JP3149807B2 - Wafer polishing equipment - Google Patents
Wafer polishing equipmentInfo
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- JP3149807B2 JP3149807B2 JP173097A JP173097A JP3149807B2 JP 3149807 B2 JP3149807 B2 JP 3149807B2 JP 173097 A JP173097 A JP 173097A JP 173097 A JP173097 A JP 173097A JP 3149807 B2 JP3149807 B2 JP 3149807B2
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- polishing
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路を形成す
る半導体ウェーハ等の表面を研磨するためのウェーハ研
磨装置に関する。The present invention relates to a wafer polishing apparatus for polishing a surface of a semiconductor wafer or the like forming an integrated circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】最近では、半導体素子の製造工程におい
て、ウェーハの鏡面にアルミニウム等を蒸着して回路パ
ターンを形成し、その上にＳｉＯ2等の絶縁膜を形成し
た後、この絶縁膜を研磨により平坦化して、さらにその
上に素子の内部構造を順次構築する技術が多用されてい
る。2. Description of the Related Art Recently, in a semiconductor device manufacturing process, aluminum or the like is deposited on a mirror surface of a wafer to form a circuit pattern, an insulating film such as SiO 2 is formed thereon, and then the insulating film is polished. There has been often used a technique of flattening and further building an internal structure of an element thereon.
【０００３】積層された上記絶縁膜を研磨するウェーハ
研磨装置として、表面に研磨パッドが貼付された円盤状
のプラテンと、研磨すべき絶縁膜等が形成されたウェー
ハの一面を保持して研磨パッドにウェーハの他面を当接
させる複数のウェーハ保持ヘッドと、これらウェーハ保
持ヘッドを研磨パッドに対し相対回転させるヘッド駆動
機構とを具備し、研磨パッドとウェーハとの間に研磨砥
粒を含むスラリー（研磨液）を供給することにより研磨
を行うものが広く知られている。As a wafer polishing apparatus for polishing the laminated insulating film, a disk-shaped platen having a polishing pad adhered to a surface thereof and a polishing pad holding one surface of a wafer having an insulating film to be polished formed thereon are held. A plurality of wafer holding heads for bringing the other surface of the wafer into contact with the wafer, and a head drive mechanism for rotating these wafer holding heads relative to the polishing pad, and a slurry containing abrasive grains between the polishing pad and the wafer It is widely known to perform polishing by supplying (polishing liquid).
【０００４】この種のウェーハ研磨装置では、前記研磨
パッド上の中心部分に供給されたスラリーを表面全体お
よびウェーハの他面に行き渡らせるようにするために、
研磨パッドの表面に複数の溝が形成されている。従来の
研磨パッドは、前記溝が格子状、複数の同心円状や螺旋
状に形成されているものが用いられていた。In this type of wafer polishing apparatus, the slurry supplied to the central portion on the polishing pad is spread over the entire surface and the other surface of the wafer.
A plurality of grooves are formed on the surface of the polishing pad. Conventional polishing pads have been used in which the grooves are formed in a lattice shape, a plurality of concentric circles or a spiral shape.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ウェーハ研磨装置には、以下のような課題が残されてい
る。すなわち、研磨パッドに形成される溝が格子状や螺
旋状である場合、遠心力によりスラリーが溝内を誘導さ
れて研磨パッドの外側に集中してしまい、ウェーハが不
均一に研磨されてしまうおそれがある。特に、格子状の
場合、細かく格子を形成すると、交差する溝によって形
成される角部が多くなり、研磨だれ等が生じてしまう不
都合があった。また、研磨パッドに形成される溝が同心
円状である場合、半径方向に間隔を空けて溝が複数存在
するため、遠心力によって広がろうとするスラリーが各
溝を飛び越え難く、スラリーを均一に広げることが困難
であった。However, the above-mentioned wafer polishing apparatus has the following problems. That is, when the grooves formed in the polishing pad are lattice-shaped or spiral-shaped, the slurry is guided in the grooves by the centrifugal force and concentrates on the outside of the polishing pad, and the wafer may be polished unevenly. There is. In particular, in the case of the lattice shape, if the lattice is formed finely, the corners formed by the intersecting grooves increase, and there has been a problem that dripping and the like may occur. Further, when the grooves formed in the polishing pad are concentric, there are a plurality of grooves spaced apart in the radial direction, so that the slurry that tends to spread due to centrifugal force hardly jumps over each groove, and spreads the slurry uniformly. It was difficult.
【０００６】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、研磨パッド上のスラリーを均一に面内に行き渡ら
せることができるウェーハ研磨装置を提供することを目
的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a wafer polishing apparatus capable of uniformly dispersing a slurry on a polishing pad in a plane.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載のウェーハ研磨装置では、表面に研磨パッドが貼
付されたプラテンと、研磨すべきウェーハの一面を保持
して前記研磨パッドにウェーハの他面を当接させる複数
のウェーハ保持ヘッドと、これらウェーハ保持ヘッドを
前記研磨パッドに対し相対運動させることにより研磨液
が供給された研磨パッド上でウェーハ他面を研磨するヘ
ッド駆動機構とを具備し、前記研磨パッドは、その表面
に中央部分から外側に向かって延在し前記研磨液を誘導
する複数の誘導溝が形成され、これら誘導溝は、それぞ
れの外側端部の位置が前記研磨パッドの半径方向に分散
されて配されている技術が採用される。The present invention has the following features to attain the object mentioned above. In other words, in the wafer polishing apparatus according to claim 1, a plurality of wafer holding heads for holding one surface of a wafer to be polished and abutting the other surface of the wafer with the platen having a polishing pad adhered to the surface. And a head drive mechanism for polishing the other surface of the wafer on the polishing pad to which the polishing liquid has been supplied by moving these wafer holding heads relative to the polishing pad, wherein the polishing pad has a central surface. A plurality of guide grooves extending outward from the portion and guiding the polishing liquid are formed, and the positions of the outer ends of these guide grooves are distributed in the radial direction of the polishing pad. Technology is adopted.
【０００８】このウェーハ研磨装置では、研磨パッドの
表面に中央部分から外側に向かって延在して形成された
複数の誘導溝が、それぞれの外側端部の位置が研磨パッ
ドの半径方向に分散されて配されているので、研磨パッ
ド上に供給された研磨液が誘導溝によって中央部分から
外側に向けて誘導され前記半径方向に分散配置された外
側端部から表面に出ていく。したがって、研磨液が誘導
溝に誘導されて表面に出ていく位置が、研磨パッドの半
径方向における異なる複数箇所であることから、研磨液
の外側への集中が抑制されるとともに、研磨液が研磨パ
ッドの表面全体に一様に行き渡り、研磨液の面内分布が
均一化される。In this wafer polishing apparatus, a plurality of guide grooves formed on the surface of the polishing pad so as to extend from the central portion to the outside are arranged such that the positions of the respective outer ends are distributed in the radial direction of the polishing pad. Therefore, the polishing liquid supplied onto the polishing pad is guided outward from the central portion by the guide grooves, and exits from the radially dispersed outer ends to the surface. Therefore, since the polishing liquid is guided to the guide groove and exits to the surface at a plurality of different positions in the radial direction of the polishing pad, the concentration of the polishing liquid to the outside is suppressed, and the polishing liquid is polished. The polishing liquid is uniformly distributed over the entire surface of the pad, and the in-plane distribution of the polishing liquid is made uniform.
【０００９】請求項２記載のウェーハ研磨装置では、請
求項１記載のウェーハ研磨装置において、前記各ウェー
ハ保持ヘッドは、前記研磨パッドの中心軸から同一距
離、かつ互いに該中心軸回りに均等に離間して配され、
前記誘導溝は、前記研磨パッドの中心軸回りに前記ウェ
ーハ保持ヘッドの数だけ複数の領域に均等に分割され、
前記各領域毎に同じ配置に設定されている技術が採用さ
れる。According to a second aspect of the present invention, in the wafer polishing apparatus according to the first aspect, the respective wafer holding heads are equally spaced from a central axis of the polishing pad and are equally spaced from each other around the central axis. And arranged
The guide groove is equally divided into a plurality of regions by the number of the wafer holding head around the central axis of the polishing pad,
A technique in which the same arrangement is set for each area is adopted.
【００１０】このウェーハ研磨装置では、誘導溝が研磨
パッドの中心軸回りにウェーハ保持ヘッドの数だけ分割
された各領域毎に同じ配置に設定されているので、均等
配置された各ウェーハ保持ヘッドに保持されたウェーハ
を、回転方向における研磨パッドのどの位置から研磨を
開始しても、各ウェーハは同様の配置に設定された各領
域の誘導溝上を同時に移動することとなる。したがっ
て、各ウェーハとも同一の研磨条件となり、ウェーハ間
の研磨精度が均一化される。In this wafer polishing apparatus, the guide grooves are set in the same arrangement in each area divided by the number of the wafer holding heads around the central axis of the polishing pad. Regardless of where the polishing of the held wafer is started from any position of the polishing pad in the rotational direction, each wafer moves simultaneously on the guide grooves in the respective regions set in the same arrangement. Therefore, each wafer has the same polishing conditions, and the polishing accuracy between the wafers is made uniform.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るウェーハ研磨
装置の一実施形態を図１から図５を参照しながら説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００１２】始めに図３を参照して全体の構成を簡単に
説明すると、図中符号１は基台であり、この基台１の中
央には円盤状のプラテン２が水平に設置されている。こ
のプラテン２は、基台１内に設けられたプラテン駆動機
構により軸線回りに回転されるようになっており、その
上面に軸線を同じくして貼付された円形状の研磨パッド
３を備えている。First, the overall structure will be briefly described with reference to FIG. 3. In the figure, reference numeral 1 denotes a base, and a disk-shaped platen 2 is horizontally installed at the center of the base 1. . The platen 2 is configured to be rotated around an axis by a platen driving mechanism provided in the base 1, and has a circular polishing pad 3 stuck on the upper surface with the same axis. .
【００１３】プラテン２の上方には、複数の支柱４を介
して上側取付板５が水平に固定されている。この上側取
付板５の下面にはプラテン２の中心軸と軸線を同じくし
た円盤状のカルーセル（ヘッド駆動機構）６が固定さ
れ、このカルーセル６にはプラテン２と対向する計６基
のウェーハ保持ヘッド７が設けられている。これらウェ
ーハ保持ヘッド７は、図４に示すように、カルーセル６
の中心から同一距離において、カルーセル６の中心軸回
りに６０゜毎に配置され、カルーセル６によりそれぞれ
遊星回転される。ただし、ウェーハ保持ヘッド７の個数
は６基に限定されず、２〜５基または７基以上でもよ
い。なお、各ウェーハ保持ヘッド７の自転周期は、プラ
テン２が一回転する間に、一回転するように設定されて
いる。An upper mounting plate 5 is horizontally fixed above the platen 2 via a plurality of columns 4. A disk-shaped carousel (head driving mechanism) 6 having the same axis as the center axis of the platen 2 is fixed to the lower surface of the upper mounting plate 5. A total of six wafer holding heads facing the platen 2 are mounted on the carousel 6. 7 are provided. These wafer holding heads 7, as shown in FIG.
At the same distance from the center of the carousel 6, every 60 degrees around the central axis of the carousel 6, and each carousel 6 rotates the planet. However, the number of wafer holding heads 7 is not limited to six, but may be two to five or seven or more. The rotation period of each wafer holding head 7 is set so that the platen 2 makes one rotation while the platen 2 makes one rotation.
【００１４】このウェーハ保持ヘッド７は、図５に示す
ように、中空のヘッド本体１１と、ヘッド本体１１内に
水平に張られたダイアフラム１２と、ダイアフラム１２
の下面に固定されウェーハＷの一面を保持するキャリア
１４と、キャリア１４の外周に上下に変位可能に取り付
けられたリテーナリング１５とを有し、ダイアフラム１
２によって画成された空気室１６へ、シャフト１８を通
じて加圧空気源２０から加圧空気を供給することによ
り、キャリア１４を下方へ押圧できるフローティングヘ
ッド構造になっている。このようなフローティングヘッ
ド構造は、研磨パッド３に対するウェーハＷの当接圧力
が均一化できる利点を有する。As shown in FIG. 5, the wafer holding head 7 has a hollow head main body 11, a diaphragm 12 stretched horizontally in the head main body 11, and a diaphragm 12
And a retainer ring 15 attached to the outer periphery of the carrier 14 so as to be vertically displaceable.
By supplying pressurized air from a pressurized air source 20 through a shaft 18 to an air chamber 16 defined by 2, a floating head structure capable of pressing the carrier 14 downward is provided. Such a floating head structure has an advantage that the contact pressure of the wafer W against the polishing pad 3 can be made uniform.
【００１５】次に、図１および図２を参照して研磨パッ
ド３について説明する。研磨パッド３には、図１に示す
ように、その表面に中央部分から外側に向かって放射状
に延在し、研磨砥粒を含むスラリー（研磨液）を誘導す
る複数の誘導溝２１が形成されている。これら誘導溝２
１は、それぞれの外側端部２１ａの位置が研磨パッド３
の半径方向に分散されて配されている。Next, the polishing pad 3 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, a plurality of guide grooves 21 are formed on the surface of the polishing pad 3 so as to extend radially outward from a central portion and guide a slurry (polishing liquid) containing polishing abrasive grains. ing. These guide grooves 2
1 is that the position of each outer end 21a is the polishing pad 3
Are distributed in the radial direction.
【００１６】これら誘導溝２１の各内側端部２１ｂは、
研磨パッド３の中央部分かつ前記半径方向における同一
位置（すなわち研磨パッド３の中心軸Ｏから等距離）に
それぞれ円状に並んで配されている。誘導溝２１は、研
磨パッド３の中心軸Ｏ回りにウェーハ保持ヘッド７の
数、すなわち６つの領域に均等に分割され、各領域毎に
同じ配置に設定されている。Each of the inner ends 21b of the guide grooves 21
They are arranged in a circle at the center of the polishing pad 3 and at the same position in the radial direction (that is, at the same distance from the central axis O of the polishing pad 3). The guide grooves 21 are equally divided into the number of the wafer holding heads 7 around the central axis O of the polishing pad 3, that is, six regions, and are set in the same arrangement for each region.
【００１７】各領域における誘導溝２１の外側端部２１
ａのうち、研磨パッド３の中心軸Ｏから最も近いもの
は、研磨パッド３に当接される各ウェーハＷのウェーハ
中心と前記半径方向においてほぼ同位置に配される。ま
た、誘導溝２１の外側端部２１ａのうち、研磨パッド３
の中心から最も遠いものは、研磨パッド３に当接される
各ウェーハＷの前記半径方向外方端と該半径方向におい
て同位置に配されている。外側端部２１ａの位置を上記
範囲に設定したのは、この位置より前記半径方向外方に
おいては研磨すべきウェーハＷが存在しないためであ
る。さらに、各領域における各外側端部２１ａは、回転
方向（図１中の矢印方向）の後方に向かって研磨パッド
３の外側から漸次内側に配されている。すなわち、各外
側端部２１ａから出た研磨液が回転方向後方に流れる
が、その際に回転方向後方において隣接する誘導溝２１
に再び入ってしまうことを防ぐためである。なお、研磨
パッド３は、時計回りに回転させられるとともに、各ウ
ェーハ保持ヘッド７も時計回りに自転させられる。Outer end 21 of guide groove 21 in each region
Of a, the one closest to the central axis O of the polishing pad 3 is disposed at substantially the same position in the radial direction as the wafer center of each wafer W abutting on the polishing pad 3. Also, the polishing pad 3 of the outer end 21a of the guide groove 21 is formed.
Are located farthest from the center in the radial direction and at the same position in the radial direction as the radially outer end of each wafer W abutting on the polishing pad 3. The position of the outer end 21a is set in the above range because there is no wafer W to be polished radially outward from this position. Further, each outer end portion 21a in each region is arranged gradually inward from the outside of the polishing pad 3 toward the rear in the rotation direction (the direction of the arrow in FIG. 1). That is, the polishing liquid flowing from each outer end 21a flows rearward in the rotational direction.
This is to prevent re-entry. The polishing pad 3 is rotated clockwise, and each wafer holding head 7 is also rotated clockwise.
【００１８】また、各誘導溝２１の外側端部２１ａは、
隣接する誘導溝２１の外側端部２１ａを結ぶ仮想線Ｋが
ウェーハ保持ヘッド７に保持されたウェーハＷ他面上の
任意の一点の軌跡と一致しないように配置されている。
すなわち、前記軌跡と前記仮想線Ｋとが一致すると、前
記任意の一点が研磨パッド３上を自転しながら移動する
際に、複数の外側端部２１ａ上を連続的に移動すること
により、外側端部２１ａから出てくるスラリーが前記任
意の一点に重点的に供給されてしまい、ウェーハＷにお
ける研磨の面内分布が不均一になるためである。The outer end 21a of each guide groove 21 is
The imaginary line K connecting the outer end portions 21 a of the adjacent guide grooves 21 is arranged so as not to coincide with the locus of an arbitrary point on the other surface of the wafer W held by the wafer holding head 7.
That is, when the trajectory coincides with the imaginary line K, when the arbitrary point moves while rotating on the polishing pad 3, the arbitrary point continuously moves on the plurality of outer end portions 21 a, so that the outer end This is because the slurry coming out of the portion 21a is mainly supplied to the arbitrary one point, and the in-plane distribution of polishing on the wafer W becomes non-uniform.
【００１９】上記構成のウェーハ研磨装置では、研磨パ
ッド３の表面に中央部分から外側に向かって延在して形
成された複数の誘導溝２１が、それぞれの外側端部２１
ａの位置が研磨パッド３の半径方向に分散されて配され
ているので、図２に示すように、研磨時に研磨パッド３
中央部分に供給されたスラリーが、誘導溝２１によって
中央部分から外側に向けて誘導され前記半径方向に分散
配置された外側端部２１ａから表面（図中の矢印方向）
に出ていく。In the above-structured wafer polishing apparatus, the plurality of guide grooves 21 formed on the surface of the polishing pad 3 so as to extend from the central portion to the outside are formed at the respective outer end portions 21.
Since the positions of “a” are distributed in the radial direction of the polishing pad 3, as shown in FIG.
The slurry supplied to the central portion is guided outward from the central portion by the guide groove 21 and is directed from the outer end portions 21a distributed in the radial direction to the surface (in the direction of the arrow in the figure).
Go out to.
【００２０】したがって、スラリーが誘導溝２１に誘導
されて表面に出ていく位置が、研磨パッド３の半径方向
における異なる複数箇所であることから、スラリーの外
側への集中が抑制されるとともに、スラリーが研磨パッ
ド３の表面全体およびウェーハＷの他面に一様に行き渡
り、スラリーの面内分布が均一化される。Therefore, since the positions where the slurry is guided to the guide groove 21 and exits to the surface are a plurality of different positions in the radial direction of the polishing pad 3, the concentration of the slurry to the outside is suppressed, and Spread uniformly over the entire surface of the polishing pad 3 and the other surface of the wafer W, and the in-plane distribution of the slurry is made uniform.
【００２１】また、誘導溝２１が研磨パッド３の中心軸
Ｏ回りにウェーハ保持ヘッド７の数だけ分割された各領
域毎に同じ配置に設定されているので、均等配置された
各ウェーハ保持ヘッド７に保持されたウェーハＷを、回
転方向における研磨パッド３のどの位置から研磨を開始
しても、各ウェーハＷは同様の配置に設定された各領域
の誘導溝２１上を同時に移動することとなる。したがっ
て、各ウェーハＷとも同一の研磨条件となり、ウェーハ
Ｗ間の研磨精度が均一化される。さらに、各誘導溝２１
は、互いに離間状態に交差することなく延在しているの
で、交差することにより生じる角部が全く無く、研磨だ
れが生じることもない。Further, since the guide grooves 21 are set in the same arrangement in each area divided by the number of the wafer holding heads 7 around the central axis O of the polishing pad 3, the wafer holding heads 7 arranged evenly are arranged. No matter which position of the polishing pad 3 in the rotational direction the wafer W held in is rotated, the respective wafers W move simultaneously on the guide grooves 21 in the respective regions set in the same arrangement. . Therefore, each wafer W has the same polishing conditions, and the polishing accuracy between the wafers W is uniform. Furthermore, each guide groove 21
Extend without intersecting with each other in a state of being separated from each other, so that there is no corner caused by the intersection, and no dripping occurs.
【００２２】なお、本実施形態では、誘導溝２１を中心
軸Ｏから放射状に配したが、研磨パッドの中央部分から
外側に延在して形成されているとともに、外側端部が半
径方向に分散して配されていれば構わない。例えば、誘
導溝が研磨パッドの中央部分から外側に向かう螺旋状に
形成され、各誘導溝の外側端部が半径方向に分散配置さ
れたものでもよい。In this embodiment, the guide grooves 21 are arranged radially from the central axis O. However, the guide grooves 21 are formed to extend outward from the central portion of the polishing pad, and the outer ends are dispersed in the radial direction. It does not matter if it is arranged. For example, the guide grooves may be formed in a spiral shape extending outward from the central portion of the polishing pad, and the outer ends of the guide grooves may be distributed in the radial direction.
【００２３】[0023]
【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 （１）請求項１記載のウェーハ研磨装置によれば、中央
部分から外側に向かって延在した複数の誘導溝の外側端
部の位置が、研磨パッドの半径方向に分散されて配され
ているので、研磨液が誘導溝によって誘導され前記半径
方向における異なる複数箇所から表面に出ていくことに
より、研磨液の外側への集中を抑制することができると
ともに、研磨液を研磨パッドの表面全体に一様に行き渡
らせ、研磨液の面内分布を均一化することができる。し
たがって、複数のウェーハを高精度かつ均一に研磨する
ことができるとともに、必要な研磨液が最小限で済む。According to the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the wafer polishing apparatus of the first aspect, the positions of the outer ends of the plurality of guide grooves extending outward from the central portion are distributed and arranged in the radial direction of the polishing pad. Since the polishing liquid is guided by the guide grooves and exits from the plurality of different locations in the radial direction to the surface, the concentration of the polishing liquid on the outside can be suppressed, and the polishing liquid is applied to the entire surface of the polishing pad. The polishing liquid can be evenly distributed, and the in-plane distribution of the polishing liquid can be made uniform. Therefore, a plurality of wafers can be polished with high accuracy and uniformity, and a required polishing liquid can be minimized.
【００２４】（２）請求項２記載のウェーハ研磨装置に
よれば、誘導溝が研磨パッドの中心軸回りにウェーハ保
持ヘッド数だけ分割された各領域毎に同じ配置に設定さ
れているので、均等配置された各ウェーハ保持ヘッドに
保持されたウェーハを、回転方向における研磨パッドの
どの位置から研磨を開始しても、各ウェーハとも同一の
研磨条件となり、ウェーハ間の研磨精度を均一化するこ
とができる。(2) According to the wafer polishing apparatus of the second aspect, the guide grooves are set in the same arrangement in each area divided by the number of wafer holding heads around the central axis of the polishing pad, so that the guide grooves are evenly arranged. Regardless of the position of the polishing pad in the rotation direction where the wafer held by each of the arranged wafer holding heads is polished, the same polishing conditions are applied to each wafer, and the polishing accuracy between the wafers can be made uniform. it can.
【図１】 本発明に係るウェーハ研磨装置の一実施形態
における研磨パッドを示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a polishing pad in an embodiment of a wafer polishing apparatus according to the present invention.
【図２】 本発明に係るウェーハ研磨装置の一実施形態
における研磨パッドの一部を拡大した要部断面図であ
る。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a part of a polishing pad in one embodiment of the wafer polishing apparatus according to the present invention.
【図３】 本発明に係るウェーハ研磨装置の全体の構成
を示す正面図である。FIG. 3 is a front view showing the entire configuration of the wafer polishing apparatus according to the present invention.
【図４】 同装置のウェーハ保持ヘッドとプラテンの配
置状態を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing an arrangement state of a wafer holding head and a platen of the apparatus.
【図５】 本発明に係るウェーハ研磨装置の一実施形態
におけるウェーハ保持ヘッドを示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a wafer holding head in one embodiment of the wafer polishing apparatus according to the present invention.
２ プラテン ３ 研磨パッド ６ カルーセル（ヘッド駆動機構） ７ ウェーハ保持ヘッド ２１ 誘導溝 ２１ａ 外側端部 Ｏ 研磨パッドの中心軸 Ｗ ウェーハ Reference Signs List 2 platen 3 polishing pad 6 carousel (head driving mechanism) 7 wafer holding head 21 guide groove 21a outer end O central axis of polishing pad W wafer
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−304860（ＪＰ，Ａ) 米国特許4940507（ＵＳ，Ａ) 仏国特許2063961（ＦＲ，Ｂ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B24B 37/00 H01L 21/304 622 Continuation of the front page (56) References JP-A-6-304860 (JP, A) US Patent 4,940,507 (US, A) French Patent 2,063,961 (FR, B) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , (DB name) B24B 37/00 H01L 21/304 622
Claims (2)
と、研磨すべきウェーハの一面を保持して前記研磨パッ
ドにウェーハの他面を当接させる複数のウェーハ保持ヘ
ッドと、これらウェーハ保持ヘッドを前記研磨パッドに
対し相対運動させることにより研磨液が供給された研磨
パッド上でウェーハ他面を研磨するヘッド駆動機構とを
具備し、 前記研磨パッドは、その表面に中央部分から外側に向か
って延在し前記研磨液を誘導する複数の誘導溝が形成さ
れ、 これら誘導溝は、それぞれの外側端部の位置が前記研磨
パッドの半径方向に分散されて配されていることを特徴
とするウェーハ研磨装置。1. A platen having a polishing pad affixed to a surface thereof, a plurality of wafer holding heads for holding one surface of a wafer to be polished and bringing the other surface of the wafer into contact with the polishing pad, A head drive mechanism for polishing the other surface of the wafer on the polishing pad to which the polishing liquid has been supplied by causing relative movement with respect to the polishing pad, wherein the polishing pad extends outward from a central portion on the surface thereof. A plurality of guide grooves for guiding the polishing liquid are formed, and the positions of the outer ends of these guide grooves are distributed in a radial direction of the polishing pad, and the wafer is polished. apparatus.
て、 前記各ウェーハ保持ヘッドは、前記研磨パッドの中心軸
から同一距離、かつ互いに該中心軸回りに均等に離間し
て配され、 前記誘導溝は、前記研磨パッドの中心軸回りに前記ウェ
ーハ保持ヘッドの数だけ複数の領域に均等に分割され、
前記各領域毎に同じ配置に設定されていることを特徴と
するウェーハ研磨装置。2. The wafer polishing apparatus according to claim 1, wherein each of the wafer holding heads is arranged at the same distance from a central axis of the polishing pad and equally spaced from each other around the central axis. Is equally divided into a plurality of regions by the number of the wafer holding head around the central axis of the polishing pad,
A wafer polishing apparatus, wherein the same arrangement is set for each of the regions.
Priority Applications (1)
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| JP173097A JP3149807B2 (en) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | Wafer polishing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP173097A JP3149807B2 (en) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | Wafer polishing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10193254A JPH10193254A (en) | 1998-07-28 |
| JP3149807B2 true JP3149807B2 (en) | 2001-03-26 |
Family
ID=11509688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP173097A Expired - Fee Related JP3149807B2 (en) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | Wafer polishing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3149807B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008507148A (en) * | 2004-07-19 | 2008-03-06 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | Polishing pad with flow-modifying groove network |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7125318B2 (en) * | 2003-11-13 | 2006-10-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad having a groove arrangement for reducing slurry consumption |
| CN106564004B (en) * | 2016-11-17 | 2018-10-19 | 湖北鼎龙控股股份有限公司 | A kind of polishing pad |
| CN107855913A (en) * | 2017-12-02 | 2018-03-30 | 广东轻工机械二厂有限公司 | A kind of more mill curved surface polishing machines |
| CN115431167A (en) * | 2022-09-22 | 2022-12-06 | 苏州苏纳光电有限公司 | Wafer polishing device and wafer polishing method |
| CN117245542B (en) * | 2023-11-17 | 2024-01-23 | 苏州博宏源机械制造有限公司 | Wafer double-sided polishing equipment and process |
-
1997
- 1997-01-08 JP JP173097A patent/JP3149807B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008507148A (en) * | 2004-07-19 | 2008-03-06 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | Polishing pad with flow-modifying groove network |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10193254A (en) | 1998-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20001219 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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