JP3254240B2 - Ion beam processing method and apparatus - Google Patents
Ion beam processing method and apparatusInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、エッチングや成膜等に
用いられるイオンビーム処理装置、特に、イオンビーム
を被処理体に対し垂直に入射させることができる、イオ
ンビーム処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion beam processing apparatus used for etching or film formation, and more particularly to an ion beam processing apparatus capable of vertically inputting an ion beam to an object to be processed.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、イオンビーム処理装置では、プ
ラズマ発生手段を備えたプラズマ室からイオンを処理室
に引出し、該処理室に収容されている被処理体に対しイ
オンビームを入射することによりイオンビーム処理、例
えばエッチングが行われている。このエッチングを、例
えばシリコンウェハに対して行い、異方性の高いエッチ
ングパターンを得るためには該ウェハ表面に対して垂直
にイオンビームを入射させる必要がある。2. Description of the Related Art Generally, in an ion beam processing apparatus, ions are extracted from a plasma chamber provided with plasma generating means into a processing chamber, and the ion beam is made incident on an object to be processed accommodated in the processing chamber. Beam processing, for example, etching is performed. This etching is performed on, for example, a silicon wafer, and in order to obtain an etching pattern with high anisotropy, it is necessary to make an ion beam incident perpendicular to the wafer surface.
【０００３】上記イオンビーム処理装置としては、例え
ば特開平１−２６４２２４に開示されているＥＣＲプラ
ズマエッチング装置や、特開平２−１０３８４５に開示
されているマイクロ波プラズマ装置が知られており、前
者ではプラズマ室から処理室にイオンを引出すための手
段として磁場を利用し、後者では平板電極によって形成
される電場を利用している。As the ion beam processing apparatus, for example, an ECR plasma etching apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-264224 and a microwave plasma apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-103845 are known. A magnetic field is used as a means for extracting ions from the plasma chamber to the processing chamber, and the latter uses an electric field formed by a plate electrode.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、イオン
引出手段として前記磁場や平板電極による電場を利用す
る場合には、プラズマ室からイオンが引出された後、そ
の流束（ビーム）が磁場やイオン間のクーロン反発によ
り拡がってしまい、シリコンウェハ等の被処理体の表面
にイオンビームを垂直に入射させることができないとい
う問題がある。However, in the case where the magnetic field or the electric field generated by the flat plate electrode is used as the ion extracting means, after the ions are extracted from the plasma chamber, the flux (beam) is changed to the magnetic field or the ion. However, there is a problem that the ion beam cannot be vertically incident on the surface of the object to be processed such as a silicon wafer.
【０００５】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、イオンビームを被処理体表面に垂直
に入射させることができ、従って該被処理体に対して高
精度なイオンビーム処理を行うことができるイオンビー
ム処理装置を提供することを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an ion beam can be vertically incident on the surface of an object to be processed. It is an object to provide an ion beam processing apparatus capable of performing processing.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマ室か
ら引出されたイオンビームで処理室内の被処理体を処理
するイオンビーム処理装置において、プラズマ室からイ
オンビームを引出し、且つ該イオンビームを収束させる
イオン引出電極と、イオン入射ビームを角度分解できる
機能を備え、被処理体表面に対して垂直方向に入射する
イオン流量を測定するイオン計測手段と、被処理体を処
理位置に移動させる移動手段と、を備えた構成とするこ
とにより、前記課題を達成したものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an ion beam processing apparatus for processing an object to be processed in a processing chamber with an ion beam extracted from a plasma chamber. Ion extraction electrode to be focused and angle resolution of ion incident beam
The above object is achieved by providing an ion measuring means for measuring a flow rate of ions incident perpendicularly to the surface of the object to be processed, and a moving means for moving the object to be processed to a processing position. Is achieved.
【０００７】本発明は、又、前記イオンビーム処理装置
において、前記イオン計測手段が、前記被処理体表面に
対して垂直方向に間隔を置いて配設された、該表面に平
行な複数の導電性薄膜と、各導電性薄膜の面方向の同一
位置にそれぞれ形成された細孔と、前記各細孔を通過し
たイオンを測定する測定手段とを備えた構成とすること
により、同様に前記課題を達成したものである。本発明
は、又、プラズマ室から引出されたイオンビームで処理
室内の被処理体を処理するイオンビーム処理方法におい
て、プラズマ室からイオンビームを引出し、且つ該イオ
ンビームを収束させる工程と、収束された後、クーロン
反発により拡がるイオンビームについて、前記被処理体
表面に対して垂直方向に入射するイオン流量が最大にな
る位置を検出する工程と、検出された位置に前記被処理
体を設置し、該イオンビームによる処理を行う工程とを
含むことにより、同様に前記課題を達成したものであ
る。本発明は、又、プラズマ室から引出されたイオンビ
ームで処理室内の被処理体を処理するイオンビーム処理
方法において、収束性の電気力線を生じさせるイオン引
出電極により、前記プラズマ室からイオンビームを引き
出す工程と、引き出されたイオンビームについて、前記
被処理体表面に対して垂直方向に入射するイオン流量が
最大になる位置を検出する工程と、検出された位置に前
記被処理体を設置し、該イオンビームによる処理を行う
工程とを含むことにより、同様に前記課題を達成したも
のである。According to the present invention, in the ion beam processing apparatus, the ion measuring means may be provided on the surface of the object to be processed.
Flat on the surface, which is vertically spaced from the surface.
Multiple conductive thin films and the same surface direction of each conductive thin film
Each of the pores formed at the position, passing through each of the pores
The above-mentioned object is also achieved by adopting a configuration including a measuring means for measuring the ions . The present invention also provides an ion beam processing method for processing an object to be processed in a processing chamber with an ion beam extracted from a plasma chamber. The method includes the steps of extracting an ion beam from the plasma chamber and converging the ion beam. After, for the ion beam spread due to Coulomb repulsion, a step of detecting a position where the ion flow rate vertically incident on the surface of the object to be processed, and installing the object at the detected position, And the step of performing the treatment using the ion beam. The present invention also provides an ion beam processing method for processing an object to be processed in a processing chamber with an ion beam extracted from a plasma chamber, wherein the ion beam is extracted from the plasma chamber by an ion extraction electrode for generating convergent lines of electric force. Extracting, and for the extracted ion beam, a step of detecting a position where the flow rate of ions incident perpendicularly to the surface of the object to be processed is maximized, and installing the object at the detected position. And the step of performing the treatment using the ion beam.
【０００８】[0008]
【作用】本発明においては、プラズマ室からイオンビー
ムを引出すためのイオン引出電極に対して、引出された
イオンビームを収束させる機能を持たせたので、その引
出電極と被処理体間に所定の電位差を設定することによ
り、処理室内に収束性のイオンビームを生成させること
ができる。In the present invention, the ion extraction electrode for extracting the ion beam from the plasma chamber is provided with a function of converging the extracted ion beam, so that a predetermined distance is provided between the extraction electrode and the object to be processed. By setting the potential difference, a convergent ion beam can be generated in the processing chamber.
【０００９】このイオンビームは、収束後、即ち絞り込
まれた後にクーロン反発力でその幅が拡がるため、その
途中に平行なイオン流が形成される。After the ion beam is converged, that is, after being narrowed, its width is widened by Coulomb repulsion, so that a parallel ion stream is formed in the middle of the beam.
【００１０】そこで、イオン計測手段によりイオンビー
ムの中で平行イオン流が最も多くなる位置を検出し、移
動手段によりその位置に被処理体を移動させ、設置する
ことにより、イオンビームが被処理体に垂直に入射する
最適位置（平行イオン流が形成されている位置）に該被
処理体を設置することができる。Therefore, the position where the parallel ion flow is maximum in the ion beam is detected by the ion measuring means, and the object is moved to the position by the moving means and installed, so that the ion beam is The object to be processed can be set at an optimum position (a position where a parallel ion stream is formed) perpendicularly incident on the substrate.
【００１１】従って、本発明によれば、イオンビームを
被処理体に垂直に入射させることができるため、例えば
イオンビーム処理としてエッチングを行う場合には、エ
ッチング深さと溝幅の比であるアスペクト比が極めて高
い（異方性が高い）エッチングを行うことが可能とな
る。Therefore, according to the present invention, the ion beam can be perpendicularly incident on the object to be processed. For example, when etching is performed as ion beam processing, the aspect ratio, which is the ratio of the etching depth to the groove width, is used. (High anisotropy) can be performed.
【００１２】[0012]
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１３】図１は、本発明に係る一実施例のイオンビ
ーム処理装置を示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an ion beam processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【００１４】本実施例のイオンビーム処理装置は、図示
しないプラズマ発生手段を備えたプラズマ室１０と、該
プラズマ室１０から引出されたイオンビームにより被処
理体に対する処理を行うための処理室１２とを備えてお
り、且つ上記プラズマ室１０と上記処理室１２の境界位
置には、プラズマ室１０からイオンビームを引出し、且
つ該イオンビームを収束させるイオン引出電極１４が配
設されている。The ion beam processing apparatus according to the present embodiment includes a plasma chamber 10 having a plasma generating means (not shown), a processing chamber 12 for performing processing on an object to be processed by an ion beam extracted from the plasma chamber 10, and the like. In addition, an ion extraction electrode 14 for extracting an ion beam from the plasma chamber 10 and converging the ion beam is provided at a boundary position between the plasma chamber 10 and the processing chamber 12.
【００１５】前記処理室１２内には、被処理体Ｓを載置
するための載置台１６が設置されており、この載置台１
６には、被処理体Ｓの表面に対して垂直方向に入射する
イオン流量を測定するためのイオン計測装置１８と、該
載置台１６を上下動させて被処理体Ｓを所定の処理位置
に移動させるための移動装置２０が取り付けられてい
る。In the processing chamber 12, a mounting table 16 on which the object S is mounted is installed.
6, an ion measuring device 18 for measuring the flow rate of ions incident perpendicularly to the surface of the processing object S, and the mounting table 16 are moved up and down to move the processing object S to a predetermined processing position. A moving device 20 for moving is attached.
【００１６】上記イオン引出電極１４は、プラズマ室１
０側に突出したドーム状に湾曲したメッシュ状電極で形
成され、プラズマ室１０で生成したイオンが処理室１２
側に通過可能になっている。The ion extraction electrode 14 is provided in the plasma chamber 1.
A mesh-shaped electrode that is curved in a dome shape protruding toward the zero side, and ions generated in the plasma chamber 10
You can pass to the side.
【００１７】上記イオン引出電極１４及び載置台１６に
は、これら両者間、即ちイオン引出電極１４と被処理体
Ｓとの間に所望の電位差を与えるための直流電源２２及
び２４がそれぞれ接続されている。DC power supplies 22 and 24 are connected to the ion extraction electrode 14 and the mounting table 16 for applying a desired potential difference between them, that is, between the ion extraction electrode 14 and the object S to be processed. I have.
【００１８】上記イオン計測装置１８は、図２に拡大し
て示す構成を有している。即ち、イオン計測装置１８
は、側壁部及び底部が絶縁材からなる箱体２６で形成さ
れ、該箱体２６内部は、それぞれ中心に細孔２８Ａが穿
設された３枚の導電性薄膜２８で横方向に１mm間隔で仕
切られ、これら導電性薄膜２８の細孔２８Ａの下方に位
置する底部上面にコレクタ電極（測定手段）３０が取り
付けられ、該コレクタ電極３０には電流計３２が接続さ
れている。The ion measuring device 18 has a configuration shown in an enlarged manner in FIG. That is, the ion measuring device 18
Is formed of a box body 26 whose side wall and bottom are made of an insulating material, and the inside of the box body 26 is formed by three conductive thin films 28 each having a hole 28A formed at the center thereof at intervals of 1 mm in the lateral direction. A collector electrode (measuring means) 30 is attached to the upper surface of the bottom of the conductive thin film 28 below the pores 28A of the conductive thin film 28, and an ammeter 32 is connected to the collector electrode 30.
【００１９】従って、上記イオン計測装置１８によれ
ば、３枚の導電性薄膜２８に形成されている細孔２８Ａ
を全て通過したイオン、即ち直進性の高いイオンのみを
測定することが可能となっている。Therefore, according to the ion measuring device 18, the pores 28A formed in the three conductive thin films 28 are formed.
, That is, only ions having high straightness can be measured.
【００２０】又、図中、符号３４は、前記イオン引出電
極１４と装置本体とを絶縁するための絶縁体である。In the drawing, reference numeral 34 denotes an insulator for insulating the ion extraction electrode 14 from the apparatus main body.
【００２１】次に、本実施例の作用を、イオンビームが
正イオンで構成されている場合を例に説明する。Next, the operation of the present embodiment will be described by taking as an example the case where the ion beam is composed of positive ions.
【００２２】まず、プラズマ室１０に原料ガスを所定圧
力で供給し、プラズマを発生させると共に、イオン引出
電極１４を直流電源２２により正に帯電させ、且つ被処
理体Ｓを直流電源２４により僅かに負に帯電させる。First, a raw material gas is supplied to the plasma chamber 10 at a predetermined pressure to generate plasma, the ion extraction electrode 14 is positively charged by the DC power supply 22, and the object S is slightly heated by the DC power supply 24. Charge negatively.
【００２３】このように、イオン引出電極１４全体を正
に載置台１６中央付近を負にそれぞれ帯電させ、イオン
引出電極１４から載置台１６中央付近に向けて電界を発
生させることにより、図中細線で示すような収束性の電
気力線を生じさせることができる。As described above, the entire ion extraction electrode 14 is positively charged in the vicinity of the center of the mounting table 16 and the electric field is generated from the ion extraction electrode 14 toward the vicinity of the center of the mounting table 16. Convergent lines of electric force as shown by the following can be generated.
【００２４】その結果、プラズマ室１０からイオン引出
電極１４により正イオンのみを処理室１２内に引出すこ
とができ、しかも上記電気力線により力を受けることに
なるため、図中細線で示すように収束する（絞り込まれ
た）イオンビームＢを形成することができる。As a result, only positive ions can be extracted from the plasma chamber 10 into the processing chamber 12 by the ion extraction electrode 14, and the force is received by the electric lines of force. A converging (narrowed) ion beam B can be formed.
【００２５】上記のように収束したイオンビームは、正
電荷のみを有しているためクーロン反発が生じて途中か
らその幅が拡がり始める。その様子を図中破線で示し
た。従って、被処理体Ｓ等が存在しない場合を想定する
と、本実施例で得られるイオンビームには最も絞り込ま
れた位置（以下、ウェストという）Ｗが生じ、このウェ
ストＷでは極めて平行性が高いイオン流が形成されてい
ることになる。Since the converged ion beam has only positive charges, Coulomb repulsion occurs and the width of the condensed ion beam starts to expand from the middle. This is indicated by a broken line in the figure. Therefore, assuming that the object S or the like does not exist, the ion beam obtained in the present embodiment has a most narrowed position (hereinafter, referred to as a waist) W. A flow is formed.
【００２６】従って、上記収束性イオンビームＢのウェ
スト位置に被処理体Ｓを設置することにより、該被処理
体Ｓの表面にイオンビームを垂直に入射させることが可
能となるため、極めて精度の高い処理を行うことが可能
となる。Therefore, by setting the object S at the waist position of the convergent ion beam B, the ion beam can be vertically incident on the surface of the object S. High processing can be performed.
【００２７】そこで、本実施例では、前記移動装置２０
により、載置台１６と共にイオン計測装置１８を上下動
させ、イオン検出量が最大の位置を捜し出すことによ
り、その位置をウェスト位置として特定することがで
き、該載置台１６に対してイオンビームが垂直に入射す
る位置を容易に決定することができるようにしてある。
上記収束性イオンビームでは、アルゴンや塩素等のイオ
ン種や、メッシュ状のイオン引出電極１４と被処理体Ｓ
との間の電位差等により、イオンビームのウェストＷの
位置が変化するが、このような場合でも、上記イオン計
測装置１８によれば容易にその位置を捜し出すことがで
きる。Therefore, in this embodiment, the moving device 20
By moving the ion measuring device 18 up and down together with the mounting table 16 and searching for the position where the amount of detected ions is maximum, the position can be specified as the waist position, and the ion beam is perpendicular to the mounting table 16. The position at which light is incident on the surface can be easily determined.
In the convergent ion beam, the ion species such as argon and chlorine, the mesh-like ion extraction electrode 14 and the object S
The position of the waist W of the ion beam changes due to a potential difference between the ion measuring device and the ion measuring device 18. Even in such a case, the position can be easily found by the ion measuring device 18.
【００２８】従って、本実施例によれば、処理室１２に
対して収束性のイオンビームを入射させることができる
と共に、被処理体Ｓの近傍に設置したイオン計測装置１
８によりイオンビームのウェストＷの位置を確実に決定
し、その位置に被処理体Ｓを正確に位置決めすることが
できるため、該被処理体Ｓに対して垂直にイオンビーム
を入射させ、高精度の処理を行うことができる。Therefore, according to the present embodiment, a convergent ion beam can be made incident on the processing chamber 12 and the ion measuring device 1 installed near the workpiece S
8, the position of the waist W of the ion beam can be reliably determined, and the target object S can be accurately positioned at that position. Can be performed.
【００２９】本実施例のイオンビーム処理装置を用い
て、１０m Ｔorr の塩素ガス中にプラズマを発生させ、
塩素イオン（Ｃl + ）からなる収束性イオンビームによ
りポリシリコン（被処理体）を実際にエッチングしたと
ころ、図３に示した、ライン・アンド・スペース０．５
μm でアスペクト比２のエッチングパターンが得られ
た。Using the ion beam processing apparatus of the present embodiment, a plasma is generated in chlorine gas of 10 mTorr,
When the polysilicon (object to be processed) was actually etched by a convergent ion beam composed of chlorine ions (Cl + ), the line and space 0.5 as shown in FIG.
An etching pattern with an aspect ratio of 2 was obtained at μm.
【００３０】以上、本発明について具体的に説明した
が、本発明は、前記実施例に示したものに限られるもの
でなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であ
る。Although the present invention has been specifically described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified without departing from the gist thereof.
【００３１】例えば、前記実施例では、イオンビームが
正イオンで構成されている場合について説明したが、こ
れに限るものでなく、イオン引出電極を負電位に設定
し、被処理体を僅かに正電位に設定することにより、負
イオンからなるイオンビームを生成するようにしてもよ
い。For example, in the above embodiment, the case where the ion beam is composed of positive ions has been described. However, the present invention is not limited to this. The ion extraction electrode is set to a negative potential, and the object to be processed is slightly positive. By setting the potential, an ion beam composed of negative ions may be generated.
【００３２】又、イオン引出電極は、メッシュ状に限ら
れるものでなく、少なくとも表面が導電性を有し、且つ
イオンを通過させる貫通孔を有する多孔質板であっても
よい。Further, the ion extraction electrode is not limited to a mesh shape, and may be a porous plate having at least a surface having conductivity and having a through hole through which ions pass.
【００３３】又、イオン引出電極をドーム状にする場
合、その曲率半径は任意に変更可能である。When the ion extraction electrode is formed in a dome shape, its radius of curvature can be arbitrarily changed.
【００３４】更に、イオン引出電極１４は、シングルグ
リッドに限られるものではなく、グリッドの枚数に制限
はない。例えば、加速グリッド、スクリーングリッドを
有するダブルグリッドであってもよい。Furthermore, the ion extraction electrode 14 is not limited to a single grid, and the number of grids is not limited. For example, a double grid having an acceleration grid and a screen grid may be used.
【００３５】又、前記実施例ではプラズマ処理時の圧力
が１０m Ｔorr の場合について説明したが、これに限ら
れるものでない。ガス種や処理圧力を変更する場合に
は、イオン計測装置内の薄膜の設置間隔を、使用するガ
ス種や圧力により決まるイオンの平均自由工程の範囲内
にすればよい。又、導電性薄膜の設置枚数もイオンの透
過率を考慮し、適宜変更することができる。In the above embodiment, the case where the pressure during the plasma processing is 10 m Torr has been described, but the present invention is not limited to this. When changing the gas type and the processing pressure, the interval between thin films in the ion measuring device may be set within the range of the mean free path of ions determined by the gas type and pressure used. Also, the number of conductive thin films can be appropriately changed in consideration of the ion transmittance.
【００３６】更に、イオン測定装置は、前記実施例に示
したものに限られるものでなく、イオン入射ビームを角
度分解できる機能を備えたものであれば、特に制限され
ない。Further, the ion measuring apparatus is not limited to the one shown in the above embodiment, but is not particularly limited as long as it has a function capable of resolving an angle of an ion incident beam.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、プ
ラズマ室からイオンを引出すためのイオン引出電極がイ
オンビームを収束させる機能を有しているので、該引出
電極と被処理体間に所定の電位差を設定することによ
り、収束性のイオンビームを生成させることができると
共に、被処理体近傍に設けたイオン計測手段により、イ
オンビームが被処理体に垂直に入射するに最適な位置を
決定することができることから、該位置に被処理体を設
置することにより、該被処理体にイオンビームを垂直に
入射させることが可能となる。従って、例えば、エッチ
ングを行う場合には、被処理体に異方性の高いエッチン
グを行うことが可能となる。As described above, according to the present invention, the ion extraction electrode for extracting ions from the plasma chamber has the function of converging the ion beam. By setting a predetermined potential difference, a convergent ion beam can be generated, and the optimum position for the ion beam to be perpendicularly incident on the object to be processed is determined by ion measuring means provided near the object to be processed. Since it can be determined, by setting the object to be processed at the position, the ion beam can be vertically incident on the object to be processed. Therefore, for example, when etching is performed, it becomes possible to perform highly anisotropic etching on the object to be processed.
【図１】本発明に係る一実施例のイオンビーム処理装置
を示す概略構成図FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an ion beam processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】上記イオンビーム処理装置が備えるイオン計測
装置を示す拡大断面図FIG. 2 is an enlarged sectional view showing an ion measuring device provided in the ion beam processing device.
【図３】実施例の作用を説明するための線図FIG. 3 is a diagram for explaining the operation of the embodiment.
１０…プラズマ室、 １２…処理室、 １４…イオン引出電極、 １６…載置台、 １８…イオン計測電極、 ２０…移動装置、 ２２、２４…直流電源、 ２６…箱体、 ２８…導電性薄膜、 ３０…コレクタ電極、 ３２…電流計、 ３４…絶縁体、 Ｓ…被処理体。 Reference Signs List 10: plasma chamber, 12: processing chamber, 14: ion extraction electrode, 16: mounting table, 18: ion measurement electrode, 20: moving device, 22, 24: DC power supply, 26: box body, 28: conductive thin film, 30: Collector electrode, 32: Ammeter, 34: Insulator, S: Workpiece
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01J 27/16 H01J 37/08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/3065 H01J 27/16 H01J 37/08
Claims (4)
処理室内の被処理体を処理するイオンビーム処理装置に
おいて、 プラズマ室からイオンビームを引出し、且つ該イオンビ
ームを収束させるイオン引出電極と、イオン入射ビームを角度分解できる機能を備え、 被処理
体表面に対して垂直方向に入射するイオン流量を測定す
るイオン計測手段と、 被処理体を処理位置に移動させる移動手段と、を備えて
いることを特徴とするイオンビーム処理装置。1. A ion beam processing apparatus for processing an object to be processed in the processing chamber with an ion beam extracted from the plasma chamber, and an ion extraction electrode to pull the ion beam from the plasma chamber, it is and converging the ion beam, ion An ion measuring means for measuring a flow rate of ions incident in a direction perpendicular to the surface of the object , having a function capable of resolving an incident beam at an angle , and a moving means for moving the object to a processing position. An ion beam processing apparatus characterized by the above-mentioned.
方向に間隔を置いて配設された、該表面に平行な複数の
導電性薄膜と、各導電性薄膜の面方向の同一位置にそれ
ぞれ形成された細孔と、前記各細孔を通過したイオンを
測定する測定手段とを備え ていることを特徴とするイオ
ンビーム処理装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the ion measuring means is perpendicular to the surface of the object.
Parallel to the surface, spaced in the direction
It is located at the same position in the surface direction of the conductive thin film and each conductive thin film.
Each of the formed pores and the ions passing through each of the pores
An ion beam processing apparatus comprising: a measuring unit for measuring .
処理室内の被処理体を処理するイオンビーム処理方法にIon beam processing method for processing objects in the processing chamber
おいて、And プラズマ室からイオンビームを引出し、且つ該イオンビAn ion beam is extracted from the plasma chamber and the ion beam
ームを収束させる工程と、Converging the team, 収束された後、クーロン反発により拡がるイオンビームAfter being converged, the ion beam expands due to Coulomb repulsion
について、前記被処理体表面に対して垂直方向に入射すIs incident perpendicularly to the surface of the object to be treated.
るイオン流量が最大になる位置を検出する工程と、Detecting the position where the ion flow rate is maximized; 検出された位置に前記被処理体を設置し、該イオンビーThe object is placed at the detected position,
ムによる処理を行う工程とを含むことを特徴とするイオA step of performing processing by a system.
ンビーム処理方法。Beam processing method.
処理室内の被処理体を処理するイオンビーム処理方法にIon beam processing method for processing objects in the processing chamber
おいて、And 収束性の電気力線を生じさせるイオン引出電極により、By the ion extraction electrode which produces a convergent line of electric force,
前記プラズマ室からイオンビームを引き出す工程と、Extracting an ion beam from the plasma chamber; 引き出されたイオンビームについて、前記被処理体表面For the extracted ion beam, the surface of the object
に対して垂直方向に入射するイオン流量が最大になる位Where the ion flow incident perpendicular to
置を検出する工程と、Detecting the position; 検出された位置に前記被処理体を設置し、該イオンビーThe object is placed at the detected position,
ムによる処理を行う工程とを含むことを特徴とするイオA step of performing processing by a system.
ンビーム処理方法。Beam processing method.
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| JP06347892A JP3254240B2 (en) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | Ion beam processing method and apparatus |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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