向上している。
クル微小駆動ステージ１１上の吸着位置と直交した方向
で、且つレチクル１２のパターン領域外の位置にあるの
で、レチクル微小駆動ステージ１１が走査方向であるｙ
方向の最先端に移動した状態で、レチクルアーム２３Ａ
はレチクル微小駆動ステージ１１上にレチクル１２を自
由に出し入れできるようになっている。レチクル微小駆
動ステージ１１（図１参照）上にレチクル１２が達する
と、アーム回転軸２５は−Ｚ方向に下がり、レチクル微
小駆動ステージ１１上の真空吸着面にレチクル１２が載
置され、レチクル１２の受け渡し完了後にレチクルアー
ム２３Ａが退避する。その後、レチクル微小駆動ステー
ジ１１が位置Ｃ３の方向にレチクル１２を搬送して行
く。この際に、レチクルアーム２３Ａと２３Ｂとは独立
に駆動され、例えばそれぞれがレチクルロードとレチク
ルアンロードとを同時に行うことで、レチクル交換速度
が向上している。
【００３８】次に図２のステップ１０３以下でレチクル
１２のアライメントを行うが、そのための機構及び動作
につき説明する。図４（ａ）はレチクル１２上のアライ
メントマーク（レチクルマーク）の配置を示し、図４
（ｂ）はレチクル上で投影光学系の有効露光フィールド
と共役な領域３３Ｒ内での、スリット状の照明領域明３
２等を示す。走査方向をｙ方向として、ｙ方向に垂直な
方向をｘ方向とする。図４（ａ）において、レチクル１
２上の中央部のパターン領域の周囲には遮光部３１が形
成され、この遮光部３１の外側に形成されているレチク
ルマークは、ラフサーチ用アライメントマーク２７及び
２８と、ファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ及
び３０Ａ〜３０Ｄとに分けられる。右辺側のラフサーチ
用アライメントマーク２７は、走査方向であるｙ方向に
沿って長い直線状パターンと、この直線状パターンの両
端部に形成された十字パターンとより形成され、左辺側
のラフサーチ用アライメントマーク２８は、右辺側のラ
フサーチ用アライメントマーク２７と対称的に構成され
ている。
１２のアライメントを行うが、そのための機構及び動作
につき説明する。図４（ａ）はレチクル１２上のアライ
メントマーク（レチクルマーク）の配置を示し、図４
（ｂ）はレチクル上で投影光学系の有効露光フィールド
と共役な領域３３Ｒ内での、スリット状の照明領域明３
２等を示す。走査方向をｙ方向として、ｙ方向に垂直な
方向をｘ方向とする。図４（ａ）において、レチクル１
２上の中央部のパターン領域の周囲には遮光部３１が形
成され、この遮光部３１の外側に形成されているレチク
ルマークは、ラフサーチ用アライメントマーク２７及び
２８と、ファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ及
び３０Ａ〜３０Ｄとに分けられる。右辺側のラフサーチ
用アライメントマーク２７は、走査方向であるｙ方向に
沿って長い直線状パターンと、この直線状パターンの両
端部に形成された十字パターンとより形成され、左辺側
のラフサーチ用アライメントマーク２８は、右辺側のラ
フサーチ用アライメントマーク２７と対称的に構成され
ている。
【００３９】また、右辺側の遮光部３１とラフサーチ用
アライメントマーク２７の一方の十字パターンとの間
に、ｙ方向に近接してファインアライメントマーク２９
Ａ，２９Ｂが形成され、右辺側の遮光部３１とラフサー
チ用アライメントマーク２７の他方の十字パターンとの
間に、ｙ方向に近接してファインアライメントマーク２
９Ｃ，２９Ｄが形成されている。これらファインアライ
メントマーク２９Ａ〜２９Ｄと対称的に左辺側にファイ
ンアライメントマーク３０Ａ〜３０Ｄが形成されてお
り、これらファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ
及び３０Ａ〜３０Ｄは、図４（ａ）では単に十字状マー
クとして示してあるが実際にはそれぞれ図４（ｃ）に示
すように、３本の直線状パターンをｘ方向に所定間隔で
２組配列すると共に、３本の直線状パターンをｙ方向に
所定間隔で２組配列したものである。
アライメントマーク２７の一方の十字パターンとの間
に、ｙ方向に近接してファインアライメントマーク２９
Ａ，２９Ｂが形成され、右辺側の遮光部３１とラフサー
チ用アライメントマーク２７の他方の十字パターンとの
間に、ｙ方向に近接してファインアライメントマーク２
９Ｃ，２９Ｄが形成されている。これらファインアライ
メントマーク２９Ａ〜２９Ｄと対称的に左辺側にファイ
ンアライメントマーク３０Ａ〜３０Ｄが形成されてお
り、これらファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ
及び３０Ａ〜３０Ｄは、図４（ａ）では単に十字状マー
クとして示してあるが実際にはそれぞれ図４（ｃ）に示
すように、３本の直線状パターンをｘ方向に所定間隔で
２組配列すると共に、３本の直線状パターンをｙ方向に
所定間隔で２組配列したものである。
【００４０】先ず図２のステップ１０３において、図４
（ａ）の左辺側のラフサーチ用アライメントマーク２８
を図１のレチクルアライメント顕微鏡（以下、「ＲＡ顕
微鏡」という）２０で検出する。図４（ｂ）は、この場
合のＲＡ顕微鏡１９及び２０のレチクル１２上での観察
領域１９Ｒ及び２０Ｒを示し、ラフサーチを行う際に
は、ラフサーチ用アライメントマーク２７及び２８は、
それぞれ観察領域１９Ｒ及び２０Ｒよりも外側であり、
且つ有効露光フィールドと共役な領域３３Ｒよりも外側
にある。これは、ラフサーチの為にラフサーチ用アライ
メントマーク２７，２８は大きくしておく必要がある
が、それに合わせて投影光学系の露光フィールドを大き
くすると、投影レンズ径を大きくする必要がありコスト
アップになる為である。そこで本例でラフサーチを行う
際の手順につき図５を参照して説明する。
（ａ）の左辺側のラフサーチ用アライメントマーク２８
を図１のレチクルアライメント顕微鏡（以下、「ＲＡ顕
微鏡」という）２０で検出する。図４（ｂ）は、この場
合のＲＡ顕微鏡１９及び２０のレチクル１２上での観察
領域１９Ｒ及び２０Ｒを示し、ラフサーチを行う際に
は、ラフサーチ用アライメントマーク２７及び２８は、
それぞれ観察領域１９Ｒ及び２０Ｒよりも外側であり、
且つ有効露光フィールドと共役な領域３３Ｒよりも外側
にある。これは、ラフサーチの為にラフサーチ用アライ
メントマーク２７，２８は大きくしておく必要がある
が、それに合わせて投影光学系の露光フィールドを大き
くすると、投影レンズ径を大きくする必要がありコスト
アップになる為である。そこで本例でラフサーチを行う
際の手順につき図５を参照して説明する。
【００４１】図５（ａ）は、ラフサーチ用アライメント
マーク２８の一方の十字パターン近傍の拡大図、図５
（ｂ）は図５（ａ）を縮小した図であり、この図５
（ａ）及び（ｂ）において、ＲＡ顕微鏡２０の正方形の
有効視野２０Ｒefの幅をＷとして、レチクル１２の外形
に対するパターンの描画誤差と設置誤差との和の設計値
をΔＲとする。従って、図５（ｂ）に示すように、幅Δ
Ｒの正方形の領域内にラフサーチ用アライメントマーク
２８の一方の十字パターン２８ａが必ず含まれている。
検出対象はその十字パターン２８ａのｘ座標及びｙ座標
であるが、本例ではそのアライメントマーク２８の２軸
に対して４５°で交差する方向に、即ちｘ軸及びｙ軸に
斜めにその幅Ｗの有効視野２０Ｒefを走査する。そし
て、その斜め走査の際にアライメントマーク２８を横切
ったときのｘ座標及びｙ座標として、その十字パターン
２８ａのｘ座標及びｙ座標を求める。
マーク２８の一方の十字パターン近傍の拡大図、図５
（ｂ）は図５（ａ）を縮小した図であり、この図５
（ａ）及び（ｂ）において、ＲＡ顕微鏡２０の正方形の
有効視野２０Ｒefの幅をＷとして、レチクル１２の外形
に対するパターンの描画誤差と設置誤差との和の設計値
をΔＲとする。従って、図５（ｂ）に示すように、幅Δ
Ｒの正方形の領域内にラフサーチ用アライメントマーク
２８の一方の十字パターン２８ａが必ず含まれている。
検出対象はその十字パターン２８ａのｘ座標及びｙ座標
であるが、本例ではそのアライメントマーク２８の２軸
に対して４５°で交差する方向に、即ちｘ軸及びｙ軸に
斜めにその幅Ｗの有効視野２０Ｒefを走査する。そし
て、その斜め走査の際にアライメントマーク２８を横切
ったときのｘ座標及びｙ座標として、その十字パターン
２８ａのｘ座標及びｙ座標を求める。
【００４２】そのためには、正の実数ａの整数部をＩＮ
Ｔ（ａ）で表すものとして、その幅ΔＲの正方形の領域
をその幅Ｗの有効視野２０Ｒefで走査する最低の回数で
あるサーチ画面数は、｛ＩＮＴ（ΔＲ／Ｗ）＋１｝とな
る。このサーチ画面数は予め求めておく。そして、最初
の有効視野Ｂ５を中心としたその幅ΔＲの正方形の領域
に、斜めにそれぞれ幅Ｗの｛ＩＮＴ（ΔＲ／Ｗ）＋１｝
個の有効視野Ａ５，Ｂ５，Ｃ５，‥‥を設定し、図１の
レチクル微小駆動ステージ１１を駆動して、各有効視野
をステッピングして順次図５（ａ）の有効視野２０Ｒef
内に設定しながら、各有効視野内の画像をサンプリング
する。
Ｔ（ａ）で表すものとして、その幅ΔＲの正方形の領域
をその幅Ｗの有効視野２０Ｒefで走査する最低の回数で
あるサーチ画面数は、｛ＩＮＴ（ΔＲ／Ｗ）＋１｝とな
る。このサーチ画面数は予め求めておく。そして、最初
の有効視野Ｂ５を中心としたその幅ΔＲの正方形の領域
に、斜めにそれぞれ幅Ｗの｛ＩＮＴ（ΔＲ／Ｗ）＋１｝
個の有効視野Ａ５，Ｂ５，Ｃ５，‥‥を設定し、図１の
レチクル微小駆動ステージ１１を駆動して、各有効視野
をステッピングして順次図５（ａ）の有効視野２０Ｒef
内に設定しながら、各有効視野内の画像をサンプリング
する。
【００４３】図５（ｂ）に示すように、少なくとも幅Δ
Ｒ×ΔＲのサーチ範囲中にサーチ対象のアライメントマ
ーク２８の十字パターン２８ａは存在し、サーチ範囲に
対して十分にアライメントマーク２８が大きい。従っ
て、このアライメントマーク２８に対して斜め方向に有
効視野をステップ送りすれば、最小の画面数で、アライ
メントマーク２８の十字パターン２８ａの座標を検出で
きることが分かる。そのときの画像処理は、撮像された
画面内の全ラインの走査線を加算して得られる画像信号
に対する一次元画像処理でよい。
Ｒ×ΔＲのサーチ範囲中にサーチ対象のアライメントマ
ーク２８の十字パターン２８ａは存在し、サーチ範囲に
対して十分にアライメントマーク２８が大きい。従っ
て、このアライメントマーク２８に対して斜め方向に有
効視野をステップ送りすれば、最小の画面数で、アライ
メントマーク２８の十字パターン２８ａの座標を検出で
きることが分かる。そのときの画像処理は、撮像された
画面内の全ラインの走査線を加算して得られる画像信号
に対する一次元画像処理でよい。
【００４４】図６は、そのように全ラインの走査線を加
算して得られた種々の画像信号を示し、図６（ａ）及び
（ｄ）は図５（ｂ）の有効視野Ａ５で得られるｘ方向及
びｙ方向に沿う画像信号、図６（ｂ）及び（ｅ）は図５
（ｂ）の有効視野Ｂ５で得られるｘ方向及びｙ方向に沿
う画像信号、図６（ｃ）及び（ｆ）は図５（ｂ）の有効
視野Ｃ５で得られるｘ方向及びｙ方向に沿う画像信号で
ある。図６（ｂ）の画像信号から十字パターン２８ａの
ｘ座標が求められ、図６（ｆ）の画像信号から十字パタ
ーン２８ａのｙ座標が求められる。
算して得られた種々の画像信号を示し、図６（ａ）及び
（ｄ）は図５（ｂ）の有効視野Ａ５で得られるｘ方向及
びｙ方向に沿う画像信号、図６（ｂ）及び（ｅ）は図５
（ｂ）の有効視野Ｂ５で得られるｘ方向及びｙ方向に沿
う画像信号、図６（ｃ）及び（ｆ）は図５（ｂ）の有効
視野Ｃ５で得られるｘ方向及びｙ方向に沿う画像信号で
ある。図６（ｂ）の画像信号から十字パターン２８ａの
ｘ座標が求められ、図６（ｆ）の画像信号から十字パタ
ーン２８ａのｙ座標が求められる。
【００４５】この様にしてサーチ用レチクルマーク２８
を検出した後に、今度は図２のステップ１０４におい
て、ＲＡ顕微鏡１９の観察領域にラフサーチ用アライメ
ントマーク２７を移動して、同様にそのアライメントマ
ーク２７の位置を検出する。但し、この場合、図１の基
準マーク板６のパターンの無い部分を投影光学系８の露
光フィールド内に移動して、そのパターンの無い部分を
底部から照明しておく。このように基準マーク板６から
射出される照明光により、それらラフサーチ用アライメ
ントマーク２７及び２８を裏面側から照明する。
を検出した後に、今度は図２のステップ１０４におい
て、ＲＡ顕微鏡１９の観察領域にラフサーチ用アライメ
ントマーク２７を移動して、同様にそのアライメントマ
ーク２７の位置を検出する。但し、この場合、図１の基
準マーク板６のパターンの無い部分を投影光学系８の露
光フィールド内に移動して、そのパターンの無い部分を
底部から照明しておく。このように基準マーク板６から
射出される照明光により、それらラフサーチ用アライメ
ントマーク２７及び２８を裏面側から照明する。
【００４６】以上のシーケンスで、図４（ｂ）のＲＡ顕
微鏡１９及び２０の観察領域１９Ｒ及び２０Ｒに対す
る、ラフサーチ用アライメントマーク２７及び２８の位
置及びレチクル座標系の対応を大まかに付けることがで
きる。また、ＲＡ顕微鏡の観察領域１９Ｒ及び２０Ｒと
ウエハ座標系との大まかな対応付けは、図１の基準マー
ク板６上の基準マークをＲＡ顕微鏡１９及び２０で計測
することにより行うことができる。これにより、ファイ
ンアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ及び３０Ａ〜３０
Ｄと、基準マーク板６上の基準マーク（後述）とが重な
らない程度の、大まかなアライメント（ラフアライメン
ト）が終了する。
微鏡１９及び２０の観察領域１９Ｒ及び２０Ｒに対す
る、ラフサーチ用アライメントマーク２７及び２８の位
置及びレチクル座標系の対応を大まかに付けることがで
きる。また、ＲＡ顕微鏡の観察領域１９Ｒ及び２０Ｒと
ウエハ座標系との大まかな対応付けは、図１の基準マー
ク板６上の基準マークをＲＡ顕微鏡１９及び２０で計測
することにより行うことができる。これにより、ファイ
ンアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ及び３０Ａ〜３０
Ｄと、基準マーク板６上の基準マーク（後述）とが重な
らない程度の、大まかなアライメント（ラフアライメン
ト）が終了する。
【００４７】但し、本例では、投影光学系８のレンズ径
を小さくするために、レチクル１２上のアライメントマ
ークをラフサーチ用アライメントマークとファインアラ
イメントマークとに分けているが、投影光学系８のレン
ズ径を大きくしても良い場合は、それらラフサーチ用ア
ライメントマークとファインアライメントマークとを共
通マークにすることができる。この場合でも、図５に示
したように、斜め方向にステップ送りしてアライメント
マークをサーチする手法は流用でき、ＲＡ顕微鏡１９及
び２０でアライメントマークのサーチを同時に行うこと
もできる。
を小さくするために、レチクル１２上のアライメントマ
ークをラフサーチ用アライメントマークとファインアラ
イメントマークとに分けているが、投影光学系８のレン
ズ径を大きくしても良い場合は、それらラフサーチ用ア
ライメントマークとファインアライメントマークとを共
通マークにすることができる。この場合でも、図５に示
したように、斜め方向にステップ送りしてアライメント
マークをサーチする手法は流用でき、ＲＡ顕微鏡１９及
び２０でアライメントマークのサーチを同時に行うこと
もできる。
【００４８】次に、ファインアライメントのシーケンス
について説明するが、その前にウエハステージ及びレチ
クルステージの詳細な構成につき説明する。図７（ａ）
はウエハステージの平面図であり、この図７（ａ）にお
いて、Ｚθ軸駆動ステージ４の上にウエハ５及び基準マ
ーク板６が配置されている。また、Ｚθ軸駆動ステージ
４上には、Ｘ軸用移動鏡７Ｘ及びＹ軸用移動鏡７Ｙが固
定され、ウエハ５上で図４（ｂ）のスリット状の照明領
域３２に対応するスリット状の照明領域３２Ｗが露光光
で照明され、観察領域１９Ｗ及び２０Ｗがそれぞれ図４
（ｂ）の観察領域１９Ｒ及び２０Ｒと共役である。
について説明するが、その前にウエハステージ及びレチ
クルステージの詳細な構成につき説明する。図７（ａ）
はウエハステージの平面図であり、この図７（ａ）にお
いて、Ｚθ軸駆動ステージ４の上にウエハ５及び基準マ
ーク板６が配置されている。また、Ｚθ軸駆動ステージ
４上には、Ｘ軸用移動鏡７Ｘ及びＹ軸用移動鏡７Ｙが固
定され、ウエハ５上で図４（ｂ）のスリット状の照明領
域３２に対応するスリット状の照明領域３２Ｗが露光光
で照明され、観察領域１９Ｗ及び２０Ｗがそれぞれ図４
（ｂ）の観察領域１９Ｒ及び２０Ｒと共役である。
【００４９】移動鏡７Ｘには、Ｘ軸に平行で且つそれぞ
れ投影光学系の光軸及びアライメント装置３４の基準点
を通る光路に沿って間隔ＩＬのレーザービームＬＷＸ及
びＬＷofが照射され、移動鏡７Ｙには、Ｙ軸に平行な光
路に沿って間隔ＩＬの２本のレーザービームＬＷＹ１及
びＬＷＹ２が照射されている。露光時には、Ｚθ軸駆動
ステージ４のＸ座標として、レーザービームＬＷＸを用
いる干渉計で計測された座標値が使用され、Ｙ座標とし
てレーザービームＬＷＹ１及びＬＷＹ２をそれぞれ用い
る干渉計で計測された座標値Ｙ1 及びＹ2 の平均値（Ｙ
1＋Ｙ2）／２が用いられる。また、例えば座標値Ｙ1 と
Ｙ2 との差分からＺθ軸駆動ステージ４の回転方向（θ
方向）の回転量が計測される。それらの座標に基づい
て、Ｚθ軸駆動ステージ４のＸＹ平面の位置及び回転角
が制御される。
れ投影光学系の光軸及びアライメント装置３４の基準点
を通る光路に沿って間隔ＩＬのレーザービームＬＷＸ及
びＬＷofが照射され、移動鏡７Ｙには、Ｙ軸に平行な光
路に沿って間隔ＩＬの２本のレーザービームＬＷＹ１及
びＬＷＹ２が照射されている。露光時には、Ｚθ軸駆動
ステージ４のＸ座標として、レーザービームＬＷＸを用
いる干渉計で計測された座標値が使用され、Ｙ座標とし
てレーザービームＬＷＹ１及びＬＷＹ２をそれぞれ用い
る干渉計で計測された座標値Ｙ1 及びＹ2 の平均値（Ｙ
1＋Ｙ2）／２が用いられる。また、例えば座標値Ｙ1 と
Ｙ2 との差分からＺθ軸駆動ステージ４の回転方向（θ
方向）の回転量が計測される。それらの座標に基づい
て、Ｚθ軸駆動ステージ４のＸＹ平面の位置及び回転角
が制御される。
【００５０】特に、走査方向であるＹ方向は２個の干渉
計の計測結果の平均値を用いる事で、走査時の空気揺ら
ぎ等による誤差を平均化効果により緩和している。ま
た、オフ・アクシス方式のアライメント装置３４を使用
する場合のＸ軸方向の位置は、所謂アッベ誤差が生じな
い様に、レーザービームＬＷofを使用する専用干渉計の
計測値に基づいて制御される構成である。
計の計測結果の平均値を用いる事で、走査時の空気揺ら
ぎ等による誤差を平均化効果により緩和している。ま
た、オフ・アクシス方式のアライメント装置３４を使用
する場合のＸ軸方向の位置は、所謂アッベ誤差が生じな
い様に、レーザービームＬＷofを使用する専用干渉計の
計測値に基づいて制御される構成である。
【００５１】図７（ｂ）は、レチクルステージの平面図
であり、この図７（ｂ）において、レチクルＹ駆動ステ
ージ１０上にレチクル微小駆動ステージ１１が載置さ
れ、その上にレチクル１２が保持されている。また、レ
チクル微小駆動ステージ１１にはｘ軸用の移動鏡２１ｘ
及びｙ軸用の２個の移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２が固定さ
れ、移動鏡２１ｘにはｘ軸に平行にレーザービームＬＲ
ｘが照射され、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２にはそれぞれ
ｙ軸に平行にレーザービームＬＲｙ１，ＬＲｙ２が照射
されている。
であり、この図７（ｂ）において、レチクルＹ駆動ステ
ージ１０上にレチクル微小駆動ステージ１１が載置さ
れ、その上にレチクル１２が保持されている。また、レ
チクル微小駆動ステージ１１にはｘ軸用の移動鏡２１ｘ
及びｙ軸用の２個の移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２が固定さ
れ、移動鏡２１ｘにはｘ軸に平行にレーザービームＬＲ
ｘが照射され、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２にはそれぞれ
ｙ軸に平行にレーザービームＬＲｙ１，ＬＲｙ２が照射
されている。
【００５２】ウエハステージと同様に、レチクル微小駆
動ステージ１１のｙ方向の座標は、レーザービームＬＲ
ｙ１及びＬＲｙ２を使用する２個の干渉計で計測された
座標値ｙ1 及びｙ2 の平均値（ｙ1＋ｙ2）／２が用いら
れる。また、ｘ方向の座標は、レーザービームＬＲｘを
使用する干渉計で計測された座標値が使用される。ま
た、例えば座標値ｙ1 とｙ2 との差分からレチクル微小
駆動ステージ１１の回転方向（θ方向）の回転量が計測
される。
動ステージ１１のｙ方向の座標は、レーザービームＬＲ
ｙ１及びＬＲｙ２を使用する２個の干渉計で計測された
座標値ｙ1 及びｙ2 の平均値（ｙ1＋ｙ2）／２が用いら
れる。また、ｘ方向の座標は、レーザービームＬＲｘを
使用する干渉計で計測された座標値が使用される。ま
た、例えば座標値ｙ1 とｙ2 との差分からレチクル微小
駆動ステージ１１の回転方向（θ方向）の回転量が計測
される。
【００５３】この場合、走査方向であるｙ方向の移動鏡
２１ｙ１，２１ｙ２としてはコーナキューブ型の反射要
素が使用されており、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２で反射
されたレーザービームＬＲｙ１，ＬＲｙ２はそれぞれ反
射ミラー３９，３８で反射されて戻されている。即ち、
そのレチクル用の干渉計はダブルパス干渉計であり、こ
れによって、レチクル微小駆動ステージ１１の回転によ
りレーザービームの位置ずれが生じない構成になってい
る。また、ウエハステージ上と同様に、レチクル１２上
にスリット状の照明領域３２及びＲＡ顕微鏡１９，２０
の観察領域１９Ｒ，２０Ｒが配置されている。そして、
観察領域１９Ｒ及び２０Ｒだけから、レチクル１２と図
７（ａ）のＺθ軸駆動ステージ４を観察できる様になっ
ている。この様にレチクル１２とＺθ軸駆動ステージ４
との関係を計測して露光時のアライメント精度及びレチ
クル１２とウエハ５との回転精度を向上させる訳である
が、その方法につき図８及び図９を参照して説明する。
２１ｙ１，２１ｙ２としてはコーナキューブ型の反射要
素が使用されており、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２で反射
されたレーザービームＬＲｙ１，ＬＲｙ２はそれぞれ反
射ミラー３９，３８で反射されて戻されている。即ち、
そのレチクル用の干渉計はダブルパス干渉計であり、こ
れによって、レチクル微小駆動ステージ１１の回転によ
りレーザービームの位置ずれが生じない構成になってい
る。また、ウエハステージ上と同様に、レチクル１２上
にスリット状の照明領域３２及びＲＡ顕微鏡１９，２０
の観察領域１９Ｒ，２０Ｒが配置されている。そして、
観察領域１９Ｒ及び２０Ｒだけから、レチクル１２と図
７（ａ）のＺθ軸駆動ステージ４を観察できる様になっ
ている。この様にレチクル１２とＺθ軸駆動ステージ４
との関係を計測して露光時のアライメント精度及びレチ
クル１２とウエハ５との回転精度を向上させる訳である
が、その方法につき図８及び図９を参照して説明する。
【００５４】図８（ａ）は、図４（ａ）のレチクル１２
を図７（ａ）の基準マーク板６上に投影して得られるレ
チクル像１２Ｗを示し、この図８（ａ）において、図４
（ａ）のファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄに
共役なマーク像２９ＡＷ〜２９ＤＷと、ファインアライ
メントマーク３０Ａ〜３０Ｄに共役なマーク像３０ＡＷ
〜３０ＤＷとが示されている。各マーク像２９ＡＷ〜２
９ＤＷ及び３０ＡＷ〜３０ＤＷは、それぞれ図８（ｂ）
に示すように、３本の直線状のパターンを４辺に配置し
た形状である。
を図７（ａ）の基準マーク板６上に投影して得られるレ
チクル像１２Ｗを示し、この図８（ａ）において、図４
（ａ）のファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄに
共役なマーク像２９ＡＷ〜２９ＤＷと、ファインアライ
メントマーク３０Ａ〜３０Ｄに共役なマーク像３０ＡＷ
〜３０ＤＷとが示されている。各マーク像２９ＡＷ〜２
９ＤＷ及び３０ＡＷ〜３０ＤＷは、それぞれ図８（ｂ）
に示すように、３本の直線状のパターンを４辺に配置し
た形状である。
【００５５】図８（ｃ）は、基準マーク板６上の基準マ
ークの配置を示し、この図８（ｃ）の基準マーク板６上
には、図８（ａ）のマーク像２９ＡＷ〜２９ＤＷ及び３
０ＡＷ〜３０ＤＷとほぼ同一の配置でそれぞれ基準マー
ク３５Ａ〜３５Ｄ及び３６Ａ〜３６Ｄが形成されてい
る。これら基準マークは基準マーク板６の裏面から、露
光光と同じ波長の照明光で照明されている。また、基準
マーク板６上には、基準マーク３５Ａ及び３６Ａの中点
から走査方向であるＹ方向に間隔ＩＬだけ離れた位置に
基準マーク３７Ａが形成されている。間隔ＩＬは、図１
における投影光学系８の基準点とオフ・アクシス方式の
アライメント装置３４の基準点との間隔であるベースラ
イン量と等しい。同様に、基準マーク３５Ｂ及び３６Ｂ
の中点、基準マーク３５Ｃ及び３６Ｃの中点及び基準マ
ーク３５Ｄ及び３６Ｄの中点からそれぞれＹ方向に間隔
ＩＬだけ離れた位置に、基準マーク３７Ｂ，３７Ｃ及び
３７Ｄが形成されている。
ークの配置を示し、この図８（ｃ）の基準マーク板６上
には、図８（ａ）のマーク像２９ＡＷ〜２９ＤＷ及び３
０ＡＷ〜３０ＤＷとほぼ同一の配置でそれぞれ基準マー
ク３５Ａ〜３５Ｄ及び３６Ａ〜３６Ｄが形成されてい
る。これら基準マークは基準マーク板６の裏面から、露
光光と同じ波長の照明光で照明されている。また、基準
マーク板６上には、基準マーク３５Ａ及び３６Ａの中点
から走査方向であるＹ方向に間隔ＩＬだけ離れた位置に
基準マーク３７Ａが形成されている。間隔ＩＬは、図１
における投影光学系８の基準点とオフ・アクシス方式の
アライメント装置３４の基準点との間隔であるベースラ
イン量と等しい。同様に、基準マーク３５Ｂ及び３６Ｂ
の中点、基準マーク３５Ｃ及び３６Ｃの中点及び基準マ
ーク３５Ｄ及び３６Ｄの中点からそれぞれＹ方向に間隔
ＩＬだけ離れた位置に、基準マーク３７Ｂ，３７Ｃ及び
３７Ｄが形成されている。
【００５６】基準マーク３５Ａ〜３５Ｄ，３６Ａ〜３６
Ｄはそれぞれ図８（ｄ）に示すように、７行×７列の直
線状パターンから構成され、且つこれら基準マーク３５
Ａ〜３５Ｄ，３６Ａ〜３６Ｄは図８（ｂ）のマーク像２
９ＡＷ〜３０ＤＷの内部に収まる大きさである。また、
基準マーク３７Ａ〜３７Ｄは、図８（ｅ）に示すよう
に、Ｘ方向及びＹ方向に所定ピッチで形成された格子パ
ターンの内の対応する格子点を使用するものである。
Ｄはそれぞれ図８（ｄ）に示すように、７行×７列の直
線状パターンから構成され、且つこれら基準マーク３５
Ａ〜３５Ｄ，３６Ａ〜３６Ｄは図８（ｂ）のマーク像２
９ＡＷ〜３０ＤＷの内部に収まる大きさである。また、
基準マーク３７Ａ〜３７Ｄは、図８（ｅ）に示すよう
に、Ｘ方向及びＹ方向に所定ピッチで形成された格子パ
ターンの内の対応する格子点を使用するものである。
【００５７】この場合、先ず図２のステップ１０５にお
いて、ステップ１０３及び１０４の計測により得られた
結果から、レチクル１２とＲＡ顕微鏡１９及び２０との
相対的な位置関係及び相対的な回転角を算出し、図４
（ａ）のファインアライメントマーク２９Ａ及び３０Ａ
をそれぞれＲＡ顕微鏡１９及び２０の観察領域１９Ｒ及
び２０Ｒ内に移動させる。その後、ステップ１０６にお
いて、図８（ｃ）の基準マーク板６上の基準マーク３５
Ａ及び３６Ａをそれぞれその観察領域１９Ｒ及び２０Ｒ
と共役な観察領域１９Ｗ及び２０Ｗ（図９参照）に移動
する。これにより、図９（ａ）に示すように、観察領域
１９Ｗ内でマーク像２９ＡＷと基準マーク３５Ａとが同
時に観察でき、観察領域２０Ｗ内でマーク像３０ＡＷと
基準マーク３６Ａとが同時に観察できる。その後、図２
のステップ１０７において、ＲＡ顕微鏡１９及び２０で
観察される画像を撮像信号に変換してサンプリングする
と同時に、オフ・アクシス方式のアライメント装置３４
でも対応する基準マーク像の検出信号をサンプリングす
る。
いて、ステップ１０３及び１０４の計測により得られた
結果から、レチクル１２とＲＡ顕微鏡１９及び２０との
相対的な位置関係及び相対的な回転角を算出し、図４
（ａ）のファインアライメントマーク２９Ａ及び３０Ａ
をそれぞれＲＡ顕微鏡１９及び２０の観察領域１９Ｒ及
び２０Ｒ内に移動させる。その後、ステップ１０６にお
いて、図８（ｃ）の基準マーク板６上の基準マーク３５
Ａ及び３６Ａをそれぞれその観察領域１９Ｒ及び２０Ｒ
と共役な観察領域１９Ｗ及び２０Ｗ（図９参照）に移動
する。これにより、図９（ａ）に示すように、観察領域
１９Ｗ内でマーク像２９ＡＷと基準マーク３５Ａとが同
時に観察でき、観察領域２０Ｗ内でマーク像３０ＡＷと
基準マーク３６Ａとが同時に観察できる。その後、図２
のステップ１０７において、ＲＡ顕微鏡１９及び２０で
観察される画像を撮像信号に変換してサンプリングする
と同時に、オフ・アクシス方式のアライメント装置３４
でも対応する基準マーク像の検出信号をサンプリングす
る。
【００５８】図９（ａ）においては、基準マーク板６上
にレチクル１２の投影像であるレチクル像１２Ｗが投影
されている。また、図９（ｃ）に示すように、観察領域
１９Ｗ及び２０Ｗは、それぞれ投影光学系８の露光フィ
ールド内の光軸を横切る位置に有り、オフ・アクシス方
式のアライメント装置３４の観察領域内に基準マーク３
７Ａが収まっている。そして、スリットスキャン露光時
と同様に、図７（ａ）のＺθ軸駆動ステージ４が上側
（Ｙ方向）に移動するのと同期して、図７（ｂ）のレチ
クル微小駆動ステージ１１が下側（−ｙ方向）に移動す
ると、第９（ａ）から図９（ｂ）に示すように、基準マ
ーク板６とレチクル像１２Ｗとが一緒にＹ方向に動く。
このとき、ＲＡ顕微鏡１９，２０の観察領域１９Ｗ，２
０Ｗとオフ・アクシス方式のアライメント装置３４とは
固定されているので、観察領域１９Ｗ，２０Ｗ及びアラ
イメント装置３４の下を、符号Ａが付されたマーク群
（マーク像２９ＡＷ，３０ＡＷ、基準マーク３５Ａ，３
６Ａ，３７Ａ）から符号Ｄが付されたマーク群（マーク
像２９ＤＷ，３０ＤＷ、基準マーク３５Ｄ，３６Ｄ，３
７Ｄ）までが移動して行く。
にレチクル１２の投影像であるレチクル像１２Ｗが投影
されている。また、図９（ｃ）に示すように、観察領域
１９Ｗ及び２０Ｗは、それぞれ投影光学系８の露光フィ
ールド内の光軸を横切る位置に有り、オフ・アクシス方
式のアライメント装置３４の観察領域内に基準マーク３
７Ａが収まっている。そして、スリットスキャン露光時
と同様に、図７（ａ）のＺθ軸駆動ステージ４が上側
（Ｙ方向）に移動するのと同期して、図７（ｂ）のレチ
クル微小駆動ステージ１１が下側（−ｙ方向）に移動す
ると、第９（ａ）から図９（ｂ）に示すように、基準マ
ーク板６とレチクル像１２Ｗとが一緒にＹ方向に動く。
このとき、ＲＡ顕微鏡１９，２０の観察領域１９Ｗ，２
０Ｗとオフ・アクシス方式のアライメント装置３４とは
固定されているので、観察領域１９Ｗ，２０Ｗ及びアラ
イメント装置３４の下を、符号Ａが付されたマーク群
（マーク像２９ＡＷ，３０ＡＷ、基準マーク３５Ａ，３
６Ａ，３７Ａ）から符号Ｄが付されたマーク群（マーク
像２９ＤＷ，３０ＤＷ、基準マーク３５Ｄ，３６Ｄ，３
７Ｄ）までが移動して行く。
【００５９】先ず、アライメント開始後の図９（ａ）の
第１の静止位置では、観察領域１９Ｗの下にマーク像２
９ＡＷ及び基準マーク３５Ａがあり、観察領域２０Ｗの
下にはマーク像３０ＡＷ及び基準マーク３６Ａがあり、
オフ・アクシス方式のアライメント装置３４の下には基
準マーク３７Ａがあり、これら符号Ａが付されたマーク
は同時にすべて観察される。第１の静止位置での計測が
終了すると、ステッピング動作によって第２の静止位置
までレチクル像１２Ｗと基準マーク板６とを同期して移
動させる。第１の静止位置で観察領域１９Ｗ，２０Ｗ及
びアライメント装置３４の下に存在したマーク群は符号
Ａが付されたマーク群であり、第２の静止位置で観察領
域１９Ｗ，２０Ｗ及びアライメント装置３４の下に存在
するマーク群は符号Ｂが付されたマーク群（図８のマー
ク像２９ＢＰ、基準マーク３５Ｂ，３７Ｂ等）である。
第１の静止位置では、観察領域１９Ｗの下にマーク像２
９ＡＷ及び基準マーク３５Ａがあり、観察領域２０Ｗの
下にはマーク像３０ＡＷ及び基準マーク３６Ａがあり、
オフ・アクシス方式のアライメント装置３４の下には基
準マーク３７Ａがあり、これら符号Ａが付されたマーク
は同時にすべて観察される。第１の静止位置での計測が
終了すると、ステッピング動作によって第２の静止位置
までレチクル像１２Ｗと基準マーク板６とを同期して移
動させる。第１の静止位置で観察領域１９Ｗ，２０Ｗ及
びアライメント装置３４の下に存在したマーク群は符号
Ａが付されたマーク群であり、第２の静止位置で観察領
域１９Ｗ，２０Ｗ及びアライメント装置３４の下に存在
するマーク群は符号Ｂが付されたマーク群（図８のマー
ク像２９ＢＰ、基準マーク３５Ｂ，３７Ｂ等）である。
【００６０】以上の様なシーケンスを第３の静止位置及
び第４の静止位置（図９（ｂ）の状態）と繰り返すこと
により、レチクル像１２Ｗのマーク像及び基準マーク板
６上の基準マークは、符号Ａが付されたマーク群、符号
Ｂが付されたマーク群、符号Ｃが付されたマーク群、符
号Ｄが付されたマーク群の順に、それぞれＲＡ顕微鏡１
９，２０及びオフ・アクシス方式のアライメント装置３
４によって計測されていくことになる。この動作が、図
２のステップ１０５〜１１０の動作である。この様にし
て求められた計測結果を分かり易く表現するために、計
測結果を図１０に示す。
び第４の静止位置（図９（ｂ）の状態）と繰り返すこと
により、レチクル像１２Ｗのマーク像及び基準マーク板
６上の基準マークは、符号Ａが付されたマーク群、符号
Ｂが付されたマーク群、符号Ｃが付されたマーク群、符
号Ｄが付されたマーク群の順に、それぞれＲＡ顕微鏡１
９，２０及びオフ・アクシス方式のアライメント装置３
４によって計測されていくことになる。この動作が、図
２のステップ１０５〜１１０の動作である。この様にし
て求められた計測結果を分かり易く表現するために、計
測結果を図１０に示す。
【００６１】図１０において、ＲＡ顕微鏡１９で得られ
る測定結果を後述のように補正して求められる、基準マ
ーク３５Ａからマーク像２９ＡＷまでのアライメント誤
差のベクトルをＡＬとして、同様に基準マーク３５Ｂ〜
３５Ｄからそれぞれマーク像２９ＢＷ〜２９ＤＷまでの
アライメント誤差のベクトルをＢＬ〜ＤＬとする。同様
に、基準マーク３６Ａからマーク像３０ＡＷまでのアラ
イメント誤差のベクトルをＡＲとして、基準マーク３６
Ｂ〜３６Ｄからそれぞれマーク像３０ＢＷ〜３０ＤＷま
でのアライメント誤差のベクトルをＢＲ〜ＤＲとする。
また、オフ・アクシス方式のアライメント装置３４で得
られる計測結果を後述のように補正して求められる、基
準マーク３７Ａ〜３７Ｄからそのアライメント装置３４
の基準点までの誤差ベクトルをそれぞれＡＯ〜ＤＯとす
る。
る測定結果を後述のように補正して求められる、基準マ
ーク３５Ａからマーク像２９ＡＷまでのアライメント誤
差のベクトルをＡＬとして、同様に基準マーク３５Ｂ〜
３５Ｄからそれぞれマーク像２９ＢＷ〜２９ＤＷまでの
アライメント誤差のベクトルをＢＬ〜ＤＬとする。同様
に、基準マーク３６Ａからマーク像３０ＡＷまでのアラ
イメント誤差のベクトルをＡＲとして、基準マーク３６
Ｂ〜３６Ｄからそれぞれマーク像３０ＢＷ〜３０ＤＷま
でのアライメント誤差のベクトルをＢＲ〜ＤＲとする。
また、オフ・アクシス方式のアライメント装置３４で得
られる計測結果を後述のように補正して求められる、基
準マーク３７Ａ〜３７Ｄからそのアライメント装置３４
の基準点までの誤差ベクトルをそれぞれＡＯ〜ＤＯとす
る。
【００６２】そして、誤差ベクトルＡＬ，ＡＲ〜ＤＬ，
ＤＲを得たときの、図１のレチクル側の干渉計１４で計
測されたｘ方向の座標値、即ち図７（ｂ）のレーザービ
ームＬＲｘを用いて得られた座標値をそれぞれＲｅＡｘ
〜ＲｅＤｘ、誤差ベクトルＡＬ，ＡＲ〜ＤＬ，ＤＲを得
たときの、図１のレチクル側の干渉計１４で計測された
ｙ方向の座標値、即ち図７（ｂ）のレーザービームＬＲ
ｙ１，ＬＲｙ２を用いて得られた座標値をそれぞれＲｅ
Ａｙ１〜ＲｅＤｙ１，ＲｅＡｙ２〜ＲｅＡｙ２とする。
また、誤差ベクトルＡＬ，ＡＲ〜ＤＬ，ＤＲを得たとき
の、図１のウエハ側の干渉計１３で計測されたＸ方向の
座標値、即ち図７（ａ）のレーザービームＬＷＸを用い
て得られた座標値をそれぞれＷａＡＸ〜ＷａＤＸ、誤差
ベクトルＡＬ，ＡＲ〜ＤＬ，ＤＲを得たときの、図１の
ウエハ側の干渉計１３で計測されたＹ方向の座標値、即
ち図７（ａ）のレーザービームＬＷＹ１，ＬＷＹ２を用
いて得られた座標値をそれぞれＷａＡＹ１〜ＷａＤＹ
１，ＷａＡＹ２〜ＷａＤＹ２とする。
ＤＲを得たときの、図１のレチクル側の干渉計１４で計
測されたｘ方向の座標値、即ち図７（ｂ）のレーザービ
ームＬＲｘを用いて得られた座標値をそれぞれＲｅＡｘ
〜ＲｅＤｘ、誤差ベクトルＡＬ，ＡＲ〜ＤＬ，ＤＲを得
たときの、図１のレチクル側の干渉計１４で計測された
ｙ方向の座標値、即ち図７（ｂ）のレーザービームＬＲ
ｙ１，ＬＲｙ２を用いて得られた座標値をそれぞれＲｅ
Ａｙ１〜ＲｅＤｙ１，ＲｅＡｙ２〜ＲｅＡｙ２とする。
また、誤差ベクトルＡＬ，ＡＲ〜ＤＬ，ＤＲを得たとき
の、図１のウエハ側の干渉計１３で計測されたＸ方向の
座標値、即ち図７（ａ）のレーザービームＬＷＸを用い
て得られた座標値をそれぞれＷａＡＸ〜ＷａＤＸ、誤差
ベクトルＡＬ，ＡＲ〜ＤＬ，ＤＲを得たときの、図１の
ウエハ側の干渉計１３で計測されたＹ方向の座標値、即
ち図７（ａ）のレーザービームＬＷＹ１，ＬＷＹ２を用
いて得られた座標値をそれぞれＷａＡＹ１〜ＷａＤＹ
１，ＷａＡＹ２〜ＷａＤＹ２とする。
【００６３】また、誤差ベクトルＡＯ〜ＤＯを得たとき
の、オフ・アクシス方式のアライメント装置専用の干渉
計で得られたＸ方向の座標値、即ち図７（ａ）のレーザ
ービームＬＷOFを用いて得られた座標値をそれぞれＷａ
ＡＯＸ〜ＷａＤＯＸとする。この場合、図７（ａ）に示
すように、ウエハ側のレーザービームＬＷＹ１，ＬＷＹ
２のＸ方向の間隔はＩＬであり、レチクル側のレーザー
ビームＬＲｙ１，ＬＲｙ２のウエハ側での間隔はＲＬで
ある。
の、オフ・アクシス方式のアライメント装置専用の干渉
計で得られたＸ方向の座標値、即ち図７（ａ）のレーザ
ービームＬＷOFを用いて得られた座標値をそれぞれＷａ
ＡＯＸ〜ＷａＤＯＸとする。この場合、図７（ａ）に示
すように、ウエハ側のレーザービームＬＷＹ１，ＬＷＹ
２のＸ方向の間隔はＩＬであり、レチクル側のレーザー
ビームＬＲｙ１，ＬＲｙ２のウエハ側での間隔はＲＬで
ある。
【００６４】次に、図１０の誤差ベクトルＡＬ等の求め
方につき説明するために、図１のＲＡ顕微鏡１９の構成
を詳細に説明する。図１１は、ＲＡ顕微鏡１９及びこの
照明系を示し、この図１１において、Ｚθ軸駆動ステー
ジ４の外部より光ファイバー４４を介して露光光と同じ
波長の照明光ＥＬがＺθ軸駆動ステージ４の内部に導か
れている。光ファイバー４４の代わりにレンズ系で露光
光をリレーしても良い。そのように導かれた照明光が、
レンズ４５Ａ、ビームスプリッター４５Ｂ及びレンズ４
５Ｃを経て基準マーク板６上の基準マーク３５Ａ〜３５
Ｄを照明し、ビームスプリッター４５Ｂを透過した照明
光が、レンズ４５Ｄ、レンズ４５Ｅ、ミラー４５Ｆ及び
レンズ４５Ｇを経て基準マーク板６上の基準マーク３６
Ａ〜３６Ｄを照明している。
方につき説明するために、図１のＲＡ顕微鏡１９の構成
を詳細に説明する。図１１は、ＲＡ顕微鏡１９及びこの
照明系を示し、この図１１において、Ｚθ軸駆動ステー
ジ４の外部より光ファイバー４４を介して露光光と同じ
波長の照明光ＥＬがＺθ軸駆動ステージ４の内部に導か
れている。光ファイバー４４の代わりにレンズ系で露光
光をリレーしても良い。そのように導かれた照明光が、
レンズ４５Ａ、ビームスプリッター４５Ｂ及びレンズ４
５Ｃを経て基準マーク板６上の基準マーク３５Ａ〜３５
Ｄを照明し、ビームスプリッター４５Ｂを透過した照明
光が、レンズ４５Ｄ、レンズ４５Ｅ、ミラー４５Ｆ及び
レンズ４５Ｇを経て基準マーク板６上の基準マーク３６
Ａ〜３６Ｄを照明している。
【００６５】例えば基準マーク３５Ａを透過した光は、
投影光学系８を介して、レチクル１２上のファインアラ
イメントマーク２９上にその基準マーク３５Ａの像を結
像する。その基準マーク３５Ａの像及びアライメントマ
ーク２９からの光が、偏向ミラー１５、レンズ４０Ａ、
レンズ４０Ｂを経てハーフミラー４２に達し、ハーフミ
ラー４２で２分割された光がそれぞれ２次元ＣＣＤより
なるＸ軸用の撮像素子４３Ｘ及びＹ軸用の撮像素子４３
Ｙの撮像面に入射する。これら撮像素子４３Ｘ及び４３
Ｙの撮像面にはそれぞれ図１２（ａ）に示すような、フ
ァインアライメントマーク２９Ａ及び基準マーク３５像
３５ＡＲの像が投影される。この場合、Ｘ軸用の撮像素
子４３Ｘの撮像画面４３Ｘａは、ウエハステージ上のＸ
方向に平行な領域で、且つ水平走査線の方向もＸ方向で
あるが、Ｙ軸用の撮像素子４３Ｙの撮像画面４３Ｙａ
は、ウエハステージ上のＹ方向に平行な領域で、且つ水
平走査線の方向もＹ方向である。
投影光学系８を介して、レチクル１２上のファインアラ
イメントマーク２９上にその基準マーク３５Ａの像を結
像する。その基準マーク３５Ａの像及びアライメントマ
ーク２９からの光が、偏向ミラー１５、レンズ４０Ａ、
レンズ４０Ｂを経てハーフミラー４２に達し、ハーフミ
ラー４２で２分割された光がそれぞれ２次元ＣＣＤより
なるＸ軸用の撮像素子４３Ｘ及びＹ軸用の撮像素子４３
Ｙの撮像面に入射する。これら撮像素子４３Ｘ及び４３
Ｙの撮像面にはそれぞれ図１２（ａ）に示すような、フ
ァインアライメントマーク２９Ａ及び基準マーク３５像
３５ＡＲの像が投影される。この場合、Ｘ軸用の撮像素
子４３Ｘの撮像画面４３Ｘａは、ウエハステージ上のＸ
方向に平行な領域で、且つ水平走査線の方向もＸ方向で
あるが、Ｙ軸用の撮像素子４３Ｙの撮像画面４３Ｙａ
は、ウエハステージ上のＹ方向に平行な領域で、且つ水
平走査線の方向もＹ方向である。
【００６６】従って、撮像素子４３Ｘの撮像信号Ｓ４Ｘ
の加算平均から基準マーク３５Ａとアライメントマーク
２９ＡとのＸ方向の位置ずれ量が求められ、撮像素子４
３Ｙの撮像信号Ｓ４Ｙの加算平均から基準マーク３５Ａ
とアライメントマーク２９ＡとのＹ方向の位置ずれ量が
求められる。これら撮像信号Ｓ４Ｘ及びＳ４Ｙが信号処
理装置４１に供給されている。
の加算平均から基準マーク３５Ａとアライメントマーク
２９ＡとのＸ方向の位置ずれ量が求められ、撮像素子４
３Ｙの撮像信号Ｓ４Ｙの加算平均から基準マーク３５Ａ
とアライメントマーク２９ＡとのＹ方向の位置ずれ量が
求められる。これら撮像信号Ｓ４Ｘ及びＳ４Ｙが信号処
理装置４１に供給されている。
【００６７】より詳細に、符号Ａが付されたマーク群を
アライメントしている場合を例に取って説明すると、Ｒ
Ａ顕微鏡１９では例えば図１２（ａ）に示されているア
ライメントマーク２９Ａと基準マーク像３５ＡＲとを同
時に観察する。この図１２（ａ）において、破線で囲ま
れた撮像画面４３Ｘａ及び４３Ｙａ内の画像信号Ｓ４Ｘ
及びＳ４Ｙが、信号処理装置４１内でアナログ／デジタ
ル変換によりデジタル信号として検出される。それぞれ
の走査線上の画像データは、信号処理装置４１内で、Ｘ
軸及びＹ軸で独立に加算平均され、加算平均されたＸ軸
用の画像信号Ｓ４Ｘ′及びＹ軸用の画像信号Ｓ４Ｙ′は
それぞれ図１２（ｂ）及び（ｃ）に示されるようにな
る。これら画像データはそれぞれ１次元画像処理信号と
して処理される。
アライメントしている場合を例に取って説明すると、Ｒ
Ａ顕微鏡１９では例えば図１２（ａ）に示されているア
ライメントマーク２９Ａと基準マーク像３５ＡＲとを同
時に観察する。この図１２（ａ）において、破線で囲ま
れた撮像画面４３Ｘａ及び４３Ｙａ内の画像信号Ｓ４Ｘ
及びＳ４Ｙが、信号処理装置４１内でアナログ／デジタ
ル変換によりデジタル信号として検出される。それぞれ
の走査線上の画像データは、信号処理装置４１内で、Ｘ
軸及びＹ軸で独立に加算平均され、加算平均されたＸ軸
用の画像信号Ｓ４Ｘ′及びＹ軸用の画像信号Ｓ４Ｙ′は
それぞれ図１２（ｂ）及び（ｃ）に示されるようにな
る。これら画像データはそれぞれ１次元画像処理信号と
して処理される。
【００６８】この様にして得られた信号を信号処理装置
４１で演算処理すると、図１０のレチクル１２のマーク
像２９ＡＷと基準マーク板６の基準マーク３５ＡとのＸ
方向及びＹ方向の相対的な位置ずれＡＬ′X 及びＡＬ′
Y が求められる。そして、図１のＲＡ顕微鏡２０によ
り、マーク像３０ＡＷと基準マーク３６ＡとのＸ方向及
びＹ方向の相対的な位置ずれＡＲ′X 及びＡＲ′Y が求
められる。同様に、図１０のマーク像２９ＢＷ〜２９Ｄ
Ｗと基準マーク３５Ｂ〜３５Ｄとの相対的な位置ずれ、
及びマーク像３０ＢＷ〜３０ＤＷと基準マーク３６Ｂ〜
３６Ｄとの相対的な位置ずれが求められる。
４１で演算処理すると、図１０のレチクル１２のマーク
像２９ＡＷと基準マーク板６の基準マーク３５ＡとのＸ
方向及びＹ方向の相対的な位置ずれＡＬ′X 及びＡＬ′
Y が求められる。そして、図１のＲＡ顕微鏡２０によ
り、マーク像３０ＡＷと基準マーク３６ＡとのＸ方向及
びＹ方向の相対的な位置ずれＡＲ′X 及びＡＲ′Y が求
められる。同様に、図１０のマーク像２９ＢＷ〜２９Ｄ
Ｗと基準マーク３５Ｂ〜３５Ｄとの相対的な位置ずれ、
及びマーク像３０ＢＷ〜３０ＤＷと基準マーク３６Ｂ〜
３６Ｄとの相対的な位置ずれが求められる。
【００６９】しかし、例えば図１２（ｂ）のアライメン
トマーク２９Ａに対応する画像信号と、基準マーク像３
５ＡＲに対応する画像信号とは、それぞれレチクル側の
干渉計とウエハ側の干渉計とによって位置を制御されて
いる。従って、例えば符号Ａが付されたマーク群（図１
０の２９ＡＷ，３５Ａ，３０ＡＷ，３６Ａ）を計測して
いる際のレチクル側の干渉計の計測座標ＲｅＡｘ，Ｒｅ
Ａｙ１，ＲｅＡｙ２と、ウエハ側の干渉計の計測座標Ｗ
ａＡＸ，ＷａＡＹ１，ＷａＡＹ２とに対して、各ステー
ジの追従誤差に起因する計測誤差（＝実測値−設定値）
であるΔＲｅＡｘ，ΔＲｅＡｙ１，ΔＲｅＡｙ２と、Δ
ＷａＡＸ，ΔＷａＡＹ１，ΔＷａＡＹ２とが生ずる。こ
の計測誤差が先ほど演算により求められた相対的な位置
ずれＡＬ′X ，ＡＬ′Y に含まれている。
トマーク２９Ａに対応する画像信号と、基準マーク像３
５ＡＲに対応する画像信号とは、それぞれレチクル側の
干渉計とウエハ側の干渉計とによって位置を制御されて
いる。従って、例えば符号Ａが付されたマーク群（図１
０の２９ＡＷ，３５Ａ，３０ＡＷ，３６Ａ）を計測して
いる際のレチクル側の干渉計の計測座標ＲｅＡｘ，Ｒｅ
Ａｙ１，ＲｅＡｙ２と、ウエハ側の干渉計の計測座標Ｗ
ａＡＸ，ＷａＡＹ１，ＷａＡＹ２とに対して、各ステー
ジの追従誤差に起因する計測誤差（＝実測値−設定値）
であるΔＲｅＡｘ，ΔＲｅＡｙ１，ΔＲｅＡｙ２と、Δ
ＷａＡＸ，ΔＷａＡＹ１，ΔＷａＡＹ２とが生ずる。こ
の計測誤差が先ほど演算により求められた相対的な位置
ずれＡＬ′X ，ＡＬ′Y に含まれている。
【００７０】そこで次式のように、計測により得られた
相対的な位置ずれからそれらの誤差を差し引いた結果
が、図１０のアライメント誤差のベクトルＡＬのＸ成分
ＡＬX及びＹ成分ＡＬY となる。但し、次式において
（１／Ｍ）は投影光学系８の縮小倍率であり、ＩＬ及び
ＲＬはそれぞれ図７で説明した間隔である。
相対的な位置ずれからそれらの誤差を差し引いた結果
が、図１０のアライメント誤差のベクトルＡＬのＸ成分
ＡＬX及びＹ成分ＡＬY となる。但し、次式において
（１／Ｍ）は投影光学系８の縮小倍率であり、ＩＬ及び
ＲＬはそれぞれ図７で説明した間隔である。
【００７１】
【数１】ＡＬX＝ＡＬ′X−ΔＲｅＡｘ／Ｍ−ΔＷａＡＸ
【００７２】
【数２】ＡＬY＝ＡＬ′Y−ΔＲｅＡｙ１／Ｍ−｛（ΔＷ
ａＡＹ１＋ΔＷａＡＹ２）／２−（ΔＷａＡＹ２−ΔＷ
ａＡＹ１）・ＲＬ／ＩＬ｝
ａＡＹ１＋ΔＷａＡＹ２）／２−（ΔＷａＡＹ２−ΔＷ
ａＡＹ１）・ＲＬ／ＩＬ｝
【００７３】同様にして、図１０のアライメント誤差の
ベクトルＡＲのＸ成分ＡＲX 及びＹ成分ＡＲY も次式か
ら求められる。
ベクトルＡＲのＸ成分ＡＲX 及びＹ成分ＡＲY も次式か
ら求められる。
【００７４】
【数３】ＡＲX＝ＡＲ′X−ΔＲｅＡｘ／Ｍ−ΔＷａＡＸ
【００７５】
【数４】ＡＲY＝ＡＲ′Y−ΔＲｅＡｙ２／Ｍ−｛（ΔＷ
ａＡＹ１＋ΔＷａＡＹ２）／２−（ΔＷａＡＹ２−ΔＷ
ａＡＹ１）×ＲＬ／ＩＬ｝
ａＡＹ１＋ΔＷａＡＹ２）／２−（ΔＷａＡＹ２−ΔＷ
ａＡＹ１）×ＲＬ／ＩＬ｝
【００７６】次に、オフ・アクシス方式のアライメント
装置３４により得られる結果を補正して得られる図１０
の誤差ベクトルＡＯ〜ＤＯについて説明するが、そのた
めにそのアライメント装置３４の構成につき図１３を参
照して説明する。
装置３４により得られる結果を補正して得られる図１０
の誤差ベクトルＡＯ〜ＤＯについて説明するが、そのた
めにそのアライメント装置３４の構成につき図１３を参
照して説明する。
【００７７】図１３は、そのアライメント装置３４の構
成を示し、この図１３において、基準マーク板６上の基
準マークからの光は、偏向ミラー部４６で偏向されてハ
ーフプリズム４７に入射し、ハーフプリズム４７で反射
された光が白色光を用いた画像処理方式のアライメント
光学系（以下「ＦＩＡ光学系」という）４８に向かい、
ハーフミラーを透過した光が、ヘテロダインビームによ
り格子マークからの回折光を検出するためのアライメン
ト光学系（以下「ＬＩＡ光学系」という）５２に入射す
る。
成を示し、この図１３において、基準マーク板６上の基
準マークからの光は、偏向ミラー部４６で偏向されてハ
ーフプリズム４７に入射し、ハーフプリズム４７で反射
された光が白色光を用いた画像処理方式のアライメント
光学系（以下「ＦＩＡ光学系」という）４８に向かい、
ハーフミラーを透過した光が、ヘテロダインビームによ
り格子マークからの回折光を検出するためのアライメン
ト光学系（以下「ＬＩＡ光学系」という）５２に入射す
る。
【００７８】先ず、ＦＩＡ光学系４８側から説明する
と、照明光源４９からの照明光はＦＩＡ光学系４８を経
た後、ハーフプリズム４７及び偏向ミラー４６によって
偏向されて、基準マーク板６上の基準マークを照明す
る。その戻り光は同じ光路を辿ってＦＩＡ光学系４８に
戻り、ＦＩＡ光学系４８を通過した光がハーフプリズム
５０Ａに入射し、ハーフプリズム５０Ａを透過した光束
が２次元ＣＣＤよりなるＸ軸用の撮像素子５１Ｘの撮像
面上に基準マーク板６上の基準マーク像を結像し、ハー
フプリズム５０Ａで反射された光束が２次元ＣＣＤより
なるＹ軸用の撮像素子５１Ｙの撮像面上に基準マーク板
６上の基準マーク像を結像する。
と、照明光源４９からの照明光はＦＩＡ光学系４８を経
た後、ハーフプリズム４７及び偏向ミラー４６によって
偏向されて、基準マーク板６上の基準マークを照明す
る。その戻り光は同じ光路を辿ってＦＩＡ光学系４８に
戻り、ＦＩＡ光学系４８を通過した光がハーフプリズム
５０Ａに入射し、ハーフプリズム５０Ａを透過した光束
が２次元ＣＣＤよりなるＸ軸用の撮像素子５１Ｘの撮像
面上に基準マーク板６上の基準マーク像を結像し、ハー
フプリズム５０Ａで反射された光束が２次元ＣＣＤより
なるＹ軸用の撮像素子５１Ｙの撮像面上に基準マーク板
６上の基準マーク像を結像する。
【００７９】それぞれの撮像素子５１Ｘ及び５１Ｙの撮
像面上には、図１４（ａ）に示すような画像が結像され
る。基準マーク板６上の基準マークは格子状のパターン
の格子点であり、図１４（ａ）にはその格子状のパター
ンの像３７Ｐが投影されている。その格子状のパターン
の像３７Ｐの基準マーク板６上での格子ピッチをＰ、暗
線の幅をＬとすると、幅Ｌは格子ピッチＰよりかなり小
さく設定されている。また、その撮像面には、基準マー
ク板６の照明光とは別の照明光で照明されたＸ方向用の
参照マーク（指標マーク）像４８Ｘ１，４８Ｘ２及びＹ
方向用の指標マーク像４８Ｙ１，４８Ｙ２が結像されて
いる。それら指標マーク像の位置を基準として、基準マ
ーク板６上の基準マークの位置を検出することができ
る。
像面上には、図１４（ａ）に示すような画像が結像され
る。基準マーク板６上の基準マークは格子状のパターン
の格子点であり、図１４（ａ）にはその格子状のパター
ンの像３７Ｐが投影されている。その格子状のパターン
の像３７Ｐの基準マーク板６上での格子ピッチをＰ、暗
線の幅をＬとすると、幅Ｌは格子ピッチＰよりかなり小
さく設定されている。また、その撮像面には、基準マー
ク板６の照明光とは別の照明光で照明されたＸ方向用の
参照マーク（指標マーク）像４８Ｘ１，４８Ｘ２及びＹ
方向用の指標マーク像４８Ｙ１，４８Ｙ２が結像されて
いる。それら指標マーク像の位置を基準として、基準マ
ーク板６上の基準マークの位置を検出することができ
る。
【００８０】具体的には、図１４（ａ）の中でＸ方向と
共役な方向の撮像領域５１Ｘａ及びＹ方向と共役な方向
の撮像領域５１Ｙａが、それぞれ図１３の撮像素子５１
Ｘ及び５１Ｙで撮像される。撮像素子５１Ｘ及び５１Ｙ
の水平走査線の方向はそれぞれＸ方向及びＹ方向と共役
な方向であり、撮像素子５１Ｘ及び５１Ｙのそれぞれの
撮像信号Ｓ５Ｘ及びＳ５Ｙが図１３の信号処理装置５６
に供給される。信号処理装置５６では、撮像信号Ｓ５Ｘ
及びＳ５Ｙをそれぞれ加算平均して、図１４（ｂ）の画
像信号Ｓ５Ｘ′及び図１４（ｃ）の画像信号Ｓ５Ｙ′を
得、これら画像信号から基準マーク板６上の対象とする
基準マークの位置ずれを求める。さらに詳細な構成は、
特願平４−１６５８９号に開示されている。
共役な方向の撮像領域５１Ｘａ及びＹ方向と共役な方向
の撮像領域５１Ｙａが、それぞれ図１３の撮像素子５１
Ｘ及び５１Ｙで撮像される。撮像素子５１Ｘ及び５１Ｙ
の水平走査線の方向はそれぞれＸ方向及びＹ方向と共役
な方向であり、撮像素子５１Ｘ及び５１Ｙのそれぞれの
撮像信号Ｓ５Ｘ及びＳ５Ｙが図１３の信号処理装置５６
に供給される。信号処理装置５６では、撮像信号Ｓ５Ｘ
及びＳ５Ｙをそれぞれ加算平均して、図１４（ｂ）の画
像信号Ｓ５Ｘ′及び図１４（ｃ）の画像信号Ｓ５Ｙ′を
得、これら画像信号から基準マーク板６上の対象とする
基準マークの位置ずれを求める。さらに詳細な構成は、
特願平４−１６５８９号に開示されている。
【００８１】検出対象とする基準マークが図１０の基準
マーク３７Ａの場合に、図１４（ａ）の画像処理により
得られる、基準マーク３７Ａの参照マークに対するＸ方
向及びＹ方向の相対的な位置ずれをそれぞれＡＯ′fX及
びＡＯ′fYとする。このときの基準マーク板６の位置は
ウエハ座標系で管理されているので、その計測結果から
図７（ａ）のＺθ軸駆動ステージ４の追従誤差及び回転
誤差を引いた値が、図１０の誤差ベクトルＡＯのＸ成分
ＡＯX 及びＹ成分ＡＯY となる。但し、図１３のＦＩＡ
光学系４８に対応するＸ成分ＡＯX 及びＹ成分ＡＯY を
それぞれＡＯfX及びＡＯfYとする。即ち、次式が得られ
る。
マーク３７Ａの場合に、図１４（ａ）の画像処理により
得られる、基準マーク３７Ａの参照マークに対するＸ方
向及びＹ方向の相対的な位置ずれをそれぞれＡＯ′fX及
びＡＯ′fYとする。このときの基準マーク板６の位置は
ウエハ座標系で管理されているので、その計測結果から
図７（ａ）のＺθ軸駆動ステージ４の追従誤差及び回転
誤差を引いた値が、図１０の誤差ベクトルＡＯのＸ成分
ＡＯX 及びＹ成分ＡＯY となる。但し、図１３のＦＩＡ
光学系４８に対応するＸ成分ＡＯX 及びＹ成分ＡＯY を
それぞれＡＯfX及びＡＯfYとする。即ち、次式が得られ
る。
【００８２】
【数５】ＡＯfX＝ＡＯ′fX−（ＷａＡＯＸ−ＷａＡＸ）
【００８３】
【数６】
ＡＯfY＝ＡＯ′fY−（ＷａＡＹ１＋ＷａＡＹ２）／２
【００８４】一方、図１３のＬＩＡ光学系５２を含むア
ライメント系では、レーザ光源５３からのレーザ光が、
ＬＩＡ光学系５２、ハーフプリズム４７を透過した後、
偏向ミラー４５で偏向されて基準マーク板６上の回折格
子状の基準マークに入射する。その基準マークからの回
折光は、同じ光路を辿ってＬＩＡ光学系５２に戻り、Ｌ
ＩＡ光学系５２を通過した回折光は、ハーフプリズム５
０Ｂで２分割されてＸ方向用の受光素子５５Ｘ及びＹ方
向用の受光素子５５Ｙに入射する。
ライメント系では、レーザ光源５３からのレーザ光が、
ＬＩＡ光学系５２、ハーフプリズム４７を透過した後、
偏向ミラー４５で偏向されて基準マーク板６上の回折格
子状の基準マークに入射する。その基準マークからの回
折光は、同じ光路を辿ってＬＩＡ光学系５２に戻り、Ｌ
ＩＡ光学系５２を通過した回折光は、ハーフプリズム５
０Ｂで２分割されてＸ方向用の受光素子５５Ｘ及びＹ方
向用の受光素子５５Ｙに入射する。
【００８５】この際に、ＬＩＡ光学系５２内でレーザ光
源５３からのレーザ光は２分割され、内部の周波数シフ
ターによってそれら２つのレーザ光の周波数にはΔｆの
周波数差が与えられている。それら２つのレーザ光の干
渉光が受光素子５４で受光され、その受光素子からは周
波数Δｆの参照信号Ｓ６が出力される。また、それら２
つの周波数の異なるレーザ光（ヘテロダインビーム）が
ある適当な入射角で基準マーク板６上の回折格子状の基
準マークに照射され、その基準マークによるそれら２本
のレーザ光の±１次回折光が、平行に基準マーク板６に
対して垂直に戻るようになっている。、その±１次光の
干渉光は周波数Δｆで光強度が変化するが、位相が基準
マークのＸ座標及びＹ座標に応じて変化する。そして、
受光素子５５Ｘからは、基準マークのＸ座標に応じて位
相が変化している周波数Δｆのビート信号Ｓ７Ｘが出力
され、受光素子５５Ｙからは、基準マークのＹ座標に応
じて位相が変化している周波数Δｆのビート信号Ｓ７Ｙ
が出力され、参照信号Ｓ６及びビート信号Ｓ７Ｘ，Ｓ７
Ｙは信号処理装置５６に供給されている。
源５３からのレーザ光は２分割され、内部の周波数シフ
ターによってそれら２つのレーザ光の周波数にはΔｆの
周波数差が与えられている。それら２つのレーザ光の干
渉光が受光素子５４で受光され、その受光素子からは周
波数Δｆの参照信号Ｓ６が出力される。また、それら２
つの周波数の異なるレーザ光（ヘテロダインビーム）が
ある適当な入射角で基準マーク板６上の回折格子状の基
準マークに照射され、その基準マークによるそれら２本
のレーザ光の±１次回折光が、平行に基準マーク板６に
対して垂直に戻るようになっている。、その±１次光の
干渉光は周波数Δｆで光強度が変化するが、位相が基準
マークのＸ座標及びＹ座標に応じて変化する。そして、
受光素子５５Ｘからは、基準マークのＸ座標に応じて位
相が変化している周波数Δｆのビート信号Ｓ７Ｘが出力
され、受光素子５５Ｙからは、基準マークのＹ座標に応
じて位相が変化している周波数Δｆのビート信号Ｓ７Ｙ
が出力され、参照信号Ｓ６及びビート信号Ｓ７Ｘ，Ｓ７
Ｙは信号処理装置５６に供給されている。
【００８６】検出対象の基準マークを図１０の基準マー
ク３７Ａとすると、図１３の信号処理装置５６は、図１
４（ｄ）に示すように、参照信号Ｓ６とビート信号Ｓ７
Ｘとの位相差ΔφX より、基準マーク３７ＡのＸ方向の
位置ずれＡＯ′LXを求め、図１４（ｅ）に示すように、
参照信号Ｓ６とビート信号Ｓ７Ｘとの位相差ΔφY よ
り、基準マーク３７ＡのＹ方向の位置ずれＡＯ′LXを求
める。この計測結果から図７（ａ）のＺθ軸駆動ステー
ジ４の追従誤差及び回転誤差を引いた値が、図１０の誤
差ベクトルＡＯのＸ成分ＡＯX 及びＹ成分ＡＯY とな
る。但し、図１３のＬＩＡ光学系５２に対応するＸ成分
ＡＯX 及びＹ成分ＡＯY をそれぞれＡＯLX及びＡＯLYと
する。即ち、次式が得られる。
ク３７Ａとすると、図１３の信号処理装置５６は、図１
４（ｄ）に示すように、参照信号Ｓ６とビート信号Ｓ７
Ｘとの位相差ΔφX より、基準マーク３７ＡのＸ方向の
位置ずれＡＯ′LXを求め、図１４（ｅ）に示すように、
参照信号Ｓ６とビート信号Ｓ７Ｘとの位相差ΔφY よ
り、基準マーク３７ＡのＹ方向の位置ずれＡＯ′LXを求
める。この計測結果から図７（ａ）のＺθ軸駆動ステー
ジ４の追従誤差及び回転誤差を引いた値が、図１０の誤
差ベクトルＡＯのＸ成分ＡＯX 及びＹ成分ＡＯY とな
る。但し、図１３のＬＩＡ光学系５２に対応するＸ成分
ＡＯX 及びＹ成分ＡＯY をそれぞれＡＯLX及びＡＯLYと
する。即ち、次式が得られる。
【００８７】
【数７】ＡＯLX＝ＡＯ′LX−（ＷａＡＯＸ−ＷａＡＸ）
【００８８】
【数８】
ＡＯLY＝ＡＯ′LY−（ＷａＡＹ１＋ＷａＡＹ２）／２
【００８９】以上の様にして、図１０の符号Ａが付され
たマーク群の位置でアライメントを行うと、ＡＬX 、Ａ
ＬY 、ＡＲX 、ＡＲY 、ＡＯfX、ＡＯfY、ＡＯLX、ＡＯ
LYの８個のデータが計測される。この様なシーケンスで
符号Ａが付されたマーク群〜符号Ｄが付されたマーク群
までの計測を行うことによって、３２個（＝８×４）の
データが求められる。これら３２個のデータの内で、Ｒ
Ａ顕微鏡１９及び２０により得られたデータを実測デー
タＤxn，Ｄynとして記憶し、オフ・アクシス方式のアラ
イメント装置３４により得られたデータを実測データＡ
xn，Ａynとして記憶する。その後、動作は図２のステッ
プ１１１に移行する。
たマーク群の位置でアライメントを行うと、ＡＬX 、Ａ
ＬY 、ＡＲX 、ＡＲY 、ＡＯfX、ＡＯfY、ＡＯLX、ＡＯ
LYの８個のデータが計測される。この様なシーケンスで
符号Ａが付されたマーク群〜符号Ｄが付されたマーク群
までの計測を行うことによって、３２個（＝８×４）の
データが求められる。これら３２個のデータの内で、Ｒ
Ａ顕微鏡１９及び２０により得られたデータを実測デー
タＤxn，Ｄynとして記憶し、オフ・アクシス方式のアラ
イメント装置３４により得られたデータを実測データＡ
xn，Ａynとして記憶する。その後、動作は図２のステッ
プ１１１に移行する。
【００９０】図２のステップ１１１において、ＲＡ顕微
鏡１９，２０に対応する実測データＤxn，Ｄynに対し
て、実際にレチクル座標系とウエハ座標系とを線形誤差
のみで変換できるようにした座標系での、ｘ方向及びｙ
方向の座標をＦxn及びＦynとすると、これらの関係は以
下の様になる。
鏡１９，２０に対応する実測データＤxn，Ｄynに対し
て、実際にレチクル座標系とウエハ座標系とを線形誤差
のみで変換できるようにした座標系での、ｘ方向及びｙ
方向の座標をＦxn及びＦynとすると、これらの関係は以
下の様になる。
【００９１】
【数９】
【００９２】また、ｘ方向及びｙ方向の非線形誤差をε
xn及びεynとすると、次式が成立する。
xn及びεynとすると、次式が成立する。
【００９３】
【数１０】
【００９４】そして、これら非線形誤差（εxn，εyn）
が最小となる様に最小自乗近似を用いて、（数９）の６
つのパラメータＲｘ，Ｒｙ，θ，ω，Ｏｘ，Ｏｙの値を
算出する。ここでｘ方向のスケーリングパラメータＲｘ
はレチクル１２と基準マーク板６とのｘ方向の倍率誤差
を示し、スケーリングパラメータＲｙはレチクル座標系
とウエハ座標系との走査方向（ｙ方向）のスケーリング
誤差を示す。また、角度パラメータθはレチクル１２と
基準マーク板６と回転誤差、角度パラメータωはレチク
ル座標系とウエハ座標系との走査方向の平行度、オフセ
ットパラメータＯｘ及びＯｙは両者のｘ方向及びｙ方向
のオフセット値をそれぞれ示す。
が最小となる様に最小自乗近似を用いて、（数９）の６
つのパラメータＲｘ，Ｒｙ，θ，ω，Ｏｘ，Ｏｙの値を
算出する。ここでｘ方向のスケーリングパラメータＲｘ
はレチクル１２と基準マーク板６とのｘ方向の倍率誤差
を示し、スケーリングパラメータＲｙはレチクル座標系
とウエハ座標系との走査方向（ｙ方向）のスケーリング
誤差を示す。また、角度パラメータθはレチクル１２と
基準マーク板６と回転誤差、角度パラメータωはレチク
ル座標系とウエハ座標系との走査方向の平行度、オフセ
ットパラメータＯｘ及びＯｙは両者のｘ方向及びｙ方向
のオフセット値をそれぞれ示す。
【００９５】次に、図２のステップ１１２及び１１３に
おいて、ベースライン量を求める。この場合、オフ・ア
クシス方式のアライメント装置３４で計測されたデータ
Ａxn及びＡynの平均値をそれぞれ〈Ａｘ〉及び〈Ａｙ〉
として、ベースライン量計測時のオフセットは（〈Ａ
ｘ〉−Ｏｘ，〈Ａｙ〉−Ｏｙ）となる。従って、アライ
メント時には、図７（ａ）のレーザービームＬＷＸを用
いる干渉計（以下、「露光用干渉計ＬＷＸ」とも呼ぶ）
からレーザービームＬＷOFを用いる干渉計（以下、「オ
フ・アクシス専用干渉計ＬＷOF」とも呼ぶ）に制御を切
り換え、図１３のＦＩＡ光学系４８を使用する場合に
は、計測されたデータＡxn及びＡynの平均値をそれぞれ
〈Ａｆｘ〉及び〈Ａｆｙ〉とする。そして、オフセット
（〈Ａｆｘ〉−Ｏｘ，〈Ａｆｙ〉−Ｏｙ）のオフセット
を図７（ａ）のレーザービームＬＷＹ１，ＬＷＹ２，Ｌ
ＷOFに対応する干渉計の計測値に持たせてアライメント
処理を行えばよい。一方、図１３のＬＩＡ光学系５２を
使用する場合には、計測されたデータＡxn及びＡynの平
均値をそれぞれ〈ＡＬｘ〉及び〈ＡＬｙ〉とする。そし
て、干渉計の計測値に（〈ＡＬｘ〉−Ｏｘ，〈ＡＬｙ〉
−Ｏｙ）のオフセットをもたせれば良い。
おいて、ベースライン量を求める。この場合、オフ・ア
クシス方式のアライメント装置３４で計測されたデータ
Ａxn及びＡynの平均値をそれぞれ〈Ａｘ〉及び〈Ａｙ〉
として、ベースライン量計測時のオフセットは（〈Ａ
ｘ〉−Ｏｘ，〈Ａｙ〉−Ｏｙ）となる。従って、アライ
メント時には、図７（ａ）のレーザービームＬＷＸを用
いる干渉計（以下、「露光用干渉計ＬＷＸ」とも呼ぶ）
からレーザービームＬＷOFを用いる干渉計（以下、「オ
フ・アクシス専用干渉計ＬＷOF」とも呼ぶ）に制御を切
り換え、図１３のＦＩＡ光学系４８を使用する場合に
は、計測されたデータＡxn及びＡynの平均値をそれぞれ
〈Ａｆｘ〉及び〈Ａｆｙ〉とする。そして、オフセット
（〈Ａｆｘ〉−Ｏｘ，〈Ａｆｙ〉−Ｏｙ）のオフセット
を図７（ａ）のレーザービームＬＷＹ１，ＬＷＹ２，Ｌ
ＷOFに対応する干渉計の計測値に持たせてアライメント
処理を行えばよい。一方、図１３のＬＩＡ光学系５２を
使用する場合には、計測されたデータＡxn及びＡynの平
均値をそれぞれ〈ＡＬｘ〉及び〈ＡＬｙ〉とする。そし
て、干渉計の計測値に（〈ＡＬｘ〉−Ｏｘ，〈ＡＬｙ〉
−Ｏｙ）のオフセットをもたせれば良い。
【００９６】なお、以上の補正方式は、ステージ座標系
の基準座標系を基準マーク板６上の基準マークに基づい
て設定することを意味している。この場合には、言い換
えると、例えば基準マーク板６上の基準マーク３７Ａ〜
３７Ｄを通る軸が基準軸となり、この基準軸上で露光用
干渉計ＬＷＸの読み値を０とした場合の、この基準軸上
でのオフ・アクシス専用干渉計ＬＷOFの読み値（ヨーイ
ング値）が求められる。そして、露光時には、露光用干
渉計ＬＷＸの読み値と、オフ・アクシス専用干渉計ＬＷ
OFの実際の読み値にそのヨーイング値の補正を行った結
果とを、それぞれ「受渡し用の干渉計値」として、この
受渡し用の干渉計値に基づいてウエハ５の位置合わせを
行うものである。
の基準座標系を基準マーク板６上の基準マークに基づい
て設定することを意味している。この場合には、言い換
えると、例えば基準マーク板６上の基準マーク３７Ａ〜
３７Ｄを通る軸が基準軸となり、この基準軸上で露光用
干渉計ＬＷＸの読み値を０とした場合の、この基準軸上
でのオフ・アクシス専用干渉計ＬＷOFの読み値（ヨーイ
ング値）が求められる。そして、露光時には、露光用干
渉計ＬＷＸの読み値と、オフ・アクシス専用干渉計ＬＷ
OFの実際の読み値にそのヨーイング値の補正を行った結
果とを、それぞれ「受渡し用の干渉計値」として、この
受渡し用の干渉計値に基づいてウエハ５の位置合わせを
行うものである。
【００９７】これに対して、例えば図７（ａ）におい
て、ステージ座標系の基準軸をＸ軸用の移動鏡７Ｘとす
る方法を使用してもよい。この場合には、先ず図７
（ａ）の状態で、露光用干渉計ＬＷＸの読み値、及びオ
フ・アクシス専用干渉計ＬＷOFの読み値を同時にリセッ
ト（０に）し、以後の露光時には受渡し用の干渉計値を
用いることなく計測値そのものを使用する。一方、アラ
イメント時には、例えば基準マーク板６上の基準マーク
３７Ａ〜３７Ｄを通る基準軸の移動鏡７Ｘに対する傾斜
角θXFを求め、レーザビームＬＷＸとＬＷOFとの間隔Ｉ
Ｌを用いて、オフ・アクシス専用干渉計ＬＷOFの読み値
にＩＬ・θXFの補正を行って得た値を用いる。これによ
り、通常の露光時には露光用干渉計ＬＷＸの読み値、及
びオフ・アクシス専用干渉計ＬＷOFの読み値をそのまま
使用できるようになる。
て、ステージ座標系の基準軸をＸ軸用の移動鏡７Ｘとす
る方法を使用してもよい。この場合には、先ず図７
（ａ）の状態で、露光用干渉計ＬＷＸの読み値、及びオ
フ・アクシス専用干渉計ＬＷOFの読み値を同時にリセッ
ト（０に）し、以後の露光時には受渡し用の干渉計値を
用いることなく計測値そのものを使用する。一方、アラ
イメント時には、例えば基準マーク板６上の基準マーク
３７Ａ〜３７Ｄを通る基準軸の移動鏡７Ｘに対する傾斜
角θXFを求め、レーザビームＬＷＸとＬＷOFとの間隔Ｉ
Ｌを用いて、オフ・アクシス専用干渉計ＬＷOFの読み値
にＩＬ・θXFの補正を行って得た値を用いる。これによ
り、通常の露光時には露光用干渉計ＬＷＸの読み値、及
びオフ・アクシス専用干渉計ＬＷOFの読み値をそのまま
使用できるようになる。
【００９８】次に、計測データＤxn，Ｄynは、ウエハ座
標系とレチクル座標系との相対誤差のみを表しているの
で、ウエハ座標系基準で最小自乗近似計算を行った場合
は、求められたパラメータＲｘ，Ｒｙ，θ，ω，Ｏｘ，
Ｏｙはすべてウエハ座標系を基準としたレチクル座標系
の線形誤差で表される。そこで、レチクル座標系のｘ座
標及びｙ座標をそれぞれｒxn′及びｒyn′とすると、ウ
エハ座標系の動きに応じて次式から求められた新座標
（ｒxn，ｒyn）に基づいてレチクルを駆動すれば良い。
標系とレチクル座標系との相対誤差のみを表しているの
で、ウエハ座標系基準で最小自乗近似計算を行った場合
は、求められたパラメータＲｘ，Ｒｙ，θ，ω，Ｏｘ，
Ｏｙはすべてウエハ座標系を基準としたレチクル座標系
の線形誤差で表される。そこで、レチクル座標系のｘ座
標及びｙ座標をそれぞれｒxn′及びｒyn′とすると、ウ
エハ座標系の動きに応じて次式から求められた新座標
（ｒxn，ｒyn）に基づいてレチクルを駆動すれば良い。
【００９９】
【数１１】
【０１００】この処理では、既にオフセットＯｘ，Ｏｙ
の補正がレチクル側でなされているので、ベースライン
量としては（〈Ａｘ〉，〈Ａｙ〉）のオフセットを補正
するのみでよい。また、レチクル座標系を基準とした場
合は、すべて逆の結果となり、ウエハ座標系で補正する
ことも可能である。またこれらの補正はラフアライメン
ト時はウエハ座標系で補正し、ファインアライメント時
はレチクル座標系で行う等の様に分けて制御してもかま
わない。
の補正がレチクル側でなされているので、ベースライン
量としては（〈Ａｘ〉，〈Ａｙ〉）のオフセットを補正
するのみでよい。また、レチクル座標系を基準とした場
合は、すべて逆の結果となり、ウエハ座標系で補正する
ことも可能である。またこれらの補正はラフアライメン
ト時はウエハ座標系で補正し、ファインアライメント時
はレチクル座標系で行う等の様に分けて制御してもかま
わない。
【０１０１】以上の様に本実施例によれば、１回のレチ
クルアライメント時に、複数のマークを利用してレチク
ルアライメント及びベースライン量のチェックを行うの
で、レチクルの描写誤差と、レチクル及びウエハの位置
合わせ誤差とを平均化する事が可能となり、アライメン
ト精度が向上する。更に、これらの工程をすべて同時に
行うのでスループットも向上する。更に、非走査方向
（Ｘ方向）において複数の基準マークを同時に計測でき
る基準マーク板６を採用している為に、干渉計の光路の
空気揺らぎによる誤差が生じない。
クルアライメント時に、複数のマークを利用してレチク
ルアライメント及びベースライン量のチェックを行うの
で、レチクルの描写誤差と、レチクル及びウエハの位置
合わせ誤差とを平均化する事が可能となり、アライメン
ト精度が向上する。更に、これらの工程をすべて同時に
行うのでスループットも向上する。更に、非走査方向
（Ｘ方向）において複数の基準マークを同時に計測でき
る基準マーク板６を採用している為に、干渉計の光路の
空気揺らぎによる誤差が生じない。
【０１０２】しかしながら、走査方向には基準マーク板
６がステップ的に移動するので空気揺らぎによる影響が
考えられる。その為ベースライン量のチェック時に、図
１３のＬＩＡ光学系５２を用いた処理を行う際に、受光
素子５５Ｘ及び５５Ｙの出力値を用いてウエハステージ
（Ｚθ軸駆動ステージ４等）の位置をロックして、レチ
クルアライメント及びベースライン量のチェックを行え
ば、空気揺らぎの影響は最小限に抑えられる。また、本
例のレチクルマークはレチクル１２の４隅部の計８箇所
に配置されている。これはレチクル座標系とウエハ座標
系との対応関係を調べる為に、オフセットのみでなく、
パラメータＲｘ，Ｒｙ，θ，ωが必要であり、４隅にマ
ークを配置した方がパラメータＲｙ，θ，ωの決定には
有利である事による。更に、発光性の基準マーク板６を
用いる場合は、発光部に制限があり、基準マーク板６上
の全面を発光させることが難しい為である。
６がステップ的に移動するので空気揺らぎによる影響が
考えられる。その為ベースライン量のチェック時に、図
１３のＬＩＡ光学系５２を用いた処理を行う際に、受光
素子５５Ｘ及び５５Ｙの出力値を用いてウエハステージ
（Ｚθ軸駆動ステージ４等）の位置をロックして、レチ
クルアライメント及びベースライン量のチェックを行え
ば、空気揺らぎの影響は最小限に抑えられる。また、本
例のレチクルマークはレチクル１２の４隅部の計８箇所
に配置されている。これはレチクル座標系とウエハ座標
系との対応関係を調べる為に、オフセットのみでなく、
パラメータＲｘ，Ｒｙ，θ，ωが必要であり、４隅にマ
ークを配置した方がパラメータＲｙ，θ，ωの決定には
有利である事による。更に、発光性の基準マーク板６を
用いる場合は、発光部に制限があり、基準マーク板６上
の全面を発光させることが難しい為である。
【０１０３】また、レチクル１２上のレチクルマーク数
をｎとすると、オフセットパラメータＯｘ，Ｏｙは１／
ｎ1/2 に平均化され、他のパラメータの誤差も小さくな
る。従って、レチクルマーク数ｎを増加する程誤差は小
さくなる。以下に、レチクルマーク数ｎとパラメータの
誤差及びベースライン量の誤差との関係をシミュレーシ
ョンした結果を示す。以下では（数１１）の新座標系で
の４隅でのばらつきを、標準偏差σの３倍で且つ単位
［ｎｍ］で表す。
をｎとすると、オフセットパラメータＯｘ，Ｏｙは１／
ｎ1/2 に平均化され、他のパラメータの誤差も小さくな
る。従って、レチクルマーク数ｎを増加する程誤差は小
さくなる。以下に、レチクルマーク数ｎとパラメータの
誤差及びベースライン量の誤差との関係をシミュレーシ
ョンした結果を示す。以下では（数１１）の新座標系で
の４隅でのばらつきを、標準偏差σの３倍で且つ単位
［ｎｍ］で表す。
【０１０４】
【表１】
【０１０５】以上よりレチクルマーク数ｎを８個とする
ことにより、レチクル描画誤差を５０ｎｍ、ステージの
ステッピング誤差を１０ｎｍとしても、レチクルアライ
メント及びベースライン量のチェックの精度を１０ｎｍ
以下にできることが分かる。即ち、発光性の基準マーク
板６の制限以内で処理速度を早くして、レチクルマーク
数ｎを多くとっていけば、より精度を向上させる事も可
能となる。
ことにより、レチクル描画誤差を５０ｎｍ、ステージの
ステッピング誤差を１０ｎｍとしても、レチクルアライ
メント及びベースライン量のチェックの精度を１０ｎｍ
以下にできることが分かる。即ち、発光性の基準マーク
板６の制限以内で処理速度を早くして、レチクルマーク
数ｎを多くとっていけば、より精度を向上させる事も可
能となる。
【０１０６】この際に基準マーク板６上のパターニング
誤差及び投影光学系８のディストーション誤差が新座標
系の中に誤差として残るが、これらは変動がほとんどな
いので、装置調整時に露光結果を参照データと比較し
て、得られた誤差をシステムオフセットとして取り除け
ば問題はない。なお、上述実施例では、図８（ｃ）に示
すように、基準マーク板６上に基準マーク３５Ａ〜３５
Ｄが複数個設けられ、基準マーク３７Ａ〜３７Ｄも複数
個設けられている。しかしながら、例えば１個の基準マ
ーク３５Ａ及び１個の基準マーク３７Ａのみを使用して
も、レチクル１２だけを走査して計測結果を平均化する
ことにより、レチクル１２上のパターンの描画誤差の影
響を低減できる。
誤差及び投影光学系８のディストーション誤差が新座標
系の中に誤差として残るが、これらは変動がほとんどな
いので、装置調整時に露光結果を参照データと比較し
て、得られた誤差をシステムオフセットとして取り除け
ば問題はない。なお、上述実施例では、図８（ｃ）に示
すように、基準マーク板６上に基準マーク３５Ａ〜３５
Ｄが複数個設けられ、基準マーク３７Ａ〜３７Ｄも複数
個設けられている。しかしながら、例えば１個の基準マ
ーク３５Ａ及び１個の基準マーク３７Ａのみを使用して
も、レチクル１２だけを走査して計測結果を平均化する
ことにより、レチクル１２上のパターンの描画誤差の影
響を低減できる。
【０１０７】次に、本発明の第２実施例につき、図１５
及び図１６のフローチャートを参照して説明する。これ
に関して、上述の第１実施例のレチクルアライメントモ
ードはレチクル上の４組のファインアライメントマーク
２９Ａ〜２９Ｄ、３０Ａ〜３０Ｄを使用して、ファイン
のレチクルアライメントを行うものであった。しかしな
がら、第１実施例の方法により１度ファインのレチクル
アライメントが行われた後は、スキャン方向のスケーリ
ング誤差、又はスキャン方向のレチクル座標系とウエハ
座標系との平行度が小さい場合等には、１組のファイン
アライメントマークを使ってレチクルアライメントやベ
ースライン計測を行うようにしてもよい。このように１
組のファインアライメントマークを使って非スキャン方
向の倍率（Ｒｘ）計測、ローテーション（θ）計測、及
びベースライン計測の３項目に対する計測を実施するア
ライメントモードを「クイックモード」と呼ぶ。このク
イックモードは、更にレチクル１２上のファインアライ
メントマーク２９Ａ〜３０Ｄの描画誤差が小さいことが
予め分かっている場合にも、適用することができる。
及び図１６のフローチャートを参照して説明する。これ
に関して、上述の第１実施例のレチクルアライメントモ
ードはレチクル上の４組のファインアライメントマーク
２９Ａ〜２９Ｄ、３０Ａ〜３０Ｄを使用して、ファイン
のレチクルアライメントを行うものであった。しかしな
がら、第１実施例の方法により１度ファインのレチクル
アライメントが行われた後は、スキャン方向のスケーリ
ング誤差、又はスキャン方向のレチクル座標系とウエハ
座標系との平行度が小さい場合等には、１組のファイン
アライメントマークを使ってレチクルアライメントやベ
ースライン計測を行うようにしてもよい。このように１
組のファインアライメントマークを使って非スキャン方
向の倍率（Ｒｘ）計測、ローテーション（θ）計測、及
びベースライン計測の３項目に対する計測を実施するア
ライメントモードを「クイックモード」と呼ぶ。このク
イックモードは、更にレチクル１２上のファインアライ
メントマーク２９Ａ〜３０Ｄの描画誤差が小さいことが
予め分かっている場合にも、適用することができる。
【０１０８】このクイックモードでは、例えば、レチク
ル１２上の１組のファインアライメントマーク２９Ａ、
３０Ａと、基準マーク板６上の１組の基準マーク３５
Ａ、３６Ａと、基準マーク板６上の１つの基準マーク３
７Ａとを使って、非スキャン方向の倍率（Ｒｘ）計測、
ローテーション（θ）計測、及びベースライン計測の３
項目に対する計測を実施する。但し、このクイックモー
ドの場合、１組のファインアライメントマーク２９Ａ、
３０Ａの描画誤差を補正するためには、ファインアライ
メントシーケンスで求めた、マーク２９Ａ、３０Ａの描
画誤差を記憶しておく必要がある。
ル１２上の１組のファインアライメントマーク２９Ａ、
３０Ａと、基準マーク板６上の１組の基準マーク３５
Ａ、３６Ａと、基準マーク板６上の１つの基準マーク３
７Ａとを使って、非スキャン方向の倍率（Ｒｘ）計測、
ローテーション（θ）計測、及びベースライン計測の３
項目に対する計測を実施する。但し、このクイックモー
ドの場合、１組のファインアライメントマーク２９Ａ、
３０Ａの描画誤差を補正するためには、ファインアライ
メントシーケンスで求めた、マーク２９Ａ、３０Ａの描
画誤差を記憶しておく必要がある。
【０１０９】この第２実施例の動作を図１５及び図１６
を参照して説明する。図１５及び図１６の動作は、図２
の動作にクイックモードを加えた動作であり、ファイン
モードとクィックモードとが切り換え可能となってい
る。図１５のステップにおいて、図２のステップに対応
するステップには同一符号を付してその詳細説明を省略
する。
を参照して説明する。図１５及び図１６の動作は、図２
の動作にクイックモードを加えた動作であり、ファイン
モードとクィックモードとが切り換え可能となってい
る。図１５のステップにおいて、図２のステップに対応
するステップには同一符号を付してその詳細説明を省略
する。
【０１１０】図１５において、ステップ１０１〜１０４
については図２の場合と同様に、レチクルホルダー上に
レチクル１２を載置し、ラフサーチ用アライメントマー
ク２７及び２８の位置をそれぞれＲＡ顕微鏡１９及び２
０にて検出する。次に、ステップ１１５でファインモー
ドとクイックモードとのどちらか一方を選択する。この
選択結果は予め図１のキーボード２２Ｃを介してオペレ
ータから指示されている。但し、不図示のバーコード・
リーダによりレチクル１２のパターン情報等を読み取
り、この結果に基づいて主制御系２２Ａが自動的にアラ
イメントモードを選択するようにしてもよい。
については図２の場合と同様に、レチクルホルダー上に
レチクル１２を載置し、ラフサーチ用アライメントマー
ク２７及び２８の位置をそれぞれＲＡ顕微鏡１９及び２
０にて検出する。次に、ステップ１１５でファインモー
ドとクイックモードとのどちらか一方を選択する。この
選択結果は予め図１のキーボード２２Ｃを介してオペレ
ータから指示されている。但し、不図示のバーコード・
リーダによりレチクル１２のパターン情報等を読み取
り、この結果に基づいて主制御系２２Ａが自動的にアラ
イメントモードを選択するようにしてもよい。
【０１１１】ファインモードが選択されると、図１５の
ステップ１０５〜１１３が実行され、前述の如く複数の
ファインアライメントマークと複数の基準マークとを使
ったレチクルアライメント及びファインアライメントの
計測結果を使ったベースライン計測が実行される。そし
て、ステップ１１４で、レチクル１２上の新座標系上に
おいて、本来の位置に対する実際のファインアライメン
トマーク２９Ａ及び３０Ａの位置の描画誤差（以下、
「マーク誤差」という）を求め、そのマーク誤差を主制
御系２２Ａ内の記憶部に記憶する。マーク誤差を求める
際には、ステップ１１３で求めた関係（変換パラメー
タ）より、ウエハ座標系を基準としてレチクル座標系を
求め、このレチクル座標系上でファインアライメントマ
ーク２９Ａ〜２９Ｄ，３０Ａ〜３０Ｄの設計上の座標値
に対する計測された座標値の非線形誤差を求める。この
非線形誤差がマーク誤差となる。このようにして、ファ
インアライメント時に、ステップ１１２、１１３の結果
からレチクル上の新座標系上でのマーク誤差を記憶して
おく。また、レチクル描画誤差を予め計測してある場合
は、オペレータが描画誤差を直接入力してもよい。描画
誤差に線形成分が含まれる時は特に効果が大きい。
ステップ１０５〜１１３が実行され、前述の如く複数の
ファインアライメントマークと複数の基準マークとを使
ったレチクルアライメント及びファインアライメントの
計測結果を使ったベースライン計測が実行される。そし
て、ステップ１１４で、レチクル１２上の新座標系上に
おいて、本来の位置に対する実際のファインアライメン
トマーク２９Ａ及び３０Ａの位置の描画誤差（以下、
「マーク誤差」という）を求め、そのマーク誤差を主制
御系２２Ａ内の記憶部に記憶する。マーク誤差を求める
際には、ステップ１１３で求めた関係（変換パラメー
タ）より、ウエハ座標系を基準としてレチクル座標系を
求め、このレチクル座標系上でファインアライメントマ
ーク２９Ａ〜２９Ｄ，３０Ａ〜３０Ｄの設計上の座標値
に対する計測された座標値の非線形誤差を求める。この
非線形誤差がマーク誤差となる。このようにして、ファ
インアライメント時に、ステップ１１２、１１３の結果
からレチクル上の新座標系上でのマーク誤差を記憶して
おく。また、レチクル描画誤差を予め計測してある場合
は、オペレータが描画誤差を直接入力してもよい。描画
誤差に線形成分が含まれる時は特に効果が大きい。
【０１１２】一方、ステップ１１５でクイックモードが
選択されると、動作は図１６のステップ１１６に移行す
る。そしてステップ１１６〜１１８において、図１５の
ステップ１０５〜１０７と同じ動作を実行する。即ち、
クイックモードでレチクル１２上の１対のファインアラ
イメントマーク３０Ａ，２９Ａ、及び基準マーク板６上
の１対の基準マーク３６Ａ，３５Ａの像をＲＡ顕微鏡に
より観察し、オフ・アクシス方式のアライメント装置３
４によって１個の基準マーク３７Ａを検出する。また、
ステップ１１９の後半で、ＲＡ顕微鏡で観察したマー
ク、及びオフ・アクシス方式のアライメント装置３４で
検出したマークの位置を求める。その後、ステップ１１
９において、レチクル１２上のファインアライメントマ
ーク３０Ａ，２９Ａの検出された位置に対して、図１５
のステップ１１４で求めたマーク誤差の補正を行う。こ
れにより、クイックモードで計測するマークの個数は少
なくとも、レチクル１２上のパターン描画誤差は第１実
施例のファインアライメントモードの場合とほぼ同程度
に補正できる。
選択されると、動作は図１６のステップ１１６に移行す
る。そしてステップ１１６〜１１８において、図１５の
ステップ１０５〜１０７と同じ動作を実行する。即ち、
クイックモードでレチクル１２上の１対のファインアラ
イメントマーク３０Ａ，２９Ａ、及び基準マーク板６上
の１対の基準マーク３６Ａ，３５Ａの像をＲＡ顕微鏡に
より観察し、オフ・アクシス方式のアライメント装置３
４によって１個の基準マーク３７Ａを検出する。また、
ステップ１１９の後半で、ＲＡ顕微鏡で観察したマー
ク、及びオフ・アクシス方式のアライメント装置３４で
検出したマークの位置を求める。その後、ステップ１１
９において、レチクル１２上のファインアライメントマ
ーク３０Ａ，２９Ａの検出された位置に対して、図１５
のステップ１１４で求めたマーク誤差の補正を行う。こ
れにより、クイックモードで計測するマークの個数は少
なくとも、レチクル１２上のパターン描画誤差は第１実
施例のファインアライメントモードの場合とほぼ同程度
に補正できる。
【０１１３】次に、ステップ１２０において、ステップ
１１９での補正により得られた各マークの位置に基づい
て、（数９）の６個の変換パラメータ（Ｒｘ，Ｒｙ，
θ，ω，Ｏｘ，Ｏｙ）の内の、非スキャン方向の倍率誤
差Ｒｘ、ローテーションθ、及びオフセットＯｘ，Ｏｙ
を求める。具体的には、図８（ａ）及び（ｃ）に示すよ
うに、実測した基準マーク３５Ａ，３６ＡのＸ方向（非
スキャン方向）のマーク間隔と、マーク像２９ＡＷ，３
０ＡＷのＸ方向の間隔との差から非スキャン方向の倍率
誤差Ｒｘを求める。更に、基準マーク３５Ａ，３６Ａの
Ｙ方向（スキャン方向）の位置ずれと、マーク像２９Ａ
Ｗ，３０ＡＷのＹ方向の位置ずれとの差、及びマーク間
隔からローテーションθを求める。また、オフセットＯ
ｘ，Ｏｙは基準マークとレチクルのマーク像との平均的
な位置ずれ量から求められる。
１１９での補正により得られた各マークの位置に基づい
て、（数９）の６個の変換パラメータ（Ｒｘ，Ｒｙ，
θ，ω，Ｏｘ，Ｏｙ）の内の、非スキャン方向の倍率誤
差Ｒｘ、ローテーションθ、及びオフセットＯｘ，Ｏｙ
を求める。具体的には、図８（ａ）及び（ｃ）に示すよ
うに、実測した基準マーク３５Ａ，３６ＡのＸ方向（非
スキャン方向）のマーク間隔と、マーク像２９ＡＷ，３
０ＡＷのＸ方向の間隔との差から非スキャン方向の倍率
誤差Ｒｘを求める。更に、基準マーク３５Ａ，３６Ａの
Ｙ方向（スキャン方向）の位置ずれと、マーク像２９Ａ
Ｗ，３０ＡＷのＹ方向の位置ずれとの差、及びマーク間
隔からローテーションθを求める。また、オフセットＯ
ｘ，Ｏｙは基準マークとレチクルのマーク像との平均的
な位置ずれ量から求められる。
【０１１４】なお、このクイックモードでは、計測対象
とするマークはレチクル側と基準マーク板６側とで２個
ずつであるため、（数９）の６個の変換パラメータの内
の４個の変換パラメータしか決めることができない。そ
こで、上述のように４個の変換パラメータの値を求めて
いる。なお、例えば図４のＹ方向に並んだ２個のファイ
ンアライメントマーク２９Ａ，２９Ｄ、及び図８（ｃ）
の２個の基準マーク３５Ａ，３５Ｄを計測対象と選択す
ることにより、走査方向の倍率誤差Ｒｙを求めることが
できる。
とするマークはレチクル側と基準マーク板６側とで２個
ずつであるため、（数９）の６個の変換パラメータの内
の４個の変換パラメータしか決めることができない。そ
こで、上述のように４個の変換パラメータの値を求めて
いる。なお、例えば図４のＹ方向に並んだ２個のファイ
ンアライメントマーク２９Ａ，２９Ｄ、及び図８（ｃ）
の２個の基準マーク３５Ａ，３５Ｄを計測対象と選択す
ることにより、走査方向の倍率誤差Ｒｙを求めることが
できる。
【０１１５】そして、ステップ１２０で求められた非ス
キャン方向の倍率誤差Ｒｘ、ローテーションθ、及びオ
フセットＯｘ，Ｏｙに基づいてレチクルアライメントが
行われる。なお、倍率誤差の計測は、各マークの設計値
に対する各マークの計測値のずれ分に対応する倍率誤差
を予めテーブルとして用意しておき、各マークの設計値
に対する各マークの計測値のずれ分をそのテーブルに当
てはめて倍率誤差を求めるようにしてもよい。
キャン方向の倍率誤差Ｒｘ、ローテーションθ、及びオ
フセットＯｘ，Ｏｙに基づいてレチクルアライメントが
行われる。なお、倍率誤差の計測は、各マークの設計値
に対する各マークの計測値のずれ分に対応する倍率誤差
を予めテーブルとして用意しておき、各マークの設計値
に対する各マークの計測値のずれ分をそのテーブルに当
てはめて倍率誤差を求めるようにしてもよい。
【０１１６】次に、ステップ１２１において、基準マー
ク３５Ａ，３６Ａの中心座標の計測値と基準マーク３７
Ａの計測値とを使ってベースライン計測を行う。このよ
うに、本実施例によれば、一度ファインアライメントモ
ードを実行してレチクル１２のパターンの描画誤差（マ
ーク誤差）を求めておき、クイックモードでアライメン
トを実行する場合には、そのマーク誤差の補正を行って
いるため、高いスループットで且つ高精度にスリットス
キャン方式の投影露光装置のアライメントを行うことが
できる。
ク３５Ａ，３６Ａの中心座標の計測値と基準マーク３７
Ａの計測値とを使ってベースライン計測を行う。このよ
うに、本実施例によれば、一度ファインアライメントモ
ードを実行してレチクル１２のパターンの描画誤差（マ
ーク誤差）を求めておき、クイックモードでアライメン
トを実行する場合には、そのマーク誤差の補正を行って
いるため、高いスループットで且つ高精度にスリットス
キャン方式の投影露光装置のアライメントを行うことが
できる。
【０１１７】次に、本発明の第３実施例につき図１７の
フローチャートを参照して説明する。この第３実施例
は、ウエハを所定枚数交換する毎に、即ち所定枚数のウ
エハに露光を行う毎に、上述のクイックモードでレチク
ルアライメントとベースライン計測とを行うものであ
る。本実施例において、図１の投影露光装置でレチクル
を交換した後、例えば数１００枚のウエハにレチクル１
２のパターンを順次露光する場合の動作の一例を図１７
を参照して説明する。
フローチャートを参照して説明する。この第３実施例
は、ウエハを所定枚数交換する毎に、即ち所定枚数のウ
エハに露光を行う毎に、上述のクイックモードでレチク
ルアライメントとベースライン計測とを行うものであ
る。本実施例において、図１の投影露光装置でレチクル
を交換した後、例えば数１００枚のウエハにレチクル１
２のパターンを順次露光する場合の動作の一例を図１７
を参照して説明する。
【０１１８】先ず、図１７のステップ２１１において、
前に使用したレチクルを図１のレチクル１２に交換して
露光動作が開始される。この際には図１５のステップ１
０１〜１０４及び１１５、並びに図１６のステップ１１
６〜１２１に示す、クイックモードのレチクルアライメ
ント及びベースラインチェックの動作が実行される。そ
の後、ステップ２１２で変数Ｎに初期値として、次にレ
チクルアライメント及びベースラインチェックを行うま
でに露光するウエハの枚数を設定し、ステップ２１３で
ウエハをウエハステージ４上にロードする。但し、ステ
ップ２１３で既に露光されたウエハがあるときにはその
露光済みのウエハのアンロード（搬出）を行った後に新
たなウエハのロードを行う。
前に使用したレチクルを図１のレチクル１２に交換して
露光動作が開始される。この際には図１５のステップ１
０１〜１０４及び１１５、並びに図１６のステップ１１
６〜１２１に示す、クイックモードのレチクルアライメ
ント及びベースラインチェックの動作が実行される。そ
の後、ステップ２１２で変数Ｎに初期値として、次にレ
チクルアライメント及びベースラインチェックを行うま
でに露光するウエハの枚数を設定し、ステップ２１３で
ウエハをウエハステージ４上にロードする。但し、ステ
ップ２１３で既に露光されたウエハがあるときにはその
露光済みのウエハのアンロード（搬出）を行った後に新
たなウエハのロードを行う。
【０１１９】次に、ステップ２１４で変数Ｎが０である
かどうか、即ちレチクルアライメント及びベースライン
チェックを行うタイミングであるかどうかが調べられ、
変数Ｎが０より大きい場合にはステップ２１５で変数Ｎ
から１を減算してステップ２１６に移行する。このステ
ップ２１６では、図１３のオフ・アクシス方式のアライ
メント装置３４又はＴＴＬ方式のウエハアライメント系
を用いてウエハのアライメントを行った後、ウエハの各
ショット領域にレチクル１２のパターンが露光される。
全部（指定枚数）のウエハへの露光が終了すると、その
レチクル１２に関する露光工程は終了するが、全部のウ
エハへの露光が終わっていない場合には、ステップ２１
３に戻って露光済みのウエハのアンロード及び新たなウ
エハのロードが行われる。その後動作はステップ２１４
に移行する。
かどうか、即ちレチクルアライメント及びベースライン
チェックを行うタイミングであるかどうかが調べられ、
変数Ｎが０より大きい場合にはステップ２１５で変数Ｎ
から１を減算してステップ２１６に移行する。このステ
ップ２１６では、図１３のオフ・アクシス方式のアライ
メント装置３４又はＴＴＬ方式のウエハアライメント系
を用いてウエハのアライメントを行った後、ウエハの各
ショット領域にレチクル１２のパターンが露光される。
全部（指定枚数）のウエハへの露光が終了すると、その
レチクル１２に関する露光工程は終了するが、全部のウ
エハへの露光が終わっていない場合には、ステップ２１
３に戻って露光済みのウエハのアンロード及び新たなウ
エハのロードが行われる。その後動作はステップ２１４
に移行する。
【０１２０】また、ステップ２１４でＮ＝０、即ちレチ
クルアライメント及びベースラインチェックを行うタイ
ミングである場合にはステップ２１７においてレチクル
１２の回転誤差及び倍率誤差の計測が行われる。これは
図１６のステップ１２０と同様である。その後、ステッ
プ２１８に移行し、ここでオフ・アクシス方式のアライ
メント装置３４（ＦＩＡ光学系４８を含むアライメント
系又はＬＩＡ光学系５２を含む２光束干渉アライメント
方式のウエハアライメント系）のＸ方向及びＹ方向のベ
ースラインチェックが行われる。その後、ステップ２１
９で変数Ｎとして次にベースラインチェックを行うまで
に露光するウエハの枚数を設定してから、動作はステッ
プ２１６に戻る。
クルアライメント及びベースラインチェックを行うタイ
ミングである場合にはステップ２１７においてレチクル
１２の回転誤差及び倍率誤差の計測が行われる。これは
図１６のステップ１２０と同様である。その後、ステッ
プ２１８に移行し、ここでオフ・アクシス方式のアライ
メント装置３４（ＦＩＡ光学系４８を含むアライメント
系又はＬＩＡ光学系５２を含む２光束干渉アライメント
方式のウエハアライメント系）のＸ方向及びＹ方向のベ
ースラインチェックが行われる。その後、ステップ２１
９で変数Ｎとして次にベースラインチェックを行うまで
に露光するウエハの枚数を設定してから、動作はステッ
プ２１６に戻る。
【０１２１】このように、本実施例によれば、レチクル
を交換する毎に、レチクルアライメント及びベースライ
ン計測を行うと共に、所定枚数のウエハに露光を行う毎
にクイックモードでレチクルアライメント及びベースラ
イン計測を行っているため、高いスループットで各ウエ
ハとレチクルのパターン像との重ね合わせ精度を高める
ことができる。
を交換する毎に、レチクルアライメント及びベースライ
ン計測を行うと共に、所定枚数のウエハに露光を行う毎
にクイックモードでレチクルアライメント及びベースラ
イン計測を行っているため、高いスループットで各ウエ
ハとレチクルのパターン像との重ね合わせ精度を高める
ことができる。
【０１２２】また、上述実施例の手法はオフ・アクシス
方式のアライメント時のベースライン計測について説明
してあるが、投影光学系のフィールド内を用いたＴＴＬ
（スルー・ザ・レンズ）方式においても本発明の適用に
より同様の効果が期待できる。このように、本発明は上
述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の構成を取り得る。また、上述の投影露光方法に
よれば、最終的に、例えばマスク上の複数の計測用マー
クの各位置で求められた位置ずれに合わせて、最小自乗
近似等によって、マスク座標系と基板座標系とを対応付
けるパラメータ（倍率，走査方向のスケーリング，回
転，走査方向の平行度，Ｘ方向及びＹ方向のオフセッ
ト）を求めることにより、マスク上の計測用マークの描
画誤差の影響を小さく抑えることができる。また、上述
の投影露光装置によれば、マスク側の複数の計測用マー
クに関する計測結果を平均化することにより、マスクの
計測用マークの描画誤差を小さくして、投影光学系の基
準点とアライメント系の基準点との間隔であるベースラ
イン量を正確に計測できる。また、上述の投影露光装置
によれば、基準マーク部材上に、マスク上の複数の計測
用マークに対応させてその第１の基準マークを複数個形
成すると共に、これら複数の第１の基準マークからそれ
ぞれ投影光学系の露光フィールド内の基準点とオフ・ア
クシス方式のアライメント系の基準点との間隔に対応す
る間隔でその第２の基準マークを複数個形成しているた
め、基準マーク側でも平均化が行われるので、より正確
にベースライン量が計測される。また、上述の投影露光
方法によれば、クイックモードによる簡易的な計測工程
を選択することにより、必要に応じて高いスループット
でマスク上の座標系とステージ上の座標系との対応関係
を求めることができる。また、上述の投影露光方法によ
れば、クイックモードによる簡易的な計測工程を選択す
ることにより、必要に応じて高いスループットでマスク
上の座標系とステージ上の座標系との対応関係、及びベ
ースライン量を求めることができる。 また、上述の投影
露光方法によれば、所定枚数の基板に露光を行う毎に、
クイックモードによる簡易的な計測工程を実行している
ため、多くの基板に連続的にスキャン方式で露光を行う
場合に、高いスループットでマスク上の座標系とステー
ジ上の座標系との対応関係、及びベースライン量を求め
ることができる。
方式のアライメント時のベースライン計測について説明
してあるが、投影光学系のフィールド内を用いたＴＴＬ
（スルー・ザ・レンズ）方式においても本発明の適用に
より同様の効果が期待できる。このように、本発明は上
述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で種々の構成を取り得る。また、上述の投影露光方法に
よれば、最終的に、例えばマスク上の複数の計測用マー
クの各位置で求められた位置ずれに合わせて、最小自乗
近似等によって、マスク座標系と基板座標系とを対応付
けるパラメータ（倍率，走査方向のスケーリング，回
転，走査方向の平行度，Ｘ方向及びＹ方向のオフセッ
ト）を求めることにより、マスク上の計測用マークの描
画誤差の影響を小さく抑えることができる。また、上述
の投影露光装置によれば、マスク側の複数の計測用マー
クに関する計測結果を平均化することにより、マスクの
計測用マークの描画誤差を小さくして、投影光学系の基
準点とアライメント系の基準点との間隔であるベースラ
イン量を正確に計測できる。また、上述の投影露光装置
によれば、基準マーク部材上に、マスク上の複数の計測
用マークに対応させてその第１の基準マークを複数個形
成すると共に、これら複数の第１の基準マークからそれ
ぞれ投影光学系の露光フィールド内の基準点とオフ・ア
クシス方式のアライメント系の基準点との間隔に対応す
る間隔でその第２の基準マークを複数個形成しているた
め、基準マーク側でも平均化が行われるので、より正確
にベースライン量が計測される。また、上述の投影露光
方法によれば、クイックモードによる簡易的な計測工程
を選択することにより、必要に応じて高いスループット
でマスク上の座標系とステージ上の座標系との対応関係
を求めることができる。また、上述の投影露光方法によ
れば、クイックモードによる簡易的な計測工程を選択す
ることにより、必要に応じて高いスループットでマスク
上の座標系とステージ上の座標系との対応関係、及びベ
ースライン量を求めることができる。 また、上述の投影
露光方法によれば、所定枚数の基板に露光を行う毎に、
クイックモードによる簡易的な計測工程を実行している
ため、多くの基板に連続的にスキャン方式で露光を行う
場合に、高いスループットでマスク上の座標系とステー
ジ上の座標系との対応関係、及びベースライン量を求め
ることができる。
【０１２３】
【発明の効果】本発明によれば、マスク上の計測用マー
クの描画誤差の影響を小さく抑えることができる。
クの描画誤差の影響を小さく抑えることができる。
【０１２４】また、本発明によれば、投影光学系の基準
点とアライメント系の基準点との間隔であるベースライ
ン量を正確に計測できる。
点とアライメント系の基準点との間隔であるベースライ
ン量を正確に計測できる。
【０１２５】また、本発明によれば、高いスループット
でマスク上の座標系とステージ上の座標系との対応関係
を求めることができる。
でマスク上の座標系とステージ上の座標系との対応関係
を求めることができる。
【０１２６】また、本発明によれば、高いスループット
でベースライン量を求めることができる。
でベースライン量を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の投影露光装置を示す構成図
である。
である。
【図２】第１実施例のアライメント方法及びベースライ
ン量のチェック方法を示すフローチャートである。
ン量のチェック方法を示すフローチャートである。
【図３】レチクルローダー系を示す斜視図である。
【図４】（ａ）はレチクル上のアライメントマークの配
置図、（ｂ）は投影光学系の有効視野と共役な領域での
アライメントマーク等を示す配置図、（ｃ）はファイン
アライメントマーク２９Ａ〜３０Ｄを示す拡大図であ
る。
置図、（ｂ）は投影光学系の有効視野と共役な領域での
アライメントマーク等を示す配置図、（ｃ）はファイン
アライメントマーク２９Ａ〜３０Ｄを示す拡大図であ
る。
【図５】（ａ）はレチクルの大まかなアライメントを行
う場合の説明図、（ｂ）は図５（ａ）を縮小した図であ
る。
う場合の説明図、（ｂ）は図５（ａ）を縮小した図であ
る。
【図６】レチクルの大まかなアライメントを行うときに
撮像素子から得られる種々の撮像信号を示す波形図であ
る。
撮像素子から得られる種々の撮像信号を示す波形図であ
る。
【図７】（ａ）はウエハ側のステージの平面図、（ｂ）
はレチクル側のステージの平面図である。
はレチクル側のステージの平面図である。
【図８】（ａ）はレチクル上のマーク配置を示す投影
図、（ｂ）はレチクル上のマークの一例を示す拡大投影
図、（ｃ）は基準マーク板６上の基準マークの配置を示
す平面図、（ｄ）は基準マーク３５Ａ等の一例を示す拡
大図、（ｅ）は基準マーク３７Ａ等の一例を示す平面図
である。
図、（ｂ）はレチクル上のマークの一例を示す拡大投影
図、（ｃ）は基準マーク板６上の基準マークの配置を示
す平面図、（ｄ）は基準マーク３５Ａ等の一例を示す拡
大図、（ｅ）は基準マーク３７Ａ等の一例を示す平面図
である。
【図９】レチクルアライメント及びベースライン量の計
測時の基準マーク板、レチクル、投影光学系及びアライ
メント装置の関係を示す平面図である。
測時の基準マーク板、レチクル、投影光学系及びアライ
メント装置の関係を示す平面図である。
【図１０】レチクルアライメント及びベースライン量の
計測により得られる誤差ベクトルを示す図である。
計測により得られる誤差ベクトルを示す図である。
【図１１】レチクルアライメント顕微鏡１９及び照明系
の構成を示す一部を切り欠いた構成図である。
の構成を示す一部を切り欠いた構成図である。
【図１２】（ａ）は図１１の撮像素子で観察される画像
を示す図、（ｂ）及び（ｃ）はその画像に対応するＸ方
向及びＹ方向の画像信号を示す波形図である。
を示す図、（ｂ）及び（ｃ）はその画像に対応するＸ方
向及びＹ方向の画像信号を示す波形図である。
【図１３】オフ・アクシス方式のアライメント装置３４
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図１４】（ａ）は図１３の撮像素子で観察される画像
を示す図、（ｂ）及び（ｃ）はその画像に対応するＸ方
向及びＹ方向の画像信号を示す波形図、（ｄ）及び
（ｅ）は図１３のＬＩＡ光学系を介して得られる検出信
号を示す波形図である。
を示す図、（ｂ）及び（ｃ）はその画像に対応するＸ方
向及びＹ方向の画像信号を示す波形図、（ｄ）及び
（ｅ）は図１３のＬＩＡ光学系を介して得られる検出信
号を示す波形図である。
【図１５】第２実施例のアライメント方法及びベースラ
イン量のチェック方法の一部の動作を示すフローチャー
トである。
イン量のチェック方法の一部の動作を示すフローチャー
トである。
【図１６】第２実施例のアライメント方法及びベースラ
イン量のチェック方法の残りの動作を示すフローチャー
トである。
イン量のチェック方法の残りの動作を示すフローチャー
トである。
【図１７】第３実施例の露光方法の動作を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図１８】従来のステッパーのアライメント系を示す一
部を切り欠いた構成図である。
部を切り欠いた構成図である。
４ Ｚθ軸駆動ステージ
５ ウエハ
６ 基準マーク板
７ ウエハ側の移動鏡
８ 投影光学系
１１ レチクル微小駆動ステージ
１２ レチクル
１９，２０ レチクルアライメント顕微鏡（ＲＡ顕微
鏡） ２１ レチクル側の移動鏡 ２７，２８ ラフサーチ用アライメントマーク ２９Ａ〜２９Ｄ，３０Ａ〜３０Ｄ ファインアライメン
トマーク ３４ オフ・アクシス方式のアライメント装置 ３５Ａ〜３５Ｄ，３６Ａ〜３６Ｄ 基準マーク ３７Ａ〜３７Ｄ 基準マーク
鏡） ２１ レチクル側の移動鏡 ２７，２８ ラフサーチ用アライメントマーク ２９Ａ〜２９Ｄ，３０Ａ〜３０Ｄ ファインアライメン
トマーク ３４ オフ・アクシス方式のアライメント装置 ３５Ａ〜３５Ｄ，３６Ａ〜３６Ｄ 基準マーク ３７Ａ〜３７Ｄ 基準マーク
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20
G03F 9/00
Claims (41)
- 【請求項１】 照明光で所定形状の照明領域を照明し、
前記所定形状の照明領域内のマスク上のパターン像を投
影光学系を介してステージ上の基板に露光し、前記所定
形状の照明領域に対して相対的に前記マスク及び前記基
板を同期して走査することにより、前記マスク上の前記
所定形状の照明領域よりも広い面積のパターン像を前記
基板上に露光する投影露光方法において、 前記マスク上に前記相対的な走査の方向に複数の計測用
マークを形成し、該複数の計測用マークとほぼ共役な位
置に複数の基準マークが形成された基準マーク部材を前
記ステージ上に配置し、 前記マスク及び前記基板を前記相対的な走査の方向に同
期して移動させて、前記マスク上の複数の計測用マーク
の内の１つの計測用マークと前記ステージ上の対応する
基準マークとの位置ずれ量を順次計測し、 前記複数の計測用マークと前記複数の基準マークとのそ
れぞれの位置ずれ量より、前記マスク上の座標系と前記
ステージ上の座標系との対応関係を求めることを特徴と
する投影露光方法。 - 【請求項２】 照明光で所定形状の照明領域を照明し、
前記所定形状の照明領域内のマスク上のパターン像を投
影光学系を介してステージ上の基板に露光し、前記所定
形状の照明領域に対して相対的に前記マスク及び前記基
板を同期して走査することにより、前記マスク上の前記
所定形状の照明領域よりも広い面積のパターン像を前記
基板上に露光する投影露光方法において、 前記投影光学系の近傍に前記基板上の位置決め用のマー
クの位置を検出するためのオフ・アクシス方式のアライ
メント系を配置し、前記マスク上に前記相対的な走査の
方向に複数の計測用マークを形成し、前記投影光学系の
露光フィールド内の基準点と前記オフ・アクシス方式の
アライメント系の基準点との間隔に対応する間隔で第１
及び第２の基準マークが形成された基準マーク部材を前
記ステージ上に配置し、 前記オフ・アクシス方式のアライメント系で前記基準部
材上の前記第２の基準マークを観察した状態で、前記マ
スクを前記相対的な走査の方向に移動させて、前記マス
ク上の複数の計測用マークの内の１つの計測用マークと
前記ステージ上の前記第１の基準マークとの位置ずれ量
を順次計測し、 前記複数の計測用マークと前記第１の基準マークとのそ
れぞれの位置ずれ量の平均値及び前記オフ・アクシス方
式のアライメント系で観察した前記第２の基準マークの
位置ずれ量より、前記投影光学系の露光フィールド内の
基準点と前記オフ・アクシス方式のアライメント系の基
準点との間隔を求めることを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項３】 前記基準マーク部材上に、前記マスク上
の複数の計測用マークに対応させて前記第１の基準マー
クを複数個形成すると共に、該複数の第１の基準マーク
からそれぞれ前記投影光学系の露光フィールド内の基準
点と前記オフ・アクシス方式のアライメント系の基準点
との間隔に対応する間隔で前記第２の基準マークを複数
個形成し、 前記マスク及び前記ステージを前記相対的な走査の方向
に同期して移動させて、前記マスク上の複数の計測用マ
ークの内の１つの計測用マークと前記ステージ上の対応
する前記第１の基準マークとの位置ずれ量を順次計測す
ると共に、前記オフ・アクシス方式のアライメント系で
複数の前記第２の基準マークの内の対応する基準マーク
を観察し、 前記複数の計測用マークと前記複数の第１の基準マーク
とのそれぞれの位置ずれ量の平均値及び前記オフ・アク
シス方式のアライメント系で観察した前記複数の第２の
基準マークの位置ずれ量の平均値より、前記投影光学系
の露光フィールド内の基準点と前記オフ・アクシス方式
のアライメント系の基準点との間隔を求めることを特徴
とする請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 照明光で所定形状の照明領域を照明し、
前記所定形状の照明領域内のマスク上のパターン像を投
影光学系を介してステージ上の基板に露光し、前記所定
形状の照明領域に対して相対的に前記マスク及び前記基
板を同期して走査することにより、前記マスク上の前記
所定形状の照明領域よりも広い面積のパターン像を前記
基板上に露光する投影露光方法において、 前記マスク上に前記相対的な走査の方向に複数の計測用
マークを形成し、該複数の計測用マークとほぼ共役な位
置に複数の基準マークが形成された基準マーク部材を前
記ステージ上に配置し、 前記マスク及び前記基板を前記相対的な走査の方向に同
期して移動させて、前記マスク上の複数の計測用マーク
の内の１つの計測用マークと前記ステージ上の対応する
基準マークとの位置ずれ量を順次計測し、前記計測用マ
ークと前記基準マークとのそれぞれの位置ずれ量を求め
る第１工程と； 前記マスク上の複数の計測用マークの内の所定の１つの
計測用マークと前記ステージ上の対応する基準マークと
の位置ずれ量を１回だけ計測し、前記計測用マークと前
記基準マークとの位置ずれ量を求める第２工程と； 前記第１工程と前記第２工程とのどちらか一方を選択
し、選択された工程で求められた前記計測用マークと前
記基準マークとのそれぞれの位置ずれ量に基づいて前記
マスク上の座標系と前記ステージ上の座標系との対応関
係を求める第３工程と；を有することを特徴とする投影
露光方法。 - 【請求項５】 照明光で所定形状の照明領域を照明し、
前記所定形状の照明領域内のマスク上のパターン像を投
影光学系を介してステージ上の基板に露光し、前記所定
形状の照明領域に対して相対的に前記マスク及び前記基
板を同期して走査することにより、前記マスク上の前記
所定形状の照明領域よりも広い面積のパターン像を前記
基板上に露光する投影露光方法において、 前記投影光学系の近傍に前記基板上の位置決め用のマー
クの位置を検出するためのオフ・アクシス方式のアライ
メント系を配置し、 前記マスク上に前記相対的な走査の方向に複数の計測用
マークを形成し、該複数の計測用マークとほぼ共役な位
置に複数の基準マークが形成された基準マーク部材を前
記ステージ上に配置し、該複数の基準マークは前記投影
光学系の基準点と前記オフ・アクシス方式のアライメン
ト系の基準点との間隔に対応する間隔で配置された第１
及び第２の基準マークからなり、 前記オフ・アクシス方式のアライメント系で前記基準マ
ーク部材上の前記第２の基準マークを観察した状態で、
前記マスクを前記相対的な走査の方向に移動させて、前
記マスク上の複数の計測用マークの内の１つの計測用マ
ークと前記第１の基準マークとの位置ずれ量を順次計測
する第１工程と； 前記オフ・アクシス方式のアライメント系で前記基準マ
ーク部材上の前記第２の基準マークを観察した状態で、
前記マスク上の複数の計測用マークの内の所定の１つの
計測用マークと前記第１の基準マークとの位置ずれ量を
計測する第２工程と； 前記第１工程と前記第２工程とのどちらか一方を選択す
る第３工程と； 該第３工程で選択された工程での計測結果である、前記
計測用マークと前記基準マークとのそれぞれの位置ずれ
量、及び前記オフ・アクシス方式のアライメント系で観
察した前記第２の基準マークの位置ずれ量より、前記マ
スク上の座標系と前記ステージ上の座標系との対応関係
と、前記投影光学系の露光フィールド内の基準点と前記
オフ・アクシス方式のアライメント系の基準点との間隔
を求める第４工程と；を有することを特徴とする投影露
光方法。 - 【請求項６】 照明光で所定形状の照明領域を照明し、
前記所定形状の照明領域内のマスク上のパターン像を投
影光学系を介してステージ上の基板に露光し、前記所定
形状の照明領域に対して相対的に前記マスク及び前記基
板を同期して走査することにより、前記マスク上の前記
所定形状の照明領域よりも広い面積のパターン像を前記
基板上に露光する投影露光方法において、 前記投影光学系の近傍に前記基板上の位置決め用のマー
クの位置を検出するためのオフ・アクシス方式のアライ
メント系を配置し、 前記マスク上に前記相対的な走査の方向に複数の計測用
マークを形成し、該複数の計測用マークとほぼ共役な位
置に複数の基準マークが形成された基準マーク部材を前
記ステージ上に配置し、該複数の基準マークは前記投影
光学系の基準点と前記オフ・アクシス方式のアライメン
ト系の基準点との間隔に対応する間隔で形成された第１
及び第２の基準マークからなり、 前記基板を所定枚数交換する毎に、前記オフ・アクシス
方式のアライメント系で前記基準マーク部材上の前記第
２の基準マークを観察した状態で、前記マスク上の複数
の計測用マークの内の所定の１つの計測用マークと対応
する前記第１の基準マークとの位置ずれ量を計測し、該
計測された位置ずれ量、及び前記オフ・アクシス方式の
アライメント系で観察した前記第２の基準マークの位置
ずれ量より、前記マスク上の座標系と前記ステージ上の
座標系との対応関係と、前記投影光学系の露光フィール
ド内の基準点と前記オフ・アクシス方式のアライメント
系の基準点との間隔を求めることを特徴とする投影露光
方法。 - 【請求項７】 パターンが形成されたマスクと露光対象
としての基板との各々を同期して移動することにより、
前記マスクのパターンを用いて前記基板を走査露光する
投影露光方法において、 前記走査露光に先立ち、前記マスクを保持する第１ステ
ージと該第１ステージとは独立に前記基板を保持して移
動可能な第２ステージとの少なくとも一方を所定の走査
方向へ移動して前記第１ステージと前記第２ステージと
を相対的に移動するとともに、前記マスクに形成された
マークの検出を行い、 前記マークの検出結果に基づいて、前記第１ステージの
位置情報と前記第２ステージの位置情報とを第１干渉計
システムと第２干渉計システムとを使ってそれぞれ計測
しながら、前記第１ステージと前記第２ステージとの位
置関係を制御する ことを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項８】 前記相対的な移動では、前記第１ステー
ジ及び前記第２ステージの各々を互いに異なる走査方向
へ移動することを特徴とする請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記相対的な移動は、前記基板の走査露
光時と同様に行なわれることを特徴とする請求項８に記
載の方法。 - 【請求項１０】 前記相対的な移動では、前記第１ステ
ージと前記第２ステージとを同期して移動させることを
特徴とする請求項９に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記相対的な移動は、前記第１ステー
ジのみの移動を含むことを特徴とする請求項７に記載の
方法。 - 【請求項１２】 前記マスクには、前記走査方向に離れ
た複数のマークが配置されていることを特徴とする請求
項７〜１１のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項１３】 パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板との各々を同期して移動することによ
り、前記マスクのパターンを用いて前記基板を走査露光
する投影露光方法において、 前記走査露光に先立ち、前記マスクの走査方向に離れて
形成された前記マスクの複数のマークをそれぞれ検出
し、 前記マークの検出結果に基づいて、前記第１ステージの
位置情報と前記第２ステージの位置情報とを第１干渉計
システムと第２干渉計システムとを使ってそれ ぞれ計測
しながら、前記第１ステージと前記第２ステージとの位
置関係を制御することを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項１４】 前記複数のマークの検出結果に基づい
て、前記マスクの描画誤差の影響が小さくなるように前
記第１ステージと前記第２ステージとの位置関係を制御
することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の方
法。 - 【請求項１５】 前記マスクのマークは、前記第２ステ
ージ上のマークとともに検出されることを特徴とする請
求項７〜１４のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項１６】 前記第２ステージ上には、前記走査方
向に離れた複数のマークが配置されることを特徴とする
請求項１５に記載の方法。 - 【請求項１７】 前記マスクのマークの検出結果に基づ
いて、前記マスクのパターンを前記基板上に投影する投
影光学系の投影基準点と前記基板上に形成されたマーク
を検出するオフ・アクシス方式のアライメント系の検出
基準点との位置関係を求め、該位置関係に基づいて前記
第１ステージと前記第２ステージの位置関係が制御され
ることを特徴とする請求項７〜１６のいずれか一項に記
載の方法。 - 【請求項１８】 前記マスクのマークの検出結果に基づ
いて、前記第１ステージの移動を制御するための第１座
標系と前記第２ステージの移動を制御するための第２座
標系との対応関係を求め、該対応関係に基づいて前記第
１ステージと前記第２ステージとの位置関係を制御する
ことを特徴とする請求項７〜１７のいずれか一項に記載
の方法。 - 【請求項１９】 パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板とを同期して移動することにより、前記
マスクのパターンを用いて前記基板を走査露光する投影
露光方法において、 前記走査露光に先立ち、前記基板を保持する第１ステー
ジ上の基準部材に所定の走査方向に離れて形成された複
数のマークをそれぞれ検出することを特徴とする投影露
光方法。 - 【請求項２０】 前記複数のマークを検出するために前
記第１ステージを前記走査方向へ移動することを特徴と
する請求項１９に記載の方法。 - 【請求項２１】 パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板とを同期して移動することにより、前記
マスクのパターンを用いて前記基板を走査露光する投影
露光方法において、 前記走査露光に先立って、前記基板を保持する第１ステ
ージを所定の走査方向に動かすとともに、前記第１ステ
ージ上の基準部材に形成されたマークを検出することを
特徴とする投影露光方法。 - 【請求項２２】 前記マークの検出結果を用いて、前記
基板上のマークを検出するオフ・アクシス方式のアライ
メント系の検出基準点と、前記マスクのパターンの像を
前記基板上に投影する投影光学系の検出基準との位置関
係を求めることを特徴とする請求項１９、２０、又は２
１に記載の方法。 - 【請求項２３】 前記基準部材上のマークは、前記マス
クのマークとともに検出されることを特徴とする請求項
１９、２０、又は２１に記載の方法。 - 【請求項２４】 前記基準部材上のマークの検出結果を
用いて、前記第１ステージの移動を制御するための第１
座標系と前記第２ステージの移動を制御するための第２
座標系との対応関係を求めることを特徴とする請求項１
９〜２３のいずれか一項に記載の方法。 - 【請求項２５】 前記第１座標系は、前記第１ステージ
の位置情報を計測する第１干渉計システムで規定され、
前記第２座標系は、前記第２ステージの位置情報を計測
する第２干渉計システムで規定されることを特徴とする
請求項２４に記載の方法。 - 【請求項２６】 パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板との各々を同期して移動することによ
り、前記基板を走査露光する投影露光方法において、 前記走査露光に先立ち、前記マスク上の所定の走査方向
に離れた複数のマークをそれぞれ検出して、前記マスク
を保持する第１ステージの移動を制御するための第１座
標系と、前記基板を保持する第２ステージの移動を制御
するための第２座標系との対応関係を求めることを特徴
とする投影露光方法。 - 【請求項２７】 前記第１座標系は、前記第１ステージ
の位置情報を計測するための第１干渉計システムで規定
され、 前記第２座標系は、前記第２ステージの位置情報を計測
するための第２干渉計システムで規定されることを特徴
とする請求項２６に記載の方法。 - 【請求項２８】 前記マスク上のマークは、前記第２ス
テージ上の基準部材に形成されたマークとともに検出さ
れることを特徴とする請求項２６又は２７に記載の方
法。 - 【請求項２９】 前記基準部材上には、前記走査方向に
離れた複数のマークが配置されることを特徴とする請求
項２８に記載の方法。 - 【請求項３０】 前記マスク上の複数のマークを検出す
るために、前記第１ステージを前記所定の走査方向へ移
動することを特徴とする請求項２８に記載の方法。 - 【請求項３１】 前記マスク上のマークと前記第２ステ
ージ上の基準マークとを検出するために、前記第１ステ
ージの移動と並行して、前記第２ステージを前記第１ス
テージとは異なる走査方向へ移動することを特徴とする
請求項３０に記載の方法。 - 【請求項３２】 パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板との各々を同期して移動することによ
り、前記マスクのパターンを用いて前記基板を走査露光
する投影露光装置において、 前記マスクを保持して移動する第１ステージと、 前記基板を保持して移動する第２ステージと、前記第１ステージの位置情報を計測する第１干渉計シス
テムと、 前記第２ステージの位置情報を計測する第２干渉計シス
テムと、 前記マスクのマークを検出するマーク検出系と、 前記走査露光に先立ち、前記第１ステージと前記第２ス
テージとの少なくとも一方を所定の走査方向へ移動して
前記第１ステージと前記第２ステージとを相対移動する
とともに、前記マーク検出系で前記マスクのマークを検
出し、前記第１及び第２干渉計システムで前記第１ステ
ージ及び前記第２ステージの位置情報をそれぞれ計測し
ながら、前記マーク検出系の検出結果に基づいて前記第
１ステージと前記第２ステージとの位置関係を制御する
制御システムと、を備えたことを特徴とする投影露光装
置。 - 【請求項３３】 前記マスクのパターンの像を前記基板
上に投影する投影系をさらに備え、前記マーク検出系は、前記マスクのマークを前記投影系
を介して前記第２ステージ上のマークとともに検出する
ことを特徴とする請求項３２に記載の装置。 - 【請求項３４】 前記マーク検出系とは別に、前記基板
のアライメント情報を検出するためのアライメント系を
さらに備え、 前記第２ステージ上には、前記マーク検出系で検出され
るマークと前記アライメント系で検出されるマークとが
配置され、 前記制御システムは、前記第１ステージと前記第２ステ
ージとを相対移動するとともに、前記マーク検出系及び
前記アライメント系による検出を行い、その検出結果に
基づき、前記第１ステージと前記第２ステージとの位置
関係を制御することを特徴とする請求項３３に記載の装
置。 - 【請求項３５】 パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板との各々を同期して移動することによ
り、前記マスクのパターンを用いて前記基板を走査露光
する投影露光装置において、 前記マスクを保持して移動する第１ステージと、 前記基板を保持して移動する第２ステージと、 前記第１ステージの位置情報を計測する第１干渉計シス
テムと、 前記第２ステージの位置情報を計測する第２干渉計シス
テムと、 前記マスクのマークを検出するマーク検出系と、 前記走査露光に先立ち、前記マスクの走査方向に離れた
前記マスク上の複数のマークの各々を前記マーク検出系
で検出し、前記第１及び第２干渉計システムで前記第１
ステージ及び前記第２ステージの位置情報をそれぞれ計
測しながら、前記マーク検出系の検出結果に基づいて、
前記第１ステージと前記第２ステージとの位置関係を制
御する制御システムと、を備えたことを特徴とする投影
露光装置。 - 【請求項３６】 パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板とを同期して移動することにより、前記
マスクのパターンを用いて前記基板を走査露光する投影
露光装置において、 前記基板を保持する基板ステージに設けられ、複数の基
準マークが所定の走査方向に離れて形成された基準部材
と、 前記基準マークを検出するためのマーク検出系と、を備
えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項３７】 前記マーク検出系で前記複数の基準マ
ークをそれぞれ検出するために、前記基準部材を前記走
査方向へ移動する移動手段を備えたことを特徴とする請
求項３６に記載の装置。 - 【請求項３８】 マスクと基板とのそれぞれを同期して
移動することにより、前記基板を走査露光する投影露光
装置において、 前記マスクのパターンの像を前記基板上に投影する投影
系と、 該投影系の光軸に対して前記基板の同期移動の方向に離
れた検出位置を有し、前記基板のアライメント情報を検
出するアライメント系と、 前記投影系の露光フィールド内の基準点と前記アライメ
ント系の基準点との位置関係を計測する計測手段とを備
え、 前記計測手段は、前記基板を保持するステージ上に配置
された基準部材と、前記投影系を介して、前記基準部材
に形成されたマークを検出するマーク検出系とを有する
ことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項３９】 前記計測手段は、前記マーク検出系に
より前記投影系を介して前記基準部材上のマークを検出
することによって得られる情報と、前記アライメント系
により前記基準部材上のマークを検出することによって
得られる情報とに基づいて、前記投影系の投影基準点と
前記アライメント系の検出基準点との位置関係を計測す
ることを特徴とする請求項３８に記載の装置。 - 【請求項４０】 パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板とを同期移動することにより、前記基板
を走査露光する投影露光装置において、 前記マスクを保持する第１ステージと、 前記基板を保持する第２ステージと、 前記基板の走査露光に先立ち、前記第１ステージの移動
を制御するための第１座標系と前記第２ステージの移動
を制御するための第２座標系との対応関係を求めるため
に、前記同期移動の方向に離れて配置された前記マスク
上の複数のマークを検出するマーク検出系と、を備えた
ことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項４１】 パターンが形成されたマスクと露光対
象としての基板とを同期移動することにより、前記基板
を走査露光する投影露光装置において、 前記マスクを保持する第１ステージと、 前記基板を保持する第２ステージと、 前記マスクのパターンの像を前記基板上に投影する投影
系と、 前記同期移動の方向に離れて配置された前記マスク上の
複数のマークをそれぞれ検出するマーク検出系と、 前記マーク検出系とは別に設けられ、前記基板のアライ
メント情報を検出するアライメント系と、 前記マーク検出系により前記マスク上のマークと前記第
２ステージ上のマークとを検出するとともに、前記アラ
イメント系により前記基板を保持する前記第２ステージ
上のマークを検出し、それぞれの検出結果に基づいて前
記投影系の露光フィールド内の基準点と前記アライメン
ト系の基準点との位置関係を計測する制御システムと、
を備えたことを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33475993A JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-12-28 | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
| EP94102817A EP0613051B1 (en) | 1993-02-26 | 1994-02-24 | Method of exposing and apparatus therefor |
| EP99112292A EP0942332A1 (en) | 1993-02-26 | 1994-02-24 | Exposure method and apparatus |
| DE69422739T DE69422739T2 (de) | 1993-02-26 | 1994-02-24 | Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung |
| KR1019940003699A KR100281211B1 (ko) | 1993-02-26 | 1994-02-26 | 투영 노광 방법, 투영 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| US08/608,086 US5646413A (en) | 1993-02-26 | 1996-02-28 | Exposure apparatus and method which synchronously moves the mask and the substrate to measure displacement |
| US08/831,770 US5844247A (en) | 1993-02-26 | 1997-04-02 | Exposure apparatus and method which synchronously moves the mask and the substrate to measure displacement |
| US09/181,912 US6051843A (en) | 1993-02-26 | 1998-10-29 | Exposure apparatus and method which synchronously moves the mask and the substrate to measure displacement |
| KR1019990029135A KR100306315B1 (ko) | 1993-02-26 | 1999-07-19 | 주사 노광 방법, 주사형 노광 장치 및 소자 제조 방법 |
| KR1019990034144A KR100397653B1 (ko) | 1993-02-26 | 1999-08-18 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조방법 |
| US09/512,103 US6279881B1 (en) | 1993-02-26 | 2000-02-24 | Method and apparatus which exposes a second object with a pattern formed on a first object and which performs statistical calculation based on position information of marks on the first object |
| US09/901,903 US6498352B1 (en) | 1993-02-26 | 2001-07-11 | Method of exposing and apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3807793 | 1993-02-26 | ||
| JP5-38077 | 1993-02-26 | ||
| JP33475993A JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-12-28 | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000278200A Division JP3412760B2 (ja) | 1993-02-26 | 2000-09-13 | 走査露光方法及び走査型露光装置 |
| JP2000278202A Division JP3460984B2 (ja) | 1993-02-26 | 2000-09-13 | 投影露光方法及び露光装置 |
| JP2000278201A Division JP3326455B2 (ja) | 1993-02-26 | 2000-09-13 | 走査型露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176468A JPH07176468A (ja) | 1995-07-14 |
| JP3412704B2 true JP3412704B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=26377256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33475993A Expired - Lifetime JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-12-28 | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US5646413A (ja) |
| EP (2) | EP0942332A1 (ja) |
| JP (1) | JP3412704B2 (ja) |
| KR (3) | KR100281211B1 (ja) |
| DE (1) | DE69422739T2 (ja) |
Families Citing this family (215)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
| US20010049589A1 (en) | 1993-01-21 | 2001-12-06 | Nikon Corporation | Alignment method and apparatus therefor |
| JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
| JP3379200B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2003-02-17 | 株式会社ニコン | 位置検出装置 |
| US6018384A (en) * | 1994-09-07 | 2000-01-25 | Nikon Corporation | Projection exposure system |
| US6151122A (en) | 1995-02-21 | 2000-11-21 | Nikon Corporation | Inspection method and apparatus for projection optical systems |
| JPH08293453A (ja) * | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Canon Inc | 走査型露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
| JPH098103A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| US5907392A (en) * | 1995-07-20 | 1999-05-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US5751404A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates |
| JPH0945604A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Nec Corp | 露光方法及び露光装置 |
| EP0823977B1 (en) * | 1996-03-04 | 2002-01-16 | ASM Lithography B.V. | Lithopraphic apparatus for step-and-scan imaging of a mask pattern |
| KR970072024A (ko) * | 1996-04-09 | 1997-11-07 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
| US5877845A (en) * | 1996-05-28 | 1999-03-02 | Nippon Kogaku Kk | Scanning exposure apparatus and method |
| US5970310A (en) * | 1996-06-12 | 1999-10-19 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing multilayer wiring board and wiring pattern forming apparatus |
| JP3634558B2 (ja) * | 1996-06-13 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP3337921B2 (ja) * | 1996-08-23 | 2002-10-28 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置および位置合せ方法 |
| US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| KR100525521B1 (ko) * | 1996-10-21 | 2006-01-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및노광방법 |
| US6798516B1 (en) | 1996-11-14 | 2004-09-28 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having compact substrate stage |
| DE69728948T2 (de) * | 1996-11-14 | 2005-09-15 | Nikon Corp. | Projektionsbelichtungsvorrichtung und Verfahren |
| CN1144263C (zh) | 1996-11-28 | 2004-03-31 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
| JPH10172890A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-26 | Nikon Corp | 投影露光方法 |
| US5972567A (en) * | 1996-12-20 | 1999-10-26 | Intel Corporation | Method and apparatus for performing a double shift print on a substrate |
| TW357396B (en) * | 1997-01-17 | 1999-05-01 | Nicon Corp | Exposure device |
| JPH10209039A (ja) * | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
| JP4029130B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
| JPH1154407A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
| US6563565B2 (en) | 1997-08-27 | 2003-05-13 | Nikon Corporation | Apparatus and method for projection exposure |
| AU9095798A (en) | 1997-09-19 | 1999-04-12 | Nikon Corporation | Stage device, a scanning aligner and a scanning exposure method, and a device manufactured thereby |
| JPH11102851A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント補正方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6407814B1 (en) * | 1997-09-26 | 2002-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for correcting alignment, method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device |
| TW448487B (en) | 1997-11-22 | 2001-08-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device |
| US6509953B1 (en) * | 1998-02-09 | 2003-01-21 | Nikon Corporation | Apparatus for exposing a pattern onto an object with controlled scanning |
| AU2549899A (en) | 1998-03-02 | 1999-09-20 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device |
| WO1999054922A1 (fr) | 1998-04-22 | 1999-10-28 | Nikon Corporation | Methode et systeme d'exposition |
| JP3441966B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2003-09-02 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置および方法、デバイス製造方法 |
| JP3548428B2 (ja) * | 1998-07-03 | 2004-07-28 | キヤノン株式会社 | 位置計測装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP3595707B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2004-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置および露光方法 |
| WO2000054407A1 (en) * | 1999-03-08 | 2000-09-14 | Plumeria Investments, Inc. | Offset eliminator circuit |
| JP2001257143A (ja) | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| JP3413160B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置 |
| US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7289212B2 (en) * | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
| TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| JP4198877B2 (ja) | 2000-12-25 | 2008-12-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体デバイスの製造方法 |
| US6788385B2 (en) * | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
| US6443103B1 (en) | 2001-08-17 | 2002-09-03 | Srp 687 Pty. Ltd. | Flammable vapor resistant water heater with low NOx emissions |
| JP2003133215A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
| US6446581B1 (en) | 2001-11-16 | 2002-09-10 | Srp 687 Pty. Ltd. | Flammable vapor resistant water heater with low NOx emissions |
| JP3872782B2 (ja) * | 2002-08-29 | 2007-01-24 | Ｔｈｋ株式会社 | 保持対象の位置及び姿勢補正方法及び装置 |
| JP4230196B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2009-02-25 | 川崎重工業株式会社 | 位置決め演算方法および位置決め演算装置 |
| SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
| WO2004077535A1 (ja) * | 2003-02-05 | 2004-09-10 | Nikon Corporation | 投影露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| TWI338323B (en) | 2003-02-17 | 2011-03-01 | Nikon Corp | Stage device, exposure device and manufacguring method of devices |
| KR101484435B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-01-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| CN106444292A (zh) | 2003-04-11 | 2017-02-22 | 株式会社尼康 | 沉浸式光刻装置、清洗方法、器件制造方法及液体沉浸式光刻装置 |
| KR101178756B1 (ko) | 2003-04-11 | 2012-08-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법 |
| TW201806001A (zh) | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
| KR101528089B1 (ko) | 2003-06-13 | 2015-06-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| TWI433212B (zh) | 2003-06-19 | 2014-04-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method |
| SG119224A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-02-28 | Asml Netherlands Bv | Calibration method for a lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1491966A1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-29 | ASML Netherlands B.V. | Calibration method for a lithographic apparatus |
| EP1646074A4 (en) | 2003-07-09 | 2007-10-03 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE |
| CN102323724B (zh) | 2003-07-28 | 2014-08-13 | 株式会社尼康 | 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法 |
| KR101380989B1 (ko) | 2003-08-29 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US8064730B2 (en) * | 2003-09-22 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, orientation determination method and lithographic apparatus |
| KR101498437B1 (ko) | 2003-09-29 | 2015-03-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
| KR101203028B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-11-21 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
| TWI553701B (zh) | 2003-10-09 | 2016-10-11 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus and exposure method, component manufacturing method |
| TWI609409B (zh) | 2003-10-28 | 2017-12-21 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
| TWI385414B (zh) | 2003-11-20 | 2013-02-11 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、照明方法、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
| SG2014014955A (en) | 2003-12-03 | 2014-07-30 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method, method for producing device, and optical part |
| KR101748504B1 (ko) | 2004-01-05 | 2017-06-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| US7053980B2 (en) * | 2004-01-23 | 2006-05-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic alignment system |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR101276392B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| KR101579361B1 (ko) | 2004-02-04 | 2015-12-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| TWI505329B (zh) | 2004-02-06 | 2015-10-21 | 尼康股份有限公司 | 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
| WO2005076323A1 (ja) | 2004-02-10 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法、メンテナンス方法及び露光方法 |
| US20070030467A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
| EP1727188A4 (en) | 2004-02-20 | 2008-11-26 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, FEEDING METHOD AND RECOVERY METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| KR101181683B1 (ko) * | 2004-03-25 | 2012-09-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
| US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| EP1746637B1 (en) | 2004-04-09 | 2012-06-20 | Nikon Corporation | Drive method for mobile body, stage device, and exposure device |
| US7030365B2 (en) * | 2004-04-15 | 2006-04-18 | Eaton Corporation | Emitter-detector assembly for a reflex photoelectric object detection system |
| JP4677986B2 (ja) | 2004-04-19 | 2011-04-27 | 株式会社ニコン | ノズル部材、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7796274B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-09-14 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
| CN1965389B (zh) | 2004-06-09 | 2011-08-10 | 尼康股份有限公司 | 基板保持装置、具备其之曝光装置及方法、元件制造方法 |
| KR101440746B1 (ko) | 2004-06-09 | 2014-09-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| EP3067750B1 (en) | 2004-06-10 | 2019-01-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| KR101378688B1 (ko) | 2004-06-21 | 2014-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| EP3462241A1 (en) | 2004-06-21 | 2019-04-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device |
| US8698998B2 (en) | 2004-06-21 | 2014-04-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device |
| JP4678372B2 (ja) | 2004-06-29 | 2011-04-27 | 株式会社ニコン | 管理方法及び管理システム、並びにプログラム |
| US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101202230B1 (ko) | 2004-07-12 | 2012-11-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| TWI396225B (zh) | 2004-07-23 | 2013-05-11 | 尼康股份有限公司 | 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置 |
| EP1791164B2 (en) | 2004-08-03 | 2014-08-20 | Nikon Corporation | Exposure equipment, exposure method and device manufacturing method |
| TW200615716A (en) * | 2004-08-05 | 2006-05-16 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
| US7171319B2 (en) * | 2004-09-02 | 2007-01-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus to separate field and grid parameters on first level wafers |
| JP4613910B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2011-01-19 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP1808884A4 (en) | 2004-10-13 | 2009-12-30 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| KR101331631B1 (ko) | 2004-10-15 | 2013-11-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| TWI416265B (zh) | 2004-11-01 | 2013-11-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
| TWI649790B (zh) | 2004-11-18 | 2019-02-01 | 日商尼康股份有限公司 | 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法 |
| EP1826813A4 (en) | 2004-12-01 | 2009-05-13 | Nikon Corp | STAGE DEVICE AND EXPOSURE APPAEIL |
| JP4752473B2 (ja) | 2004-12-09 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US7450217B2 (en) | 2005-01-12 | 2008-11-11 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US20070258068A1 (en) * | 2005-02-17 | 2007-11-08 | Hiroto Horikawa | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method |
| US20090226846A1 (en) * | 2005-03-30 | 2009-09-10 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Manufacturing Method |
| WO2006106836A1 (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101555707B1 (ko) | 2005-04-18 | 2015-09-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
| EP1876635A4 (en) | 2005-04-25 | 2010-06-30 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| EP2660853B1 (en) | 2005-05-12 | 2017-07-05 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus and exposure method |
| JP4596191B2 (ja) | 2005-05-24 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7838858B2 (en) * | 2005-05-31 | 2010-11-23 | Nikon Corporation | Evaluation system and method of a search operation that detects a detection subject on an object |
| US8693006B2 (en) | 2005-06-28 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Reflector, optical element, interferometer system, stage device, exposure apparatus, and device fabricating method |
| WO2007000995A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
| CN100526992C (zh) | 2005-07-01 | 2009-08-12 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法及设备制造方法 |
| JP5353005B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2013-11-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JP5309565B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2013-10-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| JPWO2007043535A1 (ja) * | 2005-10-07 | 2009-04-16 | 株式会社ニコン | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに検査装置及び計測方法 |
| US8125610B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
| TW200725195A (en) | 2005-12-06 | 2007-07-01 | Nikon Corp | Exposure method, exposure apparatus, and unit manufacturing method |
| US8411271B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
| TWI457977B (zh) | 2005-12-28 | 2014-10-21 | 尼康股份有限公司 | A pattern forming method and a pattern forming apparatus, and an element manufacturing method |
| EP1975982A1 (en) | 2005-12-28 | 2008-10-01 | Nikon Corporation | Pattern formation method and pattern formation apparatus, exposure metho and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| EP3171220A1 (en) | 2006-01-19 | 2017-05-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| EP1990828A4 (en) * | 2006-02-16 | 2010-09-15 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND METHOD FOR PRODUCING COMPONENTS |
| EP1986224A4 (en) | 2006-02-16 | 2012-01-25 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| WO2007094414A1 (ja) | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| EP1986222A4 (en) | 2006-02-16 | 2010-09-01 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
| CN100590173C (zh) * | 2006-03-24 | 2010-02-17 | 北京有色金属研究总院 | 一种荧光粉及其制造方法和所制成的电光源 |
| JPWO2007135998A1 (ja) | 2006-05-24 | 2009-10-01 | 株式会社ニコン | 保持装置及び露光装置 |
| JPWO2008038751A1 (ja) * | 2006-09-28 | 2010-01-28 | 株式会社ニコン | 線幅計測方法、像形成状態検出方法、調整方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US7714981B2 (en) * | 2006-10-30 | 2010-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| JP5055971B2 (ja) | 2006-11-16 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US20080212047A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-09-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
| WO2008105531A1 (ja) | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Nikon Corporation | ペリクルフレーム装置、マスク、露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法 |
| US7876452B2 (en) * | 2007-03-05 | 2011-01-25 | Nikon Corporation | Interferometric position-measuring devices and methods |
| JPWO2008132799A1 (ja) | 2007-04-12 | 2010-07-22 | 株式会社ニコン | 計測方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US8243257B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-08-14 | Nikon Corporation | Position measurement system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and device manufacturing method, and tool and measuring method |
| JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8115906B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-02-14 | Nikon Corporation | Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and measurement device, and device manufacturing method |
| US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| JP5369443B2 (ja) | 2008-02-05 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| DE102008017645A1 (de) * | 2008-04-04 | 2009-10-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung sowie Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche eines Substrats |
| TWI437373B (zh) * | 2008-04-30 | 2014-05-11 | 尼康股份有限公司 | A mounting apparatus, a pattern forming apparatus, an exposure apparatus, a stage driving method, an exposure method, and an element manufacturing method |
| US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8228482B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8817236B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US9176393B2 (en) | 2008-05-28 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
| US20100014097A1 (en) * | 2008-07-17 | 2010-01-21 | Nikon Corporation | Algorithm correcting for correction of interferometer fluctuation |
| NL2003363A (en) | 2008-09-10 | 2010-03-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method. |
| US8994923B2 (en) * | 2008-09-22 | 2015-03-31 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8325325B2 (en) * | 2008-09-22 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8508735B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8384875B2 (en) * | 2008-09-29 | 2013-02-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
| US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
| US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US20100296074A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-25 | Nikon Corporation | Exposure method, and device manufacturing method |
| US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8970820B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8553204B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US8472008B2 (en) * | 2009-06-19 | 2013-06-25 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
| US20110008734A1 (en) | 2009-06-19 | 2011-01-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US8355114B2 (en) * | 2009-06-19 | 2013-01-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US8355116B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-01-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US8446569B2 (en) | 2009-06-19 | 2013-05-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| US8294878B2 (en) | 2009-06-19 | 2012-10-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US20110032495A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| WO2011016254A1 (ja) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| US8514395B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US20110096306A1 (en) | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
| US20110096318A1 (en) | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| US20110102761A1 (en) | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
| US20110085150A1 (en) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US20110075120A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US20110086315A1 (en) | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US20110102762A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US20110242520A1 (en) | 2009-11-17 | 2011-10-06 | Nikon Corporation | Optical properties measurement method, exposure method and device manufacturing method |
| US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
| US20110123913A1 (en) | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
| US20110164238A1 (en) | 2009-12-02 | 2011-07-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
| US20110134400A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid immersion member, and device manufacturing method |
| US8488106B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP5842808B2 (ja) | 2010-02-20 | 2016-01-13 | 株式会社ニコン | 瞳強度分布を調整する方法 |
| JP5783953B2 (ja) | 2012-05-30 | 2015-09-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン評価装置およびパターン評価方法 |
| EP3723111B1 (en) | 2012-10-02 | 2021-09-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
| KR102145884B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2020-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법 |
| TWI630463B (zh) | 2013-06-28 | 2018-07-21 | 日商尼康股份有限公司 | 移動體裝置及曝光裝置、以及元件製造方法 |
| CN105830208B (zh) | 2013-10-30 | 2019-07-16 | 株式会社尼康 | 基板保持装置、曝光装置及器件制造方法 |
| JP6380412B2 (ja) * | 2014-01-16 | 2018-08-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
| CN106415397B (zh) * | 2014-03-28 | 2018-09-21 | 株式会社尼康 | 移动体装置、曝光装置、平板显示器的制造方法、组件制造方法及移动体驱动方法 |
| NL2014403A (en) | 2014-04-28 | 2015-11-02 | Asml Netherlands Bv | Estimating deformation of a patterning device and/or a change in its position. |
| EP3239776B1 (en) | 2014-12-24 | 2021-07-07 | Nikon Corporation | Measurement device and measurement method, exposure device and exposure method, and device production method |
| CN117631484A (zh) | 2014-12-24 | 2024-03-01 | 株式会社尼康 | 测量系统、测量方法及曝光装置 |
| KR20230130161A (ko) | 2015-02-23 | 2023-09-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 관리 방법, 중첩 계측 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| EP3742109A1 (en) | 2015-02-23 | 2020-11-25 | Nikon Corporation | Measurement device, lithography system and exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP6719729B2 (ja) | 2015-02-23 | 2020-07-08 | 株式会社ニコン | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
| US10602432B2 (en) * | 2015-05-14 | 2020-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for searching networks |
| WO2017202546A1 (en) | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| TWI630453B (zh) * | 2017-11-22 | 2018-07-21 | 牧德科技股份有限公司 | 投影式複檢機及其校正方法 |
| US11221562B2 (en) * | 2019-03-14 | 2022-01-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reticle and method of detecting intactness of reticle stage using the same |
| WO2024020363A1 (en) * | 2022-07-18 | 2024-01-25 | Syncell (Taiwan) Inc. | Training ai model for a microscope-based pattern photoillumination system |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121437A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置 |
| US4801208A (en) * | 1984-11-19 | 1989-01-31 | Nikon Corporation | Projection type exposing apparatus |
| JPS62150721A (ja) | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影型露光装置 |
| JPS62150106A (ja) | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置検出装置 |
| US4943733A (en) * | 1987-05-15 | 1990-07-24 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus capable of measurement and compensation of distortion affecting reticle/wafer alignment |
| US4958160A (en) * | 1987-08-31 | 1990-09-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and method of correcting projection error |
| JPH01202833A (ja) | 1988-02-09 | 1989-08-15 | Toshiba Corp | 高精度ｘｙステージ装置 |
| US5064289A (en) | 1989-02-23 | 1991-11-12 | Hewlett-Packard Company | Linear-and-angular measuring plane mirror interferometer |
| US5489986A (en) * | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
| US5168306A (en) * | 1989-04-04 | 1992-12-01 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US5151749A (en) * | 1989-06-08 | 1992-09-29 | Nikon Corporation | Method of and apparatus for measuring coordinate position and positioning an object |
| JP3033135B2 (ja) * | 1990-06-13 | 2000-04-17 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
| US5523843A (en) | 1990-07-09 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting system |
| JP3014499B2 (ja) | 1990-07-09 | 2000-02-28 | キヤノン株式会社 | 位置情報検出装置およびそれを用いた転写装置 |
| NL9100215A (nl) | 1991-02-07 | 1992-09-01 | Asm Lithography Bv | Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
| JP2830492B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| US5506684A (en) * | 1991-04-04 | 1996-04-09 | Nikon Corporation | Projection scanning exposure apparatus with synchronous mask/wafer alignment system |
| US5243195A (en) * | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
| JP3203676B2 (ja) * | 1991-04-25 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JP3448778B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | マーク検知装置、及びその検知装置を備えた露光装置、及びその露光装置により製造されたデバイス、並びにマーク検知方法、及びその検知方法を含む露光方法、及びその露光方法を含むデバイス製造方法 |
| US5521036A (en) * | 1992-07-27 | 1996-05-28 | Nikon Corporation | Positioning method and apparatus |
| US5477304A (en) * | 1992-10-22 | 1995-12-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| US5978071A (en) * | 1993-01-07 | 1999-11-02 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method in which mask stage is moved to provide alignment with a moving wafer stage |
| JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
| US5464715A (en) * | 1993-04-02 | 1995-11-07 | Nikon Corporation | Method of driving mask stage and method of mask alignment |
| JP3303551B2 (ja) * | 1994-08-22 | 2002-07-22 | ソニー株式会社 | 半導体装置の露光方法におけるアライメント法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP33475993A patent/JP3412704B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-02-24 DE DE69422739T patent/DE69422739T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-24 EP EP99112292A patent/EP0942332A1/en not_active Withdrawn
- 1994-02-24 EP EP94102817A patent/EP0613051B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-26 KR KR1019940003699A patent/KR100281211B1/ko active IP Right Grant
-
1996
- 1996-02-28 US US08/608,086 patent/US5646413A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-04-02 US US08/831,770 patent/US5844247A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-10-29 US US09/181,912 patent/US6051843A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-07-19 KR KR1019990029135A patent/KR100306315B1/ko active IP Right Grant
- 1999-08-18 KR KR1019990034144A patent/KR100397653B1/ko active IP Right Grant
-
2000
- 2000-02-24 US US09/512,103 patent/US6279881B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-11 US US09/901,903 patent/US6498352B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100306315B1 (ko) | 2001-09-24 |
| KR100281211B1 (ko) | 2001-04-02 |
| US5646413A (en) | 1997-07-08 |
| US5844247A (en) | 1998-12-01 |
| US6051843A (en) | 2000-04-18 |
| KR100397653B1 (ko) | 2003-09-13 |
| US6498352B1 (en) | 2002-12-24 |
| EP0613051A1 (en) | 1994-08-31 |
| DE69422739T2 (de) | 2000-06-15 |
| EP0613051B1 (en) | 2000-01-26 |
| EP0942332A1 (en) | 1999-09-15 |
| US6279881B1 (en) | 2001-08-28 |
| JPH07176468A (ja) | 1995-07-14 |
| DE69422739D1 (de) | 2000-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3412704B2 (ja) | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 | |
| US5464715A (en) | Method of driving mask stage and method of mask alignment | |
| EP0756206B1 (en) | Scanning exposure apparatus and exposure method using the same | |
| JP3590916B2 (ja) | 位置決め方法 | |
| US5715063A (en) | Projection exposure method | |
| JP3360744B2 (ja) | アライメント方法、及び走査型露光装置 | |
| JPH08330204A (ja) | 露光方法 | |
| JPH0581046B2 (ja) | ||
| USRE38113E1 (en) | Method of driving mask stage and method of mask alignment | |
| JPH06232027A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3460984B2 (ja) | 投影露光方法及び露光装置 | |
| JP3412760B2 (ja) | 走査露光方法及び走査型露光装置 | |
| WO1999050893A1 (fr) | Procede d'exposition et systeme d'exposition | |
| JP3326455B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| JPH11111611A (ja) | 露光方法および装置 | |
| JPH08241845A (ja) | 投影露光方法 | |
| JP3285105B2 (ja) | ステージ駆動方法、及び走査露光方法 | |
| JP2638528B2 (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JP3339630B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP2926331B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH0782390B2 (ja) | ステージ位置決め方法 | |
| JP3042529B2 (ja) | 回路パタ―ン形成方法、及び露光装置 | |
| JP2629659B2 (ja) | 回路パターン形成方法 | |
| JPH10144587A (ja) | 露光方法 | |
| JPH0738376B2 (ja) | 投影露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030227 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |