JP3406845B2 - Surface mount type crystal oscillator - Google Patents

Surface mount type crystal oscillator

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JP3406845B2 JP24427898A JP24427898A JP3406845B2 JP 3406845 B2 JP3406845 B2 JP 3406845B2 JP 24427898 A JP24427898 A JP 24427898A JP 24427898 A JP24427898 A JP 24427898A JP 3406845 B2 JP3406845 B2 JP 3406845B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、例えば移動体通信
機器等に用いられる表面実装型水晶発振器に関するもの
である。 【0002】 【従来の技術】従来、水晶発振器は、水晶振動子と該水
晶振動子の温度周波数特性を補償する制御回路とを具備
して構成されている。 【0003】また、近年、水晶発振器は、他の電子部品
素子装置とともに、プリント配線基板上にリフロー半田
接合するために、容器体の底面等に端子電極を形成し、
表面実装型水晶発振器としていた。従来は、通常、表面
実装可能な表面側にキャビティー部を有する容器体に、
キャビティー部の底面からICチップを含む制御回路を
配置し、その上部に水晶振動子を配置して、キャビティ
ー部を気密封止可能な金属製蓋体で封止することによ
り、水晶振動子と制御回路とを同一収容領域内に収容し
ていた。 【0004】しかし、水晶振動子はその表面に不純物の
付着などにより周波数特性が変動したりするため、水晶
振動子を単独の領域で気密封止することが望ましい。ま
た、ICチップに不要な熱履歴が加わらないようなIC
チップの配置構造が望ましい。 【0005】このような要求に満たす表面実装型水晶発
振器としては、特開平10−28024号に示すような
水晶発振器が提案されていた。特開平10−28024
号には、単板状基板の表面に水晶振動子を、底面側に水
晶振動子と接続する制御回路を実装していた。 【0006】図6〜8は、その従来の表面実装型水晶発
振器を示す図である。 【0007】従来の表面実装型水晶発振器は、容器体5
1、矩形状の水晶振動子52、発振制御用回路を構成す
るICチップ53及び金属製蓋体54とから主に構成さ
れている。 【0008】この表面実装型水晶発振器では、単板状の
セラミック基板55に、単板状のセラミック基板55の
底面の周囲に形成した開口形状が矩形状の枠状脚部56
を一体的に形成した容器体51を用いていた。これによ
り、容器体51の底面にキャビティー部57が形成され
る。尚、容器体51の表面とキャビティー部57の底面
を仕切る単板状のセラミック基板55には、表面側とキ
ャビティー部57とを導通するビアホール導体58が形
成されており、その表面には金属製蓋体54を封止する
ための封止導体パターン59が形成されている。また、
キャビティー部57の底面には、IC電極パッドを含む
所定配線パターン60が形成されている。さらに、枠状
脚部56の底面の例えば一対の長辺側端辺に、夫々2つ
の外部端子電極61〜64が形成されており、一対の短
辺の端面に複数の凹み部を形成し、この凹み部の内壁面
に温度補償データ書き込み端子電極65〜68が形成さ
れている。 【0009】そして、この容器体1の表面側に、水晶振
動子支持台69、70を介して短冊状の水晶振動子52
が導電性接着材71、72で導電的接合し、さらに、水
晶振動子52を気密的に封止するために封止用導体パタ
ーン59を用いて概略皿状の金属製蓋体54を一体的に
接合していた。 【0010】また、キャビティー部57には、ICチッ
プ53が実装されている。このICチップ53は、IC
電極パッドとバンプまたはボンディングワイヤを介して
接続されている。さらに、キャビティー部57内には充
填樹脂73が充填・硬化されている。これにより、IC
チップ53が完全に被覆され、耐湿性を向上させてい
る。 【0011】上述の構造において、容器体51の表面に
実装した水晶振動子52は、ビアホール導体58、58
を介してICチップ53と接続して、ICチップ53は
所定配線パターン60・・・を介して外部端子電極61
〜64、温度補償データ書き込み端子電極65〜68に
接続されている。尚、ICチップ53と温度補償データ
書き込み端子電極65〜68は単板状セラミック基板5
5の底面側の平面に延出する配線パターン60によっ
て、また、ICチップ53と外部端子電極61〜64は
枠体状脚部56の内壁面を利用し、また、枠体状脚部5
6の厚みを貫くビアホール導体によって接続されてい
る。 【0012】 【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の水晶発
振器において、表面側主面に水晶振動子支持台69、7
0が形成され、底面側主面にICチップ53が接合され
る電極パッドが形成された基板が、単板状セラミック基
板55から構成されている。 【0013】従って、単板状セラミック基板55の厚み
方向に延びるビアホール導体58の両端は、水晶振動子
52を収容している領域と、キャビティー部57の底面
とに露出することになる。 【0014】即ち、セラミック基板55とビアホール導
体58との周囲、即ち、セラミック基板55の貫通孔の
内壁とビアホール導体58の外周面とが、完全に密着さ
れていればよいものの、物性的にセラミック基板55と
ビアホール導体58との熱収縮係数の相違により、この
周囲付近にクラックが発生していたり、また、完全に気
密的に密着されているとは限らない。仮に、水晶振動子
52、ICチップ53を実装する前で気密的であって
も、水晶振動子52の実装時、水晶振動子52の周波数
安定化処理時、ICチップ53の実装時、充填樹脂73
脂の充填硬化時など、複数回の熱印加処理されるため、
非常に気密信頼性が低下してしまう。 【0015】このため、水晶振動子52を収容している
気密領域が、ビアホール導体58の周囲のクラックなど
を介してキャビティー部57にリークしてしまい、その
結果、水晶振動子2を取り巻く収容領域の環境が変動
し、発振特性が変化してしまうという問題があった。 【0016】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、水晶振動子が収容されてい
る気密領域がキャビティー部側にリークしてしまうこと
がなく、安定した発振特性を維持できる表面実装型水晶
発振器を提供することにある。 【0017】 【課題を解決するための手段】本発明によれば、複数の
セラミック絶縁層を積層して成る多層基板の下面にキャ
ビティー部を形成する枠状脚部を配置した容器体と、前
記容器体の上面に形成された水晶振動子用電極パッドに
接続されて実装された水晶振動子と、前記キャビティー
部に収容され、充填樹脂に被覆されたICチップと前記
水晶振動子を気密封止する蓋体とを備えた表面実装型水
晶発振器において、前記多層基板は、該多層基板上面に
導出して前記水晶振動子用電極パッドに接続する第1の
ビアホール導体と、前記キャビティー部内に導出する第
2のビアホール導体と、前記セラミック絶縁層間に形成
され前記第1のビアホール導体と第2のビアホール導体
とを接続する内部配線パターンとから成り、且つ前記多
層基板の厚み方向に折れ曲がった導電経路が形成されて
おり、該導電経路によって、前記水晶振動子と前記IC
チップとが接続されていることを特徴とする表面実装型
水晶発振器である。 【0018】 【作用】本発明の容器体は、水晶振動子と、該水晶振動
子の発振を制御する回路を構成する電子部品素子、たと
えばICチップとを、夫々表裏に仕切る積層構造のセラ
ミック多層基板を有している。 【0019】そして、多層基板の表面の水晶振動子と、
多層基板の底面側のキャビティー部に収容されたICチ
ップとが、水晶振動子に接続するために表面のみに導出
された第1のビアホール導体と、この第1のビアホール
導体と異なる位置の底面のみに導出された第2のビアホ
ール導体と、絶縁層間に形成され、両ビアホール導体を
接続する内部配線パターンによって接続されている。 【0020】従って、ビアホール導体の周囲のセラミッ
ク絶縁層で、クラックが発生したり、剥離が発生したと
しても、内部配線パターンが形成された領域で絶縁層ど
うしが気密的に接合されるため、ビアホール導体の周囲
を介して水晶振動子が収容されている気密領域が、キャ
ビティー部側にリークすることが一切なくなる。 【0021】このため、水晶発振器全体の発振特性が大
きく変動することが一切なく、安定した動作が可能な水
晶発振器となる。 【0022】また、絶縁層間の内部配線パターンの形状
次第で、表面側のみに導出される第1のビアホール導体
と、この第1のビアホール導体と異なる位置のキャビテ
ィー部に導出される第2のビアホール導体の形成位置を
自由に設定できる。即ち、表面側のみに導出される第1
のビアホール導体を水晶振動子が接合される水晶振動子
用電極パッドの直下に形成し、また、底面側のみに導出
する第2のビアホール導体をICチップの所定電極パッ
ドに直接導出させることもでき、キャビティー部の底面
に形成する配線パターンを簡素化することができる。 【0023】しかも、上述の水晶振動子が接合される水
晶振動子用電極パッドの直下及びその近傍にビアホール
導体を形成すれば、水晶振動子を収容する気密領域内に
露出し、また存在する導電性部材を最小限に抑えること
ができる。これにより、導電性部材から発生する異物が
原因となる水晶振動子の著しい特性の変動を防止するこ
ともできる。 【0024】また、多層基板の採用により、単板状セラ
ミック基板にビアホール導体や各種電極パッド、配線パ
ターンを形成する場合に比較して、基板の形成時、特に
焼成時の機械的に剛性に優れ、ソリの発生を有効に防止
でき、基板表面の平坦度を向上させることができる。こ
れは、基板表面に実装される水晶振動子を所定状態で安
定的に実装でき、水晶振動子の振動時に衝突するなどの
問題も解決でき、安定的に動作させることもできる。 【0025】 【発明の実施の形態】以下、本発明の表面実装型水晶発
振器を図面に基づいて詳説する。 【00026】図1は本発明の表面実装型水晶発振器の
断面図であり、図2は側面図であり、図3は蓋体を省略
した状態の上面図であり、図4は充填樹脂を省略した状
態の下面図である。図5は、配線パターンを示す概略平
面図である。図において、図1は、図3のX−X線断面
を示す。尚、実施例の表面実装型水晶発振器として、水
晶振動子の温度周波数特性を平坦化する温度補償を行う
制御回路を具備した水晶発振器を例に説明する。 【0027】本発明の温度補償型水晶発振器は、上面
(以下、表面という)が平坦で且つ下面(以下、底面と
いう)側に凹部状キャビティー部が形成された概略直方
体状の容器体1、矩形状の水晶振動子2、制御回路を構
成するICチップ3及び2つの電子部品4、5、金属製
蓋体6及び充填樹脂7とから主に構成されている。 【0028】尚、本発明の制御回路は、ICチップやコ
ンデンサなどの電子部品が必要であり、以下、ICチッ
プに符号3を、コンデンサなどの電子部品に符号4、5
を付与して説明する。 【0029】容器体1は、複数の略矩形状のセラミック
絶縁層1a、1b、概略枠状セラミック絶縁層1c、1
dが積層されて構成されている。即ち、容器体1は、セ
ラミック絶縁層1a、1bからなる多層基板8と、セラ
ミック絶縁層1c、1dからなる枠状脚部9とで構成さ
れ、両者が一体化されている。そして、多層基板8の底
面と枠状脚部9の内壁とに囲まれる凹部状のキャビティ
ー部10が構成されることになる。 【0030】そして、容器体1の外表面には4つの外部
端子電極11〜14及び複数の書き込み制御端子電極1
5〜18が形成されている。 【0031】容器体1の表面、即ち、多層基板8の表面
には、その外周を取り囲むように封止用導体パターン1
9が形成されており、また、容器体1の長手方向の一端
部寄りに水晶振動子2と接続するための水晶振動子用電
極パッド20、21が並設されている。また、上述の水
晶振動子用電極パッド20、21上には水晶振動子2と
の接続バンプ22、23が形成されている。また、容器
体1の長手方向の他端部寄りに、容器体1の表面と水晶
振動子2の下面との間隙を確保するための保持用バンプ
24が形成されている。尚、容器体1の表面から接続用
バンプ22、23の頂点部分までの高さは、例えば20
〜50μmであり、保持用バンプ24の頂点部分までの
高さは、接続用バンプ24よりも例えば10〜30μm
程度低い値となっている。 【0032】また、容器体1の表面側のセラミック絶縁
層1aには、水晶振動子用電極パッド20、21と接続
する2つの第1のビアホール導体25、26が形成され
ている。 【0033】容器体1を構成する多層基板8の底面、即
ち、キャビティー部4の底面には、制御回路を構成する
ICチップ3、コンデンサなどの電子部品4、5が搭載
され、また所定回路網を形成する各種配線パターン31
が形成されている。この各種配線パターン31は、IC
チップ3が接続される複数の電極パッド32、32・・
・、電子部品4、5が接合される電極パッド33、33
・・・、ICチップ3と外部端子電極11〜14や書き
込み制御端子電極15〜18と接続して制御回路の回路
網の構成するパターンである。 【0034】多層基板8の底面側セラミック絶縁層1b
には、ICチップ3と接続する電極パッド32、32・
・・及びモニタ電極34、35と接続する2つの第2の
ビアホール導体27、28が形成されている。 【0035】また、多層基板8を構成するセラミック絶
縁層1aとセラミック絶縁層1bとの層間には、第1の
ビアホール導体25と第2ビアホール導体27とを接続
する内部配線パターン29及び第1のビアホール導体2
6と第2ビアホール導体28とを接続する内部配線パタ
ーン30が形成されている。 【0036】これにより、容器体1の多層基板8には、
一方端が表面に、他端がキャビティー部10の底面に導
出されるように、第1のビアホール導体25、内部配線
パターン29、第2のビアホール導体27から構成さ
れ、また、第1のビアホール導体26、内部配線パター
ン30、ビアホール導体28から構成される導電経路が
形成される。 【0037】上述の外部端子電極11〜14は、図4に
示すように、枠状脚部9の底面及び枠状脚部9の4つの
外周角部の1/4円形状切り欠け部の内壁面に渡って形
成されている。尚、枠状脚部9上において、外部端子電
極11〜14の形状は、4つの外周角部の切り欠け部に
連なる概略矩形状となっている。 【0038】また、書き込み制御端子電極15〜18
は、図2に示すように、容器体1の一対の長辺側の側面
に形成されている。例えば、図2に現れる側面には、書
き込み制御端子電極15、16が形成されている。この
書き込み制御端子電極15〜18は、容器体1の多層基
板8を構成する矩形状セラミック絶縁層1b及び容器体
1の枠状脚部9を構成する枠状セラミック絶縁層1cの
長辺に形成された概略半円形状の切り込み部分の内壁面
に形成されている。従って、図3の上面図及び図4の下
面図には、書き込み制御端子電極15〜18が現れな
い。尚、ICチップ3と書き込み制御端子電極15〜1
8とは、上述の配線パターン31によって接続されてい
る。 【0039】さらに、容器体1の表面の封止用導体パタ
ーン19は、セラミック絶縁層1a、1b及びセラミッ
ク絶縁層1c、1dを貫くビアホール導体によって、枠
状脚部9の底面に形成したグランド電位の外部端子電
極、例えば13に接続されている。 【0040】また、図2では、コンデンサなどの電子部
品4、5の一方の電極パッド33は、ビアホール導体、
内部配線パターン、セラミック絶縁層1b、1c、1d
を貫くビアホール導体によって、枠状脚部9の底面に形
成した電源電位の外部端子電極、例えば11に接続され
ている。尚、このコンデンサは、電源電位の外部端子電
極11から供給される電流から、高周波ノイズ成分をカ
ットするものである。 【0041】上述の容器体1は、絶縁層1a〜1dとな
るセラミックグリーンシートを用いて形成する。具体的
には、絶縁層1aとなる矩形状セラミックグリーンシー
トに第1のビアホール導体25、26となる貫通孔を形
成し、続いて、モリブデンやタングステンなどの高融点
金属ペーストで貫通孔を充填するとともに、その表面
に、第1のビアホール導体25、26となる導体と直接
導通する水晶振動子用電極パッド20、21となる導体
膜、各バンプ22〜24となる導体及び封止用導体パタ
ーン19となる導体膜を形成する。 【0042】また、絶縁層1bとなる矩形状セラミック
グリーンシートに第2のビアホール導体27、28など
となる貫通孔及び書き込み制御端子電極15〜18が形
成される切り欠け部を形成し、高融点金属ペーストで該
貫通孔を充填し、この切り欠け部の表面に導体膜を形成
する。続いて、このグリーンシートのキャビティー部4
の底面となる面に、複数の電極パッド32、32・・
・、33、33・・・、モニタ電極34、35、各種配
線パターン31となる導体膜を形成する。 【0043】また、セラミック絶縁層1a又はセラミッ
ク絶縁層1bとなるグリーンシートの接合面には、第1
のビアホール導体25と第2のビアホール導体27とを
接続する内部配線パターン29となる導体膜、第1のビ
アホール導体26と第2のビアホール導体28とを接続
する内部配線パターン30となる導体膜などを、さらに
必要に応じてビアホール導体と内部配線パターンとなる
導体膜を、高融点金属ペーストの印刷により形成する。 【0044】また、セラミック絶縁層1cとなる枠状セ
ラミックグリーンシートにビアホール導体となる貫通
孔、外部端子電極11〜14及び書き込み制御端子電極
15〜18が形成される切り欠け部を形成し、高融点金
属ペーストでこの貫通孔を充填し、この切り欠け部の表
面に導体膜を形成する。 【0045】また、セラミック絶縁層1dとなる枠状セ
ラミックグリーンシートにビアホール導体となる貫通孔
及び外部端子電極11〜14が形成される切り欠け部を
形成し、高融点金属ペーストで該貫通孔を充填し、この
切り欠け部の表面に導体膜を形成する。続いて、このグ
リーンシートの底面となる面に、複数の外部電極端子1
1〜14となる導体膜を形成する。 【0046】尚、図1ではGND電位の外部端子電極1
3から封止用導体パターン19との接続は、セラミック
絶縁層1a〜1dの厚み方向にビアホール導体と内部配
線パターンとで蛇行した経路が形成されている。 【0047】このようなグリーンシートを積層した後、
圧着を行う。圧着工程においては、容器体1の表面が平
坦面であるため、圧着を行う場合には、この表面を基準
面としてプレスを行う。キャビティー部4の底面領域に
も均一な圧力でプレスを行うために、例えばキャビティ
ー部10内に充填などの補助充填部材を充填したり、ま
た、上パンチが凸状の治具でプレスを行ったり、セラミ
ック絶縁層1a、1bとセラミック絶縁層1c、1dと
を分けてプレスを行い、その後両者をプレスにより圧着
を行う。 【0048】次に、上述の各グリーンシートを積層・圧
着した後、所定雰囲気で焼成処理する。 【0049】次に、容器体1に表面に露出する外部端子
電極11〜14、書き込み制御端子電極15〜18、封
止用導体パターン19、水晶振動子用電極パッド20、
21、電極パッド32〜33、モニタ電極34、35、
各種配線パターン31、バンプ22〜24上にNiメッ
キ、フラッシュ金メッキなどを施して、容器体1が達成
される。 【0050】尚、容器体1の表面において、水晶振動子
用電極パッド20、21上に接続用バンプ22、23、
他方端部側に保持用バンプ24は、導電性ペーストの重
ね印刷を行って形成しているが、その他に銀導電性ペー
ストの印刷焼付け、Ag粉末を含む樹脂ペーストの塗布
・硬化などにより形成してもよい。また、接続用バンプ
22、23の高さを所定以上にするために複数回の印刷
・塗布を行えばよい。好ましくは、容器体1の表面から
接続用バンプ22、23の頂点部分までの高さは、例え
ば15〜20μmであり、保持用バンプ24の頂点部分
までの高さは、接続用バンプ22、23よりも例えば5
〜10μm程度低い値となっている。 【0051】さらに、封止用導体パターン19上に、概
略矩形状の金属枠体であるシールリング36を接合す
る。シールリング36は42アロイ、コバール、リン青
銅などからなり封止用導体パターン19の形状に対応す
る構造となっている。このシールリング35は封止用導
体パターン19にろう付けによって接合されている。 【0052】上述のような容器体1の表面には、水晶振
動子2が配置されている。水晶振動子2は、所定カッ
ト、例えばATカットされた矩形状の水晶板2aの両主
面に形成された振動電極2b、2c、該振動電極2b、
2cから一方他端部に延出された島状の引出電極部2
d、2eとから構成されている。尚、図3において下面
側の振動電極2c及び引出電極2eは点線で示す。この
引出電極2d、2eは、水晶振動子用電極パッド20、
21と導電性接着材2f、2gを介して接続するもので
ある。この振動電極2a、2b及び引出電極部2d、2
eは、Cr、Niなどの下地層上にAgやAuを薄膜技
法により被着形成されている。 【0053】容器体1の表面側に実装された水晶振動子
2は金属製蓋体6によって気密的に封止されている。金
属製蓋体6は、コバールや42アロイなどの金属材料か
らなり、例えば0.1mmの厚みであり、容器体1の表
面の封止用導体パターン19にろう付けされた枠状のシ
ームリング36と密接されて溶接・接合される。尚、金
属製蓋体6の外表面側主面にはNi、アルミニウム等を
被着する。これは、溶接時にろう材が融け表面側主面に
回り込まないようにして、安定かつ強固な溶接時が結成
できるようにするためである。 【0054】容器体1のキャビティー部10の底面に
は、制御回路を構成するICチップ3が実装されてい
る。ICチップ3は、例えば3次の曲線で示される固有
温度周波数特性による水晶振動子2の周波数変動を、常
温を含む広い温度範囲で平坦化するように制御するので
ある。具体的には、シリコンチップに周知のPNドープ
により、発振回路を構成する発振インバータ、負荷容量
成分、帰還抵抗に加え、水晶振動子2の固有温度周波数
特性を平坦化するために必要な温度補償データを保持す
るメモリ部、周囲の温度検知する感温センサ部、バリキ
ャップダイオード、所定温度補償データに基づいて所定
電圧に変換してバリキャップダイオードに供給するDA
変換手段、外部から書き込まれる信号をメモリ部に保持
するAD変換手段、これらの動作を制御するプロセッサ
ー部などから構成されている。 【0055】このようなICチップ3には、例えば、電
源電圧が供給されるVCC端子、グランド電位となるG
ND端子、水晶振動子2と接続される水晶接続端子、発
振出力を行うOUT端子、外部から周波数の調整を可能
とするVCON端子、補償データ書き込みのために用い
る例えば4つのデータ書き込み制御端子とを有してい
る。 【0056】ICチップ3のVCC端子(電源部)は、所
定電極パッド32、所定配線パターン31を介して外部
端子電極11に導出されている。また、OUT端子は、
所定IC電極パッド32、所定配線パターン31を介して
外部端子電極12に導出されている。 【0057】また、GND端子(一種の電源部)は、所定
電極パッド32、所定配線パターン31を介して外部端
子電極13に導出されている。VCON端子は所定電極
パッド32、所定配線パターン31を介して外部端子電
極14に導出されている。また、2つの水晶接続端子
は、所定電極パッド32、所定配線パターン31やモニ
タ電極34(35)、導電経路を介して容器体1の表面の
水晶振動子用電極パッド20、21に各々導出されてい
る。さらに、4つのデータ書き込み制御端子は、所定電
極パッド32、所定配線パターン31を介して各々IC
制御端子電極15〜18に導出されている。 【0058】これらの各端子は例えばICチップ3の実
装面上にアルミ電極として形成されている。尚、各アル
ミ電極上に金や半田などのバンプを形成しておき、上述
の電極パッド32・・・に超音波ボンディングや導電性
フィラーを用いたボンディングなどによって接合及び接
続される。尚、ICチップ3の上面側に各アルミ電極を
形成し、例えばボンディングワイヤを介して各電極パッ
ド32・・・に接続しても構わないが、キャビティー部
10の形状が大きくならないよう留意する必要がある。 【0059】電子部品4、5は、例えばチップ状コンデ
ンサである。例えば、電子部品4、5は、一対の電極パ
ッド33、33間に、Ag粉末を含む導電性樹脂接着材
を介して接合される。 【0060】電子部品4であるコンデンサは、ICチッ
プ3とOUT外部端子電極12との間で、一方がグラン
ド電位となるように接続される。これは、出力信号中に
ノイズとなる直流成分を除去するものである。 【0061】また、電子部品5であるコンデンサは、I
Cチップ3とVCC外部端子電極11との間に接続さ
れ、VCC外部端子電極11に供給される電源電圧に重
畳する高周波ノイズを除去するものである。 【0062】そして、キャビティー部10内には、この
ICチップ3と2つ電子部品4、5とがキャビティー部
10の形状に応じて、最も実装スペースを最小にするよ
うに並設されている。 【0063】また、キャビティー部10には、上述のI
Cチップ3、電子部品4、5を強固に接合させ、また、
耐湿信頼性を向上させるために、充填樹脂7が形成され
ている。充填樹脂7は、例えば、少なくとも2種類の充
填樹脂から成り、例えばキャビティー部10底面側に主
に充填・硬化される樹脂層7aと、該樹脂層7a上に充
填・硬化される樹脂層7bである。具体的にはキャビテ
ィー部10の底面側に充填・硬化される収縮率が比較的
大きい樹脂材料で構成される。一般にアンダーフィル樹
脂と言われるエポキシ樹脂などの樹脂成分が多い材料で
ある。この樹脂層7aは、少なくともICチップ3の上
面を完全に被覆する程度に充填・硬化されている。即
ち、ICチップ3、電子部品4、5とキャビティー部1
0の底面との間に充填された樹脂層7aの収縮によって
発生する応力によって、両者の接合強度が向上する。し
かも、ICチップ3を完全に覆うように形成された樹脂
層7aの収縮によって発生する応力が、ICチップ3に
向かって発生する。これにより、応力がICチップ3の
上面側からキャビティー部10の底面側に押しつけるよ
うに働き、キャビティー部10の底面に接合したICチ
ップ3の接合強度が向上する。 【0064】また、樹脂層7bは、収縮応力の大きい樹
脂層7aによって、ICチップ3や電子部品4、5を被
覆する樹脂層7aの膜厚が薄くなってしまい、その結
果、耐湿性などが充分に得られないという問題を解消す
るために充填・硬化されるものである。これにより、キ
ャビティー部10内に実装したICチップ3や電子部品
4、5の接合強度が向上し、また、耐湿性信頼性が向上
する。 【0065】尚、充填樹脂7は、キャビティー部10の
開口面から突出させないようにする。 【0066】これは、表面実装型水晶発振器を安定して
プリント配線基板に配置するためである。 【0067】次に、上述の表面実装型水晶発振器の製造
方法を説明する。 【0068】まず、上述した容器体1、水晶振動子2、
ICチップ3、コンデンサなどの電子部品4、5及び金
属製蓋体6を用意する。尚、容器体1の表面には、シー
ムリング36がろう付けなどにより周設されており、ま
た、ICチップ3の実装面のアルミ電極上に、金バンプ
を形成しておく。 【0069】次に、水晶振動子2の実装を行う。具体的
には容器体1の表面の水晶振動子用電極パッド20、2
1上に形成した接続用バンプ22、23と、水晶振動子
2の島状の引出電極部2d、2eとが合致するように位
置決め載置し、引出電極部2d、2eと電極パッド2
0、21とをAg等の導電性接着材2f、2gを用いて
両者を接合する。尚、水晶振動子2の他端側の下面は、
保持用バンプ24上に載置する。尚、Ag等の導電性接
着材2f、2gの硬化(熱硬化や紫外線硬化)によって
発生する収縮によって、水晶振動子2の他端側先端が持
ち上がり、少なくとも水晶振動子2と容器体1の表面と
の間に、接続用バンプ22、23まで高さに相当する間
隙が形成されることになる。 【0070】これにより、水晶振動子2の振動電極2
b、2cは、電極パッド22、23、第1のビアホール
導体25、26、内部配線パターン29、30及び第2
ビアホール導体27、28を介して、キャビティー部1
0の底面に形成したICチップ3の水晶接続端子が接続
する2つのモニタ電極34、35に接続する。 【0071】次に、水晶振動子2の周波数調整を行う。
具体的には、このキャビティー部10の底面にICチッ
プ3の水晶接続端子が接続する2つのモニタ電極34、
35に周波数測定装置の測定用端子(プローブ)を接触
させ、水晶振動子2を所定発振させさて、その周波数を
測定する。その結果に基づいて、容器体1に接合された
水晶振動子2の上面側の振動電極2b上に、Agなどの
金属の蒸着を行い、実質的に振動電極2bに重みづけを
行いながら発振周波数を所定値に調整する。 【0072】次に、水晶振動子2の周波数を安定化させ
る。具体的には、水晶振動子2を接合した容器体1全体
を、150〜250℃で熱処理を行う。この熱処理を一
般に熱エージングという。この熱エージングにより、振
動電極2b上に被着した周波数調整用蒸着物を安定的に
接合させ、また、導電性接着材2f、2gなどに含まれ
ている有機溶剤などの不純物を揮発させる。 【0073】次に、金属製蓋体6の封止をおこなう。具
体的には、シームリング36上に、金属製蓋体6を載置
し、金属製蓋体6の周囲をシーム溶接用のローラー電極
(図示せず)で、溶接電流を印加しながら接触移動させ
て両者を溶接する。 【0074】次に、ICチップ3や電子部品4、5をキ
ャビティー部10内に実装を行う。具体的には、ICチ
ップ3の実装は、ICチップ3の実装面に形成したAu
バンプと所定電極パッド32、32・・・とが合致する
ように位置決め載置し、その後、ICチップ3に超音波
などを印加して互いに融着させて行う。 【0075】また、電子部品4、5の接合は、電極パッ
ド33、33・・・にAg粉末などが含有して導電性樹
脂ペーストを塗布し、電子部品4、5を載置して、キュ
アー処理して行う。尚、ICチップ3と電子部品4、5
との接合順を、先に電子部品4、5を実装し、次いでI
Cチップ3を実装してもよい。また、電子部品4、5を
不要とする制御回路においては、これを省略することが
できる。 【0076】尚、ICチップ3の実装方法に関しては、
上述のフェースボンディング方法以外に、従来周知のワ
イヤボンディングワイヤによって接続しても構わない。
この場合、ワイヤボンディングに必要なエリアが増加す
るため、内部配線パターン31などの設計に際して小型
化に努めなくてはならない。 【0077】次に、ICチップ3、電子部品4、5を充
填樹脂7で被覆する。具体的には、キャビティー部10
内に配置されたICチップ3や電子部品4、5を、一般
にアンダーフィルと言われる樹脂で隠蔽するように充填
・硬化して樹脂層7aを形成し、さらに樹脂層7a上に
耐湿性の高い樹脂で樹脂層7bを形成する。 【0078】次に、水晶振動子2の固有温度周波数特性
による周波数変動を、常温を含む広い温度範囲で平坦化
するための温度補償データを、書き込み制御端子電極1
5〜18にロムライタなどの出力端子を接続させて、所
定データを書き込む。具体的には、予め周波数調整工程
によって求められた水晶振動子2の3次の温度周波数特
性に基づいて、ICチップ3のメモリ部に、3次の温度
周波数特性を常温を含む広い温度範囲で平坦化するため
の温度補償データを入力する。尚、必要に応じて、書き
込んだ補償データによって、所望の温度特性が得られる
かを確認し、再度修正の補償データを書き込んでも構わ
ない。 【0079】この温度補償動作は、所定温度における水
晶振動子の発振周波数が、基準周波数から変位量を、バ
リキャップダイオードの容量の制御によって補正するも
のであり、温度補償データは、バリキャップダイオード
の容量を制御する電圧を適正化するためのデータとな
る。 【0080】これにより、水晶振動子2が有する固有の
温度周波数特性は、常温を含む広い温度範囲で平坦化さ
れることができる。 【0081】上述の表面実装型水晶発振器では、水晶振
動子2と制御回路を構成するICチップ3や電子部品
4、5とを、仕切る基板が、セラミック絶縁層1a、1
bから成る多層基板8で構成されている。 【0082】そして、水晶振動子2と制御回路を構成す
るICチップ3や電子部品4、5とを電気的に接続する
導電経路は、水晶振動子用電極パッド20、21の直下
に形成された第1のビアホール導体25、26、内部配
線パターン29、30及び第2ビアホール導体27、2
8によって達成されている。しかも、絶縁層1aを貫く
第1のビアホール導体25、26と絶縁層1bを貫く第
2のビアホール導体27、28とが互いに平面的に変位
し、互いに重なり合うことが一切ない。そして、この互
いに変位されている部位を内部配線パターン29、30
によって接続されている。 【0083】従って、セラミック絶縁層1aと第1のビ
アホール導体25、26との界面付近やセラミック絶縁
層1bと第2のビアホール導体27、28との界面付近
でクラックが発生したり、両者の剥離が発生したとして
も、セラミック絶縁層1a、1bとが多層基板8の厚み
方向に互いに密着されている。このため、ビアホール導
体25〜28の周囲にクラックや剥離の有無に係わら
ず、水晶振動子2が収容されている収容領域と、キャビ
ティー部10とのリークは発生しない。 【0084】このため、温度補償用データによって、周
囲温度に応じて固有の周波数温度特性を補償して平坦化
しているが、この固有周波数温度特性以外の要因で、水
晶振動子2の発振周波数が一切変動することが一切な
く、安定した温度補償動作が維持できる。例えば、従来
のように水晶振動子52が収容されている収容領域と、
キャビティー部57とがリークしてしまうと、当然、水
晶振動子52の収容領域の環境が変動してしまい、その
結果、上述の温度補償を行ったとしても、結果として
は、所望な周波数の発振出力が得られない。 【0085】また、セラミック絶縁層1a、1b間の内
部配線パターン29、30のパターン次第で、第1のビ
アホール導体25、26と、第2のビアホール導体2
7、28の形成位置を任意に設定することができる。即
ち、図1に示すように、第1のビアホール導体25、2
6を水晶振動子用電極パッド20、21の直下に形成
し、また、第2のビアホール導体27、28をモニタ電
極34、35やICチップ3の水晶接続端子の配置位置
の電極パッド32に直接またはその近傍位置に形成する
ことができ、キャビティー部10の各種配線パターン3
1を簡素化及び小型化することができる。 【0086】また、水晶振動子2が実装されている容器
体1表面で、水晶振動子用電極パッド20、21と第1
のビアホール導体25、26とを接続する引回し導体パ
ターンも不要、または最小距離になる。これにより、収
容領域は、気密的に封止した雰囲気を変質させるような
異物の発生が原因を、極小化できるため、水晶振動子2
の著しい特性の低下を長期にわたり防止することができ
る。 【0087】また、容器体1に多層基板8の採用によ
り、従来の単板状セラミック基板に比較して、焼成時の
機械的に剛性が高く、ソリの発生を有効に抑えられ、水
晶振動子2を配置する容器体1の表面の平坦度を向上さ
せ、水晶振動子2の振動時における衝突などが回避でき
る。 【0088】尚、上述の実施例では、多層基板8が2層
構造で説明したが、少なくとも2層以上であればよい。
例えば、3層構造の場合、各層にビアホール導体を夫々
異なる位置に形成し、その変位に各層間に形成した内部
配線パターンで接続してもよい。また、例えば1層目と
2層目のセラミック絶縁層に同一位置にビアホール導体
を形成し、3層目に異なる位置にビアホール導体を形成
し、この変位に2層目と3層目の層間に形成した内部配
線パターンで接続してもよい。 【0089】 【発明の効果】本発明では、水晶振動子が実装された表
面側の収容領域と、制御回路を構成する電子部品素子が
実装された底面側のキャビティー部とが、多層基板によ
って仕切られ、しかも、水晶振動子と電子部品素子とを
接続する導電経路が、各セラミック絶縁層の異なる位置
に形成されたビアホール導体及びこれを接続する内部配
線パターンによって行われる。 【0090】これにより、ビアホール導体の周囲で亀裂
などが発生しても、全体の導電経路として何等影響がな
く、表面側の収容領域と、制御回路を構成する電子部品
素子を実装する底面側のキャビティー部とが一切リーク
することがない。これにより、経時的な変化によって、
水晶振動子が収容されている収容領域の環境が変動する
ことがなく、安定した発振特性が維持できる表面実装型
水晶発振器となる。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to mobile communication, for example.
Related to surface mount type crystal oscillators used in equipment, etc.
It is. 2. Description of the Related Art Conventionally, a crystal oscillator has a crystal oscillator and a water crystal.
And a control circuit for compensating the temperature frequency characteristics of the crystal oscillator.
It is configured. In recent years, crystal oscillators have been used for other electronic components.
Reflow soldering on the printed wiring board together with the device
To join, form a terminal electrode on the bottom of the container, etc.
It was a surface-mounted crystal oscillator. Conventionally, usually
In a container body having a cavity part on the surface side that can be mounted,
Control circuit including IC chip from bottom of cavity
Place the crystal resonator on top of it and place
By sealing the metal part with a metal lid that can be hermetically sealed.
The crystal unit and the control circuit are housed in the same housing area.
I was [0004] However, the crystal oscillator has impurities on its surface.
Because the frequency characteristics fluctuate due to adhesion, etc.
It is desirable that the vibrator be hermetically sealed in a single region. Ma
Also, an IC that does not add unnecessary heat history to the IC chip
A chip arrangement structure is desirable. [0005] A surface mount type crystal satisfies such requirements.
As a shaker, as shown in JP-A-10-28024
Crystal oscillators have been proposed. JP-A-10-28024
The quartz oscillator on the surface of the single-plate substrate and the water on the bottom
A control circuit connected to the crystal oscillator was mounted. FIGS. 6 to 8 show the conventional surface mount type crystal oscillating device.
It is a figure showing a shaker. [0007] A conventional surface mount type crystal oscillator comprises a container 5.
1. A rectangular crystal oscillator 52 and an oscillation control circuit are configured.
IC chip 53 and metal lid 54
Have been. In this surface mount type crystal oscillator, a single plate
The ceramic substrate 55 having a single plate shape
An opening formed around the bottom surface has a rectangular frame-shaped leg 56.
Was integrally formed. This
The cavity portion 57 is formed on the bottom surface of the container body 51.
You. The surface of the container 51 and the bottom of the cavity 57
A single-plate-shaped ceramic substrate 55 for partitioning
The via-hole conductor 58 that conducts to the cavity portion 57 is shaped
And a metal lid 54 is sealed on the surface thereof.
Conductive pattern 59 is formed. Also,
The bottom surface of the cavity 57 includes an IC electrode pad
A predetermined wiring pattern 60 is formed. In addition, frame
For example, two on each of the pair of long side edges on the bottom surface of the leg portion 56.
External terminal electrodes 61 to 64 are formed, and a pair of short terminals
A plurality of recesses are formed on the end face of the side, and the inner wall surface of the recess is formed.
The temperature compensation data writing terminal electrodes 65 to 68 are formed
Have been. Then, a quartz crystal is placed on the surface side of the container 1.
The strip-shaped crystal oscillator 52 is provided via the rotor supports 69 and 70.
Are conductively bonded by conductive adhesives 71 and 72,
Conductor pattern for hermetically sealing the crystal oscillator 52
The metal lid 54 having a substantially dish-like shape using the
Had joined. The cavity 57 is provided with an IC chip.
Loop 53 is mounted. This IC chip 53 is an IC
Via electrode pads and bumps or bonding wires
It is connected. Further, the inside of the cavity 57 is filled.
The filling resin 73 is filled and cured. Thereby, IC
The tip 53 is completely covered to improve moisture resistance.
You. In the above structure, the surface of the container body 51
The mounted crystal oscillator 52 includes via-hole conductors 58, 58
Connected to the IC chip 53 via the
External terminal electrodes 61 via predetermined wiring patterns 60.
To 64, temperature compensation data writing terminal electrodes 65 to 68
It is connected. The IC chip 53 and the temperature compensation data
The write terminal electrodes 65 to 68 are made of a single plate-shaped ceramic substrate 5.
5 by a wiring pattern 60 extending to the plane on the bottom side.
Also, the IC chip 53 and the external terminal electrodes 61 to 64
Utilizing the inner wall surface of the frame-shaped leg 56,
6 connected by via-hole conductors
You. [0012] However, the above-mentioned quartz crystal
In the vibrator, the crystal oscillator support bases 69 and 7 are provided on the front main surface.
0 is formed, and the IC chip 53 is bonded to the bottom side main surface.
The substrate on which the electrode pads are formed is
It is composed of a plate 55. Accordingly, the thickness of the single-plate ceramic substrate 55
Both ends of the via-hole conductor 58 extending in the direction
Area accommodating 52 and the bottom surface of cavity portion 57
And will be exposed. That is, the ceramic substrate 55 and the via hole
Around the body 58, that is, the through hole of the ceramic substrate 55.
The inner wall and the outer peripheral surface of the via hole conductor 58 are completely adhered.
Although it is sufficient that the ceramic substrate 55 is
Due to the difference in heat shrinkage coefficient from the via hole conductor 58,
Cracks have occurred near the surroundings or
It is not always tightly adhered. Temporarily, a crystal oscillator
52, airtight before mounting the IC chip 53
Also, when the crystal oscillator 52 is mounted, the frequency of the crystal oscillator 52
During the stabilization process, when mounting the IC chip 53, the filling resin 73
Because heat application processing is performed multiple times, such as during filling and curing of fat,
The airtight reliability is greatly reduced. For this reason, the crystal oscillator 52 is housed.
The hermetic region is caused by cracks around the via hole conductor 58, etc.
Leaks into the cavity 57 through the
As a result, the environment of the accommodation area surrounding the crystal unit 2 fluctuates
However, there is a problem that the oscillation characteristics change. The present invention has been devised in view of the above problems.
The purpose is to accommodate the crystal resonator.
Airtight area leaks to the cavity side
Surface-mount type crystal that has no oscillation and can maintain stable oscillation characteristics
It is to provide an oscillator. [0017] According to the present invention, there are provided a plurality of devices.
Capacitors are placed on the lower surface of a multilayer substrate consisting of ceramic insulating layers.
A container body on which a frame-like leg portion forming a
The electrode pad for the crystal unit formed on the upper surface of the container
A crystal resonator connected and mounted, and the cavity
The IC chip housed in the
Surface-mount water with a lid that hermetically seals the crystal unit
In the crystal oscillator, the multilayer substrate is provided on an upper surface of the multilayer substrate.
A first electrode connected to the electrode pad for the crystal unit.
A via-hole conductor and a second lead out into the cavity portion;
2 between the via-hole conductor and the ceramic insulating layer
And said first via-hole conductor and second via-hole conductor
And an internal wiring pattern for connecting the
A conductive path bent in the thickness direction of the layer substrate is formed.
The crystal oscillator and the IC by the conductive path.
Surface mount type characterized by being connected to a chip
It is a crystal oscillator. The container of the present invention comprises a quartz oscillator and the quartz oscillator.
Electronic component element that constitutes a circuit that controls the oscillation of
For example, a sera with a laminated structure that separates the IC chip from the front and back.
A multi-layer substrate. And a quartz oscillator on the surface of the multilayer substrate;
IC chip housed in cavity on bottom side of multilayer substrate
Lead only to the surface to connect to the crystal unit
First via hole conductor and the first via hole
The second via hole derived only on the bottom surface different from the conductor
Between the via conductors and the insulating layer.
They are connected by the internal wiring pattern to be connected. Therefore, the ceramic around the via-hole conductor
Cracks or peeling in the crack insulation layer
Even in the area where the internal wiring pattern is formed,
The seal is hermetically sealed, so the area around the via-hole conductor
The airtight area in which the crystal unit is housed
There is no leakage to the bitty part side. For this reason, the oscillation characteristics of the entire crystal oscillator are large.
Water that can be operated stably without any fluctuation
Crystal oscillator. The shape of the internal wiring pattern between the insulating layers
First via-hole conductor led out only to the front side
And a cavity different from the first via-hole conductor.
The formation position of the second via-hole conductor led out to the
Can be set freely. That is, the first derived only on the front side
Crystal unit where the crystal unit is bonded to the via hole conductor
Formed directly under the electrode pad for use, and lead only to the bottom side
The second via-hole conductor to
Can be directly led out to the bottom of the cavity.
Can be simplified. In addition, the water to which the above-described quartz oscillator is joined
Via holes directly under and near the crystal oscillator electrode pad
If a conductor is formed, it can be
Minimize exposed and present conductive material
Can be. As a result, foreign matter generated from the conductive member
Prevent significant fluctuations in the characteristics of the crystal unit
Can also be. Also, by adopting a multilayer substrate, a single-plate
Via hole conductors, various electrode pads, and wiring
Compared to the case of forming a turn, when forming a substrate, especially
Excellent mechanical rigidity during firing, effectively preventing warpage
Thus, the flatness of the substrate surface can be improved. This
This means that the crystal oscillator mounted on the substrate surface is
Can be mounted in a fixed manner,
Problems can be solved and stable operation can be achieved. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a surface mount type crystal source according to the present invention will be described.
The shaker will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows a surface mount type crystal oscillator according to the present invention.
2 is a side view, and FIG. 3 omits a lid.
FIG. 4 is a top view of a state in which the filling resin is omitted.
It is a bottom view of a state. FIG. 5 is a schematic plan view showing a wiring pattern.
FIG. In the drawing, FIG. 1 is a sectional view taken along line XX of FIG.
Is shown. In addition, as the surface mount type crystal oscillator of the embodiment, water
Compensation to flatten the temperature-frequency characteristics of crystal oscillator
A crystal oscillator provided with a control circuit will be described as an example. The temperature-compensated crystal oscillator of the present invention
(Hereinafter referred to as the front surface) is flat and the lower surface (hereinafter referred to as the bottom surface)
Approximately rectangular shape with a concave cavity on the side
A body-shaped container 1, a rectangular crystal oscillator 2, and a control circuit are configured.
IC chip 3 and two electronic components 4, 5 to be formed, metal
It is mainly composed of a lid 6 and a filling resin 7. It should be noted that the control circuit of the present invention can
Electronic components such as capacitors are required.
And reference numerals 4 and 5 for electronic components such as capacitors.
Will be described. The container 1 is made of a plurality of substantially rectangular ceramics.
Insulating layers 1a, 1b, roughly frame-shaped ceramic insulating layers 1c, 1
d are laminated. That is, the container 1 is
A multilayer substrate 8 composed of lamic insulating layers 1a and 1b;
And a frame-like leg 9 composed of the insulating layers 1c and 1d.
Both are integrated. And the bottom of the multilayer substrate 8
Recessed cavity surrounded by the surface and the inner wall of the frame-shaped leg 9
The unit 10 is configured. The outer surface of the container 1 has four external
Terminal electrodes 11 to 14 and a plurality of write control terminal electrodes 1
5 to 18 are formed. The surface of the container 1, that is, the surface of the multilayer substrate 8
The sealing conductor pattern 1 so as to surround the outer periphery thereof.
9, and one end of the container body 1 in the longitudinal direction.
A crystal oscillator for connecting to the crystal oscillator 2
The pole pads 20 and 21 are juxtaposed. In addition, the water
The crystal oscillator 2 is placed on the crystal oscillator electrode pads 20 and 21.
Connection bumps 22 and 23 are formed. Also the container
Near the other end in the longitudinal direction of the body 1, the surface of the
Holding bump for securing a gap with the lower surface of vibrator 2
24 are formed. In addition, for connection from the surface of the container body 1
The height of the bumps 22 and 23 up to the apex is, for example, 20
5050 μm, and the distance between the top of the holding bumps 24
The height is, for example, 10 to 30 μm higher than that of the connection bumps 24.
It is about a low value. The ceramic insulation on the front side of the container 1
The layer 1a is connected to the crystal oscillator electrode pads 20 and 21.
Two first via-hole conductors 25 and 26 are formed.
ing. The bottom surface of the multilayer substrate 8 constituting the container 1
A control circuit is formed on the bottom surface of the cavity 4.
Electronic components 4 and 5 such as IC chip 3 and capacitor are mounted
And various wiring patterns 31 forming a predetermined circuit network.
Are formed. These various wiring patterns 31
A plurality of electrode pads 32, 32,.
· Electrode pads 33, 33 to which electronic components 4, 5 are joined
.... IC chip 3 and external terminal electrodes 11 to 14 and writing
Control terminal circuit connected to control terminal electrodes 15 to 18
This is a pattern that constitutes a network. The ceramic insulating layer 1b on the bottom surface of the multilayer substrate 8
Are connected to the electrode pads 32 connected to the IC chip 3.
..And two second electrodes connected to monitor electrodes 34 and 35
Via hole conductors 27 and 28 are formed. Further, the ceramic insulating material constituting the multilayer substrate 8 is formed.
A first layer is provided between the edge layer 1a and the ceramic insulating layer 1b.
Connects via-hole conductor 25 and second via-hole conductor 27
Internal wiring pattern 29 and first via-hole conductor 2
Internal wiring pattern for connecting the second via hole conductor 28 to the second via hole conductor 28
Horn 30 is formed. Thus, the multilayer board 8 of the container 1 has
One end leads to the surface and the other end leads to the bottom of the cavity 10.
As shown, the first via-hole conductor 25, the internal wiring
The pattern 29 is composed of the second via-hole conductor 27.
And the first via-hole conductor 26 and the internal wiring pattern
30 and a via formed by the via hole conductor 28
It is formed. The above-mentioned external terminal electrodes 11 to 14 are shown in FIG.
As shown, the bottom surface of the frame-shaped leg 9 and the four
Formed over the inner wall of the 1/4 circular cutout at the outer corner
Has been established. In addition, the external terminal power
The shape of the poles 11 to 14 is
It is a continuous rectangular shape. The write control terminal electrodes 15 to 18
Is a pair of long side surfaces of the container body 1 as shown in FIG.
Is formed. For example, the side that appears in FIG.
Write control terminal electrodes 15 and 16 are formed. this
The write control terminal electrodes 15 to 18 are
Rectangular ceramic insulating layer 1b constituting plate 8 and container
1 of the frame-shaped ceramic insulating layer 1c constituting the frame-shaped leg 9
Inner wall surface of the semi-circular notch formed on the long side
Is formed. Accordingly, the top view of FIG.
Write control terminal electrodes 15 to 18 do not appear in the plan view.
No. The IC chip 3 and the write control terminal electrodes 15 to 1
8 is connected by the wiring pattern 31 described above.
You. Further, a conductor pattern for sealing on the surface of the container 1 is provided.
The wire 19 comprises the ceramic insulating layers 1a and 1b and the ceramic
The via-hole conductor penetrating through the insulating layers 1c and 1d forms a frame.
The external terminal voltage of the ground potential formed on the bottom of
A pole, for example 13, is connected. FIG. 2 shows an electronic part such as a capacitor.
One of the electrode pads 33 of the products 4 and 5 is a via-hole conductor,
Internal wiring pattern, ceramic insulating layers 1b, 1c, 1d
Is formed on the bottom of the frame-shaped leg 9 by a via-hole conductor
Connected to an external terminal electrode of the generated power supply potential, for example, 11
ing. This capacitor is connected to the external terminal
High-frequency noise components are detected from the current supplied from the pole 11.
It is something to cut. The above-mentioned container body 1 becomes the insulating layers 1a to 1d.
It is formed using a ceramic green sheet. concrete
Has a rectangular ceramic green sheet serving as an insulating layer 1a.
Through holes to be the first via-hole conductors 25 and 26 are formed.
Followed by high melting points such as molybdenum and tungsten
Fill the through holes with metal paste and cover the surface
And the first via-hole conductors 25 and 26
Conductors serving as conductive crystal resonator electrode pads 20 and 21
Film, conductors serving as bumps 22 to 24 and conductor pattern for sealing
Then, a conductor film to be the ground 19 is formed. Further, a rectangular ceramic to be the insulating layer 1b
Second via hole conductors 27 and 28 on green sheet
Through holes and write control terminal electrodes 15 to 18
The notch formed is formed, and the refractory metal paste is
Fill the through hole and form a conductor film on the surface of this cutout
I do. Then, cavity part 4 of this green sheet
, A plurality of electrode pads 32, 32,.
..., 33, 33 ..., monitor electrodes 34, 35, various arrangements
A conductor film to be the line pattern 31 is formed. The ceramic insulating layer 1a or the ceramic
The bonding surface of the green sheet to be the
Of the via-hole conductor 25 and the second via-hole conductor 27
A conductive film serving as an internal wiring pattern 29 to be connected;
Connects the hole conductor 26 and the second via hole conductor 28
The conductive film which becomes the internal wiring pattern 30
Via hole conductor and internal wiring pattern as required
The conductor film is formed by printing a high melting point metal paste. Further, a frame-shaped cell serving as the ceramic insulating layer 1c is provided.
Penetration that becomes via hole conductor in lamic green sheet
Hole, external terminal electrodes 11 to 14 and write control terminal electrode
A notch where 15 to 18 are formed is formed, and a high melting point gold is formed.
Fill this through-hole with metal paste and insert
A conductor film is formed on the surface. Further, a frame-shaped cell serving as the ceramic insulating layer 1d is provided.
Through hole to be via hole conductor in lamic green sheet
And the notch portion where the external terminal electrodes 11 to 14 are formed
Forming and filling the through-hole with a high melting point metal paste,
A conductor film is formed on the surface of the notch. Next, this group
A plurality of external electrode terminals 1 are provided on the surface serving as the bottom surface of the lean sheet.
Conductive films 1 to 14 are formed. In FIG. 1, the external terminal electrode 1 having the GND potential is used.
The connection from 3 to the sealing conductor pattern 19 is made of ceramic.
The via hole conductor and the internal wiring are arranged in the thickness direction of the insulating layers 1a to 1d.
A meandering path is formed by the line pattern. After laminating such green sheets,
Perform crimping. In the pressure bonding step, the surface of the container 1 is flat.
When performing crimping, use this surface as a reference
Press as surface. In the bottom area of the cavity 4
Even in order to perform pressing with uniform pressure, for example, cavity
The filling part 10 is filled with an auxiliary filling member such as filling,
Also, press with a jig whose upper punch is convex,
The ceramic insulating layers 1a and 1b and the ceramic insulating layers 1c and 1d
And press them, and then press-bond both by pressing
I do. Next, the above green sheets are laminated and pressed.
After the attachment, a baking treatment is performed in a predetermined atmosphere. Next, external terminals exposed on the surface of the container 1
Electrodes 11 to 14, writing control terminal electrodes 15 to 18, sealing
Stopping conductor pattern 19, crystal oscillator electrode pad 20,
21, electrode pads 32-33, monitor electrodes 34, 35,
Ni plating on various wiring patterns 31 and bumps 22 to 24
The container body 1 is achieved by applying gold and flash gold plating
Is done. In addition, on the surface of the container 1, a quartz oscillator
Connection bumps 22, 23 on electrode pads 20, 21 for connection.
On the other end side, the holding bumps 24 are
It is formed by printing, but in addition to silver conductive paper
Printing and baking of strike, application of resin paste containing Ag powder
-It may be formed by curing or the like. Also, connection bumps
Printing multiple times to make the height of 22, 23 more than the specified
・ Applying may be performed. Preferably, from the surface of the container 1
The height of the connection bumps 22 and 23 up to the apex is, for example,
Apex portion of the holding bump 24
The height of the connecting bumps 22 and 23 is, for example, 5
It is about 10 μm lower. Further, on the sealing conductor pattern 19,
The seal ring 36, which is a substantially rectangular metal frame, is joined.
You. Seal ring 36 is 42 alloy, Kovar, phosphor blue
It is made of copper or the like and conforms to the shape of the sealing conductor pattern 19.
Structure. This seal ring 35 is used for sealing.
It is joined to the body pattern 19 by brazing. On the surface of the container 1 as described above, a quartz crystal
The moving element 2 is arranged. The crystal unit 2
For example, both main sides of an AT-cut rectangular quartz plate 2a
The vibrating electrodes 2b, 2c formed on the surface, the vibrating electrodes 2b,
Island-shaped extraction electrode portion 2 extending from one end 2c to the other end
d, 2e. In addition, in FIG.
The vibrating electrode 2c and the extraction electrode 2e on the side are indicated by dotted lines. this
The extraction electrodes 2d and 2e are electrode pads 20 for the crystal unit,
21 and conductive adhesives 2f and 2g.
is there. The vibrating electrodes 2a and 2b and the extraction electrodes 2d and 2d
e is a thin film technology of Ag or Au on an underlayer of Cr, Ni, etc.
It is formed by the method. A quartz oscillator mounted on the front side of the container 1
2 is hermetically sealed by a metal lid 6. Money
The metal cover 6 is made of a metal material such as Kovar or 42 alloy.
And has a thickness of, for example, 0.1 mm.
Frame-shaped brazing to the surface sealing conductor pattern 19
It is welded and joined in close contact with the arm ring 36. In addition, gold
Ni, aluminum, etc. are applied to the outer surface side main surface of the metal cover 6.
To adhere. This is because the brazing material melts during welding and
Stable and strong welding is formed by preventing sneaking around
This is to make it possible. On the bottom of the cavity 10 of the container 1,
Means that the IC chip 3 constituting the control circuit is mounted
You. The IC chip 3 has a unique characteristic represented by, for example, a cubic curve.
Frequency fluctuations of the crystal unit 2 due to temperature-frequency characteristics
Controls flattening over a wide temperature range including temperature
is there. Specifically, a well-known PN-doped silicon chip is used.
Oscillating inverter and load capacity
In addition to the component and feedback resistance, the natural temperature frequency of the crystal unit 2
Holds temperature compensation data required for flattening characteristics
Memory, temperature sensor for detecting ambient temperature,
Cap diode, specified based on specified temperature compensation data
DA converted to voltage and supplied to varicap diode
Conversion means, externally written signals stored in memory
-Converting A / D conversion means and processor for controlling these operations
It is composed of various parts. Such an IC chip 3 has, for example,
VCC terminal to which source voltage is supplied, G to be ground potential
ND terminal, crystal connection terminal connected to crystal oscillator 2,
OUT terminal for vibration output, frequency can be adjusted externally
VCON terminal used for writing compensation data
For example, four data write control terminals.
You. The VCC terminal (power supply) of the IC chip 3
Via the constant electrode pad 32 and the predetermined wiring pattern 31
It is led to the terminal electrode 11. The OUT terminal is
Via a predetermined IC electrode pad 32 and a predetermined wiring pattern 31
It is led to the external terminal electrode 12. Further, the GND terminal (a kind of power supply unit) is
External ends via the electrode pads 32 and the predetermined wiring patterns 31
It is led to the child electrode 13. VCON terminal is a predetermined electrode
External terminal power is supplied through the pad 32 and the predetermined wiring pattern 31.
Leaded to pole 14. Also, two crystal connection terminals
Are the predetermined electrode pad 32, the predetermined wiring pattern 31, and the monitor.
The electrode 34 (35) is connected to the surface of the container 1 via a conductive path.
Lead out to the crystal oscillator electrode pads 20, 21 respectively.
You. Further, four data write control terminals are
IC via the pole pad 32 and the predetermined wiring pattern 31
It is led to the control terminal electrodes 15 to 18. Each of these terminals is, for example, an actual IC chip 3.
It is formed as an aluminum electrode on the mounting surface. In addition, each Al
Form bumps such as gold or solder on the
Ultrasonic bonding and conductivity on the electrode pads 32 ...
Bonding and bonding by filler bonding etc.
Continued. In addition, each aluminum electrode is placed on the upper surface side of the IC chip 3.
Then, for example, via a bonding wire,
May be connected to the cavity 32, but the cavity
Care must be taken that the shape of 10 is not large. The electronic components 4 and 5 are, for example, chip-shaped
It is a message. For example, the electronic components 4 and 5 include a pair of electrode pads.
Conductive resin adhesive containing Ag powder between pads 33, 33
Are joined through. The capacitor as the electronic component 4 is an IC chip.
One of the grounds is connected between the loop 3 and the OUT external terminal electrode 12.
Are connected to each other. This is because the output signal
This is to remove a DC component that becomes noise. The capacitor which is the electronic component 5 has I
Connected between the C chip 3 and the VCC external terminal electrode 11
Power supply voltage supplied to the VCC external terminal electrode 11.
This is to remove high-frequency noise to be folded. Then, in the cavity portion 10,
The IC chip 3 and the two electronic components 4, 5 are in the cavity
Minimize mounting space according to 10 shapes
They are juxtaposed. The cavity 10 has the above-mentioned I
The C chip 3, the electronic components 4, 5 are firmly joined,
Filling resin 7 is formed to improve the moisture resistance reliability.
ing. The filling resin 7 is, for example, at least two kinds of filling resins.
Resin, for example, on the bottom side of the cavity 10
Resin layer 7a that is filled and cured into
The resin layer 7b is filled and cured. Specifically, Cavite
The shrinkage rate of filling and hardening on the bottom side of the
It is composed of a large resin material. Generally an underfill tree
A material with many resin components such as epoxy resin called fat
is there. This resin layer 7a is at least on the IC chip 3.
Filled and cured to cover the surface completely. Immediately
The IC chip 3, the electronic components 4, 5 and the cavity 1
Due to the shrinkage of the resin layer 7a filled in between
Due to the generated stress, the bonding strength between the two is improved. I
The resin formed so as to completely cover the IC chip 3
The stress generated by the contraction of the layer 7a is applied to the IC chip 3.
It occurs toward. Thereby, the stress of the IC chip 3
Press from the top side to the bottom side of the cavity 10
IC chip joined to the bottom of the cavity 10
The bonding strength of the tip 3 is improved. The resin layer 7b is made of a resin having a large shrinkage stress.
The IC chip 3 and the electronic components 4, 5 are covered by the resin layer 7a.
The thickness of the resin layer 7a to be covered becomes thin,
To solve the problem that sufficient moisture resistance cannot be obtained.
It is filled and cured for This allows key
IC chip 3 and electronic components mounted in the cavity 10
4,5 joint strength is improved, and moisture resistance reliability is improved.
I do. Note that the filling resin 7 is
Do not protrude from the opening surface. This is because the surface mount type crystal oscillator can be stably
This is for disposing on a printed wiring board. Next, manufacture of the above-mentioned surface mount type crystal oscillator
The method will be described. First, the above-mentioned container body 1, quartz oscillator 2,
Electronic components 4, 5 such as IC chip 3, capacitor, and gold
A metal cover 6 is prepared. The surface of the container 1 is
The mulling 36 is provided around by brazing, etc.
In addition, a gold bump is formed on the aluminum electrode on the mounting surface of the IC chip 3.
Is formed. Next, the crystal resonator 2 is mounted. concrete
Electrode pads 20 and 2 for the quartz oscillator on the surface of the container 1
1. Connection bumps 22 and 23 formed on 1 and crystal oscillator
2 so that the island-shaped extraction electrode portions 2d and 2e coincide with each other.
Place and place the extraction electrode sections 2d and 2e and the electrode pads 2
0 and 21 using conductive adhesives 2f and 2g such as Ag.
Join the two. The lower surface of the other end of the crystal unit 2 is
It is placed on the holding bump 24. In addition, conductive contact such as Ag
By curing (thermal curing or ultraviolet curing) of the adhesive materials 2f and 2g
Due to the contraction that occurs, the tip of the other end of the crystal unit 2 is held.
Rise, at least the surface of the crystal unit 2 and the container 1
Between the connection bumps 22 and 23
A gap will be formed. Thus, the vibrating electrode 2 of the crystal unit 2
b, 2c are the electrode pads 22, 23, the first via hole
Conductors 25 and 26, internal wiring patterns 29 and 30, and second
Via the via-hole conductors 27 and 28, the cavity 1
Connected to the crystal connection terminal of IC chip 3 formed on the bottom of 0
Connected to the two monitor electrodes 34 and 35. Next, the frequency of the crystal unit 2 is adjusted.
Specifically, an IC chip is attached to the bottom of the cavity 10.
Two monitor electrodes 34 connected to the crystal connection terminals of
Contact the measuring terminal (probe) of the frequency measuring device to 35
Then, the crystal oscillator 2 is caused to oscillate in a predetermined manner, and its frequency is
Measure. Based on the result, it was joined to the container 1
On the vibrating electrode 2b on the upper surface side of the crystal unit 2,
The metal is vapor-deposited, and the vibration electrode 2b is substantially weighted.
While performing, the oscillation frequency is adjusted to a predetermined value. Next, the frequency of the crystal unit 2 is stabilized.
You. More specifically, the entire container 1 to which the quartz oscillator 2 is bonded
Is heat-treated at 150 to 250 ° C. This heat treatment
Generally referred to as heat aging. Due to this heat aging, vibration
Stabilize the frequency-adjusted deposit deposited on the moving electrode 2b
Bonded and included in conductive adhesives 2f, 2g, etc.
To evaporate impurities such as organic solvents. Next, the metal lid 6 is sealed. Ingredient
Physically, the metal lid 6 is placed on the seam ring 36.
Roller electrode for seam welding around the metal lid 6
(Not shown) to move the contact while applying the welding current.
And weld them together. Next, the IC chip 3 and the electronic components 4 and 5 are keyed.
The mounting is performed in the cavity section 10. Specifically, IC chip
The chip 3 is mounted on the Au chip formed on the mounting surface of the IC chip 3.
The bumps match the predetermined electrode pads 32, 32,...
And then place the ultrasonic wave on the IC chip 3
Are applied to fuse them together. The electronic parts 4 and 5 are joined by electrode pads.
, 33, 33 ... containing Ag powder etc.
Apply a fat paste, place electronic components 4 and 5, and cure
And perform the processing. Note that the IC chip 3 and the electronic components 4 and 5
In the order of joining, the electronic components 4 and 5 are mounted first, and then
The C chip 3 may be mounted. Also, the electronic components 4, 5
This can be omitted for control circuits that are not needed.
it can. As for the mounting method of the IC chip 3,
In addition to the face bonding method described above, conventionally well-known
The connection may be made by an ear bonding wire.
In this case, the area required for wire bonding increases.
Therefore, when designing the internal wiring pattern 31, etc., it is compact.
We have to try to make it. Next, the IC chip 3 and the electronic components 4 and 5 are charged.
Cover with filling resin 7. Specifically, the cavity 10
IC chips 3 and electronic components 4 and 5 placed inside
Filled to cover with resin called underfill
・ Curing to form the resin layer 7a, and further on the resin layer 7a
The resin layer 7b is formed of a highly moisture-resistant resin. Next, the characteristic temperature-frequency characteristic of the crystal unit 2
Frequency fluctuation due to wide temperature range including normal temperature
Temperature compensation data for writing to the write control terminal electrode 1.
Connect output terminals such as rom writer to 5-18
Write constant data. Specifically, the frequency adjustment step
Temperature frequency characteristic of crystal unit 2 obtained by
Based on the characteristics, the tertiary temperature is stored in the memory section of the IC chip 3.
To flatten frequency characteristics over a wide temperature range including room temperature
Enter the temperature compensation data. If necessary, write
Desired temperature characteristics can be obtained by incorporating the compensation data
May be checked, and correction data for correction may be written again.
Absent. This temperature compensating operation is performed at a predetermined temperature.
The oscillation frequency of the crystal oscillator
Correction by controlling the capacity of the recap diode
The temperature compensation data is
Data to optimize the voltage that controls the capacitance of
You. As a result, the unique characteristic of the crystal unit 2
Temperature frequency characteristics are flattened over a wide temperature range including room temperature.
Can be In the above-mentioned surface mount type crystal oscillator, the crystal oscillator
The IC chip 3 and electronic components that constitute the moving element 2 and the control circuit
4 and 5 are separated by ceramic insulating layers 1a, 1
b. Then, a crystal oscillator 2 and a control circuit are formed.
Electrical connection between the IC chip 3 and the electronic components 4 and 5
The conductive path is directly below the crystal resonator electrode pads 20 and 21.
First via-hole conductors 25 and 26 formed in
Line patterns 29, 30 and second via-hole conductors 27, 2
8 has been achieved. Moreover, it penetrates the insulating layer 1a.
The first via-hole conductors 25 and 26 and the second
The two via-hole conductors 27 and 28 are mutually displaced in a plane.
And never overlap each other. And this mutual
The parts that are displaced by the internal wiring patterns 29 and 30
Connected by Therefore, the ceramic insulating layer 1a and the first via
Near the interface with the hole conductors 25 and 26 or ceramic insulation
Near the interface between the layer 1b and the second via-hole conductors 27 and 28
Cracks or peeling of both
The thickness of the multilayer substrate 8 is also the thickness of the ceramic insulating layers 1a and 1b.
Are adhered to each other in the directions. For this reason, via hole conduction
Regardless of cracks or peeling around the body 25-28
And the housing area where the crystal unit 2 is housed,
Leakage with the tee 10 does not occur. For this reason, the frequency compensation data
Flattening by compensating for inherent frequency temperature characteristics according to ambient temperature
However, due to factors other than this natural frequency temperature characteristic, water
The oscillation frequency of the crystal oscillator 2 never fluctuates at all.
And a stable temperature compensation operation can be maintained. For example, conventional
A housing area in which the crystal unit 52 is housed,
If the cavity 57 leaks, naturally
The environment of the accommodation area of the crystal oscillator 52 fluctuates,
As a result, even if the above temperature compensation is performed,
Does not provide an oscillation output of a desired frequency. Further, the distance between the ceramic insulating layers 1a and 1b
The first via depends on the pattern of the external wiring patterns 29 and 30.
Hole conductors 25 and 26 and second via-hole conductor 2
The formation positions of 7, 28 can be arbitrarily set. Immediately
In other words, as shown in FIG.
6 is formed directly below the crystal oscillator electrode pads 20 and 21
In addition, the second via-hole conductors 27 and 28 are
Positions of poles 34 and 35 and crystal connection terminals of IC chip 3
Formed directly on the electrode pad 32 or in the vicinity thereof
Various wiring patterns 3 of the cavity 10
1 can be simplified and downsized. A container on which the crystal unit 2 is mounted
On the surface of the body 1, the crystal oscillator electrode pads 20 and 21 and the first
Wiring conductors connecting the via-hole conductors 25 and 26
No turns or minimal distance. As a result,
The container area is designed to alter the atmosphere
Since the cause of the foreign matter can be minimized, the crystal unit 2
Can prevent significant deterioration of characteristics for a long time.
You. Further, by employing the multilayer substrate 8 for the container 1,
In comparison with conventional single-plate ceramic substrates,
High mechanical rigidity, effectively suppressing warpage,
The flatness of the surface of the container 1 on which the crystal oscillator 2 is placed is improved.
To avoid collisions when the crystal unit 2 vibrates.
You. In the above embodiment, the multilayer substrate 8 has two layers.
Although the structure has been described, at least two or more layers may be used.
For example, in the case of a three-layer structure, via-hole conductors are
Formed at different positions and the displacement is formed inside each layer
The connection may be made by a wiring pattern. Also, for example, the first layer
Via hole conductor at the same position on the second ceramic insulating layer
To form via hole conductors at different positions on the third layer
The internal displacement formed between the second and third layers is affected by this displacement.
You may connect by a line pattern. According to the present invention, a table on which a quartz oscillator is mounted is provided.
The housing area on the front side and the electronic component elements that constitute the control circuit
The mounted cavity on the bottom side is
The crystal oscillator and the electronic component element
Connected conductive paths are located at different positions on each ceramic insulating layer
Via hole conductors formed in
This is done by a line pattern. Thus, cracks are formed around the via-hole conductor.
Does not affect the entire conductive path.
And the electronic components that constitute the control circuit
No leakage from the cavity on the bottom side where the element is mounted
Never do. As a result, due to changes over time,
The environment of the housing area where the crystal unit is housed fluctuates
Surface mount type that can maintain stable oscillation characteristics
It becomes a crystal oscillator.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明は表面実装型水晶発振器の断面図であ
る。 【図2】本発明は表面実装型水晶発振器の側面図であ
る。 【図3】本発明は表面実装型水晶発振器の蓋体を省略し
た状態の上面図である。 【図4】本発明は表面実装型水晶発振器の充填樹脂を省
略した下面図である。 【図5】本発明の内部配線パターンを示す概略平面図で
ある。 【図6】従来の表面実装型水晶発振器の断面図である。 【図7】従来の表面実装型水晶発振器の蓋体を省略した
上面図である。 【図8】従来の表面実装型水晶発振器の下面図である。 【符号の説明】 1・・容器体 2・・水晶振動子 3・・ICチップ 4、5・・電子部品 6・・・金属製蓋体 7・・・充填樹脂 8・・・多層基板 9・・・枠状脚部 10・・・キャビティー部 25、26・・・第1のビアホール導体 27、28・・・第2のビアホール導体 29、30・・・内部配線パターン 11〜14・・・外部端子電極 15〜18・・・書き込み制御端子電極
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view of a surface mount type crystal oscillator according to the present invention. FIG. 2 is a side view of a surface mount type crystal oscillator according to the present invention. FIG. 3 is a top view of the surface-mounted crystal oscillator in a state where a lid is omitted. FIG. 4 is a bottom view of the surface-mount type crystal oscillator in which a filling resin is omitted. FIG. 5 is a schematic plan view showing an internal wiring pattern of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional surface mount type crystal oscillator. FIG. 7 is a top view of a conventional surface-mount type crystal oscillator without a cover. FIG. 8 is a bottom view of a conventional surface mount type crystal oscillator. [Description of Signs] 1. Container 2 Crystal oscillator 3 IC chip 4, 5 Electronic component 6 Metal lid 7 Filled resin 8 ..Frame-shaped legs 10 Cavities 25, 26 First via hole conductors 27, 28 Second via hole conductors 29, 30 Internal wiring patterns 11 to 14 External terminal electrodes 15-18: Write control terminal electrodes

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03B 5/32 H03H 9/02 H03H 9/10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H03B 5/32 H03H 9/02 H03H 9/10

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】複数のセラミック絶縁層を積層して成る多
層基板の下面にキャビティー部を形成する枠状脚部を配
置した容器体と、 前記容器体の上面に形成された水晶振動子用電極パッド
に接続されて実装された水晶振動子と、 前記キャビティー部に収容され、充填樹脂に被覆された
ICチップと前記水晶振動子を気密封止する蓋体とを備
えた表面実装型水晶発振器において、前記多層基板は、
該多層基板上面に導出して前記水晶振動子用電極パッド
に接続する第1のビアホール導体と、前記キャビティー
部内に導出する第2のビアホール導体と、前記セラミッ
ク絶縁層間に形成され前記第1のビアホール導体と第2
のビアホール導体とを接続する内部配線パターンとから
成り、且つ前記多層基板の厚み方向に折れ曲がった導電
経路が形成されており、 該導電経路によって、前記水晶振動子と前記ICチップ
とが接続されていることを特徴とする表面実装型水晶発
振器。
(57) Claims: 1. A container in which a frame-like leg for forming a cavity is disposed on a lower surface of a multilayer substrate formed by laminating a plurality of ceramic insulating layers; Electrode pad for crystal unit formed on top surface
A crystal resonator mounted and connected to the
In a surface-mounted crystal oscillator including an IC chip and a lid that hermetically seals the crystal resonator, the multilayer substrate includes:
An electrode pad for the crystal unit which is led out to the upper surface of the multilayer substrate.
A first via-hole conductor connected to the cavity, and the cavity
A second via-hole conductor leading out of the
The first via-hole conductor formed between
From the internal wiring pattern connecting the via hole conductor
And a conductive path bent in a thickness direction of the multi-layer substrate is formed, and the crystal resonator and the IC chip are connected by the conductive path. Type crystal oscillator.
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