JP3218984B2 - Wafer periphery exposure method and apparatus for removing unnecessary resist on semiconductor wafer - Google Patents

Wafer periphery exposure method and apparatus for removing unnecessary resist on semiconductor wafer

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JP3218984B2
JP3218984B2 JP22463296A JP22463296A JP3218984B2 JP 3218984 B2 JP3218984 B2 JP 3218984B2 JP 22463296 A JP22463296 A JP 22463296A JP 22463296 A JP22463296 A JP 22463296A JP 3218984 B2 JP3218984 B2 JP 3218984B2
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上の不要レ
ジストを現像工程で除去するために適用されるウエハ周
辺露光方法および露光装置に関するものであって、特に
階段状形状である不要レジストを現像工程で除去するた
めに適用されるウエハ周辺露光方法および露光装置に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer peripheral exposure method and an exposure apparatus used for removing unnecessary resist on a wafer in a developing step, and more particularly to developing a stepwise unnecessary resist. The present invention relates to a wafer peripheral exposure method and an exposure apparatus applied for removing in a process.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えばIC、LSI等の半導体装置の製
造に際しては、シリコンウエハ等の半導体ウエハの表面
にフォトレジスト(以下レジストと称する)を塗布し、
次いで回路パターンを露光し、これを現像して、レジス
トパターンを形成することが行われている。このレジス
トパターンをマスクにして、イオン注入、エッチング、
リフトオフなどの加工が施される。 レジストの半導体
ウエハ(以下ウエハと称する)への塗布は、塗布により
形成されるレジスト膜の厚みを均一にするために、通
常、スピンコート法が用いられている。これは、ウエハ
表面の中心位置にレジストを注ぎながらウエハを回転さ
せ、遠心力によってウエハの全表面にレジストを塗布す
るものであり、従って、ウエハの周辺部にもレジストが
塗布されることになる。
2. Description of the Related Art For example, when manufacturing semiconductor devices such as ICs and LSIs, a photoresist (hereinafter referred to as a resist) is applied to the surface of a semiconductor wafer such as a silicon wafer.
Next, a circuit pattern is exposed and developed to form a resist pattern. Using this resist pattern as a mask, ion implantation, etching,
Processing such as lift-off is performed. In applying a resist to a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer), a spin coating method is generally used to make the thickness of a resist film formed by the coating uniform. In this technique, the resist is applied to the entire surface of the wafer by centrifugal force while rotating the wafer while pouring the resist to the center position of the wafer surface, and therefore, the resist is also applied to the peripheral portion of the wafer. .

【0003】しかし、ウエハの周辺部はパターン形成領
域としてあまり利用されることはない。これは、ウエハ
が種々の処理工程に付される際に、その周辺部を利用し
て搬送、保持されることが多く、また周辺部ではパター
ンの歪みが生じやすく歩留りが悪いからである。よっ
て、レジストがポジ型レジストである場合には、周辺部
が露光されないため現像後も周辺部にレジストが残留す
る。この周辺部に残留したレジストはウエハの搬送、保
持の際に剥離等が発生して周辺機器を汚染し、ひいては
ウエハ表面の汚染となり、歩留りの低下を招く原因とな
る。これは、特に、集積回路の高機能化、微細化が進み
つつある現在、深刻な問題となっている。
However, the peripheral portion of the wafer is not often used as a pattern forming area. This is because, when a wafer is subjected to various processing steps, the wafer is often transported and held using its peripheral portion, and pattern distortion is likely to occur in the peripheral portion, resulting in poor yield. Therefore, when the resist is a positive resist, the peripheral portion is not exposed, so that the resist remains in the peripheral portion even after development. The resist remaining in the peripheral portion causes peeling or the like at the time of transporting and holding the wafer, and contaminates peripheral devices, eventually contaminating the wafer surface, leading to a reduction in yield. This has become a serious problem, particularly at present, as integrated circuits become more sophisticated and finer.

【0004】そこで、周辺部の不要レジストを現像工程
で除去することが提案され、それを実現するために、パ
ターン形成領域における回路パターンの露光工程とは別
に、周辺部の不要レジストを露光するウエハ周辺露光方
法が採用されている。この周辺露光方法は、レジストが
塗布されたウエハを回転させながら光ファイバにより導
かれた光をスポット的に周辺部に照射し、環状に露光す
るものである。
Therefore, it has been proposed to remove the unnecessary resist in the peripheral portion by a developing process. In order to realize this, a wafer for exposing the unnecessary resist in the peripheral portion is exposed separately from the step of exposing the circuit pattern in the pattern formation region. A peripheral exposure method is employed. In this peripheral exposure method, light guided by an optical fiber is radiated in a spot-like manner to a peripheral portion while rotating a wafer on which a resist is applied, to thereby perform annular exposure.

【0005】一方、近年、回路パターンの露光は、レジ
ストの塗布されたウエハ表面を逐次移動型縮小投影露光
装置(ステッパー)によって、碁盤の目状に区画された
パターンを逐次露光する場合が多い。この場合には、正
しく1チップ分の回路パターンを露光できない周辺部分
の形状、すなわち不要レジスト部分の形状は、階段状と
なり、その大きさ、形状も露光する毎に様々に変化す
る。このような階段状の不要レジストも、半導体装置の
製造工程において剥離等が発生することがあり、先に述
べたような歩留りの低下を招く原因となる。
On the other hand, in recent years, in the exposure of a circuit pattern, in many cases, a pattern in which a resist is applied to a wafer surface is sequentially exposed in a grid pattern by a sequentially moving reduction projection exposure apparatus (stepper). In this case, the shape of the peripheral portion where the circuit pattern of one chip cannot be correctly exposed, that is, the shape of the unnecessary resist portion has a stepped shape, and the size and shape change variously every time exposure is performed. Such a stair-like unnecessary resist may cause peeling or the like in a manufacturing process of a semiconductor device, which causes a reduction in yield as described above.

【0006】このような階段状の不要レジストの除去
は、例えば特開平3−242922号公報に開示されて
いるような装置を用いて、光ファイバにより導かれる光
を不要レジストの階段状パターンに沿って移動させなが
らスポット的に照射することにより実現される。
In order to remove such a step-like unnecessary resist, light guided by an optical fiber is applied along the step-like pattern of the unnecessary resist using, for example, an apparatus disclosed in JP-A-3-242922. It is realized by irradiating in a spot while moving.

【0007】図9に示すウエハ周辺露光装置を用いて、
従来のウエハ周辺部の階段状の不要レジストを露光する
ウエハ周辺露光方法について説明する。回路パターンC
Pは、通常、図10に示すように、ウエハWの結晶の方
向を示すオリエンテーションフラット(以下オリフラと
称する)やノッチと称される周縁形状を基準にして形成
される。ここで、図10(a)はオリフラが設けられた
ウエハの場合、図10(b)はノッチが設けられたウエ
ハの場合を示している。
[0007] Using the wafer peripheral exposure apparatus shown in FIG.
A conventional wafer periphery exposure method for exposing a stepwise unnecessary resist at the periphery of a wafer will be described. Circuit pattern C
P is generally formed on the basis of a peripheral shape called an orientation flat (hereinafter referred to as an orientation flat) or a notch, which indicates the direction of the crystal of the wafer W, as shown in FIG. Here, FIG. 10A shows the case of a wafer provided with an orientation flat, and FIG. 10B shows the case of a wafer provided with a notch.

【0008】(1)まず、図9に示すコントローラ12
に、図10に示す互いに直交するX−Y座標における露
光領域の座標データを記憶させる。ここに示すX−Y座
標のX方向、Y方向は、互いに直交する方向に移動する
Xステージ8、Yステージ10の移動方向と一致してい
る。ここでの座標データは、ウエハWの円周部の中心と
回転ステージ1の中心が一致しているときのものであ
る。また、この座標データと、Xステージ位置検出手段
9、Yステージ位置検出手段11により検出されるXス
テージ8、Yステージ10の位置情報との相関関係も定
められている。なお、この座標データは、例えばレジス
トを感光させる露光光である紫外線を含む光を放出する
放電ランプ、放出された紫外線を集光する集光鏡等から
なる露光用光源4から露光光を導くライトガイドファイ
バ5の出射部6と後に示すウエハ周縁検出手段13との
位置関係も考慮されている。
(1) First, the controller 12 shown in FIG.
Next, the coordinate data of the exposure area in the XY coordinates orthogonal to each other shown in FIG. 10 is stored. The X and Y directions of the XY coordinates shown here match the movement directions of the X stage 8 and the Y stage 10 that move in directions orthogonal to each other. The coordinate data here is obtained when the center of the circumferential portion of the wafer W and the center of the rotary stage 1 match. Further, the correlation between the coordinate data and the position information of the X stage 8 and the Y stage 10 detected by the X stage position detecting means 9 and the Y stage position detecting means 11 is also defined. The coordinate data is, for example, a light that guides the exposure light from an exposure light source 4 including a discharge lamp that emits light containing ultraviolet light that is exposure light for exposing the resist, a condenser mirror that collects the emitted ultraviolet light, and the like. The positional relationship between the emission section 6 of the guide fiber 5 and the wafer periphery detection means 13 described later is also taken into consideration.

【0009】(2)Xステージ8、Yステージ10を駆
動して、保持アーム7に取りつけられたウエハ周縁検出
手段13をウエハWの周縁まで移動させる。なお、Xス
テージ8、Yステージ10の位置情報は、Xステージ位
置検出手段9、Yステージ位置検出手段11により検出
され、コントローラ12に送出される。すなわち、Xス
テージ8、Yステージ10の駆動制御は、フィードバッ
ク制御となる。ウエハ周縁検出手段13は、例えば、レ
ジストを感光させない非露光光を放出する発光ダイオー
ド51、該非露光光を平行光にするレンズ52、CCD
アレイ53から構成される。レンズ52を通過した平行
光である非露光光は、図11に示すように、ウエハWに
より一部遮光され、ウエハWのエッジ部の外側を通過す
る。この通過光はCCDアレイ53により検出される。
(2) The X stage 8 and the Y stage 10 are driven to move the wafer periphery detecting means 13 attached to the holding arm 7 to the periphery of the wafer W. The position information of the X stage 8 and the Y stage 10 is detected by the X stage position detecting means 9 and the Y stage position detecting means 11 and sent to the controller 12. That is, the drive control of the X stage 8 and the Y stage 10 is feedback control. The wafer periphery detecting means 13 includes, for example, a light emitting diode 51 that emits non-exposure light that does not expose the resist, a lens 52 that converts the non-exposure light into parallel light, a CCD,
It is composed of an array 53. The non-exposure light that is the parallel light that has passed through the lens 52 is partially shielded by the wafer W and passes outside the edge of the wafer W as shown in FIG. This passing light is detected by the CCD array 53.

【0010】(3)回転駆動機構2を駆動し、ウエハW
が載置・真空吸着されている回転ステージ1を1回転さ
せる。ウエハWの回転中、ウエハWのエッジ部の位置
は、オリフラまたはノッチにおいて変化する。さらに
は、ウエハW載置時のウエハWの中心と回転ステージ1
の回転中心とのズレ量に応じても変化する。よって、回
転ステージの回転中、CCDアレイ53の非露光光の検
出位置は、回転ステージ1の回転角度に応じて変化す
る。すなわち、回転角度読取機構3により回転ステージ
1の回転角度を検出し、各回転角度において、CCDア
レイ53の各ピクセルのうちどのピクセルが非露光光を
検出したかの情報を検出することにより、回転ステージ
1の回転角度をパラメータとしたウエハWのエッジ部の
位置情報が得られる。
(3) By driving the rotation drive mechanism 2, the wafer W
Is rotated by one turn. During the rotation of the wafer W, the position of the edge of the wafer W changes at the orientation flat or the notch. Further, the center of the wafer W when the wafer W is mounted and the rotation stage 1
Also changes according to the amount of deviation from the center of rotation of. Therefore, during the rotation of the rotary stage, the detection position of the non-exposure light of the CCD array 53 changes according to the rotation angle of the rotary stage 1. That is, the rotation angle of the rotation stage 1 is detected by the rotation angle reading mechanism 3, and at each rotation angle, information on which pixel among the pixels of the CCD array 53 has detected the non-exposure light is detected. Position information of the edge portion of the wafer W can be obtained using the rotation angle of the stage 1 as a parameter.

【0011】(4)上記ウエハWのエッジ部の位置情報
をコントローラ12において、演算処理してオリフラ位
置、あるいはノッチ位置を求めるとともに、回転ステー
ジ1の回転中心とウエハWの中心とのズレ量を算出す
る。このズレ量の算出は、例えば特開平3−10831
5号公報(特願平1−243492号)に開示されてい
る方法を適用する。 (5)上記算出データをもとに、オリフラ位置がX−Y
座標系のX軸と平行になるまで、回転駆動機構2を駆動
して回転ステージ1を回転させる。ノッチの場合は、ノ
ッチとウエハWの中心を結ぶ直線がY軸と平行になるま
で回転駆動機構2を駆動して回転ステージ1を回転させ
る。なお、上記位置合わせが適正に行われたかどうかを
特開平5−3153号公報に開示されている方法を適用
して確認してもよい。すなわち、オリフラの場合、ウエ
ハ周縁検出手段13をオリフラに沿ってX軸方向に移動
させてオリフラ位置を検出して、オリフラとX軸とがな
す角度を求める。そして、必要があれば微調整を行う。
(4) The position information of the edge portion of the wafer W is processed in the controller 12 to obtain the orientation flat position or the notch position, and the deviation amount between the rotation center of the rotary stage 1 and the center of the wafer W is determined. calculate. The calculation of the deviation amount is described in, for example, JP-A-3-10831.
No. 5 (Japanese Patent Application No. 1-243492) is applied. (5) Based on the above calculation data, the orientation flat position is XY
The rotary drive mechanism 2 is driven to rotate the rotary stage 1 until it becomes parallel to the X axis of the coordinate system. In the case of a notch, the rotary drive mechanism 2 is driven to rotate the rotary stage 1 until a straight line connecting the notch and the center of the wafer W is parallel to the Y axis. It should be noted that whether or not the alignment has been properly performed may be confirmed by applying a method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-3153. That is, in the case of an orientation flat, the wafer periphery detecting means 13 is moved in the X-axis direction along the orientation flat to detect the orientation flat position, and the angle between the orientation flat and the X axis is obtained. Then, if necessary, make fine adjustments.

【0012】(6)また手順(4)で算出したズレ量を
もとに、手順(1)で記憶しておいた座標データを補正
する。例えば、図12においては、座標データ(X,
Y)は(X−dx,Y−dy)として補正される。な
お、先に述べた通り、この座標データは出射部6の位置
とウエハ周縁検出手段13の位置のズレ量も考慮されて
いる。
(6) The coordinate data stored in the procedure (1) is corrected based on the displacement calculated in the procedure (4). For example, in FIG. 12, the coordinate data (X,
Y) is corrected as (X-dx, Y-dy). As described above, the coordinate data also takes into account the amount of deviation between the position of the emission unit 6 and the position of the wafer edge detection unit 13.

【0013】(7)手順(6)で補正した座標データを
もとに、Xステージ8、Yステージ10を駆動制御し
て、出射部6からの光照射位置を所定の初期位置へ移動
させる。 (8)シャッタ駆動機構43を駆動し、シャッタ41を
開ける。出射部6からは、露光光が放出される。
(7) Based on the coordinate data corrected in the procedure (6), the X stage 8 and the Y stage 10 are drive-controlled to move the light irradiation position from the emission unit 6 to a predetermined initial position. (8) The shutter drive mechanism 43 is driven to open the shutter 41. Exposure light is emitted from the emission unit 6.

【0014】(9)手順(6)で補正した座標データを
もとに、Xステージ8、Yステージ10を駆動制御し
て、階段状の露光領域を露光する。 (10)なお、Xステージ8、Yステージ10の移動の
ストローク長があまり長くない場合には、露光領域の露
光しうる範囲を露光後90°ずつ回転ステージ1を回転
させて、回転後、その都度露光領域を露光するようにし
てもよい。
(9) Based on the coordinate data corrected in step (6), the drive of the X stage 8 and the Y stage 10 is controlled to expose a stepwise exposure area. (10) When the stroke length of the movement of the X stage 8 and the Y stage 10 is not so long, the rotatable stage 1 is rotated by 90 ° after the exposure in the exposure range of the exposure area. The exposure area may be exposed each time.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】このように、階段状の
不要レジストを露光する場合、オリフラ位置(またはノ
ッチ位置)を基準に定められている露光領域を記憶し、
それに対応するように、出射部6からの光照射位置を互
いに直交するX−Y方向に位置制御して露光していた。
これは、不要レジストの露光領域がオリフラ位置(また
はノッチ位置)に対して所定の方向に位置していること
を前提としたものである。すなわち、オリフラ基準の場
合は、図10(a)に示すように、不要レジスト領域の
内側の辺L1,L3がオリフラの方向と一致しているX
軸に平行であり、辺L2,L4がX軸に直交するY軸に
平行であるという前提である。またノッチ基準の場合
は、図10(b)に示すように、不要レジスト領域の内
側の辺L6,L8がノッチの頂点部とウエハの中心を結
ぶ方向と一致しているY軸に平行であり、辺L5,L7
がY軸に直交するX軸に平行であるという前提である。
As described above, when exposing a staircase-like unnecessary resist, an exposure area defined based on the orientation flat position (or notch position) is stored.
In order to cope with this, exposure is performed by controlling the position of light irradiation from the light emitting unit 6 in the X-Y directions orthogonal to each other.
This is based on the premise that the exposure region of the unnecessary resist is located in a predetermined direction with respect to the orientation flat position (or notch position). That is, in the case of the orientation flat reference, as shown in FIG. 10A, the sides L1 and L3 inside the unnecessary resist area coincide with the orientation of the orientation flat.
It is assumed that the sides are parallel to the axis and the sides L2 and L4 are parallel to the Y axis orthogonal to the X axis. In the case of the notch reference, as shown in FIG. 10B, the sides L6 and L8 inside the unnecessary resist area are parallel to the Y axis which coincides with the direction connecting the vertex of the notch and the center of the wafer. , Side L5, L7
Is parallel to the X axis orthogonal to the Y axis.

【0016】しかしながら、このウエハ周辺露光工程の
前工程である回路パターンの露光・形成工程において位
置合わせ等の誤差により、例えば図13に示すように、
回路パターンCPの位置、すなわち不要レジストの露光
領域が、オリフラ位置またはノッチ位置に対して、所定
の方向に位置しないことがある。図13には、回路パタ
ーンCPが、X軸に対して角度θだけ傾いている例を示
している。よって、先に述べたように、回転ステージ1
の回転中心とウエハWの中心との位置ズレを補正して
も、所定の領域を露光することが不可能になる。
However, due to an error such as alignment in a circuit pattern exposure / forming step which is a step before the wafer peripheral exposure step, for example, as shown in FIG.
The position of the circuit pattern CP, that is, the exposed area of the unnecessary resist may not be located in a predetermined direction with respect to the orientation flat position or the notch position. FIG. 13 shows an example in which the circuit pattern CP is inclined by an angle θ with respect to the X axis. Therefore, as described above, the rotating stage 1
Even if the positional deviation between the center of rotation and the center of the wafer W is corrected, it becomes impossible to expose a predetermined area.

【0017】よって、回路パターンの露光・形成後、ウ
エハ周辺露光を行う前にウエハW上の回路パターンを別
途観測して、例えば図13に示すような角度θを求め、
先に述べた手順(5)において、オリフラ位置またはノ
ッチ位置がX−Y座標系のX軸と平行になるまで回転駆
動機構2を駆動して回転ステージ1を回転させる際に、
角度θだけ補正しなければならない。このような露光領
域のズレは、回路パターンの露光・形成工程において、
各ウエハ毎に、あるいは各製造ロット毎に変化するの
で、都度、観測を行わねばならず、そのための観察装置
を新たに設けなければならなくなる。
Therefore, after exposing and forming the circuit pattern and before performing the wafer periphery exposure, the circuit pattern on the wafer W is separately observed to obtain an angle θ as shown in FIG.
In the procedure (5) described above, when the rotary drive mechanism 2 is driven to rotate the rotary stage 1 until the orientation flat position or the notch position is parallel to the X axis of the XY coordinate system,
It must be corrected by the angle θ. Such a deviation of the exposure region is caused by a process of exposing and forming a circuit pattern.
Since it changes for each wafer or for each manufacturing lot, observation must be performed each time, and a new observation device must be provided.

【0018】また、角度θだけ回転ステージ1を回転さ
せるときに生じる不要レジストの露光領域のズレに関し
ても補正しなければならず、複雑な演算処理が必要とな
る。
In addition, it is necessary to correct the shift of the exposure area of the unnecessary resist that occurs when the rotary stage 1 is rotated by the angle θ, and a complicated calculation process is required.

【0019】本発明者らは、上記従来技術の問題点を解
決するために、図2に示すように、ウエハWに回路パタ
ーンCPと所定の位置関係にあるアライメントマークW
AM(WAM1、WAM2)を2か所設け、このアライ
メントマークWAMを観測して、その観測データをもと
に自動的に上記ズレ量を補正する新規な方法を見出し
た。
To solve the above-mentioned problems of the prior art, the present inventors, as shown in FIG. 2, arrange an alignment mark W on a wafer W in a predetermined positional relationship with a circuit pattern CP.
The present inventors have found a new method of providing two AMs (WAM1, WAM2), observing the alignment mark WAM, and automatically correcting the displacement based on the observation data.

【0020】図14に、アライメントマークWAMを観
測するためのアライメントユニットの構成を示す。アラ
イメントユニット20は、非露光光照射装置21、ハー
フミラー22、ミラー23、投影レンズ24、25、C
CDカメラ等からなる光学センサ26から構成される。
27はモニタであり、光学センサ26からの信号を受像
し、かつアライメントマークWAMの画像データ(モニ
タ上の座標の位置データ)をコントローラ12へ送信す
る。
FIG. 14 shows the configuration of an alignment unit for observing the alignment mark WAM. The alignment unit 20 includes a non-exposure light irradiation device 21, a half mirror 22, a mirror 23, projection lenses 24, 25, C
It comprises an optical sensor 26 such as a CD camera.
Reference numeral 27 denotes a monitor, which receives a signal from the optical sensor 26 and transmits image data (position data of coordinates on the monitor) of the alignment mark WAM to the controller 12.

【0021】ズレ量の補正は以下のように行われる。 (a)先に示した手順(6)の後、図14に示すよう
に、アライメントマークWAMを観測しうる所定の位置
にアライメントユニット20を挿入する。アライメント
マークWAM(WAM1、WAM2)は2か所あるの
で、アライメントユニット20も2台挿入される。 (b)非露光光照射装置21より非露光光を放出し、ウ
エハW上のアライメントマークWAMを照明する。照明
されたアライメントマークWAMの像は、ミラー23→
ハーフミラー22→投影レンズ24,25を介して光学
センサ26で検出され、モニタ27で受像される。
The correction of the deviation amount is performed as follows. (A) After the above-described procedure (6), as shown in FIG. 14, the alignment unit 20 is inserted into a predetermined position where the alignment mark WAM can be observed. Since there are two alignment marks WAM (WAM1, WAM2), two alignment units 20 are also inserted. (B) Non-exposure light is emitted from the non-exposure light irradiation device 21 to illuminate the alignment mark WAM on the wafer W. The illuminated image of the alignment mark WAM is mirror 23 →
Half mirror 22 → detected by optical sensor 26 via projection lenses 24 and 25, and received by monitor 27.

【0022】(c)2つのアライメントマークWAM
(WAM1、WAM2)の画像データを演算処理して、
ズレ量である角度θを算出する。 (d)算出した角度θだけ回転ステージ1をさらに回転
させ、回路パターンCP(すなわち露光領域)を、X−
Y座標と所定の位置関係になるようにする。
(C) Two alignment marks WAM
(WAM1, WAM2) image data,
The angle θ, which is the amount of deviation, is calculated. (D) The rotary stage 1 is further rotated by the calculated angle θ, and the circuit pattern CP (that is, the exposure area) is
A predetermined positional relationship with the Y coordinate is set.

【0023】(e)手順(9)で補正されている座標デ
ータに基づき、各々のアライメントマークWAMがモニ
タ27上に本来受像されるべき位置を計算する。ここ
で、実際にモニタ27で受像されているアライメントマ
ークWAMの像は、角度θだけ回転ステージ1をさらに
回転させた影響により、上記受像されるべき位置から外
れた位置に受像されている。 (f)アライメントマークWAMがモニタ27上に本来
受像されるべき位置と実際に受像されている位置との差
を求め、演算処理し、手順(6)で補正されている座標
データをさらに補正する。
(E) Based on the coordinate data corrected in step (9), the position where each alignment mark WAM should be originally received on the monitor 27 is calculated. Here, the image of the alignment mark WAM actually received by the monitor 27 is received at a position deviated from the above-mentioned position to be received due to the effect of further rotating the rotary stage 1 by the angle θ. (F) The difference between the position at which the alignment mark WAM should be originally received on the monitor 27 and the position at which the alignment mark WAM is actually received is calculated and processed, and the coordinate data corrected in step (6) is further corrected. .

【0024】(g)上記補正後、非露光光照射装置21
からの非露光光の放出を停止し、アライメントユニット
20を所定の位置から退避位置まで退避させる。以降、
手順(7)以降を踏襲する。
(G) After the above correction, the non-exposure light irradiation device 21
The emission of the non-exposure light from is stopped, and the alignment unit 20 is retracted from the predetermined position to the retracted position. Or later,
Follow the procedure from step (7).

【0025】本発明者らが見出した上記のアライメント
マークを使用した補正方法では、ウエハWの観察手段が
ウエハ周辺露光装置と一体化しており、新たに観測装置
を設置する必要がなくなる。また、比較的簡便に角度θ
だけ回転ステージ1を回転させるときに生じる不要レジ
ストの露光領域のズレに関する補正を実現しうる。しか
しながら、以下の問題点を有する。
In the correction method using the above-mentioned alignment mark, which has been found by the present inventors, the observing means for the wafer W is integrated with the wafer peripheral exposure apparatus, so that it is not necessary to newly install an observing apparatus. Also, the angle θ can be relatively easily determined.
It is possible to realize a correction relating to a shift of the exposure region of the unnecessary resist that occurs when the rotation stage 1 is rotated only by the rotation. However, it has the following problems.

【0026】(1)アライメントユニット20は、回路
パターンCPのズレ量補正を行う度に所定位置への挿入
と退避位置までの退避を行うが、図15に示すように、
所定位置への挿入位置に誤差(図15における位置Aと
位置B)があると、2つのアライメントマークWAMの
画像データが変化する。(WAM(A)とWAM
(B))。ところが、2つのアライメントユニット20
は、それぞれ独立に挿入・退避がなされ、かつそれから
得られる位置データと出射端6の位置データ(Xステー
ジ8、Yステージ10の位置データ:X−Y座標系)と
は何ら相関がない。
(1) Each time the alignment amount of the circuit pattern CP is corrected, the alignment unit 20 performs insertion into a predetermined position and retreats to a retracted position. As shown in FIG.
If there is an error (the position A and the position B in FIG. 15) at the insertion position at the predetermined position, the image data of the two alignment marks WAM changes. (WAM (A) and WAM
(B)). However, the two alignment units 20
Are independently inserted and retracted, and there is no correlation between the position data obtained therefrom and the position data of the emission end 6 (position data of the X stage 8 and the Y stage 10: XY coordinate system).

【0027】(2)よって、2つのアライメントユニッ
ト20の位置精度が高精度でないと、Xステージ8、Y
ステージ10の移動座標系であるX−Y座標系との相対
位置関係がずれてしまい、上記手順(e)(f)におけ
る、角度θだけ回転ステージ1をさらに回転させたとき
の座標データの補正に誤差が生じてしまう。
(2) Therefore, if the positional accuracy of the two alignment units 20 is not high, the X stage 8, Y
The relative positional relationship with the XY coordinate system, which is the moving coordinate system of the stage 10, is shifted, and the correction of the coordinate data when the rotary stage 1 is further rotated by the angle θ in the above procedures (e) and (f). Error occurs.

【0028】(3)そのため、アライメントユニット2
0の高精度の位置決め機構が必要となり、コストが高く
なる。 (4)また複数のアライメントユニット20が必要なの
で、装置が大型化してしまう。
(3) Therefore, the alignment unit 2
A high-precision positioning mechanism of 0 is required, and the cost is increased. (4) Since a plurality of alignment units 20 are required, the size of the apparatus is increased.

【0029】本発明の第1の目的は、前工程で形成され
る回路パターンの形成位置に誤差があっても、高精度か
つ簡便に、階段状形状の不要レジストを現像工程で除去
するためのウエハ周辺露光を実現する方法を提供するこ
とにある。本発明の第2の目的は、上記のようなウエハ
周辺露光を実現可能な小型で安価なウエハ周辺露光装置
を提供することにある。
A first object of the present invention is to remove a stair-like unnecessary resist in a developing step with high accuracy and in a simple manner even if there is an error in the formation position of a circuit pattern formed in a preceding step. An object of the present invention is to provide a method for realizing wafer peripheral exposure. A second object of the present invention is to provide a small and inexpensive wafer peripheral exposure apparatus capable of performing the above-described wafer peripheral exposure.

【0030】[0030]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1、2、
3、4、5、6の発明は、ウエハ上のパターン形成領域
以外の不要レジストを露光する前に、ウエハのオリフラ
やノッチ等の形状上の特異点の位置を検出し、上記特異
点が所定の位置に位置するまでウエハを回転させ、上記
パターンの所定の2点、あるいは、上記パターンと所定
関係を有し該パターンとは別途に設けられている2つの
アライメントマークの位置を記憶して演算し、上記出射
端の移動方向もしくはワークステージの移動方向と上記
パターンとのなす角度を求め、上記角度が0度または9
0度になるようにさらにウエハを回転させる工程・機能
を含んでいる。
According to the present invention, there are provided:
In the inventions 3, 4, 5, and 6, the position of a singular point on a shape such as an orientation flat or a notch of a wafer is detected before exposing an unnecessary resist other than the pattern forming area on the wafer, and The wafer is rotated until it is located at the position, and two predetermined points of the pattern or the positions of two alignment marks which have a predetermined relationship with the pattern and are separately provided from the pattern are stored and calculated. Then, an angle between the moving direction of the emission end or the moving direction of the work stage and the pattern is obtained, and the angle is 0 degree or 9 degrees.
It includes a step / function of further rotating the wafer to be at 0 degrees.

【0031】すなわち、ウエハの形状上の特異点を基準
にして不要レジストを露光するのではなく、回路パター
ンを観察してウエハを所定の位置に位置させるパターン
を基準とした露光が可能になるので、前工程で形成され
る回路パターンの形成位置に誤差があっても、高精度か
つ簡便に、階段状形状の不要レジストを現像工程で除去
するためのウエハ周辺露光を実現することが可能にな
る。
That is, instead of exposing an unnecessary resist on the basis of a singular point on the shape of a wafer, it is possible to perform exposure on the basis of a pattern for observing a circuit pattern and positioning a wafer at a predetermined position. Even if there is an error in the formation position of the circuit pattern formed in the previous step, it is possible to realize the peripheral exposure of the wafer for removing the unnecessary resist having the step-like shape in the developing step with high accuracy and simply. .

【0032】特に、上記パターンの所定の2点を用いれ
ば、アライメントマークを別途設ける必要が無く、便利
である。
In particular, if two predetermined points of the above pattern are used, there is no need to separately provide an alignment mark, which is convenient.

【0033】また、請求項3、4の発明は以下の作用を
有する。 (1)前工程で形成される回路パターンの形成位置に誤
差を観測するウエハの観察手段を有しているので、新た
に観測装置を設置する必要がない。 (2)ライトガイドファイバの出射端と上記観察手段と
が所定の位置関係になるように一体に保持されていて、
かつ直交方向に移動可能である。よって、出射端と観察
手段の移動座標系が完全に一致しており、常に、回路パ
ターンの形成位置の誤差補正を高精度に行うことができ
る。よって、上記座標系が独立している場合に要求され
る観察手段の高精度な位置決め機構が不要となる。
The invention according to claims 3 and 4 has the following operations. (1) Since there is a wafer observation means for observing an error in the formation position of the circuit pattern formed in the previous process, it is not necessary to newly install an observation device. (2) The exit end of the light guide fiber and the observation means are integrally held so as to have a predetermined positional relationship,
And it can move in the orthogonal direction. Therefore, the moving coordinate system of the emitting end and the observation means completely match, and the error correction of the circuit pattern formation position can always be performed with high accuracy. Therefore, a highly accurate positioning mechanism of the observation means required when the coordinate systems are independent is unnecessary.

【0034】(3)さらに、一つの観察手段を駆動制御
して、上記ウエハ上のパターンの所定の2点、あるい
は、上記パターンと所定関係を有し該パターンとは別途
に設けられている2つのアライメントマークを個別にそ
れぞれ検出・記憶しているので、複数のアライメントユ
ニットを必要としない。よって、小型かつ安価なウエハ
周辺露光装置を提供できる。
(3) Further, one observation means is driven and controlled, and two predetermined points of the pattern on the wafer, or two which have a predetermined relationship with the pattern and are provided separately from the pattern. Since one alignment mark is individually detected and stored, a plurality of alignment units are not required. Therefore, a small and inexpensive wafer peripheral exposure apparatus can be provided.

【0035】また、請求項5、6の発明は以下の作用を
有する。 (1)前工程で形成される回路パターンの形成位置に誤
差を観測するウエハの観察手段を有しているので、新た
に観測装置を設置する必要がない。 (2)ライトガイドファイバの出射端と上記観察手段と
が所定の位置関係になるように一体に固定されていて、
かつ、ウエハを載置した回転可能なワークステージが直
交方向に移動可能である。よって、一体に固定された出
射端および観察手段の位置とウエハを載置したワークス
テージの位置との相関関係は常に同じであり、よって、
常に、回路パターンの形成位置の誤差補正を高精度に行
うことができる。従って、上記座標系が独立している場
合に要求される観察手段の高精度な位置決め機構が不要
となる。
The invention according to claims 5 and 6 has the following operations. (1) Since there is a wafer observation means for observing an error in the formation position of the circuit pattern formed in the previous process, it is not necessary to newly install an observation device. (2) The exit end of the light guide fiber and the observation means are integrally fixed so as to have a predetermined positional relationship,
In addition, the rotatable work stage on which the wafer is mounted can move in the orthogonal direction. Therefore, the correlation between the position of the emission end and the observation means fixed integrally and the position of the work stage on which the wafer is placed is always the same, and
The error correction of the formation position of the circuit pattern can always be performed with high accuracy. Therefore, a highly accurate positioning mechanism of the observation means required when the coordinate systems are independent becomes unnecessary.

【0036】(3)さらに、ワークステージを駆動制御
して、上記ウエハ上のパターンの所定の2点、あるい
は、上記パターンと所定関係を有し該パターンとは別途
に設けられている2つのアライメントマークを個別にそ
れぞれ検出・記憶しているので、複数のアライメントユ
ニットを必要としない。よって、小型かつ安価なウエハ
周辺露光装置を提供できる。
(3) Further, by controlling the drive of the work stage, two predetermined points of the pattern on the wafer or two alignments which have a predetermined relationship with the pattern and are provided separately from the pattern. Since the marks are individually detected and stored, a plurality of alignment units are not required. Therefore, a small and inexpensive wafer peripheral exposure apparatus can be provided.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】図1に、本発明の第1の実施例で
あるウエハ周辺露光装置を示す。図1に示すウエハ周辺
露光装置は、先に図7に示した従来の技術に基づくウエ
ハ周辺露光装置に、ウエハW上に設けられているアライ
メントマークWAM1,WAM2を検出し、検出データ
を演算処理してズレ量を補正する機能を付与したもので
ある。
FIG. 1 shows a wafer peripheral exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. The wafer peripheral exposure apparatus shown in FIG. 1 is different from the conventional wafer peripheral exposure apparatus shown in FIG. 7 in that the alignment marks WAM1 and WAM2 provided on the wafer W are detected and the detected data is processed. And a function of correcting the shift amount.

【0038】以下に構成を述べる。なお、図9と同一の
符号を有するものは、同様の構成要素を示す。14は、
アライメントマークWAM1,WAM2を検出するアラ
イメントマーク検出ユニットである。アライメントマー
ク検出ユニット14は、CCDカメラ81、ハーフミラ
ー82、非露光光を放出する光源83、レンズ84から
構成されている。光源83は、例えば、非露光光を放出
する発光ダイオードでもよいし、白熱電球に非露光光の
みを透過させる光学フィルタを組み合わせたものでもよ
い。アライメントマーク検出ユニット14は、光源83
から放出される非露光光をハーフミラー82、レンズ8
4を介してアライメントマークWAM1またはWAM2
に照射し、該アライメントマークを、レンズ84、ハー
フミラー82を介してCCDカメラ81により検出す
る。アライメントマーク検出ユニット14は、保持アー
ム7により出射部6と一体に保持されているので、Xス
テージ8、Yステージ10をコントローラ12により制
御することにより、出射部6と一体にX方向、Y方向に
所定量だけ駆動制御される。
The configuration will be described below. Note that components having the same reference numerals as those in FIG. 9 indicate similar components. 14 is
This is an alignment mark detection unit that detects the alignment marks WAM1 and WAM2. The alignment mark detection unit 14 includes a CCD camera 81, a half mirror 82, a light source 83 that emits non-exposure light, and a lens 84. The light source 83 may be, for example, a light-emitting diode that emits non-exposure light, or a combination of an incandescent lamp and an optical filter that transmits only non-exposure light. The alignment mark detection unit 14 includes a light source 83
The non-exposure light emitted from the half mirror 82 and the lens 8
4, the alignment mark WAM1 or WAM2
, And the alignment mark is detected by the CCD camera 81 via the lens 84 and the half mirror 82. Since the alignment mark detection unit 14 is held integrally with the emission unit 6 by the holding arm 7, by controlling the X stage 8 and the Y stage 10 by the controller 12, the X and Y directions are integrated with the emission unit 6. Is controlled by a predetermined amount.

【0039】CCDカメラ81により検出されたアライ
メントマークWAM1,WAM2の画像データはコント
ローラ12に送信される。ここで、コントローラ12
は、回転ステージの回転駆動機構2、シャッタ駆動機構
43、Xステージ8、Yステージ10の制御機能および
回転角度読取機構3で検出する回転ステージ1の回転角
度情報、Xステージ位置検出手段9、Yステージ位置検
出手段11で検出するXステージ8、Yステージ10の
位置情報、ウエハ周縁検出手段13で検出するウエハW
のエッジの位置情報、不要レジストの露光領域の座標デ
ータの記憶・演算処機能の他に、アライメントマークW
AM1,WAM2の画像データの記憶・演算処理機能も
有する。
The image data of the alignment marks WAM1 and WAM2 detected by the CCD camera 81 is transmitted to the controller 12. Here, the controller 12
Are the rotation function of the rotary stage 2, the shutter drive mechanism 43, the control functions of the X stage 8, the Y stage 10, and the rotation angle information of the rotary stage 1 detected by the rotation angle reading mechanism 3, the X stage position detecting means 9, Y Position information of X stage 8 and Y stage 10 detected by stage position detecting means 11, wafer W detected by wafer peripheral detecting means 13
In addition to the function of storing and calculating the position information of the edge of the mark and the coordinate data of the exposure area of the unnecessary resist, the alignment mark W
It also has a function of storing and calculating image data of AM1 and WAM2.

【0040】次に、図1に示すウエハ周辺露光装置を用
いて、ウエハ周辺部の階段状の不要レジストを露光する
ウエハ周辺露光方法について説明する。 (1)コントローラ12に、図2に示す互いに直交する
X−Y座標における露光領域およびアライメントマーク
WAM1,WAM2の座標データを記憶させる。この記
憶させる座標データは、回路パターンCPすなわち不要
レジストの領域およびアライメントマークWAM1,W
AM2がウエハW上の所定の位置にあるときのものであ
る。従来の技術と同様、ここに示すX−Y座標のX方
向、Y方向は、互いに直交する方向に移動するXステー
ジ8、Yステージ10の移動方向と一致している。ま
た、ここでの座標データは、ウエハWの円周部の中心と
回転ステージ1の中心が一致しているときのものであ
り、Xステージ位置検出手段9、Yステージ位置検出手
段11により検出されるXステージ8、Yステージ10
の位置情報との相関関係も定められている。なお、この
座標データは、出射部6とウエハ周縁検出手段13との
位置関係や出射部6とアライメントマーク検出ユニット
14との位置関係も考慮されている。
Next, a description will be given of a wafer periphery exposure method for exposing a stepwise unnecessary resist in the periphery of a wafer by using the wafer periphery exposure apparatus shown in FIG. (1) The controller 12 stores the exposure area and the coordinate data of the alignment marks WAM1 and WAM2 in the XY coordinates orthogonal to each other as shown in FIG. The coordinate data to be stored includes the circuit pattern CP, that is, the unnecessary resist area and the alignment marks WAM1 and WAM1.
This is when AM2 is at a predetermined position on the wafer W. As in the related art, the X and Y directions of the XY coordinates shown here match the movement directions of the X stage 8 and the Y stage 10 that move in directions orthogonal to each other. The coordinate data here is obtained when the center of the circumferential portion of the wafer W coincides with the center of the rotary stage 1, and is detected by the X stage position detecting means 9 and the Y stage position detecting means 11. X stage 8, Y stage 10
Is also determined. The coordinate data also takes into account the positional relationship between the emitting unit 6 and the wafer periphery detecting means 13 and the positional relationship between the emitting unit 6 and the alignment mark detection unit 14.

【0041】なお、アライメントマークWAM1,WA
M2の代わりに、アライメントマークとして図3に示す
ように、回路パターンCP領域内の各チップ周囲にある
スクライブラインの交差点のような特徴を有する所定の
2点をコントローラ12に記憶させてもよい。この場合
は、別途アライメントマークWAM1,WAM2を設け
る必要が無いので便利である。
Incidentally, the alignment marks WAM1, WA
Instead of M2, as shown in FIG. 3, two predetermined points having characteristics such as intersections of scribe lines around each chip in the circuit pattern CP area may be stored in the controller 12 as alignment marks. In this case, there is no need to separately provide the alignment marks WAM1 and WAM2, which is convenient.

【0042】(2)Xステージ8、Yステージ10を駆
動して、保持アーム7に取りつけられたウエハ周縁検出
手段13をウエハWの周縁まで移動させ、発光ダイオー
ド51より非露光光を放出させる。なお、Xステージ
8、Yステージ10の位置情報は、Xステージ位置検出
手段9、Yステージ位置検出手段11により検出され、
コントローラ12に送出される。すなわち、Xステージ
8、Yステージ10の駆動制御は、フィードバック制御
となる。 (3)回転駆動機構2を駆動し、不図示の搬送機構によ
り搬送されてきたウエハWが載置・真空吸着されている
回転ステージ1を1回転させる。
(2) The X stage 8 and the Y stage 10 are driven to move the wafer periphery detecting means 13 attached to the holding arm 7 to the periphery of the wafer W, and the non-exposure light is emitted from the light emitting diode 51. The position information of the X stage 8 and the Y stage 10 is detected by the X stage position detecting means 9 and the Y stage position detecting means 11,
It is sent to the controller 12. That is, the drive control of the X stage 8 and the Y stage 10 is feedback control. (3) The rotation drive mechanism 2 is driven, and the rotation stage 1 on which the wafer W transferred by the transfer mechanism (not shown) is placed and vacuum-adsorbed is rotated once.

【0043】(4)回転ステージ1が1回転している
間、CCDアレイ53および回転角度読取機構3によ
り、先に述べた回転ステージ1の回転角度をパラメータ
としたウエハWのエッジ部の位置情報を検出する。その
後、発光ダイオード51からの非露光光の放出を停止す
る。 (5)上記ウエハWの周縁部の位置情報をコントローラ
12で演算処理し、オリフラ位置またはノッチ位置、お
よび回転ステージ1の回転中心とウエハWの中心とのズ
レ量を算出する。
(4) While the rotary stage 1 makes one rotation, the CCD array 53 and the rotation angle reading mechanism 3 use the above-mentioned rotation angle of the rotary stage 1 as a parameter to obtain positional information of the edge portion of the wafer W. Is detected. Thereafter, emission of non-exposure light from the light emitting diode 51 is stopped. (5) The position information of the peripheral portion of the wafer W is processed by the controller 12 to calculate the orientation flat position or the notch position and the amount of deviation between the rotation center of the rotary stage 1 and the center of the wafer W.

【0044】(6)上記算出データをもとに、オリフラ
位置がX−Y座標系のX軸と平行になるまで、回転駆動
機構2を駆動して回転ステージ1を回転させる。ノッチ
の場合は、ノッチとウエハWの中心を結ぶ直線がY軸と
平行になるまで回転駆動機構2を駆動して回転ステージ
1を回転させる。なお、先に述べたように、上記位置合
わせが適正に行われたかどうかを特開平5−3153号
公報に開示されている方法を適用して確認してもよい。 (7)また、手順(5)で算出した回転ステージ1の回
転中心とウエハWの中心とのズレ量をもとに、手順
(1)で記憶しておいた座標データを補正する。
(6) Based on the calculated data, the rotary drive mechanism 2 is driven to rotate the rotary stage 1 until the orientation flat position is parallel to the X axis of the XY coordinate system. In the case of a notch, the rotary drive mechanism 2 is driven to rotate the rotary stage 1 until a straight line connecting the notch and the center of the wafer W is parallel to the Y axis. As described above, whether or not the alignment has been properly performed may be confirmed by applying the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-3153. (7) The coordinate data stored in step (1) is corrected based on the amount of deviation between the rotation center of the rotary stage 1 and the center of the wafer W calculated in step (5).

【0045】(8)手順(7)で補正した座標データに
基づき、Xステージ8、Yステージ10を駆動制御し
て、保持アーム7により出射部6と一体に保持されてい
るアライメント検出ユニット14をアライメントマーク
WAM1があるべき位置へ移動させる。 (9)アライメントマーク検出ユニット14の光源83
より非露光光を放出し、CCDカメラ81で、アライメ
ントマークWAM1の像を検出し、画像データ(位置デ
ータ)を記憶する。 (10)同様にして、アライメントマークWAM2があ
るべき位置へアライメント検出ユニット14を移動さ
せ、アライメントマークWAM2の像を検出し、画像デ
ータ(位置データ)を記憶する。
(8) Based on the coordinate data corrected in the step (7), the X stage 8 and the Y stage 10 are drive-controlled, and the alignment detecting unit 14 held integrally with the emission section 6 by the holding arm 7 is moved. The alignment mark WAM1 is moved to a position where it should be. (9) Light source 83 of alignment mark detection unit 14
More non-exposure light is emitted, an image of the alignment mark WAM1 is detected by the CCD camera 81, and image data (position data) is stored. (10) Similarly, the alignment detection unit 14 is moved to a position where the alignment mark WAM2 should be, an image of the alignment mark WAM2 is detected, and image data (position data) is stored.

【0046】(11)図4に示すように、両アライメン
トマークWAM1,WAM2の画像データおよび手順
(1)で予め記憶しておいた両アライメントマークWA
M1,WAM2のX軸方向の距離Dにより、X軸方向と
両アライメントマークWAM1,WAM2を結んだ線分
との傾きθ、すなわち、回路パターンCPのズレ量θを
演算により求め、その分だけ回転ステージ1を回転させ
る。 (12)上記(8)〜(11)までの手順をもう1度行
い、傾きθの補正が適正に行われているかどうか確認す
る。この補正が適正に行われていない場合は、上記
(8)〜(11)までの手順を繰り返し、傾きθの値が
所定の値以下になるまで繰り返す。傾きθの値が所定の
値以下になった状態を図5に示す。 (13)両アライメントマークWAM1,WAM2が本
来あるべき位置のデータと実際にある位置のデータを演
算し、両者の差を求め、手順(7)で補正した座標デー
タをさらに補正する。
(11) As shown in FIG. 4, the image data of both alignment marks WAM1 and WAM2 and both alignment marks WA previously stored in step (1).
From the distance D in the X-axis direction of M1 and WAM2, the inclination θ between the X-axis direction and the line connecting the alignment marks WAM1 and WAM2, that is, the amount of deviation θ of the circuit pattern CP is obtained by calculation, and the rotation is performed by that amount The stage 1 is rotated. (12) The steps (8) to (11) are performed again to confirm whether the inclination θ is properly corrected. If this correction has not been performed properly, the above steps (8) to (11) are repeated until the value of the inclination θ becomes equal to or less than a predetermined value. FIG. 5 shows a state in which the value of the inclination θ has become equal to or less than a predetermined value. (13) The data at the position where both alignment marks WAM1 and WAM2 should be and the data at the actual position are calculated, the difference between the two is obtained, and the coordinate data corrected in step (7) is further corrected.

【0047】(14)図1に戻り、アライメントマーク
検出ユニット14の発光ダイオード83より非露光光の
放出を停止する。 (15)手順(13)で補正した座標データをもとに、
Xステージ8、Yステージ10を駆動制御して、保持ア
ーム7すなわち出射端6からの光照射位置を所定の初期
位置へ移動させる。 (16)シャッタ駆動機構43を駆動し、シャッタ41
を開ける。出射端6からは、露光光が放出される。 (17)手順(13)で補正した座標データをもとに、
Xステージ8、Yステージ10を駆動制御して、階段状
の露光領域を露光する。 (18)なお、Xステージ8、Yステージ10の移動の
ストローク長があまり長くない場合には、露光領域の露
光しうる範囲を露光後90°ずつ回転ステージ1を回転
させて、回転後、その都度露光領域を露光するようにし
てもよい。
(14) Returning to FIG. 1, emission of non-exposure light from the light emitting diode 83 of the alignment mark detection unit 14 is stopped. (15) Based on the coordinate data corrected in step (13),
The X stage 8 and the Y stage 10 are drive-controlled to move the light irradiation position from the holding arm 7, that is, the emission end 6, to a predetermined initial position. (16) The shutter drive mechanism 43 is driven, and the shutter 41 is driven.
Open. Exposure light is emitted from the emission end 6. (17) Based on the coordinate data corrected in step (13),
The drive of the X stage 8 and the Y stage 10 is controlled to expose a stepwise exposure region. (18) If the stroke length of the movement of the X stage 8 and the Y stage 10 is not so long, the rotatable stage 1 is rotated by 90 ° every time after exposing the exposure range of the exposure area. The exposure area may be exposed each time.

【0048】第1の実施例のウエハ周辺露光装置は、ア
ライメントマーク検出ユニット14と出射部6を一体に
保持する保持アーム7をXステージ8、Yステージ10
によって、X方向、Y方向に所定量だけ駆動制御する
が、図6に示す第2の実施例のウエハ周辺露光装置のよ
うに、アライメントマーク検出ユニット14と出射部6
を一体に固定して、ウエハWを載置する回転ステージ1
をXステージ8、Yステージ10によって、X方向、Y
方向に所定量だけ駆動制御するようにしても、第1の実
施例のウエハ周辺露光装置と同様の効果が得られる。
In the wafer peripheral exposure apparatus according to the first embodiment, the holding arm 7 for integrally holding the alignment mark detection unit 14 and the light emitting section 6 includes the X stage 8 and the Y stage 10.
Drive control in the X direction and Y direction by a predetermined amount. However, as in the wafer peripheral exposure apparatus of the second embodiment shown in FIG.
Stage 1 on which the wafer W is mounted
In the X direction and Y by the X stage 8 and the Y stage 10.
Even if the drive is controlled by a predetermined amount in the direction, the same effect as that of the wafer peripheral exposure apparatus of the first embodiment can be obtained.

【0049】図6において、71はアライメントマーク
検出ユニット14と出射部6を一体に所定位置に固定す
る固定部材である。また、回転駆動機構2と回転角度読
取機構3は一体化しており、Xステージ8、Yステージ
10に固定されている。よって、回転ステージ1は、回
転駆動機構2、Xステージ8、Yステージ10を駆動す
ることにより、回転し、さらにX方向、Y方向に移動可
能となる。また回転ステージ1の回転角度、X方向、Y
方向の位置は、回転角度読取機構3、Xステージ位置検
出手段9、Yステージ位置検出手段11により検出さ
れ、この検出信号は、コントローラ12へ送出される。
なお、図1と同一の符号を有するものは、同様の構成要
素を示す。
In FIG. 6, reference numeral 71 denotes a fixing member for integrally fixing the alignment mark detection unit 14 and the emission section 6 at a predetermined position. The rotation drive mechanism 2 and the rotation angle reading mechanism 3 are integrated, and are fixed to the X stage 8 and the Y stage 10. Therefore, the rotary stage 1 rotates by driving the rotary drive mechanism 2, the X stage 8, and the Y stage 10, and can be further moved in the X and Y directions. The rotation angle of the rotary stage 1, the X direction, and the Y direction
The position in the direction is detected by the rotation angle reading mechanism 3, the X stage position detecting means 9, and the Y stage position detecting means 11, and this detection signal is sent to the controller 12.
Note that components having the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate similar components.

【0050】次に、第2の実施例のウエハ周辺露光装置
によるウエハ周辺露光方法について説明する。 (い)第1の実施例の手順(1)のように、コントロー
ラ12にウエハWの円周部の中心と回転ステージ1の中
心が一致しているときの露光領域のX−Y座標データを
記憶させる。この座標データは、Xステージ8、Yステ
ージ10の位置情報との相関関係や、出射部6、ウエハ
周縁検出手段13との位置関係が考慮されている。
Next, a wafer periphery exposing method using the wafer periphery exposing apparatus of the second embodiment will be described. (I) As in the procedure (1) of the first embodiment, the XY coordinate data of the exposure area when the center of the circumferential portion of the wafer W coincides with the center of the rotary stage 1 is sent to the controller 12. Remember. The coordinate data takes into account the correlation with the position information of the X stage 8 and the Y stage 10 and the positional relationship with the emission unit 6 and the wafer periphery detecting means 13.

【0051】(ろ)Xステージ8、Yステージ10を駆
動して、ウエハWのエッジ部がウエハ周縁検出手段13
により検出される位置に位置するように、ウエハWが載
置された回転ステージ1を移動させ、発光ダイオード5
1より非露光光を放出させる。なお、Xステージ8、Y
ステージ10の位置情報は、Xステージ位置検出手段
9、Yステージ位置検出手段11により検出され、コン
トローラ12に送出される。すなわち、Xステージ8、
Yステージ10の駆動制御は、フィードバック制御とな
る。
(R) By driving the X stage 8 and the Y stage 10, the edge of the wafer W is
The rotary stage 1 on which the wafer W is placed is moved so that the light-emitting diode 5
1 emits non-exposure light. In addition, X stage 8, Y
The position information of the stage 10 is detected by the X stage position detecting means 9 and the Y stage position detecting means 11, and is sent to the controller 12. That is, X stage 8,
The drive control of the Y stage 10 is feedback control.

【0052】(は)第1の実施例の手順(3)〜(7)
と同様に、回転ステージ1の回転角度をパラメータとし
たウエハWのエッジ部の位置情報を検出して、コントロ
ーラ12で演算処理し、オリフラ位置またはノッチ位
置、および回転ステージ1の回転中心とウエハWの中心
とのズレ量を算出し、この算出データをもとに、オリフ
ラ位置がX−Y座標系のX軸と平行になるまで、ノッチ
の場合はノッチとウエハWの中心を結ぶ直線がY軸と平
行になるまで、回転駆動機構2を駆動して回転ステージ
1を回転させる。また、算出した回転ステージ1の回転
中心とウエハWの中心とのズレ量をもとに、手順(1)
で記憶しておいた座標データを補正する。
(A) Procedures (3) to (7) of the first embodiment
Similarly, the position information of the edge portion of the wafer W is detected by using the rotation angle of the rotary stage 1 as a parameter, and is processed by the controller 12, and the orientation flat position or the notch position, the rotation center of the rotary stage 1 and the wafer W Is calculated based on the calculated data. In the case of a notch, a straight line connecting the notch and the center of the wafer W is used until the orientation flat position becomes parallel to the X axis of the XY coordinate system. The rotary drive mechanism 2 is driven to rotate the rotary stage 1 until it is parallel to the axis. The procedure (1) is performed based on the calculated shift amount between the rotation center of the rotary stage 1 and the center of the wafer W.
The coordinate data stored in is corrected.

【0053】(に)手順(は)で補正した座標データに
基づき、Xステージ8、Yステージ10を駆動制御し
て、ウエハW上のアライメントマークWAM1が保持部
材71により出射部6と一体に固定されているアライメ
ント検出ユニット14の検出されるべき位置へ位置する
ように、回転ステージ1を移動させる。
Based on the coordinate data corrected in the procedure (a), the X stage 8 and the Y stage 10 are driven and controlled, and the alignment mark WAM1 on the wafer W is fixed integrally with the emission section 6 by the holding member 71. The rotary stage 1 is moved so as to be located at the position where the alignment detection unit 14 is to be detected.

【0054】(ほ)アライメントマーク検出ユニット1
4の光源83より非露光光を放出し、CCDカメラ81
で、アライメントマークWAM1の像を検出し、画像デ
ータ(位置データ)を記憶する。 (へ)同様にして、ウエハW上のアライメントマークW
AM2がアライメント検出ユニット14の検出されるべ
き位置へ位置するように、回転ステージ1を移動させ、
アライメントマークWAM2の像を検出し、画像データ
(位置データ)を記憶する。
(H) Alignment mark detection unit 1
4 emits non-exposure light from the light source 83, and the CCD camera 81
Then, the image of the alignment mark WAM1 is detected, and the image data (position data) is stored. (F) Similarly, alignment mark W on wafer W
The rotary stage 1 is moved so that AM2 is located at a position to be detected by the alignment detection unit 14,
The image of the alignment mark WAM2 is detected, and the image data (position data) is stored.

【0055】(と)第1の実施例の手順(11)〜(1
4)と同様、図4、図5に示すように回路パターンCP
のズレ量θを演算により求め、その分だけ回転ステージ
1を回転させる。以下、アライメントマークWAM1、
WAM2の検出、ズレ量θの算出、回転ステージ1の回
転という工程を傾きθの値が所定の値以下になるまで繰
り返した後、両アライメントマークWAM1,WAM2
が本来検出されるべき位置のデータと実際に検出した位
置のデータを演算し、両者の差を求め、手順(は)で補
正した座標データをさらに補正する。そして、アライメ
ントマーク検出ユニット14の発光ダイオード83より
非露光光の放出を停止する。
(And) Procedures (11) to (1) of the first embodiment
4), the circuit pattern CP as shown in FIG.
Is obtained by calculation, and the rotary stage 1 is rotated by that amount. Hereinafter, the alignment mark WAM1,
After repeating the steps of detecting WAM2, calculating the amount of deviation θ, and rotating the rotary stage 1 until the value of the inclination θ becomes equal to or less than a predetermined value, the alignment marks WAM1 and WAM2
Calculates the data of the position to be detected originally and the data of the position actually detected, finds the difference between the two, and further corrects the coordinate data corrected in the procedure (a). Then, emission of non-exposure light from the light emitting diode 83 of the alignment mark detection unit 14 is stopped.

【0056】(ち)手順(と)で補正した座標データを
もとに、ウエハWの露光領域の初期位置が保持部材で固
定された出射端6からの光照射位置に位置するように、
回転ステージ1をXステージ8、Yステージ10を駆動
制御して、移動させる。 (り)シャッタ駆動機構43を駆動し、シャッタ41を
開けて、出射端6から露光光を放出させ、手順(と)で
補正した座標データをもとに、Xステージ8、Yステー
ジ10を駆動して回転ステージ1を移動制御して、階段
状の露光領域を露光する。なお、Xステージ8、Yステ
ージ10の移動のストローク長があまり長くない場合に
は、露光領域の露光しうる範囲を露光後90°ずつ回転
ステージ1を回転させて、回転後、その都度露光領域を
露光するようにしてもよい。
(C) Based on the coordinate data corrected in the steps (A) and (B), the initial position of the exposure area of the wafer W is located at the light irradiation position from the emission end 6 fixed by the holding member.
The rotation stage 1 is moved by controlling the driving of the X stage 8 and the Y stage 10. (G) The shutter drive mechanism 43 is driven, the shutter 41 is opened, the exposure light is emitted from the emission end 6, and the X stage 8 and the Y stage 10 are driven based on the coordinate data corrected in the procedure (and). Then, the rotation stage 1 is moved and controlled to expose a stepwise exposure region. When the stroke length of the movements of the X stage 8 and the Y stage 10 is not so long, the rotatable stage 1 is rotated by 90 ° after the exposure by exposing the exposure range of the exposure region. May be exposed.

【0057】第2の実施例のウエハ周辺露光装置は、第
1の実施例のものと同様の機能を有するのに加えて、X
ステージ8、Yステージ10の上に回転ステージ1が設
置しているので、ステージの占める床面積が第1の実施
例のものに比べ小さくなり、装置全体の床面積を小さく
でき、また、機構が簡略化され、コストが安くなる。
The wafer peripheral exposure apparatus of the second embodiment has the same functions as those of the first embodiment,
Since the rotary stage 1 is set on the stage 8 and the Y stage 10, the floor area occupied by the stage is smaller than that of the first embodiment, the floor area of the entire apparatus can be reduced, and the mechanism is small. Simplified and lower cost.

【0058】また、ファイバ5の出射端6を固定するこ
とができるので、出射端6を移動させることによるファ
イバ5の消耗が無くなる。第1の実施例のウエハ周辺露
光装置のようにウェハWの上を出射端6が移動すると
き、場合によっては、移動により塵が発生してウエハW
上に落下・付着するといったことが起こり得るが、第2
の実施例のものは出射端6が固定されているので、こう
いった問題点を回避できる。
Further, since the emission end 6 of the fiber 5 can be fixed, the fiber 5 is not consumed by moving the emission end 6. When the emission end 6 moves on the wafer W as in the wafer peripheral exposure apparatus of the first embodiment, in some cases, dust is generated by the movement and the wafer W
Although it may happen that it falls or sticks on
In this embodiment, the emission end 6 is fixed, so that such a problem can be avoided.

【0059】図7に、本発明の第3の実施例であるウエ
ハ周辺露光装置を示す。図7において図1と同一の符号
を有するものは、同様の構成要素を示す。
FIG. 7 shows a wafer peripheral exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention. 7, components having the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate similar components.

【0060】本実施例においては、光学フィルタ42
と、この光学フィルタ42を露光用光源4とライトガイ
ドファイバ5の一端との間の光路内に挿入したり離脱さ
せたりする光学フィルタ駆動機構44が設けられる。こ
の光学フィルタ42は、露光用光源4から放射される光
のうち、ウエハW上に塗布されたレジストを感光させな
い非露光光を選択して透過させるものである。よって、
光学フィルタ42が上記光路内に挿入されると、出射部
6からは非露光光が放出される。
In this embodiment, the optical filter 42
And an optical filter driving mechanism 44 for inserting or removing the optical filter 42 into or from the optical path between the light source 4 for exposure and one end of the light guide fiber 5. The optical filter 42 selectively transmits non-exposure light, which does not expose the resist applied on the wafer W, from light emitted from the exposure light source 4. Therefore,
When the optical filter 42 is inserted into the optical path, non-exposure light is emitted from the emission unit 6.

【0061】また、アライメントマークWAM1,WA
M2を検出するCCDカメラ30が保持アーム7により
出射端6と一体に保持されていて、かつ、出射部6から
放出される非露光光の照射領域にある画像を検出可能な
位置に配置されている。後に示すように、CCDカメラ
30により検出されたアライメントマークWAM1,W
AM2の画像データはコントローラ12に送信される。
さらに15はウエハ位置検出手段であるCCDアレイで
ある。
The alignment marks WAM1 and WA
A CCD camera 30 for detecting M2 is held integrally with the emission end 6 by a holding arm 7 and is arranged at a position where an image in an irradiation area of the non-exposure light emitted from the emission section 6 can be detected. I have. As will be described later, the alignment marks WAM1 and WAM detected by the CCD camera 30 are used.
The image data of AM2 is transmitted to the controller 12.
Reference numeral 15 denotes a CCD array serving as a wafer position detecting means.

【0062】すなわち、コントローラ12は、回転ステ
ージの回転駆動機構2、シャッタ駆動機構43、光学フ
ィルタ駆動機構44、Xステージ8、Yステージ10の
制御機能および回転角度読取機構3で検出する回転ステ
ージ1の回転角度情報、Xステージ位置検出手段9、Y
ステージ位置検出手段11で検出するXステージ8、Y
ステージ10の位置情報、CCDアレイ15で検出する
ウエハWのエッジの位置情報、不要レジストの露光領域
の座標データの記憶・演算処機能の他に、アライメント
マークWAM1,WAM2の画像データの記憶・演算処
理機能も有する。
That is, the controller 12 controls the rotation drive mechanism 2 of the rotary stage, the shutter drive mechanism 43, the optical filter drive mechanism 44, the control functions of the X stage 8 and the Y stage 10, and the rotation stage 1 detected by the rotation angle reading mechanism 3. Rotation angle information, X stage position detecting means 9, Y
X stage 8, Y detected by stage position detecting means 11
In addition to the position information of the stage 10, the position information of the edge of the wafer W detected by the CCD array 15, the coordinate data of the exposure area of the unnecessary resist, and the processing function of storing and calculating the image data of the alignment marks WAM 1 and WAM 2. It also has a processing function.

【0063】次に、第3の実施例によるウエハ周辺露光
について説明する。 (A)第1の実施例と同様、コントローラ12に図2に
示すX−Y座標における露光領域およびアライメントマ
ークWAM1,WAM2の座標データを記憶させる。こ
の座標データは、回路パターンCPすなわち不要レジス
トの領域およびアライメントマークWAM1,WAM2
がウエハW上の所定の位置にあるときのものであり、X
−Y座標のX方向、Y方向は、互いに直交する方向に移
動するXステージ8、Yステージ10の移動方向と一致
している。また、ここでの座標データは、ウエハWの円
周部の中心と回転ステージ1の中心が一致しているとき
のものであり、Xステージ位置検出手段9、Yステージ
位置検出手段11により検出されるXステージ8、Yス
テージ10の位置情報との相関関係も定められている。
なお、この座標データは、出射部6とCCDアレイ15
との位置関係や出射部6とCCDカメラ30との位置関
係も考慮されている。
Next, wafer periphery exposure according to the third embodiment will be described. (A) As in the first embodiment, the controller 12 stores the exposure area and the coordinate data of the alignment marks WAM1 and WAM2 in the XY coordinates shown in FIG. The coordinate data includes the circuit pattern CP, that is, the unnecessary resist area and the alignment marks WAM1 and WAM2.
Is at a predetermined position on the wafer W, and X
The X direction and the Y direction of the −Y coordinate coincide with the movement directions of the X stage 8 and the Y stage 10 that move in directions orthogonal to each other. The coordinate data here is obtained when the center of the circumferential portion of the wafer W coincides with the center of the rotary stage 1, and is detected by the X stage position detecting means 9 and the Y stage position detecting means 11. The correlation with the position information of the X stage 8 and the Y stage 10 is also determined.
Note that this coordinate data is stored in the emission section 6 and the CCD array 15.
And the positional relationship between the emission unit 6 and the CCD camera 30 are also taken into consideration.

【0064】なお、アライメントマークWAM1,WA
M2の代わりに、アライメントマークとして図3に示す
ように、回路パターンCP領域内の各チップ周囲にある
スクライブラインの交差点の所定の2点をコントローラ
12に記憶させてもよい。
Note that the alignment marks WAM1, WA
Instead of M2, as shown in FIG. 3, two predetermined intersections of scribe lines around each chip in the circuit pattern CP area may be stored in the controller 12 as alignment marks.

【0065】(B)露光用光源4と上記ライトガイドフ
ァイバ5の一端との間の光路内に、光学フィルタ駆動機
構44を駆動して、露光用光源4から非露光光を選択す
る光学フィルタ42を挿入する。 (C)Xステージ8、Yステージ10を、第1の実施例
と同様駆動制御して、出射部6をウエハWの周縁まで移
動させた後、シャッタ駆動機構43を駆動し、シャッタ
41を開ける。出射部6からは、非露光光が放出され
る。光学フィルタ42を介して出射部6から放出される
非露光光は、ウエハWにより一部遮光され、ウエハWの
エッジ周縁部の外側を通過する。この通過光は、CCD
アレイ15により検出される。
(B) In the optical path between the exposure light source 4 and one end of the light guide fiber 5, the optical filter drive mechanism 44 is driven to select the non-exposure light from the exposure light source 4. Insert (C) The X stage 8 and the Y stage 10 are driven and controlled in the same manner as in the first embodiment, and after the light emitting unit 6 is moved to the peripheral edge of the wafer W, the shutter driving mechanism 43 is driven to open the shutter 41. . The non-exposure light is emitted from the emission unit 6. The non-exposure light emitted from the emission unit 6 through the optical filter 42 is partially shielded by the wafer W, and passes outside the peripheral edge of the wafer W. This passing light is CCD
Detected by array 15.

【0066】(D)回転駆動機構2を駆動し、ウエハW
が載置され、真空吸着されている回転ステージ1を1回
転させる。 (E)回転ステージ1が1回転している間、CCDアレ
イ15および回転角度読取機構3により、第1の実施例
と同様、回転ステージ1の回転角度をパラメータとした
ウエハWの周縁部の位置情報を検出する。 (F)以下、第1の実施例の手順(5)〜(7)と同様
にして、オリフラ位置またはノッチ位置が所定の位置に
くるまで回転ステージ1を回転させ、また(1)で記憶
しておいた座標データを補正する。
(D) The rotation drive mechanism 2 is driven, and the wafer W
Is mounted, and the rotary stage 1 that has been vacuum-adsorbed is rotated once. (E) While the rotation stage 1 makes one rotation, the position of the peripheral portion of the wafer W using the rotation angle of the rotation stage 1 as a parameter by the CCD array 15 and the rotation angle reading mechanism 3 as in the first embodiment. Detect information. (F) Thereafter, in the same manner as in the procedures (5) to (7) of the first embodiment, the rotary stage 1 is rotated until the orientation flat position or the notch position reaches a predetermined position, and stored in (1). Correct the set coordinate data.

【0067】(G)補正した座標データに基づき、Xス
テージ8、Yステージ10を駆動制御して、CCDカメ
ラ30と出射部6からの光照射位置をアライメントマー
クWAM1があるべき位置へ移動させる。(8)出射端
6により非露光光がアライメントマークWAM1へ照射
され、CCDカメラ30で、このアライメントマークW
AM1の像を検出し、画像データ(位置データ)を記憶
する。 (H)同様にして、アライメントマークWAM2がある
べき位置へCCDカメラ30と出射部6からの光照射位
置移動させ、アライメントマークWAM2の像を検出
し、画像データ(位置データ)を記憶する。
(G) Based on the corrected coordinate data, the X stage 8 and the Y stage 10 are drive-controlled to move the light irradiation position from the CCD camera 30 and the light emitting section 6 to the position where the alignment mark WAM1 should be. (8) The alignment mark WAM1 is irradiated with non-exposure light by the emission end 6, and the alignment mark WAM
The image of AM1 is detected, and image data (position data) is stored. (H) Similarly, the light irradiation position from the CCD camera 30 and the emission unit 6 is moved to a position where the alignment mark WAM2 should be located, an image of the alignment mark WAM2 is detected, and image data (position data) is stored.

【0068】(I)以下、第1の実施例の手順(10)
〜(13)と同様にして、回路パターンCPのズレ量θ
を演算により求め、その分だけ回転ステージ1を回転さ
せ、アライメントマークWAM1,WAM2が本来ある
べき位置のデータと実際にある位置のデータを演算し、
両者の差を求め、先に補正した座標データをさらに補正
する。
(I) The procedure of the first embodiment (10)
To (13), the deviation amount θ of the circuit pattern CP.
The rotation stage 1 is rotated by that amount, and the data at the position where the alignment marks WAM1 and WAM2 should be originally and the data at the position where the alignment marks WAM1 and WAM2 are actually located are calculated,
The difference between the two is obtained, and the previously corrected coordinate data is further corrected.

【0069】(J)図7に戻り、シャッタ駆動機構43
を駆動し、シャッタ41を閉じる。その後、光学フィル
タ駆動機構44を駆動することにより、光学フィルタ4
2を露光用光源4とライトガイドファイバ5の一端との
間の光路内から離脱させる。 (K)以下、第1の実施例の手順(15)〜(18)と
同様にして、階段状の露光領域を露光する。
(J) Returning to FIG. 7, the shutter driving mechanism 43
And the shutter 41 is closed. Thereafter, by driving the optical filter driving mechanism 44, the optical filter 4
2 is removed from the optical path between the exposure light source 4 and one end of the light guide fiber 5. (K) The stepwise exposure region is exposed in the same manner as in the procedures (15) to (18) of the first embodiment.

【0070】第3の実施例においては、光学フィルタ4
2を用いて非露光光を出射部6から放出させている。よ
って、ウエハWの周縁検出手段やアライメントマークW
AM1,WAM2の検出手段を第1の実施例より簡単に
構成することができる。特に、保持アーム7は単に出射
部6とCCDカメラ30を保持するだけなので、CCD
カメラ81、ハーフミラー82、非露光光を放出する発
光ダイオード83、レンズ84から構成されるアライメ
ントマーク検出ユニット14と、発光ダイオード51、
該非露光光を平行光にするレンズ52、CCDアレイ5
3から構成されるウエハ周縁検出手段13と、出射部6
とを保持する第1の実施例と比べて、Xステージ8、Y
ステージ10にかかる荷重が小さく、両ステージを小型
化することができる。
In the third embodiment, the optical filter 4
2, the non-exposure light is emitted from the emission unit 6. Therefore, the peripheral edge detecting means of the wafer W and the alignment mark W
The detection means for AM1 and WAM2 can be configured more simply than in the first embodiment. In particular, since the holding arm 7 merely holds the emission unit 6 and the CCD camera 30, the CCD
An alignment mark detection unit 14 including a camera 81, a half mirror 82, a light emitting diode 83 that emits non-exposure light, and a lens 84;
A lens 52 for converting the non-exposure light into a parallel light, a CCD array 5
3 and a light emitting unit 6
X stage 8 and Y stage
The load applied to the stage 10 is small, and both stages can be miniaturized.

【0071】第3の実施例のウエハ周辺露光装置も、図
8に示す第4の実施例のウエハ周辺露光装置のように、
CCDカメラ30と出射部6を一体に固定して、ウエハ
Wを載置する回転ステージ1をXステージ8、Yステー
ジ10によって、X方向、Y方向に所定量だけ駆動制御
するように構成することができる。
The wafer peripheral exposure apparatus of the third embodiment is also similar to the wafer peripheral exposure apparatus of the fourth embodiment shown in FIG.
The CCD camera 30 and the emission unit 6 are integrally fixed, and the rotary stage 1 on which the wafer W is mounted is driven and controlled by the X stage 8 and the Y stage 10 in the X and Y directions by a predetermined amount. Can be.

【0072】図8において、71はCCDカメラ30と
出射部6を一体に所定位置に固定する固定部材である。
また、回転駆動機構2と回転角度読取機構3は一体化し
ており、Xステージ8、Yステージ10に固定されてい
る。よって、回転ステージ1は、回転駆動機構2、Xス
テージ8、Yステージ10を駆動することにより、回転
し、さらにX方向、Y方向に移動可能となる。また回転
ステージ1の回転角度、X方向、Y方向の位置は、回転
角度読取機構3、Xステージ位置検出手段9、Yステー
ジ位置検出手段11により検出され、この検出信号は、
コントローラ12へ送出される。なお、図7と同一の符
号を有するものは、同様の構成要素を示す。
In FIG. 8, reference numeral 71 denotes a fixing member for integrally fixing the CCD camera 30 and the emission section 6 at a predetermined position.
The rotation drive mechanism 2 and the rotation angle reading mechanism 3 are integrated, and are fixed to the X stage 8 and the Y stage 10. Therefore, the rotary stage 1 rotates by driving the rotary drive mechanism 2, the X stage 8, and the Y stage 10, and can be further moved in the X and Y directions. The rotation angle, the X direction, and the Y position of the rotary stage 1 are detected by the rotation angle reading mechanism 3, the X stage position detecting means 9, and the Y stage position detecting means 11, and the detection signal is
It is sent to the controller 12. Note that components having the same reference numerals as those in FIG. 7 indicate similar components.

【0073】次に、第4の実施例のウエハ周辺露光装置
によるウエハ周辺露光方法をについて説明する。 (イ)第3の実施例の手順(A)のように、コントロー
ラ12にウエハWの円周部の中心と回転ステージ1の中
心が一致していてアライメントマークWAM1,WAM
2がウエハW上の所定の位置にあるときの露光領域およ
びアライメントマークWAM1,WAM2のX−Y座標
データを記憶させる。この座標データは、Xステージ
8、Yステージ10の位置情報との相関関係や、出射部
6、CCDアレイ15、CCDカメラ30との位置関係
が考慮されている。
Next, a description will be given of a wafer peripheral exposure method using the wafer peripheral exposure apparatus of the fourth embodiment. (A) As in the procedure (A) of the third embodiment, the controller 12 determines that the center of the circumferential portion of the wafer W coincides with the center of the rotary stage 1 and the alignment marks WAM1 and WAM.
The exposure area and the XY coordinate data of the alignment marks WAM1 and WAM2 when the wafer 2 is at a predetermined position on the wafer W are stored. The coordinate data takes into account the correlation with the positional information of the X stage 8 and the Y stage 10 and the positional relationship with the emission unit 6, the CCD array 15, and the CCD camera 30.

【0074】(ロ)露光用光源4と上記ライトガイドフ
ァイバ5の一端との間の光路内に、光学フィルタ駆動機
構44を駆動して、露光用光源4から非露光光を選択す
る光学フィルタ42を挿入する。 (ハ)Xステージ8、Yステージ10を駆動制御して、
ウエハWのエッジ部が出射部6からフィルタ42を介し
て非露光光が放出される光照射領域に位置するように、
回転ステージ1を移動させた後、シャッタ駆動機構43
を駆動し、シャッタ41を開ける。この非露光光は、ウ
エハWにより一部遮光され、ウエハWのエッジ周縁部の
外側を通過する。この通過光は、CCDアレイ15によ
り検出される。
(B) In the optical path between the exposure light source 4 and one end of the light guide fiber 5, the optical filter drive mechanism 44 is driven to select the non-exposure light from the exposure light source 4. Insert (C) drive control of the X stage 8 and the Y stage 10
The edge portion of the wafer W is positioned in a light irradiation area where the non-exposure light is emitted from the emission unit 6 via the filter 42,
After moving the rotary stage 1, the shutter driving mechanism 43
And the shutter 41 is opened. The non-exposure light is partially shielded by the wafer W and passes outside the peripheral edge of the wafer W. This passing light is detected by the CCD array 15.

【0075】(ニ)第3の実施例の手順(D)〜(F)
と同様に、回転ステージ1の回転角度をパラメータとし
たウエハWのエッジ部の位置情報を検出して、コントロ
ーラ12で演算処理し、オリフラ位置またはノッチ位
置、および回転ステージ1の回転中心とウエハWの中心
とのズレ量を算出し、この算出データをもとに、オリフ
ラ位置がX−Y座標系のX軸と平行になるまで、ノッチ
の場合はノッチとウエハWの中心を結ぶ直線がY軸と平
行になるまで、回転駆動機構2を駆動して回転ステージ
1を回転させる。また、算出した回転ステージ1の回転
中心とウエハWの中心とのズレ量をもとに、手順(1)
で記憶しておいた座標データを補正する。
(D) Procedures (D) to (F) of the third embodiment
Similarly, the position information of the edge portion of the wafer W is detected by using the rotation angle of the rotary stage 1 as a parameter, and is processed by the controller 12, and the orientation flat position or the notch position, the rotation center of the rotary stage 1 and the wafer W Is calculated based on the calculated data. In the case of a notch, a straight line connecting the notch and the center of the wafer W is used until the orientation flat position becomes parallel to the X axis of the XY coordinate system. The rotary drive mechanism 2 is driven to rotate the rotary stage 1 until it is parallel to the axis. The procedure (1) is performed based on the calculated shift amount between the rotation center of the rotary stage 1 and the center of the wafer W.
The coordinate data stored in is corrected.

【0076】(ホ)(ニ)で補正した座標データに基づ
き、Xステージ8、Yステージ10を駆動制御して、C
CDカメラ30と出射部6からの光照射位置の所定の位
置にアライメントマークWAM1が位置するように、回
転ステージ1を移動させる。 (へ)出射端6により非露光光がアライメントマークW
AM1へ照射され、CCDカメラ30で、このアライメ
ントマークWAM1の像を検出し、画像データ(位置デ
ータ)を記憶する。 (ト)同様にして、CCDカメラ30と出射部6からの
光照射位置の所定の位置にアライメントマークWAM2
が位置するように、回転ステージ1を移動させ、アライ
メントマークWAM2の像を検出し、画像データ(位置
データ)を記憶する。 (チ)以下、第3の実施例の手順(I)〜(K)のよう
に、上記画像データ(位置データ)の演算処理等により
回路パターンCPのズレ量θが所定値以下となるように
回転ステージ1を回転させ、アライメントマークWAM
1,WAM2が本来あるべき位置のデータと実際にある
位置のデータを演算し、両者の差を求め、先に補正した
座標データをさらに補正する。その後、光学フィルタ4
2を露光用光源4とライトガイドファイバ5の一端との
間の光路内から離脱させ、階段状の露光領域を露光す
る。
(E) Based on the coordinate data corrected in (d), the X stage 8 and the Y stage 10 are drive-controlled to
The rotary stage 1 is moved so that the alignment mark WAM1 is located at a predetermined position of the light irradiation position from the CD camera 30 and the light emitting unit 6. (F) Non-exposure light is emitted by the output end 6 to the alignment mark W.
The image is radiated to AM1, and the image of the alignment mark WAM1 is detected by the CCD camera 30, and the image data (position data) is stored. (G) Similarly, the alignment mark WAM2 is set at a predetermined position of the light irradiation position from the CCD camera 30 and the light emitting unit 6.
The rotation stage 1 is moved so that is positioned, an image of the alignment mark WAM2 is detected, and image data (position data) is stored. (H) Hereinafter, as in the procedures (I) to (K) of the third embodiment, the deviation amount θ of the circuit pattern CP is set to be equal to or less than a predetermined value by the arithmetic processing of the image data (position data) or the like. By rotating the rotary stage 1, the alignment mark WAM
1, WAM2 calculates the data of the original position and the data of the actual position, finds the difference between the two, and further corrects the previously corrected coordinate data. Then, the optical filter 4
2 is removed from the optical path between the light source 4 for exposure and one end of the light guide fiber 5, and a stepwise exposure region is exposed.

【0077】第4の実施例においては、第3の実施例と
同様、光学フィルタ42を用いて非露光光を出射部6か
ら放出させているので、ウエハWの周縁検出手段やアラ
イメントマークWAM1,WAM2の検出手段を第2の
実施例より簡単に構成することができる。
In the fourth embodiment, as in the third embodiment, the non-exposure light is emitted from the emission section 6 using the optical filter 42, so that the peripheral edge detecting means of the wafer W and the alignment marks WAM1, The detection means of WAM2 can be configured more simply than in the second embodiment.

【0078】また、第2の実施例と同様、Xステージ
8、Yステージ10の上に回転ステージ1が設置してい
るので、ステージの占める床面積が第1の実施例のもの
に比べ小さくなり、装置全体の床面積を小さくでき、ま
た、機構が簡略化され、コストが安くなる。
Also, as in the second embodiment, since the rotary stage 1 is installed on the X stage 8 and the Y stage 10, the floor area occupied by the stage is smaller than that in the first embodiment. In addition, the floor area of the entire apparatus can be reduced, the mechanism is simplified, and the cost is reduced.

【0079】さらには、ファイバ5の出射端6を固定す
ることができるので、出射端6を移動させることにより
ファイバ5の消耗が無くなり、ウェハW上を出射端6が
移動するときに起こり得る塵が発生してウエハW上に落
下・付着する問題点も回避できる。
Furthermore, since the emission end 6 of the fiber 5 can be fixed, the movement of the emission end 6 eliminates the consumption of the fiber 5 and generates dust that may occur when the emission end 6 moves on the wafer W. And the problem of dropping and adhering onto the wafer W due to the occurrence of the problem can be avoided.

【0080】[0080]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項
1、2、3、4、5、6の発明によれば、オリフラやノ
ッチ等の形状上の特異点を基準にして不要レジストを露
光するのではなく、上記形状上の特異点をもとにウエハ
位置を調整後、さらに回路パターンを観察して該回路パ
ターンが所定の位置にくるようにウエハの位置を微調整
して、回路パターンを基準とした露光を行うので、前工
程で形成される回路パターンの形成位置に誤差があって
も、高精度かつ簡便に、階段状形状の不要レジストを現
像工程で除去するためのウエハ周辺露光を実現すること
が可能になる。
As described above, according to the first, second, third, fourth, fifth and sixth aspects of the present invention, an unnecessary resist is formed on the basis of a singular point on a shape such as an orientation flat or a notch. Rather than exposing, after adjusting the wafer position based on the singular point on the shape, further observe the circuit pattern and fine-adjust the position of the wafer so that the circuit pattern comes to a predetermined position. Since the exposure is performed based on the pattern, even if there is an error in the formation position of the circuit pattern formed in the previous process, it is possible to easily and accurately remove the unnecessary resist having the step-like shape in the developing process around the wafer. Exposure can be realized.

【0081】上記微調整には、上記パターンの所定の2
点、あるいは、上記パターンと所定関係を有し該パター
ンとは別途に設けられている2つのアライメントマーク
の位置情報をもとに行うが、特に、上記パターンの所定
の2点を用いれば、アライメントマークを別途設ける必
要が無く、便利である。
In the fine adjustment, a predetermined 2
Point or, based on the positional information of two alignment marks which have a predetermined relationship with the pattern and are provided separately from the pattern, the alignment is particularly performed by using the predetermined two points of the pattern. There is no need to separately provide a mark, which is convenient.

【0082】また、請求項3、4の発明は以下の効果を
有する。 (1)前工程で形成される回路パターンの形成位置に誤
差を観測するウエハの観察手段を有しているので、新た
に観測装置を設置する必要がない。 (2)ライトガイドファイバの出射部と上記観察手段と
が所定の位置関係になるように一体に保持されていて、
かつ直交方向に移動可能である。よって、出射端と観察
手段の移動座標系が完全に一致しており、常に、回路パ
ターンの形成位置の誤差補正を高精度に行うことができ
る。よって、上記座標系が独立している場合に要求され
る観察手段の高精度な位置決め機構が不要となる。
The invention according to claims 3 and 4 has the following effects. (1) Since there is a wafer observation means for observing an error in the formation position of the circuit pattern formed in the previous process, it is not necessary to newly install an observation device. (2) The light emitting section of the light guide fiber and the observation means are integrally held so as to have a predetermined positional relationship,
And it can move in the orthogonal direction. Therefore, the moving coordinate system of the emitting end and the observation means completely match, and the error correction of the circuit pattern formation position can always be performed with high accuracy. Therefore, a highly accurate positioning mechanism of the observation means required when the coordinate systems are independent is unnecessary.

【0083】(3)さらに、一つの観察手段を駆動制御
して、上記ウエハ上のパターンの所定の2点、あるい
は、上記パターンと所定関係を有し該パターンとは別途
に設けられている2つのアライメントマークを個別にそ
れぞれ検出・記憶しているので、複数のアライメントユ
ニットを必要としない。よって、小型かつ安価なウエハ
周辺露光装置を提供できる。
(3) Further, one observation means is driven and controlled so that two points of the pattern on the wafer or two points which have a predetermined relationship with the pattern and are provided separately from the pattern. Since one alignment mark is individually detected and stored, a plurality of alignment units are not required. Therefore, a small and inexpensive wafer peripheral exposure apparatus can be provided.

【0084】また、請求項5、6の発明は以下の効果を
有する。 (1)前工程で形成される回路パターンの形成位置に誤
差を観測するウエハの観察手段を有しているので、新た
に観測装置を設置する必要がない。 (2)ライトガイドファイバの出射端と上記観察手段と
が所定の位置関係になるように一体に固定されていて、
かつ、ウエハを載置した回転可能なワークステージが直
交方向に移動可能である。よって、一体に固定された出
射端および観察手段の位置とウエハを載置したワークス
テージの位置との相関関係は常に同じであり、よって、
常に、回路パターンの形成位置の誤差補正を高精度に行
うことができる。従って、上記座標系が独立している場
合に要求される観察手段の高精度な位置決め機構が不要
となる。
The invention according to claims 5 and 6 has the following effects. (1) Since there is a wafer observation means for observing an error in the formation position of the circuit pattern formed in the previous process, it is not necessary to newly install an observation device. (2) The exit end of the light guide fiber and the observation means are integrally fixed so as to have a predetermined positional relationship,
In addition, the rotatable work stage on which the wafer is mounted can move in the orthogonal direction. Therefore, the correlation between the position of the emission end and the observation means fixed integrally and the position of the work stage on which the wafer is placed is always the same, and
The error correction of the formation position of the circuit pattern can always be performed with high accuracy. Therefore, a highly accurate positioning mechanism of the observation means required when the coordinate systems are independent becomes unnecessary.

【0085】(3)さらに、ワークステージを駆動制御
して、上記ウエハ上のパターンの所定の2点、あるい
は、上記パターンと所定関係を有し該パターンとは別途
に設けられている2つのアライメントマークを個別にそ
れぞれ検出・記憶しているので、複数のアライメントユ
ニットを必要としない。よって、小型かつ安価なウエハ
周辺露光装置を提供できる。
(3) Further, by controlling the drive of the work stage, two predetermined points of the pattern on the wafer or two alignments which have a predetermined relationship with the pattern and are provided separately from the pattern. Since the marks are individually detected and stored, a plurality of alignment units are not required. Therefore, a small and inexpensive wafer peripheral exposure apparatus can be provided.

【0086】[0086]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例であるウエハ周辺露光装
置を示す図である。
FIG. 1 is a view showing a wafer peripheral exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】露光領域およびアライメントマークを示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing an exposure area and an alignment mark.

【図3】スクライブラインの交差点の所定の2点を示す
図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating two predetermined intersections of a scribe line.

【図4】アライメントマークの傾きを示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the inclination of an alignment mark.

【図5】アライメントマークの傾きが所定の値以下にな
った状態を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a state in which the inclination of the alignment mark has become a predetermined value or less.

【図6】本発明の第2の実施例であるウエハ周辺露光装
置を示す図である。
FIG. 6 is a view showing a wafer peripheral exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第3の実施例であるウエハ周辺露光装
置を示す図である。
FIG. 7 is a view showing a wafer peripheral exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4の実施例であるウエハ周辺露光装
置を示す図である。
FIG. 8 is a view showing a wafer peripheral exposure apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】従来のウエハ周辺露光装置の一例を示す図であ
る。
FIG. 9 is a diagram showing an example of a conventional wafer peripheral exposure apparatus.

【図10】露光領域を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an exposure area.

【図11】ウエハ周縁部外側を通過する通過光の検出を
示す図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating detection of light passing through the outer periphery of the wafer.

【図12】座標データの補正例を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating an example of correcting coordinate data.

【図13】回路パターンが所定位置に形成されていない
状態を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a state where a circuit pattern is not formed at a predetermined position.

【図14】アライメントユニットの構成を示す図であ
る。
FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of an alignment unit.

【図15】アライメントユニットの挿入位置の誤差の影
響を説明する図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating the effect of an error in the insertion position of the alignment unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 回転ステージ 2 回転駆動機構 3 回転角度読取機構 4 露光用光源 5 ライトガイドファイバ 6 出射部 7 保持アーム 8 Xステージ 9 Xステージ位置検出手段 10 Yステージ 11 Yステージ位置検出手段 12 コントローラ 13 ウエハ周縁検出手段 14 アライメントマーク検出ユニット 15 CCDアレイ 20 アライメントユニット 21 非露光光照射装置 22 ハーフミラー 23 ミラー 24 投影レンズ 25 投影レンズ 26 光学センサ 27 モニタ 30 CCDカメラ 41 シャッタ 42 光学フィルタ 43 シャッタ駆動機構 44 光学フィルタ駆動機構 51 発光ダイオード 52 レンズ 53 CCDアレイ 71 固定部材81 CCDカメラ 82 ハーフミラー 83 発光ダイオード 84 レンズ W 半導体ウエハ WAM アライメントマーク WAM1 アライメントマーク WAM2 アライメントマーク CP 回路パターン Reference Signs List 1 rotation stage 2 rotation drive mechanism 3 rotation angle reading mechanism 4 exposure light source 5 light guide fiber 6 emission unit 7 holding arm 8 X stage 9 X stage position detection means 10 Y stage 11 Y stage position detection means 12 controller 13 Wafer edge detection Means 14 Alignment mark detection unit 15 CCD array 20 Alignment unit 21 Non-exposure light irradiation device 22 Half mirror 23 Mirror 24 Projection lens 25 Projection lens 26 Optical sensor 27 Monitor 30 CCD camera 41 Shutter 42 Optical filter 43 Shutter drive mechanism 44 Optical filter drive Mechanism 51 Light emitting diode 52 Lens 53 CCD array 71 Fixing member 81 CCD camera 82 Half mirror 83 Light emitting diode 84 Lens W Semiconductor wafer WAM Align Mark put WAM1 alignment mark WAM2 alignment mark CP circuit pattern

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−291914(JP,A) 特開 平4−291938(JP,A) 特開 昭60−60724(JP,A) 特開 平5−3153(JP,A) 特開 平3−242922(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 Continuation of the front page (56) References JP-A-4-291914 (JP, A) JP-A-4-291938 (JP, A) JP-A-60-60724 (JP, A) JP-A-5-3153 (JP) , A) JP-A-3-242922 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】周縁にオリエンテーションフラットまたは
ノッチ等の形状上の特異点を有し、表面にフォトレジス
トが塗布されていて、かつパターンが形成されている半
導体ウエハに対して、互いに直交する2方向に移動可能
な出射部を位置制御しながら露光光を照射して、上記ウ
エハ上のパターン形成領域以外の不要レジストを露光す
るウエハ周辺露光方法であって、 パターン形成領域以
外の不要レジストを露光する前に、 上記特異点の位置を検出し、 上記特異点が所定の位置に位置するまでウエハを回転さ
せ、 上記パターンの所定の2点、あるいは、上記パターンと
所定関係を有し該パターンとは別途に設けられている2
つのアライメントマークの位置をそれぞれ検出し記憶し
て演算し、 上記出射部の移動方向と上記パターンとのなす角度を求
め、 上記角度が0度または90度になるようにさらにウエハ
を回転させる工程を含むことを特徴とするウエハ周辺露
光方法。
1. A semiconductor wafer having a singular point on the periphery such as an orientation flat or a notch and having a photoresist coated on its surface and having a pattern formed thereon, in two directions perpendicular to each other. A wafer peripheral exposure method for irradiating exposure light while controlling the position of a movable emission portion to expose unnecessary resist other than the pattern forming region on the wafer, wherein the unnecessary resist other than the pattern forming region is exposed. Before, the position of the singular point is detected, and the wafer is rotated until the singular point is located at a predetermined position. The predetermined two points of the pattern, or the pattern has a predetermined relationship with the pattern. 2 provided separately
Detecting and storing the positions of the two alignment marks, calculating the angle between the moving direction of the emission section and the pattern, and further rotating the wafer so that the angle becomes 0 or 90 degrees. A wafer peripheral exposure method, comprising:
【請求項2】周縁にオリエンテーションフラットまたは
ノッチ等の形状上の特異点を有し、表面にフォトレジス
トが塗布されていて、かつパターンが形成されている半
導体ウエハを、互いに直交する2方向に移動可能であ
り、かつ、回転可能なワークステージ上に載置し、当該
ワークステージを位置制御しながら露光光を照射して、
上記ウエハ上のパターン形成領域以外の不要レジストを
露光するウエハ周辺露光方法であって、 パターン形成領域以外の不要レジストを露光する前に、 上記特異点の位置を検出し、 上記特異点が所定の位置に位置するまでウエハを回転さ
せ、 上記パターンの所定の2点、あるいは、上記パターンと
所定関係を有し該パターンとは別途に設けられている2
つのアライメントマークの位置をそれぞれ検出し記憶し
て演算し、 上記ワークステージの移動方向と上記パターンとのなす
角度を求め、 上記角度が0度または90度になるようにさらにウエハ
を回転させる工程を含むことを特徴とするウエハ周辺露
光方法。
2. A semiconductor wafer having a singular point on the periphery such as an orientation flat or a notch and having a surface coated with a photoresist and having a pattern formed thereon is moved in two directions orthogonal to each other. Possible, and placed on a rotatable work stage, irradiating exposure light while controlling the position of the work stage,
A wafer peripheral exposure method for exposing an unnecessary resist other than a pattern formation region on the wafer, wherein the position of the singular point is detected before exposing the unnecessary resist other than the pattern formation region, and The wafer is rotated until it is located at a predetermined position, and two predetermined points of the pattern or two provided separately from the pattern having a predetermined relationship with the pattern.
Detecting and storing the positions of the two alignment marks, calculating the angle between the moving direction of the work stage and the pattern, and further rotating the wafer so that the angle becomes 0 or 90 degrees. A wafer peripheral exposure method, comprising:
【請求項3】周縁にオリエンテーションフラットまたは
ノッチ等の形状上の特異点を有し、表面にフォトレジス
トが塗布されていて、かつパターンが形成されているウ
エハを保持する回転ステージと、 上記回転ステージを回転させる回転ステージ駆動手段
と、 上記回転ステージの回転角度を検出する回転角度読取手
段と、 露光光を放出する光源部と、 出射部から上記光源部からの露光光を上記ウエハに照射
するライトガイドファイバと、 上記ウエハ表面を観察
する観察手段と、 上記ウエハの周縁部の情報を検出する周縁部検出手段
と、 上記ライトガイドファイバの出射部と上記観察手段とが
所定の位置関係になるように一体に保持する保持手段
と、 上記保持手段を互いに直交する2方向に駆動する駆動手
段と、 上記保持手段を互いに直交する2方向に駆動しながら出
射部より露光光を照射して上記ウエハ上のパターン形成
領域以外の不要レジストを露光する制御部を有し、 上記制御部はさらに、 パターン形成領域以外の不要レジストを露光する前に、 上記周縁部検出手段により上記形状上の特異点を検出
し、 上記形状上の特異点が所定の位置に位置するまで上記回
転ステージ駆動手段によって回転ステージを制御してウ
エハを回転させ、 上記ウエハ上のパターンの所定の2点、あるいは、上記
パターンと所定関係を有し該パターンとは別途に設けら
れている2つのアライメントマークの一方の位置を上記
観察手段により検出して記憶し、 次に他方のパターンの所定の点あるいはアライメントマ
ークの位置まで上記駆動手段により上記観察手段を移動
させて、該他方の点またはアライメントマークを検出し
て記憶し、 両者の位置データを演算して上記出射端の移動方向と上
記パターンとのなす角度を求め、 上記角度が0度または90度になるようにさらに上記回
転ステージ駆動手段によって回転ステージを制御してウ
エハを回転させる機能を有することを特徴とするウエハ
周辺露光装置。
3. A rotary stage having a singular point on the periphery such as an orientation flat or a notch, and holding a wafer having a surface coated with a photoresist and having a pattern formed thereon, and the rotary stage. Rotating stage driving means for rotating the rotating stage; rotating angle reading means for detecting a rotating angle of the rotating stage; a light source for emitting exposure light; and a light for irradiating the wafer with exposure light from the light source from an emitting unit. A guide fiber, an observation means for observing the wafer surface, a periphery detection means for detecting information on a periphery of the wafer, and a light emitting section of the light guide fiber and the observation means being in a predetermined positional relationship. Holding means for integrally holding the holding means; driving means for driving the holding means in two directions orthogonal to each other; A control unit for irradiating the exposure light from the emission unit while exposing the unnecessary resist on the wafer other than the pattern formation region while driving in the two directions. The control unit further includes an unnecessary resist other than the pattern formation region. Before the exposure, the peripheral edge detecting means detects the singular point on the shape, and the rotating stage driving means controls the rotating stage to rotate the wafer until the singular point on the shape is located at a predetermined position. The observation means detects and stores two predetermined points of the pattern on the wafer or one position of two alignment marks having a predetermined relationship with the pattern and provided separately from the pattern. Then, the observation means is moved by the driving means to a predetermined point of the other pattern or the position of the alignment mark, and the other point is reached. Detects and stores the alignment mark, calculates the position data of both, and obtains the angle between the moving direction of the emission end and the pattern, and further sets the rotation stage so that the angle becomes 0 or 90 degrees. A wafer peripheral exposure apparatus having a function of rotating a wafer by controlling a rotation stage by driving means.
【請求項4】周縁にオリエンテーションフラットまたは
ノッチ等の形状上の特異点を有し、表面にフォトレジス
トが塗布されていて、かつパターンが形成されているウ
エハを保持する回転ステージと、 上記回転ステージを回転させる回転ステージ駆動手段
と、 上記回転ステージの回転角度を検出する回転角度読取手
段と、 露光光または非露光光を放出する光源部と、 出射部から上記光源部からの露光光または非露光光を上
記ウエハに照射するライトガイドファイバと、 上記ウエハ表面を観察する観察手段と、 上記ライトガイドファイバから上記ウエハの周縁部に照
射される非露光光を検出して上記ウエハの周縁部の情報
を得る周縁部検出手段と、 上記ライトガイドファイバの出射部と上記観察手段とが
所定の位置関係になるように一体に保持する保持手段
と、 上記保持手段を互いに直交する2方向に駆動する駆動手
段と、 上記保持手段を互いに直交する2方向に駆動しながら出
射部より露光光を照射して上記ウエハ上のパターン形成
領域以外の不要レジストを露光する制御部を有し、 上記制御部はさらに、 パターン形成領域以外の不要レジストを露光する前に、 上記周縁部検出手段により上記形状上の特異点を検出
し、 上記形状上の特異点が所定の位置に位置するまで上記回
転ステージ駆動手段によって回転ステージを制御してウ
エハを回転させ、 上記ウエハ上のパターンの所定の2点、あるいは、上記
パターンと所定関係を有し該パターンとは別途に設けら
れている2つのアライメントマークの一方の位置を上記
観察手段により検出して記憶し、 次に他方のパターンの所定の点あるいはアライメントマ
ークの位置まで上記駆動手段により上記観察手段を移動
させて、該他方の点またはアライメントマークを検出し
て記憶し、 両者の位置データを演算して上記出射端の移動方向と上
記パターンとのなす角度を求め、 上記角度が0度または90度になるようにさらに上記回
転ステージ駆動手段によって回転ステージを制御してウ
エハを回転させる機能を有することを特徴とするウエハ
周辺露光装置。
4. A rotary stage having a singular point on the periphery such as an orientation flat or a notch, and holding a wafer having a surface coated with a photoresist and having a pattern formed thereon, and the rotary stage. Rotating stage driving means for rotating the rotating stage, rotating angle reading means for detecting a rotating angle of the rotating stage, a light source section for emitting exposure light or non-exposure light, and exposure light or non-exposure from the light source section from an emission section. A light guide fiber for irradiating the wafer with light; an observation means for observing the wafer surface; and non-exposure light emitted from the light guide fiber to the periphery of the wafer to detect information on the periphery of the wafer. Edge detecting means for obtaining the light guide fiber, and the emitting section of the light guide fiber and the observation means are integrally formed so as to have a predetermined positional relationship. Holding means for holding; driving means for driving the holding means in two directions orthogonal to each other; and pattern formation on the wafer by irradiating exposure light from an emission part while driving the holding means in two directions orthogonal to each other. A control unit for exposing an unnecessary resist other than the region; the control unit further detects a singular point on the shape by the peripheral edge detection unit before exposing the unnecessary resist other than the pattern formation region; The rotary stage is controlled by the rotary stage driving means to rotate the wafer until a singular point on the shape is located at a predetermined position, and has a predetermined relationship with the predetermined two points of the pattern on the wafer or the pattern. Then, one position of two alignment marks provided separately from the pattern is detected and stored by the above-mentioned observation means, and then the position of the other pattern is detected. The observation means is moved by the driving means to a fixed point or the position of the alignment mark, the other point or the alignment mark is detected and stored, and the position data of both is calculated to determine the moving direction of the emission end and A wafer peripheral exposure apparatus having a function of determining an angle formed with the pattern and rotating the wafer by controlling the rotary stage by the rotary stage driving means so that the angle becomes 0 or 90 degrees. .
【請求項5】周縁にオリエンテーションフラットまたは
ノッチ等の形状上の特異点を有し、 表面にフォトレジストが塗布されていて、かつパターン
が形成されているウエハを保持するワークステージと、 上記ワークステージを回転させるワークステージ回転駆
動手段と、 上記ワークステージの回転角度を検出する回転角度読取
手段と、 上記ワークステージを互いに直交する2方向に駆動する
ワークステージ直交方向駆動手段と、 上記ワークステージの直交方向の位置を検出する直交位
置検出手段と、 露光光を放出する光源部と、 出射部から上記光源部からの露光光を上記ウエハに照射
するライトガイドファイバと上記ウエハ表面を観察する
観察手段と、 上記ウエハの周縁部の情報を検出する周縁部検出手段
と、 上記ライトガイドファイバの出射部と上記観察手段とが
所定の位置関係になるように一体に固定する固定手段
と、 上記ワークステージを互いに直交する2方向に駆動しな
がら固定手段により固定された出射部より露光光を照射
して上記ウエハ上のパターン形成領域以外の不要レジス
トを露光する制御部を有し、 上記制御部はさらに、 パターン形成領域以外の不要レジストを露光する前に、 上記周縁部検出手段により上記形状上の特異点を検出
し、 上記形状上の特異点が所定の位置に位置するまで上記ワ
ークステージ回転駆動手段によってワークステージを制
御してウエハを回転させ、 上記ウエハ上のパターンの所定の2点、あるいは、上記
パターンと所定関係を有し該パターンとは別途に設けら
れている2つのアライメントマークの一方の位置を上記
観察手段により検出して記憶し、 次に他方のパターンの所定の点あるいはアライメントマ
ークの位置まで上記ワークステージ直交方向駆動手段に
より上記ウエハを移動させて、該他方の点またはアライ
メントマークを検出して記憶し、 両者の位置データを演算して上記ワークステージの移動
方向と上記パターンとのなす角度を求め、 上記角度が0度または90度になるようにさらに上記回
転ステージ駆動手段によって回転ステージを制御してウ
エハを回転させる機能を有することを特徴とするウエハ
周辺露光装置。
5. A work stage having a singular point on the periphery such as an orientation flat or a notch, and holding a wafer having a surface coated with a photoresist and having a pattern formed thereon; A work stage rotation driving means for rotating the work stage; a rotation angle reading means for detecting a rotation angle of the work stage; a work stage orthogonal direction driving means for driving the work stage in two directions orthogonal to each other; Orthogonal position detecting means for detecting a position in the direction; a light source unit for emitting exposure light; a light guide fiber for irradiating the wafer with exposure light from the light source unit from an emission unit; and an observation means for observing the wafer surface. A peripheral portion detecting means for detecting information on a peripheral portion of the wafer; Fixing means for integrally fixing the light emitting section and the observation means so as to have a predetermined positional relationship, and exposing light from the light emitting section fixed by the fixing means while driving the work stage in two directions orthogonal to each other. A control unit for irradiating and exposing an unnecessary resist other than the pattern formation region on the wafer, wherein the control unit further comprises: The work stage rotation drive means controls the work stage to rotate the wafer until the singular point on the shape is located at a predetermined position, and the predetermined two points of the pattern on the wafer are detected. Alternatively, one position of two alignment marks, which have a predetermined relationship with the pattern and are provided separately from the pattern, is used as the observation means. Then, the wafer is moved by the work stage orthogonal direction driving means to a predetermined point of the other pattern or the position of the alignment mark, and the other point or the alignment mark is detected and stored. Calculating the angle between the moving direction of the work stage and the pattern by calculating the position data of both, and further controlling the rotating stage by the rotating stage driving means so that the angle becomes 0 or 90 degrees. A wafer peripheral exposure apparatus having a function of rotating a wafer.
【請求項6】周縁にオリエンテーションフラットまたは
ノッチ等の形状上の特異点を有し、表面にフォトレジス
トが塗布されていて、かつパターンが形成されているウ
エハを保持するワークステージと、 上記ワークステージを回転させるワークステージ回転駆
動手段と、 上記ワークステージの回転角度を検出する回転角度読取
手段と、 上記ワークステージを互いに直交する2方向に駆動する
ワークステージ直交方向駆動手段と、 上記ワークステージの直交方向の位置を検出する直交位
置検出手段と、 露光光または非露光光を放出する光源部と、 出射部から上記光源部からの露光光または非露光光を上
記ウエハに照射するライトガイドファイバと、 上記ウエハ表面を観察する観察手段と、 上記ライトガイドファイバから上記ウエハの周縁部に照
射される非露光光を検出して上記ウエハの周縁部の情報
を得る周縁部検出手段と、 上記ライトガイドファイバの出射部と上記観察手段とが
所定の位置関係になるように一体に固定する固定手段
と、 上記ワークステージを互いに直交する2方向に駆動しな
がら固定手段により固定された出射部より露光光を照射
して上記ウエハ上のパターン形成領域以外の不要レジス
トを露光する制御部を有し、 上記制御部はさらに、 パターン形成領域以外の不要レジストを露光する前に、 上記周縁部検出手段により上記形状上の特異点を検出
し、 上記形状上の特異点が所定の位置に位置するまで上記ワ
ークステージ回転駆動手段によってワークステージを制
御してウエハを回転させ、 上記ウエハ上のパターンの所定の2点、あるいは、上記
パターンと所定関係を有し該パターンとは別途に設けら
れている2つのアライメントマークの一方の位置を上記
観察手段により検出して記憶し、 次に他方のパターンの所定の点あるいはアライメントマ
ークの位置まで上記ワークステージ直交方向駆動手段に
より上記ウエハを移動させて、該他方の点またはアライ
メントマークを検出して記憶し、 両者の位置データを演算して上記ワークステージの移動
方向と上記パターンとのなす角度を求め、 上記角度が0度または90度になるようにさらに上記回
転ステージ駆動手段によって回転ステージを制御してウ
エハを回転させる機能を有することを特徴とするウエハ
周辺露光装置。
6. A work stage having a singular point on the periphery such as an orientation flat or a notch, and holding a wafer having a surface coated with a photoresist and having a pattern formed thereon; A work stage rotation driving means for rotating the work stage; a rotation angle reading means for detecting a rotation angle of the work stage; a work stage orthogonal direction driving means for driving the work stage in two directions orthogonal to each other; Orthogonal position detecting means for detecting the position in the direction, a light source unit for emitting exposure light or non-exposure light, a light guide fiber for irradiating the wafer with exposure light or non-exposure light from the light source unit from an emission unit, Observation means for observing the wafer surface; and a periphery of the wafer from the light guide fiber. Edge detecting means for detecting the non-exposure light applied to the wafer to obtain information on the edge of the wafer; and integrally fixing the light emitting section of the light guide fiber and the observing means so as to have a predetermined positional relationship. And a control unit for irradiating exposure light from an emission unit fixed by the fixing unit while exposing the unnecessary resist other than the pattern formation area on the wafer while driving the work stage in two directions orthogonal to each other. The control unit further includes detecting the singular point on the shape by the peripheral edge detecting unit before exposing the unnecessary resist other than the pattern forming area, and locating the singular point on the shape at a predetermined position. The work stage is controlled by the work stage rotation driving means until the wafer is rotated, and the wafer is rotated. One position of two alignment marks having a predetermined relationship and provided separately from the pattern is detected and stored by the above-mentioned observation means, and then the position of the other pattern is determined to a predetermined point or the position of the alignment mark. The wafer is moved by the work stage orthogonal direction driving means, the other point or the alignment mark is detected and stored, and the position data of both is calculated to calculate the angle between the movement direction of the work stage and the pattern. A wafer peripheral exposure apparatus having a function of rotating the wafer by controlling the rotating stage by the rotating stage driving means so that the angle becomes 0 degree or 90 degrees.
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