JP3194021B2 - レ−ザアニ−リング装置 - Google Patents
レ−ザアニ−リング装置Info
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- light
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
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- H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
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-
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- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
-
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- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1016—Apparatus with means for treating single-crystal [e.g., heat treating]
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はレ−ザ光によってワ−
クをアニ−リングするレ−ザアニ−リング装置に関す
る。
クをアニ−リングするレ−ザアニ−リング装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、ワ−クとしてのイオン注入後
の半導体基板は、イオン注入時のイオンの衝突により、
表面の結晶構造が乱れ、アモルファス状になる。そこ
で、イオン注入後にその表面をレ−ザ光で照射し、光エ
ネルギを熱エネルギとして吸収させることで、上記表面
を再結晶化させる、アニ−リング処理が行われている。
の半導体基板は、イオン注入時のイオンの衝突により、
表面の結晶構造が乱れ、アモルファス状になる。そこ
で、イオン注入後にその表面をレ−ザ光で照射し、光エ
ネルギを熱エネルギとして吸収させることで、上記表面
を再結晶化させる、アニ−リング処理が行われている。
【０００３】このようなアニ−リング処理においては、
半導体基板に入射するレ−ザ光のエネルギが弱いと、ア
ニ−ルが行われず、強すぎるとアブレ−ションといわれ
る、基板の表面が気化する状態を引き起こし、この場合
もアニ−ルが行われないことになる。そこで、アニ−リ
ング処理に際しては、レ−ザ光の強度を最適な状態に設
定する必要がある。
半導体基板に入射するレ−ザ光のエネルギが弱いと、ア
ニ−ルが行われず、強すぎるとアブレ−ションといわれ
る、基板の表面が気化する状態を引き起こし、この場合
もアニ−ルが行われないことになる。そこで、アニ−リ
ング処理に際しては、レ−ザ光の強度を最適な状態に設
定する必要がある。
【０００４】従来、このようなアニ−リング処理に際
し、レ−ザ光の強度を最適な状態に設定するには、レ−
ザ発振器への入力を制御することで、このレ−ザ発振器
から出力されるレ−ザ光の強度を制御する第１の方法、
光学系にフィルタを加え、レ−ザ光を上記フィルタを通
過させることで半導体基板を照射するレ−ザ光の強度を
制御する第２の方法、弱いパルスのレ−ザ光を多数回照
射することでアニ−リング処理をするようにし、そのパ
ルスの照射回数によって半導体基板を照射するレ−ザ光
の強度を制御する第３の方法などが採られている。
し、レ−ザ光の強度を最適な状態に設定するには、レ−
ザ発振器への入力を制御することで、このレ−ザ発振器
から出力されるレ−ザ光の強度を制御する第１の方法、
光学系にフィルタを加え、レ−ザ光を上記フィルタを通
過させることで半導体基板を照射するレ−ザ光の強度を
制御する第２の方法、弱いパルスのレ−ザ光を多数回照
射することでアニ−リング処理をするようにし、そのパ
ルスの照射回数によって半導体基板を照射するレ−ザ光
の強度を制御する第３の方法などが採られている。
【０００５】しかしながら、上記第１の方法によると、
レ−ザ発振器への入力の制御範囲が大きく変化した場
合、レ−ザ発振器自体の動作特性に影響を与え、その動
作が不安定になることがある。
レ−ザ発振器への入力の制御範囲が大きく変化した場
合、レ−ザ発振器自体の動作特性に影響を与え、その動
作が不安定になることがある。
【０００６】上記第２の方法によると、フィルタによっ
て定まるレ−ザ光の強度しか得られないから、そのレ−
ザ光による照射強度を連続的に制御することができない
ということがある。また、その場合、Ｆ2 レ−ザのよう
に発振波長が１５７nmと短くなると、良質の光学素子が
得られずらく、しかも得られたとしても非常に高価にな
るということもある。
て定まるレ−ザ光の強度しか得られないから、そのレ−
ザ光による照射強度を連続的に制御することができない
ということがある。また、その場合、Ｆ2 レ−ザのよう
に発振波長が１５７nmと短くなると、良質の光学素子が
得られずらく、しかも得られたとしても非常に高価にな
るということもある。
【０００７】上記第３の方法によると、半導体基板を照
射するパルス数が多くなる場合、その半導体基板をアニ
−リング処理するための時間が長く掛かり、生産性の低
下を招くということになる。
射するパルス数が多くなる場合、その半導体基板をアニ
−リング処理するための時間が長く掛かり、生産性の低
下を招くということになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来はア
ニ−リング処理に際し、ワ−クを照射するレ−ザ光の強
度を、確実かつ連続的に制御できないということがあっ
た。
ニ−リング処理に際し、ワ−クを照射するレ−ザ光の強
度を、確実かつ連続的に制御できないということがあっ
た。
【０００９】この発明は上記事情に基づきなされたもの
で、その目的とするところは、ワ−クを照射するレ−ザ
光の強度を確実かつ連続的に制御できるようにしたレ−
ザアニ−リング装置を提供することにある。
で、その目的とするところは、ワ−クを照射するレ−ザ
光の強度を確実かつ連続的に制御できるようにしたレ−
ザアニ−リング装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、レ−ザ発振器と、このレ−ザ発振器から
出力されたレ−ザ光によってアニ−リング処理されるワ
−クが設置されたチャンバと、このチャンバに上記レ−
ザ発振器から出力されたレ−ザ光を導く導光路と、この
導光路に上記レ−ザ光に対して所定の吸収率を有する気
体を供給する供給手段と、上記導光路における上記気体
の濃度を検出する検出センサと、この検出センサからの
検出信号によって上記供給手段を制御し上記導光路にお
ける上記気体の濃度を設定する制御手段とを具備したこ
とを特徴とする。
にこの発明は、レ−ザ発振器と、このレ−ザ発振器から
出力されたレ−ザ光によってアニ−リング処理されるワ
−クが設置されたチャンバと、このチャンバに上記レ−
ザ発振器から出力されたレ−ザ光を導く導光路と、この
導光路に上記レ−ザ光に対して所定の吸収率を有する気
体を供給する供給手段と、上記導光路における上記気体
の濃度を検出する検出センサと、この検出センサからの
検出信号によって上記供給手段を制御し上記導光路にお
ける上記気体の濃度を設定する制御手段とを具備したこ
とを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記構成によれば、レ−ザ光に対して所定の吸
収率を有する気体の濃度を制御することで、その気体の
濃度に応じて導光路を通ってチャンバに導入される上記
レ−ザ光の強度を制御できる。
収率を有する気体の濃度を制御することで、その気体の
濃度に応じて導光路を通ってチャンバに導入される上記
レ−ザ光の強度を制御できる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。図１に示すレ−ザアニ−リング装置は、たと
えばＦ2 レ−ザなどのレ−ザ発振器１を備えている。こ
のレ−ザ発振器１から出力されたレ−ザ光Ｌは導光路２
にその一端側から導入される。この導光路２の他端はチ
ャンバ３に連通し、導光路２を通過した上記レ−ザ光Ｌ
は上記チャンバ３に入射する。上記チャンバ３には集光
レンズからなる光学系４が設けられ、この光学系４は上
記チャンバ３に入射したレ−ザ光Ｌを集束する。光学系
４によって集束されたレ−ザ光Ｌは、チャンバ３内に配
置されたワ−クとしてのたとえば半導体基板５を照射す
るようになっている。
説明する。図１に示すレ−ザアニ−リング装置は、たと
えばＦ2 レ−ザなどのレ−ザ発振器１を備えている。こ
のレ−ザ発振器１から出力されたレ−ザ光Ｌは導光路２
にその一端側から導入される。この導光路２の他端はチ
ャンバ３に連通し、導光路２を通過した上記レ−ザ光Ｌ
は上記チャンバ３に入射する。上記チャンバ３には集光
レンズからなる光学系４が設けられ、この光学系４は上
記チャンバ３に入射したレ−ザ光Ｌを集束する。光学系
４によって集束されたレ−ザ光Ｌは、チャンバ３内に配
置されたワ−クとしてのたとえば半導体基板５を照射す
るようになっている。
【００１３】上記導光路２の一端部には真空ポンプ６
と、第１の制御弁７を介してパ−ジ用ボンべ８とがそれ
ぞれ接続されている。上記真空ポンプ６は上記導光路２
およびこの導光路２に連通した上記チャンバ３内を減圧
するようになっている。上記パ−ジ用ガスボンベ８は上
記真空ポンプ６によって減圧された上記導光路２および
チャンバ３へパ−ジガスを供給するようになっている。
パ−ジガスとしてはレ−ザ光Ｌを吸収することがなく、
しかもレ−ザ光Ｌによって加熱された半導体基板５と化
学的に反応することがないガス、たとえばレ−ザ発振器
１がＦ2 レ−ザの場合には、アルゴンや窒素などの不活
性ガスが用いられる。
と、第１の制御弁７を介してパ−ジ用ボンべ８とがそれ
ぞれ接続されている。上記真空ポンプ６は上記導光路２
およびこの導光路２に連通した上記チャンバ３内を減圧
するようになっている。上記パ−ジ用ガスボンベ８は上
記真空ポンプ６によって減圧された上記導光路２および
チャンバ３へパ−ジガスを供給するようになっている。
パ−ジガスとしてはレ−ザ光Ｌを吸収することがなく、
しかもレ−ザ光Ｌによって加熱された半導体基板５と化
学的に反応することがないガス、たとえばレ−ザ発振器
１がＦ2 レ−ザの場合には、アルゴンや窒素などの不活
性ガスが用いられる。
【００１４】上記導光路２の他端部には制御用ボンベ９
が第２の制御弁１１を介して接続されている。この制御
用ガスボンベ９から上記導光路２とチャンバ３には、上
記レ−ザ光Ｌに対して所定の吸収率を持つ気体、たとえ
ば酸素などの制御ガスが供給されるようになっている。
上記第１の制御弁７と第２の制御弁１１とはコントロ−
ラ１２からの制御信号によって開度が制御される。上記
コントロ−ラ１２からの信号によって上記第１の制御弁
７の開度は開閉（二位置）制御され、上記第２の制御弁
１１の開度は比例制御されるようになっている。
が第２の制御弁１１を介して接続されている。この制御
用ガスボンベ９から上記導光路２とチャンバ３には、上
記レ−ザ光Ｌに対して所定の吸収率を持つ気体、たとえ
ば酸素などの制御ガスが供給されるようになっている。
上記第１の制御弁７と第２の制御弁１１とはコントロ−
ラ１２からの制御信号によって開度が制御される。上記
コントロ−ラ１２からの信号によって上記第１の制御弁
７の開度は開閉（二位置）制御され、上記第２の制御弁
１１の開度は比例制御されるようになっている。
【００１５】上記導光路２には、上記制御用ガスボンベ
９から導光路２へ供給される制御ガスの濃度を検出する
検出センサ１３が設けられている。この検出センサ１３
からの検出信号は上記コントロ−ラ１２へ入力される。
コントロ−ラ１２は、上記検出信号に応じて上記第２の
制御弁１１の開度を制御するようになっている。つま
り、コントロ−ラ１２には予め所定の設定値が設定され
ていて、その設定値と上記検出信号とが比較され、その
比較に基づいて上記第２の制御弁１１の開度が制御され
るようになっている。
９から導光路２へ供給される制御ガスの濃度を検出する
検出センサ１３が設けられている。この検出センサ１３
からの検出信号は上記コントロ−ラ１２へ入力される。
コントロ−ラ１２は、上記検出信号に応じて上記第２の
制御弁１１の開度を制御するようになっている。つま
り、コントロ−ラ１２には予め所定の設定値が設定され
ていて、その設定値と上記検出信号とが比較され、その
比較に基づいて上記第２の制御弁１１の開度が制御され
るようになっている。
【００１６】上記導光路２に供給される制御ガスである
酸素の分子は、真空紫外領域において強いＳＣＨＵＭＡ
Ｎ−ＲＵＮＧＥ系列の吸収がある。レ−ザ発振器１がＦ
2 レ−ザで、そのレ−ザ光Ｌの波長が１５７nmの場合、
その吸収は0.125 cm-1atm -1である。したがって、Ｆ2
レ−ザを用いる場合、その導光路２中に空気が存在して
いると、空気中の酸素によって半導体基板５に到達する
レ−ザ出力が吸収され、低下してしまう。したがって、
通常は上記導光路２を空気が存在しないように減圧した
り、アルゴンや窒素などのＦ2 レ−ザからのレ−ザ光Ｌ
を吸収しない不活性ガスを上記導光路２に満たすように
している。一方、上記導光路２に酸素を適当な濃度に調
整して供給すれば、そのときの吸収率ａは、 ａ＝（１−ｅ-0.125lp）×１００％ …（１）式
酸素の分子は、真空紫外領域において強いＳＣＨＵＭＡ
Ｎ−ＲＵＮＧＥ系列の吸収がある。レ−ザ発振器１がＦ
2 レ−ザで、そのレ−ザ光Ｌの波長が１５７nmの場合、
その吸収は0.125 cm-1atm -1である。したがって、Ｆ2
レ−ザを用いる場合、その導光路２中に空気が存在して
いると、空気中の酸素によって半導体基板５に到達する
レ−ザ出力が吸収され、低下してしまう。したがって、
通常は上記導光路２を空気が存在しないように減圧した
り、アルゴンや窒素などのＦ2 レ−ザからのレ−ザ光Ｌ
を吸収しない不活性ガスを上記導光路２に満たすように
している。一方、上記導光路２に酸素を適当な濃度に調
整して供給すれば、そのときの吸収率ａは、 ａ＝（１−ｅ-0.125lp）×１００％ …（１）式
【００１７】で示されるから、上記導光路２に供給され
た上記制御ガスは、一種のフィルタとして機能すること
になる。なお、上記（１）式において、ｌはレ−ザ発振
器１から出力されたレ−ザ光Ｌが半導体基板５に到達す
るまでの光路長であり、ｐは酸素分圧である。
た上記制御ガスは、一種のフィルタとして機能すること
になる。なお、上記（１）式において、ｌはレ−ザ発振
器１から出力されたレ−ザ光Ｌが半導体基板５に到達す
るまでの光路長であり、ｐは酸素分圧である。
【００１８】したがって、あるアニ−リングの条件を得
るために、たとえばレ−ザ光Ｌの出力を５０％減少させ
る必要がある場合には、導光路２中の酸素濃度は、光路
長が１ｍの場合、５．５％にすればよいことになる。
るために、たとえばレ−ザ光Ｌの出力を５０％減少させ
る必要がある場合には、導光路２中の酸素濃度は、光路
長が１ｍの場合、５．５％にすればよいことになる。
【００１９】このような構成のレ−ザアニ−リング装置
によれば、チャンバ３に設置された半導体基板５を照射
するレ−ザ光Ｌの強度は、導光路２に導入する制御ガス
の濃度によって制御することができる。上記導光路２に
おける制御ガスの濃度は、検出センサ１３によって検出
される。上記検出センサ１３が検出した検出信号がコン
トロ−ラ１２に入力されると、コントロ−ラ１２は、そ
の検出信号を、コントロ−ラ１２に予め設定された設定
値と比較し、その比較に基づいた制御信号を第２の制御
弁１１へ出力する。それによって、上記第２の制御弁１
１の開度が上記設定値に応じて調整され、上記導光路２
に供給される制御ガスの濃度が制御されるから、この導
光路２を通過するレ−ザ光Ｌの吸収率を変えることがで
きる。つまり、レ−ザ発振器１から出力されて半導体基
板５に至るレ−ザ光Ｌの強度を制御することができる。
それによって、上記半導体基板５に対するアニ−リング
の条件を変えることができる。
によれば、チャンバ３に設置された半導体基板５を照射
するレ−ザ光Ｌの強度は、導光路２に導入する制御ガス
の濃度によって制御することができる。上記導光路２に
おける制御ガスの濃度は、検出センサ１３によって検出
される。上記検出センサ１３が検出した検出信号がコン
トロ−ラ１２に入力されると、コントロ−ラ１２は、そ
の検出信号を、コントロ−ラ１２に予め設定された設定
値と比較し、その比較に基づいた制御信号を第２の制御
弁１１へ出力する。それによって、上記第２の制御弁１
１の開度が上記設定値に応じて調整され、上記導光路２
に供給される制御ガスの濃度が制御されるから、この導
光路２を通過するレ−ザ光Ｌの吸収率を変えることがで
きる。つまり、レ−ザ発振器１から出力されて半導体基
板５に至るレ−ザ光Ｌの強度を制御することができる。
それによって、上記半導体基板５に対するアニ−リング
の条件を変えることができる。
【００２０】すなわち、このように導光路２における制
御ガスの濃度を制御すれば、レ−ザ光Ｌがレ−ザ発振器
１から１００％の強度で出力されたとすると、そのレ−
ザ光Ｌが上記半導体基板５を照射する強度を０〜１００
％の範囲で連続的に制御することができる。そのため、
上記半導体基板５を最適な強度のレ−ザ光Ｌによって高
精度でアニ−リング処理することが可能となる。
御ガスの濃度を制御すれば、レ−ザ光Ｌがレ−ザ発振器
１から１００％の強度で出力されたとすると、そのレ−
ザ光Ｌが上記半導体基板５を照射する強度を０〜１００
％の範囲で連続的に制御することができる。そのため、
上記半導体基板５を最適な強度のレ−ザ光Ｌによって高
精度でアニ−リング処理することが可能となる。
【００２１】しかも、レ−ザ発振器１を常に最適な条件
下で作動させることができるから、このレ−ザ発振器１
から出力されるレ−ザ光Ｌの強度にばらつきが生じずら
く、それによって半導体基板５に対するアニ−リング条
件を一定、つまり半導体基板５を照射するレ−ザ光Ｌの
強度が変動するのを防止できる。
下で作動させることができるから、このレ−ザ発振器１
から出力されるレ−ザ光Ｌの強度にばらつきが生じずら
く、それによって半導体基板５に対するアニ−リング条
件を一定、つまり半導体基板５を照射するレ−ザ光Ｌの
強度が変動するのを防止できる。
【００２２】なお、上記アニ−リング処理に際し、導光
路２およびチャンバ３の内部は、まず、真空ポンプ６に
よって減圧される。ついで、第１の制御弁７が開放さ
れ、パ−ジガスによって内部の雰囲気が置換されてか
ら、制御ガスが所定の濃度になるよう供給されて上述し
たアニ−リング処理が行われる。
路２およびチャンバ３の内部は、まず、真空ポンプ６に
よって減圧される。ついで、第１の制御弁７が開放さ
れ、パ−ジガスによって内部の雰囲気が置換されてか
ら、制御ガスが所定の濃度になるよう供給されて上述し
たアニ−リング処理が行われる。
【００２３】この発明は上記一実施例に限定されず、種
々変形可能である。たとえば、上記実施例ではレ−ザ光
を吸収する制御ガスとして酸素を挙げたが、それに代わ
り二酸化炭素など他の物質であってもよく、要はレ−ザ
発振器から出力されるレ−ザ光に対して所定の吸収係数
を有する物質であればよい。
々変形可能である。たとえば、上記実施例ではレ−ザ光
を吸収する制御ガスとして酸素を挙げたが、それに代わ
り二酸化炭素など他の物質であってもよく、要はレ−ザ
発振器から出力されるレ−ザ光に対して所定の吸収係数
を有する物質であればよい。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、ワ−クを
レ−ザ光によってアニ−リングする場合、上記レ−ザ光
を上記ワ−クが設置されたチャンバに導く導光路に、上
記レ−ザ光に対して所定の吸収率を有する気体を供給
し、その気体の濃度を制御することで、上記ワ−クを照
射するレ−ザ光の強度を制御するようにした。
レ−ザ光によってアニ−リングする場合、上記レ−ザ光
を上記ワ−クが設置されたチャンバに導く導光路に、上
記レ−ザ光に対して所定の吸収率を有する気体を供給
し、その気体の濃度を制御することで、上記ワ−クを照
射するレ−ザ光の強度を制御するようにした。
【００２５】そのため、上記気体の濃度に応じてワ−ク
を照射するレ−ザ光の強度を広範囲にわたって精密に制
御できるから、それに応じて上記ワ−クに対するアニ−
リング処理の精度を向上させることができる。
を照射するレ−ザ光の強度を広範囲にわたって精密に制
御できるから、それに応じて上記ワ−クに対するアニ−
リング処理の精度を向上させることができる。
【図１】この発明の一実施例の全体構成を示す概略図。
１…レ−ザ発振器、２…導光路、３…チャンバ、５…半
導体基板（ワ−ク）、９…制御用ガスボンベ（供給手
段）、１１…第１の制御弁（供給手段）、１２…コント
ロ−ラ（制御手段）、１３…検出センサ。
導体基板（ワ−ク）、９…制御用ガスボンベ（供給手
段）、１１…第１の制御弁（供給手段）、１２…コント
ロ−ラ（制御手段）、１３…検出センサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 家和勝 茨城県つくば市梅園１丁目１番４ 工業 技術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 内田 裕 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 佐藤 三郎 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株式会社東芝生産技術研究所内 審査官 後藤 政博 (56)参考文献 特開 平４−362121（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−119128（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C21D 1/34 B23K 26/00 H01L 21/268 H01S 3/00
Claims (1)
- 【請求項１】 レ−ザ発振器と、このレ−ザ発振器から
出力されたレ−ザ光によってアニ−リング処理されるワ
−クが設置されたチャンバと、このチャンバに上記レ−
ザ発振器から出力されたレ−ザ光を導く導光路と、この
導光路に上記レ−ザ光に対して所定の吸収率を有する気
体を供給する供給手段と、上記導光路における上記気体
の濃度を検出する検出センサと、この検出センサからの
検出信号によって上記供給手段を制御し上記導光路にお
ける上記気体の濃度を設定する制御手段とを具備したこ
とを特徴とするレ−ザアニ−リング装置。
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