JP3333613B2 - 光情報記録媒体並びに光情報記録再生方法及び光情報記録再生装置 - Google Patents

光情報記録媒体並びに光情報記録再生方法及び光情報記録再生装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光スポット径よりも小
さな磁区からなる高密度な情報を高信号品質で記録再生
できる光情報記録媒体、並びに光磁気効果を利用する光
情報記録再生方法及び光情報記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気効果を利用する光磁気記録
再生方法は、例えば図１０（ａ）に示すように、媒体６
上に照射した光スポットからの反射光の強度や偏光方向
を検出して再生信号としていた。この方法では、再生信
号出力は、図１０（ｂ）に示すように、光スポット半径
ｒ0 の２倍程度の広がりを持ち、光スポット内に２つ以
上のマークがあると分解できないため、情報記録密度は
光スポットの径（λ／ＮＡ）によって制限されていた。
ここでλは再生光の波長、ＮＡはしぼり込みレンズ７の
開口数である。例えば、波長７８０ｎｍ、ＮＡ０．５５
の場合、光スポットの直径は１．４μｍとなり、再生可
能な最小のマークの大きさはその半分、すなわち、０．
７μｍ程度に制限されていた。
【０００３】この光スポット径よりも小さなマークを再
生する方法が、特開平３−９３０５６号公報などに提案
されている。この方法は、図１１に示すように、３層以
上の磁性膜を備える光磁気記録媒体を用い、光スポット
２の一部分（マスク部）の光照射側の磁性層の磁化を一
方向に揃えて信号として見えなくすることにより、光ス
ポット２よりも小さな磁区１を高分解能で再生するもの
である。マスク部は、再生光により媒体の温度がマスク
温度Ｔm 以上になった領域に形成される。光スポットよ
りも小さなマークを記録する方法には、例えば次のよう
なものがある。
【０００４】 照射する光の強度を制御し、光スポッ
トの中心部分の温度のみが丁度記録温度を超えるように
する。これにより、記録領域は光の中心部の高温領域
（微小領域）に限定され、光スポットよりも微小なマー
クが形成できる。 光を照射し媒体の温度を記録温度にまで上昇させる
と同時に、磁界を高速で変調し、微小な磁区を形成す
る。この方法は、例えば特開昭５４−９５２４０号公報
に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例において
は、信号領域が光スポットの一部分に制限されてしまう
ため、再生出力が減少し、その結果高いＳ／Ｎが得られ
ないという問題があった。さらに、高密度記録を行うた
めには非常に微小な磁区を形成しなければならないとい
う問題があった。本発明の目的は、上記問題点を解決
し、高密度記録再生に適した光情報記録媒体、光情報記
録再生方法及び光情報記録再生装置を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記目的を
達成するために、温度Ｔcoを境に磁性膜上の磁区の大き
さが急激に縮小あるいは拡大する特性を有する磁性膜を
備える光情報記録媒体を用いる。すなわち前記磁性膜
は、図２に示すように、室温でＤ0 であった磁区径が温
度Ｔcoに上昇すると急激に縮小する特性、または図５に
示すように、室温で０であった磁区径が温度Ｔcoに上昇
すると急激に拡大しＤ0 となる特性、あるいは温度Ｔco
に上昇すると急に磁区径Ｄ0 の磁区が生成する特性を有
する。
【０００７】この一定の磁区径の大きさＤ0 をより安定
にし、磁区の大きさあるいは上記の拡大縮小動作の有無
を記録情報に対応させるために、例えば、上記の磁性膜
以外に少なくとも１層の光磁気記録膜を備えた光情報記
録媒体、あるいは、記録情報として磁性膜中に磁気特性
の異なる領域をあらかじめ備えている光情報記録媒体を
用いるとよい。
【０００８】すなわち、例えば、図１９に示す多層構造
の光情報記録媒体６を用いる。この媒体は、温度によっ
て磁区径が変化する第１磁性層５１の他に、記録情報を
磁区径Ｄ0 の磁区１の有無として保持する第３磁性層５
３を備えている。第２磁性層５２は第１磁性層５１と第
３磁性層５３の間の結合力を制御するために挿入したも
のであり、必ずしも必要ではない。記録情報を第３磁性
層５３に記録するには、前記「従来の技術」に述べたの
と同様の方法を用いる。図１９では、第３磁性層５３内
の磁区１を記録情報に対応させているが、磁性層を１層
とし、基板１３の凹凸や磁性層自身の磁気特性の違いを
記録情報に対応させておくことも可能である。この方法
は、読み出し専用型媒体（ＲＯＭ）の場合、特に有効で
ある。
【０００９】本発明の光情報記録媒体に再生光を照射
し、前記磁性膜の温度を局部的にＴco付近まで上昇させ
て磁区形状を変化させ、その形状変化に伴う反射光の偏
光状態の変化を検出して情報を再生することにより、再
生信号の変化率の急峻化が達成され、高周波（高密度）
での信号品質（Ｓ／Ｎ）が向上する。この場合、光のス
ポット内で磁区形状の変化している部分のみを選択的に
再生することが可能となるため、光スポット径よりも小
さな磁区を高分解能で再生することが可能となる。
【００１０】この時、再生信号の変化の時刻を検出する
ようにすると、信号の変化時刻の検出精度が増す。再生
信号の時刻の検出精度が高いということは記録媒体上で
のマークの位置や長さをより正確に検出できるというこ
とを意味しており、高密度な記録の再生が可能になる。
また、再生信号の変化時間をΔＴ、再生光を集光して生
じるスポットの直径を２ｒ0 、光スポットと光情報記録
媒体との相対移動速度をｖとするとき、 ΔＴ＜ｒ0 ／ｖ なる関係式を満たす急激な再生信号の変化を検出するこ
とにより、高周波特性に優れ光スポットよりも小さなマ
ークを安定に検出することができる（図１、図６）。
【００１１】すなわち、カー回転などの光磁気効果によ
る反射光の偏光状態（偏光角）の変化を再生信号として
検出するとき、図３のように光スポット２が直径Ｄの記
録磁区１にさしかかったときに、ΔＴ・ｖだけ光スポッ
トが移動する間に、再生光によって温められた磁性層の
温度がＴcoまで上昇し、磁区１の大きさが急激に縮小
（拡大）し、それに伴って再生信号が急激に変化する。
この変化の時間は、従来の記録媒体を用いる場合に比べ
て十分に短い。すなわち、従来は、直径２ｒ0 の大きさ
の光スポットが磁区を通過し終わるまでの時間を要して
再生信号が変化していたのが、本方法では非常に高速に
再生信号が変化する。図１の再生信号出力変化は磁区の
急激な縮小、すなわち図２の特性の媒体に対応し、図６
の再生信号出力変化は磁区の急激な拡大、すなわち図５
の特性の媒体に対応する。
【００１２】また、再生信号の変化時間をΔＴ、再生さ
れるべき記録マークの大きさをＤ、光スポットと光情報
記録媒体との相対移動速度をｖとするとき、 ΔＴ＜Ｄ／ｖ なる関係を満たす急激な再生信号の変化を検出すること
により、マークの位置あるいは大きさをより微小な精度
で安定に検出することができる。
【００１３】図１１に示すように、従来例においては、
磁区１が、Ｔ＞Ｔm 領域に入ると同時に磁区１の端の部
分から順次消去されていく。このため、信号変化には、
記録磁区の直径分だけ光スポットが移動する時間ΔＴ’
を要する。すなわち、ΔＴ’＝Ｄ／Ｖである。一方、本
発明では、図３のように、磁区１全体の平均温度ＴがＴ
＞Ｔcoとなったときに磁区１全体の大きさが急激に縮小
し、磁区１は一瞬のうちに消滅する。従って、本発明の
再生信号の時間変化ΔＴは従来の時間変化ΔＴ’よりも
短く、急峻な変化が得られる。
【００１４】また、本発明の光情報記録媒体に再生光を
パルス状に照射し、反射光の偏光状態を再生信号として
検出する再生方法において、前記再生信号の変化時間を
ΔＴ、再生光パルスの長さをｔｐとするとき、 ΔＴ＜ｔｐ なる関係式を満たす急激な再生信号の変化を検出して情
報を再生することができる。この一例を、図４に示して
ある。
【００１５】すなわち、一定間隔でパルス状にレーザを
照射し、磁性層を加熱して磁区１の径を変化させる。再
生信号は磁区が存在するときにのみ急激に変化するた
め、この急峻な変化を検出することで、記録磁区の有無
を検出できる。従って、媒体に対して光スポットが相対
的に移動していない場合でも高速度で記録磁区を検出す
ることが可能となり、光カードなどに適する。すなわ
ち、カード型の媒体では、媒体を高速に（回転）移動さ
せることが困難であるため、光スポットの位置を移動さ
せて再生する方法が用いられる。この場合、光スポット
は必ずしも連続的に走査しないため、情報を再生すべき
部分に光スポットをパルス的に照射する本方法を用いる
と都合がよい。
【００１６】また、略同形の記録マークを、マーク間距
離を変えて形成して記録情報とし、記録マーク間の距離
を再生信号の急激な変化の時間間隔として検出すること
で、記録情報を再生することができる。前記マーク間の
距離は、図７に示すように、２値以上の離散的な値で変
調し、その変調の刻み幅を記録マークの直径の半分より
も小さくしてもよい。すなわち、マーク間の距離をｄと
すると ｄ＝ｄ0 ＋Δ・ｎ となるように変調する。ここで、ｄ0 は最短マーク間
隔、Δは刻み幅、ｎは０以上の整数であり、 Δ＜Ｄ／２ である。ただし、Ｄはマーク径である。
【００１７】このように、記録マークを略同形、より好
ましくは略円形とすることにより、再生信号の急激な変
化がすべてのマークに対して一様に生じ、安定した再生
が可能となる。また、変調の刻み幅をマークの直径の半
分（半径）よりも小さくすることにより、小さなマーク
を記録することなしに、大きな記録密度を得ることが可
能となる。
【００１８】記録マークの長さ及び記録マーク間の距離
の両方を変えて情報を記録し、記録マークの先端および
記録マークの後端部に対応する前記再生信号の急激な変
化の時刻を検出することによって記録情報を再生するこ
とによっても、さらに、大きな記録密度を得ることが可
能となる。隣接する２つの記録マークの前端部同志の距
離（前エッジ間隔）と後端部同志の距離（後エッジ間
隔）を独立に別の情報として記録し、かつ、その距離を
２値以上の離散的な値で変調し、変調の刻み幅を前端部
に対応するものと後端部に対応するものとで異なるよう
にすることによっても情報を記録再生することができ
る。
【００１９】この例を図１２に示した。再生信号がスラ
イスレベル４を横切る時刻を検出する際、信号変化が急
峻であればあるほどノイズの影響を受けずに精度よく検
出できる。図１２の例では、後エッジのほうが精度よく
検出できる。従って、情報記録時の変調の刻み幅を短く
したほうがより有効に高密度記録することができる。こ
れにより、再生信号の変化の急峻さ（Ｓ／Ｎ）に応じて
最適な刻み幅に設定することが可能になるため、最も効
率よく高密度化することが可能となる。
【００２０】さらに、前記前端部に対応する情報および
後端部に対応する情報をレーザ光の異なる走査時に検出
するようにしたり、前記前端部に対応する情報を検出す
る時と、後端部に対応する情報を検出する時とで光スポ
ットの付近に印加する再生磁界の方向を変えるようにす
ると、前端部と後端部に対して独立に再生条件を最適化
できるため、再生信号品質が向上することができる。こ
のためには、再生磁界の方向により図２と図５の両方の
特性を持つ媒体を用いることが望ましい。
【００２１】本発明の光情報記録媒体から記録情報を再
生する光情報記録再生装置は、光情報記録媒体に再生光
を照射し光スポットを形成するための光ヘッドと、再生
光の反射光の偏光状態を再生信号として検出する偏光検
出部と、光情報記録媒体の任意の位置に光スポットを移
動する位置制御手段と、再生信号の時間変化率が一定値
よりも大きな部分のみを選択しその時刻を検出する選択
検出手段を備える。選択検出手段は、高周波成分検出手
段と比較器とすることができる。
【００２２】これにより、再生信号の変化率の急峻化が
達成され信号品質（Ｓ／Ｎ）が向上する。また、光のス
ポット内で磁区形状の変化している部分のみを選択的に
再生することが可能となるため、光スポットよりも小さ
な磁区を高分解能で再生することが可能となる。光スポ
ット部に再生磁界を印加する再生磁界印加手段を備える
と、再生条件を最適化しながら、高いＳ／Ｎで再生する
ことが容易になる。
【００２３】再生磁界印加手段に印加する磁界の方向を
制御する制御部をさらに備え、この制御部で、選択検出
部により検出された時刻情報を元に、磁界の方向を反転
制御するようにすれば、記録マークの前端部と後端部に
対して、独立に再生条件を最適化しながら、高速エッジ
再生を行うことができる。また、光ヘッドと前記再生磁
界印加手段を少なくとも２組備えると、記録マークの前
端部と後端部に対して、独立に再生条件を最適化しなが
ら再生することが容易になり、より安定な再生が可能と
なる。
【００２４】
【作用】本発明では、光情報記録媒体上の磁区を変形
（消滅あるいは生成、拡大）させることで、光スポット
内での磁区の面積に急峻な変化を引き起こし、それを再
生信号に反映させる。したがって、本発明の光情報記録
再生方法によると、再生信号に非常に急峻に変化する部
分ができ、その再生信号の最も急峻な部分を有効に利用
して、高密度記録再生を達成することができる。
【００２５】再生信号が急峻であればあるほど、信号に
振幅性のノイズが重畳した場合に、そのノイズが再生信
号の時間的な揺らぎ（ジッタ）に与える影響は小さくな
る。従って、再生信号の変化の時刻を検出する場合、そ
の検出精度が増す。再生信号の時刻の検出精度が高いと
いうことは記録媒体上でのマークの位置や長さをより正
確に検出できるということを意味している。すなわち、
高密度な記録の再生が可能になる。
【００２６】磁区の面積変化を引き起こすために、図２
や図５に示すように、記録磁区径が温度によって急激に
変化する特性を有する媒体を用いる。このような媒体
は、例えば、磁性膜を図１９に示すように多層化するこ
とで得られ、このような特性の媒体を用いると、図１や
図６に示すように、再生信号の急激な変化が得られる。
再生信号の急峻な変化を効率良く検出するために、微分
回路とスライス回路等を組み合わせた高周波成分のみを
検出する手段を用いると、急峻な変化の起こっていない
信号成分は検出されなくなり、トラック間クロストーク
などを除去するのに有効である。
【００２７】
【実施例】
〔実施例１〕（光情報記録媒体） 図１９に、本発明に用いる光情報記録媒体６の一実施例
の断面構成図を示す。０．８μｍピッチの案内溝を設け
たディスク状基板１３上に、ＳｉＮ誘電体層を６０ｎｍ
積層する。その後、第１磁性層５１として保磁力の低い
Ｇｄ23Ｆｅ59Ｃｏ18を４０ｎｍ、第２磁性層５２として
Ｔｂ18Ｄｙ10Ｆｅ72を１０ｎｍ、第３磁性層５３として
Ｔｂ28Ｆｅ61Ｃｏ11を５０ｎｍ、ＲＦマグネトロンスパ
ッタ法で順に積層し、磁性膜５０とする。従って、磁性
膜５０の膜厚は１００ｎｍである。さらに、この上に必
要に応じてＳｉＮなどの誘電体保護膜を形成する。
【００２８】こうして作製した光情報記録媒体６に十分
大きな磁界（＞２５ＫＯｅ）を印加して着磁したのち、
バイアス磁界４００Ｏｅを印加しながら、強いレーザパ
ルス（１５ｍＷ、２０ｎｓｅｃ）を照射して、直径Ｄ0
＝０．３５μｍの磁区を記録した。記録直後、磁区は図
１９の左端に示したように第１磁性層５１と第３磁性層
にまたがって、直径Ｄ0 の磁区が形成されている。
【００２９】この記録媒体は、第２磁性層のキュリー温
度が１２０℃と低い。このため、再生磁界Ｈｒを印加し
ながら、この温度付近まで媒体を昇温すると、第２磁性
層の磁化が消滅し、第１磁性層と第３磁性層の磁化が磁
気的に切断される。このため、図２に示したように、保
磁力の低い第１磁性層の磁区径Ｄは急激に減少し、磁区
が消滅（コラプス）する。このコラプス温度Ｔcoは、１
０５℃であった。ここで、第２磁性層は、第１磁性層と
第３磁性層の間の交換力を制御するのに有効ではある
が、必ずしも必要というわけではない。
【００３０】〔実施例２〕（光情報記録媒体） 本発明に用いる光情報記録媒体６の他の実施例について
説明する。本実施例の光情報記録媒体は、次のようにし
て作製した。０．２５μｍ径、１０ｎｍ深さの凹ピット
を有するディスク状基板１３上に、ＳｉＡｌＯＮ誘電体
層５０ｎｍを積層する。その後、第１磁性層５１として
保磁力の低いＧｄ13Ｄｙ8Ｆｅ61Ｃｏ18を２５ｎｍ、第
２誘電体膜としてＳｉＮを１５ｎｍ、反射膜としてＡｌ
−Ｔｉ合金を６０ｎｍ、高周波マグネトロンスパッタ法
で積層する。さらにこの上に必要に応じて有機物保護層
を塗布する。
【００３１】こうして作製した光磁気記録媒体６に十分
大きな磁界（＞２５ＫＯｅ）を印加して着磁すると、凹
ピット部分に０．２５μｍ径の磁区が形成された。一般
にスパッタ法では、凹部の膜厚が薄くなり磁気特性が変
化する。本実施例では、保磁力が若干小さくなった結
果、ピットの周りの部分からの反磁界の影響で自動的に
磁区が形成される。このディスクに前記の磁界と同じ方
向に弱いバイアス磁界（１５０Ｏｅ）を印加して、顕微
鏡で観察しながら加熱してピット部分の磁区径を観察し
た結果、図２に示す特性が確認された。この時、磁区が
消滅（コラプス）する温度Ｔcoは、１２５℃であった。
【００３２】〔実施例３〕（光情報記録媒体） 本発明に用いる光情報記録媒体６の他の実施例について
説明する。本実施例の光情報記録媒体は、次のようにし
て作製した。案内溝を有するディスク状基板１３上に、
ＳｉＯＮ誘電体層５５ｎｍを積層する。その後、第１磁
性層５１としてＴｂ22Ｆｅ72Ｃｏ6 を２５ｎｍ、第２誘
電体膜としてＳｉＮを１５ｎｍ、反射膜としてＡｌ−Ａ
ｇ合金を４０ｎｍ高周波マグネトロンスパッタ法で積層
する。さらにこの上に必要に応じて有機物保護層を塗布
する。
【００３３】こうして作製した光磁気記録媒体６に、十
分強い（１５ｍＷ）レーザ光（波長３５１ｎｍ）を用い
て直径約０．２５μｍの領域の磁気特性を変化させ情報
を記録する。具体的には保磁力を減少させる。このよう
に十分強いレーザ光で保磁力が減少する現象は非晶質状
態の構造緩和に起因すると考えられている。このディス
クに、十分大きな磁界（＞２５ＫＯｅ）を印加して着磁
し、逆方向のバイアス磁界（４００Ｏｅ）を印加して顕
微鏡で観察しながら、加熱してピット部分の磁区径を観
察した結果、図５に示す特性が確認された。この時、磁
区が生成する温度Ｔcoは、１４０℃であった。この例で
は、強いレーザ光で情報をあらかじめ記録しておくＲＯ
Ｍ型媒体を示したが、もちろん追記型の媒体として用い
ることも可能である。
【００３４】〔実施例４〕（光情報記録再生方法） 上記実施例１の光情報記録媒体６に本発明の光情報記録
再生方法を適用した例を図３を用いて説明する。図３
の、左の枠内の図は光情報記録媒体６を第１磁性層５１
の側から見たものである。左上図で、記録磁区１が形成
されている領域に矢印３の向きに光スポット２が相対的
に移動してきた状況を考える。ここで、光スポット３
は、図１９に示したように、レンズ７によってレーザ光
を集光して形成する。ここでは、光の波長６８０ｎｍ、
開口比０．５５のレンズを用いたため、光スポットの半
径は０．６μｍであった。また、レーザ光は、３ｍＷの
ＤＣ光を用い、媒体に対して１．２ｍ／ｓの相対速度ｖ
で光スポットを移動させた。このため、図３で、光スポ
ット２の後方部分に、温度Ｔがコラプス温度Ｔco以上の
領域ができ、光スポットとともに移動する。
【００３５】図３左上の状態では、記録磁区が光スポッ
トの中心に徐々に近づくため、再生信号も徐々に増加す
る。次に、図３左下図のような位置まで光スポットが移
動すると、記録磁区１がちょうどコラプス温度Ｔcoまで
熱せられるため、図３に示したように、記録磁区径Ｄが
急激に減少し、コラプスすると同時に再生信号も急激に
減少する（図１６）。なお、再生信号の符号は、装置の
増幅器の極性によっては図３や図１６に示したのと逆に
なる。
【００３６】このため、コラプスの起こらない従来の場
合と比べて、再生信号の変化が急峻化する。本実施例で
は、再生信号の変化時間（立上り時間または立下がり時
間）ΔＴは８０ｎｓｅｃであった。図１に示した、ΔＴ
・ｖ＝０．０９６μｍは、光スポット２の半径ｒ0 と比
べて十分小さくかつ、記録磁区径０．３５μｍと比べて
も十分に短い。すなわち、図１０や図１１に示した従来
例と比べて、再生出力が十分に急峻化している。
【００３７】次に、このような再生信号の急峻化によっ
て、記録磁区１の位置を精度良く検出できる原理を示
す。図１７に示したように、再生信号がショットノイズ
などによって、上下に変動したとする。再生信号が急峻
化していない場合は、図１７の前エッジのようにジッタ
が増大するが、急峻化した場合は図１７の後エッジのよ
うにジッタはほとんど発生しない。従って、再生信号の
急激な変化の時刻を正確に検出することができる。この
例の場合、再生信号の急激な変化の時刻とは、記録磁区
が丁度コラプス温度Ｔcoに達した時刻であるため、光ス
ポット内のコラプス温度Ｔcoの位置での記録磁区の有無
を正確に検出できる。
【００３８】逆に、この再生信号の急峻な変化のみを検
出すれば、光スポット内のコラプス温度Ｔcoの位置の情
報のみを検出できるため、光スポットよりも微小な磁区
を干渉なく再生できる。もちろん溝ピッチを狭くした場
合にも、隣のトラックの情報が混入するクロストークの
発生をおさえられる。この例では、ノイズ振幅が信号振
幅の１／４であった。すなわちＳ／Ｎ＝１２ｄＢであっ
た。その場合、ジッタは、ΔＴの約１／４、すなわち、
０．０２４μｍ程度の精度で記録磁区の位置を検出でき
る。
【００３９】このように、記録磁区の位置を正確に検出
できることを利用して、例えば、図７のように情報を記
録すると高密度記録を行うことができる。すなわち、記
録磁区１の間隔ｄを、ｄ＝ｄ0 ＋Δ・ｎ、ただし、ｄ0
は最短マーク間隔、Δは刻み幅、ｎ＝０，１，２，
３．．．である。ここでは、一例として、ｄ0 ＝０．６
μｍのＶＦＭ変調方式を適用した。この場合、Δ＝０．
１２μｍ、ｎ＝０〜１８で、ビット密度は、０．３μｍ
／ビットとなる。０．７μｍ溝ピッチより、記録密度は
３Ｇｂ／ｉｎ2 となる。
【００４０】〔実施例５〕（光情報記録再生方法） 本発明を、マークエッジ記録に適用した実施例を図１５
に示す。光情報記録媒体としては実施例１のものを用い
た。情報の記録には、「従来の技術」に述べた磁界変調
法を用いた。この方法は比較的長波長のレーザ光で微小
磁区が記録でき、マークエッジ記録に適する。本実施例
では、波長６８０ｎｍのレーザ光を用い、幅０．５μ
ｍ、最短０．３μｍのＮＲＺエッジ記録を行った。
【００４１】記録情報の再生は、バイアス磁界をリアル
タイムで変調しながら行った。すなわち、前エッジを検
出するときにはバイアス磁界を上向きにして再生し、前
エッジ検出の直後にバイアス磁界の向きを反転させ、後
エッジ検出に備える。このように、前エッジ検出時と後
エッジ検出時で再生磁界の方向を変えることにより、前
後のエッジともに急峻化した図１５に示す再生信号波形
が得られる。この方法は、記録時に磁界変調記録を用い
ることで、オーバライトとの両立も容易である。
【００４２】マークエッジ検出を行う別の例としては、
図１４に示すように、光ヘッドと再生磁界印加手段８を
前エッジ用と後エッジ用の２組用意して再生する方法
や、図９に示すように、２回転に分けて再生する方法が
ある。いずれにしてもマークエッジ記録の場合は実施例
２のマーク位置記録と比べて、約１．５倍の高密度化が
可能である。すなわち、４Ｇｂ／ｉｎ2 以上の高密度記
録が容易に達成できる。しかしこの場合、より正確な磁
区の長さの記録制御が必要になる。
【００４３】〔実施例６〕（光情報記録再生装置） 図１３に、本発明による光情報記録再生装置の一実施例
のブロック図を示す。実施例１の光情報記録媒体６を用
い、光情報記録媒体６に記録や再生のための光を照射す
る光ヘッドを有し、その光ヘッドはオートフォーカスや
トラッキングなどの位置制御手段によって、情報を記録
／再生すべき位置に位置決めされている。情報を記録す
る際には、記録すべき情報に応じて光の強度や磁界の強
度を変調手段を用いて変調する。
【００４４】再生にあたっては、光の強度や磁界の強度
を高品質な再生が可能なように制御しながら印加し、反
射光の偏光面を検出する偏光検出部を含む再生手段を用
いて再生する。再生信号は、例えば微分して振幅の大き
な部分のみを検出するようにスライスする選択検出部に
導かれる。図８に示したように再生信号の微分信号をス
ライスレベル４でスライスすることにより、再生信号の
急峻な変化ΔＴを選択的に検出できる。また、上記の、
光の強度や磁界の強度の制御は、微分信号振幅が最大に
なるように制御すれば良く簡便である。
【００４５】実際の情報の復調にあたっては、再生信号
を元に図１８のクロック信号１０を生成し、そのクロッ
ク信号の一周期内に再生信号１１の急峻な変化が検出さ
れるかされないかで情報の１と０に対応させ、復調信号
１２を得る。本発明の適用例は以上の実施例に限られる
ものではない。例えば、記録媒体としてＰｔ／Ｃｏなど
の多層膜を第１磁性層５１としたものを用いてもよい
し、各層に他の組成の希土類遷移金属合金（ＧｄＦｅＣ
ｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ、ＮｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＣｏなど）を用いてもよい。また、必要
に応じて反射層や熱拡散層を設けてもよいし、カード状
の記録媒体を用いてもよい。
【００４６】
【発明の効果】再生信号の時間変化が急峻なため、信号
をスライスすることにより、記録マークの位置をショッ
トノイズなどの影響を受けずに正確に検出することが可
能となる。また、微分信号振幅が大きくなるため、微分
信号の大振幅部分のみを選択的に検出して、隣接トラッ
クのクロストークを完全に除去できると同時に非常に微
小なマークを干渉なく安定に再生できる。このため、３
Ｇｂ／ｉｎ2 以上の高密度記録が容易に達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光情報記録再生方法の一実施例の説明
図。
【図２】本発明の光情報記録媒体の一例の特性図。
【図３】本発明の光情報記録再生方法の一実施例の説明
図。
【図４】本発明の光情報記録再生方法の一実施例の説明
図。
【図５】本発明の光情報記録媒体の一例の特性図。
【図６】本発明の光情報記録再生方法の一実施例の説明
図。
【図７】本発明の光情報記録再生方法の一実施例の説明
図。
【図８】本発明の光情報記録再生方法の一実施例の説明
図。
【図９】本発明の光情報記録再生方法の一実施例の説明
図。
【図１０】従来の光磁気記録再生方法の説明図。
【図１１】従来の光磁気記録再生方法の一例を示す図。
【図１２】本発明の光情報記録再生方法の一実施例の説
明図。
【図１３】本発明の光磁気記録再生装置の一実施例のブ
ロック図。
【図１４】本発明の光情報記録再生装置の一実施例の説
明図。
【図１５】本発明の光情報記録再生方法の一実施例の説
明図。
【図１６】本発明の光情報記録再生方法の原理説明図。
【図１７】本発明の光情報記録再生方法の原理説明図。
【図１８】本発明の光情報記録再生方法の一実施例の説
明図。
【図１９】本発明の光情報記録媒体の一実施例の部分断
面構成図。
【符号の説明】
１…記録磁区、２…光スポット、３…光スポット移動方
向、４…スライスレベル、５…バイアス磁界の向き、６
…光磁気記録媒体、７…レンズ、８…再生磁界印加手
段、９…再生磁界、１０…クロック信号、１１…再生信
号、１２…復調信号、１３…基板、２１…前エッジ検出
用光スポット、２２…後エッジ検出用光スポット、５０
…磁性膜、５１…第１磁性層、５２…第２磁性層、５３
…第３磁性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 蔵野 雅昭 (56)参考文献 特開 平１−143041（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−143042（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−147028（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 11/105

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に少なくとも１層の磁性膜を有し
    ており、該磁性膜は、直径２ｒ 0 のスポット状の再生光
    を媒体との相対速度ｖで照射し、該再生光の反射光の偏
    光状態を再生信号として検出するとき、所定の温度Ｔco
    で記録マークを形成する磁区の大きさが縮小あるいは拡
    大することに起因して再生信号が立ち上がる又は立ち下
    がる時間ΔＴがΔＴ＜ｒ 0 ／ｖであることを特徴とする
    光情報記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記磁性膜以外に少なくとも１層の光磁
    気記録膜を備えていることを特徴とする請求項１記載の
    光情報記録媒体。
  3. 【請求項３】 磁性膜中に保磁力が低減した領域を記録
    情報としてあらかじめ備えていることを特徴とする請求
    項１又は２記載の光情報記録媒体。
  4. 【請求項４】 基板上に少なくとも１層の磁性膜を有
    し、該磁性膜は所定の温度Ｔcoで磁区の大きさが縮小あ
    るいは拡大するものである光情報記録媒体を用い、該光
    情報記録媒体にスポット状の再生光を照射し、該再生光
    の反射光の偏光状態を再生信号として検出する光情報記
    録再生方法において、 前記再生信号の立ち上がり又は立ち下がり時間をΔＴ、
    再生されるべき記録マークの大きさをＤ（Ｄは、マーク
    位置記録方式の場合にはマーク径、マークエッジ記録方
    式の場合には最短マーク長）、スポット状の再生光と光
    情報記録媒体との相対移動速度をｖとするとき、 ΔＴ＜Ｄ／ｖ なる関係を満たす再生信号の立ち上がり又は立ち下がり
    を検出して情報を再生することを特徴とする光情報記録
    再生方法。
  5. 【請求項５】 基板上に少なくとも１層の磁性膜を有
    し、該磁性膜は所定の温度Ｔcoで磁区の大きさが縮小あ
    るいは拡大するものである光情報記録媒体を用い、該光
    情報記録媒体にパルス状の再生光を照射し、該再生光の
    反射光の偏光状態を再生信号として検出する光情報記録
    再生方法において、 前記再生信号の立ち上がり時間又は立ち下がり時間をΔ
    Ｔ、再生光のパルスの長さをｔｐとするとき、 ΔＴ＜ｔｐ なる関係式を満たす再生信号の立ち上がり又は立ち下が
    りを検出して情報を再生することを特徴とする光情報記
    録再生方法。
  6. 【請求項６】 情報が前記光情報記録媒体に略同形の記
    録マークのマーク間距離を変化させることによって記録
    され、その記録マーク間の距離を前記再生信号の立ち上
    がり又は立ち下がりの時間間隔として検出することを特
    徴とする請求項４又は５記載の光情報記録再生方法。
  7. 【請求項７】 情報が前記光情報記録媒体に記録マーク
    の長さ及び記録マーク間の距離の両方を変えて記録さ
    れ、該記録マークの先端および記録マークの後端部に対
    応する前記再生信号の立ち上がり又は立ち下がりの時刻
    を検出することによって記録情報を再生することを特徴
    とする請求項４又は５記載の光情報記録再生方法。
  8. 【請求項８】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の光
    情報記録媒体を用い、該光情報記録媒体に再生光を照射
    し光スポットを形成するための光ヘッドと、該再生光の
    反射光の偏光状態を再生信号として検出する偏光検出部
    と、前記光情報記録媒体の任意の位置に光スポットを移
    動する位置制御手段と、前記再生信号の時間変化率が一
    定値よりも大きな部分のみを選択しその時刻を検出する
    選択検出手段を少なくとも備えて成ることを特徴とする
    光情報記録再生装置。
  9. 【請求項９】 前記選択検出手段は、高周波成分検出手
    段と比較器を含むことを特徴とする請求項８記載の光情
    報記録再生装置。
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