JP3359080B2 - 耐酸性保護膜形成用塗布液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 - Google Patents
耐酸性保護膜形成用塗布液及びそれを用いた半導体素子の製造方法Info
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Description
用塗布液及びそれを用いた半導体素子の製造方法に関す
るものである。さらに詳しくいえば、本発明は、基板と
の密着性が良く、かつエッチング液に対する耐性に優
れ、回路をエッチング液から良好に保護しうる樹脂膜を
与える耐酸性保護膜形成用塗布液及び該塗布液を用いて
基板表面に設けられた回路を保護して、エッチング処理
し、半導体素子を製造する方法に関するものである。
リコンウエハーなどの基板を使用し、各種の加工を繰り
返して回路を形成するが、シリコンウエハーの裏面をエ
ッチング液、例えばフッ酸と硝酸と酢酸との混合液など
により化学エッチングする場合、該基板の表面に形成さ
れた回路をエッチング液から保護することが必要であ
る。したがって、このような回路の保護手段として、従
来より耐酸性の樹脂膜を保護膜として使用する方法が用
いられている。
基板との密着性が悪く、かつエッチング液に対する耐性
に乏しいため、回路の保護膜としては十分なものではな
く、該エッチング液により保護膜の収縮や変質を生じ、
基板を変形させたり、また処理後に除去しにくいなどの
欠点があった。
従来の保護膜が有する欠点を克服し、基板との密着性が
良く、かつエッチング液に対する耐性に優れ、エッチン
グ液による収縮や変質が生じることのない樹脂膜を与
え、回路の保護膜形成用として好適に用いられる耐酸性
保護膜形成用塗布液を提供することを目的としてなされ
たものである。
子の製造の際に回路面を保護するための耐酸性保護膜形
成用塗布液について鋭意研究を重ねた結果、特定の環化
度の環化イソプレン系重合体とテルペン系重合体とを特
定の割合で混合して含む塗布液が、基板との密着性が良
く、かつエッチング液に対する耐性に優れた保護膜を形
成すること、そして該塗布液を基板表面に設けられた回
路上に塗布した場合に、十分に満足しうる回路の保護膜
が形成されることを見出し、この知見に基づいて本発明
を完成するに至った。
2.33〜2.43の環化イソプレン系重合体と、
(B)テルペン系重合体とを重量に基づき10:90な
いし60:40の割合で混合し、溶剤に溶解して成る耐
酸性保護膜形成用塗布液及び基板の一方の表面に回路を
設けたユニットをエッチング処理して半導体素子を製造
するに当り、該回路上に、この塗布液を塗布し、乾燥し
て保護膜を形成したのち、エッチング液と接触させるこ
とを特徴とする方法を提供するものである。
て環化イソプレン系重合体が用いられる。この環化イソ
プレン系重合体は、平均環化度が2.33〜2.43の
範囲にあることが必要である。この平均環化度が前記範
囲を逸脱すると、本発明の目的であるエッチング液に対
する耐性(耐酸性)及び基板との密着性に優れた保護膜
が形成されない。なお、ここでいう平均環化度とは、環
化イソプレン系重合体を合成する環化反応前後のイソプ
レンの赤外吸収スペクトルから算出したものである。
てテルペン系重合体が用いられる。このテルペン系重合
体については特に制限はなく、例えば市販されているも
のを使用することができる。市販品の具体例としては、
YSレジンTO115、クリアロンP115(以上、ヤ
スハラケミカル社製、商品名)などを挙げることができ
る。
の環化イソプレン系重合体と(B)成分のテルペン系重
合体は、重量比で10:90ないし60:40、好まし
くは15:85ないし55:45の範囲で混合する。こ
の混合割合が前記範囲を逸脱すると密着性に優れた保護
膜が得られない。
は、前記の環化イソプレン系重合体とテルペン系重合体
との混合物を、通常適当な有機溶剤に溶解して溶液を調
製し、これを基板表面に設けられた回路の上にスピンコ
ーターなどにより塗布し、乾燥することで、膜厚10〜
30μm程度の保護膜を形成させたのち、常法によりエ
ッチング処理する。該有機溶剤については、環化イソプ
レン系重合体及びテルペン系重合体を溶解しうるもので
あればよく、特に制限はないが、例えばキシレンやトル
エンなどの芳香族炭化水素系有機溶剤が好ましく用いら
れる。
特定の環化度を有する環化イソプレン系重合体とテルペ
ン系重合体との混合物を使用することで、耐酸性に優
れ、かつ基板との密着性にも優れた保護膜を形成できる
とともに、化学的な安定性にも優れているため、エッチ
ング液に曝されても収縮や変質が起こらず、基板をエッ
チング処理する際にも、基板の変形を防ぐことができる
という極めて実用性の高い効果を奏する。
する。
テルペン系重合体であるYSレジンTO115(ヤスハ
ラケミカル社製)75gとを混合したものをキシレン1
50gに溶解することで塗布液を調製した。
布液をスピンコーターにより塗布し、120℃、120
秒間乾燥することにより、膜厚10μmの保護膜を形成
した。
エハーをフッ酸、硝酸及び酢酸との混合物からなる混酸
中に5分間浸漬したのち、水洗し、シリコンウエハーを
観察したところ、保護膜の剥がれは全く認められなかっ
た。また、保護されたシリコンウエハー表面は何の損傷
も確認されず、保護膜として極めて良好な特性を有して
いることが分った。
実施例と同様の操作により得られたシリコンウエハー表
面を観察したところ、保護膜の剥がれが認められ、シリ
コンウエハー表面も損傷が確認された。
Claims (2)
- 【請求項1】 (A)平均環化度2.33〜2.43の
環化イソプレン系重合体と、(B)テルペン系重合体と
を重量に基づき10:90ないし60:40の割合で混
合し、溶剤に溶解して成る耐酸性保護膜形成用塗布液。 - 【請求項2】 基板の一方の表面に回路を設けたユニッ
トをエッチング処理して半導体素子を製造するに当り、
該回路上に、(A)平均環化度2.33〜2.43の環
化イソプレン系重合体と、(B)テルペン系重合体とを
重量に基づき10:90ないし60:40の割合で混合
し、溶剤に溶解して成る保護膜形成用塗布液を塗布し、
乾燥して保護膜を形成したのち、エッチング液と接触さ
せることを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08696993A JP3359080B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 耐酸性保護膜形成用塗布液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP08696993A JP3359080B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 耐酸性保護膜形成用塗布液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06271806A JPH06271806A (ja) | 1994-09-27 |
JP3359080B2 true JP3359080B2 (ja) | 2002-12-24 |
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ID=13901709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP08696993A Expired - Fee Related JP3359080B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 耐酸性保護膜形成用塗布液及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
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JP (1) | JP3359080B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3985139B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2007-10-03 | 日本ゼオン株式会社 | 変性重合体およびコーティング材 |
US8268449B2 (en) * | 2006-02-06 | 2012-09-18 | Brewer Science Inc. | Thermal- and chemical-resistant acid protection coating material and spin-on thermoplastic adhesive |
-
1993
- 1993-03-23 JP JP08696993A patent/JP3359080B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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